KR870011617A - 반도체 집적회로 장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 바람직한 제 1 실시예로서 행과 열어드레스버퍼회로용 기준전압을 생성하게 되는 기준전압 발생회로가 내장된 반도체 DRAM의 주요회로구성을 나타내는 도면,
제 2 도는 제 1 도의 메모리에서 기준전압 발생회로에 의해 생성되는 2종류의 기준전압에 대한 시간적 변화를 나타내는 측정 그래프,
제 3 도는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 DRAM의 주요회로 구성을 나타내는 도면,
Claims (1)
- 기판과,이 기판상에 설치되어 입력전압을 인가받아 그 입력전압의 논리레벨을 판정하는 제 1 의 회로수단(12,14) 및,상기 기판상에서 상기 제 1 의 회로수단에 배선을 통해 접속되도록 설치되어 전원전압을 인가받아 그 전원전압 보다 낮은 전압을 생성하는 제 2 의 회로수단(10,50)으로 구성되고,상기 전압은 논리레벨을 판정하는 때에 사용되는 기준전압으로서, 상기 제 1 의 회로수단에 공급됨과 더불어 상기 기준전압은 배선상에서 전위변동을 보상해 주도록 조정되는 전위레벨을 갖음에 의해 상기 기준 전압이 상기 배선상에서 변동하게 될 때에도 상기 제 1 의 회로수단이 입력전압의 논리판정에서의 오동작을 억제하게 되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP103404 | 1986-05-06 | ||
JP61103404A JPS62260355A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR870011617A true KR870011617A (ko) | 1987-12-24 |
Family
ID=14353113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR870004428A KR870011617A (ko) | 1986-05-06 | 1987-05-06 | 반도체 집적회로 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4875195A (ko) |
JP (1) | JPS62260355A (ko) |
KR (1) | KR870011617A (ko) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2809278B2 (ja) * | 1988-06-16 | 1998-10-08 | 富士通株式会社 | 半導体集積装置 |
US5077690A (en) * | 1989-08-09 | 1991-12-31 | Atmel Corporation | Memory input data test arrangement |
JP3385622B2 (ja) * | 1992-01-30 | 2003-03-10 | 富士通株式会社 | スタティックram |
US6181628B1 (en) | 1998-06-29 | 2001-01-30 | Cypress Semiconductor Corp. | Power-on-reset circuit with analog delay and high noise immunity |
US6462623B1 (en) | 1999-05-19 | 2002-10-08 | Parthus Ireland Limited | Method and apparatus for PLL with improved jitter performance |
JP2002008374A (ja) | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | 電圧降圧回路 |
US7541845B2 (en) * | 2001-08-31 | 2009-06-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Signal receiver apparatus and method for detecting logic state represented by an input signal and semiconductor integrated circuit device having the same |
KR100539252B1 (ko) * | 2004-03-08 | 2005-12-27 | 삼성전자주식회사 | 데이터 버스 및 커맨드/어드레스 버스를 통해 전송되는신호의 충실도를 향상시킬 수 있는 메모리 모듈 및 이를포함하는 메모리 시스템 |
KR100761369B1 (ko) * | 2005-03-31 | 2007-09-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온도변화 적응형 내부 전원 발생 장치 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5657336A (en) * | 1979-10-16 | 1981-05-19 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit |
JPS5780828A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit device |
-
1986
- 1986-05-06 JP JP61103404A patent/JPS62260355A/ja active Pending
-
1987
- 1987-05-05 US US07/046,155 patent/US4875195A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-05-06 KR KR870004428A patent/KR870011617A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62260355A (ja) | 1987-11-12 |
US4875195A (en) | 1989-10-17 |
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