KR870011617A - 반도체 집적회로 장치 - Google Patents

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KR870011617A
KR870011617A KR870004428A KR870004428A KR870011617A KR 870011617 A KR870011617 A KR 870011617A KR 870004428 A KR870004428 A KR 870004428A KR 870004428 A KR870004428 A KR 870004428A KR 870011617 A KR870011617 A KR 870011617A
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KR
South Korea
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voltage
circuit means
semiconductor integrated
integrated circuit
circuit device
Prior art date
Application number
KR870004428A
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English (en)
Inventor
마사키 모모도미
코지 사쿠이
Original Assignee
와타리 스기이치로
가부시키가이샤 도시바
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Publication date
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적회로 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 바람직한 제 1 실시예로서 행과 열어드레스버퍼회로용 기준전압을 생성하게 되는 기준전압 발생회로가 내장된 반도체 DRAM의 주요회로구성을 나타내는 도면,
제 2 도는 제 1 도의 메모리에서 기준전압 발생회로에 의해 생성되는 2종류의 기준전압에 대한 시간적 변화를 나타내는 측정 그래프,
제 3 도는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 DRAM의 주요회로 구성을 나타내는 도면,

Claims (1)

  1. 기판과,
    이 기판상에 설치되어 입력전압을 인가받아 그 입력전압의 논리레벨을 판정하는 제 1 의 회로수단(12,14) 및,
    상기 기판상에서 상기 제 1 의 회로수단에 배선을 통해 접속되도록 설치되어 전원전압을 인가받아 그 전원전압 보다 낮은 전압을 생성하는 제 2 의 회로수단(10,50)으로 구성되고,
    상기 전압은 논리레벨을 판정하는 때에 사용되는 기준전압으로서, 상기 제 1 의 회로수단에 공급됨과 더불어 상기 기준전압은 배선상에서 전위변동을 보상해 주도록 조정되는 전위레벨을 갖음에 의해 상기 기준 전압이 상기 배선상에서 변동하게 될 때에도 상기 제 1 의 회로수단이 입력전압의 논리판정에서의 오동작을 억제하게 되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR870004428A 1986-05-06 1987-05-06 반도체 집적회로 장치 KR870011617A (ko)

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JP103404 1986-05-06
JP61103404A JPS62260355A (ja) 1986-05-06 1986-05-06 半導体集積回路装置

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KR870011617A true KR870011617A (ko) 1987-12-24

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KR870004428A KR870011617A (ko) 1986-05-06 1987-05-06 반도체 집적회로 장치

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US4875195A (en) 1989-10-17

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