KR870007572A - 폴리실리콘 자체 정렬 바이폴라 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

폴리실리콘 자체 정렬 바이폴라 장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

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피. 베테트 더글러스
이. 브라이튼 제프리
랜디 홀링스워드 딤즈
쥬니어 매누엘 루이스 토레노
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엔. 라이스 머레트
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Abstract

내용 없음

Description

폴리실리콘 자체 정렬 바이폴라 장치 및 이의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도 내지 2,3는 본 발명의 양호한 실시예에 따라 제조되는 반도체 칩 중 한 셀의 확대 단면도로서 바이폴라 장치의 연속제조 단계를 도시한 도면.

Claims (18)

  1. 반도체의 표면에 형성된 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 반도체의 에미터-베이스 영역의 일부분 내에 형성된 제 2 도전형의 외인성 베이스, 에미터-베이스 영역상의 측벽상에 걸쳐 형성된 비도전성 스페이서를 갖고 있는 외인성 베이스상에 최소한 부분적으로 형성된 도전성 베이스 접촉 층, 외인성 베이스에 인접한 에미터-베이스 영역내의 진성 베이스, 외인성 베이스에 인접한 여부를 갖고 있는 진성 베이스내에 형성되고 스페이서의 외연부와 정렬된 제 2 도전형의 에미터, 및 트랜지스터를 둘러싼 절연 장치로 구성된 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  2. 제 1 항에 있어서, 에미터 및 베이스의 하부로 확장되는 제 2 도전형의 매입 콜렉터를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  3. 제 2 항에 있어서, 에미터가 스페이서와 접촉하는 에미터 영역상에 불순물 도프 에미터 접촉층을 용착시키고, 에미터 영역으로 불순물을 보내기 위해 에미터 영역을 가열시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  4. 제 3 항에 있어서, 베이스가 대응하는 베이스 영역상에 베이스 불순물로 도포된 베이스 접촉층을 용착시키고, 베이스 영역내로 베이스 불순물을 보내기 위해 베이스 접촉층을 가열시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 바이폴리트 랜지스터.
  5. 제 4 항에 있어서, 매입 콜렉터에 전기 접촉을 제공하고 콜렉터 접촉 영역으로부터 에미터-베이스 영역을 분리시키는 국부 산화물 절연을 제공하기 위한 콜렉터 접촉 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  6. 제 2 항에 있어서, 절연 장치가 매입 콜렉터를 통해 하향 확장되는 트랜치를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  7. 제 6 항에 있어서, 트랜치가 트랜지스터를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  8. 제 7 항에 있어서, 트랜치가 얇은 산화물 층으로 피막된 다음 폴리실리콘으로 채워지는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  9. 제 7 항에 있어서, 트랜치가 거의 일정한 폭을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  10. 제 7 항에 있어서, 트랜치 밑에 채널 정지영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  11. 제 5 항에 있어서, 콜렉터 접촉 영역이 제 2 도전형의 불순물의 깊은 이식과 깊은 이식의 후속 환산에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  12. 제11항에 있어서, 에미터가 N-형이고, 베이스가 P-형이며, 콜렉터가 N-형인 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  13. 제 4 항에 있어서, 에미터 및 베이스 접촉층이 폴리실리콘인 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  14. 에미터-베이스 영역과 간격을 두고 떨어진 콜렉터 접촉 영역을 갖고 있는 반도체 기질의 표면상에 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, 에미터-베이스 영역의 일부분상에 제 1 도전형의 외인성 베이스 도포 도전층을 형성하는 수단, 외인성 베이스 층의 측벽상에 측별 절연 스페이서를 형성하는 수단, 외인성 베이스 영역을 형성하기 위해 외인성 베이스 도프 도전층으로 부터 반도체내로 외인성 베이스 불순물을 확산시키는 수단, 외인성 베이스에 인접한 진성 베이스를 형성하기 위해 에미터-베이스 영역의 나머지 부분내로 진성 베이스 불순물을 이식하여 확산시키는 수단, 스페이서에 접촉하는 진성 베이스 영역의 일부분상에 제 2 도전형의 에미터 불순물 도포 에미터 접촉층을 형성하는 수단, 진성 베이스내에 에미터를 형성하기 위해 반도체를 가열하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 에미터 및 베이스 영역이 에피랙셜 층내에 형성되는 경우에 콜렉터를 형성하기 위해 기질내에 제 2 도전형의 불순물을 이식하여 환산시키고 콜렉터 상에 얇은 에디택셜층을 성장시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제14항에 있어서, 에피택셜 층내의 콜렉터 접촉영역 아래의 콜렉터 접촉 영역내에 콜렉터 불순물을 깊게 이식시킨 다음 콜렉터 접촉 영역에 걸쳐 콜렉터 불순물을 계속 확산시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제14항에 있어서, 기질내로 확장되는 절연 트랜치를 형성하여 트랜지스터를 봉입하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제14항에 있어서, 외인성 베이스 접촉 층이 제 1 종 불순물로 도포된 저압 화학 증착 비결정성 실리콘인 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870000683A 1986-01-30 1987-01-28 폴리실리콘 자체 정렬 바이폴라 장치 및 이의 제조 방법 KR950001146B1 (ko)

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