KR20240106266A - 적층형 전자 부품 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품은 유전체층 및 내부 전극을 포함하는 바디; 및 상기 바디 상에 배치된 전극층 및 상기 전극층 상에 배치된 도금층을 포함하는 외부 전극; 을 포함하고, 상기 도금층은 상기 바디 상으로 연장되어 바디와 접하도록 배치된 연장부를 포함하며, 상기 연장부는 연장부가 접하는 바디의 표면과 결정립의 장축이 이루는 각도가 70도 이상 110도 이하인 결정립을 하나 이상 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 적층형 전자 부품에 관한 것이다.
적층형 전자 부품의 하나인 적층 세라믹 커패시터(MLCC: Multi-Layer Ceramic Capacitor)는 액정 표시 장치(LCD: Liquid Crystal Display) 및 플라즈마 표시 장치 패널(PDP: Plasma Display Panel) 등의 영상 기기, 컴퓨터, 스마트폰 및 휴대폰 등 여러 전자 제품의 인쇄회로기판에 장착되어 전기를 충전시키거나 또는 방전시키는 역할을 하는 칩 형태의 콘덴서이다.
이러한 적층 세라믹 커패시터는 소형이면서 고용량이 보장되고 실장이 용이하다는 장점으로 인해 다양한 전자 장치의 부품으로 사용될 수 있다. 최근 컴퓨터, 모바일 기기 등 각종 전자 기기가 소형화, 고출력화되면서 적층 세라믹 커패시터의 소형화 및 고용량화에 대한 요구도 증대되고 있다. 또한, 적층 세라믹 커패시터의 사용 환경이 다양해짐에 따라 높은 신뢰성이 요구되고 있다.
적층 세라믹 커패시터는 습기 환경 하에서 절연저항이 열화될 수 있다. 특히, 외부 전극의 밴드부 끝단에서 바디와 도금층 간의 계면이 벌어지는 경우 수분, 수소 등의 침투 경로가 생성되어 내습 신뢰성이 저하될 수 있다.
따라서, 외부 전극의 밴드부 끝단에서 바디와 도금층 간의 계면이 벌어져 수분 등의 침투 경로가 생성되는 것을 억제할 수 있는 방안이 필요하다.
본 발명의 여러 목적 중 하나는 적층형 전자 부품의 신뢰성을 향상시키기 위함이다.
본 발명의 여러 목적 중 하나는 외부 전극의 밴드부 끝단에서 바디와 도금층 간의 계면이 벌어져 수분 등의 침투 경로가 생성되는 것을 억제하기 위함이다.
다만, 본 발명의 목적은 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품은 유전체층 및 내부 전극을 포함하는 바디; 및 상기 바디 상에 배치된 전극층 및 상기 전극층 상에 배치된 도금층을 포함하는 외부 전극; 을 포함하고, 상기 도금층은 상기 바디 상으로 연장되어 바디와 접하도록 배치된 연장부를 포함하며, 상기 연장부는 연장부가 접하는 바디의 표면과 결정립의 장축이 이루는 각도가 70도 이상 110도 이하인 결정립을 하나 이상 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품은 유전체층 및 내부 전극을 포함하는 바디; 및 상기 바디 상에 배치된 전극층 및 상기 전극층 상에 배치된 도금층을 포함하는 외부 전극; 을 포함하고, 상기 도금층은 상기 바디 상으로 연장되어 바디와 접하도록 배치된 연장부를 포함하며, 상기 연장부는 결정립의 성장 방향이 상기 연장부와 접하는 바디의 표면과 실질적으로 수직한 방향일 수 있다.
본 발명의 여러 효과 중 하나는 도금층의 연장부가 바디의 표면과 결정립의 장축이 이루는 각도가 70도 이상 110도 이하인 결정립을 하나 이상 포함함에 따라 바디와 도금층 간의 결합력을 향상시킨 것이다.
본 발명의 여러 효과 중 하나는 바디와 도금층 간의 계면 벌어짐을 방지함에 따라 수분 등이 바디 내부로 침투하는 것을 억제한 것이다.
다만, 본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품을 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 I-I` 단면도이다.
도 3은 도 1의 II-II` 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품의 바디를 분해하여 도시한 분해 사시도이다.
도 5는 도 2의 P 영역을 확대한 도면이다.
도 6은 발명예의 밴드부 끝단의 도금층을 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope, SEM)으로 스캔하여 얻은 이미지이다.
도 7은 비교예의 밴드부 끝단의 도금층을 개략적으로 도시한 것이다.
도 8은 비교예의 밴드부 끝단의 도금층을 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope, SEM)으로 스캔하여 얻은 이미지이다.
도 2는 도 1의 I-I` 단면도이다.
도 3은 도 1의 II-II` 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품의 바디를 분해하여 도시한 분해 사시도이다.
도 5는 도 2의 P 영역을 확대한 도면이다.
도 6은 발명예의 밴드부 끝단의 도금층을 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope, SEM)으로 스캔하여 얻은 이미지이다.
도 7은 비교예의 밴드부 끝단의 도금층을 개략적으로 도시한 것이다.
도 8은 비교예의 밴드부 끝단의 도금층을 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope, SEM)으로 스캔하여 얻은 이미지이다.
이하, 구체적인 실시형태 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 통상의 기술자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타낸 것이므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 또한, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다. 나아가, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도면에서, 제1 방향은 두께(T) 방향, 제2 방향은 길이(L) 방향, 제3 방향은 폭(W) 방향으로 정의될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품을 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 I-I` 단면도이다.
도 3은 도 1의 II-II` 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품의 바디를 분해하여 도시한 분해 사시도이다.
도 5는 도 2의 P 영역을 확대한 도면이다.
이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품(100)에 대해 설명한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품(100)은 유전체층(111) 및 내부 전극(121, 122)을 포함하는 바디(110); 및 상기 바디 상에 배치된 전극층(131a, 132a) 및 상기 전극층 상에 배치된 도금층(131b, 132b)을 포함하는 외부 전극(131, 132); 을 포함하고, 상기 도금층(131b, 132b)은 상기 바디 상으로 연장되어 바디와 접하도록 배치된 연장부(131b2, 132b2)를 포함하며, 상기 연장부는 연장부가 접하는 바디의 표면과 결정립의 장축(Lx)이 이루는 각도가 70도 이상 110도 이하인 결정립을 하나 이상 포함할 수 있다.
종래의 일반적인 도금층의 경우, 외부 전극의 밴드부 끝단에서 바디와 도금층 간의 계면이 벌어져 수분 등의 침투 경로가 생성되기 용이하였다. 도금층은 일반적으로 금속으로 이루어져 바디와의 결합력이 낮기 때문이다.
또한, 본 발명자들이 연구한 결과 종래의 일반적인 도금층의 경우 전극층으로부터 전하를 받아 성장된 결정립으로 구성되기 때문에 밴드부 끝단에서 도금층의 결정립 성장 방향이 횡 방향을 가져 바디와의 결합력이 낮음을 밝혀낼 수 있었다.
본 발명의 일 실시예에 따라 도금층의 연장부(131b2, 132b)에 연장부가 접하는 바디의 표면(BS)과 결정립의 장축(Lx)이 이루는 각도가 70도 이상 110도 이하인 결정립을 포함시키는 경우 바디(110)와 도금층(131b, 132b)간의 결합력을 향상시킬 수 있으며, 이에 따라 적층형 전자 부품의 내습 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품(100)에 포함되는 각각의 구성에 대하여 설명한다.
바디(110)는 유전체층(111) 및 내부 전극(121, 122)이 교대로 적층 되어 있다.
바디(110)의 구체적인 형상에 특별히 제한은 없지만, 도시된 바와 같이 바디(110)는 육면체 형상이나 이와 유사한 형상으로 이루어질 수 있다. 소성 과정에서 바디(110)에 포함된 세라믹 분말의 수축으로 인하여, 바디(110)는 완전한 직선을 가진 육면체 형상은 아니지만 실질적으로 육면체 형상을 가질 수 있다.
바디(110)는 제1 방향으로 서로 마주보는 제1 및 제2 면(1, 2), 상기 제1 및 제2 면(1, 2)과 연결되고 제2 방향으로 서로 마주보는 제3 및 제4 면(3, 4), 제1 및 제2 면(1, 2)과 연결되고 제3 및 제4 면(3, 4)과 연결되며 제3 방향으로 서로 마주보는 제5 및 제6 면(5, 6)을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 바디(110)는 제1 면과 제3 면을 연결하는 제1-3 코너, 상기 제1 면과 제4 면을 연결하는 제1-4 코너, 상기 제2 면과 제3 면을 연결하는 제2-3 코너, 상기 제2 면과 제4 면을 연결하는 제2-4 코너를 포함하며, 상기 제1-3 코너 및 제2-3 코너는 상기 제3 면에 가까워질수록 상기 바디의 제1 방향 중앙으로 수축된 형태를 가지고, 상기 제1-4 코너 및 제2-4 코너는 상기 제4 면에 가까워질수록 상기 바디의 제1 방향 중앙으로 수축된 형태를 가질 수 있다.
유전체층(111) 상에 내부 전극(121, 122)이 배치되지 않은 마진 영역이 중첩됨에 따라 내부 전극(121, 122) 두께에 의한 단차가 발생하여 제1 면과 제3 내지 제5 면을 연결하는 코너 및/또는 제2 면과 제3 내지 제5 면을 연결하는 코너는 제1 면 또는 제2 면을 기준으로 볼 때 바디(110)의 제1 방향 중앙 쪽으로 수축된 형태를 가질 수 있다. 또는, 바디의 소결 과정에서의 수축 거동에 의해 제1 면(1)과 제3 내지 제6 면(3, 4, 5, 6)을 연결하는 코너 및/또는 제2 면(2)과 제3 내지 제6 면(3, 4, 5, 6)을 연결하는 코너는 제1 면 또는 제2 면을 기준으로 볼 때 바디(110)의 제1 방향 중앙 쪽으로 수축된 형태를 가질 수 있다. 또는, 칩핑 불량 등을 방지하기 위하여 바디(110)의 각 면을 연결하는 모서리를 별도의 공정을 수행하여 라운드 처리함에 따라 제1 면과 제3 내지 제6 면을 연결하는 코너 및/또는 제2 면과 제3 내지 제6 면을 연결하는 코너는 라운드 형태를 가질 수 있다.
상기 코너는 제1 면과 제3 면을 연결하는 제1-3 코너, 제1 면과 제4 면을 연결하는 제1-4 코너, 제2 면과 제3 면을 연결하는 제2-3 코너, 제2 면과 제4 면을 연결하는 제2-4 코너를 포함할 수 있다. 또한, 코너는 제1 면과 제5 면을 연결하는 제1-5 코너, 제1 면과 제6 면을 연결하는 제1-6 코너, 제2 면과 제5 면을 연결하는 제2-5 코너, 제2 면과 제6 면을 연결하는 제2-6 코너를 포함할 수 있다. 바디(110)의 제1 내지 제6 면은 대체로 평탄한 면일 수 있으며, 평탄하지 않은 영역을 코너로 볼 수 있다. 이하, 각 면의 연장선이란 각 면의 평탄한 부분을 기준으로 연장한 선을 의미할 수 있다.
이때, 외부 전극(131, 132) 중 바디(110)의 코너 상에 배치된 영역을 코너부, 바디(110)의 제3 및 제4 면 상에 배치된 영역을 접속부, 바디의 제1 및 제2 면 상에 배치된 영역을 밴드부라 할 수 있다.
한편, 내부 전극(121, 122)에 의한 단차를 억제하기 위하여, 적층 후 내부 전극이 바디의 제5 및 제6 면(5, 6)으로 노출되도록 절단한 후, 단일 유전체층 또는 2 개 이상의 유전체층을 용량 형성부(Ac)의 양측면에 제3 방향(폭 방향)으로 적층 하여 마진부(114, 115)를 형성하는 경우에는 제1 면과 제5 및 제6 면을 연결하는 부분 및 제2 면과 제5 및 제6 면을 연결하는 부분이 수축된 형태를 가지지 않을 수 있다.
바디(110)를 형성하는 복수의 유전체층(111)은 소성된 상태로서, 인접하는 유전체층(111) 사이의 경계는 주사전자현미경(SEM: Scanning Electron Microscope)를 이용하지 않고 확인하기 곤란할 정도로 일체화될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 유전체층(111)을 형성하는 원료는 충분한 정전 용량을 얻을 수 있는 한 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 티탄산바륨계 재료, 납 복합 페로브스카이트계 재료 또는 티탄산스트론튬계 재료 등을 사용할 수 있다. 상기 티탄산바륨계 재료는 BaTiO3계 세라믹 분말을 포함할 수 있으며, 상기 세라믹 분말의 예시로, BaTiO3, BaTiO3에 Ca(칼슘), Zr(지르코늄) 등이 일부 고용된 (Ba1-xCax)TiO3 (0<x<1), Ba(Ti1-yCay)O3 (0<y<1), (Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3 (0<x<1, 0<y<1)또는 Ba(Ti1-yZry)O3 (0<y<1) 등을 들 수 있다.
또한, 상기 유전체층(111)을 형성하는 원료는 티탄산바륨(BaTiO3) 등의 파우더에 본 발명의 목적에 따라 다양한 세라믹 첨가제, 유기용제, 결합제, 분산제 등이 첨가될 수 있다.
한편, 유전체층(111)의 평균 두께(td)는 특별히 한정할 필요는 없다. 예를 들어, 유전체층(111)의 평균 두께(td)는 0.2μm 이상 2μm 이하일 수 있다. 다만, 일반적으로 유전체층을 0.6μm 미만의 두께로 얇게 형성하는 경우, 특히 유전체층의 두께가 0.35μm 이하인 경우에는 인해 적층형 전자 부품(100)의 신뢰성이 더욱 저하될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 도금층의 연장부(131b2, 132b2)의 결정립을 제어함으로써, 유전체층(111)의 평균 두께(td)가 0.35μm 이하인 경우에도 적층형 전자 부품(100)의 신뢰성을 확보할 수 있다. 즉, 유전체층(111)의 평균 두께(td)가 0.35μm 이하인 경우에 본 발명에 따른 신뢰성 향상 효과가 보다 현저해질 수 있다.
유전체층(111)의 평균 두께(td)는 상기 제1 및 제2 내부 전극(121, 122) 사이에 배치되는 유전체층(111)의 평균 두께(td)를 의미할 수 있다.
유전체층(111)의 평균 두께(td)는 바디(110)의 길이 및 두께 방향(L-T) 단면을 1만 배율의 주사전자현미경(SEM, Scanning Electron Microscope)으로 이미지를 스캔하여 측정할 수 있다. 보다 구체적으로, 스캔된 이미지에서 하나의 유전체층을 길이 방향으로 등간격인 30개의 지점에서 그 두께를 측정하여 평균값을 측정할 수 있다. 상기 등간격인 30개의 지점은 용량 형성부(Ac)에서 지정될 수 있다. 또한, 이러한 평균값 측정을 10개의 유전체층으로 확장하여 평균값을 측정하면, 유전체층의 평균 두께를 더욱 일반화할 수 있다.
바디(110)는 바디(110)의 내부에 배치되며, 유전체층(111)을 사이에 두고 서로 마주보도록 배치되는 제1 내부 전극(121) 및 제2 내부 전극(122)을 포함하여 용량이 형성되는 용량 형성부(Ac)와 상기 용량 형성부(Ac)의 제1 방향 상부 및 하부에 형성된 커버부(112, 113)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 용량 형성부(Ac)는 커패시터의 용량 형성에 기여하는 부분으로서, 유전체층(111)을 사이에 두고 복수의 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 반복적으로 적층 하여 형성될 수 있다.
커버부(112, 113)는 상기 용량 형성부(Ac)의 제1 방향 상부에 배치되는 상부 커버부(112) 및 상기 용량 형성부(Ac)의 제1 방향 하부에 배치되는 하부 커버부(113)를 포함할 수 있다.
상기 상부 커버부(112) 및 하부 커버부(113)는 단일 유전체층 또는 2 개 이상의 유전체층을 용량 형성부(Ac)의 상하면에 각각 두께 방향으로 적층 하여 형성할 수 있으며, 기본적으로 물리적 또는 화학적 스트레스에 의한 내부 전극의 손상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.
상기 상부 커버부(112) 및 하부 커버부(113)는 내부 전극을 포함하지 않으며, 유전체층(111)과 동일한 재료를 포함할 수 있다.
즉, 상기 상부 커버부(112) 및 하부 커버부(113)는 세라믹 재료를 포함할 수 있으며, 예를 들어 티탄산바륨(BaTiO3)계 세라믹 재료를 포함할 수 있다.
또한, 상기 용량 형성부(Ac)의 측면에는 마진부(114, 115)가 배치될 수 있다.
마진부(114, 115)는 바디(110)의 제5 면(5)에 배치된 제1 마진부(114)와 제6 면(6)에 배치된 제2 마진부(115)를 포함할 수 있다. 즉, 마진부(114, 115)는 상기 바디(110)의 폭 방향 양 단면(end surfaces)에 배치될 수 있다.
마진부(114, 115)는 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 바디(110)를 폭-두께(W-T) 방향으로 자른 단면(cross-section)에서 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)의 양 끝단과 바디(110)의 경계면 사이의 영역을 의미할 수 있다.
마진부(114, 115)는 기본적으로 물리적 또는 화학적 스트레스에 의한 내부 전극의 손상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.
마진부(114, 115)는 세라믹 그린시트 상에 마진부가 형성될 곳을 제외하고 도전성 페이스트를 도포하여 내부 전극을 형성함으로써 형성된 것일 수 있다.
또한, 내부 전극(121, 122)에 의한 단차를 억제하기 위하여, 적층 후 내부 전극이 바디의 제5 및 제6 면(5, 6)으로 노출되도록 절단한 후, 단일 유전체층 또는 2 개 이상의 유전체층을 용량 형성부(Ac)의 양측면에 제3 방향(폭 방향)으로 적층 하여 마진부(114, 115)를 형성할 수도 있다.
내부 전극(121, 122)은 유전체층(111)과 교대로 배치될 수 있다.
내부 전극(121, 122)은 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)은 바디(110)를 구성하는 유전체층(111)을 사이에 두고 서로 대향하도록 번갈아 배치되며, 바디(110)의 제3 및 제4 면(3, 4)으로 각각 노출될 수 있다.
도 2를 참조하면, 제1 내부 전극(121)은 제4 면(4)과 이격되며 제3 면(3)을 통해 노출되고, 제2 내부 전극(122)은 제3 면(3)과 이격되며 제4 면(4)을 통해 노출될 수 있다. 바디의 제3 면(3)에는 제1 전극층(131)이 배치되어 제1 내부 전극(121)과 연결되고, 바디의 제4 면(4)에는 제2 전극층(132)이 배치되어 제2 내부 전극(122)과 연결될 수 있다.
즉, 제1 내부 전극(121)은 제2 전극층(131)과는 연결되지 않고 제1 전극층(131)과 연결되며, 제2 내부 전극(122)은 제1 전극층(131)과는 연결되지 않고 제2 전극층(131)과 연결된다. 따라서, 제1 내부 전극(121)은 제4 면(4)에서 일정거리 이격되어 형성되고, 제2 내부 전극(122)은 제3 면(3)에서 일정거리 이격되어 형성될 수 있다.
이때, 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)은 중간에 배치된 유전체층(111)에 의해 서로 전기적으로 분리될 수 있다.
바디(110)는 제1 내부 전극(121)이 인쇄된 세라믹 그린 시트와 제2 내부 전극(122)이 인쇄된 세라믹 그린 시트를 번갈아 적층 한 후, 소성하여 형성할 수 있다.
내부 전극(121, 122)을 형성하는 재료는 특별히 제한되지 않으며, 전기 전도성이 우수한 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, 내부 전극(121, 122)은 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 주석(Sn), 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한, 내부 전극(121, 122)은 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 주석(Sn), 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금 중 하나 이상을 포함하는 내부 전극용 도전성 페이스트를 세라믹 그린 시트에 인쇄하여 형성할 수 있다. 상기 내부 전극용 도전성 페이스트의 인쇄 방법은 스크린 인쇄법 또는 그라비아 인쇄법 등을 사용할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 내부 전극(121, 122)의 평균 두께(te)는 특별히 한정할 필요는 없다. 예를 들어, 내부 전극(121, 122)의 평균 두께(te)는 0.2μm 이상 2μm 이하일 수 있다.
다만, 일반적으로 내부 전극을 0.6μm 미만의 두께로 얇게 형성하는 경우, 특히 내부 전극의 두께가 0.35μm 이하인 경우에는 적층형 전자 부품(100)의 신뢰성이 더욱 문제될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면 도금층의 연장부(131b2, 132b2)의 결정립을 제어함으로써, 내부 전극(121, 122)의 평균 두께(te)가 0.35μm 이하인 경우에도 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
따라서, 내부 전극(121, 122)의 두께가 평균 0.35μm 이하인 경우에 본 발명에 따른 효과가 보다 현저해질 수 있으며, 적층형 전자 부품의 소형화 및 고용량화를 보다 용이하게 달성할 수 있다.
여기서, 내부 전극(121, 122)의 평균 두께(te)는 하나의 내부 전극의 평균 두께(te)를 의미할 수 있다.
내부 전극(121, 122)의 평균 두께(te)는 바디(110)의 길이 및 두께 방향(L-T) 단면을 1만 배율의 주사전자현미경(SEM, Scanning Electron Microscope)으로 이미지를 스캔하여 측정할 수 있다. 보다 구체적으로, 스캔된 이미지에서 하나의 내부 전극을 길이 방향으로 등간격인 30개의 지점에서 그 두께를 측정하여 평균값을 측정할 수 있다. 상기 등간격인 30개의 지점은 용량 형성부(Ac)에서 지정될 수 있다. 또한, 이러한 평균값 측정을 10개의 내부 전극으로 확장하여 평균값을 측정하면, 내부 전극의 평균 두께를 더욱 일반화할 수 있다.
외부 전극(131, 132)은 바디(110)의 제3 면(3) 및 제4 면(4)에 배치될 수 있다.
외부 전극(131, 132)은 바디(110)의 제3 및 제4 면(3, 4)에 각각 배치되어, 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)과 각각 연결된 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)을 포함할 수 있다. 이때, 외부 전극(131, 132) 중 바디(110)의 코너 상에 배치된 영역을 코너부, 바디(110)의 제3 및 제4 면 상에 배치된 영역을 접속부, 바디의 제1 및 제2 면 상에 배치된 영역을 밴드부라 할 수 있다.
본 실시 형태에서는 적층형 전자 부품(100)이 2개의 외부 전극(131, 132)을 갖는 구조를 설명하고 있지만, 외부 전극(131, 132)의 개수나 형상 등은 내부 전극(121, 122)의 형태나 기타 다른 목적에 따라 바뀔 수 있을 것이다.
외부 전극(131, 132)은 전극층(131a, 132a) 및 전극층 상에 배치된 도금층(131b, 132b)을 포함할 수 있다.
전극층(131a, 132a)은 금속 등과 같이 전기 전도성을 갖는 것이라면 어떠한 물질을 사용하여 형성될 수 있고, 전기적 특성, 구조적 안정성 등을 고려하여 구체적인 물질이 결정될 수 있으며, 나아가 다층 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 전극층(131a, 132a)은 도전성 금속 및 글라스를 포함한 소성(firing) 전극일 수 있다.
일 실시예에서, 전극층(131a, 132a)은 도전성 금속 및 수지를 포함한 수지계 전극일 수 있다.
일 실시예에서, 전극층(131a, 132a)은 금속 원소를 95at% 이상 포함할 수 있다. 즉, 전극층(131a, 132a)은 실질적으로 금속으로 이루어질 수 있다.
또한, 전극층(131a, 132a)은 바디 상에 소성 전극 및 수지계 전극이 순차적으로 형성된 형태일 수 있다. 또한, 전극층(131a, 132a)은 바디 상에 도전성 금속을 포함한 시트를 전사하는 방식으로 형성되거나, 소성 전극 상에 도전성 금속을 포함한 시트를 전사하는 방식으로 형성된 것일 수 있다.
전극층(131a, 132a)에 사용되는 도전성 금속은 정전 용량 형성을 위해 상기 내부 전극과 전기적으로 연결될 수 있는 재질이면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 주석(Sn), 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.
도금층(131b, 132b)은 바디(110) 상으로 연장되어 바디와 접하도록 배치된 연장부(131b2, 132b2)를 포함하며, 연장부(131b2, 132b2)는 연장부가 접하는 바디의 표면(BS)과 결정립의 장축(Lx)이 이루는 각도가 70도 이상 110도 이하인 결정립을 하나 이상 포함할 수 있다.
도금층(131b, 132b)은 기본적으로 전극층(131a, 132a)을 보호하는 역할 및/또는 실장 특성을 향상시키는 역할을 수행할 수 있다.
종래의 도금층 구조인 비교예에 대한 도 7 및 도 8을 참조하면, 전극층(32a)과 도금층(32b)의 계면과 달리 바디(110)와 도금층(32b)의 계면은 결합력이 낮아, 도금 중 발생하는 응력이나 도금 후 외력에 의해 벌어질 우려가 있었다. 또한, 벌어진 계면은 수분 침투의 경로가 되어 내습 신뢰성의 열화를 야기할 수 있었다. 한편, 종래의 도금층(32b) 상에 추가 도금층(32c)이 배치될 수 있었다.
본 발명자들이 연구한 결과 종래의 일반적인 도금층(32b)의 경우 전극층(32a)으로부터 전하를 받아 성장된 결정립으로 구성되기 때문에 밴드부 끝단에서 도금층의 결정립 성장 방향이 횡 방향을 가져 바디와의 결합력이 낮음을 밝혀낼 수 있었다.
도금층(32b)의 미세 구조를 살펴보면, 전극층(32a)에 인접한 제1 영역(Z1`)에 미세한 결정립(G1`)들이 형성되어 있고, 제1 영역(Z1`) 상의 제2 영역(Z2`)에 크게 성장되어 형성된 결정립(G2`)들을 확인할 수 있다. 이때, 결정립(G2`)의 장축(Lx) 방향을 결정립의 성장 방향으로 볼 수 있다. 결정립의 성장 방향에서 알 수 있듯이, 도금 조직은 전극층(32a)으로부터 자라난 형상을 가지며, 바디(110)와 접하는 부분의 결정립은 바디의 표면과 평행한 성장 방향을 가져 도금층(32b)이 바디(110)와 접합되어 있더라도 큰 결합력을 가지기 어렵다.
반면, 본 발명의 일 실시예에 따라 도금층의 연장부(131b2, 132b)에 연장부가 접하는 바디의 표면(BS)과 결정립의 장축(Lx)이 이루는 각도가 70도 이상 110도 이하인 결정립을 포함시키는 경우 바디(110)와 도금층(131b, 132b)간의 결합력을 향상시킬 수 있으며, 이에 따라 적층형 전자 부품의 내습 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
일 실시예에서, 도 5 및 도 6을 참조하면, 연장부(131b2, 132b2)는 바디와 인접한 제1 영역(Z1) 및 상기 제1 영역 상에 배치된 제2 영역(Z2)을 포함하고, 상기 제1 영역에 포함된 결정립을 제1 결정립(G1), 상기 제2 영역에 포함된 결정립을 제2 결정립(G2), 상기 제2 결정립의 장축이 상기 연장부가 접하는 바디의 표면과 이루는 각도를 θ2라 할 때, 상기 제2 결정립 중 적어도 하나 이상은 θ2가 70도 이상 110도 이하를 만족할 수 있다.
θ2가 70도 이상 110도 이하를 만족하는 경우 종 방향으로 성장된 결정립으로 볼 수 있으며, 연장부(131b2, 132b2)가 종 방향으로 성장된 결정립을 포함하지 않는 경우, 연장부(131b2, 132b2)와 바디 간의 결합력이 저하되어 연장부가 바디 계면으로부터 떨어질 우려가 있다.
보다 바람직하게는 제2 결정립(G2) 중 적어도 하나 이상은 θ2가 80도 이상 100도 이하를 만족할 수 있다. 또한, 보다 더 바람직하게는 제2 결정립의 θ2 평균값은 70도 이상 110도 이하를 만족할 수 있다.
한편, 도 1 내지 도 6에서는 연장부(131b2, 132b2)가 외부 전극의 밴드부에 배치된 구조를 도시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 외부 전극이 밴드부를 가지지 않는 경우 도금층이 바디와 접하는 부분을 연장부로 볼 수 있다.
하기 표 1은 도 7 및 도 8의 도금층 구조를 가지는 비교예와 도 5 및 도 6의 도금층 구조를 가지는 발명예에 대하여 내습 신뢰성을 측정하여 평가한 결과이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 비교예는 도금층이 바디와 접하는 부분인 연장부에서 결정립의 성장 방향이 연장부가 접하는 바디의 표면과 70도 미만으로 횡방향으로 성장한 것을 확인할 수 있다.
반면에, 도 5 및 도 6을 참조하면, 발명예는 도금층의 연장부(131b2, 132b)에 연장부가 접하는 바디의 표면(BS)과 결정립의 장축(Lx)이 이루는 각도가 70도 이상 110도 이하인 결정립을 포함하며, 결정립의 성장 방향이 종방향으로 성장한 것을 확인할 수 있다.
내습 신뢰성 평가는 비교예 및 발명예 각각 400개의 샘플을 준비한 후, 온도 85℃ 습도 85%의 조건에서 3시간 동안 평가 기종의 1Vr(=정격전압)을 인가한 후, 절연저항이 107Ω 이하로 떨어진 경우 불량으로 판단하여 불량인 샘플의 개수를 기재하였다.
구분 | 내습 신뢰성 평가 | 내습 신뢰성 불량율 |
비교예 | 8/400 | 2% |
발명예 | 1/400 | 0.25% |
상기 표 1에서 확인할 수 있듯이, 비교예의 경우 400개의 샘플 중 내습 신뢰성이 불량인 샘플의 개수가 8개인 반면, 발명예의 경우 400개의 샘플 중 내습 신뢰성이 불량인 샘플의 개수가 1개로 연장부의 결정립 형태에 따라 내습 신뢰성에 현저한 차이가 발생하는 것을 확인할 수 있다.
일 실시예에서 연장부(131b2, 132b)는 결정립의 성장 방향이 상기 연장부와 접하는 바디의 표면(BS)과 실질적으로 수직한 방향일 수 있다.
여기서, 연장부(131b2, 132b)는 결정립의 성장 방향이 상기 연장부와 접하는 바디의 표면(BS)과 실질적으로 수직한 방향이라는 것은 연장부(131b2, 132b)에 연장부가 접하는 바디의 표면(BS)과 결정립의 장축(Lx)이 이루는 각도가 70도 이상 110도 이하인 결정립을 포함하는 것을 의미할 수 있다.
상술한 연장부(131b2, 132b2)의 구조를 확보하기 위한 방법은 특별히 제한할 필요는 없다. 예를 들어, 도금층(131b, 132b) 형성 전 표면 처리를 통해 바디로부터 도금 씨드(seed)가 성장되도록 할 수 있다. 이때, 표면 처리는 전기 화학 반응, 유기 화학 반응 등을 의미할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 제2 결정립(G2)의 장축 길이의 평균값은 1μm 이상일 수 있다. 제2 결정립(G2)의 장축 길이의 평균값이 1μm 미만인 경우에는 결정립 성장이 충분하지 않아 연장부와 바디 간의 결합력 향상 효과가 불충분할 우려가 있다.
일 실시예에서, 제2 결정립(G2)의 장축(Lx) 길이의 평균값은 단축 길이의 평균값의 3배 이상일 수 있다. 제2 결정립(G2)의 장축(Lx) 길이의 평균값이 단축 길이의 평균값의 3배 미만인 경우에는 결정립 성장이 충분하지 않아 연장부와 바디 간의 결합력 향상 효과가 불충분할 우려가 있다. 여기서 제2 결정립(G2)의 단축이란 제2 결정립(G2)의 장축(Lx)의 중앙에서 제2 결정립(G2)의 장축(Lx)과 직교하는 선을 의미할 수 있다.
제2 결정립의 장축(Lx) 및 제2 결정립의 장축이 연장부가 접하는 바디의 표면과 이루는 각도(θ2)를 측정하는 방법은 특별히 제한하지 않는다. 예를 들어 적층형 전자 부품(100)의 제3 방향 중심부에서 절단한 제1 및 제2 방향 단면에서, SEM(Scanning Electron Microscope) 분석을 실시함으로써 측정할 수 있다.
도 9(a)를 참조하면, 제2 결정립(G2)의 장축(Lx)은 제2 결정립의 결정립계를 구성하는 선분들 중 연장부가 접하는 바디의 표면(BS)과 가장 멀리 이격된 선분의 중점(M1)과 가장 인접한 선분의 중점(M2)을 연결한 직선일 수 있다.
한편, 도 9(b)를 참조하면, 제2 결정립(G2)은 입성장 조건에 따라 최하단에 위치하는 첨점(Sharp Point)이 존재할 수 있다. 이 경우, 제2 결정립(G2)의 장축(Lx)은 연장부가 접하는 바디의 표면(BS)과 가장 멀리 이격된 선분의 중점(M1)과 가장 인접한 첩점(SP)을 연결한 직선을 의미할 수 있다.
상술한 바와 같이 제2 결정립(G2)의 장축(Lx)을 결정한 후 바디의 표면(BS)과 이루는 각도(θ2)를 측정할 수 있다.
제2 결정립의 장축이 연장부가 접하는 바디의 표면과 이루는 각도(θ2), 제2 결정립(G2)의 장축 및 단축 길이의 평균값은 임의의 제2 결정립(G2)들 중 5개 이상의 결정립에서 측정한 값의 평균값을 의미할 수 있다.
한편, 제1 결정립(G1), 제3 결정립(G3) 및 제4 결정립(G4)의 수치들도 제2 결정립과 유사하게 적층형 전자 부품(100)의 제3 방향 중심부에서 절단한 제1 및 제2 방향 단면에서, SEM(Scanning Electron Microscope) 분석을 실시함으로써 측정할 수 있다.
제1 결정립(G1)은 도금 씨드(seed) 역할을 수행할 수 있으며, 이에 따라 결정립의 크기가 작을 수 있다. 반면, 제2 결정립(G2)은 제1 결정립(G1)으로부터 성장된 형태를 가지며 제1 결정립(G1) 보다 결정립 크기가 클 수 있다.
일 실시예에서, 제2 결정립(G2)의 평균 크기는 제1 결정립(G1)의 평균 크기의 2배 이상일 수 있다. 이때, 제1 결정립(G1)의 크기란 제1 결정립(G1)의 장축 길이 및 단축 길이의 평균값을 의미할 수 있으며, 제2 결정립(G2)의 크기란 제2 결정립(G2)의 장축 길이 및 단축 길이의 평균값을 의미할 수 있다.
제1 및 제2 결정립(G1, G2)의 크기는 특별히 한정할 필요는 없다. 예를 들어, 제1 결정립의 평균 크기는 0.5μm 이하일 수 있다. 또한, 제2 결정립의 평균 크기는 1μm 이상일 수 있다.
일 실시예에서, 도금층(131b, 132b) 중 전극층(131a, 132a) 상에 배치된 영역을 전극 커버부(131b1, 132b1)라 할 때, 전극 커버부(131b1, 132b1)는 상기 전극층과 인접한 제3 영역(Z3) 및 상기 제3 영역 상에 배치된 제4 영역(Z4)을 포함하고, 상기 제3 영역에 포함된 결정립을 제3 결정립(G3), 상기 제4 영역에 포함된 결정립을 제4 결정립(G4), 상기 제4 결정립의 장축이 상기 연장부가 접하는 바디의 표면과 이루는 각도를 θ4라 할 때, 상기 제4 결정립 중 적어도 하나 이상은 θ4가 60도 이하이거나 130도 이상일 수 있다.
전극 커버부(131b1, 132b1)의 결정립들은 도금시 전극층(131a, 132a)으로부터 전하를 받아 성장하게 되므로 전극층(131a, 132a)의 표면과 수직한 방향으로 결정립이 성장하게 될 수 있다. 제3 결정립(G3)은 도금 씨드(seed) 역할을 수행할 수 있으며, 이에 따라 결정립의 크기가 작을 수 있다. 반면, 제4 결정립(G4)은 제3 결정립(G3)으로부터 성장된 형태를 가지며 제3 결정립(G3) 보다 결정립 크기가 클 수 있다.
일 실시예에서, 제4 결정립(G4)의 평균 크기는 제3 결정립(G3)의 평균 크기의 2배 이상일 수 있다. 이때, 제3 결정립(G3)의 크기란 제3 결정립(G3)의 장축 길이 및 단축 길이의 평균값을 의미할 수 있으며, 제4 결정립(G4)의 크기란 제4 결정립(G4)의 장축 길이 및 단축 길이의 평균값을 의미할 수 있다.
제3 및 제4 결정립(G3, G4)의 크기는 특별히 한정할 필요는 없다. 예를 들어, 제3 결정립의 평균 크기는 0.5μm 이하일 수 있다. 또한, 제4 결정립의 평균 크기는 1μm 이상일 수 있다.
한편, 전극층(131a, 132a)의 밴드부 끝단은 점차 얇아지는 형태를 가지기 때문에, 밴드부 끝단에 가까울수록 θ4는 60도 이하로 점차 줄어들어 0도에 수렴할 수 있으며, 또는 130도 이상으로 점차 증가하여 180도에 수렴할 수 있다.
따라서, 제4 영역(Z4)은 연장부(131b2, 131b2)와 인접한 영역에 상기 θ4가 60도 이하이거나 130도 이상인 제4 결정립(G4)을 포함할 수 있다.
또한, 도 5 및 도 6을 참조하면, 연장부(131b2, 131b2)와 전극 커버부(131b1, 132b1)의 경계를 기준으로 결정립의 성장 방향이 크게 변화하는 것을 확인할 수 있으며, 연장부(131b2, 131b2)와 전극 커버부(131b1, 132b1)의 경계에서 θ2와 θ4의 차이가 가장 커질 수 있다.
일 실시예에서, 전극 커버부(131b1, 132b1)는 결정립의 성장 방향이 상기 전극 커버부와 접하는 전극층(131a, 132a)의 표면과 실질적으로 수직한 방향일 수 있다.
일 실시예에서, 도금층(131b, 132b)은 Cu, Ni, Pd, Cr 및 이들의 합금 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 보다 바람직하게는 도금층(131b, 132b)은 Ni, Cu 및 이들의 합금 중 하나 이상을 포함할 수 있다. Ni, Cu 및 이들의 합금은 전극층(131a, 132a)을 외부 환경으로부터 보다 용이하게 보호할 수 있기 때문이다. 보다 더 바람직하게는 도금층(131b, 132b)은 Ni 도금층일 수 있다.
한편, 도금층(131b, 132b)은 금속 원소의 함량이 95at% 이상일 수 있다. 즉, 도금층(131b, 132b)은 실질적으로 금속으로 이루어질 수 있다.
일 실시예에서, 외부 전극(131, 132)은 도금층(131b, 132b) 상에 배치되는 추가 도금층(131c, 132c)을 더 포함할 수 있다. 추가 도금층(131c, 132c)은 기본적으로 실장 특성을 향상시키는 역할을 수행할 수 있다.
추가 도금층(131c, 132c)의 종류는 특별히 제한하지 않으며, 실장 방법에 따라 선택할 수 있다. 예를 들어, 적층형 전자 부품을 솔더를 이용하여 기판에 실장하는 경우 추가 도금층(131c, 132c)은 Sn 도금층인 것이 바람직할 수 있다. 또한, 적층형 전자 부품을 도전성 접착제를 이용하여 기판에 실장하는 경우 추가 도금층(131c, 132c)은 Pd, Ag 및 이들의 합금을 포함하는 것이 바람직할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품(100)은 유전체층(111) 및 내부 전극(121, 122)을 포함하는 바디(110); 및 상기 바디 상에 배치된 전극층(131a, 132a) 및 상기 전극층 상에 배치된 도금층(131b, 132b)을 포함하는 외부 전극(131, 132); 을 포함하고, 상기 도금층(131b, 132b)은 상기 바디 상으로 연장되어 바디와 접하도록 배치된 연장부(131b2, 132b2)를 포함하며, 상기 연장부(131b2, 132b)는 결정립의 성장 방향이 상기 연장부와 접하는 바디의 표면(BS)과 실질적으로 수직한 방향일 수 있다.
여기서, 연장부(131b2, 132b)는 결정립의 성장 방향이 상기 연장부와 접하는 바디의 표면(BS)과 실질적으로 수직한 방향이라는 것은 연장부(131b2, 132b)에 연장부가 접하는 바디의 표면(BS)과 결정립의 장축(Lx)이 이루는 각도가 70도 이상 110도 이하인 결정립을 포함하는 것을 의미할 수 있다.
일 실시예에서, 전극 커버부(131b1, 132b1)는 결정립의 성장 방향이 상기 전극 커버부와 접하는 전극층(131a, 132a)의 표면과 실질적으로 수직한 방향일 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
또한, 본 개시에서 사용된 '일 실시예'라는 표현은 서로 동일한 실시예를 의미하지 않으며, 각각 서로 다른 고유한 특징을 강조하여 설명하기 위해서 제공된 것이다. 그러나, 상기 제시된 일 실시예들은 다른 일 실시예의 특징과 결합되어 구현되는 것을 배제하지 않는다. 예를 들어, 특정한 일 실시예에서 설명된 사항이 다른 일 실시예에서 설명되어 있지 않더라도, 다른 일 실시예에서 그 사항과 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 다른 일 실시예에 관련된 설명으로 이해될 수 있다.
본 개시에서 사용된 용어는 단지 일 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 개시를 한정하려는 의도가 아니다. 이때, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
100: 적층형 전자 부품
110: 바디
111: 유전체층
112, 113: 커버부
114, 115: 마진부
121, 122: 내부 전극
131, 132: 외부 전극
131a, 132a: 전극층
131b, 132b: 도금층
131b1, 132b1: 전극 커버부
131b2, 132b2: 연장부
Z1: 제1 영역
Z2: 제2 영역
Z3: 제3 영역
Z4: 제4 영역
G1: 제1 결정립
G2: 제2 결정립
G3: 제3 결정립
G4: 제4 결정립
131c, 132c: 추가 도금층
110: 바디
111: 유전체층
112, 113: 커버부
114, 115: 마진부
121, 122: 내부 전극
131, 132: 외부 전극
131a, 132a: 전극층
131b, 132b: 도금층
131b1, 132b1: 전극 커버부
131b2, 132b2: 연장부
Z1: 제1 영역
Z2: 제2 영역
Z3: 제3 영역
Z4: 제4 영역
G1: 제1 결정립
G2: 제2 결정립
G3: 제3 결정립
G4: 제4 결정립
131c, 132c: 추가 도금층
Claims (18)
- 유전체층 및 내부 전극을 포함하는 바디; 및
상기 바디 상에 배치된 전극층 및 상기 전극층 상에 배치된 도금층을 포함하는 외부 전극; 을 포함하고,
상기 도금층은 상기 바디 상으로 연장되어 바디와 접하도록 배치된 연장부를 포함하며,
상기 연장부는 연장부와 접하는 바디의 표면과 결정립의 장축이 이루는 각도가 70도 이상 110도 이하인 결정립을 하나 이상 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 연장부는 바디와 인접한 제1 영역 및 상기 제1 영역 상에 배치된 제2 영역을 포함하고,
상기 제1 영역에 포함된 결정립을 제1 결정립, 상기 제2 영역에 포함된 결정립을 제2 결정립, 상기 제2 결정립의 장축이 상기 연장부가 접하는 바디의 표면과 이루는 각도를 2라 할 때,
상기 제2 결정립 중 적어도 하나 이상은 θ2가 70도 이상 110도 이하를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제2항에 있어서,
상기 제2 결정립 중 적어도 하나 이상은 θ2가 80도 이상 100도 이하를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제2항에 있어서,
상기 제2 결정립의 θ2 평균값은 70도 이상 110도 이하를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제2항에 있어서,
상기 제2 결정립의 장축 길이의 평균값은 1μm 이상인
적층형 전자 부품.
- 제2항에 있어서,
상기 제2 결정립의 장축 길이의 평균값은 단축 길이의 평균값의 3배 이상인
적층형 전자 부품.
- 제2항에 있어서,
상기 제2 결정립의 장축은 상기 제2 결정립계를 구성하는 선분들 중 상기 연장부가 접하는 바디의 표면과 가장 멀리 이격된 선분의 중점과 가장 인접한 선분의 중점을 연결한 직선이거나, 상기 연장부가 접하는 바디의 표면과 가장 멀리 이격된 선분의 중점과 가장 인접한 첩점을 연결한 직선인
적층형 전자 부품.
- 제2항에 있어서,
상기 제2 결정립의 평균 크기는 상기 제1 결정립의 평균 크기의 2배 이상인
적층형 전자 부품.
- 제2항에 있어서,
상기 제1 결정립의 평균 크기는 0.5μm 이하인
적층형 전자 부품.
- 제2항에 있어서,
상기 제2 결정립의 평균 크기는 1μm 이상인
적층형 전자 부품.
- 제2항에 있어서,
상기 도금층 중 상기 전극층 상에 배치된 영역을 전극 커버부라 할 때,
상기 전극 커버부는 상기 전극층과 인접한 제3 영역 및 상기 제3 영역 상에 배치된 제4 영역을 포함하고,
상기 제3 영역에 포함된 결정립을 제3 결정립, 상기 제4 영역에 포함된 결정립을 제4 결정립, 상기 제4 결정립의 장축이 상기 연장부가 접하는 바디의 표면과 이루는 각도를 θ4라 할 때,
상기 제4 결정립 중 적어도 하나 이상은 θ4가 60도 이하이거나 130도 이상인
적층형 전자 부품.
- 제11항에 있어서,
상기 제4 영역은 상기 연장부와 인접한 영역에 상기 θ4가 60도 이하이거나 130도 이상인 제4 결정립을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제11항에 있어서,
상기 제4 결정립의 평균 크기는 상기 제3 결정립의 평균 크기의 2배 이상인
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 도금층은 Cu, Ni, Pd, Cr 및 이들의 합금 중 하나 이상을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 외부 전극은 상기 도금층 상에 배치되는 추가 도금층을 더 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제15항에 있어서,
상기 도금층은 Ni 도금층이며, 상기 추가 도금층은 Sn 도금층인
적층형 전자 부품.
- 유전체층 및 내부 전극을 포함하는 바디; 및
상기 바디 상에 배치된 전극층 및 상기 전극층 상에 배치된 도금층을 포함하는 외부 전극; 을 포함하고,
상기 도금층은 상기 바디 상으로 연장되어 바디와 접하도록 배치된 연장부를 포함하며,
상기 연장부는 결정립의 성장 방향이 상기 연장부와 접하는 바디의 표면과 실질적으로 수직한 방향인
적층형 전자 부품.
- 제17항에 있어서,
상기 도금층 중 상기 전극층 상에 배치된 영역을 전극 커버부라 할 때,
상기 전극 커버부는 결정립의 성장 방향이 상기 전극 커버부와 접하는 전극층의 표면과 실질적으로 수직한 방향인
적층형 전자 부품.
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