KR20240102554A - Display apparatus - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 208
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 20
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 4
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N molybdenum titanium Chemical compound [Ti].[Mo] ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
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Abstract
본 발명은 제1 및 제2 발광 영역을 포함하는 기판; 기판 상에서, 제1 발광 영역에 형성된 박막 트랜지스터; 기판 상에서, 제2 발광 영역에 형성된 복수의 더미 패턴; 박막 트랜지스터 및 복수의 더미 패턴 상에 형성된 평탄화층; 평탄화층 상에 형성된 발광 소자를 포함하고, 박막 트랜지스터의 드레인 전극은 제2 발광 영역으로 연장되며, 제2 발광 영역에서, 평탄화층은 드레인 전극을 노출시키는 개구부를 포함하고, 개구부에서, 드레인 전극 상에 돌출부가 형성된, 표시 장치를 제공한다.The present invention relates to a substrate including first and second light emitting regions; On the substrate, a thin film transistor formed in the first light-emitting region; On the substrate, a plurality of dummy patterns formed in the second light emitting area; A planarization layer formed on the thin film transistor and a plurality of dummy patterns; a light emitting element formed on a planarization layer, wherein the drain electrode of the thin film transistor extends to a second light emitting region, wherein the planarization layer includes an opening exposing the drain electrode, and in the opening, a drain electrode on the drain electrode. A display device having a protrusion formed thereon is provided.
Description
본 발명은 표시장치에 관한 것이다. The present invention relates to a display device.
정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD, Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP, Plasma Display Panel), 및 전계 발광 표시 장치 (ELD: Electroluminescence Display)와 같은 여러 표시 장치가 활용되고 있다. 그리고, 전계 발광 표시 장치는 유기 발광 표시 장치(OLED, Organic Light Emitting Display) 및 퀀텀닷 발광 표시 장치(QLED, Quantum-dot Light Emitting Display)와 같은 표시장치를 포함할 수 있다. As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. Accordingly, recently, various display devices such as liquid crystal display (LCD), plasma display panel (PDP), and electroluminescence display (ELD) have been used. Additionally, the electroluminescent display device may include a display device such as an organic light emitting display (OLED) and a quantum dot light emitting display (QLED).
표시장치들 중에서 전계 발광 표시 장치는 자체발광형으로서, 액정표시장치(LCD)에 비해 시야각, 대조비 등이 우수하며, 별도의 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능하며, 소비전력이 유리한 장점이 있다. 또한, 전계 발광 표시장치는 직류저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 특히 제조비용이 저렴한 장점이 있다. 특히, 발광 영역의 개구율을 증가시키기 위해, 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 발광 소자의 애노드 전극이 발광 영역 내부에서 컨택되는 구조에 대한 연구가 진행되고 있다.Among display devices, electroluminescent displays are self-luminous and have superior viewing angles and contrast ratios compared to liquid crystal displays (LCDs). They do not require a separate backlight, so they can be lightweight and thin, and have the advantage of low power consumption. . In addition, electroluminescent displays have the advantage of being capable of driving at low direct current voltages, having a fast response speed, and especially low manufacturing costs. In particular, in order to increase the aperture ratio of the light emitting area, research is being conducted on a structure in which the drain electrode of a thin film transistor and the anode electrode of a light emitting device are in contact within the light emitting area.
본 발명은 발광 영역 내부에 형성된 개구부의 단차가 감소된 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The purpose of the present invention is to provide a display device in which the step of an opening formed inside a light emitting area is reduced.
목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 제1 및 제2 발광 영역을 포함하는 기판; 기판 상에서, 제1 발광 영역에 형성된 박막 트랜지스터; 기판 상에서, 제2 발광 영역에 형성된 복수의 더미 패턴; 박막 트랜지스터 및 복수의 더미 패턴 상에 형성된 평탄화층; 평탄화층 상에 형성된 발광 소자를 포함하고, 박막 트랜지스터의 드레인 전극은 제2 발광 영역으로 연장되며, 제2 발광 영역에서, 평탄화층은 드레인 전극을 노출시키는 개구부를 포함하고, 개구부에서, 드레인 전극 상에 돌출부가 형성된, 표시 장치를 제공한다.In order to achieve the object, the present invention includes a substrate including first and second light emitting regions; On the substrate, a thin film transistor formed in the first light-emitting region; On the substrate, a plurality of dummy patterns formed in the second light emitting area; A planarization layer formed on the thin film transistor and a plurality of dummy patterns; a light emitting element formed on a planarization layer, wherein the drain electrode of the thin film transistor extends to a second light emitting region, wherein the planarization layer includes an opening exposing the drain electrode, and in the opening, a drain electrode on the drain electrode. A display device having a protrusion formed thereon is provided.
본 발명에 따르면, 발광 영역 내부에서, 발광 소자와 드레인 전극이 연결되는 개구부에 복수의 더미 패턴 및 돌출부를 형성함으로써, 발광 영역의 개구율을 증가시켜 저전력 구동을 구현하면서도, 발광 소자를 안정적으로 형성할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, by forming a plurality of dummy patterns and protrusions in the opening where the light-emitting device and the drain electrode are connected inside the light-emitting region, the aperture ratio of the light-emitting region can be increased to achieve low-power driving while stably forming the light-emitting device. There is a possible effect.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제5 실시 예에 따른 표시 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a display device according to a first embodiment of the present invention.
Figure 2 is a cross-sectional view of a display device according to a second embodiment of the present invention.
Figure 3 is a cross-sectional view of a display device according to a third embodiment of the present invention.
Figure 4 is a cross-sectional view of a display device according to a fourth embodiment of the present invention.
Figure 5 is a cross-sectional view of a display device according to a fifth embodiment of the present invention.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and will be implemented in various different forms. These embodiments only serve to ensure that the disclosure of the present invention is complete and that common knowledge in the technical field to which the present invention pertains is not limited. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining embodiments of the present invention are illustrative, and the present invention is not limited to the matters shown. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. Additionally, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the plural is included unless specifically stated otherwise.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.When interpreting a component, it is interpreted to include the margin of error even if there is no separate explicit description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of a positional relationship, for example, if the positional relationship of two parts is described as 'on top', 'on the top', 'on the bottom', 'next to', etc., 'immediately' Alternatively, there may be one or more other parts placed between the two parts, unless 'directly' is used.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if a temporal relationship is described as 'after', 'successfully after', 'after', 'before', etc., 'immediately' or 'directly' Unless used, non-consecutive cases may also be included.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may also be the second component within the technical spirit of the present invention.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다. Each feature of the various embodiments of the present invention can be combined or combined with each other partially or entirely, and various technical interconnections and operations are possible, and each embodiment can be implemented independently of each other or together in a related relationship. It may be possible.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a display device according to a first embodiment of the present invention.
도 1을 참고하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시 장치는 발광 영역(EA) 및 비발광 영역(NEA)을 포함할 수 있다. 또한, 발광 영역(EA)은 구동 박막 트랜지스터(400)가 배치된 제1 영역(EA1) 및 복수의 더미 패턴(500)이 배치된 제2 영역(EA2)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the display device according to the first embodiment of the present invention may include an emitting area (EA) and a non-emitting area (NEA). Additionally, the light emitting area EA may include a first area EA1 where the driving
발광 영역(EA)의 제1 영역(EA1)에는 기판(100), 차단층(200), 버퍼층(300), 구동 박막 트랜지스터(400), 층간 절연층(600), 패시베이션층(650), 평탄화층(700), 돌출부(800), 발광 소자(900) 및 뱅크(950)가 형성될 수 있다.The first area EA1 of the light emitting area EA includes a
기판(100)은 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. The
본 발명의 제1 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 발광된 광이 상부 쪽으로 방출되는 소위 상부 발광(Top emission) 방식으로 이루어지고, 따라서, 기판(100)의 재료로는 투명한 재료뿐만 아니라 불투명한 재료가 이용될 수 있다. The electroluminescent display device according to the first embodiment of the present invention is made of a so-called top emission method in which the emitted light is emitted toward the top, and therefore, the material of the
차단층(200)은 기판(100) 상에 형성되며, 광을 차단할 수 있는 도전성 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 차단층(200)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 또는 크롬(Cr) 등의 금속 물질 또는 이들의 합금을 포함하여 이루어질 수 있다. 또한, 차단층(200)은 단일층으로 도시되어 있으나, 다중층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 차단층(200)은 이중층으로 형성될 수 있으며, 이중층은 서로 다른 물질을 포함하는 하부층 및 상부층으로 구성될 수 있다. 이 때, 하부층은 몰리브덴-티타늄 합금(MoTi)으로 이루어지고, 상부층은 구리(Cu)로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The
버퍼층(300)은 기판(100) 상에서, 차단층(200)을 덮도록 형성될 수 있다. 버퍼층(300)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)을 포함하여 이루어질 수 있다. 또한, 버퍼층(300)은 단일층으로 도시되어 있으나. 다중층으로 형성될 수 있다. 버퍼층(300)은 차단층(200)을 절연시키며, 버퍼층(300) 상에 형성되는 층들과 기판(100) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다.The
구동 박막 트랜지스터(400)는 버퍼층(300) 상에 형성될 수 있다. 또한, 구동 박막 트랜지스터(400)는 차단층(200)과 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 이에 따라, 구동 박막 트랜지스터(400) 하부에 차단층(200)이 배치됨으로써, 외부 광이 구동 박막 트랜지스터(400)에 영향을 미치는 것을 방지하여, 구동 박막 트랜지스터(400)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The driving
구동 박막 트랜지스터(400)는 반도체층(410), 게이트 절연층(420), 게이트 전극(430), 소스 전극(441) 및 드레인 전극(442)을 포함할 수 있다. The driving
구동 박막 트랜지스터(400)의 반도체층(410)은 버퍼층(300) 상에 형성될 수 있다. 반도체층(410)은 폴리 실리콘(Poly-Silicon) 반도체 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 그리고, 반도체층(410)이 산화물 반도체를 포함하는 경우, IGZO(indium- gallium-zinc-oxide), IZO(indium-zinc-oxide), IGTO(indium-gallium-tin-oxide), 및 IGO(indium-gallium-oxide)중 적어도 하나의 산화물을 포함하여 이루어질 수 있다. The
구동 박막 트랜지스터(400)의 게이트 절연층(420)은 반도체층(410) 상에 형성되어, 게이트 전극(430)을 반도체층(410)으로부터 절연시킬 수 있다. 구동 박막 트랜지스터(400)의 게이트 절연층(420)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)을 포함하여 이루어질 수 있다. 또한, 게이트 절연층(420)은 단일층으로 도시되어 있으나. 다중층으로 형성될 수 있다.The
구동 박막 트랜지스터(400)의 게이트 전극(430)은 게이트 절연층(420) 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(430)은 반도체층(410)의 채널 영역과 중첩되도록 게이트 절연층(420) 상에 형성될 수 있다. The
도시되지는 않았으나, 구동 박막 트랜지스터(400)의 게이트 전극(430)은 차단층(200)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 도전성 물질로 이루어진 차단층(200)을 전기적으로 안정화시킬 수 있고, 차단층(200)이 반도체층(410)의 정상적인 동작을 방해하는 것을 방지할 수 있다.Although not shown, the
또한, 차단층(200)이 구동 박막 트랜지스터(400)의 게이트 전극(430)과 전기적으로 연결되므로, 본원발명의 구동 박막 트랜지스터(400)는 이중 게이트 전극 구조를 개시할 수 있다. 이에 따라, 구동 박막 트랜지스터(400)의 전류 특성을 개선하고, 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Additionally, since the
층간 절연층(600)은 구동 박막 트랜지스터(400)의 게이트 절연층(420) 및 게이트 전극(430) 상에 형성될 수 있다. 층간 절연층(600)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 절연 물질을 포함하여 이루어질 수 있다.The interlayer insulating
층간 절연층(600)은 구동 박막 트랜지스터(400)의 게이트 절연층(420) 및 게이트 전극(430) 상에 형성될 수 있다. 층간 절연층(600)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 절연 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. The interlayer insulating
구동 박막 트랜지스터(400)의 게이트 절연층(420) 및 층간 절연층(600)에는 구동 박막 트랜지스터(400)의 반도체층(410)을 노출시키기 위한 컨택홀이 형성될 수 있다. A contact hole may be formed in the
구동 박막 트랜지스터(400)의 소스 전극(441) 및 드레인 전극(442)은 서로 마주하면서 층간 절연층(600) 상에 형성될 수 있다. 또한, 구동 박막 트랜지스터(400)의 소스 전극(441) 및 드레인 전극(442) 각각은 게이트 절연층(420) 및 층간 절연층(600)에 형성된 컨택홀을 통해 반도체층(410)과 연결될 수 있다. The
패시베이션층(650)은 구동 박막 트랜지스터(400) 상에 형성되어, 구동 박막 트랜지스터(400)를 보호하는 기능을 할 수 있다. 또한, 패시베이션층(650)은 실리콘 산화막(SiOX) 또는 실리콘 질화막(SiNX) 등의 무기 절연 물질을 포함하여 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The
발광 영역(EA)의 제2 영역(EA2)에는 복수의 더미 패턴(500)이 형성될 수 있다. 복수의 더미 패턴(500)은 제1 내지 제3 더미 패턴(510, 520, 530)을 포함할 수 있다.A plurality of
제1 더미 패턴(510)는 기판(100) 상에 형성될 수 있다. 제1 더미 패턴(510)은 차단층(200)과 동일한 공정을 통해 동시에 형성되어, 동일한 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. The
버퍼층(300)은 제1 영역(EA1)에서 연장되어, 제2 영역(EA2)까지 형성될 수 있다. 버퍼층(300)은 기판(100) 상에서 제1 더미 패턴(510)을 덮도록 형성될 수 있다.The
제2 더미 패턴(520)은 버퍼층(300) 상에 형성될 수 있다. 제2 더미 패턴(520)은 구동 박막 트랜지스터(400)의 반도체층(410)과 동일한 공정을 통해 동시에 형성되어, 동일한 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. The
게이트 절연층(420)은 제1 영역(EA1)에서 연장되어, 제2 영역(EA2)까지 형성될 수 있다. 게이트 절연층(420)은 버퍼층(300) 상에서 제2 더미 패턴(520)을 덮도록 형성될 수 있다.The
제3 더미 패턴(530)은 게이트 절연층(420) 상에 형성될 수 있다. 제3 더미 패턴(530)은 구동 박막 트랜지스터(400)의 게이트 전극(430)과 동일한 공정을 통해 동시에 형성되어, 동일한 물질을 포함하여 이루어질 수 있다.The
제1 내지 제3 더미 패턴(510, 520, 530) 각각은 전기적으로 차단되어, 신호 라인 또는 전극과 연결되지 않을 수 있다. 이에 따라, 제1 내지 제3 더미 패턴(510, 520, 530) 각각은 전기적인 신호 또는 전압을 다른 구성 요소에 전달하지 않을 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 더미 패턴(510, 520, 530)은 모두 중첩되도록 형성될 수 있다. Each of the first to
층간 절연층(600)은 제1 영역(EA1)에서 연장되어, 제2 영역(EA2)까지 형성될 수 있다. 층간 절연층(600)은 게이트 절연층(420) 상에서 제3 더미 패턴(530)을 덮도록 형성될 수 있다.The interlayer insulating
구동 박막 트랜지스터(400)의 드레인 전극(442)은 제1 영역(EA1)에서 연장되어, 제2 영역(EA2)까지 형성될 수 있다. 드레인 전극(442)은 층간 절연층(600) 상에서 제1 내지 제3 더미 패턴(510, 520, 530)과 중첩되도록 형성될 수 있다. The
패시베이션층(650)은 제1 영역(EA1)에서 연장되어, 제2 영역(EA2)까지 형성될 수 있다. 패시베이션층(650)은 구동 박막 트랜지스터(400)의 드레인 전극(442)을 덮도록 형성될 수 있다. The
평탄화층(700)은 패시베이션층(650) 상에 형성되어, 구동 박막 트랜지스터(400) 및 컨택홀들에 의한 단차를 보상할 수 있다. 또한, 평탄화층(700)은 제1 및 제2 발광 영역(EA1, EA2) 모두에 형성될 수 있다. 평탄화층(700)은 실리콘 산화막(SiOX) 또는 실리콘 질화막(SiNX) 등의 무기 절연 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 또는, 평탄화층(700)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 절연 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. The
이 때, 패시베이션층(650) 및 평탄화층(700)은 개구부(OP)를 가질 수 있다. 개구부(OP)는 제2 발광 영역(EA2)에 형성되며, 드레인 전극(442)의 상면 일부를 노출시킬 수 있다. 또한, 개구부(OP)는 복수의 더미 패턴(500)과 중첩될 수 있다. At this time, the
돌출부(800)는 개구부(OP) 내에서 드레인 전극(442) 상에 형성될 수 있다. 돌출부(800)는 패시베이션층(650) 및 평탄화층(700)과 이격되도록 형성될 수 있다. 또한, 돌출부(800)는 평탄화층(700)과 동일한 공정을 통해 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 즉, 패시베이션층(650) 상에 평탄화층(700)을 이루는 물질을 증착한 뒤, 일부 영역을 식각하여 평탄화층(700) 및 돌출부(800)를 동시에 형성할 수 있다. 또한, 돌출부(800)의 상면과 평탄화층(700)의 상면 사이의 거리는 패시베이션층(650)의 두께일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The
발광 소자(900)은 평탄화층(700) 및 돌출부(800) 상에 형성될 수 있다. 또한, 발광 소자(900)는 제1 및 제2 발광 영역(EA1, EA2) 전체에 형성될 수 있다. 또한, 발광 소자(900)는 돌출부(800)의 상면 및 측면을 모두 덮을 수 있다. 발광 소자(900)는 제1 전극(910), 발광층(920) 및 제2 전극(930)을 포함할 수 있다.The
제1 전극(910)은 평탄화층(700) 및 돌출부(800) 상에 형성되며, 표시 장치의 양극(Anode)으로 기능할 수 있다. 평탄화층(700)의 개구부(OP)에서, 제1 전극(910)은 구동 박막 트랜지스터(400)의 드레인 전극(442)과 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 제1 전극(910)은 평탄화층(700) 및 돌출부(800)에 의해 노출된 구동 박막 트랜지스터(400)의 드레인 전극(442)과 접할 수 있다. 또한, 제1 전극(910)은 돌출부(800)의 상면 및 측면을 모두 덮을 수 있다.The
제1 전극(910)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 전도성 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 또는, 제1 전극(910)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 또는 크롬(Cr) 등의 금속 물질 또는 이들의 합금을 포함하여 이루어질 수 있다. 또한, 제1 전극(910)은 단일층으로 도시되어 있으나, 다중층으로 형성될 수 있다. The
뱅크(950)는 평탄화층(700) 및 제1 전극(910) 상에 형성될 수 있다. 뱅크(950)는 발광 영역(EA) 및 비발광 영역(NEA)을 정의할 수 있다. 즉, 뱅크(950)가 형성되지 않은 영역이 발광 영역(EA)이 되며, 뱅크(950)가 형성된 영역이 비발광 영역(NEA)이 될 수 있다.The
뱅크(950)는 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 절연 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 또는, 뱅크(950)는 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 또는 티타늄 산화물 등의 무기 절연 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 또한, 뱅크(950)는 외부에서 입사되는 광을 흡수하기 위해, 블랙 염료를 포함하여 형성될 수 있다.The
발광층(920)는 제1 전극(910) 상에 형성될 수 있다. 발광층(920)은 뱅크(950) 상에도 형성될 수 있다. 즉, 발광층(920)는 발광 영역(EA) 및 비발광 영역(NEA)에도 형성될 수 있다.The
발광층(920)는 정공 수송층(hole transporting layer), 유기 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 전극(910)과 제2 전극(930)에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기 발광층으로 이동하게 되며, 유기 발광층에서 서로 결합하여 발광할 수 있다. The
발광층(920)는 백색 광을 발광할 수 있다. 이를 위해서, 발광층(920)는 서로 상이한 색상의 광을 발광하는 복수의 스택(stack)을 포함하여 이루어질 수 있다. The
제2 전극(930)은 발광층(920) 상에 형성될 수 있다. 제2 전극(930)은 표시 장치의 음극(Cathode)으로 기능할 수 있다. 제2 전극(930)은 발광소자(820)와 마찬가지로 발광 영역(EA) 및 비발광 영역(NEA)에도 형성될 수 있다.The
본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시 장치는 상부 발광 방식으로 이루어지기 때문에, 제2 전극(930)은 발광층(920)에서 발광된 광을 상부 쪽으로 투과시키기 위해서, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 도전성 물질를 포함하여 이루어질 수 있다.Since the display device according to the first embodiment of the present invention is made of a top emission type, the
한편, 드레인 전극(442)과 발광 소자(900)가 발광 영역에서 전기적으로 연결되는 경우, 평탄화층(700)에 드레인 전극(442)을 노출시키는 컨택홀을 형성할 수 있다. 하지만, 평탄화층(700)의 두께에 의해 컨택홀의 깊이 및 컨택홀의 측면과 하면이 이루는 각도가 증가하므로, 발광 소자(900)가 안정적으로 증착되지 않는 문제가 발생할 수 있다. 즉, 컨택홀의 내부에서 발광층(920)의 두께가 감소함에 따라, 발광 효율이 저하되거나, 전류가 집중되는 현상이 발생할 수 있다. 또는, 컨택홀의 내부에서 제2 전극(930)이 단선될 수도 있다.Meanwhile, when the
하지만, 본원발명의 제1 실시 예는 개구부(OP) 하부에 복수의 더미 패턴(500)이 적층된 구조를 형성함으로써, 복수의 더미 패턴(500)이 형성되지 않은 구조와 비교하여, 드레인 전극(442)이 형성되는 층의 높이를 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 개구부(OP)와 중첩된 영역의 평탄화층(700)의 두께를 감소시켜, 개구부(OP)에 의해 노출된 드레인 전극(442)과 발광 소자(900)의 단차를 감소시킬 수 있다. However, the first embodiment of the present invention forms a structure in which a plurality of
또한, 본원발명의 제1 실시 예는 돌출부(800)를 형성함으로써, 개구부(OP) 내부에서 드레인 전극(442)과 발광 소자(900)의 단차가 발생하는 면적을 감소시킬 수 있다. 또한, 평탄화층(700)과 돌출부(800)로 둘러싸인 영역에서, 발광층(920)에서 생성된 광이 평탄화층(700) 및 돌출부(800)의 측면에 형성된 제1 전극(910)에 의해 반사될 수 있다. 이에 따라, 표시 장치의 상부 방향으로 진행하는 광의 양이 증가하므로, 광 효율을 개선할 수 있다. 또한, 복수의 더미 패턴(500) 및 돌출부(800)는 구동 박막 트랜지스터(400) 및 평탄화층(700)을 형성하는 공정 과정에서 동시에 형성되므로, 추가적인 공정 과정을 생략할 수도 있다.Additionally, the first embodiment of the present invention can reduce the area where a step occurs between the
도 2는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 표시 장치의 단면도이다.Figure 2 is a cross-sectional view of a display device according to a second embodiment of the present invention.
도 2에 따른 표시 장치는 도 1에 따른 표시 장치와 평탄화층(700) 및 돌출부(800)의 구조를 제외하고 실질적으로 동일한 구조를 개시하고 있다. 따라서, 도 1에 도시된 표시 장치와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하고, 반복되는 설명은 생략한다.The display device shown in FIG. 2 has a substantially identical structure to the display device shown in FIG. 1 except for the structure of the
도 2를 참고하면, 평탄화층(700)은 제1 및 제2 평탄화층(710, 720)을 포함할 수 있다. 제1 평탄화층(710)은 패시베이션층(650) 상에 형성되며, 제2 평탄화층(720)은 제1 평탄화층(720) 상에 형성될 수 있다. 또한, 제2 평탄화층(720)의 하면의 면적은 제1 평탄화층(710)의 상면의 면적보다 작거나 동일할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 평탄화층(710, 720)의 측면은 발광 소자(900)의 제1 전극(910)과 접할 수 있다. Referring to FIG. 2, the
도 1에서 전술한 바와 같이, 패시베이션층(650), 제1 평탄화층(710) 및 제2 평탄화층(720)은 개구부(OP)를 가질 수 있다.As described above in FIG. 1, the
돌출부(800)는 개구부(OP) 내에서 드레인 전극(442) 상에 형성될 수 있다. 돌출부(800)는 패시베이션층(650), 제1 평탄화층(710) 및 제2 평탄화층(720)과 이격되도록 형성될 수 있다. 또한, 돌출부(800)는 제2 평탄화층(720)과 동일한 공정을 통해 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 즉, 제1 평탄화층(710) 상에 제2 평탄화층(720)을 이루는 물질을 증착한 뒤, 일부 영역을 식각하여 제2 평탄화층(720) 및 돌출부(800)를 동시에 형성할 수 있다. The
즉, 제1 실시 예와 비교하여, 제2 실시 예는 평탄화층(700)을 제1 및 제2 평탄화층(710, 720)으로 이루어진 이중층으로 형성하는 것을 개시하고 있다. 이 때, 제2 평탄화층(720)의 두께를 조절함으로써, 돌출부(800)의 두께를 함께 조절할 수 있다. 이에 따라, 제1 실시 예와 비교하여, 제2 실시 예는 돌출부(800)의 두께를 감소시킬 수 있으므로, 개구부(OP) 내에서 발광 소자(900)와 드레인 전극(442) 사이의 단차를 더욱 감소시킬 수 있다. That is, compared to the first embodiment, the second embodiment discloses forming the
도 3은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 표시 장치의 단면도이다.Figure 3 is a cross-sectional view of a display device according to a third embodiment of the present invention.
도 3에 따른 표시 장치는 도 2에 따른 표시 장치와 돌출부(800)의 구조를 제외하고 실질적으로 동일한 구조를 개시하고 있다. 따라서, 도 2에 도시된 표시 장치와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하고, 반복되는 설명은 생략한다.The display device shown in FIG. 3 has substantially the same structure as the display device shown in FIG. 2 except for the structure of the
도 2에서 전술한 바와 같이, 평탄화층(700)은 제1 및 제2 평탄화층(710, 720)을 포함할 수 있다. 또한, 패시베이션층(650), 제1 평탄화층(710) 및 제2 평탄화층(720)은 개구부(OP)를 가질 수 있다.As described above in FIG. 2 , the
돌출부(800)는 개구부(OP) 내에서 드레인 전극(442) 상에 형성될 수 있다. 돌출부(800)는 패시베이션층(650), 제1 평탄화층(710) 및 제2 평탄화층(720)과 이격되도록 형성될 수 있다. 이 때, 돌출부(800)는 제1 및 제2 돌출부(810, 820)를 포함할 수 있다. 제1 돌출부(810)는 드레인 전극(442) 상에 형성되고, 제2 돌출부(820)는 제1 돌출부(810) 상에 형성될 수 있다. 제1 및 제2 돌출부(810, 820) 각각은 제1 및 제2 평탄화층(710, 720)과 동일한 공정을 통해 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 제2 돌출부(820)의 하면의 면적은 제1 돌출부(810)의 상면의 면적보다 작거나 동일할 수 있다. The
즉, 제2 실시 예와 비교하여, 제3 실시 예는 돌출부(800)를 제1 및 제2 돌출부(810, 820)으로 이루어진 이중층으로 형성하는 것을 개시하고 있다. 이 때, 제1 및 제2 평탄화층(710, 720)의 각각 두께를 조절함으로써, 제1 및 제2 돌출부(810, 820) 각각의 두께를 조절할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 평탄화층(710, 720)의 각각의 식각 정도를 조절함으로써, 제1 및 제2 돌출부(810, 820) 각각의 측면의 각도를 함께 조절할 수 있다. 이에 따라, 제2 실시 예와 비교하여, 제3 실시 예는 제1 및 제2 돌출부(810, 820) 각각의 두께 및 측면의 각도를 조절할 수 있으므로, 개구부(OP) 내에서, 발광층(920)에서 생성된 광이 제1 전극(910)에 의해 반사되어 표시 장치의 상부 방향으로 진행할 가능성이 높아질 수 있다. 따라서, 광 효율을 더욱 개선할 수 있다. That is, compared to the second embodiment, the third embodiment discloses forming the
도 4는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 표시 장치의 단면도이다.Figure 4 is a cross-sectional view of a display device according to a fourth embodiment of the present invention.
도 4에 따른 표시 장치는 도 3에 따른 표시 장치와 평탄화층(700) 및 돌출부(800)의 구조를 제외하고 실질적으로 동일한 구조를 개시하고 있다. 따라서, 도 3에 도시된 표시 장치와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하고, 반복되는 설명은 생략한다.The display device shown in FIG. 4 has substantially the same structure as the display device shown in FIG. 3 except for the structure of the
도 3에서 전술한 바와 같이, 평탄화층(700)은 제1 및 제2 평탄화층(710, 720)을 포함할 수 있다. 이 때, 제2 평탄화층(720)은 제1 평탄화층(710)의 상면 및 측면을 모두 덮도록 형성될 수 있다. 즉, 제1 평탄화층(710)의 측면은 노출되지 않으며, 발광 소자(900)의 제1 전극(910)은 제2 평탄화층(720)과 접할 수 있다. 또한, 패시베이션층(650), 제1 평탄화층(710) 및 제2 평탄화층(720)은 개구부(OP)를 가질 수 있다. As described above with reference to FIG. 3 , the
도 3에서 전술한 바와 같이, 돌출부(800)는 제1 및 제2 돌출부(810, 820)를 포함할 수 있다. 이 때, 제2 돌출부(820)는 제1 돌출부(810)의 상면 및 측면을 모두 덮도록 형성될 수 있다. 즉, 제1 돌출부(810)의 측면은 노출되지 않으며, 발광 소자(900)의 제1 전극(910)은 제2 돌출부(820)와 접할 수 있다.As described above in FIG. 3, the
즉, 제3 실시 예와 비교하여, 제4 실시 예는 제2 평탄화층(720) 및 제2 돌출부(820) 각각이 제1 평탄화층(710) 및 제1 돌출부(710)를 덮도록 형성하는 것을 개시하고 있다. 이 때, 제2 평탄화층(720) 및 제2 돌출부(820) 각각은 드레인 전극(442)의 일부 영역을 덮도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 제3 실시 예에 비하여, 제4 실시 예는 드레인 전극(442)의 노출된 영역을 감소시키므로, 개구부(OP) 내부에서 드레인 전극(442)과 발광 소자(900)의 단차가 발생하는 면적을 더욱 감소시킬 수 있다. That is, compared to the third embodiment, the fourth embodiment is formed so that the
도 5는 본 발명의 제5 실시 예에 따른 표시 장치의 단면도이다.Figure 5 is a cross-sectional view of a display device according to a fifth embodiment of the present invention.
도 5에 따른 표시 장치는 도 4에 따른 표시 장치와 평탄화층(700) 및 돌출부(800)의 구조를 제외하고 실질적으로 동일한 구조를 개시하고 있다. 따라서, 도 5에 도시된 표시 장치와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하고, 반복되는 설명은 생략한다.The display device shown in FIG. 5 has substantially the same structure as the display device shown in FIG. 4 except for the structure of the
도 4에서 전술한 바와 같이, 평탄화층(700)은 제1 및 제2 평탄화층(710, 720)을 포함할 수 있다. 이 때, 패시베이션층(650) 및 제1 평탄화층(710)은 개구부(OP)를 가질 수 있다.As described above with reference to FIG. 4 , the
돌출부(800)는 개구부(OP) 내에서 드레인 전극(442) 상에 형성될 수 있다. 돌출부(800)는 제1 평탄화층(710)과 동일한 공정을 통해 동일한 물질로 형성될 수 있다. The
도 5를 참고하면, 개구부(OP) 내에서, 클래드층(850)이 추가적으로 형성될 수 있다. 클래드층(850)은 개구부(OP) 내에서 패시베이션층(650), 제1 평탄화층(710) 및 돌출부(800)에 의해 노출된 드레인 전극(442)의 상면 및 돌출부(800)의 상면과 측면 전체를 덮도록 형성될 수 있다. 또한, 클래드층(850)은 제1 평탄화층(710) 및 패시베이션층(650) 상에도 형성될 수 있다.Referring to FIG. 5, a
클래드층(850)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 또는 크롬(Cr) 등의 금속 물질 또는 이들의 합금을 포함하여 이루어질 수 있다. 또한, 클래드층(850)은 단일층으로 도시되어 있으나, 다중층으로 형성될 수도 있다.The
제2 평탄화층(720)은 제1 평탄화층(710), 돌출부(800) 및 클래드층(850) 상에 형성될 수 있다. 또한, 제2 평탄화층(720)은 개구부(OP)를 채우도록 형성될 수 있다. 이 때, 제2 평탄화층(720)은 돌출부(800) 상에 형성된 클래드층(850)의 일부 영역을 노출시킬 수 있다. 도 5에서는, 클래드층(850)에서, 돌출부(800)의 상면과 중첩된 영역이 노출되었으나, 이에 한정되지 않는다.The
발광 소자(900)의 제1 전극(910)은 제2 평탄화층(720) 상에 형성될 수 있다. 또한, 제1 전극(910)은 제2 평탄화층(720)에 의해 노출된 클래드층(850)과 접하도록 형성될 수 있다. 전도성 물질로 이루어진 클래드층(850)은 개구부(OP)에 의해 드레인 전극(442)과 전기적으로 연결된 상태이므로, 제1 전극(910)은 드레인 전극(442)과도 전기적으로 연결될 수 있다. The
즉, 제4 실시 예와 비교하여, 제5 실시 예는 돌출부(800) 상에 클래드층(850)을 형성하는 것을 개시하고 있다. 이에 따라, 개구부(OP)의 내부를 제2 평탄화층(720)을 통해 채울 수 있으므로, 개구부(OP)에 의한 단차를 최소화할 수 있다. 또한, 클래드층(850)을 통해, 제1 전극(910)과 드레인 전극(442)을 안정적으로 연결시킬 수 있다. That is, compared to the fourth embodiment, the fifth embodiment discloses forming the
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the technical spirit of the present invention. . Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but are for illustrative purposes, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be interpreted in accordance with the claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of rights of the present invention.
100: 기판
200: 차단층
300: 버퍼층
400: 구동 박막 트랜지스터
500: 더미 패턴
600: 층간 절연층
650: 패시베이션층
700: 평탄화층
800: 돌출부
900: 발광 소자100: substrate 200: blocking layer
300: Buffer layer 400: Driving thin film transistor
500: Dummy pattern 600: Interlayer insulating layer
650: Passivation layer 700: Planarization layer
800: protrusion 900: light emitting element
Claims (13)
상기 기판 상에서, 상기 제1 발광 영역에 형성된 박막 트랜지스터;
상기 기판 상에서, 상기 제2 발광 영역에 형성된 복수의 더미 패턴;
상기 박막 트랜지스터 및 복수의 더미 패턴 상에 형성된 평탄화층;
상기 평탄화층 상에 형성된 발광 소자를 포함하고,
상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 제2 발광 영역으로 연장되며,
상기 제2 발광 영역에서, 상기 평탄화층은 상기 드레인 전극을 노출시키는 개구부를 포함하고,
상기 개구부에서, 상기 드레인 전극 상에 돌출부가 형성된, 표시 장치.A substrate including first and second light emitting regions;
On the substrate, a thin film transistor formed in the first light emitting region;
On the substrate, a plurality of dummy patterns formed in the second light emitting area;
A planarization layer formed on the thin film transistor and a plurality of dummy patterns;
Comprising a light emitting device formed on the planarization layer,
A drain electrode of the thin film transistor extends to the second light emitting area,
In the second light-emitting area, the planarization layer includes an opening exposing the drain electrode,
A display device wherein a protrusion is formed on the drain electrode in the opening.
상기 드레인 전극은 상기 복수의 더미 패턴 상으로 연장되어 형성되며,
상기 개구부는 상기 복수의 더미 패턴과 중첩되도록 형성된, 표시 장치.According to claim 1,
The drain electrode is formed to extend over the plurality of dummy patterns,
The display device is formed so that the opening overlaps the plurality of dummy patterns.
상기 개구부를 통해, 상기 발광 소자는 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결된, 표시 장치.According to claim 1,
The display device is electrically connected to the drain electrode through the opening.
상기 평탄화층은 상기 박막 트랜지스터 및 복수의 더미 패턴 상에 형성된 제1 평탄화층 및 상기 제1 평탄화층 상에 형성된 제2 평탄화층을 포함하는, 표시 장치.According to claim 1,
The planarization layer includes a first planarization layer formed on the thin film transistor and a plurality of dummy patterns, and a second planarization layer formed on the first planarization layer.
상기 돌출부는 상기 제2 평탄화층과 동일한 물질로 형성된, 표시 장치.According to clause 4,
The display device wherein the protrusion is formed of the same material as the second planarization layer.
상기 돌출부는 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극 상에 형성된 제1 돌출부 및 상기 제1 돌출부 상에 형성된 제2 돌출부를 포함하고,
상기 제1 및 제2 돌출부 각각은 상기 제1 및 제2 평탄화층과 동일한 물질로 형성된, 표시 장치.According to clause 4,
The protrusion includes a first protrusion formed on the drain electrode of the thin film transistor and a second protrusion formed on the first protrusion,
Each of the first and second protrusions is formed of the same material as the first and second planarization layers.
상기 제2 평탄화층은 상기 제1 평탄화층의 상면 및 측면을 모두 덮도록 형성되고,
상기 제2 돌출부는 상기 제1 돌출부의 상면 및 측면을 모두 덮도록 형성된, 표시 장치.According to clause 6,
The second planarization layer is formed to cover both the top and side surfaces of the first planarization layer,
The second protrusion is formed to cover both the top and side surfaces of the first protrusion.
상기 기판 상에서, 상기 제1 발광 영역에 형성된 박막 트랜지스터;
상기 기판 상에서, 상기 제2 발광 영역에 형성된 복수의 더미 패턴;
상기 박막 트랜지스터 및 복수의 더미 패턴 상에 형성된 제1 및 제2 평탄화층;
상기 제1 및 제2 평탄화층 상에 형성된 발광 소자를 포함하고,
상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 제2 발광 영역으로 연장되며,
상기 제2 발광 영역에서, 상기 제1 평탄화층은 상기 드레인 전극을 노출시키는 개구부를 포함하고,
상기 개구부에서, 상기 드레인 전극 상에 돌출부가 형성되고,
상기 제2 평탄화층은 상기 개구부의 내부를 채우도록 형성된, 표시 장치.A substrate including first and second light emitting regions;
On the substrate, a thin film transistor formed in the first light emitting region;
On the substrate, a plurality of dummy patterns formed in the second light emitting area;
First and second planarization layers formed on the thin film transistor and a plurality of dummy patterns;
Comprising a light emitting device formed on the first and second planarization layers,
A drain electrode of the thin film transistor extends to the second light emitting area,
In the second light emitting area, the first planarization layer includes an opening exposing the drain electrode,
In the opening, a protrusion is formed on the drain electrode,
The second planarization layer is formed to fill the interior of the opening.
상기 드레인 전극은 상기 복수의 더미 패턴 상으로 연장되어 형성되며,
상기 개구부는 상기 복수의 더미 패턴과 중첩되도록 형성된, 표시 장치.According to clause 8,
The drain electrode is formed to extend over the plurality of dummy patterns,
The display device is formed so that the opening overlaps the plurality of dummy patterns.
상기 드레인 전극 및 상기 돌출부 상에 형성된 클래드층을 더 포함하는, 표시 장치.According to clause 8,
A display device further comprising a clad layer formed on the drain electrode and the protrusion.
상기 제2 평탄화층은 상기 클래드층을 덮도록 형성되고,
상기 클래드층에서, 상기 돌출부와 중첩된 일부 영역은 상기 제2 평탄화층에 의해 노출된, 표시 장치.According to claim 10,
The second planarization layer is formed to cover the clad layer,
In the clad layer, a portion of the area overlapping the protrusion is exposed by the second planarization layer.
상기 클래드층은 상기 드레인 전극 및 상기 발광 소자와 전기적으로 연결된, 표시 장치.According to claim 11,
The clad layer is electrically connected to the drain electrode and the light emitting element.
상기 돌출부는 상기 평탄화층과 동일한 물질을 포함하여 형성된, 표시 장치.According to claim 1,
The display device wherein the protrusion is formed of the same material as the planarization layer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020220184704A KR20240102554A (en) | 2022-12-26 | 2022-12-26 | Display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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Family
ID=91900233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20240102554A (en) |
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