KR20240102527A

KR20240102527A - 반도체 소자 테스트 소켓, 그에 사용되는 중공형 다공성 도전 입자, 그리고 도전 입자의 제조 방법

Info

Publication number: KR20240102527A
Application number: KR1020220184646A
Authority: KR
Inventors: 문성주
Original assignee: 주식회사 티에프이
Priority date: 2022-12-26
Filing date: 2022-12-26
Publication date: 2024-07-03

Abstract

본 발명은, 반도체 소자의 단자와 전기적으로 접속되기 위한 중공형 다공성 도전 입자가 절연성의 고분자 물질과 혼합된 채로 높이 방향을 따라 배열되는 복수의 도전 로드; 및 상기 복수의 도전 로드를 둘러싸도록 배치되는 절연 파트를 포함하고, 상기 중공형 다공성 도전 입자는, 중심 영역과 상기 중심 영역을 감싸는 주변 영역을 구비하는 도전성 바디; 및 상기 중심 영역에 형성되는 제1 공동과 상기 주변 영역에 형성되며 상기 제1 공동 보다 크기가 작은 제2 공동을 구비하는 수용 공간을 포함하고, 상기 제1 공동 및 상기 제2 공동에는, 상기 고분자 물질이 수용되는, 반도체 반도체 소자 테스트 소켓, 그에 사용되는 중공형 다공성 도전 입자, 그리고 도전 입자의 제조 방법을 제공한다.

Description

반도체 소자 테스트 소켓, 그에 사용되는 중공형 다공성 도전 입자, 그리고 도전 입자의 제조 방법{SEMICONDUCTOR PACKAGE TEST SOCKET, PROROUS CONDUCTIVE POWDER OF HOLLOW TYPE USED THEREFOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING CONDUCTIVE POWDER}

본 발명은 반도체 반도체 소자 테스트 소켓, 그에 사용되는 중공형 다공성 도전 입자, 그리고 도전 입자의 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 소자는 제조 과정을 거친 후 전기적 성능의 불량 여부를 판단하기 위한 검사를 받는다. 반도체 소자의 양불 검사는 반도체 소자의 단자와 전기적으로 접촉될 수 있도록 형성된 테스트 소켓을 반도체 소자와 검사회로기판 사이에 배치한 상태에서 수행된다. 테스트 소켓은 반도체 소자의 최종 양불 검사 외에도 반도체 소자의 제조 과정 중 번-인(Burn-In) 테스트 과정에서도 사용되고 있다.

반도체 소자의 집적화 기술의 발달과 소형화 추세에 따라 반도체 소자의 단자 즉, 리드의 크기 및 피치도 미세화되는 추세여서, 테스트 소켓의 도전 패턴 상호간의 간격도 미세하게 형성하는 방법이 요구되고 있다. 따라서, 기존의 포고-핀(Pogo-pin) 타입의 테스트 소켓으로는 집적화되는 반도체 소자를 테스트하기 위한 테스트 소켓을 제작하는데 한계가 있었다.

반도체 소자의 집적화에 부합하도록, 탄성 절연 소재로 제작되는 절연 파트 내에 그의 높이 방향을 따라 도전성 분말이 배열되어 형성된 도전 로드를 갖는 PCR(Pressurized Conductive Rubber) 소켓 (또는 러버 소켓)이 널리 사용되고 있다.

러버 소켓이 반복적으로 하중을 받아 변형됨에 따라서, 도전성 분말은 절연 소재로부터 박리되어 이탈되기도 한다. 이는 러버 소켓의 신뢰성을 저하시키고, 수명 또한 낮추는 주요한 원인이 된다.

본 발명의 일 목적은, 도전 입자가 고분자 물질과 견고하게 결합되어 도전 입자의 이탈 가능성을 크게 낮출 수 있는, 반도체 반도체 소자 테스트 소켓, 그에 사용되는 중공형 다공성 도전 입자, 그리고 도전 입자의 제조 방법을 제공하는 것이다.

상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 소자 테스트 소켓용 중공형 다공성 도전 입자 제조 방법은, 도전성 미립자, 제1 희생 미립자, 및 상기 제1 희생 미립자 보다 작은 크기를 갖는 제2 희생 미립자를 혼합하는 단계; 상기 도전성 미립자, 상기 제1 희생 미립자, 및 상기 제2 희생 미립자를 결합시켜, 결합 입자를 얻는 단계; 및 상기 결합 입자에서 상기 제1 희생 미립자 및 상기 제2 희생 미립자를 제거하여, 상기 도전성 미립자만이 남은 중공형 다공성 도전 입자를 얻는 단계를 포함할 수 있다.

여기서, 상기 제1 희생 미립자는, 상기 제2 희생 미립자 보다 2 배 내지 10 배 큰 크기를 갖는 것일 수 있다.

여기서, 상기 도전성 미립자, 제1 희생 미립자, 및 상기 제1 희생 미립자 보다 작은 크기를 갖는 제2 희생 미립자를 혼합하는 단계는, 상기 제1 희생 미립자를 중심에 두고, 상기 도전성 미립자 및 상기 제2 희생 미립자를 상기 제1 희생 미립자의 주변을 감싸도록 배치하는 단계를 포함할 수 있다.

여기서, 상기 도전성 미립자, 상기 제1 희생 미립자, 및 상기 제2 희생 미립자를 결합시켜, 결합 입자를 얻는 단계는, 기판에 형성된 수용홈에 상기 도전성 미립자, 상기 제1 희생 미립자, 및 상기 제2 희생 미립자를 채우는 단계; 및 상기 기판을 소결로에 투입하여, 상기 도전성 미립자가 용융되어 서로 결합되게 하는 단계를 포함할 수 있다.

여기서, 상기 결합 입자에서 상기 제1 희생 미립자 및 상기 제2 희생 미립자를 제거하여, 상기 도전성 미립자만이 남은 중공형 다공성 도전 입자를 얻는 단계는, 용매를 이용하여 상기 결합 입자 중 상기 제1 희생 미립자 및 상기 제2 희생 미립자를 녹이는 단계를 포함할 수 있다.

여기서, 상기 도전성 미립자는, 도전성 물질 및 자성 물질이 섞인 도전성 복합 미립자를 포함할 수 있다.

여기서, 상기 도전성 물질은, 니켈, 코발트, 철, 금, 은, 구리, 탄소나노튜브, 그래핀, 및 플러린 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 자성 물질은, 니켈, 코발트, 철, 및 자성을 가진 SUS 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

여기서, 상기 제1 희생 미립자 및 상기 제2 희생 미립자 각각은, 무기물, 무기산화물, 및 무기탄산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

여기서, 상기 중공형 다공성 도전 입자를 도금하는 단계가 더 포함될 수 있다.

본 발명의 다른 일 측면에 따른 반도체 소자 테스트 소켓용 중공형 다공성 도전 입자는, 중심 영역과 상기 중심 영역을 감싸는 주변 영역을 구비하는 도전성 바디; 상기 중심 영역에 형성되는 제1 공동과 상기 주변 영역에 형성되는 제2 공동을 구비하는 수용 공간을 포함하고, 상기 제1 공동은, 상기 제2 공동 보다 큰 것일 수 있다.

여기서, 상기 제1 공동은, 상기 제2 공동의 2배 내지 5배의 크기를 가질 수 있다.

여기서, 상기 제2 공동은, 복수 개로 형성되고, 상기 복수 개의 제2 공동 중 적어도 하나는 상기 제1 공동과 연통될 수 있다.

본 발명의 또 다른 일 측면에 따른 반도체 소자 테스트 소켓은, 반도체 소자의 단자와 전기적으로 접속되기 위한 중공형 다공성 도전 입자가 절연성의 고분자 물질과 혼합된 채로 높이 방향을 따라 배열되는 복수의 도전 로드; 및 상기 복수의 도전 로드를 둘러싸도록 배치되는 절연 파트를 포함하고, 상기 중공형 다공성 도전 입자는, 중심 영역과 상기 중심 영역을 감싸는 주변 영역을 구비하는 도전성 바디; 및 상기 중심 영역에 형성되는 제1 공동과 상기 주변 영역에 형성되며 상기 제1 공동 보다 크기가 작은 제2 공동을 구비하는 수용 공간을 포함하고, 상기 제1 공동 및 상기 제2 공동에는, 상기 고분자 물질이 수용될 수 있다.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 반도체 반도체 소자 테스트 소켓, 그에 사용되는 중공형 다공성 도전 입자, 그리고 도전 입자의 제조 방법에 의하면, 중공형 다공성 도전 입자의 바디에 형성되는 제1 공동과 제2 공동에 고분자 물질이 충분히 충전되기에, 도전 입자가 고분자 물질과 견고하게 결합될 수 있다. 이는 도전 입자가 고분자 물질로부터 이탈할 가능성을 크게 낮춘다. 그에 따라, 반도체 소자 테스트 소켓의 신뢰성 및 수명이 획기적으로 향상될 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 소켓(100)의 사용 상태를 보인 단면도이다.
도 2는 도 1의 도전 로드(150)를 구성하는 중공형 다공성 도전 입자(200)에 대한 사시도이다.
도 3은 도 2의 중공형 다공성 도전 입자(200)의 일 변형예에 따른 중공형 다공성 도전 입자(200')에 대한 사시도이다.
도 4는 도 2의 중공형 다공성 도전 입자(200)의 다른 일 변형예에 따른 중공형 다공성 도전 입자(200")에 대한 사시도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 소켓용 중공형 다공성 도전 입자 제조 방법을 보인 순서도이다.
도 6은 도 5의 제조 방법을 보다 구체적으로 보인 순서도이다.
도 7은 도 6에 따른 중공형 다공성 도전 입자(200)의 제조 과정을 보인 개념도이다.
도 8은 도 7에 따른 제조 과정의 변형예에 따른 중공형 다공성 도전 입자(200A)의 제조 과정을 보인 개념도이다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 반도체 소자 테스트 소켓, 그에 사용되는 중공형 다공성 도전 입자, 그리고 도전 입자의 제조 방법에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일·유사한 구성에 대해서는 동일·유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 소켓(100)의 사용 상태를 보인 단면도이다.

본 도면을 참조하면, 반도체 소자 테스트 소켓(100)은 반도체 소자(S)와 테스트 보드(B) 사이에 위치하게 된다. 구체적으로, 반도체 소자 테스트 소켓(100)은, 반도체 소자(S)의 단자(E)와 테스트 보드(B)의 패드(P)를 전기적으로 연결하기 위한 것이다. 반도체 소자 테스트 소켓(100)은 또한 푸셔 등에 의해 반도체 소자(S)가 테스트 보드(B)를 향해 가압될 때, 그 가압력을 받아내고 완충하는 역할도 하게 된다.

반도체 소자 테스트 소켓(100)은, 절연 파트(110) 및 도전 로드(150)를 포함할 수 있다.

절연 파트(110)는 대체로 직육면체 블럭 형상인 베이스(111)를 가질 수 있다. 베이스(111)는 절연성 재질로 제작될 수 있다. 베이스(111)는 또한 완충성을 갖는 물질로 제작되기도 한다. 베이스(111)는 후술할 도전성 로드(150) 중의 고분자 물질과 동일한 물질로 만들어질 수 있다.

베이스(111)에는 높이 방향(H)을 따라 관통홀(115)이 관통 형성된다. 관통홀(115)은 복수 개로 형성되며, 서로 간에 일정 간격을 갖도록 배열될 수 있다.

도전 로드(150)는 관통홀(115)에 위치하고, 전기적 통로를 형성하는 구성이다. 도전 로드(150)를 통해서는, 반도체 소자(S)의 단자(E)가 테스트 보드(B)의 패드(P)와 전기적으로 연결된다. 도전 로드(150)는 중공형 다공성 도전 입자(200, 도 2 참조)와 경화성의 고분자 물질이 혼합되어 구성될 수 있다.

상기 고분자 물질은, 구체적인 예로서, 실리콘 고무, 폴리부타디엔 고무, 천연 고무, 폴리이소프렌 고무, 스티렌-부타디엔 공중합체 고무, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체 고무 등의 공액 디엔계 고무 및 이들의 수소 첨가물, 스티렌-부타디엔-디엔 블럭 공중합체 고무, 스티렌-이소프렌 블럭 공중합체 등의 블럭 공중합체 고무 및 이들의 수소 첨가물 등이 될 수 있다.

이상과 달리, 절연 파트(110)와 도전 로드(150)를 형성하는 물질들을 혼합한 후에 도전 로드(150)의 중공형 다공성 도전 입자(200)를 타켓으로 자력 성형을 하는 경우라면, 관통홀(115)이 따로 형성되지 않을 수 있다. 그 경우라도, 도전 로드(150)는 높이 방향(H)을 따라 배열되어 도전 경로를 형성함에는 변함이 없다.

이하에서는, 도전 로드(150)를 구성하는 중공형 다공성 도전 입자(200,200',200")에 대해 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한다.

도 2는 도 1의 도전 로드(150)를 구성하는 중공형 다공성 도전 입자(200)에 대한 사시도이다.

본 도면을 참조하면, 중공형 다공성 도전 입자(200)는 도전성 바디(210)를 가진다.

도전성 바디(210)는 다양한 형태의 입체적인 형상을 가질 수 있다. 본 실시예에서 도전성 바디(210)는 구 형상으로 예시되어 있다. 도전성 바디(210)는 도전체로서, 상기 도전 경로의 일부를 형성하게 된다.

도전성 바디(210)에는 상기 고분자 물질을 수용하는 수용 공간(250)이 형성된다. 수용 공간(250)은, 구체적으로, 제1 공동(251)과 제2 공동(255)으로 구성될 수 있다.

제1 공동(251)은 도전성 바디(210)의 중심 영역에 형성된다면, 제2 공동(255)은 도전성 바디(210)의 주변 영역에 형성될 수 있다. 제1 공동(251)은 한 개만 존재한다면, 제2 공동(255)은 복수 개로 존재할 수 있다.

제1 공동(251)은 하나의 제2 공동(255) 보다 큰 사이즈를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 공동(251)은 하나의 제2 공동(255)의 2 배 내지 10 배에 달하는 크기를 가질 수 있다. 또한, 제2 공동(255) 중 적어도 하나는 제1 공동(251)에 연통될 수 있다. 제1 공동(251)은 직접적으로, 또는 제2 공동(255)을 통해 간접적으로 외부와 연통될 수 있다.

이러한 구성에 의하면, 도전성 바디(210)에는 구조적으로 충분한 수용 공간(250)이 형성되기에, 상기 고분자 물질이 중공형 다공성 도전 입자(200) 내에 확실하게 충전될 수 있다.

이러한 중공형 다공성 도전 입자(200)는 상기 고분자 물질과의 접촉 표면적이 크기에, 그와의 접착성이 우수하다. 그에 의해, 중공형 다공성 도전 입자(200)가 상기 고분자 물질로부터 이탈되는 일은 크게 줄어 들게 된다. 이는 반도체 소자 테스트 소켓(100)의 신뢰성과 수명을 증가시킬 수 있다.

또한, 도전 로드(150) 중에서 상기 고분자의 함량이 기존보다 높아질 수 있게 된다. 이는 도전 로드(150), 나아가 반도체 소자 테스트 소켓(100)의 완충성이 보다 높아질 수 있게 한다.

도 3은 도 2의 중공형 다공성 도전 입자(200)의 일 변형예에 따른 중공형 다공성 도전 입자(200')에 대한 사시도이고, 도 4는 도 2의 중공형 다공성 도전 입자(200)의 다른 일 변형예에 따른 중공형 다공성 도전 입자(200")에 대한 사시도이다.

이들 도면을 참조하면, 중공형 다공성 도전 입자(200',200")는 앞선 실시예의 중공형 다공성 도전 입자(200)와 대체로 동일한 구성을 가진다. 이들 역시 구조적으로 크게 확대된 수용 공간(250',250")을 가져서, 상기 고분자 물질을 충분히 수용할 수 있는 것이다. 구체적으로, 이들의 제1 공동(251',251")은 중심 영역에 위치하며, 제2 공동(255',255") 보다 확연히 크다.

다만, 중공형 다공성 도전 입자(200',200")는 도전성 바디(210',210")의 형태가 상이하다. 중공형 다공성 도전 입자(200')는 정육면체 형태라면, 중공형 다공성 도전 입자(200")는 원기둥 형상이다. 상기 도전성 바디의 형태는 이들에 제한되지 않고, 다른 형태로 형성되는 것도 가능할 것이다.

이제, 중공형 다공성 도전 입자(200)의 제조 방법에 대해 도 5 내지 도 8을 참조하여 설명한다.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 소켓용 중공형 다공성 도전 입자 제조 방법을 보인 순서도이다.

본 도면을 추가로 참조하면, 여러 종류의 미립자가 혼합된다(S1). 상기 미랍자는, 도전성 미립자(330) 및 희생 미립자(350)를 포함한다. 상기 희생 미립자는, 제1 희생 미립자(351), 그리고 제2 희생 미립자(355, 이상 도 7 참조)를 포함한다.

상기 미립자들은 서로 결합되어 결합 입자를 생성한다(S3). 구체적으로, 상기 도전성 미립자 간에 서로 결합되어, 그 결합된 부분이 상기 희생 미립자를 감쌀 수 있다.

상기 결합 입자에서 상기 희생 미립자가 제거되면, 중공형 다공성 도전 입자(200)가 생성된(S5). 상기 결합 입자 중에서 상기 도전성 미립자만이 서로 결합되어 중공형 다공성 도전 입자(200)를 형성하는 것이다.

도 6은 도 5의 제조 방법을 보다 구체적으로 보인 순서도이고, 도 7은 도 6에 따른 중공형 다공성 도전 입자(200)의 제조 과정을 보인 개념도이다.

본 도면들을 추가로 참조하면, 상기 미립자들을 혼합하기 위해, 기판(310)이 준비된다. 기판(310)에는 상방으로 개방된 수용홈(315)이 한 개 이상 형성된다. 수용홈(315)에는 도전성 미립자(330), 제1 희생 미립자(351), 그리고 제2 희생 미립자(355)가 채워진다(S11). 제1 희생 미립자(351)는 제2 희생 미립자(355) 보다 큰 것이다. 예를 들어, 제1 희생 미립자(351)는 제2 희생 미립자(355) 보다 2 배 이상의 크기를 가진다. 도전성 미립자(330)는 제2 희생 미립자(355)와 대체로 유사한 크기를 가질 수 있다. 수용홈(315) 내에서는, 크기가 큰 제1 희생 미립자(351)가 중심에 놓이고, 도전성 미립자(330) 및 제2 희생 미립자(355)가 제1 희생 미립자(351)의 주변을 감싸도록 배치될 수 있다{도 7(a)}.

도전성 미립자(330)는 도전성 물질과 자성 물질이 섞인 도전성 복합 미립자일 수 있다. 여기서, 상기 도전성 물질은, 니켈, 코발트, 철, 금, 은, 구리, 탄소나노튜브, 그래핀, 및 플러린 중 하나 이상으로 만들어질 수 있다. 또한, 상기 자성 물질은, 니켈, 코발트, 철, 및 자성을 가진 SUS 중 하나 이상으로 만들어질 수 있다. 제1 희생 미립자(351)와 제2 희생 미립자(355)는, 무기물, 무기산화물, 및 무기탄산화물 중 하나 이상으로 만들어질 수 있다.

기판(310)은 소결로에 투입된다(S13). 소결로의 온도가 800 내지 1,000 ℃에 이름에 따라, 도전성 미립자(330)는 용융되어 서로 간에 결합될 수 있다. 그로 인해, 서로 결합된 도전성 미립자(330)가 제1 희생 미립자(351) 및 제2 희생 미립자(355)를 감싼 형태인 결합 입자가 생성된다(S15){도 7(b)}. 제1 희생 미립자(351)와 제2 희생 미립자(355)의 용융 온도는 상기 소결로의 온도보다 높은 것이다.

기판(310)은 상기 소결로에서 꺼내진다. 수용홈(315)으로부터 상기 결합 입자는 분리된다(S17). 상기 결합 입자는 전체적으로 구 형상을 가질 수 있다{도 7(c)}.

상기 결합 입자로부터 상기 희생 미립자가 제거되어야 한다(S19). 이를 위해, 상기 결합 입자는 용매에 녹아서 제거될 수 있다{도 7(d)}. 상기 용매로는, 상기 희생 미립자의 종류에 따라, 물, 탄산수, 알콜류 등이 사용될 수 있다.

상기 결합 입자로부터 상기 희생 미립자가 제거된 것이 중공형 다공성 도전 입자(200)가 된다. 중공형 다공성 도전 입자(200)의 표면에 도금에 의해 도금층(290)이 형성될 수 있다{도 7(d)}.

도 8은 도 7에 따른 제조 과정의 변형예에 따른 중공형 다공성 도전 입자(200A)의 제조 과정을 보인 개념도이다.

본 도면을 참조하면, 중공형 다공성 도전 입자(200A)의 제조 과정은 앞선 중공형 다공성 도전 입자(200)의 제조 과정과 대체로 동일하다.

다만, 앞선 제1 희생 미립자(351)는 수용홈(315)에 몇 개가 투입된 것과 달리, 제1 희생 미립자(351a)는 한 개로서 수용홈(315)에 투입될 수 있다. 이를 위해, 제1 희생 미립자(351a)는 제2 희생 미립자(355) 보다 5 배, 나아가서는 10 배 정도 큰 것일 수 있다.

제1 희생 미립자(351a)가 보다 크게 형성됨에 의해, 중공형 다공성 도전 입자(200A)의 제1 공동(251, 도 2 참조)은 보다 구형에 가까워질 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 공동의 내면의 구조가 단순화되어, 그 구조에 의해 상기 고분자 물질이 상기 제1 공동에 충전되는데 방행될 가능성은 보다 낮아지게 된다.

상기와 같은 반도체 반도체 소자 테스트 소켓, 그에 사용되는 중공형 다공성 도전 입자, 그리고 도전 입자의 제조 방법은 위에서 설명된 실시예들의 구성과 작동 방식에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시예들은 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 구성될 수도 있다.

100: 반도체 테스트 소켓 110: 절연 파트
150: 도전 로드
200,200',200",200A: 중공형 다공성 도전 입자
210,210',210": 도전성 바디 250,250',250": 수용 공간
310: 기판 330: 도전성 미립자
351,351a: 제1 희생 미립자 355: 제2 희생 미립자

Claims

도전성 미립자, 제1 희생 미립자, 및 상기 제1 희생 미립자 보다 작은 크기를 갖는 제2 희생 미립자를 혼합하는 단계;
상기 도전성 미립자, 상기 제1 희생 미립자, 및 상기 제2 희생 미립자를 결합시켜, 결합 입자를 얻는 단계; 및
상기 결합 입자에서 상기 제1 희생 미립자 및 상기 제2 희생 미립자를 제거하여, 상기 도전성 미립자만이 남은 중공형 다공성 도전 입자를 얻는 단계를 포함하는, 반도체 소자 테스트 소켓용 중공형 다공성 도전 입자 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 제1 희생 미립자는,
상기 제2 희생 미립자 보다 2 배 내지 10 배 큰 크기를 갖는 것인, 반도체 소자 테스트 소켓용 중공형 다공성 도전 입자 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 도전성 미립자, 제1 희생 미립자, 및 상기 제1 희생 미립자 보다 작은 크기를 갖는 제2 희생 미립자를 혼합하는 단계는,
상기 제1 희생 미립자를 중심에 두고, 상기 도전성 미립자 및 상기 제2 희생 미립자를 상기 제1 희생 미립자의 주변을 감싸도록 배치하는 단계를 포함하는, 반도체 소자 테스트 소켓용 중공형 다공성 도전 입자 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 도전성 미립자, 상기 제1 희생 미립자, 및 상기 제2 희생 미립자를 결합시켜, 결합 입자를 얻는 단계는,
기판에 형성된 수용홈에 상기 도전성 미립자, 상기 제1 희생 미립자, 및 상기 제2 희생 미립자를 채우는 단계; 및
상기 기판을 소결로에 투입하여, 상기 도전성 미립자가 용융되어 서로 결합되게 하는 단계를 포함하는, 반도체 소자 테스트 소켓용 중공형 다공성 도전 입자 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 결합 입자에서 상기 제1 희생 미립자 및 상기 제2 희생 미립자를 제거하여, 상기 도전성 미립자만이 남은 중공형 다공성 도전 입자를 얻는 단계는,
용매를 이용하여 상기 결합 입자 중 상기 제1 희생 미립자 및 상기 제2 희생 미립자를 녹이는 단계를 포함하는, 반도체 소자 테스트 소켓용 중공형 다공성 도전 입자 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 도전성 미립자는,
도전성 물질 및 자성 물질이 섞인 도전성 복합 미립자를 포함하는, 반도체 소자 테스트 소켓용 중공형 다공성 도전 입자 제조 방법.
제6항에 있어서,
상기 도전성 물질은,
니켈, 코발트, 철, 금, 은, 구리, 탄소나노튜브, 그래핀, 및 플러린 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 자성 물질은,
니켈, 코발트, 철, 및 자성을 가진 SUS 중 적어도 하나를 포함하는, 반도체 소자 테스트 소켓용 중공형 다공성 도전 입자 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 제1 희생 미립자 및 상기 제2 희생 미립자 각각은,
무기물, 무기산화물, 및 무기탄산화물 중 적어도 하나를 포함하는, 반도체 소자 테스트 소켓용 중공형 다공성 도전 입자 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 중공형 다공성 도전 입자를 도금하는 단계를 더 포함하는, 반도체 소자 테스트 소켓용 중공형 다공성 도전 입자 제조 방법.
중심 영역과 상기 중심 영역을 감싸는 주변 영역을 구비하는 도전성 바디; 및
상기 중심 영역에 형성되는 제1 공동과 상기 주변 영역에 형성되는 제2 공동을 구비하는 수용 공간을 포함하고,
상기 제1 공동은,
상기 제2 공동 보다 큰 것인, 반도체 소자 테스트 소켓용 중공형 다공성 도전 입자.
제10항에 있어서,
상기 제1 공동은,
상기 제2 공동의 2배 내지 5배의 크기를 갖는, 반도체 소자 테스트 소켓용 중공형 다공성 도전 입자.
제11항에 있어서,
상기 제2 공동은,
복수 개로 형성되고,
상기 복수 개의 제2 공동 중 적어도 하나는 상기 제1 공동과 연통되는, 반도체 소자 테스트 소켓용 중공형 다공성 도전 입자.
반도체 소자의 단자와 전기적으로 접속되기 위한 중공형 다공성 도전 입자가 절연성의 고분자 물질과 혼합된 채로 높이 방향을 따라 배열되는 복수의 도전 로드; 및
상기 복수의 도전 로드를 둘러싸도록 배치되는 절연 파트를 포함하고,
상기 중공형 다공성 도전 입자는,
중심 영역과 상기 중심 영역을 감싸는 주변 영역을 구비하는 도전성 바디; 및
상기 중심 영역에 형성되는 제1 공동과 상기 주변 영역에 형성되며 상기 제1 공동 보다 크기가 작은 제2 공동을 구비하는 수용 공간을 포함하고,
상기 제1 공동 및 상기 제2 공동에는,
상기 고분자 물질이 수용된, 반도체 소자 테스트 소켓.