KR20240091251A - 기판 처리 장치 및 가드 판정 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 가드 판정 방법 Download PDF

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신지 시미즈
다쓰야 마스이
유이치 데바
미와 미야와키
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

가드에 관한 이상을 보다 높은 정밀도로 검출할 수 있는 기술을 제공한다. 기판 처리 장치는, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 기판 유지부에 의하여 유지된 기판에 처리액을 공급하는 액 노즐과, 기판 유지부를 둘러싸고, 기판의 주연으로부터 비산하는 처리액을 받아내는 통 형상의 가드와, 가드를 승강시키는 가드 승강 기구와, 기판 유지부보다 비스듬한 상방에 설치되고, 가드를 포함하는 촬상 영역을 촬상하여 촬상 화상을 생성하는 카메라(70)와, 가드를 소정의 높이 위치로 이동시키는 제어 신호를 가드 승강 기구에 출력하고, 촬상 화상에 의거하여, 가드의 위치 또는 형상에 관한 이상의 유무를 판정하는 제어부(9)를 구비한다.

Description

기판 처리 장치 및 가드 판정 방법
본 개시는, 기판 처리 장치 및 가드 판정 방법에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 디바이스 등의 제조 공정에 있어서는, 기판에 대하여 순수, 포토레지스트액 및 에칭액 등의 다양한 처리액을 공급하고, 세정 처리 및 레지스트 도포 처리 등의 다양한 기판 처리를 행하고 있다. 이들 처리액을 사용한 기판 처리를 행하는 장치로서는, 기판을 수평 자세로 회전시키면서, 그 기판의 표면에 노즐로부터 처리액을 토출하는 기판 처리 장치가 널리 이용되고 있다.
이와 같은 기판 처리 장치에 있어서는, 노즐로부터 처리액이 토출되고 있는지 여부의 확인이 행해진다. 토출의 유무를 판정하는 수법으로서, 예를 들면 특허문헌 1, 2에는 카메라 등의 촬상 수단을 설치하고, 노즐로부터의 처리액 토출을 감시하는 것이 제안되어 있다.
일본국 특허공개 2008-135679호 공보 일본국 특허공개 2015-173148호 공보
기판의 처리를 적절히 행하기 위해서는, 처리액뿐만 아니라, 보다 많은 감시 대상을 감시하는 것이 바람직하다.
예를 들면, 기판 처리 장치에는, 기판의 주연으로부터 비산하는 처리액을 받아내기 위한 가드가 설치된다. 가드는 통 형상의 형상을 갖고 있고, 기판을 둘러쌀 수 있다. 가드는 승강 가능하게 설치되어 있고, 기판의 반출입 시에는, 가드는 하강하고 있다. 이에 의하여, 기판 처리 장치에 기판을 반출입하기 위한 반송 로봇과, 가드의 충돌을 회피할 수 있다. 처리액을 기판의 표면에 공급할 때에는, 가드는 상승한다. 가드의 상승에 의하여, 가드의 상단 주연부가 기판보다 상방에 위치한다. 이 때문에, 기판의 주연으로부터 비산한 처리액이 가드의 내주면으로 받아내어진다.
만약 이상이 발생하여 가드가 적절한 위치로 이동할 수 없으면, 가드와 반송 로봇의 충돌을 적절히 회피할 수 없게 되거나, 처리액을 적절히 가드로 받아낼 수 없게 되거나 한다.
이와 같은 가드의 위치 이상을 검출하기 위해서는, 가드를 승강시키기 위한 가드 승강 기구의 내부 센서를 이용할 수 있다. 예를 들면 가드 승강 기구가 볼 나사 기구 등의 동력 중계 기구와 모터 등의 동력원을 포함하고 있는 경우, 모터의 회전 위치를 검출하는 인코더를 위치 이상의 검출에 이용할 수 있다. 그러나, 모터가 탈조하거나, 혹은, 볼 나사 기구에 이상이 발생하면, 모터의 회전 위치와 가드의 위치의 대응 관계가 변화하여, 가드의 위치 검출의 정밀도가 저하한다. 이 때문에, 가드의 위치 이상의 검출 정밀도도 저하한다.
또, 가드의 형상이 이상에 의하여 변형되어도, 반송 로봇과 핸드가 충돌하거나, 처리액을 적절히 받아낼 수 없게 될 수 있다.
이에, 본 개시는, 가드에 관한 이상을 보다 높은 정밀도로 검출할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
제1의 양태는, 기판 처리 장치로서, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부에 의하여 유지된 상기 기판에 처리액을 공급하는 액 노즐과, 상기 기판 유지부를 둘러싸고, 상기 기판의 주연으로부터 비산하는 상기 처리액을 받아내는 통 형상의 가드와, 상기 가드를 승강시키는 가드 승강 기구와, 상기 기판 유지부보다 비스듬한 상방에 설치되고, 상기 가드를 포함하는 촬상 영역을 촬상하여 촬상 화상을 생성하는 카메라와, 상기 가드를 소정의 높이 위치로 이동시키는 제어 신호를 상기 가드 승강 기구에 출력하고, 상기 촬상 화상에 의거하여, 상기 가드의 위치 또는 형상에 관한 이상의 유무를 판정하는 제어부를 구비한다.
제2의 양태는, 제1의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 제어부는, 상기 촬상 화상 중, 상기 가드의 일부를 포함하는 판정 영역에 의거하여, 상기 이상의 유무를 판정한다.
제3의 양태는, 제2의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 판정 영역은 제1 판정 영역 및 제2 판정 영역을 포함하고, 상기 제1 판정 영역 및 상기 제2 판정 영역은, 상기 촬상 화상에 있어서, 상기 가드의 상단 주연부를 따르는 가상적인 타원의 단축에 대하여 서로 반대 측에 설정되어 있고, 상기 제어부는, 상기 제1 판정 영역 및 상기 제2 판정 영역의 양쪽 모두에 있어서 상기 가드가 정상이라고 가(假)판정했을 때에, 상기 가드가 정상이라고 판정한다.
제4의 양태는, 제2 또는 제3의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 판정 영역은, 상기 소정의 높이 위치에 위치할 때의 상기 가드의 상단 주연부의 적어도 일부를 포함하고, 또한, 상기 기판을 포함하지 않는 영역으로 설정된다.
제5의 양태는, 제2 내지 제4 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 소정의 높이 위치는, 상기 기판의 하면과 연직 방향에 있어서 대향하는 상기 기판 유지부의 스핀 베이스의 상면보다, 상기 가드의 상단 주연부가 하방이 되는 가드 대기 위치이며, 상기 판정 영역은, 상기 소정의 높이 위치에 위치할 때의 상기 가드의 상기 상단 주연부 중, 상기 카메라에서 본 앞쪽의 주연 부분의 적어도 일부를 포함하는 영역으로 설정된다.
제6의 양태는, 제2 내지 제4 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 소정의 높이 위치는, 상기 가드의 상단 주연부가, 상기 기판 유지부에 의하여 유지된 상기 기판의 상면보다 상방이 되는 가드 처리 위치이며, 상기 판정 영역은, 상기 소정의 높이 위치에 위치할 때의 상기 가드의 상단 주연부 중, 상기 카메라에서 본 안쪽의 주연 부분을 포함하는 영역으로 설정된다.
제7의 양태는, 제6의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 제어부는, 복수의 상기 가드 중 적어도 하나를 상기 가드 처리 위치로 이동시키고, 상기 판정 영역은, 상기 복수의 상기 가드가 각각의 상기 가드 처리 위치에 위치했을 때의 상기 복수의 상기 가드의 상기 상단 주연부를 포함하는 영역으로 설정된다.
제8의 양태는, 제2 내지 제7 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 제어부는, 상기 판정 영역과 정상적인 참조 화상의 유사도가 임곗값 이상일 때에, 상기 가드가 정상이라고 판정하고, 상기 임곗값은, 상기 가드가 상기 소정의 높이 위치에 위치하고, 또한, 상기 가드에 액적이 부착되어 있을 때에 촬상된 상기 촬상 화상의 상기 판정 영역과, 상기 참조 화상의 유사도의 값보다 낮게 설정된다.
제9의 양태는, 제1 내지 제8 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 가드에 가스를 공급하여 상기 가드에 부착된 액적을 떨어내는 가스 노즐을 추가로 구비한다.
제10의 양태는, 제2 내지 제7 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 가드에 가스를 공급하여 상기 가드에 부착된 액적을 떨어내는 가스 노즐을 추가로 구비하고, 상기 제어부는, 상기 판정 영역과 정상적인 참조 화상의 유사도가 제1 임곗값보다 높은 제2 임곗값 이상일 때에, 상기 가드가 정상이라고 판정하는 제1 공정과, 상기 유사도가 상기 제2 임곗값 미만 또한 상기 제1 임곗값 이상일 때에, 상기 가드 중 상기 판정 영역에 찍히는 피사(被寫) 부분을 향하여, 상기 가스 노즐로 하여금 가스를 공급하게 하는 제2 공정과, 상기 제2 공정 후에, 상기 카메라로 하여금, 상기 촬상 영역을 촬상하여 상기 촬상 화상을 생성하게 하는 제3 공정과, 상기 제3 공정에서 생성된 상기 촬상 화상의 상기 판정 영역과 상기 참조 화상의 상기 유사도에 의거하여, 상기 이상의 유무를 판정하는 제4 공정을 실행하고, 상기 제1 임곗값은, 상기 가드가 상기 소정의 높이 위치에 위치하고, 또한, 상기 가드의 상기 피사 부분에 액적이 부착되어 있을 때에 촬상된 상기 촬상 화상의 상기 판정 영역과, 상기 참조 화상의 유사도의 제1 값보다 낮게 설정되고, 상기 제2 임곗값은, 상기 가드가 상기 소정의 높이 위치에 위치하고, 또한, 상기 가드의 상기 피사 부분에 액적이 부착되어 있지 않을 때에 촬상된 상기 촬상 화상의 상기 판정 영역과 상기 참조 화상의 유사도의 제2 값보다 낮게, 또한, 상기 제1 값보다 높게 설정된다.
제11의 양태는, 가드 판정 방법으로서, 기판을 유지하기 위한 기판 유지부를 둘러싸는 통 형상의 가드를, 소정의 높이 위치로 이동시키는 가드 승강 공정과, 상기 기판 유지부보다 상방에 설치된 카메라에 의하여, 상기 가드를 포함하는 촬상 영역을 촬상하여 촬상 화상을 생성하는 촬상 공정과, 상기 촬상 화상에 의거하여, 상기 가드의 위치 또는 형상에 관한 이상이 발생했는지 여부를 판정하는 판정 공정을 구비한다.
제12의 양태는, 제11의 양태에 따른 가드 판정 방법으로서, 상기 판정 공정에 있어서, 상기 촬상 화상 중, 상기 가드의 일부를 포함하는 판정 영역에 의거하여, 상기 이상의 유무를 판정한다.
제13의 양태는, 제12의 양태에 따른 가드 판정 방법으로서, 상기 판정 영역은 제1 판정 영역 및 제2 판정 영역을 포함하고, 상기 제1 판정 영역 및 상기 제2 판정 영역은, 상기 촬상 화상에 있어서, 상기 가드의 상단 주연부를 따르는 가상적인 타원의 단축에 대하여 서로 반대 측에 설정되어 있고, 상기 판정 공정에 있어서, 상기 제1 판정 영역 및 상기 제2 판정 영역의 양쪽 모두에 있어서 상기 가드가 정상이라고 가판정했을 때에, 상기 가드가 정상이라고 판정한다.
제14의 양태는, 제12 또는 제13의 양태에 따른 가드 판정 방법으로서, 상기 판정 영역은, 상기 소정의 높이 위치에 위치할 때의 상기 가드의 상단 주연부의 적어도 일부를 포함하고, 또한, 상기 기판을 포함하지 않는 영역으로 설정된다.
제15의 양태는, 제12 내지 제14 중 어느 하나의 양태에 따른 가드 판정 방법으로서, 상기 소정의 높이 위치는, 상기 기판의 하면과 연직 방향에 있어서 대향하는 상기 기판 유지부의 스핀 베이스의 상면보다, 상기 가드의 상단 주연부가 하방이 되는 가드 대기 위치이며, 상기 판정 영역은, 상기 소정의 높이 위치에 위치할 때의 상기 가드의 상기 상단 주연부 중, 상기 카메라에서 본 앞쪽의 주연 부분의 적어도 일부를 포함하는 영역으로 설정된다.
제16의 양태는, 제12 내지 제14 중 어느 하나의 양태에 따른 가드 판정 방법으로서, 상기 소정의 높이 위치는, 상기 가드의 상단 주연부가, 상기 기판 유지부에 의하여 유지된 상기 기판의 상면보다 상방이 되는 가드 처리 위치이며, 상기 판정 영역은, 상기 소정의 높이 위치에 위치할 때의 상기 가드의 상단 주연부 중, 상기 카메라에서 본 안쪽의 주연 부분을 포함하는 영역으로 설정된다.
제17의 양태는, 제16의 양태에 따른 가드 판정 방법으로서, 상기 가드 승강 공정에 있어서, 복수의 상기 가드 중 적어도 하나를 상기 가드 처리 위치로 이동시키고, 상기 판정 영역은, 상기 복수의 상기 가드가 각각의 상기 가드 처리 위치에 위치했을 때의 상기 복수의 상기 가드의 상기 상단 주연부를 포함하는 영역으로 설정된다.
제18의 양태는, 제12 내지 제17 중 어느 하나의 양태에 따른 가드 판정 방법으로서, 상기 판정 공정에 있어서, 상기 판정 영역과 정상적인 참조 화상의 유사도가 임곗값 이상일 때에, 상기 가드가 정상이라고 판정하고, 상기 임곗값은, 상기 가드가 상기 소정의 높이 위치에 위치하고, 또한, 상기 가드에 액적이 부착되어 있을 때에 촬상된 상기 촬상 화상의 상기 판정 영역과, 상기 참조 화상의 유사도의 값보다 낮게 설정된다.
제19의 양태는, 제11 내지 제18 중 어느 하나의 양태에 따른 가드 판정 방법으로서, 상기 촬상 공정보다 전에, 상기 가드에 부착된 액적을 가스로 떨어내는 가스 공급 공정을 추가로 구비한다.
제20의 양태는, 제12 내지 제17 중 어느 하나의 양태에 따른 가드 판정 방법으로서, 상기 판정 공정은, 상기 판정 영역과 정상적인 참조 화상의 유사도가 제1 임곗값보다 높은 제2 임곗값 이상일 때에, 상기 가드가 정상이라고 판정하는 제1 공정과, 상기 유사도가 상기 제2 임곗값 미만 또한 상기 제1 임곗값 이상일 때에, 상기 가드 중 상기 판정 영역에 찍히는 피사 부분에 가스를 공급하는 제2 공정과, 상기 제2 공정 후에, 상기 카메라가 상기 촬상 영역을 촬상하여 상기 촬상 화상을 생성하는 제3 공정과, 상기 제3 공정에서 생성된 상기 촬상 화상의 상기 판정 영역과 상기 참조 화상의 상기 유사도에 의거하여, 상기 이상의 유무를 판정하는 제4 공정을 구비하고, 상기 제1 임곗값은, 상기 가드가 상기 소정의 높이 위치에 위치하고, 또한, 상기 가드의 상기 피사 부분에 액적이 부착되어 있을 때에 촬상된 상기 촬상 화상의 상기 판정 영역과, 상기 참조 화상의 유사도의 제1 값보다 낮게 설정되고, 상기 제2 임곗값은, 상기 가드가 상기 소정의 높이 위치에 위치하고, 또한, 상기 가드의 상기 피사 부분에 액적이 부착되어 있지 않을 때에 촬상된 상기 촬상 화상의 상기 판정 영역과 상기 참조 화상의 유사도의 제2 값보다 낮게, 또한, 상기 제1 값보다 높게 설정된다.
제1 및 제11의 양태에 의하면, 가드를 포함하는 촬상 화상에 의거하여, 이상의 유무를 판정하므로, 보다 높은 판정 정밀도로 이상의 유무를 판정할 수 있다.
제2 및 제12의 양태에 의하면, 판정 영역 이외의 영역에 포함된 구성이 판정에 영향을 주지 않으므로, 보다 높은 판정 정밀도로 이상의 유무를 판정할 수 있다.
제3 및 제13의 양태에 의하면, 판정 정밀도를 높일 수 있다. 예를 들면 가드가 기울어져 있는 경우 등, 제1 판정 영역 및 제2 판정 영역 중 한쪽에서 가드가 정상이라고 가판정되어도, 다른 쪽에서 이상이 발생했다고 가판정될 수 있다. 제3 및 제13의 양태에 의하면, 이 경우에서도, 가드가 올바르게 이상이라고 판정된다. 이 때문에, 판정 정밀도를 높일 수 있다.
제4 및 제14의 양태에 의하면, 기판을 포함하지 않으므로, 판정 정밀도가 기판의 유무에 영향을 받지 않고, 높은 판정 정밀도로 이상의 유무를 판정할 수 있다.
제5 및 제15의 양태에 의하면, 판정 영역을, 기판을 포함하지 않고, 또한, 가드의 상단 주연부를 포함하는 영역으로 설정하기 쉽다.
제6 및 제16의 양태에 의하면, 판정 영역을, 기판을 포함하지 않고, 또한, 가드의 상단 주연부를 포함하는 영역으로 설정하기 쉽다.
제7 및 제17의 양태에 의하면, 판정 영역은, 복수의 가드의 상단 주연부를 포함하는 영역으로 설정되므로, 복수의 가드의 이상의 유무를 판정할 수 있다.
제8, 제9, 제18 및 제19의 양태에 의하면, 액적에 의한 오판정을 억제할 수 있다.
제10 및 제20의 양태에 의하면, 유사도가 제2 임곗값 미만 또한 제1 임곗값 이상이면, 이상은 발생하고 있지 않아 액적이 피사 부분에 부착되어 있을 가능성이 있다. 이 상황에서, 가스가 가드의 피사 부분에 공급된다. 따라서, 피사 부분에 액적이 부착되어 있으면, 액적이 가스로 떨어내어진다. 그리고, 제3 공정에 있어서, 피사 부분 액적이 부착되어 있지 않은 상태에서의 촬상 화상을 얻을 수 있으므로, 제4 공정에 있어서, 보다 높은 판정 정밀도로 이상의 유무를 판정할 수 있다.
또, 액적이 부착되어 있을 가능성이 있는 상황에서 가스가 공급되므로, 가스의 소비량을 저감시킬 수 있다.
도 1은, 기판 처리 장치의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는, 처리 유닛의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 3은, 처리 유닛의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 종단면도이다.
도 4는, 제어부의 내부 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 기능 블록도이다.
도 5는, 기판 처리의 흐름의 일례를 나타내는 플로차트이다.
도 6은, 약액 처리에 있어서의 처리 유닛 내의 모습의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 7은, 제1의 실시 형태에 따른 가드 감시 처리의 일례를 나타내는 플로차트이다.
도 8은, 촬상 화상의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 9는, 촬상 화상의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 10은, 판정 공정의 보다 구체적인 동작의 일례를 나타내는 플로차트이다.
도 11은, 중간 가드 및 외측 가드가 각각의 가드 처리 위치에서 정지했을 때의 촬상 화상의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 12는, 내측 가드, 중간 가드 및 외측 가드가 각각의 가드 처리 위치에서 정지했을 때의 촬상 화상의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 13은, 가드부의 외주면에 액적이 부착되었을 때의 촬상 화상의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 14는, 실험 결과로서의 유사도를 모식적으로 나타내는 막대그래프이다.
도 15는, 제2의 실시 형태에 따른 처리 유닛의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 16은, 제2의 실시 형태에 따른 가드 감시 처리의 일례를 나타내는 플로차트이다.
도 17은, 제2의 실시 형태에 따른 가드 감시 처리의 변형예를 나타내는 플로차트이다.
이하, 첨부되는 도면을 참조하면서 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 도면은 개략적으로 나타내어지는 것이고, 설명의 편의 때문에, 적절히, 구성의 생략, 또는, 구성의 간략화가 이루어지는 것이다. 또, 도면에 나타내어지는 구성의 크기 및 위치의 상호 관계는, 반드시 정확하게 기재되는 것이 아니고, 적절히 변경될 수 있는 것이다.
또, 이하에 나타내어지는 설명에서는, 동일한 구성 요소에는 같은 부호를 붙여 도시하고, 그들의 명칭과 기능에 대해서도 동일한 것으로 한다. 따라서, 그들에 대한 상세한 설명을, 중복을 피하기 위하여 생략하는 경우가 있다.
또, 이하에 기재되는 설명에 있어서, 「제1」 또는 「제2」 등의 서수가 이용되는 경우가 있더라도, 이들 용어는, 실시 형태의 내용을 이해하는 것을 용이하게 하기 위하여 편의상 이용되는 것이며, 이들 서수에 의하여 발생할 수 있는 순서 등에 한정되는 것은 아니다.
상대적 또는 절대적인 위치 관계를 나타내는 표현(예를 들면 「일방향으로」 「일방향을 따라」 「평행」 「직교」 「중심」 「동심」 「동축」 등)이 이용되는 경우, 당해 표현은, 특별히 언급하지 않는 한, 그 위치 관계를 엄밀하게 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일한 정도의 기능이 얻어지는 범위에서 상대적으로 각도 또는 거리에 관하여 변위된 상태도 나타내는 것으로 한다. 같은 상태인 것을 나타내는 표현(예를 들면 「동일」 「같다」 「균질」 등)이 이용되는 경우, 당해 표현은, 특별히 언급하지 않는 한, 정량적으로 엄밀하게 같은 상태를 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일한 정도의 기능이 얻어지는 차가 존재하는 상태도 나타내는 것으로 한다. 형상을 나타내는 표현(예를 들면, 「사각형 형상」 또는 「원통 형상」 등)이 이용되는 경우, 당해 표현은, 특별히 언급하지 않는 한, 기하학적으로 엄밀하게 그 형상을 나타낼 뿐만 아니라, 동일한 정도의 효과가 얻어지는 범위에서, 예를 들면 요철이나 모따기 등을 갖는 형상도 나타내는 것으로 한다. 하나의 구성 요소를 「지닌다」 「갖춘다」 「구비한다」 「포함한다」 또는 「갖는다」라고 하는 표현이 이용되는 경우, 당해 표현은, 다른 구성 요소의 존재를 제외하는 배타적 표현은 아니다. 「A, B 및 C 중 적어도 어느 하나」라고 하는 표현이 이용되는 경우, 당해 표현은, A만, B만, C만, A, B 및 C 중 임의의 2개, 그리고, A, B 및 C의 모두를 포함한다.
<제1의 실시 형태>
<기판 처리 장치의 전체 구성>
도 1은, 기판 처리 장치(100)의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 기판 처리 장치(100)는, 처리 대상인 기판(W)을 1장씩 처리하는 매엽식의 처리 장치이다. 기판 처리 장치(100)는, 기판(W)에 대하여, 약액과, 순수 등의 린스액을 이용하여 액처리를 행한 후, 건조 처리를 행한다. 기판(W)은, 예를 들면, 반도체 기판이며, 원판 형상을 갖는다. 상기의 약액으로서는, 예를 들면, 암모니아와 과산화 수소수의 혼합액(SC1), 염산과 과산화 수소수의 혼합 수용액(SC2), 또는, DHF액(희불산) 등이 이용된다. 이하의 설명에서는, 약액, 린스액 및 유기 용제 등을 총칭하여 「처리액」이라고 한다. 또한, 세정 처리뿐만 아니라, 불필요한 막을 제거하기 위한 약액, 또는, 에칭을 위한 약액 등도 「처리액」에 포함되는 것으로 한다.
기판 처리 장치(100)는, 복수의 처리 유닛(1)과, 로드 포트(LP)와, 인덱서 로봇(102)과, 주 반송 로봇(103)과, 제어부(9)를 포함한다.
로드 포트(LP)는, 기판 처리 장치(100)와 외부의 사이에서 기판(W)의 반출입을 행하기 위한 인터페이스부이다. 로드 포트(LP)에는, 미처리의 복수의 기판(W)을 수용한 수용기(캐리어라고도 불린다)가 외부로부터 반입된다. 로드 포트(LP)는 복수의 캐리어를 유지할 수 있다. 각 기판(W)은 후술과 같이 기판 처리 장치(100)에 의하여 캐리어로부터 취출(取出)되어 처리되고, 다시 캐리어에 수용된다. 처리 완료된 복수의 기판(W)을 수용한 캐리어는 로드 포트(LP)로부터 외부로 반출된다.
캐리어로서는, 기판(W)을 밀폐 공간에 수납하는 FOUP(Front Opening Unified Pod), SMIF(Standard Mechanical Inter Face) 포드, 또는, 기판(W)을 외기에 노출시키는 OC(Open Cassette)가 채용되어도 된다.
인덱서 로봇(102)은, 로드 포트(LP)에 유지된 각 캐리어와, 주 반송 로봇(103)의 사이에서 기판(W)을 반송한다. 주 반송 로봇(103)은 각 처리 유닛(1)과 인덱서 로봇(102)의 사이에서 기판(W)을 반송한다.
처리 유닛(1)은, 1장의 기판(W)에 대하여 액처리 및 건조 처리를 행한다. 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(100)에는, 동일한 구성인 12개의 처리 유닛(1)이 배치되어 있다. 구체적으로는, 각각이 연직 방향으로 적층된 3개의 처리 유닛(1)을 포함하는 4개의 타워가, 주 반송 로봇(103)의 주위를 둘러싸도록 하여 배치되어 있다. 도 1에서는, 3단으로 겹쳐진 처리 유닛(1) 중 1개가 개략적으로 나타내어져 있다. 또한, 기판 처리 장치(100)에 있어서의 처리 유닛(1)의 수량은, 12개에 한정되는 것은 아니고, 적절히 변경되어도 된다.
주 반송 로봇(103)은, 처리 유닛(1)이 적층된 4개의 타워의 중앙에 설치되어 있다. 주 반송 로봇(103)은, 인덱서 로봇(102)으로부터 수취하는 처리 대상의 기판(W)을 각각의 처리 유닛(1) 내에 반입한다. 또, 주 반송 로봇(103)은, 각각의 처리 유닛(1)으로부터 처리 완료된 기판(W)을 반출하여 인덱서 로봇(102)에 건네준다. 제어부(9)는, 기판 처리 장치(100) 각각의 구성 요소의 동작을 제어한다.
이하, 기판 처리 장치(100)에 탑재된 12개의 처리 유닛(1) 중 1개에 대하여 설명하지만, 다른 처리 유닛(1)에 대해서도, 노즐의 배치 관계가 상이한 것 이외에는, 동일한 구성을 갖는다.
<처리 유닛>
도 2는, 처리 유닛(1)의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 또, 도 3은, 처리 유닛(1)의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 종단면도이다.
처리 유닛(1)은, 챔버(10) 내에, 기판 유지부의 일례인 스핀 척(20)과, 액 노즐의 일례인 제1 노즐(30), 제2 노즐(30A) 및 제3 노즐(30B)과, 가드부(40)와, 카메라(70)를 포함한다.
챔버(10)는, 연직 방향을 따르는 측벽(11), 측벽(11)에 의하여 둘러싸인 공간의 상측을 폐색하는 천장벽(12) 및 하측을 폐색하는 바닥벽(13)을 포함한다. 측벽(11), 천장벽(12) 및 바닥벽(13)에 의하여 둘러싸인 공간이 처리 공간이 된다. 또, 챔버(10)의 측벽(11)의 일부에는, 주 반송 로봇(103)이 기판(W)을 반출입하기 위한 반출입구 및 그 반출입구를 열고 닫는 셔터가 설치되어 있다(모두 도시 생략).
챔버(10)의 천장벽(12)에는, 기판 처리 장치(100)가 설치되어 있는 클린 룸 내의 공기를 더욱 청정화하여 챔버(10) 내의 처리 공간에 공급하기 위한 팬 필터 유닛(FFU)(14)이 장착되어 있다. 팬 필터 유닛(14)은, 클린 룸 내의 공기를 받아들여 챔버(10) 내로 송출하기 위한 팬 및 필터(예를 들면 HEPA(High Efficiency Particulate Air) 필터)를 포함하고 있고, 챔버(10) 내의 처리 공간에 청정 공기의 다운 플로를 형성한다. 팬 필터 유닛(14)으로부터 공급된 청정 공기를 균일하게 분산하기 위하여, 다수의 취출(吹出) 구멍을 형성한 펀칭 플레이트를 천장벽(12)의 바로 아래에 설치해도 된다.
스핀 척(20)은, 기판(W)을 수평 자세(법선이 연직 방향을 따르는 자세)로 유지한다. 스핀 척(20)은, 연직 방향을 따라 연장되는 회전축(24)의 상단에 수평 자세로 고정된 원판 형상의 스핀 베이스(21)를 포함한다. 스핀 베이스(21)의 하방에는 회전축(24)을 회전시키는 스핀 모터(22)가 설치된다. 스핀 모터(22)는, 회전축(24)을 통하여 스핀 베이스(21)를 수평면 내에서 회전시킨다. 또, 스핀 모터(22) 및 회전축(24)의 주위를 둘러싸도록 통 형상의 커버 부재(23)가 설치되어 있다.
원판 형상의 스핀 베이스(21)의 외경은, 스핀 척(20)에 유지되는 원형의 기판(W)의 직경보다 약간 크다. 따라서, 스핀 베이스(21)는, 유지해야 하는 기판(W)의 하면의 전체면과 연직 방향에 있어서 대향하는 상면(21a)을 갖고 있다.
스핀 베이스(21)의 상면(21a)의 주연부에는 복수(본 실시 형태에서는 4개)의 척 핀(26)이 세워 설치되어 있다. 복수의 척 핀(26)은, 원형의 기판(W)의 주연에 대응하는 원주 상을 따라 균등한 간격을 두고(본 실시 형태와 같이 4개의 척 핀(26)이면 90° 간격으로) 배치되어 있다. 각 척 핀(26)은, 기판(W)의 주연에 맞닿는 유지 위치와, 기판(W)의 주연으로부터 떨어진 개방 위치의 사이에서 구동 가능하게 설치되어 있다. 복수의 척 핀(26)은, 스핀 베이스(21) 내에 수용된 도시 생략의 링크 기구에 의하여 연동하여 구동된다. 스핀 척(20)은, 복수의 척 핀(26)을 각각의 맞닿음 위치에서 정지시킴으로써, 당해 기판(W)을 스핀 베이스(21)의 상방에서 상면(21a)에 근접한 수평 자세로 유지할 수 있음과 더불어(도 3 참조), 복수의 척 핀(26)을 각각의 개방 위치에서 정지시킴으로써, 기판(W)의 유지를 해제할 수 있다.
스핀 모터(22)를 덮는 커버 부재(23)는, 그 하단이 챔버(10)의 바닥벽(13)에 고정되고, 상단이 스핀 베이스(21)의 바로 아래에까지 도달하고 있다. 커버 부재(23)의 상단부에는, 커버 부재(23)로부터 외방으로 거의 수평으로 돌출되고, 또한 하방으로 굴곡되어 연장되는 플랜지 형상 부재(25)가 설치되어 있다. 복수의 척 핀(26)에 의한 유지에 의하여 스핀 척(20)이 기판(W)을 유지한 상태에서, 스핀 모터(22)가 회전축(24)을 회전시킴으로써, 기판(W)의 중심을 통과하는 연직 방향을 따른 회전축선(CX) 둘레로 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 또한, 스핀 모터(22)의 구동은 제어부(9)에 의하여 제어된다.
제1 노즐(30)은 기판(W)을 향하여 처리액을 토출하고, 기판(W)에 처리액을 공급한다. 도 2의 예에서는, 제1 노즐(30)은, 노즐 아암(32)의 선단에 토출 헤드(31)를 장착하여 구성되어 있다. 노즐 아암(32)의 기단 측은 노즐 기대(基臺)(33)에 고정하여 연결되어 있다. 노즐 기대(33)는 도시를 생략하는 모터에 의하여 연직 방향을 따른 축의 둘레로 회동 가능하게 설치된다. 노즐 기대(33)가 회동함으로써, 도 2 중의 화살표 AR34로 나타내는 바와 같이, 제1 노즐(30)은 스핀 척(20)의 상방의 공간 내에서 노즐 처리 위치와 노즐 대기 위치의 사이를 원호 형상으로 이동한다. 노즐 처리 위치란, 제1 노즐(30)이 기판(W)에 처리액을 토출할 때의 위치이며, 예를 들면 기판(W)의 중앙부와 연직 방향에 있어서 대향하는 위치이다. 노즐 대기 위치란, 제1 노즐(30)이 기판(W)에 처리액을 토출하지 않을 때의 위치이며, 예를 들면 기판(W)의 주연보다 경방향 외측의 위치이다. 여기서 말하는 경방향이란, 회전축선(CX)에 대한 경방향이다.
도 3에 예시되는 바와 같이, 제1 노즐(30)은 공급관(34)을 통하여 처리액 공급원(36)에 접속된다. 처리액 공급원(36)은, 처리액을 저류하는 탱크를 포함한다. 공급관(34)에는 밸브(35)가 설치되어 있다. 밸브(35)가 열림으로써, 처리액 공급원(36)은 공급관(34)을 통하여 처리액을 제1 노즐(30)에 공급하고, 제1 노즐(30)의 토출구로부터 처리액이 토출된다. 또한, 제1 노즐(30)은, 복수 종의 처리액(적어도 순수를 포함한다)이 공급되도록 구성되어도 된다.
또, 본 실시 형태의 처리 유닛(1)에는, 상기 제1 노즐(30)에 더하여 추가로 제2 노즐(30A) 및 제3 노즐(30B)이 설치되어 있다. 본 실시 형태의 제2 노즐(30A) 및 제3 노즐(30B)은, 제1 노즐(30)과 동일한 구성을 갖는다. 즉, 제2 노즐(30A)은, 노즐 아암(32A)의 선단에 토출 헤드(31A)를 장착하여 구성된다. 제2 노즐(30A)은, 노즐 아암(32A)의 기단 측에 연결된 노즐 기대(33A)에 의하여, 화살표 AR64로 나타내는 바와 같이, 스핀 척(20)의 상방의 공간을 원호 형상으로 이동한다. 마찬가지로, 제3 노즐(30B)은, 노즐 아암(32B)의 선단에 토출 헤드(31B)를 장착하여 구성된다. 제3 노즐(30B)은, 노즐 아암(32B)의 기단 측에 연결된 노즐 기대(33B)에 의하여, 화살표 AR69로 나타내는 바와 같이, 스핀 척(20)의 상방의 공간을 원호 형상으로 이동한다.
제2 노즐(30A) 및 제3 노즐(30B) 각각도, 제1 노즐(30)과 동일하게 공급관(도시 생략)을 통하여 처리액 공급원(도시 생략)에 접속된다. 각 공급관에는 밸브가 설치되고, 밸브가 열고 닫음으로써 처리액의 공급/정지가 전환된다. 또한, 처리 유닛(1)에 설치되는 노즐의 수는 3개에 한정되는 것은 아니고, 1개 이상이면 된다.
처리 유닛(1)은, 액처리에 있어서, 스핀 척(20)에 의하여 기판(W)을 회전시키면서, 예를 들면 제1 노즐(30)로부터 처리액을 기판(W)의 상면을 향하여 토출시킨다. 기판(W)의 상면에 착액한 처리액은 회전에 수반하는 원심력을 받아 기판(W)의 상면에서 퍼져, 기판(W)의 주연으로부터 비산한다. 이 액처리에 의하여, 처리액의 종류에 따른 처리를 기판(W)의 상면에 대하여 행할 수 있다.
가드부(40)는, 기판(W)의 주연으로부터 비산하는 처리액을 받아내기 위한 부재이다. 가드부(40)는, 스핀 척(20)을 둘러싸는 통 형상 형상을 갖고 있고, 예를 들면, 서로 독립적으로 승강 가능한 복수의 가드를 포함한다. 도 3의 예에서는, 복수의 가드로서 내측 가드(41), 중간 가드(42) 및 외측 가드(43)가 나타내어져 있다. 가드는 처리 컵이라고도 불릴 수 있다.
내측 가드(41)는, 스핀 척(20)의 주위를 둘러싸고, 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)의 중심을 통과하는 회전축선(CX)에 대하여 거의 회전 대칭이 되는 형상을 갖고 있다. 이 내측 가드(41)는, 평면에서 보았을 때 원환 형상의 저부(44)와, 저부(44)의 내주연으로부터 상방으로 기립하는 원통 형상의 내벽부(45)와, 저부(44)의 외주연으로부터 상방으로 기립하는 원통 형상의 외벽부(46)와, 내벽부(45)와 외벽부(46)의 사이에 있어서 저부(44)로부터 기립하여, 상단부가 매끄러운 원호를 그리면서 중심 측(스핀 척(20)에 유지되는 기판(W)의 회전축선(CX)에 가까워지는 방향) 비스듬한 상방으로 연장되는 제1 안내부(47)와, 제1 안내부(47)와 외벽부(46)의 사이에 있어서 저부(44)로부터 상방으로 기립하는 원통 형상의 중벽부(48)를 일체적으로 포함하고 있다.
내벽부(45)는, 내측 가드(41)가 가장 상승된 상태로, 커버 부재(23)와 플랜지 형상 부재(25)의 사이에 적당한 간극을 유지하고 수용되는 것과 같은 길이로 형성되어 있다. 중벽부(48)는, 내측 가드(41)와 중간 가드(42)가 가장 근접한 상태로, 중간 가드(42)의 후술하는 제2 안내부(52)와 처리액 분리벽(53)의 사이에 적당한 간극을 유지하고 수용되는 것과 같은 길이로 형성되어 있다.
제1 안내부(47)는, 매끄러운 원호를 그리면서 중심 측(기판(W)의 회전축선(CX)에 가까워지는 방향) 비스듬한 상방으로 연장되는 상단부(47b)를 갖고 있다. 또, 내벽부(45)와 제1 안내부(47)의 사이는, 사용 완료된 처리액을 모아 폐기하기 위한 폐기 홈(49)으로 되어 있다. 제1 안내부(47)와 중벽부(48)의 사이는, 사용 완료된 처리액을 모아 회수하기 위한 원환 형상의 내측 회수 홈(50)으로 되어 있다. 또한, 중벽부(48)와 외벽부(46)의 사이는, 내측 회수 홈(50)과는 종류가 상이한 처리액을 모아 회수하기 위한 원환 형상의 외측 회수 홈(51)으로 되어 있다.
폐기 홈(49)에는, 이 폐기 홈(49)에 모아진 처리액을 배출함과 더불어, 폐기 홈(49) 내를 강제적으로 배기하기 위한 도시 생략의 배기액 기구가 접속되어 있다. 배기액 기구는, 예를 들면, 폐기 홈(49)의 둘레 방향을 따라 등간격으로 4개 설치되어 있다. 또, 내측 회수 홈(50) 및 외측 회수 홈(51)에는, 내측 회수 홈(50) 및 외측 회수 홈(51)에 각각 모아진 처리액을 처리 유닛(1)의 외부에 설치된 회수 탱크에 회수하기 위한 회수 기구(모두 도시 생략)가 접속되어 있다. 또한, 내측 회수 홈(50) 및 외측 회수 홈(51)의 저부는, 수평 방향에 대하여 미소 각도만큼 경사져 있고, 그 가장 낮아지는 위치에 회수 기구가 접속되어 있다. 이에 의하여, 내측 회수 홈(50) 및 외측 회수 홈(51)에 유입된 처리액이 원활하게 회수된다.
중간 가드(42)는, 스핀 척(20)의 주위를 둘러싸고, 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)의 중심을 통과하는 회전축선(CX)에 대하여 거의 회전 대칭이 되는 형상을 갖고 있다. 이 중간 가드(42)는, 제2 안내부(52)와, 이 제2 안내부(52)에 연결된 원통 형상의 처리액 분리벽(53)을 일체적으로 포함하고 있다.
제2 안내부(52)는, 내측 가드(41)의 제1 안내부(47)의 외측에 있어서, 제1 안내부(47)의 하단부와 동축 원통 형상을 이루는 하단부(52a)와, 하단부(52a)의 상단으로부터 매끄러운 원호를 그리면서 중심 측(기판(W)의 회전축선(CX)에 가까워지는 방향) 비스듬한 상방으로 연장되는 상단부(52b)를 갖고 있다. 하단부(52a)는, 내측 가드(41)와 중간 가드(42)가 가장 근접한 상태로, 제1 안내부(47)와 중벽부(48)의 사이에 적당한 간극을 유지하고 내측 회수 홈(50) 내에 수용된다. 또, 상단부(52b)는, 내측 가드(41)의 제1 안내부(47)의 상단부(47b)와 상하 방향으로 겹쳐지도록 설치되고, 내측 가드(41)와 중간 가드(42)가 가장 근접한 상태로, 제1 안내부(47)의 상단부(47b)에 대하여 매우 미소한 간격을 유지하고 근접한다. 도 3과는 상이하지만, 상단부(52b)의 선단부를 하방으로 되접어 꺾어 형성되는 꺾임부가 설치되어도 된다. 당해 꺾임부는, 내측 가드(41)와 중간 가드(42)가 가장 근접한 상태로, 제1 안내부(47)의 상단부(47b)의 선단과 수평 방향으로 겹치는 것과 같은 길이가 된다.
또, 제2 안내부(52)의 상단부(52b)는, 하방일수록 두께가 두꺼워지도록 형성되어 있고, 처리액 분리벽(53)은 상단부(52b)의 하단 외주연부로부터 하방으로 연장되도록 설치된 원통 형상을 갖고 있다. 처리액 분리벽(53)은, 내측 가드(41)와 중간 가드(42)가 가장 근접한 상태로, 중벽부(48)와 외측 가드(43)의 사이에 적당한 간극을 유지하고 외측 회수 홈(51) 내에 수용된다.
외측 가드(43)는, 중간 가드(42)의 제2 안내부(52)의 외측에 있어서, 스핀 척(20)의 주위를 둘러싸고, 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)의 중심을 통과하는 회전축선(CX)에 대하여 거의 회전 대칭이 되는 형상을 갖고 있다. 이 외측 가드(43)는, 제3 안내부로서의 기능을 갖는다. 외측 가드(43)는, 제2 안내부(52)의 하단부(52a)와 동축 원통 형상을 이루는 하단부(43a)와, 하단부(43a)의 상단으로부터 매끄러운 원호를 그리면서 중심 측(기판(W)의 회전축선(CX)에 가까워지는 방향) 비스듬한 상방으로 연장되는 상단부(43b)를 갖고 있다.
하단부(43a)는, 내측 가드(41)와 외측 가드(43)가 가장 근접한 상태로, 중간 가드(42)의 처리액 분리벽(53)과 내측 가드(41)의 외벽부(46)의 사이에 적당한 간극을 유지하고 외측 회수 홈(51) 내에 수용된다. 또, 상단부(43b)는, 중간 가드(42)의 제2 안내부(52)와 상하 방향으로 겹쳐지도록 설치되고, 중간 가드(42)와 외측 가드(43)가 가장 근접한 상태로, 제2 안내부(52)의 상단부(52b)에 대하여 매우 미소한 간격을 유지하고 근접한다. 도 3과는 상이하지만, 상단부(43b)의 선단부를 하방으로 되접어 꺾어 형성되는 꺾임부가 설치되어도 된다. 당해 꺾임부는, 중간 가드(42)와 외측 가드(43)가 가장 근접한 상태로, 제2 안내부(52)의 꺾임부과 수평 방향으로 겹쳐지도록 형성된다.
내측 가드(41), 중간 가드(42) 및 외측 가드(43)는 각각 가드 승강 기구(61), 가드 승강 기구(62) 및 가드 승강 기구(63)에 의하여 승강 가능하다. 이하에서는, 가드 승강 기구(61~63)를 총칭하여 가드 승강 기구(60)라고 부르는 경우가 있다.
가드 승강 기구(60)는 내측 가드(41), 중간 가드(42) 및 외측 가드(43)가 서로 충돌하지 않도록, 각각의 가드 처리 위치와 가드 대기 위치의 사이에서 승강시킨다. 가드 처리 위치란, 승강 대상이 되는 대상 가드의 상단 주연부가 기판(W)의 상면보다 상방이 되는 위치이며, 가드 대기 위치란, 대상 가드의 상단 주연부가 스핀 베이스(21)의 상면(21a)보다 하방이 되는 위치이다. 여기서 말하는 상단 주연부란, 대상 가드의 상단 개구를 형성하는 환 형상의 부분이다. 도 3의 예에서는, 내측 가드(41), 중간 가드(42) 및 외측 가드(43)가 가드 대기 위치에 위치하고 있다.
칸막이판(15)은, 가드부(40)의 주위에 있어서 챔버(10)의 내측 공간을 상하로 구획하도록 설치되어 있다. 칸막이판(15)에는, 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍이나 절결(切缺)이 형성되어 있어도 되고, 본 실시 형태에서는 제1 노즐(30)의 노즐 기대(33), 제2 노즐(30A)의 노즐 기대(33A) 및 제3 노즐(30B)의 노즐 기대(33B)를 지지하기 위한 지지축을 통과시키기 위한 관통 구멍이 형성되어 있다. 칸막이판(15)의 외주단은 챔버(10)의 측벽(11)에 연결되어 있다. 또, 칸막이판(15)의 가드부(40)를 둘러싸는 단연부(端緣部)는 외측 가드(43)의 외경보다 큰 직경의 원형 형상이 되도록 형성되어 있다. 따라서, 칸막이판(15)이 외측 가드(43)의 승강의 장애가 되는 일은 없다.
또, 챔버(10)의 측벽(11)의 일부이고, 바닥벽(13)의 근방에는 배기 덕트(18)가 설치되어 있다. 배기 덕트(18)는 도시 생략의 배기 기구에 연통 접속되어 있다. 팬 필터 유닛(14)으로부터 공급되어 챔버(10) 내를 흘러내린 청정 공기 중, 가드부(40)와 칸막이판(15)의 사이를 통과한 공기는 배기 덕트(18)로부터 장치 외로 배출된다.
카메라(70)는, 챔버(10) 내에 있어서, 스핀 척(20)에 의하여 유지된 기판(W)보다 상방에 설치된다. 도 3의 예에서는, 카메라(70)는 칸막이판(15)보다 상방에 설치되어 있다. 또, 도 3의 예에서는, 카메라(70)는, 가드부(40)에 대하여 경방향 외측에 위치하고 있다. 여기서 말하는 경방향이란, 회전축선(CX)에 대한 경방향이다.
카메라(70)는, 예를 들면 CCD(Charge Coupled Device) 혹은 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 등의 고체 촬상 소자와, 렌즈 등의 광학계를 포함한다. 카메라(70)는, 가드부(40)를 포함하는 촬상 영역을 비스듬한 상방으로부터 촬상한다. 여기에서는, 촬상 영역은, 외측 가드(43)가 가드 처리 위치에 위치하는 상태로, 외측 가드(43)의 상단 주연부의 전체 둘레가 포함되는 영역으로 설정된다(뒤에 설명하는 도 9도 참조). 카메라(70)는 촬상 영역을 촬상하여 촬상 화상 데이터(이하, 간단하게 촬상 화상이라고 부른다)를 생성하고, 당해 촬상 화상을 제어부(9)에 출력한다.
도 3의 예에서는, 챔버(10) 내이고 칸막이판(15)보다 상방의 위치에, 조명부(71)가 설치되어 있다. 챔버(10) 내가 암실인 경우, 카메라(70)가 촬상을 행할 때에 조명부(71)가 광을 조사하도록, 제어부(9)가 조명부(71)를 제어해도 된다.
제어부(9)의 하드웨어로서의 구성은 일반적인 컴퓨터와 동일하다. 즉, 제어부(9)는, 각종 연산 처리를 행하는 CPU 등의 데이터 처리부와, 기본 프로그램을 기억하는 읽기 전용의 메모리인 ROM(Read Only Memory) 등의 비일시적인 기억부와, 각종 정보를 기억하는 읽고 쓰기 가능한 메모리인 RAM(Random Access Memory) 등의 일시적인 기억부를 구비하여 구성된다. 제어부(9)의 CPU가 소정의 처리 프로그램을 실행함으로써, 기판 처리 장치(100)의 각 동작 기구가 제어부(9)에 제어되고, 기판 처리 장치(100)에 있어서의 처리가 진행된다. 또한, 제어부(9)는 그 기능의 실현에 소프트웨어가 불필요한 전용의 하드웨어 회로에 의하여 실현되어도 된다.
도 4는, 제어부(9)의 내부 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 기능 블록도이다. 도 4에 나타내어지는 바와 같이, 제어부(9)는, 가드 판정부(91)와, 처리 제어부(92)를 포함하고 있다.
처리 제어부(92)는 처리 유닛(1)의 각 구성을 제어한다. 구체적으로는, 처리 제어부(92)는, 스핀 모터(22), 밸브(35) 등의 각종 밸브, 노즐 기대(33, 33A, 33B)의 모터 및 노즐 승강 기구, 가드 승강 기구(61~63), 팬 필터 유닛(14) 그리고 카메라(70)를 제어한다. 처리 제어부(92)가 이들 구성을 소정의 수순을 따라 제어함으로써, 처리 유닛(1)은 기판(W)에 대한 처리를 행할 수 있다. 기판(W)에 대한 처리의 구체적인 흐름의 일례에 대해서는 뒤에 상세하게 기술한다.
가드 판정부(91)는, 카메라(70)에 의하여 촬상된 촬상 화상에 의거하여, 가드부(40)의 위치 또는 형상에 관한 이상의 유무를 판정한다. 구체적인 가드 판정 방법의 일례에 대해서는 뒤에 상세하게 기술한다.
<기판 처리의 흐름의 일례>
도 5는, 기판 처리의 흐름의 일례를 나타내는 플로차트이다. 초기적으로는, 가드부(40)는 가드 대기 위치에서 정지한다. 즉, 내측 가드(41), 중간 가드(42) 및 외측 가드(43)는 각각 가드 대기 위치에서 정지한다(도 3 참조). 또한, 제어부(9)는 각 구성을 제어하여 후술하는 소정의 동작을 실행시키지만, 이하에서는, 동작의 주체로서 각 구성 자체를 채용하여 설명한다.
우선, 주 반송 로봇(103)이 미처리의 기판(W)을 처리 유닛(1)에 반입하고, 스핀 척(20)이 기판(W)을 유지한다(단계 S1: 반입 유지 공정). 초기적으로는 가드부(40)는 가드 대기 위치에서 정지하고 있으므로, 기판(W)의 반입 시에 있어서, 주 반송 로봇(103)의 핸드와 가드부(40)의 충돌을 회피할 수 있다. 기판(W)이 스핀 척(20)에 건네어지면, 복수의 척 핀(26)이 각각의 맞닿음 위치로 이동함으로써, 복수의 척 핀(26)이 기판(W)을 유지한다.
다음으로, 스핀 모터(22)가 기판(W)의 회전을 개시한다(단계 S2: 회전 개시 공정). 구체적으로는, 스핀 모터(22)가 스핀 척(20)을 회전시킴으로써, 스핀 척(20)에 유지된 기판(W)을 회전시킨다.
다음으로, 처리 유닛(1)은 기판(W)에 대하여 다양한 액처리를 행한다. 도 5의 예에서는, 처리 유닛(1)은 우선 약액 처리를 행한다(단계 S3: 약액 공정). 도 6은, 약액 처리에 있어서의 처리 유닛(1) 내의 모습의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다.
우선, 가드 승강 기구(60)는 가드(41~43) 중 약액에 따른 가드를 가드 처리 위치로 상승시킨다. 약액용 가드는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 외측 가드(43)여도 된다. 이 경우, 가드 승강 기구(60)는 내측 가드(41) 및 중간 가드(42)를 각각의 가드 대기 위치에서 정지시키고, 외측 가드(43)를 가드 처리 위치로 상승시킨다(도 6을 참조).
다음으로, 처리 유닛(1)은 약액을 기판(W)에 공급한다. 여기에서는, 제1 노즐(30)이 처리액을 공급하는 것으로 한다. 구체적으로는, 노즐 기대(33)가 제1 노즐(30)을 노즐 처리 위치로 이동시키고, 밸브(35)가 열려 제1 노즐(30)로부터 약액을 기판(W)을 향하여 토출시킨다. 이에 의하여, 약액이 회전 중인 기판(W)의 상면에서 퍼져, 기판(W)의 주연으로부터 비산한다. 비산한 약액은 가드부(40)(예를 들면 외측 가드(43))의 내주면으로 받아내어진다. 약액이 기판(W)의 상면에 작용함으로써, 약액에 따른 처리(예를 들면 세정 처리)가 기판(W)에 대하여 행해진다. 약액 처리가 충분히 행해지면, 처리 유닛(1)은 약액의 공급을 정지한다.
다음으로, 처리 유닛(1)은 기판(W)에 대하여 제1 린스 처리를 행한다(단계 S4: 제1 린스 공정). 가드 승강 기구(60)는, 필요에 따라, 가드부(40)의 승강 상태를 조정한다. 즉, 제1 린스액용 가드가 약액용 가드와 상이한 경우에는, 가드 승강 기구(60)는 가드(41~43) 중 제1 린스액에 따른 가드를 가드 처리 위치로 이동시킨다. 제1 린스액용 가드는 특별히 제한되지 않지만, 내측 가드(41)여도 된다. 이 경우, 가드 승강 기구(60)는 가드(41~43)를 각각의 가드 처리 위치로 상승시킨다.
다음으로, 제1 노즐(30)은 제1 린스액을 기판(W)의 상면을 향하여 토출한다. 제1 린스액은 예를 들면 순수이다. 제1 린스액은 회전 중인 기판(W)의 상면에서 퍼져 기판(W) 상의 약액을 밀려나게 하면서, 기판(W)의 주연으로부터 비산한다. 기판(W)의 주연으로부터 비산한 처리액(주로 제1 린스액)은 가드부(40)(예를 들면 내측 가드(41))의 내주면으로 받아내어진다. 제1 린스 처리가 충분히 행해지면, 처리 유닛(1)은 제1 린스액의 공급을 정지한다.
다음으로, 처리 유닛(1)은 기판(W)에 대하여 제2 린스 처리를 행한다(단계 S5: 제2 린스 공정). 가드 승강 기구(60)는, 필요에 따라, 가드부(40)의 승강 상태를 조정한다. 즉, 제2 린스액용 가드가 제1 린스액용 가드와 상이한 경우에는, 가드 승강 기구(60)는 가드(41~43) 중 제2 린스액에 따른 가드를 가드 처리 위치로 이동시킨다.
다음으로, 제1 노즐(30)은 제2 린스액을 기판(W)의 상면을 향하여 토출한다. 제2 린스액은, 제1 린스액보다 증발 잠열이 작은 액체이며, 예를 들면 이소프로필알코올이다. 제2 린스액은 기판(W)의 상면에서 퍼져 기판(W) 상의 제1 린스액을 밀려나게 하면서, 기판(W)의 주연으로부터 비산한다. 기판(W)의 주연으로부터 비산한 처리액(주로 제2 린스액)은 가드부(40)의 내주면으로 받아내어진다. 제2 린스 처리가 충분히 행해지면, 처리 유닛(1)은 제2 린스액의 공급을 정지하고, 제1 노즐(30)을 노즐 대기 위치로 이동시킨다.
다음으로, 처리 유닛(1)은 기판(W)에 대하여 건조 처리를 행한다(단계 S6: 건조 공정). 예를 들면 스핀 모터(22)는 기판(W)의 회전 속도를 증가시키고, 기판(W)을 건조시킨다(이른바 스핀 드라이). 건조 처리에 있어서도, 기판(W)의 주연으로부터 비산하는 처리액은 가드부(40)의 내주면으로 받아내어진다. 건조 처리가 충분히 행해지면, 스핀 모터(22)는 기판(W)의 회전을 정지시킨다.
다음으로, 가드 승강 기구(60)는 가드부(40)를 가드 대기 위치로 하강시킨다(단계 S7: 가드 하강 공정). 즉, 가드 승강 기구(60)는 내측 가드(41), 중간 가드(42) 및 외측 가드(43)를 각각의 가드 대기 위치로 하강시킨다.
다음으로, 스핀 척(20)이 기판(W)의 유지를 해제하고, 주 반송 로봇(103)이 기판(W)을 처리 유닛(1)으로부터 취출한다(단계 S8: 유지 해제 반출 공정). 기판(W)의 반출 시에는 가드부(40)는 가드 대기 위치에서 정지하고 있으므로, 주 반송 로봇(103)의 핸드와 가드부(40)의 충돌을 회피할 수 있다.
이상의 동작에 의하여, 처리 유닛(1)은 기판(W)에 대하여 처리를 행할 수 있다.
<가드의 위치>
상술한 기판 처리의 동작으로부터 분명한 바와 같이, 가드부(40)는 각 공정에 따른 높이 위치로 이동한다. 구체적으로는, 기판(W)의 반출입 시(단계 S1, S8)에는, 가드부(40)가 가드 대기 위치에서 정지하고 있다. 이 때문에, 주 반송 로봇(103)의 핸드와 가드부(40)의 충돌을 회피할 수 있다. 또, 각종 처리액을 기판(W)에 공급할 때(단계 S3~S5)에는, 가드부(40)의 승강 상태는 처리액의 종류에 따른 상태가 된다. 이 때문에, 가드부(40) 중 처리액의 종류에 따른 가드로 처리액을 받아낼 수 있어, 적절히 처리액을 회수 또는 폐기할 수 있다.
그런데, 가드부(40)가 각 공정에 따른 적절한 높이 위치로 이동할 수 없으면, 문제가 발생할 수 있다. 예를 들면, 기판(W)의 반출입 시에 가드부(40)가 가드 대기 위치에서 정지하고 있지 않으면, 주 반송 로봇(103)의 핸드가 가드부(40)와 충돌할 수 있다. 또, 처리액의 공급 시에, 처리액의 종류에 따른 가드가 가드 처리 위치에서 정지하고 있지 않으면, 처리액이 적절히 회수 또는 폐기되지 않는다.
<가드 감시 처리>
이에, 본 실시 형태에서는, 처리 유닛(1)은 가드부(40)에 대한 가드 감시 처리를 행한다. 도 7은, 제1의 실시 형태에 따른 가드 감시 처리의 일례를 나타내는 플로차트이다. 이하에서는, 우선 가드 감시 처리의 일례를 개설하고, 그 후, 가드부(40)가 가드 대기 위치에서 정지한 상태와, 가드부(40)가 가드 처리 위치에서 정지한 상태로 크게 나누어, 가드 감시 처리의 일례를 상세하게 기술한다.
도 7에 예시하는 바와 같이, 우선, 가드 승강 기구(60)가 가드부(40)를 소정의 높이 위치(목표 높이 위치)로 이동시킨다(단계 S11: 가드 승강 공정). 당해 가드 승강 공정은, 상술한 약액 공정(단계 S3), 제1 린스 공정(단계 S4), 제2 린스 공정(단계 S5) 및 가드 하강 공정(단계 S7) 각각에서 행해지는 가드부(40)의 이동에 상당한다.
다음으로, 카메라(70)는, 가드부(40)를 포함하는 촬상 영역을 촬상하여 촬상 화상을 생성하고, 당해 촬상 화상을 제어부(9)에 출력한다(단계 S12: 촬상 공정). 도 8 및 도 9는, 촬상 화상의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 8은, 가드부(40)의 가드(41~43)가 각각의 가드 대기 위치에서 정지했을 때에 촬상된 촬상 화상을 나타내고, 도 9는, 가드부(40) 중 외측 가드(43)만이 가드 처리 위치에서 정지했을 때에 촬상된 촬상 화상을 나타낸다. 가드 승강 공정에 있어서 가드부(40)가 가드 대기 위치로 이동하는 경우, 촬상 공정에 있어서, 도 8에 예시된 촬상 화상이 생성되고, 가드 승강 공정에 있어서 가드부(40)의 외측 가드(43)만이 가드 처리 위치로 이동하는 경우, 촬상 공정에 있어서, 도 9에 예시된 촬상 화상이 생성된다.
다음으로, 제어부(9)의 가드 판정부(91)는 촬상 화상의 화소값에 의거하여, 가드부(40)에 관한 이상의 유무를 판정한다(단계 S13: 판정 공정). 여기에서는, 가드부(40)가 정상적으로 소정의 높이 위치에 위치할 때의 정상 촬상 화상을 참조 화상 데이터(이하, 간단하게 참조 화상이라고 부른다)로 하여, 불휘발성의 비일시적인 기억부(예를 들면 메모리)(93)에 기억해 둔다. 그리고, 가드 판정부(91)는 촬상 화상과 참조 화상의 비교에 의거하여, 가드부(40)에 관한 이상의 유무를 판정한다.
<가드 대기 위치>
여기서, 가드 승강 공정(단계 S11)에서 가드부(40)가 가드 대기 위치로 이동하는 경우에 대하여 상세하게 기술한다. 구체적으로는, 당해 가드 승강 공정이 가드 하강 공정(단계 S7)에서 행해지는 가드부(40)의 이동에 상당하는 경우에 대하여 상세하게 기술한다.
우선, 가드 승강 공정에 있어서, 제어부(9)의 처리 제어부(92)는 제어 신호를 각각 가드 승강 기구(61~63)에 출력한다. 이들 제어 신호는, 가드(41~43)를 각각의 가드 대기 위치로 이동시키기 위한 신호이다. 가드 승강 기구(61~63)는 당해 제어 신호에 따라 가드(41~43)를 각각의 가드 대기 위치로 이동시킨다.
이때, 가드 승강 기구(60)가 가드부(40)를 정상적으로 가드 대기 위치로 이동시킬 수 있으면, 다음의 유지 해제 반출 공정(단계 S8)에 있어서 주 반송 로봇(103)의 핸드와 가드부(40)의 충돌을 회피할 수 있다. 한편, 가드 승강 기구(60)의 이상 등의 요인에 의하여 가드부(40)가 정상적으로 가드 대기 위치로 이동할 수 없으면, 반송 로봇의 핸드가 가드부(40)와 충돌할 수 있다.
이에, 처리 유닛(1)은, 주 반송 로봇(103)이 핸드를 이동시키기 시작하기 전(즉, 반출 처리 전)에, 촬상 공정(단계 S12) 및 판정 공정(단계 S13)을 순서대로 행한다. 또한, 실질적인 가드 감시 처리는, 촬상 공정 및 판정 공정에 의하여 실현된다.
촬상 공정에 있어서, 도 8에 예시된 촬상 화상이 생성된다. 도 8의 예에서는, 촬상 화상에는, 처리 완료된 기판(W)의 상면의 전체와, 가드 대기 위치에서 정지한 외측 가드(43)의 일부가 포함되어 있다. 도 8의 예에서는, 가드부(40) 중 외측 가드(43)만이 촬상 화상에 포함되어 있고, 내측 가드(41) 및 중간 가드(42)는 포함되어 있지 않다.
여기에서는, 가드 판정부(91)는 촬상 화상에 의거하여 외측 가드(43)에 관한 이상의 유무를 판정한다. 이것은, 가장 높은 위치에 있는 외측 가드(43)가 정상적으로 가드 처리 위치에 위치하고 있으면, 주 반송 로봇(103)의 핸드와 가드부(40)의 충돌을 회피할 수 있기 때문이다. 즉, 가드 판정부(91)는 외측 가드(43)에 관한 이상의 유무를 판정할 수 있으면 되고, 촬상 화상에는 내측 가드(41) 및 중간 가드(42)가 포함되어 있지 않아도 된다.
가드 판정부(91)는 촬상 화상과 대기 위치용 참조 화상의 비교에 의거하여 외측 가드(43)에 관한 이상의 유무를 판정한다. 대기 위치용 참조 화상이란, 외측 가드(43)가 정상적으로 가드 대기 위치에서 정지했을 때에 카메라(70)가 촬상한 정상 촬상 화상이며, 기억부(93)에 미리 기억된다.
도 8의 예에서는, 촬상 화상에는 적어도 하나의 판정 영역(R1)이 설정된다. 판정 영역(R1)은, 정상적으로 가드 대기 위치에 위치할 때의 외측 가드(43)의 일부(구체적으로는 상단 주연부의 일부)를 포함하는 영역으로 설정된다. 도 8의 예에서는, 판정 영역(R1)은, 외측 가드(43)의 상단 주연부 중, 카메라(70)에서 본 앞쪽의 주연 부분을 포함하는 영역으로 설정되어 있다. 바꾸어 말하면, 판정 영역(R1)은, 촬상 화상에 있어서, 외측 가드(43)의 상단 주연부가 따르는 가상적인 타원(E1)의 장축(LA1)보다 하측의 부분으로 설정되어 있다.
또 도 8의 예에서는, 판정 영역(R1)은, 기판(W)을 포함하지 않는 영역으로 설정되어 있다. 기판(W)의 주연과 외측 가드(43)의 상단 주연부의 간격은, 타원(E1)의 장축(LA1)보다 하측에 있어서 넓어지므로, 판정 영역(R1)을 장축(LA1)보다 하측으로 설정하면, 기판(W)을 포함하지 않고, 또한, 외측 가드(43)의 상단 주연부를 포함하는 영역으로 판정 영역(R1)을 설정하기 쉽다.
또 도 8의 예에서는, 판정 영역(R1)으로서 제1 판정 영역(R11) 및 제2 판정 영역(R12)이 설정되어 있다. 제1 판정 영역(R11)과 제2 판정 영역(R12)은, 타원(E1)의 단축(SA1)에 대하여 서로 반대 측에 설정되어 있다.
대기 위치용 참조 화상으로서는, 제1 판정 영역(R11)과 같은 영역의 제1 참조 화상(M11)과, 제2 판정 영역(R12)과 같은 영역의 제2 참조 화상(M12)이 기억부(93)에 미리 기억된다.
도 10은, 판정 공정(단계 S13)의 보다 구체적인 동작의 일례를 나타내는 플로차트이다. 우선, 가드 판정부(91)는 제1 판정 영역(R11) 내의 화소값 및 제1 참조 화상(M11) 내의 화소값에 의거하여, 제1 판정 영역(R11)과 제1 참조 화상(M11)의 유사도(이하, 제1 유사도라고 부른다)(DS1)를 산출한다(단계 S131). 유사도는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 화소값의 차분의 제곱합(Sum of Squared Difference), 화소값의 차분의 절대값의 합(Sum of Absolute Difference), 정규화 상호 상관 및 영평균 정규화 상호 상관 등의 공지의 유사도여도 된다. 유사도가 정규화 상호 상관 또는 영평균 정규화 상호 상관인 경우, 유사도는 -1.0 이상 또한 1.0 이하의 값을 취한다.
다음으로, 가드 판정부(91)는 제2 판정 영역(R12) 내의 화소값 및 제2 참조 화상(M12) 내의 화소값에 의거하여, 제2 판정 영역(R12)과 제2 참조 화상(M12)의 유사도(이하, 제2 유사도라고도 부른다)(DS2)를 산출한다(단계 S132). 이들 유사도가 높으면, 외측 가드(43)는 정상적으로 가드 대기 위치에서 정지하고 있다고 생각된다.
다음으로, 가드 판정부(91)는 제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2)의 양쪽 모두가 규정의 임곗값(Ref) 이상인지 여부를 판정한다(단계 S133). 즉, 가드 판정부(91)는, 제1 판정 영역(R11)의 화소값에 의거하는 가판정 결과와, 제2 판정 영역(R12)의 화소값에 의거하는 가판정 결과의 양쪽 모두에 있어서, 외측 가드(43)가 정상적으로 가드 대기 위치에서 정지하고 있다고 가판정되었는지 여부를 판정한다.
제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2)의 양쪽 모두가 임곗값(Ref) 이상일 때, 가드 판정부(91)는 외측 가드(43)가 정상적으로 가드 대기 위치에서 정지하고 있다고 판정한다(단계 S134). 즉, 가드 판정부(91)는 제1 판정 영역(R11) 및 제2 판정 영역(R12)의 양쪽 모두에 있어서 외측 가드(43)가 정상이라고 가판정했을 때에, 외측 가드(43)가 정상이라고 판정한다.
한편, 제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2) 중 적어도 어느 한쪽이 임곗값(Ref) 미만일 때에는, 가드 판정부(91)는 외측 가드(43)에 관하여 이상이 발생했다고 판정한다(단계 S135). 즉, 가드 판정부(91)는 외측 가드(43)가 정상적으로 가드 대기 위치에 위치하고 있지 않다고 판정한다. 가드 판정부(91)가 이상을 검출했을 때, 처리 유닛(1)은 처리를 중단해도 되고, 또한 도시하지 않은 알림부(예를 들면 디스플레이)에 의하여, 유저에게 이상의 발생을 알려도 된다.
이상과 같이, 가드 감시 처리에 의하여, 외측 가드(43)에 관한 이상을 검출할 수 있다. 그리고, 이상이 검출되었을 때에는, 주 반송 로봇(103)은 기판(W)의 반출 처리의 개시를 중지할 수 있다. 이 때문에, 주 반송 로봇(103)의 핸드와 가드부(40)의 충돌을 회피할 수 있다.
또한, 상기에서는, 기판(W)의 반출 전의 가드 감시 처리에 대하여 기술했지만, 처리 유닛(1)은 기판(W)의 반입 전에도 동일한 가드 감시 처리를 행해도 된다. 즉, 처리 유닛(1)은 유지 반입 공정(단계 S1)에 있어서의 기판(W)의 반입 직전이라도, 촬상 공정(단계 S12) 및 판정 공정(단계 S13)을 행해도 된다. 기판(W)의 반입 직전에 있어서의 판정 공정에 의하여 이상이 검출되었을 때에도, 주 반송 로봇(103)은 기판(W)의 반입 처리의 개시를 중지할 수 있다. 이 때문에, 주 반송 로봇(103)의 핸드와 가드부(40)의 충돌을 회피할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 상술과 같이, 가드 판정부(91)는, 가드부(40)를 포함하는 촬상 화상에 의거하여 이상의 유무를 직접적으로 판정한다. 따라서, 비록 가드 승강 기구(60)에 탈조 등의 이상이 발생해도, 외측 가드(43)의 이상을 적절히 판정할 수 있다. 즉, 가드 판정부(91)는 보다 높은 정밀도로 이상의 유무를 판정할 수 있다.
또 도 8의 예에서는, 촬상 화상의 일부만의 영역에 판정 영역(R1)이 설정되고, 가드 판정부(91)는 이 판정 영역(R1) 내의 화소값에 의거하여 이상의 유무를 판정하고 있다. 반대로 말하면, 촬상 화상 중 판정 영역(R1) 이외의 영역에 포함된 구성은, 판정에 이용되지 않는다. 따라서, 가드 판정부(91)는 당해 구성에 의한 판정 결과에 대한 영향을 회피할 수 있어, 보다 높은 판정 정밀도로 이상의 유무를 판정할 수 있다.
또 도 8의 예에서는, 판정 영역(R1)은, 촬상 화상에 있어서 기판(W)을 포함하지 않는 영역으로 설정되어 있다. 그런데, 처리 유닛(1)으로의 기판(W)의 반입 전에는, 스핀 척(20)이 아직 기판(W)을 유지하고 있지 않으므로, 이때에 촬상된 촬상 화상에는 당연히 기판(W)이 포함되지 않는다. 한편, 처리 유닛(1)으로부터의 기판(W)의 반출 전에는 스핀 척(20)이 기판(W)을 유지하고 있으므로, 도 8에 예시하는 바와 같이, 이때에 촬상된 촬상 화상에는 기판(W)이 포함된다. 이와 같이 양 촬상 화상은 기판(W)의 유무라고 하는 점에서 서로 상이하다.
그런데, 촬상 화상으로 설정된 판정 영역(R1)에는 기판(W)이 포함되어 있지 않으므로, 이와 같은 기판(W)의 유무는 판정에 영향을 주지 않는다. 따라서, 기판(W)의 반입 시 및 반출 시 각각에 있어서 공통의 판정 영역(R1) 및 공통의 대기 위치용 참조 화상을 이용해도, 가드 판정부(91)는 이상의 유무를 적절히 판정할 수 있다.
또 도 8의 예에서는, 판정 영역(R1)으로서, 제1 판정 영역(R11) 및 제2 판정 영역(R12)이 설정되어 있다. 그리고, 가드 판정부(91)는 제1 판정 영역(R11) 및 제2 판정 영역(R12)의 양쪽 모두에 있어서 외측 가드(43)가 정상이라고 가판정했을 때에, 외측 가드(43)가 정상이라고 판정한다.
비교를 위하여, 제1 판정 영역(R11)만으로 외측 가드(43)의 이상의 유무를 판정하는 경우를 설명한다. 이 경우, 가드 승강 기구(60)의 이상 등의 요인에 의하여 가드부(40)가 기울어지면, 오판정을 초래할 수 있다. 예를 들면, 가드 승강 기구(63)가 외측 가드(43)의 하단을 복수 개소에서 지지하여 승강시키는 경우, 하나의 개소에서 문제가 발생하면, 외측 가드(43)가 기울어진다. 이 경우, 외측 가드(43)의 상단 주연부는 수평면에 대하여 경사져 버린다.
이와 같이 외측 가드(43)가 경사지면, 제1 판정 영역(R11)이 제1 참조 화상(M11)과 유사함에도 불구하고, 제2 판정 영역(R12)이 제2 참조 화상(M12)으로부터 어긋나는 경우가 있을 수 있다. 이 경우, 가드 판정부(91)가 제1 판정 영역(R11)만으로 이상의 유무를 판정하면, 외측 가드(43)가 정상이라고 오판정될 수 있다. 즉, 이상의 검출 누락이 발생한다.
이에 대하여, 가드 판정부(91)가 제1 판정 영역(R11) 및 제2 판정 영역(R12)의 양쪽 모두를 이용하여 이상의 유무를 판정하면, 이와 같은 오판정을 억제할 수 있다. 바꾸어 말하면, 가드 판정부(91)는 보다 높은 판정 정밀도로 이상의 유무를 판정할 수 있다.
게다가 도 8의 예에서는, 제1 판정 영역(R11) 및 제2 판정 영역(R12)은 가상적인 타원(E1)의 단축(SA1)에 대하여 서로 반대 측에 설정되어 있다. 따라서, 가드 판정부(91)는 외측 가드(43)의 경사에 기인하는 이상을 검출하기 쉽다.
<가드 처리 위치>
다음으로, 가드 승강 공정(단계 S11)에서 가드부(40)가 가드 처리 위치로 이동하는 경우에 대하여 상세하게 기술한다. 즉, 당해 가드 승강 공정이, 약액 공정(단계 S3), 제1 린스 공정(단계 S4) 및 제2 린스 공정(단계 S5) 중 어느 하나에 있어서 행해지는 가드부(40)의 이동에 상당하는 경우에 대하여 상세하게 기술한다.
우선, 가드 승강 공정에 있어서, 가드 승강 기구(60)는 상술과 같이 처리액의 종류에 따라 가드(41~43)를 적절히 이동시킨다. 여기에서는, 외측 가드(43)만이 가드 처리 위치로 상승하는 것으로 한다. 즉, 제어부(9)의 처리 제어부(92)는, 외측 가드(43)만이 가드 처리 위치로 상승하기 위한 제어 신호를, 각각 가드 승강 기구(61~63)에 출력한다. 가드 승강 기구(60)는 제어 신호에 따라 가드(41~43)를 적절히 이동시킨다.
가드 승강 기구(60)가 가드(41~43)를 정상적으로 이동시킬 수 있으면, 다음의 처리액의 공급 시에 있어서, 기판(W)의 주연으로부터 비산한 처리액은 적절한 가드로 받아내어져, 회수 또는 폐기된다. 한편, 가드 승강 기구(60)의 이상 등의 요인에 의하여 가드(41~43)가 정상적으로 이동할 수 없으면, 처리액이 적절한 가드로 적절히 받아내어지지 않는다.
이에, 처리 유닛(1)은 다음의 처리액을 공급하기 전에 촬상 공정(단계 S12) 및 판정 공정(단계 S13)을 행한다. 예를 들면 약액 처리에 있어서, 처리 유닛(1)은 약액을 기판(W)에 공급하기 전에, 촬상 공정 및 판정 공정을 행한다.
촬상 공정에 있어서, 도 9에 예시된 촬상 화상이 생성된다. 도 9의 예에서는, 촬상 화상에는, 가드 처리 위치에서 정지하는 외측 가드(43)의 상단 주연부의 전부가 포함되어 있다. 도 9의 예에서는, 기판(W)의 상면도 촬상 화상에 포함되어 있지만, 그 앞쪽의 주연부는 외측 가드(43)에 의하여 차단된다. 따라서, 도 9의 촬상 화상에 있어서, 가드부(40)의 상단 주연부 중 앞쪽의 주연 부분은 세로 방향으로 기판(W)과 연속되어 있다.
가드 판정부(91)는 촬상 화상과 처리 위치용 참조 화상에 의거하여 가드부(40)(여기에서는 외측 가드(43))에 관한 이상의 유무를 판정한다. 처리 위치용 참조 화상이란, 가드부(40)(여기에서는 외측 가드(43)만)가 정상적으로 가드 처리 위치에서 정지했을 때에 카메라(70)가 촬상한 정상 촬상 화상이며, 기억부(93)에 미리 기억된다.
도 9의 예에서는, 촬상 화상에는 적어도 하나의 판정 영역(R2)이 설정된다. 판정 영역(R2)은, 정상적으로 가드 처리 위치에 위치할 때의 외측 가드(43)의 상단 주연부의 일부를 포함하는 영역으로 설정된다. 도 9의 예에서는, 판정 영역(R2)은, 외측 가드(43)의 상단 주연부 중, 카메라(70)에서 본 안쪽의 주연 부분을 포함하는 영역으로 설정되어 있다. 바꾸어 말하면, 판정 영역(R2)은, 촬상 화상에 있어서, 외측 가드(43)의 상단 주연부가 따르는 가상적인 타원(E1)의 장축(LA1)보다 상측의 부분으로 설정되어 있다.
또 도 9의 예에서는, 판정 영역(R2)은, 기판(W)을 포함하지 않는 영역으로 설정되어 있다. 기판(W)의 주연과 외측 가드(43)의 상단 주연부의 간격은, 타원(E1)의 장축(LA1)보다 상측에 있어서 넓어지므로, 판정 영역(R2)을 장축(LA1)보다 상측으로 설정하면, 기판(W)을 포함하지 않고, 또한, 외측 가드(43)의 상단 주연부를 포함하는 영역으로 판정 영역(R2)을 설정하기 쉽다.
또 도 9의 예에서는, 판정 영역(R2)으로서 제1 판정 영역(R21) 및 제2 판정 영역(R22)이 설정되어 있다. 제1 판정 영역(R21)과 제2 판정 영역(R22)은, 타원(E1)의 단축(SA1)에 대하여 서로 반대 측에 설정되어 있다.
처리 위치용 참조 화상으로서는, 제1 판정 영역(R21)과 같은 영역의 제1 참조 화상(M21)과, 제2 판정 영역(R22)과 같은 영역의 제2 참조 화상(M22)이 기억부(93)에 미리 기억된다.
판정 공정(단계 S13)의 구체적인 동작의 일례는 도 10의 플로차트와 동일하다. 우선, 가드 판정부(91)는 제1 판정 영역(R21) 내의 화소값 및 제1 참조 화상(M21) 내의 화소값에 의거하여, 제1 판정 영역(R21)과 제1 참조 화상(M21)의 제1 유사도(DS1)를 산출한다(단계 S131). 다음으로, 가드 판정부(91)는 제2 판정 영역(R22) 내의 화소값 및 제2 참조 화상(M22) 내의 화소값에 의거하여, 제2 판정 영역(R22)과 제2 참조 화상(M22)의 제2 유사도(DS2)를 산출한다(단계 S132).
다음으로, 가드 판정부(91)는 제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2)의 양쪽 모두가 규정의 임곗값(Ref) 이상인지 여부를 판정한다(단계 S133). 제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2)의 양쪽 모두가 임곗값(Ref) 이상일 때, 가드 판정부(91)는 외측 가드(43)가 정상적으로 가드 처리 위치에 위치하고 있다고 판정한다(단계 S134). 제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2) 중 적어도 어느 한쪽이 임곗값(Ref) 미만일 때에는, 가드 판정부(91)는 외측 가드(43)에 관한 이상이 발생했다고 판정한다(단계 S135). 가드 판정부(91)가 이상을 검출했을 때, 처리 유닛(1)은 처리를 중단해도 되고, 또한 도시하지 않은 알림부(예를 들면 디스플레이)에 의하여, 유저에게 이상의 발생을 알려도 된다.
이상과 같이, 가드 감시 처리에 의하여, 가드부(40)에 관한 이상을 검출할 수 있다. 그리고, 가드 감시 처리에 의하여 이상이 검출되었을 때에는, 처리 유닛(1)은 다음의 처리액의 공급 개시를 중지할 수 있다. 이에 의하여, 다음의 처리액이 다른 가드에 의하여 받아내어지는 것을 억제할 수 있고, 회수 라인 또는 배액 라인에 있어서의 처리액의 혼입을 억제할 수 있다.
또한, 상술한 구체예에서는, 외측 가드(43)만이 가드 처리 위치에서 정지한 경우에 대하여 설명했지만, 내측 가드(41) 혹은 중간 가드(42)가 가드 처리 위치에서 정지한 경우도 동일하다. 도 11은, 중간 가드(42) 및 외측 가드(43)가 각각의 가드 처리 위치에서 정지했을 때의 촬상 화상의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 이 촬상 화상에는, 가드 처리 위치에서 정지한 중간 가드(42)의 일부도 포함되어 있다. 구체적으로는, 중간 가드(42)의 상단 주연부 중 카메라(70)에서 본 안쪽의 주연 부분이, 촬상 화상에 있어서 외측 가드(43)의 상단 주연부의 바로 아래에 나타내어져 있다. 판정 영역(R2)은, 정상적으로 가드 처리 위치에 위치할 때의 외측 가드(43) 및 중간 가드(42)의 상단 주연부의 양쪽 모두가 포함되는 영역으로 설정된다. 도 11의 예에서는, 제1 판정 영역(R21) 및 제2 판정 영역(R22) 각각에 있어서, 외측 가드(43)의 상단 주연부의 일부 및 중간 가드(42)의 상단 주연부의 일부의 양쪽 모두가 포함되어 있다.
이 경우의 처리 위치용 참조 화상으로서는, 정상적으로 가드 처리 위치에서 정지한 외측 가드(43) 및 중간 가드(42)를 포함하는 정상 촬상 화상이 채용된다. 도 11의 예에서는, 제1 판정 영역(R21)과 같은 영역의 제1 참조 화상(M31), 및, 제2 판정 영역(R22)과 같은 영역의 제2 참조 화상(M32)이 나타내어져 있고, 이들은 기억부(93)에 미리 기억된다. 제1 참조 화상(M31) 및 제2 참조 화상(M32) 각각에는, 정상적으로 가드 처리 위치에서 정지한 외측 가드(43)의 상단 주연부의 일부 및 중간 가드(42)의 상단 주연부의 일부의 양쪽 모두가 포함된다.
판정 공정(단계 S13)에 있어서의 구체적인 동작은 도 10과 동일하다. 단, 제1 참조 화상(M21) 대신에 제1 참조 화상(M31)이 이용되고, 제2 참조 화상(M22) 대신에 제2 참조 화상(M32)이 이용된다.
내측 가드(41), 중간 가드(42) 및 외측 가드(43)가 각각의 가드 처리 위치에서 정지하는 경우도 동일하다. 도 12는, 내측 가드(41), 중간 가드(42) 및 외측 가드(43)가 각각의 가드 처리 위치에서 정지했을 때의 촬상 화상의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 판정 영역(R2)(제1 판정 영역(R21) 및 제2 판정 영역(R22))은, 정상적으로 가드 처리 위치에 위치할 때의 가드(41~43)의 상단 주연부의 일부가 포함되는 영역으로 설정된다. 처리 위치용 제1 참조 화상(M41) 및 제2 참조 화상(M42)으로서는, 정상적으로 가드 처리 위치에서 정지한 가드(41~43)의 상단 주연부의 일부가 포함되는 정상 촬상 화상이 채용되고, 이들이 기억부(93)에 미리 기억된다.
판정 공정(단계 S13)에 있어서의 구체적인 동작은 도 10과 동일하다. 단, 제1 참조 화상(M21) 대신에 제1 참조 화상(M41)이 이용되고, 제2 참조 화상(M22) 대신에 제2 참조 화상(M42)이 이용된다.
또한, 상술과 같이, 판정 영역(R2)은, 정상적으로 가드 처리 위치에 위치할 때의 가드(41~43)의 상단 주연부의 일부를 포함하는 영역으로 설정되면 된다. 이에 의하면, 가드 판정부(91)는, 가드(41~43) 중 적어도 하나가 가드 처리 위치에서 정지한 상태(도 9, 도 11 및 도 12)에 있어서, 공통의 판정 영역(R2)을 이용하여 이상의 유무를 판정할 수 있다.
이상과 같이, 가드 판정부(91)는, 카메라(70)에 의하여 촬상된, 가드부(40)를 포함하는 촬상 화상에 의거하여, 가드부(40)에 관한 이상을 직접적으로 검출한다. 따라서, 비록 가드 승강 기구(60)에 탈조 등의 이상이 발생해도, 가드부(40)의 이상을 높은 정밀도로 판정할 수 있다.
또 상술한 예에서는, 촬상 화상의 일부만의 영역에 판정 영역(R2)이 설정되고, 가드 판정부(91)는 이 판정 영역(R2) 내의 화소값에 의거하여 이상의 유무를 판정한다. 이 때문에, 판정 영역(R2) 이외의 구성에 의한 판정에 대한 영향을 회피할 수 있어, 가드 판정부(91)는 보다 높은 판정 정밀도로 이상의 유무를 판정할 수 있다.
또 상술한 예에서는, 판정 영역(R2)은, 촬상 화상에 있어서 기판(W)을 포함하지 않는 영역으로 설정되어 있다. 그런데, 가드부(40)는, 기판(W)에 대한 액처리뿐만 아니라, 예를 들면, 챔버(10) 내의 세정 처리(이하, 챔버 세정 처리라고 부른다) 시에도 가드 처리 위치로 이동하는 경우가 있다. 예를 들면 각 가드(41~43)의 내주면을 세정하는 경우, 가드(41~43)가 적절히 가드 처리 위치로 상승한다. 이와 같은 경우여도 처리 유닛(1)은 가드 감시 처리를 행하는 것이 바람직하다. 그리고, 이와 같은 챔버 세정 처리는, 처리 유닛(1) 내에 기판(W)이 반입되지 않고 행해지는 경우가 있다. 이 경우에는, 촬상 화상에는 당연하게 기판(W)이 포함되지 않는다. 한편, 액처리에 있어서의 가드 감시 처리에서는, 도 9, 도 11 및 도 12에 예시하는 바와 같이, 촬상 화상에는 기판(W)이 포함된다. 이와 같이 액처리 및 챔버 세정 처리에 있어서의 촬상 화상은 기판(W)의 유무라고 하는 점에서 서로 상이하다.
그런데, 촬상 화상으로 설정된 판정 영역(R2)에는 기판(W)이 포함되어 있지 않으므로, 이와 같은 기판(W)의 유무는 판정에 영향을 주지 않는다. 따라서, 액처리 및 챔버 세정 처리 각각에 있어서 공통의 판정 영역(R2) 및 공통의 처리 위치용 참조 화상을 이용해도, 가드 판정부(91)는 가드부(40)에 관한 이상의 유무를 적절히 판정할 수 있다.
또 상술한 예에서는, 판정 영역(R2)으로서, 제1 판정 영역(R21) 및 제2 판정 영역(R22)이 설정된다. 가드 판정부(91)는, 제1 판정 영역(R21) 및 제2 판정 영역(R22)의 양쪽 모두에 있어서 가드부(40)가 정상이라고 가판정했을 때에, 가드부(40)가 정상이라고 판정한다. 이 때문에, 가드 승강 기구(60)의 이상 등의 요인에 의하여 가드부(40)가 경사진 경우이더라도, 가드 판정부(91)는 보다 높은 판정 정밀도로 이상의 유무를 판정할 수 있다. 또 제1 판정 영역(R21) 및 제2 판정 영역(R22)은 타원(E1)의 단축(SA1)에 대하여 서로 반대 측에 설정되어 있다. 따라서, 가드 판정부(91)는 가드부(40)의 경사에 기인하는 이상을 검출하기 쉽다.
또, 각 공정에서 이동하는 가드부(40)에 대한 소정의 높이 위치(목표 높이 위치)는, 사양 등의 변경에 의하여, 적절히 변경할 가능성이 있다. 그런데, 본 실시 형태에 의하면, 판정 영역 및 참조 화상을 적절히 변경함으로써, 처리 유닛(1)의 하드웨어 구성을 변경하지 않아도, 높이 위치에 따른 가드부(40)의 이상 검출이 가능하다.
<임곗값(Ref)>
상술과 같이, 기판 처리에서는 처리액이 기판(W)에 공급되므로, 챔버(10) 내에서 처리액이 비산하고, 그 액적이 가드부(40)의 외주면에 부착될 가능성이 있다. 이 경우, 다음에 상세하게 기술하는 바와 같이, 가드 판정부(91)는 오판정할 가능성이 있다. 도 13은, 가드부(40)의 외주면에 액적(L1)이 부착되었을 때의 촬상 화상의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 13의 예에서는, 가드부(40)의 외측 가드(43)의 외주면에 복수의 액적(L1)이 부착되어 있고, 제1 판정 영역(R11) 및 제2 판정 영역(R12)에도 액적(L1)이 포함되어 있다. 이 때문에, 제1 판정 영역(R11)과 제1 참조 화상(M11)의 제1 유사도(DS1) 및 제2 판정 영역(R12)과 제2 참조 화상(M12)의 제2 유사도(DS2)는 임곗값(Ref)보다 낮아질 수 있다. 이 경우, 가드부(40)는 정상적으로 가드 대기 위치에서 정지하고 있음에도 불구하고, 가드 판정부(91)는 가드부(40)가 가드 대기 위치에 정상적으로 정지하고 있지 않다고 오판정한다. 즉, 가드 판정부(91)가 가드부(40)에 관한 이상을 오검출한다.
이에, 판정 영역(R1)의 설정에 의하여, 이와 같은 오검출을 억제하는 것을 기도(企圖)한다. 구체적으로는, 판정 영역(R1)에 있어서 외측 가드(43)가 차지하는 가드 면적이 작아지도록, 판정 영역(R1)을 설정하면 된다. 예를 들면 도 13의 예에서는, 제1 판정 영역(R11)의 윤곽은, 하변과, 우측의 측변과, 좌측의 측변과, 상변으로 이루어지는 직사각형 형상을 갖고 있고, 이 하변 및 우측의 측변에, 외측 가드(43)의 상단 주연부가 교차하도록, 제1 판정 영역(R11)이 설정된다. 이에 의하면, 외측 가드(43)의 상단 주연부가 제1 판정 영역(R11)의 양 측변에 교차하는 경우에 비하여, 가드 면적을 작게 할 수 있다. 이 때문에, 판정 영역(R1) 내의 액적(L1)의 비율을 작게 할 수 있으므로, 액적(L1)에 의한 판정에 대한 영향을 억제할 수 있다. 제2 판정 영역(R12)에 대해서도 동일하다.
다음으로, 임곗값(Ref)의 설정에 의하여, 오판정을 억제하는 것을 기도한다. 본 실시 형태에서는, 실험에 의하여 유사도를 조사했다. 도 14는, 실험 결과로서의 유사도를 모식적으로 나타내는 막대그래프이다. 실험에서는, 다음의 3개의 상태 각각에서, 카메라(70)가 촬상 화상을 생성하고, 제어부(9)가 제1 판정 영역(R11)과 제1 참조 화상(M11)의 제1 유사도(DS1) 및 제2 판정 영역(R12)과 제2 참조 화상(M12)의 제2 유사도(DS2)를 산출했다.
제1 상태는, 가드부(40)의 외주면에 액적(L1)이 부착되어 있지 않고, 가드부(40)가 정상적으로 가드 대기 위치에서 정지한 상태이다(도 8 참조). 제2 상태는, 가드부(40)의 외주면에 액적(L1)이 부착되어 있지만, 가드부(40)가 정상적으로 가드 대기 위치에서 정지한 상태이다(도 13 참조). 제3 상태는, 가드부(40)의 외주면에 액적(L1)이 부착되어 있지 않고, 가드부(40)가 가드 대기 위치로부터 어긋나 정지한 상태이다. 구체적인 일례로서, 제3 상태에서는, 외측 가드(43)의 상단 주연부의 높이 위치가 스핀 베이스(21)의 상면(21a)의 높이 위치와 일치하거나 혹은 약간 낮다. 또, 여기에서는, 제1 상태 내지 제3 상태 각각에 있어서, 복수 회에 걸쳐 카메라(70)가 촬상을 행하고, 그때마다, 제어부(9)가 제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2)를 산출했다.
실험 결과에 의하면, 제1 상태에서의 제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2) 중 최소값은 유사도값 sd1(0.99 정도)이었다. 제2 상태에서의 제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2) 중 최소값은 유사도값 sd1보다 낮고, 유사도값 sd2(0.93 정도)였다. 제3 상태에서의 제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2) 중 최대값은, 유사도값 sd2보다 낮고, 유사도값 sd3(0.5 정도 미만)이었다.
즉, 액적(L1)이 가드부(40)의 외주면에 부착되어 있는 경우, 가드부(40)가 정상적으로 가드 대기 위치에서 정지하고 있으면, 유사도는 유사도값 sd1 미만은 될 수 있지만, 유사도값 sd2 미만은 되지 않는다. 또, 외측 가드(43)의 상단 주연부의 높이 위치가 스핀 베이스(21)의 상면(21a)의 높이 위치 이하이면, 주 반송 로봇(103)의 핸드와 가드부(40)의 충돌을 회피할 수 있다.
이에, 임곗값(Ref)은, 유사도값 sd2(제1 값에 상당)보다 낮고, 또한, 유사도값 sd3보다 높은 값(이하, 제1 임곗값(Ref1)이라고 부른다)으로 설정되면 된다. 이에 의하면, 가드 판정부(91)는 제2 상태에 있어서도 가드부(40)가 정상이라고 판정한다. 따라서, 제2 상태에서의 이상의 오검출을 피할 수 있다.
또, 외측 가드(43)의 상단 주연부가 스핀 베이스(21)의 상면(21a)보다 높은 위치에 있을 때에는, 가드 판정부(91)는 가드부(40)의 이상을 적절히 검출할 수 있다. 따라서, 주 반송 로봇(103)의 핸드와 가드부(40)의 충돌을 적절히 회피할 수 있다.
<형상 이상>
상술한 예에서는, 가드부(40)의 위치에 관한 이상에 주목하여 설명을 행하고 있지만, 가드부(40)의 형상에 관한 이상이 발생한 경우에도, 가드 판정부(91)는 이상을 검출할 수 있다. 왜냐하면, 촬상 화상에 포함되는 가드부(40)의 형상에 이상이 발생했을 경우, 촬상 화상과 참조 화상의 유사도는 저하하므로, 가드 판정부(91)는 유사도에 의거하는 상술한 판정에 의하여 가드부(40)의 이상을 검출할 수 있다.
예를 들면, 제1 판정 영역(R11)에 있어서 외측 가드(43)가 정상이라고 가판정되고, 제2 판정 영역(R12)에 있어서 외측 가드(43)에 이상이 있다고 가판정된 경우, 외측 가드(43)의 상단 주연부의 형상에 이상이 발생했을 가능성도 있다. 가드 판정부(91)는 이와 같은 형상 이상도 검출할 수 있다.
<제2의 실시 형태>
도 15는, 제2의 실시 형태에 따른 처리 유닛(1)의 구성의 일례를 개략적으로 나타내는 도면이다. 제1의 실시 형태와 비교하여, 처리 유닛(1)은 가스 노즐(80)을 추가로 포함하고 있다. 가스 노즐(80)은 챔버(10) 내에 설치되어 있다. 가스 노즐(80)의 토출구는 가드부(40)를 향하고 있고, 가스 노즐(80)이 당해 토출구로부터 가드부(40)를 향하여 가스를 토출하여, 가드부(40)에 부착된 액적(L1)을 떨어낸다. 가스의 유량은, 액적(L1)을 충분히 떨어낼 수 있을 정도의 값으로 설정된다. 가스의 유량은 예를 들면 50L(리터)/min 이상 또한 150L/min 이하 정도로 설정된다.
가스 노즐(80)은 가스 공급관(81)을 통하여 가스 공급원(83)에 접속된다. 가스 공급원(83)은, 가스를 저류하는 봄베를 포함한다. 가스 공급관(81)에는 밸브(82)가 설치되어 있다. 밸브(82)는 가스 공급관(81)의 유로를 열고 닫는다. 밸브(82)가 열림으로써, 가스 공급원(83)은 가스 공급관(81)을 통하여 가스를 가스 노즐(80)에 공급한다. 가스는, 예를 들면, 불활성 가스를 포함한다. 불활성 가스로서는, 예를 들면, 아르곤 가스 등의 희가스 및 질소 가스 중 적어도 어느 한쪽을 채용할 수 있다.
가스 노즐(80)은, 가드부(40) 중, 판정 영역(R1) 및 판정 영역(R2)에 각각 찍히는 부분(이하, 피사 부분이라고 부른다)에 가스를 토출해도 된다. 가스 노즐(80)은 가드부(40)의 복수의 피사 부분에 따라 복수 설치되어도 된다. 가스 노즐(80)은 챔버(10) 내에 있어서 이동 불능으로 설치되어도 되고, 혹은, 도시하지 않은 가스 노즐 이동 기구에 의하여, 각 피사 부분에 가스를 공급 가능한 각 위치로 이동 가능하게 설치되어도 된다. 가스 노즐 이동 기구는 특별히 제한되지 않지만, 제1 노즐(30)과 동일한 아암 선회 기구를 갖고 있어도 되고, 혹은, 볼 나사 기구 및 모터를 포함하는 직동 기구를 갖고 있어도 된다. 또, 가스 노즐(80)은, 노즐 아암(32)의 선단의 토출 헤드(31)에 장착되어 있어도 된다. 이 경우, 가스 노즐(80)은 제1 노즐(30)과 일체로 이동한다. 혹은, 가스 노즐(80)은, 노즐 아암(32A)의 선단의 토출 헤드(31A)에 장착되어도 되고, 노즐 아암(32B)의 선단의 토출 헤드(31B)에 장착되어도 된다.
도 16은, 제2의 실시 형태에 따른 가드 감시 처리의 일례를 나타내는 플로차트이다. 우선, 단계 S11과 동일하게, 가드 승강 기구(60)가 가드부(40)를 소정의 높이 위치로 이동시킨다(단계 S31: 가드 승강 공정). 여기에서는, 가드 승강 기구(60)는 소정의 높이 위치로서의 가드 대기 위치로 가드부(40)를 이동시키는 것으로 한다.
다음으로, 처리 유닛(1)은, 가스 노즐(80)로부터 가드부(40)의 피사 부분을 향하여 가스를 토출시킨다(단계 S32: 가스 공급 공정). 구체적으로는, 가스 노즐(80)은, 판정 영역(R1)에 찍히는 피사 부분을 향하여 가스를 토출한다. 이 때문에, 피사 부분에 액적(L1)이 부착되어 있었다고 해도, 액적(L1)은 가스에 의하여 떨어내어진다. 가스의 토출 개시로부터, 액적(L1)을 떨어내는 데에 충분한 시간으로 설정된 소정 시간이 경과하면, 처리 유닛(1)은 가스 노즐(80)로부터의 가스의 공급을 정지한다. 소정 시간은 예를 들면 0.1초 이상 또한 30초 이하로 설정된다.
다음으로, 단계 S12와 동일하게, 카메라(70)는 촬상 영역을 촬상하여 촬상 화상을 생성하고, 당해 촬상 화상을 제어부(9)에 출력한다(단계 S33: 촬상 공정). 직전의 가스 공급 공정에 의하여 피사 부분에 부착된 액적(L1)은 떨어내어지므로, 촬상 화상의 판정 영역(R1)에는 거의, 혹은, 전혀 액적(L1)이 포함되지 않는다.
다음으로, 단계 S13과 동일하게, 가드 판정부(91)는 촬상 화상의 판정 영역(R1) 내의 화소값에 의거하여, 가드부(40)에 관한 이상의 유무를 판정한다(단계 S34: 판정 공정). 판정 영역(R1)에는 액적(L1)은 거의, 혹은, 전혀 포함되어 있지 않으므로, 가드 판정부(91)는 보다 높은 판정 정밀도로 이상의 유무를 판정할 수 있다. 또한, 임곗값(Ref)으로서는, 도 14에 나타내어진 제1 임곗값(Ref1)을 채용할 필요는 없다. 임곗값(Ref)으로서는, 유사도값 sd1(제2 값에 상당)보다 낮고, 유사도값 sd2(제1 값에 상당)보다 높은 값(이하, 제2 임곗값(Ref2)이라고 부른다)을 채용하면 된다.
또한, 가드 승강 공정(단계 S31)에 있어서 가드 승강 기구(60)가 가드부(40)를 가드 처리 위치로 이동시킨 경우, 가스 공급 공정(단계 S32)에 있어서 가스 노즐(80)은, 판정 영역(R2)에 찍히는 피사 부분을 향하여 가스를 공급해도 된다. 이에 의하여, 그 후의 촬상 공정(단계 S33)에 의하여 얻어지는 촬상 화상의 판정 영역(R2)에는, 액적(L1)이 거의, 혹은, 전혀 포함되지 않는다. 이 때문에, 판정 공정(단계 S34)에 있어서 가드 판정부(91)는 보다 높은 판정 정밀도로 이상의 유무를 판정할 수 있다.
<변형예>
처리 유닛(1)이 가드 감시 처리할 때마다 가스 노즐(80)로부터 가스를 토출시키면, 가스의 소비량이 증가한다. 여기에서는, 가스의 소비량을 저감시키는 것을 기도한다.
도 17은, 제2의 실시 형태에 따른 가드 감시 처리의 변형예를 나타내는 플로차트이다. 여기에서는, 뒤에 상세하게 기술하는 바와 같이, 임곗값(Ref)으로서, 도 14에 예시된, 제1 임곗값(Ref1)과, 제1 임곗값(Ref1)보다 높은 제2 임곗값(Ref2)이 적절히 활용된다.
우선, 단계 S11과 동일하게, 가드 승강 기구(60)가 가드부(40)를 소정의 높이 위치로 이동시킨다(단계 S41). 여기에서는, 가드 승강 기구(60)는 가드부(40)를 가드 대기 위치로 이동시키는 것으로 한다.
다음으로, 단계 S12와 동일하게, 카메라(70)가 촬상 영역을 촬상하여 촬상 화상을 생성하고, 당해 촬상 화상을 제어부(9)에 출력한다(단계 S42).
다음으로, 단계 S131과 동일하게, 제어부(9)의 가드 판정부(91)는 촬상 화상의 제1 판정 영역(R11)과 제1 참조 화상(M11)의 제1 유사도(DS1)를 산출하고(단계 S43), 단계 S132와 동일하게, 촬상 화상의 제2 판정 영역(R12)과 제2 참조 화상(M12)의 제2 유사도(DS2)를 산출한다(단계 S44).
다음으로, 가드 판정부(91)는 제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2)의 양쪽 모두가, 제1 임곗값(Ref1)보다 높은 제2 임곗값(Ref2) 이상인지 여부를 판정한다(단계 S45). 제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2)의 양쪽 모두가 제2 임곗값(Ref2) 이상일 때에는, 가드 판정부(91)는 가드부(40)가 정상이라고 판정한다(단계 S46, 제1 공정에 상당).
제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2) 중 적어도 한쪽이 제2 임곗값(Ref2) 미만일 때에는, 이상이 발생했거나, 혹은, 액적(L1)이 부착되어 있을 가능성이 있다.
이에, 가드 판정부(91)는, 제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2) 중 적어도 한쪽이 제1 임곗값(Ref1) 미만인지 여부를 판정한다(단계 S47). 제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2) 중 적어도 한쪽이 제1 임곗값(Ref1) 미만일 때에는, 이상이 발생했을 가능성이 높으므로, 가드 판정부(91)는 이상이 발생했다고 판정한다(단계 S48).
한편, 제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2)의 양쪽 모두가 제1 임곗값(Ref1) 이상일 때에는, 액적(L1)이 부착되어 있을 가능성이 높으므로, 가스 노즐(80)은 가드부(40) 중 판정 영역(R1)에 찍히는 피사 부분에 가스를 공급한다(단계 S49, 제2 공정에 상당). 이에 의하여, 피사 부분에 액적(L1)이 부착되어 있었다고 해도, 액적(L1)을 가스로 떨어낼 수 있다.
다음으로, 카메라(70)가 촬상 영역을 촬상하여 촬상 화상을 생성하고, 당해 촬상 화상을 제어부(9)에 출력한다(단계 S50, 제3 공정에 상당).
다음으로, 가드 판정부(91)는, 단계 S50에서 생성된 촬상 화상과 참조 화상에 의거하여, 가드부(40)에 관한 이상의 유무를 판정한다(제4 공정에 상당). 보다 구체적으로는, 우선, 가드 판정부(91)는, 단계 S131과 동일하게, 제1 유사도(DS1)를 산출하고(단계 S51), 단계 S132와 동일하게, 제2 유사도(DS2)를 산출한다(단계 S52).
다음으로, 가드 판정부(91)는, 제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2)의 양쪽 모두가 제2 임곗값(Ref2) 이상인지 여부를 판정한다(단계 S53). 가드 판정부(91)는, 제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2)의 양쪽 모두가 제2 임곗값(Ref2) 이상일 때에, 가드부(40)는 정상이라고 판정한다(단계 S46).
한편, 제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2) 중 적어도 어느 한쪽이 제2 임곗값(Ref2) 미만일 때에, 가드 판정부(91)는, 단계 S46에 있어서 NO(부정적)로 판정된 판정 횟수가 규정의 횟수 n 이상인지 여부를 판단한다(단계 S54). 판정 횟수가 n회 미만일 때에는, 다시 가스 공급 공정(단계 S49)이 실행된다. 즉, 한 번의 가스 공급 공정에서는, 액적(L1)의 떨어냄이 불충분한 경우도 생각되므로, 다시 가스 공급 공정을 행한다.
판정 횟수가 횟수 n 이상일 때에는, 가드 판정부(91)는, 가드부(40)에 관한 이상이 발생했다고 판정한다(단계 S48). 즉, 가드 판정부(91)는, n회의 가스 공급 공정에서 액적(L1)을 떨어낸 후의 제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2) 중 적어도 어느 한쪽이 제2 임곗값(Ref2) 미만이 되면, 이상이 발생했다고 판정한다.
이상과 같이, 변형예에 의하면, 가스 공급 공정(단계 S49)은, 제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2) 중 적어도 한쪽이 제2 임곗값(Ref2) 미만이며(단계 S45: NO), 또한, 제1 유사도(DS1) 및 제2 유사도(DS2)의 양쪽 모두가 제1 임곗값(Ref1) 이상일(단계 S47: NO) 때에, 행해진다. 즉, 액적(L1)이 가드부(40)의 피사 부분에 부착되어 있을 가능성이 높은 상황에서, 처리 유닛(1)은 가스 공급 공정을 행한다. 따라서, 가스를 유효하게 이용할 수 있으면서, 가스의 소비량을 저감시킬 수 있다.
또한, 도 17의 예에서는, 가스 공급 공정(단계 S49)이 n회 행해질 수 있지만, n은 1로 설정되어도 된다. 이 경우, 단계 S54는 불필요하다.
이상과 같이, 가드 판정 방법 및 기판 처리 장치(100)는 상세하게 설명되었지만, 상기의 설명은, 모든 국면에 있어서, 예시이며, 이들이 그것에 한정되는 것은 아니다. 예시되어 있지 않은 무수한 변형예가, 이 개시된 범위로부터 벗어나는 일 없이 상정될 수 있는 것으로 이해된다. 상기 각 실시 형태 및 각 변형예에서 설명한 각 구성은, 서로 모순되지 않는 한 적절히 조합하거나, 생략하거나 할 수 있다.
예를 들면, 가드 감시 처리의 촬상 공정 및 판정 공정은, 기판(W)의 반출입 중, 액처리 중 및 건조 처리 중의 적어도 어느 하나의 기간 내에 있어서 소정의 시간 간격마다 복수 행해져도 된다. 즉, 처리 유닛(1)은 당해 기간 내에 있어서 가드부(40)에 대한 감시 처리를 계속해서 행해도 된다.
1 처리 유닛
20 기판 유지부(스핀 척)
21 스핀 베이스
21a 상면
30 액 노즐(제1 노즐)
41 가드(내측 가드)
42 가드(중간 가드)
43 가드(외측 가드)
30A 액 노즐(제2 노즐)
30B 액 노즐(제3 노즐)
80 가스 노즐
9 제어부
70 카메라
100 기판 처리 장치
E1 타원
DS1 유사도(제1 유사도)
DS2 유사도(제2 유사도)
M11, M21, M31, M41 참조 화상(제1 참조 화상)
M12, M22, M32, M42 참조 화상(제2 참조 화상)
R1, R2 판정 영역
R11, R21 제1 판정 영역
R12, R22 제2 판정 영역
Ref1 임곗값, 제1 임곗값
Ref2 제2 임곗값(임곗값)
S11 가드 승강 공정
S12 촬상 공정
S13 판정 공정
SA1 단축
W 기판

Claims (20)

  1. 기판 처리 장치로서,
    기판을 유지하는 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부에 의하여 유지된 상기 기판에 처리액을 공급하는 액 노즐과,
    상기 기판 유지부를 둘러싸고, 상기 기판의 주연으로부터 비산하는 상기 처리액을 받아내는 통 형상의 가드와,
    상기 가드를 승강시키는 가드 승강 기구와,
    상기 기판 유지부보다 비스듬한 상방에 설치되고, 상기 가드를 포함하는 촬상 영역을 촬상하여 촬상 화상을 생성하는 카메라와,
    상기 가드를 소정의 높이 위치로 이동시키는 제어 신호를 상기 가드 승강 기구에 출력하고, 상기 촬상 화상에 의거하여, 상기 가드의 위치 또는 형상에 관한 이상의 유무를 판정하는 제어부
    를 구비하는, 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 촬상 화상 중, 상기 가드의 일부를 포함하는 판정 영역에 의거하여, 상기 이상의 유무를 판정하는, 기판 처리 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 판정 영역은 제1 판정 영역 및 제2 판정 영역을 포함하고,
    상기 제1 판정 영역 및 상기 제2 판정 영역은, 상기 촬상 화상에 있어서, 상기 가드의 상단 주연부를 따르는 가상적인 타원의 단축에 대하여 서로 반대 측에 설정되어 있고,
    상기 제어부는, 상기 제1 판정 영역 및 상기 제2 판정 영역의 양쪽 모두에 있어서 상기 가드가 정상이라고 가(假)판정했을 때에, 상기 가드가 정상이라고 판정하는, 기판 처리 장치.
  4. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 판정 영역은, 상기 소정의 높이 위치에 위치할 때의 상기 가드의 상단 주연부의 적어도 일부를 포함하고, 또한, 상기 기판을 포함하지 않는 영역으로 설정되는, 기판 처리 장치.
  5. 청구항 2 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소정의 높이 위치는, 상기 기판의 하면과 연직 방향에 있어서 대향하는 상기 기판 유지부의 스핀 베이스의 상면보다, 상기 가드의 상단 주연부가 하방이 되는 가드 대기 위치이며,
    상기 판정 영역은, 상기 소정의 높이 위치에 위치할 때의 상기 가드의 상기 상단 주연부 중, 상기 카메라에서 본 앞쪽의 주연 부분의 적어도 일부를 포함하는 영역으로 설정되는, 기판 처리 장치.
  6. 청구항 2 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소정의 높이 위치는, 상기 가드의 상단 주연부가, 상기 기판 유지부에 의하여 유지된 상기 기판의 상면보다 상방이 되는 가드 처리 위치이며,
    상기 판정 영역은, 상기 소정의 높이 위치에 위치할 때의 상기 가드의 상단 주연부 중, 상기 카메라에서 본 안쪽의 주연 부분을 포함하는 영역으로 설정되는, 기판 처리 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제어부는, 복수의 상기 가드 중 적어도 하나를 상기 가드 처리 위치로 이동시키고,
    상기 판정 영역은, 상기 복수의 상기 가드가 각각의 상기 가드 처리 위치에 위치했을 때의 상기 복수의 상기 가드의 상기 상단 주연부를 포함하는 영역으로 설정되는, 기판 처리 장치.
  8. 청구항 2 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 판정 영역과 정상적인 참조 화상의 유사도가 임곗값 이상일 때에, 상기 가드가 정상이라고 판정하고,
    상기 임곗값은, 상기 가드가 상기 소정의 높이 위치에 위치하고, 또한, 상기 가드에 액적이 부착되어 있을 때에 촬상된 상기 촬상 화상의 상기 판정 영역과, 상기 참조 화상의 유사도의 값보다 낮게 설정되는, 기판 처리 장치.
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가드에 가스를 공급하여 상기 가드에 부착된 액적을 떨어내는 가스 노즐을 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.
  10. 청구항 2 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가드에 가스를 공급하여 상기 가드에 부착된 액적을 떨어내는 가스 노즐을 추가로 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 판정 영역과 정상적인 참조 화상의 유사도가 제1 임곗값보다 높은 제2 임곗값 이상일 때에, 상기 가드가 정상이라고 판정하는 제1 공정과,
    상기 유사도가 상기 제2 임곗값 미만 또한 상기 제1 임곗값 이상일 때에, 상기 가드 중 상기 판정 영역에 찍히는 피사(被寫) 부분을 향하여, 상기 가스 노즐로 하여금 가스를 공급하게 하는 제2 공정과,
    상기 제2 공정 후에, 상기 카메라로 하여금, 상기 촬상 영역을 촬상하여 상기 촬상 화상을 생성하게 하는 제3 공정과,
    상기 제3 공정에서 생성된 상기 촬상 화상의 상기 판정 영역과 상기 참조 화상의 상기 유사도에 의거하여, 상기 이상의 유무를 판정하는 제4 공정
    을 실행하고,
    상기 제1 임곗값은, 상기 가드가 상기 소정의 높이 위치에 위치하고, 또한, 상기 가드의 상기 피사 부분에 액적이 부착되어 있을 때에 촬상된 상기 촬상 화상의 상기 판정 영역과, 상기 참조 화상의 유사도의 제1 값보다 낮게 설정되고,
    상기 제2 임곗값은, 상기 가드가 상기 소정의 높이 위치에 위치하고, 또한, 상기 가드의 상기 피사 부분에 액적이 부착되어 있지 않을 때에 촬상된 상기 촬상 화상의 상기 판정 영역과 상기 참조 화상의 유사도의 제2 값보다 낮게, 또한, 상기 제1 값보다 높게 설정되는, 기판 처리 장치.
  11. 기판을 유지하기 위한 기판 유지부를 둘러싸는 통 형상의 가드를, 소정의 높이 위치로 이동시키는 가드 승강 공정과,
    상기 기판 유지부보다 상방에 설치된 카메라에 의하여, 상기 가드를 포함하는 촬상 영역을 촬상하여 촬상 화상을 생성하는 촬상 공정과,
    상기 촬상 화상에 의거하여, 상기 가드의 위치 또는 형상에 관한 이상이 발생했는지 여부를 판정하는 판정 공정
    을 구비하는, 가드 판정 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 판정 공정에 있어서, 상기 촬상 화상 중, 상기 가드의 일부를 포함하는 판정 영역에 의거하여, 상기 이상의 유무를 판정하는, 가드 판정 방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 판정 영역은 제1 판정 영역 및 제2 판정 영역을 포함하고,
    상기 제1 판정 영역 및 상기 제2 판정 영역은, 상기 촬상 화상에 있어서, 상기 가드의 상단 주연부를 따르는 가상적인 타원의 단축에 대하여 서로 반대 측에 설정되어 있고,
    상기 판정 공정에 있어서, 상기 제1 판정 영역 및 상기 제2 판정 영역의 양쪽 모두에 있어서 상기 가드가 정상이라고 가판정했을 때에, 상기 가드가 정상이라고 판정하는, 가드 판정 방법.
  14. 청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,
    상기 판정 영역은, 상기 소정의 높이 위치에 위치할 때의 상기 가드의 상단 주연부의 적어도 일부를 포함하고, 또한, 상기 기판을 포함하지 않는 영역으로 설정되는, 가드 판정 방법.
  15. 청구항 12 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소정의 높이 위치는, 상기 기판의 하면과 연직 방향에 있어서 대향하는 상기 기판 유지부의 스핀 베이스의 상면보다, 상기 가드의 상단 주연부가 하방이 되는 가드 대기 위치이며,
    상기 판정 영역은, 상기 소정의 높이 위치에 위치할 때의 상기 가드의 상기 상단 주연부 중, 상기 카메라에서 본 앞쪽의 주연 부분의 적어도 일부를 포함하는 영역으로 설정되는, 가드 판정 방법.
  16. 청구항 12 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소정의 높이 위치는, 상기 가드의 상단 주연부가, 상기 기판 유지부에 의하여 유지된 상기 기판의 상면보다 상방이 되는 가드 처리 위치이며,
    상기 판정 영역은, 상기 소정의 높이 위치에 위치할 때의 상기 가드의 상단 주연부 중, 상기 카메라에서 본 안쪽의 주연 부분을 포함하는 영역으로 설정되는, 가드 판정 방법.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 가드 승강 공정에 있어서, 복수의 상기 가드 중 적어도 하나를 상기 가드 처리 위치로 이동시키고,
    상기 판정 영역은, 상기 복수의 상기 가드가 각각의 상기 가드 처리 위치에 위치했을 때의 상기 복수의 상기 가드의 상기 상단 주연부를 포함하는 영역으로 설정되는, 가드 판정 방법.
  18. 청구항 12 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 판정 공정에 있어서, 상기 판정 영역과 정상적인 참조 화상의 유사도가 임곗값 이상일 때에, 상기 가드가 정상이라고 판정하고,
    상기 임곗값은, 상기 가드가 상기 소정의 높이 위치에 위치하고, 또한, 상기 가드에 액적이 부착되어 있을 때에 촬상된 상기 촬상 화상의 상기 판정 영역과, 상기 참조 화상의 유사도의 값보다 낮게 설정되는, 가드 판정 방법.
  19. 청구항 11 내지 청구항 18 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 촬상 공정보다 전에, 상기 가드에 부착된 액적을 가스로 떨어내는 가스 공급 공정을 추가로 구비하는, 가드 판정 방법.
  20. 청구항 12 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 판정 공정은,
    상기 판정 영역과 정상적인 참조 화상의 유사도가 제1 임곗값보다 높은 제2 임곗값 이상일 때에, 상기 가드가 정상이라고 판정하는 제1 공정과,
    상기 유사도가 상기 제2 임곗값 미만 또한 상기 제1 임곗값 이상일 때에, 상기 가드 중 상기 판정 영역에 찍히는 피사 부분에 가스를 공급하는 제2 공정과,
    상기 제2 공정 후에, 상기 카메라가 상기 촬상 영역을 촬상하여 상기 촬상 화상을 생성하는 제3 공정과,
    상기 제3 공정에서 생성된 상기 촬상 화상의 상기 판정 영역과 상기 참조 화상의 상기 유사도에 의거하여, 상기 이상의 유무를 판정하는 제4 공정
    을 구비하고,
    상기 제1 임곗값은, 상기 가드가 상기 소정의 높이 위치에 위치하고, 또한, 상기 가드의 상기 피사 부분에 액적이 부착되어 있을 때에 촬상된 상기 촬상 화상의 상기 판정 영역과, 상기 참조 화상의 유사도의 제1 값보다 낮게 설정되고,
    상기 제2 임곗값은, 상기 가드가 상기 소정의 높이 위치에 위치하고, 또한, 상기 가드의 상기 피사 부분에 액적이 부착되어 있지 않을 때에 촬상된 상기 촬상 화상의 상기 판정 영역과 상기 참조 화상의 유사도의 제2 값보다 낮게, 또한, 상기 제1 값보다 높게 설정되는, 가드 판정 방법.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008135679A (ja) 2006-10-25 2008-06-12 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP2015173148A (ja) 2014-03-11 2015-10-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5426301B2 (ja) * 2008-10-03 2014-02-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP6045840B2 (ja) * 2012-07-30 2016-12-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6251086B2 (ja) * 2014-03-12 2017-12-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6352133B2 (ja) * 2014-09-26 2018-07-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 位置検出装置、基板処理装置、位置検出方法および基板処理方法
JP2020034344A (ja) * 2018-08-28 2020-03-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 可動部位置検出方法、基板処理方法、基板処理装置および基板処理システム
JP2022157409A (ja) * 2021-03-31 2022-10-14 東京エレクトロン株式会社 情報取得システム及び情報取得方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008135679A (ja) 2006-10-25 2008-06-12 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP2015173148A (ja) 2014-03-11 2015-10-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

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