KR20240058800A - transparent conductive film - Google Patents

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KR20240058800A
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타이스케 카라스다
노조미 후지노
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

투명 도전성 필름(1)은 기재(2)와, 비정질 투명 도전층(3)을 두께 방향의 일방측을 향해 순서대로 구비한다. 기재(2)는 두께 방향에 직교하는 제 1 방향의 제 1 열수축률(HS1)보다 낮은 제 2 열수축률(HS2)이며, 두께 방향 및 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향에 있어서의 제 2 열수축률(HS2)을 갖는다. 기재(2)의 제 2 열수축률(HS2)은 0.00% 이하이다. 비정질 투명 도전층(3)은 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스를 함유한다. 비정질 투명 도전층(3)의 밀도는 7.27g/cm3을 초과한다.The transparent conductive film 1 includes a base material 2 and an amorphous transparent conductive layer 3 in that order toward one side in the thickness direction. The base material 2 has a second thermal contraction rate (HS2) lower than the first thermal contraction rate (HS1) in the first direction orthogonal to the thickness direction, and has a second heat contraction rate in the second direction orthogonal to the thickness direction and the first direction. It has a shrinkage rate (HS2). The second heat shrinkage rate (HS2) of the base material (2) is 0.00% or less. The amorphous transparent conductive layer 3 contains a rare gas with an atomic number greater than argon. The density of the amorphous transparent conductive layer 3 exceeds 7.27 g/cm 3 .

Description

투명 도전성 필름transparent conductive film

본 발명은 투명 도전성 필름에 관한 것이다.The present invention relates to transparent conductive films.

기재와, 크립톤을 포함하는 투명 도전층을 두께 방향의 일방측에 순서대로 구비하는 투명 도전성 필름이 알려져 있다(예를 들면, 하기 특허문헌 1 참조.).A transparent conductive film is known, which includes a base material and a transparent conductive layer containing krypton in that order on one side in the thickness direction (for example, see Patent Document 1 below).

특허문헌 1의 투명 도전성 필름에서는 투명 도전층의 비저항이 낮다.In the transparent conductive film of Patent Document 1, the specific resistance of the transparent conductive layer is low.

일본 특허공개 평05-334924호 공보Japanese Patent Publication No. 05-334924

투명 도전층이 비정질일 경우에는 투명 도전성 필름의 용도 및 목적에 따라서, 비정질 투명 도전층은 가열에 의해 결정질 투명 도전층으로 전화된다(비정질 투명 도전층의 결정화). 투명 도전층이 기재에 비해 취약하기 때문에, 상기한 가열에 의해, 투명 도전층이 손상되기 쉽다고 하는 문제가 있다.When the transparent conductive layer is amorphous, depending on the use and purpose of the transparent conductive film, the amorphous transparent conductive layer is converted into a crystalline transparent conductive layer by heating (crystallization of the amorphous transparent conductive layer). Since the transparent conductive layer is weaker than the base material, there is a problem that the transparent conductive layer is easily damaged by the above-described heating.

본 발명자들은 비정질 투명 도전층의 손상에 대해 검토한 바, 이하의 지견을 얻었다.The present inventors studied damage to the amorphous transparent conductive layer and obtained the following findings.

크립톤을 포함하는 비정질 투명 도전층은 상기한 가열에 의해, 면 방향으로 수축한다. 면 방향은 두께 방향에 직교한다.The amorphous transparent conductive layer containing krypton shrinks in the plane direction by the heating described above. The plane direction is perpendicular to the thickness direction.

한편, 투명 도전성 필름의 용도 및 목적에 따라, 가열에 의해 신장(팽창)하는 기재를 투명 도전성 필름에 구비하고자 하는 경우가 있다.On the other hand, depending on the use and purpose of the transparent conductive film, there are cases where it is desired to equip the transparent conductive film with a base material that is stretched (expanded) by heating.

가열에 의해 신장할 수 있는 상기한 기재와, 크립톤을 함유하는 상기한 비정질 투명 도전층을 구비하는 투명 도전성 필름에서는 비정질 투명 도전층의 결정화에 있어서, 기재가 신장하는 한편, 비정질 투명 도전층이 수축한다. 그러면, 비정질 투명 도전층의 수축 방향은 기재의 신장 방향에 대하여 역방향인 것, 및, 비정질 투명 도전층에 큰 응력이 가해지는 것으로 인해, 비정질 투명 도전층의 손상이 현재화한다.In a transparent conductive film comprising the above-described base material that can be stretched by heating and the above-described amorphous transparent conductive layer containing krypton, during crystallization of the amorphous transparent conductive layer, the base material expands while the amorphous transparent conductive layer contracts. do. Then, since the shrinkage direction of the amorphous transparent conductive layer is opposite to the stretching direction of the substrate and a large stress is applied to the amorphous transparent conductive layer, damage to the amorphous transparent conductive layer becomes visible.

본 발명자들은 비정질 투명 도전층의 밀도가 7.27g/cm3을 초과함으로써, 비정질 투명 도전층의 손상을 억제할 수 있는 것을 알아냈다.The present inventors found that damage to the amorphous transparent conductive layer could be suppressed when the density of the amorphous transparent conductive layer exceeded 7.27 g/cm 3 .

본 발명은 비정질 투명 도전층의 결정화에 있어서, 신장할 수 있는 기재를 구비하면서, 비정질 투명 도전층의 결정화에 있어서, 비정질 투명 도전층의 손상이 억제되는 투명 도전성 필름을 제공한다.The present invention provides a transparent conductive film in which damage to the amorphous transparent conductive layer is suppressed during crystallization of the amorphous transparent conductive layer, while providing a substrate that can be stretched.

본 발명(1)은 기재와 비정질 투명 도전층을, 두께 방향의 일방측을 향해 순서대로 구비하고, 상기 기재는 상기 두께 방향에 직교하는 제 1 방향의 제 1 열수축률(HS1)보다 낮은 제 2 열수축률(HS2)이고, 상기 두께 방향 및 상기 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향에 있어서의 상기 제 2 열수축률(HS2)을 갖고, 상기 기재의 상기 제 2 열수축률(HS2)은 0.00% 이하이고, 상기 비정질 투명 도전층은 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스를 함유하고, 상기 비정질 투명 도전층의 밀도는 7.27g/cm3을 초과하는 투명 도전성 필름을 포함한다.The present invention (1) is provided with a base material and an amorphous transparent conductive layer in that order toward one side of the thickness direction, and the base material has a second thermal contraction rate (HS1) lower than the first heat shrinkage rate (HS1) in the first direction orthogonal to the thickness direction. It is a thermal contraction rate (HS2), and has a second thermal contraction rate (HS2) in a second direction orthogonal to the thickness direction and the first direction, and the second thermal contraction rate (HS2) of the base material is 0.00% or less. and the amorphous transparent conductive layer contains a rare gas with an atomic number greater than argon, and the density of the amorphous transparent conductive layer includes a transparent conductive film exceeding 7.27 g/cm 3 .

기재의 상기 제 2 열수축률(HS2)은 0.00% 이하이기 때문에, 투명 도전성 필름은 비정질 투명 도전층의 결정화에 있어서, 신장할 수 있는 기재를 구비한다.Since the second thermal contraction rate (HS2) of the substrate is 0.00% or less, the transparent conductive film has a substrate that can be stretched in the crystallization of the amorphous transparent conductive layer.

한편, 비정질 투명 도전층의 밀도는 7.27g/cm3을 초과하기 때문에, 비정질 투명 도전층의 결정화에 있어서의 손상을 억제할 수 있다.On the other hand, since the density of the amorphous transparent conductive layer exceeds 7.27 g/cm 3 , damage during crystallization of the amorphous transparent conductive layer can be suppressed.

본 발명(2)은 상기 투명 도전성 필름은 제 1 방향에 있어서의 제 3 열수축률(HS3)과, 상기 제 3 열수축률(HS3)보다 낮은 제 4 열수축률(HS4)로서, 제 2 방향에 있어서의 제 4 열수축률(HS4)을 갖고, 상기 제 4 열수축률(HS4)은 0.04% 미만인 (1)에 기재된 투명 도전성 필름을 포함한다.In the present invention (2), the transparent conductive film has a third thermal contraction rate (HS3) in the first direction and a fourth thermal contraction rate (HS4) lower than the third thermal contraction rate (HS3) in the second direction. It includes the transparent conductive film according to (1), which has a fourth heat shrinkage rate (HS4) of and the fourth heat shrinkage rate (HS4) is less than 0.04%.

본 발명(3)은 상기 투명 도전성 필름의 상기 제 4 열수축률(HS4)로부터 상기 기재의 상기 제 2 열수축률(HS2)을 뺀 값(HS4-HS2)은 0.00% 이상, 0.10% 이하인 (2)에 기재된 투명 도전성 필름을 포함한다.In the present invention (3), the value obtained by subtracting the second heat shrinkage rate (HS2) of the base material from the fourth heat shrinkage rate (HS4) of the transparent conductive film (HS4-HS2) is 0.00% or more and 0.10% or less (2) It includes the transparent conductive film described in .

본 발명의 투명 도전성 필름은 비정질 투명 도전층의 결정화에 있어서 신장할 수 있는 기재를 구비하면서, 비정질 투명 도전층의 결정화에 있어서 비정질 투명 도전층의 손상이 억제된다.The transparent conductive film of the present invention has a base material that can be stretched during crystallization of the amorphous transparent conductive layer, and damage to the amorphous transparent conductive layer is suppressed during crystallization of the amorphous transparent conductive layer.

도 1은 본 발명의 투명 도전성 필름의 일 실시형태의 평면도이다.
도 2는 도 1에 있어서의 투명 도전성 필름의 단면도이다.1 is a plan view of one embodiment of the transparent conductive film of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the transparent conductive film in FIG. 1.

1. 투명 도전성 필름(1)1. Transparent conductive film (1)

본 발명의 일 실시형태인 투명 도전성 필름(1)을 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 이 투명 도전성 필름(1)은 두께 방향에 직교하는 방향으로 연장된다. 두께 방향에 직교하는 방향은 제 1 방향과 제 2 방향을 포함한다. 제 2 방향은 제 1 방향에 직교한다. 본 실시형태에서는 투명 도전성 필름(1)은 제 1 방향으로 연장된다. 투명 도전성 필름(1)은 제 1 방향으로 장척인 롤체(도시 생략)여도 된다.A transparent conductive film 1 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. This transparent conductive film 1 extends in a direction perpendicular to the thickness direction. The direction perpendicular to the thickness direction includes the first direction and the second direction. The second direction is perpendicular to the first direction. In this embodiment, the transparent conductive film 1 extends in the first direction. The transparent conductive film 1 may be a long roll (not shown) in the first direction.

1.1 투명 도전성 필름(1)의 층 구성1.1 Layer composition of transparent conductive film (1)

투명 도전성 필름(1)은 기재(2)와, 비정질 투명 도전층(3)을 두께 방향의 일방측을 향해 순서대로 구비한다. 즉, 이 투명 도전성 필름(1)에서는 기재(2)와, 비정질 투명 도전층(3)이 두께 방향의 일방측을 향해 순서대로 배치된다. 본 실시형태에서는 투명 도전성 필름(1)은 기재(2)와, 비정질 투명 도전층(3)만을 구비한다.The transparent conductive film 1 includes a base material 2 and an amorphous transparent conductive layer 3 in that order toward one side in the thickness direction. That is, in this transparent conductive film 1, the base material 2 and the amorphous transparent conductive layer 3 are arranged in order toward one side of the thickness direction. In this embodiment, the transparent conductive film 1 includes only the base material 2 and the amorphous transparent conductive layer 3.

1.2 기재(2)1.2 Description (2)

본 실시형태에서는 기재(2)는 두께 방향에 있어서의 투명 도전성 필름(1)의 타방면을 형성한다. 기재(2)는 투명 도전성 필름(1)의 기계 강도를 향상시킨다. 기재(2)는 제 1 방향으로 연장된다.In this embodiment, the base material 2 forms the other side of the transparent conductive film 1 in the thickness direction. The substrate 2 improves the mechanical strength of the transparent conductive film 1. The substrate 2 extends in the first direction.

1.2.1 기재(2)의 제 1 열수축률(HS1) 및 제 2 열수축률(HS2)1.2.1 First heat shrinkage rate (HS1) and second heat shrinkage rate (HS2) of substrate (2)

기재(2)는 제 1 방향에 있어서의 제 1 열수축률(HS1)과, 제 2 방향에 있어서의 제 2 열수축률(HS2)을 갖는다. 제 2 열수축률(HS2)은 제 1 열수축률(HS1)보다 낮다. 또한, 제 1 열수축률(HS1)에 있어서의 제 1 방향은 기재(2)에 가장 높은 열수축률을 부여하는 방향이다. 본 실시형태에서는 제 1 방향은 기재(2)의 장척 방향이다. 제 2 방향은 제 1 방향에 직교한다. 제 2 방향은 기재(2)의 폭 방향이다.The base material 2 has a first rate of thermal contraction (HS1) in the first direction and a second rate of thermal contraction (HS2) in the second direction. The second heat contraction rate (HS2) is lower than the first heat contraction rate (HS1). Moreover, the 1st direction in 1st thermal contraction rate HS1 is the direction which provides the highest thermal contraction rate to the base material 2. In this embodiment, the first direction is the long direction of the base material 2. The second direction is perpendicular to the first direction. The second direction is the width direction of the substrate 2.

제 1 열수축률(HS1)은 기재(2)를 160℃에서 1시간 가열한 후의 제 1 방향에 있어서의 수축의 정도이다. 제 1 열수축률(HS1)은 하기 식으로 구해진다.The first thermal contraction rate (HS1) is the degree of shrinkage in the first direction after heating the base material 2 at 160°C for 1 hour. The 1st thermal contraction rate (HS1) is calculated|required by the following formula.

제 1 열수축률(HS1)=[가열 전의 제 1 방향에 있어서의 기재(2)의 길이-가열 후의 제 1 방향에 있어서의 기재(2)의 길이]/[가열 전의 제 1 방향에 있어서의 기재(2)의 길이]×100 (%)First heat shrinkage rate (HS1) = [Length of the base material 2 in the first direction before heating - Length of the base material 2 in the first direction after heating] / [Substrate in the first direction before heating (2) length]×100 (%)

제 2 열수축률(HS2)은 기재(2)를 160℃에서 1시간 가열한 후의 제 2 방향에 있어서의 수축의 정도이다. 제 2 열수축률(HS2)은 하기 식으로 구해진다.The second thermal contraction rate (HS2) is the degree of shrinkage in the second direction after heating the base material 2 at 160°C for 1 hour. The 2nd heat contraction rate (HS2) is calculated|required by the following formula.

제 2 열수축률(HS2)=[가열 전의 제 2 방향에 있어서의 기재(2)의 길이-가열 후의 제 2 방향에 있어서의 기재(2)의 길이]/[가열 전의 제 2 방향에 있어서의 기재(2)의 길이]×100 (%)Second heat shrinkage rate (HS2) = [Length of the base material 2 in the second direction before heating - Length of the base material 2 in the second direction after heating] / [Substrate in the second direction before heating (2) length]×100 (%)

제 1 열수축률(HS1)은 예를 들면, 0.00% 초과, 바람직하게는 0.10% 이상, 보다 바람직하게는 0.20% 이상, 더욱 바람직하게는 0.30% 이상이다. 즉, 본 실시형태에서는 기재(2)는 가열시에는 제 1 방향에 있어서 수축한다. 제 1 열수축률(HS1)의 상한은 한정되지 않는다. 제 1 열수축률(HS1)의 상한은 예를 들면, 2.00%, 또한, 예를 들면 1.00%이다.The first thermal contraction rate (HS1) is, for example, more than 0.00%, preferably 0.10% or more, more preferably 0.20% or more, and even more preferably 0.30% or more. That is, in this embodiment, the base material 2 shrinks in the first direction when heated. The upper limit of the first heat contraction rate (HS1) is not limited. The upper limit of the first thermal contraction rate (HS1) is, for example, 2.00%, for example, 1.00%.

한편, 제 2 열수축률(HS2)은 0.00% 이하이다. 즉, 기재(2)는 가열시에는 제 2 방향에 있어서 신장되거나, 치수 변화가 없다(신장도 수축도 하지 않는다). 바람직하게는 기재(2)는 가열시에는 제 2 방향에 있어서 신장한다. 그 때문에, 용도 및 목적에 따라, 제 2 방향으로 신장할 수 있는 기재(2)를 투명 도전성 필름(1)에 바람직하에 구비할 수 있다.On the other hand, the second heat shrinkage rate (HS2) is 0.00% or less. In other words, the base material 2 expands in the second direction when heated, and there is no dimensional change (it neither expands nor contracts). Preferably, the base material 2 expands in the second direction when heated. Therefore, depending on the use and purpose, the transparent conductive film 1 can preferably be provided with a substrate 2 that can be stretched in the second direction.

제 2 열수축률(HS2)은 바람직하게는 -0.01% 이하, 보다 바람직하게는 -0.02% 이하, 더욱 바람직하게는 -0.03% 이하, 특히 바람직하게는 -0.04% 이하, 가장 바람직하게는 -0.05% 이하이다.The second heat shrinkage rate (HS2) is preferably -0.01% or less, more preferably -0.02% or less, further preferably -0.03% or less, particularly preferably -0.04% or less, and most preferably -0.05%. It is as follows.

제 2 열수축률(HS2)은 예를 들면, -0.20% 이상, 바람직하게는 -0.10% 이상이다.The second heat shrinkage rate (HS2) is, for example, -0.20% or more, preferably -0.10% or more.

기재(2)의 제 1 열수축률(HS1) 및 제 2 열수축률(HS2)은 투명 도전성 필름(1)으로부터 비정질 투명 도전층(3)을 제거하고, 잔존하는 기재(2)를 가열함으로써 구해진다.The first heat contraction rate (HS1) and the second heat contraction rate (HS2) of the base material 2 are obtained by removing the amorphous transparent conductive layer 3 from the transparent conductive film 1 and heating the remaining base material 2. .

1.2.2 기재(2)의 층 구성1.2.2 Layer composition of substrate (2)

본 실시형태에서는 기재(2)는 기재 시트(21)와, 기능층(20)을 두께 방향으로 순서대로 구비한다. 본 실시형태에서는 기능층(20)은 복층이다. 기능층(20)은 두께 방향에 있어서의 기재 시트(21)의 일방면 및 타방면에 접촉한다. 기능층(20)은 바람직하게는 광학 조정층(22)과, 하드 코트층(23)을 구비한다. 본 실시형태에서는 기재(2)는 바람직하게는 광학 조정층(22)과, 기재 시트(21)와, 하드 코트층(23)을 두께 방향의 타방측을 향해 순서대로 구비한다.In this embodiment, the base material 2 includes a base sheet 21 and a functional layer 20 in that order in the thickness direction. In this embodiment, the functional layer 20 is a multiple layer. The functional layer 20 contacts one side and the other side of the base sheet 21 in the thickness direction. The functional layer 20 preferably includes an optical adjustment layer 22 and a hard coat layer 23. In this embodiment, the base material 2 is preferably provided with the optical adjustment layer 22, the base material sheet 21, and the hard coat layer 23 in that order toward the other side of the thickness direction.

1.2.2.1 기재 시트(21)1.2.2.1 Description Sheet (21)

기재 시트(21)는 가요성을 갖는다. 기재 시트(21)로서는 예를 들면, 수지 필름을 들 수 있다. 수지 필름에 있어서의 수지는 한정되지 않는다. 수지로서는 예를 들면, 폴리에스테르 수지, 아크릴 수지, 올레핀 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리아릴레이트 수지, 멜라민 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리스티렌 수지, 및 노르보르넨 수지를 들 수 있다. 수지로서, 바람직하게는 투명성 및 기계 강도의 관점에서, 폴리에스테르 수지를 들 수 있다. 폴리에스테르 수지로서는 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 및 폴리에틸렌나프탈레이트를 들 수 있고, 바람직하게는 PET를 들 수 있다.The base sheet 21 has flexibility. Examples of the base sheet 21 include a resin film. The resin in the resin film is not limited. Resins include, for example, polyester resin, acrylic resin, olefin resin, polycarbonate resin, polyethersulfone resin, polyarylate resin, melamine resin, polyamide resin, polyimide resin, cellulose resin, polystyrene resin, and norbor. and nen resin. As the resin, polyester resin is preferably used from the viewpoint of transparency and mechanical strength. Examples of polyester resins include polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, preferably PET.

기재 시트(21)의 두께는 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 30㎛ 이상이다. 기재 시트(21)의 두께는 바람직하게는 300㎛ 이하, 보다 바람직하게는 200㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 150㎛ 이하, 특히 바람직하게는 100㎛ 이하이다. 기재(2)의 두께에 대한 기재 시트(21)의 두께의 비율은 예를 들면, 80% 이상, 바람직하게는 95% 이상이고, 또한, 예를 들면, 100% 이하, 바람직하게는 99% 이하이다.The thickness of the base sheet 21 is preferably 1 μm or more, more preferably 10 μm or more, and even more preferably 30 μm or more. The thickness of the base sheet 21 is preferably 300 μm or less, more preferably 200 μm or less, further preferably 150 μm or less, and particularly preferably 100 μm or less. The ratio of the thickness of the base sheet 21 to the thickness of the base material 2 is, for example, 80% or more, preferably 95% or more, and is, for example, 100% or less, preferably 99% or less. am.

1.2.2.2 광학 조정층(22)1.2.2.2 Optical adjustment layer (22)

광학 조정층(22)은 비정질 투명 도전층(3)(또는 후술하는 결정질 투명 도전층(30))의 패턴 형상이 시인되기 어렵게 한다. 광학 조정층(22)은 두께 방향에 있어서의 기재 시트(21)의 일방면에 배치된다. 광학 조정층(22)은 두께 방향에 있어서의 기재 시트(21)의 일방면에 접촉한다. 광학 조정층(22)은 예를 들면, 경화성 수지를 포함하는 경화성 조성물(제 1 경화성 조성물)의 경화물층이다. 경화성 수지로서는 예를 들면, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 아미드 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 및 멜라민 수지를 들 수 있다. 본 실시형태에서는 경화물층은 바람직하게는 입자를 함유하지 않는다. 광학 조정층(22)의 굴절률은 예를 들면, 1.40 이상, 바람직하게는 1.55 이상이고, 또한 예를 들면, 1.80 이하, 바람직하게는 1.70 이하이다. 광학 조정층(22)의 두께는 예를 들면, 5nm 이상, 바람직하게는 10nm 이상이고, 또한 예를 들면, 200nm 이하, 바람직하게는 100nm 이하이다. 기재(2)의 두께에 대한 광학 조정층(22)의 두께의 비율은 예를 들면, 0.01% 이상, 바람직하게는 0.1% 이상이고, 또한 예를 들면, 2% 이하, 바람직하게는 1% 이하이다.The optical adjustment layer 22 makes it difficult for the pattern shape of the amorphous transparent conductive layer 3 (or the crystalline transparent conductive layer 30 described later) to be recognized. The optical adjustment layer 22 is disposed on one side of the base sheet 21 in the thickness direction. The optical adjustment layer 22 contacts one side of the base material sheet 21 in the thickness direction. The optical adjustment layer 22 is, for example, a layer of a cured product of a curable composition (first curable composition) containing curable resin. Examples of the curable resin include acrylic resin, urethane resin, amide resin, silicone resin, epoxy resin, and melamine resin. In this embodiment, the cured material layer preferably does not contain particles. The refractive index of the optical adjustment layer 22 is, for example, 1.40 or more, preferably 1.55 or more, and for example, 1.80 or less, preferably 1.70 or less. The thickness of the optical adjustment layer 22 is, for example, 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and for example, 200 nm or less, preferably 100 nm or less. The ratio of the thickness of the optical adjustment layer 22 to the thickness of the substrate 2 is, for example, 0.01% or more, preferably 0.1% or more, and for example, 2% or less, preferably 1% or less. am.

1.2.2.3 하드 코트층(23)1.2.2.3 Hard coat layer (23)

하드 코트층(23)은 투명 도전성 필름(1)을 권취하여 롤체를 제작할 때에, 두께 방향에 있어서의 비정질 투명 도전층(3)의 일방면에 찰상이 형성되기 어렵게 한다. 하드 코트층(23)은 두께 방향에 있어서의 기재 시트(21)의 타방면에 배치된다. 하드 코트층(23)은 두께 방향에 있어서의 기재 시트(21)의 타방면에 접촉한다. 하드 코트층(23)은 예를 들면, 입자 및 경화성 수지를 함유하는 경화성 조성물(제 2 경화성 조성물)의 경화물층이다. 입자로서는 예를 들면, 산화물 입자, 유리 입자, 및 유기 입자를 들 수 있다. 산화물 입자로서는 예를 들면, 실리카 입자, 알루미나 입자, 티타니아 입자, 지르코니아 입자, 산화칼슘 입자, 산화주석 입자, 산화인듐 입자, 산화카드뮴 입자, 및 산화안티몬 입자를 들 수 있다. 유기 입자의 재료로서는 예를 들면, 폴리메틸메타크릴레이트 입자, 폴리스티렌 입자, 폴리우레탄 입자, 아크릴-스티렌 공중합체 입자, 벤조구아나민 입자, 멜라민 입자, 및 폴리카보네이트 입자를 들 수 있다. 경화성 수지로서는 제 1 경화성 조성물에 포함되는 경화성 수지를 들 수 있다. 하드 코트층(23)의 두께는 예를 들면, 0.1㎛ 이상, 바람직하게는 0.5㎛ 이상이고, 또한, 예를 들면, 10㎛ 이하, 바람직하게는 3㎛ 이하이다. 기재(2)의 두께에 대한 하드 코트층(23)의 두께의 비율은 예를 들면, 0.1% 이상, 바람직하게는 2% 이상이고, 또한, 예를 들면, 10% 이하, 바람직하게는 5% 이하이다.The hard coat layer 23 prevents scratches from forming on one side of the amorphous transparent conductive layer 3 in the thickness direction when the transparent conductive film 1 is wound to produce a roll body. The hard coat layer 23 is disposed on the other side of the base sheet 21 in the thickness direction. The hard coat layer 23 contacts the other side of the base sheet 21 in the thickness direction. The hard coat layer 23 is, for example, a layer of a cured product of a curable composition (second curable composition) containing particles and a curable resin. Examples of particles include oxide particles, glass particles, and organic particles. Examples of oxide particles include silica particles, alumina particles, titania particles, zirconia particles, calcium oxide particles, tin oxide particles, indium oxide particles, cadmium oxide particles, and antimony oxide particles. Examples of materials for organic particles include polymethyl methacrylate particles, polystyrene particles, polyurethane particles, acrylic-styrene copolymer particles, benzoguanamine particles, melamine particles, and polycarbonate particles. Examples of the curable resin include the curable resin contained in the first curable composition. The thickness of the hard coat layer 23 is, for example, 0.1 μm or more, preferably 0.5 μm or more, and is, for example, 10 μm or less, preferably 3 μm or less. The ratio of the thickness of the hard coat layer 23 to the thickness of the base material 2 is, for example, 0.1% or more, preferably 2% or more, and is also, for example, 10% or less, preferably 5%. It is as follows.

기능층(20)의 두께는 예를 들면, 0.15㎛ 이상이고, 또한, 예를 들면, 3.5㎛ 이하이다. 기능층(20)의 두께는 광학 조정층(22) 및 하드 코트층(23)의 합계 두께이다. 기재 시트(21)의 두께에 대한 기능층(20)의 두께의 비율은 예를 들면, 0.01 이상, 바람직하게는 0.02 이상이고, 또한, 예를 들면, 0.10 이하, 바람직하게는 0.05 이하이다. 기재(2)의 두께에 대한 기능층(20)의 두께의 비율은 예를 들면, 1% 이상, 바람직하게는 2% 이상이고, 또한, 예를 들면, 10% 이하, 바람직하게는 5% 이하이다.The thickness of the functional layer 20 is, for example, 0.15 μm or more and, for example, is 3.5 μm or less. The thickness of the functional layer 20 is the total thickness of the optical adjustment layer 22 and the hard coat layer 23. The ratio of the thickness of the functional layer 20 to the thickness of the base sheet 21 is, for example, 0.01 or more, preferably 0.02 or more, and is also, for example, 0.10 or less, preferably 0.05 or less. The ratio of the thickness of the functional layer 20 to the thickness of the base material 2 is, for example, 1% or more, preferably 2% or more, and is also, for example, 10% or less, preferably 5% or less. am.

1.2.3 기재(2)의 두께1.2.3 Thickness of substrate (2)

기재(2)의 두께는 예를 들면, 5㎛ 이상, 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 25㎛ 이상이고, 또한, 예를 들면, 500㎛ 이하, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 100㎛ 이하이다. 기재(2)의 두께는 기재 시트(21), 광학 조정층(22) 및 하드 코트층(23)의 합계 두께이다.The thickness of the base material 2 is, for example, 5 μm or more, preferably 10 μm or more, more preferably 25 μm or more, and also, for example, 500 μm or less, preferably 200 μm or less, more preferably Typically, it is 100㎛ or less. The thickness of the substrate 2 is the total thickness of the substrate sheet 21, the optical adjustment layer 22, and the hard coat layer 23.

1.2.4 기재(2)의 열수축률 이외의 물성1.2.4 Physical properties other than heat shrinkage of base material (2)

기재(2)의 전광선 투과율은 예를 들면, 75% 이상, 바람직하게는 80% 이상, 보다 바람직하게는 85% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상이다. 기재(2)의 전광선 투과율의 상한은 한정되지 않는다. 기재(2)의 전광선 투과율의 상한은 예를 들면, 100%이다. 기재(2)의 전광선 투과율은 JIS K 7375-2008에 근거하여 구해진다. 이하의 부재의 전광선 투과율은 상기와 마찬가지의 방법에 근거하여 구해진다.The total light transmittance of the base material 2 is, for example, 75% or more, preferably 80% or more, more preferably 85% or more, and even more preferably 90% or more. The upper limit of the total light transmittance of the base material 2 is not limited. The upper limit of the total light transmittance of the base material 2 is, for example, 100%. The total light transmittance of the base material (2) is calculated based on JIS K 7375-2008. The total light transmittance of the following members is obtained based on the same method as above.

기재(2)는 시판품을 사용할 수 있다. 시판품으로서는 예를 들면, GF-50JBN(미쓰비시 케미컬사)을 들 수 있다.The base material (2) can be a commercially available product. Examples of commercially available products include GF-50JBN (Mitsubishi Chemical).

1.3 비정질 투명 도전층(3)1.3 Amorphous transparent conductive layer (3)

본 실시형태에서는 비정질 투명 도전층(3)은 두께 방향에 있어서의 투명 도전성 필름(1)의 일방면을 형성한다. 비정질 투명 도전층(3)은 두께 방향에 있어서의 기재(2)의 일방면에 배치된다. 비정질 투명 도전층(3)은 두께 방향에 있어서의 기재(2)의 일방면에 접촉한다. 본 실시형태에서는 비정질 투명 도전층(3)은 두께 방향에 있어서의 광학 조정층(22)(기능층(20))의 일방면에 접촉한다.In this embodiment, the amorphous transparent conductive layer 3 forms one side of the transparent conductive film 1 in the thickness direction. The amorphous transparent conductive layer 3 is disposed on one side of the substrate 2 in the thickness direction. The amorphous transparent conductive layer 3 is in contact with one side of the substrate 2 in the thickness direction. In this embodiment, the amorphous transparent conductive layer 3 contacts one side of the optical adjustment layer 22 (functional layer 20) in the thickness direction.

1.3.1 비정질 투명 도전층(3)의 열수축률1.3.1 Thermal contraction rate of amorphous transparent conductive layer (3)

비정질 투명 도전층(3)의 제 2 방향에 있어서의 열수축률은 예를 들면, 0.00%를 초과한다. 즉, 비정질 투명 도전층(3)은 예를 들면, 제 2 방향에 있어서 가열에 의해 수축한다.The thermal contraction rate of the amorphous transparent conductive layer 3 in the second direction exceeds 0.00%, for example. That is, the amorphous transparent conductive layer 3 shrinks by heating in the second direction, for example.

1.3.2 비정질 투명 도전층(3)의 밀도1.3.2 Density of amorphous transparent conductive layer (3)

비정질 투명 도전층(3)의 밀도는 7.27g/cm3을 초과한다.The density of the amorphous transparent conductive layer 3 exceeds 7.27 g/cm 3 .

한편, 비정질 투명 도전층(3)의 밀도가 7.27g/cm3 이하이면, 비정질 투명 도전층(3)이 충분히 치밀하지 않고, 그 때문에, 비정질 투명 도전층(3)의 결정화에 있어서, 투명 도전층(3)의 수축량이 커져, 비정질 투명 도전층(3)의 손상을 억제할 수 없다. 구체적으로는 결정질 투명 도전층(30)에 크랙이 생긴다.On the other hand, if the density of the amorphous transparent conductive layer 3 is 7.27 g/cm 3 or less, the amorphous transparent conductive layer 3 is not sufficiently dense, and therefore, in crystallization of the amorphous transparent conductive layer 3, the transparent conductive layer 3 The amount of shrinkage of the layer 3 increases, and damage to the amorphous transparent conductive layer 3 cannot be suppressed. Specifically, cracks occur in the crystalline transparent conductive layer 30.

다른 한편, 본 발명에서는 비정질 투명 도전층(3)의 밀도가 7.27g/cm3을 초과하기 때문에, 비정질 투명 도전층(3)은 충분히 치밀하고, 그 때문에, 비정질 투명 도전층(3)의 결정화에 있어서, 투명 도전층(3)의 수축량이 작아지고, 그 결과, 비정질 투명 도전층(3)의 손상이 억제된다. 구체적으로는 결정질 투명 도전층(30)에 크랙이 생기는 것을 억제한다.On the other hand, in the present invention, since the density of the amorphous transparent conductive layer 3 exceeds 7.27 g/cm 3 , the amorphous transparent conductive layer 3 is sufficiently dense, and therefore, crystallization of the amorphous transparent conductive layer 3 In this case, the amount of shrinkage of the transparent conductive layer 3 is reduced, and as a result, damage to the amorphous transparent conductive layer 3 is suppressed. Specifically, the formation of cracks in the crystalline transparent conductive layer 30 is suppressed.

비정질 투명 도전층(3)의 밀도는 바람직하게는 7.28g/cm3 이상, 보다 바람직하게는 7.30g/cm3 이상, 더욱 바람직하게는 7.35g/cm3 이상, 특히 바람직하게는 7.38g/cm3 이상, 가장 바람직하게는 7.39g/cm3 이상, 나아가 7.40g/cm3 이상이 바람직하다.The density of the amorphous transparent conductive layer 3 is preferably 7.28 g/cm 3 or more, more preferably 7.30 g/cm 3 or more, further preferably 7.35 g/cm 3 or more, particularly preferably 7.38 g/cm 3 or more. 3 or more, most preferably 7.39 g/cm 3 or more, and further preferably 7.40 g/cm 3 or more.

비정질 투명 도전층(3)의 밀도의 상한은 한정되지 않는다. 비정질 투명 도전층(3)의 밀도의 상한은 예를 들면, 8.00g/cm3, 나아가 7.75g/cm3이다.The upper limit of the density of the amorphous transparent conductive layer 3 is not limited. The upper limit of the density of the amorphous transparent conductive layer 3 is, for example, 8.00 g/cm 3 and further 7.75 g/cm 3 .

비정질 투명 도전층(3)의 밀도는 예를 들면, 비정질 투명 도전층(3)의 형성 방법 및 그 조건에 따라 조정된다. 비정질 투명 도전층(3)을 스퍼터링으로 형성할 경우에, 바람직하게는 성막 가스의 기압을 낮게 하고, 및/또는 성막 온도를 높게 한다.The density of the amorphous transparent conductive layer 3 is adjusted, for example, depending on the method of forming the amorphous transparent conductive layer 3 and its conditions. When forming the amorphous transparent conductive layer 3 by sputtering, the atmospheric pressure of the film forming gas is preferably lowered and/or the film forming temperature is increased.

비정질 투명 도전층(3)의 밀도는 X선 반사율법을 사용하여 구해진다.The density of the amorphous transparent conductive layer 3 is determined using the X-ray reflectance method.

1.3.3 비정질 투명 도전층(3)의 재료, 두께, 다른 물성1.3.3 Material, thickness, and other physical properties of the amorphous transparent conductive layer (3)

비정질 투명 도전층(3)의 재료로서는 예를 들면, 금속 산화물을 들 수 있다. 금속 산화물은 In, Sn, Zn, Ga, Sb, Nb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속을 포함한다. 구체적으로는 비정질 투명 도전층(3)의 재료로서는, 바람직하게는 인듐아연 복합 산화물(IZO), 인듐갈륨아연 복합 산화물(IGZO), 인듐갈륨 복합 산화물(IGO), 인듐주석 복합 산화물(ITO), 및 안티몬주석 복합 산화물(ATO)을 들 수 있고, 바람직하게는 내크랙성을 향상시키는 관점에서, 인듐주석 복합 산화물(ITO)을 들 수 있다.Examples of the material for the amorphous transparent conductive layer 3 include metal oxide. The metal oxide includes at least one metal selected from the group consisting of In, Sn, Zn, Ga, Sb, Nb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, and W. Specifically, the material of the amorphous transparent conductive layer 3 is preferably indium zinc composite oxide (IZO), indium gallium zinc composite oxide (IGZO), indium gallium composite oxide (IGO), indium tin composite oxide (ITO), and antimony tin composite oxide (ATO), and preferably, from the viewpoint of improving crack resistance, indium tin composite oxide (ITO).

한편, 인듐주석 복합 산화물에 있어서의 산화주석(SnO2)의 함유량은 예를 들면, 0.5질량% 이상, 바람직하게는 3질량% 이상, 보다 바람직하게는 6질량% 이상이고, 또한, 예를 들면, 50질량% 미만, 바람직하게는 25질량% 이하, 보다 바람직하게는 15질량% 이하이다.On the other hand, the content of tin oxide (SnO 2 ) in the indium tin composite oxide is, for example, 0.5 mass% or more, preferably 3 mass% or more, more preferably 6 mass% or more, and, for example, , less than 50 mass%, preferably 25 mass% or less, more preferably 15 mass% or less.

비정질 투명 도전층(3)은 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스를 함유한다. 본 실시형태에서는 바람직하게는 비정질 투명 도전층(3)은 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스를 함유하고, 아르곤을 함유하지 않는다.The amorphous transparent conductive layer 3 contains a rare gas with an atomic number greater than argon. In this embodiment, the amorphous transparent conductive layer 3 preferably contains a rare gas with an atomic number greater than argon and does not contain argon.

후술하는 제 1 공정에 있어서, 스퍼터링 가스가 아르곤을 함유할 경우에는 비정질 투명 도전층(3)에 아르곤이 다량으로 도입된다. 이에 대하여, 스퍼터링 가스가 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스를 함유하고, 아르곤을 함유하지 않는 본 실시형태에서는 비정질 투명 도전층(3)은 스퍼터링 가스의 다량의 도입이 억제된다. 그 때문에, 비정질 투명 도전층(3)이 치밀해지고, 그 결과, 비정질 투명 도전층(3)의 밀도가 높아진다.In the first process described later, when the sputtering gas contains argon, a large amount of argon is introduced into the amorphous transparent conductive layer 3. In contrast, in this embodiment in which the sputtering gas contains a rare gas with an atomic number greater than argon and does not contain argon, introduction of a large amount of sputtering gas into the amorphous transparent conductive layer 3 is suppressed. Therefore, the amorphous transparent conductive layer 3 becomes denser, and as a result, the density of the amorphous transparent conductive layer 3 increases.

구체적으로는 비정질 투명 도전층(3)은 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스를 함유하는 금속 산화물이다. 즉, 금속 산화물에 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스가 혼입된 조성물이 비정질 투명 도전층(3)이다.Specifically, the amorphous transparent conductive layer 3 is a metal oxide containing a rare gas with an atomic number greater than argon. That is, the amorphous transparent conductive layer 3 is a composition in which a rare gas with an atomic number greater than argon is mixed into a metal oxide.

아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스로서는 예를 들면, 크립톤, 크세논, 및 라돈을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 병용할 수 있다. 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스로서, 바람직하게는 크립톤 및 크세논을 들 수 있고, 보다 바람직하게는 저가격과 뛰어난 전기 전도성을 얻는 관점에서, 크립톤(Kr)을 들 수 있다.Examples of noble gases with an atomic number greater than argon include krypton, xenon, and radon. These can be used alone or in combination. As noble gases with an atomic number greater than argon, krypton and xenon are preferred, and krypton (Kr) is more preferred from the viewpoint of low cost and excellent electrical conductivity.

희가스의 동정 방법은 한정되지 않는다. 예를 들면, 러더퍼드 후방 산란 분석(Rutherford Backscattering Spectrometry), ２차 이온 질량 분석법, 레이저 공명 이온화 질량 분석법, 및/또는 형광 X선 분석에 의해, 비정질 투명 도전층(3)에 있어서의 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스가 동정된다.Methods for identifying rare gases are not limited. For example, by Rutherford Backscattering Spectrometry, secondary ion mass spectrometry, laser resonance ionization mass spectrometry, and/or fluorescence X-ray analysis, the atomic number in the amorphous transparent conductive layer 3 is higher than that of argon. A large noble gas is identified.

비정질 투명 도전층(3)에 있어서의 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스의 함유 비율은 예를 들면, 0.0001atom% 이상이고, 바람직하게는 0.001atom% 이상이고, 또한, 예를 들면, 1.0atom% 이하, 보다 바람직하게는 0.7atom% 이하, 더욱 바람직하게는 0.5atom% 이하, 보다 더욱 바람직하게는 0.3atom% 이하, 특히 바람직하게는 0.2atom% 이하, 가장 바람직하게는 0.15atom% 이하이다. 비정질 투명 도전층(3)에 있어서의 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스의 함유 비율이 상기 범위이면, 비정질 투명 도전층(3)을 치밀하게 할 수 있다.The content ratio of the rare gas having an atomic number greater than argon in the amorphous transparent conductive layer 3 is, for example, 0.0001 atom% or more, preferably 0.001 atom% or more, and for example, 1.0 atom% or less. , more preferably 0.7 atom% or less, further preferably 0.5 atom% or less, even more preferably 0.3 atom% or less, particularly preferably 0.2 atom% or less, and most preferably 0.15 atom% or less. If the content ratio of the rare gas with an atomic number larger than argon in the amorphous transparent conductive layer 3 is within the above range, the amorphous transparent conductive layer 3 can be made dense.

상기 함유량의 하한은 형광 X선 분석 장치에 의해, 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스의 존재를 확인할 수 있었을 때에 대응하는 비율이며, 적어도 0.0001원자% 이상이다.The lower limit of the above content is the ratio corresponding to when the presence of a rare gas with an atomic number greater than argon can be confirmed by a fluorescence X-ray analyzer, and is at least 0.0001 atomic% or more.

비정질 투명 도전층(3)의 두께는 예를 들면, 15nm 이상, 바람직하게는 35nm 이상, 보다 바람직하게는 50nm 이상, 더욱 바람직하게는 75nm 이상, 보다 더욱 바람직하게는 100nm 이상, 특히 바람직하게는 120nm 이상이다. 비정질 투명 도전층(3)의 두께는 예를 들면, 500nm 이하, 바람직하게는 300nm 이하, 보다 바람직하게는 200nm 이하이다.The thickness of the amorphous transparent conductive layer 3 is, for example, 15 nm or more, preferably 35 nm or more, more preferably 50 nm or more, even more preferably 75 nm or more, even more preferably 100 nm or more, especially preferably 120 nm or more. That's it. The thickness of the amorphous transparent conductive layer 3 is, for example, 500 nm or less, preferably 300 nm or less, and more preferably 200 nm or less.

비정질 투명 도전층(3)의 전광선 투과율은 예를 들면, 75% 이상, 바람직하게는 80% 이상, 보다 바람직하게는 85% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상이다. 비정질 투명 도전층(3)의 전광선 투과율의 상한은 한정되지 않는다. 비정질 투명 도전층(3)의 전광선 투과율의 상한은 예를 들면 100%이다.The total light transmittance of the amorphous transparent conductive layer 3 is, for example, 75% or more, preferably 80% or more, more preferably 85% or more, and even more preferably 90% or more. The upper limit of the total light transmittance of the amorphous transparent conductive layer 3 is not limited. The upper limit of the total light transmittance of the amorphous transparent conductive layer 3 is, for example, 100%.

비정질 투명 도전층(3)의 비저항은 예를 들면, 7.0×10-4Ω·cm 이하, 바람직하게는 6.0×10-4Ω·cm 이하, 보다 바람직하게는 5.5×10-4Ω·cm 이하, 더욱 바람직하게는 5.0×10-4Ω·cm 이하이고, 또한, 예를 들면, 1×10-4Ω·cm 이상, 바람직하게는 2×10-4Ω·cm 이상, 보다 바람직하게는 3.0×10-4Ω·cm 이상이다. 비저항은 4단자법에 의해 측정된다.The specific resistance of the amorphous transparent conductive layer 3 is, for example, 7.0 x 10 -4 Ω·cm or less, preferably 6.0 x 10 -4 Ω·cm or less, more preferably 5.5 x 10 -4 Ω·cm or less. , more preferably 5.0 × 10 -4 Ω·cm or less, and for example, 1 × 10 -4 Ω·cm or more, preferably 2 × 10 -4 Ω·cm or more, more preferably 3.0 It is more than ×10 -4 Ω·cm. Specific resistance is measured by the four-terminal method.

1.4 투명 도전성 필름(1)의 제 3 열수축률(HS3) 및 제 4 열수축률(HS4)1.4 Third heat shrinkage rate (HS3) and fourth heat shrinkage rate (HS4) of transparent conductive film (1)

투명 도전성 필름(1)은 제 1 방향에 있어서의 제 3 열수축률(HS3)과, 제 2 방향에 있어서의 제 4 열수축률(HS4)을 갖는다. 제 4 열수축률(HS4)은 제 3 열수축률(HS3)보다 낮다.The transparent conductive film 1 has a third thermal contraction rate (HS3) in the first direction and a fourth thermal contraction rate (HS4) in the second direction. The fourth heat contraction rate (HS4) is lower than the third heat contraction rate (HS3).

한편, 본 실시형태에서는 제 3 열수축률(HS3)에 있어서의 제 1 방향은 투명 도전성 필름(1)에 가장 높은 열수축률을 부여하는 방향이다. 본 실시형태에서는 제 1 방향은 투명 도전성 필름(1)의 장척 방향이다.On the other hand, in this embodiment, the 1st direction in the 3rd thermal contraction rate HS3 is the direction which provides the highest thermal contraction rate to the transparent conductive film 1. In this embodiment, the first direction is the longitudinal direction of the transparent conductive film 1.

본 실시형태에서는 제 3 열수축률(HS3)은 투명 도전성 필름(1)을 160℃에서 1시간 가열한 후의 제 1 방향에 있어서의 수축의 정도이다. 제 3 열수축률(HS3)은 하기 식으로 구해진다.In this embodiment, the third heat shrinkage rate (HS3) is the degree of shrinkage in the first direction after heating the transparent conductive film 1 at 160°C for 1 hour. The third heat contraction rate (HS3) is determined by the following formula.

제 3 열수축률(HS3)=[가열 전의 제 1 방향에 있어서의 투명 도전성 필름(1)의 길이-가열 후의 제 1 방향에 있어서의 투명 도전성 필름(1)의 길이]/[가열 전의 제 1 방향에 있어서의 투명 도전성 필름(1)의 길이]×100 (%)Third heat contraction rate (HS3) = [Length of the transparent conductive film 1 in the first direction before heating - Length of the transparent conductive film 1 in the first direction after heating] / [First direction before heating length of transparent conductive film (1)] × 100 (%)

본 실시형태에서는 제 4 열수축률(HS4)은 투명 도전성 필름(1)을 160℃에서 1시간 가열한 후의 제 2 방향에 있어서의 수축의 정도이다. 제 4 열수축률(HS4)은 하기 식으로 구해진다.In this embodiment, the fourth heat shrinkage rate (HS4) is the degree of shrinkage in the second direction after heating the transparent conductive film 1 at 160°C for 1 hour. The fourth heat contraction rate (HS4) is obtained by the following formula.

제 4 열수축률(HS4)=[가열 전의 제 2 방향에 있어서의 투명 도전성 필름(1)의 길이-가열 후의 제 2 방향에 있어서의 투명 도전성 필름(1)의 길이]/[가열 전의 제 2 방향에 있어서의 투명 도전성 필름(1)의 길이]×100 (%)Fourth heat contraction rate (HS4) = [Length of the transparent conductive film 1 in the second direction before heating - Length of the transparent conductive film 1 in the second direction after heating] / [Second direction before heating length of transparent conductive film (1)] × 100 (%)

제 3 열수축률(HS3)은 예를 들면, 0.00% 초과, 바람직하게는 0.10%, 보다 바람직하게는 0.15% 이상, 더욱 바람직하게는 0.20% 이상이다. 즉, 본 실시형태에서는 투명 도전성 필름(1)은 가열시에는 제 1 방향에 있어서 수축한다. 제 3 열수축률(HS3)의 상한은 한정되지 않는다. 제 3 열수축률(HS3)의 상한은 예를 들면 2.00%, 또한 예를 들면 1.00%이다.The third heat shrinkage rate (HS3) is, for example, more than 0.00%, preferably 0.10% or more, more preferably 0.15% or more, and even more preferably 0.20% or more. That is, in this embodiment, the transparent conductive film 1 shrinks in the first direction when heated. The upper limit of the third heat shrinkage rate (HS3) is not limited. The upper limit of the third heat shrinkage rate (HS3) is, for example, 2.00%, and is also, for example, 1.00%.

제 4 열수축률(HS4)은 예를 들면, 0.10% 이하, 바람직하게는 0.05% 이하, 보다 바람직하게는 0.04% 이하, 더욱 바람직하게는 0.03% 이하, 특히 바람직하게는 0.00% 이하, 가장 바람직하게는 0.00% 미만이고, 나아가 -0.01% 이하가 바람직하다. 제 4 열수축률(HS4)은 예를 들면, -0.20% 이상, 바람직하게는 -0.10% 이상이다. 제 4 열수축률(HS4)이 상기한 상한을 하회하고, 상기한 하한을 상회하면, 그 차(HS4-HS2)를 0.00% 또는 작은 양수로 설정할 수 있고, 나아가서는 비정질 투명 도전층(3)의 결정화시의 손상을 유효하게 억제할 수 있다.The fourth heat shrinkage rate (HS4) is, for example, 0.10% or less, preferably 0.05% or less, more preferably 0.04% or less, further preferably 0.03% or less, particularly preferably 0.00% or less, most preferably is less than 0.00%, and is preferably -0.01% or less. The fourth heat shrinkage rate (HS4) is, for example, -0.20% or more, preferably -0.10% or more. If the fourth heat contraction rate (HS4) is less than the above-mentioned upper limit and above the above-described lower limit, the difference (HS4-HS2) can be set to 0.00% or a small positive number, and further, the amorphous transparent conductive layer 3 Damage during crystallization can be effectively suppressed.

제 4 열수축률(HS4)은 예를 들면, 비정질 투명 도전층(3)의 형성 방법 및 그 조건에 따라 조정된다. 비정질 투명 도전층(3)을 스퍼터링으로 형성할 경우에, 바람직하게는 성막 가스의 기압을 낮게 하고 및/또는 성막 온도를 높게 한다.The fourth thermal contraction rate (HS4) is adjusted, for example, depending on the formation method and conditions of the amorphous transparent conductive layer 3. When forming the amorphous transparent conductive layer 3 by sputtering, the atmospheric pressure of the film forming gas is preferably lowered and/or the film forming temperature is increased.

투명 도전성 필름(1)의 제 4 열수축률(HS4)로부터, 기재(2)의 제 2 열수축률(HS2)을 뺀 값(HS4-HS2)은 예를 들면, 0.00% 이상, 바람직하게는 0.00% 초과, 보다 바람직하게는 0.01% 이상이고, 또한, 예를 들면, 0.20% 이하, 바람직하게는 0.10% 이하, 보다 바람직하게는 0.07% 이하, 더욱 바람직하게는 0.05% 이하이다. 상기한 값(HS4-HS2)이 상기한 하한 이상, 상한 이하이면, 가열시에 있어서의 제 2 방향에 있어서의 비정질 투명 도전층(3)의 수축량과, 가열시에 있어서의 제 2 방향에 있어서의 기재(2)의 신장량의 차를 작게 할 수 있고, 그 때문에, 비정질 투명 도전층(3)에 가해지는 응력을 저감시켜, 비정질 투명 도전층(3)의 결정화시의 손상을 유효하게 억제할 수 있다.The value obtained by subtracting the second heat shrinkage rate (HS2) of the base material 2 from the fourth heat shrinkage rate (HS4) of the transparent conductive film 1 (HS4-HS2) is, for example, 0.00% or more, preferably 0.00%. exceeds, more preferably 0.01% or more, and for example, 0.20% or less, preferably 0.10% or less, more preferably 0.07% or less, further preferably 0.05% or less. If the above-mentioned value (HS4-HS2) is more than the above-described lower limit and less than the upper limit, the shrinkage amount of the amorphous transparent conductive layer 3 in the second direction when heated and in the second direction when heated are The difference in the amount of stretching of the base material 2 can be reduced, thereby reducing the stress applied to the amorphous transparent conductive layer 3, and effectively suppressing damage to the amorphous transparent conductive layer 3 during crystallization. You can.

1.5 투명 도전성 필름(1)의 두께, 다른 물성1.5 Thickness and other physical properties of transparent conductive film (1)

투명 도전성 필름(1)의 두께는 예를 들면, 2㎛ 이상, 바람직하게는 20㎛ 이상, 보다 바람직하게는 30㎛ 이상이고, 또한, 예를 들면, 300㎛ 이하, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 100㎛ 이하이다.The thickness of the transparent conductive film 1 is, for example, 2 μm or more, preferably 20 μm or more, more preferably 30 μm or more, and also, for example, 300 μm or less, preferably 200 μm or less, More preferably, it is 100㎛ or less.

투명 도전성 필름(1)의 전광선 투과율은 예를 들면, 75% 이상, 바람직하게는 80% 이상이고, 또한, 예를 들면 100% 이하이다.The total light transmittance of the transparent conductive film 1 is, for example, 75% or more, preferably 80% or more, and is, for example, 100% or less.

1.6 투명 도전성 필름(1)의 제조 방법1.6 Manufacturing method of transparent conductive film (1)

이 방법에서는 예를 들면, 각 층의 각각을 롤-투-롤법으로 배치한다. 롤-투-롤법에 있어서의 MD방향 및 TD방향은 각각 상기한 제 1 방향 및 제 2 방향에 상당한다.In this method, for example, each layer is arranged by a roll-to-roll method. The MD direction and TD direction in the roll-to-roll method correspond to the above-described first and second directions, respectively.

우선, 장척의 기재(2)를 준비한다. 구체적으로는 장척의 기재 시트(21)의 일방면 및 타방면의 각각에 제 1 경화성 조성물 및 제 2 경화성 조성물의 각각을 도포한다. 그 후, 제 1 경화성 조성물 및 제 2 경화성 조성물의 각각에 있어서의 경화성 수지를 열 또는 자외선 조사에 의해 경화시킨다. 이에 의해, 광학 조정층(22) 및 하드 코트층(23)의 각각을 기재 시트(21)의 일방면 및 타방면의 각각에 형성한다. 이에 의해 기재(2)를 준비한다. 기재(2)는 상기한 제 1 열수축률(HS1) 및 제 2 열수축률(HS2)을 갖는다.First, prepare a long base material (2). Specifically, each of the first curable composition and the second curable composition is applied to one side and the other side of the long base sheet 21, respectively. Thereafter, the curable resin in each of the first curable composition and the second curable composition is cured by heat or ultraviolet irradiation. In this way, each of the optical adjustment layer 22 and the hard coat layer 23 is formed on one side and the other side of the base sheet 21, respectively. In this way, base material (2) is prepared. The base material 2 has the above-mentioned first thermal contraction rate (HS1) and second thermal contraction rate (HS2).

그 후, 비정질 투명 도전층(3)을 두께 방향에 있어서의 기재(2)의 일방면에 형성한다. 예를 들면, 스퍼터링, 바람직하게는 반응성 스퍼터링을 실시한다.After that, the amorphous transparent conductive layer 3 is formed on one side of the substrate 2 in the thickness direction. For example, sputtering, preferably reactive sputtering, is carried out.

스퍼터링에서는 스퍼터링 장치가 사용된다. 스퍼터링 장치는 성막 롤을 구비한다. 성막 롤은 온도 조정 장치를 구비한다. 온도 조정 장치는 성막 롤의 온도를 조정 가능하다. 성막 롤은 기재(2)에 접촉 가능하기 때문에, 기재(2)의 온도를 조정 가능하다.In sputtering, a sputtering device is used. The sputtering device is provided with a film deposition roll. The film forming roll is equipped with a temperature adjustment device. The temperature adjustment device can adjust the temperature of the film forming roll. Since the film-forming roll can contact the substrate 2, the temperature of the substrate 2 can be adjusted.

스퍼터링(바람직하게는 반응성 스퍼터링)에서는 상기한 금속 산화물(의 소결체)이 타겟으로서 사용된다. 성막 롤의 표면 온도는 스퍼터링에 있어서의 성막 온도에 상당한다. 성막 온도는 예를 들면, 0℃ 이상, 바람직하게는 10℃ 이상, 보다 바람직하게는 20℃ 이상, 더욱 바람직하게는 30℃ 이상, 특히 바람직하게는 40℃ 이상, 나아가 50℃ 이상, 나아가 60℃ 이상이 바람직하다. 성막 온도가 상기한 하한 이상이면, 원하는 밀도를 갖는 (치밀한) 비정질 투명 도전층(3)을 형성할 수 있다.In sputtering (preferably reactive sputtering), (a sintered body of) the above-described metal oxide is used as a target. The surface temperature of the film forming roll corresponds to the film forming temperature in sputtering. The film formation temperature is, for example, 0°C or higher, preferably 10°C or higher, more preferably 20°C or higher, further preferably 30°C or higher, particularly preferably 40°C or higher, further 50°C or higher, and further 60°C. The above is desirable. If the film formation temperature is above the above lower limit, the (dense) amorphous transparent conductive layer 3 having the desired density can be formed.

성막 온도의 상한은 예를 들면, 100℃, 바람직하게는 80℃이다. 성막 온도가 상기한 상한 이하이면, 비정질 투명 도전층(3)의 결정화 속도를 높게 할 수 있다.The upper limit of the film formation temperature is, for example, 100°C, preferably 80°C. If the film formation temperature is below the above upper limit, the crystallization rate of the amorphous transparent conductive layer 3 can be increased.

스퍼터링 가스로서는 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스를 들 수 있다. 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스로서는 예를 들면, 크립톤, 크세논, 및 라돈을 들 수 있고, 바람직하게는 크립톤(Kr)을 들 수 있다. 스퍼터링 가스는 바람직하게는 아르곤을 함유하지 않는다. 스퍼터링 가스는 반응성 가스와 혼합되어도 된다. 반응성 가스로서는 예를 들면, 산소를 들 수 있다. 스퍼터링 가스 및 반응성 가스의 합계 도입량에 대한 반응성 가스의 도입량의 비율은 예를 들면, 0.1유량% 이상, 바람직하게는 0.5유량% 이상이고, 또한, 예를 들면, 5유량% 이하, 바람직하게는 3유량% 이하이다.Examples of the sputtering gas include rare gases with an atomic number greater than argon. Examples of noble gases with an atomic number greater than argon include krypton, xenon, and radon, and krypton (Kr) is preferred. The sputtering gas preferably does not contain argon. The sputtering gas may be mixed with the reactive gas. Examples of reactive gases include oxygen. The ratio of the introduction amount of the reactive gas to the total introduction amount of the sputtering gas and the reactive gas is, for example, 0.1 flow rate% or more, preferably 0.5 flow rate% or more, and for example, 5 flow rate% or less, preferably 3. The flow rate is less than %.

스퍼터링 장치 내의 기압은 예를 들면, 1.0Pa 이하, 바람직하게는 0.8Pa 이하, 보다 바람직하게는 0.5Pa 이하, 더욱 바람직하게는 0.3Pa 이하이고, 또한, 예를 들면, 0.01Pa 이상, 바람직하게는 0.05Pa 이상이다. 스퍼터링 장치 내의 기압이 상기한 상한 이하이면, 원하는 밀도를 갖는 (치밀한) 비정질 투명 도전층(3)을 형성할 수 있다.The atmospheric pressure in the sputtering device is, for example, 1.0 Pa or less, preferably 0.8 Pa or less, more preferably 0.5 Pa or less, further preferably 0.3 Pa or less, and also, for example, 0.01 Pa or more, preferably It is more than 0.05Pa. If the atmospheric pressure in the sputtering device is below the above-described upper limit, the (dense) amorphous transparent conductive layer 3 having the desired density can be formed.

이에 의해, 기재(2)와, 비정질 투명 도전층(3)을 구비하는 투명 도전성 필름(1)이 제조된다.As a result, the transparent conductive film 1 including the base material 2 and the amorphous transparent conductive layer 3 is manufactured.

그 후, 용도 및 목적에 따라, 비정질 투명 도전층(3)을 결정질로 전화하여, 도 2의 괄호에 적은 부호로 나타내는 바와 같이, 결정질 투명 도전층(30)을 형성할 수 있다.Thereafter, depending on the use and purpose, the amorphous transparent conductive layer 3 can be converted to crystalline to form the crystalline transparent conductive layer 30, as indicated by the symbols in parentheses in FIG. 2.

비정질 투명 도전층(3)을 결정질로 전화하기 위해서는 비정질 투명 도전층(3)을 구비하는 투명 도전성 필름(1)을 가열한다.In order to convert the amorphous transparent conductive layer 3 into crystalline form, the transparent conductive film 1 including the amorphous transparent conductive layer 3 is heated.

가열 온도는 예를 들면, 80℃ 이상, 바람직하게는 110℃ 이상, 보다 바람직하게는, 더욱 바람직하게는 130℃ 이상, 특히 바람직하게는 150℃ 이상이고, 또한, 예를 들면, 200℃ 이하, 바람직하게는 180℃ 이하, 보다 바람직하게는 175℃ 이하, 더욱 바람직하게는 170℃ 이하이다. 가열 시간은 예를 들면, 1분간 이상, 바람직하게는 3분간 이상, 보다 바람직하게는 5분간 이상이고, 또한, 예를 들면, 5시간 이하, 바람직하게는 3시간 이하, 보다 바람직하게는 2시간 이하이다. 가열은 예를 들면, 대기 분위기하에서 실시된다.The heating temperature is, for example, 80°C or higher, preferably 110°C or higher, more preferably 130°C or higher, particularly preferably 150°C or higher, and for example, 200°C or lower. Preferably it is 180°C or lower, more preferably 175°C or lower, and even more preferably 170°C or lower. The heating time is, for example, 1 minute or more, preferably 3 minutes or more, more preferably 5 minutes or more, and for example, 5 hours or less, preferably 3 hours or less, more preferably 2 hours. It is as follows. Heating is carried out, for example, in an atmospheric atmosphere.

투명 도전층의 결정질성은 예를 들면, 투명 도전층을 염산(20℃, 농도 5질량%)에 15분간 침지하고, 계속해서, 수세 및 건조시킨 후, 투명 도전층의 일방면에 대하여 15mm 정도 사이의 단자간 저항을 측정함으로써 판단한다. 상기 침지·수세·건조 후의 비정질 투명 도전층(3)에 있어서, 15mm 사이의 단자간 저항(2단자간 저항)이 10kΩ 이하일 경우, 투명 도전층이 결정질(즉, 결정질 투명 도전층(30))이고, 한편, 상기 저항이 10kΩ을 초과할 경우, 투명 도전층(3)이 비정질(즉, 비정질 투명 도전층(3))이다.The crystallinity of the transparent conductive layer can be determined, for example, by immersing the transparent conductive layer in hydrochloric acid (20°C, concentration 5% by mass) for 15 minutes, then washing with water and drying, and then maintaining the crystallinity between about 15 mm on one side of the transparent conductive layer. It is determined by measuring the resistance between terminals. In the amorphous transparent conductive layer 3 after immersion, washing, and drying, when the resistance between terminals (resistance between two terminals) between 15 mm is 10 kΩ or less, the transparent conductive layer is crystalline (i.e., crystalline transparent conductive layer 30). On the other hand, when the resistance exceeds 10 kΩ, the transparent conductive layer 3 is amorphous (that is, the amorphous transparent conductive layer 3).

결정질 투명 도전층(30)의 밀도는 예를 들면, 6.50g/cm3 이상, 바람직하게는 6.60g/cm3 이상, 보다 바람직하게는 6.70g/cm3 이상, 보다 바람직하게는 6.80g/cm3 이상, 바람직하게는 6.90g/cm3 이상, 바람직하게는 7.00g/cm3 이상, 바람직하게는 7.10g/cm3 이상, 바람직하게는 7.20g/cm3 이상이고, 또한, 예를 들면, 8.0g/cm3 이하이다. 결정질 투명 도전층(30)의 밀도가 상기한 하한 이상이면, 치밀한 결정질 투명 도전층(30)의 손상이 억제되어 있다.The density of the crystalline transparent conductive layer 30 is, for example, 6.50 g/cm 3 or more, preferably 6.60 g/cm 3 or more, more preferably 6.70 g/cm 3 or more, more preferably 6.80 g/cm 3 or more. 3 or more, preferably 6.90 g/cm 3 or more, preferably 7.00 g/cm 3 or more, preferably 7.10 g/cm 3 or more, preferably 7.20 g/cm 3 or more, and further, for example, It is less than 8.0g/ cm3 . If the density of the crystalline transparent conductive layer 30 is more than the above-described lower limit, damage to the dense crystalline transparent conductive layer 30 is suppressed.

결정질 투명 도전층(30)의 전광선 투과율은 예를 들면, 75% 이상, 바람직하게는 80% 이상, 보다 바람직하게는 85% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상이다. 결정질 투명 도전층(30)의 전광선 투과율의 상한은 한정되지 않는다. 결정 투명 도전층(30)의 전광선 투과율의 상한은 예를 들면 100%이다.The total light transmittance of the crystalline transparent conductive layer 30 is, for example, 75% or more, preferably 80% or more, more preferably 85% or more, and even more preferably 90% or more. The upper limit of the total light transmittance of the crystalline transparent conductive layer 30 is not limited. The upper limit of the total light transmittance of the crystalline transparent conductive layer 30 is, for example, 100%.

결정 투명 도전층(30)의 비저항은 예를 들면, 5.0×10-4Ω·cm 이하, 바람직하게는 2.5×10-4Ω·cm 이하, 보다 바람직하게는 2.4×10-4Ω·cm 이하, 더욱 바람직하게는 2.0×10-4Ω·cm 이하, 보다 더욱 바람직하게는 1.8×10-4Ω·cm 이하이고, 또한, 예를 들면, 0.1×10-4Ω·cm 이상, 바람직하게는 0.5×10-4Ω·cm 이상, 보다 바람직하게는 1.0×10-4Ω·cm 이상이다. 비저항은 4단자법에 의해 측정된다.The specific resistance of the crystal transparent conductive layer 30 is, for example, 5.0 × 10 -4 Ω·cm or less, preferably 2.5 × 10 -4 Ω·cm or less, more preferably 2.4 × 10 -4 Ω·cm or less. , more preferably 2.0 × 10 -4 Ω·cm or less, even more preferably 1.8 × 10 -4 Ω·cm or less, and for example, 0.1 × 10 -4 Ω·cm or more, preferably It is 0.5×10 -4 Ω·cm or more, more preferably 1.0×10 -4 Ω·cm or more. Specific resistance is measured by the four-terminal method.

1.7 투명 도전성 필름(1)의 용도1.7 Uses of transparent conductive film (1)

투명 도전성 필름(1)은 예를 들면, 물품에 사용된다. 물품으로서는 광학용의 물품을 들 수 있다. 상세하게는 물품으로서는 예를 들면, 터치 센서, 전자파 실드, 조광 소자, 광전 변환 소자, 열선 제어 부재, 광 투과성 안테나 부재, 광 투과성 히터 부재, 화상 표시 장치 및 조명을 들 수 있다.The transparent conductive film 1 is used for articles, for example. Examples of the article include articles for optical purposes. Specifically, examples of the article include a touch sensor, an electromagnetic shield, a light control element, a photoelectric conversion element, a heat ray control member, a light-transmitting antenna member, a light-transmitting heater member, an image display device, and lighting.

2. 일 실시형태의 작용 효과2. Functional effect of one embodiment

이 투명 도전성 필름(1)에서는 기재(2)의 제 2 열수축률(HS2)은 0.00% 이하이기 때문에, 투명 도전성 필름(1)은 비정질 투명 도전층(3)의 결정화에 있어서, 신장할 수 있는 기재(2)를 구비한다. 그 때문에, 기재(2)의 신장이 허용되는 분야에 투명 도전성 필름(1)을 바람직하게 사용할 수 있다.In this transparent conductive film (1), the second heat shrinkage rate (HS2) of the base material (2) is 0.00% or less, so the transparent conductive film (1) can be stretched during crystallization of the amorphous transparent conductive layer (3). Equipped with equipment (2). Therefore, the transparent conductive film 1 can be preferably used in fields where expansion of the substrate 2 is permitted.

한편, 비정질 투명 도전층(3)의 밀도는 7.27g/cm3을 초과하기 때문에, 비정질 투명 도전층(3)의 결정화에 있어서의 손상을 억제할 수 있다.On the other hand, since the density of the amorphous transparent conductive layer 3 exceeds 7.27 g/cm 3 , damage during crystallization of the amorphous transparent conductive layer 3 can be suppressed.

또한, 투명 도전성 필름(1)의 제 4 열수축률(HS4)은 0.00% 미만이면, 비정질 투명 도전층(3)의 결정화시의 손상을 유효하게 억제할 수 있다.In addition, if the fourth thermal contraction rate (HS4) of the transparent conductive film 1 is less than 0.00%, damage to the amorphous transparent conductive layer 3 during crystallization can be effectively suppressed.

또한, 투명 도전성 필름(1)의 제 4 열수축률(HS4)로부터 기재(2)의 제 2 열수축률(HS2)을 뺀 값(HS4-HS2)은 0.00% 이상, 0.10% 이하이면, 비정질 투명 도전층(3)의 결정화에 있어서의 가열시에 있어서의 제 2 방향에 있어서의 투명 도전성 필름(1)의 수축량과, 가열시에 있어서의 제 2 방향에 있어서의 기재(2)의 수축량의 차를 작게 할 수 있다.In addition, if the value (HS4-HS2) obtained by subtracting the second thermal contraction rate (HS2) of the base material (2) from the fourth thermal contraction rate (HS4) of the transparent conductive film (1) is 0.00% or more and 0.10% or less, the amorphous transparent conductive The difference between the shrinkage amount of the transparent conductive film 1 in the second direction when heated for crystallization of the layer 3 and the shrinkage amount of the substrate 2 in the second direction when heated is It can be made small.

그 때문에, 비정질 투명 도전층(3)에 가해지는 응력을 저감하여, 비정질 투명 도전층(3)의 결정화시의 손상을 유효하게 억제할 수 있다.Therefore, the stress applied to the amorphous transparent conductive layer 3 can be reduced, and damage to the amorphous transparent conductive layer 3 during crystallization can be effectively suppressed.

3. 변형예3. Variation example

이하의 각 변형예에 있어서, 상기한 일 실시형태와 같은 부재 및 공정에 대해서는 동일한 참조 부호를 첨부하고, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 각 변형예는 특기하는 것 이외에는, 일 실시형태와 같은 작용 효과를 나타낼 수 있다. 또한, 일 실시형태 및 변형예를 적절히 조합할 수 있다.In each of the following modifications, the same reference numerals are attached to the same members and processes as those of the above-described embodiment, and detailed description thereof is omitted. In addition, each modified example can exhibit the same effects as one embodiment, except as noted. Additionally, one embodiment and modification examples can be appropriately combined.

투명 도전성 필름(1)이 롤체로부터 조출되지 않고, MD방향 및 TD방향이 불분명할 경우에는 제 1 방향은 가열에 의해 열수축률이 최대가 되는 방향이다. 제 2 방향은 제 1 방향 및 두께 방향에 직교한다. 이에 의해, 제 1 방향 및 제 2 방향이 특정되고, 그 결과, 투명 도전성 필름(1)의 제 3 열수축률(HS3) 및 제 4 열수축률(HS4)과, 기재(2)의 제 1 열수축률(HS1) 및 제 2 열수축률(HS2)이 구해진다.When the transparent conductive film 1 is not fed from the roll and the MD direction and TD direction are unclear, the first direction is the direction in which the thermal contraction rate is maximized by heating. The second direction is perpendicular to the first direction and the thickness direction. Thereby, the 1st direction and the 2nd direction are specified, and as a result, the 3rd heat contraction rate (HS3) and the 4th heat contraction rate (HS4) of the transparent conductive film 1, and the 1st heat contraction rate of the base material 2 (HS1) and the second heat shrinkage rate (HS2) are determined.

변형예에서는 도시하지 않지만, 기능층(20)은 두께 방향에 있어서의 기재 시트(21)의 일방면 또는 타방면에 배치된다. 기능층(20)은 하드 코트층 및 광학 조정층 중 어느 하나여도 된다. 즉, 단수 또는 복수의 기능층(20)은 두께 방향의 기재 시트(21)의 일방면 및/또는 타방면에 배치된다.Although not shown in the modified example, the functional layer 20 is disposed on one side or the other side of the base sheet 21 in the thickness direction. The functional layer 20 may be either a hard coat layer or an optical adjustment layer. That is, one or more functional layers 20 are disposed on one side and/or the other side of the base sheet 21 in the thickness direction.

실시예Example

이하에, 실시예를 나타내어, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 한편, 본 발명은 전혀 실시예에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 기재에 있어서 사용되는 배합 비율(함유 비율), 물성값, 파라미터 등의 구체적 수치는 상기의 「발명을 실시하기 위한 형태」에 있어서 기재되어 있는, 그것들에 대응하는 배합 비율(함유 비율), 물성값, 파라미터 등 해당 기재의 상한(「이하」, 「미만」으로 정의되어 있는 수치) 또는 하한(「이상」, 「초과」로 정의되어 있는 수치)로 대체할 수 있다.Below, examples are given to illustrate the present invention in more detail. Meanwhile, the present invention is not limited to the examples at all. In addition, specific values such as mixing ratios (content ratios), physical property values, and parameters used in the following description are the corresponding mixing ratios (content ratios) described in the above-mentioned “Mode for Carrying out the Invention.” , physical property values, parameters, etc. can be replaced with the upper limit (a value defined as “less than” or “less than”) or a lower limit (a value defined as “above” or “exceeding”) of the corresponding description.

<실시예 1><Example 1>

장척의 기재(2)를 준비하였다. 구체적으로는 PET로 이루어지는 기재 시트(21)와, 두께 방향에 있어서의 기재(2)의 일방면에 배치되는 광학 조정층(22)과, 두께 방향에 있어서의 기재(2)의 타방면에 배치되는 하드 코트층(23)을 구비하는 두께 52㎛의 기재(2)(미쓰비시 케미컬사제, 품명; GF-50JBN)의 롤체를 준비하였다.A long base material (2) was prepared. Specifically, a substrate sheet 21 made of PET, an optical adjustment layer 22 disposed on one side of the substrate 2 in the thickness direction, and an optical adjustment layer 22 disposed on the other side of the substrate 2 in the thickness direction. A roll of base material 2 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, product name: GF-50JBN) having a thickness of 52 μm and having a hard coat layer 23 was prepared.

두께 145nm의 비정질 투명 도전층(3)을 기재(2)의 일방면에 반응성 스퍼터링법에 의해 형성하였다. 반응성 스퍼터링법에서는 상기한 롤체를 DC마그네트론 스퍼터링 장치에 세팅하고, 롤체로부터 기재(2)를 MD 방향으로 조출하면서, 비정질 투명 도전층(3)을 기재(2)의 일방면에 연속해서 형성하고, 투명 도전성 필름(1)을 롤체에 권취하였다.An amorphous transparent conductive layer 3 with a thickness of 145 nm was formed on one side of the substrate 2 by a reactive sputtering method. In the reactive sputtering method, the roll body described above is set in a DC magnetron sputtering device, and the base material 2 is fed from the roll body in the MD direction, and an amorphous transparent conductive layer 3 is continuously formed on one side of the base material 2. , the transparent conductive film (1) was wound on a roll.

스퍼터링의 조건은 다음과 같다. 타겟으로서, 산화인듐과 산화주석의 소결체를 사용하였다. 소결체에 있어서의 산화주석 농도는 10질량%였다. DC전원을 사용하여, 타겟에 대해 전압을 인가하였다. 타겟 상의 수평 자장 강도는 90mT로 하였다. 성막 온도는 30℃로 하였다. 성막 온도는 성막 롤의 표면 온도이며, 기재(2)의 온도와 동일하다. 또한, DC마그네트론 스퍼터링 장치에 있어서의 성막실 내의 도달 진공도가 0.9×10-4Pa에 이를 때까지 성막실 내를 진공 배기하여, 기재(2)에 대해 탈가스 처리를 실시하였다. 그 후, 성막실 내에 스퍼터링 가스로서의 Kr과, 반응성 가스로서의 산소를 도입하여, 성막실 내의 기압을 0.2Pa로 하였다. 성막실에 도입되는 Kr 및 산소의 합계 도입량에 대한 산소 도입량의 비율은 약3.1유량%였다.The conditions for sputtering are as follows. As a target, a sintered body of indium oxide and tin oxide was used. The tin oxide concentration in the sintered body was 10 mass%. Using DC power, voltage was applied to the target. The horizontal magnetic field intensity on the target was set to 90mT. The film formation temperature was 30°C. The film forming temperature is the surface temperature of the film forming roll and is the same as the temperature of the base material 2. Additionally, the inside of the film formation chamber was evacuated until the vacuum reached within the film formation chamber in the DC magnetron sputtering apparatus reached 0.9×10 -4 Pa, and the base material 2 was degassed. After that, Kr as a sputtering gas and oxygen as a reactive gas were introduced into the film formation chamber, and the atmospheric pressure in the film formation chamber was set to 0.2 Pa. The ratio of the amount of oxygen introduced to the total amount of Kr and oxygen introduced into the film formation chamber was about 3.1 flow rate%.

<실시예 2 내지 실시예 3과 비교예 1 내지 비교예 2><Examples 2 to 3 and Comparative Examples 1 to 2>

실시예 1과 마찬가지로 하여 투명 도전성 필름(1)을 제조하였다. 단, 성막실 내의 기압 또는 성막 온도를 표 1에 기재된 바와 같이 변경하였다.A transparent conductive film (1) was manufactured in the same manner as in Example 1. However, the atmospheric pressure or film formation temperature in the film formation room was changed as shown in Table 1.

<평가><Evaluation>

각 실시예 및 각 비교예의 투명 도전성 필름(1)에 대해 하기의 항목을 평가하였다.The following items were evaluated for the transparent conductive film (1) of each Example and each Comparative Example.

(1) 투명 도전성 필름(1)의 제 3 열수축률(HS3) 및 제 4 열수축률(HS4)(1) Third heat contraction rate (HS3) and fourth heat contraction rate (HS4) of transparent conductive film (1)

제조 직후의 투명 도전성 필름(1)을 10cm×10cm의 사이즈로 잘라내었다(도 1의 가상선 참조). 투명 도전성 필름(1)의 제 1 방향(MD방향) 및 제 2 방향(TD방향)의 치수를 평면 2축 장치(미쓰토요제, QV ACCEL606-PRO)로 측정하였다.The transparent conductive film 1 immediately after production was cut into a size of 10 cm x 10 cm (see virtual line in FIG. 1). The dimensions of the transparent conductive film 1 in the first direction (MD direction) and the second direction (TD direction) were measured with a planar biaxial device (QV ACCEL606-PRO, manufactured by Mitutoyo).

그 후, 투명 도전성 필름(1)을 160℃의 열풍 오븐으로 1시간 가열하고, 그 후, 상온으로 돌아갈 때까지 정치하였다. 이에 의해, 비정질 투명 도전층(3)을 결정질로 전화하였다. 그 후, 투명 도전성 필름(1)의 제 1 방향(MD방향) 및 제 2 방향(TD방향)의 치수를 측정하였다. 그리고, 투명 도전성 필름(1)의 제 3 열수축률(HS3) 및 제 4 열수축률(HS4)을 구하였다. 결과를 표 1에 기재한다.After that, the transparent conductive film 1 was heated in a hot air oven at 160°C for 1 hour, and then left to stand until it returned to room temperature. As a result, the amorphous transparent conductive layer 3 was converted to crystalline. After that, the dimensions of the transparent conductive film 1 in the first direction (MD direction) and the second direction (TD direction) were measured. And the third thermal contraction rate (HS3) and fourth thermal contraction rate (HS4) of the transparent conductive film (1) were determined. The results are listed in Table 1.

(2) 기재(2)의 제 1 열수축률(HS1) 및 제 2 열수축률(HS2)(2) First heat shrinkage rate (HS1) and second heat shrinkage rate (HS2) of base material (2)

제조 직후의 투명 도전성 필름(1)을 10cm×10cm의 사이즈로 잘라내었다. 그 후, 투명 도전성 필름(1)으로부터 비정질 투명 도전층(3)을 제거하였다. 구체적으로는 투명 도전성 필름(1)을 염산(20℃, 농도 5질량%)에 30분간 침지하고, 계속해서 수세 및 건조하였다. 이에 의해, 기재(2)를 얻었다.The transparent conductive film (1) immediately after production was cut into a size of 10 cm x 10 cm. After that, the amorphous transparent conductive layer (3) was removed from the transparent conductive film (1). Specifically, the transparent conductive film (1) was immersed in hydrochloric acid (20°C, concentration 5% by mass) for 30 minutes, and then washed with water and dried. As a result, base material (2) was obtained.

그 후, 기재(2)의 제 1 방향(MD방향) 및 제 2 방향(TD방향)의 치수를 평면 2축 장치(미쓰토요제, QV ACCEL606-PRO)로 측정하였다. 그 후, 기재(2)를 160℃의 열풍 오븐으로 1시간 가열하고, 그 후, 상온으로 돌아갈 때까지 정치하였다. 이에 의해, 비정질 투명 도전층(3)을 결정질로 전화하였다. 그 후, 기재(2)의 제 1 방향(MD방향) 및 제 2 방향(TD방향)의 치수를 측정하였다. 그리고, 기재(2)의 제 1 열수축률(HS1) 및 제 2 열수축률(HS2)을 구하였다. 결과를 표 1에 기재한다.Thereafter, the dimensions of the substrate 2 in the first direction (MD direction) and the second direction (TD direction) were measured with a planar biaxial device (QV ACCEL606-PRO, manufactured by Mitutoyo). After that, the base material 2 was heated in a hot air oven at 160°C for 1 hour, and then left to stand until it returned to room temperature. As a result, the amorphous transparent conductive layer 3 was converted to crystalline. After that, the dimensions of the substrate 2 in the first direction (MD direction) and the second direction (TD direction) were measured. And the first thermal contraction rate (HS1) and the second thermal contraction rate (HS2) of the base material (2) were determined. The results are listed in Table 1.

(3) 비정질 투명 도전층(3)의 밀도(3) Density of amorphous transparent conductive layer (3)

X선 반사율법을 사용하여, 비정질 투명 도전층(3)의 밀도를 구하였다. 구체적으로는 수평형 X선 회절 장치(상품명 「SmartLab」, 주식회사 리가쿠제)를 사용하여, 해석 소프트웨어(소프트명「SmartLab StudioII」)의 「XRR-진동 해석·피팅」을 사용하고, 측정으로 얻어진 X선 반사율 곡선과 이론 프로파일의 피팅을 2θ=0.5∼1.0deg의 범위에서 실시하였다. 피팅에서는 준뉴턴법, 잔차 타입|Δ(LogI)|(I: X선 강도)을 사용하였다.The density of the amorphous transparent conductive layer 3 was determined using the X-ray reflectivity method. Specifically, a horizontal Fitting of the line reflectance curve and theoretical profile was performed in the range of 2θ = 0.5 to 1.0 deg. In fitting, the quasi-Newton method and residual type|Δ(LogI)|(I: X-ray intensity) were used.

<측정 조건><Measurement conditions>

· 평행 빔 광학 배치· Parallel beam optical arrangement

· 광원: CuKα선(파장: 1.54059Å)· Light source: CuKα line (wavelength: 1.54059Å)

· 입사측 슬릿계: 솔러 슬릿 OPEN· Incident side slit meter: Solar slit OPEN

· 입사 슬릿: 0.050mm· Entrance slit: 0.050mm

· 수광측 슬릿계: 솔러 슬릿 5.0deg· Light-receiving side slit meter: solar slit 5.0deg

· 수광 슬릿: 0.050mm· Light receiving slit: 0.050mm

· 검출기: 다차원 픽셀 검출기 Hypix-3000Detector: Multidimensional pixel detector Hypix-3000

· 출력: 45kV, 200mA· Output: 45kV, 200mA

· 측정 스피드: 0.1°／분· Measurement speed: 0.1°/min

· 측정 범위: 0°∼1.5°· Measuring range: 0°∼1.5°

· 스캔축: 2θ/ω· Scan axis: 2θ/ω

· 스텝 간격: 0.008°· Step interval: 0.008°

결과를 표 1에 기재한다.The results are listed in Table 1.

(4) 내크랙성의 평가(4) Evaluation of crack resistance

(i) 제 1 가열 시험 및 (ii) 제 2 가열 시험의 각각을 실시하였다.Each of (i) the first heating test and (ii) the second heating test were conducted.

(i) 제 1 가열 시험(i) First heating test

제조 직후의 롤체로부터 투명 도전성 필름(1)을 조출하고, 50cm×5cm의 사이즈로 잘라내었다. 잘라낸 투명 도전성 필름(1)의 양단변을 내열 테이프로 고정하고, 대기하에서 160℃의 열풍 오븐으로 1시간 가열하였다.The transparent conductive film (1) was fed from the roll immediately after production and cut into a size of 50 cm x 5 cm. Both ends of the cut transparent conductive film 1 were fixed with heat-resistant tape, and heated in a hot air oven at 160°C for 1 hour in the air.

그 후, 투명 도전성 필름(1)을 10장으로 잘라서 나누었다. 각 투명 도전성 필름(1)의 사이즈는 5cm×5cm이다. 10장의 투명 도전성 필름(1) 중, 몇 장의 투명 도전성 필름(1)에 있어서 크랙이 관찰되었는지를 카운트하였다. 크랙은 현미경으로 관찰하였다.After that, the transparent conductive film 1 was cut into 10 pieces. The size of each transparent conductive film 1 is 5 cm x 5 cm. Among the 10 transparent conductive films 1, how many of the transparent conductive films 1 had cracks observed was counted. Cracks were observed under a microscope.

(ii) 제 2 가열 시험(ii) Second heating test

비정질 투명 도전층(3)을 성막한 직후이고, 롤체로 권취하기 전인 투명 도전성 필름(1)을 권회하지 않고 연속해서 진공화에서 반송하면서, 가열 롤(온도는 160℃)에 접촉시켜 약5분간 가열하였다. 그 후, 투명 도전성 필름(1)을 50cm×5cm의 사이즈로 잘라내었다.Immediately after forming the amorphous transparent conductive layer 3, the transparent conductive film 1 before being wound into a roll is continuously conveyed under vacuum without being wound, and is brought into contact with a heating roll (temperature is 160°C) for about 5 minutes. Heated. After that, the transparent conductive film 1 was cut into a size of 50 cm x 5 cm.

그 후, 투명 도전성 필름(1)을 10장으로 잘라 나누었다. 각 투명 도전성 필름(1)의 사이즈는 5cm×5cm이다. 10장의 투명 도전성 필름(1) 중, 몇 장의 투명 도전성 필름(1)에 있어서 크랙이 관찰되었는지를 카운트하였다. 크랙은 현미경으로 관찰하였다.After that, the transparent conductive film (1) was cut into 10 pieces. The size of each transparent conductive film 1 is 5 cm x 5 cm. Among the 10 transparent conductive films 1, how many of the transparent conductive films 1 had cracks observed was counted. Cracks were observed under a microscope.

그리고, 내크랙성을 하기와 같이 평가하였다.Then, crack resistance was evaluated as follows.

우수: (i) 제 1 가열 시험 및 (ii) 제 2 가열 시험 모두에 있어서, 10장 중, 5장 이하의 투명 도전성 필름(1)의 결정질 투명 도전층(30)에 있어서 크랙이 확인되었다.Excellent: In both (i) the first heating test and (ii) the second heating test, cracks were confirmed in the crystalline transparent conductive layer 30 of five or less transparent conductive films 1 out of 10 sheets.

양호: (i) 제 1 가열 시험에 있어서, 10장 중, 5장 이하의 투명 도전성 필름(1)의 결정질 투명 도전층(30)에 있어서 크랙이 확인되었다. 한편, (ii) 제 2 가열 시험에 있어서, 10장 중, 6장 이상의 투명 도전성 필름(1)의 결정질 투명 도전층(30)에 있어서 크랙이 확인되었다.Good: (i) In the first heating test, cracks were confirmed in the crystalline transparent conductive layer 30 of 5 or less transparent conductive films 1 out of 10 sheets. Meanwhile, in (ii) the second heating test, cracks were confirmed in the crystalline transparent conductive layer 30 of 6 or more transparent conductive films 1 out of 10 sheets.

불량: (i) 제 1 가열 시험 및 (ii) 제 2 가열 시험 모두에 있어서, 10장 중, 6장 이상의 투명 도전성 필름(1)의 결정질 투명 도전층(30)에 있어서 크랙이 확인되었다Defect: In both (i) the first heating test and (ii) the second heating test, cracks were confirmed in the crystalline transparent conductive layer 30 of 6 or more transparent conductive films 1 out of 10 sheets.

결과를 표 1에 기재한다.The results are listed in Table 1.

(5) [비정질 투명 도전층(3)에 있어서의 Kr의 확인](5) [Confirmation of Kr in amorphous transparent conductive layer (3)]

실시예 1 내지 실시예 3 및 비교예 1 내지 비교예 2의 각각에 있어서의 비정질 투명 도전층(3)이 모두 Kr을 함유하는 것을 다음과 같이 하여 확인하였다.It was confirmed as follows that all of the amorphous transparent conductive layers 3 in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 2 contained Kr.

우선, 주사형 형광 X선 분석 장치(상품명 「ZSX Primus IV」, 리가쿠사제)를 사용하여, 하기의 측정 조건으로 형광 X선 분석 측정을 5회 반복하고, 각 주사 각도의 평균값을 산출하여, X선 스펙트럼을 작성하였다. 그리고, 작성된 X선 스펙트럼에 있어서, 주사 각도 28.2°근방에 피크가 나와 있는 것을 확인하였다.First, using a scanning-type fluorescence An X-ray spectrum was prepared. And, in the created X-ray spectrum, it was confirmed that a peak appeared near the scanning angle of 28.2°.

<측정 조건><Measurement conditions>

스펙트럼; Kr-KAspectrum; Kr-KA

측정 지름: 30mmMeasurement diameter: 30mm

분위기: 진공Atmosphere: Vacuum

타깃: RhTarget: Rh

관 전압: 50kVTube voltage: 50kV

관 전류: 60mATube current: 60mA

1차 필터: Ni40Primary filter: Ni40

주사 각도(deg): 27.0∼29.5Scanning angle (deg): 27.0∼29.5

스텝(deg): 0.020Step (deg): 0.020

속도(deg/분): 0.75Speed (deg/min): 0.75

어테뉴에이터: 1/1Attenuator: 1/1

슬릿: S2Slit: S2

분광 결정: LiF(200)Spectroscopic crystal: LiF(200)

검출기: SCDetector: SC

PHA: 100∼300PHA: 100∼300

(6) [비정질 투명 도전층(3)에 있어서의 Ar의 확인](6) [Confirmation of Ar in amorphous transparent conductive layer (3)]

실시예 1 내지 실시예 3 및 비교예 1 내지 비교예 2의 각각에 있어서의 비정질 투명 도전층(3)이 모두 Ar을 함유하지 않는 것을 러더퍼드 후방 산란 분광법(RBS)에 의해 확인하였다.It was confirmed by Rutherford backscattering spectroscopy (RBS) that none of the amorphous transparent conductive layers 3 in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 2 contained Ar.

구체적으로는 In+Sn(러더퍼드 후방 산란 분광법에서는 In과 Sn을 분리한 측정이 곤란하기 때문에, 2원소의 합산으로서 평가하였다), O, Ar의 4원소를 검출 원소로 하여 측정을 행하고, 투명 도전층에 있어서의 Ar의 존재를 확인하였다. 사용 장치 및 측정 조건은 하기와 같다.Specifically, measurements were made using In+Sn (it was difficult to measure In and Sn separately in Rutherford backscattering spectroscopy, so it was evaluated as the sum of the two elements), O, and Ar as detection elements, and the transparent conductive The presence of Ar in the layer was confirmed. The equipment used and measurement conditions are as follows.

<사용 장치><Device used>

Pelletron 3SDH(National Electrostatics Corporation제)Pelletron 3SDH (manufactured by National Electrostatics Corporation)

<측정 조건><Measurement conditions>

입사 이온: 4He++Incident ion: 4He++

입사 에너지: 2300keVIncident energy: 2300keV

입사각: 0degAngle of incidence: 0deg

산란각: 160degScattering angle: 160deg

시료 전류: 6nASample current: 6nA

빔 지름: 2mmφBeam diameter: 2mmϕ

면내 회전: 무In-plane rotation: None

조사량: 75μCIrradiance: 75μC

또한, 상기 발명은 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않으며, 한정적으로 해석해서는 안 된다. 상기 기술 분야의 당업자에 의해 명확한 본 발명의 변형예는 후기하는 청구 범위에 포함된다.Additionally, although the above invention has been provided as an exemplary embodiment of the present invention, this is merely an example and should not be construed as limited. Modifications of the present invention apparent to those skilled in the art are included in the following claims.

투명 도전성 필름은 광학용의 물품에 사용된다.Transparent conductive films are used in optical articles.

1; 투명 도전성 필름
2; 기재
3; 비정질 투명 도전층
HS1; 제 1 방향에 있어서의 기재의 제 1 열수축률
HS2; 제 2 방향에 있어서의 기재의 제 1 열수축률
HS3; 제 1 방향에 있어서의 투명 도전성 필름의 제 1 열수축률
HS4; 제 2 방향에 있어서의 투명 도전성 필름의 제 1 열수축률One; transparent conductive film
2; write
3; Amorphous transparent conductive layer
HS1; First thermal contraction rate of the substrate in the first direction
HS2; First thermal contraction rate of the substrate in the second direction
HS3; First thermal contraction rate of the transparent conductive film in the first direction
HS4; First thermal contraction rate of the transparent conductive film in the second direction

Claims (3)

기재와 비정질 투명 도전층을 두께 방향의 일방측을 향해 순서대로 구비하고,
상기 기재는 상기 두께 방향에 직교하는 제 1 방향의 제 1 열수축률(HS1)보다 낮은 제 2 열수축률(HS2)로서, 상기 두께 방향 및 상기 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향에 있어서의 상기 제 2 열수축률(HS2)을 갖고,
상기 기재의 상기 제 2 열수축률(HS2)은 0.00% 이하이고,
상기 비정질 투명 도전층은 아르곤보다 원자 번호가 큰 희가스를 함유하고,
상기 비정질 투명 도전층의 밀도는 7.27g/cm3을 초과하는 투명 도전성 필름.A base material and an amorphous transparent conductive layer are provided in order toward one side in the thickness direction,
The base material has a second thermal contraction rate (HS2) lower than the first thermal contraction rate (HS1) in the first direction orthogonal to the thickness direction, and the second thermal contraction rate (HS2) in the second direction orthogonal to the thickness direction and the first direction. It has a heat shrinkage rate (HS2) of 2,
The second heat shrinkage rate (HS2) of the substrate is 0.00% or less,
The amorphous transparent conductive layer contains a rare gas with an atomic number greater than argon,
A transparent conductive film wherein the density of the amorphous transparent conductive layer exceeds 7.27 g/cm 3 . 제 1 항에 있어서,
상기 투명 도전성 필름은 제 1 방향에 있어서의 제 3 열수축률(HS3)과, 상기 제 3 열수축률(HS3)보다 낮은 제 4 열수축률(HS4)로서, 제 2 방향에 있어서의 제 4 열수축률(HS4)을 갖고,
상기 제 4 열수축률(HS4)은 0.04% 미만인 투명 도전성 필름.According to claim 1,
The transparent conductive film has a third thermal contraction rate (HS3) in the first direction, a fourth thermal contraction rate (HS4) lower than the third thermal contraction rate (HS3), and a fourth thermal contraction rate in the second direction ( HS4),
The fourth heat shrinkage rate (HS4) is a transparent conductive film of less than 0.04%. 제 2 항에 있어서,
상기 투명 도전성 필름의 상기 제 4 열수축률(HS4)로부터 상기 기재의 상기 제 2 열수축률(HS2)을 뺀 값(HS4-HS2)은 0.00% 이상, 0.10% 이하인 투명 도전성 필름.According to claim 2,
A transparent conductive film wherein the value obtained by subtracting the second heat shrinkage rate (HS2) of the base material from the fourth heat shrinkage rate (HS4) of the transparent conductive film (HS4-HS2) is 0.00% or more and 0.10% or less.
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