KR20240036217A - 터치 디스플레이 장치 및 터치 구동 방법 - Google Patents

터치 디스플레이 장치 및 터치 구동 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20240036217A
KR20240036217A KR1020220114712A KR20220114712A KR20240036217A KR 20240036217 A KR20240036217 A KR 20240036217A KR 1020220114712 A KR1020220114712 A KR 1020220114712A KR 20220114712 A KR20220114712 A KR 20220114712A KR 20240036217 A KR20240036217 A KR 20240036217A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
touch
signal
section
crosstalk
touch driving
Prior art date
Application number
KR1020220114712A
Other languages
English (en)
Inventor
이성엽
이병관
최재후
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020220114712A priority Critical patent/KR20240036217A/ko
Publication of KR20240036217A publication Critical patent/KR20240036217A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/04166—Details of scanning methods, e.g. sampling time, grouping of sub areas or time sharing with display driving
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/046—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by electromagnetic means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 개시의 실시예들은 터치 디스플레이 장치 및 터치 구동 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 복수의 터치 전극을 포함하는 디스플레이 패널; 복수의 게이트 라인을 통해 상기 디스플레이 패널에 복수의 스캔 신호를 공급하는 게이트 구동 회로; 복수의 데이터 라인을 통해 상기 디스플레이 패널에 복수의 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동 회로; 상기 복수의 터치 전극에 터치 구동 신호를 인가하고, 커패시턴스 변화에 따라 터치 센싱을 감지하는 터치 회로; 및 상기 데이터 구동 회로와 상기 터치 회로를 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하되, 터치 구동 신호의 트랜지션 시점이 상기 스캔 신호의 크로스토크 구간에 중첩되는 경우에, 상기 터치 구동 신호의 트랜지션 타이밍에 중첩되는 상기 데이터 신호에 보상 게인을 적용함으로써 상기 크로스토크가 감소되는 터치 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.

Description

터치 디스플레이 장치 및 터치 구동 방법{TOUCH DISPLAY DEVICE AND TOUCH DRIVING METHOD}
본 개시의 실시예들은 터치 디스플레이 장치 및 터치 구동 방법에 관한 것이다.
멀티미디어의 발달과 함께 평판 디스플레이 장치의 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel), 유기 발광 디스플레이(Organic Light Emitting Display) 등의 평판 디스플레이 장치가 상용화되고 있다.
아울러, 이러한 디스플레이 장치에 터치 패널을 적층하여, 손이나 스타일러스 펜(stylus pen) 등이 접촉되는 터치 지점에 저항이나 정전 용량과 같은 전기적인 특성이 변하는 경우에, 터치 지점을 감지하여 터치 지점에 대응되는 정보를 출력하거나 연산을 수행하는 터치 디스플레이 장치가 널리 사용되고 있다.
이러한 터치 디스플레이 장치는 사용자 인터페이스(User Interface)의 하나로써, 그 응용 범위가 소형 휴대용 단말기, 사무용 기기, 모바일 기기 등으로 확대되고 있다.
그러나, 이러한 터치 디스플레이 장치에 별도의 터치 패널을 적층하는 경우, 디스플레이 장치의 두께가 두꺼워져서 이를 얇게 제작하는데 한계가 있고, 적층된 터치 패널을 통과하면서 빛의 투과 효율이 감소하며, 생산비가 증가하는 단점이 있다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위해서, 최근에는 디스플레이 패널의 픽셀 영역 내부에 터치 전극을 내장하는 인셀 터치(Advanced In-cell Touch; AIT) 타입의 디스플레이 장치가 제안되기도 하였다.
그러나, 디스플레이 패널에 터치 전극을 내장하게 되면, 터치 전극의 구동이 디스플레이 구동에 영향을 미치게 되어, 영상 표시 품질이 저하되는 문제점이 발생할 수 있다.
이에, 본 명세서의 발명자들은 우수한 영상 품질과 정밀한 터치 감도를 제공할 수 있는 터치 전극이 내장된 터치 디스플레이 장치와 터치 구동 방법을 발명하였다.
본 개시의 실시예들은 터치 구동이 디스플레이 구동에 끼치는 영향을 최소화할 수 있는 터치 전극이 내장된 터치 디스플레이 장치와 터치 구동 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 개시의 실시예들은 터치 전극의 구동을 위한 터치 구동 신호의 트랜지션 과정에 발생할 수 있는 리플 노이즈의 영항을 최소화할 수 있는 터치 디스플레이 장치 및 터치 구동 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 개시의 실시예들은 터치 구동 신호가 휘선이나 암선을 야기하는 시점에 트랜지션 될 것으로 예상되는 경우에, 휘선이나 암선을 보정할 수 있도록 데이터 신호의 레벨을 제어함으로써 영상 품질을 개선할 수 있는 터치 디스플레이 장치 및 터치 구동 방법을 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은 복수의 터치 전극을 포함하는 디스플레이 패널과, 복수의 게이트 라인을 통해 상기 디스플레이 패널에 복수의 스캔 신호를 공급하는 게이트 구동 회로와, 복수의 데이터 라인을 통해 상기 디스플레이 패널에 복수의 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동 회로와, 상기 복수의 터치 전극에 터치 구동 신호를 인가하고, 커패시턴스 변화에 따라 터치 센싱을 감지하는 터치 회로와, 상기 데이터 구동 회로와 상기 터치 회로를 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하되, 상기 터치 구동 신호의 트랜지션 시점이 상기 스캔 신호의 크로스토크 구간에 중첩되는 경우에, 상기 터치 구동 신호의 트랜지션 시점에 중첩되는 상기 데이터 신호에 보상 게인을 적용함으로써 상기 크로스토크가 감소되는 터치 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들은 복수의 터치 전극을 포함하는 디스플레이 패널에 스캔 신호를 공급하는 게이트 구동 회로와, 상기 디스플레이 패널에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동 회로와, 상기 디스플레이 패널에 터치 구동 신호를 공급하고 상기 터치 구동 신호에 응답하여 수신되는 터치 센싱 신호를 토대로 터치를 센싱하는 터치 회로를 포함하는 터치 디스플레이 장치의 터치 구동 방법에 있어서, 상기 터치 구동 신호의 트랜지션 시점을 검출하는 단계와, 상기 스캔 신호의 크로스토크 구간을 검출하는 단계와, 상기 터치 구동 신호의 트랜지션 시점이 상기 크로스토크 구간과 중첩되는지를 판단하는 단계와, 상기 터치 구동 신호의 트랜지션 시점이 상기 크로스토크 구간과 중첩되는 경우에 보상 게인을 계산하는 단계와, 상기 보상 게인을 상기 데이터 신호에 반영하여 보상 데이터 신호를 생성하는 단계와, 상기 보상 데이터 신호를 상기 디스플레이 패널에 공급하는 단계를 포함하는 터치 구동 방법을 제공할 수 있다.
본 개시의 실시예들에 의하면, 우수한 영상 품질과 정밀한 터치 감도를 제공할 수 있는 터치 전극이 내장된 터치 디스플레이 장치와 터치 구동 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 개시의 실시예들에 의하면, 터치 구동이 디스플레이 구동에 끼치는 영향을 최소화할 수 있는 터치 전극이 내장된 터치 디스플레이 장치와 터치 구동 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 개시의 실시예들에 의하면, 터치 전극의 구동을 위한 터치 구동 신호의 트랜지션 과정에 발생할 수 있는 리플 노이즈의 영항을 최소화할 수 있는 터치 디스플레이 장치 및 터치 구동 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 개시의 실시예들에 의하면, 터치 구동 신호가 휘선이나 암선을 야기하는 시점에 트랜지션 될 것으로 예상되는 경우에, 휘선이나 암선을 보정할 수 있도록 데이터 신호의 레벨을 제어함으로써 영상 품질을 개선할 수 있는 터치 디스플레이 장치 및 터치 구동 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 터치 센싱 시스템을 예시로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서 디스플레이 패널을 구성하는 서브픽셀의 등가회로를 예시로 나타낸 도면이다.
도 4 및 도 5는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서 공통 전극과 기저 라인 사이의 연결 구조를 예시로 나타낸 도면이다.
도 6은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 디스플레이 패널의 단면을 예시로 나타낸 도면이다.
도 7은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 디스플레이 구동 기간과 터치 구동 기간의 타이밍을 나타낸 예시 도면이다.
도 8은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, LHB 구동 타이밍을 나타낸 예시 도면이다.
도 9 및 도 10은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 디스플레이 패널에서, 터치 구동 과정에 공통 전극에 유도되는 공통 전극 리플 노이즈(CE Ripple Noise)와 공통 전극 리플 노이즈에 의한 영향을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 터치 구동 신호의 트랜지션 위치에 따라 휘선 또는 암선이 나타나는 경우를 실험적으로 검출한 경우를 예시로 나타낸 도면이다.
도 12는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 스캔 신호에 대한 터치 구동 신호의 트랜지션 위치에 따른 영상 품질을 자세하게 나타낸 도면이다.
도 13은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 데이터 신호의 보상 게인을 결정하는 방법을 예시로 나타낸 도면이다.
도 14는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 터치 구동 신호의 하강 트랜지션 시점에 따라 음의 보상 게인을 결정하는 구체적인 방법을 나타낸 도면이다.
도 15는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 터치 구동 신호의 상승 트랜지션 시점에 따라 양의 보상 게인을 결정하는 구체적인 방법을 나타낸 도면이다.
도 16은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 터치 구동 신호의 트랜지션 시점에 따라 보상 데이터 신호가 변동되는 경우를 예시로 나타낸 도면이다.
도 17은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 구동 방법의 흐름도를 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다.
구성 요소들의 위치 관계에 대한 설명에 있어서, 둘 이상의 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속" 등이 된다고 기재된 경우, 둘 이상의 구성 요소가 직접적으로 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수 있지만, 둘 이상의 구성 요소와 다른 구성 요소가 더 "개재"되어 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 여기서, 다른 구성 요소는 서로 "연결", "결합" 또는 "접속" 되는 둘 이상의 구성 요소 중 하나 이상에 포함될 수도 있다.
구성 요소들이나, 동작 방법이나 제작 방법 등과 관련한 시간적 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보(예: 레벨 등)가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다
도 1은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 영상 표시를 위한 구성 요소들로서, 디스플레이 패널(110), 데이터 구동 회로(120), 게이트 구동 회로(130), 및 타이밍 컨트롤러(140) 등을 포함할 수 있다.
디스플레이 패널(110)은 영상이 표시되는 표시 영역(DA)과 영상이 표시되지 않는 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 외곽 영역일 수 있으며, 베젤(Bezel) 영역이라고도 할 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 터치 디스플레이 장치(100)의 앞면에서 보이는 영역이거나, 벤딩 되어 터치 디스플레이 장치(100)의 앞면에서 보이지 않는 영역일 수도 있다.
디스플레이 패널(110)은 다수의 서브픽셀(SP)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 터치 디스플레이 장치(100)는 액정 표시 장치, 유기 발광 디스플레이 장치, 마이크로 LED (Micro Light Emitting Diode) 디스플레이 장치, 퀀텀닷 디스플레이 장치 등을 포함하는 다양한 타입의 디스플레이 장치일 수 있다.
터치 디스플레이 장치(100)의 타입에 따라 다수의 서브픽셀(SP) 각각의 구조가 달라질 수 있다. 예를 들어, 터치 디스플레이 장치(100)가 서브픽셀(SP) 스스로 빛을 내는 자체 발광 디스플레이 장치인 경우, 각 서브픽셀(SP)은 스스로 빛을 내는 발광 소자, 하나 이상의 트랜지스터 및 하나 이상의 커패시터를 포함할 수 있다.
또한, 디스플레이 패널(110)은 다수의 서브픽셀(SP)을 구동하기 위하여, 여러 가지 종류의 신호 라인들을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 여러 가지 종류의 신호 라인들은 데이터 신호(데이터 전압 또는 영상 데이터라고도 함)을 전달하는 다수의 데이터 라인(DL) 및 게이트 신호(스캔 신호라고도 함)을 전달하는 다수의 게이트 라인(GL) 등을 포함할 수 있다.
다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)은 서로 교차할 수 있다. 다수의 데이터 라인(DL) 각각은 열 방향(Column Direction)으로 연장되면서 배치될 수 있다. 다수의 게이트 라인(GL) 각각은 행 방향(Row Direction)으로 연장되면서 배치될 수 있다.
여기에서, 열 방향(Column Direction)과 행 방향(Row Direction)은 상대적인 것이다. 예를 들어, 열 방향은 세로 방향이고 행 방향은 가로 방향일 수 있다. 다른 예를 들어, 열 방향은 가로 방향이고 행 방향은 세로 방향일 수도 있다.
데이터 구동 회로(120)는 다수의 데이터 라인(DL)을 구동하기 위한 회로로서, 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 신호를 출력할 수 있다. 게이트 구동 회로(130)는 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하기 위한 회로로서, 다수의 게이트 라인(GL)으로 게이트 신호를 출력할 수 있다.
타이밍 컨트롤러(140)는 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)를 제어하기 위한 장치로서, 다수의 데이터 라인(DL)에 대한 구동 타이밍과 다수의 게이트 라인(GL)에 대한 구동 타이밍을 제어할 수 있다.
타이밍 컨트롤러(140)는 데이터 구동 회로(120)를 제어하기 위하여 여러 가지 종류의 데이터 구동 제어 신호(DCS)를 데이터 구동 회로(120)에 공급하고, 게이트 구동 회로(130)를 제어하기 위하여 여러 가지 종류의 게이트 구동 제어 신호(GCS)를 게이트 구동 회로(130)에 공급할 수 있다.
데이터 구동 회로(120)는 타이밍 컨트롤러(140)의 구동 타이밍 제어에 따라 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 신호를 공급할 수 있다. 데이터 구동 회로(120)는 타이밍 컨트롤러(140)로부터 디지털 형태의 영상 데이터(DATA)를 수신하고, 수신된 영상 데이터들(DATA)을 아날로그 형태의 데이터 신호로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL)으로 출력할 수 있다.
게이트 구동 회로(130)는 타이밍 컨트롤러(140)의 타이밍 제어에 따라 다수의 게이트 라인(GL)으로 게이트 신호를 공급할 수 있다. 게이트 구동 회로(130)는 각종 게이트 구동 제어 신호(GCS)와 함께 턴-온 레벨의 전압에 해당하는 제 1 게이트 전압 및 턴-오프 레벨 전압에 해당하는 제 2 게이트 전압을 공급받아, 게이트 신호를 생성하고, 생성된 게이트 신호를 다수의 게이트 라인(GL)으로 공급할 수 있다. 여기서, 턴-온 레벨 전압은 하이 레벨 전압이고, 턴-오프 레벨 전압은 로우 레벨 전압일 수 있다. 이와 반대로, 턴-온 레벨 전압은 로우 레벨 전압이고, 턴-오프 레벨 전압은 하이 레벨 전압일 수 있다.
터치 디스플레이 장치(100)는 영상 표시 기능뿐만 아니라 터치 센싱 기능을 더 제공하기 위하여, 터치 패널과, 터치 패널을 센싱하여 손가락 또는 펜 등의 터치 오브젝트에 의해 터치가 발생했는지를 검출하거나 터치 위치를 검출하는 터치 회로(150)를 포함할 수 있다.
터치 회로(150)는 터치 패널을 구동하고 센싱함으로써, 터치 센싱 데이터를 생성하여 출력하는 터치 구동 회로(160)와, 터치 센싱 데이터를 이용하여 터치 발생을 감지하거나 터치 위치를 검출할 수 있는 터치 컨트롤러(170) 등을 포함할 수 있다.
터치 패널은 터치 센서로서 다수의 터치 전극(TE)을 포함할 수 있다. 터치 패널은 다수의 터치 전극(TE)과 터치 구동 회로(160)를 전기적으로 연결해주기 위한 다수의 터치 라인(TL)을 더 포함할 수 있다. 터치 패널 또는 터치 전극(TE)은 터치 센서라고도 한다.
터치 패널은 디스플레이 패널(110)의 외부에 존재할 수도 있고 디스플레이 패널(110)의 내부에 존재할 수도 있다. 터치 패널이 디스플레이 패널(110)의 외부에 존재하는 경우, 외장형 터치 패널이라고 한다. 터치 패널이 외장형인 경우, 터치 패널과 디스플레이 패널(110)은 별도로 제작되어, 결합될 수 있다. 외장형 터치 패널은 기판 및 기판 상의 다수의 터치 전극(TE) 등을 포함할 수 있다.
터치 패널이 디스플레이 패널(110)의 내부에 존재하는 경우, 내장형 터치 패널이라고 한다. 내장형 터치 패널인 경우, 디스플레이 패널(110)의 제작 공정 중에 터치 패널이 디스플레이 패널(110) 내에 형성될 수 있다.
터치 구동 회로(160)는 다수의 터치 전극(TE) 중 적어도 하나로 터치 구동 신호를 공급하고, 다수의 터치 전극(TE) 중 적어도 하나의 터치 전극(TE)으로부터 전달되는 터치 센싱 신호를 검출하여 터치 센싱 데이터를 생성할 수 있다.
터치 회로(150)는 셀프-커패시턴스(Self-Capacitance) 센싱 방식 또는 뮤추얼-커패시턴스(Mutual-Capacitance) 센싱 방식으로 터치 센싱을 수행할 수 있다.
터치 회로(150)가 셀프-커패시턴스 센싱 방식으로 터치 센싱을 수행하는 경우, 터치 회로(150)는 각 터치 전극(TE)과 터치 오브젝트(예: 손가락, 펜 등) 사이의 커패시턴스를 토대로 터치 센싱을 수행할 수 있다.
터치 회로(150)가 뮤추얼-커패시턴스 센싱 방식으로 터치 센싱을 수행하는 경우, 터치 회로(150)는 터치 전극들(TE) 사이의 커패시턴스를 토대로 터치 센싱을 수행할 수 있다.
뮤추얼-커패시턴스 센싱 방식에 따르면, 다수의 터치 전극(TE)은 구동 터치 전극과 센싱 터치 전극으로 나뉜다. 터치 구동 회로(160)는 터치 구동 신호를 이용하여 구동 터치 전극을 구동하고, 센싱 터치 전극으로부터 터치 센싱 신호를 검출할 수 있다.
셀프-커패시턴스 센싱 방식에 따르면, 다수의 터치 전극(TE) 각각은 구동 터치 전극의 역할도 하고 센싱 터치 전극의 역할도 할 수 있다. 터치 구동 회로(160)는 다수의 터치 전극(TE)의 전체 또는 일부를 구동하고 다수의 터치 전극(TE)의 전체 또는 일부를 센싱할 수 있다.
터치 구동 회로(160) 및 터치 컨트롤러(170)는 별도의 장치로 구현될 수도 있고, 하나의 장치로 구현될 수도 있다.
또는, 터치 구동 회로(160)와 데이터 구동 회로(120)는 별도의 집적회로로 구현될 수도 있다. 이와 다르게, 터치 구동 회로(160)의 전체 또는 일부와 데이터 구동 회로(120)의 전체 또는 일부가 서로 통합되어 하나의 집적 회로로 구현될 수 있다.
본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 유기 발광 디스플레이 장치, 퀀텀닷 디스플레이 장치, 마이크로 LED 디스플레이 장치 등과 같이, 자체 발광할 수 있는 발광 소자가 디스플레이 패널(110)에 배치되는 자체 발광 디스플레이 장치일 수 있다.
도 2는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 터치 센싱 시스템을 예시로 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)의 터치 센싱 시스템은 다수의 터치 전극(TE), 다수의 터치 라인(TL), 터치 구동 회로(160), 및 터치 컨트롤러(170) 등을 포함할 수 있다.
본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서 데이터 구동 회로(120)는 다수의 데이터 구동 집적 회로(SDIC)를 포함할 수 있고, 터치 구동 회로(160)는 다수의 터치 구동 집적 회로(ROIC)를 포함할 수 있다.
다수의 데이터 구동 집적 회로(SDIC) 각각은 별도의 집적 회로로 구현될 수 있다. 다수의 터치 구동 집적 회로(ROIC) 각각은 별도의 집적 회로로 구현될 수 있다.
이와 다르게, 적어도 하나의 데이터 구동 집적 회로(SDIC)와 적어도 하나의 터치 구동 집적 회로(ROIC)가 통합되어 하나의 통합 집적 회로(200)로 구현될 수도 있다.
이에 따르면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 하나 이상의 통합 집적 회로(200)를 포함하고, 각 통합 집적 회로(200)는 적어도 하나의 데이터 구동 집적 회로(SDIC)와 적어도 하나의 터치 구동 집적 회로(ROIC)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 다수의 통합 집적 회로(200) 각각은 회로 필름(210) 상에 실장될 수 있다. 다수의 통합 집적 회로(200)가 실장된 다수의 회로 필름(210)의 일 측은 디스플레이 패널(110)에 전기적으로 연결될 수 있다.
다수의 통합 집적 회로(200)가 실장된 다수의 회로 필름(210)의 타 측은 인쇄 회로 기판(220)에 전기적으로 연결될 수 있다.
본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 다수의 터치 전극(TE) 각각은 적어도 하나의 터치 라인(TL)을 통해 터치 구동 집적 회로(ROIC)와 전기적으로 연결될 수 있다.
다수의 터치 전극(TE)은 동일한 층에 모두 위치하고, 다수의 터치 라인(TL)은 다수의 터치 전극(TE)과 다른 층에 위치할 수 있다.
다수의 터치 전극(TE)은 제 1 터치 전극(TE1), 제 1 터치 전극(TE1)과 행 방향으로 인접한 제 2 터치 전극(TE2), 제 1 터치 전극(TE1)과 열 방향으로 인접한 제 3 터치 전극(TE3), 제 3 터치 전극(TE3)과 행 방향으로 인접한 제 4 터치 전극(TE4)을 포함할 수 있다.
제 1 터치 전극(TE1)은 제 1 터치 라인(TL1)과 전기적으로 연결되고, 제 2 터치 전극(TE2)은 제 2 터치 라인(TL2)과 전기적으로 연결되고, 제 3 터치 전극(TE3)은 제 3 터치 라인(TL3)과 전기적으로 연결되고, 제 4 터치 전극(TE4)은 제 4 터치 라인(TL4)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제 1 터치 라인(TL1)은 제 3 터치 전극(TE3)과 중첩되지만 제 3 터치 전극(TE3)과 전기적으로 연결되지 않는다. 제 2 터치 라인(TL2)은 제 4 터치 전극(TE4)과 중첩되지만 제 4 터치 전극(TE4)와 전기적으로 연결되지 않는다.
다수의 터치 전극(TE) 각각은 하나 이상의 서브픽셀(SP)과 중첩될 수 있다.
예를 들어, 하나의 터치 전극(TE)은 둘 이상의 서브픽셀(SP)과 중첩될 수 있다. 즉, 하나의 터치 전극(TE)의 영역 크기는 둘 이상의 서브픽셀(SP)의 영역 크기와 대응될 수 있다. 이 경우, 다수의 터치 전극(TE) 각각은 둘 이상의 데이터 라인(DL)과 중첩되고, 둘 이상의 게이트 라인(GL)과 중첩될 수 있다.
제 1 터치 전극(TE1) 및 제 2 터치 전극(TE2)은 동일한 터치 전극 행에 배치되므로 동일한 둘 이상의 게이트 라인(GL)과 중첩될 수 있다. 제 3 터치 전극(TE3) 및 제 4 터치 전극(TE4)은 동일한 터치 전극 행에 배치되므로 동일한 둘 이상의 게이트 라인(GL)과 중첩될 수 있다.
제 1 터치 전극(TE1) 및 제 3 터치 전극(TE3)은 동일한 터치 전극 열에 배치되므로 동일한 둘 이상의 데이터 라인(DL)과 중첩될 수 있다. 제 2 터치 전극(TE2) 및 제 4 터치 전극(TE4)은 동일한 터치 전극 열에 배치되므로 동일한 둘 이상의 데이터 라인(DL)과 중첩될 수 있다.
다수의 터치 전극(TE) 각각은 복수의 개구부가 형성된 메쉬 타입의 전극일 수 있다. 각 터치 전극(TE)에서 복수의 개구부 각각은 서브픽셀(SP)의 발광 영역과 대응되거나, 투과 영역 (또는 투명 영역)과 대응될 수 있다.
도 3은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서 디스플레이 패널을 구성하는 서브픽셀의 등가회로를 예시로 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 다수의 서브픽셀(SP) 각각은 발광 소자(ED), 발광 소자(ED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(DRT), 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극과 데이터 라인(DL) 간의 전기적인 연결을 스위치 하는 스위칭 트랜지스터(SWT), 및 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극과 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극 또는 드레인 전극 사이에 전기적으로 연결되는 스토리지 커패시터(Cst) 등을 포함할 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극은 제 1 노드(N1)에 대응된다. 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극 또는 드레인 전극은 제 2 노드(N2)에 대응된다. 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 전극 또는 소스 전극은 제 3 노드(N3)에 대응된다.
발광 소자(ED)는 픽셀 전극(PE), 발광층(EL) 및 공통 전극(CE)을 포함할 수 있다. 발광층(EL)은 공통 전극(CE) 상에 위치하고, 픽셀 전극(PE)은 발광층(EL) 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(ED)는 자체 발광 디스플레이를 위한 소자로서, 유기 발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode), 퀀텀닷(Quantum Dot)으로 만들어진 발광 소자, 또는 마이크로 LED(Micro Light Emitting Diode) 등을 포함할 수 있다.
스위칭 트랜지스터(SWT)의 드레인 전극 또는 소스 전극은 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극 또는 드레인 전극은 제 1 노드(N1)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 전극은 게이트 라인(GL)의 한 종류인 스캔 신호 라인(SCL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(SWT)는 스캔 신호 라인(SCL)에서 공급된 스캔 신호(SCAN)에 의해 온-오프가 제어될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 일정 시간(예: 한 프레임 시간) 동안 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 간의 전압 차이를 유지시켜주는 역할을 할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 내부 커패시터(기생 커패시터)가 아니라, 서브픽셀(SP)의 구동을 위하여 의도적으로 설계된 외부 커패시터이다.
이상에서는, 각 서브픽셀(SP)이 발광 소자(ED)와 함께, 2개의 트랜지스터(DRT, SWT) 및 1개의 커패시터(Cst)를 포함하는 것으로 설명하였으나, 각 서브픽셀(SP)은 1개 이상의 트랜지스터를 더 포함할 수 있고, 경우에 따라서는 1개의 이상의 커패시터를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 각 서브픽셀(SP)은 제 2 노드(N2)와 기준 전압 라인(RVL) 사이의 연결을 제어하는 센싱 트랜지스터(SENT)를 더 포함할 수 있다.
센싱 트랜지스터(SENT)의 드레인 전극 또는 소스 전극은 기준 전압 라인(RVL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 센싱 트랜지스터(SENT)의 소스 전극 또는 드레인 전극은 제 2 노드(N2)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결되고, 픽셀 전극(PE)과도 전기적도 연결될 수 있다. 센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 전극은 게이트 라인(GL)의 한 종류인 센스 신호 라인(SENL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 센싱 트랜지스터(SENT)는 센스 신호 라인(SENL)에서 공급된 센스 신호(SENSE)에 의해 온-오프가 제어될 수 있다.
픽셀 전극(PE)은 다수의 서브픽셀(SP) 마다 배치되고, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극 또는 드레인 전극에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 제 2 노드(N2)에서, 픽셀 전극(PE)은 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
공통 전극(CE)은 다수의 서브픽셀(SP)에 공통으로 배치될 수 있다. 공통 전극(CE)에는 전압 레벨의 변동이 없는 직류 레벨의 기저 전압(EVSS)이 인가될 수 있다. 여기서, 기저 전압(EVSS)은 모든 서브픽셀(SP)의 발광 소자(ED)에 공통으로 인가되는 공통 전압에 해당할 수 있다.
본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서 디스플레이 패널(110)은 공통 전극(CE)과 전기적으로 연결된 다수의 기저 라인(EVSL)을 더 포함할 수 있다.
다수의 기저 라인(EVSL)을 이용하면, 공통 전극(CE)의 전 영역으로 기저 전압(EVSS)을 균일하게 인가해줄 수 있다. 다수의 기저 라인(EVSL)을 이용한 기저 전압(EVSS)의 공급 방식은 대면적의 디스플레이 패널(110)로 인해 대면적의 공통 전극(CE)이 구비된 경우 기저 전압(EVSS)의 효과적인 공급을 제공할 수 있다.
도 4 및 도 5는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서 공통 전극과 기저 라인 사이의 연결 구조를 예시로 나타낸 도면이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 다수의 기저 라인(EVSL)은 다수의 데이터 라인(DL)과 이격되어 배치되면서, 다수의 데이터 라인(DL)과 교차하지 않도록 다수의 데이터 라인(DL)과 평행하게 배치될 수 있다.
예를 들어, 다수의 기저 라인(EVSL) 각각은 하나의 서브픽셀(SP) 열마다 배치될 수 있다. 또는, 다수의 기저 라인(EVSL) 각각은 둘 이상의 서브픽셀(SP) 열마다 배치될 수도 있다. 또는, 다수의 기저 라인(EVSL) 각각은 하나의 픽셀 열 또는 둘 이상의 픽셀 열 마다 배치될 수도 있다. 여기서, 하나의 픽셀 열은 2개의 서브픽셀(SP) 열, 3개의 서브픽셀(SP) 열, 또는 4개의 서브픽셀(SP) 열을 포함할 수 있다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 다수의 기저 라인(EVSL) 각각은 하나 이상의 컨택홀(CNT)에서 공통 전극(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 다수의 기저 라인(EVSL)과 공통 전극(CE)은 기저 전압(EVSS)이 함께 인가될 수 있다.
예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 하나의 기저 라인(EVSL)은 2개의 컨택홀(CNT)을 통해 공통 전극(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 하나의 기저 라인(EVSL)과 공통 전극(CE)이 전기적으로 연결되는 2개의 컨택홀(CNT)은 상단 지점과 하단 지점에 위치할 수 있다.
따라서, 기저 전압(EVSS)이 공통 전극(CE)의 상단 지점과 하단 지점에 함께 인가됨으로써, 공통 전극(CE)에 기저 전압(EVSS)이 균일하게 인가될 수 있다.
또는, 도 5에 도시된 바와 같이, 하나의 기저 라인(EVSL)은 3개 이상의 컨택홀(CNT)을 통해 공통 전극(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 하나의 기저 라인(EVSL)과 공통 전극(CE)이 전기적으로 연결되는 3개 이상의 컨택홀(CNT)은 상단 지점, 하단 지점 및 하나 이상의 중간 지점에 위치할 수 있다.
따라서, 기저 전압(EVSS)이 공통 전극(CE)의 상단 지점, 하단 지점 및 하나 이상의 중간 지점에 함께 인가됨으로써, 공통 전극(CE)에 기저 전압(EVSS)이 더욱더 균일하게 인가될 수 있다.
도 6은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 디스플레이 패널의 단면을 예시로 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)의 디스플레이 패널(110)은 기판(SUB)을 포함한다. 기판(SUB) 상에 다수의 서브픽셀(SP)이 형성된다. 다수의 서브픽셀(SP) 각각은 픽셀 전극(PE), 발광층(EL) 및 공통 전극(CE)을 포함하는 발광 소자(ED), 발광 소자(ED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT), 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극과 데이터 라인(DL) 간의 연결을 제어하는 스위칭 트랜지스터(SWT), 및 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극과 픽셀 전극(PE) 사이에 연결된 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
기판(SUB) 상에는 트랜지스터들(DRT, SWT, SENT) 및 커패시터(Cst)가 형성되고, 발광 소자(ED)들이 형성될 수 있다. 발광 소자들(ED)의 공통 전극(CE) 상에 봉지층(ENCAP)이 형성될 수 있다. 봉지층(ENCAP)은 산소나 수분이 발광 소자들(ED)로 침투하는 것을 방지해줄 수 있다.
봉지층(ENCAP) 상에는 다수의 터치 전극(TE)과 컬러 필터(CF)가 배치될 수 있다. 이 때, 봉지층(ENCAP) 상에 위치하는 터치 전극(TE)과 컬러 필터(CF) 사이의 상하 위치는 다양하게 설계될 수 있다. 예를 들어, 봉지층(ENCAP) 상에 컬러 필터(CF)가 배치되고, 컬러 필터(CF) 상에 터치 전극(TE)이 배치될 수 있다. 또는, 봉지층(ENCAP) 상에 터치 전극(TE)이 배치되고, 터치 전극(TE) 상에 컬러 필터(CF)가 배치될 수 있다.
아래에서는, 도 6을 참조하여 본 개시의 실시예들에 따른 디스플레이 패널(110)의 단면 구조를 더욱 상세하게 설명한다. 다만, 여기에서는, 설명의 편의를 위하여 센싱 트랜지스터(SENT)를 생략하였다. 또한, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극(S1)이 픽셀 전극(PE)과 전기적으로 연결되고, 스위칭 트랜지스터(SWT)의 드레인 전극(D2)이 데이터 라인(DL)과 연결되는 것으로 가정한다.
기판(SUB) 상에는 쉴드층들(SHD)이 배치될 수 있다. \
쉴드층들(SHD) 상에 버퍼층(BUF)이 배치될 수 있다.
버퍼층(BUF) 상에 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 구동 트랜지스터(DRT)가 형성될 수 있다. 센싱 트랜지스터(SENT)도 버퍼층(BUF) 상에 형성될 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)의 반도체층(ACT1)과 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2)이 버퍼층(BUF) 상에 형성될 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)의 반도체층(ACT1)은 채널부(CH1), 채널부(CH1)의 일 측에 위치하는 소스 연결부(CS1), 및 채널부(CH1)의 타 측에 위치하는 드레인 연결부(CD1)를 포함할 수 있다. 여기서, 소스 연결부(CS1) 및 드레인 연결부(CD1)는 반도체 물질이 도체화된 부분일 수 있다.
스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2)은 채널부(CH2), 채널부(CH2)의 일 측에 위치하는 소스 연결부(CS2), 및 채널부(CH2)의 타 측에 위치하는 드레인 연결부(CD2)를 포함할 수 있다. 여기서, 소스 연결부(CS2) 및 드레인 연결부(CD2)는 반도체 물질이 도체화된 부분일 수 있다.
버퍼층(BUF)의 아래에 형성된 쉴드층들(SHD) 중 하나는, 구동 트랜지스터(DRT)의 반도체층(ACT1)을 구성하는 채널부(CH1) 및 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2)을 구성하는 채널부(CH2) 중 적어도 하나와 중첩될 수 있다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DT)의 반도체층(ACT1)을 구성하는 채널부(CH1) 및 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2)을 구성하는 채널부(CH2) 중 적어도 하나가 빛(외부 광 또는 내부 광)에 노출되는 것이 차단됨으로써 채널 특성의 변화가 방지될 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)의 반도체층(ACT1)과 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2) 상에 게이트 절연막(GI)이 배치될 수 있다. 게이트 절연막(GI) 상에 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극(G1)과 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 전극(G2)이 위치할 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극(G1)은 구동 트랜지스터(DRT)의 반도체층(ACT1)을 구성하는 채널부(CH1)와 중첩될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 전극(G2)은 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2)을 구성하는 채널부(CH2)와 중첩될 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극(G1)과 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 전극(G2) 상에 제 1 층간 절연막(ILD1)이 배치될 수 있다.
제 1 층간 절연막(ILD1) 상에 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극(S1) 및 드레인 전극(D1)이 배치될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극(S1)은 제 1 층간 절연막(ILD1)의 컨택홀을 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 반도체층(ACT1)을 구성하는 소스 연결부(CS1)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 전극(D1)은 제 1 층간 절연막(ILD1)의 컨택홀을 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 반도체층(ACT1)을 구성하는 드레인 연결부(CD1)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제 1 층간 절연막(ILD1) 상에 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극(S2) 및 드레인 전극(D2)이 배치될 수 있다.
스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극(S2)은 제 1 층간 절연막(ILD1)의 컨택홀을 통해 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2)을 구성하는 소스 연결부(CS2)와 전기적으로 연결될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(SWT)의 드레인 전극(D2)은 제 1 층간 절연막(ILD1)의 컨택홀을 통해 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2)을 구성하는 드레인 연결부(CD2)와 전기적으로 연결될 수 있다.
기저 라인(EVSL)은 제 1 층간 절연막(ILD1) 상에 배치될 수 있다. 기저 라인(EVSL)은 제 1 층간 절연막(ILD1) 및 버퍼층(BUF)의 컨택홀을 통해 기저 라인(EVSL) 아래에 위치하는 쉴드층(SHD)과 연결될 수도 있다. 기저 라인(EVSL)과 쉴드층(SHD)이 연결되는 경우, 기저 라인(EVSL)의 저항이 감소할 수 있다.
제 1 층간 절연막(ILD1) 상에 형성된 소스 전극들(S1, S2), 드레인 전극들(D1, D2) 및 기저 라인(EVSL)을 덮으면서 패시베이션층(PAS)이 배치될 수 있다.
패시베이션층(PAS) 상에 오버코트층(OC)이 배치될 수 있다. 오버코트층(OC)은 서브픽셀(SP)의 발광 영역(EA)과 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 오버코트층(OC)은 발광 영역(EA)과 중첩되지 않는 위치에도 댐 형태로 배치될 수 있다.
서브픽셀(SP)의 발광 영역(EA)으로 정의된 지점에서, 오버코트층(OC) 상에 픽셀 전극(PE)이 배치될 수 있다. 픽셀 전극(PE)은 오버코트층(OC) 및 패시베이션층(PAS)의 컨택홀을 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극(S1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
서브픽셀(SP)의 발광 영역(EA)을 정의하기 위한 뱅크(BANK)가 픽셀 전극(PE) 상에 배치될 수 있다. 뱅크(BANK)의 일부가 오픈 되어 픽셀 전극(PE)의 일부분이 노출된다. 뱅크(BANK)의 오픈 영역이 발광 영역(EA)에 해당할 수 있다.
뱅크(BANK)의 오픈 영역으로 노출된 픽셀 전극(PE) 상에 발광층(EL)이 배치될 수 있다. 발광층(EL) 상에 공통 전극(CE)이 배치될 수 있다.
패시베이션층(PAS)에는 기저 라인(EVSL)과 연결하기 위한 컨택홀(CNT)이 형성되어 있다. 공통 전극(CE)과 기저 라인(EVSL)을 전기적으로 연결하기 위한 패시베이션층(PAS)의 컨택홀(CNT) 근방에서, 공통 전극(CE)이 끊어져 있거나 관통 홀(구멍)이 존재할 수 있다. 공통 전극(CE)과 기저 라인(EVSL) 사이의 전기적 연결을 위한 패시베이션층(PAS)의 컨택홀(CNT)은 상대적으로 큰 제 1 컨택홀(CNT1)과 상대적으로 작은 제 2 컨택홀(CNT2)을 포함할 수 있다.
공통 전극(CE)과 기저 라인(EVSL) 사이의 전기적 연결을 위한 제 1 컨택홀(CNT1)은 픽셀 전극(PE)과 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극(S1) 사이의 전기적 연결을 위한 컨택홀보다 휠씬 큰 폭(위에서 봤을 때 홀의 직경)을 가질 수 있다.
패시베이션층(PAS)에 형성된 제 1 컨택홀(CNT1)을 통해 기저 라인(EVSL)의 일부가 상대적으로 넓게 노출될 수 있다. 패시베이션층(PAS)에 형성된 제 2 컨택홀(CNT2)을 통해 기저 라인(EVSL)의 일부가 조금 노출될 수 있다.
공통 전극(CE)의 일 부분은 패시베이션층(PAS)의 제 1 컨택홀(CNT1)을 통해 기저 라인(EVSL)의 일부분과 전기적으로 연결될 수 있다. 공통 전극(CE)의 다른 부분은 패시베이션층(PAS)의 제 2 컨택홀(CNT2)을 통해 기저 라인(EVSL)의 다른 부분과 전기적으로 연결될 수 있다.
공통 전극(CE)의 다른 부분이 패시베이션층(PAS)의 제 2 컨택홀(CNT2)을 통해 기저 라인(EVSL)의 다른 부분과 전기적으로 연결될 때, 반사판(RP)을 통해 연결될 수도 있다. 여기서, 반사판(RP)은 픽셀 전극(PE)이 형성될 때, 픽셀 전극(PE)과 동일한 물질로 형성된 층일 수 있다.
공통 전극(CE) 상에는 봉지층(ENCAP)이 배치될 수 있다. 봉지층(ENCAP)은 외부의 수분이나 산소에 취약한 발광 소자(ED)로 외부의 수분이나 산소가 침투되는 것을 차단할 수 있다. 봉지층(ENCAP)은 하나의 층으로 되어 있을 수도 있지만, 다수의 층으로 되어 있을 수도 있다.
예를 들어, 봉지층(ENCAP)은 하나 이상의 무기 봉지층과 하나 이상의 유기 봉지층을 포함할 수 있다.
구체적인 예로서, 봉지층(ENCAP)은 제 1 무기 봉지층, 유기 봉지층 및 제2 무기 봉지층이 순서대로 적층되어 구성될 수 있다. 제 1 무기 봉지층은 발광 소자(ED)와 가장 인접하도록 공통 전극(CE)이 형성된 기판(SUB) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 무기 봉지층은 질화실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 저온 증착이 가능한 무기 절연 재질로 형성될 수 있다. 제 1 무기 봉지층은 증착 공정 시 고온 분위기에 취약한 유기물을 포함하는 발광층(EL)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 유기 봉지층은 제 1 무기 봉지층보다 작은 면적으로 형성될 수 있다. 유기 봉지층은 제 1 무기 봉지층의 양끝단을 노출시키도록 형성될 수 있다. 유기 봉지층은 유기 발광 디스플레이 장치일 수 있는 터치 디스플레이 장치(100)의 휘어짐에 따른 각 층들 간의 응력을 완화시키는 완충 역할을 하며, 평탄화 성능을 강화하는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 유기 봉지층은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 또는 실리콘옥시카본(SiOC)과 같은 유기 절연 재질로 형성될 수 있다. 제 2 무기 봉지층은 유기 봉지층이 형성된 기판(SUB) 상에 유기 봉지층 및 제 1 무기 봉지층 각각의 상부면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 제 2 무기 봉지층은 외부의 수분이나 산소가 제 1 무기 봉지층 및 유기 봉지층으로 침투하는 것을 최소화하거나 차단한다.
봉지층(ENCAP) 상에는 터치 버퍼막(T-BUF)이 배치될 수 있다. 터치 버퍼막(T-BUF)은 터치 전극(TE)과, 발광 소자(ED)의 공통 전극(CE) 사이의 이격 거리가 미리 정해진 최소 이격 거리(예: 5㎛)를 유지하도록 설계될 수 있다. 이에 따라, 터치 전극(TE)과, 발광 소자(ED)의 공통 전극(CE) 사이에 형성되는 기생 커패시턴스(Cp)를 줄여주거나 방지해줄 수 있고, 이를 통해, 기생 커패시턴스(Cp)에 의한 터치 감도 저하를 방지해줄 수 있다. 또한, 터치 버퍼막(T-BUF)은 터치 버퍼막(T-BUF) 상에 배치되는 터치 전극(TE)의 제조 공정 시 이용되는 약액(현상액 또는 식각액 등등) 또는 외부로부터의 수분 등이 유기물을 포함하는 발광층(EL)으로 침투되는 것을 차단할 수 있다.
터치 버퍼막(T-BUF)은 고온에 취약한 유기물을 포함하는 발광층(EL)의 손상을 방지하기 위해 일정 온도(예: 섭씨 100도) 이하의 저온에서 형성 가능하고 1~3의 저유전율을 가지는 유기 절연 재질로 형성된다. 예를 들어, 터치 버퍼막(T-BUF)은 아크릴 계열, 에폭시 계열 또는 실록산(Siloxan) 계열의 재질로 형성될 수 있다. 유기 절연 재질로 평탄화 성능을 가지는 터치 버퍼막(T-BUF)은 터치 디스플레이 장치(100)의 휘어짐에 따른 봉지층(ENCAP) 내의 각 봉지층의 손상 및 터치 버퍼막(T-BUF) 상에 형성되는 터치 전극(TE)의 깨짐 현상을 방지할 수 있다.
이러한 터치 버퍼막(T-BUF)은 필수적이지 않고 경우에 따라 생략될 수 있다.
터치 전극(TE)은 터치 버퍼막(T-BUF) 상에 배치되거나 봉지층(ENCAP) 상에 바로 배치될 수 있다. 여기에서 터치 전극(TE)은 메쉬 타입으로 도시된 것이다.
터치 전극(TE) 상에는 제 2 층간 절연막(ILD2)이 배치될 수 있다. 제 2 층간 절연막(ILD2) 상에 컬러 필터(CF)가 배치될 수 있으며 컬러 필터(CF)와 함께 블랙 매트릭스도 배치될 수 있다. 여기서, 컬러 필터(CF) 및 블랙 매트릭스는 선택적으로 배치될 수 있는 구성들일 수 있다.
컬러 필터(CF) 상에 보호층(PAC)이 배치될 수 있다. 보호층(PAC)은 접착층(OCA)을 통해 커버 글래스(CG)와 결합될 수 있다. 커버 글래스(CG) 상에 반사 방지 필름(ARF)이 배치될 수 있다. 여기서, 반사 방지 필름(ARF)은 선택적으로 배치될 수 있는 필름일 수 있다.
도 6은 표시 영역(DA)에 대한 단면도를 나타내고 있다. 디스플레이 패널(110)의 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)의 경계 근방에서, 봉지층(ENCAP)은 외곽 경사면을 포함할 수 있다. 디스플레이 패널(110)은 봉지층(ENCAP)의 외곽 경사면이 끝나는 영역에 위치하는 댐(Dam) 영역과, 비표시 영역(NDA)에 위치하고 댐 영역보다 더 외곽에 위치하는 패드 영역 등을 더 포함할 수 있다.
터치 라인(TL)은 봉지층(ENCAP)의 외곽 경사면을 따라 하강하여 댐 영역의 상부를 지나 패드 영역과 전기적으로 연결될 수 있다.
댐 영역은 하나 이상의 댐을 포함할 수 있는데, 액상 형태의 유기 봉지층이 표시 영역(DA)에 적하될 때, 액상 형태의 유기 봉지층이 비표시 영역(NDA)의 방향으로 무너져 패드 영역을 침범하는 것을 방지할 수 있다. 이러한 효과는 댐 영역이 복수의 댐을 포함하는 경우, 더욱 증가할 수 있다.
댐 영역의 댐 형성 물질 층은 서브픽셀(SP)을 서로 분리하기 위한 뱅크(BANK)와 동일한 물질을 포함하거나, 층간 간격을 유지하기 위한 스페이서 등과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 댐 영역은 제 1 무기 봉지층 및/또는 제 2 무기 봉지층이 댐 형성 물질 층 상에 적층된 구조로 되어 있을 수 있다.
기저 라인(EVSL)은 공통 전극(CE) 보다 아래에 위치하고, 공통 전극(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
다수의 기저 라인(EVSL) 중 적어도 하나는 인접한 데이터 라인(DL)과 전위차를 가질 수 있다. 또는, 다수의 기저 라인(EVSL) 중 적어도 하나는 인접한 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극(S2) 및 드레인 전극(D2) 중 인접한 데이터 라인(DL)과 연결된 하나의 전극과 전위차를 가질 수 있다.
다수의 기저 라인(EVSL) 상에 적어도 하나의 절연층으로서 패시베이션층(PAS)이 배치될 수 있다. 적어도 하나의 절연층에 해당하는 패시베이션층(PAS)은 다수의 컨택홀(CNT1, CNT2)을 갖고, 공통 전극(CE)은 다수의 컨택홀(CNT1, CNT2)을 통해 노출되는 다수의 기저 라인(EVSL)의 일부와 전기적으로 연결될 수 있다.
다수의 기저 라인(EVSL) 각각은 인접한 서브픽셀(SP)에 포함된 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극(S2), 드레인 전극(D2) 및 게이트 전극(G2) 중 적어도 하나와 동일한 층에 위치할 수 있다. 여기에서, 다수의 기저 라인(EVSL) 각각은 인접한 서브픽셀(SP)에 포함된 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극(S2) 및 드레인 전극(D2)과 동일한 층에 위치할 수 있으며, 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극(S2) 및 드레인 전극(D2)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
영역 X(Area X)는 서브픽셀(SP)의 발광 영역(EA)과 다른 서브픽셀(SP)의 발광 영역(EA) 사이에 위치하는 영역일 수도 있다. 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)가 투명 디스플레이인 경우, 영역 X는 투명 영역 (또는 투과 영역이라고도 함)일 수도 있다.
이러한 구조에서 터치 구동 동작이 이루어지는 경우, 디스플레이 패널(110)에서는 다양한 커패시턴스(Cf, Cp, Cc)가 형성될 수 있다.
도 7은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 디스플레이 구동 기간과 터치 구동 기간의 타이밍을 나타낸 예시 도면이다.
도 7을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 하나의 디스플레이 프레임 기간(Display Frame) 내에서 정해진 디스플레이 구동 기간(DP) 동안 영상 표시를 위한 디스플레이 구동을 수행하고, 정해진 터치 구동 기간(TP) 동안 손가락 또는 스타일러스에 의한 터치 입력을 센싱하기 위한 터치 구동을 수행할 수 있다.
이러한, 터치 디스플레이 장치(100)는 터치 감지를 위한 전극으로서 각 픽셀 구동을 위한 공통 전극을 함께 사용한다. 따라서, 디스플레이 구동 기간(DP) 동안에는 공통 전극에 연결된 박막 트랜지스터에 공통 전압이 공급되고, 터치 구동 기간(TP) 동안에는 터치 전극으로 동작하는 공통 전극에 터치 구동 신호가 공급된다.
디스플레이 구동 기간(DP)과 터치 구동 기간(TP)은 시간적으로 동일하거나 중첩되는 기간일 수도 있고, 시간적으로 분리된 기간일 수도 있다.
디스플레이 구동 기간(DP)과 터치 구동 기간(TP)이 시간적으로 분리되는 경우를 시간 분할 구동(Time Division Driving)이라고 할 수 있다.
반면, 디스플레이 구동 기간(DP)과 터치 구동 기간(TP)이 시간적으로 동일한 경우, 디스플레이 구동과 터치 구동이 동시에 이루어질 수 있으며, 이러한 구동 방식을 시간 프리 구동(Time Free Driving)이라고 할 수 있다.
시간 분할 구동의 경우 디스플레이 구동 기간(DP)과 터치 구동 기간(TP)은 교번하여 진행될 수 있다.
이와 같이, 디스플레이 구동 기간(DP)과 터치 구동 기간(TP)이 교번하면서 시간적으로 분리되는 경우, 터치 구동 기간(TP)은 디스플레이 구동이 수행되지 않는 블랭크 기간(Blank)에 해당할 수 있다.
한편, 터치 디스플레이 장치(100)는 하이 레벨과 로우 레벨로 스윙 되는 터치 동기 신호(Tsync)를 발생시켜서 이를 통해 디스플레이 구동 기간(DP)과 터치 구동 기간(TP)을 식별하거나 제어할 수 있다. 즉, 터치 동기 신호(Tsync)는 터치 구동 기간(TP)을 정의하는 타이밍 제어 신호가 될 수 있다.
예를 들어, 터치 동기 신호(Tsync)의 하이 레벨 구간 (또는 로우 레벨 구간)은 디스플레이 구동 기간(DP)에 대응될 수 있고, 터치 동기 신호(Tsync)의 로우 레벨 구간 (또는 하이 레벨 구간)은 터치 구동 기간(TP)에 대응될 수 있다.
이 경우, 터치 구동 회로(150)는 터치 동기 신호(Tsync)가 로우 레벨인 터치 구동 기간(TP)에 터치 구동 신호를 터치 전극(TE)에 인가하고, 터치 전극(TE)으로부터 수신되는 터치 센싱 신호를 이용하여 패시브 스타일러스 또는 액티브 스타일러스의 터치 유무 및 터치 위치를 센싱할 수 있다.
한편, 하나의 디스플레이 프레임 기간(Display Frame) 내에서 디스플레이 구동 기간(DP) 및 터치 구동 기간(TP)을 할당하는 방식과 관련하여, 하나의 디스플레이 프레임 기간(Display Frame)을 하나의 디스플레이 구동 기간(DP)과 하나의 터치 구동 기간(TP)으로 분할하고, 하나의 디스플레이 구동 기간(DP) 동안 디스플레이 구동이 진행되고, 수직 블랭크 기간(Vertical Blank)에 해당하는 하나의 터치 구동 기간(TP) 동안 패시브 스타일러스 및 액티브 스타일러스에 의한 터치 입력을 센싱하기 위한 터치 구동이 진행될 수 있다.
즉, 터치 디스플레이 장치(100)는 디스플레이 패널(110)의 화면 변경 주기(Refresh Rate) 또는 프레임 주파수의 1 주기인 디스플레이 프레임 기간(Display Frame) 동안 터치를 위한 구동이 1회 이루어질 수 있다.
예를 들어, 프레임 주파수가 60Hz 인 경우에는, 1/60 초의 기간(16.7ms) 내에서 디스플레이 패널(110)을 구성하는 N개의 게이트 라인(GL)을 통해 서브픽셀(SP)을 턴-온 또는 턴-오프하는 디스플레이 구동을 한 후에 일정 간격 동안 터치 센싱을 위한 터치 구동 기간(TP)이 진행된다. 이 경우, 터치 감지 빈도(Touch Report Rate)는 60Hz가 될 것이다.
이와 같이, 하나의 디스플레이 프레임 기간(Display Frame) 내에서 하나의 디스플레이 구동 기간(DP) 동안 디스플레이 구동이 진행되고, 수직 블랭크 기간(Vertical Blank)에 해당하는 하나의 터치 구동 기간(TP) 동안 터치 구동이 진행되는 터치 구동을 “VB 구동”이라고 할 수 있다. 이러한 VB 구동 모드의 경우, 디스플레이 구동 기간(DP)은 1/60 초(16.7ms)의 80% 수준에 해당할 수 있고, 터치 구동 기간(TP)은 1/60 초(16.7ms)의 20% 수준에 해당할 수 있다.
다른 예로써, 하나의 디스플레이 프레임 기간(Display Frame)을 둘 이상의 디스플레이 구동 기간(DP)과 둘 이상의 터치 구동 기간(TP)으로 분할하고, 하나의 디스플레이 프레임 기간(Display Frame) 내에 둘 이상의 디스플레이 구동 기간(DP) 동안 디스플레이 구동이 진행되고, 둘 이상의 터치 구동 기간(TP) 동안 화면 전 영역 또는 일부 영역에서 패시브 스타일러스와 액티브 스타일러스에 의한 터치 입력을 1 차례 또는 2 차례 이상 센싱하기 위한 터치 구동이 진행될 수 있다.
이와 같이, 하나의 디스플레이 프레임 기간(Display Frame)을 둘 이상의 디스플레이 구동 기간(DP)과 둘 이상의 터치 구동 기간(TP)으로 분할하여 디스플레이 구동 및 터치 구동을 진행하는 경우에, 하나의 디스플레이 프레임 기간(Display Frame) 내에서 둘 이상의 터치 구동 기간(TP)에 해당하는 둘 이상의 블랭크 기간(Blank) 각각을 LHB(Long Horizontal Blank) 라고 한다.
따라서, 디스플레이 프레임 기간(Display Frame) 내에서 스타일러스 또는 손가락에 대한 터치 센싱이 이루어지는 둘 이상의 기간을 LHB 또는 터치 구동 기간(TP)이라고 할 수 있으며, 하나의 디스플레이 프레임 기간(Display Frame) 내에 둘 이상의 LHB 동안 수행되는 터치 구동을 “구동”이라고 할 수 있다. 이러한 LHB 구동 모드의 경우, 디스플레이 구동 기간(DP)과 터치 구동 기간(TP)은 각각 1/60 초(16.7ms)의 50% 수준에 해당할 수 있다.
도 8은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, LHB 구동 타이밍을 나타낸 예시 도면이다.
도 8을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 하나의 디스플레이 프레임 기간(Display Frame)은 16개의 디스플레이 구동 기간(DP1-DP16)과 16개의 터치 구동 기간(TP1-TP16)으로 시분할될 수 있다.
이 경우, 16개의 터치 구동 기간(TP1-TP16)은 16개의 LHB 기간(LHB1-LHB16)에 해당할 수 있다.
이 때, 터치 디스플레이 장치(100)는 하나의 디스플레이 프레임 기간(Display Frame)을 하나 이상의 디스플레이 구동 기간(DP1-DP16)과 하나 이상의 터치 구동 기간(TP1-TP16)으로 나누어서, 디스플레이 구동과 터치 구동을 교번하여 진행할 수 있다.
또는, 디스플레이 구동 기간(DP1-DP16)과 독립적으로 터치 구동 기간(TP1-TP16)이 진행될 수도 있다.
VB 구동 모드는 하나의 디스플레이 프레임 기간(Display Frame) 내에서 디스플레이 구동 기간(DP)이 80% 수준의 높은 비중을 가지기 때문에, 터치 감도가 상대적으로 낮고 해상도가 높은 터치 디스플레이 장치(100)에 주로 사용될 수 있다. 반면, LHB 구동 모드는 하나의 디스플레이 프레임 기간(Display Frame) 내에서 복수의 터치 구동 기간(TP)이 포함되기 때문에 터치 감도가 높은 터치 디스플레이 장치(100)에 주로 사용될 수 있다
이러한 터치 구동 과정에서, 디스플레이 패널(110)에서는 다양한 커패시턴스(Cf, Cp, Cc)가 형성될 수 있다.
도 9 및 도 10은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 디스플레이 패널에서, 터치 구동 과정에 공통 전극에 유도되는 공통 전극 리플 노이즈(CE Ripple Noise)와 공통 전극 리플 노이즈에 의한 영향을 설명하기 위한 도면이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)의 터치 구동 회로(160)는 하나 이상의 전치 증폭기(PRE-AMP)를 포함할 수 있다. 전치 증폭기(PRE-AMP)는 터치 구동 신호(TDS)가 입력되는 비반전 입력 단자(IN), 터치 전극(TE)과 전기적으로 연결되는 반전 입력 단자(INR), 출력 신호를 출력하는 출력 단자(OUT), 및 비반전 입력 단자(IN)와 출력 단자(OUT) 사이에 연결된 피드백 커패시터(Cfb)를 포함할 수 있다.
터치 구동 신호(TDS)는 전압 레벨이 변동되는 신호일 수 있으며, 소정의 주파수 및 진폭을 가질 수 있다.
사용자가 손가락이나 펜 등을 이용하여 화면을 터치하게 되면, 손가락이나 펜 등과 터치 전극(TE) 사이에 커패시턴스(Cf)가 형성될 수 있다. 이러한 커패시턴스(Cf)를 핑거(Finger) 커패시턴스(Cf)라고 한다.
터치 디스플레이 장치(100)의 터치 회로(150)는 각 터치 전극(TE)에서의 핑거 커패시턴스(Cf)의 변화를 토대로 터치 좌표를 센싱할 수 있다.
공통 전극(CE)과 터치 전극(TE)은 용량 방식으로 커플링 될 수 있다. 따라서, 공통 전극(CE)과 터치 전극(TE) 사이에 전위차가 발생하면, 공통 전극(CE)과 터치 전극(TE) 사이에 기생 커패시턴스(Cp)가 형성될 수 있다.
기저 라인(EVSL)은 인접한 데이터 라인(DL)과 이격되어 데이터 라인(DL)과 평행하게 배치될 수 있다. 또한, 기저 라인(EVSL)은 데이터 라인(DL)과 연결된 전극(드레인 전극 또는 소스 전극)을 갖는 스위칭 트랜지스터(SWT)와도 인접하게 배치될 수 있다.
이러한 구조에 따르면, 기저 전압(EVSS)이 인가되는 기저 라인(EVSL)과 데이터 신호(Vdata)가 인가되는 데이터 라인(DL)은 용량 방식으로 커플링 될 수 있다. 또는, 기저 전압(EVSS)이 인가되는 기저 라인(EVSL)과 스위칭 트랜지스터(SWT)의 전극(드레인 전극 또는 소스 전극)은 용량 방식으로 커플링 될 수 있다. 여기서, 데이터 라인(DL)은 스위칭 트랜지스터(SWT)의 전극(드레인 전극 또는 소스 전극)과 전기적으로 연결될 수 있다.
따라서, 기저 라인(EVSL)과 데이터 라인(DL) 사이에는 커플링 커패시턴스(Cc)가 형성될 수 있다. 다르게 표현하면, 기저 라인(EVSL)과 스위칭 트랜지스터(SWT)의 전극(드레인 전극 또는 소스 전극) 사이에 커플링 커패시턴스(Cc)가 형성될 수 있다.
터치 전극(TE)에 전압 레벨이 변동되는 터치 구동 신호(TDS)가 인가될 때, 터치 구동 신호(TDS)의 전압 레벨이 변동되는 타이밍마다 공통 전극(CE)에 리플 노이즈(Ripple Noise)가 발생할 수 있다. 터치 구동 신호(TDS)의 전압 레벨 변동에 의해 공통 전극(CE)에서 발생되는 리플 노이즈를 공통 전극 리플 노이즈라고 할 수 있다.
도 10을 참조하면, 터치 구동 신호(TDS)의 전압 레벨이 상승할 때 공통 전극 리플 노이즈는 양의 극성 (또는 음의 극성)을 갖고, 터치 구동 신호(TDS)의 전압 레벨이 하강할 때 공통 전극 리플 노이즈는 음의 극성 (또는 양의 극성)을 가질 수 있다.
이와 같이, 터치 구동 신호(TDS)의 전압 레벨이 트랜지션되는 경우에, 공통 전극(CE)에 인가된 기저 전압(EVSS)에는 양의 피크와 음의 피크가 발생할 수 있다. 양의 피크와 음의 피크는 공통 전극 리플 노이즈에 의한 것으로서, 터치 구동 신호(TDS)의 전압 레벨이 상승하거나 하강하는 트랜지션 과정에 발생될 수 있다.
터치 구동 신호(TDS)의 전압 레벨 변동에 의해 공통 전극(CE)에서 발생되는 공통 전극 리플 노이즈는 기저 라인(EVSL)과 용량 방식으로 커플링 된 데이터 라인(DL)으로 전달될 수 있다. 여기서, 데이터 라인(DL)은 스위칭 트랜지스터(SWT)의 드레인 전극 또는 소스 전극과 연결될 수 있다.
이와 같이, 공통 전극 리플 노이즈가 데이터 라인(DL)으로 전달되는 경우, 데이터 라인(DL)에 인가되는 데이터 신호(Vdata)에서 공통 전극 리플 노이즈에 해당하는 양의 피크 및 음의 피크가 발생하게 된다.
스캔 신호(SCAN1, SCAN2, SCAN3, SCAN4)의 타이밍에 의할 경우, 픽셀 충전에 활용되는 데이터 신호의 전압(V1, V2, V3, V4) 중 일부 전압(예를 들어, V3, V4)은 공통 전극 리플 노이즈에 의해 나머지 전압(예를 들어, V1, V2)과 달라질 수 있다. 이로 인해, 픽셀 충전 차이가 발생하게 되어 주변보다 밝은 휘선이나 어두운 암선이 보이는 크로스토크 현상이 발생할 수 있으며, 영상 품질 저하로 이어진다.
특히, 이러한 크로스토크 현상은 터치 주파수와 디스플레이 주파수가 상이한 경우에 주로 발생할 수 있다. 구체적으로, 이상 현상은 터치 구동 신호(TDS)가 스캔 신호(SCAN)와 중첩되는 구간에서 트랜지션이 이루어지는 경우에 나타날 수 있으며, 터치 구동 신호(TDS)가 트랜지션되는 방향(상승 또는 하강)에 따라 주변보다 밝은 휘선 또는 주변보다 어두운 암선으로 나타난다.
도 11은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 터치 구동 신호의 트랜지션 위치에 따라 휘선 또는 암선이 나타나는 경우를 실험적으로 검출한 경우를 예시로 나타낸 도면이다.
도 11을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 터치 주파수와 디스플레이 주파수가 동일할 수도 있고 상이할 수 있다. 특히, 터치 주파수와 디스플레이 주파수가 상이한 경우에는 터치 구동 신호(TDS)가 상승하거나 하강하는 트랜지션 시점이 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 레벨(하이 레벨 또는 로우 레벨) 구간에 위치할 수 있다.
이와 같이, 터치 구동 신호(TDS)가 상승하거나 하강하는 트랜지션 시점이 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 레벨(하이 레벨 또는 로우 레벨) 구간에 위치하는 경우에는, 터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 시점에 공통 전극 리플 노이즈가 발생할 수 있다. 이러한 공통 전극 리플 노이즈로 인해 데이터 신호(Vdata)에 양의 피크 또는 음의 피크가 발생하여, 디스플레이 패널(110)의 해당 영역에 주변보다 밝은 휘선(Bright line)이나 주변보다 어두운 암선(Dark line)이 나타날 수 있다.
본 개시의 발명자들은 이러한 휘선이나 암선이 발생하는 영역을 확인하기 위하여, 터치 구동 신호(TDS)의 주파수를 변경해 가면서 스캔 신호(SCAN)와 중첩 위치에 따른 휘선(Bright line) 또는 암선(Dark line)의 발생 현상을 확인해 보았다.
그 결과, 터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 시점이 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간에 중첩할 때, 휘선(Bright line)이나 암선(Dark line)의 불량이 나타나는 것을 확인하였다.
또한, 터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 시점이 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간 중에서 일부 영역은 터치 구동 신호(TDS)가 트랜지션 되더라도 휘선(Bright line)이나 암선(Dark line)이 발생하지 않는 크로스토크 프리 구간(XFP)이 확인되었다.
다시 말해서, 터치 구동 신호(TDS)가 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간 중 크로스토크 프리 구간(XFP)에서 트랜지션 되는 경우에는 해당 라인에 휘선(Bright line)이나 암선(Dark line)이 발생하지 않지만, 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간 내에서 크로스토크 프리 구간(XFP)을 제외한 나머지 영역에서 트랜지션 되는 경우는 휘선(Bright line)이나 암선(Dark line)이 발생하는 것을 확인하였다.
또한, 터치 구동 신호(TDS)가 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간 내에서 하강하는 트랜지션 시점에 주변보다 밝아지는 휘선(Bright line)이 나타나고, 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간 내에서 상승하는 트랜지션 시점에 주변보다 어두운 암선(Dark line)이 나타나는 것을 확인하였다.
예를 들어, 제 1 스캔 신호(SCAN1)의 턴-온 구간에 중첩하면서 크로스토크 프리 구간(XFP)에 속하지 않는 위치에서 터치 구동 신호(TDS)의 하강 트랜지션이 발생하는 경우, 제 1 게이트 라인(GL1)은 다른 라인보다 밝은 휘선(Bright line)이 나타날 수 있다.
또한, 제 4 스캔 신호(SCAN4)의 턴-온 구간에 중첩하면서 크로스토크 프리 구간(XFP)에 속하지 않는 위치에서 터치 구동 신호(TDS)의 하강 트랜지션이 발생하는 경우, 제 4 게이트 라인(GL4)은 다른 라인보다 밝은 휘선(Bright line)이 나타날 수 있다.
또한, 제 5 스캔 신호(SCAN5)의 턴-온 구간에 중첩하면서 크로스토크 프리 구간(XFP)에 속하지 않는 위치에서 터치 구동 신호(TDS)의 상승 트랜지션이 발생하는 경우, 제 5 게이트 라인(GL5)은 다른 라인보다 어두운 암선(Dark line)이 나타날 수 있다.
또한, 제 6 스캔 신호(SCAN6)의 턴-온 구간에 중첩하면서 크로스토크 프리 구간(XFP)에 속하지 않는 위치에서 터치 구동 신호(TDS)의 하강 트랜지션이 발생하는 경우, 제 6 게이트 라인(GL6)은 다른 라인보다 밝은 휘선(Bright line)이 나타날 수 있다.
또한, 제 9 스캔 신호(SCAN9)의 턴-온 구간에 중첩하면서 크로스토크 프리 구간(XFP)에 속하지 않는 위치에서 터치 구동 신호(TDS)의 하강 트랜지션이 발생하는 경우, 제 9 게이트 라인(GL9)은 다른 라인보다 밝은 휘선(Bright line)이 나타날 수 있다.
또한, 제 10 스캔 신호(SCAN10)의 턴-온 구간에 중첩하면서 크로스토크 프리 구간(XFP)에 속하지 않는 위치에서 터치 구동 신호(TDS)의 상승 트랜지션이 발생하는 경우, 제 10 게이트 라인(GL10)은 다른 라인보다 어두운 암선(Dark line)이 나타날 수 있다.
이러한 현상은, 터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 시점에 공통 전극 리플 노이즈가 발생하고, 공통 전극 리플 노이즈로 인해 데이터 신호(Vdata)에 야기되는 피크에 의해서 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극 전압이 변동됨으로써 나타난다고 할 수 있다.
반면, 크로스토크 프리 구간(XFP)에서 터치 구동 신호(TDS)이 트랜지션 되는 경우에는, 스위칭 트랜지스터(SWT)를 통해서 구동 트랜지스터(DRT)에 공급되는 데이터 신호(Vdata)에 의해서 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트-소스 전압이 안정적으로 회복되기 때문에, 휘선(Bright line)이나 암선(Dark line)이 나타나지 않고 정상적으로 표시된다.
이에 따라, 본 개시의 터치 디스플레이 장치(100)는 터치 구동 신호(TDS)가 휘선이나 암선을 야기하는 시점에 트랜지션 될 것으로 예상되는 경우에, 휘선이나 암선을 보정할 수 있도록 데이터 신호(Vdata)의 레벨을 제어함으로써, 영상 품질을 개선할 수 있다.
도 12는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 스캔 신호에 대한 터치 구동 신호의 트랜지션 위치에 따른 영상 품질을 자세하게 나타낸 도면이다.
도 12를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 게이트 구동 회로(130)로부터 디스플레이 패널(110)에 공급되는 스캔 신호(SCAN)는 턴-온 구간(TOP)과 턴-오프 구간을 포함할 수 있다.
스위칭 트랜지스터(SWT)가 N-형 트랜지스터인 경우, 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP)은 스위칭 트랜지스터(SWT)를 턴-온시킬 수 있는 하이 레벨로 유지될 것이고, 턴-오프 구간은 스위칭 트랜지스터(SWT)를 턴-오프시킬 수 있는 로우 레벨로 유지될 것이다.
이 때, 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 내에는 터치 구동 신호(TDS)가 트랜지션 되더라도 공통 전극 리플 노이즈에 의한 크로스토크가 발생하지 않는 크로스토크가 발생하지 않는 크로스토크 프리 구간(XFP)가 존재한다.
실험적으로 확인한 결과, 크로스토크 프리 구간(XFP)은 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 내에서 중간 부분의 일정 구간을 차지하는 것으로 나타났다.
예를 들어, 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP)이 10us의 시간 간격을 가지는 경우, 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP)은 턴-온 레벨로 상승하는 시점으로부터 약 1us의 제 1 크로스토크 구간(XP1)과, 턴-오프 레벨로 하강하는 시점 이전에 약 3us의 제 2 크로스토크 구간(XP2)을 가질 수 있다. 이에 따라, 스캔 신호(SCAN)의 10us 턴-온 구간(TOP) 중에서, 1us의 제 1 크로스토크 구간(XP1)과 3us의 제 2 크로스토크 구간(XP2) 사이에 위치하는 약 6us의 시간 구간이 크로스토크 프리 구간(XFP)에 해당할 수 있다.
즉, 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 중에서 크로스토크가 발생하는 앞 부분의 구간을 제 1 크로스토크 구간(XP1)이라고 하고, 크로스토크가 발생하는 뒷 부분의 구간을 제 2 크로스토크 구간(XP2)이라고 할 수 있다.
이 경우, 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 중에서 제 1 크로스토크 구간(XP1) 또는 제 2 크로스토크 구간(XP2)에서 터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션이 발생하면, 공통 전극 리플 노이즈에 의해서 데이터 신호(Vdata)의 변동이 발생하고 그에 따라 해당하는 게이트 라인(GL)에 휘선 또는 암선이 나타날 수 있다.
반면에, 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 중에서 크로스토크 프리 구간(XFP)에 터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션이 발생하는 경우에는, 스위칭 트랜지스터(SWT)를 통해서 구동 트랜지스터(DRT)에 공급되는 데이터 신호(Vdata)에 의해서 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트-소스 전압이 안정적으로 회복되기 때문에, 휘선(Bright line)이나 암선(Dark line)이 나타나지 않게 된다.
예를 들어, 제 1 터치 구동 신호(TDS1)는 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 중에서 제 1 크로스토크 구간(XP1)에서 하강 트랜지션이 발생하고, 크로스토크 프리 구간(XFP)에서 상승 트랜지션이 발생한다.
이 경우, 제 1 터치 구동 신호(TDS1)의 하강 트랜지션 구간에 대응되는 위치는 다른 라인보다 밝은 휘선(Bright line)이 나타날 수 있다. 반면, 제 1 터치 구동 신호(TDS1)의 상승 트랜지션 구간은 크로스토크 프리 구간(XFP)에 해당하기 때문에, 상승 트랜지션 구간에 대응되는 위치는 정상적인 밝기를 나타낼 수 있다.
또한, 제 2 터치 구동 신호(TDS2)는 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 중에서 크로스토크 프리 구간(XFP)에서 하강 트랜지션이 발생하고, 제 2 크로스토크 구간(XP2)에서 상승 트랜지션이 발생한다.
이 경우, 제 2 터치 구동 신호(TDS2)의 하강 트랜지션 구간은 크로스토크 프리 구간(XFP)에 해당하기 때문에, 하강 트랜지션 구간에 대응되는 위치는 정상적인 밝기를 나타낼 수 있다. 반면, 제 2 터치 구동 신호(TDS2)의 상승 트랜지션 구간은 제 2 크로스토크 구간(XP2)에 해당하기 때문에, 상승 트랜지션 구간에 대응되는 위치는 다른 라인보다 어두운 암선(Dark line)이 나타날 수 있다.
이러한 영상 불량을 개선하기 위하여, 본 개시의 터치 디스플레이 장치(100)는 휘선이나 암선을 야기하는 시점에 터치 구동 신호(TDS)가 트랜지션 될 것으로 예상되는 경우에, 휘선이나 암선을 보정할 수 있도록 데이터 신호(Vdata)에 보상 게인을 반영함으로써, 영상 품질을 개선할 수 있다.
도 13은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 데이터 신호의 보상 게인을 결정하는 방법을 예시로 나타낸 도면이다.
도 13을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 구간이 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP)과 중첩되어 휘선이나 암선이 나타날 것으로 예상되는 경우에, 휘선이나 암선을 보정할 수 있는 보상 게인(Gc)을 데이터 신호(Vdata)에 적용한다.
특히, 터치 구동 신호(TDS)의 하강 트랜지션 시점(TT1)에서는 음의 보상 게인(Gc1)을 데이터 신호(Vdata)에 적용하고, 터치 구동 신호(TDS)의 상승 트랜지션 시점(TT2)에서는 양의 보상 게인(Gc2)을 데이터 신호(Vdata)에 적용함으로써, 영상 불량을 개선할 수 있다.
여기에서, 보상 게인(Gc)이 0인 경우는 데이터 신호(Vdata)를 그대로 유지하고, 양의 보상 게인(Gc)인 경우는 데이터 신호(Vdata)의 레벨을 상승시키며, 음의 보상 게인(Gc1)인 경우는 데이터 신호(Vdata)의 레벨을 하강시켜서 데이터 신호(Vdata)를 보상한다.
예를 들어, 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 내에서 제 2 크로스토크 구간(XP2)이 시작되는 시점 또는 제 1 크로스토크 구간(XP1)이 끝나는 시점의 보상 게인(Gc)은 0으로 설정된다. 따라서, 이 경우에는 보상 데이터 신호(Vdata_comp)가 데이터 신호(Vdata)와 동일한 값을 가지게 될 것이다.
그리고, 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP)이 종료되는 시점, 즉 스캔 신호(SCAN)가 턴-오프 레벨로 트랜지션되는 시점은 보상 데이터 신호(Vdata_comp)를 최대 데이터 신호(Vdata[Max]) 또는 최소 데이터 신호(Vdata[Min])로 설정할 수 있다. 터치 구동 신호(TDS)의 하강 트랜지션 시점(TT1)에서는 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP)이 종료되는 시점의 보상 데이터 신호(Vdata_comp)가 최소 데이터 신호(Vdata[Min])가 되도록 설정될 것이다. 반면, 터치 구동 신호(TDS)의 상승 트랜지션 시점(TT2)에서는 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP)이 종료되는 시점의 보상 데이터 신호(Vdata_comp)가 최대 데이터 신호(Vdata[Max])가 되도록 설정될 것이다.
최대 데이터 신호(Vdata[Max])는 디스플레이 패널(110)의 구조에 따라 달라질 수 있으며, 예를 들어 6V의 전압을 가질 수 있다.
최소 데이터 신호(Vdata[Min])는 데이터 신호(Vdata)가 인가되지 않는 0V 일 수도 있고, 블랙 데이터 신호에 대응되는 레벨일 수도 있다. 블랙 데이터 신호에 대응되는 레벨은 0.7V 일 수 있다.
이 때, 보상 게인(Gc)은 터치 구동 신호(TDS)의 위치에 따라 선형 관계를 가질 수 있다.
도 14는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 터치 구동 신호의 하강 트랜지션 시점에 따라 음의 보상 게인을 결정하는 구체적인 방법을 나타낸 도면이다.
여기에서는 터치 구동 신호(TDS)의 하강 트랜지션 시점(TT1)이 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 중에서 제 2 크로스토크 구간(XP2)에 위치하는 경우를 예시로 나타내고 있다.
도 14를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 터치 구동 신호(TDS)의 하강 트랜지션 시점(TT1)이 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 중에서 제 2 크로스토크 구간(XP2)에 위치하는 경우에, 데이터 신호(Vdata)에 음의 보상 게인(Gc1)을 적용하여 보상 데이터 신호(Vdata_comp)를 생성함으로써, 주변보다 밝은 휘선(Bright line)에 의한 영상 불량을 개선할 수 있다.
스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 내에서 제 2 크로스토크 구간(XP2)이 시작되는 시점의 보상 게인(Gc)은 0으로 설정된다. 즉, 이 경우에는 보상 데이터 신호(Vdata_comp)가 데이터 신호(Vdata)와 동일한 값을 가지게 될 것이다.
반면, 터치 구동 신호(TDS)의 하강 트랜지션 시점(TT1)에서는 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP)이 종료되는 시점의 보상 데이터 신호(Vdata_comp)가 최소 데이터 신호(Vdata[Min])가 되도록 설정될 것이다.
이 때, 제 2 크로스토크 구간(XP2) 내에서 보상 게인(Gc)은 선형으로 변할 수 있기 때문에, 제 2 크로스토크 구간(XP2) 내에서의 보상 게인(Gc)은 데이터 신호(Vdata)와 최소 데이터 신호(Vdata[Min]) 사이의 제 1 기울기(Slope1)를 가지면서 변하게 될 것이다. 즉, 터치 구동 신호(TDS)의 하강 트랜지션 시점(TT1)에 대응되는 제 2 크로스토크 구간(XP2)의 보상 게인(Gc)의 기울기(Slope1)는 다음과 같이 나타낼 수 있다. 이 때, 제 2 크로스토크 구간(XP2)의 보상 게인(Gc)의 기울기(Slope1)는 음의 값을 가질 것이다.
Slope1 = (Vdata[Min] - Vdata)/XP2
이 때, 터치 구동 신호(TDS)의 하강 트랜지션 시점(TT1)이 제 2 크로스토크 구간(XP2)이 시작되는 시점으로부터 제 1 크로스토크 시간(XT1)이 지난 후에 있다면, 터치 구동 신호(TDS)의 하강 트랜지션 시점(TT1)에서의 제 1 보상 게인(Gc1)과 보상 데이터 신호(Vdata_comp)는 다음과 같이 계산될 수 있을 것이다.
Gc1 = Slope1 * XT1
Vdata_comp = Vdata + Gc1
여기에서, 제 1 보상 게인(Gc1)은 음의 값을 가지며, 보상 데이터 신호(Vdata_comp)는 입력되는 데이터 신호(Vdata)보다 작은 값을 나타낼 것이다.
이와 같이, 터치 구동 신호(TDS)의 하강 트랜지션 시점(TT1)이 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 중에서 크로스토크 구간(XP)에 위치하는 경우에, 데이터 신호(Vdata)에 음의 보상 게인(Gc1)을 적용하여 보상 데이터 신호(Vdata_comp)를 생성함으로써, 주변보다 밝은 휘선(Bright line)에 의한 영상 불량을 개선할 수 있다.
도 15는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 터치 구동 신호의 상승 트랜지션 시점에 따라 양의 보상 게인을 결정하는 구체적인 방법을 나타낸 도면이다.
여기에서는 터치 구동 신호(TDS)의 상승 트랜지션 시점(TT2)이 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 중에서 제 2 크로스토크 구간(XP2)에 위치하는 경우를 예시로 나타내고 있다.
도 15를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 터치 구동 신호(TDS)의 상승 트랜지션 시점(TT2)이 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 중에서 제 2 크로스토크 구간(XP2)에 위치하는 경우에, 데이터 신호(Vdata)에 양의 보상 게인(Gc2)을 적용하여 보상 데이터 신호(Vdata_comp)를 생성함으로써, 주변보다 어두운 암선(Dark line)에 의한 영상 불량을 개선할 수 있다.
스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 내에서 제 2 크로스토크 구간(XP2)이 시작되는 시점의 보상 게인(Gc)은 0으로 설정된다. 즉, 이 경우에는 보상 데이터 신호(Vdata_comp)가 데이터 신호(Vdata)와 동일한 값을 가지게 될 것이다.
반면, 터치 구동 신호(TDS)의 상승 트랜지션 시점(TT2)에서는 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP)이 종료되는 시점의 보상 데이터 신호(Vdata_comp)가 최대 데이터 신호(Vdata[Max])가 되도록 설정될 것이다.
이 때, 제 2 크로스토크 구간(XP2) 내에서 보상 게인(Gc)은 선형으로 변할 수 있기 때문에, 제 2 크로스토크 구간(XP2) 내에서의 보상 게인(Gc)은 데이터 신호(Vdata)와 최대 데이터 신호(Vdata[Max]) 사이의 제 2 기울기(Slope2)를 가지면서 변하게 될 것이다. 즉, 터치 구동 신호(TDS)의 상승 트랜지션 시점(TT2)에 대응되는 제 2 크로스토크 구간(XP2)의 보상 게인(Gc)의 기울기(Slope2)는 다음과 같이 나타낼 수 있다. 이 때, 제 2 크로스토크 구간(XP2)의 보상 게인(Gc)의 기울기(Slope2)는 양의 값을 가질 것이다
Slope2 = (Vdata[Max] - Vdata)/XP2
이 때, 터치 구동 신호(TDS)의 상승 트랜지션 시점(TT2)이 제 2 크로스토크 구간(XP2)이 시작되는 시점으로부터 제 2 크로스토크 시간(XT2)이 지난 후에 있다면, 터치 구동 신호(TDS)의 상승 트랜지션 시점(TT2)에서의 보상 게인(Gc2)과 보상 데이터 신호(Vdata_comp)는 다음과 같이 계산될 수 있을 것이다.
Gc2 = Slope2 * XT2
Vdata_comp = Vdata + Gc2
이와 같이, 터치 구동 신호(TDS)의 상승 트랜지션 시점(TT2)이 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 중에서 크로스토크 구간(XP)에 위치하는 경우에, 데이터 신호(Vdata)에 양의 보상 게인(Gc2)을 적용하여 보상 데이터 신호(Vdata_comp)를 생성함으로써, 주변보다 어두운 암선(Dark line)에 의한 영상 불량을 개선할 수 있다.
도 16은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 터치 구동 신호의 트랜지션 시점에 따라 보상 데이터 신호가 변동되는 경우를 예시로 나타낸 도면이다.
도 16을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 구간이 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP)과 중첩되어 휘선이나 암선이 나타날 것으로 예상되는 경우에, 휘선이나 암선을 보정할 수 있는 보상 게인(Gc)을 데이터 신호(Vdata)에 적용한다.
특히, 터치 구동 신호(TDS)의 하강 트랜지션 시점(TT1)에서는 음의 보상 게인(Gc1)을 데이터 신호(Vdata)에 적용하고, 터치 구동 신호(TDS)의 상승 트랜지션 시점(TT2)에서는 양의 보상 게인(Gc2)을 데이터 신호(Vdata)에 적용함으로써, 영상 불량을 개선할 수 있다.
여기에서, 보상 게인(Gc)이 0인 경우는 데이터 신호(Vdata)를 그대로 유지하고, 양의 보상 게인(Gc2)인 경우는 보상 데이터 신호(Vdata_comp)가 데이터 신호(Vdata)의 레벨보다 상승되며, 음의 보상 게인(Gc1)인 경우는 보상 데이터 신호(Vdata_comp)가 데이터 신호(Vdata)의 레벨보다 하강된다.
이와 같이, 본 개시의 터치 디스플레이 장치(100)는 터치 구동 신호(TDS)의 하강 트랜지션 시점(TT1)이 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 중에서 크로스토크 구간(XP)에 위치하는 경우에, 데이터 신호(Vdata)에 음의 보상 게인(Gc1)을 적용하여 보상 데이터 신호(Vdata_comp)를 생성함으로써, 주변보다 밝은 휘선(Bright line)에 의한 영상 불량을 개선할 수 있다
또한, 본 개시의 터치 디스플레이 장치(100)는 터치 구동 신호(TDS)의 상승 트랜지션 시점(TT2)이 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 중에서 크로스토크 구간(XP)에 위치하는 경우에, 데이터 신호(Vdata)에 양의 보상 게인(Gc2)을 적용하여 보상 데이터 신호(Vdata_comp)를 생성함으로써, 주변보다 어두운 암선(Dark line)에 의한 영상 불량을 개선할 수 있다.
도 17은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 구동 방법의 흐름도를 나타낸 도면이다.
도 17을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 구동 방법은 터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 시점(TT)을 검출하는 단계(S100), 스캔 신호(SCAN)의 크로스토크 구간(XP)을 검출하는 단계(S200), 터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 시점(TT)이 크로스토크 구간(XP)과 중첩되는지를 판단하는 단계(S300), 터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 시점(TT)이 크로스토크 구간(XP)과 중첩되지 않는 경우에는 데이터 신호(Vdata)를 디스플레이 패널(110)에 공급하는 단계(S400), 터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 시점(TT)이 크로스토크 구간(XP)과 중첩되는 경우에는 보상 게인(Gc)을 계산하는 단계(S400), 보상 게인(Gc)을 데이터 신호(Vdata)에 반영하여 보상 데이터 신호(Vdata_comp)를 생성하는 단계(S600), 및 보상 데이터 신호(Vdata_comp)를 디스플레이 패널(110)에 공급하는 단계(S700)를 포함할 수 있다.
터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 시점(TT)을 검출하는 단계(S100)는 터치 전극(TE)에 펄스 형태로 인가되는 터치 구동 신호(TDS)의 상승 트랜지션 시점 및 하강 트랜지션 시점을 검출하는 과정이다.
스캔 신호(SCAN)의 크로스토크 구간(XP)을 검출하는 단계(S200)는 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 내에서 터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 시점에 의해서 휘선 또는 암선이 나타나는 크로스토크 구간(XP)을 검출하는 과정이다. 크로스토크 구간(XP)은 터치 디스플레이 장치(100)의 구동 과정에서 검출될 수도 있고, 터치 디스플레이 장치(100)의 제조 과정에서 결정된 값이 룩업 테이블의 형태로 메모리에 저장될 수도 있다.
터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 시점(TT)이 크로스토크 구간(XP)과 중첩되는지를 판단하는 단계(S300)는 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 내에서 터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 시점이 크로스토크 구간(XP)에 위치함으로써 디스플레이 패널(110)에 휘선 또는 암선이 나타날 수 있는지를 판단하는 과정이다.
터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 시점(TT)이 크로스토크 구간(XP)과 중첩되지 않는 경우에는 데이터 신호(Vdata)를 디스플레이 패널(110)에 공급하는 단계(S400)로 진행한다. 이 경우에는 디스플레이 패널(110)에 휘선이나 암선이 나타나지 않으므로, 데이터 신호(Vdata)에 보상 게인(Gc)을 적용하지 않고 타이밍 컨트롤러(140)에서 전달되는 영상 데이터(DATA)를 그대로 데이터 신호(Vdata)로 변환하여 디스플레이 패널(110)에 공급하는 과정이다.
터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 시점(TT)이 크로스토크 구간(XP)과 중첩되는 경우에는 보상 게인(Gc)을 계산하는 단계(S400)로 진행한다.
이 때, 터치 구동 신호(TDS)의 하강 트랜지션 시점(TT1)이 스캔 신호(SCAN)의 크로스토크 구간(XP)에 위치하는 경우에는 음의 보상 게인(Gc1)을 생성함으로써, 주변보다 밝은 휘선(Bright line)에 의한 영상 불량을 개선할 수 있다
반면, 터치 구동 신호(TDS)의 상승 트랜지션 시점(TT2)이 스캔 신호(SCAN)의 크로스토크 구간(XP)에 위치하는 경우에는 양의 보상 게인(Gc2)을 생성함으로써, 주변보다 어두운 암선(Dark line)에 의한 영상 불량을 개선할 수 있다.
보상 게인(Gc)을 데이터 신호(Vdata)에 반영하여 보상 데이터 신호(Vdata_comp)를 생성하는 단계(S600)는 스캔 신호(SCAN)의 크로스토크 구간(XP)에 중첩되는 터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 시점에 따라, 영상 데이터(DATA)에 음의 보상 게인(Gc1) 또는 양의 보상 게인(Gc2)을 적용하여 보상 데이터 신호(Vdata_comp)를 생성하는 과정이다.
보상 데이터 신호(Vdata_comp)를 디스플레이 패널(110)에 공급하는 단계(S700)는 보상 게인(Gc)이 적용된 보상 데이터 신호(Vdata_comp)를 디스플레이 패널(110)에 공급함으로써, 휘선이나 암선에 의한 영상 불량을 개선하는 과정이다.
이상에서 설명한 본 개시의 실시예들을 간략하게 설명하면 아래와 같다.
본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 복수의 터치 전극(TE)을 포함하는 디스플레이 패널(110)과, 복수의 게이트 라인(GL)을 통해 상기 디스플레이 패널(110)에 복수의 스캔 신호(SCAN)를 공급하는 게이트 구동 회로(130)와, 복수의 데이터 라인(DL)을 통해 상기 디스플레이 패널(110)에 복수의 데이터 신호(Vdata)를 공급하는 데이터 구동 회로(120)와, 상기 복수의 터치 전극(TE)에 터치 구동 신호(TDS)를 인가하고, 커패시턴스 변화에 따라 터치 센싱을 감지하는 터치 회로(150)와, 상기 데이터 구동 회로(120)와 상기 터치 회로(150)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(140)를 포함하되, 상기 터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 시점이 상기 스캔 신호(SCAN)의 크로스토크 구간(XP)에 중첩되는 경우에, 상기 터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 시점에 중첩되는 상기 데이터 신호(Vdata)에 보상 게인(Gc)을 적용함으로써 상기 크로스토크가 감소될 수 있다.
상기 터치 구동 신호(TDS)의 주파수와 상기 스캔 신호(SCAN)의 주파수가 상이할 수 있다.
상기 크로스토크 구간(XP)은 상기 스캔 신호(SCAN)의 턴-온 구간(TOP) 내에 위치할 수 있다.
상기 크로스토크 구간(XP)은 상기 스캔 신호(SCAN)가 턴-온 레벨로 상승하는 시점으로부터 제 1 시간 간격을 가지는 제 1 크로스토크 구간(XP1)과, 상기 스캔 신호(SCAN)가 턴-오프 레벨로 하강하는 시점 이전의 제 2 시간 간격을 가지는 제 2 크로스토크 구간(XP2)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 크로스토크 구간(XP1)은 1us의 상기 제 1 시간 간격을 가지고, 상기 제 2 크로스토크 구간(XP2)은 3us의 상기 제 2 시간 간격을 가질 수 있다.
상기 보상 게인(Gc)은 상기 터치 구동 신호(TDS)의 상승 트랜지션 시점이 상기 스캔 신호(SCAN)의 크로스토크 구간(XP)에 중첩되는 경우에 양의 보상 게인으로 결정되고, 상기 터치 구동 신호(TDS)의 하강 트랜지션 시점이 상기 스캔 신호(SCAN)의 크로스토크 구간(XP)에 중첩되는 경우에 음의 보상 게인으로 결정될 수 있다.
상기 음의 보상 게인은 상기 크로스토크 구간(XP) 내에서, 상기 데이터 신호(Vdata)와 최소 데이터 신호(Vdata[Min]) 사이에 제 1 기울기(Slope1)를 가지면서 변동될 수 있다.
상기 음의 보상 게인은 상기 크로스토크 구간(XP)이 시작되는 시점에서 상기 터치 구동 신호(TDS)의 하강 트랜지션 시점 사이의 시간 간격을 반영하여 결정될 수 있다.
상기 양의 보상 게인은 상기 크로스토크 구간(XP) 내에서, 상기 데이터 신호(Vdata)와 최대 데이터 신호(Vdata[Max]) 사이에 제 2 기울기(Slope2)를 가지면서 변동될 수 있다.
상기 양의 보상 게인은 상기 크로스토크 구간(XP)이 시작되는 시점에서 상기 터치 구동 신호(TDS)의 상승 트랜지션 시점 사이의 시간 간격을 반영하여 결정될 수 있다.
또한, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 구동 방법은 복수의 터치 전극(TE)을 포함하는 디스플레이 패널(110)에 스캔 신호(SCAN)를 공급하는 게이트 구동 회로(130)와, 상기 디스플레이 패널(110)에 데이터 신호(Vdata)를 공급하는 데이터 구동 회로(120)와, 상기 디스플레이 패널(110)에 터치 구동 신호(TDS)를 공급하고 상기 터치 구동 신호(TDS)에 응답하여 수신되는 터치 센싱 신호를 토대로 터치를 센싱하는 터치 회로(150)를 포함하는 터치 디스플레이 장치(100)의 터치 구동 방법에 있어서, 상기 터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 시점을 검출하는 단계(S100)와, 상기 스캔 신호(SCAN)의 크로스토크 구간(XP)을 검출하는 단계(S200)와, 상기 터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 시점이 상기 크로스토크 구간(XP)과 중첩되는지를 판단하는 단계(S300)와, 상기 터치 구동 신호(TDS)의 트랜지션 시점이 상기 크로스토크 구간(XP)과 중첩되는 경우에 보상 게인(Gc)을 계산하는 단계(S500)와, 상기 보상 게인(Gc)을 상기 데이터 신호(Vdata)에 반영하여 보상 데이터 신호(Vdata_comp)를 생성하는 단계(S600)와, 상기 보상 데이터 신호(Vdata_comp)를 상기 디스플레이 패널(110)에 공급하는 단계(S700)를 포함할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 터치 디스플레이 장치
110: 디스플레이 패널
120: 데이터 구동 회로
130: 게이트 구동 회로
140: 타이밍 컨트롤러
150: 터치 회로
160: 파워 구동 회로
170: 터치 컨트롤러
200: 통합 집적 회로
210: 회로 필름
220: 인쇄 회로 기판

Claims (20)

  1. 복수의 터치 전극을 포함하는 디스플레이 패널;
    복수의 게이트 라인을 통해 상기 디스플레이 패널에 복수의 스캔 신호를 공급하는 게이트 구동 회로;
    복수의 데이터 라인을 통해 상기 디스플레이 패널에 복수의 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동 회로;
    상기 복수의 터치 전극에 터치 구동 신호를 인가하고, 커패시턴스 변화에 따라 터치 센싱을 감지하는 터치 회로; 및
    상기 데이터 구동 회로와 상기 터치 회로를 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하되,
    상기 터치 구동 신호의 트랜지션 시점이 상기 스캔 신호의 크로스토크 구간에 중첩되는 경우에, 상기 터치 구동 신호의 트랜지션 시점에 중첩되는 상기 데이터 신호에 보상 게인을 적용함으로써 상기 크로스토크가 감소되는 터치 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 터치 구동 신호의 주파수와 상기 스캔 신호의 주파수가 상이한 터치 디스플레이 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 크로스토크 구간은
    상기 스캔 신호의 턴-온 구간 내에 위치하는 터치 디스플레이 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 크로스토크 구간은
    상기 스캔 신호가 턴-온 레벨로 상승하는 시점으로부터 제 1 시간 간격을 가지는 제 1 크로스토크 구간; 및
    상기 스캔 신호가 턴-오프 레벨로 하강하는 시점 이전의 제 2 시간 간격을 가지는 제 2 크로스토크 구간을 포함하는 터치 디스플레이 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 크로스토크 구간은 1us의 상기 제 1 시간 간격을 가지고,
    상기 제 2 크로스토크 구간은 3us의 상기 제 2 시간 간격을 가지는 터치 디스플레이 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 보상 게인은
    상기 터치 구동 신호의 상승 트랜지션 시점이 상기 스캔 신호의 크로스토크 구간에 중첩되는 경우에 양의 보상 게인으로 결정되고,
    상기 터치 구동 신호의 하강 트랜지션 시점이 상기 스캔 신호의 크로스토크 구간에 중첩되는 경우에 음의 보상 게인으로 결정되는 터치 디스플레이 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 음의 보상 게인은
    상기 크로스토크 구간 내에서, 상기 데이터 신호와 최소 데이터 신호 사이에 제 1 기울기를 가지면서 변동되는 터치 디스플레이 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 음의 보상 게인은
    상기 크로스토크 구간이 시작되는 시점에서 상기 터치 구동 신호의 하강 트랜지션 시점 사이의 시간 간격을 반영하여 결정되는 터치 디스플레이 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 양의 보상 게인은
    상기 크로스토크 구간 내에서, 상기 데이터 신호와 최대 데이터 신호 사이에 제 2 기울기를 가지면서 변동되는 터치 디스플레이 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 양의 보상 게인은
    상기 크로스토크 구간이 시작되는 시점에서 상기 터치 구동 신호의 상승 트랜지션 시점 사이의 시간 간격을 반영하여 결정되는 터치 디스플레이 장치.
  11. 복수의 터치 전극을 포함하는 디스플레이 패널에 스캔 신호를 공급하는 게이트 구동 회로와, 상기 디스플레이 패널에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동 회로와, 상기 디스플레이 패널에 터치 구동 신호를 공급하고 상기 터치 구동 신호에 응답하여 수신되는 터치 센싱 신호를 토대로 터치를 센싱하는 터치 회로를 포함하는 터치 디스플레이 장치의 터치 구동 방법에 있어서,
    상기 터치 구동 신호의 트랜지션 시점을 검출하는 단계;
    상기 스캔 신호의 크로스토크 구간을 검출하는 단계;
    상기 터치 구동 신호의 트랜지션 시점이 상기 크로스토크 구간과 중첩되는지를 판단하는 단계;
    상기 터치 구동 신호의 트랜지션 시점이 상기 크로스토크 구간과 중첩되는 경우에 보상 게인을 계산하는 단계;
    상기 보상 게인을 상기 데이터 신호에 반영하여 보상 데이터 신호를 생성하는 단계; 및
    상기 보상 데이터 신호를 상기 디스플레이 패널에 공급하는 단계를 포함하는 터치 구동 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 터치 구동 신호의 주파수와 상기 스캔 신호의 주파수가 상이한 터치 구동 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 크로스토크 구간은
    상기 스캔 신호의 턴-온 구간 내에 위치하는 터치 구동 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 크로스토크 구간은
    상기 스캔 신호가 턴-온 레벨로 상승하는 시점으로부터 제 1 시간 간격을 가지는 제 1 크로스토크 구간; 및
    상기 스캔 신호가 턴-오프 레벨로 하강하는 시점 이전의 제 2 시간 간격을 가지는 제 2 크로스토크 구간을 포함하는 터치 구동 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 크로스토크 구간은 1us의 상기 제 1 시간 간격을 가지고,
    상기 제 2 크로스토크 구간은 3us의 상기 제 2 시간 간격을 가지는 터치 구동 방법.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 보상 게인은
    상기 터치 구동 신호의 상승 트랜지션 시점이 상기 스캔 신호의 크로스토크 구간에 중첩되는 경우에 양의 보상 게인으로 결정되고,
    상기 터치 구동 신호의 하강 트랜지션 시점이 상기 스캔 신호의 크로스토크 구간에 중첩되는 경우에 음의 보상 게인으로 결정되는 터치 구동 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 음의 보상 게인은
    상기 크로스토크 구간 내에서, 데이터 신호와 최소 데이터 신호 사이에 제 1 기울기를 가지면서 변동되는 터치 구동 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 음의 보상 게인은
    상기 크로스토크 구간이 시작되는 시점에서 상기 터치 구동 신호의 하강 트랜지션 시점 사이의 시간 간격을 반영하여 결정되는 터치 구동 방법.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 양의 보상 게인은
    상기 크로스토크 구간 내에서, 데이터 신호와 최대 데이터 신호 사이에 제 2 기울기를 가지면서 변동되는 터치 구동 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 양의 보상 게인은
    상기 크로스토크 구간이 시작되는 시점에서 상기 터치 구동 신호의 상승 트랜지션 시점 사이의 시간 간격을 반영하여 결정되는 터치 구동 방법.
KR1020220114712A 2022-09-13 2022-09-13 터치 디스플레이 장치 및 터치 구동 방법 KR20240036217A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220114712A KR20240036217A (ko) 2022-09-13 2022-09-13 터치 디스플레이 장치 및 터치 구동 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220114712A KR20240036217A (ko) 2022-09-13 2022-09-13 터치 디스플레이 장치 및 터치 구동 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240036217A true KR20240036217A (ko) 2024-03-20

Family

ID=90483338

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220114712A KR20240036217A (ko) 2022-09-13 2022-09-13 터치 디스플레이 장치 및 터치 구동 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20240036217A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11073929B2 (en) Light emitting display device, light emitting display panel, driving circuit, and driving method
JP2018106600A (ja) 表示装置
KR20200082355A (ko) 터치표시장치
KR20210085202A (ko) 터치 표시 장치 및 그 구동 방법
US20230064771A1 (en) Display device
KR102579307B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20190046725A (ko) 인 셀 타입의 터치 구조를 갖는 유기발광표시장치
KR20240036217A (ko) 터치 디스플레이 장치 및 터치 구동 방법
KR20220091080A (ko) 발광표시장치
KR20240022352A (ko) 터치 디스플레이 장치 및 구동 회로
US20240152228A1 (en) Touch display device and touch sensing method
US20230189605A1 (en) Display device
KR20220006781A (ko) 터치표시장치 및 구동회로
US11804181B2 (en) Display device and driving method for the same
KR20240036220A (ko) 터치 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널
US20240215374A1 (en) Transparent touch display device
US20230217779A1 (en) Transparent touch display device
US20240160312A1 (en) Touch display device
US20230214036A1 (en) Transparent touch display device
US20240152231A1 (en) Touch Display Device
US20230157072A1 (en) Display device and display panel
KR20240019515A (ko) 터치 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널
KR20240014746A (ko) 터치 디스플레이 장치 및 터치 구동 방법
KR20220046289A (ko) 터치 표시 장치 및 터치 센싱 방법
KR20230103507A (ko) 표시 장치