KR20220006781A

KR20220006781A - 터치표시장치 및 구동회로

Info

Publication number: KR20220006781A
Application number: KR1020200084604A
Authority: KR
Inventors: 황광조; 김의태; 김철세
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2020-07-09
Filing date: 2020-07-09
Publication date: 2022-01-18

Abstract

본 개시의 실시예들은 터치표시장치 및 구동회로에 관한 것으로서, 자체 발광을 위한 발광 소자들의 구성에 필요한 공통전극을 포함하고 터치 센서가 공통전극 상에 내장된 경우, 터치 센서의 구동을 위한 터치구동신호의 전압 레벨이 변동되더라도, 터치 센서의 극성 반전 구동 방식이나 패널 구조 변경을 통해, 발광소자들의 공통전극에서 리플 노이즈의 발생을 방지하거나, 발생된 리플 노이즈에 의한 디스플레이 구동 영향성을 제거하거나 최소화 해 줄 수 있다.

Description

터치표시장치 및 구동회로{TOUCH DISPLAY DEVICE AND DRIVING CIRCUIT}

본 개시의 실시예들은 터치표시장치 및 구동회로에 관한 것이다.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 다양한 종류의 표시장치가 개발되고 있다. 이러한 표시장치 중에는 표시패널의 외부에 백 라이트 유닛을 구비하지 않고, 스스로 빛을 내는 발광 소자들이 표시패널에 형성된 자체 발광 디스플레이가 있다.

이러한 자체 발광 디스플레이의 경우, 표시패널에 배치되는 다수의 서브픽셀 각각은 발광 소자, 발광 소자를 구동하기 위한 여러 개의 트랜지스터들과 적어도 하나의 캐패시터를 필요로 한다.

한편, 사용자가 손쉽게 정보 혹은 명령을 직관적이고 편리하게 입력할 수 있도록 해주는 터치 기반의 입력 방식을 자체 발광 디스플레이에 적용하기 위한 기술 개발이 진행되고 있다.

이와 같이, 자체 발광 디스플레이에 터치 기반의 입력 방식을 적용하기 위해서는, 터치 센서를 포함하는 터치패널을 별도로 제작하여 표시패널과 결합해야 하다. 이러한 방식은 장치의 크기나 두께를 크게 하고, 제작 공정을 복잡하게 하는 단점이 있다. 이에, 터치패널을 별도로 제작하지 않고, 표시패널에 터치 센서를 내장시키는 기술이 개발되고 있다. 표시패널에 터치 센서를 내장하게 되면, 터치 센서의 구동이 디스플레이 구동에 악 영향을 끼치게 되어, 영상 표시 품질을 저하시키는 문제점이 발생할 수 있다.

본 개시의 실시예들은 우수한 영상 품질과 정밀한 터치 감도를 제공할 수 있는 터치 센서가 내장된 자체 발광 디스플레이 타입의 터치표시장치와, 이에 포함된 구동회로를 제공할 수 있다.

본 개시의 실시예들은 터치 구동이 디스플레이 구동에 끼치는 영향을 제거하거나 최소화할 수 있는 터치 센서가 내장된 자체 발광 디스플레이 타입의 터치표시장치와, 이에 포함된 구동회로를 제공할 수 있다.

본 개시의 실시예들은 자체 발광을 위한 발광 소자들의 구성에 필요한 공통전극을 포함하고 터치 센서가 공통전극 상에 내장된 경우, 터치 센서의 구동을 위한 터치구동신호의 전압 레벨이 변동되더라도, 발광소자들의 공통전극에서 리플 노이즈가 발생되는 것을 방지해줄 수 있는 터치표시장치 및 구동회로를 제공할 수 있다.

본 개시의 실시예들은 터치 센서의 구동을 위한 터치구동신호의 전압 레벨 변동에 의해 발광소자들의 공통전극에 리플 노이즈가 발생되더라도, 리플 노이즈가 디스플레이 구동에 미치는 영향을 제거하거나 최소화 해줄 수 있는 터치표시장치 및 구동회로를 제공할 수 있다.

본 개시의 실시예들은, 다수의 데이터 라인, 다수의 게이트 라인 및 다수의 서브픽셀을 포함하고, 다수의 서브픽셀 각각에 대응되는 다수의 발광 소자, 다수의 발광 소자 상에 배치되는 봉지층 및 봉지층 상에 배치된 다수의 터치 전극을 포함하는 표시패널; 및 다수의 터치 전극 중 제1 터치 전극으로 전압 레벨이 변동되는 제1 터치 구동 신호를 공급할 때, 제1 터치 구동 신호와 동일한 주파수를 갖고 전압 레벨이 변동되며 제1 터치 구동 신호에 비해 반전된 극성을 갖는 제2 터치 구동 신호를 다수의 터치 전극 중 제1 터치 전극과 행 방향으로 인접한 제2 터치 전극으로 공급하는 터치 구동 회로를 포함하는 터치표시장치를 제공할 수 있다.

다수의 터치 전극은 제1 터치 전극과 열 방향으로 인접한 제3 터치 전극 및 제2 터치 전극과 열 방향으로 인접한 제4 터치 전극을 더 포함하고, 제3 터치 전극과 제4 터치 전극은 행 방향으로 인접할 수 있다.

본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치에서, 터치 구동 회로는, 제1 터치 전극으로 제1 터치 구동 신호를 공급하고, 제2 터치 전극으로 제1 터치 구동 신호에 비해 반전된 극성을 갖는 제2 터치 구동 신호를 공급할 때, 제1 터치 구동 신호와 동일한 주파수를 갖고 제1 터치 구동 신호와 동일한 극성을 갖는 제3 터치 구동 신호를 제3 터치 전극으로 공급하고, 제2 터치 구동 신호와 동일한 주파수를 갖고 제2 터치 구동 신호와 동일한 극성을 갖는 제4 터치 구동 신호를 제4 터치 전극으로 공급할 수 있다.

본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치에서, 터치 구동 회로는, 제1 터치 전극으로 제1 터치 구동 신호를 공급하고, 제2 터치 전극으로 제1 터치 구동 신호에 비해 반전된 극성을 갖는 제2 터치 구동 신호를 공급할 때, 제2 터치 구동 신호와 동일한 주파수를 갖고 제2 터치 구동 신호와 동일한 극성을 갖는 제3 터치 구동 신호를 제3 터치 전극으로 공급하고, 제1 터치 구동 신호와 동일한 주파수를 갖고 제1 터치 구동 신호와 동일한 극성을 갖는 제4 터치 구동 신호를 제4 터치 전극으로 공급할 수 있다.

본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치는 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 구동 회로 및 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 구동 회로를 더 포함할 수 있다.

본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치는 디스플레이 구동과 터치 구동을 동시에 수행할 수 있다. 이에 따라, 데이터 구동 회로가 영상 표시를 위한 데이터 신호들을 다수의 데이터 라인으로 출력할 때, 터치 구동 회로는 제1 터치 구동 신호 및 제2 터치 구동 신호를 출력할 수 있다.

본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치는 디스플레이 구동 영역과 터치 구동 영역을 공간적으로 분리하여 설정하고, 공간적으로 분리된 디스플레이 구동 영역 및 터치 구동 영역 각각에서 디스플레이 구동과 터치 구동을 동시에 수행할 수 있다.

이에 따라, 터치 구동 회로가 제1 터치 전극 및 제2 터치 전극 각각으로 제1 터치 구동 신호 및 제2 터치 구동 신호를 공급할 때, 터치 구동 회로는 제1 터치 전극 및 제2 터치 전극을 포함하는 제1 터치 전극 행과 열 방향으로 이격된 제2 터치 전극 행에 포함된 터치 전극들로는 터치 구동 신호를 공급하지 않고, 게이트 구동 회로는 제2 터치 전극 행과 중첩된 하나 이상의 게이트 라인으로 턴-온 전압 레벨의 게이트 신호를 출력할 수 있다.

본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치에서, 다수의 서브픽셀 각각은, 픽셀 전극, 픽셀 전극 상의 발광층, 및 발광층 상의 공통 전극을 포함하는 발광 소자, 발광 소자를 구동하기 위한 구동 트랜지스터, 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 데이터 라인 간의 전기적인 연결 여부를 스위치 하는 스위칭 트랜지스터, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 구동 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극 사이에 전기적으로 연결되는 스토리지 캐패시터를 포함할 수 있다.

픽셀 전극은 다수의 서브픽셀 마다 배치되고 구동 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극에 전기적으로 연결되고, 공통 전극은 다수의 서브픽셀에 공통을 배치되고 전압 레벨의 변동이 없는 기저 전압이 인가될 수 있다.

다수의 터치 전극 각각은 둘 이상의 서브픽셀과 크기가 대응될 수 있다.

본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치에서, 표시패널은 공통 전극과 전기적으로 연결된 다수의 기저 배선을 더 포함할 수 있다. 다수의 기저 배선은 다수의 데이터 라인과 이격되어 배치될 수 있다.

다수의 기저 배선 중 적어도 하나는, 인접한 데이터 라인과 전위차를 갖거나, 인접한 스위칭 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 인접한 데이터 라인과 연결된 전극과 전위차를 가질 수 있다.

다수의 기저 배선은 공통 전극보다 아래에 위치하고, 표시패널은 다수의 기저 배선 상에 배치되는 적어도 하나의 절연층을 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 절연층은 다수의 컨택홀을 갖고, 공통 전극은 다수의 컨택홀을 통해 노출되는 다수의 기저 배선의 일부와 전기적으로 연결될 수 있다.

다수의 기저 배선 각각은 인접한 서브픽셀에 포함된 스위칭 트랜지스터의 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극 중 적어도 하나와 동일한 층에 위치할 수 있다.

본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치에서, 표시패널은, 기저 배선보다 위에 위치하고, 스위칭 트랜지스터 또는 데이터 라인보다 아래에 위치하고, 기저 배선의 적어도 일부와 중첩되고, 스위칭 트랜지스터의 한 전극의 적어도 일부 또는 스위칭 트랜지스터의 한 전극에 전기적으로 연결된 데이터 라인의 적어도 일부와 중첩되는 쉴드층을 더 포함할 수 있다.

여기서, 쉴드층은 스토리지 캐패시터를 구성하는 제1 플레이트와 제2 플레이트 중 하나일 수 있다.

본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치에서, 제1 터치 구동 신호 및 제2 터치 구동 신호의 주파수는 디스플레이 프레임 주파수의 정수 배일 수 있다.

본 개시의 실시예들은, 다수의 터치 전극 중 제1 터치 전극으로 전압 레벨이 변동되는 제1 터치 구동 신호를 공급하는 제1 터치 구동부; 및 제1 터치 구동부가 제1 터치 전극으로 제1 터치 구동 신호를 공급할 때, 제1 터치 구동 신호와 동일한 주파수를 갖고 전압 레벨이 변동되며 제1 터치 구동 신호에 비해 반전된 극성을 갖는 제2 터치 구동 신호를 다수의 터치 전극 중 제1 터치 전극과 행 방향으로 인접한 제2 터치 전극으로 공급하는 제2 터치 구동부를 포함하는 구동회로를 제공할 수 있다.

본 개시의 실시예들에 따른 구동회로에서, 제1 터치 구동부는 제1 터치 구동 신호를 입력 받아 제1 터치 전극으로 공급하고, 제1 터치 전극으로부터 신호를 검출하는 전치 증폭기를 포함하고, 제2 터치 구동부는 제2 터치 구동 신호를 입력 받아 제2 터치 전극으로 공급하고, 제2 터치 전극으로부터 신호를 검출하는 전치 증폭기를 포함할 수 있다.

본 개시의 실시예들은, 다수의 데이터 라인; 픽셀 전극, 발광층 및 공통 전극을 포함하는 발광 소자, 발광 소자를 구동하는 구동 트랜지스터, 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 데이터 라인 간의 연결을 제어하는 스위칭 트랜지스터, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 픽셀 전극 사이에 연결된 스토리지 캐패시터를 포함하는 다수의 서브픽셀; 공통 전극 상에 배치되는 봉지층; 봉지층 상에 배치된 다수의 터치 전극; 공통 전극 보다 아래에 위치하고, 공통 전극과 전기적으로 연결된 다수의 기저 배선; 및 다수의 기저 배선보다 위에 위치하고, 스위칭 트랜지스터 또는 데이터 라인보다 아래에 위치하고, 기저 배선의 적어도 일부와 중첩되고, 스위칭 트랜지스터의 한 전극의 적어도 일부 또는 스위칭 트랜지스터의 한 전극에 전기적으로 연결된 데이터 라인의 적어도 일부와 중첩되는 다수의 쉴드층을 포함하는 터치표시장치를 제공할 수 있다.

다수의 기저 배선은 다수의 데이터 라인과 이격되어 배치될 수 있다.

본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치는, 다수의 기저 배선 상에 배치되며 다수의 컨택홀을 갖는 복수의 절연층을 더 포함할 수 있다.

공통 전극은 복수의 컨택홀을 통해 노출되는 다수의 기저 배선의 일부와 전기적으로 컨택 될 수 있다.

다수의 쉴드층 각각은, 스위칭 트랜지스터의 한 전극 또는 스위칭 트랜지스터의 한 전극에 전기적으로 연결된 데이터 라인이 기저 배선과 용량 방식으로 커플링 되는 것을 차단하도록, 기저 배선의 적어도 일부와 중첩되고, 스위칭 트랜지스터의 한 전극의 적어도 일부 또는 스위칭 트랜지스터의 한 전극에 전기적으로 연결된 데이터 라인의 적어도 일부와 중첩될 수 있다.

다수의 쉴드층 각각은 스토리지 캐패시터를 구성하는 제1 플레이트와 제2 플레이트 중 하나일 수 있다.

본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치에서, 다수의 터치 전극은 행 방향으로 인접한 제1 터치 전극과 제2 터치 전극을 포함하고, 제1 터치 전극에 전압 레벨이 변동되는 제1 터치 구동 신호가 인가될 때, 제1 터치 구동 신호와 동일한 주파수를 갖고 전압 레벨이 변동되며 제1 터치 구동 신호에 비해 반전된 극성을 갖는 제2 터치 구동 신호가 제2 터치 전극에 인가될 수 있다.

본 개시의 실시예들은, 다수의 데이터 라인, 다수의 게이트 라인 및 다수의 서브픽셀을 포함하고, 다수의 서브픽셀 각각에 대응되는 다수의 발광 소자, 다수의 발광 소자 상에 배치되는 봉지층 및 봉지층 상에 배치된 다수의 터치 전극을 포함하는 표시패널; 및 다수의 터치 전극 중 적어도 하나로 터치 구동 신호를 공급하되, 디스플레이 프레임 주파수의 정수 배에 해당하는 주파수를 갖는 터치 구동 신호를 공급하는 터치 구동 회로를 포함하는 터치표시장치를 제공할 수 있다.

본 개시의 실시예들에 의하면, 우수한 영상 품질과 정밀한 터치 감도를 제공할 수 있는 터치 센서가 내장된 자체 발광 디스플레이 타입의 터치표시장치와, 이에 포함된 구동회로를 제공할 수 있다.

본 개시의 실시예들에 의하면, 터치 구동이 디스플레이 구동에 끼치는 영향을 제거하거나 최소화할 수 있는 터치 센서가 내장된 자체 발광 디스플레이 타입의 터치표시장치와, 이에 포함된 구동회로를 제공할 수 있다.

본 개시의 실시예들에 의하면, 자체 발광을 위한 발광 소자들의 구성에 필요한 공통전극을 포함하고 터치 센서가 공통전극 상에 내장된 경우, 터치 센서의 구동을 위한 터치구동신호의 전압 레벨이 변동되더라도, 발광소자들의 공통전극에서 리플 노이즈가 발생되는 것을 방지해줄 수 있는 터치표시장치 및 구동회로를 제공할 수 있다.

본 개시의 실시예들에 의하면, 터치 센서의 구동을 위한 터치구동신호의 전압 레벨 변동에 의해 발광소자들의 공통전극에 리플 노이즈가 발생되더라도, 리플 노이즈가 디스플레이 구동에 미치는 영향을 제거하거나 최소화 해줄 수 있는 터치표시장치 및 구동회로를 제공할 수 있다.

도 1은 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치의 시스템 구성도이다.
도 2는 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치의 터치센싱시스템의 예시도이다.
도 3은 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치의 표시패널에서 서브픽셀의 등가회로이다.
도 4 및 도 5는 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치의 표시패널에서 공통 전극과 다수의 기저 배선 간의 연결 구조를 나타낸 도면들이다.
도 6은 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치의 표시패널의 단면도이다.
도 7 및 도 8은 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치의 표시패널에서, 터치구동에 의해 공통 전극에 유발되는 공통 전극 리플 노이즈와 공통 전극 리플 노이즈에 의한 영향을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치의 비-반전 구동 방식의 터치 구동을 나타낸 도면이다.
도 10은 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치에서, 공통 전극 리플 노이즈를 제거하기 위한 열 반전 방식의 터치 구동을 나타낸 도면이다.
도 11은 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치에서, 공통 전극 리플 노이즈를 제거하기 위한 도트 반전 방식의 터치 구동을 나타낸 도면이다.
도 12 및 도 13은 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치에서, 공통 전극 리플 노이즈를 제거하기 위한 구동 영역 분할 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 14 및 도 15는 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치에서, 공통 전극 리플 노이즈를 제거하기 위한 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 16은 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치에서, 공통 전극 리플 노이즈가 서브픽셀에 끼치는 영향을 줄여주기 위한 표시패널의 단면도이다.
도 17은 도 16의 단면도에 따라, 공통 전극 리플 노이즈가 데이터 신호에 커플링 되는 현상이 방지되는 것을 나타낸 등가회로이다.
도 18 및 도 19는 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치의 표시패널에서, 기저 배선의 배치 예시들이다.

이하, 본 개시의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 개시를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.

또한, 본 개시의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다.

구성 요소들의 위치 관계에 대한 설명에 있어서, 둘 이상의 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속" 등이 된다고 기재된 경우, 둘 이상의 구성 요소가 직접적으로 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수 있지만, 둘 이상의 구성 요소와 다른 구성 요소가 더 "개재"되어 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 여기서, 다른 구성 요소는 서로 "연결", "결합" 또는 "접속" 되는 둘 이상의 구성 요소 중 하나 이상에 포함될 수도 있다.

구성 요소들이나, 동작 방법이나 제작 방법 등과 관련한 시간적 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.

한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보(예: 레벨 등)가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.

도 1은 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)의 시스템 구성도이다.

도 1을 참조하면, 터치표시장치(100)는, 영상 표시를 위한 구성 요소들로서, 표시패널(110), 데이터 구동 회로(120), 게이트 구동 회로(130), 및 디스플레이 컨트롤러(140) 등을 포함할 수 있다.

표시패널(110)은 영상이 표시되는 표시영역(DA)과 영상이 표시되지 않는 비-표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 비-표시영역(NDA)은 표시영역(DA)의 외곽 영역일 수 있으며, 베젤(Bezel) 영역이라고도 할 수 있다. 비-표시영역(NDA)은 터치표시장치(100)의 앞면에서 보이는 영역이거나, 벤딩 되어 터치표시장치(100)의 앞면에서 보이지는 않는 영역일 수도 있다.

표시패널(110)은 다수의 서브픽셀(SP)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 터치표시장치(100)는 액정표시장치, 유기발광표시장치, 마이크로 LED (Micro Light Emitting Diode) 표시장치, 퀀텀닷 표시장치 등을 포함하는 다양한 타입의 표시장치일 수 있다. 터치표시장치(100)의 타입에 따라 다수의 서브픽셀(SP) 각각의 구조가 달라질 수 있다. 예를 들어, 터치표시장치(100)가 서브픽셀(SP)이 빛을 스스로 내는 자체 발광 표시 장치인 경우, 각 서브픽셀(SP)은 스스로 빛을 내는 발광 소자, 하나 이상의 트랜지스터 및 하나 이상의 캐패시터를 포함할 수 있다.

또한, 표시패널(110)은 다수의 서브픽셀(SP)을 구동하기 위하여, 여러 가지 종류의 신호 배선들을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 여러 가지 종류의 신호 배선들은 데이터 신호들(데이터 전압들 또는 영상 신호들이라고도 함)을 전달하는 다수의 데이터 라인(DL) 및 게이트 신호들(스캔 신호들이라고도 함)을 전달하는 다수의 게이트 라인(GL) 등을 포함할 수 있다.

다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)은 서로 교차할 수 있다. 다수의 데이터 라인(DL) 각각은 열 방향(Column Direction)으로 연장되면서 배치될 수 있다. 다수의 게이트 라인(GL) 각각은 행 방향(Row Direction)으로 연장되면서 배치될 수 있다.

여기서, 본 명세서에서, 열 방향(Column Direction)과 행 방향(Row Direction)은 상대적인 것이다. 예를 들어, 열 방향은 세로 방향이고 행 방향은 가로 방향일 수 있다. 다른 예를 들어, 열 방향은 가로 방향이고 행 방향은 세로 방향일 수도 있다.

데이터 구동 회로(120)는 다수의 데이터 라인(DL)을 구동하기 위한 회로로서, 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 신호들을 출력할 수 있다. 게이트 구동 회로(130)는 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하기 위한 회로로서, 다수의 게이트 라인(GL)으로 게이트 신호들을 출력할 수 있다. 디스플레이 컨트롤러(140)는 데이터 구동 회로(120) 및 게이트 구동 회로(130)를 제어하기 위한 장치로서, 다수의 데이터 라인(DL)에 대한 구동 타이밍과 다수의 게이트 라인(GL)에 대한 구동 타이밍을 제어할 수 있다.

디스플레이 컨트롤러(140)는 데이터 구동 회로(120)를 제어하기 위하여 여러 가지 종류의 데이터 구동 제어 신호들(DCS)을 데이터 구동 회로(120)에 공급하고, 게이트 구동 회로(130)를 제어하기 위하여 여러 가지 종류의 게이트 구동 제어 신호들(GCS)을 게이트 구동 회로(130)에 공급할 수 있다.

데이터 구동 회로(120)는 디스플레이 컨트롤러(140)의 구동 타이밍 제어에 따라 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 신호들을 공급할 수 있다. 데이터 구동 회로(120)는 디스플레이 컨트롤러(140)로부터 디지털 형태의 영상 데이터들(DATA)을 수신하고, 수신된 영상 데이터들(DATA)을 아날로그 형태의 데이터 신호들로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL)으로 출력할 수 있다.

게이트 구동 회로(130)는 디스플레이 컨트롤러(140)의 타이밍 제어에 따라 다수의 게이트 라인(GL)으로 게이트 신호들을 공급할 수 있다. 게이트 구동 회로(130)는 각종 게이트 구동 제어 신호(GCS)와 함께 턴-온 레벨 전압에 해당하는 제1 게이트 전압 및 턴-오프 레벨 전압에 해당하는 제2 게이트 전압을 공급받아, 게이트 신호들을 생성하고, 생성된 게이트 신호들을 다수의 게이트 라인(GL)으로 공급할 수 있다. 여기서, 턴-온 레벨 전압은 하이 레벨 전압이고, 턴-오프 레벨 전압은 로우 레벨 전압일 수 있다. 이와 반대로, 턴-온 레벨 전압은 로우 레벨 전압이고, 턴-오프 레벨 전압은 하이 레벨 전압일 수 있다.

터치표시장치(100)는 영상 표시 기능뿐만 아니라 터치 센싱 기능을 더 제공하기 위하여, 터치패널과, 터치패널을 센싱하여 손가락 또는 펜 등의 터치 오브젝트에 의해 터치가 발생했는지를 검출하거나 터치 위치를 검출하는 터치 센싱 회로(150)를 포함할 수 있다.

터치 센싱 회로(150)는 터치패널을 구동하고 센싱하여 터치 센싱 데이터를 생성하여 출력하는 터치 구동 회로(160)와, 터치 센싱 데이터를 이용하여 터치 발생을 감지하거나 터치 위치를 검출할 수 있는 터치 컨트롤러(170) 등을 포함할 수 있다.

터치패널은 센서로서 다수의 터치 전극(TE)을 포함할 수 있다. 터치패널은 다수의 터치 전극(TE)과 터치 구동 회로(160)를 전기적으로 연결해주기 위한 다수의 터치 라우팅 배선(TRW)을 더 포함할 수 있다. 터치패널 또는 터치 전극(TE)은 터치 센서라고도 한다.

터치패널은 표시패널(110)의 외부에 존재할 수도 있고 표시패널(110)의 내부에 존재할 수도 있다. 터치패널이 표시패널(110)의 외부에 존재하는 경우, 터치패널은 외장형이라고 한다. 터치패널이 외장형인 경우, 터치패널과 표시패널(110)은 별도로 제작되어, 결합될 수 있다. 외장형의 터치패널은 기판 및 기판 상의 다수의 터치 전극(TE) 등을 포함할 수 있다.

터치패널이 표시패널(110)의 내부에 존재하는 경우, 터치패널은 내장형이라고 한다. 터치패널이 내장형인 경우, 표시패널(110)의 제작 공정 중에 터치패널이 표시패널(110) 내에 형성될 수 있다.

터치 구동 회로(160)는 다수의 터치 전극(TE) 중 적어도 하나로 터치 구동 신호를 공급하고, 다수의 터치 전극(TE) 중 적어도 하나를 센싱하여 터치 센싱 데이터를 생성할 수 있다.

터치 센싱 회로(150)는 셀프-캐패시턴스(Self-Capacitance) 센싱 방식 또는 뮤추얼-캐패시턴스(Mutual-Capacitance) 센싱 방식으로 터치 센싱을 수행할 수 있다.

터치 센싱 회로(150)가 셀프-캐패시턴스 센싱 방식으로 터치 센싱을 수행하는 경우, 터치 센싱 회로(150)는 각 터치 전극(TE)과 터치 오브젝트(예: 손가락, 펜 등) 사이의 캐패시턴스를 토대로 터치 센싱을 수행할 수 있다.

터치 센싱 회로(150)가 뮤추얼-캐패시턴스 센싱 방식으로 터치 센싱을 수행하는 경우, 터치 센싱 회로(150)는 터치 전극들(TE) 사이의 캐패시턴스를 토대로 터치 센싱을 수행할 수 있다.

뮤추얼-캐패시턴스 센싱 방식에 따르면, 다수의 터치 전극(TE)은 구동 터치 전극들과 센싱 터치 전극들로 나뉜다. 터치 구동 회로(160)는 구동 터치 전극들을 구동하고 센싱 터치 전극들을 센싱할 수 있다.

셀프-캐패시턴스 센싱 방식에 따르면, 다수의 터치 전극(TE) 각각은 구동 터치 전극의 역할도 하고 센싱 터치 전극의 역할도 할 수 있다. 터치 구동 회로(160)는 다수의 터치 전극(TE)의 전체 또는 일부를 구동하고 다수의 터치 전극(TE)의 전체 또는 일부를 센싱할 수 있다.

예를 들어, 터치 구동 회로(160) 및 터치 컨트롤러(170)는 별도의 장치로 구현될 수도 있고, 하나의 장치로 구현될 수도 있다.

예를 들어, 터치 구동 회로(160)와 데이터 구동 회로(120)는 별도의 집적회로로 구현될 수도 있다. 이와 다르게, 터치 구동 회로(160)의 전체 또는 일부와 데이터 구동 회로(120)의 전체 또는 일부는 서로 통합되어 하나의 집적회로로 구현될 수 있다.

예를 들어, 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)는 OLED(Organic Light Emitting Diode) 디스플레이, 퀀텀닷(Quantum Dot) 디스플레이, 마이크로 LED(Micro Light Emitting Diode) 디스플레이 등과 같이, 표시패널(110)이 자체 발광할 수 있는 발광 소자를 포함하는 자체 발광 디스플레이일 수 있다.

도 2는 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)의 터치센싱시스템의 예시도이다.

전술한 바와 같이, 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)의 터치센싱시스템은 다수의 터치 전극(TE), 다수의 터치 라우팅 배선(TRW), 및 터치 구동 회로(160), 터치 컨트롤러(170) 등을 포함할 수 있다.

도 2를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)에서 데이터 구동 회로(120)는 다수의 데이터 구동부(DDRV)를 포함할 수 있고, 터치 구동 회로(160)는 다수의 터치 구동부(TDRV)를 포함할 수 있다.

다수의 데이터 구동부(DDRV) 각각은 별도의 집적회로로 구현될 수 있다. 다수의 터치 구동부(TDRV) 각각은 별도의 집적회로로 구현될 수 있다.

이와 다르게, 적어도 하나의 데이터 구동부(DDRV)와 적어도 하나의 터치 구동부(TDRV)가 통합되어 하나의 통합 집적회로(200)로 구현될 수도 있다.

이에 따르면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)는 하나 이상의 통합 집적회로(200)를 포함하고, 각 통합 집적회로(200)는 적어도 하나의 데이터 구동부(DDRV)와 적어도 하나의 터치 구동부(TDRV)를 포함할 수 있다.

예를 들어, 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)에서, 다수의 통합 집적회로(200) 각각은 회로필름(210) 상에 실장될 수 있다. 다수의 통합 집적회로(200)가 실장된 다수의 회로필름(210)의 일 측은 표시패널(110)에 전기적으로 연결될 수 있다. 다수의 통합 집적회로(200)가 실장된 다수의 회로필름(210)의 타 측은 인쇄회로기판(220)에 전기적으로 연결될 수 있다.

도 2를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)에서, 다수의 터치 전극(TE) 각각은 적어도 하나의 터치 라우팅 배선(TRW)을 통해 터치 구동부(TDRV)와 전기적으로 연결될 수 있다.

다수의 터치 전극(TE)은 동일한 층에 모두 위치하고, 다수의 터치 라우팅 배선(TRW)은 다수의 터치 전극(TE)과 다른 층에 위치할 수 있다.

다수의 터치 전극(TE)은 제1 터치 전극(TE1), 제1 터치 전극(TE1)과 행 방향으로 인접한 제2 터치 전극(TE2), 제1 터치 전극(TE1)과 열 방향으로 인접한 제3 터치 전극(TE3), 제3 터치 전극(TE3)과 행 방향으로 인접한 제4 터치 전극(TE4)을 포함할 수 있다.

제1 터치 전극(TE1)은 제1 터치 라우팅 배선(TRW1)과 전기적으로 연결되고, 제2 터치 전극(TE2)은 제2 터치 라우팅 배선(TRW2)과 전기적으로 연결되고, 제3 터치 전극(TE3)은 제3 터치 라우팅 배선(TRW3)과 전기적으로 연결되고, 제4 터치 전극(TE4)은 제4 터치 라우팅 배선(TRW4)과 전기적으로 연결될 수 있다.

제1 터치 라우팅 배선(TRW1)은 제3 터치 전극(TE3)과 중첩되지만 제3 터치 전극(TE3)과 전기적으로 연결되지 않는다. 제2 터치 라우팅 배선(TRW2)은 제4 터치 전극(TE4)과 중첩되지만 제4 터치 전극(TE4)와 전기적으로 연결되지 않는다.

다수의 터치 전극(TE) 각각은 하나 이상의 서브픽셀(SP)과 중첩될 수 있다.

예를 들어, 하나의 터치 전극(TE)은 둘 이상의 서브픽셀(SP)과 중첩될 수 있다. 즉, 하나의 터치 전극(TE)의 영역 크기는 둘 이상의 서브픽셀(SP)의 영역 크기와 대응될 수 있다. 이 경우, 다수의 터치 전극(TE) 각각은 둘 이상의 데이터 라인(DL)과 중첩되고, 둘 이상의 게이트 라인(GL)과 중첩될 수 있다.

제1 터치 전극(TE1) 및 제2 터치 전극(TE2)은 동일한 터치 전극 행에 배치되므로 동일한 둘 이상의 게이트 라인(GL)과 중첩될 수 있다. 제3 터치 전극(TE3) 및 제4 터치 전극(TE4)은 동일한 터치 전극 행에 배치되므로 동일한 둘 이상의 게이트 라인(GL)과 중첩될 수 있다.

제1 터치 전극(TE1) 및 제3 터치 전극(TE3)은 동일한 터치 전극 열에 배치되므로 동일한 둘 이상의 데이터 라인(DL)과 중첩될 수 있다. 제2 터치 전극(TE2) 및 제4 터치 전극(TE4)은 동일한 터치 전극 열에 배치되므로 동일한 둘 이상의 데이터 라인(DL)과 중첩될 수 있다.

다수의 터치 전극(TE) 각각은 복수의 개구부가 형성된 메쉬 타입의 전극일 수 있다. 각 터치 전극(TE)에서의 복수의 개구부 각각은 하나 이상이 서브픽셀(SP)의 발광영역과 대응되거나, 투과 영역 (또는 투명 영역)과 대응될 수 있다.

도 3은 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)의 표시패널(110)에서 서브픽셀(SP)의 등가회로이다.

도 3을 참조하면, 다수의 서브픽셀(SP) 각각은, 발광 소자(ED), 발광 소자(ED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(DT), 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 데이터 라인(DL) 간의 전기적인 연결 여부를 스위치 하는 스위칭 트랜지스터(SWT), 및 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극 또는 드레인 전극 사이에 전기적으로 연결되는 스토리지 캐패시터(Cst) 등을 포함할 수 있다.

구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극은 제1 노드(n1)에 대응된다. 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극 또는 드레인 전극은 제2 노드(n2)에 대응된다. 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극 또는 소스 전극은 제3 노드(n3)에 대응된다.

발광 소자(ED)는 픽셀 전극(PE), 발광층(EL) 및 공통 전극(CE)을 포함할 수 있다. 발광층(EL)은 픽셀 전극(PE) 상에 위치하고, 공통 전극(CE)은 발광층(EL) 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(ED)는 자체 발광 디스플레이를 위한 소자로서, 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode), 퀀텀닷(Quantum Dot)으로 만들어진 발광 소자, 또는 마이크로 LED(Micro Light Emitting Diode) 등을 포함할 수 있다.

스위칭 트랜지스터(SWT)의 드레인 전극 또는 소스 전극은 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극 또는 드레인 전극은 제1 노드(n1)에서 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 전극은 게이트 라인(GL)의 한 종류인 스캔신호 라인(SCL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(SWT)는 스캔신호 라인(SCL)에서 공급된 스캔신호(SCAN)에 의해 온-오프가 제어될 수 있다.

스토리지 캐패시터(Cst)는 제1 노드(n1)와 제2 노드(n2) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 스토리지 캐패시터(Cst)는 일정 시간(예: 한 프레임 시간) 동안 제1 노드(n1)와 제2 노드(n2) 간의 전압 차이를 유지시켜주는 역할을 할 수 있다. 스토리지 캐패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DT)의 내부 캐패시터(기생 캐패시터)가 아니라, 서브픽셀(SP)의 구동을 위하여 의도적으로 설계된 외부 캐패시터이다.

이상에서는, 각 서브픽셀(SP)이 발광 소자(ED)와 함께, 2개의 트랜지스터(DT, SWT) 및 2개의 캐패시터(Cst)를 포함하는 것으로 설명하였으나, 각 서브픽셀(SP)은 1개 이상의 트랜지스터를 더 포함할 수 있고, 경우에 따라서는 1개의 이상의 캐패시터를 더 포함할 수 있다.

예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 각 서브픽셀(SP)은 제2 노드(n2)와 기준전압 라인(RVL) 사이의 연결 여부를 제어하는 센싱 트랜지스터(SENT)를 더 포함할 수 있다.

센싱 트랜지스터(SENT)의 드레인 전극 또는 소스 전극은 기준전압 라인(RVL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 센싱 트랜지스터(SENT)의 소스 전극 또는 드레인 전극은 제2 노드(n2)에서 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결되고, 픽셀 전극(PE)과도 전기적도 연결될 수 있다. 센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 전극은 게이트 라인(GL)의 한 종류인 센스신호 라인(SENL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 센싱 트랜지스터(SENT)는 센스신호 라인(SENL)에서 공급된 센스신호(SENSE)에 의해 온-오프가 제어될 수 있다.

도 3을 참조하면, 픽셀 전극(PE)은 다수의 서브픽셀(SP) 마다 배치되고, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극 또는 드레인 전극에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 제2 노드(n2)에서, 픽셀 전극(PE)은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.

공통 전극(CE)은 다수의 서브픽셀(SP)에 공통을 배치될 수 있다. 공통 전극(CE)에는 전압 레벨의 변동이 없는 DC 전압 형태의 기저 전압(EVSS)이 인가될 수 있다. 여기서, 기저 전압(EVSS)은 모든 서브픽셀(SP)의 발광 소자(ED)에 공통으로 인가되는 공통전압에 해당할 수 있다.

도 3을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)의 표시패널(110)은 공통 전극(CE)과 전기적으로 연결된 다수의 기저 배선(EVSL)을 더 포함할 수 있다.

다수의 기저 배선(EVSL)을 이용하면, 공통 전극(CE)의 전 영역으로 기저 전압(EVSS)을 균일하게 인가해줄 수 있다. 다수의 기저 배선(EVSL)을 이용한 기저 전압(EVSS)의 공급 방식은 대면적의 표시패널(110)로 인해 대면적의 공통 전극(CE)이 구비된 경우 기저 전압(EVSS)의 효과적인 공급을 제공할 수 있다.

도 4 및 도 5는 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)의 표시패널(110)에서 공통 전극(CE)과 다수의 기저 배선(EVSL) 간의 연결 구조를 나타낸 도면들이다.

도 4 및 도 5를 참조하면, 다수의 기저 배선(EVSL)은 다수의 데이터 라인(DL)과 이격 되어 배치되되, 다수의 데이터 라인(DL)과 교차하지 않도록 다수의 데이터 라인(DL)과 평행하게 배치될 수 있다.

예를 들어, 다수의 기저 배선(EVSL) 각각은 하나의 서브픽셀 열마다 배치될 수 있다. 또는, 다수의 기저 배선(EVSL) 각각은 둘 이상의 서브픽셀 열마다 배치될 수도 있다. 또는, 다수의 기저 배선(EVSL) 각각은 하나의 픽셀 열 또는 둘 이상의 서브픽셀 열 마다 배치될 수도 있다. 여기서, 하나의 픽셀 열은 2개의 서브픽셀 열, 3개의 서브픽셀 열, 또는 4개의 서브픽셀 열을 포함할 수 있다.

도 4 및 도 5를 참조하면, 다수의 기저 배선(EVSL) 각각은 하나 이상의 컨택홀(CNT)에서 공통 전극(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 다수의 기저 배선(EVSL)과 공통 전극(CE)은 기저 전압(EVSS)이 함께 인가될 수 있다.

예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 하나의 기저 배선(EVSL)은 2개의 컨택홀(CNT)을 통해 공통 전극(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 하나의 기저 배선(EVSL)과 공통 전극(CE)이 전기적으로 연결되는 2개의 컨택홀(CNT)은 상단 지점과 하단 지점에 위치할 수 있다.

따라서, 기저 전압(EVSS)이 공통 전극(CE)의 상단 지점과 하단 지점에 함께 인가됨으로써, 공통 전극(CE)에 기저 전압(EVSS)이 균일하게 인가될 수 있다.

다른 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 하나의 기저 배선(EVSL)은 3개 이상의 컨택홀(CNT)을 통해 공통 전극(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 하나의 기저 배선(EVSL)과 공통 전극(CE)이 전기적으로 연결되는 3개 이상의 컨택홀(CNT)은 상단 지점, 하단 지점 및 하나 이상의 중간 지점에 위치할 수 있다.

따라서, 기저 전압(EVSS)이 공통 전극(CE)의 상단 지점, 하단 지점 및 하나 이상의 중간 지점에 함께 인가됨으로써, 공통 전극(CE)에 기저 전압(EVSS)이 더욱더 균일하게 인가될 수 있다.

도 6은 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)의 표시패널(110)의 단면도이다.

도 6을 참조하면, 터치표시장치(100)의 표시패널(110)은 기판(SUB)을 포함한다. 기판(SUB) 상에 다수의 서브픽셀(SP)이 형성된다. 다수의 서브픽셀(SP) 각각은 픽셀 전극(PE), 발광층(EL) 및 공통 전극(CE)을 포함하는 발광 소자(ED), 발광 소자(ED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DT), 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 데이터 라인(DL) 간의 연결을 제어하는 스위칭 트랜지스터(SWT), 및 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 픽셀 전극(PE) 사이에 연결된 스토리지 캐패시터(Cst)를 포함할 수 있다.

도 6을 참조하면, 기판(SUB) 상에 트랜지스터들(DT, SWT, SENT) 및 캐패시터(Cst)가 형성되고, 발광 소자(ED)들이 형성될 수 있다. 발광 소자들(ED)의 공통 전극(CE) 상에 봉지층(ENCAP)이 형성될 수 있다. 봉지층(ENCAP)이 산소나 수분이 발광 소자들(ED)로 침투하는 것을 방지해줄 수 있다.

도 6을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)의 표시패널(110)에서, 봉지층(ENCAP) 상에 배치된 다수의 터치 전극(TE)이 배치될 수 있다. 또한, 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)의 표시패널(110)에서, 봉지층(ENCAP) 상에 컬러필터(CF)가 배치될 수 있다.

또한, 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)의 표시패널(110)에서, 봉징츠(ENCAP) 상에 위치하는 터치 전극(TE)과 컬러필터(CF) 간의 상하 위치는 다양하게 설계될 수 있다. 예를 들어, 봉지층(ENCAP) 상에 컬러필터(CF)가 배치되고, 컬러필터(CF) 상에 터치 전극(TE)이 배치될 수 있다. 다른 예를 들어, 봉지층(ENCAP) 상에 터치 전극(TE)이 배치되고, 터치 전극(TE) 상에 컬러필터(CF)가 배치될 수 있다.

아래에서는, 도 6을 참조하여 표시패널(110)의 단면 구조를 더욱 상세하게 설명한다. 도 6에서는, 센싱 트랜지스터(SENT)는 설명의 편의를 위하여 생략된다. 또한, 도 6에서는, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극(S1)이 픽셀 전극(PE)과 전기적으로 연결되고, 스위칭 트랜지스터(SWT)의 드레인 전극(D2)이 데이터 라인(DL)과 연결되는 것으로 가정한다.

도 6을 참조하면, 기판(SUB) 상에 쉴드층들(SHD)이 배치될 수 있다.

쉴드층들(SHD) 상에 버퍼층(BUF)이 배치될 수 있다.

버퍼층(BUF) 상에 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 구동 트랜지스터(DT)가 형성될 수 있다. 센싱 트랜지스터(SENT)도 버퍼층(BUF) 상에 형성될 수 있다.

구동 트랜지스터(DT)의 반도체층(ACT1)과 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2)이 버퍼층(BUF) 상에 형성될 수 있다.

구동 트랜지스터(DT)의 반도체층(ACT1)은 채널부(CH1), 채널부(CH1)의 일 측에 위치하는 소스 연결부(CS1), 및 채널부(CH1)의 타 측에 위치하는 드레인 연결부(CD1)를 포함할 수 있다. 여기서, 소스 연결부(CS1) 및 드레인 연결부(CD1)는 반도체 물질이 도체화된 부분일 수 있다.

스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2)은 채널부(CH2), 채널부(CH2)의 일 측에 위치하는 소스 연결부(CS2), 및 채널부(CH2)의 타 측에 위치하는 드레인 연결부(CD2)를 포함할 수 있다. 여기서, 소스 연결부(CS2) 및 드레인 연결부(CD2)는 반도체 물질이 도체화된 부분일 수 있다.

버퍼층(BUF)의 아래에 형성된 쉴드층들(SHD) 중 하나는, 구동 트랜지스터(DT)의 반도체층(ACT1)의 채널부(CH1) 및 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2)의 채널부(CH2) 중 적어도 하나와 중첩될 수 있다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DT)의 반도체층(ACT1)의 채널부(CH1) 및 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2)의 채널부(CH2) 중 적어도 하나가 빛(외부 광 또는 내부 광)에 노출되는 것이 차단됨으로써 채널 특성의 변화가 방지될 수 있다.

구동 트랜지스터(DT)의 반도체층(ACT1)과 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2) 상에 게이트 절연막(GI)이 배치될 수 있다. 게이트 절연막(GI) 상에 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(G1)과 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 전극(G2)이 위치할 수 있다. 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(G1)은 구동 트랜지스터(DT)의 반도체층(ACT1)의 채널부(CH1)와 중첩될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 전극(G2)은 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2)의 채널부(CH2)와 중첩될 수 있다.

구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(G1)과 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 전극(G2) 상에 제1 층간 절연막(ILD1)이 배치될 수 있다.

제1 층간 절연막(ILD1) 상에 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극(S1) 및 드레인 전극(D1)이 배치될 수 있다. 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극(S1)은 제1 층간 절연막(ILD1)의 컨택홀을 통해 구동 트랜지스터(DT)의 반도체층(ACT1) 내 소스 연결부(CS1)와 전기적으로 컨택할 수 있다. 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(D1)은 제1 층간 절연막(ILD1)의 컨택홀을 통해 구동 트랜지스터(DT)의 반도체층(ACT1) 내 드레인 연결부(CD1)와 전기적으로 컨택할 수 있다.

제1 층간 절연막(ILD1) 상에 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극(S2) 및 드레인 전극(D2)이 배치될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극(S2)은 제1 층간 절연막(ILD1)의 컨택홀을 통해 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2) 내 소스 연결부(CS2)와 전기적으로 컨택할 수 있다. 스위칭 트랜지스터(SWT)의 드레인 전극(D2)은 제1 층간 절연막(ILD1)의 컨택홀을 통해 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2) 내 드레인 연결부(CD2)와 전기적으로 컨택할 수 있다.

도 6을 참조하면, 기저 배선(EVSL)이 제1 층간 절연막(ILD1) 상에 배치될 수 있다. 기저 배선(EVSL)은 제1 층간 절연막(ILD1) 및 버퍼층(BUF)의 컨택홀을 통해 기저 배선(EVSL) 아래에 위치하는 쉴드층(SHD)과 연결될 수도 있다. 기저 배선(EVSL)과 쉴드층(SHD)의 연결로 인해, 기저 배선(EVSL)의 저항이 감소할 수 있다.

제1 층간 절연막(ILD1) 상에 형성된 소스 전극들(S1, S2), 드레인 전극들(D1, D2) 및 기저 배선(EVSL)을 덮으면서 패시베이션층(PAS)이 배치될 수 있다.

패시베이션층(PAS) 상에 오버코트층(OC)이 배치될 수 있다. 오버코트층(OC)은 서브픽셀(SP)의 발광영역(EA)과 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 오버코트층(OC)은 발광영역(EA)과 중첩되지 않는 위치에도 댐 형태로 배치될 수 있다.

서브픽셀(SP)의 발광영역(EA)으로 정의된 지점에서, 오버코트층(OC) 상에 픽셀 전극(PE)이 배치될 수 있다. 픽셀 전극(PE)은 오버코트층(OC) 및 패시베이션층(PAS)의 컨택홀을 통해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극(S1)과 전기적으로 연결될 수 있다.

서브픽셀(SP)의 발광영역(EA)을 정의하기 위한 뱅크(BANK)가 픽셀 전극(PE) 상에 배치될 수 있다. 뱅크(BANK)에서 일부는 오픈 되어 픽셀 전극(PE)의 일부분이 노출된다. 뱅크(BANK)의 오픈 영역이 발광영역(EA)에 해당할 수 있다.

뱅크(BANK)의 오픈 영역으로 노출된 픽셀 전극(PE) 상에 발광층(EL)이 배치될 수 있다. 발광층(EL) 상에 공통 전극(CE)이 배치될 수 있다.

도 6을 참조하면, 패시베이션층(PAS)에는 기저 배선(EVSL)과 연결을 위한 컨택홀(CNT)이 형성되어 있다. 공통 전극(CE)과 기저 배선(EVSL) 간의 전기적 연결을 위한 패시베이션층(PAS)의 컨택홀(CNT) 근방에서, 공통 전극(CE)은 끊어져 있거나 관통 홀(구멍)이 존재할 수 있다. 공통 전극(CE)과 기저 배선(EVSL) 간의 전기적 연결을 위한 패시베이션층(PAS)의 컨택홀(CNT)은 상대적으로 큰 제1 컨택홀(CNT1)과 상대적으로 작은 제2 컨택홀(CNT2)을 포함할 수 있다.

공통 전극(CE)과 기저 배선(EVSL) 간의 전기적 연결을 위한 패시베이션층(PAS)의 제1 컨택홀(CNT1)은 픽셀 전극(PE)과 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극(S1) 간의 전기적 연결을 위한 패시베이션층(PAS)의 컨택홀보다 휠씬 큰 폭(위에서 봤을 때 홀의 직경)을 갖는다.

패시베이션층(PAS)에 형성된 제1 컨택홀(CNT1)을 통해 기저 배선(EVSL)의 일부가 상대적으로 넓게 노출될 수 있다. 패시베이션층(PAS)에 형성된 제2 컨택홀(CNT2)을 통해 기저 배선(EVSL)의 일부가 조금 노출될 수 있다.

공통 전극(CE)의 일 부분은 패시베이션층(PAS)의 제1 컨택홀(CNT1)을 통해 기저 배선(EVSL)의 일부분과 전기적으로 연결될 수 있다. 공통 전극(CE)의 다른 부분은 패시베이션층(PAS)의 제2 컨택홀(CNT2)을 통해 기저 배선(EVSL)의 다른 부분과 전기적으로 연결될 수 있다.

공통 전극(CE)의 다른 부분이 패시베이션층(PAS)의 제2 컨택홀(CNT2)을 통해 기저 배선(EVSL)의 다른 부분과 전기적으로 연결될 때, 반사판(RP)을 통해 연결될 수도 있다. 여기서, 반사판(RP)은 픽셀 전극(PE)이 형성될 때, 픽셀 전극(PE)과 동일한 물질로 형성된 층일 수 있다.

도 6을 참조하면, 공통 전극(CE) 상에 봉지층(ENCAP)이 배치될 수 있다. 봉지층(ENCAP)은 외부의 수분이나 산소에 취약한 발광 소자(ED)로 외부의 수분이나 산소가 침투되는 것을 차단할 수 있다. 봉지층(ENCAP)은 하나의 층으로 되어 있을 수도 있지만, 다수의 층으로 되어 있을 수도 있다.

예를 들어, 봉지층(ENCAP)은 하나 이상의 무기 봉지층과 하나 이상의 유기 봉지층을 포함할 수 있다.

구체적인 예로서, 봉지층(ENCAP)은 제1 무기 봉지층, 유기 봉지층 및 제2 무기 봉지층이 순서대로 적층되어 구성될 수 있다. 제1 무기 봉지층은 발광 소자(ED)와 가장 인접하도록 공통 전극(CE)이 형성된 기판(SUB) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 무기 봉지층은 질화실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 저온 증착이 가능한 무기 절연 재질로 형성될 수 있다. 제1 무기 봉지층은 증착 공정 시 고온 분위기에 취약한 유기물을 포함하는 발광층(EL)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 유기 봉지층은 제1 무기 봉지층보다 작은 면적으로 형성될 수 있다. 유기 봉지층은 제1 무기 봉지층의 양끝단을 노출시키도록 형성될 수 있다. 유기 봉지층은 유기발광표시장치일 수 있는 터치표시장치(100)의 휘어짐에 따른 각 층들 간의 응력을 완화시키는 완충 역할을 하며, 평탄화 성능을 강화하는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 유기 봉지층은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 또는 실리콘옥시카본(SiOC)과 같은 유기 절연 재질로 형성될 수 있다. 제2 무기 봉지층은 유기 봉지층이 형성된 기판(SUB) 상에 유기 봉지층 및 제1 무기 봉지층 각각의 상부면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 제2 무기 봉지층은 외부의 수분이나 산소가 제1 무기 봉지층 및 유기 봉지층으로 침투하는 것을 최소화하거나 차단한다.

도 6을 참조하면, 봉지층(ENCAP) 상에 터치 버퍼막(T-BUF)이 배치될 수 있다. 터치 버퍼막(T-BUF)은 터치 센서 메탈과, 발광 소자(ED)의 공통 전극(CE) 사이의 이격 거리가 미리 정해진 최소 이격 거리(예: 5㎛)를 유지하도록 설계될 수 있다. 이에 따라, 터치 센서 메탈과, 발광 소자(ED)의 공통 전극(CE) 사이에 형성되는 기생 캐패시턴스를 줄여주거나 방지해줄 수 있고, 이를 통해, 기생 캐패시턴스에 의한 터치 감도 저하를 방지해줄 수 있다. 또한, 터치 버퍼막(T-BUF)은 터치 버퍼막(T-BUF) 상에 배치되는 터치 센서 메탈의 제조 공정 시 이용되는 약액(현상액 또는 식각액 등등) 또는 외부로부터의 수분 등이 유기물을 포함하는 발광층(EL)으로 침투되는 것을 차단할 수 있다.

터치 버퍼막(T-BUF)은 고온에 취약한 유기물을 포함하는 발광층(EL)의 손상을 방지하기 위해 일정 온도(예: 100도(℃)) 이하의 저온에서 형성 가능하고 1~3의 저유전율을 가지는 유기 절연 재질로 형성된다. 예를 들어, 터치 버퍼막(T-BUF)은 아크릴 계열, 에폭시 계열 또는 실록산(Siloxan) 계열의 재질로 형성될 수 있다. 유기 절연 재질로 평탄화 성능을 가지는 터치 버퍼막(T-BUF)은 터치표시장치(100)의 휘어짐에 따른 봉지층(ENCAP) 내의 각 봉지층의 손상 및 터치 버퍼막(T-BUF) 상에 형성되는 터치 센서 메탈의 깨짐 현상을 방지할 수 있다.

전술한 터치 버퍼막(T-BUF)은 필수적이지 않고 경우에 따라 생략될 수 있다.

터치 전극(TE)은 터치 버퍼막(T-BUF) 상에 배치되거나 봉지층(ENCAP) 상에 바로 배치될 수 있다. 도 6에 도시된 터치 전극(TE)은 메쉬 타입으로 도시된 것이다.

터치 전극(TE) 상에 제2 층간 절연막(ILD2)이 배치될 수 있다. 제2 층간 절연막(ILD2) 상에 컬러필터(CF)가 배치될 수 있으며 컬러필터(CF)와 함께 블랙 매트릭스도 배치될 수 있다. 여기서, 컬러필터(CF) 및 블랙 매트릭스는 선택적으로 배치될 수 있는 구성들일 수 있다.

컬러필터(CF) 상에 보호층(PAC)이 배치될 수 있다. 보호층(PAC)은 접착층(OCA)을 통해 커버 글래스(CG)와 결합될 수 있다. 커버 글래스(CG) 상에 반사 방지 필름(ARF)이 배치될 수 있다. 여기서, 반사 방지 필름(ARF)은 선택적으로 배치될 수 있는 필름일 수 있다.

도 6은 표시영역(DA)에 대한 단면도이다. 표시패널(110)의 표시영역(DA)의 비 표시영역(NDA)의 경계 근방에서, 봉지층(ENCAP)은 외곽 경사면을 포함할 수 있다. 표시패널(110)은 봉지층(ENCAP)의 외곽 경사면이 끝나는 영역에 위치하는 댐(Dam) 부와, 비-표시영역(NDA)에 위치하고 댐 부보다 더 외곽에 위치하는 패드부 등을 더 포함할 수 있다. 터치 라우팅 배선(TRW)은 봉지층(ENCAP)의 외곽 경사면을 따라 하강하여 댐 부의 상부를 지나 패드부와 전기적으로 연결될 수 있다.

댐 부는 하나 이상의 댐을 포함할 수 있는데, 액상 형태의 유기 봉지층이 표시영역(DA)에 적하될 때, 액상 형태의 유기 봉지층이 비-표시영역(NDA)의 방향으로 무너져 패드부를 침범하는 것을 방지할 수 있다. 이러한 효과는 댐 부가 복수의 댐를 포함하는 경우, 더욱 커질 수 있다.

댐 부의 댐 형성 물질 층은 서브픽셀들(SP)을 서로 분리하기 위한 뱅크(BANK)와 동일한 물질을 포함하거나, 층간 간격을 유지하기 위한 스페이서 등과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 댐 부는 제1 무기 봉지층 및/또는 제2 무기 봉지층이 댐 형성 물질 층 상에 적층 된 구조로 되어 있을 수 있다.

도 6을 참조하면, 기저 배선(EVSL)은 공통 전극(CE) 보다 아래에 위치하고, 공통 전극(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다.

도 6을 참조하면, 다수의 기저 배선(EVSL) 중 적어도 하나는 인접한 데이터 라인(DL)과 전위차를 가질 수 있다. 또는, 다수의 기저 배선(EVSL) 중 적어도 하나는 인접한 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극(S2) 및 드레인 전극(D2) 중 인접한 데이터 라인(DL)과 연결된 한 전극(도 6의 경우, 드레인 전극(D2))과 전위차를 가질 수 있다.

도 6을 참조하면, 다수의 기저 배선(EVSL) 상에 적어도 하나의 절연층으로서 패시베이션층(PAS)이 배치될 수 있다. 적어도 하나의 절연층에 해당하는 패시베이션층(PAS)은 다수의 컨택홀(CNT1, CNT2)을 갖고, 공통 전극(CE)은 다수의 컨택홀(CNT1, CNT2)을 통해 노출되는 다수의 기저 배선(EVSL)의 일부와 전기적으로 연결될 수 있다.

다수의 기저 배선(EVSL) 각각은 인접한 서브픽셀(SP)에 포함된 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극(S2), 드레인 전극(D2) 및 게이트 전극(G2) 중 적어도 하나와 동일한 층에 위치할 수 있다. 도 6의 예시에서는, 다수의 기저 배선(EVSL) 각각은 인접한 서브픽셀(SP)에 포함된 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극(S2) 및 드레인 전극(D2)과 동일한 층에 위치할 수 있으며, 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극(S2) 및 드레인 전극(D2)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.

도 6을 참조하면, 영역 X은 도시된 서브픽셀(SP)의 발광영역(EA)과 다른 서브픽셀(SP)의 발광영역(EA) 사이에 영역일 수도 있다. 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)가 투명 디스플레이인 경우, 영역 X는 투명 영역 (또는 투과 영역이라고도 함)일 수도 있다.

터치 구동 시, 표시패널(110)에서는 다양한 캐패시턴스(Cf, Cp, Cc)가 형성될 수 있다. 아래에서는, 도 7을 참조하여, 표시패널(110) 내 형성되는 다양한 캐패시턴스(Cf, Cp, Cc)에 대하여 설명한다.

도 7 및 도 8은 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)의 표시패널(110)에서, 터치 구동에 의해 공통 전극(CE)에 유발되는 공통 전극 리플 노이즈(CE Ripple Noise)와 공통 전극 리플 노이즈에 의한 영향을 설명하기 위한 도면이다.

도 7을 참조하면, 터치 구동부(TDRV)는 하나 이상의 전치 증폭기(PRE-AMP)를 포함할 수 있다. 전치 증폭기(PRE-AMP)는 터치 구동 신호(TDS)가 입력되는 비 반전 입력단(IN), 터치 전극(TE)과 전기적으로 연결되는 반전 입력단(INR), 출력 신호를 출력하는 출력단(OUT), 및 비 반전 입력단(IN)과 출력단(OUT) 사이에 연결된 피드백 캐패시터(Cfb)를 포함할 수 있다.

터치 구동 신호(TDS)는 전압 레벨이 변동되는 신호일 수 있으며, 소정의 주파수 및 진폭을 가질 수 있다.

도 6 및 도 7을 참조하면, 사용자의 손가락이나 펜 등을 이용하여 화면을 터치하게 되면, 손가락이나 펜 등과 터치 전극(TE) 사이에 캐패시턴스(Cf)가 형성될 수 있다. 이러한 캐패시턴스(Cf)를 핑거(Finger) 캐패시턴스(Cf)라고 한다.

터치표시장치(100)의 터치 센싱 회로(150)는 각 터치 전극(TE)에서의 핑거 캐패시턴스(Cf)의 변화를 토대로 터치 좌표를 센싱할 수 있다.

도 6 및 도 7을 참조하면, 공통 전극(CE)과 터치 전극(TE)은 용량 방식으로 커플링 될 수 있다. 따라서, 공통 전극(CE)과 터치 전극(TE) 간의 전위차가 발생하면, 공통 전극(CE)과 터치 전극(TE) 사이에 기생 캐패시턴스(Cp)가 형성될 수 있다.

도 6 및 도 7을 참조하면, 기저 배선(EVSL)은 인접한 데이터 라인(DL)과 이격되어 데이터 라인(DL)과 평행하게 배치될 수 있다. 또한, 기저 배선(EVSL)은 데이터 라인(DL)과 연결된 전극(드레인 전극(D2) 또는 소스 전극(S2))을 갖는 스위칭 트랜지스터(SWT)와도 인접하게 배치될 수 있다.

이러한 구조에 따르면, 기저 전압(EVSS)이 인가되는 기저 배선(EVSL)과 데이터 신호(Vdata)가 인가되는 데이터 라인(DL)은 용량 방식으로 커플링 될 수 있다. 또는 기저 전압(EVSS)이 인가되는 기저 배선(EVSL)과 스위칭 트랜지스터(SWT)의 한 전극(드레인 전극 또는 소스 전극)은 용량 방식으로 커플링 될 수 있다. 여기서, 데이터 라인(DL)은 스위칭 트랜지스터(SWT)의 한 전극(드레인 전극 또는 소스 전극)과 전기적으로 연결될 수 있다.

따라서, 기저 배선(EVSL)과 데이터 라인(DL) 사이에는 커플링 캐패시턴스(Cc)가 형성될 수 있다. 다르게 표현하면, 기저 배선(EVSL)과 스위칭 트랜지스터(SWT)의 한 전극(드레인 전극 또는 소스 전극) 사이에 커플링 캐패시턴스(Cc)가 형성될 수 있다.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 터치 전극(TE)에 전압 레벨이 변동되는 터치 구동 신호(TDS)가 인가될 때, 터치 구동 신호(TDS)의 전압 레벨이 변동되는 타이밍마다 공통 전극(CE)에 리플 노이즈(Ripple Noise)가 발생할 수 있다. 아래에서는, 터치 구동 신호(TDS)의 전압 레벨 변동에 의해 공통 전극(CE)에서 발생되는 리플 노이즈를 공통 전극 리플 노이즈라고 한다.

도 8을 참조하면, 터치 구동 신호(TDS)의 전압 레벨이 라이징 될 때 공통 전극 리플 노이즈는 양의 극성 (또는 음의 극성)을 갖고, 터치 구동 신호(TDS)의 전압 레벨이 폴링 될 때 공통 전극 리플 노이즈는 음의 극성 (또는 양의 극성)을 가질 수 있다.

이에 따라, 공통 전극(CE)에 인가된 기저 전압(EVSS)에는 기저 전압 값을 기준으로 양의 피크와 음의 피크가 발생할 수 있다. 양의 피크와 음의 피크는 공통 전극 리플 노이즈에 의한 것으로서, 터치 구동 신호(TDS)의 전압 레벨이 라이징 되는 타이밍이나 폴링 되는 타이밍에 발생될 수 있다.

도 6 및 도 7을 참조하면, 터치 구동 신호(TDS)의 전압 레벨 변동에 의해 공통 전극(CE)에서 발생되는 공통 전극 리플 노이즈는 기저 배선(EVSL)과 용량 방식으로 커플링 된 데이터 라인(DL)으로 전달될 수 있다. 여기서, 데이터 라인(DL)은 스위칭 트랜지스터(SWT)의 드레인 전극 또는 소스 전극과 연결될 수 있다.

공통 전극 리플 노이즈가 데이터 라인(DL)으로 전달됨에 따라, 데이터 라인(DL)에 인가된 데이터 신호(Vdata)에서 공통 전극 리플 노이즈에 해당하는 양의 크 및 음의 피크가 발생하게 된다.

스캔신호들(SCAN1, SCAN2, SCAN3, SCAN4)의 타이밍에 따르면, 픽셀 충전에 활용되는 데이터 전압들(V1, V2, V3, V4) 중 일부(V3, V4)는 공통 전극 리플 노이즈에 의해 나머지(V1, V2)와 전압 값과 달라질 수 있다. 이로 인해, 픽셀 충전 차이가 발생하게 되어 주변보다 밝거나 어두운 가로 선이 보이는 이상 현상이 발생할 수 있으며, 영상 품질 저하로 이어진다.

도 9는 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)의 비-반전 구동 방식의 터치 구동을 나타낸 도면이다.

도 9를 참조하면, 터치 구동 회로(160)에 포함된 터치 구동부들(TDRV1~TDRV7)은 터치 구동 신호들(TDS)을 입력 받아 터치 전극들(TE)로 공급함으로써 터치 구동을 수행할 수 있다.

터치 구동부들(TDRV1~TDRV7) 각각은 하나 이상의 전치 증폭기(PRE-AMP)를 포함할 수 있다. 또한, 터치 구동부들(TDRV1~TDRV7) 각각은 다수의 터치 전극(TE) 중 하나 이상을 선택하여 하나 이상의 전치 증폭기(PRE-AMP)에 대응시켜 연결해주는 멀티플렉서 회로를 포함할 수 있다.

제1 구동 기간에, 터치 구동부들(TDRV1~TDRV7)은 제1 터치 전극 행에 배열된 터치 전극들(TE)로 터치 구동 신호(TDS)를 공급하거나 모든 터치 전극들(TE)로 터치 구동 신호(TDS)를 공급하고, 제1 터치 전극 행에 배열된 터치 전극들(TE)을 센싱할 수 있다.

제2 구동 기간에, 터치 구동부들(TDRV1~TDRV7)은 제2 터치 전극 행에 배열된 터치 전극들(TE)로 터치 구동 신호(TDS)를 공급하거나 모든 터치 전극들(TE)로 터치 구동 신호(TDS)를 공급하고, 제2 터치 전극 행에 배열된 터치 전극들(TE)을 센싱할 수 있다.

제3 구동 기간에, 터치 구동부들(TDRV1~TDRV7)은 제3 터치 전극 행에 배열된 터치 전극들(TE)로 터치 구동 신호(TDS)를 공급하거나 모든 터치 전극들(TE)로 터치 구동 신호(TDS)를 공급하고, 제3 터치 전극 행에 배열된 터치 전극들(TE)을 센싱할 수 있다.

제4 구동 기간에, 터치 구동부들(TDRV1~TDRV7)은 제4 터치 전극 행에 배열된 터치 전극들(TE)로 터치 구동 신호(TDS)를 공급하거나 모든 터치 전극들(TE)로 터치 구동 신호(TDS)를 공급하고, 제4 터치 전극 행에 배열된 터치 전극들(TE)을 센싱할 수 있다.

도 9를 참조하면, 터치 구동부들(TDRV1~TDRV7) 각각에서 출력하는 터치 구동 신호들(TDS)은 동일한 위상을 가질 수 있다. 즉, 터치 구동부들(TDRV1~TDRV7) 각각에서 출력하는 터치 구동 신호들(TDS)은 동일한 시점에 동일한 극성을 가질 수 있다.

따라서, 터치 전극들(TE)에 인가되는 터치 구동 신호(TDS)는 동일한 위상을 가질 수 있다. 즉, 동일한 시점에 터치 전극들(TE)에 인가되는 터치 구동 신호(TDS)의 극성은 동일할 수 있다.

이에 따라, 터치 구동부들(TDRV1~TDRV7) 각각에서 출력하는 터치 구동 신호들(TDS)에 의해 공통 전극(CE)에서 발생되는 공통 전극 리플 노이즈들의 극성 변화도 동일하다. 따라서, 공통 전극(CE)에 인가된 기저 전압(EVSS)이 공통 전극 리플 노이즈로 인해 큰 영향을 받게 되어, 발광 소자(ED)가 정상적으로 동작하지 않을 수 있다. 또한, 공통 전극(CE)에 연결된 기저 배선(EVSL)이 데이터 라인(DL)과 커플링 되어, 통 전극 리플 노이즈가 데이터 라인(DL)에도 악영향을 끼치게 되어, 픽셀 충전이 정상적으로 이루어지지 못할 수 있다.

아래에서는, 터치 구동 신호(TDS)의 전압 레벨 변동에도 불구하고, 공통 전극(CE)에서 공통 전극 리플 노이즈가 발생하지 않도록 해주거나 최소화해줄 수 있는 방법들을 제시한다.

아래에서는, 도 10 및 도 11을 참조하여, 반전 구동 방식을 이용하여 공통 전극(CE)에서 공통 전극 리플 노이즈를 제거하는 방법을 설명한다. 도 12 및 도 13을 참조하여, 구동 영역 분할 방식을 이용하여, 공통 전극 리플 노이즈의 영향을 최소화 해주는 방법을 설명한다. 도 14 및 도 15를 참조하여, 구동 주파수 조절 방식을 이용하여, 공통 전극 리플 노이즈에 의해 디스플레이 프레임이 받는 영향을 최소화하는 방법을 설명한다. 도 16 및 도 17을 참조하여, 커플링 차단 방식을 이용하여, 공통 전극 리플 노이즈가 데이터 신호(Vdata)를 왜곡시키는 현상을 차단해주는 방법을 설명한다.

도 10은 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)에서, 공통 전극 리플 노이즈를 제거하기 위한 열 반전(Column Inversion) 방식의 터치 구동을 나타낸 도면이다. 도 11은 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)에서, 공통 전극 리플 노이즈를 제거하기 위한 도트 반전(Dot Inversion) 방식의 터치 구동을 나타낸 도면이다.

도 10 및 도 11을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)는 반전 구동 방식을 이용하여 공통 전극(CE)에서 공통 전극 리플 노이즈를 제거해줄 수 있다.

도 10 및 도 11을 참조하면, 표시패널(110)에 배치된 다수의 터치 전극(TE)은 제1 터치 전극(TE1), 제1 터치 전극(TE1)과 행 방향으로 인접한 제2 터치 전극(TE2), 제1 터치 전극(TE1)과 열 방향으로 인접한 제3 터치 전극(TE3) 및 제2 터치 전극(TE2)과 열 방향으로 인접한 제4 터치 전극(TE4)을 포함할 수 있다.

제1 터치 전극(TE1) 및 제2 터치 전극(TE2)은 행 방향으로 서로 인접하고 제1 터치 전극 행에 포함되고, 제3 터치 전극(TE3) 및 제4 터치 전극(TE4)은 행 방향으로 서로 인접하고 제2 터치 전극 행에 포함될 수 있다. 제1 터치 전극(TE1) 및 제3 터치 전극(TE3)은 열 방향으로 서로 인접하고 제1 터치 전극 열에 포함되고, 제2 터치 전극(TE2) 및 제4 터치 전극(TE4)는 열 방향으로 서로 인접하고 제2 터치 전극 열에 포함될 수 있다.

도 10 및 도 11을 참조하면, 터치 구동 회로(160)는, 제1 터치 전극(TE1)으로 전압 레벨이 변동되는 제1 터치 구동 신호(TDS1)를 공급할 때, 제1 터치 구동 신호(TDS1)와 동일한 주파수를 갖고 전압 레벨이 변동되며 제1 터치 구동 신호(TDS1)에 비해 반전된 극성을 갖는 제2 터치 구동 신호(TDS2)를 제2 터치 전극(TE2)으로 공급할 수 있다.

도 10 및 도 11을 참조하면, 터치 구동 회로(160)의 제1 터치 구동부(TDRV1)는 제1 터치 전극(TE1)으로 전압 레벨이 변동되는 제1 터치 구동 신호(TDS1)를 공급할 수 있다. 터치 구동 회로(160)의 제1 터치 구동부(TDRV1)가 제1 터치 전극(TE1)으로 제1 터치 구동 신호(TDS1)를 공급할 때, 터치 구동 회로(160)의 제2 터치 구동부(TDRV2)는 제1 터치 구동 신호(TDS1)와 동일한 주파수를 갖고 전압 레벨이 변동되며 제1 터치 구동 신호(TDS1)에 비해 반전된 극성을 갖는 제2 터치 구동 신호(TDS2)를 제2 터치 전극(TE2)으로 공급할 수 있다.

도 10 및 도 11을 참조하면, 제1 터치 구동부(TDRV1)는 제1 터치 구동 신호(TDS1)를 입력 받아 입력된 제1 터치 구동 신호(TDS1)를 제1 터치 전극(TE1)으로 공급하고, 제1 터치 전극(TE1)으로부터 신호를 검출하는 전치 증폭기(PRE-AMP)를 포함할 수 있다.

제2 터치 구동부(TDRV2)는 제2 터치 구동 신호(TDS2)를 입력 받아 입력된 제2 터치 구동 신호(TDS2)를 제2 터치 전극(TE2)으로 공급하고, 제2 터치 전극(TE2)으로부터 신호를 검출하는 전치 증폭기(PRE-AMP)를 포함할 수 있다.

행 방향으로 인접한 제1 터치 전극(TE1) 및 제2 터치 전극(TE2) 각각으로 인가되는 제1 터치 구동 신호(TDS1)와 제2 터치 구동 신호(TDS2)가 극성이 반대라는 것은, 제1 터치 구동 신호(TDS1)와 제2 터치 구동 신호(TDS2) 간의 위상이 반대라는 의미일 수 있다. 제1 터치 구동 신호(TDS1)와 제2 터치 구동 신호(TDS2) 간의 위상이 반대라는 것은 제1 터치 구동 신호(TDS1)와 제2 터치 구동 신호(TDS2) 간의 위상 차이가 반 파장만큼 난다는 의미일 수 있다.

따라서, 제1 터치 구동 신호(TDS1)의 전압 레벨이 라이징 될 때, 제2 터치 구동 신호(TDS2)의 전압 레벨은 폴링 된다. 제1 터치 구동 신호(TDS1)의 전압 레벨이 폴링 될 때, 제2 터치 구동 신호(TDS2)의 전압 레벨은 라이징 된다.

따라서, 제1 터치 구동 신호(TDS1)의 전압 레벨 변동에 의해 공통 전극(CE)에 인가되는 기저 전압(EVSS)에 발생되는 공통 전극 리플 노이즈의 극성과, 제2 터치 구동 신호(TDS2)의 전압 레벨 변동에 의해 공통 전극(CE)에 인가되는 기저 전압(EVSS)에 발생되는 공통 전극 리플 노이즈의 극성은 서로 반대가 된다.

이에 따라, 제1 터치 구동 신호(TDS1)의 전압 레벨 변동에 의해 공통 전극(CE)에 인가되는 기저 전압(EVSS)에 발생되는 공통 전극 리플 노이즈와 제2 터치 구동 신호(TDS2)의 전압 레벨 변동에 의해 공통 전극(CE)에 인가되는 기저 전압(EVSS)에 발생되는 공통 전극 리플 노이즈는 서로 상쇄되어 제거될 수 있다. 따라서, 공통 전극(CE)의 전압 상태는 일정한 DC 전압 형태의 기저 전압(EVSS)으로 유지될 수 있다.

전술한 바와 같이, 터치표시장치(100)는 반전 구동 방식을 이용하여 공통 전극(CE)에서 공통 전극 리플 노이즈를 제거해줄 수 있다.

동일 시점에, 행 방향으로 인접한 터치 전극들(TE)이 동시에 구동된다고 가정할 때, 반전 구동(Inversion Driving) 방식은 도 10의 열 반전 구동(Column Inversion Driving) 방식과 도 11의 도트 반전 구동(Dot Inversion Driving) 방식 등을 포함할 수 있다.

이와 다르게, 동일 시점에, 열 방향으로 인접한 터치 전극들(TE)이 동시에 구동된다고 가정할 때, 반전 구동(Inversion Driving) 방식은 행 반전 구동(Row Inversion Driving) 방식과 도트 반전 구동(Dot Inversion Driving) 방식 등을 포함할 수 있다. 본 명세서에서는 행과 열은 상대적인 것으로 봐야만 한다.

도 10을 참조하면, 터치 구동 회로(160)는 열 반전 구동을 수행할 수 있다. 즉, 터치 구동 회로(160)는 행 방향으로 인접한 2개의 터치 전극 열에는 극성이 반대인 터치 구동 신호(TDS)를 공급할 수 있다.

도 10을 참조하면, 터치 구동 회로(160)는 제1 터치 라우팅 배선(TRW1)을 통해 제1 터치 전극(TE1)으로 제1 터치 구동 신호(TDS1)를 공급하고 제2 터치 라우팅 배선(TRW2)을 통해 제2 터치 전극(TE2)으로 제1 터치 구동 신호(TDS1)에 비해 반전된 극성을 갖는 제2 터치 구동 신호(TDS2)를 공급할 때, 터치 구동 회로(160)는 제1 터치 구동 신호(TDS1)와 동일한 주파수를 갖고 제1 터치 구동 신호(TDS1)와 동일한 극성을 갖는 제3 터치 구동 신호(TDS3)를 제3 터치 라우팅 배선(TRW3)을 통해 제3 터치 전극(TE3)으로 공급하고, 제2 터치 구동 신호(TDS2)와 동일한 주파수를 갖고 제2 터치 구동 신호(TDS2)와 동일한 극성을 갖는 제4 터치 구동 신호(TDS4)를 제4 터치 라우팅 배선(TRW4)을 통해 제4 터치 전극(TE4)으로 공급할 수 있다.

도 10을 참조하면, 제1 및 제3 터치 구동 신호(TDS1, TDS3)와 제2 및 제4 터치 구동 신호(TDS2, TDS4) 간의 극성 반전으로 인해서, 제1 및 제3 터치 구동 신호(TDS1, TDS3)에 의해 공통 전극(CE)에서 발생되는 공통 전극 리플 노이즈(RN1)와, 제2 터치 구동 신호(TDS2)에 의해 공통 전극(CE)에서 발생되는 공통 전극 리플 노이즈(RN2)는 서로 다른 극성을 가질 수 있다. 따라서, 공통 전극(CE)에서는 서로 반대 극성의 공통 전극 리플 노이즈들이 상쇄되고, 공통 전극(CE)에서의 기저 전압(EVSS)은 전압 레벨이 변동되지 않는 DC 전압 형태를 가지게 된다.

도 11을 참조하면, 터치 구동 회로(160)는 도트 반전 구동을 수행할 수 있다. 즉, 터치 구동 회로(160)는 행 방향 및 열 방향으로 인접한 모든 터치 전극(TE)으로 반대 극성의 터치 구동 신호(TDS)를 공급할 수 있다.

도 11을 참조하면, 터치 구동 회로(160)는, 제1 터치 라우팅 배선(TRW1)을 통해 제1 터치 전극(TE1)으로 제1 터치 구동 신호(TDS1)를 공급하고, 제2 터치 라우팅 배선(TRW2)을 통해 제2 터치 전극(TE2)으로 제1 터치 구동 신호(TDS1)에 비해 반전된 극성을 갖는 제2 터치 구동 신호(TDS2)를 공급할 때, 제2 터치 구동 신호(TDS2)와 동일한 주파수를 갖고 제2 터치 구동 신호(TDS2)와 동일한 극성을 갖는 제3 터치 구동 신호(TDS3)를 제3 터치 라우팅 배선(TRW3)을 통해 제3 터치 전극(TE3)으로 공급하고, 제1 터치 구동 신호(TDS1)와 동일한 주파수를 갖고 제1 터치 구동 신호(TDS1)와 동일한 극성을 갖는 제4 터치 구동 신호(TDS4)를 제4 터치 라우팅 배선(TRW4)을 통해 제4 터치 전극(TE4)으로 공급할 수 있다.

도 11을 참조하면, 제1 터치 구동 신호(TDS1)와 제2 터치 구동 신호(TDS2) 간의 극성 반전으로 인해서, 제1 터치 구동 신호(TDS1)에 의해 공통 전극(CE)에서 발생되는 공통 전극 리플 노이즈(RN1)와, 제2 터치 구동 신호(TDS2)에 의해 공통 전극(CE)에서 발생되는 공통 전극 리플 노이즈(RN2)는 서로 다른 극성을 가질 수 있다.

또한, 제3 터치 구동 신호(TDS3)와 제4 터치 구동 신호(TDS4) 간의 극성 반전으로 인해서, 제3 터치 구동 신호(TDS3)에 의해 공통 전극(CE)에서 발생되는 공통 전극 리플 노이즈(RN3)와, 제4 터치 구동 신호(TDS4)에 의해 공통 전극(CE)에서 발생되는 공통 전극 리플 노이즈(RN4)는 서로 다른 극성을 가질 수 있다.

또한, 제1 터치 구동 신호(TDS1)와 제3 터치 구동 신호(TDS3) 간의 극성 반전으로 인해서, 제1 터치 구동 신호(TDS1)에 의해 공통 전극(CE)에서 발생되는 공통 전극 리플 노이즈(RN1)와, 제3 터치 구동 신호(TDS3)에 의해 공통 전극(CE)에서 발생되는 공통 전극 리플 노이즈(RN3)는 서로 다른 극성을 가질 수 있다.

또한, 제2 터치 구동 신호(TDS2)와 제4 터치 구동 신호(TDS4) 간의 극성 반전으로 인해서, 제2 터치 구동 신호(TDS2)에 의해 공통 전극(CE)에서 발생되는 공통 전극 리플 노이즈(RN2)와, 제4 터치 구동 신호(TDS4)에 의해 공통 전극(CE)에서 발생되는 공통 전극 리플 노이즈(RN4)는 서로 다른 극성을 가질 수 있다.

따라서, 공통 전극(CE)에서는 서로 반대 극성의 공통 전극 리플 노이즈들이 상쇄되고, 공통 전극(CE)에서의 기저 전압(EVSS)은 전압 레벨이 변동되지 않는 DC 전압 형태를 가지게 된다.

도 12 및 도 13은 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)에서, 공통 전극 리플 노이즈를 제거하기 위한 구동 영역 분할 방법을 설명하기 위한 도면이다.

본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)에서, 데이터 구동 회로(120)가 영상 표시를 위한 데이터 신호(Vdata)들을 다수의 데이터 라인(DL)으로 출력할 때, 터치 구동 회로(160)는 인접한 제1 터치 전극(TE1) 및 제2 터치 전극(TE2)으로 제1 터치 구동 신호(TDS1) 및 제2 터치 구동 신호(TDS2)를 각각 출력할 수 있다.

즉, 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)는 디스플레이 구동을 수행하는 동안 터치 구동을 수행할 수 있다. 다시 말해, 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)는 영상 표시를 위한 디스플레이 구동을 수행하는 동안 터치를 센싱할 수 있다.

한편, 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)는, 공통 전극(CE)의 어느 한 지점에서 공통 전극 리플 노이즈가 발생하더라도, 발생된 공통 전극 리플 노이즈가 디스플레이 구동에 큰 영향을 끼치지 않도록 해줄 수 있는 구동 영역 분할 방법을 제공할 수 있다.

도 12를 참조하면, 터치 구동 회로(160)가 제1 터치 전극(TE1) 및 제2 터치 전극(TE2) 각각으로 제1 터치 구동 신호(TDS1) 및 제2 터치 구동 신호(TDS2)를 공급할 때, 터치 구동 회로(160)는 제1 터치 전극(TE1) 및 제2 터치 전극(TE2)을 포함하는 제1 터치 전극 행(TER1)과 열 방향으로 이격된 다른 터치 전극 행(TER3)에 포함된 터치 전극(TE)들로는 터치 구동 신호(TDS)를 공급하지 않는다. 이때, 디스플레이 구동을 위하여, 게이트 구동 회로(130)는 다른 터치 전극 행(TER3)과 중첩된 하나 이상의 게이트 라인(GL)으로 턴-온 전압 레벨의 게이트 신호를 출력할 수 있다.

도 12를 참조하여, 더욱 상세하게 설명한다. 설명의 편의를 위하여, 표시패널(110)에 4개의 터치 전극 행(TER1, TER2, TER3, TER4)이 존재한다고 가정한다. 적어도 하나의 데이터 구동부(DDRV)와 적어도 하나의 터치 구동부(TDRV)가 통합되어 하나의 통합 집적회로(200)로 구현될 수도 있다.

제1 시간(t1)일 때, 제3 터치 전극 행(TER3)이 배치된 영역이 터치 구동 영역(TDA)이고, 제1 터치 전극 행(TER1)과 중첩되는 서브픽셀들(SP)이 배치되는 영역이 디스플레이 구동 영역(DDA)이다.

제2 시간(t2)일 때, 제4 터치 전극 행(TER4)이 배치된 영역이 터치 구동 영역(TDA)이고, 제2 터치 전극 행(TER2)과 중첩되는 서브픽셀들(SP)이 배치되는 영역이 디스플레이 구동 영역(DDA)이다.

제3 시간(t3)일 때, 제1 터치 전극 행(TER1)이 배치된 영역이 터치 구동 영역(TDA)이고, 제3 터치 전극 행(TER3)과 중첩되는 서브픽셀들(SP)이 배치되는 영역이 디스플레이 구동 영역(DDA)이다.

도 13을 참조하면, 터치 구동 영역(TDA)에서 터치 구동 신호(TDS)의 전압 레벨 변동에 의해 공통 전극(CE)에서 공통 전극 리플 노이즈가 발생하면, 공통 전극 리플 노이즈는 기저 배선(EVSL)을 따라 이동하게 된다.

기저 배선(EVSL)은 소정의 저항(R)을 가지고 있기 때문에, 공통 전극 리플 노이즈가 기저 배선(EVSL)을 통해 터치 구동 영역(TDA)에서 떨어져 있는 디스플레이 구동 영역(DDA)까지 전달되었을 때, 공통 전극 리플 노이즈는 매우 감쇄된 상태가 될 수 있다. 이에 따라, 신호 세기가 매우 감쇄된 공통 전극 리플 노이즈는 디스플레이 구동 영역(DDA)에서의 디스플레이 구동에 큰 영향을 끼치지 않게 된다.

도 14 및 도 15는 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)에서, 공통 전극 리플 노이즈를 제거하기 위한 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.

도 14를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)에서, 터치 구동 신호(TDS)의 주파수(FREQ_TDS)는 디스플레이 프레임 주파수(FREQ_FRAME)의 정수 배일 수 있다.

디스플레이 프레임 주파수(FREQ_FRAME)는 동일한 스캔신호 라인(SCL)에 스캔신호(SCAN)가 인가되는 주기의 역수일 수 있다. 터치 구동 신호(TDS)의 주파수(FREQ_TDS)는 터치 구동 신호(TDS)의 펄스 주기의 역수일 수 있다.

공통 전극 리플 노이즈는, 터치 구동 신호(TDS)의 전압 레벨이 로우 레벨 전압에서 하이 레벨 전압으로 라이징 될 때 공통 전극(CE)의 전압이 양의 방향으로 커지는 피크 전압과, 터치 구동 신호(TDS)의 전압 레벨이 하이 레벨 전압에서 로우 레벨 전압으로 폴링 될 때 공통 전극(CE)의 전압이 음의 방향으로 커지는 피크 전압을 포함할 수 있다.

행 방향으로 인접한 제1 터치 전극(TE1) 및 제2 터치 전극(TE2)에 각각 인가되고 서로 반대 극성을 갖는 제1 터치 구동 신호(TDS1) 및 제2 터치 구동 신호(TDS2)는 동일한 주파수(FREQ_TDS)를 가질 수 있다.

예를 들어, 디스플레이 프레임 주파수(FREQ_FRAME)가 100Hz일 때, 터치 구동 신호(TDS)의 주파수(FREQ_TDS)는 100Hz의 정수 배인 100KHz일 수 있다.

전술한 바와 같이, 터치 구동 신호(TDS)의 주파수(FREQ_TDS)가 디스플레이 프레임 주파수(FREQ_FRAME)의 정수 배가 되도록 설정됨으로써, 공통 전극 리플 노이즈에 의해 디스플레이 프레임이 받는 영향이 최소화될 수 있다.

도 15는 터치 구동 신호(TDS)의 주파수(FREQ_TDS)와 디스플레이 프레임 주파수(FREQ_FRAME) 간의 관계를 알아보기 위한 시뮬레이션 결과 그래프이다. 시뮬레이션 결과 그래프에서, X축은 디스플레이 프레임 횟수이고, Y축은 발광소자(ED)에 흐르는 RMS (Root Mean Square) 전류 값이다.

도 15를 참조하면, 3가지 시뮬레이션(Simulation 1, Simulation 2, Simulation 3) 모두에서, 터치 구동 신호(TDS)의 주파수(FREQ_TDS)는 100KHz로 설정했다.

시뮬레이션 1은 터치 구동 신호(TDS)의 주파수(FREQ_TDS)가 100KHz로 설정되고, 디스플레이 프레임 주파수(FREQ_FRAME)가 120Hz로 설정되고 423mV의 공통 전극 리플 노이즈가 임의로 발생된 상황에서 발광소자(ED)로 흐르는 전류 값을 알아본 것이다.

시뮬레이션 2는 터치 구동 신호(TDS)의 주파수(FREQ_TDS)가 100KHz로 설정되고, 디스플레이 프레임 주파수(FREQ_FRAME)가 120Hz로 설정되고 160mV의 공통 전극 리플 노이즈가 임의로 발생된 상황에서 발광소자(ED)로 흐르는 전류 값을 알아본 것이다.

시뮬레이션 3은 터치 구동 신호(TDS)의 주파수(FREQ_TDS)가 100KHz로 설정되고, 디스플레이 프레임 주파수(FREQ_FRAME)가 100Hz로 설정되고 160mV의 공통 전극 리플 노이즈가 임의로 발생된 상황에서 발광소자(ED)로 흐르는 전류 값을 알아본 것이다.

시뮬레이션 3은 터치 구동 신호(TDS)의 주파수(FREQ_TDS)가 디스플레이 프레임 주파수(FREQ_FRAME)의 정수 배인 경우이다. 즉, 시뮬레이션 3에서, 터치 구동 신호(TDS)의 주파수(FREQ_TDS)인 100KHz는 디스플레이 프레임 주파수(FREQ_FRAME)인 100Hz의 1000배이다.

이에 따라, 매 디스플레이 프레임마다 동일한 공통 전극 리플 노이즈를 받게 되어, 공통 전극 리플 노이즈에 의한 영향 편차가 거의 없게 된다. 따라서, 시뮬레이션 3의 결과를 보면, 공통 전극 리플 노이즈가 디스플레이 구동에 거의 영향을 끼치지 않게 되어, 발광 소자(ED)로 흐르는 전류의 편차가 매우 적게 나온 것을 확인할 수 있다.

시뮬레이션 1 및 2에서, 터치 구동 신호(TDS)의 주파수(FREQ_TDS)는 디스플레이 프레임 주파수(FREQ_FRAME)의 정수 배가 되지 못한다.

이에 따라, 매 디스플레이 프레임마다 서로 다른 정도의 공통 전극 리플 노이즈를 받게 되어, 공통 전극 리플 노이즈에 의한 영향 편차가 변동될 수 있다. 따라서, 시뮬레이션 1 및 2의 결과를 보면, 공통 전극 리플 노이즈가 디스플레이 구동에 상당한 영향을 끼치지 않게 되어, 발광 소자(ED)로 흐르는 전류의 편차가 크게 나온 것을 확인할 수 있다. 시뮬레이션 1 및 2 중에서도 공통 전극 리플 노이즈의 전압이 더욱 큰 시뮬레이션 1에서, 발광 소자(ED)로 흐르는 전류의 편차가 상대적으로 더 크게 나온 것을 확인할 수 있다.

도 16은 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)에서, 공통 전극 리플 노이즈가 서브픽셀(SP)에 끼치는 영향을 줄여주기 위한 표시패널(110)의 단면도이다. 도 17은 도 16의 단면도에 따라, 공통 전극 리플 노이즈가 데이터 신호(Vdata)에 커플링 되는 현상이 방지되는 것을 나타낸 등가회로이다.

도 16의 단면 구조와 도 6의 단면 구조를 비교해보면, 도 16의 단면 구조는 도 6의 단면 구조에 비해, 기저 배선(EVSL) 및 쉴드층(SHD)의 구조 (위치 등)가 변경되었을 뿐 다른 부분은 거의 동일하다. 따라서, 아래에서는, 도 6의 단면 구조와 차이점이 있는 내용을 위주로 설명한다.

도 16을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)의 표시패널(110)에서, 다수의 기저 배선(EVSL)은 최하부 층에 배치된다.

도 16을 참조하면, 다수의 기저 배선(EVSL)과 공통 전극(CE) 사이에는 다수의 절연층(BUF1, BUF2, ILD1, PAS)이 존재할 수 있다. 공통 전극(CE)의 일부는 다수의 절연층(BUF1, BUF2, ILD1, PAS)의 컨택홀(CNT)을 통해 노출된 기저 배선(EVSL)의 일 부분과 연결될 수 있다.

도 16을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)의 표시패널(110)은 기저 배선(EVSL)과 공통 전극(CE) 사이에 위치하는 쉴드층(SHD)을 포함할 수 있다.

도 16을 참조하면, 쉴드층(SHD)은 기저 배선(EVSL)보다 위에 위치하고, 스위칭 트랜지스터(SWT) 또는 데이터 라인(DL)보다 아래에 위치할 수 있다.

도 16을 참조하면, 쉴드층(SHD)은 기저 배선(EVSL)의 적어도 일부와 중첩되고, 스위칭 트랜지스터(SWT)의 한 전극(드레인 전극(D2))의 적어도 일부 또는 스위칭 트랜지스터(SWT)의 한 전극(드레인 전극(D2))에 전기적으로 연결된 데이터 라인(DL)의 적어도 일부와 중첩될 수 있다

도 16을 참조하면, 쉴드층(SHD)은 데이터 라인(DL)과 기저 배선(EVSL)이 용량 방식으로 커플링 되는 것을 차단할 수 있다. 쉴드층(SHD)은 스위칭 트랜지스터(SWT)의 한 전극(드레인 전극(D2))과 기저 배선(EVSL)이 용량 방식으로 커플링 되는 것을 차단할 수 있다.

따라서, 도 16 및 도 17을 참조하면, 공통 전극(CE)에서 발생된 공통 전극 리플 노이즈가 기저 배선(EVSL)에 전달되더라도, 공통 전극 리플 노이즈가 기저 배선(EVSL)에서 데이터 라인(DL) 또는 스위칭 트랜지스터(SWT)의 한 전극(드레인 전극(D2))으로 전달되는 것이 방지될 수 있다.

도 16 및 도 17을 참조하면, 기저 배선(EVSL)와 데이터 라인(DL) 사이의 커플링 캐패시턴스(Cc)의 형성이 방지될 수 있다. 기저 배선(EVSL)와 스위칭 트랜지스터(SWT)의 한 전극(드레인 전극(D2)) 사이의 커플링 캐패시턴스(Cc)의 형성이 방지될 수 있다.

도 16을 참조하면, 쉴드층(SHD)은 스토리지 캐패시터(Cst)를 구성하는 제1 플레이트(PLT1)와 제2 플레이트(PLT2) 중 하나(PLT2)일 수 있다.

도 16의 단면 구조를 간단하게 다시 설명한다.

도 16을 참조하면, 본 개시의 실시에들에 따른 터치표시장치(100)은, 다수의 데이터 라인(DL), 다수의 서브픽셀(SP), 봉지층(ENCAP) 등을 포함할 수 있다.

다수의 서브픽셀(SP) 각각은 픽셀 전극(PE), 발광층(EL) 및 공통 전극(CE)을 포함하는 발광 소자(ED), 발광 소자(ED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DT), 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(G1)과 데이터 라인(DL) 간의 연결을 제어하는 스위칭 트랜지스터(SWT), 및 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(G1)과 픽셀 전극(PE) 사이에 연결된 스토리지 캐패시터(Cst) 등을 포함할 수 있다.

도 16을 참조하면, 봉지층(ENCAP)은 공통 전극(CE) 상에 배치될 수 있다. 터치 센서에 해당하는 다수의 터치 전극(TE)은 봉지층(ENCAP) 상에 배치될 수 있다.

도 16을 참조하면, 다수의 기저 배선(EVSL)은 공통 전극(CE) 보다 아래에 위치하고, 공통 전극(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다.

도 16을 참조하면, 다수의 쉴드층(SHD)은 다수의 기저 배선(EVSL) 보다 위에 위치하고, 스위칭 트랜지스터(SWT) 또는 데이터 라인(DL)보다 아래에 위치할 수 있다.

도 16을 참조하면, 다수의 쉴드층(SHD) 각각은 기저 배선(EVSL)의 적어도 일부와 중첩되고, 스위칭 트랜지스터(SWT)의 한 전극(D2)의 적어도 일부 또는 스위칭 트랜지스터(SWT)의 한 전극(D2)에 전기적으로 연결된 데이터 라인(DL)의 적어도 일부와 중첩될 수 있다.

스위칭 트랜지스터(SWT)의 한 전극(D2)의 적어도 일부 또는 스위칭 트랜지스터(SWT)의 한 전극에 전기적으로 연결된 데이터 라인(DL)은 기저 배선(EVSL)과 중첩되지 않을 수 있다.

이에 따라, 다수의 쉴드층(SHD) 각각은 스위칭 트랜지스터(SWT)의 한 전극 또는 스위칭 트랜지스터(SWT)의 한 전극에 전기적으로 연결된 데이터 라인(DL)이 기저 배선(EVSL)과 용량 방식으로 커플링 되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라, 스위칭 트랜지스터(SWT)의 한 전극 또는 스위칭 트랜지스터(SWT)의 한 전극에 전기적으로 연결된 데이터 라인(DL)은 기저 배선(EVSL)과 커플링 캐패시터(Cc)를 형성하지 않는다.

다수의 기저 배선(EVSL)은 다수의 데이터 라인(DL)과 이격되어 배치될 수 있다.

도 16을 참조하면, 표시패널(110)은 기저 배선(EVSL) 상에 배치되며 다수의 컨택홀(CNT)을 갖는 복수의 절연층(PAS, ILD1, BUF1, BUF2)을 더 포함할 수 있다.

여기서, 복수의 절연층(PAS, ILD1, BUF1, BUF2)은 기판(SUB)상의 제1 버퍼층(BUF1), 제1 버퍼층(BUF1) 상의 제2 버퍼층(BUF2), 제2 버퍼층(BUF2) 상의 제1 층간 절연막(ILD1) 및 제1 층간 절연막(ILD1) 상의 패시베이션층(PAS)을 포함할 수 있다.

쉴드층(SHD)은 제1 버퍼층(BUF1) 상에 위치하며, 제2 버퍼층(BUF2) 아래에 위치할 수 있다.

공통 전극(CE)은 복수의 절연층(PAS, ILD1, BUF1, BUF2)의 컨택홀(CNT)을 통해 노출되는 기저 배선(EVSL)의 일부와 전기적으로 컨택될 수 있다.

도 16을 참조하면, 다수의 다수의 쉴드층(SHD) 각각은 스토리지 캐패시터(Cst)를 구성하는 제1 플레이트(PLT1)와 제2 플레이트(PLT2) 중 하나(PLT2)일 수 있다.

도 16을 참조하면, 다수의 터치 전극(TE)은 행 방향으로 인접한 제1 터치 전극(TE1)과 제2 터치 전극(TE2)을 포함할 수 있다. 제1 터치 전극(TE1)에 전압 레벨이 변동되는 제1 터치 구동 신호(TDS1)가 인가될 때, 제1 터치 구동 신호(TDS1)와 동일한 주파수를 갖고 전압 레벨이 변동되며 제1 터치 구동 신호(TDS1)에 비해 반전된 극성을 갖는 제2 터치 구동 신호(TDS2)가 제2 터치 전극(TE2)에 인가될 수 있다.

도 18 및 도 19는 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)의 표시패널(110)에서, 기저 배선(EVSL)의 배치 예시들이다.

도 18은 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)가 불투명한 디스플레인 경우, 서브픽셀들(R, W, B, G)과 신호배선들(DVL, RVL, DL1~DL8, EVSL)에 대한 예시적인 배치도이다.

도 19는 본 개시의 실시예들에 따른 터치표시장치(100)가 불투명한 디스플레인 경우, 서브픽셀들(R, W, B, G)의 발광영역들(EA1~EA4)과 신호배선들(DVL, RVL, EVSL)에 대한 예시적인 배치도이다. 단, 도 19에서 데이터 라인들(DL)은 생략되어 있다.

도 18을 참조하면, 기준전압 라인(RVL)은 4개의 서브픽셀(R, W, B, G)이 공유하는 구조로 배치될 수 있다. 구동전압 라인(DVL)은 4개의 서브픽셀(R, W, B, G)이 공유하는 구조로 배치될 수 있다. 데이터 라인들(DL1~DL8) 각각은 하나의 서브픽셀에 대응되어 배치될 수 있다.

다수의 기저 배선(EVSL) 각각은 적어도 하나의 서브픽셀 열 마다 배치될 수 있다. 예를 들어, 다수의 기저 배선(EVSL) 각각은 하나의 서브픽셀 열마다 배치되거나, 둘 이상의 서브픽셀 열마다 배치되거나, 하나의 픽셀 열 또는 둘 이상의 서브픽셀 열 마다 배치될 수도 있다. 여기서, 하나의 픽셀 열은 4가지 색상의 서브픽셀(R, W, B, G)을 포함할 수 있다.

도 18의 예시에서, 기저 배선(EVSL)은 4개의 서브픽셀(R, W, B, G)마다 1개씩 배치될 수 있다. 즉, 4개의 서브픽셀(R, W, B, G)을 1개의 픽셀이라고 할 때, 기저 배선(EVSL)은 1개의 픽셀 마다 배치될 수 있다.

도 19를 참조하면, 표시패널(110)은 표시영역(DA)을 포함하고, 표시영역(DA)은 다수의 서브픽셀(SP)의 발광영역들(EA1~EA4)과 다수의 투과영역(TA1, TA2, TA3)을 포함할 수 있다.

도 19를 참조하면, 다수의 투과영역(TA1, TA2, TA3) 각각은 둘 이상의 서브픽셀 열(SPC1, SPC2)의 발광영역들(EA1~EA4)과, 이들과 인접한 다른 둘 이상의 서브픽셀 열(SPC1, SPC2)의 발광영역들 EA1~EA4) 사이마다 배치될 수 있다.

도 19를 참조하면, 다수의 투과영역(TA1, TA2, TA3) 중 인접한 제1 투과영역(TA1)과 제2 투과영역(TA2) 사이에 기저 배선(EVSL)이 배치될 수 있다. 다수의 투과영역(TA1, TA2, TA3) 중 인접한 제2 투과영역(TA2)과 제3 투과영역(TA3) 사이에 기저 배선(EVSL)이 배치될 수 있다.

도 19의 예시에서는, 다수의 기저 배선(EVSL) 각각은 2개의 서브픽셀 열 마다 배치될 수 있다.

이상에서 설명한 본 개시의 실시예들에 의하면, 우수한 영상 품질과 정밀한 터치 감도를 제공할 수 있는 터치 센서가 내장된 자체 발광 디스플레이 타입의 터치표시장치와, 이에 포함된 구동회로를 제공할 수 있다.

이상의 설명은 본 개시의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 개시의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 개시에 개시된 실시예들은 본 개시의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 개시의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 개시의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 개시의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims

다수의 데이터 라인, 다수의 게이트 라인 및 다수의 서브픽셀을 포함하고, 상기 다수의 서브픽셀 각각에 대응되는 다수의 발광 소자, 상기 다수의 발광 소자 상에 배치되는 봉지층 및 상기 봉지층 상에 배치된 다수의 터치 전극을 포함하는 표시패널; 및
상기 다수의 터치 전극 중 제1 터치 전극으로 전압 레벨이 변동되는 제1 터치 구동 신호를 공급할 때, 상기 제1 터치 구동 신호와 동일한 주파수를 갖고 전압 레벨이 변동되며 상기 제1 터치 구동 신호에 비해 반전된 극성을 갖는 제2 터치 구동 신호를 상기 다수의 터치 전극 중 상기 제1 터치 전극과 행 방향으로 인접한 제2 터치 전극으로 공급하는 터치 구동 회로를 포함하는 터치표시장치.
제1항에 있어서,
상기 다수의 터치 전극은 상기 제1 터치 전극과 열 방향으로 인접한 제3 터치 전극 및 상기 제2 터치 전극과 열 방향으로 인접한 제4 터치 전극을 더 포함하고,
상기 제3 터치 전극과 상기 제4 터치 전극은 행 방향으로 인접하고,
상기 터치 구동 회로는,
상기 제1 터치 전극으로 상기 제1 터치 구동 신호를 공급하고, 상기 제2 터치 전극으로 상기 제1 터치 구동 신호에 비해 반전된 극성을 갖는 상기 제2 터치 구동 신호를 공급할 때,
상기 제1 터치 구동 신호와 동일한 주파수를 갖고 상기 제1 터치 구동 신호와 동일한 극성을 갖는 제3 터치 구동 신호를 상기 제3 터치 전극으로 공급하고,
상기 제2 터치 구동 신호와 동일한 주파수를 갖고 상기 제2 터치 구동 신호와 동일한 극성을 갖는 제4 터치 구동 신호를 상기 제4 터치 전극으로 공급하는 터치표시장치.
제1항에 있어서,
상기 다수의 터치 전극은 상기 제1 터치 전극과 열 방향으로 인접한 제3 터치 전극 및 상기 제2 터치 전극과 열 방향으로 인접한 제4 터치 전극을 더 포함하고,
상기 제3 터치 전극과 상기 제4 터치 전극은 행 방향으로 인접하고,
상기 터치 구동 회로는,
상기 제1 터치 전극으로 상기 제1 터치 구동 신호를 공급하고, 상기 제2 터치 전극으로 상기 제1 터치 구동 신호에 비해 반전된 극성을 갖는 상기 제2 터치 구동 신호를 공급할 때,
상기 제2 터치 구동 신호와 동일한 주파수를 갖고 상기 제2 터치 구동 신호와 동일한 극성을 갖는 제3 터치 구동 신호를 상기 제3 터치 전극으로 공급하고,
상기 제1 터치 구동 신호와 동일한 주파수를 갖고 상기 제1 터치 구동 신호와 동일한 극성을 갖는 제4 터치 구동 신호를 상기 제4 터치 전극으로 공급하는 터치표시장치.
제1항에 있어서,
상기 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 구동 회로 및 상기 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 구동 회로를 더 포함하고,
상기 데이터 구동 회로가 영상 표시를 위한 데이터 신호들을 상기 다수의 데이터 라인으로 출력할 때,
상기 터치 구동 회로는 상기 제1 터치 구동 신호 및 상기 제2 터치 구동 신호를 출력하는 터치표시장치.
제4항에 있어서,
상기 터치 구동 회로가 상기 제1 터치 전극 및 상기 제2 터치 전극 각각으로 상기 제1 터치 구동 신호 및 상기 제2 터치 구동 신호를 공급할 때,
상기 터치 구동 회로는 상기 제1 터치 전극 및 상기 제2 터치 전극을 포함하는 제1 터치 전극 행과 열 방향으로 이격된 제2 터치 전극 행에 포함된 터치 전극들로는 터치 구동 신호를 공급하지 않고,
상기 게이트 구동 회로는 상기 제2 터치 전극 행과 중첩된 하나 이상의 게이트 라인으로 턴-온 전압 레벨의 게이트 신호를 출력하는 터치표시장치.
제1항에 있어서,
상기 다수의 서브픽셀 각각은,
픽셀 전극, 상기 픽셀 전극 상의 발광층, 및 상기 발광층 상의 공통 전극을 포함하는 발광 소자,
상기 발광 소자를 구동하기 위한 구동 트랜지스터,
상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 데이터 라인 간의 전기적인 연결 여부를 스위치 하는 스위칭 트랜지스터, 및
상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극 사이에 전기적으로 연결되는 스토리지 캐패시터를 포함하고,
상기 픽셀 전극은 상기 다수의 서브픽셀 마다 배치되고 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극에 전기적으로 연결되고, 상기 공통 전극은 상기 다수의 서브픽셀에 공통을 배치되고 전압 레벨의 변동이 없는 기저 전압이 인가되고,
상기 다수의 터치 전극 각각은 둘 이상의 서브픽셀과 크기가 대응되고,
상기 표시패널은 상기 공통 전극과 전기적으로 연결된 다수의 기저 배선을 더 포함하고,
상기 다수의 기저 배선은 상기 다수의 데이터 라인과 이격되어 배치되는 터치표시장치.
제6항에 있어서,
상기 다수의 기저 배선 각각은 적어도 하나의 서브픽셀 열 마다 배치되는 터치표시장치.
제6항에 있어서,
상기 표시패널은 표시영역을 포함하고, 상기 표시영역은 다수의 서브픽셀의 발광영역들과 다수의 투과영역을 포함하고, 상기 다수의 투과영역 각각은 둘 이상의 서브픽셀 열의 발광영역들과 다른 둘 이상의 서브픽셀 열의 발광영역들 사이마다 배치되고,
상기 다수의 투과영역 중 인접한 제1 투과영역과 제2 투과영역 사이에 상기 기저 배선이 배치되는 터치표시장치.
제6항에 있어서,
상기 다수의 기저 배선 중 적어도 하나는, 인접한 데이터 라인과 전위차를 갖거나, 인접한 스위칭 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 인접한 데이터 라인과 연결된 전극과 전위차를 갖는 터치표시장치.
제6항에 있어서,
상기 다수의 기저 배선은 상기 공통 전극보다 아래에 위치하고,
상기 표시패널은 상기 다수의 기저 배선 상에 배치되는 적어도 하나의 절연층을 더 포함하고,
상기 적어도 하나의 절연층은 다수의 컨택홀을 갖고,
상기 공통 전극은 상기 다수의 컨택홀을 통해 노출되는 상기 다수의 기저 배선의 일부와 전기적으로 연결되는 터치표시장치.
제10항에 있어서,
상기 다수의 기저 배선 각각은 인접한 서브픽셀에 포함된 상기 스위칭 트랜지스터의 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극 중 적어도 하나와 동일한 층에 위치하는 터치표시장치.
제10항에 있어서,
상기 표시패널은, 상기 기저 배선보다 위에 위치하고, 상기 스위칭 트랜지스터 또는 상기 데이터 라인보다 아래에 위치하고, 상기 기저 배선의 적어도 일부와 중첩되고, 상기 스위칭 트랜지스터의 한 전극의 적어도 일부 또는 상기 스위칭 트랜지스터의 한 전극에 전기적으로 연결된 데이터 라인의 적어도 일부와 중첩되는 쉴드층을 더 포함하는 터치표시장치.
제12항에 있어서,
상기 쉴드층은 상기 스토리지 캐패시터를 구성하는 제1 플레이트와 제2 플레이트 중 하나인 터치표시장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 터치 구동 신호 및 상기 제2 터치 구동 신호의 주파수는 디스플레이 프레임 주파수의 정수 배인 터치표시장치.
다수의 터치 전극 중 제1 터치 전극으로 전압 레벨이 변동되는 제1 터치 구동 신호를 공급하는 제1 터치 구동부; 및
상기 제1 터치 구동부가 상기 제1 터치 전극으로 상기 제1 터치 구동 신호를 공급할 때, 상기 제1 터치 구동 신호와 동일한 주파수를 갖고 전압 레벨이 변동되며 상기 제1 터치 구동 신호에 비해 반전된 극성을 갖는 제2 터치 구동 신호를 상기 다수의 터치 전극 중 상기 제1 터치 전극과 행 방향으로 인접한 제2 터치 전극으로 공급하는 제2 터치 구동부를 포함하는 구동회로.
제15항에 있어서,
상기 제1 터치 구동부는 상기 제1 터치 구동 신호를 입력 받아 상기 제1 터치 전극으로 공급하고, 상기 제1 터치 전극으로부터 신호를 검출하는 전치 증폭기를 포함하고, 상기 제2 터치 구동부는 상기 제2 터치 구동 신호를 입력 받아 상기 제2 터치 전극으로 공급하고, 상기 제2 터치 전극으로부터 신호를 검출하는 전치 증폭기를 포함하는 구동회로.
터치표시장치에 있어서,
다수의 데이터 라인;
픽셀 전극, 발광층 및 공통 전극을 포함하는 발광 소자, 상기 발광 소자를 구동하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 데이터 라인 간의 연결을 제어하는 스위칭 트랜지스터, 및 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 픽셀 전극 사이에 연결된 스토리지 캐패시터를 포함하는 다수의 서브픽셀;
상기 공통 전극 상에 배치되는 봉지층;
상기 봉지층 상에 배치된 다수의 터치 전극;
상기 공통 전극 보다 아래에 위치하고, 상기 공통 전극과 전기적으로 연결된 다수의 기저 배선; 및
상기 다수의 기저 배선보다 위에 위치하고, 상기 스위칭 트랜지스터 또는 상기 데이터 라인보다 아래에 위치하고, 상기 기저 배선의 적어도 일부와 중첩되고, 상기 스위칭 트랜지스터의 한 전극의 적어도 일부 또는 상기 스위칭 트랜지스터의 한 전극에 전기적으로 연결된 데이터 라인의 적어도 일부와 중첩되는 다수의 쉴드층을 포함하는 터치표시장치.
제17항에 있어서,
상기 다수의 기저 배선은 상기 다수의 데이터 라인과 이격되어 배치되는 터치표시장치.
제17항에 있어서,
상기 다수의 기저 배선 상에 배치되며 다수의 컨택홀을 갖는 복수의 절연층을 더 포함하고,
상기 공통 전극은 상기 복수의 컨택홀을 통해 노출되는 상기 다수의 기저 배선의 일부와 전기적으로 컨택 되는 터치표시장치.
제17항에 있어서,
상기 스위칭 트랜지스터의 한 전극 또는 상기 스위칭 트랜지스터의 한 전극에 전기적으로 연결된 데이터 라인은 상기 기저 배선과 중첩되지 않는 터치표시장치.
제17항에 있어서,
상기 다수의 쉴드층 각각은 상기 스토리지 캐패시터를 구성하는 제1 플레이트와 제2 플레이트 중 하나인 터치표시장치.
제17항에 있어서,
상기 다수의 터치 전극은 행 방향으로 인접한 제1 터치 전극과 제2 터치 전극을 포함하고,
상기 제1 터치 전극에 전압 레벨이 변동되는 제1 터치 구동 신호가 인가될 때, 상기 제1 터치 구동 신호와 동일한 주파수를 갖고 전압 레벨이 변동되며 상기 제1 터치 구동 신호에 비해 반전된 극성을 갖는 제2 터치 구동 신호가 상기 제2 터치 전극에 인가되는 터치표시장치.