KR20240023079A - Method of manufacturing a light emitting device - Google Patents
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Abstract
본 개시는 전극을 구비하며, 자외선을 발광하는 반도체 발광 칩; 반도체 발광 칩이 놓이며, 전극과의 전기적 연통을 위한 도전부가 형성되어 있고, 세라믹 재질로 된 바닥부; 그리고 반도체 발광 칩이 수용되는 캐비티를 형성하며, 자외선이 반사되는 경사면을 가지고, 경사면에 금속으로 된 반사층이 형성되어 있으며, 비금속으로 된 반사벽;을 포함하고, 반사벽은 LDS 몰드 모체의 수지와 LDS 첨가제로 혼합되어 있으며, 반사벽은 상면 및 하면을 구비하며, 경사면이 상면으로부터 하면으로 이어져 있고, 반사벽의 하면과 바닥부를 결합하는 금속으로 된 결합층;을 더 포함하며, 경사면에 형성된 반사층은 반도체 발광 칩에서 발광하는 자외선을 반사하는, 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 반사벽의 경사면 및 반사벽의 하면에 레이저 빔을 조사하고 무전해 도금 공정을 행하여 반사벽의 경사면 및 반사벽의 하면에 도전성 물질을 형성하는 단계; 및 반사벽의 경사면 및 반사벽의 하면에 도전성 물질을 형성하는 단계 이후에, 금속으로 된 결합층을 통해 반사벽의 하면과 바닥부를 결합하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present disclosure includes a semiconductor light emitting chip having an electrode and emitting ultraviolet rays; A semiconductor light-emitting chip is placed, a conductive part is formed for electrical communication with the electrode, and a bottom part is made of a ceramic material; And it forms a cavity in which the semiconductor light-emitting chip is accommodated, has an inclined surface that reflects ultraviolet rays, a reflective layer made of metal is formed on the inclined surface, and a reflective wall is made of non-metal, and the reflective wall includes the resin of the LDS mold matrix and It is mixed with an LDS additive, the reflective wall has an upper surface and a lower surface, an inclined surface is connected from the upper surface to the lower surface, and a bonding layer made of metal that connects the lower surface and the bottom of the reflective wall; and a reflective layer formed on the inclined surface. In a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device that reflects ultraviolet rays emitted from a semiconductor light-emitting chip, a laser beam is irradiated on the inclined surface of the reflective wall and the lower surface of the reflective wall and an electroless plating process is performed to forming a conductive material on the lower surface of; And after forming a conductive material on the inclined surface of the reflective wall and the lower surface of the reflective wall, combining the lower surface and the bottom of the reflective wall through a metal bonding layer. will be.
Description
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 자외선을 발광하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.This disclosure generally relates to a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device, and particularly relates to a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device that emits ultraviolet rays.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Here, background information related to the present disclosure is provided, and this does not necessarily mean prior art.
도 1은 미국 등록특허공보 제9,773,950호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, CSP(Chip-Scaled Package) 형태의 반도체 발광소자가 제시되어 있다. 반도체 발광소자는 반도체 발광 칩(2), 봉지제(4) 및 반사체(6; 예: 백색 PSR)를 포함한다. 반도체 발광 칩(2)은 전극(80)과 전극(90)을 구비하며, 봉지제(4)는 경사면(4b)을 구비하여 반도체 발광 칩(2)으로부터 나온 빛의 출사각을 조절할 수 있다. 반사체(6)는 백색의 PSR을 스크린 프린팅 또는 스핀 코팅한 다음, 일반적인 포토리소그라피 공정을 통해 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 필요에 따라, 외부와의 전기적 연결을 위해, 외부 전극(81)과 외부 전극(91)이 증착 공정을 통해 형성된다.FIG. 1 is a diagram showing an example of a semiconductor light emitting device presented in U.S. Patent Publication No. 9,773,950, in which a semiconductor light emitting device in the form of a CSP (Chip-Scaled Package) is presented. The semiconductor light emitting device includes a semiconductor light emitting chip (2), an encapsulant (4), and a reflector (6; e.g., white PSR). The semiconductor light emitting chip 2 is provided with an electrode 80 and an electrode 90, and the encapsulant 4 is provided with an inclined surface 4b to adjust the emission angle of light emitted from the semiconductor light emitting chip 2. The reflector 6 can be formed by screen printing or spin coating a white PSR and then patterning it through a general photolithography process. If necessary, for electrical connection to the outside, an external electrode 81 and an external electrode 91 are formed through a deposition process.
도 2는 미국 등록특허공보 제10,008,648호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 1에 제시된 반사체(6)를 이용하는 경우의 문제점, 즉 반사체(6)가 백색 PSR과 같이 플렉서블(flexible)한 재질로 이루어져, 여러 공정을 거치는 과정에서 반도체 발광 칩(2)의 위치 정확도가 떨어지는 문제점을 해소하기 위해, 미리 성형되고(preformed), 딱딱한(rigid) 재질의 프레임 내지 몰드(210; 예: 사출성형된 몰드)를 이용하는 반도체 발광소자(200)가 제시되어 있다. 반도체 발광소자(200)는 몰드(210), 반도체 발광소자 칩(220) 및 봉지제(230)를 포함한다. 부호 211은 측벽, 부호 212는 바닥부, 부호 213은 홀, 부호 214는 캐비티, 215는 바닥부(212)의 상면, 부호 216은 바닥부(212)의 하면, 부호 217은 측벽(211)의 외면, 부호 218은 측벽(211)의 내면, 부호 219는 바닥부(212)의 높이, 부호 H는 측벽(211)의 높이, 부호 221은 전극, 부호 222는 반도체 발광 칩(220)의 높이, 부호 231은 광 변환제(예: 형광체), 부호 240은 홀(213)의 측벽이다. 이러한 반도체 발광소자는 몰드(210)를 구비한다는 점에서 종래의 SMD(Surface-Mounted Device) 타입의 반도체 발광소자(예: 미국 등록특허공보 US6,066,861호)와 동일하지만, 리드 프레임 내지 리드 전극을 구비하지 않는다는 점에서 차이를 가지며, 전술한 바와 같이 도 1에 제시된 반도체 발광소자의 문제점을 해소하는 한편, 리드 프레임이 외부 기판과의 접합에 관여함으로써 발생하는 문제점(접합 불량 등)을 해소할 수 있게 된다.FIG. 2 is a diagram showing an example of a semiconductor light emitting device presented in U.S. Patent Publication No. 10,008,648. The problem of using the reflector 6 shown in FIG. 1 is that the reflector 6 is flexible like a white PSR. ), and in order to solve the problem of low positional accuracy of the semiconductor light emitting chip 2 during various processes, a frame or mold 210 is preformed and made of a rigid material; e.g. A semiconductor light emitting device 200 using an injection molded mold is presented. The semiconductor light emitting device 200 includes a mold 210, a semiconductor light emitting device chip 220, and an encapsulant 230. Symbol 211 is a side wall, symbol 212 is a bottom, symbol 213 is a hole, symbol 214 is a cavity, symbol 215 is the upper surface of the bottom 212, symbol 216 is the lower surface of the bottom 212, and symbol 217 is the side wall 211. External surface, symbol 218 is the inner surface of the side wall 211, symbol 219 is the height of the bottom 212, symbol H is the height of the side wall 211, symbol 221 is the electrode, symbol 222 is the height of the semiconductor light emitting chip 220, Reference numeral 231 denotes a light conversion agent (e.g., phosphor), and symbol 240 denotes a side wall of the hole 213. This semiconductor light-emitting device is the same as a conventional SMD (Surface-Mounted Device) type semiconductor light-emitting device (e.g., U.S. Patent Registration No. US6,066,861) in that it is provided with a mold 210, but it uses a lead frame or lead electrode. It has a difference in that it is not provided, and as described above, it can solve the problems of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 1, while solving problems (such as poor bonding) that occur when the lead frame is involved in bonding to an external substrate. There will be.
도 3은 한국 공개특허공보 제10-2018-0131303호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 1에 제시된 반사체(6)를 이용하는 경우의 문제점을 해소하는 다른 형태의 반도체 발광소자가 제시되어 있다. 반도체 발광소자는 몰드(113) 및 반도체 발광 칩(123)을 구비한다. 몰드(113)에는 도전부(TH1)와 도전부(TH2)가 구비되어 있으며, 도전부(TH1)와 도전부(TH2)는 도전성 페이스트나 솔더 물질로 형성될 수 있다. 부호 C는 캐비티이고, 부호 121, 122는 각각 전극이며, 부호 131은 외부 기판(예: PCB), 서브 마운트 등일 수 있다. 리드 프레임 내지 리드 전극을 구비하지 않는다는 점에서 도 2에 제시된 반도체 발광소자와 동일하지만, 외부 기판(131)과 반도체 발광 칩(123)의 물리적 및 전기적 접합에 도전부(TH1)와 도전부(TH2)가 개입하며, 따라서 도 2에서 지적한 바와 같이, SMT 공정 등에서 물리적 결합력이 약해 접합이 떨어지거나 도전부(TH1)와 도전부(TH2)가 몰드(113)로부터 이탈하는 등의 문제를 야기할 수 있다. 다만, 도 2에 제시된 반도체 발광소자의 경우에 리드 프레임 내지 리드 전극을 제거하여 리드 프레임 내지 리드 전극에 의해 흡수되는 빛을 없앴다는 점에서는 이점을 가지지만, 도 3에 제시된 반도체 발광소자의 경우에 몰드(113)의 아래로 누출되는 빛을 원천적으로 봉쇄하여 반도체 발광 칩(123)에서 생성된 모든 빛이 상측으로 방출된다는 점에서 이점을 가진다.Figure 3 is a diagram showing an example of a semiconductor light-emitting device presented in Korean Patent Publication No. 10-2018-0131303, and shows another type of semiconductor light-emitting device that solves the problems when using the reflector 6 shown in Figure 1. It is presented. The semiconductor light emitting device includes a mold 113 and a semiconductor light emitting chip 123. The mold 113 is provided with a conductive portion (TH1) and a conductive portion (TH2), and the conductive portion (TH1) and the conductive portion (TH2) may be formed of a conductive paste or solder material. The symbol C is a cavity, the symbols 121 and 122 are electrodes, respectively, and the symbol 131 may be an external board (e.g. PCB), a sub-mount, etc. It is the same as the semiconductor light emitting device shown in FIG. 2 in that it does not have a lead frame or lead electrode, but a conductive portion (TH1) and a conductive portion (TH2) are added to the physical and electrical connection between the external substrate 131 and the semiconductor light emitting chip 123. ) intervenes, and therefore, as pointed out in FIG. 2, the physical bonding force is weak in the SMT process, etc., which may cause problems such as debonding or separation of the conductive parts TH1 and TH2 from the mold 113. there is. However, in the case of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 2, there is an advantage in that the light absorbed by the lead frame or lead electrode is eliminated by removing the lead frame or lead electrode. However, in the case of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 3, the light absorbed by the lead frame or lead electrode is eliminated. This has an advantage in that light leaking below the mold 113 is fundamentally blocked, and all light generated by the semiconductor light emitting chip 123 is emitted upward.
엘이디 패키지의 발전 과정을 정리하면, 래터럴 칩(lateral chip)이 SMD 타입 패키지에 와이어 본딩되어 사용되다가, 고휘도(high-power) 및 고전압(high-voltage) 소자의 요구에 수반하여 플립 칩(chip chip)의 사용이 검토되었으나, SMD 타입 패키지에 적합하지 않는 문제점들이 제기되었으며, 도 1에 제시된 CSP 타입의 패키지가 일부 이용되고 있지만, 앞서 지적한 바와 같이, 지향각의 조절 및 제조 공정에 문제점이 제기되었으며, 도 2 및 도 3에 제시된 바와 같이, 리드 프레임 내지 리드 전극을 구비하지 않은 형태의 리드리스 프레임 또는 몰드 타입의 엘이디 패키지가 검토되고 있는 실정이다. 그러나 도 3에 제시된 반도체 발광소자의 경우에, 도전부(TH1)와 도전부(TH2)의 형성을 위해, 몰드(113)가 만들어질 때(예: 사출성형), 도전부(TH1)와 도전부(TH2)에 대응하는 홀이 함께 만들어지며, 사출성형되는 홀은 금형의 표면거칠기에 대응하는 미끈한 표면을 가지게 되므로, 이후, 증착 또는 도금 등을 통해 형성되는 도전부(TH1)와 도전부(TH2)와의 물리적 결합력이 높지 않은 문제점을 가진다.To summarize the development process of LED packages, lateral chips were used by wire bonding to SMD-type packages, but with the demand for high-brightness (high-power) and high-voltage devices, flip chips (chip chips) were used. ) was reviewed, but problems were raised that it was not suitable for the SMD type package, and although the CSP type package shown in Figure 1 is partially used, as pointed out earlier, problems were raised in the control of the beam angle and the manufacturing process. , As shown in FIGS. 2 and 3, a leadless frame or mold-type LED package that does not have a lead frame or lead electrodes is being studied. However, in the case of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 3, when the mold 113 is made (e.g., injection molding) to form the conductive portion TH1 and the conductive portion TH2, the conductive portion TH1 and the conductive portion TH2 are formed. A hole corresponding to the portion (TH2) is made together, and the injection molded hole has a smooth surface corresponding to the surface roughness of the mold, so the conductive portion (TH1) and the conductive portion (TH1) formed through deposition or plating, etc. It has the problem of not having a high physical bonding force with TH2).
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This is described at the end of ‘Specific Content for Implementing the Invention’.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features). Here, a general summary of the disclosure is provided, and this should not be construed as limiting the scope of the disclosure (This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 측면에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 전극을 구비하는 반도체 발광 칩; 제1 표면 거칠기를 가지도록 형성되며, 반도체 발광 칩이 놓이는 바닥부를 가지고, 바닥부에 제1 표면 거칠기와 다른 제2 표면 거칠기를 가지는 표면으로 된 관통홀이 형성되어 있으며, 적어도 반도체 발광 칩과 면하는 측이 반도체 발광 칩에서 발광되는 빛에 대해 95% 이상의 반사율을 가지는 재질로 이루어진 몰드; 그리고 전극과의 전기적 연통을 위해 관통홀에 구비되는 도전부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제시된다.According to one aspect of the present disclosure, a semiconductor light emitting device includes: a semiconductor light emitting chip having an electrode; It is formed to have a first surface roughness, has a bottom on which a semiconductor light-emitting chip is placed, and has a through hole formed in the bottom with a surface having a second surface roughness different from the first surface roughness, and at least the semiconductor light-emitting chip and the surface. A mold whose side is made of a material having a reflectivity of 95% or more for light emitted from a semiconductor light emitting chip; A semiconductor light emitting device is presented, characterized in that it includes a conductive part provided in the through hole for electrical communication with the electrode.
본 개시에 따른 또 다른 측면에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 전극을 구비하는 반도체 발광 칩; 반도체 발광 칩이 놓이는 바닥부를 가지고, 바닥부에 관통홀이 형성되어 있는 몰드; 그리고 전극과의 전기적 연통을 위해 관통홀에 구비되는 도전부;를 가지는, 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 상기 몰드가 복수 개 형성되어 있으며, 복수의 몰드로부터 노출된 영역에 도금 방지막이 형성되어 있는 리드 프레임을 준비하는 단계; 각각의 몰드에 도전부를 형성하고 반도체 발광 칩의 전극을 도전부와 전기적 연통시키는 단계; 그리고, 리드 프레임을 절단하여 각각의 반도체 발광소자를 개별화하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법이 제시된다.According to another aspect of the present disclosure, a semiconductor light emitting chip having an electrode; A mold having a bottom on which a semiconductor light emitting chip is placed and a through hole formed in the bottom; and a conductive portion provided in the through hole for electrical communication with the electrode. In the method of manufacturing a semiconductor light emitting device, a plurality of molds are formed, and an anti-plating film is formed on areas exposed from the plurality of molds. Preparing a lead frame; Forming a conductive portion in each mold and electrically communicating the electrodes of the semiconductor light emitting chip with the conductive portion; Also, a method of manufacturing a semiconductor light emitting device including the step of cutting the lead frame to individualize each semiconductor light emitting device is presented.
본 개시에 따른 또 다른 측면에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 전극을 구비하며, 자외선을 발광하는 반도체 발광 칩; 반도체 발광 칩이 놓이며, 전극과의 전기적 연통을 위한 도전부가 형성되어 있고, 세라믹 재질로 된 바닥부; 그리고 반도체 발광 칩이 수용되는 캐비티를 형성하며, 자외선이 반사되는 경사면을 가지고, 경사면에 금속으로 된 반사층이 형성되어 있으며, 비금속으로 된 반사벽;을 포함하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법이 제공된다.According to another aspect of the present disclosure, a semiconductor light emitting device includes: a semiconductor light emitting chip having an electrode and emitting ultraviolet rays; A semiconductor light-emitting chip is placed, a conductive part is formed for electrical communication with the electrode, and a bottom part is made of a ceramic material; A method for manufacturing a semiconductor light-emitting device is provided, which includes forming a cavity in which a semiconductor light-emitting chip is accommodated, having an inclined surface that reflects ultraviolet rays, a reflective layer made of metal formed on the inclined surface, and a reflective wall made of non-metal. .
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This is described at the end of ‘Specific Content for Implementing the Invention’.
도 1은 미국 등록특허공보 US9,773,950호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 US10,008,648호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 한국 공개특허공보 제10-2018-0131303호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 10은 미국 공개특허공보 US2014/0054078호에 제시된 복수의 몰드와 리드 프레임의 일 예(소위, individual type lead frame)를 나타내는 도면,
도 11은 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 13은 미국 공개특허공보 제US2014/0367718호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 14는 미국 등록특허공보 제US8,106,584호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면.1 is a diagram showing an example of a semiconductor light emitting device presented in U.S. Patent Publication No. US9,773,950;
2 is a diagram showing an example of a semiconductor light emitting device presented in U.S. Patent Publication No. US10,008,648;
Figure 3 is a diagram showing an example of a semiconductor light emitting device presented in Korean Patent Publication No. 10-2018-0131303;
4 is a diagram showing an example of a semiconductor light-emitting device according to the present disclosure;
5 is a diagram showing another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
6 is a diagram showing another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
7 is a diagram showing another example of a semiconductor light-emitting device according to the present disclosure;
8 is a diagram showing another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
9 is a diagram showing another example of a semiconductor light-emitting device according to the present disclosure;
10 is a view showing an example of a plurality of molds and lead frames (so-called individual type lead frame) presented in U.S. Patent Publication No. US2014/0054078;
11 is a diagram showing an example of a method for manufacturing a semiconductor light-emitting device according to the present disclosure;
12 is a diagram showing another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
13 is a diagram showing an example of a semiconductor light emitting device presented in U.S. Patent Publication No. US2014/0367718;
14 is a diagram showing an example of a semiconductor light emitting device presented in U.S. Patent Publication No. US8,106,584;
15 is a diagram showing another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.
본 개시의 제1 특징은 반도체 발광소자용 몰드의 바닥부에 관통홀을 형성하되, 관통홀 내의 표면 거칠기를 높여, 이후 무전해 도금(electroless plating) 공정으로 형성된 도전성 물질과의 결합력을 향상시키는 것이다. 이때 관통홀은 사출성형시에 미리 성형되거나(preformed) 또는 레이저 드릴링(drilling)을 행함으로써 형성된다. 이때 몰드의 바닥부의 두께는 그 하한에 특별히 제한은 없지만, 반도체 발광 칩에서 발생한 빛이 아래쪽으로 투과되는 것을 방지하고, 무전해 도금(electroless plating) 공정으로 형성된 도전성 물질과 결합되는 충분한 면적을 확보할 수 있도록 100㎛ 이상인 것이 바람직하다. 그 상한에도 특별히 제한은 없지만, 레이저 드릴링이 가능하도록 500㎛ 이하인 것이 바람직하다. 두꺼운 경우에 복수회의 레이저 조사가 이루어질 수 있음은 물론이다.The first feature of the present disclosure is to form a through hole in the bottom of a mold for a semiconductor light emitting device, and increase the surface roughness within the through hole to improve bonding strength with a conductive material formed through an electroless plating process. . At this time, the through hole is preformed during injection molding or formed by laser drilling. At this time, there is no particular limit to the lower limit of the thickness of the bottom of the mold, but it is necessary to prevent light generated from the semiconductor light emitting chip from transmitting downward and to secure a sufficient area to be combined with the conductive material formed through the electroless plating process. It is desirable to have a thickness of 100㎛ or more. There is no particular limit to the upper limit, but it is preferably 500 ㎛ or less to enable laser drilling. Of course, in thick cases, multiple laser irradiation can be performed.
본 개시의 제2 특징은 몰드 수지로 성형된 사출물 표면에 레이저 빔(laser beam)을 조사하여 표면 거칠기를 높임과 더불어 전기적으로 활성화시키고, 이어 상기 레이저 조사된 부분에 무전해 도금(electroless plating)으로 도전성 물질을 형성하는 레이저 직접 구조화(laser direct struccturing, LDS) 공법을 적용할 수 있도록 LDS 첨가제(LDS additive)를 함유한 몰드의 재질(열경화성 수지, 열가소성 수지)과 관련이 있다. 통상적으로 반도체 발광소자에 사용되는 몰드 수지(resin)는 열가소성 수지(thermoplastics)인 polyphthalamide(PPA), polycyclohexylenedimethylene terephthalate(PCT)가 널리 사용되고 있고, 열경화성 수지(thermosetting plastics)의 경우는 epoxy mold compounds(EMC), silicone mold compounds(SMC) 등이며, 특히 이들 몰드 수지 내에 청색 또는 녹색 발광 칩이 사용되는 경우에 광 반사도를 높이기 위해 백색 안료인 티타니움 산화물인 티타니아(Titania; TiO2), 그리고 실리콘 산화물인 실리카(Silica; SiO2) 및/또는 알루미늄 산화물인 알루미나(Alumina; Al2O3)와 같은 필러(filler) 내지 산란제가 첨가된다. 열가소성 수지는 발광소자용으로 현재 사용중인 상기 PPA & PCT 이외, polyamides(PA), polycarbonate(PC), polyphthalamide(PPA), polyphenylene oxide(PPO), poly butylene terephthalate(PBT), cycloolefin polymers(COP), liquid-crystal polymers(LCP), copolymers 또는 상기 이들 blends, 일 예로 acrylonitrile-butadiene-sty rene/polycarbonate blend(PC/ABS), PBT/PET 등이 가능하다. 열경화성 수지는 발광소자용으로 현재 사용중인 상기 EMC & SMC 이외, polyurethanes, melamine resins, phenolic resins, polyesters and epoxy resins 등이 가능하다. 그런데 플립 칩 형태의 반도체 발광 칩을 적용한 리드리스 프레임 또는 몰드 타입의 엘이디 패키지를 성공적으로 구현화하기 위해서는 상기 LDS 공법을 적용하여 몰드 수지로 성형된 사출물 표면에 강한 물리적 결합력을 갖는 전기적 도선 회로 패턴(도전성 물질)을 형성해야 한다. LDS 기술은 휴대폰 산업 성장으로 인해서 몰드 수지로 성형된 2차 및/또는 3차원 사출물 표면에 안테나 기능을 하는 전기 도선 회로 패턴(도전성 물질) 등을 직접 구현화할 수 있는 공법으로 널리 공지되었고 각광 받고 있다. 일 예가 논문(Selective Metallization Induced by Laser Activation: Fabricating Metallized Patterns on Polymer via Metal Oxide Composite, ACS Appl. Mater. Interfaces 2017, Volume 9, Pages 8996-9005)에 개시되어 있다. 본 논문에서 ABS 폴리머 모체(polymer matrix) 내에 5wt% 구리 크롬 산화물 복합체(CuO·Cr2O3)를 배합시켜 성형된 사출물 표면에 1064nm 레이저 빔을 조사하는 과정에서 CuO·Cr2O3가 분해(decomposition)되어, 전기적으로 활성화된 금속성 구리(Cu) 라디칼(radical)이 거친 표면에 상당량 형성되고, 이후 진행되는 무전해 도금의 씨앗(seed)으로 역할할 수 있다. 무엇보다도 조사한 레이저 빔 파라미터(파장, 출력, 조사 속도 : 1064nm, 8W, 2000mm/s)를 최적화시켜 100 마이크론미터(um) 분해능을 갖는 미세 전기 전도선(electric path line)을 성형된 사출물 표면에 형성할 수 있음을 알 수 있다. 몰드 수지로 성형된 사출물 표면에 도금이 가능한 이유는 조사된 레이저 빔에 의해 몰드 수지가 어블레이션(ablation)되면서 거칠어진(roughened) 표면 내에 고착된(anchored) LDS 첨가제(additive)가 전기적으로 활성화되어 무전해 도금층(electroless plated layer)이 형성될 수 있도록 씨앗(seed)으로 역할을 하기 때문이다. 상기 LDS 공법은 조사된 레이저 빔에 의해 몰드 수지(열경화성 수지, 열가소성 수지) 내에서 씨앗 역할을 할 수 있도록 LDS 첨가제(additive)가 기본적으로 함유되어 있어야 하는데, 이를 제1 첨가제(first additive)라 지칭한다. 추가로 소자 목적(예: 방열, 광학적 반사성 개선)에 맞게 다양한 별도의 기능성 첨가제(functional additive)를 혼합하여 구현할 수 있다. 일반적으로 제1 첨가제(first additive)는 팔라듐(Pd) 함유 중금속 착물과 금속산화물(metal oxide), 금속산화물-코팅된 충전제, 구리 크롬 산화물 스피넬(CuO·Cr2O3 spinel), 구리(Cu) 함유 염, 구리 아이드록시 포스페이트, 구리 포스페이트, 제일구리 티오시아네이트, 스피넬계 금속산화물, 구리 크롬 산화물(CuO·Cr2O3), 유기 금속 착물, 안티몬(Sb) 도핑된 주석(Sn) 산화물, 구리 함유 금속산화물, 아연(Zn) 함유 금속산화물, 주석(Sn) 함유 금속산화물, 마그네슘(Mg) 함유 금속산화물, 알루미늄(Al) 함유 금속산화물, 금(Au) 함유 금속산화물, 은(Ag) 함유 금속산화물, 니켈(Ni) 함유 금속산화물, 크롬(Cr) 함유 금속산화물, 철(Fe) 함유 금속산화물, 바나듐(V) 함유 금속산화물, 코발트(Co) 함유 금속산화물, 망간(Mn) 함유 금속산화물; 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 별도의 기능성 첨가제(functional additive) 중, 방열(heat dissipation) 특성을 개선하기 위해 사용되는 제2 첨가제(second additive)는 알루미늄 질화물(AlN), 알루미늄 탄화물(AlC), 알루미늄 산화물(Al2O3), 알루미늄 산화질화물(AlON), 붕소 질화물(BN), 마그네슘실리콘 질화물(MgSiN2), 실리콘 질화물(Si3N4), 실리콘 탄화물(SiC), 그라파이트(graphite), 그래핀(graphene), 및 탄소 섬유(carbon fiber), 아연(Zn) 산화물, 칼슘(Ca) 산화물, 마그네슘(Mg) 산화물; 중 적어도 하나를 사용할 수 있고, 광학적 반사성(optical reflectance)을 향상하기 위해 사용되는 제3 첨가제(third additive)는 TiO2, ZnO, BaS, CaCO3 등이 있는데, 이들 중 적어도 하나를 포함하여 구현될 수 있다. 반도체 발광소자에 요구되는 인가전류 사용조건에 따라 몰드 수지의 재질, 함유된 LDS 첨가제의 종류와 이들 첨가제 배합비를 선택할 수 있다. 무엇보다도 LDS 공법의 기본이 되는 제1 첨가제(first additive)와 방열 성능 개선을 위한 제2 첨가제(second additive)는 일반적으로 빛을 반사하는 용도가 아니므로, 이는 제한적으로 최소화 사용(예: 10wt% 이하)되어야 한다. 이 점은 반도체 발광소자 분야가 아닌 일반 산업용 MID(Molded Interconnect Devices)와 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 구분하는 요소 중의 하나이다. 반도체 발광소자에 요구되는 인가전류 사용조건에 따라 몰드 수지의 재질, 함유된 LDS 첨가제의 종류와 이들 첨가제 배합비를 선택할 수 있다. 무엇보다도 LDS 공법의 기본이 되는 제1 첨가제(first additive)와 제2 첨가제(second additive)의 양에 따라서, 몰드의 바닥부 측의 제1 첨가제(first additive)와 제2 첨가제(second additive)의 양이 타 측의 제1 첨가제(first additive)와 제2 첨가제(second additive)의 양보다 상대적으로 많도록 일체로 사출성형을 하거나, 별도의 부분(separated parts)으로 구성하는 것도 가능하다. LDS 첨가제들(제1, 제2, 제3)의 사용이 제한적인 경우에, LDS 첨가제의 물질 종류에 따라 조사되는 레이저 빔 파라미터(파장, 출력, 조사 속도)를 조절함으로써, 소정의 결과를 얻었을 수 있다. 예들 들어, 통상적으로 LDS 공정에서 화이버 레이저(fiber laser; 플라스틱 레이저 표면 마킹용도) 1064nm 레이저 빔 파장을 사용하지만, 제2 첨가제인 AlN, 제3 첨가제인 TiO2 등과 같이 첨가제 물질을 분해 활성화하는데 높은 에너지원이 필요로 하는 경우에는 UV 파장대역(400nm 이하 파장)의 레이저 빔을 사용할 수 있으며, 조사 시간이 길어질 수 있다. 예를 들어, 제3 첨가제인 TiO2는 몰드 수지가 반도체 발광 칩에서 발생된 빛에 대하여 95% 이상의 반사도를 가지도록 몰드 수지내에 50wt% 이상으로 배합된다. 사출성형시에 미리 성형된 관통홀의 몰드에 적정한 파장(크세논 염소 엑시머 308nm)과 출력을 갖는 레이저 빔을 조사하거나 드릴링에 사용되는 레이저 빔에 의해 TiO2가 금속성 타이타늄(Ti) 라디칼(radical) + 이온성 티타니아(TiOx) 라디칼(radical) + 1/2O2 개스(gas)로 광분해(decomposition)되고, 분해되어 전기적으로 활성화된 라디칼들(radicals; Ti 및 TiOx)가 이후 있을 무전해 도금(electroless plating)의 씨앗(seed)으로 역할할 수 있다. The second feature of the present disclosure is to increase the surface roughness by irradiating a laser beam to the surface of the injection molded product made of mold resin and to electrically activate it, and then electroless plating the laser-irradiated portion. It is related to the material of the mold (thermosetting resin, thermoplastic resin) containing LDS additive so that the laser direct structuring (LDS) method of forming conductive materials can be applied. Typically, mold resins used in semiconductor light-emitting devices include thermoplastics such as polyphthalamide (PPA) and polycyclohexylenedimethylene terephthalate (PCT), and thermosetting plastics include epoxy mold compounds (EMC). , silicone mold compounds (SMC), etc. In order to increase light reflectivity, especially when blue or green light-emitting chips are used in these mold resins, titanium oxide (Titania; TiO 2 ), a white pigment, and silica (silicon oxide) are used to increase light reflectivity. A filler or scattering agent such as silica (SiO 2 ) and/or aluminum oxide (Alumina (Al 2 O 3 )) is added. In addition to the above PPA & PCT currently used for light emitting devices, thermoplastic resins include polyamides (PA), polycarbonate (PC), polyphthalamide (PPA), polyphenylene oxide (PPO), poly butylene terephthalate (PBT), cycloolefin polymers (COP), Liquid-crystal polymers (LCP), copolymers, or blends thereof, such as acrylonitrile-butadiene-sty rene/polycarbonate blend (PC/ABS), PBT/PET, etc. are possible. In addition to the EMC & SMC currently used for light emitting devices, thermosetting resins include polyurethanes, melamine resins, phenolic resins, polyesters and epoxy resins. However, in order to successfully implement a leadless frame or mold-type LED package using a flip-chip type semiconductor light-emitting chip, the LDS method is applied to create an electrical conductive circuit pattern (conductive) that has a strong physical bonding force on the surface of the injection molded product made of mold resin. material) must be formed. Due to the growth of the mobile phone industry, LDS technology has become widely known and is in the spotlight as a method that can directly implement electrical conductive circuit patterns (conductive materials) that function as antennas on the surface of secondary and/or three-dimensional injection molded products made of mold resin. . An example is disclosed in the paper Selective Metallization Induced by Laser Activation: Fabricating Metallized Patterns on Polymer via Metal Oxide Composite, ACS Appl. Mater. Interfaces 2017, Volume 9, Pages 8996-9005. In this paper, CuO·Cr 2 O 3 was decomposed in the process of irradiating a 1064 nm laser beam on the surface of an injection molded product containing 5 wt% copper chromium oxide complex (CuO·Cr 2 O 3 ) in an ABS polymer matrix (CuO·Cr 2 O 3 ). decomposed, electrically active metallic copper (Cu) Radicals are formed in significant amounts on the rough surface and can serve as seeds for subsequent electroless plating. Above all, by optimizing the irradiated laser beam parameters (wavelength, power, irradiation speed: 1064nm, 8W, 2000mm/s), a fine electric path line with 100 micron meter (um) resolution is formed on the surface of the molded injection molded product. You can see that it can be done. The reason why plating is possible on the surface of an injection molded product made of mold resin is because the mold resin is ablated by the irradiated laser beam and the LDS additive anchored in the roughened surface is electrically activated. This is because it acts as a seed so that an electroless plated layer can be formed. The LDS method basically requires an LDS additive to act as a seed within the mold resin (thermosetting resin, thermoplastic resin) by the irradiated laser beam, which is referred to as the first additive. do. Additionally, it can be implemented by mixing various separate functional additives to suit the device purpose (e.g., heat dissipation, improvement of optical reflectivity). Generally, the first additive is a heavy metal complex containing palladium (Pd), metal oxide, metal oxide-coated filler, copper chromium oxide spinel (CuO·Cr 2 O 3 spinel), and copper (Cu). Containing salts, copper hydroxyphosphate, copper phosphate, cuprous thiocyanate, spinel-based metal oxide, copper chromium oxide (CuO·Cr 2 O 3 ), organic metal complex, antimony (Sb) doped tin (Sn) oxide, Metal oxide containing copper, metal oxide containing zinc (Zn), metal oxide containing tin (Sn), metal oxide containing magnesium (Mg), metal oxide containing aluminum (Al), metal oxide containing gold (Au), containing silver (Ag) Metal oxide, metal oxide containing nickel (Ni), metal oxide containing chromium (Cr), metal oxide containing iron (Fe), metal oxide containing vanadium (V), metal oxide containing cobalt (Co), metal oxide containing manganese (Mn) ; Contains at least one of Among the separate functional additives, the second additive used to improve heat dissipation characteristics is aluminum nitride (AlN), aluminum carbide (AlC), and aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum oxynitride (AlON), boron nitride (BN), magnesium silicon nitride (MgSiN 2 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), silicon carbide (SiC), graphite, graphene, and Carbon fiber, zinc (Zn) oxide, calcium (Ca) oxide, magnesium (Mg) oxide; At least one of the above may be used, and a third additive used to improve optical reflectance may include TiO 2, ZnO, BaS, CaCO 3 , etc., and may be implemented by including at least one of these. You can. Depending on the application current usage conditions required for the semiconductor light emitting device, the material of the mold resin, the type of LDS additive contained, and the mixing ratio of these additives can be selected. Above all, the first additive, which is the basis of the LDS method, and the second additive for improving heat dissipation performance are generally not intended to reflect light, so their use is limited and minimized (e.g., 10 wt%). below). This is one of the factors that distinguishes the semiconductor light emitting device according to the present disclosure from general industrial MIDs (Molded Interconnect Devices) that are not in the field of semiconductor light emitting devices. Depending on the application current usage conditions required for the semiconductor light emitting device, the material of the mold resin, the type of LDS additive contained, and the mixing ratio of these additives can be selected. Above all, depending on the amount of the first additive and the second additive, which are the basis of the LDS method, the amount of the first additive and the second additive at the bottom of the mold It is also possible to injection mold it as one piece so that the amount is relatively greater than the amount of the first additive and the second additive on the other side, or to configure it as separate parts. In cases where the use of LDS additives (first, second, third) is limited, desired results were obtained by adjusting the irradiated laser beam parameters (wavelength, power, irradiation speed) according to the type of material of the LDS additive. You can. For example, in the LDS process, a fiber laser (for plastic laser surface marking) typically uses a laser beam wavelength of 1064 nm, but high energy is used to decompose and activate additive materials such as AlN, which is the second additive, and TiO 2 , which is the third additive. If necessary, a laser beam in the UV wavelength band (wavelength of 400 nm or less) can be used, and the irradiation time may be longer. For example, TiO 2 , the third additive, is mixed in an amount of 50 wt% or more in the mold resin so that the mold resin has a reflectivity of 95% or more to light generated from the semiconductor light emitting chip. During injection molding, a laser beam with an appropriate wavelength (xenon chlorine excimer 308 nm) and output is irradiated into the mold of a pre-formed through hole, or TiO 2 is converted into metallic titanium (Ti) by a laser beam used for drilling. Radical + ionic titania ( TiO It can serve as a seed for future electroless plating.
본 개시의 제3 특징은 몰드의 바닥부의 하면에 외부 기판과의 물리적 결합력, 방열을 위한 금속 처리가 추가될 수 있다는 것이다. 외부 기판과의 물리적 결합력, 방열을 위해 처리된 금속이 관통홀에 형성되는 무전해 도금층과 전기적으로 연결되어 외부 기판과의 물리적 결합력, 방열에 더하여, 전기 연결 기능을 할 수 있음은 물론이다. 또한 몰드의 바닥부의 상면에 반도체 발광 칩과의 전기적 연결을 위해 필요한 경우에 관통홀에 형성된 무전해 도금층과 전기적으로 이어진 금속 처리가 행해질 수 있다.The third feature of the present disclosure is to provide physical bonding force and heat dissipation with an external substrate on the bottom surface of the mold. Metal processing can be added for this purpose. Of course, the metal treated for physical bonding with the external substrate and heat dissipation is electrically connected to the electroless plating layer formed in the through hole, so that in addition to physical bonding with the external substrate and heat dissipation, it can also function as an electrical connection. Additionally, if necessary for electrical connection to the semiconductor light emitting chip on the upper surface of the bottom of the mold, metal treatment may be performed to electrically connect the electroless plating layer formed in the through hole.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). Hereinafter, the present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s).
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 4(a)에 도시된 바와 같이, 반도체 발광소자는 반도체 발광 칩(11) 및 몰드(14)를 구비하며, 일반적으로 반도체 발광 칩(11)을 감싸는 봉지제(31)를 더 구비하며, 봉지제(31)에는 형광체와 같은 광 변환재가 구비될 수 있다. 반도체 발광 칩(11)은 전극(12)과 전극(13)을 구비하며, 플립 칩인 경우에 전극(12,13)의 반대 측에 성장 기판(11a)을 구비한다. 성장 기판(11a)은 제거될 수 있다. 몰드(14)는 반도체 발광 칩(11)이 놓이는 바닥부(15)를 구비하며, 지향각을 조절할 수 있도록 반사벽(14a)을 구비하는 것이 일반적이다. 몰드(14)는 미리 성형되며(예: 사출성형), 전체적으로 표면이 금형에 의해 주어지는 표면 거칠기를 가지게 된다. 바닥부(15)는 상면(15a)과 하면(15b)을 구비하며, 상면(15a)과 하면(15b)을 관통하여 관통홀(16)과 관통홀(17)이 형성되어 있다. 관통홀(16,17)은 금형에 의해 미리 형성되는 것이 더 바람직하지만, 레이저 드릴링 공정을 통해 관통홀(16,17)을 형성할 수도 있다. 몰드(14)는 PPA, PCT, EMC,SMC 등과 같은 수지에, 제3 첨가제(third additive)인 TiO2와 같은 백색을 띠며 광 반사 기능을 하는 필러를 함유하는 통상의 재질로 이루어지며, 빛의 흡수를 줄이기 위해 통상적으로 반도체 발광 칩(11)에서 생성되는 빛에 대해 95% 이상의 반사율을 가지도록 구성요소(ingredients)가 배합되어 형성된다. 몰드(14) 전체가 이러한 재질로 이루어질 수 있지만, 반도체 발광 칩(11)과 대면하는 측에만 이러한 재질이 코팅되어 있는 형태를 가질 수 있다(도 9 참조). 관통홀(16)과 관통홀(17) 각각에 도전부(18)와 도전부(19)가 형성되어 있다. 관통홀(16,17)은 도전부(18,19)가 고정될 수 있도록 표면이 거칠게 형성된다. 여기서 '거칠다' 함음 관통홀(16,17)이 몰드(14)와 함께 성형되는 경우에 몰드(14)의 표면 거칠기와 관통홀(16,17)의 표면 거칠기가 동일하게 되겠지만, 관통홀(16,17)이 레이저 빔 조사 또는 레이저 드릴링에 의해 어블레이션(ablation)되는 경우에 도전부(18,19)가 고정(anchoring)되기 좋도록 표면이 가공된다는 것을 의미한다. 관통홀(16,17)이 미리 성형되거나 레이저 드릴링에 의해 형성되어 레이저 빔에 노출되고, 몰드(14)가 레이저 빔에 의해 활성화(activatioin)되는 금속, 이온 라디칼(radicals)을 갖는 비도전성 금속 물질로 구성된 LDS 제1, 제2, 및/또는 제3 첨가제(first, second, and/or third additives; TiO2, CuO, Cu2O, NiO, Cr2O3, PdO, Al2O3)를 포함하는 경우에, 이 금속이 도전부의 생성을 위한 씨앗으로 기능할 수 있다. 이 경우에 도전부를 별도의 패터닝 공정 없이 레이저에 의해 활성화된 영역에서만 무전해 도금을 통해 형성할 수 있는 이점을 가진다. 추가적으로 바닥부(15)의 하면(15b)에 레이저 빔을 조사하여 금속을 활성화시킴으로써, 방열 금속층(21)을 형성할 수 있으며, 바람직하게는 방열 금속층(21)이 도전부(18,19)와 연결된 형태를 가진다. 마찬가지로 무전해 도금을 통해 방열 금속층(21)을 형성함으로써, 레이저 빔이 조사된 패턴을 따라, 즉 디자인된 패턴을 따라 용이하게 방열 금속층(21)을 형성할 수 있다. 예를 들어, PCT 폴리머 모체(polymer matrix) 내에 3wt% 구리 알루미늄 산화물 복합체(CuO·Al2O3) 또는 산화 화합물(CuAl2O3)를 배합시켜 성형된 사출물을 몰드(14)로 이용할 수 있으며, 여기에 300 마이크론미터(um) 직경과 250 마이크론미터(um) 깊이를 가지는 관통홀(16,17)을 형성할 수 있다. 레이저 빔을 조사한 후에는 잔류물 제거를 위한 공정이 추가될 수 있으며, 무전해 도금을 통해 Cu(10um)/Ni(1um)/Au(0.02um)가 순차적으로 형성될 수 있다.FIG. 4 is a diagram showing an example of a semiconductor light-emitting device according to the present disclosure. As shown in FIG. 4(a), the semiconductor light-emitting device includes a semiconductor light-emitting chip 11 and a mold 14, and generally An encapsulant 31 surrounding the semiconductor light emitting chip 11 is further provided, and the encapsulant 31 may be provided with a light conversion material such as a phosphor. The semiconductor light emitting chip 11 includes an electrode 12 and an electrode 13, and in the case of a flip chip, a growth substrate 11a is provided on the opposite side of the electrodes 12 and 13. Growth substrate 11a can be removed. The mold 14 has a bottom 15 on which the semiconductor light emitting chip 11 is placed, and is generally provided with a reflective wall 14a to adjust the beam angle. The mold 14 is pre-molded (e.g. injection molded) so that the overall surface has a surface roughness given by the mold. The bottom portion 15 has an upper surface 15a and a lower surface 15b, and through holes 16 and 17 are formed through the upper surface 15a and the lower surface 15b. It is more preferable that the through holes 16 and 17 are formed in advance by a mold, but the through holes 16 and 17 can also be formed through a laser drilling process. The mold 14 is made of a common material containing a resin such as PPA, PCT, EMC, SMC, etc., and a white filler such as TiO 2 , which is a third additive, and has a light reflecting function, and reflects light. In order to reduce absorption, the semiconductor light emitting chip 11 is typically formed by mixing ingredients to have a reflectivity of 95% or more for the light generated from the semiconductor light emitting chip 11. The entire mold 14 may be made of this material, but it may be coated with this material only on the side that faces the semiconductor light emitting chip 11 (see FIG. 9). Conductive portions 18 and 19 are formed in each of the through holes 16 and 17. The through holes 16 and 17 have rough surfaces so that the conductive parts 18 and 19 can be fixed. Here, when the 'rough' through-holes (16, 17) are molded together with the mold (14), the surface roughness of the mold (14) and the surface roughness of the through-holes (16, 17) will be the same, but the through-hole (16) This means that the surface is processed so that the conductive parts 18 and 19 can be easily anchored when , 17) is ablated by laser beam irradiation or laser drilling. The through holes 16, 17 are pre-molded or formed by laser drilling and exposed to the laser beam, and the mold 14 is activated by the laser beam, a metal, non-conductive metal material with ion radicals. LDS first, second, and/or third additives (TiO 2, CuO, Cu 2 O, NiO, Cr 2 O 3 , PdO, Al 2 O 3 ) consisting of When included, this metal can serve as a seed for the creation of a conductive part. In this case, there is an advantage that the conductive part can be formed through electroless plating only in the area activated by the laser without a separate patterning process. Additionally, the heat dissipation metal layer 21 can be formed by irradiating a laser beam to the lower surface 15b of the bottom 15 to activate the metal. Preferably, the heat dissipation metal layer 21 is formed on the conductive parts 18 and 19. It has a connected form. Likewise, by forming the heat dissipation metal layer 21 through electroless plating, the heat dissipation metal layer 21 can be easily formed along the pattern to which the laser beam is irradiated, that is, according to the designed pattern. For example, an injection molded product formed by mixing 3 wt% copper aluminum oxide complex (CuO·Al 2 O 3 ) or an oxide compound (CuAl 2 O 3 ) in a PCT polymer matrix can be used as the mold 14. , Here, through holes 16 and 17 having a diameter of 300 microns (um) and a depth of 250 microns (um) can be formed. After irradiating the laser beam, a process for removing residues can be added, and Cu (10 um)/Ni (1 um)/Au (0.02 um) can be sequentially formed through electroless plating.
반도체 발광 칩(12)과 도전부(18,19)의 접합에는 종래와 마찬가지로 도전성 페이스트(예: Ag, Cu), 솔더 물질(예: SAC) 등이 사용될 수 있으며, 복수의 영역에 비도전성 접착제(①; 예: Silicone 접착제)를 도포하여, 물리적 결합을 확실히 할 수 있다. 도전성 페이스트, 솔더 물질을 별도로 사용하지 않고, 비도전성 접착제만을 이용하여 물리적으로 반도체 발광 칩(12)을 몰드(14)에 부착한 다음, 도 3에 제시된 외부 기판(131)에 부착할 때, 부분적으로 메워진 관통홀(16,17) 안으로 도전성 페이스트나 솔더 물질이 유입되도록 함으로써, 전기적 연결을 보장하는 것도 가능하다. 도 4(b)에 반도체 발광소자를 위에서 본 형상을 나타내었으며, 중공의 원형 도전부(18,19)와 원형의 전극(12,13)이 결합된 형태이다.To bond the semiconductor light emitting chip 12 and the conductive parts 18 and 19, conductive paste (e.g., Ag, Cu), solder material (e.g., SAC), etc. may be used as in the past, and non-conductive adhesive may be applied to a plurality of areas. (①; Example: Silicone adhesive) can be applied to ensure physical bonding. When the semiconductor light emitting chip 12 is physically attached to the mold 14 using only a non-conductive adhesive without using separate conductive paste or solder materials, and then attached to the external substrate 131 shown in FIG. 3, partial It is also possible to ensure electrical connection by allowing conductive paste or solder material to flow into the filled through holes 16 and 17. Figure 4(b) shows the shape of the semiconductor light emitting device as seen from above, in which hollow circular conductive parts 18 and 19 and circular electrodes 12 and 13 are combined.
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 5(a)에 도시된 바와 같이, 바닥부(15)의 상부(15a)에도 레이저 어블레이션을 행하여 상부 금속층(18a,19a)이 레이저 어블레이션된 디자인 패턴을 따라 형성된 점에서 차이를 가진다. 도전부(18,19), 방열 금속층(21) 및 상부 금속층(18a,19a)은 무전해 도금시 함께 형성될 수 있다. 비도전성 접착제(①)에 더하여, 도전성 접착제(②; 예: 솔더 물질)를 통해 상부 금속층(18a,19a)과 전극(12,13)을 접합시킴으로써, 반도체 발광소자가 외부 전극(131; 도 3 참조)과 결합되기 이전에 전기적/물리적 결합의 안정성을 도모할 수 있다. 신뢰성 테스트 등에서 안정성을 확보할 수 있다. 도 5(b)에 도시된 바와 같이, 상부 금속층(18a,19a)의 크기를 전극(12,13)의 크기보다 작게 형성함으로써, 상부 금속층(18a,19a)에 의한 광 흡수를 줄일 수 있는 이점을 가질 수 있다.FIG. 5 is a diagram showing another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure. As shown in FIG. 5(a), laser ablation is also performed on the upper portion 15a of the bottom portion 15 to form the upper metal layer 18a, 19a) is different in that it is formed according to the laser ablation design pattern. The conductive portions 18 and 19, the heat dissipation metal layer 21, and the upper metal layers 18a and 19a may be formed together during electroless plating. In addition to the non-conductive adhesive (①), by bonding the upper metal layers (18a, 19a) and the electrodes (12, 13) through a conductive adhesive (②; e.g., solder material), the semiconductor light emitting device is connected to the external electrode (131; Figure 3). The stability of the electrical/physical combination can be ensured before being combined with (reference). Stability can be ensured in reliability tests, etc. As shown in FIG. 5(b), by forming the size of the upper metal layers 18a and 19a smaller than the size of the electrodes 12 and 13, light absorption by the upper metal layers 18a and 19a can be reduced. You can have
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 6(a)에 도시된 바와 같이, 도전부(18,19)가 관통홀(16,17)을 메우는 형태가 제시되어 있다. 메워진 도전부(18,19)와 전극(12,13)의 결합에 도전성 접착제(②)가 이용될 수 있다. 메우는(Filling) 방법은 무전해 도금(Electroless Plating), 250℃ 이상의 온도에서 열처리 공정을 거치는 고온성 솔더(solder), Ag(은) & Cu(구리)가 포함된 전도성 Paste 물질로 메우고 열처리하는 공정 등이 있지만, 무전해 도금 공정이 바람직하다. 도 4에 제시된 반도체 발광소자와 비교할 때, 관통홀(16,17)이 채워져 있으므로, 방열 성능이 좋아지며, 외부 기판과 결합력도 높아질 수 있다. 다만, 관통홀(16,17)을 메우는데 시간이 소요된다.FIG. 6 is a diagram showing another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and as shown in FIG. 6(a), the conductive parts 18 and 19 fill the through holes 16 and 17. It is done. A conductive adhesive (②) may be used to join the filled conductive portions 18 and 19 and the electrodes 12 and 13. The filling method is electroless plating, a high-temperature solder that undergoes a heat treatment process at a temperature of 250℃ or higher, and a process of filling and heat treatment with a conductive paste containing Ag (silver) & Cu (copper). etc., but an electroless plating process is preferable. Compared to the semiconductor light emitting device shown in FIG. 4, since the through holes 16 and 17 are filled, heat dissipation performance is improved and bonding strength with an external substrate can also be increased. However, it takes time to fill the through holes (16, 17).
도 4 내지 도 6에 제시된 반도체 발광소자를 구현함에 있어서, 몰드(14) 내에 LDS 공법의 기본이 되는 제1 첨가제(first additive) 및/또는 방열 성능 개선을 위한 제2 첨가제(second additive)를 추가하는 경우에, 이들은 일반적으로 빛을 반사하는 용도가 아니므로, 첨가하는 양을 최소화((예: 10wt% 이하))하는 것이 바람직하다. 다시 말하자면 가시광 흡수율(absorption)이 낮고 투과율(transparency)이 높은 한편, 그 자체로 또는 레이저 조사에 의해 활성화되어 도금의 씨앗으로 기능할 수 있는 나노스케일(나노크기 규모)의 입자 물질을 몰드(14)에 첨가함으로써, LDS에 최적화되었으나 반사도가 높지 않은 첨가제가 사용될 때의 문제점을 해소할 수 있게 된다. 이러한 나노스케일(나노크기 규모)의 입자 물질은 금속(예: Ag) 또는 금속 산화물(Al2O3, SiO2, TiO2, SnO2, In2O3, ITO, ZrO2, ZnO, CeO2, Ta2O5)이 가능하다. 예를 들어, PCT에 소정의 ZnO와 함께 나노스케일의 Ag 입자를 넣어서 몰드(14)를 형성할 수 있다.In implementing the semiconductor light emitting device shown in FIGS. 4 to 6, a first additive, which is the basis of the LDS method, is added to the mold 14 and/or a second additive to improve heat dissipation performance. In this case, since they are generally not intended to reflect light, it is desirable to minimize the amount added (e.g., 10 wt% or less). In other words, a nanoscale particle material that has low visible light absorption and high transparency and can function as a seed for plating by itself or by being activated by laser irradiation is molded (14). By adding it, it is possible to solve the problem when an additive optimized for LDS but not highly reflective is used. These nanoscale particulate materials include metals (e.g. Ag) or metal oxides (Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , SnO 2 , In 2 O 3 , ITO, ZrO 2 , ZnO, CeO 2 , Ta 2 O 5 ) is possible. For example, the mold 14 can be formed by adding nanoscale Ag particles along with a certain amount of ZnO to PCT.
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 반사벽(14a)과 바닥부(15)의 재질을 서로 달리하는 몰드(14)가 제시되어 있다. 반사벽(14a)에는 몰드 수지와 광 반사 기능을 하는 티타니아(TiO2)와 산란재(또는 분산재) 기능을 하는 실리카(SiO2) 또는 알루미나(Al2O3) 성분 이외, 빛을 흡수하는 별도의 LDS 제1, 제2 첨가제(Cu2O, NiO, Cr2O3, PdO 또는 LDS Additives)가 구비되지 않으며, 반면에 바닥부(15)에는 LDS 제1, 제2 첨가제(Cu2O, NiO, Cr2O3, PdO 또는 LDS Additives)가 구비될 수 있다. 이는 두 개 이상의 배합으로 구성될 수 있으나, 순차적으로 변하는 배합으로 구성될 수도 있다. 이러한 구성은 몰드(14)가 LDS 첨가제를 구비하는 경우에 특히 유용하다. 이는 몰드(14) 성형 과정에서, 순차적으로 배합을 달리하는 몰드 물질을 인젝션하거나, 반사벽(14a)에 대응하는 상부 금형과 바닥부(15)에 대응하는 하부 금형에 별도로 몰드 물질을 인젝션함으로써 제조할 수 있다.FIG. 7 is a diagram illustrating another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in which a mold 14 in which the reflective wall 14a and the bottom 15 are made of different materials is presented. In addition to the mold resin, titania (TiO 2 ) that functions as a light reflection, and silica (SiO 2 ) or alumina (Al 2 O 3 ) that functions as a scattering material (or scattering material), the reflecting wall (14a) contains a separate component that absorbs light. The LDS first and second additives (Cu 2 O, NiO, Cr 2 O 3 , PdO or LDS Additives) are not provided, while the bottom part 15 contains the LDS first and second additives (Cu 2 O, NiO, Cr 2 O 3 , PdO or LDS Additives) may be provided. It may consist of two or more combinations, but may also consist of combinations that change sequentially. This configuration is particularly useful when mold 14 is equipped with an LDS additive. This is manufactured by sequentially injecting mold materials with different formulations during the molding process of the mold 14, or by separately injecting mold materials into the upper mold corresponding to the reflective wall 14a and the lower mold corresponding to the bottom portion 15. can do.
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 반사벽(14a)과 바닥부(15)의 재질 구성을 서로 달리하는 몰드(14)가 제시되어 있다. 반사벽(14a)과 바닥부(15)가 한번에 성형되는 형태가 아니라 접착제(14b)에 결합된 형태가 제시되어 있다.FIG. 8 is a diagram illustrating another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in which a mold 14 in which the reflective wall 14a and the bottom 15 have different material compositions is presented. The reflective wall 14a and the bottom 15 are not molded at once, but are combined with an adhesive 14b.
도 7 및 도 8에 제시된 반도체 발광소자를 구현함에 있어서, 몰드(14)의 바닥부(15) 측의 제1 첨가제(first additive)와 제2 첨가제(second additive)의 양이 반사벽(14a) 측의 제1 첨가제(first additive)와 제2 첨가제(second additive)의 양보다 상대적으로 많도록 일체로 사출성형을 하거나, 별도의 부분(separated parts)으로 구성하는 것도 가능하다.In implementing the semiconductor light emitting device shown in FIGS. 7 and 8, the amount of the first additive and the second additive on the bottom 15 of the mold 14 is the amount of the reflective wall 14a. It is also possible to injection mold it as one piece so that it is relatively larger than the amounts of the first additive and the second additive on the side, or to configure it as separate parts.
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 몰드(14)가 반도체 발광 칩(11)에서 발광되는 빛에 대해 95% 이하의 반사율을 가지는 물질(14c; 예: LDS에 사용되는 폴리머)로 된 모체를 가지고, 여기에 반사층(14d)이 코팅된 형태를 가진다. 반사층(14d)은 Ag, Cr/Ag, Cu/Ag, Al, Cr/Al, Cu/Al, Au, Cr/Au, Cu/Ni/Au, DBR, White 수지 또는 PSR 등으로 이루어질 수 있다. 반사벽(14a)과 바닥부(15)에 의해 형성되는 오목한 공간을 캐비티(41)라 할 때, 반사층(14d)은 몰드(14)의 캐비티(41) 내부 측에 형성된다. 드릴링 및 도금에 적합한 물질과 빛의 반사에 적합한 물질의 조합으로 몰드(14)를 형성할 수 있게 된다.FIG. 9 is a diagram illustrating another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in which the mold 14 is made of a material 14c having a reflectance of 95% or less for light emitted from the semiconductor light emitting chip 11; e.g., LDS. It has a matrix made of polymer (used in ), and a reflective layer 14d is coated on it. The reflective layer 14d may be made of Ag, Cr/Ag, Cu/Ag, Al, Cr/Al, Cu/Al, Au, Cr/Au, Cu/Ni/Au, DBR, White resin, or PSR. When the concave space formed by the reflective wall 14a and the bottom 15 is referred to as the cavity 41, the reflective layer 14d is formed on the inner side of the cavity 41 of the mold 14. The mold 14 can be formed by combining a material suitable for drilling and plating and a material suitable for light reflection.
도 10은 미국 공개특허공보 US2014/0054078호에 제시된 복수의 몰드와 리드 프레임의 일 예(소위, individual type lead frame)를 나타내는 도면으로서, 리드 프레임(50)에 복수의 몰드(25) 각각이 적어도 한쪽 변이 떨어진 상태로 독립되어 형성되어 있다. 본 개시는 앞선 예시들에서, 리드 프레임 내지 리드 전극을 구비하지 않으며, 따라서 리드 프레임 내지 리드 전극과 반도체 발광 칩(11; 도 4 참조)이 전기적으로 연결되지 않지만, 리드 프레임 내지 리드 전극(50)이 몰드(25)의 바닥부(35)를 빗겨나서 몰드(25)를 관통하여 구비되는 형태(예: 미국 등록특허공보 US10,008,648호)를 배제하지는 않는다. 또한, 리드 프레임 내지 리드 전극(50)이 몰드(25)를 관통하지 않더라도, 제조의 관점에서 리드 프레임(50)에 복수의 몰드(25)가 걸쳐 있는 형태여야 대량생산이 가능할 수 있다.Figure 10 is a diagram showing an example of a plurality of molds and a lead frame (so-called individual type lead frame) presented in US Patent Publication No. US2014/0054078, in which each of the plurality of molds 25 in the lead frame 50 is at least It is formed independently with one side separated. In the preceding examples, the present disclosure does not include a lead frame or a lead electrode, and therefore the lead frame or lead electrode and the semiconductor light emitting chip 11 (see FIG. 4) are not electrically connected, but the lead frame or lead electrode 50 This does not exclude a form in which the bottom portion 35 of the mold 25 is deviated and penetrates the mold 25 (e.g., U.S. Patent Publication No. US 10,008,648). In addition, even if the lead frame or lead electrode 50 does not penetrate the mold 25, mass production may be possible only if a plurality of molds 25 span the lead frame 50 from a manufacturing standpoint.
도 11은 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 설명의 편의를 위해 2개의 반도체 발광소자(100a,100b)가 제시되어 있다. 반도체 발광소자(100a,100b) 각각의 몰드(14)가 리드 프레임(50)과 일체로 성형되어 있으며, 몰드(14)로부터 노출된 리드 프레임(50)에는 도금 방지막(51)이 형성되어 있다. 도금 방지막(51)을 구비함으로써, 도전부(18,19), 상부 금속층(18a,19a) 및/또는 방열 금속층(21)의 형성을 위해 도금을 행할 때, 이들 각각에 도금막을 안정적으로 형성할 수 있게 된다. 도 4 내지 도 9에 제시된 예와 비교할 때, 적어도 몰드(14)로부터 노출된 리드 프레임(50)에 도금 방지막(51)이 형성되어 있는 것을 제외하면 이후의 공정은 동일하며, 동일한 공정을 거친 후, 노출된 리드 프레임(50)을 절단함으로써, 개별적인 반도체 발광소자로 된다. 리드 프레임(50) 전체에 도금 방지막(51)을 형성한 다음, 복수의 몰드(14)를 사출 성형 등을 통해 리드 프레임(50)과 일체화하는 것도 가능하다. 몰드(14)로부터 노출된 리드 프레임(50)에 도금 방지막(51)이 형성되는 경우에, 리드 프레임(50)이 반도체 발광 칩(11)과 전기적으로 연결되는 형태의 구성을 배제할 필요는 없다. 도금 방지막(51)은 예를 들어, 절연막의 코팅을 통해 이루어질 수 있으며, 몰드(14)에는 절연막이 코팅되지 않도록 하는 경우에, 전착 도장(Electro-depositon Coating)을 통해 전기적 절연막을 형성할 수 있다. 한편 몰드(14)에도 도장을 하는 경우에, 절연물질을 도장하는 것이라면, 특별히 그 방법에 제한은 없다. 예를 들어, 몰드(14)가 검은 색인 경우에, 반도체 발광 칩(11)의 반사도를 높이기 위해, 몰드(14)를 포함한 리드 프레임(50)을 백색의 절연물질로 코팅하는 것이 가능하다.FIG. 11 is a diagram illustrating an example of a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and two semiconductor light emitting devices 100a and 100b are shown for convenience of explanation. The mold 14 of each of the semiconductor light emitting devices 100a and 100b is molded integrally with the lead frame 50, and an anti-plating film 51 is formed on the lead frame 50 exposed from the mold 14. By providing the anti-plating film 51, when plating is performed to form the conductive parts 18 and 19, the upper metal layers 18a and 19a and/or the heat dissipation metal layer 21, a plating film can be stably formed on each of them. It becomes possible. Compared to the examples shown in FIGS. 4 to 9, the subsequent processes are the same except that the anti-plating film 51 is formed on the lead frame 50 exposed from the mold 14, and after the same process, , by cutting the exposed lead frame 50, it becomes an individual semiconductor light emitting device. It is also possible to form the anti-plating film 51 over the entire lead frame 50 and then integrate the plurality of molds 14 with the lead frame 50 through injection molding or the like. When the anti-plating film 51 is formed on the lead frame 50 exposed from the mold 14, there is no need to exclude a configuration in which the lead frame 50 is electrically connected to the semiconductor light emitting chip 11. . The anti-plating film 51 can be formed, for example, by coating an insulating film. If the mold 14 is not coated with an insulating film, an electrical insulating film can be formed through electro-depositon coating. . On the other hand, when painting the mold 14, there is no particular limitation on the method as long as it is painting an insulating material. For example, when the mold 14 is black, it is possible to coat the lead frame 50 including the mold 14 with a white insulating material to increase the reflectivity of the semiconductor light emitting chip 11.
나아가, 본 개시는 제1 첨가제, 제2 첨가제 및/또는 제3 첨가제를 대신하여 또는 이들과 함께, 가시광 흡수율(absorption)이 낮고 투과도(transparency)가 높은 물질, 예를 들어 나노스케일(나노크기 규모)의 입자 금속 물질 자체(예: Ag) 또는 금속 산화물(Al2O3, SiO2, TiO2, SnO2, In2O3, ITO, ZrO2, ZnO, CeO2, Ta2O5)을 첨가하는 것이 가능하다. 투과율이 높은 한편, 그 자체로 또는 레이저 조사에 의해 활성화되어 도금의 씨앗으로 기능할 수 있는 물질을 몰드(14)에 첨가함으로써, LDS에 최적화되었으나 반사도가 높지 않은 첨가제가 사용될 때의 문제점을 해소할 수 있게 된다. 예를 들어, PCT에 소정의 ZnO와 함께 나노스케일의 Ag 입자를 넣어서 몰드(14)를 형성할 수 있다.Furthermore, the present disclosure provides a material having low visible light absorption and high transparency, e.g., nanoscale (nanoscale scale), instead of or in combination with the first additive, second additive, and/or third additive. ) of the particle metal material itself (e.g. Ag) or metal oxide (Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , SnO 2 , In 2 O 3 , ITO, ZrO 2 , ZnO, CeO 2 , Ta 2 O 5 ). It is possible to add By adding a material to the mold 14 that has a high transmittance and can function as a plating seed by itself or by being activated by laser irradiation, the problem of using an additive optimized for LDS but not highly reflective can be solved. It becomes possible. For example, the mold 14 can be formed by adding nanoscale Ag particles along with a certain amount of ZnO to PCT.
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 본 개시에 따른 기술사상이 자외선을 발광하는 반도체 발광소자에 적용된 예를 나타낸다. 반도체 발광소자는 반도체 발광 칩(11)과 몸체(14e)를 포함한다. 바람직하게는 윈도우(60; 예: Quartz, Sapphire))가 구비된다. 반도체 발광 칩(11)은 자외선을 발광하며, 자외선은 그 파장에 따라 UVA(400~315nm), UVB(315~280nm), UVC(280~100nm)로 나눌 수 있다. 몸체(14e)는 캐비티(41)를 형성하는 반사벽(14f)과 바닥부(15a)로 이루어지며, 반사벽(14f)은 반사층(14g)을 구비한다. 앞선 예들과 달리, 바닥부(15a)가 단결정인 사파이어, 소결체인 AlN, Al2O3, SiNx와 같은 세라믹 기판으로 이루어진다는 점에서 차이를 가지며, 바닥부(15a)에는 도전부(18)와 도전부(19)가 형성되어 있다. 필요에 따라 방열 금속층(21a)이 더 구비될 수 있다. 바닥부(15a)의 일 예가 미국 공개특허공보 제US2017-0317230호에 제시되어 있다. 반사층(14g)은 반사벽(14f)에 LDS 공법을 적용하여 형성한다. 반사벽(14f)은 반도체 발광 칩(11)에서 발광되는 빛에 대한 반사율에 관계없이 LDS가 가능한 형태라면 특별히 제한되지 않는다. 참고로 자외선의 파장이 짧아질수록 PPA, PCT, EMC, SMC와 같은 종래 적외선과 가시광선 용도로 사용한 백색 수지를 이용하는 것이 쉽지 않다. 본 개시에 의하면 반사벽(14f)은 LDS가 가능한 물질이면 족하고, 반사층(14g)은 반도체 발광 칩(11)에서 발광되는 빛의 파장에 맞추어, 그 물질을 (예를 들어, UVA에 대해 Ag를, UVB 및 UVC에 대해 Al) 선택할 수 있게 된다. 한편, 도 9에서 언급한 바와 같이, 순차적으로 접착력이 좋은 금속(예: Cu, Cr, Ni)과 반사도가 높은 금속(예: Ag, Al)을 결합하여 형성하는 것도 가능하다(예: Ag, Cu/Ni/Au/Ag, Cu/Ni/Sn/Ag, Cr/Ag, Cu/Sn/Ag, Al, Cu/Ni/Al, Cu/Ni/Sn/Al, Cr/Al, Cu/Sn/Al).Figure 12 is a diagram showing another example of a semiconductor light-emitting device according to the present disclosure, and shows an example in which the technical idea according to the present disclosure is applied to a semiconductor light-emitting device that emits ultraviolet rays. The semiconductor light emitting device includes a semiconductor light emitting chip 11 and a body 14e. Preferably, a window 60 (e.g. Quartz, Sapphire) is provided. The semiconductor light emitting chip 11 emits ultraviolet rays, and ultraviolet rays can be divided into UVA (400-315 nm), UVB (315-280 nm), and UVC (280-100 nm) depending on their wavelength. The body 14e consists of a reflective wall 14f and a bottom 15a forming the cavity 41, and the reflective wall 14f includes a reflective layer 14g. Unlike the previous examples, there is a difference in that the bottom portion 15a is made of a ceramic substrate such as single crystal sapphire, sintered AlN, Al 2 O 3 , or SiN x , and the bottom portion 15a has a conductive portion 18. and a conductive portion 19 is formed. If necessary, a heat dissipation metal layer 21a may be further provided. An example of the bottom portion 15a is presented in US Patent Publication No. US2017-0317230. The reflective layer 14g is formed by applying the LDS method to the reflective wall 14f. The reflective wall 14f is not particularly limited as long as it has a shape that allows LDS regardless of the reflectance of light emitted from the semiconductor light emitting chip 11. For reference, as the wavelength of ultraviolet rays gets shorter, it becomes more difficult to use white resins such as PPA, PCT, EMC, and SMC, which were previously used for infrared and visible light purposes. According to the present disclosure, any material capable of LDS is sufficient for the reflective wall 14f, and the reflective layer 14g is made of a material (for example, Ag for UVA) in accordance with the wavelength of light emitted from the semiconductor light emitting chip 11. , Al) for UVB and UVC can be selected. Meanwhile, as mentioned in FIG. 9, it is also possible to sequentially combine metals with good adhesion (e.g., Cu, Cr, Ni) and metals with high reflectivity (e.g., Ag, Al) to form them (e.g., Ag, Cu/Ni/Au/Ag, Cu/Ni/Sn/Ag, Cr/Ag, Cu/Sn/Ag, Al, Cu/Ni/Al, Cu/Ni/Sn/Al, Cr/Al, Cu/Sn/ Al).
세라믹 기판으로 형성된 바닥부(15a) 위에 반사벽(14f)과 반사층(14g)을 형성하는 방법은 일반적으로 2가지 공정을 기반으로 형성할 수 있는데, 구조적 안정성과 광학적 성능과 품질 개선, 그리고 제조 비용을 저감하는 목적으로 추가 또는 공정 순서 변경은 가능하다. 도전부(18,19)와 표면 반사층(미도시)이 형성된 바닥부(15a)의 일정한 외곽 영역에 별도의 결합층(14b) 없이 반사벽(14f)을 결합 형성하는 인티그레이션 공정(integration process)과 별도의 결합층(14b)을 도입하여 바닥부(15a)와 반사벽(14f)을 결합 형성하는 하이브리드 공정(hybrid process)으로 접근할 수 있다. 상기한 인티그레이션 공정 경우는 반사벽(14f)이 바닥부(15a)와 일체화된 상태(예: 바닥부(15a)에 대한 반사벽(14f)의 인젝션 몰딩)에서, 반사벽(14f)의 경사면(14f-1)에 더하여 상면(14f-3) 및/또는 단차면(14f-21,14f-22; 도 15 참조)을 활성화시켜 무전해 도금의 씨앗 기능을 할 수 있도록 레이저 빔을 조사하는 공정을 수행한다. 이와 달리, 하이브리드 공정 경우는 바닥부(15a)와 반사벽(14f)이 별도로 개별 준비된 상태에서 일체화하기 위해 바람직하게는 반사벽(14f)의 하면(14f-2)에 레이저 빔 조사와 무전해 도금 공정을 연속적으로 시행한 후에, 결합층(14b)을 도입하여 일체화 공정을 한다. 이러한 하이브리드 공정의 경우, 상기 인티그레이션 공정에 비해 별도의 일체화 공정이 도입되지만, 더 강한 결합을 통해 일체화할 수 있는 이점이 있을 것으로 기대한다. 또한 하이브리드 공정의 경우에서 반사벽(14f) 하면(14f-2)과 함께 경사면(14f-1), 상면(14f-3), 및/또는 단차면(14f-21,14f-22)을 동시에 레이저 빔 조사를 통해 활성화시켜 무전해 도금 공정을 시행할 수도 있다. 반사층(14g)은 반사벽(14f)의 경사면(14f-1)에 더하여 상면(14f-3) 및/또는 단차면(14f-21,14f-22)에 무전해 도금(예: Cu/Ni/Sn)을 하고, 반사층(14g; 예: Al,Ag)을 PVD 방법으로 증착함으로써 형성할 수도 있다.The method of forming the reflective wall 14f and the reflective layer 14g on the bottom 15a formed of a ceramic substrate can generally be formed based on two processes: structural stability, optical performance and quality improvement, and manufacturing cost. It is possible to add or change the process sequence for the purpose of reducing. An integration process of combining and forming a reflective wall 14f without a separate bonding layer 14b in a certain outer area of the bottom portion 15a where the conductive portions 18 and 19 and the surface reflective layer (not shown) are formed; It can be approached as a hybrid process in which the bottom portion 15a and the reflective wall 14f are combined by introducing a separate bonding layer 14b. In the case of the above-described integration process, in a state where the reflective wall 14f is integrated with the bottom 15a (e.g., injection molding of the reflective wall 14f with respect to the bottom 15a), the inclined surface of the reflective wall 14f ( In addition to 14f-1), a process of irradiating a laser beam to activate the upper surface (14f-3) and/or the step surface (14f-21, 14f-22; see Figure 15) to serve as a seed for electroless plating Perform. On the other hand, in the case of the hybrid process, in order to integrate the bottom portion 15a and the reflective wall 14f in a separately prepared state, laser beam irradiation and electroless plating are preferably performed on the lower surface 14f-2 of the reflective wall 14f. After the process is continuously performed, the bonding layer 14b is introduced and an integration process is performed. In the case of this hybrid process, a separate integration process is introduced compared to the integration process, but it is expected to have the advantage of integration through stronger bonding. In addition, in the case of the hybrid process, the inclined surface (14f-1), the upper surface (14f-3), and/or the step surface (14f-21, 14f-22) along with the lower surface (14f-2) of the reflective wall (14f) are simultaneously laser beamed. An electroless plating process can also be performed by activating it through beam irradiation. The reflective layer 14g is formed by electroless plating (for example, Cu/Ni/ Sn) and depositing a reflective layer (14g; e.g. Al, Ag) using a PVD method.
본 개시에 의하면, 반도체 발광 칩(11)의 성장 기판(11a; 플립 칩인 경우) 또는 지지 기판(미도시; 수직형 칩인 경우)과 열팽창계수의 차이가 크지 않거나 같은 세라믹(예: 사파이어(6.5ppm), Al2O3 소결체(7ppm), AlN 소결체(4.8ppm), SiNx 소결체(2.8ppm)) 기판을 바닥부(15a)로 사용함으로써 (예를 들어, ① 플립 칩인 경우(사파이어 성장 기판(11a)이 그대로 있는 경우)에, 사파이어, Al2O3 소결체 또는 AlN 소결체가 우선적으로 고려될 수 있으며, ② 수직형 칩인 경우(성장 기판(11a)이 제거되고 MoCu(6.5ppm) 같은지지 기판이 있는 경우)에, 사파이어, Al2O3 소결체 또는 AlN 소결체가 우선적으로 고려될 수 있으며, ③ 또 다른 수직 칩인 경우(성장 기판(11a)이 제거되고 Si(2.3ppm) 같은지지 기판이 있는 경우)에 AlN 소결체 또는 SiNx 소결체가 우선적으로 고려될 수 있다.), 반도체 발광 칩(11)이 플립 본딩되는 경우에도 전극(12,13)이 도전부(18,19)로부터 떨어지는 것을 방지하는 한편, 근본적으로 열팽창계수가 3-7ppm 정도로 크지 않으므로, 도전부(18,19)의 열팽창을 억제하는 것이 가능하다. 따라서, 반도체 발광 칩(11)이 자외선을 발광하는 경우에, ① PPA, PCT, EMC, SMC와 같은 수지계 몰드(14)가 열화되어 사용이 어려운 점을 극복하는 한편, ② 열팽창계수 자체가 크지 않고, 성장 기판(11a; 플립 칩) 또는 지지 기판(미도시; 수직형 칩)과 열팽창계수의 차이도 크지 않은 세라믹 기판을 바닥부(15a)로 채택하여, 전극(12,13)이 떨어지는 문제점을 해소하고, ③ 도전부(18,19)의 고정도 안정적으로 확보할 수 있게 된다. ④ 나아가 반도체 발광 칩(11)이 자외선을 발광하는 경우에, 캐비티(41)가 경사진 형태의 반사벽(14f)을 가지는 것이 중요한데, 반사벽(14f)이 전체적으로 금속으로 이루어지는 경우에는 반사벽(14f)에 경사를 형성하기가 어려울 뿐만 아니라, 그 경사를 조절하는 것이 쉽지 않다. 반사벽(14f)을 수지계 물질로 사출성형하는 경우에, 원하는 형상(원형, 사각형, 다각형 등)과 각도의 경사면(14f-1)을 얻을 수 있으나, 그 자체로 사용할 수 없고, 한편 수지계 물질로 된 반사벽(14f)에 금속 코팅을 하는 경우에는 이 금속 코팅이 장시간(10,000hrs 이상) 안정적으로 유지되기가 쉽지 않다. 본 개시는 LDS 공법이 적용가능하며, 사출성형이 가능한 물질을 반사벽(14f)의 모체(예: 열가소성 수지, 열경화성 수지)로 사용하며, 여기에 LDS를 적용하여 반사층(14g)을 형성함으로써, 이러한 문제점을 해소하는 것이다. 한편 본 개시는 반사벽(14f)이 레이저 빔에 의해 활성화되어 무전해 도금의 씨앗으로 기능하는 적어도 하나의 LDS 첨가제를 함유하는 것 내지는 LDS 가능 수지로 이루어지는 것에 대한 대안(an alternative)으로, 반사벽(14f)을 (100) 실리콘(Si) 반도체로 구성하는 것으로 확장될 수 있다. 이는 (100) 결정면을 갖는 실리콘 반도체가 ① KOH 습식 에칭 및/또는 건식 에칭을 통해 경사면(14f-1)의 조절이 용이할 뿐만 아니라, ② 반사층(14g)을 형성하는 금속(예: Al,Ag)과의 접착력 또한 우수하기 때문이다. 따라서 반사벽(14f)을 구성하는 물질은 이러한 두 가지 조건을 만족한다면 특별한 제약을 갖지 않는다. (100) 실리콘 반도체가 반사벽(14f)으로 사용되는 경우에, 바닥부(15a)는 (100) 실리콘 반도체의 열팽창계수(2.5ppm)를 감안하여 사파이어(6.5ppm)와 Al2O3(7ppm) 보다는 SiNx(2.8ppm) 또는 AlN(4.8ppm)을 우선적으로 사용할 수 있다.According to the present disclosure, the difference in thermal expansion coefficient between the growth substrate 11a (in the case of a flip chip) or the support substrate (not shown; in the case of a vertical chip) of the semiconductor light emitting chip 11 is not large or is the same as that of a ceramic (e.g., sapphire (6.5 ppm) ), Al 2 O 3 sintered body (7ppm), AlN sintered body (4.8ppm), SiN 11a) is left intact), sapphire, Al 2 O 3 sintered body, or AlN sintered body may be considered first, and ② in the case of vertical chip (the growth substrate 11a is removed and a support substrate such as MoCu (6.5 ppm) is used. (if present), sapphire, Al 2 O 3 sintered body or AlN sintered body may be considered first, ③ in the case of another vertical chip (when the growth substrate 11a is removed and there is a support substrate such as Si (2.3 ppm)) (AlN sintered body or SiN Fundamentally, since the thermal expansion coefficient is not as large as 3-7ppm, it is possible to suppress thermal expansion of the conductive parts 18 and 19. Therefore, when the semiconductor light-emitting chip 11 emits ultraviolet rays, ① the resin mold 14 such as PPA, PCT, EMC, and SMC deteriorates and becomes difficult to use, while ② the thermal expansion coefficient itself is not large. , a ceramic substrate that does not have a large difference in thermal expansion coefficient from the growth substrate 11a (flip chip) or the support substrate (not shown; vertical chip) is adopted as the bottom portion 15a to solve the problem of the electrodes 12 and 13 falling. ③ It is possible to stably secure the conductive parts (18, 19). ④ Furthermore, when the semiconductor light emitting chip 11 emits ultraviolet rays, it is important for the cavity 41 to have an inclined reflecting wall 14f. If the reflecting wall 14f is made entirely of metal, the reflecting wall ( Not only is it difficult to form a slope in 14f), but it is not easy to control the slope. When the reflective wall 14f is injection molded with a resin-based material, a desired shape (circle, square, polygon, etc.) and an inclined surface 14f-1 can be obtained, but it cannot be used as such. When a metal coating is applied to the reflective wall 14f, it is not easy for the metal coating to remain stable for a long time (10,000 hrs or more). The present disclosure is applicable to the LDS method, and uses a material capable of injection molding as the base material (e.g., thermoplastic resin, thermosetting resin) of the reflective wall 14f, and applies LDS thereto to form the reflective layer 14g, The goal is to solve these problems. Meanwhile, the present disclosure is an alternative to the reflective wall 14f containing at least one LDS additive that is activated by a laser beam and serves as a seed for electroless plating or is made of an LDS-enabled resin, (14f) can be expanded to consist of a (100) silicon (Si) semiconductor. This means that a silicon semiconductor with a (100) crystal plane is not only easy to control the slope (14f-1) through ① KOH wet etching and/or dry etching, but also ② metal (e.g. Al, Ag) forming the reflective layer 14g. ) is also excellent in adhesion. Therefore, the material constituting the reflecting wall 14f has no special restrictions as long as it satisfies these two conditions. When a (100) silicon semiconductor is used as the reflecting wall 14f, the bottom portion 15a is made of sapphire (6.5ppm) and Al 2 O 3 (7ppm) considering the thermal expansion coefficient of the (100) silicon semiconductor (2.5ppm). ), SiN x (2.8ppm) or AlN (4.8ppm) can be used preferentially.
도 13은 미국 공개특허공보 제US2014/0367718호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 반도체 발광 칩(411) 및 두 개의 금속 몸체(414a,414b)를 포함한다. 두 개의 금속 몸체(414a,414b)는 절연층(415)에 의해 전기적으로 절연되어 있다. 두 개의 금속 몸체(414a,414b)에는 캐비티(441)와 안착부(440)가 형성되어 있고, 윈도우(460)가 접착제(461)에 의해 안착부(440)에 놓여 있다. 필요에 따라 방열 금속층(421)이 더 구비된다. 금속 몸체(414a,414b)를 이용함으로써, 자외선에 대한 반사도를 높일 수 있지만, 전술한 바와 같이 경사면(14f-1)을 형성하는 것이 쉽지 않고, 기계가공비가 많이 들며, 열팽창계수(19~23ppm)가 커서 반도체 발광 칩(411)과 분리되는 문제점을 가진다.Figure 13 is a diagram showing an example of a semiconductor light-emitting device presented in US Patent Publication No. US2014/0367718. The semiconductor light-emitting device includes a semiconductor light-emitting chip 411 and two metal bodies 414a and 414b. The two metal bodies 414a and 414b are electrically insulated by an insulating layer 415. A cavity 441 and a seating portion 440 are formed in the two metal bodies 414a and 414b, and a window 460 is placed on the seating portion 440 using an adhesive 461. A heat dissipation metal layer 421 is further provided as needed. By using the metal bodies 414a and 414b, the reflectivity of ultraviolet rays can be increased, but as described above, it is not easy to form the inclined surface 14f-1, machining costs are high, and the thermal expansion coefficient (19-23 ppm) is low. Because the chip is large, it has a problem of being separated from the semiconductor light emitting chip 411.
도 14는 미국 등록특허공보 제US8,106,584호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 반도체 발광 칩(511), 반사벽(514), 바닥부(515), 캐비티(541), 투광부(561), 제1 윈도우(562), 그리고 제2 윈도우(563)를 포함한다. 반사벽(514)은 바닥부(515) 상에 고정되어 반도체 발광 칩(511)을 둘러싸도록 상향으로 기울어진 광 반사성 내면을 갖는다. 반사벽(514)은 Al, Fe-Ne-Co 합금 등의 금속, 산화 알루미늄 소결체, 에폭시 수지 등으로 이루어질 수 있다. 바닥부(515)는 상면으로부터 하면 또는 측면에 걸쳐서 반도체 발광 칩(511)에 전류를 공급하기 위한 배선 도체(미도시)가 형성된다. 바닥부(515)는 산화 알루미늄 소결체, 질화 알루미늄 소결체, 멀라이트 소결체, 글라스 세라믹스, 에폭시 수지, 금속 등으로 이루어질 수 있다. 도 14에 제시된 반도체 발광소자는 바닥부(515)가 산화 알루미늄 소결체 또는 질화 알루미늄 소결체로 이루어질 수 있다는 점에서 본 개시에 따른 반도체 발광소자에 근접하지만, 반도체 발광 칩(511)이 자외선을 발광할 때, 구체적으로 반사벽(514)을 어떻게 구성하여, 반사벽(514)의 내면을 경사지게 하는 한편, 그 내면의 반사도와 내구성 포함 장기 신뢰성 관련된 품질를 어떻게 향상시킬 수 있는지에 대한 언급이 전혀 없다는 점에서 차이를 가진다. 일 예로, 도 14에 제시된 반도체 발광소자에 따라 바닥부(515)가 산화 알루미늄 소결체 또는 질화 알루미늄 소결체 위에 청구 주장한 에폭시 수지로 구성된 반사벽(514)을 사용할 경우에 있어서, 종래 공지된 에폭시 수지로 구성된 반사벽(514)은 자외선 파장에서 빛을 흡수하는 동시에 시효(aging) 현상으로 자외선 광 열화 현상이 발생할 것이 자명한 사실이다. 이를 방지하기 위해서 반사벽(514)의 경사면에 반사층(Ag, Al)을 코팅하여 개선을 고려해 볼 수 있겠지만, 반사벽(514)의 에폭시 수지와 코팅된 반사층 간의 친수성(hydrophilic, 화학적 접촉)이 아닌 소수성(hydrophobic, 물리적 접촉)으로 인해서 결합력이 약해서 내구성 포함 장기 신뢰성 관련된 품질 이슈들을 해결하기엔 부족하다 할 것이다. 이와 달리, 본 예의 경우에, LDS 가능 수지로 된 반사벽(14f)에 대한 반사층(Ag, Al) 코팅은 강한 물질간의 결합력을 갖는 친수성(hydrophilic)을 제공하므로 장기 신뢰성을 보장할 수 있다.Figure 14 is a diagram showing an example of a semiconductor light-emitting device presented in U.S. Patent Publication No. US8,106,584. The semiconductor light-emitting device includes a semiconductor light-emitting chip 511, a reflective wall 514, a bottom 515, and a cavity ( 541), a light transmitting portion 561, a first window 562, and a second window 563. The reflective wall 514 is fixed on the bottom 515 and has a light-reflective inner surface inclined upward to surround the semiconductor light emitting chip 511. The reflecting wall 514 may be made of metal such as Al, Fe-Ne-Co alloy, aluminum oxide sintered body, epoxy resin, etc. A wiring conductor (not shown) for supplying current to the semiconductor light emitting chip 511 is formed on the bottom 515 from the top to the bottom or side. The bottom portion 515 may be made of aluminum oxide sintered body, aluminum nitride sintered body, mullite sintered body, glass ceramics, epoxy resin, metal, etc. The semiconductor light emitting device shown in FIG. 14 is close to the semiconductor light emitting device according to the present disclosure in that the bottom portion 515 may be made of an aluminum oxide sintered body or an aluminum nitride sintered body. However, when the semiconductor light emitting chip 511 emits ultraviolet rays, The difference is that there is no mention of how to specifically configure the reflective wall 514 to slope the inner surface of the reflective wall 514, and how to improve the quality related to long-term reliability, including reflectivity and durability of the inner surface. has As an example, in the case where the bottom portion 515 uses the reflective wall 514 made of the claimed epoxy resin on the aluminum oxide sintered body or aluminum nitride sintered body according to the semiconductor light emitting device shown in FIG. 14, the bottom portion 515 is made of a conventionally known epoxy resin. It is a self-evident fact that the reflective wall 514 absorbs light at ultraviolet wavelengths and at the same time, ultraviolet light deterioration occurs due to aging. In order to prevent this, improvement can be considered by coating the inclined surface of the reflective wall 514 with a reflective layer (Ag, Al). However, there is no hydrophilic (chemical contact) between the epoxy resin of the reflective wall 514 and the coated reflective layer. Due to hydrophobicity (physical contact), the bonding force is weak, so it is insufficient to solve quality issues related to durability and long-term reliability. In contrast, in this example, the reflective layer (Ag, Al) coating on the reflective wall 14f made of LDS-capable resin provides hydrophilic properties with strong bonding force between materials, thereby ensuring long-term reliability.
한편, 본 개시는 LDS 가능 수지나 (100) 실리콘 반도체로 된 반사벽(14f)에 강한 결합력을 갖는 금속으로 된 반사층(14g)을 도입함으로써, 반도체 발광소자의 전체적인 방습 기능(waterproof function)을 향상시키는 수단(금속 결합 이용)을 제공할 수 있게 된다. 특히 LDS 가능 수지를 이용하는 경우에 반사벽(14f)의 경사면(14f-1)에 반사층(14g)을 형성하는 것에 더하여, 하면(14f-2)과 상면(14f-3)에도 레이저 조사 이후 무전해 도금 공정의 금속 처리한 후, 이를 바닥부(15a) 및 윈도우(60)와 유테틱 결합 또는 솔더링(14b,60a)함으로써 방습 기능을 향상시킬 수 있으며, (100) 실리콘 반도체를 이용하는 경우에 (100) 실리콘 반도체에 금속 처리를 하고, 이렇게 금속 처리된 (100) 실리콘 반도체를 바닥부(15a) 및 윈도우(60)와 유테틱 결합 또는 솔더링(14b,60a)함으로써 방습 기능을 향상시킬 수 있다. 더욱 바람직하게는 반도체 발광 칩(11)의 전극(12,13)과 바닥부(15a)의 도전부(18,19)를 상대적으로 고온인 Au80%-Sn20% 유테틱 본딩한 다음(300℃ 이하), 반사벽(14f)과 바닥부(15a)을 솔더 물질(14b)을 이용하여 고온 솔더링(280℃ 이하)하고, 이어서 반사벽(14f)과 윈도우(60)를 솔더 물질(60a)을 이용하여 저온 솔더링(260℃ 이하)함으로써, 제조의 과정에서 반도체 발광 칩(11)이 이탈되지 않도록 하면서, 반도체 발광소자의 전체적인 방습 능력을 향상시킬 수 있게 된다. 또한 반사벽(14f)과 윈도우(60)를 먼저 결합한 상태에서, 반사벽(14f)과 바닥부(15a)를 금속 결합하는 것도 가능하다.Meanwhile, the present disclosure improves the overall moisture-proof function of the semiconductor light emitting device by introducing a reflective layer (14g) made of metal with a strong bonding force to the reflective wall (14f) made of LDS-capable resin or (100) silicon semiconductor. It is possible to provide a means (using metal bonding) to do so. In particular, when using an LDS-capable resin, in addition to forming the reflective layer 14g on the inclined surface 14f-1 of the reflective wall 14f, the lower surface 14f-2 and the upper surface 14f-3 are also electroless after laser irradiation. After metal treatment in the plating process, the moisture prevention function can be improved by eutectic bonding or soldering (14b, 60a) with the bottom part (15a) and window 60, and when using a (100) silicon semiconductor, (100) ) The moisture-proof function can be improved by metal-treating the silicon semiconductor and eutectic bonding or soldering (14b, 60a) to the metal-treated (100) silicon semiconductor with the bottom portion 15a and the window 60. More preferably, the electrodes 12 and 13 of the semiconductor light emitting chip 11 and the conductive parts 18 and 19 of the bottom 15a are bonded to each other using Au80%-Sn20% eutectic bonding at a relatively high temperature (300° C. or lower). ), the reflective wall 14f and the bottom 15a are high-temperature soldered (280°C or lower) using a solder material 14b, and then the reflective wall 14f and the window 60 are soldered using a solder material 60a. By performing low-temperature soldering (below 260°C), it is possible to prevent the semiconductor light-emitting chip 11 from being separated during the manufacturing process and improve the overall moisture-proof ability of the semiconductor light-emitting device. Additionally, it is possible to metal-join the reflective wall 14f and the bottom portion 15a after first combining the reflective wall 14f and the window 60.
반사벽(14f) 용도의 사출물은 레이저 직접 구조화(laser direct struccturing, LDS) 몰드 모체(mold matrix)의 수지(resin)로 성형된 사출물 표면에 레이저 빔(laser beam)을 조사하여 표면 거칠기를 높임과 더불어 전기적으로 활성화시키고, 이어 상기 레이저 조사된 부분에 무전해 도금(electroless plating)으로 도전성 물질을 형성하는 레이저 직접 구조화 공법을 적용할 수 있도록 LDS 첨가제(LDS additive; 유기 금속 화합물 또는 금속 미립 입자)를 함유한 몰드 모체의 수지 재질(열경화성 수지, 열가소성 수지)과 관련이 있다. 상기한 LDS 몰드 모체의 수지는 열가소성 수지(thermoplastics)인 polyphthalamide(PPA), polycyclohexylenedimethylene terephthalate(PCT)와 열경화성 수지(thermosetting plastics)의 경우는 epoxy mold compounds(EMC), silicone mold compounds(SMC) 등이며, 이들 몰드 모체의 수지를 좀 더 구체화하면, ABS(acrylonitrile-butadiene-styrene), PC(polycarbonate), PET(polyethylene terpthalate), PA(polyamides), PPA(polyphthalamide), PBT(polybutylene terpthalate), COP(cyclic olefine copolymer), PPE(polyphenylene ether), LCP(liquid crystal polymer), PEI(polyetherimide), PEEK(polyetheretherketone) 등으로 분류할 수 있다. 상기한 LDS 첨가제는 조사된 레이저 빔에 의해 LDS 몰드 모체의 수지 내에서 씨앗 역할을 할 수 있도록 기본적으로 함유되어 있는 제1 첨가제(first additive) 및/또는 추가로 방열(heat dissipation) 특성을 개선하기 위해 사용되는 제2 첨가제(second additive)를 혼합하여 구현할 수 있다. 일반적으로 제1 첨가제(first additive)는 팔라듐(Pd) 함유 중금속 착물과 금속산화물(metal oxide), 금속산화물-코팅된 충전제, 구리 크롬 산화물 스피넬(CuO·Cr2O3 spinel), 구리(Cu) 함유 염, 구리 아이드록시 포스페이트, 구리 포스페이트, 제일구리 티오시아네이트, 스피넬계 금속산화물, 구리 크롬 산화물(CuO·Cr2O3), 유기 금속 착물, 안티몬(Sb) 도핑된 주석(Sn) 산화물, 구리 함유 금속산화물, 아연(Zn) 함유 금속산화물, 주석(Sn) 함유 금속산화물, 마그네슘(Mg) 함유 금속산화물, 알루미늄(Al) 함유 금속산화물, 금(Au) 함유 금속산화물, 은(Ag) 함유 금속산화물, 니켈(Ni) 함유 금속산화물, 크롬(Cr) 함유 금속산화물, 철(Fe) 함유 금속산화물, 바나듐(V) 함유 금속산화물, 코발트(Co) 함유 금속산화물, 망간(Mn) 함유 금속산화물; 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 별도의 기능성 첨가제(functional additive) 중, 방열(heat dissipation) 특성을 개선하기 위해 사용되는 제2 첨가제(second additive)는 알루미늄 질화물(AlN), 알루미늄 탄화물(AlC), 알루미늄 산화물(Al2O3), 알루미늄 산화질화물(AlON), 붕소 질화물(BN), 마그네슘실리콘 질화물(MgSiN2), 실리콘 질화물(Si3N4), 실리콘 탄화물(SiC), 그라파이트(graphite), 그래핀(graphene), 및 탄소 섬유(carbon fiber), 아연(Zn) 산화물, 칼슘(Ca) 산화물, 마그네슘(Mg) 산화물; 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.The injection molded product for the reflective wall (14f) uses laser direct structuring (LDS) to increase the surface roughness by irradiating a laser beam on the surface of the molded product made of resin of the mold matrix. In addition, an LDS additive (organometallic compound or metal fine particle) is added to apply a laser direct structuring method that electrically activates and then forms a conductive material through electroless plating on the laser irradiated area. It is related to the resin material (thermosetting resin, thermoplastic resin) of the mold matrix it contains. The resins of the LDS mold base are thermoplastics such as polyphthalamide (PPA) and polycyclohexylenedimethylene terephthalate (PCT), and thermosetting plastics such as epoxy mold (EMC) and silicone mold compounds (SMC). To elaborate on the resins of these mold bases, there are acrylonitrile-butadiene-styrene (ABS), polycarbonate (PC), polyethylene terphthalate (PET), polyamides (PA), polyphthalamide (PPA), polybutylene terpthalate (PBT), and cyclic (COP). It can be classified into olefine copolymer), PPE (polyphenylene ether), LCP (liquid crystal polymer), PEI (polyetherimide), and PEEK (polyetheretherketone). The above-mentioned LDS additive is basically a first additive contained so as to act as a seed within the resin of the LDS mold matrix by irradiated laser beam and/or to further improve heat dissipation characteristics. It can be implemented by mixing the second additive used for this purpose. Generally, the first additive is a heavy metal complex containing palladium (Pd), metal oxide, metal oxide-coated filler, copper chromium oxide spinel (CuO·Cr 2 O 3 spinel), and copper (Cu). Containing salts, copper hydroxyphosphate, copper phosphate, cuprous thiocyanate, spinel-based metal oxide, copper chromium oxide (CuO·Cr 2 O 3 ), organic metal complex, antimony (Sb) doped tin (Sn) oxide, Metal oxide containing copper, metal oxide containing zinc (Zn), metal oxide containing tin (Sn), metal oxide containing magnesium (Mg), metal oxide containing aluminum (Al), metal oxide containing gold (Au), containing silver (Ag) Metal oxide, metal oxide containing nickel (Ni), metal oxide containing chromium (Cr), metal oxide containing iron (Fe), metal oxide containing vanadium (V), metal oxide containing cobalt (Co), metal oxide containing manganese (Mn) ; Contains at least one of Among the separate functional additives, the second additive used to improve heat dissipation characteristics is aluminum nitride (AlN), aluminum carbide (AlC), and aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum oxynitride (AlON), boron nitride (BN), magnesium silicon nitride (MgSiN 2 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), silicon carbide (SiC), graphite, graphene, and Carbon fiber, zinc (Zn) oxide, calcium (Ca) oxide, magnesium (Mg) oxide; At least one of these can be used.
도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 윈도우(60)의 결합을 위해 반사벽(14f)의 상면(14f-3)에 단차면(14f-21,14f-22)가 형성되어 있는 점에서 차이를 가지며, 단차면(14f-21,14f-22)에 LDS 공법을 적용하여 금속 처리를 행한 후, 윈도우(60)와 반사벽(14f)을 금속 결합함으로써, 보다 안정적인 결합을 제공할 수 있게 된다.Figure 15 is a diagram showing another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in which step surfaces 14f-21 and 14f-22 are formed on the upper surface 14f-3 of the reflective wall 14f for combination of the window 60. ) is formed, and after performing metal treatment by applying the LDS method to the step surfaces 14f-21 and 14f-22, the window 60 and the reflecting wall 14f are metal bonded, It is possible to provide stable bonding.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present disclosure will be described.
(1) 반도체 발광소자에 있어서, 전극을 구비하는 반도체 발광 칩; 제1 표면 거칠기를 가지도록 형성되며, 반도체 발광 칩이 놓이는 바닥부를 가지고, 바닥부에 제1 표면 거칠기와 다른 제2 표면 거칠기를 가지는 표면으로 된 관통홀이 형성되어 있으며, 적어도 반도체 발광 칩과 면하는 측이 반도체 발광 칩에서 발광되는 빛에 대해 95% 이상의 반사율을 가지는 재질로 이루어진 몰드; 그리고 전극과의 전기적 연통을 위해 관통홀에 구비되는 도전부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(1) A semiconductor light emitting device comprising: a semiconductor light emitting chip including electrodes; It is formed to have a first surface roughness, has a bottom on which a semiconductor light-emitting chip is placed, and has a through hole formed in the bottom with a surface having a second surface roughness different from the first surface roughness, and at least the semiconductor light-emitting chip and the surface. A mold whose side is made of a material having a reflectivity of 95% or more for light emitted from a semiconductor light emitting chip; and a conductive portion provided in the through hole for electrical communication with the electrode.
(2) 관통홀의 표면에 도전부의 생성을 위한 씨앗으로 기능하는 금속이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(2) A semiconductor light emitting device characterized in that a metal that functions as a seed for creating a conductive part is exposed on the surface of the through hole.
(3) 바닥부의 하면에 디자인된 형태에 대응하여 패턴을 가지는 방열 금속층이 형성되어 있으며, 방열 금속층이 형성된 바닥부의 하면이 제1 표면 거칠기보다 거친 제3 표면 거칠기를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(3) A heat dissipating metal layer having a pattern corresponding to the designed shape is formed on the lower surface of the bottom, and the lower surface of the bottom on which the heat dissipating metal layer is formed has a third surface roughness that is rougher than the first surface roughness. .
(4) 방열 금속층이 도전부와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(4) A semiconductor light emitting device characterized in that the heat dissipation metal layer is connected to the conductive part.
(5) 바닥부의 상면에서 관통홀 밖으로 돌출되어 있으며, 전극 및 도전부와 전기적으로 접합되는 상부 금속층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(5) A semiconductor light emitting device characterized by an upper metal layer that protrudes out of the through hole from the upper surface of the bottom and is electrically connected to the electrode and the conductive part.
(6) 도전부는 무전해 도금을 통해 형성되며, 몰드는 레이저 빔에 의해 활성화되어 무전해 도금의 씨앗으로 기능하는 적어도 하나의 LDS 첨가제;를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (6) A semiconductor light emitting device characterized in that the conductive portion is formed through electroless plating, and the mold contains at least one LDS additive that is activated by a laser beam and functions as a seed for electroless plating.
(7) 도전부는 무전해 도금을 통해 형성되며, 몰드는 레이저 빔에 의해 활성화되어 무전해 도금의 씨앗으로 기능하는 제1 첨가제 및 레이저 빔에 의해 활성화되어 무전해 도금의 씨앗으로 기능하며, 반도체 발광 칩에서 발생하는 열에 대해 제1 첨가제보다 높은 방열 특성을 가지는 제2 첨가제를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(7) The conductive part is formed through electroless plating, the mold is activated by a laser beam and functions as a seed of electroless plating, and the first additive is activated by a laser beam and functions as a seed of electroless plating, and the semiconductor luminescence A semiconductor light emitting device comprising a second additive having higher heat dissipation characteristics than the first additive with respect to heat generated from the chip.
(8) 도전부는 무전해 도금을 통해 형성되며, 몰드는 레이저 빔에 의해 활성화되어 무전해 도금의 씨앗으로 기능하는 제1 첨가제 및 반도체 발광 칩에서 발광하는 빛에 대해 제1 첨가제보다 높은 반사도를 가지는 제3 첨가제를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(8) The conductive part is formed through electroless plating, and the mold is activated by a laser beam and has a higher reflectivity than the first additive for light emitted from the first additive and semiconductor light-emitting chip, which functions as a seed for electroless plating. A semiconductor light emitting device characterized by containing a third additive.
(9) 제1 첨가제는 팔라듐(Pd)함유 중금속 착물과 금속산화물(metal oxide), 금속산화물-코팅된 충전제, 구리 크롬 산화물 스피넬(CuO·Cr2O3 spinel), 구리(Cu) 함유 염, 구리 아이드록시 포스페이트, 구리 포스페이트, 제일구리 티오시아네이트, 스피넬계 금속산화물, 구리 크롬 산화물(CuO·Cr2O3), 유기 금속 착물, 안티몬(Sb) 도핑된 주석(Sn) 산화물, 구리 함유 금속산화물, 아연(Zn) 함유 금속산화물, 주석(Sn) 함유 금속산화물, 마그네슘(Mg) 함유 금속산화물, 알루미늄(Al) 함유 금속산화물, 금(Au) 함유 금속산화물, 은(Ag) 함유 금속산화물, 니켈(Ni) 함유 금속산화물, 크롬(Cr) 함유 금속산화물, 철(Fe) 함유 금속산화물, 바나듐(V) 함유 금속산화물, 코발트(Co) 함유 금속산화물, 망간(Mn) 함유 금속산화물; 중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(9) The first additive includes palladium (Pd)-containing heavy metal complex and metal oxide, metal oxide-coated filler, copper chromium oxide spinel (CuO·Cr 2 O 3 spinel), copper (Cu)-containing salt, Copper hydroxyphosphate, copper phosphate, cuprous thiocyanate, spinel-based metal oxide, copper chromium oxide (CuO·Cr 2 O 3 ), organometallic complex, antimony (Sb) doped tin (Sn) oxide, copper-containing metal Oxide, metal oxide containing zinc (Zn), metal oxide containing tin (Sn), metal oxide containing magnesium (Mg), metal oxide containing aluminum (Al), metal oxide containing gold (Au), metal oxide containing silver (Ag), Metal oxides containing nickel (Ni), metal oxides containing chromium (Cr), metal oxides containing iron (Fe), metal oxides containing vanadium (V), metal oxides containing cobalt (Co), metal oxides containing manganese (Mn); A semiconductor light emitting device comprising at least one of the following.
(10) 제2 첨가제는 알루미늄 질화물(AlN), 알루미늄 탄화물(AlC), 알루미늄 산화물(Al2O3), 알루미늄 산화질화물(AlON), 붕소 질화물(BN), 마그네슘실리콘 질화물(MgSiN2), 실리콘 질화물(Si3N4), 실리콘 탄화물(SiC), 그라파이트(graphite), 그래핀(graphene), 및 탄소 섬유(carbon fiber), 아연(Zn) 산화물, 칼슘(Ca) 산화물, 마그네슘(Mg) 산화물; 중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(10) The second additive is aluminum nitride (AlN), aluminum carbide (AlC), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum oxynitride (AlON), boron nitride (BN), magnesium silicon nitride (MgSiN 2 ), and silicon. Nitride (Si 3 N 4 ), silicon carbide (SiC), graphite, graphene, and carbon fiber, zinc (Zn) oxide, calcium (Ca) oxide, magnesium (Mg) oxide ; A semiconductor light emitting device comprising at least one of the following.
(11) 제3 첨가제는 TiO2, ZnO, BaS, CaCO3 중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(11) A semiconductor light emitting device characterized in that the third additive includes at least one of TiO 2, ZnO, BaS, and CaCO 3 .
(12) 몰드는 레이저 빔에 의해 활성화되어 도전부 형성을 위한 씨앗으로 기능하며, 반도체 발광 칩에서 발광하는 빛을 반사하도록 기능하는 첨가제를 50wt% 이상으로 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(12) A semiconductor light-emitting device characterized in that the mold is activated by a laser beam and functions as a seed for forming a conductive part, and contains 50 wt% or more of an additive that functions to reflect light emitted from the semiconductor light-emitting chip.
(13) 첨가제는 TiO2인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(13) A semiconductor light emitting device characterized in that the additive is TiO 2 .
(14) 몰드 하부의 제1 첨가제의 함량이 몰드 상부의 제1 첨가제 함량보다 많은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(14) A semiconductor light emitting device characterized in that the content of the first additive at the bottom of the mold is greater than the content of the first additive at the top of the mold.
(15) 몰드는 반도체 발광 칩과 면하는 측에서 반도체 발광 칩에서 발광되는 빛을 반사하는 반사층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(15) A semiconductor light-emitting device, wherein the mold has a reflective layer on the side facing the semiconductor light-emitting chip that reflects light emitted from the semiconductor light-emitting chip.
(16) 전극을 구비하는 반도체 발광 칩; 반도체 발광 칩이 놓이는 바닥부를 가지고, 바닥부에 관통홀이 형성되어 있는 몰드; 그리고 전극과의 전기적 연통을 위해 관통홀에 구비되는 도전부;를 가지는, 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 상기 몰드가 복수 개 형성되어 있으며, 복수의 몰드로부터 노출된 영역에 도금 방지막이 형성되어 있는 리드 프레임을 준비하는 단계; 각각의 몰드에 도전부를 형성하고 반도체 발광 칩의 전극을 도전부와 전기적 연통시키는 단계; 그리고, 리드 프레임을 절단하여 각각의 반도체 발광소자를 개별화하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(16) a semiconductor light emitting chip having electrodes; A mold having a bottom on which a semiconductor light emitting chip is placed and a through hole formed in the bottom; and a conductive portion provided in the through hole for electrical communication with the electrode. In the method of manufacturing a semiconductor light emitting device, a plurality of molds are formed, and an anti-plating film is formed on areas exposed from the plurality of molds. Preparing a lead frame; Forming a conductive portion in each mold and electrically communicating the electrodes of the semiconductor light emitting chip with the conductive portion; And, cutting the lead frame to individualize each semiconductor light emitting device.
(17) 관통홀은 리드 프레임을 준비하는 단계에서 형성되며, 이후 도전부 형성을 위한 씨앗을 제공하도록 관통홀에 레이저 빔이 조사되는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(17) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device in which a through hole is formed in the step of preparing a lead frame, and then a laser beam is irradiated to the through hole to provide a seed for forming a conductive part.
(18) 관통홀은 레이저 드릴링을 통해 형성되는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(18) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device in which a through hole is formed through laser drilling.
(19) 도전부는 무전해 도금을 통해 형성되는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(19) A method of manufacturing a semiconductor light-emitting device in which the conductive portion is formed through electroless plating.
(20) 제1 첨가제, 제2 첨가제 및/또는 제3 첨가제를 대신하여 또는 이들과 함께, 가시광 흡수율(absorption)이 낮고 투과도(transparency) 높은 나노스케일(나노크기 규모)의 금속 또는 금속산화물 입자 물질을 함유하는 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법.(20) Nanoscale metal or metal oxide particle material with low visible light absorption and high transparency, instead of or in combination with the first additive, second additive and/or third additive. A semiconductor light emitting device containing and a method of manufacturing the same.
(21) 반도체 발광소자에 있어서, 전극을 구비하며, 자외선을 발광하는 반도체 발광 칩; 반도체 발광 칩이 놓이며, 전극과의 전기적 연통을 위한 도전부가 형성되어 있고, 세라믹 재질로 된 바닥부; 그리고 반도체 발광 칩이 수용되는 캐비티를 형성하며, 자외선이 반사되는 경사면을 가지고, 경사면에 금속으로 된 반사층이 형성되어 있으며, 비금속으로 된 반사벽;을 포함하는 반도체 발광소자.(21) A semiconductor light emitting device comprising: a semiconductor light emitting chip having electrodes and emitting ultraviolet rays; A semiconductor light-emitting chip is placed, a conductive part is formed for electrical communication with the electrode, and a bottom part is made of a ceramic material; A semiconductor light-emitting device comprising a cavity that accommodates a semiconductor light-emitting chip, an inclined surface that reflects ultraviolet rays, a reflective layer made of metal formed on the inclined surface, and a reflective wall made of non-metal.
(22) 반사벽은 LDS 몰드 모체의 수지와 LDS 첨가제로 혼합되어 있는 반도체 발광소자.(22) The reflective wall is a semiconductor light-emitting device that is mixed with the resin of the LDS mold base and LDS additives.
(23) LDS 첨가제는 기본적으로 함유되어 있는 제1 첨가제(first additive) 및/또는 추가로 방열(heat dissipation) 특성을 개선하기 위해 사용되는 제2 첨가제(second additive)를 혼합하는 반도체 발광소자.(23) The LDS additive is a semiconductor light emitting device that mixes the first additive contained by default and/or the second additive used to further improve heat dissipation characteristics.
(24) 반사벽은 (100) 결정면을 갖는 실리콘 반도체로 되어 있는 반도체 발광소자.(24) A semiconductor light emitting device in which the reflecting wall is made of a silicon semiconductor with a (100) crystal plane.
(25) 반사벽과 바닥부는 결합층의 개재 없이 결합되어 있는 반도체 발광소자.(25) A semiconductor light emitting device in which the reflective wall and the bottom are combined without a bonding layer.
(26) 반사벽과 바닥부는 금속으로 된 결합층 통해 결합되어 있는 반도체 발광소자.(26) A semiconductor light emitting device in which the reflective wall and the bottom are connected through a metal bonding layer.
(27) 반사벽에 놓이는 윈도우;를 더 포함하며, 반사벽과 윈도우는 금속 결합되는 반도체 발광소자.(27) A semiconductor light emitting device further comprising a window placed on the reflective wall, wherein the reflective wall and the window are metal-coupled.
본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 몰드 하부로의 빛 누출을 없애는 한편, 도전층의 고정을 향상시킬 수 있게 된다.According to a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, it is possible to eliminate light leakage into the lower part of the mold and improve fixation of the conductive layer.
본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, LDS 공법을 반사벽으로 확장 적용할 수 있게 되며, 이때, 도전층의 고정은 열팽창계수가 작은 세라믹 기판을 적용함으로써, 안정적으로 이루어진다.According to a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, the LDS method can be expanded and applied to a reflective wall, and at this time, the conductive layer is stably fixed by applying a ceramic substrate with a small thermal expansion coefficient.
반도체 발광 칩(11), 몰드(14), 바닥부(15), 관통홀(16,17) 도전부(18,19)Semiconductor light emitting chip (11), mold (14), bottom part (15), through holes (16, 17), conductive parts (18, 19)
Claims (4)
반사벽의 경사면 및 반사벽의 하면에 레이저 빔을 조사하고 무전해 도금 공정을 행하여 반사벽의 경사면 및 반사벽의 하면에 도전성 물질을 형성하는 단계; 및
반사벽의 경사면 및 반사벽의 하면에 도전성 물질을 형성하는 단계 이후에, 금속으로 된 결합층을 통해 반사벽의 하면과 바닥부를 결합하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.A semiconductor light-emitting chip including electrodes and emitting ultraviolet rays; A semiconductor light-emitting chip is placed, a conductive part is formed for electrical communication with the electrode, and a bottom part is made of a ceramic material; And it forms a cavity in which the semiconductor light-emitting chip is accommodated, and has an inclined surface that reflects ultraviolet rays, a reflective layer made of metal is formed on the inclined surface, and a reflective wall made of non-metal. The reflective wall includes the resin of the LDS mold matrix and It is mixed with an LDS additive, the reflective wall has an upper surface and a lower surface, an inclined surface is connected from the upper surface to a lower surface, and a bonding layer made of metal that connects the lower surface and the bottom of the reflective wall; and a reflective layer formed on the inclined surface. In the method of manufacturing a semiconductor light-emitting device that reflects ultraviolet rays emitted from a semiconductor light-emitting chip,
Forming a conductive material on the inclined surface of the reflective wall and the lower surface of the reflective wall by irradiating a laser beam and performing an electroless plating process; and
A method of manufacturing a semiconductor light emitting device comprising: forming a conductive material on the inclined surface of the reflective wall and the lower surface of the reflective wall, and then combining the lower surface and the bottom portion of the reflective wall through a metal bonding layer.
결합하는 단계에서는,
도전성 물질이 형성된 반사벽의 하면이 금속으로 된 결합층을 통해 바닥부와 결합됨으로써 반사벽의 하면과 바닥부의 결합이 강화되는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.In claim 1,
In the combining stage,
A method of manufacturing a semiconductor light-emitting device in which the lower surface of a reflective wall formed of a conductive material is coupled to the bottom through a metal bonding layer, thereby strengthening the bond between the lower surface of the reflective wall and the bottom.
LDS 첨가제는 제1 첨가제(first additive) 및 제2 첨가제(second additive)를 포함하며,
제1 첨가제는 레이저 빔 조사와 무전해 도금 공정을 통해 반사벽의 경사면 및 반사벽의 하면에 도전성 물질을 형성하기 위해 사용되고,
제2 첨가제는 방열(heat dissipation) 특성을 개선하기 위해 사용되는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.In claim 2,
LDS additives include a first additive and a second additive,
The first additive is used to form a conductive material on the inclined surface of the reflective wall and the lower surface of the reflective wall through laser beam irradiation and electroless plating process,
A method of manufacturing a semiconductor light emitting device in which the second additive is used to improve heat dissipation characteristics.
도전성 물질이 형성된 반사벽의 상면에 윈도우를 결합시키는 단계;를 더 포함하며,
반사벽의 상면과 윈도우는 금속 결합되는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.In claim 1,
It further includes the step of coupling a window to the upper surface of a reflective wall formed with a conductive material,
A method of manufacturing a semiconductor light-emitting device in which the upper surface of the reflective wall and the window are combined with metal.
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