KR20240016226A - No remover and semiconductor tail gas treatment equipment - Google Patents

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KR20240016226A
KR20240016226A KR1020230098761A KR20230098761A KR20240016226A KR 20240016226 A KR20240016226 A KR 20240016226A KR 1020230098761 A KR1020230098761 A KR 1020230098761A KR 20230098761 A KR20230098761 A KR 20230098761A KR 20240016226 A KR20240016226 A KR 20240016226A
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상하이 쉐어웨이 인바이어런먼트 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
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Abstract

본 발명에서는 NO 제거기 및 반도체 배기 가스 처리 기기를 개시하고, 반도체 배기 가스 처리 기술 분야에 속하며, 선행 기술 중 일산화질소의 제거율이 낮은 문제를 해결한다. 상기 NO 제거기는 오존 발생기, 반응 튜브 및 선회기를 포함하며; 선회기는 지지링, 지지링의 내부 영역에 설치되는 블라인드 플레이트 및 지지링과 블라인드 플레이트 사이에 설치되는 복수 개의 사이클론 블레이드를 포함하고, 사이클론 블레이드의 일단은 지지링에 연결되며, 사이클론 블레이드의 타단은 블라인드 플레이트에 연결되고, 지지링은 반응 튜브의 내벽에 지지되며, 사이클론 블레이드의 공기 배출단, 반응 튜브의 측벽에 주입구가 개방 설치되고, 오존 발생기의 공기 배출구는 주입구와 연통된다. 상기 처리 기기는 배기 가스의 유동 방향을 따라 순차적으로 설치되는 연소 반응 유닛, 물탱크, 분무 유닛 및 NO 제거기를 포함한다. 상기 NO 제거기 및 반도체 배기 가스 처리 기기는 반도체 배기 가스 처리에 적용될 수 있다.The present invention discloses a NO remover and a semiconductor exhaust gas treatment device, belongs to the field of semiconductor exhaust gas treatment technology, and solves the problem of low removal rate of nitrogen monoxide in the prior art. The NO remover includes an ozone generator, a reaction tube and a swirler; The turning machine includes a support ring, a blind plate installed in the inner area of the support ring, and a plurality of cyclone blades installed between the support ring and the blind plate. One end of the cyclone blade is connected to the support ring, and the other end of the cyclone blade is blind. It is connected to the plate, the support ring is supported on the inner wall of the reaction tube, the air outlet end of the cyclone blade and the inlet are installed open on the side wall of the reaction tube, and the air outlet of the ozone generator communicates with the inlet. The treatment device includes a combustion reaction unit, a water tank, a spray unit, and an NO remover that are sequentially installed along the flow direction of the exhaust gas. The NO remover and semiconductor exhaust gas treatment device can be applied to semiconductor exhaust gas treatment.

Description

NO 제거기 및 반도체 배기 가스 처리 기기{NO REMOVER AND SEMICONDUCTOR TAIL GAS TREATMENT EQUIPMENT}NO REMOVER AND SEMICONDUCTOR TAIL GAS TREATMENT EQUIPMENT}

본 발명은 반도체 배기 가스 처리 기술 분야에 속하며, 특히 NO 제거기 및 반도체 배기 가스 처리 기기에 관한 것이다.The present invention belongs to the field of semiconductor exhaust gas treatment technology, and particularly relates to NO removers and semiconductor exhaust gas treatment devices.

최근 사회적 경제의 급속한 발전으로 인해 반도체, 태양광 발전, 평판 디스플레이, LED로 대표되는 범용 반도체 산업이 급속히 발전하고 있다. 그러나 관련 제품의 생산 과정에서 다량의 배기 가스가 발생하게 되는데, 이러한 배기 가스는 일반적으로 가연성, 유독성 및 온실 효과가 높으며 부적절하게 취급하면 심각한 안전 사고를 유발하고 막대한 경제적 손실을 초래하며, 사람과 환경에 심각한 위협을 가할 수 있으므로, 이러한 유해 가스를 반드시 무해하게 처리하여 환경에 배출해야 한다. Recently, due to the rapid development of the social economy, the general-purpose semiconductor industry, represented by semiconductors, solar power generation, flat panel displays, and LEDs, is developing rapidly. However, during the production process of related products, a large amount of exhaust gases are generated. These exhaust gases are generally highly flammable, toxic and have a greenhouse effect, and if handled improperly, they will cause serious safety accidents and cause enormous economic losses, harming people and the environment. Since it can pose a serious threat to the environment, these harmful gases must be treated harmlessly and discharged into the environment.

일반적으로 이러한 가스에 대한 무해한 처리 방법은 가스를 고온의 반응 챔버로 통과시키고, 유해 가스를 고온(>1000℃)에서 산소와 반응시키며, 유해 가스는 반응하여 위험성이 상대적으로 낮은 생성물을 형성하여 후속 처리 시스템으로 배출되는 것이다. 고온 산화 반응 과정에서, 대량의 질소 산화물 부산물이 생성될 수 있다. 질소 산화물은 주요하게 NO(Nitric oxide; 일산화질소) 및 NO2(Nitrogen dioxide; 이산화질소)를 가리키며, 대기 중에 산성 안개 및 광화학 스모그를 형성하므로 마찬가지로 제거해야 한다.Generally, the harmless treatment method for these gases is to pass the gas through a high-temperature reaction chamber, react the hazardous gas with oxygen at high temperature (>1000°C), and the hazardous gas react to form relatively low-hazard products for subsequent processing. It is discharged into the treatment system. During the high-temperature oxidation reaction, large amounts of nitrogen oxide by-products may be generated. Nitrogen oxides mainly refer to NO (Nitric oxide) and NO 2 (Nitrogen dioxide), which form acid fog and photochemical smog in the atmosphere and must be removed as well.

선행 기술에서, 질소 산화물은 산세척 탑에 의해 효과적으로 제거될 수 없으므로, NOx(질소산화물)의 경우 모두 질소 산화물 제거 기기를 독립적으로 설치하고, 배기 가스 중의 NOx를 제거하기 위하여 고온 환원 등의 기술을 이용하는데, 상기 기술을 사용하면 일산화질소 제거율이 낮다.In the prior art, nitrogen oxides cannot be effectively removed by the pickling tower, so in the case of NO The technology is used, and when the above technology is used, the nitrogen monoxide removal rate is low.

상기 분석에 감안하여, 본 발명은 선행 기술 중 일산화질소의 제거율이 낮은 문제를 해결하는 NO 제거기 및 반도체 배기 가스 처리 기기를 제공한다.In view of the above analysis, the present invention provides a NO remover and a semiconductor exhaust gas treatment device that solve the problem of low removal rate of nitrogen monoxide in the prior art.

본 발명의 목적은 주요하게 하기의 기술적 해결수단을 통해 구현된다. The object of the present invention is mainly implemented through the following technical solutions.

본 발명은 NO 제거기를 제공하는 바, 상기 NO 제거기는 오존 발생기, 반응 튜브 및 선회기를 포함하며; 선회기는 지지링, 지지링의 내부 영역에 설치되는 블라인드 플레이트 및 지지링과 블라인드 플레이트 사이에 설치되는 복수 개의 사이클론 블레이드를 포함하고, 사이클론 블레이드의 일단은 지지링에 연결되며, 사이클론 블레이드의 타단은 블라인드 플레이트에 연결되고, 지지링은 반응 튜브의 내벽에 지지되며, 반응 튜브의 측벽에 주입구가 개방 설치되고, 주입구는 사이클론 블레이드의 공기 배출단에 위치하며, 오존 발생기의 공기 배출구는 주입구와 연통된다. The present invention provides a NO remover, the NO remover comprising an ozone generator, a reaction tube and a swirler; The turning machine includes a support ring, a blind plate installed in the inner area of the support ring, and a plurality of cyclone blades installed between the support ring and the blind plate. One end of the cyclone blade is connected to the support ring, and the other end of the cyclone blade is blind. It is connected to the plate, the support ring is supported on the inner wall of the reaction tube, the inlet is installed open on the side wall of the reaction tube, the inlet is located at the air outlet end of the cyclone blade, and the air outlet of the ozone generator communicates with the inlet.

부가적으로, 사이클론 블레이드의 수는 복수 개이고; Additionally, the number of cyclone blades is plural;

및/또는, 주입구의 수는 복수 개이며, 복수 개의 주입구는 반응 튜브의 원주 방향을 따라 균일하게 배치된다. And/or, the number of injection ports is plural, and the plurality of injection ports are uniformly arranged along the circumferential direction of the reaction tube.

부가적으로, 지지링의 외경은 반응 튜브의 상응하는 내경과 매칭되고; Additionally, the outer diameter of the support ring matches the corresponding inner diameter of the reaction tube;

및/또는, 블라인드 플레이트와 지지링의 내경의 직경비는 1:4~5이다. And/or, the diameter ratio of the inner diameter of the blind plate and the support ring is 1:4 to 5.

부가적으로, 공기 흡입단에서 공기 배출단으로, 반응 튜브는 순차적으로 연결되는 신축 구간, 직선 구간 및 확장 구간을 포함하며, 선회기는 직선 구간에 설치되고, 주입구는 직선 구간에 개방 설치된다. Additionally, from the air intake end to the air discharge end, the reaction tube includes an expansion section, a straight section, and an expansion section that are sequentially connected, the vortex is installed in the straight section, and the inlet is installed open in the straight section.

부가적으로, 신축 구간의 공기 배출단 직경, 직선 구간 직경 및 확장 구간의 공기 흡입단 직경은 동일하고; Additionally, the air discharge end diameter of the expansion section, the straight section diameter, and the air intake end diameter of the expansion section are the same;

및/또는, 신축 구간의 공기 흡입단과 직선 구간의 직경비는 1:2~4이며; And/or, the diameter ratio of the air intake end of the expansion section and the straight section is 1:2 to 4;

및/또는, 확장 구간의 공기 배출단과 직선 구간의 직경비는 1:2~4이고; and/or, the diameter ratio of the air outlet end of the expansion section and the straight section is 1:2 to 4;

및/또는, 신축 구간의 공기 흡입단 직경은 80~300 mm이며; and/or the diameter of the air intake end of the expansion section is 80 to 300 mm;

및/또는, 확장 구간의 공기 배출단 직경은 80~300 mm이고; and/or, the diameter of the air outlet end of the expansion section is 80 to 300 mm;

및/또는, 직선 구간의 길이는 80~200 mm이다. and/or, the length of the straight section is 80 to 200 mm.

부가적으로, 신축 구간 측벽과 축방향의 끼인각은 15~45°이고; Additionally, the included angle between the side wall of the stretch section and the axial direction is 15 to 45°;

및/또는, 확장 구간 측벽과 축방향의 끼인각은 15~45°이다. and/or, the included angle between the side walls of the expansion section and the axial direction is 15 to 45°.

부가적으로, 반응 튜브의 공기 배출구와 연통되는 오존 소멸기를 더 포함한다. Additionally, it further includes an ozone quencher in communication with the air outlet of the reaction tube.

부가적으로, 분무탑을 더 포함하고, 반응 튜브의 공기 배출구는 분무탑에 연결된다. Additionally, it further includes a spray tower, and the air outlet of the reaction tube is connected to the spray tower.

부가적으로, 반응 튜브 공기 흡입구에 설치되는 NOx 검출기를 더 포함한다. Additionally, it further includes a NO x detector installed at the reaction tube air intake.

본 발명에서는 반도체 배기 가스 처리 기기를 더 제공하는 바, 상기 반도체 배기 가스 처리 기기는 배기 가스의 유동 방향을 따라 순차적으로 설치되는 연소 반응 유닛, 물탱크, 분무 유닛 및 상기 NO 제거기를 포함한다.The present invention further provides a semiconductor exhaust gas treatment device, wherein the semiconductor exhaust gas treatment device includes a combustion reaction unit, a water tank, a spray unit, and the NO remover, which are sequentially installed along the flow direction of the exhaust gas.

선행 기술에 비하면, 본 발명은 적어도 하기의 유익한 효과 중의 하나를 구현할 수 있다.Compared with the prior art, the present invention can realize at least one of the following beneficial effects.

A) 본 발명에서 제공하는 NO 제거기는, NO 함유의 배기 가스 기류가 상기 제거기를 통과되도록 하여, 나선형 기류를 형성할 수 있고, 주입구를 경과할 경우, NO는 상기 위치 상의 오존과 반응하며, 한편으로, 나선형 기류는 배기 가스 기류의 경로를 연장할 수 있고, NO과 오존의 반응 시간이 연장되어, 양자의 반응율을 향상시켜, 나아가 NO의 제거율을 향상한다. 다른 한편으로, 나선형 기류는 NO과 오존의 혼합을 촉진시켜, 양자의 혼합 균일성을 향상시킬 수 있고, 마찬가지로 NO의 제거율을 향상시킬 수도 있다. 또 다른 한편으로, 나선형 기류에 의해, 오존 기류는 나선형 유동으로 전환될 수 있어, 오존이 외부로 누출되는 것을 효과적으로 감소할 수도 있으며, 오존이 후속적인 부재 및 관로에 대한 부식을 효과적으로 감소할 뿐만 아니라, NO 제거기의 전반적인 환경 보호성을 향상시킬 수도 있다. A) The NO remover provided by the present invention allows the exhaust gas stream containing NO to pass through the remover, forming a spiral air stream, and when passing through the inlet, the NO reacts with ozone on the position, while As a result, the spiral airflow can extend the path of the exhaust gas airflow, extending the reaction time between NO and ozone, improving the reaction rate of both, and further improving the removal rate of NO. On the other hand, the spiral air flow can promote mixing of NO and ozone, improving the mixing uniformity of both, and also improving the removal rate of NO. On the other hand, by the spiral air flow, the ozone air flow can be converted into a spiral flow, which can not only effectively reduce the leakage of ozone to the outside, but also effectively reduce the corrosion of ozone to subsequent members and pipes. , it may also improve the overall environmental protection of the NO remover.

B) 본 발명에서 제공하는 NO 제거기는, 실제 응용에서 테스트를 통해 알 수 있다시피, 본 발명의 NO 제거기를 사용하면, 반응 튜브 내의 배기 가스 기류의 체류 시간은 1s 이상에 도달하고, 오존 전환율은 99% 이상에 도달할 수 있으며, 오존이 외부로 누출되는 것을 기본적으로 방지할 수 있다. B) The NO remover provided by the present invention, as can be seen through testing in actual applications, when using the NO remover of the present invention, the residence time of the exhaust gas stream in the reaction tube reaches 1 s or more, and the ozone conversion rate is It can reach over 99% and basically prevent ozone from leaking to the outside.

C) 본 발명에서 제공하는 NO 제거기는, 효과적이고 안정적인 나선형 기류를 형성하는 데 배기 가스 기류가 선회기를 통과할 때 충분한 유동 속도를 구비할 것을 요구하는 바, 상기 구조를 사용하는 반응 튜브는, 신축 구간에서 배기 가스 기류의 유동 속도를 효과적으로 향상시켜, 효과적이고 안정적인 나선형 기류에 필요한 유동 속도에 도달할 수 있으며, 직선 구간은 한편으로 선회기의 안정적인 장착 및 지지에 사용될 수 있고, 다른 한편으로 유동 속도가 향상된 배기 가스 기류의 적절한 안정류를 수행하여, 반응 효율의 안정성을 보장하고 확장 구간은 배기 가스 기류의 유동 속도를 적절하게 감소시켜, 반응 튜브 내의 배기 가스 기류의 체류 시간을 연장하여, NO 및 오존의 반응율을 향상시킨다. C) The NO remover provided by the present invention requires the exhaust gas stream to have a sufficient flow speed when passing through the swirler to form an effective and stable spiral air stream, and the reaction tube using the above structure is flexible and flexible. It can effectively improve the flow speed of the exhaust gas airflow in the section, reaching the flow speed required for an effective and stable spiral airflow, and the straight section can be used for stable mounting and support of the swirler on the one hand, and the flow rate on the other hand. Enhanced, carries out an appropriate steady flow of the exhaust gas stream, ensuring the stability of reaction efficiency, and the extended section appropriately reduces the flow speed of the exhaust gas stream, extending the residence time of the exhaust gas stream in the reaction tube, so that NO and Improves the reaction rate of ozone.

본 발명의 기타 특징 및 이점은 이하의 설명에서 제시될 것이며, 그 중 일부는 설명으로부터 명백해지거나 본 고안을 구현함으로써 이해될 것이다. 본 발명의 목적 및 기타 이점은 첨부된 도면뿐만 아니라 서면 설명에서 특별히 지적된 구조에 의해 구현되고 획득될 수 있다.Other features and advantages of the present invention will be set forth in the following description, some of which will become apparent from the description or be understood by practicing the present invention. The objects and other advantages of the present invention can be realized and obtained by means of the structures particularly pointed out in the written description as well as the accompanying drawings.

도면은 단지 구체적인 실시예를 시사하기 위한 목적으로서 본 고안에 대한 한정으로 이해하지 않아야 하며, 전체 도면에서 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 표시한다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에서 제공하는 NO 제거기의 구조 모식도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1에서 제공하는 NO 제거기 중 반응 튜브 및 선회기의 구조 모식도이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에서 제공하는 NO 제거기 중 반응 튜브 및 선회기의 정면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예 1에서 제공하는 NO 제거기 중 선회기의 구조 모식도이다.
도 5는 본 발명의 실시예 2에서 제공하는 반도체 배기 가스 처리 기기의 구조 모식도이다.
도 6은 본 발명의 실시예 2에서 제공하는 반도체 배기 가스 처리 기기 중 연소 반응 유닛의 구조 모식도이다.
도 7은 본 발명의 실시예 2에서 제공하는 반도체 배기 가스 처리 기기 중 연소 반응 유닛의 부분 모식도이다.
도 8은 본 발명의 실시예 2에서 제공하는 반도체 배기 가스 처리 기기 중 반응 챔버의 구조 모식도이다.
도 9는 본 발명의 실시예 2에서 제공하는 반도체 배기 가스 처리 기기 중 반응 챔버의 측면도이다.
도 10은 본 발명의 실시예 2에서 제공하는 반도체 배기 가스 처리 기기 중 연결 플랜지의 구조 모식도이다.
도 11은 본 발명의 실시예 2에서 제공하는 반도체 배기 가스 처리 기기 중 연결 플랜지의 정면도이다.The drawings are merely for the purpose of suggesting specific embodiments and should not be construed as limiting the present invention, and like reference numerals designate like members throughout the drawings.
Figure 1 is a structural schematic diagram of the NO remover provided in Example 1 of the present invention.
Figure 2 is a structural schematic diagram of the reaction tube and swirler in the NO remover provided in Example 1 of the present invention.
Figure 3 is a front view of the reaction tube and swirler in the NO remover provided in Example 1 of the present invention.
Figure 4 is a structural schematic diagram of a swirler among the NO removers provided in Example 1 of the present invention.
Figure 5 is a structural schematic diagram of a semiconductor exhaust gas treatment device provided in Example 2 of the present invention.
Figure 6 is a structural schematic diagram of a combustion reaction unit in the semiconductor exhaust gas treatment device provided in Example 2 of the present invention.
Figure 7 is a partial schematic diagram of a combustion reaction unit in the semiconductor exhaust gas treatment device provided in Example 2 of the present invention.
Figure 8 is a structural schematic diagram of a reaction chamber in the semiconductor exhaust gas treatment device provided in Example 2 of the present invention.
Figure 9 is a side view of a reaction chamber in the semiconductor exhaust gas treatment device provided in Example 2 of the present invention.
Figure 10 is a structural schematic diagram of a connection flange in the semiconductor exhaust gas treatment device provided in Example 2 of the present invention.
Figure 11 is a front view of a connection flange in the semiconductor exhaust gas treatment device provided in Example 2 of the present invention.

아래 도면에 결부하여 본 고안의 바람직한 실시예를 구체적으로 설명하며, 여기서 도면은 본 고안의 일 부분을 구성하며, 본 고안의 실시예와 함께 본 고안의 원리를 기술한다. Preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings below, where the drawings form a part of the present invention and describe the principles of the present invention along with the embodiments of the present invention.

실시예 1Example 1

본 실시예에서는 NO 제거기를 제공하는 바, 도 1 내지 도 4를 참조하면, 오존 발생기(12), 반응 튜브(13) 및 선회기(14)를 포함하고; 여기서, 선회기(14)는 지지링(141), 지지링(141)의 내부 영역에 설치되는 블라인드 플레이트(142) 및 지지링(141)과 블라인드 플레이트(142) 사이에 설치되는 복수 개의 사이클론 블레이드(143)를 포함하며, 사이클론 블레이드(143)의 일단은 지지링(141)에 연결되고, 사이클론 블레이드(143)의 타단은 블라인드 플레이트(142)에 연결되며, 지지링(141)은 반응 튜브(13)의 내벽에 지지되고, 배기 가스 기류는 복수 개의 사이클론 블레이드(143)를 거친 후 나선형 기류를 형성하며, 사이클론 블레이드(143)의 공기 배출단, 반응 튜브(13)의 측벽에 주입구를 개방 설치하고, 오존 발생기(12)의 공기 배출구는 주입구와 연통된다. In this embodiment, an NO remover is provided. Referring to FIGS. 1 to 4, it includes an ozone generator 12, a reaction tube 13, and a swirler 14; Here, the turning machine 14 includes a support ring 141, a blind plate 142 installed in the inner area of the support ring 141, and a plurality of cyclone blades installed between the support ring 141 and the blind plate 142. It includes (143), one end of the cyclone blade 143 is connected to the support ring 141, the other end of the cyclone blade 143 is connected to the blind plate 142, and the support ring 141 is a reaction tube ( It is supported on the inner wall of 13), and the exhaust gas airflow forms a spiral airflow after passing through a plurality of cyclone blades 143, and the inlet is opened at the air discharge end of the cyclone blade 143 and the side wall of the reaction tube 13. And, the air outlet of the ozone generator 12 communicates with the inlet.

실시할 경우, 오존 발생기(12)를 가동시키고, 오존 발생기(12)에 의해 생성된 오존은 반응 튜브(13)에 공급되며, NO가 함유된 배기 가스 기류는 사이클론 블레이드(143)를 거쳐 나선형 기류가 형성되고, 나선형 기류가 주입구 위치를 경과할 경우, NO는 오존과 반응하여 물에 쉽게 용해되는 높은 원자가 상태의 질소 산화물을 생성하며, NOx의 제거를 완성한다. In this case, the ozone generator 12 is started, the ozone generated by the ozone generator 12 is supplied to the reaction tube 13, and the exhaust gas stream containing NO passes through the cyclone blade 143 and flows into a spiral air stream. is formed, and when the spiral air flow passes through the inlet position, NO reacts with ozone to generate high-valence nitrogen oxides that are easily soluble in water, completing the removal of NO x .

구체적인 반응식은 아래와 같다. The specific reaction formula is as follows.

3NO+2O3=3NO2+3O2 3NO+2O 3 =3NO 2 +3O 2

4NO+2O3=2N2O3+2O2 4NO+2O 3 =2N 2 O 3 +2O 2

2NO+O3=N2O5 2NO+O 3 =N 2 O 5

선행 기술에 비하면, 본 실시예에서 제공하는 NO 제거기는, NO 함유의 배기 가스 기류가 상기 제거기를 통과되도록 하여, 나선형 기류를 형성할 수 있고, 주입구를 경과할 경우, NO는 상기 위치 상의 오존과 반응하며, 한편으로, 나선형 기류는 배기 가스 기류의 경로를 연장할 수 있고, NO과 오존의 반응 시간이 연장되어, 양자의 반응율을 향상시켜, 나아가 NO의 제거율을 향상한다. 다른 한편으로, 나선형 기류는 NO과 오존의 혼합을 촉진시켜, 양자의 혼합 균일성을 향상시킬 수 있고, 마찬가지로 NO의 제거율을 향상시킬 수도 있다. 또 다른 한편으로, 나선형 기류에 의해, 오존 기류는 나선형 유동으로 전환될 수 있어, 오존이 외부로 누출되는 것을 효과적으로 감소할 수도 있으며, 오존이 후속적인 부재 및 관로에 대한 부식을 효과적으로 감소할 뿐만 아니라, NO 제거기의 전반적인 환경 보호성을 향상시킬 수도 있다. Compared with the prior art, the NO remover provided in this embodiment allows the NO-containing exhaust gas stream to pass through the remover, forming a spiral air flow, and when it passes through the inlet, NO is combined with ozone on the above location. On the other hand, the spiral airflow can extend the path of the exhaust gas airflow, extending the reaction time of NO and ozone, improving the reaction rate of both, and further improving the removal rate of NO. On the other hand, the spiral air flow can promote mixing of NO and ozone, improving the mixing uniformity of both, and also improving the removal rate of NO. On the other hand, by the spiral air flow, the ozone air flow can be converted into a spiral flow, which can not only effectively reduce the leakage of ozone to the outside, but also effectively reduce the corrosion of ozone to subsequent members and pipes. , it may also improve the overall environmental protection of the NO remover.

실제 응용에서 테스트를 통해 알 수 있다시피, 본 실시예의 NO 제거기를 사용하면, 반응 튜브(13)에서 배기 가스 기류의 체류 시간이 1s 이상에 도달할 수 있고, 오존 전환율은 99% 이상에 도달할 수 있으며, 오존이 외부로 누출되는 것을 기본적으로 방지할 수 있다. As can be seen through testing in actual applications, using the NO remover of this embodiment, the residence time of the exhaust gas stream in the reaction tube 13 can reach 1 s or more, and the ozone conversion rate can reach 99% or more. This can basically prevent ozone from leaking to the outside.

처리할 배기 가스의 총유량(200~3000L/min)과 가열량이 고정된 것이므로, 생성된 질소 산화물 총량 역시 고정된 것이다. 오존 발생기(12)에서 생성된 오존과 NOx의 몰비는 0.5~3이고, 기본적으로 NO를 100% 제거할 수 있으며, 실험 데이터에 따르면 NO와 오존은 1s 이내에 완전히 반응할 수 있다. Since the total flow rate (200-3000 L/min) and heating amount of exhaust gas to be treated are fixed, the total amount of nitrogen oxides generated is also fixed. The molar ratio of ozone and NO

예시적으로, 지지링(141)의 외경은 반응 튜브(13)의 상응하는 내경과 매칭되고, 즉, 지지링(141)의 외경은 반응 튜브(13)의 상응하는 내경과 동일하며, 블라인드 플레이트(142)와 지지링(141) 내경의 직경비는 1:4~5(예를 들면, 23:100)이며; 사이클론 블레이드(143)의 수는 10~20개(예를 들면, 18개)이다. Exemplarily, the outer diameter of the support ring 141 matches the corresponding inner diameter of the reaction tube 13, that is, the outer diameter of the support ring 141 is equal to the corresponding inner diameter of the reaction tube 13, and the blind plate The diameter ratio of the inner diameter of (142) and the support ring (141) is 1:4 to 5 (for example, 23:100); The number of cyclone blades 143 is 10 to 20 (eg, 18).

효과적이고 안정적인 나선형 기류를 형성하기 위해, 반응 튜브(13)의 구조에 대하여, 구체적으로 말하자면, 공기 흡입단에서 공기 배출단으로, 순차적으로 연결되는 신축 구간(131), 직선 구간(132) 및 확장 구간(133)을 포함하고, 선회기(14)는 직선 구간(132)에 설치되며, 주입구는 직선 구간(132)에 개방 설치된다. 효과적이고 안정적인 나선형 기류를 형성하는 데 있어서 배기 가스 기류가 선회기(14)를 통과할 때 충분한 유동 속도를 구비할 것을 요구하며, 상기 구조를 사용하는 반응 튜브(13)는, 그중, 신축 구간(131)은 배기 가스 기류의 유동 속도를 효과적으로 향상시킬 수 있고, 효과적이고 안정적인 나선형 기류에 필요한 유동 속도에 도달할 수 있으며, 직선 구간(132)은 한편으로 선회기(14)의 안정적인 장착 및 지지에 적용될 수 있고, 다른 한편으로 유동 속도가 향상된 배기 가스 기류의 적절한 안정류를 수행하여, 반응 효율의 안정성을 보장하고 확장 구간(133)은 배기 가스 기류의 유동 속도를 적절하게 감소시킬 수 있으며, 반응 튜브(13)에서 배기 가스 기류의 체류 시간을 더 연장시켜, NO 및 오존의 반응율을 향상시킨다. In order to form an effective and stable spiral air flow, the structure of the reaction tube 13 is, specifically, an expansion section 131, a straight section 132, and an expansion sequentially connected from the air intake end to the air discharge end. It includes a section 133, the vortex 14 is installed in the straight section 132, and the injection port is installed open in the straight section 132. In order to form an effective and stable spiral airflow, the exhaust gas airflow is required to have a sufficient flow speed when passing through the swirler 14, and the reaction tube 13 using the above structure has, among them, an expansion section ( 131) can effectively improve the flow speed of the exhaust gas airflow and reach the flow speed required for an effective and stable spiral airflow, and the straight section 132 on the one hand provides stable mounting and support of the swirler 14. can be applied, and on the other hand, carry out an appropriate steady flow of the exhaust gas stream with an enhanced flow speed, ensuring the stability of the reaction efficiency, and the expansion section 133 can appropriately reduce the flow speed of the exhaust gas stream, and the reaction By further extending the residence time of the exhaust gas stream in the tube 13, the reaction rate of NO and ozone is improved.

예시적으로, 반응 튜브(13)의 구체적인 크기에 대한 파라미터는 아래와 같다.By way of example, parameters for the specific size of the reaction tube 13 are as follows.

신축 구간(131)의 공기 배출단 직경, 직선 구간(132) 직경 및 확장 구간(133)의 공기 흡입단 직경은 동일하고, 신축 구간(131)의 공기 흡입단과 직선 구간(132)의 직경비는 1:2~4이며, 확장 구간(133)의 공기 배출단과 직선 구간(132)의 직경비는 1:2~4이고, 신축 구간(131)의 공기 흡입단 직경은 80~300 mm이며, 확장 구간(133)의 공기 배출단 직경은 80~300 mm이다. The diameter of the air discharge end of the expansion section 131, the diameter of the straight section 132, and the diameter of the air intake end of the expansion section 133 are the same, and the diameter ratio of the air intake end of the expansion section 131 and the straight section 132 is the same. It is 1:2~4, and the diameter ratio of the air discharge end of the expansion section (133) and the straight section (132) is 1:2~4, and the diameter of the air intake end of the expansion section (131) is 80~300 mm. The diameter of the air discharge end of section 133 is 80 to 300 mm.

직선 구간(132)의 길이는 80~200 mm이다. The length of the straight section 132 is 80 to 200 mm.

신축 구간(131)의 측벽과 축방향의 끼인각은 15~45°이고, 확장 구간(133)의 측벽과 축방향의 끼인각은 15~45°이다. The included angle between the side wall of the expansion section 131 and the axial direction is 15 to 45°, and the included angle between the side wall and the axial direction of the expansion section 133 is 15 to 45°.

NO와 오존의 반응 균일성을 향상하기 위해, 상기 주입구의 수는 복수 개이며, 예를 들면, 2~4개이고, 복수 개의 주입구는 반응 튜브(13)의 원주 방향을 따라 균일하게 배치된다. In order to improve the uniformity of reaction between NO and ozone, the number of injection ports is plural, for example, 2 to 4, and the plurality of injection ports are uniformly arranged along the circumferential direction of the reaction tube 13.

반응 초기 또는 기류의 불안정을 고려할 경우, 오존의 외부 누출을 피할 수 없으므로, 상기 NO 제거기는 반응 튜브(13)의 공기 배출단에 설치되고 반응 튜브(13) 공기 배출구와 연통되는 오존 소멸기(15)를 더 포함하고, 오존 소멸기(15) 내에 오존 분해를 촉진하는 벌집 모양의 다공성 재료를 설치하며, 상기 재료는 Mn, Co, Fe의 산화물 또는 혼합물을 포함한다. 이로써, 오존 소멸기(15)를 통해 여분의 반응되지 않은 오존을 제거할 수 있어, 오존이 외부로 누출되는 현상으로 인해 초래되는 불필요한 부식, 안전 및 완경 문제를 기본적으로 방지할 수 있다. Considering the initial stage of the reaction or the instability of the air flow, external leakage of ozone cannot be avoided, so the NO eliminator is installed at the air outlet end of the reaction tube 13 and the ozone quencher 15 communicates with the air outlet of the reaction tube 13. ), and a honeycomb-shaped porous material that promotes ozone decomposition is installed in the ozone quencher 15, and the material includes oxides or mixtures of Mn, Co, and Fe. As a result, excess unreacted ozone can be removed through the ozone quencher 15, essentially preventing unnecessary corrosion, safety, and deterioration problems caused by ozone leaking to the outside.

이해할 수 있는 것은, 물에 쉽게 용해되는 높은 원자가 상태의 질소 산화물을 더 제거하기 위해, 상기 NO 제거기 분무탑을 더 포함하고(도면 미도시), 반응 튜브(13)의 공기 배출구는 배기 파이프를 통해 분무탑에 연결되며, 물에 용해되는 높은 원자가 상태의 질소 산화물이 분무탑을 통과할 때, 분무탑 내의 분무액은 분무액에 접촉 및 용해됨으로써, 물에 용해되는 높은 원자가 상태의 질소 산화물을 더 제거한다. Understandably, in order to further remove nitrogen oxides in a high valence state that are easily soluble in water, the NO remover spray tower is further included (not shown), and the air outlet of the reaction tube 13 is through an exhaust pipe. It is connected to a spray tower, and when high-valence nitrogen oxides soluble in water pass through the spray tower, the spray liquid in the spray tower contacts and dissolves in the spray liquid, thereby further producing water-soluble high-valence nitrogen oxides. Remove.

NO 제거기가 실시간으로 처리해야 하는 배기 가스의 NO 함량을 알 수 있도록, 상기 NO 제거기는 반응 튜브(13) 공기 흡입구에 설치된 NOx 검출기(16)를 더 포함하고, NOx 검출기(16)를 통해 NO 제거기가 처리해야 하는 배기 가스의 NO 함량을 실시간으로 알 수 있어, 오존 발생기(12)에 의해 생성된 오존의 양을 언제든지 조절할 수 있다. In order for the NO remover to know in real time the NO content of the exhaust gas to be treated, the NO x remover further includes a NO Since the NO content of the exhaust gas that the NO remover must treat can be known in real time, the amount of ozone produced by the ozone generator 12 can be adjusted at any time.

실시예 2 Example 2

본 실시예에서는 반도체 배기 가스 처리 기기를 제공하는 바, 도 5 내지 도 11을 참조하면, 상기 반도체 배기 가스 처리 기기는 배기 가스의 유동 방향을 따라 순차적으로 설치되는 연소 반응 유닛, 물탱크(6), 분무 유닛(11) 및 NO 제거기를 포함한다. In this embodiment, a semiconductor exhaust gas treatment device is provided. Referring to FIGS. 5 to 11, the semiconductor exhaust gas treatment device includes a combustion reaction unit and a water tank 6 that are sequentially installed along the flow direction of the exhaust gas. , a spray unit (11) and a NO eliminator.

선행 기술에 비하면, 본 실시예에서 제공하는 반도체 배기 가스 처리 기기의 유익한 효과는 실시예 1에서 제공하는 NO 제거기의 유익한 효과와 동일하므로, 여기서 더 기술하지 않는다. Compared with the prior art, the beneficial effects of the semiconductor exhaust gas treatment device provided in this embodiment are the same as those of the NO remover provided in Example 1, and therefore are not described further here.

이해할 수 있는 것은, 반도체 배기 가스 처리 기기가 통일성을 갖도록 하기 위해, 상기 반도체 배기 가스 처리 기기는 케이스(10)를 더 포함하고, 연소 반응 유닛, 물탱크(6) 및 분무 유닛(11)은 모두 케이스(10) 내에 설치된다. Understandably, in order to ensure that the semiconductor exhaust gas treatment device has uniformity, the semiconductor exhaust gas treatment device further includes a case 10, and the combustion reaction unit, water tank 6 and atomization unit 11 are all It is installed within the case (10).

NO 제거기의 설치 위치에 대해 두 가지 상황으로 나뉠 수 있는데, 하나는 케이스의 내부에 충분한 공간이 있으면, NO 제거기를 케이스(10) 내에 설치할 수 있고, 다른 하나는, 케이스의 내부 공간이 작아 NO 제거기를 수용하기에 충분하지 않으면, NO 제거기를 케이스(10) 밖에 설치할 수 있으나, 구조의 긴밀성을 고려하면 바람직하게는 첫 번째 경우이다.The installation location of the NO eliminator can be divided into two situations. In one case, if there is sufficient space inside the case, the NO eliminator can be installed in the case 10, and in the other, if the interior space of the case is small, the NO eliminator can be installed. If it is not sufficient to accommodate, the NO eliminator can be installed outside the case 10, but considering the tightness of the structure, the first case is preferred.

연소 반응 유닛의 구조에 대해, 구체적으로 말하자면, 도 6 내지 도 11을 참조하면, 이는 열분해 챔버(1), 반응 챔버(2), 가열 유닛(3) 및 반응 가스 공급 유닛(4)을 포함하고, 예시적으로, 반응 가스는 공기, 산소, 수소, 암모니아 중 하나 또는 둘 이상의 혼합물이며, 가열 유닛(3)은 열분해 챔버(1)에 열량을 제공하기 위한 것이고, 열분해 챔버(1)와 반응 챔버(2) 사이에는 연결 플랜지(5)가 설치되며, 열분해 챔버(1) 및 반응 챔버(2)는 연결 플랜지(5)를 통해 연통되고 중첩 영역을 구비하지 않으며, 연결 플랜지(5)는 반응 챔버(2) 내벽에서 나선형으로 유동하는 나선 수막을 형성하여 반응 챔버(2) 내의 배기 가스가 회전하도록 하고; 반응 가스 공급 유닛(4)의 공기 배출구는 열분해 챔버(1)에서 연결 플랜지(5) 일단에 근접하는 측벽에 위치한다. Regarding the structure of the combustion reaction unit, specifically, referring to Figures 6 to 11, it includes a pyrolysis chamber (1), a reaction chamber (2), a heating unit (3) and a reaction gas supply unit (4); , Illustratively, the reaction gas is one or a mixture of two or more of air, oxygen, hydrogen, and ammonia, and the heating unit 3 is for providing heat to the pyrolysis chamber 1, and the pyrolysis chamber 1 and the reaction chamber A connecting flange (5) is installed between (2), and the pyrolysis chamber (1) and the reaction chamber (2) are in communication through the connecting flange (5) and do not have an overlapping area, and the connecting flange (5) is connected to the reaction chamber (2). (2) forming a spiral water film flowing spirally on the inner wall, causing the exhaust gas in the reaction chamber (2) to rotate; The air outlet of the reaction gas supply unit (4) is located on the side wall close to one end of the connecting flange (5) in the pyrolysis chamber (1).

나선형 수막은 수막이 반응 챔버(2)의 내벽에서 나선형 회전 상태에 있을 수 있도록 수류가 일정한 접선 속도를 갖는다는 것을 의미한다는 점에 유의해야 한다. It should be noted that a spiral water film means that the water flow has a constant tangential velocity so that the water film can be in a state of spiral rotation on the inner wall of the reaction chamber 2.

실시할 경우, 범용 반도체의 생산 공정에서 생성된 배기 가스는 열분해 챔버(1)에 진입하고, 열분해 챔버(1)에서, 가열 유닛(3)의 가열 하에, 배기 가스는 1400℃ 이상으로 가열되어, 일부 유해 가스에 열분해가 발생되도록 하며; 열분해가 발생되지 않은 배기 가스가 반응 가스 공급 유닛(4)의 공기 배출구를 통과할 경우, 반응 가스와 접촉, 충분히 혼합되어 반응 가스와 함께 반응 챔버(2)에 진입하여 산화 또는 환원 반응하도록 하고, 열분해되지 않은 일부 배기 가스가 고체 입자 또는 물에 쉽게 용해되는 가스로 전환시키며; 고체 입자 및 물에 쉽게 용해되는 가스는 반응 챔버(2) 내벽의 수막와 서로 작용하여, 수막은 고체 입자 및 물에 쉽게 용해되는 가스를 반응 챔버(2)에서 멀리 가져가, 범용 반도체 생산 공정에서 생성된 배기 가스의 처리를 구현한다. When implemented, the exhaust gas generated in the production process of a general-purpose semiconductor enters the pyrolysis chamber 1, and in the pyrolysis chamber 1, under heating of the heating unit 3, the exhaust gas is heated to 1400° C. or higher, Causes some harmful gases to undergo thermal decomposition; When the exhaust gas that has not undergone thermal decomposition passes through the air outlet of the reaction gas supply unit (4), it comes into contact with the reaction gas, is sufficiently mixed, and enters the reaction chamber (2) together with the reaction gas to cause an oxidation or reduction reaction, Converts some of the non-pyrolyzed exhaust gases into solid particles or gases that are easily soluble in water; The solid particles and the gas easily soluble in water interact with the water film on the inner wall of the reaction chamber 2, and the water film takes the solid particles and the gas easily soluble in water away from the reaction chamber 2, which is generated in the general-purpose semiconductor production process. Implement treatment of exhaust gases.

선행 기술에 비하면, 본 실시예에서 제공하는 연소 반응 유닛은 주요하게 범용 반도체에서 생성된 배기 가스에 대해 무해화 처리를 수행하며, 열분해 챔버(1) 및 반응 챔버(2)는 연결 플랜지(5)를 통해 연통되고 중첩 영역을 구비하지 않으며, 유해 가스와 반응 가스의 반응이 열분해 챔버(1)가 아닌 모두 반응 챔버(2) 내에서 이루어지도록 하여, 열분해 챔버(1) 내에서 고체 입자 및 부식성 가스가 생성되는 것을 방지할 수 있고, 열분해 챔버(1)의 사용 수명 및 유지 보수 주기를 연장하며, 설명해야 할 것은, 열분해 챔버(1)의 주요한 작용은 배기 가스를 가열하고 일부 유해 가스를 열분해하는 것이며, 그 구조는 비교적 복잡하고(일부 데드 존 및 모서리 등이 있음), 완전한 부식 방지를 달성하기 어렵고, 열분해 챔버(1)의 고체 입자 및 부식성 가스는 열분해 챔버(1)에 심각한 부식을 일으킨다.Compared to the prior art, the combustion reaction unit provided in this embodiment mainly performs detoxification treatment on the exhaust gas generated from general-purpose semiconductors, and the pyrolysis chamber 1 and reaction chamber 2 are connected to the flange 5. It communicates through and does not have an overlapping area, and the reaction of the harmful gas and the reactive gas takes place all within the reaction chamber (2) rather than the pyrolysis chamber (1), so that solid particles and corrosive gases are eliminated within the pyrolysis chamber (1). can prevent the pyrolysis chamber (1) from being generated, and extend the service life and maintenance cycle of the pyrolysis chamber (1). It should be explained that the main action of the pyrolysis chamber (1) is to heat the exhaust gas and pyrolyze some harmful gases. Its structure is relatively complex (there are some dead zones and edges, etc.), and it is difficult to achieve complete corrosion prevention, and solid particles and corrosive gases in the pyrolysis chamber 1 cause serious corrosion in the pyrolysis chamber 1.

아울러, 열분해를 구현하기 위해, 열분해 챔버(1) 내의 온도는 1400℃ 이상 도달할 수 있고, 열분해 챔버(1) 및 반응 챔버(2)를 독립적으로 설치하며, 한편으로, 반응 챔버(2) 내에는 유동성 필름이 구비되고, 유동성 필름은 대부분의 열량을 가져가며, 열분해 챔버(1) 및 반응 챔버(2)를 독립적으로 설치하고, 유동성 필름이 열분해 챔버(1) 온도에 대한 영향을 방지할 수 있다. 다른 한편으로, 유해 가스에 열분해가 발생하면 산화/환원 반응이 발생하지 않은 것을 보장하여, 부산물(예를 들면, 질소 산화물 : NO, NO2 등)의 생성을 방지하고, 설명해야 할 것은, 배기 가스는 유해 가스 외에도, 바닥 가스는 질소이며, 질소와 산소는 1000 ℃ 이상의 환경에서 많은 양의 질소 산화물을 생성하고, 질소 산화물 역시 대기 오염물로서, 분무탑에 의해 처리되지 않고 배출되면 환경 오염을 초래할 수 있다. In addition, in order to implement thermal decomposition, the temperature within the thermal decomposition chamber (1) can reach more than 1400°C, and the thermal decomposition chamber (1) and reaction chamber (2) are installed independently, and on the other hand, within the reaction chamber (2) is provided with a flowable film, the flowable film takes most of the heat, the pyrolysis chamber (1) and the reaction chamber (2) are installed independently, and the flowable film can prevent the influence of the flowable film on the temperature of the pyrolysis chamber (1). . On the other hand, when thermal decomposition occurs in harmful gases, it is ensured that oxidation/reduction reactions do not occur, preventing the generation of by-products (e.g. nitrogen oxides: NO, NO 2, etc.), and, it should be explained, exhaust In addition to harmful gases, the bottom gas is nitrogen, and nitrogen and oxygen produce a large amount of nitrogen oxides in an environment above 1000 ℃. Nitrogen oxides are also air pollutants, which will cause environmental pollution if discharged without being treated by the spray tower. You can.

또한, 유해 가스는 반응 챔버(2)에서 고체 입자 및 물에 쉽게 용해되는 가스를 생성할 수 있고, 여기서, 고체 입자는 제때에 처리되지 않으면, 반응 챔버(2)에 점착 누적되어 반응 챔버(2)를 막을 수 있다. 연결 플랜지(5)의 설치를 통해, 접선 부분 속도를 갖는 물 흐름이 반응 챔버(2) 내벽을 만나, 반응 챔버(2) 내벽에서 나선형 유동을 일으킬 수 있고, 전체 반응 챔버(2) 내벽을 커버하며 나선형으로 유동하는 특성을 구비함으로써, 나선 수막의 커버 균일성을 향상시킬 수 있고, 자연 범람의 형태로 형성된 수막의 불균일 분포 문제를 효과적으로 해결하며, 배기 가스에 의해 생성된 부식성 가스가 반응 챔버(2) 측벽에 대한 부식을 방지하여, 반응 챔버(2)의 사용 수명을 효과적으로 연장한다. 나선 수막은 반응 챔버(2) 내의 배기 가스가 회전하도록 하고, 반응 챔버(2) 내의 배기 가스의 체류 시간을 연장하며, 고체 입자 및 물에 쉽게 용해되는 가스는 유동되는 배기 가스에 따라 수막에 접촉, 혼합될 수 있으며, 수막에 의해 포집되어 후속적인 물탱크(6) 내에 유입됨으로써, 고체 입자가 반응 챔버(2)를 막는 것을 방지할 수 있다. 열분해 챔버(1) 및 반응 챔버(2)가 연통되므로, 가열 유닛(3)은 나선 수막에 대해 마찬가지로 일정한 가열 작용을 구비하고, 가열된 후의 나선 수막은 유동되어 고온 배기 가스와 외계의 열 전달 속도를 더 향상시킬 수 있으며, 또한, 나선 수막이 일정한 접선 속도를 구비하므로, 반응 챔버(2)의 측벽에서 수막의 유동 경로 길이를 연장하는 것에 해당되고, 마찬가지로 고온 배기 가스와 외계의 열 전달 속도를 증가시킬 수 있으며, 반응 챔버(2)가 고온으로 인해 파손되는 것을 방지하여, 반응 챔버(2)의 사용 수명을 연장한다. In addition, harmful gases can produce gases that are easily soluble in solid particles and water in the reaction chamber 2, where, if the solid particles are not treated in time, they can adhere and accumulate in the reaction chamber 2. ) can be prevented. Through the installation of the connecting flange (5), the water flow with a tangential partial velocity can meet the inner wall of the reaction chamber (2), causing a spiral flow in the inner wall of the reaction chamber (2), covering the entire inner wall of the reaction chamber (2). and has a spiral flow characteristic, it is possible to improve the cover uniformity of the spiral water film, effectively solve the problem of uneven distribution of the water film formed in the form of natural flooding, and prevent the corrosive gas generated by the exhaust gas from being removed from the reaction chamber ( 2) By preventing corrosion of the side walls, the service life of the reaction chamber (2) is effectively extended. The spiral water film causes the exhaust gas in the reaction chamber (2) to rotate, extends the residence time of the exhaust gas in the reaction chamber (2), and solid particles and gases that easily dissolve in water contact the water film according to the flowing exhaust gas. , can be mixed, captured by a water film and introduced into the subsequent water tank (6), thereby preventing solid particles from clogging the reaction chamber (2). Since the pyrolysis chamber 1 and the reaction chamber 2 are in communication, the heating unit 3 also has a constant heating action on the spiral water film, and the spiral water film after heating flows to speed up the heat transfer between the high temperature exhaust gas and the outside world. can be further improved, and since the spiral water film has a constant tangential velocity, it corresponds to extending the flow path length of the water film on the side wall of the reaction chamber 2, and similarly increases the heat transfer rate of the high temperature exhaust gas and the outside world. It can be increased and the reaction chamber (2) is prevented from being damaged due to high temperature, thereby extending the service life of the reaction chamber (2).

실제 응용에서, 본 실시예의 연소 반응 유닛은 범용 반도체 가공 공정에서 생성된 배기 가스의 유형에 사용될 수 있으며, 표 1을 참조한다.In practical applications, the combustion reaction unit of this embodiment can be used for any type of exhaust gas generated in a general-purpose semiconductor processing process, see Table 1.

범용 반도체 가공 공정에서 생성된 배기 가스의 유형Types of exhaust gases produced in general-purpose semiconductor processing processes 공정process 생성된 배기 가스 exhaust gases produced 세척wash Cl2, ClF3, NF3, C2H6, SF6, HCl 등Cl 2 , ClF 3 , NF 3 , C 2 H 6 , SF 6 , HCl, etc. 퇴적accumulation NH3, N2O, TEOS, SiH4, NO, WF6 등NH 3 , N 2 O, TEOS, SiH 4 , NO, WF 6 , etc. 포토에칭photo etching Ar, F2, Ne, Kr, He 등Ar, F 2 , Ne, Kr, He, etc. 에칭etching NF3, C4F8, COS, CF4, C2F6, HF, CH3F, SiF4, SF6, BCl3 등NF 3 , C 4 F 8 , COS, CF 4 , C 2 F 6 , HF, CH 3 F, SiF 4 , SF 6 , BCl 3 etc. 이온 주입ion implantation BF3, B2H6, AsH3, TEB, TEPO, PH3 등BF 3 , B 2 H 6 , AsH 3 , TEB, TEPO, PH 3 , etc. 외연extension HCl, SiH2Cl2, SiHCl3, H2 등HCl, SiH 2 Cl 2 , SiHCl 3 , H 2 etc.

이가 처리할 수 있는 배기 가스의 총유량은 200~3000L/min이고, 본 실시예의 연소 반응 유닛을 사용하여 배기 가스를 처리하며, 유해 가스의 제거 효율은 99% 이상에 도달할 수 있어, 처리된 가스는 직접 대기 환경에 배출될 수 있다. 나선형으로 유동하는 수막을 형성하기 위해, 상기 연결 플랜지(5)의 구조는 아래와 같다. 이는 플랜지 몸체(51) 및 플랜지 몸체(51)에 설치되는 오버플로우 홈(52) 및 오버플로우 분기 파이프(53)를 포함하고, 물 공급 유닛은 오버플로우 분기 파이프(53)를 통해 오버플로우 홈(52)과 연통되며, 오버플로우 분기 파이프(53)의 액체 유입구와 오버플로우 홈(52) 측벽의 접선 방향의 끼인각은 α이고, 0°＜α＜90°이다. 실시할 경우, 물 흐름은 오버플로우 분기 파이프(53)를 통해 오버플로우 홈(52)에 진입하고, 물 흐름은 오버플로우 분기 파이프(53)의 안내 하에 오버플로우 홈(52)에 진입하여 회전 물 흐름을 형성하고 점차 상승하여, 오버플로우 홈(52)에서 넘쳐 반응 챔버(2)에 진입하여, 반응 챔버(2) 내벽을 완전히 커버하는 나선 수막을 형성한다. The total flow rate of exhaust gas that it can process is 200-3000L/min, and by using the combustion reaction unit of this embodiment to treat exhaust gas, the removal efficiency of harmful gas can reach 99% or more, so that the treated Gases can be released directly into the atmospheric environment. In order to form a water film flowing in a spiral shape, the structure of the connecting flange 5 is as follows. It includes a flange body 51 and an overflow groove 52 and an overflow branch pipe 53 installed in the flange body 51, and the water supply unit is supplied through the overflow branch pipe 53 into the overflow groove (53). 52), and the included angle of the liquid inlet of the overflow branch pipe 53 and the tangential direction of the side wall of the overflow groove 52 is α, and 0°<α<90°. In this case, the water flow enters the overflow groove 52 through the overflow branch pipe 53, and the water flow enters the overflow groove 52 under the guidance of the overflow branch pipe 53 and rotates. A flow forms and gradually rises, overflowing from the overflow groove 52 and entering the reaction chamber 2, forming a spiral water film that completely covers the inner wall of the reaction chamber 2.

예시적으로, 오버플로우 분기 파이프(53)의 수는 2~8개이고, 2~8개의 오버플로우 분기 파이프(53)는 오버플로우 홈(52)의 축방향을 따라 균일하게 배치되며, 30°≤α≤75°이고, 오버플로우 분기 파이프(53) 내의 물 흐름의 속도는 10~100L/min이며, 수온은 15~30℃이다. Exemplarily, the number of overflow branch pipes 53 is 2 to 8, and the 2 to 8 overflow branch pipes 53 are uniformly disposed along the axial direction of the overflow groove 52, and 30°≤ α≤75°, the speed of water flow in the overflow branch pipe 53 is 10 to 100 L/min, and the water temperature is 15 to 30°C.

반응 챔버(2)의 측벽을 완전히 커버하는 데 오버플로우 분기 파이프(53)의 액체 진입 각도, 급수량이 수막에 영향을 준다는 것을 고려하면, 배기 가스의 구성, 배기 가스 유량 및 수압 등 파라미터에 따라 액체 진입 각도 및 물 흐름 속도를 결정해야 하고, 우선 배기 가스의 구성(특히 모노실란과 같은 고체 입자를 생성하는 가스의 비율) 및 배기 가스 흐름량이 고체 입자에 대한 생성량에 영향을 미칠 수 있는 바, 예시적으로, 실제 상황에 따르면, 모노실란의 유량을 저유량 (＜0.5L/min), 중유량(0.5~1.2L/min) 및 고유량(>1.2L/min)으로 나누고; 그 다음, 수압은 물의 유입량 및 수막 형태에 영향을 미칠 수 있으며, 실제 상황에 따르면, 수압은 저수압(0.4~0.6Mpa) 및 정상 수압 (0.6~1.0MPa)으로 나뉜다. Considering that the liquid entry angle of the overflow branch pipe 53 and the water supply amount affect the water film in order to completely cover the side wall of the reaction chamber 2, the liquid depends on parameters such as the composition of the exhaust gas, the exhaust gas flow rate and the water pressure. The angle of entry and water flow rate must be determined, first of all the composition of the exhaust gas (particularly the proportion of gases producing solid particles such as monosilane) and the amount of exhaust gas flow can affect the amount produced for solid particles, e.g. In general, according to the actual situation, the flow rate of monosilane is divided into low flow rate (<0.5L/min), medium flow rate (0.5~1.2L/min) and high flow rate (>1.2L/min); Then, the water pressure can affect the inflow of water and the form of the water film. According to the actual situation, the water pressure is divided into low water pressure (0.4~0.6Mpa) and normal water pressure (0.6~1.0MPa).

실제 적용 과정에서, 실제 현장 조건 및 실험 데이터에 따라, 파라미터를 조절하여 수막이 내벽면에 대한 완전한 커버를 구현하며, 구체적인 파라미터는 표 2를 참조한다. In the actual application process, the parameters are adjusted according to actual field conditions and experimental data to ensure that the water film completely covers the inner wall surface, see Table 2 for specific parameters.

모노실란 유량, 수압, 액체 진입 각도, 개수와 급수량 사이의 관계Relationship between monosilane flow rate, water pressure, liquid entry angle, number and water supply amount 모노실란 유량 Monosilane flow rate 수압 water pressure 액체 진입 각도/°Liquid entry angle/° 오버플로우 분기 파이프(53)개수 Number of overflow branch pipes (53) 급수량 (L/min)Water supply (L/min) 저유량 low flow 저수압 low water pressure 30~5030~50 2~42~4 5~105~10 중유량 medium flow 저수압 low water pressure 35~5535~55 2~62~6 7~107~10 고유량 high flow 저수압 low water pressure 45~6545~65 2~62~6 8~108~10 저유량 low flow 정상 수압 normal water pressure 45~7545~75 4~64~6 2~72~7 중유량 medium flow 정상 수압 normal water pressure 45~7545~75 4~84~8 2~62~6 고유량 high flow 정상 수압 normal water pressure 45~7545~75 4~84~8 2~52~5

예시적으로, 상기 구체적인 파라미터의 바람직한 범위 또는 바람직한 값은 표 3을 참조한다. By way of example, see Table 3 for preferred ranges or preferred values of the specific parameters.

모노실란 유량, 수압, 액체 진입 각도, 개수 및 급수량의 바람직한 범위Desirable ranges of monosilane flow rate, water pressure, liquid entry angle, number and water supply amount 모노실란 유량 Monosilane flow rate 수압 water pressure 액체 진입 각도/°Liquid entry angle/° 오버플로우 립 개수 Number of overflow lips 급수량 (L/min)Water supply (L/min) 저유량 low flow 저수압 low water pressure 35~40(예를 들면, 45)35~40 (e.g. 45) 2~32~3 77 중유량 medium flow 저수압 low water pressure 40~45(예를 들면, 45)40~45 (e.g. 45) 3~43~4 44 고유량 high flow 저수압 low water pressure 45~50(예를 들면, 50)45~50 (e.g. 50) 4~64~6 66 저유량 low flow 정상 수압 normal water pressure 50~55(예를 들면, 50)50~55 (e.g. 50) 4~54~5 55 중유량 medium flow 정상 수압 normal water pressure 55~65(예를 들면, 50)55~65 (e.g. 50) 5~65~6 55 고유량 high flow 정상 수압 normal water pressure 65~70(예를 들면, 52)65~70 (e.g. 52) 6~86~8 66

반응 가스 공급 유닛(4)의 구조에 대해, 구체적으로 말하자면, 이는 복수 개의 반응 가스 노즐을 포함하고, 복수 개의 반응 가스 노즐은 열분해 챔버(1)의 축방향을 따라 균일하게 배치되며, 압축된 반응 가스는 복수 개의 반응 가스 노즐을 통해 열분해 챔버(1)에서 연결 플랜지(5)에 근접한 일단으로 반응 가스를 함께 제공하고, 배기 가스가 열분해 챔버(1)를 따라 유동하는 과정에서, 반응 가스와 접촉, 충분하게 혼합되어, 반응 가스가 함께 반응 챔버(2)에 진입하여 산화 또는 환원 반응을 수행하도록 하며, 열분해되지 않은 유해 가스가 고체 입자 또는 물에 쉽게 용해되는 가스로 전환되도록 한다. 가열 유닛(3)의 가열 효율을 보장하기 위해, 예시적으로, 가열 유닛(3)은 열분해 챔버(1)의 최상단에 설치된 화염 발생기(31)(예를 들면, 가스 화염 발생기(31) 또는 플라스마 화염 발생기(31) 또는 다른 형식의 화염 발생기(31))를 포함하고, 화염 발생기(31)의 헤드는 열분해 챔버(1)에 위치하며, 화염 발생기(31)에 의해 생성된 화염(플라스마 화염일 수도 있음)은 적어도 열분해 챔버(1)에 연장되고, 설명해야 할 것은, 이는 초기 단계에서, 열분해 챔버(1)를 관통하여 반응 챔버(2)에 연장되어, 반응 챔버(2) 내의 반응을 유발한다. Regarding the structure of the reaction gas supply unit 4, specifically, it includes a plurality of reaction gas nozzles, the plurality of reaction gas nozzles are arranged uniformly along the axial direction of the pyrolysis chamber 1, and compressed reaction gas nozzles The gas is provided together with the reaction gas from the pyrolysis chamber 1 to one end close to the connection flange 5 through a plurality of reaction gas nozzles, and in the process of the exhaust gas flowing along the pyrolysis chamber 1, it comes into contact with the reaction gas. , are sufficiently mixed, so that the reaction gases enter the reaction chamber 2 together to perform an oxidation or reduction reaction, and cause the harmful gases that are not thermally decomposed to be converted into solid particles or gases that are easily soluble in water. In order to ensure the heating efficiency of the heating unit 3, the heating unit 3 is illustratively installed at the top of the pyrolysis chamber 1 with a flame generator 31 (e.g., a gas flame generator 31 or a plasma A flame generator (31) or another type of flame generator (31), the head of the flame generator (31) is located in the pyrolysis chamber (1), and the flame (plasma flame) generated by the flame generator (31) is located in the pyrolysis chamber (1). extends at least into the pyrolysis chamber 1 and, it should be explained, extends, at an initial stage, through the pyrolysis chamber 1 into the reaction chamber 2, causing a reaction in the reaction chamber 2. do.

열분해 챔버(1) 내의 온도를 더 향상하기 위해, 유해 가스에 열분해가 발생할 것을 촉진하고, 특히는 PFCs 가스이며, 그 온도가 1400℃ 이상에 도달해야만 열분해 또는 산화 반응이 발생할 수 있으므로, 화염 발생기(31)는 플라스마 화염 발생기(31)일 수 있는데, 이는 플라스마 화염 발생기(31)에 의해 생성된 화염 온도가 높아, 3000℃ 이상에 도달할 수 있기 때문에, 열분해 챔버(1) 내의 온도를 2000℃ 이상으로 신속하게 가열시켜, 1400℃보다 훨씬 높아, 유해 가스의 열분해 효과를 보장할 수 있다. In order to further improve the temperature in the thermal decomposition chamber 1, to promote thermal decomposition to occur in harmful gases, especially PFCs gas, and thermal decomposition or oxidation reaction can occur only when the temperature reaches 1400°C or higher, a flame generator ( 31) may be a plasma flame generator 31, since the flame temperature generated by the plasma flame generator 31 is high and can reach 3000°C or higher, so that the temperature in the pyrolysis chamber 1 is 2000°C or higher. It can be heated quickly to much higher than 1400℃, ensuring the thermal decomposition effect of harmful gases.

화염 발생기(31)에 의해 생성된 화염 온도가 높은 것을 고려하면, 화염 발생기(31)의 방열을 촉진하기 위해, 상기 가열 유닛(3)은 액랭 회수 라인을 더 포함하는 바, 액랭 회수 라인은 액랭 챔버 및 액랭 챔버 외부에 위치하는 액랭 진입관(32) 및 액랭 배출관(33)을 포함하고, 액랭 챔버는 화염 발생기(31) 외벽에 위치하며, 액랭 진입관(32) 및 액랭 배출관(33)은 각각 액랭 챔버와 연통되어, 삼자는 액랭 회수 라인을 구성하며, 냉각액(예를 들면, 20~25℃의 냉각수)은 액랭 진입관(32), 액랭 배출관(33)과 액랭 챔버 사이에서 화염 발생기(31) 측벽의 냉각을 구현할 수 있다. 설명해야 할 것은, 액랭 챔버에 대해, 화염 발생기(31)의 쉘을 더블 레이어 케이스로 가공할 수도 있고, 더블 레이어 케이스 사이의 챔버를 액랭 챔버로 사용한다. 이러면, 액랭 회수 라인의 설치를 통해, 화염 발생기(31)의 쉘을 효과적으로 냉각시킬 수 있고, 화염 발생기(31)의 온도가 너무 높아 파손되는 상황의 발생을 기본적으로 방지할 수 있다. Considering that the flame temperature generated by the flame generator 31 is high, in order to promote heat dissipation of the flame generator 31, the heating unit 3 further includes a liquid cooling recovery line, and the liquid cooling recovery line is a liquid cooling recovery line. It includes a liquid cooling inlet pipe 32 and a liquid cooling discharge pipe 33 located outside the chamber and the liquid cooling chamber, and the liquid cooling chamber is located on the outer wall of the flame generator 31, and the liquid cooling inlet pipe 32 and the liquid cooling discharge pipe 33 are Each is in communication with the liquid cooling chamber, and the three form a liquid cooling recovery line, and the cooling liquid (e.g., cooling water at 20 to 25°C) flows through a flame generator ( 31) Cooling of the side walls can be implemented. What should be explained is that, regarding the liquid cooling chamber, the shell of the flame generator 31 may be processed into a double layer case, and the chamber between the double layer cases is used as a liquid cooling chamber. In this way, through the installation of the liquid cooling recovery line, the shell of the flame generator 31 can be effectively cooled, and the occurrence of a situation in which the flame generator 31 is damaged due to the temperature being too high can be basically prevented.

반응 챔버(2) 측벽의 내부식성을 더 향상하기 위해, 반응 챔버(2)의 내벽에 내부식층(예를 들면, 테플론층)을 설치하며, 내부식성을 통해 반응 챔버(2) 내벽의 내부식성을 효과적으로 향상시킬 수 있다.In order to further improve the corrosion resistance of the side wall of the reaction chamber (2), a corrosion-resistant layer (for example, a Teflon layer) is installed on the inner wall of the reaction chamber (2), and the corrosion resistance of the inner wall of the reaction chamber (2) is increased through corrosion resistance. can be effectively improved.

열분해 챔버(1)의 내열성을 더 향상하기 위해, 열분해 챔버(1)의 내벽에 방화층을 설치하며, 방화층을 통해 열분해 챔버(1)의 내열성을 효과적으로 향상시켜, 열분해 챔버(1)를 보호한다. In order to further improve the heat resistance of the pyrolysis chamber (1), a fireproof layer is installed on the inner wall of the pyrolysis chamber (1), and the heat resistance of the pyrolysis chamber (1) is effectively improved through the fireproof layer to protect the pyrolysis chamber (1). do.

반응 챔버(2)의 장착 및 교체를 위해, 상기 반응 챔버(2)의 측벽에 손잡이(7)가 설치되어, 작동자는 손잡이(7)를 잡고, 반응 챔버(2)의 장착 및 교체를 간편하게 실시할 수 있다. In order to mount and replace the reaction chamber 2, a handle 7 is installed on the side wall of the reaction chamber 2, so that the operator can easily mount and replace the reaction chamber 2 by holding the handle 7. can do.

이해할 수 있는 것은, 배기 가스가 범용 반도체의 가공 기기에서 수송되어 열분해 챔버(1)로 진입되도록 하기 위해, 상기 연소 반응 유닛은 흡기 부재(8)를 더 포함하고, 범용 반도체의 가공 기기의 배기 가스 출구는 흡기 부재(8)를 통해 열분해 챔버(1)의 공기 흡입구에 연결된다. Understandably, the combustion reaction unit further includes an intake member 8, so that the exhaust gas is transported from the processing equipment of general-purpose semiconductors and enters the pyrolysis chamber 1, and the exhaust gas of the processing equipment of general-purpose semiconductors is The outlet is connected to the air intake of the pyrolysis chamber (1) through the intake member (8).

흡기 부재(8)의 구조에 대하여, 구체적으로 말하자면, 이는 순차적으로 연결되는 흡기관(81), 엘보우 및 연결 파이프를 포함하고, 흡기관(81)의 공기 흡입구는 범용 반도체의 가공 기기의 배기 가스 출구와 연통하며, 흡기관(81)의 공기 배출구는 커넥터(83)(예를 들면, 연성 커넥터(83))를 통해 엘보우와 연통되고, 엘보우의 공기 배출구는 열분해 챔버(1)와 연통되며, 배기 가스는 순차적으로 흡기관(81) 및 엘보우를 통해 열분해 챔버(1)에 진입한다. Regarding the structure of the intake member 8, specifically, it includes an intake pipe 81, an elbow and a connecting pipe sequentially connected, and the air intake port of the intake pipe 81 is used to discharge the exhaust gas of the general-purpose semiconductor processing equipment. It communicates with the outlet, and the air outlet of the intake pipe 81 communicates with the elbow through the connector 83 (e.g., the flexible connector 83), and the air outlet of the elbow communicates with the pyrolysis chamber 1, The exhaust gas sequentially enters the pyrolysis chamber 1 through the intake pipe 81 and the elbow.

고체 입자가 흡기 부재(8)에 유입되어 엘보우에 퇴적되는 것을 고려하면, 상기 흡기 부재(8)는 블로잉 파이프(82)를 더 포함하고, 상기 엘보우는 3통 엘보우이며, 서로 연통되는 제1 엘보우 파이프(84), 제2 엘보우 파이프(85) 및 제3 엘보우 파이프(86)를 포함하고, 여기서, 제1 엘보우 파이프(84)는 흡기관(81)의 공기 배출구와 연통되며, 제2 엘보우 파이프(85)는 블로잉 파이프(82)와 연통되고, 블로잉 파이프(82)의 공기 배출단에는 블로잉 노즐이 설치되며, 제3 엘보우 파이프(86)는 열분해 챔버(1)와 연통되고, 이로써, 블로잉 파이프(82)의 설치를 통해, 엘보우에 퇴적된 고체 입자가 너무 많을 경우, 블로잉 파이프(82)를 열어, 블로잉 파이프(82) 중의 가스는 블로잉 노즐에서 분출되며, 퇴적된 고체 입자를 다시 열분해 챔버(1)에 불어 넣어, 고체 입자가 흡기 부재(8)를 막는 것을 방지할 수 있다. Considering that solid particles flow into the intake member 8 and are deposited on the elbow, the intake member 8 further includes a blowing pipe 82, the elbow is a three-barrel elbow, and the first elbow communicates with each other. It includes a pipe 84, a second elbow pipe 85 and a third elbow pipe 86, where the first elbow pipe 84 communicates with the air outlet of the intake pipe 81, and the second elbow pipe (85) is in communication with the blowing pipe 82, a blowing nozzle is installed at the air discharge end of the blowing pipe 82, and the third elbow pipe 86 is in communication with the pyrolysis chamber 1, whereby the blowing pipe Through the installation of (82), if there are too many solid particles deposited in the elbow, the blowing pipe (82) is opened, the gas in the blowing pipe (82) is blown out from the blowing nozzle, and the deposited solid particles are returned to the pyrolysis chamber ( By blowing into 1), solid particles can be prevented from clogging the intake member 8.

예시적으로, 제2 엘보우 파이프(85)의 축선과 제3 엘보우 파이프(86)의 축선의 끼인각은 β이고, 90°＜β≤180°이며, 제1 엘보우 파이프(84)의 축선과 제3 엘보우 파이프(86)의 축선의 끼인각은 γ이고, 0°＜γ≤90°이다. 블로잉 파이프(82)의 블로잉 가스는 불활성 가스(예를 들면, 질소 등)일 수 있고, 블로잉 유량은 10~100L/min이다.Exemplarily, the included angle between the axis of the second elbow pipe 85 and the axis of the third elbow pipe 86 is β, 90°<β≤180°, and the axis of the first elbow pipe 84 and the third The included angle of the axis of the elbow pipe 86 is γ, and 0°<γ≤90°. The blowing gas of the blowing pipe 82 may be an inert gas (eg, nitrogen, etc.), and the blowing flow rate is 10 to 100 L/min.

배기 가스 처리 과정에서, 반응 챔버(2) 내벽은 시종 부식성 가스의 침식을 당하므로, 반응 챔버(2)의 밀봉성은 배기 가스 처리 효과에 대해 매우 중요하고, 작동자가 반응 챔버(2)가 누출되는지를 직관적으로 판단할 수 있도록 하기 위하여, 상기 연소 반응 유닛은 수위 관찰 튜브(9)를 더 포함하고, 반응 챔버(2) 측벽은 협층 구조로서 내층 및 외층을 포함하고, 내층과 외층 사이의 챔버는 협층 챔버이며, 수위 관찰 튜브(9)는 내층과 외층 사이의 협층 챔버와 연통됨으로써, 반응 챔버(2)의 내층에 부식으로 인한 누수가 발생하면, 누출된 물이 협층 챔버에 진입하게 되고, 수위 관찰 튜브(9)가 협층 챔버와 연통되므로, 수위 관찰 튜브(9)의 수위 상승을 관찰할 수 있으므로, 작동자에게 경고를 주어, 반응 챔버(2)를 탈착할 필요가 없는 경우, 반응 챔버(2)의 내층에 누출이 발생하였음을 작동자에게 알린다. In the process of exhaust gas treatment, the inner wall of the reaction chamber (2) is constantly subject to corrosion by corrosive gas, so the sealability of the reaction chamber (2) is very important for the exhaust gas treatment effect, and the operator must check whether the reaction chamber (2) leaks. In order to be able to intuitively determine, the combustion reaction unit further includes a water level observation tube 9, the side wall of the reaction chamber 2 has a narrow layer structure and includes an inner layer and an outer layer, and the chamber between the inner layer and the outer layer is It is a narrow layer chamber, and the water level observation tube 9 communicates with the narrow layer chamber between the inner layer and the outer layer, so that when water leakage occurs due to corrosion in the inner layer of the reaction chamber 2, the leaked water enters the narrow layer chamber, and the water level Since the observation tube (9) is in communication with the narrow layer chamber, the rise in water level in the water level observation tube (9) can be observed, thereby warning the operator, so that if there is no need to detach the reaction chamber (2), the reaction chamber ( Notify the operator that a leak has occurred in the inner layer of 2).

물탱크의 구조에 대하여, 구체적으로 말하자면, 이는 케이스(61), 물탱크 노즐(62) 및 순환 펌프를 포함하고, 케이스(61) 내에는 분무액이 설치되며, 물탱크 노즐(62)은 케이스(61) 내의 분무 액면의 상부에 설치되고, 케이스(61)의 액체 배출구는 순환 펌프(63)를 통해 물탱크 노즐(62)의 액체 유입구에 연결되며, 순환 펌프(63)를 통해 분무액을 물탱크 노즐(62)에 공급한다.Regarding the structure of the water tank, specifically, it includes a case 61, a water tank nozzle 62 and a circulation pump, the spray liquid is installed in the case 61, and the water tank nozzle 62 is located in the case. It is installed on the upper part of the spray liquid level in (61), and the liquid outlet of the case 61 is connected to the liquid inlet of the water tank nozzle 62 through the circulation pump 63, and the spray liquid is supplied through the circulation pump 63. It is supplied to the water tank nozzle (62).

분무 유닛(11)의 구조에 대하여, 구체적으로 말하자면, 이는 분무 탱크(111)및 분무 탱크(11) 내에 설치된 복수 개의 분무 노즐(112) 및 복수 개의 필러층(113)을 포함하고, 분무 탱크(111)의 공기 흡입단에서 공기 배출단 방향을 따라, 복수 개의 분무 노즐(112) 및 필러층(113)은 교대로 설치되고, 이로써, 필러층(113)으로 배기 가스의 고체 입자를 제거할 수 있으며, 분무 노즐(112)을 통해 물에 쉽게 용해되는 가스를 흡수할 수 있다. Regarding the structure of the spray unit 11, specifically, it includes a spray tank 111, a plurality of spray nozzles 112 and a plurality of filler layers 113 installed in the spray tank 11, and the spray tank ( Along the direction from the air intake end to the air discharge end of 111), a plurality of spray nozzles 112 and filler layers 113 are installed alternately, thereby removing solid particles of exhaust gas with the filler layer 113. It is possible to absorb gas that easily dissolves in water through the spray nozzle 112.

상기 내용은 단지 본 발명의 바람직한 구체적인 실시형태로서, 본 발명의 보호범위는 이에 한정되지 않으며, 임의의 당업자는 본 발명에 게시된 기술 범위 내에서 쉽게 생각해낼 수 있는 변화 또는 대체는 모두 본 발명의 보호범위 내에 속해야 한다.The above contents are merely preferred specific embodiments of the present invention, and the scope of protection of the present invention is not limited thereto, and any changes or replacements that any person skilled in the art can easily think of within the technical scope disclosed in the present invention are all of the present invention. It must fall within the scope of protection.

1-열분해 챔버; 2-반응 챔버; 3-가열 유닛; 31-화염 발생기;
32-액랭 진입관; 33-액랭 배출관; 4-반응 가스 공급 유닛;
5-연결 플랜지; 51-플랜지 몸체; 52-오버플로우 홈;
53-오버플로우 분기 파이프; 6-물탱크; 61-케이스; 62-물탱크 노즐;
63-순환 펌프; 7-손잡이; 8-흡기 부재; 81-흡기관; 82-블로잉 파이프;
83-커넥터; 84-제1 엘보우 파이프; 85-제2 엘보우 파이프;
86-제3 엘보우 파이프; 9-수위 관찰 튜브; 10-케이스; 11-분무 유닛;
111-분무 탱크; 112-분무 노즐; 113-필러층; 12-오존 발생기; 13-반응 튜브;
131-신축 구간; 132-직선 구간; 133-확장 구간; 14-선회기; 141-지지링;
142-블라인드 플레이트; 143-사이클론 블레이드; 15-오존 소멸기;
16-NOx 검출기1 - Pyrolysis chamber; 2 - reaction chamber; 3 - heating unit; 31 - flame generator;
32 - Liquid cooling entry pipe; 33 - liquid cooling discharge pipe; 4 - reaction gas supply unit;
5 - connecting flange; 51 - flange body; 52-overflow groove;
53 - overflow branch pipe; 6-water tank; 61-case; 62 - water tank nozzle;
63 - circulation pump; 7 - handle; 8 - Absence of intake; 81 - intake pipe; 82 - blowing pipe;
83 - connector; 84 - 1st elbow pipe; 85 - 2nd elbow pipe;
86 - 3rd elbow pipe; 9 - water level observation tube; 10-case; 11 - spraying unit;
111 - spray tank; 112 - spray nozzle; 113 - filler layer; 12 - ozone generator; 13 - reaction tube;
131 - new section; 132 - straight section; 133 - extended section; 14 - swivel; 141-support ring;
142 - blind plate; 143 - Cyclone blade; 15-Ozone depletor;
16-NO x detector

Claims (10)

NO 제거기로서,
오존 발생기, 반응 튜브 및 선회기를 포함하며;
상기 선회기는 지지링, 지지링의 내부 영역에 설치되는 블라인드 플레이트 및 지지링과 블라인드 플레이트 사이에 설치되는 복수 개의 사이클론 블레이드를 포함하고;
상기 사이클론 블레이드의 일단은 지지링에 연결되며, 상기 사이클론 블레이드의 타단은 블라인드 플레이트에 연결되고, 상기 지지링은 반응 튜브의 내벽에 지지되며;
상기 반응 튜브의 측벽에 주입구가 개방 설치되고, 상기 주입구는 사이클론 블레이드의 공기 배출단에 위치하며, 상기 오존 발생기의 공기 배출구는 주입구와 연통되는 것을 특징으로 하는 NO 제거기.As a NO scavenger,
Includes ozone generator, reaction tube and swirler;
The turning machine includes a support ring, a blind plate installed in an inner area of the support ring, and a plurality of cyclone blades installed between the support ring and the blind plate;
One end of the cyclone blade is connected to a support ring, the other end of the cyclone blade is connected to a blind plate, and the support ring is supported on the inner wall of the reaction tube;
An NO remover, characterized in that an inlet is installed open on a side wall of the reaction tube, the inlet is located at the air discharge end of the cyclone blade, and the air outlet of the ozone generator is in communication with the inlet. 제1항에 있어서,
상기 사이클론 블레이드의 수는 복수 개이고;
및/또는, 주입구의 수는 복수 개이며, 복수 개의 주입구는 반응 튜브의 원주 방향을 따라 균일하게 배치되는 것을 특징으로 하는 NO 제거기. According to paragraph 1,
The number of cyclone blades is plural;
And/or, a NO remover characterized in that the number of injection ports is plural, and the plurality of injection ports are uniformly arranged along the circumferential direction of the reaction tube. 제1항에 있어서,
상기 지지링의 외경은 반응 튜브의 상응하는 내경과 매칭되고;
및/또는, 상기 블라인드 플레이트와 지지링의 내경의 직경비는 1:4~5인 것을 특징으로 하는 NO 제거기. According to paragraph 1,
The outer diameter of the support ring matches the corresponding inner diameter of the reaction tube;
And/or, the NO remover, characterized in that the diameter ratio of the inner diameter of the blind plate and the support ring is 1:4 to 5. 제1항에 있어서,
공기 흡입단에서 공기 배출단으로, 상기 반응 튜브는 순차적으로 연결되는 신축 구간, 직선 구간 및 확장 구간을 포함하며, 상기 선회기는 직선 구간에 설치되고, 상기 주입구는 직선 구간에 개방 설치되는 것을 특징으로 하는 NO 제거기.According to paragraph 1,
From the air intake end to the air discharge end, the reaction tube includes an expansion section, a straight section, and an expansion section that are sequentially connected, the vortex is installed in the straight section, and the inlet is installed open in the straight section. NO eliminator. 제4항에 있어서,
상기 신축 구간의 공기 배출단 직경, 직선 구간 직경 및 확장 구간의 공기 흡입단 직경은 동일하고;
및/또는, 상기 신축 구간의 공기 흡입단과 직선 구간의 직경비는 1:2~4이며;
및/또는, 상기 확장 구간의 공기 배출단과 직선 구간의 직경비는 1:2~4이고;
및/또는, 상기 신축 구간의 공기 흡입단 직경은 80~300 mm이며;
및/또는, 상기 확장 구간의 공기 배출단 직경은 80~300 mm이고;
및/또는, 상기 직선 구간의 길이는 80~200 mm인 것을 특징으로 하는 NO 제거기. According to paragraph 4,
The air discharge end diameter of the expansion section, the straight section diameter, and the air intake end diameter of the expansion section are the same;
And/or, the diameter ratio of the air intake end of the expansion section and the straight section is 1:2 to 4;
And/or, the diameter ratio of the air discharge end of the expansion section and the straight section is 1:2 to 4;
And/or, the diameter of the air intake end of the expansion section is 80 to 300 mm;
and/or, the diameter of the air outlet end of the expansion section is 80 to 300 mm;
And/or, a NO remover, characterized in that the length of the straight section is 80 to 200 mm. 제4항에 있어서,
상기 신축 구간 측벽과 축방향의 끼인각은 15~45°이고;
및/또는, 상기 확장 구간 측벽과 축방향의 끼인각은 15~45°인 것을 특징으로 하는 NO 제거기. According to paragraph 4,
The included angle between the side wall of the expansion section and the axial direction is 15 to 45°;
And/or, the NO remover, characterized in that the included angle between the side wall of the expansion section and the axial direction is 15 to 45 °. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
반응 튜브의 공기 배출구와 연통되는 오존 소멸기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 NO 제거기. According to any one of claims 1 to 6,
NO eliminator, characterized in that it further comprises an ozone quencher in communication with the air outlet of the reaction tube. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
분무탑을 더 포함하고, 상기 반응 튜브의 공기 배출구는 분무탑에 연결되는 것을 특징으로 하는 NO 제거기. According to any one of claims 1 to 6,
A NO remover further comprising a spray tower, wherein the air outlet of the reaction tube is connected to the spray tower. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
반응 튜브 공기 흡입구에 설치되는 NOx 검출기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 NO 제거기. According to any one of claims 1 to 6,
NO eliminator, characterized in that it further comprises a NO x detector installed at the reaction tube air intake. 반도체 배기 가스 처리 기기로서,
배기 가스 유동 방향을 따라 순차적으로 설치되는 연소 반응 유닛, 물탱크, 분무 유닛 및 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 NO 제거기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 배기 가스 처리 기기.As a semiconductor exhaust gas treatment device,
A semiconductor exhaust gas treatment device comprising a combustion reaction unit, a water tank, a spray unit, and the NO remover according to any one of claims 1 to 9, which are sequentially installed along the exhaust gas flow direction.
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