KR20240009002A - Apparatus and method for cleaning wafer - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼를 무회전 방식으로 경사지게 기울여서 세정할 수 있게 하는 웨이퍼 세정 장치 및 방법에 관한 것으로서, 웨이퍼를 고정시키는 웨이퍼 고정 장치; 고정된 상기 웨이퍼를 제 1 각도로 경사지게 기울이는 경사 가동 장치; 및 경사진 상기 웨이퍼에 세정액을 분사하는 세정액 분사 장치;를 포함할 수 있다.The present invention relates to a wafer cleaning device and method that allows cleaning a wafer by tilting it in a non-rotating manner, comprising: a wafer fixing device for fixing the wafer; a tilt movable device that tilts the fixed wafer at a first angle; and a cleaning liquid spray device that sprays the cleaning liquid onto the inclined wafer.

Description

웨이퍼 세정 장치 및 방법{Apparatus and method for cleaning wafer}Wafer cleaning device and method {Apparatus and method for cleaning wafer}

본 발명은 웨이퍼 세정 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼를 무회전 방식으로 경사지게 기울여서 세정할 수 있게 하는 웨이퍼 세정 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer cleaning device and method, and more specifically, to a wafer cleaning device and method that allows cleaning a wafer by tilting it in a non-rotating manner.

반도체 소자가 고집적화되면서 웨이퍼 상에 구현해야 하는 패턴이 더욱 미세화되었다. 이러한 웨이퍼 상의 초미세 패턴은 미세한 파티클에 의해서도 반도체 소자의 불량을 발생시킴으로써, 세정 공정의 중요성이 더욱 부각되고 있다.As semiconductor devices become more highly integrated, the patterns that must be implemented on wafers have become more refined. Ultra-fine patterns on these wafers can cause defects in semiconductor devices even due to fine particles, making the cleaning process more important.

일반적으로, 웨이퍼 세정 공정은 웨이퍼의 표면을 세정하기 위하여 스피너를 이용하여 웨이퍼를 스핀 회전시키면서 초순수(DIW) 등의 세정액을 분사하여 이루어질 수 있다.Generally, the wafer cleaning process can be performed by spraying a cleaning liquid such as ultrapure water (DIW) while spinning the wafer using a spinner to clean the surface of the wafer.

종래의 웨이퍼 세정 장치는 이송된 웨이퍼를 회전척에 고정시키고, 모터를 이용하여 일정한 회전 속도가 도달될 때까지 회전척을 고속으로 스핀 회전시킨 다음, 노즐을 웨이퍼의 테두리 방향으로 이동시키면서 세정액을 분사하여 웨이퍼를 세정할 수 있고, 세정이 완료되면 웨이퍼를 초고속으로 회전시켜서 건조시킬 수 있다.The conventional wafer cleaning device fixes the transferred wafer to the rotary chuck, spins the rotary chuck at high speed using a motor until a certain rotation speed is reached, and then sprays the cleaning liquid while moving the nozzle toward the edge of the wafer. The wafer can be cleaned, and once cleaning is completed, the wafer can be rotated at ultra-high speed and dried.

그러나, 이러한 종래의 웨이퍼 세정 장치는, 웨이퍼가 초고속으로 스핀 회전할 때, 전체적으로 웨이퍼에 매우 큰 원심력 및 강한 웨이퍼의 고정 반력이 필연적으로 발생하기 때문에 이러한 물리적인 압력으로 인하여 웨이퍼에 큰 스트레스가 발생될 수 있고, 웨이퍼의 두께 역시 초박화됨에 따라 웨이퍼에 물리적 데미지 현상이나 파손 현상이 발생되는 등의 문제점들이 있었다.However, in this conventional wafer cleaning device, when the wafer spins at ultra-high speed, a very large centrifugal force and a strong wafer fixation reaction inevitably occur on the wafer as a whole, so this physical pressure may cause great stress on the wafer. As the thickness of the wafer became ultra-thin, there were problems such as physical damage or damage to the wafer.

아울러, 스핀 세정 방식은 웨이퍼의 직경이 커짐에 따라 대구경의 웨이퍼를 고속으로 회전시키기 위해서 비교적 고용량의 모터가 필요한 것으로서, 이로 인하여 장비가 거대해지고, 관련 부품들의 개수가 증대되거나 구조가 복잡해지는 등 많은 문제점들이 있었다.In addition, as the diameter of the wafer increases, the spin cleaning method requires a relatively high-capacity motor to rotate the large-diameter wafer at high speed. As a result, the equipment becomes larger, the number of related parts increases, and the structure becomes more complicated. There were problems.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 무회전 방식으로 경사지게 기울어진 웨이퍼를 세정하여 웨이퍼의 스트레스를 크게 줄일 수 있어서 웨이퍼 데미지 현상이나 크랙 현상이나 파손 현상 등을 방지할 수 있게 하는 웨이퍼 세정 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention is intended to solve various problems including the problems described above. By cleaning an inclined wafer using a non-rotating method, the stress of the wafer can be greatly reduced, thereby preventing wafer damage, cracking, or breakage. The purpose is to provide a wafer cleaning device and method that allows. However, these tasks are illustrative and do not limit the scope of the present invention.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 웨이퍼 세정 장치는, 웨이퍼를 고정시키는 웨이퍼 고정 장치; 고정된 상기 웨이퍼를 제 1 각도로 경사지게 기울이는 경사 가동 장치; 및 경사진 상기 웨이퍼에 세정액을 분사하는 세정액 분사 장치;를 포함할 수 있다.A wafer cleaning device according to the spirit of the present invention for solving the above problems includes a wafer holding device for holding a wafer; a tilt movable device that tilts the fixed wafer at a first angle; and a cleaning liquid spray device that sprays the cleaning liquid onto the inclined wafer.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 웨이퍼 고정 장치는, 상기 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 스테이지; 및 상기 웨이퍼 스테이지에 설치되고, 수평 상태의 상기 웨이퍼의 하면을 진공 흡착하는 진공척 또는 정전기로 흡착하는 정전척을 포함하는 웨이퍼 고정척;을 포함할 수 있다.Additionally, according to the present invention, the wafer holding device includes a wafer stage on which the wafer is mounted; and a wafer holding chuck installed on the wafer stage and including a vacuum chuck that vacuum-adsorbs the lower surface of the wafer in a horizontal state or an electrostatic chuck that adsorbs the lower surface of the wafer in a horizontal state.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 웨이퍼 고정 장치는, 상기 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 스테이지; 상기 웨이퍼 스테이지에 설치되고, 수평 상태의 상기 웨이퍼의 양측면을 가압하도록 전후진되는 웨이퍼 홀더; 상기 웨이퍼 홀더를 전후진시키는 홀더 가동 장치; 및 상기 웨이퍼 홀더에 설치되고, 상기 웨이퍼를 일정한 높이로 지지하는 웨이퍼 지지핀;을 포함할 수 있다.Additionally, according to the present invention, the wafer holding device includes a wafer stage on which the wafer is mounted; a wafer holder installed on the wafer stage and moving forward and backward to press both sides of the wafer in a horizontal state; a holder moving device that moves the wafer holder forward and backward; and a wafer support pin installed on the wafer holder and supporting the wafer at a constant height.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 경사 가동 장치는, 상기 웨이퍼 고정 장치의 일측 또는 양측에 설치된 힌지축과 힌지 결합되는 베이스; 및 상기 힌지축과 연결되고, 상기 웨이퍼 고정 장치를 경사지게 기울이는 구동 모터;를 포함할 수 있다.In addition, according to the present invention, the tilt movable device includes a base hinged to a hinge axis installed on one or both sides of the wafer holding device; and a drive motor connected to the hinge axis and tilting the wafer holding device.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 경사 가동 장치는, 상기 웨이퍼 고정 장치의 하방에 설치되는 베이스; 상기 베이스와 상기 웨이퍼 고정 장치 사이에 설치되고, 상기 웨이퍼 고정 장치의 관절 운동이 가능하게 설치되는 관절부; 및 상기 베이스와 상기 웨이퍼 고정 장치 사이에 설치되고, 상기 웨이퍼 고정 장치의 일부분을 가압할 수 있는 액츄에이터;를 포함할 수 있다.Additionally, according to the present invention, the tilt movable device includes a base installed below the wafer holding device; A joint portion installed between the base and the wafer holding device to enable joint movement of the wafer holding device; and an actuator installed between the base and the wafer holding device and capable of pressing a portion of the wafer holding device.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 액츄에이터는, 상기 웨이퍼 고정 장치의 하면 일부분을 가압할 수 있는 제 1 액츄에이터; 및 상기 관절부를 기준으로 상기 제 1 액츄에이터의 반대편에 설치되고, 상기 웨이퍼 고정 장치의 하면 타부분을 안내할 수 있는 제 2 액츄에이터;를 포함할 수 있다.Additionally, according to the present invention, the actuator includes: a first actuator capable of pressing a portion of the lower surface of the wafer holding device; and a second actuator installed on the opposite side of the first actuator based on the joint portion and capable of guiding the other lower portion of the wafer holding device.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 액츄에이터는, 상기 웨이퍼 고정 장치의 하면 다른 타부분을 가압할 수 있는 제 3 액츄에이터; 및 상기 관절부를 기준으로 상기 제 3 액츄에이터의 반대편에 설치되고, 상기 웨이퍼 고정 장치의 하면 또 다른 타부분을 안내할 수 있는 제 4 액츄에이터;를 더 포함할 수 있다.Additionally, according to the present invention, the actuator may include a third actuator capable of pressing another portion of the lower surface of the wafer holding device; and a fourth actuator installed on the opposite side of the third actuator based on the joint portion and capable of guiding another portion of the lower surface of the wafer holding device.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 경사 가동 장치는, 상기 제 1 액츄에이터에 신장 제어 신호를 인가하고, 상기 제 2 액츄에이터에 수축 제어 신호를 인가하는 제어부;를 더 포함할 수 있다.In addition, according to the present invention, the tilt movable device may further include a control unit that applies an expansion control signal to the first actuator and a contraction control signal to the second actuator.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 관절부는 상기 웨이퍼 고정 장치의 중심축 선상에 설치되는 볼 관절부이고, 상기 제 1 액츄에이터와 상기 제 2 액츄에이터는 상기 관절부로부터 동일한 거리에 설치될 수 있다.Additionally, according to the present invention, the joint portion is a ball joint portion installed on the central axis of the wafer holding device, and the first actuator and the second actuator may be installed at the same distance from the joint portion.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 액츄에이터는 모터가 내장된 전동 액츄에이터 또는 유압식 실린더일 수 있다.Additionally, according to the present invention, the actuator may be an electric actuator or a hydraulic cylinder with a built-in motor.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 세정액 분사 장치는, 경사지게 기울어진 상기 웨이퍼의 표면에 상기 세정액을 분사하는 세정액 분사 노즐; 및 상기 세정액 분사 노즐이 상기 웨이퍼 표면을 따라 스캔 방식으로 이동할 수 있도록 상기 세정액 분사 노즐을 전후진시키는 노즐 전후진 장치;를 포함할 수 있다.In addition, according to the present invention, the cleaning liquid spraying device includes a cleaning liquid spraying nozzle for spraying the cleaning liquid on an inclined surface of the wafer; and a nozzle forward and backward device that moves the cleaning liquid spray nozzle forward and backward so that the cleaning liquid spray nozzle can move in a scanning manner along the surface of the wafer.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 세정액 분사 노즐은, 막대 형상으로 길게 형성되고, 내부에 세정액 공급 라인이 형성되는 노즐 몸체; 및 상기 세정액 공급 라인과 연결되고, 상기 노즐 몸체의 일부분에 복수개가 일렬 또는 다열로 형성되는 세정액 분사홀부;를 포함할 수 있다.In addition, according to the present invention, the cleaning liquid spray nozzle includes a nozzle body that is formed in a long rod shape and has a cleaning liquid supply line formed therein; and a plurality of cleaning liquid injection hole portions connected to the cleaning liquid supply line and formed in a row or multiple rows in a portion of the nozzle body.

또한, 본 발명에 따르면, 경사진 상기 웨이퍼에 잔류하는 세정액을 제거할 수 있도록 가스를 분사하는 가스 분사 장치;를 더 포함하고, 상기 가스 분사 장치는, 상기 세정액 분사 노즐의 상기 노즐 몸체의 내부에 형성된 가스 공급 라인과 연결되고, 상기 노즐 몸체의 타부분에 길게 형성되는 가스 분사슬롯부;를 포함할 수 있다.In addition, according to the present invention, it further includes a gas injection device for spraying gas to remove the cleaning liquid remaining on the inclined wafer, wherein the gas injection device is installed inside the nozzle body of the cleaning liquid injection nozzle. It may include a gas injection slot portion connected to the formed gas supply line and formed long in another part of the nozzle body.

한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 웨이퍼 세정 방법은, (a) 웨이퍼를 웨이퍼 고정 장치에 수평 상태로 고정시키는 단계; (b) 고정된 상기 웨이퍼를 제 1 각도로 경사지게 기울이는 단계; 및 (c) 경사진 상기 웨이퍼에 세정액을 분사하는 단계;를 포함할 수 있다.Meanwhile, a wafer cleaning method according to the spirit of the present invention to solve the above problem includes the steps of (a) fixing the wafer to a wafer holding device in a horizontal state; (b) tilting the fixed wafer at a first angle; and (c) spraying a cleaning solution on the inclined wafer.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 (a) 단계는, 웨이퍼 고정척을 이용하여 웨이퍼 스테이지에 상기 웨이퍼를 진공 흡착하거나 또는 정전기로 흡착할 수 있다.Additionally, according to the present invention, in step (a), the wafer may be vacuum-adsorbed or electrostatically adsorbed on the wafer stage using a wafer holding chuck.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 (a) 단계는, 웨이퍼 홀더를 이용하여 상기 웨이퍼의 양측면을 가압할 수 있다.Additionally, according to the present invention, in step (a), both sides of the wafer can be pressed using a wafer holder.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 (b) 단계는, 상기 웨이퍼 고정 장치의 일측 또는 양측에 설치된 힌지축을 구동 모터로 회전시켜서 상기 웨이퍼 고정 장치를 경사지게 기울일 수 있다.In addition, according to the present invention, in step (b), the wafer holding device can be tilted by rotating the hinge shaft installed on one or both sides of the wafer holding device with a drive motor.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 (b) 단계는, 액츄에이터를 이용하여 상기 웨이퍼 고정 장치를 관절 운동시킬 수 있다.Additionally, according to the present invention, in step (b), the wafer holding device can be jointly moved using an actuator.

또한, 본 발명에 따르면, (d) 경사진 상기 웨이퍼에 잔류하는 세정액을 제거할 수 있도록 가스를 분사하는 단계;를 더 포함할 수 있다.In addition, according to the present invention, (d) spraying gas to remove the cleaning solution remaining on the inclined wafer may be further included.

한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 웨이퍼 세정 장치는, 웨이퍼를 고정시키는 웨이퍼 고정 장치; 고정된 상기 웨이퍼를 제 1 각도로 경사지게 기울이는 경사 가동 장치; 경사진 상기 웨이퍼에 세정액을 분사하는 세정액 분사 장치; 및 경사진 상기 웨이퍼에 잔류하는 세정액을 제거할 수 있도록 가스를 분사하는 가스 분사 장치;를 포함하고, 상기 웨이퍼 고정 장치는, 상기 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 스테이지; 상기 웨이퍼 스테이지에 설치되고, 수평 상태의 상기 웨이퍼의 양측면을 가압하도록 전후진되는 웨이퍼 홀더; 상기 웨이퍼 홀더를 전후진시키는 홀더 가동 장치; 및 상기 웨이퍼 홀더에 설치되고, 상기 웨이퍼를 일정한 높이로 지지하는 웨이퍼 지지핀;를 포함하고, 상기 경사 가동 장치는, 상기 웨이퍼 고정 장치의 하방에 설치되는 베이스; 상기 베이스와 상기 웨이퍼 고정 장치 사이에 설치되고, 상기 웨이퍼 고정 장치의 관절 운동이 가능하게 설치되는 관절부; 및 상기 베이스와 상기 웨이퍼 고정 장치 사이에 설치되고, 상기 웨이퍼 고정 장치의 하면 일부분을 가압할 수 있는 액츄에이터;를 포함하고, 상기 액츄에이터는, 상기 웨이퍼 고정 장치의 하면 일부분을 가압할 수 있는 제 1 액츄에이터; 및 상기 관절부를 기준으로 상기 제 1 액츄에이터의 반대편에 설치되고, 상기 웨이퍼 고정 장치의 하면 타부분을 안내할 수 있는 제 2 액츄에이터;를 포함할 수 있다.Meanwhile, a wafer cleaning device according to the spirit of the present invention for solving the above problems includes a wafer holding device for holding a wafer; a tilt movable device that tilts the fixed wafer at a first angle; a cleaning liquid spray device for spraying a cleaning liquid onto the inclined wafer; and a gas spraying device that sprays gas to remove cleaning liquid remaining on the inclined wafer, wherein the wafer holding device includes: a wafer stage on which the wafer is mounted; a wafer holder installed on the wafer stage and moving forward and backward to press both sides of the wafer in a horizontal state; a holder moving device that moves the wafer holder forward and backward; and a wafer support pin installed on the wafer holder and supporting the wafer at a constant height, wherein the tilt movable device includes: a base installed below the wafer holding device; A joint portion installed between the base and the wafer holding device to enable joint movement of the wafer holding device; and an actuator installed between the base and the wafer holding device and capable of pressing a portion of the lower surface of the wafer holding device, wherein the actuator is a first actuator capable of pressing a portion of the lower surface of the wafer holding device. ; and a second actuator installed on the opposite side of the first actuator based on the joint portion and capable of guiding the other lower portion of the wafer holding device.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 여러 실시예들에 따르면, 무회전 방식으로 경사지게 기울어진 웨이퍼를 세정하여 웨이퍼의 스트레스를 크게 줄일 수 있어서 웨이퍼 데미지 현상이나 크랙 현상이나 파손 현상 등을 방지할 수 있고, 구조를 단순화하여 공간 활용도를 높여서 장치의 크기를 줄일 수 있으며, 이로 인하여 장치의 제작 비용과 제작 시간을 절감할 수 있고, 세정액과 가스를 스캔 방식으로 번갈아 고압 분사하여 세정 효율도 높일 수 있는 효과를 가질 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to various embodiments of the present invention as described above, the stress of the wafer can be greatly reduced by cleaning the inclined wafer in a non-rotating manner, thereby preventing wafer damage, cracking, or breakage, By simplifying the structure, the size of the device can be reduced by increasing space utilization, thereby reducing the manufacturing cost and manufacturing time of the device, and increasing cleaning efficiency by spraying cleaning liquid and gas alternately at high pressure in a scanning manner. You can have it. Of course, the scope of the present invention is not limited by this effect.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 웨이퍼 세정 장치를 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타내는 개념도이다.
도 4는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타내는 개념도이다.
도 5는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타내는 개념도이다.
도 6은 도 5의 웨이퍼 세정 장치를 나타내는 사시도이다.
도 7 내지 도 12는 도 5의 웨이퍼 세정 장치의 작동 과정을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.
도 13은 도 5의 웨이퍼 세정 장치의 세정액 분사 장치의 세정액 분사 상태를 나타내는 저면 사시도이다.
도 14는 도 13의 웨이퍼 세정 장치의 세정액 분사 장치의 가스 분사 상태를 나타내는 저면 사시도이다.
도 15는 도 5의 웨이퍼 세정 장치의 일례에 따른 액츄에이터들을 나타내는 평면도이다.
도 16은 도 5의 웨이퍼 세정 장치의 다른 일례에 따른 액츄에이터들을 나타내는 평면도이다.
도 17은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 방법을 나타내는 순서도이다.1 is a conceptual diagram showing a wafer cleaning device according to some embodiments of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing the wafer cleaning device of FIG. 1.
Figure 3 is a conceptual diagram showing a wafer cleaning device according to some other embodiments of the present invention.
Figure 4 is a conceptual diagram showing a wafer cleaning device according to some further embodiments of the present invention.
Figure 5 is a conceptual diagram showing a wafer cleaning device according to some further embodiments of the present invention.
FIG. 6 is a perspective view showing the wafer cleaning device of FIG. 5.
FIGS. 7 to 12 are cross-sectional views showing step-by-step the operation process of the wafer cleaning device of FIG. 5.
FIG. 13 is a bottom perspective view showing a cleaning liquid spraying state of the cleaning liquid spraying device of the wafer cleaning device of FIG. 5 .
FIG. 14 is a bottom perspective view showing a gas injection state of the cleaning liquid injection device of the wafer cleaning device of FIG. 13.
FIG. 15 is a plan view showing actuators according to an example of the wafer cleaning device of FIG. 5.
FIG. 16 is a plan view showing actuators according to another example of the wafer cleaning device of FIG. 5.
17 is a flowchart showing a wafer cleaning method according to some embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, various preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art, and the following examples may be modified into various other forms, and the scope of the present invention is as follows. It is not limited to examples. Rather, these embodiments are provided to make the present disclosure more faithful and complete and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Additionally, the thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated for convenience and clarity of explanation.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terms used herein are used to describe specific embodiments and are not intended to limit the invention. As used herein, the singular forms include the plural forms unless the context clearly indicates otherwise. Additionally, when used herein, “comprise” and/or “comprising” means specifying the presence of stated features, numbers, steps, operations, members, elements and/or groups thereof. and does not exclude the presence or addition of one or more other shapes, numbers, operations, members, elements and/or groups.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will now be described with reference to drawings that schematically show ideal embodiments of the present invention. In the drawings, variations of the depicted shape may be expected, for example, depending on manufacturing technology and/or tolerances. Accordingly, embodiments of the present invention should not be construed as being limited to the specific shape of the area shown in this specification, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치(100)를 나타내는 개념도이고, 도 2는 도 1의 웨이퍼 세정 장치(100)를 나타내는 사시도이다.FIG. 1 is a conceptual diagram showing a wafer cleaning device 100 according to some embodiments of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view showing the wafer cleaning device 100 of FIG. 1 .

먼저, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치(100)는, 크게 웨이퍼 고정 장치(10)와, 경사 가동 장치(20) 및 세정액 분사 장치(40)를 포함할 수 있다.First, as shown in FIGS. 1 and 2, the wafer cleaning device 100 according to some embodiments of the present invention largely includes a wafer fixing device 10, a tilt moving device 20, and a cleaning liquid injection device ( 40) may be included.

예컨대, 웨이퍼 고정 장치(10)는 웨이퍼(W)가 경사지게 기울어지기 이전에, 이송 로봇에 의해 이송되거나 안착된 웨이퍼(W)를 수평 상태에서 고정시키는 장치일 수 있다.For example, the wafer fixing device 10 may be a device that fixes the wafer W transferred or placed by a transfer robot in a horizontal state before the wafer W is tilted.

더욱 구체적으로 예를 들면, 웨이퍼 고정 장치(10)는, 웨이퍼(W)를 지지할 수 있도록 웨이퍼(W)와 대응되는 형상으로 형성되고, 이송 로봇에 의해 이송된 웨이퍼(W)가 안착되는 일종의 구조체인 웨이퍼 스테이지(11) 및 웨이퍼 스테이지(11)에 설치되고, 수평 상태의 상기 웨이퍼(W)의 하면을 진공 흡착하는 진공척 또는 정전기로 흡착하는 정전척을 포함하는 웨이퍼 고정척(12)을 포함할 수 있다.More specifically, for example, the wafer holding device 10 is formed in a shape corresponding to the wafer (W) so as to support the wafer (W), and is a type of device on which the wafer (W) transferred by the transfer robot is seated. A wafer stage 11, which is a structure, is installed on the wafer stage 11 and includes a vacuum chuck for vacuum adsorbing the lower surface of the wafer W in a horizontal state or an electrostatic chuck for electrostatic adsorption. It can be included.

따라서, 후술될 경사 가동 장치(20)에 의해 웨이퍼(W)가 경사지게 기울어지더라도 웨이퍼(W)가 웨이퍼 스테이지(11)로부터 이탈되지 않고 견고하게 지지될 수 있다.Therefore, even if the wafer W is tilted by the tilting device 20, which will be described later, the wafer W can be firmly supported without being separated from the wafer stage 11.

또한, 예컨대, 경사 가동 장치(20)는, 고정된 웨이퍼(W)가 제 1 각도(K1)로 경사지게 기울어지도록 웨이퍼 고정 장치(10)를 제 1 각도(K1)로 경사지게 기울이는 가동 장치의 일종일 수 있다.In addition, for example, the tilt movable device 20 is a type of movable device that tilts the wafer holding device 10 at a first angle K1 so that the fixed wafer W is tilted at a first angle K1. You can.

더욱 구체적으로 예를 들면, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 경사 가동 장치(20)는, 웨이퍼 고정 장치(10)의 일측 또는 양측에 설치된 힌지축(H)과 힌지 결합되어 웨이퍼(W)는 물론이고 웨이퍼 고정 장치(10)를 지지하는 베이스(21) 및 힌지축(H)과 연결되어 웨이퍼 고정 장치(10)를 경사지게 기울이는 구동 모터(22)를 포함할 수 있다.More specifically, as shown in FIGS. 1 and 2, the tilt movable device 20 is hinged with a hinge shaft (H) installed on one or both sides of the wafer holding device 10 to hold the wafer (W). ) as well as a drive motor 22 that is connected to the base 21 supporting the wafer holding device 10 and the hinge shaft (H) and tilts the wafer holding device 10.

따라서, 구동 모터(22)가 힌지축(H)을 회전시키면 웨이퍼 고정 장치(10)가 베이스(21)를 기준으로 제 1 각도(K1)로 회전될 수 있고, 이로 인하여 웨이퍼 고정 장치(10)에 고정된 웨이퍼(W)도 제 1 각도(K1)로 경사지게 기울어질 수 있다.Accordingly, when the drive motor 22 rotates the hinge axis H, the wafer holding device 10 can be rotated at the first angle K1 with respect to the base 21, which causes the wafer holding device 10 The wafer W fixed to may also be tilted at a first angle K1.

여기서, 제 1 각도(K1)는 웨이퍼(W)에 인가되는 외력과 스트레스를 줄이면서 세정액(1)의 배수 속도 또는 배수성을 고려하여 최적의 상태로 결정될 수 있는 것으로서, 시뮬레이션과 실제 배수 실험 결과, 바람직하기로는 제 1 각도(K1)는 수평면을 기준으로 하방으로 2도 내지 40도의 각도일 수 있고, 더욱 바람직하기로는 3도 내지 7도의 각도일 수 있다.Here, the first angle K1 can be determined optimally by reducing the external force and stress applied to the wafer W and considering the drainage speed or drainage property of the cleaning liquid 1. As a result of simulation and actual drainage experiments, Preferably, the first angle K1 may be an angle of 2 to 40 degrees downward with respect to the horizontal plane, and more preferably, it may be an angle of 3 to 7 degrees.

또한, 도시하지 않았지만, 구동 모터(22)는 웨이퍼(W)의 스팩이나 이전 공정의 공정 레시피나 세정 환경이나 작업자의 명령 신호 등에 따라 단계적으로 구동 모터(22)에 각도 조정 제어 신호를 인가할 수 있는 제어부와 연결될 수 있다.In addition, although not shown, the drive motor 22 can apply an angle adjustment control signal to the drive motor 22 in stages according to the specifications of the wafer W, the process recipe of the previous process, the cleaning environment, or the operator's command signal. It can be connected to the control unit.

따라서, 예컨대, 웨이퍼(W)의 직경이 커지거나, 이전 공정에서 형성된 패턴이 미세해지거나, 세정 속도를 낮추더라도 웨이퍼(W)의 스트레스를 줄이기 위해서는 제어부가 구동 모터(22)에 각도 조정 제어 신호를 인가하여 제 1 각도(K1)를 15도에서 5도로 줄일 수 있는 등 다양한 형태로 다양한 종류의 웨이퍼(W)를 다양한 각도로 기울여서 더욱 미세하고 섬세한 세정 공정을 수행하는 것이 가능하다.Therefore, for example, even if the diameter of the wafer W increases, the pattern formed in the previous process becomes finer, or the cleaning speed is lowered, in order to reduce the stress on the wafer W, the control unit sends an angle adjustment control signal to the drive motor 22. It is possible to perform a more fine and delicate cleaning process by tilting various types of wafers (W) at various angles, such as by reducing the first angle K1 from 15 degrees to 5 degrees.

한편, 예컨대, 세정액 분사 장치(40)는 경사진 상기 웨이퍼(W)에 세정액(1)을 분사하는 장치로서, 더욱 구체적으로 예를 들면, 세정액 분사 장치(40)는, 경사지게 기울어진 웨이퍼(W)의 표면에 세정액(1)을 분사하는 세정액 분사 노즐(41) 및 세정액 분사 노즐(41)이 웨이퍼(W) 표면을 따라 스캔 방식으로 이동할 수 있도록 세정액 분사 노즐(41)을 전후진시키는 노즐 전후진 장치(42)를 포함할 수 있다.Meanwhile, for example, the cleaning liquid spray device 40 is a device for spraying the cleaning liquid 1 on the inclined wafer W. More specifically, for example, the cleaning liquid spray device 40 is a device for spraying the cleaning liquid 1 on the inclined wafer W. ) and a nozzle that moves the cleaning liquid spray nozzle 41 forward and backward so that the cleaning liquid spray nozzle 41 can move in a scan manner along the surface of the wafer (W). It may include a binary device (42).

여기서, 세정액 분사 노즐(41)은 넓은 범위로 웨이퍼(W)의 표면을 스캔하면서 세정액(1)을 분사할 수 있도록 막대 형상으로 길게 형성될 수 있고, 노즐 전후진 장치(42)는 세정액 분사 노즐(41)을 스캔 방향으로 이동시킬 수 있도록 리니어 모션 가이드(Liner Motion Guide, LM Guide) 장치나, 리니어 모터 장치나, 나사봉 장치나, 벨트/풀리 장치나, 체인/스프로킷휠 장치, 와이어/풀리 장치 등 각종 전후진 구동 장치가 모두 적용될 수 있다.Here, the cleaning liquid spray nozzle 41 may be formed in a long bar shape to spray the cleaning liquid 1 while scanning the surface of the wafer W in a wide range, and the nozzle forward and backward device 42 is a cleaning liquid spray nozzle. To move (41) in the scan direction, a linear motion guide (LM Guide) device, a linear motor device, a threaded rod device, a belt/pulley device, a chain/sprocket wheel device, and a wire/pulley device are used. All kinds of forward and backward driving devices, such as devices, can be applied.

그러나, 이러한 본 발명의 웨이퍼 세정 장치(100)는 도면에만 반드시 국한되지 않는 것으로서, 이외에도 매우 다양한 형태의 웨이퍼 고정 장치(10)나 경사 가동 장치(20)나 세정액 분사 장치(40)가 모두 적용될 수 있다.However, the wafer cleaning device 100 of the present invention is not necessarily limited to the drawing, and in addition, a wide variety of wafer fixing devices 10, tilt moving devices 20, and cleaning liquid spraying devices 40 can be applied. there is.

한편, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치(100)는, 세정 공간의 하방에 세정액(1)을 외부로 배출시키는 배출구나 드레인 라인 등의 세정액 배출 장치(60) 및 세정 공간의 상방에 세정으로 인해 오염될 수 있는 공기를 외부로 배출시키는 송풍기나 진공 라인 등의 가스 배출 장치(70)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 1, the wafer cleaning device 100 according to some embodiments of the present invention includes a cleaning liquid discharge device such as an outlet or drain line that discharges the cleaning liquid 1 to the outside below the cleaning space. (60) and a gas exhaust device 70 such as a blower or vacuum line that exhausts air that may be contaminated due to cleaning to the outside above the cleaning space may be further included.

이외에도 도시하지 않았지만, 세정액(1)을 수거하는 세정 보울이나 하향 기류를 형성하는 하향 기류 형성 장치나 본 발명의 웨이퍼 세정 장치(100)를 둘러싸는 형상으로 형성되는 세정 챔버 등 다양한 부품들이 추가로 설치될 수 있다.In addition, although not shown, various parts are additionally installed, such as a cleaning bowl for collecting the cleaning liquid 1, a downward airflow forming device for forming a downward airflow, and a cleaning chamber formed in a shape surrounding the wafer cleaning device 100 of the present invention. It can be.

따라서, 경사 가동 장치(20)에 의해서 웨이퍼 고정 장치(10)가 경사지게 기울어지면서 웨이퍼(W) 역시 경사지게 기울어지고, 기울어진 웨이퍼(W)에 세정액(1)을 스캔 방향으로 분사하여 웨이퍼(W)를 세정할 수 있다.Accordingly, as the wafer holding device 10 is tilted by the tilt operation device 20, the wafer W is also tilted, and the cleaning liquid 1 is sprayed on the tilted wafer W in the scan direction to fix the wafer W. can be cleaned.

그러므로, 무회전 방식으로 경사지게 기울어진 웨이퍼(W)를 세정하여 웨이퍼(W)의 스트레스를 크게 줄일 수 있어서 웨이퍼 데미지 현상이나 크랙 현상이나 파손 현상이나 패턴 붕괴 현상 등을 방지할 수 있고, 기존의 고속 회전용 모터가 불필요하기 때문에 구조를 단순화할 수 있어서 공간 활용도를 높여 장치의 크기를 줄일 수 있으며, 이로 인하여 장치의 제작 비용과 제작 시간을 절감할 수 있고, 세정액을 스캔 방식으로 분사하여 세정 효율도 크게 향상시킬 수 있다.Therefore, by cleaning the obliquely inclined wafer (W) in a non-rotating manner, the stress on the wafer (W) can be greatly reduced, thereby preventing wafer damage, cracking, breakage, or pattern collapse. Since the rotary motor is not required, the structure can be simplified and the size of the device can be reduced by increasing space utilization. This reduces the manufacturing cost and manufacturing time of the device, and increases cleaning efficiency by spraying the cleaning liquid in a scanning manner. It can be greatly improved.

아울러, 웨이퍼(W)의 직경이나 용도 등의 스팩이나 이전 공정의 공정 레시피나 세정 환경이나 작업자의 명령 신호 등에 따라 웨이퍼(W)의 기울어진 각도를 조정할 수 있어서 다양한 형태로 다양한 종류의 웨이퍼(W)를 다양한 각도로 기울여서 더욱 미세하고 섬세한 세정 공정을 수행하는 것도 가능하다.In addition, the tilt angle of the wafer (W) can be adjusted according to specifications such as the diameter or purpose of the wafer (W), the process recipe of the previous process, the cleaning environment, or the operator's command signal, so various types of wafers (W) can be manufactured in various shapes. ) can be tilted at various angles to perform a more fine and delicate cleaning process.

도 3은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치(200)를 나타내는 개념도이다.Figure 3 is a conceptual diagram showing a wafer cleaning device 200 according to some other embodiments of the present invention.

예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치(200)는, 도 1 및 도 2에서 예시된 구동 모터(22)를 대신하여 액츄에이터(33)가 적용될 수 있다.For example, as shown in FIG. 3, the wafer cleaning device 200 according to some other embodiments of the present invention may have an actuator 33 applied instead of the drive motor 22 illustrated in FIGS. 1 and 2. You can.

즉, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치(200)의 경사 가동 장치(30)는, 웨이퍼 고정 장치(10)의 하방에 설치되는 베이스(31)와, 베이스(31)와 웨이퍼 고정 장치(10) 사이에 설치되고, 웨이퍼 고정 장치(10)의 관절 운동이 가능하게 설치되는 관절부(32) 및 베이스(31)와 웨이퍼 고정 장치(10) 사이에 설치되고, 웨이퍼 고정 장치(10)의 하면의 일부분을 가압할 수 있는 적어도 하나의 액츄에이터(33)를 포함할 수 있다.That is, the tilt movable device 30 of the wafer cleaning device 200 according to some other embodiments of the present invention includes a base 31 installed below the wafer holding device 10, the base 31, and the wafer. It is installed between the holding device 10 and the joint portion 32 and the base 31 that are installed to enable joint movement of the wafer holding device 10 and the wafer holding device 10, and the wafer holding device 10 ) may include at least one actuator 33 that can pressurize a portion of the lower surface of the device.

여기서, 관절부(32)는 도 1 및 도 2의 힌지축(H)의 구조와 동일할 수 있고, 액츄에이터(33)는 모터가 내장된 전동 액츄에이터 또는 유압식 실린더가 모두 적용될 수 있다.Here, the joint portion 32 may have the same structure as the hinge shaft H in FIGS. 1 and 2, and the actuator 33 may be either an electric actuator with a built-in motor or a hydraulic cylinder.

따라서, 일측 액츄에이터(33)가 신장하고, 타측 엑츄에이터(33)가 수축하면 웨이퍼 고정 장치(10)가 경사지게 기울어지면서 웨이퍼(W) 역시 경사지게 기울어지고, 기울어진 웨이퍼(W)에 세정액(1)을 스캔 방향으로 분사하여 웨이퍼(W)를 세정할 수 있다.Therefore, when one actuator 33 extends and the other actuator 33 contracts, the wafer holding device 10 is tilted and the wafer W is also tilted, and the cleaning solution 1 is applied to the tilted wafer W. The wafer (W) can be cleaned by spraying in the scan direction.

도 4는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치(300)를 나타내는 개념도이다.Figure 4 is a conceptual diagram showing a wafer cleaning device 300 according to some further embodiments of the present invention.

예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치(300)는, 웨이퍼 고정 장치(10)의 하방에 설치되는 베이스(31)와, 베이스(31)와 웨이퍼 고정 장치(10) 사이에 설치되고, 웨이퍼 고정 장치(10)의 관절 운동이 가능하게 웨이퍼 고정 장치(10)의 하방으로 돌출된 돌출편(16)에 설치되는 관절부(32) 및 베이스(31)와 웨이퍼 고정 장치(10) 사이에 설치되고, 웨이퍼 고정 장치(10)의 돌출편(16)을 가압할 수 있는 액츄에이터(33)를 포함할 수 있다.For example, as shown in FIG. 4, the wafer cleaning device 300 according to some other embodiments of the present invention includes a base 31 installed below the wafer holding device 10, and the base 31. and a joint portion 32 and a base ( 31) and the wafer holding device 10, and may include an actuator 33 capable of pressing the protruding piece 16 of the wafer holding device 10.

여기서, 관절부(32)는 도 1 및 도 2의 힌지축(H)의 구조와 동일할 수 있고, 액츄에이터(33)는 모터가 내장된 전동 액츄에이터 또는 유압식 실린더가 적용될 수 있다.Here, the joint portion 32 may have the same structure as the hinge shaft H in FIGS. 1 and 2, and the actuator 33 may be an electric actuator with a built-in motor or a hydraulic cylinder.

따라서, 액츄에이터(33)가 신장하거나 수축하면 웨이퍼 고정 장치(10)가 경사지게 기울어지면서 웨이퍼(W) 역시 경사지게 기울어지고, 기울어진 웨이퍼(W)에 세정액(1)을 스캔 방향으로 분사하여 웨이퍼(W)를 세정할 수 있다.Therefore, when the actuator 33 expands or contracts, the wafer holding device 10 is tilted and the wafer W is also tilted, and the cleaning liquid 1 is sprayed on the tilted wafer W in the scan direction to hold the wafer W. ) can be cleaned.

도 5는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치(400)를 나타내는 개념도이고, 도 6은 도 5의 웨이퍼 세정 장치(400)를 나타내는 사시도이다.FIG. 5 is a conceptual diagram showing a wafer cleaning device 400 according to some further embodiments of the present invention, and FIG. 6 is a perspective view showing the wafer cleaning device 400 of FIG. 5 .

도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치(400)의 웨이퍼 고정 장치(10)는, 웨이퍼(W)가 안착되는 웨이퍼 스테이지(11)와, 웨이퍼 스테이지(11)에 설치되고, 수평 상태의 상기 웨이퍼(W)의 양측면을 가압하도록 전후진되는 웨이퍼 홀더(13)와, 웨이퍼 홀더(13)를 전후진시키는 홀더 가동 장치(14) 및 웨이퍼 홀더(13)에 설치되고, 웨이퍼(W)를 일정한 높이로 지지하는 웨이퍼 지지핀(15)을 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 5 and 6, the wafer holding device 10 of the wafer cleaning device 400 according to some other embodiments of the present invention includes a wafer stage 11 on which a wafer W is mounted; , a wafer holder 13 installed on the wafer stage 11 and moved forward and backward to press both sides of the wafer W in a horizontal state, a holder moving device 14 that moves the wafer holder 13 forward and backward, and a wafer It may include a wafer support pin 15 that is installed on the holder 13 and supports the wafer W at a constant height.

또한, 예컨대, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치(400)의 경사 가동 장치(30)는, 웨이퍼 고정 장치(10)의 하방에 설치되는 베이스(31)와, 베이스(31)와 웨이퍼 고정 장치(10) 사이에 설치되고, 웨이퍼 고정 장치(10)의 관절 운동이 가능하게 설치되는 관절부(32)와, 베이스(31)와 웨이퍼 고정 장치(10) 사이에 설치되고, 웨이퍼 고정 장치(10)의 일부분을 가압할 수 있는 액츄에이터(33) 및 액츄에이터(331)에 신장 제어 신호 또는 수축 제어 신호를 인가하는 제어부(34)를 포함할 수 있다.In addition, for example, the tilt movable device 30 of the wafer cleaning device 400 according to some other embodiments of the present invention includes a base 31 installed below the wafer holding device 10, and a base 31 ) and the wafer holding device 10, the joint portion 32 is installed to enable joint movement of the wafer holding device 10, and is installed between the base 31 and the wafer holding device 10, and the wafer holding device 10 It may include an actuator 33 that can pressurize a portion of the fixing device 10 and a control unit 34 that applies an expansion control signal or a contraction control signal to the actuator 331.

여기서, 예컨대, 관절부(32)는 웨이퍼 고정 장치(10)의 중심축 선상에 설치되는 볼 관절부일 수 있다. 따라서, 이러한 볼 관절부를 이용하여 웨이퍼 고정 장치(10)는 360도 방향으로 어느 방향이든지 간에 경사지게 기울어질 수 있다.Here, for example, the joint 32 may be a ball joint installed on the central axis of the wafer holding device 10. Accordingly, the wafer holding device 10 can be tilted in any direction in a 360-degree direction using this ball joint.

또한, 예컨대, 액츄에이터(33)는, 모터가 내장된 전동 액츄에이터 또는 유압식 실린더일 수 있는 것으로서, 더욱 구체적으로 예를 들면, 액츄에이터(33)는, 웨이퍼 고정 장치(10)의 하면 일부분을 가압할 수 있는 제 1 액츄에이터(331) 및 관절부(32)를 기준으로 제 1 액츄에이터(331)의 반대편에 설치되고, 웨이퍼 고정 장치(10)의 하면 타부분을 안내할 수 있는 제 2 액츄에이터(332)를 포함할 수 있다.In addition, for example, the actuator 33 may be an electric actuator or a hydraulic cylinder with a built-in motor. More specifically, for example, the actuator 33 may pressurize a portion of the lower surface of the wafer holding device 10. It includes a first actuator 331 and a second actuator 332 that is installed on the opposite side of the first actuator 331 based on the joint portion 32 and is capable of guiding other parts of the lower surface of the wafer holding device 10. can do.

여기서, 예컨대, 제어부(34)는, 웨이퍼(W)와 웨이퍼 고정 장치(10)를 제 1 각도(K1)로 경사지게 기울일 수 있도록 제 1 액츄에이터(331)에 신장 제어 신호를 인가하고, 제 2 액츄에이터(332)에 수축 제어 신호를 인가할 수 있다.Here, for example, the control unit 34 applies a stretch control signal to the first actuator 331 to tilt the wafer W and the wafer fixing device 10 at the first angle K1, and the second actuator A contraction control signal can be applied to (332).

또한, 예컨대, 제어부(34)의 원활한 제어를 위해서 신장량과 수축량을 일정하게 할 수 있도록 제 1 액츄에이터(331)와 상기 제 2 액츄에이터(332)는 관절부(32)로부터 동일한 거리(D)에 설치될 수 있다.In addition, for example, for smooth control of the control unit 34, the first actuator 331 and the second actuator 332 may be installed at the same distance (D) from the joint unit 32 so that the amount of expansion and contraction can be kept constant. You can.

한편, 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치(400)는, 경사진 웨이퍼(W)에 세정액(1)을 분사하는 세정액 분사 장치(40) 및 경사진 웨이퍼(W)에 잔류하는 세정액(1)을 제거할 수 있도록 가스(2)를 분사하는 가스 분사 장치(50)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the wafer cleaning device 400 according to some other embodiments of the present invention includes a cleaning liquid spraying device 40 that sprays the cleaning liquid 1 on the inclined wafer W and the cleaning liquid spraying device 40 that sprays the cleaning liquid 1 on the inclined wafer W. It may further include a gas injection device 50 that sprays gas 2 to remove the cleaning liquid 1.

더욱 구체적으로 예를 들면, 도 5에 도시된 바와 같이, 세정액 분사 장치(40)와 가스 분사 장치(50) 모두 스캔 방식으로 경사진 웨이퍼(W)의 표면을 따라 번갈아가면서 세정액(1)과 가스(2)를 분사할 수 있는 것으로서, 공간 활용도를 높이기 위해서 세정액 분사 장치(40)와 가스 분사 장치(50)를 일체로 형성할 수 있다.More specifically, as shown in FIG. 5, both the cleaning liquid injection device 40 and the gas injection device 50 alternately spray the cleaning liquid 1 and the gas along the surface of the inclined wafer W in a scanning manner. (2) can be sprayed, and the cleaning liquid spray device 40 and the gas spray device 50 can be formed integrally to increase space utilization.

따라서, 이러한 액츄에이터(33)를 이용한 경사 가동 장치(30)에 의해서 웨이퍼 고정 장치(10)가 경사지게 기울어지면서 웨이퍼(W) 역시 경사지게 기울어지고, 기울어진 웨이퍼(W)에 세정액(1)을 스캔 방향으로 분사하여 웨이퍼(W)를 세정한 다음, 기울어진 웨이퍼(W)에 가스(2)를 스캔 방향으로 분사하여 웨이퍼(W)에 잔류하는 세정액(1)을 제거할 수 있다. 여기서, 세정액(1) 제거용 가스(2)는 청정 공기나 질소 가스 또는 헬륨 가스 등의 불활성 가스 등 다양한 종류의 기체가 적용될 수 있다.Therefore, as the wafer holding device 10 is tilted by the tilting device 30 using the actuator 33, the wafer W is also tilted, and the cleaning liquid 1 is applied to the tilted wafer W in the scan direction. After cleaning the wafer (W) by spraying, the cleaning solution (1) remaining on the wafer (W) can be removed by spraying the gas (2) on the tilted wafer (W) in the scan direction. Here, the gas 2 for removing the cleaning liquid 1 may be various types of gases such as clean air, nitrogen gas, or inert gas such as helium gas.

그러므로, 무회전 방식으로 경사지게 기울어진 웨이퍼(W)를 세정하여 웨이퍼(W)의 스트레스를 크게 줄일 수 있어서 웨이퍼 데미지 현상이나 크랙 현상이나 파손 현상이나 패턴 붕괴 현상 등을 방지할 수 있고, 기존의 고속 회전용 모터가 불필요하기 때문에 구조를 단순화할 수 있어서 공간 활용도를 높여 장치의 크기를 줄일 수 있으며, 이로 인하여 장치의 제작 비용과 제작 시간을 절감할 수 있고, 세정액(1)과 가스(2)를 번갈아가면서 스캔 방식으로 분사하여 세정 효율도 크게 향상시킬 수 있다.Therefore, by cleaning the obliquely inclined wafer (W) in a non-rotating manner, the stress on the wafer (W) can be greatly reduced, thereby preventing wafer damage, cracking, breakage, or pattern collapse. Since the rotary motor is unnecessary, the structure can be simplified, increasing space utilization and reducing the size of the device. This reduces the manufacturing cost and manufacturing time of the device, and cleansing liquid (1) and gas (2) can be used to reduce the size of the device. Cleaning efficiency can be greatly improved by alternately spraying in a scanning manner.

도 7 내지 도 12는 도 5의 웨이퍼 세정 장치(400)의 작동 과정을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.FIGS. 7 to 12 are cross-sectional views showing step-by-step the operation process of the wafer cleaning device 400 of FIG. 5.

도 7 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 도 5의 웨이퍼 세정 장치(400)의 작동 과정을 단계적으로 설명하면, 먼저, 도 7에 도시된 바와 같이, 이송 로봇(미도시)이 수평 상태로 대기 중인 웨이퍼 고정 장치(10)의 웨이퍼 지지핀(15)에 웨이퍼(W)를 안착시키면, 도 8에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 홀더(13)가 수평 상태의 웨이퍼(W)의 양측면을 가압하여 웨이퍼(W)를 웨이퍼 스테이지(11)에 견고하게 고정시킬 수 있다.As shown in FIGS. 7 to 12, when explaining the operation process of the wafer cleaning device 400 of FIG. 5 step by step, first, as shown in FIG. 7, the transfer robot (not shown) waits in a horizontal state. When the wafer W is placed on the wafer support pin 15 of the wafer holding device 10, as shown in FIG. 8, the wafer holder 13 presses both sides of the horizontal wafer W to hold the wafer W. (W) can be firmly fixed to the wafer stage 11.

이어서, 도 9에 도시된 바와 같이, 제어부(34)가 웨이퍼(W)와 웨이퍼 고정 장치(10)를 제 1 각도(K1)로 경사지게 기울일 수 있도록 제 1 액츄에이터(331)에 신장 제어 신호를 인가하고, 제 2 액츄에이터(332)에 수축 제어 신호를 인가하고, 이러한 경사 가동 장치(30)에 의해서 웨이퍼 고정 장치(10)가 경사지게 기울어지면서 웨이퍼(W) 역시 경사지게 기울어질 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 9, the control unit 34 applies a stretching control signal to the first actuator 331 to tilt the wafer W and the wafer holding device 10 at a first angle K1. Then, a contraction control signal is applied to the second actuator 332, and as the wafer holding device 10 is tilted by the tilt operation device 30, the wafer W can also be tilted.

이 때, 세정액 분사 장치(40)를 이용하여 기울어진 웨이퍼(W)의 위쪽부터 아래쪽까지 세정액(1)을 스캔 방향으로 분사하여 웨이퍼(W)를 세정할 수 있다.At this time, the wafer W can be cleaned by spraying the cleaning liquid 1 from the top to the bottom of the tilted wafer W in the scan direction using the cleaning liquid spray device 40 .

여기서, 이러한 세정액 분사 장치(40)의 세정액 분사 압력 역시, 웨이퍼(W)의 스팩이나 이전 공정의 공정 레시피나 세정 환경이나 작업자의 명령 신호 등에 따라 조정될 수 있는 것으로서, 다양한 형태로 다양한 종류의 웨이퍼(W)의 표면에 다양한 압력으로 세정액(1)을 분사하여 더욱 미세하고 섬세한 세정 공정을 수행하는 것이 가능하다.Here, the cleaning liquid injection pressure of the cleaning liquid spray device 40 can also be adjusted according to the specification of the wafer W, the process recipe of the previous process, the cleaning environment, or the operator's command signal, and various types of wafers ( It is possible to perform a more fine and delicate cleaning process by spraying the cleaning liquid (1) at various pressures on the surface of W).

이어서, 도 10에 도시된 바와 같이, 가스 분사 장치(50)을 이용하여 기울어진 웨이퍼(W)의 위쪽부터 아래쪽까지 가스(2)를 스캔 방향으로 분사하여 웨이퍼(W)에 잔류하는 세정액(1)을 제거 및 건조할 수 있다. Next, as shown in FIG. 10, the gas 2 is sprayed in the scan direction from the top to the bottom of the inclined wafer W using the gas injection device 50 to remove the cleaning liquid 1 remaining on the wafer W. ) can be removed and dried.

여기서, 이러한 가스 분사 장치(50)의 가스 분사 압력 역시, 웨이퍼(W)의 스팩이나 이전 공정의 공정 레시피나 세정 환경이나 작업자의 명령 신호 등에 따라 조정될 수 있는 것으로서, 다양한 형태로 다양한 종류의 웨이퍼(W)의 표면에 다양한 압력으로 가스(2)를 분사하여 더욱 미세하고 섬세한 건조 공정을 수행하는 것이 가능하다.Here, the gas injection pressure of the gas injection device 50 can also be adjusted according to the specifications of the wafer W, the process recipe of the previous process, the cleaning environment, or the operator's command signal, and various types of wafers ( It is possible to perform a more fine and delicate drying process by spraying gas (2) at various pressures on the surface of W).

도 13은 도 5의 웨이퍼 세정 장치(400)의 세정액 분사 장치(40)의 세정액 분사 상태를 나타내는 저면 사시도이고, 도 14는 도 13의 웨이퍼 세정 장치(400)의 세정액 분사 장치(40)의 가스 분사 상태를 나타내는 저면 사시도이다.FIG. 13 is a bottom perspective view showing the cleaning liquid spraying state of the cleaning liquid spraying device 40 of the wafer cleaning device 400 of FIG. 5, and FIG. 14 is a gas spraying state of the cleaning liquid spraying device 40 of the wafer cleaning device 400 of FIG. 13. This is a bottom perspective view showing the spraying state.

도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 공간 활용도를 위해서 세정액 분사 장치(40)와 가스 분사 장치(50)를 일체로 형성할 수 있는 것으로서, 세정액 분사 노즐(41)은, 막대 형상으로 길게 형성되고, 내부에 세정액 공급 라인이 형성되는 노즐 몸체(411) 및 세정액 공급 라인과 연결되고, 노즐 몸체(411)의 일부분에 복수개가 일렬 또는 다열로 형성되는 세정액 분사홀부(412)를 포함할 수 있고, 또한, 가스 분사 장치(50)는, 세정액 분사 노즐(41)의 노즐 몸체(411)의 내부에 형성된 가스 공급 라인과 연결되고, 노즐 몸체(411)의 타부분에 길게 형성되는 가스 분사슬롯부(51)을 포함할 수 있다.As shown in Figures 13 and 14, the cleaning liquid injection device 40 and the gas injection device 50 can be formed as one body for space utilization, and the cleaning liquid injection nozzle 41 is formed in a long rod shape. It may include a nozzle body 411 with a cleaning liquid supply line formed therein, and a plurality of cleaning liquid injection hole portions 412 that are connected to the cleaning liquid supply line and are formed in a row or multiple rows in a portion of the nozzle body 411. In addition, the gas injection device 50 is connected to a gas supply line formed inside the nozzle body 411 of the cleaning liquid injection nozzle 41, and has a gas injection slot portion formed long in another part of the nozzle body 411. (51) may be included.

그러나, 이에 반드시 국한되지 않고, 세정액 분사홀부(412) 대신 세정액 분사슬롯부가 적용되거나, 또는 가스 분사슬롯부(51) 대신 복수개의 가스 분사홀부로 이루어질 수 있는 등 매우 다양한 분사부가 모두 적용될 수 있다.However, the present invention is not necessarily limited to this, and a wide variety of injection units may be applied, such as a cleaning liquid injection slot unit being used instead of the cleaning liquid injection hole unit 412, or a plurality of gas injection hole units being used instead of the gas injection slot unit 51.

따라서, 도 13에 도시된 바와 같이, 세정 모드시, 세정액 분사홀부(412)를 통하여 세정액(1)을 분사시킬 수 있고, 건조 모드시, 가스 분사슬롯부(51)를 통하여 가스(2)를 분사시킬 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 13, in the cleaning mode, the cleaning liquid 1 can be injected through the cleaning liquid injection hole 412, and in the drying mode, the gas 2 can be injected through the gas injection slot 51. It can be sprayed.

이외에도, 본 발명은 세정액 분사홀부(412)를 통하여 세정액(1)을 분사시키는 동시에, 가스 분사슬롯부(51)를 통하여 가스(2)를 분사시키는 동시 분사 모드도 가능하다.In addition, the present invention is capable of a simultaneous injection mode in which the cleaning liquid (1) is injected through the cleaning liquid injection hole portion (412) and the gas (2) is injected through the gas injection slot portion (51).

도 15는 도 5의 웨이퍼 세정 장치(400)의 일례에 따른 액츄에이터(33)들을 나타내는 평면도이고, 도 16은 도 5의 웨이퍼 세정 장치의 다른 일례에 따른 액츄에이터(33)들을 나타내는 평면도이다.FIG. 15 is a plan view showing actuators 33 according to an example of the wafer cleaning device 400 of FIG. 5, and FIG. 16 is a plan view showing actuators 33 according to another example of the wafer cleaning device 400 of FIG. 5.

먼저, 도 15에 도시된 바와 같이, 본 발명의 액츄에이터(33)는 모터가 내장된 전동 액츄에이터 또는 유압식 실린더일 수 있는 것으로서, 웨이퍼 고정 장치(10)의 하면 일부분을 가압할 수 있는 제 1 액츄에이터(331) 및 관절부(32)를 기준으로 제 1 액츄에이터(331)의 반대편에 설치되고, 웨이퍼 고정 장치(10)의 하면 타부분을 안내할 수 있는 제 2 액츄에이터(332)를 포함할 수 있다.First, as shown in FIG. 15, the actuator 33 of the present invention may be an electric actuator or a hydraulic cylinder with a built-in motor, and includes a first actuator ( 331) and a second actuator 332 that is installed on the opposite side of the first actuator 331 based on the joint portion 32 and is capable of guiding other lower surfaces of the wafer holding device 10.

따라서, 제어부(34)는 제어 신호를 인하하여 제 1 액츄에이터(331) 및 제 2 액츄에이터(332)를 이용하여 웨이퍼(W)를 일방향 또는 양방향으로 경사지게 기울일 수 있고, 세정액 분사 노즐(41)을 일방향 또는 양방향으로 스캔할 수 있다.Accordingly, the control unit 34 can tilt the wafer W in one direction or two directions using the first actuator 331 and the second actuator 332 by lowering the control signal, and tilt the cleaning liquid spray nozzle 41 in one direction. Alternatively, you can scan in both directions.

이외에도, 도 16에 도시된 바와 같이, 본 발명의 액츄에이터(33)는 웨이퍼 고정 장치(10)의 하면 일부분을 가압할 수 있는 제 1 액츄에이터(331)와, 관절부(32)를 기준으로 제 1 액츄에이터(331)의 반대편에 설치되고, 웨이퍼 고정 장치(10)의 하면 타부분을 안내할 수 있는 제 2 액츄에이터(332)와, 웨이퍼 고정 장치(10)의 하면 다른 타부분을 가압할 수 있는 제 3 액츄에이터(333) 및 관절부(32)를 기준으로 제 3 액츄에이터(333)의 반대편에 설치되고, 웨이퍼 고정 장치(10)의 하면 또 다른 타부분을 안내할 수 있는 제 4 액츄에이터(334)를 포함할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 16, the actuator 33 of the present invention includes a first actuator 331 capable of pressing a portion of the lower surface of the wafer holding device 10, and a first actuator based on the joint portion 32. A second actuator 332 is installed on the opposite side of 331 and is capable of guiding the lower surface of the wafer holding device 10, and a third actuator is capable of pressing the other lower surface of the wafer holding device 10. It is installed on the opposite side of the third actuator 333 based on the actuator 333 and the joint portion 32, and may include a fourth actuator 334 capable of guiding another part below the wafer holding device 10. You can.

따라서, 제어부(34)는 제어 신호를 인하하여 제 1 액츄에이터(331), 제 2 액츄에이터(332), 제 3 액츄에이터(333) 및 제 4 액츄에이터(334)를 이용하여 웨이퍼(W)를 360도 전방향으로 경사지게 기울일 수 있고, 이에 따라, 세정액 분사 노즐(41)을 다양한 각도에서 스캔할 수 있다.Accordingly, the control unit 34 lowers the control signal to rotate the wafer W 360 degrees using the first actuator 331, the second actuator 332, the third actuator 333, and the fourth actuator 334. It can be tilted in any direction, and accordingly, the cleaning liquid spray nozzle 41 can be scanned from various angles.

그러므로, 이러한 액츄에이터들을 이용하여 웨이퍼(W)의 스팩이나 이전 공정의 공정 레시피나 세정 환경이나 작업자의 명령 신호 등에 따라 경사의 방향이 조정될 수 있는 것으로서, 다양한 형태로 다양한 종류의 웨이퍼(W)의 표면에 다양한 경사 방향으로 세정액(1)을 분사하여 더욱 미세하고 섬세한 세정 공정을 수행하는 것이 가능하다.Therefore, using these actuators, the direction of inclination can be adjusted according to the specifications of the wafer (W), the process recipe of the previous process, the cleaning environment, or the operator's command signal, etc., and the surface of the wafer (W) of various types in various shapes It is possible to perform a more fine and delicate cleaning process by spraying the cleaning liquid (1) in various inclined directions.

여기서, 도 16에서는 4개의 액츄에이터(331, 332, 333, 334)들이 예시되었으나, 3개의 액츄에이터들이 적용될 수 있는 등 다양한 개수의 액츄에이터들이 모두 적용될 수 있다.Here, in FIG. 16, four actuators 331, 332, 333, and 334 are illustrated, but various numbers of actuators, such as three actuators, may be applied.

도 17은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 방법을 나타내는 순서도이다.17 is a flowchart showing a wafer cleaning method according to some embodiments of the present invention.

도 1 내지 도 17에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 방법은, (a) 웨이퍼(W)를 웨이퍼 고정 장치(10)에 수평 상태로 고정시키는 단계와, (b) 고정된 상기 웨이퍼(W)를 제 1 각도(K1)로 경사지게 기울이는 단계와, (c) 경사진 상기 웨이퍼(W)에 세정액(1)을 분사하는 단계 및 (d) 경사진 상기 웨이퍼(W)에 잔류하는 세정액(1)을 제거할 수 있도록 가스(2)를 분사하는 단계를 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 1 to 17, the wafer cleaning method according to some embodiments of the present invention includes the steps of (a) fixing the wafer W to the wafer holding device 10 in a horizontal state, (b) ) tilting the fixed wafer (W) at a first angle (K1), (c) spraying the cleaning solution (1) on the tilted wafer (W), and (d) tilting the wafer (W) ) may include the step of spraying gas (2) to remove the cleaning liquid (1) remaining in the tank.

여기서, 예컨대, 상기 (a) 단계는, 웨이퍼 고정척(12)을 이용하여 웨이퍼 스테이지(11)에 상기 웨이퍼(W)를 진공 흡착하거나 또는 정전기로 흡착할 수 있다.Here, for example, in step (a), the wafer W may be vacuum-adsorbed or electrostatically adsorbed on the wafer stage 11 using the wafer holding chuck 12.

또한, 예컨대, 상기 (a) 단계는, 웨이퍼 홀더(13)를 이용하여 상기 웨이퍼(W)의 양측면을 가압할 수 있다.Also, for example, in step (a), both sides of the wafer W may be pressed using the wafer holder 13.

또한, 예컨대, 상기 (b) 단계는, 상기 웨이퍼 고정 장치(10)의 일측 또는 양측에 설치된 힌지축(H)을 구동 모터(22)로 회전시켜서 상기 웨이퍼 고정 장치(10)를 경사지게 기울일 수 있다.In addition, for example, in step (b), the wafer holding device 10 can be tilted by rotating the hinge shaft H installed on one or both sides of the wafer holding device 10 with the drive motor 22. .

또한, 예컨대, 상기 (b) 단계는, 액츄에이터(33)를 이용하여 상기 웨이퍼 고정 장치(10)를 관절 운동시킬 수 있다.Also, for example, in step (b), the wafer fixing device 10 may be jointly moved using the actuator 33.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the attached patent claims.

W: 웨이퍼
1: 세정액
2: 가스
10: 웨이퍼 고정 장치
11: 웨이퍼 스테이지
12: 웨이퍼 고정척
13: 웨이퍼 홀더
14: 홀더 가동 장치
15: 웨이퍼 지지핀
16: 돌출편
20, 30: 경사 가동 장치
21, 31: 베이스
H: 힌지축
22: 구동 모터
32: 관절부
33: 액츄에이터
331: 제 1 액츄에이터
332: 제 2 액츄에이터
333: 제 3 액츄에이터
334: 제 4 액츄에이터
34: 제어부
D: 거리
K1: 제 1 각도
40: 세정액 분사 장치
41: 세정액 분사 노즐
411: 노즐 몸체
412: 세정액 분사홀부
42: 노즐 전후진 장치
50: 가스 분사 장치
51: 가스 분사슬롯부
60: 세정액 배출 장치
70: 가스 배출 장치
100, 200, 300, 400: 웨이퍼 세정 장치W: wafer
1: Cleaning liquid
2: gas
10: wafer holding device
11: wafer stage
12: Wafer holding chuck
13: wafer holder
14: Holder moving device
15: wafer support pin
16: Projection piece
20, 30: Incline movable device
21, 31: Base
H: Hinge axis
22: Drive motor
32: joints
33: actuator
331: first actuator
332: second actuator
333: third actuator
334: fourth actuator
34: control unit
D: distance
K1: first angle
40: Cleaning liquid spray device
41: Cleaning liquid spray nozzle
411: nozzle body
412: Cleaning liquid spray hole
42: Nozzle forward and backward device
50: gas injection device
51: Gas injection slot part
60: Cleaning liquid discharge device
70: Gas exhaust device
100, 200, 300, 400: Wafer cleaning device

Claims (20)

웨이퍼를 고정시키는 웨이퍼 고정 장치;
고정된 상기 웨이퍼를 제 1 각도로 경사지게 기울이는 경사 가동 장치; 및
경사진 상기 웨이퍼에 세정액을 분사하는 세정액 분사 장치;
를 포함하는, 웨이퍼 세정 장치.a wafer holding device that holds the wafer;
a tilt movable device that tilts the fixed wafer at a first angle; and
a cleaning liquid spray device for spraying a cleaning liquid onto the inclined wafer;
Including a wafer cleaning device. 제 1 항에 있어서,
상기 웨이퍼 고정 장치는,
상기 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 스테이지; 및
상기 웨이퍼 스테이지에 설치되고, 수평 상태의 상기 웨이퍼의 하면을 진공 흡착하는 진공척 또는 정전기로 흡착하는 정전척을 포함하는 웨이퍼 고정척;
을 포함하는, 웨이퍼 세정 장치.According to claim 1,
The wafer holding device is,
a wafer stage on which the wafer is placed; and
a wafer holding chuck installed on the wafer stage and including a vacuum chuck for vacuum-adsorbing the lower surface of the wafer in a horizontal state or an electrostatic chuck for electrostatically adsorbing the lower surface of the wafer in a horizontal state;
Including a wafer cleaning device. 제 1 항에 있어서,
상기 웨이퍼 고정 장치는,
상기 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 스테이지;
상기 웨이퍼 스테이지에 설치되고, 수평 상태의 상기 웨이퍼의 양측면을 가압하도록 전후진되는 웨이퍼 홀더;
상기 웨이퍼 홀더를 전후진시키는 홀더 가동 장치; 및
상기 웨이퍼 홀더에 설치되고, 상기 웨이퍼를 일정한 높이로 지지하는 웨이퍼 지지핀;
를 포함하는, 웨이퍼 세정 장치.According to claim 1,
The wafer holding device is,
a wafer stage on which the wafer is placed;
a wafer holder installed on the wafer stage and moving forward and backward to press both sides of the wafer in a horizontal state;
a holder moving device that moves the wafer holder forward and backward; and
a wafer support pin installed on the wafer holder and supporting the wafer at a constant height;
Including a wafer cleaning device. 제 1 항에 있어서,
상기 경사 가동 장치는,
상기 웨이퍼 고정 장치의 일측 또는 양측에 설치된 힌지축과 힌지 결합되는 베이스; 및
상기 힌지축과 연결되고, 상기 웨이퍼 고정 장치를 경사지게 기울이는 구동 모터;
를 포함하는, 웨이퍼 세정 장치.According to claim 1,
The inclined movable device,
a base hingedly coupled to a hinge axis installed on one or both sides of the wafer holding device; and
a drive motor connected to the hinge axis and tilting the wafer holding device;
Including a wafer cleaning device. 제 1 항에 있어서,
상기 경사 가동 장치는,
상기 웨이퍼 고정 장치의 하방에 설치되는 베이스;
상기 베이스와 상기 웨이퍼 고정 장치 사이에 설치되고, 상기 웨이퍼 고정 장치의 관절 운동이 가능하게 설치되는 관절부; 및
상기 베이스와 상기 웨이퍼 고정 장치 사이에 설치되고, 상기 웨이퍼 고정 장치의 일부분을 가압할 수 있는 액츄에이터;
를 포함하는, 웨이퍼 세정 장치.According to claim 1,
The inclined movable device,
a base installed below the wafer holding device;
A joint portion installed between the base and the wafer holding device to enable joint movement of the wafer holding device; and
an actuator installed between the base and the wafer holding device and capable of pressing a portion of the wafer holding device;
Including a wafer cleaning device. 제 5 항에 있어서,
상기 액츄에이터는,
상기 웨이퍼 고정 장치의 하면 일부분을 가압할 수 있는 제 1 액츄에이터; 및
상기 관절부를 기준으로 상기 제 1 액츄에이터의 반대편에 설치되고, 상기 웨이퍼 고정 장치의 하면 타부분을 안내할 수 있는 제 2 액츄에이터;
를 포함하는, 웨이퍼 세정 장치.According to claim 5,
The actuator is,
a first actuator capable of pressing a portion of the lower surface of the wafer holding device; and
a second actuator installed on the opposite side of the first actuator based on the joint portion and capable of guiding the other lower surface portion of the wafer holding device;
Including a wafer cleaning device. 제 6 항에 있어서,
상기 액츄에이터는,
상기 웨이퍼 고정 장치의 하면 다른 타부분을 가압할 수 있는 제 3 액츄에이터; 및
상기 관절부를 기준으로 상기 제 3 액츄에이터의 반대편에 설치되고, 상기 웨이퍼 고정 장치의 하면 또 다른 타부분을 안내할 수 있는 제 4 액츄에이터;
를 더 포함하는, 웨이퍼 세정 장치.According to claim 6,
The actuator is,
a third actuator capable of pressing other parts of the lower surface of the wafer holding device; and
a fourth actuator installed on the opposite side of the third actuator based on the joint portion and capable of guiding another portion of the lower surface of the wafer holding device;
Further comprising a wafer cleaning device. 제 6 항에 있어서,
상기 경사 가동 장치는,
상기 제 1 액츄에이터에 신장 제어 신호를 인가하고, 상기 제 2 액츄에이터에 수축 제어 신호를 인가하는 제어부;
를 더 포함하는, 웨이퍼 세정 장치.According to claim 6,
The inclined movable device,
a control unit that applies an expansion control signal to the first actuator and a contraction control signal to the second actuator;
Further comprising a wafer cleaning device. 제 6 항에 있어서,
상기 관절부는 상기 웨이퍼 고정 장치의 중심축 선상에 설치되는 볼 관절부이고,
상기 제 1 액츄에이터와 상기 제 2 액츄에이터는 상기 관절부로부터 동일한 거리에 설치되는, 웨이퍼 세정 장치.According to claim 6,
The joint portion is a ball joint portion installed on the central axis of the wafer holding device,
The wafer cleaning device wherein the first actuator and the second actuator are installed at the same distance from the joint portion. 제 5 항에 있어서,
상기 액츄에이터는 모터가 내장된 전동 액츄에이터 또는 유압식 실린더인, 웨이퍼 세정 장치.According to claim 5,
A wafer cleaning device wherein the actuator is an electric actuator or a hydraulic cylinder with a built-in motor. 제 1 항에 있어서,
상기 세정액 분사 장치는,
경사지게 기울어진 상기 웨이퍼의 표면에 상기 세정액을 분사하는 세정액 분사 노즐; 및
상기 세정액 분사 노즐이 상기 웨이퍼 표면을 따라 스캔 방식으로 이동할 수 있도록 상기 세정액 분사 노즐을 전후진시키는 노즐 전후진 장치;
를 포함하는, 웨이퍼 세정 장치.According to claim 1,
The cleaning liquid injection device,
a cleaning liquid spray nozzle that sprays the cleaning liquid onto the inclined surface of the wafer; and
a nozzle forward and backward device that moves the cleaning liquid spray nozzle forward and backward so that the cleaning liquid spray nozzle can move in a scanning manner along the surface of the wafer;
Including a wafer cleaning device. 제 11 항에 있어서,
상기 세정액 분사 노즐은,
막대 형상으로 길게 형성되고, 내부에 세정액 공급 라인이 형성되는 노즐 몸체; 및
상기 세정액 공급 라인과 연결되고, 상기 노즐 몸체의 일부분에 복수개가 일렬 또는 다열로 형성되는 세정액 분사홀부;
를 포함하는, 웨이퍼 세정 장치.According to claim 11,
The cleaning liquid spray nozzle is,
A nozzle body formed in a long rod shape and having a cleaning liquid supply line formed therein; and
a plurality of cleaning liquid injection hole portions connected to the cleaning liquid supply line and formed in a row or multiple rows in a portion of the nozzle body;
Including a wafer cleaning device. 제 11 항에 있어서,
경사진 상기 웨이퍼에 잔류하는 세정액을 제거할 수 있도록 가스를 분사하는 가스 분사 장치;를 더 포함하고,
상기 가스 분사 장치는,
상기 세정액 분사 노즐의 상기 노즐 몸체의 내부에 형성된 가스 공급 라인과 연결되고, 상기 노즐 몸체의 타부분에 길게 형성되는 가스 분사슬롯부;
를 더 포함하는, 웨이퍼 세정 장치.According to claim 11,
It further includes a gas injection device that sprays gas to remove the cleaning solution remaining on the inclined wafer,
The gas injection device,
a gas injection slot portion connected to a gas supply line formed inside the nozzle body of the cleaning liquid injection nozzle and formed long in another part of the nozzle body;
Further comprising a wafer cleaning device. (a) 웨이퍼를 웨이퍼 고정 장치에 수평 상태로 고정시키는 단계;
(b) 고정된 상기 웨이퍼를 제 1 각도로 경사지게 기울이는 단계; 및
(c) 경사진 상기 웨이퍼에 세정액을 분사하는 단계;
를 포함하는, 웨이퍼 세정 방법.(a) fixing the wafer in a horizontal state on a wafer holding device;
(b) tilting the fixed wafer at a first angle; and
(c) spraying a cleaning solution onto the inclined wafer;
Including, wafer cleaning method. 제 14 항에 있어서,
상기 (a) 단계는,
웨이퍼 고정척을 이용하여 웨이퍼 스테이지에 상기 웨이퍼를 진공 흡착하거나 또는 정전기로 흡착하는, 웨이퍼 세정 장치.According to claim 14,
In step (a),
A wafer cleaning device that vacuum or electrostatically attracts the wafer to the wafer stage using a wafer holding chuck. 제 14 항에 있어서,
상기 (a) 단계는,
웨이퍼 홀더를 이용하여 상기 웨이퍼의 양측면을 가압하는, 웨이퍼 세정 방법.According to claim 14,
In step (a),
A wafer cleaning method that pressurizes both sides of the wafer using a wafer holder. 제 14 항에 있어서,
상기 (b) 단계는,
상기 웨이퍼 고정 장치의 일측 또는 양측에 설치된 힌지축을 구동 모터로 회전시켜서 상기 웨이퍼 고정 장치를 경사지게 기울이는, 웨이퍼 세정 방법.According to claim 14,
In step (b),
A wafer cleaning method in which the wafer holding device is tilted by rotating a hinge shaft installed on one or both sides of the wafer holding device with a drive motor. 제 14 항에 있어서,
상기 (b) 단계는,
액츄에이터를 이용하여 상기 웨이퍼 고정 장치를 관절 운동시키는 웨이퍼 세정 방법.According to claim 14,
In step (b),
A wafer cleaning method in which the wafer holding device is jointly moved using an actuator. 제 14 항에 있어서,
(d) 경사진 상기 웨이퍼에 잔류하는 세정액을 제거할 수 있도록 가스를 분사하는 단계;
를 더 포함하는, 웨이퍼 세정 방법.According to claim 14,
(d) spraying gas to remove cleaning liquid remaining on the inclined wafer;
A wafer cleaning method further comprising: 웨이퍼를 고정시키는 웨이퍼 고정 장치;
고정된 상기 웨이퍼를 제 1 각도로 경사지게 기울이는 경사 가동 장치;
경사진 상기 웨이퍼에 세정액을 분사하는 세정액 분사 장치; 및
경사진 상기 웨이퍼에 잔류하는 세정액을 제거할 수 있도록 가스를 분사하는 가스 분사 장치;를 포함하고,
상기 웨이퍼 고정 장치는,
상기 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 스테이지;
상기 웨이퍼 스테이지에 설치되고, 수평 상태의 상기 웨이퍼의 양측면을 가압하도록 전후진되는 웨이퍼 홀더;
상기 웨이퍼 홀더를 전후진시키는 홀더 가동 장치; 및
상기 웨이퍼 홀더에 설치되고, 상기 웨이퍼를 일정한 높이로 지지하는 웨이퍼 지지핀;를 포함하고,
상기 경사 가동 장치는,
상기 웨이퍼 고정 장치의 하방에 설치되는 베이스;
상기 베이스와 상기 웨이퍼 고정 장치 사이에 설치되고, 상기 웨이퍼 고정 장치의 관절 운동이 가능하게 설치되는 관절부; 및
상기 베이스와 상기 웨이퍼 고정 장치 사이에 설치되고, 상기 웨이퍼 고정 장치의 하면 일부분을 가압할 수 있는 액츄에이터;를 포함하고,
상기 액츄에이터는,
상기 웨이퍼 고정 장치의 하면 일부분을 가압할 수 있는 제 1 액츄에이터; 및
상기 관절부를 기준으로 상기 제 1 액츄에이터의 반대편에 설치되고, 상기 웨이퍼 고정 장치의 하면 타부분을 안내할 수 있는 제 2 액츄에이터;
를 포함하는, 웨이퍼 세정 장치.a wafer holding device that holds the wafer;
a tilt movable device that tilts the fixed wafer at a first angle;
a cleaning liquid spray device for spraying a cleaning liquid onto the inclined wafer; and
It includes a gas injection device that sprays gas to remove the cleaning solution remaining on the inclined wafer,
The wafer holding device is,
a wafer stage on which the wafer is placed;
a wafer holder installed on the wafer stage and moving forward and backward to press both sides of the wafer in a horizontal state;
a holder moving device that moves the wafer holder forward and backward; and
It includes a wafer support pin installed on the wafer holder and supporting the wafer at a constant height,
The tilt movable device,
a base installed below the wafer holding device;
A joint portion installed between the base and the wafer holding device to enable joint movement of the wafer holding device; and
An actuator installed between the base and the wafer holding device and capable of pressing a portion of the lower surface of the wafer holding device,
The actuator is,
a first actuator capable of pressing a portion of the lower surface of the wafer holding device; and
a second actuator installed on an opposite side of the first actuator based on the joint portion and capable of guiding a lower portion of the wafer holding device;
Including a wafer cleaning device.
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