KR20130015611A

KR20130015611A - Substrate treating apparatus

Info

Publication number: KR20130015611A
Application number: KR1020110077694A
Authority: KR
Inventors: 송길훈; 김재용
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2011-08-04
Filing date: 2011-08-04
Publication date: 2013-02-14
Also published as: KR101909480B1

Abstract

PURPOSE: A substrate processing device is provided to improve cleaning performance by selectively spraying the same or different cleaning solutions through a plurality of nozzle parts. CONSTITUTION: A spin head(340) supports and rotates a substrate. A lifting unit(360) vertically moves a housing. A processing solution spray member(380) supplies processing solutions to the substrate. A plurality of nozzle parts include nozzles to spray the processing solutions to the substrate. A support member moves the nozzles to the substrate.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}[0001] SUBSTRATE TREATING APPARATUS [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판을 세정하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and, more particularly, to an apparatus for cleaning a substrate.

기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미칼을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 케미컬 처리 공정, 순수를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 공정, 그리고 유기 용제, 초임계 유체, 또는 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함한다. Contaminants such as particles, organic contaminants, and metallic contaminants on the surface of the substrate greatly affect the characteristics of semiconductor devices and the yield of production. Therefore, a cleaning process for removing various contaminants adhering to the surface of the substrate is very important in the semiconductor manufacturing process, and a process for cleaning the substrate is performed before and after each unit process for manufacturing a semiconductor. In general, the substrate is cleaned using chemicals to remove metal foreign substances, organic substances, or particles remaining on the substrate, a rinse process to remove chemicals remaining on the substrate using pure water, and an organic solvent. And a drying step of drying the substrate using a supercritical fluid, nitrogen gas, or the like.

한편, 이러한 세정 공정에서 세정액 등은 노즐을 통해 기판 상으로 분사되는 바, 공개특허 10-2010-0054454에는 2개의 노즐을 갖는 노즐부를 개시하고 있다.Meanwhile, in the cleaning process, the cleaning liquid is sprayed onto the substrate through the nozzle, and therefore, Patent Document 10-2010-0054454 discloses a nozzle unit having two nozzles.

본 발명은 기판의 세정을 효율적으로 수행할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of efficiently performing cleaning of a substrate.

본 발명은 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The present invention is not limited to the above-described problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판 상에 처리액을 분사하는 노즐들을 갖는 복수개의 노즐부와; 상기 노즐들이 연결되고, 처리공정에 따라 상기 노즐들을 상기 기판 상으로 이동시키는 지지부재와; 상기 지지부재의 하부에 연결되고, 상기 지지부재를 승하강 또는 회전시키는 구동기를 포함하되, 상기 노즐들은, 상기 지지부재 상에서 서로 독립적으로 이동하며 상기 처리액을 상기 기판 상으로 분사하는 처리액 분사부재가 제공될 수 있다.According to one aspect of the invention, a plurality of nozzles having nozzles for spraying the processing liquid on the substrate; A support member connected to the nozzles and moving the nozzles onto the substrate in accordance with a processing step; And a driver connected to a lower portion of the support member and configured to raise or lower the support member, wherein the nozzles move independently of each other on the support member and inject the treatment liquid onto the substrate. May be provided.

또한, 상기 지지부재는, 저면의 일단에 상기 노즐들이 연결된 노즐지지대와; 상기 노즐지지대의 타단으로부터 수직하게 하방향으로 연장된 지지축을 가지며, 상기 노즐들은 독립적으로 상기 노즐지지대의 하면을 따라 직선이동할 수 있다.The support member may further include: a nozzle support having the nozzles connected to one end of a bottom surface thereof; It has a support axis extending vertically downward from the other end of the nozzle support, the nozzles can be independently linearly moved along the lower surface of the nozzle support.

또한, 상기 노즐들 각각은, 상기 노즐지지대의 길이방향과 나란한 제1축을 중심으로 일정 각도 회전할 수 있다.In addition, each of the nozzles may rotate at an angle about a first axis parallel to the longitudinal direction of the nozzle support.

또한, 상기 노즐들 각각은, 상기 노즐지지대의 상기 저면과 나란하고 상기 제1축과 수직으로 교차하는 제2축들을 중심으로 일정 각도 회전할 수 있다.In addition, each of the nozzles may rotate at an angle about second axes that are parallel to the bottom surface of the nozzle support and perpendicularly intersect the first axis.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징과; 상기 공정 진행 중 상기 기판을 지지하고 회전시키는 스핀헤드와; 상기 하우징을 상하 방향으로 이동시키는 승강유닛과; 상기 공정 진행 중 상기 기판 상으로 처리액을 공급하는 처리액 분사부재를 포함하되, 상기 처리액 분사부재는, 기판 상에 처리액을 분사하는 노즐들을 갖는 복수개의 노즐부와; 상기 노즐들이 연결되고, 처리공정에 따라 상기 노즐들을 상기 기판 상으로 이동시키는 지지부재와; 상기 지지부재의 하부에 연결되고, 상기 지지부재를 승하강 또는 회전시키는 구동기를 포함하고, 상기 노즐들은, 상기 지지부재 상에서 서로 독립적으로 이동하며 상기 처리액을 상기 기판 상으로 분사하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to another aspect of the invention, a housing for providing a space in which a substrate processing process is performed; A spin head for supporting and rotating the substrate during the process; A lifting unit for moving the housing in a vertical direction; And a processing liquid spraying member for supplying a processing liquid onto the substrate during the process, wherein the processing liquid spraying member comprises: a plurality of nozzle portions having nozzles for spraying the processing liquid onto the substrate; A support member connected to the nozzles and moving the nozzles onto the substrate in accordance with a processing step; A substrate processing apparatus is connected to a lower portion of the support member and includes a driver for elevating or rotating the support member, wherein the nozzles move independently of each other on the support member and spray the processing liquid onto the substrate. Can be provided.

또한, 상기 노즐들 각각은, 상기 노즐지지대의 상기 저면과 나란하고 상기 제1축과 수직으로 교차하는 제2축을 중심으로 일정 각도 회전할 수 있다.In addition, each of the nozzles may rotate at an angle about a second axis parallel to the bottom surface of the nozzle support and perpendicularly intersect the first axis.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 세정을 효율적으로 수행할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the substrate can be cleaned efficiently.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 세정액의 분사영역을 확대할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, it is possible to enlarge the injection region of the cleaning liquid.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 상이한 세정액을 동시에 기판 상으로 분사할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, different cleaning liquids can be sprayed onto the substrate at the same time.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 복수개의 노즐부를 구비하여 선택적으로 동일한 또는 상이한 세정액을 분사할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a plurality of nozzle portions may be provided to selectively spray the same or different cleaning liquids.

도 1은 본 발명의 일 예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비의 일 예를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 공정 챔버에 제공된 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 분사부재의 일부단면도이다.
도 4 내지 도 5는 도 2의 노즐들의 동작예를 나타낸 도면이다.
도 6은 도 2의 분사부재의 다른 실시예에 따른 일부단면도이다.
도 7 내지 도 8은 도 6의 노즐들의 동작예를 나타낸 도면이다.
도 9는 도 2의 분사부재의 또 다른 실시예에 따른 일부단면도이다.
도 10 내지 도 11은 도 3의 노즐들의 동작예를 나타낸 도면이다.1 is a plan view schematically showing an example of a substrate processing apparatus provided with a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating an example of a substrate processing apparatus provided in the process chamber of FIG. 1.
3 is a partial cross-sectional view of the injection member of FIG. 2.
4 to 5 are diagrams illustrating an operation example of the nozzles of FIG. 2.
6 is a partial cross-sectional view according to another embodiment of the injection member of FIG. 2.
7 to 8 are diagrams showing an operation example of the nozzles of FIG. 6.
9 is a partial cross-sectional view according to still another embodiment of the injection member of FIG. 2.
10 to 11 are diagrams showing an operation example of the nozzles of FIG. 3.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape and the like of the components in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

도 1은 본 발명의 기판처리설비(1)를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 2는 도 1의 공정챔버 내 제공되는 기판처리장치의 단면도이다.1 is a plan view schematically showing the substrate processing equipment 1 of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate treating apparatus provided in the process chamber of FIG. 1.

도 1을 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가지고, 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing facility 1 has an index module 10 and a process processing module 20, and the index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are arranged is referred to as a first direction 12. When viewed from the top, the direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as the third direction. It is called (16).

로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 따라 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(18) 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 18 in which the substrate W is accommodated is mounted in the load port 140. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 120 are provided. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process module 20. The carrier 18 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. A plurality of slots are provided along the third direction 16, and the substrates are positioned in the carrier 18 to be stacked in a spaced apart state along the third direction 16. As the carrier 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1 이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed in parallel with the first direction 12 in the longitudinal direction thereof. Process chambers 260 are disposed on one side and the other side of the transfer chamber 240 along the second direction 14, respectively. Process chambers 260 located on one side of the transfer chamber 240 and process chambers 260 located on the other side of the transfer chamber 240 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B (A and B are each one or more natural numbers) on one side of the transfer chamber 240. Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 × 2 or 3 × 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, unlike the above-described process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are spaced apart from each other along the third direction 16. Surfaces facing the transfer frame 140 and surfaces facing the transfer chamber 240 are opened in the buffer unit 220.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transports the substrate W between the carrier 18 seated on the load port 120 and the buffer unit 220. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked to be spaced apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to convey the substrate W from the process processing module 20 to the carrier 18, and some of the index arms 144c are transferred from the carrier 18 to the process processing module 20. It can be used when conveying. This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. The main arm 244c used to convey the substrate from the buffer unit 220 to the process chamber 260 and the main arm 244c used to convey the substrate from the process chamber 260 to the buffer unit 220 are provided. May differ from one another.

공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판처리장치(300, 도 2 참조)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판처리장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판처리장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판처리장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정 챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. In the process chamber 260, a substrate treating apparatus 300 (see FIG. 2) that performs a cleaning process on the substrate W is provided. The substrate processing apparatus 300 provided in each process chamber 260 may have a different structure depending on the type of cleaning process to be performed. Optionally, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups so that the substrate processing apparatuses 300 provided to the process chambers 260 belonging to the same group have the same structure and are provided to the process chambers 260 belonging to different groups. The substrate treating apparatuses 300 may have different structures from each other. For example, when the process chamber 260 is divided into two groups, one side of the transfer chamber 240 is provided with process chambers 260 of the first group, and the other side of the transfer chamber 240 is provided with the second group. Process chambers 260 may be provided. Optionally, a first group of process chambers 260 may be provided at a lower layer, and a second group of process chambers 260 may be provided at a lower layer at each of one side and the other side of the transfer chamber 240. The process chamber 260 of the first group and the process chamber 260 of the second group may be classified according to the type of chemicals used or the type of cleaning method.

아래에서는 처리액을 이용하여 기판(W)을 세정하는 기판처리장치(300)의 일 예를 설명한다. 도 2는 기판처리장치(300)의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판처리장치(300)는 하우징(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 그리고 분사부재(380)를 가진다. 하우징(320)은 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 하우징(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.Hereinafter, an example of the substrate processing apparatus 300 for cleaning the substrate W using the processing liquid will be described. 2 is a cross-sectional view illustrating an example of a substrate processing apparatus 300. Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 300 includes a housing 320, a spin head 340, a lifting unit 360, and an injection member 380. The housing 320 provides a space in which a substrate treatment process is performed, and an upper portion thereof is opened. The housing 320 has an inner recovery cylinder 322, an intermediate recovery cylinder 324, and an outer recovery cylinder 326. Each recovery container 322, 324, 326 recovers different treatment liquids from among treatment liquids used in the process. The inner recovery container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340, and the intermediate recovery container 324 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery container 322, and the outer recovery container 326. ) Is provided in an annular ring shape surrounding the intermediate collection vessel 324. Inner space 322a of the inner recovery container 322, space 324a between the inner recovery container 322 and the intermediate recovery container 324 and the space between the intermediate recovery container 324 and the external recovery container 326 ( 326a functions as an inlet through which the treatment liquid flows into the inner recovery container 322, the intermediate recovery container 324, and the external recovery container 326, respectively. Each recovery container 322, 324, 326 is connected to the recovery line (322b, 324b, 326b extending vertically in the bottom direction). Each of the recovery lines 322b, 324b and 326b discharges the treatment liquid introduced through the respective recovery vessels 322, 324 and 326. The discharged treatment liquid can be reused through an external treatment liquid recovery system (not shown).

스핀헤드(340)는 하우징(320) 내에 배치된다. 스핀헤드(340)은 공정 진행 중 기판을 지지하고 기판을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지 핀(344), 척 핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지 핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척 핀(346)은 복수 개 제공된다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지 핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판의 측부를 지지한다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척 핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판에 대해 공정 수행시에는 척 핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(346)은 기판의 측부와 접촉된다.The spin head 340 is disposed within the housing 320. The spin head 340 supports the substrate and rotates the substrate during the process. Spin head 340 has a body 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has a top surface that is generally circular when viewed from the top. A support shaft 348 rotatable by a motor 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342. A plurality of support pins 344 is provided. The support pins 344 are spaced apart at predetermined intervals from the edge of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342. The support pins 344 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pin 344 supports the rear edge of the substrate so that the substrate is spaced a certain distance from the upper surface of the body 342. A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pins 346 are disposed farther from the support pins 344 in the center of the body 342. The chuck pins 346 are provided to protrude upward from the body 342. The chuck pins 346 support the sides of the substrate so that the substrate does not deviate laterally from the home position when the spin head 340 is rotated. The chuck pins 346 are provided to be linearly movable between the standby position and the support position along the radial direction of the body 342. The standby position is a position far from the center of the body 342 relative to the support position. When the substrate is loaded or unloaded into the spin head 340, the chuck pins 346 are located in the standby position, and when the process is performed on the substrate, the chuck pins 346 are located in the support position. In the support position the chuck pins 346 are in contact with the sides of the substrate.

승강유닛(360)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 하우징(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(322,324,326)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절된다. 예컨대, 제1처리액으로 기판을 처리하고 있는 동안에 기판은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판을 처리하는 동안에 각각 기판은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강유닛(360)은 하우징(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 linearly moves the housing 320 in the vertical direction. The relative height of the housing 320 with respect to the spin head 340 is changed as the housing 320 is moved up and down. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixedly installed on the outer wall of the housing 320, and the movement shaft 364 which is moved in the vertical direction by the driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. The housing 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes above the housing 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the spin head 340. In addition, when the process is in progress, the height of the housing 320 is adjusted to allow the processing liquid to flow into the predetermined recovery containers 322, 324, 326 according to the type of processing liquid supplied to the substrate W. For example, while the substrate is being treated with the first treatment liquid, the substrate is positioned at a height corresponding to the inner space 322a of the inner recovery container 322. In addition, during the processing of the substrate with the second processing liquid and the third processing liquid, the substrate may be disposed between the inner recovery container 322 and the intermediate recovery container 324, and the space 324a, and the intermediate recovery container 324 and the outside, respectively. It may be located at a height corresponding to the space 326a between the recovery container 326. Unlike the above, the lifting unit 360 may move the spin head 340 in the vertical direction instead of the housing 320.

분사부재(380)는 기판처리공정시 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 분사부재(380)는 노즐지지대(382), 노즐부들(384,385), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 노즐지지대(382)와 지지축(386)은 청구항에 따라 지지부재로 표현된다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강시킨다. 노즐지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐부들(384,385)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐부들(384,385)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐부들(384,385)이 하우징(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐부들(384,385)이 하우징(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 분사부재(380)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 분사부재(380)가 복수개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 또는 유기용제는 서로 상이한 분사부재(380)를 통해 제공될 수 있다. 린스액은 초순수일 수 있고, 유기용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.
The injection member 380 supplies the treatment liquid to the substrate W during the substrate treatment process. The injection member 380 has a nozzle support 382, nozzle parts 384 and 385, a support shaft 386, and a driver 388. The nozzle support 382 and the support shaft 386 are represented by a support member according to the claims. The support shaft 386 has a longitudinal direction along the third direction 16, and a driver 388 is coupled to a lower end of the support shaft 386. The driver 388 rotates and elevates the support shaft 386. The nozzle support 382 is vertically coupled with the opposite end of the support shaft 386 coupled with the driver 388. The nozzle parts 384 and 385 are installed at the bottom of the end of the nozzle support 382. The nozzle portions 384 and 385 are moved to the process position and the standby position by the driver 388. The process position is the position where the nozzle portions 384, 385 are disposed vertically on the housing 320, and the standby position is the position where the nozzle portions 384, 385 deviate from the vertical upper portion of the housing 320. One or a plurality of injection members 380 may be provided. When a plurality of injection members 380 are provided, the chemical, the rinse liquid, or the organic solvent may be provided through different injection members 380. The rinse liquid may be ultrapure water and the organic solvent may be a mixture of isopropyl alcohol vapor and inert gas or isopropyl alcohol liquid.

도 3은 도 2의 분사부재의 일부단면도이다. 도 4 내지 도 5는 도 2의 노즐들의 동작예를 나타낸 도면이다. 도 2와 도 3 내지 도 5를 참조하면, 일 예로, 분사부재(380)는 2개의 노즐부를 갖는다. 즉, 분사부재(380)는 제1노즐부(384)와 제2노즐부(385)를 포함한다. 이와 달리, 분사부재(380)는 3개 이상의 노즐부를 가질 수도 있다. 이와 달리, 분사부재(380)는 1개의 노즐부를 가질 수도 있다. 분사부재(380)가 2개의 노즐부를 갖는 경우, 제1노즐부(384)는 제1노즐(410), 제1처리액공급원(411), 그리고 제1구동부재(413)를 갖는다. 제2노즐부(385)는 제2노즐(430), 제2처리액공급원(431), 그리고 제2구동부재(433)를 갖는다. 제1노즐(410)과 제2노즐(430)은 X축 방향으로 나란하게 배치된다. 제1노즐(410)과 제2노즐(430) 중 어느 하나는 잉크젯 방식으로 처리액을 분사할 수 있다. 제1처리액공급원(411)은 제1노즐(410)로 제1처리액을 공급하고, 제2처리액공급원(431)은 제2노즐(430)로 제2처리액을 공급한다. 제1처리액과 제2처리액은 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예로, 제1처리액은 케미칼이고, 제2처리액은 초순수일 수 있다. 이와 달리, 제1처리액은 제1케미칼이고, 제2처리액은 제2케미칼일 수 있다. 제1케미칼과 제2케미칼은 동종으로 제공될 수 있다. 제1구동부재(413)는 제1노즐(410)이 직선운동 또는 회전운동을 하도록 구동력을 제공한다. 제2구동부재(433)는 제2노즐(430)이 직선운동 또는 회전운동을 하도록 구동력을 제공한다. 제1구동부재(413)와 제2구동부재(433)는 하나의 구동부재로 제공될 수도 있다. 제1노즐(410)과 제2노즐(430)은 각각 노즐지지대(382)의 저면을 따라 X축 방향으로 직선이동할 수 있다. 한편, 도 4를 참조할 때, 제1노즐(410)은 Y축과 평행한 축(Y1)을 중심으로 일정 각도의 범위 내에서 회전할 수 있다. 또한, 제2노즐(430)은 Y축과 평행한 축(Y2)을 중심으로 일정 각도의 범위 내에서 회전할 수 있다. 또한, 도 5를 참조할 때, 제1노즐(410)과 제2노즐(430)은 각각 X축과 평행한 축(X1)을 중심으로 일정 각도의 범위 내에서 회전할 수 있다. 상술한, 또는 후술할 일정 각도의 범위는 일 예로, 각각의 회전축을 중심으로 시계방향 또는 반시계방향으로 10°±5°일 수 있다. 청구항에 따라 X1축은 제1축으로 표현되고, Y1축과 Y2축은 제2축으로 표현된다.
3 is a partial cross-sectional view of the injection member of FIG. 2. 4 to 5 are diagrams illustrating an operation example of the nozzles of FIG. 2. 2 and 3 to 5, for example, the injection member 380 has two nozzle parts. That is, the injection member 380 includes a first nozzle portion 384 and a second nozzle portion 385. Alternatively, the injection member 380 may have three or more nozzle parts. Alternatively, the injection member 380 may have one nozzle portion. When the injection member 380 has two nozzle parts, the first nozzle part 384 has a first nozzle 410, a first processing liquid supply source 411, and a first driving member 413. The second nozzle unit 385 includes a second nozzle 430, a second processing liquid supply source 431, and a second driving member 433. The first nozzle 410 and the second nozzle 430 are arranged side by side in the X-axis direction. One of the first nozzle 410 and the second nozzle 430 may spray the treatment liquid by an inkjet method. The first processing liquid supply source 411 supplies the first processing liquid to the first nozzle 410, and the second processing liquid supply source 431 supplies the second processing liquid to the second nozzle 430. The first treatment liquid and the second treatment liquid may be the same or different. For example, the first treatment liquid may be chemical and the second treatment liquid may be ultrapure water. Alternatively, the first treatment liquid may be a first chemical, and the second treatment liquid may be a second chemical. The first chemical and the second chemical may be provided homogeneously. The first driving member 413 provides a driving force for the first nozzle 410 to perform a linear motion or a rotational motion. The second driving member 433 provides a driving force for the second nozzle 430 to perform a linear motion or a rotational motion. The first driving member 413 and the second driving member 433 may be provided as one driving member. Each of the first nozzle 410 and the second nozzle 430 may linearly move along the bottom surface of the nozzle support 382 in the X-axis direction. Meanwhile, referring to FIG. 4, the first nozzle 410 may rotate within a range of an angle about an axis Y1 parallel to the Y axis. In addition, the second nozzle 430 may rotate within a range of an angle about an axis Y2 parallel to the Y axis. In addition, referring to FIG. 5, the first nozzle 410 and the second nozzle 430 may each rotate within a range of an angle about an axis X1 parallel to the X axis. The range of the angle described above or below will be, for example, 10 ° ± 5 ° clockwise or counterclockwise around each axis of rotation. According to the claims, the X1 axis is represented by the first axis, and the Y1 axis and the Y2 axis are represented by the second axis.

도 6은 도 2의 분사부재의 다른 실시예에 따른 일부단면도이다. 도 7 내지 도 8은 도 6의 노즐들의 동작예를 나타낸 도면이다. 도 6 내지 도 8을 참조할 때, 제1노즐(410)과 제2노즐(430)은 Y축과 평행한 축(Y1)을 중심으로 일정 각도의 범위 내에서 회전할 수 있다. 또한, 제1노즐(410)과 제2노즐(430)은 Y1축과 나란하게 일정간격 이격되어 배치된다. 한편, 제1노즐(410)과 제2노즐(430)은 Y1축과 나란한 방향으로 서로 독립적으로 직선이동한다. 또한, 도 8을 참조할 때, 제1노즐(410)은 X축과 평행한 축(X1)을 중심으로 일정 각도의 범위 내에서 회전할 수 있다. 그리고 제2노즐(430)은 X축과 평행한 축(X2)을 중심으로 일정 각도의 범위 내에서 회전할 수 있다.
6 is a partial cross-sectional view according to another embodiment of the injection member of FIG. 2. 7 to 8 are diagrams showing an operation example of the nozzles of FIG. 6. 6 to 8, the first nozzle 410 and the second nozzle 430 may rotate within a range of an angle about an axis Y1 parallel to the Y axis. In addition, the first nozzle 410 and the second nozzle 430 are arranged to be spaced apart by a predetermined interval parallel to the Y1 axis. Meanwhile, the first nozzle 410 and the second nozzle 430 independently linearly move in a direction parallel to the Y1 axis. In addition, referring to FIG. 8, the first nozzle 410 may rotate within a range of an angle about an axis X1 parallel to the X axis. In addition, the second nozzle 430 may rotate within a range of a predetermined angle about an axis X2 parallel to the X axis.

도 9는 도 2의 분사부재의 또 다른 실시예에 따른 일부단면도이다.9 is a partial cross-sectional view according to still another embodiment of the injection member of FIG. 2.

도 2와 도 9를 참조하면, 분사부재(380)는 제1노즐부(384)와 제2노즐부(385)를 갖는다. 일 예로, 제1노즐부(384)는 제1노즐(410), 제1처리액공급원(411), 제1구동부재(413), 그리고 가스공급원(415)를 갖는다. 제1노즐(410)은 노즐지지대(382)의 하면에 결합된다. 제1처리액공급원(411)은 제1노즐(410)로 제1처리액을 공급하고, 가스공급원(415)은 제1노즐(410)로 분사가스를 공급한다. 제1처리액은 분사가스와 함께 제1노즐(410)을 통해 기판(미도시) 상으로 분사된다. 제1구동부재(413)는 제1노즐(410)을 노즐지지대(382)의 하면을 따라 X축 방향으로 직선이동하게 한다. 제2노즐부(385)는 제2노즐(430), 제2처리액공급원(431), 제2구동부재(433), 전원공급부(435), 그리고 압전소자(437)를 포함한다. 제2노즐(430)은 노즐지지대(382)의 하면에 결합된다. 제1노즐(410)과 제2노즐(430)은 Y축 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 제2처리액공급원(431)은 제2노즐(430)로 제2처리액을 공급한다. 제2구동부재(433)는 제2노즐(430)을 노즐지지대(382)의 하면을 따라 X축 방향으로 직선이동하게 한다. 전원공급부(435)는 압전소자(437)에 전원을 공급한다. 압전소자(437)는 압전효과(Piezoelectric Effect)를 이용한 소자이다. 압전효과는 직접효과(퀴리효과)와 역효과(리프먼효과)로 나뉜다. 직접효과(퀴리효과)는 일정한 고체 등의 결정에 압력을 가하면 전압이 발생하는 효과이고, 역효과(리프먼효과)는 전압을 가했을 때 결정체가 변형을 일으키는 효과이다. 전원공급부(435)는 압전소자(437)에 전원을 공급하여 압전소자(437)에 역효과(리프먼효과)를 유발한다. 즉, 제2노즐(430)은 잉크젯 방식으로 제2처리액을 기판(미도시) 상으로 분사한다.
2 and 9, the injection member 380 has a first nozzle portion 384 and a second nozzle portion 385. For example, the first nozzle unit 384 includes a first nozzle 410, a first processing liquid supply source 411, a first driving member 413, and a gas supply source 415. The first nozzle 410 is coupled to the lower surface of the nozzle support 382. The first processing liquid supply source 411 supplies the first processing liquid to the first nozzle 410, and the gas supply source 415 supplies the injection gas to the first nozzle 410. The first treatment liquid is injected onto the substrate (not shown) through the first nozzle 410 together with the injection gas. The first driving member 413 causes the first nozzle 410 to linearly move along the lower surface of the nozzle support 382 in the X-axis direction. The second nozzle unit 385 includes a second nozzle 430, a second processing liquid supply source 431, a second driving member 433, a power supply unit 435, and a piezoelectric element 437. The second nozzle 430 is coupled to the lower surface of the nozzle support 382. The first nozzle 410 and the second nozzle 430 may be arranged side by side in the Y-axis direction. The second processing liquid supply source 431 supplies the second processing liquid to the second nozzle 430. The second driving member 433 linearly moves the second nozzle 430 along the lower surface of the nozzle support 382 in the X-axis direction. The power supply unit 435 supplies power to the piezoelectric element 437. The piezoelectric element 437 is a device using a piezoelectric effect. Piezoelectric effect is divided into direct effect (curie effect) and inverse effect (leafman effect). The direct effect (the Curie effect) is the effect that a voltage is generated when pressure is applied to a crystal such as a solid, and the reverse effect (the Leifman effect) is the effect that the crystal deforms when a voltage is applied. The power supply unit 435 supplies power to the piezoelectric element 437 to cause an adverse effect (leafman effect) on the piezoelectric element 437. That is, the second nozzle 430 sprays the second processing liquid onto the substrate (not shown) by an inkjet method.

도 10 내지 도 11은 도 3의 노즐들의 동작과정을 나타낸 도면이다.10 to 11 are views illustrating an operation process of the nozzles of FIG. 3.

도 10을 참조하면, 제1노즐(410)을 Y1축을 중심으로 일정 각도의 범위 내에서 회전시키며 처리액을 기판(W) 상으로 분사시킴으로써, 패턴 간격(d) 내에 있는 파티클들(P)을 제거할 수 있다. 또한, 제2노즐(430)은 Y2축을 중심으로 일정 각도의 범위 내에서 회전하며 처리액을 기판(W) 상으로 분사함으로써, 패턴이 형성되지 않은 영역의 파티클들(P')을 제거할 수 있다. 도 11을 참조하면, 제1노즐(410)과 제2노즐(430)은 X1축을 중심으로 일정 각도의 범위 내에서 회전하며 처리액을 기판(W) 상으로 분사함으로써, 패턴 간격(d) 내에 있는 파티클들(P)과 패턴이 형성되지 않은 영역의 파티클들(P')을 제거할 수 있다. 한편, 제1노즐(410)과 제2노즐(430) 사이에는 가스분사부(910)를 더 구비할 수 있다. 가스분사부(910)를 통해 가스를 분사하여 에어커튼을 형성함으로써 일 예로, 제1노즐(410)로 인해 제거된 파티클들(P)이 제2노즐(430) 방향으로 확산되는 것을 방지할 수 있다.
Referring to FIG. 10, by rotating the first nozzle 410 within a range of an angle about the Y1-axis and spraying the treatment liquid onto the substrate W, the particles P in the pattern interval d are removed. Can be removed. In addition, the second nozzle 430 may rotate within a range of an angle about the Y2 axis and spray the treatment liquid onto the substrate W to remove particles P ′ in an area where the pattern is not formed. have. Referring to FIG. 11, the first nozzle 410 and the second nozzle 430 are rotated within a range of an angle about the X1 axis and spray the treatment liquid onto the substrate W within the pattern interval d. Particles P and particles P 'in a region where a pattern is not formed may be removed. Meanwhile, a gas injection unit 910 may be further provided between the first nozzle 410 and the second nozzle 430. For example, by spraying gas through the gas injection unit 910 to form an air curtain, particles P removed by the first nozzle 410 may be prevented from being diffused toward the second nozzle 430. have.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention.

따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

10 : 인덱스모듈 18 : 캐리어
20 : 공정처리모듈 120 : 로드포트
140 : 이송프레임 220 : 버퍼유닛
240 : 이송챔버 260 ; 공정챔버
320 : 하우징 340 : 스핀헤드
360 : 승강유닛 380 : 분사부재
382 : 노즐지지대 384 : 제1노즐부
385 : 제2노즐부 410 : 제1노즐
430 : 제2노즐10: index module 18: carrier
20: process module 120: load port
140: transfer frame 220: buffer unit
240: transfer chamber 260; Process chamber
320 housing 340: spin head
360: lifting unit 380: spray member
382: nozzle support 384: first nozzle portion
385: second nozzle unit 410: first nozzle
430: second nozzle

Claims

기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징과;
상기 공정 진행 중 상기 기판을 지지하고 회전시키는 스핀헤드와;
상기 하우징을 상하 방향으로 이동시키는 승강유닛과;
상기 공정 진행 중 상기 기판 상으로 처리액을 공급하는 처리액 분사부재를 포함하되,
상기 처리액 분사부재는,
기판 상에 처리액을 분사하는 노즐들을 갖는 복수개의 노즐부와;
상기 노즐들이 연결되고, 처리공정에 따라 상기 노즐들을 상기 기판 상으로 이동시키는 지지부재와;
상기 지지부재의 하부에 연결되고, 상기 지지부재를 승하강 또는 회전시키는 구동기를 포함하고,
상기 노즐들은, 상기 지지부재 상에서 서로 독립적으로 이동하며 상기 처리액을 상기 기판 상으로 분사하는 기판 처리 장치.A housing providing a space in which the substrate processing process is performed;
A spin head for supporting and rotating the substrate during the process;
A lifting unit for moving the housing in a vertical direction;
Including the processing liquid injection member for supplying the processing liquid onto the substrate during the process,
The treatment liquid injection member,
A plurality of nozzle portions having nozzles for spraying a processing liquid on the substrate;
A support member connected to the nozzles and moving the nozzles onto the substrate in accordance with a processing step;
Is connected to the lower portion of the support member, including a driver for lifting or rotating the support member,
And the nozzles move independently of each other on the support member and spray the processing liquid onto the substrate.

제1항에 있어서,
상기 지지부재는,
저면의 일단에 상기 노즐들이 연결된 노즐지지대와;
상기 노즐지지대의 타단으로부터 수직하게 하방향으로 연장된 지지축을 가지며,
상기 노즐들은 독립적으로 상기 노즐지지대의 하면을 따라 직선이동하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The support member,
A nozzle support connected to the nozzles at one end of a bottom surface thereof;
Has a support shaft extending in the vertical direction from the other end of the nozzle support,
And the nozzles independently move linearly along the lower surface of the nozzle support.