KR20240000387A - 마스크 블랭크스용 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

마스크 블랭크스용 기판 및 그 제조 방법 Download PDF

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하루노부 마츠이
나오키 야리타
마사키 다케우치
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신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

한 변이 152㎜×152㎜인 정사각형의 제1 및 제2 주 표면의 2개의 주 표면을 갖고, 두께가 6.35㎜이며, 제1 및 제2 주 표면의 각각에 있어서, 대각선의 교점을 중심으로 하는 한 변이 132㎜×132㎜인 정사각형의 범위를 산출 영역으로 했을 때, 제1 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역의 기판 표면에 있어서, 산출 영역의 기판 표면의 최소 제곱 평면을 기준으로 한 평탄도가 100㎚ 이하이며, 또한 가우시안 필터(10㎜×10㎜)에 의한 평활화 처리 전의 기판 표면의 형상과, 평활화 처리의 후의 형상의 차분으로 표시되는 산출면의, 최소 제곱 평면을 기준으로 한, 높이의 최고값과 최저값의 차(PV)가 20㎚ 이하인 마스크 블랭크스용 기판.
노광용 마스크를 사용한 노광, 특히 EUVL에 의한 노광에 있어서, 노광용 마스크를 노광 장치로 파면 보정했을 때, 기판의 주 표면이, 고평탄의 형상이 되는 노광용 마스크를 부여할 수 있다.

Description

마스크 블랭크스용 기판 및 그 제조 방법{SUBSTRATE FOR MASK BLANKS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은, 포토리소그래피에 사용하는 마스크 블랭크스용 기판 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 노광광으로 EUV(Extreme Ultra Violet)광이 사용되는 포토리소그래피의 전사용 마스크를 제조하기 위해서 사용되는 마스크 블랭크스에 적합한 마스크 블랭크스용 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
근년, AI나 IoT에 관심이 집중됨에 따라 방대한 데이터의 연산 처리가 필요해지고 있으며, 그것에 수반하여, 연산 처리의 고속화나 에너지 절약화가 요구되고 있다. 이 요구에 부응하기 위해서는, IC칩의 성능 향상이 필요하며, 일반적으로, 전기 배선의 미세화가 유효한 수단으로서 채용되고 있다. 배선의 미세화에는, 주로, 고 NA화나 노광광의 단파장화 등이 채용되고 있지만, 근년에는, 극단자외(EUV)광을 사용한 EUV 리소그래피(EUVL)가 실용화되고 있다.
EUVL에 있어서, 노광용 마스크는 중요한 요소의 하나이며, 노광용 마스크의 원판(마스크 블랭크스)용 유리 기판의 평탄도를 향상시키는 것은, 정확한 노광을 실현하기 위해서 매우 중요하다. 통상의 유리 기판의 제조 방법으로서는, 양면 동시 연마가 주류이지만, 양면 동시 연마만으로는, EUVL에 사용할 수 있을 정도로 양호한 평탄도를 얻지 못한다. 높은 평탄도를 실현하기 위해서는, 편면씩 연마에 의해 표면 형상에 맞춘 평탄도의 수정이 필요하며, 이것에는, 국소 에칭이나 국소 가공 등의 국소 가공 기술이 이용되고 있다. 이들은, 상대적으로 볼록한 영역을 제거함으로써, 기판 전체를 평탄하게 접근하는 방법이다.
이와 같이 하여 고평탄의 유리 기판을 얻을 수가 있더라도, 고평탄화 기술에는 한계가 있기 때문에, 일반적으로는 이것을 노광 장치의 파면 보정 기능에 의해 해결하고 있다. 파면 보정 기능으로 노광용 마스크의 표면 형상을 광학적으로 보정함으로써, 국소 가공 기술이 불충분한 경우에도, 광학적으로 고평탄의 노광용 마스크를 사용할 수 있다.
노광 장치의 파면 보정 기능을 고려한 평탄도에 관해서는, 예를 들어 국제 공개 제2016/098452호(특허문헌 1)에는, 표리 양쪽 주 표면에 대하여 종래의 양면 연마와 국소 가공을 실시한 기판을 사용하여 제작된 반사형 마스크를, 노광 장치에 척하여 노광 전사를 행했을 때에 높은 전사 정밀도를 얻기 위해서는, 정전 척되어 있을 때의 기판의 표측 주 표면의 형상을, 노광 장치의 파면 보정 기능으로 보정 가능한 제르니케 다항식으로 정의 가능한 형상(가상 표면 형상)에 가깝게 하면, 기판이 표측 주 표면의 형상의 변화에 영향을 주는 판 두께 변동을 갖고 있어도, 노광 장치의 파면 보정 기능으로 보정이 용이한 경향의 판 두께 변동으로 할 수 있고, 그와 같은 기판을 갖는 전사용 마스크가, 전사 패턴을, 전사 대상물에 대하여 고정밀도로 노광 전사할 수 있다는 것이 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2016-134509호(특허문헌 2)에는, 국소 가공 툴을 사용했을 때에 발생하는 가공 피치 유래의 가공흔에 대한 기재가 있으며, 기판 단부의 모따기면에 발생한 국소 가공 유래의 가공흔은, 평탄도 측정에 악영향을 미치고, 측정 재현성을 저하시켜서, 모따기면의 연마를 실시하고, 단면의 굴곡 성분을 제거함으로써, 평탄도의 측정 재현성을 향상시킬 수 있다고 기재되어 있다.
국제 공개 제2016/098452호 일본 특허 공개 제2016-134509호 공보 일본 특허 공개 제2010-194705호 공보
파면 보정 기능은, 노광용 마스크의 3차원 형상을 다항식 근사함으로써 보정하고 있지만, 비교적 완만한 표면 형상 성분(장파장 성분)은, 저차의 간단한 다항식으로 기술할 수 있는 데 비하여, 급준한 표면 형상 성분(단파장 성분)의 기술에는 고차의 복잡한 다항식이 필요하다. 따라서, 장파장 성분의 보정의 효과가 상대적으로 높아져서, 동일한 평탄도여도, 표면의 파면 형상이, 장파장 성분 주체의 기판과 단파장 성분 주체의 기판에서는, 파면 보정 기능의 효과에 차가 발생하여, 광학적인 평탄성에 차가 발생한다고 생각된다. EUVL의 배선 미세화에 대하여 보다 고평탄의 노광용 마스크가 요구되고 있으며, 그 흐름에 수반하여, 파면 보정 기능의 추가적인 능력 향상은 충분히 기대할 수 있지만, 파면 보정 기능에 의해, 단파장의 성분을 더욱 보정하는 것은, 금후에는 더욱 곤란해질 것으로 생각된다. 한편, 유리 기판의 가공 기술에 의한 평탄도의 추가적인 개선은 한계에 이르고 있다는 것을 생각하면, 파면 보정 기능으로는 보정할 수 없는 단파장 성분의 저감이 중요하다.
국제 공개 제2016/098452호(특허문헌 1)에 기재된 방법은, 노광 장치에 대한 흡착 시의 표측 주 표면과 이측 주 표면의 합성 평면을 산출하는 과정과, 이것을 제르니케 다항식으로 피팅한 형상으로부터, 광학 보정 후의 표면 형상을 예상하는 과정으로 구성되어 있다. 그러나, 이 방법에서는, 직경 104㎜의 원형 영역 내의 평탄도를 규정하고 있으며, 실제로 노광에 사용되는 영역(한 변이 132㎜×132㎜인 정사각형)보다도 좁아 불충분하다. 또한, 여기서 고려되고 있는 파면 보정 기능은, 제르니케 다항식의 제6항까지의 장파장 성분만이며, 보다 짧은 파장의 성분을 고려하고 있지는 않다.
일본 특허 공개 제2016-134509호(특허문헌 2)에는, 국소 가공 유래의 굴곡 성분에 관한 기술은 있지만, 노광에 사용하지 않는 모따기면에 관한 것이다. 또한, 아주 작은 영역 내의 굴곡에 관한 기술밖에 없으며, 일본 특허 공개 제2016-134509호(특허문헌 2)에 기재된 방법에서는, 주 표면 전체에 걸치는 굴곡 성분을 고려하고 있지는 않다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 노광용 마스크를 사용한 노광, 특히 EUVL에 의한 노광에 있어서, 노광기의 파면 보정 기능으로, 광학적으로고평탄해지는 노광용 마스크를 부여하는 마스크 블랭크스용 기판 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 마스크 블랭크스용 기판의 주 표면에 대하여 소정의 산출 영역을 설정했을 때, 산출 영역의 주 표면에 있어서, 산출 영역의 평탄도가 100㎚ 이하이며, 또한 가우시안 필터(10㎜×10㎜)에 의한 평활화 처리의 전후의 형상과의 차분으로 표시되는 산출면의, 높이의 최고값과 최저값의 차가 20㎚ 이하인 마스크 블랭크스용 기판이, 주 표면의 급준한 표면 형상 성분(단파장 성분)이 저감된, 노광 장치에 있어서의 파면 보정 기능으로, 고평탄이 되는 노광용 마스크를 제공할 수 있다는 것을 알게 되었다.
또한, 본 발명자들은, 이와 같은 마스크 블랭크스용 기판을, 국소 가공 공정과, 국소 가공 공정에 계속되는 마무리 연마 공정을 포함하는 방법에 의해 제조하고, 국소 가공 공정에 있어서, 국소 가공 공정 후, 마무리 연마 공정 전의 주 표면의 형상에 대하여 미리 파악된 주 표면의 마무리 연마 공정 후의 주 표면의 형상의 변화를 적용하여, 마무리 연마 공정 후의 주 표면의 형상을 예측하고, 예측된 주 표면의 형상이, 소정의 평탄성을 갖는 형상인지 여부를 평가하는 것, 나아가, 마무리 연마 공정에 있어서, 단파장 성분을 감소시키는 연마를 실시함으로써, 노광 장치에 있어서의 파면 보정 기능으로 고평탄이 되는 노광용 마스크를 부여하는 마스크 블랭크스용 기판을, 확실하고도 생산성 높게 제조할 수 있다는 것을 알게 되어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
따라서, 본 발명은, 이하의 마스크 블랭크스용 기판 및 마스크 블랭크스용 기판의 제조 방법을 제공한다.
1. 한 변이 152㎜×152㎜인 정사각형의 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 2개의 주 표면을 갖고, 두께가 6.35㎜인 마스크 블랭크스용 기판이며,
상기 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 각각에 있어서, 대각선의 교점을 중심으로 하는 한 변이 132㎜×132㎜인 정사각형의 범위를 산출 영역으로 했을 때,
상기 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역의 기판 표면에 있어서,
해당 산출 영역의 기판 표면의 최소 제곱 평면을 기준으로 한 평탄도가 100㎚ 이하이며, 또한 가우시안 필터(10㎜×10㎜)에 의한 평활화 처리 전의 기판 표면의 형상과, 상기 평활화 처리의 후의 형상의 차분으로 표시되는 산출면의, 상기 최소 제곱 평면을 기준으로 한, 높이의 최고값과 최저값의 차(PV)가 20㎚ 이하인
것을 특징으로 하는 마스크 블랭크스용 기판.
2. 상기 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역 내의 한 변이 1㎜×1㎜인 정사각형의 임의의 범위에 있어서, 상기 최소 제곱 평면을 기준으로 한 높이의 최고값과 최저값의 차(LS)가, 상기 산출 영역 내의 어느 것에 있어서도, 15㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 1에 기재된 마스크 블랭크스용 기판.
3. 상기 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역 내에 설정한 적어도 하나의 한 변이 6㎜×6㎜인 정사각형의 임의의 범위에 있어서,
(1) 한 변이 6㎜×6㎜인 정사각형의 범위 내를 10㎛ 피치보다 미세한 정밀도로 표면 형상을 측정하여 높이 맵을 작성하고,
(2) 상기 6㎜×6㎜의 범위 내의 높이 맵을 x방향으로 편미분하여 얻은 x 편미분 맵을 작성하고,
(3) 상기 6㎜×6㎜의 범위 내의 높이 맵을 y방향으로 편미분하여 얻은 y 편미분 맵을 작성하고,
(4) 상기 x 편미분 맵 및 y 편미분 맵으로부터 전체 미분 맵을 작성하고,
(5) 상기 전체 미분 맵의 최고값과 최저값의 차(PVXY)를 산출했을 때,
상기 PVXY가, 상기 산출 영역 내의 어느 것에 있어서도, 0.1㎚/㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 1에 기재된 마스크 블랭크스용 기판.
4. 한 변이 152㎜×152㎜인 정사각형의 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 2개의 주 표면을 갖고, 두께가 6.35㎜인 마스크 블랭크스용 기판을 제조하는 방법이며,
상기 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 주 표면에 대한 국소 가공 공정과, 해당 국소 가공 공정에 계속되는 마무리 연마 공정을 포함하고,
상기 국소 가공 공정이,
(A) 상기 주 표면의 마무리 연마 공정 전후의 표면의 형상의 변화를 파악하는 공정과,
(B) 상기 주 표면을 국소 가공하는 공정과,
(C) (B) 공정 후의 상기 주 표면의 형상을, 마무리 연마 공정 전의 표면의 형상으로서 측정하는 공정과,
(D) (C) 공정에서 얻어진 마무리 연마 공정 전의 표면의 형상에 대하여, (A) 공정에서 파악한 표면의 형상의 변화를 적용하여, 마무리 연마 공정 후의 상기 주 표면의 형상을 예측하는 공정과,
(E) (D) 공정에서 예측된 상기 주 표면의 형상이, 소정의 평탄성을 갖는 형상인지 여부를 평가하는 공정
을 포함하고,
상기 마무리 연마 공정이,
(F) 상기 주 표면의 단파장 성분을 감소시키는 연마 공정
을 포함하는
것을 특징으로 하는 마스크 블랭크스용 기판의 제조 방법.
5. 상기 (F) 공정에서의 주 표면의 단파장 성분을 감소시키는 연마가, 경질 연마포를 사용한 연마인 것을 특징으로 하는 4에 기재된 제조 방법.
6. 상기 (E) 공정에서의 상기 소정의 평탄성을 갖는 형상이,
상기 주 표면의 대각선의 교점을 중심으로 하는 한 변이 132㎜×132㎜인 정사각형의 범위를 산출 영역으로 했을 때,
상기 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역의 기판 표면에 있어서, 상기 산출 영역의 기판 표면의 최소 제곱 평면을 기준으로 한 평탄도가 100㎚ 이하인 형상
인 것을 특징으로 하는 4 또는 5에 기재된 제조 방법.
7. 상기 (E) 공정에서의 상기 소정의 평탄성을 갖는 형상이,
상기 주 표면의 대각선의 교점을 중심으로 하는 한 변이 132㎜×132㎜인 정사각형의 범위를 산출 영역으로 했을 때,
상기 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역의 기판 표면에 있어서, 가우시안 필터(10㎜×10㎜)에 의한 평활화 처리 전의 기판 표면의 형상과, 상기 평활화 처리의 후의 형상의 차분으로 표시되는 산출면의, 상기 최소 제곱 평면을 기준으로 한, 높이의 최고값과 최저값의 차(PV)가 20㎚ 이하인 형상
인 것을 특징으로 하는 6에 기재된 제조 방법.
8. 상기 (E) 공정에서의 상기 소정의 평탄성을 갖는 형상이,
상기 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역 내의 한 변이 1㎜×1㎜인 정사각형의 임의의 범위에 있어서, 상기 최소 제곱 평면을 기준으로 한 높이의 최고값과 최저값의 차(LS)가, 상기 산출 영역 내의 어느 것에 있어서도, 15㎚ 이하인 형상
인 것을 특징으로 하는 7에 기재된 제조 방법.
9. 상기 (E) 공정에서의 상기 소정의 평탄성을 갖는 형상이,
상기 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역 내에 설정한 적어도 하나의 한 변이 6㎜×6㎜인 정사각형의 임의의 범위에 있어서,
(1) 한 변이 6㎜×6㎜인 정사각형의 범위 내를 10㎛ 피치보다 미세한 정밀도로 표면 형상을 측정하여 높이 맵을 작성하고,
(2) 상기 6㎜×6㎜의 범위 내의 높이 맵을 x방향으로 편미분하여 얻은 x 편미분 맵을 작성하고,
(3) 상기 6㎜×6㎜의 범위 내의 높이 맵을 y방향으로 편미분하여 얻은 y 편미분 맵을 작성하고,
(4) 상기 x 편미분 맵 및 y 편미분 맵으로부터 전체 미분 맵을 작성하고,
(5) 상기 전체 미분 맵의 최고값과 최저값의 차(PVXY)를 산출했을 때,
상기 PVXY가, 상기 산출 영역 내의 어느 것에 있어서도, 0.1㎚/㎛ 이하인 형상
인 것을 특징으로 하는 7에 기재된 제조 방법.
10. 상기 (E) 공정에 있어서, 상기 (D) 공정에서 예측된 주 표면의 형상이, 상기 소정의 평탄성을 갖는 형상이 아닌 경우, 상기 국소 가공 공정을 재차 실시하는 것을 특징으로 하는 4 또는 5에 기재된 제조 방법.
본 발명의 마스크 블랭크스용 기판은, 노광용 마스크를 사용한 노광, 특히 EUVL에 의한 노광에 있어서, 노광용 마스크를 노광 장치로 파면 보정했을 때, 기판의 주 표면이, 고평탄의 형상이 되는 노광용 마스크를 부여할 수 있다. 또한, 본 발명의 마스크 블랭크스용 기판의 제조 방법에 의하면, 이와 같은 마스크 블랭크스용 기판을, 확실하고도 생산성 높게 제조할 수 있다.
이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명의 마스크 블랭크스용 기판은, 한 변이 152㎜×152㎜인 정사각형의 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 2개의 주 표면을 갖고, 두께가 6.35㎜이다. 이 사이즈의 기판은, 소위 6025 기판이라 칭해지고, 한 변이 6인치×6인치인 정사각형의 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 2개의 주 표면을 갖고, 두께가 0.25인치인 기판이다.
본 발명의 마스크 블랭크스용 기판의 재료는, 종래 사용되고 있는 재료여도 되며, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 미세 패턴의 묘화에는, 고에너지의 노광광에 노출되기 때문에, 고온하에서의 치수 안정성이 매우 높은 3 내지 10질량％의 TiO2를 함유하는 TiO2 도프 석영 유리가 적합하게 사용된다. 마스크 블랭크스용 기판의 원료 기판은, 통상법에 따라 합성, 성형, 가공된 것을 사용할 수 있다.
마스크 블랭크스용 기판에는, 높은 평탄도가 요구되고 있다. 이것은, 평탄도가 높을수록, 목적하는 바의 노광이 달성되기 쉬워지기 때문이며, 평탄도가 보다 높은 기판이 미세 패턴의 묘화에 적합한 마스크 블랭크스용 기판이라고 할 수 있다. 마스크 블랭크스용 기판에는, 노광용 마스크로 했을 때에 노광 패턴(배선 패턴 등)이 형성되는 제1 주 표면과, 노광 패턴이 형성되지 않는 제2 주 표면이 있고, 제2 주 표면이, 노광기에 흡착되어 보유 지지된다. 이 중, 최첨단 용도에서는 반사형 마스크가 주류이기 때문에, 제1 주 표면의 평탄도가 매우 높은 레벨로 요구되고 있다. 그 때문에, 제1 주 표면의 평탄도를 향상시키기 위해서, 국소 가공 기술에 의한 평탄화도 다양하게 검토되고 있다.
한편으로, 노광기측의 기능으로서, 파면 보정 기능이 존재한다. 이것은 평탄도가 낮은 기판이어도, 광학적으로 표면 형상을 보정하는 기능이며, 이것에 의하면, 평탄도가 낮은 기판이어도, 평탄도가 높은 기판과 마찬가지의 노광 결과를 얻을 것을 기대할 수 있다. 그러나, 파면 보정 기능을 사용하면, 모든 형상을 보정할 수 있다고 하는 것은 아니며, 일반적으로, 완만한 파면 형상의 보정은 가능하지만, 급준한 파면 형상의 보정은 곤란하다. 이와 같이, 평탄도가 동일한 마스크 블랭크스용 기판이어도, 국소적인 완만한 파면 형상과 급준한 형상의 비율에 의해, 노광 성능에 차이가 난다.
본 발명의 마스크 블랭크스용 기판은, 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 각각에 있어서, 대각선의 교점을 중심으로 하는 한 변이 132㎜×132㎜인 정사각형의 범위를 산출 영역으로 했을 때, 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역의 기판 표면에 있어서, 평탄도가 100㎚ 이하인 것이 바람직하다. 산출 영역은, 마스크 블랭크스용 기판의 주 표면의 4변의 각각과, 산출 영역의 4변의 각각이, 평행해지도록 설정된다.
마스크 블랭크스용 기판의 주 표면의 형상의 측정에는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들어 레이저 간섭계를 사용할 수 있다. 레이저 간섭계로 측정할 수 있는 형상은, 기판의 주 표면의 높이 맵의 미가공(生) 데이터이며, 이 경우, 그 높이의 기준은, 측정 시에 기판을 적재하는 다이가 된다. 본 발명에서는, 이 기판의 주 표면의 높이 맵에 대하여, 주 표면의 최소 제곱 평면(면 또는 높이 맵의 최소 제곱 평면)을 산출하고, 그 최소 제곱 평면을 기준으로 한 높이 맵으로 보정함으로써, 기판을 적재하는 다이의 형상의 영향을 제거할 수 있다. 또한, 평탄도란, 대상면의 최소 제곱 평면을 기준으로 하여, 대상면의 최소 제곱 평면과, 대상면의 차분을 산출했을 때의, 그 차분의 대상 면 내의 최고값(최고 높이)과 최저값(최저 높이)의 차이다. 본 발명에서는, 대상면을 산출 영역의 면으로 하고, 산출 영역의 면의 최소 제곱 평면을 기준으로 하여, 산출 영역의 면의 최소 제곱 평면과, 산출 영역의 면의 차분을 산출했을 때의, 그 차분의 산출 영역의 면 내의 최고값(최고 높이)과 최저값(최저 높이)의 차를 평탄도라 한다.
산출 영역의 평탄도는, 100㎚ 이하인 것이 바람직하지만, 80㎚ 이하인 것이 보다 바람직하며, 70㎚ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 평탄도가 100㎚ 이하이면 마스크 블랭크스용 기판으로부터 마스크 블랭크스를 거쳐 얻은 노광용 마스크를 사용한 노광에 있어서, 전사 정밀도가 양호한 노광을 실현할 수 있다. 한편, 평탄도가 100㎚보다도 크면, 양호한 노광을 실현할 수 없을 우려가 있다.
또한, 주 표면의 형상 중, 노광기의 파면 보정 기능으로 보정 가능한(파면 보정 기능으로 파면 형상의 영향이 완화된) 파장 성분과, 보정 곤란한(파면 보정 기능으로 파면 형상의 영향이 실질적으로 완화되지 않은) 파장 성분을 분리함으로써, 노광용 마스크가 노광기에 의해 보정된 상태의 주 표면의 형상을, 보다 높은 정밀도로 파악할 수 있다. 여기서, 보정 가능한 파장 성분이란, 비교적 완만한 파면 형상에 상당하는 성분(장파장 성분)이며, 보정 곤란한 파장 성분이란, 비교적 급준한 파면 형상에 상당하는 성분(단파장 성분)이다.
본 발명의 마스크 블랭크스용 기판은, 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 각각에 있어서, 대각선의 교점을 중심으로 하는 한 변이 132㎜×132㎜인 정사각형의 범위를 산출 영역으로 했을 때, 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역의 기판 표면에 있어서, 단파장 성분의 높이 최고값과 최저값의 차를 반영하는, 산출 영역의 기판 표면에 대하여 평활화 처리를 실시했을 때, 평활화 처리 전의 기판 표면의 형상과, 평활화 처리의 후의 형상의 차분으로 표시되는 산출면의, 높이의 최고값과 최저값의 차(PV)가 20㎚ 이하인 것이 바람직하다. 이 높이의 기준은, 산출 영역의 주 표면(즉, 평활화 처리 전의 주 표면)의 최소 제곱 평면으로 할 수 있다.
이 평활화 처리는, 파면 형상을 갖는 면을, 수리적 처리에 의해, 보다 평활한 면으로 변환하는 처리이다. 평활화 처리는, 화상 처리 등에서 이용되고 있는 가우시안 필터를 사용할 수 있으며, 구체적으로는, 가우시안 필터(10㎜×10㎜)에 의한 평활화 처리가 바람직하다. 가우시안 필터란, 면의 미소 영역 내의 평활화를 면 전체에 걸쳐 실시하는 평활화 처리이다. 구체적으로는, X㎜의 가우시안 필터란, 어떤 측정점의 주위 X㎜×X㎜에 착안하여, 가우스 분포 함수를 사용하여 멀어질수록 가중치가 작아지도록, 하기 식
ｆ（ｘ，ｙ）＝１／（２πσ2）ｅｘｐ（－（ｘ2＋ｙ2）／（２σ2））
에 기초하여, 레이트를 계산하는 필터이다. 가우시안 필터, 특히 10㎜×10㎜의 가우시안 필터를 사용함으로써 노광용 마스크의 표면 형상에 있어서, 평활화 처리 후의 면을, 노광기의 파면 보정 기능으로 보정 가능한 파장 성분(장파장 성분)이 반영된 면으로서 추정할 수 있고, 이것을, 장파장 성분의 높이 맵으로 할 수 있다. 한편, 평활화 처리 전의 기판 표면의 형상과, 평활화 처리의 후의 형상의 차분으로 표시되는 산출면은, 노광용 마스크의 표면 형상에 있어서, 노광기의 파면 보정 기능으로 보정 곤란한 파장 성분(단파장 성분)이 반영된 면이다.
산출면의 높이의 최고값과 최저값의 차(PV)는, 20㎚ 이하인 것이 바람직하지만, 나아가, 18㎚ 이하인 것이 바람직하고, 15㎚ 이하인 것이 보다 바람직하며, 10㎚ 이하인 것이 더욱 바람직하다. PV가 20㎚ 이하이면 마스크 블랭크스용 기판으로부터 마스크 블랭크스를 거쳐 얻은 노광용 마스크를 사용한 노광에 있어서, 전사 정밀도가 양호한 노광을 실현할 수 있다. 한편, PV가 20㎚보다도 크면, 양호한 노광을 실현할 수 없을 우려가 있다.
또한, 본 발명의 마스크 블랭크스용 기판은, 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역 내의 한 변이 1㎜×1㎜인 정사각형의 임의의 범위에 있어서, 높이의 최고값과 최저값의 차(LS: Local Slope)가, 산출 영역 내의 어느 것에 있어서도(한 변이 1㎜×1㎜인 정사각형의 임의의 범위를, 산출 영역 내의 어느 위치에 설정하여도), 15㎚ 이하인 것(최대의 LS가 15㎚ 이하인 것)이 바람직하다. 이 높이의 기준은, 산출 영역의 주 표면(즉, 평활화 처리 전의 주 표면)의 최소 제곱 평면으로 할 수 있다. LS는, 미소 영역의 평탄도이며, 표면 형상에 있어서의 국소적인 기울기의 최댓값을 나타낸다. LS가 크다는 것은, 극단파장 성분이 존재한다는 것을 의미하고, 극단파장 성분은, 파면 보정 기능에 의한 보정을 할 수 없기 때문에, LS가 큰 것에서는, 충분한 노광 특성을 얻지 못하는 경우가 있다. LS는, 나아가, 12㎚ 이하인 것(최대의 LS가 12㎚ 이하인 것)이 바람직하고, 10㎚ 이하인 것(최대의 LS가 10㎚ 이하인 것)이 보다 바람직하다. LS가 15㎚ 이하이면 마스크 블랭크스용 기판으로부터 마스크 블랭크스를 거쳐 얻은 노광용 마스크를 사용한 노광에 있어서, 전사 정밀도가 보다 양호한 노광을 실현할 수 있다.
또한, 본 발명의 마스크 블랭크스용 기판은, 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역 내에 설정한 적어도 하나의 한 변이 6㎜×6㎜인 정사각형의 임의의 범위에 있어서, 10㎛ 피치보다도 높은 정밀도로 표면 형상을 측정했을 때의, 그 영역에 있어서의 표면 형상의 높이 맵을 전체 미분하여 얻은 전체 미분 맵의 최고값과 최저값의 차(PVXY)가, 0.1㎚/㎛ 이하인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역 내에 설정한 적어도 하나의 한 변이 6㎜×6㎜인 정사각형의 임의의 범위에 있어서,
(1) 한 변이 6㎜×6㎜인 정사각형의 범위 내를 10㎛ 피치보다 미세한 정밀도로 표면 형상을 측정하여 높이 맵을 작성하고,
(2) 6㎜×6㎜의 범위 내의 높이 맵을 x방향으로 편미분하여 얻은 x 편미분 맵을 작성하고,
(3) 6㎜×6㎜의 범위 내의 높이 맵을 y방향으로 편미분하여 얻은 y 편미분 맵을 작성하고,
(4) x 편미분 맵 및 y 편미분 맵으로부터 전체 미분 맵을 작성하고,
(5) 전체 미분 맵의 최고값과 최저값의 차(PVXY)를 산출했을 때,
PVXY가 0.1㎚/㎛ 이하인 것이 바람직하다.
PVXY는, 수㎛ 오더의 미소한 영역의 기울기이며, 표면 형상에 있어서의 국소적인 기울기의 강도를 나타낸다. PVXY가 크다는 것은, 극단파장 성분이 존재한다는 것을 의미하고, 극단파장 성분은, 파면 보정 기능에 의한 보정을 할 수 없기 때문에, PVXY가 큰 것에서는, 충분한 노광 특성을 얻지 못하는 경우가 있다. PVXY는, 나아가, 0.085㎚/㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.07㎚/㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. PVXY가 0.1㎚/㎛ 이하이면 마스크 블랭크스용 기판으로부터 마스크 블랭크스를 거쳐 얻은 노광용 마스크를 사용한 노광에 있어서, 전사 정밀도가 보다 양호한 노광을 실현할 수 있다. 또한, PVXY는, 산출 영역의 중앙의 한 변이 6㎜×6㎜인 정사각형의 범위가 상기 범위 내인 것이 바람직하고, 나아가, 산출 영역 내의 어느 것에 있어서도(한 변이 6㎜×6㎜인 정사각형의 임의의 범위를 산출 영역 내의 어느 위치에 설정하여도), 상기 범위 내인 것(최대의 PVXY가 상기 범위 내인 것)이 보다 바람직하다.
상기 전체 미분 맵은, 예를 들어 이하와 같이 하여 작성할 수 있다. 우선, 10㎛ 피치보다도 미세한 정밀도로, 산출 영역 내의 6㎜×6㎜의 범위에 있어서의 높이 맵을 측정한다. 또한, 측정에는, 예를 들어 3D 광학 표면 프로파일러(Nexview, Zygo Corporation 제조)를 사용할 수 있다. 다음으로, 작성한 6㎜×6㎜의 범위에 있어서의 높이 맵의 x방향의 편미분 맵을 작성한다. 이 x방향의 편미분 맵은, x 편미분을 산출하고자 하는 좌표의 높이를 Z(x, y), 주위의 높이를 Z1 내지 Z8, 인접 좌표간 거리를 P라 했을 때, 하기 식
∂Ｚ（ｘ，ｙ）／∂ｘ＝（２×Ｚ５－２×Ｚ４＋Ｚ３＋Ｚ８－Ｚ１－Ｚ６）／Ｐ
에 의해 산출된다. 또한, Y 편미분 맵은, y 편미분을 산출하고자 하는 좌표의 높이를 Z(x, y), 주위의 높이를 Z1 내지 Z8, 인접 좌표간 거리를 P라 했을 때, 하기 식
∂Ｚ（ｘ，ｙ）／∂ｙ＝（２×Ｚ７－２×Ｚ２＋Ｚ８＋Ｚ６－Ｚ１－Ｚ３）／Ｐ
에 의해 산출된다. 그리고, 전체 미분 맵은, 하기 식
∂2Ｚ（ｘ，ｙ）／∂ｘ∂ｙ＝（（∂Ｚ（ｘ，ｙ）／∂ｘ）2＋（∂Ｚ（ｘ，ｙ）／∂ｙ）2）0.5
에 의해 얻을 수 있다.
이와 같이, 6㎜×6㎜의 범위의 미소 영역 내의 정밀한 표면 형상을 측정하고, 나아가, 이것을 전체 미분함으로써, 표면의 미세한 수㎛ 피치의 단파장 성분에 관한 정보를 추출할 수 있다. 국소 가공의 가공흔이 발생한 경우, PVXY는 0.1㎚/㎛를 초과하는 높은 값이지만, 예를 들어 후술하는 바와 같은 경질 연마포에 의한 마무리 연마에 의해, 수㎛ 피치의 단파장 성분을 감쇠할 수 있어, PVXY를 0.1㎚/㎛ 이하까지 저감시킬 수 있다.
다음으로, 본 발명의 마스크 블랭크스용 기판의 제조 방법을 설명한다.
본 발명의 마스크 블랭크스용 기판의 제조 방법은, 마스크 블랭크스용 기판의 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 주 표면에 대한 국소 가공 공정과, 국소 가공 공정에 계속되는 마무리 연마 공정을 포함한다.
마스크 블랭크스용 기판의 제조에 있어서는, 국소 가공 공정의 전에, 유리 잉곳으로부터 마스크 블랭크스용 기판의 원료 기판이 준비되지만, 마스크 블랭크스용 기판의 원료 기판은, 통상적으로 우선, 유리 잉곳으로부터 소정의 형상으로 잘라내어 외형 가공하고, 다음으로 주 표면, 단면을 연마함으로써 준비할 수 있다. 연마는, 예를 들어 조연마, 정밀 연마, 초정밀 연마 등의 수단계로 실시할 수 있다. 이 연마는, 연마포와 연마제를 사용하여 실시할 수 있다. 연마제로서는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들어 평균 1차 입자경이 10 내지 100㎚인 산화세륨의 수분산액, 평균 1차 입자경이 10 내지 100㎚인 실리카 나노 입자의 수분산액(콜로이달 실리카 수분산액) 등을 사용할 수 있다.
국소 가공만으로 얻어지는 표면의 형상은 평탄하지 않으며, 통상 그 후에 실시되는 마무리 연마에 있어서의 표면의 형상의 변화를 없애는 형상(일반적으로, 중앙 볼록 형상(주 표면의 중앙부가 돌출된 형상)이나, 중 오목 형상(주 표면의 중앙부가 오목해진 형상) 등)을 하고 있으며, 국소 가공만으로 얻어진 표면의 형상의 평탄도를 평가하여도, 최종적으로 얻어지는 마스크 블랭크스용 기판의 주 표면의 형상의 평가 결과와는 괴리된 평가로밖에 되지 않는다. 국소 가공의 후에, 소정의 연마 조건에서 실시되는 마무리 연마로 발생하는 주 표면의 형상의 변화에는 재현성이 있어, 소정의 연마 조건에서의 마무리 연마 후의 주 표면의 형상의 변화를 파악하고, 이것을 국소 가공 후의 주 표면의 형상에 적용하여, 소정의 연마 조건에서 실시한 마무리 연마 후의 표면의 형상을 예측함으로써, 마무리 연마의 전에, 국소 가공의 단계에서, 마무리 연마 후에 얻어지는 표면의 형상을 평가하여, 마무리 연마에 의해 얻어진 주 표면의 형상의 양부를 평가할 수 있다. 또한, 국소 가공 공정은, 소정의 형상이 얻어질 때까지 반복할 수 있다.
본 발명의 마스크 블랭크스용 기판의 제조에 있어서, 국소 가공 공정은,
(A) 주 표면의 마무리 연마 공정 전후의 표면의 형상의 변화를 파악하는 공정과,
(B) 주 표면을 국소 가공하는 공정과,
(C) (B) 공정 후의 주 표면의 형상을, 마무리 연마 공정 전의 표면의 형상으로서 측정하는 공정과,
(D) (C) 공정에서 얻어진 마무리 연마 공정 전의 표면의 형상에 대하여, (A) 공정에서 파악한 표면의 형상의 변화를 적용하여, 마무리 연마 공정 후의 주 표면의 형상을 예측하는 공정과,
(E) (D) 공정에서 예측된 주 표면의 형상이, 소정의 평탄성을 갖는 형상인지 여부를 평가하는 공정
을 포함하는 것이 바람직하다.
(A) 공정에서는, 주 표면의 마무리 연마 공정 전후의 표면의 형상의 변화(국소 가공 공정 후의 표면에 대한, 마무리 연마 공정 후의 표면 형상의 변화)를 파악하지만, 이 변화는, 예를 들어 국소 가공을 실시한 마스크 블랭크스용 기판으로부터, 주 표면이 마찬가지의 형상을 갖는 다른 마스크 블랭크스용 기판을 선택하고, 이 다른 마스크 블랭크스용 기판에, 소정의 마무리 연마를 실시하여 얻어진 주 표면의 형상으로부터 파악할 수 있다. 또한, 이 형상의 변화의 파악은, 시뮬레이션에 의해 실시할 수도 있다. 이 경우, 다른 마스크 블랭크스용 기판으로서는, 주 표면의 형상이, 국소 가공 공정에서의 목표 형상인 중앙 오목 형상인 것이 적합하고, 또한 주 표면의 평탄도가 300㎚ 미만인 것이 적합하다. 또한, (A) 공정은, (B) 공정의 후여도, (C) 공정의 후여도 된다.
(B) 공정에서는, 주 표면을 국소 가공하지만, 국소 가공은, 국소 가공 전후의 주 표면의 형상과, 마무리 연마 공정 후의 표면 형상의 변화를 고려하여, 주 표면이, 소정의 형상이 되도록, 국소 가공에 있어서의 소정의 가공 조건을 설정한다. 구체적으로는, 예를 들어 마무리 연마에 의해, 형상이 볼록한 변화를 하는 경우, 이 변화를 고려하여, 주 표면은, 이 변화를 없애는 형상(예를 들어, 낮은 볼록형이나 오목형)인 것이 바람직하고, 마무리 연마에 의해, 형상이 오목한 변화를 하는 경우, 이 변화를 고려하여, 주 표면은, 이 변화를 없애는 형상(예를 들어, 얕은 오목형이나 볼록형)인 것이 바람직하다. 국소 가공 전에는, 필요에 따라서, 주 표면의 형상이 적절히 측정되지만, 이 측정에는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들어 레이저 간섭계를 사용할 수 있다.
국소 가공에서는, 마스크 블랭크스용 기판의 주 표면에 대하여 상대적으로 볼록한 부분을 선택적으로 없애는 가공이 실시된다. 국소 가공은, 연마포와 연마제를 사용한 연마에 의해 실시할 수 있다. 연마제로서는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들어 평균 1차 입자경이 10 내지 100㎚인 산화세륨의 수분산액, 평균 1차 입자경이 10 내지 100㎚인 실리카 나노 입자의 수분산액(콜로이달 실리카 수분산액) 등을 사용할 수 있다. 또한, 국소 연마에는, 자기 점탄성 유체 연마(Magneto Rheological Finishing: MRF) 등의 방법을 적용할 수도 있다.
(C) 공정에서는, (B) 공정 후, 즉, 실제로 국소 가공한 후의 주 표면의 형상을, 마무리 연마 공정 전의 표면의 형상으로서 측정하지만, 이 측정에는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들어 레이저 간섭계를 사용할 수 있다.
(D) 공정에서는, (C) 공정에서 얻어진 주 표면의 형상에 대하여, (A) 공정에서 파악한 주 표면의 형상의 변화를 적용하여, 마무리 연마 공정 후의 주 표면의 형상을 예측하지만, (A) 공정에서 파악한 주 표면의 형상의 변화는, (C) 공정에서 얻어진 국소 가공 후의 주 표면의 형상에 따라서 선택된다. 여기에서는, 예를 들어 주 표면의 국소 가공 공정 후의 주 표면의 형상을 S1이라 하고, 소정의 마무리 연마를 실시했을 때의 주 표면의 형상의 변화를 ΔS라 했을 때, 하기 식
Ｓ１＋ΔＳ＝Ｓ２
에 의해, 마무리 연마 공정 후의 주 표면의 형상(S2)을 예측할 수 있다.
(E) 공정에서는, (D) 공정에서 예측된 주 표면의 형상이, 소정의 평탄성을 갖는 형상인지 여부를 평가한다. 이 평가 방법으로서는, 주 표면의 형상을 측정하고, 측정된 형상으로부터 산출되는 소정의 값이나, 측정된 형상을, 수리적으로 처리하여 얻어진 소정의 값을 평가하는 방법을 이용할 수 있다.
(E) 공정의 평탄성을 갖는 형상으로서는, 예를 들어 주 표면의 대각선의 교점을 중심으로 하는 한 변이 132㎜×132㎜인 정사각형의 범위를 산출 영역으로 했을 때, 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역의 기판 표면에 있어서, 산출 영역의 기판 표면의 최소 제곱 평면을 기준으로 한 평탄도가 100㎚ 이하, 바람직하게는 80㎚ 이하, 보다 바람직하게는 70㎚ 이하인 형상을 적용할 수 있다.
또한, (E) 공정의 평탄성을 갖는 형상으로서, 주 표면의 대각선의 교점을 중심으로 하는 한 변이 132㎜×132㎜인 정사각형의 범위를 산출 영역으로 했을 때, 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역의 기판 표면에 있어서, 단파장 성분의 높이 최고값과 최저값의 차, 구체적으로는, 산출 영역의 기판 표면에 대하여 평활화 처리를 실시했을 때, 평활화 처리 전의 기판 표면의 형상과, 평활화 처리의 후의 형상의 차분으로 표시되는 산출면의, 높이의 최고값과 최저값의 차(PV)가 20㎚ 이하, 바람직하게는 18㎚ 이하, 보다 바람직하게는 15㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 10㎚ 이하인 형상을 적용할 수도 있다. 이 높이의 기준은, 산출 영역의 주 표면(즉, 평활화 처리 전의 주 표면)의 최소 제곱 평면으로 할 수 있다. 평활화 처리는, 전술한 바와 같으며, 가우시안 필터, 특히 가우시안 필터(10㎜×10㎜)에 의한 평활화 처리가 바람직하다.
또한, (E) 공정의 평탄성을 갖는 형상으로서, 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역 내의 한 변이 1㎜×1㎜인 정사각형의 임의의 범위에 있어서, 최소 제곱 평면을 기준으로 한 높이의 최고값과 최저값의 차(LS)가, 산출 영역 내의 어느 것에 있어서도(한 변이 1㎜×1㎜인 정사각형의 임의의 범위를, 산출 영역 내의 어느 위치에 설정하여도), 15㎚ 이하(최대의 LS가 15㎚ 이하), 바람직하게는 12㎚ 이하(최대의 LS가 12㎚ 이하), 보다 바람직하게는 10㎚ 이하(최대의 LS가 10㎚ 이하)인 형상을 적용할 수도 있다. 이 높이의 기준은, 산출 영역의 주 표면(즉, 평활화 처리 전의 주 표면)의 최소 제곱 평면으로 할 수 있다.
또한, (E) 공정의 평탄성을 갖는 형상으로서, 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역 내에 설정한 적어도 하나의 한 변이 6㎜×6㎜인 정사각형의 임의의 범위에 있어서, 10㎛ 피치보다도 높은 정밀도로 표면 형상을 측정했을 때의, 그 영역에 있어서의 표면 형상의 높이 맵을 전체 미분하여 얻은 전체 미분 맵의 최고값과 최저값의 차(PVXY)가 0.1㎚/㎛ 이하, 바람직하게는 0.085㎚/㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.07㎚/㎛ 이하인 형상을 적용할 수도 있다. PVXY는, 전술한 (1) 내지 (5)에 의해 구할 수 있다. 또한, PVXY는, 산출 영역의 중앙의 한 변이 6㎜×6㎜인 정사각형의 범위가 상기 범위 내인 것이 바람직하고, 나아가, 산출 영역 내의 어느 것에 있어서도(한 변이 6㎜×6㎜인 정사각형의 임의의 범위를 산출 영역 내의 어느 위치에 설정하여도), 상기 범위 내인 것(최대의 PVXY가 상기 범위 내인 것)이 보다 바람직하다.
(E) 공정에 있어서, (D) 공정에서 예측된 주 표면의 형상이, 소정의 평탄성을 갖는 형상인 경우에는, 마무리 연마 공정으로 이행할 수 있다. 한편, (E) 공정에 있어서, (D) 공정에서 예측된 주 표면의 형상이, 소정의 평탄성을 갖는 형상이 아닌 경우에는, 국소 가공 공정, 구체적으로는 (A) 내지 (E) 공정을 포함하는 국소 가공 공정을 재차 실시할 수 있고, (D) 공정에서 예측된 주 표면의 형상이, 소정의 평탄성을 갖는 형상이 될 때까지, 국소 가공 공정, 구체적으로는 (A) 내지 (E) 공정을 포함하는 국소 가공 공정을 반복할 수 있다.
국소 가공만으로 얻어지는 표면의 결함 레벨은, 특히 최첨단 제품을 위한 마스크 블랭크스용 기판에서는, 충분하지 않은 경우가 있어, 마스크 블랭크스용 기판의 제조에서는, 일반적으로, 국소 가공 공정에 이어서, 마무리 연마 공정이 실시된다. 본 발명의 마스크 블랭크스용 기판의 제조 방법에 있어서도, 국소 가공 공정에 이은 마무리 연마 공정을 실시하지만, 이 마무리 연마 공정은,
(F) 주 표면의 단파장 성분을 감소시키는 연마 공정
을 포함하는 것이 바람직하다.
(F) 공정에서는, (E) 공정까지의 국소 가공 공정에서 발생한, 표면 형상에 있어서의 급준한 표면 형상 성분(단파장 성분)을 감소시킨다(파면의 진폭을 감쇠시킨다). 일반적으로, 국소 가공 공정보다 전의 연마에서는, 기판의 전체면을 동시에 연마하는 방법이 취해지고 있으며, 표면 형상을 미세하게 조정할 수 없다. 국소 가공 공정에서는 미소 영역의 가공을 적산시킴으로써, 기판 전체에 걸쳐 표면 형상을 미세하게 조정할 수 있지만, 이 공정은, 국소적인 가공의 연속이라는 점에서, 가공 피치 유래의 단파장 성분이 발생하는 경우가 있다. 그 때문에, 국소 가공에 의해 평탄도가 충분해져도, 대부분의 경우, 국소 가공 후에, 단파장 성분이 증가되어버린다.
(F) 공정의 단파장 성분을 감소시키는 연마는, 경질 연마포를 사용한 연마인 것이 바람직하다. 연질 연마포의 경우, 기판 표면의 미세한 요철에 따라 연마포가 변형되기 쉽고, 오목부와 볼록부에 동등한 하중이 가해지기 때문에, 연마 가공 여유에 차이가 나지 않아, 결과적으로 볼록부가 잔존한다. 한편, 경질 연마포의 경우에는, 기판 표면이 미세한 요철에 따라 연마포가 변형되기 어려워, 볼록부의 하중이 커지기 때문에, 볼록부의 가공 여유의 쪽이 증가하고, 결과적으로 볼록부가 감소한다고 생각된다는 점에서, 경질 연마포는, 단파장 성분을 감소시키는 연마에 유효하다.
경질 연마포로서는, NAP층과 베이스층의 2층 구조의 것(예를 들어, 스웨이드 타입의 경질 연마포)을 사용하는 것이 바람직하다. NAP층의 재질로서는, 에스테르계, 에테르계 또는 폴리카르보네이트계의 우레탄 수지를 포함하는 재질의 것이 바람직하다. NAP층의 표면 평균 개공 직경은, 바람직하게는 10㎛ 이상이고, 바람직하게는 50㎛ 이하, 보다 바람직하게는 30㎛ 이하이다. 또한, NAP층의 두께는, 바람직하게는 400㎛ 이상, 보다 바람직하게는 450㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 500㎛ 이상이고, 바람직하게는 650㎛ 이하이다. 한편, 베이스층은, 기판에 직접 접촉할 일이 없는 부분이며, 베이스층은, 정반 유래의 단파장 성분이, 피연마면에 전사되기 어려운, 경도가 높은 것이면 바람직하다. 베이스층의 재질로서는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들어 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트)를 들 수 있다. PET의 베이스층의 경우, 베이스층의 두께가 0.1 내지 0.2㎜인 것이, 신축성, 방열성의 관점에서 적합하게 사용된다. 연마포의 경도는, 쇼어 A 경도에서는, 바람직하게는 40 이상, 보다 바람직하게는 50 이상, 더욱 바람직하게는 60 이상이다. 또한, 쇼어 E나 아스카 C 등 다른 고무 경도의 지표로도 적절히 환산하여 연마포를 선정할 수 있다.
또한, (F) 공정에서의 연마는, 연마포에, 평균 1차 입자경이 10 내지 100㎚인 콜로이달 실리카를 주성분으로 하는 연마 슬러리(콜로이달 실리카 수분산액)를 동반시킴으로써 실시할 수 있다. 연마 방법으로서는, 뱃치식의 양면 연마가 일반적이지만, 매엽식 연마여도, 편면 연마여도 된다. (F) 공정은, 연마압을 50 내지 200gf/㎠(4.9 내지 19.6kPa)로 하여 실시할 수 있지만, 이것은 연마 방법이나 가공 조건에 따라, 적절히 설정되는 것이며, 특별히 한정되는 것은 아니다.
또한, 마무리 연마 공정은, (F) 공정에 있어서, 경질 연마포를 사용한 연마를 실시한 후에,
(G) 연질 연마포를 사용한 연마 공정
을 더 포함하고 있어도 된다.
(F) 공정에 있어서, 기판 표면의 단파장 성분의 저감에는, 경질 연마포를 사용하는 것이 바람직하지만, 경질 연마포를 사용하는 경우, 결함이나 표면 조도 등의 품질을, 최첨단 제품에 요구되는 레벨까지로 하는 것이 곤란한 경우도 있다. 그래서, 필요에 따라서, (G) 공정으로서, 연질 연마포를 사용해서 연마함으로써, 표면 품질을 개선하는 것이 바람직하다.
(G) 공정에서의 연마에서는, 예를 들어 부드러운 연마포와, 미세한 콜로이달 실리카로 구성된 연마 슬러리(콜로이달 실리카 수분산액)를 사용하여, 양면 동시 연마에 의해 실시할 수 있다. (G) 공정에서의 연마는, 예를 들어 쇼어 A 경도에서는, 40 미만의 연질 연마포(예를 들어, 스웨이드 타입의 연질 연마포)와, 평균 1차 입자경이 10 내지 100㎚인 콜로이달 실리카의 수분산액을 사용할 수 있다. 또한, 경도는 쇼어 E나 아스카 C 등 다른 고무 경도의 지표로도 적절히 환산하여 연마포를 선정할 수 있다. 연마 조건에 대해서는, 통상법에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 특별히 한정되는 것은 아니다.
마무리 연마 공정 후에 최종적으로 얻어진 마스크 블랭크스용 기판의 주 표면의 형상도, 적절히 측정할 수 있고, 이 측정에도, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들어 레이저 간섭계를 사용할 수 있다. 또한, 그 결과로부터, 마무리 연마 후에 최종적으로 얻어진 마스크 블랭크스용 기판의 평탄도를 평가할 수도 있다.
본 발명의 마스크 블랭크스용 기판의 제조 방법에 의하면, 마스크 블랭크스용 기판으로부터 마스크 블랭크스를 거쳐 얻은 노광용 마스크를 사용한 파면 보정 후의 노광용 마스크의 평탄성, 다시 말해, 노광용 마스크를 사용한 노광 시의 노광용 마스크의 평탄성을, 마스크 블랭크스용 기판의 단계에서, 매우 높은 정밀도로 예측할 수 있다. 이 경우, (D) 공정에서 예측한 마무리 연마 공정 후의 주 표면의 형상(S2)을, 마무리 연마 후에 최종적으로 얻어지는 마스크 블랭크스용 기판의 형상으로 할 수 있다. 또한, 본 발명의 마스크 블랭크스 제조 방법에 의하면, 이 예측에 기초하여, 평탄성이 양호한 마스크 블랭크스용 기판을 제조할 수 있다.
실시예
이하, 실시예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1, 2]
SiO2와 TiO2(TiO2 농도: 약 7질량％)로 형성된 유리 기판(제1 주 표면 및 제2 주 표면의 크기: 한 변이 152㎜×152㎜인 정사각형, 두께 6.35㎜) 9매를 준비하였다. 유리 기판의 단면(주 표면이 아닌 4개의 면)을 모따기 가공 및 연삭 가공하고, 나아가, 산화세륨 지립을 포함하는 연마액으로 조연마 처리 및 정밀 연마하였다. 그 후, 실시예 1에서는, 유리 기판 5매(기판(1-1) 내지 기판(1-5)), 실시예 2에서는, 유리 기판 4매(기판(2-1) 내지 기판(2-4))를, 스웨이드 타입의 연질 연마포를 적용한 양면 연마 장치의 캐리어에 세트하고, 콜로이달 실리카 지립의 연마액을 사용하여, 제1 주 표면 및 제2 주 표면을 초정밀 연마하였다. 초정밀 연마의 후, KOH를 포함하는 세정액으로 세정하여 실리카 나노 입자를 제거하고, 건조 후, 표면 형상 측정 장치(UltraFlat, Tropel사 제조)로, 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 형상을 측정하였다.
다음으로, 국소 가공 공정을 실시하였다. 우선, 얻어진 주 표면의 형상에 기초하여, 국소 가공의 가공 조건을 결정하고, 결정한 가공 조건에 기초하여, 국소 가공 장치로 유리 기판의 제1 주 표면 및 제2 주 표면을 국소 가공하였다((B) 공정). 국소 가공 장치는, 일본 특허 공개 제2010-194705호 공보(특허문헌 3)에 기재되어 있는 국소 가공 장치를 사용하였다. 이 장치를 사용한 국소 가공은, 미세한 연마 툴의 이동 속도를 제어하면서, 기판 전체면을 연마함으로써, 상대적으로 볼록한 부분에서 연마 툴을 느리게 이동, 상대적으로 오목한 부분에서 연마 툴을 빠르게 이동시킴으로써, 목표의 형상을 얻을 수 있다. 국소 가공 장치의 가공 툴에는, 양모 펠트 버프, 연마 슬러리에는 실리카 나노 입자(AJ-3540, 닛산 가가쿠(주) 제조)에, 미량의 소포제(신에츠 실리콘 KS-537, 신에츠 가가쿠 고교(주) 제조)를 혼화한 것을 사용하였다. 국소 가공 후의 유리 기판은, KOH를 포함하는 세정액으로 세정하여 실리카 나노 입자를 제거하고, 건조 후, 표면 형상 측정 장치(UltraFlat, Tropel사 제조)로, 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 형상을 측정하였다((C) 공정).
여기서, 국소 가공 후의 표면에 대한, 마무리 연마 후의 주 표면의 형상의 변화를 파악하기 위해서, 다른 유리 기판을 사용하여, 마찬가지로 국소 가공까지 실시하고, 추가로, 후술하는 마무리 연마와 마찬가지의 마무리 연마를 실시하였다((A) 공정). 그 후, 9매의 국소 가공 후의 유리 기판(기판(1-1) 내지 기판(2-4))에 대하여, 국소 가공 후의 유리 기판 주 표면의 형상에, 파악된 주 표면의 형상의 변화를 적용하여, 마무리 연마 후의 표면의 형상을 예측하였다((D) 공정). 국소 가공 후의 유리 기판 표면 형상과, 예측된 마무리 연마 후의 표면의 형상은, 유리 기판의 주 표면 대각선의 교점을 중심으로 하는 한 변이 132㎜×132㎜인 정사각형의 범위인 산출 영역의, 산출 영역의 기판 표면의 최소 제곱 평면을 기준으로 한 평탄도로서 평가하였다((E) 공정). 마무리 연마 후의 표면의 형상을 예측한 결과, 1회째의 국소 가공 공정에서는, 어느 경우에도, 예측된 마무리 연마 후의 표면의 평탄도가 100㎚를 초과하였으므로, 소정의 평탄성을 갖는 형상이 아니라고 평가하고, 2회째의 국소 가공 공정으로서, (B) 공정, (C) 공정, (A) 공정, (D) 공정 및 (E) 공정을, 재차 실시하였다.
1회째의 국소 가공 공정에서 예측된 마무리 연마 공정 후의 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 형상이, 모두 볼록 형상이며, 국소 가공 후의 주 표면의 형상이, 오목 형상인 것이 바람직하다는 점에서, 실시예 1(기판(1-1) 내지 기판(1-5))에서는, 2회째의 국소 가공 공정의 (B) 공정에서, 국소 가공 후의 주 표면의 형상이, 오목 형상이 되도록 제1 주 표면만을 국소 가공하였다. 한편, 실시예 2(기판(2-1) 내지 기판(2-4))에서는, 제1 주 표면 및 제2 주 표면 모두 오목 형상이 되도록, 양면을 국소 가공하였다. 각각의 유리 기판의, 예측된 마무리 연마 후의 표면의 형상을, 평탄도로서 표 1에 나타낸다.
Figure pat00001
그 결과, 유리 기판의 어느 것에 있어서도, 2회째의 국소 가공 후의 표면에 대하여 예측된 마무리 연마 후의 주 표면의 형상의 평탄도가 100㎚ 이하였으므로, 소정의 평탄성을 갖는 형상이라고 평가하여, 2회째의 국소 가공 공정 후의 유리 기판에 대하여 마무리 연마 공정을 실시하였다.
유리 기판의 주 표면의 단파장 성분을 감소시키기 위해서, 유리 기판을, NAP층이 에스테르계의 우레탄 수지, 베이스층이 PET로 형성된 2층 구조의 스웨이드 타입의 경질 연마포를 적용한 연마 장치의 캐리어에 세트하고, 콜로이달 실리카의 연마액을 사용하여 연마하고, 연마 후, KOH를 포함하는 세정액으로 세정하여 콜로이달 실리카를 제거하였다. 건조 후, 표면 형상 측정 장치(UltraFlat, Tropel사 제조)로, 주 표면의 형상을 측정하였다. 마무리 연마 후의 표면의 형상은, 유리 기판의 주 표면의 대각선의 교점을 중심으로 하는 한 변이 132㎜×132㎜인 정사각형의 범위인 산출 영역에 있어서의, 마무리 연마 후의 표면의 산출 영역의 최소 제곱 평면을 기준으로 한 평탄도로서 평가하였다.
실시예 1(기판(1-1 내지 1-5))에서는, 제1 주 표면의 평탄도와 함께, 제1 주 표면의 산출 영역에 있어서의 가우시안 필터(10㎜×10㎜)에 의한 평활화 처리 전의 기판 표면의 형상과, 평활화 처리 후의 형상의 차분으로 표시되는 산출면의, 마무리 연마 후의 표면의 산출 영역의 최소 제곱 평면을 기준으로 한, 높이의 최고값과 최저값의 차(PV) 및 제1 주 표면의 산출 영역 내의 한 변이 1㎜×1㎜인 정사각형의 임의의 범위에 있어서의, 마무리 연마 후의 표면의 산출 영역의 최소 제곱 평면을 기준으로 한, 높이의 최고값과 최저값의 차(LS)를 평가하고, LS의 최댓값을 구하였다. 또한, 제1 주 표면의 산출 영역 내의 중앙의 한 변이 6㎜×6㎜인 정사각형의 범위에 있어서,
(1) 한 변이 6㎜×6㎜인 정사각형의 범위 내를 10㎛ 피치보다 미세한 정밀도로 표면 형상을 측정하여 높이 맵을 작성하고,
(2) 6㎜×6㎜의 범위 내의 높이 맵을 x방향으로 편미분하여 얻은 x 편미분 맵을 작성하고,
(3) 6㎜×6㎜의 범위 내의 높이 맵을 y방향으로 편미분하여 얻은 y 편미분 맵을 작성하고,
(4) x 편미분 맵 및 y 편미분 맵으로부터 전체 미분 맵을 작성하고,
(5) 상기 전체 미분 맵의 최고값과 최저값의 차(PVXY)를 산출하여 PVXY를 평가하고, PVXY의 최댓값을 구하였다. 이 표면 형상의 측정에는, 3D 광학 표면 프로파일러(Nexview, Zygo Corporation 제조)를 사용하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure pat00002
실시예 2(기판(2-1 내지 2-4))에서는, 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 평탄도와 함께, 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 PV, 그리고 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 LS를 평가하고, LS의 최댓값을 구하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.
Figure pat00003
[비교예 1]
SiO2와 TiO2(TiO2 농도: 약 7질량％)로 형성된 유리 기판(제1 주 표면 및 제2 주 표면의 크기: 한 변이 152㎜×152㎜인 정사각형, 두께 6.35㎜) 5매를 준비하였다. 실시예 1과 마찬가지로 하여, 조연마 처리 및 정밀 연마하였다. 그 후, 유리 기판 5매(기판 C1-1 내지 기판 C1-5)를, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 초정밀 연마하였다. 초정밀 연마의 후, KOH를 포함하는 세정액으로 세정하여 실리카 나노 입자를 제거하고, 건조 후, 표면 형상 측정 장치(UltraFlat, Tropel사 제조)로, 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 형상을 측정하였다.
다음으로, 국소 가공 공정을, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시하였다. (E) 공정을 실시하여, 마무리 연마 후의 표면의 형상을 예측한 결과, 1회째의 국소 가공 공정에서는, 어느 경우에도, 예측된 마무리 연마 후의 표면의 평탄도가 100㎚를 초과하였으므로, 소정의 평탄성을 갖는 형상이 아니라고 평가하고, 2회째의 국소 가공 공정으로서, (B) 공정, (C) 공정, (A) 공정, (D) 공정 및 (E) 공정을, 재차 실시하였다.
1회째의 국소 가공 공정으로 예측된 마무리 연마 공정 후의 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 형상이, 모두 볼록 형상이며, 국소 가공 후의 주 표면의 형상이, 오목 형상인 것이 바람직하다는 점에서, 2회째의 국소 가공 공정의 (B) 공정에서, 국소 가공 후의 주 표면의 형상이, 오목 형상이 되도록 제1 주 표면만을 국소 가공하였다. 각각의 유리 기판의, 예측된 마무리 연마 후의 표면의 형상을, 평탄도로서 표 4에 나타낸다.
Figure pat00004
그 결과, 유리 기판의 어느 것에 있어서도, 2회째의 국소 가공 후의 표면에 대하여 예측된 마무리 연마 후의 주 표면의 형상의 평탄도가 100㎚ 이하였으므로, 소정의 평탄성을 갖는 형상으로 평가하여, 2회째의 국소 가공 공정 후의 유리 기판에 대하여 마무리 연마 공정을 실시하였다.
유리 기판을, 스웨이드 타입의 연질 연마포를 적용한 연마 장치의 캐리어에 세트하고, 콜로이달 실리카의 연마액을 사용하여 연마하고, 연마 후, KOH를 포함하는 세정액으로 세정하여 콜로이달 실리카를 제거하였다. 건조 후, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 제1 주 표면의 평탄도, PV 및 LS를 평가하고, LS의 최댓값을 구하였다. 또한, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 제1 주 표면의 PVXY를 평가하고, PVXY의 최댓값을 구하였다. 결과를 표 5에 나타낸다.
Figure pat00005
이상의 결과로부터, 본 발명의 제조 방법에 의해, 마무리 연마 후의 평탄도가 100㎚ 이하, PV가 20㎚ 이하인 마스크 블랭크스용 기판, 나아가, LS의 최댓값이 15㎚ 이하, PVXY의 최댓값이 0.1㎚/㎛ 이하인 마스크 블랭크스용 기판을 제조할 수 있다는 것을 알 수 있다. 이와 같은 마스크 블랭크스용 기판은, 주 표면의 단파장 성분이 저감된 마스크 블랭크스용 기판이며, 이와 같은 마스크 블랭크스용 기판을 사용한 노광용 마스크에 의해, 최첨단 제품의 노광용 마스크로 하여, 고품질의 노광을 실현할 수 있다.

Claims (10)

  1. 한 변이 152㎜×152㎜인 정사각형의 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 2개의 주 표면을 갖고, 두께가 6.35㎜인 마스크 블랭크스용 기판이며,
    상기 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 각각에 있어서, 대각선의 교점을 중심으로 하는 한 변이 132㎜×132㎜인 정사각형의 범위를 산출 영역으로 했을 때,
    상기 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역의 기판 표면에 있어서,
    해당 산출 영역의 기판 표면의 최소 제곱 평면을 기준으로 한 평탄도가 100㎚ 이하이며, 또한 가우시안 필터(10㎜×10㎜)에 의한 평활화 처리 전의 기판 표면의 형상과, 상기 평활화 처리의 후의 형상의 차분으로 표시되는 산출면의, 상기 최소 제곱 평면을 기준으로 한, 높이의 최고값과 최저값의 차(PV)가 20㎚ 이하인
    것을 특징으로 하는 마스크 블랭크스용 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역 내의 한 변이 1㎜×1㎜인 정사각형의 임의의 범위에 있어서, 상기 최소 제곱 평면을 기준으로 한 높이의 최고값과 최저값의 차(LS)가, 상기 산출 영역 내의 어느 것에 있어서도, 15㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크스용 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역 내에 설정한 적어도 하나의 한 변이 6㎜×6㎜인 정사각형의 임의의 범위에 있어서,
    (1) 한 변이 6㎜×6㎜인 정사각형의 범위 내를 10㎛ 피치보다 미세한 정밀도로 표면 형상을 측정하여 높이 맵을 작성하고,
    (2) 상기 6㎜×6㎜의 범위 내의 높이 맵을 x방향으로 편미분하여 얻은 x 편미분 맵을 작성하고,
    (3) 상기 6㎜×6㎜의 범위 내의 높이 맵을 y방향으로 편미분하여 얻은 y 편미분 맵을 작성하고,
    (4) 상기 x 편미분 맵 및 y 편미분 맵으로부터 전체 미분 맵을 작성하고,
    (5) 상기 전체 미분 맵의 최고값과 최저값의 차(PVXY)를 산출했을 때,
    상기 PVXY가, 상기 산출 영역 내의 어느 것에 있어서도, 0.1㎚/㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크스용 기판.
  4. 한 변이 152㎜×152㎜인 정사각형의 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 2개의 주 표면을 갖고, 두께가 6.35㎜인 마스크 블랭크스용 기판을 제조하는 방법이며,
    상기 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 주 표면에 대한 국소 가공 공정과, 해당 국소 가공 공정에 계속되는 마무리 연마 공정을 포함하고,
    상기 국소 가공 공정이,
    (A) 상기 주 표면의 마무리 연마 공정 전후의 표면의 형상의 변화를 파악하는 공정과,
    (B) 상기 주 표면을 국소 가공하는 공정과,
    (C) (B) 공정 후의 상기 주 표면의 형상을, 마무리 연마 공정 전의 표면의 형상으로서 측정하는 공정과,
    (D) (C) 공정에서 얻어진 마무리 연마 공정 전의 표면의 형상에 대하여, (A) 공정에서 파악한 표면의 형상의 변화를 적용하고, 마무리 연마 공정 후의 상기 주 표면의 형상을 예측하는 공정과,
    (E) (D) 공정에서 예측된 상기 주 표면의 형상이, 소정의 평탄성을 갖는 형상인지 여부를 평가하는 공정
    을 포함하고,
    상기 마무리 연마 공정이,
    (F) 상기 주 표면의 단파장 성분을 감소시키는 연마 공정
    를 포함하는
    것을 특징으로 하는 마스크 블랭크스용 기판의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 (F) 공정에서의 주 표면의 단파장 성분을 감소시키는 연마가, 경질 연마포를 사용한 연마인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 (E) 공정에서의 상기 소정의 평탄성을 갖는 형상이,
    상기 주 표면의 대각선의 교점을 중심으로 하는 한 변이 132㎜×132㎜인 정사각형의 범위를 산출 영역으로 했을 때,
    상기 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역의 기판 표면에 있어서, 상기 산출 영역의 기판 표면의 최소 제곱 평면을 기준으로 한 평탄도가 100㎚ 이하인 형상
    인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 (E) 공정에서의 상기 소정의 평탄성을 갖는 형상이,
    상기 주 표면의 대각선의 교점을 중심으로 하는 한 변이 132㎜×132㎜인 정사각형의 범위를 산출 영역으로 했을 때,
    상기 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역의 기판 표면에 있어서, 가우시안 필터(10㎜×10㎜)에 의한 평활화 처리 전의 기판 표면의 형상과, 상기 평활화 처리의 후의 형상의 차분으로 표시되는 산출면의, 상기 최소 제곱 평면을 기준으로 한, 높이의 최고값과 최저값의 차(PV)가 20㎚ 이하인 형상
    인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 (E) 공정에서의 상기 소정의 평탄성을 갖는 형상이,
    상기 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역 내의 한 변이 1㎜×1㎜인 정사각형의 임의의 범위에 있어서, 상기 최소 제곱 평면을 기준으로 한 높이의 최고값과 최저값의 차(LS)가, 상기 산출 영역 내의 어느 것에 있어서도, 15㎚ 이하인 형상
    인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 (E) 공정에서의 상기 소정의 평탄성을 갖는 형상이,
    상기 제1 주 표면 및 제2 주 표면의 적어도 한쪽의 산출 영역 내에 설정한 적어도 하나의 한 변이 6㎜×6㎜인 정사각형의 임의의 범위에 있어서,
    (1) 한 변이 6㎜×6㎜인 정사각형의 범위 내를 10㎛ 피치보다 미세한 정밀도로 표면 형상을 측정하여 높이 맵을 작성하고,
    (2) 상기 6㎜×6㎜의 범위 내의 높이 맵을 x방향으로 편미분하여 얻은 x 편미분 맵을 작성하고,
    (3) 상기 6㎜×6㎜의 범위 내의 높이 맵을 y방향으로 편미분하여 얻은 y 편미분 맵을 작성하고,
    (4) 상기 x 편미분 맵 및 y 편미분 맵으로부터 전체 미분 맵을 작성하고,
    (5) 상기 전체 미분 맵의 최고값과 최저값의 차(PVXY)를 산출했을 때,
    상기 PVXY가, 상기 산출 영역 내의 어느 것에 있어서도, 0.1㎚/㎛ 이하인 형상
    인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  10. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 (E) 공정에 있어서, 상기 (D) 공정에서 예측된 주 표면의 형상이, 상기 소정의 평탄성을 갖는 형상이 아닌 경우, 상기 국소 가공 공정을 재차 실시하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
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