KR20230167210A - 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예들은, 표시영역 및 상기 표시영역의 외측인 비표시영역을 갖는 기판, 상기 표시영역 및 상기 비표시영역 상에 배치된 무기절연층, 상기 표시영역 상에 배치된 복수의 표시요소, 상기 복수의 표시요소 상에 배치되며 제1무기봉지층, 제2무기봉지층, 및 상기 제1무기봉지층과 상기 제2무기봉지층 사이에 배치되는 유기봉지층을 구비하는 박막봉지층, 상기 비표시영역에 배치되며 상기 표시영역을 둘러싸는 댐, 상기 비표시영역에서 상기 무기절연층 상에 배치되는 전원공급라인, 상기 전원공급라인의 일 부분은 상기 댐과 교차하며 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 에지는 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 커버되고 상기 제1무기봉지층은 상기 비표시영역으로 연장되며 상기 제1무기봉지층의일부는 상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 커버된 상기 전원공급라인의 상기 일 부분 위에 배치된, 표시 장치, 및 이를 포함하는 전자 기기를 개시한다.
Description
본 발명의 실시예들은 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.
표시 장치들 중, 유기발광 표시 장치는 시야각이 넓고 컨트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 장치로서 주목을 받고 있다.
일반적으로 유기발광 표시 장치는 기판 상에 박막트랜지스터 및 표시소자로서 유기발광다이오드를 형성하고, 유기발광다이오드가 스스로 빛을 발광하여 작동한다. 이러한 유기발광 표시 장치는 휴대폰 등과 같은 소형 제품의 디스플레이부로 사용되기도 하고, 텔레비전 등과 같은 대형 제품의 디스플레이부로 사용되기도 한다.
그러나 종래의 표시 장치에서 발광요소로 작용하는 표시소자는 외부의 투습에 취약한 특성을 갖는 문제점이 존재하였다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 표시영역의 외곽에서 투습에 강건한 구조를 가지며 신뢰성이 개선된 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 관점에서는, 표시영역 및 상기 표시영역의 외측인 비표시영역을 갖는 기판; 상기 표시영역 및 상기 비표시영역 상에 배치된 무기절연층; 상기 표시영역 상에 배치된 복수의 표시요소; 상기 복수의 표시요소 상에 배치되며, 제1무기봉지층, 제2무기봉지층, 및 상기 제1무기봉지층과 상기 제2무기봉지층 사이에 배치되는 유기봉지층을 구비하는 박막봉지층; 상기 비표시영역에 배치되며 상기 표시영역을 둘러싸는 댐; 상기 비표시영역에서 상기 무기절연층 상에 배치되는 전원공급라인; 상기 전원공급라인의 일 부분은 상기 댐과 교차하며, 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 에지는 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 커버되고, 상기 제1무기봉지층은 상기 비표시영역으로 연장되며, 상기 제1무기봉지층의일부는 상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 커버된 상기 전원공급라인의 상기 일 부분 위에 배치된, 표시 장치를 개시한다.
일 실시예에서, 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상기 에지는, 상기 댐과 상기 기판의 에지 사이에서 상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 커버될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 전원공급라인은 동일 물질을 포함하는 제1층, 제3층과, 상기 제1층 및 상기 제3층 사이에 개재된 제2층을 포함하는 3중층 구조일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 전원공급라인의 상기 제1층 및 상기 제3층은 티타늄(Ti)을 포함하고, 상기 제2층은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 표시영역은 제1표시영역 및 상기 제1표시영역에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸인 제2표시영역을 포함하고, 상기 표시 장치는, 상기 제1표시영역에 배치된 복수의 제1표시요소; 상기 제2표시영역에 배치된 복수의 제2표시요소; 상기 복수의 제2표시요소와 각각 연결된 복수의 제2부화소회로; 및 상기 복수의 제2표시요소와 상기 복수의 제2부화소회로를 각각 연결하는 복수의 연결배선;을 포함하며, 상기 복수의 제2부화소회로는 상기 제1표시영역과 상기 제2표시영역 사이 또는 상기 비표시영역에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 연결배선은 서로 다른 층에 배치된 제1연결배선, 제2연결배선, 및 제3연결배선을 포함하고, 상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층은 제1투명 도전성 물질층, 상기 제1투명 도전성 물질층 상에 배치된 제2투명 도전성 물질층, 및 상기 제2투명 도전성 물질층 상에 배치된 제3투명 도전성 물질층을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1연결배선은 상기 제1투명 도전성 물질층과 동일한 물질을 포함하고, 상기 제2연결배선은 상기 제2투명 도전성 물질층과 동일한 물질을 포함하며, 상기 제3연결배선은 상기 제3투명 도전성 물질층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상기 에지는 평면상 직선 형태를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층은, 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상면, 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상기 에지에 해당하는 측면, 및 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 아래에 위치하는 상기 무기절연층의 상면을, 연속적으로 커버할 수 있다.
일 실시예예서, 상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층은, 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상면, 전원공급라인의 상기 일 부분의 상기 에지에 해당하는 측면, 및 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 아래에 위치하는 상기 무기절연층의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
본 발명의 다른 일 관점에서는, 제1표시영역과 상기 제1표시영역에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸인 제2표시영역을 포함하는 표시영역, 및 상기 표시영역의 외측인 비표시영역을 갖는 기판; 상기 표시영역 및 상기 비표시영역 상에 배치된 무기절연층; 상기 제1표시영역에 배치된 복수의 제1표시요소; 상기 제2표시영역에 배치된 복수의 제2표시요소; 상기 제1표시영역과 상기 제2표시영역 사이 또는 상기 비표시영역에 배치되며 상기 복수의 제2표시요소와 각각 연결된 복수의 제2부화소회로; 상기 복수의 제2표시요소와 상기 복수의 제2부화소회로를 각각 연결하는 복수의 연결배선; 상기 제1표시요소 및 상기 제2표시요소 상에 배치되며, 제1무기봉지층, 제2무기봉지층, 및 상기 제1무기봉지층과 상기 제2무기봉지층 사이에 배치되는 유기봉지층을 구비하는 박막봉지층; 상기 비표시영역에 배치되며 상기 표시영역을 둘러싸는 댐; 및 상기 비표시영역에서 상기 무기절연층 상에 배치되는 전원공급라인;을 포함하며, 상기 전원공급라인의 일 부분은 상기 댐과 교차하고, 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 에지는 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 커버되고, 상기 제1무기봉지층은 상기 비표시영역으로 연장되며, 상기 제1무기봉지층의 일부는 상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 커버된 상기 전원공급라인의 상기 일 부분 위에 배치된, 표시 장치를 개시한다.
일 실시예에서, 상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층은, 제1투명 도전성 물질층, 상기 제1투명 도전성 물질층 상의 제2투명 도전성 물질층, 및 상기 제2투명 도전성 물질층 상의 제3투명 도전성 물질층을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 연결배선은, 서로 다른 층에 배치된 제1연결배선, 제2연결배선, 및 제3연결배선을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1연결배선은 상기 제1투명 도전성 물질층과 동일한 물질을 포함하고, 상기 제2연결배선은 상기 제2투명 도전성 물질층과 동일한 물질을 포함하며, 상기 제3연결배선은 상기 제3투명 도전성 물질층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상기 에지는, 상기 댐과 상기 기판의 에지 사이에서 상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 커버될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층은, 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상면, 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상기 에지에 해당하는 측면, 및 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 아래에 위치하는 상기 무기절연층의 상면을, 연속적으로 커버할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상기 에지는 평면상 직선 형태를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 일 관점에서는, 제1표시영역과 상기 제1표시영역에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸인 제2표시영역을 포함하는 표시영역, 및 상기 표시영역의 외측인 비표시영역을 포함하는 표시 장치; 및 상기 표시 장치의 하부에서 상기 제2표시영역에 대응하도록 배치되는 컴포넌트;를 포함하고, 상기 표시 장치는, 기판; 상기 표시영역 및 상기 비표시영역 상에 배치된 무기절연층; 상기 표시영역 상에 배치된 복수의 표시요소; 상기 복수의 표시요소 상에 배치되며, 제1무기봉지층, 제2무기봉지층, 및 상기 제1무기봉지층과 상기 제2무기봉지층 사이에 배치되는 유기봉지층을 구비하는 박막봉지층; 상기 비표시영역에 배치되며 상기 표시영역을 둘러싸는 댐; 상기 비표시영역에서 상기 무기절연층 상에 배치되는 전원공급라인; 상기 전원공급라인의 일 부분은 상기 댐과 교차하며, 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 에지는 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 커버되고, 상기 제1무기봉지층은 상기 비표시영역으로 연장되며, 상기 제1무기봉지층의일부는 상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 커버된 상기 전원공급라인의 상기 일 부분 위에 배치된, 전자 기기를 개시한다.
일 실시예에서, 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상기 에지는, 상기 댐과 상기 기판의 에지 사이에서 상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 커버될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 표시 장치는, 상기 제1표시영역에 배치된 복수의 제1표시요소; 상기 제2표시영역에 배치된 복수의 제2표시요소; 상기 복수의 제2표시요소와 각각 연결된 복수의 제2부화소회로; 및 상기 복수의 제2표시요소와 상기 복수의 제2부화소회로를 각각 연결하는 복수의 연결배선;을 포함하며, 상기 복수의 제2부화소회로는 상기 제1표시영역과 상기 제2표시영역 사이 또는 상기 비표시영역에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 연결배선은 서로 다른 층에 배치된 제1연결배선, 제2연결배선, 및 제3연결배선을 포함하고, 상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층은 제1투명 도전성 물질층, 상기 제1투명 도전성 물질층 상에 배치된 제2투명 도전성 물질층, 및 상기 제2투명 도전성 물질층 상에 배치된 제3투명 도전성 물질층을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1연결배선은 상기 제1투명 도전성 물질층과 동일한 물질을 포함하고, 상기 제2연결배선은 상기 제2투명 도전성 물질층과 동일한 물질을 포함하며, 상기 제3연결배선은 상기 제3투명 도전성 물질층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상기 에지는 평면상 직선 형태를 가질 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 전원공급라인의 일 부분의 에지를 커버함으로써, 전원공급라인의 에지를 따라 투습 경로가 형성되는 것을 방지하여, 신뢰성이 향상된 표시 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1a 및 도 1b는 각각 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2a 및 도 2b는 각각 일 실시예에 따른 전자 기기의 단면의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 각각 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함될 수 있는 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 표시요소 및 이에 전기적으로 연결된 부화소회로를 개략적으로 나타낸 등가회로도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도로, 도 3b의 A-A'에 따른 단면도이다.
도 6a, 도 6b 및 도 6c는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도로, 도 3b의 C-C'에 따른 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 평면도로, 도 3b의 B 부분을 확대한 평면도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도로, 도 8의 I-I'에 따른 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 각각 일 실시예에 따른 전자 기기의 단면의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 각각 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함될 수 있는 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 표시요소 및 이에 전기적으로 연결된 부화소회로를 개략적으로 나타낸 등가회로도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도로, 도 3b의 A-A'에 따른 단면도이다.
도 6a, 도 6b 및 도 6c는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도로, 도 3b의 C-C'에 따른 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 평면도로, 도 3b의 B 부분을 확대한 평면도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도로, 도 8의 I-I'에 따른 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예를 들어, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 "A 및/또는 B"는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다. 또한, 본 명세서에서 "A 및 B 중 적어도 어느 하나"는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다.
이하의 실시예에서, 배선이 "제1 방향 또는 제2 방향으로 연장된다"는 의미는 직선 형상으로 연장되는 것뿐 아니라, 제1 방향 또는 제2 방향을 따라 지그재그 또는 곡선으로 연장되는 것도 포함한다.
이하의 실시예들에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다. 이하의 실시예들에서, "중첩"이라 할 때, 이는 "평면상" 및 "단면상" 중첩을 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하기로 한다.
도 1a 및 도 1b는 각각 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
표시 장치(DV)는 화상을 표시할 수 있다. 표시 장치(DV)는 부화소(PX)를 포함할 수 있다. 부화소(PX)는 표시요소가 빛을 방출하는 영역으로 정의될 수 있다. 부화소(PX)는 표시 장치(DV)에서 복수개로 구비될 수 있다. 복수의 부화소(PX)들은 각각 빛을 방출할 수 있으며, 예컨대 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 광을 방출할 수 있다. 각 부화소(PX)는 예컨대, 적색 부화소, 녹색 부화소, 또는 청색 부화소일 수 있다. 일 실시예에서, 표시 장치(DV)는 제1부화소(PX1), 제2부화소(PX2), 및 제3부화소(PX3)를 포함할 수 있다.
표시 장치(DV)는 표시영역(DA)과 표시영역(DA) 외측의 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시영역(DA)은 제1표시영역(DA1), 제2표시영역(DA2), 및 제3표시영역(DA3)을 포함할 수 있다. 제1표시영역(DA1), 제2표시영역(DA2), 및 제3표시영역(DA3)에는 부화소(PX)가 배치될 수 있으며, 비표시영역(NDA)에는 부화소(PX)가 배치되지 않을 수 있다.
제1표시영역(DA1)은 제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3)을 적어도 일부 둘러쌀 수 있다. 일 실시예에서, 제1표시영역(DA1)은 제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3)을 일부만 둘러쌀 수 있다. 다른 실시예에서, 제1표시영역(DA1)은 제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다. 제1표시영역(DA1)은 제1부화소(PX1)를 포함할 수 있다. 제1부화소(PX1)는 제1표시영역(DA1)에서 복수개로 구비될 수 있다.
제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3) 중 적어도 하나는 컴포넌트와 중첩하는 영역일 수 있다. 예를 들어, 제2표시영역(DA2)에는 도 2a를 참조하여 후술하는 것과 같이, 제2표시영역(DA2)에 대응하여 표시 장치(DV)의 하부에 전자요소인 컴포넌트(COM, 도 2a)가 배치될 수 있다. 제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3) 중 적어도 하나는 컴포넌트(COM)로부터 외부로 출력되거나 외부로부터 컴포넌트(COM)를 향해 진행하는 광 또는/및 음향 등이 투과할 수 있는 투과영역(TA)을 포함할 수 있다.
제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3) 중 적어도 하나는 컴포넌트와 중첩하는 영역인 동시에 부화소(PX)가 배치되는 영역일 수 있다. 예를 들어, 제2표시영역(DA2)은 컴포넌트와 중첩하는 영역인 동시에 부화소(PX)가 배치되는 영역일 수 있다. 다른 실시예로, 제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3)은 컴포넌트와 중첩하는 영역인 동시에 부화소(PX)가 배치되는 영역일 수 있다. 일 실시예에서, 제2표시영역(DA2)에는 제2부화소(PX2)가 배치될 수 있다. 제2부화소(PX2)는 제2표시영역(DA2)에서 복수개로 구비될 수 있다. 제3표시영역(DA3)에는 제3부화소(PX3)가 배치될 수 있다. 제3부화소(PX3)는 제3표시영역(DA3)에서 복수개로 구비될 수 있다.
일 실시예에서, 제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3) 중 적어도 하나의 영역에서 표시되는 이미지는 제1표시영역(DA1)에서 표시되는 이미지와 비교하여 해상도가 작을 수 있다. 예컨대, 제2표시영역(DA2)의 해상도는 제1표시영역(DA1)의 해상도의 약 1/2, 3/8, 1/3, 1/4, 2/9, 1/8, 1/9, 1/16 등일 수 있다. 예컨대, 제1표시영역(DA1)의 해상도는 약 400ppi 이상이고, 제2표시영역(DA2)의 해상도는 약 200ppi 또는 약 100ppi 일 수 있다. 다른 실시예에서, 제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3) 중 적어도 하나의 영역의 해상도는 제1표시영역(DA1)의 해상도와 같을 수 있다.
제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3) 중 적어도 하나는 컴포넌트와 중첩하며 투과영역(TA)을 구비할 수 있다. 투과영역(TA) 상에 부화소(PX)가 배치되지 않는 경우, 제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3) 중 적어도 하나에서 단위 면적 당 배치될 수 있는 부화소(PX)의 수는 제1표시영역(DA1)에 단위 면적 당 배치되는 부화소(PX)의 수에 비해 적을 수 있다. 예컨대, 제2표시영역(DA2)에 단위 면적 당 배치될 수 있는 제2부화소(PX2)의 수는 제1표시영역(DA1)에 단위 면적 당 배치되는 제1부화소(PX1)의 수에 비해 적을 수 있다.
제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3) 중 적어도 하나는 광 또는 음향에 대해 높은 투과율을 가질 수 있다. 예를 들어 제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3) 중 적어도 하나에서 표시 장치(DV)의 투과율은 약 10% 이상, 보다 바람직하게 40% 이상이거나, 25% 이상이거나 50% 이상이거나, 85% 이상이거나, 90% 이상일 수 있다.
표시 장치(DV)에서 제2표시영역(DA2)은 적어도 하나 구비될 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(DV)는 하나의 제2표시영역(DA2)을 구비하거나, 복수의 제2표시영역(DA2)을 구비할 수 있다.
제3표시영역(DA3)은 제2표시영역(DA2)과 인접할 수 있다. 제3표시영역(DA3)은 제2표시영역(DA2)의 일측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3)은 제1방향(예를 들어, x 방향 또는 -x 방향)으로 나란히 배치될 수 있다. 다른 예로, 제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3)은 제2방향(예를 들어, y 방향 또는 -y 방향)으로 나란히 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제3표시영역(DA3)은 제2표시영역(DA2)의 양측에 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 제3표시영역(DA3)은 생략될 수 있다.
도 1a 및 도 1b에서는, 제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3)이 표시 장치(DV)의 상측 중앙에 배치된 것으로 도시하고 있으나, 다른 실시예에서, 제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3)은 표시 장치(DV)의 하측, 우측, 또는 좌측에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3) 중 적어도 하나는 평면상(예를 들어, x-y 평면)에서 원형, 타원형, 사각형 등의 다각형, 별 형상 또는 다이아몬드 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 일 실시예로, 도 1a 및 도 1b에서는 제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3)이 각각 사각형 형상인 것을 도시하고 있다.
비표시영역(NDA)은 제1표시영역(DA1)의 적어도 일부를 둘러쌀 수 있다. 일 실시예에서, 비표시영역(NDA)은 제1표시영역(DA1)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다. 일 실시예에서, 비표시영역(NDA)은 제1표시영역(DA1), 제2표시영역(DA2), 및 제3표시영역(DA3)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다.
도 1a 및 도 1b의 표시 장치(DV)는 다음과 같은 전자 기기에 사용될 수 있다. 예컨대, 일 실시예에 따른 표시 장치(DV)는 모바일 폰(mobile phone), 스마트 폰(smart phone), 태블릿 PC(tablet personal computer), 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(portable multimedia player), 내비게이션, UMPC(Ultra Mobile PC) 등과 같은 휴대용 전자 기기에 사용될 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 표시 장치(DV)는 스마트 워치(smart watch), 워치 폰(watch phone), 안경형 디스플레이, 및 헤드 장착형 디스플레이(head mounted display, HMD)와 같이 웨어러블 전자 기기에 사용될 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 표시 장치(DV)는 자동차의 계기판, 및 자동차의 센터페시아(center fascia) 또는 대쉬보드에 배치된 CID(Center Information Display), 자동차의 사이드 미러를 대신하는 룸 미러 디스플레이(room mirror display), 자동차의 뒷좌석용 엔터테인먼트로, 앞좌석의 배면에 배치되는 디스플레이로 사용될 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 전자 기기는 표시 장치(DV) 및 표시 장치(DV)와 중첩 배치된 컴포넌트(COM)를 포함할 수 있다. 또한, 전자 기기는 표시 장치(DV)를 수용하는 하우징(미도시) 및 표시 장치(DV)의 상부에 배치되어 표시 장치(DV)를 보호하는 커버 윈도우(미도시)를 더 포함할 수 있다.
표시 장치(DV)는 표시 패널(DP)을 포함할 수 있다. 또한, 표시 장치(DV)는 외부 입력을 감지하는 입력 센서(미도시) 및 구동 회로(미도시)를 더 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 기판(100), 기판(100) 상의 표시층(DPL), 터치스크린층(TSL), 광학기능층(OFL) 및 기판(100) 하부에 배치된 패널 보호 부재(PB)를 포함할 수 있다.
컴포넌트(COM)는 빛 또는 음향을 이용하는 전자요소일 수 있다. 예컨대, 전자요소는 근접센서와 같이 거리를 측정하는 센서, 사용자의 신체의 일부(예, 지문, 홍채, 얼굴 등)을 인식하는 센서, 빛을 출력하는 소형 램프이거나, 화상을 캡쳐하는 이미지 센서(예, 카메라) 등일 수 있다. 빛을 이용하는 전자요소는, 가시광, 적외선광, 자외선광 등 다양한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있다. 음향을 이용하는 전자요소는, 초음파 또는 다른 주파수 대역의 음향을 이용할 수 있다. 일부 실시예에서, 컴포넌트(COM)는 발광부와 수광부와 같이 서브-컴포넌트들을 포함할 수 있다. 발광부와 수광부는 일체화된 구조이거나, 물리적으로 분리된 구조로 한 쌍의 발광부와 수광부가 하나의 컴포넌트(COM)를 이룰 수 있다.
표시 패널(DP)은 제1표시영역(DA1), 제2표시영역(DA2), 및 제3표시영역(DA3)을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 기판(100) 및 기판(100) 상의 다층 막에는 제1표시영역(DA1), 제2표시영역(DA2), 및 제3표시영역(DA3)을 정의할 수 있다. 이하에서는, 기판(100)이 제1표시영역(DA1), 제2표시영역(DA2), 및 제3표시영역(DA3)을 포함하는 것을 전제로 상세히 설명하기로 한다.
표시층(DPL)은 부화소회로(PC)를 포함하는 화소회로층(PCL), 발광소자인 표시요소를 포함하는 표시요소층 및 박막봉지층(300) 또는 밀봉기판(미도시)과 같은 밀봉부재(ENM)를 포함할 수 있다. 기판(100)과 표시층(DPL) 사이, 표시층(DPL) 내에는 절연층이 배치될 수 있다. 표시요소는 발광다이오드를 포함할 수 있으며, 일 실시예로 유기발광다이오드일 수 있다. 이하에서는, 발광다이오드가 유기발광다이오드를 포함하는 것을 설명하지만, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예로서, 본 발명의 표시요소는 무기물을 포함하는 발광다이오드이거나, 양자점을 포함하는 양자점 발광다이오드일 수 있다. 예컨대, 표시요소의 발광층은 유기물을 포함하거나, 무기물을 포함하거나, 양자점을 포함하거나, 유기물과 양자점을 포함하거나, 무기물과 양자점을 포함할 수 있다.
기판(100)은 유리, 석영, 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 기판(100)은 단단한(rigid) 기판이거나, 벤딩 가능한(bendble), 폴딩 가능한(foldable), 또는 돌돌 말 수 있는 (rollable) 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다.
화소회로층(PCL)은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 화소회로층(PCL)은 부화소회로(PC), 연결배선(CWL), 및 절연층을 포함할 수 있다. 부화소회로(PC)는 제1부화소회로(PC1), 제2부화소회로(PC2), 및 제3부화소회로(PC3)를 포함할 수 있다. 제1부화소회로(PC1)는 제1표시영역(DA1)에 배치될 수 있다. 제2부화소회로(PC2) 및 제3부화소회로(PC3)는 제3표시영역(DA3)에 배치될 수 있다. 제2표시영역(DA2)에는 부화소회로(PC)가 배치되지 않을 수 있다.
일 실시예에서, 기판(100)의 제1표시영역(DA1)에는 제1표시요소(DPE1) 및 이와 연결된 제1부화소회로(PC1)가 배치될 수 있다. 제1부화소회로(PC1)는 적어도 하나의 박막트랜지스터를 포함하며, 제1표시요소(DPE1)의 동작을 제어할 수 있다. 제1부화소(PX1)는 제1표시요소(DPE1)의 발광에 의해서 구현될 수 있다.
일 실시예에서, 기판(100)의 제2표시영역(DA2)에는 제2표시요소(DPE2)가 배치되어 제2부화소(PX2)를 구현할 수 있다. 일 실시예에서, 도 2a와 같이, 제2표시요소(DPE2)를 구동하는 제2부화소회로(PC2)는 제2표시영역(DA2)에 배치되지 않고, 제1표시영역(DA1)와 제2표시영역(DA2)의 사이의 제3표시영역(DA3)에 배치될 수 있다. 다른 실시예로서 도 2b와 같이, 제2표시요소(DPE2)를 구동하는 제2부화소회로(PC2)는 제3표시영역(DA3)에 배치되지 않고, 비표시영역(NDA)에 배치될 수 있다. 즉, 제2부화소회로(PC2)는 제2표시요소(DPE2)와 비중첩하도록 배치될 수 있다.
제2부화소회로(PC2)는 적어도 하나의 박막트랜지스터를 포함하며, 연결배선(CWL)에 의해서 제2표시요소(DPE2)와 전기적으로 연결될 수 있다. 연결배선(CWL)은 투명 전도성 물질로 구비될 수 있다. 제2부화소회로(PC2)는 제2표시요소(DPE2)의 동작을 제어할 수 있다. 제2부화소(PX2)는 제2표시요소(DPE2)의 발광에 의해서 구현될 수 있다.
제2표시영역(DA2) 중 제2부화소(PX2)가 배치되지 않는 영역을 투과영역(TA)으로 정의 할 수 있다. 투과영역(TA)은 제2표시영역(DA2)에 대응하여 배치된 컴포넌트(COM)로부터 방출되는 빛/신호 또는 컴포넌트(COM)로 입사되는 빛/신호가 투과(transmission)되는 영역일 수 있다.
제2부화소회로(PC2)와 제2표시요소(DPE2)를 연결하는 연결배선(CWL)은 투과영역(TA)에 배치될 수 있다. 연결배선(CWL)은 투과율이 높은 투명 전도성 물질로 구비될 수 있는 바, 투과영역(TA)에 연결배선(CWL)이 배치된다고 하더라도 투과영역(TA)의 투과율을 확보할 수 있다.
일 실시예에서, 기판(100)의 제3표시영역(DA3)에는 제3표시요소(DPE3) 및 이와 연결된 제3부화소회로(PC3)가 배치되어 제3부화소(PX3)를 구현할 수 있다. 제3표시영역(DA3)에 배치된 제2부화소회로(PC2) 및 제3부화소회로(PC3)는 상호 인접하며 교번하여 배치될 수 있다.
표시요소층은 도 2a 및 도 2b와 같이 박막봉지층(300)으로 커버되거나, 또는 밀봉기판으로 커버될 수 있다. 일 실시예로, 박막봉지층(300)은 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 예컨대, 박막봉지층(300)은 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 및 이들 사이의 유기봉지층(320)을 포함할 수 있다.
터치스크린층(TSL)은 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표 정보를 획득할 수 있다. 터치스크린층(TSL)은 터치전극 및 터치전극과 연결된 터치 배선들을 포함할 수 있다. 터치스크린층(TSL)은 자기 정전 용량 방식 또는 상호 정전 용량 방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다.
터치스크린층(TSL)은 박막봉지층(300) 상에 형성될 수 있다. 또는, 터치스크린층(TSL)은 터치기판 상에 별도로 형성된 후 광학 투명 접착제(OCA)와 같은 점착층을 통해 박막봉지층(300) 상에 결합될 수 있다. 일 실시예로서, 터치스크린층(TSL)은 박막봉지층(300) 바로 위에 직접 형성될 수 있으며, 이 경우 점착층은 터치스크린층(TSL)과 박막봉지층(300) 사이에 개재되지 않을 수 있다.
광학기능층(OFL)은 반사 방지층을 포함할 수 있다. 반사 방지층은 외부에서 표시 장치(DV)를 향해 입사하는 빛(외부광)의 반사율을 감소시킬 수 있다. 일 실시예로, 광학기능층(OFL)은 편광 필름일 수 있다. 다른 실시예로, 광학기능층(OFL)은 투과영역(TA)에 대응하는 개구(미도시)를 구비할 수 있다. 이에 따라, 투과영역(TA)의 광투과율이 현저히 향상될 수 있다. 이러한 개구에는 광투명수지(OCR, optically clear resin)와 같은 투명한 물질이 채워질 수 있다. 다른 실시예로, 광학기능층(OFL)은 블랙매트릭스와 컬러필터들을 포함하는 필터 플레이트로 구비될 수 있다.
패널 보호 부재(PB)는 기판(100)의 하부에 배치될 수 있다. 패널 보호 부재(PB)는 기판(100)을 지지하고 보호하는 역할을 할 수 있다. 패널 보호 부재(PB)는 제2표시영역(DA2)과 중첩하는 개구(PB_OP)를 구비할 수 있다. 다른 실시예에서, 패널 보호 부재(PB)의 개구(PB_OP)는 제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3)과 중첩할 수 있다. 일 실시예에서, 패널 보호 부재(PB)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyeleneterepthalate) 또는 폴리이미드(polyimide)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 패널 보호 부재(PB)에 구비된 개구(PB_OP)의 면적은 컴포넌트(COM)가 배치되는 면적보다 클 수 있다. 도 2a 및 도 2b에서는 컴포넌트(COM)가 표시 패널(DP)의 일측에 이격되어 배치된 것을 도시하나, 컴포넌트(COM)의 적어도 일부는 패널 보호 부재(PB)에 구비된 개구(PB_OP) 내에 삽입될 수도 있다.
커버 윈도우(미도시)는 표시 장치(DV) 상부에 배치될 수 있다. 커버 윈도우는 표시 장치(DV), 예컨대 표시 패널(DP)을 보호할 수 있다. 커버 윈도우는 유리, 사파이어, 및 플라스틱 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 커버 윈도우는 예를 들어, 초박형 강화 유리(Ultra Thin Glass, UTG) 또는 투명 폴리이미드(Colorless Polyimide, CPI)일 수 있다.
컴포넌트(COM)는 표시 장치(DV)의 하부에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 컴포넌트(COM)는 표시 패널(DP)을 사이에 두고 커버 윈도우(미도시)와 반대편에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 컴포넌트(COM)는 제2표시영역(DA2)과 중첩할 수 있다. 일 실시예에서, 컴포넌트(COM)는 제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3)과 중첩할 수 있다.
컴포넌트(COM)가 하나 또는 복수개 배치될 수 있다. 복수의 컴포넌트(COM)들은 서로 기능을 달리할 수 있다. 예컨대, 컴포넌트(COM)들은 카메라(촬상소자), 태양전지, 플래시(flash), 근접 센서, 조도 센서, 홍채 센서 중 적어도 두 개를 포함할 수 있다.
한편, 도 2a 및 도 2b와 같이 부화소회로(PC) 하부에 배면금속층(bottom metal layer, BML)이 배치될 수 있다. 배면금속층(BML)은 부화소회로(PC)를 보호하기 위해 부화소회로(PC)와 중첩하여 배치될 수 있다. 일 실시예로, 배면금속층(BML)은 제3표시영역(DA3)에 해당하는 기판(100)과 제2부화소회로(PC2) 및/또는 제3부화소회로(PC3) 사이에서, 제2 및/또는 제3부화소회로(PC2, PC3)와 중첩되도록 배치될 수 있다. 이러한 배면금속층(BML)은 외부 광이 제2 및/또는 제3부화소회로(PC2, PC3)에 도달하는 것을 차단할 수 있다. 또한, 제1표시영역(DA1)의 제1부화소회로(PC1)의 하부에도 배면금속층(BML)이 배치될 수 있다. 제1부화소회로(PC1)의 하부에 위치한 배면금속층(BML)은 제2 및/또는 제3부화소회로(PC2, PC3)의 하부에 위치한 배면금속층(BML)과 이격되어 배치될 수 있다. 다른 실시예로, 배면금속층(BML)은 표시영역(DA) 전체에 대응하도록 형성되고, 제3표시영역(DA3)에 대응하는 홀을 포함하도록 구비될 수도 있다. 다른 실시예로, 배면금속층(BML)은 생략될 수도 있다.
도 3a 및 도 3b는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함될 수 있는 표시 패널을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 표시 패널(DP)은 기판(100) 상에 배치된 제1 및 제2스캔 구동부(20, 30), 단자부(40), 데이터 구동부(50), 및 전원공급라인을 포함할 수 있다. 전원공급라인은 구동전압공급라인(60) 및 공통전압공급라인(70)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 표시영역(DA)과, 표시영역(DA) 외측의 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 비표시영역(NDA)의 일부는 일측(예, -y 방향)으로 연장될 수 있다. 연장된 비표시영역(NDA) 상에는 단자부(40), 데이터 구동부(50), 구동전압공급라인(60) 및 팬아웃배선(FW) 등이 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 연장된 비표시영역(NDA)의 x축 방향의 폭은 표시영역(DA)의 x축 방향의 폭보다 작을 수 있다.
기판(100)은 연장된 비표시영역(NDA)의 일부분이 벤딩되는 벤딩영역(BA)을 포함할 수 있다. 벤딩영역(BA)을 기준으로 연장된 비표시영역(NDA)이 폴딩됨에 따라 연장된 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)과 일부 중첩할 수 있다. 이러한 구조를 통해 연장된 비표시영역(NDA)이 사용자에게 시인되지 않거나 시인되더라도 그 시인되는 면적이 최소화되도록 할 수 있다.
표시영역(DA)에는 복수의 부화소(PX)들이 배치될 수 있다. 표시영역(DA) 상의 부화소들(PX)을 구동하는 부화소회로들(PC) 각각은 표시요소의 온/오프 및 휘도 등을 제어하기 위한 신호선 또는 전압선에 연결될 수 있다. 예컨대, 도 3a 및 도 3b는 신호선으로서 제1방향(예, x 방향)으로 연장된 스캔선(SL) 및 제2방향(예, y 방향)으로 연장된 데이터선(DL)을 도시하며, 전압선으로서 구동전압선(PL)을 도시한다.
제1표시영역(DA1)에는 복수의 제1부화소(PX1)들이 배치될 수 있다. 제1부화소(PX1)들은 각각 유기발광다이오드와 같은 표시요소에 의해 발광소자로 구현될 수 있다. 복수의 제1부화소(PX1)를 각각 구동하는 복수의 제1부화소회로(PC1)는 제1표시영역(DA1)에 배치되며, 각 제1부화소회로(PC1)는 대응하는 각 제1부화소(PX1)와 중첩되어 배치될 수 있다. 각 제1부화소(PX1)는 예컨대 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 광을 방출할 수 있다. 제1표시영역(DA1)은 밀봉부재로 커버되어, 외기 또는 수분 등으로부터 보호될 수 있다.
제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3)은 전술한 바와 같이 제1표시영역(DA1)의 일측에 위치하거나, 제1표시영역(DA1)에 의해 둘러싸일 수 있다. 제3표시영역(DA3)은 제2표시영역(DA2)을 적어도 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 제2표시영역(DA2)에는 복수의 제2부화소(PX2)들이 배치될 수 있으며, 제3표시영역(DA3)에는 복수의 제3부화소(PX3)들이 배치될 수 있다. 제2부화소들(PX2) 및 제3부화소들(PX3) 각각은 유기발광다이오드와 같은 표시요소에 의해 발광소자로 구현될 수 있다. 제2부화소(PX2)들 및 제3부화소(PX3)들 각각은 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 광을 방출할 수 있다. 제2표시영역(DA2) 및 제3표시영역(DA3)은 밀봉부재로 커버되어, 외기 또는 수분 등으로부터 보호될 수 있다.
제2부화소(PX2)는 제2표시영역(DA2) 상에서 구현되고, 제3부화소(PX3)는 제3표시영역(DA3) 상에서 구현될 수 있다. 즉, 제2부화소(PX2)는 제3표시영역(DA3)에서 실질적으로 발광하고, 제3부화소(PX3)는 제3표시영역(DA3)에서 실질적으로 발광하는 것을 의미할 수 있다.
도 3a를 참조하면, 제2부화소(PX2)를 구현하는 제2표시요소(DPE2)는 제2표시영역(DA2)에 배치되고, 제2부화소회로(PC2)는 제3표시영역(DA3)에 배치되므로, 제2표시요소(DPE2)와 제2부화소회로(PC2)는 연결배선(CWL)에 의해 연결될 수 있다.
다른 실시예로서, 도 3b를 참조하면, 제2부화소(PX2)를 구현하는 제2표시요소(DPE2)는 제2표시영역(DA2)에 배치되고, 제2부화소회로(PC2)는 비표시영역(NDA)에 배치되므로, 제2표시요소(DPE2)와 제2부화소회로(PC2)는 연결배선(CWL)에 의해 연결될 수 있다.
이와 같이, 신호선들 및 전압선들에 연결된 트랜지스터들 및 스토리지 커패시터를 포함하는 제2부화소회로(PC2)는 제3표시영역(DA3) 또는 비표시영역(NDA)에 배치하고, 제2표시요소(DPE2)는 제3표시영역(DA3)에 배치하는 경우, 제2표시영역(DA2)에서의 해상도를 유지하면서 투과영역(TA)의 면적은 증가시킬 수 있다.
제1 내지 제3부화소(PX1, PX2, PX3)를 구동하는 제1 내지 제3부화소회로(PC1, PC2, PC3) 각각은 비표시영역(NDA)에 배치된 외곽회로들과 전기적으로 연결될 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 제1 및 제2 스캔 구동부(20, 30), 단자부(40), 데이터 구동부(50), 구동전압공급라인(60) 및 공통전압공급라인(70)이 배치될 수 있다.
제1스캔 구동부(20) 및 제2스캔 구동부(30)는 스캔선(SL)을 통해 각 부화소회로(PC)에 스캔 신호를 생성하여 전달할 수 있다. 일 실시예에서, 제1스캔 구동부(20) 또는 제2스캔 구동부(30) 중 어느 하나는 발광제어선을 통해 각 부화소회로(PC)에 발광 제어 신호를 인가할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 및 제2스캔 구동부(20, 30)가 표시영역(DA)의 양측에 배치된 구조를 도시하나, 다른 실시예에서, 스캔 구동부는 표시영역(DA)의 일측에만 배치될 수도 있다. 제2스캔 구동부(30)는 표시영역(DA)을 중심으로 제1스캔 구동부(20)와 대칭적으로 배치될 수 있다.
데이터 구동부(50)는 데이터선(DL)을 통해 각 부화소회로(PC)에 데이터 신호를 생성하여 전달한다. 데이터 구동부(50)는 표시영역(DA)의 일측에 배치될 수 있으며, 표시영역(DA) 하측(예, -y 방향)의 연장된 비표시영역(NDA)에 배치될 수 있다. 도 3a 및 도 3b에서는 데이터 구동부(50)가 기판(100) 상에 배치된 것을 도시하나, 다른 실시예로 데이터 구동부(50)는 단자부(40)에 접속하는 플렉서블 인쇄회로기판 상에 구비될 수도 있다.
단자부(40)는 기판(100)의 일 단부에 배치되며, 복수의 단자(41, 42, 43, 44)를 포함한다. 단자부(40)는 절연층에 의해 덮이지 않고 노출되어, 플렉서블 인쇄회로기판 또는 IC 칩 등과 같은 제어부와 전기적으로 연결될 수 있다. 제어부의 제어신호들은 단자부(40)를 통해 제1스캔 구동부(20), 제2스캔 구동부(30), 데이터 구동부(50), 구동전압공급라인(60), 및 공통전압공급라인(70)에 각각 제공될 수 있다.
구동전압공급라인(60)은 비표시영역(NDA)에 배치될 수 있다. 구동전압공급라인(60)은 구동전압(ELVDD)을 각 부화소(PX)에 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 구동전압공급라인(60)은 제1구동전압공급라인(61), 제2구동전압공급라인(62), 및 제3구동전압공급라인(63)을 포함할 수 있다. 제3구동전압공급라인(63)은 제1방향(예, x방향)으로 연장될 수 있고, 제1 및 제2구동전압공급라인(61, 62)은 제2방향(예, y방향)으로 연장될 수 있다. 예컨대, 제3구동전압공급라인(63)은 표시영역(DA)의 제1에지(E1)를 따라 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1구동전압공급라인(61), 제2구동전압공급라인(62), 및 제3구동전압공급라인(63)은 일체로 구비될 수 있다. 예컨대, 구동전압공급라인(60)은 일체로서 'Ð'(파이) 형상을 가질 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
구동전압공급라인(60)은 비표시영역(NDA)에 배치되며, 제2방향(예, y방향)을 따라 표시영역(DA)으로 연장되는 복수의 구동전압선(PL)과 연결될 수 있다. 예컨대, 제3구동전압공급라인(63)은 제2방향(예, y방향)을 따라 표시영역(DA)을 가로지르는 구동전압선(PL)에 연결될 수 있다.
공통전압공급라인(70)은 비표시영역(NDA)에 배치되며, 공통전압(ELVSS)을 각 부화소(PX)에 제공할 수 있다. 공통전압공급라인(70)은 표시영역(DA)의 제1에지(E1)에 인접하게 배치된 제1공통전압공급라인(71) 및 제2공통전압공급라인(73)을 포함할 수 있다. 제1공통전압공급라인(71) 및 제2공통전압공급라인(73)은 제2방향(예컨대, y 방향)으로 연장될 수 있다. 또한, 제1공통전압공급라인(71) 및 제2공통전압공급라인(73)은 제2방향(예컨대, y 방향)과 교차하는 제1방향(예컨대, x 방향)으로 상호 이격되어 배치될 수 있다. 제1공통전압공급라인(71)과 제2공통전압공급라인(73)은 표시영역(DA)의 제1에지(E1)의 양측에 각각 배치될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 공통전압공급라인(70)은 제1공통전압공급라인(71) 및 제2공통전압공급라인(73) 사이에 배치된 제3공통전압공급라인을 더 포함할 수 있다. 공통전압공급라인(70)이 제1공통전압공급라인(71) 및 제2공통전압공급라인(73) 사이에 배치된 제3공통전압공급라인을 포함하는 경우, 제1공통전압공급라인(71) 및 제2공통전압공급라인(73)만 구비하는 경우에 비하여 전류 인가 시 전류 밀도를 낮출 수 있고 발열을 억제할 수 있다.
제1공통전압공급라인(71) 및 제2공통전압공급라인(73)은 표시영역(DA)의 제2에지(E2), 제3에지(E3), 및 제4에지(E4)를 따라 연장된 바디부(75)에 의해 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 제1공통전압공급라인(71), 제2공통전압공급라인(73), 및 바디부(75)는 일체로 형성될 수 있다.
한편, 비표시영역(NDA)에는 댐(DM)이 배치될 수 있다. 댐(DM)은 표시영역(DA)의 외곽을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 댐(DM)은 공통전압공급라인(70)의 외측에 배치되거나, 공통전압공급라인(70)과 일부 중첩하여 배치될 수 있다.
표시영역(DA)에는 부화소(PX)들을 덮도록 박막봉지층(300)이 배치되는데, 박막봉지층(300)의 일부는 비표시영역(NDA)으로 연장될 수 있다. 박막봉지층(300)은 적어도 하나의 유기봉지층 및 적어도 하나의 무기봉지층을 포함하는 다층 구조를 갖는데, 댐(DM)은 이러한 박막봉지층(300)에 포함된 유기봉지층 형성용 물질이 기판(100)의 에지 쪽으로 확산되는 것을 방지할 수 있고, 유기봉지층의 형성 위치를 한정할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 부화소에 대응하는 발광다이오드와 전기적으로 연결된 부화소회로를 개략적으로 나타낸 등가회로도이다.
도 4에 도시된 부화소회로(PC)는 도 3a 및 도 3b에서 전술한 제1부화소회로(PC1), 제2부화소회로(PC2) 및 제3부화소회로(PC3) 각각에 해당할 수 있다.
도 4에 도시된 표시요소인 유기발광다이오드(OLED)는 도 3a 및 도 3b에서 전술한 제1표시요소(DPE1), 제2표시요소(DPE2) 및 제3표시요소(DPE3) 각각에 해당할 수 있다.
도 4를 참조하면, 부화소회로(PC)는 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 및 스토리지 커패시터(Cst)는 신호선들(SL1, SL2, SLp, SLn, EL, DL), 제1초기화전압선(VL1), 제2초기화전압선(VL2) 및 구동전압선(PL)에 연결될 수 있다. 이러한 배선들 중 적어도 어느 하나, 예컨대, 구동전압선(PL)은 이웃하는 부화소회로(PC)들에서 공유될 수 있다.
일 실시예에서, 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7)은 구동 트랜지스터(T1), 스위칭 트랜지스터(T2), 보상 트랜지스터(T3), 제1초기화 트랜지스터(T4), 동작제어 트랜지스터(T5), 발광제어 트랜지스터(T6) 및 제2초기화 트랜지스터(T7)를 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
유기발광다이오드(OLED)는 화소전극 및 대향전극을 포함할 수 있으며, 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극은 발광제어 트랜지스터(T6)를 매개로 구동 트랜지스터(T1)에 연결되어 구동 전류를 제공받을 수 있고, 대향전극은 공통전압(ELVSS)을 제공받을 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 상응하는 휘도의 광을 생성할 수 있다.
복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 중 일부는 NMOS(n-channel MOSFET) 트랜지스터이고 나머지는 PMOS(p-channel MOSFET) 트랜지스터일 수 있다. 예컨대, 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 중 보상 트랜지스터(T3)와 제1초기화 트랜지스터(T4)는 NMOS 트랜지스터이고, 나머지는 PMOS 트랜지스터일 수 있다. 또는, 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 중 보상 트랜지스터(T3), 제1초기화 트랜지스터(T4) 및 제2초기화 트랜지스터(T7)는 NMOS 트랜지스터이고, 나머지는 PMOS 트랜지스터일 수 있다. 또는, 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 모두 NMOS 트랜지스터이거나 모두 PMOS 트랜지스터일 수 있다. 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7)은 비정질실리콘 또는 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 필요에 따라, NMOS인 트랜지스터는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 이하에서는 편의상 보상 트랜지스터(T3)와 제1초기화 트랜지스터(T4)는 산화물 반도체를 포함하는 NMOS 트랜지스터이고, 나머지는 PMOS 트랜지스터인 경우에 대해 설명한다.
신호선은 제1스캔선(SL1), 제2스캔선(SL2), 이전 스캔선(SLp), 이후 스캔선(SLn), 발광제어선(EL), 및 데이터선(DL)을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제1스캔선(SL1)은 제1스캔신호(Sn)를 전달할 수 있다. 제2스캔선은 제2스캔신호(Sn')를 전달할 수 있다. 이전 스캔선(SLp)은 제1초기화 트랜지스터(T4)에 이전 스캔신호(Sn-1)를 전달할 수 있다. 이후 스캔선(SLn)은 제2초기화 트랜지스터(T7)에 이후 스캔신호(Sn+1)를 전달할 수 있다. 발광제어선(EL)은 동작제어 트랜지스터(T5) 및 발광제어 트랜지스터(T6)에 발광제어신호(En)를 전달할 수 있다. 데이터선(DL)은 데이터신호(Dm)를 전달할 수 있다.
구동전압선(PL)은 구동 트랜지스터(T1)에 구동전압(ELVDD)을 전달할 수 있고, 제1초기화전압선(VL1)은 구동 트랜지스터(T1)를 초기화하는 제1초기화전압(Vint1)을 전달할 수 있으며, 제2초기화전압선(VL2)은 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극을 초기화하는 제2초기화전압(Vint2)을 전달할 수 있다.
구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극은 제2노드(N2)를 통해 스토리지 커패시터(Cst)와 연결되어 있고, 구동 트랜지스터(T1)의 소스영역과 드레인영역 중 어느 하나는 제1노드(N1)를 통해 동작제어 트랜지스터(T5)를 경유하여 구동전압선(PL)에 연결되어 있으며, 구동 트랜지스터(T1)의 소스영역과 드레인영역 중 다른 하나는 제3노드(N3)를 통해 발광제어 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(T1)는 스위칭 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터신호(Dm)를 전달받아 유기발광다이오드(OLED)에 구동 전류를 공급할 수 있다. 즉, 구동 트랜지스터(T1)는 데이터신호(Dm)에 의해 달라지는 제2노드(N2)에 인가된 전압에 대응하여, 구동전압선(PL)과 전기적으로 접속된 제1노드(N1)로부터 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
스위칭 트랜지스터(T2)의 스위칭 게이트전극은 제1스캔신호(Sn)를 전달하는 제1스캔선(SL1)에 연결되어 있고, 스위칭 트랜지스터(T2)의 소스영역과 드레인영역 중 하나는 데이터선(DL)에 연결되어 있으며, 스위칭 트랜지스터(T2)의 소스영역과 드레인영역 중 다른 하나는 제1노드(N1)를 통해 구동 트랜지스터(T1)에 연결되면서 동작제어 트랜지스터(T5)를 경유하여 구동전압선(PL)에 연결될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(T2)는 제1스캔선(SL1)에 인가된 전압에 대응하여, 데이터선(DL)으로부터의 데이터신호(Dm)를 제1노드(N1)로 전달할 수 있다. 즉, 스위칭 트랜지스터(T2)는 제1스캔선(SL1)을 통해 전달받은 제1스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 데이터선(DL)으로 전달된 데이터신호(Dm)를 제1노드(N1)를 통해 구동 트랜지스터(T1)로 전달하는 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
보상 트랜지스터(T3)의 보상 게이트전극은 제2스캔선(SL2)에 연결되어 있다. 보상 트랜지스터(T3)의 소스영역과 드레인영역 중 하나는 제3노드(N3)를 통해 발광제어 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극에 연결될 수 있다. 보상 트랜지스터(T3)의 소스영역과 드레인영역 중 다른 하나는 제2노드(N2)를 통해 스토리지 커패시터(Cst)의 제1커패시터전극(CE1) 및 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극에 연결될 수 있다. 이러한 보상 트랜지스터(T3)는 제2스캔선(SL2)을 통해 전달받은 제2스캔신호(Sn')에 따라 턴-온되어 구동 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킬 수 있다.
제1초기화 트랜지스터(T4)의 제1초기화 게이트전극은 이전 스캔선(SLp)에 연결될 수 있다. 제1초기화 트랜지스터(T4)의 소스영역과 드레인영역 중 하나는 제1초기화전압선(VL1)에 연결될 수 있다. 제1초기화 트랜지스터(T4)의 소스영역과 드레인영역 중 다른 하나는 제2노드(N2)를 통해 스토리지 커패시터(Cst)의 제1커패시터전극(CE1)과 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극 등에 연결될 수 있다. 제1초기화 트랜지스터(T4)는 이전 스캔선(SLp)에 인가된 전압에 대응하여, 제1초기화전압선(VL1)으로부터의 제1초기화전압(Vint1)을 제2노드(N2)에 인가할 수 있다. 즉, 제1초기화 트랜지스터(T4)는 이전 스캔선(SLp)을 통해 전달받은 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 턴-온되어 제1초기화전압(Vint1)을 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극에 전달하여 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극의 전압을 초기화시키는 초기화동작을 수행할 수 있다.
동작제어 트랜지스터(T5)의 동작제어 게이트전극은 발광제어선(EL)에 연결되어 있으며, 동작제어 트랜지스터(T5)의 소스영역과 드레인영역 중 하나는 구동전압선(PL)과 연결되어 있고 다른 하나는 제1노드(N1)를 통해 구동 트랜지스터(T1) 및 스위칭 트랜지스터(T2)에 연결될 수 있다.
발광제어 트랜지스터(T6)의 발광제어 게이트전극은 발광제어선(EL)에 연결되어 있고, 발광제어 트랜지스터(T6)의 소스영역과 드레인영역 중 하나는 제3노드(N3)를 통해 구동 트랜지스터(T1) 및 보상 트랜지스터(T3)에 연결되어 있으며, 발광제어 트랜지스터(T6)의 소스영역과 드레인영역 중 다른 하나는 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
동작제어 트랜지스터(T5) 및 발광제어 트랜지스터(T6)는 발광제어선(EL)을 통해 전달받은 발광제어신호(En)에 따라 동시에 턴-온되어, 구동전압(ELVDD)이 유기발광다이오드(OLED)에 전달되어 유기발광다이오드(OLED)에 구동전류가 흐르도록 할 수 있다.
제2초기화 트랜지스터(T7)의 제2초기화 게이트전극은 이후 스캔선(SLn)에 연결되어 있고, 제2초기화 트랜지스터(T7)의 소스영역과 드레인영역 중 하나는 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극에 연결되어 있으며, 제2초기화 트랜지스터(T7)의 소스영역과 드레인영역 중 다른 하나는 제2초기화전압선(VL2)에 연결되어, 제2초기화전압(Vint2)을 제공받을 수 있다. 제2초기화 트랜지스터(T7)는 이후 스캔선(SLn)을 통해 전달받은 이후 스캔신호(Sn+1)에 따라 턴-온되어 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극을 초기화시킬 수 있다. 이후 스캔선(SLn)은 제1스캔선(SL1)과 동일할 수 있다. 이 경우 해당 스캔선은 동일한 전기적 신호를 시간차를 두고 전달하여, 제1스캔선(SL1)으로 기능하기도 하고 이후 스캔선(SLn)으로 기능할 수도 있다. 즉, 이후 스캔선(SLn)은 도 4에 도시된 부화소회로(PC)에 인접하되 동일한 데이터선(DL)에 전기적으로 연결된 다른 부화소회로의 제1스캔선일 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1커패시터전극(CE1)과 제2커패시터전극(CE2)을 포함할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)의 제1커패시터전극(CE1)은 제2노드(N2)를 통해 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극과 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)의 제2커패시터전극(CE2)은 구동전압선(PL)과 연결될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극 전압과 구동전압(ELVDD) 차에 대응하는 전하가 저장될 수 있다.
일 실시예에 따른 부화소회로(PC) 및 표시요소인 유기발광다이오드(OLED)의 구체적 동작은 다음과 같다.
초기화 기간 동안, 이전 스캔선(SLp)을 통해 이전 스캔신호(Sn-1)가 공급되면, 이전 스캔신호(Sn-1)에 대응하여 제1초기화 트랜지스터(T4)가 턴-온(Turn on)되며, 제1초기화전압선(VL1)으로부터 공급되는 제1초기화전압(Vint1)에 의해 구동 트랜지스터(T1)가 초기화될 수 있다.
데이터 프로그래밍 기간 동안, 제1스캔선(SL1) 및 제2스캔선(SL2)을 통해 제1스캔신호(Sn) 및 제2스캔신호(Sn')가 공급되면, 제1스캔신호(Sn) 및 제2스캔신호(Sn')에 대응하여 스위칭 트랜지스터(T2) 및 보상 트랜지스터(T3)가 턴-온될 수 있다. 이때, 구동 트랜지스터(T1)는 턴-온된 보상 트랜지스터(T3)에 의해 다이오드 연결되고, 순방향으로 바이어스 될 수 있다. 그러면, 데이터선(DL)으로부터 공급된 데이터신호(Dm)에서 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Threshold voltage, Vth)만큼 감소한 보상 전압(Dm+Vth, Vth는 (-)의 값)이 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극에 인가될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)의 양단에는 구동전압(ELVDD)과 보상 전압(Dm+Vth)이 인가되고, 스토리지 커패시터(Cst)에는 양단 전압 차에 대응하는 전하가 저장될 수 있다.
발광 기간 동안, 발광제어선(EL)으로부터 공급되는 발광제어신호(En)에 의해 동작제어 트랜지스터(T5) 및 발광제어 트랜지스터(T6)가 턴-온될 수 있다. 구동 트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극의 전압과 구동전압(ELVDD) 간의 전압차에 따르는 구동 전류가 발생하고, 발광제어 트랜지스터(T6)를 통해 구동 전류가 유기발광다이오드(OLED)에 공급될 수 있다.
전술한 것과 같이 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 중 일부는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 예컨대 보상 트랜지스터(T3)와 제1초기화 트랜지스터(T4)는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도로, 도 3b의 표시 패널(DP)을 A-A'선에 따라 나타낸 단면도이다.
도 5를 참조하면, 표시 패널(DP)은 기판(100), 화소회로층(PCL), 및 표시요소층(DEL)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 글래스재 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 기판(100)은 고분자 수지를 포함하는 베이스층과 실리콘산화물이나 실리콘나이트라이드와 같은 무기절연물을 포함하는 배리어층의 교번 적층 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 기판(100)은 순차적으로 적층된 제1베이스층(101), 제1배리어층(103), 제2베이스층(105), 및 제2배리어층(107)을 포함할 수 있다. 제1베이스층(101)과 제2베이스층(105)은 고분자 수지를 포함할 수 있고, 제1배리어층(103)과 제2배리어층(107)은 무기절연물을 포함할 수 있다. 고분자 수지는 폴리에테르술폰, 폴리아릴레이트, 폴리에테르 이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 셀룰로오스 트리 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트 등일 수 있다.
화소회로층(PCL)은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 화소회로층(PCL)은 제1화소회로(PC1), 무기절연층(IIL), 제1유기절연층(121), 제2유기절연층(122), 제3유기절연층(123), 및 제4유기절연층(124)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 무기절연층(IIL)은 버퍼층(111), 제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113), 제1무기절연층(115), 제2무기절연층(117), 및 층간절연층(119)을 포함할 수 있다.
제1부화소회로(PC1)는 제1표시영역(DA1)에 배치될 수 있다. 제1부화소회로(PC1)는 앞서 도 4에서 설명한 바와 같이 복수의 트랜지스터들 및 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 이와 관련하여, 도 5는 제1박막트랜지스터(TFT1), 제2박막트랜지스터(TFT2) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 도시한다. 제1박막트랜지스터(TFT1)는 제1반도체층(Act1), 제1게이트전극(GE1), 제1소스전극(SE1), 및 제1드레인전극(DE1)을 포함할 수 있다. 제2박막트랜지스터(TFT2)는 제2반도체층(Act2), 제2게이트전극(GE2), 제2소스전극(SE2), 및 제2드레인전극(DE2)을 포함할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제1커패시터전극(CE1) 및 제2커패시터전극(CE2)을 포함할 수 있다.
버퍼층(111)은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(111)은 기판(100)의 하부로부터 이물, 습기 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단시킬 수 있다. 버퍼층(111)은 실리콘산화물, 실리콘옥시나이트라이드, 실리콘나이트라이드와 같은 무기물을 포함할 수 있고, 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
제1반도체층(Act1)은 실리콘 반도체를 포함할 수 있다. 제1반도체층(Act1)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 또는, 제1반도체층(Act1)은 비정질(amorphous) 실리콘을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1반도체층(Act1)은 산화물 반도체를 포함하거나, 유기 반도체 등을 포함할 수 있다. 제1반도체층(Act1)은 채널영역 및 채널영역의 양측에 각각 배치된 드레인영역 및 소스영역을 포함할 수 있다. 제1게이트전극(GE1)은 채널영역과 중첩할 수 있다.
제1게이트전극(GE1)은 제1반도체층(Act1)과 중첩할 수 있다. 제1게이트전극(GE1)은 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 제1게이트전극(GE1)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
제1반도체층(Act1)과 제1게이트전극(GE1) 사이에는 제1게이트절연층(112)이 배치될 수 있다. 따라서, 제1반도체층(Act1)은 제1게이트전극(GE1)과 절연될 수 있다. 제1게이트절연층(112)은 실리콘산화물, 실리콘질화물, 실리콘산질화물, 알루미늄산화물, 티타늄산화물, 탄탈산화물, 하프늄산화물, 및/또는 징크산화물 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.
제2게이트절연층(113)은 제1게이트전극(GE1)을 덮을 수 있다. 제2게이트절연층(113)은 제1게이트전극(GE1) 상에 배치될 수 있다. 제2게이트절연층(113)은 제1게이트절연층(112)과 유사하게 실리콘산화물, 실리콘질화물, 실리콘산질화물, 알루미늄산화물, 티타늄산화물, 탄탈산화물, 하프늄산화물, 및/또는 징크산화물 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.
제2커패시터전극(CE2)은 제2게이트절연층(113) 상에 배치될 수 있다. 제2커패시터전극(CE2)은 그 아래의 제1게이트전극(GE1)과 중첩할 수 있다. 이러한 경우, 제2커패시터전극(CE2) 및 제1게이트전극(GE1)은 제2게이트절연층(113)을 사이에 두고 중첩하여 스토리지 커패시터(Cst)를 형성할 수 있다. 즉, 제1박막트랜지스터(TFT1)의 제1게이트전극(GE1)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1커패시터전극(CE1)으로 기능할 수 있다.
이와 같이, 스토리지 커패시터(Cst)와 제1박막트랜지스터(TFT1)가 중첩되어 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 스토리지 커패시터(Cst)는 제1박막트랜지스터(TFT1)와 중첩되지 않도록 형성될 수도 있다.
제2커패시터전극(CE2)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단층 또는 다층일 수 있다.
제1무기절연층(115)은 제2커패시터전극(CE2)을 덮을 수 있다. 일 실시예에서, 제1무기절연층(115)은 제1게이트전극(GE1)을 덮을 수 있다. 제1무기절연층(115)은 실리콘산화물, 실리콘질화물, 실리콘산질화물, 알루미늄산화물, 티타늄산화물, 탄탈산화물, 하프늄산화물, 또는 징크산화물 등을 포함할 수 있다. 제1무기절연층(115)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
제2반도체층(Act2)은 제1무기절연층(115) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제2반도체층(Act2)은 채널영역 및 채널영역 양측에 배치된 소스영역 및 드레인영역을 포함할 수 있다. 제2반도체층(Act2)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2반도체층(Act2)은 Zn 산화물계 물질로, Zn 산화물, In-Zn 산화물, Ga-In-Zn 산화물 등으로 형성될 수 있다. 또는, 제2반도체층(Act2)은 징크산화물(ZnO)에 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn)과 같은 금속이 함유된 IGZO(In-Ga-Zn-O), ITZO(In-Sn-Zn-O), 또는 IGTZO(In-Ga-Sn-Zn-O) 반도체로 구비될 수 있다.
제2반도체층(Act2)의 소스영역 및 드레인영역은 산화물 반도체의 캐리어 농도를 조절하여 도전성화하여 형성될 수 있다. 예컨대, 제2반도체층(Act2)의 소스영역 및 드레인영역은 산화물 반도체에 수소 계열 가스, 불소 계열의 가스, 또는 이들의 조합을 이용한 플라즈마 처리를 통해서 캐리어 농도를 증가시킴으로써 형성될 수 있다.
제2무기절연층(117)은 제2반도체층(Act2)을 덮을 수 있다. 제2무기절연층(117)은 제2반도체층(Act2) 및 제2게이트전극(GE2) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제2무기절연층(117)은 기판(100) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 다른 실시예에서, 제2무기절연층(117)은 제2게이트전극(GE2)의 형상에 따라 패터닝될 수 있다. 제2무기절연층(117)은 실리콘산화물, 실리콘질화물, 실리콘산질화물, 알루미늄산화물, 티타늄산화물, 탄탈산화물, 하프늄산화물, 또는 징크산화물 등을 포함할 수 있다. 제2무기절연층(117)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
제2게이트전극(GE2)은 제2무기절연층(117) 상에 배치될 수 있다. 제2게이트전극(GE2)은 제2반도체층(Act2)과 중첩할 수 있다. 제2게이트전극(GE2)은 제2반도체층(Act2)의 채널영역과 중첩할 수 있다. 제2게이트전극(GE2)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
층간절연층(119)은 제2게이트전극(GE2)을 덮을 수 있다. 층간절연층(119)은 실리콘산화물, 실리콘질화물, 실리콘산질화물, 알루미늄산화물, 티타늄산화물, 탄탈산화물, 하프늄산화물, 또는 징크산화물 등을 포함할 수 있다. 층간절연층(119)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일 층 또는 다층일 수 있다.
제1소스전극(SE1) 및 제1드레인전극(DE1)은 층간절연층(119) 상에 배치될 수 있다. 제1소스전극(SE1) 및 제1드레인전극(DE1)은 제1반도체층(Act1)과 연결될 수 있다. 제1소스전극(SE1) 및 제1드레인전극(DE1)은 절연층들의 컨택홀들을 통해 제1반도체층(Act1)과 연결될 수 있다.
제2소스전극(SE2) 및 제2드레인전극(DE2)은 층간절연층(119) 상에 배치될 수 있다. 제2소스전극(SE2) 및 제2드레인전극(DE2)은 제2반도체층(Act2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2소스전극(SE2) 및 제2드레인전극(DE2)은 절연층들의 컨택홀들을 통해 제2반도체층(Act2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1소스전극(SE1), 제1드레인전극(DE1), 제2소스전극(SE2), 및 제2드레인전극(DE2)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 제1소스전극(SE1), 제1드레인전극(DE1), 제2소스전극(SE2), 및 제2드레인전극(DE2)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1소스전극(SE1), 제1드레인전극(DE1), 제2소스전극(SE2), 및 제2드레인전극(DE2)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조를 가질 수 있다.
실리콘 반도체를 포함하는 제1반도체층(Act1)을 구비한 제1박막트랜지스터(TFT1)는 높은 신뢰성을 가질 수 있다. 예컨대, 제1박막트랜지스터(TFT1)는 구동 트랜지스터(T1, 도 4)일 수 있다. 이 경우, 고품질의 표시 패널(DP)이 구현될 수 있다.
산화물 반도체는 높은 캐리어 이동도(high carrier mobility) 및 낮은 누설전류를 가지므로, 구동 시간이 길더라도 전압 강하가 크지 않을 수 있다. 즉, 저주파 구동 시에도 전압 강하에 따른 화상의 색상 변화가 크지 않으므로, 저주파 구동이 가능하다. 이와 같이 산화물 반도체의 경우 누설전류가 적은 이점을 갖기에, 구동 트랜지스터 이외의 다른 트랜지스터 중 적어도 하나에 산화물 반도체를 채용하여 누설 전류를 방지하는 동시에 소비전력을 줄일 수 있다. 예컨대, 제2박막트랜지스터(TFT2)는 보상 트랜지스터(T3, 도 4)일 수 있다.
하부게이트전극(BGE)은 제2반도체층(Act2) 하부에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 하부게이트전극(BGE)은 제2게이트절연층(113) 및 제1무기절연층(115) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 하부게이트전극(BGE)은 게이트 신호를 전달받을 수 있다. 이러한 경우, 제2박막트랜지스터(TFT2)는 제2반도체층(Act2)의 상부 및 하부에 게이트전극들이 배치되는 이중 게이트 전극 구조를 구비할 수 있다.
일 실시예에서, 게이트 배선(GWL)은 제2무기절연층(117) 및 층간절연층(119) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 게이트 배선(GWL)은 제1무기절연층(115) 및 제2무기절연층(117)에 구비된 컨택홀을 통해 하부게이트전극(BGE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 기판(100) 및 제1표시영역(DA1)과 중첩하는 제1부화소회로(PC1) 사이에는 배면금속층(BML)이 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 배면금속층(BML)은 제1박막트랜지스터(TFT1)와 중첩될 수 있다. 배면금속층(BML)에는 정전압이 인가될 수 있다. 배면금속층(BML)이 제1박막트랜지스터(TFT1)의 하부에 배치됨에 따라 제1박막트랜지스터(TFT1)는 주변 간섭 신호들의 영향을 적게 받아 신뢰성이 향상될 수 있다.
제1유기절연층(121)은 제1소스전극(SE1), 제1드레인전극(DE1), 제2소스전극(SE2), 및 제2드레인전극(DE2)을 덮으며 배치될 수 있다. 제1유기절연층(121)은 유기물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1유기절연층(121)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 및 이들의 블렌드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다.
제1연결전극(CM1)은 제1유기절연층(121) 상에 배치될 수 있다. 이 때, 제1연결전극(CM1)은 제1유기절연층(121)의 컨택홀을 통해 각각 제1드레인전극(DE1) 또는 제1소스전극(SE1)과 연결될 수 있다.
제1연결전극(CM1)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 제1연결전극(CM1)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1연결전극(CM1)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조를 가질 수 있다.
제2유기절연층(122), 제3유기절연층(123), 및 제4유기절연층(124)은 제1연결전극(CM1)을 덮으며 배치될 수 있다. 제2유기절연층(122), 제3유기절연층(123), 및 제4유기절연층(124)은 유기물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2유기절연층(122), 제3유기절연층(123), 및 제4유기절연층(124) 중 적어도 하나는 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 및 이들의 블렌드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다.
도 5에서는 화소회로층(PCL)이 제1유기절연층(121), 제2유기절연층(122), 제3유기절연층(123), 및 제4유기절연층(124)을 포함하는 것을 도시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제1유기절연층(121), 제2유기절연층(122), 제3유기절연층(123), 및 제4유기절연층(124) 중 적어도 하나는 생략될 수도 있다.
표시요소층(DEL)은 화소회로층(PCL) 상에 배치될 수 있다. 표시요소층(DEL)은 표시요소를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 표시요소층(DEL)은 제1표시영역(DA1)에 배치된 제1표시요소(DPE1)를 포함할 수 있다. 제1표시요소(DPE1)는 유기발광다이오드일 수 있다. 제1표시요소(DPE1)는 제4유기절연층(124) 상에 배치될 수 있다.
제1표시요소(DPE1)는 제1부화소회로(PC1)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1표시영역(DA1)에서 제1표시요소(DPE1)는 제1부화소회로(PC1)와 전기적으로 연결되어 제1부화소(PX1)를 구현할 수 있다. 일 실시예에서, 제1표시요소(DPE1)는 제1부화소회로(PC1)와 중첩할 수 있다. 제1표시요소(DPE1)는 유기발광다이오드로서, 화소전극(211), 발광층(212), 및 대향전극(213)을 포함할 수 있다.
화소전극(211)은 제4유기절연층(124) 상에 배치될 수 있다. 화소전극(211)은 제2유기절연층(122), 제3유기절연층(123), 및 제4유기절연층(124)에 구비된 컨택홀을 통해 제1연결전극(CM1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
화소전극(211)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 또는, 화소전극(211)은 전술한 반사막의 위 및/또는 아래에 도전성 산화물층을 더 포함할 수 있다. 도전성 산화물층은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐징크산화물(IZO; indium zinc oxide), 징크산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 및/또는 알루미늄징크산화물(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 화소전극(211)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있다.
화소전극(211) 상에는 제1뱅크층(215)이 배치될 수 있다. 제1뱅크층(215)에는 화소전극(211)의 적어도 일부를 노출시키는 제1개구가 정의될 수 있다. 제1뱅크층(215)에 정의된 제1개구를 통해 화소전극(211)의 중앙부가 노출될 수 있다. 상기 제1개구는 제1표시요소(DPE1)에서 방출되는 빛의 발광영역을 정의할 수 있다.
제1뱅크층(215)은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 제1뱅크층(215)은 실리콘질화물, 실리콘산질화물, 또는 실리콘산화물과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제1뱅크층(215)은 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1뱅크층(215)은 광차단 물질을 포함하며, 블랙으로 구비될 수 있다. 광차단 물질은 카본 블랙, 탄소나노튜브, 블랙 염료를 포함하는 수지 또는 페이스트, 금속 입자, 예컨대 니켈, 알루미늄, 몰리브덴 및 그의 합금, 금속 산화물 입자(예를 들어, 크롬 산화물), 또는 금속 질화물 입자(예를 들어, 크롬 질화물) 등을 포함할 수 있다. 제1뱅크층(215)이 광차단 물질을 포함하는 경우, 제1뱅크층(215)의 하부에 배치된 금속 구조물들에 의한 외광 반사를 줄일 수 있다.
발광층(212)은 화소전극(211) 상에 배치될 수 있다. 발광층(212)은 화소전극(211)의 제1개구와 중첩할 수 있다. 발광층(212)은 저분자 또는 고분자 물질을 포함할 수 있으며, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. 일 실시예에서, 발광층(212)은 복수개의 화소전극(211)들 각각에 대응하도록 패터닝된 것일 수 있다. 일부 실시예에서, 발광층(212)은 복수개의 화소전극(211)들에 걸쳐 일체로 형성될 수 있다.
일부 실시예에서, 화소전극(211)과 발광층(212) 사이에는 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer) 및/또는 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)이 배치될 수 있다.
대향전극(213)은 발광층(212) 상에 배치될 수 있다. 대향전극(213)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 대향전극(213)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(213)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 대향전극(213)은 표시영역(DA)을 전체적으로 덮도록 배치될 수 있다.
일부 실시예에서, 발광층(212) 및 대향전극(213) 사이에는 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)이 배치될 수 있다.
도 6a, 도 6b 및 도 6c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면이다.
도 6a 내지 도 6c를 참조하면, 표시 패널(DP)은 기판(100), 화소회로층(PCL), 및 표시요소층(DEL)을 포함할 수 있다. 표시요소층(DEL)은 제2표시요소로서 적색유기발광다이오드(DPE2R), 녹색유기발광다이오드(DPE2G), 및 청색유기발광다이오드(DPE2B)를 포함할 수 있다. 기판(100)은 제2표시영역(DA2) 및 제2표시영역(DA2)과 인접한 제3표시영역(DA3)을 포함할 수 있다.
화소회로층(PCL)은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 화소회로층(PCL)은 제2부화소회로(PC2), 무기절연층(IIL), 연결배선, 제1유기절연층(121), 제2유기절연층(122), 제3유기절연층(123), 및 제4유기절연층(124)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 무기절연층(IIL)은 버퍼층(111), 제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113), 제1무기절연층(115), 제2무기절연층(117), 및 층간절연층(119)을 포함할 수 있다.
복수의 제2표시요소를 각각 구동하는 복수의 제2부화소회로(PC2)는 제3표시영역(DA3)에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 복수의 제2부화소회로(PC2)는 제2표시영역(DA2)에 배치되지 않을 수 있다. 제2부화소회로(PC2)는 제1박막트랜지스터(TFT1), 제2박막트랜지스터(TFT2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 무기절연층(IIL)은 제2표시영역(DA2)과 중첩하는 그루브(Gv) 또는 홀을 구비할 수 있다. 그루브(Gv)는 무기절연층(IIL)의 일부가 제거된 형상일 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(111), 제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113), 제1무기절연층(115), 제2무기절연층(117) 및 층간절연층(119)은 각각 제2표시영역(DA2)과 중첩하는 개구를 포함할 수 있다. 버퍼층(111), 제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113), 및 제1무기절연층(115), 제2무기절연층(117) 및 층간절연층(119) 각각의 개구는 별도의 공정을 통하여 각각 형성되거나, 동일한 공정을 통해 동시에 형성될 수 있다. 버퍼층(111), 제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113), 제1무기절연층(115), 제2무기절연층(117), 및 층간절연층(119) 각각의 개구가 별도의 공정으로 형성되는 경우, 그루브(Gv)는 계단 형상과 같은 단차 형상을 가질 수 있다.
제1유기절연층(121)은 그루브(Gv)를 채울 수 있다. 예컨대, 제1유기절연층(121)의 일부는 그루브(Gv)를 적어도 부분적으로 채울 수 있다. 제1유기절연층(121)은 무기절연층(IIL) 보다 투과율(예를 들어, 광 투과율)이 높을 수 있다. 따라서, 제2표시영역(DA2)의 투과율은 증가할 수 있다.
도 6a 내지 도 6c는 무기절연층(IIL)이 그루브(Gv)를 구비하는 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예에서, 무기절연층(IIL)은 그루브(Gv)를 구비하지 않을 수 있다. 이 경우, 예를 들어, 버퍼층(111), 제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113), 및 제1무기절연층(115), 제2무기절연층(117) 및 층간절연층(119)은 제2표시영역(DA2)에서 연속적으로 배치될 수 있다.
연결배선은 복수개로 구비될 수 있다. 복수의 연결배선은 복수의 제2부화소회로(PC2)와 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 연결배선은 복수의 제2표시요소를 복수의 제2부화소회로(PC2)와 각각 전기적으로 연결시킬 수 있다. 일 실시예에서, 연결배선은 제1연결배선(CWL1), 제2연결배선(CWL2), 및 제3연결배선(CWL3)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1연결배선(CWL1), 제2연결배선(CWL2), 및 제3연결배선(CWL3) 각각은 제3표시영역(DA3)으로부터 제2표시영역(DA2)으로 연장될 수 있다. 제1연결배선(CWL1), 제2연결배선(CWL2), 및 제3연결배선(CWL3) 각각은 투명 도전성 산화물(Transparent Conducting Oxide, TCO)을 포함할 수 있다. 제1연결배선(CWL1), 제2연결배선(CWL2), 및 제3연결배선(CWL3) 각각은 예컨대, 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐징크산화물(IZO; indium zinc oxide), 징크산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크산화물(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
일 실시예로, 도 6a 내지 도 6b는 적색유기발광다이오드(DPE2R), 녹색유기발광다이오드(DPE2G), 및 청색유기발광다이오드(DPE2B) 각각에 연결된 제1연결배선(CWL1), 제2연결배선(CWL2), 및 제3연결배선(CWL3)이 서로 다른 층 상에 배치되는 것을 도시한다. 일 실시예에서, 제1연결배선(CWL1)은 제2유기절연층(122)과 표시요소층(DEL) 사이에 배치될 수 있다. 제2연결배선(CWL2)은 제3유기절연층(123)과 표시요소층(DEL) 사이에 배치될 수 있다. 제3연결배선(CWL3)은 화소전극(211)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 제3연결배선(CWL3)은 제4유기절연층(124)의 상부에 배치되며, 제3연결배선(CWL3)의 일단은 화소전극(211)의 가장자리를 덮도록 구비될 수 있다. 다른 실시예로, 제1연결배선(CWL1), 제2연결배선(CWL2), 및 제3연결배선(CWL3)은 서로 동일한 층 상에 배치될 수 있으나, 이하에서는 서로 다른 층에 배치된 것으로 설명한다.
도 6a 내지 도 6c를 참조하면, 제2유기절연층(122) 및 제3유기절연층(123) 중 적어도 하나는 개구를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 제2유기절연층(122)은 제2표시영역(DA2)에 중첩하는 개구(122OP)를 포함할 수 있다.
도 6a를 참조하면, 제1연결배선(CWL1)은 제2유기절연층(122) 상에 배치될 수 있다. 제1연결배선(CWL1)은 제3표시영역(DA3)에서 제2표시영역(DA2)으로 연장됨에 따라 무기절연층(IIL)의 그루브(Gv) 및 제2유기절연층(122)의 개구(122OP)와 중첩할 수 있다. 제1연결배선(CWL1)은 제2유기절연층(122)의 개구(122OP)에서 제1유기절연층(121) 상에 배치될 수 있다.
제1연결배선(CWL1)은 제1유기절연층(121) 및 제2유기절연층(122) 사이에 배치된 브릿지배선(BWL)을 통해 제2부화소회로(PC2)와 전기적으로 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 브릿지배선(BWL)은 제1유기절연층(121)의 컨택홀을 통해 제2부화소회로(PC2)와 전기적으로 연결될 수 있다. 브릿지배선(BWL)은 제2유기절연층(122)의 컨택홀을 통해 제1연결배선(CWL1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 브릿지배선(BWL) 상에는 제2유기절연층(122), 제3유기절연층(123), 및 제4유기절연층(124)이 배치될 수 있다. 제1연결배선(CWL1)은 제3유기절연층(123) 및 제4유기절연층(124)의 컨택홀을 통해 적색유기발광다이오드(DPE2R)와 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 적색유기발광다이오드(DPE2R)는 제2부화소회로(PC2)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2부화소회로(PC2)에 의해 구동될 수 있다.
도 6b를 참조하면, 제2연결배선(CWL2)은 제3유기절연층(123)과 표시요소층(DEL) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제2연결배선(CWL2)는 제1유기절연층(121) 및 제2유기절연층(122) 사이에 배치된 브릿지배선(BWL)을 통해 제2부화소회로(PC2)와 전기적으로 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 브릿지배선(BWL)은 제1유기절연층(121)의 컨택홀을 통해 제2부화소회로(PC2)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2연결배선(CWL2)은 제2유기절연층(122) 및 제3유기절연층(123)의 컨택홀을 통해 브릿지배선(BWL)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제4유기절연층(124)은 제2연결배선(CWL2) 상에 배치될 수 있다. 제2연결배선(CWL2)은 제4유기절연층(124)의 컨택홀을 통해 녹색유기발광다이오드(DPE2G)와 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 녹색유기발광다이오드(DPE2G)는 제2부화소회로(PC2)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2부화소회로(PC2)에 의해 구동될 수 있다.
도 6c를 참조하면, 제3연결배선(CWL3)은 화소전극(211)과 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제3연결배선(CWL3)은 제4유기절연층(124)과 제1뱅크층(215) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제3연결배선(CWL3)은 제3유기절연층(123) 및 제4유기절연층(124) 사이에 배치된 제2연결전극(CM2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2연결전극(CM2)은 제4유기절연층(124)의 컨택홀을 통해 제3연결배선(CWL3)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2연결전극(CM2)은 제1유기절연층(121) 상에 배치된 브릿지배선(BWL)을 통해 제2부화소회로(PC2)와 전기적 연결될 수 있다. 제2연결전극(CM2)은 제2유기절연층(122) 및 제3유기절연층(123)의 컨택홀을 통해 브릿지배선(BWL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 브릿지배선(BWL)은 제1유기절연층(121)의 컨택홀을 통해 제2부화소회로(PC2)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제3연결배선(CWL3)은 청색유기발광다이오드(DPE2B)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제3연결배선(CWL3)의 일단은 청색유기발광다이오드(DPE2B)의 화소전극(211)의 가장자리를 덮도록 구비될 수 있다. 따라서, 청색유기발광다이오드(DPE2B)는 제2부화소회로(PC2)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2부화소회로(PC2)에 의해 구동될 수 있다.
일 실시예에서, 브릿지배선(BWL) 및 제2연결전극(CM2) 중 적어도 하나는 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 브릿지배선(BWL) 및 제2연결전극(CM2) 중 적어도 하나는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 브릿지배선(BWL) 및 제2연결전극(CM2) 중 적어도 하나는 Ti/Al/Ti의 다층 구조를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 브릿지배선(BWL) 및 제2연결전극(CM2)은 동일한 물질을 포함할 수 있다.
도 6a 내지 도 6c에서는 각각의 제2표시요소와 대응하는 각각의 제2부화소회로(PC2)가 하나의 연결배선을 통하여 전기적 연결되는 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 도 6a에서는 적색유기발광다이오드(DPE2R)가 제1연결배선(CWL1)을 통해 제2부화소회로(PC2)와 전기적 연결되며 제1연결배선(CWL1)이 적색유기발광다이오드(DPE2R)의 화소전극(211)과 직접 접촉하는 것을 도시하고 있으나, 일부 실시예에서, 제1연결배선(CWL1)과 적색유기발광다이오드(DPE2R)의 화소전극(211) 사이에 제2연결배선(CWL2) 및 제3연결배선(CWL3) 중 적어도 하나와 동일한 층 상에 배치되는 매개층이 더 배치될 수 있다.
표시요소층(DEL)은 화소회로층(PCL) 상에 배치될 수 있다. 표시요소층(DEL)은 제1뱅크층(215), 적색유기발광다이오드(DPE2R), 녹색유기발광다이오드(DPE2G), 및 청색유기발광다이오드(DPE2B)를 포함할 수 있다. 적색유기발광다이오드(DPE2R), 녹색유기발광다이오드(DPE2G), 및 청색유기발광다이오드(DPE2B)는 각각 제4유기절연층(124) 상에 배치될 수 있다.
제1뱅크층(215)는 제2표시영역(DA2)의 일부와 중첩하는 제1부분(215A, 도 6a의 제1뱅크층(215)에서 점선 표시된 부분 참조)을 포함할 수 있다. 제1부분(215A)은 화소전극(211)과 중첩하지 않을 수 있다. 제1부분(215A)은 화소전극(211)을 노출하는 제1뱅크층(215)의 제1개구와 이격된 영역일 수 있다. 도 6a 내지 도 6c에서는 제1뱅크층(215)이 제1부분(215A)을 포함하여 연속적으로 연장된 것을 도시하고 있으나, 일부 실시예에서, 제1뱅크층(215)은 제1부분(215A)에 대응하는 제2개구를 가질 수 있다. 다시 말하면, 제1부분(215A)은 제거될 수 있다. 제1뱅크층(215)이 제1부분(215A)에 대응하는 제2개구를 갖는 경우, 제2표시영역(DA2)에서 표시 패널(DP)의 투과율(예를 들어, 광 투과율)이 개선될 수 있다. 제2표시영역(DA2) 중 제1부분(215A)과 중첩하는 영역은 투과영역(TA)에 해당할 수 있다.
적색유기발광다이오드(DPE2R), 녹색유기발광다이오드(DPE2G), 및 청색유기발광다이오드(DPE2B) 각각은 제2부화소회로(PC2)와 전기적으로 연결될 수 있다. 적색유기발광다이오드(DPE2R), 녹색유기발광다이오드(DPE2G), 및 청색유기발광다이오드(DPE2B) 각각은 화소전극(211), 및 대향전극(213)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 적색유기발광다이오드(DPE2R)는 화소전극(211) 및 대향전극(213) 사이에 배치되며, 적색의 빛을 내는 적색발광층(212R)을 포함할 수 있다. 녹색유기발광다이오드(DPE2G)는 화소전극(211) 및 대향전극(213) 사이에 배치되며 녹색의 빛을 내는 녹색발광층(212G)을 포함할 수 있다. 화소전극(211) 및 대향전극(213) 사이에 배치되며 청색의 빛을 내는 청색발광층(212B)를 포함할 수 있다.
대향전극(213)은 제2표시영역(DA2)의 일부와 중첩하는 제2부분(213A, 도 6a의 대향전극(213)에서 점선 표시된 부분 참조)을 포함할 수 있다. 제2부분(213A)은 화소전극(211)과 중첩하지 않을 수 있다. 도 6a 내지 도 6c에서는 대향전극(213)이 제2부분(213A)에서 연속적으로 연장된 것을 도시하고 있으나, 일부 실시예에서, 대향전극(213)은 제2부분(213A)에 대응하는 개구를 가질 수 있다. 다시 말하면, 제2부분(213A)은 제거될 수 있다. 대향전극(213)이 제2부분(213A)에 대응하는 개구를 갖는 경우, 제2표시영역(DA2)에서 표시 패널(DP)의 투과율(예를 들어, 광 투과율)이 개선될 수 있다. 제2표시영역(DA2) 중 제2부분(213A)과 중첩하는 영역은 투과영역(TA)에 해당할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 부분을 도시한 단면도로, 도 3b의 C-C'선에 따른 단면도이다.
도 7을 참조하면, 표시 패널(DP)은 표시영역(DA, 도 3b) 및 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시영역(DA)은 제1표시영역(DA1)을 포함할 수 있다. 제1표시영역(DA1)의 구조는 도 5를 참조하여 설명한 바와 같다.
표시 패널(DP)은 기판(100), 화소회로층(PCL), 및 표시요소층(DEL)을 포함할 수 있다. 화소회로층(PCL)은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 화소회로층(PCL)은 제1부화소회로(PC1), 제1연결전극(CM1), 무기절연층(IIL), 제1유기절연층(121), 제2유기절연층(122), 제3유기절연층(123), 및 제4유기절연층(124)을 포함할 수 있다.
제1부화소회로(PC1)는 제1박막트랜지스터(TFT1) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 제1박막트랜지스터(TFT1)는 제1반도체층(Act1), 제1게이트전극(GE1), 제1소스전극(SE1), 및 제1드레인전극(DE1)을 포함할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제1커패시터전극(CE1) 및 제2커패시터전극(CE2)을 포함할 수 있다.
화소회로층(PCL) 상에는 표시요소층(DEL)이 배치될 수 있다. 표시요소층(DEL)은 제1표시요소(DPE1)를 포함할 수 있다. 제1표시요소(DPE1)는 유기발광다이오드로서, 화소전극(211), 발광층(212), 및 대향전극(213)을 포함할 수 있다. 제1표시요소(DPE1)는 제4유기절연층(124) 상에 배치될 수 있다.
화소전극(211) 상에는 제1뱅크층(215)이 배치될 수 있다. 제1뱅크층(215) 상에는 스페이서(220)가 배치될 수 있다. 스페이서(220)는 폴리이미드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 스페이서는 실리콘산화물, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기절연물을 포함하거나, 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 스페이서(220)는 제1뱅크층(215)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1뱅크층(215)과 스페이서(220)는 하프 톤 마스크 등을 이용한 마스크 공정에서 함께 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 스페이서(220)와 제1뱅크층(215)은 다른 물질을 포함할 수 있다.
표시요소층(DEL) 및 화소회로층(PCL)은 박막봉지층(300)으로 커버될 수 있다. 박막봉지층(300)은 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 및 이들 사이의 유기봉지층(320)을 포함할 수 있다.
제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 각각 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 무기절연물은 알루미늄산화물, 티타늄산화물, 탄탈륨산화물, 하프늄산화물, 징크산화물, 실리콘산화물, 실리콘나이트라이드, 또는/및 실리콘옥시나이트라이드를 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 예컨대, 유기봉지층(320)은 아크릴계 수지, 예컨대 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산 등을 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)은 모노머를 경화하거나, 폴리머를 도포하여 형성할 수 있다.
박막봉지층(300)는 표시영역(DA) 전체를 커버하며, 비표시영역(NDA) 측으로 연장되어 비표시영역(NDA)의 일부를 커버하도록 배치될 수 있다. 박막봉지층(300)는 구동전압공급라인(60)의 외곽 영역까지 연장될 수 있다.
일 실시예에서, 박막봉지층(300) 상에는 도 2a 등을 참조하여 설명한 터치스크린층(TSL) 및 광학기능층(OFL)이 더 배치될 수 있다.
한편, 표시영역(DA)과 인접한 비표시영역(NDA) 상에는 댐(DM)이 배치될 수 있다. 댐(DM)은 도 3b를 참조하여 설명한 것과 같이 표시영역(DA)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 도 7에서는 댐(DM)이 제1댐(DM1) 및 제1댐(DM1)의 외측의 제2댐(DM2)을 포함하는 것을 도시하나, 다른 실시예에서 제1댐(DM1) 만을 구비하거나, 제2댐(DM2)과 인접하여 격벽을 더 구비하는 것도 가능하다.
제1댐(DM1)과 표시영역(DA) 사이, 및 제1댐(DM1)과 제2댐(DM2) 사이에는 각각 밸리가 구비될 수 있다. 이러한 제1댐(DM1), 제2댐(DM2) 및 이를 통해 형성된 밸리 구조는 박막봉지층(300)의 유기봉지층(320)이 기판(100)의 에지 측으로 오버플로우(overflow)되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 유기봉지층(320)의 에지테일이 형성되는 것을 방지할 수 있다.
유기봉지층(320)은 표시영역(DA)을 향하는 제1댐(DM1)의 내측면에 접할 수 있다. 이때, 유기봉지층(320)이 제1댐(DM1)의 내측면에 접한다고 함은 유기봉지층(320)과 제1댐(DM1) 사이에 제1무기봉지층(310)이 위치하고, 유기봉지층(320)은 이러한 제1무기봉지층(310)에 직접 컨택하는 것으로 이해될 수 있다. 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 제1댐(DM1) 및 제2댐(DM2) 상에 배치되며, 기판(100)의 에지 측으로 연장될 수 있다.
제1댐(DM1)은 제2유기절연층(122)의 일부분(122P1), 제3유기절연층(123)의 일부분(123P1) 및 제1뱅크층(215)의 일부분(215P1)을 포함하고, 제2댐(DM2)은 제2유기절연층(122)의 일부분(122P2), 제3유기절연층(123)의 일부분(123P2), 제1뱅크층(215)의 일부분(215P2), 및 스페이서(220)의 일부분(220P2)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 제1댐(DM1) 및 제2댐(DM2)은 다른 층들의 일부를 더 포함할 수 있고, 또는 상술한 층들 중 일부가 생략될 수도 있다.
구동전압공급라인(60)은 댐(DM)과 적어도 일부 중첩하여 배치될 수 있다. 예컨대, 구동전압공급라인(60)은 제1댐(DM) 및 제2댐(DM2)과 중첩하여 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 구동전압공급라인(60)은 제1박막트랜지스터(TFT1)의 제1소스전극(SE1) 및 제1드레인전극(DE1), 또는 제1연결전극(CM1)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 구동전압공급라인(60)은 공통전압공급라인(70, 도 3b)과 동일한 층 상에 배치되며, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 구동전압공급라인(60)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 구동전압공급라인(60)은 Ti/Al/Ti의 3중층 구조를 가질 수 있다.
도 3b를 통해 전술한 바와 같이, 비표시영역(NDA)은 적어도 일부에 벤딩영역(BA)을 포함할 수 있다. 벤딩영역(BA)은 제1댐(DM1) 및 제2댐(DM2)과 이격되어 배치될 수 있다. 일 실시예로, 벤딩영역(BA)에 대응하여 무기절연층(IIL)은 개구부를 구비할 수 있다. 즉, 벤딩영역(BA)에 대응하여 배치된 무기절연층(IIL)은 벤딩영역(BA) 상에서 제거될 수 있다. 도 7에서는 벤딩영역(BA)에 대응된 무기절연층(IIL)이 전부 제거된 것을 도시하나, 다른 실시예로 버퍼층(111)은 일부 또는 전부 제거되지 않고 남아있을 수 있다. 이와 같이, 벤딩영역(BA) 상에 위치한 무기절연층(IIL)의 일부 또는 전부를 제거함으로써, 기판(100) 벤딩 시 무기절연층(IIL)에 의해 크랙이 전파되는 것을 방지할 수 있다.
일 실시예에서, 비표시영역(NDA)에는 뱅크(230)가 배치될 수 있다. 뱅크(230)는 제1댐(DM1) 및 제2댐(DM2)과 이격되어 배치될 수 있다. 뱅크(230)는 표시 패널(DP)의 제조과정에서 표시요소로서 포함된 유기발광다이오드의 발광층(212) 및/또는 대향전극(213) 등을 형성시 사용되는 마스크들을 지지하는 역할을 하며, 마스크에 의해 하부 구성요소들이 손상되는 것을 방지 또는 최소화할 수 있다.
일 실시예에서, 뱅크(230)는 벤딩영역(BA)과 적어도 일부 중첩하여 배치될 수 있다. 뱅크(230)는 벤딩영역(BA) 상에 무기막이 위치하게 되면 무기막에서 크랙이 발생할 수 있으므로 대체로 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 뱅크(230)는 제1유기절연층(121)의 일부분(121P3), 제2유기절연층(122)의 일부분(122P3), 제3유기절연층(123)의 일부분(123P3), 제1뱅크층(215)의 일부분(215P3), 및 스페이서(220)의 일부분(220P3)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 뱅크(230)는 다른 층들의 일부를 더 포함할 수 있고, 또는 상술한 층들 중 일부가 생략될 수도 있다. 일 실시예에서, 뱅크(230)를 구성하는 제1유기절연층(121)의 일부분(121P3) 및 제2유기절연층(122)의 일부분(122P3)은 제3유기절연층(123)의 일부분(123P3), 제1뱅크층(215)의 일부분(215P3), 및 스페이서(220)의 일부분(220P3) 보다 벤딩영역(BA)에서 표시영역(DA)을 향하는 방향(예컨대, -y 방향)으로 더 연장 배치될 수 있다.
박막봉지층(300)의 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 뱅크(230)를 향해 연장될 수 있다. 일 실시예에서, 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)의 단부는 뱅크(230) 상에 위치할 수 있다. 다른 실시예에서, 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)의 단부는 제2댐(DM2)과 뱅크(230) 사이에 위치할 수 있다.
일 실시예에서, 비표시영역(NDA)은 제1영역(ICR)을 포함할 수 있다. 제1영역(ICR)은 제2댐(DM2)과 뱅크(230) 사이에 위치할 수 있다. 제1영역(ICR)에는 무기절연물들만 존재할 수 있다. 이때, 무기절연물들만 존재한다는 의미는 제1영역(ICR)에 유기절연물이 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다. 예컨대, 제1영역(ICR)에는 무기절연층 및/또는 도전성 물질층이 배치될 수 있다. 제1영역(ICR)은 무기절연층(IIL)과 제1무기봉지층(310)이 접촉하는 영역을 포함할 수 있다. 제1영역(ICR)에서 제1무기봉지층(310)은 제2무기봉지층(330) 및 하부의 다른 무기절연층(IIL)과 직접 접촉하는 영역을 포함함으로써 접합력이 향상되며, 이에 따라 외부의 수분 및 산소의 침투를 더욱 효과적으로 방지 또는 최소화할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도로, 도 3b의 B 부분을 확대한 평면도이다.
도 3b 및 도 8을 참조하면, 표시 패널(DP)의 비표시영역(NDA)에는 구동전압공급라인(60)이 배치될 수 있다. 또한, 표시 패널(DP)의 비표시영역(NDA)에는 댐(DM) 및 뱅크(230)가 배치될 수 있다.
댐(DM)은 제1댐(DM1) 및 제2댐(DM2)을 포함할 수 있다. 제1댐(DM1)은 표시영역(DA)을 둘러싸고, 제2댐(DM2)은 제1댐(DM1)의 외측에서 제1댐(DM1)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 제1댐(DM1)이 표시영역(DA)의 둘레를 따라 배치되므로, 제2댐(DM2) 역시 표시영역(DA)의 둘레를 따라 배치되는 것으로 이해될 수 있다. 제1댐(DM1)과 제2댐(DM2)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.
구동전압공급라인(60)의 일 부분은 제1댐(DM1) 보다 표시영역에 가까이 위치할 수 있다. 도 8은 제3구동전압공급라인(63)이 제1댐(DM1)보다 내측에 배치되어 표시영역에 가까이 위치하는 것을 도시한다. 구동전압공급라인(60)의 일부, 예컨대 제1구동전압공급라인(61)은 제1댐(DM1) 및 제2댐(DM2)과 교차하는 방향으로 연장되며, 제1댐(DM1) 및 제2댐(DM2)과 중첩할 수 있다. 제1구동전압공급라인(61)은 제3구동전압공급라인(63)으로부터 연장되며, 제1구동전압공급라인(61)과 제3구동전압공급라인(63)은 일체로 연결된다.
제1구동전압공급라인(61)은 기판(100)의 에지를 향하는 제2방향(예, y 방향)으로 연장될 수 있다. 제1구동전압공급라인(61)은 제1영역(ICR)과 중첩할 수 있다. 다르게 말하면, 제1구동전압공급라인(61)은 제1영역(ICR)을 지날 수 있다.
제2댐(DM2)의 외측에는 뱅크(230)가 더 위치할 수 있다. 뱅크(230)는 제2댐(DM2)을 적어도 일부 둘러쌀 수 있다. 뱅크(230)는 구동전압공급라인(60)의 일부, 예컨대 제1구동전압공급라인(61)은 뱅크(230)와 중첩할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제1구동전압공급라인(61) 상에는 커버층(130)이 배치될 수 있다. 커버층(130)은 제1영역(ICR)에 위치할 수 있다. 커버층(130)은 제1구동전압공급라인(61)과 직접 접촉하여 배치될 수 있다. 구체적으로, 커버층(130)은 제1구동전압공급라인(61)의 적어도 일측 에지를 덮도록 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 커버층(130)은 제1구동전압공급라인(61)의 양측 에지를 덮도록 배치될 수 있다. 커버층(130)은 제1구동전압공급라인(61)의 상면의 일부와 측면의 일부, 및 제1구동전압공급라인(61)의 바로 아래에 배치된 무기절연층(IIL)의 상면의 일부를 연속적으로 커버할 수 있다.
커버층(130)은 적어도 하나의 투명 도전성 물질층을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 커버층(130)은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐징크산화물(IZO; indium zinc oxide), 징크산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크산화물(AZO; aluminum zinc oxide)과 같은 투명 도전성 물질을 포함하는 적어도 하나의 층을 포함할 수 있다. 예컨대, 커버층(130)은 3개의 투명 도전성 물질층이 순차로 적층된 구조일 수 있다.
박막봉지층(300)의 무기봉지층, 예컨대 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 비표시영역(NDA)으로 연장될 수 있다. 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 비표시영역(NDA)에서 제1구동전압공급라인(61), 제3구동전압공급라인(63), 제1댐(DM1), 및 제2댐(DM2) 상에 배치되며, 제1구동전압공급라인(61), 제3구동전압공급라인(63), 제1댐(DM1), 및 제2댐(DM2)과 중첩할 수 있다.
커버층(130)은 제2댐(DM2)과 뱅크(230) 사이에 위치할 수 있다. 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 제1영역(ICR)에서 커버층(130) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 박막봉지층(300)의 제1무기봉지층(310)은 커버층(130)으로 덮인 제1구동전압공급라인(61)의 에지 위로 연장될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1구동전압공급라인(61)의 에지를 커버하는 커버층(130)을 포함함으로써, 박막봉지층(300)이 형성되기 전의 후속 마스크 공정에서 제1구동전압공급라인의 에지가 노출되거나 손상되지 않도록 할 수 있고, 제1구동전압공급라인(61)의 에지를 통해 댐(DM)의 내측으로 투습이 일어나는 것을 최소화할 수 있다.
일 실시예에서, 커버층(130)으로 커버되는 제1구동전압공급라인(61)의 양측 에지는 평면상 직선 형태를 가질 수 있다. 제1구동전압공급라인(61)의 에지가 평면상 직선 형태를 가지는 경우, 커버층(130)이 상기 에지를 커버하는 스텝 커버리지가 향상될 수 있다.
도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도로, 도 8의 제 I-I'선에 따라 나타낸 단면도이다.
도 9를 참조하면, 제1영역(ICR)에는 기판(100)이 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 기판(100)은 제1베이스층(101), 제1배리어층(103), 제2베이스층(105), 및 제2배리어층(107)을 포함할 수 있다.
기판(100) 상에는 무기절연층(IIL)이 배치될 수 있다. 무기절연층(IIL)은 순차적으로 버퍼층(111), 제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113), 제1무기절연층(115), 제2무기절연층(117), 및 층간절연층(119)을 포함할 수 있다.
구동전압공급라인(60), 예컨대 도 9에 도시된 바와 같이 제1구동전압공급라인(61)은 무기절연층(IIL)과 박막봉지층(300) 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제1구동전압공급라인(61)은 순차로 적층된 제1층(61-1), 제2층(61-2), 및 제3층(61-3)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 내지 제3층(61-1, 61-2, 61-3)은 각각 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1층(61-1) 및 제3층(61-3)은 동일 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1층(61-1) 및 제3층(61-3)은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제2층(61-2)은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 커버층(130)은 제1구동전압공급라인(61)의 측면(61s), 제1구동전압공급라인(61)의 상면(61t)의 적어도 일부 및 제1구동전압공급라인(61)의 바로 아래에 배치된 무기절연층(IIL)의 상면(IILt)의 적어도 일부를 연속적으로 덮을 수 있다. 구체적으로, 커버층(130)은 제1구동전압공급라인(61)의 제1층(61-1)의 측면(61-1s), 제2층(61-2)의 측면(61-2s), 제3층(61-3)의 측면(61-3s), 제3층(61-3)의 상면(61-3t)의 적어도 일부, 및 층간절연층(119)의 상면(119t)의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 커버층(130)은 제1구동전압공급라인(61)의 상면(61t)과 측면(61s), 및 무기절연층(IIL)의 상면을 커버하도록 연장될 수 있다. 예컨대, 커버층(130)은 제1구동전압공급라인(61)의 상면(61t)과 측면(61s), 및 무기절연층(IIL)의 상면을 연속적으로 커버할 수 있다. 커버층(130)은 제1구동전압공급라인(61)의 상면(61t)과 측면(61s), 및 무기절연층(IIL)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 제1구동전압공급라인(61)의 측면(61s)은 도 8을 참조하여 설명한 제1구동전압공급라인(61)의 에지에 해당한다.
후속하는 마스크 공정에서, 제1구동전압공급라인(61)의 측면(61s)이 노출되는 경우, 제2층(61-2)의 측면(61-2s)에 언더컷이 발생할 수 있고, 상대적으로 제1층(61-1)의 측면(61-1s)에는 돌출된 팁 구조가 형성될 수 있다. 이로 인해 제1구동전압공급라인(61)의 측면(61s)에 공극이 발생할 수 있으며, 발생된 공극은 외부의 수분 및 산소의 이동 경로가 될 수 있다. 또한, 제1층(61-1)의 팁 구조는 상부의 박막봉지층(300)을 손상시켜 투습 경로를 형성할 수도 있다.
본 발명의 실시예에서는, 커버층(130)이 제1구동전압공급라인(61)의 제1층(61-1)의 측면(61-1s), 제2층(61-2)의 측면(61-2s), 제3층(61-3)의 측면(61-3s) 및 제3층(61-3)의 상면(61-3t)의 적어도 일부를 커버함으로써, 제2층(61-2)의 측면(61-2s)에 언더컷이 발생하거나 제1층(61-1)에 돌출된 팁 구조가 형성되는 것을 방지 또는 최소화할 수 있고, 외부의 수분 및 산소로부터 표시영역(DA) 상에 배치된 유기발광다이오드를 보호할 수 있다.
일 실시예에서, 제1구동전압공급라인(61)의 측면(61s)은 순방향으로 테이퍼진 경사면을 포함할 수 있다. 이때, 순방향으로 테이퍼진 경사면을 갖는다는 것은 제1구동전압공급라인(61)의 측면(61s)이 언더컷 구조나 돌출 구조를 갖지 않고, 완만한 기울기의 형상을 갖는 것을 의미할 수 있다.
일 실시예에서, 커버층(130)은 적어도 하나의 투명 도전성 물질층을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 커버층(130)은 순차적으로 적층된 제1투명 도전성 물질층(131), 제2투명 도전성 물질층(132), 및 제3투명 도전성 물질층(133)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 커버층(130)은 제1투명 도전성 물질층(131), 제2투명 도전성 물질층(132), 및 제3투명 도전성 물질층(133) 중 어느 하나는 생략될 수 있다. 일 실시예에서, 커버층(130)이 순차 적층된 제1투명 도전성 물질층(131), 제2투명 도전성 물질층(132), 및 제3투명 도전성 물질층(133)을 포함하는 경우, 제1구동전압공급라인(61)의 에지를 덮는 스텝 커버리지가 우수할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 내지 제3투명 도전성 물질층(131, 132, 133)은 각각 예컨대, 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐징크산화물(IZO; indium zinc oxide), 징크산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크산화물(AZO; aluminum zinc oxide)중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 커버층(130)에 포함된 적어도 하나의 투명 도전성 물질층은 도 6a 내지 도 6c에서 전술한 제1연결배선(CWL1, 도 6a 참조), 제2연결배선(CWL2, 도 6b 참조), 및 제3연결배선(CWL3, 도 6c 참조) 중 적어도 하나와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1투명 도전성 물질층(131)은 제1연결배선(CWL1)과 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 제2투명 도전성 물질층(132)은 제2연결배선(CWL2)과 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 제3투명 도전성 물질층(133)은 제3연결배선(CWL3)과 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 동일한 공정에서 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 내지 제3연결배선(CWL1, CWL2, CWL3, 도 6a 내지 도 6c)을 형성하는 공정에서 동시에 제1 내지 제3투명 도전성 물질층(131, 132, 133)을 형성함으로써, 별도의 공정을 추가하지 않고도 제1구동전압공급라인(61)의 에지를 효과적으로 덮는 커버층(130)을 형성할 수 있다. 따라서, 공정상 경제적인 이점을 갖는다.
일 실시예에서, 커버층(130) 및 층간절연층(119) 상에는 박막봉지층(300)이 배치될 수 있다. 구체적으로, 커버층(130) 및 층간절연층(119) 상에는 제1무기봉지층(310)이 배치될 수 있다. 제1무기봉지층(310)은 커버층(130) 및 층간절연층(119) 상에 직접 배치될 수 있다. 제1무기봉지층(310)은 제1구동전압공급라인(61)의 상면, 커버층(130)의 상면 및 무기절연층(IIL)의 상면을 커버할 수 있다. 제1무기봉지층(310)은 제1구동전압공급라인(61)의 상면(61t), 커버층(130)의 상면 및 무기절연층(IIL)의 상면(IILt)과 직접 접촉할 수 있다.
일 실시예에서, 제1무기봉지층(310) 상에는 제2무기봉지층(330)이 배치될 수 있다. 제2무기봉지층(330)은 제1무기봉지층(310) 상에 직접 배치될 수 있다. 커버층(130) 및 층간절연층(119) 상에 제1무기봉지층(310)이 직접 배치되고, 제1무기봉지층(310) 상에 제2무기봉지층(330)이 직접 배치됨으로써, 박막봉지층(300)의 접합력이 향상되어 외부의 수분 및 산소의 침투를 더욱 효과적으로 방지 또는 최소화할 수 있다.
도 8 및 도 9에서는 제1구동전압공급라인(61)과 그 주변 구조에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 제1구동전압공급라인(61)과 같이 댐(DM)과 교차하는 제2방향(y 방향)으로 연장된 제2구동전압공급라인(62), 제1공통전압공급라인(71), 및 제2공통전압공급라인(73)는 도 8 및 도 9를 참조하여 설명한 구조와 실질적으로 동일한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 제1영역(ICR)과 중첩되는 제2구동전압공급라인(62), 제1공통전압공급라인(71), 및 제2공통전압공급라인(73)의 에지는 평면상 직선 형태를 가질 수 있고, 제1영역(ICR)과 중첩되는 제2구동전압공급라인(62), 제1공통전압공급라인(71), 및 제2공통전압공급라인(73)의 에지에 각각 커버층(130)이 배치될 수 있다.
이와 같은 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 전자 기기
DP: 표시 패널
100: 기판
IIL: 무기절연층
DM: 댐
60: 구동전압공급라인
70: 공통전압공급라인
130: 커버층
CWL1, CWL2, CWL3: 제1연결배선, 제2연결배선, 제3연결배선
300: 박막봉지층
310, 320: 제1, 제2무기봉지층
DP: 표시 패널
100: 기판
IIL: 무기절연층
DM: 댐
60: 구동전압공급라인
70: 공통전압공급라인
130: 커버층
CWL1, CWL2, CWL3: 제1연결배선, 제2연결배선, 제3연결배선
300: 박막봉지층
310, 320: 제1, 제2무기봉지층
Claims (23)
- 표시영역 및 상기 표시영역의 외측인 비표시영역을 갖는 기판;
상기 표시영역 및 상기 비표시영역 상에 배치된 무기절연층;
상기 표시영역 상에 배치된 복수의 표시요소;
상기 복수의 표시요소 상에 배치되며, 제1무기봉지층, 제2무기봉지층, 및 상기 제1무기봉지층과 상기 제2무기봉지층 사이에 배치되는 유기봉지층을 구비하는 박막봉지층;
상기 비표시영역에 배치되며 상기 표시영역을 둘러싸는 댐;
상기 비표시영역에서 상기 무기절연층 상에 배치되는 전원공급라인;
상기 전원공급라인의 일 부분은 상기 댐과 교차하며,
상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 에지는 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 커버되고,
상기 제1무기봉지층은 상기 비표시영역으로 연장되며, 상기 제1무기봉지층의 일부는 상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 커버된 상기 전원공급라인의 상기 일 부분 위에 배치된, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상기 에지는, 상기 댐과 상기 기판의 에지 사이에서 상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 커버되는, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 전원공급라인은 동일 물질을 포함하는 제1층, 제3층과, 상기 제1층 및 상기 제3층 사이에 개재된 제2층을 포함하는 3중층 구조인, 표시 장치. - 제3항에 있어서,
상기 전원공급라인의 상기 제1층 및 상기 제3층은 티타늄을 포함하고, 상기 제2층은 알루미늄을 포함하는, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 표시영역은 제1표시영역 및 상기 제1표시영역에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸인 제2표시영역을 포함하고,
상기 표시 장치는,
상기 제1표시영역에 배치된 복수의 제1표시요소;
상기 제2표시영역에 배치된 복수의 제2표시요소;
상기 복수의 제2표시요소와 각각 연결된 복수의 제2부화소회로; 및
상기 복수의 제2표시요소와 상기 복수의 제2부화소회로를 각각 연결하는 복수의 연결배선;을 포함하며,
상기 복수의 제2부화소회로는 상기 제1표시영역과 상기 제2표시영역 사이 또는 상기 비표시영역에 배치되는, 표시 장치. - 제5항에 있어서,
상기 복수의 연결배선은 서로 다른 층에 배치된 제1연결배선, 제2연결배선, 및 제3연결배선을 포함하고,
상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층은 제1투명 도전성 물질층, 상기 제1투명 도전성 물질층 상에 배치된 제2투명 도전성 물질층, 및 상기 제2투명 도전성 물질층 상에 배치된 제3투명 도전성 물질층을 포함하는, 표시 장치. - 제6항에 있어서,
상기 제1연결배선은 상기 제1투명 도전성 물질층과 동일한 물질을 포함하고,
상기 제2연결배선은 상기 제2투명 도전성 물질층과 동일한 물질을 포함하며,
상기 제3연결배선은 상기 제3투명 도전성 물질층과 동일한 물질을 포함하는, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상기 에지는 평면상 직선 형태를 갖는, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층은,
상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상면, 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상기 에지에 해당하는 측면, 및 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 아래에 위치하는 상기 무기절연층의 상면을, 연속적으로 커버하는, 표시 장치. - 제9항에 있어서,
상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층은,
상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상면, 전원공급라인의 상기 일 부분의 상기 에지에 해당하는 측면, 및 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 아래에 위치하는 상기 무기절연층의 상면과 직접 접촉하는, 표시 장치. - 제1표시영역과 상기 제1표시영역에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸인 제2표시영역을 포함하는 표시영역, 및 상기 표시영역의 외측인 비표시영역을 갖는 기판;
상기 표시영역 및 상기 비표시영역 상에 배치된 무기절연층;
상기 제1표시영역에 배치된 복수의 제1표시요소;
상기 제2표시영역에 배치된 복수의 제2표시요소;
상기 제1표시영역과 상기 제2표시영역 사이 또는 상기 비표시영역에 배치되며 상기 복수의 제2표시요소와 각각 연결된 복수의 제2부화소회로;
상기 복수의 제2표시요소와 상기 복수의 제2부화소회로를 각각 연결하는 복수의 연결배선;
상기 제1표시요소 및 상기 제2표시요소 상에 배치되며, 제1무기봉지층, 제2무기봉지층, 및 상기 제1무기봉지층과 상기 제2무기봉지층 사이에 배치되는 유기봉지층을 구비하는 박막봉지층;
상기 비표시영역에 배치되며 상기 표시영역을 둘러싸는 댐; 및
상기 비표시영역에서 상기 무기절연층 상에 배치되는 전원공급라인;을 포함하며,
상기 전원공급라인의 일 부분은 상기 댐과 교차하고,
상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 에지는 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 커버되고,
상기 제1무기봉지층은 상기 비표시영역으로 연장되며, 상기 제1무기봉지층의 일부는 상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 커버된 상기 전원공급라인의 상기 일 부분 위에 배치된, 표시 장치. - 제11항에 있어서,
상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층은,
제1투명 도전성 물질층, 상기 제1투명 도전성 물질층 상의 제2투명 도전성 물질층, 및 상기 제2투명 도전성 물질층 상의 제3투명 도전성 물질층을 포함하는, 표시 장치. - 제12항에 있어서,
상기 복수의 연결배선은,
서로 다른 층에 배치된 제1연결배선, 제2연결배선, 및 제3연결배선을 포함하는, 표시 장치. - 제13항에 있어서,
상기 제1연결배선은 상기 제1투명 도전성 물질층과 동일한 물질을 포함하고,
상기 제2연결배선은 상기 제2투명 도전성 물질층과 동일한 물질을 포함하며,
상기 제3연결배선은 상기 제3투명 도전성 물질층과 동일한 물질을 포함하는, 표시 장치. - 제11항에 있어서,
상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상기 에지는,
상기 댐과 상기 기판의 에지 사이에서 상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 커버되는, 표시 장치. - 제11항에 있어서,
상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층은,
상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상면, 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상기 에지에 해당하는 측면, 및 상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 아래에 위치하는 상기 무기절연층의 상면을, 연속적으로 커버하는, 표시 장치. - 제11항에 있어서,
상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상기 에지는 평면상 직선 형태를 갖는, 표시 장치. - 제1표시영역과 상기 제1표시영역에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸인 제2표시영역을 포함하는 표시영역, 및 상기 표시영역의 외측인 비표시영역을 포함하는 표시 장치; 및
상기 표시 장치의 하부에서 상기 제2표시영역에 대응하도록 배치되는 컴포넌트;를 포함하고,
상기 표시 장치는,
기판;
상기 표시영역 및 상기 비표시영역 상에 배치된 무기절연층;
상기 표시영역 상에 배치된 복수의 표시요소;
상기 복수의 표시요소 상에 배치되며, 제1무기봉지층, 제2무기봉지층, 및 상기 제1무기봉지층과 상기 제2무기봉지층 사이에 배치되는 유기봉지층을 구비하는 박막봉지층;
상기 비표시영역에 배치되며 상기 표시영역을 둘러싸는 댐;
상기 비표시영역에서 상기 무기절연층 상에 배치되는 전원공급라인;
상기 전원공급라인의 일 부분은 상기 댐과 교차하며,
상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 에지는 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 커버되고,
상기 제1무기봉지층은 상기 비표시영역으로 연장되며, 상기 제1무기봉지층의 일부는 상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 커버된 상기 전원공급라인의 상기 일 부분 위에 배치된, 전자 기기. - 제18항에 있어서,
상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상기 에지는, 상기 댐과 상기 기판의 에지 사이에서 상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층으로 커버되는, 전자 기기. - 제18항에 있어서,
상기 표시 장치는,
상기 제1표시영역에 배치된 복수의 제1표시요소;
상기 제2표시영역에 배치된 복수의 제2표시요소;
상기 복수의 제2표시요소와 각각 연결된 복수의 제2부화소회로; 및
상기 복수의 제2표시요소와 상기 복수의 제2부화소회로를 각각 연결하는 복수의 연결배선;을 포함하며,
상기 복수의 제2부화소회로는 상기 제1표시영역과 상기 제2표시영역 사이 또는 상기 비표시영역에 배치되는, 전자 기기. - 제20항에 있어서,
상기 복수의 연결배선은 서로 다른 층에 배치된 제1연결배선, 제2연결배선, 및 제3연결배선을 포함하고,
상기 적어도 하나의 투명 도전성 물질층은 제1투명 도전성 물질층, 상기 제1투명 도전성 물질층 상에 배치된 제2투명 도전성 물질층, 및 상기 제2투명 도전성 물질층 상에 배치된 제3투명 도전성 물질층을 포함하는, 전자 기기. - 제21항에 있어서,
상기 제1연결배선은 상기 제1투명 도전성 물질층과 동일한 물질을 포함하고,
상기 제2연결배선은 상기 제2투명 도전성 물질층과 동일한 물질을 포함하며,
상기 제3연결배선은 상기 제3투명 도전성 물질층과 동일한 물질을 포함하는, 전자 기기. - 제18항에 있어서,
상기 전원공급라인의 상기 일 부분의 상기 에지는 평면상 직선 형태를 갖는, 전자 기기.
Priority Applications (3)
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Family Applications (1)
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| KR1020220066348A KR20230167210A (ko) | 2022-05-30 | 2022-05-30 | 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기 |
Country Status (3)
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