KR20230163374A - 표시 장치, 전자 기기, 그리고 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
공진기 구조를 가져도 부화소 사이의 단좌를 억제할 수 있는 표시 장치, 전자 기기, 및 표시 장치의 제조 방법을 제공한다. 표시 장치가 복수의 색종에 대응한 복수의 부화소를 갖고, 각각의 상기 부화소에, 제1 전극과 유기층과 제2 전극을 갖는 발광 소자를 구비하고 있고, 적어도 하나의 색종에 대응한 상기 부화소에는, 상기 유기층으로부터의 출사광을 공진하는 공진기 구조가 형성되고, 또한 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 어느 한쪽에 굴절률 조정층이 내포되어 있다.
Description
본 개시는, 표시 장치, 전자 기기, 그리고 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 EL 디스플레이와 같은 표시 장치에서는, 부화소의 색종에 따른 색 재현성이나 고효율화에 공헌하는 기술로서, 특허문헌 1에 나타내는 바와 같이, 마이크로캐비티 구조(공진기 구조)가 알려져 있다. 특허문헌 1에 나타내는 공진기 구조에서는, 반사판과 하부 투명 전극 사이의 층간 절연막(광로 길이 조정층)의 막 두께가, 부화소의 색종에 따라서 정해지는 공진 조건을 충족시키는 값으로 된다.
특허문헌 1에 개시된 공진기 구조에서는 부화소의 색종의 차이에 따라서, 광로 조정층의 막 두께가 다르기 때문에, 광로 조정층보다도 상층에 형성되는 각 층에 있어서, 부화소의 사이에 광로 조정층의 막 두께차에 기초하는 단차가 생기는 경우가 있다. 부화소의 사이에 생긴 단차가 커지면 광 추출 효율 및 색 순도에 영향이 발생할 것이 염려된다. 따라서, 공진기 구조를 갖는 표시 장치에 있어서는, 부화소간의 단차를 억제하는 점에서 개선의 여지가 있다.
본 개시는 상술한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 공진기 구조를 가져도 부화소 사이의 단좌를 억제할 수 있는 표시 장치, 전자 기기, 그리고 표시 장치의 제조 방법의 제공을 목적의 하나로 한다.
본 개시는, 예를 들어 (1) 복수의 색종에 대응한 복수의 부화소를 갖고,
각각의 상기 부화소에, 제1 전극과 유기층과 제2 전극을 갖는 발광 소자를 구비하고 있고,
적어도 하나의 색종에 대응한 상기 부화소에는, 상기 유기층으로부터의 출사광을 공진하는 공진기 구조가 형성되고, 또한 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 어느 한쪽에 굴절률 조정층이 내포되어 있는,
표시 장치이다.
본 개시는, 예를 들어 (2) 상기 (1) 기재의 표시 장치를 구비한 전자 기기여도 된다.
또한, 본 발명은, 예를 들어 (3) 광학 조정층을 투명 도전층 상에 형성하는 공정과,
상기 광학 조정층을 각각의 부화소에 대응한 피치로 일괄하여 분단하는 공정과,
분단된 상기 광학 조정층을 덮도록 반투과 반사층을 형성하는 공정을 구비하는,
표시 장치의 제조 방법이다.
도 1은, 제1 실시 형태에 관한 표시 장치의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2의 A는, 표시 장치의 실시예 중 하나를 설명하기 위한 평면도이다. 도 2의 B는, 도 2의 A에 있어서의 파선으로 둘러싸인 영역 XS의 부화소의 배열을 나타내는 평면도이다.
도 3의 A, 도 3의 B는, 발광 소자의 예를 나타내는 단면도이다.
도 4의 A 내지 도 4의 E는, 제1 실시 형태에 관한 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5의 A 내지 도 5의 E는, 제1 실시 형태에 관한 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6의 A는, 제1 실시 형태에 관한 표시 장치의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다. 도 6의 B는, 제1 실시 형태에 관한 표시 장치의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 7의 A, 도 7의 B는, 제1 실시 형태에 관한 표시 장치의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 8의 A, 도 8의 B는, 제1 실시 형태에 관한 표시 장치의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 9의 A, 도 9의 B는, 제1 실시 형태에 관한 표시 장치의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 10은, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 11의 A는, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 부화소의 배열을 설명하기 위한 평면도이다. 도 11의 B는, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 12는, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치와 동등한 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 13의 A 내지 도 13의 C는, 제2 실시 형태에 관한 광학 조정층의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 14의 A 내지 도 14의 C는, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 15의 A 내지 도 15의 C는, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 16은, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 17의 A, 도 17의 B는, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 18의 A, 도 18의 B는, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 19의 A, 도 19의 B는, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 20의 A, 도 20의 B는, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 21의 A, 도 21의 B는, 표시 장치의 부화소의 레이아웃의 일 실시예(제3 실시 형태)를 설명하기 위한 도면이다.
도 22의 A, 도 22의 B는, 표시 장치의 부화소의 레이아웃의 일 실시예(제3 실시 형태)를 설명하기 위한 도면이다.
도 23의 A는, 제4 실시 형태에 관한 표시 장치의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다. 도 23의 B는, 제5 실시 형태에 관한 표시 장치의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 24의 A는, 제6 실시 형태에 관한 표시 장치의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다. 도 24의 B는, 제7 실시 형태에 관한 표시 장치의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 25의 A, 도 25의 B는, 표시 장치를 사용한 전자 기기의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 26은, 표시 장치를 사용한 전자 기기의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 27은, 표시 장치를 사용한 전자 기기의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 2의 A는, 표시 장치의 실시예 중 하나를 설명하기 위한 평면도이다. 도 2의 B는, 도 2의 A에 있어서의 파선으로 둘러싸인 영역 XS의 부화소의 배열을 나타내는 평면도이다.
도 3의 A, 도 3의 B는, 발광 소자의 예를 나타내는 단면도이다.
도 4의 A 내지 도 4의 E는, 제1 실시 형태에 관한 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5의 A 내지 도 5의 E는, 제1 실시 형태에 관한 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6의 A는, 제1 실시 형태에 관한 표시 장치의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다. 도 6의 B는, 제1 실시 형태에 관한 표시 장치의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 7의 A, 도 7의 B는, 제1 실시 형태에 관한 표시 장치의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 8의 A, 도 8의 B는, 제1 실시 형태에 관한 표시 장치의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 9의 A, 도 9의 B는, 제1 실시 형태에 관한 표시 장치의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 10은, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 11의 A는, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 부화소의 배열을 설명하기 위한 평면도이다. 도 11의 B는, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 12는, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치와 동등한 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 13의 A 내지 도 13의 C는, 제2 실시 형태에 관한 광학 조정층의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 14의 A 내지 도 14의 C는, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 15의 A 내지 도 15의 C는, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 16은, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 17의 A, 도 17의 B는, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 18의 A, 도 18의 B는, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 19의 A, 도 19의 B는, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 20의 A, 도 20의 B는, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 변형예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 21의 A, 도 21의 B는, 표시 장치의 부화소의 레이아웃의 일 실시예(제3 실시 형태)를 설명하기 위한 도면이다.
도 22의 A, 도 22의 B는, 표시 장치의 부화소의 레이아웃의 일 실시예(제3 실시 형태)를 설명하기 위한 도면이다.
도 23의 A는, 제4 실시 형태에 관한 표시 장치의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다. 도 23의 B는, 제5 실시 형태에 관한 표시 장치의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 24의 A는, 제6 실시 형태에 관한 표시 장치의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다. 도 24의 B는, 제7 실시 형태에 관한 표시 장치의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 25의 A, 도 25의 B는, 표시 장치를 사용한 전자 기기의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 26은, 표시 장치를 사용한 전자 기기의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 27은, 표시 장치를 사용한 전자 기기의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 개시에 관한 일 실시예 등에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 설명은 이하의 순서로 행한다. 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성에 대해서는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
또한, 설명은 이하의 순서로 행하는 것으로 한다.
1. 제1 실시 형태
2. 제2 실시 형태
3. 제3 실시 형태
4. 제4 실시 형태
5. 제5 실시 형태
6. 제6 실시 형태
7. 제7 실시 형태
8. 응용예
이하의 설명은 본 개시의 적합한 구체예이며, 본 개시의 내용이 이들 실시 형태 등에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 설명의 편의를 고려하여 전후, 좌우, 상하 등의 방향을 나타내지만, 본 개시의 내용은 이들 방향에 한정되는 것은 아니다. 도 1, 도 2의 예에서는, Z축 방향을 상하 방향(상측이 +Z 방향, 하측이 -Z 방향), X축 방향을 전후 방향(전방측이 +X 방향, 후방측이 -X 방향), Y축 방향을 좌우 방향(우측이 +Y 방향, 좌측이 -Y 방향)인 것으로 하고, 이것에 기초하여 설명을 행한다. 이것은, 도 3 내지 도 11, 도 14 내지 도 24에 대해서도 마찬가지이다. 도 1 등의 각 도면에 나타내는 각 층의 크기나 두께의 상대적인 대소 비율은 편의상의 기재이며, 실제의 대소 비율을 한정하는 것은 아니다. 이들 방향에 관한 결정이나 대소 비율에 대해서는, 도 2 내지 도 24의 각 도면에 대해서도 마찬가지이다.
[1 제1 실시 형태]
[1-1 표시 장치의 구성]
도 1은, 본 개시의 일 실시 형태에 관한 유기 EL(Electroluminescence) 표시 장치(10)(이하, 간단히 「표시 장치(10)」라고 함)의 일 구성예를 나타내는 단면도이다. 표시 장치(10)는 구동 기판(11)과 복수의 발광 소자(104)를 구비한다. 또한, 표시 장치(10)는 공진기 구조(19)를 갖는다. 또한, 도 1에서는, 후술하는 충전 수지층(17) 및 대향 기판(18)을 기재하고 있다. 도 2 내지 도 24에 대해서는, 설명의 편의상, 충전 수지층(17) 및 대향 기판(18)을 생략한다.
표시 장치(10)는 톱 에미션 방식의 표시 장치이다. 표시 장치(10)는, 구동 기판(11)이 표시 장치(10)의 이면 측에 위치하고, 구동 기판(11)으로부터 발광 소자(104)를 향하는 방향(+Z 방향)이 표시 장치(10)의 표면 측(표시 영역(10A)에서의 표시면 측, 상면 측) 방향으로 되어 있다. 이하의 설명에 있어서, 표시 장치(10)를 구성하는 각 층에 있어서, 표시 장치(10)의 표시 영역(10A)에서의 표시면 측이 되는 면을 제1면(상면)이라 하고, 표시 장치(10)의 이면 측이 되는 면을 제2면(하면)이라 한다.
(부화소의 구성)
도 1에 나타내는 표시 장치(10)의 예에서는, 1개의 화소가, 복수의 색종에 대응한 복수의 부화소의 조합으로 형성되어 있다. 이 예에서는, 복수의 색종으로서 적색, 녹색, 청색의 3색이 정해지고, 부화소로서, 부화소(101R), 부화소(101G), 부화소(101B)의 3종이 마련된다. 부화소(101R), 부화소(101G), 부화소(101B)는, 각각 적색의 부화소, 녹색의 부화소, 청색의 부화소이며, 각각 적색, 녹색, 청색의 표시를 행한다. 단, 도 1의 예는 일 예이며, 복수의 부화소의 색종을 한정하는 것은 아니다. 또한, 적색, 녹색, 청색의 각 색종에 대응하는 광의 파장은, 예를 들어 각각 610nm 내지 650nm의 범위, 510nm 내지 590nm의 범위, 440nm 내지 480nm의 범위에 있는 파장으로서 정할 수 있다. 또한, 개개의 부화소(101R, 101G, 101B)의 레이아웃은, 도 2의 B의 예에서는, 횡 배열의 레이아웃으로 되어 있다. 그리고 부화소(101R, 101G, 101B)가 이차원적으로 마련되어 있다. 도 2의 B는, 도 2의 A의 표시 영역(10A)에 형성되는 표시면 내의 일부 영역을 확대한 상태를 설명한 도면이다. 도 2의 A는, 표시 장치(10)의 표시 영역(10A)을 설명하기 위한 도면이다.
이하의 설명에서는, 부화소(101R, 101G, 101B)를 특별히 구별하지 않을 경우, 부화소(101R, 101G, 101B)는 부화소(101)라는 단어로 총칭된다.
(구동 기판)
구동 기판(11)은 기판(11A)에 복수의 발광 소자(104)를 구동하는 각종 회로를 마련하고 있다. 각종 회로로서는, 발광 소자(104)의 구동을 제어하는 구동 회로, 복수의 발광 소자(104)에 전력을 공급하는 전원 회로(모두 도시하지 않음)를 예시할 수 있다.
기판(11A)은, 예를 들어 수분 및 산소의 투과성이 낮은 유리 또는 수지로 구성되어 있어도 되고, 트랜지스터 등의 형성이 용이한 반도체로 형성되어도 된다. 구체적으로는, 기판(11A)은 유리 기판, 반도체 기판 또는 수지 기판 등이어도 된다. 유리 기판은, 예를 들어 고변형점 유리, 소다 유리, 붕규산 유리, 포르스테라이트, 납 유리 또는 석영 유리 등을 포함한다. 반도체 기판은, 예를 들어 아몰퍼스 실리콘, 다결정 실리콘 또는 단결정 실리콘 등을 포함한다. 수지 기판은, 예를 들어 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리비닐알코올, 폴리비닐페놀, 폴리에테르술폰, 폴리이미드, 폴리카르보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리에틸렌나프탈레이트 등으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함한다.
구동 기판(11)의 제1면에는, 발광 소자(104)와 기판(11A)에 마련된 각종 회로를 접속하기 위한 복수의 콘택트 플러그(도시하지 않음)가 마련된다.
(발광 소자)
표시 장치(10)에서는, 구동 기판(11)의 제1면 상에, 복수의 발광 소자(104)가 마련되어 있다. 도 1의 예에서는, 발광 소자(104)는 유기 일렉트로루미네센스 소자로 되어 있다. 또한, 이 예에서는, 복수의 발광 소자(104)로서, 개개의 부화소(101R, 101G, 101B)에 대응하도록 개개의 발광 소자(104R, 104G, 104B)가 형성된다. 발광 소자(104R, 104G, 104B)는, 각각 적색, 녹색, 청색의 광을 각각의 발광면에서의 출사광으로 한다. 본 명세서에 있어서, 발광 소자(104R, 104G, 104B)와 같은 종류가 특별히 구별되지 않을 경우, 발광 소자(104)라는 단어가 사용된다. 복수의 발광 소자(104)는, 예를 들어 매트릭스상 등의 규정의 배치 패턴으로 2차원 배치되어 있다. 도 2의 A의 예에서는 복수의 발광 소자(104)는, 소정의 2 방향(도 2의 A에서는 X축 방향 및 Y축 방향)으로 이차원적으로 배열된 레이아웃으로 되어 있다. 도 2의 A는, 표시 장치(10)의 표시 영역(10A)의 형성면(표시면)의 일 실시예를 설명하기 위한 평면도이다. 도 2의 A에 있어서, 부호 10B는 표시 영역(10A)의 외측이 되는 영역을 나타낸다.
발광 소자(104)는 제1 전극(13)과, 유기층(14)과, 제2 전극(15)을 구비한다. 제1 전극(13), 유기층(14) 및 제2 전극(15)은, 구동 기판(11) 측으로부터 이 순서로, 제2면으로부터 제1면을 향하는 방향으로 적층되어 있다.
(제1 전극)
제1 전극(13)은 구동 기판(11)의 제1면 측에 복수 마련된다. 제1 전극(13)은 후술하는 절연층(12)으로 부화소(101)마다, 전기적으로 분리되어 있다. 제1 전극(13)은 애노드 전극이다. 도 1의 예에서는, 제1 전극(13)은 반사층으로서의 기능도 겸하고 있다. 이 경우, 제1 전극(13)은 가능한 한 반사율이 높은 것이 바람직하다. 또한, 제1 전극(13)은 일함수가 큰 재료로 구성되는 것이, 발광 효율을 높이기 때문에 바람직하다.
제1 전극(13)은 금속층 및 금속 산화물층 중 적어도 1층에 의해 구성되어 있다. 제1 전극(13)은 금속층 혹은 금속 산화물층의 단층막, 또는 금속층과 금속 산화물층의 적층막에 의해 구성되어 있어도 된다. 제1 전극(13)이 적층막에 의해 구성되어 있는 경우, 금속 산화물층이 유기층(14) 측에 마련되어 있어도 되고, 금속층이 유기층(14) 측에 마련되어 있어도 되지만, 높은 일함수를 갖는 층을 유기층(14)에 인접시키는 관점으로 하면, 금속 산화물층이 유기층(14) 측에 마련되어 있는 것이 바람직하다.
제1 전극(13)은 반사판과 투명 도전층으로 형성되어 있어도 된다. 이것은, 예를 들어 제1 전극(13)을 반사판으로서, 광반사성을 갖는 금속층을 사용하고, 투명 도전층으로서, 광투과성을 갖는 금속 산화막으로 형성함으로써 실현할 수 있다. 또한, 제1 전극(13)을 투명 도전층(130)으로 형성하고, 제1 전극(13)과는 별도로 반사판을 마련해도 된다.
금속층은, 예를 들어 크롬(Cr), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈(Ta), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 철(Fe), 텅스텐(W) 및 은(Ag)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속 원소를 포함한다. 금속층은 상기 적어도 1종의 금속 원소를 합금의 구성 원소로서 포함하고 있어도 된다. 합금의 구체예로서는, 알루미늄 합금 또는 은 합금을 들 수 있다. 알루미늄 합금의 구체예로서는, 예를 들어 AlNd 또는 AlCu를 들 수 있다.
금속 산화물층은, 예를 들어 인듐 산화물과 주석 산화물의 혼합체(ITO), 인듐 산화물과 아연 산화물의 혼합체(IZO) 및 산화티타늄(TiO) 중 적어도 1종을 포함한다.
(절연층)
표시 장치(10)에 있어서는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 절연층(12)이 구동 기판(11)의 제1면 측에 마련되어 있는 것이 적합하다. 절연층(12)은 이웃하는 제1 전극(13)의 사이에 마련되어 있고, 각 제1 전극(13)을 발광 소자(104)마다(즉, 부화소(101)마다) 전기적으로 분리한다. 또한, 절연층(12)은 복수의 개구부(12A)를 갖고, 제1 전극(13)의 제1면(제2 전극(15)과의 대향면)이 개구부(12A)로부터 노출되어 있다. 또한, 도 1 등의 예에서는, 절연층(12)은 분리된 제1 전극(13)의 제1면의 주연부로부터 측면(단부면)에 걸친 영역을 덮고 있다. 그리고, 이 경우, 각각의 개구부(12A)는 각각의 제1 전극(13)의 제1면 상에 배치된다. 이 때, 제1 전극(13)은 개구부(12A)로부터 노출되고, 이 노출된 영역이, 발광 소자(104)의 발광 영역을 규정한다. 본 명세서에 있어서, 제1 전극(13)의 제1면의 주연부란, 개개의 제1 전극(13)의 제1면 측의 외주 단부 에지로부터 그 제1면의 내측을 향하여, 소정의 폭을 갖는 영역을 말한다.
절연층(12)은, 예를 들어 유기 재료 또는 무기 재료로 구성된다. 유기 재료는, 예를 들어 폴리이미드 및 아크릴 수지 중 적어도 1종을 포함한다. 무기 재료는, 예를 들어 산화실리콘, 질화실리콘, 산질화실리콘 및 산화알루미늄 중 적어도 1종을 포함한다.
(유기층)
유기층(14)은 제1 전극(13)과 제2 전극(15) 사이에 마련되어 있다. 유기층(14)은 각각의 색종에 대응하는 부화소(101)마다 전기적으로 분리된 층으로서 마련되어 있다. 유기층(14)은 도 1의 예에서는, 백색광을 발광 가능하도록 구성되어 있다. 단, 이것은, 유기층(14)의 발광색이 백색 이외인 것을 금지하는 것은 아니고, 적색, 청색, 녹색 등의 색이 채용되어도 된다. 즉, 유기층(14)의 발광색은, 예를 들어 백색, 적색, 청색 및 녹색 중 어느 1종류이면 된다.
유기층(14)은, 예를 들어 도 3의 A에 나타내는 바와 같이, 제1 전극(13)으로부터 제2 전극(15)을 향해 정공 주입층(140), 정공 수송층(141), 발광층(142), 전자 수송층(143)이 이 순서로 마련된 구성을 갖는다. 전자 수송층(143)과 제2 전극(15) 사이에는, 전자 주입층(144)을 마련해도 된다. 전자 주입층(144)은 전자 주입 효율을 높이기 위한 것이다. 전자 주입층(144)의 재료로서는, 리튬이나 불화리튬 등, 알칼리 금속이나 알칼리 토류 금속의 단체나 그것들을 포함하는 화합물을 예시할 수 있다. 또한, 유기층(14)의 구성은 이것으로 한정되는 것은 아니며, 발광층(142) 이외의 층은 필요에 따라서 마련되는 것이다.
정공 주입층(140)은 발광층(142)에의 정공 주입 효율을 높이기 위한 것임과 함께, 누설을 억제하기 위한 버퍼층이다. 정공 주입층(140)의 재료로서는, 헥사아자트리페닐렌(HAT)을 예시할 수 있다. 정공 수송층(141)은 발광층(142)에의 정공 수송 효율을 높이기 위한 것이다. 정공 수송층(141)의 재료로서는, N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐-1,1'-비페닐-4,4'-디아민(α-NPD)을 예시할 수 있다. 전자 수송층(143)은 발광층(142)에의 전자 수송 효율을 높이기 위한 것이다. 전자 수송층(143)의 재료로서는, 알루미늄퀴놀리놀이나 바소페난트롤린 등을 예시할 수 있다.
발광층(142)은 전계를 걸어서 전자와 정공의 재결합이 일어나고, 광을 발생시키는 것이다. 발광층(142)은 유기 발광 재료를 포함하는 유기 발광층이다. 발광층(142)은, 예를 들어 적색 발광층(142R), 청색 발광층(142B) 및 녹색 발광층(142G)을 적층한 적층 구조(1stack 구조)이다. 단, 도 3의 A에 나타내는 바와 같이, 적색 발광층(142R), 청색 발광층(142B)의 사이에는 발광 분리층(145)이 배치된다.
적색 발광층(142R)은, 전계를 걸어서, 제1 전극(13)으로부터 정공 주입층(140), 정공 수송층(141)을 통해 주입된 홀(정공)의 일부와, 제2 전극(15)으로부터 전자 수송층(143)을 통해 주입된 전자의 일부가 재결합하여, 적색의 광을 발생시키는 것이다. 적색 발광층(142R)은, 예를 들어 적색 발광 재료, 정공 수송 재료, 전자 수송 재료 및 양쪽 전하 수송 재료 중 적어도 1종을 포함하고 있다. 적색 발광 재료는 형광성의 것이어도 인광성의 것이어도 된다. 구체적으로는, 적색 발광층은, 예를 들어 4,4-비스(2,2-디페닐비닌])비페닐(DPVBi)에 2,6-비스[(4'-메톡시디페닐아미노)스티릴]-1,5-디시아노나프탈렌(BSN)을 30중량％ 혼합한 것에 의해 구성되어도 된다.
발광 분리층(145)은 캐리어의 발광층(142)에의 주입을 조정하기 위한 층이며, 발광 분리층(145)을 통해 발광층(142)을 구성하는 각 층에 전자나 홀이 주입됨으로써 각 색의 발광 밸런스가 조정된다. 발광 분리층(145)은, 예를 들어 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]비페닐 유도체 등으로 구성된다.
청색 발광층(142B)는, 전계를 걸어서, 제1 전극(13)으로부터 정공 주입층(140), 정공 수송층(141) 및 발광 분리층(145)을 통해 주입된 정공의 일부와, 제2 전극(15)으로부터 전자 수송층(143)을 통해 주입된 전자의 일부가 재결합하여, 청색의 광을 발생시키는 것이다. 청색 발광층(142B)는, 예를 들어 청색 발광 재료, 정공 수송 재료, 전자 수송 재료 및 양쪽 전하 수송 재료 중 적어도 1종을 포함하고 있다. 청색 발광 재료는 형광성의 것이어도 인광성의 것이어도 된다. 구체적으로는, 청색 발광층(142B)는, 예를 들어 DPVBi에 4,4'-비스[2-{4-(N,N-디페닐아미노)페닐}비닐]비페닐(DPAVBi)을 2.5중량％ 혼합한 것에 의해 구성되어 있다.
녹색 발광층(142G)은, 전계를 걸어서, 제1 전극(13)으로부터 정공 주입층(140), 정공 수송층(141) 및 발광 분리층(145)을 통해 주입된 정공의 일부와, 제2 전극(15)으로부터 전자 수송층(143)을 통해 주입된 전자의 일부가 재결합하여, 녹색의 광을 발생시키는 것이다. 녹색 발광층(142G)은, 예를 들어 녹색 발광 재료, 정공 수송 재료, 전자 수송 재료 및 양쪽 전하 수송 재료 중 적어도 1종을 포함하고 있다. 녹색 발광 재료는 형광성의 것이어도 인광성의 것이어도 된다. 구체적으로는, 녹색 발광층(142G)은, 예를 들어 DPVBi에 쿠마린 6을 5중량％ 혼합한 것에 의해 구성되어 있다.
또한, 유기층(14)이 백색광을 발광 가능하도록 구성되어 있는 경우, 유기층(14)의 구성은 상기에 한정되지는 않고, 예를 들어 도 3의 B에 나타내는 바와 같은 구성을 구비해도 된다. 도 3의 B의 예에서는, 유기층(14)은 정공 주입층(140), 정공 수송층(141), 청색 발광층(142B), 전자 수송층(146), 전하 발생층(147), 정공 수송층(148), 황색 발광층(142Y), 전자 수송층(143)을 적층한 구조를 갖는다. 이 구조는, 발광층(142)으로서 청색 발광층(142B)과 황색 발광층(142Y)을 갖는 구조이며, 소위 2stack 구조이다. 또한, 도 3의 B에 대해서도, 도 3의 A의 경우와 마찬가지로, 전자 수송층(143)과 제2 전극(15) 사이에 전자 주입층(144)을 마련해도 된다.
(제2 전극)
발광 소자(104)에 있어서, 제2 전극(15)은 제1 전극(13)과 대향하여 마련되어 있다. 제2 전극(15)은 부화소(101)에 공통의 전극으로서 마련되어 있다. 제2 전극(15)은 캐소드 전극이다. 제2 전극(15)은, 유기층(14)에서 발생한 광에 대하여 투과성을 갖는 투명 전극인 것이 적합하다. 여기에서 말하는 투명 전극은, 투명 도전층(150)으로 형성된 것, 및 투명 도전층(150)과 반투과 반사층(151)을 갖는 적층 구조로 형성된 것을 포함한다. 도 1, 도 6의 A 등의 예에서는, 제2 전극(15)은 투명 도전층(150)과 반투과 반사층(151)을 갖는 적층 구조로 형성되어 있다. 또한, 반투과 반사층(151)에 대해서는, 제2 전극(15)과는 별도로 분리되어 형성되어 있어도 된다.
제2 전극(15)은 금속층 및 금속 산화물층 중 적어도 1층에 의해 구성되어 있다. 보다 구체적으로는, 제2 전극(15)은 금속층 혹은 금속 산화물층의 단층막, 또는 금속층과 금속 산화물층의 적층막에 의해 구성되어 있다. 제2 전극(15)이 적층막에 의해 구성되어 있는 경우, 금속층이 유기층(14) 측에 마련되어도 되고, 금속 산화물층이 유기층(14) 측에 마련되어도 된다.
투명 도전층(150)은 광투과성이 양호하며 일함수가 작은 투명 도전 재료가 적합하게 사용된다. 투명 도전층(150)은, 예를 들어 금속 산화물로 형성할 수 있다. 구체적으로, 투명 도전층(150)의 재료로서는, 인듐 산화물과 주석 산화물의 혼합체(ITO), 인듐 산화물과 아연 산화물의 혼합체(IZO) 및 산화아연(ZnO) 중 적어도 1종을 포함하는 것을 예시할 수 있다.
반투과 반사층(151)은, 예를 들어 금속층으로 형성할 수 있다. 구체적으로는, 반투과 반사층(151)의 재료는, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 및 구리(Cu)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속 원소를 포함하는 것을 예시할 수 있다. 금속층은 상기 적어도 1종의 금속 원소를 합금의 구성 원소로서 포함하고 있어도 된다. 합금의 구체예로서는, MgAg 합금, AgPdCu 합금 등을 들 수 있다.
(굴절률 조정층)
제2 전극(15)은 굴절률 조정층(20)을 내포하고 있다. 도 1, 도 6의 A 등의 예에서는, 제2 전극(15)의 투명 도전층(150)에 내포되어 있다. 또한, 이 예에서는, 굴절률 조정층(20)은 부화소(101)마다 투명 도전층(150) 내부에 배치된다. 예를 들어 부화소(101B)에 있어서는 굴절률 조정층(20B), 부화소(101G)에 있어서는 굴절률 조정층(20G), 부화소(101R)에 있어서는 굴절률 조정층(20R)이, 각각의 제2 전극(15)에 내포되어 있다. 또한, 굴절률 조정층(20R, 20G, 20B)을 구별하지 않을 경우에는, 굴절률 조정층(20R, 20G, 20B)은 굴절률 조정층(20)이라 총칭한다.
굴절률 조정층(20)은 광투과성을 갖는 재료로 형성되어 있고, 바람직하게는 투명한 재료로 형성된다.
또한, 굴절률 조정층(20)의 재료는, 부화소(101)의 구조에 따른 재질 및 굴절률을 갖는 것이 사용될 수 있다. 이 경우, 각각의 색종에 대응한 부화소(101)에 있어서의 굴절률 조정층(20R, 20G, 20B)의 조성이, 서로 다르다. 여기에 말하는 조성이 다르다는 것은, 재질, 굴절률 및 구성 비율 중 적어도 1종 이상이 다른 것을 나타낸다.
굴절률 조정층(20)의 재료로서, 높은 굴절률을 갖는 재료에 대해서는, 예를 들어 Al2O3, SiNx, HfO2, Ta2O5, Nb2O5, TiO2 등의 굴절률 1.9 이상 2.4 이하 정도의 재료가 예시된다.
굴절률 조정층(20)의 재료로서, 낮은 굴절률을 갖는 재료에 대해서는, 예를 들어 SiO2, LiF, MgF, SiON 등의 굴절률 1.4 이상 1.9 이하 정도의 재료가 예시된다.
또한, 굴절률 조정층(20)의 재료로서는, 유기층(14)에서 사용되는 각종 유기 재료나 기타 유기 화합물이 예시된다.
투명 도전층(150) 및 굴절률 조정층(20)은 모두, 예를 들어 10nm 내지 500nm의 두께의 범위가 되도록 설정되는 것이 바람직하다. 또한, 다른 층의 두께에 대해서는, 예를 들어 제1 전극(13)이 100nm 내지 300nm 정도, 유기층(14)의 두께는 20 내지 500nm 정도로 설정되는 것이 바람직하다.
(공진기 구조)
표시 장치(10)에는, 공진기 구조(19)가 형성되어 있다. 공진기 구조(19)는 캐비티 구조이며, 유기층(14)으로부터의 출사광을 공진하는 구조이다. 표시 장치(10)에 있어서, 공진기 구조(19)는 발광 소자(104)에 형성되어 있고, 도 1, 도 6의 A 등의 예에서는, 공진기 구조(19)는 제1 전극(13), 유기층(14) 및 제2 전극(15)을 포함하고, 굴절률 조정층(20)도 포함된다. 유기층(14)으로부터의 출사광을 공진한다는 것은, 출사광에 포함되는 특정 파장의 광을 공진하는 것을 나타낸다.
도 6의 A에 나타내는 바와 같이, 유기층(14)으로부터의 출사광 J 중, 제1 전극(13)과 제2 전극(반투과 반사층(151)) 사이에서 반사되어 공진하는 성분이 강조되고, 발광면 측(제1면 측)으로부터 강조된 광이 외부를 향해서(도 6의 굵은 화살표 F 방향으로) 방출된다. 도 6의 A는, 도 1의 표시 장치의 각 부화소(101)의 주요부를 뽑아 낸 단면도이다. 도 6의 A 등에 있어서 굵은 화살표 F는, 발광 소자(104)로부터 발해지는 출사광의 방향이다. 이것은, 도 6의 B, 도 7 내지 도 9, 도 11 및 도 16 내지 도 20에 대해서도 마찬가지이다. 도 1, 도 6의 A 등에 나타내는 표시 장치(10)의 예에서는, 유기층(14)은 백색광을 출사광으로 하고, 공진기 구조(19)는 백색광에 포함되는 특정 파장의 광을 공진한다. 이 때, 유기층(14)으로부터의 백색광 중 소정 파장의 광이 강조된다. 그리고, 발광 소자(104)의 제2 전극(15) 측(즉, 발광면 측)으로부터, 소정 파장의 광을 강조한 상태로, 외부를 향하여 광이 방출된다. 또한, 소정 파장의 광은 미리 정해지며 색종에 대응하는 광이며, 부화소(101)에 따라서 정해지는 색종에 대응하는 광을 나타낸다. 도 1, 도 6의 A 등의 예에서는, 표시 장치(10)는 부화소(101R, 101G, 101B)를 갖고, 각각의 부화소(101R, 101G, 101B)에 따른 발광 소자(104R, 104G, 104B)를 갖고 있다. 또한, 각각의 발광 소자(104R, 104G, 104B)에 대응하여, 각각 공진기 구조(19R, 19G, 19B)가 형성되어 있다. 공진기 구조(19R)에서는, 유기층(14)으로부터의 출사광 중 적색광이 공진한다. 발광 소자(104R)의 제2 전극(15)으로부터는, 적색광을 강조한 상태로, 외부를 향하여 광이 방출된다. 공진기 구조(19G, 19B)에 대해서는, 각각 유기층(14)으로부터의 출사광 중 녹색광, 청색광이 공진한다. 부화소(101G, 101B)에서는, 발광 소자(104G, 104B)의 제2 전극(15)으로부터, 녹색광, 청색광을 강조한 상태로, 외부를 향하여 광이 방출된다. 또한, 본 명세서에 있어서, 공진기 구조(19R, 19G, 19B)를 특별히 구별하지 않을 경우, 공진기 구조(19R, 19G, 19B)는 공진기 구조(19)라는 단어로 총칭된다.
(광로 길이)
유기층(14)으로부터의 출사광의 공진은, 제2 전극(15)과 제1 전극(13) 사이의 광반사로 형성된다. 도 6의 예에서는, 상기한 바와 같이 출사광의 공진은, 반투과 반사층(151)과 제1 전극(13) 사이의 광반사로 형성된다. 반투과 반사층(151)과 제1 전극(13) 사이의 광로 길이(광학적 거리라 칭하는 경우가 있음)는, 미리 정한 색종의 광에 따라서 설정된다. 미리 정한 색종은, 부화소(101)에서 발광시키고자 하는 색종이다. 예를 들어, 부화소(101R)에 형성되는 공진기 구조(19R)에서는, 제1 전극(13)과 제2 전극(15) 사이의 광로 길이는, 적색광의 공진을 발생시키도록 설정된다. 부화소(101G, 101B)에 형성되는 공진기 구조(19G, 19B)에 대해서는, 제1 전극(13)과 제2 전극(15) 사이의 광로 길이는, 각각 녹색광, 청색광의 공진을 발생시키도록 설정된다. 도 1, 도 6 등의 예에서는, 부화소(101)마다 공진 조건을 충족시키도록, 굴절률 조정층(20)이 마련되고, 또한 공진기 구조(19)가 형성되어 있다.
(공진 조건)
공진기 구조(19)에서는, 공진 조건이 충족되는 것이 적합하다. 공진 조건이란, 하기 수식 (1)이 충족되는 것을 나타낸다.
2L/λ+φ/2π=m ···(수식 1)
상기 수식 (1)에 있어서, L은 제1 전극(13)과 제2 전극(15) 사이의 광학적 거리[nm], λ는 미리 정해진 색종에 대응하는 광의 스펙트럼 피크 파장[nm], φ는 제1 전극(13) 및 제2 전극(15)에서의 광의 반사에 의해 발생하는 위상 시프트의 크기[rad](radian), m은 정수(공진 차수)를 나타낸다. 미리 정해진 색종에 대응하는 광은, 외부에 추출하고자 하는 광에 대응한다.
광학적 거리 L은, 제1 전극(13)과 제2 전극(15) 사이에 형성된 각 층의 두께와 굴절률의 곱의 총합을 나타낸다. 따라서, 굴절률 조정층(20)의 굴절률을 부화소(101)의 색종에 따른 값으로 함으로써 광학적 거리 L을 조정할 수 있다. 그리고, 부화소(101)의 색종에 따라서, 상기한 공진 조건의 수식 (1)이 충족되도록, 굴절률 조정층(20)의 재질, 두께가 조정되어, 각 층의 두께가 조정된다. 굴절률 조정층(20B)의 굴절률 N1, 두께 D1로 하고, 굴절률 조정층(20G)의 굴절률 N2, 두께 D2로 하고, 굴절률 조정층(20R)의 굴절률 N3, 두께 D3으로 하면, 굴절률 N1, N2, N3 및 두께 D1, D2, D3에 따라서, 광학적 거리 L이 조정된다. 따라서, 굴절률 조정층(20)의 굴절률 N1, N2, N3을 선택하는 방법에 의해 두께 D1, D2, D3을 조정할 수 있고, 색종이 다른 부화소(101)의 사이에서의 물리적인 두께의 차(구체적으로 부화소(101) 사이의 단차)를 억제할 수 있다.
(보호층)
제2 전극(15)의 제1면 상에는, 보호층(16)이 형성되어 있다. 보호층(16)은 발광 소자(104)를 외기와 차단하고, 외부 환경으로부터 발광 소자(104)에의 수분 침입을 억제한다. 또한, 제2 전극(15)의 반투과 반사층(151)이 금속층에 의해 구성되어 있는 경우에는, 보호층(16)은 이 금속층의 산화를 억제하는 기능을 갖고 있어도 된다.
보호층(16)은 절연 재료로 형성된다. 절연 재료로서는, 예를 들어 열경화성 수지 등을 사용할 수 있다. 그 외에도, 절연 재료로서는, SiO, SiON, AlO, TiO 등이어도 된다. 이 경우, 보호층(16)으로서, SiO, SiON 등을 포함하는 CVD막이나, AlO, TiO, SiO 등을 포함하는 ALD막 등을 예시할 수 있다. 보호층(16)은 단층으로 형성되어도 되고, 복수의 층을 적층한 상태로 형성되어 있어도 된다. 또한, CVD막은 화학 기상 성장법(chemical vapor deposition)을 사용하여 형성된 막을 나타낸다. ALD막은 원자층 퇴적법(Atomic layer deposition)을 사용하여 형성된 막을 나타낸다.
(충전 수지층)
보호층(16)의 제1면 측에는, 충전 수지층(17)이 형성되어 있어도 된다. 충전 수지층(17)은, 보호층(16)의 형성면이 되는 제1면의 표면을 평활화하는 기능을 발휘시킬 수 있다. 또한, 충전 수지층(17)은 후술하는 대향 기판(18)을 접착하는 접착층으로서의 기능을 가질 수 있다. 충전 수지층(17)은 자외선 경화형 수지나 열경화형 수지 등을 예시할 수 있다.
(대향 기판)
대향 기판(18)은 충전 수지층(17) 상에, 구동 기판(11)에 대향시킨 상태로 마련되어 있다. 대향 기판(18)은 충전 수지층(17)과 함께 발광 소자(104)를 밀봉한다. 대향 기판(18)은 구동 기판(11)을 형성하는 기판(11A)와 마찬가지의 재료로 형성되어도 되고, 유리 등의 재료로 구성되는 것이 바람직하다.
[1-2 작용 및 효과]
공진기 구조(19)를 갖는 표시 장치에 있어서는, 부화소(101)마다 광학적 거리 L이 공진 조건을 충족시키도록, 예를 들어 부화소(101)의 색종에 따라서 제2 전극(15)과 유기층(14)까지의 거리가 조정되어 있었다. 또한, 공진기 구조(19)에서는, 공진 조건을 충족시키기 위한 다른 조정 방법으로서, 제1 전극(13)의 제2면 측에 반사판을 별도로 배치하고, 반사판과 제2 전극(15)까지의 거리를 조정하는 것이 행해져 왔다. 이들 중 어느 것에 있어서도, 각각의 색종의 부화소(101)로 광학적 거리가 공진 조건을 충족시키도록 각 층의 두께가 조정되는 점에서, 인접하는 다른 색종의 부화소(101)의 사이에 큰 단차(부화소(101) 사이의 제1면 측의 단차)가 생기는 경우가 있었다. 그래서, 표시 장치에 있어서는, 색 순도나 광의 유효 이용의 점에서 이러한 단차의 경감이 요청되어 왔다.
본 개시에 의하면, 제2 전극(15)이 굴절률 조정층(20)을 내포하고 있다. 굴절률 조정층(20)은 부화소(101)의 색종에 따라서 형성되어 있기 때문에, 굴절률 조정층(20)에 의해 부화소(101)마다 광학적 거리 L을 조정하는 것이 가능해진다. 즉, 부화소(101)의 색종에 따라서 소정의 굴절률 등을 갖는 굴절률 조정층(20)을 배치함으로써 인접하는 부화소(101)의 사이에 발광 소자(104)의 제1면 측의 단차를 경감시킬 수 있다. 또한, 굴절률 조정층(20)의 굴절률에 의해 광학적 거리 L의 조제를 할 수 있기 때문에, 표시 장치(10)의 두께가 필요 이상으로 두껍게 되지 않도록 억제할 수 있어, 광 추출 효율의 저하를 억제할 수도 있다.
[1-3 표시 장치의 제조 방법]
다음으로, 표시 장치(10)의 제조 방법의 일 예에 대해서, 도 4의 A 내지 도 4의 E, 도 5의 A 내지 도 5의 E를 사용하여, 상세하게 설명한다. 또한, 부화소(101)의 색종에 상관없이 유기층(14)의 발광색이 백색인 경우를 예로서 설명을 계속한다.
실리콘 등의 반도체 재료로 이루어지는 기판(11A)에 트랜지스터나 각종 배선을 형성함으로써 구동 기판(11)이 형성된다.
구동 기판(11) 상에, 예를 들어 제1 전극(13)의 패턴에 따라서 Al 합금 등의 재료를 스퍼터링함으로써 제1 전극(13)이 패터닝된다. 이어서, 인접하는 제1 전극(13)의 사이에 절연층(12)이 형성된다. 즉, 예를 들어 제1 전극(13) 상을 포함하는 전체면에, 리소그래피나 에칭 등의 패터닝 기술을 사용하여 절연층(12)을 패터닝한다. 또한, 이 때 개구부(12A)를 형성하여 제1 전극(13)의 상면을 노출시킨다.
제1 전극(13) 상에, 정공 주입층(140), 정공 수송층(141), 적색 발광층(142R), 발광 분리층(145), 청색 발광층(142B), 녹색 발광층(142G), 전자 수송층(143) 등을 순차로 형성한다. 이들 층의 형성에는, 예를 들어 증착법 등이 사용된다. 또한 제2 전극(15)의 투명 도전층(150)(예를 들어, IZO)을 스퍼터법 등을 사용하여 형성한다.
다음으로, 투명 도전층(150) 상에 굴절률 조정층(20B)을 형성한다(도 4의 A). 또한 부화소(101B)에 대응하는 부분에 굴절률 조정층(20B)을 형성한다. 이것은, 예를 들어 CVD법, ALD법 또는 스퍼터법과 같은 방법을 적절히 사용하여 형성된 굴절률 조정층(20B)을, 건식 에칭법에 의해 가공함으로써 실현할 수 있다(도 4의 B).
굴절률 조정층(20B)의 형성과 마찬가지로, 굴절률 조정층(20G)을 형성하고(도 4의 C), 부화소(101G)에 대응하는 부분을 남기도록 건식 에칭법에 의해 가공한다(도 4의 D). 또한, 굴절률 조정층(20R)을 형성하고(도 4의 E), 부화소(101G)에 대응하는 부분을 남기도록 건식 에칭법에 의해 가공한다(도 5의 A). 이렇게 해서, 부화소(101G, 101R)에 대응하는 부분에도, 굴절률 조정층(20G, 20R)을 형성한다.
이어서, 부화소(101)의 배치 패턴에 따라서, 투명 도전층(150) 및 유기층(14)을 부화소(101)마다 분단 가공한다. 분단 가공은, 예를 들어 건식 에칭법이 사용된다. 그리고, 투명 도전층(150) 및 유기층(14)의 측단부면에는 측벽층(22)이 형성된다(도 5의 B). 측벽층(22)은, 예를 들어 분단 가공 시의 디포지션 등(에칭 시의 재생성물)으로 형성되어도 된다. 측벽층(22)이 형성되어 있음으로써, 경사 방향으로의 출사광이 발생해도 인접 부화소에 광이 누설되기 어려워진다.
그리고, 제2 전극(15)의 투명 도전층(150)이 스퍼터법 등을 적절히 사용하여 더 형성된다(도 5의 C). 이 때, 투명 도전층(150)에 굴절률 조정층(20)이 내포된 상태가 된다. 또한, 투명 도전층(150) 상에 반투과 반사층(151)이 형성된다(도 5의 D). 이것은, 예를 들어 Ag 합금 등의 반투과 반사층(151)의 재료를 투명 도전층(150) 상에 스퍼터링함으로써 실현할 수 있다. 제2 전극(15)은 부화소(101)에 공통되는 공통 캐소드 전극으로서 기능할 수 있다.
제2 전극(15)을 피복하도록 보호층(16)이 형성된다(도 5의 E). 보호층(16)의 형성은, 예를 들어 SiN 등의 재료를 CVD법으로 전체면 형성함으로써 구체적으로 실현할 수 있다.
그리고, 대향 기판(18)을 보호층(16)의 제1면 측에 접합한다. 이 때, 대향 기판(18)과 보호층(16)을 접착하는 접착 수지가 충전 수지층(17)이 된다. 이렇게 하여 표시 장치(10)가 얻어진다.
[1-4 변형예]
다음으로, 상기 제1 실시 형태에 관한 표시 장치(10)의 변형예에 대하여 설명한다.
(변형예 1)
제1 실시 형태에 관한 표시 장치(10)에 있어서는, 도 6의 B에 나타내는 바와 같이, 부화소(101) 중 적어도 하나의 색종에 대응한 부화소(101)에 대해서, 굴절률 조정층(20)의 배치가 회피되어 있어도 된다(변형예 1). 도 6의 B는, 제1 실시 형태의 변형예 1에 관한 표시 장치(10)의 일 실시예의 주요부를 나타내는 단면도이다.
도 6의 B에 나타내는 예에서는, 굴절률 조정층(20)이 배치된 부화소(101)의 색종과는 다른 적어도 하나의 색종에 대응한 부화소(101)에서는, 굴절률 조정층(20)의 배치가 회피되어 있다. 즉, 부화소(101B)에 대해서, 굴절률 조정층(20)이 배치되어 있지 않고, 다른 색종의 부화소(101G, 101R)에 대하여 굴절률 조정층(20G, 20R)이 형성되어 있다. 이 경우, 구성이 간소화되어, 제조 공정수를 삭감시킬 수 있어 제조 용이성이 향상된다. 또한, 이 관점에서, 굴절률 조정층(20)이 부화소(101B, 101G, 101R) 중 어느 1종류만 형성되어 있어도 된다(도시 생략).
(변형예 2)
제1 실시 형태에 관한 표시 장치(10)에 있어서는, 도 7의 A에 나타내는 바와 같이, 부화소(101) 중 적어도 하나의 색종에 대응한 부화소(101)에 대해서, 굴절률 조정층(20)이 다층 구조를 가져도 된다(변형예 2). 도 7의 A는, 제1 실시 형태의 변형예 2에 관한 표시 장치(10)의 일 실시예를 나타낸다.
도 7의 A에 나타내는 예에서는, 굴절률 조정층(20G, 20R)이 다층 구조를 갖고 있다. 부화소(101B)에 관한 굴절률 조정층(20B)이 단층 구조를 갖고, 굴절률 조정층(20G, 20R)이 각각 2층의 적층 구조, 3층의 적층 구조로 형성되어 있다. 또한, 이 예에서는, 굴절률 조정층(20B)을 형성하는 제1층(120A)은, 굴절률 조정층(20G, 20R)에도 형성되어 있고, 굴절률 조정층(20G)과 굴절률 조정층(20R)은 제1층(120A) 및 제2층(120B)를 형성하고 있다. 굴절률 조정층(20R)은 또한 제3층(120C)을 갖고 있다. 제1층(120A), 제2층(120B), 제3층(120C)은, 각각에 굴절률 조정층(20)을 형성하는 재료로서 사용할 수 있는 재료로 형성된 층이다. 도 7의 A의 경우, 제1층(120A), 제2층(120B), 제3층(120C)은, 각각의 부화소(101)의 공진기 구조(19)로, 부화소(101)의 색종에 따른 공진 조건이 충족되도록, 재질, 굴절률 및 두께가 선택된다. 변형예 2의 표시 장치(10)에 의하면, 적층수가 증가함으로써 설계의 자유도가 향상된다.
(변형예 3)
제1 실시 형태에 관한 표시 장치(10)에 있어서는, 도 7의 B에 나타내는 바와 같이, 굴절률 조정층(20)은 투명 도전층(150)과 반투과 반사층(151) 사이에 형성되어 있어도 된다(변형예 3). 도 7의 B는, 제1 실시 형태의 변형예 1에 관한 표시 장치(10)의 일 실시예를 나타낸다.
도 7의 B의 예에서는, 투명 도전층(150) 상에 형성된 굴절률 조정층(20B, 20G, 20R) 전체를 반투과 반사층(151)이 피복되어 있다. 이 경우, 투명 도전층(150) 상에 형성된 굴절률 조정층(20B, 20G, 20R) 상에 추가로 투명 도전층(150)을 형성하는 공정(도 5의 C에 나타내는 공정)을 생략할 수 있기 때문에, 공정수의 삭감이 가능해진다.
(변형예 4)
제1 실시 형태에 관한 표시 장치(10)의 예에 있어서는 부화소(101B, 101G, 101R)에 마련된 유기층(14)은, 모두 발광색을 동색의 백색으로 하고 있었지만, 유기층(14)의 조합은 이것에 한정되지는 않는다. 제1 실시 형태에 관한 표시 장치(10)에 있어서는, 도 8의 A에 나타내는 바와 같이, 적어도 하나의 색종에 대응한 부화소(101)에 마련된 유기층(14)의 발광색(제1 발광색)이, 다른 복수의 색종에 대응한 부화소(101)에 마련된 유기층(14)의 발광색(제2 발광색)과는 다른 색종으로 되어 있어도 된다.
도 8의 A의 예에서는, 부화소(101B)에 마련된 유기층(14)은, 청색을 제1 발광색으로 하는 유기층(14B)이다. 이 예에서는, 부화소(101B)에 대해서는, 굴절률 조정층(20B)이 제2 전극(15)(투명 도전층(150))에 내포되어, 공진기 구조(19)가 형성되어 있지만, 이것에 한정되지는 않고, 굴절률 조정층(20B)이 생략되어도 된다.
변형예 4에 관한 표시 장치(10)에서는, 다른 복수의 색종에 대응한 부화소(101)에 마련된 유기층(14)의 제2 발광색은, 다른 복수의 색종에 대응한 부화소(101)의 사이에 공통되어 있다. 도 8의 A의 예에서는, 부화소(101G, 101R)에 마련된 유기층(14)은 황색을 제2 발광색으로 하는 유기층(14Y)이다. 황색을 발광색으로 하는 유기층(14)은, 적색 발광층과 녹색 발광층을 적층한 구조를 가져도 된다. 또한, 부화소(101G, 101R)에는, 제2 전극(15)(투명 도전층(150))에 굴절률 조정층(20G, 20R)이 내포되어 있다. 부화소(101G, 101R) 각각에 형성되는 공진기 구조(19G, 19R)가 녹색, 적색의 광을 공진하도록, 굴절률 조정층(20G, 20R)은, 서로 다른 굴절률이나 두께를 정하고 있다.
변형예 4에 관한 표시 장치(10)에 의하면, 소정의 일색(도 8의 A의 예에서는 청색)에 대해서는, 높은 발광 효율을 실현할 수 있다. 또한, 기타 색(도 8의 A의 예에서는, 적색과 녹색)에 대해서는, 부화소(101)에 따라서 다른 굴절률 조정층(20)을 마련함으로써, 부화소(101)에 따른 색종의 광을 효율적으로 추출할 수 있다.
(변형예 5)
제1 실시 형태에 관한 표시 장치(10)에 있어서는, 도 8의 B에 나타내는 바와 같이, 굴절률 조정층(20)은 제1 전극(13)에 내포되어도 된다(변형예 5). 도 8의 B는, 제1 실시 형태의 변형예 5에 관한 표시 장치(10)의 일 실시예를 나타낸다.
도 8의 B의 예에서는, 제1 전극(13)은 투명 도전층(130)과 반사층(131)을 갖는 애노드 전극으로 되어 있으며, 유기층(14)에 가까운 쪽에 투명 도전층(130)이 배치되어 있다. 반사층(131)은 Al 등의 금속을 적합하게 사용된다. 또한, 투명 도전층(130)으로서는, ITO, IZO 등의 금속 산화막이 적합하게 사용된다.
변형예 5에 관한 표시 장치(10)에 있어서는, 굴절률 조정층(20)이 투명 도전층(130)에 내포되어 있다. 굴절률 조정층(20)의 굴절률, 재질 및 두께 등의 여러 조건은, 제2 전극(15)에 굴절률 조정층(20)이 내포되어 있는 경우와 마찬가지이다. 즉, 제1 전극(13)에 굴절률 조정층(20)이 내포된 경우에 있어서도, 각각의 부화소(101B, 101G, 101R)에 있어서의 공진기 구조(19B, 19G, 19R)에서 공진 조건이 충족되는 광학적 거리 L에 기초하여, 굴절률 조정층(20)의 굴절률, 재질 및 두께 등의 조건이 정해지는 것이 적합하다.
또한, 변형예 5의 경우에서는, 제2 전극(15)은 도 8의 B에서는, 투명 도전층(150)과 반투과 반사층(151)으로 형성되어 있지만, 이것에 한정되지는 않고, 제2 전극(15)이 반투과 반사층(151)으로 형성되어 있어도 된다. 제2 전극(15)이 반투과 반사층(151)으로 형성되어 있는 경우, 제2 전극(15)은 광투과성이 양호하며 일함수가 작은 재료에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 예를 들어, 제2 전극(15)은, 예를 들어 마그네슘(Mg), 은(Ag) 혹은 그것들의 합금 등의 금속층으로 구성된다. 또한, 제2 전극(15)은 반투과 반사층(151)을 다층으로서 형성되어도 된다. 이 경우, 제2 전극(15)은, 예를 들어 제1층으로서 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 리튬(Li), 세슘(Cs), 인듐(In), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 제2층으로서 마그네슘(Mg), 은(Ag) 혹은 그것들의 합금 등의 금속층의 적층 구조로 구성되어도 된다. 또한, 제2 전극(15)이 반투과 반사층(151)으로 형성되어 있는 경우, 제2 전극(15)을 형성하는 반투과 반사층(151)은 3 내지 20nm의 범위로 설정되는 것이 바람직하다.
변형예 5에 관한 표시 장치(10)와 같이, 굴절률 조정층(20)이 제1 전극(13)에 내포된 경우에 있어서도, 굴절률 조정층(20)이 제2 전극(15)에 내포되어 있는 경우와 마찬가지로 부화소(101) 사이의 단차 경감의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에 관한 표시 장치(10)에서는, 제2 전극(15)에 굴절률 조정층(20)이 형성되어 있는 경우를 예로서 표시 장치(10)가 설명되고, 변형예 5에서는, 제1 전극에 굴절률 조정층(20)이 내포되어 있는 경우가 설명되었다. 제1 실시 형태에 관한 표시 장치(10)는 이들에 한정되지는 않고, 제1 전극(13)에 내포된 굴절률 조정층(20)과, 제2 전극(15)에 내포된 굴절률 조정층(20)의 양쪽 모두가 마련되어도 된다(도 9의 B). 이 경우에 있어서도, 굴절률 조정층(20)이 제1 전극(13)에 내포된 경우나, 굴절률 조정층(20)이 제2 전극(15)에 내포되어 있는 경우와 마찬가지로, 부화소(101) 사이의 단차 경감의 효과를 얻을 수 있다.
(변형예 6)
제1 실시 형태에 관한 표시 장치(10)에 있어서는, 도 9의 A에 나타내는 바와 같이, 제2 전극(15)이 투명 도전층(150)을 구비하고, 또한 굴절률 조정층(20)이 투명 도전층(150)에 마련되어 있는 경우에, 굴절률 조정층(20)이 밀도 저감화 구조를 가져도 된다(변형예 6). 도 9의 A는, 제1 실시 형태의 변형예 1에 관한 표시 장치(10)의 일 실시예를 나타낸다.
도 9의 A의 예에서는. 투명 도전층(150)에 굴절률 조정층(20)이 내포되어 있다. 그리고 부화소(101B)에 마련된 굴절률 조정층(20)이 밀도 저감화 구조(23)를 갖는다.
밀도 저감화 구조(23)는 도 9의 A의 예에 나타내는 바와 같이, 예를 들어 포러스 구조를 들 수 있다. 굴절률 조정층(20)이 밀도 저감화 구조(23)를 가짐으로써, 성긴 상태의 층(밀도가 낮은 층)이 되어 굴절률을 낮출 수 있다. 예를 들어, SiOx를 사용한 막(실리콘 산화막 등)을 포러스막상으로 하여 굴절률 조정층(20)으로 함으로써, 굴절률 조정층(20)을 굴절률 1.4 이하까지 저굴절률화시킨 층으로 할 수 있다. 이 경우, 광학적 거리가 짧아지도록 조정할 수 있다. 이 때문에 부화소(101) 중 공진 조건을 충족시키는 광학적 거리가 짧은 것에 대해서, 굴절률 조정층(20)에 밀도 저감화 구조(23)를 형성함으로써, 부화소(101) 사이의 단차를 보다 효과적으로 저감시킬 수 있다. 이와 같이, 굴절률 조정층(20)에 밀도 저감화 구조(23)를 형성함으로써, 설계의 자유도를 향상시킬 수 있다.
또한, 변형예 6에 관한 표시 장치(10)는, 제1 전극(13)이 투명 도전층(130)을 구비하는 경우에 대해서도 마찬가지로 적용할 수 있다. 즉, 굴절률 조정층(20)이 투명 도전층(130)에 마련되어 있는 경우에, 굴절률 조정층(20)이 밀도 저감화 구조(23)를 가져도 된다.
[2 제2 실시 형태]
[2-1 표시 장치의 구성]
상기 제1 실시 형태에 관한 표시 장치(10)의 설명에서는, 굴절률 조정층(20)이, 발광면의 면 방향(표시 영역(10A)의 형성면의 면 방향)으로 한 면에 펼쳐지는 층으로서 형성되어 있는 경우를 예로서 채용하였다. 제1 실시 형태에 관한 표시 장치(10)에 있어서의 굴절률 조정층(20)은, 이것에 한정되지는 않고, 도 10에 나타내는 바와 같이, 굴절률 조정층(20)이 복수의 광학 조정층(21)을 구비해도 된다(제2 실시 형태). 도 10은, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치(10)의 일 실시예를 나타내는 단면도이다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 굴절률 조정층(20B, 20G, 20R) 각각에 대해서, 복수의 광학 조정층(21B, 21G, 21R)이 마련되어 있다. 또한, 광학 조정층(21B, 21G, 21R)을 특별히 구별하지 않을 경우에는, 광학 조정층(21B, 21G, 21R)을 광학 조정층(21)이라 총칭한다.
(광학 조정층)
광학 조정층(21)은, 굴절률 조정층(20)의 단위층이 되는 구성 단위가 된다. 표시 장치(10)에서는, 도 11의 A에 나타내는 바와 같이, 부화소(101)마다, 복수의 광학 조정층(21)이, 발광 소자(104)의 발광면 방향(표시 영역(10A)의 형성면의 확대 방향(XY 평면에 따른 방향))에 따라서 서로 이격된 상태로 배치되어 있다. 도 11의 A의 예에서는, 부화소(101B, 101G, 101R) 각각에, 소정의 크기와 피치로 광학 조정층(21B, 21G, 21R)이 격자상으로 정렬 배치되어 있다. 그리고, 이 경우, 굴절률 조정층(20)은 격자상으로 배치된 광학 조정층(21)의 군 구조로 형성된다.
도 10의 예에서는, 도 11의 B에도 나타내는 바와 같이, 제2 전극(15)은 투명 도전층(150)과 반투과 반사층(151)을 갖고 있고, 복수의 광학 조정층(21)은 투명 도전층(150)에 내포되어 있다. 또한, 광학 조정층(21B, 21G, 21R) 각각에 대해서, 복수의 광학 조정층(21)의 굴절률과 투명 도전층(150)의 굴절률이 서로 다르게 되어 있다. 도 11의 B는, 도 10의 주요부를 나타내는 단면도이다.
각각의 색종에 대응한 부화소(101)에서는, 복수의 광학 조정층(21)의 크기(도 13에 있어서 부호 W로 나타냄)는, 부화소(101)의 색종에 대응한 광의 피크 파장 이하의 값으로 정해져 있는 것이 바람직하고, 피크 파장의 1/2 이하인 것이 보다 바람직하다.
각각의 색종에 대응한 부화소(101)에서는, 복수의 광학 조정층(21)의 피치(도 13에 있어서 부호 P로 나타냄)는, 부화소(101)의 색종에 대응한 광의 피크 파장 이하의 값으로 정해져 있는 것이 바람직하고, 피크 파장의 1/2 이하인 것이 보다 바람직하다. 예를 들어, 부화소(101B)에서는, 광학 조정층(21)의 피치는, 청색광의 피크 파장 이하의 값이 바람직하고, 부화소(101G)에서는, 광학 조정층(21)의 피치는, 녹색광의 피크 파장 이하의 값이 바람직하고, 부화소(101R)에서는, 광학 조정층(21)의 피치는, 적색광의 피크 파장 이하의 값이 바람직하다. 또한, 피치는, 인접하는 광학 조정층(21)의 중심간 거리로 정해진다. 또한, 이 때, 광학 조정층(21)의 크기도, 부화소(101)의 색종에 대응한 광의 피크 파장 이하의 값으로 정해진다. 이 경우, 다른 색종의 부화소(101)의 사이에, 굴절률 조정층(20)의 실효 굴절률 neff가 서로 다르다.
실효 굴절률 neff는, 투명 도전층(150)과 광학 조정층(21)의 체적 비율에 의해 설정된다. 체적 비율은, 투명 도전층(150)의 외관상의 체적에서 차지하는 광학 조정층(21)의 체적의 비율로 특정할 수 있다.
부화소(101)에 있어서, 광학 조정층(21)의 굴절률을 N1로 하고, 제2 전극(15)의 투명 도전층(150)의 굴절률을 N0으로 한 경우, 실효 굴절률 neff는, 광학 조정층(21)과 투명 도전층(150)의 체적 비율에 따라서 굴절률 N1과 굴절률 N0 사이의 값을 취한다. 즉, 도 12에 나타내는 바와 같이, 굴절률 조정층(20)이 복수의 광학 조정층(21)으로 형성됨으로써, 굴절률의 관점에서는, 굴절률 조정층(20)이 실효 굴절률 neff의 값을 굴절률로 하는 굴절률 조정층 Nf와 동등한 층이 된다. 또한, 굴절률 조정층 Nf는 실효 굴절률 neff를 굴절률로서 갖는 연속층이다. 도 12에 있어서, 근사를 나타내는 수학 기호는, 굴절률 조정층(20)과 굴절률 조정층 Nf가 동등한 것을 나타낸다.
광학 조정층(21)의 재료로서는, 상기 제1 실시 형태에서 설명한 굴절률 조정층(20)의 재료와 마찬가지의 재료를 채용되어도 된다.
광학 조정층(21)의 굴절률은 특별히 한정되지는 않고, 광학 조정층(21)을 내포하는 층의 굴절률보다도 커도 되고, 동등하여도, 작아도 된다. 단, 실효 굴절률을 의해 광범위하게 조제할 수 있도록 하는 관점에서는, 광학 조정층(21)의 굴절률은, 광학 조정층(21)을 내포하는 층의 굴절률보다도 큰 것이 바람직하다. 예를 들어, 제2 전극(15)이 투명 도전층(150)을 갖고 있고, 투명 도전층(150)에 광학 조정층(21)이 내포되어 있는 경우에는, 광학 조정층(21)의 굴절률은, 투명 도전층(150)의 굴절률보다도 큰 것이 바람직하다.
광학 조정층(21)의 입체 형상은 특별히 한정되지는 않고, 각주상(도 13의 A)이나 원주상(도 13의 B)이어도 된다. 또한, 광학 조정층(21)은 도 13의 C에 나타내는 바와 같이, 일 방향으로 연속적인 형상이어도 된다. 또한, 도 13의 A 내지 도 13의 C에서는, 투명 도전층(150) 상에 광학 조정층(21)을 형성하고 있는 상태를 도시하고 있지만, 이것은 편의상의 기재이며, 표시 장치(10)에 있어서는, 광학 조정층(21)은 투명 도전층(150) 또는 반투과 반사층(151)으로 상면 측이 덮여 있다.
광학 조정층(21)의 피치 P는, 부화소(101)의 주연 근방 영역에서 부화소(101)의 중앙 영역과는 다른 값으로 변경되어 있어도 된다. 이에 의해, 부화소 주연이나 인접 부화소와의 경계에서의 광학적 영향을 조정할 수 있다.
또한, 표시 장치(10)는, 굴절률 조정층(20)이 복수의 광학 조정층(21)을 구비하는 것 외의 구성에 대해서는, 제1 실시 형태와 동일하면 된다.
[2-2 작용 및 효과]
제2 실시 형태에 관한 표시 장치(10)에 있어서는, 제2 전극(15)이 굴절률 조정층(20)을 내포하고 있다. 그리고, 굴절률 조정층(20)은 부화소(101)의 색종에 따라서 복수의 광학 조정층(21)을 구비하고 있다. 이 때문에, 굴절률 조정층(20)에 의해 부화소(101)마다 실효 굴절률을 조정하는 것이 가능해지고, 광학적 거리 L을 조정하는 것이 가능해진다. 따라서, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치에 있어서는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 소정의 피치나 크기를 갖는 복수의 광학 조정층(21)이 형성됨으로써 인접하는 부화소(101)의 사이에 발광 소자(104)의 제1면 측의 단차를 경감시킬 수 있다.
또한, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치(10)에 있어서는, 부화소(101)의 색종마다 굴절률 조정층(20)의 재질을 변경하지 않아도, 광학 조정층(21)의 레이아웃 패턴을 변경함으로써, 부화소(101)의 색종에 따라서 굴절률을 조정하는(실효 굴절률 neff를 조정하는) 것이 가능해지기 때문에, 후술하는 바와 같이 제조 공정수의 삭감이 용이해진다.
[2-3 표시 장치의 제조 방법]
이어서, 제2 실시 형태에 관한 표시 장치(10)의 제조 방법의 일 예에 대해서, 도 14의 A 내지 도 14의 C 및 도 15의 A 내지 도 15의 C를 참조하여, 상세하게 설명한다.
제1 실시 형태와 마찬가지로 하여 구동 기판(11) 상에 제1 전극(13)과 유기층(14)을 형성한다. 또한, 제1 실시 형태와 마찬가지로 하여 제2 전극(15)의 투명 도전층(150)을 형성한다.
투명 도전층(150) 상에 광학 조정층(21)을, 예를 들어 CVD법, ALD법 또는 스퍼터법 등의 방법을 사용하여 전체면 형성한다(도 14의 A). 또한 광학 조정층(21)이 일괄적으로 분단 가공된다(도 14의 B). 분단 가공은, 예를 들어 건식 에칭법에 의해 실현할 수 있다. 이 때, 복수의 광학 조정층(21)이 각각의 부화소(101)의 색종에 따른 피치 및 크기로 형성되고, 부화소(101B)에 대응한 영역에서는, 광학 조정층(21B)이 형성된다. 부화소(101G)에 대응한 영역에서는, 광학 조정층(21G)이 형성된다. 부화소(101R)에 대응한 영역에서는, 광학 조정층(21R)이 형성된다. 이에 의해, 부화소(101)마다 복수의 광학 조정층(21)을 구비한 굴절률 조정층(20 (20B, 20G, 20R))이 형성된다.
그리고, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 건식 에칭법 등을 사용하여, 투명 도전층(150)과 유기층(14)을 부화소(101)마다 분단 가공한다. 또한 유기층(14)의 측단부면에는 측벽층(22)을 형성한다(도 14의 C). 측벽층(22)은, 예를 들어 분단 가공 시의 재생성물(디포지션) 등으로 형성되어도 된다.
제2 전극(15)의 투명 도전층(150)이 스퍼터법 등을 적절히 사용하여 추가로 형성된다(도 15의 A). 이 때, 투명 도전층(150)에 광학 조정층(21)이 내포된 상태가 형성되고, 즉 투명 도전층(150)에 굴절률 조정층(20)이 내포된 상태가 형성된다. 또한, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 투명 도전층(150) 상에 반투과 반사층(151)이 형성된다(도 15의 B). 또한 제2 전극(15)을 피복하도록 보호층(16)이 형성된다(도 15의 C). 그리고, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 충전 수지층(17)을 통해 대향 기판(18)이 보호층(16)의 제1면 측에 첩부된다(도시 생략). 이에 의해 표시 장치(10)가 얻어진다.
상기한 표시 장치(10)의 제조 방법에서는, 부화소(101)의 색종이 복수여도 굴절률 조정층(20)을 일괄적으로 형성할 수 있기 때문에, 공정수의 삭감이 용이해진다.
[2-4 변형예]
다음으로, 상기 제2 실시 형태에 관한 표시 장치(10)의 변형예에 대하여 설명한다.
(변형예 1)
제2 실시 형태에 관한 표시 장치(10)에 있어서는, 도 17의 A에 나타내는 바와 같이, 부화소(101) 중 적어도 하나의 색종에 대응한 부화소(101)에 대해서, 광학 조정층(21)의 배치가 회피되어 있어도 된다(변형예 1). 도 17의 A는, 제2 실시 형태의 변형예 1에 관한 표시 장치(10)의 일 실시예를 나타낸다.
변형예 1에서는, 굴절률 조정층(20)이 배치된 부화소(101)의 색종과는 다른 적어도 하나의 색종에 대응한 부화소(101)에서는, 굴절률 조정층(20)의 배치가 회피되어 있다. 도 17의 A의 예에서는, 부화소(101B)에 있어서는, 굴절률 조정층(20)의 형성이 회피되어 있고, 즉 광학 조정층(21)의 배치가 회피되어 있다. 부화소(101G, 101R)에 대해서는 굴절률 조정층(20G, 20R)이 형성되어 있다.
또한, 복수의 부화소(101)에 대하여 굴절률 조정층(20)이 형성되어 있는 경우에 있어서는, 일부의 부화소(101)에 대하여 굴절률 조정층(20)이 광학 조정층(21)을 구비해도 된다. 도 17의 A의 예에서는, 부화소(101G)에 있어서는, 제1 실시 형태에서 설명한 바와 같은 광학 조정층(21)을 구비하지 않고 일면의 층으로 형성된 굴절률 조정층(20G)을 배치하고 있으며, 부화소(101R)에 있어서는, 제2 실시 형태에서 설명한 바와 같이 굴절률 조정층(20R)은 광학 조정층(21)을 구비하고 있다.
변형예 1에 의하면, 표시 장치(10)의 구성이 상기 제2 실시 형태에서 나타내는 예에 비해 간소화됨으로써, 공정수가 삭감되어, 제조하기 쉬워진다. 또한, 표시 장치(10)의 설계 자유도가 향상된다.
(변형예 2)
제2 실시 형태에 관한 표시 장치(10)에 있어서는, 도 17의 B에 나타내는 바와 같이, 굴절률 조정층(20)이 다층 구조를 갖고 있는 경우에, 굴절률 조정층(20)을 형성하는 적어도 하나의 층이, 복수의 광학 조정층(21)을 갖고 있어도 된다(변형예 2). 도 17의 B는, 제2 실시 형태의 변형예 2에 관한 표시 장치(10)의 일 실시예를 나타낸다.
도 17의 B의 예에서는, 부화소(101B, 101G, 101R)마다 굴절률 조정층(20B, 20G, 20R)이 형성되어 있고, 모두 다층으로 형성되어 있다. 그리고, 굴절률 조정층(20B, 20G, 20R) 각각에 대해서, 적어도 1층이 복수의 광학 조정층(21)으로 형성되어 있다. 도 17의 B의 예에서는, 굴절률 조정층(20B, 20G, 20R)의 어느 것에 대해서도 상하 2층으로 적층되어 있고, 유기층(14)에 가까운 위치에 배치된 제1층(122)이 한 면으로 형성된 층으로 되어 있다. 부화소(101B)에서는, 제1층(122)의 제1면 측에 복수의 광학 조정층(21B)이 적층되어 제2층(121B)이 형성되어 있다. 부화소(101G)에서는, 제1층(122)의 제1면 측에 복수의 광학 조정층(21G)이 적층되어 제2층(121G)이 형성되어 있다. 부화소(101R)에서는, 제1층(122)의 제1면 측에 복수의 광학 조정층(21R)이 적층되어 제2층(121R)이 형성되어 있다.
제1층(122)은 어느 부화소(101)에 있어서도 동일한 재질의 층이어도 되고, 다른 층이어도 된다. 또한, 제2층(121B, 121G, 121R)을 형성하는 복수의 광학 조정층(21B, 21G, 21R)은, 상기 제2 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 발광 소자(104)의 발광면 방향을 따라서 서로 이격된 상태로 배치되어 있다. 광학 조정층(21)의 크기와 피치는, 부화소(101)의 색종에 따라서 정해져 있고, 공진 조건과 실효 굴절률 neff를 고려한 소정의 값으로 정해져 있다. 광학 조정층(21)의 재질은, 부화소(101)의 공진기 구조(19)가 공진 조건을 충족시키는 경우에 정해지는 실효 굴절률 neff를 고려한 재질이 선택된다.
변형예 2에 의하면, 굴절률 조정층(20)의 층 구성을 증가시킬 수 있는 점에서, 설계 자유도를 향상시킬 수 있다.
(변형예 3)
제2 실시 형태에 관한 표시 장치(10)에 있어서는, 도 18의 A에 나타내는 바와 같이, 광학 조정층(21)의 형상이 코너의 위치에 둥그스름한 모따기 형상으로 되어 있어도 된다(변형예 3).
광학 조정층(21)을 분단 가공할 때, 광학 조정층(21)의 형상을 코너의 위치에 둥그스름한 형상으로 하는 것이 용이한 점에서, 변형예 3에 의하면, 표시 장치(10)를 의해 용이하게 제조할 수 있게 된다.
(변형예 4)
제2 실시 형태에 관한 표시 장치(10)에 있어서는, 도 18의 B에 나타내는 바와 같이, 제2 전극(15)이 투명 도전층(150)과 반투과 반사층(151)을 갖고, 복수의 광학 조정층(21)이 투명 도전층(150)과 반투과 반사층(151) 사이의 위치에 배치되어 있어도 된다(변형예 4).
도 18의 B에 나타내는 변형예 4에 관한 표시 장치(10)에 의하면, 도 15의 A에 나타내는 바와 같은 광학 조정층(21)을 분단 형성한 후에 추가로 투명 도전층(150)을 형성하는 공정을 생략할 수 있다. 이렇게 표시 장치(10)의 구성의 간소화에 수반하여 제조 공정이 간소화되어, 제조 공정수를 삭감시킬 수 있다.
(변형예 5)
제2 실시 형태에 관한 표시 장치(10)의 예에 있어서도, 제1 실시 형태에 관한 표시 장치(10)와 마찬가지로, 부화소(101B, 101G, 101R)에 마련된 유기층(14)은 모두 발광색을 동색의 백색으로 한정되지는 않는다. 제2 실시 형태에 관한 표시 장치(10)에 있어서는, 도 19의 A에 나타내는 바와 같이, 적어도 하나의 색종에 대응한 부화소(101)에 마련된 유기층(14)의 발광색(제1 발광색)이, 다른 복수의 색종에 대응한 부화소(101)에 마련된 유기층(14)의 발광색(제2 발광색)과는 다른 색종으로 되어 있어도 된다(변형예 5).
도 19의 A의 예에서는, 부화소(101B)에 마련된 유기층(14)은 청색을 발광색(제1 발광색)으로 하는 유기층(14B)이다. 이 예에서는, 부화소(101B)에 대해서는, 광학 조정층(21B)이 제2 전극(15)(투명 도전층(150))에 내포되고, 공진기 구조(19)가 형성되어 있지만, 이것에 한정되지는 않고, 광학 조정층(21B)이 생략되어도 된다.
변형예 5에 관한 표시 장치(10)에서는, 다른 복수의 색종에 대응한 부화소(101)에 마련된 유기층(14)의 제2 발광색은, 다른 복수의 색종에 대응한 부화소(101)의 사이에 공통되어 있다. 도 19의 A의 예에서는, 부화소(101G, 101R)에 마련된 유기층(14)은 모두 황색을 발광색(제2 발광색)으로 하는 유기층(14Y)이다. 또한, 부화소(101G, 101R)에는, 제2 전극(15)(투명 도전층(150))에 광학 조정층(21G, 21R)이 내포되어 있다. 부화소(101G, 101R) 각각에 형성되는 공진기 구조(19G, 19R)가 녹색, 적색의 광을 공진하도록(공진 조건을 충족시키도록), 광학 조정층(21G, 21R)은 서로 다른 크기나 피치를 정하고 있다(실효 굴절률 neff가 정해진다).
변형예 5에 관한 표시 장치(10)에 의하면, 소정의 일색(도 19의 A의 예에서는 청색)에 대해서는, 높은 발광 효율을 실현할 수 있다. 또한, 기타 색(도 19의 A의 예에서는, 적색과 녹색)에 대해서는, 부화소(101)에 따라서 다른 광학 조정층(21)을 마련함으로써, 부화소(101)에 따른 색종의 광을 효율적으로 추출할 수 있다.
(변형예 6)
제2 실시 형태에 관한 표시 장치(10)에 있어서는, 도 19의 B에 나타내는 바와 같이, 광학 조정층(21)은 제1 전극(13)에 내포되어도 된다(변형예 6). 도 19의 B는, 제2 실시 형태의 변형예 6에 관한 표시 장치(10)의 일 실시예를 나타낸다.
도 19의 B의 예에서는, 제1 전극(13)은 투명 도전층(130)과 반사층(131)을 갖는 애노드 전극으로 되어 있으며, 유기층(14)에 가까운 쪽에 투명 도전층(130)이 배치되어 있다. 반사층(131)은 Al등의 금속을 적합하게 사용된다. 또한, 투명 도전층(130)으로서는, ITO, IZO등의 금속 산화막이 적합하게 사용된다. 또한, 변형예 6에서는, 제2 전극(15)은, 도 19의 B에 나타내는 바와 같은 투명 도전층(150)과 반투과 반사층(151)을 적층한 구조를 구비하는 경우뿐만 아니라, 반투과 반사층(151)만으로 형성되어도 된다.
변형예 6에 관한 표시 장치(10)에 있어서는, 광학 조정층(21)이 투명 도전층(130)에 내포되어 있다. 광학 조정층(21)의 피치, 크기 및 재질 등의 여러 조건(배치 조건)은, 제2 전극(15)에 광학 조정층(21)이 내포되어 있는 경우와 마찬가지이다. 즉, 제1 전극(13)에 굴절률 조정층(20)이 내포된 경우에 있어서도, 각각의 공진기 구조(19B, 19G, 19R)에서 공진 조건이 충족되는 광학적 거리에 기초하여, 굴절률 조정층(20)의 실효 굴절률 neff가 소정의 값이 되도록 광학 조정층(21)의 배치 조건이 정해지는 것이 적합하다.
(변형예 7)
제2 실시 형태에 관한 표시 장치(10)에 있어서는, 도 20의 A에 나타내는 바와 같이, 제2 전극(15)이 투명 도전층(150)을 구비하고, 또한 광학 조정층(21)이 투명 도전층(150)에 마련되어 있는 경우에, 광학 조정층(21)이 밀도 저감화 구조(23)를 가져도 된다(변형예 7). 도 20의 A는, 제2 실시 형태의 변형예 7에 관한 표시 장치(10)의 일 실시예를 나타낸다.
도 20의 A의 예에서는, 각각의 부화소(101)에 마련된 광학 조정층(21(21B, 21G, 21R))이 밀도 저감화 구조(23)를 갖는다.
밀도 저감화 구조(23)는 도 20의 A의 예에 나타내는 바와 같이, 예를 들어 포러스 구조를 들 수 있다. 광학 조정층(21)이 밀도 저감화 구조(23)를 가짐으로써, 성긴 상태의 층(밀도가 낮은 층)이 되어 굴절률을 낮출 수 있다. 밀도 저감화 구조(23)의 작용과 효과는, 제1 실시 형태에서 설명한 것과 마찬가지이다.
또한, 변형예 7에 관한 표시 장치(10)는 제1 전극(13)이 투명 도전층(130)을 구비하는 경우에 대해서도 마찬가지로 적용할 수 있다. 즉, 광학 조정층(21)이 투명 도전층(130)에 마련되어 있는 경우에, 광학 조정층(21)이 밀도 저감화 구조(23)를 가져도 된다.
(변형예 8)
제2 실시 형태에 관한 표시 장치(10)에 있어서는, 도 20의 B에 나타내는 바와 같이, 제2 전극(15)이 투명 도전층(150)을 구비하고, 또한 복수의 광학 조정층(21)이 투명 도전층(150)에 내포되어 있는 경우에, 투명 도전층(150)이 공극(24)을 갖고 있어도 된다(변형예 8). 도 20의 B는, 제2 실시 형태의 변형예 8에 관한 표시 장치(10)의 일 실시예를 나타낸다.
도 20의 B의 예에서는, 각각의 부화소(101)에 마련된 투명 도전층(150)이 공극(24)을 갖는다. 부화소(101B, 101G)에서는, 인접하는 광학 조정층(21)의 사이에 공극(24)이 형성되어 있다. 이 예에서는, 부화소(101R)에서는, 인접하는 광학 조정층(21)의 사이에 공극(24)의 형성을 피할 수 있다. 단, 이것은, 부화소(101)의 모두에 공극(24)을 마련하는 것을 금지하는 것은 아니다. 공극(24)의 크기는 부화소(101)의 색종에 따라서 정해져도 된다. 이렇게 이웃하는 광학 조정층(21)의 사이에 공극(24)이 형성되어 있는 점에서, 실효 굴절률 neff의 값을 억제할 수 있고, 광학적 거리 L의 조정의 자유도가 보다 향상된다. 또한, 공극(24)의 크기에 따라서 실효 굴절률 neff의 값을 조정할 수 있다. 구체적으로, 도 20의 B의 예에서는, 부화소(101B)에 형성된 개개의 공극(24)의 크기가 부화소(101G)에 형성된 공극(24)의 크기보다도 크게 되어 있다.
(변형예 9)
상기 제2 실시 형태에 관한 표시 장치의 예에서는, 광학 조정층(21B), 광학 조정층(21G), 광학 조정층(21R)의 순으로, 크기가 작게 되어 있는 경우(광학 조정층(21B)이 가장 큼)에 대하여 예시했지만, 크기는 이것에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 광학 조정층(21B, 21G, 21R)을 구성하는 재료로서 굴절률이 높은 것을 사용하고, 공진기 구조(19B, 19G, 19R)의 공진 조건을 충족시키는 경우의 공진 차수를 적절히 선택함으로써, 도 16에 나타내는 바와 같이, 광학 조정층(21B), 광학 조정층(21G), 광학 조정층(21R)의 크기의 순은 변경된다. 도 16에서는, 광학 조정층(21R), 광학 조정층(21G), 광학 조정층(21B)의 순으로, 크기가 작게 되어 있다. 이것은, 광학 조정층(21)의 피치에 대해서도 마찬가지이다.
상기 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태, 그리고 그것들의 각 실시 형태에 부수된 각 변형예에서, 제1 전극(13) 또는 제2 전극(15)에 굴절률 조정층(20)이 형성되어 있는 예를 들고 있는 것에 대해서는, 제1 전극(13) 및 제2 전극(15)의 양쪽 모두에 굴절률 조정층(20)이 형성되어 있는 경우에 대해서도 마찬가지로 적용할 수 있다.
[3. 제3 실시 형태]
상기 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태에 나타내는 표시 장치(10)에서는, 도 2 등에 나타내는 바와 같이 1 화소를 형성하는 부화소(101)가 횡 배열상으로 형성되어 있었다. 각 부화소(101)의 형상은, 도 21, 도 22 등에 나타내는 바와 같이, 도 2 등의 예에는 특별히 한정되지는 않는다(제3 실시 형태). 도 21, 도 22는, 1 화소를 형성하는 부화소의 레이아웃의 실시예를 나타내는 평면도이다. 표시 장치(10)에서는, 부화소(101)의 형상은, 도 21의 B에 나타내는 바와 같이 스트라이프상이어도 되고, 도 22의 A에 나타내는 바와 같은 다각 형상이어도 되고, 도 22의 B에 나타내는 바와 같은 원 형상이어도 된다. 또한, 표시 장치(10)에 있어서는, 1 화소를 형성하는 부화소(101)의 레이아웃은, 도 21의 A에 나타내는 바와 같이, 정방 배열이어도 된다. 도 21의 A에서는, 각 부화소(101)의 중심을 연결하면 사각형 형상이 되도록 나열되는 4개의 부화소(101) 중 대각선 상에 나열되는 2개의 부화소(101)가 부화소(101B)이며, 또 하나의 대각선 상에 배열되는 2개의 부화소(101)가 부화소(101R, 101G)이다. 또한, 1 화소를 형성하는 부화소(101)의 레이아웃 패턴은, 도 22의 A, 도 22의 B에 나타내는 바와 같이 각 부화소(101)의 중심을 연결하면 삼각형 형상이 되도록 나열되는 3개의 부화소(101B, 101G, 101R)로 구성되는 델타 배열로 되어 있어도 된다.
[4. 제4 실시 형태]
상기 제1 실시 형태 내지 제3 실시 형태에 나타내는 표시 장치(10)에서는, 유기층(14)이 부화소(101)마다 개별로 분리(분단)되어 있었지만, 표시 장치(10)는 이것에 한정되지는 않는다. 도 23의 A에 나타내는 바와 같이, 유기층(14)이 부화소(101)에 구애받지 않고 연속적으로 형성되어 있어도 된다(제4 실시 형태). 도 23의 A는, 제4 실시 형태에 관한 표시 장치(10)의 일 실시예를 나타내는 단면도이다. 도 23의 A에서는, 유기층(14)은 부화소(101B, 101G, 101R)의 전체에 공통되는 공통층이 된다. 유기층(14)이 공통층으로 되어 있음으로써 제조 공정수를 삭감할 수 있어 제조 용이성을 향상시킬 수 있다. 또한, 도 23의 A에서는, 제2 전극(15)도 부화소(101B, 101G, 101R)의 전체에 공통되는 공통 전극이 된다. 이 공통 전극의 소정의 위치에, 각 부화소(101)에 대응한 굴절률 조정층(20B, 20G, 20R)이 내포된다.
단, 부화소(101) 사이에서의 누설 전류의 억제성의 관점이나 부화소(101)의 사이에 형성되는 측단부면에서의 반사에 의한 광 추출 효율의 향상성의 관점에서는, 제1 실시 형태와 같이 유기층(14)이 부화소(101)마다 분리되어 있는 것이 보다 바람직하다.
[5. 제5 실시 형태]
상기 제1 실시 형태 내지 제4 실시 형태에 나타내는 표시 장치(10)에서는, 제2 전극(15)에 있어서의 투명 도전층(150)의 두께가, 다른 부화소(101) 사이에서 일정한 값으로 되어도 된다(제5 실시 형태). 제5 실시 형태에서는, 다른 부화소(101) 사이에서 제2 전극(15)에 있어서의 투명 도전층(150)의 두께가 정렬되어 있음으로써, 부화소(101) 사이에서 저항 상태를 정렬시키는 것이 용이해지고, 또한 광학적 거리 L의 조정이 용이해진다. 제5 실시 형태에서는, 도 23의 B에 나타내는 바와 같이, 특히 굴절률 조정층(20)이 다층 구조를 갖는 경우 등에는, 부화소(101) 사이의 단차가 생기는 경우도 있지만, 굴절률 조정층(20)을 구비하지 않은 경우에 비교하면, 부화소(101) 사이의 단차를 저감시킬 수 있다. 또한, 도 23의 B는, 표시 장치(10)에 있어서 굴절률 조정층(20)이 다층 구조를 갖고 추가로 투명 도전층(150)의 두께를 균일하게 한 경우(제5 실시 형태)의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
[6. 제6 실시 형태]
상기 제1 실시 형태 내지 제5 실시 형태에 나타내는 표시 장치(10)에는, 도 24의 A에 나타내는 바와 같이, 또한 컬러 필터(25)가 형성되어도 된다(제6 실시 형태). 도 24의 A는 제6 실시 형태에 관한 표시 장치(10)의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
(컬러 필터)
컬러 필터(25)는 보호층(16)의 제1면 측(상측, +Z 방향 측)에 마련되어 있다. 컬러 필터(25)는 온 칩 컬러 필터(On Chip Color Filter: OCCF)이다. 컬러 필터(25)는 부화소(101)의 색종에 따라서 마련된다. 컬러 필터(25)는, 예를 들어 도 24의 A의 예에서는, 적색의 컬러 필터(적색 필터(25R)), 녹색의 컬러 필터(녹색 필터(25G)) 및 청색의 컬러 필터(청색 필터(25B))를 들 수 있다. 적색 필터(25R), 녹색 필터(25G), 청색 필터(25B)는, 각각 부화소(101R, 101G, 101B)에 마련된다. 표시 장치(10)에 컬러 필터(25)가 설치되어 있음으로써, 색 순도를 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 컬러 필터(25) 상에는, 평탄화층이 형성되고, 또한 평탄화층 상에, 충전 수지층(17)을 통해 대향 기판(18)이 마련되어도 된다(도시 생략). 평탄화층은 충전 수지층(17)과 마찬가지의 재료로 형성되어도 된다.
[7 제7 실시 형태]
상기 제1 실시 형태 내지 제6 실시 형태에 나타내는 표시 장치(10)에는, 도 24의 B에 나타내는 바와 같이, 또한 렌즈(26)가 형성되어도 된다(제7 실시 형태). 도 24의 B는 제7 실시 형태에 관한 표시 장치(10)의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
(렌즈)
렌즈(26)는 보호층(16)의 제1면 측(상측, +Z 방향 측)에 마련되어 있다. 렌즈(26)는 온 칩 렌즈(On Chip Lends: OCL)이다. 렌즈(26)는 각각의 부화소(101)의 제1면 측에 마련된다.
도 24의 B의 예에서는, 렌즈(26)가 각각의 부화소(101)에 배치되어 있고, 구동 기판(11)으로부터 이격되는 방향으로 볼록형이 되는 볼록형 형상으로 형성되어 있다. 표시 장치(10)가 렌즈(26)를 구비함으로써 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 렌즈(26)는 부화소(101)의 일부에 형성되어도 된다.
[8 응용예]
(전자 기기)
상술한 일 실시 형태에 관한 표시 장치(10)는 각종 전자 기기에 구비되어도 된다. 특히 비디오 카메라나 SLR 카메라의 전자 뷰 파인더 또는 헤드 마운트형 디스플레이 등의 고해상도가 요구되고, 눈 가까이에서 확대하여 사용되는 것에 구비되는 것이 바람직하다.
(구체예 1)
도 25의 A는, 디지털 스틸 카메라(310)의 외관의 일 예를 나타내는 정면도이다. 도 25의 B는, 디지털 스틸 카메라(310)의 외관의 일 예를 나타내는 배면도이다. 이 디지털 스틸 카메라(310)는 렌즈 교환식 일안 리플렉스 타입의 것이고, 카메라 본체부(카메라 보디)(311)의 정면 대략 중앙에 교환식의 촬영 렌즈 유닛(교환 렌즈)(312)을 갖고, 정면 좌측에 촬영자가 파지하기 위한 그립부(313)를 갖고 있다.
카메라 본체부(311)의 배면 중앙으로부터 좌측으로 어긋난 위치에는, 모니터(314)가 마련되어 있다. 모니터(314)의 상부에는, 전자 뷰 파인더(접안창)(315)가 마련되어 있다. 촬영자는, 전자 뷰 파인더(315)를 들여다봄으로써, 촬영 렌즈 유닛(312)으로부터 유도된 피사체의 광상을 시인하여 구도 결정을 행하는 것이 가능하다. 전자 뷰 파인더(315)로서는, 상술한 일 실시 형태 및 변형예에 관한 표시 장치(10) 중 어느 것을 사용할 수 있다.
(구체예 2)
도 26은, 헤드 마운트 디스플레이(320)의 외관의 일 예를 나타내는 사시도이다. 헤드 마운트 디스플레이(320)는, 예를 들어 안경형의 표시부(321)의 양측에, 사용자의 헤드부에 장착하기 위한 귀걸이부(322)를 갖고 있다. 표시부(321)로서는, 상술한 일 실시 형태 및 변형예에 관한 표시 장치(10) 중 어느 것을 사용할 수 있다.
(구체예 3)
도 27은, 텔레비전 장치(330)의 외관의 일 예를 나타내는 사시도이다. 이 텔레비전 장치(330)는, 예를 들어 프론트 패널(332) 및 필터 유리(333)를 포함하는 영상 표시 화면부(331)를 갖고 있고, 이 영상 표시 화면부(331)는 상술한 일 실시 형태 및 변형예에 관한 표시 장치(10) 중 어느 것에 의해 구성된다.
이상, 본 개시의 제1 실시 형태 내지 제7 실시 형태 및 각 변형예에 관한 표시 장치, 및 응용예에 대하여 구체적으로 설명했지만, 본 개시는, 상술한 제1 실시 형태 내지 제7 실시 형태 및 각 변형예에 관한 표시 장치 및 응용예에 한정되는 것은 아니며, 본 개시의 기술적 사상에 기초하는 각종 변형이 가능하다.
예를 들어, 상술한 제1 실시 형태 내지 제7 실시 형태 및 각 변형예에 관한 표시 장치 및 응용예에 있어서 열거된 구성, 방법, 공정, 형상, 재료 및 수치 등은 어디까지나 예에 지나지 않고, 필요에 따라서 이것과 다른 구성, 방법, 공정, 형상, 재료 및 수치 등을 사용해도 된다.
상술한 제1 실시 형태 내지 제7 실시 형태 및 각 변형예에 관한 표시 장치 및 응용예의 구성, 방법, 공정, 형상, 재료 및 수치 등은, 본 개시의 주지를 일탈하지 않는 한, 서로 조합하는 것이 가능하다.
상술한 제1 실시 형태 내지 제7 실시 형태 및 각 변형예에 관한 표시 장치 및 응용예에 예시한 재료는, 특별히 정하지 않는 한, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
또한, 본 개시는 이하의 구성을 채용할 수도 있다.
(1)
복수의 색종에 대응한 복수의 부화소를 갖고,
각각의 상기 부화소에, 제1 전극과 유기층과 제2 전극을 갖는 발광 소자를 구비하고 있고,
적어도 하나의 색종에 대응한 상기 부화소에는, 상기 유기층으로부터의 출사광을 공진하는 공진기 구조가 형성되고, 또한 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 어느 한쪽에 굴절률 조정층이 내포되어 있는,
표시 장치.
(2)
상기 부화소의 색종마다, 상기 굴절률 조정층의 조성이 다른,
상기 (1)에 기재된 표시 장치.
(3)
상기 굴절률 조정층이 다층 구조를 갖는
상기 (1) 또는 (2)에 기재된 표시 장치.
(4)
상기 제2 전극은, 투명 도전층과 반투과 반사층을 갖는 캐소드 전극이며,
상기 굴절률 조정층이 상기 투명 도전층에 마련되어 있는,
상기 (1) 내지 (3) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(5)
상기 제2 전극은, 투명 도전층과 반투과 반사층을 갖는 캐소드 전극이며,
상기 굴절률 조정층이 상기 투명 도전층과 상기 반투과 반사층 사이의 위치에 배치되어 있는,
상기 (1) 내지 (3) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(6)
상기 굴절률 조정층이 배치된 상기 부화소의 색종과는 다른 적어도 하나의 색종에 대응한 상기 부화소에서는, 상기 굴절률 조정층의 배치가 회피되어 있는,
상기 (1) 내지 (5) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(7)
적어도 하나의 색종에 대응한 상기 부화소에 마련된 상기 유기층의 제1 발광색은, 다른 복수의 색종에 대응한 상기 부화소에 마련된 상기 유기층의 제2 발광색과는 다른 색종이며,
상기 다른 복수의 색종에 대응한 상기 부화소에 마련된 상기 유기층의 제2 발광색은, 상기 다른 복수의 색종에 대응한 상기 부화소의 사이에 공통되어 있으며,
상기 다른 복수의 색종에 대응한 상기 부화소의 각각에, 상기 공진기 구조가 형성되고, 또한 상기 굴절률 조정층이 마련되어 있는,
상기 (1) 내지 (6) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(8)
상기 제1 전극은, 투명 도전층과 반사층을 갖는 애노드 전극이며,
상기 투명 도전층에 상기 굴절률 조정층이 마련되어 있는,
상기 (1) 내지 (7) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(9)
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 한쪽 또는 양쪽이 투명 도전층을 구비하고, 또한 상기 굴절률 조정층이 상기 투명 도전층에 마련되어 있고,
상기 굴절률 조정층은 밀도 저감화 구조를 갖는
상기 (1) 내지 (8) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(10)
상기 굴절률 조정층은 복수의 광학 조정층을 구비하고,
복수의 상기 광학 조정층이 상기 발광 소자의 발광면 방향을 따라서 서로 이격된 상태로 배치되어 있는,
상기 (1)에 기재된 표시 장치.
(11)
복수의 상기 굴절률 조정층이 다층 구조를 갖고,
복수의 상기 굴절률 조정층을 형성하는 적어도 하나의 층이, 복수의 광학 조정층을 구비하고 있고,
복수의 상기 광학 조정층이 상기 발광 소자의 발광면 방향을 따라서 서로 이격된 상태로 배치되어 있는,
상기 (1)에 기재된 표시 장치.
(12)
상기 제2 전극은, 투명 도전층과 반투과 반사층을 갖는 캐소드 전극이며,
복수의 상기 광학 조정층이 상기 투명 도전층에 마련되어 있는,
상기 (10) 또는 (11)에 기재된 표시 장치.
(13)
각각의 색종에 대응한 상기 부화소에서는, 복수의 상기 광학 조정층의 피치는, 상기 부화소의 색종에 대응한 광의 피크 파장 이하의 값으로 정해져 있는,
상기 (10) 내지 (12) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(14)
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 한쪽 또는 양쪽이 투명 도전층을 구비하고, 또한 복수의 상기 광학 조정층이 상기 투명 도전층에 마련되어 있고,
복수의 상기 광학 조정층의 굴절률과 상기 투명 도전층의 굴절률이 서로 다른,
상기 (10) 내지 (13) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(15)
상기 굴절률 조정층이 배치된 상기 부화소의 색종과는 다른 적어도 하나의 색종에 대응한 상기 부화소에서는, 복수의 상기 광학 조정층의 배치가 회피되어 있는,
상기 (10) 내지 (14) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(16)
상기 제1 전극은, 투명 도전층과 반사층을 갖는 애노드 전극이며,
상기 투명 도전층에, 복수의 상기 광학 조정층이 마련되어 있는,
상기 (10) 내지 (15) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(17)
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 한쪽 또는 양쪽이 투명 도전층을 구비하고, 또한 복수의 상기 광학 조정층이 상기 투명 도전층에 마련되어 있고,
상기 투명 도전층이 공극을 갖는,
상기 (10) 내지 (16) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(18)
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 한쪽 또는 양쪽이 투명 도전층을 구비하고, 또한 복수의 상기 광학 조정층이 상기 투명 도전층에 마련되어 있고,
상기 광학 조정층이 밀도 저감화 구조를 갖는,
상기 (10) 내지 (17) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치.
(19)
상기 (1) 내지 (18) 중 어느 한 항에 기재된 표시 장치를 구비한,
전자 기기.
(20)
광학 조정층을 투명 도전층 상에 형성하는 공정과,
상기 광학 조정층을 각각의 부화소에 대응한 피치로 일괄하여 분단하는 공정과,
분단된 상기 광학 조정층을 덮도록 반투과 반사층을 형성하는 공정을 구비하는,
표시 장치의 제조 방법.
10: 표시 장치
11: 구동 기판
12: 절연층
13: 제1 전극
14: 유기층
15: 제2 전극
16: 보호층
17: 충전 수지층
18: 대향 기판
19B: 공진기 구조
19G: 공진기 구조
19R: 공진기 구조
20B: 굴절률 조정층
20G: 굴절률 조정층
20R: 굴절률 조정층
21B: 광학 조정층
21G: 광학 조정층
21R: 광학 조정층
22: 측벽층
23: 밀도 저감화 구조
24: 공극
101: 부화소
101B: 부화소
101G: 부화소
101R: 부화소
104: 발광 소자
104B: 발광 소자
104G: 발광 소자
104R: 발광 소자
130: 투명 도전층
131: 반사층
150: 투명 도전층
151: 반투과 반사층
Nf: 굴절률 조정층
11: 구동 기판
12: 절연층
13: 제1 전극
14: 유기층
15: 제2 전극
16: 보호층
17: 충전 수지층
18: 대향 기판
19B: 공진기 구조
19G: 공진기 구조
19R: 공진기 구조
20B: 굴절률 조정층
20G: 굴절률 조정층
20R: 굴절률 조정층
21B: 광학 조정층
21G: 광학 조정층
21R: 광학 조정층
22: 측벽층
23: 밀도 저감화 구조
24: 공극
101: 부화소
101B: 부화소
101G: 부화소
101R: 부화소
104: 발광 소자
104B: 발광 소자
104G: 발광 소자
104R: 발광 소자
130: 투명 도전층
131: 반사층
150: 투명 도전층
151: 반투과 반사층
Nf: 굴절률 조정층
Claims (20)
- 복수의 색종에 대응한 복수의 부화소를 갖고,
각각의 상기 부화소에, 제1 전극과 유기층과 제2 전극을 갖는 발광 소자를 구비하고 있고,
적어도 하나의 색종에 대응한 상기 부화소에는, 상기 유기층으로부터의 출사광을 공진하는 공진기 구조가 형성되고, 또한 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 어느 한쪽에 굴절률 조정층이 내포되어 있는,
표시 장치. - 제1항에 있어서, 상기 부화소의 색종마다, 상기 굴절률 조정층의 조성이 다른,
표시 장치. - 제1항에 있어서, 상기 굴절률 조정층이 다층 구조를 갖는
표시 장치. - 제1항에 있어서, 상기 제2 전극은, 투명 도전층과 반투과 반사층을 갖는 캐소드 전극이며,
상기 굴절률 조정층이 상기 투명 도전층에 마련되어 있는,
표시 장치. - 제1항에 있어서, 상기 제2 전극은, 투명 도전층과 반투과 반사층을 갖는 캐소드 전극이며,
상기 굴절률 조정층이 상기 투명 도전층과 상기 반투과 반사층 사이의 위치에 배치되어 있는,
표시 장치. - 제1항에 있어서, 상기 굴절률 조정층이 배치된 상기 부화소의 색종과는 다른 적어도 하나의 색종에 대응한 상기 부화소에서는, 상기 굴절률 조정층의 배치가 회피되어 있는,
표시 장치. - 제1항에 있어서, 적어도 하나의 색종에 대응한 상기 부화소에 마련된 상기 유기층의 제1 발광색은, 다른 복수의 색종에 대응한 상기 부화소에 마련된 상기 유기층의 제2 발광색과는 다른 색종이며,
상기 다른 복수의 색종에 대응한 상기 부화소에 마련된 상기 유기층의 상기 제2 발광색은, 상기 다른 복수의 색종에 대응한 상기 부화소의 사이에 공통되어 있으며,
상기 다른 복수의 색종에 대응한 상기 부화소의 각각에, 상기 공진기 구조가 형성되고, 또한 상기 굴절률 조정층이 마련되어 있는,
표시 장치. - 제1항에 있어서, 상기 제1 전극은, 투명 도전층과 반사층을 갖는 애노드 전극이며,
상기 투명 도전층에 상기 굴절률 조정층이 마련되어 있는,
표시 장치. - 제1항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 한쪽 또는 양쪽이 투명 도전층을 구비하고, 또한 상기 굴절률 조정층이 상기 투명 도전층에 마련되어 있고,
상기 굴절률 조정층은 밀도 저감화 구조를 갖는
표시 장치. - 제1항에 있어서, 상기 굴절률 조정층은 복수의 광학 조정층을 구비하고,
복수의 상기 광학 조정층이 상기 발광 소자의 발광면 방향을 따라서 서로 이격된 상태로 배치되어 있는,
표시 장치. - 제1항에 있어서, 상기 굴절률 조정층이 다층 구조를 갖고 있고,
상기 굴절률 조정층을 형성하는 적어도 하나의 층이, 복수의 광학 조정층을 구비하고 있고,
복수의 상기 광학 조정층이 상기 발광 소자의 발광면 방향을 따라서 서로 이격된 상태로 배치되어 있는,
표시 장치. - 제10항에 있어서, 상기 제2 전극은, 투명 도전층과 반투과 반사층을 갖는 캐소드 전극이며,
복수의 상기 광학 조정층이 상기 투명 도전층에 마련되어 있는,
표시 장치. - 제10항에 있어서, 각각의 색종에 대응한 상기 부화소에서는, 복수의 상기 광학 조정층의 피치는, 상기 부화소의 색종에 대응한 광의 피크 파장 이하의 값으로 정해져 있는,
표시 장치. - 제10항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 한쪽 또는 양쪽이 투명 도전층을 구비하고, 또한 복수의 상기 광학 조정층이 상기 투명 도전층에 마련되어 있고,
복수의 상기 광학 조정층의 굴절률과 상기 투명 도전층의 굴절률이 서로 다른,
표시 장치. - 제10항에 있어서, 상기 굴절률 조정층이 배치된 상기 부화소의 색종과는 다른 적어도 하나의 색종에 대응한 상기 부화소에서는, 복수의 상기 광학 조정층의 배치가 회피되어 있는,
표시 장치. - 제10항에 있어서, 상기 제1 전극은, 투명 도전층과 반사층을 갖는 애노드 전극이며,
상기 투명 도전층에, 복수의 상기 광학 조정층이 마련되어 있는,
표시 장치. - 제10항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 한쪽 또는 양쪽이 투명 도전층을 구비하고, 또한 복수의 상기 광학 조정층이 상기 투명 도전층에 마련되어 있고,
상기 투명 도전층이 공극을 갖는,
표시 장치. - 제10항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 한쪽 또는 양쪽이 투명 도전층을 구비하고, 또한 복수의 상기 광학 조정층이 상기 투명 도전층에 마련되어 있고,
상기 광학 조정층이 밀도 저감화 구조를 갖는,
표시 장치. - 제1항에 기재된 표시 장치를 구비한,
전자 기기. - 광학 조정층을 투명 도전층 상에 형성하는 공정과,
상기 광학 조정층을 각각의 부화소에 대응한 피치로 일괄하여 분단하는 공정과,
분단된 상기 광학 조정층을 덮도록 반투과 반사층을 형성하는 공정을 구비하는,
표시 장치의 제조 방법.
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|---|---|---|---|---|
| JP2015026561A (ja) | 2013-07-29 | 2015-02-05 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
Also Published As
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| JPWO2022209588A1 (ko) | 2022-10-06 |
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| US20240180002A1 (en) | 2024-05-30 |
| CN117044399A (zh) | 2023-11-10 |
| WO2022209588A1 (ja) | 2022-10-06 |
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