KR20230138921A - 신규한 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 - Google Patents

신규한 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 Download PDF

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KR20230138921A
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Abstract

본 발명은 유기발광소자에 사용될 수 있는 신규한 방향족 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것이다.

Description

신규한 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자{Novel Heterocyclic compounds and Organic light emitting diode including the same}
본 발명은 유기 발광 소자에 사용될 수 있는 신규한 화합물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 유기 발광 소자내 발광층의 호스트 재료로 사용될 수 있으며, 이를 통해 저전압, 고효율 및 장수명의 소자 특성을 구현할 수 있는 신규한 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)는 자기 발광 현상을 이용한 디스플레이로서, 시야각이 크고 액정 디스플레이에 비해 경박, 단소해질 수 있고, 빠른 응답 속도 등의 장점을 가지고 있어 풀-컬러(full-color) 디스플레이 또는 조명으로의 응용이 기대되고 있다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기 발광 소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트, 고속 응답성 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.
유기 발광 소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 상기 발광 재료는 분자량에 따라 고분자형과 저분자형으로 분류될 수 있고, 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기상태로부터 유래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있다.
한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우, 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트-도판트 시스템을 사용할 수 있다.
그 원리는 발광층을 형성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작은 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 발광층에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이때, 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.
이러한 발광층 중 인광을 이용한 유기발광소자용 호스트 화합물로서 최근 질소, 산소 등의 헤테로원자를 함유하는 헤테로고리 화합물에 대해 연구가 되고 있으며, 이와 관련된 종래기술로서 공개특허공보 제10-2023-0028739호(2023.03.02)에는 카바졸 구조의 방향족 헤테로고리 화합물을 각각 제1 호스트 및 제2 호스트 물질로 사용한 유기발광소자가 제시되어 있고, 공개특허 공보 제10-2020-0139834호(2020.12.14)에서는 다환고리 구조의 방향족 헤테로고리 화합물을 인광 호스트로 포함하는 유기발광소자가 기재되어 있다.
그러나, 상기 종래기술을 포함하여 유기발광소자의 발광층에 사용하기 위한 다양한 형태의 화합물이 제조되었음에도 불구하고, 아직까지 유기 발광 소자용으로 응용가능하면서, 저전압 구동, 고효율 및 장수명의 소자 특성을 가지는 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자의 개발의 필요성은 지속적으로 요구되고 있는 실정이다.
한국 공개특허공보 제10-2023-0028739호(공개일: 2023.03.02) 한국 공개특허 공보 제10-2020-0139834호(공개일: 2020.12.14)
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 첫 번째 기술적 과제는 유기발광소자내 발광층의 인광 호스트 물질로 사용가능한 신규한 유기 화합물을 제공하는 것이다.
또한 본 발명이 이루고자 하는 두 번째 기술적 과제는 상기 유기 화합물을 유기발광소자내 호스트 물질로서 포함하는, 저전압, 고효율 및 장수명의 유기발광소자(organic light emitting diode, OLED)를 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 기술적 과제들을 달성하기 위하여, 하기 [화학식 A] 또는 [화학식 B] 로 표시되는 방향족 헤테로고리 화합물을 제공한다.
[화학식 A]
[화학식 B]
상기 [화학식 A] 및 [화학식 B]에서,
상기 X1은 NR4, O 및 S 중에서 선택되는 어느 하나이며,
상기 Z1 내지 Z8은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 CR 또는 N 중에서 선택되는 어느 하나이며,
상기 Z1 내지 Z8이 복수의 CR을 포함하는 경우에 각각의 R은 서로 동일하거나 상이하고,
상기 Z3 내지 Z6 중 하나는 연결기 L과 결합하는 단일결합을 포함하는 탄소원자이고,
상기 R, R1 내지 R4은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 방향족 탄화수소 고리가 축합된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 방향족 헤테로고리가 축합된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 8 내지 30의 지방족 탄화수소 고리가 축합된 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 지방족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 0 내지 30의 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 0 내지 30의 실릴기, 탄소수 0 내지 30의 저마늄기, 니트로기, 시아노기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며,
상기 Z1 내지 Z8이 복수의 CR을 포함하는 경우에 서로 인접한 각각의 R은 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환의 고리를 추가 형성할 수 있고, 상기 형성된 지환족, 방향족의 단일환 또는 다환 고리의 탄소원자는 N, S 및 O 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자로 치환될 수 있으며,
상기 R2 및 R3는 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환의 고리를 추가 형성할 수 있으며,
상기 L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴렌기 중에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 [화학식 A] 및 [화학식 B] 내 '치환 또는 비치환된'에서의 '치환'은 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 24의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 7 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 7 내지 24의 알킬아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 7 내지 24의, 방향족 탄화수소 고리가 축합된 시클로알킬기, 탄소수 5 내지 24의, 방향족 헤테로고리가 축합된 시클로알킬기, 탄소수 6 내지 24의, 방향족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로시클로알킬기, 탄소수 8 내지 24의, 지방족 탄화수소 고리가 축합된 아릴기, 탄소수 5 내지 24의, 지방족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 24의 알콕시기, 탄소수 1 내지 24의 아민기, 탄소수 1 내지 24의 실릴기, 탄소수 1 내지 24의 저마늄기, 탄소수 6 내지 24의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 24의 아릴티오닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되는 것을 의미하며, 상기 각각의 치환기내 하나 이상의 수소는 중수소로 치환가능하다.
본 발명에 따른 상기 화학식 A 또는 화학식 B로 표시되는 방향족 헤테로고리 화합물을 유기발광소자내 발광층의 인광 호스트 물질로 이용하는 경우에, 종래기술에 따른 유기발광소자에 비하여 보다 저전압, 고효율 및 장수명의 특성을 구현할 수 있는 유기발광소자를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구체예에 따른 유기 발광 소자의 개략도이다.
이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 각 도면에 있어서, 구조물들의 사이즈나 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하거나 축소하여 도시한 것이고, 특징적 구성이 드러나도록 공지의 구성들은 생략하여 도시하였으므로 도면으로 한정하지는 아니한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않으며, 또한 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "~상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상측에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
본 발명은 하기 [화학식 A] 또는 [화학식 B] 로 표시되는 방향족 헤테로고리 화합물을 제공한다.
[화학식 A]
[화학식 B]
상기 [화학식 A] 및 [화학식 B]에서,
상기 X1은 NR4, O 및 S 중에서 선택되는 어느 하나이며,
상기 Z1 내지 Z8은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 CR 또는 N 중에서 선택되는 어느 하나이며,
상기 Z1 내지 Z8이 복수의 CR을 포함하는 경우에 각각의 R은 서로 동일하거나 상이하고,
상기 Z3 내지 Z6 중 하나는 연결기 L과 결합하는 단일결합을 포함하는 탄소원자이고,
상기 R, R1 내지 R4은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 방향족 탄화수소 고리가 축합된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 방향족 헤테로고리가 축합된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 8 내지 30의 지방족 탄화수소 고리가 축합된 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 지방족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 0 내지 30의 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 0 내지 30의 실릴기, 탄소수 0 내지 30의 저마늄기, 니트로기, 시아노기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며,
상기 Z1 내지 Z8이 복수의 CR을 포함하는 경우에 서로 인접한 각각의 R은 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환의 고리를 추가 형성할 수 있고, 상기 형성된 지환족, 방향족의 단일환 또는 다환 고리의 탄소원자는 N, S 및 O 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자로 치환될 수 있으며,
상기 R2 및 R3는 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환의 고리를 추가 형성할 수 있으며,
상기 L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴렌기 중에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 [화학식 A] 및 [화학식 B] 내 '치환 또는 비치환된'에서의 '치환'은 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 24의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 7 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 7 내지 24의 알킬아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 7 내지 24의, 방향족 탄화수소 고리가 축합된 시클로알킬기, 탄소수 5 내지 24의, 방향족 헤테로고리가 축합된 시클로알킬기, 탄소수 6 내지 24의, 방향족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로시클로알킬기, 탄소수 8 내지 24의, 지방족 탄화수소 고리가 축합된 아릴기, 탄소수 5 내지 24의, 지방족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 24의 알콕시기, 탄소수 1 내지 24의 아민기, 탄소수 1 내지 24의 실릴기, 탄소수 1 내지 24의 저마늄기, 탄소수 6 내지 24의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 24의 아릴티오닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되는 것을 의미하며, 상기 각각의 치환기내 하나 이상의 수소는 중수소로 치환가능하다.
한편, 본 발명에서의 상기 "치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기", "치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 50의 아릴기" 등에서의 상기 알킬기 또는 아릴기의 범위를 고려하여 보면, 상기 탄소수 1 내지 30의 알킬기 및 탄소수 5 내지 50의 아릴기의 탄소수의 범위는 각각 상기 치환기가 치환된 부분을 고려하지 않고 비치환된 것으로 보았을 때의 알킬 부분 또는 아릴 부분을 구성하는 전체 탄소수를 의미하는 것이다. 예컨대, 파라위치에 부틸기가 치환된 페닐기는 탄소수 4의 부틸기로 치환된 탄소수 6의 아릴기에 해당하는 것으로 보아야 한다.
본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 아릴기는 하나의 수소 제거에 의해서 방향족 탄화수소로부터 유도된 유기 라디칼로, 상기 아릴기가 치환기가 있는 경우 서로 이웃하는 치환기와 서로 융합 (fused)되어 고리를 추가로 형성할 수 있고, 또한, 상기 아릴기는 두 개의 아렌고리가 서로 축합되어 이루어진 아렌고리로부터 하나의 수소 제거에 의해 얻어지는 유기라디칼을 포함할 수 있다.
상기 아릴기의 구체적인 예로는 페닐기, o-비페닐기, m-비페닐기, p-비페닐기, o-터페닐기, m-터페닐기, p-터페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 피레닐기, 인데닐기, 플루오레닐기, 테트라히드로나프틸기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 플루오란테닐기 등과 같은 방향족 라디칼 그룹을 들 수 있고, 플루오렌 고리와 페닐렌고리가 축합된 아렌고리, 또는 플루오렌 고리와 페난트렌 고리가 축합된 아렌고리 등의 두개의 아렌고리가 축합되어 이루어진 아렌고리내 하나의 수소제거에 의한 유기 라디칼을 또한 포함할 수 있다.
또한, 상기 아릴기 중 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 실릴기, 아미노기 (-NH2, -NH(R), -N(R')(R''), R'과 R"은 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기이며, 이 경우 "알킬아미노기"라 함), 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실기, 술폰산기, 인산기, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 2 내지 24의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 7 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 7 내지 24의 알킬아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 24의 헤테로아릴알킬기 또는 탄소수 3 내지 24의 알킬헤테로아릴기로 치환될 수 있다.
본 발명에서의 상기 방향족 탄화수소 고리는 탄소와 수소로 이루어진 방향족 고리를 의미하며, 또한, 상기 지방족 탄화수소 고리는 탄소와 수소로 이루어지되, 방향족 탄화수소 고리에 속하지 않는 탄화수소 고리를 의미하며, 이때, 상기 지방족 탄화수소 고리는 바람직하게는, 고리를 형성하는 탄소 원자 중 적어도 30% 이상이 sp3 오비탈 구조를 통해 결합을 이루며, 고리내에 이중결합 및/또는 삼중결합을 0 내지 3개 포함하는 탄화수소 고리일 수 있고, 더욱 바람직하게는 고리를 형성하는 탄소 원자 중 적어도 50% 이상이 sp3 오비탈에 의해 결합을 이루며, 고리내에 이중결합 및/또는 삼중결합을 0 내지 2개 포함하는 탄화수소 고리일 수 있다.
또한, 본 발명에서의 상기 지방족 탄화수소 고리가 축합된 아릴기는 지방족 탄화수소 고리 중 서로 인접한 두 개의 탄소원자와, 아릴기내 고리를 이루는 탄소원자 중 하나의 수소 제거에 의해서 유기 라디칼이 된 탄소 원자를 제외한 두 개의 서로 인접한 탄소원자가 서로 축합되어 하나의 이중결합을 공유하고 전체적으로 비방향족성(non-aromaticity)을 가지는 고리형 치환기를 의미하며, 구체적인 예로는 테트라히드로나프틸기, 테트라히드로벤조시클로헵텐, 테트라히드로페난트렌기, 테트라히드로안트라세닐기, 옥타히드로트리페닐렌기 등을 들 수 있다.
본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 헤테로아릴기는 방향족 고리내 N, O, P, Si, S, Ge, Se, Te 중에서 선택된 1, 2 또는 3개의 헤테로 원자를 포함하고, 나머지 고리 원자가 탄소인 탄소수 2 내지 24의 고리 방향족 시스템의 아릴기를 의미하며, 상기 고리들은 융합(fused)되어 고리를 형성할 수 있다. 그리고 상기 헤테로아릴기 중 하나 이상의 수소 원자는 상기 아릴기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
또한 본 발명에서 상기 방향족 헤테로고리는 방향족 탄화수소 고리에서 방향족 탄소중 하나이상이 헤테로 원자로 치환된 것을 의미하며, 상기 방향족 헤테로 고리는 바람직하게는 방향족 탄화수소내 방향족 탄소 1 내지 3개가 N, O, P, Si, S, Ge, Se, Te 중에서 선택된 하나이상의 헤테로원자로 치환될 수 있다.
또한, 지방족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로아릴기는 상기 지방족 탄화수소 고리가 축합된 아릴기에서 아릴기 대신에 헤테로아릴기가 치환된 구조의 치환기로서, 구체적인 예로는 테트라히드로인돌기, 테트라히드로벤조퓨라닐기, 테트라히드로벤조티오펜기, 테트라히드로카바졸기, 테트라히드로디벤조퓨라닐기, 테트라히드로벤조티오펜기, 테트라히드로퀴놀린기, 테트라히드로퀴녹살린기 등을 들 수 있다.
또한 본 발명에서 상기 방향족 헤테로고리는 방향족 탄화수소 고리에서 방향족 탄소중 하나이상이 헤테로 원자로 치환된 것을 의미하며, 상기 방향족 헤테로 고리는 바람직하게는 방향족 탄화수소내 방향족 탄소 1 내지 3개가 N, O, P, Si, S, Ge, Se, Te 중에서 선택된 하나이상의 헤테로원자로 치환될 수 있다.
본 발명에서 상기 '방향족 탄화수소 고리와 지방족 탄화수소 고리가 축합된 축합 고리'는 방향족 탄화수소 고리 중 서로 인접한 두 개의 탄소원자와 지방족 탄화수소 고리 중 두 개의 서로 인접한 탄소원자가 서로 공유되도록 축합된 축합고리를 의미하며, 예시적으로 벤젠 고리와 시클로헥산고리에서 각각의 서로 인접한 2 개의 탄소원자가 공유되어 축합된, 테트라히드로나프탈렌 고리를 들 수 있다.
또한, 본 발명에서의 상기 '방향족 헤테로고리와 지방족 탄화수소 고리가 축합된 축합 고리'는 방향족 헤테로고리 중 서로 인접한 두 개의 탄소원자와 지방족 탄화수소 고리 중 두 개의 서로 인접한 탄소원자가 서로 공유되도록 축합된 축합고리를 의미하며, 예시적으로 벤조퓨란 고리와 시클로헥산고리에서 각각의 고리내 서로 인접한 2 개의 탄소원자가 서로 공유되어 축합된, 헥사히드로디벤조퓨란 고리를 들 수 있다.
본 발명에서 사용되는 치환기인 알킬기는 알칸(alkane)으로부터 수소 하나가 제거된 치환기로서, 직쇄형, 분지형을 포함하는 구조이며, 이의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 이소부틸, sec-부틸, tert-부틸, 펜틸, iso-아밀, 헥실 등을 들 수 있고, 상기 알킬기 중 하나 이상의 수소 원자는 원자는 상기 아릴기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 시클로알킬기, 시클로알콕시기 등에서의 '시클로'는 알킬기 또는 알콕시기내 포화탄화수소의 단일 고리 또는 다중 고리를 형성할 수 있는 구조의 치환기를 의미하며, 예컨대 시클로알킬기의 구체적인 예로는 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 메틸시클로펜틸, 메틸시클로헥실, 에틸시클로펜틸, 에틸시클로헥실, 아다만틸, 디시클로펜타디에닐, 데카히드로나프틸, 노보닐, 보닐, 아이소보닐 등을 들 수 있고, 상기 시클로알킬기 중 하나 이상의 수소 원자는 상기 아릴기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능 하며, 이는 시클로알콕시에서도 마찬가지로 적용될 수 있다.
또한 본 발명에서, 상기 헤테로시클로알킬기는 시클로알킬 구조를 이루는 치환기의 고리내 탄소 중 하나 이상이 헤테로 원자로 치환된 것을 의미하고, 바람직하게는, 1 내지 3개의 탄소가 N, O, P, S, Si, Ge, Se, Te 중에서 선택된 하나이상의 헤테로원자로 치환될 수 있다.
또한, 상기 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 헤테로 고리가 축합된 시클로알킬기는 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 헤테로 고리내에 서로 인접한 두 개의 탄소원자;와, 시클로알킬기내 고리를 이루는 탄소원자 중 하나의 수소 제거에 의해서 유기 라디칼이 된 탄소 원자를 제외한 두 개의 서로 인접한 탄소원자;가 서로 축합되어 하나의 이중결합을 공유하고, 전체적으로 비방향족성(non-aromaticity)을 나타내는 고리형 치환기를 의미하며, 구체적인 예로는 테트라히드로나프틸, 테트라히드로페난트렌기, 테트라히드로퀴놀린기, 테트라히드로퀴녹살린기, 시클로펜타벤조퓨란 등을 들 수 있다.
또한, 상기 방향족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로시클로알킬기는 상기 방향족 탄화수소 고리가 축합된 시클로알킬기에서 시클로알킬 고리내 탄소원자 중 하나 이상이 헤테로 원자로 치환된 것을 의미하고, 바람직하게는 시클로알킬 고리내 1 내지 3개의 탄소가 N, O, P, S, Si, Ge, Se, Te 중에서 선택된 하나이상의 헤테로원자로 치환된 구조의 치환기이며, 구체적인 예로는 헥사히드로디벤조퓨라닐기, 헥사히드로카바졸기, 헥사히드로디벤조티오펜기, 디히드로벤조디옥신기 등을 들 수 있으며, 전체적으로 비방향족성(non-aromaticity)을 나타낸다.
또한, 지방족 헤테로고리가 축합된 아릴기 또는 헤테로아릴기는 상기 지방족 탄화수소 고리가 축합된 아릴기 또는 헤테로아릴기에서 지방족 탄화수소 고리 대신 지방족 헤테로고리가 축합된 구조의 치환기로서, 구체적인 예로는 크로만기, 디하이드로피라노피리딘기, 티오크로만기, 디하이드로벤조다이옥신기, 디하이드로티오피라노피리딘기, 디하이드로피라노피리미딘기 등을 들 수 있으며, 전체적으로 비방향족성(non-aromaticity)을 나타낸다.
또한 상기 지방족 헤테로고리는 지방족 탄화수소고리 내 탄소중 하나이상이 헤테로 원자로 치환된 것을 의미하며, 상기 지방족 헤테로 고리는 바람직하게는 지방족 탄화수소내 탄소 1 내지 3개가 N, O 또는 S 등으로 선택된 하나이상의 헤테로원자로 치환될 수 있다.
본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 알콕시기는 알킬기 또는 시클로알킬기의 말단에 산소원자가 결합한 치환기로서, 이의 구체적인 예로는 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 이소부틸옥시, sec-부틸옥시, 펜틸옥시, iso-아밀옥시, 헥실옥시, 시클로부틸옥시, 시클로펜틸옥시, 아다만탄옥시, 디시클로펜탄옥시, 보닐옥시, 이소보닐옥시 등을 들 수 있고, 상기 알콕시기 중 하나 이상의 수소 원자는 상기 아릴기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 아릴알킬기의 구체적인 예로는 페닐메틸(벤질), 페닐에틸, 페닐프로필, 나프틸메틸 나프틸에틸 등을 들 수 있고, 상기 아릴알킬기 중 하나 이상의 수소 원자는 상기 아릴기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 알킬아릴기의 구체적인 예로는 톨릴, 자일레닐, 디메틸나프틸, t-부틸페닐, t-부틸나프틸, t-부틸페난트릴 등을 들 수 있고, 상기 알킬아릴기 중 하나 이상의 수소 원자는 상기 아릴기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
본 발명의 화합물에서 사용되는 치환기인 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴, 트리에틸실릴, 트리페닐실릴, 트리메톡시실릴, 디메톡시페닐실릴, 디페닐메틸실릴, 디페닐비닐실릴, 메틸사이클로뷰틸실릴, 디메틸퓨릴실릴 등을 들 수 있고, 상기 실릴기 중 하나 이상의 수소 원자는 상기 아릴기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능 하다.
또한, 본 발명에서 알케닐(alkenyl)기는 두 개의 탄소원자에 의해 이루어지는 하나의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 알킬 치환기를 의미하며, 또한 알키닐(alkynyl)기는 두 개의 탄소원자에 의해 이루어지는 하나의 탄소-탄소 삼중 결합을 포함하는 알킬 치환기를 의미한다.
또한, 본 발명에서 사용되는 알킬렌(alkylene)기는 직쇄형 또는 분지형 형태의 포화탄화수소인 알칸(alkane) 분자내 두 개의 수소 제거에 의하여 유도된 유기 라디칼로, 상기 알킬렌기의 구체적인 예로는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, 이소부틸렌기, sec-부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, iso-아밀렌기, 헥실렌기 등을 들 수 있고, 상기 알킬렌기 중 하나 이상의 수소 원자는 원자는 상기 아릴기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
또한 본 발명에서 디아릴아미노기는 상기 기재된 동일하거나 상이한 두 개의 아릴기가 질소원자에 결합된 아민기를 의미하며, 또한 본 발명에서 디헤테로아릴아미노기는 동일하거나 상이한 두 개의 헤테로아릴기가 질소원자에 결합된 아민기를 의미하고, 또한, 상기 아릴(헤테로아릴)아미노기는 상기 아릴기와 헤테로아릴기가 각각 질소원자에 결합된 아민기를 의미한다.
한편, 상기 [화학식 A] 및 [화학식 B] 내 상기 '치환 또는 비치환된'에서의 '치환' 대한 보다 바람직한 예로서, 이는 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 탄소수 1 내지 12의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 2 내지 12의 알케닐기, 탄소수 2 내지 12의 알키닐기, 탄소수 3 내지 12의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 12의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기, 탄소수 7 내지 20의 아릴알킬기, 탄소수 7 내지 20의 알킬아릴기, 탄소수 2 내지 18의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 18의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 3 내지 18의 알킬헤테로아릴기, 탄소수 9 내지 20의, 방향족 탄화수소 고리가 축합된 시클로알킬기, 탄소수 7 내지 20의, 방향족 헤테로 고리가 축합된 시클로알킬기, 탄소수 9 내지 20의, 방향족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로시클로알킬기, 탄소수 9 내지 20의, 지방족 탄화수소 고리가 축합된 아릴기, 탄소수 7 내지 20의, 지방족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 12의 알콕시기, 탄소수 1 내지 18의 아민기, 탄소수 1 내지 18의 실릴기, 탄소수 1 내지 18의 저마늄기, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 18의 아릴티오닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되는 것일 수 있고, 상기 각각의 치환기내 하나 이상의 수소는 중수소로 치환가능하다.
또한, 본 발명에서, 상기 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의, 방향족 탄화수소 고리가 축합된 시클로알킬기의 보다 바람직한 예로서, 이는 치환 또는 비치환된 탄소수 9 내지 20의, 방향족 탄화수소 고리가 축합된 시클로알킬기일 수 있다.
또한, 본 발명에서, 상기 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의, 방향족 헤테로고리가 축합된 시클로알킬기의 보다 바람직한 예로서, 이는 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 20의, 방향족 헤테로 고리가 축합된 시클로알킬기일 수 있다.
또한, 본 발명에서, 상기 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의, 방향족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로시클로알킬기의 보다 바람직한 예로서, 이는 치환 또는 비치환된 탄소수 9 내지 20의, 방향족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로시클로알킬기일 수 있다.
또한, 본 발명에서, 상기 치환 또는 비치환된 탄소수 8 내지 30의, 지방족 탄화수소 고리가 축합된 아릴기의 보다 바람직한 예로서, 이는 치환 또는 비치환된 탄소수 9 내지 20의, 지방족 탄화수소 고리가 축합된 아릴기일 수 있다.
또한, 본 발명에서, 상기 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의, 지방족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로아릴기의 보다 바람직한 예로서, 이는 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 20의, 지방족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로아릴기일 수 있다.
또한, 본 발명에서, 상기 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의, 지방족 헤테로 고리가 축합된 아릴기의 보다 바람직한 예로서, 이는 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 20의, 지방족 헤테로 고리가 축합된 아릴기일 수 있다.
또한, 본 발명에서, 상기 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의, 지방족 헤테로 고리가 축합된 헤테로아릴기의 보다 바람직한 예로서, 이는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의, 지방족 헤테로 고리가 축합된 헤테로아릴기일 수 있다.
한편, 본 발명에서, 상기 'R2 및 R3 는 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환고리를 추가적으로 형성할 수 있으며'의 경우에 이는 상기 R2와 R3 각각으로부터 하나의 수소라디칼을 제거하고 이들을 연결함으로써 추가적으로 고리를 형성할 수 있는 것을 의미한다.
본 발명에 있어서 상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 방향족 헤테로고리 화합물은 상기 Z1 내지 Z8을 포함하는 페난트렌 유사 고리에 상기 X1 및 질소원자(N)를 포함하는 방향족 헤테로 오각 고리가 축합된 모핵구조를 가지되, 상기 방향족 헤테로 오각 고리내 X1 및 질소원자(N)에 결합된 방향족 탄소원자에 치환기 R1이 결합하고, 상기 페난트렌 유사 고리의 말단 방향족 육각 고리내 Z3 내지 Z6 중 하나는 아민 치환기()내 연결기 L과 결합하는 단일결합을 포함하는 탄소원자인 것을 기술적 특징으로 한다.
[화학식 A]
[화학식 B]
본 발명의 일 실시예로서, 상기 화학식 A 및 화학식 B내 X1은 O 또는 S일 수 있다.
본 발명의 일 실시예로서, 상기 화학식 A 및 화학식 B내 상기 R1 내지 R4는 바람직하게는, 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시예로서, 상기 화학식 A 및 화학식 B내 상기 R1 내지 R3 중 적어도 하나는 탄소수 6 내지 24의 아릴기일 수 있고, 더욱 바람직하게는, 상기 R1 내지 R3 중 적어도 하나는 아래 구조식 1 내지 구조식 6 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
[구조식 1] [구조식 2] [구조식 3]
[구조식 4] [구조식 5] [구조식 6]
상기 구조식 6에서, 상기 Z는 NR5, CR6R7, O 및 S 중에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 R5 내지 R7은 상기 R1 내지 R4와 동일하고,
상기 구조식 1 내지 6에서 방향족 고리의 탄소자리는 수소, 중수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 18의 아릴기 중에서 선택되는 어느 하나 이상이 결합될 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시예로서, 상기 방향족 헤테로고리 화합물내 R1 내지 R3 중 적어도 하나는 아래의 [구조식 A]로 표시되는 치환기일 수 있다.
[구조식 A]
[구조식 Q-1] [구조식 Q-2] [구조식 Q-3]
상기 [구조식 A]에서,
상기 Q는 아래의 구조식 Q-1 내지 Q-3 중에서 선택되는 어느 하나의 고리이고,
상기 Q가 구조식 Q-1인 경우, 상기 구조식 Q-1 내 이웃한 탄소 원자인 R17과 R18, R18과 R19 및 R19와 R20 중 한 쌍의 치환기는 구조식 A 내 방향족 탄소원자 f 및 방향족 탄소원자 g와 축합되어 6원환의 고리를 형성하는 단일결합이고,
상기 Q가 구조식 Q-2 인 경우, 상기 구조식 Q-2 내 이웃한 탄소 원자인 R25와 R26, R27과 R28, R28과 R29 및 R29와 R30 중 한 쌍의 치환기는 구조식 A 내 방향족 탄소원자 f 및 방향족 탄소원자 g와 축합되어 6원환의 고리를 형성하는 단일결합이며,
상기 Q가 구조식 Q-3인 경우, 상기 구조식 Q-3 내 이웃한 탄소 원자인 R35와 R36, R36과 R37 및 R37과 R38 중 한 쌍의 치환기는 구조식 A 내 방향족 탄소원자 f 및 방향족 탄소원자 g와 축합되어 6원환의 고리를 형성하는 단일결합이며,
상기 치환기 R11 내지 R16 및, R17 내지 R44 중 고리를 형성하는 단일결합이 아닌 나머지 치환기는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 2 내지 24의 알케닐기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 7 내지 24의 아릴알킬기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 7 내지 24의 알킬아릴기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 7 내지 24의, 방향족 탄화수소 고리가 축합된 시클로알킬기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 5 내지 24의, 방향족 헤테로고리가 축합된 시클로알킬기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 24의, 방향족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로시클로알킬기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 8 내지 24의, 지방족 탄화수소 고리가 축합된 아릴기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 5 내지 24의, 지방족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로아릴기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 1 내지 24의 알콕시기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 1 내지 24의 아민기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 1 내지 24의 실릴기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 1 내지 24의 저마늄기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 24의 아릴옥시기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 24의 아릴티오닐기 중에서 선택되는 어느 하나이되,
상기 구조식 A내 Q가 구조식 Q-1인 경우, 구조식 A내 R11 내지 R16 중 하나, 또는 구조식 Q-1내 R17 내지 R24 중 하나는 R1 내지 R3 와 결합되는 탄소원자 또는 질소원자에 결합되는 단일 결합이고,
상기 구조식 A내 Q가 구조식 Q-2인 경우, 구조식 A내 R11 내지 R16 중 하나, 또는 구조식 Q-2내 R25 내지 R34 중 하나는 R1 내지 R3 와 결합되는 탄소원자 또는 질소원자에 결합되는 단일 결합이며,
상기 구조식 A내 Q가 구조식 Q-3인 경우, 구조식 A내 R11 내지 R16 중 하나, 또는 구조식 Q-3내 R35 내지 R42 중 하나는 R1 내지 R3 와 결합되는 탄소원자 또는 질소원자에 결합되는 단일 결합이고,
상기 R43 및 R44는 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환의 고리를 추가 형성할 수 있다.
여기서 상기 상기 구조식 A내 Q가 구조식 Q-1 내지 Q-3에 해당하는 경우 상기 구조식 A의 구조를 보충하여 설명하면, 상기 구조식 A내 Q가 구조식 Q-1인 경우, 상기 구조식 Q-1내 치환기 R17과 R18, 치환기 R18과 R19, 및 치환기 R19와 R20 중 하나의 서로 인접한 치환기들(서로 인접한 두 개의 치환기)은 구조식 A 내 R11 및 R12를 포함하는 6원환의 방향족고리와 상기 구조식 Q-1내 방향족 고리가 2개의 탄소원자를 공유하는 축합고리를 형성하기 위한 방향족 탄소원자들 간의 결합(bonding)에 해당하며, 또한, 상기 Q가 구조식 Q-2인 경우, 상기 구조식 Q-2 내 치환기 R25과 R26, 치환기 R27과 R28, 치환기 R28과 R29, 및 치환기 R29와 R30 중 하나의 서로 인접한 치환기들(서로 인접한 두 개의 치환기)은 구조식 A 내 R11 및 R12를 포함하는 6원환의 방향족고리와 상기 구조식 Q-2내 방향족 고리가 2개의 탄소원자를 공유하는 축합고리를 형성하기 위한 방향족 탄소원자들 간의 결합(bonding)에 해당하고, 또한, 상기 Q가 구조식 Q-3인 경우, 상기 구조식 Q-3 내 치환기 R35과 R36, 치환기 R36과 R37, 및 치환기 R37와 R38 중 하나의 서로 인접한 치환기들(서로 인접한 두 개의 치환기)은 구조식 A 내 R11 및 R12를 포함하는 6원환의 방향족고리와 상기 구조식 Q-3내 방향족 고리가 2개의 탄소원자를 공유하는 축합고리를 형성하기 위한 방향족 탄소원자들 간의 결합(bonding)에 해당한다.
본 발명에 따른 상기 [구조식 A]로 표시되는 치환기의 구체적 예로서, 이는 하기 [구조식 A-1] 내지 [구조식 A-15] 중에서 선택되는 어느 하나의 치환기일 수 있다.
[구조식 A-1] [구조식 A-2]
[구조식 A-3] [구조식 A-4]
[구조식 A-5] [구조식 A-6]
[구조식 A-7] [구조식 A-8]
[구조식 A-9] [구조식 A-10]
[구조식 A-11] [구조식 A-12]
[구조식 A-13] [구조식 A-14]
[구조식 A-15]
여기서, 상기 [구조식 A-1] 내지 [구조식 A-15]내 치환기 R11 내지 R44는 앞에서 정의한 바와 동일하다.
또한 본 발명의 일 실시예로서, 상기 [화학식 A] 및 [화학식 B] 내 R1 내지 R3 중 적어도 하나는 상기 [구조식 A]로 표시되는 치환기일 수 있으며, 더욱 바람직하게는, R2 만이 [구조식 A]로 표시되는 치환기이거나, 또는 R3 만이 [구조식 A]로 표시되는 치환기일 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시예로서, 상기 화학식 A 및 화학식 B내 치환기 R1은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
또한 본 발명의 상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 방향족 헤테로고리 화합물의 구체적 예시로서, 이는 아래의 <1> 내지 <240> 중에서 선택되는 어느 하나의 화합물일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
1 2 3
4 5 6
7 8 9
10 11 12
13 14 15
16 17 18
19 20 21
22 23 24
25 26 27
28 29 30
31 32 33
34 35 36
37 38 39
40 41 42
43 44 45
46 47 48
49 50 51
52 53 54
55 56 57
58 59 60
61 62 63
64 65 66
67 68 69
70 71 72
73 74 75
76 77 78
79 80 81
82 83 84
85 86 87
88 89 90
91 92 93
94 95 96
97 98 99
100 101 102
103 104 105
106 107 108
109 110 111
112 113 114
115 116 117
118 119 120
121 122 123
124 125 126
127 128 129
130 131 132
133 134 135
136 137 138
139 140 141
142 143 144
145 146 147
148 149 150
151 152 153
154 155 156
157 158 159
160 161 162
163 164 165
166 167 168
169 170 171
172 173 174
175 176 177
178 179 180
181 182 183
184 185 186
187 188 189
190 191 192
193 194 195
196 197 198
199 200 201
202 203 204
205 206 207
208 209 210
211 212 213
214 215 216
217 218 219
220 221 222
223 224 225
226 227 228
229 230 231
232 233 234
235 236 237
238 239 240
또한, 본 발명은 제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되는 유기층;을 포함하고, 상기 유기층이 본 발명에 따른 상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 화합물을 1종 이상 포함하는 유기발광소자를 제공하며, 본 발명에 따른 유기발광소자는 저전압 구동, 고효율 및 장수명 특성을 나타낼 수 있다.
한편, 본 발명에서 "(유기층이) 유기 화합물을 1종 이상 포함한다" 란, "(유기층이) 본 발명의 범주에 속하는 1종의 유기 화합물 또는 상기 유기 화합물의 범주에 속하는 서로 다른 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다"로 해석될 수 있다.
이때, 본 발명의 상기 유기발광소자내 유기층은 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 기능 및 정공수송 기능을 동시에 갖는 기능층, 발광층, 전자 수송층, 및 전자주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 상기 유기층들 중 적어도 하나 이상이 상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 방향족 헤테로고리 화합물을 1 종 이상 포함할 수 있다.
보다 바람직한 본 발명의 일 실시예로서, 본 발명은 제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극사이에 개재되는 유기층;을 포함하고, 상기 유기층은 발광층; 및, 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층, 전자저지층, 정공저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나의 층;을 포함하고, 상기 발광층은 호스트와 도판트를 포함하며, 상기 호스트는 본 발명에 따른 상기 방향족 헤테로고리 화합물을 1 종 이상 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
한편 본 발명에서 상기 발광층에는 호스트와 더불어, 도판트 재료가 사용될 수 있다. 상기 발광층이 호스트 및 도판트를 포함할 경우, 도판트의 함량은 통상적으로 호스트 약 100 중량부를 기준으로하여 약 0.01 내지 약 20중량부의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서 상기 발광층에 포함되는 도판트 화합물로서, 상기 도판트는 기존의 Host-Dopant 시스템에서 포스터 에너지전이(Forster energy transfer) 방식을 이용하여 단일항 상태로만 전이되는 형광 도판트 물질이 아닌, 단일항과 삼중항 상태 구분하지 않고 전이되는 덱스터 에너지전이(Dexter Energy trnaster) 방식을 이용하는 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Re, Pd 등에서 선택되는 하나 이상의 금속을 포함하는 금속착체의 인광 도판트 물질을 포함하며, 삼중항 여기자로부터 발광하는 한 특별한 제한 없이 공지의 도판트 물질을 사용할 수 있다.
바람직하게는 금속 착체로써 Ir, Pt 및 Pd 등을 선택할 수 있으며, 구체적인 예로는, Ir(ppy)3, Ir(ppy)2acac, Ir(Bt)2acac, Ir(MDQ)2acac, Ir(mppy)3, Ir(piq)3, Ir(piq)2acac, Ir(pq)2acac, Ir(mpp)2acac, F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(ppy)2tmd, Ir(pmi)3, Ir(pmb)3, FCNIr, FCNIrpic, FIr6, FIrN4, FIrpic, PtOEP, Ir(chpy)3,P0-01(C31H23IrN2O2S2), Ir(ppz)3, Ir(dfppz)3, PtNON, Pt-10, Pt-11 등이 있으나. 이에 제한되지 않으며, 더욱 바람직하게는 적색 인광 도판트로 사용되는 PtOEP, Ir(Bt)2acac, Ir(MDQ)2acac, Ir(piq)3, Ir(piq)2acac, Ir(pq)2acac 등이 사용될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
보다 바람직한 본 발명의 일 실시예로서, 본 발명은 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 유기층이 발광층을 포함하며, 상기 발광층내 호스트는 상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 화합물 1종 외 추가적인 호스트 화합물이 1종 이상 추가로 포함하여, 2종 이상의 호스트 화합물이 혼합 또는 적층되어 사용될 수 있다.
여기서, 상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 화합물 1종 외 추가적인 호스트 화합물이 1종 이상 추가로 포함하여, 2종 이상의 호스트 화합물이 혼합 또는 적층되어 사용되는 경우에, 보다 바람직하게는 상기 추가적인 호스트로서, 전자받개 모이어티를 가지는 화합물이 사용될 수 있으며, 전자주개 모이어티인 아민기를 가진 [화학식 A] 또는 [화학식 B]와의 혼합 또는 적층으로 생기는 높은 정공주입과 전자주입 장벽의 HOMO/LUMO 레벨로 인해 재결합영역을 두 호스트의 계면으로 제한함으로써 전류 손실을 최소화하는 장점 등으로 인해 고효율, 장수명의 유기발광소자를 구현할 수 있다.
이때, 상기 전자받개 모이어티를 가지는 화합물은 분자내에 피리딘, 피리미딘, 트리아진 등과 같은 질소 함유 방향족 헤테로고리인 아진(Azine)화합물 및 시아노기(-CN)가 치환된 화합물 등과 같이 외부로부터 전자를 받기 쉬운 환경을 구비하고 있는 모이어티를 가지는 화합물로써, 바람직하게는 분자내 N(질소)을 1 내지 3개 포함하는 헤테로아릴기; 또는, 분자내 1 내지 3개의 시아노기(-CN)를 포함하는 아릴기;를 포함하는 화합물을 포함할 수 있다.
또한 상기 발광층은 상기 도판트와 호스트 이외에도 다양한 호스트와 다양한 도펀트 물질을 추가로 포함할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기발광소자를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조를 도시한 그림이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자는 양극(20), 정공수송층(40), 호스트 및 도판트를 포함하는 발광층(50), 전자수송층(60) 및 음극(80)을 순차적 순서로 포함하는 유기발광소자로서, 상기 양극을 제1 전극으로, 음극을 제2전극으로 하여, 상기 양극과 발광층 사이에 정공수송층을 포함하고, 발광층과 음극 사이에 전자수송층을 포함한 유기발광소자에 해당한다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자는 상기 양극(20)과 정공수송층(40) 사이에 정공주입층(30)이 포함되며, 상기 전자수송층(60)과 음극(80) 사이에 전자주입층(70)이 포함될 수 있다.
상기 도 1을 참조하여 본 발명의 유기 발광 소자 및 그 제조방법에 대하여 살펴보면 다음과 같다.
먼저 기판(10) 상부에 양극(애노드) 전극용 물질을 코팅하여 양극(20)을 형성한다. 여기에서 기판(10)으로는 통상적인 유기 EL 소자에서 사용되는 기판을 사용하는데 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유기 기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 그리고, 양극 전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 사용한다.
상기 양극(20) 전극 상부에 정공 주입층 물질을 진공열 증착, 또는 스핀 코팅하여 정공주입층(30)을 형성한다. 그 다음으로 상기 정공주입층(30)의 상부에 정공수송층 물질을 진공 열증착 또는 스핀 코팅하여 정공수송층(40)을 형성한다.
상기 정공주입층 재료는 당업계에서 통상적으로 사용되는 것인 한 특별히 제한되지 않고 사용할 수 있으며, 예를 들어 2-TNATA [4,4',4"-tris(2-naphthylphenyl-phenylamino)-triphenylamine], NPD[N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine)], TPD[N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine], DNTPD[N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine] 등을 사용할 수 있다. 하지만 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 상기 정공수송층의 재료로서 당업계에 통상적으로 사용되는것인 한 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐 -[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD) 또는 N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐벤지딘(a-NPD) 등을 사용할 수 있다. 하지만 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 본 발명은 상기 정공 수송층 상부에 전자 차단층을 추가적으로 형성할 수 있다. 상기 전자차단층은 전자주입층으로부터 주입된 전자가 발광층을 지나 정공수송층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시키기 위한 층으로서, 발광층과 정공주입층의 사이에 적절한 부분에 형성될 수 있으며, 바람직하게는 발광층과 정공수송층 사이에 형성될 수 있다.
이어서, 상기 정공수송층(40) 또는 전자차단층의 상부에 발광층(50)을 진공 증착 방법, 또는 스핀 코팅 방법으로서 적층할 수 있다.
여기서, 상기 발광층은 호스트와 도펀트로 이루어질 수 있으며, 이들을 구성하는 재료에 대해서는 앞서 기재한 바와 같다.
또한, 본 발명의 구체적인 예에 의하면, 상기 발광층의 두께는 50 내지 2,000 Å인 것이 바람직하다.
본 발명은 상기 유기발광층(50)의 상부에 선택적으로, 정공저지층(미도시)을 진공 증착 방법, 또는 스핀 코팅 방법으로서 박막을 형성할 수 있다.
상기 정공저지층은 정공이 발광층을 통과하여 캐소드로 유입되는 경우에는 소자의 수명과 효율이 감소되기 때문에 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 레벨이 매우 낮은 물질을 사용함으로써 이러한 문제를 방지하는 역할을 한다. 이 때, 사용되는 정공 저지 물질은 특별히 제한되지는 않으나 전자수송능력을 가지면서 발광 화합물보다 높은 이온화 포텐셜을 가져야 하며, 상기 정공저지층에 사용되는 물질로써, BAlq, BCP, Bphen, TPBI, NTAZ, BeBq2, OXD-7, Liq 및 화학식 1001 내지 화학식 1007 중 에서 선택되는 어느 하나가 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
BAlq BCP Bphen
TPBI NTAZ BeBq2
OXD-7 Liq
화학식 1001 화학식 1002 화학식 1003
화학식 1004 화학식 1005 화학식 1006
화학식 1007
한편, 상기 발광층 또는 정공저지층 상에 전자수송층(60)을 진공 증착 방법, 또는 스핀 코팅 방법을 통해 증착한다.
한편 본 발명에서 상기 전자수송층 재료로는 전자주입전극(Cathode)로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서 공지의 전자수송물질을 이용할 수 있다. 공지의 전자수송물질의 예로는, 퀴놀린유도체, 특히트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), Liq, TAZ, BAlq, 베릴륨비스(벤조퀴놀리-10-노에이트)(beryllium bis(benzoquinolin-10-olate: Bebq2), 화합물 201, 화합물 202, BCP, 옥사디아졸유도체인 PBD, BMD, BND 등과 같은 재료를 사용할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
TAZ BAlq
<화합물 201> <화합물 202> BCP
또한, 본 발명에서의 유기발광소자는 상기 전자수송층을 형성한 후에 전자 수송층 상부에 음극으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자 주입층(EIL)이 적층될 수 있으며 이는 특별히 재료를 제한하지 않는다.
상기 전자 주입층 형성 재료로는 CsF, NaF, LiF, Li2O, BaO등과 같은 전자주입층 형성 재료로서 공지된 임의의 물질을 이용할 수 있다. 상기 전자주입층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 전자 주입층의 두께는 약 1 Å 내지 약 100 Å, 약 3 Å 내지 약 90 Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에서 상기 음극은 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질을 이용할 수 있다. 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 또는 이들의 합금 알루미늄(Al), 알루미늄-리듐(Al-Li), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등을 사용하거나, ITO, IZO를 사용한 투과형 음극을 사용할 수 있다.
또한 본 발명에서의 유기 발광 소자는 380 nm 내지 800 nm의 파장범위에서 발광하는 청색 발광재료, 녹색 발광재료 또는 적색 발광재료의 발광층을 추가적으로 포함할 수 있다. 즉, 본 발명에서의 발광층은 복수의 발광층으로서, 상기 추가적으로 형성되는 발광층내 청색 발광재료, 녹색 발광재료 또는 적색 발광재료는 형광재료 또는 인광재료일 수 있다.
또한, 본 발명에서 상기 각각의 층중에서 선택된 하나 이상의 층은 단분자 증착공정 또는 용액공정에 의하여 형성될 수 있다.
여기서 상기 증착 공정은 상기 각각의 층을 형성하기 위한 재료로 사용되는 물질을 진공 또는 저압상태에서 가열 등을 통해 증발시켜 박막을 형성하는 방법을 의미하고, 상기 용액공정은 상기 각각의 층을 형성하기 위한 재료로 사용되는 물질을 용매와 혼합하고 이를 잉크젯 인쇄, 롤투롤 코팅, 스크린 인쇄, 스프레이 코팅, 딥 코팅, 스핀 코팅 등과 같은 방법을 통하여 박막을 형성하는 방법을 의미한다.
또한 본 발명에서의 상기 유기 발광 소자는 평판 디스플레이 장치; 플렉시블 디스플레이 장치; 단색 또는 백색의 평판 조명용 장치; 및 단색 또는 백색의 플렉시블 조명용 장치; 차량용 디스플레이 장치; 및 가상 또는 증강 현실용 디스플레이 장치;에서 선택되는 어느 하나의 장치에 사용될 수 있다.
이하, 바람직한 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이들 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이에 의하여 제한되지 않는다는 것은 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
(실시예)
합성예 1. [화합물 182]의 제조
합성예 1-1 : A-1의 합성
<A-1a> <A-1b> <A-1>
질소퍼지한 반응기에 <A-1a> 50 g, 자일렌 500 mL, 피리딘 21.5 mL, <A-1b> 30.9 mL를 투입하였다. 1시간 후, 파라 톨루엔 술폰산 137.4 g을 투입하고, 120 ℃로 승온하였다. 16시간 후, 상온으로 냉각한 다음, 에틸아세테이트와 물을 투입하여 층분리 하였다. 유기층을 감압 농축 후, 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여 <A-1>을 얻었다. (36.3 g, 49.8%)
합성예 1-2 : A-2의 합성
<A-1> <A-2>
질소퍼지한 반응기에 <A-1> 36.3 g, 테트라하이드로퓨란 360 mL를 투입하고, -78 ℃로 냉각하였다. 2M 리튬다이아이소프로필아마이드 109 mL를 적하한 다음, 2시간 반 후 메틸 아이오다이드 26.3 g을 적하한 뒤 30분 후 상온으로 승온하였다. 16시간 후, 암모늄클로라이드 포화 수용액과 에틸아세테이트를 투입하고 층분리 하였다. 유기층을 감압 농축 후, 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여 <A-2>를 얻었다. (30.4 g, 79.7%)
합성예 1-3 : A-3의 합성
<A-2> <A-3a> <A-3>
질소퍼지한 반응기에 <A-2> 30.4 g, <A-3a> 21.4 g, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) 2.44 g, 포타슘 카보네이트 36.5 g, 톨루엔 122 mL, 에탄올 91 mL, 물 91 mL를 투입하고, 100 ℃로 승온하였다. 16시간 후, 에틸아세테이트와 물을 투입하여 층분리 하였다. 유기층을 감압 농축 후, 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여 <A-3>을 얻었다. (14.7 g, 40.1%)
합성예 1-4 : A-4의 합성
<A-3> <A-4>
질소퍼지한 반응기에 <A-3> 9 g, 다이메틸포름아마이드 90 mL를 투입하였다. 영하 30 ℃로 냉각 후, 포타슘 터셔리 부톡사이드 3.5 g을 투입하였다. 1시간 후, 반응액을 메탄올 300 mL가 들어있는 다른 반응기에 투입하였다. 1시간 후, 여과하고 얻은 고체를 재결정하여 <A-4>를 얻었다. (2.7 g, 31.6%)
합성예 1-5. [화합물 182]의 합성
<A-4> <A-5a> [화합물 182]
질소퍼지한 반응기에 <A-4> 5.8 g, <A-5a> 6.5 g, 비스(트리터셔리부틸포스핀)팔라듐(0) 0.18 g, 소듐 터셔리 부톡사이드 3.4 g, 톨루엔 58 mL을 투입하고 110 ℃로 승온하였다. 3시간 후, 에틸아세테이트와 물을 투입하여 층분리 하였다. 유기층을 감압 농축 후, 톨루엔을 투입하고 가열하여 녹인 후, 실리카겔을 사용하여 여과한 다음, 감압농축하고 재결정하여 [화합물 182]를 얻었다. (2.9 g, 26.2%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 628.22 [M+]
합성예 2. [화합물 186]의 제조
합성예 2-1 : B-1의 합성
<A-1> <B-1>
질소퍼지한 반응기에 <A-1> 40 g, 테트라하이드로퓨란 480 mL를 투입하고, -78 ℃로 냉각하였다. 2M 리튬다이아이소프로필아마이드 109 mL를 적하한 다음, 1시간 후 다이메틸포름아마이드 7.8 mL을 적하하였다. 4시간 반 후, 상온으로 승온하고, 암모늄클로라이드 포화 수용액과 에틸아세테이트를 투입하고 층분리 하였다. 유기층을 감압 농축 후, 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여 <B-1>을 얻었다. (33.5 g, 76%)
합성예 2-2 : B-2의 합성
<B-1> <B-2a> <B-2>
상기 합성예 1-3에서 사용한 <A-2> 대신 <B-1>을 사용하고, <A-3a> 대신 <B-2a>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <B-2>를 얻었다. (수율 68.2%)
합성예 2-3 : B-3의 합성
<B-2> <B-3a> <B-3>
질소퍼지한 반응기에 포타슘 터셔리-부톡사이드 19.7 g, 테트라하이드로퓨란 260 mL을 투입하고 -20 ℃로 냉각하였다. 20분 후, <B-3a> 19.7 g을 투입한 후 30분 뒤 <B-2> 12.8 g을 투입하고 상온으로 승온하였다. 에틸아세테이트와 물을 투입하여 층분리 한 뒤 유기층을 감압 농축 후, 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여 <B-3>을 얻었다. (12.7 g, 91.5%)
합성예 2-4 : B-4의 합성
<B-3> <B-4>
질소퍼지한 반응기에 <B-3> 12.7 g, 모노클로로벤젠 102 mL, 이튼시약 2.5 mL 을 투입하고, 130 ℃로 승온하였다. 2시간 후, 메탄올 300 mL가 들어있는 다른 반응기에 반응액을 투입하였다. 1시간 후, 여과하고 얻은 고체에 톨루엔을 투입하고 가열하여 녹인 후, 실리카겔을 사용하여 여과한 다음, 감압농축하고 재결정하여 <B-4>를 얻었다. (6.6 g, 57%)
합성예 2-5 : B-5의 합성
<B-5a> <B-5b> <B-5>
질소퍼지한 반응기에 <B-5a> 50 g, <B-5b> 53.1 g, 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0) 4.4 g, 바이냅 6 g, 소듐터셔리부톡사이드 46.4 g, 톨루엔 500 mL 을 투입하고, 110 ℃로 승온하였다. 20분 후, 상온으로 냉각한 다음, 에틸아세테이트와 물을 투입하여 층분리 하였다. 유기층을 감압 농축 후, 실리카겔 컬럼크로마토그래피로 정제하여 <B-5>를 얻었다. (50 g, 61.7%)
합성예 2-6 : [화합물 186]의 합성
<B-4> <B-5> [화합물 186]
상기 합성예 1-5에서 사용한 <A-4> 대신 <B-4>를 사용하고, <A-5a> 대신 <B-5>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화합물 186]를 얻었다. (수율 53.4%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 628.25 [M+]
합성예 3. [화합물 190]의 제조
합성예 3-1 : C-1의 합성
<C-1a> <A-1b> <C-1>
질소퍼지한 반응기에 <C-1a> 100 g, 아이오딘 8.4 g, 피리딘 500 mL을 투입하였다. <A-1b> 57.9 mL를 적하하고, 80 ℃로 승온하였다. 3시간 후, 상온으로 냉각한 다음, 포화 소듐싸이오설페이트 수용액과 에틸아세테이트를 투입하여 층분리 하였다. 유기층을 감압 농축 후, 톨루엔을 투입하고 가열하여 녹인 후, 실리카겔을 사용하여 여과한 다음, 감압농축하고 재결정하여 <C-1>을 얻었다. (128 g, 95.1%)
합성예 3-2. C-2의 합성
<C-1> <C-2>
질소퍼지한 반응기에 <C-1> 128 g, 포타슘 카보네이트 87.3 g, 다이메틸술폭사이드 1300 mL을 투입하고, 140 ℃로 승온하였다. 16시간 후, 상온으로 냉각한 다음, 물 5 L가 들어있는 반응기에 반응액을 투입하였다. 여과하여 얻은 고체를 톨루엔을 투입하고 가열하여 녹인 후, 실리카겔을 사용하여 여과한 다음, 감압농축하고 재결정하여 <C-2>를 얻었다. (39.3 g, 38.4%)
합성예 3-3 : C-3의 합성
<C-2> <C-3>
상기 합성예 2-1에서 사용한 <A-1> 대신 <C-2>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <C-3>를 얻었다. (수율 71.1%)
합성예 3-4 : C-4의 합성
<C-3> <A-3a> <C-4>
상기 합성예 1-3에서 사용한 <A-2> 대신 <C-3>을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <C-4>를 얻었다. (수율 85.9%)
합성예 3-5 : C-5의 합성
<C-4> <C-5>
질소퍼지한 반응기에 <C-4> 30.5 g, 아세틱 에시드 1000 mL를 투입하였다. 하이드라진 3.1 g을 아세틱 에시트 200 mL로 녹인 용액을 적하하고, 120 ℃로 승온하였다. 3시간 30분 후, 상온으로 냉각한 다음, 물 4 L를 투입하고 여과하였다. 여과하여 얻은 고체를 톨루엔을 투입하고 가열하여 녹인 후, 실리카겔을 사용하여 여과한 다음, 감압농축하고 재결정하여 <C-5>를 얻었다. (12.6 g, 44.8%)
합성예 3-6 : [화합물 190]의 합성
<C-5> <A-5a> [화합물 190]
상기 합성예 1-5에서 사용한 <A-4> 대신 <C-5>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화합물 190]을 얻었다. (수율 61.5%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 678.23 [M+]
합성예 4. [화합물 194]의 제조
합성예 4-1 : [화합물 194]의 합성
<B-4> <A-5a> [화합물 194]
상기 합성예 1-5에서 사용한 <A-4> 대신 <B-4>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화합물 194]를 얻었다. (수율 75.3%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 628.22 [M+]
합성예 5. [화합물 196]의 제조
합성예 5-1 : E-1의 합성
<B-5a> <E-1a> <E-1>
상기 합성예 2-5에서 사용한 <B-5b> 대신 <E-1a>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <E-1>을 얻었다. (수율 57.2%)
합성예 5-2 : [화합물 196]의 합성
<B-4> <E-1> [화합물 196]
상기 합성예 1-5에서 사용한 <A-4> 대신 <B-4>를 사용하고, <A-5a> 대신 <E-1>을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화합물 196]을 얻었다. (수율 45.9%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 602.20 [M+]
합성예 6. [화합물 197]의 제조
합성예 6-1 : F-1의 합성
<A-1a> <F-1a> <F-1>
상기 합성예 1-1에서 사용한 <A-1b> 대신 <F-1a>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <F-1>을 얻었다. (수율 63.8%)
합성예 6-2 : F-2의 합성
<F-1> <F-2>
상기 합성예 2-1에서 사용한 <A-1> 대신 <F-1>을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <F-2>를 얻었다. (수율 48.7%)
합성예 6-3 : F-3의 합성
<F-2> <A-3a> <F-3>
상기 합성예 1-3에서 사용한 <A-2> 대신 <F-2>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <F-3>을 얻었다. (수율 65.6%)
합성예 6-4 : F-4의 합성
<F-3> <F-4>
상기 합성예 3-5에서 사용한 <C-4> 대신 <F-3>을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <F-4>를 얻었다. (수율 77.8%)
합성예 6-5 : [화합물 197]의 합성
<F-4> <A-5a> [화합물 197]
상기 합성예 1-5에서 사용한 <A-4> 대신 <F-4>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화합물 197]을 얻었다. (수율 48.7%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 678.23 [M+]
합성예 7. [화합물 198]의 제조
합성예 7-1 : [화합물 198]의 합성
<A-4> <E-1> [화합물 198]
상기 합성예 1-5에서 사용한 <A-5a> 대신 <E-1>을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화합물 198]을 얻었다. (수율 35.9%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 602.20 [M+]
합성예 8. [화합물 201]의 제조
합성예 8-1 : [화합물 201]의 합성
<F-4> <E-1> [화합물 201]
상기 합성예 1-5에서 사용한 <A-4> 대신 <F-4>를 사용하고, <A-5a> 대신 <E-1>을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화합물 201]을 얻었다. (수율 35.9%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 652.22 [M+]
합성예 9. [화합물 224]의 제조
합성예 9-1 : G-1의 합성
<G-1a> <A-3a> <G-1>
상기 합성예 1-3에서 사용한 <A-2> 대신 <G-1a>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <G-1>을 얻었다. (수율 95.2%)
합성예 9-2. G-2의 합성
<G-1> <B-3a> <G-2>
상기 합성예 2-3에서 사용한 <B-2> 대신 <G-1>을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <G-2>를 얻었다. (수율 95.3%)
합성예 9-3 : G-3의 합성
<G-2> <G-3>
상기 합성예 2-4에서 사용한 <B-3> 대신 <G-2>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <G-3>을 얻었다. (수율 63.7%)
합성예 9-4 : G-4의 합성
<G-3> <G-4a> <G-4>
상기 합성예 1-5에서 사용한 <A-4> 대신 <G-3>을 사용하고, <A-5a> 대신 <G-4a>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <G-4>를 얻었다. (수율 65.2%)
합성예 9-5 : G-5의 합성
<G-5a> <G-5>
상기 합성예 1-2에서 사용한 <A-1> 대신 <G-5a>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <G-5>를 얻었다. (수율 77.1%)
합성예 9-6 : G-6의 합성
<G-5> <A-3a> <G-6>
상기 합성예 1-3에서 사용한 <A-2> 대신 <G-5>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <G-6>을 얻었다. (수율 42.5%)
합성예 9-7 : G-7의 합성
<G-6> <G-7>
상기 합성예 1-4에서 사용한 <A-3> 대신 <G-6>을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 <G-7>을 얻었다. (수율 30.5%)
합성예 9-8. [화합물 224]의 합성
<G-7> <G-4> [화합물 224]
상기 합성예 1-5에서 사용한 <A-4> 대신 <G-7>을 사용하고, <A-5a> 대신 <G-4>를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 합성하여 [화합물 224]를 얻었다. (수율 25.1%)
MS (MALDI-TOF) : m/z 770.28 [M+]
실시예 1 내지 12 : 유기발광소자의 제조
ITO 글래스의 발광면적이 2 mm × 2 mm 크기가 되도록 패터닝한 후 세정하였다. 상기 ITO 글래스를 진공 챔버에 장착한 후 베이스 압력이 1 × 10-6 torr가 되도록 한 후 상기 ITO 위에 HATCN (50 Å), NPD (1500 Å) 순으로 성막한다. 발광층으로서, 본 발명에 따른 호스트 화합물을 [RH]와 1:1혼합 및 도판트 화합물 [RD]를 5 wt% 혼합하여 성막 (400 Å)한 다음, 전자 수송 및 전자 주입층으로 ET : Liq = 1:1 (300 Å)를 차례로 성막하고, Liq (10 Å), Al (1000 Å)을 성막하여 유기발광소자를 제작하였다. 상기 유기발광소자의 발광특성은 0.4 mA에서 측정을 하였다.
[HATCN] [NPD] [RD]
[RH] [ET] [Liq]
비교예 1 내지 2
비교예를 위한 유기발광소자는 상기 실시예의 소자구조에서 호스트 화합물로 본 발명에 따른 화합물 대신에 하기 [RH-1] 및 [RH-2]를 제외하고는 동일하게 유기발광소자를 제작하였으며, 상기 유기발광소자의 발광 특성은 0.4 mA에서 측정하였다. 상기 [RH-1] 및 [RH-2]의 구조는 아래와 같다.
[RH-1] [RH-2]
구 분 호스트 구동전압
(V)		 전류효율
(cd/A)		 수명
(T95, hr)		 발광색
(color)
실시예 1 182 3.47 24.9 270 적색
실시예 2 186 3.31 24.5 210 적색
실시예 3 187 3.30 25.2 200 적색
실시예 4 190 3.47 26.3 252 적색
실시예 5 194 3.36 24.4 269 적색
실시예 6 196 3.39 24.7 244 적색
실시예 7 197 3.41 24.5 291 적색
실시예 8 198 3.42 24.3 228 적색
실시예 9 201 3.41 23.9 290 적색
실시예 10 224 3.33 25.2 292 적색
실시예 11 238 3.31 24.9 233 적색
실시예 12 239 3.42 25.4 205 적색
비교예 1 RH-1 4.75 19.2 145 적색
비교예 2 RH-2 4.32 15.0 136 적색
상기 [표 1]에서 보는 바와 같이 본 발명에 의한 유기 발광 화합물은 종래기술에 따른 비교예 1 내지 비교예 2에 비하여 보다 저전압 구동, 고효율 및 장수명 특성이 모두 고르게 양호한 성질을 가지는 것으로 나타남으로, 유기발광소자로서 응용가능성 높은 것을 나타내고 있다.

Claims (13)

  1. 하기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 방향족 헤테로고리 화합물.
    [화학식 A]

    [화학식 B]

    상기 [화학식 A] 및 [화학식 B]에서,
    상기 X1은 NR4, O 및 S 중에서 선택되는 어느 하나이며,
    상기 Z1 내지 Z8은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 CR 또는 N 중에서 선택되는 어느 하나이며,
    상기 Z1 내지 Z8이 복수의 CR을 포함하는 경우에 각각의 R은 서로 동일하거나 상이하고,
    상기 Z3 내지 Z6 중 하나는 연결기 L과 결합하는 단일결합을 포함하는 탄소원자이며,
    상기 R, R1 내지 R4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 방향족 탄화수소 고리가 축합된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 방향족 헤테로고리가 축합된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 8 내지 30의 지방족 탄화수소 고리가 축합된 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 지방족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 0 내지 30의 아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 0 내지 30의 실릴기, 탄소수 0 내지 30의 저마늄기, 니트로기, 시아노기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이며,
    상기 Z1 내지 Z8이 복수의 CR을 포함하는 경우에 서로 인접한 각각의 R은 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환의 고리를 추가 형성할 수 있고, 상기 형성된 지환족, 방향족의 단일환 또는 다환 고리의 탄소원자는 N, S 및 O 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자로 치환될 수 있으며,
    상기 R2 및 R3는 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환의 고리를 추가 형성할 수 있으며,
    상기 L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴렌기 중에서 선택되는 어느 하나이고,
    상기 [화학식 A] 및 [화학식 B] 내 '치환 또는 비치환된'에서의 '치환'은 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 24의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 7 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 7 내지 24의 알킬아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 7 내지 24의, 방향족 탄화수소 고리가 축합된 시클로알킬기, 탄소수 5 내지 24의, 방향족 헤테로고리가 축합된 시클로알킬기, 탄소수 6 내지 24의, 방향족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로시클로알킬기, 탄소수 8 내지 24의, 지방족 탄화수소 고리가 축합된 아릴기, 탄소수 5 내지 24의, 지방족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 24의 알콕시기, 탄소수 1 내지 24의 아민기, 탄소수 1 내지 24의 실릴기, 탄소수 1 내지 24의 저마늄기, 탄소수 6 내지 24의 아릴옥시기, 탄소수 6 내지 24의 아릴티오닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되는 것을 의미하며, 상기 각각의 치환기내 하나 이상의 수소는 중수소로 치환가능하다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 [화학식 A] 및 [화학식 B] 내 X1이 O 또는 S인 것을 특징으로 하는 방향족 헤테로고리 화합물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 [화학식 A] 및 [화학식 B] 내 R1 내지 R3 중 적어도 하나는 탄소수 6 내지 24의 아릴기인 것을 특징으로 하는 방향족 헤테로고리 화합물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 [화학식 A] 및 [화학식 B] 내 R1 내지 R3 중 적어도 하나는 하기 [구조식 A]로 표시되는 치환기 인 것을 특징으로 하는 방향족 헤테로고리 화합물.
    [구조식 A]

    [구조식 Q-1] [구조식 Q-2] [구조식 Q-3]

    상기 [구조식 A]에서,
    상기 Q는 아래의 구조식 Q-1 내지 Q-3 중에서 선택되는 어느 하나의 고리이고,
    상기 Q가 구조식 Q-1인 경우, 상기 구조식 Q-1 내 이웃한 탄소 원자인 R17과 R18, R18과 R19 및 R19와 R20 중 한 쌍의 치환기는 구조식 A 내 방향족 탄소원자 f 및 방향족 탄소원자 g와 축합되어 6원환의 고리를 형성하는 단일결합이고,
    상기 Q가 구조식 Q-2 인 경우, 상기 구조식 Q-2 내 이웃한 탄소 원자인 R25와 R26, R27과 R28, R28과 R29 및 R29와 R30 중 한 쌍의 치환기는 구조식 A 내 방향족 탄소원자 f 및 방향족 탄소원자 g와 축합되어 6원환의 고리를 형성하는 단일결합이며,
    상기 Q가 구조식 Q-3인 경우, 상기 구조식 Q-3 내 이웃한 탄소 원자인 R35와 R36, R36과 R37 및 R37과 R38 중 한 쌍의 치환기는 구조식 A 내 방향족 탄소원자 f 및 방향족 탄소원자 g와 축합되어 6원환의 고리를 형성하는 단일결합이며,
    상기 치환기 R11 내지 R16 및, R17 내지 R44 중 고리를 형성하는 단일결합이 아닌 나머지 치환기는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 2 내지 24의 알케닐기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 7 내지 24의 아릴알킬기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 7 내지 24의 알킬아릴기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 7 내지 24의, 방향족 탄화수소 고리가 축합된 시클로알킬기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 5 내지 24의, 방향족 헤테로고리가 축합된 시클로알킬기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 24의, 방향족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로시클로알킬기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 8 내지 24의, 지방족 탄화수소 고리가 축합된 아릴기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 5 내지 24의, 지방족 탄화수소 고리가 축합된 헤테로아릴기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 1 내지 24의 알콕시기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 1 내지 24의 아민기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 1 내지 24의 실릴기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 1 내지 24의 저마늄기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 24의 아릴옥시기, 중수소 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 24의 아릴티오닐기 중에서 선택되는 어느 하나이되,
    상기 구조식 A내 Q가 구조식 Q-1인 경우, 구조식 A내 R11 내지 R16 중 하나, 또는 구조식 Q-1내 R17 내지 R24 중 하나는 R1 내지 R3 와 결합되는 탄소원자 또는 질소원자에 결합되는 단일 결합이고,
    상기 구조식 A내 Q가 구조식 Q-2인 경우, 구조식 A내 R11 내지 R16 중 하나, 또는 구조식 Q-2내 R25 내지 R34 중 하나는 R1 내지 R3 와 결합되는 탄소원자 또는 질소원자에 결합되는 단일 결합이며,
    상기 구조식 A내 Q가 구조식 Q-3인 경우, 구조식 A내 R11 내지 R16 중 하나, 또는 구조식 Q-3내 R35 내지 R42 중 하나는 R1 내지 R3 와 결합되는 탄소원자 또는 질소원자에 결합되는 단일 결합이고,
    상기 R43 및 R44는 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환의 고리를 추가 형성할 수 있다.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 [구조식 A]는 하기 [구조식 A-1] 내지 [구조식 A-15] 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 방향족 헤테로고리 화합물.
    [구조식 A-1] [구조식 A-2]

    [구조식 A-3] [구조식 A-4]

    [구조식 A-5] [구조식 A-6]

    [구조식 A-7] [구조식 A-8]

    [구조식 A-9] [구조식 A-10]

    [구조식 A-11] [구조식 A-12]

    [구조식 A-13] [구조식 A-14]

    [구조식 A-15]


    상기 [구조식 A-1] 내지 [구조식 A-15]에서, 치환기 R11 내지 R44는 상기 제4항에서 정의한 바와 동일하다.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 [화학식 A] 및 [화학식 B] 내 R 1 내지 R3 중 적어도 하나는 [구조식 A]로 표시되는 치환기 인 것을 특징으로 하는 방향족 헤테로고리 화합물.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 화학식 A내 치환기 R1은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 방향족 헤테로고리 화합물.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 화합물은 하기 <1> 내지 <240>으로 표시되는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 방향족 헤테로고리 화합물.

    1 2 3

    4 5 6

    7 8 9

    10 11 12

    13 14 15

    16 17 18

    19 20 21

    22 23 24

    25 26 27

    28 29 30

    31 32 33

    34 35 36

    37 38 39

    40 41 42

    43 44 45

    46 47 48

    49 50 51

    52 53 54

    55 56 57

    58 59 60

    61 62 63

    64 65 66

    67 68 69

    70 71 72

    73 74 75

    76 77 78

    79 80 81

    82 83 84

    85 86 87

    88 89 90

    91 92 93

    94 95 96

    97 98 99

    100 101 102

    103 104 105

    106 107 108

    109 110 111

    112 113 114

    115 116 117

    118 119 120

    121 122 123

    124 125 126

    127 128 129

    130 131 132

    133 134 135

    136 137 138

    139 140 141

    142 143 144

    145 146 147

    148 149 150

    151 152 153

    154 155 156

    157 158 159

    160 161 162

    163 164 165

    166 167 168

    169 170 171

    172 173 174

    175 176 177

    178 179 180

    181 182 183


    184 185 186

    187 188 189

    190 191 192

    193 194 195

    196 197 198

    199 200 201

    202 203 204

    205 206 207

    208 209 210

    211 212 213

    214 215 216

    217 218 219

    220 221 222

    223 224 225

    226 227 228

    229 230 231

    232 233 234

    235 236 237

    238 239 240
  9. 제1전극;
    상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및
    상기 제1전극과 상기 제2전극사이에 개재되는 유기층;을 포함하고,
    상기 유기층은 발광층; 및,
    정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층, 전자저지층, 정공저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나의 층;을 포함하며,
    상기 발광층은 호스트와 도판트를 포함하며, 상기 호스트는 제 1 항 내지 제 8항에 따른, [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 방향족 헤테로고리 화합물을 1 종 이상 포함하는 유기발광소자.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 발광층내 호스트는 상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 방향족 헤테로고리 화합물 1종 외에의 추가적인 호스트 화합물이 혼합 또는 적층되어 사용되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 발광층내 상기 [화학식 A] 또는 [화학식 B]로 표시되는 방향족 헤테로고리 화합물 1종외의 추가적으로 사용되는 호스트는, 전자받개 모이어티를 가지는 화합물이 사용되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 전자받개 모이어티를 가지는 화합물은 분자내 N(질소)을 1 내지 3개 포함하는 헤테로아릴기; 또는, 분자내 1 내지 3개의 시아노기(-CN)를 포함하는 아릴기;를 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 유기발광 소자는 평판 디스플레이 장치; 플렉시블 디스플레이 장치; 단색 또는 백색의 평판 조명용 장치; 단색 또는 백색의 플렉시블 조명용 장치; 차량용 디스플레이 장치; 및 가상 또는 증강 현실용 디스플레이 장치;에서 선택되는 어느 하나의 장치에 사용되는 유기발광소자.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200139834A (ko) 2014-04-22 2020-12-14 유니버셜 디스플레이 코포레이션 인광 발광성 소자용 물질
KR20230028739A (ko) 2014-05-23 2023-03-02 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 복수종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140047976A1 (en) * 2011-04-29 2014-02-20 Yin Fong Yeong Cardo-Polybenzoxazole Polymer/Copolymer Membranes For Improved Permeability And Method For Fabricating The Same
KR101982746B1 (ko) * 2012-06-27 2019-05-28 덕산네오룩스 주식회사 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
JP6157617B2 (ja) * 2013-06-11 2017-07-05 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、これを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
WO2016147773A1 (ja) * 2015-03-13 2016-09-22 富士フイルム株式会社 有機半導体膜形成用組成物、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、および、ディスプレイデバイス
KR20210006283A (ko) * 2019-07-08 2021-01-18 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200139834A (ko) 2014-04-22 2020-12-14 유니버셜 디스플레이 코포레이션 인광 발광성 소자용 물질
KR20230028739A (ko) 2014-05-23 2023-03-02 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 복수종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

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