KR20230132446A - 축합 경화형 실리콘 조성물, 경화물 및 그 경화물의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 경화성과 보존 안정성을 갖는 축합 경화형 실리콘 조성물을 제공하는 것을 목적으로 하는 것으로, 본 발명은 알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산과, 하기 일반식 (1)로 표시되는 화합물을 포함하는 축합 경화형 실리콘 조성물을 제공하며
(화학식에서, R1 및 R2 는 서로 독립적으로 수소 원자, 또는 비치환 또는 치환의 탄소수 1∼12의 1가 탄화수소기이고, Ar은 비치환 또는 치환의, 탄소수 6~20의 아릴기 또는 탄소수 3~20의 헤테로아릴기이며, m은 0~3의 정수임),
또한 본 발명은 상기 일반식 (1)로 표시되는 화합물의 존재하에서, 알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산을 가수 분해 축합시켜 실리콘 경화물을 얻는 공정을 포함하는, 실리콘 경화물의 제조 방법을 제공한다.
(화학식에서, R1 및 R2 는 서로 독립적으로 수소 원자, 또는 비치환 또는 치환의 탄소수 1∼12의 1가 탄화수소기이고, Ar은 비치환 또는 치환의, 탄소수 6~20의 아릴기 또는 탄소수 3~20의 헤테로아릴기이며, m은 0~3의 정수임),
또한 본 발명은 상기 일반식 (1)로 표시되는 화합물의 존재하에서, 알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산을 가수 분해 축합시켜 실리콘 경화물을 얻는 공정을 포함하는, 실리콘 경화물의 제조 방법을 제공한다.
Description
본 발명은 축합 경화형 실리콘 조성물, 그 경화물 및 경화물의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상술하면 특정의 구아니딘 화합물을 축합 촉매로서 함유하는 축합 경화형 실리콘 조성물에 관한 것이다.
실리콘 수지는 발수성, 내열성, 내후성, 내한성, 전기 절연성, 내약품성 및 신체에 대한 안전성 등의 성질이 우수한 점에서, 현재 다양한 분야에서 널리 사용되고 있다.
특히, SiO2 단위(Q 단위)나 RSiO1.5 단위(T단위)(R은 알킬기, 페닐기 등의 유기기)를 주성분으로 하는 3차원 가교 구조를 갖는 오르가노폴리실록산은 실리콘 레진이나 실리콘 알콕시 올리고머로 불리며, 그 경화성을 이용하여 도료, 코팅제 용도나 바인더 용도 등에 널리 사용되고 있다.
그 중에서도, 알콕시실릴기를 가교기로 하는 액상의 실리콘 올리고머는 가연성이고 인체에 유해한 유기 용제를 포함하지 않는 무용제형 도료의 주제(主劑)로서 이용되고 있다.
또한, 이 알콕시실릴기는 공기 중의 습기에 의해 상온에서도 가교 반응이 진행된다. 그 때문에, 알콕시실릴기를 함유하는 실리콘 올리고머는 경화 촉매를 배합함으로써, 상온 또는 가열 조건 하에서 그 알콕시실릴기가 반응하여 실록산 네트워크를 형성하므로, 내열성이나 내후성이 우수한 피막을 용이하게 형성할 수 있는 점에서, 옥외 건조물로부터 전자 부품까지, 폭넓은 분야에서 사용되고 있다.
알콕시실릴기를 함유하는 실리콘 올리고머의 경화 촉매에는 통상 알루미늄, 티탄, 아연, 비스무트, 주석 등의 금속 촉매가 사용되지만, 최근에는 환경 배려형의 금속 프리 촉매로서 구아니딘계 촉매나 아민계 촉매가 검토되고 있다(특허문헌 1).
그러나, 상기의 아민 촉매 또는 구아니딘 촉매를 축합 경화형 실리콘 조성물에 사용한 경우, 그 강한 염기성이 원인으로 실록산 사슬이 절단되어, 실리콘 조성물의 포트 라이프가 현저하게 악화되는 경우가 있는 것이, 필자들의 검토에서 밝혀졌다. 본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 경화성과 보존 안정성을 갖는 축합 경화형 실리콘 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 하기에 나타내는 특정 구조를 갖는 환식 아릴구아니딘 화합물을 축합 촉매로서 사용함으로써, 경화성과 보존 안정성을 양립시킬 수 있는 축합 경화형 실리콘 조성물이 얻어지는 것을 발견하여 본 발명에 이르렀다.
즉, 본 발명은 알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산과, 하기 일반식 (1)로 표시되는 화합물을 포함하는 축합 경화형 실리콘 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
(화학식에서, R1 및 R2 는 서로 독립적으로 수소 원자, 또는 비치환 또는 치환의 탄소수 1∼12의 1가 탄화수소기이고, Ar은 비치환 또는 치환의, 탄소수 6~20의 아릴기 또는 탄소수 3~20의 헤테로아릴기이며, m은 0~3의 정수임).
또한 본 발명은 상기 일반식 (1)로 표시되는 화합물의 존재하에서, 알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산을 가수 분해 축합시켜 실리콘 경화물을 얻는 공정을 포함하는, 실리콘 경화물의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 축합 경화형 실리콘 조성물은 상기 일반식 (1)로 표시되는 환식 아릴구아니딘 화합물을 축합 촉매로서 함유함으로써 보존 안정성이 우수하고, 고경도의 경화물을 제공할 수 있다. 따라서, 금속 촉매량이 저감된, 또는 금속 촉매를 사용하지 않는 환경 조화형 코팅제로서 바람직하게 사용할 수 있다.
이하, 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 축합 경화형 실리콘 조성물은 알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산과, 하기 일반식 (1)로 표시되는 화합물(이하, 환식 아릴구아니딘 화합물 또는 구아니딘 화합물이라고 함)을 포함한다.
본 발명의 조성물에서, 하기의 환식 아릴구아니딘 화합물은 축합 경화형 실리콘 조성물의 경화 촉매로서 기능한다.
[화학식 2]
R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소 원자, 또는 비치환 또는 치환의 탄소수 1~12의 1가 탄화수소기이다. 탄소수 1~12의 1가 탄화수소기는 직쇄상, 환상, 분지쇄상 중 어느 것이어도 된다. 보다 상세하게는 메틸, 에틸, i-프로필, n-프로필, n-부틸, s-부틸, t-부틸, n-펜틸, n-헥실, 시클로헥실, n-헵틸, n-옥틸, n-노닐, 및 n-데실기 등을 들 수 있지만 메틸, 에틸, i-프로필, n-프로필기, t-부틸, s-부틸, n-부틸기, 알릴기, 벤질기가 바람직하고 메틸, 에틸기가 보다 바람직하다. 치환의 탄소수 1~12의 1가 탄화수소기로서는 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기, 클로로메틸기, 클로로에틸기, 클로로프로필기, 아미노프로필기, 머캅토프로필기, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로에틸기, 트리플루오로프로필기를 들 수 있다.
m은 0~3의 정수이고, 바람직하게는 0~2의 정수이며, 보다 바람직하게는 0 또는 1이며, 특히 바람직하게는 0이다. 또한, m=0일 때는 하기 구조가 된다.
[화학식 3]
Ar은 비치환 또는 치환의 탄소수 6~20의 아릴기 또는 탄소수 3~20의 헤테로아릴기이며, 아릴기로서는 페닐, 나프틸, 안트라세닐 및 피레닐기 등을 들 수 있고, 헤테로아릴기로서는 피리딜, 티에닐, 인돌릴, 트리아진, 피라진 및 피리미딘 등을 들 수 있고 피리딜, 티에닐, 인돌릴이 바람직하고, 특히 바람직하게는 피리딜기이다. 바람직하게는 비치환 또는 치환의 탄소수 6~16의 아릴기 또는 탄소수 5~16의 헤테로아릴기이다. 보다 바람직하게는, 비치환 또는 치환의 탄소수 6~12의 아릴기 또는 피리딜기이며, 특히 바람직하게는 비치환 또는 치환의 페닐기 또는 피리딜기이며, 가장 바람직하게는 비치환 또는 치환의 페닐기이다.
아릴기 또는 헤테로아릴기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 그 치환기는 특별히 한정되는 것은 아니지만 메틸, 에틸, i-프로필, n-프로필, n-부틸, s-부틸, t-부틸, n-펜틸, n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, n-노닐 및 n-데실기 등의 알킬기, 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸, 시클로노닐, 및 시클로데실기 등의 환식 알킬기, 비닐, 알릴, 부테닐, 및 펜테닐기 등의 알케닐기, 페닐 및 나프틸기 등의 아릴기, 플루오로, 클로로, 브로모 및 아이오딘기 등의 할로게노기, 니트로, 시아노, 아미노, 모노알킬아미노, 디알킬아미노 및 피리딜기 등의 함질소 치환기, 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 부톡시, 페녹시, 나프톡시, 푸릴 및 수산기 등의 함산소 치환기, 티올, 티오에테르 및 티오펜기 등의 함황 치환기 및 트리플루오로알킬기 등의 함할로겐 치환기를 예시할 수 있다.
또한, Ar기에 연결 사슬을 통하여 알콕시실릴기를 도입함으로써, 실리콘과 결합을 형성 가능한 구조로 해도, 본 발명의 효과를 전혀 저해하는 것은 아니다. Ar기 상의 치환기의 치환수나 치환기의 결합 부위도 임의이고, 상기 치환기 상에 추가로 임의의 치환기를 갖고 있어도 된다.
이와 같은 환식 아릴구아니딘 화합물로서는, 이하의 화합물을 예시할 수 있다.
[화학식 4]
상기 환식 아릴구아니딘 화합물은 하기 구조식 (1a)로 표시되는 요소 유도체를, 염소화제와 반응시킴으로써, 빌스마이어염(1b)을 합성하고, 이것을 하기 구조식 (1c)로 표시되는 제1 급의 아릴아민과 반응시킴으로써 제조할 수 있다.
[화학식 5]
염소화제로서는 예를 들면 염화옥살릴, 염화포스포릴, 염화티오닐 등을 들 수 있지만, 반응성의 관점에서 염화옥살릴, 염화포스포릴이 바람직하고, 염화옥살릴이 특히 바람직하다. 필스마이어염을 합성하기 위해서는 요소 유도체 1 몰에 대하여, 염소화제를 1~5 당량, 바람직하게는 1~3 당량, 보다 바람직하게는 1~1.5 당량 가하고, 0 ℃~100 ℃의 온도 범위에서 1~48 시간 반응시키는 것이 바람직하다.
빌스마이어염(1b)과 아닐린 유도체(1c)를 반응시킬 때는, 빌스마이어염(1b) 1 몰에 대하여, 아닐린 유도체(1c)를 0.5~5 당량, 바람직하게는 0.7~3 당량, 보다 바람직하게는 0.8~1.5 당량 가하고, 0~100 ℃의 온도 범위에서 1~24 시간 반응시키는 것이 바람직하다.
상기 환식 아릴구아니딘 화합물의 합성은 유기 용매의 존재하에서 실시해도 된다. 유기 용매로서는 상기의 각 원료 화합물과 상용(相溶)하는 것이고, 빌스마이어염과 반응하지 않는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소류; 헥산, 옥탄 등의 탄화수소류; 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류; 아세트산 에틸, 아세트산 이소부틸 등의 에스테르류 등을 들 수 있다.
유기 용매를 사용하는 경우, 그 사용량은 특별히 제한은 없지만, 통상 원료 화합물의 총 질량 1 질량부에 대하여, 20 질량부 이하가 바람직하고, 0.5~10 질량부가 보다 바람직하며, 1~5 질량부가 한층 더 바람직하다.
요소 유도체(1a)로서는 N,N'-디메틸이미다졸리디논, N,N'-디에틸이미다졸리디논, N,N'-디(메톡시메틸)이미다졸리디논, N,N'-디프로필이미다졸리디논, N-메틸N'-에틸이미다졸리디논, N,N'-디메틸프로필렌요소, N,N'-디에틸프로필렌요소, N,N'-디프로필프로필렌요소, 및 N-메틸N'-에틸프로필렌요소가 바람직하지만, 원료의 입수 용이성을 고려하면 N,N'-디에틸이미다졸리디논, N,N'-디메틸프로필렌요소가 바람직하다.
제1 급 아릴아민(1c)으로서는 예를 들면, 아닐린, 아니시딘, 페녹시아닐린, 히드록시아닐린, (히드록시메틸)아닐린, 메시틸아민, 자일릴아민, 트리플루오로메틸아닐린, N,N'-디메틸아미노아닐린, 니트로아닐린, 시아노아닐린, 톨루이딘, 에틸아닐린, 디메틸아닐린, 디에틸아닐린, 벤질아닐린, 클로로아닐린, 플루오로아닐린, 브로모아닐린, 아이오딘아닐린, 헥사플루오로아닐린, 비닐아닐린, 에티닐아닐린, 아미노벤젠티올, 아미노피리딘, 아미노티오펜, 아미노피롤 및 아미노푸란을 들 수 있다. 원료의 입수 용이성을 고려하면 아닐린, 아니시딘, 톨루이딘 및 메시틸아민이 바람직하다.
상기 환식 구아니딘 화합물은 알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산을 포함하는 축합 경화형 실리콘 조성물에 배합함으로써 경화 촉매로서 기능한다. 그 환식 구아니딘 화합물의 존재하에서 알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산이 가수 분해 축합 경화된다. 특히, 공기 중의 습기 존재하에서 가수 분해 축합을 실시할 수 있다.
구아니딘 화합물의 첨가량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 경화 속도를 적절한 범위로 조정하여 원하는 물성의 경화 피막을 제작함과 함께, 도포시의 작업성을 향상시키는 것, 나아가 경제성 등을 고려하면, 알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산 100 질량부에 대하여 0.1~15 질량부가 바람직하고, 0.5~10 질량부가 보다 바람직하며, 1~5 질량부가 한층 더 바람직하다.
알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산으로서는 예를 들면, 말단에 알콕시실릴기를 갖는 올리고머를 사용할 수 있다. 오르가노폴리실록산의 구조는 사슬상, 환상, 분지쇄상 등의 실록산 구조를 갖는 중합체를 사용할 수 있지만, 내크랙성의 관점에서, 환상 구조를 갖는 오르가노폴리실록산이 바람직하다.
상기 알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산으로서는 1 분자 중에 알콕시실릴기를 1 개 이상 갖는 것이면 특별히 제한은 없지만, 보다 높은 경도의 피막을 형성하는 것을 고려하면, 1 분자 중에 알콕시실릴기를 2 개 이상 갖는 것이 바람직하다.
알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산의 동점도는 특별히 한정되지 않지만, 10~10,000 ㎟/s인 것이 바람직하고, 10~1,000 ㎟/s가 보다 바람직하며, 작업성의 관점에서, 10~200 ㎟/s가 특히 바람직하다. 동점도는 오스트발트 점도계에 의한 25 ℃에서의 측정값이다.
환상 구조를 갖는 오르가노폴리실록산은 하기 일반식 (2)로 표시되는 환상 알콕시실록산 및 그 가수분해 축합물로부터 선택되는 1 종 이상인 것이 바람직하다.
[화학식 6]
(화학식에서, R3는 서로 독립적으로 비치환 또는 치환의 탄소수 1~8의 1가 탄화수소기이며, R4는 서로 독립적으로 비치환 또는 치환의 탄소수 1~3의 1가 탄화수소기이며, n은 1~3의 정수임)
R3인, 탄소수 1~8의 1가 탄화수소기로서는 메틸, 에틸, i-프로필, n-프로필, n-부틸, s-부틸, t-부틸, n-펜틸, n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, 시클로헥실, 페닐, 나프틸 및 비닐기 등을 들 수 있고 메틸, 에틸 및 페닐기가 바람직하다. 치환의 탄소수 1~8의 1가 탄화수소기는 (에폭시시클로헥실)에틸기, 글리시독시프로필기, 메타크릴록시프로필기, 아크릴록시프로필기, 아미노프로필기, 머캅토프로필기, 클로로메틸기, 클로로에틸기, 클로로프로필기, 클로로부틸기, 클로로펜틸기, 클로로헥실기, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로에틸기, 트리플루오로프로필기를 들 수 있다.
R4인, 탄소수 1~3의 1가 탄화수소기로서는 메틸, 에틸, i-프로필, n-프로필기 등을 들 수 있고, 메틸 및 에틸기가 바람직하다. 치환의 탄소수 1~3의 1가 탄화수소기는 클로로메틸기, 클로로에틸기, 클로로프로필기, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로에틸기, 트리플루오로프로필기, 아세톡시기, 프로피오닐옥시기를 들 수 있다.
이와 같은 환상 알콕시실록산으로는 바람직하게는 이하의 것을 들 수 있다.
[화학식 7]
알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산은 알콕시실란의 부분 가수 분해 축합물이어도 된다.
알콕시실란으로서는 탄소수 1∼6, 바람직하게는 탄소수 1∼4의 알콕시기를 1∼4 개, 바람직하게는 2 또는 3 개 갖는 알콕시실란이 바람직하다. 예를 들면, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디메틸디이소프로폭시실란, 디메틸디부톡시실란, 디메틸디이소프로페녹시실란, 프로필메틸디메톡시실란, 헥실메틸디메톡시실란, 페닐메틸디메톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리이소프로폭시실란, 메틸트리부톡시실란, 메틸트리이소프로페녹시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 부틸트리메톡시실란, 헥실트리메톡시실란, 데실트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 시클로헥실트리메톡시실란, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란을 들 수 있다.
그 밖에, 비닐메틸디메톡시실란, 비닐메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-(메트)아크릴록시프로필메틸디메톡시실란, 3-(메트)아크릴록시프로필메틸디에톡시실란, 3-아미노프로필메틸디메톡시실란, 3-아미노프로필메틸디에톡시실란, 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필메틸디에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 5-헥세닐트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-(메트)아크릴록시프로필트리메톡시실란, 3-(메트)아크릴록시프로필트리에톡시실란, 4-비닐페닐트리메톡시실란, 3-(4-비닐페닐)프로필트리메톡시실란, 4-비닐페닐메틸트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란, 3-머캅토프로필트리에톡시실란 등의 반응성 관능기를 갖는 알콕시실란을 사용할 수도 있다.
알콕시실란으로서는 이들 중에서도, 부생물의 휘발의 용이함으로부터, 메톡시실란, 에톡시실란이 바람직하고, 반응성의 높음 측면에서, 메틸트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란이 바람직하다.
또한, 상기 알콕시실란과 상기 식 (2)로 표시되는 환상 알콕시실록산을 가수분해 축합하여, 알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산을 제조해도 된다. 환상 알콕시실록산의 가수 분해 축합에는 산 촉매를 사용하는 것이 바람직하다. 산 촉매는 알콕시실릴기를 가수 분해시키고, 생성된 실라놀을 탈수 축합함으로써 실록산 결합을 형성하기에 충분한 산성도를 갖는 것이면 특별히 한정되지 않는다. pKa가 -2.9~0의 범위에 있는 산 촉매가 바람직하고, 특히 pKa가 -2.9~0의 범위에 있는 설폰산계 촉매가 바람직하다.
산 촉매는 액체, 고체 및 기체 중 어떤 형태를 취하고 있어도 되고, 특별히 형태를 한정받지 않는다. 예를 들면, 탄소수 1~14의 치환 또는 비치환의 알킬설폰산, 탄소수 6~30의 치환 또는 비치환의 벤젠설폰산과 그 수화물, 탄소수 6~30의 치환 또는 비치환의 나프탈렌설폰산과 그 수화물, 치환 또는 비치환의 캠퍼설폰산, 설포기 함유 고체산, 질산 등을 들 수 있다. 그 중에서도 메탄설폰산, 에탄설폰산, 캠퍼설폰산, p-톨루엔설폰산, 벤젠설폰산, 디노닐나프탈렌디설폰산(DNNDSA), 디노닐나프탈렌(모노)설폰산(DNNSA), 도데실벤젠설폰산(DDBSA)이 바람직하고, 메탄설폰산, 파라톨루엔설폰산, 벤젠설폰산, 디노닐나프탈렌디설폰산(DNNDSA), 디노닐나프탈렌(모노)설폰산(DNNSA), 도데실벤젠설폰산(DDBSA)이 특히 바람직하다. 산 촉매의 사용량은 통상 중합 반응계의 총 질량의 0.001~10 질량%가 바람직하고, 0.01~5 질량%가 보다 바람직하며, 0.1~2.5 질량%가 특히 바람직하다.
가수분해 축합반응은 무용제로 실시할 수 있는데, 예를 들면 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올, 부탄올, 디아세톤알코올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 아세톤, 톨루엔 및 자일렌 등의 유기 용매를 사용해도 된다. 유기 용매를 사용하는 경우, 그 양은 특별히 제한되지 않지만, 실란 및 알콕시실록산의 합계 1 질량부에 대하여, 20 질량부 이하가 바람직하고, 0.25~10 질량부가 보다 바람직하며, 0.5~ 5 질량부가 더욱 바람직하다.
반응에 사용하는 물의 양은 통상, 반응계에 포함되는 알콕시실릴기 1 몰에 대하여, 0.025~5.0 몰이 바람직하고, 0.05~2.5 몰이 보다 바람직하며, 0.075~1.0 몰이 한층 더 바람직하다.
반응 온도는 특별히 제한은 없지만, 통상 0∼150 ℃, 바람직하게는 20∼120 ℃, 보다 바람직하게는 40∼100 ℃, 한층 더 바람직하게는 50∼80 ℃이다. 반응 시간은 통상 1 시간 이상, 바람직하게는 2~72 시간이다.
알콕시실릴기의 가수분해 축합반응에 의해 부생하는 알코올, 미반응의 원료 및 저분자 실록산을 증류 조작에 의해 제거하는 것이 바람직하고, 그 온도 및 압력은 이들 불순물을 제거할 수 있는 조건이면 특별히 제한은 없지만, 통상 10~150 ℃, 바람직하게는 60~120 ℃이며, 대기압 또는 감압하에서 실시할 수 있다.
또한, 본 발명의 축합 경화형 실리콘 조성물은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 적절히 임의의 첨가제를 가할 수 있다.
이러한 첨가제의 구체예로서는 용제, 비반응성 실리콘 오일, 반응성 실리콘 오일, 실란 커플링제 등의 밀착 부여제, 노화 방지제, 방청제, 착색제, 계면활성제, 레올로지 조정제, 자외선 흡수제, 적외선 흡수제, 형광제, 연마제, 향료, 충전제, 레벨링제, 반응성 희석제, 비반응성 고분자 수지, 산화 방지제, 광안정제, 소포제, 분산제, 대전 방지제, 틱소트로피 부여제 등을 들 수 있다.
또한, 구아니딘 화합물의 촉매 활성을 보완하기 위해, 금속계 경화 촉매를 병용해도 된다. 금속계 경화 촉매로서는 디부틸주석옥시드, 디옥틸주석옥시드 등의 알킬주석 화합물; 디부틸주석디아세테이트, 디부틸주석디라우레이트, 디옥틸주석디라우레이트, 디부틸주석디옥토에이트, 디옥틸주석디옥토에이트, 디옥틸주석디버세이트 등의 알킬주석에스테르 화합물; 테트라이소프로폭시티탄, 테트라-n-부톡시티탄, 테트라키스(2-에틸헥속시)티탄, 테트라-t-부톡시티탄, 디프로폭시비스(아세틸아세토나토)티탄, 티탄디이소프로폭시비스(에틸아세토아세테이트), 티타늄이소프로폭시옥틸렌글리콜 등의 티탄산 에스테르 및 티탄킬레이트 화합물 및 이들의 부분 가수분해물; 나프텐산 아연, 스테아르산 아연, 아연-2-에틸옥토에이트, 철-2-에틸헥소에이트, 코발트-2-에틸헥소에이트, 망간-2-에틸헥소에이트, 나프텐산 코발트, 아세틸아세톤알루미늄, 알루미늄비스(에틸아세토아세테이트)모노노르말부티레이트, 알루미늄에틸아세토아세테이트디노르말부티레이트, 알루미늄트리스(에틸아세토아세테이트) 등의 알루미늄 화합물 및 이들의 가수분해물을 들 수 있고, 그 중에서도 테트라이소프로폭시티탄, 테트라-n-부톡시티탄, 테트라키스(2-에틸헥속시)티탄, 테트라-t-부톡시티탄, 디프로폭시비스(아세틸아세토나토)티탄, 티탄디이소프로폭시비스(에틸아세토아세테이트), 테트라(아세틸아세토나토)티탄, 테트라(에틸아세토아세테이트)티탄, 테트라(메틸아세토아세테이트)티탄, 테트라(디에틸말로네이트)티탄, 테트라(디메틸말로네이트)티탄 및 이의 부분 가수분해물이 촉매 활성의 점에서 바람직하다. 금속계 경화 촉매를 병용하는 경우, 그 양은 축합 경화형 실리콘 조성물 100 질량부에 대하여 0.01~5 질량부이어도 되고, 0.05~3 질량부인 것이 바람직하며, 0.1~2 질량부가 특히 바람직하다.
본 발명의 축합 경화형 실리콘 조성물을 기재의 표면에 도포하고 경화시킴으로써, 경화물로 이루어지는 피복층을 갖는 물품이 얻어진다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 스프레이 코팅, 스핀 코팅, 딥 코팅, 롤러 코팅, 브러시 코팅, 바 코팅 및 플로우 코팅 등의 공지의 방법에서 적절하게 선택하여 사용할 수 있다.
기재로서는 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리카보네이트류 및 폴리카보네이트 블렌드, 폴리(메타크릴산 메틸) 등의 아크릴계 수지, 폴리(에틸렌테레프탈레이트), 폴리(부틸렌테레프탈레이트), 불포화 폴리에스테르 수지 등의 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체, 스티렌-아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 폴리염화비닐 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리스티렌과 폴리페닐렌에테르의 블렌드, 셀룰로오스아세테이트부티레이트, 폴리에틸렌 수지 등의 유기 폴리머 기재, 강판 등의 금속 기재, 도료 도포면, 유리, 세라믹, 콘크리트, 슬레이트판, 텍스타일(textiles), 목재, 석재, 기와, (중공)실리카, 티타니아, 지르코니아, 알루미나 등의 무기 필러, 유리 섬유를 비롯한 글래스 클로스, 글래스 테이프, 글래스 매트, 글래스 페이퍼 등의 유리 섬유 제품 등을 들 수 있고, 기재의 재질 및 형상에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 본 발명의 경화성 조성물은 강판, 유리의 피복에 특히 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명의 축합 경화형 실리콘 조성물은 분위기 중의 수분과 접촉함으로써, 알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산의 가수분해 축합반응이 진행되어, 경화 반응이 개시된다. 분위기 중의 수분의 지표로서는 10~100 % RH의 임의의 습도로 좋고 공기 중의 습기로 충분하지만, 일반적으로 습도가 높을수록 빨리 가수분해가 진행되므로, 필요에 따라 분위기 중에 수분을 가해도 되고, 조성물 중에 물을 첨가해도 된다. 경화 반응 온도 및 시간은 사용하는 기재, 수분 농도, 촉매 농도, 가수분해성기의 종류 등의 인자에 따라 적절히 변경할 수 있다. 경화 온도는 -10~200 ℃가 바람직하고, 0~150 ℃가 특히 바람직하며, 기재의 내열 온도를 초과하지 않는 범위 내에 가열 처리를 실시해도 상관없다. 경화 시간은 통상 사용하는 기재의 내열 온도를 초과하지 않는 범위에서 1 분 내지 1 주일 정도이다. 본 발명의 축합 경화형 실리콘 조성물은 상온에서도 경화가 진행되어 경도가 우수한 피막을 제공한다. 또한, 습도를 높이면 경화성은 향상되는 경향이 있다. 본 발명의 축합 경화형 실리콘 조성물은 종래의 아민 촉매 또는 구아니딘계 촉매를 사용한 경우와 비교하여 실온에서 안정성이 우수한 것을 특징으로 한다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
하기에서, 동점도는 오스트발트 점도계에 의한 25 ℃에서의 측정값이다.
[1] 알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산의 제조
[합성예 1-1]
국제 공개 제2007/140012호 기재의 [단락 0104]Example26의 수순에 따라, 하기 구조식 (2A)로 표시되는 환상 알콕시실록산(오르가노폴리실록산 1)(2,4,6,8-테트라메톡시-2,4,6,8-테트라메틸시클로테트라실록산)을 얻었다.
[화학식 8]
[합성예 1-2]
교반기, 환류 냉각기, 적하 로트 및 온도계를 구비한 1,000 mL의 세퍼러블 플라스크에, 합성예 1에서 얻은 상기 식 (2A)로 표시되는 환상 알콕시실록산 361 g, 및 톨루엔 361 g을 넣고, 교반하면서 메탄설폰산 3.6 g을 가하였다. 그 후, 계속해서 이온 교환수 13.5 g을 1 시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 종료 후, 25 ℃에서 2 시간 중합시켰다. 얻어진 액에 쿄워드 500SN(쿄와 가가쿠 고교(주) 제조) 18.0 g을 가하고, 25 ℃에서 2 시간 교반하여 중화한 후, 잔존 메탄올과 저분자 성분을 감압 유거하여, 상기 환상 알콕시실록산의 가수 분해 축합물(오르가노폴리실록산 2)을 얻었다.
얻어진 오르가노폴리실록산 2의 동점도는 49 ㎟/s였다.
[합성예 1-3]
교반기, 환류 냉각기, 적하 로트 및 온도계를 구비한 1,000 mL의 세퍼러블 플라스크에, 합성예 1에서 얻어진 상기 식 (2A)로 표시되는 환상 알콕시실록산 289 g, 디메틸디메톡시실란 96 g, 톨루엔 385 g을 넣고, 교반하면서 메탄설폰산 4.0 g을 가한 후, 계속해서 이온 교환수 13.0 g을 1 시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 종료 후, 25 ℃에서 2 시간 중합시켰다. 얻어진 액에 쿄워드 500SN(쿄와 가가쿠 고교(주) 제조) 20.0 g을 가하고, 25 ℃에서 2 시간 교반하여 중화한 후, 잔존 메탄올과 저분자 성분을 감압 유거하여, 상기 환상 알콕시실록산과 디메틸디메톡시실란의 가수 분해 축합물(오르가노폴리실록산 3)을 얻었다.
얻어진 오르가노폴리실록산 3의 동점도는 31 ㎟/s였다.
[2] 구아니딘 화합물의 제조
[합성예 2-1]
교반기, 환류 냉각기, 적하 로트 및 온도계를 구비한 100 mL의 세퍼러블 플라스크에 염화옥살릴 14.0 g, 디메틸이미다졸리디논 11.4 g, 톨루엔 28 g을 가하고 질소 기류하, 실온에서 12 시간 반응시켰다. 얻어진 액에 아닐린 9.3 g, 트리에틸아민 20.0 g을 가하고, 질소 기류하, 실온에서 2 시간 반응시켰다. 반응액에 물 100 g을 투입하고, 수층에 1N 염산을 가하여 pH를 7로 하고, 수층을 톨루엔으로 세정하였다. 그 후, 수층에 1N 수산화나트륨 수용액을 가하여 pH를 14로 한 상태에서 목적물을 톨루엔으로 추출하고, 톨루엔을 감압 유거함으로써, 하기 식 (3a)로 표시되는 구아니딘 화합물 1을 얻었다.
[화학식 9]
[합성예 2-2]
합성예 2-1에서 아닐린 대신, 아니시딘을 12.3 g 사용하는 것 이외에는 합성예 2-1을 반복하여, 하기 식 (3b)로 표시되는 구아니딘 화합물 2를 얻었다.
[화학식 10]
[합성예 2-3]
합성예 2-1에서 아닐린 대신, 2-아미노피리딘을 9.4 g 사용하는 것 이외에는 합성예 2-1을 반복하여, 하기 식 (3c)로 표시되는 구아니딘 화합물 3을 얻었다.
[화학식 11]
[합성예 2-4]
합성예 2-1에서 아닐린 대신, 메시틸아민을 13.5 g 사용하는 이외에는 합성예 2-1을 반복하여, 하기 식 (3d)로 표시되는 구아니딘 화합물 4를 얻었다.
[화학식 12]
[합성예 2-5]
합성예 2-1에서, 디메틸이미다졸리디논 대신, 디메틸프로필렌우레아를 17.1 g 사용하는 것 이외에는 합성예 2-1을 반복하여, 하기 식 (3e)로 표시되는 구아니딘 화합물 5를 얻었다.
[화학식 13]
[비교 합성예 2-6]
합성예 2-1에서 디메틸이미다졸리디논 대신, 테트라메틸요소를 12.7 g 사용하는 이외에는 합성예 2-1을 반복하여, 하기 식 (3f)로 표시되는 구아니딘 화합물 6을 얻었다.
[화학식 14]
[3] 축합 경화형 실리콘 조성물의 제조
[실시예 1~7 및 비교예 1~4]
상기 합성예 1-1∼1-3에서 얻어진 오르가노폴리실록산 100 질량부와; 상기 합성예 2-1∼2-6에서 얻은 구아니딘 화합물 또는 하기 표 1에 나타내는 축합 촉매의 하기 표 1에 기재된 배합량;을 교반기를 사용하여 균일하게 혼합하여, 축합 경화형 실리콘 조성물을 조제하였다. 얻어진 축합 경화형 실리콘 조성물(즉, 코팅제) 0.2 g을 25 ℃, 50 % RH의 공기하에서 바코터 No.5를 사용하여 유리판에 도포하고, 25 ℃, 50 % RH의 분위기하에서 7 일간 경화시켰다.
얻어진 경화물의 연필 경도 및 축합 경화형 실리콘 조성물의 보존 안정성을 하기에 따라 측정 및 평가하였다.
[연필 경도]
상기 경화 후의 피막(10 ㎛)의 연필 경도를, JIS K 5600-5-4 기재의 연필 스크래치 시험에 준한 방법으로 750 g의 하중을 가하여 측정하였다.
[보존 안정성]
상기 축합 경화형 실리콘 조성물 10 g을, 80 ℃ 24일간 유리병 중에서 마개 밀폐 보관 후, 겔화의 유무를 육안으로 확인하였다. 겔화되지 않은 샘플은 ○, 겔화된 샘플은 ×로 하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1∼실시예 9의 축합 경화형 실리콘 조성물은 양호한 보존 안정성을 갖고, 고경도의 피막을 제공한다. 한편, 비교예 1∼비교예 4와 같은 아미딘, 환식 구조를 갖지 않는 구아니딘, 또는 아민 촉매를 배합한 경우는, 경시적으로 축합 경화형 실리콘 조성물이 겔화되어, 보존 안정성이 불량하다.
본 발명의 축합 경화형 실리콘 조성물은 환식 아릴구아니딘 화합물을 축합 촉매로서 함유함으로써 보존 안정성이 우수하고, 고경도의 경화물을 제공할 수 있다. 따라서, 금속 촉매량이 저감된, 또는 금속 촉매를 사용하지 않는 환경 조화형 코팅제로서 적합하게 사용할 수 있다.
Claims (11)
- 알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산과, 하기 일반식 (1)로 표시되는 화합물을 포함하는 축합 경화형 실리콘 조성물
[화학식 1]
(화학식에서, R1 및 R2 는 서로 독립적으로 수소 원자, 또는 비치환 또는 치환의 탄소수 1∼12의 1가 탄화수소기이고, Ar은 비치환 또는 치환의, 탄소수 6~20의 아릴기 또는 탄소수 3~20의 헤테로아릴기이며, m은 0~3의 정수임). - 제 1 항에 있어서,
상기 알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산이, 하기 일반식 (2)로 표시되는 환상 알콕시실록산, 그 가수 분해 축합물, 및 하기 일반식 (2)로 표시되는 환상 알콕시실록산과 알콕시실란의 가수 분해 축합물로부터 선택되는 1종 이상인, 축합 경화형 실리콘 조성물
[화학식 2]
(화학식에서, R3는 서로 독립적으로 비치환 또는 치환의 탄소수 1~8의 1가 탄화수소기이고, R4는 서로 독립적으로 비치환 또는 치환의 탄소수 1~3의 1가 탄화수소기이며, n은 1~3의 정수임). - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 일반식 (1)로 표시되는 화합물의 양이 알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산 100 질량부에 대하여 0.1~15 질량부인, 축합 경화형 실리콘 조성물. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 식 (1)에서 Ar이 치환 또는 비치환의, 페닐기 또는 피리딜기인, 축합 경화형 실리콘 조성물. - 제 4 항에 있어서,
상기 Ar이 페닐기, 또는 페닐기의 탄소 원자에 결합되는 수소 원자 중 적어도 하나가 알킬기, 환식 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 할로겐 원자, 함질소 치환기, 함산소 치환기, 함황 치환기 또는 함할로겐 치환기로 치환된 기, 또는 피리딜기인, 축합 경화형 실리콘 조성물. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 축합 경화형 실리콘 조성물을 경화하여 이루어지는 경화물.
- 하기 일반식 (1)로 표시되는 화합물의 존재하에서, 알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산을 가수 분해 축합시켜 실리콘 경화물을 얻는 공정을 포함하는, 실리콘 경화물의 제조 방법
[화학식 3]
(화학식에서, R1 및 R2 는 서로 독립적으로 수소 원자, 또는 비치환 또는 치환의 탄소수 1∼12의 1가 탄화수소기이고, Ar은 비치환 또는 치환의, 탄소수 6~20의 아릴기 또는 탄소수 3~20의 헤테로아릴기이며, m은 0~3의 정수임). - 제 7 항에 있어서,
상기 알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산이 하기 일반식 (2)로 표시되는 환상 알콕시실록산, 그 가수 분해 축합물 및 하기 일반식 (2)로 표시되는 환상 알콕시실록산과 알콕시실란의 가수 분해 축합물로부터 선택되는 1 종 이상인, 제조 방법
[화학식 4]
(화학식에서, R3는 서로 독립적으로 비치환 또는 치환의 탄소수 1~8의 1가 탄화수소기이며, R4는 서로 독립적으로 비치환 또는 치환의 탄소수 1~3의 1가 탄화수소기이며, n은 1~3의 정수임). - 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
상기 일반식 (1)로 표시되는 화합물의 양이 알콕시실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산 100 질량부에 대하여 0.1~15 질량부인, 제조 방법. - 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 식 (1)에서 Ar이 치환 또는 비치환의, 페닐기 또는 피리딜기인, 제조 방법. - 제 10 항에 있어서,
상기 Ar이, 페닐기의 탄소 원자에 결합되는 수소 원자 중 적어도 하나가, 알킬기, 환식 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 할로겐 원자, 함질소 치환기, 함산소 치환기, 함황 치환기, 또는 함할로겐 치환기로 치환된 기, 또는 피리딜기인, 제조 방법.
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