KR20230120574A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20230120574A
KR20230120574A KR1020230012665A KR20230012665A KR20230120574A KR 20230120574 A KR20230120574 A KR 20230120574A KR 1020230012665 A KR1020230012665 A KR 1020230012665A KR 20230012665 A KR20230012665 A KR 20230012665A KR 20230120574 A KR20230120574 A KR 20230120574A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
unit
substrate
axis direction
processing apparatus
exhaust
Prior art date
Application number
KR1020230012665A
Other languages
English (en)
Inventor
마사토 가도베
히로미 니타도리
가오루 사토
기요히코 고콘
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2022183839A external-priority patent/JP2023116388A/ja
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20230120574A publication Critical patent/KR20230120574A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769—Storage means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

복수 개의 배치 처리부를 갖는 기판 처리 장치의 설치 면적을 작게 할 수 있으며 배치 처리부의 유지보수를 용이하게 실시할 수 있는 기술을 제공하는 본 개시 내용의 일 양태에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 수용한 용기가 반출입되는 제1 측면과 상기 제1 측면과는 반대쪽의 제2 측면을 갖는 반출입부와, 상기 제2 측면에 직교하는 제1 방향을 따라 연장되는 기판 반송부와, 상기 기판 반송부의 길이 방향을 따라 인접하는 복수 개의 배치 처리부를 포함하고, 상기 복수 개의 배치 처리부의 각각은, 상기 기판을 복수 개 수용하여 처리하는 처리 용기와, 상기 처리 용기 안으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과, 상기 처리 용기 내 가스를 배기시키는 배기 유닛을 포함하며, 상기 가스 공급 유닛과 상기 배기 유닛은 상기 처리 용기의 같은 쪽에 구비된다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 개시 내용은 기판 처리 장치에 관한 것이다.
복수 개의 기판을 일괄하여 처리하는 종형(縱型) 열처리 장치에 있어 하나의 로더 모듈에 대해 복수 개의 프로세스 모듈을 설치하는 구성이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
일본국 공개특허공보 특개2020-113746호
본 개시 내용은 복수 개의 배치(batch) 처리부를 갖는 기판 처리 장치의 설치 면적을 작게 할 수 있으며 배치 처리부의 유지보수를 용이하게 실시할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시 내용의 일 양태에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 수용한 용기가 반출입되는 제1 측면과 상기 제1 측면의 반대쪽인 제2 측면을 갖는 반출입부와, 상기 제2 측면에 직교하는 제1 방향을 따라 연장되는 기판 반송부와, 상기 기판 반송부의 길이 방향을 따라 인접하는 복수 개의 배치 처리부를 포함하고, 상기 복수 개의 배치 처리부의 각각은, 상기 기판을 복수 개 수용하여 처리하는 처리 용기와, 상기 처리 용기 안으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과, 상기 처리 용기 내 가스를 배기시키는 배기 유닛을 포함하며, 상기 가스 공급 유닛과 상기 배기 유닛은 상기 처리 용기의 같은 쪽에 구비된다.
본 개시 내용에 의하면, 복수 개의 배치 처리부를 갖는 기판 처리 장치의 설치 면적을 작게 할 수 있으며, 배치 처리부의 유지보수를 용이하게 실시할 수 있다.
도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 사시도(1)이다.
도 2는 실시형태에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 사시도(2)이다.
도 3은 실시형태에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 사시도(3)이다.
도 4는 반출입부를 나타내는 개략도(1)이다.
도 5는 반출입부를 나타내는 개략도(2)이다.
도 6은 반출입부를 나타내는 개략도(3)이다.
도 7은 반출입부를 나타내는 개략도(4)이다.
도 8은 반출입부를 나타내는 개략도(5)이다.
도 9는 기판 반송부 및 배치 처리부를 나타내는 개략도이다.
도 10은 실시형태의 변형예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 사시도(1)이다.
도 11은 실시형태의 변형예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 사시도(2)이다.
도 12는 배기 유닛에 설치되는 담장부의 분해 사시도이다.
도 13은 배기 유닛에 설치되는 담장부를 나타내는 사시도이다.
도 14는 히터 교환 방법의 일 예를 나타내는 사시도(1)이다.
도 15는 히터 교환 방법의 일 예를 나타내는 사시도(2)이다.
도 16은 히터 교환 방법의 일 예를 나타내는 사시도(3)이다.
도 17은 히터 교환 방법의 일 예를 나타내는 사시도(4)이다.
도 18은 복수 개의 기판 처리 장치가 인접하여 배치되는 형태를 나타내는 사시도이다.
도 19는 복수 개의 기판 처리 장치가 인접하여 배치되는 형태의 제1 변형예를 나타내는 사시도이다.
도 20은 복수 개의 기판 처리 장치가 인접하여 배치되는 형태의 제2 변형예를 나타내는 사시도이다.
도 21은 복수 개의 기판 처리 장치가 인접하여 배치되는 형태의 제3 변형예를 나타내는 사시도이다.
이하에서는, 첨부 도면을 참조하여 본 개시 내용의 비한정적 예시인 실시형태에 대해 설명한다. 첨부된 전체 도면에 있어 동일 또는 대응하는 부재 또는 부품에 대해서는, 동일 또는 대응하는 참조 부호를 붙이며 중복되는 설명을 생략한다. 본 명세서에서 X축 방향, Y축 방향, Z축 방향은 서로 수직인 방향이다. X축 방향 및 Y축 방향은 수평 방향이고, Z축 방향은 연직 방향이다.
[기판 처리 장치]
도1~도9를 참조하여, 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 대해 설명한다. 도1~도3은 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)를 나타내는 사시도로서, 각각 서로 다른 방향에서 기판 처리 장치(1)를 보았을 때의 도면이다. 도4~도8은 반출입부(2)를 나타내는 개략도로서, 반출입부(2)의 내부를 윗쪽에서 본 도면이다. 도5~도7에서는, 반출입부(2)의 각 부가 이동하기 전의 위치를 일점쇄선으로 나타낸다. 도 9는 기판 반송부(3) 및 배치(batch) 처리부(4)를 나타내는 개략도로서, 기판 반송부(3) 및 배치 처리부(4)의 내부를 후방에서 보았을 때의 도면이다. 도 9에서는 발판부(5)의 도시가 생략되어 있다.
기판 처리 장치(1)는 반출입부(2), 기판 반송부(3), 복수 개의 배치 처리부(4), 발판부(5)를 구비한다.
반출입부(2)는 카세트(C)가 반출입되는 전면(前面, 2a)과, 전면(2a)의 반대쪽인 후면(後面, 2b)을 갖는다. 전면(2a)은 반출입부(2)의 Y축 방향 (-)쪽에 위치한다. 후면(2b)은 반출입부(2)의 Y축 방향 (+)쪽에 위치한다. 카세트(C)는 복수 개(예를 들어, 25개)의 기판(W)을 수용하는 용기이다. 카세트(C)는, 예를 들어, FOUP(Front-Opening Unified Pod)이다. 기판(W)은, 예를 들어, 반도체 웨이퍼이다. 반출입부(2)는 내부가 예를 들어 대기 분위기 하에 있다.
반출입부(2)는 로딩 포트(21), 로더(22), 보관 트레이(23), 카세트 반송 장치(24), 통로 형성부(25)를 구비한다.
로딩 포트(21)는 반출입부(2)의 X축 방향 (+)쪽이면서 Y축 방향 (-)쪽에 구비된다. 로딩 포트(21)는 X축 방향을 따라 2개 구비된다. 로딩 포트(21)에는 카세트(C)가 탑재된다. 카세트(C)는 로딩 포트(21)에 대해 반출입된다. 로딩 포트(21)는 연직 방향(Z축 방향)으로 다단 구비될 수도 있다. 로딩 포트(21)의 갯수는 특별히 제한되지 않는다.
로더(22)는 반출입부(2)의 X축 방향 (+)쪽이면서 Y축 방향 (+)쪽에 구비된다. 로더(22)는 X축 방향을 따라 1개 구비된다. 로더(22)는 기판 반송부(3)에 인접해 있다. 로더(22)에는 카세트(C)가 배치된다. 로더(22)에는 카세트(C)의 덮개체를 개폐하기 위한 덮개체 개폐 기구(미도시)가 구비된다. 로더(22)는 Z축 방향으로 다단 구비될 수도 있다. 로더(22)의 갯수는 특별히 제한되지 않는다.
보관 트레이(23)는 반출입부(2)에 복수 개 구비된다. 보관 트레이(23)는 처리 전 기판(W)이 수납된 카세트(C), 기판(W)을 꺼내고 나서 내부가 빈 카세트(C) 등을 일시적으로 보관한다. 보관 트레이(23)는, 예를 들어, 경첩에 의해 접을 수 있도록 구성된다. 보관 트레이(23)는 Z축 방향으로 다단 구비될 수도 있다. 보관 트레이(23)는 로더(22)의 윗쪽과 아랫쪽에 구비될 수도 있다. 보관 트레이(23)의 갯수는 특별히 제한되지 않는다.
카세트 반송 장치(24)는 로딩 포트(21), 로더(22), 보관 트레이(23) 간에 카세트(C)를 반송한다. 카세트 반송 장치(24)의 갯수는 특별히 제한되지 않는다.
통로 형성부(25)는 반출입부(2)를 관통하여 전면(2a)과 후면(2b)을 연통시키는 통로(P)를 형성한다. 통로(P)는 후술하는 하부 유지보수 영역(B1)에 연결된다. 통로(P)가 형성됨으로써, 작업자가 반출입부(2)의 전면(2a) 쪽에서 하부 유지보수 영역(B1)으로 출입할 수 있다. 통로(P)는 배치 처리부(4)에 대해 유지보수를 실시하는 경우 등에 있어 필요에 따라 형성된다.
통로 형성부(25)는 탈착 도어(251a,251b), 전면 도어(252), 후면 도어(253), 브래킷(254a~254d)을 구비한다.
탈착 도어(251a,251b)는 반출입부(2)의 전면(2a) 쪽에 자유롭게 탈착 가능하도록 설치된다. 탈착 도어(251a,251b)는 통로(P)를 형성할 때에 탈거되어 통로(P)의 벽면을 형성하도록 설치된다.
전면 도어(252)는 반출입부(2)의 X축 방향 (-)쪽이면서 Y축 방향 (-)쪽에 구비된다. 전면 도어(252)는 X축 방향 (+)쪽에 위치하며, Z축 방향으로 연장되는 회전축을 회전 중심으로 하여 자유롭게 회전할 수 있다. 전면 도어(252)는 통로(P)를 형성할 때에 오른쪽으로 회전하여 통로(P)의 벽면을 형성한다. 전면 도어(252)에는 보관 트레이(23)를 접기 위한 작은 창(미도시)이 구비된다.
후면 도어(253)는 반출입부(2)의 X축 방향 (-)쪽이면서 Y축 방향 (+)쪽에 구비된다. 후면 도어(253)는 X축 방향 (-)쪽에 위치하며, Z축 방향으로 연장되는 회전축을 회전 중심으로 하여 자유롭게 회전할 수 있다. 후면 도어(253)는 통로(P)를 형성할 때에 오른쪽으로 회전하여 통로(P)의 벽면을 형성한다.
브래킷(254a,254b)은 전면 도어(252)로부터 Y축 방향 (+)쪽으로 연장되도록 구비된다. 브래킷(254a,254b)은 각각 보관 트레이(23)를 지지한다. 브래킷(254a,254b)은 전면 도어(252)에 설치된다. 브래킷(254a,254b)은 Y축 방향 (-)쪽에 위치하며, Z축 방향으로 연장되는 회전축을 회전 중심으로 하여 자유롭게 회전할 수 있다. 브래킷(254a,254b)은 통로(P)를 형성할 때에 전면 도어(252) 쪽으로 회전되어 고정된다.
브래킷(254c,254d)은 후면 도어(253)로부터 Y축 방향 (-)쪽으로 연장되도록 구비된다. 브래킷(254c,254d)은 각각 보관 트레이(23)를 지지한다. 브래킷(254c,254d)은 후면 도어(253)에 설치된다. 브래킷(254c,254d)은 Y축 방향 (+)쪽에 위치하며, Z축 방향으로 연장되는 회전축을 회전 중심으로 하여 자유롭게 회전할 수 있다. 브래킷(254c,254d)은 통로(P)를 형성할 때에 후면 도어(253) 쪽으로 회전되어 고정된다.
통로(P)를 형성하는 경우에, 우선 도 5에 나타내는 바와 같이, 작업자는 탈착 도어(251a,251b)를 탈거한다. 이어서, 작업자는 전면 도어(252)의 작은 창(窓)을 통해 전면(2a) 쪽에 위치하는 보관 트레이(23)를 접는다. 이어서, 도 6에 나타내는 바와 같이, 작업자는 전면 도어(252)의 작은 창을 통해 브래킷(254a,254b)을 전면 도어(252) 쪽으로 회전시켜 전면 도어(252)에 고정시킨다. 이어서, 도 7에 나타내는 바와 같이, 작업자는 전면 도어(252)를 오른쪽으로 회전시켜 전면 도어(252)를 반출입부(2) 안쪽으로 개방한다. 이어서, 작업자는 후면(2b) 쪽에 위치하는 보관 트레이(23)를 접고 브래킷(254c,254d)을 후면 도어(253) 쪽으로 회전시켜 후면 도어(253)에 고정시키며, 후면 도어(253)를 오른쪽으로 회전시켜 후면 도어(253)를 반출입부(2) 안쪽으로 개방한다. 또한, 작업자는 탈거된 탈착 도어(251a)를 전면 도어(252)의 Y축 (+)방향에 설치하고, 탈거된 탈착 도어(251b)를 후면 도어(253)의 Y축 방향 (-)쪽에 설치한다. 이로써, 전면 도어(252), 후면 도어(253), 탈착 도어(252a,252b)를 벽면으로 하는 통로(P)가 형성된다.
기판 반송부(3)는 반출입부(2)의 Y축 방향 (+)쪽에 배치된다. 기판 반송부(3)는 반출입부(2)의 후면(2b)에 직교하는 제1 방향(Y축 방향)을 따라 연장된다. 기판 반송부(3)는 바닥(F)에 설치된다. 기판 반송부(3)는 복수 개의 배치 처리부(4)에 대해 공통으로 1개 구비된다. 즉, 복수 개의 배치 처리부(4)는 공통의 기판 반송부(3)를 구비한다. 기판 반송부(3)는 기판 반송 장치(31)를 구비한다. 기판 반송 장치(31)는 반출입부(2)와 복수 개의 배치 처리부(4) 각각의 사이에서 기판(W)을 반송한다. 기판 반송 장치(31)는 복수 개의 픽(31p)을 구비한다. 이로써, 기판 반송 장치(31)는 복수 개의 기판(W)을 동시에 반송할 수 있다. 그리하여, 기판(W)의 반송에 소요되는 시간을 단축할 수 있다. 픽(31p)의 갯수는 특별히 한정되지 않는다. 기판 반송부(3)는 평탄한 상면(3a)을 갖는다. 상면(3a)에는 작업자가 탈 수 있다. 기판 반송부(3)의 윗쪽에는 제1 상부 유지보수 영역(A1)이 형성된다. 제1 상부 유지보수 영역(A1)은 장치의 높은 곳에 위치하며, 작업자가 출입할 수 있는 유지보수 영역이다. 작업자는 제1 상부 유지보수 영역(A1)에서 전후 방향으로 배열되는 복수 개의 배치 처리부(4)의 유지보수를 용이하게 실시할 수 있다.
복수 개의 배치 처리부(4)는 기판 반송부(3)의 X축 방향 (-)쪽에 배치된다. 복수 개의 배치 처리부(4)는 기판 반송부(3)의 길이 방향(Y축 방향)을 따라 인접하도록 배치된다. 도시된 예에서는, 4개의 배치 처리부(4)가 기판 반송부(3)의 길이 방향을 따라 인접하도록 배치된다. 각 배치 처리부(4)는 복수 개(예를 들어, 25~150개)의 기판(W)을 일괄하여 처리한다. 각 배치 처리부(4)의 내부는 불활성 가스 분위기, 예를 들어, 질소 가스 분위기이다. 이로써, 배치 처리부(4)에서 기판(W)이 산화되는 것을 억제할 수 있다. 각 배치 처리부(4)는 열처리 유닛(41), 로딩 유닛(42), 가스 공급 유닛(43), 배기 유닛(44), 프로세스 모듈 제어 유닛(45), 강제 공냉 유닛(46), 가스 제어 유닛(47), 플로어 박스(48)를 구비한다.
열처리 유닛(41)은 복수 개의 기판(W)에 대해 소정의 열처리를 한다. 열처리 유닛(41)은 처리 용기(411)와 히터(412)를 구비한다.
처리 용기(411)는 기판 홀딩 부재(414)를 수용한다. 기판 홀딩 부재(414)는 상하 방향으로 소정 간격을 두고서 기판(W)을 대략 수평하게 홀딩한다. 기판 홀딩 부재(414)는, 예를 들어, 석영, 탄화규소 등과 같은 내열 재료에 의해 형성된다. 처리 용기(411)에는 가스 도입 포트(411a) 및 배기 포트(411b)가 구비된다.
가스 도입 포트(411a)에서는 가스가 처리 용기(411) 안으로 도입된다. 가스 도입 포트(411a)는 처리 용기(411)의 X축 방향 (-)쪽에 구비된다. 가스 도입 포트(411a)가 구비되는 위치는 복수 개의 배치 처리부(4)에 있어 서로 같은 것이 바람직하다. 이로써, 가스 공급 유닛(43)과 가스 도입 포트(411a) 간 배관 길이를 복수 개의 배치 처리부(4) 간에 일정하게 할 수 있어서 기기 간 차이에 의한 처리 불균일을 줄일 수 있다.
배기 포트(411b)는 처리 용기(411) 내 가스를 배기시킨다. 배기 포트(411b)는 처리 용기(411)의 X축 방향 (-)쪽에 구비된다. 즉, 배기 포트(411b)는 가스 도입 포트(411a)와 같은 쪽에 구비된다. 배기 포트(411b)가 구비되는 위치는 복수 개의 배치 처리부(4)에 있어 서로 같은 것이 바람직하다. 이로써, 복수 개의 배치 처리부(4) 간에 배기 컨덕턴스를 일정하게 할 수 있어서 기기 간 차이에 의한 처리 불균일을 줄일 수 있다.
히터(412)는, 예를 들어, 원통 형상을 가지며 처리 용기(411)의 둘레에 구비된다. 히터(412)는 원통 형상과는 다른 형상일 수도 있다. 히터(412)는 처리 용기(411) 안에 수용된 기판(W)을 가열한다. 처리 용기(411) 아랫쪽에는 셔터(415)가 구비된다. 셔터(415)는 처리 용기(411) 하단의 개구를 폐색하는 위치와 폐색하지 않는 위치 간에 수평 이동하도록 구성된다. 셔터(415)는 기판 홀딩 부재(414)가 처리 용기(411) 안으로부터 반출되고서 다음의 기판 홀딩 부재(414)가 반입될 때까지의 동안에 처리 용기(411) 하단의 개구를 폐색한다.
로딩 유닛(42)은 열처리 유닛(41)의 아랫쪽에 구비된다. 로딩 유닛(42)은 플로어 박스(48)를 사이에 두고 바닥(F)에 설치된다. 한편, 플로어 박스(48)는 로딩 유닛(42)에 구비되어 일체화된 구성일 수도 있다. 로딩 유닛(42)은 처리 용기(411)에 수용되는 기판(W)을 기판 반송부(3)와의 사이에서 주고받는다. 로딩 유닛(42)에는, 기판 홀딩 부재(414)가 보온통(416)을 사이에 두고 덮개체(417) 위에 탑재된다. 덮개체(417)는 승강 기구(미도시)에 의해 지지된다. 승강 기구는 덮개체(417)를 승강시킴으로써, 기판 홀딩 부재(414)를 처리 용기(411)에 대해 반입 또는 반출시킨다. 승강 기구는, 예를 들어, 볼 나사를 포함한다. 로딩 유닛(42)은 열처리 유닛(41)에서 처리된 기판(W)을 냉각시키는 공간으로서도 기능한다.
가스 공급 유닛(43)은 열처리 유닛(41)에 있어 기판 반송부(3)가 배치되는 쪽과는 반대쪽에 배치된다. 가스 공급 유닛(43)은 가스 도입 포트(411a)에 처리 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(43)은 가스 도입 포트(411a)과 같은 쪽에 배치되는 것이 바람직하다. 이로써, 가스 공급 유닛(43)와 가스 도입 포트(411a) 간 배관 길이를 짧게 할 수 있다. 그리하여, 배관 부재와 배관 히터의 사용량 저감, 배관 히터의 소비 전력 저감, 유지보수 시의 퍼지(purge) 범위 저감, 처리 용기(411) 안으로의 불순물 혼입 위험 저감 등의 효과를 얻을 수 있다. 가스 공급 유닛(43)은 배기 유닛(44) 상에 설치된다. 가스 공급 유닛(43)은 처리 용기(411)와 대략 같은 높이의 위치에 배치된다. 가스 공급 유닛(43)은 유량 제어기, 개폐 밸브 등을 포함한다.
배기 유닛(44)은 가스 공급 유닛(43)과 같은 쪽에 배치된다. 배기 유닛(44)은 배기 포트(411b)와 같은 쪽에 배치되는 것이 바람직하다. 배기 유닛(44)은 가스 공급 유닛(43)과는 다른 높이의 위치, 예를 들어, 가스 공급 유닛(43)의 아랫쪽에 배치된다. 배기 유닛(44)은 제1 방향(Y축 방향)에서 평면시로 보아 역 L자 형상이다. 배기 유닛(44)은 로딩 유닛(42)과의 사이에서 하부 유지보수 영역(B1)을 형성한다. 하부 유지보수 영역(B1)은 장치의 낮은 곳에 위치하며, 작업자가 출입할 수 있는 유지보수 영역이다. 작업자는 하부 유지보수 영역(B1)에서 전후 방향으로 배열되는 복수 개의 배치 처리부(4)의 유지보수를 용이하게 실시할 수 있다. 가스 도입 포트(411a)와 배기 포트(411b)는 처리 용기(411)의 같은쪽(하부 유지보수 영역(B1)쪽)에 배치된다. 그리하여, 작업자는 하부 유지보수 영역(B1)에서 가스 도입 포트(411a)와 배기 포트(411b)를 동시에 유지보수할 수 있다. 이에 대해, 가스 도입 포트(411a)와 배기 포트(411b)가 처리 용기(411)를 사이에 두고 반대쪽에 배치되는 경우, 작업자는 하부 유지보수 영역(B1)에서 가스 도입 포트(411a)와 배기 포트(411b)를 동시에 유지보수하기 어려웠다.
배기 유닛(44)은, 일단이 배기 포트(411b)에 접속되며, 타단이 아랫쪽으로 연장되어 바닥(F)을 관통함으로써 바닥(F) 아랫쪽에 배치된 배기 장치(미도시)에 접속된다. 배기 장치는 배기 포트(411b) 및 배기 유닛(44)을 사이에 두고 처리 용기(411) 안을 배기시켜 감압한다. 배기 장치는 진공 펌프, 밸브 등을 포함한다. 배기 유닛(44)은 평탄한 상면(44a)을 가진다. 상면(44a)에는 작업자가 탈 수 있다. 배기 유닛(44)의 윗쪽에는 제2 상부 유지보수 영역(A2)이 형성된다. 제2 상부 유지보수 영역(A2)은 장치의 높은 곳에 위치하며, 작업자가 출입할 수 있는 유지보수 영역이다. 작업자는 제2 유지보수 영역(A2)에서 전후 방향으로 배열되는 복수 개의 배치 처리부(4)의 유지보수를 용이하게 실시할 수 있다.
강제 공냉 유닛(46)은 히터(412)에 공급할 냉매를 생성하는 유닛으로서, 열 교환기, 플로어, 밸브, 배관 등을 포함한다. 냉매는, 예를 들어, 공기이다.
강제 공냉 유닛(46)은 열처리 유닛(41)의 X축 방향 (+)쪽에 구비된다. 강제 공냉 유닛(46)으로부터 송출되는 냉매는 처리 용기(411)와 히터(412) 사이의 공간으로 공급된다. 이로써, 처리 용기(411)를 단시간에 냉각할 수 있다.
프로세스 모듈 제어 유닛(45) 및 가스 제어 유닛(47)은 열처리 유닛(41)의 천정부에 배치된다. 프로세스 모듈 제어 유닛(45) 및 가스 제어 유닛(47)은 배치 처리부(4) 각 부의 동작을 제어한다. 프로세스 모듈 제어 유닛(45) 및 가스 제어 유닛(47)은 각종의 제어 기기를 포함한다.
발판부(5)는 기판 반송부(3)의 X축 방향 (+)쪽에 배치된다. 발판부(5)는 제1 방향(Y축 방향)을 따라 연장된다. 발판부(5)는 기판 반송부(3)에 자유롭게 탈착될 수 있도록 설치된다. 발판부(5)는, 예를 들어, SUS 304 등과 같은 스테인레스 강, 알루미늄 등으로 형성된다. 발판부(5)는 지지부(51), 바닥 플레이트(52), 담장부(53)를 구비한다. 지지 부재(51)는 바닥 플레이트(52)를 지지한다. 바닥 플레이트(52)는, 상면이 기판 반송부(3)의 상면(3a)과 일치하도록 지지 부재(51)에 의해 지지된다. 바닥 플레이트(52)의 윗쪽 영역은 기판 반송부(3)의 윗쪽 영역과 함께 제1 상부 유지보수 영역(A1)을 이룬다. 담장부(53)는 바닥 플레이트(52)의 X축 방향 (+)쪽에 구비된다. 담장부(53)가 구비됨으로써, 작업자가 제1 상부 유지보수 영역(A1)에서 배치 처리부(4)의 각 부를 유지보수할 때의 안전성이 향상된다. 제1 상부 유지보수 영역(A1)의 폭(기판 반송부(3)의 X축 방향 길이와 바닥 플레이트(52)의 X축 방향 길이의 합계)은 히터(412)가 통과할 수 있는 길이일 수 있다. 예를 들어, 히터(412)가 원통 형상을 가지는경우, 제1 상부 유지보수 영역(A1)의 폭은 히터(412)의 직경보다 길다. 이 경우, 히터(412) 교환 작업을 용이하게 실시할 수 있다. 예를 들어, 제1 상부 유지보수 영역(A1)의 폭은 1000mm이며, 히터(412)의 직경은 800mm이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 기판 처리 장치(1)에 의하면, 하나의 기판 반송부(3)에 대해 복수 개의 배치 처리부(4)가 배치되므로, 하나의 기판 반송부(3)에 대해 하나의 배치 처리부(4)가 배치되는 경우에 비해 기판 처리 장치(1)의 설치 면적을 작게 할 수 있다. 그리하여, 단위 면적당 생산성이 향상된다.
또한, 기판 처리 장치(1)는 기판 반송부(3)의 윗쪽에 형성되는 제1 상부 유지보수 영역(A1), 배기 유닛(44)의 윗쪽에 형성되는 제2 상부 유지보수 영역(A2), 로딩 유닛(42)과 배기 유닛(44) 사이에 형성되는 하부 유지보수 영역(B1)을 가진다. 이로써, 작업자는 복수 개의 방향에서 배치 처리부(4) 각 부를 용이하게 유지보수할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치(1)에 의하면, 가스 도입 포트(411a)와 배기 포트(411b)가 처리 용기(411)의 같은 쪽(하부 유지보수 영역(B1)쪽)에 배치된다. 그리하여, 작업자는 하부 유지보수 영역(B1)에서 가스 도입 포트(411a) 및 배기 포트(411b)의 유지보수를 동시에 실시할 수 있다.
[기판 처리 장치의 변형예]
도10~도13을 참조하여, 실시형태의 변형예에 따른 기판 처리 장치(1A)에 대해 설명한다. 도 10 및 도 11은 실시형태의 변형예에 따른 기판 처리 장치(1A)를 나타내는 사시도로서, 서로 다른 방향에서 기판 처리 장치(1A)를 보았을 때의 도면이다. 도 12는 배기 유닛(44)에 설치되는 담장부(6)의 분해 사시도이다. 도 13은 배기 유닛(44)에 설치되는 담장부(6)를 나타내는 사시도이다.
기판 처리 장치(1A)는 기판 처리 장치(1)에 비해 담장부(6), 사다리 지그(7,8)를 더 구비한다. 이하에서는, 기판 처리 장치(1)와 다른 점을 중심으로 설명한다.
담장부(6)는 배치 처리부(4)마다 구비된다. 각 담장부(6)의 Y축 방향 길이는 대응하는 배치 처리부(4)의 Y축 방향 길이와 같거나 대략 같을 수 있다. 각 담장부(6)는 대응하는 배치 처리부(4)의 배기 유닛(44)의 X축 방향 (-)쪽에 구비된다. 각 담장부(6)는 대응하는 배치 처리부(4)의 배기 유닛(44)의 X축 방향 (-)쪽 측면 상부에 자유롭게 탈착 가능하도록 설치된다. 각 담장부(6)는 스페이서(61), 담장부 본체(62), 고정 부재(63), 연결 부재(64)를 구비한다.
스페이서(61)는 배기 유닛(44)의 측면과 담장부 본체(62) 사이에 끼워진다. 스페이서(61)의 상면(61a)은 배기 유닛(44)의 상면(44a)과 같은 높이 또는 대략 같은 높이일 수 있다. 이 경우에, 배기 유닛(44) 상면(44a)의 X축 방향 길이는 스페이서(61)의 X축 방향 길이만큼 확대된다. 스페이서(61)는, 예를 들어, SUS 304 등과 같은 스테인레스 강이나 알루미늄으로 형성된다. 스페이서(61)는 설치되지 않을 수도 있다.
담장부 본체(62)는 하단이 배기 유닛(44)의 상면(44a)보다 아랫쪽에 위치하고 상단이 배기 유닛(44)의 상면(44a)보다 윗쪽에 위치하도록 설치된다. 담장부 본체(62)는 제2 상부 유지보수 영역(A2)으로부터의 작업자 추락을 방지한다. 담장부 본체(62)는, 예를 들어, SUS 304 등과 같은 스테인레스 강이나 알루미늄으로 형성된다.
고정 부재(63)는 스페이서(61) 및 담장부 본체(62)를 배기 유닛(44)의 X축 방향 (-)쪽 측면 상부에 고정시킨다.
연결 부재(64)는 Y축 방향으로 인접하는 담장부 본체(62)를 연결한다. 연결 부재(64)는, 예를 들어, 판금과 나사를 포함한다. 이 경우에, 배치 처리부(4)의 갯수에 따라 담장부 본체(62)의 Y축 방향 길이를 변경할 수 있다.
사다리 지그(7)는 발판부(5)에 자유롭게 탈착 가능하도록 설치된다. 사다리 지그(7)는 작업자가 제1 상부 유지보수 영역(A1)에 출입하기 위해 사용된다. 사다리 지그(7)는 계단참(71)과 사다리(72)를 구비한다.
계단참(71)은 바닥 플레이트(71a), 고정 담장(71b), 가동 담장(71c)을 구비한다.
바닥 플레이트(71a)는 바닥 플레이트(52)의 Y축 방향 (+)쪽 단부에 구비된다. 바닥 플레이트(71a)는, 예를 들어, 발판부(5)의 지지 부재(51)에 자유롭게 탈착 가능하도록 설치된다. 바닥 플레이트(71a)는 기판 반송부(3)의 Y축 방향 (+)쪽 측면에 자유롭게 탈착 가능하도록 설치될 수도 있다. 바닥 플레이트(71a)는, 예를 들어, 판금과 나사에 의해 고정된다. 바닥 플레이트(71a)의 상면은 바닥 플레이트(52)의 상면과 같은 높이 또는 대략 같은 높이일 수 있다.
고정 담장부(71b)는 바닥 플레이트(71a)의 X축 방향 (-)쪽 및 Y축 방향 (+)쪽에 구비된다. 고정 담장부(71b)는 바닥 플레이트(71a)로부터의 작업자 추락을 방지한다.
가동 담장부(71c)는 바닥 플레이트(71a)의 X축 방향 (+)쪽에 구비된다. 가동 담장부(71c)는 바닥 플레이트(71a)로부터의 작업자 추락을 방지한다. 가동 담장부(71c)는 개폐 가능하다. 가동 담장부(71c)는 작업자가 바닥 플레이트(71a) 상에 출입할 때에는 개방된다. 가동 담장부(71c)는, 예를 들어, 안쪽으로 열릴 수 있다. 가동 담장부(71c)는, 예를 들어, 자동으로 닫히도록 구성될 수 있다.
사다리(72)는 한 쌍의 지지 기둥(72a,72b), 복수 개의 받침 계단(72c), 한 쌍의 손잡이(72d,72e)를 구비한다.
한 쌍의 지지 기둥(72a,72b)은 서로 평행하게 배치된다. 한 쌍의 지지 기둥(72a,72b)은 상단이 계단참(71)의 바닥 플레이트(71a)에 자유롭게 탈착 가능하도록 설치된다.
복수 개의 받침 계단(72c)은 한 쌍의 지지 기둥(72a,72b) 사이를 연결하도록 걸려 있다. 복수 개의 받침 계단(72c)은 각 지지 기둥(72a,72b)의 연장 방향으로 소정 간격을 두어 구비된다.
손잡이(72d)는 지지 기둥(72a)에 고정된다. 손잡이(72e)는 지지 기둥(72b)에 고정된다. 손잡이(72d,72e)는 복수 개의 받침 계단(72c) 양쪽에 구비된다.
사다리 지그(8)는 배기 유닛(44)에 자유롭게 탈착 가능하도록 설치된다. 사다리 지그(8)는 작업자가 제2 상부 유지보수 영역(A2)에 출입하기 위해 사용된다. 사다리 지그(8)는 계단참(81)과 사다리(82)를 구비한다.
계단참(81)은 바닥 플레이트(81a), 고정 담장부(81b), 가동 담장부(81c)를 갖는다.
바닥 플레이트(81a)는 배기 유닛(44)의 Y축 방향 (+)쪽 단부에 구비된다. 바닥 플레이트(81a)는, 예를 들어, 배기 유닛(44)에 자유롭게 탈착 가능하도록 설치된다. 바닥 플레이트(81a)는, 예를 들어, 판금 및 나사에 의해 고정된다. 바닥 플레이트(81a)의 상면은 배기 유닛(44)의 상면(44a)과 같은 높이 또는 대략 같은 높이일 수 있다.
고정 담장부(81b)는 바닥 플레이트(81a)의 X축 방향 (+)쪽 및 Y축 방향 (+)쪽에 구비된다. 고정 담장부(81b)는 바닥 플레이트(81a)로부터의 작업자 추락을 방지한다.
가동 담장부(81c)는 바닥 플레이트(81a)의 X축 방향 (-)쪽에 구비된다. 가동 담장부(81c)는 바닥 플레이트(81a)로부터의 작업자 추락을 방지한다. 가동 담장부(81c)는 개폐 가능하다. 가동 담장부(81c)는 작업자가 바닥 플레이트(81a) 상으로 출입할 때에 개방된다. 가동 담장부(81c)는, 예를 들어, 안쪽으로 열릴 수 있다. 가동 담장부(81c)는, 예를 들어, 자동으로 닫히도록 구성될 수도 있다.
사다리(82)는 한 쌍의 지지 기둥(82a,82b), 복수 개의 받침 계단(82c), 한 쌍의 손잡이(82d,82e)를 구비한다.
한 쌍의 지지 기둥(82a,82b)은 서로 평행하게 배치된다. 한 쌍의 지지 기둥(82a,82b)은 상단이 계단참(81)의 바닥 플레이트(81a)에 자유롭게 탈착 가능하도록 설치된다.
복수 개의 받침 계단(82c)은 한 쌍의 지지 기둥(82a,82b) 사이를 연결하도록 걸려 있다. 복수 개의 받침 계단(82c)은 각 지지 기둥(82a,82b)의 연장 방향으로 소정 간격을 두어 구비된다.
손잡이(82d)는 지지 기둥(82a)에 고정된다. 손잡이(82e)는 지지 기둥(82b)에 고정된다. 손잡이(82d,82e)는 복수 개의 받침 계단(82c) 양쪽에 구비된다.
[히터 교환 방법]
도14~도17을 참조하여, 기판 처리 장치(1)에서 히터(412)를 교환하는 방법을 설명한다. 도14~도17은 히터 교환 방법의 일 예를 나타내는 사시도이다. 이하에서는, 반출입부(2)의 가장 가까이에 위치하는 배치 처리부(4A)에 히터(412)를 설치하는 방법을 설명한다.
우선, 도 14에 나타내는 바와 같이, 작업자(OP)는 배치 처리부(4A)가 구비하는 강제 공냉 유닛(46)을 탈거하고서, 제1 레일(91), 제2 레일(92), 연결 부재(93)를 설치한다.
제1 레일(91)은 기판 반송부(3)의 상면(3a) 및 바닥 플레이트(52)의 상면에 Y축 방향을 따라 설치된다. 제1 레일(91)은 기판 반송부(3) 및 바닥 플레이트(52)의 Y축 방향 (+)쪽 단부로부터 Y축 방향 (-)쪽 단부까지 연장되도록 설치된다. 제1 레일(91)은 길이 방향으로 복수 개로 분할 가능할 수 있다. 이 경우, 배치 처리부(4)의 갯수에 따라 제1 레일(91)의 길이를 조정할 수 있다. 제1 레일(91)이 복수 개로 분할되는 경우, 각 제1 레일(91)의 길이는 하나의 배치 처리부(4)의 Y축 방향 길이와 같거나 대략 같을 수 있다. 제1 레일(91)은 제1 레일(91) 상에서 히터(412)를 슬라이드 이동시키는 회전부(미도시)를 포함할 수 있다. 회전부는 바퀴, 볼 롤러 등일 수 있다. 회전부는 제1 레일(91)의 길이 방향을 따라 간격을 두고 복수 개 구비될 수 있다.
제2 레일(92)은 바닥 플레이트(52)의 상면에서부터 기판 반송부(3)의 상면(3a)을 거쳐 배치 처리부(4A) 내부까지 X축 방향을 따라 설치된다. 제2 레일(92)은 제2 레일(92) 상에서 히터(412)를 슬라이드 이동시키는 회전부(미도시)를 포함할 수 있다. 회전부는 바퀴, 볼 롤러 등일 수 있다. 회전부는 제2 레일(92)의 길이 방향을 따라 간격을 두고 복수 개 구비될 수 있다.
연결 부재(93)는 기판 반송부(3) 및 바닥 플레이트(52)의 Y축 방향 (+)쪽 단부에 설치된다. 연결 부재(93)의 상면은 기판 반송부(3)의 상면(3a) 및 바닥 플레이트(52)의 상면과 같은 높이이거나 대략 같은 높이일 수 있다. 연결 부재(93)의 상면에는 제1 레일(91)에 접속되는 레일(93a)이 구비된다. 연결 부재(93)에는 후술하는 베이스 지그(94)가 접속된다.
이어서, 작업자(OP)는 히터(412)가 탑재된 반송 카트(미도시)를 기판 처리 장치(1)의 후면까지 이동시킨다. 이어서, 작업자(OP)는 반송 카트에서 베이스 지그(94) 상으로 히터(412)를 옮겨싣는다. 이어서, 작업자(OP)는 스토퍼(미도시)를 작동시킴으로써 베이스 지그(94) 상에 히터(412)를 고정시킨다.
이어서, 도 15에 나타내는 바와 같이, 작업자(OP)는 히터(412)가 탑재된 베이스 지그(94)를 리프터(미도시)에 의해 연결 부재(93) 높이까지 들어올린다. 이어서, 작업자(OP)는 베이스 지그(94)를 연결 부재(93)에 접속시킨다.
이어서, 도 16에 나타내는 바와 같이, 작업자(OP)는 스토퍼를 해제하고서, 베이스 지그(94) 상에 탑재된 히터(412)를 제1 레일(91)을 따라 배치 처리부(4A) 옆에까지 슬라이드 이동시킨다. 히터(412)를 배치 처리부(4A) 옆에까지 슬라이드 이동시킨 후에 히터(412)를 수평 회전시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 레일(91)을 따라 슬라이드 이동시킬 때의 히터(412)의 각도와, 제2 레일(92)을 따라 슬라이드 이동시킬 때의 히터(412)의 각도가 다른 경우에는, 히터(412)를 수평 회전시킬 수 있다.
이어서, 도 17에 나타내는 바와 같이, 작업자(OP)는 배치 처리부(4A)까지 이동한 히터(412)를 제2 레일(92)을 따라 배치 처리부(4A) 안에까지 슬라이드 이동시킨다. 히터(412)를 배치 처리부(4A) 안에까지 슬라이드 이동시킨 후에 히터(412)를 수평 회전시킬 수 있다. 예를 들어, 제2 레일(92)을 따라 슬라이드 이동시킬 때의 히터(412)의 각도와, 배치 처리부(4A) 내에서 고정될 때의 히터(412)의 각도가 다른 경우에는, 히터(412)를 수평 회전시킬 수 있다. 이어서, 작업자(OP)는 배치 처리부(4A) 내에서 히터(412)를 고정시킨다. 히터(412)는 나사 등과 같은 체결 부재에 의해 고정된다.
이상과 같이 하여 배치 처리부(4A)에 히터(412)가 설치된다. 또한, 배치 처리부(4A)에 히터(412)를 설치하는 방법의 역순으로 배치 처리부(4A)로부터 히터(412)를 탈거할 수 있다. 또한, 다른 배치 처리부(4B,4C,4D)가 구비하는 히터(412)에 대해서도 마찬가지 방법으로 교환할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1A)에서도 기판 처리 장치(1)와 마찬가지 방법으로 히터(412)를 교환할 수 있다.
한편, 상기 실시형태에서 전면(2a)은 제1 측면의 일 예이며, 후면(2b)은 제2 측면의 일 예이다.
이번에 개시한 실시형태는 모든 면에서 예시로서 제한적인 것이 아니다. 상기 실시형태는 첨부한 청구범위 및 그 취지를 일탈하지 않으면서 여러 형태로 생략, 치환, 변경될 수 있다.
상기 실시형태에서는 필요에 따라 반출입부(2)에 통로(P)를 형성하는 경우를 설명하였으나, 본 개시 내용이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 반출입부(2)에 상설(常設)의 통로가 형성될 수도 있다.
상기 실시형태에서는 바닥(F)에 하나의 기판 처리 장치(1)가 설치되는 경우를 설명하였으나, 본 개시 내용이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 바닥(F)에 복수 개의 기판 처리 장치(1)가 설치될 수도 있다.
도 18은 복수 개의 기판 처리 장치(1)가 X축 방향으로 인접하여 배치되는 형태를 나타내는 사시도이다. 도 18에서는 지면의 오른쪽 아래를 기준으로 하여 X축 방향, Y축 방향, Z축 방향을 나타낸다. 인접하는 기판 처리 장치(1) 간에 제1 상부 유지보수 영역(A1) 및 제2 상부 유지보수 영역(A2)을 공유함으로써, 상부 유지보수 영역의 폭을 확보할 수 있다. 공유되는 상부 유지보수 영역의 폭은 히터(412)가 통과할 수 있는 길이일 수 있다. 예를 들어, 히터(412)가 원통 형상인 경우에, 공유되는 상부 유지보수 영역의 폭은 히터(412)의 직경보다 크다. 이 경우, 히터(412)의 교환 작업을 용이하게 할 수 있다. 예를 들어, 공유되는 상부 유지보수 영역의 폭은 1000mm이고, 히터(412)의 직경은 800mm이다. 공유되는 상부 유지보수 영역에서는, 인접하는 기판 처리 장치(1) 중 한쪽 기판 처리 장치(1)에 대한 히터(412) 교환 작업과, 다른쪽 기판 처리 장치(1)에 대한 가스 공급 유닛(43) 유지보수를 행할 수 있다.
또한, 배기 유닛(44)의 상면(44a)은 기판 반송부(3)의 상면(3a)과 같은 높이인 것이 바람직하다. 이 경우, 도 18에 나타내는 바와 같이, 인접하는 기판 처리 장치(1) 간에 배기 유닛(44) 상면(44a)과 기판 반송부(3) 상면(3a) 사이의 단차가 생기지 않는다. 따라서, 작업자가 제1 상부 유지보수 영역(A1) 및 제2 상부 유지보수 영역(A2)에서 배치 처리부(4) 각 부를 유지보수할 때의 작업 효율이 향상된다. 배기 유닛(44)의 상면(44a)과 기판 반송부(3)의 상면(3a)이 다른 높이인 경우에는, 배기 유닛(44)과 기판 반송부(3) 중 높이가 낮은 쪽의 상면에 판상(板狀) 부재를 설치함으로써 양 쪽의 상면 높이를 일정하게 하는 것이 바람직하다. 또한, 복수 개의 기판 처리 장치(1)가 X축 방향으로 나란히 배치되는 경우에는, 기판 반송부(3)와 배기 유닛(44) 사이에 틈새를 형성하도록 배기 장치를 설치할 수도 있다.
도 19는 복수 개의 기판 처리 장치(1)가 인접하여 배치되는 형태의 제1 변형예를 나타내는 사시도이다. 도 20는 복수 개의 기판 처리 장치(1)가 인접하여 배치되는 형태의 제2 변형예를 나타내는 사시도이다. 도 21은 복수 개의 기판 처리 장치()가 인접하여 배치되는 형태의 제3 변형예를 나타내는 사시도이다. 도19~도21에서는 지면 오른쪽 아래의 단부를 기준으로 하여 X축 방향, Y축 방향, Z축 방향을 나타낸다.
도19~도21에 나타내는 바와 같이, 복수 개의 기판 처리 장치(1)가 X축 방향으로 인접하여 배치되는 경우에, 인접하는 기판 처리 장치(1) 간에 배기 유닛(44)의 상면(44a)과 기판 반송부(3)의 상면(3a) 사이에 틈새(G)가 생기는 경우가 있다. 틈새(G)는 일 예에서 30mm~50mm로서 작다. 제1 변형예~제3 변형예에서는, 인접하는 기판 처리 장치(1) 간에 배기 유닛(44)의 상면(44a)과 기판 반송부(3)의 상면(3a) 상의 틈새(G)를 메우도록 Y축 방향을 따라 연장되는 판상 부재(10)가 구비된다. 이 경우, 유지보수 시에 부품 등이 낙하하는 것을 방지할 수 있다. 판상 부재(10)의 Y축 방향 길이는, 예를 들어, 배기 유닛(44) 상면(44a)의 Y축 방향 길이와 같을 수 있다. 판상 부재(10)의 Y축 방향 길이는, 예를 들어, 기판 반송부(3) 상면(3a)의 Y축 방향 길이와 같을 수 있다.
도 19에 나타내는 바와 같이 판상 부재(10)는 배기 유닛(44) 상면(44a)의 일부와 기판 반송부(3) 상면(3a)의 일부를 덮는 평판 형상일 수 있다. 판상 부재(10)의 X축 방향 길이는 배기 유닛(44) 상면(44a)의 X축 방향 길이와 기판 반송부(3) 상면(3a)의 X축 방향 길이의 합계보다 짧을 수 있다.
도 20에 나타내는 바와 같이, 판상 부재(10)는 평판 형상으로서, 배기 유닛(44)의 상면(44a) 전체면과 기판 반송부(3)의 상면(3a) 전체면을 덮는 평판 형상일 수 있다. 이 경우, 판상 부재(10)의 판 두께에 기인하는 단차가 생기지 않는다. 그리하여, 공유되는 상부 유지보수 영역에서 단차에 기인하여 작업자의 발뿌리가 걸리는 것을 방지할 수 있다.
도 21에 나타내는 바와 같이, 판상 부재(10)는 Y축 방향에서 보았을 때에 T자 형상이다. 판상 부재(10)는 수평부(101)와 연직부(102)를 구비한다. 수평부(101)는 틈새(G)를 메우도록 Y축 방향을 따라 연장되는 평판 형상으로 되어 있다. 수평부(101)는 배기 유닛(44)의 상면(44a) 중 적어도 일부와, 기판 반송부(3)의 상면(3a) 중 적어도 일부를 덮는다. 연직부(102)는 수평부(101)의 하면에서 Z축 방향 (-)쪽으로 연장되는 평판 형상으로 되어 있다. 연직부(102)는 Y축 방향을 따라 연장되며 틈새(G)에 끼워진다. 이 경우, 판상 부재(10)의 X축 방향 위치 어긋남을 방지할 수 있다. 연직부(102)의 X축 방향 길이는 틈새(G)의 폭과 같을 수도 있고 틈새(G)의 폭보다 작을 수도 있다.
본원은 일본 특허청에 2022년 2월 9일에 출원된 특허출원 2022-018480호 및 2022년 11월 17일에 출원된 특허출원 2022-183839호에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 그 전체 내용을 참조로써 여기에 원용한다.

Claims (7)

  1. 기판을 수용한 용기가 반출입되는 제1 측면과, 상기 제1 측면의 반대쪽인 제2 측면을 갖는 반출입부와,
    상기 제2 측면에 직교하는 제1 방향을 따라 연장되는 기판 반송부와,
    상기 기판 반송부의 길이 방향을 따라 인접하는 복수 개의 배치 처리부를 포함하고,
    상기 복수 개의 배치 처리부의 각각은,
    상기 기판을 복수 개 수용하여 처리하는 처리 용기와,
    상기 처리 용기 안으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과,
    상기 처리 용기 내 가스를 배기시키는 배기 유닛을 포함하며,
    상기 가스 공급 유닛과 상기 배기 유닛이 상기 처리 용기의 같은 쪽에 구비되는 것인 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가스 공급 유닛 및 상기 배기 유닛은 상기 처리 용기에 있어 상기 기판 반송부가 구비되는 쪽의 반대쪽에 구비되는 것인 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 가스 공급 유닛 및 상기 배기 유닛은 서로 다른 높이 위치에 구비되는 것인 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판 반송부의 상면과 상기 배기 유닛의 상면이 같은 높이인 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수 개의 배치 처리부의 각각은, 상기 처리 용기의 아랫쪽에 구비되어 상기 처리 용기에 수용되는 상기 기판을 상기 기판 반송부와의 사이에서 주고받는 로딩 유닛을 포함하며,
    상기 배기 유닛은 상기 제1 방향에서 평면시로 보았을 때에 역 L자의 형상이며 상기 로딩 유닛과의 사이에 유지보수 영역을 형성하도록 구비되는 것인 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 반출입부는 상기 유지보수 영역에 연결되는 통로를 구비하는 것인 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 반출입부는 상기 통로를 개폐하는 도어를 구비하는 것인 기판 처리 장치.
KR1020230012665A 2022-02-09 2023-01-31 기판 처리 장치 KR20230120574A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022018480 2022-02-09
JPJP-P-2022-018480 2022-02-09
JPJP-P-2022-183839 2022-11-17
JP2022183839A JP2023116388A (ja) 2022-02-09 2022-11-17 基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230120574A true KR20230120574A (ko) 2023-08-17

Family

ID=87520265

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020230012665A KR20230120574A (ko) 2022-02-09 2023-01-31 기판 처리 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230253221A1 (ko)
JP (1) JP2023116392A (ko)
KR (1) KR20230120574A (ko)
TW (1) TW202339077A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020113746A (ja) 2019-01-10 2020-07-27 東京エレクトロン株式会社 処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020113746A (ja) 2019-01-10 2020-07-27 東京エレクトロン株式会社 処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202339077A (zh) 2023-10-01
JP2023116392A (ja) 2023-08-22
US20230253221A1 (en) 2023-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100272188B1 (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
KR100932961B1 (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US7935185B2 (en) Film forming system and film forming method
TW201939650A (zh) 設備前端模組
JP6988916B2 (ja) 成膜装置
US9548229B2 (en) Substrate processing apparatus, method of processing substrate, and method of manufacturing semiconductor device
JP2008060513A (ja) 処理装置及び処理方法
KR20210014496A (ko) 반도체 제조 장치
JP2002246432A (ja) 基板処理装置
KR20230120574A (ko) 기판 처리 장치
KR20230120575A (ko) 기판 처리 장치
JP2023116388A (ja) 基板処理装置
JP2005277049A (ja) 熱処理システム及び熱処理方法
JP2001189368A5 (ko)
JP3545569B2 (ja) 基板処理装置
CN116581053A (zh) 基板处理装置
CN116581054A (zh) 基板处理装置
TWI829832B (zh) 物品保管設備
KR101582569B1 (ko) 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 설비, 그리고 이를 이용하는 기판 처리 방법
CN108231625B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
JP3638393B2 (ja) 基板処理装置
JP2006086401A (ja) 基板処理装置
KR20200108467A (ko) 처리 장치, 배기 시스템, 반도체 장치의 제조 방법
WO2024161592A1 (ja) 運搬システム、主台車、副台車、および半導体製造装置の保守方法
US20230063639A1 (en) Heat treatment unit and substrate processing apparatus