KR20230118342A - Electrostatic sheet and electrostatic chuk including the same - Google Patents
Electrostatic sheet and electrostatic chuk including the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230118342A KR20230118342A KR1020220014806A KR20220014806A KR20230118342A KR 20230118342 A KR20230118342 A KR 20230118342A KR 1020220014806 A KR1020220014806 A KR 1020220014806A KR 20220014806 A KR20220014806 A KR 20220014806A KR 20230118342 A KR20230118342 A KR 20230118342A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrostatic chuck
- dielectric layer
- electrode
- layer
- disposed
- Prior art date
Links
- 101150116749 chuk gene Proteins 0.000 title 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 197
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 22
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 16
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 claims 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 13
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
- B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
정전기력을 이용하여 기판을 척킹하기 위한 정전 척에 포함되는 정전 척 시트가 개시된다. 정전 척 시트는, 질화규소를 포함하는 제1 유전층; 상기 제1 유전층 상에 배치되는 제1 전극층; 및 상기 제1 전극층 상에 배치되며, 질화규소를 포함하는 제2 유전층을 포함한다.An electrostatic chuck sheet included in an electrostatic chuck for chucking a substrate using electrostatic force is disclosed. The electrostatic chuck sheet includes a first dielectric layer containing silicon nitride; a first electrode layer disposed on the first dielectric layer; and a second dielectric layer disposed on the first electrode layer and including silicon nitride.
Description
본 발명은 정전 척 시트 및 이를 포함하는 정전 척에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 웨이퍼, 인쇄회로기판과 같은 대상물을 정전기력을 이용하여 고정시킬 수 있는 정전 척에 관한 것이다.The present invention relates to an electrostatic chuck sheet and an electrostatic chuck including the same, and more particularly, to an electrostatic chuck capable of fixing an object such as a semiconductor wafer or a printed circuit board using electrostatic force.
반도체 또는 전자 회로는 웨이퍼(wafer) 또는 인쇄회로기판(printed circuit board)와 같은 기판 상에 여러가지 공정(예컨대, 포토, 식각, 패터닝, 세정 등)을 수행함으로써 제조된다. 이 때, 공정이 제대로 수행되기 위해서는 기판이 고정될 필요가 있다. 기판의 고정 여부에 따라 공정의 정확도 및 성공률이 좌우될 수 있다.Semiconductors or electronic circuits are manufactured by performing various processes (eg, photo, etching, patterning, cleaning, etc.) on a substrate such as a wafer or a printed circuit board. At this time, the substrate needs to be fixed in order to properly perform the process. The accuracy and success rate of the process may depend on whether or not the substrate is fixed.
정전 척(electrostatic chuck)은 정전기력을 이용하여 기판 형태의 대상물을 흡착함으로써 고정(즉, 척킹(chucking))하고, 고정된 대상물을 합착, 가압, 이동시키는 용도로 널리 사용된다. 일반적으로 정전 척은 도체인 전극과 전극을 에워싸는 유전체를 포함하는 정전 척 시트와 정전 척 시트에 하부에 배치되는 도체의 베이스 플레이트를 포함한다. 이 때, 전극에 전압이 가해지면 정전기력을 통해 대상물을 고정시킬 수 있다. 이 때, 유전체는 세라믹(ceramic) 재질일 수 있고, 이를 세라믹 척이라고 한다.An electrostatic chuck is widely used for fixing (that is, chucking) an object in the form of a substrate by adsorbing it using electrostatic force, and for bonding, pressing, and moving the fixed object. In general, an electrostatic chuck includes an electrostatic chuck sheet including electrodes as conductors and a dielectric surrounding the electrodes, and a base plate of conductors disposed under the electrostatic chuck sheet. At this time, when a voltage is applied to the electrode, the object can be fixed through electrostatic force. In this case, the dielectric material may be a ceramic material, which is referred to as a ceramic chuck.
한편, 현재 사용되는 유전체의 재료는 산화 알루미늄(Alumina)이 주류를 이루고 있는데, 정전 척 시트의 유전체의 체적저항률이 낮은 경우 누설 전류가 발생한다. 정전 척을 장시간 사용하는 경우 체적 저항률이 감소하므로 누설 전류가 발생하고, 누설 전류에 기인하여 아킹 발생이 문제된다.Meanwhile, currently used dielectric material is aluminum oxide (Alumina), and leakage current occurs when the volume resistivity of the dielectric of the electrostatic chuck sheet is low. When an electrostatic chuck is used for a long time, a leakage current occurs because the volume resistivity decreases, and arcing occurs due to the leakage current.
또한, 최근 반도체 웨이퍼의 대형화가 급속히 진행되고 있으므로, 면적이 큰 기판을 흡착하기 위하여 전극층에 인가되는 전압이 저전압에서 고전압으로 증가하고 있다. 그런데, 고전압으로 증가할수록 정전 척의 정전 흡착 기능의 증대가 어렵다는 문제가 있다. In addition, since the size of semiconductor wafers is rapidly increasing in recent years, the voltage applied to the electrode layer is increasing from a low voltage to a high voltage in order to adsorb a substrate having a large area. However, there is a problem in that it is difficult to increase the electrostatic adsorption function of the electrostatic chuck as the voltage increases.
이상의 배경기술에 기재된 사항은 발명의 배경에 대한 이해를 돕기 위한 것으로서, 공개된 종래 기술이 아닌 사항을 포함할 수 있다.Matters described in the background art above are intended to help understand the background of the invention, and may include matters that are not disclosed prior art.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 아킹 현상을 방지할 수 있는 정전 척 시트 및 이를 포함하는 정전 척을 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is to provide an electrostatic chuck sheet capable of preventing an arcing phenomenon and an electrostatic chuck including the same.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 웨이퍼, 기판 등 대상물의 크기가 큰 경우에도 사용할 수 있는 정전 척 시트 및 이를 포함하는 정전 척을 제공하는 것에 있다.An object to be solved by the present invention is to provide an electrostatic chuck sheet that can be used even when an object such as a wafer or a substrate has a large size, and an electrostatic chuck including the same.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 정전기장을 형성하는 전극들 사이의 거리를 확보하여, 전극들 사이의 누설 전류로 인한 아킹 현상을 방지할 수 있는 정전 척 시트 및 이를 포함하는 정전 척을 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is to provide an electrostatic chuck sheet capable of preventing an arcing phenomenon due to leakage current between electrodes by securing a distance between electrodes forming an electrostatic field, and an electrostatic chuck including the same. there is.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 정전기장을 형성하는 두 개의 전극들을 수평 방향에서 교대로 배치함으로써, 전극들이 배치되는 면적을 최대화함으로써 척킹력을 향상시킬 수 있는 정전 척 시트 및 이를 포함하는 정전 척을 제공하는 것에 있다.An object to be solved by the present invention is to provide an electrostatic chuck sheet capable of improving chucking force by alternately arranging two electrodes forming an electrostatic field in a horizontal direction to maximize an area where the electrodes are disposed, and an electrostatic chuck including the same. is in providing
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시 예들에 따른 정전기력을 이용하여 기판을 척킹하기 위한 정전 척에 포함되는 정전 척 시트는, 고분자 물질을 포함하는 제1 유전층, 제1 유전층 상에 배치되고, 도전성 금속 재질의 제1전극을 포함하는 제1 전극층, 제2 전극층 상에 배치되고, 도전성 금속 재질의 제2전극을 포함하는 제2 전극층, 제1 전극층 및 제2 전극층 사이에 배치되고, 고분자 물질을 포함하는 제2 유전층 및 제2 전극층 상에 배치되며, 고분자 물질을 포함하는 보호층을 포함하고, 제1 전극과 제2 전극은 정전 척 시트의 수직 방향에서 서로 중첩되지 않도록 배치된다.An electrostatic chuck sheet included in an electrostatic chuck for chucking a substrate using electrostatic force according to embodiments of the present invention for solving the above problems is disposed on a first dielectric layer including a polymer material and the first dielectric layer, A first electrode layer including a first electrode made of a conductive metal material, disposed on the second electrode layer, a second electrode layer including a second electrode made of a conductive metal material, disposed between the first electrode layer and the second electrode layer, and a polymer material It is disposed on the second dielectric layer and the second electrode layer including a protective layer including a polymer material, and the first electrode and the second electrode are disposed not to overlap each other in a vertical direction of the electrostatic chuck sheet.
또한, 상기 제1 유전층은 질화규소를 포함한다. In addition, the first dielectric layer includes silicon nitride.
또한, 상기 제2 유전층은 질화규소를 포함한다.In addition, the second dielectric layer includes silicon nitride.
먼저, 본 발명의 실시 예에 따른 정전 척 시트 및 이를 포함하는 정전 척은 제1 유전층에 구비된 유전체에 질화규소가 포함된다. 이로 인해, 유전체의 비저항(체적 저항률)이 증가되어 누설 전류가 감소하므로 아킹 현상이 감소하는 효과가 있다.First, in an electrostatic chuck sheet according to an embodiment of the present invention and an electrostatic chuck including the same, silicon nitride is included in a dielectric provided in a first dielectric layer. Due to this, since the specific resistance (volume resistivity) of the dielectric is increased and the leakage current is reduced, there is an effect of reducing the arcing phenomenon.
본 발명의 실시 예들에 따른 정전 척 시트 및 이를 포함하는 정전 척은 정전기장을 형성하는 두 개의 전극들을 수직 방향으로 서로 중첩되지 않도록 배치하여 전극들 사이의 거리를 확보함으로써, 아킹 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.An electrostatic chuck sheet according to embodiments of the present invention and an electrostatic chuck including the same can prevent an arcing phenomenon by arranging two electrodes that form an electrostatic field in a vertical direction so as not to overlap each other to secure a distance between the electrodes. There is an effect.
본 발명의 실시 예들에 따른 정전 척 시트 및 이를 포함하는 정전 척은 정전기장을 형성하는 두 개의 전극들을 수평 방향에서 교대로 배치함으로써, 전극들이 배치되는 면적을 최대화함으로써 척킹력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.An electrostatic chuck sheet according to embodiments of the present invention and an electrostatic chuck including the same can improve chucking force by alternately arranging two electrodes forming an electrostatic field in a horizontal direction to maximize an area in which the electrodes are disposed there is
본 발명의 효과들은 이상에서 언급된 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 정전 척을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 실시 예들에 따른 정전 척의 동작을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 예들에 따른 정전 척 시트를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 실시 예들에 따른 정전 척 시트를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 실시 예들에 따른 정전 척 시트를 나타낸다.
도 6은 본 발명의 실시 예들에 따른 정전 척 시트의 층들 중에서 전극층들을
제외한 나머지 층의 평면도를 나타낸다.
도 7은 본 발명의 실시 예들에 따른 제1 전극층의 평면도를 나타낸다.
도 8은 본 발명의 실시 예들에 따른 제2 전극층의 평면도를 나타낸다.
도 9는 본 발명의 실시 예들에 따른 두 전극을 위에서 바라본 모습을 나타낸
다.
도 10은 도 8의 A-A'선을 따라 바라본 정전 척 시트의 단면도를 나타낸다
도 11은 본 발명의 유전층의 재료에 따른 누설 전류에 대한 도면이다.
도 12는 본 발명의 유전층의 재료에 따른 비저항에 대한 도면이다.
도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 정전 척 시트의 제조방법을 나타낸 순서도이다.1 shows an electrostatic chuck according to embodiments of the present invention.
2 is a diagram illustrating an operation of an electrostatic chuck according to embodiments of the present invention.
3 shows an electrostatic chuck sheet according to embodiments of the present invention.
4 shows an electrostatic chuck sheet according to embodiments of the present invention.
5 shows an electrostatic chuck sheet according to embodiments of the present invention.
6 illustrates electrode layers among the layers of an electrostatic chuck sheet according to embodiments of the present invention.
The plan view of the remaining floors is shown.
7 shows a plan view of a first electrode layer according to embodiments of the present invention.
8 shows a plan view of a second electrode layer according to embodiments of the present invention.
9 shows a view from above of two electrodes according to embodiments of the present invention
all.
10 is a cross-sectional view of the electrostatic chuck sheet viewed along the line A-A' of FIG. 8;
11 is a diagram of leakage current according to the material of the dielectric layer of the present invention.
12 is a diagram of specific resistance according to the material of the dielectric layer of the present invention.
13 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an electrostatic chuck sheet according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 제한되는 것이 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them, will become clear with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention may be embodied in various forms that are limited to the embodiments disclosed below, and only these embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully indicate the scope of the invention, which is only defined by the scope of the claims.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시 예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다.Terms used in this specification are used to describe specific embodiments and are not intended to limit the present invention. Also, in this specification, singular forms may include plural forms unless the context clearly indicates otherwise.
본 명세서에서 사용되는 "포함한다" 및/또는 "포함하는"은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.As used herein, "comprises" and/or "comprising" does not exclude the presence or addition of one or more other elements other than the recited elements.
본 명세서에서 사용되는 "및/또는"은 언급된 구성요소들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 비록 "제1", "제2"등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.As used herein, “and/or” includes each and every combination of one or more of the recited elements. Although "first", "second", etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms, of course. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, it goes without saying that the first element mentioned below may also be the second element within the technical spirit of the present invention.
도면은 본 발명의 사상을 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 도면에 의해서 본 발명의 범위가 제한되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 또한 도면에서 상대적인 두께, 길이나 상대적인 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위해 과장될 수 있으며, 도면에 표시된 축적 또는 치수에 본 발명의 기술적 사상이 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일한 도면 부호는 동일한 구성 요소를 지칭한다.The drawings are only for understanding the spirit of the present invention, and should not be construed as limiting the scope of the present invention by the drawings. In addition, the relative thickness, length or relative size in the drawings may be exaggerated for convenience and clarity of explanation, and the technical spirit of the present invention is not limited to the scale or dimensions shown in the drawings. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 정전 척을 나타낸다. 도 1을 참조하면, 정전 척은 정전 척 시트(100) 및 베이스 플레이트(200)를 포함할 수 있다.1 shows an electrostatic chuck according to embodiments of the present invention. Referring to FIG. 1 , an electrostatic chuck may include an electrostatic chuck seat 100 and a base plate 200 .
정전 척 시트(100)는 고정 대상이 되는 대상물의 일면에 접촉하여, 정전기력을 통해 대상물을 척킹할 수 있다. 이에 따라, 대상물은 정전 척 시트(100)에 의해 위치가 고정될 수 있다. 이 때, 대상물은 실리콘 웨이퍼(wafer), 인쇄 회로 기판(printed circuit board (PCB)), 글라스 기판 또는 PI(polyimide) 기판 등일 수 있으나, 본 발명의 실시 예들이 대상물의 성질이나 형상에 한정되는 것은 아니다.The electrostatic chuck sheet 100 may contact one surface of an object to be fixed and chuck the object through electrostatic force. Accordingly, the position of the object may be fixed by the electrostatic chuck sheet 100 . At this time, the object may be a silicon wafer, a printed circuit board (PCB), a glass substrate or a PI (polyimide) substrate, but the embodiments of the present invention are not limited to the nature or shape of the object no.
정전 척 시트(100)는 접촉된 대상물의 형상에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 정전 척 시트(100)가 반도체 웨이퍼와 같은 원형의 대상물을 지지하는 경우, 정전 척 시트(100)는 원형으로 형성될 수 있다. 한편, 정전 척 시트(100)가 인쇄 회로 기판과 같은 사각형의 대상물을 지지할 경우, 정전 척 시트(100)는 사각형으로 형성될 수 있다.The electrostatic chuck sheet 100 may have a shape corresponding to the shape of a contacted object. For example, when the electrostatic chuck sheet 100 supports a circular object such as a semiconductor wafer, the electrostatic chuck sheet 100 may be formed in a circular shape. Meanwhile, when the electrostatic chuck sheet 100 supports a rectangular object such as a printed circuit board, the electrostatic chuck sheet 100 may be formed in a rectangular shape.
베이스 플레이트(200)는 정전 척 시트(100)와 결합되어 정전 척 시트(100)를 지지할 수 있다. 실시 예들에 따라, 정전 척 시트(100)와 베이스 플레이트(200)는 볼트와 같은 연결 부재를 통해 연결될 수 있다. 예컨대, 연결 부재는 정전 척 시트(100)를 관통하고, 베이스 플레이트(200)에 일부 수용되어 정전 척 시트(100)와 베이스 플레이트(200)를 서로 결합할 수 있다. 또한, 실시 예들에 따라, 정전 척 시트(100)와 베이스 플레이트(200)는 접착제 또는 점착제를 통해 서로 결합될 수 있다.The base plate 200 may be coupled with the electrostatic chuck sheet 100 to support the electrostatic chuck sheet 100 . According to embodiments, the electrostatic chuck sheet 100 and the base plate 200 may be connected through a connecting member such as a bolt. For example, the connecting member may pass through the electrostatic chuck sheet 100 and be partially accommodated in the base plate 200 to couple the electrostatic chuck sheet 100 and the base plate 200 to each other. Also, according to embodiments, the electrostatic chuck sheet 100 and the base plate 200 may be coupled to each other through an adhesive or a pressure-sensitive adhesive.
베이스 플레이트(200)는 금속 재질일 수 있다. 예컨대, 베이스 플레이트(200)는 알루미늄을 포함하는 금속으로 구성될 수 있다. 이 때, 베이스 플레이트(200)는 정전 척 시트(100)로부터 발생하는 열을 방출시키는 방열부재 로서의 역할을 수행할 수 있다.The base plate 200 may be made of a metal material. For example, the base plate 200 may be made of a metal including aluminum. In this case, the base plate 200 may serve as a heat dissipation member dissipating heat generated from the electrostatic chuck sheet 100 .
도 2는 본 발명의 실시 예들에 따른 정전 척의 동작을 나타내는 도면이다. 2 is a diagram illustrating an operation of an electrostatic chuck according to embodiments of the present invention.
도 2를 참조하면, 정전 척 시트(100)는 전극(EL)을 포함하고, 전극(EL)은 전원과 연결되어, 전원으로부터 전압을 공급받을 수 있다. 예컨대, 전원은 커넥터(connector) 형태로 구성될 수 있다. 또한, 전극(EL)은 서로 전기적으로 분리된 적어도 두 개의 전극들을 포함할 수 있고, 적어도 두 개의 전극들은 서로 다른 부호의 전압을 인가받을 수 있다. 이 때 적어도 두 개의 전극들은 동일한 층에 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 2 , the electrostatic chuck sheet 100 includes an electrode EL, and the electrode EL is connected to a power source to receive a voltage from the power source. For example, the power source may be configured in the form of a connector. Also, the electrode EL may include at least two electrodes electrically separated from each other, and voltages having different codes may be applied to the at least two electrodes. At this time, at least two electrodes may be formed on the same layer, but is not limited thereto.
대상물(300)은 정전 척 시트(100) 상에 안착될 수 있다.The object 300 may be seated on the electrostatic chuck sheet 100 .
전극(EL)에 전압이 인가되면, 전극(EL)에는 전하가 대전될 수 있다.When a voltage is applied to the electrode EL, the electrode EL may be charged.
예컨대, 도 2에 도시된 바와 같이, 좌측 전극에는 (-) 전하가 대전되고, 우측 전극에는 (+) 전하가 대전될 수 있다. 이 때, 대상물(300)의 전극(EL)과 대응하는 부분(예컨대, 표면)에는 반대 부호의 전하가 대전된다. 예컨대, 도 2에 도시된 바와 같이, 좌측 전극에 대응하는 대상물(300)의 부분에는 (+) 전하가 대전되고, 우측 전극에 해당하는 대상물(300)의 부분에는 (-) 전하가 대전될 수 있다.For example, as shown in FIG. 2 , (-) charges may be charged on the left electrode and (+) charges may be charged on the right electrode. At this time, an electric charge of the opposite sign is charged to a portion (eg, surface) corresponding to the electrode EL of the object 300 . For example, as shown in FIG. 2, the portion of the object 300 corresponding to the left electrode is charged with (+) charge, and the portion of the object 300 corresponding to the right electrode may be charged with (-) charge. there is.
정전 척 시트(100)와 대상물(300)의 서로 반대 부호의 전하끼리 작용하는 인력(예컨대, 쿨롱 힘)에 의해 대상물(300)이 정전 척 시트(100)에 척킹될 수 있다. 이에 따라, 정전 척 시트(100)는 인가되는 전압에 응답하여, 대상물(300)을 선택적으로 척킹할 수 있다.The object 300 may be chucked to the electrostatic chuck sheet 100 by an attractive force (eg, Coulomb force) acting between charges of opposite signs between the electrostatic chuck sheet 100 and the object 300 . Accordingly, the electrostatic chuck sheet 100 may selectively chuck the object 300 in response to the applied voltage.
도 3은 본 발명의 실시 예들에 따른 정전 척 시트를 나타낸다.3 shows an electrostatic chuck sheet according to embodiments of the present invention.
도 3을 참조하면, 정전 척 시트(100)는 제1 유전층(110), 제1 전극층(120) 및 제2 유전층(140)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the electrostatic chuck sheet 100 may include a first dielectric layer 110 , a first electrode layer 120 and a second dielectric layer 140 .
제1 유전층(110)은 질화규소(Si3N4)를 포함하는 유전체를 포함할 수 있다. 실시 예들에 따라, 제1 유전층(110)의 유전체는 질화규소 또는 질화규소 복합재료를 포함할 수 있다. 또한, 제1 유전층(110)의 유전체는 복합산화물, 복합질화물로 형성될 수 있다.The first dielectric layer 110 may include a dielectric material including silicon nitride (Si 3 N 4 ). According to example embodiments, the dielectric of the first dielectric layer 110 may include silicon nitride or a silicon nitride composite material. In addition, the dielectric of the first dielectric layer 110 may be formed of a composite oxide or a composite nitride.
이때 제1 유전층(110)의 유전체가 포함하는 상기 복합산화물 및 상기 질화산화물의 중량비는 0.1 이상, 20 이하로 형성될 수 있다.In this case, the weight ratio of the composite oxide and the nitride oxide included in the dielectric of the first dielectric layer 110 may be 0.1 or more and 20 or less.
이때 상기 질화규소 복합재료는, 질화규소, 티타늄(Ti), 질화 티타늄(TiN), 희토류 금속 중 어느 하나를 포함한다. 희토류 금속은 바람직하게는, 란타넘(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 루테튬(Lu) 중 어느 하나 및 이들의 조합을 의미한다.이 상기 질화규소 복합재료로 사용될 수 있다.In this case, the silicon nitride composite material includes any one of silicon nitride, titanium (Ti), titanium nitride (TiN), and rare earth metals. The rare earth metal preferably means any one of lanthanum (La), cerium (Ce), praseodymium (Pr), neodymium (Nd), promethium (Pm), and lutetium (Lu), or a combination thereof. It can be used as a silicon nitride composite material.
또한, 질화규소 또는 질화규소 복합재료로 형성되는 유전체를 포함하는 제1 유전층(110)의 비저항(체적 저항률)은 10E+8 이상, 10E+16이하로 형성될 수 있다.In addition, the specific resistance (volume resistivity) of the first dielectric layer 110 including a dielectric formed of silicon nitride or a silicon nitride composite material may be formed to be 10E+8 or more and 10E+16 or less.
이로 인해, 상대적으로 크기가 큰 대상물(300)을 척킹하기 위하여 정전 척 시트에 상대적으로 고전압이 인가되더라도, 제1 유전층(110)의 비저항이 크기 때문에, 누설 전류의 발생이 감소될 수 있고 아킹 현상을 방지할 수 있다.As a result, even if a relatively high voltage is applied to the electrostatic chuck sheet in order to chuck a relatively large object 300, since the resistivity of the first dielectric layer 110 is high, leakage current can be reduced and arcing can occur. can prevent
한편, 질화규소를 포함하는 유전체를 포함하는 제1 유전층(110)과 관련하여, 도 11은 본 발명의 유전층들(110, 140, 160)의 재료에 따른 누설 전류에 대한 도면이고, 도 12는 본 발명의 유전층들(110, 140, 160)의 재료에 따른 비저항에 대한 도면이다.On the other hand, with respect to the first dielectric layer 110 including a dielectric containing silicon nitride, FIG. 11 is a diagram of leakage current according to the material of the dielectric layers 110, 140 and 160 of the present invention, and FIG. This is a diagram of resistivity according to the material of the dielectric layers 110, 140, and 160 of the invention.
도 11 및 도 12를 참조하면, 제1 유전층(110)의 유전체의 누설 전류는 온도가 증가할수록 증가하고, 유전체의 비저항(체적 저항률)은 온도가 증가할수록 감소한다.Referring to FIGS. 11 and 12 , leakage current of the dielectric of the first dielectric layer 110 increases as the temperature increases, and resistivity (volume resistivity) of the dielectric decreases as the temperature increases.
한편, 제1 유전층(110)의 유전체의 재료의 종류에 따라 같은 온도에서의 누설 전류와 비저항이 달라진다. Meanwhile, leakage current and specific resistance at the same temperature vary according to the type of dielectric material of the first dielectric layer 110 .
도시된 실시 예와 아래 첨부된 표에 따라 유전체의 재료가 각각 산화알루미늄, 질화알루미늄, 질화규소인 경우를 비교하면, 같은 온도에서 유전체의 재료가 질화알루미늄일 때 비저항의 크기가 가장 작고, 질화규소일때 비저항의 크기가 가장 크다.Comparing the illustrated embodiment and the case where the dielectric materials are aluminum oxide, aluminum nitride, and silicon nitride, respectively, according to the table attached below, the resistivity is the smallest when the dielectric material is aluminum nitride at the same temperature, and the resistivity when silicon nitride is used at the same temperature. is the largest in size.
또한, 같은 온도에서 유전체의 재료가 질화알루미늄일 때 누설 전류의 크기가 가장 크고, 질화규소일때 누설 전류의 크기가 가장 작다(아래 표 1).In addition, at the same temperature, when the dielectric material is aluminum nitride, the magnitude of the leakage current is the largest, and when the dielectric material is silicon nitride, the magnitude of the leakage current is the smallest (Table 1 below).
즉, 제1 유전층(110)의 유전체의 재료가 질화규소로 형성되는 경우, 제1 유전층(110)의 비저항의 크기가 크고 누설 전류의 크기가 작아서 아킹 현상을 방지함을 확인할 수 있다.다시 도 3을 참조하면, 제1 유전층(110)은 베이스 플레이트(200)와 접촉될 수 있다. 예컨대, 제1 유전층(110)의 두께는 15 내지 30 ㎛, 바람직하게는 25 ㎛일 수 있으나, 본 발명의 실시 예들이 이에 한정되는 것은 아니다.That is, when the dielectric material of the first dielectric layer 110 is formed of silicon nitride, it can be confirmed that the resistivity of the first dielectric layer 110 is high and the leakage current is small, preventing an arcing phenomenon. Referring to , the first dielectric layer 110 may contact the base plate 200 . For example, the thickness of the first dielectric layer 110 may be 15 to 30 μm, preferably 25 μm, but embodiments of the present invention are not limited thereto.
제1 전극층(120)은 인가되는 전압에 따라 정전기장(electrostatic field)을 형성할 수 있다. 제1 전극층(120)에 의해 생성되는 정전기장에 응답하여, 대상물의 표면에 제1 전극층(120)의 전하와 반대의 전하가 대전되게 되고, 이에 따라 대상물은 정전 척 시트(100)에 의해 척킹될 수 있다.The first electrode layer 120 may form an electrostatic field according to an applied voltage. In response to the electrostatic field generated by the first electrode layer 120, the surface of the object is charged with an electric charge opposite to that of the first electrode layer 120, and accordingly, the object is chucked by the electrostatic chuck sheet 100. It can be.
제1 전극층(120)은 도전성 금속으로 형성되는 제1 전극(121)을 포함할 수 있다. The first electrode layer 120 may include a first electrode 121 formed of a conductive metal.
예컨대, 제1 전극(121)은 구리, 몰리브덴, 텅스텐 또는 몰리브덴-텅스텐 합금을 포함할 수 있다. 제1 전극에는 전압이 인가될 수 있다.For example, the first electrode 121 may include copper, molybdenum, tungsten, or a molybdenum-tungsten alloy. A voltage may be applied to the first electrode.
제1 전극층(120)은 제1 유전층(110) 상에 배치될 수 있다. 이 때, 제1 유전층(110) 및 제1 전극층(120) 사이에 접착층이 배치될 수 있다. 예컨대, 접착층의 두께는 15 내지 30㎛, 바람직하게는 25 ㎛일 수 있으나, 본 발명의 실시 예들이 이에 한정되는 것은 아니다. 실시 예들에 따라, 제1 유전층(110) 및 제1 전극층(120) 사이의 접착층은 250 
제2 유전층(140)은 제1 유전층(110)과 같이 질화규소(Si3N4)를 포함하는 유전체를 포함할 수 있다. 실시 예들에 따라, 제2 유전층(140)의 유전체는 질화규소 또는 질화규소 복합재료로 형성되는 유전체를 포함할 수 있다. 또한, 제2 유전층(140)의 유전체는 복합산화물, 복합질화물로 형성될 수 있다. 제2 유전층(140)을 구성하는 재료에 관한 특성은 제1 유전층(110)에서 설명한 바와 동일하므로 자세한 설명은 생략한다.Like the first dielectric layer 110 , the second dielectric layer 140 may include a dielectric material including silicon nitride (Si 3 N 4 ). According to example embodiments, the dielectric of the second dielectric layer 140 may include a dielectric formed of silicon nitride or a silicon nitride composite material. In addition, the dielectric of the second dielectric layer 140 may be formed of a composite oxide or a composite nitride. Since characteristics of the material constituting the second dielectric layer 140 are the same as those described for the first dielectric layer 110, a detailed description thereof will be omitted.
실시 예들에 따라, 제2 유전층(140)의 두께는 제1 전극층(120)의 두께보다 작을 수 있다. 예컨대, 제1 전극층(120)의 두께는 30 내지 40 ㎛, 바람직하게는 35 ㎛일 수 있고, 제2 유전층(140)의 두께는 15 내지 30 ㎛, 바람직하게는 25 ㎛일 수 있으나, 본 발명의 실시 예들이 이에 한정되는 것은 아니다.In some embodiments, the thickness of the second dielectric layer 140 may be smaller than that of the first electrode layer 120 . For example, the thickness of the first electrode layer 120 may be 30 to 40 μm, preferably 35 μm, and the thickness of the second dielectric layer 140 may be 15 to 30 μm, preferably 25 μm, but the present invention Examples of are not limited thereto.
한편, 질화규소 또는 질화규소 복합재료로 형성되는 유전체를 포함하는 제1, 제2 유전층(110, 140) 및 제1 전극층(120)을 포함하는 정전 척 시트에 고전압, 바람직하게는 1000V를 인가했을 경우, 최소 척킹력이 2.5kg 이상이며, 누설 전류가 존재하지 않을 수 있다.Meanwhile, when a high voltage, preferably 1000 V, is applied to the electrostatic chuck sheet including the first and second dielectric layers 110 and 140 and the first electrode layer 120 including a dielectric formed of silicon nitride or a silicon nitride composite material, The minimum chucking force is 2.5 kg or more, and leakage current may not exist.
도 4는 본 발명의 실시 예들에 따른 정전 척 시트를 나타낸다.4 shows an electrostatic chuck sheet according to embodiments of the present invention.
도 4를 참조하면, 정전 척 시트(100)는 제2 전극층(130) 및 보호층(150)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the electrostatic chuck sheet 100 may further include a second electrode layer 130 and a protective layer 150 .
도 4는 정전 척 시트(100)의 각 층들(110, 120, 130, 140 및 150)의 상대적인 위치를 개념적으로 나타내는 것으로, 실제 단면도는 도 4의 도시된 정전 척 시트(100)와 다를 수 있다.FIG. 4 conceptually shows the relative positions of the respective layers 110, 120, 130, 140, and 150 of the electrostatic chuck sheet 100, and an actual cross-sectional view may be different from that of the electrostatic chuck sheet 100 shown in FIG. .
제2 전극층(130)은 제1 전극층(120)과 마찬가지로 인가되는 전압에 따라 정전기장(electrostatic field)을 형성할 수 있다. 제2 전극층(130)에 의해 생성되는 정전기장에 응답하여, 대상물(300)의 표면에 제2 전극층(130)의 전하와 반대의 전하가 대전되게 되고, 이에 따라 대상물은 정전 척 시트(100)에 의해 척킹될 수 있다.Like the first electrode layer 120, the second electrode layer 130 may form an electrostatic field according to an applied voltage. In response to the electrostatic field generated by the second electrode layer 130, an electric charge opposite to that of the second electrode layer 130 is charged on the surface of the object 300, and accordingly, the object is electrostatic chuck sheet 100. can be chucked by
제2 전극층(130)은 도전성 금속으로 형성되는 제2 전극(122)을 포함할 수 있다. 예컨대, 제2 전극(122)은 구리, 몰리브덴, 텅스텐 또는 몰리브덴-텅스텐 합금을 포함할 수 있다.The second electrode layer 130 may include a second electrode 122 formed of a conductive metal. For example, the second electrode 122 may include copper, molybdenum, tungsten, or a molybdenum-tungsten alloy.
한편, 상술한 제1 전극 및 제2 전극에는 전압이 인가될 수 있는데, 실시 예들에 따라, 제1 전극과 제2 전극에 인가되는 전압의 부호는 서로 다를 수 있다. 다만, 본 발명의 실시 예들이 이에 한정되는 것은 아니다. Meanwhile, voltages may be applied to the above-described first electrode and the second electrode. According to embodiments, signs of voltages applied to the first electrode and the second electrode may be different from each other. However, embodiments of the present invention are not limited thereto.
한편, 제2 전극층(130)은 제1 전극층(120) 상에 배치될 수 있고, 제1 전극층(120)과 제2 전극층(130) 사이에는 제2 유전층(140)이 배치될 수 있다. 제2 유전층(140)은 전극층들(120 및 130)과 접촉될 수 있다.Meanwhile, the second electrode layer 130 may be disposed on the first electrode layer 120, and the second dielectric layer 140 may be disposed between the first electrode layer 120 and the second electrode layer 130. The second dielectric layer 140 may contact the electrode layers 120 and 130 .
한편, 실시 예들에 따라, 제2 유전층(140)은 전극층들(120 및 130) 사이의 단락을 방지하기 위해, 절연 물질을 포함하는 절연층으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 제2 유전층(140)의 유전 상수는 제1 유전층(110)의 유전 상수 이하일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Meanwhile, according to embodiments, the second dielectric layer 140 may be formed of an insulating layer including an insulating material to prevent a short circuit between the electrode layers 120 and 130, but is not limited thereto. For example, the dielectric constant of the second dielectric layer 140 may be less than or equal to the dielectric constant of the first dielectric layer 110, but is not limited thereto.
보호층(150)은 정전 척 시트(100)의 최상부에 위치할 수 있다. 보호층(150)은 정전 척 시트(100)를 외부로부터 보호하기 위한 층으로서, 예컨대, 커버레이(coverlay) 층일 수 있다. 보호층(150)은 정전 척에 의해 고정되는 대상물과 접촉될 수 있다.The protective layer 150 may be positioned on top of the electrostatic chuck sheet 100 . The protective layer 150 is a layer for protecting the electrostatic chuck sheet 100 from the outside, and may be, for example, a coverlay layer. The protective layer 150 may come into contact with an object to be fixed by the electrostatic chuck.
실시 예들에 따라, 보호층(150)은 250 
보호층(150)은 정전 척 시트(100) 상에 장착되는 대상물보다 더 밝은 색상(즉, 더 높은 명도를 갖는 색상)으로 형성될 수 있다. 예컨대, 보호층(150)은 백색일 수 있다.The protective layer 150 may be formed in a color brighter than an object mounted on the electrostatic chuck sheet 100 (ie, a color having higher brightness). For example, the protective layer 150 may be white.
반도체 공정의 경우, 각 공정 마다 대상물(즉, 웨이퍼 또는 기판)이 정확한 위치에 고정되어야 할 필요가 있다. 특히, 반도체 공정 중 패키징(packaging) 공정은 반도체와 회로 기판(예컨대, PCB)을 연결하는 공정으로서, 회로 기판의 정확한 위치에 반도체 칩이 실장되어야 할 필요가 있다. 정확한 위치를 조정하기 위해, 공정 장비는 카메라와 같은 비전 센서를 이용하여 대상물 상의 얼라인 마크(mark)를 인식하여 얼라인을 수행하여야 한다(즉, 비전 얼라인). 이 때, 대상물과 정전 척의 색상이 유사하다면 얼라인 마크가 잘 인식되지 않을 수 있다.In the case of a semiconductor process, an object (that is, a wafer or a substrate) needs to be fixed in an accurate position for each process. In particular, a packaging process among semiconductor processes is a process of connecting a semiconductor and a circuit board (eg, a PCB), and it is necessary to mount a semiconductor chip in an accurate position on the circuit board. In order to accurately adjust the position, the process equipment must perform alignment by recognizing an alignment mark on the object using a vision sensor such as a camera (ie, vision alignment). In this case, if the color of the object and the electrostatic chuck are similar, the alignment mark may not be well recognized.
본 발명의 실시 예들에 따른 정전 척 시트(100)는 백색으로 형성되는 보호층(150)을 포함하므로, 정전 척 시트(100)와 대상물이 육안으로 쉽게 구별될 수 있고, 그 결과 대상물에 대한 비전 얼라인이 쉽게 수행될 수 있는 효과가 있다.Since the electrostatic chuck sheet 100 according to embodiments of the present invention includes the protective layer 150 formed in white, the electrostatic chuck sheet 100 and the object can be easily distinguished with the naked eye, and as a result, the vision for the object There is an effect that alignment can be easily performed.
보호층(150)은 제2 전극층(130) 상에 배치될 수 있다. 이 때, 보호층(150) 및 제2 전극층(130) 사이에 접착층이 배치될 수 있다. 예컨대, 접착층의 두께는 15 내지 30 ㎛, 바람직하게는 25 ㎛일 수 있으나, 본 발명의 실시 예들이 이에 한정되는 것은 아니다. 실시 예들에 따라, 보호층(150) 및 제2 전극층(130) 사이의 접착층은 250 
실시 예들에 따라, 보호층(150)의 두께는 전극층들(120 및 130)의 두께보다 작을 수 있다. 예컨대, 보호층(150)의 두께는 15 내지 30 ㎛, 바람직하게는 25 ㎛일 수 있으나, 본 발명의 실시 예들이 이에 한정되는 것은 아니다.According to embodiments, the thickness of the protective layer 150 may be smaller than the thicknesses of the electrode layers 120 and 130 . For example, the thickness of the protective layer 150 may be 15 to 30 μm, preferably 25 μm, but embodiments of the present invention are not limited thereto.
정전 척 시트(100)는 에어 홀(AH)을 더 포함할 수 있다. 에어 홀(AH)은 정전 척 시트(100)를 전체적으로 관통하도록 생성될 수 있다. 실시 예들에 따라, 에어 홀(AH)은 정전 척 시트(100)의 상부와 하부를 관통하는 홀일 수 있다. 예컨대, 에어 홀(AH)은 제1 유전층(110), 제1 전극층(120), 제2 전극층(130), 제2 유전층(140) 및 보호층(150) 모두를 관통하도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 에어 홀(AH)은 정전 척 시트(100) 하부에 배치되는 베이스 플레이트(200)와 연통될 수 있다.The electrostatic chuck sheet 100 may further include an air hole AH. The air hole AH may be formed to entirely penetrate the electrostatic chuck sheet 100 . According to example embodiments, the air hole AH may be a hole penetrating the upper and lower portions of the electrostatic chuck sheet 100 . For example, the air hole AH may be formed to pass through all of the first dielectric layer 110 , the first electrode layer 120 , the second electrode layer 130 , the second dielectric layer 140 , and the passivation layer 150 . Accordingly, the air hole AH may communicate with the base plate 200 disposed below the electrostatic chuck sheet 100 .
에어 홀(AH)은 정전 척 시트(100) 상에 척킹되는 대상물을 정전 척 시트(100)로부터 분리하기 위해 사용될 수 있다. 예컨대, 정전 척 시트(100)에 전압이 인가되어 대상물이 정전 척 시트(100)에 의해 척킹되면, 이후 전압이 인가되지 않더라도 남아있는 전하에 의해 척킹이 유지될 수가 있다. 이 때, 에어 홀(AH)을 통해 에어가 주입(예컨대, 베이스 플레이트(200)에 형성된 노즐 등을 통해)되면, 주입된 에어에 의한 압력이 에어 홀(AH)을 통해 척킹된 대상물에 가해지게 되고, 그 결과, 척킹된 대상물이 에어의 압력에 의해 정전 척 시트(100)로부터 분리(즉, 디척킹(dechucking))될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예들에 따른 정전 척 시트(100)는 에어 홀(AH)을 구비함으로써, 보다 빠른 디척킹이 가능한 효과가 있다.The air hole AH may be used to separate an object to be chucked on the electrostatic chuck sheet 100 from the electrostatic chuck sheet 100 . For example, when a voltage is applied to the electrostatic chuck sheet 100 and an object is chucked by the electrostatic chuck sheet 100, the chucking may be maintained by remaining charges even if no voltage is applied thereafter. At this time, when air is injected through the air hole (AH) (eg, through a nozzle formed in the base plate 200), the pressure by the injected air is applied to the chucked object through the air hole (AH) As a result, the chucked object may be separated (ie, dechucking) from the electrostatic chuck sheet 100 by air pressure. Accordingly, the electrostatic chuck sheet 100 according to embodiments of the present invention has an air hole AH, so that faster dechucking is possible.
도 5는 본 발명의 실시 예들에 따른 정전 척 시트를 나타낸다. 도 5에 도시된 정전 척 시트(100A)는 도 4의 정전 척 시트(100)와 비교할 때, 하부 유전층(160)을 더 포함하는 차이가 있다. 따라서, 하부 유전층(160)에 대해서만 설명하고, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하도록 한다.5 shows an electrostatic chuck sheet according to embodiments of the present invention. Compared with the electrostatic chuck sheet 100 of FIG. 4 , the electrostatic chuck sheet 100A shown in FIG. 5 further includes a lower dielectric layer 160 . Therefore, only the lower dielectric layer 160 will be described, and descriptions of the same components will be omitted.
한편, 도 5는 정전 척 시트(100A)의 각 층들(110, 120, 130, 140, 150 및 160)의 상대적인 위치를 개념적으로 나타내는 것으로, 실제 단면도는 도 5의 도시된 정전 척 시트(100A)와 다를 수 있다.Meanwhile, FIG. 5 conceptually shows the relative positions of the respective layers 110, 120, 130, 140, 150, and 160 of the electrostatic chuck sheet 100A, and an actual cross-sectional view of the electrostatic chuck sheet 100A shown in FIG. may be different from
하부 유전층(160)은 제1 유전층(110) 하부에 배치될 수 있다. 실시 예들에 따라, 제1 유전층(110)은 하부 유전층(160)의 전면을 커버하도록 하부 유전층(160) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 유전층(110)의 면적은 하부 유전층(160)의 면적보다 클 수 있다.The lower dielectric layer 160 may be disposed below the first dielectric layer 110 . According to example embodiments, the first dielectric layer 110 may be disposed on the lower dielectric layer 160 to cover the entire surface of the lower dielectric layer 160 . For example, the area of the first dielectric layer 110 may be greater than that of the lower dielectric layer 160 .
하부 유전층(160)의 두께는 제1 유전층(110)의 두께보다 클 수 있다. 예컨대, 하부 유전층(160)의 두께는 100 내지 150㎛, 바람직하게는 125 ㎛일 수 있으나, 본 발명의 실시 예들이 이에 한정되는 것은 아니다.A thickness of the lower dielectric layer 160 may be greater than that of the first dielectric layer 110 . For example, the thickness of the lower dielectric layer 160 may be 100 to 150 μm, preferably 125 μm, but embodiments of the present invention are not limited thereto.
제1 유전층(110) 및 하부 유전층(160) 사이에는 접착제를 포함하는 접착층이 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 유전층(110) 및 하부 유전층(160)은 접착층을 통해 서로 접착될 수 있다. 이 때, 제1 유전층(110) 및 하부 유전층(160) 사이의 접착층의 두께는 제1 유전층(110)의 두께보다 작을 수 있다. 예컨대, 접착층의 두께는 10 내지 25 ㎛, 바람직하게는 20 ㎛일 수 있으나, 본 발명의 실시 예들이 이에 한정되는 것은 아니다.An adhesive layer including an adhesive may be disposed between the first dielectric layer 110 and the lower dielectric layer 160 . For example, the first dielectric layer 110 and the lower dielectric layer 160 may be adhered to each other through an adhesive layer. In this case, the thickness of the adhesive layer between the first dielectric layer 110 and the lower dielectric layer 160 may be smaller than that of the first dielectric layer 110 . For example, the thickness of the adhesive layer may be 10 to 25 μm, preferably 20 μm, but embodiments of the present invention are not limited thereto.
실시 예들에 따라, 제1 유전층(110) 및 하부 유전층(160) 사이의 접착층은 250 
도 6은 본 발명의 실시 예들에 따른 정전 척 시트의 층들 중에서 전극층들을 제외한 나머지 층의 평면도를 나타낸다. 즉, 도 6은 정전 척 시트(100)의 비전극층을 나타내고, 상기 비전극층은 유전층들(110, 120), 제2 유전층(140) 및 보호층(150) 중 적어도 하나일 수 있다.6 is a plan view of the remaining layers excluding electrode layers among the layers of an electrostatic chuck sheet according to embodiments of the present invention. That is, FIG. 6 shows the non-electrode layer of the electrostatic chuck sheet 100, and the non-electrode layer may be at least one of the dielectric layers 110 and 120, the second dielectric layer 140, and the protective layer 150.
도 6을 참조하면, 비전극층(110, 120, 150 및 160)은 정전 척 시트(100) 내에 층 형태로 배치될 수 있다. 실시 예들에 따라, 비전극층(110, 120, 150 및 160)에는 비전극층(110, 120, 150 및 160)을 관통하는 에어 홀(AH)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6 , non-electrode layers 110 , 120 , 150 , and 160 may be disposed in a layer form within the electrostatic chuck sheet 100 . According to embodiments, air holes AH penetrating the non-electrode layers 110 , 120 , 150 , and 160 may be formed in the non-electrode layers 110 , 120 , 150 , and 160 .
상술한 바와 같이, 비전극층(110, 120, 150 및 160) 각각 및 이와 이웃하는 층들 사이에는 접착층이 배치될 수 있고, 접착층은 250 
도 7은 본 발명의 실시 예들에 따른 제1 전극층의 평면도를 나타낸다. 7 shows a plan view of a first electrode layer according to embodiments of the present invention.
도 7을 참조하면, 제1 전극층(120)은 제1 전극(121)을 포함할 수 있다. 제1 전극(121)은 전원과 연결되어, 전원으로부터 전압(예컨대, (+) 전압)을 인가받을 수 있다.Referring to FIG. 7 , the first electrode layer 120 may include a first electrode 121 . The first electrode 121 may be connected to a power source and receive a voltage (eg, (+) voltage) from the power source.
제1 전극(121)은 도전성 금속으로 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 전극(121)은 구리, 몰리브덴, 텅스텐 또는 몰리브덴-텅스텐 합금을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The first electrode 121 may be formed of a conductive metal. For example, the first electrode 121 may include copper, molybdenum, tungsten, or a molybdenum-tungsten alloy, but is not limited thereto.
제1 전극(121)은 특정 형상을 갖는 금속 패턴일 수 있다. 실시 예들에 따라, 제1 전극(121)은 정전 척 시트(100) 상의 제1방향으로 연장되는 줄기부(121a) 및 줄기부(121a)로부터 연결 연장되어 제1방향과 교차하는 제2방향으로 연장되는 복수의 가지부들(121b)을 포함할 수 있다. 예컨대, 복수의 가지부들(121b)의 면적은 줄기부(121a)의 면적보다 클 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first electrode 121 may be a metal pattern having a specific shape. According to embodiments, the first electrode 121 may include a stem portion 121a extending in a first direction on the electrostatic chuck sheet 100 and a second direction extending from the stem portion 121a to intersect the first direction. It may include a plurality of extended branch portions 121b. For example, the area of the plurality of branch portions 121b may be larger than the area of the stem portion 121a, but is not limited thereto.
제1 전극(121) 주위로 유전체(133)가 배치될 수 있다. 실시 예들에 따라, 유전체(133)는 제2 유전층(140)과 실질적으로 동일한 물질일 수 있다. 예컨대, 제1 전극(121) 주위로 제2 유전층(140)이 배치될 수 있다. 즉, 제2 유전층(140)의 유전체들은 제1 전극(121)을 에워싸도록 배치될 수 있다.A dielectric 133 may be disposed around the first electrode 121 . In some embodiments, the dielectric 133 may be made of substantially the same material as the second dielectric layer 140 . For example, the second dielectric layer 140 may be disposed around the first electrode 121 . That is, dielectrics of the second dielectric layer 140 may be disposed to surround the first electrode 121 .
에어 홀(AH)은 제1 전극층(120)을 관통하도록 형성될 수 있다. 실시 예들에 따라, 에어 홀(AH)은 제1 전극(121)을 관통하거나, 또는, 제2 유전층(140)을 관통하도록 형성될 수 있다.The air hole AH may be formed to pass through the first electrode layer 120 . According to example embodiments, the air hole AH may be formed to pass through the first electrode 121 or through the second dielectric layer 140 .
도 8은 본 발명의 실시 예들에 따른 제2 전극층(130)의 평면도를 나타낸다. 8 shows a plan view of the second electrode layer 130 according to embodiments of the present invention.
도 8을 참조하면, 제2 전극층(130)은 제2 전극(131)을 포함할 수 있다. 제2 전극(131)은 전원과 연결되어, 전원으로부터 전압(예컨대, (-) 전압)을 인가받을 수 있다.Referring to FIG. 8 , the second electrode layer 130 may include a second electrode 131 . The second electrode 131 may be connected to a power source and receive a voltage (eg, negative (-) voltage) from the power source.
제2 전극(131)은 도전성 금속으로 형성될 수 있다. 예컨대, 제2 전극(131)은 구리, 몰리브덴, 텅스텐 또는 몰리브덴-텅스텐 합금을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The second electrode 131 may be formed of a conductive metal. For example, the second electrode 131 may include copper, molybdenum, tungsten, or a molybdenum-tungsten alloy, but is not limited thereto.
제2 전극(131)은 특정 형상을 갖는 금속 패턴일 수 있다. 실시 예들에 따라, 제2 전극(131)은 정전 척 시트(100) 상의 제1방향으로 연장되는 줄기부(131a) 및 줄기부(131a)로부터 연결 연장되어 제1방향과 교차하는 제2방향으로 연장되는 복수의 가지부들(131b)을 포함할 수 있다. 예컨대, 복수의 가지부들(131b)의 면적은 줄기부(131a)의 면적보다 클 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The second electrode 131 may be a metal pattern having a specific shape. According to embodiments, the second electrode 131 may include a stem portion 131a extending in a first direction on the electrostatic chuck sheet 100 and a second direction extending from the stem portion 131a to intersect the first direction. It may include a plurality of extended branch portions 131b. For example, the area of the plurality of branch parts 131b may be larger than the area of the stem part 131a, but is not limited thereto.
제2 전극(131) 주위로 유전체(133)가 배치될 수 있다. 실시 예들에 따라, 유전체(133)는 제2 유전층(140)과 실질적으로 동일한 물질일 수 있다. 예컨대, 제2 전극(131) 주위로 제2 유전층(140)이 배치될 수 있다. 즉, 층간 유전층(140)의 유전체들은 제2 전극(131)을 에워싸도록 배치될 수 있다.A dielectric material 133 may be disposed around the second electrode 131 . In some embodiments, the dielectric 133 may be made of substantially the same material as the second dielectric layer 140 . For example, the second dielectric layer 140 may be disposed around the second electrode 131 . That is, dielectrics of the interlayer dielectric layer 140 may be disposed to surround the second electrode 131 .
에어 홀(AH)은 제2 전극층(130)을 관통하도록 형성될 수 있다. 실시 예들에 따라, 에어 홀(AH)은 제2 전극(131)을 관통하거나, 또는, 제2 유전층(140)을 관통하도록 형성될 수 있다.The air hole AH may be formed to pass through the second electrode layer 130 . According to example embodiments, the air hole AH may be formed to pass through the second electrode 131 or through the second dielectric layer 140 .
도 9는 본 발명의 실시 예들에 따른 두 전극을 위에서 바라본 모습을 나타내고, 도 10은 도 9의 A-A'선을 따라 바라본 정전 척 시트의 단면도를 나타낸다.FIG. 9 shows a top view of two electrodes according to embodiments of the present invention, and FIG. 10 shows a cross-sectional view of the electrostatic chuck sheet taken along the line AA' of FIG. 9 .
설명의 편의상, 도 9에 두 전극들(121 및 131)을 하나의 평면 상에 도시하였으나, 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이 두 전극들(121 및 131)은 하나의 평면에 속하지 않는다.For convenience of description, although the two electrodes 121 and 131 are shown on one plane in FIG. 9, as described with reference to FIGS. 4 and 5, the two electrodes 121 and 131 do not belong to one plane. .
도 9 및 도 10을 참조하면, 제1 전극(121)과 제2 전극(131)은 정전 척 시트(100)의 수직 방향(또는 적층 방향) 상에서 적어도 부분적으로 서로 중첩되지 않도록 배치될 수 있다.Referring to FIGS. 9 and 10 , the first electrode 121 and the second electrode 131 may be disposed not to overlap each other at least partially in a vertical direction (or stacking direction) of the electrostatic chuck sheet 100 .
두 극성의 전압을 사용하는 정전 척의 경우, 각각의 극성이 인가되는 두 개의 전극이 구비되어야 한다. 이 때, 서로 다른 극성의 전압이 인가되는 두 개의 전극들 사이에 누설 전류가 흐르게 되면, 아크가 발생하여 정전 척이 파손될 수 있는 문제가 있다.In the case of an electrostatic chuck using voltages of two polarities, two electrodes to which respective polarities are applied must be provided. At this time, if a leakage current flows between two electrodes to which voltages of different polarities are applied, an arc may occur and the electrostatic chuck may be damaged.
본 발명의 실시 예들에 따른 정전 척은, 제1 전극(121) 및 제2 전극(131)을 서로 다른 층에 배치함으로써 전극들(121 및 131) 사이의 수직 거리를 확보할 뿐만 아니라, 제1 전극(121) 및 제2 전극(131)을 수직 방향에서 서로 중첩되지 않도록(또는, 최대한 중첩되지 않도록) 배치함으로써 전극들(121 및 131) 사이의 수평 거리를 확보할 수 있다. 이에 따라, 제1 전극(121)과 제2 전극(131) 사이에서 누설 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있어, 아킹(arcing) 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.In the electrostatic chuck according to embodiments of the present invention, by disposing the first electrode 121 and the second electrode 131 on different layers, a vertical distance between the electrodes 121 and 131 is secured, and the first A horizontal distance between the electrodes 121 and 131 may be secured by arranging the electrode 121 and the second electrode 131 so that they do not overlap (or do not overlap each other as much as possible) in the vertical direction. Accordingly, leakage current can be prevented from flowing between the first electrode 121 and the second electrode 131, and thus an arcing phenomenon can be prevented.
실시 예들에 따라, 제1 전극(121) 중 제2 전극(131)과 정전 척 시트(100)의 수직 방향(또는 적층 방향)으로 중첩되는 부분(또는 면적)은 제1 전극(121)의 전 부분(또는 면적)의 10%, 바람직하게는 5%, 더욱 바람직하게는 1% 이하일 수 있다. 마찬가지로, 제2 전극(131) 중 제1 전극(121)과 정전 척 시트(100)의 수직 방향(또는 적층 방향)으로 중첩되는 부분(또는 면적)은 제2 전극(131)의 전 부분(또는 면적)의 10%, 바람직하게는 5%, 더욱 바람직하게는 1% 이하일 수 있다.According to example embodiments, a portion (or area) of the first electrode 121 overlapping the second electrode 131 and the electrostatic chuck sheet 100 in the vertical direction (or stacking direction) is the electrical charge of the first electrode 121. 10% of a portion (or area), preferably 5%, more preferably 1% or less. Similarly, the overlapping portion (or area) of the second electrode 131 in the vertical direction (or stacking direction) of the first electrode 121 and the electrostatic chuck sheet 100 is the entire portion (or area) of the second electrode 131. area) of 10%, preferably 5%, more preferably 1% or less.
제1 전극(121) 및 제2 전극(131)은 정전 척 시트(100)의 수평 방향에서 교대로 배치될 수 있다. 실시 예들에 따라, 제1 전극(121)은 제2 전극(131) 사이에 배치되고, 제2 전극(131)은 제1 전극(121) 사이에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 전극(121)의 가지부(121b) 각각은 제2 전극(131)의 두 개의 가지부들(131b) 사이에 형성되는 영역(또는 공간)에 배치될 수 있고, 또한, 제2 전극(131)의 가지부(131b) 각각은 제1 전극(121)의 두 개의 가지부들(121b) 사이에 형성되는 영역(또는 공간)에 배치될 수 있다.The first electrode 121 and the second electrode 131 may be alternately disposed in the horizontal direction of the electrostatic chuck sheet 100 . According to example embodiments, the first electrode 121 may be disposed between the second electrodes 131 and the second electrode 131 may be disposed between the first electrodes 121 . For example, each of the branch portions 121b of the first electrode 121 may be disposed in a region (or space) formed between the two branch portions 131b of the second electrode 131, and also, the second electrode Each of the branch portions 131b of the first electrode 121 may be disposed in a region (or space) formed between the two branch portions 121b of the first electrode 121 .
정전 척 시트(100)의 척킹력(또는 고정력)은 정전 척 시트(100)와 대상물의 대전되는 전하량에 비례하게 되므로(쿨롱 힘(Cloumb force)), 정전 척 시트(100)에 인가되는 전압 및 정전 척 시트(100) 내의 전극의 면적에 비례할 수 있다. 본 발명의 실시 예들에 따른 정전 척 시트(100)는 제1 전극(121) 및 제2 전극(131)을 수직 방향으로 서로 중첩되지 않도록 배치하여 전극들(121 및 131) 사이의 거리를 확보하여 아킹 현상을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 동시에, 제1 전극(121) 및 제2 전극(131)을 수평 방향에서 교대로 배치함으로써, 전극들(121 및 131)의 면적을 최대화할 수 있으므로 정전 척 시트(100)의 척킹력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Since the chucking force (or fixing force) of the electrostatic chuck sheet 100 is proportional to the amount of charge charged between the electrostatic chuck sheet 100 and the object (Coulomb force), the voltage applied to the electrostatic chuck sheet 100 and It may be proportional to the area of the electrode in the electrostatic chuck sheet 100 . The electrostatic chuck sheet 100 according to embodiments of the present invention arranges the first electrode 121 and the second electrode 131 in a vertical direction so as not to overlap each other to secure a distance between the electrodes 121 and 131, Not only can the arcing phenomenon be prevented, but at the same time, the area of the electrodes 121 and 131 can be maximized by alternately arranging the first electrode 121 and the second electrode 131 in the horizontal direction. There is an effect of improving the chucking force of the sheet 100.
도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 정전 척 시트의 제조방법을 나타낸 순서도이다.13 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an electrostatic chuck sheet according to an embodiment of the present invention.
도 13을 참조하면, 정전 척 시트의 제조방법은 제1 유전층(110), 제1 전극층(120) 및 제2 유전층(140)이 각각 제조된 후 적층되어 함께 동시 소성된다.Referring to FIG. 13 , in the manufacturing method of the electrostatic chuck sheet, the first dielectric layer 110 , the first electrode layer 120 , and the second dielectric layer 140 are individually manufactured, then laminated, and co-fired together.
즉, 질화규소를 포함하는 제1 유전층을 형성하고(S100), 제1 유전층(110)의 상면에 제1 전극층(120)을 배치하며(S200), 제1 전극층(120) 상에 질화규소를 포함하는 제2 유전층(140)을 배치하여(S300). 이를 고온에서 동시 소성하여 소결한다(S400).That is, a first dielectric layer containing silicon nitride is formed (S100), the first electrode layer 120 is disposed on the upper surface of the first dielectric layer 110 (S200), and silicon nitride is formed on the first electrode layer 120. By disposing the second dielectric layer 140 (S300). It is sintered by simultaneous firing at a high temperature (S400).
제1 유전층(110), 제1 전극층(120) 및 제2 유전층(140)에 대한 설명은 앞서 설명한 바와 동일하므로 생략한다.Descriptions of the first dielectric layer 110, the first electrode layer 120, and the second dielectric layer 140 are the same as those described above, and thus are omitted.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely an example of the technical idea of the present invention, and various modifications and variations can be made to those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed according to the claims below, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.
100: 정전 척 시트
200: 베이스 플레이트
110: 제1 유전층
120: 제1 전극층
130; 제2 전극층
140: 제2 유전층
150: 보호층
160: 하부 유전층100: electrostatic chuck seat 200: base plate
110: first dielectric layer 120: first electrode layer
130; Second electrode layer 140: second dielectric layer
150: protective layer 160: lower dielectric layer
Claims (19)
질화규소를 포함하는 제1 유전층;
상기 제1 유전층 상에 배치되는 제1 전극층; 및
상기 제1 전극층 상에 배치되며, 질화규소를 포함하는 제2 유전층을 포함하는,
정전 척 시트.In the electrostatic chuck sheet included in the electrostatic chuck for chucking a substrate using electrostatic force,
A first dielectric layer containing silicon nitride;
a first electrode layer disposed on the first dielectric layer; and
Disposed on the first electrode layer and comprising a second dielectric layer containing silicon nitride,
Electrostatic chuck seat.
상기 제1 유전층 또는 상기 제2 유전층 중 적어도 하나는, 복합산화물 및 질화산화물을 포함하며,
상기 복합산화물 및 질화산화물의 중량비가 0.1 이상, 20 이하로 형성되는,
정전 척 시트.According to claim 1,
At least one of the first dielectric layer and the second dielectric layer includes a composite oxide and a nitride oxide;
The weight ratio of the composite oxide and nitride oxide is formed to be 0.1 or more and 20 or less,
Electrostatic chuck seat.
상기 제1 유전층 또는 상기 제2 유전층 중 적어도 하나는, 비저항이 10^8Ωcm 이상, 10^16Ωcm 이하를 갖는,
정전 척 시트.According to claim 1,
At least one of the first dielectric layer and the second dielectric layer has a specific resistance of 10^8Ωcm or more and 10^16Ωcm or less,
Electrostatic chuck seat.
상기 제1 유전층 또는 상기 제2 유전층 중 적어도 하나는, 티타늄을 포함하는,
정전 척 시트.According to claim 1,
At least one of the first dielectric layer or the second dielectric layer includes titanium,
Electrostatic chuck seat.
상기 제1 유전층 또는 상기 제2 유전층 중 적어도 하나는, 질화티타늄을 포함하는,
정전 척 시트.According to claim 1,
At least one of the first dielectric layer or the second dielectric layer includes titanium nitride,
Electrostatic chuck seat.
상기 제1 유전층 또는 상기 제2 유전층 중 적어도 하나는, 희토류 금속을 포함하는,
정전 척 시트.According to claim 1,
At least one of the first dielectric layer and the second dielectric layer includes a rare earth metal,
Electrostatic chuck seat.
상기 전극층은,
텅스텐, 몰리브덴 및 몰리브덴텅스텐으로 형성되는,
정전 척 시트.According to any one of claims 1 to 6,
The electrode layer,
Formed from tungsten, molybdenum and molybdenum tungsten,
Electrostatic chuck seat.
상기 제1 전극층은
도전성 금속 재질의 제1 전극을 구비하고,
상기 정전 척 시트는,
상기 제1 전극과 상기 정전 척 시트의 수직 방향에서 서로 중첩되지 않도록 형성되는 도전성 금속 재질의 제2 전극을 구비하고, 상기 제2 유전체층 상에 배치되는, 제2 전극층; 및
상기 제2 전극층 상에 배치되는 보호층을 더 포함하는,
정전 척 시트.According to claim 1,
The first electrode layer is
A first electrode made of a conductive metal is provided;
The electrostatic chuck sheet,
a second electrode layer having a second electrode made of a conductive metal material formed so as not to overlap each other in a vertical direction of the first electrode and the electrostatic chuck sheet, and disposed on the second dielectric layer; and
Further comprising a protective layer disposed on the second electrode layer,
Electrostatic chuck seat.
상기 보호층은 250℃ 이상, 바람직하게는 350℃ 이상의 온도에서 내열성을 갖는 고분자 물질을 포함하는,
정전 척 시트.According to claim 8,
The protective layer comprises a polymer material having heat resistance at a temperature of 250 ° C or higher, preferably 350 ° C or higher,
Electrostatic chuck seat.
상기 보호층은 폴리이미드(polyimide)를 포함하는,
정전 척 시트.According to claim 8,
The protective layer includes polyimide,
Electrostatic chuck seat.
상기 정전 척 시트는 접착층을 더 포함하고,
상기 접착층은 상기 제1 유전층 및 상기 제1 전극층 사이 및 상기 제2 전극층 및 상기 보호층 사이에 배치되는,
정전 척 시트.According to claim 8,
The electrostatic chuck sheet further includes an adhesive layer;
The adhesive layer is disposed between the first dielectric layer and the first electrode layer and between the second electrode layer and the protective layer,
Electrostatic chuck seat.
상기 접착층은 250℃ 이상, 바람직하게는 350℃ 이상의 온도에서 내열성을 갖는 고분자 물질을 포함하는,
정전 척 시트.According to claim 11,
The adhesive layer comprises a polymer material having heat resistance at a temperature of 250 ° C or higher, preferably 350 ° C or higher,
Electrostatic chuck seat.
상기 정전 척 시트는,
상기 제1 유전층 하부에 배치되고, 고분자 물질을 포함하는 하부 유전층을 더 포함하는,
정전 척 시트.According to claim 8,
The electrostatic chuck sheet,
Further comprising a lower dielectric layer disposed under the first dielectric layer and including a polymer material,
Electrostatic chuck seat.
상기 제1 유전층의 두께는 상기 하부 유전층의 두께보다 작은,
정전 척 시트.According to claim 13,
The thickness of the first dielectric layer is smaller than the thickness of the lower dielectric layer,
Electrostatic chuck seat.
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 정전 척 시트의 수평 방향에서 교대로 배치되는,
정전 척 시트.According to claim 8,
The first electrode and the second electrode are alternately disposed in the horizontal direction of the electrostatic chuck sheet.
Electrostatic chuck seat.
상기 제1 전극은 제1 줄기부 및 상기 제1 줄기부로부터 연장되는 복수의 제1 가지부들을 포함하고,
상기 제2 전극은 제2 줄기부 및 상기 제2 줄기부로부터 연장되는 복수의 제2 가지부들을 포함하고,
상기 제1 가지부들 각각은 상기 제2 가지부들 중 두 개의 가지부들 사이에 형성되는 공간에 배치되고,
상기 제2 가지부들 각각은, 상기 제1 가지부들 중 두 개의 가지부들 사이에 형성되는 공간에 배치되는,
정전 척 시트.According to claim 8,
The first electrode includes a first stem portion and a plurality of first branch portions extending from the first stem portion;
The second electrode includes a second stem and a plurality of second branches extending from the second stem,
Each of the first branch parts is disposed in a space formed between two of the second branch parts,
Each of the second branch parts is disposed in a space formed between two of the first branch parts,
Electrostatic chuck seat.
상기 제1 가지부들 및 상기 제2 가지부들 각각은 상기 정전 척 시트의 수직 방향에서 서로 중첩되지 않도록 배치되는,
정전 척 시트.According to claim 16,
Each of the first branch parts and the second branch parts are disposed not to overlap each other in a vertical direction of the electrostatic chuck sheet.
Electrostatic chuck seat.
상기 제1 유전층, 상기 제1 전극층, 상기 제2 전극층, 상기 제2 유전층 및 상기 보호층을 모두 관통하는 에어 홀을 더 포함하는,
정전 척 시트.According to claim 15,
Further comprising an air hole penetrating all of the first dielectric layer, the first electrode layer, the second electrode layer, the second dielectric layer, and the protective layer,
Electrostatic chuck seat.
질화규소를 포함하는 제1 유전층을 형성하는 단계;
상기 제1 유전층의 상면에 제1 전극층을 배치하는 단계;
상기 제1 전극층 상에 배치되며, 질화규소를 포함하는 제2 유전층 형성하는 단계; 및
상기 제1 유전층, 상기 제1 전극층 및 상기 제2 유전층을 고온에서 동시 소성하여 소결하는 단계를 포함하는,
정전 척 시트 제조방법.
In the method of manufacturing an electrostatic chuck sheet included in an electrostatic chuck for chucking a substrate using electrostatic force,
forming a first dielectric layer comprising silicon nitride;
disposing a first electrode layer on an upper surface of the first dielectric layer;
forming a second dielectric layer disposed on the first electrode layer and containing silicon nitride; and
Comprising the step of co-firing and sintering the first dielectric layer, the first electrode layer and the second dielectric layer at a high temperature,
Method for manufacturing an electrostatic chuck seat.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220014806A KR20230118342A (en) | 2022-02-04 | 2022-02-04 | Electrostatic sheet and electrostatic chuk including the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220014806A KR20230118342A (en) | 2022-02-04 | 2022-02-04 | Electrostatic sheet and electrostatic chuk including the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230118342A true KR20230118342A (en) | 2023-08-11 |
Family
ID=87565935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020220014806A KR20230118342A (en) | 2022-02-04 | 2022-02-04 | Electrostatic sheet and electrostatic chuk including the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20230118342A (en) |
-
2022
- 2022-02-04 KR KR1020220014806A patent/KR20230118342A/en not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20180068330A (en) | Electrostatic chuck | |
| KR101001454B1 (en) | Electrostatic Chuck and Manufacturing Device of Organic Light Emitting Diode Having the Same | |
| US11631597B2 (en) | Holding apparatus | |
| US20190305205A1 (en) | Power Module Having Reduced Susceptibility to Defects, and Use Thereof | |
| JP2012510157A (en) | Electrostatic chuck | |
| CN103828079A (en) | Carrier device, electrical device having a carrier device and method for producing same | |
| CN103890866B (en) | ESD protective component and component comprising ESD protective component and LED | |
| JP2016207979A (en) | Electrostatic chuck | |
| KR19990062932A (en) | Electrostatic adsorption system | |
| KR20200027897A (en) | Ceramics substrate and electrostatic chuck | |
| US7352554B2 (en) | Method for fabricating a Johnsen-Rahbek electrostatic wafer clamp | |
| US20080225449A1 (en) | Electrostatic discharge protection component, and electronic component module using the same | |
| KR20230118342A (en) | Electrostatic sheet and electrostatic chuk including the same | |
| JP7301009B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
| US11083089B1 (en) | Integrated device package | |
| US11950329B2 (en) | Holding device | |
| KR20220128163A (en) | Electrostatic sheet and electrostatic chuck including the same | |
| JPH0983141A (en) | Method of manufacturing ceramic multi-layered substrate | |
| US7221549B2 (en) | Circuitry for protecting electronic circuits against electrostatic discharges and methods of operating the same | |
| CN113973428A (en) | Semiconductor device package and method of assembling the same | |
| KR20150146065A (en) | Manufacturing method of ceramic elctro-static chuck using printing | |
| US20110061902A1 (en) | Circuit board and method of manufacturing the same | |
| US20080224815A1 (en) | Electrostatic discharge protection component, and electronic component module using the same | |
| KR20210032217A (en) | Electrostatic Chuck And Inspection Apparatus Using The Same | |
| EP3457434A1 (en) | Semiconductor substrate for a power semiconductor module arrangement and method for producing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal |