KR20230095239A - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20230095239A
KR20230095239A KR1020210184514A KR20210184514A KR20230095239A KR 20230095239 A KR20230095239 A KR 20230095239A KR 1020210184514 A KR1020210184514 A KR 1020210184514A KR 20210184514 A KR20210184514 A KR 20210184514A KR 20230095239 A KR20230095239 A KR 20230095239A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cathodes
layer
encapsulation layer
cathode
disposed
Prior art date
Application number
KR1020210184514A
Other languages
English (en)
Inventor
정연제
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020210184514A priority Critical patent/KR20230095239A/ko
Publication of KR20230095239A publication Critical patent/KR20230095239A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • H10K50/8445Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40OLEDs integrated with touch screens

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 복수의 서브 화소를 포함하는 표시 영역 및 표시 영역 외곽에 비표시 영역을 포함하는 기판, 복수의 서브 화소에 배치되는 복수의 애노드, 복수의 애노드의 가장자리를 덮도록 배치되는 뱅크, 복수의 애노드 상에 배치되는 유기 발광층, 유기 발광층 상에 배치되고, 복수의 애노드에 대응하는 복수의 제1 캐소드 및 제1 방향으로 연장된 신호 배선에 대응하는 복수의 제2 캐소드를 포함하는 캐소드, 캐소드 상에 배치된 봉지부 및 봉지부 상에 터치부를 포함한다. 따라서, 캐소드가 패터닝되어 캐소드의 들뜸 문제를 최소화할 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 캐소드의 들뜸을 최소화하고, 신뢰성이 개선된 표시 장치에 관한 것이다.
현재 본격적인 정보화 시대로 접어들면서 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시 장치 분야가 급속도로 발전하고 있으며, 여러 가지 표시 장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다.
이러한 다양한 표시 장치 중, 유기 표시 장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암 대비비(contrast ratio; CR)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 캐소드의 들뜸을 최소화할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 유기 발광층으로 투습을 최소화하여 신뢰도가 향상된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 터치 노이즈가 저감된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 복수의 서브 화소를 포함하는 표시 영역 및 표시 영역 외곽에 비표시 영역을 포함하는 기판, 복수의 서브 화소에 배치되는 복수의 애노드, 복수의 애노드의 가장자리를 덮도록 배치되는 뱅크, 복수의 애노드 상에 배치되는 유기 발광층, 유기 발광층 상에 배치되고, 복수의 애노드에 대응하는 복수의 제1 캐소드 및 제1 방향으로 연장된 신호 배선에 대응하는 복수의 제2 캐소드를 포함하는 캐소드, 캐소드 상에 배치된 봉지부 및 봉지부 상에 터치부를 포함한다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명은 유기 발광층이 봉지부와 접촉하여 캐소드와 유기 발광층 사이의 접착력을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 캐소드를 패터닝하고, 캐소드 사이의 공간에 봉지부가 배치되어 캐소드의 들뜸을 억제할 수 있다.
본 발명은 무기 봉지층의 길이가 증가되어 표시 장치의 투습을 최소화할 수 있다.
본 발명은 신호 배선과 대응하는 캐소드를 배치하여 터치부와 신호 배선 사이 신호 간섭을 최소화할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역에 대한 확대 평면도이다.
도 3은 도 2의 III-III'에 따른 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역에 대한 확대 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고, 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형상으로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 면적, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 면적 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 면적 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 구성도이다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 표시 장치(100)의 다양한 구성 요소 중 표시 패널(PN), 게이트 드라이버(GD), 데이터 드라이버(DD) 및 타이밍 컨트롤러(TC)만을 도시하였다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 복수의 서브 화소(SPX)를 포함하는 표시 패널(PN), 표시 패널(PN)에 각종 신호를 공급하는 게이트 드라이버(GD) 및 데이터 드라이버(DD), 게이트 드라이버(GD)와 데이터 드라이버(DD)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(TC)를 포함한다.
게이트 드라이버(GD)는 타이밍 컨트롤러(TC)로부터 제공된 복수의 게이트 제어 신호(GCS)에 따라 복수의 스캔 배선(SL)에 복수의 스캔 신호를 공급한다. 복수의 스캔 신호는 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)를 포함할 수 있고, 스캔 신호에는 발광 제어 신호가 포함될 수 있다. 도 1에서는 하나의 게이트 드라이버(GD)가 표시 패널(PN)의 일 측에 이격되어 배치된 것으로 도시하였으나, 게이트 드라이버(GD)는 GIP(Gate In Panel) 방식으로 배치될 수도 있으며, 게이트 드라이버(GD)의 개수 및 배치는 이에 제한되지 않는다.
데이터 드라이버(DD)는 타이밍 컨트롤러(TC)로부터 제공된 복수의 데이터 제어 신호(DCS)에 따라 타이밍 컨트롤러(TC)로부터 입력되는 영상 데이터(RGB)를 기준 감마 전압을 이용하여 데이터 신호로 변환한다. 그리고 데이터 드라이버(DD)는 변환된 데이터 신호를 복수의 데이터 배선(DL)에 공급할 수 있다.
타이밍 컨트롤러(TC)는 외부로부터 입력된 영상 데이터(RGB)를 정렬하여 데이터 드라이버(DD)에 공급한다. 타이밍 컨트롤러(TC)는 외부로부터 입력되는 동기 신호(SYNC), 예를 들어 도트 클럭 신호, 데이터 인에이블 신호, 수평/수직 동기 신호를 이용해 게이트 제어 신호(GCS) 및 데이터 제어 신호(DCS)를 생성할 수 있다. 그리고 타이밍 컨트롤러(TC)는 생성된 게이트 제어 신호(GCS) 및 데이터 제어 신호(DCS)를 게이트 드라이버(GD) 및 데이터 드라이버(DD)에 각각 공급하여 게이트 드라이버(GD) 및 데이터 드라이버(DD)를 제어할 수 있다.
표시 패널(PN)은 사용자에게 영상을 표시하기 위한 구성으로, 복수의 서브 화소(SPX)를 포함한다. 표시 패널(PN)에서 복수의 스캔 배선(SL) 및 복수의 데이터 배선(DL)이 서로 교차되고, 복수의 서브 화소(SPX) 각각은 스캔 배선(SL) 및 데이터 배선(DL)에 연결된다. 이 외에도 도면에 도시되지는 않았으나 복수의 서브 화소(SPX) 각각은 고전위 전원 배선(PL), 저전위 전원 배선, 초기화 신호 배선(IL), 발광 제어 신호 배선(EL) 등에 연결될 수 있다.
복수의 서브 화소(SPX)는 화면을 구성하는 최소 단위로, 복수의 서브 화소(SPX) 각각은 발광 소자 및 이를 구동하기 위한 화소 회로를 포함한다. 복수의 발광 소자는 표시 패널(PN)의 종류에 따라 상이하게 정의될 수 있으며, 예를 들어, 표시 패널(PN)이 유기 발광 표시 패널인 경우, 발광 소자는 애노드, 유기층 및 캐소드를 포함하는 유기 발광 소자일 수 있다. 이외에도 발광 소자로 퀀텀닷(Quantum dot, QD)이 포함된 퀀텀닷 발광 소자(Quantum dot light-emitting diode, QLED) 등이 더 사용될 수도 있다. 이하에서는 발광 소자가 유기 발광 소자인 것으로 가정하여 설명하기로 하나, 발광 소자의 종류는 이에 제한되지 않는다.
화소 회로는 발광 소자의 구동을 제어하기 위한 회로이다. 화소 회로는 예를 들어, 복수의 트랜지스터 및 커패시터를 포함하여 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이하에서는 도 2 및 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 서브 화소(SPX)를 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다. 도 3은 도 2의 III-III'에 따른 단면도이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 기판(110), 버퍼층(111), 게이트 절연층(112), 층간 절연층(113), 패시베이션층(114), 평탄화층(115), 뱅크(116), 제1 무기 절연층(151), 제1 유기 절연층(152), 제2 무기 절연층(153), 터치 센싱층(161), 제1 터치 전극(162), 제2 터치 전극(163), 연결 전극(164), 트랜지스터(T), 및 발광 소자(OLED)를 포함한다. 도 2에서는 설명의 편의를 위해 서브 화소(SPX)에 배치된 구성 중 캐소드(140)만을 도시하였다. 그리고 도 3에서는 설명의 편의를 위해 화소 회로의 복수의 트랜지스터 및 커패시터 중 하나의 트랜지스터(T)만을 도시하였다.
도 2를 참조하면, 복수의 서브 화소(SPX)는 빛을 발광하는 개별 단위로, 복수의 서브 화소(SPX) 각각에는 발광 소자가 배치된다. 복수의 서브 화소(SPX)는 서로 다른 색상의 광을 발광하는 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)를 포함한다. 예를 들어, 제1 서브 화소(SP1)는 적색 서브 화소이고, 제2 서브 화소(SP2)는 녹색 서브 화소이며, 제3 서브 화소(SP3)는 청색 서브 화소일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
복수의 서브 화소(SPX)는 펜타일(pentile) 구조로 형성될 수 있다. 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)는 사각형의 평면 형태로 형성될 수 있다. 또한, 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 중에서 제3 서브 화소(SP3)의 크기가 가장 크며, 제1 서브 화소(SP1)의 크기가 가장 작을 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 복수의 서브 화소(SPX)는 다른 구조로 형성될 수도 있다.
도 3b를 참조하면, 기판(110)은 표시 장치(100)의 다른 구성 요소를 지지하기 위한 지지 부재로, 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 유리 또는 수지 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(110)은 고분자 또는 폴리이미드(Polyimide, PI) 등과 같은 플라스틱을 포함하여 이루어질 수도 있고, 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 물질로 이루어질 수도 있다.
기판(110) 상에 버퍼층(111)이 배치된다. 버퍼층(111)은 기판(110)을 통한 수분 또는 불순물의 침투를 저감할 수 있다. 버퍼층(111)은 예를 들어, 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 다만, 버퍼층(111)은 기판(110)의 종류나 트랜지스터의 종류에 따라 생략될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.
버퍼층(111) 상에 트랜지스터(T)가 배치된다. 트랜지스터(T)는 액티브층(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다.
액티브층(ACT)은 산화물 반도체, 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘 등과 같은 반도체 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 액티브층(ACT)이 산화물 반도체로 형성된 경우, 액티브층(ACT)은 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역으로 이루어지고, 소스 영역 및 드레인 영역은 도체화된 영역일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
액티브층(ACT) 상에 게이트 절연층(112)이 배치된다. 게이트 절연층(112)은 액티브층(ACT)과 게이트 전극(GE)을 절연시키기 위한 절연층으로, 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
게이트 절연층(112) 상에 게이트 전극(GE)이 배치된다. 게이트 전극(GE)은 도전성 물질, 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 또는 이에 대한 합금으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
게이트 전극(GE) 상에 층간 절연층(113)이 배치된다. 층간 절연층(113)에는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 각각이 액티브층(ACT)에 접속하기 위한 컨택홀이 형성된다. 층간 절연층(113)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
층간 절연층(113) 상에 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 배치된다. 서로 이격되어 배치된 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 액티브층(ACT)과 전기적으로 연결될 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 도전성 물질, 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 또는 이에 대한 합금으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 상에 패시베이션층(114)이 배치된다. 패시베이션층(114)은 패시베이션층(114) 하부의 구성을 보호하기 위한 절연층이다. 예를 들어, 패시베이션층(114)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 또한, 패시베이션층(114)은 실시예에 따라 생략될 수도 있다.
패시베이션층(114) 상에 평탄화층(115)이 배치된다. 평탄화층(115)은 기판(110)의 상부를 평탄화하는 절연층이다. 평탄화층(115)은 유기 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 폴리이미드(Polyimide) 또는 포토아크릴(Photo Acryl)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
평탄화층(115) 상에서 복수의 서브 화소(SPX) 각각에 복수의 발광 소자(OLED)가 배치된다. 발광 소자(OLED)는 애노드(120), 유기 발광층(130) 및 캐소드(140)를 포함한다.
평탄화층(115) 상에 애노드(120)가 배치된다. 애노드(120)는 트랜지스터와 전기적으로 연결되어, 구동 전류를 공급받을 수 있다. 애노드(120)는 유기 발광층(130)에 정공을 공급하므로, 일함수가 높은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 애노드(120)는 예를 들어, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO) 등과 같은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
한편, 표시 장치(100)는 탑 에미션(Top Emission) 또는 바텀 에미션(Bottom Emission) 방식으로 구현될 수 있다. 탑 에미션 방식인 경우, 유기 발광층(130)으로부터 발광된 광이 애노드(120)에 반사되어 상부 방향, 즉, 캐소드(CAT) 측을 향하도록, 애노드(120)의 하부에 반사 효율이 우수한 금속 물질, 예를 들어, 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 물질로 이루어진 반사층이 추가될 수 있다. 반대로, 표시 장치(100)가 바텀 에미션 방식인 경우, 애노드(120)는 투명 도전성 물질로만 이루어질 수 있다. 이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)가 탑 에미션 방식인 것으로 가정하여 설명하기로 한다.
애노드(120) 및 평탄화층(115) 상에 뱅크(116)가 배치된다. 뱅크(116)는 복수의 서브 화소(SPX)를 구분하기 위해, 복수의 서브 화소(SPX) 사이에 배치된 절연층이다. 뱅크(116)는 애노드(120)의 일부를 노출시키는 개구부를 포함한다. 뱅크(116)는 애노드(120)의 엣지 또는 가장자리 부분을 덮도록 배치된 유기 절연 물질일 수 있다. 뱅크(116)는 예를 들어, 폴리이미드(polyimide), 아크릴(acryl) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)계 수지로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
애노드(120) 및 뱅크(116) 상에 유기 발광층(130)이 배치된다. 유기 발광층(130)은 특정 색상의 광을 발광하기 위한 유기층으로, 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 각각에 서로 다른 발광층(123)이 배치될 수도 있다. 예를 들어, 제1 서브 화소(SP1)에 청색 발광층이 배치되고, 제2 서브 화소(SP2)에 녹색 발광층이 배치되며, 제3 서브 화소(SP3)에는 적색 발광층이 배치될 수 있다.
유기 발광층(130)은 복수의 서브 화소(SPX)의 전 영역에 연속적으로 배치될 수 있다. 유기 발광층(130)은 각각의 서브 화소(SPX)에만 대응하여 배치될 뿐만 아니라 인접한 서브 화소(SPX) 사이 영역에도 배치될 수 있다. 따라서, 유기 발광층(130)은 애노드(120)와 대응하는 영역 및 뱅크(116)와 대응하는 영역에도 배치될 수 있다.
유기 발광층(130) 상에 캐소드(140)가 배치된다. 캐소드(140)는 유기 발광층(130)에 전자를 공급하므로, 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
캐소드(140)는 예를 들어, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO) 등과 같은 투명 도전성 물질 또는 MgAg와 같은 금속 합금이나 이테르븀(Yb) 합금 등으로 형성될 수 있고, 금속 도핑층이 더 포함될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다. 한편, 도면에 도시되지는 않았으나, 캐소드(140)는 저전위 전원 배선과 전기적으로 연결되어 저전위 전원 신호(EVSS)를 공급받을 수 있다.
도 2 및 도 3을 함께 참조하면, 캐소드(140)는 제1 캐소드(141) 및 제2 캐소드(142)를 포함한다.
도 2를 참조하면, 복수의 제1 캐소드(141)는 복수의 서브 화소(SPX)에 배치된 복수의 애노드(120)에 대응하도록 배치된다. 예를 들어, 복수의 서브 화소(SPX) 각각이 사각형의 평면 형태인 경우 제1 캐소드(141)의 형태도 모서리가 라운드된 사각형의 평면 형태를 가질 수 있으나, 팔각형의 평면 형태도 가능하다.
복수의 제2 캐소드(142)는 제1 방향(X)으로 연장된 신호 배선에 대응하도록 배치된다. 제1 방향(X)은 스캔 배선들(SL)과 나란한 방향이고, 제2 방향(Y)은 데이터 배선들(DL)과 나란한 방향일 수 있다. 신호 배선은 교류 신호가 전달되는 배선일 수 있다. 예를 들어, 신호 배선은 복수의 스캔 배선(SL) 또는 트랜지스터(T)의 게이트 전극(GE)에 연결된 발광 제어 배선일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 제2 캐소드(142)는 직선 형상일 수 있다.
복수의 제2 캐소드(142)는 복수의 제1 캐소드(141) 중 제1 방향(X)으로 인접한 2 개의 제1 캐소드(141)를 연결하도록 배치된다. 복수의 제1 캐소드(141)는 복수의 제2 캐소드(142)와 서로 연결되어 일체로 이루어질 수 있다. 도 2에서는 제1 방향(X)으로 인접한 2 개의 제1 캐소드(141)를 하나의 제2 캐소드(142)를 통해 연결된 것으로 도시되었으나, 신호 배선의 개수에 따라 제1 방향(X)으로 인접한 2 개의 제1 캐소드(141) 사이에 하나 이상의 제2 캐소드(142)가 배치되는 것도 가능하다.
도 3을 참조하면, 제1 캐소드(141)의 끝단은 뱅크(116)의 상면 상에 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 제1 캐소드(141)는 뱅크(116)의 측면까지만 배치될 수도 있다.
캐소드(140) 상에는 수분이나 산소에 의해 발광 소자(OLED)가 열화되는 것을 최소화하기 위해 봉지부(150)가 배치된다. 봉지부(150)는 발광 소자(OLED)의 상부면을 평탄화하고, 캐소드(140)와 터치부(160) 사이의 이격 공간을 충진한다. 봉지부(150)은 무기 절연 물질로 형성된 무기층과 유기 물질로 형성된 유기층이 적층된 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 봉지부(150)는 제1 무기 봉지층(151), 제1 유기 봉지층(152) 및 제2 무기 봉지층(153)을 포함하는 삼중층 구조일 수 있다.
제1 무기 봉지층(151) 및 제2 무기 봉지층(153)은 각각 질화 실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 또는 산화 알루미늄(Al2O3) 중에서 선택된 1종 이상으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들면, 제1 유기 봉지층(152)은 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 및 실리콘 옥시 카본(SiOC) 중에서 선택된 1종 이상으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제1 무기 봉지층(151)은 복수의 제1 캐소드(141) 및 복수의 제2 캐소드(142)의 상면 및 측면에 접하도록 배치된다. 캐소드(140)가 패터닝되므로, 제1 무기 봉지층(151)은 제1 캐소드(141) 및 제2 캐소드(142) 상면뿐만 아니라, 측면에 접할 수 있다. 또한, 제1 캐소드(141) 및 제2 캐소드(142)가 배치되지 않은 유기 발광층(130) 상면에 제1 무기 봉지층(151)이 배치될 수 있다.
봉지부(150) 상에는 터치부(160)가 배치된다. 터치부(160)는 제2 무기 절연층(153) 상에 배치되며, 터치 입력의 위치를 감지하도록 구성된다. 터치부(160)는 터치 절연층(161), 제1 터치 전극(162), 제2 터치 전극(163) 및 연결 전극(164)을 포함할 수 있다.
봉지부(150) 상에 제1 터치 전극 및 제2 터치 전극이 배치된다. 제1 터치 전극(162)은 제1 방향(X)으로 배치되며, 제2 터치 전극(163)은 제1 방향(X)과 교차되는 제2 방향(Y)으로 배치될 수 있다.
제1 터치 전극(162)과 제2 터치 전극(163)은 교차 영역들에서 서로 단락되는 것을 방지하기 위해, 제1 방향(X)으로 서로 인접한 제1 터치 전극(162)은 연결 전극(164)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 터치 전극(162)과 제2 터치 전극(163)의 교차 영역에는 상호 용량(mutual capacitance)이 형성될 수 있다.
제1 터치 전극(162)과 제2 터치 전극(163)은 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2), 및 제3 서브 화소(SP3)와 중첩되는 것을 방지하기 위해 메쉬 구조로 형성될 수 있다. 즉, 제1 터치 전극(162)과 제2 터치 전극(163)은 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2), 및 제3 서브 화소(SP3) 사이에 마련된 뱅크(116) 상에 형성될 수 있다.
서로 인접한 제1 터치 전극(162)은 복수의 연결 전극(164)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 연결 전극(164) 각각은 제1 터치 전극(162)을 노출시키는 컨택홀(CT)들을 통해 서로 인접한 제1 터치 전극(162)에 접속될 수 있다. 연결 전극(164)은 제1 터치 전극(162) 및 제2 터치 전극(163)과 중첩될 수 있다. 연결 전극(164)은 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2), 및 제3 서브 화소(SP3) 사이에 마련된 뱅크(116) 상에 형성될 수 있다.
제1 터치 전극(162)은 제2 터치 전극(163)과 동일한 층에 형성될 수 있으며, 연결 전극(164)은 제1 터치 전극(162)들 및 제2 터치 전극(163)들과 서로 다른 층에 형성될 수 있다.
제1 터치 전극(162) 및 제2 터치 전극(163)과 연결 전극(164)을 절연시키기 위해 터치 절연층(161)이 배치된다. 터치 절연층(161)은 질화 실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 또는 산화 알루미늄(Al2O3) 중에서 선택된 1종 이상으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
일반적으로, 기판 상부에 배치되는 구성요소 중 버퍼층으로부터 유기 발광층까지는 고온 공정을 통해 제조된다. 그러나, 유기 발광층 상에 배치되는 구성요소들은 유기 발광층의 보호를 위해 저온 공정을 통해 제조된다. 즉, 유기 발광층 상에 배치되는 구성요소들을 고온 공정으로 형성하는 경우 유기 발광층이 손상될 수 있으므로, 캐소드, 봉지부 등의 구성요소는 저온 공정으로 제조된다. 그러나, 저온 공정으로 제조되는 층들의 경우 고온 공정으로 제조되는 층들에 비해 막질이 상대적으로 떨어진다. 이에, 저온 공정을 통해 제조되는 캐소드와 고온 공정을 통해 제조되는 유기 발광층 간의 접착력이 약해 캐소드 들뜸이 일어나는 문제가 있었다.
이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 캐소드(140)를 패터닝하여 캐소드(140)가 유기 발광층(130)으로부터 들뜨는 문제를 최소화할 수 있다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 캐소드(140)는 복수의 서브 화소(SPX)에 대응되는 제1 캐소드(141) 및 신호 배선에 대응되는 제2 캐소드(142)를 포함하여, 캐소드(140)가 봉지부(150)에 의해 둘러싸이는 영역이 증가되므로, 캐소드(140)의 들뜸을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 캐소드(140)의 패터닝으로 인해 제1 무기 봉지층(151)의 길이가 캐소드(140)를 패터닝하지 않는 경우보다 증가되므로, 투습 경로가 증가될 수 있다. 따라서, 유기 발광층(130)으로의 투습을 억제할 수 있고, 표시 장치(100)의 신뢰성이 개선될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 터치부(160)와 신호 배선 사이에 발생할 수 있는 신호 간섭이 제2 캐소드(142)에 의해 억제될 수 있다. 즉, 스캔 배선(SL) 등과 같이 교류 신호가 인가되는 신호 배선에 대응하도록 제2 캐소드(142)가 배치되고, 제2 캐소드(142)는 제1 캐소드(141)를 연결하여, 신호 배선과 터치부(160) 사이에 발생할 수 있는 신호 간섭을 최소화할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 4의 표시 장치(400)는 도 1 내지 도 3의 표시 장치(100)와 비교하여 유기 발광층(430) 및 봉지부(450)만 상이할 뿐, 다른 구성은 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략한다.
도 4를 참조하면, 발광 소자(OLED)의 유기 발광층(430) 중 적어도 일부는 복수의 제1 캐소드(141) 또는 복수의 제2 캐소드(141)와 대응된다. 구체적으로, 유기 발광층(430)의 가장자리 중 적어도 일부는 복수의 제1 캐소드(141) 또는 복수의 제2 캐소드(142)의 가장자리와 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 유기 발광층(430)은 복수의 제1 캐소드(141)에 대응하여 배치될 수 있고, 제1 캐소드(141)의 형태와 같이 유기 발광층(430)의 끝단은 뱅크(116)의 상면 상에 배치될 수 있다. 그러나, 제1 캐소드(141)가 뱅크(116)의 측면까지만 배치되는 경우, 유기 발광층(430) 또한 뱅크(116)의 측면까지만 배치될 수도 있다.
봉지부(450)의 제1 무기 봉지층(451)은 복수의 제1 캐소드(141)의 측면, 복수의 제2 캐소드(142)의 측면, 복수의 유기 발광층(430) 측면 및 뱅크(160) 상면에 접한다. 캐소드(140) 및 유기 발광층(430)이 패터닝되므로, 제1 무기 봉지층(151)은 캐소드(140) 상면뿐만 아니라, 캐소드(140) 및 유기 발광층(430) 측면에도 접할 수 있다.
이에, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)에서는, 캐소드(140)가 복수의 서브 화소(SPX)에 대응되는 제1 캐소드(141) 및 신호 배선에 대응되는 제2 캐소드(142)로 패터닝된다. 따라서, 캐소드(140)가 유기 발광층(430)으로부터 들뜨는 문제를 최소화할 수 있고, 터치부(160)와 신호 배선 사이에 발생할 수 있는 신호 간섭이 제2 캐소드(142)에 의해 억제될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)에서는, 캐소드(140)뿐만 아니라 유기 발광층(430)의 패터닝으로 인해, 유기 발광층(430)이 패터닝되지 않은 경우보다 제1 무기 봉지층(451)의 길이가 증가되므로, 투습 경로가 증가될 수 있다. 따라서, 유기 발광층(430)으로의 투습을 억제할 수 있고, 표시 장치(400)의 신뢰성이 개선될 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 5의 표시 장치(500)는 도 4의 표시 장치(400)와 비교하여 제1 캐소드(541) 및 봉지부(550)만 상이할 뿐, 다른 구성은 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략한다.
도 5를 참조하면, 발광 소자(OLED)의 유기 발광층(430)의 가장자리 중 적어도 일부는 복수의 제1 캐소드(551) 가장자리보다 내측에 배치된다. 복수의 제1 캐소드(541)는 복수의 서브 화소(SPX)에 배치된 복수의 애노드(120)에 대응하도록 배치하되, 제1 캐소드(541)가 유기 발광층(430)과 중첩하는 영역보다 제1 캐소드(541)가 넓은 사이즈를 가질 수 있다.
제1 캐소드(541) 및 제2 캐소드(142) 상에는 봉지부(550)가 배치된다. 봉지부(550)는 제2 유기 봉지층(554), 제2 유기 봉지층(554) 상의 제1 무기 봉지층(551), 제1 무기 봉지층(551) 상의 제1 유기 봉지층(152) 및 제1 유기 봉지층(152) 상의 제2 무기 봉지층(153)을 포함한다. 제2 유기 봉지층(554)은 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 및 실리콘 옥시 카본(SiOC) 중에서 선택된 1종 이상으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
유기 발광층(430), 복수의 제1 캐소드(541) 및 뱅크(116)에 의해 정의되는 공간이 제2 유기 봉지층(554)에 의해 충진된다. 제2 유기 봉지층(554)이 유기 발광층(430)의 가장자리와 접하면서 제1 캐소드(541) 및 뱅크(116) 상부를 평탄화시킬 수 있다. 복수의 제1 캐소드(541) 상부에 제1 무기 봉지층(151) 대신 제2 유기 봉지층(554)이 배치되므로, 제1 무기 봉지층(151)의 끊김이 발생하지 않고, 유기 발광층(430) 가장자리와 접하고, 제1 캐소드(541) 가장자리로 둘러싸인 제1 캐소드(541) 내측 공간까지 봉지부(550)의 배치가 가능할 수 있다.
이에, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(500)에서는, 캐소드가 복수의 서브 화소(SPX)에 대응되는 제1 캐소드(541) 및 신호 배선에 대응되는 제2 캐소드(142)로 패터닝된다. 따라서, 캐소드가 유기 발광층(430)으로부터 들뜨는 문제를 최소화할 수 있고, 터치부(160)와 신호 배선 사이에 발생할 수 있는 신호 간섭이 제2 캐소드(142)에 의해 억제될 수 있다.
또한, 제2 유기 봉지층(554)이 캐소드 및 뱅크(116) 상부에 두껍게 배치되므로, 제2 유기 봉지층(554)에 의해 유기 발광층(430)으로의 투습이 억제될 수 있고, 캐소드의 들뜸이 추가적으로 방지될 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 표시 영역에 대한 확대 평면도이다. 도 6의 표시 장치(600)는 도 1 내지 도 3의 표시 장치(100)와 비교하여 캐소드(640)만 상이할 뿐, 다른 구성은 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략한다.
도 6을 참조하면, 캐소드(640)는 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)으로 연장되고, 복수의 제1 캐소드(141) 중 제2 방향(Y)으로 인접한 2 개의 제1 캐소드(141)를 연결하도록 배치된 복수의 제3 캐소드(643)를 더 포함한다. 도 6에서는 제3 캐소드(643)가 제2 캐소드(142)와 수직으로 배열된 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 또한, 제3 캐소드(643)는 제2 캐소드(142)와 동일한 폭을 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
이에, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(600)에서는, 캐소드(640)가 복수의 서브 화소(SPX)에 대응되는 제1 캐소드(141), 신호 배선에 대응되는 제2 캐소드(142) 및 제2 캐소드(142)와 교차하는 제3 캐소드(643)를 포함한다. 따라서, 제3 캐소드(643)에 의해 캐소드(640)의 면저항을 낮추면서, 캐소드(640)가 유기 발광층으로부터 들뜨는 문제를 최소화할 수 있고, 터치부(160)와 신호 배선 사이에 발생할 수 있는 신호 간섭이 제2 캐소드(142)에 의해 억제될 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예들에 따른 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 서브 화소를 포함하는 표시 영역 및 표시 영역 외곽에 비표시 영역을 포함하는 기판, 복수의 서브 화소에 배치되는 복수의 애노드, 복수의 애노드의 가장자리를 덮도록 배치되는 뱅크, 복수의 애노드 상에 배치되는 유기 발광층, 유기 발광층 상에 배치되고, 복수의 애노드에 대응하는 복수의 제1 캐소드 및 제1 방향으로 연장된 신호 배선에 대응하는 복수의 제2 캐소드를 포함하는 캐소드, 캐소드 상에 배치된 봉지부, 및 봉지부 상에 터치부를 포함한다.
본 발명의 다른 특징은, 복수의 제2 캐소드는 복수의 제1 캐소드 중 제1 방향으로 인접한 2 개의 제1 캐소드를 연결하도록 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징은, 봉지부는 제1 무기 봉지층, 제1 무기 봉지층 상의 제1 유기 봉지층 및 제1 유기 봉지층 상의 제2 무기 봉지층을 포함하고, 제1 무기 봉지층은 복수의 제1 캐소드 및 복수의 제2 캐소드의 상면 및 측면에 접할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징은, 유기 발광층 중 적어도 일부는 복수의 제1 캐소드 또는 복수의 제2 캐소드와 대응될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징은, 유기 발광층의 가장자리 중 적어도 일부는 복수의 제1 캐소드 또는 복수의 제2 캐소드의 가장자리와 동일 평면 상에 위치할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징은, 봉지부는 제1 무기 봉지층, 제1 무기 봉지층 상의 제1 유기 봉지층 및 제1 유기 봉지층 상의 제2 무기 봉지층를 포함하고, 제1 무기 봉지층은 복수의 제1 캐소드의 측면, 복수의 제2 캐소드의 측면, 복수의 유기 발광층 측면 및 뱅크 상면에 접할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징은, 유기 발광층의 가장자리 중 적어도 일부는 복수의 제1 캐소드 가장자리보다 내측에 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징은, 봉지부는 제2 유기 봉지층, 제2 유기 봉지층 상의 제1 무기 봉지층, 제1 무기 봉지층 상의 제1 유기 봉지층 및 제1 유기 봉지층 상의 제2 무기 봉지층를 포함하고, 유기 발광층, 복수의 제1 캐소드 및 뱅크에 의해 정의되는 공간이 제2 유기 봉지층에 의해 충진될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징은, 제2 유기 봉지층은 복수의 제1 캐소드 및 복수의 제2 캐소드 상면을 평탄화시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징은, 제2 유기 봉지층은 유기 발광층의 가장자리와 접할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징은, 캐소드는 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되고, 복수의 제1 캐소드 중 제2 방향으로 인접한 2 개의 제1 캐소드를 연결하도록 배치된 복수의 제3 캐소드를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징은, 신호 배선은 교류 신호가 전달되는 배선일 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 제한하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 제한되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 400, 500, 600: 표시 장치
110: 기판
111: 버퍼층
112: 게이트 절연층
113: 층간 절연층
114: 패시베이션층
115: 평탄화층
116: 뱅크
120: 애노드
130, 430: 유기 발광층
140, 640: 캐소드
141, 541: 제1 캐소드
142: 제2 캐소드
643: 제3 캐소드
150, 450, 550: 봉지부
151, 451, 551: 제1 무기 봉지층
152: 제1 유기 봉지층
153: 제2 무기 봉지층
554: 제2 유기 봉지층
160: 터치부
161: 터치 절연층
162: 제1 터치 전극
163: 제2 터치 전극
164: 연결 전극
CT: 컨택홀
OLED: 발광 소자
PN: 표시 패널
GD: 게이트 드라이버
DD: 데이터 드라이버
TC: 타이밍 컨트롤러
SPX: 서브 화소
SP1: 제1 서브 화소
SP2: 제2 서브 화소
SP3: 제3 서브 화소
SL: 스캔 배선
SL1: 제1 스캔 배선
SL2: 제2 스캔 배선
DL: 데이터 배선
PL: 고전위 전원 배선
EL: 발광 제어 신호 배선
IL: 초기화 신호 배선
Cst: 커패시터
T: 트랜지스터
ACT: 액티브층
GE: 게이트 전극
DE: 드레인 전극
SE: 소스 전극
RGB: 영상 데이터
GCS: 게이트 제어 신호
DCS: 데이터 제어 신호
SYNC: 동기 신호
SCAN1: 제1 스캔 신호
SCAN2: 제2 스캔 신호

Claims (12)

  1. 복수의 서브 화소를 포함하는 표시 영역 및 상기 표시 영역 외곽에 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 복수의 서브 화소에 배치되는 복수의 애노드;
    상기 복수의 애노드의 가장자리를 덮도록 배치되는 뱅크;
    상기 복수의 애노드 상에 배치되는 유기 발광층;
    상기 유기 발광층 상에 배치되고, 상기 복수의 애노드에 대응하는 복수의 제1 캐소드 및 제1 방향으로 연장된 신호 배선에 대응하는 복수의 제2 캐소드를 포함하는 캐소드;
    상기 캐소드 상에 배치된 봉지부; 및
    상기 봉지부 상에 터치부를 포함하는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 제2 캐소드는 상기 복수의 제1 캐소드 중 상기 제1 방향으로 인접한 2 개의 제1 캐소드를 연결하도록 배치된, 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 봉지부는 제1 무기 봉지층, 상기 제1 무기 봉지층 상의 제1 유기 봉지층 및 상기 제1 유기 봉지층 상의 제2 무기 봉지층을 포함하고,
    상기 제1 무기 봉지층은 상기 복수의 제1 캐소드 및 상기 복수의 제2 캐소드의 상면 및 측면에 접하는, 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 유기 발광층 중 적어도 일부는 상기 복수의 제1 캐소드 또는 상기 복수의 제2 캐소드와 대응되는, 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 유기 발광층의 가장자리 중 적어도 일부는 상기 복수의 제1 캐소드 또는 상기 복수의 제2 캐소드의 가장자리와 동일 평면 상에 위치하는, 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 봉지부는 제1 무기 봉지층, 상기 제1 무기 봉지층 상의 제1 유기 봉지층 및 상기 제1 유기 봉지층 상의 제2 무기 봉지층를 포함하고,
    상기 제1 무기 봉지층은 상기 복수의 제1 캐소드의 측면, 상기 복수의 제2 캐소드의 측면, 상기 복수의 유기 발광층 측면 및 상기 뱅크 상면에 접하는, 표시 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 유기 발광층의 가장자리 중 적어도 일부는 상기 복수의 제1 캐소드 가장자리보다 내측에 배치되는, 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 봉지부는 제2 유기 봉지층, 상기 제2 유기 봉지층 상의 제1 무기 봉지층, 상기 제1 무기 봉지층 상의 제1 유기 봉지층 및 상기 제1 유기 봉지층 상의 제2 무기 봉지층를 포함하고,
    상기 유기 발광층, 상기 복수의 제1 캐소드 및 상기 뱅크에 의해 정의되는 공간이 상기 제2 유기 봉지층에 의해 충진되는, 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 유기 봉지층은 상기 복수의 제1 캐소드 및 복수의 제2 캐소드 상면을 평탄화시키는, 표시 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제2 유기 봉지층은 상기 유기 발광층의 가장자리와 접하는, 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 캐소드는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되고, 상기 복수의 제1 캐소드 중 상기 제2 방향으로 인접한 2 개의 제1 캐소드를 연결하도록 배치된 복수의 제3 캐소드를 더 포함하는, 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 신호 배선은 교류 신호가 전달되는 배선인, 표시 장치.
KR1020210184514A 2021-12-22 2021-12-22 표시 장치 KR20230095239A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210184514A KR20230095239A (ko) 2021-12-22 2021-12-22 표시 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210184514A KR20230095239A (ko) 2021-12-22 2021-12-22 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230095239A true KR20230095239A (ko) 2023-06-29

Family

ID=86946384

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210184514A KR20230095239A (ko) 2021-12-22 2021-12-22 표시 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230095239A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210376283A1 (en) Display device
KR102312557B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20180110258A (ko) 유기 발광 표시 장치
EP3706107A1 (en) Display panel
US11690265B2 (en) Display device having a trench portion
EP3910682A1 (en) Display apparatus
JP7269996B2 (ja) 表示装置
US11954275B2 (en) Display panel and display device
US11950460B2 (en) Display device
CN111164666A (zh) 显示设备
KR20160122894A (ko) 박막 트랜지스터 기판, 이를 구비한 디스플레이 장치, 박막 트랜지스터 기판 제조방법 및 디스플레이 장치 제조방법
KR20190083023A (ko) 표시 장치
KR20210134175A (ko) 표시 장치
CN115942771A (zh) 发光显示装置
KR20230095239A (ko) 표시 장치
KR20220091214A (ko) 표시 장치
KR20210107960A (ko) 표시 패널
US20220359480A1 (en) Display panel and display apparatus including the same
US20240172512A1 (en) Light emitting display device
KR20240080650A (ko) 표시 장치
KR20220096626A (ko) 표시 장치
KR20240061857A (ko) 표시 장치
KR20240054800A (ko) 표시 장치
KR20220093599A (ko) 표시 장치
CN117939946A (zh) 发光显示装置