KR20230082097A - 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 높이 방향으로 관통 형성된 복수의 관통홀을 구비하고, 절연성 재질로 형성된 본체; 및 상기 복수의 관통홀 각각에 배치되어, 상기 높이 방향을 따르도록 배열되는 복수의 통전 로드를 포함하고, 상기 통전 로드는, 복수의 도전성 입자와 상기 복수의 도전성 입자를 일체로 결합시는 결합 물질이 혼합된 것이며, 상기 통전 로드는, 상기 높이 방향을 따라 상기 본체의 상단에서 하단을 향해 소정 간격으로 설정된 상부 영역; 및 상기 높이 방향을 따라 상기 본체의 상기 하단에서 상기 상단을 향해 소정 간격으로 설정된 하부 영역을 포함하고, 상기 상부 영역에서, 상기 도전성 입자는 판상형 입자를 가지며 눕힘 배치를 이루는 것을 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 및 그의 제조 방법을 제공한다.

Description

반도체 소자 테스트용 러버 소켓 및 그의 제조 방법{RUBBER SOCKET FOR TESTING SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 제조 공정을 거쳐 생산된 반도체 소자를 테스트하는데 사용되는 러버 소켓 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 제조 과정을 거친 후 전기적 성능의 불량 여부를 판단하기 위한 검사를 받는다. 반도체 소자의 양불 검사는 반도체 소자의 단자와 전기적으로 접촉될 수 있도록 형성된 테스트 소켓을 반도체 소자와 검사회로기판 사이에 배치한 상태에서 수행된다. 테스트 소켓은 반도체 소자의 최종 양불 검사 외에도 반도체 소자의 제조 과정 중 번-인(Burn-In) 테스트 과정에서도 사용되고 있다.
반도체 소자의 집적화 기술의 발달과 소형화 추세에 따라 반도체 소자의 단자 즉, 리드의 크기 및 피치도 미세화되는 추세여서, 테스트 소켓의 도전 패턴 상호간의 간격도 미세하게 형성하는 방법이 요구되고 있다. 따라서, 기존의 포고-핀(Pogo-pin) 타입의 테스트 소켓으로는 집적화되는 반도체 소자를 테스트하기 위한 테스트 소켓을 제작하는데 한계가 있었다.
반도체 소자의 집적화에 부합하도록, 탄성 재료의 실리콘 러버 소재로 제작되는 본체 상에 높이 방향으로 타공 패턴을 형성한 후, 타공된 패턴 내부에 도전성 입자과 접착 성분의 혼합물을 충전하여 통전 로드를 형성하는 PCR(Pressurized Conductive Rubber) 소켓, 간단히는 러버 소켓이 널리 사용되고 있다.
러버 소켓에서 도전성 입자는 통상적으로 구형으로 형성되고, 그에 따른 몇 가지 문제를 야기할 수 있다. 첫째, 구형 분말은 반도체 소자와의 접촉 면적이 작아서 통전이 제대로 이루어지지 못할 수도 있다. 둘째로, 구형 분말은 접착 성분과의 접착 면적이 작아서, 접착 성분으로부터 이탈하기 쉽다. 셋 째로, 구형 분말은 접착 성분을 많이 노출하게 되므로, 접착 성분에 이물질이 달라 붙어서 전극과 분말 간의 전기적 접속에 악영향을 미치는 경우가 발생할 수도 있다.
본 발명의 일 목적은, 반도체 소자의 전극과 도전성 입자 간의 접촉 면적을 확대하고, 통전 로드에서 도전성 입자의 이탈을 억제하며, 통전 로드에 이물질이 달라 붙는 것을 억제할 수 있는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 일 목적은, 위와 같은 다양한 목적을 달성하기 위한 통전 로드가 일체로서 형성되어 그의 내구성을 높일 수 있게 하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓은, 높이 방향으로 관통 형성된 복수의 관통홀을 구비하고, 절연성 재질로 형성된 본체; 및 상기 복수의 관통홀 각각에 배치되어, 상기 높이 방향을 따르도록 배열되는 복수의 통전 로드를 포함하고, 상기 통전 로드는, 복수의 도전성 입자와 상기 복수의 도전성 입자를 일체로 결합시는 결합 물질이 혼합된 것이며, 상기 통전 로드는, 상기 높이 방향을 따라 상기 본체의 상단에서 하단을 향해 소정 간격으로 설정된 상부 영역; 및 상기 높이 방향을 따라 상기 본체의 상기 하단에서 상기 상단을 향해 소정 간격으로 설정된 하부 영역을 포함하고, 상기 상부 영역에서, 상기 도전성 입자는 판상형 입자를 가지며 눕힘 배치를 이루는 것을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 눕힘 배치는, 상기 도전성 입자의 주면이 상기 본체의 상면에 대해 0° 내지 45° 범위 내인 상태를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 결합 물질은, 액상으로 상기 관통홀에 상기 도전성 입자와 함께 충전된 후 경화된 것일 수 있다.
여기서, 상기 하부 영역에서, 상기 도전성 입자는 구형 및 돌기형 중 적어도 하나의 입자를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 통전 로드는, 상기 상부 영역과 상기 하부 영역 사이에 위치하는 중앙 영역을 더 포함하고, 상기 하부 영역에서, 상기 도전성 입자는 판상형 입자를 가지며 눕힘 배치를 이루는 것을 포함하고, 상기 중앙 영역에서, 상기 도전성 입자는 구형 및 돌기형 중 적어도 하나의 입자를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 통전 로드는, 상기 상부 영역과 상기 하부 영역 사이에 위치하는 중앙 영역을 더 포함하고, 상기 중앙 영역에서, 상기 도전성 입자는 판상형 입자를 가지며 수직 배치를 이루는 것을 포함하고, 상기 하부 영역에서, 상기 도전성 입자는 판상형 입자를 가지며 눕힘 배치를 이루는 것을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 상부 영역은, 상기 하부 영역과 다른 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 일 측면에 따르는 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 제조 방법은, 높이 방향으로 관통 형성된 관통홀을 구비하는 복수의 절연 파트 중 적어도 하나에 상기 관통홀을 막도록 필름을 부착하는 단계; 상기 관통홀에 복수의 도전성 입자와 결합 물질의 혼합물을 충전하는 단계; 상기 복수의 절연 파트를 적층해 본체를 구성하여, 상기 혼합물이 상기 본체에서 높이 방향을 따라 열을 이루도록 배열되게 하는 단계; 상기 본체에 대해 자력을 인가하여, 상기 복수의 도전성 입자가 상기 높이 방향을 따라 도전 경로를 형성하게 하는 단계; 상기 결합 물질을 경화시켜서, 상기 복수의 도전성 입자와 상기 결합 물질이 일체로 결합되게 하는 단계; 및 상기 본체에서 상기 필름을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 도전성 입자 중 상기 필름에 가까운 영역에 배치되는 입자는, 판상형 입자로서 눕힘 배치되는 것을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 관통홀에 복수의 도전성 입자와 결합 물질의 혼합물을 충전하는 단계는, 상기 복수의 절연 파트 중 어느 하나에는, 상기 복수의 절연 파트 중 다른 하나에 충전되는 도전성 입자와는 다른 형상의 도전성 입자를 충전하는 것을 포함할 수 있다.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 및 그의 제조 방법에 의하면, 본체의 관통홀에 배치되는 통전 로드는 복수의 도전성 입자와 그들을 일체로 결합시키는 결합 물질을 포함하는데, 통전 로드의 상부 영역에서 도전성 입자는 판상형 입자를 가지며 눕힘 배치를 이루는 것이기에, 눕힘 배치된 도전성 입자는 반도체 소자의 단자와의 접촉 면적을 확대하여 그들 간의 접촉 안정성을 높이고, 결합 물질과의 강한 밀착으로 그로부터 이탈하지 않으며, 결합 물질의 노출 면적을 줄여서 이물질이 결합 물질에 달라 붙는 것을 억제한다. 또한, 통전 로드는 복수 영역으로 구분되고 영역별로 도전성 입자가 서로 다른 형태나 배열을 갖더라도 결합 물질에 의해 모두가 일체로서 단일 부재를 형성하도록 결합되기에, 그들 간의 분리나 결합의 훼손이 없이 높은 수준의 내구성을 가질 수 있다. 이는 러버 소켓의 수명을 오래도록 유지할 수 있게 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓(100)의 사용 상태를 보인 단면도이다.
도 2는 도 1의 러버 소켓(100)의 요부(A)를 보인 개념도이다.
도 3은 도 2의 러버 소켓(100)을 제작하는 과정을 보인 순서도이다.
도 4는 도 2의 러버 소켓(100)을 제작하기 위한 일 단계를 보인 개념도이다.
도 5는 도 2의 러버 소켓(100)을 제작하기 위한 다른 일 단계를 보인 개념도이다.
도 6은 제작된 러버 소켓(100)에 대해 측면 방향에서의 전자현미경 사진이다.
도 7은 제작된 러버 소켓(100)과 기존 러버 소켓에 대해 상면 방향에서의 전자현미경 사진이다.
도 8은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓(200)의 제작 과정에 대한 개념도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓(300)의 제작 과정에 대한 개념도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 및 그의 제조 방법에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일·유사한 구성에 대해서는 동일·유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓(100)의 사용 상태를 보인 단면도이다.
본 도면을 참조하면, 러버 소켓(100)은 반도체 소자(S)와 테스트 보드(B) 사이에 위치하게 된다. 구체적으로, 러버 소켓(100)은, 반도체 소자(S)의 단자(E)와 테스트 보드(B)의 패드(P)를 전기적으로 연결하기 위한 것이다. 러버 소켓(100)은 또한 푸셔 등에 의해 반도체 소자(S)가 테스트 보드(B)를 향해 가압될 때, 그 가압력을 받아내고 완충하는 역할도 하게 된다.
이러한 러버 소켓(100)은, 본체(110) 및 통전 로드(150)를 포함할 수 있다.
본체(110)는 대체로 직육면체 블럭 형상인 베이스(111)를 가질 수 있다. 베이스(111)는 절연성 재질, 예를 들어 실리콘 러버로 제작될 수 있다. 그에 의해, 베이스(111)는 절연성과 함께, 완충성을 갖게 된다.
베이스(111)에는 높이 방향(H)을 따라 관통홀(115)이 관통 형성된다. 관통홀(115)은 복수 개로 형성되며, 서로 간에 일정 간격을 갖도록 배열될 수 있다.
통전 로드(150)는 관통홀(115)에 삽입된 형태로 배치되어, 전기적 통로를 형성하는 구성이다. 통전 로드(150)를 통해서는, 반도체 소자(S)의 단자(E)가 테스트 보드(B)의 패드(P)와 전기적으로 연결된다.
이하에서는, 통전 로드(150)의 구체적 구성에 대해 도 2를 참조하여 설명한다.
도 2는 도 1의 러버 소켓(100)의 요부(A)를 보인 개념도이다.
본 도면을 참조하면, 앞서 설명한 바대로, 본체(110) 중 베이스(111)에는 관통홀(115)이 형성되고, 관통홀(115)에는 통전 로드(150)가 배치된다.
통전 로드(150)는, 구체적으로, 관통홀(115)에 복수의 도전성 입자(151,155) 및 결합 물질(161)을 함유하는 혼합물이 충전되어 성형된 것이다. 복수의 도전성 입자(151,155)는 높이 방향(H)을 따라 서로 간에 접촉되어, 높이 방향(H)을 따르는 전기적 경로를 형성한다.
도전성 입자(151,155)는 2종의 입자가 혼합된 것이다. 구체적으로, 통전 로드(150) 중 상부 영역에는 대체로 판상형 입자(151)가 충전되고, 하부 영역에는 대체로 구형 또는 돌기형 입자(155)가 충전된다. 돌기형 입자 역시 구형 입자를 기초로 하고 그에 작은 돌기가 결합된 것으로서, 이하 이들을 간단히 구형 입자(155)라고도 한다.
상부 영역에서, 판상형 입자(151)는 대체로 눕힘 배치를 이루게 된다. 눕힘 배치란 판상형 입자(151)가 세워지 않고 누워 있는 상태를 말한다. 구체적으로, 눕힘 배치에서 판상형 입자(151)는 본체(110)의 상면[상단(112)이 이루는 면]에 대해 0° 내지 45° 범위 내의 각도를 이룰 수 있다.
하부 영역에 배치된 구형 입자(155)는, 판상형 입자(151)와 달리 방향성을 정의할 수 없다.
결합 물질(161)은 복수의 도전성 입자(151,155)를 일체로서 결합시키는 것이다. 결합 물질(161)로는, 예를 들어, 실리콘 러버, 우레탄 러버 등이 사용될 수 있다. 결합 물질(161)에 의해, 상부 영역 및 하부 영역 각각에 배치된 입자들끼리는 물론, 각 영역을 넘어서 입자들 전체가 하나의 덩어리를 형성하게 된다. 각 영역에 판상형 입자(151)와 구형 입자(155)라는 다른 형상의 입자들이 배치되어 있더라도 마찬가지이다. 그에 의해, 복수의 도전성 입자(151,155)는 결합 물질(161)과 함께 일체가 되어 통전 로드(150)를 형성하기에, 그에 가해지는 가압력에 의해서도 안정적인 결합 상태를 오래도록 유지할 수 있다.
이상에서, 상부 영역은 베이스(111)의 상단(112)에서 하단(113)을 향해 소정 간격으로 설정된 영역으로서, 후술할 도 4의 제1 파트(121)의 두께에 대응하는 두께를 가질 수 있다. 이와 달리, 하부 영역은 베이스(111)의 하단(113)에서 상단(112)을 향해 소정 간격으로 설정된 영역으로서, 역시 후술할 도 4에서의 제2 파트(125)의 두께에 대응하는 두께를 가질 수 있다.
이러한 구성에 의하면, 반도체 소자(S)의 단자(E, 이상 도 1 참조)와 직접 접촉하는 상부 영역에 판상형 입자(151)가 눕힘 상태로 배열됨에 의해, 판상형 입자(151)는 단자(E)와의 접촉 면적이 극대화된다. 그에 의해, 단자(E)와 통전 로드(150) 간의 접속에 문제가 생길 가능성이 크게 낮아질 수 있다.
판상형 입자(151)의 눕힘 배치는 또한 그와 결합 물질(161) 간의 비표면적이 넓어지게 해서, 그들 간의 밀착성을 높인다. 이는 판상형 입자(151)가 결합 물질(161)로부터 이탈되지 않게 하여, 통전 로드(150)의 내구성을 높인다.
판상형 입자(151)의 눕힘 배치는 또한 결합 물질(161)의 노출 면적을 줄이고, 이는 이물질에 결합 물질(161)에 들러 붙는 것을 막을 수 있게 한다.
이상의 러버 소켓(100)의 제작 방법에 대해 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명한다.
도 3은 도 2의 러버 소켓(100)을 제작하는 과정을 보인 순서도이고, 도 4는 도 2의 러버 소켓(100)을 제작하기 위한 일 단계를 보인 개념도이며, 도 5는 도 2의 러버 소켓(100)을 제작하기 위한 다른 일 단계를 보인 개념도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 먼저 복수의 절연 파트가 준비되어야 한다(S1). 절연 파트는 앞서의 본체(110, 이상 도 2 참조)를 이루는 것으로서, 제1 파트(121)와 제2 파트(125)로 구성될 수 있다.
제1 파트(121)와 제2 파트(125)는 각각 관통홀(123,127)을 가질 수 있다. 이러한 관통홀(123,127)은 다음 단계에서 하나로 연결되어, 도 2에서의 관통홀(115)을 형성하는 것이다.
제1 파트(121)와 제2 파트(125) 각각에는 필름(131,135)이 구비된다. 필름(131,135)은 제1 파트(121)와 제2 파트(125)의 하단에 부착되어 그들의 관통홀(123,127)을 막게 된다.
다음으로, 제1 파트(121)와 제2 파트(125)의 관통홀(123,127)에는 혼합물이 충전된다(S3). 혼합물은 도전성 입자(151,155)와 결합 물질(161)이 혼합된 것이다. 제1 파트(121)에는 판상형 입자(151)와 결합 물질(161)의 혼합물이 충전되고, 제2 파트(125)에는 구형 입자(155)와 결합 물질(161)의 혼합물이 각각 충전된다.
여기서, 제1 파트(121)의 두께와 제2 파트(125)의 두께는 서로 다를 수 있다. 그 경우, 판상형 입자(151)가 충전되는 상부 영역의 두께와 구형 입자(155)가 충전되는 하부 영역의 두께도 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 상부 영역을 두껍게 하고 그에 판상형 입자(151)의 양을 늘리면, 통전 로드(150)의 경도가 강화되어 반도체 소자(S)의 단자(E)로부터의 가압력에 견딜 수 있는 능력이 향상된다. 그와 달리, 하부 영역을 두껍게 하고 그에 구형 입자(155)의 양을 줄이면, 통전 로드(150)가 힘을 받을 때 결합 물질(161)이 만들어내는 탄성을 강화할 수 있게 한다.
도 3 및 도 5를 참조하면, 혼합물이 각각 충전된 제1 파트(121)와 제2 파트(125)는 서로 적층되어 본체(110, 도 2 참조)를 구성하게 된다(S5). 그 경우, 제1 파트(121)는 제2 파트(125)의 상측에 배치되고, 그들 각각의 혼합물은 서로 간에 하나로 연결된다. 결합 물질(161)은 액상으로서 관통홀(123,127)에 충전된 것이기에, 위 혼합물들이 결합 물질(161)에 의해 하나로 연결되는 것이다.
필름(131,135)은 본체(110)의 상면과 하면에 각각 위치하게 된다. 그들에는 자석(M1,M2)이 배치되어, 자력 성형이 이루어지게 된다(S7). 자력 성형 단계에서 도전성 입자(151,155)는 상하로 압축되면서 자석(M1,M2)과의 인력에 의해 이동하여 높이 방향(H)을 따라 서로 간에 연결된다.
이 공정에서 도전성 입자(151,155)의 거동은 판상형 입자(151)와 구형 입자(155) 간에 다른 양상을 보이게 된다.
구체적으로, 판상형 입자(151)는 구형 입자(155) 보다는 강자성을 띄기 때문에 자석(M1)에 강하게 달라붙게 된다. 그런데, 필름(131)으로 인해 판상형 입자(151)는 세워진 채로 자석(M1)에 붙지 않고, 강한 자력에 의해 누운 형태로 자석(M1)에 붙게 된다. 그에 따라 판상형 입자(151)는 도 2에 예시된 바와 같이 눕힘 배치되는 것이다.
구형 입자(155)는 방향성이 없기에 판상형 입자(151) 보다 유동성이 우수하다. 그에 의해, 구형 입자(155)는 자석(M1,M2)에 의해 작용하는 자력이 약한 부분에서도 도전성 경로를 안정적으로 형성할 수 있다.
자력 성형에 따라 도전성 입자(151,155)가 눕거나 이동한 상태에서, 결합 물질(161)은 도전성 입자(151,155)와 하나로 결합되어야 한다. 이러한 결합 물질(161)은 경화 공정을 거쳐서 경화될수 있다(S9). 예를 들어, 결합 물질(161)로서의 실리콘 러버는 열경화될 수 있다. 결합 물질(161)은 경화 후에 탄성을 갖는 매트릭스(matrix)로서 기능하게 된다.
경화가 완료된 후에는, 필름(131,135)이 제거된다(S11). 그에 따라, 최종적으로 도 2에서와 같은 형태로 러버 소켓(100)이 완성된다.
다음으로, 제조된 러버 소켓(100)의 실제의 형태에 대해, 도 6 및 도 7에서의 전자현미경 사진을 통해 살펴본다.
먼저, 도 6은 제작된 러버 소켓(100)에 대해 측면 방향에서의 전자현미경 사진이다.
본 도면을 참조하면, 도 2에서와 유사하게, 러버 소켓(100)에는 높이 방향으로 도전성 입자(151,155)가 배열된다.
구체적으로, 통전 로드(150)의 상부 영역에는 판상형 입자(151)가 눕힘 배치된다. 판상형 입자(151)는 완전히 누워진 것도 있고, 일정 각도로 비스듬히 눕혀진 것도 있다.
하부 영역에는 구형 입자(155)가 배치된다. 중앙 부분에는 구형 입자(155)의 밀도가 낮은 곳도 있다. 그렇다 할지라도, 구형 입자(155)의 높은 유동성에 의해, 통전 로드(150)는 상하 방향으로 연결된 도전 경로를 형성한다.
도 7은 제작된 러버 소켓(100)과 기존 러버 소켓에 대해 상면 방향에서의 전자현미경 사진이다.
도 7(a)는 러버 소켓(100)의 통전 로드(150)에 대한 상면을 보인다. 판상형 입자(151)가 누워진 상태임을 명확히 확인할 수 있다.
판상형 입자(151)가 눕힘 배치됨에 의해, 통전 로드(150)의 상면에서 판상형 입자(151)가 차지하는 면적이 대부분이 된다. 그에 따라, 결합 물질(161, 도 6 참조)이 노출되는 면적은 줄어든다.
도 7(b)는 기존의 러버 소켓에서 통전 로드에 구형 입자만을 사용한 경우를 보인다. 도 7(a)에서와 달리, 구형 입자가 차지하는 면적이 적어서, 결합 물질이 많이 노출되는 것을 확인할 수 있다.
이제, 다른 형태의 러버 소켓들에 대해, 도 8 및 도 9를 참조하여 설명한다.
먼저, 도 8은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓(200)의 제작 과정에 대한 개념도이다.
본 도면을 참조하면, 러버 소켓(200)은 앞선 러버 소켓(100)과 대체로 동일한 방식으로 제조된다. 그에 따라, 본체(210)의 베이스(211)는 제1 파트(221)와 제2 파트(225)로 구성되고, 각각은 통전홀(233,227)을 가진다.
다만, 통전홀(233,227)에 충전되는 통전 로드(250)의 도전성 입자는 판상형 입자(251)로만 구성됨에 차이가 있다. 판상형 입자(251)로만 충전함에도 본체(110)를 제1 파트(121)와 제2 파트(125)로 나누어 구성함에 의해서는, 각 파트별로 판상형 입자(251)의 충전량을 다르게 할 수 있기 때문이다. 판상형 입자(251)의 충전량을 많게 하는 경우에는 통전 로드(250) 중 해당 부분의 경도를 높일 수 있다. 반대로, 충전량을 줄이게 되면, 통전 로드(250) 중 해당 부분의 결합 물질(261)이 많아짐에 따라 그에 의해 탄성 복원력이 높아지게 된다.
판상형 입자(251)는 자력 성형시에 자석(M1,M2)에 의한 자력 세기의 차이에 따라, 통전 로드(250)의 상부 영역, 하부 영역, 및 중앙 영역에서 동일하지 않은 배열을 이루게 된다. 구체적으로, 상부 영역과 하부 영역에서 판상형 입자(251)는 눕힘 배치를 이루게 되나, 중앙 영역에서 판상형 입자(251)는 수직하게 세워진 상태로 배치된다. 여기서, 중앙 영역은 상부 영역과 하부 영역 사이의 영역을 말한다.
상부 영역과 하부 영역에서 판상형 입자(251)가 눕힘 배치를 이루는 것은, 앞서 도 5를 통해 설명한 것과 같이, 판상형 입자(251)가 자석(M1,M2)에 붙으려는 중에 필름(231,235)에 막혀서 면적이 넓은 주면이 자석(M1,M2)에 붙으려 하기 때문이다.
중앙 영역에서 판상형 입자(251)는 세워진 상태로 배열된다. 이는 판상형 입자(251)의 양은 제한적인 상황에서, 위쪽과 아래쪽이 입자 간에 서로 연결되어야 하기 때문이다. 그에 따라, 중앙 영역에서 판상형 입자(251)는 서로 간에 면접촉하도록 배열되고, 이는 그들 간의 전기적 접속에 유리하게 작용할 수 있다.
다음으로, 도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓(300)의 제작 과정에 대한 개념도이다.
본 도면을 참조하면, 러버 소켓(300)의 제작 방법은 앞선 실시예들과 대체로 동일하나, 본체(310)가 세 개의 파트(321,325,329)로 나뉘어지는 점이 다르다. 세 개의 파트(321,325,329) 각각에는 관통홀(323,337,339)이 형성된다.
세 개의 파트(321,325,329) 중 제1 파트(321)와 제2 파트(325)는 각각 상부와 하부에 배치된다. 그들 사이에는 제3 파트(329)가 배치된다. 제1 파트(321)의 상면과 제2 파트(325)의 하면에는 필름(331,335)가 각각 부착되나, 제2 파트(325)에는 필름이 부착되지 않는다.
도전성 입자는 제1 파트(321)와 제2 파트(325)에는 판상형 입자(351)로 충전되나, 제3 파트(329)에는 구형 입자(355)로 충전된다.
이러한 구성에 따라 제작된 러버 소켓(300)에서, 통전 로드(350)의 상부 영역과 하부 영역은 판상형 입자(351)가 눕힘 배치된 것일 수 있다. 그에 의해, 상부 영역에서 판상형 입자(351)와 반도체 소자(S)의 단자(E) 간의 접속, 그리고 하부 영역에서 판상형 입자(351)와 테스트 보드(B)의 패드(P, 이상 도 1 참조) 간의 접속이 안정적으로 이루어지게 된다.
그에 반해, 중앙 영역에서는, 구형 입자(355)가 눕혀진 판상형 입자(351) 사이를 연결하게 된다. 여기서, 구형 입자(355)은 유동성이 우수하기에, 중앙 영역에서의 도전 경로 형성이 안정적으로 이루어질 수 있다.
상기와 같은 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 및 그의 제조 방법은 위에서 설명된 실시예들의 구성과 작동 방식에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시예들은 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 구성될 수도 있다.
100,200,300: 러버 소켓 110,210,310: 본체
111,211,311: 베이스 115,215: 관통홀
121,221,321: 제1 파트 125,225,325: 제2 파트
150,250,350: 통전 로드 151:251,351: 판상형 입자
155,355: 구형 입자 161,261,361: 결합 물질

Claims (10)

  1. 높이 방향으로 관통 형성된 복수의 관통홀을 구비하고, 절연성 재질로 형성된 본체; 및
    상기 복수의 관통홀 각각에 배치되어, 상기 높이 방향을 따르도록 배열되는 복수의 통전 로드를 포함하고,
    상기 통전 로드는,
    복수의 도전성 입자와 상기 복수의 도전성 입자를 일체로 결합시는 결합 물질이 혼합된 것이며,
    상기 통전 로드는,
    상기 높이 방향을 따라 상기 본체의 상단에서 하단을 향해 소정 간격으로 설정된 상부 영역; 및
    상기 높이 방향을 따라 상기 본체의 상기 하단에서 상기 상단을 향해 소정 간격으로 설정된 하부 영역을 포함하고,
    상기 상부 영역에서, 상기 도전성 입자는 판상형 입자를 가지며 눕힘 배치를 이루는 것을 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 눕힘 배치는,
    상기 도전성 입자의 주면이 상기 본체의 상면에 대해 0° 내지 45° 범위 내인 상태를 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 결합 물질은,
    액상으로 상기 관통홀에 상기 도전성 입자와 함께 충전된 후 경화된 것인, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 하부 영역에서, 상기 도전성 입자는 구형 및 돌기형 중 적어도 하나의 입자를 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 통전 로드는,
    상기 상부 영역과 상기 하부 영역 사이에 위치하는 중앙 영역을 더 포함하고,
    상기 하부 영역에서, 상기 도전성 입자는 판상형 입자를 가지며 눕힘 배치를 이루는 것을 포함하고,
    상기 중앙 영역에서, 상기 도전성 입자는 구형 및 돌기형 중 적어도 하나의 입자를 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 통전 로드는,
    상기 상부 영역과 상기 하부 영역 사이에 위치하는 중앙 영역을 더 포함하고,
    상기 중앙 영역에서, 상기 도전성 입자는 판상형 입자를 가지며 수직 배치를 이루는 것을 포함하고,
    상기 하부 영역에서, 상기 도전성 입자는 판상형 입자를 가지며 눕힘 배치를 이루는 것을 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 상부 영역은,
    상기 하부 영역과 다른 두께를 갖는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
  8. 높이 방향으로 관통 형성된 관통홀을 구비하는 복수의 절연 파트 중 적어도 하나에 상기 관통홀을 막도록 필름을 부착하는 단계;
    상기 관통홀에 복수의 도전성 입자와 결합 물질의 혼합물을 충전하는 단계;
    상기 복수의 절연 파트를 적층해 본체를 구성하여, 상기 혼합물이 상기 본체에서 높이 방향을 따라 열을 이루도록 배열되게 하는 단계;
    상기 본체에 대해 자력을 인가하여, 상기 복수의 도전성 입자가 상기 높이 방향을 따라 도전 경로를 형성하게 하는 단계;
    상기 결합 물질을 경화시켜서, 상기 복수의 도전성 입자와 상기 결합 물질이 일체로 결합되게 하는 단계; 및
    상기 본체에서 상기 필름을 제거하는 단계를 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 도전성 입자 중 상기 필름에 가까운 영역에 배치되는 입자는, 판상형 입자로서 눕힘 배치되는 것을 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 관통홀에 복수의 도전성 입자와 결합 물질의 혼합물을 충전하는 단계는,
    상기 복수의 절연 파트 중 어느 하나에는, 상기 복수의 절연 파트 중 다른 하나에 충전되는 도전성 입자와는 다른 형상의 도전성 입자를 충전하는 것을 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓 제조 방법.
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