KR20160046621A - 반도체 칩 패키지 테스트용 테스트 소켓 및 이의 제조 방법 - Google Patents

반도체 칩 패키지 테스트용 테스트 소켓 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

테스트 소켓은, 절연성 탄성 물질을 포함하는 베이스 물질(base material); 및 상기 베이스 물질 내에서 상기 베이스 물질의 두께 방향으로 연장하는 도전부;를 포함하며, 상기 도전부는 상기 베이스 물질의 두께 방향을 따라 배열된 복수의 도전성 입자 구조체들을 포함하며, 상기 복수의 도전성 입자 구조체들 각각은 도전성 입자 및 상기 도전성 입자 표면으로부터 연장하는 적어도 하나의 절연 와이어를 포함한다.

Description

반도체 칩 패키지 테스트용 테스트 소켓 및 이의 제조 방법{Test socket for testing semiconductor chip package and manufacturing method of the same}
본 발명의 기술적 사상은 반도체 칩 패키지 테스트용 테스트 소켓에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전도 이방성을 갖는 반도체 칩 패키지 테스트용 테스트 소켓 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 칩 패키지 테스트를 위하여, 탄성을 갖는 절연 매트릭스 내부에 일 방향으로 배열된 금속 입자들의 어레이를 포함하는 테스트 소켓을 사용하여 상기 반도체 칩 패키지와 테스트 장치 사이의 전기적 접속을 제공하는 방법이 사용되고 있다. 그러나, 상기 테스트 소켓의 반복 사용에 의해 상기 절연 매트릭스로부터 상기 금속 입자들이 이탈되는 문제가 있다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제는, 도전성 입자의 이탈이 방지되는 테스트 소켓을 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제는, 상기 테스트 소켓의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 테스트 소켓은, 절연성 탄성 물질을 포함하는 베이스 물질(base material); 및 상기 베이스 물질 내에서 상기 베이스 물질의 두께 방향으로 연장하는 도전부;를 포함하는 테스트 소켓으로서, 상기 도전부는 상기 베이스 물질의 두께 방향을 따라 배열된 복수의 도전성 입자 구조체들을 포함하며, 상기 복수의 도전성 입자 구조체들 각각은 도전성 입자 및 상기 도전성 입자 표면으로부터 연장하는 적어도 하나의 절연 와이어를 포함한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 적어도 하나의 절연 와이어의 일단은 상기 도전성 입자의 표면 상에 배치되며, 상기 적어도 하나의 절연 와이어의 타단은 상기 베이스 물질 또는 인접한 상기 도전성 입자 구조체의 상기 적어도 하나의 절연 와이어와 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 적어도 하나의 절연 와이어는 티올 작용기(thiol functional group, -SH)를 갖는 물질, 아민 작용기(amine functional group, -NH2)를 갖는 물질 또는 카르복실 작용기(carboxyl functional group, -COOH)를 갖는 물질에 의해 상기 도전성 입자 표면에 부착될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 적어도 하나의 절연 와이어는 상기 도전성 입자의 직경의 0.5 배 내지 20 배의 길이를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 적어도 하나의 절연 와이어는 상기 도전성 입자의 직경의 1 배 내지 5 배의 길이를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 적어도 하나의 절연 와이어는 상기 베이스 물질과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 적어도 하나의 절연 와이어는 실리콘 러버(silicone rubber)를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 복수의 도전성 입자 구조체들 각각은 상기 도전성 입자 표면으로부터 연장하는 적어도 하나의 도전 와이어를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 적어도 하나의 도전 와이어는 탄소 나노 튜브, 은 와이어, 금 와이어, 니켈 와이어 및 백금 와이어를 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 적어도 하나의 도전 와이어는 전도성 고분자 물질을 포함하며, 상기 전도성 고분자 물질은 폴리플루오렌(poly(fluorene)), 폴리페닐렌(polyphenylene), 폴리파이렌(polypyrene), 폴리나프탈렌(polynaphthalene), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리파라페닐렌 비닐렌(poly(p-phenylene vinylene)), 폴리파이롤(poly(pyrrole)), 폴리카바졸(polycarbazole), 폴리인돌(polyindole), 폴리아제핀(polyazepine), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리티오펜(poly(thiophene)), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) 및 폴리파라페닐렌설파이드(poly(p-phenylene sulfide))으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 적어도 하나의 도전 와이어는 티올 작용기(-SH)를 갖는 물질, 아민 작용기(-NH2)를 갖는 물질 또는 카르복실 작용기(-COOH)를 갖는 물질에 의해 상기 도전성 입자 표면에 부착될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 도전성 입자는, 절연성 코어 및 상기 절연성 코어를 둘러싸는 전도성 코팅층을 포함하며, 상기 적어도 하나의 절연 와이어는 상기 전도성 코팅층의 표면으로부터 연장할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 베이스 물질은 복수 개의 관통 홀들을 포함하며, 상기 복수 개의 도전부들이 상기 복수 개의 관통 홀들 각각의 내부를 채울 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 베이스 물질의 상면은 상기 도전부의 상면보다 낮은 레벨 상에 위치할 수 있다.상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 기술적 사상에 따른 테스트 소켓은, 반도체 칩 패키지와 테스트 장치 사이에 배치되어 상기 반도체 칩 패키지와 상기 테스트 장치 사이의 전기적 접속을 제공하는 테스트 소켓으로서, 제1 방향을 따라 배열된 복수 개의 전도성 입자 구조체들을 포함하며, 상기 제1 방향으로 연장하는 도전부; 및 상기 도전부를 둘러싸며 상면이 상기 도전부의 상면과 동일한 레벨 상에 위치하는 베이스 물질;을 포함하며, 상기 복수 개의 전도성 입자 구조체들 각각은 도전성 입자 및 상기 도전성 입자의 표면 상에 작용기를 포함하는 물질에 의해 접합된 절연 와이어를 포함한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 작용기를 포함하는 물질은 티올 작용기(-SH)를 포함하는 물질, 아민 작용기(-NH2)를 포함하는 물질 또는 카르복실 작용기(-COOH)를 포함하는 물질일 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 베이스 물질은 상기 절연 와이어의 표면 및 상기 도전성 입자의 표면과 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 복수 개의 전도성 입자 구조체들 각각은 상기 도전성 입자의 표면 상에 작용기를 포함하는 물질에 의해 접합된 도전 와이어를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 베이스 물질은 상기 제1 방향으로 상기 베이스 물질을 관통하는 복수 개의 관통 홀들을 구비하며, 상기 복수 개의 도전부들이 상기 복수 개의 관통 홀들 내부에 각각 배치되며, 상기 절연 와이어가 상기 복수 개의 관통 홀들 각각의 측벽과 접촉할 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 기술적 사상에 따른 테스트 소켓은, 반도체 칩 패키지와 테스트 장치 사이에 배치되어 상기 반도체 칩 패키지와 상기 테스트 장치 사이의 전기적 접속을 제공하는 테스트 소켓으로서, 제1 방향을 따라 배열된 복수 개의 전도성 입자 구조체들을 포함하며, 상기 제1 방향으로 연장하는 도전부; 및 상기 도전부의 측면을 둘러싸며 상면이 상기 도전부의 상면과 동일한 레벨 상에 위치하는 베이스 물질;을 포함하며, 상기 복수 개의 전도성 입자 구조체들 각각은 도전성 입자 및 상기 도전성 입자의 표면 상에 작용기를 포함하는 물질에 의해 접합된 도전 와이어를 포함한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 작용기를 포함하는 물질은 티올 작용기(-SH)를 포함하는 물질, 아민 작용기(-NH2)를 포함하는 물질 또는 카르복실 작용기(-COOH)를 포함하는 물질일 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 베이스 물질은 상기 도전 와이어의 표면 및 상기 도전성 입자의 표면과 접촉할 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 기술적 사상에 따른 테스트 소켓의 제조 방법은, 도전성 입자의 표면 상에 절연 와이어를 부착하여 전도성 입자 구조체를 형성하는 단계; 상기 전도성 입자 구조체와 예비 베이스 물질을 혼합한 혼합물에 마그네틱 필드를 인가하여 각각이 일 방향으로 정렬된 복수 개의 상기 전도성 입자 구조체들을 포함하며, 서로 이격되어 배치되는 복수 개의 도전부들을 형성하는 단계; 및 상기 예비 베이스 물질을 경화시켜 상기 복수 개의 도전부들의 측벽들을 둘러싸는 베이스 물질을 형성하는 단계;를 포함한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전도성 입자 구조체를 형성하는 단계는, 상기 도전성 입자의 표면 상에 티올 작용기를 포함하는 물질, 아민 작용기를 포함하는 물질 또는 카르복실 작용기를 포함하는 물질에 의해 상기 절연 와이어를 부착하여 상기 전도성 입자 구조체를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전도성 입자 구조체를 형성하는 단계는, 상기 도전성 입자의 표면 상에 티올 작용기를 포함하는 물질, 아민 작용기를 포함하는 물질 또는 카르복실 작용기를 포함하는 물질에 의해 도전 와이어를 부착하여 상기 전도성 입자 구조체를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 베이스 물질을 형성하는 단계는, 상기 도전성 입자 및 상기 절연 와이어를 상기 베이스 물질이 둘러싸도록 상기 베이스 물질을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 도전성 입자는 자성 금속을 포함하며, 상기 베이스 물질은 탄성을 갖는 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 기술적 사상에 따른 테스트 소켓의 제조 방법은, 도전성 입자의 표면 상에 절연 와이어를 부착하여 전도성 입자 구조체를 형성하는 단계; 금형에 예비 베이스 물질을 주입하고, 상기 예비 베이스 물질을 경화시켜 복수 개의 관통 홀들을 구비하는 베이스 물질을 형성하는 단계; 및 상기 전도성 입자 구조체를 상기 복수 개의 관통 홀들 내부에 채워 상기 복수 개의 관통 홀들 측벽 상에 각각 복수 개의 도전부들을 형성하는 단계;를 포함한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 도전성 입자는 절연성 코어 및 상기 절연성 코어를 둘러싸는 전도성 코팅층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 복수 개의 도전부들을 형성하는 단계는, 상기 도전성 입자 상의 상기 절연 와이어가 인접한 상기 도전성 입자 상의 상기 절연 와이어 또는 상기 복수 개의 관통 홀들 각각의 측벽과 접촉하도록 상기 복수 개의 도전부들을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 테스트 소켓은 도전성 입자들의 이탈을 방지할 수 있어 향상된 내구성을 가질 수 있다. 또한, 반도체 칩 패키지의 피치 감소에 따라, 감소된 피치를 갖는 테스트 소켓이 구현될 수 있다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 테스트 소켓을 나타내는 평면도이다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 테스트 소켓을 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 2의 III 부분을 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 4는 예시적인 실시예들에 따른 테스트 소켓을 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 4의 V 부분을 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 6은 예시적인 실시예들에 따른 테스트 소켓을 나타내는 단면도이다.
도 7은 도 6의 VII 부분을 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 8은 예시적인 실시예들에 따른 테스트 소켓을 나타내는 단면도이다.
도 9는 도 8의 IX 부분을 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 10은 예시적인 실시예들에 따른 테스트 소켓을 나타내는 단면도이다.
도 11a 내지 도 11e는 예시적인 실시예들에 따른 테스트 소켓의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 12a 내지 도 12c는 예시적인 실시예들에 따른 테스트 소켓의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예들에 대한 설명은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 구성 요소들은 설명의 편의를 위하여 그 크기를 실제보다 확대하여 도시한 것이며, 각 구성 요소의 비율은 과장되거나 축소될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "상에" 있다거나 "접하여" 있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 상에 직접 맞닿아 있거나 또는 연결되어 있을 수 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "바로 위에" 있다거나 "직접 접하여" 있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "～사이에"와 "직접 ～사이에" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 표현하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. "포함한다" 또는 "가진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하기 위한 것으로, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들이 부가될 수 있는 것으로 해석될 수 있다.
본 발명의 실시예들에서 사용되는 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 통상적으로 알려진 의미로 해석될 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 테스트 소켓(100)을 나타내는 평면도이다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 테스트 소켓(100)을 나타내는 단면도이다. 도 2에는 도 1의 II-II' 선을 따라서 절단한 단면이 도시된다.
도 3은 예시적인 실시예들에 따른 테스트 소켓(100)을 나타내는 단면도이다. 특히, 도 3은 도 2의 III 부분을 확대한 확대 단면이 도시된다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 테스트 소켓(100)은 반도체 칩 패키지(도시되지 않음)를 테스트하기 위한 테스트 소켓일 수 있고, 테스트 소켓(100)은 상기 반도체 칩 패키지와 테스트 장치(도시되지 않음) 사이의 전기적 접속을 제공할 수 있다. 테스트 소켓(100)은 베이스 물질(10), 도전부(20) 및 프레임부(40)를 포함할 수 있고, 복수 개의 도전부들(20)이 상기 반도체 칩 패키지의 각 단자에 대응하는 위치에 배열될 수 있다.
베이스 물질(10)은 복수 개의 도전부들(20)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 베이스 물질(10)은 탄성을 갖는 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스 물질(10)은 실리콘 러버(silicone rubber), 부타디엔계 러버, 아크릴레이트계 러버 등을 포함할 수 있다. 그러나, 베이스 물질(10)의 종류가 이에 한정되는 것은 아니다. 베이스 물질(10)은 탄성을 가져 베이스 물질(10)의 상부에서 베이스 물질(10)의 두께 방향으로 베이스 물질(10)의 두께의 약 10 내지 30%의 스트로크(stroke)가 가해지더라도(예를 들어, 베이스 물질(10)의 두께가 약 10 내지 30% 감소되도록 접촉 압력이 가해지더라도), 상기 스트로크가 제거된 후에 베이스 물질(10)의 원래 두께로 복원될 수 있도록 탄성을 갖는 물질을 포함할 수 있다.
복수 개의 도전부들(20)은 상기 반도체 칩 패키지의 단자에 대응하는 위치에 배열될 수 있고, 베이스 물질(10)의 두께 방향을 따라 연장할 수 있다. 도 2에 도시된 것과 같이, 복수 개의 도전부들(20)은 베이스 물질(10)에 의해 둘러싸일 수 있고, 복수 개의 도전부들(20) 상면들은 베이스 물질(10) 상면과 동일한 레벨 상에 위치할 수 있다.
복수 개의 도전부들(20) 각각은 인접한 도전부(20)와 소정의 간격을 두고 이격되어 배치될 수 있다. 상기 소정의 간격은 상기 반도체 칩 패키지의 상기 단자들 사이의 간격과 실질적으로 동일할 수 있다. 상기 반도체 칩 패키지의 상기 단자들 사이의 간격 및 상기 단자의 폭의 합을 피치(pitch)라고 정의할 때, 복수 개의 도전부들(20) 각각은 상기 반도체 칩 패키지와 실질적으로 동일한 피치를 가질 수 있다. 따라서, 상기 반도체 칩 패키지의 상기 피치가 감소할수록 복수 개의 도전부들(20) 사이의 간격 역시 감소될 수 있다.
복수 개의 도전부들(20) 각각은 베이스 물질(10)의 두께 방향으로 배열되는 복수 개의 도전성 입자 구조체들(30)을 포함할 수 있다. 복수 개의 도전성 입자 구조체들(30)은 서로 연결되어 도 2의 Z 방향으로 전기 전도성을 가질 수 있다. 한편, 복수 개의 도전부들(20) 각각이 인접한 도전부(20)와 베이스 물질(10)에 의해 이격되어 있고, 베이스 물질(10)은 절연 물질을 포함하므로, 테스트 소켓(100)은 일 방향, 예를 들어 도 2의 Z 방향만을 따라 전기 전도성을 갖는 전도 이방성(conductive anisotropy)을 나타낼 수 있다.
복수 개의 도전성 입자 구조체들(30) 각각은 도전성 입자(32) 및 도전성 입자(32) 표면으로부터 연장하는 적어도 하나의 절연 와이어(34)를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 도전성 입자(32)는 니켈, 코발트, 철, 은, 금, 알루미늄, 백금, 티타늄, 팔라듐 및 로듐으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 그러나, 도전성 입자(32)의 물질이 이에 한정되는 것은 아니다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도전성 입자(32)는 자성을 갖는 코어 입자 및 상기 코어 입자 표면 상에 형성된 전기 전도도가 높은 금속 물질을 포함하는 코팅층으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 도전성 입자(32)는 니켈을 포함하는 코어 입자 및 상기 코어 입자 표면 상에 형성된 금을 포함하는 코팅층으로 구성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도전성 입자(32)는 정형 또는 비정형 입자일 수 있다. 도전성 입자(32)는 구형, 판상형, 타원형 등의 형상을 가질 수 있으나, 도전성 입자(32)의 형상이 이에 한정되는 것은 아니다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도전성 입자(32)는 약 10 내지 약 100 마이크로미터의 직경을 가질 수 있다. 그러나, 도전성 입자(32)의 직경이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 도전성 입자(32)가 판상형을 가질 경우, 도전성 입자(32)는 100 마이크로미터보다 더 큰 직경(또는 최대 길이)를 가질 수도 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 절연 와이어(34)는 접착 물질(34)을 통해 도전성 입자(32)의 표면 상에 접합될 수 있다. 절연 와이어(34)의 일단은 접착 물질(34)을 통해 도전성 입자(32)의 표면 상에 부착될 수 있고, 절연 와이어(34)의 타단은 베이스 물질(10)에 접촉할 수 있다. 또는, 절연 와이어(34)의 일단은 접착 물질(34)을 통해 도전성 입자(32)의 표면 상에 부착될 수 있고, 절연 와이어(34)의 타단은 인접한 도전성 입자 구조체(30)의 절연 와이어(34)와 접촉할 수 있다. 절연 와이어(34)가 베이스 물질(10) 또는 인접한 도전성 입자 구조체(30)의 절연 와이어(34)와 접촉하므로, 도전성 입자 구조체(30)와 베이스 물질(10) 사이 또는 인접한 도전성 입자 구조체들(30) 사이의 접촉 면적이 증가할 수 있다. 따라서, 도전성 입자 구조체(30)와 베이스 물질(10) 사이 또는 인접한 도전성 입자 구조체들(30) 사이의 기계적 결합 강도가 증가할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 절연 와이어(34)는 일 방향으로 연장하는 일차원 구조의 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 절연 와이어(34)는 러버 물질, 무기 나노 와이어 또는 무기 나노 튜브 등을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 절연 와이어(34)는 실리콘(silicone), 비닐 메틸 실리콘(vinyl methyl silicone), 폴리실록산(polysiloxane (organosiloxane)), 폴리아크릴레이트 러버(polyacrylate rubber), 에틸렌 아크릴레이트 러버(ethylene-acrylate rubber), 폴리에스터 우레탄(polyester urethane), 브로모 이소부틸렌 이소프렌(bromo isobutylene isoprene), 폴리부타디엔(polybutadiene), 클로로 이소부틸렌 이소프렌(chloro isobutylene isoprene), 에피클로로하이드린(epichlorohydrin), 에틸렌 프로필렌(ethylene propylene), EPDM(ethylene propylene diene monomer), 폴리에테르 우레탄(polyether urethane), 퍼플루오로카본 러버(perfluorocarbon rubber), 플루오르화 하이드로카본(fluoronated hydrocarbon), 플루오로카본 러버(fluorocarbon rubber), HNBR(hydrogenated nitrile butadiene rubber), 폴리이소프렌(polyisoprene), 아크릴로나이트릴 부타디엔(acrylonitrile butadiene), 폴리우레탄(polyurethane), 스타이렌 부타디엔(styrene butadiene), SEBS 코폴리머(styrene ethylene butylene styrene copolymer), 아크릴로나이트릴 부타디엔 카르복시 모노머(acrylonitrile butadiene carboxy monomer), TPEE(thermoplastic polyether ester elastomer), 스타이렌 부타디엔 블록 코폴리머(styrene butadiene block copolymer), 스타이렌 부타디엔 카르복시 블록 코폴리머(styrene butadiene carboxy block copolymer) 등의 탄성 절연 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 절연 와이어(34)는 실리콘 산화물(SiO2) 나노 와이어, 티타늄 산화물(TiO2) 나노 와이어와 같은 무기 와이어(inorganic wire), 보론 질화물(BN) 나노 튜브, 바나듐 산화물(V2O5) 나노 튜브, 망간 산화물(MnO2) 나노 튜브와 같은 무기 나노 튜브 등을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 절연 와이어(34)는 베이스 물질(10)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 절연 와이어(34)는 경도(hardenss), 연신율(elongation), 유리 전이 온도(glass transition temperature), 탄성율(modulus of elasticity) 또는 열 안정성과 같은 물성들이 베이스 물질(10)의 물성과 유사한 물질을 포함할 수 있다. 이러한 경우에, 절연 와이어(34)와 베이스 물질(10) 사이의 기계적 결합 강도가 향상될 수 있어, 테스트 소켓(100)의 반복적 사용에 의한 도전성 입자 구조체(30)의 이탈을 방지할 수 있다. 그러나, 절연 와이어(34)의 물질이 베이스 물질(10)과 유사하거나 동일한 물질에 한정되는 것은 아니다.
절연 와이어(34)는 도전성 입자(32) 직경의 약 0.5 배 내지 약 20 배의 길이를 가질 수 있다. 바람직하게는, 절연 와이어(34)는 도전성 입자(32) 직경의 약 1 배 내지 약 5 배의 길이를 가질 수 있다. 절연 와이어(34)의 길이가 도전성 입자(32) 직경의 약 0.5 배보다 작은 경우에, 절연 와이어들(34) 사이의 접촉이 용이하지 않을 수 있고, 이에 따라 인접한 도전성 입자 구조체들(30) 사이의 기계적 결합 강도가 증가하지 않을 수 있다. 절연 와이어(34)의 길이가 도전성 입자(32) 직경의 약 20 배보다 큰 경우에, 도전성 입자들(32)이 인접하게 위치하는 것을 방해하므로, 도전성 입자들(32) 사이의 접촉이 용이하지 않아 도전부(20)가 Z 방향을 따라 전도 이방성을 가지지 못할 수 있다.
접착 물질(35)은 티올 작용기(thiol functional group, -SH)를 갖는 물질, 아민 작용기(amine functional group, -NH2), 또는 카르복실 작용기(carboxyl functional group, -COOH)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 절연 와이어(34)는 티올 작용기(-SH)를 갖는 물질에 의해 도전성 입자(32)의 표면 상에 부착될 수 있다. 도전성 입자(32)가 금을 포함할 때, 티올 작용기(-SH)를 갖는 물질이 금 표면 상에 자기 조립(self-assembly) 방식으로 부착될 수 있다. 예를 들어, 티올 작용기(-SH)의 황(S) 원자와 도전성 입자(32)의 금(Au) 원자간의 상호작용 에너지에 의해 상기 황 원자와 상기 금 원자 사이에 전자의 공유가 발생할 수 있고, 이에 따라 티올 작용기(-SH)를 갖는 물질이 도전성 입자(32) 표면에 부착될 수 있다. 절연 와이어(34)의 일단에 티올 작용기(-SH)를 갖는 물질이 부착되는 경우에, 티올 작용기(-SH)를 갖는 물질이 도전성 입자(32)의 표면 상에 자기 조립 방식으로 부착되고, 상기 티올 작용기(-SH)를 갖는 물질에 절연 와이어(34)가 연결될 수 있다. 따라서, 절연 와이어(34)는 티올 작용기(-SH)를 갖는 물질을 통해 화학적 결합에 의해 도전성 입자(32)에 부착될 수 있다. 상기 화학적 결합은, 예를 들어, 베이스 물질(10)이 도전성 입자(32)를 둘러싸면서 형성되는 베이스 물질(10)과 도전성 입자(32) 사이의 물리적 결합(또는 기계적 결합)보다 높은 접합 강도를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 티올 작용기(-SH)를 갖는 물질은 예를 들어, 탄소, 알케인(alkane), 알켄(alkene), 알카인(alkyne) 등의 탄화수소에 티올 작용기(-SH)가 결합된 물질들을 포함할 수 있다. 그러나, 상기 티올 작용기(-SH)를 갖는 물질이 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 실시예들에 있어서, 절연 와이어(34)는 아민 작용기(-NH2), 또는 카르복실 작용기(-COOH)에 의해 도전성 입자(32) 표면 상에 부착될 수 있다. 절연 와이어(34)의 일단에 아민 작용기(-NH2)를 갖는 물질 또는 카르복실 작용기(-COOH)를 갖는 물질이 부착되는 경우에 아민 작용기(-NH2)를 갖는 물질 또는 카르복실 작용기(-COOH)를 갖는 물질이 도전성 입자(32)의 표면 상에 자기 조립 방식으로 부착되고, 아민 작용기(-NH2)를 갖는 물질 또는 카르복실 작용기(-COOH)를 갖는 물질에 절연 와이어(34)가 연결될 수 있다.
프레임부(40)는 베이스 물질(10)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 프레임부(40)는 테스트 소켓(100)을 테스트 장치(도시되지 않음)에 장착시키기 위한 개구부들(42)을 포함할 수 있다. 프레임부(40)의 형상은 도 1에 도시된 형상에 한정되는 것은 아니며, 상기 반도체 칩 패키지의 형상 또는 상기 반도체 칩 패키지의 단자 레이아웃, 또는 상기 테스트 소켓(100)이 장착되는 상기 테스트 장치의 구성에 따라 다양한 형상을 가질 수 있다. 상기 테스트 장치는 테스트 소켓(100)의 복수 개의 도전부들(20)에 대응하는 위치에 배치되는 복수 개의 테스트 단자들(도시되지 않음)을 포함할 수 있고, 테스트 소켓(100) 상부에 상기 반도체 칩 패키지를 장착할 수 있는 수용 장치(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 상기 반도체 칩 패키지는 BGA(ball grid array) 타입의 반도체 칩 패키지일 수 있으나, 상기 반도체 칩 패키지의 종류가 이에 한정되는 것은 아니다.
탄성을 갖는 절연 매트릭스 내부에 일 방향으로 배열된 금속 입자들을 포함하는 일반적인 테스트 소켓의 경우에, 상기 금속 입자들이 상기 절연 매트릭스 내부에 기계적 접합 또는 물리적 접합을 통해 부착되며, 상기 금속 입자들과 상기 절연 매트릭스 사이의 결합력은 상대적으로 약할 수 있다. 상기 테스트 소켓을 사용하여 반도체 칩 패키지를 테스트하는 과정에서, 상기 테스트 소켓과 상기 반도체 칩 패키지 사이의 접촉 저항을 감소시키고 상기 테스트 소켓과 상기 반도체 칩 패키지 사이의 충분한 전기적 접속을 제공하기 위하여, 상기 반도체 칩 패키지로부터 상기 테스트 소켓을 향하는 방향으로(예를 들어, 상기 금속 입자들의 배열 방향 또는 상기 절연 매트릭스의 두께 방향을 따라) 상기 절연 매트릭스에 스트로크, 예를 들어 접촉 압력이 가해질 수 있다. 일반적으로 상기 스트로크는 상기 절연 매트릭스 두께의 약 10 내지 30% 범위의 압축(compression)를 유발할 수 있으며, 상기 스트로크에 의해 상기 절연 매트릭스의 두께가 약 10 내지 30% 감소할 수 있다. 상기 반도체 칩 패키지의 테스트가 완료된 후 상기 스트로크는 제거되고, 상기 절연 매트릭스는 상기 절연 매트릭스 물질의 탄성력에 의해 원래의 두께로 회복될 수 있다. 그러나, 이와 같은 테스트가 반복 수행될 때, 상기 절연 매트릭스 내에 일 방향으로 배열된 상기 금속 입자들이 상기 절연 매트릭스와의 사이의 상대적으로 약한 결합 강도에 의해 상기 절연 매트릭스로부터 분리되어 이탈될 수 있다. 이탈된 상기 금속 입자들은 상기 반도체 칩 패키지의 단자를 오염 또는 손상시킬 수 있고, 또는 이탈된 상기 금속 입자들이 절연 매트릭스에 의해 전기적으로 분리되어야 하는 다른 금속 입자들과 서로 연결되어 상기 테스트 소켓은 전도 이방성을 갖지 않을 수 있다. 또한, 상기 금속 입자들이 이탈된 상기 테스트 소켓은 저항이 증가하거나 상기 일 방향(또는 상기 금속 입자들의 연장 방향)에 따른 전도도가 감소하여 상기 테스트 소켓으로 기능하지 못할 수 있다.
그러나, 본 발명의 기술적 사상에 따르면, 절연 와이어(34)의 일단은 티올 작용기(-SH)를 갖는 물질에 의해 도전성 입자(32)의 표면에 부착될 수 있으므로, 절연 와이어(34)는 화학적 결합에 의해 상대적으로 높은 결합 강도를 가지며 도전성 입자(32)에 부착될 수 있다. 또한, 절연 와이어(34)의 타단은 베이스 물질(10) 또는 인접한 절연 와이어(34)에 접촉할 수 있다. 베이스 물질(10)은 도전성 입자(32) 및 절연 와이어(34)의 표면과 접촉하므로, 도전성 입자 구조체(30)와 베이스 물질(10) 사이의 접촉 면적이 증가할 수 있고, 이에 따라 도전성 입자 구조체(30)와 베이스 물질(10) 사이의 기계적 결합 강도가 증가할 수 있다. 또한, 절연 와이어(34)와 인접한 절연 와이어(34)가 서로 접촉하여 접합되거나 네트워크를 형성할 수 있어 도전성 입자 구조체들(30) 사이의 연결이 가능하므로, 도전성 입자 구조체들(30)이 베이스 물질(10)로부터 이탈 또는 분리되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 테스트 소켓(100)은 도전성 입자 구조체(30)의 이탈에 의한 오염, 상기 반도체 칩 패키지의 단자 손상 등을 방지할 수 있고, 향상된 내구성(durability)을 가질 수 있다.
도 4는 예시적인 실시예들에 따른 테스트 소켓(100a)을 나타내는 단면도이다.
도 5는 예시적인 실시예들에 따른 테스트 소켓(100a)을 나타내는 단면도이다. 특히, 도 5에는 도 4의 V 부분을 확대한 확대 단면이 도시된다.
도 4 및 도 5에 도시된 테스트 소켓(100a)은 도전성 입자 구조체(30a)의 구조를 제외하면 도 1 내지 도 3을 참조로 설명한 테스트 소켓(100)과 유사하므로, 차이점을 위주로 설명한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 도전성 입자 구조체(30a)는 도전성 입자(32) 및 도전성 입자(32) 표면 상에 접착 물질(35)을 통해 부착된 적어도 하나의 절연 와이어(34) 및 적어도 하나의 도전 와이어(36)를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도전 와이어(36)는 일 방향으로 연장하는 일차원 구조의 도전 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 도전 와이어(36)는 탄소 나노 튜브, 실버 와이어, 금 와이어, 구리 와이어, 니켈 와이어, 백금 와이어 등을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 도전 와이어(36)는 전도성 고분자 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도전 와이어(36)는 폴리플루오렌(poly(fluorene)), 폴리페닐렌(polyphenylene), 폴리파이렌(polypyrene), 폴리나프탈렌(polynaphthalene), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리파라페닐렌 비닐렌(poly(p-phenylene vinylene)), 폴리파이롤(poly(pyrrole)), 폴리카바졸(polycarbazole), 폴리인돌(polyindole), 폴리아제핀(polyazepine), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리티오펜(poly(thiophene)), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene), 폴리파라페닐렌설파이드(poly(p-phenylene sulfide)) 등을 포함할 수 있다. 그러나, 상기 전도성 고분자 물질의 종류가 이에 한정되는 것은 아니며, 도전 와이어(36)는 와이어 형상으로 제조될 수 있는 다른 전도성 고분자 물질 또한 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도전 와이어(36)은 나노 사이즈의 직경을 가질 수 있으나, 도전 와이어(36)의 직경이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 도전 와이어(36)는 도전성 입자(32) 직경의 약 0.5 배 내지 약 20 배의 길이를 가질 수 있으나, 도전 와이어(36)의 길이가 이에 한정되는 것은 아니다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도전 와이어(36)의 일단은 티올 작용기(-SH)를 갖는 물질, 아민 작용기(-NH2)를 갖는 물질 또는 카르복실 작용기(-COOH)를 갖는 물질에 의해 도전성 입자(32)의 표면에 부착될 수 있고, 도전 와이어(36)의 타단은 베이스 물질(10), 또는 인접한 도전성 입자 구조체(30a)의 절연 와이어(34) 또는 도전 와이어(36)와 접촉할 수 있다.
도전 와이어(36)는 전기 전도성을 갖는 물질을 포함하므로, 인접한 도전성 입자(32) 표면에 접촉하거나 인접한 도전 와이어(36)에 접촉하는 경우에 전기 전도성을 제공할 수 있다. 따라서, 테스트 소켓(100a)은 도전부(20)의 저항이 감소될 수 있다. 또한, 베이스 물질(10)이 도전성 입자(32), 절연 와이어(34) 및 도전 와이어(36)를 둘러싸도록 배치되므로, 베이스 물질(10)과 도전성 입자 구조체(30a) 사이의 접촉 면적이 증가될 수 있고, 이에 따라 베이스 물질(10)과 도전성 입자 구조체(30a) 사이의 접합 강도가 증가될 수 있다. 또한, 도전 와이어(36) 및/또는 절연 와이어(34) 사이의 접촉 및 네트워크 형성이 가능하여, 테스트 소켓(100)의 반복적인 사용(예를 들어, 반복적인 압축 및 회복)에도 도전성 입자 구조체(30a)가 베이스 물질(10)로부터 이탈하거나 분리되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 테스트 소켓(100a)은 향상된 내구성을 가질 수 있다.
도 6은 예시적인 실시예들에 따른 테스트 소켓(100b)을 나타내는 단면도이다.
도 7은 예시적인 실시예들에 따른 테스트 소켓(100b)을 나타내는 단면도이다. 특히, 도 7에는 도 6의 VII 부분을 확대한 확대 단면이 도시된다.
도 6 및 도 7에 도시된 테스트 소켓(100b)은 도전성 입자 구조체(30b)의 구조를 제외하면 도 1 내지 도 3을 참조로 설명한 테스트 소켓(100)과 유사하므로, 차이점을 위주로 설명한다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 도전성 입자 구조체(30b)는 도전성 입자(32) 및 도전성 입자(32) 표면 상에 접착 물질(35)을 통해 부착된 적어도 하나의 도전 와이어(36)를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 적어도 하나의 도전 와이어(36)의 일단은 티올 작용기(-SH)를 갖는 물질, 아민 작용기(-NH2)를 갖는 물질 또는 카르복실 작용기(-COOH)를 갖는 물질에 의해 도전성 입자(32)의 표면에 부착될 수 있고, 적어도 하나의 도전 와이어(36)의 타단은 베이스 물질(10), 또는 인접한 도전성 입자 구조체(30b)의 도전 와이어(36)와 접촉할 수 있다.
도전 와이어(36)는 전기 전도성을 갖는 물질을 포함하므로, 인접한 도전성 입자(32) 표면에 접촉하거나 인접한 도전 와이어(36)에 접촉하는 경우에 전기 전도성을 제공할 수 있다. 복수 개의 도전부들(20) 각각에 포함되는 전도성 입자 구조체들(30b)의 충진 밀도(filling density)가 감소하더라도 테스트 소켓(100b)의 전기 전도성은 유지될 수 있다. 반도체 칩 패키지의 피치가 감소하는 경향에 따라 테스트 소켓의 두께도 감소할 필요가 있으나, 상기 두께 감소에 따라 테스트 소켓 내에 포함되는 일 방향으로 연장되는 금속 입자들의 함유량이 감소되는 경우에 충분한 전기 전도성이 제공될 수 없다. 또한, 상기 피치 감소에 따라 서로 분리되어야 하는 금속 입자들의 어레이들 사이의 간격 또한 감소하므로, 상기 금속 입자들의 어레이의 폭 또한 감소될 필요가 있고, 이러한 경우에 충분한 전기 전도성이 제공될 수 없다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상에 따른 테스트 소켓(100b)은 도전성 입자(32) 표면으로부터 연장되는 도전 와이어들(36)이 도전성 입자(32)와의 전기적 접속 또는 도전 와이어들(36) 사이의 전기적 접속을 가능하게 하므로, 상기 일 방향으로의 전기 전도성을 증가시킬 수 있다. 따라서, 반도체 칩 패키지의 피치 감소에 따른 상기 테스트 소켓(100b)의 피치 감소를 가능하게 할 수 있고, 상기 피치가 감소되더라도 접촉 저항이 충분히 낮은 테스트 테스트 소켓(100b)을 구현할 수 있다.
또한, 베이스 물질(10)이 도전성 입자(32) 및 도전 와이어(36)를 둘러싸도록 배치되므로, 베이스 물질(10)과 도전성 입자 구조체(30b) 사이의 접촉 면적이 증가될 수 있고, 이에 따라 베이스 물질(10)과 도전성 입자 구조체(30b) 사이의 접합 강도가 증가될 수 있다. 또한, 인접한 도전 와이어들(36) 사이의 접촉 및 네트워크 형성이 가능하여, 테스트 소켓(100b)의 반복적인 사용(예를 들어, 반복적인 압축 및 회복)에도 도전성 입자 구조체(30b)가 베이스 물질(10)로부터 이탈하거나 분리되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 테스트 소켓(100b)은 향상된 내구성을 가질 수 있다.
도 8은 예시적인 실시예들에 따른 테스트 소켓(100c)을 나타내는 단면도이다.
도 9는 예시적인 실시예들에 따른 테스트 소켓(100c)을 나타내는 단면도이다. 특히, 도 9에는 도 8의 IX 부분을 확대한 확대 단면이 도시된다.
도 8 및 도 9에 도시된 테스트 소켓(100c)은 도전성 입자 구조체(30c)의 구조를 제외하면 도 1 내지 도 3을 참조로 설명한 테스트 소켓(100)과 유사하므로, 차이점을 위주로 설명한다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 베이스 물질(10)은 복수 개의 관통 홀들(through holes)(10H)을 포함할 수 있다. 복수 개의 관통 홀들(10H)은 반도체 칩 패키지의 단자, 예를 들어 솔더 볼들과 같은 접속 단자들의 위치에 대응되는 위치에 형성될 수 있다.
복수 개의 관통 홀들(10H) 내부를 채우는 복수 개의 도전부들(20)이 형성될 수 있다. 복수 개의 도전부들(20)은 베이스 물질(10)의 길이 방향, 예를 들어 도 8의 X 방향을 따라 제1 폭(W1)을 가지며, 인접한 도전부(20)와 제1 간격(S1)으로 이격되어 배치될 수 있다. 이때, 테스트 소켓(100c)의 피치(P1)는 제1 폭(W1) 및 제1 간격(S1)의 합으로 정의될 수 있고, 상기 반도체 칩 패키지의 피치는 테스트 소켓(100c)의 피치(P1)와 실질적으로 동일할 수 있다. 상기 반도체 칩 패키지의 피치가 감소함에 따라, 테스트 소켓(100c)의 피치(P1)도 감소할 필요가 있다.
복수 개의 도전부들(20)이 복수 개의 관통 홀들(10H) 내부를 채우도록 배치됨에 따라 복수 개의 관통 홀들(10H)의 폭 및 간격에 의해 복수 개의 도전부들(20)의 제1 폭(W1) 및 제1 간격(S1)이 결정될 수 있다. 도 1 내지 도 7을 참조로 설명한 테스트 소켓들(100, 100a, 100b)을 제조하기 위한 예시적인 공정에서는, 인가된 마그네틱 필드에 의해 복수 개의 도전성 입자들(32)이 내부에 유도된 N극 및 S극에 의해 일렬로 정렬되며, 상기 N극 및 S극에 의해 수평 방향으로(예를 들어, 도 2의 X 방향) 인접한 도전성 입자들(32) 사이에 소정의 간격이 유지된다. 따라서, 복수 개의 도전부들(20)의 수평 방향에 따른 폭은 인가된 마그네틱 필드에 의해 결정될 수 있다. 그러나, 도 8 및 도 9를 참조로 설명하는 테스트 소켓(100c)을 제조하기 위한 예시적인 공정에서는, 베이스 물질(10)에 형성된 복수 개의 관통 홀들(10H) 내부에 도전성 입자 구조체들(30c)을 채움에 의해 복수 개의 도전부들(20)이 형성될 수 있다. 따라서, 복수 개의 도전부들(20)의 수평 방향에 따른 제1 폭(W1) 및 제1 간격(S1)은 복수 개의 관통 홀들(10H)의 폭 및 간격에 의해 결정될 수 있으므로, 복수 개의 도전부들(20)의 수평 방향에 따른 제1 폭(W1) 및 제1 간격(S1)을 정밀하게 조절할 수 있다.
또한, 상기 반도체 칩 패키지의 피치 감소에 따라 도전부들(20)의 폭 및 두께가 감소될 필요가 있다. 그러나, 전술한 것과 같이, 도전부들(20)의 폭 및 두께가 감소하는 경우 상기 테스트 소켓의 두께 방향(예를 들어, 도 8의 Z 방향)을 따라 충분한 전기 전도성이 제공되지 않을 수 있다. 그러나, 관통 홀들(10H) 내부에 도전성 입자 구조체들(30c)을 채워 넣는 공정에 의해 테스트 소켓(100c)을 제조하는 경우에, 예를 들어 마그네틱 필드에 의해 상기 도전부를 형성하는 경우와 비교할 때 도전성 입자 구조체들 사이의 거리가 감소될 수 있으므로, 관통 홀들(10H) 내부에 포함되는 도전성 입자 구조체들(30c)의 충진 밀도가 증가될 수 있다. 따라서, 테스트 소켓(100c)의 상기 피치가 감소되더라도 접촉 저항이 충분히 낮은 테스트 테스트 소켓(100c)이 구현될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도전성 입자 구조체(30c)는 코어(38a), 코어(38a)를 둘러싸는 전도성 코팅층(38b), 전도성 코팅층(38b)의 표면 상에서 연장되는 적어도 하나의 절연 와이어(34)를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 코어(38a)는 글래스 비드(glass bead), 폴리머 입자 등의 절연성 물질을 포함할 수 있다. 전도성 코팅층(38b)은 금, 은, 팔라듐, 로듐, 백금, 티타늄, 니켈 등의 금속 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 적어도 하나의 절연 와이어(34)는 티올 작용기(-SH)를 갖는 물질, 아민 작용기(-NH2)를 갖는 물질 또는 카르복실 작용기(-COOH)를 갖는 물질에 의해 전도성 코팅층(38b)의 표면 상에 부착될 수 있다. 예를 들어, 절연 와이어(34)는 금을 포함하는 전도성 코팅층(38b) 표면 상에 티올 작용기(-SH)를 갖는 물질이 부착되고, 티올 작용기(-SH)를 갖는 물질의 일단에 실리콘 러버를 포함하는 절연 와이어(34)가 부착됨에 따라 절연 와이어(34)가 전도성 코팅층(38b) 표면 상에서 연장할 수 있다.
코어(38a)는 글래스 비드(glass bead), 폴리머 입자 등의 절연성 물질을 포함할 수 있다. 관통 홀들(10H) 내부에 도전성 입자 구조체들(30c)을 채워 넣는 공정에 의해 테스트 소켓(100c)을 제조할 수 있으므로, 예를 들어 마그네틱 필드에 의해 상기 도전부를 형성하는 경우와 달리, 도전성 입자 구조체(30c)가 자성 물질을 포함하는 코어 입자를 포함하지 않을 수 있다.
도 10은 예시적인 실시예들에 따른 테스트 소켓(100d)을 나타내는 단면도이다.
도 10에 도시된 테스트 소켓(100d)은 도전부(20a)의 높이를 제외하면, 도 1 내지 도 3을 참조로 설명한 테스트 소켓(100)과 유사하므로, 차이점을 위주로 설명한다.
도 10을 참조하면, 복수 개의 도전부들(20a)이 베이스 물질(10) 상부로 더 연장하여, 복수 개의 도전부들(20a) 상면들은 베이스 물질(10) 상면의 레벨(LV0)보다 높은 레벨(LV1) 상에 위치할 수도 있다. 예를 들어, 베이스 물질(10)의 두께 방향, 즉 도 2의 Z 방향을 따른 복수 개의 도전부들(20)의 높이는 베이스 물질(10)의 Z 방향에 따른 두께보다 클 수 있다. 상기 반도체 칩 패키지의 단자가 상기 반도체 칩 패키지 하면으로부터 돌출되는 높이가 작을 경우에 베이스 물질(10) 상면보다 복수 개의 도전부들(20) 상면이 더 높은 레벨 상에 위치하여 복수 개의 도전부들(20)과 상기 반도체 칩 패키지의 단자 사이의 전기적 접속을 용이하게 할 수 있다.
도전성 입자 구조체(30)의 절연 와이어(34)는 인접한 절연 와이어(34)와 서로 접촉할 수 있고, 이에 따라 도전성 입자들(32)이 절연 와이어(34)에 의해 복수 개의 도전부들(20a) 내에 견고히 부착될 수 있다. 따라서, 테스트 소켓(100d)은 향상된 내구성 및 우수한 전도성을 가질 수 있다.
도 11a 내지 도 11e는 예시적인 실시예들에 따른 테스트 소켓의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다. 상기 제조 방법은 도 1 내지 도 7을 참조로 설명한 테스트 소켓들(100, 100a, 100b)의 제조 방법일 수 있다.
도 11a를 참조하면, 코어(32a)와 코어(32a)를 둘러싸는 전도성 코팅층(32b)를 포함하는 도전성 입자(32)가 준비될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 코어(32a)는 자성을 갖는 니켈, 코발트 또는 철을 포함하는 금속 분말일 수 있다. 전도성 코팅층(32b)은 금, 은, 백금, 팔라듐, 로듐 등과 같은 전도도가 높은 금속 물질일 수 있다. 코어(32a)를 둘러싸는 전도성 코팅층(32b)은 예를 들어 전해 도금 또는 무전해 도금 공정에 의해 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 코어(32a)는 약 10 내지 약 100 마이크로미터의 직경을 가질 수 있으나, 코어(32a)의 직경이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 전도성 코팅층(32b)은 약 10 나노미터 내지 약 5 마이크로미터의 두께를 가질 수 있으나, 전도성 코팅층(32b)의 두께가 이에 한정되는 것은 아니며, 전도성 코팅층(32b)의 물질, 테스트 소켓(100)의 피치 및 두께, 테스트 소켓(100)에서 요구되는 전기 전도도의 크기 등에 따라 전도성 코팅층(32b)의 두께가 달라질 수 있다.
도 11b를 참조하면, 절연 와이어(34)에 티올 작용기(-SH)를 포함하는 물질이 접합된 절연 와이어 접합체(120)를 포함하는 용액(110)이 준비될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 절연 와이어 접합체(120)를 포함하는 용액(110)에 도전성 입자(32)를 넣어 도전성 입자(32)의 표면에 티올 작용기(-SH)를 갖는 절연 와이어 접합체(120)를 자기 조립 방식으로 접합시킬 수 있다. 예를 들어, 도전성 입자(32) 표면의 전도성 코팅층(32b)이 금을 포함하는 경우, 티올 작용기의 황(S) 원자와 전도성 코팅층(32b)의 금(Au) 원자간의 상호작용 에너지에 의해 상기 황 원자와 상기 금 원자 사이에 전자의 공유가 발생할 수 있고, 이에 따라 티올 작용기(-SH)를 갖는 절연 와이어 접합체(120)가 전도성 코팅층(32b)의 표면에 부착될 수 있다. 예를 들어, 용액(110)은 NMP(N-methyl-2-pyrrolidone) 등의 용매를 포함할 수 있으나, 용액(110)의 종류가 이에 한정되는 것은 아니다.
도 11b에 도시되지는 않았지만, 티올 작용기(-SH)와 절연 와이어(34) 사이에는 탄소, 알칸, 알켄 등이 더 형성될 수도 있다.
한편, 도시되지는 않았지만, 상기 티올 작용기(-SH)를 포함하는 물질 대신에 아민 작용기(-NH2)를 포함하는 물질 또는 카르복실 작용기(-COOH)를 포함하는 물질이 접합된 절연 와이어 접합체(도시되지 않음)가 제공될 수도 있다.
또한, 절연 와이어 접합체(120)를 도전성 입자(32) 표면에 부착하는 단계를 수행한 이후에, 티올 작용기(-SH)를 갖는 물질, 아민 작용기(-NH2)를 갖는 물질 또는 카르복실 작용기(-COOH)를 갖는 물질을 사용하여 도전 와이어(도 4의 36 참조)를 도전성 입자(32) 표면에 부착하는 단계를 더 수행하는 경우에 도 4 및 도 5를 참조로 설명한 테스트 소켓(100a)이 제조될 수 있다.
또한, 절연 와이어 접합체(120)를 도전성 입자(32) 표면에 부착하는 단계 대신에 티올 작용기(-SH)를 갖는 물질, 아민 작용기(-NH2)를 갖는 물질 또는 카르복실 작용기(-COOH)를 갖는 물질을 사용하여 도전 와이어(도 6의 36 참조)를 도전성 입자(32) 표면에 부착하는 단계를 수행하는 경우에 도 6 및 도 7을 참조로 설명한 테스트 소켓(100b)이 제조될 수 있다.
도 11c를 참조하면, 상기 용액(110)을 제거하여, 절연 와이어(34)가 티올 작용기(SH-)에 의해 도전성 입자(32) 표면에 접합된 도전성 입자 구조체(30)가 형성될 수 있다. 도전성 입자 구조체(30)는 도전성 입자(32) 및 도전성 입자(32) 표면에 접착 물질(35)을 통해 부착된 적어도 하나의 절연 와이어(34)를 포함할 수 있다.
이후, 성형 공간이 정의된 금형(130) 내에 도전성 입자 구조체(30)와 예비 베이스 물질(10a)을 혼합한 혼합물(140)을 주입할 수 있다. 금형(130)은 상부 금형(130a) 및 하부 금형(130b)을 포함할 수 있고, 상부 금형(130a) 및 하부 금형(130b)은 각각 복수 개의 자성 패드들(132)을 포함할 수 있다. 복수 개의 자성 패드들(132)은 복수 개의 도전부들(도 11d의 20)이 형성될 위치에 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 금형(130)의 복수 개의 자성 패드들(132)에 마그네틱 필드를 인가할 수 있도록 코일(134)이 금형(130) 일부분과 연결되어 제공될 수 있다.
예비 베이스 물질(10a)은 가교 구조를 갖는 폴리머 물질의 액상 성분일 수 있다. 예를 들어, 예비 베이스 물질(10a)을 경화시켜 도 1 내지 도 3에서 설명한 베이스 물질(10)이 형성될 수 있다.
도 11d를 참조하면, 상부 금형(130a) 및 하부 금형(130b)의 복수 개의 자성 패드들(132)에 마그네틱 필드를 인가하여 복수 개의 도전부들(20)을 형성할 수 있다. 이때, 복수 개의 도전부들(20) 각각 내에서 도전성 입자 구조체들(30)이 상기 마그네틱 필드에 의해 일 방향으로 연장하도록 위치할 수 있다. 구체적으로, 상부 금형(130a)의 자성 패드(132)와 하부 금형(130b)의 자성 패드(132) 사이에서 도전성 입자 구조체들(30)의 코어들(도 11c의 32a 참조)이 그 내부에서 N극과 S극을 띠도록 분극되어 일렬로 정렬될 수 있다. 이에 따라 복수 개의 자성 패드들(132)에 대응되는 위치에 일 방향으로 연장하는 복수 개의 도전부들(20)이 형성되며, 예비 베이스 물질(10a)이 복수 개의 도전부들(20)을 둘러쌀 수 있다. 복수 개의 도전부들(20)은 금형(130)의 두께 방향으로 연장하여 상부 금형(130a)의 자성 패드(132)와 하부 금형(130b)의 자성 패드(132)를 연결하도록 위치할 수 있고, 인접한 도전부(20)와는 서로 연결되지 않을 수 있다.
도전성 입자 구조체들(30)이 일렬로 정렬될 때, 전도성 코팅층(32b) 표면 상에 배치되는 절연 와이어들(34)은 인접한 도전성 입자 구조체(30)의 절연 와이어(34)와 접촉하거나, 예비 베이스 물질(10a)과 접촉하도록 배치될 수 있다.
도 11e를 참조하면, 예비 베이스 물질(도 11d의 10a)을 경화시켜 금형(130) 내부에서 복수 개의 도전부들(20)을 둘러싸며 배치되는 베이스 물질(10)을 형성할 수 있다.
예비 베이스 물질(10a)이 경화되는 과정에서, 도전성 입자 구조체들(30)의 절연 와이어들(34)은 예비 베이스 물질(10a)과 접촉한 상태로 베이스 물질(10) 내부에 배치될 수 있다. 따라서, 절연 와이어들(34)과 베이스 물질(10) 사이의 접촉 면적이 증가할 수 있고, 이에 따라 복수 개의 도전부들(20)과 베이스 물질(10) 사이의 접촉에 의한 결합 강도가 증가할 수 있다. 또한, 절연 와이어들(34)과 베이스 물질(10)이 동일한 물질을 포함하거나, 유사한 물성을 갖는 물질을 포함하는 경우에(예를 들어, 절연 와이어들(34)이 실리콘(silicone) 수지를 포함하고, 베이스 물질(10)이 실리콘(silicone) 수지를 포함하는 경우와 같이), 절연 와이어들(34)과 베이스 물질(10) 사이의 기계적 결합 강도가 증가할 수 있다.
복수 개의 도전부들(20)의 상면들은 베이스 물질(10)의 상면과 동일한 레벨 상에 위치할 수 있고, 복수 개의 도전부들(20)이 베이스 물질(10)의 두께 방향을 따라 전기 전도성을 제공할 수 있다. 베이스 물질(10)은 절연 물질을 포함하므로, 복수 개의 도전부들(20) 각각을 인접한 도전부들(20)와 전기적으로 절연시킬 수 있다. 따라서, 일 방향, 즉 베이스 물질(10)의 두께 방향을 따라 전기 전도성을 가지며, 다른 방향, 즉 베이스 물질(10)의 길이 방향을 따라 전기 절연성을 갖는 전도 이방성이 나타날 수 있다.
전술한 공정에 의해 테스트 소켓(100)이 완성될 수 있다.
도 12a 내지 도 12c는 예시적인 실시예들에 따른 테스트 소켓의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다. 상기 제조 방법은 도 8 및 도 9를 참조로 설명한 테스트 소켓들(100c)의 제조 방법일 수 있다.
우선, 도 11a 및 도 11b를 참조로 설명한 공정을 수행하여 도 11c에 도시된 것과 같은 도전성 입자 구조체들(도 11c의 30)을 형성할 수 있다. 한편, 도전성 입자 구조체(30)는 도 8 및 도 9를 참조로 설명한 것과 같이 절연 코어(도 8의 38a 참조), 절연 코어(38a)를 둘러싸는 전도성 코팅층(도 8의 38b 참조) 및 절연 와이어(도 8의 34 참조)를 포함하도록 형성될 수도 있다.
도 12a를 참조하면, 성형 공간이 정의된 금형(150) 내에 예비 베이스 물질(10b)이 주입될 수 있다.
금형(150)은 상부 금형(150a) 및 하부 금형(150b)을 포함하며, 금형(150)은 복수 개의 관통 홀들(도 12b의 10H 참조)이 형성될 위치에 배치된 돌출부들(150H)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 금형(150a)의 돌출부(150H)와 하부 금형(150b)의 돌출부(150H)는 측벽들이 서로 정렬될 수 있다.
도 12a에는 수직 방향(예를 들어, 도 12a의 Z 방향)으로 연장하는 돌출부들(150H)이 도시되었지만, 이와는 달리 돌출부들(150H)은 상기 수직 방향에 대하여 소정의 각도로 기울어질 수도 있다. 예를 들어, 상부 금형(150a)에서 돌출부(150H)의 최상부 폭이 상부 금형(150a)에서 돌출부(150H)의 바닥부 폭보다 작은 경우(또는 하부 금형(150b)에서 돌출부(150H)의 최상부 폭이 상부 금형(150b)에서 돌출부(150H)의 바닥부 폭보다 작은 경우), 관통 홀(10H)의 최상부 폭이 관통 홀(10H)의 중앙 지점에서의 폭보다 작을 수 있다. 이러한 경우에 후속 공정에서 관통 홀(10H) 내부에 채워지는 도전부(도 12c의 20)의 최상부 폭이 도전부(20)의 중앙 지점에서의 폭보다 작도록 형성될 수 있어, 테스트 소켓(100c)의 전기 전도성이 증가되는 동시에 반도체 칩 패키지와 접속되는 도전부들(20)의 최상부 부분들 사이의 간격도 증가될 수 있다. 따라서, 도전성 입자 구조체들(30)의 이탈이 방지될 수 있고, 인접한 도전부들(20) 사이의 요구되지 않는 전기적 연결이 방지될 수 있다.
도 12b를 참조하면, 예비 베이스 물질(도 12a의 10b 참조)이 경화되어 복수 개의 관통 홀들(10H)을 구비하는 베이스 물질(10)이 형성될 수 있다.
복수 개의 관통 홀들(10H)은 베이스 물질(10)을 두께 방향(예를 들어, 도 12b의 Z 방향)으로 관통할 수 있고, 반도체 칩 패키지의 단자의 위치에 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 또한, 전술한 것과 같이, 복수 개의 관통 홀들(10H)의 형상은 복수 개의 돌출부들(150H)의 형상을 따라 달라질 수 있다.
도 12c를 참조하면, 도전성 입자 구조체(30)로 복수 개의 관통 홀들(도 12b의 10H) 각각의 내부를 채울 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도전성 입자 구조체(30)를 유기 용매 또는 접착성 실런트(sealant)과 혼합하여 혼합물을 형성하고, 상기 혼합물로 복수 개의 관통 홀들(10H) 내부를 채울 수 있다. 이후, 상기 혼합물이 채워진 베이스 물질(10)에 건조 공정 또는 열처리 공정을 수행함에 의해, 상기 유기 용매 또는 상기 접착성 실런트를 증발시켜 도전성 입자 구조체(30)가 채워진 복수 개의 도전부들(20)을 형성할 수 있다.
상기 도전성 입자 구조체(30)를 채우는 과정에서, 베이스 물질(10) 상면을 덮는 상기 혼합물 부분들을 연마하여, 복수 개의 도전부들(20)의 상면들이 베이스 물질(10) 상면과 실질적으로 동일한 레벨 상에 위치하도록 할 수 있다. 복수 개의 도전부들(20)이 인접한 도전부(20)와 전기적으로 연결되지 않음에 따라, 테스트 소켓(100c)이 전기적 이방성을 나타낼 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.
10: 베이스 물질 20: 도전부
30: 도전성 입자 구조체 32: 도전성 입자
32a, 38a: 코어 32b, 38b: 전도성 코팅층
34: 절연 와이어 36: 도전 와이어
40: 프레임부

Claims (20)

  1. 절연성 탄성 물질을 포함하는 베이스 물질(base material); 및
    상기 베이스 물질 내에서 상기 베이스 물질의 두께 방향으로 연장하는 도전부;를 포함하는 테스트 소켓으로서,
    상기 도전부는 상기 베이스 물질의 두께 방향을 따라 배열된 복수의 도전성 입자 구조체들을 포함하며,
    상기 복수의 도전성 입자 구조체들 각각은 도전성 입자 및 상기 도전성 입자 표면으로부터 연장하는 적어도 하나의 절연 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 절연 와이어의 일단은 상기 도전성 입자의 표면 상에 배치되며, 상기 적어도 하나의 절연 와이어의 타단은 상기 베이스 물질 또는 인접한 상기 도전성 입자 구조체의 상기 적어도 하나의 절연 와이어와 접촉하는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 절연 와이어는 티올 작용기(thiol functional group, -SH)를 갖는 물질, 아민 작용기(amine functional group, -NH2)를 갖는 물질 또는 카르복실 작용기(carboxyl functional group, -COOH)를 갖는 물질에 의해 상기 도전성 입자 표면에 부착되는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 절연 와이어는 상기 도전성 입자의 직경의 0.5 배 내지 20 배의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 절연 와이어는 상기 도전성 입자의 직경의 1 배 내지 5 배의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 절연 와이어는 상기 베이스 물질과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 절연 와이어는 실리콘 러버(silicone rubber)를 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 도전성 입자 구조체들 각각은 상기 도전성 입자 표면으로부터 연장하는 적어도 하나의 도전 와이어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 도전 와이어는 탄소 나노 튜브, 은 와이어, 금 와이어, 니켈 와이어 및 백금 와이어를 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 도전 와이어는 전도성 고분자 물질을 포함하며,
    상기 전도성 고분자 물질은 폴리플루오렌(poly(fluorene)), 폴리페닐렌(polyphenylene), 폴리파이렌(polypyrene), 폴리나프탈렌(polynaphthalene), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리파라페닐렌 비닐렌(poly(p-phenylene vinylene)), 폴리파이롤(poly(pyrrole)), 폴리카바졸(polycarbazole), 폴리인돌(polyindole), 폴리아제핀(polyazepine), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리티오펜(poly(thiophene)), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) 및 폴리파라페닐렌설파이드(poly(p-phenylene sulfide))으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 도전 와이어는 티올 작용기(-SH)를 갖는 물질, 아민 작용기(-NH2)를 갖는 물질 또는 카르복실 작용기(-COOH)를 갖는 물질에 의해 상기 도전성 입자 표면에 부착되는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 입자는,
    절연성 코어 및 상기 절연성 코어를 둘러싸는 전도성 코팅층을 포함하며,
    상기 적어도 하나의 절연 와이어는 상기 전도성 코팅층의 표면으로부터 연장하는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 물질은 복수 개의 관통 홀들을 포함하며,
    상기 복수 개의 도전부들이 상기 복수 개의 관통 홀들 각각의 내부를 채우는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 물질의 상면은 상기 도전부의 상면보다 낮은 레벨 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  15. 반도체 칩 패키지와 테스트 장치 사이에 배치되어 상기 반도체 칩 패키지와 상기 테스트 장치 사이의 전기적 접속을 제공하는 테스트 소켓으로서,
    제1 방향을 따라 배열된 복수 개의 전도성 입자 구조체들을 포함하며, 상기 제1 방향으로 연장하는 도전부; 및
    상기 도전부의 측면을 둘러싸며 상면이 상기 도전부의 상면과 동일한 레벨 상에 위치하는 베이스 물질;을 포함하며,
    상기 복수 개의 전도성 입자 구조체들 각각은 도전성 입자 및 상기 도전성 입자의 표면 상에 작용기(functional group)를 포함하는 물질에 의해 접합된 절연 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 작용기를 포함하는 물질은 티올 작용기를 포함하는 물질, 아민 작용기를 포함하는 물질 또는 카르복실 작용기를 포함하는 물질인 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 베이스 물질은 상기 절연 와이어의 표면 및 상기 도전성 입자의 표면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 복수 개의 전도성 입자 구조체들 각각은 상기 도전성 입자의 표면 상에 작용기를 포함하는 물질에 의해 접합된 도전 와이어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 베이스 물질은 상기 제1 방향으로 상기 베이스 물질을 관통하는 복수 개의 관통 홀들을 구비하며,
    상기 복수 개의 도전부들이 상기 복수 개의 관통 홀들 내부에 각각 배치되며,
    상기 절연 와이어가 상기 복수 개의 관통 홀들 각각의 측벽과 접촉하는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
  20. 반도체 칩 패키지와 테스트 장치 사이에 배치되어 상기 반도체 칩 패키지와 상기 테스트 장치 사이의 전기적 접속을 제공하는 테스트 소켓으로서,
    제1 방향을 따라 배열된 복수 개의 전도성 입자 구조체들을 포함하며, 상기 제1 방향으로 연장하는 도전부; 및
    상기 도전부를 둘러싸며 상면이 상기 도전부의 상면과 동일한 레벨 상에 위치하는 베이스 물질;을 포함하며,
    상기 복수 개의 전도성 입자 구조체들 각각은 도전성 입자 및 상기 도전성 입자의 표면 상에 작용기(functional group)를 포함하는 물질에 의해 접합된 도전 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓.
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