KR20230063652A - Substrate clamping unit and substrate clamp tray having the same - Google Patents

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Abstract

A substrate clamping unit and a substrate holding tray including the same are disclosed. The substrate clamping unit according to one embodiment of the present invention includes: a first clamp capable of supporting an edge area of one surface of a substrate; a second clamp facing the first clamp and hinged thereto, and capable of supporting the other surface of the substrate; a first shielding block stacked and arranged side by side with a first magnet on the first clamp and guiding the magnetic direction of the first magnet toward the substrate; and a second shielding block stacked and arranged side by side with a second magnet or a magnetic material on the second clamp and guiding the magnetic direction of the second magnet toward the substrate.

Description

기판 클램핑 유닛과 이를 포함하는 기판 파지 트레이{SUBSTRATE CLAMPING UNIT AND SUBSTRATE CLAMP TRAY HAVING THE SAME}Substrate clamping unit and substrate holding tray including the same {SUBSTRATE CLAMPING UNIT AND SUBSTRATE CLAMP TRAY HAVING THE SAME}

본 발명은 기판 지지 유닛과 이를 포함하는 기판 파지 트레이에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판을 안정적으로 지지 가능한 기판 지지 유닛과 이를 포함하는 기판 파지 트레이에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate holding unit and a substrate holding tray including the same, and more particularly, to a substrate holding unit capable of stably supporting a substrate and a substrate holding tray including the same.

기판 파지 트레이는 반도체 소자, 디스플레이 등을 제조하는 데 있어 세정, 건조, 노광 등 다양한 기판 처리 공정에서 기판을 지지하고, 반송하는데 이용된다.A substrate holding tray is used to support and transport a substrate in various substrate processing processes such as cleaning, drying, and exposure in manufacturing semiconductor devices and displays.

기판 파지 트레이는, 크게 기판 접촉 파지 방식 또는 기판 비접촉 파지 방식에 의해 기판을 지지한다. 기판 접촉 파지 방식으로는, 진공 흡기 방식에 의한 진공 척, 기계적 클램핑 등이 있고, 기판 비접촉 파지 방식으로는, 정전기적 인력에 의한 정전 척 등이 있다.The substrate holding tray supports the substrate by a substrate contact holding method or a substrate non-contact holding method. A substrate contact holding method includes a vacuum chuck using a vacuum suction method, mechanical clamping, and the like, and a substrate non-contact holding method includes an electrostatic chuck by electrostatic attraction.

종래 기판 접촉 파지 방식은, 접촉 면적이 클수록 지지력은 상승하나, 접촉 부위에서 열 응력 등에 의한 기판 불량을 초래하며, 이는 제품 수율을 떨어트리는 문제점이 있었다.In the conventional substrate contact and gripping method, the holding force increases as the contact area increases, but substrate defects due to thermal stress or the like are caused at the contact area, which reduces product yield.

또한 종래 기판 비접촉 파지 방식은, 여러 가지 제조 공정 중 약액 공정을 예로 들 경우, 약액 공정시 기판과 기판을 타고 흐르는 약액의 무게를 지탱할만큼의 큰 파지력을 필요로 하나, 파지력의 세기가 크지 않고, 지지력이 균일하게 가해지지 않아 기판 처짐을 유발하는 등의 문제점이 있었다.In addition, the conventional substrate non-contact gripping method requires a gripping force large enough to support the weight of the substrate and the chemical liquid flowing on the substrate during the chemical process, when taking the chemical process among various manufacturing processes as an example, but the strength of the gripping force is not large, There was a problem such as inducing sagging of the substrate because the supporting force was not applied uniformly.

한국공개공보 제10-2019-013651호(공개일자: 2019.11.27.)Korean Publication No. 10-2019-013651 (published date: 2019.11.27.)

본 발명은 종래 기판 클램핑 유닛과 이를 포함하는 기판 파지 트레이의 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 기판을 안정적으로 지지하고, 단위 면적당 기판 지지 효율을 높일 수 있는 기판 클램핑 유닛과 이를 포함하는 기판 파지 트레이에 관한 것이다.The present invention was invented to solve the problems of a conventional substrate clamping unit and a substrate holding tray including the substrate clamping unit and a substrate holding tray including the substrate clamping unit capable of stably supporting a substrate and increasing substrate holding efficiency per unit area. It is about.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 기판 클램핑 유닛을 제공한다.In order to solve the above technical problem, the present invention provides a substrate clamping unit.

본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 클램핑 유닛은, 기판의 일면 중 가장자리 일영역을 지지 가능한 제1 클램프; 상기 제1 클램프와 마주보며 힌지 결합되고, 상기 기판의 타면을 지지 가능한 제2 클램프; 상기 제1 클램프 상에 제1 자석과 나란히 적층 배치되어, 상기 제1 자석의 자기 방향을 상기 기판 측으로 유도하는 제1 차폐 블록; 및 상기 제2 클램프 상에 제2 자석 또는 자성체와 나란히 적층 배치되어, 상기 제2 자석의 자기 방향을 상기 기판 측으로 유도하는 제2 차폐 블록 포함할 수 있다.A substrate clamping unit according to an embodiment of the present invention includes a first clamp capable of supporting one edge area of one surface of a substrate; a second clamp facing the first clamp and hinged, capable of supporting the other surface of the substrate; a first shielding block that is stacked and disposed on the first clamp side by side with a first magnet to induce a magnetic direction of the first magnet toward the substrate; and a second shielding block that is stacked on the second clamp and parallel to a second magnet or a magnetic material to induce a magnetic direction of the second magnet toward the substrate.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 자석은 상기 기판을 기준으로 대향한 상기 제2 자석과 서로 다른 극성끼리 마주보도록 나란히 배치될 수 있다.According to one embodiment, the first magnet may be disposed side by side so that opposite polarities of the second magnet face each other based on the substrate.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 자석은 상기 기판과 나란하게 N극과 S극이 교대로 배열되로록 적층 배치될 수 있다.According to an embodiment, the first magnet may be stacked and disposed so that N poles and S poles are alternately arranged parallel to the substrate.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 자석은 상기 기판의 두께 방향과 나란한 방향에서 적어도 두개의 열을 이루어 배치되고, 상기 열마다 서로 다른 개수로 상기 제1 자석이 배치될 수 있다.According to an embodiment, the first magnets may be disposed in at least two columns in a direction parallel to the thickness direction of the substrate, and a different number of first magnets may be disposed in each column.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 차폐 블록의 너비는 상기 제1 자석의 너비와 같거나 클 수 있다.According to one embodiment, the width of the first shielding block may be equal to or greater than the width of the first magnet.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 기판 파지 트레이를 제공한다.In order to solve the above technical problem, the present invention provides a substrate holding tray.

본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 파지 트레이는, 청구항 1 내지 5항 중 적어도 어느 하나에 따른 기판 클램핑 유닛; 및 상기 기판의 어느 길이 방향을 따라 상기 제1 클램프는 적어도 둘 이상이 서로 대향하여 상호 이격되도록 형성된 프레임을 포함할 수 있다.A substrate holding tray according to an embodiment of the present invention includes a substrate clamping unit according to at least one of claims 1 to 5; And at least two of the first clamps may include frames formed to face each other and to be spaced apart from each other along a certain longitudinal direction of the substrate.

일 실시 예에 따르면, 상기 프레임은, 상기 제1 클램프와 나란하게 마련되어, 기판의 일면 중 가장자리 일영역을 지지 가능하도록 형성된 지지 핀을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the frame may further include support pins provided parallel to the first clamp and formed to support one edge region of one surface of the substrate.

일 실시 예에 따르면, 서로 다른 상기 기판 파지 트레이 사이에 구비되어, 상기 기판 파지 트레이 사이의 이격 거리를 35 내지 45 mm로 조절 가능한 지지 블록을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, it is provided between the different substrate holding trays, it may further include a support block capable of adjusting the separation distance between the substrate holding trays to 35 to 45 mm.

본 발명의 실시예에 따르면, 제1 자석의 자기력이 기판을 파지하는 방향으로 더 강하게 작용하도록 제1 차폐 블록을 구비함으로써, 비접촉 파지 방식에 의한 파지력을 높일 수 있는 이점이 있다.According to an embodiment of the present invention, by providing the first shielding block so that the magnetic force of the first magnet more strongly acts in the direction of gripping the substrate, there is an advantage that the gripping force by the non-contact gripping method can be increased.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 차폐 블록과 제1 자석, 기판, 제2 자석, 제2 차폐 블록 순으로 배치함으로써, 제1 자석과 제2 자석의 자기력 세기가 기판에 집중되도록 하여, 제1 자석과 제2 자석을 작은 크기로 구현하더라도 기판을 안정적으로 파지할 수 있는 이점이 있다.According to one embodiment of the present invention, by arranging the first shielding block, the first magnet, the substrate, the second magnet, and the second shielding block in this order, the magnetic force strength of the first magnet and the second magnet is concentrated on the substrate, Even if the first magnet and the second magnet are implemented in a small size, there is an advantage in stably gripping the substrate.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제1 차폐 블록과 제2 차폐 블록을 구비함으로써, 제1 자석과 제2 자석의 크기는 최소화하되 제1 자석과 제2 자석 사이 방향으로 파지력이 집중됨으로써, 서로 다른 기판 파지 트레이로의 자기력이 최소화되어 복수개의 기판 파지 트레이간 적층시 공간 활용성을 높일 수 있는 이점이 있다.According to another embodiment of the present invention, by providing a first shielding block and a second shielding block, the size of the first magnet and the second magnet is minimized, but the gripping force is concentrated in the direction between the first magnet and the second magnet, so that each other There is an advantage in that the magnetic force to other substrate holding trays is minimized to increase space utilization when stacking between a plurality of substrate holding trays.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판을 지지하는 기판 파지 트레이를 보여주는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 파지 트레이를 보여주는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 파지 트레이를 보여주는 정면도이다.
도 4는 도 3에서 기판 클램프 유닛을 개략적으로 보여주는 확대도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 에 의해 제1 자석의 자기력선 세기 조정에 사용되는 제1 차폐 블록을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 파지 트레이를 보여주는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 파지 트레이를 보여주는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 파지 트레이를 보여주는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 기판 파지 트레이가 적층된 모습을 보여주는 정면도이다.1 is a perspective view showing a substrate holding tray supporting a substrate according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view showing a substrate holding tray according to an embodiment of the present invention.
3 is a front view showing a substrate holding tray according to an embodiment of the present invention.
4 is an enlarged view schematically showing the substrate clamp unit in FIG. 3 .
5 is a view for explaining a first shielding block used to adjust the strength of a magnetic force line of a first magnet by a according to an embodiment of the present invention.
6 is a plan view showing a substrate holding tray according to an embodiment of the present invention.
7 is a plan view showing a substrate holding tray according to another embodiment of the present invention.
8 is a plan view showing a substrate holding tray according to another embodiment of the present invention.
9 is a front view showing a state in which a plurality of substrate holding trays are stacked according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical spirit of the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed content will be thorough and complete, and the spirit of the present invention will be sufficiently conveyed to those skilled in the art.

본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 형상 및 크기는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.In this specification, when an element is referred to as being on another element, it means that it may be directly formed on the other element or a third element may be interposed therebetween. Also, in the drawings, shapes and sizes are exaggerated for effective description of technical content.

또한, 본 명세서의 다양한 실시 예들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.In addition, although terms such as first, second, and third are used to describe various elements in various embodiments of the present specification, these elements should not be limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Therefore, what is referred to as a first element in one embodiment may be referred to as a second element in another embodiment. Each embodiment described and illustrated herein also includes its complementary embodiments. In addition, in this specification, 'and/or' is used to mean including at least one of the elements listed before and after.

명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.In the specification, expressions in the singular number include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In addition, the terms "comprise" or "having" are intended to designate that the features, numbers, steps, components, or combinations thereof described in the specification exist, but one or more other features, numbers, steps, or components. It should not be construed as excluding the possibility of the presence or addition of elements or combinations thereof. In addition, in this specification, "connection" is used to mean both indirectly and directly connecting a plurality of components.

또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.In addition, in the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted.

이하에서는 설명의 편의를 위하여 기판 파지 방향이라는 표현을 사용한다.Hereinafter, for convenience of description, the expression of a substrate gripping direction is used.

기판 파지 트레이(10)는, 기판(S)을 사이에 개재하여 기판(S)의 임의 길이 방향에 직교하는 방향에서 파지력을 제공해 기판(S)을 지지, 고정할 수 있다. 이때 기판 파지 방향이란, 기판(S)의 상하 방향에서 기판(S)에 가해지는 외력의 방향일 수 있다. 기판 파지 방향은, 일정한 두께를 가지는 기판(S)에 대해 기판 두께 방향일 수 있다.The substrate holding tray 10 can support and fix the substrate S by interposing the substrate S therebetween and providing a holding force in a direction orthogonal to an arbitrary longitudinal direction of the substrate S. At this time, the substrate holding direction may be a direction of an external force applied to the substrate S in the vertical direction of the substrate S. The substrate gripping direction may be the substrate thickness direction with respect to the substrate S having a certain thickness.

일 실시예에 따르면 기판(S)을 수평 방향으로 지지, 고정할 경우, 기판 파지 방향이란 수직 방향을 가리킨다. 기판(S)은 직교 좌표계의 XY 평면과 나란하게 마련되고, 이때 기판 파지 방향은 Z축을 지칭하기로 한다.According to one embodiment, when the substrate (S) is supported and fixed in a horizontal direction, the substrate holding direction refers to a vertical direction. The substrate (S) is provided parallel to the XY plane of the Cartesian coordinate system, and at this time, the substrate gripping direction will refer to the Z axis.

다른 실시예에 따르면 기판(S)을 수직 방향으로 지지, 고정할 경우, 기판 파지 방향이란 수평 방향을 가리킨다. 기판(S)은 직교 좌표계의 Z축과 나란하게 놓이고, 이때 기판 파지 방향은 X축 또는 Y축일 수 있다.According to another embodiment, when the substrate (S) is supported and fixed in a vertical direction, the substrate holding direction refers to a horizontal direction. The substrate (S) is placed parallel to the Z-axis of the Cartesian coordinate system, and in this case, the substrate gripping direction may be the X-axis or the Y-axis.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판(S)을 지지하는 기판 파지 트레이(10)를 보여주는 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 파지 트레이(10)를 보여주는 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 파지 트레이(10)를 보여주는 정면도이고, 도 4는 도 3에서 기판 클램프 유닛(100)을 개략적으로 보여주는 확대도이며, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 자석(M1)의 자기력선 세기 조정에 사용되는 제1 차폐 블록(130)을 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 발명의 일 실시예에 따른 기판 파지 트레이(10)를 보여주는 평면도이고, 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 파지 트레이(10)를 보여주는 평면도이고, 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 파지 트레이(10)를 보여주는 평면도이며, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 기판 파지 트레이(10)가 적층된 모습을 보여주는 정면도이다.1 is a perspective view showing a substrate holding tray 10 supporting a substrate S according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view showing a substrate holding tray 10 according to an embodiment of the present invention. 3 is a front view showing a substrate holding tray 10 according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is an enlarged view schematically showing the substrate clamp unit 100 in FIG. 3, and FIG. It is a view for explaining the first shielding block 130 used to adjust the strength of the magnetic field line of the first magnet M1 according to the embodiment, and FIG. 6 is a plan view showing the substrate holding tray 10 according to an embodiment of the present invention. 7 is a plan view showing a substrate holding tray 10 according to another embodiment of the present invention, FIG. 8 is a plan view showing a substrate holding tray 10 according to another embodiment of the present invention, and FIG. It is a front view showing a state in which a plurality of substrate holding trays 10 are stacked according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 9를 참조하면 본 발명의 일 실시예에 기판 파지 트레이(10)는, 기판 처리 공정 상에서 기판(S) 이송시 기판(S)을 파지, 고정할 수 있다. 보다 구체적으로 기판 파지 트레이(10)는, 기계적 클램핑에 의한 기판 접촉 파지 방식은 물론 자력을 이용한 기판 비접촉 파지 방식에 의해 기판(S)을 파지하고, 작은 자력의 세기로도 높은 파지력을 구현해 안정적으로 기판(S)을 파지할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 9 , the substrate holding tray 10 according to an embodiment of the present invention can hold and fix the substrate S during transfer in a substrate treatment process. More specifically, the substrate holding tray 10 grips the substrate S by a substrate contact holding method using mechanical clamping as well as a substrate non-contact holding method using magnetic force, and implements a high gripping force even with a small strength of magnetic force to stably The substrate S can be gripped.

기판 파지 트레이(10)는, 기판 클램핑 유닛(100)과 프레임(200)을 포함하고, 나아가 지지 블록(300)을 더 포함할 수 있다.The substrate holding tray 10 includes a substrate clamping unit 100 and a frame 200 and may further include a support block 300 .

다시 도 1과 도 2, 도 4 내지 도 9를 참조하면 기판 클램핑 유닛(100)은, 기계적 클램핑에 의한 기판 접촉 파지 방식은 물론 자력을 이용한 기판 비접촉 파지 방식에 의해 기판(S)을 파지할 수 있다. 기판 클램핑 유닛(100)은, 제1 클램프(110)와 제2 클램프(120), 제1 차폐 블록(150), 제2 차폐 블록(160)을 포함할 수 있다.Referring again to FIGS. 1, 2, and 4 to 9 , the substrate clamping unit 100 can grip the substrate S by a non-contact gripping method using magnetic force as well as a contact holding method by mechanical clamping. there is. The substrate clamping unit 100 may include a first clamp 110, a second clamp 120, a first shielding block 150, and a second shielding block 160.

제1 클램프(110)는, 기판(S)의 일면 중 가장자리 일영역을 지지할 수 있다. 제1 클램프(110)의 일 단부는, 기판(S) 가장자리 일영역과 면 접촉할 수 있다.The first clamp 110 may support one edge area of one surface of the substrate S. One end of the first clamp 110 may be in surface contact with one edge area of the substrate S.

제2 클램프(120)는, 제1 클램프(110)와 마주보며 한 쌍을 이루어 기판(S)의 일면 중 가장자리 일영역을 지지할 수 있다. 제2 클램프(120)는, 제1 클램프(110)와 마주보며 힌지 결합될 수 있다. 제2 클램프(120)는, 기판(S)의 타면 중 가장자리 일영역을 지지하며, 제1 클램프(110)와 한 쌍을 이룰 수 있다. 즉 기판(S)의 가장자리 일영역에 대해, 제1 클램프(110)는 기판(S)의 일면을, 제2 클램프(120)는 기판(S)의 타면을 제1 방향에서 지지할 수 있다. 제2 클램프(120)의 일 단부는, 기판(S) 가장자리 일영역과 접촉할 수 있다.The second clamp 120 may face the first clamp 110 and form a pair to support one edge region of one surface of the substrate S. The second clamp 120 may face the first clamp 110 and be hinged. The second clamp 120 supports one edge area of the other surface of the substrate S and may form a pair with the first clamp 110 . That is, the first clamp 110 may support one surface of the substrate S, and the second clamp 120 may support the other surface of the substrate S in the first direction with respect to one edge area of the substrate S. One end of the second clamp 120 may contact one edge area of the substrate S.

제1 자석(130)은, 판형 자석일 수 있다. 제1 자석(130)은, 한 쌍의 N극과 S극을 가지며, 기판 파지 방향으로 N 극과 S극이 적층되도록 배치될 수 있다. 즉 제1 자석의 N극과 S극은, 기판 파지 방향을 따라 순차적으로 적층 배치될 수 있다.The first magnet 130 may be a plate-shaped magnet. The first magnet 130 has a pair of N and S poles, and may be disposed such that the N and S poles are stacked in a direction in which the substrate is gripped. That is, the N pole and the S pole of the first magnet may be sequentially stacked along the substrate gripping direction.

제1 자석(130)은, 기판(S)을 사이에 두고 제2 자석(140)과 대향할 수 있다. 이때 제1 자석(130)은, 기판 파지 방향에서 제2 자석(140)과 서로 다른 극성끼리 마주보도록 나란히 배치될 수 있다. 일 실시예에 따른 제1 자석(130)은, 네오디움 자석일 수 있다.The first magnet 130 may face the second magnet 140 with the substrate S interposed therebetween. In this case, the first magnet 130 may be disposed side by side so that the second magnet 140 and polarities of different polarities face each other in the substrate gripping direction. The first magnet 130 according to an embodiment may be a neodymium magnet.

보다 구체적으로 N극과 S극이 한 쌍으로 이루어진 제1 자석(130)은, 기판(S)에 인접한 쪽이 N극일 경우, 제2 자석(140)에서 기판(S)에 인접한 쪽으로 S극이 놓이도록 배열될 수 있다.More specifically, the first magnet 130 having a pair of N and S poles, when the side adjacent to the substrate (S) is the N pole, the S pole is toward the side adjacent to the substrate (S) in the second magnet 140 It can be arranged to be placed.

제1 자석(130)은, 제1 클램프(110) 내부에 복수개가 마련될 수 있다. 제1 자석(130)은, 기판 두께 방향과 나란한 방향에서 두 개의 열을 이루어 배치될 수 있다. 제1 자석(130)은 각 열마다 서로 다른 개수로 배치될 수 있다. A plurality of first magnets 130 may be provided inside the first clamp 110 . The first magnets 130 may be arranged in two rows in a direction parallel to the thickness direction of the substrate. The first magnets 130 may be arranged in different numbers in each column.

일 실시예에 따르면 기판(S)에 인접할수록 더 많은 수의 제1 자석(130)이 배열되도록 제1 자석(130)을 배치할 수 있다. 즉 복수개의 제1 자석(130)은 제1 클램프(110) 내부에서 기판(S)에 인접한 방향으로 호를 이루며, 부채꼴 형상으로 배치될 수 있다. 기판(S)에 인접할수록 제1 자석(130)의 수량를 많게 함으로써 기판(S)에 작용하는 파지력을 효과적으로 높일 수 있다.According to an embodiment, the first magnets 130 may be arranged such that a greater number of first magnets 130 are arranged as they are closer to the substrate S. That is, the plurality of first magnets 130 form an arc in a direction adjacent to the substrate S inside the first clamp 110 and may be disposed in a fan shape. By increasing the number of first magnets 130 closer to the substrate S, the gripping force acting on the substrate S can be effectively increased.

일 실시예에 따르면 제1 자석(130)은, 제1 자석(130)의 두께 대비 제2 자석(140)과 1.5 내지 2의 비율로 기판 파지 방향에서 제2 자석(140)과 이격 거리를 유지할 수 있다. According to one embodiment, the first magnet 130 maintains a distance from the second magnet 140 in the substrate gripping direction at a ratio of 1.5 to 2 with the second magnet 140 compared to the thickness of the first magnet 130. can

제1 자석 두께(mm)1st magnet thickness (mm) 55 제1 자석과 제2 자석 이격 거리(mm)Distance between 1st magnet and 2nd magnet (mm) 22 2.52.5 33 3.53.5 44 55 파지력(kg)Gripping force (kg) 5.35.3 44 2.92.9 2.52.5 1.81.8 1.11.1

제1 자석의 두께 대비, 제1 자석과 제2 자석의 간극에 따른 기판 파지력 차이Difference in gripping force of the substrate according to the thickness of the first magnet and the gap between the first and second magnets

기판(S)을 파지하는 데 있어 적정한 세기의 파지력을 가지는 것이 중요하다. 파지력이 너무 강한 경우 기판(S)을 강하게 파지할 수 있으나, 기판(S)에 가하는 힘이 너무 강하면 기판(S)에 손상을 가할 수 있고 기판(S)에 가하는 힘이 너무 약하면 기판(S)을 파지하기 어려울 수 있다. 바람직하게는 제1 자석(130) 두께 대비, 위 표 1와 같은, 제1 자석(130)과 제2 자석(140)의 이격 거리를 가질 수 있다.In gripping the substrate S, it is important to have an appropriate level of gripping force. If the gripping force is too strong, the substrate (S) can be strongly gripped, but if the force applied to the substrate (S) is too strong, the substrate (S) can be damaged, and if the force applied to the substrate (S) is too weak, the substrate (S) can be difficult to grasp. Preferably, it may have a separation distance between the first magnet 130 and the second magnet 140, as shown in Table 1 above, compared to the thickness of the first magnet 130.

제1 자석(130)과 제2 자석(140)이 제1 자석(130)의 두께 대비 제2 자석(140)과 1.5 내지 2의 비율로 간극이 형성되도록, 이때 제1 클램프(110) 또한, 제2 클램프(120)와 이격되어 간극을 형성할 수 있다. 기판 약액 공정시, 제1 클램프(110)와 제2 클램프(120) 사이의 간극을 따라 약액의 유동 경로를 확보하기 위함이다.The gap is formed between the first magnet 130 and the second magnet 140 at a ratio of 1.5 to 2 with the second magnet 140 relative to the thickness of the first magnet 130, at this time the first clamp 110 also, A gap may be formed by being spaced apart from the second clamp 120 . This is to secure a flow path of the chemical solution along the gap between the first clamp 110 and the second clamp 120 during the substrate chemical process.

제1 차폐 블록(150)은, 제1 자석의 자기 방향을 기판 측으로 유도할 수 있다. 보다 구체적으로 제1 차폐 블록은, 기판 파지 방향으로 제1 자석의 자기 방향을 유도할 수 있다.The first shielding block 150 may induce a magnetic direction of the first magnet toward the substrate. More specifically, the first shielding block may induce a magnetic direction of the first magnet in a direction of gripping the substrate.

제1 차폐 블록(150)은, 자성을 띄는 자성체일 수 있다. 제1 차폐 블록(150)은, 제1 자석(130)의 자력 밀도를 상승시키고, 제1 차폐 블록 방향으로 미치는 제1 자석(130)의 자기력을 가둘 수 있다. 제1 자석(130)의 자기력은 제1 차폐 블록 방향으로는 더 이상 뻗어나가지 못하고, 그 반대편인 기판 파지 방향으로 자기력선이 더 멀리 뻗어나가게 된다. 즉, 제1 차폐 블록(150)은, 기판 파지 방향으로 제1 자석(130)의 자기력 세기가 강해지도록 유도할 수 있다.The first shielding block 150 may be a magnetic material that exhibits magnetism. The first shielding block 150 may increase the magnetic force density of the first magnet 130 and confine the magnetic force of the first magnet 130 extending in the direction of the first shielding block. The magnetic force of the first magnet 130 does not extend further in the direction of the first shielding block, and the magnetic force line extends farther in the opposite direction of gripping the substrate. That is, the first shielding block 150 may induce the strength of the magnetic force of the first magnet 130 in the direction of gripping the substrate.

제1 차폐 블록(150)은, 기판 파지 방향과 나란하게 제1 자석(130)과 적층 배치될 수 있다. 제1 차폐 블록(150)은, 제1 클램프(110)에 구비될 수 있다. 일 실시예에 따르면 제1 차폐 블록(150)은, 제1 클램프(110) 내부에 매립 배치될 수 있다. 이때 제1 차폐 블록(150)은, 제1 클램프(110)의 중공부에 제1 자석(130)과 함께 순차 적층되도록 삽입되고, 용접 등에 의해 제1 클램프(110)에 고정될 수 있다.The first shielding block 150 may be stacked with the first magnet 130 in parallel with the substrate gripping direction. The first shielding block 150 may be provided on the first clamp 110 . According to one embodiment, the first shielding block 150 may be disposed buried inside the first clamp 110 . In this case, the first shielding block 150 may be inserted into the hollow of the first clamp 110 to be sequentially stacked together with the first magnet 130 and fixed to the first clamp 110 by welding or the like.

제1 차폐 블록 너비는, 제1 자석(130)의 너비과 같거나 클 수 있다.The width of the first shielding block may be equal to or greater than the width of the first magnet 130 .

제1 자석 너비(mm)1st magnet width (mm) 1212 제1 차폐 블록 너비(mm)1st shielding block width (mm) 1010 1111 1212 1313 1414 1515 파지력(kgf)Gripping force (kgf) 2.22.2 2.42.4 2.62.6 3.03.0 2.72.7 2.42.4

제1 차폐 블록과 제1 자석의 너비 차이Width difference between the first shielding block and the first magnet

바람직하게는 제1 자석(130)이 적정한 세기의 파지력으로 기판(S)을 파지하기 위해 제1 차폐 블록(150)은, 표 2와 같이 제1 자석(130) 너비 대비 1 내지 1.18의 비율의 너비를 가질 수 있다. 즉 제1 자석(130) 너비가 12mm인 경우, 제1 차폐 블록(150)은 12 내지 14mm의 너비를 가질 수 있다.Preferably, in order for the first magnet 130 to grip the substrate S with an appropriate gripping force, the first shielding block 150 has a ratio of 1 to 1.18 to the width of the first magnet 130, as shown in Table 2. can have any width. That is, when the width of the first magnet 130 is 12 mm, the first shielding block 150 may have a width of 12 to 14 mm.

또한 제1 차폐 블록 두께는, 제1 자석(130)의 두께보다 얇을 수 있다. 제1 차폐 블록(150)이 제1 자석(130)의 두께와 일정 비율의 두께를 갖게 함으로써 기판(S)에 미치는 파지력의 세기를 조정할 수 있다.Also, the thickness of the first shielding block may be smaller than the thickness of the first magnet 130 . The strength of the gripping force applied to the substrate (S) can be adjusted by making the first shielding block 150 have a thickness of the first magnet 130 and a predetermined ratio.

제1 자석 두께(mm)1st magnet thickness (mm) 55 제1 차폐 블록 두께(mm)First shielding block thickness (mm) 0.50.5 1One 1.51.5 22 파지력(kgf)Gripping force (kgf) 2.42.4 3.03.0 2.72.7 2.42.4

제1 차폐 블록과 제1 자석의 두께 차이Thickness difference between the first shielding block and the first magnet

바람직하게는 제1 자석(130)이 적정한 세기의 파지력으로 기판(S)을 파지하기 위해 제1 차폐 블록(150)은, 표 3과 같이 제1 자석(130) 두께 대비 0.2 내지 0.3의 비율로 두께를 가질 수 있다. 즉 제1 자석(130) 두께가 5mm인 경우, 제1 차폐 블록(150)은 1 내지 1.5mm의 두께를 가질 수 있다.Preferably, in order for the first magnet 130 to grip the substrate S with an appropriate gripping force, the first shielding block 150 is, as shown in Table 3, at a ratio of 0.2 to 0.3 relative to the thickness of the first magnet 130. can have thickness. That is, when the thickness of the first magnet 130 is 5 mm, the first shielding block 150 may have a thickness of 1 to 1.5 mm.

제2 자석(140)은, 판형 자석일 수 있다. 제2 자석(140)은, 한 쌍의 N극과 S극을 가지며, 기판 파지 방향으로 N 극과 S극이 적층되도록 배치될 수 있다. 즉 제2 자석의 N극과 S극은, 기판 파지 방향을 따라 순차적으로 적층 배치될 수 있다.제2 자석(140)은, 네오디움 자석일 수 있다.The second magnet 140 may be a plate-shaped magnet. The second magnet 140 has a pair of N poles and S poles, and may be disposed such that the N poles and S poles are stacked in a direction of gripping the substrate. That is, the N pole and the S pole of the second magnet may be sequentially stacked and disposed along the substrate gripping direction. The second magnet 140 may be a neodymium magnet.

제2 자석(140)은, 기판(S)을 사이에 두고 제1 자석(140)과 마주보도록 배치될 수 있다. 제2 자석(140)은, 제1 자석(130)과 자력이 작용하여 사이에 개재된 기판(S)을 파지할 수 있다.The second magnet 140 may be disposed to face the first magnet 140 with the substrate S interposed therebetween. The second magnet 140 may hold the substrate S interposed between the first magnet 130 and the magnetic force acting therebetween.

제2 차폐 블록(160)은, 제2 자석(140)의 자기 방향을 기판(S) 측으로 유도할 수 있다. 보다 구체적으로 제2 차폐 블록(160)은, 기판 파지 방향으로 제2 자석(140)의 자기 방향을 유도할 수 있다.The second shielding block 160 may induce the magnetic direction of the second magnet 140 toward the substrate (S). More specifically, the second shielding block 160 may induce the magnetic direction of the second magnet 140 in the substrate gripping direction.

제2 차폐 블록(160)은, 자성을 띄는 자성체일 수 있다. 제2 차폐 블록(160)은, 제2 자석(140)의 자력 밀도를 상승시키고, 제2 차폐 블록 방향으로 미치는 제2 자석(140)의 자기력을 가둘 수 있다. 제2 자석(140)의 자기력은 제2 차폐 블록 방향으로는 더 이상 뻗어나가지 못하고, 그 반대편인 기판 파지 방향으로 자기력선이 더 멀리 뻗어나가게 된다. 즉, 제2 차폐 블록(160)은, 기판 파지 방향으로 제2 자석(140)의 자기력 세기가 강해지도록 유도할 수 있다.The second shielding block 160 may be a magnetic material that exhibits magnetism. The second shielding block 160 may increase the magnetic force density of the second magnet 140 and confine the magnetic force of the second magnet 140 extending in the direction of the second shielding block. The magnetic force of the second magnet 140 does not extend further in the direction of the second shielding block, and the magnetic force line extends farther in the opposite direction of gripping the substrate. That is, the second shielding block 160 may induce the strength of the magnetic force of the second magnet 140 in the direction of gripping the substrate.

제2 차폐 블록(160)은, 기판 파지 방향과 나란하게 제2 자석(140)과 적층 배치될 수 있다. 제2 차폐 블록(160)은, 제2 클램프(120)에 구비될 수 이다. 일 실시예에 따르면 제2 차폐 블록(160)은, 제2 클램프(120) 내부에 매립 배치될 수 있다. 이때 제2 차폐 블록(160)은, 제2 클램프(120)의 중공부에 제2자석(140)과 함께 순차 적층되도록 삽입되고, 용접 등에 의해 제2 클램프(120)에 고정될 수 있다.The second shielding block 160 may be stacked with the second magnet 140 in parallel with the substrate gripping direction. The second shielding block 160 may be provided on the second clamp 120 . According to one embodiment, the second shielding block 160 may be buried inside the second clamp 120 . In this case, the second shielding block 160 may be inserted into the hollow of the second clamp 120 to be sequentially stacked together with the second magnet 140 and fixed to the second clamp 120 by welding or the like.

다시 도 1 과 도 2, 도 6 내지 도 9를 참조하면 프레임(200)은, 제1 클램프(110)가 상호 이격되도록 형성될 수 있다. 프레임(200)은, 기판(S)에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 프레임(200)은, 소정의 폭과 너비를 가지며, 내부에 중공부가 형성되도록 중공부를 감싸는 지지대를 가질 수 있다. 프레임(200)은, 지지 핀(210)을 더 포함할 수 있다.Referring again to FIGS. 1 and 2 and FIGS. 6 to 9 , the frame 200 may be formed such that the first clamps 110 are spaced apart from each other. The frame 200 may have a shape corresponding to the substrate S. The frame 200 may have a predetermined width and width, and may have a support that surrounds the hollow portion so that the hollow portion is formed therein. The frame 200 may further include support pins 210 .

프레임(200)은, 지지대에 적어도 둘 이상의 제1 클램프(110)가 형성될 수 있다.Frame 200, at least two or more first clamps 110 may be formed on the support.

제1 클램프(110)는, 기판(S)의 어느 길이 방향을 따라 둘 이상이 서로 대향하며 상호 이격되어 프레임(200)에 형성될 수 있다. 즉 제1 클램프(110)를 포함한 기판 클램핑 유닛(10)은 기판(S)의 가장자리 일 영역을 지지하되, 기판(S)의 가장자리를 따라 형성된 프레임(200)의 지지대를 따라 제1 클램프(110)가 일체형으로 형성 마련될 수 있다.Two or more first clamps 110 may be formed on the frame 200 while facing each other and spaced apart from each other along a certain longitudinal direction of the substrate S. That is, the substrate clamping unit 10 including the first clamp 110 supports a region of the edge of the substrate S, but along the support of the frame 200 formed along the edge of the substrate S, the first clamp 110 ) may be provided integrally formed.

지지 핀(210)은, 기판(S)의 일면 중 가장자리 일영역을 면접촉한 상태로 지지할 수 있다. 지지 핀(210)은, 프레임(200)의 지지대를 따라 제1 클램프(110)와 나란하게 마련될 수 있다.The support pin 210 may support one edge area of one surface of the substrate S in a state of being in surface contact with it. The support pin 210 may be provided parallel to the first clamp 110 along the support of the frame 200 .

기판 파지 트레이(10)는, 서로 다른 기판(S)을 파지할 수 있다. 기판(S)의 사양에 따라 기판 파지 트레이(10)는, 프레임(200)의 지지대 상에서, 도 6 내지 도 8에 도시된 대로 다양한 실시형태로 제1 클램프(110)와 지지 핀(210)이 구비될 수 있다.The substrate holding tray 10 can hold different substrates S. According to the specifications of the substrate (S), the substrate holding tray 10, on the support of the frame 200, in various embodiments as shown in FIGS. 6 to 8, the first clamp 110 and the support pin 210 are may be provided.

다시 도 9를 참조하면 서로 다른 기판 파지 트레이(10, 10')는, 각각 적층되도록 배치될 수 있다. 지지 블록(300)은, 서로 다른 기판 파지 트레이(10, 10') 사이에 배치되어, 서로 다른 기판 파지 트레이(10)의 이격 거리만큼 간극을 형성할 수 있다. 일 실시예에 따른 지지 블록(300)은, 서로 다른 기판 파지 트레이(10, 10') 사이의 이격 거리를 35 내지 45mm로 조절할 수 있다.Referring back to FIG. 9 , different substrate holding trays 10 and 10' may be arranged to be stacked, respectively. The support block 300 may be disposed between the different substrate holding trays 10 and 10 ′ to form a gap equal to the separation distance between the different substrate holding trays 10 . In the support block 300 according to an embodiment, the separation distance between the different substrate holding trays 10 and 10' can be adjusted to 35 to 45 mm.

제1 차폐 블록(150) 및 제2 차폐 블록(160)에 의해 각각 제1 자석(130)과 제2 자석(140)은 기판 파지 방향으로만 자기력이 작용하므로, 기판 파지 방향의 배면, 즉 다른 기판 파지 트레이(10') 방향으로는 자기력이 미치지 않아, 이격 거리를 좁게 유지할 수 있다.Since the first magnet 130 and the second magnet 140 respectively have magnetic force acting only in the direction of gripping the substrate by the first shielding block 150 and the second shielding block 160, the back surface in the direction of gripping the substrate, that is, the other Magnetic force does not reach the substrate holding tray 10' direction, so the separation distance can be kept narrow.

이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.In the above, the present invention has been described in detail using preferred embodiments, but the scope of the present invention is not limited to specific embodiments, and should be interpreted according to the appended claims. In addition, those skilled in the art should understand that many modifications and variations are possible without departing from the scope of the present invention.

10 : 기판 파지 트레이
100 : 기판 클램핑 유닛 110 : 제1 클램프
120 : 제2 클램프 130 : 제1 자석
140 : 제2 자석 150 : 제1 차폐 블록
160 : 제2 차폐 블록
200 : 프레임 210 : 지지 핀
300 : 지지 블록
S : 기판10: substrate holding tray
100: substrate clamping unit 110: first clamp
120: second clamp 130: first magnet
140: second magnet 150: first shielding block
160: second shielding block
200: frame 210: support pin
300: support block
S: Substrate

Claims (8)

기판의 일면 중 가장자리 일영역을 지지 가능한 제1 클램프;
상기 제1 클램프와 마주보며 힌지 결합되고, 상기 기판의 타면을 지지 가능한 제2 클램프;
상기 제1 클램프 상에 제1 자석과 나란히 적층 배치되어, 상기 제1 자석의 자기 방향을 상기 기판 측으로 유도하는 제1 차폐 블록; 및
상기 제2 클램프 상에 제2 자석 또는 자성체와 나란히 적층 배치되어, 상기 제2 자석의 자기 방향을 상기 기판 측으로 유도하는 제2 차폐 블록 포함하는, 기판 클램핑 유닛.
a first clamp capable of supporting a portion of an edge of one surface of the substrate;
a second clamp facing the first clamp and hinged, capable of supporting the other surface of the substrate;
a first shielding block stacked on the first clamp in parallel with a first magnet to induce a magnetic direction of the first magnet toward the substrate; and
A substrate clamping unit comprising a second shielding block stacked on the second clamp in parallel with a second magnet or a magnetic body to induce a magnetic direction of the second magnet toward the substrate.
 제 1 항에 있어서,
상기 제1 자석은 상기 기판을 기준으로 대향한 상기 제2 자석과 서로 다른 극성끼리 마주보도록 나란히 배치된, 기판 클램핑 유닛.
According to claim 1,
Wherein the first magnet is arranged side by side to face the second magnet facing each other with respect to the substrate, polarities different from each other, the substrate clamping unit.
 제 2 항에 있어서,
상기 제1 자석은 상기 기판과 나란하게 N극과 S극이 교대로 배열되로록 적층 배치된, 기판 클램핑 유닛.
According to claim 2,
The substrate clamping unit of claim 1, wherein the first magnets are stacked so that N poles and S poles are alternately arranged in parallel with the substrate.
 제 1 항에 있어서,
상기 제1 자석은 상기 기판의 두께 방향과 나란한 방향에서 적어도 두개의 열을 이루어 배치되고,
상기 열마다 서로 다른 개수로 상기 제1 자석이 배치되는, 기판 클램핑 유닛.
According to claim 1,
The first magnets are disposed in at least two rows in a direction parallel to the thickness direction of the substrate,
Wherein the first magnet is disposed in a different number for each column, the substrate clamping unit.
 제 1 항에 있어서,
상기 제1 차폐 블록의 너비는 상기 제1 자석의 너비와 같거나 큰, 기판 클램핑 유닛.
According to claim 1,
The width of the first shielding block is equal to or greater than the width of the first magnet, the substrate clamping unit.
 청구항 1 내지 5항 중 적어도 어느 하나에 따른 기판 클램핑 유닛; 및
상기 기판의 어느 길이 방향을 따라 상기 제1 클램프는 적어도 둘 이상이 서로 대향하여 상호 이격되도록 형성된 프레임을 포함하는, 기판 파지 트레이.
A substrate clamping unit according to at least one of claims 1 to 5; and
At least two of the first clamps along a longitudinal direction of the substrate include a frame formed to face each other and be spaced apart from each other, the substrate holding tray.
 제 6 항에 있어서,
상기 프레임은,
상기 제1 클램프와 나란하게 마련되어, 기판의 일면 중 가장자리 일영역을 지지 가능하도록 형성된 지지 핀을 더 포함하는, 기판 파지 트레이.
According to claim 6,
the frame,
The substrate holding tray further includes a support pin provided in parallel with the first clamp and formed to support one edge region of one surface of the substrate.
 제 6 항에 있어서,
서로 다른 상기 기판 파지 트레이 사이에 구비되어, 상기 기판 파지 트레이 사이의 이격 거리를 35 내지 45 mm로 조절 가능한 지지 블록을 더 포함하는, 기판 파지 트레이.According to claim 6,
The substrate holding tray further includes a support block provided between the different substrate holding trays and capable of adjusting a separation distance between the substrate holding trays to 35 to 45 mm.
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080003264U (en) * 2007-02-07 2008-08-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Clamping device for holding a substrate
KR20150114677A (en) * 2014-04-02 2015-10-13 (주)가온솔루션 a clamp of copper thin board used transfer
KR101647311B1 (en) * 2015-04-14 2016-08-10 주식회사 케이씨엠텍 Tray
KR101794445B1 (en) * 2016-05-10 2017-11-06 (주)엠플러스 mobile device
KR20190013651A (en) 2017-07-31 2019-02-11 주식회사 엘지화학 Battery cell management system
KR20200105362A (en) * 2019-02-28 2020-09-07 주식회사 노바텍 Method for producing shield magnet module and shield magnet module produced by the same
KR20210069222A (en) * 2019-12-03 2021-06-11 주식회사 태성 Jig for transfering thin film having function of preventing deflection of the thin film

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080003264U (en) * 2007-02-07 2008-08-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Clamping device for holding a substrate
KR20150114677A (en) * 2014-04-02 2015-10-13 (주)가온솔루션 a clamp of copper thin board used transfer
KR101647311B1 (en) * 2015-04-14 2016-08-10 주식회사 케이씨엠텍 Tray
KR101794445B1 (en) * 2016-05-10 2017-11-06 (주)엠플러스 mobile device
KR20190013651A (en) 2017-07-31 2019-02-11 주식회사 엘지화학 Battery cell management system
KR20200105362A (en) * 2019-02-28 2020-09-07 주식회사 노바텍 Method for producing shield magnet module and shield magnet module produced by the same
KR20210069222A (en) * 2019-12-03 2021-06-11 주식회사 태성 Jig for transfering thin film having function of preventing deflection of the thin film

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