KR20230061617A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20230061617A
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display panel
display device
light emitting
connector
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KR1020210145358A
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윤해주
문수현
민준석
장우근
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 표시 패널; 상기 표시 패널의 단부에 부착된 칩 온 필름; 상기 칩 온 필름의 단부와 연결되고 커넥터를 포함하는 인쇄 회로 보드; 상기 인쇄 회로 보드가 내장되고 일 방향을 따라 연장된 회전 샤프트; 및 일단부가 상기 인쇄 회로 보드의 상기 커넥터부와 연결된 플렉시블 케이블을 포함하고, 상기 인쇄 회로 보드의 상기 커넥터부는 상기 표시 패널과 중첩하지 않는다.

Description

표시 장치 {DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 예를 들어, 표시 장치는 스마트폰, 디지털 카메라, 노트북 컴퓨터, 네비게이션, 및 스마트 텔레비전과 같이 다양한 전자기기에 적용되고 있다. 표시 장치는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display Device), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device) 등과 같은 평판 표시 장치일 수 있다. 이러한 평판 표시 장치 중에서 발광 표시 장치는 표시 패널의 화소들 각각이 스스로 발광할 수 있는 발광 소자를 포함함으로써, 표시 패널에 광을 제공하는 백라이트 유닛 없이도 화상을 표시할 수 있다.
한편, 플렉시블 표시장치가 상용화되었다. 플렉시블 표시장치는 플라스틱 OLED가 형성된 표시 패널의 화면 상에 입력 영상을 재현할 수 있다. 플라스틱 OLED는 휘어질 수 있는 플라스틱 기판 상에 형성된다. 플렉시블 표시 장치는 다양한 디자인 구현이 가능하고 휴대성과 내구성에 장점이 있다. 플렉시블 표시 장치는 벤더블(Bendable) 표시 장치, 폴더블(Folderable) 표시 장치, 롤러블(Rollable) 표시 장치 등 다양한 형태의 표시 장치로 구현될 수 있다. 이러한 플렉시블 표시 장치는 스마트폰과 태블릿 PC와 같은 모바일 기기 뿐만 아니라 TV(Television), 자동차 표시 장치, 웨어러블 기기 등에 적용될 수 있고 그 응용 분야가 확대되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 회전 샤프트의 반경을 최소화할 수 있는 롤러블 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널; 상기 표시 패널의 단부에 부착된 칩 온 필름; 상기 칩 온 필름의 단부와 연결되고 커넥터를 포함하는 인쇄 회로 보드; 상기 인쇄 회로 보드가 내장되고 일 방향을 따라 연장된 회전 샤프트; 및 일단부가 상기 인쇄 회로 보드의 상기 커넥터부와 연결된 플렉시블 케이블을 포함하고, 상기 인쇄 회로 보드의 상기 커넥터부는 상기 표시 패널과 중첩하지 않는다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널; 상기 표시 패널의 단부에 부착된 칩 온 필름; 상기 칩 온 필름의 단부와 연결되고 커넥터를 포함하는 인쇄 회로 보드; 상기 인쇄 회로 보드가 내장되고 일 방향을 따라 연장된 회전 샤프트; 및 일단부가 상기 인쇄 회로 보드와 연결된 플렉시블 케이블을 포함하고, 상기 인쇄 회로 보드는 상기 회전 샤프트와 중첩하는 중첩부, 및 상기 회전 샤프트의 제1 단부보다 외측으로 돌출된 제1 돌출부를 포함하고, 상기 제1 돌출부는 제1 커넥터부를 포함하고, 상기 인쇄 회로 보드의 상기 제1 커넥터부는 상기 표시 패널과 중첩하지 않는다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 회전 샤프트의 반경을 최소화할 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1에 따른 표시 장치의 표시 패널, 칩 온 필름, 및 인쇄 회로 보드를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소를 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 4의 II-II' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 발광 소자를 나타내는 도면이다.
도 7 및 도 8은 도 1에 따른 표시 장치의 표시 패널의 롤링/언롤링(Rolling/Unrolling)을 보여주는 모식도들이다.
도 9는 도 1의 A 영역, 및 B 영역을 확대한 평면도이다.
도 10은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 11은 도 10에 따른 표시 장치의 표시 패널, 칩 온 필름, 및 인쇄 회로 보드를 보여주는 평면도이다.
도 12는 도 10의 중첩부, 제1 돌출부, 및 제1 플렉시블 케이블을 보여주는 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 실시예들을 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 구체적인 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다. 도 2는 도 1에 따른 표시 장치의 표시 패널, 칩 온 필름, 및 인쇄 회로 보드를 보여주는 평면도이다. 도 3은 도 2의 A-A' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 표시 패널(100), 회전 샤프트(300), 및 플렉시블 케이블(500)을 포함할 수 있다.
표시 패널(100)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 장변 엣지들(LEG1, LEG2), 및 제3 방향(DR3)을 따라 연장된 단변 엣지들(SEG1, SEG2)을 포함할 수 있다. 제2 방향(DR2)과 제3 방향(DR3)은 교차하는 방향일 수 있다.
표시 패널(100)은 액정 표시 패널, 유기 발광 다이오드 표시 패널, 무기 발광 다이오드 표시 패널, 또는 양자점 표시 패널을 포함할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 표시 패널(100)이 무기 발광 다이오드 표시 패널인 경우를 중심으로 설명한다.
표시 패널(100)에는 소정의 연성이 부여되어, 상술한 회전 샤프트(300)의 외주면을 따라 감거나(rolling, 또는 winding), 펴는(unrolling, 또는 unwinding) 동작이 용이하게 반복적으로 수행될 수 있다.
표시 패널(100)은 일면 및 상기 일면의 반대면인 타면을 포함할 수 있다. 표시 패널(100)의 일면은 표시면일 수 있다. 표시 패널(100)의 구체적인 적층 구조는 도 3에 도시되어 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 표시 장치(1)의 복수의 화소(PX) 각각은 화소 정의막에 의해 정의되는 발광 영역(LA1, LA2, LA3), 및 발광 영역(LA1, LA2, LA3)을 둘러싸는 비발광 영역(BA)을 포함할 수 있고, 발광 영역(LA1, LA2, LA3)을 통해 소정의 피크 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다. 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 각각은 표시 장치의 발광 소자에서 생성된 광이 표시 장치의 외부로 방출되는 영역일 수 있다.
제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3)은 소정의 피크 파장을 갖는 광을 표시 장치의 외부로 방출할 수 있다. 제1 발광 영역(LA1)은 제1 색의 광을 방출할 수 있고, 제2 발광 영역(LA2)은 제2 색의 광을 방출할 수 있으며, 제3 발광 영역(LA3)은 제3 색의 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 제1 색의 광은 610nm 내지 650nm 범위의 피크 파장을 갖는 적색 광일 수 있고, 제2 색의 광은 510nm 내지 550nm 범위의 피크 파장을 갖는 녹색 광일 수 있으며, 제3 색의 광은 440nm 내지 480nm 범위의 피크 파장을 갖는 청색 광일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
도 3에 도시된 바와 같이, 표시 장치(1)는 기판부(SUB), 기판부(SUB) 상의 표시 소자층(DEP), 표시 소자층(DEP)을 밀봉하는 봉지 부재(ENC)를 포함할 수 있다.
기판부(SUB)는 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 절연 물질은 예를 들어, 폴리 이미드(PI)를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
표시 소자층(DEP)은 버퍼층(BF), 박막 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML), 제2 평탄화층(OC2), 제1 캡핑층(CAP1), 제1 차광 부재(BK1), 제1 파장 변환부(WLC1), 제2 파장 변환부(WLC2), 광 투과부(LTU), 제2 캡핑층(CAP2), 제3 평탄화층(OC3), 제2 차광 부재(BK2), 제1 내지 제3 컬러 필터(CF1, CF2, CF3), 제3 보호층(PAS3), 및 봉지 부재(ENC)를 포함할 수 있다.
버퍼층(BF)은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(BF)은 공기 또는 수분의 침투를 방지할 수 있는 무기막으로 이루어질 수 있다.
박막 트랜지스터층(TFTL)은 박막 트랜지스터(TFT), 제1 패드(PD1), 게이트 절연막(GI), 층간 절연막(ILD), 제1 보호층(PAS1), 및 제1 평탄화층(OC1)을 포함할 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)는 버퍼층(BF) 상에 배치될 수 있고, 복수의 화소 각각의 화소 회로를 구성할 수 있다.
반도체층(ACT)은 버퍼층(BF) 상에 마련될 수 있다. 반도체층(ACT)은 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)과 중첩될 수 있다. 반도체층(ACT)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 직접 접촉될 수 있고, 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 게이트 전극(GE)과 마주할 수 있다.
게이트 전극(GE)은 게이트 절연막(GI)의 상부에 배치될 수 있다. 게이트 전극(GE)은 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고, 반도체층(ACT)과 중첩될 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 층간 절연막(ILD) 상에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 소스 전극(SE)은 게이트 절연막(GI) 및 층간 절연막(ILD)에 마련된 컨택홀을 통해 반도체층(ACT)의 일단과 접촉될 수 있다. 드레인 전극(DE)은 게이트 절연막(GI) 및 층간 절연막(ILD)에 마련된 컨택홀을 통해 반도체층(ACT)의 타단과 접촉될 수 있다. 드레인 전극(DE)은 제1 보호층(PAS1) 및 제1 평탄화층(OC1)에 마련된 컨택홀을 통해 발광 부재(EL)의 제1 전극(AE)과 접속될 수 있다. 제1 패드(PD1)는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 각각 동일층에 배치될 수 있다.
게이트 절연막(GI)은 반도체층(ACT)의 상부에 마련될 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연막(GI)은 반도체층(ACT) 및 버퍼층(BF)의 상부에 배치될 수 있고, 반도체층(ACT)과 게이트 전극(GE)을 절연시킬 수 있다. 게이트 절연막(GI)은 소스 전극(SE)이 관통하는 컨택홀 및 드레인 전극(DE)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다.
층간 절연막(ILD)은 게이트 전극(GE)의 상부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 층간 절연막(ILD)은 소스 전극(SE)이 관통하는 컨택홀 및 드레인 전극(DE)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다.
제1 보호층(PAS1)은 박막 트랜지스터(TFT)의 상부에 마련되어, 박막 트랜지스터(TFT)를 보호할 수 있다. 예를 들어, 제1 보호층(PAS1)은 제1 전극(AE)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다.
제1 평탄화층(OC1)은 제1 보호층(PAS1)의 상부에 마련되어, 박막 트랜지스터(TFT)의 상단을 평탄화시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 평탄화층(OC1)은 발광 부재(EL)의 제1 전극(AE)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다.
발광 소자층(EML)은 발광 부재(EL), 제1 뱅크(BNK1), 제2 뱅크(BNK2), 제1 소자 절연층(QPAS1) 및 제2 보호층(PAS2)을 포함할 수 있다.
발광 부재(EL)는 박막 트랜지스터(TFT) 상에 마련될 수 있다. 발광 부재(EL)는 제1 전극(AE), 제2 전극(CE), 및 발광 소자(ED)를 포함할 수 있다.
제1 전극(AE)은 제1 평탄화층(OC1)의 상부에 마련될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(AE)은 제1 평탄화층(OC1) 상에 배치된 제1 뱅크(BNK1) 상에 배치되어 제1 뱅크(BNK1)를 덮을 수 있다. 제1 전극(AE)은 제2 뱅크(BNK2)에 의해 정의되는 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 중 하나의 발광 영역과 중첩되게 배치될 수 있다. 그리고, 제1 전극(AE)은 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(DE)에 접속될 수 있다.
제2 전극(CE)은 제1 평탄화층(OC1)의 상부에 마련될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(CE)은 제1 평탄화층(OC1) 상에 배치된 제1 뱅크(BNK1) 상에 배치되어 제1 뱅크(BNK1)를 덮을 수 있다. 제2 전극(CE)은 제2 뱅크(BNK2)에 의해 정의되는 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 중 하나의 발광 영역과 중첩되게 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(CE)은 전체 화소에 공급되는 공통 전압을 수신할 수 있다.
제1 소자 절연층(QPAS1)은 서로 인접한 제1 전극(AE)의 일부와 제2 전극(CE)의 일부를 덮을 수 있고, 제1 전극(AE)과 제2 전극(CE)을 절연시킬 수 있다.
발광 소자(ED)는 제1 평탄화층(OC1)의 상부에서 제1 전극(AE) 및 제2 전극(CE) 사이에 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)는 제1 소자 절연층(QPAS1) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)의 일단은 제1 전극(AE)에 접속될 수 있고, 발광 소자(ED)의 타단은 제2 전극(CE)에 접속될 수 있다. 예를 들어, 복수의 발광 소자(ED)는 동일 물질을 갖는 활성층을 포함하여, 동일 파장대의 광, 또는 동일 색의 광을 방출할 수 있다. 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 각각에서 방출되는 광은 동일 색을 가질 수 있다. 예를 들어, 복수의 발광 소자(ED)는 440nm 내지 480nm 범위의 피크 파장을 갖는 제3 색의 광 또는 청색 광을 방출할 수 있다.
제2 뱅크(BNK2)는 제1 평탄화층(OC1) 상에 배치되어 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3)을 정의할 수 있다. 예를 들어, 제2 뱅크(BNK2)는 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 각각을 둘러쌀 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제2 뱅크(BNK2)는 차광 영역(BA)에 배치될 수 있다.
제2 보호층(PAS2)은 복수의 발광 부재(EL) 및 제2 뱅크(BNK2) 상에 배치될 수 있다. 제2 보호층(PAS2)은 복수의 발광 부재(EL)를 덮을 수 있고, 복수의 발광 부재(EL)를 보호할 수 있다.
표시 장치(1)는 제2 평탄화층(OC2), 제1 캡핑층(CAP1), 제1 차광 부재(BK1), 제1 파장 변환부(WLC1), 제2 파장 변환부(WLC2), 광 투과부(LTU), 제2 캡핑층(CAP2), 제3 평탄화층(OC3), 제2 차광 부재(BK2), 제1 내지 제3 컬러 필터(CF1, CF2, CF3), 제3 보호층(PAS3), 및 봉지 부재(ENC)를 더 포함할 수 있다.
제2 평탄화층(OC2)은 발광 소자층(EML)의 상부에 마련되어, 발광 소자층(EML)의 상단을 평탄화시킬 수 있다. 제2 평탄화층(OC2)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
제1 캡핑층(CAP1)은 제2 평탄화층(OC2) 상에 배치될 수 있다. 제1 캡핑층(CAP1)은 제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2)와 광 투과부(LTU)의 하면을 밀봉할 수 있다. 제1 캡핑층(CAP1)은 무기 물질을 포함할 수 있다.
제1 차광 부재(BK1)는 제1 캡핑층(CAP1) 상의 차광 영역(BA)에 배치될 수 있다. 제1 차광 부재(BK1)는 제2 뱅크(BNK2)와 두께 방향으로 중첩될 수 있다. 제1 차광 부재(BK1)는 광의 투과를 차단할 수 있다.
제1 차광 부재(BK1)는 유기 차광 물질과 발액 성분을 포함할 수 있다.
제1 차광 부재(BK1)는 발액 성분을 포함함으로써, 제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2)와 광 투과부(LTU)를 대응되는 발광 영역(LA)으로 분리시킬 수 있다.
제1 파장 변환부(WLC1)는 제1 캡핑층(CAP1) 상의 제1 발광 영역(LA1)에 배치될 수 있다. 제1 파장 변환부(WLC1)는 제1 차광 부재(BK1)에 의해 둘러싸일 수 있다. 제1 파장 변환부(WLC1)는 제1 베이스 수지(BS1), 제1 산란체(SCT1) 및 제1 파장 시프터(WLS1)를 포함할 수 있다.
제1 베이스 수지(BS1)는 광 투과율이 상대적으로 높은 물질을 포함할 수 있다. 제1 베이스 수지(BS1)는 투명 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 베이스 수지(BS1)는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 카도계 수지 및 이미드계 수지 등의 유기 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 산란체(SCT1)는 제1 베이스 수지(BS1)와 상이한 굴절률을 가질 수 있고, 제1 베이스 수지(BS1)와 광학 계면을 형성할 수 있다.
제1 파장 시프터(WLS1)는 입사광의 피크 파장을 제1 피크 파장으로 변환 또는 시프트시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 파장 시프터(WLS1)는 표시 장치에서 제공된 청색 광을 610nm 내지 650nm 범위의 단일 피크 파장을 갖는 적색 광으로 변환하여 방출할 수 있다. 제1 파장 시프터(WLS1)는 양자점, 양자 막대 또는 형광체일 수 있다. 양자점은 전자가 전도대에서 가전자대로 전이하면서 특정한 색을 방출하는 입자상 물질일 수 있다.
제1 파장 시프터(WLS1)가 방출하는 광은 45nm 이하, 또는 40nm 이하, 또는 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼 반치폭(Full Width of Half Maximum, FWHM)을 가질 수 있고, 표시 장치가 표시하는 색의 색 순도와 색 재현성을 더욱 개선할 수 있다.
발광 소자층(EML)에서 제공된 청색 광의 일부는 제1 파장 시프터(WLS1)에 의해 적색 광으로 변환되지 않고 제1 파장 변환부(WLC1)를 투과할 수 있다. 발광 소자층(EML)에서 제공된 청색 광 중 제1 파장 변환부(WLC1)에 의해 변환되지 않고 제1 컬러 필터(CF1)에 입사한 광은 제1 컬러 필터(CF1)에 의해 차단될 수 있다. 그리고, 표시 장치에서 제공된 청색 광 중 제1 파장 변환부(WLC1)에 의해 변환된 적색 광은 제1 컬러 필터(CF1)를 투과하여 외부로 출사될 수 있다. 따라서, 제1 발광 영역(LA1)은 적색 광을 방출할 수 있다.
제2 파장 변환부(WLC2)는 제1 캡핑층(CAP1) 상의 제2 발광 영역(LA2)에 배치될 수 있다. 제2 파장 변환부(WLC2)는 제1 차광 부재(BK1)에 의해 둘러싸일 수 있다. 제2 파장 변환부(WLC2)는 제2 베이스 수지(BS2), 제2 산란체(SCT2) 및 제2 파장 시프터(WLS2)를 포함할 수 있다.
제2 베이스 수지(BS2)는 광 투과율이 상대적으로 높은 물질을 포함할 수 있다. 제2 베이스 수지(BS2)는 투명 유기 물질로 이루어질 수 있다.
제2 산란체(SCT2)는 제2 베이스 수지(BS2)와 상이한 굴절률을 가질 수 있고, 제2 베이스 수지(BS2)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제2 산란체(SCT2)는 투과광의 적어도 일부를 산란시키는 광 산란 물질 또는 광 산란 입자를 포함할 수 있다.
제2 파장 시프터(WLS2)는 입사광의 피크 파장을 제1 파장 시프터(WLS1)의 제1 피크 파장과 다른 제2 피크 파장으로 변환 또는 시프트시킬 수 있다. 예를 들어, 제2 파장 시프터(WLS2)는 표시 장치에서 제공된 청색 광을 510nm 내지 550nm 범위의 단일 피크 파장을 갖는 녹색 광으로 변환하여 방출할 수 있다. 제2 파장 시프터(WLS2)는 양자점, 양자 막대 또는 형광체일 수 있다. 제2 파장 시프터(WLS2)는 제1 파장 시프터(WLS1)에서 예시된 물질과 동일 취지의 물질을 포함할 수 있다.
광 투과부(LTU)는 제1 캡핑층(CAP1) 상의 제3 발광 영역(LA3)에 배치될 수 있다. 광 투과부(LTU)는 제1 차광 부재(BK1)에 의해 둘러싸일 수 있다. 광 투과부(LTU)는 입사광의 피크 파장을 유지하여 투과시킬 수 있다. 광 투과부(LTU)는 제3 베이스 수지(BS3) 및 제3 산란체(SCT3)를 포함할 수 있다.
제3 베이스 수지(BS3)는 광 투과율이 상대적으로 높은 물질을 포함할 수 있다. 제3 베이스 수지(BS3)는 투명 유기 물질로 이루어질 수 있다.
제3 산란체(SCT3)는 제3 베이스 수지(BS3)와 상이한 굴절률을 가질 수 있고, 제3 베이스 수지(BS3)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제3 산란체(SCT3)는 투과광의 적어도 일부를 산란시키는 광 산란 물질 또는 광 산란 입자를 포함할 수 있다.
제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2)와 광 투과부(LTU)는 제2 평탄화층(OC2) 및 제1 캡핑층(CAP1)을 통해 발광 소자층(EML) 상에 배치됨으로써, 표시 장치는 제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2)와 광 투과부(LTU)를 위한 별도의 기판을 필요로 하지 않을 수 있다.
제2 캡핑층(CAP2)은 제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2), 광 투과부(LTU), 및 제1 차광 부재(BK1)를 덮을 수 있다.
제3 평탄화층(OC3)은 제2 캡핑층(CAP2)의 상부에 배치되어, 제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2)와 광 투과부(LTU)의 상단을 평탄화시킬 수 있다. 제3 평탄화층(OC3)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
제2 차광 부재(BK2)는 제3 평탄화층(OC3) 상의 차광 영역(BA)에 배치될 수 있다. 제2 차광 부재(BK2)는 제1 차광 부재(BK1) 또는 제2 뱅크(BNK2)와 두께 방향으로 중첩될 수 있다. 제2 차광 부재(BK2)는 광의 투과를 차단할 수 있다.
제1 컬러 필터(CF1)는 제3 평탄화층(OC3) 상의 제1 발광 영역(LA1)에 배치될 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1)는 제2 차광 부재(BK2)에 의해 둘러싸일 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1)는 제1 파장 변환부(WLC1)와 두께 방향으로 중첩될 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1)는 제1 색의 광(예를 들어, 적색 광)을 선택적으로 투과시키고, 제2 색의 광(예를 들어, 녹색 광) 및 제3 색의 광(예를 들어, 청색 광)을 차단하거나 흡수할 수 있다.
제2 컬러 필터(CF2)는 제3 평탄화층(OC3) 상의 제2 발광 영역(LA2)에 배치될 수 있다. 제2 컬러 필터(CF2)는 제2 차광 부재(BK2)에 의해 둘러싸일 수 있다. 제2 컬러 필터(CF2)는 제2 파장 변환부(WLC2)와 두께 방향으로 중첩될 수 있다. 제2 컬러 필터(CF2)는 제2 색의 광(예를 들어, 녹색 광)을 선택적으로 투과시키고, 제1 색의 광(예를 들어, 적색 광) 및 제3 색의 광(예를 들어, 청색 광)을 차단하거나 흡수할 수 있다.
제3 컬러 필터(CF3)는 제3 평탄화층(OC3) 상의 제3 발광 영역(LA3)에 배치될 수 있다. 제3 컬러 필터(CF3)는 제2 차광 부재(BK2)에 의해 둘러싸일 수 있다. 제3 컬러 필터(CF3)는 광 투과부(LTU)와 두께 방향으로 중첩될 수 있다. 제3 컬러 필터(CF3)는 제3 색의 광(예를 들어, 청색 광)을 선택적으로 투과시키고, 제1 색의 광(예를 들어, 적색 광) 및 제2 색의 광(예를 들어, 녹색 광)을 차단하거나 흡수할 수 있다.
제1 내지 제3 컬러 필터(CF1, CF2, CF3)는 표시 장치의 외부에서 유입되는 광의 일부를 흡수하여 외광에 의한 반사광을 저감시킬 수 있다. 따라서, 제1 내지 제3 컬러 필터(CF1, CF2, CF3)는 외광 반사에 의한 색의 왜곡을 방지할 수 있다.
제3 보호층(PAS3)은 제1 내지 제3 컬러 필터(CF1, CF2, CF3)를 덮을 수 있다. 제3 보호층(PAS3)은 제1 내지 제3 컬러 필터(CF1, CF2, CF3)를 보호할 수 있다.
봉지 부재(ENC)는 제3 보호층(PAS3) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 봉지 부재(ENC)는 적어도 하나의 무기막을 포함하여, 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 봉지 부재(ENC)는 적어도 하나의 유기막을 포함하여, 표시 장치를 먼지와 같은 이물질로부터 보호할 수 있다.
다시, 도 1 및 도 2를 참조하면, 플렉시블 케이블(500)은 회전 샤프트(300)의 일단부(300a)로부터 외측에 배치된 제1 케이블(500a), 및 회전 샤프트(300)의 타단부(300b)로부터 외측에 배치된 제2 케이블(500b)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 표시 패널(100)의 단부에 연결된 복수의 칩온 필름(COF)들을 더 포함할 수 있다. 각각의 칩온 필름(COF) 상에는 구동집적회로(IC)가 배치될 수 있다. 예를 들어, 구동집적회로(IC)는 구동칩의 형태로 제공될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
복수의 칩온 필름(COF)은 그룹을 형성할 수 있다. 예를 들어, 3개의 칩온 필름(COF)은 하나의 그룹을 형성할 수 있다. 도 2에서는 예시적으로, 9개의 칩온 필름(COF)을 도시하였으므로, 3개의 그룹(COF_G1, COF_G2, COF_G3)이 예시되어 있다. 각각의 그룹(COF_G1, COF_G2, COF_G3)을 형성하는 칩온 필름(COF)의 단부에는 인쇄 회로 보드(PCB)가 연결될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 인쇄 회로 보드(PCB)는 표시 패널(100)과 중첩하는 중첩부(PCB_P1), 중첩부(PCB_P1)와 연결되고 중첩부(PCB_P1)의 제2 방향(DR2) 타측에 위치한 제1 돌출부(PCB_P2), 및 중첩부(PCB_P1)와 연결되고 중첩부(PCB_P1)의 제2 방향(DR2) 일측에 위치한 제2 돌출부(PCB_P3)를 포함할 수 있다. 각각의 돌출부(PCB_P2, PCB_P3)에는 커넥터부(CNTP1, CNTP2)가 배치될 수 있다. 후술하는 바와 같이, 각각의 커넥터부(CNTP1, CNTP2)에는 적어도 하나 이상의 커넥터들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 돌출부(PCB_P2)에는 제1 커넥터부(CNTP1)가 배치되고, 제2 돌출부(PCB_P3)에는 제2 커넥터부(CNTP2)가 배치될 수 있다.
중첩부(PCB_P1)는 제2 방향(DR2)을 따라 연장될 수 있다. 중첩부(PCB_P1)는 대체로 표시 패널(100)과 제3 방향(DR3)에서 중첩하고, 일부가 표시 패널(100)의 단변 엣지(SEG1, SEG2)보다 외측으로 돌출될 수도 있다.
중첩부(PCB_P1)의 제3 방향(DR3) 폭은 각각 돌출부(PCB_P2, PCB_P3)의 폭보다 작을 수 있다. 이는, 상술한 돌출부(PCB_P2, PCB_P3)에 배치된 커넥터들의 배치 공간을 확보하기 위함이다.
다시 도 3을 참조하면, 제1 패드(PD1) 상에는 칩온 필름(COF)이 배치될 수 있다. 칩온 필름(COF)은 제1 패드(PD1)와 연결되는 제1 칩온 패드(COF_P1), 및 인쇄 회로 보드(PCB)(도 3에서는 중첩부(PCB_P1))의 제2 패드(PD2)와 연결되는 제2 칩온 패드(COF_P2)를 더 포함할 수 있다. 제1 패드(PD1)와 제1 칩온 패드(COF_P1), 및 제2 패드(PD2)와 제2 칩온 패드(COF_P2) 사이에는 각각 이방성 도전 필름(ACF)이 개재될 수 있다. 즉, 제1 패드(PD1)와 제1 칩온 패드(COF_P1), 및 제2 패드(PD2)와 제2 칩온 패드(COF_P2) 사이에는 각각 이방성 도전 필름(ACF)이 개재되어 상호 연결될 수 있다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소를 나타내는 평면도이다. 도 5는 도 4의 II-II' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 2와 함께 도 4 및 도 5를 참조하면, 복수의 화소(PX) 각각은 제1 내지 제3 서브 화소를 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 서브 화소 각각은 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 각각에 대응될 수 있다. 제1 내지 제3 서브 화소 각각의 발광 소자(ED)는 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3)을 통해 광을 방출할 수 있다.
제1 내지 제3 서브 화소 각각은 동일 색의 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 서브 화소 각각은 동일 종류의 발광 소자(ED)를 포함할 수 있고, 제3 색의 광 또는 청색 광을 방출할 수 있다. 다른 예를 들어, 제1 서브 화소는 제1 색의 광 또는 적색 광을 방출할 수 있고, 제2 서브 화소는 제2 색의 광 또는 녹색 광을 방출할 수 있으며, 제3 서브 화소는 제3 색의 광 또는 청색 광을 방출할 수 있다.
제1 내지 제3 서브 화소 각각은 제1 및 제2 전극(AE, CE), 발광 소자(ED), 복수의 접촉 전극(CTE), 및 복수의 제2 뱅크(BNK2)를 포함할 수 있다.
제1 및 제2 전극(AE, CE)은 발광 소자(ED)와 전기적으로 연결되어 소정의 전압을 인가받을 수 있고, 발광 소자(ED)는 특정 파장대의 광을 방출할 수 있다. 제1 및 제2 전극(AE, CE)의 적어도 일부는 화소 내에 전기장을 형성할 수 있고, 발광 소자(ED)는 전기장에 의해 정렬될 수 있다.
예를 들어, 제1 전극(AE)은 제1 내지 제3 서브 화소 마다 분리된 화소 전극일 수 있고, 제2 전극(CE)은 제1 내지 제3 서브 화소에 공통으로 연결된 공통 전극일 수 있다. 제1 전극(AE)과 제2 전극(CE) 중 어느 하나는 발광 소자(ED)의 애노드(Anode) 전극일 수 있고, 다른 하나는 발광 소자(ED)의 캐소드(Cathode) 전극일 수 있다.
제1 전극(AE)은 제1 방향(DR1)으로 연장되는 제1 전극 줄기부(AE1), 및 제1 전극 줄기부(AE1)로부터 분지되어 제2 방향(DR2)으로 연장된 적어도 하나의 제1 전극 가지부(AE2)를 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 서브 화소 각각의 제1 전극 줄기부(AE1)는 인접한 서브 화소의 제1 전극 줄기부(AE1)와 이격될 수 있고, 제1 전극 줄기부(AE1)는 제1 방향(DR1)으로 인접한 서브 화소의 제1 전극 줄기부(AE1)와 가상의 연장 선 상에 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 서브 화소 각각의 제1 전극 줄기부(AE1)는 서로 다른 신호를 인가받을 수 있고, 독립적으로 구동될 수 있다.
제1 전극 가지부(AE2)는 제1 전극 줄기부(AE1)로부터 분지되어 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제1 전극 가지부(AE2)의 일단은 제1 전극 줄기부(AE1)에 연결될 수 있고, 제1 전극 가지부(AE2)의 타단은 제1 전극 줄기부(AE1)와 대향하는 제2 전극 줄기부(CE1)와 이격될 수 있다.
제2 전극(CE)은 제1 방향(DR1)으로 연장되는 제2 전극 줄기부(CE1), 및 제2 전극 줄기부(CE1)로부터 분지되어 제2 방향(DR2)으로 연장된 제2 전극 가지부(CE2)를 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 서브 화소 각각의 제2 전극 줄기부(CE1)는 인접한 서브 화소의 제2 전극 줄기부(CE1)와 접속될 수 있다. 제2 전극 줄기부(CE1)는 제1 방향(DR1)으로 연장되어 복수의 화소를 가로지를 수 있다. 제2 전극 줄기부(CE1)는 표시 영역(DA)의 외곽부, 또는 비표시 영역(NDA)에서 일 방향으로 연장된 부분과 연결될 수 있다.
제2 전극 가지부(CE2)는 제1 전극 가지부(AE2)와 이격되어 대향할 수 있다. 제2 전극 가지부(CE2)의 일단은 제2 전극 줄기부(CE1)에 연결될 수 있고, 제2 전극 가지부(CE2)의 타단은 제1 전극 줄기부(AE1)와 이격될 수 있다.
제1 전극(AE)은 제1 컨택홀(CNT1)을 통해 표시 장치의 박막 트랜지스터층(TFTL)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 전극(CE)은 제2 컨택홀(CNT2)을 통해 표시 장치의 박막 트랜지스터층(TFTL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 컨택홀(CNT1)은 복수의 제1 전극 줄기부(AE1) 각각에 배치될 수 있고, 제2 컨택홀(CNT2)은 제2 전극 줄기부(CE1)에 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
제2 뱅크(BNK2)는 복수의 화소 간의 경계에 배치될 수 있다. 복수의 제1 전극 줄기부(AE1)는 제2 뱅크(BNK2)를 기준으로 서로 이격될 수 있다. 제2 뱅크(BNK2)는 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있고, 제1 방향(DR1)으로 배열된 화소들(SP)의 경계에 배치될 수 있다. 추가적으로, 제2 뱅크(BNK2)는 제2 방향(DR2)으로 배열된 화소들(SP)의 경계에도 배치될 수 있다. 제2 뱅크(BNK2)는 복수의 화소의 경계를 정의할 수 있다.
제2 뱅크(BNK2)는 표시 장치의 제조 시, 발광 소자(ED)가 분산된 잉크를 분사할 때 잉크가 화소들(SP)의 경계를 넘는 것을 방지할 수 있다. 제2 뱅크(BNK2)는 서로 다른 발광 소자들(ED)이 분산된 잉크가 서로 혼합되지 않도록 이들을 분리시킬 수 있다.
발광 소자(ED)는 제1 전극(AE) 및 제2 전극(CE) 사이에 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)의 일단은 제1 전극(AE)에 접속될 수 있고, 발광 소자(ED)의 타단은 제2 전극(CE)에 접속될 수 있다.
복수의 발광 소자(ED)는 서로 이격되게 배치될 수 있고, 실질적으로 상호 평행하게 정렬될 수 있다. 발광 소자들(ED)이 이격되는 간격은 특별히 제한되지 않는다.
복수의 발광 소자(ED)는 동일 물질을 갖는 활성층을 포함하여, 동일 파장대의 광 또는 동일 색의 광을 방출할 수 있다. 제1 내지 제3 서브 화소는 동일 색의 광을 방출할 있다. 예를 들어, 복수의 발광 소자(ED)는 440nm 내지 480nm 범위의 피크 파장을 갖는 제3 색의 광 또는 청색 광을 방출할 수 있다.
접촉 전극(CTE)은 제1 및 제2 접촉 전극(CTE1, CTE2)을 포함할 수 있다. 제1 접촉 전극(CTE1)은 제1 전극 가지부(AE2)와 발광 소자(ED)의 일부를 덮을 수 있고, 제1 전극 가지부(AE2)와 발광 소자(ED)를 전기적으로 연결시킬 수 있다. 제2 접촉 전극(CTE2)은 제2 전극 가지부(CE2)와 발광 소자(ED)의 다른 일부를 덮을 수 있고, 제2 전극 가지부(CE2)와 발광 소자(ED)를 전기적으로 연결시킬 수 있다.
제1 접촉 전극(CTE1)은 제1 전극 가지부(AE2) 상에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제1 접촉 전극(CTE1)은 발광 소자(ED)의 일단과 접촉될 수 있다. 발광 소자(ED)는 제1 접촉 전극(CTE1)을 통해 제1 전극(AE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 접촉 전극(CTE2)은 제2 전극 가지부(CE2) 상에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제2 접촉 전극(CTE2)은 제1 접촉 전극(CTE1)과 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다. 제2 접촉 전극(CTE2)은 발광 소자(ED)의 타단과 접촉될 수 있다. 발광 소자(ED)는 제2 접촉 전극(CTE2)을 통해 제2 전극(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
표시 장치의 발광 소자층(EML)은 박막 트랜지스터층(TFTL) 상에 배치될 수 있고, 제1 내지 제3 소자 절연층(QPAS1, QPAS2, QPAS3)을 포함할 수 있다.
복수의 제1 뱅크(BNK1)는 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 각각에 배치될 수 있다. 복수의 제1 뱅크(BNK1) 각각은 제1 전극(AE) 또는 제2 전극(CE)에 대응될 수 있다. 제1 및 제2 전극(AE, CE) 각각은 대응되는 제1 뱅크(BNK1) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 뱅크(BNK1)는 제1 평탄화층(OC1) 상에 배치될 수 있고, 복수의 제1 뱅크(BNK1) 각각의 측면은 제1 평탄화층(OC1)으로부터 경사질 수 있다. 제1 뱅크(BNK1)의 경사면은 발광 소자(ED)에서 방출된 광을 반사시킬 수 있다.
제1 전극 줄기부(AE1)는 제1 평탄화층(OC1)을 관통하는 제1 컨택홀(CNT1)을 포함할 수 있다. 제1 전극 줄기부(AE1)는 제1 컨택홀(CNT1)을 통해 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 전극 줄기부(CE1)는 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있고, 발광 소자(ED)가 배치되지 않는 비발광 영역에도 배치될 수 있다. 제2 전극 줄기부(CE1)는 제1 평탄화층(OC1)을 관통하는 제2 컨택홀(CNT2)을 포함할 수 있다. 제2 전극 줄기부(CE1)는 제2 컨택홀(CNT2)을 통해 전원 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전극(CE)은 전원 전극으로부터 소정의 전기 신호를 수신할 수 있다.
제1 및 제2 전극(AE, CE)은 투명 전도성 물질을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 전극(AE, CE)은 반사율이 높은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 전극(AE, CE)은 투명 전도성 물질과 반사율이 높은 금속 각각이 한층 이상 적층된 구조를 이루거나, 이들을 포함하여 하나의 층으로 형성될 수 있다.
제1 소자 절연층(QPAS1)은 제1 평탄화층(OC1), 제1 전극(AE), 및 제2 전극(CE) 상에 배치될 수 있다. 제1 소자 절연층(QPAS1)은 제1 및 제2 전극(AE, CE) 각각의 일부를 덮을 수 있다.
제1 소자 절연층(QPAS1)은 제1 및 제2 전극(AE, CE)을 보호할 수 있고, 제1 및 제2 전극(AE, CE)을 상호 절연시킬 수 있다. 제1 소자 절연층(QPAS1)은 발광 소자(ED)가 다른 부재들과 직접 접촉하여 손상되는 것을 방지할 수 있다.
발광 소자(ED)는 제1 소자 절연층(QPAS1) 상에서, 제1 전극(AE) 및 제2 전극(CE) 사이에 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)의 일단은 제1 전극(AE)에 접속될 수 있고, 발광 소자(ED)의 타단은 제2 전극(CE)에 접속될 수 있다.
제2 소자 절연층(QPAS2)은 제1 및 제2 전극(AE, CE) 사이에 배치된 발광 소자(ED) 상에 부분적으로 배치될 수 있다. 제2 소자 절연층(QPAS2)은 발광 소자(ED)의 상면의 중앙부에 배치될 수 있다. 제3 절연층(QPAS3)은 발광 소자(ED)의 외면을 부분적으로 감쌀 수 있다. 제3 절연층(QPAS3)은 발광 소자(ED)를 보호할 수 있다. 제3 절연층(QPAS3)은 발광 소자(ED)의 외면을 감쌀 수 있다.
접촉 전극(CTE)은 제1 및 제2 접촉 전극(CTE1, CTE2)을 포함할 수 있다. 제1 접촉 전극(CTE1)은 제1 전극 가지부(AE2)와 발광 소자(ED)의 일부를 덮을 수 있고, 제1 전극 가지부(AE2)와 발광 소자(ED)를 전기적으로 연결시킬 수 있다. 제2 접촉 전극(CTE2)은 제2 전극 가지부(CE2)와 발광 소자(ED)의 다른 일부를 덮을 수 있고, 제2 전극 가지부(CE2)와 발광 소자(ED)를 전기적으로 연결시킬 수 있다.
제1 접촉 전극(CTE1)은 제1 전극 가지부(AE2) 상에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제1 접촉 전극(CTE1)은 발광 소자(ED)의 일단과 접촉될 수 있다. 발광 소자(ED)는 제1 접촉 전극(CTE1)을 통해 제1 전극(AE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 접촉 전극(CTE1)은 제2 소자 절연층(QPAS2)의 일단부측 상면에 직접 접할 수 있다.
제2 접촉 전극(CTE2)은 제2 전극 가지부(CE2) 상에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제2 접촉 전극(CTE2)은 제1 접촉 전극(CTE1)과 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다. 제2 접촉 전극(CTE2)은 발광 소자(ED)의 타단과 접촉될 수 있다. 발광 소자(ED)는 제2 접촉 전극(CTE2)을 통해 제2 전극(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 접촉 전극(CTE2)은 제2 소자 절연층(QPAS2)의 타단부측 상면에 직접 접할 수 있다.
제1 접촉 전극(CTE1)과 제2 접촉 전극(CTE2)은 동일층에 배치될 수 있다. 제1 접촉 전극(CTE1)과 제2 접촉 전극(CTE2)은 각각 제2 소자 절연층(QPAS2)의 중앙부 상면을 노출할 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 발광 소자를 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 발광 소자(ED)는 발광 다이오드(Light Emitting diode)일 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(ED)는 마이크로 미터(Micro-meter) 또는 나노 미터(Nano-meter) 단위의 크기를 가질 수 있고, 무기물을 포함하는 무기 발광 다이오드일 수 있다. 무기 발광 다이오드는 서로 대향하는 두 전극들 사이에 특정 방향으로 형성된 전계에 따라 두 전극 사이에서 정렬될 수 있다.
발광 소자(ED)는 일 방향으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 발광 소자(ED)는 로드, 와이어, 튜브 등의 형상을 가질 수 있다. 발광 소자(ED)는 제1 반도체층(111), 제2 반도체층(113), 활성층(115), 전극층(117), 및 절연막(118)을 포함할 수 있다.
제1 반도체층(111)은 n형 반도체일 수 있다. 제2 반도체층(113)은 활성층(115) 상에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 반도체층(111, 113) 각각은 하나의 층으로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
활성층(115)은 제1 및 제2 반도체층(111, 113) 사이에 배치될 수 있다. 활성층(115)은 단일 또는 다중 양자 우물 구조의 물질을 포함할 수 있다. 활성층(115)이 다중 양자 우물 구조의 물질을 포함하는 경우, 양자층(Quantum layer)과 우물층(Well layer)이 서로 교번적으로 복수 개 적층될 수 있다.
활성층(115)에서 방출되는 광은 발광 소자(ED)의 길이 방향으로 방출될 수 있고, 양 측면으로도 방출될 수 있다. 활성층(115)에서 방출되는 광은 방향성이 제한되지 않을 수 있다.
전극층(117)은 오믹(Ohmic) 접촉 전극일 수 있다. 다른 예를 들어, 전극층(117)은 쇼트키(Schottky) 접촉 전극일 수도 있다. 발광 소자(ED)는 적어도 하나의 전극층(117)을 포함할 수 있다.
절연막(118)은 복수의 반도체층 및 전극층들의 외면을 둘러쌀 수 있다. 절연막(118)은 활성층(115)의 외면을 둘러쌀 수 있고, 발광 소자(ED)가 연장된 방향으로 연장될 수 있다. 절연막(118)은 발광 소자(ED)를 보호할 수 있다.
절연막(118)은 절연 특성을 가진 물질들, 예를 들어, 실리콘 산화물(Silicon oxide, SiOx), 실리콘 질화물(Silicon nitride, SiNx), 산질화 실리콘(SiOxNy), 질화알루미늄(Aluminum nitride, AlN), 산화알루미늄(Aluminum oxide, Al2O3) 등을 포함할 수 있다.
절연막(118)의 외면은 표면 처리될 수 있다. 발광 소자(ED)는 표시 장치의 제조 시, 소정의 잉크 내에서 분산된 상태로 전극 상에 분사되어 정렬될 수 있다.
도 7 및 도 8은 도 1에 따른 표시 장치의 표시 패널의 롤링/언롤링(Rolling/Unrolling)을 보여주는 모식도들이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 표시 패널(100)은 회전 샤프트(300)의 외주면에 말리고 펴지는 방식으로 롤링/언롤링(Rolling/Unrolling)될 수 있다. 도 7 및 도 8에서는 회전 샤프트(300)가 시계 방향을 따라 회전하면서, 표시 패널(100)이 말려지는 것으로 예시되었지만, 이에 제한되지 않고 회전 샤프트(300)가 반시계 방향을 따라 회전하면서, 표시 패널(100)이 말려질 수도 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해, 회전 샤프트(300)가 시계 방향을 따라 회전하면서, 표시 패널(100)이 말려지는 것을 중심으로 설명하기로 한다.
회전 샤프트(300)의 시계/반시계 방향 회전에 따라 표시 패널(100)이 말리고 펴지는 것은, 표시 패널(100)과 칩 온 필름(COF)을 통해 연결된 인쇄 회로 보드(MB)가 회전 샤프트(300) 내부(또는 중공)에 고정되어 내장되어 있기 때문이다
한편, 상술한 바와 같이, 회전 샤프트(300)의 외주면을 통해 표시 패널(100)이 롤링/언롤링되므로, 회전 샤프트(300)의 외주면에 별도의 홈을 형성하여 상술한 플렉시블 케이블(500)을 인출하는 것은 어려울 수 있다. 따라서, 일 실시예와 같이, 회전 샤프트(300)의 단부(일단부 및 타단부)들을 통해 플렉시블 케이블(500)을 인출하여야 한다. 다만, 표시 장치(1)가 대형화될수록 필요한 플렉시블 케이블(500)의 개수가 많아져, 회전 샤프트(300)를 포함한 표시 장치(1)의 전반적인 크기가 커질 수 있다.
다만, 일 실시예와 같이, 복수의 칩온 필름(COF)들의 그룹(COF_G1, COF_G2, COF_G3)들의 단부를 하나의 인쇄 회로 보드(PCB)와 연결하고, 인쇄 회로 보드(PCB)가 각 칩온 필름(COF)들의 그룹(COF_G1, COF_G2, COF_G3)들과 전기적으로 연결되는 커넥터부(CNTP1, CNTP2)들을 인쇄 회로 보드(PCB)의 각 돌출부(PCB_P2, PCB_P3)에 배치함으로써, 회전 샤프트(300)를 포함한 표시 장치(1)의 전반적인 크기가 커지는 것을 방지할 수 있다는 이점이 있다.
도 9는 도 1의 A 영역, 및 B 영역을 확대한 평면도이다.
도 9를 참조하면, 제1 돌출부(PCT_P2)의 제1 커넥터부(CNTP1)에는 제1 커넥터(CNT1)가 배치되고, 제2 돌출부(PCT_P3)의 제2 커넥터부(CNTP2)에는 제2 커넥터(CNT2) 및 제3 커넥터(CNT3)가 배치될 수 있다. 즉, 일 실시예에서는 예시적으로, 3개의 칩온 필름(COF)들의 그룹(COF_G1, COF_G2, COF_G3)들을 예시하였으므로, 제1 커넥터부(CNTP1)의 커넥터의 개수와 제2 커넥터부(CNTP2)의 커넥터의 개수가 서로 상이할 수 있다.
다만, 예시된 바와 달리, 칩온 필름(COF)들의 그룹의 개수에 따라 제1 커넥터부(CNTP1)의 커넥터의 개수와 제2 커넥터부(CNTP2)의 커넥터의 개수는 서로 동일하거나, 제2 커넥터부(CNTP2)의 커넥터의 개수가 제1 커넥터부(CNTP1)의 커넥터의 개수보다 더 많을 수도 있다.
이하, 다른 실시예에 대해 설명한다.
도 10은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다. 도 11은 도 10에 따른 표시 장치의 표시 패널, 칩 온 필름, 및 인쇄 회로 보드를 보여주는 평면도이다. 도 12는 도 10의 중첩부, 제1 돌출부, 및 제1 플렉시블 케이블을 보여주는 평면도이다.
도 10 내지 도 12를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)는 인쇄 회로 보드가 제2 돌출부(도 2의 PCB_P3)를 포함하지 않는다는 점에서, 도 1 및 도 2에 따른 표시 장치(1)와 상이하다.
더욱 상세하게 설명하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)는 인쇄 회로 보드가 제2 돌출부(도 2의 PCB_P3)를 포함하지 않을 수 있다. 이에 따라, 제1 돌출부(PCB_P2)의 제1 커넥터부(CNTP1_1)는 3개의 커넥터(CNT1, CNT2, CNT3)들을 포함할 수 있다.
도 10 내지 도 12에서는, 인쇄 회로 보드가 제2 돌출부를 포함하지 않는 경우를 예시하였지만, 이에 제한되지 않고, 인쇄 회로 보드가 제1 돌출부를 포함하지 않고 제2 돌출부만 포함할 수도 있음은 자명하다.
본 실시예의 경우에도, 회전 샤프트(300_1)의 외주면을 통해 표시 패널(100)이 롤링/언롤링되므로, 회전 샤프트(300)의 외주면에 별도의 홈을 형성하여 상술한 플렉시블 케이블(500a)을 인출하는 것은 어려울 수 있다. 따라서, 본 실시예와 같이, 회전 샤프트(300_1)의 단부를 통해 플렉시블 케이블(500a)을 인출하여야 한다. 다만, 표시 장치(2)가 대형화될수록 필요한 플렉시블 케이블(500a)의 개수가 많아져, 회전 샤프트(300_1)를 포함한 표시 장치(2)의 전반적인 크기가 커질 수 있다.
다만, 본 실시예와 같이, 복수의 칩온 필름(COF)들의 그룹(COF_G1, COF_G2, COF_G3)들의 단부를 하나의 인쇄 회로 보드와 연결하고, 상기 인쇄 회로 보드가 각 칩온 필름(COF)들의 그룹(COF_G1, COF_G2, COF_G3)들과 전기적으로 연결되는 제1 커넥터부(CNTP1)를 인쇄 회로 보드의 제1 돌출부(PCB_P2)에 배치함으로써, 회전 샤프트(300_1)를 포함한 표시 장치(2)의 전반적인 크기가 커지는 것을 방지할 수 있다는 이점이 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
1: 표시 장치
100: 표시 패널
300: 회전 샤프트
500: 플렉시블 케이블

Claims (18)

  1. 표시 패널;
    상기 표시 패널의 단부에 부착된 칩 온 필름;
    상기 칩 온 필름의 단부와 연결되고 커넥터를 포함하는 인쇄 회로 보드;
    상기 인쇄 회로 보드가 내장되고 일 방향을 따라 연장된 회전 샤프트; 및
    일단부가 상기 인쇄 회로 보드의 상기 커넥터부와 연결된 플렉시블 케이블을 포함하고,
    상기 인쇄 회로 보드의 상기 커넥터부는 상기 표시 패널과 중첩하지 않는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 패널은 상기 회전 샤프트의 외주면에 말리고 펴지는 방식으로 롤링/언롤링(Rolling/Unrolling)되는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 회전 샤프트는 내부에 절개홈을 포함하고, 상기 표시 패널은 상기 절개홈을 관통하는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 회전 샤프트는 소정 방향으로 회전되며, 상기 표시 패널은 상기 회전 샤프트의 회전에 따라 말리고 펴지는 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 회전 샤프트는 제1 단부, 및 상기 제1 단부의 반대측의 제2 단부를 포함하고, 상기 커넥터부는 상기 제1 단부 또는 상기 제2 단부 중 어느 하나보다 외측으로 돌출된 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 인쇄 회로 보드는 2개의 상기 커넥터부들을 포함하고, 상기 2개의 커넥터부들은 제1 커넥터부, 및 제2 커넥터부를 포함하는 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 커넥터부는 상기 제1 단부보다 외측으로 돌출되고 상기 제2 커넥터부는 상기 제2 단부보다 외측으로 돌출된 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 커넥터부, 및 상기 제2 커넥터부는 각각 적어도 하나의 커넥터를 포함하고, 상기 제1 커넥터부의 상기 커넥터의 개수와 상기 제2 커넥터부의 상기 커넥터의 개수는 상이한 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 패널은 기판부; 상기 기판부 상에 이격되어 배치된 제1 뱅크들; 상기 제1 뱅크 상에 배치되고 상기 제1 뱅크를 덮으며 상호 이격되어 배치된 제1 전극과 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 발광 소자; 상기 제1 전극과 연결되고 상기 발광 소자의 일단과 접촉하는 제1 접촉 전극; 및 상기 제2 전극과 연결되고 상기 발광 소자의 타단과 접촉하는 제2 접촉 전극을 포함하는 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 표시 패널은 상기 제1 전극, 및 상기 제2 전극과 상기 발광 소자 사이에 배치된 제1 소자 절연층, 및 상기 발광 소자의 상면에 배치된 제2 소자 절연층을 더 포함하고, 상기 제1 접촉 전극은 상기 제2 소자 절연층의 일측 상면과 직접 접하고, 상기 제2 접촉 전극은 상기 제2 소자 절연층의 타측 상면과 직접 접하고, 상기 제1 접촉 전극과 상기 제2 접촉 전극은 각각 상기 제2 소자 절연층의 중앙부 상면은 노출하는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 표시 패널은 상기 제1 접촉 전극, 및 상기 제2 접촉 전극을 일체로 덮어 접촉하는 제3 소자 절연층을 더 포함하는 표시 장치.
  12. 표시 패널;
    상기 표시 패널의 단부에 부착된 칩 온 필름;
    상기 칩 온 필름의 단부와 연결되고 커넥터를 포함하는 인쇄 회로 보드;
    상기 인쇄 회로 보드가 내장되고 일 방향을 따라 연장된 회전 샤프트; 및
    일단부가 상기 인쇄 회로 보드와 연결된 플렉시블 케이블을 포함하고,
    상기 인쇄 회로 보드는 상기 회전 샤프트와 중첩하는 중첩부, 및 상기 회전 샤프트의 제1 단부보다 외측으로 돌출된 제1 돌출부를 포함하고,
    상기 제1 돌출부는 제1 커넥터부를 포함하고,
    상기 인쇄 회로 보드의 상기 제1 커넥터부는 상기 표시 패널과 중첩하지 않는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 표시 패널은 상기 회전 샤프트의 외주면에 말리고 펴지는 방식으로 롤링/언롤링(Rolling/Unrolling)되는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 회전 샤프트는 내부에 절개홈을 포함하고, 상기 표시 패널은 상기 절개홈을 관통하는 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 회전 샤프트는 소정 방향으로 회전되며, 상기 표시 패널은 상기 회전 샤프트의 회전에 따라 말리고 펴지는 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 인쇄 회로 보드는 상기 회전 샤프트의 상기 제1 단부의 반대측의 제2 단부보다 외측으로 돌출된 제2 돌출부를 더 포함하는 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제2 돌출부는 제2 커넥터부를 포함하고, 상기 제1 커넥터부, 및 상기 제2 커넥터부는 각각 적어도 하나의 커넥터를 포함하는 표시 장치.
  18. 제12 항에 있어서,
    상기 중첩부의 폭은 상기 제1 돌출부의 폭보다 작은 표시 장치.
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