CN114765198A - 拼接式显示器和制造拼接式显示器的方法 - Google Patents

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郑贤映
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Abstract

本公开涉及拼接式显示器和制造拼接式显示器的方法，所述拼接式显示器包括多个显示装置，其中，在多个显示装置中的每一者中限定显示区域和围绕显示区域的非显示区域，并且在非显示区域中限定焊盘区域。多个显示装置包括第一显示装置以及设置为在第一方向上与第一显示装置相邻的第二显示装置，并且第一显示装置的焊盘区域在厚度方向上与第二显示装置的显示区域重叠。

Description

拼接式显示器和制造拼接式显示器的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年1月12日提交的第10-2021-0003714号韩国专利申请的优先权及从其获取的所有权益，所述韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及拼接式显示器和制造拼接式显示器的方法。
背景技术
随着信息导向的社会的发展，对显示装置的各种需求不断增加。例如，显示装置正被诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置以及智能电视机的各种电子装置采用。显示装置可以是诸如液晶显示装置、场发射显示装置以及有机发光显示装置的平板显示装置。在这样的平板显示装置中，发光显示装置包括可以自身发光的发光元件，使得显示面板的每个像素可以自行发光。因此，发光显示装置可以在不使用向显示面板供应光的背光单元的情况下显示图像。
对于具有大屏幕的显示装置，在显示装置中提供大量像素，并且因而发光元件的缺陷率可能增加，同时生产率或可靠性可能劣化。为了克服这样的问题，可以使用通过连接具有相对小的尺寸的多个显示装置而配置的拼接式显示器来提供大屏幕。因为在彼此相邻的多个显示装置之间存在非显示区域或边框区域，所以这样的拼接式显示器可以包括被称为接缝的在多个显示装置之间的边界。当在全屏幕上显示单个图像时，显示装置之间的这种边界会导致可见的接缝，妨碍了观看者沉浸在图像中。
多个显示装置中的每一者通常包括用于接收来自外部装置的数据电压或扫描信号的焊盘区域。焊盘区域形成于每个显示装置的基底的端侧的上表面上或基底的后表面上。
发明内容
在包括多个显示装置(其中焊盘区域定位在显示装置的基底的端侧的上表面上)的拼接式显示器中，显示装置之间的接缝可能变大。在包括多个显示装置(其中焊盘区域形成在显示装置的基底的后表面上)的拼接式显示器中，可以使用形成穿过基底的孔的附加工艺。在这样的拼接式显示器中，在形成孔的工艺期间，在位于基底上的层上可能发生物理损坏。
本公开的实施例提供一种拼接式显示器，所述拼接式显示器在不使用形成孔的工艺的情况下具有多个显示装置之间的减少的接缝。
本公开的实施例还提供一种制造拼接式显示器的方法，通过所述方法在不使用形成孔的工艺的情况下减少了多个显示装置之间的接缝。
根据本公开的实施例，拼接式显示器的多个显示装置之间的接缝基本上被减少到基本不会被察觉的程度，并且没有使用形成孔的工艺，所述工艺可能造成对位于基底上的层的损坏。
根据实施例，拼接式显示器包括多个显示装置，其中，在多个显示装置中的每一者中限定显示区域和围绕显示区域的非显示区域，并且在非显示区域中限定焊盘区域。在这样的实施例中，多个显示装置包括第一显示装置以及设置为在第一方向上与第一显示装置相邻的第二显示装置，并且第一显示装置的焊盘区域在厚度方向上与第二显示装置的显示区域重叠。
根据实施例，拼接式显示器包括多个显示装置，其中，在多个显示装置中的每一者中限定显示区域和围绕显示区域的非显示区域。在这样的实施例中，多个显示装置包括第一显示装置以及在第一方向上与第一显示装置相邻的第二显示装置，非显示区域定位在多个显示装置中的每一者的一侧和相对侧，所述一侧和所述相对侧在第一方向上彼此相对，定位在第一方向上的一侧的非显示区域的宽度大于定位在第一方向上的相对侧的非显示区域的宽度，并且第一显示装置的定位在第一方向上的一侧的非显示区域在厚度方向上与第二显示装置的显示区域重叠。在这样的实施例中，第一显示装置包括：基底单元，设置为遍及显示区域和非显示区域；显示元件层，在显示区域中设置在基底单元上；密封构件，设置为遍及显示区域和非显示区域以密封显示元件层；以及导电图案，在定位在第一方向上的一侧的非显示区域中设置在基底单元上。在这样的实施例中，基底单元包括：第一基底；以及第二基底，所述第二基底设置在第一基底与显示元件层之间，彼此位于同一侧的第一基底的侧表面和第二基底的侧表面在厚度方向上彼此不对齐，第一基底的侧表面相对于第一基底的下表面倾斜，并且第二基底的侧表面相对于第二基底的下表面倾斜。
根据实施例，制造拼接式显示器的方法包括：制备第一显示装置和第二显示装置中的每一者。在这样的实施例中，制备第一显示装置和第二显示装置中的每一者包括：在玻璃上以第一基底的侧表面在第一方向上从第二基底的侧表面突出的方式提供第一基底和第二基底，其中，第一基底的侧表面和第二基底的侧表面彼此位于同一侧；在第二基底的上表面上提供显示元件层，并且在第一基底的上表面的在第一方向上从第二基底突出的部分上提供焊盘电极；以及提供封装构件以封装显示元件层。
附图说明
通过参考附图详细地描述本发明的实施例，本发明的上述及其它特征将变得更加明显，在附图中：
图1是根据本公开的实施例的拼接式显示器的平面图；
图2是图1的第一显示装置的平面图，且示出了画圈部分的放大平面图；
图3是沿着图2的线I–I'所截取的截面图；
图4是沿着图2的线II–II'所截取的截面图；
图5是示出根据本公开的实施例的第一显示装置的单个像素的平面图；
图6是沿着图5的线III-III'所截取的截面图，且示出了画圈部分的放大图；
图7是示出根据本公开的实施例的发光元件的视图；
图8是图1的拼接式显示器的第一显示装置和第二显示装置的截面图，且示出了画圈部分的放大图；
图9是用于示出根据本公开的实施例的制造拼接式显示器的方法的流程图；
图10至图17是示出根据本公开的实施例的制造拼接式显示器的方法的工艺的截面图；
图18是根据本公开的替代实施例的拼接式显示器的第一显示装置的截面图；
图19是根据本公开的实施例的拼接式显示器的第一显示装置和第二显示装置的截面图，且示出了画圈部分的放大图；以及
图20至图22是示出根据本公开的替代实施例的制造拼接式显示器的方法的工艺的截面图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更全面地描述本发明，在附图中示出了各种实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实现，并且不应被解释为局限于本文中阐述的实施例。而是，提供这些实施例以使得本公开将是详尽的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。同样的附图标记始终指代同样的元件。
将理解的是，当一个元件被称为“在”另一元件“上”时，所述元件可以直接在所述另一元件上，或者在所述元件和所述另一元件之间可以存在居间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，则不存在居间元件。
将理解的是，当元件被称为与另一元件相关(诸如“耦接”或“连接”到另一元件)时，所述元件可以直接耦接或连接到所述另一元件，或者在所述元件和所述另一元件之间可以存在居间元件。相反，应当理解的是，当元件被称为与另一元件相关(诸如“直接耦接”或“直接连接”到另一元件)时，不存在居间元件。诸如“在……之间”、“直接在……之间”、“与……相邻”或“与……直接相邻”的解释元件之间的关系的其它表述应以相同的方式进行解释。
在整个说明书中，相同的附图标记将指代相同或相似的部件。
将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区、层和/或部分，但是这些元件、组件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区、层或部分与另一元件、组件、区、层或部分区分开。因而，在不脱离本文中的教导的情况下，可以将下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区”、“第一层”或“第一部分”称为“第二元件”、“第二组件”、“第二区”、“第二层”或“第二部分”。
本文中所使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而并非旨在进行限制。如本文中所使用的，除非上下文另有明确指示，否则“一个”、“一种”、“所述(该)”以及“至少一个(者)(种)”不表示对数量的限制，并且旨在包括单数和复数两者。例如，除非上下文另有明确指示，否则“元件”与“至少一个元件”具有相同的含义。“至少一个(者)(种)”不被解释为限于“一个”或“一种”。“或”是指“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任何组合和所有组合。将进一步理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”或者“含有”和/或“具有”时，说明存在所述特征、区、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、区、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
此外，在本文中可以使用诸如“下”或“底部”以及“上”或“顶部”的相对术语以描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了在附图中所描绘的方位之外，相对术语还旨在涵盖装置的不同方位。例如，如果在一幅附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件“下”侧的元件随后将被定向为“在”其它元件“上”侧。因此，根据附图的特定方位，术语“下”可涵盖“下”和“上”两个方位。类似地，如果在一幅附图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件“下方”或“之下”的元件随后将被定向为“在”其它元件“上方”。因此，术语“在……下方”或“在……之下”可以涵盖“在……上方”和“在……下方”两个方位。
考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量***的局限性)，如本文中所使用的“大约”或“近似”包括所述值，并且表示在由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以指在一个或多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、±20％、±10％或±5％以内。
除非另有定义，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，除非在本文中明确地如此定义，否则术语(诸如，在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的背景和本公开中的含义相一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义来解释所述术语。
在本文中参考作为理想化的实施例的示意图的截面图描述实施例。因而，预计到由于例如制造技术和/或公差所导致的图示的形状的变化。因而，本文中所描述的实施例不应被解释为局限于如本文中所示的区的特定形状，而是包括例如由制造所导致的形状的偏差。例如，示出或描述为平坦的区通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，示出的尖角可以是被倒圆。因而，附图中所示的区在本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区的精确形状，并且也不旨在限制权利范围。
在下文中，将参考附图详细地描述本公开的实施例。
图1是根据本公开的实施例的拼接式显示器的平面图。图2是图1的第一显示装置的平面图，且示出了画圈部分的放大平面图。
参考图1和图2，当从顶部观看时(即，俯视平面图，或者在拼接式显示器1的厚度方向上的平面图)，拼接式显示器1的实施例可以具有矩形形状。然而，将理解的是，本公开不局限于此。当从顶部观看时，拼接式显示器1的形状可以是正方形、圆形、椭圆形或其它多边形。在本文中，为了便于描述，将详细地描述当从顶部观看时拼接式显示器1具有矩形形状的实施例。在这样的实施例中，当从顶部观看时具有矩形形状的拼接式显示器1可以包括在第一方向DR1上延伸的较长边以及在第二方向DR2上延伸的较短边。拼接式显示器1的较长边和较短边相交的角可以形成为如图1中所示的直角，但是本公开不局限于此。所述角可以被倒圆。垂直于第一方向DR1和第二方向DR2的第三方向DR3可以是拼接式显示器1的厚度方向。
在实施例中，拼接式显示器1可以是指其中多个显示装置布置成格子图案且相邻的显示装置彼此组合的大型显示设备。在这样的实施例中，拼接式显示器1可以包括多个显示装置。多个显示装置可以在第一方向DR1或第二方向DR2上连接，并且拼接式显示器1可以具有特定的形状。在一个实施例中，例如，多个显示装置可以具有彼此相同的尺寸。然而，将理解的是，本公开不局限于此。在一个替代实施例中，例如，显示装置可以具有彼此不同的尺寸。多个显示装置可以以显示装置的较长边或较短边彼此连接的方式布置。一些显示装置可以设置在拼接式显示器1的边缘处，以形成拼接式显示器1的一个侧边。一些显示装置可以设置在拼接式显示器1的角处，以形成拼接式显示器1的两个相邻的侧边。其它一些显示装置可以设置在拼接式显示器1的内侧，并且可以被其它显示装置围绕。
在本文中，为了便于图示和描述起见，将描述拼接式显示器1包括四个显示装置的实施例。在这样的实施例中，拼接式显示器1可以包括第一显示装置10、定位在第一显示装置10的在第一方向DR1上的一侧的第二显示装置11、定位在第一显示装置10的在第二方向DR2上的一侧的第三显示装置12以及定位在第三显示装置12的在第一方向DR1上的一侧的第四显示装置13。
在实施例中，如图1中所示，显示装置10、11、12和13中的每一个可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以包括多个像素PX以显示图像。多个像素PX可以布置成矩阵图案。非显示区域NDA可以设置在显示区域DA周围以围绕显示区域DA，并且可以不显示图像。当从顶部观看时，非显示区域NDA可以完全围绕显示区域DA。
非显示区域NDA可以定位在显示装置10中的每一个的在第一方向DR1上的一侧和相对侧，并且可以定位在显示装置10中的每一个的在第二方向DR2上的一侧和相对侧。
显示装置10、11、12和13的非显示区域NDA可以彼此连接，并且显示装置10、11、12和13中的一者的显示区域DA可以与显示装置10、11、12和13中的另一相邻的一者的显示区域DA间隔开，非显示区域NDA位于它们之间。
拼接式显示器1的第一显示装置10和第二显示装置11定位在第一行中，并且拼接式显示器1的第三显示装置12和第四显示装置13定位在第二行中。在这样的实施例中，定位在第一行中的第一显示装置10和第二显示装置11的布置可以与定位在第二行中的第三显示装置12和第四显示装置13的布置基本上相同。在这样的实施例中，第一显示装置10和第三显示装置12可以定位在第一列中，并且第二显示装置11和第四显示装置13可以定位在第二列中。定位在第一列中的第一显示装置10和第三显示装置12的布置可以与定位在第二列中的第二显示装置11和第四显示装置13的布置基本上相同。
定位在第一列中的第一显示装置10和第三显示装置12可以通过密封构件SEAL彼此连接，并且定位在第二列中的第二显示装置11和第四显示装置13可以通过密封构件SEAL彼此连接。在这样的实施例中，定位在第一行中的第一显示装置10和第二显示装置11可以不通过密封构件SEAL彼此连接，而是如图1中所示，可以以第一显示装置10的非显示区域NDA与第二显示装置11的显示区域DA重叠的方式彼此连接(或设置)。定位在第二行中的第三显示装置12和第四显示装置13可以不通过密封构件SEAL彼此连接，而是如图1中所示，可以以第三显示装置12的非显示区域NDA与第四显示装置13的显示区域DA重叠的方式彼此连接(或设置)。
在实施例中，如图2中所示，显示装置10、11、12和13中的每一个的非显示区域NDA可以包括焊盘区域PA。如图2中所示，显示装置10、11、12和13中的每一个的焊盘区域PA可以定位在位于显示装置10、11、12和13中的每一个的在第一方向DR1上的一侧的非显示区域NDA中。
定位在第一方向DR1上的一侧的非显示区域NDA的宽度W2可以大于定位在第一方向DR1上的相对侧的非显示区域NDA的宽度W1。定位在第二方向DR2上的一侧的非显示区域NDA的宽度W3可以基本上等于定位在第二方向DR2上的相对侧的非显示区域NDA的宽度W4。
第一显示装置10的焊盘区域PA可以被设置成在厚度方向上(或在第三方向DR3上)与第二显示装置11的显示区域DA重叠，并且第三显示装置12的焊盘区域PA可以被设置成在厚度方向上与第四显示装置13的显示区域DA重叠。
根据实施例，因为第一显示装置10的焊盘区域PA可以设置为在厚度方向上与第二显示装置11的显示区域DA重叠，并且第三显示装置12的焊盘区域PA可以设置为在厚度方向上与第四显示装置13的显示区域DA重叠，所以可以有效地减少在行方向上彼此相邻的显示装置之间的接缝区域。
参考图2，显示装置10、11、12和13(在下文中，在一些实施例中，可以被统称为“显示装置”且无附图标记)的多个像素PX中的每一个可以包括由像素限定层所限定的发光区域LA1、LA2和LA3，并且可以通过发光区域LA1、LA2和LA3发射具有预定峰值波长的光。在一个实施例中，例如，显示装置中的每一个的显示区域DA可以包括第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个中，由显示装置的发光元件所产生的光从显示装置出射。
第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以将具有预定峰值波长的光发射到显示装置的外部。第一发光区域LA1可以发射第一颜色的光，第二发光区域LA2可以发射第二颜色的光，并且第三发光区域LA3可以发射第三颜色的光。在一个实施例中，例如，第一颜色的光可以是具有在约610纳米(nm)至约650nm的范围内的峰值波长的红色光，第二颜色的光可以是具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿色光，并且第三颜色的光可以是具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的蓝色光。然而，将理解的是，本公开不局限于此。
在实施例中，如图2中所示，显示装置10、11、12和13的显示区域DA可以包括定位在发光区域LA1、LA2和LA3的相邻发光区域之间的阻光区域BA。在一个实施例中，例如，发光区域LA1、LA2和LA3之间的阻光区域BA可以围绕第一发光区域LA1至第三发光区域LA3。
在下文中，为了便于示出和描述起见，将详细地描述拼接式显示器1的第一显示装置10和第二显示装置11，并且将省略或简化与第一显示装置10和第二显示装置11的特征相同的第三显示装置12和第四显示装置13的相同或相似的特征。
图3是沿着图2的线I–I'所截取的截面图。
参考图3，在实施例中，第一显示装置10可以包括：基底单元SUB，设置为遍及显示区域DA和非显示区域NDA；显示元件层DEP，在显示区域DA中设置在基底单元SUB上；封装构件ENC，设置为遍及显示区域DA和非显示区域NDA以封装显示元件层DEP；以及焊盘电极PE，设置在焊盘区域PA中。
基底单元SUB可以包括第一基底SUB1以及设置在第一基底SUB1与显示元件层DEP之间的第二基底SUB2。
在实施例中，如图3中所示，第一基底SUB1的侧表面和第二基底SUB2的侧表面可以在厚度方向上彼此不对齐。在这样的实施例中，第一基底SUB1和第二基底SUB2可以各自包括在第一方向DR1上的一侧的第一侧表面以及在第一方向DR1上的相对侧的第二侧表面。
第一基底SUB1的第一侧表面和第二基底SUB2的第一侧表面可以在厚度方向上彼此不对齐，并且第一基底SUB1的第二侧表面和第二基底SUB2的第二侧表面可以在厚度方向上彼此不对齐。
在实施例中，例如，如图3中所示，第一基底SUB1的第一侧表面可以在第一方向DR1上的一侧从第二基底SUB2的第一侧表面突出。
显示元件层DEP可以设置在第二基底SUB2上。
封装构件ENC可以设置在显示元件层DEP上，并且可以封装显示元件层DEP。
焊盘电极PE可以设置在第一基底SUB1的上表面的在第一方向DR1上的一侧从第二基底SUB2突出的部分上。
第一显示装置10可以进一步包括将焊盘电极PE与显示元件层DEP电连接的信号连接线SGL。焊盘电极PE和信号连接线SGL可以经由与单个单一单元相同的工艺形成，但是不局限于此。焊盘电极PE和信号连接线SGL可以形成导电图案CP。
信号连接线SGL可以设置在第一基底SUB1的上表面的在第一方向DR1上的一侧从第二基底SUB2突出的部分上、设置在第二基底SUB2的第一侧表面上以及设置在第二基底SUB2的上表面上。
信号连接线SGL可以电连接到显示元件层DEP的薄膜晶体管。
第一显示装置10可以进一步包括：电连接到焊盘电极PE的覆晶薄膜(chip-onfilm)COF以及设置在覆晶薄膜COF上的驱动器D_IC。覆晶薄膜COF的一端可以在厚度方向上与焊盘电极PE重叠，并且覆晶薄膜COF的相对端可以设置在第一基底SUB1下方。
第一显示装置10可以进一步包括连接到覆晶薄膜COF的相对端的印刷电路板PCB。
图4是沿着图2的线II–II'所截取的截面图。
参考图3和图4，基底单元SUB可以包括诸如聚合物树脂的绝缘材料，或者由诸如聚合物树脂的绝缘材料制成。绝缘材料可以包括聚酰亚胺(“PI”)，但不局限于此。第一基底SUB1和第二基底SUB2可以包括彼此相同的材料。
显示元件层DEP可以包括缓冲层BF、薄膜晶体管层TFTL、发射材料层EML、第二平坦化层OC2、第一封盖层CAP1、第一阻光构件BK1、第一波长转换单元WLC1、第二波长转换单元WLC2、透光单元LTU、第二封盖层CAP2、第三平坦化层OC3、第二阻光构件BK2、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3以及第三钝化层PAS3。
缓冲层BF可以设置在基底100上。缓冲层BF可以包括能够防止空气或湿气的渗透的无机膜，或者由能够防止空气或湿气的渗透的无机膜形成。
薄膜晶体管层TFTL可以包括薄膜晶体管TFT、栅极绝缘层GI、层间介电层ILD、第一钝化层PAS1以及第一平坦化层OC1。
薄膜晶体管TFT可以设置在缓冲层BF上，并且可以限定多个像素中的每一个的像素电路。
半导体层ACT可以设置在缓冲层BF上。半导体层ACT可以在第三方向DR3上与栅极电极GE、源极电极SE和漏极电极DE重叠。半导体层ACT可以与源极电极SE和漏极电极DE直接接触，并且可以面对栅极电极GE，栅极绝缘层GI位于半导体层ACT和栅极电极GE之间。
栅极电极GE可以设置在栅极绝缘层GI上。栅极电极GE可以在第三方向DR3上与半导体层ACT重叠，栅极绝缘层GI介于栅极电极GE和半导体层ACT之间。
源极电极SE和漏极电极DE以源极电极SE和漏极电极DE彼此间隔开的方式设置在层间介电层ILD上。源极电极SE可以通过被限定或形成在栅极绝缘层GI和层间介电层ILD中的接触孔与半导体层ACT的一端接触。漏极电极DE可以通过被限定或形成在栅极绝缘层GI和层间介电层ILD中的另一接触孔与半导体层ACT的另一端接触。漏极电极DE可以通过被限定或形成在第一钝化层PAS1和第一平坦化层OC1中的第一接触孔CNT1连接到发光元件EL的第一电极AE。
栅极绝缘层GI可以设置在半导体层ACT上。在一个实施例中，例如，栅极绝缘层GI可以设置在半导体层ACT和缓冲层BF上，并且可以使半导体层ACT与栅极电极GE绝缘。接触孔被限定为穿过栅极绝缘层GI，使得源极电极SE和漏极电极DE被设置为穿过接触孔以接触半导体层ACT。
层间介电层ILD可以设置在栅极电极GE上方。在一个实施例中，例如，源极电极SE和漏极电极DE被设置为所穿过的接触孔被限定为进一步穿过层间介电层ILD。
第一钝化层PAS1可以设置在薄膜晶体管TFT上方以保护薄膜晶体管TFT。在一个实施例中，例如，第一电极AE被设置为所穿过的接触孔可以被限定为穿过第一钝化层PAS1。
第一平坦化层OC1可以设置在第一钝化层PAS1上以在薄膜晶体管TFT上方提供平坦表面。在一个实施例中，例如，发光元件EL的第一电极AE被设置为所穿过的接触孔可以被限定为穿过第一平坦化层OC1。
发射材料层EML可以包括发光元件EL、第一堤BNK1、第二堤BNK2以及第二钝化层PAS2。
发光元件EL可以设置在薄膜晶体管TFT上。发光元件EL可以包括第一电极AE、第二电极CE以及发光二极管ED。
第一电极AE可以设置在第一平坦化层OC1上。在一个实施例中，例如，第一电极AE可以设置在第一堤BNK1上方以覆盖第一堤BNK1，第一堤BNK1设置在第一平坦化层OC1上。第一电极AE可以被设置为与由第二堤BNK2限定的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的一个(例如，至少一个或相应的一个)重叠。第一电极AE可以连接到薄膜晶体管TFT的漏极电极DE。
第二电极CE可以设置在第一平坦化层OC1上。在一个实施例中，例如，第二电极CE可以设置在第一堤BNK1上方以覆盖第一堤BNK1，第一堤BNK1设置在第一平坦化层OC1上。第二电极CE可以设置为与由第二堤BNK2限定的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的一个(例如，至少一个或相应的一个)重叠。在一个实施例中，例如，第二电极CE可以接收施加到所有像素的公共电压。
第一绝缘层IL1可以覆盖彼此相邻的第一电极AE的一部分和第二电极CE的一部分，并且可以使第一电极AE和第二电极CE彼此绝缘。
发光二极管ED可以在第一平坦化层OC1上方设置在第一电极AE与第二电极CE之间。发光二极管ED可以设置在第一绝缘层IL1上。发光二极管ED的一端可以连接到第一电极AE，并且发光二极管ED的另一端可以连接到第二电极CE。在一个实施例中，例如，多个发光二极管ED可以包括具有彼此相同的材料的有源层以使得所述有源层可以发射彼此相同的波长的光或彼此相同的颜色的光。分别从第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3发射的光可以具有彼此相同的颜色。在一个实施例中，例如，多个发光二极管ED可以发射具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的第三颜色的光或蓝色光。
第二堤BNK2可以设置在第一平坦化层OC1上以限定第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。在一个实施例中，例如，第二堤BNK2可以围绕第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个。然而，将理解的是，本公开不局限于此。第二堤BNK2可以设置在每个阻光区域BA中。
第二钝化层PAS2可以设置在多个发光元件EL和第二堤BNK2上。第二钝化层PAS2可以覆盖多个发光元件EL以保护多个发光元件EL。
显示装置可以进一步包括第二平坦化层OC2、第一封盖层CAP1、第一阻光构件BK1、第一波长转换单元WLC1、第二波长转换单元WLC2、透光单元LTU、第二封盖层CAP2、第三平坦化层OC3、第二阻光构件BK2、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3、第三钝化层PAS3以及封装构件ENC。
第二平坦化层OC2可以设置在发射材料层EML上以在发射材料层EML上方提供平坦表面。第二平坦化层OC2可以包括有机材料。
第一封盖层CAP1可以设置在第二平坦化层OC2上。第一封盖层CAP1可以密封第一波长转换单元WLC1和第二波长转换单元WLC2以及透光单元LTU的下表面。第一封盖层CAP1可以包括无机材料。
第一阻光构件BK1可以在阻光区域BA中设置在第一封盖层CAP1上。第一阻光构件BK1可以在厚度方向上与第二堤BNK2重叠。第一阻光构件BK1可以阻挡光的透射。
第一阻光构件BK1可以包括有机阻光材料和疏液成分。
因为第一阻光构件BK1包括疏液成分，所以第一波长转换单元WLC1和第二波长转换单元WLC2以及透光单元LTU可以彼此分离，使得第一波长转换单元WLC1和第二波长转换单元WLC2以及透光单元LTU可以对应于各自的发光区域LA。
第一波长转换单元WLC1可以在第一发射区域LA1中设置在第一封盖层CAP1上。第一波长转换单元WLC1可以被第一阻光构件BK1围绕。第一波长转换单元WLC1可以包括第一基体树脂BS1、第一散射体SCT1以及第一波长移位器WLS1。
第一基体树脂BS1可以包括具有相对高的透光率的材料。第一基体树脂BS1可以由透明有机材料制成。在一个实施例中，例如，第一基体树脂BS1可以包括从环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多(cardo)树脂和酰亚胺树脂中选择的至少一种有机材料。
第一散射体SCT1可以具有与第一基体树脂BS1的折射率不同的折射率，并且可以与第一基体树脂BS1形成光学界面。
第一波长移位器WLS1可以将入射光的峰值波长转换或移位为第一峰值波长。在一个实施例中，例如，第一波长移位器WLS1可以将从显示装置提供的蓝色光转换为具有在约610nm至约650nm的范围内的单峰值波长的红色光，并且输出所述光。第一波长移位器WLS1可以是量子点、量子棒或磷光体。量子点可以是当电子从导带跃迁到价带时发射一颜色的光的颗粒物质。
从第一波长移位器WLS1输出的光可以具有约45nm或更小、约40nm或更小或者约30nm或更小的发射波长光谱的半峰全宽(“FWHM”)。在这样的实施例中，可以进一步改善由显示装置显示的颜色的色纯度和色域。
从发射材料层EML发射的蓝色光的一部分可以穿过第一波长转换单元WLC1而不被第一波长移位器WLS1转换为红色光。当这种蓝色光入射到第一滤色器CF1上时，蓝色光可以被第一滤色器CF1阻挡。在这样的实施例中，由第一波长转换单元WLC1转换的红色光可以穿过第一滤色器CF1以出射到外部。因此，第一发光区域LA1可以发射红色光。
第二波长转换单元WLC2可以在第二发光区域LA2中设置在第一封盖层CAP1上。第二波长转换单元WLC2可以被第一阻光构件BK1围绕。第二波长转换单元WLC2可以包括第二基体树脂BS2、第二散射体SCT2以及第二波长移位器WLS2。
第二基体树脂BS2可以包括具有相对高的透光率的材料。第二基体树脂BS2可以包括透明有机材料，或者由透明有机材料制成。
第二散射体SCT2具有与第二基体树脂BS2的折射率不同的折射率，并且可以与第二基体树脂BS2形成光学界面。在一个实施例中，例如，第二散射体SCT2可以包括使透射光的至少一部分散射的光散射材料或光散射颗粒。
第二波长移位器WLS2可以将入射光的峰值波长转换或移位为与第一波长移位器WLS1的第一峰值波长不同的第二峰值波长。在一个实施例中，例如，第二波长移位器WLS2可以将从显示装置提供的蓝色光转换为具有在约510nm至约550nm的范围内的单峰值波长的绿色光，并输出所述光。第二波长移位器WLS2可以是量子点、量子棒或磷光体。第二波长移位器WLS2可以包括从第一波长移位器WLS1的上述所列材料中选择的至少一种。
透光单元LTU可以在第三发光区域LA3中设置在第一封盖层CAP1上。透光单元LTU可以被第一阻光构件BK1围绕。透光单元LTU可以使入射光透射而不转换入射光的峰值波长。透光单元LTU可以包括第三基体树脂BS3和第三散射体SCT3。
第三基体树脂BS3可以包括具有相对高的透光率的材料。第三基体树脂BS3可以包括透明有机材料，或者由透明有机材料制成。
第三散射体SCT3可以具有与第三基体树脂BS3的折射率不同的折射率，并且可以与第三基体树脂BS3形成光学界面。在一个实施例中，例如，第三散射体SCT3可以包括使透射光的至少一部分散射的光散射材料或光散射颗粒。
第一波长转换单元WLC1和第二波长转换单元WLC2以及透光单元LTU通过第二平坦化层OC2和第一封盖层CAP1设置在发射材料层EML上。因此，显示装置可以不包括用于第一波长转换单元WLC1和第二波长转换单元WLC2以及透光单元LTU的单独基底。
第二封盖层CAP2可以覆盖第一波长转换单元WLC1和第二波长转换单元WLC2、透光单元LTU以及第一阻光构件BK1。
第三平坦化层OC3可以设置在第二封盖层CAP2上以提供第一波长转换单元WLC1和第二波长转换单元WLC2以及透光单元LTU的平坦顶表面。第三平坦化层OC3可以包括有机材料。
第二阻光构件BK2可以在阻光区域BA中设置在第三平坦化层OC3上。第二阻光构件BK2可以在厚度方向上与第一阻光构件BK1或第二堤BNK2重叠。第二阻光构件BK2可以阻挡光的透射。
第一滤色器CF1可以在第一发光区域LA1中设置在第三平坦化层OC3上。第一滤色器CF1可以被第二阻光构件BK2围绕。第一滤色器CF1可以在厚度方向上与第一波长转换单元WLC1重叠。第一滤色器CF1可以选择性地使第一颜色的光(例如，红色光)透射，并且可以阻挡和吸收第二颜色的光(例如，绿色光)以及第三颜色的光(例如，蓝色光)。
第二滤色器CF2可以在第二发光区域LA2中设置在第三平坦化层OC3上。第二滤色器CF2可以被第二阻光构件BK2围绕。第二滤色器CF2可以在厚度方向上与第二波长转换单元WLC2重叠。第二滤色器CF2可以选择性地使第二颜色的光(例如，绿色光)透射，并且可以阻挡和吸收第一颜色的光(例如，红色光)以及第三颜色的光(例如，蓝色光)。
第三滤色器CF3可以在第三发光区域LA3中设置在第三平坦化层OC3上。第三滤色器CF3可以被第二阻光构件BK2围绕。第三滤色器CF3可以在厚度方向上与透光单元LTU重叠。第三滤色器CF3可以选择性地使第三颜色的光(例如，蓝色光)透射，并且可以阻挡和吸收第一颜色的光(例如，红色光)以及第二颜色的光(例如，绿色光)。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以吸收从显示装置外部引入的光的一部分，以减少外部光的反射。因此，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以防止由于外部光的反射所引起的颜色失真。
第三钝化层PAS3可以覆盖第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。第三钝化层PAS3可以保护第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
封装构件ENC可以设置在第三钝化层PAS3上。在一个实施例中，例如，封装构件ENC可以包括至少一个无机层以防止氧气或湿气的渗透。在这样的实施例中，封装构件ENC可以包括至少一个有机层以保护显示装置免受诸如灰尘的异物的影响。
图5是示出根据本公开的实施例的第一显示装置的单个像素的平面图。图6是沿着图5的线III-III'所截取的截面图，且示出了画圈部分的放大图。
结合图4，参考图5和图6，多个像素中的每一个可以包括第一子像素至第三子像素。第一子像素至第三子像素可以分别对应于第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。第一子像素至第三子像素的发光二极管ED可以分别通过第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3发射光。
在实施例中，第一子像素至第三子像素可以发射彼此相同的颜色的光。在一个实施例中，例如，第一子像素至第三子像素可以包括彼此相同的类型的发光二极管ED，并且可以发射第三颜色的光或蓝色光。在一个替代实施例中，例如，第一子像素可以发射第一颜色的光或者红色光，第二子像素可以发射第二颜色的光或者绿色光，并且第三子像素可以发射第三颜色的光或者蓝色光。
第一子像素至第三子像素中的每一个可以包括第一电极AE和第二电极CE、发光二极管ED、多个接触电极CTE以及多个第二堤BNK2。
第一电极AE和第二电极CE电连接到发光二极管ED以接收预定电压，并且发光二极管ED可以发射特定波长带的光。第一电极AE和第二电极CE的至少一部分可以在像素中形成电场，并且发光二极管ED可以通过电场取向。
在一个实施例中，例如，第一电极AE可以是单独设置在第一子像素至第三子像素中的每一个中的像素电极，而第二电极CE可以是公共地连接到第一子像素至第三子像素的公共电极。第一电极AE和第二电极CE中的一个可以是发光二极管ED的阳极电极，而第一电极AE和第二电极CE中的另外一个可以是发光二极管ED的阴极电极。
在实施例中，如图5中所示，第一电极AE可以包括在第一方向DR1上延伸的第一电极主干AE1以及从第一电极主干AE1分支并在第二方向DR2上延伸的至少一个第一电极分支AE2。
第一子像素至第三子像素中的每一个的第一电极主干AE1可以与相邻子像素的第一电极主干AE1间隔开，并且第一电极主干AE1可以与在第一方向DR1上相邻的子像素的第一电极主干AE1设置在假想延长线上。第一子像素至第三子像素的第一电极主干AE1可以分别接收不同的信号，并且可以被单独地驱动。
第一电极分支部分AE2可以从第一电极主干AE1分支，并且可以在第二方向DR2上延伸。第一电极分支AE2的一端可以连接到第一电极主干AE1，而第一电极分支AE2的另一端可以与第二电极主干CE1间隔开，第二电极主干CE1与第一电极主干AE1相对。
第二电极CE可以包括在第一方向DR1上延伸的第二电极主干CE1以及从第二电极主干CE1分支并在第二方向DR2上延伸的第二电极分支CE2。第一子像素至第三子像素中的每一个的第二电极主干CE1可以连接到相邻子像素的第二电极主干CE1。第二电极主干CE1可以在第一方向DR1上延伸以横穿多个像素。第二电极主干CE1可以连接到在显示区域DA(参见图3)的外部处或在非显示区域NDA(参见图3)中在一个方向上延伸的部分。
第二电极分支CE2可以与第一电极分支AE2间隔开并面对第一电极分支AE2。第二电极分支CE2的一端可以连接到第二电极主干CE1，而第二电极分支CE2的另一端可以与第一电极主干AE1间隔开。
第一电极AE可以通过第一接触孔CNT1(参见图4)电连接到显示装置的薄膜晶体管层TFTL，并且第二电极CE可以通过第二接触孔(未示出)电连接到显示装置的薄膜晶体管层TFTL。
第二堤BNK2可以设置在像素之间的边界处。多个第一电极主干AE1可以相对于第二堤BNK2彼此间隔开。第二堤BNK2可以在第二方向DR2上延伸，并且可以设置在被布置在第一方向DR1上的像素的边界处。在这样的实施例中，第二堤BNK2也可以设置在被布置在第二方向DR2上的像素的边界处。第二堤BNK2可以限定多个像素的边界。
当在制造显示装置的工艺期间喷射其中分散有发光二极管ED的墨水时，第二堤BNK2可以防止墨水流过像素的边界。第二堤BNK2可以使其中分散有不同的发光二极管ED的墨水分离，使得墨水彼此不混合。
发光二极管ED可以设置在第一电极AE与第二电极CE之间。发光二极管ED的一端可以连接到第一电极AE，并且发光二极管ED的另一端可以连接到第二电极CE。
发光二极管ED可以彼此间隔开，并且可以基本上彼此平行地取向。在本文中，发光二极管ED之间的间距不受具体限制。
多个发光二极管ED可以包括具有彼此相同的材料的有源层，使得所述有源层可以发射彼此相同的波长范围的光或彼此相同的颜色的光。第一子像素至第三子像素可以发射相同颜色的光。在一个实施例中，例如，多个发光二极管ED可以发射具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的第三颜色的光或蓝色光。
接触电极CTE可以包括第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2。第一接触电极CTE1可以覆盖第一电极分支AE2和发光二极管ED的部分，并且可以使第一电极分支AE2电连接到发光二极管ED。第二接触电极CTE2可以覆盖第二电极分支CE2和发光二极管ED的其它部分，并且可以使第二电极分支CE2电连接到发光二极管ED。
第一接触电极CTE1可以设置在第一电极分支AE2上，并在第二方向DR2上延伸。第一接触电极CTE1可以与发光二极管ED的第一端接触。发光二极管ED可以通过第一接触电极CTE1电连接到第一电极AE。
第二接触电极CTE2可以设置在第二电极分支CE2上，并在第二方向DR2上延伸。第二接触电极CTE2可以在第一方向DR1上与第一接触电极CTE1间隔开。第二接触电极CTE2可以与发光二极管ED的第二端接触。发光二极管ED可以通过第二接触电极CTE2电连接到第二电极CE。
显示装置的发射材料层EML可以设置在薄膜晶体管层TFTL上，并且可以包括第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3。
多个第一堤BNK1可以分别设置在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中。多个第一堤BNK1中的每一个可以对应于第一电极AE或第二电极CE。第一电极AE和第二电极CE中的每一个可以设置在对应的第一堤BNK1上。
多个第一堤BNK1可以设置在第一平坦化层OC1上，并且多个第一堤BNK1中的每一个的侧表面可以相对于第一平坦化层OC1倾斜。第一堤BNK1的倾斜表面可以反射从发光二极管ED发射的光。
第一电极主干AE1可以包括设置在第一接触孔CNT1中的一部分，第一接触孔CNT1被限定为穿过第一平坦化层OC1。第一电极主干AE1可以通过第一接触孔CNT1电连接到薄膜晶体管TFT。
第二电极主干CE1可以在第一方向DR1上延伸，并且也可以设置在其中未设置发光二极管ED的非发光区域中。第二电极主干CE1可以包括设置在第二接触孔中的一部分，第二接触孔被限定为穿过第一平坦化层OC1。第二电极主干CE1可以通过第二接触孔电连接到电源电极。第二电极CE可以接收来自电源电极的预定电信号。
第一电极AE和第二电极CE可以包括透明导电材料。第一电极AE和第二电极CE可以包括具有高反射率的导电材料。第一电极AE和第二电极CE可以包括一种或多种透明导电材料和具有高反射率的一种或多种金属的堆叠或者包含从这样的材料中选择的至少一种的单层，或者由一种或多种透明导电材料和具有高反射率的一种或多种金属的堆叠或者包含从这样的材料中选择的至少一种的单层组成。
第一绝缘层IL1可以设置在第一平坦化层OC1、第一电极AE以及第二电极CE上。第一绝缘层IL1可以部分地覆盖第一电极AE和第二电极CE中的每一个。
第一绝缘层IL1可以保护第一电极AE和第二电极CE，并且可以使第一电极AE和第二电极CE彼此绝缘。第一绝缘层IL1可以防止发光二极管ED与其它元件直接接触且由此被损坏。
发光二极管ED可以在第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2上设置在第一电极AE和第二电极CE之间。发光二极管ED的一端可以连接到第一电极AE，并且发光二极管ED的另一端可以连接到第二电极CE。
第三绝缘层IL3可以部分地设置在发光二极管ED上，发光二极管ED设置在第一电极AE和第二电极CE之间。第三绝缘层IL3可以部分地围绕发光二极管ED的外表面。第三绝缘层IL3可以保护发光二极管ED。第三绝缘层IL3可以围绕发光二极管ED的外表面。
接触电极CTE可以包括第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2。第一接触电极CTE1可以覆盖第一电极分支AE2和发光二极管ED的部分，并且可以使第一电极分支AE2电连接到发光二极管ED。第二接触电极CTE2可以覆盖第二电极分支CE2和发光二极管ED的其它部分，并且可以使第二电极分支CE2电连接到发光二极管ED。
第一接触电极CTE1可以设置在第一电极分支AE2上，并在第二方向DR2上延伸。第一接触电极CTE1可以与发光二极管ED的第一端接触。发光二极管ED可以通过第一接触电极CTE1电连接到第一电极AE。
第二接触电极CTE2可以设置在第二电极分支CE2上，并在第二方向DR2上延伸。第二接触电极CTE2可以在第一方向DR1上与第一接触电极CTE1间隔开。第二接触电极CTE2可以与发光二极管ED的第二端接触。发光二极管ED可以通过第二接触电极CTE2电连接到第二电极CE。
接触电极CTE可以包括导电材料。
图7是示出根据本公开的实施例的发光元件的视图。
参考图7，发光二极管ED可以是具有各种尺寸的发光二极管。在一个实施例中，例如，发光二极管ED可以具有微米或纳米的尺寸，并且可以是包括无机材料的无机发光二极管。这种无机发光二极管可以通过形成于彼此面对的两个电极之间的特定方向上的电场在所述两个电极之间取向。
发光二极管ED可以具有在一个方向上延伸的形状。发光二极管ED可以具有棒、线、管等形状。发光二极管ED可以包括第一半导体层111、第二半导体层113、有源层115、电极层117以及绝缘层118。
第一半导体层111可以是n型半导体。第二半导体层113可以设置在有源层115上。第一半导体层111和第二半导体层113中的每一个可以由单层组成，或者具有单层结构，但不局限于此。
有源层115可以设置在第一半导体层111和第二半导体层113之间。有源层115可以包括具有单个或多个量子阱结构的材料。在有源层115包括具有多个量子阱结构的材料的这种实施例中，量子层和阱层可以交替地堆叠在彼此上。
从有源层115发射的光可以在发光二极管ED的纵向方向上以及通过侧表面出射。从有源层115发射的光的方向性可以不受到限制。
在一个实施例中，例如，电极层117可以是欧姆接触电极。在一个替代实施例中，例如，电极层117可以是肖特基接触电极。发光二极管ED可以包括至少一个电极层117。
绝缘层118可以围绕多个半导体层和电极层的外表面。绝缘层118可以围绕有源层115的外表面，并且可以在发光二极管ED延伸的方向上延伸。绝缘层118可以保护发光二极管ED。
绝缘层118可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlN)或氧化铝(Al2O3)的具有绝缘特性的材料。
绝缘层118的外表面可以受到表面处理。发光二极管ED可以分散在墨水中，并且墨水被喷射到电极上，使得在制造显示装置的工艺期间发光二极管ED被取向。
在下文中，将更详细地描述拼接式显示器1的第一显示装置10与第二显示装置11之间的布置关系。
图8是图1的拼接式显示器的第一显示装置和第二显示装置的截面图，且示出了画圈部分的放大图。
参考图8，第二显示装置11与上面参考图3描述的第一显示装置10具有基本上相同的结构。第二显示装置11可以包括：基底单元SUB，设置为遍及显示区域DA和非显示区域NDA；显示元件层DEP，在基底单元SUB上，显示元件层DEP设置在显示区域DA中；封装构件ENC，设置为遍及显示区域DA和非显示区域NDA，以封装显示元件层DEP；以及焊盘电极PE，设置在焊盘区域PA中。
基底单元SUB可以包括第一基底SUB1和设置在第一基底SUB1和显示元件层DEP之间的第二基底SUB2。
第一显示装置10和第二显示装置11的每一个的第一基底SUB1可以包括上表面SUB1a、下表面SUB1b、第一侧表面SUB1s1以及第二侧表面SUB1s2。
焊盘电极PE可以设置在第一基底SUB1的上表面SUB1a的在第一方向DR1上的一侧从第二基底SUB2突出的部分上。信号连接线SGL可以设置在第一基底SUB1的上表面SUB1a的在第一方向DR1上的一侧从第二基底SUB2突出的部分上、设置在第二基底SUB2的第一侧表面SUB2s1上以及设置在第二基底SUB2的上表面SUB2a上。
覆晶薄膜COF的一端可以在厚度方向上与焊盘电极PE重叠，并且覆晶薄膜COF的另一端可以设置在第一基底SUB1的下表面SUB1b上。
第一基底SUB1的第二侧表面SUB1s2和第二基底SUB2的第二侧表面SUB2s2在厚度方向上不对齐，但是第二基底SUB2的第二侧表面SUB2s2可以在第一方向DR1上的相对侧从第一基底SUB1的第二侧表面SUB1s2突出。
第二显示装置11的第二基底SUB2的在第一方向DR1上的相对侧从第二显示装置11的第一基底SUB1突出的部分可以在厚度方向上与第一显示装置10的焊盘电极PE重叠。
第一显示装置10的第二基底SUB2的下表面SUB2b和第二显示装置11的第二基底SUB2的下表面SUB2b可以不定位在同一水平处，或者可以定位在彼此不同的水平处。
在实施例中，第二显示装置11的第二基底SUB2的下表面SUB2b可以比第一显示装置10的第二基底SUB2的下表面SUB2b高出预定高度h。预定高度h可以等于焊盘电极PE的厚度t1、使焊盘电极PE与覆晶薄膜COF耦接的各向异性导电膜ACF的厚度t2以及覆晶薄膜COF的厚度t3之和。
根据实施例，第一显示装置10和第二显示装置11在行方向(例如，第一方向DR1)上以第一显示装置10的焊盘区域PA在厚度方向上与第二显示装置11的显示区域DA重叠的方式连接。在这样的实施例中，通常可以减小被设置为在行方向上彼此相邻的显示装置之间的接缝区域SA。
在下文中，将描述根据本公开的实施例的制造拼接式显示器的方法。在下文中，与上述元件相同或类似的元件将由相同或类似的附图标记来表示，并且将省略或简化对其的任何重复的详细描述。
图9是用于示出根据本公开的实施例的制造拼接式显示器的方法的流程图。图10至图17是示出根据本公开的实施例的制造拼接式显示器的方法的工艺的截面图。
结合图3和图8，参考图9至图13，所述方法的实施例包括：在玻璃GL的上表面上以第一基底SUB1的第一侧表面在第一方向DR1上的一侧从第二基底SUB2的第一侧表面突出的方式形成(或提供)第一基底SUB1和第二基底SUB2(S10)。玻璃GL可以包括透光材料。
提供或形成基底SUB1和SUB2(S10)可以包括：在玻璃GL的上表面的端部上设置透光屏障BR；在玻璃GL的上表面的被透光屏障BR暴露的其余部分上涂覆第一基底材料SUB1'；在透光屏障BR的上表面和第一基底材料SUB1'的上表面上涂覆第二基底材料SUB2'；以及使用在第二基底材料SUB2'的除了与玻璃GL的另一端重叠的部分之外的上表面上设置的光致抗蚀剂PR执行光掩模光刻工艺，使得第一基底SUB1的第一侧表面在第一方向DR1上的一侧从第二基底SUB2的第一侧表面突出。
参考图9和图14，制造拼接式显示器的方法的实施例进一步包括：在形成基底SUB1和SUB2(S10)之后，在第二基底SUB2的上表面上提供或形成显示元件层DEP，以及在第一基底SUB1的上表面的在第一方向DR1上的一侧从第二基底SUB2突出的部分上提供或形成焊盘电极PE(S20)。
提供或形成焊盘电极PE(S20)可以包括：提供或形成导电图案CP。导电图案CP可以形成于第二基底SUB2的上表面、第二基底SUB2的第一侧表面以及第一基底SUB1的上表面上。导电图案CP可以包括焊盘电极PE以及将焊盘电极PE与显示元件层DEP连接的信号连接线SGL。
随后，如图14中所示，所述方法可以包括：提供或形成用于封装显示元件层DEP的封装构件ENC(S30)。
随后，参考图9、图15和图16，制造拼接式显示器的方法的实施例进一步包括：使基底单元SUB与玻璃GL分离(S40)。
使基底单元SUB与玻璃GL分离(S40)可以包括：执行将激光L1照射到玻璃GL与第一基底SUB1之间的界面上的激光剥离(“LLO”)工艺。在实施例中，如图15中所示，将激光L1聚焦在玻璃GL与第一基底SUB1之间的界面上以削弱第一基底SUB1与玻璃GL之间的粘附力。在这样的实施例中，激光L1可以聚焦在玻璃GL与透光屏障BR之间的界面上，并且因此激光L1的一部分(图15中的L2)可以到达透光屏障BR与显示元件层DEP之间的界面。因此，也可以削弱透光屏障BR与显示元件层DEP之间的粘附力。
因此，在使基底单元SUB与玻璃GL分离(S40)的过程中，玻璃GL和透光屏障BR可以与基底SUB1和SUB2中的每一个分离。
在实施例中，期望透光屏障BR包括类似玻璃GL的透光材料以允许激光L1的一部分到达透光屏障BR与显示元件层DEP之间的界面。
在这样的实施例中，在使基底单元SUB分离(S40)的过程中照射激光L1以使透光屏障BR与显示元件层DEP分离之后，期望透光屏障BR与玻璃GL之间的粘附力大于透光屏障BR与显示元件层DEP之间的粘附力。
随后，参考图17，覆晶薄膜COF通过各向异性导电膜ACF附接，并且印刷电路板PCB设置在覆晶薄膜COF的另一端处。
随后，如图8和图9中所示，制造拼接式显示器的方法的实施例进一步包括：在经由上述工艺制造的第一显示装置10上以第二显示装置11与第一显示装置10的焊盘电极PE重叠的方式设置经由上述工艺制造的第二显示装置11(S50)。
在设置第一显示装置10和第二显示装置11(S50)的过程中，第二显示装置11的显示区域DA与第一显示装置10的焊盘电极PE重叠，使得可以减小第一显示装置10与第二显示装置11之间的接缝区域SA。
在下文中，将描述根据本公开的替代实施例的拼接式显示器。在下文中，与上述元件相同或类似的元件将由相同或类似的附图标记来表示，并且将省略或简化对其的任何重复的详细描述。
图18是根据本公开的替代实施例的拼接式显示器的第一显示装置10_1的截面图。图19是根据本公开的实施例的拼接式显示器的第一显示装置10_1和第二显示装置11_1的截面图，且示出了画圈部分的放大图。
图18和图19的拼接式显示器与图3和图8的拼接式显示器的不同之处在于，基底单元SUB_1的第一基底SUB1_1的第一侧表面SUB1_1s和基底单元SUB_1的第二基底SUB2_1的第一侧表面SUB2_1s倾斜。
在这样的实施例中，第一基底SUB1_1的第一侧表面SUB1_1s可以在第一方向DR1上的一侧从第二基底SUB2_1的第一侧表面SUB2_1s突出。
导电图案CP_1可以设置在第一基底SUB1_1的第一侧表面SUB1_1s上、设置在第一基底SUB1_1的上表面SUB1_1a的在第一方向DR1上的一侧从第二基底SUB2_1突出的部分上、设置在第二基底SUB2_1的第一侧表面SUB2_1s上以及设置在第二基底SUB2_1的上表面SUB2_1a上。
根据实施例，如图19中所示，基底单元SUB_1的第一基底SUB1_1的第一侧表面SUB1_1s相对于第一基底SUB1_1的下表面SUB1_1b倾斜，并且基底单元SUB_1的第二基底SUB2_1的第一侧表面SUB2_1s相对于第二基底SUB2_1的下表面SUB2_1b倾斜，使得可以有效地防止在形成导电图案CP_1时由于基底SUB1_1和SUB2_1的侧面倾斜所导致的导电图案CP_1被断开。
在这样的实施例中，第一基底SUB1_1的第一侧表面SUB1_1s的倾角α1和第二基底SUB2_1的第一侧表面SUB2_1s的倾角α2可以等于或小于约60度。在实施例中，第一基底SUB1_1的第一侧表面SUB1_1s的倾角α1和第二基底SUB2_1的第一侧表面SUB2_1s的倾角α2可以与第一基底SUB1_1的第一侧表面SUB1_1s的长度和第二基底SUB2_1的第一侧表面SUB2_1s的长度成反比。在这样的实施例中，第一基底SUB1_1的第一侧表面SUB1_1s的倾角α1和第二基底SUB2_1的第一侧表面SUB2_1s的倾角α2可以等于或大于约30度。
在这样的实施例中，第二显示装置11_1的第二基底SUB2_1的下表面SUB2_1b可以比第一显示装置10_1的第二基底SUB2_1的下表面SUB2_1b高出预定高度h_1。预定高度h_1可以等于导电图案CP_1的厚度t1，使得拼接式显示器的总厚度可以减小。
图20至图22是示出根据本公开的替代实施例的制造拼接式显示器的方法的工艺的截面图。
除了通过使用半色调掩模形成第一基底的倾斜的第一侧表面和第二基底的倾斜的第一侧表面来进行上文参考图12和图13所述的光掩模光刻工艺之外，结合图18和图19的图20至图22的方法的实施例与图9至图17的方法的实施例基本上相同。在这样的实施例中，光致抗蚀剂PR_1设置在被形成于第一基底材料SUB1'上的第二基底材料SUB2'上。光致抗蚀剂PR_1的侧表面可以定位为比图12的光致抗蚀剂PR更向内侧。随后，将半色调掩模HM放置在被光致抗蚀剂PR_1暴露的第二基底材料SUB2'上方。通过使用半色调掩模HM，可以逐渐调节透射光的量，使得可以形成图19的第二基底SUB2_1的第一侧表面SUB2_1s和第一基底SUB1_1的第一侧表面SUB1_1s，同时几乎没有光可以透射穿过半色调掩模HM以到达第一基底SUB1_1的上表面SUB1_1a。
随后，在使用半色调掩模HM的光刻工艺之后，形成图22中所示的导电图案CP_1。
本发明不应被解释为局限于本文中阐述的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开将是详尽的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的构思。
虽然已经参考本发明的实施例具体示出并描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利范围限定的本发明的精神或范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种变化。

Claims (20)

1.一种拼接式显示器，其中，所述拼接式显示器包括：
多个显示装置，其中，在所述多个显示装置中的每一者中限定显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，并且在所述非显示区域中限定焊盘区域，
其中，所述多个显示装置包括第一显示装置以及设置为在第一方向上与所述第一显示装置相邻的第二显示装置，并且
其中，所述第一显示装置的所述焊盘区域在厚度方向上与所述第二显示装置的所述显示区域重叠。
2.根据权利要求1所述的拼接式显示器，其中，
所述非显示区域定位在所述多个显示装置中的每一者的一侧和相对侧中的每一侧，所述一侧和所述相对侧在所述第一方向上彼此相对，并且
其中，定位在所述一侧的所述非显示区域包括所述焊盘区域，并且
定位在所述第一方向上的所述一侧的所述非显示区域的宽度大于定位在所述第一方向上的所述相对侧的所述非显示区域的宽度。
3.根据权利要求2所述的拼接式显示器，其中，
所述第一显示装置包括：
基底单元，所述基底单元设置为遍及所述显示区域和所述非显示区域；
显示元件层，所述显示元件层在所述显示区域中设置在所述基底单元上；
密封构件，所述密封构件设置为遍及所述显示区域和所述非显示区域以密封所述显示元件层；以及
焊盘电极，所述焊盘电极在所述焊盘区域中设置在所述基底单元上，
其中，所述基底单元包括第一基底以及设置在所述第一基底和所述显示元件层之间的第二基底，并且
其中，彼此位于同一侧的所述第一基底的侧表面和所述第二基底的侧表面在厚度方向上彼此不对齐。
4.根据权利要求3所述的拼接式显示器，其中，所述第一基底的所述侧表面在所述第一方向上从所述第二基底的所述侧表面突出。
5.根据权利要求4所述的拼接式显示器，其中，所述焊盘电极设置在所述第一基底的上表面的在所述第一方向上从所述第二基底突出的部分上。
6.根据权利要求5所述的拼接式显示器，其中，
所述第一显示装置进一步包括将所述焊盘电极电连接到所述显示元件层的信号连接线，并且
其中，所述信号连接线设置在所述第一基底的所述上表面的在所述第一方向上从所述第二基底突出的所述部分上、设置在所述第二基底的第一侧表面上以及设置在所述第二基底的上表面上。
7.根据权利要求3所述的拼接式显示器，其中，所述第一显示装置进一步包括电连接到所述焊盘电极的覆晶薄膜，其中，在所述覆晶薄膜上设置驱动器，
其中，所述覆晶薄膜包括在所述厚度方向上与所述焊盘电极重叠的一端以及设置在所述第一基底下方的相对端，并且
其中，所述第一显示装置进一步包括连接到所述覆晶薄膜的所述相对端的印刷电路板。
8.根据权利要求3所述的拼接式显示器，其中，
所述第二显示装置包括：
基底单元，所述基底单元设置为遍及所述显示区域和所述非显示区域；
显示元件层，所述显示元件层在所述显示区域中设置在所述基底单元上；
密封构件，所述密封构件设置为遍及所述显示区域和所述非显示区域以密封所述显示元件层；以及
焊盘电极，所述焊盘电极在所述焊盘区域中设置在所述基底单元上，
其中，所述基底单元包括第一基底以及设置在所述第一基底和所述显示元件层之间的第二基底，
其中，彼此位于同一侧的所述第一基底的侧表面和所述第二基底的侧表面在厚度方向上彼此不对齐，并且
其中，所述第二显示装置的所述第二基底的所述侧表面在所述第一方向上从所述第一基底的所述侧表面突出。
9.根据权利要求8所述的拼接式显示器，其中，所述第二显示装置的所述第二基底的在所述第一方向上从所述第二显示装置的所述第一基底突出的部分在所述厚度方向上与所述第一显示装置的所述焊盘电极重叠。
10.根据权利要求9所述的拼接式显示器，其中，
所述第一显示装置的所述第二基底的下表面和所述第二显示装置的所述第二基底的下表面彼此不定位在同一水平处，并且
其中，所述第二显示装置的所述第二基底的所述下表面定位为比所述第一显示装置的所述第二基底的所述下表面高出预定高度。
11.一种拼接式显示器，其中，所述拼接式显示器包括：
多个显示装置，其中，在所述多个显示装置中的每一者中限定显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，
其中，所述多个显示装置包括第一显示装置以及定位为在第一方向上与所述第一显示装置相邻的第二显示装置，
其中，所述非显示区域定位在所述多个显示装置中的每一者的一侧和相对侧，所述一侧和所述相对侧在所述第一方向上彼此相对，
其中，定位在所述第一方向上的所述一侧的所述非显示区域的宽度大于定位在所述第一方向上的所述相对侧的所述非显示区域的宽度，
其中，定位在所述第一显示装置的所述一侧的所述非显示区域在厚度方向上与所述第二显示装置的所述显示区域重叠，
其中，所述第一显示装置包括：
基底单元，所述基底单元设置为遍及所述显示区域和所述非显示区域；
显示元件层，所述显示元件层在所述显示区域中设置在所述基底单元上；
密封构件，所述密封构件设置为遍及所述显示区域和所述非显示区域以密封所述显示元件层；以及
导电图案，所述导电图案在定位在所述第一显示装置的所述一侧的所述非显示区域中设置在所述基底单元上，
其中，所述基底单元包括第一基底以及设置在所述第一基底和所述显示元件层之间的第二基底，
其中，彼此位于同一侧的所述第一基底的侧表面和所述第二基底的侧表面在所述厚度方向上彼此不对齐，并且
其中，所述第一基底的所述侧表面相对于所述第一基底的下表面倾斜，并且所述第二基底的所述侧表面相对于所述第二基底的下表面倾斜。
12.根据权利要求11所述的拼接式显示器，其中，所述第一基底的所述侧表面在所述第一方向上从所述第二基底的所述侧表面突出。
13.根据权利要求12所述的拼接式显示器，其中，所述导电图案设置在所述第一基底的所述侧表面上、设置在所述第一基底的上表面的在所述第一方向上从所述述第二基底突出的部分上、设置在所述第二基底的所述侧表面上以及设置在所述第二基底的上表面上。
14.根据权利要求13所述的拼接式显示器，其中，所述第一显示装置进一步包括电连接到所述导电图案的印刷电路板，并且
其中，所述印刷电路板设置在所述第一基底下方。
15.根据权利要求14所述的拼接式显示器，其中，所述第一基底的所述侧表面相对于所述第一基底的所述下表面的倾角以及所述第二基底的所述侧表面相对于所述第二基底的所述下表面的倾角在30度至60度的范围内。
16.一种制造拼接式显示器的方法，其中，所述方法包括：
制备第一显示装置和第二显示装置中的每一者，
其中，制备所述第一显示装置和所述第二显示装置中的每一者包括：
在玻璃上以使得第一基底的侧表面在第一方向上从第二基底的侧表面突出的方式提供所述第一基底和所述第二基底，其中，所述第一基底的所述侧表面和所述第二基底的所述侧表面彼此位于同一侧；
在所述第二基底的上表面上提供显示元件层，并且在所述第一基底的上表面的在所述第一方向上从所述第二基底突出的部分上提供焊盘电极；以及
提供封装构件以封装所述显示元件层。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述提供所述第一基底和所述第二基底包括：
在所述玻璃的上表面的端部上设置透光屏障；
在所述玻璃的所述上表面的被所述透光屏障暴露的部分上涂覆第一基底材料；
在所述透光屏障的上表面和所述第一基底材料的上表面上涂覆第二基底材料；以及
使用光致抗蚀剂执行光掩模光刻工艺使得所述第一基底的所述侧表面在所述第一方向上从所述第二基底的所述侧表面突出，所述光致抗蚀剂设置在所述第二基底材料的除了与所述玻璃的相对端重叠的部分之外的上表面上。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述制备所述第一显示装置和所述第二显示装置中的每一者进一步包括：
使由所述第一基底、所述第二基底、所述显示元件层和所述封装构件共同限定的基底单元与所述玻璃分离，
其中，使所述基底单元分离包括：通过将激光照射到所述玻璃和所述第一基底之间的界面上执行激光剥离工艺。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述方法进一步包括：
以使得所述第二显示装置与所述第一显示装置的所述焊盘电极重叠的方式设置所述第二显示装置。
20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述执行所述光掩模光刻工艺包括：使用半色调掩模将所述第一基底的所述侧表面和所述第二基底的所述侧表面形成为倾斜的。
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