KR20230032601A - Manufacturing method for sulfide solid electrolyte - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a method for manufacturing a sulfide-based solid electrolyte, including the steps of: forming an electrode active material on a collector electrode; depositing a metal on the electrode active material; and reacting the metal with a sulfur precursor. The present invention can suppress the dendrite phenomenon in a lithium secondary battery using a solid electrolyte.

Description

황화물계 고체 전해질의 제조 방법 {MANUFACTURING METHOD FOR SULFIDE SOLID ELECTROLYTE}Manufacturing method of sulfide-based solid electrolyte {MANUFACTURING METHOD FOR SULFIDE SOLID ELECTROLYTE}

본원은 황화물계 고체 전해질의 제조 방법에 관한 것이다.The present application relates to a method for preparing a sulfide-based solid electrolyte.

반도체 산업이 발전하면서, 일반 사회에서 노트북, 휴대폰, 휴대용 전자 장치 등 소형 전자 기구의 사용이 증가하고 있다. 이러한 소형 전자 기구들은 리튬 이차 전지와 같은 에너지 저장 장치로부터 에너지를 공급받기 때문에, 고성능 에너지 저장 장치에 대한 연구가 진행되고 있다.As the semiconductor industry develops, the use of small electronic devices such as laptop computers, mobile phones, and portable electronic devices is increasing in general society. Since these small electronic devices receive energy from an energy storage device such as a lithium secondary battery, research on a high-performance energy storage device is being conducted.

대표적인 에너지 저장 장치인 리튬 이차 전지는 방전 과정에서 양극의 리튬 이온이 음극으로 이동하는 전지를 의미한다. 음극으로 이동된 리튬 이온은 충전 과정을 통해 다시 양극으로 이동될 수 있기 때문에 재사용이 가능하며, 에너지 밀도가 높고, 기억 효과(Memory effect)가 없고, 자가 방전의 발생 정도가 적어 다양한 전자 기기에 사용될 수 있다. A lithium secondary battery, which is a representative energy storage device, refers to a battery in which lithium ions from a positive electrode move to a negative electrode during a discharging process. Since lithium ions moved to the negative electrode can be moved back to the positive electrode through the charging process, they can be reused, have high energy density, have no memory effect, and have low self-discharge, so they can be used in various electronic devices. can

이러한 리튬 이차 전지는 충방전 과정에서 리튬 이온이 원활히 이동하도록 리튬염이 용해된 유기 용매, 즉 액체 전해질을 포함할 수 있다. 현재 리튬 이차 전지에 사용되는 액체 전해질의 이온 전도도는 10-2 S/cm 이기 때문에, 리튬 이온이 양극에서 음극으로, 또는 음극에서 양극으로 잘 전달될 수 있다. 그러나, 액체 전해질은 전극을 부식시킬 수 있고, 유기 용매의 휘발 또는 누액, 주변 온도 및 전지 자체의 온도 상승에 의한 연소 등 다양한 단점이 존재하기 때문에, 리튬 이차 전지의 안전성을 떨어뜨릴 수 있다.Such a lithium secondary battery may include an organic solvent in which a lithium salt is dissolved, that is, a liquid electrolyte so that lithium ions smoothly move during charging and discharging processes. Since the ionic conductivity of liquid electrolytes currently used in lithium secondary batteries is 10 −2 S/cm, lithium ions can be well transferred from the positive electrode to the negative electrode or from the negative electrode to the positive electrode. However, since liquid electrolytes can corrode electrodes, and have various disadvantages such as volatilization or leakage of organic solvents, combustion due to ambient temperature and temperature rise of the battery itself, the safety of the lithium secondary battery can be reduced.

위와 같은 액체 전해질의 문제를 해결하기 위해 고안된 것이 바로 고체 전해질이다. 고체 전해질은 액체 전해질과 달리 안정성이 매우 높은 장점이 있으나, 10-3 S/cm 이하의 낮은 이온 전도도를 갖고 있다. 따라서, 고체 전해질을 포함하는 리튬 이차 전지의 출력은 액체 전해질을 포함하는 리튬 이차 전지의 출력에 비해 낮으며, 이러한 문제점을 개선하기 위한 연구가 진행되고 있다.A solid electrolyte was devised to solve the above problems of a liquid electrolyte. The solid electrolyte has the advantage of very high stability, unlike the liquid electrolyte, but has a low ion conductivity of 10 −3 S/cm or less. Therefore, the output of a lithium secondary battery including a solid electrolyte is lower than that of a lithium secondary battery including a liquid electrolyte, and research is being conducted to improve this problem.

본원의 배경이 되는 기술인 한국 등록특허공보 제10-1184924호는 금속층 형성 방법에 대한 것이나, 증착된 금속으로부터 고체 전해질을 제조하는 방법에 대해서는 인식하지 못하고 있다. Korean Patent Registration No. 10-1184924, which is the background of the present application, relates to a method for forming a metal layer, but does not recognize a method for preparing a solid electrolyte from deposited metal.

본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 황화물계 고체 전해질 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a sulfide-based solid electrolyte and a manufacturing method thereof.

다만, 본원의 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들로 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 존재할 수 있다.However, the technical problem to be achieved by the embodiments of the present application is not limited to the technical problems described above, and other technical problems may exist.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본원의 제 1 측면은 집전극 상에 전극 활물질을 형성하는 단계, 상기 전극 활물질 상에 금속을 증착하는 단계, 및 상기 금속을 황 전구체와 반응시키는 단계를 포함하는, 황화물계 고체 전해질의 제조 방법에 대한 것이다.As a technical means for achieving the above technical problem, the first aspect of the present application is to form an electrode active material on a collecting electrode, deposit a metal on the electrode active material, and react the metal with a sulfur precursor. It relates to a method for producing a sulfide-based solid electrolyte comprising a.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 전극 활물질은 다공성 구조를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the electrode active material may have a porous structure, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 황화물계 고체 전해질은 상기 다공성 구조를 충진할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the sulfide-based solid electrolyte may fill the porous structure, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 전극 활물질은 상기 집전극에 대해 수직하게 형성된 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the electrode active material may be formed perpendicular to the collecting electrode, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속을 증착하는 단계는, 상기 전극 활물질 상에 제 1 금속 전구체를 증착하는 단계, 및 상기 제 1 금속 전구체 상에 제 2 금속 전구체를 공급하여 상기 제 1 금속 전구체를 상기 금속으로 환원시키는 단계를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the depositing of the metal may include depositing a first metal precursor on the electrode active material, and supplying a second metal precursor on the first metal precursor to form the first metal precursor. It may include a step of reducing to the metal, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속 전구체는 알킬-아민기(alkyl amine moiety)를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the metal precursor may include an alkyl-amine group (alkyl amine moiety), but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 제 2 금속 전구체 및 상기 알킬-아민기의 반응에 의해 상기 제 1 금속 전구체가 상기 금속으로 환원될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. According to one embodiment of the present application, the first metal precursor may be reduced to the metal by a reaction between the second metal precursor and the alkyl-amine group, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속은 Cu, Ge, Li, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the metal may include one selected from the group consisting of Cu, Ge, Li, and combinations thereof, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속을 증착하는 단계는 ALD 방법으로 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the step of depositing the metal may be performed by an ALD method, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속을 황 전구체와 반응시키는 단계는 ALD 또는 CVD 방법으로 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the step of reacting the metal with the sulfur precursor may be performed by an ALD or CVD method, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 P 를 포함하는 전구체를 추가 반응시키는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, it may include further reacting the precursor containing the P, but is not limited thereto.

또한, 본원의 제 2 측면은, 제 1 측면에 따른 방법에 의해 제조된 황화물계 고체 전해질을 제공한다.In addition, a second aspect of the present application provides a sulfide-based solid electrolyte prepared by the method according to the first aspect.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 황화물계 고체 전해질은 비정질 구조를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the sulfide-based solid electrolyte may have an amorphous structure, but is not limited thereto.

상술한 과제 해결 수단은 단지 예시적인 것으로서, 본원을 제한하려는 의도로 해석되지 않아야 한다. 상술한 예시적인 실시예 외에도, 도면 및 발명의 상세한 설명에 추가적인 실시예가 존재할 수 있다.The above-described problem solving means are merely exemplary and should not be construed as intended to limit the present disclosure. In addition to the exemplary embodiments described above, additional embodiments may exist in the drawings and detailed description of the invention.

전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 본원에 따른 황화물계 고체 전해질의 제조 방법은, 비정질의 황화물 고체 전해질을 제조하는 방법을 제공할 수 있다.According to the above-described means for solving the problems of the present application, the method for producing a sulfide-based solid electrolyte according to the present application can provide a method for producing an amorphous sulfide solid electrolyte.

또한, 본원에 따른 황화물계 고체 전해질의 제조 방법은, 활물질과 균질한 계면을 형성하여 활물질과 고체 전해질 사이의 저항을 최소화 할 수 있고, 금속을 도포하고 황화하는 공정을 사용함으로써 타겟 조성의 고체 전해질 화학제법이 가용하지 않을 경우 우회 경로를 설정할 수 있다.In addition, the method of manufacturing a sulfide-based solid electrolyte according to the present invention can minimize resistance between the active material and the solid electrolyte by forming a homogeneous interface with the active material, and by using a process of applying a metal and sulfiding the solid electrolyte of the target composition An alternate route can be established if chemical methods are not available.

또한, 본원에 따른 황화물계 고체 전해질의 제조 방법은, 기 형성된 활물질이 형성된 집전극 상에 고체 전해질을 충진함으로써, 공정에 따른 활물질 사이의 전기 전도도를 저해하지 않을 수 있다.In addition, the method for manufacturing a sulfide-based solid electrolyte according to the present disclosure may not impede electrical conductivity between active materials according to the process by filling a solid electrolyte on a collection electrode on which a pre-formed active material is formed.

또한, 본원에 따른 황화물계 고체 전해질의 제조 방법은, 전극 활물질을 황화물계 고체 전해질로 코팅하면서 동시에 상기 전극 활물질의 공공을 충진하기 때문에, 고체 전해질을 사용하는 리튬 이차 전지에서 덴드라이트 현상을 억제할 수 있다.In addition, the method of manufacturing a sulfide-based solid electrolyte according to the present invention, since the electrode active material is coated with the sulfide-based solid electrolyte and simultaneously fills the pores of the electrode active material, the dendrite phenomenon can be suppressed in a lithium secondary battery using a solid electrolyte can

다만, 본원에서 얻을 수 있는 효과는 상기된 바와 같은 효과들로 한정되지 않으며, 또 다른 효과들이 존재할 수 있다.However, the effects obtainable herein are not limited to the effects described above, and other effects may exist.

도 1 은 본원의 일 구현예에 따른 황화물계 고체 전해질의 제조 방법의 모식도이다.
도 2 는 본원의 일 구현예에 따른 황화물계 고체 전해질의 제조 방법의 순서도이다.
도 3 은 본원의 일 구현예에 따른 황화물계 고체 전해질의 모식도이다.
도 4 는 본원의 일 실시예에 따른 금속층의 SEM 이미지이다.
도 5 는 본원의 일 실시예에 따른 금속층의 X-선 광전자 분광 결과이다.
도 6 은 본원의 일 실시예에 따른 황화물계 고체 전해질의 SEM 이미지이다.
도 7 은 본원의 일 실시예에 따른 황화물계 고체 전해질의 X-선 광전자 분광 결과이다.
도 8 은 본원의 일 실시예에 따른 황화물계 고체 전해질의 XRD 패턴이다.1 is a schematic diagram of a method for preparing a sulfide-based solid electrolyte according to an embodiment of the present disclosure.
2 is a flowchart of a method for preparing a sulfide-based solid electrolyte according to an embodiment of the present disclosure.
3 is a schematic diagram of a sulfide-based solid electrolyte according to an embodiment of the present disclosure.
4 is a SEM image of a metal layer according to an embodiment of the present disclosure.
5 is an X-ray photoelectron spectroscopy result of a metal layer according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
6 is a SEM image of a sulfide-based solid electrolyte according to an embodiment of the present disclosure.
7 is an X-ray photoelectron spectroscopy result of a sulfide-based solid electrolyte according to an embodiment of the present disclosure.
8 is an XRD pattern of a sulfide-based solid electrolyte according to an embodiment of the present disclosure.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present application will be described in detail so that those skilled in the art can easily practice with reference to the accompanying drawings.

그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.However, the present disclosure may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. And in order to clearly describe the present application in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and similar reference numerals are attached to similar parts throughout the specification.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우 뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다 Throughout the present specification, when a part is said to be “connected” to another part, this includes not only the case of being “directly connected” but also the case of being “electrically connected” with another element interposed therebetween. do

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에", "상부에", "상단에", "하에", "하부에", "하단에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout the present specification, when a member is referred to as being “on,” “above,” “on top of,” “below,” “below,” or “below” another member, this means that a member is located in relation to another member. This includes not only the case of contact but also the case of another member between the two members.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the present specification, when a certain component is said to "include", it means that it may further include other components without excluding other components unless otherwise stated.

본 명세서에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 또한, 본원 명세서 전체에서, "~ 하는 단계" 또는 "~의 단계"는 "~를 위한 단계"를 의미하지 않는다. As used herein, the terms "about," "substantially," and the like are used at or approximating that number when manufacturing and material tolerances inherent in the stated meaning are given, and are intended to assist in the understanding of this disclosure. Accurate or absolute figures are used to prevent undue exploitation by unscrupulous infringers of the stated disclosure. In addition, throughout the present specification, “steps of” or “steps of” do not mean “steps for”.

본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합"의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.Throughout the present specification, the term "combination thereof" included in the expression of the Markush form means one or more mixtures or combinations selected from the group consisting of the components described in the expression of the Markush form, and the components It means including one or more selected from the group consisting of.

본원 명세서 전체에서, "A 및/또는 B" 의 기재는, "A 또는 B, 또는, A 및 B" 를 의미한다.Throughout this specification, reference to "A and/or B" means "A or B, or A and B".

이하에서는 본원의 황화물계 고체 전해질의 제조 방법에 대하여, 구현예 및 실시예와 도면을 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다. 그러나 본원이 이러한 구현예 및 실시예와 도면에 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the manufacturing method of the sulfide-based solid electrolyte of the present application will be described in detail with reference to embodiments, examples, and drawings. However, the present application is not limited to these embodiments and examples and drawings.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본원의 제 1 측면은 집전극(100) 상에 전극 활물질(200)을 형성하는 단계, 상기 전극 활물질(200) 상에 금속(300)을 증착하는 단계, 및 상기 금속(300)을 황 전구체와 반응시키는 단계를 포함하는, 황화물계 고체 전해질(400)의 제조 방법에 대한 것이다.As a technical means for achieving the above technical problem, the first aspect of the present application is to form an electrode active material 200 on a collecting electrode 100, to deposit a metal 300 on the electrode active material 200 It relates to a method for manufacturing a sulfide-based solid electrolyte 400, including the step of reacting the metal 300 with a sulfur precursor.

본원에 따른 고체 전해질은, 리튬 전지 내에서 리튬 이온 등을 전달하기 위한 고체상의 물질을 의미한다. 종래의 리튬 전지에서 사용되는 액체 전해질과 달리, 고체 전해질은 구조적으로 안전하고, 안전 부품의 간소화로 동일 부피 또는 중량 당 에너지 밀도의 향상이 가능한 등의 장점이 있으나, 액체 전해질에 비해 이온 전도도가 낮고, 덴드라이트(dendrite) 현상이 발생할 수 있는 문제가 있다.A solid electrolyte according to the present disclosure means a solid-state material for delivering lithium ions or the like in a lithium battery. Unlike liquid electrolytes used in conventional lithium batteries, solid electrolytes are structurally safe and have advantages such as improving energy density per volume or weight by simplifying safety parts, but have lower ionic conductivity than liquid electrolytes and , there is a problem that a dendrite phenomenon may occur.

본원에 따른 덴드라이트는 리튬 전지의 충방전 과정에서, 리튬이 음극 표면에 쌓이면서 생기는 나뭇가지 모양의 결정체를 의미한다. 이러한 덴드라이트는 리튬 전지의 성능을 저하하고, 뾰족한 형상을 가져 음극과 양극 사이의 분리막을 훼손해 화재 또는 폭발을 일으키는 문제가 발생할 수 있다. 리튬 전지에서 고체 전해질을 사용할 경우, 상기 고체 전해질의 계면(solid electrolyte interphase)가 부서지면서 덴드라이트가 발생할 수 있다.The dendrites according to the present disclosure refer to twig-shaped crystals formed as lithium accumulates on the surface of an anode during charging and discharging of a lithium battery. These dendrites degrade the performance of the lithium battery, and have a sharp shape to damage the separator between the negative electrode and the positive electrode, causing fire or explosion. When a solid electrolyte is used in a lithium battery, dendrites may occur as the solid electrolyte interphase is broken.

본원에 따른 황화물계 고체 전해질(400)의 제조 방법은, 상술한 덴드라이트로 인한 문제를 줄일 수 있도록 황화물계 고체 전해질(400)을 제조할 수 있다.In the method of manufacturing the sulfide-based solid electrolyte 400 according to the present disclosure, the sulfide-based solid electrolyte 400 may be manufactured to reduce the above-described problem caused by dendrites.

도 1 은 본원의 일 구현예에 따른 황화물계 고체 전해질(400)의 제조 방법의 모식도이고, 도 2 는 본원의 일 구현예에 따른 황화물계 고체 전해질(400)의 제조 방법의 순서도이다.1 is a schematic diagram of a method for manufacturing a sulfide-based solid electrolyte 400 according to an embodiment of the present application, and FIG. 2 is a flowchart of a method for manufacturing a sulfide-based solid electrolyte 400 according to an embodiment of the present application.

먼저, 집전극(100) 상에 전극 활물질(200)을 형성한다 (S100).First, the electrode active material 200 is formed on the collecting electrode 100 (S100).

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 집전극(100)은 Al, Cu, SUS(스테인리스 스틸), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the collecting electrode 100 may include one selected from the group consisting of Al, Cu, SUS (stainless steel), and combinations thereof, but is not limited thereto.

본원에 따른 전극 활물질(200)은, 양극 활물질 및 음극 활물질의 총칭을 의미한다. 후술하겠지만, 상기 황화물계 고체 전해질(400)은 배치 장소에 따라 양극 활물질 또는 음극 활물질 상에 형성된 것일 수 있다.The electrode active material 200 according to the present application means a generic term for a positive electrode active material and a negative electrode active material. As will be described later, the sulfide-based solid electrolyte 400 may be formed on a positive electrode active material or a negative electrode active material depending on an arrangement location.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 전극 활물질(200)은 Ni, Co, Mn, Al, Li, Si, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 전극 활물질(200)은 NCM(Ni-Co-Mn) 또는 NCMA(Ni-Co-Mn-Al) 의 양극 활물질, 또는 Li 또는 Si 의 음극 활물질을 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present application, the electrode active material 200 may include one selected from the group consisting of Ni, Co, Mn, Al, Li, Si, and combinations thereof, but is not limited thereto. For example, the electrode active material 200 may include a positive electrode active material of NCM (Ni-Co-Mn) or NCMA (Ni-Co-Mn-Al), or a negative electrode active material of Li or Si.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 전극 활물질(200)은 다공성 구조를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 다공성 구조는 10 nm 내지 1,000 nm 의 공공을 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present application, the electrode active material 200 may have a porous structure, but is not limited thereto. The porous structure may include vacancies of 10 nm to 1,000 nm.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 전극 활물질(200)은 상기 집전극(100)에 대해 수직하게 형성된 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the electrode active material 200 may be formed perpendicular to the collecting electrode 100, but is not limited thereto.

도 1 을 참조하면, 상기 전극 활물질(200)은 전극 활물질(200)의 입자들이 상기 집전극(100)의 표면에 대해 수직한 방향으로 적층된 것일 수 있다. 이 때, 상기 수직한 방향으로 적층되더라도 전극 활물질(200) 입자가 충진되지 못한 공공이 존재할 수 있고, 후술하겠지만 상기 공공은 황화물계 고체 전해질(400)에 의해 충진될 수 있다.Referring to FIG. 1 , the electrode active material 200 may include particles of the electrode active material 200 stacked in a direction perpendicular to the surface of the collecting electrode 100 . At this time, even if the electrode active material 200 particles are stacked in the vertical direction, there may be pores that are not filled, and as will be described later, the pores may be filled with the sulfide-based solid electrolyte 400 .

이어서, 상기 전극 활물질(200) 상에 금속(300)을 증착한다 (S200).Subsequently, a metal 300 is deposited on the electrode active material 200 (S200).

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속(300)은 상기 전극 활물질(200)의 다공성 구조를 충진할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 전극 활물질(200)들은 형성 과정에서 공공이 형성될 수 있고, 상기 전극 활물질(200)의 입자 상에 상기 금속(300)이 증착하는 과정에서 상기 공공이 일부 충진될 수 있다. 다만, 상기 공공은 상기 금속(300)에 의해 부피가 일부 감소하였을 뿐 완전히 제거되지는 않을 수 있으며, 상기 공공은 후술할 황화물계 고체 전해질(400)에 의해 완전히 제거될 수 있다.According to one embodiment of the present application, the metal 300 may fill the porous structure of the electrode active material 200, but is not limited thereto. Voids may be formed during the formation process of the electrode active material 200 , and the voids may be partially filled during the deposition of the metal 300 on the particles of the electrode active material 200 . However, the voids may be partially reduced in volume by the metal 300 but not completely removed, and the voids may be completely removed by the sulfide-based solid electrolyte 400 to be described later.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속(300)을 증착하는 단계는, 상기 전극 활물질(200) 상에 제 1 금속 전구체를 증착하는 단계, 및 상기 제 1 금속 전구체 상에 제 2 금속 전구체를 공급하여 상기 제 1 금속 전구체를 상기 금속(300)으로 환원시키는 단계를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이와 관련하여, 상기 제 1 금속 전구체를 증착하는 단계와, 상기 제 2 금속 전구체를 통해 상기 제 1 금속 전구체를 환원시키는 단계는 교번하여 반복적으로 수행될 수 있다.According to one embodiment of the present application, the depositing of the metal 300 may include depositing a first metal precursor on the electrode active material 200, and supplying a second metal precursor on the first metal precursor. and reducing the first metal precursor to the metal 300, but is not limited thereto. In this regard, the step of depositing the first metal precursor and the step of reducing the first metal precursor through the second metal precursor may be alternately and repeatedly performed.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속(300)을 증착하는 단계는 ALD 방법으로 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the step of depositing the metal 300 may be performed by an ALD method, but is not limited thereto.

상기 금속(300)을 증착하는 단계는 상기 전극 활물질(200)이 기재이고, 상기 제 1 금속 전구체와 상기 제 2 금속 전구체가 교대로 공급됨으로써 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속(300)을 증착하는 단계는, 상기 전극 활물질(200) 상에 제 1 금속 전구체를 공급하여 상기 전극 활물질(200) 상에 제 1 금속 전구체를 증착하는 단계, 상기 제 1 금속 전구체 상에 불활성 가스를 공급하는 단계, 상기 제 1 금속 전구체 상에 제 2 금속 전구체를 공급하여 상기 제 1 금속 전구체를 상기 금속(300)으로 환원시키는 단계, 상기 금속(300) 상에 불활성 가스를 공급하는 단계를 수행한 후, 상기 제 1 금속 전구체의 공급, 불활성 가스의 공급, 상기 제 2 금속 전구체의 공급, 및 불활성 가스의 공급의 공정이 반복될 수 있다.The depositing of the metal 300 may be performed by alternately supplying the electrode active material 200 as a substrate and the first metal precursor and the second metal precursor. For example, the depositing of the metal 300 may include supplying a first metal precursor onto the electrode active material 200 to deposit the first metal precursor on the electrode active material 200, Supplying an inert gas to a metal precursor, supplying a second metal precursor to the first metal precursor to reduce the first metal precursor to the metal 300, and supplying an inert gas to the metal 300 After performing the supplying step, the process of supplying the first metal precursor, supplying the inert gas, supplying the second metal precursor, and supplying the inert gas may be repeated.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 제 1 금속 전구체를 상기 금속(300)으로 환원시키는 단계는, 상온 내지 350℃ 에서 수행되는 것일 수 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the step of reducing the first metal precursor to the metal 300 may be performed at room temperature to 350° C., but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 제 1 금속 전구체, 상기 제 2 금속 전구체, 및 상기 불활성 가스는 각각 독립적으로 1 초 내지 60 초 동안 공급되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the first metal precursor, the second metal precursor, and the inert gas may be each independently supplied for 1 second to 60 seconds, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속(300)은 Cu, Ge, Li, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 상기 제 1 금속 전구체는 Cu, Ge, Li, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 금속(300) 원소를 포함하는 것으로서, 상기 전극 활물질(200) 상에 기화된 상태로 공급되는 것일 수 있다.According to one embodiment of the present application, the metal 300 may include one selected from the group consisting of Cu, Ge, Li, and combinations thereof, but is not limited thereto. That is, the first metal precursor may include a metal 300 element selected from the group consisting of Cu, Ge, Li, and combinations thereof, and may be supplied to the electrode active material 200 in a vaporized state. there is.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 제 1 금속 전구체는 알킬-아민기 (alkyl amine moiety)를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the first metal precursor may include an alkyl-amine group (alkyl amine moiety), but is not limited thereto.

바람직하게는, 상기 제 1 금속 전구체는 Copper dimethylamino-2-propoxide 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Preferably, the first metal precursor may be copper dimethylamino-2-propoxide, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 제 2 금속 전구체 및 상기 알킬-아민기의 반응에 의해 상기 제 1 금속 전구체가 상기 금속(300)으로 환원될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. According to one embodiment of the present application, the first metal precursor may be reduced to the metal 300 by a reaction between the second metal precursor and the alkyl-amine group, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 제 2 금속 전구체는 Zn 을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 바람직하게는, 상기 제 2 금속 전구체는 상기 제 1 금속 전구체의 금속 원소를 환원시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present application, the second metal precursor may include Zn, but is not limited thereto. Preferably, the second metal precursor may include a material capable of reducing a metal element of the first metal precursor.

예를 들어 상기 제 1 금속 전구체가 Copper dimethylamino-2-propoxide 를 포함하고, 상기 제 2 금속 전구체가 Diethyl zinc 일 경우, 상기 전극 활물질(200)의 표면에는 상기 제 1 금속 전구체를 포함하는 박막이 형성될 수 있다. 이 때 상기 박막에 상기 제 2 금속 전구체를 공급하면, 상기 제 1 금속 전구체의 알킬-아민기와 상기 제 2 금속 전구체의 Zinc 가 결합하고, 상기 제 2 금속 전구체의 에틸기는 기화된 상태로 존재하기 때문에, 상기 전극 활물질(200)의 표면에는 상기 제 1 금속 전구체의 금속 원소 만이 증착될 수 있다.For example, when the first metal precursor includes copper dimethylamino-2-propoxide and the second metal precursor includes diethyl zinc, a thin film including the first metal precursor is formed on the surface of the electrode active material 200 It can be. At this time, when the second metal precursor is supplied to the thin film, the alkyl-amine group of the first metal precursor binds to the zinc of the second metal precursor, and the ethyl group of the second metal precursor exists in a vaporized state. , Only the metal element of the first metal precursor may be deposited on the surface of the electrode active material 200 .

이와 관련하여, 상기 제 1 금속 전구체를 증착하는 단계를 수행한 후, 제 1 금속 전구체의 금속 원소 및 제 2 금속 전구체의 금속 원소와 상이한 제 3 금속을 포함하는 제 3 금속 전구체를 상기 전극 활물질(200)의 표면에 증착된 금속(300) 상에 공급하는 단계를 추가 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이 때, 상기 제 3 금속 전구체를 상기 금속(300) 상에 공급하는 단계는, 상기 제 2 금속 전구체를 상기 금속(300) 상에 공급하는 단계와 동시에 또는 별도로 수행될 수 있다.In this regard, after performing the step of depositing the first metal precursor, a third metal precursor including a third metal different from the metal element of the first metal precursor and the metal element of the second metal precursor is added to the electrode active material ( 200) may further include a step of supplying the metal 300 deposited on the surface, but is not limited thereto. In this case, the step of supplying the third metal precursor onto the metal 300 may be performed simultaneously with or separately from the step of supplying the second metal precursor onto the metal 300 .

이어서, 상기 금속(300)을 황 전구체와 반응시켜 황화물계 고체 전해질(400)을 제조한다 (S300).Subsequently, a sulfide-based solid electrolyte 400 is prepared by reacting the metal 300 with a sulfur precursor (S300).

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속(300)을 황 전구체와 반응시키는 단계는 ALD또는 CVD 방법으로 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the step of reacting the metal 300 with the sulfur precursor may be performed by an ALD or CVD method, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속(300)을 황 전구체와 반응시키는 공정은, 상기 금속(300) 상에 상기 황 전구체를 공급하는 단계, 상기 금속(300)을 황화시키는 단계, 및 퍼징 가스를 공급하는 단계를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the process of reacting the metal 300 with the sulfur precursor includes supplying the sulfur precursor on the metal 300, sulfurizing the metal 300, and purging gas It may include the step of supplying, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 금속(300)을 황화시키는 단계는 상온 내지 350℃에서 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the step of sulfiding the metal 300 may be performed at room temperature to 350° C., but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 황화물계 고체 전해질(400)은 상기 다공성 구조를 충진할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the sulfide-based solid electrolyte 400 may fill the porous structure, but is not limited thereto.

상기 황화물계 고체 전해질(400)은 상기 전극 활물질(200) 상에 형성된 금속(300)이 황화됨으로써 형성된 것으로서, 상기 금속(300)이 황화되는 과정에서 부피의 팽창이 이루어져 상기 전극 활물질(200)의 공공이 충진될 수 있다. 상기 전극 활물질(200)의 다공성 구조의 공공을 충진하도록 형성됨으로써, 상기 황화물계 고체 전해질(400)은 리튬 이차 전지에서 발생할 수 있는 덴드라이트 현상을 방지할 수 있다.The sulfide-based solid electrolyte 400 is formed by sulfiding the metal 300 formed on the electrode active material 200, and in the process of sulfiding the metal 300, volume expansion occurs, so that the electrode active material 200 Voids can be filled. By being formed to fill the pores of the porous structure of the electrode active material 200, the sulfide-based solid electrolyte 400 can prevent a dendrite phenomenon that may occur in a lithium secondary battery.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 P 를 포함하는 전구체를 추가 반응시키는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, it may include further reacting the precursor containing the P, but is not limited thereto.

본원에 따른 황화물계 고체 전해질(400)은 황화 금속(예를 들어 Cu2S)을 포함할 수 있고, P 를 포함하는 황화물계 고체 전해질(400)을 더 포함할 수 있다.The sulfide-based solid electrolyte 400 according to the present disclosure may include a metal sulfide (eg, Cu 2 S), and may further include a sulfide-based solid electrolyte 400 including P.

후술하겠지만, 상기 황화물계 고체 전해질(400)은 비정질 구조를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.As will be described later, the sulfide-based solid electrolyte 400 may have an amorphous structure, but is not limited thereto.

또한, 본원의 제 2 측면은, 제 1 측면에 따른 방법에 의해 제조된 황화물계 고체 전해질(400)을 제공한다.In addition, a second aspect of the present disclosure provides a sulfide-based solid electrolyte 400 prepared by the method according to the first aspect.

본원의 제 2 측면에 따른 황화물계 고체 전해질(400)에 대하여, 본원의 제 1 측면과 중복되는 부분들에 대해서는 상세한 설명을 생략하였으나, 그 설명이 생략되었더라도 본원의 제 1 측면에 기재된 내용은 본원의 제 2 측면에 동일하게 적용될 수 있다.With respect to the sulfide-based solid electrolyte 400 according to the second aspect of the present application, detailed descriptions of portions overlapping with those of the first aspect of the present application have been omitted, but even if the description is omitted, the contents described in the first aspect of the present application The same can be applied to the second aspect of

도 3 은 본원의 일 구현예에 따른 황화물계 고체 전해질(400)의 모식도이다. 이와 관련하여, 상기 황화물계 고체 전해질(400)은 제조 방법의 특성 상 집전극(100) 에 수직하게 형성된 전극 활물질(200) 상에 코팅되어 형성된 것이다. 도 3 은 도 1 의 최우측의 단계에서, 상기 전극 활물질(200) 사이의 빈 공간(공공)이 상기 황화물계 고체 전해질(400)로서 완벽히 충진되었을 때를 모사한 그림이다.3 is a schematic diagram of a sulfide-based solid electrolyte 400 according to an embodiment of the present application. In this regard, the sulfide-based solid electrolyte 400 is formed by being coated on the electrode active material 200 formed perpendicularly to the collecting electrode 100 due to the nature of the manufacturing method. FIG. 3 is a picture simulating a case in which the empty space (vacancy) between the electrode active materials 200 is completely filled with the sulfide-based solid electrolyte 400 in the rightmost stage of FIG. 1 .

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 황화물계 고체 전해질(400)은 상기 금속(300)의 황화물을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 바람직하게는, 상기 황화물계 고체 전해질(400)은 상기 금속(300) 의 황화물 외에도 상기 금속(300) 및 황을 포함하는 고체 전해질을 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present application, the sulfide-based solid electrolyte 400 may include a sulfide of the metal 300, but is not limited thereto. Preferably, the sulfide-based solid electrolyte 400 may include a solid electrolyte including the metal 300 and sulfur in addition to the sulfide of the metal 300 .

상기 황화물계 고체 전해질(400)은, CuS 또는 Cu2S 를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The sulfide-based solid electrolyte 400 may include CuS or Cu 2 S, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 황화물계 고체 전해질(400)은 비정질 구조를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 후술하겠지만, 본원에 따른 황화물계 고체 전해질(400)인 CuS 또는 Cu2S 는 종래의 CuS 또는 Cu2S 와 달리 XRD 패턴에서 명확한 피크가 관찰되지 않을 수 있다.According to one embodiment of the present application, the sulfide-based solid electrolyte 400 may have an amorphous structure, but is not limited thereto. As will be described later, CuS or Cu 2 S, which is the sulfide-based solid electrolyte 400 according to the present disclosure, may not have a clear peak observed in an XRD pattern, unlike conventional CuS or Cu 2 S.

상기 황화물계 고체 전해질(400)은 비정질 구조를 갖기 때문에 회절 패턴이 명확하게 나타나지 않는다. 또한, 상기 황화물계 고체 전해질(400)의 순도를 높일 경우, 상기 황화물계 고체 전해질(400)이 비정질 구조를 갖더라도 결정질 구조와 유사한 성능을 가질 수 있다.Since the sulfide-based solid electrolyte 400 has an amorphous structure, a diffraction pattern does not appear clearly. In addition, when the purity of the sulfide-based solid electrolyte 400 is increased, even if the sulfide-based solid electrolyte 400 has an amorphous structure, performance similar to that of a crystalline structure may be obtained.

상술하였듯, 상기 황화물계 고체 전해질(400)은 양극 또는 음극 상에 형성된 것이다. 즉, 상기 황화물계 고체 전해질(400)을 제조할 때 사용된 전극 활물질(200)이 양극 활물질인 경우, 상기 황화물계 고체 전해질(400)의 표면에 음극 활물질을 증착 또는 배치함으로써 고체 전해질을 포함하는 리튬 전지를 형성할 수 있다.As described above, the sulfide-based solid electrolyte 400 is formed on an anode or a cathode. That is, when the electrode active material 200 used in manufacturing the sulfide-based solid electrolyte 400 is a positive electrode active material, the negative electrode active material is deposited or disposed on the surface of the sulfide-based solid electrolyte 400 to include a solid electrolyte. A lithium battery can be formed.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 황화물계 고체 전해질의 이온 전도도는, 10-3 S/cm 내지 10-2 S/cm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이 때, 상기 이온 전도도는 Li+ 이온에 대한 전도도이다.According to one embodiment of the present application, the ion conductivity of the sulfide-based solid electrolyte may be 10 −3 S/cm to 10 −2 S/cm, but is not limited thereto. At this time, the ionic conductivity is the conductivity for Li + ions.

이하 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본원의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.The present invention will be described in more detail through the following examples, but the following examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the scope of the present application.

[실시예 1][Example 1]

[실시예 1-1] : 구리 원자층 증착 공정[Example 1-1]: Copper atomic layer deposition process

Al 집전극 상에 NCM 양극 활물질 입자를 수직하게 적층하였다. 이어서, 상기 NCM 상에 copper dimethylamino-2-propoxide 를 1 초 내지 30 초 간 주입하고, Ar 가스를 주입하고, Diethyl zinc 를 1 초 내지 30 초간 주입하고, Ar 가스를 주입하는 과정을 300℃ 에서 반복 수행하여 상기 NCM 상에 Cu 를 원자층 증착하였다.NCM positive electrode active material particles were vertically stacked on the Al collector electrode. Subsequently, the process of injecting copper dimethylamino-2-propoxide on the NCM for 1 second to 30 seconds, injecting Ar gas, injecting diethyl zinc for 1 second to 30 seconds, and injecting Ar gas was repeated at 300 ° C. This was followed by atomic layer deposition of Cu on the NCM.

도 4 는 본원의 일 실시예에 따른 금속층의 SEM 이미지이고, 도 5 는 본원의 일 실시예에 따른 금속층의 X-선 광전자 분광 결과이다. 구체적으로 도4 의 (a) 는 도 4 의 (b) 를 확대한 이미지이고, 도 5 의 (a) 는 구리 환원층 전체에 대해 스캔한 것이고 (full scan), (b) 는 Cu 에 대해 스캔한 것이고, (c) 는 N 에 대해 스캔한 것이다. 이 때 상기 N 은 상기 Cu 를 원자층 증착하는 과정에서 잔존한 물질로서, 후술할 황화 구리의 조성 및 전기적 성능에 영향을 끼치지 않을 수 있다.4 is an SEM image of a metal layer according to an exemplary embodiment of the present disclosure, and FIG. 5 is an X-ray photoelectron spectroscopy result of the metal layer according to an exemplary embodiment of the present disclosure. Specifically, FIG. 4 (a) is an enlarged image of FIG. 4 (b), FIG. 5 (a) is a full scan of the reduced copper layer, and (b) is a scan of Cu. and (c) is scanned for N. At this time, the N is a material remaining in the process of atomic layer deposition of the Cu, and may not affect the composition and electrical performance of copper sulfide, which will be described later.

[실시예 1-2] : 황화구리 형성 과정 [Example 1-2]: Copper sulfide formation process

이어서, 상기 Cu 가 증착된 NCM 상에, H2S 를 1 초 내지 30 초 주입하고, 300℃ 에서 상기 Cu 를 황화시키고, 이어서 5 초 내지 120 초 동안 Ar 가스를 퍼징하였다.Subsequently, H 2 S was injected into the NCM on which the Cu was deposited for 1 second to 30 seconds, the Cu was sulfided at 300° C., and then Ar gas was purged for 5 seconds to 120 seconds.

도 6 은 본원의 일 실시예에 따른 황화물계 고체 전해질의 SEM 이미지이고, 도 7 은 본원의 일 실시예에 따른 황화물계 고체 전해질의 X-선 광전자 분광 결과이다. 구체적으로 도 6 의 (a) 는 도 6 의 (b) 를 확대한 이미지이고, 도 7 의 (a) 는 구리 환원층 전체에 대해 스캔한 것이고 (full scan), (b) 는 Cu 에 대해 스캔한 것이고, (c) 는 N 에 대해 스캔한 것이며, (d) 는 S 에 대해 스캔한 것이다.6 is an SEM image of a sulfide-based solid electrolyte according to an embodiment of the present application, and FIG. 7 is an X-ray photoelectron spectroscopy result of the sulfide-based solid electrolyte according to an embodiment of the present application. Specifically, FIG. 6 (a) is an enlarged image of FIG. 6 (b), FIG. 7 (a) is a full scan of the reduced copper layer, and (b) is a scan of Cu. (c) is scanned for N, and (d) is scanned for S.

도 8 은 상기 실시예에 따른 황화물계 고체 전해질의 XRD 패턴에 대한 것이다.8 is an XRD pattern of a sulfide-based solid electrolyte according to the above embodiment.

도 8 을 참조하면, 상기 실시예에 따라 제조된 황화물계 고체 전해질은 10° 내지 40° 에서 피크가 발생하지 않음을 확인할 수 있다. 이와 관련하여, 일반적인 CuS 또는 Cu2S 는 20° 내지 40° 에서 다수의 피크를 가질 수 있으나, 본원의 공정에 따라 제조되는 황화물계 고체 전해질은 10° 내지 40° 에서 피크가 관찰되지 않아 일반적인 물질과 달리 비정질 구조임을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 8 , it can be confirmed that the sulfide-based solid electrolyte prepared according to the above example does not generate a peak at 10° to 40°. In this regard, general CuS or Cu 2 S may have a number of peaks at 20 ° to 40 °, but the sulfide-based solid electrolyte prepared according to the process of the present invention has no peak observed at 10 ° to 40 °, so it is a common material Unlike, it can be confirmed that it is an amorphous structure.

본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present application is indicated by the following claims rather than the detailed description above, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts thereof should be construed as being included in the scope of the present application.

100 : 집전극
200 : 활물질
300 : 금속
400 : 황화물계 고체 전해질100: collector electrode
200: active material
300: metal
400: sulfide-based solid electrolyte

Claims (13)

집전극 상에 전극 활물질을 형성하는 단계;
상기 전극 활물질 상에 금속을 증착하는 단계; 및
상기 금속을 황 전구체와 반응시키는 단계;
를 포함하는,
황화물계 고체 전해질의 제조 방법.
Forming an electrode active material on a collecting electrode;
depositing a metal on the electrode active material; and
reacting the metal with a sulfur precursor;
including,
A method for preparing a sulfide-based solid electrolyte.
 제 1 항에 있어서,
상기 전극 활물질은 다공성 구조를 갖는 것인, 황화물계 고체 전해질의 제조 방법.
According to claim 1,
The electrode active material has a porous structure, a method for producing a sulfide-based solid electrolyte.
 제 2 항에 있어서,
상기 황화물계 고체 전해질은 상기 다공성 구조를 충진하는 것인, 고체 전해질의 제조 방법.
According to claim 2,
The sulfide-based solid electrolyte is to fill the porous structure, a method for producing a solid electrolyte.
 제 1 항에 있어서,
상기 전극 활물질은 상기 집전극에 대해 수직하게 형성된 것인, 황화물계 고체 전해질의 제조 방법.
According to claim 1,
The electrode active material is a method for producing a sulfide-based solid electrolyte formed perpendicularly to the collector electrode.
 제 1 항에 있어서,
상기 금속을 증착하는 단계는, 상기 전극 활물질 상에 제 1 금속 전구체를 증착하는 단계, 및 상기 제 1 금속 전구체 상에 제 2 금속 전구체를 공급하여 상기 제 1 금속 전구체를 상기 금속으로 환원시키는 단계를 포함하는 것인, 황화물계 고체 전해질의 제조 방법.
According to claim 1,
Depositing the metal may include depositing a first metal precursor on the electrode active material, and reducing the first metal precursor to the metal by supplying a second metal precursor on the first metal precursor. A method for producing a sulfide-based solid electrolyte comprising:
 제 5 항에 있어서,
상기 금속 전구체는 알킬-아민기(alkyl amine moiety)를 포함하는 것인, 황화물계 고체 전해질의 제조 방법.
According to claim 5,
The metal precursor is an alkyl-amine group (alkyl amine moiety), a method for producing a sulfide-based solid electrolyte.
 제 6 항에 있어서,
상기 제 2 금속 전구체 및 상기 알킬-아민기의 반응에 의해 상기 제 1 금속 전구체가 상기 금속으로 환원되는 것인, 황화물계 고체 전해질의 제조 방법.
According to claim 6,
The method of producing a sulfide-based solid electrolyte, wherein the first metal precursor is reduced to the metal by a reaction between the second metal precursor and the alkyl-amine group.
 제 1 항에 있어서,
상기 금속은 Cu, Ge, Li, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 황화물계 고체 전해질의 제조 방법.
According to claim 1,
The method of manufacturing a sulfide-based solid electrolyte comprising the metal selected from the group consisting of Cu, Ge, Li, and combinations thereof.
 제 1 항에 있어서,
상기 금속을 증착하는 단계는 ALD 방법으로 수행되는 것인, 황화물계 고체 전해질의 제조 방법.
According to claim 1,
The method of manufacturing a sulfide-based solid electrolyte, wherein the depositing of the metal is performed by an ALD method.
 제 1 항에 있어서,
상기 금속을 황 전구체와 반응시키는 단계는 ALD 또는 CVD 방법으로 수행되는 것인, 황화물계 고체 전해질의 제조 방법.
According to claim 1,
The step of reacting the metal with the sulfur precursor is performed by an ALD or CVD method, a method for producing a sulfide-based solid electrolyte.
 제 10 항에 있어서,
상기 P 를 포함하는 전구체를 추가 반응시키는 것을 포함하는 것인, 황화물계 고체 전해질의 제조 방법.
According to claim 10,
A method for producing a sulfide-based solid electrolyte comprising further reacting a precursor containing the P.
 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된, 황화물계 고체 전해질.
A sulfide-based solid electrolyte prepared by the method according to any one of claims 1 to 11.
 제 12 항에 있어서,
상기 황화물계 고체 전해질은 비정질 구조를 갖는 것인, 황화물계 고체 전해질.
According to claim 12,
The sulfide-based solid electrolyte has an amorphous structure, the sulfide-based solid electrolyte.
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