KR20230022114A - Wiring circuit board and method of producing the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 배선 회로 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wiring circuit board and a manufacturing method thereof.
금속 지지층과, 절연층과, 도체 패턴을 두께 방향으로 순서대로 구비하는 배선 회로 기판이 알려져 있다(예를 들면, 하기 특허문헌 1 참조). 특허문헌 1의 배선 회로 기판에서는, 절연층은, 두께 방향에 있어서의 금속 지지층의 한쪽면에 접촉한다.A wiring circuit board having a metal support layer, an insulating layer, and a conductor pattern in order in the thickness direction is known (for example, see
특허문헌 1에 기재된 배선 회로 기판에서는, 금속 지지층과 절연층의 밀착력이 낮다.In the wiring circuit board described in
금속 지지층과 절연층 사이에 접착제층을 배치하여, 상기한 밀착력을 높게 하는 것이 시안된다.It is recommended to place an adhesive layer between the metal support layer and the insulating layer to increase the above adhesion.
접착제층은, 통상, 팽창 계수가 높기 때문에, 가열 시에 있어서의 배선 회로 기판의 강성이 저하된다는 문제가 있다.Since the adhesive layer usually has a high expansion coefficient, there is a problem that the rigidity of the wiring circuit board at the time of heating is lowered.
한편, 접착제층은, 도체 패턴과 금속 지지층 사이에 배치되므로, 도체 패턴에 있어서의 열을 금속 지지층에 효율적으로 방열할 수 없다는 문제가 있다.On the other hand, since the adhesive layer is disposed between the conductor pattern and the metal support layer, there is a problem that the heat in the conductor pattern cannot be efficiently radiated to the metal support layer.
본 발명은, 금속 지지층과 절연층 사이의 밀착력이 높고, 강성 및 방열성이 우수한 배선 회로 기판 및 그 제조 방법을 제공한다.The present invention provides a wiring circuit board having high adhesion between a metal support layer and an insulating layer, excellent rigidity and heat dissipation, and a manufacturing method thereof.
본 발명 (1)은, 금속 지지층과, 접착제층과, 절연층과, 도체 패턴을 두께 방향으로 순서대로 구비하고, 상기 금속 지지층의 23℃에 있어서의 인장 강도가, 100MPa 이상이며, 상기 금속 지지층의 열전도율이, 30W/m·K 이상인, 배선 회로 기판을 포함한다.In the present invention (1), a metal support layer, an adhesive layer, an insulating layer, and a conductor pattern are sequentially provided in the thickness direction, the tensile strength of the metal support layer at 23 ° C. is 100 MPa or more, and the metal support layer The thermal conductivity of is 30 W/m·K or more, and includes a wiring circuit board.
이 배선 회로 기판에서는, 접착제층이, 금속 지지층과 절연층 사이에 개재한다. 그 때문에, 금속 지지층과 절연층 사이의 밀착력이 높다.In this wiring circuit board, the adhesive layer is interposed between the metal support layer and the insulating layer. Therefore, the adhesion between the metal support layer and the insulating layer is high.
또한, 금속 지지층의 23℃에 있어서의 인장 강도가, 100MPa 이상이므로, 배선 회로 기판은, 강성이 우수하다.Moreover, since the tensile strength at 23 degreeC of a metal support layer is 100 Mpa or more, the wiring circuit board is excellent in rigidity.
또, 금속 지지층의 열전도율이, 30W/m·K 이상이므로, 배선 회로 기판은, 방열성이 우수하다.Moreover, since the thermal conductivity of the metal support layer is 30 W/m·K or more, the wiring circuit board is excellent in heat dissipation.
따라서, 배선 회로 기판은, 금속 지지층과 절연층 사이의 밀착력이 높고, 강성 및 방열성이 우수하다.Therefore, the wiring circuit board has high adhesion between the metal support layer and the insulating layer, and is excellent in rigidity and heat dissipation.
본 발명 (2)는, 상기 절연층은, 절연 관통 구멍을 갖고, 상기 접착제층은, 두께 방향으로 투영했을 때에, 상기 절연 관통 구멍에 중첩되는 접착 관통 구멍을 갖는, (1)에 기재된 배선 회로 기판을 포함한다.In the present invention (2), the wiring circuit according to (1), wherein the insulating layer has an insulating through hole, and the adhesive layer has a bonding through hole overlapping the insulating through hole when projected in a thickness direction. includes the substrate.
본 발명 (3)은, 상기 절연 관통 구멍 및 상기 접착 관통 구멍 내에 배치되는 도전 부재를 추가로 구비하는, (2)에 기재된 배선 회로 기판을 포함한다.The present invention (3) includes the wiring circuit board according to (2), further including a conductive member disposed in the insulating through hole and the bonding through hole.
본 발명 (4)는, 상기 접착 관통 구멍 내에 배치되는 도전 부재 및 제 2 도체 패턴과, 상기 절연 관통 구멍 내에 배치되고, 상기 도체 패턴 및 상기 제 2 도체 패턴을 전기적으로 접속하는 접속 부재를 추가로 구비하는, (2)에 기재된 배선 회로 기판을 포함한다.The present invention (4) further includes a conductive member and a second conductor pattern disposed in the bonding through hole, and a connecting member disposed in the insulating through hole and electrically connecting the conductor pattern and the second conductor pattern. and the wiring circuit board according to (2).
본 발명 (5)는, 서로 간격을 두고 병렬 배치되는 복수의 배선체를 구비하고, 상기 복수의 배선체의 각각은, 상기 절연층에 포함되는 절연부와, 상기 절연부의 두께 방향의 한쪽면에 배치되고, 상기 접착제층에 포함되는 접착부와, 상기 접착부의 두께 방향의 한쪽면에 배치되고, 상기 도체 패턴에 포함되는 배선부와, 상기 절연부의 두께 방향의 다른쪽면에 배치되고, 상기 복수의 배선체의 병렬 방향에 있어서의 길이 W에 대한, 두께 방향 길이 T의 비(T/W)가, 2 이상이며, 상기 금속 지지층에 포함되는 금속 지지부를 구비하는, (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 기재된 배선 회로 기판을 포함한다.The present invention (5) includes a plurality of wiring bodies arranged in parallel at intervals from each other, each of the plurality of wiring bodies having an insulating portion included in the insulating layer and one surface in the thickness direction of the insulating portion. An adhesive portion included in the adhesive layer, a wiring portion included in the conductor pattern, disposed on one side of the adhesive portion in the thickness direction, and a wiring portion included in the conductor pattern, and disposed on the other side in the thickness direction of the insulating portion, and the plurality of wirings The ratio (T/W) of the length T in the thickness direction to the length W in the parallel direction of the sieve is 2 or more, and any one of (1) to (4) is provided with a metal support included in the metal support layer. One includes the wiring circuit board described.
비(T/W)가, 2 이상으로 높으므로, 금속 지지부와 공기의 접촉 면적을 크게 할 수 있다. 그 때문에, 대류에 기초하는 방열 효율이 우수하다.Since the ratio (T/W) is as high as 2 or more, the contact area between the metal support and the air can be increased. Therefore, it is excellent in heat dissipation efficiency based on convection.
또, 금속 지지부의 어스펙트비(T/W)가 2 이상으로 높기 때문에, 배선부로부터 배선체 절연부에 전도한 열을, 접착부를 개재시켜 금속 지지부를 향해 효율적으로 방출할 수 있다.In addition, since the aspect ratio (T/W) of the metal support portion is as high as 2 or more, heat conducted from the wiring portion to the wiring body insulation portion can be efficiently released toward the metal support portion via the adhesive portion.
그 때문에, 배선 회로 기판은, 배선체에 있어서의 방열성이 우수하다.Therefore, the wiring circuit board is excellent in heat dissipation in the wiring body.
본 발명 (6)은, 하나의 상기 금속 지지부는, 하나의 상기 금속 지지부와 상기 병렬 방향으로 인접하는 다른 상기 금속 지지부에 면하는 내측면을 갖고, 상기 내측면의 면적은, 상기 내측면을 상기 병렬 방향으로 투영했을 때의 투영 면적 이상인, (5)에 기재된 배선 회로 기판을 포함한다.In the present invention (6), the one metal support portion has an inner surface facing the other metal support portion adjacent to the one metal support portion in the parallel direction, and the area of the inner surface is It includes the wiring circuit board according to (5), which is equal to or larger than the projected area when projected in the parallel direction.
본 발명 (7)은, 상기 복수의 배선체의, 상기 병렬 방향 및 상기 두께 방향에 직교하는 직교 방향 단부를 연결하는 연결체를 구비하고, 상기 연결체는, 상기 배선부의 직교 방향 단부에 연속하고, 상기 도체 패턴에 포함되는 단자부와, 상기 금속 지지부의 직교 방향 단부에 연속하고, 상기 금속 지지층에 포함되는 연결 금속부를 구비하며, 상기 연결 금속부는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 복수의 상기 단자부를 포함하도록 상기 병렬 방향으로 연속하는, (5) 또는 (6)에 기재된 배선 회로 기판을 포함한다.The present invention (7) is provided with a connecting body for connecting orthogonal direction ends orthogonal to the parallel direction and the thickness direction of the plurality of wiring bodies, the connecting body continues to the orthogonal direction end of the wiring portion, , A terminal portion included in the conductor pattern and a connection metal portion included in the metal support layer that is continuous with an end portion of the metal support portion in an orthogonal direction, wherein the connection metal portion includes a plurality of the terminal portions when projected in a thickness direction. It includes the wiring circuit board described in (5) or (6) which continues in the parallel direction so as to include.
배선 회로 기판에서는, 연결 금속부는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 복수의 단자부를 포함하도록 단측 방향으로 연속하므로, 복수의 단자부를 확실히 지지할 수 있다.In the wiring circuit board, when projected in the thickness direction, the connecting metal portion is continuous in the unilateral direction so as to include a plurality of terminal portions, so that the plurality of terminal portions can be supported reliably.
본 발명 (8)은, 절연판과, 두께 방향에 있어서의 상기 절연판의 적어도 한쪽면에 배치되는 도체판을 구비하는 다층 기재를 준비하는 공정과, 상기 도체판을 서브트랙티브법으로 도체 패턴으로 형성하는 공정과, 23℃에 있어서의 인장 강도가 100MPa 이상이며, 열전도율이 30W/m·K 이상인 금속판 또는 상기 금속판으로 형성되는 금속 지지층과, 상기 절연판을, 접착제 시트 또는 상기 접착제 시트로 형성되는 접착제층을 개재시켜 접착하는 공정과, 상기 금속판을 패터닝하여 상기 금속 지지층을 형성하는 공정과, 상기 접착제 시트를 패터닝하여 상기 접착제층을 형성하는 공정과, 상기 절연판을 패터닝하여 절연층을 형성하는 공정을 구비하는, 배선 회로 기판의 제조 방법을 포함한다.The present invention (8) includes the steps of preparing a multilayer substrate including an insulating plate and a conductor plate disposed on at least one side of the insulating plate in the thickness direction, and forming the conductor pattern into a conductor pattern by a subtractive method. step, a metal plate having a tensile strength at 23°C of 100 MPa or more and a thermal conductivity of 30 W/m K or more, or a metal support layer formed from the metal plate, and an adhesive layer formed of the insulating plate from an adhesive sheet or the adhesive sheet. A step of adhering via, a step of patterning the metal plate to form the metal support layer, a step of patterning the adhesive sheet to form the adhesive layer, and a step of patterning the insulating plate to form the insulating layer. Including the manufacturing method of the wiring circuit board which does.
본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 배선 회로 기판은, 금속 지지층과 절연층 사이의 밀착력이 높고, 강성 및 방열성이 우수하다.The wiring circuit board obtained by the manufacturing method of the present invention has high adhesion between the metal support layer and the insulating layer, and is excellent in rigidity and heat dissipation.
도 1은, 본 발명의 배선 회로 기판의 제 1 실시형태의 평면도이다.
도 2의 (A) 및 도 2의 (B)는, 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 단면도이다. 도 2의 (A)는, 도 1의 A-A 단면도이다. 도 2의 (B)는, 도 1의 B-B 단면도이다.
도 3의 (A) 내지 도 3의 (H)는, 도 2의 (B)에 나타내는 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도이다. 도 3의 (A) 내지 도 3의 (E)는, 제 1 공정이다. 도 3의 (A)는, 2층 기재를 준비하는 공정이다. 도 3의 (B)는, 에칭 레지스트를 형성하는 공정이다. 도 3의 (C)는, 도체판을 에칭하는 공정이다. 도 3의 (D)는, 에칭 레지스트를 제거하는 공정이다. 도 3의 (E)는, 커버 절연층을 형성하는 공정이다. 도 3의 (F)는, 제 2 공정이다. 도 3의 (G)는, 제 3 공정이다. 도 3의 (H)는, 제 4 공정이다.
도 4의 (A) 내지 도 4의 (D)는, 제 2 실시형태의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도이다. 도 4의 (A)는, 금속 지지층을 준비하는 공정이다. 도 4의 (B)는, 접착제 시트를 금속 지지층에 배치하는 공정이다. 도 4의 (C)는, 제 2 공정이다. 도 4의 (D)는, 제 4 공정이다.
도 5의 (A) 내지 도 5의 (D)는, 제 3 실시형태의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정이다. 도 5의 (A)는, 접착제층을 준비하는 공정이다. 도 5의 (B)는, 접착제층을 금속 지지층에 배치하는 공정이다. 도 5의 (C)는, 제 2 공정이다. 도 5의 (D)는, 제 4 공정이다.
도 6의 (A) 및 도 6의 (B)는, 제 4 실시형태의 배선 회로 기판을 나타낸다. 도 6의 (A)는, 제 1 연결체의 단면도이다. 도 6의 (B)는, 배선체의 단면도이다.
도 7은, 도 6의 (B)에 나타내는 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도이다. 도 7의 (A) 내지 도 7의 (E)는, 제 1 공정이다. 도 7의 (A)는, 3층 기재를 준비하는 공정이다. 도 7의 (B)는, 에칭 레지스트 및 제 2 에칭 레지스트를 형성하는 공정이다. 도 7의 (C)는, 도체판 및 제 2 도체판을 에칭하는 공정이다. 도 7의 (D)는, 에칭 레지스트 및 제 2 에칭 레지스트를 제거하는 공정이다. 도 7의 (E)는, 커버 절연층을 형성하는 공정이다. 도 7의 (F)는, 제 2 공정이다. 도 7의 (G)는, 제 3 공정이다. 도 7의 (H)는, 제 4 공정이다.
도 8은, 제 4 실시형태의 변형예의 단면도이다.1 is a plan view of a first embodiment of a wiring circuit board of the present invention.
2(A) and 2(B) are sectional views of the wiring circuit board shown in FIG. 1 . Fig. 2(A) is an AA sectional view of Fig. 1 . Fig. 2(B) is a BB cross-sectional view of Fig. 1 .
3(A) to 3(H) are process diagrams of the manufacturing method of the wiring circuit board shown in FIG. 2(B). 3(A) to 3(E) are the first steps. 3(A) is a step of preparing a two-layer substrate. 3(B) is a step of forming an etching resist. 3(C) is a step of etching the conductor plate. 3(D) is a step of removing the etching resist. 3(E) is a step of forming a cover insulating layer. 3(F) is the second step. 3(G) is a third step. 3(H) is a fourth step.
4(A) to 4(D) are process diagrams of the manufacturing method of the wiring circuit board according to the second embodiment. 4(A) is a step of preparing a metal support layer. Fig. 4(B) is a step of arranging the adhesive sheet on the metal support layer. 4(C) is the second step. 4(D) is a fourth step.
5(A) to 5(D) are steps of a method for manufacturing a wiring circuit board according to a third embodiment. 5(A) is a step of preparing an adhesive layer. 5(B) is a step of arranging the adhesive layer on the metal support layer. 5(C) is the second step. 5(D) is a fourth step.
6(A) and 6(B) show a wiring circuit board according to a fourth embodiment. Fig. 6(A) is a cross-sectional view of the first coupling body. Fig. 6(B) is a cross-sectional view of the wiring body.
Fig. 7 is a process chart of the manufacturing method of the wiring circuit board shown in Fig. 6(B). 7(A) to 7(E) are the first steps. 7(A) is a step of preparing a three-layer substrate. 7(B) is a step of forming an etching resist and a second etching resist. 7(C) is a step of etching the conductor plate and the second conductor plate. 7(D) is a step of removing the etching resist and the second etching resist. 7(E) is a step of forming a cover insulating layer. 7(F) is the second step. 7(G) is a third step. 7(H) is a fourth step.
8 is a cross-sectional view of a modified example of the fourth embodiment.
<배선 회로 기판의 제 1 실시형태><First Embodiment of Wiring Circuit Board>
본 발명의 배선 회로 기판의 제 1 실시형태를, 도 1 내지 도 2의 (B)를 참조해서, 설명한다.A first embodiment of the wiring circuit board of the present invention will be described with reference to Figs. 1 to 2(B).
<배선 회로 기판(1)의 전체 구성><Overall Configuration of
도 2의 (A) 및 도 2의 (B)에 나타내는 바와 같이, 배선 회로 기판(1)은, 두께 방향의 한쪽면 및 다른쪽면을 갖는다. 배선 회로 기판(1)은, 대략 판 형상을 갖는다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 배선 회로 기판(1)은, 장측 방향으로 연장된다. 장측 방향은, 두께 방향에 직교한다. 배선 회로 기판(1)은, 연결체의 일례로서의 제 1 연결체(2A)와, 연결체의 일례로서의 제 2 연결체(2B)와, 배선체(3)를 일체적으로 구비한다. 바람직하게는, 배선 회로 기판(1)은, 제 1 연결체(2A)와, 제 2 연결체(2B)와, 배선체(3)만을 구비한다.As shown in FIG. 2(A) and FIG. 2(B), the
제 1 연결체(2A)는, 배선 회로 기판(1)의 장측 방향의 일단부를 형성한다. 제 1 연결체(2A)는, 평면시 대략 직사각형 평판 형상을 갖는다. 제 1 연결체(2A)의 평면시에 있어서의 치수는, 특별히 한정되지 않는다.The
제 2 연결체(2B)는, 배선 회로 기판(1)의 장측 방향의 타단부를 형성한다. 제 2 연결체(2B)는, 제 1 연결체(2A)에 대해서, 장측 방향의 다른쪽측에 배선체(3)를 사이에 두고 대향 배치되어 있다.The second
제 2 연결체(2B)는, 평면시 대략 직사각형 평판 형상을 갖는다. 제 2 연결체(2B)의 평면시에 있어서의 치수는, 특별히 한정되지 않는다.The
배선체(3)는, 배선 회로 기판(1)의 장측 방향 중간부를 형성한다. 배선체(3)는, 평면시에 있어서, 제 1 연결체(2A) 및 제 2 연결체(2B) 사이에 배치되어 있다. 배선체(3)는, 장측 방향으로 연장되는 형상을 갖는다. 배선체(3)는, 제 1 연결체(2A) 및 제 2 연결체(2B)를 장측 방향으로 가교하고 있다. 또한, 배선체(3)는, 배선 회로 기판(1)의 단측 방향에 있어서 서로 간격을 두고 복수 병렬 배치되어 있다. 단측 방향은, 장측 방향 및 두께 방향에 직교한다. 또한, 단측 방향은, 배선체(3)의 병렬 방향의 일례이다. 인접하는 배선체(3) 사이에는, 개구부(4)가 형성되어 있다.The
개구부(4)는, 예를 들면, 배선 회로 기판(1)의 단측 방향으로 서로 이웃하는 배선체(3)를 사이에 두고 있다. 개구부(4)는, 장측 방향으로 연장되는 슬릿 형상을 갖는다. 개구부(4)는, 배선 회로 기판(1)을 두께 방향으로 관통한다.The
복수의 배선체(3)의 장측 방향의 일단부는, 1개의 제 1 연결체(2A)에 의해 단측 방향에 연결되어 있다. 이에 의해, 복수의 배선체(3)의 장측 방향의 일단부는, 1개의 제 1 연결체(2A)에 의해 묶여 있다.One end of the long-side direction of the plurality of
복수의 배선체(3)의 장측 방향의 타단부는, 1개의 제 2 연결체(2B)에 의해 단측 방향에 연결되어 있다. 이에 의해, 복수의 배선체(3)의 장측 방향의 타단부는, 1개의 제 2 연결체(2B)에 의해 묶여 있다.The other ends of the long-side direction of the plurality of
배선체(3)의 장측 방향 길이는, 용도 및 목적에 따라서, 적절히 설정된다.The length of the
복수의 배선체(3)의 각각의 단측 방향 길이는, 예를 들면, 500μm 이하, 바람직하게는 300μm 이하, 보다 바람직하게는 100μm 이하이고, 또한, 예를 들면, 10μm 이상이다. 개구부(4)의 단측 방향 길이는, 예를 들면, 10μm 이상, 바람직하게는 50μm 이상, 보다 바람직하게는 100μm 이상이고, 또한, 예를 들면, 1000μm 이하이다. 개구부(4)의 단측 방향 길이에 대한 배선체(3)의 단측 방향 길이의 비는, 예를 들면, 40 이하, 바람직하게는 10 이하이고, 또한, 예를 들면, 0.1 이상, 바람직하게는 0.5 이상이다.The length of each of the plurality of
배선체(3)의 두께는, 예를 들면, 10μm 이상, 바람직하게는 100μm 이상이고, 또한, 예를 들면, 10mm 이하, 바람직하게는 1mm 이하이다. 배선 회로 기판(1)의 두께는, 상기한 배선체(3)의 두께와 동일하다.The thickness of the
<배선 회로 기판(1)의 층 구성><Layer Configuration of
도 2의 (A) 및 도 2의 (B)에 나타내는 바와 같이, 배선 회로 기판(1)은, 금속 지지층(5)과, 접착제층(6)과, 절연층의 일례로서의 베이스 절연층(7)과, 도체 패턴(8)을 구비한다. 배선 회로 기판(1)은, 커버 절연층(9)(도 2의 (B) 참조)과, 도전 부재(10)(도 2의 (A) 참조)를 추가로 구비한다.As shown in FIG. 2(A) and FIG. 2(B), the
배선 회로 기판(1)은, 바람직하게는, 금속 지지층(5)과, 접착제층(6)과, 베이스 절연층(7)과, 도체 패턴(8)과, 커버 절연층(9)과, 도전 부재(10)만을 구비한다.The
<금속 지지층(5)><Metal support layer (5)>
금속 지지층(5)은, 배선 회로 기판(1)의 두께 방향의 다른쪽면을 형성한다. 도 1 내지 도 2의 (B)에 나타내는 바와 같이, 금속 지지층(5)은, 제 1 연결체(2A), 제 2 연결체(2B) 및 배선체(3)에 포함된다. 금속 지지층(5)에 있어서, 제 1 연결체(2A)를 형성하는 부분이, 연결 금속부의 일례로서의 제 1 연결 금속부(51A)(도 2의 (A) 참조)이다. 금속 지지층(5)에 있어서, 제 2 연결체(2B)를 형성하는 부분이, 연결 금속부의 일례로서의 제 2 연결 금속부(51B)(도 1 참조)이다.The
금속 지지층(5)에 있어서, 배선체(3)를 형성하는 부분이, 지지부의 일례로서의 배선체 금속부(52)(도 2의 (B) 참조)이다.In the
제 1 연결 금속부(51A)는, 평면시에 있어서, 후술하는 제 1 단자부(81A)를 포함하도록, 단측 방향으로 연속하는 대략 평판 형상을 갖는다.51 A of 1st connection metal parts have a substantially flat plate shape continuous in the unilateral direction so that it may include the 1st
제 2 연결 금속부(51B)는, 평면시에 있어서, 후술하는 제 2 단자부(81B)를 포함하도록, 단측 방향으로 연속하는 대략 평판 형상을 갖는다.The second
도 2의 (B)에 나타내는 바와 같이, 배선체 금속부(52)는, 두께 방향 및 단측 방향을 따라 절단한 절단면(단면시와 동일한 의미)에 있어서, 두께 방향으로 긴 대략 직사각 형상을 갖는다.As shown in FIG. 2(B) , the wiring
배선체 금속부(52)는, 금속 내측면(53)을 구비한다. 금속 내측면(53)은, 개구부(4)에 임한다. 하나의 배선체 금속부(52)에 있어서의 금속 내측면(53)은, 하나의 배선체 금속부(52)와 단측 방향에 인접하는 다른 배선체 금속부(52)에 면한다. 개구부(4)를 사이에 두고 대향하는(면하는) 2개의 금속 내측면(53)은, 평행하다. 본 실시형태에서는, 금속 내측면(53)은, 평탄면이다. 한편, 금속 내측면(53)의 면적 S0은, 배선체 금속부(52)가 단면시 대략 직사각 형상이기 때문에, 금속 내측면(53)을 단측 방향으로 투영했을 때의 투영 면적 S1과 동일하다. 금속 내측면(53)의 면적 S0은, 다음에 설명하는 금속 지지층(5)의 두께 T를, 장측 방향 길이로 곱한 값이다.The wiring
금속 지지층(5)의 두께 T는, 예를 들면, 30μm 이상, 바람직하게는 50μm 이상, 바람직하게는 75μm 이상, 보다 바람직하게는 100μm 이상이다. 또한, 금속 지지층(5)의 두께 T는, 예를 들면, 1000μm 이하, 바람직하게는 500μm 이하이다.The thickness T of the
배선체 금속부(52)의 단측 방향 길이 W는, 상기한 배선체(3)의 단측 방향 길이로 예시한 범위로부터 적절히 선택된다. 구체적으로는, 배선체(3)의 단측 방향 길이 W는, 예를 들면, 500μm 이하, 바람직하게는 300μm 이하, 보다 바람직하게는 100μm 이하이고, 또한, 예를 들면, 10μm 이상이다.The short side direction length W of the wiring
또한, 배선체 금속부(52)의 단측 방향 길이 W에 대한 배선체 금속부(52)의 두께 T의 비(T/W)는, 예를 들면, 1.5 이상, 바람직하게는 2 이상, 보다 바람직하게는 2.5 이상, 더 바람직하게는 3 이상, 특히 바람직하게는 3.5 이상이고, 또한, 예를 들면, 1000 이하, 나아가서는 100 이하이다. 한편, 비(T/W)는, 배선체 금속부(52)를 두께 방향 및 단측 방향을 따라 절단한 절단면에 있어서의 어스펙트비에 상당한다.Further, the ratio (T/W) of the thickness T of the wiring
어스펙트비(T/W)가 상기한 하한 이상이면, 배선체(3)에 있어서의 주 배선부(83)(후술)에서 생기는 열을, 개구부(4)에 있어서의 공기를 이용하여, 효율적으로 방출할 수 있다.If the aspect ratio (T/W) is equal to or greater than the lower limit described above, heat generated in the main wiring portion 83 (described later) in the
한편, 제 1 연결체(2A) 및 제 2 연결체(2B)의 각각의 두께는, 예를 들면, 배선체 금속부(52)의 두께 T와 동일하다.On the other hand, each thickness of the
금속 지지층(5)의 재료는, 금속이다. 금속으로서는, 주기율표(IUPAC, 2018)에서, 제1족∼제16족으로 분류되어 있는 금속 원소, 및 이들 금속 원소를 2종류 이상 포함하는 합금을 들 수 있다. 한편, 금속은, 전이 금속 및 전형 금속 중 어느 것이어도 된다. 보다 구체적으로는, 금속으로서는, 제2족 금속 원소, 제4족 금속 원소, 제5족 금속 원소, 제6족 금속 원소, 제7족 금속 원소, 제8족 금속 원소, 제9족 금속 원소, 제10족 금속 원소, 제11족 금속 원소, 제12족 금속 원소, 제13족 금속 원소, 및 제14족 금속 원소를 들 수 있다. 제2족 금속 원소로서는, 예를 들면, 칼슘을 들 수 있다. 제4족 금속 원소로서는, 예를 들면, 타이타늄 및 지르코늄을 들 수 있다. 제5족 금속 원소로서는, 예를 들면, 바나듐을 들 수 있다. 제6족 금속 원소로서는, 예를 들면, 크로뮴, 몰리브데넘 및 텅스텐을 들 수 있다. 제7족 금속 원소로서는, 예를 들면, 망가니즈를 들 수 있다. 제8족 금속 원소로서는, 예를 들면, 철을 들 수 있다. 제9족 금속 원소로서는, 예를 들면, 코발트를 들 수 있다. 제10족 금속 원소로서는, 예를 들면, 니켈 및 백금을 들 수 있다. 제11족 금속 원소로서는, 예를 들면, 구리, 은 및 금을 들 수 있다. 제12족 금속 원소로서는, 예를 들면, 아연을 들 수 있다. 제13족 금속 원소로서는, 예를 들면, 알루미늄 및 갈륨을 들 수 있다. 제14족 금속 원소로서는, 예를 들면, 저마늄 및 주석을 들 수 있다. 이들은, 단독 사용하거나 또는 병용할 수 있다. 금속으로서는, 다음에 설명하는 높은 열전도율을 얻는 관점에서, 바람직하게는, 제11족 금속 원소 를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 구리, 및 구리 합금을 들 수 있다.The material of the
금속 지지층(5)의 열전도율은, 30W/m·K 이상이다. 배선 회로 기판(1)에서는, 금속 지지층(5)의 열전도율은, 30W/m·K 이상이므로, 금속 지지층(5)과 도체 패턴(8) 사이에 접착제층(6)이 개재하더라도, 도체 패턴(8)에서 발생하는 열을 금속 지지층(5)이 효율적으로 방열할 수 있다.The thermal conductivity of the
금속 지지층(5)의 열전도율은, 바람직하게는 35W/m·K 이상, 보다 바람직하게는 40W/m·K 이상, 더 바람직하게는 45W/m·K 이상, 특히 바람직하게는 50W/m·K 이상이다. 금속 지지층(5)의 열전도율이 상기한 하한 이상이면, 상기한 열을 금속 지지층(5)이 효율적으로 방열할 수 있다.The thermal conductivity of the
금속 지지층(5)의 열전도율의 상한은, 한정되지 않는다. 금속 지지층(5)의 열전도율의 상한은, 예를 들면, 350W/m·K이고, 또한 예를 들면, 100W/m·K이다.The upper limit of the thermal conductivity of the
금속 지지층(5)의 열전도율은, JIS H 7903:2008(유효 열전도율 측정법)에 의해 구해진다.The thermal conductivity of the
금속 지지층(5)의 23℃에 있어서의 인장 강도는, 100MPa 이상이다. 금속 지지층(5)의 23℃에 있어서의 인장 강도가 100MPa 이상이므로, 배선 회로 기판(1)은, 강성이 우수하다.The tensile strength at 23 degreeC of the
금속 지지층(5)의 23℃에 있어서의 인장 강도는, 바람직하게는 150MPa 이상, 보다 바람직하게는 200MPa 이상, 더 바람직하게는 500MPa 이상, 특히 바람직하게는 1,000MPa 이상이다. 금속 지지층(5)의 23℃에 있어서의 인장 강도가 상기한 하한 이상이면, 배선 회로 기판(1)은, 강성이 우수하다.The tensile strength of the
금속 지지층(5)의 23℃에 있어서의 인장 강도의 하한은, 한정되지 않는다. 금속 지지층(5)의 23℃에 있어서의 인장 강도의 하한은, 예를 들면, 1MPa, 나아가서는 10MPa이다.The lower limit of the tensile strength of the
금속 지지층(5)의 23℃에 있어서의 인장 강도는, JIS Z 2241:2011에 의해 구해진다.The tensile strength of the
<접착제층(6)><Adhesive layer (6)>
접착제층(6)은, 두께 방향에 있어서의 금속 지지층(5)의 한쪽면에 배치되어 있다. 접착제층(6)은, 두께 방향에 있어서의 금속 지지층(5)의 한쪽면에 접촉한다. 접착제층(6)은, 시트 형상을 갖는다. 접착제층(6)은, 제 1 연결체(2A), 제 2 연결체(2B) 및 배선체(3)에 대응하는 외형 형상을 갖는다. 접착제층(6)에 있어서, 제 1 연결체(2A)에 포함되는 부분이, 제 1 연결 접착부(61A)(도 2의 (A) 참조)이다. 접착제층(6)에 있어서, 제 2 연결체(2B)에 포함되는 부분이, 제 2 연결 접착부(61B)(도 1 참조)이다. 접착제층(6)에 있어서, 배선체(3)에 포함되는 부분이, 접착부의 일례로서의 배선체 접착부(62)(도 2의 (B) 참조)이다.The
제 1 연결 접착부(61A)는, 두께 방향에 있어서의 제 1 연결 금속부(51A)의 한쪽면에 배치되어 있다. 제 1 연결 접착부(61A)는, 두께 방향에 있어서의 제 1 연결 금속부(51A)의 한쪽면에 접촉한다. 제 1 연결 접착부(61A)는, 예를 들면, 두께 방향으로 투영했을 때에, 제 1 연결 금속부(51A)보다 크다. 구체적으로는, 제 1 연결 접착부(61A)의 폭 방향 양측 부분은, 제 1 연결 금속부(51A)에 대해서, 폭 방향 양측을 향해 돌출되어 있다. 제 1 연결 접착부(61A)는, 접착 관통 구멍(63)을 갖는다. 접착 관통 구멍(63)의 평면시에 있어서의 형상은 한정되지 않는다. 접착 관통 구멍(63)은, 제 1 연결 접착부(61A)를 두께 방향으로 관통한다.The first connecting
제 2 연결 접착부(61B)는, 두께 방향에 있어서의 제 2 연결 금속부(51B)의 한쪽면에 배치되어 있다. 제 2 연결 접착부(61B)는, 두께 방향에 있어서의 제 2 연결 금속부(51B)의 한쪽면에 접촉한다. 제 2 연결 접착부(61B)는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 제 2 연결 금속부(51B)보다 크다. 구체적으로는, 제 2 연결 접착부(61B)의 폭 방향 양측 부분은, 제 2 연결 금속부(51B)에 대해서, 폭 방향 양측을 향해 돌출되어 있다.The second
배선체 접착부(62)는, 두께 방향에 있어서의 배선체 금속부(52)의 한쪽면에 배치되어 있다. 배선체 접착부(62)는, 예를 들면, 두께 방향으로 투영했을 때에, 배선체 금속부(52)보다 크다.The wiring
접착제층(6)의 재료로서는, 접착제 조성물을 들 수 있다. 접착제 조성물로서는, 예를 들면, 경화성 접착제 조성물, 및 열가소성 접착제 조성물을 들 수 있다. 접착제 조성물의 종류는, 한정되지 않는다. 한편, 접착제 조성물이 경화성 접착제 조성물이면, 접착제층(6)은, 경화성 접착제 조성물의 경화체로 이루어진다. 접착제 조성물로서는, 예를 들면, 에폭시 접착제 조성물, 실리콘 접착제 조성물, 유레테인 접착제 조성물, 및 아크릴 접착제 조성물을 들 수 있다.As a material of the
본 실시형태에서는, 접착제층(6)은, 절연성이다. 바꾸어 말하면, 접착제층은, 비도전성이다. 즉, 접착제층(6)은, 절연 영역만을 구비한다. 구체적으로는, 접착제층(6)(절연 영역)의 체적 저항률은, 예를 들면, 1×105Ωcm 이상, 바람직하게는 1×106Ωcm 이상, 보다 바람직하게는 1×107Ωcm 이상이고, 또한, 예를 들면, 1×1018Ωcm 이하이다. 체적 저항률은, JIS C 2139-3-1에 의해 구해진다.In this embodiment, the
접착제층(6)의 열전도율은, 비교적 낮고, 예를 들면, 금속 지지층(5)의 열전도율에 비해 낮다. 구체적으로는, 접착제층(6)의 열전도율은, 예를 들면, 1W/m·K 이하, 바람직하게는 0.5W/m·K 이하이고, 또한, 예를 들면, 0.01W/m·K 이상, 바람직하게는 0.001W/m·K 이상이다. 접착제층(6)의 열전도율은, JIS A 1412(열절연재의 열전도율 측정법)에 의해 구해진다.The thermal conductivity of the
접착제층(6)의 선팽창 계수는, 비교적 높다. 접착제층(6)의 선팽창 계수는, 예를 들면, 10ppm/℃ 이상, 나아가서는 20ppm/℃ 이상, 나아가서는 30ppm/℃ 이상이고, 또한, 예를 들면, 100ppm/℃ 이하이다. 접착제층(6)의 선팽창 계수는, JIS K 7197:2012에 의해 구해진다.The coefficient of linear expansion of the
접착제층(6)의 두께는, 예를 들면, 1μm 이상, 바람직하게는 10μm 이상이고, 또한, 예를 들면, 10,000μm 이하, 바람직하게는 1,000μm 이하이다.The thickness of the
접착 관통 구멍(63)의 개구 면적은, 예를 들면, 10μm2 이상, 바람직하게는 100μm2 이상이고, 또한, 예를 들면, 1,000mm2 이하, 바람직하게는 100mm2 이하이다.The opening area of the bonding through
<베이스 절연층(7)><
베이스 절연층(7)은, 두께 방향에 있어서의 접착제층(6)의 한쪽면에 배치되어 있다. 구체적으로는, 베이스 절연층(7)은, 두께 방향에 있어서의 접착제층(6)의 한쪽면의 전부에 접촉한다. 베이스 절연층(7)은, 제 1 연결체(2A), 제 2 연결체(2B) 및 배선체(3)에 대응하는 외형 형상을 갖는다. 베이스 절연층(7)은, 접착제층(6)과 동일한 외형 형상을 갖는다. 베이스 절연층(7)에 있어서, 제 1 연결체(2A)에 포함되는 부분이, 제 1 연결 베이스부(71A)(도 2의 (A) 참조)이다. 베이스 절연층(7)에 있어서, 제 2 연결체(2B)에 포함되는 부분이, 제 2 연결 베이스부(71B)(도 1 참조)이다. 베이스 절연층(7)에 있어서, 배선체(3)에 포함되는 부분이, 절연부의 일례로서의 배선체 베이스부(72)(도 2의 (B) 참조)이다.The
제 1 연결 베이스부(71A)는, 두께 방향에 있어서의 제 1 연결 접착부(61A)의 한쪽면에 배치되어 있다. 제 1 연결 베이스부(71A)는, 두께 방향에 있어서의 제 1 연결 접착부(61A)의 한쪽면에 접촉한다. 구체적으로는, 제 1 연결 베이스부(71A)는, 두께 방향에 있어서의 제 1 연결 접착부(61A)의 한쪽면에 접착하고 있다. 제 1 연결 베이스부(71A)는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 제 1 연결 접착부(61A)와 동일한 외형 형상을 갖는다. 제 1 연결 베이스부(71A)는, 절연 관통 구멍으로서의 절연 관통 구멍(73)을 갖는다.The first connecting
절연 관통 구멍(73)의 평면시에 있어서의 형상은 한정되지 않는다. 절연 관통 구멍(73)은, 제 1 연결 베이스부(71A)를 두께 방향으로 관통한다. 절연 관통 구멍(73)은, 두께 방향으로 투영했을 때에, 접착 관통 구멍(63)과 중첩된다. 절연 관통 구멍(73)은, 평면시에 있어서 접착 관통 구멍(63)과 동일 형상을 갖는다. 절연 관통 구멍(73)을 구획하는 내주면과, 접착 관통 구멍(63)을 구획하는 내주면은, 두께 방향에 있어서 면일하다.The shape of the insulating through
제 2 연결 베이스부(71B)는, 두께 방향에 있어서의 제 2 연결 접착부(61B)의 한쪽면에 배치되어 있다. 제 2 연결 베이스부(71B)는, 두께 방향에 있어서의 제 2 연결 접착부(61B)의 한쪽면에 접촉한다. 구체적으로는, 제 2 연결 베이스부(71B)는, 두께 방향에 있어서의 제 2 연결 접착부(61B)의 한쪽면에 접착하고 있다.The second
배선체 베이스부(72)는, 두께 방향에 있어서의 배선체 접착부(62)의 한쪽면에 배치되어 있다. 배선체 베이스부(72)는, 두께 방향에 있어서의 배선체 접착부(62)의 한쪽면에 접촉한다. 배선체 베이스부(72)는, 두께 방향에 있어서의 배선체 접착부(62)의 한쪽면에 접착하고 있다.The wiring
베이스 절연층(7)의 두께는, 예를 들면, 1μm 이상, 바람직하게는 5μm 이상이고, 또한, 예를 들면, 100μm 이하, 바람직하게는 50μm 이하이다.The thickness of the
베이스 절연층(7)의 재료로서는, 예를 들면, 절연성 수지를 들 수 있다. 절연성 수지로서는, 예를 들면, 폴리이미드, 말레이미드, 에폭시 수지, 폴리벤즈옥사졸, 및 폴리에스터를 들 수 있다.As a material of the
한편, 베이스 절연층(7)의 열전도율은, 금속 지지층(5)의 열전도율에 비해 낮다. 베이스 절연층(7)의 열전도율은, 예를 들면, 1W/m·K 이하, 나아가서는 0.5W/m·K 이하이고, 또한, 예를 들면, 0.01W/m·K 이상, 바람직하게는 0.1W/m·K 이상이다. 베이스 절연층(7)의 열전도율은, JIS A 1412(열절연재의 열전도율 측정법)에 의해 구해진다.On the other hand, the thermal conductivity of the
<도체 패턴(8)><Conductor pattern (8)>
도체 패턴(8)은, 두께 방향에 있어서의 베이스 절연층(7)의 한쪽면에 배치되어 있다. 구체적으로는, 도체 패턴(8)은, 제 1 연결 베이스부(71A), 제 2 연결 베이스부(71B) 및 배선체 베이스부(72)의 각각의 두께 방향의 한쪽면에 배치되어 있다.The
도체 패턴(8)에 있어서, 제 1 연결체(2A)에 포함되는 부분이 제 1 단자부(81A)(도 2의 (A) 참조) 및 제 1 보조 배선부(82A)(도 1 참조)이다. 도체 패턴(8)에 있어서, 제 2 연결체(2B)에 포함되는 부분이 제 2 단자부(81B) 및 제 2 보조 배선부(82B)(도 1 참조)이다. 도체 패턴(8)에 있어서, 배선체(3)에 포함되는 부분이 배선부의 일례로서의 주배선부(83)이다.In the
제 1 단자부(81A)는, 제 1 연결 베이스부(71A)의 두께 방향의 한쪽면에 배치되어 있다. 제 1 단자부(81A)는, 제 1 연결 베이스부(71A)에 있어서의 장측 방향의 한쪽측 부분에 배치되어 있다. 제 1 단자부(81A)는, 제 1 연결체(2A) 내에 있어서, 복수의 배선체(3)에 대응하여, 배선 회로 기판(1)의 단측 방향으로 간격을 두고 복수 배치되어 있다. 제 1 단자부(81A)는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 제 1 연결 금속부(51A)에 포함된다. 제 1 단자부(81A)는, 예를 들면, 평면시 대략 직사각 형상(사각 랜드 형상)을 갖는다.The first
복수의 제 1 단자부(81A) 중 1개의 제 1 단자부(81A)는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 접착 관통 구멍(63) 및 절연 관통 구멍(73)을 포함한다. 복수의 제 1 단자부(81A) 중 1개의 제 1 단자부(81A)의 두께 방향의 다른쪽면의 일부는, 도전 부재(10)에 접촉한다.Among the plurality of first
제 1 보조 배선부(82A)는, 제 1 연결 베이스부(71A)의 두께 방향의 한쪽면에 배치되어 있다. 제 1 보조 배선부(82A)는, 복수의 배선체(3)와, 그들에 대응하는 복수의 제 1 단자부(81A)의 각각에 대응하여 복수 배치되어 있다. 제 1 보조 배선부(82A)는, 제 1 단자부(81A)에 연속한다. 제 1 보조 배선부(82A)는, 제 1 단자부(81A)의 장측 방향의 타단연(端緣)으로부터 장측 방향의 다른쪽측을 향해 연장된다. 제 1 보조 배선부(82A)는, 평면시 대략 직선 형상을 갖는다.The first
제 2 단자부(81B)는, 제 2 연결 베이스부(71B)의 두께 방향의 한쪽면에 배치되어 있다. 제 2 단자부(81B)는, 제 2 연결 베이스부(71B)에 있어서의 장측 방향의 다른쪽측 부분에 배치되어 있다. 제 2 단자부(81B)는, 제 2 연결체(2B) 내에 있어서, 복수의 배선체(3)에 대응하여, 배선 회로 기판(1)의 단측 방향으로 간격을 두고 복수 배치되어 있다. 제 2 단자부(81B)는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 제 2 연결 금속부(51B)에 포함된다. 제 2 단자부(81B)는, 평면시 대략 직사각 형상(사각 랜드 형상)을 갖는다.The second
제 2 보조 배선부(82B)는, 제 2 연결 베이스부(71B)의 두께 방향의 한쪽면에 배치되어 있다. 제 2 보조 배선부(82B)는, 복수의 배선체(3)와, 그들에 대응하는 복수의 제 2 단자부(81B)의 각각에 대응하여 복수 배치되어 있다. 제 2 보조 배선부(82B)는, 제 2 단자부(81B)에 연속한다. 제 2 보조 배선부(82B)는, 제 2 단자부(81B)의 장측 방향의 일단연으로부터 장측 방향의 한쪽측을 향해 연장된다. 제 2 보조 배선부(82B)는, 평면시 대략 직선 형상을 갖는다.The second
주배선부(83)는, 배선체 베이스부(72)의 두께 방향의 한쪽면에 배치되어 있다. 구체적으로는, 복수의 주배선부(83)의 각각은, 복수의 배선체 베이스부(72)의 각각의 단측 방향 대략 중앙부에 배치되어 있다. 주배선부(83)는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 배선체 베이스부(72)에 포함되어 있다.The
주배선부(83)는, 배선체 베이스부(72)(또는, 배선체 금속부(52), 또는, 배선체 접착부(62))와 1 대 1 대응으로 마련되어 있다. 주배선부(83)는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 배선체 베이스부(72)의 폭 방향 양 단연보다 내측에 배치되어 있다.The
또한, 주배선부(83)의 장측 방향의 일단연은, 제 1 보조 배선부(82A)의 장측 방향의 타단연에 연속하고 있다. 주배선부(83)의 장측 방향의 타단연은, 제 2 보조 배선부(82B)의 장측 방향의 일단연에 연속하고 있다. 이에 의해, 주배선부(83)는, 제 1 보조 배선부(82A) 및 제 2 보조 배선부(82B)와 함께, 장측 방향으로 연장되는 평면시 대략 직선 형상을 형성하고, 제 1 단자부(81A) 및 제 2 단자부(81B)를 장측 방향으로 접속한다.In addition, one end edge of the
주배선부(83)의 단측 방향 길이는, 예를 들면, 제 1 보조 배선부(82A) 및 제 2 보조 배선부(82B)의 단측 방향 길이와 동일하다.The short-side length of the
도체 패턴(8)의 재료로서는, 도체를 들 수 있다. 도체로서는, 예를 들면, 구리, 은, 금, 철, 알루미늄, 크로뮴, 및 그들의 합금을 들 수 있다. 바람직하게는, 양호한 전기 특성을 얻는 관점에서, 구리를 들 수 있다.As a material of the
도체 패턴(8)의 두께는, 예를 들면, 1μm 이상, 바람직하게는 5μm 이상이고, 또한, 예를 들면, 50μm 이하, 바람직하게는 30μm 이하이다.The thickness of the
또한, 주배선부(83)의 단측 방향 길이는, 예를 들면, 200μm 이하, 바람직하게는 100μm 이하이고, 또한, 예를 들면, 1μm 이상, 바람직하게는 5μm 이상이다.Further, the length of the
<커버 절연층(9)><Cover insulation layer (9)>
도 2의 (B)에 나타내는 바와 같이, 커버 절연층(9)은, 베이스 절연층(7)의 두께 방향의 한쪽면에 배치된다. 커버 절연층(9)은, 주배선부(83), 제 1 보조 배선부(82A) 및 제 2 보조 배선부(82B)를 피복한다. 구체적으로는, 커버 절연층(9)은, 주배선부(83), 제 1 보조 배선부(82A) 및 제 2 보조 배선부(82B)의 각각의 두께 방향의 한쪽면 및 외주면을 피복한다. 커버 절연층(9)은, 제 1 단자부(81A) 및 제 2 단자부(81B)를 노출한다.As shown in FIG. 2(B) , the cover insulating layer 9 is disposed on one side of the
커버 절연층(9)의 두께는, 예를 들면, 1μm 이상, 바람직하게는 5μm 이상이고, 또한, 예를 들면, 100μm 이하, 바람직하게는 50μm 이하이다.The cover insulating layer 9 has a thickness of, for example, 1 μm or more, preferably 5 μm or more, and, for example, 100 μm or less, preferably 50 μm or less.
커버 절연층(9)의 재료로서는, 예를 들면, 절연성 수지를 들 수 있다. 절연성 수지로서는, 예를 들면, 폴리이미드, 말레이미드, 에폭시 수지, 폴리벤즈옥사졸, 및 폴리에스터를 들 수 있다. 또한, 절연성 수지는, 솔더 레지스트를 포함한다.As a material of the cover insulating layer 9, insulating resin is mentioned, for example. Examples of the insulating resin include polyimide, maleimide, epoxy resin, polybenzoxazole, and polyester. Moreover, insulating resin contains a soldering resist.
상기한 금속 지지층(5)과, 접착제층(6)과, 베이스 절연층(7)과, 커버 절연층(9)은, 개구부(4)를 공통적으로 갖는다.The
<도전 부재(10)><Conductive Member (10)>
도 2의 (A)에 나타내는 바와 같이, 도전 부재(10)는, 접착 관통 구멍(63) 내 및 절연 관통 구멍(73) 내에 배치되어 있다. 도전 부재(10)는, 두께 방향으로 연장된다. 두께 방향에 있어서의 도전 부재(10)의 타단부는, 제 1 연결 금속부(51A)에 접촉한다. 두께 방향에 있어서의 도전 부재(10)의 일단부는, 제 1 단자부(81A)에 접촉한다. 이에 의해, 도전 부재(10)는, 제 1 연결 금속부(51A)와, 제 1 단자부(81A)를 전기적으로 접속한다.As shown in FIG. 2(A) , the
도전 부재(10)의 재료로서는, 예를 들면, 땜납, 이방성 도전성 페이스트(ACP), 및 이방성 도전성 필름(ACF)을 들 수 있다. 도전 부재(10)의 재료로서는, 예를 들면, 상기한 도체도 들 수 있다.As a material of the
본 실시형태에서는, 도전 부재(10)는, 접착성을 갖지 않는다. 바꾸어 말하면, 도전 부재(10)의 재료는, 상기한 접착제 조성물을 포함하지 않는다.In this embodiment, the
<배선 회로 기판(1)의 제조 방법><Method of Manufacturing
다음으로, 배선 회로 기판(1)의 제조 방법을, 도 3의 (A) 내지 도 3의 (H)를 참조해서, 설명한다.Next, the manufacturing method of the
배선 회로 기판(1)의 제조 방법은, 제 1 공정과, 제 2 공정과, 제 3 공정과, 제 4 공정을 구비한다. 이 방법에서는, 제 1 공정과, 제 2 공정과, 제 3 공정과, 제 4 공정이, 순서대로 실시된다.The manufacturing method of the
<제 1 공정><
도 3의 (A) 내지 도 3의 (E)에 나타내는 바와 같이, 제 1 공정에서는, 적층판(91)을 준비한다. 도 3의 (E)에 나타내는 바와 같이, 적층판(91)은, 절연판(75)과, 도체 패턴(8)과, 커버 절연층(9)을 두께 방향의 한쪽측을 향해 순서대로 구비한다.As shown in FIGS. 3(A) to 3(E), in the first step, the
적층판(91)을 준비하기 위해서는, 우선, 도 3의 (A)에 나타내는 바와 같이, 2층 기재(92)를 준비한다. 다층 기재의 일례로서의 2층 기재(92)는, 절연판(75)과, 도체판(85)을 두께 방향의 한쪽측을 향해 순서대로 구비한다. 절연판(75)은, 베이스 절연층(7)을 형성하기 위한 절연재이다.In order to prepare the
적층판(91)에 있어서, 절연판(75)은, 상기한 개구부(4)를 아직 갖지 않는다. 도체판(85)은, 절연판(75)의 두께 방향의 한쪽면에 배치된다. 도체판(85)은, 절연판(75)의 두께 방향의 한쪽면의 전부에 접촉하고 있다. 도체판(85)은, 도체 패턴(8)을 형성하기 위한 도체재이다. 도체판(85)은, 상기한 패턴을 아직 갖지 않는다.In the
계속해서, 도 3의 (B) 내지 도 3의 (E)에 나타내는 바와 같이, 서브트랙티브법에 의해, 도체판(85)을 도체 패턴(8)으로 형성한다.Subsequently, as shown in FIGS. 3(B) to 3(E), the
구체적으로는, 도 3의 (B)에 나타내는 바와 같이, 우선, 에칭 레지스트(90)를 포토리소그래피에 의해 도체판(85)의 두께 방향의 한쪽면에 형성한다. 에칭 레지스트(90)는, 도체 패턴(8)과 동일한 패턴을 갖는다.Specifically, as shown in FIG. 3(B), first, an etching resist 90 is formed on one surface of the
계속해서, 도 3의 (C)에 나타내는 바와 같이, 에칭 레지스트(90)로부터 노출되는 도체판(85)을 에칭에 의해 제거한다. 이에 의해, 도체판(85)으로 도체 패턴(8)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 3(C), the
계속해서, 도 3의 (D)에 나타내는 바와 같이, 에칭 레지스트(90)를 제거한다.Then, as shown in FIG. 3(D), the etching resist 90 is removed.
그 후, 도 3의 (E)에 나타내는 바와 같이, 커버 절연층(9)을, 절연판(75)의 두께 방향의 한쪽면에, 도체 패턴(8)의 일부를 피복하도록, 형성한다. 예를 들면, 절연성 수지를 포함하는 바니시를 절연판(75) 및 도체 패턴(8)에 대해서 도포하고, 그 후, 노광 후 현상하여, 소정의 패턴을 갖는 커버 절연층(9)을 형성한다.After that, as shown in FIG. 3(E), the cover insulating layer 9 is formed on one surface of the insulating
그 후, 절연 관통 구멍(73)(도 2의 (A) 참조)을 절연판(75)에 형성한다.After that, an insulating through hole 73 (see Fig. 2(A)) is formed in the insulating
이에 의해, 적층판(91)을 준비한다.In this way, the
<제 2 공정><Second process>
도 3의 (F)에 나타내는 바와 같이, 제 2 공정에서는, 금속판(55)과, 적층판(91)에 있어서의 절연판(75)을, 접착제 시트(65)를 개재시켜 접착한다.As shown in FIG. 3(F) , in the second step, the
금속판(55)은, 상기한 금속 지지층(5)을 형성하기 위한 금속재이다. 금속판(55)은, 아직 개구부(4)를 갖고 있지 않다. 금속판(55)은, 금속 지지층(5)이 갖는 상기한 열전도율 및 인장 강도의 각각을 갖는다.The
접착제 시트(65)는, 상기한 접착제층(6)을 형성하기 위한 시트이다. 접착제 시트(65)는, 아직 개구부(4)를 갖고 있지 않다.The
제 2 공정에서는, 예를 들면, 우선, 접착제 시트(65)를, 금속판(55)의 두께 방향의 한쪽면, 또는 절연판(75)의 다른쪽면에 배치하고, 계속해서, 금속판(55)과 절연판(75)을, 접착제 시트(65)를 개재시켜 접착한다. 바람직하게는, 우선, 접착제 시트(65)를 금속판(55)의 두께 방향의 한쪽면에 배치하고, 계속해서, 접착제 시트(65)의 두께 방향의 한쪽면과, 절연판(75)의 두께 방향의 다른쪽면을 접촉시킨다.In the second step, for example, first, the
아울러, 제 2 공정에서는, 도전 부재(10)를 접착 관통 구멍(63) 내 및 절연 관통 구멍(73) 내에 배치한다. 구체적으로는, 접착 관통 구멍(63)을 접착제 시트(65)에 형성하고, 도전 부재(10)를, 그 일부가 접착 관통 구멍(63) 내 또는 절연 관통 구멍(73) 내(도 2의 (A) 참조)에 충전되도록, 접착제 시트(65) 또는 절연판(75)에 배치하고, 그 후, 접착제 시트(65)와 절연판(75)을 첩합(貼合)한다.In addition, in the second step, the
<제 3 공정><Third process>
제 3 공정에서는, 도 3의 (G)에 나타내는 바와 같이, 금속판(55)을 외형 가공(패터닝)하여, 금속 지지층(5)을 형성한다. 외형 가공으로서는, 예를 들면, 에칭, 타발(금형 가공), 워터 커터 및 레이저 가공을 들 수 있다. 외형 가공으로서, 바람직하게는, 형성 정밀도의 관점에서, 에칭을 들 수 있다. 이에 의해, 개구부(4)를 갖는 금속 지지층(5)을 형성한다.In the third step, as shown in FIG. 3(G) , the outer shape of the
<제 4 공정><
제 4 공정에서는, 도 3의 (H)에 나타내는 바와 같이, 접착제 시트(65) 및 절연판(75)의 각각을 외형 가공하여, 접착제층(6) 및 베이스 절연층(7)의 각각을 형성한다. 외형 가공은, 한정되지 않는다. 외형 가공으로서는, 예를 들면, 에칭, 타발(금형 가공), 워터 커터 및 레이저 가공을 들 수 있다. 이에 의해, 개구부(4)를 각각 갖는 접착제층(6) 및 베이스 절연층(7)을 형성한다.In the fourth step, as shown in FIG. 3(H), each of the
이에 의해, 배선 회로 기판(1)이 제조된다.In this way, the
배선 회로 기판(1)의 용도는, 특별히 한정되지 않는다. 배선 회로 기판(1)은, 각종 분야에 이용된다. 배선 회로 기판(1)은, 예를 들면, 전자 기기용 배선 회로 기판(전자 부품용 배선 회로 기판), 및 전기 기기용 배선 회로 기판(전기 부품용 배선 회로 기판)으로 이용된다. 한편, 전자 기기용 배선 회로 기판 및 전기 기기용 배선 회로 기판은, 준별되지 않는다. 전자 기기용 배선 회로 기판 및 전기 기기용 배선 회로 기판으로서는, 예를 들면, 센서용 배선 회로 기판, 수송 차량용 배선 회로 기판, 영상 기기용 배선 회로 기판, 통신 중계 기기용 배선 회로 기판, 정보 처리 단말용 배선 회로 기판, 가동형 기기용 배선 회로 기판, 의료 기기용 배선 회로 기판, 전기 기기용 배선 회로 기판, 및 녹화 전자 기기용 배선 회로 기판을 들 수 있다. 센서용 배선 회로 기판에 있어서의 센서로서는, 예를 들면, 위치 정보 센서, 장애물 검지 센서, 및 온도 센서를 들 수 있다. 수송 차량용 배선 회로 기판에 있어서의 수송 차량으로서는, 예를 들면, 자동차, 전철, 항공기, 및 공작 차량을 들 수 있다. 영상 기기용 배선 회로 기판에 있어서의 영상 기기로서는, 예를 들면, 예를 들면, 플랫 패널 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 및 투영형 영상 기기를 들 수 있다. 통신 중계 기기용 배선 회로 기판에 있어서의 통신 중계 기기로서는, 예를 들면, 네트워크 기기, 및 대형 통신 기기를 들 수 있다. 정보 처리 단말용 배선 회로 기판에 있어서의 정보 처리 단말로서는, 예를 들면, 컴퓨터, 태블릿, 스마트폰, 및 가정용 게임을 들 수 있다. 가동형 기기용 배선 회로 기판에 있어서의 가동형 기기로서는, 예를 들면, 드론, 및 로봇을 들 수 있다. 의료 기기용 배선 회로 기판에 있어서의 의료 기기로서는, 예를 들면, 웨어러블형 의료용 장치, 및 의료 진단용 장치를 들 수 있다. 전기 기기용 배선 회로 기판에 있어서의 전기 기기로서는, 예를 들면, 냉장고, 세탁기, 청소기, 및 공조 기기를 들 수 있다. 녹화 전자 기기용 배선 회로 기판에 있어서의 녹화 전자 기기로서는, 예를 들면, 디지털 카메라, 및 DVD 녹화 장치를 들 수 있다.The use of the
<제 1 실시형태의 작용 효과><Operation and effect of the first embodiment>
이 배선 회로 기판(1)에서는, 접착제층(6)이, 금속 지지층(5)과 베이스 절연층(7) 사이에 개재한다. 그 때문에, 금속 지지층(5)과 베이스 절연층(7) 사이의 밀착력이 높다.In this
또한, 금속 지지층(5)의 23℃에 있어서의 인장 강도가, 100MPa 이상이므로, 배선 회로 기판(1)은, 강성이 우수하다.Moreover, since the tensile strength at 23 degreeC of the
또, 금속 지지층(5)의 열전도율이, 30W/m·K 이상이므로, 배선 회로 기판(1)은, 방열성이 우수하다.Moreover, since the thermal conductivity of the
따라서, 배선 회로 기판(1)은, 금속 지지층(5)과 베이스 절연층(7) 사이의 밀착력이 높고, 강성 및 방열성이 우수하다.Therefore, the
또한, 배선 회로 기판(1)은, 절연 관통 구멍(73) 내 및 접착 관통 구멍(63) 내에 배치되는 도전 부재(10)를 추가로 구비하므로, 도체 패턴(8)과 금속 지지층(5) 사이의 도전 패스 및 방열 패스를 형성할 수 있다. 그 때문에, 배선 회로 기판(1)은, 도전 패스의 설계의 자유도를 높게 하면서, 방열성도 우수하다.In addition, since the
그리고, 배선 회로 기판(1)에서는, 배선체(3)에서 생기는 열을, 복수의 배선체(3) 사이(개구부(4))의 공기를 개재시켜, 대류시키고, 특히, 두께 방향으로 대류시켜, 효율적인 방열을 도모할 수 있다.Then, in the
또한, 배선체 금속부(52)의 어스펙트비(T/W)가, 2 이상으로 높은 경우에는, 상기한 공기와의 접촉 면적을 크게 할 수 있다. 그 때문에, 상기한 대류에 기초하는 방열 효율이 우수하다.Moreover, when the aspect ratio (T/W) of the wiring
또, 배선체 금속부(52)는, 상기한 어스펙트비(T/W)가 2 이상으로 높은 경우에는, 주배선부(83)로부터 배선체 베이스부(72)에 전도한 열을, 배선체 접착부(62)를 개재시켜 배선체 금속부(52)를 향해 효율적으로 방출할 수 있다.In addition, when the above aspect ratio (T/W) is as high as 2 or more, the wiring
그 때문에, 배선 회로 기판(1)은, 배선체(3)에 있어서의 방열성이 우수하다.Therefore, the
또한, 배선 회로 기판(1)에서는, 제 1 연결 금속부(51A)는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 복수의 제 1 단자부(81A)를 포함하도록 단측 방향으로 연속하므로, 제 1 연결 금속부(51A)는, 복수의 제 1 단자부(81A)를 확실히 지지할 수 있다.Further, in the
제 2 연결 금속부(51B)는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 복수의 제 2 단자부(81B)를 포함하도록 단측 방향으로 연속하므로, 제 2 연결 금속부(51B)는, 복수의 제 2 단자부(81B)를 확실히 지지할 수 있다.Since the second
따라서, 배선 회로 기판(1)에서는, 배선체(3)에 있어서의 방열성이 우수하면서, 제 1 연결체(2A)에 있어서의 제 1 단자부(81A)의 기계 강도, 및 제 2 연결체(2B)에 있어서의 제 2 단자부(81B)의 기계 강도도 우수하다.Therefore, in the
<제 1 실시형태의 변형예><Modification of the first embodiment>
이하의 각 변형예에 있어서, 상기한 제 1 실시형태와 마찬가지의 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 부여하고, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 각 변형예는, 특기하는 것 이외에, 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 나타낼 수 있다. 또, 제 1 실시형태 및 변형예를 적절히 조합할 수 있다.In each of the following modifications, the same reference numerals are assigned to members and steps similar to those of the first embodiment described above, and detailed descriptions thereof are omitted. In addition, each modified example can exhibit the same effect as that of the first embodiment, except for those specifically described. Moreover, the 1st embodiment and a modified example can be combined suitably.
변형예에서는, 금속 내측면(53)은, 곡면을 포함한다. 곡면은, 단면시에 있어서, 두께 방향 양 단부로부터 두께 방향 중앙부를 향함에 따라서, 단측 방향 내측을 향해 오목한 오목부를 갖는다. 배선체 금속부(52)의 단측 방향 길이는, 두께 방향 양 단부로부터 두께 방향 중앙부를 향함에 따라서, 짧아진다.In the modified example, the metal
변형예에서는, 금속 내측면(53)은, 오목부에 더하여, 볼록면을 포함한다.In a variant, the metal
변형예에서는, 금속 내측면(53)의 면적 S0은, 금속 내측면(53)을 단측 방향으로 투영했을 때의 투영 면적 S1에 비해서, 크다. 그 때문에, 본 발명은, 금속 내측면(53)의 면적 S0은, 금속 내측면(53)을 단측 방향으로 투영했을 때의 투영 면적 S1 이상인 태양을 포함하고, 구체적으로는, 금속 내측면(53)의 면적 S0이 금속 내측면(53)의 투영 면적 S1과 동일한 제 1 실시형태, 및 금속 내측면(53)의 면적 S0이 금속 내측면(53)의 투영 면적 S1보다 큰 변형예의 양쪽을 포함한다.In the modified example, the area S0 of the metal
변형예에서는, 구체적으로는, 금속 내측면(53)의 투영 면적 S1에 대한 면적 S0의 면적비 (S0/S1)가, 예를 들면, 1.01 이상, 바람직하게는 1.1 이상, 보다 바람직하게는 1.2 이상, 더 바람직하게는 1.3 이상이고, 또한, 예를 들면, 2 이하이다.In the modified example, specifically, the area ratio (S0/S1) of the area S0 to the projected area S1 of the metal
변형예의 배선 회로 기판(1)에서는, 금속 내측면(53)의 면적 S0이, 금속 내측면(53)을 단측 방향으로 투영했을 때의 투영 면적 S1에 비해서, 크므로, 금속 내측면(53)과 공기의 접촉 면적을, 확실히 크게 할 수 있다. 그 때문에, 배선체 금속부(52)로부터의 대류에 기초하는 방열 효율이 보다 한층 우수하다.In the
제 1 실시형태에서는, 제 1 연결체(2A) 및 제 2 연결체(2B)는, 모두, 평면시에 있어서, 제 1 단자부(81A) 및 제 2 단자부(81B)를 포함하도록, 단측 방향으로 연속하고 있는데, 도시하지 않지만, 예를 들면, 어느 한쪽이 단측 방향으로 연속하고, 다른쪽이 단측 방향으로 불연속이어도 된다. 이 경우에는, 다른쪽은, 단측 방향으로 간격을 두고 복수로 분할되어 배치되어 있다. 나아가서는, 도시하지 않지만, 예를 들면, 제 1 연결체(2A) 및 제 2 연결체(2B) 모두가, 단측 방향으로 간격을 두고 복수로 분할되어 있어도 된다.In the first embodiment, both the
제 1 실시형태에서는, 주배선부(83)는, 배선체 베이스부(72)에 1개 마련되어 있지만, 예를 들면, 도시하지 않지만, 1개의 배선체 베이스부(72)에 복수 마련할 수도 있다.In 1st Embodiment, although one
변형예에서는, 배선 회로 기판(1)은, 도전 부재(10)를 구비하지 않는다. 베이스 절연층(7)은, 도체 패턴(8)과 금속 지지층(5)을 절연한다.In the modified example, the
변형예에서는, 베이스 절연층(7)과 도체 패턴(8) 사이에, 접착제가 개재해도 된다.In a modified example, an adhesive may be interposed between the base
<제 2 실시형태><Second Embodiment>
이하의 제 2 실시형태에 있어서, 상기한 제 1 실시형태와 마찬가지의 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 부여하고, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 제 2 실시형태는, 특기하는 것 이외에, 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘할 수 있다. 또, 제 1 실시형태, 및 제 2 실시형태를 적절히 조합할 수 있다.In the following second embodiment, the same reference numerals are assigned to members and steps similar to those of the first embodiment described above, and detailed descriptions thereof are omitted. In addition, 2nd Embodiment can exhibit the same effect as 1st Embodiment other than what is mentioned specially. Moreover, the 1st embodiment and the 2nd embodiment can be combined suitably.
제 2 실시형태를, 도 4의 (A) 내지 도 4의 (D)를 참조하여 설명한다.The second embodiment will be described with reference to Figs. 4(A) to 4(D).
제 2 실시형태에서는, 도 4의 (A)에 나타내는 바와 같이, 제 3 공정은, 제 2 공정 전에 실시된다.In the second embodiment, as shown in Fig. 4(A), the third step is performed before the second step.
<제 3 공정><Third process>
제 3 공정에서는, 도 4의 (B)에 나타내는 바와 같이, 가상선으로 나타내는 금속판(55)을 외형 가공(패터닝)하여, 금속 지지층(5)을 형성한다.In the third step, as shown in FIG. 4(B) , the outer shape of the
<제 2 공정><Second process>
제 2 공정은, 제 3 공정 후에 실시된다. 도 4의 (C)에 나타내는 바와 같이, 제 2 공정에서는, 접착제 시트(65)를, 금속 지지층(5)의 두께 방향의 한쪽면, 또는 절연판(75)의 다른쪽면에 배치하고, 계속해서, 금속 지지층(5)과 절연판(75)을, 접착제 시트(65)를 개재시켜 접착한다. 바람직하게는, 우선, 도 4의 (A)의 화살표 및 도 4의 (B)에 나타내는 바와 같이, 접착제 시트(65)를 금속 지지층(5)의 두께 방향의 한쪽면에 배치하고, 계속해서, 도 4의 (C)에 나타내는 바와 같이, 접착제 시트(65)의 두께 방향의 한쪽면과, 절연판(75)의 두께 방향의 다른쪽면을 접촉시킨다.A 2nd process is implemented after a 3rd process. As shown in FIG. 4(C), in the second step, the
<제 4 공정><
도 4의 (D)에 나타내는 바와 같이, 제 4 공정에서는, 접착제 시트(65) 및 절연판(75)의 각각을 외형 가공(패터닝)하여, 접착제층(6) 및 베이스 절연층(7)의 각각을, 개구부(4)를 갖는 패턴으로 형성한다.As shown in FIG. 4(D), in the fourth step, each of the
<제 3 실시형태><Third Embodiment>
이하의 제 3 실시형태에 있어서, 상기한 제 1 및 제 2 실시형태와 마찬가지의 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 부여하고, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 제 3 실시형태는, 특기하는 것 이외에, 제 1 및 제 2 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘할 수 있다. 또, 제 1 실시형태, 제 2 실시형태, 제 3 실시형태 및 변형예를 적절히 조합할 수 있다.In the following third embodiment, the same reference numerals are assigned to members and steps similar to those of the first and second embodiments described above, and detailed descriptions thereof are omitted. In addition, 3rd Embodiment can exhibit the same effect as 1st and 2nd Embodiment other than what is mentioned specially. Moreover, the 1st embodiment, the 2nd embodiment, the 3rd embodiment, and a modified example can be combined suitably.
제 3 실시형태를, 도 5의 (A) 내지 도 5의 (D)를 참조하여 설명한다.A third embodiment will be described with reference to Figs. 5(A) to 5(D).
제 3 실시형태에서는, 제 3 공정은, 제 2 공정 전에 실시되고, 또한, 제 3 공정에 있어서, 접착제 시트(65)를 외형 가공하여, 접착제층(6)을 형성한다.In the third embodiment, the third step is performed before the second step, and in the third step, the
도 5의 (A)에 나타내는 바와 같이, 미리, 접착제 시트(65)로, 개구부(4)를 갖는 패턴으로 접착제층(6)을 형성한다.As shown in FIG. 5(A) , the
도 5의 (C)에 나타내는 바와 같이, 접착제층(6)을, 금속 지지층(5)의 두께 방향의 한쪽면, 또는 절연판(75)의 다른쪽면에 배치하고, 계속해서, 금속 지지층(5)과 절연판(75)을, 접착제층(6)을 개재시켜 접착한다. 바람직하게는, 우선, 도 5의 (A) 및 도 5의 (B)에 나타내는 바와 같이, 접착제층(6)을 금속 지지층(5)의 두께 방향의 한쪽면에 배치하고, 계속해서, 도 5의 (C)에 나타내는 바와 같이, 접착제층(6)의 두께 방향의 한쪽면과, 절연판(75)의 두께 방향의 다른쪽면을 접촉시킨다.As shown in FIG. 5(C) , the
<제 4 공정><
도 5의 (D)에 나타내는 바와 같이, 제 4 공정에서는, 절연판(75)을 외형 가공(패터닝)하여, 베이스 절연층(7)을, 개구부(4)를 갖는 패턴으로 형성한다.As shown in FIG. 5(D) , in the fourth step, the outer shape of the insulating
<제 4 실시형태><Fourth Embodiment>
이하의 제 4 실시형태에 있어서, 상기한 제 1 내지 제 3 실시형태와 마찬가지의 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 부여하고, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 제 4 실시형태는, 특기하는 것 이외에, 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘할 수 있다. 또, 제 1 실시형태 내지 제 4 실시형태를 적절히 조합할 수 있다.In the following fourth embodiment, the same reference numerals are assigned to members and steps similar to those of the first to third embodiments described above, and detailed descriptions thereof are omitted. In addition, 4th Embodiment can exhibit the same effect as 1st Embodiment other than what is mentioned specially. In addition, the first to fourth embodiments can be appropriately combined.
제 4 실시형태의 배선 회로 기판(1)을, 도 6의 (A) 및 도 6의 (B)를 참조하여 설명한다.The
도 6의 (A) 및 도 6의 (B)에 나타내는 바와 같이, 배선 회로 기판(1)은, 제 2 도체 패턴(80) 및 도체 접속 부재(87)를 추가로 구비한다.As shown in FIG. 6(A) and FIG. 6(B) , the
제 2 도체 패턴(80)은, 베이스 절연층(7)의 두께 방향의 다른쪽면에 배치된다. 구체적으로는, 제 2 도체 패턴(80)은, 제 1 연결 베이스부(71A), 제 2 연결 베이스부(71B)(도 1 참조) 및 배선체 베이스부(72)의 각각의 두께 방향의 다른쪽면에 배치되어 있다. 제 2 도체 패턴(80)의 두께 방향의 다른쪽면 및 둘레측면은, 접착제층(6)에 피복되어 있다. 또한, 제 1 연결 베이스부(71A)에 배치되는 제 2 도체 패턴(80)의 두께 방향의 다른쪽면은, 도전 부재(10)와 접촉한다. 제 2 도체 패턴(80)의 물성 및 치수는, 상기한 도체 패턴(8)의 그들과 마찬가지이다. 도전 부재(10)와 접촉하는 제 2 도체 패턴(80)은, 도전 부재(10)와 함께 접착 관통 구멍(63) 내에 배치된다.The
도체 접속 부재(87)는, 절연 관통 구멍(73) 내에 배치되어 있다. 절연 관통 구멍(73)은, 베이스 절연층(7)을 관통한다. 도체 접속 부재(87)는, 두께 방향으로 연장된다. 도체 접속 부재(87)의 두께 방향의 일단부는, 도체 패턴(8)의 제 1 단자부(81A)와 접촉한다. 도체 접속 부재(87)의 두께 방향의 타단부는, 제 2 도체 패턴(80)과 접촉한다. 이에 의해, 도체 접속 부재(87)는, 도체 패턴(8)과 제 2 도체 패턴(80)을 전기적으로 접속한다.The
제 4 실시형태의 배선 회로 기판(1)의 제조 방법은, 도 7의 (A) 내지 도 7의 (H)를 참조하여 설명한다.A manufacturing method of the
이 제조 방법은, 제 1 공정과, 제 2 공정과, 제 3 공정과, 제 4 공정을 구비한다.This manufacturing method includes a first step, a second step, a third step, and a fourth step.
제 4 실시형태의 제조 방법에 있어서의 제 2 공정(도 7의 (F) 참조)과, 제 3 공정(도 7의 (G) 참조)과, 제 4 공정(도 7의 (H) 참조)은, 각각, 제 1 실시형태에 있어서의 제 2 공정(도 3의 (F) 참조)과, 제 3 공정(도 3의 (G) 참조)과, 제 4 공정(도 3의 (H) 참조)과 마찬가지로 설명된다.2nd process (refer to FIG. 7(F)), 3rd process (refer to FIG. 7(G)), and 4th process (refer to FIG. 7(H)) in the manufacturing method of the fourth embodiment The second step (see Fig. 3 (F)), the third step (see Fig. 3 (G)), and the fourth step (see Fig. 3 (H)) in the first embodiment, respectively. ) is explained as well.
제 4 실시형태에 있어서의 제 1 공정을, 도 7의 (A) 내지 도 7의 (E)를 참조하여 설명한다.The 1st process in 4th Embodiment is demonstrated with reference to FIG.7(A) - FIG.7(E).
도 7의 (A) 내지 도 7의 (E)에 나타내는 바와 같이, 제 1 공정에서는, 제 2 적층판(93)을 준비한다. 제 2 적층판(93)은, 제 2 도체 패턴(80)과, 절연판(75)과, 도체 패턴(8)과, 커버 절연층(9)을 두께 방향의 한쪽측을 향해 순서대로 구비한다.As shown in Fig. 7(A) to Fig. 7(E), in the first step, the second
제 2 적층판(93)을 준비하기 위해서는, 우선, 도 7의 (A)에 나타내는 바와 같이, 다층 기재의 일례로서의 3층 기재(94)를 준비한다. 3층 기재(94)는, 제 2 도체판(88)과, 절연판(75)과, 도체판(85)을 두께 방향의 한쪽측을 향해 순서대로 구비한다. 제 2 도체판(88)은, 절연판(75)의 두께 방향의 다른쪽면에 배치되어 있다. 제 2 도체판(88)은, 절연판(75)의 두께 방향의 다른쪽면의 전부에 접촉한다. 제 2 도체판(88)은, 제 2 도체 패턴(80)을 형성하기 위한 도체재이다.In order to prepare the second
계속해서, 도 7의 (B) 내지 도 7의 (E)에 나타내는 바와 같이, 서브트랙티브법에 의해, 도체판(85)을 도체 패턴(8)으로 형성하고, 제 2 도체판(88)을 제 2 도체 패턴(80)으로 형성한다.Subsequently, as shown in FIGS. 7(B) to 7(E), the
구체적으로는, 도 7의 (B)에 나타내는 바와 같이, 우선, 에칭 레지스트(90)를 포토리소그래피에 의해 도체판(85)의 두께 방향의 한쪽면에 형성하고, 제 2 에칭 레지스트(95)를 포토리소그래피에 의해 제 2 도체판(88)의 두께 방향의 다른쪽면에 형성한다. 제 2 에칭 레지스트(95)는, 제 2 도체 패턴(80)과 동일한 패턴을 갖는다.Specifically, as shown in FIG. 7(B), first, an etching resist 90 is formed on one surface of the
계속해서, 도 7의 (C)에 나타내는 바와 같이, 에칭 레지스트(90)로부터 노출되는 도체판(85)을 에칭에 의해 제거하고, 제 2 에칭 레지스트(95)로부터 노출되는 제 2 도체판(88)을 에칭에 의해 제거한다. 이에 의해, 도체판(85)으로 도체 패턴(8)을 형성하고, 제 2 도체판(88)으로 제 2 도체 패턴(80)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 7(C), the
계속해서, 도 7의 (D)에 나타내는 바와 같이, 에칭 레지스트(90)와 제 2 에칭 레지스트(95)를 제거한다.Then, as shown in FIG. 7(D), the etching resist 90 and the second etching resist 95 are removed.
절연 관통 구멍(73)(도 6의 (A) 참조)을 형성하고, 도체 접속 부재(87)를 절연 관통 구멍(73) 내에 배치한다. 절연 관통 구멍(73)의 형성에서는, 예를 들면, 도체 패턴(8) 및 제 2 도체 패턴(80)에도, 절연 관통 구멍(73)에 연통하는 도체 비아를 형성하고, 계속해서, 절연 관통 구멍(73) 및 도체 비아에, 도금, 및 도전성 페이스트를 도포한다.An insulating through hole 73 (see FIG. 6(A) ) is formed, and a
그 후, 도 7의 (E)에 나타내는 바와 같이, 커버 절연층(9)을 형성한다. 이에 의해, 제 2 적층판(93)을 준비한다.Then, as shown in FIG. 7(E), the cover insulating layer 9 is formed. In this way, the second
<제 4 실시형태의 변형예><Modified Example of the 4th Embodiment>
도 8에 나타내는 바와 같이, 접착제층(6)은, 상기한 절연 영역(66)에 더하여, 도전 영역(67)을 추가로 가져도 된다. 한편, 이 변형예의 배선 회로 기판(1)은, 도전 부재(10)를 구비하지 않는다.As shown in FIG. 8 , the
도전 영역(67)은, 평면시에 있어서, 제 2 도체 패턴(80)과 중첩된다. 도전 영역(67)은, 도전성 접착제로 이루어진다. 도전 영역(67)의 체적 저항률은, 예를 들면, 1×105Ωcm 미만이다.The
절연 영역(66)은, 평면시에 있어서, 도전 영역(67) 이외의 영역이다. 절연 영역(66)은, 비도전성 접착제로 이루어진다. 도전성 접착제 및 비도전성 접착제의 각각은, 예를 들면, 일본 특허공개 2012-226802호 공보 및 일본 특허공개 2012-226803호 공보에 기재된다.The insulating
<제 5 실시형태 및 제 6 실시형태><Fifth and sixth embodiments>
이하의 제 5 실시형태 및 제 6 실시형태에 있어서, 상기한 제 1 실시형태 내지 제 4 실시형태와 마찬가지의 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 부여하고, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 제 5 실시형태 및 제 6 실시형태는, 특기하는 것 이외에, 제 1 실시형태 및 제 4 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘할 수 있다. 또, 제 1 실시형태로부터 제 4 실시형태를 적절히 조합할 수 있다.In the following fifth and sixth embodiments, the same reference numerals are assigned to members and steps similar to those of the first to fourth embodiments described above, and detailed descriptions thereof are omitted. In addition, the fifth embodiment and the sixth embodiment can exhibit the same effects as those of the first embodiment and the fourth embodiment, except as noted above. Moreover, 4th Embodiment can be combined suitably from 1st Embodiment.
제 5 실시형태의 제조 방법에서는, 제 2 실시형태의 제조 방법에 있어서, 적층판(91) 대신에, 제 2 적층판(93)(도 4의 (C)의 괄호 쓰기 참조)이 이용된다.In the manufacturing method of the fifth embodiment, in the manufacturing method of the second embodiment, a second laminate 93 (see parentheses in FIG. 4(C)) is used instead of the laminate 91.
제 6 실시형태의 제조 방법에서는, 제 3 실시형태의 제조 방법에 있어서, 적층판(91) 대신에, 제 2 적층판(93)(도 5의 (C)의 괄호 쓰기 참조)이 이용된다.In the manufacturing method of the sixth embodiment, in the manufacturing method of the third embodiment, the second laminate 93 (see parentheses in FIG. 5(C)) is used instead of the laminate 91.
한편, 상기 발명은, 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않으며, 한정적으로 해석해서는 안 된다. 당해 기술 분야의 당업자에 의해 분명한 본 발명의 변형예는, 후기 청구범위에 포함된다.On the other hand, although the said invention was provided as embodiment of an illustration of this invention, this is only a mere illustration and it must not interpret it limitedly. Modifications of the present invention obvious to those skilled in the art in the art are included in the later claims.
1: 배선 회로 기판
3: 배선체
5: 금속 지지층
6: 접착제층
7: 베이스 절연층(절연층)
8: 도체 패턴
10: 도전 부재
51A: 제 1 연결 금속부(연결 금속부)
51B: 제 2 연결 금속부(연결 금속부)
52: 배선체 금속부(지지부)
53: 금속 내측면
55: 금속판
62: 배선체 접착부(접착부)
63: 접착 관통 구멍
65: 접착제 시트
72: 배선체 베이스부(절연부)
73: 절연 관통 구멍
75: 절연판
80: 제 2 도체 패턴
81A: 제 1 단자부(단자부)
81B: 제 2 단자부(단자부)
83: 주배선부(배선부)
85: 도체판
86: 제 2 도체 패턴
91: 적층판
92: 2층 기재(다층 기재)
93: 제 2 적층판
94: 3층 기재(다층 기재)1: wiring circuit board
3: Wiring body
5: metal support layer
6: adhesive layer
7: base insulating layer (insulating layer)
8: Conductor pattern
10: no conductive material
51A: first connection metal part (connection metal part)
51B: second connection metal part (connection metal part)
52: wiring body metal part (support part)
53: metal inner surface
55: metal plate
62: wiring body bonding part (adhesive part)
63: bonding through hole
65: adhesive sheet
72: wiring body base part (insulation part)
73: insulation through hole
75: insulating plate
80: second conductor pattern
81A: first terminal portion (terminal portion)
81B: second terminal portion (terminal portion)
83: main wiring part (wiring part)
85: conductor plate
86: second conductor pattern
91 laminated plate
92: two-layer substrate (multi-layer substrate)
93: second laminated plate
94: 3-layer substrate (multi-layer substrate)
Claims (9)
상기 금속 지지층의 23℃에 있어서의 인장 강도가, 100MPa 이상이며,
상기 금속 지지층의 열전도율이, 30W/m·K 이상인, 배선 회로 기판.A metal support layer, an adhesive layer, an insulating layer, and a conductor pattern are provided in order in the thickness direction,
The tensile strength at 23 ° C. of the metal support layer is 100 MPa or more,
The wiring circuit board in which the thermal conductivity of the said metal support layer is 30 W/m*K or more.
상기 절연층은, 절연 관통 구멍을 갖고,
상기 접착제층은, 두께 방향으로 투영했을 때에, 상기 절연 관통 구멍에 중첩되는 접착 관통 구멍을 갖는, 배선 회로 기판.According to claim 1,
The insulating layer has an insulating through hole,
The wiring circuit board according to claim 1 , wherein the adhesive layer has an adhesive through hole overlapping the insulating through hole when projected in a thickness direction.
상기 절연 관통 구멍 및 상기 접착 관통 구멍 내에 배치되는 도전 부재를 추가로 구비하는, 배선 회로 기판.According to claim 2,
and a conductive member disposed in the insulating through hole and the bonding through hole.
상기 접착 관통 구멍 내에 배치되는 도전 부재 및 제 2 도체 패턴과,
상기 절연 관통 구멍 내에 배치되고, 상기 도체 패턴 및 상기 제 2 도체 패턴을 전기적으로 접속하는 접속 부재
를 추가로 구비하는, 배선 회로 기판.According to claim 2,
a conductive member and a second conductor pattern disposed within the bonding through hole;
a connecting member disposed in the insulating through hole and electrically connecting the conductor pattern and the second conductor pattern;
A wiring circuit board further comprising a.
서로 간격을 두고 병렬 배치되는 복수의 배선체를 구비하고,
상기 복수의 배선체의 각각은,
상기 절연층에 포함되는 절연부와,
상기 절연부의 두께 방향의 한쪽면에 배치되고, 상기 접착제층에 포함되는 접착부와,
상기 접착부의 두께 방향의 한쪽면에 배치되고, 상기 도체 패턴에 포함되는 배선부와,
상기 절연부의 두께 방향의 다른쪽면에 배치되고, 상기 복수의 배선체의 병렬 방향에 있어서의 길이 W에 대한, 두께 방향 길이 T의 비(T/W)가, 2 이상이며, 상기 금속 지지층에 포함되는 금속 지지부
를 구비하는, 배선 회로 기판.According to any one of claims 1 to 4,
Equipped with a plurality of wiring bodies arranged in parallel at intervals from each other,
Each of the plurality of wiring bodies,
An insulating portion included in the insulating layer;
an adhesive portion disposed on one surface of the insulating portion in the thickness direction and included in the adhesive layer;
a wiring part disposed on one surface of the adhesive part in the thickness direction and included in the conductor pattern;
It is disposed on the other surface in the thickness direction of the insulating portion, and the ratio (T/W) of the length T in the thickness direction to the length W in the parallel direction of the plurality of wiring bodies is 2 or more, and is included in the metal support layer. metal support
A wiring circuit board comprising a.
하나의 상기 금속 지지부는, 하나의 상기 금속 지지부와 상기 병렬 방향으로 인접하는 다른 상기 금속 지지부에 면하는 내측면을 갖고,
상기 내측면의 면적은, 상기 내측면을 상기 병렬 방향으로 투영했을 때의 투영 면적 이상인, 배선 회로 기판.According to claim 5,
one of the metal supports has an inner surface facing one of the metal supports and the other metal supports adjacent in the parallel direction;
An area of the inner surface is greater than or equal to a projected area when the inner surface is projected in the parallel direction.
상기 복수의 배선체의, 상기 병렬 방향 및 상기 두께 방향에 직교하는 직교 방향 단부를 연결하는 연결체를 구비하고,
상기 연결체는,
상기 배선부의 직교 방향 단부에 연속하고, 상기 도체 패턴에 포함되는 단자부와,
상기 금속 지지부의 직교 방향 단부에 연속하고, 상기 금속 지지층에 포함되는 연결 금속부를 구비하며,
상기 연결 금속부는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 복수의 상기 단자부를 포함하도록 상기 병렬 방향으로 연속하는, 배선 회로 기판.According to claim 5,
A connecting body for connecting orthogonal direction ends orthogonal to the parallel direction and the thickness direction of the plurality of wiring bodies,
The linkage is
a terminal portion included in the conductor pattern and continuous with an end portion of the wiring portion in the orthogonal direction;
A connection metal portion continuous to an end of the metal support portion in a direction perpendicular to the metal support layer and included in the metal support layer;
The wiring circuit board according to claim 1 , wherein the connection metal portion is continuous in the parallel direction so as to include a plurality of the terminal portions when projected in a thickness direction.
상기 복수의 배선체의, 상기 병렬 방향 및 상기 두께 방향에 직교하는 직교 방향 단부를 연결하는 연결체를 구비하고,
상기 연결체는,
상기 배선부의 직교 방향 단부에 연속하고, 상기 도체 패턴에 포함되는 단자부와,
상기 금속 지지부의 직교 방향 단부에 연속하고, 상기 금속 지지층에 포함되는 연결 금속부를 구비하며,
상기 연결 금속부는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 복수의 상기 단자부를 포함하도록 상기 병렬 방향으로 연속하는, 배선 회로 기판.According to claim 6,
A connecting body for connecting orthogonal direction ends orthogonal to the parallel direction and the thickness direction of the plurality of wiring bodies,
The linkage is
a terminal portion included in the conductor pattern and continuous with an end portion of the wiring portion in the orthogonal direction;
A connection metal portion continuous to an end of the metal support portion in a direction perpendicular to the metal support layer and included in the metal support layer;
The wiring circuit board according to claim 1 , wherein the connection metal portion is continuous in the parallel direction so as to include a plurality of the terminal portions when projected in a thickness direction.
상기 도체판을 서브트랙티브법으로 도체 패턴으로 형성하는 공정과,
23℃에 있어서의 인장 강도가 100MPa 이상이며, 열전도율이 30W/m·K 이상인 금속판 또는 상기 금속판으로 형성되는 금속 지지층과, 상기 절연판을, 접착제 시트 또는 상기 접착제 시트로 형성되는 접착제층을 개재시켜 접착하는 공정과,
상기 금속판을 패터닝하여 상기 금속 지지층을 형성하는 공정과,
상기 접착제 시트를 패터닝하여 상기 접착제층을 형성하는 공정과,
상기 절연판을 패터닝하여 절연층을 형성하는 공정
을 구비하는, 배선 회로 기판의 제조 방법.A step of preparing a multilayer base material comprising an insulating plate and a conductor plate disposed on at least one side of the insulating plate in the thickness direction;
a step of forming the conductor plate into a conductor pattern by a subtractive method;
A metal plate having a tensile strength of 100 MPa or more at 23°C and a thermal conductivity of 30 W/m K or more, or a metal support layer formed of the metal plate, and the insulating plate are bonded through an adhesive sheet or an adhesive layer formed of the adhesive sheet. the process of doing,
patterning the metal plate to form the metal support layer;
patterning the adhesive sheet to form the adhesive layer;
Process of forming an insulating layer by patterning the insulating plate
A method of manufacturing a wiring circuit board comprising:
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