KR20230015624A - Apparatus for treating substrate the same - Google Patents

Abstract

The present invention provides a substrate processing device. In one example, the substrate processing device may include: a process chamber; an exhaust duct connected to the process chamber; a damper provided on the exhaust duct; a cleaning liquid supply unit provided in the exhaust duct and spraying a cleaning liquid to remove foreign substances attached to the exhaust duct and the damper; and a gas-liquid separation member provided on the exhaust duct and configured to separate the cleaning liquid used for cleaning the exhaust duct and the damper from the gas.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE THE SAME}Substrate processing device {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE THE SAME}

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate.

일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 포토 리소그래피, 에칭, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 패턴을 형성하기 위해 수행되는 포토 리소그래피 공정은 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다. In general, in order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photolithography, etching, and ion implantation are performed. A photolithography process performed to form a pattern plays an important role in achieving high integration of a semiconductor device.

포토리소그래피 공정은 실리콘으로 이루어진 반도체 기판 상에 포토레지스트패턴을 형성하기 위해 수행된다. 포토리소그래피 공정은 기판 상에 포토레지스트 막을 형성하기 위한 코팅 및 소프트 베이크 공정, 포토레지스트 막으로부터 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광 및 현상 공정, 상기 포토레지스트 막 또는 패턴의 에지 부위를 제거하기 위한 에지 비드 제거(edge bead removal; 이하 'EBR'라 한다) 공정 및 에지 노광(edgeexposure of wafer; 이하 'EEW'라 한다) 공정, 상기 포토레지스트 패턴을 안정화 및 치밀화시키기 위한 하드 베이크 공정 등을 포함한다. A photolithography process is performed to form a photoresist pattern on a semiconductor substrate made of silicon. The photolithography process includes a coating and soft bake process for forming a photoresist film on a substrate, an exposure and development process for forming a photoresist pattern from the photoresist film, and an edge bead for removing an edge portion of the photoresist film or pattern. It includes an edge bead removal (hereinafter referred to as 'EBR') process, an edge exposure of wafer (hereinafter referred to as 'EEW') process, a hard bake process for stabilizing and densifying the photoresist pattern, and the like.

이러한 포토리소그래피 공정을 수행하는 기판 처리 장치중에 하나인 베이크 유닛에는 배기 덕트가 연결되어 있는데, 배기되는 기류의 성분에는 PR 및 잔존 용매 등의 잔여물이 포함되어 있다. 이러한 잔여물들은 기류 저하잉 가장 심한 댐퍼와 충돌하면서 그 표면에 증착된다. 증착되는 잔여물이 증가되면 기류 유로를 막아 배기 압력 및 유량이 점차 떨어지고, 이는 공정 결함의 원인이 된다. An exhaust duct is connected to a bake unit, which is one of the substrate processing devices performing the photolithography process, and the components of the exhausted airflow include residues such as PR and residual solvent. These residues are deposited on the surface of the airflow and impact the most severe dampers. When the deposited residue increases, the air flow path is blocked, and the exhaust pressure and flow rate gradually decrease, which causes process defects.

본 발명의 목적은 배기 덕트 및 댐퍼의 PM 주기를 개선할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving the PM cycle of an exhaust duct and a damper.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급된 과제로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 다른 기술적 과제들은 이하의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the problem mentioned above. Other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 공정 챔버; 상기 공정 챔버와 연결되는 배기 덕트; 상기 배기 덕트 상에 제공되는 댐퍼; 상기 배기 덕트에 제공되어 상기 배기 덕트 및 상기 댐퍼에 묻은 이물질을 제거하기 위해 세정액을 분사하는 세정액 공급부; 및 상기 배기 덕트 상에 제공되고, 상기 배기 덕트 및 상기 댐퍼의 세정에 사용된 세정액을 기체와 분리하기 위한 기액 분리 부재를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to one aspect of the invention, the process chamber; an exhaust duct connected to the process chamber; a damper provided on the exhaust duct; a cleaning liquid supply unit provided in the exhaust duct and spraying a cleaning liquid to remove foreign substances attached to the exhaust duct and the damper; and a gas-liquid separation member provided on the exhaust duct and configured to separate a cleaning liquid used for cleaning the exhaust duct and the damper from gas.

또한, 상기 세정액 공급부는 세정액을 미스트 형태로 분사하는 노즐을 포함할 수 있다.In addition, the cleaning solution supply unit may include a nozzle spraying the cleaning solution in the form of a mist.

또한, 상기 노즐은 상기 배기 덕트의 상부에서 상기 댐퍼를 향해 세정액을 분사할 수 있다.In addition, the nozzle may spray the cleaning solution toward the damper from the top of the exhaust duct.

또한, 상기 기액 분리 부재는 상기 배기 덕트 상에 마련되고, 유입방향을 통해 유입되는 세정액과 기체를 분리하기 위한 그리고 기체가 통과하는 통로를 갖는 분리막; 상기 통로보다 낮은 위치에 제공되고 상기 통로를 통과하지 못한 세정액이 모이는 저수부; 및 상기 저수부 하단에 제공되는 배수라인을 포함할 수 있다.In addition, the gas-liquid separation member includes a separation membrane provided on the exhaust duct and having a passage through which the gas passes and for separating the washing liquid and the gas flowing through the inflow direction; a water reservoir provided at a position lower than the passage and collecting the washing liquid that did not pass through the passage; And it may include a drain line provided at the lower end of the water reservoir.

또한, 상기 분리막은 상기 배기 덕트를 기준으로 사선으로 제공되는 제1플레이트; 상기 제1플레이트로부터 수직 하방으로 수직하게 연장 형성되는 제2플레이트를 포함하고, 상기 통로는 제2플레이트 상에 제공될 수 있다.In addition, the separator may include a first plate provided obliquely with respect to the exhaust duct; and a second plate extending vertically downward from the first plate, and the passage may be provided on the second plate.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판을 열처리하는 베이크 유닛; 및 상기 베이크 유닛에 연결된 배기 유닛을 포함하고, 상기 배기 유닛은, 상기 베이크 유닛에 연결되어 상기 베이크 유닛의 처리 공간을 배기하는 배기 덕트; 상기 배기 덕트에 설치되어 배기 유량을 조절하는 댐퍼; 상기 배기 덕트의 상부에 설치되어 액체와 기체가 혼합된 상태의 세정액을 분사하는 노즐; 및 상기 배기 덕트의 하부에 설치되는 기액 분리 부재를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, a bake unit for heat-treating a substrate; and an exhaust unit connected to the bake unit, wherein the exhaust unit includes: an exhaust duct connected to the bake unit to exhaust a processing space of the bake unit; a damper installed in the exhaust duct to adjust the exhaust flow rate; a nozzle installed on the upper part of the exhaust duct to spray a liquid-gas-mixed cleaning solution; and a gas-liquid separation member installed below the exhaust duct.

또한, 상기 배기 덕트의 하단에는 배출관과, 상기 배출관보다 큰 직경으로 형성되는 배기관이 제공될 수 있다.In addition, a discharge pipe and an exhaust pipe having a larger diameter than the discharge pipe may be provided at a lower end of the exhaust duct.

또한, 상기 기액 분리 부재는, 상기 배기 덕트의 하단으로부터 위로 돌출되며 상기 배출관과 상기 배기관을 구획하는 제1플레이트와. 상기 제1플레이트와, 상기 제1플레이트와 이격되는 제2플레이트를 포함하고, 상기 세정액으로부터 분리되는 기체는 상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트 사이의 이격 공간을 통해 배기될 수 있다. The gas-liquid separation member may include a first plate protruding upward from a lower end of the exhaust duct and partitioning the exhaust pipe from the exhaust pipe. It may include the first plate and a second plate spaced apart from the first plate, and gas separated from the washing liquid may be exhausted through a space between the first plate and the second plate.

본 발명의 일 실시 예에 따르면 배기 덕트 및 댐퍼의 PM 주기를 개선할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the PM period of the exhaust duct and the damper can be improved.

본 발명의 효과는 상술한 효과들로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above. Effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블록 또는 현상 블록을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 회전하는 기판에 처리액을 공급하여 기판을 액 처리하는 액 처리 챔버의 일 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 5의 액 처리 챔버의 평면도이다.
도 7은 도 3의 반송 로봇의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 베이크 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 8에 도시된 베이크 유닛을 보여주는 측면도이다.
도 10은 도 8의 가열 처리 공정을 수행하는 가열 처리 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 11 및 도 12는 배기 유닛을 설명하기 위한 도면들이다. 1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus showing the application block or developing block of FIG. 1 .
FIG. 3 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
4 is a diagram showing an example of a hand of a transfer robot.
5 is a cross-sectional view showing an embodiment of a liquid processing chamber that liquid-processes a substrate by supplying a processing liquid to a rotating substrate.
6 is a plan view of the liquid processing chamber of FIG. 5;
7 is a perspective view showing an example of the transfer robot of FIG. 3 .
8 is a plan view showing a bake unit according to an embodiment of the present invention.
9 is a side view showing the bake unit shown in FIG. 8;
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a heat treatment unit performing the heat treatment process of FIG. 8 .
11 and 12 are views for explaining an exhaust unit.

본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Other advantages and features of the present invention, and methods for achieving them, will become clear with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various different forms, but only the present embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the common knowledge in the art to which the present invention belongs It is provided to fully inform the holder of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다. 본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. Even if not defined, all terms (including technical or scientific terms) used herein have the same meaning as generally accepted by common technology in the prior art to which this invention belongs. Terms defined by general dictionaries may be interpreted to have the same meaning as they have in the related art and/or the text of the present application, and are not conceptualized or overly formalized, even if not expressly defined herein. won't Terms used in this specification are for describing embodiments and are not intended to limit the present invention.

본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한 '구비한다', '갖는다' 등도 이와 동일하게 해석되어야 한다.In this specification, singular forms also include plural forms unless specifically stated otherwise in a phrase. As used in the specification, 'comprise' and/or various conjugations of this verb, such as 'comprise', 'comprising', 'comprising', 'comprising', etc., refer to a mentioned composition, ingredient, component, Steps, acts and/or elements do not preclude the presence or addition of one or more other compositions, ingredients, components, steps, acts and/or elements. In addition, 'to have', 'to have', etc. should be interpreted in the same way.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용되는 것으로 설명하나, 이는 설명의 편의를 위한 것이고 본 발명은 기판을 처리하기 위해 기판을 이송하는 로봇을 포함하는 다른 장치에도 사용될 수 있다.The equipment of this embodiment is described as being used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel, but this is for convenience of description and the present invention provides a robot for transferring a substrate to process the substrate. It can also be used for other devices including

이하에서는, 도 1 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 실시 예에 대하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 12 .

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블록 또는 현상 블록을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing an application block or developing block of FIG. 1, and FIG. 3 is a substrate processing apparatus of FIG. 1 is a plan view of

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)는 인덱스 모듈(100, index module), 처리 모듈(300, processing module), 그리고 인터페이스 모듈(500, interface module)을 포함한다. 1 to 3, the substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention includes an index module 100, a processing module 300, and an interface module 500. ).

일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(100), 처리 모듈(300), 그리고 인터페이스 모듈(500)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하에서 인덱스 모듈(100), 처리 모듈(300), 그리고 인터페이스 모듈(500)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)으로 정의한다.According to one embodiment, the index module 100, the processing module 300, and the interface module 500 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the index module 100, the processing module 300, and the interface module 500 are arranged is referred to as a first direction 12, and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from above is Referred to as the second direction 14 , a direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is defined as the third direction 16 .

인덱스 모듈(100)은 기판(W)이 수납된 용기(F)로부터 기판(W)을 처리 모듈(300)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(F)로 수납한다. 인덱스 모듈(100)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(100)은 로드 포트(110)와 인덱스 프레임(130)을 가진다. 인덱스 프레임(130)을 기준으로 로드 포트(110)는 처리 모듈(300)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(F)는 로드 포트(110)에 놓인다. 로드 포트(110)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드 포트(110)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 100 transports the substrate W from the container F containing the substrate W to the processing module 300 and stores the processed substrate W into the container F. The longitudinal direction of the index module 100 is provided in the second direction 14 . The index module 100 has a load port 110 and an index frame 130 . Based on the index frame 130, the load port 110 is located on the opposite side of the processing module 300. The container F in which the substrates W are stored is placed in the load port 110 . A plurality of load ports 110 may be provided, and the plurality of load ports 110 may be disposed along the second direction 14 .

용기(F)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(F)가 사용될 수 있다. 용기(F)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드 포트(110)에 놓일 수 있다. As the container F, an airtight container F such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The container F may be placed in the load port 110 by an operator or a transport means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. can

인덱스 프레임(130)의 내부에는 인덱스 로봇(132)이 제공된다. 인덱스 프레임(130) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(136)이 제공되고, 인덱스 로봇(132)은 가이드 레일(136) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(132)은 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. An index robot 132 is provided inside the index frame 130 . A guide rail 136 having a longitudinal direction in the second direction 14 is provided within the index frame 130 , and the index robot 132 may be provided to be movable on the guide rail 136 . The index robot 132 includes a hand on which the substrate W is placed, and the hand is capable of forward and backward movement, rotation about a third direction 16 as an axis, and movement along the third direction 16. can

처리 모듈(300)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행할 수 있다. 처리 모듈(300)은 용기(F)에 수납된 기판(W)을 전달받아 기판 처리 공정을 수행할 수 있다. 처리 모듈(300)은 도포 블록(300a) 및 현상 블록(300b)을 가진다. 도포 블록(300a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블록(300b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블록(300a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블록(300b)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 도 1의 실시 예에 의하면, 도포 블록(300a)과 현상 블록(300b)는 각각 2개씩 제공된다. 도포 블록(300a)들은 현상 블록(300b)들의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블록(300a)들은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블록(300b)들은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 300 may perform a coating process and a developing process on the substrate (W). The processing module 300 may receive the substrate W stored in the container F and perform a substrate processing process. The processing module 300 has an application block 300a and a developing block 300b. The coating block 300a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 300b performs a developing process on the substrate W. A plurality of application blocks 300a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 300b are provided, and they are provided stacked on top of each other. According to the embodiment of FIG. 1 , two application blocks 300a and two developing blocks 300b are provided. The application blocks 300a may be disposed below the developing blocks 300b. According to one example, the two application blocks 300a may perform the same process and may be provided with the same structure. Also, the two developing blocks 300b may perform the same process and have the same structure.

도 3을 참조하면, 도포 블록(300a)은 열 처리 챔버(320), 반송 챔버(350), 액 처리 챔버(360), 그리고 버퍼 챔버(312, 316)를 가진다. 열 처리 챔버(320)는 기판(W)에 대해 열 처리 공정을 수행한다. 열 처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액 처리 챔버(360)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액 막을 형성한다. 액 막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(350)는 도포 블록(300a) 내에서 열 처리 챔버(320)와 액 처리 챔버(360) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 3 , the application block 300a has a heat treatment chamber 320, a transport chamber 350, a liquid treatment chamber 360, and buffer chambers 312 and 316. The heat treatment chamber 320 performs a heat treatment process on the substrate (W). The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 360 supplies liquid to the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 350 transfers the substrate W between the heat processing chamber 320 and the liquid processing chamber 360 within the coating block 300a.

반송 챔버(350)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(350)에는 반송 로봇(600)이 제공된다. 반송 로봇(600)은 열 처리 챔버(320), 액 처리 챔버(360), 그리고 버퍼 챔버(312, 316) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(600)은 기판(W)이 놓이는 핸드를 가지며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(350) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(356)이 제공되고, 반송 로봇(600)은 가이드 레일(356) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The conveyance chamber 350 is provided with its longitudinal direction parallel to the first direction 12 . A transfer robot 600 is provided in the transfer chamber 350 . The transfer robot 600 transfers substrates between the thermal processing chamber 320 , the liquid processing chamber 360 , and the buffer chambers 312 and 316 . According to one example, the transport robot 600 has a hand on which the substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about a third direction 16 as an axis, and moves along the third direction 16 . can possibly be provided. A guide rail 356 whose longitudinal direction is parallel to the first direction 12 is provided in the transfer chamber 350, and the transfer robot 600 can be provided to be movable on the guide rail 356. .

도 4는 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 4 is a diagram showing an example of a hand of a transfer robot.

도 4를 참조하면, 핸드(910)는 핸드 본체(910a)와 지지 핑거(910b)들을 포함한다. 핸드 본체(910a)는 기판의 직경보다 큰 내경을 갖는 대략 말굽 형상으로 형성된다. 단, 핸드 본체(910a)의 형상은 이에 한정되지 않는다. 핸드 본체(910a)의 선단부를 포함한 4곳에는 지지 핑거(910b)들이 내측 방향으로 설치된다. 핸드 본체(910a)는 내부에 진공유로(미도시됨)가 형성된다. 진공유로(미도시됨)는 진공 라인을 통해 진공 펌프와 연결된다.Referring to FIG. 4 , a hand 910 includes a hand body 910a and support fingers 910b. The hand body 910a is formed in a substantially horseshoe shape having an inner diameter larger than the diameter of the substrate. However, the shape of the hand body 910a is not limited thereto. Support fingers 910b are installed inward at four locations including the front end of the hand body 910a. A vacuum flow path (not shown) is formed inside the hand body 910a. A vacuum flow path (not shown) is connected to the vacuum pump through a vacuum line.

다시 도 1 내지 도 3을 참조하면, 열 처리 챔버(420)는 복수 개로 제공된다. 열 처리 챔버(420)들은 제1 방향(12)을 따라 배치된다. 열처리 챔버(420)들은 반송 챔버(350)의 일 측에 위치된다.Referring back to FIGS. 1 to 3 , a plurality of heat treatment chambers 420 are provided. Thermal treatment chambers 420 are disposed along a first direction 12 . Heat treatment chambers 420 are located on one side of the transfer chamber 350 .

다시 도 1 내지 도 3을 참조하면, 액 처리 챔버(360)는 복수 개로 제공된다. 액 처리 챔버(360)들 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 일 예로, 액 처리 챔버(360)는 하나의 챔버에 다수의 도포 유닛들이 배치된 멀티 유닛 배치 구조를 갖는다. 멀티 유닛 배치 방식의 액 처리 챔버는 상부에 공조 장치(1002)가 설치되며, 공조 장치(1002)로부터 공기의 다운 플로우 상태에서 공정을 실시하게 된다. Referring back to FIGS. 1 to 3 , a plurality of liquid processing chambers 360 are provided. Some of the liquid processing chambers 360 may be stacked on top of each other. For example, the liquid processing chamber 360 has a multi-unit disposition structure in which a plurality of application units are disposed in one chamber. An air conditioner 1002 is installed at the top of the liquid processing chamber of the multi-unit arrangement method, and a process is performed in a downflow state of air from the air conditioner 1002 .

액 처리 챔버(360)들은 반송 챔버(350)의 일 측에 배치된다. 액 처리 챔버(360)들은 제1 방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버(360)들 중 어느 일부는 인덱스 모듈(100)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 인덱스 모듈(100)에 인접하게 위치한 액 처리 챔버(360)를 전단 액 처리 챔버(362)(front liquid processing chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버(360)들 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(500)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 인터레이스 모듈(500)에 인접하게 위치한 액 처리 챔버(360)를 후단 액처리 챔버(364)(rear heat processing chamber)라 칭한다. The liquid processing chambers 360 are disposed on one side of the transfer chamber 350 . The liquid processing chambers 360 are arranged side by side along the first direction 12 . Some of the liquid processing chambers 360 are provided adjacent to the index module 100 . Hereinafter, the liquid processing chamber 360 located adjacent to the index module 100 is referred to as a front liquid processing chamber 362 (front liquid processing chamber). Other portions of the liquid processing chambers 360 are provided adjacent to the interface module 500 . Hereinafter, the liquid processing chamber 360 located adjacent to the interlace module 500 is referred to as a rear heat processing chamber 364 .

전단 액 처리 챔버(362)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액 처리 챔버(364)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사 방지막일 수 있다. 이 경우, 반사 방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The previous liquid processing chamber 362 applies the first liquid on the substrate W, and the subsequent liquid processing chamber 364 applies the second liquid on the substrate W. The first liquid and the second liquid may be different types of liquids. According to an embodiment, the first liquid is an antireflection film, and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied on the substrate W coated with the anti-reflection film. Optionally, the first liquid may be a photoresist and the second liquid may be an antireflection film. In this case, the anti-reflection film may be applied on the substrate W to which the photoresist is applied. Optionally, the first liquid and the second liquid are the same type of liquid, and they may both be photoresists.

현상 블록(300b)은 도포 블록(300a)과 동일한 구조를 가지며, 현상 블록(300b)에 제공된 액 처리 챔버는 기판 상에 현상액을 공급한다.The developing block 300b has the same structure as the application block 300a, and a liquid processing chamber provided in the developing block 300b supplies a developer onto the substrate.

인터페이스 모듈(500)은 처리 모듈(300)을 외부의 노광 장치(700)와 연결한다. 인터페이스 모듈(500)은 인터페이스 프레임(510), 부가 공정 챔버(520), 인터페이스 버퍼(530), 그리고 인터페이스 로봇(550)을 가진다. The interface module 500 connects the processing module 300 to an external exposure apparatus 700 . The interface module 500 includes an interface frame 510 , an additional process chamber 520 , an interface buffer 530 , and an interface robot 550 .

인터페이스 프레임(510)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(520), 인터페이스 버퍼(530), 그리고 인터페이스 로봇(550)은 인터페이스 프레임(510)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(520)는 도포 블록(300a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(700)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(520)는 노광 장치(700)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블록(300b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(520)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(520)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(520)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit forming a downdraft therein may be provided at the upper end of the interface frame 510 . The additional process chamber 520 , the interface buffer 530 , and the interface robot 550 are disposed inside the interface frame 510 . The additional process chamber 520 may perform a predetermined additional process before the substrate W, the process of which has been completed in the application block 300a, is carried into the exposure apparatus 700 . Optionally, the additional process chamber 520 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the exposure apparatus 700, is transferred to the developing block 300b. According to an example, the additional process may be an edge exposure process of exposing the edge region of the substrate W, an upper surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a lower surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W. can A plurality of additional process chambers 520 may be provided, and they may be stacked on top of each other. Additional process chambers 520 may all be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 520 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(530)는 도포 블록(300a), 부가 공정 챔버(520), 노광 장치(700), 그리고 현상 블록(300b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(530)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼(530)들은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 530 provides a space in which the substrate W transported between the coating block 300a, the additional process chamber 520, the exposure apparatus 700, and the developing block 300b temporarily stays during transport. A plurality of interface buffers 530 may be provided, and the plurality of interface buffers 530 may be stacked on top of each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(350)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(520)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(530)가 배치될 수 있다.According to an example, the additional process chamber 520 may be disposed on one side of the extension line of the transfer chamber 350 in the longitudinal direction, and the interface buffer 530 may be disposed on the other side.

인터페이스 로봇(550)은 도포 블록(300a), 부가 공정 챔버(520), 노광 장치(700), 그리고 현상 블록(300b) 간에 기판(W)을 반송한다. 인터페이스 로봇(550)은 기판(W)을 반송하는 반송 핸드를 가질 수 있다. 인터페이스 로봇(550)은 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 인터페이스 로봇(550)은 제1로봇(552) 및 제2로봇(554)을 가진다. 제1로봇(552)은 도포 블록(300a), 부가 공정 챔버(520), 그리고 인터페이스 버퍼(530) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(554)은 인터페이스 버퍼(530)와 노광 장치(700) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(530)와 현상 블록(300b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The interface robot 550 transports the substrate W between the coating block 300a, the additional process chamber 520, the exposure apparatus 700, and the developing block 300b. The interface robot 550 may have a transfer hand that transfers the substrate (W). The interface robot 550 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the interface robot 550 includes a first robot 552 and a second robot 554 . The first robot 552 transports the substrate W between the coating block 300a, the additional process chamber 520, and the interface buffer 530, and the second robot 554 transfers the substrate W between the interface buffer 530 and the exposure device. 700, the second robot 4604 may be provided to transfer the substrate W between the interface buffer 530 and the developing block 300b.

제1로봇(552) 및 제2로봇(554)은 각각 기판(W)이 놓이는 반송 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The first robot 552 and the second robot 554 each include a transfer hand on which the substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the third direction 16, and It may be provided to be movable along the third direction 16 .

이하에서는, 액 처리 챔버의 구조에 대해서 상세히 설명한다. 아래에서는 도포 블록에 제공된 액 처리 챔버를 예로 들어 설명한다. 또한, 액 처리 챔버는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 챔버인 경우를 예로 들어 설명한다. 그러나, 액 처리 챔버는 기판(W)에 보호막 또는 반사 방지막과 같은 막을 형성하는 챔버일 수 있다. 또한, 액 처리 챔버는 기판(W)에 현상액을 공급하여 기판(W)을 현상 처리하는 챔버일 수 있다.Hereinafter, the structure of the liquid processing chamber will be described in detail. Below, the liquid treatment chamber provided in the application block will be described as an example. In addition, a case where the liquid processing chamber is a chamber for coating a photoresist on the substrate W will be described as an example. However, the liquid processing chamber may be a chamber for forming a film such as a protective film or an anti-reflection film on the substrate W. Also, the liquid processing chamber may be a chamber that develops the substrate W by supplying a developing solution to the substrate W.

도 7은 회전하는 기판(W)에 처리액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 챔버의 일 실시예를 보여주는 단면도이고, 도 8은 도 7의 액 처리 챔버의 평면도이다. FIG. 7 is a cross-sectional view showing an embodiment of a liquid processing chamber for liquid processing the substrate W by supplying a processing liquid to the rotating substrate W, and FIG. 8 is a plan view of the liquid processing chamber of FIG. 7 .

도 7과 도 8을 참조하면, 액 처리 챔버(1000)는 하우징(1100), 제1 처리 유닛(1201a), 제2 처리 유닛(1201b), 액 공급 유닛(1400), 배기 유닛(1600), 그리고 제어기(1800)를 포함한다. 7 and 8 , the liquid processing chamber 1000 includes a housing 1100, a first processing unit 1201a, a second processing unit 1201b, a liquid supply unit 1400, an exhaust unit 1600, and a controller 1800.

하우징(1100)은 내부 공간을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(1100)의 일측에는 개구(1101a, 1101b)가 형성된다. 개구(1101a, 1101b)는 기판(W)이 반출입되는 통로로 기능한다. 개구(1101a, 1101b)에는 도어(1103a, 1103b)가 설치되며, 도어(1103a, 1103b)는 개구(1101a, 1101b)를 개폐한다. The housing 1100 is provided in a rectangular tubular shape having an inner space. One side of the housing 1100 is formed with openings 1101a and 1101b. The openings 1101a and 1101b function as passages through which the substrate W is carried in and out. Doors 1103a and 1103b are installed in the openings 1101a and 1101b, and the doors 1103a and 1103b open and close the openings 1101a and 1101b.

하우징(1100)의 상벽에는 그 내부 공간으로 하강기류를 공급하는 필터 박스를 갖는 공조 장치(1002)가 배치된다. 공조 장치(1002)는 외부의 공기를 내부 공간으로 도입하여 여과하는 필터를 가진다.On the upper wall of the housing 1100, an air conditioner 1002 having a filter box supplying a downdraft to the interior space is disposed. The air conditioner 1002 has a filter that introduces outside air into the interior space and filters it.

하우징(1100)의 내부 공간에는 제1 처리 유닛(1201a)과 제2 처리 유닛(1201b)이 제공된다. 제1 처리 유닛(1201a)과 제2 처리 유닛(1201b)은 일 방향을 따라 배열된다. A first processing unit 1201a and a second processing unit 1201b are provided in the inner space of the housing 1100 . The first processing unit 1201a and the second processing unit 1201b are arranged along one direction.

제1 처리 유닛(1201a)은 제1 처리 용기(1220a)와 제1 지지 유닛(1240a)을 가진다. The first processing unit 1201a has a first processing container 1220a and a first support unit 1240a.

제1 처리 용기(1220a)는 제1 내부 공간(1222a)을 가진다. 제1 내부 공간(1222a)은 상부가 개방되도록 제공된다. The first processing container 1220a has a first inner space 1222a. The top of the first inner space 1222a is open.

제1 지지 유닛(1240a)은 제1 처리 용기(1220a)의 제1 내부 공간(1222a)에서 기판(W)을 지지한다. 제1 지지 유닛(1240a)은 제1 지지판(1242a), 제1 구동축(1244a), 그리고 제1 구동기(1246a)를 가진다. 제1 지지판(1242a)은 그 상부면이 원형으로 제공된다. 제1 지지판(1242a)은 기판(W)보다 작은 직경을 가진다. 제1 지지판(1242a)은 진공압에 의해 기판(W)을 지지하도록 제공된다. 선택적으로 제1 지지판(1242a)은 기판(W)을 지지하는 기계적 클램핑 구조를 가질 수 있다. 제1 지지판(1242a)의 저면 중앙에는 제1 구동축(1244a)이 결합되고, 제1 구동축(1244a)에는 제1 구동축(1244a)에 회전력을 제공하는 제1 구동기(1246a)가 제공된다. 제1 구동기(1246a)는 모터일 수 있다.The first support unit 1240a supports the substrate W in the first inner space 1222a of the first processing container 1220a. The first support unit 1240a has a first support plate 1242a, a first driving shaft 1244a, and a first driver 1246a. The upper surface of the first support plate 1242a is provided in a circular shape. The first support plate 1242a has a smaller diameter than the substrate W. The first support plate 1242a is provided to support the substrate W by vacuum pressure. Optionally, the first support plate 1242a may have a mechanical clamping structure supporting the substrate W. A first drive shaft 1244a is coupled to the center of the bottom surface of the first support plate 1242a, and a first drive shaft 1246a providing rotational force to the first drive shaft 1244a is provided to the first drive shaft 1244a. The first actuator 1246a may be a motor.

제2 처리 유닛(1201b)은 제2 처리 용기(1220b)와 제2 지지 유닛(1240b)을 가지고, 제2 지지 유닛(1240b)은 제2 지지판(1242b), 제2 구동축(1244b), 그리고 제2 구동기(1246b)를 가진다. 제2 처리 용기(1220b) 및 제2 지지 유닛(1240b)은 제1 처리 용기(1220a) 및 제1 지지 유닛(1240a)과 대체로 동일한 구조를 가진다. The second processing unit 1201b has a second processing container 1220b and a second support unit 1240b, and the second support unit 1240b includes a second support plate 1242b, a second drive shaft 1244b, and a second support unit 1240b. It has 2 actuators 1246b. The second processing container 1220b and the second support unit 1240b have substantially the same structure as the first processing container 1220a and the first support unit 1240a.

액 공급 유닛(1400)은 기판(W) 상에 액을 공급한다. 액 공급 유닛(1400)은 제1 노즐(1420a), 제2 노즐(1420b), 그리고 처리액 노즐(1440)을 포함한다. 제1 노즐(1420a)은 제1 지지 유닛(1240a)에 제공된 기판(W)에 액을 공급하고, 제2 노즐(1420b)은 제2 지지 유닛(1240b)에 제공된 기판(W)에 액을 공급한다. 제1 노즐(1420a)과 제2 노즐(1420b)은 동일한 종류의 액을 공급하도록 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 제1 노즐(1420a)과 제2 노즐(1420b)은 기판(W)을 세정하는 린스액을 공급할 수 있다. 예컨대, 린스액은 물(water)일 수 있다. 다른 예에 의하면, 제1 노즐(1420a)과 제2 노즐(1420b)은 기판(W)의 에지 영역에서 포토레지스트를 제거하는 제거액을 공급할 수 있다. 예컨대, 제거액은 시너(thinner)일 수 있다. 제1 노즐(1420a)과 제2 노즐(1420b)은 각각 그 회전축을 중심으로 공정 위치와 대기 위치 간에 회전될 수 있다. 공정 위치는 기판(W) 상에 액을 토출하는 위치이고, 대기 위치는 기판(W) 상에 액의 토출 없이 제1 노즐(1420a) 및 제2 노즐(1420b)이 각각 대기하는 위치이다.The liquid supply unit 1400 supplies liquid onto the substrate W. The liquid supply unit 1400 includes a first nozzle 1420a, a second nozzle 1420b, and a treatment liquid nozzle 1440. The first nozzle 1420a supplies liquid to the substrate W provided on the first support unit 1240a, and the second nozzle 1420b supplies liquid to the substrate W provided on the second support unit 1240b. do. The first nozzle 1420a and the second nozzle 1420b may be provided to supply the same type of liquid. According to an example, the first nozzle 1420a and the second nozzle 1420b may supply a rinse liquid for cleaning the substrate W. For example, the rinsing liquid may be water. According to another example, the first nozzle 1420a and the second nozzle 1420b may supply a removal liquid for removing the photoresist from the edge area of the substrate W. For example, the removal liquid may be a thinner. The first nozzle 1420a and the second nozzle 1420b may be rotated between a process position and a stand-by position about their rotational axes, respectively. The process position is a position in which liquid is discharged onto the substrate W, and the standby position is a position in which the first nozzle 1420a and the second nozzle 1420b stand by, respectively, without liquid being discharged onto the substrate W.

처리액 노즐(1440)은 제1 지지 유닛(1240a)에 제공된 기판(W) 및 제2 지지 유닛(1240b)에 제공된 기판(W)에 처리액을 공급한다. 처리액은 포토 레지스트일 수 있다. 처리액 노즐(1440)이 가이드(1442)를 따라서 제1공정 위치, 대기 위치, 그리고 제2공정 위치 간에 이동되도록 노즐 구동기(1448)은 처리액 노즐(1440)을 구동한다. 제1공정 위치는 제1 지지 유닛(1240a)에 지지된 기판(W)으로 처리액을 공급하는 위치이고, 제2공정 위치는 제2 지지 유닛(1240b)에 지지된 기판(W)으로 처리액을 공급하는 위치이다. 대기 위치는 처리액 노즐(1440)로부터 포토레지스트의 토출이 이루어지지 않을 때 제1 처리 유닛(1201a)과 제2 처리 유닛(1201b) 사이에 위치된 대기 포트(1444)에서 대기하는 위치이다.The treatment liquid nozzle 1440 supplies a treatment liquid to the substrate W provided on the first support unit 1240a and the substrate W provided on the second support unit 1240b. The treatment liquid may be photoresist. The nozzle driver 1448 drives the treatment liquid nozzle 1440 so that the treatment liquid nozzle 1440 moves between the first process position, the standby position, and the second process position along the guide 1442 . The first process position is a position to supply the treatment liquid to the substrate W supported by the first support unit 1240a, and the second process position is a position to supply the treatment liquid to the substrate W supported by the second support unit 1240b. is a location that supplies The standby position is a position in which the photoresist is not discharged from the treatment liquid nozzle 1440 and is in standby at the standby port 1444 located between the first processing unit 1201a and the second processing unit 1201b.

제1 처리 용기(1220a)의 내부 공간(1201a)에는 기액 분리판(1229a)이 제공될 수 있다. 기액 분리판(1229a)는 제1 처리 용기(1220a)의 바닥벽으로부터 상부로 연장되게 제공될 수 있다. 기액 분리판(1229a)은 링 형상으로 제공될 수 있다. A gas-liquid separation plate 1229a may be provided in the inner space 1201a of the first processing container 1220a. The gas-liquid separator 1229a may be provided to extend upward from the bottom wall of the first processing container 1220a. The gas-liquid separation plate 1229a may be provided in a ring shape.

일 예에 의하면, 기액 분리판(1229a)의 외측은 액 배출을 위한 배출 공간으로 제공되고, 기액 분리판(1229a)의 내측은 분위기 배기를 위한 배기 공간으로 제공될 수 있다. 제1 처리 용기(1220a)의 바닥벽에는 처리액을 배출하는 배출관(1228a)이 연결된다. 배출관(1228a)은 제1 처리 용기(1220a)의 측벽과 기액 분리판(1229a) 사이로 유입된 처리액을 제1 처리 용기(1220a)의 외부로 배출한다. 제1 처리 용기(1220a)의 측벽과 기액 분리판(1229a) 사이의 공간으로 흐르는 기류는 기액 분리판(1229a)의 내측으로 유입된다. 이 과정에서 기류 내에 함유된 처리액은 배출 공간에서 배출관(1228a)을 통해 제1 처리 용기(1220a)의 외부로 배출되고, 기류는 제1 처리 용기(1220a)의 배기 공간으로 유입된다.According to an example, the outer side of the gas-liquid separator 1229a may be provided as a discharge space for liquid discharge, and the inner side of the gas-liquid separator 1229a may be provided as an exhaust space for exhausting the atmosphere. A discharge pipe 1228a for discharging the treatment liquid is connected to the bottom wall of the first treatment container 1220a. The discharge pipe 1228a discharges the processing liquid introduced between the sidewall of the first processing container 1220a and the gas-liquid separation plate 1229a to the outside of the first processing container 1220a. The air current flowing in the space between the sidewall of the first processing vessel 1220a and the gas-liquid separation plate 1229a flows into the gas-liquid separation plate 1229a. During this process, the processing liquid contained in the airflow is discharged from the discharge space through the discharge pipe 1228a to the outside of the first processing container 1220a, and the airflow is introduced into the exhaust space of the first processing container 1220a.

도시하지 않았으나, 제1 지지판(1242a)과 제1 처리 용기(1220a)의 상대 높이를 조절하는 승강 구동기가 제공될 수 있다. Although not shown, a lift driver for adjusting relative heights of the first support plate 1242a and the first processing container 1220a may be provided.

도 9는 도 3의 반송 로봇의 일 예를 보여주는 사시도이다. 9 is a perspective view showing an example of the transfer robot of FIG. 3 .

이하, 도 9의 로봇(600)은, 도 3의 반송 로봇인 것으로 설명한다. 그러나 이와 달리, 반송 로봇은 인덱스 로봇일 수 있고, 선택적으로 기판 처리 장치(1) 내에 제공되는 다른 로봇일 수 있다. Hereinafter, the robot 600 of FIG. 9 is explained as being a transfer robot of FIG. 3 . However, unlike this, the transfer robot may be an index robot, and may optionally be another robot provided in the substrate processing apparatus 1 .

도 9를 참조하면, 반송 로봇(600)은 로봇 본체(602), 수평 구동부(630), 수직 구동부(640)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 9 , the transfer robot 600 may include a robot body 602 , a horizontal drive unit 630 , and a vertical drive unit 640 .

로봇 본체(602)는 기판을 지지하여 진퇴(X 방향) 동작과 회전 동작(θ방향)이 가능한 핸드(610)와 핸드(610)를 지지하는 베이스를 포함하는 핸드 구동부(620)를 포함할 수 있다. The robot body 602 may include a hand driving unit 620 including a hand 610 capable of moving forward and backward (X direction) and rotational motion (θ direction) by supporting a substrate and a base supporting the hand 610. there is.

핸드 구동부(620)는 핸드(610)를 각각 수평 이동시키며, 핸드(610)는 핸드 구동부(620)에 의해 개별 구동된다. 핸드 구동부(620)에는 내부의 구동부(미도시됨)와 연결된 연결암(612)을 포함하며, 연결암(612)의 단부에는 핸드(610)가 설치된다. 본 실시예에 있어서, 반송 로봇(600)은 2개의 핸드(610)를 구비하나, 핸드(610)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율에 따라 증가할 수도 있다. 핸드 구동부(620)의 아래에는 회전부(미도시됨)가 설치된다. 회전부는 핸드 구동부(620)와 결합하고, 회전하여 핸드 구동부(620)를 회전시킨다. 이에 따라, 핸드(610)들이 함께 회전한다. The hand driver 620 moves the hands 610 horizontally, and the hands 610 are individually driven by the hand driver 620 . The hand drive unit 620 includes a connection arm 612 connected to an internal drive unit (not shown), and the hand 610 is installed at an end of the connection arm 612. In this embodiment, the transport robot 600 includes two hands 610, but the number of hands 610 may increase according to the process efficiency of the substrate processing system 1000. A rotation unit (not shown) is installed below the hand driving unit 620 . The rotating unit is coupled to the hand driving unit 620 and rotates to rotate the hand driving unit 620 . Accordingly, the hands 610 rotate together.

수평 구동부(630)와 수직 구동부(640)는 하나의 몸체 프레임(690)에 장착된다. The horizontal driving unit 630 and the vertical driving unit 640 are mounted on one body frame 690.

몸체 프레임(690)은 수개의 프레임이 서로 결합된 형태로 제공될 수 있다. 몸체 프레임(690)은 로봇 본체를 Y 방향으로 안내하는 상부 수평 구동부(630a)와 하부 수평 구동부(630b), 상하부 수평 구동부(630a,630b) 사이에 수직 방향으로 세워진 수직 보조 프레임(692), 하부 수평 구동부(630b)와는 평행하게 연장되어 몸체 프레임(690) 형태를 만드는 수평 보조 프레임(693), 상하부 수평 구동부(630a,630b)와 수평 보조 프레임(693)의 끝단을 서로 결합되도록 하여 몸체 프레임(690)의 측부 형태를 만드는 결합 보조 프레임(694)으로 구성될 수 있다.The body frame 690 may be provided in a form in which several frames are coupled to each other. The body frame 690 includes an upper horizontal driving unit 630a, a lower horizontal driving unit 630b, and a vertical auxiliary frame 692 erected in the vertical direction between the upper and lower horizontal driving units 630a and 630b to guide the robot body in the Y direction. The body frame ( 690) may be composed of a coupling auxiliary frame 694 to create a side form.

이와 같이, 몸체 프레임(690)은 다수개의 보조 프레임(692,693,694)에 의해 결합되어 있으므로 그 강성이 강화되고, 이에 따라 장시간 사용시에도 그 형태를 온전히 유지할 수 있는 등 내구성이 강화된다. As such, since the body frame 690 is coupled by a plurality of auxiliary frames 692 , 693 , and 694 , its rigidity is enhanced, and thus durability is enhanced such that its shape can be maintained intact even when used for a long time.

수평 구동부(630a,630b)는 상술한 바와 같이 로봇 본체(602)를 Y 방향으로 이동시키기 위한 주행 가이드로서, 수직 구동부(640)의 양 선단부와 결합된다. 수평 구동부(630a,630b) 중에서 특히 하부 수평 구동부(630b)의 내면에는 이송 벨트를 포함하는 수평 방향 구동부(미도시됨)가 내장된다. 따라서, 이송 벨트의 구동에 의해 로봇 본체(602)는 수평 구동부(630a,630b)를 따라 수평 이동된다. As described above, the horizontal driving units 630a and 630b are driving guides for moving the robot body 602 in the Y direction, and are combined with both front ends of the vertical driving unit 640 . Among the horizontal drive units 630a and 630b, a horizontal drive unit (not shown) including a transfer belt is embedded on the inner surface of the lower horizontal drive unit 630b. Accordingly, the robot body 602 is horizontally moved along the horizontal driving units 630a and 630b by driving the transfer belt.

수직 구동부(640)는 로봇 본체(602)를 Z 방향으로 이동시키기 위한 일종의 주행 구동부로서, 상하부 수평 구동부(630b,630a)와 결합된다. 따라서, 로봇 본체(602)는 수평 구동부(630b,630a)에 의해 안내되어 Y 방향으로 이동되는 동시에 수직 구동부(640)에 의해 안내되어 Z 방향으로도 이동될 수 있다. 즉, 로봇 본체(602)는 Y 방향과 Z 방향의 합에 상당하는 사선 방향으로 이동될 수 있는 것이다. The vertical driving unit 640 is a kind of traveling driving unit for moving the robot body 602 in the Z direction, and is combined with the upper and lower horizontal driving units 630b and 630a. Accordingly, the robot body 602 is guided by the horizontal driving units 630b and 630a to move in the Y direction, and at the same time guided by the vertical driving unit 640 to move in the Z direction. That is, the robot body 602 can be moved in an oblique direction corresponding to the sum of the Y and Z directions.

한편, 수직 구동부(640)는 서로 이격된 복수개, 예를 들어, 두개의 수직한 프레임으로 구성되는 바, 두개의 프레임 사이의 이격된 공간으로 로봇 본체(602)는 자유로이 드나들 수 있다. On the other hand, the vertical drive unit 640 is composed of a plurality of spaced apart from each other, for example, two vertical frames, and the robot body 602 can freely move in and out of the space between the two frames.

수직 구동부(640)의 수직 프레임(650) 내부에는 이송 벨트를 포함하는 수직 방향 구동부(이하 수직 구동부라 함)가 내장된다. Inside the vertical frame 650 of the vertical driving unit 640, a vertical driving unit including a transfer belt (hereinafter referred to as a vertical driving unit) is built in.

베이크 유닛(420)은 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 유닛들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. The bake unit 420 heat-treats the substrate W. For example, the bake units 420 perform a pre-bake process of heating the substrate W to a predetermined temperature to remove organic substances or moisture from the surface of the substrate W before applying the photoresist or applying the photoresist to the substrate (W). W), a soft bake process or the like is performed after application, and a cooling process or the like of cooling the substrate W is performed after each heating process.

열 처리 챔버(420)들 중 일부의 열처리 챔버(420)에 제공된 가열 처리 유닛(800)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 기판 상에 포토레지스트의 부착율을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(HMDS, hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. The heat treatment unit 800 provided in some of the heat treatment chambers 420 may supply gas while heating the substrate W to improve the adhesion rate of the photoresist on the substrate. According to one example, the gas may be hexamethyldisilane (HMDS) gas.

도 8은 본 발명의 실시예에 따른 베이크 유닛을 보여주는 평면도이고, 도 9는 도 8에 도시된 베이크 유닛을 보여주는 측면도이며, 도 10은 도 8의 가열 처리 공정을 수행하는 가열 처리 유닛을 보여주는 단면도이다.8 is a plan view showing a bake unit according to an embodiment of the present invention, FIG. 9 is a side view showing the bake unit shown in FIG. 8 , and FIG. 10 is a cross-sectional view showing the heat treatment unit performing the heat treatment process of FIG. 8 . am.

도 8 내지 도 10을 참조하면, 베이크 유닛(420)은 공정 챔버(423), 냉각 플레이트(422), 그리고 가열 처리 유닛(800)을 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 8 to 10 , the bake unit 420 may include a process chamber 423 , a cooling plate 422 , and a heat treatment unit 800 .

공정 챔버(423)는 내부에 열처리 공간(421)을 제공한다. 공정 챔버(423)는 직육면체 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 공정 챔버(423)의 일측에는 기판 반입 및 반출을 위한 슬롯(424)이 제공되며, 슬롯(424)은 셔터(425)에 의해 개폐되고, 셔터(425)는 셔터 구동부(미도시됨)에 의해 구동된다. The process chamber 423 provides a heat treatment space 421 therein. The process chamber 423 may have a rectangular parallelepiped shape. A slot 424 for bringing in and taking out substrates is provided on one side of the process chamber 423, the slot 424 is opened and closed by a shutter 425, and the shutter 425 is opened and closed by a shutter driver (not shown). driven

냉각 플레이트(422)는 가열 처리 유닛(800)에 의해 가열 처리된 기판을 냉각 처리할 수 있다. 냉각 플레이트(422)는 열 처리 공간(421)에 위치될 수 있다. 냉각 플레이트(422)는 원형의 판 형상으로 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(422)의 내부에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단이 제공된다. 예컨대, 냉각 플레이트(422)는 가열된 기판을 상온으로 냉각시킬 수 있다.The cooling plate 422 may cool the substrate heat-treated by the heat treatment unit 800 . The cooling plate 422 may be located in the heat treatment space 421 . The cooling plate 422 may be provided in a circular plate shape. A cooling means such as cooling water or a thermoelectric element is provided inside the cooling plate 422 . For example, the cooling plate 422 may cool the heated substrate to room temperature.

가열 처리 유닛(800)은 기판을 가열 처리한다. 가열 처리 유닛(800)은 하우징(860), 가열 플레이트(810), 가열부재(830), 외부 기체 공급부(850), 배기유닛(870)을 포함할 수 있다. The heat treatment unit 800 heat-processes the substrate. The heat treatment unit 800 may include a housing 860, a heating plate 810, a heating member 830, an external gas supply unit 850, and an exhaust unit 870.

하우징(860)은 기판(W)의 가열 처리 공정이 진행되는 처리 공간(802)을 제공한다. 하우징(860)은 하부 바디(862), 상부 바디(864), 구동기(868)를 포함할 수 있다. The housing 860 provides a processing space 802 in which the heat treatment process of the substrate W is performed. The housing 860 may include a lower body 862 , an upper body 864 , and an actuator 868 .

하부 바디(862)는 상측이 개방된 통 형상으로 제공될 수 있다. 하부 바디(862)에는 가열 플레이트(810)와 가열부재(830)가 위치될 수 있다. 하부 바디(862)는 가열 플레이트(810)의 주변에 위치한 장치들이 열 변형되는 것을 방지하기 위해 단열 커버들을 포함할 수 있다. The lower body 862 may be provided in a cylindrical shape with an open top. A heating plate 810 and a heating member 830 may be positioned on the lower body 862 . The lower body 862 may include insulating covers to prevent devices located around the heating plate 810 from being thermally deformed.

상부 바디(864)는 하부가 개방된 통 형상을 가진다. 상부 바디(864)는 하부 바디(862)와 조합되어 내부에 처리 공간(802)을 형성한다. 상부 바디(864)는 하부 바디(862)보다 큰 직경을 가진다. 상부 바디(864)는 하부 바디(862)의 상부에 위치된다. The upper body 864 has a cylindrical shape with an open bottom. Upper body 864 is combined with lower body 862 to form processing space 802 therein. Upper body 864 has a larger diameter than lower body 862 . Upper body 864 is positioned on top of lower body 862 .

상부 바디(864)는 구동기(868)에 의해 상하 방향으로 이동 가능하다. 상부 바디(864)는 상하 방향으로 이동되어 승강(UP) 위치 및 하강(Down) 위치로 이동 가능하다. 여기서 승강 위치되는 상부 바디(864)가 하부 바디(862)와 이격되는 위치이고, 하강 위치는 상부 바디(864)가 하부 바디(862)에 접촉되게 제공되는 위치이다. 구동기(868)는 제어부에 의해 제어된다. The upper body 864 is movable in the vertical direction by the driver 868 . The upper body 864 is moved in the vertical direction to be movable to an up and down (UP) position and a down position. Here, the upper body 864 in the lifting position is a position spaced apart from the lower body 862, and the lowering position is a position in which the upper body 864 comes into contact with the lower body 862. The driver 868 is controlled by a controller.

가열 플레이트(810)는 처리 공간(802) 내에 위치된다. 가열 플레이트(810)는 냉각 플레이트(422)의 일측에 위치될 수 있다. 가열 플레이트(810)는 원형의 판 형상으로 제공될 수 있다. 가열 플레이트(810)의 상면은 기판(W)이 놓이는 지지 영역으로 제공된다. A heating plate 810 is positioned within the processing space 802 . The heating plate 810 may be positioned on one side of the cooling plate 422 . The heating plate 810 may be provided in a circular plate shape. The upper surface of the heating plate 810 serves as a support area on which the substrate W is placed.

가열 플레이트(810)의 상면에는 복수 개의 핀 홀들(812)이 형성된다. 예컨대, 핀 홀(812)들은 3개로 제공될 수 있다. 각각의 핀 홀(812)은 가열 플레이트(810)의 원주방향을 따라 이격되게 위치된다. 핀 홀(812)들은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. 각각의 핀 홀(812)에는 리프트핀(842)이 제공된다. 리프트핀(842)은 핀구동부재(844)에 의해 상하방향으로 이동 가능한다. A plurality of pin holes 812 are formed on the upper surface of the heating plate 810 . For example, three pin holes 812 may be provided. Each pin hole 812 is spaced apart along the circumferential direction of the heating plate 810 . The pin holes 812 may be spaced apart from each other at equal intervals. Each pin hole 812 is provided with a lift pin 842 . The lift pin 842 is movable in the vertical direction by the pin driving member 844 .

가열 부재(830)는 가열 플레이트(810)에 놓인 기판(W)을 기설정 온도로 가열한다. 가열 부재(830)는 복수 개의 발열체를 포함할 수 있. 가열 부재(830)는 가열 플레이트(810)의 내부에 위치될 수 있다. 각각의 발열체는 가열 플레이트(810)의 서로 상이한 영역을 가열할 수 있다. 가열 플레이트(810)의 서로 상이한 영역은 각 발열체에 의해 가열되는 히팅존으로 제공된다. 각 히텅존은 발열체들과 일대일 대응되도록 제공된다. 예컨대, 가열 부재(830)는 열전 소자 또는 열선 또는 면상 발열체일 수 있다. The heating member 830 heats the substrate W placed on the heating plate 810 to a preset temperature. The heating member 830 may include a plurality of heating elements. The heating member 830 may be located inside the heating plate 810 . Each heating element may heat different regions of the heating plate 810 . Different regions of the heating plate 810 serve as heating zones heated by respective heating elements. Each heating zone is provided in a one-to-one correspondence with the heating elements. For example, the heating member 830 may be a thermoelectric element, a hot wire, or a surface heating element.

외부 기체 공급부(850)는 처리 공간으로 외부 기체를 공급한다. 외부 기체 공급부(850)는 상부 바디(864)의 저면에 형성된 복수의 분사공(852)들을 포함할 수 있다. 외부 기체는 상부 바디(864)의 상면에 형성된 공급 포트(854)를 통해 유입되어 상부 바디(864) 내에 제공되는 공급 유로를 통해 분사공(852)들로 공급될 수 있다. 외부 기체 공급부를 통해 처리 공간으로 유입된 외부 기체는 기판 상에서 발생되는 퓸과 함께 배기 유닛(870)을 통해 배기될 수 있다. 참고로, 외부 기체는 공기 또는 불활성 기체일 수 있다. The external gas supply unit 850 supplies external gas to the processing space. The external gas supply unit 850 may include a plurality of injection holes 852 formed on the lower surface of the upper body 864 . External gas may be introduced through the supply port 854 formed on the upper surface of the upper body 864 and supplied to the injection holes 852 through the supply passage provided in the upper body 864 . External gas introduced into the processing space through the external gas supply unit may be exhausted through the exhaust unit 870 together with fume generated on the substrate. For reference, the external gas may be air or an inert gas.

도 11 및 도 12는 배기 유닛을 설명하기 위한 도면들이다. 11 and 12 are views for explaining an exhaust unit.

도 11 내지 도 12를 참조하면, 배기 유닛(870)은 처리 공간(802)의 분위기를 배기한다. 공정 진행 중에 발생되는 부산물 및 처리 공간(802) 내에 머무르는 가스는 배기 유닛(870)을 통해 외부로 배출된다. Referring to FIGS. 11 and 12 , an exhaust unit 870 exhausts the atmosphere of the processing space 802 . By-products generated during the process and gas remaining in the processing space 802 are discharged to the outside through the exhaust unit 870 .

배기 유닛(870)은 배기 덕트(910), 댐퍼(930), 분사 노즐(920) 그리고 기액 분리 부재(940)를 포함할 수 있다. The exhaust unit 870 may include an exhaust duct 910, a damper 930, a spray nozzle 920, and a gas-liquid separation member 940.

배기 덕트(910)에는 배기압이 제공된다. 배기 덕트(910)는 설비에 수직한 방향으로 설치될 수 있다. 배기 덕트(910)와 가열 처리 유닛(800)은 배기 라인(882)에 의해 연결된다. 배기 라인(882)은 처리 공간(802)의 중앙 영역과 가장자리 영역에 각각 대향되도록 상부 바디(864)에 제공된 배기홀(881)들과 연결될 수 있다. Exhaust pressure is provided to the exhaust duct 910 . The exhaust duct 910 may be installed in a direction perpendicular to the facility. The exhaust duct 910 and the heat treatment unit 800 are connected by an exhaust line 882 . The exhaust line 882 may be connected to exhaust holes 881 provided in the upper body 864 to face the center area and the edge area of the processing space 802 , respectively.

댐퍼(930)는 분사 노즐(920)과 기액 분리 부재(940) 사이의 배기 덕트(910) 상에 제공될 수 있다. 댐퍼(930)는 배기 덕트(910)의 통로 개구율을 0% ~ 100% 범위 내에서 조절할 수 있다. 댐퍼(930)의 블레이드(932)는 구동부에 의해 구동된다. 구동부는 공정 조건에 따라 블레이드(932)의 개폐 위치를 변화시킨다. 구동부는 배기 덕트(910)를 닫는 폐쇄위치(예를 들면 0°)와 배기 덕트(910)를 완전히 개방하는 최대 개방 위치(예를 들면, 90°) 사이에서 블레이드(932)의 개방 각도를 변화시킨다. 한편, 배기 덕트(910) 및 댐퍼(930)(블레이드)의 세정을 위한 공정에서는 블레이드(932)의 세정 효율을 높이기 위해 폐쇄위치에 근접한 각도(이때 유기용제(미스트)가 통과할 수 있는 그리고 댐퍼에 최대한 많은 유기용제가 노출될 수 있는)인 최소한의 개구율(예를 들면 10%) 범위 내에서 조절될 수 있다. The damper 930 may be provided on the exhaust duct 910 between the injection nozzle 920 and the gas-liquid separation member 940 . The damper 930 may adjust the passage opening ratio of the exhaust duct 910 within a range of 0% to 100%. The blade 932 of the damper 930 is driven by a drive unit. The driving unit changes the opening/closing position of the blade 932 according to process conditions. The driving unit changes the opening angle of the blade 932 between a closed position (for example, 0°) that closes the exhaust duct 910 and a maximum open position (for example, 90°) that completely opens the exhaust duct 910. let it On the other hand, in the process for cleaning the exhaust duct 910 and the damper 930 (blade), in order to increase the cleaning efficiency of the blade 932, the angle close to the closed position (at this time, the organic solvent (mist) can pass and the damper It can be adjusted within the range of the minimum aperture ratio (for example, 10%) that can expose as much organic solvent as possible.

분사 노즐(920)은 배기 덕트(910)의 최상단에 제공된다. 분사 노즐(920)은 오염된 배기 덕트(910) 및 댐퍼(930)를 세정하기 위해 배기 덕트(910)의 내부 공간으로 세정액(유기용제) 미스트를 아래 방향으로 분사한다. 분사 노즐(920)을 통해 분사되는 세정액은 잔여물을 녹일 수 있는 케미컬을 포함할 수 있다. The injection nozzle 920 is provided at the top of the exhaust duct 910 . The spray nozzle 920 sprays a cleaning liquid (organic solvent) mist downward into the inner space of the exhaust duct 910 to clean the contaminated exhaust duct 910 and the damper 930 . The cleaning liquid sprayed through the spray nozzle 920 may contain a chemical capable of dissolving residues.

미스트 형태의 기액 분리 부재(940)는 댐퍼 보다 아래에 위치되도록 배기 덕트(910)의 하부에 설치될 수 있다. 기액 분리 부재(940)는 분리막(942), 저수부(944)를 포함할 수 있다. The gas-liquid separation member 940 in the form of mist may be installed below the exhaust duct 910 to be positioned below the damper. The gas-liquid separation member 940 may include a separation membrane 942 and a water reservoir 944 .

분리막(942)은 배기 덕트(910) 상에 마련되고, 유입방향을 통해 유입되는 세정액과 기체를 분리하기 위한 그리고 기체가 통과하는 통로(943)를 갖는다. 즉, 기액 분리 부재는 분리막에 의해 유입방향에 위치하는 혼합 공간(액체와 기체가 혼합됨)과 배기방향에 위치하는 기체 공간으로 구획될 수 있다. 본 실시예에서 분리막(942)을 기준으로 좌측이 혼합 공간, 우측이 기체 공간일 수 있다. 기체 공간에 해당되는 기액 분리 부재(940)의 저면에는 배기 덕트(904)가 연결된다. The separation membrane 942 is provided on the exhaust duct 910 and has a passage 943 for separating the washing liquid and the gas flowing through the inlet direction and through which the gas passes. That is, the gas-liquid separation member may be partitioned into a mixing space (liquid and gas are mixed) located in the inflow direction and a gas space located in the exhaust direction by the separation membrane. In this embodiment, the left side of the separation membrane 942 may be a mixing space and the right side may be a gas space. An exhaust duct 904 is connected to the bottom of the gas-liquid separation member 940 corresponding to the gas space.

분리막(942)은 배기 덕트(910)를 기준으로 사선으로 제공되는 제1플레이트와, 제1플레이트로부터 수직 하방으로 수직하게 연장 형성되는 제2플레이트(946)를 포함한다. 통로(943)는 제2플레이트 또는 제1플레이트와 제2플레이트 사이의 이격된 공간에 제공될 수 있다. The separator 942 includes a first plate provided obliquely with respect to the exhaust duct 910 and a second plate 946 extending vertically downward from the first plate. The passage 943 may be provided in the second plate or in a spaced space between the first and second plates.

저수부(944)는 통로(943)보다 낮은 위치에 제공된다. 통로(943)를 통과하지 못한 세정액은 저수부에 모이게 된다. 저수부(944) 하단에는 배수라인(902)이 제공된다. 저수부(944)에 모인 세정액은 배수라인(902)을 통해 배출된다. The water reservoir 944 is provided at a position lower than the passage 943 . Washing liquid that did not pass through the passage 943 is collected in the water reservoir. A drain line 902 is provided at the lower end of the water reservoir 944 . The washing liquid collected in the water reservoir 944 is discharged through the drain line 902 .

상술한 구성을 갖는 배기 유닛에서의 댐퍼 세정 과정을 살며보면 다음과 같다.The damper cleaning process in the exhaust unit having the above configuration is as follows.

분사 노즐(920)은 세정액 미스트를 분사한다. 분사 노즐(920)을 통해 분사된 세정액 미스트는 배기 기류 유로를 따라 하강하고, 댐퍼(930)의 블레이드(932) 표면과 충돌한다. 블레이드(932) 표면과 충돌한 세정액 미스트는 배기 기류로 인해 블레이드(932) 표면을 흘러내려 하부로 하강한다. 하강하면서 블레이드(932)의 표면에 잔존하는 잔여물을 제거한다. 잔여물을 포함한 세정액 미스트는 저수부(944)로 떨어진다. 떨어진 세정액 미스트는 액화되어 배기 라인(902)을 통해 배출되고, 미스트가 제거된 기류는 통로(943)를 통해 배기 덕트(904)로 배출된다. The spray nozzle 920 sprays the cleaning liquid mist. The cleaning liquid mist sprayed through the spray nozzle 920 descends along the exhaust air flow path and collides with the surface of the blade 932 of the damper 930 . The washing liquid mist colliding with the surface of the blade 932 flows down the surface of the blade 932 due to the exhaust airflow and descends downward. While descending, the residue remaining on the surface of the blade 932 is removed. The cleaning liquid mist containing the residue falls into the water reservoir 944 . The dropped washer mist is liquefied and discharged through the exhaust line 902, and the mist-free airflow is discharged to the exhaust duct 904 through the passage 943.

이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.It should be understood that the above embodiments are presented to aid understanding of the present invention, do not limit the scope of the present invention, and various deformable embodiments also fall within the scope of the present invention. The scope of technical protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the claims, and the scope of technical protection of the present invention is not limited to the literal description of the claims themselves, but is substantially equal to the scope of technical value. It should be understood that it extends to the invention of.

100 : 인덱스 모듈 300 : 처리 모듈
500 : 인터페이스 모듈 870 : 배기 유닛
910 : 배기 덕트 920 : 분사 노즐
930 : 댐퍼 940 : 기액 분리 부재100: index module 300: processing module
500: interface module 870: exhaust unit
910: exhaust duct 920: injection nozzle
930: damper 940: gas-liquid separation member

Claims (8)

공정 챔버;
상기 공정 챔버와 연결되는 배기 덕트;
상기 배기 덕트 상에 제공되는 댐퍼;
상기 배기 덕트에 제공되어 상기 배기 덕트 및 상기 댐퍼에 묻은 이물질을 제거하기 위해 세정액을 분사하는 세정액 공급부; 및
상기 배기 덕트 상에 제공되고, 상기 배기 덕트 및 상기 댐퍼의 세정에 사용된 세정액을 기체와 분리하기 위한 기액 분리 부재를 포함하는 기판 처리 장치. process chamber;
an exhaust duct connected to the process chamber;
a damper provided on the exhaust duct;
a cleaning liquid supply unit provided in the exhaust duct and spraying a cleaning liquid to remove foreign substances attached to the exhaust duct and the damper; and
and a gas-liquid separation member provided on the exhaust duct and configured to separate a cleaning liquid used for cleaning the exhaust duct and the damper from gas. 제1항에 있어서,
상기 세정액 공급부는
세정액을 미스트 형태로 분사하는 노즐을 포함하는 기판 처리 장치. According to claim 1,
The cleaning solution supply unit
A substrate processing apparatus including a nozzle spraying a cleaning liquid in a mist form. 제2항에 있어서,
상기 노즐은
상기 배기 덕트의 상부에서 상기 댐퍼를 향해 세정액을 분사하는 기판 처리 장치.According to claim 2,
the nozzle
A substrate processing apparatus for spraying a cleaning liquid from an upper portion of the exhaust duct toward the damper. 제2항에 있어서,
상기 기액 분리 부재는
상기 배기 덕트 상에 마련되고, 유입방향을 통해 유입되는 세정액과 기체를 분리하기 위한 그리고 기체가 통과하는 통로를 갖는 분리막;
상기 통로보다 낮은 위치에 제공되고 상기 통로를 통과하지 못한 세정액이 모이는 저수부; 및
상기 저수부 하단에 제공되는 배수라인을 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 2,
The gas-liquid separation member
a separation membrane provided on the exhaust duct and having a passage through which the gas passes and for separating the washing liquid and the gas introduced through the inflow direction;
a water reservoir provided at a position lower than the passage and collecting the washing liquid that did not pass through the passage; and
A substrate processing apparatus comprising a drain line provided at a lower end of the water reservoir. 제4항에 있어서,
상기 분리막은
상기 배기 덕트를 기준으로 사선으로 제공되는 제1플레이트;
상기 제1플레이트로부터 수직 하방으로 수직하게 연장 형성되는 제2플레이트를 포함하고,
상기 통로는 제2플레이트 상에 제공되는 기판 처리 장치. According to claim 4,
The separator is
a first plate provided obliquely with respect to the exhaust duct;
A second plate extending vertically downward from the first plate,
The passage is provided on the second plate substrate processing apparatus. 기판을 열처리하는 베이크 유닛; 및
상기 베이크 유닛에 연결된 배기 유닛을 포함하고,
상기 배기 유닛은,
상기 베이크 유닛에 연결되어 상기 베이크 유닛의 처리 공간을 배기하는 배기 덕트;
상기 배기 덕트에 설치되어 배기 유량을 조절하는 댐퍼;
상기 배기 덕트의 상부에 설치되어 액체와 기체가 혼합된 상태의 세정액을 분사하는 노즐; 및
상기 배기 덕트의 하부에 설치되는 기액 분리 부재를 포함하는 기판 처리 장치.a bake unit that heat-treats the substrate; and
An exhaust unit connected to the bake unit;
The exhaust unit,
an exhaust duct connected to the bake unit to exhaust a processing space of the bake unit;
a damper installed in the exhaust duct to adjust the exhaust flow rate;
a nozzle installed on the upper part of the exhaust duct to spray a liquid-gas-mixed cleaning solution; and
A substrate processing apparatus comprising a gas-liquid separation member installed below the exhaust duct. 제6항에 있어서,
상기 배기 덕트의 하단에는 배출관과, 상기 배출관보다 큰 직경으로 형성되는 배기관이 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 6,
A substrate processing apparatus in which a discharge pipe and an exhaust pipe having a larger diameter than the discharge pipe are provided at a lower end of the exhaust duct. 제7항에 있어서,
상기 기액 분리 부재는,
상기 배기 덕트의 하단으로부터 위로 돌출되며 상기 배출관과 상기 배기관을 구획하는 제1플레이트와. 상기 제1플레이트와, 상기 제1플레이트와 이격되는 제2플레이트를 포함하고,
상기 세정액으로부터 분리되는 기체는 상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트 사이의 이격 공간을 통해 배기되는 기판 처리 장치.
According to claim 7,
The gas-liquid separation member,
a first plate protruding upward from a lower end of the exhaust duct and partitioning the exhaust pipe and the exhaust pipe; It includes the first plate and a second plate spaced apart from the first plate,
Gas separated from the cleaning liquid is exhausted through a separation space between the first plate and the second plate.

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