KR20230013642A - Connection material - Google Patents

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KR20230013642A
KR20230013642A KR1020237001742A KR20237001742A KR20230013642A KR 20230013642 A KR20230013642 A KR 20230013642A KR 1020237001742 A KR1020237001742 A KR 1020237001742A KR 20237001742 A KR20237001742 A KR 20237001742A KR 20230013642 A KR20230013642 A KR 20230013642A
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다쓰로 후카야
도모유키 이시마쓰
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데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
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Abstract

낮은 접속 저항치를 얻을 수 있는 접속 재료를 제공한다. 접속 재료는, 수지 입자와, 수지 입자를 피복하는 제1의 도전성 피막과, 제1의 도전성 피막 상에 복수 배치되고, 비커스 경도가 1500~5000인 돌기 심재와, 제1의 도전성 피막과 돌기 심재를 피복하는 제2의 도전성 피막을 갖는 도전성 입자를 함유하고, 최저 용융 점도가 1~100000Pa·s이다. 이에 의해, 도전성 입자와 전극 사이의 바인더가 충분히 배제됨과 더불어, 전극에 걸리는 압력을 충분히 얻을 수 있으므로, 낮은 접속 저항치를 얻을 수 있다.A connection material capable of obtaining a low connection resistance value is provided. The connection material includes resin particles, a first conductive film covering the resin particles, a protrusion core material having a Vickers hardness of 1500 to 5000 disposed in plurality on the first conductive film, and the first conductive film and the protrusion core material. It contains conductive particles having a second conductive film covering, and has a minimum melt viscosity of 1 to 100,000 Pa·s. Thereby, since the pressure applied to the electrode can be sufficiently obtained while the binder between the conductive particles and the electrode is sufficiently removed, a low connection resistance value can be obtained.

Description

접속 재료{CONNECTION MATERIAL}Connection material {CONNECTION MATERIAL}

본 발명은, 도전성 입자에 의해 회로 부재끼리를 전기적으로 접속하는 접속 재료에 관한 것이다. 본 출원은, 일본국에서 2015년 9월 18일에 출원된 일본 특허 출원 번호 특허 출원 2015-185238을 기초로 하여 우선권을 주장하는 것이며, 이 출원은 참조됨으로써, 본 출원에 원용된다.The present invention relates to a connecting material electrically connecting circuit members to each other by conductive particles. This application claims priority on the basis of Japanese Patent Application No. Patent Application No. 2015-185238 for which it applied in Japan on September 18, 2015, and this application is incorporated into this application by reference.

근년, 휴대폰이나 태블릿에 있어서, 소비 전력의 저하가 요구되고 있다. 소비 전력을 억제하기 위해서는, 접속 저항치를 낮게 억제할 필요가 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] In recent years, reduction in power consumption has been demanded in mobile phones and tablets. In order to suppress power consumption, it is necessary to suppress the connection resistance value low.

특허문헌 1, 2에는, 도전성 입자에 돌기를 형성함으로써, 저저항화를 도모하는 기술이 기재되어 있다. 그러나, 특허문헌 1에 기재된 도전성 입자는, 기재(수지 입자)에 직접 돌기 심재가 부착되어 있으므로, 실장시의 압력에 의해 돌기 심재가 기재에 매몰되어, 전극에 걸리는 압력이 감소한다. 이 때문에, 예를 들면 표면이 평활한 IZO 전극에 있어서, 낮은 접속 저항치를 얻는 것이 곤란해진다.Patent Literatures 1 and 2 describe techniques for reducing resistance by forming protrusions on conductive particles. However, in the conductive particles described in Patent Literature 1, since the protruding core material is directly adhered to the substrate (resin particle), the protruding core material is buried in the substrate by the pressure during mounting, and the pressure applied to the electrode is reduced. For this reason, in the IZO electrode with a smooth surface, for example, it becomes difficult to obtain a low connection resistance value.

일본국 특허 공개 2012-134156호 공보Japanese Patent Publication No. 2012-134156 WO 2014/054572호 공보Publication WO 2014/054572

본 발명은, 이러한 실정을 감안하여 이루어진 것이며, 낮은 접속 저항치를 얻을 수 있는 접속 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention was made in view of such a situation, and aims at providing the connection material which can obtain a low connection resistance value.

상술한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따른 접속 재료는, 수지 입자와, 상기 수지 입자를 피복하는 제1의 도전성 피막과, 상기 제1의 도전성 피막 상에 복수 배치되고, 비커스 경도가 1800~3500인 돌기 심재와, 상기 제1의 도전성 피막과 상기 돌기 심재를 피복하는 제2의 도전성 피막을 갖는 도전성 입자를 함유하고, 최저 용융 점도가 1~100000Pa·s이고, 상기 제1의 도전성 피막의 막두께가, 5nm 이상 100nm 이하이고, 상기 제1의 도전성 피막과 상기 제2의 도전성 피막의 합계 막두께가, 100nm 이상 200nm 이하이며, 상기 제1의 도전성 피막의 비커스 경도가, 300~1200이고, 상기 돌기 심재의 평균 입자 직경이 50~300nm이다.In order to solve the above problems, the connection material according to the present invention is a resin particle, a first conductive film covering the resin particle, and a plurality of arrangements on the first conductive film, and the Vickers hardness is 1800 to 1800. It contains a protrusion core material of 3500, and conductive particles having a first conductive film and a second conductive film covering the protrusion core material, wherein the minimum melt viscosity is 1 to 100000 Pa s, and the first conductive film The film thickness is 5 nm or more and 100 nm or less, the total film thickness of the first conductive film and the second conductive film is 100 nm or more and 200 nm or less, and the Vickers hardness of the first conductive film is 300 to 1200. , The average particle diameter of the protrusion core material is 50 to 300 nm.

또, 본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법은, 제1의 회로 부재 상에, 도전성 입자를 함유하는 접속 재료를 개재해 제2의 회로 부재를 탑재하는 공정과, 상기 제2의 회로 부재를 압착 툴에 의해서 가열 압압(押壓)하여, 상기 접속 재료를 경화시키는 공정을 갖고, 상기 도전성 입자가, 수지 입자와, 상기 수지 입자를 피복하는 제1의 도전성 피막과, 상기 제1의 도전성 피막 상에 복수 배치되고, 비커스 경도가 1800~3500인 돌기 심재와, 상기 제1의 도전성 피막과 상기 돌기 심재를 피복하는 제2의 도전성 피막을 갖고, 상기 접속 재료의 최저 용융 점도가 1~100000Pa·s이고, 상기 제1의 도전성 피막의 막두께가, 5nm 이상 100nm 이하이고, 상기 제1의 도전성 피막과 상기 제2의 도전성 피막의 합계 막두께가, 100nm 이상 200nm 이하이며, 상기 제1의 도전성 피막의 비커스 경도가, 300~1200이고, 상기 돌기 심재의 평균 입자 직경이 50~300nm이다.Further, the method for manufacturing a bonded structure according to the present invention includes a step of mounting a second circuit member on a first circuit member via a connection material containing conductive particles, and crimping the second circuit member. A step of curing the connection material by heating and pressing with a tool, wherein the conductive particles are formed on resin particles, a first conductive film covering the resin particles, and the first conductive film. a plurality of protrusion core materials having a Vickers hardness of 1800 to 3500, and a second conductive film covering the first conductive film and the protrusion core material, wherein the minimum melt viscosity of the connecting material is 1 to 100000 Pa·s wherein the film thickness of the first conductive film is 5 nm or more and 100 nm or less, and the total film thickness of the first conductive film and the second conductive film is 100 nm or more and 200 nm or less, and the first conductive film is has a Vickers hardness of 300 to 1200, and an average particle diameter of the protrusion core material is 50 to 300 nm.

또, 본 발명에 따른 접속 구조체는, 제1의 회로 부재와, 제2의 회로 부재와, 상기 제1의 회로 부재와 상기 제2의 회로 부재를 접속하는 접속 경화막을 구비하고, 상기 접속 경화막이, 수지 입자와, 상기 수지 입자를 피복하는 제1의 도전성 피막과, 상기 제1의 도전성 피막 상에 복수 배치되고, 비커스 경도가 1800~3500인 돌기 심재와, 상기 제1의 도전성 피막과 상기 돌기 심재를 피복하는 제2의 도전성 피막을 갖고, 상기 제1의 도전성 피막의 막두께가, 5nm 이상 100nm 이하이고, 상기 제1의 도전성 피막과 상기 제2의 도전성 피막의 합계 막두께가, 100nm 이상 200nm 이하이며, 상기 제1의 도전성 피막의 비커스 경도가, 300~1200이고, 상기 돌기 심재의 평균 입자 직경이 50~300nm인 도전성 입자를 구비한다.Further, the bonded structure according to the present invention includes a first circuit member, a second circuit member, and a bonded cured film connecting the first circuit member and the second circuit member, wherein the bonded cured film , resin particles, a first conductive film covering the resin particles, a projection core material disposed in plurality on the first conductive film and having a Vickers hardness of 1800 to 3500, the first conductive film and the projection A second conductive film covering the core material is provided, the film thickness of the first conductive film is 5 nm or more and 100 nm or less, and the total film thickness of the first conductive film and the second conductive film is 100 nm or more. It is 200 nm or less, the Vickers hardness of the said 1st conductive film is 300-1200, and the average particle diameter of the said protrusion core material is 50-300 nm.

본 발명에 의하면, 도전성 입자와 전극 사이의 바인더가 충분히 배제됨과 더불어, 전극에 걸리는 압력이 충분히 얻어지므로, 낮은 접속 저항치를 얻을 수 있다.According to the present invention, since the pressure applied to the electrode is sufficiently obtained while the binder between the conductive particles and the electrode is sufficiently removed, a low connection resistance value can be obtained.

도 1은, 도전성 입자의 구성의 개략을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating the structure of conductive particles.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해서, 도면을 참조하면서 하기 순서대로 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail in the following order, referring drawings.

1. 접속 재료1. Connection material

2. 접속 구조체의 제조 방법2. Manufacturing method of connection structure

3. 실시예3. Examples

<1. 접속 재료><1. connection material>

본 실시형태에 따른 접속 재료는, 수지 입자와, 수지 입자를 피복하는 제1의 도전성 피막과, 제1의 도전성 피막 상에 복수 배치되고, 비커스 경도가 1500~5000인 돌기 심재와, 제1의 도전성 피막과 돌기 심재를 피복하는 제2의 도전성 피막을 갖는 도전성 입자를 함유하고, 최저 용융 점도가 1~100000Pa·s이다. 이에 의해, 도전성 입자와 전극 사이의 바인더가 충분히 배제됨과 더불어, 전극에 걸리는 압력이 충분히 얻어지므로, 낮은 접속 저항치를 얻을 수 있다.The connection material according to the present embodiment includes resin particles, a first conductive film covering the resin particles, a protrusion core material having a Vickers hardness of 1500 to 5000, and a plurality of layers disposed on the first conductive film, and a first conductive film. It contains conductive particles having a conductive film and a second conductive film covering the protrusion core material, and has a minimum melt viscosity of 1 to 100,000 Pa·s. Thereby, since the pressure applied to the electrode is sufficiently obtained while the binder between the conductive particles and the electrode is sufficiently removed, a low connection resistance value can be obtained.

접속 재료의 형상은, 특별히 한정되지 않고, 필름형상, 페이스트형상 등 용도에 따라서 적절히 선택할 수 있다. 접속 재료로는, 예를 들면, 이방성 도전 필름(ACF:Anisotropic Conductive Film), 이방성 도전 페이스트(ACP:Anisotropic Conductive Paste) 등을 들 수 있다. 또, 도전 재료의 경화형으로는, 열경화형, 광경화형, 광열 병용 경화형 등을 들 수 있으며, 용도에 따라서 적절히 선택할 수 있다.The shape of the connection material is not particularly limited, and can be appropriately selected according to the application, such as a film shape or a paste shape. Examples of the connection material include an anisotropic conductive film (ACF) and an anisotropic conductive paste (ACP). Moreover, as a hardening type of an electrically-conductive material, a thermosetting type, a photocuring type, a light-heat combined use hardening type, etc. are mentioned, It can select suitably according to a use.

이하, 도전성 입자를 함유하는 열경화형의 이방성 도전 필름을 예로 들어 설명한다. 또, 열경화형으로는, 예를 들면, 양이온 경화형, 음이온 경화형, 라디칼 경화형, 또는 이들을 병용할 수 있는데, 여기에서는, 음이온 경화형의 이방성 도전 필름에 대해서 설명한다.Hereinafter, a thermosetting type anisotropic conductive film containing conductive particles will be described as an example. In addition, as the thermosetting type, for example, a cation curing type, an anion curing type, a radical curing type, or a combination thereof can be used. Here, an anion curing type anisotropic conductive film will be described.

음이온 경화형의 이방성 도전 필름은, 바인더로서, 막 형성 수지와, 에폭시 수지와, 음이온 중합 개시제를 함유한다. 이방성 도전 필름 중의 도전성 입자의 배합량은, 바인더 체적에 대해 5~15체적%인 것이 바람직하다. 이에 의해, 쇼트를 방지함과 더불어 높은 도통 신뢰성을 얻을 수 있다.An anionic curing type anisotropic conductive film contains film formation resin, an epoxy resin, and an anionic polymerization initiator as a binder. The blending amount of the conductive particles in the anisotropic conductive film is preferably 5 to 15% by volume with respect to the volume of the binder. As a result, high conduction reliability can be obtained while preventing a short circuit.

[바인더][bookbinder]

막 형성 수지는, 예를 들면 평균 분자량이 10000 이상인 고분자량 수지에 상당하고, 필름 형성성의 관점에서, 10000~80000 정도의 평균 분자량인 것이 바람직하다. 막 형성 수지로는, 페녹시 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 우레탄 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 부티랄 수지 등의 여러 가지 수지를 들 수 있으며, 이들은 단독으로 이용해도 되고, 2종류 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이들 중에서도, 막 형성 상태, 접속 신뢰성 등의 관점에서 페녹시 수지를 적합하게 이용하는 것이 바람직하다. 시장에서 입수 가능한 구체예로는, 신닛테츠스미킨화학(주)의 상품명 「YP-50」 등을 들 수 있다.The film formation resin corresponds to a high molecular weight resin having an average molecular weight of, for example, 10000 or more, and from the viewpoint of film formation, it is preferable that the average molecular weight is about 10000 to 80000. Examples of the film-forming resin include various resins such as phenoxy resins, polyester resins, polyurethane resins, polyester urethane resins, acrylic resins, polyimide resins, and butyral resins. These may be used alone, You may use it combining two or more types. Among these, it is preferable to use a phenoxy resin suitably from viewpoints of a film formation state, connection reliability, etc. As a specific example available on the market, Nippon-Steel Sumikin Chemical Co., Ltd. brand name "YP-50" etc. are mentioned.

에폭시 수지는, 3차원 그물코 구조를 형성하고, 양호한 내열성, 접착성을 부여하는 것이며, 고형 에폭시 수지와 액상 에폭시 수지를 병용하는 것이 바람직하다. 여기서, 고형 에폭시 수지란, 상온에서 고체인 에폭시 수지를 의미한다. 또, 액상 에폭시 수지란, 상온에서 액상인 에폭시 수지를 의미한다. 또, 상온은, JIS Z 8703에서 규정되는 5~35℃의 온도 범위를 의미한다.The epoxy resin forms a three-dimensional network structure and imparts good heat resistance and adhesiveness, and it is preferable to use a solid epoxy resin and a liquid epoxy resin in combination. Here, the solid epoxy resin means an epoxy resin that is solid at room temperature. Moreover, a liquid epoxy resin means a liquid epoxy resin at normal temperature. In addition, normal temperature means the temperature range of 5-35 degreeC prescribed|regulated by JIS Z 8703.

고형 에폭시 수지로는, 액상 에폭시 수지와 상용하고, 상온에서 고체상이면 특별히 한정되지 않으며, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 다관능형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 노볼락 페놀형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들 중에서 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.The solid epoxy resin is not particularly limited as long as it is compatible with liquid epoxy resin and solid at room temperature, and bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, polyfunctional type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, novolac phenol A type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, etc. are mentioned, One type can be used individually or in combination of 2 or more types among these.

액상 에폭시 수지로는, 상온에서 액상이면 특별히 한정되지 않고, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 노볼락 페놀형 에폭시 수지, 나프타렌형 에폭시 수지 등을 들 수 있으며, 이들 중에서 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 특히, 필름의 점착성, 유연성 등의 관점에서, 비스페놀 A형 에폭시 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 시장에서 입수 가능한 구체예로는, 미츠비시화학(주)의 상품명 「EP828」등을 들 수 있다.The liquid epoxy resin is not particularly limited as long as it is liquid at room temperature, and bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, novolac phenol type epoxy resin, naphtharene type epoxy resin, etc. are exemplified. or a combination of two or more may be used. In particular, it is preferable to use a bisphenol A type epoxy resin from the viewpoints of film adhesiveness, flexibility, and the like. As a specific example available on the market, Mitsubishi Chemical Corporation's brand name "EP828" etc. are mentioned.

음이온 중합 개시제로는, 통상 이용되는 공지의 경화제를 사용할 수 있다. 예를 들면, 유기산 디히드라지드, 디시안디아미드, 아민 화합물, 폴리아미드 아민 화합물, 시아네이트에스테르 화합물, 페놀 수지, 산무수물, 카르본산, 3급 아민 화합물, 이미다졸, 루이스산, 브뢴스테드산염, 폴리메르캅탄계 경화제, 우레아 수지, 멜라민 수지, 이소시아네이트 화합물, 블록 이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있고, 이들 중에서 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 이들 중에서도, 이미다졸 변성체를 핵으로 해 그 표면을 폴리우레탄으로 피복하여 이루어지는 마이크로 캡슐형 잠재성 경화제를 이용하는 것이 바람직하다. 시장에서 입수 가능한 구체예로는, ASAHI KASEI E-materials(주)의 상품명 「Novacure 3941」 등을 들 수 있다.As the anionic polymerization initiator, a commonly used known curing agent can be used. For example, organic acid dihydrazide, dicyandiamide, amine compounds, polyamide amine compounds, cyanate ester compounds, phenolic resins, acid anhydrides, carboxylic acids, tertiary amine compounds, imidazoles, Lewis acids, bronsted acid salts , a polymercaptan-based curing agent, a urea resin, a melamine resin, an isocyanate compound, a block isocyanate compound, and the like, and among these, one type may be used alone or in combination of two or more types. Among these, it is preferable to use a microcapsule type latent curing agent formed by coating the surface with polyurethane using an imidazole modified product as a nucleus. As a specific example available on the market, "Novacure 3941", a trade name of Asahi Kasei E-materials Co., Ltd., and the like are exemplified.

또, 바인더로서, 필요에 따라서, 실란 커플링제, 응력 완화제, 무기 필러 등을 배합해도 된다. 실란 커플링제로는, 에폭시계, 메타크릴옥시계, 아미노계, 비닐계, 메르캅토·술피드계, 우레이드계 등을 들 수 있다. 또, 응력 완화제로는, 수소 첨가 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 수소 첨가 스티렌-이소프렌 블록 공중합체 등을 들 수 있다. 또, 무기 필러로는, 실리카, 탈크, 산화티탄, 탄산칼슘, 산화마그네슘 등을 들 수 있다.Moreover, as a binder, you may mix|blend a silane coupling agent, a stress reliever, an inorganic filler, etc. as needed. Examples of the silane coupling agent include epoxy-based, methacryloxy-based, amino-based, vinyl-based, mercapto-sulfide-based, ureid-based, and the like. Moreover, as a stress reliever, a hydrogenated styrene-butadiene block copolymer, a hydrogenated styrene-isoprene block copolymer, etc. are mentioned. Moreover, as an inorganic filler, a silica, a talc, a titanium oxide, a calcium carbonate, magnesium oxide, etc. are mentioned.

또, 이방성 도전 필름의 최저 용융 점도는, 1~100000Pa·s이며, 보다 바람직하게는, 10~10000Pa·s이다. 최저 용융 점도의 적성화는, 도전성 입자의 압축 변형 특성에도 의존하지만, 최저 용융 점도가 너무 높으면, 열압착시에 도전성 입자와 전극 사이의 바인더를 충분히 배제할 수 없기 때문에, 접속 저항이 상승하는 경향이 있다. 특히, 돌기를 갖는 도전성 입자는, 열압착시에 도전성 입자와 전극 사이의 바인더를 충분히 배제하는 것이 곤란해진다. 한편, 최저 용융 점도가 너무 낮으면, 열압착시의 가중에 의한 이방성 도전 필름의 변형이 커지므로, 가압 해방시에 이방성 도전 필름의 복원력이 접속부 계면 등에 박리 방향의 힘으로서 가해진다. 이 때문에, 열압착 직후에 접속 저항이 상승하거나, 접속부에 기포가 발생하거나 하는 경향이 있다.In addition, the minimum melt viscosity of the anisotropic conductive film is 1 to 100000 Pa·s, more preferably 10 to 10000 Pa·s. Optimization of the minimum melt viscosity depends on the compressive deformation characteristics of the conductive particles, but if the minimum melt viscosity is too high, the connection resistance tends to increase because the binder between the conductive particles and the electrode cannot be sufficiently removed during thermal compression bonding. there is In particular, it becomes difficult to sufficiently remove the binder between the conductive particles and electrodes at the time of thermal compression bonding of the conductive particles having projections. On the other hand, if the minimum melt viscosity is too low, the deformation of the anisotropic conductive film due to the load during thermal compression becomes large, so the restoring force of the anisotropic conductive film is applied as a force in the peeling direction to the interface of the connection portion or the like during press release. For this reason, there is a tendency for connection resistance to increase immediately after thermal compression bonding or for air bubbles to be generated at the connection portion.

[도전성 입자][Conductive Particles]

도 1은, 도전성 입자의 구성의 개략을 나타내는 단면도이다. 도전성 입자는, 수지 코어 입자(10)와, 수지 코어 입자(10)를 피복하는 제1의 도전층(11)과, 도전층(11)의 표면에 복수 부착되는 돌기 심재(12)와, 제1의 도전층(11) 및 돌기 심재(12)를 피복하는 제2의 도전층(13)을 구비한다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating the structure of conductive particles. The conductive particles include resin core particles 10, a first conductive layer 11 covering the resin core particles 10, a protrusion core 12 attached to the surface of the conductive layer 11 in plurality, and a second A second conductive layer 13 covering the first conductive layer 11 and the protrusion core 12 is provided.

수지 코어 입자(10)로는, 벤조구아나민 수지, 아크릴 수지, 스티렌 수지, 실리콘 수지, 폴리부타디엔 수지 등을 들 수 있고, 또, 이들 수지를 구성하는 모노머에 의거하는 반복 단위 중 적어도 2종 이상을 조합한 구조를 갖는 공중합체를 들 수 있다. 이들 중에서도, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트와 디비닐벤젠의 공중합체를 이용하는 것이 바람직하다.Examples of the resin core particles 10 include benzoguanamine resins, acrylic resins, styrene resins, silicone resins, polybutadiene resins, and the like, and at least two or more of repeating units based on monomers constituting these resins. and copolymers having combined structures. Among these, it is preferable to use a copolymer of tetramethylolmethane tetraacrylate and divinylbenzene.

또, 수지 코어 입자(10)는, 하중 5mN으로 압축시킨 후의 압축 회복률이 30% 이상인 것이 바람직하다. 압축 회복률이 너무 낮으면 신뢰성 시험(고온 고습 시험) 후에 저항치가 상승하는 경향이 있다. 이것은, 고온 고습 시험에 노출됨으로써 바인더의 밀착성이 저하되고, 이방성 접속된 대향한 단자 사이의 거리가 넓어지는 것에 기인한다. 압축 회복률이 낮으면 끼인 도전 입자가 만족스럽게 추종하지 못해 저항치가 상승해버리는 경우가 있다. 압축 회복률은, 수지 입자를 중심에서부터 0.33mN/초의 속도로 5mN까지 압축한 후, 반대로 0.33mN/초의 속도로 하중을 줄여갈 때의, 하중치와 압축 변위의 관계를 측정하여 얻어진다. 하중을 반전시키는 점에서부터 최종 하중 제거값까지의 변위(L1)와, 반전점에서부터 초기 하중치까지의 변위(L2)의 비(L1/L2)를 %로 나타낸 값이 압축 회복률이다.Moreover, it is preferable that the compression recovery rate after compressing the resin core particle 10 with a load of 5 mN is 30% or more. If the compression recovery rate is too low, the resistance value tends to rise after a reliability test (high temperature and high humidity test). This is due to the fact that the adhesiveness of the binder is lowered by exposure to the high-temperature, high-humidity test, and the distance between the terminals that are anisotropically connected and opposed is widened. If the compression recovery rate is low, the trapped conductive particles may not follow satisfactorily, and the resistance value may increase. The compression recovery rate is obtained by measuring the relationship between the load value and the compression displacement when the resin particles are compressed from the center to 5 mN at a rate of 0.33 mN/sec and then the load is reduced at a rate of 0.33 mN/sec conversely. The ratio (L1/L2) of the displacement (L1) from the point of reversing the load to the final load removal value and the displacement (L2) from the point of reversal to the initial load value is expressed as a percentage of compression recovery.

또, 수지 코어 입자(10)의 평균 입자 직경은, 1~10μm인 것이 바람직하고, 2~5μm인 것이 보다 바람직하다. 수지 코어 입자(10)의 평균 입자 직경이 너무 작으면 신뢰성 시험(고온 고습 시험) 후에 저항치가 상승하는 경향이 있고, 수지 코어 입자(10)의 평균 입자 직경이 너무 크면 절연성이 저하되는 경향이 있다. 수지 코어 입자(10)의 평균 입자 직경은, 예를 들면, 입도 분포 측정 장치(Nikkiso사 제조, 상품명:Microtrac MT3100)를 이용하여 측정할 수 있다.Moreover, it is preferable that it is 1-10 micrometers, and, as for the average particle diameter of the resin core particle 10, it is more preferable that it is 2-5 micrometers. If the average particle diameter of the resin core particles 10 is too small, the resistance value tends to increase after a reliability test (high temperature and high humidity test), and if the average particle diameter of the resin core particles 10 is too large, insulation tends to decrease. . The average particle diameter of the resin core particles 10 can be measured using, for example, a particle size distribution analyzer (manufactured by Nikkiso, trade name: Microtrac MT3100).

제1의 도전층(11)은, 수지 코어 입자(10)를 피복하는 금속 도금층인 것이 바람직하다. 또, 금속 도금층의 비커스 경도는, 300~1200인 것이 바람직하다. 금속 도금층의 비커스 경도가 너무 낮으면, 실장시에 돌기 심재(12)의 수지 코어 입자(10)로의 매몰을 방지하는 것이 곤란해지고, 금속 도금층의 비커스 경도가 너무 높으면, 도금이 갈라질 우려가 발생한다. 비커스 경도 HV는, 대면각이 136°인 다이아몬드 사각뿔 압자를 이용해, 시험면에 피라미드 형상의 오목부를 형성했을 때의 하중을, 오목부의 대각선의 길이로 나눈 값이며, 다음과 같이 산출된다.The first conductive layer 11 is preferably a metal plating layer covering the resin core particles 10 . Moreover, it is preferable that the Vickers hardness of a metal plating layer is 300-1200. If the Vickers hardness of the metal plating layer is too low, it becomes difficult to prevent burial of the protruding core material 12 into the resin core particles 10 during mounting, and if the Vickers hardness of the metal plating layer is too high, the plating may crack. . The Vickers hardness HV is a value obtained by dividing the load obtained by forming a pyramid-shaped concave portion on the test surface by the length of the diagonal of the concave portion using a diamond quadrangular pyramidal indenter having a facing angle of 136°, and is calculated as follows.

HV=0.18909×(P/d2)HV=0.18909×(P/d2)

P:하중[N], d:오목부의 대각선의 평균 길이[mm]P: load [N], d: average length of the diagonal of the recess [mm]

금속 도금층으로는, 니켈 또는 니켈 합금(HV:500~700)인 것이 바람직하다. 니켈 합금으로는, Ni-W-B, Ni-W-P, Ni-W, Ni-B, Ni-P 등을 들 수 있다.As the metal plating layer, it is preferable that it is nickel or a nickel alloy (HV: 500-700). As a nickel alloy, Ni-W-B, Ni-W-P, Ni-W, Ni-B, Ni-P, etc. are mentioned.

제1의 도전층(11)의 막두께는, 5nm 이상인 것이 바람직하다. 제1의 도전층(11)의 막두께가 5nm 미만이면, 실장시에 돌기 심재(12)의 수지 코어 입자(10)로의 매몰을 방지하는 것이 곤란해진다. 도금층의 막두께는, 예를 들면, 도전성 입자를 수렴 이온 빔 가공 관찰 장치(FB-2100, 히타치하이테크놀로지(주))를 이용하여 단면 연마를 행하고, 투과 전자현미경(H-9500, 히타치하이테크놀로지(주))을 이용하여, 임의의 20개의 도전성 입자의 단면을 관찰하고, 각 입자에 대해서 도금 피막의 5개소의 두께를 측정함으로써 그 평균치로 할 수 있다.It is preferable that the film thickness of the 1st conductive layer 11 is 5 nm or more. If the film thickness of the first conductive layer 11 is less than 5 nm, it becomes difficult to prevent the projection core material 12 from being buried in the resin core particles 10 during mounting. The film thickness of the plating layer is determined by cross-section polishing using, for example, a convergent ion beam processing observation device (FB-2100, Hitachi High-Technology Co., Ltd.) of conductive particles, and a transmission electron microscope (H-9500, Hitachi High-Technology Co., Ltd.). (Note)), the cross section of 20 random conductive particles is observed, and the thickness of the plated film at 5 locations for each particle is measured to obtain an average value.

돌기 심재(12)는, 제1의 도전층(11)의 표면에 복수 부착되고, 돌기(14)를 형성한다. 돌기 심재(12)의 비커스 경도는, 1500~5000이며, 바람직하게는 1800~3300이다. 돌기 심재(12)의 비커스 경도가 너무 낮으면, 예를 들면 표면이 평활한 IZO 전극에 있어서, 신뢰성 시험(고온 고습 시험) 후에 저항치가 상승하는 경향이 있고, 돌기 심재(12)의 비커스 경도가 너무 높으면, 제1의 도전층(11)을 뚫어버릴 우려가 있다.A plurality of protrusion cores 12 are attached to the surface of the first conductive layer 11 to form protrusions 14 . The Vickers hardness of the protrusion core material 12 is 1500 to 5000, preferably 1800 to 3300. If the Vickers hardness of the protrusion core material 12 is too low, for example, in an IZO electrode with a smooth surface, the resistance value tends to increase after a reliability test (high temperature and high humidity test), and the Vickers hardness of the protrusion core material 12 If it is too high, there is a possibility of breaking through the first conductive layer 11.

돌기 심재(12)로는, 텅스텐, 티탄, 탄탈, 붕소로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 금속 탄화물, 금속 탄질화물, 또는 서멧인 것이 바람직하다. 구체예로서, 탄화텅스텐(HV:1800), 탄화텅스텐-탄화티탄-탄화탄탈(HV:2400), 탄화티탄(HV:3500), 탄질화티탄(HV:1800), 탄화붕소(HV:3300) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도 되고, 2종류 이상을 조합하여 이용해도 된다.As the protrusion core material 12, it is preferable that it is a metal carbide, metal carbonitride, or cermet containing one or more types selected from tungsten, titanium, tantalum, and boron. As specific examples, tungsten carbide (HV: 1800), tungsten carbide-titanium carbide-tantalum carbide (HV: 2400), titanium carbide (HV: 3500), titanium carbonitride (HV: 1800), boron carbide (HV: 3300) etc. can be mentioned. These may be used independently or may be used in combination of two or more types.

또, 돌기 심재(12)의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 50nm 이상 300nm 이하, 보다 바람직하게는 100nm 이상 250nm 이하이다. 또, 제1의 도전층(11)의 표면에 형성된 돌기의 개수는, 바람직하게는 50~200, 보다 바람직하게는 100~200이다. 이에 의해, 전극간의 접속 저항을 효과적으로 저하시킬 수 있다.Moreover, the average particle diameter of the protrusion core material 12 is preferably 50 nm or more and 300 nm or less, more preferably 100 nm or more and 250 nm or less. The number of projections formed on the surface of the first conductive layer 11 is preferably 50 to 200, more preferably 100 to 200. Thereby, connection resistance between electrodes can be effectively reduced.

제2의 도전층(13)은, 제1의 도전층(11) 및 돌기 심재(12)를 피복하고, 복수의 제1의 도전층(11)에 의해 융기된 돌기(14)를 형성한다. 제2의 도전층(13)은, 팔라듐, 니켈, 또는 니켈 합금인 것이 바람직하다. 니켈 합금으로는, Ni-W-B, Ni-W-P, Ni-W, Ni-B, Ni-P 등을 들 수 있다.The second conductive layer 13 covers the first conductive layer 11 and the protrusion core 12 and forms protrusions 14 raised by the plurality of first conductive layers 11 . The second conductive layer 13 is preferably palladium, nickel or a nickel alloy. As a nickel alloy, Ni-W-B, Ni-W-P, Ni-W, Ni-B, Ni-P, etc. are mentioned.

또, 제2의 도전층(13)의 막두께는, 제1의 도전층(11)과의 합계가 100nm 이상 500nm 이하인 것이 바람직하고, 50nm 이상 200nm 이하인 것이 보다 바람직하다. 제1의 도전층(11)과 제2의 도전층(13)의 합계의 막두께가 작으면, 도금층이 형성되지 않고 해도(海島) 구조가 되어 버리기 때문에, 저항치가 상승하는 경향이 있고, 제1의 도전층(11)과 제2의 도전층(13)의 합계의 막두께가 크면, 도전성 입자 직경이 커져, 절연성이 저하되는 경향이 있다.Moreover, as for the film thickness of the 2nd conductive layer 13, it is preferable that it is 100 nm or more and 500 nm or less in total with the 1st conductive layer 11, and it is more preferable that it is 50 nm or more and 200 nm or less. When the total film thickness of the first conductive layer 11 and the second conductive layer 13 is small, a sea-island structure is obtained without a plating layer being formed, so the resistance value tends to increase. When the total film thickness of the first conductive layer 11 and the second conductive layer 13 is large, the conductive particle size tends to increase and the insulating property tends to decrease.

이러한 구성의 도전성 입자는, 수지 코어 입자(10)의 표면에 제1의 도전층(11)을 형성한 후, 돌기 심재(12)를 부착시켜, 제2의 도전층(13)을 형성하는 방법에 의해 얻을 수 있다. 또, 제1의 도전층 12의 표면 상에 돌기 심재(12)를 부착시키는 방법으로는, 예를 들면, 제1의 도전층(11)이 형성된 수지 코어 입자(10)의 분산액 중에, 돌기 심재(12)를 첨가하고, 제1의 도전층(11)의 표면에 돌기 심재(12)를, 예를 들면, 반 데르 발스력에 의해 집적시키고, 부착시키는 것 등을 들 수 있다. 또, 제1의 도전층(11) 및 제2의 도전층(13)을 형성하는 방법으로는, 예를 들면, 무전해 도금에 의한 방법, 전기 도금에 의한 방법, 물리적 증착에 의한 방법 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 도전층의 형성이 간편한 무전해 도금에 의한 방법이 바람직하다.Conductive particles having such a structure are formed by forming the first conductive layer 11 on the surface of the resin core particles 10, and then attaching the protrusion core 12 to form the second conductive layer 13. can be obtained by In addition, as a method of attaching the projection core material 12 on the surface of the first conductive layer 12, for example, in a dispersion of resin core particles 10 on which the first conductive layer 11 is formed, the projection core material (12) is added, and the projection core 12 is integrated and attached to the surface of the first conductive layer 11 by, for example, van der Waals force. In addition, as a method of forming the first conductive layer 11 and the second conductive layer 13, for example, a method by electroless plating, a method by electroplating, a method by physical vapor deposition, etc. can be heard Among these, the method by electroless plating which is easy to form a conductive layer is preferable.

<2. 접속 구조체의 제조 방법><2. Manufacturing Method of Connected Structure>

본 실시형태에 따른 접속 구조체의 제조 방법은, 제1의 회로 부재 상에, 도전성 입자를 함유하는 접속 재료를 개재해 제2의 회로 부재를 탑재하는 공정과, 제2의 회로 부재를 압착 툴에 의해서 가열 압압하여, 접속 재료를 경화시키는 공정을 갖는다. 여기서, 도전성 입자는, 상술한 바와 같이, 수지 입자와, 수지 입자를 피복하는 제1의 도전성 피막과, 제1의 금속 피막 상에 복수 배치되고, 비커스 경도가 1500~5000인 돌기 심재와, 제1의 금속층과 돌기 심재를 피복하는 제2의 도전성 피막을 갖고, 접속 재료의 최저 용융 점도는, 1~100000Pa·s이다. 이에 의해, 도전성 입자와 전극 사이의 바인더가 충분히 배제됨과 더불어, 전극에 걸리는 압력을 충분히 얻을 수 있으므로, 낮은 접속 저항치를 얻을 수 있다.The method for manufacturing a bonded structure according to the present embodiment includes a step of mounting a second circuit member on a first circuit member via a connection material containing conductive particles, and a crimping tool for the second circuit member. It heats and presses by, and has the process of hardening a connection material. Here, as described above, the conductive particles include resin particles, a first conductive film covering the resin particles, a plurality of protruding cores disposed on the first metal film and having a Vickers hardness of 1500 to 5000, and a second conductive film. It has the metal layer of 1 and the 2nd conductive film which coat|covers the core material of a protrusion, and the minimum melt viscosity of a connection material is 1-100000 Pa.s. Thereby, since the pressure applied to the electrode can be sufficiently obtained while the binder between the conductive particles and the electrode is sufficiently removed, a low connection resistance value can be obtained.

제1의 회로 부재 및 제2의 회로 부재는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있다. 제1의 회로 부재로는, 예를 들면, LCD(Liquid Crystal Display) 패널 용도, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 용도 등의 플라스틱 기판, 유리 기판, 프린트 배선판(PWB) 등을 들 수 있다. 또, 제2의 회로 부재로는, 예를 들면, IC(Integrated Circuit), COF(Chip On Film) 등의 플렉시블 기판(FPC:Flexible Printed Circuits), 테이프 캐리어 패키지(TCP) 기판 등을 들 수 있다.The first circuit member and the second circuit member are not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. Examples of the first circuit member include plastic substrates, glass substrates, printed wiring boards (PWBs), and the like for liquid crystal display (LCD) panels and plasma display panels (PDPs). Further, examples of the second circuit member include flexible printed circuits (FPCs) such as IC (Integrated Circuit) and COF (Chip On Film), tape carrier package (TCP) substrates, and the like. .

제1의 회로 부재의 단자와 제2의 회로 부재의 단자의 압착에서는, 제2의 회로 부재 상으로부터, 소정 온도로 가온된 압착 툴에 의해서, 소정 압력 및 소정 시간, 열 가압되어, 본 압착된다. 이에 의해, 이방성 도전 필름의 바인더가 유동하고, 제1의 회로 부재의 단자와 제2의 회로 부재의 단자의 실장부 사이로부터 유출됨과 더불어, 바인더 중의 도전성 입자가 제1의 회로 부재의 단자와 제2의 회로 부재의 단자 사이에 끼여서 찌그러져, 이 상태로 바인더가 경화된다.In the crimping of the terminal of the first circuit member and the terminal of the second circuit member, a crimping tool heated to a prescribed temperature is applied with a crimping tool heated to a prescribed temperature from above the second circuit member, and heat-pressing is performed for a prescribed pressure and a prescribed period of time, followed by actual crimping. . As a result, the binder of the anisotropic conductive film flows and flows out from between the mounting portion of the terminal of the first circuit member and the terminal of the second circuit member, and the conductive particles in the binder connect to the terminal of the first circuit member. It is pinched between the terminals of the circuit member of 2 and crushed, and the binder is cured in this state.

본 압착시의 소정의 압력은, 회로 부재의 배선 크랙을 방지하는 관점에서, 1MPa 이상 150MPa 이하인 것이 바람직하다. 또, 소정 온도는, 압착시에 있어서의 이방성 도전 필름의 온도이며, 80℃ 이상 230℃ 이하인 것이 바람직하다. 또, UV 등의 광조사를 병용해도 된다.It is preferable that the predetermined|prescribed pressure at the time of this crimping is 1 Mpa or more and 150 Mpa or less from a viewpoint of preventing wiring cracking of a circuit member. In addition, the predetermined temperature is the temperature of the anisotropic conductive film at the time of compression bonding, and is preferably 80°C or higher and 230°C or lower. Moreover, you may use light irradiation, such as UV, together.

압착 툴로는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있으며, 압압 대상보다 대면적인 압압 부재를 이용하여 압압을 1회로 행해도 되고, 또, 압압 대상보다 소면적인 압압 부재를 이용하여 압압을 수회로 나누어 행해도 된다. 압착 툴의 선단 형상으로는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, 평면형, 곡면형 등을 들 수 있다. 또한, 선단 형상이 곡면형인 경우, 곡면형을 따라서 압압하는 것이 바람직하다.The crimping tool is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. Pressing may be performed once using a pressing member having a larger area than the pressing target, or pressing may be performed using a pressing member having a smaller area than the pressing target. It may be divided into circuits. The tip shape of the crimping tool is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose, and examples thereof include a flat shape and a curved shape. Further, when the tip shape is curved, it is preferable to press along the curved shape.

또, 압착 툴과 제2의 회로 부재 사이에 완충재를 설치해 열압착해도 된다. 완충재를 설치함으로써, 압압 불균일을 저감할 수 있음과 더불어, 압착 툴이 오염되는 것을 방지할 수 있다. 완충재는, 시트형상의 탄성재 또는 소성체로 이루어지고, 예를 들면 테프론(상표), 실리콘 러버 등이 이용된다.Moreover, you may provide a buffer material between the crimping tool and the 2nd circuit member, and you may thermally compress it. By providing a buffer material, while being able to reduce pressure nonuniformity, it is possible to prevent contamination of the crimping tool. The buffer material is made of a sheet-like elastic material or a plastic body, and for example, Teflon (trademark), silicone rubber, or the like is used.

본 실시형태에 따른 접속 구조체의 제조 방법에 의하면, 단단한 돌기를 갖는 도전성 입자를 이용하고 있으므로, 예를 들면 표면이 평활한 IZO 전극에서도 충분히 압력을 가할 수 있어, 저항치를 저하시킬 수 있다. 이 때문에, 본 법에 의해 제조된 접속 구조체는, 저저항이며, 소비 전력을 저하시킬 수 있다.According to the method for manufacturing a bonded structure according to the present embodiment, since conductive particles having hard protrusions are used, a sufficient pressure can be applied even to an IZO electrode having a smooth surface, for example, and the resistance value can be reduced. For this reason, the connection structure manufactured by this method has low resistance and can reduce power consumption.

실시예Example

<3. 실시예><3. Example>

이하, 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다. 본 실시예에서는, 수지 입자가 제1의 도전성 피막으로 피복되어 이루어지는 금속 피막 수지 입자에 돌기 심재를 부착시키고, 이것을 또한 제2의 도전성 피막으로 피복하고, 돌기를 갖는 도전성 입자를 제작했다. 그리고, 도전성 입자를 함유하는 이방성 도전 필름을 이용하여 접속 구조체를 제작하고, 접속 구조체의 도통 저항에 대해서 평가했다. 또한, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. In this example, a protruding core material was attached to metal-coated resin particles formed of resin particles covered with a first conductive film, and this was further covered with a second conductive film to produce conductive particles having protrusions. Then, a bonded structure was produced using the anisotropic conductive film containing conductive particles, and conduction resistance of the bonded structure was evaluated. In addition, this invention is not limited to these Examples.

[도전성 입자의 제작][Production of conductive particles]

제1의 도전성 피막의 피복 공정:Coating step of the first conductive film:

테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트와 디비닐벤젠의 공중합체로 이루어지는 평균 입자 직경 3μm의 수지 입자를 기재로서 사용했다. 수지 입자의 하중 5mN으로 압축시킨 후의 압축 회복률은 45%였다. 이 수지 입자에, 수산화나트륨 수용액에 의한 알칼리 탈지, 산중화, 이염화주석 용액에 의한 센시타이징을 행했다. 그 후, 이염화팔라듐 용액에 의한 액티베이팅을 행했다. 여과 세정 후, 기재 입자를 물로 희석하고, 도금 안정제를 첨가 후, 이 수용액에 황산니켈, 차아인산나트륨, 구연산나트륨, 및 도금 안정제의 혼합 용액을 정량 펌프로 첨가하고, 소정 두께의 니켈 도금 피막이 되도록 무전해 도금을 행했다. 그 후, pH가 안정될 때까지 교반하고, 수소의 발포가 정지하는 것을 확인했다. 그리고, 도금액을 여과해, 여과물을 물로 세정한 후, 80℃의 진공 건조기로 건조하고, 수지 입자가 제1의 도전성 피막으로서 니켈 도금 피막으로 피복된 금속 피막 수지 입자를 얻었다.Resin particles having an average particle diameter of 3 µm made of a copolymer of tetramethylolmethane tetraacrylate and divinylbenzene were used as the base material. The compression recovery rate after compressing the resin particles with a load of 5 mN was 45%. Alkaline degreasing with an aqueous sodium hydroxide solution, acid neutralization, and sensitization with a tin dichloride solution were performed on these resin particles. After that, activating with a palladium dichloride solution was performed. After filtration and washing, the substrate particles are diluted with water, and after adding a plating stabilizer, a mixed solution of nickel sulfate, sodium hypophosphite, sodium citrate, and plating stabilizer is added to this aqueous solution by a metering pump to form a nickel-plated film with a predetermined thickness. Electroless plating was performed. Thereafter, the mixture was stirred until the pH was stabilized, and it was confirmed that hydrogen effervescence stopped. Then, the plating solution was filtered, and the filtrate was washed with water and then dried with a vacuum dryer at 80° C. to obtain metal-coated resin particles in which the resin particles were coated with a nickel plating film as a first conductive film.

돌기 심재의 부착 공정:Attachment process of protrusion core material:

금속 피막 수지 입자를 탈이온수로 교반에 의해 분산시킨 후, 그 수용액에 돌기 심재를 첨가하고, 니켈 도금 피막 상에 돌기 심재를 부착시킨 입자를 얻었다. 입자 1개당 부착한 돌기 심재의 개수는, 약 150이었다.After the metal coated resin particles were dispersed in deionized water by stirring, a projection core material was added to the aqueous solution to obtain particles having the projection core material adhered on the nickel plated film. The number of protrusion cores attached per particle was about 150.

제2의 도전성 피막의 피복 공정:Coating step of the second conductive film:

다음에, 돌기 심재가 부착된 입자에, 수산화나트륨 수용액에 의한 알칼리 탈지, 산중화, 이염화주석 용액에 의한 센시타이징을 행했다. 그 후, 이염화팔라듐 용액에 의한 액티베이팅을 행했다. 여과 세정 후, 기재 입자를 물로 희석하고, 도금 안정제를 첨가 후, 이 수용액에 황산니켈, 차아인산나트륨, 구연산나트륨, 및 도금 안정제의 혼합 용액을 정량 펌프로 첨가하고, 소정 두께의 니켈 도금 피막이 되도록 무전해 도금을 행했다. 그 후, pH가 안정될 때까지 교반하고, 수소의 발포가 정지하는 것을 확인했다. 그리고, 도금액을 여과해, 여과물을 물로 세정한 후, 80℃의 진공 건조기로 건조하고, 제2의 도전성 피막으로서 니켈 도금 피막으로 피복된 입자를 얻었다.Next, alkali degreasing with an aqueous sodium hydroxide solution, acid neutralization, and sensitization with a tin dichloride solution were performed on the particles having the protrusion core material. After that, activating with a palladium dichloride solution was performed. After filtration and washing, the substrate particles are diluted with water, and after adding a plating stabilizer, a mixed solution of nickel sulfate, sodium hypophosphite, sodium citrate, and plating stabilizer is added to this aqueous solution by a metering pump to form a nickel-plated film with a predetermined thickness. Electroless plating was performed. Thereafter, the mixture was stirred until the pH was stabilized, and it was confirmed that hydrogen effervescence stopped. Then, the plating solution was filtered, and the filtrate was washed with water and then dried with a vacuum dryer at 80°C to obtain particles coated with a nickel plating film as a second conductive film.

[도금 피막의 막두께의 측정][Measurement of Film Thickness of Plated Film]

도금 피막의 막두께는, 도전성 입자를 집속 이온 빔 가공 관찰 장치(FB-2100, 히타치하이테크놀로지(주))를 이용하여 단면 연마를 행하고, 투과 전자현미경(H-9500, 히타치하이테크놀로지(주))을 이용하여, 임의의 20개의 도전성 입자의 단면을 관찰하고, 각 입자에 대해서 도금 피막의 5개소의 두께를 측정함으로써 그 평균치를 산출했다.The film thickness of the plated film was determined by cross-section polishing of conductive particles using a focused ion beam processing observation device (FB-2100, Hitachi High-Technology Co., Ltd.), and a transmission electron microscope (H-9500, Hitachi High-Technology Co., Ltd.). ), the cross section of 20 random conductive particles was observed, and the average value was calculated by measuring the thickness of the plated film at 5 locations for each particle.

[이방성 도전 필름의 최저 용융 점도의 측정][Measurement of Minimum Melt Viscosity of Anisotropic Conductive Film]

이방성 도전 필름의 최저 용융 점도를, 회전식 레오미터(TA Instruments사)를 이용해, 승온 속도 10℃／분；측정시의 힘 1N 일정；사용 측정 플레이트 직경 8mm라는 조건으로 측정했다.The lowest melt viscosity of the anisotropic conductive film was measured using a rotational rheometer (TA Instruments) under conditions such as a heating rate of 10° C./min; a force at the time of measurement of 1N constant; and a diameter of a measuring plate used of 8 mm.

[접속 저항의 평가][Evaluation of connection resistance]

IZO 배선의 실장체의 제작을 행했다. 평가 기재로서, COF(Dexerials(주) 평가용 COF, 50μm 피치, Cu 8μm-Sn 도금 38μm)와 IZO 솔리드 글라스(Dexerials(주) 평가용 IZO 솔리드 글라스, IZO 두께 300nm, 유리 두께 0.7mm)의 접속을 행했다. 먼저, IZO 솔리드 글라스 상에, 1.5mm 폭으로 슬릿된 이방성 도전 필름을, 압착기 툴 폭 1.5mm, 완충재 70μm 두께 테프론(상표)을 이용하여, 온도 80℃, 압력 1MPa, 2초의 가압착 조건으로 가부착하고, 박리 PET 필름을 벗겼다. 계속해서, COF를 동 압착기로, 온도 80℃, 압력 0.5MPa, 0.5초의 가고정 조건으로 가고정을 행했다. 마지막으로, 본 압착으로서, 압착기 툴 폭 1.5mm, 완충재 70μm 두께 테프론(상표)을 이용하여, 온도 190℃, 압력 3MPa, 10초의 압착 조건으로 압착을 행하여, 실장체를 얻었다.The mounting body of IZO wiring was produced. As an evaluation substrate, connection of COF (Dexerials Co., Ltd. COF for evaluation, 50 μm pitch, Cu 8 μm-Sn plating 38 μm) and IZO solid glass (Dexerials Co., Ltd. IZO solid glass for evaluation, IZO thickness 300 nm, glass thickness 0.7 mm) did First, on IZO solid glass, an anisotropic conductive film slit to a width of 1.5 mm is applied under pre-press conditions at a temperature of 80° C., a pressure of 1 MPa, and a pressure of 2 seconds using Teflon (trademark) having a 1.5 mm wide compression tool and a 70 μm thick buffer material. and the peeling PET film was peeled off. Subsequently, the COF was temporarily fixed with a copper press under conditions of a temperature of 80°C, a pressure of 0.5 MPa, and a duration of 0.5 seconds. Finally, as this crimping, crimping was performed under crimping conditions at a temperature of 190° C. and a pressure of 3 MPa for 10 seconds using a Teflon (trademark) having a width of 1.5 mm as a crimping machine and a thickness of 70 µm as a cushioning material to obtain a mounted body.

실장체를 85℃ 85%RH의 항온항습조 중에 500시간 유지하는 고온 고습 시험을 행한 후, 실장체의 저항치를, 디지털 멀티 미터를 이용하여 4단자법으로 측정했다. 접속 저항의 평가는, 저항치가 2.0Ω 미만인 경우를 「A」(최량), 저항치가 2.0Ω 이상인 경우를 「C」(불량)로 했다.After carrying out a high-temperature, high-humidity test in which the mounted body is kept in a constant temperature and humidity chamber at 85°C and 85% RH for 500 hours, the resistance value of the mounted body was measured by a four-terminal method using a digital multimeter. Evaluation of connection resistance made "A" (best) the case where resistance value was less than 2.0 Ω, and made "C" (defective) the case where resistance value was 2.0 Ω or more.

[절연성의 평가][Evaluation of Insulation]

ITO 배선의 실장체의 제작을 행했다. 평가 기재로서, IC(Dexerials(주) 평가용 IC, 1.5mm×130mm, 0.5mm 두께, 금 도금 범프, 범프간 스페이스 10μm, 범프 높이 15μm)와, 유리 기판(Dexerials(주) 평가용 유리 기판, 빗살 패턴, 범프간 스페이스 10μm, 유리 두께 0.5mm)의 접속을 행했다. 먼저, 유리 기판 상에, 1.5mm 폭으로 슬릿된 이방성 도전 필름을, 압착기 툴 폭 1.5mm, 완충재 70μm 두께 테프론(상표)을 이용하여, 온도 80℃, 압력 1MPa, 2초의 가압착 조건으로 가부착하고, 박리 PET 필름을 벗겼다. 계속해서, IC를 동 압착기로, 온도 80℃, 압력 0.5MPa, 0.5초의 가고정 조건으로 가고정을 행했다. 마지막으로, 본 압착으로서 압착기 툴 폭 1.5mm, 완충재 70μm 두께 테프론(상표)을 이용하여, 온도 190℃, 압력 3MPa, 10초의 압착 조건으로 압착을 행하여, 실장체를 얻었다.A mounting body of ITO wiring was produced. As an evaluation substrate, an IC (Dexerials Co., Ltd. evaluation IC, 1.5 mm × 130 mm, 0.5 mm thickness, gold-plated bump, inter-bump space 10 μm, bump height 15 μm), a glass substrate (Dexerials Co., Ltd. glass substrate for evaluation, Comb-teeth pattern, space between bumps 10 μm, glass thickness 0.5 mm) were connected. First, on a glass substrate, an anisotropic conductive film slit to a width of 1.5 mm is temporarily attached under conditions of temporary compression at a temperature of 80 ° C., a pressure of 1 MPa, and a pressure of 2 seconds using Teflon (trademark) having a width of 1.5 mm and a thickness of 70 μm as a buffer material. , the peeling PET film was peeled off. Subsequently, the IC was temporarily fixed with a copper press under conditions of a temperature of 80°C, a pressure of 0.5 MPa, and a duration of 0.5 seconds. Finally, as this crimping, crimping was performed under crimping conditions at a temperature of 190° C. and a pressure of 3 MPa for 10 seconds using a Teflon (trademark) having a width of 1.5 mm and a buffer material of 70 μm as a cushioning material, to obtain a mounted body.

실장체의 인접하는 범프간의 저항치를 2단자법으로 측정하고, 10＾8Ω 이하를 쇼트로서 카운트했다. 평가용 IC에는 10세트의 범프로 이루어지는 전극 패턴이 8개소 형성되고, 10세트 중 1세트 이상의 쇼트가 발생한 전극 패턴의 수를 카운트했다. 절연성의 평가는, 쇼트가 발생한 전극 패턴의 수가 0인 경우를 「A」(최량), 쇼트가 발생한 전극 패턴이 2개소 이하인 경우를 「B」(보통), 쇼트가 발생한 전극 패턴이 3개소 이상인 경우를 「C」(불량)로 했다.The resistance value between adjacent bumps of the mounting body was measured by the two-terminal method, and 10 8 Ω or less was counted as a short. In the evaluation IC, 8 electrode patterns consisting of 10 sets of bumps were formed, and the number of electrode patterns in which one or more short circuits occurred among the 10 sets was counted. Insulation evaluation is "A" (best) when the number of short-circuited electrode patterns is 0, "B" (normal) when the number of short-circuited electrode patterns is 2 or less, and 3 or more short-circuited electrode patterns are evaluated. The case was set as "C" (defective).

<실시예 1><Example 1>

상술한 도전성 입자의 제작에 있어서, 돌기 심재로서 평균 입자 직경 200nm인 탄화텅스텐 입자(비커스 경도 1800)를 이용하여 도전성 입자 A를 제작했다. 도전성 입자 A의 제1의 도전성 피막으로서의 니켈 도금 피막의 막두께는 20nm이며, 제2의 도전성 피막으로서의 니켈 도금 피막의 막두께는 100nm였다. 또한, 돌기 심재는 이하에 기재하는 것도 포함해, PVD법이나 CVD법 등 공지의 수법으로 조정한 것을 적절하게 이용했다. 돌기 심재의 입자 직경은, 전자현미경에 의해 N=200 이상을 계측하여 구했다.In the production of the above-described conductive particles, conductive particles A were produced using tungsten carbide particles (Vickers hardness: 1800) having an average particle diameter of 200 nm as a protrusion core material. The film thickness of the nickel plating film as the first conductive film of the conductive particles A was 20 nm, and the film thickness of the nickel plating film as the second conductive film was 100 nm. In addition, what was adjusted by well-known methods, such as a PVD method and a CVD method, was used suitably for the protrusion core material, including what is described below. The particle diameter of the core material of the projection was determined by measuring N = 200 or more with an electron microscope.

마이크로 캡슐형 잠재성 경화제(Novacure HX3941, Asahi Kasei Chemicals(주))를 50질량부, 액상 에폭시 수지(EP828, 미츠비시화학(주))를 14질량부, 페녹시 수지(YP50, 신닛테츠스미킨화학(주) 제조)를 35질량부, 실란 커플링제(KBE403, 신에츠화학공업(주))를 1질량부 배합해, 열경화성 바인더를 제작했다. 이 열경화성 바인더에, 도전성 입자 A를 체적 비율 10%가 되도록 분산시키고, 이것을 실리콘 처리된 박리 PET 필름 상에 두께 20μm가 되도록 도포해, 시트형상의 이방성 도전 필름을 제작했다. 이 이방성 도전 필름의 최저 용융 점도는, 100Pa·s였다. 표 1에, 접속 저항 및 절연성의 평가 결과를 나타낸다.Microcapsule type latent curing agent (Novacure HX3941, Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd.) 50 parts by mass, liquid epoxy resin (EP828, Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) 14 parts by mass, phenoxy resin (YP50, Nippon Steel Sumikin Chemicals Co., Ltd.) (manufactured by Co., Ltd.) 35 parts by mass and 1 part by mass of a silane coupling agent (KBE403, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) were blended to prepare a thermosetting binder. In this thermosetting binder, conductive particles A were dispersed at a volume ratio of 10%, and this was applied onto a silicone-treated release PET film to a thickness of 20 μm to prepare a sheet-like anisotropic conductive film. The lowest melt viscosity of this anisotropic conductive film was 100 Pa·s. In Table 1, evaluation results of connection resistance and insulation are shown.

<실시예 2><Example 2>

상술한 도전성 입자의 제작에 있어서, 돌기 심재로서 평균 입자 직경 200nm인 탄화텅스텐-탄화티탄-탄화탄탈 입자(비커스 경도 2400)를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 구성의 도전성 입자 B를 제작하고, 이방성 도전 필름을 제작했다. 표 1에, 접속 저항 및 절연성의 평가 결과를 나타낸다.In the preparation of the above-described conductive particles, except for using tungsten carbide-titanium carbide-tantalum carbide particles (Vickers hardness 2400) having an average particle diameter of 200 nm as the protrusion core material, conductive particles B having the same configuration as in Example 1 were produced, An anisotropic conductive film was produced. In Table 1, evaluation results of connection resistance and insulation are shown.

<실시예 3><Example 3>

상술한 도전성 입자의 제작에 있어서, 돌기 심재로서 평균 입자 직경 200nm인 탄화 티탄 입자(비커스 경도 3500)를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 구성의 도전성 입자 C를 제작하고, 이방성 도전 필름을 제작했다. 표 1에, 접속 저항 및 절연성의 평가 결과를 나타낸다.In the production of the above-described conductive particles, except that titanium carbide particles having an average particle diameter of 200 nm (Vickers hardness: 3500) were used as the protrusion core material, conductive particles C having the same configuration as in Example 1 were produced, and an anisotropic conductive film was produced. . In Table 1, evaluation results of connection resistance and insulation are shown.

<실시예 4><Example 4>

상술한 도전성 입자의 제작에 있어서, 돌기 심재로서 평균 입자 직경 200nm인 서멧 입자(비커스 경도 2800)를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 구성의 도전성 입자 D를 제작하고, 이방성 도전 필름을 제작했다. 표 1에, 접속 저항 및 절연성의 평가 결과를 나타낸다.In the production of the above-described conductive particles, except for using cermet particles (Vickers hardness 2800) having an average particle diameter of 200 nm as the protrusion core material, conductive particles D having the same configuration as in Example 1 were produced, and an anisotropic conductive film was produced. In Table 1, evaluation results of connection resistance and insulation are shown.

<실시예 5><Example 5>

상술한 도전성 입자의 제작에 있어서, 돌기 심재로서 평균 입자 직경 200nm인 탄화붕소 입자(비커스 경도 3300)를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 구성의 도전성 입자 E를 제작하고, 이방성 도전 필름을 제작했다. 표 1에, 접속 저항 및 절연성의 평가 결과를 나타낸다.In the production of the above-described conductive particles, except that boron carbide particles having an average particle diameter of 200 nm (Vickers hardness 3300) were used as the protrusion core material, conductive particles E having the same configuration as in Example 1 were produced, and an anisotropic conductive film was produced. . In Table 1, evaluation results of connection resistance and insulation are shown.

<비교예 1><Comparative Example 1>

상술한 도전성 입자의 제작에 있어서, 돌기 심재로서 평균 입자 직경 200nm인 니켈 입자(비커스 경도 500)를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 구성의 도전성 입자 F를 제작하고, 이방성 도전 필름을 제작했다. 표 1에, 접속 저항 및 절연성의 평가 결과를 나타낸다.In the production of the above-described conductive particles, except for using nickel particles (Vickers hardness 500) having an average particle diameter of 200 nm as the protrusion core material, conductive particles F having the same configuration as in Example 1 were produced, and an anisotropic conductive film was produced. In Table 1, evaluation results of connection resistance and insulation are shown.

<비교예 2><Comparative Example 2>

상술한 도전성 입자의 제작에 있어서, 수지 입자에 센시타이징, 및 액티베이팅을 행하고, 여과 세정 후, 탈이온수로 교반에 의해 분산시킨 후, 그 수용액에 탄화텅스텐 입자 슬러리를 첨가하고, 수지 입자 상에 돌기 심재로서 평균 입자 직경 200nm인 탄화텅스텐 입자(비커스 경도 1800)를 부착시키고, 제2의 도전성 피막의 피복 공정에서 니켈 도금 피막으로 피복하고, 도전성 입자 G를 제작했다. 도전성 입자 G의 제2의 도전성 피막으로서의 니켈 도금 피막의 막두께는 120nm였다. 그리고, 실시예 1과 동일하게, 도전성 입자 G를 이용하여 이방성 도전 필름을 제작했다. 표 1에, 접속 저항 및 절연성의 평가 결과를 나타낸다.In the preparation of the above-described conductive particles, resin particles are subjected to sensitization and activating, and after filtration and washing, they are dispersed in deionized water by stirring, and then a slurry of tungsten carbide particles is added to the aqueous solution, and on the resin particles Tungsten carbide particles (Vickers hardness: 1800) having an average particle diameter of 200 nm were attached as a protrusion core material, and coated with a nickel plating film in the second conductive film coating step to produce conductive particles G. The film thickness of the nickel plating film as the second conductive film of the conductive particles G was 120 nm. Then, as in Example 1, an anisotropic conductive film was produced using the conductive particles G. In Table 1, evaluation results of connection resistance and insulation are shown.

<실시예 6><Example 6>

상술한 도전성 입자의 제작에 있어서, 돌기 심재로서 평균 입자 직경 200nm인 탄화텅스텐 입자(비커스 경도 1800)를 이용하여 도전성 입자 H를 제작했다. 도전성 입자 H의 제1의 도전성 피막으로서의 니켈 도금 피막의 막두께는 5nm이며, 제2의 도전성 피막으로서의 니켈 도금 피막의 막두께는 100nm였다. 도전성 입자 H를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제작했다. 표 1에, 접속 저항 및 절연성의 평가 결과를 나타낸다.In the production of the above-described conductive particles, conductive particles H were produced using tungsten carbide particles (Vickers hardness: 1800) having an average particle diameter of 200 nm as a protrusion core material. The film thickness of the nickel plating film as the first conductive film of the conductive particles H was 5 nm, and the film thickness of the nickel plating film as the second conductive film was 100 nm. An anisotropic conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that conductive particles H were used. In Table 1, evaluation results of connection resistance and insulation are shown.

<실시예 7><Example 7>

상술한 도전성 입자의 제작에 있어서, 돌기 심재로서 평균 입자 직경 200nm인 탄화텅스텐 입자(비커스 경도 1800)를 이용하여 도전성 입자 I를 제작했다. 도전성 입자 I의 제1의 도전성 피막으로서의 니켈 도금 피막의 막두께는 100nm이며, 제2의 도전성 피막으로서의 니켈 도금 피막의 막두께는 100nm였다. 도전성 입자 I를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제작했다. 표 1에, 접속 저항 및 절연성의 평가 결과를 나타낸다.In the production of the above-described conductive particles, conductive particles I were produced using tungsten carbide particles (Vickers hardness: 1800) having an average particle diameter of 200 nm as a protrusion core material. The film thickness of the nickel plating film as the 1st conductive film of the electroconductive particle I was 100 nm, and the film thickness of the nickel plating film as the 2nd conductive film was 100 nm. Except for using the conductive particles I, an anisotropic conductive film was produced in the same manner as in Example 1. In Table 1, evaluation results of connection resistance and insulation are shown.

<실시예 8><Example 8>

상술한 도전성 입자의 제작에 있어서, 돌기 심재로서 평균 입자 직경 200nm인 탄화텅스텐 입자(비커스 경도 1800)를 이용하여 도전성 입자 J를 제작했다. 도전성 입자 J의 제1의 도전성 피막으로서의 니켈 도금 피막의 막두께는 150nm이며, 제2의 도전성 피막으로서의 니켈 도금 피막의 막두께는 350nm였다. 도전성 입자 J를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제작했다. 표 1에, 접속 저항 및 절연성의 평가 결과를 나타낸다.In the production of the above-described conductive particles, conductive particles J were produced using tungsten carbide particles (Vickers hardness: 1800) having an average particle diameter of 200 nm as a protrusion core material. The film thickness of the nickel plating film as the first conductive film of the conductive particles J was 150 nm, and the film thickness of the nickel plating film as the second conductive film was 350 nm. An anisotropic conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that conductive particles J were used. In Table 1, evaluation results of connection resistance and insulation are shown.

<실시예 9><Example 9>

상술한 도전성 입자의 제작에 있어서, 돌기 심재로서 평균 입자 직경 200nm인 탄화텅스텐 입자(비커스 경도 1800)를 이용하여 도전성 입자 K를 제작했다. 도전성 입자 K의 제1의 도전성 피막으로서의 니켈 도금 피막의 막두께는 150nm이며, 제2의 도전성 피막으로서의 니켈 도금 피막의 막두께는 500nm였다. 도전성 입자 K를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제작했다. 표 1에, 접속 저항 및 절연성의 평가 결과를 나타낸다.In the production of the above-described conductive particles, conductive particles K were produced using tungsten carbide particles (Vickers hardness: 1800) having an average particle diameter of 200 nm as a protrusion core material. The film thickness of the nickel plating film as the first conductive film of the conductive particles K was 150 nm, and the film thickness of the nickel plating film as the second conductive film was 500 nm. An anisotropic conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that conductive particles K were used. In Table 1, evaluation results of connection resistance and insulation are shown.

<실시예 10><Example 10>

상술한 도전성 입자의 제작에 있어서, 돌기 심재로서 평균 입자 직경 200nm인 탄화텅스텐 입자(비커스 경도 1800)를 이용하여 도전성 입자 L를 제작했다. 도전성 입자 L의 제1의 도전성 피막으로서의 니켈 도금 피막의 막두께는 20nm이며, 제2의 도전성 피막으로서의 팔라듐 도금 피막의 막두께는 100nm였다. 도전성 입자 L을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제작했다. 표 1에, 접속 저항 및 절연성의 평가 결과를 나타낸다.In the production of the above-described conductive particles, conductive particles L were produced using tungsten carbide particles (Vickers hardness: 1800) having an average particle diameter of 200 nm as a protrusion core material. The film thickness of the nickel plating film as the first conductive film of the conductive particles L was 20 nm, and the film thickness of the palladium plating film as the second conductive film was 100 nm. An anisotropic conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the conductive particles L were used. In Table 1, evaluation results of connection resistance and insulation are shown.

<비교예 3><Comparative Example 3>

실시예 1과 동일하게 열경화성 바인더를 제작하고, 이것에 도전성 입자 A를 체적 비율 10%가 되도록 분산시키고, 수지의 고형분 농도나 건조 조건으로 조제해, 최저 용융 점도가 1000000Pa·s인 이방성 도전 필름을 제작했다. 표 1에, 접속 저항 및 절연성의 평가 결과를 나타낸다.A thermosetting binder was prepared in the same manner as in Example 1, and conductive particles A were dispersed therein so that the volume ratio was 10%, and the resin was prepared under solid concentration and drying conditions to obtain an anisotropic conductive film having a minimum melt viscosity of 1,000,000 Pa·s. made In Table 1, evaluation results of connection resistance and insulation are shown.

<실시예 11><Example 11>

실시예 1과 동일하게 열경화성 바인더를 제작하고, 이것에 도전성 입자 A를 체적 비율 10%가 되도록 분산시키고, 수지의 고형분 농도나 건조 조건으로 조제해, 최저 용융 점도가 100000Pa·s인 이방성 도전 필름을 제작했다. 표 1에, 접속 저항 및 절연성의 평가 결과를 나타낸다.A thermosetting binder was prepared in the same manner as in Example 1, and conductive particles A were dispersed therein so that the volume ratio was 10%, and the resin was prepared under solid concentration and drying conditions to obtain an anisotropic conductive film having a minimum melt viscosity of 100,000 Pa·s. made In Table 1, evaluation results of connection resistance and insulation are shown.

<실시예 12><Example 12>

실시예 1과 동일하게 열경화성 바인더를 제작하고, 이것에 도전성 입자 A를 체적 비율 10%가 되도록 분산시키고, 수지의 고형분 농도나 건조 조건으로 조제해, 최저 용융 점도가 1Pa·s인 이방성 도전 필름을 제작했다. 표 1에, 접속 저항 및 절연성의 평가 결과를 나타낸다.In the same way as in Example 1, a thermosetting binder was prepared, and conductive particles A were dispersed therein so that the volume ratio was 10%, and the resin was prepared under solid concentration and drying conditions to obtain an anisotropic conductive film having a minimum melt viscosity of 1 Pa s. made In Table 1, evaluation results of connection resistance and insulation are shown.

<비교예 4><Comparative Example 4>

실시예 1과 동일하게 열경화성 바인더를 제작하고, 이것에 도전성 입자 A를 체적 비율 10%가 되도록 분산시키고, 수지의 고형분 농도나 건조 조건으로 조제해, 최저 용융 점도가 0.1Pa·s인 이방성 도전 필름을 제작했다. 표 1에, 접속 저항 및 절연성의 평가 결과를 나타낸다.A thermosetting binder was prepared in the same way as in Example 1, and conductive particles A were dispersed therein so that the volume ratio was 10%, and the resin was prepared under solid concentration and drying conditions. An anisotropic conductive film having a minimum melt viscosity of 0.1 Pa s has produced In Table 1, evaluation results of connection resistance and insulation are shown.

Figure pat00001
Figure pat00001

비교예 1과 같이 돌기 심재의 비커스 경도가 낮은 경우, 저항치를 저하시킬 수 없었다. 또, 비교예 2와 같이 수지 입자에 직접 돌기 심재를 배치한 경우에도, 저항치를 저하시킬 수 없었다. 또, 비교예 3, 4와 같이 바인더의 최저 용융 점도가 최적 범위 내에 없는 경우에도, 저항치를 저하시킬 수 없었다.As in Comparative Example 1, when the Vickers hardness of the protrusion core material was low, the resistance value could not be lowered. In addition, even when the protrusion core material was directly disposed on the resin particles as in Comparative Example 2, the resistance value could not be lowered. Also, as in Comparative Examples 3 and 4, even when the minimum melt viscosity of the binder was not within the optimum range, the resistance value could not be lowered.

한편, 실시예 1~12와 같이 수지 입자를 피복하는 니켈 도금 피막 상에 비커스 경도가 높은 돌기 심재가 복수 배치된 도전성 입자와, 최저 용융 점도가 최적화된 바인더를 함유하는 접속 재료를 이용함으로써, 저항치를 저하시킬 수 있었다. 또, 제1의 도전층과 제2의 도전층의 합계 막두께가 100nm 이상 500nm 이하이며, 제1의 도전층의 막두께가, 5nm 이상이어서, 뛰어난 절연성을 얻을 수 있음을 알았다.On the other hand, as in Examples 1 to 12, by using a connection material containing conductive particles in which a plurality of protrusion cores having high Vickers hardness are disposed on the nickel plating film covering the resin particles, and a binder having an optimized minimum melt viscosity, resistance value could lower Further, it was found that the total thickness of the first conductive layer and the second conductive layer was 100 nm or more and 500 nm or less, and the film thickness of the first conductive layer was 5 nm or more, so that excellent insulation properties could be obtained.

10:코어 입자
11:제1의 금속층
12:돌기 심재
13:제2의 도전층
14:돌기 10: core particle
11: first metal layer
12: projection core
13: second conductive layer
14: protrusion

Claims (14)

수지 입자와, 상기 수지 입자를 피복하는 제1의 도전성 피막과, 상기 제1의 도전성 피막 상에 복수 배치되고, 비커스 경도가 1800~3500인 돌기 심재와, 상기 제1의 도전성 피막과 상기 돌기 심재를 피복하는 제2의 도전성 피막을 갖는 도전성 입자를 함유하고,
최저 용융 점도가 1~100000Pa·s이고,
상기 제1의 도전성 피막의 막두께가, 5nm 이상 100nm 이하이고,
상기 제1의 도전성 피막과 상기 제2의 도전성 피막의 합계 막두께가, 100nm 이상 200nm 이하이며,
상기 제1의 도전성 피막의 비커스 경도가, 300~1200이고,
상기 돌기 심재의 평균 입자 직경이 50~300nm인, 접속 재료.Resin particles, a first conductive film covering the resin particles, a projection core material disposed in plurality on the first conductive film and having a Vickers hardness of 1800 to 3500, the first conductive film and the projection core material Containing conductive particles having a second conductive film covering,
The lowest melt viscosity is 1 to 100000 Pa s,
The film thickness of the first conductive film is 5 nm or more and 100 nm or less,
The total film thickness of the first conductive film and the second conductive film is 100 nm or more and 200 nm or less,
The Vickers hardness of the first conductive film is 300 to 1200,
The connection material whose average particle diameter of the said protrusion core material is 50-300 nm. 청구항 1에 있어서,
상기 돌기 심재의 비커스 경도가 2400~3500인, 접속 재료.The method of claim 1,
The connection material whose Vickers hardness of the said protrusion core material is 2400-3500. 청구항 1에 있어서,
상기 돌기 심재가, 텅스텐, 티탄, 탄탈, 붕소로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 금속 탄화물, 금속 탄질화물, 또는 서멧인, 접속 재료.The method of claim 1,
The connection material in which the said protrusion core material is metal carbide, metal carbonitride, or cermet containing 1 or more types chosen from tungsten, titanium, tantalum, and boron. 청구항 1에 있어서,
상기 제1의 도전성 피막이, 니켈 또는 니켈 합금이고,
상기 제2의 도전성 피막이, 팔라듐, 니켈, 또는 니켈 합금으로부터 선택되는 1종 이상인, 접속 재료.The method of claim 1,
The first conductive film is nickel or a nickel alloy,
The connection material in which the said 2nd electroconductive film is 1 or more types chosen from palladium, nickel, and a nickel alloy. 청구항 1에 있어서,
상기 수지 입자를 0.33mN/초의 속도로 5mN까지 압축한 후, 0.33mN/초의 속도로 하중을 줄였을 때, 하중을 반전시키는 점에서부터 최종 하중 제거값까지의 변위(L1)와, 반전점에서부터 초기 하중치까지의 변위(L2)의 비율((L1/L2)×100)이, 30% 이상인, 접속 재료.The method of claim 1,
After compressing the resin particles to 5 mN at a rate of 0.33 mN/sec, when the load is reduced at a rate of 0.33 mN/sec, the displacement (L1) from the point of reversing the load to the final load removal value, and the initial value from the inversion point A connection material in which the ratio of displacement (L2) to the load value ((L1/L2) × 100) is 30% or more. 청구항 5에 있어서,
상기 비율((L1/L2)×100)이, 30% 이상 60% 이하인, 접속 재료.The method of claim 5,
A connection material in which the ratio ((L1/L2)×100) is 30% or more and 60% or less. 청구항 1에 있어서,
상기 접속 재료가 필름 형상인, 접속 재료.The method of claim 1,
The connection material in which the said connection material is in the form of a film. 제1의 회로 부재 상에, 도전성 입자를 함유하는 접속 재료를 개재해 제2의 회로 부재를 탑재하는 공정과,
상기 제2의 회로 부재를 압착 툴에 의해서 가열 압압(押壓)하여, 상기 접속 재료를 경화시키는 공정을 갖고,
상기 도전성 입자가, 수지 입자와, 상기 수지 입자를 피복하는 제1의 도전성 피막과, 상기 제1의 도전성 피막 상에 복수 배치되고, 비커스 경도가 1800~3500인 돌기 심재와, 상기 제1의 도전성 피막과 상기 돌기 심재를 피복하는 제2의 도전성 피막을 갖고,
상기 접속 재료의 최저 용융 점도가 1~100000Pa·s이고,
상기 제1의 도전성 피막의 막두께가, 5nm 이상 100nm 이하이고,
상기 제1의 도전성 피막과 상기 제2의 도전성 피막의 합계 막두께가, 100nm 이상 200nm 이하이며,
상기 제1의 도전성 피막의 비커스 경도가, 300~1200이고,
상기 돌기 심재의 평균 입자 직경이 50~300nm인, 접속 구조체의 제조 방법.A step of mounting a second circuit member on the first circuit member via a connection material containing conductive particles;
a step of heating and pressing the second circuit member with a crimping tool to harden the connecting material;
The conductive particles include resin particles, a first conductive film covering the resin particles, a projection core material having a Vickers hardness of 1800 to 3500, and a plurality of layers disposed on the first conductive film, and the first conductive film. a second conductive film covering the film and the core material of the protrusion;
The lowest melt viscosity of the connection material is 1 to 100000 Pa s,
The film thickness of the first conductive film is 5 nm or more and 100 nm or less,
The total film thickness of the first conductive film and the second conductive film is 100 nm or more and 200 nm or less,
The Vickers hardness of the first conductive film is 300 to 1200,
The manufacturing method of the connected structure whose average particle diameter of the said protrusion core material is 50-300 nm. 청구항 8에 있어서,
상기 돌기 심재의 비커스 경도가 2400~3500인, 접속 구조체의 제조 방법.The method of claim 8,
The manufacturing method of the connection structure whose Vickers hardness of the said protrusion core material is 2400-3500. 청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,
상기 접속 재료가 필름 형상인, 접속 구조체의 제조 방법.According to claim 8 or claim 9,
The manufacturing method of the connection structure whose said connection material is a film shape. 제1의 회로 부재와, 제2의 회로 부재와, 상기 제1의 회로 부재와 상기 제2의 회로 부재를 접속하는 접속 경화막을 구비하고,
상기 접속 경화막이, 수지 입자와, 상기 수지 입자를 피복하는 제1의 도전성 피막과, 상기 제1의 도전성 피막 상에 복수 배치되고, 비커스 경도가 1800~3500인 돌기 심재와, 상기 제1의 도전성 피막과 상기 돌기 심재를 피복하는 제2의 도전성 피막을 갖고,
상기 제1의 도전성 피막의 막두께가, 5nm 이상 100nm 이하이고,
상기 제1의 도전성 피막과 상기 제2의 도전성 피막의 합계 막두께가, 100nm 이상 200nm 이하이며,
상기 제1의 도전성 피막의 비커스 경도가, 300~1200이고,
상기 돌기 심재의 평균 입자 직경이 50~300nm인 도전성 입자를 구비하는, 접속 구조체.A first circuit member, a second circuit member, and a connection cured film connecting the first circuit member and the second circuit member,
The connection cured film comprises resin particles, a first conductive film covering the resin particles, a protrusion core material having a Vickers hardness of 1800 to 3500, and a plurality of layers disposed on the first conductive film, and the first conductive film. a second conductive film covering the film and the core material of the protrusion;
The film thickness of the first conductive film is 5 nm or more and 100 nm or less,
The total film thickness of the first conductive film and the second conductive film is 100 nm or more and 200 nm or less,
The Vickers hardness of the first conductive film is 300 to 1200,
The connection structure provided with the electroconductive particle whose average particle diameter of the said protrusion core material is 50-300 nm. 청구항 11에 있어서,
상기 돌기 심재의 비커스 경도가 2400~3500인, 접속 구조체.The method of claim 11,
A connection structure in which the Vickers hardness of the protrusion core is 2400 to 3500. 제1의 회로 부재 상에, 상기 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 기재된 접속 재료를 개재해 제2의 회로 부재를 탑재하는 공정과,
상기 제2의 회로 부재를 압착 툴에 의해서 가열 압압(押壓)하여, 상기 접속 재료를 경화시키는 공정을 갖는, 접속 구조체의 제조방법.A step of mounting a second circuit member on the first circuit member via the connection material according to any one of claims 1 to 7;
A method for producing a bonded structure comprising a step of heating and pressing the second circuit member with a crimping tool to harden the connection material. 제1의 회로 부재와, 제2의 회로 부재와, 상기 제1의 회로 부재와 상기 제2의 회로 부재를 접속하며, 상기 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 기재된 접속 재료가 경화된 접속 경화막을 구비하는, 접속 구조체.A first circuit member, a second circuit member, and a connection hardening obtained by connecting the first circuit member and the second circuit member, wherein the connection material according to any one of claims 1 to 7 is cured. A connection structure comprising a film.
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