KR20230007668A - Method for Fabricating Pellicle for EUV(extreme ultraviolet) Lithography - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 펠리클 막의 손상을 최소화할 수 있는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography. More specifically, it relates to a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography capable of minimizing damage to a pellicle film.
반도체 디바이스 또는 액정 표시판 등의 제조에 포토리소그라피라는 방법이 사용된다. 포토리소그라피에서는 패터닝의 원판으로서 마스크가 사용되고, 마스크 상의 패턴이 웨이퍼 또는 액정용 기판에 형성된 각종 층에 전사된다. A method called photolithography is used to manufacture semiconductor devices or liquid crystal display panels. In photolithography, a mask is used as a patterning plate, and patterns on the mask are transferred to various layers formed on a wafer or a substrate for liquid crystal.
이 마스크에 먼지가 부착되어 있으면 이 먼지로 인하여 빛이 흡수되거나, 반사되기 때문에 전사한 패턴이 손상되어 반도체 장치나 액정 표시판 등의 성능이나 수율의 저하를 초래한다. If dust adheres to the mask, light is absorbed or reflected by the dust, and thus the transferred pattern is damaged, resulting in a decrease in performance or yield of a semiconductor device or liquid crystal display panel.
따라서, 이들의 작업은 보통 클린룸에서 행해지지만 이 클린룸 내에도 먼지가 존재하므로, 마스크 표면에 먼지가 부착하는 것을 방지하기 위하여 펠리클을 부착하는 방법이 사용된다.Therefore, these operations are usually performed in a clean room, but since dust exists even in this clean room, a method of attaching a pellicle is used to prevent dust from adhering to the mask surface.
이 경우, 먼지는 마스크의 표면에는 직접 부착되지 않고, 펠리클 막 위에 부착되고, 리소그라피 시에는 초점이 마스크의 패턴 상에 일치되어 있으므로 펠리클 상의 먼지는 초점이 맞지 않아 패턴에 전사되지 않는 이점이 있다.In this case, the dust is not directly attached to the surface of the mask, but is attached to the pellicle film, and during lithography, since the focus is aligned on the pattern of the mask, the dust on the pellicle is out of focus and does not transfer to the pattern.
점차 반도체 제조용 노광 장치의 요구 해상도는 높아져 가고 있고, 그 해상도를 실현하기 위해서 광원의 파장이 점점 더 짧아지고 있다. 구체적으로, UV 광원은 자외광 g선(436㎚), I선(365㎚), KrF 엑시머 레이저(248㎚), ArF 엑시머 레이저(193㎚)에서 극자외선(EUV, extreme Ultraviolet, 13.5㎚)으로 점점 파장이 짧아지고 있다.The required resolution of an exposure apparatus for semiconductor manufacturing is gradually increasing, and the wavelength of a light source is getting shorter and shorter in order to realize the resolution. Specifically, UV light sources include ultraviolet g-rays (436 nm), I-rays (365 nm), KrF excimer lasers (248 nm), and ArF excimer lasers (193 nm) to extreme ultraviolet (EUV, 13.5 nm). The wavelength is gradually getting shorter.
이러한 극자외선을 이용한 노광 기술을 실현하기 위해서는 새로운 광원, 레지스트, 마스크, 펠리클의 개발이 불가결하다. 즉, 종래의 유기 펠리클 막은 높은 에너지를 가진 노광 광원에 의해서 물성이 변화되고, 수명이 짧기 때문에 극자외선용 펠리클에는 사용되기 어렵다는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 다양한 시도가 진행되고 있다.In order to realize exposure technology using extreme ultraviolet rays, it is indispensable to develop new light sources, resists, masks, and pellicles. That is, since the physical properties of the conventional organic pellicle film are changed by an exposure light source having high energy and have a short lifespan, it is difficult to use the pellicle for extreme ultraviolet rays. Various attempts are being made to solve this problem.
예를 들어, 공개특허 제2009-0088396호에는 에어로겔 필름으로 이루어진 펠리클이 개시되어 있다.For example, Patent Publication No. 2009-0088396 discloses a pellicle made of an airgel film.
그리고 공개특허 제2009-0122114호에는 실리콘 단결정 막으로 이루어지는 펠리클 막과 그 펠리클 막을 지지하는 베이스 기판을 포함하며, 베이스 기판에는 60% 이상의 개구부가 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선용 펠리클이 개시되어 있다. And, Patent Publication No. 2009-0122114 includes a pellicle film made of a silicon single crystal film and a base substrate supporting the pellicle film, and a pellicle for extreme ultraviolet rays is disclosed in which an opening of 60% or more is formed in the base substrate. .
공개특허 제2009-0122114호에 개시된 극자외선용 펠리클은 극자외선의 투과를 위해서 실리콘 단결정 막을 박막으로 형성하여야 한다. 이러한 실리콘 단결정 박막은 작은 충격에도 쉽게 손상될 수 있으므로, 이를 지지하기 위한 베이스 기판을 사용한다. 이러한 베이스 기판의 보강 틀은 일정한 패턴을 형성하며, 이 패턴이 리소그라피 공정에서 기판에 전사된다는 문제가 있다. 또한, 투과율이 60% 정도로 매우 낮다는 문제가 있다.The pellicle for extreme ultraviolet rays disclosed in Patent Publication No. 2009-0122114 needs to form a silicon single crystal film as a thin film in order to transmit extreme ultraviolet rays. Since this silicon single crystal thin film can be easily damaged even by a small impact, a base substrate is used to support it. There is a problem that the reinforcing frame of the base substrate forms a certain pattern, and the pattern is transferred to the substrate in a lithography process. In addition, there is a problem that the transmittance is very low, about 60%.
극자외선은 파장이 짧기 때문에 에너지가 매우 높으며, 투과율이 낮기 때문에 상당량의 에너지가 펠리클 막과 베이스 기판에 흡수되어 펠리클 막과 베이스 기판이 가열될 수 있다. 따라서 펠리클 막과 베이스 기판의 재질이 서로 다를 경우에는 리소그라피 공정에서 발생하는 열에 의한 열팽창 차이에 의해서 변형이 발생할 수 있다는 문제 또한 있다.Since extreme ultraviolet rays have a short wavelength, the energy is very high, and since transmittance is low, a considerable amount of energy is absorbed by the pellicle film and the base substrate, so that the pellicle film and the base substrate may be heated. Therefore, when the materials of the pellicle film and the base substrate are different from each other, there is also a problem that deformation may occur due to a difference in thermal expansion due to heat generated in the lithography process.
펠리클 막을 보강하기 위한 별도의 베이스 기판을 사용하지 않는 프리스텐딩 펠리클을 사용하는 방법도 개시되어 있다.A method of using a freestanding pellicle without using a separate base substrate for reinforcing the pellicle film is also disclosed.
예를 들어, 본 출원인에 의해서 출원되어 등록된 등록특허 제1552940호에는 니켈 호일에 흑연 박막을 형성한 후 니켈 호일을 염화철이 포함된 수용액을 이용하여 에칭하여 흑연 박막을 얻는 방법이 개시되어 있다.For example, Patent Registration No. 1552940 filed and registered by the present applicant discloses a method of obtaining a graphite thin film by forming a graphite thin film on a nickel foil and then etching the nickel foil using an iron chloride-containing aqueous solution.
또한, 본 출원인에 의해서 출원되어 등록된 등록특허 제1303795호, 제1940791호에는 유기물 기판에 지르코늄 또는 몰리브덴 금속 박막 층, 실리콘 박막 층, 탄화규소 박막 층 또는 카본 박막 층을 형성한 후 유기물 기판을 용매를 이용하여 용해하여 펠리클 막을 얻는 방법이 개시되어 있다.In addition, in Registered Patent Nos. 1303795 and 1940791 filed and registered by the present applicant, after forming a zirconium or molybdenum metal thin film layer, a silicon thin film layer, a silicon carbide thin film layer, or a carbon thin film layer on an organic substrate, the organic substrate is removed as a solvent. A method of obtaining a pellicle membrane by dissolving using a is disclosed.
또한, 실리콘 기판의 양면에 질화규소 층을 형성하고, 실리콘 기판의 윗면의 질화규소 층 위에 극자외선의 투과율이 높은 코어 층인 단결정 또는 다결정 실리콘 층, 질화규소 층, 캐핑 층을 순차적으로 형성한 후, 실리콘 기판의 아랫면에 형성된 질화규소 층에 포토레지스트를 도포한 후 패터닝하고, 질화규소 층의 중심부를 건식에칭으로 제거하고, 실리콘 기판의 중심부를 습식에칭으로 제거하여 극자외선이 투과되는 윈도우를 형성하여 실리콘 기판에 하나 또는 복수의 펠리클을 형성한 후에 실리콘 기판을 다이싱하여 각각의 펠리클을 얻는 방법도 사용되고 있다.In addition, after forming a silicon nitride layer on both sides of the silicon substrate, and sequentially forming a single crystal or polycrystalline silicon layer, which is a core layer having high extreme ultraviolet transmittance, a silicon nitride layer, and a capping layer on the silicon nitride layer on the upper surface of the silicon substrate, After applying photoresist to the silicon nitride layer formed on the lower surface, patterning is performed, the center of the silicon nitride layer is removed by dry etching, and the center of the silicon substrate is removed by wet etching to form a window through which extreme ultraviolet rays are transmitted, and one or A method of obtaining individual pellicles by dicing a silicon substrate after forming a plurality of pellicles is also used.
관련된 종래의 특허문헌인 등록특허 제10-2015437호에는 펠리클 제조 공정 완료 후, 펠리클을 지지층(실리콘 기판)으로부터 오염이나 파손 없이 용이하게 분리할 수 있는 극자외선 리소그래피용 펠리클 제조방법이 개시되어 있다. Patent Registration No. 10-2015437, a related conventional patent document, discloses a pellicle manufacturing method for extreme ultraviolet lithography that can easily separate the pellicle from the support layer (silicon substrate) without contamination or damage after the pellicle manufacturing process is completed.
좀 더 구체적으로, 지지층을 준비하며, 상기 지지층의 일면에 펠리클층을 형성하고 타면에 노광광이 투과되는 영역 및 분리패턴이 형성되는 영역의 상기 지지층의 타면 부분을 노출시키는 마스크층 패턴을 형성하고, 상기 노출된 지지층 부분을 상기 펠리클층이 노출되도록 식각하여 상기 펠리클층을 지지하는 지지층 패턴 및 분리패턴을 형성하고, 상기 분리패턴을 이용한 분리 공정으로 지지층으로부터 펠리클을 분리하여 극자외선 리소그래피용 펠리클을 형성하는 방법이 개시되어 있다.More specifically, a support layer is prepared, a pellicle layer is formed on one surface of the support layer, and a mask layer pattern exposing the other surface of the support layer in a region through which exposure light is transmitted and a region where a separation pattern is formed is formed on the other surface, and The exposed support layer portion is etched to expose the pellicle layer to form a support layer pattern and a separation pattern for supporting the pellicle layer, and a pellicle for extreme ultraviolet lithography is separated from the support layer by a separation process using the separation pattern. A method of forming is disclosed.
그런데 극자외선 리소그라피용 펠리클 막은 막 두께가 나노미터 수준이어서, 매우 쉽게 손상되기 때문에, 분리패턴을 이용하여 펠리클을 실리콘 기판으로부터 분리하는 과정에서 가해지는 힘에 의해서 여전히 펠리클 막이 손상될 수 있다는 문제가 있다. 또한, 분리패턴을 이용하여 펠리클을 실리콘 기판으로부터 분리하는 과정에서 펠리클 막이 오염될 수 있다는 문제도 있다.However, since the pellicle film for extreme ultraviolet lithography has a thickness of nanometers and is very easily damaged, there is a problem that the pellicle film can still be damaged by the force applied in the process of separating the pellicle from the silicon substrate using the separation pattern. . In addition, there is also a problem that the pellicle film may be contaminated in the process of separating the pellicle from the silicon substrate using the separation pattern.
본 발명은 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 펠리클 막의 손상이나 오염을 최소화할 수 있는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to improve the above problems, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography capable of minimizing damage or contamination of a pellicle film.
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 a) 제1 면에 펠리클 막 층이 형성되고, 상기 제1 면의 반대 면인 제2 면에 식각 저지층이 형성된 기판을 준비하는 단계와, b) 상기 식각 저지층 위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계와, c) 상기 포토레지스트 층을 패터닝하여 노광 광이 투과하는 윈도우 영역이 개방된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, d) 상기 윈도우 영역에 상기 기판이 잔존하여 상기 펠리클 막 층을 지지하도록, 상기 윈도우 영역을 에칭하여, 상기 윈도우 영역의 상기 식각 저지층을 제거하고, 상기 윈도우 영역의 상기 기판의 두께를 얇게 하는 단계와, e) 상기 윈도우 영역을 포함하는 펠리클 영역을 다른 영역으로부터 분리하는 다이싱 단계와, f) 분리된 상기 펠리클 영역의 상기 윈도우 영역에 잔존하는 상기 기판을 에칭하여, 상기 펠리클 막 층을 노출시키는 단계를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention comprises the steps of a) preparing a substrate having a pellicle film layer formed on a first surface and an etch stop layer formed on a second surface opposite to the first surface, and b) the forming a photoresist layer on the etch stop layer; c) patterning the photoresist layer to form a photoresist pattern in which a window area through which exposure light passes is opened; d) the substrate is formed in the window area. etching the window region so as to remain and support the pellicle film layer, removing the etch stop layer in the window region, and thinning the substrate in the window region; e) including the window region A dicing step of separating a pellicle region to be separated from other regions; and f) etching the substrate remaining in the window region of the separated pellicle region to expose the pellicle film layer. Provides a manufacturing method of.
또한, 상기 c) 단계는 상기 윈도우 영역과 상기 윈도우 영역의 둘레에 형성된 분리 영역이 개방되도록 상기 포토레지스트 층을 패터닝하는 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the step c) provides a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a step of patterning the photoresist layer to open the window area and a separation area formed around the window area.
또한, 상기 e) 단계는 상기 분리 영역의 펠리클 막 층 및 잔존하는 상기 기판을 절단하여, 상기 기판으로부터 상기 펠리클을 분리하는 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the step e) provides a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a step of separating the pellicle from the substrate by cutting the pellicle film layer of the separation area and the remaining substrate.
또한, 상기 b) 단계 전에 상기 펠리클 막 층 위에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, it provides a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography further comprising the step of forming a protective layer on the pellicle film layer before step b).
또한, 상기 보호층은 Si, SiO2, SixNy, SixCy 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the protective layer provides a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography including at least one material selected from Si, SiO 2 , SixNy, and SixCy.
또한, 상기 보호층은 30 내지 800㎚인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the protective layer provides a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography of 30 to 800 nm.
또한, 상기 보호층은 포토레지스트 층인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the protective layer provides a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a photoresist layer.
또한, 상기 보호층은 0.3 내지 30㎛인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the protective layer provides a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography having a thickness of 0.3 to 30 μm.
또한, 상기 d) 단계에서, 상기 윈도우 영역에 잔존하는 상기 기판의 두께는 1 내지 500㎛인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, in step d), the thickness of the substrate remaining in the window region is 1 to 500 μm, and a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography is provided.
또한, 상기 d) 단계는 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하고, 육불화황(SF6), 사불화탄소(CF4), 브로민화 수소(HBr), 염소(Cl2), 삼불화질소(NF3), 불화수소(HF), 사불화실리콘(SiF4), 헥사플로오로에탄(C2F6), 플루오로포롬(CHF3), 산소(O2) 중에서 선택된 적어도 하나의 가스를 사용하는 건식 에칭 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In the step d), the photoresist pattern is used as a mask, and sulfur hexafluoride (SF 6 ), carbon tetrafluoride (CF 4 ), hydrogen bromide (HBr), chlorine (Cl 2 ), nitrogen trifluoride (NF 3 ), hydrogen fluoride (HF), silicon tetrafluoride (SiF 4 ), hexafluoroethane (C 2 F 6 ), fluoroform (CHF 3 ), and oxygen (O 2 ) using at least one gas selected from Provided is a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a dry etching step.
또한, 상기 d) 단계는, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 윈도우 영역의 상기 식각 저지층을 제거하는 건식 에칭 단계와, 상기 식각 저지층을 마스크로 사용하여 상기 윈도우 영역의 상기 기판의 두께를 얇게 하는 습식 에칭 단계를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the step d) may include a dry etching step of removing the etch stop layer in the window area using the photoresist pattern as a mask, and a thickness of the substrate in the window area using the etch stop layer as a mask. It provides a method for manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography comprising a wet etching step of thinning.
또한, 상기 건식 에칭 단계는 육불화황(SF6), 사불화탄소(CF4), 브로민화 수소(HBr), 염소(Cl2), 삼불화질소(NF3), 불화수소(HF), 사불화실리콘(SiF4), 헥사플로오로에탄(C2F6), 플루오로포롬(CHF3), 산소(O2) 중에서 선택된 적어도 하나의 가스를 사용하는 건식 에칭 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the dry etching step is sulfur hexafluoride (SF 6 ), carbon tetrafluoride (CF 4 ), hydrogen bromide (HBr), chlorine (Cl 2 ), nitrogen trifluoride (NF 3 ), hydrogen fluoride (HF), four Silicon fluoride (SiF 4 ), hexafluoroethane (C 2 F 6 ), fluoroform (CHF 3 ), and oxygen (O 2 ) of a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a dry etching step using at least one gas selected from A manufacturing method is provided.
또한, 상기 습식 에칭 단계는 수산화칼륨(KOH), 수산화 나트륨(NaOH), HNA(HF, HNO3, CH3COOH 혼합용액), 에틸렌디아민-피로카테콜(EDP) 또는 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH, Tetramethylammonium hydroxide) 에칭액을 사용하는 습식 에칭 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the wet etching step is potassium hydroxide (KOH), sodium hydroxide (NaOH), HNA (HF, HNO 3 , CH 3 COOH mixed solution), ethylenediamine-pyrocatechol (EDP) or tetramethylammonium hydroxide (TMAH, Provided is a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a wet etching step using a tetramethylammonium hydroxide) etchant.
또한, 상기 f) 단계는 수산화칼륨(KOH), 수산화 나트륨(NaOH), HNA(HF, HNO3, CH3COOH 혼합용액), 에틸렌디아민-피로카테콜(EDP) 또는 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH, Tetramethylammonium hydroxide) 에칭액을 사용하는 습식 에칭 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In the step f), potassium hydroxide (KOH), sodium hydroxide (NaOH), HNA (HF, HNO 3 , CH 3 COOH mixed solution), ethylenediamine-pyrocatechol (EDP) or tetramethylammonium hydroxide (TMAH, Provided is a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a wet etching step using a tetramethylammonium hydroxide) etchant.
또한, 상기 f) 단계 후 노출된 상기 펠리클 막 층을 에칭하여 상기 펠리클 막 층의 두께를 조절하는 단계를 더 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, it provides a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography further comprising the step of adjusting the thickness of the pellicle film layer by etching the pellicle film layer exposed after step f).
본 발명에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법에 따르면 기판으로부터 펠리클 영역을 분리하는 과정에서 펠리클 막의 손상이나 오염을 최소화할 수 있다는 장점이 있다.According to the manufacturing method of the pellicle for extreme ultraviolet lithography according to the present invention, there is an advantage in that damage or contamination of the pellicle film can be minimized in the process of separating the pellicle area from the substrate.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법의 순서도이다.
도 2는 도 1에 도시된 실시예의 각 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법의 순서도이다.
도 4는 도 3에 도시된 실시예의 각 단계를 설명하기 위한 도면이다.1 is a flowchart of a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram for explaining each step of the embodiment shown in FIG. 1 .
3 is a flowchart of a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to another embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram for explaining each step of the embodiment shown in FIG. 3 .
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 대해서 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments introduced below are provided as examples to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the present invention may be embodied in other forms without being limited to the embodiments described below. And in the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. Like reference numbers indicate like elements throughout the specification.
본 명세서에서 어떤 층이나 면 "위에" 형성 또는 도포된다는 것은 어떤 층이나 면의 바로 위에 형성되는 것을 지칭하거나, 어떤 층이나 면 상에 형성된 중간층 또는 중간층들 위에 형성되는 것을 지칭할 수 있다.In this specification, being formed or applied "on" a layer or surface may refer to being formed directly on a certain layer or surface, or may refer to being formed over an intermediate layer or intermediate layers formed on a certain layer or surface.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법의 순서도이다. 1 is a flowchart of a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 일실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법은 펠리클 막 층과 식각 저지층이 형성된 기판을 준비하는 단계(S1)와, 펠리클 막 층 위에 보호층을 형성하는 단계(S2)와, 식각 저지층 위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계(S3)와, 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계(S4)와, 윈도우 영역의 식각 저지층을 제거하고, 윈도우 영역의 기판의 두께를 얇게 하는 단계(S5)와, 윈도우 영역을 포함하는 펠리클 영역을 다른 영역으로부터 분리하는 다이싱 단계(S6)와, 보호층과 남아있는 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계(S7)와, 펠리클 막 층을 노출시키는 단계(S8)와, 펠리클 막 층의 두께를 조절하는 단계(S9)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention includes preparing a substrate on which a pellicle film layer and an etch stop layer are formed (S1), and a protective layer on the pellicle film layer. Forming a step (S2), forming a photoresist layer on the etch stop layer (S3), forming a photoresist pattern (S4), removing the etch stop layer of the window area, A step of thinning the substrate (S5), a dicing step of separating the pellicle region including the window region from other regions (S6), a step of removing the protective layer and the remaining photoresist pattern (S7), Exposing the pellicle film layer (S8) and adjusting the thickness of the pellicle film layer (S9).
이하, 도 2를 참고하여, 각각의 단계에 대해서 설명한다.Hereinafter, each step will be described with reference to FIG. 2 .
먼저, 펠리클 막 층(2)과 식각 저지층(3)이 형성된 기판(1)을 준비하는 단계(S1)에 대해서 설명한다. First, the step (S1) of preparing the substrate 1 on which the pellicle film layer 2 and the
본 단계는 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 면(도 2의 (a)에서 상면)에 펠리클 막 층(2)이 형성되고, 제1 면의 반대 면인 제2 면(도 2의 (a)에서 하면)에 식각 저지층(3)이 형성된 기판(1)을 준비하는 단계이다. 기판(1)으로는 실리콘 기판을 사용할 수 있다. In this step, as shown in (a) of FIG. 2, the pellicle film layer 2 is formed on the first surface (top surface in (a) of FIG. 2), and the second surface opposite to the first surface (Fig. This is a step of preparing the substrate 1 having the
펠리클 막 층(2)은 극자외선 리소그라피용 노광 광에 대한 투과율이 높은 코어 층과 코어 층을 보호하기 위해서 코어 층의 상면과 하면에 각각 형성되는 캐핑 층을 포함할 수 있다. 펠리클 막 층(2)은 극자외선 리소그라피용 노광 광에 대한 투과율이 80% 이상인 것이 바람직하다.The pellicle film layer 2 may include a core layer having high transmittance to exposure light for extreme ultraviolet lithography and a capping layer respectively formed on upper and lower surfaces of the core layer to protect the core layer. The transmittance of the pellicle film layer 2 to exposure light for extreme ultraviolet lithography is preferably 80% or more.
코어 층은 Zr, La, Y, Nb, Ce, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Mo, Si, B, P, C, S, N의 단일 원소 또는 화합물, 그래핀, 탄소나노튜브(CNT), 흑연, 그래핀 나노플레이트, 카본 나노시트(Carbon nanosheet) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The core layer is a single element or compound of Zr, La, Y, Nb, Ce, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Mo, Si, B, P, C, S, N, It may include at least one material selected from graphene, carbon nanotube (CNT), graphite, graphene nanoplate, and carbon nanosheet.
코어 층은 단일 층으로 구성될 수도 있으며, 순차적으로 적층되는 복수의 서브 층들로 구성될 수도 있다.The core layer may be composed of a single layer or may be composed of a plurality of sub-layers sequentially stacked.
코어 층은 CVD나 PVD 공정, 예를 들어, 저압 화학 증착(LPCVD) 공정이나, 원자층 증착(Atomic layer doposition, ALD) 공정, 스퍼터링 공정을 통해서 증착하는 방법 등으로 형성할 수 있다.The core layer may be formed by a method of depositing through a CVD or PVD process, for example, a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) process, an atomic layer deposition (ALD) process, or a sputtering process.
코어 층의 상면과 하면에 형성되는 캐핑 층은 SiC, SiO2, SixNy(x와 y는 정수이며, x/y = 0.7~1.5), Mo, Mo2B, MoB2, Mo2B5, Mo2C, MoC, MoSi2, Nb, NbC, NbB2, NbSi2, La, Zr, ZrC, ZrN, ZrB2, ZrO2, ZrSi2, B, B4C, Y, YSi2, TiSi2, TiC, TiB2, Ru, Nd, Be, La, LaB2, LaC 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 캐핑 층은 단일 층으로 구성될 수도 있으며, 순차적으로 적층되는 복수의 서브 층들로 구성될 수도 있다.The capping layer formed on the upper and lower surfaces of the core layer is SiC, SiO 2 , Si x N y (x and y are integers, x/y = 0.7 to 1.5), Mo, Mo 2 B, MoB 2 , Mo 2 B 5 , Mo 2 C, MoC, MoSi 2 , Nb, NbC, NbB 2 , NbSi 2 , La, Zr, ZrC, ZrN, ZrB 2 , ZrO 2 , ZrSi 2 , B, B 4 C, Y, YSi 2 , TiSi 2 , TiC, TiB 2 , Ru, Nd, Be, La, LaB 2 , and may include at least one material selected from LaC. The capping layer may be composed of a single layer or may be composed of a plurality of sub-layers sequentially stacked.
캐핑 층은 습식 에칭 액과 수소 라디칼로부터 코어 층을 보호하는 역할을 한다. 캐핑 층은 CVD나 PVD 공정, 예를 들어, 저압 화학 증착(LPCVD) 공정, 원자층 증착(Atomic layer doposition, ALD) 공정, 스퍼터링 공정 등을 통해서 증착하는 방법으로 형성할 수 있다.The capping layer serves to protect the core layer from wet etching liquid and hydrogen radicals. The capping layer may be formed by depositing through a CVD or PVD process, such as a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) process, an atomic layer deposition (ALD) process, or a sputtering process.
캐핑 층은 코어 층에 비해서 극자외선에 대한 투과율일 낮기 때문에 최대한 얇게 형성하는 것이 바람직하다.Since the capping layer has lower extreme ultraviolet transmittance than the core layer, it is preferable to form the capping layer as thin as possible.
식각 저지층(3)은 질화규소(SixNy, x와 y는 정수이며, x/y = 0.7~1.5) 층, 산화 규소 층 또는 탄화 규소 층일 수 있다. 식각 저지층(3)은 CVD나 PVD 공정으로 형성할 수 있다.The
다음, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 펠리클 막(2) 층 위에 보호층(4)을 형성한다(S2).Next, as shown in (b) of FIG. 2, a protective layer 4 is formed on the pellicle film 2 layer (S2).
보호층(4)으로는 Si, SiO2, SixNy, SixCy 층이나 포토레지스트 층을 사용할 수 있다. 보호층(4)은 펠리클 막 층(2)을 보호하는 역할을 한다.As the protective layer 4, a Si, SiO 2 , SixNy, SixCy layer or a photoresist layer may be used. The protective layer 4 serves to protect the pellicle film layer 2 .
보호층(4)으로 Si, SiO2, SixNy, SixCy 층을 사용할 경우, 보호층(4)의 두께는 30 내지 800㎚인 것이 바람직하며, 포토레지스트 층을 사용할 경우에는 0.3 내지 30㎛인 것이 바람직하다.When a layer of Si, SiO 2 , SixNy, or SixCy is used as the protective layer 4, the thickness of the protective layer 4 is preferably 30 to 800 nm, and when a photoresist layer is used, it is preferably 0.3 to 30 μm. Do.
다음, 식각 저지층(3) 위에 포토레지스트 층(5)을 형성하는 단계(S3)에 대해서 설명한다.Next, the step (S3) of forming the photoresist layer 5 on the
본 단계에서는 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이, 보호층(4)이 아래로 향하도록 기판(1)을 뒤집은 후 기판(1)의 제2 면에 형성된 식각 저지층(3) 위에 포토레지스트 층(5)을 형성한다.In this step, as shown in (c) of FIG. 2, after the substrate 1 is turned over so that the protective layer 4 faces down, the
다음, 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계(S4)에 대해서 설명한다.Next, the step (S4) of forming a photoresist pattern will be described.
본 단계에서는 도 2의 (d)에 도시된 바와 같이, 노광 및 현상을 통해서 포토레지스트 층(5)을 패터닝하여 노광 광이 투과하는 윈도우 영역(w)에 대응하는 영역이 개방된 포토레지스트 패턴(6)을 형성한다.In this step, as shown in (d) of FIG. 2, the photoresist layer 5 is patterned through exposure and development so that the area corresponding to the window area w through which exposure light passes is opened. 6) form.
다음, 윈도우 영역(w)의 식각 저지층을 제거하고, 윈도우 영역(w)의 기판의 두께를 얇게 하는 단계(S5)에 대해서 설명한다.Next, a step (S5) of removing the etch stop layer in the window region w and thinning the substrate in the window region w will be described.
본 단계에서는 도 2의 (e)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(6)을 마스크로 하여, 원도우 영역(w)의 식각 저지층(3)과 기판(1)의 일부를 에칭한다. 에칭을 통해서 윈도우 영역(w)의 식각 저지층(3)은 모두 제거된다. 그리고 에칭이 계속 진행되어, 윈도우 영역(w)의 기판(1)의 두께도 얇아진다. 원도우 영역(w)에 잔존하는 얇은 두께의 기판(1)은 펠리클 막 층(2)을 지지하는 역할을 한다. 윈도우 영역(w)에 잔존하는 기판의 두께(t)는 1 내지 500㎛인 것이 바람직하며, 40 내지 60㎛인 것이 더욱 바람직하다.In this step, as shown in (e) of FIG. 2 , the
본 단계는 육불화황(SF6), 사불화탄소(CF4), 브로민화 수소(HBr), 염소(Cl2), 삼불화질소(NF3), 불화수소(HF), 사불화실리콘(SiF4), 헥사플로오로에탄(C2F6), 플루오로포롬(CHF3), 산소(O2) 중에서 선택된 적어도 하나의 가스를 사용하는 건식 에칭 단계일 수 있다.This step is sulfur hexafluoride (SF 6 ), carbon tetrafluoride (CF 4 ), hydrogen bromide (HBr), chlorine (Cl 2 ), nitrogen trifluoride (NF 3 ), hydrogen fluoride (HF), silicon tetrafluoride (SiF 4 ), hexafluoroethane (C 2 F 6 ), fluoroform (CHF 3 ), and oxygen (O 2 ).
또한, 본 단계는 식각 저지층을 제거하는 단계와, 기판의 두께를 얇게 하는 단계로 나누어 진행할 수도 있다. 즉, 포토레지스트 패턴(6)을 마스크로 사용하여 윈도우 영역(w)의 식각 저지층(3)을 제거하는 건식 에칭 단계와, 식각 저지층(3)을 마스크로 사용하여 윈도우 영역(w)의 기판(1)의 두께를 얇게 하는 습식 에칭 단계가 순차적으로 진행될 수도 있다.In addition, this step may be divided into a step of removing the etch stop layer and a step of thinning the thickness of the substrate. That is, a dry etching step of removing the
이때, 건식 에칭 단계는 육불화황(SF6), 사불화탄소(CF4), 브로민화 수소(HBr), 염소(Cl2), 삼불화질소(NF3), 불화수소(HF), 사불화실리콘(SiF4), 헥사플로오로에탄(C2F6), 플루오로포롬(CHF3), 산소(O2) 중에서 선택된 적어도 하나의 가스를 사용하는 건식 에칭 단계일 수 있다.At this time, the dry etching step is sulfur hexafluoride (SF 6 ), carbon tetrafluoride (CF 4 ), hydrogen bromide (HBr), chlorine (Cl 2 ), nitrogen trifluoride (NF 3 ), hydrogen fluoride (HF), tetrafluoride It may be a dry etching step using at least one gas selected from silicon (SiF 4 ), hexafluoroethane (C 2 F 6 ), fluoroform (CHF 3 ), and oxygen (O 2 ).
그리고 습식 에칭 단계는 수산화칼륨(KOH), 수산화 나트륨(NaOH), HNA(HF, HNO3, CH3COOH 혼합용액), 에틸렌디아민-피로카테콜(EDP) 또는 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH, Tetramethylammonium hydroxide) 에칭액을 사용하는 습식 에칭 단계일 수 있다.And the wet etching step is potassium hydroxide (KOH), sodium hydroxide (NaOH), HNA (HF, HNO 3 , CH 3 COOH mixed solution), ethylenediamine-pyrocatechol (EDP) or tetramethylammonium hydroxide (TMAH, Tetramethylammonium hydroxide) ) may be a wet etching step using an etchant.
다음, 윈도우 영역(w)을 포함하는 펠리클 영역(p)을 다른 영역으로부터 분리하는 다이싱 단계(S6)를 설명한다.Next, a dicing step (S6) of separating the pellicle region p including the window region w from other regions will be described.
도 2의 (f)는 다이싱을 통해서 분리된 펠리클 영역(p)을 나타낸다. (f) of FIG. 2 shows a pellicle region (p) separated through dicing.
본 단계는 블레이드 휠(Blade wheel)을 이용하여 윈도우 영역(w)의 외곽을 따라서 식각 저지층(3)과 펠리클 막 층(2)이 형성된 기판(1)의 한쪽 또는 양면에 홈을 형성한 후 힘을 가해서 분리하는 블레이드 소잉(blade sawing) 방법으로 진행될 수 있다.In this step, grooves are formed on one or both sides of the substrate 1 on which the
또한, 레이저를 이용하여 표면을 절삭하는 방법(Laser Grooving), 레이저를 이용하여 내부 영역을 절삭하는 방법(Stealth Dicing), 플라스마 에칭을 이용한 방법(Plasma Dicing) 등의 다른 방법으로 펠리클 영역(p)을 분리할 수도 있다.In addition, the pellicle area (p) can be obtained by other methods such as a method of cutting the surface using a laser (Laser Grooving), a method of cutting an internal area using a laser (Stealth Dicing), and a method using plasma etching (Plasma Dicing). can also be separated.
보통 한 장의 기판(1)으로부터 한 개 또는 두 개의 펠리클 영역을 얻을 수 있다.Usually one or two pellicle areas can be obtained from one substrate 1 .
본 발명에서는 윈도우 영역(w)의 펠리클 막 층(2)이 잔존하는 기판(1)과 보호층(4)에 의해서 지지된 상태로 다이싱 단계가 진행되기 때문에 펠리클 영역(p)이 분리되는 과정에서 펠리클 막 층(2)이 파손되거나, 오염되지 않는다는 장점이 있다.In the present invention, since the dicing step proceeds in a state where the pellicle film layer 2 of the window region w is supported by the remaining substrate 1 and the protective layer 4, the process of separating the pellicle region p There is an advantage in that the pellicle membrane layer 2 is not damaged or contaminated.
다음, 도 2의 (g)에 도시된 바와 같이, 보호층과 남아있는 포토레지스트 패턴을 제거한다(S7).Next, as shown in (g) of FIG. 2, the protective layer and the remaining photoresist pattern are removed (S7).
보호층(4)과 남아있는 포토레지스트 패턴(6)은 불산(HF), 인산(H3PO4) BOE(buffered oxide etchant), 아세톤, 수산화칼륨(KOH), 포토레지스트 박리액 등으로 제거할 수 있다.The protective layer 4 and the remaining
다음, 펠리클 막 층을 노출시키는 단계(S8)에 대해서 설명한다.Next, the step of exposing the pellicle film layer (S8) will be described.
본 단계에서는 도 2의 (g)에 도시된 윈도우 영역(w)에 잔존하는 기판(1)을 에칭하여, 도 2의 (h)에 도시된 바와 같이, 펠리클 막 층(2)을 노출시킨다.In this step, the substrate 1 remaining in the window region w shown in FIG. 2(g) is etched to expose the pellicle film layer 2 as shown in FIG. 2(h).
본 단계는 습식 에칭으로 진행될 수 있으며, 수산화칼륨(KOH), 수산화 나트륨(NaOH), HNA(HF, HNO3, CH3COOH 혼합용액), 에틸렌디아민-피로카테콜(EDP) 또는 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH, Tetramethylammonium hydroxide) 에칭액을 사용하는 것이 바람직하다.This step may be carried out by wet etching, potassium hydroxide (KOH), sodium hydroxide (NaOH), HNA (HF, HNO 3 , CH 3 COOH mixed solution), ethylenediamine-pyrocatechol (EDP) or tetramethylammonium hydroxide (TMAH, Tetramethylammonium hydroxide) etching solution is preferably used.
다음, 도 2의 (i)를 참고하여, 펠리클 막 층의 두께를 조절하는 단계(S9)에 대해서 설명한다. Next, referring to (i) of FIG. 2, the step (S9) of adjusting the thickness of the pellicle film layer will be described.
본 단계에서는 극자외선 투과율을 높이기 위해서, 노출된 펠리클 막 층(2)을 에칭하여 펠리클 막 층(2)의 두께를 얇게 한다. 펠리클 막 층(2)을 구성하는 층들 중에서 캐핑 층을 에칭한다. 캐핑 층은 극자외선 투과율이 낮기 때문에 가능하면 얇은 것이 바람직하다. 본 단계는 건식 에칭이나 습식 에칭으로 진행될 수 있다.In this step, in order to increase the extreme ultraviolet transmittance, the exposed pellicle film layer 2 is etched to reduce the thickness of the pellicle film layer 2 . Among the layers constituting the pellicle film layer 2, the capping layer is etched. The capping layer is preferably as thin as possible because of its low extreme ultraviolet transmittance. This step may be performed by dry etching or wet etching.
잔존하는 기판(1)이 제거된 후에 원도우 영역(w) 외곽의 식각 저지층(3) 및 기판(1)으로 이루어진 보더(border) 부분에 별도의 펠리클 프레임을 부착할 수도 있으며, 보더 부분 자체를 펠리클 프레임으로 사용할 수도 있다.After the remaining substrate 1 is removed, a separate pellicle frame may be attached to a border portion composed of the substrate 1 and the
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법의 순서도이며, 도 4는 도 3에 도시된 실시예의 각 단계를 설명하기 위한 도면이다.3 is a flowchart of a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a diagram for explaining each step of the embodiment shown in FIG. 3 .
도 3과 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예는 펠리클 막 층과 식각 저지층이 형성된 기판을 준비하는 단계(S11)와, 펠리클 막 층 위에 보호층을 형성하는 단계(S12)와, 식각 저지층 위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계(S13)와, 윈도우 영역과 분리 영역이 개방된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계(S14)와, 윈도우 영역과 분리 영역의 식각 저지층을 제거하고, 윈도우 영역과 분리 영역의 기판의 두께를 얇게 하는 단계(S15)와, 분리 영역을 절단하여 윈도우 영역을 포함하는 펠리클 영역을 다른 영역으로부터 분리하는 다이싱 단계(S16)와, 보호층과 남아있는 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계(S17)와, 펠리클 막 층을 노출시키는 단계(S18)를 포함한다.As shown in FIGS. 3 and 4, this embodiment includes preparing a substrate on which a pellicle film layer and an etch stop layer are formed (S11), forming a protective layer on the pellicle film layer (S12), and etching stop Forming a photoresist layer on the layer (S13), forming a photoresist pattern in which the window region and the isolation region are open (S14), removing the etch stop layer of the window region and the isolation region, A step of thinning the thickness of the substrate in the separation region (S15), a dicing step of separating the pellicle region including the window region from other regions by cutting the separation region (S16), and removing the protective layer and the remaining photoresist pattern. A step of removing (S17) and a step of exposing the pellicle film layer (S18) are included.
도 3과 도 4의 (d)에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법은 포토레지스트 패턴(16)을 형성하는 단계(S14)에서 윈도우 영역(w)뿐 아니라 윈도우 영역(w)의 둘레에 분리 영역(d)을 함께 형성한다는 점에서 도 1과 2에 도시된 실시예와 차이가 있다.As shown in FIGS. 3 and 4(d), in the method of manufacturing the pellicle for extreme ultraviolet lithography according to the present embodiment, in the step of forming the photoresist pattern 16 (S14), not only the window area (w) It is different from the embodiment shown in FIGS. 1 and 2 in that the separation area d is formed together around the window area w.
그리고 도 4의 (e)에 도시된 바와 같이, 원도우 영역(w)을 에칭하는 단계(S15)에서 분리 영역(d)도 함께 에칭한다. And, as shown in (e) of FIG. 4, in step S15 of etching the window region w, the separation region d is also etched.
그리고 다이싱 단계(S16)에서는 힘을 가하여 분리 영역(d)의 펠리클 막 층(12) 및 펠리클 막 층(12)의 상하면의 보호층(14)과 에칭에 의해서 두께가 얇아진 기판(11)을 부러뜨려서 펠리클 영역(w)을 다른 영역으로 분리한다. 본 실시예는 블레이드 휠이나 레이저를 이용하여 홈을 형성하는 단계가 필요하지 않는다는 점에서 장점이 있다.And in the dicing step (S16), force is applied to separate the
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been shown and described above, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and is common in the art to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. Of course, various modifications and implementations are possible by those with knowledge of, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or perspective of the present invention.
w: 윈도우 영역
d: 분리 영역
p: 펠리클 영역
1, 11: 실리콘 기판
2, 12: 펠리클 막 층
3, 13: 식각 저지층
4, 14: 보호층
5, 15: 포토레지스트 층
6, 16: 포토레지스트 패턴w: window area
d: Separation area
p: pellicle area
1, 11: silicon substrate
2, 12: pellicle membrane layer
3, 13: etch stop layer
4, 14: protective layer
5, 15: photoresist layer
6, 16: photoresist pattern
Claims (15)
b) 상기 식각 저지층 위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계와,
c) 상기 포토레지스트 층을 패터닝하여 노광 광이 투과하는 윈도우 영역이 개방된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와,
d) 상기 윈도우 영역에 상기 기판이 잔존하여 상기 펠리클 막 층을 지지하도록, 상기 윈도우 영역을 에칭하여, 상기 윈도우 영역의 상기 식각 저지층을 제거하고, 상기 윈도우 영역의 상기 기판의 두께를 얇게 하는 단계와,
e) 상기 윈도우 영역을 포함하는 펠리클 영역을 다른 영역으로부터 분리하는 다이싱 단계와,
f) 분리된 상기 펠리클 영역의 상기 윈도우 영역에 잔존하는 상기 기판을 에칭하여, 상기 펠리클 막 층을 노출시키는 단계를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.a) preparing a substrate having a pellicle film layer formed on a first surface and an etch stop layer formed on a second surface opposite to the first surface;
b) forming a photoresist layer over the etch stop layer;
c) patterning the photoresist layer to form a photoresist pattern in which a window area through which exposure light passes is opened;
d) etching the window area, removing the etch stop layer in the window area, and thinning the substrate in the window area so that the substrate remains in the window area to support the pellicle film layer; Wow,
e) a dicing step of separating the pellicle region including the window region from other regions;
f) Etching the substrate remaining in the window region of the separated pellicle region to expose the pellicle film layer.
상기 c) 단계는 상기 윈도우 영역과 상기 윈도우 영역의 둘레에 형성된 분리 영역이 개방되도록 상기 포토레지스트 층을 패터닝하는 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
The step c) is a step of patterning the photoresist layer so that the window region and the separation region formed around the window region are opened.
상기 e) 단계는 상기 분리 영역의 펠리클 막 층 및 잔존하는 상기 기판을 절단하여, 상기 기판으로부터 상기 펠리클을 분리하는 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법. According to claim 2,
The step e) is a step of separating the pellicle from the substrate by cutting the pellicle film layer of the separation area and the remaining substrate.
상기 b) 단계 전에 상기 펠리클 막 층 위에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
The method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography further comprising the step of forming a protective layer on the pellicle film layer before the step b).
상기 보호층은 Si, SiO2, SixNy, SixCy 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 4,
The protective layer is a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography comprising at least one material selected from Si, SiO 2 , SixNy, and SixCy.
상기 보호층은 30 내지 800㎚인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 5,
The protective layer is a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography of 30 to 800 nm.
상기 보호층은 포토레지스트 층인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 4,
The protective layer is a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography that is a photoresist layer.
상기 보호층은 0.3 내지 30㎛인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 7,
The protective layer is a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography of 0.3 to 30 μm.
상기 d) 단계에서, 상기 윈도우 영역에 잔존하는 상기 기판의 두께는 1 내지 500㎛인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
In step d), the thickness of the substrate remaining in the window region is 1 to 500 μm.
상기 d) 단계는 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하고, 육불화황(SF6), 사불화탄소(CF4), 브로민화 수소(HBr), 염소(Cl2), 삼불화질소(NF3), 불화수소(HF), 사불화실리콘(SiF4), 헥사플로오로에탄(C2F6), 플루오로포롬(CHF3), 산소(O2) 중에서 선택된 적어도 하나의 가스를 사용하는 건식 에칭 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
Step d) uses the photoresist pattern as a mask, sulfur hexafluoride (SF 6 ), carbon tetrafluoride (CF 4 ), hydrogen bromide (HBr), chlorine (Cl 2 ), nitrogen trifluoride (NF 3 ) Dry etching using at least one gas selected from among hydrogen fluoride (HF), silicon tetrafluoride (SiF 4 ), hexafluoroethane (C 2 F 6 ), fluoroform (CHF 3 ), and oxygen (O 2 ) A method for manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a step.
상기 d) 단계는,
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 윈도우 영역의 상기 식각 저지층을 제거하는 건식 에칭 단계와,
상기 식각 저지층을 마스크로 사용하여 상기 윈도우 영역의 상기 기판의 두께를 얇게 하는 습식 에칭 단계를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
In step d),
a dry etching step of removing the etch stop layer in the window region using the photoresist pattern as a mask;
A method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography comprising a wet etching step of thinning the thickness of the substrate in the window region using the etch stop layer as a mask.
상기 건식 에칭 단계는 육불화황(SF6), 사불화탄소(CF4), 브로민화 수소(HBr), 염소(Cl2), 삼불화질소(NF3), 불화수소(HF), 사불화실리콘(SiF4), 헥사플로오로에탄(C2F6), 플루오로포롬(CHF3), 산소(O2) 중에서 선택된 적어도 하나의 가스를 사용하는 건식 에칭 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 11,
The dry etching step is sulfur hexafluoride (SF 6 ), carbon tetrafluoride (CF 4 ), hydrogen bromide (HBr), chlorine (Cl 2 ), nitrogen trifluoride (NF 3 ), hydrogen fluoride (HF), silicon tetrafluoride (SiF 4 ), hexafluoroethane (C 2 F 6 ), fluoroform (CHF 3 ), and oxygen (O 2 ) Method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a dry etching step using at least one gas selected from .
상기 습식 에칭 단계는 수산화칼륨(KOH), 수산화 나트륨(NaOH), HNA(HF, HNO3, CH3COOH 혼합용액), 에틸렌디아민-피로카테콜(EDP) 또는 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH, Tetramethylammonium hydroxide) 에칭액을 사용하는 습식 에칭 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 11,
The wet etching step is potassium hydroxide (KOH), sodium hydroxide (NaOH), HNA (HF, HNO 3 , CH 3 COOH mixed solution), ethylenediamine-pyrocatechol (EDP) or tetramethylammonium hydroxide (TMAH, Tetramethylammonium hydroxide) ) Method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a wet etching step using an etchant.
상기 f) 단계는 수산화칼륨(KOH), 수산화 나트륨(NaOH), HNA(HF, HNO3, CH3COOH 혼합용액), 에틸렌디아민-피로카테콜(EDP) 또는 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH, Tetramethylammonium hydroxide) 에칭액을 사용하는 습식 에칭 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
In step f), potassium hydroxide (KOH), sodium hydroxide (NaOH), HNA (HF, HNO 3 , CH 3 COOH mixed solution), ethylenediamine-pyrocatechol (EDP) or tetramethylammonium hydroxide (TMAH, Tetramethylammonium hydroxide) ) Method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a wet etching step using an etchant.
상기 f) 단계 후 노출된 상기 펠리클 막 층을 에칭하여 상기 펠리클 막 층의 두께를 조절하는 단계를 더 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
The method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography further comprising the step of adjusting the thickness of the pellicle film layer by etching the pellicle film layer exposed after step f).
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