KR20220156826A

KR20220156826A - 투명 도전층 및 투명 도전성 필름

Info

Publication number: KR20220156826A
Application number: KR1020227030827A
Authority: KR
Inventors: 노조미 후지노; 다이스케 가라스다
Original assignee: 닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2020-03-19
Filing date: 2021-03-18
Publication date: 2022-11-28
Also published as: CN115280428A; JP7213941B2; JP2022019756A; JP6987321B1; CN115298759A; JP6974656B1; US20230127104A1; WO2021187589A1; JPWO2021187582A1; KR20220156820A; TWI819287B; JP7273930B2; JPWO2021187586A1; TW202139214A; JP7073589B2; CN115298762A; KR20220155283A; WO2021187581A1; JPWO2021187588A1; CN115315759A

Abstract

투명 도전층 (1) 은, 크립톤 원자를 함유한다. (440) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도의, (222) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도에 대한 비가 0.130 이상이다.

Description

투명 도전층 및 투명 도전성 필름

본 발명은, 투명 도전층 및 투명 도전성 필름에 관한 것이다. 상세하게는, 투명 도전층 및 그 투명 도전층을 구비하는 투명 도전성 필름에 관한 것이다.

투명 도전성 필름 등의 광학 필름은, 터치 패널 등의 광학 용도에 사용되는 것이 알려져 있다.

이와 같은 투명 도전성 필름으로서, 유기 고분자 필름 기재와, 투명 도전막을 순서대로 구비하는 투명 도전성 필름이 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).

또, 이와 같은 투명 도전성 필름은, 스퍼터링에 의해, 아르곤 가스 존재하에서, 유기 고분자 필름 기재의 표면에 투명 도전막을 성막함으로써 얻어진다.

일본 공개특허공보 2014-157814호

한편, 특허문헌 1 의 투명 도전막보다, 고투과율 및 저(低)비저항이 요구된다.

본 발명은, 투과율이 높고, 또한 비저항이 낮은 투명 도전층, 및 그 투명 도전층을 구비하는 투명 도전성 필름을 제공한다.

본 발명 [1] 은, 크립톤 원자를 함유하고, (440) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도의, (222) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도에 대한 비가 0.130 이상인, 투명 도전층이다.

본 발명 [2] 는, 인듐주석 복합 산화물을 함유하는, 상기 [1] 에 기재된 투명 도전층을 포함하고 있다.

본 발명 [3] 은, 비저항이 2.3×10^-4 Ω·cm 미만인, 상기 [1] 또는 [2] 에 기재된 투명 도전층을 포함하고 있다.

본 발명 [4] 는, 패턴 형상을 갖는, 상기 [1] ∼ [3] 중 어느 한 항에 기재된 투명 도전층을 포함하고 있다.

본 발명 [5] 는, 기재층과, 상기 [1] ∼ [4] 중 어느 한 항에 기재된 투명 도전층을 두께 방향 일방측을 향하여 순서대로 구비하는, 투명 도전성 필름을 포함하고 있다.

본 발명의 투명 도전층은, 크립톤 원자를 함유하고, 또한 (440) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도의, (222) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도에 대한 비가 0.130 이상이다. 그 때문에, 투과율을 높게 할 수 있고, 또한 비저항을 낮게 할 수 있다.

본 발명의 투명 도전성 필름은, 본 발명의 투명 도전층을 구비한다. 그 때문에, 투과율을 높게 할 수 있고, 또한 비저항을 낮게 할 수 있다.

도 1 은, 본 발명의 투명 도전층의 제 1 실시형태를 나타내는 개략도이다.
도 2 는, 본 발명의 투명 도전성 필름의 제 1 실시형태를 나타내는 개략도이다.
도 3 은, 본 발명의 투명 도전층, 및 투명 도전성 필름의 제조 방법의 제 1 실시형태를 나타내는 개략도이다. 도 3A 는, 제 1 공정에 있어서, 투명 기재를 준비하는 공정을 나타낸다. 도 3B 는, 제 1 공정에 있어서, 투명 기재의 두께 방향 일방면에, 하드 코트층을 배치하는 공정을 나타낸다. 도 3C 는, 제 2 공정에 있어서, 기재층의 두께 방향 일방면에, 크립톤 함유 투명 도전층을 배치하는 제 4 공정을 나타낸다. 도 3D 는, 제 2 공정에 있어서, 크립톤 함유 투명 도전층의 두께 방향 일방면에, 아르곤 함유 투명 도전층을 배치하는 제 5 공정을 나타낸다. 도 3E 는, 투명 도전층을 가열하는 제 3 공정을 나타낸다.
도 4 는, 비정성의 투명 도전층의 비저항과 산소 도입량의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 5 는, 본 발명의 투명 도전층의 제 2 실시형태를 나타내는 개략도이다.
도 6 은, 본 발명의 투명 도전성 필름의 제 2 실시형태를 나타내는 개략도이다.
도 7 은, 본 발명의 투명 도전층, 및 투명 도전성 필름의 제조 방법의 제 2 실시형태를 나타내는 개략도이다. 도 7A 는, 기재층을 준비하는 제 1 공정을 나타낸다. 도 7B 는, 기재층의 두께 방향 일방면에 투명 도전층을 배치하는 제 2 공정을 나타낸다. 도 7C 는, 투명 도전층을 가열하는 제 3 공정을 나타낸다.
도 8 은, 투명 도전층 필름이 부착된 물품의 일 실시형태를 나타내는 개략도이다.
도 9 는, 투명 도전층이 부착된 물품의 일 실시형태를 나타내는 개략도이다.

<투명 도전층>

투명 도전층 (1) 은, 소정의 두께를 갖는 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖는다. 투명 도전층 (1) 은, 두께 방향과 직교하는 면 방향으로 연장된다. 투명 도전층 (1) 은, 평탄한 상면 및 평탄한 하면을 갖는다.

투명 도전층 (1) 은, 우수한 도전성을 발현하는 투명한 층이다. 투명 도전층 (1) 은, 결정질을 함유하고, 바람직하게는 결정질로 이루어진다.

투명 도전층 (1) 은, 크립톤 원자를 함유한다. 바꾸어 말하면, 투명 도전층 (1) 은, 크립톤 원자를 함유하는 크립톤 함유 투명 도전층 (10) (KrITO 라고 부르는 경우가 있다) 을 구비한다.

또, 투명 도전층 (1) 은, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 과 함께, 크립톤 원자를 함유하지 않는 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 을 구비할 수도 있다.

이하, 투명 도전층 (1) 이, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 과 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 을 순서대로 구비하는 제 1 실시형태, 및 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 으로 이루어지는 제 2 실시형태에 대해, 순서대로 설명한다.

1. 제 1 실시형태

투명 도전층 (1) 은, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 과, 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 을 순서대로 구비한다. 보다 구체적으로는, 투명 도전층 (1) 은, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 과, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 상면 (두께 방향 일방면) 에 배치되는 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 을 구비한다. 바람직하게는, 투명 도전층 (1) 은, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 과 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 만을 구비한다.

크립톤 함유 투명 도전층 (10) 은, 금속 산화물과, 미량의 크립톤 원자를 함유한다. 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 은, 바람직하게는 금속 산화물과, 미량의 크립톤 원자로 이루어진다. 구체적으로는, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 에서는, 금속 산화물 매트릭스 중에 미량의 크립톤 원자가 존재한다.

금속 산화물로서, 예를 들어 In, Sn, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd 및 W 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 및/또는 반금속의 산화물이다. 금속 산화물로서, 구체적으로는, 인듐 함유 산화물 및 안티몬 함유 산화물을 들 수 있다. 인듐 함유 산화물로는, 예를 들어, 인듐주석 복합 산화물 (ITO), 인듐갈륨 복합 산화물 (IGO), 인듐아연 복합 산화물 (IZO) 및 인듐갈륨아연 복합 산화물 (IGZO) 을 들 수 있다. 안티몬 함유 산화물로는, 예를 들어, 안티몬주석 복합 산화물 (ATO) 을 들 수 있다.

금속 산화물로서, 바람직하게는 인듐 함유 산화물, 보다 바람직하게는 인듐주석 복합 산화물 (ITO) 을 들 수 있다. 요컨대, 바람직하게는, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) (투명 도전층 (1)) 은, 인듐주석 복합 산화물 (ITO) 을 함유한다. 크립톤 함유 투명 도전층 (10) (투명 도전층 (1)) 이 인듐주석 복합 산화물 (ITO) 을 함유하면, 투명 도전층 (1) 의 비저항을 낮게 할 수 있다.

금속 산화물이 인듐주석 복합 산화물 (ITO) 인 경우, 산화주석의 함유 비율은, 산화주석 및 산화인듐의 합계량에 대하여, 예를 들어, 0.5 질량％ 이상, 바람직하게는 3 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 5 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 8 질량％ 이상, 특히 바람직하게는 9 질량％ 이상, 또한, 예를 들어, 20 질량％ 이하, 바람직하게는 15 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 12 질량％ 이하이다.

산화주석의 함유 비율이 상기한 하한 이상이면, 저저항화가 촉진된다. 산화주석의 함유 비율이 상기한 상한 이하이면, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 은 가열 안정성이 우수하다.

또, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 은, 크립톤 원자를 함유한다.

크립톤 원자는, 후술하는 스퍼터링 가스로서의 크립톤 가스에서 유래한다. 바꾸어 말하면, 상세한 것은 후술하지만, 스퍼터링법에 있어서, 스퍼터링 가스로서의 크립톤 가스가, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 에 도입된다.

크립톤 함유 투명 도전층 (10) 에 있어서의 크립톤 원자의 함유량은, 예를 들어, 1.0 원자％ 이하, 보다 바람직하게는 0.7 원자％ 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 원자％ 이하, 특히 바람직하게는 0.3 원자％ 이하, 가장 바람직하게는 0.2 원자％ 이하, 나아가서는 0.1 원자％ 미만, 또, 예를 들어 0.0001 원자％ 이상이다.

크립톤 원자의 함유량은, 예를 들면, 러더포드 후방 산란 분광법에 의해 측정할 수 있다. 또한, 크립톤 원자의 존재는, 예를 들면, 형광 X 선 분석에 의해 확인할 수 있다.크립톤 함유 투명 도전층 (10) 에 있어서, 크립톤 원자의 함유량이 과도하게 적은 경우 (구체적으로는, 크립톤 원자의 함유량이, 러더포드 후방 산란 분석의 검출 한계값 (하한값) 이상이 아닌 경우) 에는, 크립톤 원자의 함유량을 러더포드 후방 산란 분석에 의해 정량할 수 없는 경우가 있다. 그러나 본원에서는, 이러한 경우라도, 형광 X 선 분석에 의해 크립톤 원자의 존재가 동정되는 경우에는, 크립톤 원자의 함유량이, 적어도 0.0001 원자％ 이상이라고 판단한다.

또한, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 은 결정질을 함유하고, 바람직하게는 결정질로 이루어진다.

크립톤 함유 투명 도전층 (10) 이 결정질이면, 비저항을 작게 할 수 있다.

크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 결정질성은, 예를 들어, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 단면을 FE-TEM 으로 관찰하여, 결정립의 존재를 확인함으로써 판단할 수 있다. FE-TEM 에서의 관찰 배율은, 결정립의 존재를 확인할 수 있는 배율이면 제한은 없지만, 예를 들어 20 만배이다. 또, 보다 고배율 (예를 들어, 200 만배 이상) 에서의 관찰에 있어서, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 에 격자 줄무늬의 존재가 확인되는 경우도, 해당 부분이 결정질이라고 판단할 수 있다.

크립톤 함유 투명 도전층 (10) 은, 바람직하게는 후결정질층 (후결정질막) 이다. 후결정질이란, 성막 중, 및 직후 (예를 들어, 성막 후 10 시간 이내) 는 비정질이고, 그 후, 가열 등의 공정을 거쳐, 결정질로 전화된 막이다. 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 이 후결정질층이면, 비저항이 작고, 외관 품위가 우수한 투명 도전층 (1), 및 후술하는 투명 도전성 필름 (20) 을 얻기 쉽다.

크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 은, 크립톤 원자를 함유하지 않는다. 상세하게는 후술하지만, 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 은, 스퍼터링법에 있어서, 크립톤 가스 이외의 희가스를 함유하는 스퍼터링 가스 (예를 들어, 아르곤 가스, 크세논 가스) 에서 유래하는 원자를 함유한다.

크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 으로는, 예를 들어, 아르곤 함유 투명 도전층 (ArITO 라고 부르는 경우가 있다) 을 들 수 있다.

아르곤 함유 투명 도전층은, 상기한 금속 산화물과, 미량의 아르곤 원자를 함유한다.

금속 산화물로는, 바람직하게는 인듐 함유 산화물, 보다 바람직하게는 인듐주석 복합 산화물 (ITO) 을 들 수 있다.

또, 아르곤 함유 투명 도전층은, 아르곤 원자를 함유한다.

아르곤 원자는, 후술하는 스퍼터링 가스로서의 아르곤 가스에서 유래한다. 바꾸어 말하면, 상세하게는 후술하지만, 스퍼터링법에 있어서, 스퍼터링 가스로서의 아르곤 가스가, 아르곤 함유 투명 도전층에 도입된다.

아르곤 함유 투명 도전층에 있어서의 아르곤 원자의 함유량은, 예를 들어, 0.8 원자％ 이하, 바람직하게는 0.5 원자％ 이하, 보다 바람직하게는 0.2 원자％ 이하, 더욱 바람직하게는 0.1 원자％ 이하, 또, 예를 들어, 0.0001 원자％ 이상이다.

아르곤 원자의 함유량은, 예를 들어 러더포드 후방 산란 분광법에 의해 측정할 수 있다.

또한, 아르곤 함유 투명 도전층은 결정질을 함유하고, 바람직하게는 결정질로 이루어진다.

아르곤 함유 투명 도전층이 결정질이면, 비저항을 작게 할 수 있다.

아르곤 함유 투명 도전층의 결정질성은, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 결정질성과 동일한 방법으로 확인할 수 있다.

그리고, 투명 도전층 (1) 의, (440) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도의, (222) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도에 대한 비 ((440) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도/(222) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도) (이하, 적분 강도비로 부르는 경우가 있다) 가, 0.130 이상, 바람직하게는 0.160 이상, 보다 바람직하게는 0.180 이상, 또, 예를 들어 0.250 이하, 바람직하게는 0.200 이하이다.

투명 도전층 (1) 의, 상기 적분 강도비가 상기 하한 이상이면, 광흡수율의 저감의 관점에서, 투과율을 높게 할 수 있다.

구체적으로는, 투명 도전층 (1) 의 전광선 투과율 (JIS K 7375-2008) 은, 예를 들어, 60 ％ 이상, 바람직하게는 80 ％ 이상, 보다 바람직하게는 85 ％ 이상이다.

한편, 상기 비가 상기 하한 미만이면, 광흡수율의 증가의 관점에서, 투과율을 높게 할 수 없다.

또한, 상기 비가 상기 하한 이상이면, 이동도의 향상의 관점에서, 비저항을 낮게 할 수 있다.

구체적으로는, 투명 도전층 (1) 의 비저항은, 예를 들면, 2.3×10^-4Ω·cm 미만, 바람직하게는 2.2×10^-4Ω·cm 미만, 보다 바람직하게는 2.0×10^-4 Ω·㎝ 이하, 더욱 바람직하게는 1.7×10^-4 Ω·㎝ 이하, 특히 바람직하게는 1.5×10^-4 Ω·㎝ 이하, 또, 예를 들어, 0.01×10^-4 Ω·㎝ 이상, 바람직하게는 0.05×10^-4 Ω·㎝ 이상, 보다 바람직하게는 0.1×10^-4 Ω·㎝ 이상, 더욱 바람직하게는 0.5×10^-4 Ω·㎝ 이상, 보다 더 바람직하게는 1.0×10^-4 Ω·㎝ 이상, 특히 바람직하게는 1.01×10^-4 Ω·㎝ 이상이다.

또한, 비저항은, JIS K 7194 에 준거하여, 4 단자법에 의해 측정한 표면 저항값과 투명 도전층 (1) 의 두께를 곱함으로써 구할 수 있다.

투명 도전층 (1) 의 표면 저항값은, 예를 들어, 200 Ω/□ 이하, 바람직하게는 80 Ω/□ 이하, 보다 바람직하게는 60 Ω/□ 이하, 더욱 바람직하게는 50 Ω/□ 이하, 특히 바람직하게는 30 Ω/□ 이하, 가장 바람직하게는 20 Ω/□ 이하, 또, 통상, 0 Ω/□ 초과, 또한, 1 Ω/□ 이상이다.

또한, 표면 저항값은, JIS K 7194 에 준거하여, 4 단자법에 의해 측정할 수 있다.

한편, 상기 비가 상기 하한 미만이면, 이동도의 저하의 관점에서, 비저항을 낮게 할 수 없다.

또한, X 선 회절의 측정 방법에 대해서는, 후술하는 실시예에서 상세히 서술한다.

상기한 바와 같이, 투명 도전층 (1) 의 적분 강도비가 0.130 이상이기 때문에, 투과율을 높게 할 수 있고, 또한 비저항을 낮게 할 수 있다.

또한, 투명 도전층 (1) 의 전광선 투과율의, 투명 도전층 (1) 의 비저항에 대한 비 (투명 도전층 (1) 의 전광선 투과율/투명 도전층 (1) 의 비저항) 가, 예를 들어, 45 ％/10^-4 Ω·cm 이상, 바람직하게는 50 ％/10^-4Ω·cm 이상, 보다 바람직하게는 55 ％/10^-4Ω·cm 이상, 더욱 바람직하게는 55 ％/10^-4 Ω·cm 이상, 특히 바람직하게는 57 ％/10^-4Ω·cm 이상, 또한, 예를 들면 70 ％/10^-4 Ω·cm 이하이다.

상기 비가 상기 범위 내이면, 고투과율 및 저비저항을 양립할 수 있다.

또, 투명 도전층 (1) 의 두께는, 예를 들어 10 ㎚ 이상, 바람직하게는 40 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는 50 ㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 100 ㎚ 이상, 또 예를 들어 1000 ㎚ 이하, 바람직하게는 500 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는 300 ㎚ 미만, 더욱 바람직하게는 280 ㎚ 이하, 보다 더 바람직하게는 200 ㎚ 이하, 특히 바람직하게는 170 ㎚ 이하, 가장 바람직하게는 150 ㎚ 이하, 나아가서는 148 ㎚ 이하이다.

또, 투명 도전층 (1) 에 있어서, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 두께는, 예를 들어 1 ㎚ 이상, 바람직하게는 10 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는 40 ㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 60 ㎚ 이상, 또 예를 들어 800 ㎚ 이하, 바람직하게는 300 ㎚ 미만, 보다 바람직하게는 200 ㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 150 ㎚ 미만, 보다 더 바람직하게는 100 ㎚ 이하, 특히 바람직하게는 100 ㎚ 미만, 가장 바람직하게는 90 ㎚ 이하이다. 또한, 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 의 두께는, 예를 들어 1 ㎚ 이상, 바람직하게는 10 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는 40 ㎚ 이상, 또한, 예를 들어, 500 ㎚ 이하, 바람직하게는 200 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 60 ㎚ 이하이다.

투명 도전층 (1) 의 두께에 대한 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 두께는, 예를 들어, 1 ％ 이상, 바람직하게는 20 ％ 이상, 보다 바람직하게는 30 ％ 이상, 더욱 바람직하게는 50 ％ 이상, 특히 바람직하게는 60 ％ 이상, 또 예를 들어 99 ％ 이하, 바람직하게는 80 ％ 이하, 보다 바람직하게는 70 ％ 이하이다.

크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 투과율을 높게 할 수 있고, 또한 비저항을 낮게 할 수 있다.

또한, 투명 도전층 (1) 의 두께는, 예를 들어, 투과형 전자 현미경을 사용하여, 투명 도전성 필름 (20) 의 단면을 관찰함으로써 측정할 수 있다. 또한, 도 1 에서는, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 과 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 의 경계가 실선에 의해 묘출되어 있지만, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 과 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 의 경계는 명확하게는 판별할 수 없는 경우가 있다.

또, 투명 도전층 (1) 은, (222) 면에 있어서, 예를 들어 280 Å 이상, 바람직하게는 300 Å 이상, 보다 바람직하게는 320 Å 이상, 더욱 바람직하게는 340 Å 이상, 특히 바람직하게는 350 Å 이상, 또한, 예를 들어 800 Å 이하, 바람직하게는 500 Å 이하, 보다 바람직하게는 450 Å 이하, 더욱 바람직하게는 400 Å 이하의 결정자를 함유한다. 또한, (440) 면에 있어서, 예를 들어 250 Å 이상, 바람직하게는 330 Å 이상, 보다 바람직하게는 380 Å 이상, 더욱 바람직하게는 400 Å 이상, 특히 바람직하게는 420 Å 이상, 또한, 예를 들어 850 Å 이하, 바람직하게는 600 Å 이하, 보다 바람직하게는 500 Å 이하, 더욱 바람직하게는 450 Å 이하의 결정자를 함유한다. 또한, 결정 입자경 (결정자의 사이즈) 의 측정 방법에 대해서는, 후술하는 실시예에서 상세하게 설명한다.

<투명 도전성 필름>

투명 도전성 필름 (20) 은, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 소정의 두께를 갖는 필름 형상 (시트 형상을 포함한다) 을 갖는다. 투명 도전성 필름 (20) 은, 두께 방향과 직교하는 면 방향으로 연장된다. 투명 도전성 필름 (20) 은, 평탄한 상면 및 평탄한 하면을 갖는다.

투명 도전성 필름 (20) 은, 기재층 (2) 과 투명 도전층 (1) 을 두께 방향 일방측을 향하여 순서대로 구비한다. 보다 구체적으로는, 투명 도전성 필름 (20) 은, 기재층 (2) 과, 기재층 (2) 의 상면 (두께 방향 일방면) 에 배치되는 투명 도전층 (1) 을 구비한다. 바람직하게는 투명 도전성 필름 (20) 은, 기재층 (2) 과 투명 도전층 (1) 만을 구비한다.

또, 보다 구체적으로는, 투명 도전성 필름 (20) 은, 기재층 (2) 과, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 과, 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 을 두께 방향 일방측을 향하여 순서대로 구비한다. 더욱 구체적으로는, 투명 도전성 필름 (20) 은, 기재층 (2) 과, 기재층 (2) 의 상면 (두께 방향 일방면) 에 배치되는 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 과, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 상면 (두께 방향 일방면) 에 배치되는 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 을 두께 방향 일방측을 향하여 순서대로 구비한다.

투명 도전성 필름 (20) 은, 예를 들어, 화상 표시 장치에 구비되는 터치 패널용 기재나 전자파 실드 등의 일부품이며, 요컨대, 화상 표시 장치는 아니다. 즉, 투명 도전성 필름 (20) 은, 화상 표시 장치 등을 제조하기 위한 부품으로, OLED 모듈 등의 화상 표시 소자를 포함하지 않고, 부품 단독으로 유통되며, 산업상 이용 가능한 디바이스이다.

투명 도전성 필름 (20) 의 두께는, 예를 들어, 1000 ㎛ 이하, 바람직하게는 500 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 250 ㎛ 이하, 또, 예를 들어, 1 ㎛ 이상, 바람직하게는 20 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 50 ㎛ 이상이다.

＜기재층＞

기재층 (2) 은, 투명 도전성 필름 (20) 의 기계 강도를 확보하기 위한 투명한 기재이다.

기재층 (2) 은, 필름 형상을 갖는다. 기재층 (2) 은, 투명 도전층 (1) 의 하면에 접촉하도록, 투명 도전층 (1) 의 하면 전체면에 배치되어 있다.

기재층 (2) 은, 투명 기재 (3) 및 기능층 (4) 을 구비하고 있다.

구체적으로는, 기재층 (2) 은, 투명 기재 (3) 와 기능층 (4) 을, 두께 방향 일방측을 향하여 순서대로 구비한다. 구체적으로는, 기재층 (2) 은, 투명 기재 (3) 와, 투명 기재 (3) 의 두께 방향 일방면에 배치되는 기능층 (4) 을 구비한다.

<투명 기재>

투명 기재 (3) 는, 필름 형상을 갖는다.

투명 기재 (3) 의 재료로는, 예를 들어, 올레핀 수지, 폴리에스테르 수지, (메트)아크릴 수지 (아크릴 수지 및/또는 메타크릴 수지), 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리아릴레이트 수지, 멜라민 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 셀룰로오스 수지, 및 폴리스티렌 수지를 들 수 있다. 올레핀 수지로서, 예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 및 시클로올레핀 폴리머를 들 수 있다. 폴리에스테르 수지로서, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 및 폴리에틸렌나프탈레이트를 들 수 있다. (메트)아크릴 수지로서, 예를 들어, 폴리메타크릴레이트를 들 수 있다. 내열성이 떨어지고, 고온 (예를 들어, 200 ℃ 이상) 의 가열 공정에 견딜 수 없지만, 평활성이 우수하고, 저비저항, 고투과성이 우수한 투명 도전층 (1) 및 투명 도전성 필름 (20) 을 얻기 쉬운 관점에서는, 투명 기재 (3) 의 재료로서 올레핀 수지, (메트)아크릴 수지, 폴리카보네이트 수지, 멜라민 수지, 폴리에스테르 수지를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 를 들 수 있다.

투명 기재 (3) 는, 투명성을 가지고 있다. 구체적으로는, 투명 기재 (3) 의 전광선 투과율 (JIS K 7375-2008) 은, 예를 들어, 60 ％ 이상, 바람직하게는 80 ％ 이상, 보다 바람직하게는 85 ％ 이상이다.

투명 기재 (3) 의 두께는, 예를 들어, 1 ㎛ 이상, 바람직하게는 10 ㎛ 이상, 바람직하게는 30 ㎛ 이상, 또, 예를 들어 1000 ㎛ 이하, 바람직하게는 500 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 250 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 200 ㎛ 이하, 특히 바람직하게는 100 ㎛ 이하, 가장 바람직하게는 60 ㎛ 이하이다.

<기능층>

기능층 (4) 은, 투명 기재 (3) 의 두께 방향 일방면에 배치되어 있다.

기능층 (4) 은, 필름 형상을 갖는다.

기능층 (4) 으로는, 예를 들어 하드 코트층을 들 수 있다.

이와 같은 경우에는, 기재층 (2) 은, 투명 기재 (3) 와 하드 코트층을, 두께 방향 일방측을 향하여 순서대로 구비한다.

이하의 설명에서는, 기능층 (4) 이 하드 코트층인 경우에 대하여 설명한다.

하드 코트층은, 투명 도전성 필름 (20) 에 상처가 발생하는 것을 억제하기 위한 보호층이다.

하드 코트층은, 예를 들어, 하드 코트 조성물로 형성된다.

하드 코트 조성물은, 수지, 및 필요에 따라 입자를 함유한다. 요컨대, 하드 코트층은, 수지, 및 필요에 따라 입자를 함유한다.

수지로는, 예를 들어, 열가소성 수지 및 경화성 수지를 들 수 있다. 열가소성 수지로는, 예를 들어, 폴리올레핀 수지를 들 수 있다.

경화성 수지로는, 예를 들어, 활성 에너지선 (예를 들어, 자외선 및 전자선) 의 조사에 의해 경화되는 활성 에너지선 경화성 수지, 및 가열에 의해 경화되는 열경화성 수지를 들 수 있다. 경화성 수지로는, 바람직하게는 활성 에너지선 경화성 수지를 들 수 있다.

활성 에너지선 경화성 수지로는, 예를 들어, (메트)아크릴계 자외선 경화성 수지, 우레탄 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실록산계 폴리머, 및 유기 실란 축합물을 들 수 있다. 활성 에너지선 경화성 수지로는, 바람직하게는 (메트)아크릴계 자외선 경화성 수지를 들 수 있다.

또, 수지는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2008-88309호에 기재된 반응성 희석제를 함유할 수 있다. 구체적으로는, 수지는, 다관능 (메트)아크릴레이트를 함유할 수 있다.

수지는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.

입자로는, 예를 들어, 금속 산화물 미립자 및 유기계 미립자를 들 수 있다. 금속 산화물 미립자의 재료로는, 예를 들어, 실리카, 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 산화칼슘, 산화주석, 산화인듐, 산화카드뮴, 및 산화안티몬을 들 수 있다. 유기계 미립자의 재료로는, 폴리메틸메타크릴레이트, 실리콘, 폴리스티렌, 폴리우레탄, 아크릴-스티렌 공중합체, 벤조구아나민, 멜라민, 및 폴리카보네이트를 들 수 있다.

입자는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.

또, 하드 코트 조성물에는, 필요에 따라, 틱소트로피 부여제, 광중합 개시제, 충전제 (예를 들어, 유기 점토), 및 레벨링제를 적절한 비율로 배합할 수 있다. 또, 하드 코트 조성물은, 공지된 용제로 희석할 수 있다.

또, 하드 코트층을 형성하려면, 상세하게는 후술하지만, 하드 코트 조성물의 희석액을 임시 지지체 (2) 의 두께 방향 일방면에 도포하고, 필요에 따라 가열하여, 건조시킨다. 건조 후, 예를 들어, 활성 에너지선 조사에 의해 하드 코트 조성물을 경화시킨다.

이로써, 하드 코트층을 형성한다.

하드 코트층의 두께는, 예를 들어, 0.1 ㎛ 이상, 바람직하게는 0.5 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1 ㎛ 이상, 또, 예를 들어 20 ㎛ 이하, 바람직하게는 10 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5 ㎛ 이하이다.

<투명 도전층, 및 투명 도전성 필름의 제조 방법>

투명 도전층 (1) 및 투명 도전성 필름 (20) 의 제조 방법은, 기재층 (2) 을 준비하는 제 1 공정과, 기재층 (2) 의 두께 방향 일방면에 투명 도전층 (1) 을 배치하는 제 2 공정과, 투명 도전층 (1) 을 가열하는 제 3 공정을 구비한다. 또, 이 제조 방법에서는 각 층을, 예를 들어, 롤 투 롤 방식으로, 순서대로 배치한다.

＜제 1 공정＞

제 1 공정에서는, 기재층 (2) 을 준비한다.

기재층 (2) 을 준비하기 위해서는, 도 3A 에 나타내는 바와 같이, 투명 기재 (3) 를 준비한다.

이어서, 도 3B 에 나타내는 바와 같이, 투명 기재 (3) 의 두께 방향 일방면에, 하드 코트 조성물의 희석액을 도포하고, 건조 후, 자외선 조사 또는 가열에 의해, 하드 코트 조성물을 경화시킨다. 이로써, 투명 기재 (3) 의 두께 방향 일방면에, 하드 코트층 (기능층 (4)) 을 형성한다. 이로써, 기재층 (2) 을 준비한다.

＜제 2 공정＞

제 2 공정에서는, 기재층 (2) (하드 코트층) 의 두께 방향 일방면에, 투명 도전층 (1) 을 배치한다.

상기 제 1 실시형태의 투명 도전층, 및 이 투명 도전층을 구비하는 투명 도전성 필름을 제조하는 경우에는, 제 2 공정은, 기재층 (2) 의 두께 방향 일방면에 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 을 배치하는 제 4 공정과, 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 을 배치하는 제 5 공정을 구비한다.

제 4 공정에서는, 도 3C 에 나타내는 바와 같이, 기재층 (2) 의 두께 방향 일방면에, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 을 배치한다.

구체적으로는, 스퍼터링 장치에 있어서, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 재료로 이루어지는 타깃에, 기재층 (2) 의 두께 방향 일방면을 대향시키면서, 크립톤 가스 존재하, 스퍼터링한다. 또, 스퍼터링에 있어서, 기재층 (2) 은, 성막 롤의 둘레 방향을 따라서 밀착되어 있다. 또한, 이때, 크립톤 가스 이외에, 예를 들어, 산소 등의 반응성 가스를 존재시킬 수도 있다.

스퍼터링 장치 내에 있어서의 크립톤 가스의 분압은, 예를 들어, 0.05 Pa 이상, 바람직하게는 0.1 Pa 이상, 또한 예를 들어, 10 Pa 이하, 바람직하게는 5 Pa 이하, 보다 바람직하게는 1 Pa 이하이다.

도 4 에 나타내는 바와 같이, 반응성 가스의 도입량은, 비정질의 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 표면 저항에 의해 어림잡을 수 있다. 상세하게는, 비정질의 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 내부에 도입되는 반응성 가스의 도입량에 의해 비정질의 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 막질 (표면 저항) 이 변화되기 때문에, 목적으로 하는 비정질의 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 표면 저항에 따라, 반응성 가스의 도입량을 조정할 수 있다. 또한, 비정질의 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 을 가열하여 결정막의 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 을 얻기 위해서는, 도 4 의 영역 X 의 범위에서 반응성 가스의 도입량을 조정하여, 비정질의 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 을 얻는 것이 좋다.

구체적으로는, 비정질의 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 비저항이, 예를 들어, 8.0×10^-4 Ω·cm 이하, 바람직하게는 7.0×10^-4 Ω·cm 이하, 또한, 예를 들어, 2.0×10^-4 Ω·cm 이상, 바람직하게는 4.0×10^-4 Ω·cm 이상, 보다 바람직하게는 5.0×10^-4 Ω·cm 이상이 되도록, 반응성 가스를 도입한다.

스퍼터링 장치 내에 있어서의 압력은, 실질적으로, 크립톤 가스의 분압 및 반응성 가스의 분압의 합계 압력이다.

전원은, 예를 들어, DC 전원, AC 전원, MF 전원, 및 RF 전원 중 어느 것이어도 된다. 또, 이들의 조합이어도 된다.

타깃의 장변에 대한 방전 출력의 값은, 예를 들어, 0.1 W/㎜ 이상, 바람직하게는 0.5 W/㎜ 이상, 보다 바람직하게는 1 W/㎜ 이상, 더욱 바람직하게는 5 W/㎜ 이상, 또한, 예를 들어 30 W/㎜ 이하, 바람직하게는 15 W/㎜ 이하이다. 또한, 타깃의 장변 방향은, 예를 들어, 롤 투 롤 방식의 스퍼터링 장치에 있어서의, 반송 방향과 직교하는 방향 (TD 방향) 이다.

그리고, 스퍼터링에 의해 타깃으로부터 튕겨져 나온 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 재료는, 기재층 (2) 에 착막된다. 이 때, 열에너지가 발생하기 때문에, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 성막시에는, 성막 롤에 의해, 기재층 (2) 의 냉각을 통해서 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 을 냉각시켜, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 결정화를 억제한다.

상세하게는, 성막 롤의 온도는, 예를 들어, -50 ℃ 이상, 바람직하게는 -30 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 -20 ℃ 이상이고, 또한, 예를 들어 20 ℃ 이하, 바람직하게는 15 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 10 ℃ 이하, 더욱 바람직하게는 5 ℃ 이하, 특히 더 바람직하게는 0 ℃ 이하이다. 상기 온도 범위이면, 기재층 (2) 을 충분히 냉각시킬 수 있어, 확실하게 비정질의 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 결정화를 얻을 수 있다. 또, 기재층 (2) 으로부터의 아웃 가스 (물이나 유기 용제) 가 나오기 어렵고, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 내의 불순물 성분을 저감시킬 수 있어, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 저비저항성, 고투과성이 우수하다.

이로써, 기재층 (2) 의 두께 방향 일방면에, 비정질의 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 을 배치한다.

또, 상기한 바와 같이, 스퍼터링 가스로서의 크립톤 가스를 사용하고 있기 때문에, 크립톤 가스에서 유래하는 크립톤 원자가, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 에 도입된다.

제 5 공정에서는, 도 3D 에 나타내는 바와 같이, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 두께 방향 일방면에, 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 을 배치한다.

또한, 이하의 설명에서는, 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 이, 아르곤 함유 투명 도전층인 경우에 대해 상세히 서술한다.

제 5 공정에서는, 스퍼터링 장치에 있어서, 아르곤 함유 투명 도전층의 재료로 이루어지는 타깃에, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 두께 방향 일방면을 대향시키면서, 아르곤 가스 존재하, 스퍼터링한다. 또, 스퍼터링에 있어서, 기재층 (2) (크립톤 함유 투명 도전층 (10) 을 구비하는 기재층 (2)) 은, 성막 롤의 둘레 방향을 따라서 밀착되어 있다. 또한, 이 때, 아르곤 가스 이외에, 예를 들어 산소 등의 반응성 가스를 존재시킬 수도 있다.

스퍼터링 장치 내에 있어서의 아르곤 가스의 분압은, 예를 들어, 0.1 Pa 이상, 바람직하게는 0.3 Pa 이상, 또한 예를 들어, 10 Pa 이하, 바람직하게는 5 Pa 이하, 보다 바람직하게는 1 Pa 이하이다.

반응성 가스의 도입량은, 상기한 제 4 공정에 있어서의 반응성 가스의 도입량과 동일하다.

스퍼터링 장치 내에 있어서의 압력은, 실질적으로, 아르곤 가스의 분압 및 반응성 가스의 분압의 합계 압력이다. 전원은, 상기한 제 4 공정에 있어서의 전원과 동일하다. 타깃의 장변에 대한 방전 출력은, 상기한 제 4 공정에 있어서의, 타깃의 장변에 대한 방전 출력과 동일하다.

그리고, 스퍼터링에 의해 타깃으로부터 튕겨나온 아르곤 함유 투명 도전층의 재료는, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 에 착막된다. 이 때, 열에너지가 발생하기 때문에, 아르곤 함유 투명 도전층의 성막시에는, 성막 롤에 의해, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) (기재층 (2)) 의 냉각을 통해서 아르곤 함유 투명 도전층을 냉각시켜, 아르곤 함유 투명 도전층의 결정화를 억제한다.

성막 롤의 온도는, 상기한 제 4 공정에 있어서의 성막 롤의 온도와 동일하다.

이로써, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 의 두께 방향 일방면에, 비정질의 아르곤 함유 투명 도전층을 배치한다.

또, 상기한 바와 같이, 스퍼터링 가스로서의 아르곤 가스를 사용하고 있기 때문에, 아르곤 가스에서 유래하는 아르곤 원자가, 아르곤 함유 투명 도전층에 도입된다.

상기한 바와 같이, 제 4 공정 및 제 5 공정에 의해, 기재층 (2) 의 두께 방향 일방면에, 비정질의 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 과, 비정질의 아르곤 함유 투명 도전층을 순서대로 배치한다. 이로써, 기재층 (2) 의 두께 방향 일방면에, 비정질의 투명 도전층 (1) (비정질의 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 및 비정질의 아르곤 함유 투명 도전층) 을 배치한다.

＜제 3 공정＞

제 3 공정에서는, 비정질의 투명 도전층 (1) 을 가열한다. 예를 들어, 가열 장치 (예를 들어, 적외선 히터 및 열풍 오븐) 에 의해, 비정질의 투명 도전층 (1) 을 가열한다.

가열 온도는, 예를 들어, 80 ℃ 이상, 바람직하게는 110 ℃ 이상, 또한 예를 들어, 200 ℃ 미만, 바람직하게는 180 ℃ 이하이다. 또, 가열 시간은, 예를 들어 1 분 이상, 바람직하게는 10 분간 이상, 보다 바람직하게는 30 분간 이상, 또, 예를 들어 24 시간 이하, 바람직하게는 4 시간 이하, 보다 바람직하게는 2 시간 이하이다.

이로써, 도 3E 에 나타내는 바와 같이, 비정질의 투명 도전층 (1) 이 결정화되어, 결정질의 투명 도전층 (1) 이 형성된다.

이로써, 투명 도전층 (1) 이 얻어짐과 함께, 기재층 (2) 과 투명 도전층 (1) 을 순서대로 구비하는 투명 도전성 필름 (20) 이 얻어진다.

그 후, 투명 도전층 (1) 을 패터닝할 수도 있다. 패터닝은, 예를 들어, 에칭에 의해 실시된다.

투명 도전층 (1) 을 패터닝하면, 투명 도전층 (1) 은 패턴 형상을 갖는다. 투명 도전층 (1) 이 패턴 형상을 가지면, 패턴 형상을 자유롭게 설계할 수 있다.

2. 제 2 실시형태

＜투명 도전층＞

투명 도전층 (1) 은, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 으로 이루어진다.

크립톤 함유 투명 도전층 (10) 은, 상기한 제 1 실시형태의 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 과 동일하다.

투명 도전층 (1) 의 상기 적분 강도비는, 상기한 제 1 실시형태의 적분 강도비와 동일하다.

투명 도전층 (1) 의 전광선 투과율, 비저항, 표면 저항값 및 두께는, 상기한 제 1 실시형태의 전광선 투과율, 비저항, 표면 저항값 및 두께와 동일하다.

<투명 도전성 필름>

투명 도전성 필름 (20) 은, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 기재층 (2) 과 투명 도전층 (1) (크립톤 함유 투명 도전층 (10)) 을 두께 방향 일방측을 향하여 순서대로 구비한다. 보다 구체적으로는, 투명 도전성 필름 (20) 은, 기재층 (2) 과, 기재층 (2) 의 상면 (두께 방향 일방면) 에 배치되는 투명 도전층 (1) (크립톤 함유 투명 도전층 (10)) 을 구비한다. 바람직하게는, 투명 도전성 필름 (20) 은, 기재층 (2) 과 투명 도전층 (1) (크립톤 함유 투명 도전층 (10)) 만을 구비한다.

<투명 도전층, 및 투명 도전성 필름의 제조 방법>

투명 도전층 (1) 및 투명 도전성 필름 (20) 의 제조 방법은, 기재층 (2) 을 준비하는 제 1 공정과, 기재층 (2) 의 두께 방향 일방면에 투명 도전층 (1) 을 배치하는 제 2 공정과, 투명 도전층 (1) 을 가열하는 제 3 공정을 구비한다.

＜제 1 공정＞

제 1 공정에서는, 도 7A 에 나타내는 바와 같이, 상기한 제 1 실시형태와 동일한 방법으로 기재층 (2) 을 준비한다.

＜제 2 공정＞

상기 제 2 실시형태의 투명 도전층, 및 이 투명 도전층을 구비하는 투명 도전성 필름을 제조하는 경우에는, 제 2 공정에서는, 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 을 배치하는 제 5 공정을 실시하지 않는다. 요컨대, 제 2 공정에서는, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 을 배치하는 제 4 공정만을 실시한다.

제 4 공정에서는, 도 7B 에 나타내는 바와 같이, 상기한 제 1 실시형태와 동일한 방법으로, 기재층 (2) 의 두께 방향 일방면에, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 을 배치한다. 이로써, 기재층 (2) 의 두께 방향 일방면에, 투명 도전층 (1) 을 배치한다.

＜제 3 공정＞

제 3 공정에서는, 도 7C 에 나타내는 바와 같이, 상기한 제 1 실시형태와 동일한 방법으로, 비정질의 투명 도전층 (1) 을 가열한다. 이로써, 비정질의 투명 도전층 (1) 이 결정화되어, 결정질의 투명 도전층 (1) 이 형성된다.

3. 작용 효과

투명 도전층 (1) 은, 크립톤 원자를 함유하고, 또한 (440) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도의, (222) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도에 대한 비가 0.130 이상이다. 이것에 의해, 광흡수율이 작아지는 경향이 있다. 그 결과, 투과율을 높게 할 수 있고, 또한 비저항을 낮게 할 수 있다.

또, 투명 도전성 필름 (20) 은, 투명 도전층 (1) 을 구비한다. 그 때문에, 투과율을 높게 할 수 있고, 또한 비저항을 낮게 할 수 있다.

특히, 투명 기재 (3) 가, 유기 고분자 필름 (예를 들어, 상기한 투명 기재 (3) 의 재료로 이루어지는 필름) 인 경우에는, 투명 도전층 (1) 을 고온에서 결정화시킬 수 없고, 또, 유기 고분자 필름에 흡수된 가스에 의해, 투명 도전층 (1) 의 결정화가 저해되는 경우가 있다. 그 때문에, 고투과율 및 낮은 비저항을 실현하는 것이 어려운 경우가 있다.

한편, 이 투명 도전층 (1) 은, 크립톤 원자를 함유하고, 또한 (440) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도의, (222) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도에 대한 비가 0.130 이상이다. 그 때문에, 투명 기재 (3) 가 유기 고분자 필름이어도, 투과율을 높게 할 수 있고, 또한 비저항을 낮게 할 수 있다.

또, 투명 도전층 (1), 및 투명 도전성 필름 (20) 의 제조 방법에 있어서, 제 2 공정에 있어서의 제 4 공정에서는, 크립톤 가스 존재하에서 스퍼터링함으로써, 비정질의 투명 도전층 (1) (크립톤 함유 투명 도전층 (10)) 을 배치한다.

통상, 스퍼터링법에 의해, 비정질의 투명 도전층 (1) 을 배치하는 경우에는, 스퍼터링 가스가 비정질의 투명 도전층 (1) 에 도입된다.

그러나, 이 방법에서는, 스퍼터링 가스로서, 통상 사용되는 아르곤 대신에, 아르곤보다 원자량이 큰 크립톤 가스를 사용한다. 그 때문에, 크립톤 원자가 비정질의 투명 도전층 (1) 에 도입되는 것을 억제할 수 있다.

그리고, 이와 같은 비정질의 투명 도전층 (1) 은, 제 3 공정에 있어서, 결정질의 투명 도전층 (1) 이 된다.

결정질의 투명 도전층 (1) (크립톤 함유 투명 도전층 (10)) 은 크립톤 원자를 함유하지만, 상기한 바와 같이, 크립톤 원자가 도입되어 있는 양은 억제되어 있다. 그 때문에, 비정질의 투명 도전층 (1) 을 가열했을 때, 투명 도전층 (1) 의 결정 성장성이 특별히 우수하다. 그렇게 하면, 투명 도전층 (1) 의 상기 적분 강도비를 소정의 범위로 할 수 있다. 그 결과, 투과율이 높고, 또한, 비저항이 낮은 투명 도전층 (1) 및 투명 도전성 필름 (20) 을 제조할 수 있다.

4. 투명 도전층 필름이 부착된 물품 및 투명 도전층이 부착된 물품

투명 도전성 필름 (20) 을, 부품 (31) 의 두께 방향 일방면에 배치하여, 투명 도전층 필름이 부착된 물품 (30) 을 얻을 수도 있다.

도 8 에 나타내는 바와 같이, 투명 도전층 필름이 부착된 물품 (30) 은, 부품 (31) 과 투명 도전성 필름 (20) 을 두께 방향 일방측을 향하여 순서대로 구비한다. 상세하게는, 투명 도전층 필름이 부착된 물품 (30) 은, 부품 (31) 과 기재층 (2) 과 투명 도전층 (1) 을 두께 방향 일방측을 향하여 순서대로 구비한다.

또한, 도 8 에는, 제 2 실시형태의 투명 도전층 (1) 을 구비하는 투명 도전층 필름이 부착된 물품 (30) 을 나타낸다.

물품 (30) 으로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 소자, 부재 및 장치를 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 소자로는, 예를 들어, 조광 소자 및 광전 변환 소자를 들 수 있다. 조광 소자로는, 예를 들어, 전류 구동형 조광 소자 및 전계 구동형 조광 소자를 들 수 있다. 전류 구동형 조광 소자로는, 예를 들어, 일렉트로크로믹 (EC) 조광 소자를 들 수 있다. 전계 구동형 조광 소자로는, 예를 들어, PDLC (polymer dispersed liquid crystal) 조광 소자, PNLC (polymer network liquid crystal) 조광 소자, 및 SPD (suspended particle device) 조광 소자를 들 수 있다. 광전 변환 소자로는, 예를 들어, 태양 전지 등을 들 수 있다. 태양 전지로는, 예를 들어, 유기 박막 태양 전지, 페로브스카이트 태양 전지 및 색소 증감 태양 전지를 들 수 있다. 부재로는, 예를 들어, 전자파 실드 부재, 열선 제어 부재, 히터 부재, 조명, 및 안테나 부재를 들 수 있다. 장치로는, 예를 들어, 터치 센서 장치 및 화상 표시 장치를 들 수 있다.

투명 도전층 필름이 부착된 물품 (30) 은, 예를 들어, 부품 (31) 과 투명 도전성 필름 (20) 에 있어서의 기재층 (2) 을 고착 기능층을 개재하여 접착함으로써 얻어진다.

고착 기능층으로는, 예를 들어, 점착층 및 접착층을 들 수 있다.

고착 기능층으로는, 투명성을 갖는 것이면 특별히 재료의 제한 없이 사용할 수 있다. 고착 기능층은, 바람직하게는 수지로 형성되어 있다. 수지로는, 예를 들어, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리아미드 수지, 폴리비닐에테르 수지, 아세트산비닐/염화비닐 코폴리머, 변성 폴리올레핀 수지, 에폭시 수지, 불소 수지, 천연 고무 및 합성 고무를 들 수 있다. 특히, 광학적 투명성이 우수하고, 적당한 젖음성, 응집성 및 접착성 등의 점착 특성을 나타내고, 내후성 및 내열성 등도 우수하다는 관점에서, 수지로서, 바람직하게는 아크릴 수지가 선택된다.

고착 기능층 (고착 기능층을 형성하는 수지) 에는, 광투과성 도전층 (3) 의 부식 및 마이그레이션을 억제하기 위해, 공지된 부식 방지제 및 마이그레이션 방지제 (예를 들면, 일본 공개특허공보 2015-022397호에 개시된 재료) 를 첨가할 수도 있다. 또, 고착 기능층 (고착 기능층을 형성하는 수지) 에는, 투명 도전층 필름이 부착된 물품 (30) 의 옥외 사용시의 열화를 억제하기 위해서, 공지된 자외선 흡수제를 첨가해도 된다. 자외선 흡수제로는, 예를 들어, 벤조페논계 화합물, 벤조트리아졸계 화합물, 살리실산계 화합물, 옥살산아닐리드계 화합물, 시아노아크릴레이트계 화합물, 및 트리아진계 화합물을 들 수 있다.

또, 투명 도전층 필름이 부착된 물품 (30) 에 있어서의 투명 도전층 (1) 의 상면에 커버층을 배치할 수도 있다.

커버층은, 투명 도전층 (1) 을 피복하는 층으로, 투명 도전층 (1) 의 신뢰성을 향상시켜, 상처에 의한 기능 열화를 억제할 수 있다.

커버층은, 바람직하게는 유전체이다. 커버층은, 수지 및 무기 재료의 혼합물로 형성되어 있다. 수지로는, 고착 기능층에서 예시하는 수지를 들 수 있다. 무기 재료는, 예를 들어 산화규소, 산화티탄, 산화니오브, 산화알루미늄, 이산화지르코늄, 산화칼슘 등의 무기 산화물 및 불화마그네슘 등의 불화물을 함유하는 조성으로 이루어진다.

또, 커버층 (수지 및 무기 재료의 혼합물) 에는, 상기한 고착 기능층과 동일한 관점에서, 부식 방지제, 마이그레이션 방지제, 및 자외선 흡수제를 첨가할 수도 있다.

또, 도시하지 않지만, 부품 (31) 과, 투명 도전성 필름 (20) 에 있어서의 투명 도전층 (1) 을 고착 기능층을 개재하여 접착함으로써, 투명 도전층 필름이 부착된 물품 (30) 을 얻을 수도 있다.

투명 도전성 필름이 부착된 물품 (30) 은, 투명 도전성 필름 (20) 을 구비한다. 그 때문에, 투과율을 높게 할 수 있고, 또한 비저항을 낮게 할 수 있다.

또한, 투명 도전층 (1) 을 부품 (31) 의 두께 방향 일방면에 배치하여, 투명 도전층이 부착된 물품 (40) 을 얻을 수도 있다.

도 9 에 나타내는 바와 같이, 투명 도전층이 부착된 물품 (40) 은, 부품 (31) 과 투명 도전층 (1) 을 두께 방향 일방측을 향하여 순서대로 구비한다. 상세하게는, 투명 도전층이 부착된 물품 (40) 은, 부품 (31) 과, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 과, 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 을 두께 방향 일방측을 향하여 순서대로 구비한다.

또한, 도 9 에는, 제 2 실시형태의 투명 도전층 (1) 을 구비하는 투명 도전층이 부착된 물품 (40) 을 나타낸다.

투명 도전층이 부착된 물품 (40) 은, 부품 (31) 의 두께 방향 일방면에, 스퍼터링법에 의해 투명 도전층 (1) 을 배치하거나, 부품 (31) 의 두께 방향 일방면에, 투명 도전성 필름 (20) 으로부터 투명 도전층 (1) 을 전사함으로써 얻어진다.

또, 부품 (31) 과 투명 도전층 (1) 을, 상기 고착 기능층을 개재하여 접착할 수도 있다.

또한, 투명 도전층이 부착된 물품 (40) 에 있어서의 투명 도전층 (1) 의 상면에 커버층을 배치할 수도 있다.

투명 도전층이 부착된 물품 (40) 은, 투명 도전층 (1) 을 구비한다. 그 때문에, 투과율을 높게 할 수 있고, 또한 비저항을 낮게 할 수 있다.

5. 변형예

변형예에 있어서, 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태와 동일한 부재 및 공정에 대해서는 동일한 참조 부호를 부여하고, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 변형예는, 특기하는 것 이외에, 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태와 동일한 작용 효과를 발휘할 수 있다. 또한, 제 1 실시형태, 제 2 실시형태 및 그 변형예를 적절히 조합할 수 있다.

상기한 설명에서는, 기능층 (4) 이 하드 코트층인 경우에 대해 설명했지만, 기능층 (4) 은 광학 조정층이어도 된다.

광학 조정층은, 투명 도전층 (1) 의 패턴 시인을 억제하거나, 투명 도전성 필름 (20) 내의 계면에서의 반사를 억제하면서, 투명 도전성 필름 (20) 에 우수한 투명성을 확보하기 위해서, 도전성 필름 (10) 의 광학 물성 (예를 들어, 굴절률) 을 조정하는 층이다.

광학 조정층은, 예를 들어, 광학 조정 조성물로 형성된다.

광학 조정 조성물은, 예를 들어, 수지 및 입자를 함유한다. 수지로는, 상기 하드 코트 조성물에서 예시한 수지를 들 수 있다. 입자로는, 상기 하드 코트 조성물에서 예시한 입자를 들 수 있다. 광학 조정 조성물은, 수지 단체 (單體), 또는 무기물 단체여도 된다. 수지로는, 상기 하드 코트 조성물에서 예시한 수지를 들 수 있다. 또한, 무기물로는, 예를 들어, 산화규소, 알루미나, 티타니아, 지르코니아, 산화칼슘, 산화주석, 산화인듐, 산화카드뮴, 산화안티몬 등의 반금속 산화물 및/또는 금속 산화물을 들 수 있다. 반금속 산화물 및/또는 금속 산화물은, 화학양론 조성인지의 여부는 묻지 않는다.

광학 조정층의 두께는, 예를 들어, 1 ㎚ 이상, 바람직하게는 5 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는 10 ㎚ 이상, 또한, 예를 들어, 200 ㎚ 이하, 바람직하게는 100 ㎚ 이하이다. 광학 조정층의 두께는, 예를 들어, 순간 멀티 측광 시스템을 사용하여 관측되는 간섭 스펙트럼의 파장에 기초하여 산출할 수 있다. 또, 광학 조정층의 단면을, FE-TEM 으로 관찰함으로써 두께를 특정해도 된다.

또, 기능층 (4) 으로서, 하드 코트층 및 광학 조정층을 병용 (하드 코트층 및 광학 조정층을 포함하는 다층) 할 수도 있다.

상기한 설명에서는, 제 1 실시형태에서는, 투명 도전성 필름 (20) 은, 기재층 (2) 과 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 과 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 을 두께 방향 일방측을 향하여 순서대로 구비한다. 한편, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 과 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 의 순서는 특별히 한정되지 않는다. 상세하게는, 투명 도전성 필름 (20) 은, 기재층 (2) 과 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 과 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 을 두께 방향 일방측을 향하여 순서대로 구비할 수도 있다. 이와 같은 투명 도전성 필름 (20) 을 제조하기 위해서는, 제 2 공정에 있어서, 제 5 공정 후에 제 4 공정을 실시한다.

상기한 설명에서는, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 은, 금속 산화물과 미량의 크립톤 원자를 함유하지만, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 은, 또한 미량의 크립톤 원자 이외의 희가스 (예를 들어, 아르곤, 크세논) 를 함유할 수도 있다. 이와 같은 경우에는, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 에서는, 금속 산화물 매트릭스 중에 미량의 크립톤 원자, 및 크립톤 원자 이외의 희가스가 존재한다. 이와 같은 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 은, 예를 들어, 스퍼터링 가스로서, 크립톤 가스 및 크립톤 원자 이외의 희가스를 병용함으로써 제조할 수 있다.

상기한 설명에서는, 제 3 공정에서는, 비정질의 투명 도전층 (1) 을 가열함으로써 투명 도전층 (1) 을 결정화하지만, 예를 들어, 상온 이하 (예를 들어, 40 ℃ 이하) 의 온도에서, 장기간 (예를 들어, 5 일 이상) 가만히 둠으로써, 비정질의 투명 도전층 (1) 을 결정화할 수도 있다.

상기한 설명에서는, 투명 도전층 필름이 부착된 물품 (30) 은, 부품 (31) 과 기재층 (2) 과 투명 도전층 (1) 을 두께 방향 일방측을 향하여 순서대로 구비하지만, 투명 도전층 필름이 부착된 물품 (30) 은, 기재층 (2) 과 투명 도전층 (1) 과 부품 (31) 을 두께 방향 일방측을 향하여 순서대로 구비할 수도 있다.

상기한 설명에서는, 투명 도전층이 부착된 물품 (40) 은, 부품 (31) 과 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 과 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 을 두께 방향 일방측을 향하여 순서대로 구비하지만, 투명 도전층이 부착된 물품 (40) 은, 크립톤 함유 투명 도전층 (10) 과 크립톤 불함유 투명 도전층 (11) 과 부품 (31) 을 두께 방향 일방측을 향하여 순서대로 구비할 수도 있다.

실시예

이하의 기재에 있어서 사용되는 배합 비율 (함유 비율), 물성값, 파라미터 등의 구체적 수치는, 상기의 「발명을 실시하기 위한 형태」에 있어서 기재되어 있는, 그것들에 대응하는 배합 비율 (함유 비율), 물성값, 파라미터 등 해당 기재의 상한값 (「이하」, 「미만」으로서 정의되어 있는 수치) 또는 하한값 (「이상」, 「초과」로서 정의되어 있는 수치) 으로 대체할 수 있다. 또한, 이하의 기재에 있어서 특별히 언급이 없는 한, 「부」 및 「％」는 질량 기준이다.

1. 투명 도전층 및 투명 도전성 필름의 제조

실시예 1

＜제 1 공정＞

투명 기재로서의 장척 (長尺) 의 PET 필름 (두께 50 ㎛, 도레이사 제조) 의 두께 방향 일방면에, 하드 코트 조성물 (아크릴 수지를 함유하는 자외선 경화성 수지) 을 도포하여 도막을 형성하였다. 다음으로, 자외선 조사에 의해, 도막을 경화시켰다. 이로써, 하드 코트층 (두께 2 ㎛) 을 형성하였다. 이것에 의해, 기재층을 준비하였다.

＜제 2 공정＞

다음으로, 반응성 스퍼터링법에 의해, 기재층 (하드 코트층) 의 두께 방향 일방면에, 두께 130 ㎚ 의 비정질의 투명 도전층 (크립톤 함유 투명 도전층) 을 배치하였다. 반응성 스퍼터링법에서는, 롤 투 롤 방식으로 성막 프로세스를 실시할 수 있는 스퍼터 성막 장치 (DC 마그네트론 스퍼터링 장치) 를 사용하였다.

상세하게는, 타깃으로는, 산화인듐과 산화주석의 소결체 (산화주석 농도는 10 질량％) 를 사용하였다. 타깃에 대한 전압 인가를 위한 전원으로는, DC 전원을 사용하였다. 타깃 상의 수평 자장 강도는 90 mT 로 하였다. 스퍼터링 장치에 있어서, 기재층을, 성막 롤의 둘레 방향을 따라서 밀착시켰다. 성막 롤의 온도는, -5 ℃ 로 하였다. 또한, 스퍼터 성막 장치가 구비하는 성막실 내의 도달 진공도가 0.8×10^-4 Pa 에 이를 때까지 스퍼터 성막 장치 내를 진공 배기한 후, 스퍼터 성막 장치 내에, 스퍼터링 가스로서의 크립톤과, 반응성 가스로서의 산소를 도입하고, 스퍼터 성막 장치 내의 기압을 0.2 Pa 로 하였다. 스퍼터 성막 장치에 도입되는 크립톤 및 산소의 합계 도입량에 대한 산소 도입량의 비율은 약 2.5 유량％ 였다. 산소 도입량은, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 비저항-산소 도입량 곡선의 영역 X 내로서, 비정질의 크립톤 함유 투명 도전층의 비저항의 값이 6.6×10^-4 Ω·cm 가 되도록 조정하였다. 도 4 에 나타내는 비저항-산소 도입량 곡선은, 산소 도입량 이외의 조건은 상기와 동일한 조건으로, 비정질의 크립톤 함유 투명 도전층을 반응성 스퍼터링법으로 형성한 경우의, 비정질의 크립톤 함유 투명 도전층의 비저항의 산소 도입량 의존성을 미리 조사하여 작성할 수 있다.

＜제 3 공정＞

비정질의 투명 도전층을 열풍 오븐 내에서의 가열에 의해 결정화시켰다. 가열 온도는 165 ℃ 로 하고, 가열 시간은 1 시간으로 하였다.

이로써, 투명 도전층과 함께, 투명 도전성 필름을 얻었다.

실시예 2

실시예 1 과 동일하게 하여, 투명 도전층과 함께, 투명 도전성 필름을 얻었다.

단, 제 2 공정을 이하와 같이 변경하였다.

＜제 2 공정＞

제 2 공정에서는, 제 4 공정 및 제 5 공정의 순으로 실시하였다.

＜제 4 공정＞

제 4 공정에서는, 실시예 1 의 제 2 공정과 동일하게 하여, 기재층의 두께 방향 일방면에, 크립톤 함유 투명 도전층을 배치하였다.

단, 산소 도입량은, 비정질의 크립톤 함유 투명 도전층의 비저항의 값이 6.5×10^-4 Ω·cm 가 되도록 조정하였다 (크립톤 및 산소의 합계 도입량에 대한 산소 도입량의 비율은 약 2.6 유량％). 또, 비정질의 크립톤 함유 투명 도전층의 두께를, 표 1 에 따라 변경하였다.

＜제 5 공정＞

제 5 공정에서는, 상기 제 2 공정과 동일하게 하여, 크립톤 함유 투명 도전층의 두께 방향 일방면에, 크립톤 불함유 투명 도전층 (아르곤 함유 투명 도전층) 을 배치하였다.

단, 스퍼터링 가스를 아르곤 가스로 변경하고, 스퍼터 성막 장치 내의 기압을 0.4 Pa 로 변경하였다. 또, 비정질의 아르곤 함유 투명 도전층의 두께를, 표 1 에 따라 변경하였다.

실시예 3

실시예 2 과 동일하게 하여, 투명 도전층과 함께, 투명 도전성 필름을 얻었다.

단, 크립톤 함유 투명 도전층 및 아르곤 함유 투명 도전층을, 표 1 에 따라 변경하였다.

실시예 4

제 2 공정에서는, 제 5 공정 및 제 4 공정의 순으로 실시하였다. 또, 비정질의 크립톤 함유 투명 도전층, 및 비정질의 아르곤 함유 투명 도전층의 두께를, 표 1 에 따라 변경하였다.

실시예 5

단, 스퍼터링 가스로서, 크립톤 및 아르곤의 혼합 가스 (크립톤 90 체적％, 아르곤 10 체적％) 를 사용하고, 산소 도입량은, 비정질의 크립톤 함유 투명 도전층의 비저항의 값이 5.8×10^-4Ω·cm 가 되도록 조정하였다. 또, 비정질의 크립톤 함유 투명 도전층의 두께를, 표 1 에 따라 변경하였다.

비교예 1

단, 제 2 공정에 있어서, 스퍼터링 가스를 아르곤 가스로 변경하였다. 또한, 스퍼터 성막 장치 내의 기압을 0.4 Pa 로 변경하였다.

2. 평가

<투명 도전층의 두께>

각 실시예 및 각 비교예의 투명 도전층의 두께를, FE-TEM 관찰에 의해 측정하였다. 구체적으로는, 먼저, FIB 마이크로 샘플링법에 의해, 각 실시예 및 각 비교예의 투명 도전층의 단면 관찰용 샘플을 제조하였다. FIB 마이크로 샘플링법에서는, FIB 장치 (상품명 「FB2200」, Hitachi 제조) 를 사용하고, 가속 전압을 10 kV 로 하였다. 다음으로, 단면 관찰용 샘플에 있어서의 투명 도전층의 두께를, FE-TEM 관찰에 의해 측정하였다. FE-TEM 관찰에서는, FE-TEM 장치 (상품명 「JEM-2800」, JEOL 제조) 를 사용하고, 가속 전압을 200 kV 로 하였다.

또, 실시예 2 및 실시예 3 에 있어서, 크립톤 함유 투명 도전층의 두께는, 크립톤 함유 투명 도전층의 두께 방향 일방면에 아르곤 함유 투명 도전층을 배치하기 전에, 크립톤 함유 투명 도전층으로부터 단면 관찰용 샘플을 제조하고, 그 샘플을 FE-TEM 관찰로 함으로써 측정하였다. 또, 아르곤 함유 투명 도전층의 두께는, 투명 도전층의 두께로부터 크립톤 함유 투명 도전층의 두께를 차감함으로써 산출하였다.

또, 실시예 4 에 있어서, 아르곤 함유 투명 도전층의 두께는, 아르곤 함유 투명 도전층의 두께 방향 일방면에, 크립톤 함유 투명 도전층을 배치하기 전에, 아르곤 함유 투명 도전층으로부터 단면 관찰용 샘플을 제조하고, 그 샘플을 FE-TEM 관찰에 의해 측정하였다. 또, 크립톤 함유 투명 도전층의 두께는, 투명 도전층의 두께로부터 아르곤 함유 투명 도전층의 두께를 차감함으로써 산출하였다.

<(440) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도 I₍₄₄₀₎ 의, (222) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도 I₍₂₂₂₎에 대한 비 (I₍₄₄₀₎/I₍₂₂₂₎) 및 결정 입자경>

각 실시예 및 각 비교예의 투명 도전층의 X 선 회절 피크는, 수평형 X 선 회절 장치 (상품명 「SmartLab」, 주식회사 리가쿠 제조) 를 사용하여, 하기 측정 조건에 기초해서, X 선 회절 측정함으로써 취득하였다. 또, X 선 피크 프로파일은, 각 실시예 및 각 비교예의 PET 필름 (각 실시예 및 각 비교예의 투명 도전층과 동일 조건으로 가열이 끝난 PET 필름) 유래의 백그라운드를 공제한 값으로 하였다. 그 후, 해석 소프트웨어 (소프트명 「SmartLab StudioII」) 를 사용하여, 2θ 가 29.5°∼ 31.5°의 범위가 되도록 (222) 면에 대응하는 X 선 회절 피크의 프로파일을 작성하였다. 또한, 2θ 가 49.8°∼ 51.8°의 범위가 되도록 (440) 면에 대응하는 X 선 회절 피크의 프로파일을 작성하였다. 작성한 각 X 선 회절 피크의 프로파일은, X 선 회절 피크의 피팅 (피크 형상 : 분할형 PearsonVII 함수, 백그라운드 타입 : B-스플라인, 피팅 조건 : 자동) 을 함으로써, (222) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도 I₍₂₂₂₎ (단위 : Count°), (440) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도 I₍₄₄₀₎ (단위 : Count°), 및 (222) 면에 있어서의 결정 입자경 (결정자 사이즈, 단위 : Å), 및 (440) 면에 있어서의 결정 입자경 (결정자 사이즈, 단위 : Å) 을 구하였다. 그리고, (440) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도 I₍₄₄₀₎ 의, (222) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도 I₍₂₂₂₎에 대한 비 (I₍₄₄₀₎/I₍₂₂₂₎) 를 산출했다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.

[측정 조건]

평행 빔 광학 배치

광원 : CuΚα 선 (파장 : 1.54059 Å)

출력 : 45 kV, 200 mA

입사측 슬릿계 : 솔라 슬릿 5.0°

입사 슬릿 : 1.000 ㎜

수광 슬릿 : 20.100 ㎜

수광측 슬릿 : 패러렐 슬릿 애널라이저 (PSA) 0.114 deg.

검출기 : 다차원 픽셀 검출기 Hypix-3000

시료 스테이지 : 투명 도전성 필름의 투명 기재에, 점착층을 개재하여 유리를 첩합한 검체를, 시료판 (4 인치 웨이퍼 시료판) 에 가만히 두었다.

스캔 축 : 2θ/θ (Out of Plane 측정)

스텝 간격 : 0.02°

측정 스피드 : 0.8°/분

측정 범위 : 10°∼ 90°

<비저항>

각 실시예 및 각 비교예의 투명 도전층에 대해, 비저항을 측정하였다. 구체적으로는, JIS K 7194 (1994 년) 에 준거한 4 단자법에 의해, 투명 도전층의 표면 저항을 측정하였다. 그 후, 표면 저항값과 투명 도전층의 두께를 곱함으로써, 비저항 (Ω·cm) 을 구했다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.

<전광선 투과율>

각 실시예 및 각 비교예의 투명 도전성 필름에 대해, 헤이즈미터 (스가 시험기사 제조, 장치명 「HGM-2DP) 를 사용하여, 전광선 투과율을 측정하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.

<투명 도전층 내의 Kr 원자의 확인>

각 실시예에 있어서의 각 투명 도전층이 Kr 원자를 함유하는 것은, 다음과 같이 하여 확인하였다. 먼저, 주사형 형광 X 선 분석 장치 (상품명 「ZSX PrimusIV」, 리가쿠사 제조) 를 사용하여, 하기의 측정 조건으로 형광 X 선 분석 측정을 5 회 반복하고, 각 주사 각도의 평균값을 산출하여, X 선 스펙트럼을 작성하였다. 그리고, 작성된 X 선 스펙트럼에 있어서, 주사 각도 28.2°근방에 피크가 나타나 있는 것을 확인함으로써, 투명 도전층에 Kr 원자가 함유되는 것을 확인하였다.

[측정 조건]

스펙트럼 ; Kr-KA

측정 직경 : 30 ㎜

분위기 : 진공

타깃 : Rh

관전압 : 50 kV

관전류 : 60 mA

1 차 필터 : Ni40

주사 각도 (deg) : 27.0 ∼ 29.5

스텝 (deg) : 0.020

속도 (deg/분) : 0.75

어테뉴에이터 : 1/1

슬릿 : S2

분광 결정 : LiF (200)

검출기 : SC

PHA : 100 ∼ 300

또한, 상기 발명은, 본 발명에 예시된 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 불과하며, 한정적으로 해석되어서는 안된다. 당해 기술 분야의 당업자에 의해 명백한 본 발명의 변형예는, 후기하는 청구범위에 포함되는 것이다.

본 발명의 투명 도전층 및 투명 도전성 필름은, 예를 들어, 전자파 실드 부재, 열선 제어 부재, 히터 부재, 조명, 안테나 부재, 터치 센서 장치 및 화상 표시 장치에 있어서 바람직하게 사용된다.

1 : 투명 도전층
2 : 기재층
20 : 투명 도전성 필름

Claims

크립톤 원자를 함유하고,
(440) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도의, (222) 면에 있어서의 X 선 회절의 피크의 적분 강도에 대한 비가 0.130 이상인, 투명 도전층.
제 1 항에 있어서,
인듐주석 복합 산화물을 함유하는, 투명 도전층.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
비저항이 2.3×10^-4 Ω·cm 미만인, 투명 도전층.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
패턴 형상을 갖는, 투명 도전층.
기재층과, 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 투명 도전층을 두께 방향 일방측을 향하여 순서대로 구비하는, 투명 도전성 필름.