KR20220142447A - 이면 보호막 형성용 복합체, 제1 적층체의 제조 방법, 제3 적층체의 제조 방법, 및 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

이면 보호막 형성용 복합체, 제1 적층체의 제조 방법, 제3 적층체의 제조 방법, 및 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220142447A
KR20220142447A KR1020227028240A KR20227028240A KR20220142447A KR 20220142447 A KR20220142447 A KR 20220142447A KR 1020227028240 A KR1020227028240 A KR 1020227028240A KR 20227028240 A KR20227028240 A KR 20227028240A KR 20220142447 A KR20220142447 A KR 20220142447A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
protective film
back surface
film
surface protective
forming
Prior art date
Application number
KR1020227028240A
Other languages
English (en)
Inventor
야스노부 나카이시
Original Assignee
린텍 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 린텍 가부시키가이샤 filed Critical 린텍 가부시키가이샤
Publication of KR20220142447A publication Critical patent/KR20220142447A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/02—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by a sequence of laminating steps, e.g. by adding new layers at consecutive laminating stations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • B32B37/16—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with all layers existing as coherent layers before laminating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • B32B37/26—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with at least one layer which influences the bonding during the lamination process, e.g. release layers or pressure equalising layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • B32B37/26—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with at least one layer which influences the bonding during the lamination process, e.g. release layers or pressure equalising layers
    • B32B2037/268—Release layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B2038/0052—Other operations not otherwise provided for
    • B32B2038/0076—Curing, vulcanising, cross-linking
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/08—PCBs, i.e. printed circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68377—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support with parts of the auxiliary support remaining in the finished device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

보호층(12)과, 이면 보호막 형성용 필름(13)이 적층되어 이루어지는 이면 보호막 형성용 복합체로서, 반도체 기판의 이면에 이면 보호막 형성용 필름(13)을 첩부하여, 상기 반도체 기판과, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 보호층(12)이 이 순서로 적층된 제2 적층체를 얻는 제1 적층 공정과, 상기 제2 적층체의 이면 보호막 형성용 필름(13)을 경화시켜 이면 보호막으로 하는 경화 공정과, 상기 제1 적층 공정에서 상기 경화 공정으로 상기 제2 적층체를 반송하는 반송 공정을 포함하는, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막과, 보호층(12)이 이 순서로 적층된 제1 적층체의 제조 방법에 사용되는, 이면 보호막 형성용 복합체(1).

Description

이면 보호막 형성용 복합체, 제1 적층체의 제조 방법, 제3 적층체의 제조 방법, 및 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법
본 발명은 이면 보호막 형성용 복합체, 제1 적층체의 제조 방법, 제3 적층체의 제조 방법, 및 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
본원은 2020년 2월 21일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2020-028103호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
근래, 이른바 페이스 다운(face down) 방식으로 불리는 실장법을 적용한 반도체 장치의 제조가 행해지고 있다. 페이스 다운 방식에 있어서는, 회로면 상에 범프 등의 전극을 갖는 반도체 칩이 사용되고, 상기 전극이 기판과 접합된다. 이 때문에, 반도체 칩의 회로면과는 반대측의 이면은 노출이 되는 경우가 있다.
이 노출된 반도체 칩의 이면에는, 이면 보호막으로서, 유기 재료를 함유하는 수지막이 형성되고, 이면 보호막이 형성된 반도체 칩으로서 반도체 장치에 포함되는 경우가 있다. 이면 보호막은 다이싱 공정이나 패키징 후, 반도체 칩에 있어서 크랙이 발생하는 것을 방지하기 위해 이용된다(예를 들면, 특허문헌 1, 2).
이러한 이면 보호막이 형성된 반도체 칩은 예를 들면, 도 1a∼g에 나타나는 공정을 거쳐 제조된다. 즉, 회로면을 갖는 반도체 웨이퍼(「반도체 기판」이라고도 한다)(8)의 이면(8b)에, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 적층하고(도 1a), 이면 보호막 형성용 필름(13)을 열경화 또는 에너지선 경화시켜 이면 보호막(13')으로 하며(도 1b), 이면 보호막(13')에 레이저 마킹하고(도 1c), 이면 보호막(13')에 지지 시트(10)를 적층하며(도 1d), 반도체 웨이퍼(8) 및 이면 보호막(13')을 다이싱하여, 이면 보호막이 형성된 반도체 칩(7)으로 하며(도 1e 및 도 1f), 이면 보호막이 형성된 반도체 칩(7)을 지지 시트(10)로부터 픽업하는(도 1g) 방법이 알려져 있다.
일본 특허 제4271597호 공보 일본 특허 제5363662호 공보
도 1a의 적층 공정에서 얻어진 적층체는, 도 1b에서 이면 보호막 형성용 필름(13)을 열경화 또는 에너지선 경화시켜 이면 보호막(13')으로 하는 경화 공정으로 반송된다. 상기 적층 공정과 상기 경화 공정을 별도의 장치에서 행하는 경우, 상기 적층 공정에서 얻어진 적층체는, 반송 암의 흡착공을 갖는 흡착면을 상기 적층체의 이면 보호막 형성용 필름면에 흡착한 상태로 반송되어 카세트에 수용되고, 경화 공정을 행하는 장치로 반송된다. 이 경우, 반송 암 및 카세트에 수용되어 반송되는 동안에 이면 보호막 형성용 필름이 오염, 변형될 우려가 있다.
상기 적층 공정과 상기 경화 공정을, 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하는 장치와 이면 보호막 형성용 필름을 경화시키는 장치를 연결하여 행하는 경우에도, 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하는 장치에서 얻어진 적층체를, 이면 보호막 형성용 필름을 경화시키는 장치로 반송할 필요가 있고, 이 때 이면 보호막 형성용 필름이 오염, 변형될 우려가 있다.
상기 적층 공정부터 상기 경화 공정까지의 사이를 동일한 장치로 행하는 경우, 예를 들면, 이면 보호막 형성용 필름 첩부 테이블, 경화를 행하는 유닛 및 반송 암을 구비하는 장치에 의해 실시할 수 있다. 구체적으로는, 상기 장치에 투입된 워크(「반도체 기판」이라고도 한다)는 반송 암에 의해, 이면 보호막 형성용 필름 첩부 테이블로 반송되고, 상기 워크의 이면측에 사전에 장치 외 또는 직전에 장치 내에서 워크에 맞춘 사이즈로 가공된 이면 보호막 형성용 필름이 첩부되어 적층체가 된다.
반송 암의 흡착공을 갖는 흡착면을 상기 적층체의 이면 보호막 형성용 필름면에 흡착시키고, 상기 적층체를 경화를 행하는 유닛으로 반송한다. 경화를 행하는 유닛으로 반송된 적층체에 열을 가하거나, 또는 에너지선이 조사되어, 이면 보호막 형성용 필름은 이면 보호막이 된다.
본원의 발명자가 반송 암에 의해 반송된 후의 이면 보호막 형성용 필름의 표면을 관찰한 결과, 반송 암의 흡착공에 기인하는 변형(요철)이 발생하는 것이 판명되었다. 또한, 반송시에 이면 보호막 형성용 필름에 먼지나 티끌이 부착하여 오염될 가능성도 생각되었다. 상기와 같은 변형(요철), 또는 먼지나 티끌의 부착이 발생하면, 반도체 장치의 신뢰성이 저하된다는 불이익을 발생시킬 우려가 있다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이고, 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 이면 보호막 형성용 필름을 반도체 기판의 이면에 첩부한 후 반송하는 경우에 있어서, 상기 이면 보호막 형성용 필름의 오염 및 변형을 방지 가능한 이면 보호막 형성용 복합체, 상기 이면 보호막 형성용 복합체를 사용한 제1 적층체의 제조 방법, 제3 적층체의 제조 방법, 및 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 이하의 양태를 갖는다.
[1] 보호층과, 이면 보호막 형성용 필름이 적층되어 이루어지는 이면 보호막 형성용 복합체로서, 반도체 기판의 이면에 상기 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하여, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막 형성용 필름과, 상기 보호층이 이 순서로 적층된 제2 적층체를 얻는 제1 적층 공정과, 상기 제2 적층체의 상기 이면 보호막 형성용 필름을 경화시켜 이면 보호막으로 하는 경화 공정과, 상기 제1 적층 공정에서 상기 경화 공정으로 상기 제2 적층체를 반송하는 반송 공정을 포함하는, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막과, 상기 보호층이 이 순서로 적층된 제1 적층체의 제조 방법에 사용되는, 이면 보호막 형성용 복합체.
[2] 보호층과, 이면 보호막 형성용 필름이 적층되어 이루어지는 이면 보호막 형성용 복합체로서, 반도체 기판의 이면에 상기 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하여, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막 형성용 필름과, 상기 보호층이 이 순서로 적층된 제2 적층체를 얻는 제1 적층 공정과, 상기 제2 적층체의 상기 보호층에 지지 시트를 첩부하여, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막 형성용 필름과, 상기 보호층과, 상기 지지 시트가 이 순서로 적층된 제3 적층체를 얻는 제2 적층 공정과, 상기 제1 적층 공정에서 상기 제2 적층 공정으로 상기 제2 적층체를 반송하는 반송 공정을 포함하는 제3 적층체의 제조 방법에 사용되는, 이면 보호막 형성용 복합체.
[3] 반도체 기판과, 이면 보호막과, 보호층이 이 순서로 적층된 제1 적층체의 제조 방법으로서, 상기 반도체 기판의 이면에 [1]에 기재된 이면 보호막 형성용 복합체의 상기 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하여, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막 형성용 필름과, 상기 보호층이 이 순서로 적층된 제2 적층체를 얻는 제1 적층 공정과, 상기 제2 적층체의 상기 이면 보호막 형성용 필름을 경화시켜 이면 보호막으로 하는 경화 공정과, 상기 제1 적층 공정에서 상기 경화 공정으로 상기 제2 적층체를 반송하는 반송 공정을 포함하는, 제1 적층체의 제조 방법.
[4] 반도체 기판과, 이면 보호막 형성용 필름과, 보호층과, 지지 시트가 이 순서로 적층된 제3 적층체의 제조 방법으로서, 상기 반도체 기판의 이면에 [2]에 기재된 이면 보호막 형성용 복합체의 상기 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하여, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막 형성용 필름과, 상기 보호층이 이 순서로 적층된 제2 적층체를 얻는 제1 적층 공정과, 상기 제2 적층체의 상기 보호층에 지지 시트를 첩부하여, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막 형성용 필름과, 상기 보호층과, 상기 지지 시트가 이 순서로 적층된 제3 적층체를 얻는 제2 적층 공정과, 상기 제1 적층 공정에서 상기 제2 적층 공정으로 상기 제2 적층체를 반송하는 반송 공정을 포함하는, 제3 적층체의 제조 방법.
[5] [3]에 기재된 제조 방법으로 제조된 제1 적층체의 상기 보호층에 지지 시트를 첩부하여, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막과, 상기 보호층과, 상기 지지 시트가 이 순서로 적층된 제4 적층체를 얻는 제2 적층 공정과, 상기 제4 적층체의 상기 반도체 기판 및 상기 이면 보호막을 다이싱하여, 이면 보호막이 형성된 반도체 장치로 하는 공정과, 상기 이면 보호막이 형성된 반도체 장치를 상기 지지 시트로부터 픽업하는 공정을 포함하는, 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법.
[6] [4]에 기재된 제조 방법으로 제조된 제3 적층체의 상기 이면 보호막 형성용 필름을 경화시켜 이면 보호막으로 하고, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막과, 상기 보호층과, 상기 지지 시트가 이 순서로 적층된 제4 적층체를 얻는 경화 공정과, 상기 제4 적층체의 상기 반도체 기판 및 상기 이면 보호막을 다이싱하여, 이면 보호막이 형성된 반도체 장치로 하는 공정과,
상기 이면 보호막이 형성된 반도체 장치를 상기 지지 시트로부터 픽업하는 공정을 포함하는, 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법.
[7] [4]에 기재된 제조 방법으로 제조된 제3 적층체의 상기 반도체 기판 및 상기 이면 보호막 형성용 필름을 다이싱하여, 이면 보호막 형성용 필름이 형성된 반도체 장치로 하는 공정과, 상기 이면 보호막 형성용 필름을 경화시켜 이면 보호막으로 하는 경화 공정과,
상기 이면 보호막 형성용 필름이 형성된 반도체 또는 이면 보호막이 형성된 반도체 장치를, 상기 지지 시트로부터 픽업하는 공정을 포함하는, 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법.
[8] [1] 또는 [2]에 기재된 이면 보호막 형성용 복합체의 이면 보호막 형성을 위한 사용.
[9] 상기 이면 보호막 형성용 필름이 미경화인 경화성 수지 조성물에 의해 형성되고, 상기 보호층이 경화된 경화성 수지 또는 열가소성 수지에 의해 형성되어 있는, [1] 또는 [2]에 기재된 이면 보호막 형성용 복합체, [3]∼[7] 중 어느 하나에 기재된 제조 방법, 또는 [8]에 기재된 사용.
본 발명에 의하면, 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 이면 보호막 형성용 필름을 워크의 이면에 첩부한 후 반송하는 경우에 있어서, 상기 이면 보호막 형성용 필름의 오염 및 변형을 방지 가능한 이면 보호막 형성용 복합체, 상기 이면 보호막 형성용 복합체를 사용한 제1 적층체의 제조 방법, 제3 적층체의 제조 방법, 및 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
도 1a는 종래의 이면 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 1b는 종래의 이면 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 1c는 종래의 이면 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 1d는 종래의 이면 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 1e는 종래의 이면 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 1f는 종래의 이면 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 1g는 종래의 이면 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 이면 보호막 형성용 복합체의 일 예를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 이면 보호막 형성용 복합체의 일 예를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4a는 제1 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 4b는 제1 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 4c는 제1 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 4d는 제1 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 5a는 제1 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 5b는 제1 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 5c는 제1 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 5d는 제1 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 5e는 제1 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 6a는 제3 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 6b는 제3 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 6c는 제3 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 6d는 제3 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 6e는 제3 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 7a는 제3 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 7b는 제3 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 7c는 제3 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 7d는 제3 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 7e는 제3 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 7f는 제3 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 8은 기재(101) 상에 점착제층(102)이 형성된 지지 시트(10)의 일 예를 나타내는 개략 단면도이다.
도 9는 이면 보호막 형성용 복합체의 일 예를 나타내는 개략 단면도이다.
도 10a는 제4 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 10b는 제4 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 10c는 제4 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 11a는 제4 적층체의 제조 방법의 실시형태의 다른 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 11b는 제4 적층체의 제조 방법의 실시형태의 다른 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 11c는 제4 적층체의 제조 방법의 실시형태의 다른 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 12a는 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 12b는 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 12c는 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 12d는 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 12e는 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법의 실시형태의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 13a는 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법의 실시형태의 다른 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 13b는 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법의 실시형태의 다른 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 13c는 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법의 실시형태의 다른 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 14a는 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법의 실시형태의 다른 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 14b는 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법의 실시형태의 다른 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 14c는 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법의 실시형태의 다른 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 14d는 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법의 실시형태의 다른 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 이면 보호막 형성용 복합체의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 이면 보호막 형성용 복합체의 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
한편, 이하의 설명에서 사용하는 도면은 특징을 알기 쉽게 하기 위해, 편의상 특징이 되는 부분을 확대하여 나타내고 있는 경우가 있고, 각 구성요소의 치수 비율 등이 실제와 동일한 것으로 한정되지는 않는다.
도 2에 나타내는 이면 보호막 형성용 복합체(1)는 보호층(12)과, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 이 순서로 갖는다.
본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체(1)는, 워크의 이면에 이면 보호막 형성용 필름(13)을 첩부하여, 상기 워크와, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 보호층(12)이 이 순서로 적층된 제2 적층체를 얻는 제1 적층 공정과, 상기 제2 적층체의 보호층(12)에 지지 시트를 첩부하여, 상기 워크와, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 보호층(12)과, 상기 지지 시트가 이 순서로 적층된 제3 적층체를 얻는 제2 적층 공정과, 상기 제1 적층 공정에서 상기 제2 적층 공정으로 상기 제2 적층체를 반송하는 반송 공정을 포함하는 상기 제3 적층체의 제조 방법에 사용된다. 본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체(1)는 보호층(12)을 가짐으로써, 상기 반송 공정에 있어서의 (경화 전의) 이면 보호막 형성용 필름(13)의 오염 및 변형을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체(1)는, 워크의 이면에 이면 보호막 형성용 필름(13)을 첩부하여, 상기 워크와, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 보호층(12)이 이 순서로 적층된 제2 적층체를 얻는 제1 적층 공정과, 상기 제2 적층체의 이면 보호막 형성용 필름(13)을 경화시켜 이면 보호막으로 하는 경화 공정과, 상기 제1 적층 공정에서 상기 경화 공정으로 상기 제2 적층체를 반송하는 반송 공정을 포함하는, 상기 워크와, 이면 보호막과 보호층(12)이 이 순서로 적층된 제1 적층체의 제조 방법에 사용된다. 본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체(1)는 보호층(12)을 가짐으로써, 상기 반송 공정에 있어서의 (경화 전의) 이면 보호막 형성용 필름(13)의 오염 및 변형을 방지할 수 있다.
도 3에 나타내는 이면 보호막 형성용 복합체(2)는 박리 필름(151)과, 보호층(12)과, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 이 순서로 갖는다.
본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체(2)는, 워크의 이면에 이면 보호막 형성용 필름(13)을 첩부하여, 상기 워크와, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 보호층(12)과, 박리 필름(151)이 이 순서로 적층된 제５ 적층체를 얻는 제1 적층 공정과, 상기 제５ 적층체로부터 박리 필름(151)을 박리하여 얻어진 상기 제2 적층체의 보호층(12)에 지지 시트를 첩부하여, 상기 제3 적층체를 얻는 제2 적층 공정과, 상기 제1 적층 공정에서 상기 제2 적층 공정으로 상기 제2 적층체를 반송하는 반송 공정을 포함하는 상기 제3 적층체의 제조 방법에 사용된다. 본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체(2)는 보호층(12)을 가짐으로써, 상기 반송 공정에 있어서의 (경화 전의) 이면 보호막 형성용 필름(13)의 오염 및 변형을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체(2)는, 워크의 이면에 이면 보호막 형성용 필름(13)을 첩부하여, 상기 워크와, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 보호층(12)과, 박리 필름(151)이 이 순서로 적층된 제５ 적층체를 얻는 제1 적층 공정과, 상기 제５ 적층체로부터 박리 필름(151)을 박리하여 얻어진 상기 제2 적층체의 이면 보호막 형성용 필름(13)을 경화시켜 이면 보호막으로 하는 경화 공정과, 상기 제1 적층 공정에서 상기 경화 공정으로 상기 제2 적층체를 반송하는 반송 공정을 포함하는 상기 제1 적층체의 제조 방법에 사용된다. 본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체(2)는 보호층(12)을 가짐으로써, 상기 반송 공정에 있어서의 (경화 전의) 이면 보호막 형성용 필름(13)의 오염 및 변형을 방지할 수 있다.
본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체(1) 및 이면 보호막 형성용 복합체(2)는, 적어도 상기 제1 적층 공정부터 상기 제2 적층 공정까지의 사이를, 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하는 장치와 지지 시트를 첩부하는 장치를 연결하여 행하거나, 또는 동일한 장치로 행하는 상기 제3 적층체의 제조 방법에 특히 바람직하게 사용된다.
또한, 본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체(1) 및 이면 보호막 형성용 복합체(2)는, 적어도 상기 제1 적층 공정부터 상기 경화 공정까지의 사이를, 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하는 장치와 이면 보호막 형성용 필름을 경화시키는 장치를 연결하여 행하거나, 또는 동일한 장치로 행하는 제1 적층체의 제조 방법에 바람직하게 사용된다.
이면 보호막 형성용 복합체(1)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 30∼550㎛인 것이 바람직하고, 35∼450㎛인 것이 보다 바람직하며, 40∼400㎛인 것이 더욱 바람직하다. 이면 보호막 형성용 복합체(1)의 두께가 상기 하한값 이상이면, 이면 보호막의 강도를 높일 수 있다. 이면 보호막 형성용 복합체(1)의 두께가 상기 상한값 이하이면, 이면 보호막을 다이싱하기 쉽다.
이면 보호막 형성용 복합체(2)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 30∼550㎛인 것이 바람직하고, 35∼450㎛인 것이 보다 바람직하며, 40∼400㎛인 것이 더욱 바람직하다. 이면 보호막 형성용 복합체(2)의 두께가 상기 하한값 이상이면, 이면 보호막의 강도를 높일 수 있다. 이면 보호막 형성용 복합체(2)의 두께가 상기 상한값 이하이면, 이면 보호막을 다이싱하기 쉽다.
이어서, 본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체를 구성하는 각 층에 대해 설명한다.
○이면 보호막 형성용 필름
본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체에 있어서, 이면 보호막 형성용 필름은 웨이퍼(즉, 워크)에 첩부되어, 경화함으로써, 웨이퍼의 이면 보호막으로서 사용된다. 이면 보호막 형성용 필름은 경화성을 갖고, 에너지 경화성 필름이어도, 열경화성 필름이어도 된다.
본 명세서에 있어서, 「에너지 경화성」이란, 에너지선을 조사함으로써 경화하는 성질을 의미하고, 「열경화성」이란, 열을 가함으로써 경화하는 성질을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 「에너지선」이란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것을 의미한다. 에너지선의 예로는, 자외선, 방사선, 전자선 등을 들 수 있다. 자외선은 예를 들면, 자외선원으로서 고압 수은 램프, 퓨전 램프, 크세논 램프, 블랙 라이트, 또는 LED 램프 등을 사용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다.
이면 보호막 형성용 필름의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 3∼300㎛인 것이 바람직하고, 5∼250㎛인 것이 보다 바람직하며, 7∼200㎛인 것이 더욱 바람직하다. 이면 보호막 형성용 필름의 두께가 상기 하한값 이상이면, 이면 보호막의 강도를 보다 높일 수 있다. 이면 보호막 형성용 필름의 두께가 상기 상한값 이하이면, 이면 보호막을 다이싱하기 쉽다.
(이면 보호막 형성용 조성물)
이면 보호막 형성용 필름을 형성하기 위한 이면 보호막 형성용 조성물의 조성으로는, 바인더 폴리머 성분 및 경화성 성분을 함유하는 것이 바람직하다. 즉, 이면 보호막 형성용 조성물은 (미경화의) 경화성 수지 조성물이고, 이면 보호막 형성용 필름은 이러한 경화성 수지 조성물에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다.
(바인더 폴리머 성분)
이면 보호막 형성용 필름에 충분한 접착성 및 조막성(시트 형성성)을 부여하기 위해 바인더 폴리머 성분이 사용된다. 바인더 폴리머 성분으로는, 종래 공지의 아크릴 폴리머, 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 아크릴우레탄 수지, 실리콘 수지, 고무계 폴리머 등을 사용할 수 있다.
바인더 폴리머 성분의 중량 평균 분자량(Mw)은 1만∼200만인 것이 바람직하고, 10만∼120만인 것이 보다 바람직하다. 바인더 폴리머 성분의 중량 평균 분자량이 너무 낮으면, 이면 보호막 형성용 필름과 지지 시트의 점착력이 높아져, 이면 보호막 형성용 필름의 전사 불량이 일어나는 경우가 있고, 너무 높으면, 이면 보호막 형성용 필름의 접착성이 저하하여, 칩 등에 전사할 수 없게 되거나, 혹은 전사 후 칩 등으로부터 이면 보호막이 박리되는 경우가 있다. 즉, 바인더 폴리머 성분의 중량 평균 분자량이 상기 하한값 이상이면, 이면 보호막 형성용 필름과 지지 시트의 점착력이 높아져, 이면 보호막 형성용 필름의 전사 불량이 일어나는 것을 억제할 수 있다. 바인더 폴리머 성분의 중량 평균 분자량이 상기 상한값 이하이면, 이면 보호막 형성용 필름의 접착성이 저하하여, 칩 등에 전사할 수 없게 되는 것을 억제할 수 있다. 추가로, 바인더 폴리머 성분의 중량 평균 분자량이 상기 상한값 이하이면, 전사 후 칩 등으로부터 이면 보호막이 박리되는 것을 억제할 수 있다.
한편, 본 명세서에 있어서, 「중량 평균 분자량」이란, 특별히 언급이 없는 한, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정되는 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.
바인더 폴리머 성분으로서, 아크릴 폴리머가 바람직하게 사용된다. 아크릴 폴리머의 유리 전이 온도(Tg)는 바람직하게는 -60∼50℃, 더욱 바람직하게는 -50∼40℃, 특히 바람직하게는 -40∼30℃의 범위에 있다. 아크릴 폴리머의 유리 전이 온도가 너무 낮으면, 이면 보호막 형성용 필름과 지지 시트의 박리력이 커져, 이면 보호막 형성용 필름의 전사 불량이 일어나는 경우가 있고, 너무 높으면, 이면 보호막 형성용 필름의 접착성이 저하하여, 칩 등에 전사할 수 없게 되거나, 혹은 전사 후 칩 등으로부터 이면 보호막이 박리되는 경우가 있다. 즉, 아크릴 폴리머의 유리 전이 온도가 상기 하한값 이상이면, 이면 보호막 형성용 필름과 지지 시트의 박리력이 커져, 이면 보호막 형성용 필름의 전사 불량이 일어나는 것을 억제할 수 있다. 아크릴 폴리머의 유리 전이 온도가 상기 상한값 이하이면, 이면 보호막 형성용 필름의 접착성이 저하하여, 칩 등에 전사할 수 없게 되는 것을 억제할 수 있다. 추가로, 아크릴 폴리머의 유리 전이 온도가 상기 상한값 이하이면, 전사 후 칩 등으로부터 이면 보호막이 박리되는 것을 억제할 수 있다.
아크릴 폴리머의 유리 전이 온도는 예를 들면, 시차 주사 열량 측정(DSC)에 의해 구할 수 있다.
상기 아크릴 폴리머를 구성하는 모노머로는, (메타)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체를 들 수 있다. 예를 들면, 알킬기의 탄소수가 1∼18인 알킬(메타)아크릴레이트, 구체적으로는 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 고리형 골격을 갖는 (메타)아크릴레이트, 구체적으로는 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메타)아크릴레이트, 이미드(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 관능기를 갖는 모노머로서, 수산기를 갖는 히드록시메틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고; 그 외, 에폭시기를 갖는 글리시딜(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 아크릴 폴리머는 수산기를 갖고 있는 모노머를 함유하고 있는 아크릴 폴리머가, 후술하는 경화성 성분과의 상용성이 양호하기 때문에 바람직하다. 또한, 상기 아크릴 폴리머는 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 초산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 등이 공중합되어 있어도 된다.
한편, 본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴산」이란, 「아크릴산」 및 「메타크릴산」의 양쪽을 포함하는 개념으로 한다. (메타)아크릴산과 유사한 용어에 대해서도 동일하고, 예를 들면, 「(메타)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」의 양쪽을 포함하는 개념이며, 「(메타)아크릴로일기」란, 「아크릴로일기」 및 「메타크릴로일기」의 양쪽을 포함하는 개념이다.
또한, 바인더 폴리머 성분으로서, 경화 후의 이면 보호막의 가요성을 유지하기 위한 열가소성 수지를 배합해도 된다. 이러한 열가소성 수지로는, 중량 평균 분자량이 1000∼10만인 것이 바람직하고, 3000∼8만인 것이 더욱 바람직하다. 열가소성 수지의 유리 전이 온도는 바람직하게는 -30∼120℃, 더욱 바람직하게는 -20∼120℃인 것이 바람직하다. 열가소성 수지로는, 폴리에스테르 수지, 열가소성 우레탄 수지, 페녹시 수지, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리스티렌 등을 들 수 있다. 이들의 열가소성 수지는 1종 단독으로, 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 열가소성 수지를 함유함으로써, 이면 보호막 형성용 필름의 전사면에 이면 보호막 형성용 필름이 추종하여, 보이드 등의 발생을 억제할 수 있다.
(경화성 성분)
경화성 성분으로서, 열경화성 성분 및 에너지선 경화성 성분으로부터 선택되는 1종 이상이 사용된다.
열경화성 성분으로는, 열경화성 수지 및 열경화제가 사용된다. 열경화성 수지로는 예를 들면, 에폭시 수지가 바람직하다.
에폭시 수지로는, 종래 공지의 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 에폭시 수지로는, 구체적으로는, 다관능계 에폭시 수지나, 비페닐 화합물, 비스페놀A 디글리시딜에테르나 그 수첨물, 오쏘크레졸노볼락에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지 등, 분자 중에 2관능 이상 갖는 에폭시 화합물을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
이면 보호막 형성용 필름에는, 바인더 폴리머 성분 100질량부에 대해, 열경화성 수지가 바람직하게는 1∼1000질량부, 보다 바람직하게는 10∼500질량부, 특히 바람직하게는 20∼200질량부 포함된다. 열경화성 수지의 함유량이 1질량부 미만이면, 충분한 접착성이 얻어지지 않는 경우가 있고, 1000질량부를 초과하면, 이면 보호막 형성용 필름과 점착 시트 또는 기재 필름의 박리력이 높아져, 이면 보호막 형성용 필름의 전사 불량이 일어나는 경우가 있다. 즉, 열경화성 수지의 함유량이 상기 하한값 이상이면, 충분한 접착성이 얻어진다. 열경화성 수지의 함유량이 상기 상한값 이하이면, 이면 보호막 형성용 필름과 점착 시트 또는 기재 필름의 박리력이 높아져, 이면 보호막 형성용 필름의 전사 불량이 일어나는 것을 억제할 수 있다.
열경화제는 열경화성 수지, 특히 에폭시 수지에 대한 경화제로서 기능한다. 바람직한 열경화제로는, 1분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 그 관능기로는 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복실기, 및 산무수물 등을 들 수 있다. 이들 중 바람직하게는 페놀성 수산기, 아미노기, 산무수물 등을 들 수 있고, 더욱 바람직하게는 페놀성 수산기, 아미노기를 들 수 있다.
페놀계 경화제의 구체적인 예로는, 다관능계 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지, 자일록형 페놀 수지, 아랄킬페놀 수지를 들 수 있다. 아민계 경화제의 구체적인 예로는, DICY(디시안디아미드)를 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로, 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
열경화제의 함유량은 열경화성 수지 100질량부에 대해, 0.1∼500질량부인 것이 바람직하고, 1∼200질량부인 것이 보다 바람직하다. 열경화제의 함유량이 적으면, 경화 부족으로 접착성이 얻어지지 않는 경우가 있고, 과잉이면, 이면 보호막 형성용 필름의 흡습률이 높아져, 반도체 장치의 신뢰성을 저하시키는 경우가 있다. 즉, 열경화제의 함유량이 상기 하한값 이상이면, 충분히 경화하여, 충분한 접착성이 얻어진다. 열경화제의 함유량이 상기 상한값 이하이면, 이면 보호막 형성용 필름의 흡습률이 높아져, 반도체 장치의 신뢰성을 저하시키는 것을 억제할 수 있다.
에너지선 경화성 성분으로는, 에너지선 중합성기를 포함하고, 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받으면 중합 경화하는 저분자 화합물(에너지선 중합성 화합물)을 사용할 수 있다. 이러한 에너지선 경화성 성분으로서 구체적으로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트 혹은 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트계 올리고머, 에폭시 변성 아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 및 이타콘산 올리고머 등의 아크릴레이트계 화합물을 들 수 있다. 이러한 화합물은 분자 내에 적어도 1개의 중합성 이중 결합을 갖고, 통상은 중량 평균 분자량이 100∼30000, 바람직하게는 300∼10000 정도이다. 에너지선 중합성 화합물의 배합량은 바인더 폴리머 성분 100질량부에 대해, 바람직하게는 1∼1500질량부, 보다 바람직하게는 10∼500질량부, 특히 바람직하게는 20∼200질량부이다.
또한, 에너지선 경화성 성분으로서, 바인더 폴리머 성분의 주쇄 또는 측쇄에, 에너지선 중합성기가 결합되어 이루어지는 에너지선 경화형 중합체를 사용해도 된다. 이러한 에너지선 경화형 중합체는 바인더 폴리머 성분으로서의 기능과, 경화성 성분으로서의 기능을 겸비한다.
에너지선 경화형 중합체의 주골격은 특별히 한정은 되지 않고, 바인더 폴리머 성분으로서 범용되고 있는 아크릴 폴리머여도 되며, 또한 폴리에스테르, 폴리에테르 등이어도 된다. 합성 및 물성의 제어가 용이한 점에서, 에너지선 경화형 중합체는 아크릴 폴리머를 주골격으로 하는 것이 특히 바람직하다.
에너지선 경화형 중합체의 주쇄 또는 측쇄에 결합하는 에너지선 중합성기는, 예를 들면, 에너지선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기이고, 구체적으로는 (메타)아크릴로일기 등을 예시할 수 있다. 에너지선 중합성기는 알킬렌기, 알킬렌옥시기, 폴리알킬렌옥시기를 개재하여 에너지선 경화형 중합체에 결합하고 있어도 된다.
에너지선 중합성기가 결합된 에너지선 경화형 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은, 1만∼200만인 것이 바람직하고, 10만∼150만인 것이 보다 바람직하다. 또한, 에너지선 경화형 중합체의 유리 전이 온도(Tg)는 바람직하게는 -60∼50℃, 더욱 바람직하게는 -50∼40℃, 특히 바람직하게는 -40∼30℃의 범위에 있다.
에너지선 경화형 중합체는 예를 들면, 히드록실기, 카르복실기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 함유하는 아크릴 폴리머와, 상기 관능기와 반응하는 중합성기 함유 화합물을 반응시켜 얻어진다. 상기 중합성기 함유 화합물로는, 상기 관능기와 반응하는 치환기와 에너지선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 1분자마다 1∼5개 갖는 화합물을 들 수 있다. 상기 관능기와 반응하는 치환기로는, 이소시아네이트기, 글리시딜기, 카르복실기 등을 들 수 있다.
중합성기 함유 화합물로는, (메타)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, (메타)아크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트; (메타)아크릴산 등을 들 수 있다.
아크릴 폴리머는 히드록실기, 카르복실기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 갖는 (메타)아크릴 모노머 또는 그 유도체와, 이와 공중합 가능한 다른 (메타)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체로 이루어지는 공중합체인 것이 바람직하다.
히드록실기, 카르복실기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 갖는 (메타)아크릴 모노머 또는 그 유도체로는 예를 들면, 히드록실기를 갖는 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트; 카르복실기를 갖는 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산; 에폭시기를 갖는 글리시딜메타크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트 등을 들 수 있다.
상기 모노머와 공중합 가능한 다른 (메타)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체로는 예를 들면, 알킬기의 탄소수가 1∼18인 알킬(메타)아크릴레이트, 구체적으로는 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고; 고리형 골격을 갖는 (메타)아크릴레이트, 구체적으로는 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸아크릴레이트, 이미드아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 상기 아크릴 폴리머에는, 초산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 등이 공중합되어 있어도 된다.
에너지선 경화형 중합체를 사용하는 경우에도, 상기한 에너지선 중합성 화합물을 병용해도 되고, 또한 바인더 폴리머 성분을 병용해도 된다. 본 실시형태에 있어서의 이면 보호막 형성용 필름 중의 이들 3자의 배합량의 관계는, 에너지선 경화형 중합체 및 바인더 폴리머 성분의 질량의 합계 100질량부에 대해, 에너지선 중합성 화합물이 바람직하게는 1∼1500질량부, 보다 바람직하게는 10∼500질량부, 특히 바람직하게는 20∼200질량부 포함된다. 에너지선 중합성 화합물의 함유량이 상기 수치 범위 내이면, 이면 보호막 형성용 조성물의 경화성을 보다 높일 수 있다.
열경화성 성분 및 에너지선 경화성 성분을 병용하는 경우, 열경화성 성분과 에너지선 경화성 성분의 질량비는 예를 들면, 5:95∼95:5가 바람직하고, 10:90∼90:10이 보다 바람직하며, 15:85∼85:15가 더욱 바람직하다. 열경화성 성분과 에너지선 경화성 성분의 질량비가 상기 수치 범위 내이면, 이면 보호막 형성용 조성물의 경화성을 보다 높일 수 있다.
이면 보호막 형성용 필름에 에너지선 경화성을 부여함으로써, 이면 보호막 형성용 필름을 간편하면서 또한 단시간에 경화할 수 있고, 이면 보호막이 형성된 칩의 생산 효율이 향상된다. 에너지선 경화성 이면 보호막 형성용 필름은 에너지선 조사에 의해 단시간에 경화하기 때문에, 간편하게 이면 보호막을 형성할 수 있어, 생산 효율의 향상에 기여할 수 있다.
이면 보호막 형성용 필름은 상기 바인더 폴리머 성분 및 경화성 성분에 추가로 하기 성분을 포함할 수 있다.
(착색제)
이면 보호막 형성용 필름은 착색제를 함유하는 것이 바람직하다. 이면 보호막 형성용 필름에 착색제를 배합함으로써, 반도체 장치를 기기에 삽입했을 때, 주위의 장치로부터 발생하는 적외선 등을 차폐하고, 이들에 의한 반도체 장치의 오작동을 방지할 수 있다. 추가로, 이면 보호막 형성용 필름에 착색제를 배합함으로써, 이면 보호막 형성용 필름을 경화하여 얻은 이면 보호막에, 제품 번호 등을 인자했을 때의 문자의 시인성이 향상된다. 즉, 이면 보호막이 형성된 반도체 장치나 반도체 칩에서는, 이면 보호막의 표면에 제품 번호 등이 통상 레이저 마킹법(레이저광에 의해 이면 보호막 표면을 절삭하여 인자를 행하는 방법)에 의해 인자되지만, 이면 보호막이 착색제를 함유함으로써, 이면 보호막의 레이저광에 의해 절삭된 부분과 그렇지 않은 부분의 콘트라스트차가 충분히 얻어지고, 시인성이 향상된다. 착색제로는, 유기 또는 무기의 안료 및 염료가 사용된다. 이들 중에서도 전자파나 적외선 차폐성의 점에서 흑색 안료가 바람직하다. 흑색 안료로는, 카본 블랙, 산화철, 이산화망간, 아닐린 블랙, 활성탄 등이 사용되지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 반도체 장치의 신뢰성을 높이는 관점에서는, 카본 블랙이 특히 바람직하다. 착색제는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 본 실시형태에 있어서의 이면 보호막 형성용 필름의 높은 경화성은, 착색제를 사용하고, 자외선의 투과성이 저하한 경우, 특히 바람직하게 발휘된다. 이러한 착색제로는, 가시광의 투과성을 저하시키는 착색제, 적외선, 및 자외선의 투과성을 저하시키는 착색제, 가시광, 적외선, 및 자외선의 투과성을 저하시키는 착색제를 들 수 있다. 이러한 착색제로는, 상기 흑색 안료 외에, 가시광의 파장 영역, 적외선, 및 자외선의 파장 영역, 가시광, 적외선, 및 자외선의 파장 영역에서 흡수성 또는 반사성을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
착색제의 배합량은 이면 보호막 형성용 필름을 구성하는 전체 고형분 100질량부에 대해, 바람직하게는 0.1∼35질량부, 더욱 바람직하게는 0.5∼25질량부, 특히 바람직하게는 1∼15질량부이다. 착색제의 배합량이 상기 하한값 이상이면, 적외선 등을 충분히 차폐할 수 있다. 착색제의 배합량이 상기 상한값 이하이면, 이면 보호막 형성용 조성물의 경화성을 보다 높일 수 있다.
(경화 촉진제)
경화 촉진제는 이면 보호막 형성용 필름의 경화 속도를 조정하기 위해 사용된다. 경화 촉진제는 특히, 경화성 성분에 있어서, 에폭시 수지와 열경화제를 병용하는 경우에 바람직하게 사용된다.
바람직한 경화 촉진제로는, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3차 아민류; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류; 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류; 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐보론염 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로, 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
경화 촉진제는 경화성 성분 100질량부에 대해, 바람직하게는 0.01∼10질량부, 더욱 바람직하게는 0.1∼1질량부의 양으로 포함된다. 경화 촉진제를 상기 범위의 양으로 함유함으로써, 고온도 고습도하에 노출되어도 우수한 접착 특성을 갖고, 혹독한 리플로우 조건에 노출된 경우에도 높은 신뢰성을 달성할 수 있다. 경화 촉진제의 함유량이 적으면, 경화 부족으로 충분한 접착 특성이 얻어지지 않고, 과잉이면, 높은 극성을 갖는 경화 촉진제는 고온도 고습도하에서 이면 보호막 형성용 필름 중을 접착 계면측으로 이동하여 편석함으로써, 반도체 장치의 신뢰성을 저하시킨다.
(커플링제)
커플링제는 이면 보호막 형성용 필름의 칩에 대한 접착성, 밀착성, 및 이면 보호막의 응집성 중 어느 1종 이상을 향상시키기 위해 사용해도 된다. 또한, 커플링제를 사용함으로써, 이면 보호막 형성용 필름을 경화하여 얻어지는 이면 보호막의 내열성을 저해하지 않고, 그 내수성을 향상할 수 있다.
커플링제로는, 바인더 폴리머 성분, 경화성 성분 등이 갖는 관능기와 반응하는 기를 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 커플링제로는, 실란 커플링제가 바람직하다. 이러한 커플링제로는, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-(메타크릴옥시프로필)트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-우레이도프로필트리에톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라설판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 이미다졸실란 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로, 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
커플링제는 바인더 폴리머 성분 및 경화성 성분의 합계 100질량부에 대해, 통상 0.1∼20질량부, 바람직하게는 0.2∼10질량부, 보다 바람직하게는 0.3∼5질량부의 비율로 포함된다. 커플링제의 함유량이 0.1질량부 미만인 경우, 상기의 효과가 얻어지지 않을 가능성이 있고, 20질량부를 초과하면, 아웃 가스의 원인이 될 가능성이 있다. 즉, 커플링제의 함유량이 상기 하한값 이상이면, 상기의 효과가 얻어진다. 커플링제의 함유량이 상기 상한값 이하이면, 아웃 가스의 발생을 억제할 수 있다.
(무기 충전재)
무기 충전재를 이면 보호막 형성용 필름에 배합함으로써, 경화 후의 이면 보호막에 있어서의 열팽창 계수를 조정하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 반도체 칩에 대해 경화 후의 이면 보호막의 열팽창 계수를 최적화함으로써, 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 경화 후의 이면 보호막의 흡습률을 저감시키는 것도 가능해진다.
바람직한 무기 충전재로는, 실리카, 알루미나, 탤크, 탄산칼슘, 산화티탄, 산화철, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말, 이들을 구형화한 비즈, 단결정 섬유 및 유리 섬유 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 실리카 필러 및 알루미나 필러가 바람직하다. 상기 무기 충전재는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 무기 충전재의 함유량은 이면 보호막 형성용 필름을 구성하는 전체 고형분 100질량부에 대해, 통상 1∼80질량부의 범위에서 조정이 가능하다.
(광중합 개시제)
이면 보호막 형성용 필름이 전술한 경화성 성분으로서 에너지선 경화성 성분을 함유하는 경우에는, 그 사용에 있어서, 자외선 등의 에너지선을 조사하여, 에너지선 경화성 성분을 경화시킨다. 이 때, 이면 보호막 형성용 조성물 중에 광중합 개시제를 함유시킴으로써, 중합 경화 시간 및 광선 조사량을 줄일 수 있다.
이러한 광중합 개시제로서 구체적으로는, 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈, 2,4-디에틸티옥산톤, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 벤질, 디벤질, 디아세틸, 1,2-디페닐메탄, 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로파논, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 및 β-클로르안트라퀴논 등을 들 수 있다. 광중합 개시제는 1종류 단독으로, 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
광중합 개시제의 배합 비율은 에너지선 경화성 성분 100질량부에 대해 0.1∼10질량부 포함되는 것이 바람직하고, 1∼5질량부 포함되는 것이 보다 바람직하다. 0.1질량부 미만이면, 광중합의 부족으로 만족스러운 전사성이 얻어지지 않는 경우가 있고, 10질량부를 초과하면, 광중합에 기여하지 않는 잔류물이 생성되어, 이면 보호막 형성용 필름의 경화성이 불충분해지는 경우가 있다. 즉, 광중합 개시제의 배합 비율이 상기 하한값 이상이면, 충분히 광중합하여 만족스러운 전사성이 얻어진다. 광중합 개시제의 배합 비율이 상기 상한값 이하이면, 광중합에 기여하지 않는 잔류물의 생성을 억제하고, 이면 보호막 형성용 필름의 경화성을 보다 높일 수 있다.
(가교제)
이면 보호막 형성용 필름의 초기 접착력 및 응집력을 조절하기 위해, 가교제를 첨가할 수도 있다. 가교제로는 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물 등을 들 수 있다.
상기 유기 다가 이소시아네이트 화합물로는, 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물, 지환족 다가 이소시아네이트 화합물, 및 이들 유기 다가 이소시아네이트 화합물의 3량체, 그리고 이들 유기 다가 이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머 등을 들 수 있다.
유기 다가 이소시아네이트 화합물로는 예를 들면, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-자일릴렌디이소시아네이트, 1,4-자일렌디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트, 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트, 트리메틸올프로판어덱트톨릴렌디이소시아네이트, 및 리신이소시아네이트를 들 수 있다.
상기 유기 다가 이민 화합물로는, N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 및 N,N'-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복시아미드)트리에틸렌멜라민 등을 들 수 있다.
가교제는 바인더 폴리머 성분 및 에너지선 경화형 중합체의 합계량 100질량부에 대해 통상 0.01∼20질량부, 바람직하게는 0.1∼10질량부, 보다 바람직하게는 0.5∼5질량부의 비율로 사용된다. 가교제의 함유량이 상기 수치 범위 내이면, 이면 보호막 형성용 필름의 초기 접착력 및 응집력을 보다 높일 수 있다.
(범용 첨가제)
이면 보호막 형성용 필름에는, 상기 외에, 필요에 따라 각종 첨가제(범용 첨가제)가 배합되어도 된다. 각종 첨가제로는, 레벨링제, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 이온 포착제, 게터링제, 연쇄 이동제 등을 들 수 있다.
(용매)
이면 보호막 형성용 조성물은 추가로 용매를 함유하는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 이면 보호막 형성용 조성물은 취급성이 양호해진다.
상기 용매는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 것으로는 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등의 탄화수소; 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 이소부틸알코올(2-메틸프로판-1-올), 1-부탄올 등의 알코올; 초산에틸 등의 에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤; 테트라히드로푸란 등의 에테르; 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드(아미드 결합을 갖는 화합물) 등을 들 수 있다.
이면 보호막 형성용 조성물이 함유하는 용매는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
용매의 함유량은 이면 보호막 형성용 조성물의 총 질량에 대해, 5∼95질량％가 바람직하고, 7∼93질량％가 보다 바람직하며, 10∼90질량％가 더욱 바람직하다. 용매의 함유량이 상기 하한값 이상이면, 이면 보호막 형성용 조성물의 취급성을 보다 높일 수 있다. 용매의 함유량이 상기 상한값 이하이면, 이면 보호막 형성용 조성물의 경화성을 보다 높일 수 있다.
이면 보호막 형성용 조성물이 함유하는 용매는 이면 보호막 형성용 조성물 중의 함유 성분을 보다 균일하게 혼합할 수 있는 점에서, 메틸에틸케톤 등인 것이 바람직하다.
상기와 같은 각 성분으로 이루어지는 이면 보호막 형성용 조성물을 도포하고, 건조시켜 얻어지는 이면 보호막 형성용 필름은, 접착성과 경화성을 갖고, 미경화 상태에서는 워크(반도체 웨이퍼나 칩 등)에 가압함으로써 용이하게 접착한다. 가압할 때, 이면 보호막 형성용 필름을 가열하면서 첩부해도 된다. 그리고, 경화를 거쳐 최종적으로는 내충격성이 높은 이면 보호막을 부여할 수 있고, 접착 강도도 우수하며, 혹독한 고온도 고습도 조건하에 있어서도 충분한 보호 기능을 유지할 수 있다. 한편, 이면 보호막 형성용 필름은 단층 구조여도 되고, 또한 상기 성분을 포함하는 층을 1층 이상 포함하는 한에 있어서 다층 구조여도 된다.
(이면 보호막 형성용 조성물의 제조 방법)
이면 보호막 형성용 조성물은 이를 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.
각 성분의 배합시에 있어서의 첨가 순서는 특별히 한정되지 않고, 2종 이상의 성분을 동시에 첨가해도 된다.
용매를 사용하는 경우에는, 용매를 용매 이외 중 어느 하나의 배합 성분과 혼합하여 이 배합 성분을 미리 희석해 둠으로써 사용해도 되며, 용매 이외 중 어느 하나의 배합 성분을 미리 희석해 두지 않고, 용매를 이들 배합 성분과 혼합함으로써 사용해도 된다.
배합시에 각 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 교반자 또는 교반 날개 등을 회전시켜 혼합하는 방법; 믹서를 이용하여 혼합하는 방법; 초음파를 가하여 혼합하는 방법 등, 공지의 방법으로부터 적절히 선택하면 된다.
각 성분의 첨가 및 혼합시의 온도와 시간은 각 배합 성분이 열화하지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 되지만, 온도는 15∼30℃인 것이 바람직하다.
(이면 보호막 형성용 필름의 제조 방법)
상기 이면 보호막 형성용 필름은 그 구성 재료를 함유하는 이면 보호막 형성용 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 이면 보호막 형성용 필름의 형성 대상면에 이면 보호막 형성용 조성물을 도공하여, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 이면 보호막 형성용 필름을 형성할 수 있다. 이면 보호막 형성용 조성물 중의 상온에서 기화하지 않는 성분끼리의 함유량의 비율은, 통상, 이면 보호막 형성용 필름의 상기 성분끼리의 함유량의 비율과 동일해진다. 한편, 본 명세서에 있어서, 「상온」이란, 특별히 냉각하거나 가열하지 않은 온도, 즉 평상의 온도를 의미하고, 예를 들면, 15∼25℃의 온도 등을 들 수 있다.
이면 보호막 형성용 조성물의 도공은 공지의 방법으로 행하면 되고, 예를 들면, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 롤 나이프 코터, 커튼 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 메이어 바 코터, 키스 코터 등의 각종 코터를 사용하는 방법을 들 수 있다.
이면 보호막 형성용 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 이면 보호막 형성용 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 이면 보호막 형성용 조성물은 예를 들면, 70∼130℃에서 10초∼5분의 조건으로 건조시키는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 이면 보호막 형성용 조성물은 예를 들면, 80∼130℃에서 20초∼4분의 조건으로 건조시키는 것이 보다 바람직하고, 90∼130℃에서 30초∼3분의 조건으로 건조시키는 것이 더욱 바람직하다. 가열 건조시킬 때의 가열 온도가 상기 하한값 이상이면, 이면 보호막 형성용 조성물을 충분히 경화할 수 있다. 가열 건조시킬 때의 가열 온도가 상기 상한값 이하이면, 워크의 열화를 억제할 수 있다. 가열 건조시킬 때의 건조 시간이 상기 하한값 이상이면, 이면 보호막 형성용 조성물을 충분히 경화할 수 있다. 가열 건조시킬 때의 건조 시간이 상기 상한값 이하이면, 이면 보호막 형성용 필름의 생산성을 향상할 수 있다.
○보호층
본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체에 있어서, 보호층은 이면 보호막 형성용 필름을 보호하는 층으로서 사용된다. 구체적으로는, 반도체 기판의 이면에 이면 보호막 형성용 복합체 중의 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하여, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막 형성용 필름과, 상기 보호층이 이 순서로 적층된 제2 적층체를 얻는 제1 적층 공정과, 상기 제2 적층체의 상기 보호층에 지지 시트를 첩부하여, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막 형성용 필름과, 상기 보호층과, 상기 지지 시트가 이 순서로 적층된 제3 적층체를 얻는 제2 적층 공정과, 상기 제1 적층 공정에서 상기 제2 적층 공정으로 상기 제2 적층체를 반송하는 반송 공정을 포함하는 제3 적층체의 제조 방법에 있어서의 상기 반송 공정에 있어서, 보호층은 (경화 전의) 이면 보호막 형성용 필름의 오염 및 변형을 방지한다.
또한, 반도체 기판의 이면에 이면 보호막 형성용 복합체 중의 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하여, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막 형성용 필름과, 상기 보호층이 이 순서로 적층된 제2 적층체를 얻는 제1 적층 공정과, 상기 제2 적층체의 상기 이면 보호막 형성용 필름을 경화시켜 이면 보호막으로 하는 경화 공정과, 상기 제1 적층 공정에서 상기 경화 공정으로 상기 제2 적층체를 반송하는 반송 공정을 포함하는, 상기 반도체 기판과, 이면 보호막과, 상기 보호층이 이 순서로 적층된 제1 적층체의 제조 방법에 있어서의 상기 반송 공정에 있어서, 보호층은 (경화 전의) 이면 보호막 형성용 필름의 오염 및 변형을 방지한다.
보호층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1∼100㎛인 것이 바람직하고, 2∼95㎛인 것이 보다 바람직하며, 3∼90㎛인 것이 더욱 바람직하다. 보호층의 두께가 상기 하한값 이상이면, 이면 보호막 형성용 필름의 오염 및 변형을 보다 억제할 수 있다. 보호층의 두께가 상기 상한값 이하이면, 이면 보호막 형성용 복합체의 취급성을 보다 높일 수 있다.
보호층의 두께는 예를 들면, 이면 보호막 형성용 복합체를 두께 방향으로 절단한 절단면을 현미경 등을 이용하여 관찰함으로써 구할 수 있다.
보호층으로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 에너지선 경화성 필름, 기재를 예로서 들 수 있다. 에너지선 경화성 필름으로는, 이면 보호막 형성용 필름에서 설명한 에너지선 경화성 필름을 경화시킨 것을 사용할 수 있다. 보호층으로서, 미경화의 에너지선 경화성 필름을 사용하는 경우, 이면 보호막 형성용 필름과는 상이한 종류의 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 보호층으로는, 이하의 보호층용 에너지선 경화성 필름을 사용할 수도 있다. 이하, 보호층으로서 사용 가능한 보호층용 에너지선 경화성 필름 및 보호층용 기재에 대해 설명한다.
(보호층용 에너지선 경화성 필름)
이면 보호막 형성용 필름에서 설명한 에너지선 경화성 필름 이외의 보호층용 에너지선 경화성 필름은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 에너지선 경화형 함유 우레탄 수지를 사용할 수 있다.
에너지선 경화형 함유 우레탄 수지로는, 우레탄(메타)아크릴레이트 수지나 우레탄 폴리머와, 에너지선 중합성 모노머를 주성분으로 하는 에너지선 경화형 수지를 들 수 있다.
한편, 보호층용 에너지선 경화성 필름은 본 실시형태의 제1 적층 공정의 전에 경화해 두는 것이 바람직하다.
(기재)
보호층으로서 사용 가능한 기재로는, 수지 필름이 바람직하다.
상기 수지 필름으로는 예를 들면, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 필름이나 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE) 필름 등의 폴리에틸렌 필름, 에틸렌·프로필렌 공중합체 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌·초산비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름 등을 들 수 있다.
본 발명의 일 양태에서 사용하는 기재는 1종류의 수지 필름으로 이루어지는 단층 필름이어도 되고, 2종류 이상의 수지 필름을 적층한 적층 필름이어도 된다.
또한, 본 발명의 일 양태에 있어서는, 상술한 수지 필름 등의 기재의 표면에, 표면 처리를 실시한 시트를 보호층으로서 사용해도 된다.
이들 수지 필름은 가교 필름이어도 된다.
또한, 이들 수지 필름을 착색한 것, 또는 인쇄를 실시한 것 등도 사용할 수 있다. 또한, 수지 필름은 열가소성 수지를 압출 형성에 의해 시트화한 것이어도 되고, 연신된 것이어도 되며, 경화성 수지를 소정 수단에 의해 박막화 및 경화하여 시트화한 것이 사용되어도 된다.
이들 수지 필름 중에서도, 내열성이 우수하고, 유리 전이 온도가 70℃ 이상인 기재가 바람직하다.
한편, 내열성이 우수한 필름으로는 예를 들면, 폴리에스테르 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리페닐렌설파이드 필름, 시클로올레핀 수지 필름, 폴리이미드 수지 필름, 자외선 경화 수지를 캐스트 제막하여 경화한 필름, 및 이들의 2종 이상의 적층체 등을 들 수 있다.
기재를 사용하는 경우, 기재만을 보호층으로서 사용해도 되고, 기재 상에 점착제층 또는 박리제층을 갖는 시트를 보호층으로서 사용해도 된다. 보호층으로서, 기재 상에 점착제층 또는 박리제층을 갖는 시트를 사용하는 경우, 이면 보호막 형성용 복합체에 있어서, 점착제층 또는 박리제층은 이면 보호막 형성용 필름과 기재 사이에 적층되어 있는 것이 바람직하다.
상기 점착제층은 후술한 지지 시트에서 설명하는 점착제층 중에서, 기재, 이면 보호막 형성용 필름의 종류에 맞춰 적절히 선택할 수 있다.
상기 박리제층은 실리콘계, 올레핀계, 장쇄 알킬계, 알키드계, 불소계 등의 박리제층 중에서, 기재, 이면 보호막 형성용 필름의 종류에 맞춰 적절히 선택할 수 있다.
○박리 필름
본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체(2)에 있어서의 박리 필름(151)으로는, 프로텍트 필름이 바람직하다. 프로텍트 필름은 통상, 기재 필름과, 그 위에 적층되는 점착제층으로 구성된다. 기재 필름은 예를 들면, 열가소성 수지로 구성할 수 있다. 열가소성 수지로는 폴리에틸렌계 수지, 폴리프로필렌계 수지 등의 폴리올레핀계 수지; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지; 폴리카보네이트계 수지; (메타)아크릴계 수지를 예로서 들 수 있다. 점착제층으로는, 아크릴계, 고무계, 우레탄계, 실리콘계로 구성할 수 있다. 본 실시형태의 박리 필름은 첩부 후, 재박리성을 갖는다.
＜＜제3 적층체의 제조 방법＞＞
도 6a∼e는 이면 보호막 형성용 복합체(1)를 사용한 제3 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다. 본 실시형태의 제3 적층체의 제조 방법은, 워크(14)와, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 보호층(12)과, 지지 시트(10)가 이 순서로 적층된 제3 적층체(25)의 제조 방법으로서, 워크(14)의 이면(14b)에 이면 보호막 형성용 복합체(1)의 이면 보호막 형성용 필름(13)을 첩부하여, 워크(14)와, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 보호층(12)이 이 순서로 적층된 제2 적층체(24)를 얻는 제1 적층 공정(도 6b 및 도 6c)과, 제2 적층체(24)에 지지 시트(10)를 첩부하는 제2 적층 공정으로 반송하는 반송 공정(도 6c∼d)과, 보호층(12)에 지지 시트(10)를 첩부하는 제2 적층 공정(도 6d 및 도 6e)을 이 순서로 포함한다.
도 7a∼f는 이면 보호막 형성용 복합체(2)를 사용한 제3 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다. 본 실시형태의 제3 적층체의 제조 방법은, 워크(14)와, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 보호층(12)과, 지지 시트(10)가 이 순서로 적층된 제3 적층체(25)의 제조 방법으로서, 워크(14)의 이면(14b)에 이면 보호막 형성용 복합체(2)의 이면 보호막 형성용 필름(13)을 첩부하여, 워크(14)와, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 보호층(12)과, 박리 필름(151)이 이 순서로 적층된 적층체를 얻는 제1 적층 공정(도 7b 및 도 7c)과, 상기 적층체로부터 박리 필름(151)을 박리한 후, 보호층(12)에 지지 시트(10)를 첩부하는 제2 적층 공정으로 반송하는 반송 공정(도 7c∼e)과, 보호층(12)에 지지 시트(10)를 첩부하는 제2 적층 공정(도 7e 및 도 7f)을 이 순서로 포함한다.
＜＜제1 적층체의 제조 방법＞＞
도 4a∼d는 이면 보호막 형성용 복합체(1)를 사용한 제1 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다. 본 실시형태의 제1 적층체의 제조 방법은, 워크(14)와, 이면 보호막(13')과, 보호층(12)이 이 순서로 적층된 제1 적층체(23)의 제조 방법으로서, 워크(14)의 이면(14b)에 이면 보호막 형성용 복합체(1)의 이면 보호막 형성용 필름(13)을 첩부하여, 워크(14)와, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 보호층(12)이 이 순서로 적층된 제2 적층체(24)를 얻는 제1 적층 공정(도 4b 및 도 4c)과, 제2 적층체(24)를 이면 보호막 형성용 필름(13)을 경화시켜 이면 보호막(13')으로 하는 경화 공정으로 반송하는 반송 공정(도 4c∼d)과, 제2 적층체(24)의 이면 보호막 형성용 필름(13)을 경화시켜 이면 보호막(13')으로 하는 경화 공정(도 4d)을 이 순서로 포함한다.
도 5a∼e는 이면 보호막 형성용 복합체(2)를 사용한 제1 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다. 본 실시형태의 제1 적층체의 제조 방법은, 워크(14)와, 이면 보호막(13')과, 보호층(12)이 이 순서로 적층된 제1 적층체(23)의 제조 방법으로서, 워크(14)의 이면(14b)에 이면 보호막 형성용 복합체(2)의 이면 보호막 형성용 필름(13)을 첩부하여, 워크(14)와, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 보호층(12)과, 박리 필름(151)이 이 순서로 적층된 적층체를 얻는 제1 적층 공정(도 5b 및 도 5c)과, 상기 적층체로부터 박리 필름(151)을 박리하여 제2 적층체(24)를 얻는 공정과, 제2 적층체(24)를 이면 보호막 형성용 필름(13)을 경화시켜 이면 보호막(13')으로 하는 경화 공정으로 반송하는 반송 공정(도 5d∼e)과, 제2 적층체(24)의 이면 보호막 형성용 필름(13)을 경화시켜 이면 보호막(13')으로 하는 경화 공정(도 5e)을 이 순서로 포함한다.
이하, 제1 적층체의 제조 방법 및 제3 적층체의 제조 방법에 대해 공통의 항목에 대해 설명을 행한다. 본 실시형태에 있어서, 도 4a, 도 5a, 도 6a, 및 도 7a에 나타나는 워크(14)로서, 반도체 웨이퍼를 사용하고 있다. 반도체 웨이퍼의 한쪽 면은 회로면이고, 범프가 형성되어 있다. 또한, 반도체 웨이퍼의 회로면 및 범프가 반도체 웨이퍼의 이면 연삭시에 찌그러지거나, 웨이퍼 이면에 있어서의 딤플이나 크랙이 발생하는 것을 방지하기 위해, 반도체 웨이퍼의 회로면 및 범프는 회로면 보호용 테이프(17)에 의해 보호되고 있다. 회로면 보호용 테이프(17)는 이면 연삭용 테이프이고, 워크(14)인 반도체 웨이퍼의 이면(즉, 워크의 이면)은 연삭된 면이다. 한편, 도 4a∼d, 도 5a∼e로 나타내는 제1 적층체의 제조 방법에 있어서는 도시되어 있지 않지만, 제1 적층체의 제조 방법에 있어서도 반도체 웨이퍼의 회로면 및 범프는, 회로면 보호용 테이프(17)에 의해 보호되고 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 도 4d 또는 도 5e로 나타내는 경화 공정 전 중 어느 하나의 단계에서, 회로면 보호용 테이프를 박리시키는 것이 바람직하다.
워크(14)로는, 한쪽에 회로면을 갖고, 다른 쪽 면이 이면이라고 할 수 있는 것이면 한정되지 않는다. 워크(14)로서, 한쪽에 회로면을 갖는 반도체 웨이퍼나, 개편화되어 개개의 전자 부품이 봉지 수지로 봉지되고, 한편, 단자가 형성된 반도체 장치의 단자 형성면(다시 말하면, 회로면)을 갖는 단자가 형성된 반도체 장치 집합체로 이루어지는 반도체 장치 패널 등을 예시할 수 있다.
회로면 보호용 테이프(17)로는 예를 들면, 일본 공개특허공보 2016-192488호, 일본 공개특허공보 2009-141265호에 개시된 표면 보호용 시트를 사용할 수 있다. 회로면 보호용 테이프(17)는 적당한 재박리성을 갖는 점착제층을 구비하고 있다. 상기 점착제층은 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 우레탄계, 비닐에테르계 등 범용의 약점착 타입의 점착제로부터 형성되어도 된다. 또한, 상기 점착제층은 에너지선의 조사에 의해 경화하여 재박리가 가능해지는 에너지선 경화형 점착제여도 된다.
제3 적층체의 제조 방법에 있어서는, 상기 제1 적층 공정(도 6b∼c 또는 도 7b∼d)과, 상기 제2 적층 공정(도 6d∼e 또는 도 7e∼f)을 별도의 장치로 행해도 된다(이하, 방법 1이라고도 한다).
제3 적층체의 제조 방법에 있어서는, 상기 제1 적층 공정부터 상기 제2 적층 공정까지의 사이(도 6b∼e 또는 도 7b∼f)를, 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하는 장치와 지지 시트를 첩부하는 장치를 연결시켜 행하거나, 또는 동일한 장치 내에서 행하는(이하, 방법 2라고도 한다) 것이 바람직하다.
제1 적층체의 제조 방법에 있어서는, 상기 제1 적층 공정(도 4b∼c 또는 도 5b∼d)과, 상기 경화 공정(도 4d 또는 도 5e)을 별도의 장치로 행해도 된다(이하, 방법 3이라고도 한다).
제1 적층체의 제조 방법에 있어서는, 상기 제1 적층 공정부터 상기 경화 공정까지의 사이(도 4b∼d, 도 5b∼e)를, 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하는 장치와 이면 보호막 형성용 필름을 경화시키는 장치를 연결시켜 행하거나, 또는 동일한 장치 내에서 행하는(이하, 방법 4라고도 한다) 것이 바람직하다.
방법 2에 있어서는, 상기 제1 적층 공정부터 상기 제2 적층 공정까지의 사이에 있어서, 워크(14)에 이면 보호막 형성용 필름(13) 및 보호층(12)이 적층된 제2 적층체를 카세트에 수용하지 않고, 도 6d∼e 또는 도 7e∼f에 나타나는 제2 적층 공정에 한 장씩 반송할 수 있다.
방법 4에 있어서는, 상기 제1 적층 공정부터 상기 경화 공정까지의 사이에 있어서, 워크(14)에 이면 보호막 형성용 필름(13) 및 보호층(12)이 적층된 제2 적층체를 카세트에 수용하지 않고, 도 4d 또는 도 5e에 나타나는 경화 공정에 한 장씩 반송할 수 있다.
동일 장치 내에서 행함으로써, 장치 스페이스를 보다 저감할 수 있다. 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하는 장치와, 지지 시트를 첩부하는 장치(또는 이면 보호막 형성용 필름을 경화시키는 장치)를 연결시켜 행함으로써, 처음부터 설계하지 않더라도 종래의 장치를 개조함으로써 대응할 수 있어, 초기 비용의 저감이 가능하다. 그리고, 제2 적층체가 카세트에 수용되어 장치 외로 반송되는 경우가 없기 때문에, 생산 효율이 향상하고, 또한 제2 적층체의 오염을 억제할 수 있다.
제1 적층 공정에 사용하는 이면 보호막 형성용 필름(13) 및 보호층(12)은, 사전에 워크의 형상으로 가공되고 있어도 되고, 제1 적층 공정을 행하기 직전에 동일 장치 내에서 가공되어도 된다.
또한, 이면 보호막 형성용 필름(13) 및 보호층(12)은 제1 적층 공정을 행한 후 이하와 같이 가공되어도 된다. 이면 보호막 형성용 복합체(1)를 사용하는 경우, 제1 적층 공정에 있어서, 워크(14)의 이면에 이면 보호막 형성용 복합체(1)의 이면 보호막 형성용 필름(13)을 첩부하여, 워크(14)와, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 보호층(12)이 이 순서로 적층된 제2 적층체를 얻은 후, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 보호층(12)은 워크의 형상으로 가공된다.
이면 보호막 형성용 복합체(2)를 사용하는 경우, 제1 적층 공정에 있어서, 워크(14)의 이면에 이면 보호막 형성용 복합체(2)의 이면 보호막 형성용 필름(13)을 첩부하고, 박리 필름(151)을 박리하여, 워크(14)와, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 보호층(12)이 이 순서로 적층된 적층체를 얻은 후, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 보호층(12)은 워크의 형상으로 가공된다.
또한, 다른 실시형태에 있어서는, 상기 제1 적층 공정의 첩부 개시 지점부터 상기 제2 적층 공정의 첩부 완료 지점(또는 상기 제1 적층 공정의 첩부 개시 지점부터 상기 경화 공정의 경화 완료 지점)까지의 사이의 워크(14)의 반송 거리를 7000㎜ 이하로 설계할 수 있어, 장치 스페이스를 저감시킬 수 있다. 상기 제1 적층 공정의 첩부 개시 지점부터 상기 제2 적층 공정의 첩부 완료 지점(또는 상기 제1 적층 공정의 첩부 개시 지점부터 상기 경화 공정의 경화 완료 지점)까지의 사이의 워크(14)의 반송 거리는, 6500㎜ 이하로 할 수도 있고, 6000㎜ 이하로 할 수도 있으며, 4500㎜ 이하로 할 수도 있고, 3000㎜ 이하로 할 수도 있다. 워크(14)의 반송 거리의 하한값은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 100㎜로 할 수 있다.
또한, 또 다른 실시형태에 있어서는, 상기 제1 적층 공정의 첩부 개시시부터 상기 제2 적층 공정의 첩부 완료시(또는 상기 제1 적층 공정의 첩부 개시시부터 상기 경화 공정의 경화 완료시)까지의 사이의 워크(14)의 반송 시간을 400s 이하로 할 수 있어, 공정 시간을 단축할 수 있다. 상기 제1 적층 공정의 첩부 개시시부터 상기 제2 적층 공정의 첩부 완료시(또는 상기 제1 적층 공정의 첩부 개시시부터 상기 경화 공정의 경화 완료시)까지의 사이의 워크(14)의 반송 시간은, 300s 이하로 할 수도 있고, 250s 이하로 할 수도 있으며, 200s 이하로 할 수도 있고, 150s 이하로 할 수도 있다. 워크(14)의 반송 시간의 하한값은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 10s로 할 수 있다.
제1 적층체의 제조 방법 및 제3 적층체의 제조 방법에 있어서의 제1 적층 공정에 있어서 워크(14)에 이면 보호막 형성용 필름(13)의 노출면을 첩부하는 속도, 및 제3 적층체의 제조 방법에 있어서의 제2 적층 공정에 있어서 보호층(12)의 노출면에 지지 시트(10)를 첩부하는 속도는, 100㎜/초 이하로 할 수도 있고, 80㎜/초 이하로 할 수도 있으며, 60㎜/초 이하로 할 수도 있고, 40㎜/초 이하로 할 수도 있다. 제1 적층 공정에 있어서의 상기 첩부하는 속도 및 제2 적층 공정에 있어서의 상기 첩부하는 속도가 상기 상한값 이하임으로써, 워크(14)와 이면 보호막 형성용 필름(13) 사이의 밀착성, 보호층(12)과 지지 시트(10) 사이의 밀착성을 양호한 것으로 할 수 있다.
제1 적층 공정에 있어서의 상기 첩부하는 속도 및 제2 적층 공정에 있어서의 상기 첩부하는 속도는, 2㎜/초 이상으로 할 수도 있고, 5㎜/초 이상으로 할 수도 있으며, 10㎜/초 이상으로 할 수도 있다. 제1 적층 공정에 있어서의 상기 첩부하는 속도 및 제2 적층 공정에 있어서의 상기 첩부하는 속도가 상기 하한값 이상임으로써, 제1 적층체(23) 및 제3 적층체(25)의 생산 효율을 향상시킴과 함께, 제1 적층 공정의 첩부 개시시부터 제2 적층 공정의 첩부 완료시(또는 제1 적층 공정의 첩부 개시시부터 경화 공정의 경화 완료시)까지의 사이의 워크(14)의 반송 시간을 400s 이하로 할 수 있다.
본 실시형태의 제1 적층체의 제조 방법 및 제3 적층체의 제조 방법은, 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하는 장치와, 지지 시트를 첩부하는 장치(또는 이면 보호막 형성용 필름을 경화시키는 장치)를 연결시켜 행하거나, 또는 동일한 장치 내에서 행할 수 있다.
동일한 장치로는 예를 들면, 이면 보호막 형성용 필름 첩부 테이블, 지지 시트 첩부 테이블(또는 경화 유닛), 및 반송 암을 구비하는 장치에 의해 실시할 수 있다.
구체적으로는, 상기 장치에 투입된 워크는 반송 암에 의해, 이면 보호막 형성용 필름 첩부 테이블로 반송되고, 상기 워크의 이면측에 이면 보호막 형성 복합체(1)의 이면 보호막 형성용 필름이 첩부된다(제1 적층 공정).
반송 암의 흡착공을 갖는 흡착면을 상기 제1 적층 공정에서 얻어진 적층체의 보호층면에 흡착시키고, 지지 시트를 첩부하는 제2 적층 공정(또는 이면 보호막 형성용 필름을 경화하는 경화 공정)으로 반송한다(반송 공정).
상기 반송 공정 후, 보호층에 지지 시트를 첩부함으로써, 워크와, 이면 보호막 형성용 필름과, 보호층과, 지지 시트가 이 순서로 적층된 제3 적층체를 얻는다(제2 적층 공정).
또한, 상기 반송 공정 후, 이면 보호막 형성용 필름을 경화함으로써, 워크와, 이면 보호막과, 보호층이 이 순서로 적층된 제1 적층체를 얻는다(경화 공정).
본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체(1)를 사용함으로써, 상기 반송 공정에 있어서의 이면 보호막 형성용 필름(13)의 오염 및 변형을 방지할 수 있다.
상기 장치는 이면 보호막 형성용 필름 첩부 테이블을 1∼5개 구비하는 것이 바람직하고, 1∼3개 구비하는 것이 보다 바람직하다. 장치 내의 이면 보호막 형성용 필름 첩부 테이블의 수가 상기 범위의 하한값 이상이면, 생산 효율이 높아지고, 상한값 이하이면, 장치의 스페이스를 저감할 수 있다.
상기 장치는 지지 시트 첩부 테이블을 1∼5개 구비하는 것이 바람직하고, 1∼3개 구비하는 것이 보다 바람직하다. 장치 내의 지지 시트 첩부 테이블의 수가 상기 범위의 하한값 이상이면, 생산 효율이 높아지고, 상한값 이하이면, 장치의 스페이스를 저감할 수 있다.
상기 장치는 반송 암을 각 반송 경로에 맞춰 구비하는 것이 바람직하다. 테이블의 총수에 대한 반송 암의 수의 비율을 1 이상으로 하면, 생산 효율을 높일 수 있다. 또한, 테이블을 2개 이상 구비하는 경우, 테이블의 총수에 대한 반송 암의 수의 비율을 0 초과 1 미만(예를 들면, 2개의 테이블에 대해 반송 암의 총수가 1)으로 하면, 장치의 스페이스의 저감이 가능해진다.
이면 보호막 형성용 필름을 첩부하는 장치와 지지 시트를 첩부하는 장치를 연결시켜 행하는 구체예로는, 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하는 기구를 갖는 장치와, 지지 시트를 첩부하는 기구를 갖는 장치를 연속시키고, 각 기구 사이에 있어서, 워크(14)에 이면 보호막 형성용 필름(13)이 첩부된 제2 적층체를, 반송 암을 이용하여 한 장씩 반송하는 방법을 들 수 있다.
이면 보호막 형성용 필름을 첩부하는 장치와 이면 보호막 형성용 필름을 경화하는 장치를 연결시켜 행하는 구체예로는, 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하는 기구를 갖는 장치와, 이면 보호막 형성용 필름을 경화시키는 기구를 갖는 장치를 연속시키고, 각 기구 사이에 있어서, 워크(14)에 이면 보호막 형성용 필름(13)이 첩부된 제2 적층체를, 반송 암을 이용하여 한 장씩 반송하는 방법을 들 수 있다.
본 실시형태의 제1 적층체의 제조 방법 및 제3 적층체의 제조 방법에 있어서의 제1 적층 공정은 이하의 방법에 의해 행하는 것이 바람직하다. 이하에서는, 제1 적층 공정에 사용하는 이면 보호막 형성용 필름(13) 및 보호층(12)을, 사전에 워크의 형상으로 가공하는, 또는 제1 적층 공정을 행하기 직전에 동일 장치 내에서 가공하는 경우에 대해 설명을 행한다.
본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체(2)의 이면 보호막 형성용 필름(13)의 최표면에 박리 필름(152)을 갖는 도 9에서 나타내는 띠 형상의 이면 보호막 형성용 복합체(3)를 준비한다.
띠 형상의 이면 보호막 형성용 복합체(3)는 롤 형상으로 감겨져 보존되는 것이 바람직하다.
우선, 박리 필름(152)을 박리하고, 이면 보호막 형성용 필름(13)과 보호층(12)을 워크(14)의 형상으로 절단 가공한다. 그리고, 외주부의 이면 보호막 형성용 필름(13), 보호층(12)으로 이루어지는 적층체를 권취함으로써 제거한다.
보호층(12)을 갖지 않는 경우, 상술한 외주부의 권취는 이면 보호막 형성용 필름(13)만을 권취하게 된다. 이면 보호막 형성용 필름(13)은 얇고, 취약하기 때문에, 권취를 행할 때 절단이 일어날 가능성이 있고, 외주부의 권취가 잘 행해지지 않는 경우가 있다.
본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체(3)를 사용하면, 상술한 외주부의 권취는 이면 보호막 형성용 필름(13), 보호층(12)으로 이루어지는 적층체를 권취하게 된다. 보호층(12)을 가짐으로써, 적층체가 두꺼워지고, 강도도 높아지기 때문에, 권취를 행할 때의 절단이 일어날 가능성이 낮아져, 외주부의 권취를 효율적으로 행하는 것이 가능해진다.
이와 같이 워크의 형상으로 절단 가공된, 본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체(2)를 워크(14)의 이면에 첩부하여, 워크(14)와, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 보호층(12)과, 박리 필름(151)이 이 순서로 적층된 적층체를 얻는다. 상술한 바와 같이, 박리 필름(151)은 절단 가공되어 있지 않기 때문에, 띠 형상인 상태이다. 띠 형상의 박리 필름(151)을 권취함으로써, 박리 필름(151)을 박리하고, 워크(14)와, 이면 보호막 형성용 필름(13)과, 보호층(12)이 이 순서로 적층된 제2 적층체(24)를 얻는다.
제3 적층체의 제조 방법에 있어서의 도 6d 또는 도 7e에 나타나는 제2 적층 공정에 있어서, 보호층(12)에 지지 시트(10)를 적층한다. 지지 시트(10)는 예를 들면, 두께 80㎛, 직경이 270㎜인 원형의 폴리올레핀 필름이고, 외주부에 지그용 접착제층을 구비하고 있어도 된다. 본 실시형태에서는, 워크(14)는 이면 보호막 형성용 필름(13) 및 보호층(12)과 함께 고정용 지그(18)에 고정되어 있어도 된다. 그리고, 보호층(12)에 지지 시트(10)를 적층함과 함께, 고정용 지그(18)에 고정되어 있어도 된다(도 6e 또는 도 7f).
＜지지 시트＞
본 발명의 일 양태에서 사용하는 지지 시트(10)로는, 기재(101)만으로 구성된 시트나, 기재(101) 상에 점착제층(102)을 갖는 점착 시트를 들 수 있다.
본 발명의 일 양태의 제3 적층체가 갖는 지지 시트는 이면 보호막 형성용 필름의 표면에 티끌 등의 부착을 방지하는 박리 시트, 또는 다이싱 공정 등에서 이면 보호막 형성용 필름의 면을 보호하기 위한 다이싱 시트 등의 역할을 달성하는 것이다.
지지 시트의 두께로는, 용도에 따라 적절히 선택되지만, 복합 시트에 충분한 가요성을 부여하고, 실리콘 웨이퍼에 대한 첩부성을 양호하게 하는 관점에서, 바람직하게는 10∼500㎛, 보다 바람직하게는 20∼350㎛, 더욱 바람직하게는 30∼200㎛이다.
한편, 상기 지지 시트의 두께에는, 지지 시트를 구성하는 기재의 두께뿐만 아니라, 점착제층을 갖는 경우에는, 이들 층이나 막의 두께도 포함한다.
지지 시트(10)를 구성하는 기재(101)로는, 보호층에서 설명한 기재를 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 양태에 있어서는, 상술한 수지 필름 등의 기재의 표면에, 표면 처리를 실시한 시트를 지지 시트로서 사용해도 된다.
이들 수지 필름 중에서도, 내열성이 우수하고, 또한 적당한 유연성을 갖기 때문에 익스팬드 적성을 가지며, 픽업 적성도 유지되기 쉽다는 관점에서, 폴리프로필렌 필름을 포함하는 기재가 바람직하다.
한편, 폴리프로필렌 필름을 포함하는 기재의 구성으로는, 폴리프로필렌 필름만으로 이루어지는 단층 구조여도 되고, 폴리프로필렌 필름과 다른 수지 필름으로 이루어지는 복층 구조여도 된다.
이면 보호막 형성용 필름이 열경화성인 경우, 기재를 구성하는 수지 필름이 내열성을 가짐으로써, 기재의 열에 의한 데미지를 억제하고, 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서의 문제의 발생을 억제할 수 있다.
지지 시트로서, 기재만으로 구성된 시트를 사용하는 경우, 상기 기재의 이면 보호막 형성용 필름의 표면과 접하는 면의 표면 장력으로는, 박리력을 일정한 범위로 조절하는 관점에서, 바람직하게는 20∼50mN/m, 보다 바람직하게는 23∼45mN/m, 더욱 바람직하게는 25∼40mN/m이다.
지지 시트를 구성하는 기재의 두께로는, 바람직하게는 10∼500㎛, 보다 바람직하게는 15∼300㎛, 더욱 바람직하게는 20∼200㎛이다.
(점착 시트)
본 발명의 일 양태로 지지 시트(10)로서 사용하는 점착 시트로는, 상술한 수지 필름 등의 기재(101) 상에, 점착제로부터 형성한 점착제층(102)을 갖는 것을 들 수 있다.
도 8은 기재(101) 상에 점착제층(102)이 형성된 지지 시트(10)의 일 예를 나타내는 개략 단면도이다.
지지 시트(10)가 점착제층(102)을 구비하는 것일 때는, 제2 적층 공정에 있어서, 보호층(12)에 지지 시트(10)의 점착제층(102)을 적층한다.
점착제층의 형성 재료인 점착제로는, 점착성 수지를 포함하는 점착제 조성물을 들 수 있고, 상기 점착제 조성물은 추가로 상술한 가교제나 점착 부여제 등의 범용 첨가제를 함유해도 된다.
상기 점착성 수지로는, 그 수지의 구조에 주목한 경우, 예를 들면, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지, 실리콘계 수지, 비닐 에테르계 수지 등을 들 수 있고, 그 수지의 기능에 주목한 경우, 예를 들면, 에너지선 경화형 점착제나, 가열 발포형 점착제, 에너지선 발포형 점착제 등을 들 수 있다.
본 발명의 일 양태에 있어서는, 지지 시트의 점착제층(102)은 보호층과의 밀착성을 확보하기 위해 강점착제층이 바람직하다. 에너지선 경화형 수지를 포함하는 점착제 조성물로부터 형성된 에너지선 경화성 점착제층이어도 된다.
또한, 박리력을 일정한 범위로 조정하는 관점에서, 아크릴계 수지를 포함하는 점착제가 바람직하다.
상기 아크릴계 수지로는, 알킬(메타)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위(x1)를 갖는 아크릴계 중합체가 바람직하고, 구성 단위(x1)와, 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구성 단위(x2)를 갖는 아크릴계 공중합체가 보다 바람직하다.
상기 알킬(메타)아크릴레이트가 갖는 알킬기의 탄소수로는, 바람직하게는 1∼18, 보다 바람직하게는 1∼12, 더욱 바람직하게는 1∼8이다.
상기 알킬(메타)아크릴레이트로는, 상술한 바인더 폴리머 성분의 부분에서 설명한 알킬(메타)아크릴레이트와 동일한 것을 들 수 있다.
한편, 알킬(메타)아크릴레이트는 단독으로 또는 2종 이상을 병용해도 된다.
구성 단위(x1)의 함유량은 아크릴계 중합체의 전체 구성 단위(100질량％)에 대해, 통상 50∼100질량％, 바람직하게는 50∼99.9질량％, 보다 바람직하게는 60∼99질량％, 더욱 바람직하게는 70∼95질량％이다.
상기 관능기 함유 모노머로는 예를 들면, 히드록시기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있고, 각각의 모노머의 구체예는 바인더 폴리머 성분의 부분에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
한편, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용해도 된다.
구성 단위(x2)의 함유량은 아크릴계 중합체의 전체 구성 단위(100질량％)에 대해, 통상 0∼40질량％, 바람직하게는 0.1∼40질량％, 보다 바람직하게는 1∼30질량％, 더욱 바람직하게는 5∼20질량％이다.
또한, 본 발명의 일 양태에서 사용하는 아크릴계 수지로는, 상기 구성 단위(x1) 및 (x2)를 갖는 아크릴계 공중합체에 대해, 추가로 에너지선 중합성기를 갖는 화합물과 반응하여 얻어지는, 에너지선 경화형 아크릴계 수지여도 된다.
에너지선 중합성기를 갖는 화합물로는, (메타)아크릴로일기, 비닐기 등의 중합성기를 갖는 화합물이면 된다.
아크릴계 수지를 포함하는 점착제를 사용하는 경우, 박리력을 일정한 범위로 조정하는 관점에서, 아크릴계 수지와 함께, 가교제를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 가교제로는 예를 들면, 이소시아네이트계 가교제, 이민계 가교제, 에폭시계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 카르보디이미드계 가교제 등을 들 수 있지만, 박리력을 일정한 범위로 조정하는 관점에서, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다.
가교제의 함유량은 상기 점착제 중에 포함되는 아크릴계 수지의 전체 질량(100질량부)에 대해, 바람직하게는 0.01∼20질량부, 보다 바람직하게는 0.1∼15질량부, 더욱 바람직하게는 0.5∼10질량부, 보다 더욱 바람직하게는 1∼8질량부이다.
지지 시트(10)는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 된다. 지지 시트가 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층의 구성 재료 및 두께는 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한, 특별히 한정되지 않는다.
한편, 본 명세서에 있어서는, 지지 시트의 경우에 한정하지 않고, 「복수층이 서로 동일해도 상이해도 된다」란, 「모든 층이 동일해도 되고, 모든 층이 상이해도 되며, 일부의 층만이 동일해도 된다」는 것을 의미하고, 또한 「복수층이 서로 상이하다」란, 「각 층의 구성 재료 및 두께 중 적어도 한쪽이 서로 상이하다」는 것을 의미한다.
지지 시트는 투명해도 되고, 불투명해도 되며, 목적에 따라 착색되어 있어도 된다.
예를 들면, 이면 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성을 갖는 경우에는, 지지 시트는 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다.
예를 들면, 이면 보호막 형성용 필름을 지지 시트를 개재하여 광학적으로 검사하기 위해서는, 지지 시트는 투명한 것이 바람직하다.
본 실시형태에 있어서, 워크(14)의 회로면은 회로면 보호용 테이프(17)로 보호되고 있고, 상기 제2 적층 공정 후, 워크(14)의 회로면으로부터, 회로면 보호용 테이프(17)를 박리하는 박리 공정을 포함할 수 있다. 본 실시형태에 있어서, 회로면 보호용 테이프(17)는 회로면에 점착되어 있는 측에 점착제층을 갖는다. 상기 점착제층은 워크에 대해 적당한 재박리성을 갖고 있으면 그 종류는 한정되지 않고, 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 우레탄계, 비닐에테르계 등의 범용의 점착제로부터 형성되어도 된다. 또한, 에너지선의 조사에 의해 경화하여 재박리성이 되는 에너지선 경화형 점착제로부터 형성되어도 된다. 점착제층이 에너지선 경화형 점착제로부터 형성되어 있는 경우, 상기 박리 공정에 있어서는, 회로면 보호용 테이프(17)의 점착제층에 에너지선을 조사하고, 점착제층을 경화하여 재박리를 가능하게 함으로써, 워크(14)의 회로면으로부터, 회로면 보호용 테이프(17)를 용이하게 박리시킬 수 있다.
본 실시형태의 제3 적층체의 제조 방법은, 이면 보호막 형성용 필름(13)에, 지지 시트(10)측으로부터 레이저를 조사하여 레이저 마킹하는 공정을 포함하는 것이어도 된다. 본 실시형태의 제3 적층체의 제조 방법은, 보호층(12)에 지지 시트(10)를 적층하므로, 지지 시트(10)측으로부터 지지 시트 및 보호층 너머로 레이저를 조사하면, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 보호층(12)과 접하고 있는 면에 레이저 마킹할 수 있다.
본 실시형태의 제1 적층체의 제조 방법은, 이면 보호막 형성용 필름(13) 또는 이면 보호막(13')에 레이저를 조사하여 레이저 마킹하는 공정을 포함하는 것이어도 된다.
제1 적층체의 제조 방법 및 제3 적층체의 제조 방법에 있어서, 본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체(1)를 사용함으로써, 이면 보호막 형성용 필름(13)의 오염 및 변형이 방지된다. 따라서, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 경화하여 얻어지는 이면 보호막(13')의 오염 및 변형도 방지된다. 이면 보호막 형성용 필름(13) 또는 이면 보호막(13')이 오염 및 변형되고 있는 경우(표면에 요철을 갖는 경우), 지지 시트(10) 너머로 레이저를 조사하여 레이저 마킹을 행한 경우, 인자에 문제가 발생하여, 인자 후의 시인성이 나빠진다는 문제가 발생한다.
제1 적층체의 제조 방법 및 제3 적층체의 제조 방법에 있어서, 본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체(1)를 사용함으로써, 이면 보호막 형성용 필름(13)(이면 보호막(13'))의 오염 및 변형이 억제되고, 결과적으로, 상기 인자의 문제가 억제되어, 인자 후의 시인성이 양호해진다.
＜＜제4 적층체의 제조 방법＞＞
본 실시형태의 제4 적층체의 제조 방법은, 상기 제3 적층체의 제조 방법으로 제조된 제3 적층체(25)의 이면 보호막 형성용 필름(13)을 경화시켜 이면 보호막(13')으로 하는 경화 공정을 포함하는, 워크(14)와, 이면 보호막(13')과, 보호층(12)과, 지지 시트(10)가 이 순서로 적층된 제4 적층체(26)의 제조 방법이다.
또한, 본 실시형태의 제4 적층체의 제조 방법은, 상기 제1 적층체의 제조 방법으로 제조된 제1 적층체(23)의 보호층(12)에 지지 시트(10)를 첩부하여, 워크(14)와, 이면 보호막(13')과, 보호층(12)과, 지지 시트(10)가 이 순서로 적층된 제4 적층체를 얻는 제2 적층 공정을 포함하는 제4 적층체(26)의 제조 방법이다.
도 10a∼c는 제4 적층체의 제조 방법의 실시형태의 일 예를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다. 본 실시형태의 제4 적층체의 제조 방법은, 상기 제3 적층체의 제조 방법에 있어서의 상기 제2 적층 공정 후, 워크(14)의 회로면으로부터, 회로면 보호용 테이프(17)를 박리하는 박리 공정(도 10a)과, 이면 보호막 형성용 필름(13)에 지지 시트(10)측으로부터 레이저를 조사하여 레이저 마킹하는 공정(도 10b)과, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 경화시켜 이면 보호막(13')으로 하는 경화 공정(도 10c)을 포함한다. 본 실시형태에서는 열경화성 이면 보호막 형성용 필름을 사용하고 있고, 본 실시형태의 경화 공정에서는, 130℃, 2h의 조건으로 열경화시키고 있다.
열경화성 이면 보호막 형성용 필름을 열처리하여 열경화시키고, 이면 보호막을 형성할 때의 경화 조건은 이면 보호막이 충분히 그 기능을 발휘하는 정도의 경화도가 되는 한, 특별히 한정되지 않고, 열경화성 이면 보호막 형성용 필름의 종류에 따라, 적절히 선택하면 된다.
예를 들면, 열경화시의 가열 온도는 100∼200℃인 것이 바람직하고, 110∼180℃인 것이 보다 바람직하며, 120∼170℃인 것이 특히 바람직하다. 그리고, 상기 열경화시의 가열 시간은 0.5∼5시간인 것이 바람직하고, 0.5∼3시간인 것이 보다 바람직하며, 1∼2시간인 것이 특히 바람직하다. 경화 공정에 있어서, 열경화시키는 경우, 상기 박리 공정의 순서는 회로면 보호용 테이프(17)의 내열성을 고려하여, 경화 공정보다 전인 것이 바람직하다.
도 11a∼c는 제4 적층체의 제조 방법의 실시형태의 다른 일 예를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다. 본 실시형태의 제4 적층체의 제조 방법은, 상기 제3 적층체의 제조 방법에 있어서의 상기 제2 적층 공정 후, 워크(14)의 회로면으로부터, 회로면 보호용 테이프(17)를 박리하는 박리 공정(도 11a)과, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 경화시켜 이면 보호막(13')으로 하는 경화 공정(도 11b)과, 이면 보호막(13')에 지지 시트(10)측으로부터 레이저를 조사하여 레이저 마킹하는 공정(도 11c)을 포함한다.
도 12a, b는 제4 적층체의 제조 방법의 실시형태의 다른 일 예를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다. 본 실시형태의 제4 적층체의 제조 방법은, 상기 제1 적층체의 제조 방법에 의해 제조된 제1 적층체(23)에 지지 시트를 첩부하는 제2 적층 공정을 포함한다. 회로면 보호용 테이프(17)를 박리하는 공정 및 지지 시트(10)측으로부터 레이저를 조사하여 레이저 마킹하는 공정은, 제1 적층체(23)를 제조하는 공정 내에 갖고 있어도 되고, 도 12a, b로 나타나는 제1 적층체(23)로부터 제4 적층체(26)를 제조하는 공정 내에 갖고 있어도 된다.
＜＜이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법＞＞
도 12c∼e 및 도 13a∼c는 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법의 실시형태의 일 예를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다. 본 실시형태의 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법은, 상기 제4 적층체의 제조 방법으로 제조된 제4 적층체(26)의 워크(14), 이면 보호막(13'), 및 보호층(12)을 다이싱하여, 이면 보호막이 형성된 반도체 장치(22')로 하는 공정(도 12c, 도 12d, 도 13a, 및 도 13b)과, 이면 보호막이 형성된 반도체 장치(22')를 보호층(12)으로부터 픽업하는 공정(도 12e, 도 13c)을 포함한다.
도 14a∼d는 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법의 실시형태의 다른 일 예를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다. 본 실시형태의 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법은, 상기 제3 적층체의 제조 방법으로 제조된 제3 적층체(25)의 이면 보호막 형성용 필름(13), 워크(14), 및 보호층(12)을 다이싱하여, 이면 보호막 형성용 필름이 형성된 반도체 장치(22)로 하는 공정(도 14a 및 도 14b)과, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 경화시켜 이면 보호막(13')으로 하는 경화 공정(도 14c)과, 이면 보호막이 형성된 반도체 장치(22')를 지지 시트(10)(보호층(12))로부터 픽업하는 공정(도 14d)을 포함한다.
상술한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 다이싱은, 블레이드를 사용하는 블레이드 다이싱, 레이저 조사에 의한 레이저 다이싱, 또는 연마제를 포함하는 물의 분사에 의한 워터 다이싱 등의 각 다이싱에 의해 행할 수 있다. 이들 다이싱에서는, 지지 시트 상에서 보호층 및 이면 보호막(이면 보호막 형성용 필름)을 개재하여 유지되고 있는 보호층 및 이면 보호막(이면 보호막 형성용 필름), 워크째 절단한다.
또한, 상술한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 다이싱은, 스텔스 다이싱(등록상표)에 의해 행할 수도 있다. 스텔스 다이싱(등록상표)에서는, 우선, 웨이퍼의 내부에 있어서, 분할 예정 개소를 설정하고, 이 개소를 초점으로 하여, 이 초점에 집속하도록 레이저광을 조사함으로써, 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성한다. 웨이퍼의 개질층은 웨이퍼의 다른 개소와는 달리, 레이저광의 조사에 의해 변질되어 있고, 강도가 약해져 있다. 이 때문에, 웨이퍼에 힘이 가해짐으로써, 웨이퍼의 내부의 개질층에 있어서, 웨이퍼의 양면 방향으로 연장되는 균열이 발생하고, 웨이퍼의 분할(절단)의 기점이 된다. 이어서, 웨이퍼에 힘을 가하고, 상기 개질층의 부위에 있어서 웨이퍼를 분할하여, 칩을 제작한다. 이 때, 예를 들면, 지지 시트 상에서 보호층 및 이면 보호막(이면 보호막 형성용 필름)을 개재하여 유지되고 있는, 개질층이 형성된 웨이퍼를, 지지 시트, 보호층, 이면 보호막(이면 보호막 형성용 필름)과 함께, 웨이퍼의 표면에 대해 평행 방향으로 연신함으로써, 웨이퍼에 힘을 가하여, 이면 보호막이 형성된 칩을 제작할 수 있다.
본 실시형태의 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법은, 이면 보호막 형성용 필름(13)이 열경화성이고, 본 실시형태의 이면 보호막으로 하는 공정에서는 예를 들면, 이면 보호막 형성용 필름(13)을 130℃, 2h의 조건으로 열경화시키고 있다.
열경화성 이면 보호막 형성용 필름을 열경화시켜, 이면 보호막을 형성할 때의 경화 조건은 상술한 바와 같이, 이면 보호막이 충분히 그 기능을 발휘하는 정도의 경화도가 되는 한, 특별히 한정되지 않으며, 열경화성 이면 보호막 형성용 필름의 종류에 따라, 적절히 선택하면 된다.
본 실시형태의 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법은, 이면 보호막 형성용 필름(13)이 에너지선 경화성이고, 상기 이면 보호막으로 하는 공정에서는, 이면 보호막 형성용 필름(13)에 에너지선을 조사하여 에너지선 경화시키는 공정이어도 된다.
에너지선 경화성 이면 보호막 형성용 필름을 에너지선 경화시키고, 이면 보호막을 형성할 때의 경화 조건은 이면 보호막이 충분히 그 기능을 발휘하는 정도의 경화도가 되는 한 특별히 한정되지 않으며, 에너지선 경화성 이면 보호막 형성용 필름의 종류에 따라, 적절히 선택하면 된다.
예를 들면, 에너지선 경화성 이면 보호막 형성용 필름의 에너지선 경화시에 있어서의 에너지선의 조도는, 4∼280mW/㎠인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 경화시에 있어서의 에너지선의 광량은, 3∼1000mJ/㎠인 것이 바람직하다.
에너지선 경화성 이면 보호막 형성용 필름으로는 예를 들면, 국제공개 제2017/188200호, 국제공개 제2017/188218호에 개시된 것을 사용할 수도 있다.
보호층(12)을 갖지 않는 경우, 이면 보호막이 형성된 반도체 장치(22')는 지지 시트(10)로부터 픽업되게 된다. 이면 보호막 형성용 필름(13)으로서, 열경화성 필름을 사용한 경우, 경화 후의 이면 보호막(13')과 지지 시트(10)의 점착력이 커져, 픽업이 곤란해지는 경우가 있다. 이 경우, 지지 시트의 점착제 성분의 조성 등을 조정할 필요가 있다.
한편, 본 실시형태의 이면 보호막 형성용 복합체(1)를 사용하면, 이면 보호막이 형성된 반도체 장치(22')는 보호층(12)으로부터 픽업하게 된다. 이 경우, 보호층(12)과 지지 시트(10)의 점착력을 충분히 크게 해 두면, 이면 보호막이 형성된 반도체 장치(22')와 보호층(12)의 점착력에 관하여 최적화를 행하지 않더라도, 픽업을 용이하게 행할 수 있다.
실시예
이하, 구체적 실시예에 의해, 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 나타내는 실시예에 한정되는 것은 전혀 아니다.
＜반송 공정에 있어서의 이면 보호막 형성용 필름의 변형 억제의 평가＞
설정 온도 40℃의 테이블 상에 후술하는 실시예 1∼3 및 비교예 1에서 얻어진 이면 보호막 형성용 복합체가 형성된 웨이퍼를 반도체 웨이퍼측을 아래방향으로 하여 세팅하고, 1분간 방치했다. 이 때, 테이블의 표면 온도의 측정값은 37∼38℃였다. 이면 보호막 형성용 복합체가 형성된 웨이퍼의 상측으로부터 흡착공을 갖는 표준의 8" I형 로봇 암(암 선단부의 흡착 에어리어: 직경 34㎜)을 이용하여, 이면 보호막 형성용 복합체가 형성된 웨이퍼를 30분간, 진공원 -80kPa 이하의 조건으로 흡착 유지했다. 그 후, 이면 보호막 형성용 복합체가 형성된 웨이퍼를, 상온의 테이블에 반도체 웨이퍼측을 아래방향으로 하여 세팅하고, 로봇 암의 흡착을 멈췄다. 이면 보호막 형성용 복합체가 형성된 웨이퍼의 상면을 육안으로 확인하여, 전혀 흡착 흔적이 보이지 않는 것을 A, 흡착 흔적이 보이는 것을 B로 했다.
(이면 보호막 형성용 필름의 제조)
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름의 편면에 실리콘계의 박리제층이 형성되어 이루어지는 제1 박리 시트(린텍사 제조: SP-PET5011, 두께 50㎛)와, PET 필름의 편면에 실리콘계의 박리제층이 형성되어 이루어지는 제2 박리 시트(린텍사 제조: SP-PET381031, 두께 38㎛)를 준비했다.
제1 박리 시트의 박리면 상에, 이면 보호막 형성용 필름용 도포 용액을 나이프 코터로 도포한 후, 오븐으로 120℃에서 2분간 건조시키고, 두께 40㎛의 이면 보호막 형성용 필름을 형성했다. 이어서, 이면 보호막 형성용 필름에 제2 박리 시트의 박리면을 중첩하여 양자를 첩합하고, 제1 박리 시트와, 이면 보호막 형성용 필름(린텍사 제조: LC2846, 두께: 40㎛)과, 제2 박리 시트로 이루어지는 이면 보호막 형성용 시트를 얻었다.
(보호층)
상술한 제1 박리 시트인 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름의 편면에 실리콘계의 박리제층이 형성되어 이루어지는 시트(린텍사 제조: SP-PET5011, 두께 50㎛)를 보호층 1로서 사용했다.
보호층 2 형성용 필름을 이하의 방법으로 제조했다.
아크릴계 중합체(100질량부, 고형분) 및 3관능 자일릴렌디이소시아네이트계 가교제(미츠이 타케다 케미컬사 제조: 타케네이트 D110N)(10.7질량부, 고형분)를 함유하고, 추가로 용매로서 메틸에틸케톤을 함유하는, 고형분 농도가 30질량％인 점착제 조성물을 조제했다. 한편, 상기 아크릴계 중합체는 아크릴산-2-에틸헥실(36질량부), 아크릴산부틸(59질량부), 및 아크릴산-2-히드록시에틸(5질량부)을 공중합하여 이루어지는, 중량 평균 분자량이 600,000인 것이다.
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름의 편면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 박리 필름(린텍사 제조: SP-PET381031, 두께 38㎛)의 박리 처리면에, 상기 점착제 조성물을 도공하고, 120℃에서 2분간 가열 건조시킴으로써, 두께 5㎛의 점착제층을 형성했다.
이어서, 이 점착제층의 노출면에 기재로서 폴리프로필렌계 필름(영률 400MPa, 두께 80㎛)을 첩부함으로써, 상기 기재의 한쪽 표면 상에 상기 점착제층을 구비한 보호층 2 형성용 필름을 얻었다.
보호층 3 형성용 필름으로서, 보호층 2 형성용 필름의 제조에서 사용한 폴리프로필렌계 필름을 사용했다(점착제층 없음).
[실시예 1]
이면 보호막 형성용 필름측의 제2 박리 시트를 박리하여 노출된 면을 8인치 반도체 웨이퍼(두께 300㎛)에 첩부하고, 추가로 제1 박리 시트를 보호층 1로서 남긴 상태로, 이면 보호막 형성용 복합체 A가 형성된 웨이퍼를 얻었다.
이면 보호막 형성용 복합체 A가 형성된 웨이퍼에 대해, 상술한 방법으로, 반송 공정에 있어서의 이면 보호막 형성용 필름의 변형 평가를 행했다. 상기 평가에 있어서의 흡착압 및 결과를 표 1에 나타낸다.
[실시예 2]
이면 보호막 형성용 필름측의 제2 박리 시트를 박리하여 노출된 면을 8인치 반도체 웨이퍼(두께 300㎛)에 첩부하고, 추가로 제1 박리 시트를 박리하여 노출된 이면 보호막 형성용 필름에, 보호층 2 형성용 필름의 박리 필름을 박리하여 노출된 점착제층을 첩부하여, 이면 보호막 형성용 복합체 B가 형성된 웨이퍼를 얻었다.
이면 보호막 형성용 복합체 B가 형성된 웨이퍼에 대해, 상술한 방법으로, 반송 공정에 있어서의 이면 보호막 형성용 필름의 변형 평가를 행했다. 상기 평가에 있어서의 흡착압 및 결과를 표 1에 나타낸다.
[실시예 3]
이면 보호막 형성용 필름측의 제2 박리 시트를 박리하여 노출된 면을 8인치 반도체 웨이퍼(두께 300㎛)에 첩부하고, 추가로 제1 박리 시트를 박리하여 노출된 이면 보호막 형성용 필름에, 보호층 3 형성용 필름을 첩부하여, 이면 보호막 형성용 복합체 C가 형성된 웨이퍼를 얻었다.
이면 보호막 형성용 복합체 C가 형성된 웨이퍼에 대해, 상술한 방법으로, 반송 공정에 있어서의 이면 보호막 형성용 필름의 변형 평가를 행했다. 상기 평가에 있어서의 흡착압 및 결과를 표 1에 나타낸다.
[비교예 1]
이면 보호막 형성용 필름측의 제2 박리 시트를 박리하여 노출된 면을 8인치 반도체 웨이퍼(두께 300㎛)에 첩부하고, 추가로 제1 박리 시트를 박리하여, 이면 보호막 형성용 필름이 형성된 웨이퍼를 얻었다.
이면 보호막 형성용 필름이 형성된 웨이퍼에 대해, 상술한 방법으로, 반송 공정에 있어서의 이면 보호막 형성용 필름의 변형 평가를 행했다. 상기 평가에 있어서의 흡착압 및 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pct00001
본 발명의 보호층을 갖는 실시예 1∼3에서는 흡착 흔적이 전혀 확인되지 않았다. 한편, 본 발명의 보호층을 갖지 않는 비교예 1에서는, 흡착 흔적이 확인되었다.
본 발명의 이면 보호막 형성용 복합체는 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조에 사용할 수 있다.
1…이면 보호막 형성용 복합체, 2…이면 보호막 형성용 복합체, 3…이면 보호막 성형용 복합체, 7…이면 보호막이 형성된 반도체 칩, 8…반도체 웨이퍼, 8a…반도체 웨이퍼의 회로면, 8b…반도체 웨이퍼의 이면, 9…반도체 칩, 10…지지 시트, 101…기재, 102…점착제층, 12…보호층, 13…이면 보호막 형성용 필름, 13'…이면 보호막, 14…워크, 14a…워크의 회로면, 14b…워크(14)의 이면, 151…박리 필름, 152…박리 필름, 17…회로면 보호용 테이프, 18…고정용 지그, 21…반도체 장치, 22…이면 보호막 형성용 필름이 형성된 반도체 장치, 22'…이면 보호막이 형성된 반도체 장치, 23…제1 적층체, 24…제2 적층체, 25…제3 적층체, 26…제4 적층체

Claims (7)

  1. 보호층과, 이면 보호막 형성용 필름이 적층되어 이루어지는 이면 보호막 형성용 복합체로서,
    반도체 기판의 이면에 상기 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하여, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막 형성용 필름과, 상기 보호층이 이 순서로 적층된 제2 적층체를 얻는 제1 적층 공정과,
    상기 제2 적층체의 상기 이면 보호막 형성용 필름을 경화시켜 이면 보호막으로 하는 경화 공정과,
    상기 제1 적층 공정에서 상기 경화 공정으로 상기 제2 적층체를 반송하는 반송 공정을 포함하는, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막과, 상기 보호층이 이 순서로 적층된 제1 적층체의 제조 방법에 사용되는, 이면 보호막 형성용 복합체.
  2. 보호층과, 이면 보호막 형성용 필름이 적층되어 이루어지는 이면 보호막 형성용 복합체로서,
    반도체 기판의 이면에 상기 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하여, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막 형성용 필름과, 상기 보호층이 이 순서로 적층된 제2 적층체를 얻는 제1 적층 공정과,
    상기 제2 적층체의 상기 보호층에 지지 시트를 첩부하여, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막 형성용 필름과, 상기 보호층과, 상기 지지 시트가 이 순서로 적층된 제3 적층체를 얻는 제2 적층 공정과,
    상기 제1 적층 공정에서 상기 제2 적층 공정으로 상기 제2 적층체를 반송하는 반송 공정을 포함하는 제3 적층체의 제조 방법에 사용되는, 이면 보호막 형성용 복합체.
  3. 반도체 기판과, 이면 보호막과, 보호층이 이 순서로 적층된 제1 적층체의 제조 방법으로서,
    상기 반도체 기판의 이면에 제 1 항의 이면 보호막 형성용 복합체의 상기 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하여, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막 형성용 필름과, 상기 보호층이 이 순서로 적층된 제2 적층체를 얻는 제1 적층 공정과,
    상기 제2 적층체의 상기 이면 보호막 형성용 필름을 경화시켜 이면 보호막으로 하는 경화 공정과,
    상기 제1 적층 공정에서 상기 경화 공정으로 상기 제2 적층체를 반송하는 반송 공정을 포함하는, 제1 적층체의 제조 방법.
  4. 반도체 기판과, 이면 보호막 형성용 필름과, 보호층과, 지지 시트가 이 순서로 적층된 제3 적층체의 제조 방법으로서,
    상기 반도체 기판의 이면에 제 2 항의 이면 보호막 형성용 복합체의 상기 이면 보호막 형성용 필름을 첩부하여, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막 형성용 필름과, 상기 보호층이 이 순서로 적층된 제2 적층체를 얻는 제1 적층 공정과,
    상기 제2 적층체의 상기 보호층에 지지 시트를 첩부하여, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막 형성용 필름과, 상기 보호층과, 상기 지지 시트가 이 순서로 적층된 제3 적층체를 얻는 제2 적층 공정과,
    상기 제1 적층 공정에서 상기 제2 적층 공정으로 상기 제2 적층체를 반송하는 반송 공정을 포함하는, 제3 적층체의 제조 방법.
  5. 제 3 항의 제조 방법으로 제조된 제1 적층체의 상기 보호층에 지지 시트를 첩부하여, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막과, 상기 보호층과, 상기 지지 시트가 이 순서로 적층된 제4 적층체를 얻는 제2 적층 공정과,
    상기 제4 적층체의 상기 반도체 기판 및 상기 이면 보호막을 다이싱하여, 이면 보호막이 형성된 반도체 장치로 하는 공정과,
    상기 이면 보호막이 형성된 반도체 장치를 상기 지지 시트로부터 픽업하는 공정을 포함하는, 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제 4 항의 제조 방법으로 제조된 제3 적층체의 상기 이면 보호막 형성용 필름을 경화시켜 이면 보호막으로 하고, 상기 반도체 기판과, 상기 이면 보호막과, 상기 보호층과, 상기 지지 시트가 이 순서로 적층된 제4 적층체를 얻는 경화 공정과,
    상기 제4 적층체의 상기 반도체 기판 및 상기 이면 보호막을 다이싱하여, 이면 보호막이 형성된 반도체 장치로 하는 공정과,
    상기 이면 보호막이 형성된 반도체 장치를 상기 지지 시트로부터 픽업하는 공정을 포함하는, 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제 4 항의 제조 방법으로 제조된 제3 적층체의 상기 반도체 기판 및 상기 이면 보호막 형성용 필름을 다이싱하여, 이면 보호막 형성용 필름이 형성된 반도체 장치로 하는 공정과,
    상기 이면 보호막 형성용 필름을 경화시켜 이면 보호막으로 하는 경화 공정과,
    상기 이면 보호막 형성용 필름이 형성된 반도체 또는 이면 보호막이 형성된 반도체 장치를 상기 지지 시트로부터 픽업하는 공정을 포함하는, 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법.
KR1020227028240A 2020-02-21 2021-02-18 이면 보호막 형성용 복합체, 제1 적층체의 제조 방법, 제3 적층체의 제조 방법, 및 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법 KR20220142447A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2020-028103 2020-02-21
JP2020028103 2020-02-21
PCT/JP2021/006067 WO2021166991A1 (ja) 2020-02-21 2021-02-18 裏面保護膜形成用複合体、第一積層体の製造方法、第三積層体の製造方法、及び裏面保護膜付き半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220142447A true KR20220142447A (ko) 2022-10-21

Family

ID=77392191

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227028240A KR20220142447A (ko) 2020-02-21 2021-02-18 이면 보호막 형성용 복합체, 제1 적층체의 제조 방법, 제3 적층체의 제조 방법, 및 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2021166991A1 (ko)
KR (1) KR20220142447A (ko)
CN (1) CN115136294A (ko)
TW (1) TW202141595A (ko)
WO (1) WO2021166991A1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4271597B2 (ja) 2004-02-27 2009-06-03 リンテック株式会社 チップ用保護膜形成用シート
JP5363662B2 (ja) 2011-09-30 2013-12-11 リンテック株式会社 保護膜形成層付ダイシングシートおよびチップの製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009130233A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Furukawa Electric Co Ltd:The チップ保護用フィルム
JP2014192462A (ja) * 2013-03-28 2014-10-06 Lintec Corp 樹脂膜形成用シート
JP6405556B2 (ja) * 2013-07-31 2018-10-17 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シートおよび検査方法
JP6265954B2 (ja) * 2015-09-16 2018-01-24 古河電気工業株式会社 半導体裏面用フィルム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4271597B2 (ja) 2004-02-27 2009-06-03 リンテック株式会社 チップ用保護膜形成用シート
JP5363662B2 (ja) 2011-09-30 2013-12-11 リンテック株式会社 保護膜形成層付ダイシングシートおよびチップの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2021166991A1 (ko) 2021-08-26
WO2021166991A1 (ja) 2021-08-26
CN115136294A (zh) 2022-09-30
TW202141595A (zh) 2021-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI632217B (zh) Semiconductor bonded bonding sheet and method of manufacturing semiconductor device
JP6630956B2 (ja) 保護膜形成用複合シート及び保護膜付き半導体チップの製造方法
WO2014155756A1 (ja) 粘着シートおよび保護膜形成用複合シートならびに保護膜付きチップの製造方法
JP5785420B2 (ja) 保護膜形成用シートおよび半導体チップの製造方法
JP6262717B2 (ja) 保護膜付チップの製造方法
JP6854983B1 (ja) 第三積層体の製造方法、第四積層体の製造方法及び裏面保護膜付き半導体装置の製造方法、並びに、第三積層体
WO2020218516A1 (ja) 第三積層体の製造方法
KR20220142447A (ko) 이면 보호막 형성용 복합체, 제1 적층체의 제조 방법, 제3 적층체의 제조 방법, 및 이면 보호막이 형성된 반도체 장치의 제조 방법
JP7453208B2 (ja) 第１保護膜付きワーク加工物の製造方法
WO2020195761A1 (ja) 熱硬化性樹脂フィルム、第１保護膜形成用シート、キット、及び第１保護膜付きワーク加工物の製造方法
JP2024097803A (ja) キット、及び、そのキットを用いる第三積層体の製造方法
JP2024097805A (ja) キット、及び、そのキットを用いる第三積層体の製造方法
TW202238782A (zh) 具保護膜之工件的製造方法以及具保護膜形成膜之工件的製造方法
TW202241713A (zh) 支撐片、樹脂膜形成用複合片、套件、以及具樹脂膜之晶片的製造方法
KR20230030517A (ko) 보호막 형성 필름, 보호막 형성용 복합 시트, 보호막이 형성된 워크의 제조 방법, 및 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법
JP2023147741A (ja) 保護膜形成フィルム、保護膜形成用複合シート、半導体装置の製造方法、及び保護膜形成フィルムの使用
JPWO2020175423A1 (ja) 熱硬化性樹脂フィルム及び第１保護膜形成用シート
JPWO2020175421A1 (ja) 熱硬化性樹脂フィルム及び第１保護膜形成用シート

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination