KR20220125137A - Display device including reflective structure - Google Patents

Display device including reflective structure Download PDF

Info

Publication number
KR20220125137A
KR20220125137A KR1020210115703A KR20210115703A KR20220125137A KR 20220125137 A KR20220125137 A KR 20220125137A KR 1020210115703 A KR1020210115703 A KR 1020210115703A KR 20210115703 A KR20210115703 A KR 20210115703A KR 20220125137 A KR20220125137 A KR 20220125137A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor light
micro
light emitting
emitting device
layer
Prior art date
Application number
KR1020210115703A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
홍석우
황경욱
김현준
황준식
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to US17/526,556 priority Critical patent/US20220285581A1/en
Priority to EP21210485.5A priority patent/EP4053896A1/en
Priority to CN202210197693.2A priority patent/CN115036339A/en
Publication of KR20220125137A publication Critical patent/KR20220125137A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/95001—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/951—Supplying the plurality of semiconductor or solid-state bodies
    • H01L2224/95101—Supplying the plurality of semiconductor or solid-state bodies in a liquid medium

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Instrument Panels (AREA)

Abstract

Disclosed is a display device having a reflective structure and using a micro semiconductor light emitting element as a pixel. The display device comprises: a driving substrate; a barrier layer disposed on an upper surface of the driving substrate and having a plurality of grooves; micro semiconductor light emitting elements individually disposed in the plurality of grooves; and a side reflection structure disposed inside the barrier layer to surround a sidewall of each groove.

Description

반사 구조를 구비한 디스플레이 장치 {Display device including reflective structure}Display device including reflective structure

개시된 실시예들은 반사 구조를 구비한 디스플레이 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 마이크로 반도체 발광 소자를 화소로서 사용하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.The disclosed embodiments relate to a display device having a reflective structure, and more particularly, to a display device using a micro-semiconductor light emitting device as a pixel.

발광 다이오드(Light emitting diode; LED)는 저전력 사용과 친환경적이라는 장점 때문에 산업적인 수요가 증대되고 있으며, 조명 장치나 LCD 백라이트용으로 사용될 뿐 아니라, 디스플레이 장치의 화소로도 적용되고 있다. 최근에는 마이크로 단위의 LED 칩을 화소로서 사용하는 마이크로 LED 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 마이크로 단위의 LED 칩을 사용하는 디스플레이 장치를 제작하는데 있어서, 마이크로 LED를 전사하는 방법으로 레이저 리프트 오프(laser lift off) 또는 픽 앤 플레이스(pick and place) 방법이 사용되고 있다. 하지만, 이러한 방법은 마이크로 LED의 크기가 작아지고 디스플레이 장치의 크기가 커짐에 따라 생산성이 저하된다.BACKGROUND ART Light emitting diodes (LEDs) have increased industrial demand because of their advantages of low power consumption and eco-friendliness, and are used not only for lighting devices or LCD backlights, but also as pixels of display devices. Recently, a micro LED display device using a micro-unit LED chip as a pixel has been developed. In manufacturing a display device using a micro LED chip, a laser lift off or pick and place method is used as a method of transferring the micro LED. However, in this method, as the size of the micro LED becomes small and the size of the display device increases, the productivity decreases.

유체 자가 조립(fluidic self assembly) 방식을 이용하여 대면적으로 제조할 수 있는 디스플레이 장치를 제공한다.A display device capable of being manufactured in a large area using a fluidic self assembly method is provided.

또한, 유체 자가 조립 방식으로 제조가 가능하면서 인접 화소 사이의 크로스토크를 저감하고 광 효율을 향상시킬 수 있는 반사 구조를 구비한 디스플레이 장치를 제공한다.In addition, there is provided a display device having a reflective structure capable of reducing crosstalk between adjacent pixels and improving light efficiency while being able to be manufactured by a fluid self-assembly method.

일 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 구동 기판; 상기 구동 기판의 상부 표면 위에 배치된 것으로, 복수의 홈을 구비하는 격벽층; 상기 복수의 홈 내에 각각 배치된 마이크로 반도체 발광 소자; 및 각각의 홈의 측벽을 둘러싸도록 상기 격벽층 내부에 배치된 측면 반사 구조;를 포함할 수 있다.A display device according to an embodiment includes a driving substrate; a barrier rib layer disposed on the upper surface of the driving substrate and having a plurality of grooves; micro-semiconductor light emitting devices respectively disposed in the plurality of grooves; and a side reflection structure disposed inside the barrier rib layer to surround the sidewall of each groove.

상기 측면 반사 구조는 상기 마이크로 반도체 발광 소자와 상기 측면 반사 구조 사이에 상기 홈의 측벽이 위치하도록 배치되며, 상기 홈의 측벽으로부터 상기 측면 반사 구조까지의 거리는 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛의 범위 내에 있을 수 있다.The side reflection structure may be disposed such that a sidewall of the groove is positioned between the micro semiconductor light emitting device and the side reflection structure, and a distance from the sidewall of the groove to the side reflection structure may be in a range of 0.1 μm to 50 μm. .

상기 구동 기판의 상부 표면에 평행한 방향을 따른 상기 측면 반사 구조의 폭은 1 ㎛ 내지 상기 마이크로 반도체 발광 소자의 폭보다 작은 범위 내에 있을 수 있다.A width of the side reflective structure in a direction parallel to the upper surface of the driving substrate may be within a range of 1 μm to less than a width of the micro semiconductor light emitting device.

상기 측면 반사 구조는 금속성 재료를 포함할 수 있다.The side reflective structure may include a metallic material.

상기 측면 반사 구조는 상기 격벽층의 상부 표면으로부터 하부 표면까지 연장될 수 있다.The side reflection structure may extend from an upper surface to a lower surface of the barrier rib layer.

상기 측면 반사 구조는 상기 마이크로 반도체 발광 소자로부터 방출된 광을 투과시키지 않도록 구성될 수 있다.The side reflection structure may be configured not to transmit light emitted from the micro semiconductor light emitting device.

상기 디스플레이 장치는 친수성 표면을 가지며 각각의 홈 내부의 바닥 측에 배치된 하부 반사 구조를 더 포함할 수 있다.The display device may further include a lower reflective structure having a hydrophilic surface and disposed on a bottom side of each groove.

상기 하부 반사 구조는 상기 홈의 면적보다 넓은 면적을 가지며, 상기 격벽층의 일부가 상기 하부 반사 구조의 상부 표면의 일부 위에 배치될 수 있다.The lower reflective structure may have an area larger than that of the groove, and a portion of the barrier rib layer may be disposed on a portion of an upper surface of the lower reflective structure.

상기 하부 반사 구조는 상기 하부 반사 구조의 상부 표면이 상기 측면 반사 구조의 하부 표면과 접하도록 배치될 수 있다.The lower reflective structure may be disposed such that an upper surface of the lower reflective structure is in contact with a lower surface of the side reflective structure.

상기 하부 반사 구조는 반사 금속층 및 상기 반사 금속층을 덮도록 배치되며 친수성 표면을 갖는 절연층을 포함할 수 있다.The lower reflective structure may include a reflective metal layer and an insulating layer disposed to cover the reflective metal layer and having a hydrophilic surface.

상기 구동 기판의 상부 표면의 법선 방향을 따른 상기 반사 금속층의 두께는 50 nm 내지 1 ㎛의 범위 내에 있을 수 있다.A thickness of the reflective metal layer in a direction normal to the upper surface of the driving substrate may be in a range of 50 nm to 1 μm.

상기 반사 금속층은 상기 복수의 홈에 각각 배치된 복수의 반사 금속층을 포함하며, 하나의 절연층이 상기 복수의 반사 금속층을 덮도록 상기 구동 기판의 상부 표면 위에 배치될 수 있다.The reflective metal layer may include a plurality of reflective metal layers respectively disposed in the plurality of grooves, and one insulating layer may be disposed on the upper surface of the driving substrate to cover the plurality of reflective metal layers.

상기 반사 금속층은 알루미늄(Al) 및 은(Ag) 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.The reflective metal layer may include at least one of aluminum (Al) and silver (Ag).

상기 하부 반사 구조는 반복적으로 번갈아 적층된 제1 유전체층 및 제2 유전체층을 포함하며, 제1 유전체층은 제1 굴절률을 갖고 제2 유전체층은 제1 굴절률과 상이한 제2 굴절률을 가질 수 있다.The lower reflective structure may include first and second dielectric layers repeatedly alternately stacked, wherein the first dielectric layer has a first index of refraction and the second dielectric layer has a second index of refraction different from the first index of refraction.

상기 구동 기판의 상부 표면의 법선 방향을 따른 상기 하부 반사 구조의 두께는 500 nm 내지 2 ㎛의 범위 내에 있을 수 있다.A thickness of the lower reflective structure along a normal direction of the upper surface of the driving substrate may be in a range of 500 nm to 2 μm.

상기 디스플레이 장치는 상기 격벽층의 상부 표면에 배치된 것으로 상기 측면 반사 구조의 재료와 동일한 재료로 형성된 소수성 패턴을 더 포함할 수 있다.The display device may further include a hydrophobic pattern disposed on the upper surface of the barrier rib layer and formed of the same material as that of the side reflection structure.

상기 홈의 바닥면에 접하는 상기 마이크로 반도체 발광 소자의 하부 표면은 친수성을 가질 수 있다.A lower surface of the micro-semiconductor light emitting device in contact with the bottom surface of the groove may have hydrophilicity.

상기 마이크로 반도체 발광 소자는 상기 마이크로 반도체 발광 소자의 상부 표면 위에 배치된 제1 전극 및 제2 전극을 포함할 수 있다.The micro-semiconductor light-emitting device may include a first electrode and a second electrode disposed on an upper surface of the micro-semiconductor light-emitting device.

각각의 홈은 상기 마이크로 반도체 발광 소자가 움직일 수 있는 공간을 가지는 제1 트랩 영역 및 상기 마이크로 반도체 발광 소자가 안착될 수 있는 형상과 크기를 가지며 상기 제1 트랩 영역과 연결되는 제2 트랩 영역을 가질 수 있다.Each of the grooves has a first trap region having a space in which the micro-semiconductor light-emitting device can move, and a second trap region having a shape and size in which the micro-semiconductor light-emitting device can be seated and connected to the first trap region. can

상기 제1트랩 영역의 크기는 각각의 홈 내에 상기 마이크로 반도체 발광 소자가 2개 이상이 들어갈 수 없도록 선택될 수 있다.The size of the first trap region may be selected such that two or more micro-semiconductor light emitting devices cannot fit into each groove.

상기 제2 트랩 영역의 폭은 상기 마이크로 반도체 발광 소자의 폭의 100% 내지 105%의 범위 내에 있을 수 있다.A width of the second trap region may be within a range of 100% to 105% of a width of the micro-semiconductor light emitting device.

상기 디스플레이 장치는 상기 마이크로 반도체 발광 소자로부터 방출된 광의 파장을 변환하는 파장 변환층을 더 포함할 수 있다.The display device may further include a wavelength conversion layer for converting a wavelength of light emitted from the micro-semiconductor light emitting device.

다른 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 구동 기판; 상기 구동 기판의 상부 표면 상에 배열된 복수의 마이크로 반도체 발광 소자; 상기 복수의 마이크로 반도체 발광 소자를 덮도록 상기 구동 기판의 상부 표면 상에 배치된 보호층; 및 각각의 마이크로 반도체 발광 소자 주위를 둘러싸도록 상기 보호층 내부에 배치된 측면 반사 구조;를 포함할 수 있다.A display device according to another embodiment includes a driving substrate; a plurality of micro semiconductor light emitting devices arranged on the upper surface of the driving substrate; a protective layer disposed on an upper surface of the driving substrate to cover the plurality of micro semiconductor light emitting devices; and a side reflection structure disposed inside the protective layer to surround each micro semiconductor light emitting device.

상기 측면 반사 구조는 상기 보호층의 상부 표면으로부터 하부 표면까지 연장될 수 있다.The side reflective structure may extend from an upper surface to a lower surface of the passivation layer.

상기 디스플레이 장치는 각각의 마이크로 반도체 발광 소자와 상기 구동 기판 사이에 배치된 하부 반사 구조를 더 포함할 수 있다.The display device may further include a lower reflective structure disposed between each micro-semiconductor light emitting device and the driving substrate.

상기 하부 반사 구조는 반사 금속층 및 상기 반사 금속층을 덮도록 배치된 절연층을 포함할 수 있다.The lower reflective structure may include a reflective metal layer and an insulating layer disposed to cover the reflective metal layer.

각각의 마이크로 반도체 발광 소자는 상기 마이크로 반도체 발광 소자의 동일 표면에 배치된 제1 전극 및 제2 전극을 포함할 수 있다.Each micro-semiconductor light-emitting device may include a first electrode and a second electrode disposed on the same surface of the micro-semiconductor light-emitting device.

상기 반사 금속층은 상기 마이크로 반도체 발광 소자의 제1 전극과 전기적으로 연결되는 제1 반사 금속층, 및 상기 마이크로 반도체 발광 소자의 제2 전극과 전기적으로 연결되는 제2 반사 금속층을 포함할 수 있다.The reflective metal layer may include a first reflective metal layer electrically connected to the first electrode of the micro-semiconductor light emitting device, and a second reflective metal layer electrically connected to the second electrode of the micro semiconductor light emitting device.

개시된 실시예에 따른 디스플레이 장치는 유체 자가 조립 방식을 이용하여 대면적으로 제조가 가능하다. 또한, 개시된 실시예에 따른 디스플레이 장치는 마이크로 반도체 발광 소자를 정렬시키기 위한 격벽층 내에 측면 반사 구조를 구비하기 때문에 인접 화소 사이의 크로스토크를 저감할 수 있다. 또한, 개시된 실시예에 따른 디스플레이 장치는 마이크로 반도체 발광 소자가 안착되는 바닥면에 하부 반사 구조를 구비하기 때문에 광 효율을 향상시킬 수 있다.The display device according to the disclosed embodiment can be manufactured in a large area using a fluid self-assembly method. In addition, since the display device according to the disclosed embodiment has a side reflection structure in the barrier rib layer for aligning the micro semiconductor light emitting devices, crosstalk between adjacent pixels can be reduced. In addition, since the display device according to the disclosed embodiment has a lower reflective structure on the bottom surface on which the micro-semiconductor light emitting device is mounted, light efficiency can be improved.

도 1은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 보이는 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 디스플레이 장치 내에서 하나의 마이크로 반도체 발광 소자에 대한 측면 반사 구조와 하부 반사 구조의 배치를 보이는 단면도이다.
도 4a 내지 도 4d는 도 1에 도시된 디스플레이 장치를 제조하는 방법을 보이는 단면도이다.
도 5는 격벽층의 상부 표면이 소수성을 갖도록 처리된 격벽층의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 6은 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 7a 내지 도 7f는 디스플레이 장치를 제조하는 방법을 보이는 단면도로서, 구동 기판과 마이크로 반도체 발광 소자 사이의 배선을 보다 상세히 보인다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 9는 도 8에 도시된 하부 반사 구조의 상세한 층 구조를 보이는 단면도이다.
도 10은 유체 자가 조립 방식을 이용하여 마이크로 반도체 발광 소자를 정렬시키기는 방법을 예시적으로 보이는 사시도이다.
도 11은 마이크로 반도체 발광 소자를 정렬시키기 위한 스캐닝 과정을 개략적으로 보인다.
도 12는 디스플레이 장치의 격벽층 내에 구비된 홈들의 예시적인 형태를 보이는 사시도이다.
도 13은 도 12에 도시된 홈들의 형태를 보다 상세히 보이는 평면도이다.
도 14a 내지 도 14c는 다양한 홈들의 형태를 예시적으로 보인다.
도 15a 내지 도 15f는 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치를 제조하는 방법을 보이는 단면도이다.
도 16은 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 17은 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 18은 일 실시예에 따른 전자 장치의 개략적인 블록도이다.
도 19는 실시예들에 따른 디스플레이 장치가 모바일 장치에 적용된 예를 도시한다.
도 20은 실시예들에 따른 디스플레이 장치가 차량용 디스플레이 장치에 적용된 예를 도시한다.
도 21은 실시예들에 따른 디스플레이 장치가 증강 현실 안경 또는 가상 현실 안경에 적용된 예를 도시한다.
도 22는 실시예들에 따른 디스플레이 장치가 사이니지에 적용된 예를 도시한다.
도 23은 실시예들에 따른 디스플레이 장치가 웨어러블 디스플레이에 적용된 예를 도시한다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a display device according to an exemplary embodiment.
2 is a plan view schematically illustrating a structure of a display device according to an exemplary embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the arrangement of a side reflection structure and a lower reflection structure for one micro semiconductor light emitting device in the display device shown in FIG. 1 .
4A to 4D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the display device illustrated in FIG. 1 .
5 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the barrier rib layer in which the upper surface of the barrier rib layer is treated to have hydrophobicity.
6 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a display device according to another exemplary embodiment.
7A to 7F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device, illustrating wiring between a driving substrate and a micro-semiconductor light emitting device in more detail.
8 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a display device according to another exemplary embodiment.
9 is a cross-sectional view showing a detailed layer structure of the lower reflective structure shown in FIG. 8 .
10 is a perspective view exemplarily showing a method of aligning a micro semiconductor light emitting device using a fluid self-assembly method.
11 schematically shows a scanning process for aligning a micro semiconductor light emitting device.
12 is a perspective view illustrating exemplary shapes of grooves provided in a barrier rib layer of a display device.
13 is a plan view showing in more detail the shape of the grooves shown in FIG. 12 .
14A to 14C exemplarily show the shape of various grooves.
15A to 15F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device according to another exemplary embodiment.
16 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a display device according to another exemplary embodiment.
17 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a display device according to another exemplary embodiment.
18 is a schematic block diagram of an electronic device according to an exemplary embodiment.
19 illustrates an example in which a display device according to embodiments is applied to a mobile device.
20 illustrates an example in which the display apparatus according to the embodiments is applied to a vehicle display apparatus.
21 illustrates an example in which a display device according to embodiments is applied to augmented reality glasses or virtual reality glasses.
22 illustrates an example in which the display apparatus according to the embodiments is applied to a signage.
23 illustrates an example in which display apparatuses according to embodiments are applied to a wearable display.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여, 반사 구조를 구비한 디스플레이 장치에 대해 상세하게 설명한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다. 또한, 이하에 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다.Hereinafter, a display device having a reflective structure will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following drawings, the same reference numerals refer to the same components, and the size of each component in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of description. In addition, the embodiments described below are merely exemplary, and various modifications are possible from these embodiments.

이하에서, "상부" 나 "상"이라고 기재된 것은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 다수의 표현을 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Hereinafter, what is described as "upper" or "upper" may include not only directly on in contact, but also on non-contacting. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. Also, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated.

"상기"의 용어 및 이와 유사한 지시 용어의 사용은 단수 및 다수 모두에 해당하는 것일 수 있다. 방법을 구성하는 단계들에 대하여 명백하게 순서를 기재하거나 반하는 기재가 없다면, 이러한 단계들은 적당한 순서로 행해질 수 있으며, 반드시 기재된 순서에 한정되는 것은 아니다. The use of the term "above" and similar referential terms may be used in both the singular and the plural. The steps constituting the method may be performed in an appropriate order, and are not necessarily limited to the order described, unless the order is explicitly stated or contrary to the description.

또한, 명세서에 기재된 "...부", "모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어 또는 소프트웨어로 구현되거나 하드웨어와 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다. In addition, terms such as "...unit" and "module" described in the specification mean a unit that processes at least one function or operation, which may be implemented as hardware or software, or a combination of hardware and software. .

도면에 도시된 구성 요소들 간의 선들의 연결 또는 연결 부재들은 기능적인 연결 및/또는 물리적 또는 회로적 연결들을 예시적으로 나타낸 것으로서, 실제 장치에서는 대체 가능하거나 추가의 다양한 기능적인 연결, 물리적인 연결, 또는 회로 연결들로서 나타내어질 수 있다. The connections or connecting members of lines between the components shown in the drawings exemplify functional connections and/or physical or circuit connections, and in an actual device, various functional connections, physical connections, or circuit connections.

모든 예들 또는 예시적인 용어의 사용은 단순히 기술적 사상을 상세히 설명하기 위한 것으로서 청구범위에 의해 한정되지 않는 이상 이런 예들 또는 예시적인 용어로 인해 범위가 한정되는 것은 아니다.The use of all examples or exemplary terms is merely for describing the technical idea in detail, and the scope is not limited by these examples or exemplary terms unless limited by the claims.

도 1은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 디스플레이 장치(100)는 구동 회로 등을 구비한 구동 기판(110), 구동 기판(110)의 상부 표면 위에 배치되며 복수의 홈(150)을 구비하는 격벽층(120), 복수의 홈(150) 내에 각각 배치된 마이크로 반도체 발광 소자(140), 및 각각의 홈(150)의 측벽을 둘러싸도록 격벽층(120) 내부에 배치된 측면 반사 구조(132)를 포함할 수 있다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a display device according to an exemplary embodiment. Referring to FIG. 1 , the display device 100 includes a driving substrate 110 having a driving circuit, etc., a barrier rib layer 120 disposed on the upper surface of the driving substrate 110 and having a plurality of grooves 150 , The micro-semiconductor light emitting device 140 respectively disposed in the plurality of grooves 150, and a side reflection structure 132 disposed inside the barrier rib layer 120 to surround sidewalls of each of the grooves 150 may be included. .

마이크로 반도체 발광 소자(140)는 마이크로 규모의 크기를 가지는 다양한 종류의 발광 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 폭, 직경, 또는 두께는 약 1000㎛ 이하일 수 있고, 또는 200㎛ 이하일 수 있고, 또는 100㎛ 이하, 또는 50㎛ 이하일 수 있다. 마이크로 반도체 발광 소자(140)는 LED(light emitting diode), VCSEL(vertical-cavity surface-emitting laser) 등과 같은 반도체 발광 소자를 포함할 수 있다.The micro semiconductor light emitting device 140 may include various types of light emitting devices having a micro-scale size. For example, the width, diameter, or thickness of the micro semiconductor light emitting device 140 may be about 1000 μm or less, or 200 μm or less, or 100 μm or less, or 50 μm or less. The micro semiconductor light emitting device 140 may include a semiconductor light emitting device such as a light emitting diode (LED) or a vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL).

마이크로 반도체 발광 소자(140)는 제1 반도체층(145), 활성층(146), 및 제2 반도체층(147)을 포함할 수 있다. 제1 반도체층(145)과 제2 반도체층(147)은 전기적으로 서로 상반되는 타입으로 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체층(145)은 n형으로 도핑되고 제2 반도체층(147)은 p형으로 도핑되거나, 제1 반도체층(145)은 p형으로 도핑되고 제2 반도체층(147)은 n형으로 도핑될 수 있다. 활성층(146)은 예를 들어, 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조를 가질 수 있다.The micro semiconductor light emitting device 140 may include a first semiconductor layer 145 , an active layer 146 , and a second semiconductor layer 147 . The first semiconductor layer 145 and the second semiconductor layer 147 may be electrically doped with opposite types. For example, the first semiconductor layer 145 is n-type doped and the second semiconductor layer 147 is p-type doped, or the first semiconductor layer 145 is p-type doped and the second semiconductor layer 147 is doped p-type. ) may be n-type doped. The active layer 146 may have, for example, a quantum well structure or a multi-quantum well structure.

또한, 마이크로 반도체 발광 소자(140)는 동일 표면에 배치된 제1 전극(148)과 제2 전극(149)을 포함할 수 있다. 제1 전극(148)은 제1 반도체층(145)과 전기적으로 연결되고, 제2 전극(149)은 제2 반도체층(147)과 전기적으로 연결될 수 있다. 홈(150) 내에서 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 중심 축을 중심으로 회전하더라도 제1 전극(148)과 제2 전극(149)의 상대적인 위치가 고정될 수 있도록, 제1 전극(148)과 제2 전극(149)은 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 중심 축에 대해 대칭적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(149)은 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 상부 표면의 중앙부에 배치되고, 제1 전극(148)은 상부 표면의 주변부에 배치될 수 있다. 위에서 설명한 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 세부 형상은 예시적이며, 이에 한정되지 않는다.In addition, the micro semiconductor light emitting device 140 may include a first electrode 148 and a second electrode 149 disposed on the same surface. The first electrode 148 may be electrically connected to the first semiconductor layer 145 , and the second electrode 149 may be electrically connected to the second semiconductor layer 147 . The first electrode 148 and the second electrode 148 may be fixed so that the relative positions of the first electrode 148 and the second electrode 149 can be fixed even when the micro semiconductor light emitting device 140 rotates about the central axis in the groove 150 . The second electrode 149 may be symmetrically disposed with respect to the central axis of the micro semiconductor light emitting device 140 . For example, the second electrode 149 may be disposed in a central portion of the upper surface of the micro-semiconductor light emitting device 140 , and the first electrode 148 may be disposed in a peripheral portion of the upper surface. The detailed shape of the micro-semiconductor light emitting device 140 described above is exemplary and not limited thereto.

상세히 도시하지 않았지만, 구동 기판(110) 내에는 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 구동시키기 위한 박막 트랜지스터 등을 포함하는 구동 회로가 배치될 수 있다. 또한, 디스플레이 장치(100)는 구동 기판(110) 내의 구동 회로에 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 제1 전극(148)과 제2 전극(149)을 전기적으로 연결하도록 배치된 비아홀들 및 배선들을 더 포함할 수 있으나, 도 1에서는 편의상 생략하였다.Although not shown in detail, a driving circuit including a thin film transistor for driving the micro semiconductor light emitting device 140 may be disposed in the driving substrate 110 . In addition, the display apparatus 100 includes via holes and wires arranged to electrically connect the first electrode 148 and the second electrode 149 of the micro semiconductor light emitting device 140 to the driving circuit in the driving substrate 110 . It may be further included, but has been omitted in FIG. 1 for convenience.

구동 기판(110)의 상부 표면 상의 정확한 위치에 마이크로 반도체 발광 소자(140)들을 배치시키기 위하여 복수의 홈(150)을 구비하는 격벽층(120)이 구동 기판(110) 상에 마련된다. 각각의 홈(150) 내에는 후술하는 유체 자가 조립(fluidic self assembly) 방식을 이용하여 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 안착될 수 있다. 격벽층(120)의 홈(150) 내에 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 유도함으로써 구동 기판(110) 상의 정확한 위치에 마이크로 반도체 발광 소자(140)들을 2차원 정렬할 수 있다.A barrier rib layer 120 having a plurality of grooves 150 is provided on the driving substrate 110 in order to arrange the micro semiconductor light emitting devices 140 at precise positions on the upper surface of the driving substrate 110 . The micro semiconductor light emitting device 140 may be seated in each of the grooves 150 using a fluidic self assembly method, which will be described later. By guiding the micro semiconductor light emitting device 140 in the groove 150 of the barrier rib layer 120 , the micro semiconductor light emitting device 140 may be two-dimensionally aligned at an accurate position on the driving substrate 110 .

홈(150)은 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 수용 가능하도록 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 면적보다 큰 면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 홈(150)의 면적은 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 면적보다 크고 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 면적의 2배보다 작을 수 있다. 그러면 하나의 홈(150) 내에는 하나의 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 배치될 수 있다. 또한 홈(150)의 높이는 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 두께와 비슷할 수 있다. 예를 들어, 홈(150)의 높이는 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 두께의 0.8배 이상 1.5배 이하일 수 있다. 홈(150)은 마이크로 반도체 발광 소자(140)와 유사한 형상, 예를 들어, 다각형 또는 원형의 형상을 가질 수 있다.The groove 150 may have an area larger than the area of the micro semiconductor light emitting device 140 to accommodate the micro semiconductor light emitting device 140 . For example, the area of the groove 150 may be greater than the area of the micro semiconductor light emitting device 140 and smaller than twice the area of the micro semiconductor light emitting device 140 . Then, one micro semiconductor light emitting device 140 may be disposed in one groove 150 . Also, the height of the groove 150 may be similar to the thickness of the micro semiconductor light emitting device 140 . For example, the height of the groove 150 may be 0.8 times or more and 1.5 times or less the thickness of the micro semiconductor light emitting device 140 . The groove 150 may have a shape similar to that of the micro semiconductor light emitting device 140 , for example, a polygonal or circular shape.

유체 자가 조립 방식을 통해 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 홈(150) 내에 안착시킬 때, 제1 전극(148)과 제2 전극(149)이 배치된 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 상부 표면이 홈(150)의 바깥쪽을 향하게 되도록 홈(150)의 바닥면(150b)은 친수성을 가질 수 있다. 특히, 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 하부 표면과 접촉하게 되는 홈(150)의 바닥면(150b)은 높은 친수성을 갖도록 매우 매끄러운 표면을 갖는 유전체 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 홈(150)의 바닥면(150b)의 RMS(root mean square) 거칠기(roughness)는 약 50 nm 이하, 또는 약 10 nm 이하일 수 있다. 또한, 홈(150)의 바닥면(150b)에 접하는 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 하부 표면도 친수성을 가지며 약 50 nm 이하, 또는 약 10 nm 이하의 RMS 거칠기를 가질 수 있다. 그러면 마이크로 반도체 발광 소자(140)는 친수성을 갖는 하부 표면이 친수성을 갖는 홈(150)의 바닥면(150b)을 향하도록 안내될 수 있다.When the micro-semiconductor light-emitting device 140 is seated in the groove 150 through the fluid self-assembly method, the upper surface of the micro-semiconductor light-emitting device 140 on which the first electrode 148 and the second electrode 149 are disposed The bottom surface 150b of the groove 150 may have hydrophilicity so as to face the outside of the groove 150 . In particular, the bottom surface 150b of the groove 150 that comes into contact with the lower surface of the micro-semiconductor light emitting device 140 may be made of a dielectric material having a very smooth surface to have high hydrophilicity. For example, the root mean square (RMS) roughness of the bottom surface 150b of the groove 150 may be about 50 nm or less, or about 10 nm or less. In addition, the lower surface of the micro-semiconductor light emitting device 140 in contact with the bottom surface 150b of the groove 150 may also have hydrophilicity and may have an RMS roughness of about 50 nm or less or about 10 nm or less. Then, the micro-semiconductor light emitting device 140 may be guided such that the hydrophilic lower surface faces the bottom surface 150b of the hydrophilic groove 150 .

격벽층(120)은 유연성을 갖는 폴리머 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 격벽층(120)은 아크릴계 폴리머, 실리콘 기반 폴리머, 에폭시 기반 폴리머 중 적어도 하나의 재료를 포함할 수 있다. 또한, 격벽층(120)은 감광성 물질을 더 포함할 수 있다. 격벽층(120)이 감광성 물질을 포함하는 경우, 포토리소그래피 방식으로 복수의 홈(150)을 형성 수 있다. 격벽층(120)이 감광성 물질을 포함하지 않는 경우에는, 에칭 및 몰딩 방식으로 복수의 홈(150)을 형성할 수 있다. 격벽층(120)이 유연한 재료로 이루어지기 때문에, 홈(150) 내에 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 정렬시키기 위해 격벽층(120)에 약간의 압력이 가해지더라도 격벽층(120)은 원래의 상태로 복원될 수 있다. 또한, 일반적인 코팅 공정을 통해 폴리머 재료를 넓은 면적 상에 일정한 두께로 형성할 수 있기 때문에, 대면적의 구동 기판(110) 상에 격벽층(120)을 형성하는 것이 가능하다.The barrier rib layer 120 may be formed of a flexible polymer material. For example, the barrier layer 120 may include at least one of an acrylic polymer, a silicone-based polymer, and an epoxy-based polymer. In addition, the barrier layer 120 may further include a photosensitive material. When the barrier rib layer 120 includes a photosensitive material, the plurality of grooves 150 may be formed by a photolithography method. When the barrier rib layer 120 does not include a photosensitive material, the plurality of grooves 150 may be formed by etching and molding. Since the barrier rib layer 120 is made of a flexible material, even if a slight pressure is applied to the barrier rib layer 120 to align the micro semiconductor light emitting device 140 in the groove 150 , the barrier rib layer 120 remains in its original state. can be restored to In addition, since the polymer material can be formed with a constant thickness on a large area through a general coating process, it is possible to form the barrier rib layer 120 on the large area driving substrate 110 .

각각의 홈(150) 내에 배치된 마이크로 반도체 발광 소자(140)는 디스플레이 장치(100)의 하나의 화소의 역할을 할 수 있다. 측면 반사 구조(132)는 인접한 화소 사이의 크로스토크를 방지하기 위하여 각각의 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 측면 방향으로 방출되는 광을 반사하도록 배치될 수 있다. 이를 위하여 측면 반사 구조(132)는 각각의 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 측면을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 측면 반사 구조(132)는 각각의 홈(150)의 측벽(150s)을 둘러싸도록 격벽층(120)내부에 배치될 수 있다. 도 1에는 측면 반사 구조(132)가 격벽층(120)을 완전히 관통하여 격벽층(120)의 상부 표면으로부터 하부 표면까지 수직 방향(vertical direction)으로 연장되는 것으로 도시되었지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 측면 반사 구조(132)의 하부 표면이 격벽층(120)의 하부 부분에 의해 둘러싸이도록 측면 반사 구조(132)가 격벽층(120)을 관통하지 않을 수도 있다. 또한, 측면 반사 구조(132)의 상부 표면이 격벽층(120)의 상부 부분에 의해 둘러싸이도록 측면 반사 구조(132)가 격벽층(120) 내부에 매립될 수도 있다.The micro semiconductor light emitting device 140 disposed in each groove 150 may serve as one pixel of the display device 100 . The side reflective structure 132 may be disposed to reflect light emitted in a lateral direction of each micro semiconductor light emitting device 140 in order to prevent crosstalk between adjacent pixels. To this end, the side reflection structure 132 may be disposed to surround the side surface of each micro semiconductor light emitting device 140 . For example, the side reflection structure 132 may be disposed inside the partition wall layer 120 to surround the sidewall 150s of each groove 150 . Although it is illustrated in FIG. 1 that the side reflection structure 132 completely penetrates the barrier rib layer 120 and extends from the upper surface to the lower surface of the barrier rib layer 120 in a vertical direction, the present invention is not limited thereto. . For example, the side reflective structure 132 may not penetrate the barrier rib layer 120 so that the lower surface of the side reflective structure 132 is surrounded by the lower portion of the barrier rib layer 120 . In addition, the side reflective structure 132 may be embedded in the barrier rib layer 120 so that the upper surface of the side reflective structure 132 is surrounded by the upper portion of the barrier rib layer 120 .

측면 반사 구조(132)는 마이크로 반도체 발광 소자(140)로부터 방출된 광에 대해 반사도가 우수하고 마이크로 반도체 발광 소자(140)로부터 방출된 광을 거의 투과시키지 않는 알루미늄(Al)이나 은(Ag)과 같은 금속성 재료로 이루어질 수 있다. 이러한 금속성 재료는 일반적으로 소수성을 갖기 때문에, 측면 반사 구조(132)는 홈(150)의 바닥면(150b)에 직접 접촉하지 않도록 배치된다. 친수성을 갖는 홈(150)의 바닥면(150b)이 금속성 재료의 형성 시 외부로 노출되면 바닥면(150b)의 표면에너지가 변화하고 표면 거칠기가 커져서, 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 친수성을 갖는 하부 표면이 친수성을 갖는 홈(150)의 바닥면(150b)을 향하는 것을 방해할 수 있다. 예를 들어, 측면 반사 구조(132)는 마이크로 반도체 발광 소자(140)와 측면 반사 구조(132) 사이에 홈(150)의 측벽(150s)이 위치하도록 격벽층(120) 내에 배치될 수 있다.The side reflective structure 132 is formed of aluminum (Al) or silver (Ag) that has excellent reflectivity with respect to light emitted from the micro semiconductor light emitting device 140 and hardly transmits light emitted from the micro semiconductor light emitting device 140 . It may be made of the same metallic material. Since this metallic material is generally hydrophobic, the side reflective structure 132 is disposed so as not to directly contact the bottom surface 150b of the groove 150 . When the bottom surface 150b of the hydrophilic groove 150 is exposed to the outside when the metallic material is formed, the surface energy of the bottom surface 150b changes and the surface roughness increases, so that the micro-semiconductor light emitting device 140 has hydrophilicity. It may prevent the lower surface from facing the bottom surface 150b of the groove 150 having hydrophilicity. For example, the side reflective structure 132 may be disposed in the barrier rib layer 120 such that the sidewall 150s of the groove 150 is positioned between the micro semiconductor light emitting device 140 and the side reflective structure 132 .

디스플레이 장치(100)는 또한 각각의 홈(150) 내부의 바닥 측에 배치된 하부 반사 구조(131)를 더 포함할 수 있다. 하부 반사 구조(131)는 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 하부 방향으로 방출되는 광을 반사하여 광 이용 효율을 향상시킬 수 있다. 따라서 하부 반사 구조(131)를 사용하면 디스플레이 장치(100)의 밝기를 증가시키고 소비전력을 저감할 수 있다.The display apparatus 100 may further include a lower reflective structure 131 disposed on a bottom side inside each groove 150 . The lower reflective structure 131 may reflect light emitted in a downward direction of the micro semiconductor light emitting device 140 to improve light utilization efficiency. Therefore, when the lower reflective structure 131 is used, the brightness of the display apparatus 100 can be increased and power consumption can be reduced.

하부 반사 구조(131)의 상부 표면은 홈(150)의 바닥면(150b)일 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 홈(150)의 바닥면(150b)은 친수성을 갖는다. 따라서, 하부 반사 구조(131)는 친수성 표면을 갖도록 구성될 수 있다. 이를 위해, 하부 반사 구조(131)는 구동 기판(110)의 상부 표면 위에 배치된 반사 금속층(131a) 및 반사 금속층(131a)을 덮도록 배치되며 친수성 표면을 갖는 절연층(131b)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 절연층(131b)은 가시광선에 대해 투명한 유전체 재료로 이루어질 수 있으며, 절연층(131b)의 상부 표면은 50 nm 이하, 또는 10 nm 이하의 RMS 거칠기를 가질 수 있다. 또한, 반사 금속층(131a)은 알루미늄(Al) 및 은(Ag) 중 적어도 하나의 금속성 재료를 포함할 수 있다.The upper surface of the lower reflective structure 131 may be the bottom surface 150b of the groove 150 . As described above, the bottom surface 150b of the groove 150 has hydrophilicity. Accordingly, the lower reflective structure 131 may be configured to have a hydrophilic surface. To this end, the lower reflective structure 131 may include a reflective metal layer 131a disposed on the upper surface of the driving substrate 110 and an insulating layer 131b disposed to cover the reflective metal layer 131a and having a hydrophilic surface. have. For example, the insulating layer 131b may be made of a dielectric material transparent to visible light, and the upper surface of the insulating layer 131b may have an RMS roughness of 50 nm or less, or 10 nm or less. In addition, the reflective metal layer 131a may include at least one of aluminum (Al) and silver (Ag).

광 이용 효율을 증가시키기 위해, 하부 반사 구조(131)는 홈(150)의 면적보다 넓은 면적을 가질 수 있다. 따라서, 하부 반사 구조(131)는 격벽층(120)과 부분적으로 중첩될 수 있다. 예를 들어, 격벽층(120)의 일부가 하부 반사 구조(131)의 상부 표면의 일부 위에 배치될 수 있다. 또한, 하부 반사 구조(131)는 하부 반사 구조(131)의 상부 표면의 일부가 측면 반사 구조(132)의 하부 표면과 접하도록 측방으로 연장될 수 있다. 이 경우, 측면 반사 구조(132)는 격벽층(120)의 상부 표면으로부터 격벽층(120)의 내부를 지나 하부 반사 구조(131)의 상부 표면, 특히 절연층(131b)의 상부 표면까지 수직 방향(vertical direction)으로 연장될 수 있다.In order to increase light utilization efficiency, the lower reflective structure 131 may have a larger area than that of the groove 150 . Accordingly, the lower reflective structure 131 may partially overlap the barrier rib layer 120 . For example, a portion of the barrier rib layer 120 may be disposed on a portion of the upper surface of the lower reflective structure 131 . Also, the lower reflective structure 131 may extend laterally so that a portion of the upper surface of the lower reflective structure 131 contacts the lower surface of the side reflective structure 132 . In this case, the side reflective structure 132 extends vertically from the upper surface of the barrier rib layer 120 through the inside of the barrier rib layer 120 to the upper surface of the lower reflective structure 131 , in particular, the upper surface of the insulating layer 131b. (vertical direction) may be extended.

도 2는 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 보이는 평면도이다. 도 2를 참조하면, 2차원 배열된 복수의 홈(150) 내에 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 각각 배치될 수 있다. 따라서, 디스플레이 장치(100)는 2차원 배열된 복수의 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 포함할 수 있다. 홈(150)의 형태는 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 형태와 동일할 수 있으며, 홈(150)의 면적은 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 면적보다 크다. 따라서, 홈(150)의 측벽(150s)과 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 측면 사이에 간격이 존재할 수 있다. 측면 반사 구조(132)는 홈(150)의 측벽(150s)을 둘러싸며 홈(150) 및 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 형태와 동일한 형태의 내부면을 가질 수 있다. 도 2에는 홈(150), 마이크로 반도체 발광 소자(140), 및 측면 반사 구조(132)의 내부면이 사각형 형태인 것으로 예시되었으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 홈(150), 마이크로 반도체 발광 소자(140), 및 측면 반사 구조(132)의 내부면은 원형일 수도 있다. 측면 반사 구조(132)는 홈(150)의 측벽(150s)에 대해 바깥쪽에 배치되기 때문에 측면 반사 구조(132)의 내부면의 전체 길이는 홈(150)의 측벽(150s)의 길이보다 길다.2 is a plan view schematically illustrating a structure of a display device according to an exemplary embodiment. Referring to FIG. 2 , micro semiconductor light emitting devices 140 may be respectively disposed in a plurality of two-dimensionally arranged grooves 150 . Accordingly, the display apparatus 100 may include a plurality of micro-semiconductor light emitting devices 140 arranged in two dimensions. The shape of the groove 150 may be the same as that of the micro semiconductor light emitting device 140 , and the area of the groove 150 is larger than the area of the micro semiconductor light emitting device 140 . Accordingly, a gap may exist between the sidewall 150s of the groove 150 and the sidewall of the micro-semiconductor light emitting device 140 . The side reflection structure 132 surrounds the sidewall 150s of the groove 150 and may have an inner surface having the same shape as that of the groove 150 and the micro semiconductor light emitting device 140 . In FIG. 2 , the inner surfaces of the groove 150 , the micro-semiconductor light emitting device 140 , and the side reflection structure 132 are illustrated as having a rectangular shape, but the present invention is not limited thereto. For example, inner surfaces of the groove 150 , the micro semiconductor light emitting device 140 , and the side reflection structure 132 may have a circular shape. Since the side reflective structure 132 is disposed outwardly with respect to the sidewall 150s of the groove 150 , the total length of the inner surface of the side reflective structure 132 is longer than the length of the sidewall 150s of the groove 150 .

도 3은 도 1에 도시된 디스플레이 장치 내에서 하나의 마이크로 반도체 발광 소자에 대한 측면 반사 구조와 하부 반사 구조의 배치를 보이는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 측면 방향으로 방출되는 광이 측면 반사 구조(132)에 의해 반사되기 때문에, 디스플레이 장치(100)의 인접한 화소 사이의 크로스토크를 방지할 수 있다. 또한 측면 반사 구조(132)에 의해 반사된 광의 일부가 영상 형성에 기여할 수 있기 때문에 디스플레이 장치(100)의 광 이용 효율도 증가할 수 있다. 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 하부 방향으로 방출되는 광은 하부 반사 구조(131)에 의해 상부 방향으로 반사되어 영상 형성에 기여할 수 있기 때문에 디스플레이 장치(100)의 광 이용 효율이 더욱 증가할 수 있다.FIG. 3 is a cross-sectional view showing the arrangement of a side reflection structure and a lower reflection structure for one micro semiconductor light emitting device in the display device shown in FIG. 1 . Referring to FIG. 3 , since light emitted in the side direction of the micro semiconductor light emitting device 140 is reflected by the side reflection structure 132 , crosstalk between adjacent pixels of the display device 100 can be prevented. . In addition, since a portion of the light reflected by the side reflection structure 132 may contribute to image formation, the light utilization efficiency of the display apparatus 100 may also increase. Since the light emitted in the lower direction of the micro-semiconductor light emitting device 140 is reflected in the upper direction by the lower reflective structure 131 to contribute to image formation, the light use efficiency of the display apparatus 100 may further increase. .

측면 반사 구조(132)는 친수성을 갖는 홈(150)의 바닥면(150b)이 측면 반사 구조(132)에 의해 덮이지 않도록 격벽층(120)의 내부에 배치된다. 다시 말해, 측면 반사 구조(132)는 마이크로 반도체 발광 소자(140)와 측면 반사 구조(132) 사이에 홈(150)의 측벽(150s)이 위치하도록 격벽층(120)의 내부에 배치될 수 있다. 측면 반사 구조(132)가 홈(150)의 측벽(150s)으로부터 너무 멀면 격벽층(120)에 의해 광이 흡수되어 광 손실이 증가하고 너무 가까우면 측벽(150s)의 손상 가능성이 높아질 수 있다. 이러한 점을 고려하여 홈(150)의 측벽(150s)으로부터 측면 반사 구조(132)까지의 수평 방향 거리(t3)는 약 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛의 범위 내에 있을 수 있다. 여기서, 수평 방향은 구동 기판(110)의 상부 표면에 평행한 방향이다.The side reflective structure 132 is disposed inside the barrier rib layer 120 so that the bottom surface 150b of the hydrophilic groove 150 is not covered by the side reflective structure 132 . In other words, the side reflective structure 132 may be disposed inside the barrier rib layer 120 such that the sidewall 150s of the groove 150 is positioned between the micro semiconductor light emitting device 140 and the side reflective structure 132 . . If the side reflective structure 132 is too far from the sidewall 150s of the groove 150 , light is absorbed by the barrier layer 120 to increase light loss, and if it is too close, the possibility of damage to the sidewall 150s may increase. In consideration of this, the horizontal distance t3 from the sidewall 150s of the groove 150 to the side reflection structure 132 may be in a range of about 0.1 μm to 50 μm. Here, the horizontal direction is a direction parallel to the upper surface of the driving substrate 110 .

구동 기판(110)의 상부 표면에 평행한 방향을 따른 측면 반사 구조(132)의 폭(t2)은 측면 반사 구조(132)의 반사도 및 디스플레이 장치(100)의 전체적인 구조와 크기를 고려하여, 약 1 ㎛ 내지 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 수평 방향 폭보다 작은 범위 내에서 결정될 수 있다. 또한, 구동 기판(110)의 상부 표면의 법선 방향을 따른 하부 반사 구조(131)의 반사 금속층(131a)의 두께(t1)는 약 50 nm 내지 약 1 ㎛의 범위 내에서 결정될 수 있다.The width t2 of the side reflective structure 132 along a direction parallel to the upper surface of the driving substrate 110 is approximately approx. It may be determined within a range of 1 μm to a width smaller than the horizontal width of the micro semiconductor light emitting device 140 . Also, the thickness t1 of the reflective metal layer 131a of the lower reflective structure 131 along the normal line direction of the upper surface of the driving substrate 110 may be determined within a range of about 50 nm to about 1 μm.

도 4a 내지 도 4d는 도 1에 도시된 디스플레이 장치를 제조하는 방법을 보이는 단면도이다.4A to 4D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the display device illustrated in FIG. 1 .

먼저, 도 4a를 참조하면, 구동 기판(110) 상에서 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 배치될 위치에 복수의 하부 반사 구조(131)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 구동 기판(110)의 상부 표면의 전체 영역에 반사 금속층(131a)의 금속 재료와 절연층(131b)의 유전체 재료를 순차적으로 증착한 후, 반사 금속층(131a)의 금속 재료와 절연층(131b)의 유전체 재료를 패터닝함으로써 복수의 하부 반사 구조(131)를 형성할 수 있다.First, referring to FIG. 4A , a plurality of lower reflective structures 131 may be formed on a driving substrate 110 at a position where the micro semiconductor light emitting device 140 is to be disposed. For example, after sequentially depositing the metal material of the reflective metal layer 131a and the dielectric material of the insulating layer 131b over the entire area of the upper surface of the driving substrate 110 , the metal material of the reflective metal layer 131a and the insulating layer are insulated A plurality of lower reflective structures 131 may be formed by patterning the dielectric material of the layer 131b.

도 4b를 참조하면, 구동 기판(110)의 상부 표면 위에 격벽층(120)을 형성할 수 있다. 격벽층(120)은 감광성 물질을 포함하는 폴리머 재료를 구동 기판(110)의 상부 표면의 전체 영역에 적층하여 형성될 수 있다. 그런 후, 포토리소그래피 방식을 이용하여 격벽층(120)을 노광시키고 패터닝함으로써 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 배치될 위치에 복수의 홈(150)을 형성할 수 있다. 각각의 홈(150)은 격벽층(120)을 관통하여 하부 반사 구조(131)가 노출되도록 형성될 수 있다. 또한, 홈(150)을 형성하는 동안, 홈(150)의 주변을 둘러싸는 트렌치(151)를 함께 형성할 수 있다. 트렌치(151)는 격벽층(120)을 완전히 관통하여 하부 반사 구조(131)가 노출되도록 형성될 수도 있지만, 반드시 이에 한정되지는 않으며 격벽층(120)을 완전히 관통하지 않고 격벽층(120)의 하부 부분까지만 연장되도록 형성될 수도 있다. 포토리소그래피 방식 대신에, 에칭이나 몰딩 방식을 이용하여 홈(150) 및 트렌치(151)를 갖는 격벽층(120)을 형성하는 것도 가능하다.Referring to FIG. 4B , the barrier rib layer 120 may be formed on the upper surface of the driving substrate 110 . The barrier rib layer 120 may be formed by laminating a polymer material including a photosensitive material over the entire area of the upper surface of the driving substrate 110 . Then, by exposing and patterning the barrier rib layer 120 using a photolithography method, a plurality of grooves 150 may be formed at positions where the micro-semiconductor light emitting devices 140 are to be disposed. Each of the grooves 150 may be formed to penetrate the barrier rib layer 120 to expose the lower reflective structure 131 . In addition, while forming the groove 150 , the trench 151 surrounding the periphery of the groove 150 may be formed together. The trench 151 may be formed to completely penetrate the barrier rib layer 120 to expose the lower reflective structure 131 , but is not limited thereto. It may be formed to extend only to the lower portion. Instead of the photolithography method, it is also possible to form the barrier rib layer 120 having the groove 150 and the trench 151 by using an etching method or a molding method.

도 4c를 참조하면, 트렌치(151) 내에 반사성 금속 재료를 채움으로써 측면 반사 구조(132)를 형성할 수 있다. 그러면, 격벽층(120)의 상부 표면(120a)에 소수성을 갖는 금속 재료가 부분적으로 노출된다. 이로 인해 격벽층(120)의 상부 표면(120a)은 표면 거칠기가 증가된 소수성 표면을 갖게 될 수 있다.Referring to FIG. 4C , the side reflective structure 132 may be formed by filling the trench 151 with a reflective metal material. Then, the metal material having hydrophobicity is partially exposed on the upper surface 120a of the barrier rib layer 120 . As a result, the upper surface 120a of the barrier rib layer 120 may have a hydrophobic surface with increased surface roughness.

격벽층(120)의 상부 표면(120a)이 표면 거칠기가 증가된 소수성을 갖게 하기 위하여, 측면 반사 구조(132)와 동일한 금속 재료로 형성된 패턴을 격벽층(120)의 상부 표면(120a)에 더 형성할 수도 있다. 예를 들어, 도 5는 격벽층의 상부 표면이 표면 거칠기가 증가된 소수성을 갖도록 처리된 격벽층의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 격벽층(120)의 상부 표면(120a)에는 표면 거칠기를 증가시키기 위한 소수성 패턴(133)이 형성될 수 있다. 소수성 패턴(133)은 트렌치(151) 내에 측면 반사 구조(132)를 형성할 때 함께 형성될 수 있으며, 측면 반사 구조(132)와 동일한 재료로 이루어질 수 있다.In order to make the upper surface 120a of the barrier rib layer 120 have hydrophobicity with increased surface roughness, a pattern formed of the same metal material as the side reflective structure 132 is further applied to the upper surface 120a of the barrier rib layer 120 . can also be formed. For example, FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the barrier rib layer in which the upper surface of the barrier rib layer is treated to have increased hydrophobicity. Referring to FIG. 5 , a hydrophobic pattern 133 for increasing surface roughness may be formed on the upper surface 120a of the barrier rib layer 120 . The hydrophobic pattern 133 may be formed together when the side reflective structure 132 is formed in the trench 151 , and may be made of the same material as the side reflective structure 132 .

도 4d를 참조하면, 유체 자가 조립 방식을 이용하여 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 홈(150) 내에 안착시킬 수 있다. 예를 들어, 격벽층(120) 위에 액체와 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 공급하고, 액체를 흡수할 수 있는 흡수재로 격벽층(120)을 스캐닝할 수 있다. 흡수재가 격벽층(120) 위를 스캐닝한 후에 홈(150)에 들어가지 않은 남은 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 제거할 수 있다. 이러한 과정을 반복하여 모든 홈(150) 내에 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 안착시킬 수 있다. 홈(150)의 측벽(150s)과 바닥면(150b)은 친수성을 갖고 격벽층(120)의 상부 표면(120a)은 낮은 친수성 또는 소수성을 갖기 때문에, 친수성을 갖는 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 하부 표면이 홈(150)의 내부를 향해 안내되고 소수성을 갖는 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 제1 및 제2 전극(148, 149)이 홈(150)의 바깥쪽을 향해 정렬될 수 있다. 이러한 유체 자가 조립 방식에 대해서는 후에 보다 상세히 설명한다.Referring to FIG. 4D , the micro semiconductor light emitting device 140 may be seated in the groove 150 using a fluid self-assembly method. For example, the liquid and the micro-semiconductor light emitting device 140 may be supplied on the barrier rib layer 120 , and the barrier rib layer 120 may be scanned with an absorber capable of absorbing the liquid. After the absorber scans over the barrier layer 120 , the remaining micro-semiconductor light emitting device 140 that does not enter the groove 150 may be removed. By repeating this process, the micro semiconductor light emitting device 140 may be seated in all the grooves 150 . Since the sidewall 150s and the bottom surface 150b of the groove 150 have hydrophilicity and the upper surface 120a of the partition layer 120 has low hydrophilicity or hydrophobicity, the micro-semiconductor light emitting device 140 having hydrophilicity The lower surface may be guided toward the inside of the groove 150 , and the first and second electrodes 148 and 149 of the micro semiconductor light emitting device 140 having hydrophobicity may be aligned toward the outside of the groove 150 . Such a fluid self-assembly method will be described in more detail later.

도 4d에는 상세히 도시되지 않았지만, 홈(150) 내에 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 전사한 후에는, 마이크로 반도체 발광 소자(140)와 격벽층(120)을 덮는 절연막을 형성하는 과정, 절연막을 관통하여 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 제1 및 제2 전극(148, 149)에 전기적으로 연결되는 배선을 형성하는 과정, 보호막을 형성하는 과정 등을 더 수행할 수 있다. 이에 대해서는 후에 보다 상세히 설명한다.Although not shown in detail in FIG. 4D , after transferring the micro semiconductor light emitting device 140 into the groove 150 , the process of forming an insulating layer covering the micro semiconductor light emitting device 140 and the barrier rib layer 120 , and passing through the insulating layer Accordingly, a process of forming a wiring electrically connected to the first and second electrodes 148 and 149 of the micro-semiconductor light emitting device 140, a process of forming a protective film, and the like may be further performed. This will be described in more detail later.

도 6은 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다. 도 1 및 도 4a 내지 도 4d에서는 디스플레이 장치(100)가 복수의 분리된 하부 반사 구조(131)를 포함하는 것으로 도시되었다. 일반적으로 구동 기판(110)의 상부 표면에는 마이크로 반도체 발광 소자(140)와의 전기적 연결을 위한 전극 패드 등이 배치되므로, 구동 기판(110)의 상부 표면의 전체 영역에 금속 재료로 이루어진 반사 금속층(131a)을 형성하지 않고 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 하부에만 반사 금속층(131a)을 형성할 수 있다. 반면, 복수의 절연층(131b)이 복수의 반사 금속층(131a) 위에 각각 개별적으로 배치될 필요는 없다. 도 6를 참조하면, 디스플레이 장치(100a)의 하부 반사 구조(131)는 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 하부 표면과 마주하도록 복수의 홈(150)에 각각 배치된 복수의 반사 금속층(131a) 및 복수의 반사 금속층(131b)을 덮도록 구동 기판(110)의 상부 표면 위에 배치되어 있는 하나의 절연층(131b)을 포함할 수 있다.6 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a display device according to another exemplary embodiment. 1 and 4A to 4D , the display apparatus 100 is illustrated as including a plurality of separated lower reflective structures 131 . In general, since electrode pads for electrical connection with the micro-semiconductor light emitting device 140 are disposed on the upper surface of the driving substrate 110 , the reflective metal layer 131a made of a metal material is formed over the entire area of the upper surface of the driving substrate 110 . ), the reflective metal layer 131a may be formed only under the micro-semiconductor light emitting device 140 . On the other hand, it is not necessary for the plurality of insulating layers 131b to be individually disposed on the plurality of reflective metal layers 131a, respectively. Referring to FIG. 6 , the lower reflective structure 131 of the display apparatus 100a includes a plurality of reflective metal layers 131a respectively disposed in the plurality of grooves 150 to face the lower surface of the micro semiconductor light emitting device 140 , and One insulating layer 131b disposed on the upper surface of the driving substrate 110 to cover the plurality of reflective metal layers 131b may be included.

도 7a 내지 도 7f는 디스플레이 장치를 제조하는 방법을 보이는 단면도로서, 구동 기판과 마이크로 반도체 발광 소자 사이의 배선을 보다 상세히 보인다.7A to 7F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device, illustrating wiring between a driving substrate and a micro-semiconductor light emitting device in more detail.

도 7a를 참조하면, 절연성을 갖는 지지 기판(101) 및 지지 기판(101) 위에 배치된 구동 회로층(102)을 포함하는 구동 기판(110)이 마련된다. 지지 기판(101)은, 예를 들어, 유리 또는 폴리머 재료를 포함할 수 있다. 구동 회로층(102)은 박막 트랜지스터, 커패시터 등을 구비하는 구동 회로를 포함할 수 있다. 구동 회로층(102)의 상부 표면에는 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극과 전기적으로 연결된 제1 전극 패드(103)가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 7A , a driving substrate 110 including an insulating supporting substrate 101 and a driving circuit layer 102 disposed on the supporting substrate 101 is provided. The support substrate 101 may comprise, for example, a glass or polymer material. The driving circuit layer 102 may include a driving circuit including a thin film transistor, a capacitor, or the like. A first electrode pad 103 electrically connected to the source/drain electrodes of the thin film transistor may be disposed on the upper surface of the driving circuit layer 102 .

도 7b를 참조하면, 구동 회로층(102)의 상부 표면 위에 제1 전극 패드(103)와 접촉하지 않도록 반사 금속층(131a)을 형성하고, 제1 전극 패드(103)와 반사 금속층(131a)을 모두 덮도록 절연층(131b)을 형성할 수 있다. 반사 금속층(131a)과 절연층(131b)은 하부 반사 구조(131)를 구성하게 된다. 또는, 제1 전극 패드(103)와 반사 금속층(131a)가 동일한 금속 재료로 이루어지는 경우, 제1 전극 패드(103)와 반사 금속층(131a)을 하나의 공정을 통해 동시에 형성할 수도 있다. 예를 들어, 구동 회로층(102)의 상부 표면 위에 금속층을 증착한 후에, 패터닝을 통해 제1 전극 패드(103)와 반사 금속층(131a)을 함께 형성할 수 있다.Referring to FIG. 7B , a reflective metal layer 131a is formed on the upper surface of the driving circuit layer 102 so as not to contact the first electrode pad 103 , and the first electrode pad 103 and the reflective metal layer 131a are formed. The insulating layer 131b may be formed so as to cover all of them. The reflective metal layer 131a and the insulating layer 131b constitute the lower reflective structure 131 . Alternatively, when the first electrode pad 103 and the reflective metal layer 131a are made of the same metal material, the first electrode pad 103 and the reflective metal layer 131a may be simultaneously formed through one process. For example, after depositing a metal layer on the upper surface of the driving circuit layer 102 , the first electrode pad 103 and the reflective metal layer 131a may be formed together through patterning.

도 7c를 참조하면, 구동 회로층(102)의 상부 표면 위에 격벽층(120)을 형성한 후, 격벽층(120)을 패터닝하여 복수의 홈(150) 및 홈(150)의 주변을 둘러싸는 트렌치(151)를 형성할 수 있다. 또한, 제1 전극 패드(103)의 일부가 노출되도록 격벽층(120)을 관통하는 비아홀(152)을 더 형성할 수 있다. 홈(150), 트렌치(151), 및 비아홀(152)은 격벽층(120)의 패터닝을 통해 함께 형성될 수 있다.Referring to FIG. 7C , after the barrier rib layer 120 is formed on the upper surface of the driving circuit layer 102 , the barrier rib layer 120 is patterned to surround the plurality of grooves 150 and the periphery of the grooves 150 . A trench 151 may be formed. In addition, a via hole 152 penetrating through the barrier rib layer 120 may be further formed so that a part of the first electrode pad 103 is exposed. The groove 150 , the trench 151 , and the via hole 152 may be formed together through the patterning of the barrier layer 120 .

그런 후, 트렌치(151) 내에 금속 재료를 채워 측면 반사 구조(132)를 형성하고, 비아홀(152) 내에 금속 재료를 채워 도전성 금속층(104)을 형성할 수 있다. 측면 반사 구조(132)와 도전성 금속층(104)은 알루미늄이나 은과 같이 도전성과 반사성을 갖는 금속 재료를 이용하여 동시에 형성될 수 있다. 도전성 금속층(104)은 비아홀(152)을 통해 제1 전극 패드(103)와 전기적으로 연결될 수 있다. 또한 도전성 금속층(104)은 격벽층(120)의 상부 표면 위로 수평 방향을 따라 연장될 수 있다. 격벽층(120)의 상부 표면 위로 연장된 도전성 금속층(104)으로 인해 격벽층(120)의 상부 표면이 소수성을 갖게 된다. 측면 반사 구조(132)의 일부도 격벽층(120)의 상부 표면 위로 수평 방향을 따라 연장될 수 있다.Then, the side reflection structure 132 may be formed by filling the trench 151 with a metal material, and the conductive metal layer 104 may be formed by filling the via hole 152 with a metal material. The side reflection structure 132 and the conductive metal layer 104 may be simultaneously formed using a metal material having conductivity and reflectivity, such as aluminum or silver. The conductive metal layer 104 may be electrically connected to the first electrode pad 103 through the via hole 152 . In addition, the conductive metal layer 104 may extend along the horizontal direction above the upper surface of the barrier rib layer 120 . The upper surface of the barrier rib layer 120 has hydrophobicity due to the conductive metal layer 104 extending over the upper surface of the barrier rib layer 120 . A portion of the side reflective structure 132 may also extend over the upper surface of the barrier rib layer 120 in a horizontal direction.

도 7d를 참조하면, 유체 자가 조립 방식을 이용하여 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 홈(150) 내에 안착시킬 수 있다. 유체 자가 조립 방식을 통해 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 제1 및 제2 전극(148, 149)이 홈(150)의 바깥쪽을 향해 정렬될 수 있다.Referring to FIG. 7D , the micro semiconductor light emitting device 140 may be seated in the groove 150 using a fluid self-assembly method. The first and second electrodes 148 and 149 of the micro semiconductor light emitting device 140 may be aligned toward the outside of the groove 150 through the fluid self-assembly method.

도 7e를 참조하면, 마이크로 반도체 발광 소자(140)과 격벽층(120)을 완전히 덮도록 절연막(160)을 형성할 수 있다. 절연막(160)은 가시광선에 대해 투명한 유전체 재료로 이루어질 수 있다. 그리고, 절연막(160)을 패터닝하여 절연막(160)을 수직 방향으로 관통하는 복수의 비아홀(153, 154, 155, 156)을 형성할 수 있다. 비아홀(153, 154)은 절연막(160)을 관통하여 도전성 금속층(104)을 노출시킬 수 있으며, 비아홀(155, 156)은 절연막(160)을 관통하여 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 제1 및 제2 전극(148, 149)을 노출시킬 수 있다.Referring to FIG. 7E , the insulating layer 160 may be formed to completely cover the micro semiconductor light emitting device 140 and the barrier rib layer 120 . The insulating layer 160 may be made of a dielectric material that is transparent to visible light. In addition, the insulating layer 160 may be patterned to form a plurality of via holes 153 , 154 , 155 , and 156 penetrating the insulating layer 160 in a vertical direction. The via holes 153 and 154 penetrate the insulating layer 160 to expose the conductive metal layer 104 , and the via holes 155 and 156 penetrate the insulating layer 160 to penetrate the first and the first micro semiconductor light emitting devices 140 . The second electrodes 148 and 149 may be exposed.

도 7f를 참조하면, 복수의 비아홀(153, 154, 155, 156)에 도전성 금속 재료를 채워 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 제1 및 제2 전극(148, 149)을 구동 회로층(102) 내에 있는 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극에 연결하는 배선(105, 106)을 형성할 수 있다. 그리고, 절연막(160)과 배선(105, 106)을 덮는 투명한 보호층(170)을 더 형성할 수 있다.Referring to FIG. 7F , the plurality of via holes 153 , 154 , 155 , and 156 are filled with a conductive metal material to form the first and second electrodes 148 and 149 of the micro semiconductor light emitting device 140 in the driving circuit layer 102 . Wirings 105 and 106 for connecting to the source/drain electrodes of the thin film transistor in the thin film transistor may be formed. In addition, a transparent protective layer 170 covering the insulating layer 160 and the wirings 105 and 106 may be further formed.

도 8은 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다. 도 8을 참조하면, 디스플레이 장치(100b)는 절연성을 갖는 유전체 재료로만 형성된 하부 반사 구조(131')를 포함할 수 있다. 하부 반사 구조(131')는 금속 재료를 포함하지 않기 때문에 구동 기판(110)의 상부 표면의 전체 영역에 배치될 수 있다. 디스플레이 장치(100b)의 나머지 구성은 앞서 설명한 디스플레이 장치(100, 100a)의 구성과 동일하므로 그에 대한 설명은 생략한다.8 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a display device according to another exemplary embodiment. Referring to FIG. 8 , the display apparatus 100b may include a lower reflective structure 131 ′ formed only of an insulating dielectric material. Since the lower reflective structure 131 ′ does not include a metal material, it may be disposed on the entire area of the upper surface of the driving substrate 110 . The rest of the configuration of the display apparatus 100b is the same as the configuration of the display apparatuses 100 and 100a described above, and thus a description thereof will be omitted.

도 9는 도 8에 도시된 하부 반사 구조의 상세한 층 구조를 보이는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 하부 반사 구조(131')는 반복적으로 번갈아 적층된 제1 유전체층(131'a) 및 제2 유전체층(131'b)을 포함할 수 있다. 제1 유전체층(131'a)은 제1 굴절률을 가지며 제2 유전체층(131'b)은 제1 굴절률과 상이한 제2 굴절률을 가질 수 있다. 이 경우, 제1 유전체층(131'a)과 제2 유전체층(131'b) 사이의 계면들에서 반사되는 광의 위상을 일치시킴으로써 높은 반사율을 얻을 수 있다. 따라서, 이러한 하부 반사 구조(131')는 분산 브래그 반사기(distributed Bragg reflector)일 수 있다. 하부 반사 구조(131')의 반사율은 제1 유전체층(131'a)과 제2 유전체층(131'b)의 적층 횟수가 증가할수록 높아질 수 있다. 디스플레이 장치(100b)의 전체적인 구조와 크기를 고려하여 구동 기판(110)의 상부 표면의 법선 방향을 따른 하부 반사 구조(131')의 두께는 500 nm 내지 2 ㎛의 범위 내에서 선택될 수 있다.9 is a cross-sectional view showing a detailed layer structure of the lower reflective structure shown in FIG. 8 . Referring to FIG. 9 , the lower reflective structure 131 ′ may include a first dielectric layer 131 ′ and a second dielectric layer 131 ′ b repeatedly and alternately stacked. The first dielectric layer 131'a may have a first refractive index, and the second dielectric layer 131'b may have a second refractive index different from the first refractive index. In this case, a high reflectance may be obtained by matching the phases of light reflected at the interfaces between the first dielectric layer 131'a and the second dielectric layer 131'b. Accordingly, this lower reflective structure 131 ′ may be a distributed Bragg reflector. The reflectivity of the lower reflective structure 131' may increase as the number of stacking of the first dielectric layer 131'a and the second dielectric layer 131'b increases. In consideration of the overall structure and size of the display apparatus 100b, the thickness of the lower reflective structure 131 ′ along the normal direction of the upper surface of the driving substrate 110 may be selected within a range of 500 nm to 2 μm.

도 10은 유체 자가 조립 방식을 이용하여 마이크로 반도체 발광 소자를 정렬시키기는 방법을 예시적으로 보이는 사시도이다. 도 10을 참조하면, 2차원 배열된 복수의 홈(150)을 구비한 구동 기판(110)의 상부 표면 위에 복수의 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 공급할 수 있다. 복수의 마이크로 반도체 발광 소자(140)는, 구동 기판(110)의 홈(150)에 액체를 공급한 후, 구동 기판(110) 상에 직접 뿌려지거나 또는 현탁액(suspension)에 포함된 상태로 구동 기판(110) 상에 공급될 수 있다. 10 is a perspective view exemplarily showing a method of aligning a micro semiconductor light emitting device using a fluid self-assembly method. Referring to FIG. 10 , a plurality of micro-semiconductor light emitting devices 140 may be provided on the upper surface of the driving substrate 110 having the plurality of two-dimensionally arranged grooves 150 . The plurality of micro-semiconductor light emitting devices 140 are directly sprayed on the driving substrate 110 or included in suspension after supplying the liquid to the groove 150 of the driving substrate 110 . 110 may be supplied.

홈(150)에 공급되는 액체는, 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 부식시키거나 손상을 입히지 않는 한 어떠한 종류의 액체라도 가능하며, 스프레이 방법, 디스펜싱 방법, 잉크젯 도트 방법, 액체를 구동 기판(110)에 흘려 보내는 방법 등 다양한 방법으로 홈(150)에 공급될 수 있다. 액체는 예를 들어, 물, 에탄올, 알코올, 폴리올, 케톤, 할로카본, 아세톤, 플럭스(flux), 및 유기 솔벤트(solvent)를 포함하는 그룹 중 하나 또는 복수의 조합을 포함할 수 있다. 유기 솔벤트는 예를 들어 이소프로필알콜(IPA, isopropyl alcohol)을 포함할 수 있다. 액체는 홈(150)에 맞게 또는 홈(150)에서 넘치도록 공급량이 다양하게 조절될 수 있다.The liquid supplied to the groove 150 may be any kind of liquid as long as it does not corrode or damage the micro-semiconductor light emitting device 140 , and a spray method, a dispensing method, an inkjet dot method, or a liquid driving substrate ( 110) may be supplied to the groove 150 in various ways, such as a method of flowing it. The liquid may include, for example, one or a combination of a plurality of groups including water, ethanol, alcohol, polyol, ketone, halocarbon, acetone, flux, and organic solvent. The organic solvent may include, for example, isopropyl alcohol (IPA). The amount of liquid supplied may be variously adjusted to fit the groove 150 or overflow from the groove 150 .

복수의 마이크로 반도체 발광 소자(140)는 구동 기판(110)에 다른 액체 없이 직접 뿌려지거나, 현탁액(suspension)에 포함된 상태로 구동 기판(110) 상에 공급될 수 있다. 현탁액에 포함된 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 공급 방법으로 스프레이 방법, 액체를 방울방울 떨어뜨리는 디스펜싱 방법, 프린팅 방식처럼 액체를 토출하는 잉크젯 도트 방법, 현탁액을 구동 기판(110)에 흘려 보내는 방법 등이 다양하게 사용될 수 있다.The plurality of micro-semiconductor light emitting devices 140 may be directly sprayed onto the driving substrate 110 without another liquid or may be supplied onto the driving substrate 110 in a state of being included in a suspension. As a method of supplying the micro semiconductor light emitting device 140 included in the suspension, a spray method, a dispensing method for dropping a liquid, an inkjet dot method for discharging a liquid like a printing method, a method for flowing the suspension to the driving substrate 110 and the like may be used in various ways.

도 11은 마이크로 반도체 발광 소자를 정렬시키기 위한 스캐닝 과정을 개략적으로 보인다. 도 11을 참조하면, 흡수재(10)는 구동 기판(110)을 스캐닝할 수 있다. 스캐닝에 따라 흡수재(10)가 구동 기판(110)과 접촉하며 복수의 홈(150)을 지나가면서 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 홈(150) 내부로 이동시킬 수 있고, 또한 홈(150)에 있는 액체(L)를 흡수할 수 있다. 흡수재(10)는 액체(L)를 흡수할 수 있는 재질이면 족하고, 그 형태나 구조는 한정되지 않는다. 흡수재(10)는 예를 들어, 직물, 티슈, 폴리에스테르 섬유, 종이 또는 와이퍼 등을 포함할 수 있다.11 schematically shows a scanning process for aligning a micro semiconductor light emitting device. Referring to FIG. 11 , the absorber 10 may scan the driving substrate 110 . According to scanning, the absorber 10 comes into contact with the driving substrate 110 and passes through the plurality of grooves 150 to move the micro semiconductor light emitting device 140 into the groove 150 , and also to the groove 150 . It can absorb the liquid (L) in it. The absorbent material 10 is sufficient as long as it is a material capable of absorbing the liquid L, and its shape or structure is not limited. The absorbent material 10 may include, for example, fabric, tissue, polyester fiber, paper, or a wiper.

흡수재(10)는 다른 보조 기구 없이 단독으로 사용될 수 있지만, 이에 한정되지 않고, 구동 기판(110)을 스캐닝하기 편리하도록 지지대(20)에 결합될 수 있다. 지지대(20)는 구동 기판(110)을 스캐닝하기 적합한 다양한 형태와 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 지지대(20)는 봉(load), 블레이드(blade), 플레이트(plate), 와이퍼(wiper) 등의 형태를 가질 수 있다. 흡수재(10)는 지지대(20)의 어느 한 면에 구비되거나, 지지대(20)의 둘레를 감쌀 수 있다. 지지대(20)와 흡수재(10)의 형상은 도시된 사각형 단면 형상에 한정되지 않고, 원형 단면 형상을 가질 수도 있다.The absorbent material 10 may be used alone without other auxiliary devices, but is not limited thereto, and may be coupled to the support 20 for convenient scanning of the driving substrate 110 . The support 20 may have various shapes and structures suitable for scanning the driving substrate 110 . For example, the support 20 may have the form of a rod, a blade, a plate, a wiper, or the like. The absorbent material 10 may be provided on any one side of the support 20 , or may wrap around the support 20 . The shapes of the support 20 and the absorber 10 are not limited to the illustrated rectangular cross-sectional shape, and may have a circular cross-sectional shape.

흡수재(10)는 구동 기판(110)을 적절한 압력으로 가압하면서 스캐닝할 수 있다. 구동 기판(110)의 격벽층(120)은 유연성을 갖는 폴리머 재료를 포함하기 때문에 구동 기판(110)에 압력이 가해져도 스캐닝 후 원래의 두께로 복원될 수 있다. 스캐닝은 예를 들어, 흡수재(10)의 슬라이딩(sliding) 방식, 회전(rotating) 방식, 병진(translating) 운동 방식, 왕복(reciprocating) 운동 방식, 롤링(rolling) 방식, 스피닝(spinning) 방식 및/또는 러빙(rubbing) 방식 등 다양한 방식으로 수행될 수 있으며, 규칙적인 방식 또는 불규칙적인 방식 모두 포함할 수 있다. 스캐닝은 흡수재(10)를 이동시키는 대신에, 구동 기판(110)을 이동시켜 수행될 수도 있으며, 구동 기판(110)의 스캐닝 또한 슬라이딩, 회전, 병진 왕복, 롤링, 스피닝, 및 또는 러빙 등의 방식으로 수행될 수 있다. 또한, 흡수재(10)와 구동 기판(110)의 협동에 의해 스캐닝이 수행되는 것도 가능하다.The absorber 10 may be scanned while pressing the driving substrate 110 with an appropriate pressure. Since the barrier rib layer 120 of the driving substrate 110 includes a flexible polymer material, even when pressure is applied to the driving substrate 110 , the original thickness may be restored after scanning. Scanning is, for example, a sliding method, a rotating method, a translating motion method, a reciprocating motion method, a rolling method, a spinning method and/or a method of the absorbent 10 of the absorbent material 10 . Alternatively, it may be performed in various ways such as a rubbing method, and may include both a regular method and an irregular method. The scanning may be performed by moving the driving substrate 110 instead of moving the absorber 10 , and scanning of the driving substrate 110 may also be performed by sliding, rotating, translational reciprocating, rolling, spinning, and/or rubbing. can be performed with In addition, scanning may be performed by cooperation of the absorber 10 and the driving substrate 110 .

구동 기판(110)의 홈(150)에 액체(L)를 공급하는 단계와 구동 기판(110)에 마이크로 반도체 발광 소자(140)을 공급하는 단계는 앞서 설명한 순서와 반대로 진행될 수도 있다. 또한, 구동 기판(110)의 홈(150)에 액체(L)를 공급하는 단계와 구동 기판(110)에 마이크로 반도체 발광 소자(140)을 공급하는 단계가 하나의 단계로 동시에 수행되는 것도 가능하다. 예를 들어, 구동 기판(110)에 마이크로 반도체 발광 소자(140)이 들어 있는 현탁액을 공급함으로써 구동 기판(110)에 액체(L)와 마이크로 반도체 발광 소자(140)을 동시에 공급할 수 있다.The supplying of the liquid L to the groove 150 of the driving substrate 110 and the supplying of the micro-semiconductor light emitting device 140 to the driving substrate 110 may be reversed from the above-described order. In addition, it is also possible that the step of supplying the liquid L to the groove 150 of the driving substrate 110 and the supplying of the micro semiconductor light emitting device 140 to the driving substrate 110 are simultaneously performed in one step. . For example, by supplying a suspension containing the micro semiconductor light emitting device 140 to the driving substrate 110 , the liquid L and the micro semiconductor light emitting device 140 may be simultaneously supplied to the driving substrate 110 .

흡수재(10)가 구동 기판(110)을 스캐닝한 후, 홈(150)에 들어가지 않고 구동 기판(110)에 남아 있는 마이크로 반도체 발광 소자(140)는 제거될 수 있다. 그리고, 모든 홈(150)들 내에 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 안착될 때까지 위에서 설명한 과정들이 반복될 수 있다.After the absorber 10 scans the driving substrate 110 , the micro semiconductor light emitting device 140 remaining in the driving substrate 110 without entering the groove 150 may be removed. In addition, the above-described processes may be repeated until the micro semiconductor light emitting device 140 is seated in all the grooves 150 .

상술한 바와 같이, 실시예들에 따른 디스플레이 장치는 유체 자가 조립 방식을 이용하여 대면적으로 제조가 가능하다. 또한, 실시예들에 따른 디스플레이 장치는 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 정렬시키기 위한 격벽층(120) 내에 측면 반사 구조(132)를 구비할 수 있기 때문에 인접 화소 사이의 크로스토크를 저감할 수 있으며, 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 안착되는 홈(150)의 바닥에 하부 반사 구조(131)를 구비하기 때문에 광 효율을 향상시킬 수 있다.As described above, the display apparatus according to the embodiments can be manufactured in a large area using a fluid self-assembly method. In addition, since the display device according to the embodiments may include the side reflection structure 132 in the barrier rib layer 120 for aligning the micro semiconductor light emitting device 140 , crosstalk between adjacent pixels may be reduced. , since the lower reflective structure 131 is provided at the bottom of the groove 150 in which the micro semiconductor light emitting device 140 is seated, light efficiency can be improved.

상술한 설명에서는 홈(150)의 형태가 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 형태와 유사한 것으로 설명하였으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 특히, 마이크로 반도체 발광 소자(140)들을 거의 편차 없이 정확한 위치에 정렬시키기 위하여 홈(150)의 형태를 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 형태와 다르게 설계할 수도 있다. 예를 들어, 도 12는 디스플레이 장치의 격벽층 내에 구비된 홈들의 예시적인 형태를 보이는 사시도이며, 도 13은 도 12에 도시된 홈들의 형태를 보다 상세히 보이는 평면도이다.In the above description, it has been described that the shape of the groove 150 is similar to the shape of the micro semiconductor light emitting device 140 , but the present invention is not limited thereto. In particular, in order to align the micro-semiconductor light-emitting devices 140 to precise positions with almost no deviation, the shape of the groove 150 may be designed to be different from that of the micro-semiconductor light-emitting device 140 . For example, FIG. 12 is a perspective view showing exemplary shapes of grooves provided in the barrier layer of the display device, and FIG. 13 is a plan view showing the shapes of the grooves shown in FIG. 12 in more detail.

도 12 및 도 13을 참조하면, 각각의 홈(150)은 홈(150) 내에서 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 움직일 수 있는 공간을 갖는 제1 트랩(150A) 및 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 안착될 수 있는 형상과 크기를 가지며 제1 트랩(150A)과 연결되는 제2 트랩(150B)을 포함한다. 또한, 홈(150)은 제2 트랩(150B)과 연결되며 제2 트랩(150B)보다 작은 크기를 갖는 제3 트랩(150C)을 더 포함할 수 있다. 제3 트랩(150C)은 불순물 공간의 역할을 할 수 있다. 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 제2 트랩(150B)에 정렬될 때, 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 포함하는 현탁액(suspension)에 있을 수 있는 불순물이 제3 트랩(150C)으로 유도될 수 있어서 제2 트랩(150B)에 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 쉽게 정렬될 수 있다. 제3 트랩(150C)은 제2 트랩(150B)보다 작은 크기로서 형상은 특별히 한정되지 않는다. 제3 트랩(150C)은 복수 개가 마련될 수도 있고, 또는 생략될 수도 있다.12 and 13 , each groove 150 has a first trap 150A and a micro semiconductor light emitting device 140 having a space in which the micro semiconductor light emitting device 140 can move within the groove 150 . and a second trap 150B connected to the first trap 150A, having a shape and size on which the . Also, the groove 150 may further include a third trap 150C connected to the second trap 150B and having a smaller size than the second trap 150B. The third trap 150C may serve as an impurity space. When the micro semiconductor light emitting device 140 is aligned with the second trap 150B, impurities that may be in the suspension including the micro semiconductor light emitting device 140 may be induced to the third trap 150C. The micro semiconductor light emitting device 140 may be easily aligned with the second trap 150B. The third trap 150C has a smaller size than the second trap 150B, and the shape is not particularly limited. A plurality of third traps 150C may be provided or may be omitted.

제1 트랩(150A)은 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 움직일 수 있는 공간을 가질 수 있는 크기로 설정된다. 또한, 하나의 홈(150) 내에는 하나의 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 배치되도록, 제1 트랩(150A)의 크기가 선택될 수 있다. 다시 말해, 제1 트랩(150A)의 크기는 홈(150) 내에 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 2개 이상이 들어갈 수 없도록 설정될 수 있다. 제1 트랩(150A)은 원형인 제2 트랩(150B)과 일부 중첩되며 원의 일부가 잘린 형태를 가질 수 있다.The first trap 150A is set to a size that can have a space in which the micro semiconductor light emitting device 140 can move. In addition, the size of the first trap 150A may be selected such that one micro-semiconductor light emitting device 140 is disposed in one groove 150 . In other words, the size of the first trap 150A may be set so that two or more micro-semiconductor light emitting devices 140 cannot fit into the groove 150 . The first trap 150A partially overlaps the circular second trap 150B and may have a shape in which a part of the circle is cut off.

제2 트랩(150B)은 마이크로 반도체 발광 소자(140)에 상응하는 모양과 크기를 가질 수 있다. 다시 말해, 제2 트랩(150B)은 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 안착될 수 있는 모양과 크기를 갖는다. 제2 트랩(150B)은 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 안착될 수 있는 정도의 크기로서, 마이크로 반도체 발광 소자(140)와 거의 동일한 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 트랩(150B)의 폭은 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 폭의 100% 이상이며, 105%이하, 103%이하, 또는 101% 이하일 수 있다. 또한, 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 원형인 경우, 제2 트랩(150B)도 원형일 수 있으며, 또는 원형의 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 들어갈 수 있는 타원 또는 다각형 등의 형상일 수도 있다. 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 사각형 형상인 경우 제2 트랩(150B)도 사각형 형상일 수 있고, 또는 사각형 형상의 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 들어갈 수 있는 원, 타원 또는 다른 다각형 형상일 수도 있다.The second trap 150B may have a shape and size corresponding to that of the micro semiconductor light emitting device 140 . In other words, the second trap 150B has a shape and size in which the micro semiconductor light emitting device 140 can be seated. The second trap 150B is large enough to accommodate the micro-semiconductor light-emitting device 140 , and may have substantially the same size as the micro-semiconductor light-emitting device 140 . For example, the width of the second trap 150B may be 100% or more, 105% or less, 103% or less, or 101% or less of the width of the micro semiconductor light emitting device 140 . In addition, when the micro semiconductor light emitting device 140 is circular, the second trap 150B may also have a circular shape, or may have an oval or polygonal shape into which the circular micro semiconductor light emitting device 140 can be inserted. When the micro-semiconductor light-emitting device 140 has a rectangular shape, the second trap 150B may also have a rectangular shape, or may have a circle, ellipse, or other polygonal shape into which the micro-semiconductor light-emitting device 140 of the rectangular shape can fit. .

도 10 및 도 11에 도시된 스캐닝 과정에서, 흡수재(10)가 제1 트랩(150A)으로부터 제2 트랩(150B)을 향해 진행하는 방향으로 구동 기판(110)을 스캐닝하면, 마이크로 반도체 발광 소자(140)는 제2 트랩(150B) 내에 정확하게 안착될 수 있다. 제2 트랩(150B)이 마이크로 반도체 발광 소자(140)와 거의 동일한 크기를 갖기 때문에, 구동 기판(110)의 전체 영역에서 마이크로 반도체 발광 소자(140)들이 거의 정확한 위치에 정렬될 수 있다.In the scanning process shown in FIGS. 10 and 11 , when the driving substrate 110 is scanned in the direction in which the absorber 10 advances from the first trap 150A to the second trap 150B, the micro semiconductor light emitting device ( 140 may be accurately seated in the second trap 150B. Since the second trap 150B has substantially the same size as the micro-semiconductor light-emitting device 140 , the micro-semiconductor light-emitting devices 140 may be aligned at almost exact positions in the entire area of the driving substrate 110 .

도 14a 내지 도 14c는 다양한 홈들의 형태를 예시적으로 보인다. 도 14a를 참조하면, 홈(250)은 제1 트랩(250A), 제2 트랩(250B), 및 제3 트랩(250C)을 포함할 수 있다. 제2 트랩(250B)은 원형이고, 제1 트랩(250A)은 일단이 사각 형상으로 변형된 형상을 가질 수 있다. 도 14b를 참조하면, 홈(350)의 제1 트랩(350A), 제2 트랩(350B), 및 제3 트랩(350C)은 사각형 형상을 가질 수 있고, 제2 트랩(350B)에 원형의 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 배치될 수 있다. 또한, 도 14c를 참조하면, 홈(450)의 제1 트랩(450A), 제2 트랩(450B), 제3트랩(450C)은 사각형 형상을 가질 수 있고, 제2 트랩(450B)에 사각형의 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 배치될 수 있다.14A to 14C exemplarily show the shape of various grooves. Referring to FIG. 14A , the groove 250 may include a first trap 250A, a second trap 250B, and a third trap 250C. The second trap 250B may have a circular shape, and the first trap 250A may have a shape in which one end is deformed into a square shape. Referring to FIG. 14B , the first trap 350A, the second trap 350B, and the third trap 350C of the groove 350 may have a rectangular shape, and the second trap 350B has a circular microstructure. A semiconductor light emitting device 140 may be disposed. Also, referring to FIG. 14C , the first trap 450A, the second trap 450B, and the third trap 450C of the groove 450 may have a rectangular shape, and the second trap 450B has a rectangular shape. A micro semiconductor light emitting device 140 may be disposed.

지금까지는, 구동 기판(110) 상에 직접 유체 자가 조립 방식으로 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 정렬하는 것으로 설명하였다. 그러나, 전사 기판 상에 유체 자가 조립 방식으로 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 정렬한 후, 전사 기판 상의 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 구동 기판(110) 상에 전사하는 것도 가능하다. 예를 들어, 도 15a 내지 도 15f는 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치를 제조하는 방법을 보이는 단면도이다.So far, it has been described that the micro-semiconductor light emitting device 140 is directly aligned on the driving substrate 110 in a fluid self-assembly method. However, after aligning the micro semiconductor light emitting device 140 on the transfer substrate in a fluid self-assembly method, it is also possible to transfer the micro semiconductor light emitting device 140 on the transfer substrate onto the driving substrate 110 . For example, FIGS. 15A to 15F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device according to another exemplary embodiment.

도 15a를 참조하면, 구동 기판(210)의 상부 표면 위에 하부 반사 구조(231)를 먼저 형성할 수 있다. 하부 반사 구조(231)는 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 배치될 위치에 복수 개가 형성될 수 있다. 하부 반사 구조(231)는 전극 패드의 역할을 함께 수행하도록 구성될 수 있다. 이를 위해, 하부 반사 구조(231)는 제1 반사 금속층(231a), 제2 반사 금속층(231b), 및 제1 및 제2 반사 금속층(231a, 231b)을 덮도록 배치되는 절연층(231c)을 포함할 수 있다. 도 15a에는 분리된 복수의 절연층(231c)이 구동 기판(210) 위에 배치된 것으로 도시되었으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 복수의 제1 반사 금속층(231a)과 제2 반사 금속층(231b)들을 모두 덮는 하나의 절연층(231c)이 구동 기판(210) 상에 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 15A , a lower reflective structure 231 may be first formed on the upper surface of the driving substrate 210 . A plurality of lower reflective structures 231 may be formed at positions where the micro semiconductor light emitting devices 140 are to be disposed. The lower reflective structure 231 may be configured to serve as an electrode pad. To this end, the lower reflective structure 231 includes an insulating layer 231c disposed to cover the first reflective metal layer 231a, the second reflective metal layer 231b, and the first and second reflective metal layers 231a and 231b. may include Although it is illustrated that the plurality of separated insulating layers 231c are disposed on the driving substrate 210 in FIG. 15A , the present invention is not limited thereto. For example, one insulating layer 231c covering all of the plurality of first reflective metal layers 231a and 231b may be formed on the driving substrate 210 .

도 15b를 참조하면, 제1 반사 금속층(231a)의 일부와 제2 반사 금속층(231b)의 일부가 노출되도록 절연층(231c)을 수직 방향으로 관통하여 관통홀을 형성할 수 있다. 그리고, 관통홀 내에 범프 재료를 채워 범프층(220)을 형성할 수 있다. 범프층(220)은 제1 반사 금속층(231a)과 접촉하는 제1 범프층(220a) 및 제2 반사 금속층(231b)과 접촉하는 제2 범프층(220b)을 포함할 수 있다. 제1 범프층(220a)과 제2 범프층(220b)은 절연층(231c)의 상부 표면 위에 부분적으로 연장될 수 있으며, 절연층(231c)의 상부 표면 위에서 서로 떨어져 배치된다. 범프층(220)은 범프 재료와 함께 UBM(under bump metallurgy)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 15B , a through hole may be formed by penetrating the insulating layer 231c in a vertical direction so that a part of the first reflective metal layer 231a and a part of the second reflective metal layer 231b are exposed. In addition, the bump layer 220 may be formed by filling the bump material in the through hole. The bump layer 220 may include a first bump layer 220a in contact with the first reflective metal layer 231a and a second bump layer 220b in contact with the second reflective metal layer 231b. The first bump layer 220a and the second bump layer 220b may partially extend on the upper surface of the insulating layer 231c and are disposed apart from each other on the upper surface of the insulating layer 231c. The bump layer 220 may further include under bump metallurgy (UBM) together with the bump material.

도 15c를 참조하면, 복수의 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 정렬되어 있는 전사 기판(310)을 구동 기판(210)의 상부 표면 위에 배치시킬 수 있다. 전사 기판(310)은 복수의 홈(315)을 포함할 수 있으며, 복수의 홈(315) 내에는 유체 자가 조립 방식을 이용하여 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 각각 안착되어 있다. 특히, 홈(315)의 바깥쪽을 향해 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 제1 전극(148)과 제2 전극(149)이 배치되도록 마이크로 반도체 발광 소자(140)가 정렬될 수 있다. 전사 기판(310)은 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 제1 및 제2 전극(148, 149)이 구동 기판(210)을 향하도록 배치될 수 있다. 그러면, 전사 기판(310)에 정렬되어 있는 마이크로 반도체 발광 소자(140)들이 구동 기판(210) 위로 전사될 수 있다. 이에 따라, 각각의 마이크로 반도체 발광 소자(140)와 구동 기판(210) 사이에 하부 반사 구조(231)가 위치하게 된다.Referring to FIG. 15C , the transfer substrate 310 on which the plurality of micro semiconductor light emitting devices 140 are aligned may be disposed on the upper surface of the driving substrate 210 . The transfer substrate 310 may include a plurality of grooves 315, and the micro semiconductor light emitting devices 140 are respectively seated in the plurality of grooves 315 using a fluid self-assembly method. In particular, the micro semiconductor light emitting device 140 may be aligned such that the first electrode 148 and the second electrode 149 of the micro semiconductor light emitting device 140 are disposed toward the outside of the groove 315 . The transfer substrate 310 may be disposed such that the first and second electrodes 148 and 149 of the micro semiconductor light emitting device 140 face the driving substrate 210 . Then, the micro semiconductor light emitting devices 140 aligned on the transfer substrate 310 may be transferred onto the driving substrate 210 . Accordingly, the lower reflective structure 231 is positioned between each of the micro semiconductor light emitting devices 140 and the driving substrate 210 .

도 15d를 참조하면, 구동 기판(210) 위로 전사된 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 제1 전극(148)과 제2 전극(149)은 서로 다른 범프층에 각각 접촉할 수 있다. 예를 들어, 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 제1 전극(148)은 제2 범프층(220b)과 접촉할 수 있으며, 제2 전극(149)은 제1 범프층(220a)과 접촉할 수 있다. 그러면, 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 제1 전극(148)은 제2 범프층(220b)을 통해 제2 반사 금속층(231b)에 전기적으로 연결되고, 제2 전극(149)은 제1 범프층(220a)을 통해 제1 반사 금속층(231a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상세히 도시되지는 않았지만, 제1 반사 금속층(231a)과 제2 반사 금속층(231b)은 각각 구동 기판(210) 내부의 구동 회로에 전기적으로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 15D , the first electrode 148 and the second electrode 149 of the micro semiconductor light emitting device 140 transferred onto the driving substrate 210 may contact different bump layers, respectively. For example, the first electrode 148 of the micro semiconductor light emitting device 140 may contact the second bump layer 220b, and the second electrode 149 may contact the first bump layer 220a. have. Then, the first electrode 148 of the micro semiconductor light emitting device 140 is electrically connected to the second reflective metal layer 231b through the second bump layer 220b, and the second electrode 149 is the first bump layer It may be electrically connected to the first reflective metal layer 231a through 220a. Although not shown in detail, the first reflective metal layer 231a and the second reflective metal layer 231b may be electrically connected to a driving circuit inside the driving substrate 210 , respectively.

도 15e를 참조하면, 구동 기판(210)과 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 덮도록 투명한 보호층(240)을 형성할 수 있다. 그리고, 보호층(240)을 패터닝하여 각각의 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 주변을 둘러싸도록 트렌치(245)를 형성할 수 있다. 도 15e에는 트렌치(245)가 보호층(240)을 수직 방향으로 완전히 관통하는 것으로 도시되었으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 트렌치(245)가 보호층(240)을 완전히 관통하는 경우, 트렌치(245)에 의해 구동 기판(210)의 상부 표면이 노출될 수 있다. 또는, 제1 반사 금속층(231a)과 제2 반사 금속층(231b)들을 모두 덮는 하나의 절연층(231c)이 구동 기판(210) 상에 형성된 경우, 트렌치(245)에 의해 절연층(231c)이 노출될 수도 있다. 그러나, 트렌치(245)가 보호층(240)을 완전히 관통하지 않는 경우, 보호층(240)의 하부 부분에 트렌치(245)의 바닥이 형성되며, 구동 기판(210)의 상부 표면 또는 절연층(231c)의 상부 표면은 노출되지 않을 수 있다.Referring to FIG. 15E , a transparent protective layer 240 may be formed to cover the driving substrate 210 and the micro semiconductor light emitting device 140 . Then, the protective layer 240 may be patterned to form a trench 245 to surround the periphery of each micro semiconductor light emitting device 140 . Although it is illustrated in FIG. 15E that the trench 245 completely penetrates the passivation layer 240 in the vertical direction, the present invention is not limited thereto. When the trench 245 completely penetrates the passivation layer 240 , the upper surface of the driving substrate 210 may be exposed by the trench 245 . Alternatively, when one insulating layer 231c covering both the first reflective metal layer 231a and the second reflective metal layer 231b is formed on the driving substrate 210 , the insulating layer 231c is formed by the trench 245 may be exposed. However, when the trench 245 does not completely penetrate the passivation layer 240, the bottom of the trench 245 is formed in the lower portion of the passivation layer 240, and the upper surface of the driving substrate 210 or the insulating layer ( 231c) may not be exposed.

도 15f를 참조하면, 트렌치(245) 내에 반사성 금속 재료를 채워 측면 반사 구조(260)를 형성할 수 있다. 측면 반사 구조(260)는 각각의 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 주위를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 측면 반사 구조(260)는 보호층(240)을 완전히 관통하여 보호층(240)의 상부 표면으로부터 하부 표면까지 연장될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 측면 반사 구조(260)의 하부 표면이 보호층(240)의 하부 부분에 의해 둘러싸이도록 측면 반사 구조(260)가 보호층(240)을 관통하지 않을 수도 있다. 이러한 측면 반사 구조(260)는 제1 반사 금속층(231a) 또는 제2 반사 금속층(231b)과 접촉하지 않도록 배치될 수 있다.Referring to FIG. 15F , the side reflective structure 260 may be formed by filling the trench 245 with a reflective metal material. The side reflection structure 260 may be disposed to surround each of the micro semiconductor light emitting devices 140 . The side reflection structure 260 may extend from the upper surface to the lower surface of the passivation layer 240 by completely penetrating the passivation layer 240 , but is not limited thereto. For example, the side reflective structure 260 may not penetrate the passivation layer 240 so that the lower surface of the side reflective structure 260 is surrounded by the lower portion of the passivation layer 240 . The side reflective structure 260 may be disposed so as not to contact the first reflective metal layer 231a or the second reflective metal layer 231b.

도 15a 내지 도 15f에 도시된 방식으로 제조된 디스플레이 장치(200)는 격벽층을 포함하지 않는다는 점이 전술한 디스플레이 장치와 상이하며, 또한 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 제1 및 제2 전극(148, 149)이 향하는 방향 및 이에 따른 배선의 구조에 있어서도 전술한 디스플레이 장치와 상이하다. 그러나, 전술한 디스플레이 장치에 대해 설명한 측면 반사 구조와 하부 반사 구조의 구성들은 디스플레이 장치(200)에도 대체로 적용될 수 있다.The display device 200 manufactured in the manner shown in FIGS. 15A to 15F is different from the aforementioned display device in that it does not include a barrier layer, and also the first and second electrodes 148 of the micro-semiconductor light emitting device 140 . , 149) is also different from the above-described display device in the direction and the structure of the wiring. However, the configurations of the side reflection structure and the bottom reflection structure described with respect to the display apparatus described above may be generally applied to the display apparatus 200 .

도 16은 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다. 도 16을 참조하면, 디스플레이 장치(1000)는 보호층(170) 위에 배치된 파장 변환층(1100) 및 파장 변환층(1100) 위에 배치된 상부 기판(1200)을 더 포함할 수 있다. 도 16에 도시된 디스플레이 장치(1000)에서 보호층(170) 아래에 위치하는 구동 기판(110)과 마이크로 반도체 발광 소자(140)를 포함하는 구조는 앞서 설명한 디스플레이 장치(100, 100a, 100b, 200)들의 구성과 동일할 수 있다. 도 16에는 마이크로 반도체 발광 소자(140)의 배선 구조에 대해 편의상 생략하였다.16 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a display device according to another exemplary embodiment. Referring to FIG. 16 , the display apparatus 1000 may further include a wavelength conversion layer 1100 disposed on the protective layer 170 and an upper substrate 1200 disposed on the wavelength conversion layer 1100 . The structure including the driving substrate 110 and the micro semiconductor light emitting device 140 positioned under the protective layer 170 in the display device 1000 shown in FIG. 16 is the display devices 100 , 100a , 100b , and 200 described above. ) may be identical to those of In FIG. 16 , the wiring structure of the micro semiconductor light emitting device 140 is omitted for convenience.

파장 변환층(1100)은 마이크로 반도체 발광 소자(140)로부터 방출된 광을 제1 파장 대역의 광으로 변환하는 제1 파장 변환층(1100R), 제2 파장 대역의 광으로 변환하는 제2 파장 변환층(1100G), 및 제3 파장 대역의 광으로 변환하는 제3 파장 변환층(1100B)을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 파장 대역의 광의 적색광일 수 있고, 제2 파장 대역의 광은 녹색광일 수 있고, 제3 파장 대역의 광은 청색광일 수 있다. 제1 파장 변환층(1100R), 제2 파장 변환층(1100G), 제3 파장 변환층(1100B)은 격벽(1110)을 사이에 두고 이격 배치되며, 각각 대응하는 마이크로 반도체 발광 소자(140)와 마주하여 배치될 수 있다.The wavelength conversion layer 1100 includes a first wavelength conversion layer 1100R that converts light emitted from the micro-semiconductor light emitting device 140 into light of a first wavelength band, and a second wavelength conversion layer that converts light of a second wavelength band. It may include a layer 1100G, and a third wavelength conversion layer 1100B that converts light of a third wavelength band. For example, the light of the first wavelength band may be red light, the light of the second wavelength band may be green light, and the light of the third wavelength band may be blue light. The first wavelength conversion layer 1100R, the second wavelength conversion layer 1100G, and the third wavelength conversion layer 1100B are spaced apart from each other with the barrier rib 1110 interposed therebetween, and the corresponding micro semiconductor light emitting device 140 and They may be arranged facing each other.

마이크로 반도체 발광 소자(140)가 청색광을 발광하는 경우 제3 파장 변환층(1100B)은 청색광을 투과시키는 레진을 포함할 수 있다. 제2 파장 변환층(1100G)은 마이크로 반도체 발광 소자(140)로부터 방출되는 청색광을 변환해 녹색광을 방출할 수 있다. 제2 파장 변환층(1100G)은 청색광에 의해 여기되어 녹색광을 방출하는 양자점들(quantum dots) 또는 형광체(phosphor)를 포함할 수 있다. 제1 파장 변환층(1100R)은 마이크로 반도체 발광 소자(140)로부터 방출되는 청색광을 적색광으로 변화시켜 방출할 수 있다. 제1 파장 변환층(1100R)은 청색광에 의해 여기되어 적색광을 방출하는 양자점들 또는 형광체를 포함할 수 있다.When the micro semiconductor light emitting device 140 emits blue light, the third wavelength conversion layer 1100B may include a resin that transmits blue light. The second wavelength conversion layer 1100G may convert blue light emitted from the micro semiconductor light emitting device 140 to emit green light. The second wavelength conversion layer 1100G may include quantum dots or phosphor that are excited by blue light to emit green light. The first wavelength conversion layer 1100R may change the blue light emitted from the micro-semiconductor light emitting device 140 into red light to be emitted. The first wavelength conversion layer 1100R may include quantum dots or phosphors that are excited by blue light and emit red light.

제1 파장 변환층(1100R) 또는 제2 파장 변환층(1100G)에 포함되는 양자점은 코어부와 껍질부를 갖는 코어-쉘(core-shell) 구조를 가지거나, 쉘(shell)이 없는 입자 구조를 가질 수 있다. 코어-쉘(core-shell) 구조는 싱글-쉘(single-shell) 또는 멀티-쉘(multi-shell), 예컨대, 더블-쉘(double-shell) 구조일 수 있다. 양자점은 Ⅱ-Ⅵ족 계열 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 계열 반도체, Ⅳ-Ⅵ족 계열 반도체, Ⅳ족 계열 반도체 및/또는 그래핀 양자점을 포함할 수 있다. 양자점은 예를 들어, Cd, Se, Zn, S 및/또는 InP 을 포함할 수 있으며, 각각의 양자점은 수십 nm 이하의 지름, 예컨대, 약 10 nm 이하의 지름을 가질 수 있다. 제1 파장 변환층(1100R)과 제2 파장 변환층(1100G)에 포함되는 양자점은 서로 다른 크기를 가질 수 있다.The quantum dots included in the first wavelength conversion layer 1100R or the second wavelength conversion layer 1100G have a core-shell structure having a core portion and a shell portion, or have a particle structure without a shell. can have The core-shell structure may be a single-shell or multi-shell structure, such as a double-shell structure. The quantum dots may include a group II-VI series semiconductor, a group III-V series semiconductor, a group IV-VI series semiconductor, a group IV series semiconductor, and/or graphene quantum dots. The quantum dots may include, for example, Cd, Se, Zn, S and/or InP, and each quantum dot may have a diameter of several tens of nm or less, for example, a diameter of about 10 nm or less. Quantum dots included in the first wavelength conversion layer 1100R and the second wavelength conversion layer 1100G may have different sizes.

도 17은 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다. 도 17을 참조하면, 디스플레이 장치(1000a)는 파장 변환층(1100) 위에 배치된 캡핑층(1300) 및 캡핑층(1300) 위에 배치된 컬러 필터층(1400)을 더 포함할 수 있다. 캡핑층(1300)과 컬러 필터층(1400)은 도 16에 도시된 디스플레이 장치(1000)의 파장 변환층(1100)과 상부 기판(1200) 사이에 배치될 수 있다. 컬러 필터층(1400)은 블랙 매트릭스(1410)를 사이에 두고 이격된 제1 필터(1400R), 제2 필터(1400G), 및 제3 필터(1400B)를 포함한다. 제1 필터(1400R), 제2 필터(1400G), 및 제3 필터(1400B)는 각각 제1 파장 변환층(1100R), 제2 파장 변환층(1100G), 및 제3 파장 변환층(1100B)과 마주하여 배치된다. 제1 필터(1400R), 제2 필터(1400G), 및 제3 필터(1400B)는 각각 적색광, 녹색광, 및 청색광을 투과시키고 다른 색의 광을 흡수한다. 컬러 필터층(1400)이 구비되는 경우, 제1 파장 변환층(1100R)에서 파장 변환되지 않고 출사되는 적색광 이외의 광 또는 제2 컬러 변환층(1100G)에서 파장 변환되지 않고 출사되는 녹색광 이외의 광이 각각 제1 필터(1400R)와 제2 필터(1400G)에 의해 제거될 수 있어 디스플레이 장치(1000a)의 색 순도가 높아질 수 있다.17 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a display device according to another exemplary embodiment. Referring to FIG. 17 , the display apparatus 1000a may further include a capping layer 1300 disposed on the wavelength conversion layer 1100 and a color filter layer 1400 disposed on the capping layer 1300 . The capping layer 1300 and the color filter layer 1400 may be disposed between the wavelength conversion layer 1100 and the upper substrate 1200 of the display device 1000 shown in FIG. 16 . The color filter layer 1400 includes a first filter 1400R, a second filter 1400G, and a third filter 1400B spaced apart from each other with a black matrix 1410 interposed therebetween. The first filter 1400R, the second filter 1400G, and the third filter 1400B are a first wavelength conversion layer 1100R, a second wavelength conversion layer 1100G, and a third wavelength conversion layer 1100B, respectively. placed opposite to The first filter 1400R, the second filter 1400G, and the third filter 1400B transmit red light, green light, and blue light, respectively, and absorb light of different colors. When the color filter layer 1400 is provided, light other than red light emitted without wavelength conversion from the first wavelength conversion layer 1100R or light other than green light emitted without wavelength conversion from the second color conversion layer 1100G Since they may be removed by the first filter 1400R and the second filter 1400G, respectively, the color purity of the display apparatus 1000a may be increased.

상술한 디스플레이 장치들은 화면 표시 기능을 갖는 다양한 전자 장치들에 적용이 가능하다. 도 18은 일 실시예에 따른 전자 장치의 개략적인 블록도이다. 도 18을 참조하면, 네트워크 환경(8200) 내에 전자 장치(8201)가 구비될 수 있다. 네트워크 환경(8200)에서 전자 장치(8201)는 제1 네트워크(8298)(근거리 무선 통신 네트워크 등)를 통하여 다른 전자 장치(8202)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(8299)(원거리 무선 통신 네트워크 등)를 통하여 또 다른 전자 장치(8204) 및/또는 서버(8208)와 통신할 수 있다. 전자 장치(8201)는 서버(8208)를 통하여 전자 장치(8204)와 통신할 수 있다. 전자 장치(8201)는 프로세서(8220), 메모리(8230), 입력 장치(8250), 음향 출력 장치(8255), 디스플레이 장치(8260), 오디오 모듈(8270), 센서 모듈(8276), 인터페이스(8277), 햅틱 모듈(8279), 카메라 모듈(8280), 전력 관리 모듈(8288), 배터리(8289), 통신 모듈(8290), 가입자 식별 모듈(8296), 및/또는 안테나 모듈(8297)을 포함할 수 있다. 전자 장치(8201)에는, 이 구성요소들 중 일부가 생략되거나, 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 이 구성요소들 중 일부는 하나의 통합된 회로로 구현될 수 있다. 예를 들면, 센서 모듈(8276)(지문 센서, 홍채 센서, 조도 센서 등)은 디스플레이 장치(8260)(디스플레이 등)에 임베디드되어 구현될 수 있다.The above-described display devices can be applied to various electronic devices having a screen display function. 18 is a schematic block diagram of an electronic device according to an exemplary embodiment. Referring to FIG. 18 , an electronic device 8201 may be provided in a network environment 8200 . In the network environment 8200, the electronic device 8201 communicates with another electronic device 8202 through a first network 8298 (a short-range wireless communication network, etc.), or a second network 8299 (a long-distance wireless communication network, etc.) ) through another electronic device 8204 and/or the server 8208 . The electronic device 8201 may communicate with the electronic device 8204 through the server 8208 . The electronic device 8201 includes a processor 8220 , a memory 8230 , an input device 8250 , an audio output device 8255 , a display device 8260 , an audio module 8270 , a sensor module 8276 , and an interface 8277 . ), a haptic module 8279 , a camera module 8280 , a power management module 8288 , a battery 8289 , a communication module 8290 , a subscriber identification module 8296 , and/or an antenna module 8297 . can In the electronic device 8201, some of these components may be omitted or other components may be added. Some of these components may be implemented as one integrated circuit. For example, the sensor module 8276 (fingerprint sensor, iris sensor, illuminance sensor, etc.) may be implemented by being embedded in the display device 8260 (display, etc.).

프로세서(8220)는, 소프트웨어(프로그램(8240) 등)를 실행하여 프로세서(8220)에 연결된 전자 장치(8201) 중 하나 또는 복수개의 다른 구성요소들(하드웨어, 소프트웨어 구성요소 등)을 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 데이터 처리 또는 연산의 일부로, 프로세서(8220)는 다른 구성요소(센서 모듈(8276), 통신 모듈(8290) 등)로부터 수신된 명령 및/또는 데이터를 휘발성 메모리(8232)에 로드하고, 휘발성 메모리(8232)에 저장된 명령 및/또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(8234)에 저장할 수 있다. 비휘발성 메모리(8234)는 전자 장치(8201) 내에 장착된 내장 메모리(8236)와 착탈 가능한 외장 메모리(8238)를 포함할 수 있다. 프로세서(8220)는 메인 프로세서(8221)(중앙 처리 장치, 어플리케이션 프로세서 등) 및 이와 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(8223)(그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 커뮤니케이션 프로세서 등)를 포함할 수 있다. 보조 프로세서(8223)는 메인 프로세서(8221)보다 전력을 작게 사용하고, 특화된 기능을 수행할 수 있다. The processor 8220 may execute software (such as a program 8240) to control one or a plurality of other components (hardware, software components, etc.) of the electronic device 8201 connected to the processor 8220, and , various data processing or operations can be performed. As part of data processing or computation, the processor 8220 loads commands and/or data received from other components (sensor module 8276, communication module 8290, etc.) into volatile memory 8232, and It may process commands and/or data stored in 8232 , and store the resulting data in non-volatile memory 8234 . The nonvolatile memory 8234 may include an internal memory 8236 mounted in the electronic device 8201 and a removable external memory 8238 . The processor 8220 includes a main processor 8221 (central processing unit, application processor, etc.) and an auxiliary processor 8223 (graphics processing unit, image signal processor, sensor hub processor, communication processor, etc.) that can be operated independently or together. may include The auxiliary processor 8223 may use less power than the main processor 8221 and may perform a specialized function.

보조 프로세서(8223)는, 메인 프로세서(8221)가 인액티브 상태(슬립 상태)에 있는 동안 메인 프로세서(8221)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(8221)가 액티브 상태(어플리케이션 실행 상태)에 있는 동안 메인 프로세서(8221)와 함께, 전자 장치(8201)의 구성요소들 중 일부 구성요소(디스플레이 장치(8260), 센서 모듈(8276), 통신 모듈(8290) 등)와 관련된 기능 및/또는 상태를 제어할 수 있다. 보조 프로세서(8223)(이미지 시그널 프로세서, 커뮤니케이션 프로세서 등)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성 요소(카메라 모듈(8280), 통신 모듈(8290) 등)의 일부로서 구현될 수도 있다. The coprocessor 8223 operates on behalf of the main processor 8221 while the main processor 8221 is in the inactive state (sleep state), or the main processor 8221 while the main processor 8221 is in the active state (the application execution state). Together with the processor 8221 , functions and/or states related to some of the components of the electronic device 8201 (display device 8260 , sensor module 8276 , communication module 8290 , etc.) may be controlled. can The auxiliary processor 8223 (image signal processor, communication processor, etc.) may be implemented as a part of other functionally related components (camera module 8280, communication module 8290, etc.).

메모리(2230)는, 전자 장치(8201)의 구성요소(프로세서(8220), 센서모듈(8276) 등)가 필요로 하는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(프로그램(8240) 등) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 및/또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(8230)는, 휘발성 메모리(8232) 및/또는 비휘발성 메모리(8234)를 포함할 수 있다.The memory 2230 may store various data required by components (the processor 8220 , the sensor module 8276, etc.) of the electronic device 8201 . Data may include, for example, input data and/or output data for software (such as program 8240) and instructions related thereto. The memory 8230 may include a volatile memory 8232 and/or a non-volatile memory 8234 .

프로그램(8240)은 메모리(8230)에 소프트웨어로 저장될 수 있으며, 운영 체제(8242), 미들 웨어(8244) 및/또는 어플리케이션(8246)을 포함할 수 있다. The program 8240 may be stored as software in the memory 8230 , and may include an operating system 8242 , middleware 8244 , and/or applications 8246 .

입력 장치(8250)는, 전자 장치(8201)의 구성요소(프로세서(8220) 등)에 사용될 명령 및/또는 데이터를 전자 장치(8201)의 외부(사용자 등)로부터 수신할 수 있다. 입력 장치(8250)는, 리모트 컨트롤러, 마이크, 마우스, 키보드, 및/또는 디지털 펜(스타일러스 펜 등)을 포함할 수 있다. The input device 8250 may receive commands and/or data to be used in a component (eg, the processor 8220 ) of the electronic device 8201 from outside the electronic device 8201 (eg, a user). The input device 8250 may include a remote controller, a microphone, a mouse, a keyboard, and/or a digital pen (such as a stylus pen).

음향 출력 장치(8255)는 음향 신호를 전자 장치(8201)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 장치(8255)는, 스피커 및/또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있고, 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 리시버는 스피커의 일부로 결합되어 있거나 또는 독립된 별도의 장치로 구현될 수 있다.The sound output device 8255 may output a sound signal to the outside of the electronic device 8201 . The sound output device 8255 may include a speaker and/or a receiver. The speaker can be used for general purposes such as multimedia playback or recording playback, and the receiver can be used to receive incoming calls. The receiver may be integrated as a part of the speaker or may be implemented as an independent separate device.

디스플레이 장치(8260)는 전자 장치(8201)의 외부로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 장치(8260)는, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 디스플레이 장치(8260)는 전술한 구동 회로, 마이크로 반도체 발광 소자, 측면 반사 구조, 하부 반사 구조 등을 포함할 수 있다. 디스플레이 장치(8260)는 터치를 감지하도록 설정된 터치 회로(Touch Circuitry), 및/또는 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 센서 회로(압력 센서 등)를 더 포함할 수 있다.The display device 8260 may visually provide information to the outside of the electronic device 8201 . The display device 8260 may include a control circuit for controlling a display, a hologram device, or a projector and a corresponding device. The display device 8260 may include the above-described driving circuit, the micro semiconductor light emitting device, a side reflection structure, a bottom reflection structure, and the like. The display device 8260 may further include a touch circuitry configured to sense a touch, and/or a sensor circuitry configured to measure the intensity of a force generated by the touch (such as a pressure sensor).

오디오 모듈(8270)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 오디오 모듈(8270)은, 입력 장치(8250)를 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 장치(8255), 및/또는 전자 장치(8201)와 직접 또는 무선으로 연결된 다른 전자 장치(전자 장치(8102) 등)의 스피커 및/또는 헤드폰을 통해 소리를 출력할 수 있다.The audio module 8270 may convert a sound into an electric signal or, conversely, convert an electric signal into a sound. The audio module 8270 obtains a sound through the input device 8250 or other electronic device (such as the electronic device 8102) directly or wirelessly connected to the sound output device 8255 and/or the electronic device 8201 ) can output sound through the speaker and/or headphones.

센서 모듈(8276)은 전자 장치(8201)의 작동 상태(전력, 온도 등), 또는 외부의 환경 상태(사용자 상태 등)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 및/또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 센서 모듈(8276)은, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(Infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 및/또는 조도 센서를 포함할 수 있다. The sensor module 8276 detects an operating state (power, temperature, etc.) of the electronic device 8201 or an external environmental state (user state, etc.), and generates an electrical signal and/or data value corresponding to the sensed state. can do. The sensor module 8276 may include a gesture sensor, a gyro sensor, a barometric pressure sensor, a magnetic sensor, an acceleration sensor, a grip sensor, a proximity sensor, a color sensor, an IR (Infrared) sensor, a biometric sensor, a temperature sensor, a humidity sensor, and/or an illuminance sensor. It may include a sensor.

인터페이스(8277)는 전자 장치(8201)가 다른 전자 장치(전자 장치(8102) 등)와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 인터페이스(8277)는, HDMI(High Definition Multimedia Interface), USB(Universal Serial Bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.The interface 8277 may support one or more specified protocols that may be used by the electronic device 8201 to directly or wirelessly connect with another electronic device (such as the electronic device 8102 ). The interface 8277 may include a High Definition Multimedia Interface (HDMI), a Universal Serial Bus (USB) interface, an SD card interface, and/or an audio interface.

연결 단자(8278)는, 전자 장치(8201)가 다른 전자 장치(전자 장치(8102) 등)와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 연결 단자(8278)는, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 및/또는 오디오 커넥터(헤드폰 커넥터 등)를 포함할 수 있다.The connection terminal 8278 may include a connector through which the electronic device 8201 may be physically connected to another electronic device (eg, the electronic device 8102 ). The connection terminal 8278 may include an HDMI connector, a USB connector, an SD card connector, and/or an audio connector (such as a headphone connector).

햅틱 모듈(8279)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(진동, 움직임 등) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 햅틱 모듈(8279)은, 모터, 압전 소자, 및/또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.The haptic module 8279 may convert an electrical signal into a mechanical stimulus (vibration, movement, etc.) or an electrical stimulus that the user can perceive through tactile or kinesthetic sense. The haptic module 8279 may include a motor, a piezoelectric element, and/or an electrical stimulation device.

카메라 모듈(8280)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 카메라 모듈(8280)은 하나 이상의 렌즈를 포함하는 렌즈 어셈블리, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 및/또는 플래시들을 포함할 수 있다. 카메라 모듈(8280)에 포함된 렌즈 어셈블리는 이미지 촬영의 대상인 피사체로부터 방출되는 빛을 수집할 수 있다.The camera module 8280 may capture still images and moving images. The camera module 8280 may include a lens assembly including one or more lenses, image sensors, image signal processors, and/or flashes. The lens assembly included in the camera module 8280 may collect light emitted from a subject to be imaged.

전력 관리 모듈(8288)은 전자 장치(8201)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 전력 관리 모듈(8388)은, PMIC(Power Management Integrated Circuit)의 일부로서 구현될 수 있다.The power management module 8288 may manage power supplied to the electronic device 8201 . The power management module 8388 may be implemented as part of a Power Management Integrated Circuit (PMIC).

배터리(8289)는 전자 장치(8201)의 구성 요소에 전력을 공급할 수 있다. 배터리(8289)는, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 및/또는 연료 전지를 포함할 수 있다.The battery 8289 may supply power to components of the electronic device 8201 . Battery 8289 may include a non-rechargeable primary cell, a rechargeable secondary cell, and/or a fuel cell.

통신 모듈(8290)은 전자 장치(8201)와 다른 전자 장치(전자 장치(8102), 전자 장치(8104), 서버(8108) 등)간의 직접(유선) 통신 채널 및/또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(8290)은 프로세서(8220)(어플리케이션 프로세서 등)와 독립적으로 운영되고, 직접 통신 및/또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 통신 모듈(8290)은 무선 통신 모듈(8292)(셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, GNSS(Global Navigation Satellite System 등) 통신 모듈) 및/또는 유선 통신 모듈(8294)(LAN(Local Area Network) 통신 모듈, 전력선 통신 모듈 등)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(8298)(블루투스, WiFi Direct 또는 IrDA(Infrared Data Association) 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(8299)(셀룰러 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(LAN, WAN 등)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 다른 전자 장치와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성 요소(단일 칩 등)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성 요소들(복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(8292)은 가입자 식별 모듈(8296)에 저장된 가입자 정보(국제 모바일 가입자 식별자(IMSI) 등)를 이용하여 제1 네트워크(8298) 및/또는 제2 네트워크(8299)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(8201)를 확인 및 인증할 수 있다.Communication module 8290 establishes a direct (wired) communication channel and/or wireless communication channel between the electronic device 8201 and other electronic devices (electronic device 8102, electronic device 8104, server 8108, etc.); and performing communication through an established communication channel. The communication module 8290 may include one or more communication processors that operate independently of the processor 8220 (such as an application processor) and support direct communication and/or wireless communication. The communication module 8290 is a wireless communication module 8292 (a cellular communication module, a short-range wireless communication module, a Global Navigation Satellite System (GNSS, etc.) communication module) and/or a wired communication module 8294 (Local Area Network (LAN) communication). module, power line communication module, etc.). A corresponding communication module among these communication modules may be a first network 8298 (a short-range communication network such as Bluetooth, WiFi Direct, or Infrared Data Association (IrDA)) or a second network 8299 (a cellular network, the Internet, or a computer network (LAN) , WAN, etc.) through a telecommunication network) and may communicate with other electronic devices. These various types of communication modules may be integrated into one component (single chip, etc.) or implemented as a plurality of components (plural chips) separate from each other. The wireless communication module 8292 may use subscriber information stored in the subscriber identification module 8296 (such as an International Mobile Subscriber Identifier (IMSI)) within a communication network, such as the first network 8298 and/or the second network 8299 . may identify and authenticate the electronic device 8201 in .

안테나 모듈(8297)은 신호 및/또는 전력을 외부(다른 전자 장치 등)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 안테나는 기판(PCB 등) 위에 형성된 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함할 수 있다. 안테나 모듈(8297)은 하나 또는 복수의 안테나들을 포함할 수 있다. 복수의 안테나가 포함된 경우, 통신 모듈(8290)에 의해 복수의 안테나들 중에서 제1 네트워크(8298) 및/또는 제2 네트워크(8299)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 안테나가 선택될 수 있다. 선택된 안테나를 통하여 통신 모듈(8290)과 다른 전자 장치 간에 신호 및/또는 전력이 송신되거나 수신될 수 있다. 안테나 외에 다른 부품(RFIC 등)이 안테나 모듈(8297)의 일부로 포함될 수 있다.The antenna module 8297 may transmit or receive signals and/or power to the outside (eg, other electronic devices). The antenna may include a radiator having a conductive pattern formed on a substrate (PCB, etc.). The antenna module 8297 may include one or a plurality of antennas. When a plurality of antennas are included, an antenna suitable for a communication method used in a communication network such as the first network 8298 and/or the second network 8299 from among the plurality of antennas is selected by the communication module 8290 . can Signals and/or power may be transmitted or received between the communication module 8290 and another electronic device through the selected antenna. In addition to the antenna, other components (such as RFIC) may be included as part of the antenna module 8297 .

구성요소들 중 일부는 주변 기기들간 통신 방식(버스, GPIO(General Purpose Input and Output), SPI(Serial Peripheral Interface), MIPI(Mobile Industry Processor Interface) 등)을 통해 서로 연결되고 신호(명령, 데이터 등)를 상호 교환할 수 있다.Some of the components are connected to each other through communication methods between peripheral devices (bus, GPIO (General Purpose Input and Output), SPI (Serial Peripheral Interface), MIPI (Mobile Industry Processor Interface), etc.) and signals (commands, data, etc.) ) are interchangeable.

명령 또는 데이터는 제2 네트워크(8299)에 연결된 서버(8108)를 통해서 전자 장치(8201)와 외부의 전자 장치(8204)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 다른 전자 장치들(8202, 8204)은 전자 장치(8201)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 전자 장치(8201)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 다른 전자 장치들(8202, 8204, 8208) 중 하나 이상의 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(8201)가 어떤 기능이나 서비스를 수행해야 할 때, 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 하나 이상의 다른 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 일부 또는 전체를 수행하라고 요청할 수 있다. 요청을 수신한 하나 이상의 다른 전자 장치들은 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(8201)로 전달할 수 있다. 이를 위하여, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 및/또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다.The command or data may be transmitted or received between the electronic device 8201 and the external electronic device 8204 through the server 8108 connected to the second network 8299 . The other electronic devices 8202 and 8204 may be the same or different types of electronic devices 8201 . All or some of the operations executed in the electronic device 8201 may be executed in one or more of the other electronic devices 8202 , 8204 , and 8208 . For example, when the electronic device 8201 needs to perform a function or service, it requests one or more other electronic devices to perform part or all of the function or service instead of executing the function or service itself. can One or more other electronic devices receiving the request may execute an additional function or service related to the request, and transmit a result of the execution to the electronic device 8201 . For this purpose, cloud computing, distributed computing, and/or client-server computing technologies may be used.

도 19는 실시예들에 따른 디스플레이 장치가 모바일 장치에 적용된 예를 도시한다. 모바일 장치(9100)는 디스플레이 장치(9110)를 포함할 수 있으며, 디스플레이 장치(9110)는 전술한 구동 회로, 마이크로 반도체 발광 소자, 측면 반사 구조, 하부 반사 구조 등을 포함할 수 있다. 디스플레이 장치(9110)는 접힐 수 있는 구조 예를 들어, 다중 폴더블 구조를 가질 수 있다.19 illustrates an example in which a display device according to embodiments is applied to a mobile device. The mobile device 9100 may include a display device 9110 , and the display device 911 may include the above-described driving circuit, a micro semiconductor light emitting device, a side reflection structure, a bottom reflection structure, and the like. The display device 911 may have a foldable structure, for example, a multi-foldable structure.

도 20은 실시예들에 따른 디스플레이 장치가 차량용 디스플레이 장치에 적용된 예를 도시한다. 디스플레이 장치는 자동차용 헤드업 디스플레이 장치(9200)일 수 있으며, 자동차의 일 영역에 구비된 디스플레이(9210)와, 디스플레이(9210)에서 생성된 영상을 운전자가 볼 수 있도록 광 경로를 변환하는 광경로 변경 부재(9220)를 포함할 수 있다.20 illustrates an example in which the display apparatus according to the embodiments is applied to a vehicle display apparatus. The display device may be a head-up display device 9200 for a vehicle, and a display 9210 provided in an area of the vehicle and a light path for converting an optical path so that a driver can see an image generated on the display 9210 Modification member 9220 may be included.

도 21은 실시예들에 따른 디스플레이 장치가 증강 현실 안경 또는 가상 현실 안경에 적용된 예를 도시한다. 증강 현실 안경(9300)은 영상을 형성하는 투영 시스템(9310)과, 투영 시스템(9310)으로부터의 영상을 사용자의 눈에 들어가도록 안내하는 요소(9320)를 포함할 수 있다. 투영 시스템(9310)은 전술한 구동 회로, 마이크로 반도체 발광 소자, 측면 반사 구조, 하부 반사 구조 등을 포함할 수 있다.21 illustrates an example in which a display device according to embodiments is applied to augmented reality glasses or virtual reality glasses. The augmented reality glasses 9300 may include a projection system 9310 that forms an image, and an element 9320 that guides the image from the projection system 9310 into the user's eye. The projection system 9310 may include the above-described driving circuit, a micro semiconductor light emitting device, a side reflection structure, a bottom reflection structure, and the like.

도 22는 실시예들에 따른 디스플레이 장치가 사이니지(signage)에 적용된 예를 도시한다. 사이니지(9400)는 디지털 정보 디스플레이를 이용한 옥외 광고에 이용될 수 있으며, 통신망을 통해 광고 내용 등을 제어할 수 있다. 사이니지(9400)는 예를 들어, 도 18을 참조하여 설명한 전자 장치를 통해 구현될 수 있다.22 illustrates an example in which the display apparatus according to the embodiments is applied to a signage. The signage 9400 may be used for outdoor advertisement using a digital information display, and may control advertisement contents and the like through a communication network. The signage 9400 may be implemented, for example, through the electronic device described with reference to FIG. 18 .

도 23은 실시예들에 따른 디스플레이 장치가 웨어러블 디스플레이에 적용된 예를 도시한다. 웨어러블 디스플레이(9500)는 전술한 구동 회로, 마이크로 반도체 발광 소자, 측면 반사 구조, 하부 반사 구조 등을 포함할 수 있고, 도 18을 참조하여 설명한 전자 장치를 통해 구현될 수 있다.23 illustrates an example in which display apparatuses according to embodiments are applied to a wearable display. The wearable display 9500 may include the above-described driving circuit, the micro semiconductor light emitting device, a side reflection structure, a bottom reflection structure, and the like, and may be implemented through the electronic device described with reference to FIG. 18 .

예시적인 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 이 밖에도 롤러블(rollable) TV, 스트레처블(stretchable) 디스플레이 등 다양한 제품에 적용될 수 있다.The display apparatus according to the exemplary embodiment may be applied to various products such as a rollable TV and a stretchable display.

상술한 반사 구조를 구비한 디스플레이 장치는 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 권리범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 권리범위에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the display device having the above-described reflective structure has been described with reference to the embodiment shown in the drawings, this is only an example, and those of ordinary skill in the art will realize that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. will understand the point. Therefore, the disclosed embodiments are to be considered in an illustrative rather than a restrictive sense. The scope of the rights is indicated in the claims rather than the above description, and all differences within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of rights.

10.....흡수재
20.....지지대
100, 100a, 100b, 200, 1000, 1000a.....디스플레이 장치
110, 210.....구동 기판
120.....격벽층
131, 231.....하부 반사 구조
132, 260.....측면 반사 구조
140.....마이크로 반도체 발광 소자
150, 250, 350, 450.....홈
220.....범프층
240.....보호층
310.....전사 기판
1100.....파장 변환층
1400.....컬러 필터층10....absorbent material
20....support
100, 100a, 100b, 200, 1000, 1000a.....Display device
110, 210....Drive board
120.... bulkhead layer
131, 231..... Bottom reflective structure
132, 260.....Side reflection structure
140.....Micro semiconductor light emitting element
150, 250, 350, 450.....Home
220.....Bump layer
240.....Protection layer
310.....Transfer board
1100.....Wavelength conversion layer
1400.....Color filter layer

Claims (30)

구동 기판;
상기 구동 기판의 상부 표면 위에 배치된 것으로, 복수의 홈을 구비하는 격벽층;
상기 복수의 홈 내에 각각 배치된 마이크로 반도체 발광 소자; 및
각각의 홈의 측벽을 둘러싸도록 상기 격벽층 내부에 배치된 측면 반사 구조;를 포함하는, 디스플레이 장치.drive board;
a barrier rib layer disposed on the upper surface of the driving substrate and having a plurality of grooves;
micro-semiconductor light emitting devices respectively disposed in the plurality of grooves; and
A display device comprising a; a side reflection structure disposed inside the barrier layer to surround the sidewall of each groove. 제1 항에 있어서,
상기 측면 반사 구조는 상기 마이크로 반도체 발광 소자와 상기 측면 반사 구조 사이에 상기 홈의 측벽이 위치하도록 배치되며,
상기 홈의 측벽으로부터 상기 측면 반사 구조까지의 거리는 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛의 범위 내에 있는, 디스플레이 장치.The method of claim 1,
The side reflective structure is disposed such that a sidewall of the groove is positioned between the micro-semiconductor light emitting device and the side reflective structure,
and a distance from the sidewall of the groove to the side reflective structure is in the range of 0.1 μm to 50 μm. 제1 항에 있어서,
상기 구동 기판의 상부 표면에 평행한 방향을 따른 상기 측면 반사 구조의 폭은 1 ㎛ 내지 상기 마이크로 반도체 발광 소자의 폭보다 작은 범위 내에 있는, 디스플레이 장치.The method of claim 1,
A width of the side reflective structure along a direction parallel to the upper surface of the driving substrate is within a range of 1 μm to less than a width of the micro semiconductor light emitting device. 제1 항에 있어서,
상기 측면 반사 구조는 금속성 재료를 포함하는, 디스플레이 장치.The method of claim 1,
wherein the side reflective structure comprises a metallic material. 제1 항에 있어서,
상기 측면 반사 구조는 상기 격벽층의 상부 표면으로부터 하부 표면까지 연장되어 있는, 디스플레이 장치.The method of claim 1,
and the side reflective structure extends from an upper surface to a lower surface of the barrier rib layer. 제1 항에 있어서,
상기 측면 반사 구조는 상기 마이크로 반도체 발광 소자로부터 방출된 광을 투과시키지 않도록 구성된, 디스플레이 장치.The method of claim 1,
and the side reflection structure is configured not to transmit light emitted from the micro semiconductor light emitting element. 제1 항에 있어서,
친수성 표면을 가지며 각각의 홈 내부의 바닥 측에 배치된 하부 반사 구조를 더 포함하는, 디스플레이 장치.The method of claim 1,
and a lower reflective structure having a hydrophilic surface and disposed on a bottom side inside each groove. 제7 항에 있어서,
상기 하부 반사 구조는 상기 홈의 면적보다 넓은 면적을 가지며, 상기 격벽층의 일부가 상기 하부 반사 구조의 상부 표면의 일부 위에 배치되어 있는, 디스플레이 장치.8. The method of claim 7,
The lower reflective structure has an area larger than that of the groove, and a portion of the barrier rib layer is disposed on a portion of an upper surface of the lower reflective structure. 제8 항에 있어서,
상기 하부 반사 구조는 상기 하부 반사 구조의 상부 표면이 상기 측면 반사 구조의 하부 표면과 접하도록 배치되어 있는, 디스플레이 장치.9. The method of claim 8,
The lower reflective structure is disposed such that an upper surface of the lower reflective structure is in contact with a lower surface of the side reflective structure. 제7 항에 있어서,
상기 하부 반사 구조는 반사 금속층 및 상기 반사 금속층을 덮도록 배치되며 친수성 표면을 갖는 절연층을 포함하는, 디스플레이 장치.8. The method of claim 7,
The lower reflective structure includes a reflective metal layer and an insulating layer disposed to cover the reflective metal layer and having a hydrophilic surface. 제10 항에 있어서,
상기 구동 기판의 상부 표면의 법선 방향을 따른 상기 반사 금속층의 두께는 50 nm 내지 1 ㎛의 범위 내에 있는, 디스플레이 장치.11. The method of claim 10,
and a thickness of the reflective metal layer along a normal direction of the upper surface of the driving substrate is in a range of 50 nm to 1 μm. 제10 항에 있어서,
상기 반사 금속층은 상기 복수의 홈에 각각 배치된 복수의 반사 금속층을 포함하며,
하나의 절연층이 상기 복수의 반사 금속층을 덮도록 상기 구동 기판의 상부 표면 위에 배치되어 있는, 디스플레이 장치.11. The method of claim 10,
The reflective metal layer includes a plurality of reflective metal layers respectively disposed in the plurality of grooves,
and one insulating layer is disposed on the upper surface of the driving substrate so as to cover the plurality of reflective metal layers. 제10 항에 있어서,
상기 반사 금속층은 알루미늄(Al) 및 은(Ag) 중 적어도 하나의 금속을 포함하는, 디스플레이 장치.11. The method of claim 10,
The reflective metal layer includes at least one of aluminum (Al) and silver (Ag). 제7 항에 있어서,
상기 하부 반사 구조는 반복적으로 번갈아 적층된 제1 유전체층 및 제2 유전체층을 포함하며, 제1 유전체층은 제1 굴절률을 갖고 제2 유전체층은 제1 굴절률과 상이한 제2 굴절률을 갖는, 디스플레이 장치.8. The method of claim 7,
The lower reflective structure includes first and second dielectric layers repeatedly alternately stacked, wherein the first dielectric layer has a first index of refraction and the second dielectric layer has a second index of refraction different from the first index of refraction. 제14 항에 있어서,
상기 구동 기판의 상부 표면의 법선 방향을 따른 상기 하부 반사 구조의 두께는 500 nm 내지 2 ㎛의 범위 내에 있는, 디스플레이 장치.15. The method of claim 14,
and a thickness of the lower reflective structure along a normal direction of the upper surface of the driving substrate is in a range of 500 nm to 2 μm. 제1 항에 있어서,
상기 격벽층의 상부 표면에 배치된 것으로 상기 측면 반사 구조의 재료와 동일한 재료로 형성된 소수성 패턴을 더 포함하는, 디스플레이 장치.The method of claim 1,
and a hydrophobic pattern disposed on the upper surface of the barrier rib layer and formed of the same material as that of the side reflection structure. 제1 항에 있어서,
상기 홈의 바닥면에 접하는 상기 마이크로 반도체 발광 소자의 하부 표면은 친수성을 갖는, 디스플레이 장치.The method of claim 1,
A lower surface of the micro-semiconductor light emitting device in contact with the bottom surface of the groove has hydrophilicity. 제17 항에 있어서,
상기 마이크로 반도체 발광 소자는 상기 마이크로 반도체 발광 소자의 상부 표면 위에 배치된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는, 디스플레이 장치.18. The method of claim 17,
The micro-semiconductor light-emitting device includes a first electrode and a second electrode disposed on an upper surface of the micro-semiconductor light-emitting device. 제1 항에 있어서,
각각의 홈은 상기 마이크로 반도체 발광 소자가 움직일 수 있는 공간을 가지는 제1 트랩 영역 및 상기 마이크로 반도체 발광 소자가 안착될 수 있는 형상과 크기를 가지며 상기 제1 트랩 영역과 연결되는 제2 트랩 영역을 갖는, 디스플레이 장치.The method of claim 1,
Each groove has a first trap region having a space in which the micro-semiconductor light-emitting device can move, a shape and size in which the micro-semiconductor light-emitting device can be seated, and a second trap region connected to the first trap region , display device. 제19 항에 있어서,
상기 제1트랩 영역의 크기는 각각의 홈 내에 상기 마이크로 반도체 발광 소자가 2개 이상이 들어갈 수 없도록 선택된, 디스플레이 장치.20. The method of claim 19,
The size of the first trap area is selected such that two or more of the micro-semiconductor light emitting devices cannot fit into each groove. 제19 항에 있어서,
상기 제2 트랩 영역의 폭은 상기 마이크로 반도체 발광 소자의 폭의 100% 내지 105%의 범위 내에 있는, 디스플레이 장치.20. The method of claim 19,
and a width of the second trap region is within a range of 100% to 105% of a width of the micro-semiconductor light emitting device. 제1 항에 있어서,
상기 마이크로 반도체 발광 소자로부터 방출된 광의 파장을 변환하는 파장 변환층을 더 포함하는, 디스플레이 장치.The method of claim 1,
Further comprising a wavelength conversion layer for converting the wavelength of the light emitted from the micro-semiconductor light emitting device, the display device. 구동 기판;
상기 구동 기판의 상부 표면 상에 배열된 복수의 마이크로 반도체 발광 소자;
상기 복수의 마이크로 반도체 발광 소자를 덮도록 상기 구동 기판의 상부 표면 상에 배치된 보호층; 및
각각의 마이크로 반도체 발광 소자 주위를 둘러싸도록 상기 보호층 내부에 배치된 측면 반사 구조;를 포함하는, 디스플레이 장치.drive board;
a plurality of micro semiconductor light emitting devices arranged on the upper surface of the driving substrate;
a protective layer disposed on an upper surface of the driving substrate to cover the plurality of micro semiconductor light emitting devices; and
A display device comprising a; side reflection structure disposed inside the protective layer to surround each micro-semiconductor light emitting device. 제23 항에 있어서,
상기 구동 기판의 상부 표면에 평행한 방향을 따른 상기 측면 반사 구조의 폭은 1 ㎛ 내지 상기 마이크로 반도체 발광 소자의 폭보다 작은 범위 내에 있는, 디스플레이 장치.24. The method of claim 23,
A width of the side reflective structure along a direction parallel to the upper surface of the driving substrate is within a range of 1 μm to less than a width of the micro semiconductor light emitting device. 제23 항에 있어서,
상기 측면 반사 구조는 금속성 재료를 포함하는, 디스플레이 장치.24. The method of claim 23,
wherein the side reflective structure comprises a metallic material. 제23 항에 있어서,
상기 측면 반사 구조는 상기 보호층의 상부 표면으로부터 하부 표면까지 연장되어 있는, 디스플레이 장치.24. The method of claim 23,
and the side reflective structure extends from an upper surface to a lower surface of the protective layer. 제23 항에 있어서,
각각의 마이크로 반도체 발광 소자와 상기 구동 기판 사이에 배치된 하부 반사 구조를 더 포함하는, 디스플레이 장치.24. The method of claim 23,
The display device further comprising a lower reflective structure disposed between each micro semiconductor light emitting device and the driving substrate. 제27 항에 있어서,
상기 하부 반사 구조는 반사 금속층 및 상기 반사 금속층을 덮도록 배치된 절연층을 포함하는, 디스플레이 장치.28. The method of claim 27,
The lower reflective structure includes a reflective metal layer and an insulating layer disposed to cover the reflective metal layer. 제28 항에 있어서,
각각의 마이크로 반도체 발광 소자는 상기 마이크로 반도체 발광 소자의 동일 표면에 배치된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는, 디스플레이 장치.29. The method of claim 28,
Each micro-semiconductor light-emitting device comprises a first electrode and a second electrode disposed on the same surface of the micro-semiconductor light-emitting device, the display device. 제29 항에 있어서,
상기 반사 금속층은 상기 마이크로 반도체 발광 소자의 제1 전극과 전기적으로 연결되는 제1 반사 금속층, 및 상기 마이크로 반도체 발광 소자의 제2 전극과 전기적으로 연결되는 제2 반사 금속층을 포함하는, 디스플레이 장치.30. The method of claim 29,
The reflective metal layer includes a first reflective metal layer electrically connected to the first electrode of the micro-semiconductor light emitting device, and a second reflective metal layer electrically connected to the second electrode of the micro semiconductor light emitting device.
KR1020210115703A 2021-03-04 2021-08-31 Display device including reflective structure KR20220125137A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/526,556 US20220285581A1 (en) 2021-03-04 2021-11-15 Display device including reflective structure
EP21210485.5A EP4053896A1 (en) 2021-03-04 2021-11-25 Display device including reflective structure
CN202210197693.2A CN115036339A (en) 2021-03-04 2022-03-02 Display device

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202163156519P 2021-03-04 2021-03-04
US63/156,519 2021-03-04
KR1020210071712 2021-06-02
KR20210071712 2021-06-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220125137A true KR20220125137A (en) 2022-09-14

Family

ID=83278662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210115703A KR20220125137A (en) 2021-03-04 2021-08-31 Display device including reflective structure

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20220125137A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP4053896A1 (en) Display device including reflective structure
EP4040485A1 (en) Display transferring structure and display device including the same
US20230402435A1 (en) Micro-light-emitting diode display apparatus and method of manufacturing the same
EP4163984A1 (en) Semiconductor light emitting device, display apparatus including the same, and method of manufacturing the same
EP4016622A1 (en) Display transferring structure and display device including the same
KR20220125137A (en) Display device including reflective structure
KR20230068195A (en) Substrate for arranging device, device array structure, and display apparatus
EP4174966A1 (en) Micro light emitting device and display apparatus including the same
KR20220085687A (en) Display transferring structure and display device including the same
EP4199083A1 (en) Color conversion structure, display apparatus, and method of manufacturing color conversion structure
EP4071836A1 (en) Micro semiconductor chip transfer substrate, display transfer structure using same, display device, and display device manufacturing method
US20230400604A1 (en) Color conversion structure, display apparatus, and method of manufacturing the color conversion structure
EP4343845A1 (en) Display module and wearable electronic device comprising same
KR20220139242A (en) Color conversion structure, display apparatus and method of manufacturing the same
KR20220085692A (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
EP4016631A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
KR20230057200A (en) Micro semiconductor chip transferring structure and method of manufacturing display apparatus
KR20240071916A (en) Multifold micro emitting device, display apparatus having the same, and manufacturing method of multifold micro emitting device, manufacturing method of display apparatus
KR20220147480A (en) Light emitting element and display device including the same
KR20220007500A (en) Wet alignment method for micro semiconductor chip and display transferring structure
KR20230017090A (en) Display module and wearable electronic device inculding the same
KR20220117104A (en) Hybrid transfer structure and manufacturing method thereof
KR20220147477A (en) Multi-usable transfer mold and method of manufacturing display apparatus
KR20230168816A (en) Micro chip and display apparatus including the same
KR20230082436A (en) Micro emitting semiconductor device, display apparatus having the same, manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination