KR20220107592A - Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer - Google Patents

Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer Download PDF

Info

Publication number
KR20220107592A
KR20220107592A KR1020210010384A KR20210010384A KR20220107592A KR 20220107592 A KR20220107592 A KR 20220107592A KR 1020210010384 A KR1020210010384 A KR 1020210010384A KR 20210010384 A KR20210010384 A KR 20210010384A KR 20220107592 A KR20220107592 A KR 20220107592A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
meth
acrylate
semiconductor wafer
adhesive
adhesive film
Prior art date
Application number
KR1020210010384A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
한상헌
허진영
김상환
서기승
최홍준
조원섭
박효순
최정우
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020210010384A priority Critical patent/KR20220107592A/en
Publication of KR20220107592A publication Critical patent/KR20220107592A/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/50—Adhesives in the form of films or foils characterised by a primer layer between the carrier and the adhesive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/15—Heterocyclic compounds having oxygen in the ring
    • C08K5/151—Heterocyclic compounds having oxygen in the ring having one oxygen atom in the ring
    • C08K5/1515—Three-membered rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

The present invention provides an adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer having excellent interfacial adhesion. According to one aspect of the present invention, the present invention relates to an adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer comprising: a base layer; an uneven absorption layer; and an adhesive layer, wherein the uneven absorption layer comprises a first (meth)acrylate-based resin, an epoxy-based crosslinking agent, and a cured product of an uneven absorption layer composition containing a (meth)acrylate compound containing an epoxycycloalkyl group.

Description

반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름 {SURFACE PROTECTING ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR WAFER}Adhesive film for semiconductor wafer surface protection {SURFACE PROTECTING ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR WAFER}

본 발명은 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에 관한 것이다. 구체적으로, 계면 부착력이 우수한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer. Specifically, it relates to an adhesive film for surface protection of a semiconductor wafer having excellent interfacial adhesion.

다이싱 공정이나 이면 연삭 공정과 같은 반도체 웨이퍼 가공 공정에서의 보호 필름은 반도체 공정용 기재 및 점착층을 포함하는 다층 구조의 라미네이트 제품으로서, 반도체 공정 중에 웨이퍼를 균열 등으로부터 일시적으로 보호하기 위해 사용된다.A protective film in a semiconductor wafer processing process such as a dicing process or a backside grinding process is a laminate product with a multilayer structure including a substrate for semiconductor processing and an adhesive layer, and is used to temporarily protect the wafer from cracks during the semiconductor process. .

상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 부착되어 표면을 보호할 수 있으며, 웨이퍼의 회로 형성면에는 회로 외에도 범프(bump) 등의 비교적 큰 단차를 갖는 요철이 형성되어 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름이 단차를 충분히 매립하지 못하는 경우 반도체 웨이퍼의 회로 비형성면 등을 연삭하는 과정에서 반도체 웨이퍼가 파손될 우려가 높아지므로, 단차를 매립하기에 용이한 요철 흡수층이 필요하다. The adhesive film for surface protection of the semiconductor wafer may be attached to the circuit formation surface of the semiconductor wafer to protect the surface, and irregularities having relatively large steps such as bumps are formed on the circuit formation surface of the wafer in addition to circuits. Therefore, when the pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer surface protection does not sufficiently fill the step, there is a high risk of damage to the semiconductor wafer in the process of grinding the non-circuit-formed surface of the semiconductor wafer. .

연삭 공정 중, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 반도체 회로 형성면과 견고하게 부착되어 있다가, 연삭 공정이 종료된 후 열 또는 빛을 가하여 점착력을 낮추어 웨이퍼 표면으로부터 제거된다.During the grinding process, the adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer is firmly attached to the semiconductor circuit formation surface, and after the grinding process is completed, heat or light is applied to lower the adhesive force to be removed from the wafer surface.

그러나 이렇게 보호 필름을 박리하는 과정에서, 다층 구조를 갖는 보호 필름은 점착층과 요철흡수층 간에 계면 분리가 발생하여 웨이퍼 표면에 잔사가 존재하게 되는 등 보호 필름의 박리가 어려운 문제가 있다. However, in the process of peeling the protective film in this way, the protective film having a multi-layer structure has a problem in that it is difficult to peel the protective film, such as interfacial separation occurs between the adhesive layer and the uneven absorption layer, resulting in residues on the wafer surface.

이에, 각 층간 계면 결합력이 높은 테이프의 개발이 필요한 실정이다. Accordingly, there is a need to develop a tape having a high interlayer interfacial bonding force.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 계면 부착력이 우수하여 웨이퍼 표면의 잔사 없이 박리 가능한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide an adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer that is excellent in interfacial adhesion and can be peeled off without a residue on the surface of the wafer.

다만, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상기 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 하기의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기재층; 요철흡수층; 및 점착층을 포함하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름으로서, 상기 요철흡수층은 제1 (메트)아크릴레이트계 수지, 에폭시계 가교제 및 에폭시시클로알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트 화합물을 포함하는 요철흡수층 조성물의 경화물을 포함하는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름이 제공된다. According to one aspect of the present invention, a base layer; uneven absorption layer; And an adhesive film for surface protection of a semiconductor wafer comprising an adhesive layer, wherein the uneven absorption layer comprises a (meth)acrylate compound including a first (meth)acrylate-based resin, an epoxy-based crosslinking agent and an epoxycycloalkyl group. There is provided an adhesive film for surface protection of a semiconductor wafer comprising a cured product of the.

본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 점착층과 요철흡수층의 계면 부착력이 우수하여, 웨이퍼 표면으로부터 박리시에도 잔사 없이 제거될 수 있다. The adhesive film for semiconductor wafer surface protection according to an embodiment of the present invention has excellent interfacial adhesion between the adhesive layer and the uneven absorption layer, and thus can be removed without a residue even when peeled from the wafer surface.

본 발명의 효과는 상술한 효과로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본원 명세서 및 첨부된 도면으로부터 당업자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing an adhesive film for surface protection of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.

본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present specification, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only a case in which a member is in contact with another member but also a case in which another member is present between the two members.

본원 명세서 전체에서, 단위 "중량부"는 각 성분간의 중량의 비율을 의미할 수 있다.Throughout this specification, the unit “part by weight” may mean a ratio of weight between each component.

본원 명세서 전체에서, "(메트)아크릴레이트"는 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 통칭하는 의미로 사용된다.Throughout this specification, "(meth)acrylate" is used in the collective sense of acrylate and methacrylate.

본원 명세서 전체에서, "A 및/또는 B"는 "A 및 B, 또는 A 또는 B"를 의미한다.Throughout this specification, "A and/or B" means "A and B, or A or B."

본원 명세서 전체에서, 용어 "단량체 단위(monomer unit)"는 중합체 내에서 단량체가 반응된 형태를 의미할 수 있고, 구체적으로 그 단량체가 중합 반응을 거쳐서 그 중합체의 골격, 예를 들면, 주쇄 또는 측쇄를 형성하고 있는 형태를 의미할 수 있다.Throughout this specification, the term "monomer unit" may refer to a form in which a monomer is reacted in a polymer, and specifically, the monomer undergoes a polymerization reaction to form a backbone of the polymer, for example, a main chain or a side chain. It can mean the shape forming the .

본원 명세서 전체에서, 어떤 화합물의 “중량평균분자량” 및 “수평균분자량”은 그 화합물의 분자량과 분자량 분포를 이용하여 계산될 수 있다. 구체적으로, 1 ml의 유리병에 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF)와 화합물을 넣어 화합물의 농도가 1 wt%인 샘플 시료를 준비하고, 표준 시료(폴리스티렌, polystryere)와 샘플 시료를 필터(포어 크기가 0.45㎛)를 통해 여과시킨 후, GPC 인젝터(injector)에 주입하여, 샘플 시료의 용리(elution) 시간을 표준 시료의 캘리브레이션(calibration) 곡선과 비교하여 화합물의 분자량 및 분자량 분포를 얻을 수 있다. 이 때, 측정 기기로 Infinity II 1260(Agilient 社)를 이용할 수 있고, 유속은 1.00 mL/min, 컬럼 온도는 40.0 ℃로 설정할 수 있다.Throughout this specification, the "weight average molecular weight" and "number average molecular weight" of a certain compound may be calculated using the molecular weight and molecular weight distribution of the compound. Specifically, a sample sample having a concentration of 1 wt% of the compound is prepared by putting tetrahydrofuran (THF) and a compound in a 1 ml glass bottle, and a standard sample (polystyrene, polystryere) and a sample sample are filtered (pore size). After filtration through 0.45 μm), it is injected into a GPC injector, and the molecular weight and molecular weight distribution of the compound can be obtained by comparing the elution time of the sample sample with the calibration curve of the standard sample. In this case, an Infinity II 1260 (Agilient Co.) may be used as the measuring device, the flow rate may be 1.00 mL/min, and the column temperature may be set to 40.0 °C.

이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 기재층; 요철흡수층; 및 점착층을 포함하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름으로서, 상기 요철흡수층은 제1 (메트)아크릴레이트계 수지, 에폭시계 가교제 및 에폭시시클로알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트 화합물을 포함하는 요철흡수층 조성물의 경화물을 포함하는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름이 제공된다. According to one embodiment of the present invention, the base layer; uneven absorption layer; And an adhesive film for surface protection of a semiconductor wafer comprising an adhesive layer, wherein the uneven absorption layer comprises a (meth)acrylate compound including a first (meth)acrylate-based resin, an epoxy-based crosslinking agent and an epoxycycloalkyl group. There is provided an adhesive film for surface protection of a semiconductor wafer comprising a cured product of the.

본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 점착층과 요철흡수층의 계면 부착력이 우수하여, 웨이퍼 표면으로부터 박리시에도 잔사 없이 제거될 수 있다. The adhesive film for semiconductor wafer surface protection according to an embodiment of the present invention has excellent interfacial adhesion between the adhesive layer and the uneven absorption layer, and thus can be removed without a residue even when peeled from the wafer surface.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing an adhesive film for surface protection of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 기재층의 상부에 요철흡수층 및 점착층이 순차적으로 구비된다. 도 1을 참고하면, 상기 기재층 상에 요철흡수층이 구비되고, 상기 요철흡수층과 상기 기재층이 접하는 면의 반대면인 상기 요철흡수층의 일면에 상기 점착층이 구비될 수 있다. 구체적으로 상기 기재층, 요철흡수층 및 상기 점착층이 순차적으로 구비될 수 있다. 보다 구체적으로 상기 기재층, 요철흡수층 및 상기 점착층이 순차적으로 적층된 것일 수 있다. 상술한 것과 같이 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 도 1과 같이 구비함으로써, 점착층과 요철흡수층의 계면 부착력이 우수하여, 웨이퍼 표면으로부터 박리시에도 잔사 없이 제거될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the uneven absorption layer and the adhesive layer are sequentially provided on the substrate layer. Referring to FIG. 1 , an uneven absorbing layer may be provided on the substrate layer, and the adhesive layer may be provided on one surface of the uneven absorbing layer that is opposite to a surface in contact with the uneven absorbing layer and the substrate layer. Specifically, the substrate layer, the uneven absorption layer and the adhesive layer may be sequentially provided. More specifically, the substrate layer, the uneven absorption layer, and the adhesive layer may be sequentially stacked. As described above, by providing the adhesive film for surface protection of the semiconductor wafer as shown in FIG. 1 , the interfacial adhesion between the adhesive layer and the uneven absorption layer is excellent, and thus can be removed without a residue even when peeled from the wafer surface.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 상기 점착층의 상기 요철흡수층과 접하는 면의 반대면에 이형층을 더 포함하는 것일 수 있다. 구체적으로 상기 이형층은 상기 요철흡수층이 구비된 점착층 일면의 반대면에 구비될 수 있다. 도 1을 참고하면, 상기 기재층(10), 요철흡수층(20), 점착층(30) 및 이형층(40)이 순차적으로 구비될 수 있다. 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름이 이형층을 구비함으로써 상기 점착층이 외부 물질에 의하여 오염되는 것을 방지할 수 있으며, 웨이퍼 표면에 부착되어 보호용으로 사용될 때까지 점착층 표면을 보호할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer may further include a release layer on the opposite side of the surface of the adhesive layer in contact with the uneven absorption layer. Specifically, the release layer may be provided on a surface opposite to one surface of the adhesive layer provided with the uneven absorption layer. Referring to FIG. 1 , the base layer 10 , the uneven absorption layer 20 , the adhesive layer 30 , and the release layer 40 may be sequentially provided. Since the adhesive film for surface protection of the semiconductor wafer has a release layer, the adhesive layer can be prevented from being contaminated by external substances, and the surface of the adhesive layer can be protected until it is attached to the wafer surface and used for protection.

이하, 각 층에 대하여 구체적으로 설명한다. Hereinafter, each layer is demonstrated concretely.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 기재층은 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리올레핀 필름, 에틸렌-비닐 아세테이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리프로필렌 필름 또는 폴리에틸렌 필름일 수 있으나, 상기 기재필름의 종류를 한정하는 것은 아니다.According to an embodiment of the present invention, the base layer may be a polyethylene terephthalate film, a polyolefin film, an ethylene-vinyl acetate film, a polybutylene terephthalate film, a polypropylene film, or a polyethylene film, but the type of the base film It is not limiting.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 기재층은 표면 처리되어 다른 층과의 접합력이 우수할 수 있으며, 예를 들어 상기 기재층은 요철흡수층과 접하는 면에 프라이머 처리된 것일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the base layer may be surface-treated to have excellent bonding strength with other layers, and for example, the base layer may be a primer-treated surface in contact with the uneven absorption layer.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 기재층의 두께는 50 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 기재층의 두께는 50 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하, 70 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하, 70 ㎛ 이상 180 ㎛ 이하, 70 ㎛ 이상 160 ㎛ 이하, 80 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 140 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 130 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 120 ㎛ 이하, 80 ㎛ 이상 120 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 110 ㎛ 이하, 또는 95 ㎛ 이상 105 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 기재층의 두께가 전술한 범위 내인 경우, 기계적 물성이 우수한 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 구현할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the thickness of the base layer may be 50 μm or more and 200 μm or less. Specifically, the thickness of the base layer is 50 μm or more and 200 μm or less, 70 μm or more and 200 μm or less, 70 μm or more and 180 μm or less, 70 μm or more and 160 μm or less, 80 μm or more and 150 μm or less, 90 μm or more and 150 μm or less. , 90 μm or more and 140 μm or less, 90 μm or more and 130 μm or less, 90 μm or more and 120 μm or less, 80 μm or more and 120 μm or less, 90 μm or more and 110 μm or less, or 95 μm or more and 105 μm or less. When the thickness of the base layer is within the above range, the adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer having excellent mechanical properties may be implemented.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 요철흡수층은 제1 (메트)아크릴레이트계 수지, 에폭시계 가교제 및 에폭시시클로알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트 화합물을 포함하는 요철흡수층 조성물의 경화물을 포함한다. According to one embodiment of the present invention, the uneven absorption layer includes a cured product of the uneven absorption layer composition including the first (meth)acrylate-based resin, an epoxy-based crosslinking agent, and a (meth)acrylate compound including an epoxycycloalkyl group. do.

반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 웨이퍼 표면에 부착되어 회로 형성면을 보호하고, 그 상태로 이면 연삭 등의 가공 공정이 수행된 다음 광 또는 열을 가하여 점착층의 점착력을 저하시켜서 웨이퍼 표면으로부터 박리되는 방식으로 사용된다. 상기와 같이 광 또는 열을 가하는 과정에서, 종래의 점착 필름에 포함된 점착층은 웨이퍼 표면과의 점착력이 저하됨과 동시에 요철흡수층과의 점착력도 저하되게 되어, 점착 필름을 박리하는 경우 점착층의 일부가 웨이퍼 표면에 잔류하여 잔사가 발생하는 문제점이 있었다. The adhesive film for semiconductor wafer surface protection is attached to the wafer surface to protect the circuit formation surface, and in that state, a processing process such as backside grinding is performed, and then light or heat is applied to reduce the adhesive strength of the adhesive layer, thereby peeling from the wafer surface. is used as In the process of applying light or heat as described above, the adhesive layer included in the conventional adhesive film decreases the adhesive strength with the wafer surface and at the same time the adhesive strength with the uneven absorbing layer also decreases. There was a problem that residue was generated by remaining on the wafer surface.

본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 요철흡수층이 제1 (메트)아크릴레이트계 수지, 에폭시계 가교제 및 에폭시시클로알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트 화합물을 포함하는 요철흡수층 조성물의 경화물을 포함함에 따라 점착층과의 계면 부착력이 우수할 수 있고, 이에 따라 점착 필름 박리시 점착층이 요철흡수층과 계면 분리되지 않고 제거될 수 있어 웨이퍼 표면의 잔사 없이 박리가 가능할 수 있다. In the pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer surface protection according to an embodiment of the present invention, the uneven absorption layer comprises a (meth)acrylate compound including a first (meth)acrylate-based resin, an epoxy-based crosslinking agent, and an epoxycycloalkyl group. The interfacial adhesion with the adhesive layer may be excellent by including the cured product of the adhesive layer, and thus, the adhesive layer may be removed without interfacial separation from the uneven absorption layer when the adhesive film is peeled, so that peeling may be possible without a residue on the wafer surface.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 요철흡수층은 상기 요철흡수층 조성물의 열경화물을 포함하는 것일 수 있다. 즉, 에폭시계 가교제 및 에폭시시클로알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트 화합물에 포함되어 있는 에폭시기가 열에 반응하여 경화되는 것일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the uneven absorption layer may include a thermosetting product of the uneven absorption layer composition. That is, the epoxy group included in the (meth)acrylate compound including the epoxy-based crosslinking agent and the epoxycycloalkyl group may be cured by reaction with heat.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 에폭시시클로알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트 화합물은 에폭시시클로부틸메틸 (메트)아크릴레이트, 에폭시시클로펜틸메틸 (메트)아크릴레이트, 에폭시시클로헥실메틸 (메트)아크릴레이트, 에폭시시클로헵틸메틸 (메트)아크릴레이트, 에폭시시클로펜틸에틸 (메트)아크릴레이트, 에폭시시클로헥실에틸 (메트)아크릴레이트, 에폭시시클로펜틸프로필 (메트)아크릴레이트, 에폭시시클로헥실프로필 (메트)아크릴레이트, 에폭시시클로펜틸부틸 (메트)아크릴레이트 및 에폭시시클로헥실부틸 (메트)아크릴레이트 중 1종 이상을 포함하는 것일 수 있으나, 상기 열거한 것으로 제한되지 않는다. According to an embodiment of the present invention, the (meth)acrylate compound containing the epoxycycloalkyl group is epoxycyclobutylmethyl (meth)acrylate, epoxycyclopentylmethyl (meth)acrylate, epoxycyclohexylmethyl (meth) Acrylate, epoxycycloheptylmethyl (meth)acrylate, epoxycyclopentylethyl (meth)acrylate, epoxycyclohexylethyl (meth)acrylate, epoxycyclopentylpropyl (meth)acrylate, epoxycyclohexylpropyl (meth) It may include one or more of acrylate, epoxycyclopentylbutyl (meth)acrylate, and epoxycyclohexylbutyl (meth)acrylate, but is not limited thereto.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 에폭시시클로알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트 화합물은 상기 제1 (메트)아크릴레이트계 수지 100 중량부에 대하여 1 중량부 초과 5 중량부 미만, 3 중량부 이상 5 중량부 미만, 1 중량부 초과 3 중량부 이하, 3 중량부 이상 4.5 중량부 이하 또는 3 중량부 이상 4 중량부 이하의 함량으로 포함되는 것일 수 있다. 상기 범위 내의 함량으로 에폭시시클로알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트 화합물을 포함하는 경우, 상기 요철흡수층의 범프 매립성이 우수하면서도 계면 부착력이 우수할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the (meth)acrylate compound including the epoxycycloalkyl group is more than 1 part by weight and less than 5 parts by weight, 3 parts by weight based on 100 parts by weight of the first (meth)acrylate-based resin It may be included in an amount of 5 parts by weight or more, more than 1 part by weight and 3 parts by weight or less, 3 parts by weight or more and 4.5 parts by weight or more, or 3 parts by weight or more and 4 parts by weight or less. When a (meth)acrylate compound including an epoxycycloalkyl group is included in an amount within the above range, the bump filling property of the uneven absorption layer may be excellent and interfacial adhesion may be excellent.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 에폭시계 가교제는 에틸렌글리콜 디글리시딜에테르, 트리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판 트리글리시딜에테르, N,N,N',N'-테트라글리시딜 에틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-자일렌디아민 및 글리세린 디글리시딜에테르 중 1종 이상을 포함하는 것일 수 있으나, 상기 열거한 것으로 제한되지 않는다.According to one embodiment of the present invention, the epoxy-based crosslinking agent is ethylene glycol diglycidyl ether, triglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, N,N,N',N'-tetraglycidyl ethylene It may include at least one of diamine, N,N,N',N'-tetraglycidyl-m-xylenediamine, and glycerin diglycidyl ether, but is not limited thereto.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 에폭시계 가교제는 상기 제1 (메트)아크릴레이트계 수지 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 이상 3 중량부 이하 또는 0.05 중량부 이상 1 중량부 이하의 함량으로 포함되는 것일 수 있다. 상기 범위 내의 함량으로 에폭시계 가교제를 사용하는 경우, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 범프 매립성과 같은 물성을 구현할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the epoxy-based crosslinking agent is included in an amount of 0.01 parts by weight or more and 3 parts by weight or less, or 0.05 parts by weight or more and 1 part by weight or less, based on 100 parts by weight of the first (meth)acrylate-based resin. it may be When an epoxy-based crosslinking agent is used in an amount within the above range, physical properties such as bump filling properties required for the adhesive film for surface protection of semiconductor wafers can be implemented.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제1 (메트)아크릴레이트계 수지는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름의 후술하는 식 1에 따른 회복율이 80 % 이하를 만족하는 것으로 선택할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the first (meth) acrylate-based resin may be selected to satisfy a recovery rate of 80% or less according to Equation 1 to be described later of the adhesive film for semiconductor wafer surface protection.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제1 (메트)아크릴레이트계 수지는 1종 이상의 알킬 (메트)아크릴레이트 및 관능기 함유 단량체를 포함하는 혼합물의 공중합체를 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the first (meth)acrylate-based resin may include a copolymer of a mixture including at least one alkyl (meth)acrylate and a functional group-containing monomer.

상기 알킬 (메트)아크릴레이트로는 탄소수가 1 내지 12인 알킬기를 갖는 알킬 (메트)아크릴레이트를 사용할 수 있고, 예를 들어 메틸 (메트)아크릴레이트, 에틸 (메트)아크릴레이트, n-프로필 (메트)아크릴레이트, 이소프로필 (메트)아크릴레이트, n-부틸 (메트)아크릴레이트, t-부틸 (메트)아크릴레이트, sec-부틸 (메트)아크릴레이트, 펜틸 (메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메트)아크릴레이트, 2-에틸부틸 (메트)아크릴레이트, n-옥틸 (메트)아크릴레이트, 이소옥틸 (메트)아크릴레이트, 이소보닐 (메트)아크릴레이트, 이소노닐 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. As the alkyl (meth) acrylate, an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms may be used, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl ( Meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, n-butyl (meth)acrylate, t-butyl (meth)acrylate, sec-butyl (meth)acrylate, pentyl (meth)acrylate, 2-ethyl Hexyl (meth)acrylate, 2-ethylbutyl (meth)acrylate, n-octyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate, isononyl (meth)acrylate, etc. can be heard

상기 관능기 함유 단량체로는 카르복실기를 포함하는 산 화합물을 사용할 수 있고, 예를 들어 아크릴산, 이타콘산 등을 들 수 있다. As the functional group-containing monomer, an acid compound containing a carboxyl group may be used, and examples thereof include acrylic acid and itaconic acid.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제1 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량평균분자량은 50만 내지 70만 일 수 있다. 상기 범위 내의 중량평균분자량을 갖는 제1 (메트)아크릴레이트계 수지를 사용하는 경우, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 물성을 구현할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the weight average molecular weight of the first (meth) acrylate-based resin may be 500,000 to 700,000. When the first (meth)acrylate-based resin having a weight average molecular weight within the above range is used, the physical properties required for the adhesive film for protecting the semiconductor wafer surface can be implemented.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제1 (메트)아크릴레이트계 수지는 유리전이온도가 -70 ℃ 내지 -10 ℃ 일 수 있다. 상기 범위 내의 유리전이온도를 갖는 제1 (메트)아크릴레이트계 수지를 사용하는 경우, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 물성을 구현할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the first (meth) acrylate-based resin may have a glass transition temperature of -70 °C to -10 °C. When using the first (meth)acrylate-based resin having a glass transition temperature within the above range, the physical properties required for the adhesive film for protecting the semiconductor wafer surface can be implemented.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 요철흡수층 조성물은 광개시제를 더 포함하는 것일 수 있다. 상기 광개시제는 반도체 표면 보호용 점착필름을 박리하기 전에 광이 조사되는 경우, 광 가교 반응을 개시하기 위해 첨가될 수 있으며, 광 가교 반응을 통해 점착제층과 요철흡수층 간의 계면 부착력을 향상시킬 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the uneven absorption layer composition may further include a photoinitiator. The photoinitiator may be added to initiate a photocrosslinking reaction when light is irradiated before peeling the adhesive film for semiconductor surface protection, and may improve the interfacial adhesion between the adhesive layer and the uneven absorption layer through the photocrosslinking reaction.

상기 광개시제로서 당업계에서 사용되는 광개시제를 제한 없이 채택하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 광개시제로는 상업적으로 수득 가능한 시바가이기(Ciba Geigy)사의 이가큐어(Irgacure)#184(하이드록시사이클로헥실페닐케톤 (hydroxycyclohexyl phenylketone)), 이가큐어(Irgacure)#907(2-메틸-1[4-(메틸티오)페닐]-2-모폴리노-프로판-1-온(2-methyl-1[4-(methythio)phenyl]-2-morpholino-propan-1-on)), 이가큐어(Irgacure)#500 (하이드록시케톤과 벤조페논(hydroxy-ketones and benzo phoenone)), 이가큐어(Irgacure)#651(벤질디메틸케톤(benzildimethyl-ketone)), 이가큐어(Irgacure) TPO (디페닐(2,4,6-트리메틸벤조일)포스핀옥사이드(Diphenyl(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphine oxide), 다로큐어(Darocure)#1173(2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온(2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one)), 다로큐어(Darocure)#116, CGI#1800 (비스아실포스핀옥사이드(bisacylphosphineoxide)) 또는 CGI#1700 (비스아실포스핀 옥사이드와 벤조페논(bisacylphosphine oxide and hydroxy ketone))중 적어도 하나를 사용할 수 있으나, 상기 광개시제의 종류를 한정하는 것은 아니다.As the photoinitiator, a photoinitiator used in the art may be employed without limitation. For example, as the photoinitiator, commercially available Ciba Geigy's Irgacure #184 (hydroxycyclohexyl phenylketone), Irgacure #907 (2- Methyl-1 [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propan-1-one (2-methyl-1 [4- (methythio) phenyl] -2-morpholino-propan-1-on)) , Irgacure#500 (hydroxy-ketones and benzo phoenone), Irgacure#651 (benzildimethyl-ketone), Irgacure TPO ( Diphenyl (2,4,6-trimethylbenzoyl) phosphine oxide (Diphenyl (2,4,6-trimethylbenzoyl) phosphine oxide), Darocure #1173 (2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl -Propan-1-one (2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one), Darocure #116, CGI#1800 (bisacylphosphineoxide) or CGI At least one of #1700 (bisacylphosphine oxide and hydroxy ketone) may be used, but the type of the photoinitiator is not limited.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 광개시제는 상기 제1 (메트)아크릴레이트 수지 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 내지 3 중량부, 0.5 중량부 내지 2 중량부 또는 0.7 중량부 내지 1.5 중량부로 포함되는 것일 수 있다. 상기 범위 내의 함량으로 광개시제를 포함하는 경우, 요철흡수층의 광가교 반응이 효율적으로 진행될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the photoinitiator is included in an amount of 0.1 parts by weight to 3 parts by weight, 0.5 parts by weight to 2 parts by weight, or 0.7 parts by weight to 1.5 parts by weight based on 100 parts by weight of the first (meth)acrylate resin. it may be When the photoinitiator is included in an amount within the above range, the photocrosslinking reaction of the uneven absorption layer may proceed efficiently.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 요철흡수층 조성물의 고형분 함량은 10 % 내지 30 %일 수 있다. 상기 범위 내의 고형분을 포함하는 경우, 요철흡수층 조성물의 점도가 적절할 수 있고, 가공성이 우수하여 두께가 균일한 층을 제조할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the solid content of the uneven absorption layer composition may be 10% to 30%. When the solid content within the above range is included, the viscosity of the uneven absorption layer composition may be appropriate, and a layer having a uniform thickness may be manufactured due to excellent processability.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 요철흡수층의 두께는 50 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 요철흡수층의 두께는 50 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하, 70 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하, 70 ㎛ 이상 180 ㎛ 이하, 70 ㎛ 이상 160 ㎛ 이하, 80 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 140 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 130 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 120 ㎛ 이하, 80 ㎛ 이상 120 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 110 ㎛ 이하, 또는 95 ㎛ 이상 105 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 요철흡수층의 두께가 전술한 범위 내인 경우, 기계적 물성이 우수하면서도 범프 매립성이 우수한 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 구현할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the thickness of the uneven absorption layer may be 50 μm or more and 200 μm or less. Specifically, the thickness of the concave-convex absorption layer is 50 μm or more and 200 μm or less, 70 μm or more 200 μm or less, 70 μm or more and 180 μm or less, 70 μm or more and 160 μm or less, 80 μm or more and 150 μm or less, 90 μm or more and 150 μm or less. , 90 μm or more and 140 μm or less, 90 μm or more and 130 μm or less, 90 μm or more and 120 μm or less, 80 μm or more and 120 μm or less, 90 μm or more and 110 μm or less, or 95 μm or more and 105 μm or less. When the thickness of the uneven absorption layer is within the above range, it is possible to realize the adhesive film for protecting the surface of the semiconductor wafer having excellent mechanical properties and excellent bump embedding properties.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 점착층은 실리콘계 점착제, 합성 고무계 점착제, 천연 고무계 점착제 또는 아크릴계 점착제를 포함하는 것일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer may include a silicone-based pressure-sensitive adhesive, a synthetic rubber-based pressure-sensitive adhesive, a natural rubber-based pressure-sensitive adhesive, or an acrylic pressure-sensitive adhesive.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 아크릴계 점착제는 탄소수 5 내지 10인 알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제1모노머, 탄소수 1 내지 4인 알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제2모노머, 및 극성기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제3모노머를 포함하는 혼합물의 공중합체; 및 이소시아네이트기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제4모노머;의 반응생성물을 포함하는 제2 (메트)아크릴레이트계 수지를 포함하는 것일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the acrylic pressure-sensitive adhesive is a (meth) acrylate first monomer containing an alkyl group having 5 to 10 carbon atoms, and a (meth) acrylate second monomer containing an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. and a copolymer of a mixture comprising a third monomer that is a (meth)acrylate containing a polar group; and a fourth monomer that is a (meth)acrylate including an isocyanate group; and may include a second (meth)acrylate-based resin comprising a reaction product of the second (meth)acrylate-based resin.

상기 탄소수 범위를 만족하는 제1모노머와 제2모노머 및 극성기를 포함하는 제3모노머를 포함하는 혼합물의 공중합체를 사용하는 경우, 제2 (메트)아크릴레이트계 수지의 유리전이온도 및 중량평균분자량을 적정 범위로 조절하여 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.When using a copolymer of a mixture including a first monomer satisfying the above carbon number range, a second monomer, and a third monomer including a polar group, the glass transition temperature and weight average molecular weight of the second (meth)acrylate-based resin can be adjusted to an appropriate range to implement physical properties such as adhesive force required for the adhesive film for surface protection of semiconductor wafers.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면 제1모노머 내지 제3모노머를 포함하는 혼합물의 공중합체와 이소시아네이트기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제4모노머의 반응생성물을 포함하는 제2(메트)아크릴레이트계 수지를 사용할 수 있다. 상기 제4모노머의 이소시아네이트기는 극성기, 특히 히드록시기와 반응하여 우레탄 결합과 같은 결합을 형성할 수 있고, 광 조사시 반응할 수 있도록 공중합체에 (메트)아크릴레이트기를 부여할 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present invention, the second (meth)acryl comprising a reaction product of a copolymer of a mixture containing the first to third monomers and a fourth monomer that is a (meth)acrylate containing an isocyanate group A rate-based resin can be used. The isocyanate group of the fourth monomer may react with a polar group, particularly a hydroxyl group, to form a bond such as a urethane bond, and may provide a (meth)acrylate group to the copolymer to react with light irradiation.

상기 탄소수 5 내지 10인 알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제1모노머로는, 예를 들어 펜틸 (메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메트)아크릴레이트, 2-에틸부틸 (메트)아크릴레이트, n-옥틸 (메트)아크릴레이트, 이소옥틸 (메트)아크릴레이트, 이소노닐 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. As the first monomer which is a (meth)acrylate containing an alkyl group having 5 to 10 carbon atoms, for example, pentyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, 2-ethylbutyl (meth)acryl a rate, n-octyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate, isononyl (meth)acrylate, etc. are mentioned.

상기 탄소수 1 내지 4인 알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제2모노머로는, 예를 들어 메틸 (메트)아크릴레이트, 에틸 (메트)아크릴레이트, n-프로필 (메트)아크릴레이트, 이소프로필 (메트)아크릴레이트, n-부틸 (메트)아크릴레이트, t-부틸 (메트)아크릴레이트, sec-부틸 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. As the second monomer that is a (meth)acrylate containing an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, for example, methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, n-propyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, n-butyl (meth)acrylate, t-butyl (meth)acrylate, sec-butyl (meth)acrylate, etc. are mentioned.

상기 극성기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제3모노머로는, 예를 들어 2-히드록시에틸 (메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸 (메트)아크릴레이트, 6-히드록시헥실 (메트)아크릴레이트, 8-히드록시옥틸 (메트)아크릴레이트, 2-히드록시에틸렌글리콜 (메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필렌글리콜 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. As the third monomer that is (meth)acrylate containing the polar group, for example, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth)acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth)acrylate, 2-hydroxyethylene glycol (meth)acrylate, 2-hydroxypropylene glycol (meth)acrylate, etc. can be heard

상기 이소시아네이트기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제4모노머로는, 예를 들어 1-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트, 2-아크릴로일옥시에틸 이소시아네이트, 비스아크릴로일옥시메틸 에틸 이소시아네이트 등을 들 수 있다. As a 4th monomer which is the (meth)acrylate containing the said isocyanate group, 1-methacryloyloxyethyl isocyanate, 2-acryloyloxyethyl isocyanate, bisacryloyloxymethyl ethyl isocyanate etc. are mentioned, for example. can

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제1모노머는 상기 혼합물에 대하여 20 중량% 내지 40 중량%의 함량으로 포함되는 것일 수 있다. 상기 범위 내의 함량으로 제1모노머가 포함되는 경우, 제2 (메트)아크릴레이트계 수지의 유리전이온도 및 중량평균분자량을 적정 범위로 조절하여 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the first monomer may be included in an amount of 20 wt% to 40 wt% with respect to the mixture. When the first monomer is included in the content within the above range, the glass transition temperature and weight average molecular weight of the second (meth)acrylate-based resin are adjusted to an appropriate range to have physical properties such as the adhesive force required for the adhesive film for protecting the semiconductor wafer surface. can be implemented.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제2모노머는 상기 혼합물에 대하여 30 중량% 내지 60 중량%의 함량으로 포함되는 것일 수 있다. 상기 범위 내의 함량으로 제2모노머가 포함되는 경우, 제2 (메트)아크릴레이트계 수지의 유리전이온도 및 중량평균분자량을 적정 범위로 조절하여 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the second monomer may be included in an amount of 30 wt% to 60 wt% with respect to the mixture. When the second monomer is included in an amount within the above range, the glass transition temperature and weight average molecular weight of the second (meth)acrylate-based resin are adjusted to an appropriate range to have physical properties such as the adhesive force required for the adhesive film for protecting the semiconductor wafer surface. can be implemented.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제3모노머는 상기 혼합물에 대하여 10 중량% 내지 30 중량%의 함량으로 포함되는 것일 수 있다. 상기 범위 내의 함량으로 제3모노머가 포함되는 경우, 제2 (메트)아크릴레이트계 수지의 유리전이온도 및 중량평균분자량을 적정 범위로 조절하여 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the third monomer may be included in an amount of 10 wt% to 30 wt% with respect to the mixture. When the third monomer is included in the content within the above range, the glass transition temperature and weight average molecular weight of the second (meth)acrylate-based resin are adjusted to an appropriate range to have physical properties such as the adhesive force required for the adhesive film for semiconductor wafer surface protection. can be implemented.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 공중합체는 상기 제1모노머 내지 제3모노머를 포함하는 혼합물을 공중합한 다음, 시럽 형태로 제4모노머와 혼합되어 반응하는 것일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the copolymer may be one by copolymerizing a mixture including the first to third monomers, and then mixing with the fourth monomer in the form of syrup to react.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제4모노머는 상기 공중합체를 포함하는 시럽 100 중량부에 대하여 10 중량부 내지 30 중량부의 양으로 반응되는 것일 수 있다. 상기 범위 내의 양으로 반응되는 경우, 제조되는 제2 (메트)아크릴레이트계 수지의 광반응성을 우수한 수준으로 확보할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the fourth monomer may be reacted in an amount of 10 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the syrup containing the copolymer. When the reaction is carried out in an amount within the above range, the photoreactivity of the prepared second (meth)acrylate-based resin may be secured at an excellent level.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제2 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량평균분자량은 50 만 내지 150 만일 수 있다. 상기 범위 내의 중량평균분자량을 갖는 제2 (메트)아크릴레이트계 수지를 사용하는 경우, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the weight average molecular weight of the second (meth) acrylate-based resin may be 500,000 to 150 IF. When the second (meth)acrylate-based resin having a weight average molecular weight within the above range is used, physical properties such as adhesive strength required for the adhesive film for surface protection of semiconductor wafers can be implemented.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제2 (메트)아크릴레이트계 수지는 유리전이온도가 -30 ℃ 내지 30 ℃, -20 ℃ 내지 20 ℃ 또는 -10 ℃ 내지 10 ℃일 수 있다. 상기 범위 내의 유리전이온도를 갖는 제2 (메트)아크릴레이트계 수지를 사용하는 경우, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the second (meth) acrylate-based resin may have a glass transition temperature of -30 °C to 30 °C, -20 °C to 20 °C, or -10 °C to 10 °C. When using the second (meth) acrylate-based resin having a glass transition temperature within the above range, it is possible to implement physical properties such as adhesive force required in the adhesive film for surface protection of the semiconductor wafer.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 점착제는 또한, 발명의 효과에 영향을 미치지 않는 범위 내에서, 상기 성분에 추가로 점착성 부여 수지, 저분자량체, 에폭시 수지, 경화제, 자외선 안정제, 산화 방지제, 조색제, 보강제, 소포제, 계면 활성제, 발포제, 유기염, 증점제 및 난연제로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the pressure-sensitive adhesive is also, within the range that does not affect the effect of the invention, in addition to the above components, a tackifying resin, a low molecular weight substance, an epoxy resin, a curing agent, a UV stabilizer, an antioxidant, a colorant , a reinforcing agent, an antifoaming agent, a surfactant, a foaming agent, an organic salt, a thickener and one or more additives selected from the group consisting of a flame retardant may be further included.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 점착층의 두께는 5 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 점착층의 두께는 5 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 5 ㎛ 이상 45 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이상 45 ㎛ 이하, 5 ㎛ 이상 40 ㎛ 이하, 15 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이상 35 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하 또는 10 ㎛ 이상 15 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 점착층의 두께가 전술한 범위 내인 경우, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the thickness of the adhesive layer may be 5 μm or more and 50 μm or less. Specifically, the thickness of the adhesive layer is 5 μm or more and 50 μm or less, 5 μm or more and 45 μm or less, 10 μm or more and 50 μm or less, 10 μm or more and 45 μm or less, 5 μm or more and 40 μm or less, 15 μm or more and 50 μm or less. , 10 μm or more and 35 μm or less, 10 μm or more and 30 μm or less, 10 μm or more and 20 μm or less, or 10 μm or more and 15 μm or less. When the thickness of the adhesive layer is within the above-described range, physical properties such as adhesive force required for the adhesive film for surface protection of the semiconductor wafer may be implemented.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 점착층 상에 형성된 이형층을 더 포함하는 것일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, it may further include a release layer formed on the adhesive layer.

본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름이 이형층을 구비함으로써 상기 점착층이 외부 물질에 의하여 오염되는 것을 방지할 수 있으며, 웨이퍼 표면에 부착되어 보호용으로 사용될 때까지 점착층 표면을 보호할 수 있다. Since the adhesive film for semiconductor wafer surface protection according to an embodiment of the present invention has a release layer, it is possible to prevent the adhesive layer from being contaminated by external substances, and the adhesive layer surface is adhered to the wafer surface and used for protection. can protect

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 이형층은 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리올레핀 필름, 에틸렌-비닐 아세테이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리프로필렌 필름 또는 폴리에틸렌 필름일 수 있으나, 상기 이형층의 종류를 한정하는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the release layer may be a polyethylene terephthalate film, a polyolefin film, an ethylene-vinyl acetate film, a polybutylene terephthalate film, a polypropylene film, or a polyethylene film, but the type of the release layer is selected. It is not limiting.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 이형층의 점착층과 접하는 면은 이형 처리 되어있는 것일 수 있다. 점착층과 접하는 면에 이형 처리 되어있는 경우, 점착 필름을 웨이퍼 표면에 부착하기 위해 이형층을 박리할 때 점착층 및 요철흡수층의 손상 없이 박리할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the surface of the release layer in contact with the adhesive layer may be a release treatment. If the surface in contact with the adhesive layer is subjected to a release treatment, it can be peeled without damage to the adhesive layer and the uneven absorption layer when the release layer is peeled to attach the adhesive film to the wafer surface.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 이형층의 두께는 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 이형층의 두께는 20 ㎛ 이상 80 ㎛ 이하, 40 ㎛ 이상 60 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이상 70 ㎛ 이하, 15 ㎛ 이상 65 ㎛ 이하, 25 ㎛ 이상 62.5 ㎛ 이하, 30 ㎛ 이상 57 ㎛ 이하, 35 ㎛ 이상 55 ㎛ 이하, 45 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 40 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하, 42.5 ㎛ 이상 75 ㎛ 이하, 45 ㎛ 이상 72.5 ㎛ 이하, 또는 50 ㎛ 이상 65 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 이형층의 두께가 전술한 범위 내인 경우, 기계적 물성이 우수한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 구현할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the thickness of the release layer may be 10 μm or more and 100 μm or less. Specifically, the thickness of the release layer is 20 μm or more and 80 μm or less, 40 μm or more 60 μm or less, 10 μm or more and 70 μm or less, 15 μm or more and 65 μm or less, 25 μm or more and 62.5 μm or less, 30 μm or more and 57 μm or less. , 35 μm or more and 55 μm or less, 45 μm or more and 50 μm or less, 40 μm or more and 100 μm or less, 42.5 μm or more and 75 μm or less, 45 μm or more and 72.5 μm or less, or 50 μm or more and 65 μm or less. When the thickness of the release layer is within the above-described range, an adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer having excellent mechanical properties can be implemented.

본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 하기 식 1에 따른 회복율이 80 % 이하인 것일 수 있다. The adhesive film for semiconductor wafer surface protection according to an embodiment of the present invention may have a recovery rate of 80% or less according to Equation 1 below.

[식 1][Equation 1]

회복율(%)=(1-(잔류변형량/최대변형량))*100Recovery rate (%)=(1-(residual strain/maximum strain))*100

상기 식 1에서, 상기 최대변형량이란 지름 8 mm, 두께 1 mm 규격의 디스크 형상인 상기 요철흡수층 조성물의 경화물에 TA Instruments 사의 디스커버리 하이브리드 레오미터를 사용하여 10,000 Pa의 전단응력을 5분 동안 가하였을 때의 변형율(%)을 의미하고, 상기 잔류변형량이란 상기 전단응력을 제거하고 10분 후의 변형율(%)을 의미한다. In Equation 1, the maximum amount of deformation means that a shear stress of 10,000 Pa was applied to the cured product of the uneven absorption layer composition having a diameter of 8 mm and a thickness of 1 mm using a Discovery Hybrid Rheometer of TA Instruments for 5 minutes. It means the strain (%) at the time, and the residual strain means the strain (%) after 10 minutes after removing the shear stress.

상기 전단응력은 상기 요철흡수층 조성물의 경화물의 양 면에 대하여 비트는 힘을 의미할 수 있고, 상기 변형율이란 상기 요철흡수층 조성물의 경화물의 두께에 대한 전단 방향으로의 변화량을 백분율로 나타낸 것일 수 있다. The shear stress may mean a twisting force with respect to both surfaces of the cured product of the uneven absorption layer composition, and the strain may represent a percentage change in the shear direction with respect to the thickness of the cured product of the uneven absorption layer composition.

일반적으로 사용되는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 웨이퍼 표면에 합지되어 웨이퍼 표면에 위치하는 범프와 같은 요철을 잘 매립하여야 한다. 또한, 이렇게 매립한 상태를 후속 공정 전까지 유지하여야 하며, 회복율이 너무 우수하지 않아야 요철을 매립한 변형 상태를 최대한 일정한 형상으로 유지할 수 있다. The generally used adhesive film for surface protection of a semiconductor wafer is laminated on the wafer surface and needs to be well filled with irregularities such as bumps positioned on the wafer surface. In addition, the buried state must be maintained until the subsequent process, and the deformed state in which the irregularities are buried can be maintained in a constant shape as much as possible when the recovery rate is not too excellent.

따라서 본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은, 식 1에 따른 회복율이 80% 이하임으로써 범프 매립성 및 이를 유지하는 성능이 우수할 수 있다. Therefore, the adhesive film for semiconductor wafer surface protection according to an embodiment of the present invention has a recovery rate of 80% or less according to Equation 1, so that it can be excellent in bump embedding properties and maintaining the same.

본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 상기 최대변형량이 100 % 이하, 80 % 이하, 70 % 이하, 50 % 이하일 수 있다. In the adhesive film for semiconductor wafer surface protection according to an embodiment of the present invention, the maximum deformation amount may be 100% or less, 80% or less, 70% or less, or 50% or less.

본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름의 상기 최대변형량이 100 % 이하인 경우, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름의 범프 매립성이 우수하면서도 범프에 의한 요철흡수층 침투 현상이 발생하지 않을 수 있어 웨이퍼 표면의 보호 역할을 수행할 수 있다. When the maximum deformation amount of the adhesive film for semiconductor wafer surface protection according to an embodiment of the present invention is 100% or less, the bump embedding property of the adhesive film for semiconductor wafer surface protection is excellent, but penetration of the uneven absorption layer by bumps may not occur. It can serve to protect the wafer surface.

본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은, 기재층 상에 요철흡수층을 형성하는 단계; 이형층 상에 점착층을 형성하는 단계; 및 상기 요철흡수층과 점착층이 맞닿도록 합지하는 단계;를 통해 제조될 수 있다. The adhesive film for semiconductor wafer surface protection according to an embodiment of the present invention comprises the steps of: forming an uneven absorption layer on a base layer; forming an adhesive layer on the release layer; and laminating the uneven absorption layer and the adhesive layer in contact with each other.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 기재층 상에 요철흡수층을 형성할 수 있다. 구체적으로, 기재층 상에 요철흡수층 조성물을 도포하고 경화하여 요철흡수층을 형성할 수 있다. 상기 도포하는 방법은 제한되지 않으며, 바 코트, 나이프 코트, 롤 코트, 스프레이 코트, 그라비어 코트, 커튼 코트, 콤마 코트 및/또는 립 코트 등의 수단을 사용하여 상기 요철흡수층 조성물을 도포할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the uneven absorption layer may be formed on the base layer. Specifically, the uneven absorption layer may be formed by coating and curing the uneven absorption layer composition on the substrate layer. The application method is not limited, and the uneven absorption layer composition may be applied using means such as bar coat, knife coat, roll coat, spray coat, gravure coat, curtain coat, comma coat and/or lip coat.

상기 도포된 요철흡수층 조성물을 약 100 ℃ 내지 150 ℃의 온도에서 1 분 내지 30 분 동안 건조경화하여 요철흡수층을 제조할 수 있다. 상기 범위 내의 조건으로 요철흡수층 조성물을 경화하는 경우 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.The uneven absorption layer may be prepared by drying and curing the applied uneven absorption layer composition at a temperature of about 100° C. to 150° C. for 1 minute to 30 minutes. When the concave-convex absorption layer composition is cured under the conditions within the above range, physical properties such as adhesive force required for the adhesive film for surface protection of the semiconductor wafer may be implemented.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 이형층 상에 점착층을 형성할 수 있다. 구체적으로, 이형층 상에 점착층 조성물을 도포하고 경화하여 점착층을 형성할 수 있다. 상기 도포하는 방법은 제한되지 않으며, 바 코트, 나이프 코트, 롤 코트, 스프레이 코트, 그라비어 코트, 커튼 코트, 콤마 코트 및/또는 립 코트 등의 수단을 사용하여 상기 요철흡수층 조성물을 도포할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, an adhesive layer may be formed on the release layer. Specifically, the pressure-sensitive adhesive layer may be formed by coating and curing the pressure-sensitive adhesive layer composition on the release layer. The application method is not limited, and the uneven absorption layer composition may be applied using means such as bar coat, knife coat, roll coat, spray coat, gravure coat, curtain coat, comma coat and/or lip coat.

상기 도포된 점착층 조성물을 약 100 ℃ 내지 150 ℃의 온도에서 1 분 내지 30 분 동안 건조경화하여 점착층을 제조할 수 있다. 상기 범위 내의 조건으로 점착층 조성물을 경화하는 경우 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.The applied adhesive layer composition may be dried and cured at a temperature of about 100° C. to 150° C. for 1 minute to 30 minutes to prepare an adhesive layer. When the pressure-sensitive adhesive layer composition is cured under the conditions within the above range, physical properties such as the adhesive force required in the pressure-sensitive adhesive film for surface protection of semiconductor wafers can be implemented.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 기재층 상에 형성된 요철흡수층과, 상기 이형층 상에 형성된 점착층이 맞닿도록 합지하여 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조할 수 있다. 합지한 후, 필요에 따라 에이징하는 과정을 거칠 수 있으며, 약 30 ℃ 내지 70 ℃의 온도에서 1일 내지 5일 동안 에이징하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, by laminating the uneven absorption layer formed on the base layer and the adhesive layer formed on the release layer in contact with each other, the adhesive film for surface protection of the semiconductor wafer may be manufactured. After lamination, an aging process may be performed as needed, and aging at a temperature of about 30° C. to 70° C. for 1 to 5 days to prepare an adhesive film for semiconductor wafer surface protection.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은, 예를 들면, 반도체 웨이퍼 이면 연삭과 같은 공정에 있어 반도체 웨이퍼 표면의 보호용 점착필름으로 이용될 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer may be used as an adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer, for example, in a process such as grinding of the back surface of a semiconductor wafer.

구체적으로, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 반도체 웨이퍼 표면에 부착하는 단계; 점착 필름이 부착된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 단계; 및 이면이 연삭된 반도체 웨이퍼 표면으로부터 점착 필름을 박리하는 단계;를 포함하는 백그라인딩(backgrinding) 공정으로 이용될 수 있다. Specifically, attaching the adhesive film for surface protection of the semiconductor wafer to the surface of the semiconductor wafer; grinding the back surface of the semiconductor wafer to which the adhesive film is attached; and peeling the adhesive film from the surface of the semiconductor wafer whose back surface is ground.

상기 백그라인딩 방법은 전술한 본 발명의 필름을 웨이퍼 가공용 보호 필름으로 사용한 것을 특징으로 하며, 그 외의 구체적인 공정 조건은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 본 발명에서는 전술한 점착 필름을 프레스법 또는 핫 롤 라미네이트법 등의 수단으로 웨이퍼에 합판하고, 이를 연마기와 같은 연삭 공구에 고정시킨 후 백그라인딩 공정을 수행할 수 있다. 상기한 바와 같이 본 발명의 점착 필름은 웨이퍼에 대한 젖음성, 박리성 및 내수성 등이 우수하여 상기 백그라인딩 공정에 효과적으로 적용될 수 있다. 본 발명의 방법에서는 또한 상기 백그라인딩 공정을 수행한 후, 웨이퍼의 다이싱, 다이본딩, 와이어 본딩 및 몰딩 등과 같은 일반적인 반도체 패키징 공정을 연속하여 수행할 수 있고, 그 구체적인 조건은 특별히 한정되지 않는다.The backgrinding method is characterized in that the above-described film of the present invention is used as a protective film for wafer processing, and other specific process conditions are not particularly limited. For example, in the present invention, the above-described adhesive film may be laminated on a wafer by means such as a press method or a hot roll lamination method, and the backgrinding process may be performed after fixing it to a grinding tool such as a grinder. As described above, the adhesive film of the present invention has excellent wafer wettability, peelability, water resistance, and the like, and thus can be effectively applied to the backgrinding process. In the method of the present invention, after performing the backgrinding process, general semiconductor packaging processes such as wafer dicing, die bonding, wire bonding, and molding may be continuously performed, and specific conditions thereof are not particularly limited.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, examples will be given to describe the present invention in detail. However, the embodiments according to the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not to be construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present specification are provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art.

제조예 1-1: 요철흡수층의 제조Preparation Example 1-1: Preparation of the uneven absorption layer

제1 (메트)아크릴레이트계 수지로 부림케미칼 社의 BA8500을 사용하고, 제1 (메트)아크릴레이트계 수지 100 중량부에 대하여 에폭시 가교제(부림케미칼 社, BA45S) 0.1 중량부 및 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트(M100) 3 중량부를 혼합한 다음 메틸에틸케톤과 혼합하여 고형분이 20%가 되도록 요철흡수층 조성물을 제조하였다. BA8500 of Burim Chemical was used as the first (meth)acrylate-based resin, and 0.1 parts by weight of an epoxy crosslinking agent (Burim Chemical, BA45S) based on 100 parts by weight of the first (meth)acrylate-based resin and 3,4- 3 parts by weight of epoxycyclohexylmethyl methacrylate (M100) was mixed and then mixed with methyl ethyl ketone to prepare an uneven absorption layer composition so that the solid content was 20%.

기재로서 프라이머 처리된 100 μm 두께의 PET 필름 상에 상기 요철흡수층 조성물을 도포 후 120 ℃ 오븐에서 2분간 건조하여 두께가 100 μm가 되도록 코팅한 후, 이형 처리된 PET 필름을 합지하여 PET 필름 사이에 개재된 요철흡수층을 제조하였다. After coating the uneven absorption layer composition on a PET film with a thickness of 100 μm treated with a primer as a substrate, drying in an oven at 120° C. for 2 minutes to make a thickness of 100 μm, and laminating the release-treated PET film between the PET films. An interposed uneven absorption layer was prepared.

제조예 1-2Preparation 1-2

상기 제조예 1-1에 있어, 광개시제로서 Irgacure 184를 1 중량부 더 첨가하여 혼합한 것을 제외하고는 제조예 1-1과 동일한 방법으로 요철흡수층을 제조하였다.In Preparation Example 1-1, an uneven absorption layer was prepared in the same manner as in Preparation Example 1-1, except that 1 part by weight of Irgacure 184 as a photoinitiator was further added and mixed.

제조예 1-3Preparation 1-3

상기 제조예 1-1에 있어, 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트를 4 중량부로 사용한 것을 제외하고는 제조예 1-1과 동일한 방법으로 요철흡수층을 제조하였다. In Preparation Example 1-1, an uneven absorption layer was prepared in the same manner as in Preparation Example 1-1, except that 4 parts by weight of 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate was used.

제조예 1-4Preparation Example 1-4

상기 제조예 1-3에 있어, 광개시제로서 Irgacure 184를 1 중량부 더 첨가하여 혼합한 것을 제외하고는 제조예 1-3와 동일한 방법으로 요철흡수층을 제조하였다.In Preparation Example 1-3, an uneven absorption layer was prepared in the same manner as in Preparation Example 1-3, except that 1 part by weight of Irgacure 184 as a photoinitiator was further added and mixed.

제조예 1-5Preparation 1-5

상기 제조예 1-1에 있어, 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트를 1 중량부로 사용한 것을 제외하고는 제조예 1-1과 동일한 방법으로 요철흡수층을 제조하였다. An uneven absorption layer was prepared in the same manner as in Preparation Example 1-1, except that 1 part by weight of 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate was used in Preparation Example 1-1.

제조예 1-6Preparation 1-6

상기 제조예 1-5에 있어, 광개시제로서 Irgacure 184를 1 중량부 더 첨가하여 혼합한 것을 제외하고는 제조예 1-5과 동일한 방법으로 요철흡수층을 제조하였다. In Preparation Example 1-5, an uneven absorption layer was prepared in the same manner as in Preparation Example 1-5, except that 1 part by weight of Irgacure 184 as a photoinitiator was further added and mixed.

제조예 1-7Preparation 1-7

상기 제조예 1-1에 있어, 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트를 5 중량부로 사용한 것을 제외하고는 제조예 1-1과 동일한 방법으로 요철흡수층을 제조하였다. An uneven absorption layer was prepared in the same manner as in Preparation Example 1-1, except that 5 parts by weight of 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate was used in Preparation Example 1-1.

제조예 1-8Preparation 1-8

상기 제조예 1-1에 있어, 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트를 10 중량부로 사용한 것을 제외하고는 제조예 1-1과 동일한 방법으로 요철흡수층을 제조하였다. In Preparation Example 1-1, an uneven absorption layer was prepared in the same manner as in Preparation Example 1-1, except that 10 parts by weight of 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate was used.

제조예 2: 점착제층의 제조Preparation Example 2: Preparation of the pressure-sensitive adhesive layer

에틸헥실아크릴레이트 35 중량부, 메틸아크릴레이트 40 중량부 및 히드록시에틸 아크릴레이트 25 중량부를 혼합하는 단량체 혼합물을 에틸아세테이트 100 중량부와 혼합한 다음, 열중합 개시제인 아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 0.01 중량부를 첨가하고 교반하여 중량평균분자량이 100만인 공중합체를 포함하는 시럽을 제조하였다. 제조한 공중합체를 포함하는 시럽 100 중량부에 1-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 19 중량부를 투입하고 24시간 이상 교반하여 제2 (메트)아크릴레이트계 수지를 제조하였다. A monomer mixture containing 35 parts by weight of ethylhexyl acrylate, 40 parts by weight of methyl acrylate and 25 parts by weight of hydroxyethyl acrylate was mixed with 100 parts by weight of ethyl acetate, and then azobisisobutyronitrile (AIBN) as a thermal polymerization initiator (AIBN). ) 0.01 parts by weight was added and stirred to prepare a syrup containing a copolymer having a weight average molecular weight of 1 million. 19 parts by weight of 1-methacryloyloxyethyl isocyanate was added to 100 parts by weight of the syrup containing the prepared copolymer and stirred for 24 hours or more to prepare a second (meth)acrylate-based resin.

제2 (메트)아크릴레이트계 수지 100 중량부에 이소시아네이트계 경화제로서 MGH-80B 1.85 중량부 및 광개시제로서 Irgarcure 184 5 중량부를 첨가하고 메틸에틸케톤과 혼합하여 고형분이 20%가 되도록 점착제 조성물을 제조하였다.To 100 parts by weight of the second (meth)acrylate-based resin, 1.85 parts by weight of MGH-80B as an isocyanate-based curing agent and 5 parts by weight of Irgarcure 184 as a photoinitiator were added and mixed with methylethyl ketone to prepare a pressure-sensitive adhesive composition such that the solid content was 20%. .

이형처리된 50 μm 두께의 PET 필름 상에 상기 점착제 조성물을 도포 후 120 ℃ 오븐에서 2분간 건조하여 두께가 15 μm가 되도록 코팅하여 점착제층을 제조하였다. After coating the pressure-sensitive adhesive composition on the release-treated PET film having a thickness of 50 μm, it was dried in an oven at 120° C. for 2 minutes and coated to a thickness of 15 μm to prepare a pressure-sensitive adhesive layer.

실시예 1: 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름의 제조Example 1: Preparation of an adhesive film for semiconductor wafer surface protection

제조예 1-1에서 제조한 요철흡수층의 일면 상에 위치하는 이형처리된 PET 필름을 박리하고, 제조예 2에서 제조된 점착제층이 상기 요철흡수층과 맞닿도록 합지하고 50 ℃의 오븐에서 2일 이상 에이징하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조하였다. Peel off the release-treated PET film located on one surface of the uneven absorption layer prepared in Preparation Example 1-1, laminate the pressure-sensitive adhesive layer prepared in Preparation Example 2 in contact with the uneven absorption layer, and place it in an oven at 50° C. for 2 days or more. Aging was performed to prepare an adhesive film for surface protection of semiconductor wafers.

실시예 2Example 2

제조예 1-2에서 제조한 요철흡수층을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조하였다.An adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer was prepared in the same manner as in Example 1, except that the uneven absorption layer prepared in Preparation Example 1-2 was used.

실시예 3Example 3

제조예 1-3에서 제조한 요철흡수층을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조하였다.An adhesive film for surface protection of a semiconductor wafer was prepared in the same manner as in Example 1, except that the uneven absorption layer prepared in Preparation Example 1-3 was used.

실시예 4Example 4

제조예 1-4에서 제조한 요철흡수층을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조하였다.An adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer was prepared in the same manner as in Example 1, except that the uneven absorption layer prepared in Preparation Example 1-4 was used.

비교예 1Comparative Example 1

제조예 1-5에서 제조한 요철흡수층을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조하였다.An adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer was prepared in the same manner as in Example 1, except that the uneven absorption layer prepared in Preparation Example 1-5 was used.

비교예 2Comparative Example 2

제조예 1-6에서 제조한 요철흡수층을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조하였다.An adhesive film for surface protection of a semiconductor wafer was prepared in the same manner as in Example 1, except that the uneven absorption layer prepared in Preparation Example 1-6 was used.

비교예 3Comparative Example 3

제조예 1-7에서 제조한 요철흡수층을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조하였다.An adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer was prepared in the same manner as in Example 1, except that the uneven absorption layer prepared in Preparation Examples 1-7 was used.

비교예 4Comparative Example 4

제조예 1-8에서 제조한 요철흡수층을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조하였다.An adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer was prepared in the same manner as in Example 1, except that the uneven absorption layer prepared in Preparation Examples 1-8 was used.

실험예 1: 광경화 후 계면부착력 평가Experimental Example 1: Evaluation of interfacial adhesion after photocuring

실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에서 제조한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름의 계면부착력을 크로스컷 테스트 ASTM D3359에 따라 평가하였다. The interfacial adhesion of the adhesive films for semiconductor wafer surface protection prepared in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 were evaluated according to the cross-cut test ASTM D3359.

구체적으로, 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에서 제조한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에 UV를 조사한 다음, 점착제층 상에 위치하는 이형처리된 PET 필름을 제거하고 경화된 점착제면에 크로스 커터를 이용하여 격자를 낸 후 테스트용 점착 테이프(Nichiban 社, CT-24)를 2kg 고무 롤러로 1회 왕복하여 합지하고 박리한 다음 점착제의 박리 정도를 확인한 다음 ASTM D3359 기준에 따라 계면 부착력을 평가하였다. 구체적으로, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름의 격자면에 있어, 테스트용 점착 테이프를 박리함에 따라 제거된 점착면이 없는 경우 5B로 평가하고, 제거된 점착면이 전체 면적 대비 5% 미만인 경우 4B, 5 내지 15%인 경우 3B, 15 내지 35%인 경우 2B, 35 내지 65%인 경우 1B, 65% 초과인 경우 0B로 평가하였다. Specifically, UV is irradiated to the adhesive film for surface protection of semiconductor wafers prepared in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4, and then the release-treated PET film positioned on the pressure-sensitive adhesive layer is removed, and a cross cutter is applied to the cured adhesive surface. After making a grid using a lattice, the test adhesive tape (Nichiban, CT-24) was laminated and peeled by reciprocating once with a 2 kg rubber roller, and then the degree of peeling of the adhesive was checked, and then the interfacial adhesion was evaluated according to ASTM D3359. . Specifically, in the grid plane of the adhesive film for semiconductor wafer surface protection, if there is no adhesive surface removed by peeling the test adhesive tape, it is evaluated as 5B, and when the removed adhesive surface is less than 5% of the total area, 4B, 5 It was evaluated as 3B when it was 15 to 15%, 2B when it was 15 to 35%, 1B when it was 35 to 65%, and 0B when it was more than 65%.

하기 표 1에 상기 방법으로 평가한 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4의 점착층과 요철흡수층 간의 계면 부착력 평가결과를 나타내었다. Table 1 below shows the evaluation results of the interfacial adhesion between the adhesive layer and the uneven absorption layer of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 evaluated by the above method.

실험예 2: 잔사 평가Experimental Example 2: Residue evaluation

실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에서 제조한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름의 점착제층 상에 위치하는 이형처리된 PET 필름을 제거하고, 80μm 높이의 범프가 있는 웨이퍼 표면에 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 부착하고, 700 mJ의 광량으로 UV를 조사한 다음 박리시 범프 주변의 잔사를 관찰하였다. Remove the release-treated PET film located on the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer surface protection prepared in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4, and to protect the semiconductor wafer surface on the surface of the wafer with 80 μm-height bumps An adhesive film was attached, and UV was irradiated with a light quantity of 700 mJ, and then, residues around the bumps were observed during peeling.

UV를 조사한 후, 웨이퍼 표면으로부터 점착필름을 제거하고 광학 현미경으로 웨이퍼 표면을 관찰하였다. 웨이퍼 표면의 범프 주변에 잔사가 없는 경우 '없음'으로, 크기 30 μm 이하의 잔유물이 10개 이하인 경우 '소량'으로 평가하여 하기 표 1에 나타내었다. After UV irradiation, the adhesive film was removed from the wafer surface and the wafer surface was observed with an optical microscope. When there are no residues around the bumps on the wafer surface, it is evaluated as 'none', and when there are 10 or less residues with a size of 30 μm or less, it is evaluated as 'small', and is shown in Table 1 below.

실험예 3: 박리력 평가Experimental Example 3: Peel force evaluation

실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에서 제조한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름의 점착제층 상에 위치하는 이형처리된 PET 필름을 제거하고, 스테인리스 (SUS) 기판 상에 2 kg 고무 롤러로 1회 왕복하여 합지하고, 23℃에서 30 분 이상 방치한 후 상기 스테인리스 기판으로부터 점착필름을 180 °의 박리각도 및 1.8 m/min의 박리속도로 박리할 때의 박리력을 텍스쳐 애널라이저(Texture analyzer, stable micro system 社)를 이용하여 측정하였다. 또한, 박리하기 전 UV를 조사한 경우의 박리력도 동일한 조건으로 측정하였다. Remove the release-treated PET film located on the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer surface protection prepared in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4, and use a 2 kg rubber roller on a stainless steel (SUS) substrate once. After reciprocating lamination, and leaving the adhesive film at 23°C for 30 minutes or longer, the peeling force when peeling the adhesive film from the stainless substrate at a peeling angle of 180° and a peeling rate of 1.8 m/min was measured using a texture analyzer (texture analyzer, stable micro system) was used. In addition, the peeling force when irradiated with UV before peeling was also measured under the same conditions.

하기 표 1에 상기 방법으로 측정한 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4의 점착층의 UV 조사 전후의 박리력을 나타내었다. Table 1 below shows the peeling force before and after UV irradiation of the adhesive layers of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 measured by the above method.

실험예 4: 범프 매립성 평가Experimental Example 4: Bump embedding evaluation

실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에서 제조한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름의 점착제층 상에 위치하는 이형처리된 PET 필름을 제거하고, 직경 50 μm 및 높이 80μm의 범프가 형성되어 있는 웨이퍼 표면에 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 상온 라미네이트하여 부착하고, 광학 현미경으로 범프의 매립 정도를 관찰하였다.Remove the release-treated PET film located on the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer surface protection prepared in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4, and the surface of the wafer on which bumps having a diameter of 50 μm and a height of 80 μm are formed The adhesive film for surface protection of the semiconductor wafer was laminated and attached at room temperature, and the degree of embedding of the bump was observed under an optical microscope.

범프 주변에 형성된 공극의 직경이 70 μm 이하이면 '우수'로, 70 μm 초과 100 μm 이하이면 '보통'으로, 100 μm 초과이면 '열등'으로 평가하여 하기 표 1에 나타내었다.If the diameter of the pores formed around the bump is 70 μm or less, it is evaluated as 'excellent', if it exceeds 70 μm and less than 100 μm, it is evaluated as 'normal', and if it exceeds 100 μm, it is evaluated as 'poor', and it is shown in Table 1 below.

M100M100 광개시제photoinitiator 계면부착력interfacial adhesion 잔사residue 박리력 (g/inch)Peel force (g/inch) 범프 매립성bump fillability UV 조사 전before UV irradiation UV 조사 후after UV irradiation 실시예1Example 1 3 중량부3 parts by weight -- 4B4B 없음doesn't exist 18431843 2424 (58 ㎛) 우수(58 μm) Excellent 실시예2Example 2 3 중량부3 parts by weight 1 중량부1 part by weight 5B5B 없음doesn't exist 18671867 3232 (62 ㎛) 우수(62 μm) Excellent 실시예3Example 3 4 중량부4 parts by weight -- 5B5B 없음doesn't exist 18931893 3737 (68 ㎛) 우수(68 μm) Excellent 실시예4Example 4 4 중량부4 parts by weight 1 중량부1 part by weight 5B5B 없음doesn't exist 18431843 2828 (79 ㎛) 보통(79 μm) normal 비교예1Comparative Example 1 1 중량부1 part by weight -- 0B0B 소량handful 18921892 2727 (56 ㎛) 우수(56 μm) Excellent 비교예2Comparative Example 2 1 중량부1 part by weight 1 중량부1 part by weight 0B0B 소량handful 18761876 2828 (57 ㎛) 우수(57 μm) Excellent 비교예3Comparative Example 3 5 중량부5 parts by weight -- 5B5B 없음doesn't exist 18461846 2727 (93 ㎛) 보통(93 μm) Normal 비교예4Comparative Example 4 10 중량부10 parts by weight -- 5B5B 없음doesn't exist 18541854 2424 (137 ㎛) 열등(137 μm) inferior

상기 표 1에서, M100은 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트이다. In Table 1, M100 is 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate.

상기 표 1을 참조하면, 실시예 1 내지 4의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 점착층과 요철흡수층 간의 계면 부착력이 4B 이상으로 높으며, 박리 후에도 잔사가 발생하지 않는 것을 확인할 수 있다. 동시에, 범프 매립성도 우수한 것을 확인할 수 있다.Referring to Table 1, it can be seen that the adhesive films for surface protection of semiconductor wafers of Examples 1 to 4 have high interfacial adhesion between the adhesive layer and the uneven absorption layer of 4B or more, and no residue is generated even after peeling. At the same time, it can be confirmed that the bump embedding property is also excellent.

반면, 비교예 1 및 2는 에폭시시클로알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트 화합물을 소량으로 포함하여 계면 부착력이 열등하고, 박리 후 웨이퍼 표면에 잔사가 발생하는 것을 확인할 수 있으며, 또한, 비교예 3 및 4는 에폭시시클로알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트 화합물을 과량으로 포함하여 범프 매립성이 보통이거나 열등한 것을 확인할 수 있다.On the other hand, Comparative Examples 1 and 2 contained a small amount of a (meth)acrylate compound containing an epoxycycloalkyl group, so that the interfacial adhesion was inferior, and it was confirmed that a residue was generated on the wafer surface after peeling, and also, Comparative Example 3 and 4 include an excessive amount of a (meth)acrylate compound including an epoxycycloalkyl group, thereby confirming that the bump embedding property is normal or inferior.

이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.In the above, although the present invention has been described by way of limited examples, the present invention is not limited thereto, and the technical idea of the present invention and patents to be described below by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains It goes without saying that various modifications and variations are possible within the scope of equivalents of the claims.

10: 기재층
20: 요철흡수층
30: 점착층
40: 이형층
100: 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름10: base layer
20: uneven absorption layer
30: adhesive layer
40: release layer
100: adhesive film for semiconductor wafer surface protection

Claims (10)

기재층; 요철흡수층; 및 점착층을 포함하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름으로서,
상기 요철흡수층은 제1 (메트)아크릴레이트계 수지, 에폭시계 가교제 및 에폭시시클로알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트 화합물을 포함하는 요철흡수층 조성물의 경화물을 포함하는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름.
base layer; uneven absorption layer; And an adhesive film for semiconductor wafer surface protection comprising an adhesive layer,
The uneven absorption layer is a first (meth) acrylate-based resin, an epoxy-based crosslinking agent, and an adhesive film for semiconductor wafer surface protection comprising a cured product of the uneven absorption layer composition comprising a (meth) acrylate compound containing an epoxycycloalkyl group .
 제1항에 있어서,
상기 에폭시시클로알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트 화합물은 상기 제1 (메트)아크릴레이트계 수지 100 중량부에 대하여 1 중량부 초과 5 중량부 미만의 함량으로 포함되는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름.
According to claim 1,
The (meth)acrylate compound including the epoxycycloalkyl group is included in an amount of more than 1 part by weight and less than 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the first (meth)acrylate-based resin. .
 제1항에 있어서,
상기 에폭시시클로알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트 화합물은 에폭시시클로부틸메틸 (메트)아크릴레이트, 에폭시시클로펜틸메틸 (메트)아크릴레이트, 에폭시시클로헥실메틸 (메트)아크릴레이트, 에폭시시클로헵틸메틸 (메트)아크릴레이트, 에폭시시클로펜틸에틸 (메트)아크릴레이트, 에폭시시클로헥실에틸 (메트)아크릴레이트, 에폭시시클로펜틸프로필 (메트)아크릴레이트, 에폭시시클로헥실프로필 (메트)아크릴레이트, 에폭시시클로펜틸부틸 (메트)아크릴레이트 및 에폭시시클로헥실부틸 (메트)아크릴레이트 중 1종 이상을 포함하는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름.
According to claim 1,
The (meth)acrylate compound containing the epoxycycloalkyl group is epoxycyclobutylmethyl (meth)acrylate, epoxycyclopentylmethyl (meth)acrylate, epoxycyclohexylmethyl (meth)acrylate, epoxycycloheptylmethyl (meth) ) acrylate, epoxycyclopentylethyl (meth)acrylate, epoxycyclohexylethyl (meth)acrylate, epoxycyclopentylpropyl (meth)acrylate, epoxycyclohexylpropyl (meth)acrylate, epoxycyclopentylbutyl (meth)acrylate ) An adhesive film for semiconductor wafer surface protection comprising at least one of acrylate and epoxycyclohexylbutyl (meth)acrylate.
 제1항에 있어서,
상기 에폭시계 가교제는 에틸렌글리콜 디글리시딜에테르, 트리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판 트리글리시딜에테르, N,N,N',N'-테트라글리시딜 에틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-자일렌디아민 및 글리세린 디글리시딜에테르 중 1종 이상을 포함하는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름.
According to claim 1,
The epoxy-based crosslinking agent is ethylene glycol diglycidyl ether, triglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, N,N,N',N'-tetraglycidyl ethylenediamine, N,N,N', An adhesive film for semiconductor wafer surface protection comprising at least one of N'-tetraglycidyl-m-xylenediamine and glycerin diglycidyl ether.
 제1항에 있어서,
상기 에폭시계 가교제는 상기 제1 (메트)아크릴레이트계 수지 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 이상 3 중량부 이하의 함량으로 포함되는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름.
According to claim 1,
The epoxy-based crosslinking agent is an adhesive film for semiconductor wafer surface protection that is included in an amount of 0.01 parts by weight or more and 3 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the first (meth)acrylate-based resin.
 제1항에 있어서,
상기 요철흡수층 조성물은 광개시제를 더 포함하는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름.
According to claim 1,
The concave-convex absorption layer composition further comprises a photoinitiator adhesive film for surface protection of a semiconductor wafer.
 제1항에 있어서,
상기 점착층은 실리콘계 점착제, 합성 고무계 점착제, 천연 고무계 점착제 또는 아크릴계 점착제를 포함하는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름.
According to claim 1,
The adhesive layer is an adhesive film for semiconductor wafer surface protection comprising a silicone-based adhesive, a synthetic rubber-based adhesive, a natural rubber-based adhesive, or an acrylic adhesive.
 제7항에 있어서,
상기 아크릴계 점착제는 탄소수 5 내지 10인 알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제1모노머, 탄소수 1 내지 4인 알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제2모노머, 및 극성기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제3모노머를 포함하는 혼합물의 공중합체; 및 이소시아네이트기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제4모노머;의 반응생성물을 포함하는 제2 (메트)아크릴레이트계 수지를 포함하는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름.
8. The method of claim 7,
The acrylic pressure-sensitive adhesive is a (meth) acrylate first monomer containing an alkyl group having 5 to 10 carbon atoms, a (meth) acrylate second monomer containing an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a polar group (meth) a copolymer of a mixture comprising a third monomer that is an acrylate; and a second (meth)acrylate-based resin comprising a reaction product of a (meth)acrylate-containing fourth monomer comprising an isocyanate group.
 제1항에 있어서,
상기 점착층 상에 형성된 이형층을 더 포함하는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름.
According to claim 1,
The adhesive film for semiconductor wafer surface protection further comprising a release layer formed on the adhesive layer.
 제1항에 있어서,
하기 식 1에 따른 회복율이 80 % 이하인 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름.
[식 1]
회복율(%)=(1-(잔류변형량/최대변형량))*100
상기 식 1에서, 상기 최대변형량이란 지름 8 mm, 두께 1 mm 규격의 디스크 형상인 상기 요철흡수층 조성물의 경화물에 TA Instruments 사의 디스커버리 하이브리드 레오미터를 사용하여 10,000 Pa의 전단응력을 5분 동안 가하였을 때의 변형율(%)을 의미하고, 상기 잔류변형량이란 상기 전단응력을 제거하고 10분 후의 변형율(%)을 의미한다.
According to claim 1,
An adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer that has a recovery rate of 80% or less according to Formula 1 below.
[Equation 1]
Recovery rate (%)=(1-(residual strain/maximum strain))*100
In Equation 1, the maximum amount of deformation means that a shear stress of 10,000 Pa was applied to the cured product of the uneven absorbing layer composition having a diameter of 8 mm and a thickness of 1 mm using a Discovery Hybrid Rheometer of TA Instruments for 5 minutes. It means the strain (%) at the time, and the residual strain means the strain (%) after 10 minutes after removing the shear stress.
KR1020210010384A 2021-01-25 2021-01-25 Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer KR20220107592A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210010384A KR20220107592A (en) 2021-01-25 2021-01-25 Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210010384A KR20220107592A (en) 2021-01-25 2021-01-25 Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220107592A true KR20220107592A (en) 2022-08-02

Family

ID=82846003

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210010384A KR20220107592A (en) 2021-01-25 2021-01-25 Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20220107592A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101880644B1 (en) Surface protective sheet
KR102152605B1 (en) Holding membrane forming film
KR101567131B1 (en) Curable composition, dicing-die bonding tape, connecting structure and method for producing semiconductor tape with cohesive/adhesive layer
JP5781302B2 (en) Radiation curable pressure-sensitive adhesive composition and pressure-sensitive adhesive sheet
KR102040263B1 (en) Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer
KR101643793B1 (en) Pressure-sensitive adhesive and pressure-sensitive adhesive sheet
JP6424205B2 (en) Semiconductor-related member processing sheet and chip manufacturing method using the sheet
TW201117279A (en) Adhesive sheet for supporting and protecting semiconductor wafer and method for grinding back of semiconductor wafer
JP6091955B2 (en) Adhesive sheet, composite sheet for forming protective film, and method for producing chip with protective film
KR101584473B1 (en) Sheet for forming resin film for chips
JP6833083B2 (en) Manufacturing method for film-like adhesives, adhesive sheets and semiconductor devices
JPWO2015133420A6 (en) Semiconductor-related member processing sheet and chip manufacturing method using the sheet
CN112625609B (en) Sheet for forming resin film and composite sheet for forming resin film
TWI736196B (en) Sheet for forming resin film, composite sheet for forming resin film, and method for regenerating silicon wafer
WO2015146856A1 (en) Adhesive tape for semiconductor wafer processing and method for processing semiconductor wafer
TWI689412B (en) Composite sheet for forming resin film, and method for manufacturing wafer with resin film
JP2012074623A (en) Adhesive film for processing semiconductor, and method of manufacturing semiconductor chip mounting body
KR20220107593A (en) Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer
KR101283485B1 (en) Pressure-sensitive adhesive tape for dicing semiconductor wafer
KR20220107592A (en) Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer
KR102040252B1 (en) Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer
KR102112359B1 (en) Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer
JP5016703B2 (en) Method for manufacturing adhesive sheet and electronic component
US20230407149A1 (en) Adhesive tape and processing method
KR20220107594A (en) Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination