KR20220086906A - Organic Light Emitting Display Device and Method for driving the same - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인이 배치되고, 발광 소자와 상기 발광 소자를 구동하는 구동 트랜지스터를 구비한 다수의 서브픽셀이 배치된 표시 패널과, 상기 발광 소자의 구동 특성 편차를 센싱하는 센싱 구동 시와 보상값이 반영된 보정 영상 데이터를 상기 표시패널에 기입하여 영상을 재현하는 디스플레이 구동 시 상기 표시 패널에 서로 다른 고전위 픽셀전압이 인가되도록 제어하는 타이밍 콘트롤러와, 상기 타이밍 콘트롤러의 제어에 의해, 상기 센싱 구동 시와 상기 디스플레이 구동 시 서로 다른 고전위 픽셀전압을 상기 표시 패널에 인가하는 전원 생성부와, 입력 전압의 입력 시간과 고전위 픽셀전압의 입력 시간 차가 설정된 시간보다 작으면, 상기 전압 생성부의 방전용 TFT의 동작을 정지하는 전원 제어부를 구비한 것이다.An organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention includes a display panel in which a plurality of data lines and a plurality of gate lines are disposed, and a plurality of subpixels including a light emitting device and a driving transistor for driving the light emitting device are disposed; Controlling the application of different high-potential pixel voltages to the display panel during sensing driving for sensing a deviation in driving characteristics of the light emitting device and driving a display for reproducing an image by writing corrected image data reflecting a compensation value to the display panel a timing controller; a power generator for applying different high-potential pixel voltages to the display panel when the sensing is driven and when the display is driven under the control of the timing controller; When the input time difference is smaller than the set time, a power control unit for stopping the operation of the discharge TFT of the voltage generating unit is provided.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 특히 유기 발광 표시 장치의 전원 공급 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
액티브 매트릭스 타입의 유기발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode: 이하, "OLED"라 함)를 포함하며, 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. The active matrix type organic light emitting diode display includes an organic light emitting diode (hereinafter, referred to as "OLED") that emits light by itself, and has advantages of fast response speed, luminous efficiency, luminance and viewing angle.
유기발광 표시장치는 OLED를 각각 포함한 픽셀들을 매트릭스 형태로 배열하고 영상 데이터의 계조에 따라 픽셀들의 휘도를 조절한다. 픽셀들 각각은 자신의 게이트전극과 소스전극 사이에 걸리는 전압(이하, 게이트-소스 간 전압이라 함)에 따라 OLED에 흐르는 구동 전류를 제어하는 구동 TFT(Thin Film Transistor)를 포함하며, 구동 전류에 비례하는 OLED의 발광량으로 영상의 휘도를 조절한다. The organic light emitting display device arranges pixels including OLEDs in a matrix form and adjusts the luminance of the pixels according to the gray level of image data. Each of the pixels includes a driving TFT (Thin Film Transistor) that controls the driving current flowing through the OLED according to the voltage applied between its gate electrode and the source electrode (hereinafter referred to as the gate-source voltage), Adjusts the luminance of the image with the proportional amount of light emitted by the OLED.
OLED는 공정 편차에 의해 동작점 전압이 달라질 수 있다. 또한, OLED는 발광 시간이 경과함에 따라서 동작점 전압이 쉬프트되고 발광 효율이 감소하는 열화 특성을 갖는다. 공정 또는 열화 특성에 따라 OLED 동작점 전압은 픽셀마다 달라질 수 있다. 픽셀들 간 OLED 구동 특성이 다르면, 휘도 편차로 인해 영상 고착화(Image Sticking) 현상이 발생될 수 있다.In OLED, the operating point voltage may vary due to process variations. In addition, the OLED has a deterioration characteristic in which the operating point voltage shifts and the luminous efficiency decreases as the emission time elapses. Depending on the process or degradation characteristics, the OLED operating point voltage may vary from pixel to pixel. If the OLED driving characteristics are different between pixels, an image sticking phenomenon may occur due to a luminance deviation.
휘도 편차로 인한 화질 저하를 보상하기 위해, OLED 구동 특성을 센싱하고 이 센싱값을 기초로 디지털 영상 데이터를 변조하는 보상 기술이 알려져 있다. In order to compensate for image quality degradation due to luminance deviation, a compensation technique for sensing OLED driving characteristics and modulating digital image data based on the sensing value is known.
종래의 보상 기술은 공정 또는 열화 특성에 따라 OLED의 기생 커패시턴스가 달라지는 특성을 이용하여 OLED 구동 특성을 센싱한다. 즉, 종래의 보상 기술은 OLED에 구동전류가 흐를 때 OLED의 기생 커패시터에 축적된 전하량(Qsen)을 센싱하고, 센싱된 전하량의 크기(Vsen=Qsen/Cout)(여기서, Vsen은 적분기의 출력 전압, Cout은 적분기의 피드백 커패시턴스)를 기반으로 OLED의 동작점 크기를 판단한다. The conventional compensation technology senses the OLED driving characteristics by using the characteristic that the parasitic capacitance of the OLED varies according to the process or deterioration characteristics. That is, the conventional compensation technology senses the amount of charge (Qsen) accumulated in the parasitic capacitor of the OLED when a driving current flows through the OLED, and the magnitude of the sensed charge amount (Vsen=Qsen/Cout) (where Vsen is the output voltage of the integrator) , Cout determines the size of the operating point of the OLED based on the feedback capacitance of the integrator).
이와 같이, OLED 구동 특성을 센싱하기 위하여, OLED 구동 특성을 센싱하는 센싱 모드 시에 OLED에 공급되는 전원 전압(EVDD)은 영상을 표시하는 노말 구동 모드 시에 OLED에 공급되는 전원 전압(EVDD)보다 낮게 공급되어야 한다.As such, in order to sense the OLED driving characteristics, the power supply voltage EVDD supplied to the OLED in the sensing mode for sensing the OLED driving characteristics is higher than the power supply voltage EVDD supplied to the OLED in the normal driving mode for displaying an image. should be supplied low.
따라서, 노말 구동 모드 시에서 센싱 모드 시로 전환 시 전원 전압(EVDD)을 빠르게 전환하기 위하여, 방전 소자를 사용하게 된다.Accordingly, in order to quickly switch the power supply voltage EVDD when the normal driving mode is switched to the sensing mode, a discharge device is used.
그러나, 전원 온 시, 상기 방전 소자가 번트(Burnt)되어 표시 장치의 구동 불량이 발생하게 되는 문제점이 있었다.However, there is a problem in that, when the power is turned on, the discharge element burns, resulting in a malfunction of the display device.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 전원 온 시의 비정상 여부를 판단하여 전원 생성부의 방전 소자의 번트를 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display capable of preventing burnt of a discharge element of a power generator by determining whether a power is abnormal when power is turned on, and a method of driving the same.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시장치는, 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인이 배치되고, 발광 소자와 상기 발광 소자를 구동하는 구동 트랜지스터를 구비한 다수의 서브픽셀이 배치된 표시 패널과, 상기 발광 소자의 구동 특성 편차를 센싱하는 센싱 구동 시와 보상값이 반영된 보정 영상 데이터를 상기 표시패널에 기입하여 영상을 재현하는 디스플레이 구동 시 상기 표시 패널에 서로 다른 고전위 픽셀전압이 인가되도록 제어하는 타이밍 콘트롤러와, 상기 타이밍 콘트롤러의 제어에 의해, 상기 센싱 구동 시와 상기 디스플레이 구동 시 서로 다른 고전위 픽셀전압을 상기 표시 패널에 인가하는 전원 생성부를 구비하여 구성될 수 있다.An organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention for achieving the above object includes a plurality of data lines and a plurality of gate lines, and a plurality of light emitting devices including a light emitting device and a driving transistor for driving the light emitting device. When a display panel in which sub-pixels are disposed, and a display is driven to reproduce an image by writing corrected image data reflecting a compensation value to the display panel during sensing driving for sensing deviation in driving characteristics of the light emitting device, the display panel is different from each other A timing controller for controlling a high potential pixel voltage to be applied, and a power generator for applying different high potential pixel voltages to the display panel when the sensing is driven and when the display is driven by the control of the timing controller. can
여기서, 입력 전압의 입력 시간과 고전위 픽셀전압의 입력 시간 차가 설정된 시간보다 작으면, 상기 전압 생성부의 방전용 TFT의 동작을 정지하는 전원 제어부를 더 포함할 수 있다.Here, when the difference between the input time of the input voltage and the input time of the high-potential pixel voltage is smaller than the preset time, the voltage generator may further include a power control unit for stopping the operation of the discharging TFT.
상기 전원 생성부는, 상기 타이밍 콘트롤러의 제1 제어 신호에 따라 제1 고전위 픽셀전압을 출력단을 통해 상기 표시 패널의 고전위 전원 공급 라인에 출력하는 센싱용 TFT와, 상기 타이밍 콘트롤러의 제2 제어 신호에 따라 상기 제1 고전위 픽셀전압보다 높은 제2 고전위 픽셀전압을 출력단으로 출력하는 디스플레이용 TFT와, 상기 타이밍 콘트롤러의 제3 제어 신호에 따라 상기 출력단을 저전압 픽셀전압으로 방전하는 방전용 TFT를 구비할 수 있다.The power generator includes: a sensing TFT configured to output a first high potential pixel voltage to a high potential power supply line of the display panel through an output terminal according to a first control signal of the timing controller; and a second control signal of the timing controller a display TFT for outputting a second high-potential pixel voltage higher than the first high-potential pixel voltage to an output terminal, and a discharging TFT for discharging the output terminal to a low-voltage pixel voltage according to a third control signal of the timing controller. can be provided
상기 전원 제어부는, 입력 전압의 입력 시간과 고전위 픽셀전압의 입력 시간 차가 설정된 시간보다 작으면, 상기 방전용 TFT의 게이트에 접지 전압을 인가할 수 있다.The power control unit may apply a ground voltage to the gate of the discharging TFT when a difference between the input time of the input voltage and the input time of the high-potential pixel voltage is less than a preset time.
상기 전원 제어부는, 상기 입력 전압의 입력 시간과 상기 제2 고전위 픽셀전압의 입력 시간을 연산하여 상기 입력 전압의 입력 시간과 상기 제2 고전위 픽셀전압의 입력 시간의 차이 신호(t)를 출력하는 타이밍 IC와, 상기 타이밍 IC에서 출력된 차이 신호(t)를 설정된 시간과 비교하여 먹스 제어 신호를 출력하는 ASIC과, 상기 ASIC에서 출력되는 상기 먹스 제어 신호에 따라, 상기 타이밍 콘트롤러에서 출력되는 상기 제3 제어 신호를 상기 전압 생성부의 상기 방전용 TFT의 게이트에 인가하거나, 상기 방전용 TFT의 게이트에 접지 전압을 인가하는 먹스를 구비할 수 있다.The power control unit calculates the input time of the input voltage and the input time of the second high-potential pixel voltage, and outputs a difference signal t between the input time of the input voltage and the input time of the second high-potential pixel voltage. an ASIC outputting a mux control signal by comparing the difference signal t output from the timing IC with a set time, and the timing controller output from the timing controller according to the mux control signal output from the ASIC A mux for applying a third control signal to the gate of the discharging TFT of the voltage generator or applying a ground voltage to the gate of the discharging TFT may be provided.
상기 타이밍 IC는, 상기 타이밍 IC에서 출력된 차이 신호(t)가 설정된 시간보다 크거나 같으면 제1 레벨의 먹스 제어 신호를 출력하고, 상기 타이밍 IC에서 출력된 차이 신호(t)가 설정된 시간보다 작으면 제1 레벨과 다른 제2 레벨의 먹스 제어 신호를 출력할 수 있다.The timing IC outputs a mux control signal of a first level when the difference signal t output from the timing IC is greater than or equal to a set time, and the difference signal t output from the timing IC is smaller than a set time , a mux control signal of a second level different from the first level may be output.
상기 먹스는, 상기 ASIC에서 출력되는 제1 먹스 제어 신호에 따라 상기 전압 생성부의 상기 방전용 TFT의 게이트에 상기 제3 제어 신호를 인가하고, 상기 ASIC에서 출력되는 제2 먹스 제어 신호에 따라 상기 전압 생성부의 상기 방전용 TFT의 게이트에 접지 전압을 인가할 수 있다.The mux applies the third control signal to the gate of the discharge TFT of the voltage generator according to a first mux control signal output from the ASIC, and applies the voltage according to a second mux control signal output from the ASIC A ground voltage may be applied to the gate of the discharge TFT of the generator.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시장치의 구동 방법은, 각 픽셀에 발광 소자를 구비한 표시 패널과, 상기 발광 소자의 구동 특성 편차를 센싱하는 센싱 구동 시와 보상값이 반영된 보정 영상 데이터를 수신하여 영상을 재현하는 디스플레이 구동 시 서로 다른 고전위 픽셀전압을 상기 표시 패널에 인가하는 전원 생성부를 구비한 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 있어서, 입력 전압의 입력 시간과 고전위 픽셀전압의 입력 시간 차가 설정된 시간보다 작으면, 상기 전압 생성부의 방전용 TFT의 동작을 정지할 수 있다.In addition, the method of driving an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention for achieving the above object includes a display panel including a light emitting element in each pixel, and a sensing driving method for sensing a deviation in driving characteristics of the light emitting element In the driving method of an organic light emitting display device having a power generator that receives corrected image data in which time and compensation values are reflected and applies different high-potential pixel voltages to the display panel when driving a display to reproduce an image, the method comprising: When the difference between the input time and the input time of the high potential pixel voltage is less than the set time, the operation of the discharge TFT of the voltage generator may be stopped.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동에 방법에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.The organic light emitting diode display and the method for driving the same according to the present invention having the above characteristics have the following effects.
12V의 입력 전압의 입력 시간과 24V의 고전위 픽셀전압(EVDD)의 입력 시간 차가 설정된 시간보다 크거나 같으면 전압 생성부의 방전용 TFT의 게이트에 방전용 제어신호(Discharging CTL)를 인가하고, 12V의 입력 전압의 입력 시간과 24V의 고전위 픽셀전압(EVDD)의 입력 시간 차가 설정된 시간보다 작으면 전압 생성부의 방전용 TFT의 게이트에 접지 전압(GND)를 인가하므로, 상기 전원 생성부의 방전용 TFT가 번트(Burnt)되어 방전용 TFT의 소오스-드레인 간이 쇼트(Short)됨을 방지할 수 있다. If the difference between the input time of the input voltage of 12V and the input time of the high potential pixel voltage (EVDD) of 24V is greater than or equal to the set time, a discharging control signal (Discharging CTL) is applied to the gate of the discharging TFT of the voltage generator, and When the difference between the input time of the input voltage and the input time difference of the high potential pixel voltage EVDD of 24V is less than the set time, the ground voltage (GND) is applied to the gate of the discharge TFT of the voltage generator, so that the discharge TFT of the power generator is It is possible to prevent a short circuit between the source and the drain of the TFT for discharge due to burnt.
더불어, 유기 발광 표시 패널에 24V의 고전위 픽셀전압(EVDD)이 비 정상적으로 인가되지 않음을 방지할 수 있으므로 화질 불량을 방지할 수 있다.In addition, it is possible to prevent a high potential pixel voltage EVDD of 24V from being abnormally applied to the organic light emitting display panel, thereby preventing image quality deterioration.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 블록 구성도이다.
도 2는 센싱 라인과 단위 픽셀의 접속 예를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 픽셀 어레이에 연결된 데이터 구동부의 일 구성을 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 전류 센싱 방식의 외부 보상에 적용되는 일 픽셀과 전류 적분기를 포함한 센싱 유닛 간의 일 접속 구조를 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 전류 센싱 방식의 외부 보상에 적용되는 일 픽셀과 전류 적분기를 포함한 센싱 유닛 간의 다른 접속 구조를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4 및 도 5를 기반으로 한 OLED 열화 센싱 타이밍을 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 전원 생성부의 회로적 구성도이다.
도 8은 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치에서 타이밍 컨트롤러에서 출력되는 제어신호들 및 전원 생성부에서 입출력되는 전압 파형도이다.
도 9는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 전원 생성부의 전원 제어부의 블록 구성도이다.1 is a block diagram of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating an example of a connection between a sensing line and a unit pixel.
3 is a diagram illustrating a configuration of a data driver connected to the pixel array of FIG. 2 .
4 is a diagram illustrating a connection structure between a pixel and a sensing unit including a current integrator applied to external compensation of the current sensing method according to the present invention.
5 is a diagram illustrating another connection structure between a pixel and a sensing unit including a current integrator applied to external compensation of the current sensing method according to the present invention.
6 is a diagram illustrating an OLED deterioration sensing timing based on FIGS. 4 and 5 .
7 is a circuit configuration diagram of a power generator of an organic light emitting diode display according to the present invention.
8 is a diagram illustrating control signals output from a timing controller and voltage waveforms input/output from a power generator in the organic light emitting diode display according to the present invention.
9 is a block diagram of a power control unit of a power generator of an organic light emitting diode display according to the present invention.
본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 명세서는 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서는 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present specification, and a method for achieving them, will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present specification is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present specification to be complete, and common knowledge in the technical field to which this specification belongs It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present specification is only defined by the scope of the claims.
본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 ' ~ 만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present specification are exemplary, and thus the present specification is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, cases including the plural are included unless otherwise explicitly stated.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is construed as including an error range even if there is no separate explicit description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, ' ~ 상에', ' ~ 상부에', ' ~ 하부에', ' ~ 옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'next to', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between two parts unless 'directly' is used.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용될 수 있으나, 이 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. may be used to describe various elements, but these elements are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present specification.
본 명세서에서 표시패널의 기판 상에 형성되는 픽셀 회로는 n 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 TFT로 구현되거나 또는 p 타입 MOSFET 구조의 TFT로 구현될 수도 있다. TFT는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. TFT 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 TFT에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, MOSFET에서의 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. n 타입 TFT (NMOS)의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스에서 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 타입 TFT에서 전자가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. 이에 반해, p 타입 TFT(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 타입 TFT에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. MOSFET의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 예컨대, MOSFET의 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. In the present specification, the pixel circuit formed on the substrate of the display panel may be implemented as a TFT having an n-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) structure or as a TFT having a p-type MOSFET structure. A TFT is a three-electrode device including a gate, a source, and a drain. The source is an electrode that supplies a carrier to the transistor. In the TFT, carriers start flowing from the source. The drain is an electrode through which carriers exit the TFT. That is, the flow of carriers in the MOSFET flows from the source to the drain. In the case of an n-type TFT (NMOS), the source voltage is lower than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain because carriers are electrons. In an n-type TFT, since electrons flow from the source to the drain, the direction of the current flows from the drain to the source. In contrast, in the case of a p-type TFT (PMOS), since carriers are holes, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. In a p-type TFT, since holes flow from the source to the drain, the current flows from the source to the drain. It should be noted that the source and drain of the MOSFET are not fixed. For example, the source and drain of the MOSFET may be changed according to the applied voltage.
한편, 본 명세서에서 TFT의 반도체층은 옥사이드 소자, 아몰포스 실리콘 소자, 폴리 실리콘 소자 중 적어도 어느 하나로 구현될 수 있다. Meanwhile, in the present specification, the semiconductor layer of the TFT may be implemented with at least one of an oxide device, an amorphous silicon device, and a polysilicon device.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예를 상세히 설명한다. 이하의 설명에서, 본 명세서와 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. Hereinafter, embodiments of the present specification will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, when it is determined that a detailed description of a known function or configuration related to the present specification may unnecessarily obscure the subject matter of the present specification, the detailed description thereof will be omitted.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 블록 구성도이다. 1 is a block diagram of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2는 센싱 라인과 단위 픽셀의 접속 예를 보여주는 도면이다. 2 is a diagram illustrating an example of a connection between a sensing line and a unit pixel.
도 3은 도 2의 픽셀 어레이에 연결된 데이터 구동부의 일 구성을 보여주는 도면이다.3 is a diagram illustrating a configuration of a data driver connected to the pixel array of FIG. 2 .
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 발광 소자의 구동 특성값을 기반으로 발광 소자의 공정 편차 또는 열화(즉, 동작점 전압의 쉬프트) 편차에 따른 휘도 편차를 보상할 수 있는 표시 장치로서, 표시 패널(10), 타이밍 콘트롤러(11), 픽셀 센싱 장치, 메모리(16) 및 전원 생성부(17) 등을 구비한다.1 to 3 , in the organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention, luminance according to process deviation or deterioration (ie, shift in operating point voltage) of the light emitting element based on the driving characteristic value of the light emitting element. A display device capable of compensating for deviation includes a
본 발명의 픽셀 센싱 장치는 센싱부(SU)와 보상부(20)를 포함한다. 본 발명의 픽셀 센싱 장치는 데이터 구동부(12)와 게이트 구동부(13)로 구성된 패널 구동부를 더 포함할 수 있다.The pixel sensing device of the present invention includes a sensing unit SU and a
표시패널(10)에는 다수의 데이터라인들(14A) 및 센싱라인들(14B)과, 다수의 게이트라인들(15)이 교차되고, 이 교차영역마다 픽셀들(P)이 매트릭스 형태로 배치된다. In the
서로 다른 데이터라인들(14A)에 연결된 2 이상의 픽셀들(P)이 동일한 센싱라인(14B)과 동일한 게이트라인(15)을 공유할 수 있다. 예를 들어, 도 2와 같이, 서로 수평으로 이웃하여 동일한 게이트라인(15)에 접속된 적색 표시용 R 픽셀, 백색 표시용 W 픽셀, 녹색 표시용 G 픽셀, 청색 표시용 B 픽셀이 하나의 센싱 라인(14B)에 공통으로 접속될 수 있다. 이렇게 센싱 라인(14B)이 다수의 픽셀 열마다 하나씩 할당되는 센싱 라인 공유 구조는 표시패널의 개구율을 확보하기가 용이하다. 센싱 라인 구조 하에서, 센싱 라인(14B)은 다수의 데이터라인들(14A) 마다 하나씩 배치될 수 있다. 도면에, 센싱 라인(14B)은 데이터라인(14A)과 평행하게 도시되어 있으나, 데이터라인(14A)과 교차되게 배치될 수도 있다. Two or more pixels P connected to
R 픽셀, W 픽셀, G 픽셀, 및 B 픽셀은 도 2와 같이 하나의 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 다만, 단위 픽셀은 R 픽셀, G 픽셀, B 픽셀로 구성될 수도 있다.The R pixel, the W pixel, the G pixel, and the B pixel may constitute one unit pixel as shown in FIG. 2 . However, the unit pixel may include an R pixel, a G pixel, and a B pixel.
픽셀(P) 각각은 타이밍 콘트롤러(11)의 제어에 의해 전원 생성부(17)로부터 고전위 픽셀전압(EVDD)과 저전위 픽셀전압(EVSS)을 공급받는다. 상기 전원 생성부(17)의 구체적인 구성은 도 4를 참조하여 후술한다.Each of the pixels P receives the high-potential pixel voltage EVDD and the low-potential pixel voltage EVSS from the
본 발명의 픽셀(P)은 공정 편차에 따른 발광 소자의 구동 특성 편차를 센싱하는 데 적합한 구조를 가질 수 있다. 또한, 본 발명의 픽셀(P)은 구동 시간 경과 및/또는 패널 온도 등의 환경 조건에 따른 발광 소자의 구동 특성 편차를 센싱하는 데 적합한 구조를 가질 수 있다. 픽셀(P) 회로의 구성은 다양한 변형이 가능하다. 예컨대, 픽셀(P)은 발광 소자와 구동 소자 이외에, 복수의 스위치 소자들과 적어도 하나 이상의 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. The pixel P of the present invention may have a structure suitable for sensing a deviation in driving characteristics of a light emitting device according to a process deviation. In addition, the pixel P of the present invention may have a structure suitable for sensing a deviation in the driving characteristics of the light emitting device according to the lapse of driving time and/or environmental conditions such as panel temperature. The configuration of the pixel P circuit may be variously modified. For example, the pixel P may include a plurality of switch elements and at least one storage capacitor in addition to the light emitting element and the driving element.
타이밍 콘트롤러(11)는 센싱 구동과 디스플레이 구동을 정해진 제어 시퀀스에 따라 구현할 수 있다. 여기서, 센싱 구동은 발광 소자의 구동 특성(동작점 전압)을 센싱하고 그에 따른 보상값을 업데이트하기 위한 구동이고, 디스플레이 구동은 보상값이 반영된 보정 영상 데이터(CDATA)를 표시패널(10)에 기입하여 영상을 재현하는 구동이다. The
전원 생성부(17)는, 타이밍 콘트롤러(11)의 제어에 의해, 센싱 구동 시와 디스플레이 구동 시, 고전위 픽셀전압(EVDD)을 다른 전압으로 인가한다. 상기 전원 생성부(17)의 구체적인 구성은 도 6를 참조하여 후술한다.The
타이밍 콘트롤러(11)의 제어에 의해, 센싱 구동은 디스플레이 구동이 시작되기 전의 부팅 기간에서 수행되거나, 또는 디스플레이 구동이 끝난 후의 파워 오프 기간에서 수행될 수 있다. 부팅 기간은 시스템 전원이 인가된 후부터 화면이 켜지기 전까지의 기간을 의미한다. 파워 오프 기간은 화면이 꺼진 후 시스템 전원이 해제될 때까지의 기간을 의미한다. Under the control of the
한편, 센싱 구동은 시스템 전원이 인가되고 있는 도중에 표시장치의 화면만 꺼진 상태, 예컨대, 대기모드, 슬립모드, 저전력모드 등에서 수행될 수도 있다. 타이밍 콘트롤러(11)는 미리 정해진 감지 프로세스에 따라 대기모드, 슬립모드, 저전력모드 등을 감지하고, 센싱 구동을 위한 제반 동작을 제어할 수 있다.Meanwhile, the sensing driving may be performed in a state in which only the screen of the display device is turned off while the system power is being applied, for example, in a standby mode, a sleep mode, a low power mode, and the like. The
타이밍 콘트롤러(11)는 호스트 시스템으로부터 입력되는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 도트클럭신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등의 타이밍 신호들에 기초하여 데이터 구동부(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)와, 게이트 구동부(13)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)를 생성할 수 있다. 타이밍 콘트롤러(11)는 디스플레이 구동을 위한 타이밍 제어신호들(DDC, GDC)과 센싱 구동을 위한 타이밍 제어신호들(DDC, GDC)을 서로 다르게 생성할 수 있다. The
게이트 타이밍 제어신호(GDC)는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock) 등을 포함한다. 게이트 스타트 펄스는 첫 번째 출력을 생성하는 게이트 스테이지에 인가되어 그 게이트 스테이지를 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭은 게이트 스테이지들에 공통으로 입력되는 클럭신호로써 게이트 스타트 펄스를 쉬프트시키기 위한 클럭신호이다.The gate timing control signal GDC includes a gate start pulse, a gate shift clock, and the like. A gate start pulse is applied to the gate stage that produces the first output to control that gate stage. The gate shift clock is a clock signal commonly input to the gate stages and is a clock signal for shifting the gate start pulse.
데이터 타이밍 제어신호(DDC)는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock), 및 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable) 등을 포함한다. 소스 스타트 펄스는 데이터 구동부(12)의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭은 라이징 또는 폴링 에지에 기준하여 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭신호이다. 소스 출력 인에이블신호는 데이터 구동부(12)의 출력 타이밍을 제어한다. The data timing control signal DDC includes a source start pulse, a source sampling clock, and a source output enable signal. The source start pulse controls the data sampling start timing of the
타이밍 콘트롤러(11)는 보상부(20)를 내장할 수 있다. The
보상부(20)는 센싱 구동시 발광 소자의 구동 특성을 나타내는 센싱 결과 데이터(SDATA)를 센싱부(SU)로부터 수입력 받는다. 보상부(20)는 픽셀에 대한 발광 소자의 구동 특성값을 도출한다. The
보상부(20)는 도출된 발광 소자의 구동 특성값을 기반으로 발광 소자의 공정 편차 또는 열화(즉, 동작점 전압의 쉬프트) 편차에 따른 휘도 편차를 보상할 수 있는 보상값을 계산하고, 이 보상값을 메모리(16)에 저장한다. 메모리(16)에 저장되는 보상값은 센싱 동작이 반복될 때마다 업데이트 될 수 있다. 보상부(20)는 디스플레이 구동시 메모리(16)로부터 읽어들인 보상값을 기초로 입력 영상의 데이터(DATA)를 보정하고, 보정된 영상 데이터(CDATA)를 데이터 구동부(12)에 공급함으로써, 발광 소자의 특성 차이로 인한 휘도 편차를 용이하게 보상할 수 있다. The
데이터 구동부(12)는 적어도 하나 이상의 데이터 드라이버 IC(Intergrated Circuit)(SDIC)를 포함한다. 이 데이터 드라이버 IC(SDIC)에는 각 데이터라인(14A)에 연결된 디지털-아날로그 컨버터(이하, DAC)가 내장된다. The
DAC는 디스플레이 구동시 타이밍 콘트롤러(11)로부터 인가되는 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 따라 보정 영상 데이터(CDATA)를 디스플레이용 데이터전압으로 변환하여 데이터라인들(14A)에 공급한다. 한편, 데이터 드라이버 IC(SDIC)의 DAC는 센싱 구동시 타이밍 콘트롤러(11)로부터 인가되는 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 따라 센싱용 데이터전압을 생성하여 데이터라인들(14A)에 공급할 수 있다.The DAC converts the corrected image data CDATA into a data voltage for display according to the data timing control signal DDC applied from the
센싱용 데이터전압은 구동 소자를 온 구동시킬 수 있는 제1 센싱용 데이터전압(이하, 온 구동용 데이터전압이라 함)과 구동 소자를 오프 구동시킬 수 있는 제2 센싱용 데이터전압(이하, 오프 구동용 데이터전압이라 함)을 포함한다. 온 구동용 데이터전압은 센싱 구동시 구동 소자의 게이트전극에 인가되어 구동소자를 턴 온 시키는 전압(즉, 구동 전류를 도통시키는 전압)이고, 오프 구동용 데이터전압은 센싱 구동시 구동 소자의 게이트전극에 인가되어 구동소자를 턴 오프 시키는 전압(즉, 구동 전류를 차단하는 전압)이다. 온 구동용 데이터전압은 컬러 별로 구동 소자/발광 소자의 구동 특성이 다름을 고려하여 R(적색), G(녹색), B(청색), W(백색) 픽셀들 단위로 다른 크기로 설정될 수 있다. The sensing data voltage includes a first sensing data voltage (hereinafter referred to as an on-driving data voltage) capable of turning on the driving device and a second sensing data voltage (hereinafter, “off-driving”) capable of turning off the driving device. data voltage for use). The on-driving data voltage is a voltage applied to the gate electrode of the driving device during sensing driving to turn on the driving device (ie, a voltage that conducts the driving current), and the off-driving data voltage is the gate electrode of the driving device during sensing driving. It is a voltage that is applied to turn off the driving device (ie, a voltage that cuts off the driving current). The on-drive data voltage can be set to different sizes in units of R (red), G (green), B (blue), and W (white) pixels in consideration of the different driving characteristics of the driving device/light emitting device for each color. have.
온 구동용 데이터전압은 1 단위 픽셀 내에서 센싱의 대상이 되는 센싱 픽셀에 인가되고, 오프 구동용 데이터전압은 1 단위 픽셀 내에서 센싱 픽셀과 함께 센싱 라인(14B)을 공유하는 비 센싱 픽셀들에 인가된다. 예를 들어, 도 2에서, R 픽셀이 센싱되고, W, G, B 픽셀들이 비 센싱되는 경우, 온 구동용 데이터전압은 R 픽셀의 구동소자에 인가되고, 오프 구동용 데이터전압은 W, G, B 픽셀들 각각의 구동소자에 인가될 수 있다. The on-driving data voltage is applied to the sensing pixel to be sensed within one unit pixel, and the off-driving data voltage is applied to the non-sensing pixels sharing the
한편, 센싱 픽셀에는 온 구동용 데이터전압뿐만 아니라 오프 구동용 데이터전압도 인가된다. 온 구동용 데이터전압은 센싱 픽셀에서 구동 전류를 프로그래밍하는 기간 동안 공급되고, 그 외에는 오프 구동용 데이터전압이 센싱 픽셀에 인가될 수 있다.Meanwhile, not only the on-driving data voltage but also the off-driving data voltage is applied to the sensing pixel. The on-driving data voltage may be supplied during a period in which the driving current is programmed in the sensing pixel, and otherwise, the off-driving data voltage may be applied to the sensing pixel.
데이터 드라이버 IC(SDIC)에는 다수의 센싱부(SU)가 실장될 수 있다. A plurality of sensing units SU may be mounted on the data driver IC SDIC.
각 센싱부(SU)는 센싱라인(14B)에 연결됨과 아울러, 샘플링 스위치들(SS1, SS2) 중 어느 하나를 통해 아날로그-디지털 컨버터(이하, ADC)에 선택적으로 연결될 수 있다. 각 센싱부(SU)는 전류 적분기로 구현될 수 있다. 각 센싱부(SU)는 전류 센싱형으로 구현되므로, 저 전류 센싱 및 고속 센싱에 적합하다. 다시 말해, 각 센싱부(SU)를 전류 센싱형으로 구성하면 센싱 시간을 줄이고 센싱 감도를 높이는 데 유리하다. Each sensing unit SU may be connected to the
ADC는 센싱부(SU)에서 출력된 센싱 출력 전압을 센싱 결과 데이터(SDATA)로 변환하여 보상부(20)에 출력할 수 있다.The ADC may convert the sensing output voltage output from the sensing unit SU into sensing result data SDATA and output it to the
게이트 구동부(13)는 센싱 구동시 게이트 제어신호(GDC)를 기반으로 센싱용 게이트신호를 생성한 후, 게이트라인들(15)에 순차적으로 공급할 수 있다. 센싱용 게이트신호는 센싱용 데이터전압에 동기되는 센싱용 스캔 신호이다. 센싱용 게이트신호와 센싱용 데이터전압에 의해 표시라인들(L1~Ln)은 순차적으로 센싱 구동된다. 여기서, 각 표시라인(L1~Ln)은 물리적인 신호 라인이 아니라, 수평 방향을 따라 이웃하게 배치된 R, W, G, B 픽셀들의 집합체를 의미한다. The
게이트 구동부(13)는 디스플레이 구동시 게이트 제어신호(GDC)를 기반으로 디스플레이용 게이트신호를 생성한 후, 게이트라인들(15)에 순차적으로 공급할 수 있다. 디스플레이용 게이트신호는 디스플레이용 데이터전압에 동기되는 디스플레이용 스캔 신호이다. 디스플레이용 게이트신호와 디스플레이용 데이터전압에 의해 표시라인들(L1~Ln)은 순차적으로 디스플레이 구동된다.The
본 발명에서, 발광 소자의 구동 특성을 검출하는 센싱 구동 시퀀스는 R, W, G, B 픽셀 별로 독립적으로 수행될 수 있다. 예컨대, 본 발명의 센싱 구동 시퀀스는 표시패널(10)의 모든 표시라인들을 대상으로 R 픽셀들을 라인 순차 방식으로 센싱한 후, W 픽셀들을 라인 순차 방식으로 센싱하고, 이어서 G 픽셀들을 라인 순차 방식으로 센싱한 후, B 픽셀들을 라인 순차 방식으로 센싱할 수 있다. 다만, 컬러에 따른 센싱 순서는 얼마든지 다르게 설정될 수 있다.In the present invention, the sensing driving sequence for detecting the driving characteristics of the light emitting device may be independently performed for each R, W, G, and B pixel. For example, in the sensing driving sequence of the present invention, R pixels are sensed in a line-sequential manner for all display lines of the
도 4는 본 발명에 따른 전류 센싱 방식의 외부 보상에 적용되는 일 픽셀과 전류 적분기를 포함한 센싱 유닛 간의 일 접속 구조를 보여준다. 4 shows a connection structure between a pixel and a sensing unit including a current integrator applied to external compensation of the current sensing method according to the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 전류 센싱 방식의 외부 보상에 적용되는 일 픽셀과 전류 적분기를 포함한 센싱 유닛 간의 다른 접속 구조를 보여준다. 5 shows another connection structure between a pixel and a sensing unit including a current integrator applied to external compensation of the current sensing method according to the present invention.
도 4는 스캔 제어신호(SCAN)와 센싱 제어신호(SEN)가 서로 동일하게 구현되는 경우를, 그리고 도 5는 스캔 제어신호(SCAN)와 센싱 제어신호(SEN)가 서로 다르게 구현되는 경우를 나타낸 것으로, 그외 나머지 구성에 있어 도 4 및 도 5는 실질적으로 동일하다.4 shows a case in which the scan control signal SCAN and the sensing control signal SEN are implemented identically, and FIG. 5 shows a case in which the scan control signal SCAN and the sensing control signal SEN are implemented differently. 4 and 5 are substantially the same in the rest of the configuration.
도 4 및 도 5를 참조하면, 각 픽셀(P)은 OLED, 구동 TFT(DT), 스토리지 커패시터(Cst), 제1 스위치 TFT(ST1), 및 제2 스위치 TFT(ST2)를 구비할 수 있다. 픽셀(P)을 구성하는 TFT들은 p 타입으로 구현되거나 또는, n 타입으로 구현되거나, 또는 p 타입과 n 타입이 혼용된 하이브리드 타입으로 구현될 수 있다. 또한, 픽셀(P)을 구성하는 TFT들의 반도체층은, 아몰포스 실리콘 또는, 폴리 실리콘 또는, 산화물을 포함할 수 있다.4 and 5 , each pixel P may include an OLED, a driving TFT DT, a storage capacitor Cst, a first switch TFT ST1, and a second switch TFT ST2. . The TFTs constituting the pixel P may be implemented as p-type, n-type, or a hybrid type in which p-type and n-type are mixed. In addition, the semiconductor layer of the TFTs constituting the pixel P may include amorphous silicon, polysilicon, or oxide.
OLED는 구동 전류에 따라 발광하는 발광소자이다. OLED는 제2 노드(N2)에 접속된 애노드전극과, 저전위 픽셀전압(EVSS)의 입력단에 접속된 캐소드전극과, 애노드전극과 캐소드전극 사이에 위치하는 유기화합물층을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)으로 이루어진다. 애노드전극과 캐소드전극에 구동전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생하게 된다.OLED is a light emitting device that emits light according to a driving current. The OLED includes an anode electrode connected to the second node N2, a cathode electrode connected to an input terminal of the low-potential pixel voltage EVSS, and an organic compound layer positioned between the anode electrode and the cathode electrode. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (Electron Injection layer, EIL). When a driving voltage is applied to the anode and cathode electrodes, holes passing through the hole transport layer (HTL) and electrons passing through the electron transport layer (ETL) are moved to the light emitting layer (EML) to form excitons, and as a result, the light emitting layer (EML) is produces visible light.
OLED의 애노드전극과 캐소드전극, 그들 간에 존재하는 다수의 절연막들에 의해 OLED에는 기생 커패시터(Coled)가 생성된다. 이러한 OLED 기생 커패시터(Coled)의 커패시턴스는 수 pF으로서, 센싱 라인(14B)에 존재하는 기생 커패시턴스인 수백 ~ 수천 pF에 비해 아주 적다. 본 발명은 전류 센싱을 위해 OLED 기생 커패시터(Coled)를 이용한다.A parasitic capacitor (Coled) is generated in the OLED by the anode electrode and the cathode electrode of the OLED, and a plurality of insulating films present between them. The capacitance of the OLED parasitic capacitor Coled is several pF, which is very small compared to several hundred to several thousand pF, which is a parasitic capacitance existing in the
구동 TFT(DT)는 게이트-소스 간 전압(즉, 게이트전압과 소스전압 간의 전압차)에 대응되는 구동 전류를 생성하는 구동소자이다. 구동 TFT(DT)는 제1 노드(N1)에 접속된 게이트전극, 고전위 픽셀전압(EVDD)의 입력단에 접속된 드레인전극, 및 제2 노드(N2)에 접속된 소스전극을 구비한다. 구동 TFT(DT)는 게이트-소스 간 전압이 클수록 큰 구동 전류를 생성하고, 반대로 게이트-소스 간 전압이 작을수록 작은 구동 전류를 생성한다. The driving TFT DT is a driving device that generates a driving current corresponding to a gate-source voltage (ie, a voltage difference between a gate voltage and a source voltage). The driving TFT DT includes a gate electrode connected to the first node N1 , a drain electrode connected to an input terminal of the high potential pixel voltage EVDD, and a source electrode connected to the second node N2 . The driving TFT DT generates a large driving current as the gate-source voltage increases, and on the contrary, generates a small driving current as the gate-source voltage decreases.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속되어, 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압을 유지한다. The storage capacitor Cst is connected between the first node N1 and the second node N2 to maintain a gate-source voltage of the driving TFT DT.
제1 스위치 TFT(ST1)는 디스플레이 구동 시 스캔용 게이트신호(SCAN)에 응답하여 데이터라인(14A) 상의 데이터전압(Vdata)을 제1 노드(N1)에 인가한다. 또한, 제1 스위치 TFT(ST1)는 센싱 구동 시 스캔용 게이트신호(SCAN)에 응답하여 데이터라인(14A) 상의 센싱용 데이터전압(Vdata-SEN)을 제1 노드(N1)에 인가한다. 센싱용 데이터전압(Vdata-SEN)은 온 구동용 데이터전압과 오프 구동용 데이터전압을 포함한다. 제1 스위치 TFT(ST1)는 게이트라인(15)에 접속된 게이트전극, 데이터라인(14A)에 접속된 드레인전극, 및 제1 노드(N1)에 접속된 소스전극을 구비한다. The first switch TFT ST1 applies the data voltage Vdata on the
제2 스위치 TFT(ST2)는 센싱용 게이트신호(SCAN 또는 SEN)에 응답하여 제2 노드(N2)와 센싱 라인(14B) 간의 전류 흐름을 스위칭 한다. 제2 스위치 TFT(ST2)는 게이트라인(15)에 접속된 게이트전극, 센싱 라인(14B)에 접속된 드레인전극, 및 제2 노드(N2)에 접속된 소스전극을 구비한다.The second switch TFT ST2 switches the current flow between the second node N2 and the
이러한 각 픽셀(P)에서, OLED의 공정 편차 또는 열화 편차에 따라 OLED의 기생 커패시터(Coled)의 용량이 달라질 수 있다. 예를 들어, OLED 열화가 클수록 OLED의 기생 커패시터(Coled)의 용량은 줄어들 수 있다. OLED의 기생 커패시터(Coled)의 용량을 센싱하면 OLED의 문턱전압을 간접적으로 알아낼 수 있다. OLED의 기생 커패시터(Coled)의 용량을 센싱하는 방법은 구동 전류에 대응하여 OLED의 기생 커패시터(Coled)에 축적되는 전하량을 센싱하는 것이다.In each of these pixels P, the capacitance of the parasitic capacitor Coled of the OLED may vary according to process deviation or deterioration deviation of the OLED. For example, as the OLED deterioration increases, the capacity of the parasitic capacitor Coled of the OLED may decrease. By sensing the capacitance of the parasitic capacitor (Coled) of the OLED, the threshold voltage of the OLED can be found indirectly. A method of sensing the capacitance of the parasitic capacitor Coled of the OLED is to sense the amount of charge accumulated in the parasitic capacitor Coled of the OLED in response to the driving current.
이를 위해, 센싱부(SU)는 전류 적분기(CI)와 샘플&홀드부(SH)를 포함할 수 있다.To this end, the sensing unit SU may include a current integrator CI and a sample & hold unit SH.
전류 적분기(CI)는 픽셀로부터 유입되는 전류정보(Ipixel)를 적분하여 센싱 전압(Vsen)을 생성한다. 전류 적분기(CI)는 센싱 라인(14B)에 연결되어 센싱 라인(14B)으로부터 픽셀의 전류정보(Ipixel) 즉, 픽셀(P)의 OLED 기생 커패시터(Coled)에 충전된 전하를 입력받는 반전 입력단자(-), 기준전압(Vpre)을 입력받는 비 반전 입력단자(+), 및 출력 단자를 포함한 앰프(AMP)와, 앰프(AMP)의 반전 입력단자(-)와 출력 단자 사이에 접속된 적분 커패시터(Cfb)와, 적분 커패시터(Cfb)의 양단에 접속된 리셋 스위치(RST)를 포함한다.The current integrator CI integrates the current information Ipixel flowing from the pixel to generate the sensing voltage Vsen. The current integrator CI is connected to the
전류 적분기(CI)는 샘플&홀드부(SH)를 통해 ADC에 연결된다. 샘플&홀드부(SH)는 앰프(AMP)로부터 출력되는 센싱 전압(Vsen)을 샘플링하여 샘플링 커패시터(Cs)에 저장하는 샘플링 스위치(SAM), 샘플링 커패시터(C)에 저장된 센싱 전압(Vsen)을 ADC에 전달하기 위한 홀딩 스위치(HOLD)를 포함한다.The current integrator (CI) is connected to the ADC through the sample & hold section (SH). The sample & hold unit SH samples the sensing voltage Vsen output from the amplifier AMP and stores the sampling switch SAM, which is stored in the sampling capacitor Cs, and the sensing voltage Vsen stored in the sampling capacitor C. It contains a holding switch (HOLD) to pass to the ADC.
상술한 바와 같이, 타이밍 콘트롤러(11)는 센싱 구동과 디스플레이 구동을 정해진 제어 시퀀스에 따라 구현할 수 있다. 그리고 전원 생성부(17)는, 타이밍 콘트롤러(11)의 제어에 의해, 센싱 구동 시와 디스플레이 구동 시, 고전위 픽셀전압(EVDD)을 다른 전압으로 인가한다. 예를들면, 디스플레이 구동 시, 고전위 픽셀전압(EVDD)을 24V로 인가하고, 센싱 구동 시, 고전위 픽셀전압(EVDD)을 10V로 인가한다. 상기 전원 생성부(17)의 구체적인 구성은 후술한다.As described above, the
도 6은 도 4 및 도 5를 기반으로 한 OLED 열화 센싱 타이밍을 보여준다. 6 shows the OLED deterioration sensing timing based on FIGS. 4 and 5 .
도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따라 OLED 기생 커패시터(Coled)에 충전된 전하량을 센싱하기 위한 센싱 프로세서는 초기화 기간(Initial), 부스팅 기간(Boosting), 및 센싱 기간(Sensing)을 포함하여 이뤄질 수 있다. 센싱 프로세서는 센싱 기간(Sensing)에 이어 샘플링 기간(Sampling)을 더 포함할 수 있다.As shown in FIG. 6, the sensing processor for sensing the amount of charge charged in the OLED parasitic capacitor (Coled) according to the present invention includes an initialization period (Initial), a boosting period (Boosting), and a sensing period (Sensing). can be done The sensing processor may further include a sampling period (Sampling) following the sensing period (Sensing).
도 4 내지 도 6에 도시한 바와 같이, 초기화 기간(Initial)에 리셋 스위치(RST)를 턴 온시켜 전류 적분기(CI)를 초기화 시킨다. 4 to 6 , the reset switch RST is turned on during the initialization period Initial to initialize the current integrator CI.
상기 리셋 스위치(RST)가 턴-온되면, 앰프(AMP)는 이득이 1인 유닛 게인 버퍼로 동작하여, 앰프(AMP)의 입력 단자들(+,-) 및 출력 단자와, 센싱 라인(14B)은 모두 기준전압(Vpre)으로 초기화된다. 도 6에서 기준전압(Vpre)을 4V로 예시하였다.When the reset switch RST is turned on, the amplifier AMP operates as a unit gain buffer having a gain of 1, the input terminals (+, -) and output terminals of the amplifier AMP, and the
초기화 기간(Initial)에, 스캔 제어신호(SCAN)와 센싱 제어신호(SEN)가 하이 레벨로 인가되어 제1 스위치 TFT(ST1) 및 제2 스위치 TFT(ST2)가 턴-온된다. 동시에 데이터 드라이버 IC(SDIC)의 DAC를 통해 센싱용 데이터전압(16V)이 데이터라인(14A)에 인가된다.In the initialization period Initial, the scan control signal SCAN and the sensing control signal SEN are applied at a high level to turn on the first switch TFT ST1 and the second switch TFT ST2. At the same time, a
데이터라인(14A) 상의 센싱용 데이터전압((Vdata_SEN; 16V)은 턴-온 스위칭된 제1 스위치 TFT(ST1)를 경유하여 제1 노드(N1)에 인가되고, 센싱 라인(14B) 상의 기준전압(Vpre)은 턴-온 스위칭된 제2 스위치 TFT(ST2)를 경유하여 제2 노드(N2)에 인가된다. 그에 따라 구동 TFT(DT)에는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)의 전위차{(16V -Vpre}에 상응하는 소스-드레인 간 전류(Ids), 즉 OLED 구동전류가 흐른다. 하지만, 앰프(AMP)는 계속해서 유닛 게인 버퍼로 동작하므로, 초기화 기간(Initial)에서 출력 단자의 전위는 기준전압(Vpre)으로 유지된다.부스팅 기간(Boosting)에, 상기 스캔 제어신호(SCAN)와 센싱 제어신호(SEN)가 로우 레벨로 인가되어 제1 및 제2 스위치 TFT(ST1, ST2)는 턴-오프 스위칭된다. 이에 따라 구동 TFT(DT)의 소스-드레인 간 전류(Ids)에 의해 제2 노드(N2)의 전위, 즉 구동 TFT(DT)의 소스전압(DRsource) 또는 OLED의 애노드전압(Vanode)은 기준전압(Vpre)에서 상승한다. 이때, 상승된 구동 TFT(DT)의 소스전압(DRsource) 또는 OLED의 애노드전압(Vanode)은 OLED의 열화에 관계 없이 동일한 전압으로 유지되지만, OLED 기생 커패시터(Coled)에 충전되는 전하량은 OLED의 열화 정도에 따라 달라진다. 한편, 앰프(AMP)는 계속해서 유닛 게인 버퍼로 동작하므로, 부스팅 기간(Boosting)에서 출력 단자의 전위는 기준전압(Vpre)으로 유지된다.The sensing data voltage (Vdata_SEN; 16V) on the
센싱 기간(Sensing)에, 상기 스캔 제어신호(SCAN)와 센싱 제어신호(SEN)가 하이 레벨로 인가되어 제1 및 제2 스위치 TFT(ST1, ST2)는 턴-온 스위칭되고, 리셋 스위치(RST)는 턴-오프 스위칭된다. 그리고 OLED 기생 커패시터(Coled)에 충전된 전하는 제2 스위치 TFT(ST2)를 통해 전류 적분기(CI)의 적분 커패시터(Cfb)에 저장되면서 센싱이 이뤄진다. 이때, 데이터 드라이버 IC(SDIC)의 DAC를 통해 블랙 계조용 데이터 전압(Vdata_black; 0.5V)이 데이터라인(14A)에 인가되며, 구동 TFT(DT)는 제1 스위치 TFT(ST1)를 통해 인가되는 블랙 계조용 데이터전압(0.5V)에 의해 턴 오프됨으로써, 구동 TFT(DT)에 흐르는 전류에 의해 센싱값이 왜곡되는 것을 방지한다.During the sensing period, the scan control signal SCAN and the sensing control signal SEN are applied at a high level so that the first and second switch TFTs ST1 and ST2 are turn-on-switched, and the reset switch RST ) is turned-off switched. Then, the charge charged in the OLED parasitic capacitor Coled is sensed while being stored in the integrating capacitor Cfb of the current integrator CI through the second switch TFT ST2. At this time, the data voltage (Vdata_black; 0.5V) for the black gradation is applied to the
센싱 기간(Sensing)에서 앰프(AMP)의 반전 입력단자(-)에 유입되는 전하에 의해 적분 커패시터(Cfb)의 양단 전위차는 센싱 시간이 경과 할수록, 즉 축적되는 전류량(Ipixel)이 증가할수록 커진다. 그런데, 앰프(AMP)의 특성상 반전 입력단자(-) 및 비 반전 입력단자(+)는 가상 접지(Virtual Ground)를 통해 쇼트되어 서로 간 전위차가 0이므로, 센싱 기간(Sensing)에서 반전 입력단자(-)의 전위는 적분 커패시터(Cfb)의 전위차 증가에 상관없이 기준전압(Vpre)으로 유지된다. 그 대신, 적분 커패시터(Cfb)의 양단 전위차에 대응하여 앰프(AMP)의 출력 단자 전위가 낮아진다. 이러한 원리로 센싱 기간(Sensing)에서 센싱 라인(14B)을 통해 유입되는 전하는 적분 커패시터(Cfb)를 통해 적분값인 센싱 전압(Vsen)으로 변하며, 이 경우 센싱 전압(Vsen)은 기준전압(Vpre)보다 낮은 값으로 출력될 수 있다. 이는 전류 적분기(CI)의 입출력 특성에 기인한 것이다.During the sensing period, the potential difference between both ends of the integrating capacitor Cfb due to the charge flowing into the inverting input terminal (-) of the amplifier AMP increases as the sensing time elapses, that is, as the amount of accumulated current Ipixel increases. However, due to the characteristics of the amplifier (AMP), the inverting input terminal (-) and the non-inverting input terminal (+) are shorted through the virtual ground and the potential difference between each other is 0, so in the sensing period (Sensing), the inverting input terminal ( The potential of -) is maintained as the reference voltage Vpre regardless of the increase in the potential difference of the integrating capacitor Cfb. Instead, the output terminal potential of the amplifier AMP is lowered in response to the potential difference between the both ends of the integrating capacitor Cfb. According to this principle, in the sensing period (Sensing), the electric charge flowing in through the
OLED 기생 커패시터(Coled)에 충전되는 전하량은 OLED 문턱전압(OLED_Vth)에 비례한다. 즉, OLED 열화에 따라 OLED 문턱전압(OLED_Vth)이 증가할수록 OLED 기생 커패시터(Coled)에 충전되는 전하량은 커진다. 한편, 전류 적분기(CI)에서 출력되는 센싱 전압(Vsen)은 전류 적분기(CI)의 입출력 특성상 OLED 문턱전압(OLED_Vth)에 반비례할 수 있다. 즉, OLED 열화가 심해질수록 전류 적분기(CI)에서 출력되는 센싱 전압(Vsen)은 작아질 수 있다. The amount of charge charged in the OLED parasitic capacitor Coled is proportional to the OLED threshold voltage OLED_Vth. That is, as the OLED threshold voltage OLED_Vth increases according to OLED deterioration, the amount of charge charged in the OLED parasitic capacitor Coled increases. Meanwhile, the sensing voltage Vsen output from the current integrator CI may be inversely proportional to the OLED threshold voltage OLED_Vth due to input/output characteristics of the current integrator CI. That is, as the deterioration of the OLED increases, the sensing voltage Vsen output from the current integrator CI may decrease.
그리고, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 센싱 기간(Sensing) 이후의 샘플링 기간에서, 센싱 전압(Vsen)은 샘플링 스위치(SAM)를 경유하여 샘플링 커패시터(Cs)에 저장된다. 샘플링 기간(Tsam)에서, 홀딩 스위치(HOLD)가 턴 온 되면, 샘플링 커패시터(Cs)에 저장된 센싱 전압(Vsen)이 홀딩 스위치(HOLD)를 경유하여 ADC에 입력된다. 센싱 전압(Vsen)은 ADC에서 디지털 센싱값으로 변환된 후 타이밍 콘트롤러에 전송된다. 타이밍 콘트롤러는 디지털 센싱값을 미리 저장된 보상 알고리즘에 적용하여, OLED 열화 편차와 함께, 이 편차를 보상하기 위한 보상 데이터를 도출한다. 보상 알고리즘은 룩업 테이블 또는, 계산 로직으로 구현될 수 있다.In addition, although not shown in the drawing, in the sampling period after the sensing period, the sensing voltage Vsen is stored in the sampling capacitor Cs via the sampling switch SAM. In the sampling period Tsam, when the holding switch HOLD is turned on, the sensing voltage Vsen stored in the sampling capacitor Cs is input to the ADC via the holding switch HOLD. The sensed voltage Vsen is converted into a digital sensed value by the ADC and then transmitted to the timing controller. The timing controller applies the digital sensed value to a pre-stored compensation algorithm to derive compensation data for compensating for the deviation along with the OLED deterioration deviation. The compensation algorithm may be implemented as a lookup table or calculation logic.
한편, 도 7은 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 전원 생성부(17)의 회로적 구성도이다.Meanwhile, FIG. 7 is a circuit diagram of the
도 8은 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치에서 타이밍 컨트롤러(11)에서 출력되는 제어신호들 및 전원 생성부(17)에서 입출력되는 전압 파형도이다..8 is a diagram illustrating control signals output from the
본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치에서 전원 생성부(17)의 구성은 도 7과 같다.The configuration of the
상술한 바와 같이, 전원 생성부(17)는, 타이밍 콘트롤러(11)의 제어에 의해, 디스플레이 구동 시에는 고전위 픽셀전압(EVDD)을 24V로 인가하고, 센싱 구동 시에는 고전위 픽셀전압(EVDD)을 10V로 인가한다.As described above, under the control of the
따라서, 전원 생성부(17)는, 타이밍 콘트롤러(11)의 제1 제어 신호(센싱용 제어신호(Sensing CTL)에 따라 10V의 고전위 픽셀전압(EVDD(10V))를 출력단(EVDDout)으로 출력하는 센싱용 TFT(Tsen)와, 타이밍 콘트롤러(11)의 제2 제어 신호(디스플레이용 제어신호(Display CTL)에 따라 24V의 고전위 픽셀전압(EVDD(24V))를 출력단(EVDDout)으로 출력하는 디스플레이용 TFT(Tnor)와, 타이밍 콘트롤러(11)의 제3 제어 신호(방전용 제어신호(Discharging CTL)에 따라 상기 출력단(EVDDout)을 저전압 픽셀전압(EVSS)으로 방전하는 방전용 TFT(Tdis)를 구비하여 구성된다.Accordingly, the
이와 같이 구성된 전원 생성부(17)의 동작은 다음과 같다.The operation of the
먼저, 표시 장치의 전원 스위치가 온되면, 표시 장치를 구성하는 각 구성 요소를 동작시키기 위한 입력 전원으로 12V의 전압이 각 구성 요소에 공급된다.First, when the power switch of the display device is turned on, a voltage of 12V is supplied to each component as an input power for operating each component constituting the display device.
그리고, 타이밍 컨트롤러(11)는 상기 12V의 동작 전압에 의해 구동되고, 디스플레이 구동 시(Display mode), 타이밍 컨트롤러(11)는 전원 생성부(17)에 제1 제어 신호(센싱용 제어신호(Sensing CTL)와 제3 제어 신호(방전용 제어신호(Discharging CTL)를 로우 레벨로 출력하고, 제2 제어 신호(디스플레이용 제어신호(Display CTL)를 하이 레벨로 출력한다. 따라서, 전원 생성부(17)는 24V의 고전위 픽셀전압(EVDD(24V))를 유기 발광 표시 패널(10)의 고전위 픽셀전압 라인(EVDD)에 출력한다.In addition, the
센싱 구동 시(Sensing mode), 타이밍 컨트롤러(11)는 전원 생성부(17)에 제1 제어 신호(센싱용 제어신호(Sensing CTL)를 하이 레벨로 출력하고, 제2 제어 신호(디스플레이용 제어신호(Display CTL)와 제3 제어 신호(방전용 제어신호(Discharging CTL)를 로우 레벨로 출력한다. 따라서, 전원 생성부(17)는 10V의 고전위 픽셀전압(EVDD(10V))를 유기 발광 표시 패널(10)의 고전위 픽셀전압 라인(EVDD)에 출력한다.During sensing driving (Sensing mode), the
디스플레이 구동 모드에서 센싱 모드로 전환 시, 빠른 고전위 픽셀전압 전환을 위해, 타이밍 컨트롤러(11)는 제1 제어 신호(센싱용 제어신호(Sensing CTL)와 제2 제어 신호(디스플레이용 제어신호(Display CTL)를 로우 레벨로 출력하고, 제3 제어 신호(방전용 제어신호(Discharging CTL)를 하이 레벨로 출력한다. 따라서, 전원 생성부(17)는 24V의 고전위 픽셀전압(EVDD(24V))이 출력되고 있는 출력단(EVDDout)를 저전위 픽셀전압(EVSS)으로 방전시킨다.When switching from the display driving mode to the sensing mode, the
따라서, 디스플레이 구동 모드에서 센싱 모드로 전환 시, 24V의 고전위 픽셀전압(EVDD(24V))에서 10V의 고전위 픽셀전압(EVDD(10V))으로 빠르게 전환된다.Accordingly, when switching from the display driving mode to the sensing mode, the high-potential pixel voltage EVDD(24V) of 24V is quickly converted to the high-potential pixel voltage EVDD(10V) of 10V.
그러나, 전원 스위치가 온되어 12V의 전압이 인가된 후 고전위 픽셀전압(EVDD)이 24V로 너무 빠르게 진행되면 도 7에 도시된 전원 생성부(17)의 방전용 TFT(Tdis)가 순간적으로 턴-온되어(Burnt) 유기 발광 표시 패널(10)이 오동작을 하게 된다.However, if the high-potential pixel voltage EVDD proceeds too quickly to 24V after the power switch is turned on and a voltage of 12V is applied, the discharge TFT Tdis of the
즉, 전원 스위치가 온되어 입력 전압(12V)가 인가되고 고전위 픽셀전압(EVDD)이 24V로 인가되기까지 소요시간은 1.05sec로 설정되어 있으며, 이보다 빠르게 진행될 경우 상술한 불량이 발생될 수 있다.That is, the time required for the power switch to be turned on and the
입력 전압(12V) 인가 시, ASIC이 턴-온(Turn On)되어 타이밍 컨트롤러(11)에서 제2 제어 신호(디스플레이용 제어신호(Display CTL)를 하이 레벨로 출력되는 시간은 약 750ms~1000ms 소요되며, 해당 소요 시간보다 먼저 디스플레이용 TFT(Tnor)의 소오스(Source) 측에 24V의 고전위 픽셀전압(EVDD)이 인가되면서, 디스플레이용 TFT(Tnor)의 턴-온(Turn On) 시, 디스플레이용 TFT(Tnor)의 드레인(Drain) 전압이 급속하게 상승한다.When the input voltage (12V) is applied, the ASIC is turned on and the
이와 같이, 디스플레이용 TFT(Tnor)의 드레인(Drain) 전압이 급속히 상승하면서, 원래 0V 상태인 방전용 TFT(Tdis)의 게이트 전압이 게이트-드레인 간에 형성되는 기생 커패시터(Capacitor)를 통한 커플링(coupling)으로 인해, 순간적으로 약 3V로 상승하면서 방전용 TFT(Tdis)가 순간적으로 턴-온될 수 있다.As such, as the drain voltage of the display TFT (Tnor) rapidly rises, the gate voltage of the discharge TFT (Tdis), which is originally in the 0V state, is coupled through a parasitic capacitor (Capacitor) formed between the gate and drain ( Due to coupling), the discharge TFT (Tdis) may be momentarily turned on while instantaneously rising to about 3V.
그리고, 방전용 TFT(Tdis)의 소오스-드레인 양단에 24V의 고전압이 인가되면서 FET의 정격 전압을 초과하는 과전류가 발생하여 방전용 TFT(Tdis)가 번트(Burnt)되고, 방전용 TFT(Tdis)의 소오스-드레인 간이 쇼트(Short)되어 유기 발광 표시 패널에 24V의 고전위 픽셀전압(EVDD)이 인가되지 않을 수 있다.Then, as a high voltage of 24V is applied to both ends of the source-drain of the discharging TFT (Tdis), an overcurrent exceeding the rated voltage of the FET is generated, and the discharging TFT (Tdis) is burned, and the discharging TFT (Tdis) Since the source-drain of the display is shorted, the high potential pixel voltage EVDD of 24 V may not be applied to the organic light emitting display panel.
따라서, 본 발명은 입력 전압(12V)과 24V의 고전위 픽셀전압(EVDD)의 입력입력시간을 연산하고 설정된 시간과 비교하여 그 결과에 따라 방전용 TFT(Tdis)의 동작을 제어할 수 있다.Accordingly, the present invention calculates the input input time of the
도 9는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 전원 생성부(17)를 제어하는 전원 제어부(30)의 블록 구성도이다. 9 is a block diagram of the
본 발명의 전원 제어부(30)는, 도 9에 도시한 바와 같이, 12V의 입력 전압의 입력 시간과 24V의 고전위 픽셀전압(EVDD)의 입력 시간을 연산하여 12V의 입력 전압의 입력 시간과 24V의 고전위 픽셀전압(EVDD)의 입력 시간의 차이 신호(t)를 출력하는 타이밍 IC(31)와, 상기 타이밍 IC(31)에서 출력된 차이 신호(t)를 설정된 시간(1.05sec)과 비교하여 먹스 제어 신호(MUX_ctl)를 출력하는 ASIC(32)과, 상기 ASIC(32)에서 출력되는 먹스 제어 신호(MUX_ctl)에 따라, 상기 타이밍 콘트롤러(11)에서 출력되는 제3 제어 신호(방전용 제어신호(Discharging CTL)를 상기 전압 생성부(17)의 상기 방전용 TFT(Tdis)의 게이트에 인가하거나, 상기 방전용 TFT(Tdis)의 게이트에 접지 전압(GND)를 인가하는 먹스(MUX)(33)을 구비한다.As shown in FIG. 9, the
여기서, 상기 ASIC(32)는 상기 타이밍 IC(31)에서 출력된 차이 신호(t)가 설정된 시간(1.05sec)보다 크거나 같으면(t ≥ 1.05sec), 먹스 제어 신호(MUX_ctl)를 "로우" 레벨(L)로 출력하고, 상기 타이밍 IC(31)에서 출력된 차이 신호(t)가 설정된 시간(1.05sec)보다 작으면(t < 1.05sec), 먹스 제어 신호(MUX_ctl)를 "하이" 레벨(H)로 출력한다.Here, the ASIC 32 sets the mux control signal MUX_ctl to “low” when the difference signal t output from the
그리고, 상기 먹스(MUX)(33)는, 상기 ASIC(32)에서 출력되는 먹스 제어 신호(MUX_ctl)가 "로우" 레벨(L)이면, 상기 전압 생성부(17)의 상기 방전용 TFT(Tdis)의 게이트에 제3 제어 신호(방전용 제어신호(Discharging CTL)를 인가하고, 상기 ASIC(32)에서 출력되는 먹스 제어 신호(MUX_ctl)가 "하이" 레벨(H)이면, 상기 전압 생성부(17)의 상기 방전용 TFT(Tdis)의 게이트에 접지 전압(GND)를 인가한다.In addition, when the mux control signal MUX_ctl output from the ASIC 32 is at a “low” level (L), the MUX (MUX) 33 includes the discharging TFT (Tdis) of the
따라서, 전원 스위치가 온되어 입력 전압(12V)가 인가되고 고전위 픽셀전압(EVDD)이 24V로 인가되기까지 소요시간이 설정 시간(1.05sec)보다 빠르면, 상기 전압 생성부(17)의 상기 방전용 TFT(Tdis)의 게이트에 접지 전압(GND)를 인가하므로, 상기 방전용 TFT(Tdis)가 번트(Burnt)되어 방전용 TFT(Tdis)의 소오스-드레인 간이 쇼트(Short)됨을 방지할 수 있다. Therefore, if the time required for the power switch to be turned on and the input voltage (12V) is applied and the high potential pixel voltage (EVDD) to 24V is faster than the set time (1.05sec), the
더불어, 유기 발광 표시 패널에 24V의 고전위 픽셀전압(EVDD)이 비 정상적으로 인가되지 않음을 방지할 수 있다.In addition, it is possible to prevent the high potential pixel voltage EVDD of 24V from being abnormally applied to the organic light emitting display panel.
상기의 설명에서, 설명의 편의를 위하여, 기준전압(Vpre)를 4V로 예시하고, 입력 전압을 12V로 예시하고, 센싱용 데이터전압을 16V로 예시하고, 블랙 계조용 데이터 전압을 0.5V로 예시하고, 디스플레이 구동 모드 시의 고전위 픽셀전압을 24V로 예시하고, 센싱 모드 시의 고전위 픽셀전압을 10V로 예시하였으나, 이에 한정되지 않고, 표시 장치의 모델, 사이즈 등에 따라 충분히 가변 될 수 있다.이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.In the above description, for convenience of explanation, the reference voltage Vpre is exemplified as 4V, the input voltage is exemplified as 12V, the data voltage for sensing is exemplified as 16V, and the data voltage for black gradation is exemplified as 0.5V. And, the high potential pixel voltage in the display driving mode is exemplified as 24V, and the high potential pixel voltage in the sensing mode is exemplified as 10V, but the present invention is not limited thereto, and may sufficiently vary depending on the model, size, etc. of the display device. Those skilled in the art from the above description will be able to see that various changes and modifications are possible without departing from the technical spirit of the present invention. Accordingly, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.
10: 표시패널
11: 타이밍 콘트롤러
12: 데이터 구동부
13: 게이트 구동부
14A: 데이터라인
14B: 센싱 라인
15: 게이트라인
20: 보상부
17: 전원 생성부
30: 전원 제어부
31: Timing IC
32: ASIC
33: MUX
SU: 센싱부10: display panel 11: timing controller
12: data driver 13: gate driver
14A:
15: gate line 20: compensation unit
17: power generation unit 30: power control unit
31: Timing IC 32: ASIC
33: MUX SU: sensing unit
Claims (13)
상기 발광 소자의 구동 특성 편차를 센싱하는 센싱 구동 시와 보상값이 반영된 보정 영상 데이터를 상기 표시패널에 기입하여 영상을 재현하는 디스플레이 구동 시 상기 표시 패널에 서로 다른 고전위 픽셀전압이 인가되도록 제어하는 타이밍 콘트롤러; 그리고
상기 타이밍 콘트롤러의 제어에 의해, 상기 센싱 구동 시와 상기 디스플레이 구동 시 서로 다른 고전위 픽셀전압을 상기 표시 패널에 인가하는 전원 생성부를 구비한 유기 발광 표시 장치.a display panel on which a plurality of data lines and a plurality of gate lines are disposed, and a plurality of subpixels including a light emitting device and a driving transistor for driving the light emitting device are disposed;
Controlling the application of different high-potential pixel voltages to the display panel during sensing driving for sensing a deviation in driving characteristics of the light emitting device and driving a display for reproducing an image by writing corrected image data reflecting a compensation value to the display panel timing controller; and
and a power generator configured to apply different high-potential pixel voltages to the display panel when the sensing is driven and when the display is driven under the control of the timing controller.
입력 전압의 입력 시간과 고전위 픽셀전압의 입력 시간 차가 설정된 시간보다 작으면, 상기 전압 생성부의 방전용 TFT의 동작을 정지하는 전원 제어부를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 1,
The organic light emitting diode display further comprising: a power control unit that stops the operation of the discharge TFT of the voltage generator when a difference between the input time of the input voltage and the input time of the high potential pixel voltage is less than a preset time.
상기 전원 제어부는, 입력 전압의 입력 시간과 고전위 픽셀전압의 입력 시간 차가 설정된 시간보다 작으면, 상기 방전용 TFT의 게이트에 접지 전압을 인가하는 유기 발광 표시 장치.3. The method of claim 2,
The power control unit applies a ground voltage to the gate of the discharging TFT when a difference between an input time of the input voltage and an input time of the high potential pixel voltage is less than a preset time.
상기 전원 제어부는,
상기 입력 전압의 입력 시간과 상기 제2 고전위 픽셀전압의 입력 시간을 연산하여 상기 입력 전압의 입력 시간과 상기 제2 고전위 픽셀전압의 입력 시간의 차이 신호(t)를 출력하는 타이밍 IC와,
상기 타이밍 IC에서 출력된 차이 신호(t)를 설정된 시간과 비교하여 먹스 제어 신호를 출력하는 ASIC과,
상기 ASIC에서 출력되는 상기 먹스 제어 신호에 따라, 상기 타이밍 콘트롤러에서 출력되는 상기 제3 제어 신호를 상기 전압 생성부의 상기 방전용 TFT의 게이트에 인가하거나, 상기 방전용 TFT의 게이트에 접지 전압을 인가하는 먹스를 구비하는 유기 발광 표시 장치.4. The method of claim 3,
The power control unit,
a timing IC calculating the input time of the input voltage and the input time of the second high-potential pixel voltage and outputting a difference signal (t) between the input time of the input voltage and the input time of the second high-potential pixel voltage;
an ASIC outputting a mux control signal by comparing the difference signal (t) output from the timing IC with a set time;
According to the mux control signal output from the ASIC, the third control signal output from the timing controller is applied to the gate of the discharging TFT of the voltage generator, or a ground voltage is applied to the gate of the discharging TFT An organic light emitting diode display including a mux.
상기 타이밍 IC는, 상기 타이밍 IC에서 출력된 차이 신호(t)가 설정된 시간보다 크거나 같으면 제1 레벨의 먹스 제어 신호를 출력하고, 상기 타이밍 IC에서 출력된 차이 신호(t)가 설정된 시간보다 작으면 제1 레벨과 다른 제2 레벨의 먹스 제어 신호를 출력하는 유기 발광 표시 장치.5. The method of claim 4,
The timing IC outputs a mux control signal of a first level when the difference signal t output from the timing IC is greater than or equal to a set time, and the difference signal t output from the timing IC is smaller than a set time an organic light emitting diode display for outputting a mux control signal having a second level different from a first level.
상기 먹스는, 상기 ASIC에서 출력되는 제1 먹스 제어 신호에 따라 상기 전압 생성부의 상기 방전용 TFT의 게이트에 상기 제3 제어 신호를 인가하고, 상기 ASIC에서 출력되는 제2 먹스 제어 신호에 따라 상기 전압 생성부의 상기 방전용 TFT의 게이트에 접지 전압을 인가하는 유기 발광 표시 장치.6. The method of claim 5,
The mux applies the third control signal to the gate of the discharge TFT of the voltage generator according to a first mux control signal output from the ASIC, and applies the third control signal to the voltage according to a second mux control signal output from the ASIC An organic light emitting diode display for applying a ground voltage to a gate of the discharge TFT in a generator.
상기 전원 생성부는,
상기 타이밍 콘트롤러의 제1 제어 신호에 따라 제1 고전위 픽셀전압을 출력단을 통해 상기 표시 패널의 고전위 전원 공급 라인에 출력하는 센싱용 TFT와,
상기 타이밍 콘트롤러의 제2 제어 신호에 따라 상기 제1 고전위 픽셀전압보다 높은 제2 고전위 픽셀전압을 출력단으로 출력하는 디스플레이용 TFT와,
상기 타이밍 콘트롤러의 제3 제어 신호에 따라 상기 출력단을 저전압 픽셀전압으로 방전하는 방전용 TFT를 구비하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 1,
The power generating unit,
a sensing TFT for outputting a first high-potential pixel voltage to a high-potential power supply line of the display panel through an output terminal according to a first control signal of the timing controller;
a display TFT for outputting a second high potential pixel voltage higher than the first high potential pixel voltage to an output terminal according to a second control signal of the timing controller;
and a discharging TFT for discharging the output terminal to a low pixel voltage according to a third control signal from the timing controller.
입력 전압의 입력 시간과 고전위 픽셀전압의 입력 시간 차가 설정된 시간보다 작으면, 상기 전압 생성부의 방전용 TFT의 동작을 정지하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.A display panel having a light emitting element in each pixel, and a display that reproduces an image by receiving corrected image data reflecting a compensation value during sensing driving for sensing deviation in driving characteristics of the light emitting element and driving a display to reproduce different high-potential pixel voltages In the driving method of an organic light emitting display device including a power generator applied to the display panel,
When the difference between the input time of the input voltage and the input time of the high potential pixel voltage is less than a preset time, the operation of the discharge TFT of the voltage generator is stopped.
상기 입력 전압의 입력 시간과 고전위 픽셀전압의 입력 시간 차가 설정된 시간보다 작으면, 상기 방전용 TFT의 게이트에 접지 전압을 인가하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.9. The method of claim 8,
When a difference between the input time of the input voltage and the input time of the high potential pixel voltage is less than a preset time, a ground voltage is applied to a gate of the discharge TFT.
상기 전원 생성부는,
타이밍 콘트롤러의 제1 제어 신호에 따라 제1 고전위 픽셀전압을 출력단을 통해 상기 표시 패널의 고전위 전원 공급 라인에 출력하는 센싱용 TFT와,
상기 타이밍 콘트롤러의 제2 제어 신호에 따라 상기 제1 고전위 픽셀전압보다 높은 제2 고전위 픽셀전압을 출력단으로 출력하는 디스플레이용 TFT와,
상기 타이밍 콘트롤러의 제3 제어 신호에 따라 상기 출력단을 저전압 픽셀전압으로 방전하는 상기 방전용 TFT를 구비하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.9. The method of claim 8,
The power generating unit,
a sensing TFT for outputting a first high-potential pixel voltage to a high-potential power supply line of the display panel through an output terminal according to a first control signal of a timing controller;
a display TFT for outputting a second high potential pixel voltage higher than the first high potential pixel voltage to an output terminal according to a second control signal of the timing controller;
and the discharging TFT for discharging the output terminal to a low-voltage pixel voltage according to a third control signal from the timing controller.
상기 전압 생성부의 방전용 TFT의 동작을 정지하는 단계는,
상기 입력 전압의 입력 시간과 상기 제2 고전위 픽셀전압의 입력 시간을 연산하여 상기 입력 전압의 입력 시간과 상기 제2 고전위 픽셀전압의 입력 시간의 차이 신호를 생성하는 단계와,
상기 차이 신호를 설정된 시간과 비교하여 먹스 제어 신호를 생성하는 단계와,
상기 먹스 제어 신호에 따라, 상기 제3 제어 신호를 상기 방전용 TFT의 게이트에 인가하거나, 상기 방전용 TFT의 게이트에 접지 전압을 인가하는 단계를 구비하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.11. The method of claim 10,
Stopping the operation of the discharging TFT of the voltage generator includes:
generating a difference signal between the input time of the input voltage and the input time of the second high-potential pixel voltage by calculating the input time of the input voltage and the input time of the second high-potential pixel voltage;
generating a mux control signal by comparing the difference signal with a set time;
and applying the third control signal to a gate of the discharge TFT or a ground voltage to a gate of the discharge TFT according to the MUX control signal.
상기 차이 신호가 설정된 시간보다 크거나 같으면 제1 레벨의 먹스 제어 신호를 출력하고, 상기 차이 신호가 설정된 시간보다 작으면 제1 레벨과 다른 제2 레벨의 먹스 제어 신호를 출력하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.12. The method of claim 11,
When the difference signal is greater than or equal to a preset time, outputting a mux control signal of a first level, and outputting a mux control signal of a second level different from the first level when the difference signal is less than a preset time How to drive.
상기 제1 먹스 제어 신호에 따라 상기 전압 생성부의 상기 방전용 TFT의 게이트에 상기 제3 제어 신호를 인가하고, 상기 ASIC에서 출력되는 제2 먹스 제어 신호에 따라 상기 전압 생성부의 상기 방전용 TFT의 게이트에 접지 전압을 인가하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법.13. The method of claim 12,
The third control signal is applied to the gate of the discharge TFT of the voltage generator according to the first MUX control signal, and the gate of the discharge TFT of the voltage generator is applied according to the second MUX control signal output from the ASIC. A method of driving an organic light emitting diode display by applying a ground voltage to the
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