KR20220082468A - 금속 박막의 코팅층을 포함하는 전고체 전지용 음극 및 이의 제조방법 - Google Patents
금속 박막의 코팅층을 포함하는 전고체 전지용 음극 및 이의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 음극 집전체 및 상기 음극 집전체 상에 위치하고 알칼리 토금속, 4족 내지 9족의 전이금속, 13족 금속 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 박막인 코팅층이 구비된 전고체 전지용 음극 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 음극 집전체 및 상기 음극 집전체 상에 위치하고 알칼리 토금속, 4족 내지 9족의 전이금속, 13족 금속 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 박막인 코팅층이 구비된 전고체 전지용 음극 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
환경적 이슈로 내연기관을 이용한 차량을 전기차로 전환하려는 노력이 각국에서 진행 중이다. 현재 가장 큰 이슈 중 하나는 고용량 장수명 전지의 개발이다. 리튬이온 전지는 용량을 늘리는데 한계가 있고 가연성 액체전해질을 사용하기 때문에 안정성도 떨어진다.
리튬이온 전지의 한계를 극복하기 위해 리튬 공기 전지, 리튬황 전지, 전고체 전지 등의 차세대 전지에 대한 관심이 커지고 있다. 그러나 리튬 공기 전지, 리튬황 전지는 내부 부반응에 기인한 열화로 상용화에 근접한 수명특성을 보이지 못한다. 전고체 전지는 액체전해질을 쓰는 타 전지와 달리 고체전해질을 사용하므로 분리막 등의 부자재들이 불필요해 에너지 밀도에서 장점이 있다. 또한, 가연성의 액체전해질을 사용하지 않아 안정성이 높고, 전지 사용시 발생하는 온도 상승을 완화하기 위한 냉각 시스템이 필요하지 않다.
현재 전고체 전지의 용량 및 수명특성 향상을 위해 흑연 외에 리튬 금속, 금속 호일/폼, 탄소 섬유/튜브 등 다양한 형태의 음극이 고려되고 있다.
본 발명은 에너지 밀도를 크게 높일 수 있는 새로운 구조의 전고체 전지용 음극을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 용량 및 수명 특성이 개선된 전고체 전지용 음극을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않는다. 본 발명의 목적은 이하의 설명으로 더욱 분명해질 것이며, 특허청구범위에 기재된 수단 및 그 조합으로 실현될 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전고체 전지용 음극은 음극 집전체 및 상기 음극 집전체 상에 위치하는 코팅층을 포함하고, 상기 코팅층은 알칼리 토금속, 4족 내지 9족의 전이금속, 13족 금속 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 음극 집전체는 니켈, 스테인리스 스틸 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 코팅층은 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 코팅층은 두께가 50㎚ 내지 1,000㎚일 수 있다.
상기 전고체 전지가 충전되면 상기 코팅층은 리튬과 합금화될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전고체 전지는 양극, 상기 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 위치하는 고체전해질층을 포함하고, 상기 고체전해질층이 상기 음극의 코팅층과 접하도록 적층될 수 있다.
본 발명에 따른 전고체 전지용 음극의 제조방법은 음극 집전체 상에 알칼리 토금속, 4족 내지 9족의 전이금속, 13족 금속 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 소스(Source)를 열증착법(thermal evaporation)으로 코팅하여 코팅층을 형성하는 것일 수 있다.
상기 코팅층은 알칼리 토금속, 4족 내지 9족의 전이금속, 13족 금속 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 박막일 수 있다.
본 발명에 따르면 부피 및 중량이 현저히 줄어 에너지 밀도가 크게 높아진 전고체 전지를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 에너지 밀도가 높으면서도 용량 및 수명 특성이 개선된 전고체 전지를 얻을 수 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과로 한정되지 않는다. 본 발명의 효과는 이하의 설명에서 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 전고체 전지를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 전고체 전지가 충전된 상태를 도시한 단면도이다.
도 3은 실시예1 내지 실시예4 및 비교예에 따른 전고체 전지의 초기용량 유지율을 측정한 결과이다.
도 4는 실시예4 내지 실시예6에 따른 전고체 전지의 초기용량 유지율을 측정한 결과이다.
도 2는 본 발명에 따른 전고체 전지가 충전된 상태를 도시한 단면도이다.
도 3은 실시예1 내지 실시예4 및 비교예에 따른 전고체 전지의 초기용량 유지율을 측정한 결과이다.
도 4는 실시예4 내지 실시예6에 따른 전고체 전지의 초기용량 유지율을 측정한 결과이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "하부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
달리 명시되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 성분, 반응 조건, 폴리머 조성물 및 배합물의 양을 표현하는 모든 숫자, 값 및/또는 표현은, 이러한 숫자들이 본질적으로 다른 것들 중에서 이러한 값을 얻는 데 발생하는 측정의 다양한 불확실성이 반영된 근사치들이므로, 모든 경우 "약"이라는 용어에 의해 수식되는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 본 기재에서 수치범위가 개시되는 경우, 이러한 범위는 연속적이며, 달리 지적되지 않는 한 이러한 범 위의 최소값으로부터 최대값이 포함된 상기 최대값까지의 모든 값을 포함한다. 더 나아가, 이러한 범위가 정수를 지칭하는 경우, 달리 지적되지 않는 한 최소값으로부터 최대값이 포함된 상기 최대값까지를 포함하는 모든 정수가 포함된다.
도 1은 본 발명에 따른 전고체 전지를 도시한 단면도이다. 이를 참조하면, 상기 전고체 전지는 양극 집전체(11)와 양극 활물질층(12)을 포함하는 양극(10); 음극 집전체(21)와 코팅층(22)을 포함하는 음극(20); 및 양극(10)과 음극(20) 사이에 위치하는 고체전해질층(30)을 포함한다. 이때, 상기 코팅층(22)과 고체전해질층(30)이 접하도록 적층한다.
상기 양극 집전체(11)는 전기 전도성이 있는 판상의 기재일 수 있다. 상기 양극 집전체(11)는 알루미늄 박판(Aluminium foil)을 포함할 수 있다.
상기 양극 활물질층(12)은 양극 활물질, 고체전해질, 도전재, 바인더 등을 포함할 수 있다.
상기 양극 활물질은 산화물 활물질 또는 황화물 활물질일 수 있다.
상기 산화물 활물질은 LiCoO2, LiMnO2, LiNiO2, LiVO2, Li1 + xNi1 / 3Co1 / 3Mn1 / 3O2 등의 암염층형 활물질, LiMn2O4, Li(Ni0.5Mn1.5)O4 등의 스피넬형 활물질, LiNiVO4, LiCoVO4 등의 역스피넬형 활물질, LiFePO4, LiMnPO4, LiCoPO4, LiNiPO4 등의 올리빈형 활물질, Li2FeSiO4, Li2MnSiO4 등의 규소 함유 활물질, LiNi0 . 8Co(0.2-x)AlxO2(0＜x＜0.2)과 같이 천이 금속의 일부를 이종 금속으로 치환한 암염층형형 활물질, Li1+xMn2-x-yMyO4(M은 Al, Mg, Co, Fe, Ni, Zn 중 적어도 일종이며 0＜x+y＜2)와 같이 천이 금속의 일부를 이종 금속으로 치환한 스피넬형 활물질, Li4Ti5O12 등의 티탄산 리튬일 수 있다.
상기 황화물 활물질은 구리 쉐브렐, 황화철, 황화 코발트, 황화 니켈 등일 수 있다.
상기 고체전해질은 산화물 고체전해질 또는 황화물 고체전해질일 수 있다. 다만, 리튬이온 전도도가 높은 황화물계 고체전해질을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 상기 황화물계 고체전해질은 특별히 제한되지 않으나, Li2S-P2S5, Li2S-P2S5-LiI, Li2S-P2S5-LiCl, Li2S-P2S5-LiBr, Li2S-P2S5-Li2O, Li2S-P2S5-Li2O-LiI, Li2S-SiS2, Li2S-SiS2-LiI, Li2S-SiS2-LiBr, Li2S-SiS2-LiCl, Li2S-SiS2-B2S3-LiI, Li2S-SiS2-P2S5-LiI, Li2S-B2S3, Li2S-P2S5-ZmSn(단, m, n는 양의 수, Z는 Ge, Zn, Ga 중 하나), Li2S-GeS2, Li2S-SiS2-Li3PO4, Li2S-SiS2-LixMOy(단, x, y는 양의 수, M은 P, Si, Ge, B, Al, Ga, In 중 하나), Li10GeP2S12 등일 수 있다.
상기 도전재는 카본블랙(Carbon black), 전도성 흑연(Conducting graphite), 에틸렌 블랙(Ethylene black), 그래핀(Graphene) 등일 수 있다.
상기 바인더는 BR(Butadiene rubber), NBR(Nitrile butadiene rubber), HNBR(Hydrogenated nitrile butadiene rubber), PVDF(polyvinylidene difluoride), PTFE(polytetrafluoroethylene), CMC(carboxymethylcellulose) 등일 수 있다.
상기 고체전해질층(30)은 상기 양극(10)과 음극(20) 사이에 위치하여 리튬 이온이 양 구성 간을 이동할 수 있도록 하는 구성이다.
상기 고체전해질층(30)은 산화물계 고체전해질 또는 황화물계 고체전해질을 포함할 수 있다. 다만, 리튬 이온 전도도가 높은 황화물계 고체전해질을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 상기 황화물계 고체전해질은 특별히 제한되지 않으나, Li2S-P2S5, Li2S-P2S5-LiI, Li2S-P2S5-LiCl, Li2S-P2S5-LiBr, Li2S-P2S5-Li2O, Li2S-P2S5-Li2O-LiI, Li2S-SiS2, Li2S-SiS2-LiI, Li2S-SiS2-LiBr, Li2S-SiS2-LiCl, Li2S-SiS2-B2S3-LiI, Li2S-SiS2-P2S5-LiI, Li2S-B2S3, Li2S-P2S5-ZmSn(단, m, n는 양의 수, Z는 Ge, Zn, Ga 중 하나), Li2S-GeS2, Li2S-SiS2-Li3PO4, Li2S-SiS2-LixMOy(단, x, y는 양의 수, M은 P, Si, Ge, B, Al, Ga, In 중 하나), Li10GeP2S12 등일 수 있다.
상기 음극(20)은 음극 집전체(21) 및 상기 음극 집전체(21) 상에 위치하는 코팅층(22)을 포함한다.
상기 음극 집전체(21)는 전기 전도성이 있는 판상의 기재일 수 있다. 상기 음극 집전체(21)는 니켈(Ni), 스테인리스 스틸(SUS) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 음극 집전체(21)는 공극률이 약 1% 미만인 고밀도(High density)의 금속 박막일 수 있다.
상기 음극 집전체(21)는 두께가 1㎛ 내지 20㎛, 또는 5㎛ 내지 15㎛인 것일 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 전고체 전지가 충전된 상태를 도시한 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 전지의 충전시 양극(10)으로부터 이동한 리튬 이온이 코팅층(22)과 합금화하여 리튬 합금층(22')의 형태로 음극(20)에 저장된다.
상기 코팅층(22)은 알칼리 토금속, 4족 내지 9족의 전이금속, 13족 금속 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 박막일 수 있다. 구체적으로 상기 코팅층(22)은 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 박막일 수 있다.
상기 코팅층(22)은 리튬과 합금화하거나 화합물을 형성할 수 있는 소재로 이루어진 박막이므로 리튬의 안정한 흡탈착을 유도할 수 있어 전지의 수명을 향상시킬 수 있다.
상기 코팅층(22)은 두께가 50㎚ 내지 1,000㎚, 또는 100㎚ 내지 1,000㎚, 또는 300㎚ 내지 1,000㎚일 수 있다. 종래의 흑연계 음극 활물질을 사용하는 전고체 전지에 비해 음극의 두께가 현저히 줄어들기 때문에 전지의 에너지 밀도를 크게 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 코팅층(22)의 두께는 설계한 리튬의 흡착량에 따라 적절히 조절할 수 있다. 상기 코팅층(22)이 두꺼울수록 리튬의 흡착량을 증가한다.
본 발명에 따른 전고체 전지용 음극의 제조방법은 음극 집전체 상에 알칼리 토금속, 4족 내지 9족의 전이금속, 13족 금속 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 소스(Source)를 열증착법(thermal evaporation)으로 코팅하여 코팅층을 형성하는 것일 수 있다.
구체적으로 상기 음극 집전체를 열증착 장치의 챔버에 고정한 뒤, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag) 등을 포함하는 소스를 증발기에 넣는다. 상기 챔버를 진공으로 만든 뒤, 열을 가하여 상기 소스를 증발시켜 상기 음극 집전체 상에 코팅층을 형성할 수 있다.
한편, 상기 코팅층은 전술한 열증착법 외에도 스퍼터링, 닥터블레이드 등의 다른 방법으로도 제조할 수 있다.
이하 실시예를 통해 본 발명의 다른 형태를 보다 구체적으로 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시에 불과하며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예1 내지 실시예4 및 비교예
실시예1은 하기와 같이 제조한 전고체 전지이다.
(양극의 제조) 양극 활물질, 고체전해질, 도전재, 바인더, 분산재 및 용매를 혼합하여 슬러리를 얻었다. 상기 슬러리를 양극 집전체 상에 도포하고 건조하여 양극을 제조하였다.
(고체전해질층의 제조) 고체전해질, 바인더 및 용매를 혼합한 뒤, 상기 양극 상에 도포 및 건조하여 고체전해질층을 얻었다.
(음극의 제조) 음극 집전체를 열증착 장치의 상부 회전자에 고정시키고, 은(Ag) 소스를 증발기에 넣었다. 챔버를 진공으로 만들고 열을 가하여 알루미늄을 증발시킴으로써 상기 음극 집전체의 표면에 두께가 100㎚인 알루미늄 박막을 형성하였다.
상기 양극, 고체전해질층 및 음극을 도 1과 같이 적층하여 실시예1에 따른 전고체 전지를 얻었다.
실시예2는 코팅층의 소스를 알루미늄(Al)으로 변경한 것을 제외하고는 상기 실시예1과 동일하게 전고체 전지를 제조한 것이다.
실시예3는 코팅층의 소스를 마그네슘(Mg)으로 변경하고, 코팅층의 두께를 50㎚로 조절한 것을 제외하고는 상기 실시예1과 동일하게 전고체 전지를 제조한 것이다.
실시예4은 코팅층의 소스를 마그네슘(Mg)으로 변경한 것을 제외하고는 상기 실시예1과 동일하게 전고체 전지를 제조한 것이다.
비교예는 기존의 흑연을 음극 활물질로 사용한 전고체 전지이다. 흑연, 고체전해질, 바인더, 분산재 및 용매를 혼합하여 슬러리를 제조하고, 상기 슬러리를 음극 집전체 상에 도포 및 건조하여 음극을 제조하였다.
실시예1 내지 실시예4 및 비교예의 음극 소재 및 두께를 하기 표 1에 정리하였다.
또한, 상기 실시예1 내지 실시예4 및 비교예에 따른 전고체 전지의 초기용량 및 그 유지율을 측정하였다. 그 결과는 도 3 및 표 1과 같다.
| 구분 | 비교예 | 실시예1 | 실시예2 | 실시예3 | 실시예4 |
| 음극 소재 | 흑연 | 은(Ag) | 알루미늄(Al) | 마그네슘(Mg) | 마그네슘(Mg) |
| 음극 두께* | 70㎛ | 100㎚ | 100㎚ | 50㎚ | 100㎚ |
| 초기 용량 [mAh/g] |
178 | 172 | 173 | 172 | 175 |
| 용량 유지율 | 71%(@50회) | 81% (@37회) | 87% (@30회) | 85% (@32회) | 80% (@81회) |
* 표 1의 음극 두께는 음극 집전체를 제외한 두께를 의미함
도 1 및 표 1을 참조하면, 실시예1 내지 실시예4는 모두 30회가 넘어갈 때까지 초기 용량의 80% 이상을 유지함을 알 수 있다. 반면에, 비교예는 충방전 횟수가 20회가 넘어가면서 급격하게 용량 유지율이 떨어진다.
실시예5 및 실시예6
실시예5는 코팅층의 두께를 300㎚로 조절한 것을 제외하고는 상기 실시예4와 동일하게 전고체 전지를 제조한 것이다.
실시예6은 코팅층의 두께를 500㎚로 조절한 것을 제외하고는 상기 실시예4와 동일하게 전고체 전지를 제조한 것이다.
실시예4 내지 실시예6에 따른 전고체 전지의 초기용량 및 그 유지율을 측정하였다. 그 결과는 도 4 및 표 2와 같다.
| 구분 | 실시예4 | 실시예5 | 실시예6 |
| 음극 소재 | 마그네슘(Mg) | 마그네슘(Mg) | 마그네슘(Mg) |
| 음극 두께* | 100㎚ | 300㎚ | 500㎚ |
| 초기 용량[mAh/g] | 175 | 169 | 165 |
| 80% 용량 유지 충방전 횟수 | 81회 | 78회 | 73회 |
| 최종 용량유지율 | 80%(@81회) | 67%(@320회) | 67%(338회) |
* 표 2의 음극 두께는 음극 집전체를 제외한 두께를 의미함
도 4 및 표 2를 참조하면, 실시예4 내지 실시예6은 80%의 초기용량 유지율을 유지하는 충방전 횟수가 70회를 넘어간다. 특히, 실시예5 및 실시예6은 각각 320회 및 338회의 충방전을 하였을 때, 용량 유지율이 67% 이상으로 매우 우수한 수명 특성을 보였다.
이상으로 본 발명의 실험예 및 실시예에 대해 상세히 설명하였는바, 본 발명의 권리범위는 상술한 실험예 및 실시예에 한정되지 않으며, 다음의 특허청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 포함된다.
10: 양극
11: 양극 집전체
12: 양극 활물질층
20: 음극 21: 음극 집전체 22: 코팅층 22': 리튬 합금층
30: 고체전해질층
20: 음극 21: 음극 집전체 22: 코팅층 22': 리튬 합금층
30: 고체전해질층
Claims (11)
- 음극 집전체; 및
상기 음극 집전체 상에 위치하는 코팅층;을 포함하고,
상기 코팅층은 알칼리 토금속, 4족 내지 9족의 전이금속, 13족 금속 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 박막인 전고체 전지용 음극. - 제1항에 있어서,
상기 음극 집전체는 니켈, 스테인리스 스틸 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것인 전고체 전지용 음극. - 제1항에 있어서,
상기 코팅층은 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것인 전고체 전지용 음극. - 제1항에 있어서,
상기 코팅층은 두께가 50㎚ 내지 1,000㎚인 것인 전고체 전지용 음극. - 제1항에 있어서,
전지가 충전되면 상기 코팅층은 리튬과 합금화되는 것인 전고체 전지용 음극. - 양극; 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 음극; 상기 양극과 음극 사이에 위치하는 고체전해질층을 포함하고,
상기 고체전해질층이 상기 음극의 코팅층과 접하도록 적층되는 것인 전고체 전지. - 음극 집전체 상에 알칼리 토금속, 4족 내지 9족의 전이금속, 13족 금속 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 소스(Source)를 열증착법(thermal evaporation)으로 코팅하여 코팅층을 형성하는 것인 전고체 전지용 음극의 제조방법.
- 제7항에 있어서,
상기 코팅층은 알칼리 토금속, 4족 내지 9족의 전이금속, 13족 금속 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 박막인 전고체 전지용 음극의 제조방법. - 제7항에 있어서,
상기 음극 집전체는 니켈, 스테인리스 스틸 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것인 전고체 전지용 음극의 제조방법. - 제7항에 있어서,
상기 코팅층은 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것인 전고체 전지용 음극의 제조방법. - 제7항에 있어서,
상기 코팅층은 두께가 50㎚ 내지 1,000㎚인 것인 전고체 전지용 음극의 제조방법.
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| CN114628633A (zh) | 2022-06-14 |
| US20220190347A1 (en) | 2022-06-16 |
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