KR20220079642A - 반도체 기판 베벨 세정 - Google Patents

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KR20220079642A
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사라바나프리얀 스리라만
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램 리써치 코포레이션
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Abstract

기판 상에서 베벨 (bevel) 세정 프로세스를 수행하기 위한 시스템은 전극을 포함하는 기판 지지부 및 기판 지지부의 주변부 둘레에 배치된 복수의 플라즈마 바늘들 (plasma needles) 을 포함한다. 플라즈마 바늘들은 가스 전달 시스템과 유체로 연통하고 (in fluid communication), 기판이 기판 지지부 상에 배치될 때 가스 전달 시스템으로부터 기판의 베벨 영역으로 반응성 가스들을 공급하고 기판 지지부의 전극에 전기적으로 커플링되어 기판의 베벨 영역 둘레에 플라즈마를 생성하도록 구성된다.

Description

반도체 기판 베벨 세정
본 개시는 반도체 기판들의 베벨 (bevel) 및 후면 영역들로부터 증착물들을 세정하기 위한 시스템들 및 방법들에 관한 것이다.
본 명세서에 제공된 배경 기술의 기술 (description) 은 일반적으로 본 개시의 맥락을 제시하기 위한 목적이다. 출원 당시 종래 기술로서 달리 인정되지 않을 수도 있는 기술의 양태들 뿐만 아니라, 본 배경 기술 섹션에서 기술된 범위까지, 현재 명명된 발명자들의 업적은 본 개시에 대하여 선행 기술로서 명시적으로도 또는 묵시적으로도 인정되지 않는다.
기판 프로세싱 시스템들은 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상에 막을 증착하도록 사용될 수도 있다. 기판 프로세싱 시스템들은 통상적으로 반응 볼륨 (reaction volume) 을 규정하는 프로세싱 챔버를 포함한다. 페데스탈, 척 (chuck), 플레이트 등과 같은 기판 지지부는 프로세싱 챔버 내에 배치된다. 반도체 웨이퍼와 같은 기판은 기판 지지부 상에 배치될 수도 있다. ALD (atomic layer deposition) 동안, 하나 이상의 ALD 사이클들이 기판 상에 막을 증착하도록 수행된다. 플라즈마-기반 ALD에 대해, ALD 사이클 각각은 전구체 도즈 (dose), 퍼지, RF 플라즈마 도즈, 및 퍼지 단계들을 포함한다.
관련 출원들에 대한 교차 참조
본 출원은 2019 년 10 월 10 일 출원된 미국 가출원 번호 제 62/913,427 호의 이익을 주장한다. 상기 참조된 출원의 전체 개시는 참조로서 본 명세서에 인용된다.
기판 상에서 베벨 (bevel) 세정 프로세스를 수행하기 위한 시스템은 전극을 포함하는 기판 지지부 및 기판 지지부의 주변부 둘레에 배치된 복수의 플라즈마 바늘들 (plasma needles) 을 포함한다. 플라즈마 바늘들은 가스 전달 시스템과 유체로 연통하고 (in fluid communication), 기판이 기판 지지부 상에 배치될 때 가스 전달 시스템으로부터 기판의 베벨 영역으로 반응성 가스들을 공급하고 기판 지지부의 전극에 전기적으로 커플링되어 기판의 베벨 영역 둘레에 플라즈마를 생성하도록 구성된다.
다른 특징들에서, 시스템은 플라즈마가 기판의 베벨 영역 둘레에 생성되는 동안 기판 위에 퍼지 가스를 공급하도록 구성된 중앙 주입기를 더 포함한다. 복수의 플라즈마 바늘들은 기판 지지부 둘레의 N 개의 방위각 위치들 중 각각의 위치들에 배열된 N 개의 플라즈마 바늘들을 포함한다. N 개의 플라즈마 바늘들은 기판 지지부 둘레에 균일하게 이격된다. 기판 지지부는 회전하도록 구성된다. 기판 지지부는 플라즈마에 대한 베벨 영역의 상이한 부분들의 노출을 제어하기 위해 회전하도록 구성된다.
다른 특징들에서, 시스템은 기판 지지부를 회전시키도록 구성된 액추에이터를 더 포함한다. 시스템은 액추에이터를 사용하여 기판 지지부의 회전을 제어하도록 구성된 제어기를 더 포함한다. 제어기는 기판의 특성들을 나타내는 데이터에 기초하여 기판 지지부를 회전시키도록 구성된다. 복수의 플라즈마 바늘들은 M 개의 플라즈마 바늘들을 포함하고, 그리고 M 개의 플라즈마 바늘들은 기판 지지부 둘레의 N 개의 방위각 위치들 중 각각의 위치들에 배열된 N 개의 플라즈마 바늘들의 쌍을 포함한다.
기판 상에서 베벨 세정 프로세스를 수행하기 위한 시스템은 전극 및 기판 지지부의 주변부 둘레에 배치된 적어도 하나의 에지 전극 (edge electrode) 을 포함하는 기판 지지부를 포함한다. 에지 전극은 기판이 기판 지지부 상에 배치될 때 기판의 베벨 영역 둘레에 볼륨 (volume) 을 규정한다. 에지 전극은 가스 전달 시스템과 유체로 연통하고 그리고 에지 전극은 가스 전달 시스템으로부터 볼륨으로 반응성 가스들을 공급하고 볼륨 내에서 플라즈마를 생성하기 위해 전력을 수신하도록 구성된다.
다른 특징들에서, 시스템은 플라즈마가 볼륨 내에서 생성되는 동안 기판 위에 퍼지 가스를 공급하도록 구성된 중앙 주입기를 더 포함한다. 적어도 하나의 에지 전극은 기판 지지부 둘레의 N 개의 방위각 위치들 중 각각의 위치들에 배치된 N 개의 에지 전극들을 포함한다. N 개의 에지 전극들은 기판 지지부 둘레에 균일하게 이격된다. 기판 지지부는 회전하도록 구성된다. 기판 지지부는 플라즈마에 대한 베벨 영역의 상이한 부분들의 노출을 제어하기 위해 회전하도록 구성된다.
다른 특징들에서, 시스템은 기판 지지부를 회전시키도록 구성된 액추에이터를 더 포함한다. 시스템은 액추에이터를 사용하여 기판 지지부의 회전을 제어하도록 구성된 제어기를 더 포함한다. 제어기는 기판의 특성들을 나타내는 데이터에 기초하여 기판 지지부를 회전시키도록 구성된다. 에지 전극은 상부 전극 및 하부 전극을 포함하고 상부 전극은 볼륨 내에 플라즈마를 생성하기 위한 전력을 제공하도록 구성된 전력 소스에 연결된다.
다른 특징들에서, 상부 전극 및 하부 전극은 반경이 있다 (radiused). 에지 전극은 "U"-형상이다. 에지 전극은 반응성 가스들을 볼륨으로 공급하도록 구성된 가스 유입구 및 가스 유출구를 포함한다. 에지 전극은 상부 부분 및 하부 부분을 포함하고, 하부 부분은 상부 부분에 대해 이동 가능하도록 구성된다. 에지 전극은 기판 지지부를 둘러싸는 연속적인 환형 에지 전극에 대응한다.
본 개시의 추가 적용 가능 영역들은 상세한 기술, 청구항들 및 도면들로부터 자명해질 것이다. 상세한 설명 및 구체적인 예들은 단지 예시를 목적으로 의도되고 본 개시의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다.
본 개시는 상세한 기술 및 첨부된 도면들로부터 보다 완전히 이해될 것이다.
도 1은 본 개시에 따른 기판 프로세싱 시스템의 예의 기능적 블록도이다.
도 2a는 본 개시에 따른 기판 상에서 베벨 (bevel) 세정 프로세스를 수행하도록 구성된 예시적인 프로세싱 챔버이다.
도 2b는 도 2a의 프로세싱 챔버의 평면도이다.
도 3a는 본 개시에 따른 기판 상에서 베벨 세정 프로세스를 수행하도록 구성된 또 다른 예시적인 프로세싱 챔버이다.
도 3b는 본 개시에 따른 예시적인 에지 전극을 도시한다.
도 3c는 본 개시에 따른 또 다른 예시적인 에지 전극을 도시한다.
도 4는 본 개시에 따른 기판의 베벨 영역을 세정하기 위한 예시적인 방법의 단계들을 예시한다.
도면들에서, 참조 번호들은 유사하고 그리고/또는 동일한 엘리먼트들을 식별하기 위해 재사용될 수도 있다.
기판 상으로 막의 증착 동안, 증착은 또한 목표되는 기판의 상단 부분 이외의 위치들에서 발생할 수도 있다. 예를 들어, 증착은 기판의 후면 에지를 따라 발생할 수도 있다 (예를 들어, "후면 에지 증착"). 후면 에지 증착은 후속 프로세싱 동안 문제들을 유발할 수도 있다. 스페이서 적용 예들에서, 후면 에지 증착은 후속하는 리소그래피 단계들 동안 디포커싱 (defocusing) 문제들을 유발할 수도 있다.
또한, 기판의 에지 영역 (예를 들어, 최외곽 2 ㎜) 및/또는 베벨 영역은 후속하는 제작 단계들에서 사용되지 않을 수도 있다. 그러나, 원치 않는 막 증착은 또한 기판의 에지 영역 및 베벨 영역 상에서 발생할 수도 있다. 일부 예들에서, 입자들은 다른 프로세싱 단계들 동안 에지 영역 및 베벨 영역 상에 증착될 수도 있다. 증착된 막들 및 입자들은 후속 프로세싱 단계들 동안 다양한 문제들을 유발할 수도 있다. 예를 들어, 막들 및 입자들은 기판의 다른 영역들 상에 재증착될 (re-deposit) 수도 있고, 베벨 영역 내에 증착된 ILD (inter-level dielectric) 옥사이드는 콘택트 에칭 (contact etching) 동안 기판 상에 형성된 패턴들을 손상시킬 수 있고, 기판의 열적 처리들은 베벨 영역에 응력을 유발할 수 있는, 등이다.
일부 예들에서, 후면 에지 증착은 전구체 도즈 동안 기판의 후면으로 전구체의 플로우 (flow) 를 최소화하거나 제거함으로써 감소될 수도 있다. 다른 예들에서, 기판의 후면에 대한 플라즈마 랩 (plasma wrap) 은 최소화되거나 제거될 수도 있다. 또 다른 예들에서, 퍼지 가스 (예를 들어, 아르곤, 산소, 아산화 질소, 등) 는 기판의 후면 에지로 지향될 수도 있다. 그러나, 후면 에지, 에지 영역, 및/또는 베벨 영역 증착을 감소시키기 위해 퍼지 가스 또는 다른 메커니즘들을 사용할 때에도, 에지 및 베벨 영역 증착은 여전히 발생할 수도 있다.
세정 프로세스는 막 및 입자 증착물들을 제거하고 제품 수율 및 품질을 개선하기 위해 기판들 상에서 수행될 수도 있다. 일부 예들에서, 기판들은 세정 프로세스 챔버에서 2 개의 접지된 전극들 사이에 전력 공급된 하부 전극 (예를 들어, 페데스탈 또는 다른 기판 지지부) 상에 배치된다. 퍼지 가스 (예를 들어, 분자 질소, 또는 N2) 는 중앙 주입기를 통해 세정 프로세스 챔버 내로 흐르지만 반응성 가스들은 기판들의 에지 영역들을 향해 지향된다. RF (radio frequency) 전력은 에지 영역들로부터 증착된 막 및/또는 입자들을 에칭하고 제거하기 위해 에지 영역들에서 플라즈마를 생성하도록 제공된다. 단지 예를 들면, 제공된 RF 전력은 종래의 에칭 프로세스들에 대해 상대적으로 낮을 수도 있어서 (예를 들어, 10 내지 15 ㎒에서 300 내지 600 W), 전력 효율을 감소시킨다. 또한, 기판으로의 비최적 (non-optimal) 전력 커플링 경로는 세정 프로세스 동안 하부 전극으로부터 재료들의 스퍼터링 (sputtering) 을 유발할 수도 있다.
본 개시의 원리들에 따른 시스템들 및 방법들은 에칭 및 증착 프로세스들을 포함하는 개선된 베벨 프로세싱을 구현한다. 예를 들어, 베벨 에칭 프로세스는 기판들의 에지/베벨 영역들로부터 증착된 막들 및 입자들의 개선된 세정을 제공한다. 일 예에서, 하나 이상의 플라즈마 바늘들 (plasma needles) 또는 제트들 (jets) 은 기판 지지부의 주변부 둘레에 배치된다. RF 바이어스 전력이 바늘들을 사용하여 플라즈마를 생성하도록 기판 지지부에 제공되는 동안 하나 이상의 반응성 가스들 (예를 들어, 아르곤 (Ar), 황 헥사플루오 라이드 (SF6), 탄소 테트라플루오로메탄 (CF4), 질소 트리플루오라이드 (NF3), 분자 산소 (O2), 분자 질소 (N2), 분자 수소 (H2), 탄소 이산화물 (CO2), 할로겐들 예컨대 염소 (Cl2) 및 수소 브로마이드 (HBr), 등) 은 플라즈마 바늘들 (plasma needles) 을 통해 제공된다. 예를 들어, 기판 지지부에 인가된 네거티브 바이어스는 기판의 에지/베벨 영역으로 이온들을 끌어당긴다. 동일하거나 상이한 반응성 가스들이 각각의 플라즈마 바늘들을 통해 공급될 수도 있고, 그리고/또는 반응성 가스들은 각각의 플라즈마 바늘들을 통해 동일하거나 상이한 레이트들로 공급될 수도 있다. 일부 예들에서, 퍼지 가스는 중심 주입기로부터 제공될 수도 있다. 플라즈마 바늘들은 커플링이 기판의 에지/베벨 영역에서만 발생하도록 배치된다.
일부 예들에서, 플라즈마 바늘들은 기판 지지부 둘레에 방위각으로 배치되고 기판 지지부는 에지/베벨 영역의 부분들을 플라즈마 바늘들에 의해 생성된 플라즈마에 균일하게 노출시키기 위해 회전하도록 구성된다. 기판 지지부의 회전 속도 및 플라즈마 바늘들의 수는 기판의 에지/베벨 영역에서 에칭 레이트 및 증착 레이트들을 제어하도록 선택될 수도 있다.
또 다른 예에서, 하나 이상의 에지 전극들은 에지/베벨 영역의 각각의 부분들을 둘러싸도록 제공된다. 예를 들어, 복수의 에지 전극들은 기판 지지부 둘레에 방위각으로 배치될 수도 있고 기판 지지부는 선택 가능하게 회전된다. 대안적으로, 단일의 연속적인 에지 전극은 에지/베벨 영역을 둘러싸도록 배치된다. 하나 이상의 반응성 가스들은 에지 전극들을 통해 제공되고 퍼지 가스는 중심 주입기로부터 제공될 수도 있다. RF 전력은 플라즈마를 생성하도록 에지 전극들에 제공된다. RF 바이어스 전력은 기판 지지부에 제공될 수도 있고 또는 기판 지지부는 플로팅되거나 (float) 접지될 수도 있다. 이에 따라 기판 상에 생성된 네거티브 DC 바이어스는 에지/베벨 영역으로 이온들을 끌어 당긴다.
에지/베벨 영역을 에칭하는 것에 대해 이하에 기술되지만, 본 개시의 원리들은 또한 에지/베벨 영역 상에 막들을 증착하는 것과 같은 다른 베벨 프로세싱을 수행하도록 구현될 수도 있다. 예를 들어, 상기 기술된 바와 같이 반응성 가스들을 공급하는 대신, 플라즈마 바늘들은 에지/베벨 영역 상에 막을 증착하기 위해 증착 전구체들 (예를 들어, 실란 (SiH4) 및/또는 다른 증착 전구체들) 을 제공하도록 제어될 수도 있다. 막 증착에 후속하여, 하나 이상의 반응성 (즉, 에칭) 가스들이 증착된 막을 에칭하도록 제공될 수도 있다. 따라서, 본 개시에 기술된 베벨 프로세싱은 에지/베벨 영역을 에칭하는 것, 에지/베벨 영역 상에 증착하는 것, 및 이들의 조합을 포함할 수도 있다.
이제 도 1을 참조하면, 기판 (108) 의 에지/베벨 영역으로부터 증착된 막들 및/또는 입자들을 제거하기 위한 세정 프로세스를 수행하도록 구성된 프로세싱 챔버 (104) 를 포함하는 예시적인 기판 프로세싱 시스템 (100) 이 도시된다. 간략함을 위해, 증착된 막들 및/또는 입자들은 "재료들"로 지칭될 수도 있고 에지/베벨 영역은 본 명세서에서 베벨 또는 베벨 영역으로 지칭될 수도 있다. 프로세스 가스들은 중앙 주입기, 샤워헤드, 또는 다른 디바이스와 같은 가스 분배 디바이스 (112) 를 사용하여 프로세싱 챔버 (104) 에 공급될 수도 있다. 기판 (108) 은 프로세싱 동안 기판 지지부 (116) 상에 배치될 수도 있다. 기판 지지부 (116) 는 페데스탈, 정전 척 (electrostatic chuck), 기계적 척 또는 다른 타입의 기판 지지부를 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 기판 지지부는 회전하도록 구성될 수도 있다.
가스 전달 시스템 (120) 은 하나 이상의 가스 소스들 (122-1, 122-2, …, 및 122-N) (집합적으로 가스 소스들 (122) 로서 지칭됨) 을 포함하고, 여기서 N은 1보다 큰 정수이다. 밸브들 (124-1, 124-2, …, 및 124-N) (집합적으로 밸브들 (124) 로서 지칭됨), 질량 유량 제어기들 (mass flow controllers) (126-1, 126-2, …, 126-N) (집합적으로 질량 유량 제어기들 (126) 로서 지칭됨), 또는 다른 플로우 제어 디바이스들은 전구체 도즈, 플라즈마 가스 혼합물, 불활성 가스들, 퍼지 가스들, 및 이들의 혼합물들을 가스 혼합물을 프로세싱 챔버 (104) 에 공급하는 매니폴드 (130) 로 제어 가능하게 공급하도록 사용될 수도 있다. 도시된 바와 같이, 가스 혼합물이 가스 분배 디바이스 (112) 를 통해 프로세싱 챔버 (104) 에 공급되지만, 이하에 보다 상세히 기술된 본 개시의 원리들에 따라 가스 혼합물은 또한 하나 이상의 플라즈마 바늘들, 에지 전극들 (edge electrodes) (도 1에는 미도시) 등에 공급될 수도 있다.
제어기 (140) 는 (예를 들어, 센서들 (144) 을 사용하여) 온도, 압력 등과 같은 프로세스 파라미터들을 모니터링하고 프로세스 타이밍을 제어하도록 사용될 수도 있다. 제어기 (140) 는 가스 전달 시스템 (120), RF 플라즈마 생성기 (148), RF 바이어스 전력 소스 (152) 등과 같은 프로세스 디바이스들을 제어하도록 사용될 수도 있다. RF 바이어스 전력 소스 (152) 에 연결된 것으로 도시되었지만, 다른 예들에서 기판 지지부 (116) (하부 전극으로서 기능할 수도 있음) 는 플로팅하거나 (float) 접지에 연결될 수도 있다. 제어기 (140) 는 또한 밸브 (156) 및 펌프 (160) 를 사용하여 프로세싱 챔버 (104) 를 배기하도록 사용될 수도 있다. 일부 예들에서, 제어기 (140) 는 기판 지지부 (116) 를 선택적으로 회전시키도록 액추에이터 (164) 를 제어할 수도 있다.
RF 플라즈마 생성기 (148) 는 프로세싱 챔버 (104) 내에서 RF 플라즈마를 생성한다. RF 플라즈마 생성기 (148) 는 유도성-타입 또는 용량성-타입의 RF 플라즈마 생성기일 수도 있다. 일부 예들에서, RF 플라즈마 생성기 (148) 는 RF 공급부 (168) 및 매칭 및 분배 네트워크 (172) 를 포함할 수도 있다. 도시된 바와 같이 RF 플라즈마 생성기 (148) 는 프로세싱 챔버 (104) 내에서 플라즈마를 생성하도록 가스 분배 디바이스 (112) 에 RF 전력을 제공한다. 다른 예들에서, RF 플라즈마 생성기 (148) 는 또한 이하에 보다 상세히 기술된 바와 같이 에지 전극에 전력을 제공하도록 구성될 수도 있다.
이제 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 개시에 따른 기판 (204) 상에서 베벨 세정 프로세스를 수행하도록 구성된 예시적인 프로세싱 챔버 (200) 가 보다 상세히 도시된다. 기판 (204) 은 도 2b에서 평면도로 도시된다. 이 예에서, 프로세싱 챔버 (200) 는 플라즈마 바늘들 (208) 과 같은 하나 이상의 베벨 세정 가스 주입기들을 포함한다. 기판 (204) 은 기판 지지부 (212) 상에 배치되고 플라즈마 바늘들 (208) 은 기판 (204) 의 주변부 둘레에 방위각으로 (예를 들어, N 개의 위치들에) 배치된다. 도시된 바와 같이, N = 4이다. 플라즈마 바늘들 (208) 은 (도시된 바와 같이) 프로세싱 챔버 (200) 의 벽을 통해 연장하도록 배치될 수도 있고 또는 프로세싱 챔버 (200) 내에 전체적으로 배치될 수도 있다.
보다 구체적으로, 플라즈마 바늘들 (208) 은 기판 (204) 의 베벨 영역 (216) 둘레에 배치된다. 예를 들어, 플라즈마 바늘들 (208) 은 플라즈마 바늘들 (208) 의 단부들 (220) 이 베벨 영역 (216) 으로 지향하도록 위치된다. 일부 예들 (도시된 바와 같음) 에서, 2 개의 플라즈마 바늘들 (208) 은 N 개의 위치들 중 동일한 위치에 배치된다. 다른 예들에서, 플라즈마 바늘들 (208) 중 하나만이 N 개의 위치들 각각에 제공될 수도 있다.
하나 이상의 반응성 가스들이 (예를 들어, 도 1에 기술된 바와 같은 가스 전달 시스템 (120) 과 같은 가스 전달 시스템을 통해) 플라즈마 바늘들 (208) 에 공급된다. RF 바이어스 전력이 기판 지지부 (212) 에 제공되는 동안 반응성 가스들은 플라즈마 바늘 (208) 의 단부들 (220) 로부터 기판 (204) 의 베벨 영역 (216) 을 향해 흐른다. 예를 들어, 기판 지지부 (212) 는 유전체 (232) 내에 둘러싸인 전도성 (예를 들어, 금속) 전극 (228) 을 포함할 수도 있다. RF 바이어스 전력은 (예를 들어, RF 바이어스 전력 소스 (236) 를 사용하여) 전극 (228) 에 공급된다. 플라즈마 바늘들 (208) 은 플라즈마 바늘들 (208) 과 전극 (228) 사이의 커플링이 기판 (204) 의 베벨 영역 (216) 에서만 발생하도록 배치된다. 또한, 퍼지 가스는 (예를 들어, 중앙 주입기 (244) 를 사용하여) 기판 지지부 (212) 위의 볼륨 (volume) (240) 내로 공급될 수도 있다. 따라서, 플라즈마는 베벨 영역 (216) 으로부터 재료를 세정 (예를 들어, 에칭) 하도록 플라즈마 바늘들 (208) 의 단부들 (220) 과 베벨 영역 (216) 사이의 영역 (248) 에서 생성된다 (그리고 이에 제한됨). 플라즈마 바늘들 (208) 의 수 N, 기판 (204) 의 수평 배향 (orientation) 에 대한 플라즈마 바늘들 (208) 의 각도들 (예를 들어, 동일하거나 상이할 수도 있는 θ1 및 θ2) 등은 플라즈마에 대한 베벨 영역 (216) 의 노출을 제어하기 위해 선택될 수도 있고 그리고/또는 조정될 수도 있다.
일부 예들에서, 기판 지지부 (212) 는 영역 (248) 에서 생성된 플라즈마에 대한 베벨 영역 (216) 의 상이한 부분들의 노출을 제어하기 위해 회전하도록 구성된다. 기판 지지부 (212) 의 회전 속도는 베벨 영역 (216) 에서 에칭 (및/또는 증착) 레이트들을 제어하도록 선택될 수도 있다. 예를 들어, 기판 지지부 (212) 는 제어기 (예를 들어, 제어기 (140)) 로부터의 명령들에 응답하여 회전하도록 구성될 수도 있다. 제어기 (140) 는 베벨 세정 프로세스 동안 플라즈마에 베벨 영역 (216) 의 부분들을 균일하게 노출시키기 위해 기판 지지부 (212) 를 회전시키도록 구성될 수도 있다. 대안적으로, 제어기 (140) 는 베벨 세정 프로세스 동안 보다 크거나 보다 적은 기간들 동안 베벨 영역 (216) 의 선택된 부분들을 플라즈마에 노출시키기 위해 기판 지지부 (212) 를 회전시키도록 구성될 수도 있다 (예를 들어, 특정한 기판의 특성들을 나타내는 데이터, 기판 (204) 상에서 수행된 이전 프로세스 단계들의 결과들 등에 따름). 이에 따라, 베벨 세정 프로세스 동안 플라즈마에 대한 베벨 영역 (216) 의 각각의 부분들의 노출은 균일하거나 불균일할 수도 있다.
이제 도 3a, 도 3b 및 도 3c를 참조하면, 본 개시에 따른 기판 (304) 상에서 베벨 세정 프로세스를 수행하도록 구성된 또 다른 예시적인 프로세싱 챔버 (300) 가 보다 상세히 도시된다. 이 예에서, 프로세싱 챔버 (300) 는 베벨 세정 가스 주입기들로서 기능하는 하나 이상의 에지 전극들 (308) 을 포함한다. 기판 (304) 은 기판 지지부 (312) 상에 배치된다. 프로세싱 챔버 (300) 가 둘 이상의 에지 전극들 (308) 을 포함하는 예들에서, 에지 전극들 (308) 은 상기 도 2a 및 도 2b에서 기술된 바와 같이 플라즈마 바늘들 (208) 의 배치와 유사하게 기판 (304) 의 주변부 둘레에 방위각으로 배치될 수도 있다 (예를 들어, N 개의 위치들에).
따라서, 에지 전극들 (308) 은 기판 (304) 의 베벨 영역 (316) 둘레에 배치된다. 예를 들어, 에지 전극들 (308) 은 베벨 영역 (316) 을 부분적으로 둘러싸도록 위치된다. 예를 들어, 베벨 영역 (316) 은 에지 전극들 (308) 내에 규정된 볼륨 (320) 내로 연장한다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 에지 전극들 (308) 은 볼륨 (320) 을 규정하는 일반적으로 직사각형의, "U"-형상 단면을 갖는다. 에지 전극들 (308) 각각은 바디 (324), 상부 전극 (328), 및 하부 전극 (332) 을 포함할 수도 있다. 단지 예를 들면, 바디 (324) 는 유전체 재료를 포함할 수도 있고 상부 전극 (328) 및 하부 전극 (332) 은 전도성이다. 상부 전극 (328) 및 하부 전극 (332) 은 베벨 영역 (316) 과 콘택트하지 않는다. RF 전력 소스 (336) 는 RF 전력 (예를 들어, 포지티브 전압으로서) 을 상부 전극 (328) 에 제공한다. 하부 전극 (332) 은 접지되거나 네거티브 전압에 연결될 수도 있다.
하나 이상의 반응성 가스들은 (예를 들어, 도 1에 기술된 바와 같은 가스 전달 시스템 (120) 과 같은 가스 전달 시스템을 통해) 에지 전극들 (308) 에 공급된다. RF 전력이 상부 전극 (328) 에 제공되는 동안 반응성 가스들은 하나 이상의 노즐들 (340) 로부터 볼륨 (320) 내로 흐른다. 기판 지지부 (312) 는 유전체 (348) 내에 둘러싸인 전도성 (예를 들어, 금속) 전극 (344) 을 포함할 수도 있고 기판 지지부 (312) 는 플로팅하거나 전력 공급될 수도 있다. 또한, 퍼지 가스는 (예를 들어, 중앙 주입기 (356) 를 사용하여) 기판 지지부 (312) 위의 볼륨 (352) 내로 공급될 수도 있다. 따라서, 플라즈마는 베벨 영역 (316) 으로부터 재료를 세정하기 위해 에지 전극들 (308) 내의 볼륨 (320) 내에서 생성된다 (그리고 이에 제한됨). 에지 전극들의 수 N은 플라즈마에 대한 베벨 영역 (316) 의 노출을 제어하기 위해 선택 및/또는 조정될 수도 있다.
일부 예들에서, 기판 지지부 (312) 는 볼륨 (320) 내에서 생성된 플라즈마에 대한 베벨 영역 (316) 의 상이한 부분들의 노출을 제어하기 위해 회전하도록 구성된다. 기판 지지부 (312) 의 회전 속도는 베벨 영역 (316) 에서 에칭 (및/또는 증착) 레이트들을 제어하도록 선택될 수도 있다. 예를 들어, 기판 지지부 (312) 는 제어기 (예를 들어, 제어기 (140)) 로부터의 명령들에 응답하여 회전하도록 구성될 수도 있다. 제어기 (140) 는 베벨 세정 프로세스 동안 플라즈마에 베벨 영역 (316) 의 부분들을 균일하게 노출시키기 위해 기판 지지부 (312) 를 회전시키도록 구성될 수도 있다. 대안적으로, 제어기 (140) 는 베벨 세정 프로세스 동안 보다 크거나 보다 적은 기간들 동안 베벨 영역 (316) 의 선택된 부분들을 플라즈마에 노출시키기 위해 기판 지지부 (312) 를 회전시키도록 구성될 수도 있다 (예를 들어, 특정한 기판의 특성들을 나타내는 데이터, 기판 (304) 상에서 수행된 이전 프로세스 단계들의 결과들 등에 따름). 이에 따라, 베벨 세정 프로세스 동안 플라즈마에 대한 베벨 영역 (316) 의 각각의 부분들의 노출은 균일하거나 불균일할 수도 있다.
도 3b는 에지 전극 (308) 의 또 다른 예를 도시한다. 이 예에서, 에지 전극 (308) 은 도 3a에 도시된 바와 같은 직사각형이 아니다. 대신, 상부 전극 (328) 및 하부 전극 (332) 은 반경이 있다 (radiused). 다른 예들에서, 에지 전극 (308) 은 볼륨 (320) 을 규정하는 다른 적합한 형상들을 가질 수도 있다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 에지 전극 (308) 은 (예를 들어, 노즐들 (340) 대신) 하나 이상의 가스 유입구들 (360) 및 가스 유출구 (364) 를 포함할 수도 있다. 반응성 가스들은 가스 유입구들 (360) 을 통해 볼륨 (320) 에 공급된다. 반대로, 반응성 가스들은 가스 유출구 (364) 를 통해 볼륨 (320) 을 나간다.
일부 예들에서, 에지 전극 (308) 은 기판 지지부 (312) 를 둘러싸는 단일의, 연속적인 환형 에지 전극에 대응할 수도 있다. 이들 예들에서, 기판 지지부 (312) 를 회전시키는 단계는 볼륨 (320) 내 플라즈마에 대한 베벨 영역 (316) 의 균일한 노출을 달성하기 위해 요구되지 않을 수도 있다. 또한, 에지 전극 (308) 은 상부 부분 (368) 및 하부 부분 (372) 을 포함할 수도 있다. 상부 부분 (368) 은 프로세싱 챔버 (300) 의 상부 표면 또는 다른 구조체에 고정적으로 부착될 수도 있는 한편, 하부 부분 (372) 은 상승 및 하강될 수도 있다. 예를 들어, 하부 부분 (372) 은 기판 (304) 의 기판 지지부 (312) 로의 이송을 용이하게 하도록 하강될 수도 있고 기판 (304) 이 제자리에 있을 때 베벨 영역 (316) 을 둘러싸도록 상승될 수도 있다. 단지 예를 들면, 하부 부분 (372) 은 하나 이상의 리프트 핀들 (376) 을 사용하여 상승 및 하강될 수도 있다.
이제 도 4를 참조하면, 기판의 베벨 영역을 세정하기 위한 예시적인 방법 (400) 이 (404) 에서 시작된다. (408) 에서, 기판은 기판 지지부 상에 배치된다. 일부 예들에서, 기판 지지부 상에 기판을 배치하는 단계는 에지 전극의 하부 부분을 하강시키는 단계, 기판 지지부 상에 기판을 배치하는 단계, 및 상기 기술된 바와 같이 베벨 영역을 둘러싸도록 하부 부분을 상승시키는 단계를 포함한다. (412) 에서, 퍼지 가스는 기판 위의 볼륨으로 제공된다. (416) 에서, 반응성 가스들은 플라즈마 바늘들 (208) 또는 에지 전극들 (308) 과 같은 하나 이상의 베벨 세정 가스 주입기들에 제공된다.
(420) 에서, RF 전력은 베벨 영역 둘레의 영역에서 플라즈마를 생성하도록 제공된다. 예를 들어, RF 전력은 기판 지지부의 전극, 에지 전극의 하나 이상의 전극들 등에 제공될 수도 있다. (424) 에서, 기판 지지부는 선택 가능하게 회전된다. (428) 에서, 방법 (400) 은 베벨 세정 프로세스가 완료되었는지 여부를 결정한다. 예를 들어, 제어기 (예를 들어, 제어기 (140)) 는 미리 결정된 기간, 기판 지지부의 미리 결정된 회전 수 등 동안 베벨 세정 프로세스를 계속하도록 구성될 수도 있다. 참이면, 방법 (400) 은 (432) 에서 종료한다. 거짓이면, 방법 (400) 은 플라즈마를 계속해서 생성하고 베벨 영역을 세정하기 위해 (420) 으로 계속된다. 베벨 영역을 세정하는 것에 대해 상기 기술되었지만, 다른 예들에서 유사한 방법이 베벨 영역 상에 재료를 증착하도록 사용될 수 있다.
전술한 기술 (description) 은 본질적으로 단지 예시적이고 본 개시, 이의 적용, 또는 사용들을 제한하도록 의도되지 않는다. 본 개시의 광범위한 교시들은 다양한 형태들로 구현될 수 있다. 따라서, 본 개시가 특정한 예들을 포함하지만, 본 개시의 진정한 범위는 도면들, 명세서, 및 이하의 청구항들의 연구시 자명해질 것이기 때문에 그렇게 제한되지 않아야 한다. 방법 내의 하나 이상의 단계들은 본 개시의 원리들을 변경하지 않고 상이한 순서로 (또는 동시에) 실행될 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 실시 예들 각각이 특정한 특징들을 갖는 것으로 상기 기술되었지만, 본 개시의 임의의 실시 예에 대해 기술된 임의의 하나 이상의 이들 특징들은, 임의의 다른 실시 예들의 특징들로 구현될 수 있고 그리고/또는 조합이 명시적으로 기술되지 않더라도 결합될 수 있다. 즉, 기술된 실시 예들은 상호 배타적이지 않고, 서로에 대한 하나 이상의 실시 예들의 치환들은 본 개시의 범위 내에 있다.
엘리먼트들 사이 (예를 들어, 모듈들, 회로 엘리먼트들, 반도체 층들 등 사이) 의 공간적 및 기능적 관계들은 "연결된", "인게이지된 (engaged)", "커플링된", "인접한 (adjacent)", "옆에 (next to)", "상에 (on top of)", "위에", "아래에" 그리고 "배치된 (disposed)"을 포함하는, 다양한 용어들을 사용하여 기술된다. 상기 개시에서 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이의 관계가 기술될 때 "직접적인" 것으로 명시적으로 기술되지 않는 한, 이 관계는 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이에 다른 중개 엘리먼트가 존재하지 않는 직접적인 관계일 수 있지만, 또한 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이에 하나 이상의 중개 엘리먼트들이 (공간적으로 또는 기능적으로 중 어느 하나로) 존재하는 간접적인 관계일 수 있다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 구 A, B 및 C 중 적어도 하나는 비배타적인 논리 OR를 사용하는 논리 (A OR B OR C) 를 의미하도록 해석되어야 하고, "적어도 하나의 A, 적어도 하나의 B, 및 적어도 하나의 C"를 의미하는 것으로 해석되지 않아야 한다.
일부 구현 예들에서, 제어기는 상기 기술된 예들의 일부일 수도 있는 시스템의 일부이다. 이러한 시스템들은, 프로세싱 툴 또는 툴들, 챔버 또는 챔버들, 프로세싱용 플랫폼 또는 플랫폼들, 및/또는 특정 프로세싱 컴포넌트들 (웨이퍼 기판 지지부, 가스 플로우 시스템, 등) 을 포함하는, 반도체 프로세싱 장비를 포함할 수 있다. 이들 시스템들은 반도체 웨이퍼 또는 기판의 프로세싱 이전에, 프로세싱 동안에 그리고 프로세싱 이후에 그들의 동작을 제어하기 위한 전자장치와 통합될 수도 있다. 전자장치들은 시스템 또는 시스템들의 다양한 컴포넌트들 또는 하위부분들을 제어할 수도 있는 "제어기"로서 지칭될 수도 있다. 제어기는, 시스템의 프로세싱 요건들 및/또는 타입에 따라서, 프로세싱 가스들의 전달, 온도 설정사항들 (예를 들어, 가열 및/또는 냉각), 압력 설정사항들, 진공 설정사항들, 전력 설정사항들, 무선 주파수 (RF) 생성기 설정사항들, RF 매칭 회로 설정사항들, 주파수 설정사항들, 플로우 레이트 설정사항들, 유체 전달 설정사항들, 위치 및 동작 설정사항들, 툴 및 다른 이송 툴들 및/또는 특정 시스템과 연결되거나인터페이싱된 로드록들 내외로의 웨이퍼 이송들을 포함하는, 본 명세서에 개시된 프로세스들 중 임의의 프로세스들을 제어하도록 프로그래밍될 수도 있다.
일반적으로 말하면, 제어기는 인스트럭션들을 수신하고, 인스트럭션들을 발행하고, 동작을 제어하고, 세정 동작들을 인에이블하고, 엔드 포인트 측정들을 인에이블하는, 등을 하는 다양한 집적 회로들, 로직, 메모리, 및/또는 소프트웨어를 갖는 전자장치로서 규정될 수도 있다. 집적 회로들은 프로그램 인스트럭션들을 저장하는 펌웨어의 형태의 칩들, 디지털 신호 프로세서들 (DSP), ASICs (Application Specific Integrated Circuits) 로서 규정되는 칩들, 및/또는 프로그램 인스트럭션들 (예를 들어, 소프트웨어) 을 실행하는 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 마이크로제어기들을 포함할 수도 있다. 프로그램 인스트럭션들은 반도체 웨이퍼 상에서 또는 반도체 웨이퍼에 대한 특정 프로세스를 실행하기 위한 동작 파라미터들을 규정하는, 다양한 개별 설정사항들 (또는 프로그램 파일들) 의 형태로 제어기로 또는 시스템으로 전달되는 인스트럭션들일 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 동작 파라미터들은 하나 이상의 층들, 재료들, 금속들, 산화물들, 실리콘, 실리콘 이산화물, 표면들, 회로들, 및/또는 웨이퍼의 다이들의 제조 동안에 하나 이상의 프로세싱 단계들을 달성하도록 프로세스 엔지니어들에 의해서 규정된 레시피의 일부일 수도 있다.
제어기는, 일부 구현 예들에서, 시스템과 통합되거나, 시스템에 커플링되거나, 이와 달리 시스템에 네트워킹되거나, 또는 이들의 조합으로 될 수 있는 컴퓨터에 커플링되거나 이의 일부일 수도 있다. 예를 들면, 제어기는 웨이퍼 프로세싱의 원격 액세스를 인에이블할 수 있는 팹 (fab) 호스트 컴퓨터 시스템의 전부 또는 일부이거나 "클라우드" 내에 있을 수도 있다. 컴퓨터는 제조 동작들의 현 진행을 모니터링하고, 과거 제조 동작들의 이력을 조사하고, 복수의 제조 동작들로부터 경향들 (trends) 또는 성능 계측치들을 조사하고, 현 프로세싱의 파라미터들을 변경하고, 현 프로세싱을 따르는 프로세싱 단계들을 설정하고, 또는 새로운 프로세스를 시작하기 위해서 시스템으로의 원격 액세스를 인에이블할 수도 있다. 일부 예들에서, 원격 컴퓨터 (예를 들어, 서버) 는 로컬 네트워크 또는 인터넷을 포함할 수도 있는 네트워크를 통해 프로세스 레시피들을 시스템에 제공할 수 있다. 원격 컴퓨터는 차후에 원격 컴퓨터로부터 시스템으로 전달될 파라미터들 및/또는 설정사항들의 입력 또는 프로그래밍을 인에이블하는 사용자 인터페이스를 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 제어기는 하나 이상의 동작들 동안 수행될 프로세싱 단계들 각각에 대한 파라미터들을 특정하는, 데이터의 형태의 인스트럭션들을 수신한다. 파라미터들은 수행될 프로세스의 타입 및 제어기가 인터페이싱하거나 제어하도록 구성된 툴의 타입에 특정적일 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서, 상기 기술된 바와 같이, 제어기는 예를 들어, 함께 네트워킹되고 공통 목적, 예컨대 본 명세서에 기술된 프로세스들 및 제어들을 향해 작동하는 하나 이상의 개별 제어기들을 포함함으로써 분산될 수도 있다. 이러한 목적들을 위한 분산형 제어기의 예는 챔버 상의 프로세스를 제어하도록 결합하는 (예를 들어, 플랫폼 레벨에서 또는 원격 컴퓨터의 일부로서) 원격으로 위치된 하나 이상의 집적 회로들과 통신하는 챔버 상의 하나 이상의 집적 회로들일 것이다.
비한정적으로, 예시적인 시스템들은 플라즈마 에칭 챔버 또는 모듈, 증착 챔버 또는 모듈, 스핀-린스 챔버 또는 모듈, 금속 도금 챔버 또는 모듈, 세정 챔버 또는 모듈, 베벨 에지 에칭 챔버 또는 모듈, 물리적 기상 증착 (Physical Vapor Deposition; PVD) 챔버 또는 모듈, 화학적 기상 증착 (Chemical Vapor Deposition; CVD) 챔버 또는 모듈, 원자 층 증착 (atomic layer deposition; ALD) 챔버 또는 모듈, 원자 층 에칭 (atomic layer etch; ALE) 챔버 또는 모듈, 이온 주입 챔버 또는 모듈, 트랙 (track) 챔버 또는 모듈, 및 반도체 웨이퍼들의 제조 및/또는 제작 시에 사용되거나 연관될 수도 있는 임의의 다른 반도체 프로세싱 시스템들을 포함할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 툴에 의해서 수행될 프로세스 단계 또는 단계들에 따라서, 제어기는, 반도체 제작 공장 내의 툴 위치들 및/또는 로드 포트들로부터 그리고 툴 위치들 및/또는 로드 포트들로 웨이퍼들의 컨테이너들을 이동시키는 재료 이송 시에 사용되는, 다른 툴 회로들 또는 모듈들, 다른 툴 컴포넌트들, 클러스터 툴들, 다른 툴인터페이스들, 인접 툴들, 이웃하는 툴들, 공장 도처에 위치한 툴들, 메인 컴퓨터, 또 다른 제어기, 또는 툴들 중 하나 이상과 통신할 수도 있다.

Claims (25)

  1. 기판 상에서 베벨 (bevel) 세정 프로세스를 수행하기 위한 시스템에 있어서,
    전극을 포함하는 기판 지지부; 및
    상기 기판 지지부의 주변부 둘레에 배치된 복수의 플라즈마 바늘들 (plasma needles) 을 포함하고, 상기 플라즈마 바늘들은 가스 전달 시스템과 유체로 연통하고 (in fluid communication), (i) 기판이 상기 기판 지지부 상에 배치될 때 상기 가스 전달 시스템으로부터 상기 기판의 베벨 영역으로 반응성 가스들을 공급하고 그리고 (ii) 상기 기판 지지부의 상기 전극에 전기적으로 커플링되고 상기 기판의 상기 베벨 영역 둘레에 플라즈마를 생성하도록 구성되는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마가 상기 기판의 상기 베벨 영역 둘레에 생성되는 동안 상기 기판 위에 퍼지 가스를 공급하도록 구성된 중앙 주입기를 더 포함하는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 플라즈마 바늘들은 상기 기판 지지부 둘레의 N 개의 방위각 위치들 중 각각의 위치들에 배치된 N 개의 플라즈마 바늘들을 포함하는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 N 개의 플라즈마 바늘들은 상기 기판 지지부 둘레에 균일하게 이격되는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 회전하도록 구성되는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 상기 플라즈마에 대한 상기 베벨 영역의 상이한 부분들의 노출을 제어하기 위해 회전하도록 구성되는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판 지지부를 회전시키도록 구성된 액추에이터 (actuator) 를 더 포함하는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 액추에이터를 사용하여 상기 기판 지지부의 회전을 제어하도록 구성된 제어기를 더 포함하는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 기판의 특성들을 나타내는 데이터에 기초하여 상기 기판 지지부를 회전시키도록 구성되는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 플라즈마 바늘들은 M 개의 플라즈마 바늘들을 포함하고, 그리고 상기 M 개의 플라즈마 바늘들은 상기 기판 지지부 둘레의 N 개의 방위각 위치들 중 각각의 위치들에 배치된 N 개의 상기 플라즈마 바늘들의 쌍들을 포함하는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  11. 기판 상에서 베벨 (bevel) 세정 프로세스를 수행하기 위한 시스템에 있어서,
    전극을 포함하는 기판 지지부; 및
    상기 기판 지지부의 주변부 둘레에 배치된 적어도 하나의 에지 전극 (edge electrode) 을 포함하고, 상기 에지 전극은 기판이 상기 기판 지지부 상에 배치될 때 상기 기판의 베벨 영역 둘레에 볼륨 (volume) 을 규정하고, 상기 에지 전극은 가스 전달 시스템과 유체로 연통하고, 그리고 상기 에지 전극은 (i) 상기 가스 전달 시스템으로부터 상기 볼륨으로 반응성 가스들을 공급하고 그리고 (ii) 상기 볼륨 내에서 플라즈마를 생성하기 위해 전력을 수신하도록 구성되는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 플라즈마가 상기 볼륨 내에서 생성되는 동안 상기 기판 위에 퍼지 가스를 공급하도록 구성된 중앙 주입기를 더 포함하는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 에지 전극은 상기 기판 지지부 둘레의 N 개의 방위각 위치들 중 각각의 위치들에 배치된 N 개의 에지 전극들을 포함하는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 N 개의 에지 전극들은 상기 기판 지지부 둘레에 균일하게 이격되는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 회전하도록 구성되는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 상기 플라즈마에 대한 상기 베벨 영역의 상이한 부분들의 노출을 제어하기 위해 회전하도록 구성되는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 기판 지지부를 회전시키도록 구성된 액추에이터를 더 포함하는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 액추에이터를 사용하여 상기 기판 지지부의 회전을 제어하도록 구성된 제어기를 더 포함하는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 기판의 특성들을 나타내는 데이터에 기초하여 상기 기판 지지부를 회전시키도록 구성되는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  20. 제 11 항에 있어서,
    상기 에지 전극은 상부 전극 및 하부 전극을 포함하고, 그리고 상기 상부 전극은 상기 볼륨 내에서 상기 플라즈마를 생성하기 위해 상기 전력을 제공하도록 구성된 전력 소스에 연결되는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 상부 전극 및 상기 하부 전극은 반경이 있는 (radiused), 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  22. 제 11 항에 있어서,
    상기 에지 전극은 "U"-형상인, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  23. 제 11 항에 있어서,
    상기 에지 전극은 상기 반응성 가스들을 상기 볼륨으로 공급하도록 구성된 가스 유입구 및 가스 유출구를 포함하는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  24. 제 11 항에 있어서,
    상기 에지 전극은 상부 부분 및 하부 부분을 포함하고, 그리고 상기 하부 부분은 상기 상부 부분에 대해 이동 가능하도록 구성되는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
  25. 제 11 항에 있어서,
    상기 에지 전극은 상기 기판 지지부를 둘러싸는 연속적인 (continuou) 환형 에지 전극에 대응하는, 베벨 세정 프로세스 수행 시스템.
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