KR20220070135A

KR20220070135A - 표시 장치

Info

Publication number: KR20220070135A
Application number: KR1020200156921A
Authority: KR
Inventors: 이재훈; 김준기; 심준호; 정양호
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2020-11-20
Filing date: 2020-11-20
Publication date: 2022-05-30
Also published as: US20220165804A1; CN114520257A; US11637160B2

Abstract

본 발명은 표시 영역의 일부분과 다른 일부분 각각에 배치된 화소들의 설계 구조를 포함하는 표시 장치를 위하여, 제1 영역, 제2 영역, 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이의 제3 영역이 정의된 기판; 상기 제1 내지 제3 영역 상에 각각 배치되고, 화소 전극, 제1 색상의 광을 방출하는 제1 중간층, 및 대향 전극을 각각 포함하는 복수의 제1 내지 제3 표시 요소들; 및 상기 복수의 제1 내지 제3 표시 요소들 각각의 화소 전극의 적어도 일부를 각각 노출하는 복수의 제1 내지 제3 개구들을 갖는 절연층을 포함하고, 단위면적 당 상기 복수의 제1 개구들의 개수는 단위면적 당 상기 복수의 제2 개구들의 개수보다 많고, 평면 상에서, 상기 복수의 제1 개구들의 면적은 상기 복수의 제3 개구들의 면적보다 큰 표시 장치를 제공한다.

Description

표시 장치{Display apparatus}

본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.

근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.

표시 장치 중 표시 영역이 차지하는 면적을 확대하면서, 표시 장치에 접목 또는 연계하는 다양한 기능들이 추가되고 있다. 표시 영역의 면적을 확대하면서 다양한 기능을 추가하기 위한 방안으로서 표시 영역 내측에 이미지 디스플레이가 아닌 다양한 기능을 부가하기 위한 영역을 갖는 표시 장치의 연구가 계속되고 있다.

여러 기능을 부가하기 위해 표시 영역의 화소 배치를 다양하게 설계할 수 있다. 본 발명은 표시 영역의 일부분과 다른 일부분 각각에 배치된 화소들의 설계 구조를 포함하는 표시 장치를 제공할 수 있다.

본 발명의 일 관점에 따르면, 제1 영역, 제2 영역, 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이의 제3 영역이 정의된 기판; 상기 제1 내지 제3 영역 상에 각각 배치되고, 화소 전극, 제1 색상의 광을 방출하는 제1 중간층, 및 대향 전극을 각각 포함하는 복수의 제1 내지 제3 표시 요소들; 및 상기 복수의 제1 내지 제3 표시 요소들 각각의 화소 전극의 적어도 일부를 각각 노출하는 복수의 제1 내지 제3 개구들을 갖는 절연층을 포함하고, 단위면적 당 상기 복수의 제1 개구들의 개수는 단위면적 당 상기 복수의 제2 개구들의 개수보다 많고, 평면 상에서, 상기 복수의 제1 개구들의 면적은 상기 복수의 제3 개구들의 면적보다 큰 표시 장치가 제공된다.

일 예에 따르면, 상기 복수의 제1 개구들 중 일 방향으로 서로 인접한 제1 개구들 사이에 위치하는 상기 절연층의 제1 부분의 제1 너비는 상기 복수의 제3 개구들 중 상기 일 방향으로 서로 인접한 제3 개구들 사이에 위치하는 상기 절연층의 제2 부분의 제2 너비보다 작을 수 있다.

일 예에 따르면, 상기 복수의 제1 표시 요소들 중 상기 일 방향으로 서로 인접한 제1 표시 요소들 각각의 화소 전극 사이의 제1 간격(gap)은 상기 복수의 제3 표시 요소들 중 서로 인접한 제3 표시 요소들 각각의 화소 전극 사이의 제2 간격과 실질적으로 동일할 수 있다.

일 예에 따르면, 평면 상에서, 상기 복수의 제3 개구들 중 상기 제3 영역의 제1 부분에 위치하는 제3-1 개구들의 면적은 상기 복수의 제3 개구들 중 상기 제3 영역의 제2 부분에 위치하는 제3-2 개구들의 면적보다 크고, 상기 제3 영역의 제2 부분은 상기 제3 영역의 제1 부분보다 상기 제2 영역에 인접하도록 배치될 수 있다.

일 예에 따르면, 평면 상에서, 상기 복수의 제3 개구들의 면적은 상기 제1 영역에서 상기 제2 영역을 향해 점진적으로 감소할 수 있다.

일 예에 따르면, 상기 복수의 제3 개구들 각각은 복수의 부분 개구들을 포함하고, 상기 절연층은 상기 복수의 부분 개구들 사이에 각각 배치되는 복수의 브랜치들을 포함할 수 있다.

일 예에 따르면, 상기 복수의 제3 표시 요소들 각각의 화소 전극의 중심은 상기 복수의 브랜치들과 각각 중첩할 수 있다.

일 예에 따르면, 평면 상에서, 상기 복수의 브랜치들의 폭은 상기 제1 영역에서 상기 제2 영역을 향해 점진적으로 증가할 수 있다.

일 예에 따르면, 상기 제1 및 제3 영역 상에 각각 배치되고, 상기 화소 전극, 제2 색상의 광을 방출하는 제2 중간층, 및 상기 대향 전극을 각각 포함하는 복수의 제4 및 제5 표시 요소들을 더 포함하고, 상기 제1 영역 상에서, 상기 복수의 제1 표시 요소들과 상기 복수의 제4 표시 요소들은 일 방향을 따라 서로 교대로 배치되고, 상기 제3 영역 상에서, 상기 복수의 제3 표시 요소들과 상기 복수의 제5 표시 요소들은 상기 일 방향을 따라 서로 교대로 배치될 수 있다.

일 예에 따르면, 상기 절연층은 상기 복수의 제4 및 제5 표시 요소들 각각의 화소 전극의 적어도 일부를 각각 노출하는 복수의 제4 및 제5 개구들을 더 가지고, 평면 상에서, 상기 복수의 제4 개구들의 면적은 상기 복수의 제5 개구들의 면적보다 클 수 있다.

일 예에 따르면, 평면 상에서, 상기 복수의 제5 개구들의 면적은 상기 제1 영역에서 상기 제2 영역을 향해 점진적으로 감소할 수 있다.

일 예에 따르면, 상기 제2 영역에서, 상기 절연층은 상기 기판의 적어도 일부를 노출하는 복수의 홀들을 가질 수 있다.

일 예에 따르면, 상기 복수의 홀들은 상기 복수의 제2 개구들 중 서로 이웃하는 제2 개구들 사이에 각각 배치될 수 있다.

일 예에 따르면, 상기 절연층은 Cr, CrO_x, Cr/CrO_x, Cr/CrO_x/CrN_y, Carbon 안료, RGB 혼합안료, Graphite, Non-Cr계, 락탐계 안료, 또는 페릴렌계 안료를 포함할 수 있다.

본 발명의 다른 관점에 따르면, 제1 영역, 제2 영역, 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이의 제3 영역이 정의된 기판; 상기 제1 내지 제3 영역 상에 배치되는 복수의 화소 회로들; 상기 제1 내지 제3 영역 상에 각각 배치되고, 상기 복수의 화소 회로들과 각각 전기적으로 연결되는 복수의 제1 내지 제3 화소 전극들; 상기 복수의 제1 및 제2 화소 전극들의 적어도 일부를 각각 노출하는 복수의 제1 및 제2 개구들을 가지고, 상기 복수의 제3 화소 전극들 중 적어도 하나를 커버하도록 배치되는 절연층; 상기 복수의 제1 및 제2 개구들 내에 각각 배치되고, 제1 색상의 광을 방출하는 중간층; 및 상기 중간층 상에 배치되는 대향 전극을 포함하고, 단위면적 당 상기 복수의 제1 개구들의 개수는 단위면적 당 상기 복수의 제2 개구들의 개수보다 많은 표시 장치가 제공된다.

일 예에 따르면, 상기 절연층은 상기 복수의 제3 화소 전극들 중 상기 절연층에 의해 커버된 제3 화소 전극들 이외의 제3 화소 전극들의 적어도 일부를 각각 노출하는 복수의 제3 개구들을 더 가지고, 평면 상에서, 상기 복수의 제1 개구들의 면적은 상기 복수의 제3 개구들의 면적과 실질적으로 동일할 수 있다.

일 예에 따르면, 단위면적 당 상기 복수의 제1 화소 전극들의 개수는 단위면적 당 상기 복수의 제3 화소 전극들의 개수와 실질적으로 동일할 수 있다.

일 예에 따르면, 상기 복수의 제3 화소 전극들 중 상기 제3 영역의 제2 부분에서 상기 절연층에 의해 커버된 제3 화소 전극들의 단위면적 당 개수는 상기 복수의 제3 화소 전극들 중 상기 제3 영역의 제1 부분에서 상기 절연층에 의해 커버된 제3 화소 전극들의 단위면적 당 개수보다 많고, 상기 제3 영역의 제2 부분은 상기 제3 영역의 제1 부분보다 상기 제2 영역에 인접하도록 배치될 수 있다.

일 예에 따르면, 상기 복수의 제3 화소 전극들 중 상기 절연층에 의해 커버된 제3 화소 전극들의 단위면적 당 개수는 상기 제1 영역에서 상기 제2 영역을 향해 점진적으로 증가할 수 있다.

일 예에 따르면, 상기 제2 영역에서, 상기 절연층은 상기 기판의 적어도 일부를 노출하는 복수의 홀들을 가지고, 상기 복수의 홀들은 상기 복수의 제2 개구들 중 서로 이웃하는 제2 개구들 사이에 각각 배치될 수 있다.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.

본 발명의 실시예들은, 절연층의 개구를 이용하여 화소들의 밀도(예컨대, 개수 또는 개구율)을 제어할 수 있다. 화소들의 밀도 제어를 통해 서로 다른 화소 배치를 갖는 제1 영역과 제2 영역의 경계면이 사용자에게 시인되는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가 회로도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 확대 평면도이다.
도 3b는 도 3a의 제1 영역 및 제3 영역을 각각 II-II' 및 III-III'을 따라 절취한 예시적인 단면도이다.
도 3c는 도 3a의 제2 영역을 IV-IV'을 따라 절취한 예시적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 확대 평면도이다.
도 5a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 확대 평면도이다.
도 5b는 도 5a의 제1 영역을 V-V'을 따라 절취한 예시적인 단면도이다.
도 6은 도 1의 일부분을 개략적으로 나타낸 확대 평면도이다.
도 7a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 확대 평면도이다.
도 7b는 도 7a의 제3 영역을 VI-VI'을 따라 절취한 예시적인 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 확대 평면도이다.
도 9a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 확대 평면도이다.
도 9b는 도 9a의 제3 영역을 VII-VII'을 따라 절취한 예시적인 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 확대 평면도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

이하의 실시예들에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.

이하의 실시예들에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

이하의 실시예들에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.

이하의 실시예들에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.

본 명세서에서 "A 및/또는 B"은 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다. 그리고, "A 및 B 중 적어도 하나"는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우, 또는/및 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우, 및/또는 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우를 나타낸다.

x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.

도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 이미지를 표시하는 제1 영역(AR1), 제2 영역(AR2), 및 제3 영역(AR3)을 포함하고, 제1 영역(AR1) 주변에 배치되는 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다. 표시 장치(1)는 제1 영역(AR1), 제2 영역(AR2), 및 제3 영역(AR3)에서 방출되는 빛을 이용하여 외부로 이미지를 제공할 수 있다. 물론 표시 장치(1)는 기판(100)을 포함하기에, 기판(100)이 제1 영역(AR1), 제2 영역(AR2), 제3 영역(AR3), 및 주변 영역(PA)을 갖는다고 할 수도 있다.

제1 영역(AR1)의 면적, 제2 영역(AR2)의 면적, 및 제3 영역(AR3)의 면적은 각각 상이할 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이 제1 영역(AR1)의 면적은 제2 영역(AR2)의 면적보다 클 수 있고, 제1 영역(AR1)의 면적은 제3 영역(AR3)의 면적보다 클 수 있다.

제1 영역(AR1)의 평면 형상은 도 1에 도시된 바와 같이 사각형일 수 있다. 다른 예로, 제1 영역(AR1)의 평면 형상은 삼각형, 오각형, 육각형 등의 다각형이거나 원형이거나 타원형일 수 있다.

제2 영역(AR2)의 평면 형상은 도 1에 도시된 바와 같이 팔각형일 수 있다. 다른 예로, 제2 영역(AR2)의 평면 형상은 삼각형, 오각형, 육각형 등의 다각형이거나 원형이거나 타원형일 수 있다. 제2 영역(AR2)은 도 1에 도시된 바와 같이 평면 상에서 제1 영역(AR1)에 의해 전체적으로 둘러싸일 수 있다. 다른 예로, 제2 영역(AR2)은 제1 영역(AR1)에 의해 부분적으로 둘러싸일 수도 있다. 이와 관련하여 도 11 및 도 12에서 후술한다.

제3 영역(AR3)은 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이에 배치되므로, 제3 영역(AR3)의 평면 형상은 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)의 평면 형상에 따라 가변할 수 있다.

표시 장치(1)는 기판(100) 상에 배치된 복수의 화소(PX)들의 어레이를 포함할 수 있다. 화소(PX)들 각각은 유기 발광 다이오드(organic light-emitting diode, OLED)와 같은 다양한 표시 요소(display element)를 포함할 수 있다. 화소(PX)들은 스트라이프 배열, 펜타일 배열, 모자이크 배열 등 다양한 형태로 배치되어 화상을 구현할 수 있다. 이하 본 명세서에서, 각 화소(PX)는 각각 서로 다른 색을 발광하는 부화소(Sub-Pixel)을 의미하며, 각 화소(PX)는 예컨대 적색 부화소, 녹색 부화소 및 청색 부화소 중 하나일 수 있다.

화소(PX)들은 제1 영역(AR1)에 배치된 제1 화소(PX1)들, 제2 영역(AR2)에 배치된 제2 화소(PX2)들, 및 제3 영역(AR3)에 배치된 제3 화소(PX3)들을 포함할 수 있다. 화소(PX)들이 배치된 제1 영역(AR1), 제2 영역(AR2), 및 제3 영역(AR3)은 소정의 이미지를 제공할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 제1 화소(PX1)들의 밀도(예컨대, 개수 또는 개구율), 제2 화소(PX2)들의 밀도, 및 제3 화소(PX3)들의 밀도는 각각 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 화소(PX1)들의 밀도는 제2 화소(PX2)들의 밀도보다 높고, 제3 화소(PX3)들의 밀도보다 높을 수 있다. 제3 화소(PX3)들의 밀도는 제2 화소(PX2)들의 밀도보다 높을 수 있다.

제1 화소(PX1)들 및 제2 화소(PX2)들이 서로 다른 밀도로 배치됨에 따라 제1 영역(AR1) 및 제2 영역(AR2) 각각의 해상도가 서로 상이할 수 있다. 제1 영역(AR1)에서 방출되는 광의 휘도와 제2 영역(AR2)에서 방출되는 광의 휘도가 서로 상이할 수 있으며, 그 결과 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이의 경계면이 사용자에게 시인될 수 있다.

이때, 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이에 제3 영역(AR3)이 배치되고, 제3 영역(AR3)의 제3 화소(PX3)들은 제1 화소(PX1)들의 밀도와 제2 화소(PX2)들의 밀도 사이의 밀도로 배치될 수 있다. 서로 다른 밀도를 갖는 제1 화소(PX1)들 및 제2 화소(PX2)들 사이에 제3 화소(PX3)들이 배치됨으로써, 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이의 경계면이 시인되는 것을 개선할 수 있다. 표시 장치(1)의 표시 균일도가 높아질 수 있다. 한편, 제1 화소(PX1)들, 제2 화소(PX2)들, 및 제3 화소(PX3)들 각각의 배치에 대한 구체적인 설명은 도 3a, 도 4, 도 5a 등에서 후술한다.

제2 영역(AR2)은 복수의 투과 영역(TA)들을 포함할 수 있다. 투과 영역(TA)들은 기판(100) 하부에 배치된 전자 요소로부터 외부로 출력되거나 외부로부터 전자 요소를 향해 진행하는 빛 또는/및 음향이 투과할 수 있는 영역일 수 있다. 투과 영역(TA)들은 이웃한 제2 화소(PX2)들 사이에 각각 배치될 수 있다.

주변 영역(PA)은 제1 영역(AR1), 제2 영역(AR2), 및 제3 영역(AR3)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다. 주변 영역(PA)은 스캔 드라이버, 데이터 드라이버 등이 배치될 수 있다.

주변 영역(PA)에는 패드(PD)가 배치될 수 있다. 패드(PD)는 기판(100)의 에지들 중 어느 하나의 에지에 인접하게 배치될 수 있다. 패드(PD)는 절연층에 의해 덮이지 않고 노출되어, 플렉서블 인쇄 회로 기판(FPCB)에 전기적으로 연결될 수 있다. 플렉서블 인쇄 회로 기판(FPCB)은 컨트롤러와 패드(PD)를 전기적으로 연결할 수 있으며, 컨트롤러로부터 전달된 신호 또는 전원을 공급할 수 있다.

일부 실시예에서, 플렉서블 인쇄 회로 기판(FPCB)에는 데이터 드라이버가 배치될 수 있다. 플렉서블 인쇄 회로 기판(FPCB)에서의 신호 또는 전압을 화소(PX)들에 전달하기 위하여, 패드(PD)는 복수의 배선들과 연결될 수 있다.

다른 실시예로서, 플렉서블 인쇄 회로 기판(FPCB) 대신에 집적 회로가 패드(PD) 상에 배치될 수 있다. 집적 회로는 예컨대 데이터 드라이버를 포함할 수 있으며, 도전볼을 포함하는 이방성도전필름을 통해 패드(PD)와 전기적으로 연결될 수 있다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가 회로도이다.

도 2를 참조하면, 화소(PX)는 스캔 라인(SL) 및 데이터 라인(DL)에 연결된 화소 회로(PC), 및 화소 회로(PC)에 연결된 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.

화소 회로(PC)는 구동 트랜지스터(TR1), 스캔 트랜지스터(TR2) 및 스토리지 커패시터(storage capacitor, Cst)를 포함할 수 있다. 구동 트랜지스터(TR1)와 스캔 트랜지스터(TR2)는 박막 트랜지스터로 형성될 수 있다.

스캔 트랜지스터(TR2)는 스캔 라인(SL) 및 데이터 라인(DL)에 연결되며, 스캔 라인(SL)을 통해 입력되는 스캔 신호(Sn)에 동기화하여 데이터 라인(DL)을 통해 입력된 데이터 전압(Dm)을 구동 트랜지스터(TR1)로 전달할 수 있다.

스토리지 커패시터(Cst)는 스캔 트랜지스터(TR2) 및 구동 전압선(PL)에 연결되며, 스캔 트랜지스터(TR2)로부터 전달받은 데이터 전압(Dm)과 구동 전압선(PL)에 공급되는 구동 전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다.

구동 트랜지스터(TR1)는 구동 전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동 전압선(PL)으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류의 크기를 제어할 수 있다. 유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 구동 전류의 크기에 대응하는 휘도로 빛을 방출할 수 있다.

도 2에서는 화소 회로(PC)가 2개의 트랜지스터 및 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 예를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 화소 회로(PC)는 3개 이상의 트랜지스터 및/또는 2개 이상의 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 일 실시예로, 화소 회로(PC)는 7개의 트랜지스터 및 1개의 스토리지 커패시터를 포함할 수도 있다.

도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 확대 평면도이고, 도 3b는 도 3a의 제1 영역 및 제3 영역을 각각 II-II' 및 III-III'을 따라 절취한 예시적인 단면도이고, 도 3c는 도 3a의 제2 영역을 IV-IV'을 따라 절취한 예시적인 단면도이다. 구체적으로, 도 3a는 도 1의 일부분(I)을 확대하여 개략적으로 도시한 것이다.

도 3a를 참조하면, 표시 장치(1, 도 1 참조)는 제1 영역(AR1), 제2 영역(AR2), 및 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이의 제3 영역(AR3)을 포함할 수 있다. 제1 영역(AR1)에는 제1 화소(PX1)들이 배치되고, 제2 영역(AR2)에는 제2 화소(PX2)들이 배치되고, 제3 영역(AR3)에는 제3 화소(PX3)들이 배치될 수 있다. 제2 영역(AR2)에는 투과 영역(TA)들이 배치될 수 있고, 투과 영역(TA)들은 이웃한 제2 화소(PX2)들 사이에 각각 배치될 수 있다.

도 3a에서는 제1 화소(PX1)들 및 제3 화소(PX3)들이 각각 제1 방향(예를 들어, ± x 방향) 및 제2 방향(예를 들어, ± y 방향)으로 배열되도록 도시하고 있으나, 제1 화소(PX1)들 및 제3 화소(PX3)들의 배치는 설계에 따라 자유롭게 변형될 수 있다. 예를 들어, 제1 화소(PX1)들 및 제3 화소(PX3)들은 각각 어긋나도록 배치될 수도 있다. 제1 화소(PX1)들 및 제3 화소(PX3)들을 예로 들어 설명하였으나, 제2 화소(PX2)들도 동일하게 적용될 수 있다.

한편, 도 3b 및 도 3c를 참조하면, 제1 화소(PX1)는 화소 회로(PC) 및 화소 회로(PC)와 전기적으로 연결된 제1 표시 요소(200a)를 포함하고, 제2 화소(PX2)는 화소 회로(PC) 및 화소 회로(PC)와 전기적으로 연결된 제2 표시 요소(200b)를 포함하고, 제3 화소(PX3)는 화소 회로(PC) 및 화소 회로(PC)와 전기적으로 연결된 제3 표시 요소(200c)를 포함할 수 있다.

제1 표시 요소(200a), 제2 표시 요소(200b), 및 제3 표시 요소(200c) 각각은 화소 전극(210), 중간층(220), 및 대향 전극(230)을 포함할 수 있다. 화소 전극(210)은 화소 회로(PC)의 박막 트랜지스터(TFT)와 연결될 수 있다. 화소 전극(210)은 (반)투과성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 중간층(220)은 유기 발광층을 포함할 수 있다. 중간층(220)은 유기 발광층을 통해 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 광을 방출할 수 있다.

화소 전극(210) 상에는 절연층으로서 화소 정의막(119)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 화소 정의막(119)은 흑색일 수 있다. 화소 정의막(119)은 흑색 안료, 흑색 염료 또는 흑색의 입자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(119)은 Cr, CrO_x, Cr/CrO_x, Cr/CrO_x/CrN_y, 수지(Carbon 안료, RGB 혼합안료), Graphite, Non-Cr계, 락탐계 안료, 또는 페릴렌계 안료를 포함할 수 있다. 화소 정의막(119)은 흑색 유기 안료를 포함할 수 있고, 흑색 유기 안료는 아닐린 블랙, 락탐 블랙 및 페릴렌 블랙으로 이루어진 군에서 선택되는 한 종 이상을 포함할 수 있다.

화소 정의막(119)은 제1 표시 요소(200a)의 화소 전극(210)의 적어도 일부를 노출하는 제1 개구(OP1), 제2 표시 요소(200b)의 화소 전극(210)의 적어도 일부를 노출하는 제2 개구(OP2), 및 제3 표시 요소(200c)의 화소 전극(210)의 적어도 일부를 노출하는 제3 개구(OP3)를 가질 수 있다. 이때, 제1 개구(OP1)는 제1 화소(PX1)의 제1 발광 영역(EA1)을 정의하고, 제2 개구(OP2)는 제2 화소(PX2)의 제2 발광 영역(EA2)을 정의하고, 제3 개구(OP3)는 제3 화소(PX3)의 제3 발광 영역(EA3)을 정의할 수 있다. 제1 내지 제3 발광 영역(EA1, EA2, EA3)들은 각각 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 광이 방출되는 영역일 수 있다.

또한, 화소 정의막(119)은 제2 영역(AR2)의 기판(100)의 적어도 일부를 노출하는 복수의 제1 홀(119H)들을 가질 수 있다. 이때, 제1 홀(119H)들은 각각 투과 영역(TA)들을 정의할 수 있다.

다시 도 3a를 참조하면, 제1 영역(AR1)에 배치되는 제1 화소(PX1)들의 단위면적 당 개수는 제2 영역(AR2)에 위치하는 제2 화소(PX2)들의 단위면적 당 개수보다 많을 수 있다. 다른 말로, 제1 영역(AR1)에 위치하는 제1 개구(OP1)들의 단위면적 당 개수는 제2 영역(AR2)에 위치하는 제2 개구(OP2)들의 단위면적 당 개수보다 많을 수 있다. 그 결과, 제1 영역(AR1)의 해상도는 제2 영역(AR2)의 해상도보다 높을 수 있다.

일 실시예에 있어서, 평면 상에서, 제1 영역(AR1)에 위치하는 제1 개구(OP1)들의 면적은 제3 영역(AR3)에 위치하는 제3 개구(OP3)들의 면적보다 클 수 있다. 제1 화소(PX1)들의 개구율은 제3 화소(PX3)들의 개구율보다 높을 수 있다. 다른 말로, 제1 화소(PX1)의 제1 발광 영역(EA1)의 면적은 제3 화소(PX3)의 제3 발광 영역(EA3)의 면적보다 클 수 있다.

제1 화소(PX1)들의 개구율과 제3 화소(PX3)들의 개구율이 상이함에 따라 제1 영역(AR1)의 휘도와 제3 영역(AR3)의 휘도가 상이할 수 있다. 제1 화소(PX1)들의 개구율이 제3 화소(PX3)들의 개구율보다 높은 경우, 제1 영역(AR1)의 휘도는 제3 영역(AR3)의 휘도보다 높을 수 있다. 예를 들어, 제1 화소(PX1)에 제1 계조 값에 대응하는 신호가 입력될 때 제1 화소(PX1)가 방출하는 제1 색상의 광의 광량의 합은 제3 화소(PX3)에 상기 제1 계조 값에 대응하는 신호가 입력될 때 제3 화소(PX3)가 방출하는 상기 제1 색상의 광의 광량의 합보다 클 수 있다. 이처럼, 제1 영역(AR1)보다 휘도가 낮은 제3 영역(AR3)이 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이에 배치되는 경우, 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)의 해상도 차이가 완화될 수 있으므로, 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)의 경계면이 시인되는 현상을 개선할 수 있다. 표시 장치(1)의 표시 균일도가 높아질 수 있고, 표시 장치(1)의 표시 품질이 높아질 수 있다.

일 실시예에 있어서, 제1 개구(OP1)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제1 개구(OP1)들 사이의 이격 거리(w1)는, 제3 개구(OP3)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제3 개구(OP3)들 사이의 이격 거리(w2)보다 작을 수 있다. 다른 말로, 제1 개구(OP1)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제1 개구(OP1)들 사이에 위치하는 화소 정의막(119)의 제1 부분(119pa)의 제1 너비(w1)는, 제3 개구(OP3)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제3 개구(OP3)들 사이에 위치하는 화소 정의막(119)의 제2 부분(119pb)의 제2 너비(w2)보다 작을 수 있다.

반면, 제1 화소(PX1)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제1 화소(PX1)들 각각의 화소 전극(210) 사이의 제1 간격(gap)(g1)은 제3 화소(PX3)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제3 화소(PX3)들 각각의 화소 전극(210) 사이의 제2 간격(g2)과 실질적으로 동일할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 제1 개구(OP1)들 중 제2 방향(예를 들어, ± y 방향)으로 서로 인접한 제1 개구(OP1)들 사이의 이격 거리(w3)는, 제3 개구(OP3)들 중 제2 방향(예를 들어, ± y 방향)으로 서로 인접한 제3 개구(OP3)들 사이의 이격 거리(w4)보다 작을 수 있다. 다른 말로, 제1 개구(OP1)들 중 제2 방향(예를 들어, ± y 방향)으로 서로 인접한 제1 개구(OP1)들 사이에 위치하는 화소 정의막(119)의 제3 부분(119pc)의 제3 너비(w3)는, 제3 개구(OP3)들 중 제2 방향(예를 들어, ± y 방향)으로 서로 인접한 제3 개구(OP3)들 사이에 위치하는 화소 정의막(119)의 제4 부분(119pd)의 제4 너비(w4)보다 작을 수 있다.

반면, 제1 화소(PX1)들 중 제2 방향(예를 들어, ± y 방향)으로 서로 인접한 제1 화소(PX1)들 각각의 화소 전극(210) 사이의 제3 간격(gap)(g3)은 제3 화소(PX3)들 중 제2 방향(예를 들어, ± y 방향)으로 서로 인접한 제3 화소(PX3)들 각각의 화소 전극(210) 사이의 제4 간격(g4)과 실질적으로 동일할 수 있다.

이처럼, 제1 영역(AR1)과 제3 영역(AR3)에 각각 배치되는 화소 전극(210)들의 크기 및 배치 등은 실질적으로 동일하나, 화소 정의막(119)에 의해 화소 전극(210)들이 노출되는 면적이 영역별로 상이할 수 있다. 제1 영역(AR1)에서 화소 정의막(119)에 의해 노출되는 화소 전극(210)의 일부 면적은 제3 영역(AR3)에서 화소 정의막(119)에 의해 노출되는 화소 전극(210)의 일부 면적보다 클 수 있다. 다른 말로, 제1 영역(AR1)에서 화소 전극(210)과 화소 정의막(119)이 서로 중첩하는 면적은 제3 영역(AR3)에서 화소 전극(210)과 화소 정의막(119)이 서로 중첩하는 면적보다 작을 수 있다.

한편, 일 실시예에 있어서, 제2 발광 영역(EA2)의 면적은 제1 발광 영역(EA1)의 면적보다 클 수 있다. 이는 일 실시예에 불과하며 설계에 따라 변경될 수 있다.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)에 대해서 도 3b 및 도 3c에 도시된 적층 순서에 따라 구체적으로 설명하기로 한다.

기판(100)은 글래스 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 등을 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 플렉서블, 롤러블 또는 벤더블 특성을 가질 수 있다. 기판(100)은 전술한 고분자 수지를 포함하는 층 및 무기층(미도시)을 포함하는 다층 구조일 수 있다.

버퍼층(111)은 기판(100)의 하부로부터 이물, 습기 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단할 수 있고, 기판(100) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 버퍼층(111)은 산화물 또는 질화물과 같은 무기물, 또는 유기물, 또는 유무기 복합물을 포함할 수 있으며, 무기물과 유기물의 단층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다.

기판(100)과 버퍼층(111) 사이에는 배리어층(미도시)이 더 포함될 수 있다. 배리어층은 기판(100) 등으로부터의 불순물이 반도체층(Act)으로 침투하는 것을 방지하거나 최소화하는 역할을 할 수 있다. 배리어층은 산화물 또는 질화물과 같은 무기물, 또는 유기물, 또는 유무기 복합물을 포함할 수 있으며, 무기물과 유기물의 단층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다.

버퍼층(111) 상에는 화소 회로(PC)가 배치될 수 있다. 화소 회로(PC)는 박막 트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)는 반도체층(Act), 게이트 전극(GE) 등을 포함할 수 있다.

반도체층(Act)은 비정질 실리콘을 포함하거나, 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 반도체층(Act)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 세슘(Cs), 세륨(Ce) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다.

반도체층(Act)은 채널 영역과 상기 채널 영역의 양 옆에 배치된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 반도체층(Act)은 단층 또는 다층으로 구성될 수 있다.

기판(100) 상에는 반도체층(Act)을 덮도록 제1 게이트 절연층(112) 및 제2 게이트 절연층(113)이 적층되어 배치될 수 있다. 제1 게이트 절연층(112) 및 제2 게이트 절연층(113)은 실리콘산화물(SiO₂), 실리콘질화물(SiN_x), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al₂O₃), 티타늄산화물(TiO₂), 탄탈산화물(Ta₂O₅), 하프늄산화물(HfO₂), 또는 아연산화물(ZnO₂) 등을 포함할 수 있다.

제1 게이트 절연층(112) 상에는 반도체층(Act)과 적어도 일부 중첩되도록 게이트 전극(GE)이 배치될 수 있다. 도 3b 및 도 3c에서는 게이트 전극(GE)이 제1 게이트 절연층(112)에 배치된 것으로 도시하고 있으나, 다른 실시예로, 게이트 전극(GE)은 제2 게이트 절연층(113) 상면에 배치될 수 있다.

일 실시예에 있어서, 스토리지 커패시터(Cst)는 하부 전극(CE1) 및 상부 전극(CE2)로 구비되며, 도 3b 및 도 3c에 도시한 바와 같이 박막 트랜지스터(TFT)와 중첩될 수 있다. 예컨대, 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(GE)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(CE1)으로의 기능을 수행할 수 있다. 이와 다르게 스토리지 커패시터(Cst)는 박막 트랜지스터(TFT)와 중첩되지 않고, 따로 존재할 수도 있다.

스토리지 커패시터(Cst)의 상부 전극(CE2)은 제2 게이트 절연층(113)을 사이에 두고 하부 전극(CE1)과 중첩하며, 커패시턴스를 형성한다. 이 경우, 제2 게이트 절연층(113)은 스토리지 커패시터(Cst)의 유전체층의 기능을 할 수 있다.

제2 게이트 절연층(113) 상에는 스토리지 커패시터(Cst)의 상부 전극(CE2)을 덮도록 층간 절연층(115)이 구비될 수 있다. 층간 절연층(115)은 실리콘산화물(SiO₂), 실리콘질화물(SiN_x), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al₂O₃), 티타늄산화물(TiO₂), 탄탈산화물(Ta₂O₅), 하프늄산화물(HfO₂), 또는 아연산화물(ZnO₂) 등을 포함할 수 있다.

층간 절연층(115) 상부에는 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE) 등이 배치될 수 있다. 도 3b 및 도 3c에서는 층간 절연층(115) 상에 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 모두 배치되도록 도시하고 있으나, 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 중 적어도 하나는 생략될 수도 있다.

소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 예로, 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 콘택홀을 통해서 반도체층(Act)의 소스 영역 또는 드레인 영역에 접속될 수 있다.

소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 무기 보호층(미도시)으로 커버될 수 있다. 무기 보호층은 질화실리콘(SiN_x)과 산화실리콘(SiO_x)의 단일막 또는 다층막일 수 있다. 무기 보호층은 층간 절연층(115) 상에 배치된 일부 배선들을 커버하여 보호하기 위해 도입된 것일 수 있다.

소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 덮도록 평탄화층(117)이 배치되고, 평탄화층(117)은 박막 트랜지스터(TFT)들과 화소 전극(210)들을 각각 연결하기 위한 콘택홀들을 포함할 수 있다.

평탄화층(117)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 평탄한 상면을 제공할 수 있다. 이러한, 평탄화층(117)은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 또는 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다.

평탄화층(117) 상에는 제1 표시 요소(200a), 제2 표시 요소(200b), 및 제3 표시 요소(200c)가 배치될 수 있다. 제1 표시 요소(200a)는 제1 영역(AR1)에 배치되고, 제2 표시 요소(200b)는 제2 영역(AR2)에 배치되고, 제3 표시 요소(200c)는 제3 영역(AR3)에 배치될 수 있다. 제1 표시 요소(200a), 제2 표시 요소(200b), 및 제3 표시 요소(200c) 각각은 화소 전극(210), 중간층(220), 및 대향 전극(230)을 포함할 수 있다.

화소 전극(210)은 (반)투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 일부 실시예에서, 화소 전극(210)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사층과, 반사층 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In₂O₃; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. 일부 실시예에서, 화소 전극(210)은 ITO/Ag/ITO로 구비될 수 있다.

일 실시예에 있어서, 도 3b에 도시된 것처럼, 제1 표시 요소(200a)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제1 표시 요소(200a)들 각각의 화소 전극(210) 사이의 제1 간격(g1)은 제3 표시 요소(200c)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제3 표시 요소(200c)들 각각의 화소 전극(210) 사이의 제2 간격(g2)과 실질적으로 동일할 수 있다.

평탄화층(117) 상에는 화소 정의막(119)이 배치될 수 있다. 또한, 화소 정의막(119)은 화소 전극(210)의 가장자리와 화소 전극(210) 상부의 대향 전극(230)의 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소 전극(210)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 화소 정의막(119)은 화소 전극(210)들 각각의 적어도 일부를 노출하는 복수의 제1 내지 제3 개구(OP1, OP2, OP3)들을 가질 수 있다.

제1 내지 제3 개구(OP1, OP2, OP3)들은 각각 제1 내지 제3 발광 영역(EA1, EA2, EA3)들을 정의할 수 있으므로, 평면 상에서, 제1 내지 제3 개구(OP1, OP2, OP3)들은 각각 제1 내지 제3 발광 영역(EA1, EA2, EA3)들에 대응될 수 있다.

화소 정의막(119)은 폴리이미드, 폴리아마이드(Polyamide), 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다.

일 실시예에 있어서, 화소 정의막(119)은 흑색 안료, 흑색 염료 또는 흑색의 입자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(119)은 Cr, CrO_x, Cr/CrO_x, Cr/CrO_x/CrN_y, 수지(Carbon 안료, RGB 혼합안료), Graphite, Non-Cr계, 락탐계 안료, 또는 페릴렌계 안료를 포함할 수 있다. 화소 정의막(119)은 흑색 유기 안료를 포함할 수 있고, 흑색 유기 안료는 아닐린 블랙, 락탐 블랙 및 페릴렌 블랙으로 이루어진 군에서 선택되는 한 종 이상을 포함할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 도 3b에 도시된 바와 같이 제1 영역(AR1)에 위치하는 제1 개구(OP1)들의 크기는 제3 영역(AR3)에 위치하는 제3 개구(OP3)들의 크기보다 클 수 있다. 제1 화소(PX1)들의 개구율은 제3 화소(PX3)들의 개구율보다 높을 수 있다. 다른 말로, 제1 화소(PX1)들의 제1 발광 영역(EA1)의 면적은 제3 화소(PX3)들의 제3 발광 영역(EA3)의 면적보다 클 수 있다.

또한, 제1 개구(OP1)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제1 개구(OP1)들 사이에 위치하는 화소 정의막(119)의 제1 부분(119pa)의 제1 너비(w1)는, 제3 개구(OP3)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제3 개구(OP3)들 사이에 위치하는 화소 정의막(119)의 제2 부분(119pb)의 제2 너비(w2)보다 작을 수 있다.

화소 정의막(119) 상에는 도 3c에 도시된 바와 같이 스페이서(119S)가 배치될 수 있다. 스페이서(119S)는 표시 장치(1)를 제조할 때 기판(100)의 파손을 방지하는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(1)를 제조할 때 사용되는 마스크 시트가 화소 정의막(119)의 제1 내지 제3 개구(OP1, OP2, OP3)들 내부로 진입하거나 화소 정의막(119)에 밀착하여 상기 마스크 시트에 의해 기판(100)의 일부가 손상되거나 파손될 수 있는데, 스페이서(119S)를 통해 이를 방지할 수 있다. 스페이서(119S)는 폴리이미드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 스페이서(119S)는 실리콘나이트라이드나 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함하거나, 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 스페이서(119S)는 화소 정의막(119)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이러한 경우, 도 3c에 도시된 바와 같이 스페이서(119S)와 화소 정의막(119)은 일체(一體)일 수 있다. 스페이서(119S)와 화소 정의막(119)은 하프톤 마스크 또는 슬릿 마스크 등을 이용한 마스크 공정을 통해 함께 형성될 수 있다.

다른 실시예에 있어서, 스페이서(119S)와 화소 정의막(119)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.

중간층(220)은 화소 정의막(119)에 의해 형성된 제1 내지 제3 개구(OP1, OP2, OP3)들 내에 각각 배치되며, 유기 발광층을 포함할 수 있다. 유기 발광층은 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 방출하는 형광 또는 인광 물질을 포함하는 유기물을 포함할 수 있다. 유기 발광층은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있으며, 유기 발광층의 아래 및 위에는, 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer), 또는 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 기능층이 선택적으로 더 배치될 수 있다.

대향 전극(230)은 투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 일부 실시예에서, 대향 전극(230)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, 또는 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In₂O₃ 등의 TCO(transparent conductive oxide)막이 더 배치될 수 있다. 대향 전극(230)은 표시 영역(DA)에 걸쳐 배치되며, 중간층(220)과 화소 정의막(119)의 상부에 배치될 수 있다. 대향 전극(230)은 제1 내지 제3 표시 요소(200a, 200b, 200c)들에 있어서 일체(一體)로 형성되어 복수의 화소 전극(210)들에 대응할 수 있다.

한편, 제1 내지 제3 표시 요소(200a, 200b, 200c)들이 유기 발광 다이오드인 경우, 유기 발광 다이오드는 외부로부터의 수분이나 산소 등에 의해 쉽게 손상될 수 있기에, 봉지층(미도시)이 이러한 유기 발광 다이오드를 덮어 이들을 보호하도록 할 수 있다. 봉지층은 제1 내지 제3 영역(AR1, AR2, AR3)들을 덮으며 주변 영역(PA)의 적어도 일부에까지 연장될 수 있다. 이러한 봉지층은 제1 무기 봉지층, 유기 봉지층 및 제2 무기 봉지층을 포함할 수 있다.

한편, 도 3c를 참조하면, 기판(100) 상에 금속층(BML)이 배치될 수 있다. 금속층(BML)은 기판(100)과 버퍼층(111) 사이에 개재될 수 있다. 금속층(BML)은 제2 영역(AR2)에 위치하면서, 제2 영역(AR2)의 투과 영역(TA)을 통과하는 빛에 의해 화소 회로(PC)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.

금속층(BML)은 투과 영역(TA)에 대응하는 관통홀(TH)을 가질 수 있다. 금속층(BML)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 니켈(Ni), 칼슘(Ca), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 또는 구리(Cu)와 같이 도전성을 갖는 금속을 포함할 수 있다.

금속층(BML)은 연결 라인(CL)에 전기적으로 연결될 수 있다. 연결 라인(CL)은 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE), 또는 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결되거나, 스토리지 커패시터(Cst)와 전기적으로 연결될 수 있다. 또는, 연결 라인(CL)은 구동 전압선(PL, 도 2 참조)에 전기적으로 연결될 수 있다. 연결 라인(CL)에 연결된 금속층(BSM)은 박막 트랜지스터(TFT)를 외부 정전기로부터 보호해주거나, 박막 트랜지스터(TFT)의 성능을 향상시킬 수 있다.

투과 영역(TA)은 후술할 컴포넌트(3)에서 방출되거나 컴포넌트(3)가 수신하는 빛/또는 음향이 투과할 수 있는 영역일 수 있다. 투과 영역(TA)는 제2 영역(AR2)에 위치할 수 있다. 투과 영역(TA)에는 화소 회로(PC) 및 표시 요소가 배치되지 않을 수 있다.

제1 게이트 절연층(112), 제2 게이트 절연층(113), 층간 절연층(115), 평탄화층(117), 및 화소 정의막(119)은 각각 투과 영역(TA)에 대응하는 홀들을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 3c에 도시된 바와 같이 화소 정의막(119)은 투과 영역(TA)에 대응하는 제1 홀(119H)을 가지고, 평탄화층(117)은 투과 영역(TA)에 대응하는 제2 홀(117H)을 가지고, 층간 절연층(115)은 투과 영역(TA)에 대응하는 제3 홀(115H)을 가질 수 있다. 제1 내지 제3 홀(119H, 117H, 115H)들을 통해 투과 영역(TA)을 정의할 수 있다.

일 실시예에 따른 표시 장치(1)를 포함하는 전자 기기는 도 3c에 도시된 바와 같이 표시 장치(1)의 배면에 배치된 컴포넌트(3)를 포함할 수 있다. 컴포넌트(3)는 근접 센서와 같이 거리를 측정하는 센서, 사용자의 신체의 일부(예, 지문, 홍채, 얼굴 등)을 인식하는 센서, 빛을 출력하는 소형 램프이거나, 화상을 캡처하는 이미지 센서(예, 카메라)와 같은 전자 요소를 포함할 수 있다. 빛을 이용하는 전자 요소는 가시광, 적외선광, 자외선광 등 다양한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있다. 음향을 이용하는 전자 요소는, 초음파 또는 다른 주파수 대역의 음향을 이용할 수 있다.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 확대 평면도이다. 도 4에 있어서, 도 3a 내지 도 3c와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 일컫는 바, 이들에 대한 중복 설명은 생략한다. 또한, 도 4는 도 3a의 변형 실시예로, 제3 영역의 제3 화소의 구조에서 차이가 있다. 이하에서는 중복되는 내용은 도 3a의 설명으로 갈음하고 차이점을 위주로 설명한다.

도 4를 참조하면, 제3 영역(AR3)은 제1 부분(AR3a), 제2 부분(AR3b), 및 제3 부분(AR3c)을 포함할 수 있다. 제3 영역(AR3)의 제1 부분(AR3a)은 제1 영역(AR1)과 인접하고, 제3 영역(AR3)의 제3 부분(AR3c)은 제2 영역(AR2)과 인접할 수 있다. 제3 영역(AR3)의 제2 부분(AR3b)은 제3 영역(AR3)의 제1 부분(AR3a)과, 제3 영역(AR3)의 제3 부분(AR3c) 사이에 개재될 수 있다. 도 4에서는 제3 영역(AR3)이 제1 부분(AR3a), 제2 부분(AR3b), 및 제3 부분(AR3c)을 포함하여 3개의 부분으로 분할되는 것으로 도시하고 있으나, 제3 영역(AR3)은 2개의 부분으로 분할되거나 4개 이상의 부분으로 분할될 수도 있다.

도 3a에서 전술한 바와 같이 제3 영역(AR3)에는 제3 화소(PX3)들이 배치될 수 있다. 제3 화소(PX3)들 중 제3 영역(AR3)의 제1 부분(AR3a)에 위치하는 제3 화소(PX3)들은 제3-1 화소(PX3-1)들로 지칭되고, 제3 화소(PX3)들 중 제3 영역(AR3)의 제2 부분(AR3b)에 위치하는 제3 화소(PX3)들은 제3-2 화소(PX3-2)들로 지칭되고, 제3 화소(PX3)들 중 제3 영역(AR3)의 제3 부분(AR3c)에 위치하는 제3 화소(PX3)들은 제3-3 화소(PX3-3)들로 지칭될 수 있다.

제3 영역(AR3)에는 제3 화소(PX3)들에 각각 대응하여 제3 개구(OP3)들이 위치할 수 있다. 제3 개구(OP3)들 중 제3 영역(AR3)의 제1 부분(AR3a)에 위치하는 제3 개구(OP3)들은 제3-1 개구(OP3-1)들로 지칭되고, 제3 개구(OP3)들 중 제3 영역(AR3)의 제2 부분(AR3b)에 위치하는 제3 개구(OP3)들은 제3-2 개구(OP3-2)들로 지칭되고, 제3 개구(OP3)들 중 제3 영역(AR3)의 제3 부분(AR3c)에 위치하는 제3 개구(OP3)들은 제3-3 개구(OP3-3)들로 지칭될 수 있다.

제3-1 개구(OP3-1)들은 제3 영역(AR3)의 제1 부분(AR3a)에 배치되는 화소 전극(210)들의 적어도 일부를 각각 노출하고, 제3-2 개구(OP3-2)들은 제3 영역(AR3)의 제2 부분(AR3b)에 배치되는 화소 전극(210)들의 적어도 일부를 각각 노출하고, 제3-3 개구(OP3-3)들은 제3 영역(AR3)의 제3 부분(AR3c)에 배치되는 화소 전극(210)들의 적어도 일부를 각각 노출할 수 있다.

제3 개구(OP3)는 제3 화소(PX3)의 제3 발광 영역(EA3)을 정의할 수 있다. 제3 발광 영역(EA3)들 중 제3 영역(AR3)의 제1 부분(AR3a)에 위치하는 제3 발광 영역(EA3)들은 제3-1 발광 영역(EA3-1)들로 지칭되고, 제3 발광 영역(EA3)들 중 제3 영역(AR3)의 제2 부분(AR3b)에 위치하는 제3 발광 영역(EA3)들은 제3-2 발광 영역(EA3-2)들로 지칭되고, 제3 발광 영역(EA3)들 중 제3 영역(AR3)의 제3 부분(AR3c)에 위치하는 제3 발광 영역(EA3)들은 제3-3 발광 영역(EA3-3)들로 지칭될 수 있다.

제3-1 개구(OP3-1)는 제3-1 발광 영역(EA3-1)을 정의하고, 제3-2 개구(OP3-2)는 제3-2 발광 영역(EA3-2)을 정의하고, 제3-3 개구(OP3-3)는 제3-3 발광 영역(EA3-3)을 정의할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 제3-1 개구(OP3-1)들의 면적은 제3-2 개구(OP3-2)들의 면적보다 클 수 있다. 제3-2 개구(OP3-2)들의 면적은 제3-3 개구(OP3-3)들의 면적보다 클 수 있다. 다른 말로, 제3-1 화소(PX3-1)의 제3-1 발광 영역(EA3-1)의 면적은 제3-2 화소(PX3-2)의 제3-2 발광 영역(EA3-2)의 면적보다 클 수 있다. 제3-2 화소(PX3-2)의 제3-2 발광 영역(EA3-2)의 면적은 제3-3 화소(PX3-3)의 제3-3 발광 영역(EA3-3)의 면적보다 클 수 있다.

평면 상에서, 제3 개구(OP3)들의 면적은 제1 영역(AR1)에서 제2 영역(AR2) 방향을 따라 점진적으로 감소할 수 있다. 제3 개구(OP3)들의 면적은 제2 영역(AR2)에 인접할수록 점진적으로 감소할 수 있다. 예를 들어, 제3 개구(OP3)들의 면적은 + x 방향을 따라 점진적으로 감소할 수 있다.

다른 말로, 제3 화소(PX3)의 제3 발광 영역(EA3)의 면적은 제1 영역(AR1)에서 제2 영역(AR2) 방향을 따라 점진적으로 감소할 수 있다. 제3 화소(PX3)의 제3 발광 영역(EA3)의 면적은 제2 영역(AR2)에 인접할수록 점진적으로 감소할 수 있다.

또 다른 말로, 제3 화소(PX3)들의 개구율은 제1 영역(AR1)에서 제2 영역(AR2) 방향을 따라 점진적으로 감소할 수 있다. 제3 화소(PX3)들의 개구율은 제2 영역(AR2)에 인접할수록 점진적으로 감소할 수 있다.

이처럼, 제3 화소(PX3)들의 개구율이 제2 영역(AR2)에 인접할수록 점진적으로 감소하는 경우, 제3 영역(AR3)의 휘도는 제2 영역(AR2)에 인접할수록 점진적으로 감소할 수 있다.

도 3a에서 전술한 바와 같이 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)은 서로 다른 화소 배치로 인해 해상도 차이가 날 수 있는데, 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이에 제3 영역(AR3)을 배치하면 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)의 해상도 차이를 완화시킬 수 있다. 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이에 점진적으로 휘도가 감소하는 제3 영역(AR3)을 배치하여 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)의 휘도 차이를 완화할 수 있고, 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)의 경계면이 시인되는 현상을 개선할 수 있다.

도 5a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 확대 평면도이고, 도 5b는 도 5a의 제1 영역을 V-V'을 따라 절취한 예시적인 단면도이다.

도 5a를 참조하면, 표시 장치(1, 도 1 참조)는 제1 영역(AR1), 제2 영역(AR2), 및 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이의 제3 영역(AR3)을 포함할 수 있다.

제1 영역(AR1)에는 제1 적색 화소(PX1r)들, 제1 녹색 화소(PX1g)들, 및 제1 청색 화소(PX1b)들이 배치될 수 있다. 제2 영역(AR2)에는 제2 적색 화소(PX2r)들, 제2 녹색 화소(PX2g)들, 및 제2 청색 화소(PX2b)들이 배치될 수 있다. 제3 영역(AR3)에는 제3 적색 화소(PX3r)들, 제3 녹색 화소(PX3g)들, 및 제3 청색 화소(PX3b)들이 배치될 수 있다.

제1 영역(AR1)에서, 제1 적색 화소(PX1r)들과 제1 청색 화소(PX1b)들은 제1 방향(예를 들어, ± x 방향) 및 제2 방향(예를 들어, ± y 방향)을 따라 서로 교대로 배치될 수 있다. 제1 적색 화소(PX1r)들과 제1 녹색 화소(PX1g)들은 제2 방향(예를 들어, ± y 방향)을 따라 서로 교대로 배치될 수 있다. 제1 청색 화소(PX1b)들과 제1 녹색 화소(PX1g)들은 제2 방향(예를 들어, ± y 방향)을 따라 서로 교대로 배치될 수 있다.

제3 영역(AR3)에서, 제3 적색 화소(PX3r)들과 제3 청색 화소(PX3b)들은 제1 방향(예를 들어, ± x 방향) 및 제2 방향(예를 들어, ± y 방향)을 따라 서로 교대로 배치될 수 있다. 제3 적색 화소(PX3r)들과 제3 녹색 화소(PX3g)들은 제2 방향(예를 들어, ± y 방향)을 따라 서로 교대로 배치될 수 있다. 제3 청색 화소(PX3b)들과 제3 녹색 화소(PX3g)들은 제2 방향(예를 들어, ± y 방향)을 따라 서로 교대로 배치될 수 있다.

도 5a에서는 제1 영역(AR1)에서 제1 적색 화소(PX1r)들, 제1 녹색 화소(PX1g)들, 및 제1 청색 화소(PX1b)들이 펜타일(pentile) 타입으로 배치되도록 도시하고 있으나, 이에 제한되지 않으며 스트라이프(stripe) 타입 또는 s-스트라이프(s-stripe) 타입 등 다양한 타입으로 배치될 수 있다. 제1 영역(AR1)을 기준으로 설명하였으나 제3 영역(AR3)도 동일하게 적용될 수 있다.

또한, 도 5a에서는 제2 영역(AR2)에서 제2 적색 화소(PX2r)들, 제2 녹색 화소(PX2g)들, 및 제2 청색 화소(PX2b)들이 s-스트라이프(s-stripe) 타입으로 배치되도록 도시하고 있으나, 이에 제한되지 않으며 스트라이프(stripe) 타입 또는 펜타일(pentile) 타입 등 다양한 타입으로 배치될 수 있다.

한편, 도 5b를 참조하면, 제1 영역(AR1)에 배치된 제1 적색 화소(PX1r)는 화소 회로(PC) 및 화소 회로(PC)와 전기적으로 연결된 제1 표시 요소(200R)를 포함하고, 제1 녹색 화소(PX1g)는 화소 회로(PC) 및 화소 회로(PC)와 전기적으로 연결된 제2 표시 요소(200G)를 포함하고, 제1 청색 화소(PX1b)는 화소 회로(PC) 및 화소 회로(PC)와 전기적으로 연결된 제3 표시 요소(200B)를 포함할 수 있다.

제1 표시 요소(200R)는 화소 전극(210), 제1 중간층(220R), 및 대향 전극(230)을 포함하고, 제2 표시 요소(200G)는 화소 전극(210), 제2 중간층(220G), 및 대향 전극(230)을 포함하고, 제3 표시 요소(200B)는 화소 전극(210), 제3 중간층(220B), 및 대향 전극(230)을 포함할 수 있다.

제1 중간층(220R)은 제1 유기 발광층을 포함하고, 제1 유기 발광층을 통해 제1 색상의 광을 방출할 수 있다. 제2 중간층(220G)은 제2 유기 발광층을 포함하고, 제2 유기 발광층을 통해 제2 색상의 광을 방출할 수 있다. 제3 중간층(220B)은 제3 유기 발광층을 포함하고, 제3 유기 발광층을 통해 제3 색상의 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 제1 색상은 적색이고, 제2 색상은 녹색이고, 제3 색상은 청색일 수 있다.

제1 내지 제3 유기 발광층들 각각은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있으며, 제1 내지 제3 유기 발광층들 각각의 아래 및 위에는, 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer), 또는 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 기능층이 선택적으로 더 배치될 수 있다.

화소 정의막(119)은 제1 적색 화소(PX1r)의 제1 표시 요소(200R)의 화소 전극(210)의 적어도 일부를 노출하는 제1-1 개구(OP1r), 제1 녹색 화소(PX1g)의 제2 표시 요소(200G)의 화소 전극(210)의 적어도 일부를 노출하는 제1-2 개구(OP1g), 및 제1 청색 화소(PX1b)의 제3 표시 요소(200B)의 화소 전극(210)의 적어도 일부를 노출하는 제1-3 개구(OP1b)를 가질 수 있다. 이때, 제1-1 개구(OP1r)는 제1 적색 화소(PX1r)의 제1-1 발광 영역(EA1r)을 정의하고, 제1-2 개구(OP1g)는 제1 녹색 화소(PX1g)의 제1-2 발광 영역(EA1g)을 정의하고, 제1-3 개구(OP1b)는 제1 청색 화소(PX1b)의 제1-3 발광 영역(EA1b)을 정의할 수 있다. 제1-1 내지 제1-3 발광 영역(EA1r, EA1g, EA1b)들은 각각 적색, 녹색, 및 청색의 광이 방출되는 영역일 수 있다.

지금까지 제1 영역(AR1)에 배치되는 제1 적색 화소(PX1r)들, 제1 녹색 화소(PX1g)들, 및 제1 청색 화소(PX1b)들을 기준으로 설명하였으나, 제2 영역(AR2)과 제3 영역(AR3)도 동일하게 적용될 수 있다.

즉, 제2 영역(AR2)에 배치된 제2 적색 화소(PX2r)는 화소 회로(PC) 및 제1 표시 요소(200R)를 포함하고, 제2 녹색 화소(PX2g)는 화소 회로(PC) 및 제2 표시 요소(200G)를 포함하고, 제2 청색 화소(PX2b)는 화소 회로(PC) 및 제3 표시 요소(200B)를 포함할 수 있다. 제3 영역(AR3)에 배치된 제3 적색 화소(PX3r)는 화소 회로(PC) 및 제1 표시 요소(200R)를 포함하고, 제3 녹색 화소(PX3g)는 화소 회로(PC) 및 제2 표시 요소(200G)를 포함하고, 제3 청색 화소(PX3b)는 화소 회로(PC) 및 제3 표시 요소(200B)를 포함할 수 있다.

도 5a를 다시 참조하면, 화소 정의막(119)은 제2 적색 화소(PX2r)의 화소 전극(210)의 적어도 일부를 노출하는 제2-1 개구(OP2r), 제2 녹색 화소(PX2g)의 화소 전극(210)의 적어도 일부를 노출하는 제2-2 개구(OP2g), 및 제2 청색 화소(PX2b)의 화소 전극(210)의 적어도 일부를 노출하는 제2-3 개구(OP2b)를 가질 수 있다. 이때, 제2-1 개구(OP2r)는 제2-1 발광 영역(EA2r)을 정의하고, 제2-2 개구(OP2g)는 제2-2 발광 영역(EA2g)을 정의하고, 제2-3 개구(OP2b)는 제2-3 발광 영역(EA2b)을 정의할 수 있다. 제2-1 내지 제2-3 발광 영역(EA2r, EA2g, EA2b)들은 각각 적색, 녹색, 및 청색의 광이 방출되는 영역일 수 있다.

또한, 화소 정의막(119)은 제3 적색 화소(PX3r)의 화소 전극(210)의 적어도 일부를 노출하는 제3-1 개구(OP3r), 제3 녹색 화소(PX3g)의 화소 전극(210)의 적어도 일부를 노출하는 제3-2 개구(OP3g), 및 제3 청색 화소(PX3b)의 화소 전극(210)의 적어도 일부를 노출하는 제3-3 개구(OP3b)를 가질 수 있다. 이때, 제3-1 개구(OP3r)는 제3-1 발광 영역(EA3r)을 정의하고, 제3-2 개구(OP3g)는 제3-2 발광 영역(EA3g)을 정의하고, 제3-3 개구(OP3b)는 제3-3 발광 영역(EA3b)을 정의할 수 있다. 제3-1 내지 제3-3 발광 영역(EA3r, EA3g, EA3b)들은 각각 적색, 녹색, 및 청색의 광이 방출되는 영역일 수 있다.

일 실시예에 있어서, 제1 영역(AR1)에 배치되는 제1 적색 화소(PX1r)들의 단위면적 당 개수는 제2 영역(AR2)에 위치하는 제2 적색 화소(PX2r)들의 단위면적 당 개수보다 많을 수 있다. 제1 적색 화소(PX1r)들과 제2 적색 화소(PX2r)들을 기준으로 설명하였으나, 제1 녹색 화소(PX1g)들과 제2 녹색 화소(PX2g)들, 제1 청색 화소(PX1b)들과 제2 청색 화소(PX2b)들도 동일하게 적용될 수 있다.

다른 말로, 제1 영역(AR1)에 위치하는 제1-1 개구(OP1r)들의 단위면적 당 개수는 제2 영역(AR2)에 위치하는 제2-1 개구(OP2r)들의 단위면적 당 개수보다 많을 수 있다. 제1-1 개구(OP1r)들과 제2-1 개구(OP2r)들을 기준으로 설명하였으나, 제1-2 개구(OP1g)들과 제2-2 개구(OP2g)들, 제1-3 개구(OP1b)들과 제2-3 개구(OP2b)들도 동일하게 적용될 수 있다. 그 결과, 제1 영역(AR1)의 해상도는 제2 영역(AR2)의 해상도보다 높을 수 있다.

일 실시예에 있어서, 평면 상에서, 제1 영역(AR1)에 위치하는 제1-1 개구(OP1r)들의 면적은 제3 영역(AR3)에 위치하는 제3-1 개구(OP3r)들의 면적보다 클 수 있다. 제1-1 개구(OP1r)들과 제3-1 개구(OP3r)들을 기준으로 설명하였으나, 제1-2 개구(OP1g)들과 제3-2 개구(OP3g)들, 제1-3 개구(OP1b)들과 제3-3 개구(OP3b)들도 동일하게 적용될 수 있다.

다른 말로, 제1 적색 화소(PX1r)들의 개구율은 제3 적색 화소(PX3r)들의 개구율보다 높을 수 있다. 제1 적색 화소(PX1r)들과 제3 적색 화소(PX3r)들을 기준으로 설명하였으나, 제1 녹색 화소(PX1g)들과 제3 녹색 화소(PX3g)들, 제1 청색 화소(PX1b)들과 제3 청색 화소(PX3b)들도 동일하게 적용될 수 있다.

또 다른 말로, 제1 적색 화소(PX1r)의 제1-1 발광 영역(EA1r)의 면적은 제3 적색 화소(PX3r)의 제3-1 발광 영역(EA3r)의 면적보다 클 수 있다. 제1-1 발광 영역(EA1r)과 제3-1 발광 영역(EA3r)을 기준으로 설명하였으나, 제1-2 발광 영역(EA1g)과 제3-2 발광 영역(EA3g), 제1-3 발광 영역(EA1b)과 제3-3 발광 영역(EA3b)도 동일하게 적용될 수 있다.

제1 적색 화소(PX1r)들, 제1 녹색 화소(PX1g)들, 및 제1 청색 화소(PX1b)들 각각의 개구율과 제3 적색 화소(PX3r)들, 제3 녹색 화소(PX3g)들, 및 제3 청색 화소(PX3b)들 각각의 개구율이 상이함에 따라 제1 영역(AR1)의 휘도와 제3 영역(AR3)의 휘도가 상이할 수 있다. 제1 적색 화소(PX1r)들, 제1 녹색 화소(PX1g)들, 및 제1 청색 화소(PX1b)들 각각의 개구율이 제3 적색 화소(PX3r)들, 제3 녹색 화소(PX3g)들, 및 제3 청색 화소(PX3b)들 각각의 개구율보다 높은 경우, 제1 영역(AR1)의 휘도는 제3 영역(AR3)의 휘도보다 높을 수 있다. 이처럼, 제1 영역(AR1)보다 휘도가 낮은 제3 영역(AR3)이 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이에 배치되는 경우, 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)의 해상도 차이가 완화될 수 있으므로, 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)의 경계면이 시인되는 현상을 개선할 수 있다.

제3 영역(AR3)은 제1 부분(AR3a) 및 제2 부분(AR3b)을 포함할 수 있다. 제3 영역(AR3)의 제1 부분(AR3a)은 제1 영역(AR1)과 인접하고, 제3 영역(AR3)의 제2 부분(AR3b)은 제2 영역(AR2)과 인접할 수 있다. 도 5a에서는 제3 영역(AR3)이 제1 부분(AR3a) 및 제2 부분(AR3b)을 포함하여 2개의 부분으로 분할되는 것으로 도시하고 있으나, 제3 영역(AR3)은 3개의 부분으로 분할되거나 4개 이상의 부분으로 분할될 수도 있다.

일 실시예에 있어서, 제3-1 개구(OP3r)들 중 제3 영역(AR3)의 제1 부분(AR3a)에 위치하는 제3-1 개구(OP3r)들의 면적은, 제3-1 개구(OP3r)들 중 제3 영역(AR3)의 제2 부분(AR3b)에 위치하는 제3-1 개구(OP3r)들의 면적보다 클 수 있다. 제3-1 개구(OP3r)들을 기준으로 설명하였으나, 제3-2 개구(OP3g)들 및 제3-3 개구(OP3b)들도 동일하게 적용될 수 있다.

다른 말로, 제3-1 발광 영역(EA3r)들 중 제3 영역(AR3)의 제1 부분(AR3a)에 위치하는 제3-1 발광 영역(EA3r)들의 면적은, 제3-1 발광 영역(EA3r)들 중 제3 영역(AR3)의 제2 부분(AR3b)에 위치하는 제3-1 발광 영역(EA3r)들의 면적보다 클 수 있다. 제3-1 발광 영역(EA3r)들을 기준으로 설명하였으나, 제3-2 발광 영역(EA3g)들 및 제3-3 발광 영역(EA3b)들도 동일하게 적용될 수 있다.

평면 상에서, 제3-1 개구(OP3r)들의 면적은 제1 영역(AR1)에서 제2 영역(AR2) 방향을 따라 점진적으로 감소할 수 있다. 제3-1 개구(OP3r)들의 면적은 제2 영역(AR2)에 인접할수록 점진적으로 감소할 수 있다. 예를 들어, 제3-1 개구(OP3r)들의 면적은 + x 방향을 따라 점진적으로 감소할 수 있다. 제3-1 개구(OP3r)들을 기준으로 설명하였으나, 제3-2 개구(OP3g)들 및 제3-3 개구(OP3b)들도 동일하게 적용될 수 있다.

다른 말로, 제3-1 발광 영역(EA3r)의 면적은 제1 영역(AR1)에서 제2 영역(AR2) 방향을 따라 점진적으로 감소할 수 있다. 제3-1 발광 영역(EA3r)의 면적은 제2 영역(AR2)에 인접할수록 점진적으로 감소할 수 있다. 제3-1 발광 영역(EA3r)들을 기준으로 설명하였으나, 제3-2 발광 영역(EA3g)들 및 제3-3 발광 영역(EA3b)들도 동일하게 적용될 수 있다.

또 다른 말로, 제3 적색 화소(PX3r)들, 제3 녹색 화소(PX3g)들, 및 제3 청색 화소(PX3b)들 각각의 개구율은 제1 영역(AR1)에서 제2 영역(AR2) 방향을 따라 점진적으로 감소할 수 있다. 제3 적색 화소(PX3r)들, 제3 녹색 화소(PX3g)들, 및 제3 청색 화소(PX3b)들 각각의 개구율은 제2 영역(AR2)에 인접할수록 점진적으로 감소할 수 있다.

이처럼, 제3 적색 화소(PX3r)들, 제3 녹색 화소(PX3g)들, 및 제3 청색 화소(PX3b)들 각각의 개구율이 제2 영역(AR2)에 인접할수록 점진적으로 감소하는 경우, 제3 영역(AR3)의 휘도는 제2 영역(AR2)에 인접할수록 점진적으로 감소할 수 있다.

전술한 바와 같이 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)은 서로 다른 화소 배치로 인해 해상도 차이가 날 수 있는데, 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이에 제3 영역(AR3)을 배치하면 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)의 해상도 차이를 완화시킬 수 있다. 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이에 점진적으로 휘도가 감소하는 제3 영역(AR3)을 배치하여 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)의 휘도 차이를 완화할 수 있고, 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)의 경계면이 시인되는 현상을 더욱 개선할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 제1-1 개구(OP1r)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제1-1 개구(OP1r)들 사이의 이격 거리(w1r)는, 제3-1 개구(OP3r)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제3-1 개구(OP3r)들 사이의 이격 거리(w2r)보다 작을 수 있다.

반면, 제1 적색 화소(PX1r)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제1 적색 화소(PX1r)들 각각의 화소 전극(210) 사이의 간격(g1r)은, 제3 적색 화소(PX3r)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제3 적색 화소(PX3r)들 각각의 화소 전극(210) 사이의 간격(g2r)과 실질적으로 동일할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 제1-2 개구(OP1g)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제1-2 개구(OP1g)들 사이의 이격 거리(w1g)는, 제3-2 개구(OP3g)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제3-2 개구(OP3g)들 사이의 이격 거리(w2g)보다 작을 수 있다.

반면, 제1 녹색 화소(PX1g)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제1 녹색 화소(PX1g)들 각각의 화소 전극(210) 사이의 간격(g1g)은, 제3 녹색 화소(PX3g)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제3 녹색 화소(PX3g)들 각각의 화소 전극(210) 사이의 간격(g2g)과 실질적으로 동일할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 제1-3 개구(OP1b)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제1-3 개구(OP1b)들 사이의 이격 거리(w1b)는, 제3-3 개구(OP3b)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제3-3 개구(OP3b)들 사이의 이격 거리(w2b)보다 작을 수 있다.

반면, 제1 청색 화소(PX1b)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제1 청색 화소(PX1b)들 각각의 화소 전극(210) 사이의 간격(g1b)은 제3 청색 화소(PX3b)들 중 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)으로 서로 인접한 제3 청색 화소(PX3b)들 각각의 화소 전극(210) 사이의 간격(g2b)과 실질적으로 동일할 수 있다.

지금까지 제1 방향(예를 들어, ± x 방향)을 기준으로 설명하였으나, 제2 방향(예를 들어, ± y 방향)도 동일하게 적용될 수 있다.

일 실시예에 있어서, 제3-1 개구(OP3r)들 중 제3 영역(AR3)의 제1 부분(AR3a)에 위치하고 서로 인접한 제3-1 개구(OP3r)들 사이의 이격 거리(w2ra)는, 제3-1 개구(OP3r)들 중 제3 영역(AR3)의 제2 부분(AR3b)에 위치하고 서로 인접한 제3-1 개구(OP3r)들 사이의 이격 거리(w2rb)보다 작을 수 있다.

일 실시예에 있어서, 제3-2 개구(OP3g)들 중 제3 영역(AR3)의 제1 부분(AR3a)에 위치하고 서로 인접한 제3-2 개구(OP3g)들 사이의 이격 거리(w2ga)는, 제3-2 개구(OP3g)들 중 제3 영역(AR3)의 제2 부분(AR3b)에 위치하고 서로 인접한 제3-2 개구(OP3g)들 사이의 이격 거리(w2gb)보다 작을 수 있다.

일 실시예에 있어서, 제3-3 개구(OP3b)들 중 제3 영역(AR3)의 제1 부분(AR3a)에 위치하고 서로 인접한 제3-3 개구(OP3b)들 사이의 이격 거리(w2ba)는, 제3-3 개구(OP3b)들 중 제3 영역(AR3)의 제2 부분(AR3b)에 위치하고 서로 인접한 제3-3 개구(OP3b)들 사이의 이격 거리(w2bb)보다 작을 수 있다.

즉, 제3 적색 화소(PX3r)들, 제3 녹색 화소(PX3g)들, 및 제3 청색 화소(PX3b)들 각각의 개구율은 제1 영역(AR1)에서 제2 영역(AR2) 방향을 따라 점진적으로 감소함을 알 수 있다. 제3 적색 화소(PX3r)들, 제3 녹색 화소(PX3g)들, 및 제3 청색 화소(PX3b)들 각각의 개구율은 제2 영역(AR2)에 인접할수록 점진적으로 감소함을 알 수 있다.

도 6은 도 1의 일부분을 개략적으로 나타낸 확대 평면도이다.

도 6을 참조하면, 제2 영역(AR2)은 제1 영역(AR1)의 내측에 배치되되, 제2 영역(AR2)은 제1 영역(AR1)에 의해 전체적으로 둘러싸일 수 있다. 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이에는 제3 영역(AR3)이 배치될 수 있다.

제1 내지 제3 영역(AR1, AR2, AR3)들 각각에 배치되는 화소들은 앞서 도 3a 내지 도 5b를 참조하여 설명한 바와 같다. 도 3a 내지 도 5b를 참조하여 설명한 일부 실시예에서와 같이 제3 영역(AR3)에 배치된 화소들의 사이즈를 제1 영역(AR1)에서 제2 영역(AR2)을 향해 점차 감소하도록 배치하는 경우, 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이의 경계가 사용자에게 시인되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 표시 장치(1, 도 1 참조)의 표시 균일도가 높아지고, 표시 품질이 개선될 수 있다.

한편, 제1 내지 제3 영역(AR1, AR2, AR3)들 각각에 배치되는 화소들은 후술할 도 7a 내지 도 10와 같을 수 있으며, 이러한 경우에도 표시 장치(1)의 표시 균일도가 높아지고, 표시 품질이 개선될 수 있다.

도 7a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 확대 평면도이고, 도 7b는 도 7a의 제3 영역을 VI-VI'을 따라 절취한 예시적인 단면도이다. 도 7a 및 도 7b에 있어서, 도 3a 내지 도 3c와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 일컫는 바, 이들에 대한 중복 설명은 생략한다. 또한, 도 7a는 도 3a의 변형 실시예로, 제3 영역의 제3 화소의 구조에서 차이가 있다. 이하에서는 중복되는 내용은 도 3a의 설명으로 갈음하고 차이점을 위주로 설명한다.

도 7a를 참조하면, 표시 장치(1, 도 1 참조)는 제1 영역(AR1), 제2 영역(AR2), 및 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이의 제3 영역(AR3)을 포함할 수 있다. 제1 영역(AR1)에는 제1 화소(PX1)들이 배치되고, 제2 영역(AR2)에는 제2 화소(PX2)들이 배치되고, 제3 영역(AR3)에는 제3 화소(PX3)들이 배치될 수 있다. 제2 영역(AR2)에는 투과 영역(TA)들이 배치될 수 있고, 투과 영역(TA)들은 이웃한 제2 화소(PX2)들 사이에 각각 배치될 수 있다.

제1 영역(AR1)에는 제1 개구(OP1)들이 위치하고, 제2 영역(AR2)에는 제2 개구(OP2)들이 위치하고, 제3 영역(AR3)에는 제3 개구(OP3)들이 위치할 수 있다. 이때, 제1 개구(OP1)는 제1 화소(PX1)의 제1 발광 영역(EA1)을 정의하고, 제2 개구(OP2)는 제2 화소(PX2)의 제2 발광 영역(EA2)을 정의하고, 제3 개구(OP3)는 제3 화소(PX3)의 제3 발광 영역(EA3)을 정의할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 제3 영역(AR3)에 위치하는 제3 개구(OP3)들 각각은 복수의 부분 개구(OP3p)들을 포함할 수 있다.

도 7b를 참조하면, 화소 전극(210)은 부분 개구(OP3p)들에 의해 적어도 일부 노출될 수 있다. 화소 전극(210)은 부분 개구(OP3p)들에 의해 부분적으로 노출된 일부분들을 가질 수 있다. 다른 말로, 부분 개구(OP3p)들은 화소 전극(210)의 적어도 일부를 각각 노출할 수 있다. 또 다른 말로, 화소 정의막(119)은 화소 전극(210)의 적어도 일부를 각각 노출하는 부분 개구(OP3p)들을 가질 수 있다.

도 7a 및 도 7b에는 제3 개구(OP3)가 4개의 부분 개구(OP3p)들을 포함하도록 도시되어 있으나, 이는 일 실시예에 불과하며 제3 개구(OP3)에 포함되는 부분 개구(OP3p)들의 개수는 다양할 수 있다. 예를 들어, 제3 개구(OP3)에 포함되는 부분 개구(OP3p)들은 2개, 3개, 또는 5개 이상일 수 있다.

부분 개구(OP3p)들 사이에는 브랜치(119br)가 배치될 수 있다. 도 7a에 도시된 바와 같이 제3 개구(OP3)는 복수일 수 있으므로, 브랜치(119br)도 복수일 수 있다. 즉, 제3 개구(OP3)들에 각각 대응하여 브랜치(119br)들이 배치될 수 있다.

다시 도 7b를 참조하면, 화소 전극(210) 상에는 중간층(220)이 배치될 수 있다. 중간층(220)은 부분 개구(OP3p)들 및 브랜치(119br)와 중첩할 수 있다. 중간층(220)은 제3 화소(PX3) 내에서 분리되지 않고 하나로 형성될 수 있다. 이는 일 실시예에 불과하며 다른 예로, 중간층(220)은 부분 개구(OP3p)들 내에 각각 배치될 수도 있다. 중간층(220)은 제3 화소(PX3) 내에서 분리되어 부분 개구(OP3p)들 내에 각각 배치될 수도 있다.

브랜치(119br)는 폴리이미드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 브랜치(119br)는 실리콘나이트라이드나 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함하거나, 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다.

브랜치(119br)는 화소 정의막(119)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이러한 경우, 도 7a에 도시된 바와 같이 브랜치(119br)와 화소 정의막(119)은 일체(一體)일 수 있다. 즉, 브랜치(119br)는 화소 정의막(119)의 일부분일 수 있다. 화소 정의막(119)은 브랜치(119br)를 포함할 수 있다.

도 7a에 도시된 바와 같이 제3 영역(AR3)에 배치된 화소 전극(210)의 중심(ce)은 브랜치(119br)와 서로 중첩할 수 있다. 제3 영역(AR3)에 배치된 화소 전극(210)들 각각의 중심(ce)은 브랜치(119br)들과 각각 중첩할 수 있다.

제3 화소(PX3)들 각각이 부분 개구(OP3p)들을 포함하는 경우, 제3 화소(PX3)들의 개구율은 제1 화소(PX1)들의 개구율보다 낮을 수 있다. 부분 개구(OP3p)들 사이에 배치되는 브랜치(119br)가 화소 전극(210)과 일부 중첩되므로, 제3 발광 영역(EA3)의 면적은 제1 발광 영역(EA1)의 면적보다 작을 수 있다. 따라서, 제3 화소(PX3)들의 개구율은 제1 화소(PX1)들의 개구율보다 낮을 수 있다.

제1 화소(PX1)들의 개구율이 제3 화소(PX3)들의 개구율보다 높은 경우, 제1 영역(AR1)의 휘도는 제3 영역(AR3)의 휘도보다 높을 수 있다. 예를 들어, 제1 화소(PX1)에 제1 계조 값에 대응하는 신호가 입력될 때 제1 화소(PX1)가 방출하는 제1 색상의 광의 광량의 합은 제3 화소(PX3)에 상기 제1 계조 값에 대응하는 신호가 입력될 때 제3 화소(PX3)가 방출하는 상기 제1 색상의 광의 광량의 합보다 클 수 있다. 이처럼, 제1 영역(AR1)보다 휘도가 낮은 제3 영역(AR3)이 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이에 배치되는 경우, 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)의 해상도 차이가 완화될 수 있으므로, 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)의 경계면이 시인되는 현상을 개선할 수 있다.

도 7a에서는 브랜치(119br)의 폭을 일정하게 도시하고 있으나, 이는 일 실시예에 불과하며 다른 예로, 브랜치(119br)의 폭은 가변할 수 있다. 이에 대해서는 도 8에서 후술한다.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 확대 평면도이다. 도 8은 도 7a의 변형 실시예로, 이하에서는 중복되는 내용은 도 3a의 설명으로 갈음하고 차이점을 위주로 설명한다.

도 7a에서 전술한 바와 같이 제3 영역(AR3)에 배치된 제3 개구(OP3)들 각각은 복수의 부분 개구(OP3p)들을 포함할 수 있다. 부분 개구(OP3p)들 사이에는 브랜치(119br)가 배치될 수 있다.

도 8을 참조하면, 브랜치(119br)의 폭(wd)은 제1 영역(AR1)에서 제2 영역(AR2) 방향을 따라 점진적으로 증가할 수 있다. 브랜치(119br)의 폭(wd)은 제1 영역(AR1)에서 제2 영역(AR2)을 향해 점차 증가할 수 있다.

제1 영역(AR1)과 가장 인접한 제1 브랜치(119br1)의 제1 폭(wd1)은 가장 얇을 수 있다. 제1 브랜치(119br1)와 + x 방향으로 이웃하는 제2 브랜치(119br2)의 제2 폭(wd2)은 제1 브랜치(119br1)의 제1 폭(wd1)보다 클 수 있다. 제2 브랜치(119br2)와 + x 방향으로 이웃하는 제3 브랜치(119br3)의 제3 폭(wd3)은 제2 브랜치(119br2)의 제2 폭(wd2)보다 클 수 있다. 제3 브랜치(119br3)와 + x 방향으로 이웃하는 제4 브랜치(119br4)의 제4 폭(wd4)은 제3 브랜치(119br3)의 제3 폭(wd3)보다 클 수 있다. 제4 브랜치(119br4)와 + x 방향으로 이웃하는 제5 브랜치(119br5)의 제5 폭(wd5)은 제4 브랜치(119br4)의 제4 폭(wd4)보다 클 수 있다. 제2 영역(AR2)과 가장 인접한 제5 브랜치(119br5)의 제5 폭(wd5)은 가장 두꺼울 수 있다.

이처럼, 브랜치(119br)의 폭(wd)은 제1 영역(AR1)에서 제2 영역(AR2)을 향해 점차 증가할 수 있고, 제3 영역(AR3)에 배치된 제3 화소(PX3)들의 사이즈를 제1 영역(AR1)에서 제2 영역(AR2)을 향해 점차 감소하도록 배치할 수 있다. 이러한 경우, 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이의 경계가 사용자에게 시인되는 것을 방지할 수 있다.

도 9a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 확대 평면도이고, 도 9b는 도 9a의 제3 영역을 VII-VII'을 따라 절취한 예시적인 단면도이다.

도 9a를 참조하면, 표시 장치(1, 도 1 참조)는 제1 영역(AR1), 제2 영역(AR2), 및 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이의 제3 영역(AR3)을 포함할 수 있다.

제1 영역(AR1)에는 복수의 제1 화소 전극(210a)들이 배치되고, 제2 영역(AR2)에는 복수의 제2 화소 전극(210b)들이 배치되고, 제3 영역(AR3)에는 복수의 제3 화소 전극(210c)들이 배치될 수 있다. 여기서, 제1 화소 전극(210a)들은 도 3a의 제1 영역(AR1) 상의 화소 전극(210)들에 각각 대응되고, 제2 화소 전극(210b)들은 도 3a의 제2 영역(AR2) 상의 화소 전극(210)들에 각각 대응되고, 제3 화소 전극(210c)들은 도 3a의 제3 영역(AR3) 상의 화소 전극(210)들에 각각 대응될 수 있다. 따라서, 제1 화소 전극(210a)들, 제2 화소 전극(210b)들, 및 제3 화소 전극(210b)들은 각각 화소 회로(PC, 도 3b 및 도 3c 참조)들에 전기적으로 연결될 수 있다.

화소 정의막(119)은 제1 화소 전극(210a)들의 적어도 일부를 각각 노출하는 제1 개구(OP1)들, 및 제2 화소 전극(210b)들의 적어도 일부를 각각 노출하는 제2 개구(OP2)들을 가질 수 있다.

일 실시예에 있어서, 화소 정의막(119)은 제3 화소 전극(210c)들 중 적어도 하나를 커버할 수 있다. 화소 정의막(119)은 제3 화소 전극(210c)들 중 적어도 하나와 중첩하도록 배치될 수 있다. 또한, 화소 정의막(119)은 제3 화소 전극(210c)들 중 화소 정의막(119)에 의해 커버된 제3 화소 전극(210c)들 이외의 제3 화소 전극(210c)들의 적어도 일부를 각각 노출하는 제3 개구(OP3)들을 가질 수 있다. 제3 개구(OP3) 내에는 중간층(220)이 배치될 수 있다.

즉, 도 9b에 도시된 바와 같이 제3 화소 전극(210c)들 중 적어도 하나의 제3 화소 전극(210c)은 화소 정의막(119)에 의해 덮일 수 있다. 제3 화소 전극(210c)들 중 적어도 하나의 제3 화소 전극(210c)은 화소 정의막(119)과 중첩할 수 있다. 제3 화소 전극(210c)들 중 적어도 하나의 제3 화소 전극(210c)의 상면 및 측면은 화소 정의막(119)과 직접 접촉될 수 있다.

일 실시예에 있어서, 평면 상에서, 제1 개구(OP1)들의 면적은 제3 개구(OP3)들의 면적과 실질적으로 동일할 수 있다. 다른 말로, 제1 화소(PX1)의 제1 발광 영역(EA1)의 면적은 제3 화소(PX3)의 제3 발광 영역(EA3)의 면적과 실질적으로 동일할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 단위면적 당 제1 화소 전극(210a)들의 개수는 단위면적 당 제3 화소 전극(210c)들의 개수는 실질적으로 동일할 수 있다.

반면, 제1 화소 전극(210a)들 중 표면의 적어도 일부가 노출된 제1 화소 전극(210a)들의 단위면적 당 개수는 제3 화소 전극(210c)들 중 표면의 적어도 일부가 노출된 제3 화소 전극(210c)들의 단위면적 당 개수보다 많을 수 있다. 즉, 단위면적 당 제1 개구(OP1)들의 개수는 단위면적 당 제3 개구(OP3)들의 개수보다 많을 수 있다. 다른 말로, 단위면적 당 제1 화소(PX1)들의 개수는 단위면적 당 제3 화소(PX3)들의 개수보다 많을 수 있다.

이처럼, 제3 영역(AR3)에 배치되는 제3 화소 전극(210c)들의 단위면적 당 개수는 제1 영역(AR1)에 배치되는 제1 화소 전극(210a)들의 단위면적 당 개수와 동일하지만, 제3 개구(OP3)들의 단위면적 당 개수는 제1 개구(OP1)들의 단위면적 당 개수보다 적을 수 있다. 즉, 제3 영역(AR3)의 화소 밀도는 제1 영역(AR1)의 화소 밀도보다 낮을 수 있다. 제3 영역(AR3)의 휘도는 제1 영역(AR1)의 휘도보다 낮을 수 있다.

제1 영역(AR1)보다 휘도가 낮은 제3 영역(AR3)이 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이에 배치됨에 따라, 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)의 해상도 차이가 완화될 수 있으므로, 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)의 경계면이 시인되는 현상을 개선할 수 있다.

도 9a에서는 화소 정의막(119)에 의해 가려진 제3 화소 전극(210c)들과 제3 개구(OP3)들에 의해 각각 일부 노출된 제3 화소 전극(210c)들이 서로 교대로 배치되는 것으로 도시하고 있으나, 이는 일 실시예에 불과하며 배치 구조는 다양할 수 있다.

도 9a에서는 제3 영역(AR3)의 화소 밀도가 균일한 것으로 도시하고 있으나, 이는 일 실시예에 불과하며 제3 영역(AR3)의 화소 밀도는 가변할 수 있다. 예를 들어, 도 10에서 후술할 바와 같이 제2 영역(AR2)에 인접할수록 제3 영역(AR3)의 화소 밀도는 점차 감소할 수 있다.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시하는 확대 평면도이다. 도 10은 도 5 및 도 9a의 변형 실시예로, 이하에서는 중복되는 내용은 도 5 및 도 9a의 설명으로 갈음하고 차이점을 위주로 설명한다.

도 10을 참조하면, 제1 영역(AR1)에는 제1 화소 전극(210a)들이 배치되고, 제2 영역(AR2)에는 제2 화소 전극(210b)들이 배치되고, 제3 영역(AR3)에는 제3 화소 전극(210c)들이 배치될 수 있다. 이때, 제1 화소 전극(210a)들은 제1 영역(AR1) 내에서 서로 다른 크기를 가지고, 제2 화소 전극(210b)들은 제2 영역(AR2) 내에서 서로 다른 크기를 가지고, 제3 화소 전극(210c)들은 제3 영역(AR3) 내에서 서로 다른 크기를 가질 수 있다.

제1 적색 화소(PX1r)들, 제1 녹색 화소(PX1g)들, 및 제1 청색 화소(PX1b)들은 각각 제1 화소 전극(210a)들을 포함할 수 있다. 제2 적색 화소(PX2r)들, 제2 녹색 화소(PX2g)들, 및 제2 청색 화소(PX2b)들은 각각 제2 화소 전극(210b)들을 포함할 수 있다. 제3 적색 화소(PX3r)들, 제3 녹색 화소(PX3g)들, 및 제3 청색 화소(PX3b)들은 각각 제3 화소 전극(210c)들을 포함할 수 있다.

제3 화소 전극(210c)들 중 제3 영역(AR3)의 제1 부분(AR3a)에 배치되는 제3 화소 전극(210c)들은 제3-1 화소 전극(210ca)으로 각각 지칭되고, 제3 화소 전극(210c)들 중 제3 영역(AR3)의 제2 부분(AR3b)에 배치되는 제3 화소 전극(210c)들은 제3-2 화소 전극(210cb)으로 각각 지칭될 수 있다.

일 실시예에 있어서, 화소 정의막(119)은 제3 화소 전극(210c)들 중 적어도 하나의 제3 화소 전극(210c)을 커버할 수 있다. 제3-2 화소 전극(210cb)들 중 화소 정의막(119)에 의해 커버된 제3-2 화소 전극(210cb)들의 단위면적 당 개수는 제3-1 화소 전극(210ca)들 중 화소 정의막(119)에 의해 커버된 제3-1 화소 전극(210ca)들의 단위면적 당 개수보다 많을 수 있다.

즉, 제3 화소 전극(210c)들 중 화소 정의막(119)에 의해 커버된 제3 화소 전극(210c)들의 단위면적 당 개수는 제1 영역(AR1)에서 제2 영역(AR2)을 향해 점진적으로 증가할 수 있다. 반대로, 제3 개구(OP3)들의 단위면적 당 개수는 제1 영역(AR1)에서 제2 영역(AR2)을 향해 점진적으로 감소할 수 있다.

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 11 및 도 12에 있어서, 도 1과 동일한 참조 부호는 동일 부재를 일컫는 바, 이들에 대한 중복 설명은 생략한다. 또한, 도 11 및 도 12는 도 1의 변형 실시예들로, 이하에서는 중복되는 내용은 도 1의 설명으로 갈음하고 차이점을 위주로 설명한다.

도 11 및 도 12를 참조하면, 제2 영역(AR2)은 제1 영역(AR1)에 의해 부분적으로 둘러싸일 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(AR2)의 에지들 중 일부는 제1 영역(AR1)에 인접하고, 나머지는 주변 영역(PA)에 인접할 수 있다.

도 11에 도시된 바와 같이 제2 영역(AR2)의 평면 형상은 사각형이고, 제2 영역(AR2)의 에지들 중 하나는 주변 영역(PA)과 인접하고, 나머지는 제1 영역(AR1)에 인접할 수 있다. 반대로, 도 12에 도시된 바와 같이 제2 영역(AR2)의 에지들 중 하나는 제1 영역(AR1)과 인접하고, 나머지는 주변 영역(PA)에 인접할 수도 있다.

이때, 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이에 제3 영역(AR3)이 배치되고, 제3 영역(AR3)의 제3 화소(PX3)들은 제1 화소(PX1)들의 밀도와 제2 화소(PX2)들의 밀도 사이의 밀도로 배치될 수 있다. 서로 다른 밀도를 갖는 제1 화소(PX1)들 및 제2 화소(PX2)들 사이에 제3 화소(PX3)들이 배치됨으로써, 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2) 사이의 경계면이 시인되는 것을 개선할 수 있다.

지금까지는 표시 장치에 대해서만 주로 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 이러한 표시 장치를 제조하기 위한 표시 장치의 제조 방법 역시 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

1: 표시 장치
100: 기판
119: 화소 정의막
210: 화소 전극
220: 중간층
230: 대향 전극
200a, 200b, 200c: 제1 내지 제3 표시 요소
PX1, PX2, PX3: 제1 내지 제3 화소
AR1, AR2, AR3: 제1 내지 제3 영역
OP1, OP2, OP3: 제1 내지 제3 개구
OP3p: 부분 개구
EA1, EA2, EA3: 제1 내지 제3 발광 영역

Claims

제1 영역, 제2 영역, 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이의 제3 영역이 정의된 기판;
상기 제1 내지 제3 영역 상에 각각 배치되고, 화소 전극, 제1 색상의 광을 방출하는 제1 중간층, 및 대향 전극을 각각 포함하는 복수의 제1 내지 제3 표시 요소들; 및
상기 복수의 제1 내지 제3 표시 요소들 각각의 화소 전극의 적어도 일부를 각각 노출하는 복수의 제1 내지 제3 개구들을 갖는 절연층을 포함하고,
단위면적 당 상기 복수의 제1 개구들의 개수는 단위면적 당 상기 복수의 제2 개구들의 개수보다 많고,
평면 상에서, 상기 복수의 제1 개구들의 면적은 상기 복수의 제3 개구들의 면적보다 큰 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 복수의 제1 개구들 중 일 방향으로 서로 인접한 제1 개구들 사이에 위치하는 상기 절연층의 제1 부분의 제1 너비는 상기 복수의 제3 개구들 중 상기 일 방향으로 서로 인접한 제3 개구들 사이에 위치하는 상기 절연층의 제2 부분의 제2 너비보다 작은 표시 장치.
제2 항에 있어서,
상기 복수의 제1 표시 요소들 중 상기 일 방향으로 서로 인접한 제1 표시 요소들 각각의 화소 전극 사이의 제1 간격(gap)은 상기 복수의 제3 표시 요소들 중 서로 인접한 제3 표시 요소들 각각의 화소 전극 사이의 제2 간격과 실질적으로 동일한 표시 장치.
제1 항에 있어서,
평면 상에서, 상기 복수의 제3 개구들 중 상기 제3 영역의 제1 부분에 위치하는 제3-1 개구들의 면적은 상기 복수의 제3 개구들 중 상기 제3 영역의 제2 부분에 위치하는 제3-2 개구들의 면적보다 크고,
상기 제3 영역의 제2 부분은 상기 제3 영역의 제1 부분보다 상기 제2 영역에 인접하도록 배치된 표시 장치.
제1 항에 있어서,
평면 상에서, 상기 복수의 제3 개구들의 면적은 상기 제1 영역에서 상기 제2 영역을 향해 점진적으로 감소하는 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 복수의 제3 개구들 각각은 복수의 부분 개구들을 포함하고,
상기 절연층은 상기 복수의 부분 개구들 사이에 각각 배치되는 복수의 브랜치들을 포함하는 표시 장치.
제6 항에 있어서,
상기 복수의 제3 표시 요소들 각각의 화소 전극의 중심은 상기 복수의 브랜치들과 각각 중첩하는 표시 장치.
제6 항에 있어서,
평면 상에서, 상기 복수의 브랜치들의 폭은 상기 제1 영역에서 상기 제2 영역을 향해 점진적으로 증가하는 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 제1 및 제3 영역 상에 각각 배치되고, 상기 화소 전극, 제2 색상의 광을 방출하는 제2 중간층, 및 상기 대향 전극을 각각 포함하는 복수의 제4 및 제5 표시 요소들을 더 포함하고,
상기 제1 영역 상에서, 상기 복수의 제1 표시 요소들과 상기 복수의 제4 표시 요소들은 일 방향을 따라 서로 교대로 배치되고,
상기 제3 영역 상에서, 상기 복수의 제3 표시 요소들과 상기 복수의 제5 표시 요소들은 상기 일 방향을 따라 서로 교대로 배치되는 표시 장치.
제9 항에 있어서,
상기 절연층은 상기 복수의 제4 및 제5 표시 요소들 각각의 화소 전극의 적어도 일부를 각각 노출하는 복수의 제4 및 제5 개구들을 더 가지고,
평면 상에서, 상기 복수의 제4 개구들의 면적은 상기 복수의 제5 개구들의 면적보다 큰 표시 장치.
제10 항에 있어서,
평면 상에서, 상기 복수의 제5 개구들의 면적은 상기 제1 영역에서 상기 제2 영역을 향해 점진적으로 감소하는 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 제2 영역에서, 상기 절연층은 상기 기판의 적어도 일부를 노출하는 복수의 홀들을 갖는 표시 장치.
제12 항에 있어서,
상기 복수의 홀들은 상기 복수의 제2 개구들 중 서로 이웃하는 제2 개구들 사이에 각각 배치되는 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 절연층은 Cr, CrO_x, Cr/CrO_x, Cr/CrO_x/CrN_y, Carbon 안료, RGB 혼합안료, Graphite, Non-Cr계, 락탐계 안료, 또는 페릴렌계 안료를 포함하는 표시 장치.
제1 영역, 제2 영역, 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이의 제3 영역이 정의된 기판;
상기 제1 내지 제3 영역 상에 배치되는 복수의 화소 회로들;
상기 제1 내지 제3 영역 상에 각각 배치되고, 상기 복수의 화소 회로들과 각각 전기적으로 연결되는 복수의 제1 내지 제3 화소 전극들;
상기 복수의 제1 및 제2 화소 전극들의 적어도 일부를 각각 노출하는 복수의 제1 및 제2 개구들을 가지고, 상기 복수의 제3 화소 전극들 중 적어도 하나를 커버하도록 배치되는 절연층;
상기 복수의 제1 및 제2 개구들 내에 각각 배치되고, 제1 색상의 광을 방출하는 중간층; 및
상기 중간층 상에 배치되는 대향 전극을 포함하고,
단위면적 당 상기 복수의 제1 개구들의 개수는 단위면적 당 상기 복수의 제2 개구들의 개수보다 많은 표시 장치.
제15 항에 있어서,
상기 절연층은 상기 복수의 제3 화소 전극들 중 상기 절연층에 의해 커버된 제3 화소 전극들 이외의 제3 화소 전극들의 적어도 일부를 각각 노출하는 복수의 제3 개구들을 더 가지고,
평면 상에서, 상기 복수의 제1 개구들의 면적은 상기 복수의 제3 개구들의 면적과 실질적으로 동일한 표시 장치.
제15 항에 있어서,
단위면적 당 상기 복수의 제1 화소 전극들의 개수는 단위면적 당 상기 복수의 제3 화소 전극들의 개수와 실질적으로 동일한 표시 장치.
제15 항에 있어서,
상기 복수의 제3 화소 전극들 중 상기 제3 영역의 제2 부분에서 상기 절연층에 의해 커버된 제3 화소 전극들의 단위면적 당 개수는 상기 복수의 제3 화소 전극들 중 상기 제3 영역의 제1 부분에서 상기 절연층에 의해 커버된 제3 화소 전극들의 단위면적 당 개수보다 많고,
상기 제3 영역의 제2 부분은 상기 제3 영역의 제1 부분보다 상기 제2 영역에 인접하도록 배치된 표시 장치.
제15 항에 있어서,
상기 복수의 제3 화소 전극들 중 상기 절연층에 의해 커버된 제3 화소 전극들의 단위면적 당 개수는 상기 제1 영역에서 상기 제2 영역을 향해 점진적으로 증가하는 표시 장치.
제15 항에 있어서,
상기 제2 영역에서, 상기 절연층은 상기 기판의 적어도 일부를 노출하는 복수의 홀들을 가지고,
상기 복수의 홀들은 상기 복수의 제2 개구들 중 서로 이웃하는 제2 개구들 사이에 각각 배치되는 표시 장치.