KR20220006247A - 터치 센서, 터치 센서 제조방법 및 터치 센서를 포함하는 화상 표시 장치 - Google Patents

터치 센서, 터치 센서 제조방법 및 터치 센서를 포함하는 화상 표시 장치 Download PDF

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KR20220006247A
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윤상원
이택기
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

일 실시예에 따른 터치 센서는, 기재층과, 상기 기재층 상에 형성된 센싱 전극들과, 상기 센싱 전극들을 덮으며 상기 기재층 상에 형성된 절연층과, 상기 절연층 상에 형성되고, 상기 센싱 전극들 중 인접한 일부 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는 브릿지 전극과, 상기 브릿지 전극을 덮으며 상기 절연층 상에 형성된 패시베이션 층과, 상기 패시베이션 층 상에 형성된 블랙 매트릭스를 포함할 수 있다.

Description

터치 센서, 터치 센서 제조방법 및 터치 센서를 포함하는 화상 표시 장치{TOUCH SENSOR, MANUFACTURING METHOD OF TOUCH SENSOR, IMAGE DISPLAY DEVICE INCLUDING TOUCH SENSOR}
터치 센서, 터치 센서 제조방법 및 터치 센서를 포함하는 화상 표시 장치에 관한 것이다.
최근 정보화 기술이 발전함에 따라 디스플레이 분야에 대한 요구도 다양한 형태로 제시되고 있다. 예를 들면, 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 특징을 지닌 여러 평판 표시 장치(Flat Panel Display device), 예를 들어, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display device), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel device), 전계 발광 표시 장치(Electro Luminescent Display device), 유기발광 다이오드 표시 장치(Organic Light-Emitting Diode Display device) 등이 연구되고 있다.
한편, 표시 장치 상에 부착되어 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력 장치인 터치 패널 또는 터치 센서가 디스플레이 장치와 결합되어 화상 표시 기능 및 정보 입력 기능이 함께 구현된 전자 기기들이 개발되고 있다.
터치 센서는 터치 센싱을 위한 복수의 센싱 전극을 포함하며, 터치 센서가 디스플레이 장치의 전면 상에 배치되는 경우, 센싱 전극에 의해 초래되는 이미지 품질 저하를 억제할 필요가 있다. 따라서, 고투과도 또는 고투명도를 갖는 터치 센서가 적용될 필요가 있다.
또한, 다양한 부가적 기능성 디바이스들(예를 들면, 카메라, 스피커, 녹음기기, 광학 센서, 조명 등)이 디스플레이 장치에 결합됨에 따라, 디바이스의 원하는 기능이 터치 센서에 의해 방해되거나 저하될 수도 있다.
따라서, 터치 센싱 감도가 향상되면서, 투과율 및 광학적 특성이 향상된 터치 센서가 개발될 필요가 있다. 예를 들면, 한국공개특허 제2014-0092366호에서와 같이 최근 다양한 화상 표시 장치에 터치 센서가 결합된 터치 스크린 패널이 개발되고 있으나, 상술한 바와 같이 광학적 특성이 향상된 고해상도 터치 센서 또는 터치 패널의 요구가 지속되고 있다.
한국공개특허 제10-2014-0092366호
터치 센서, 터치 센서 제조방법 및 터치 센서를 포함하는 화상 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
1. 기재층; 상기 기재층 상에 형성된 센싱 전극들; 상기 센싱 전극들을 덮으며 상기 기재층 상에 형성된 절연층; 상기 절연층 상에 형성되고, 상기 센싱 전극들 중 인접한 일부 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는 브릿지 전극; 상기 브릿지 전극을 덮으며 상기 절연층 상에 형성된 패시베이션 층; 및 상기 패시베이션 층 상에 형성된 블랙 매트릭스; 를 포함하는, 터치 센서.
2. 위 1에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 상기 센싱 전극들 및 상기 브릿지 전극 중 적어도 하나와 적어도 부분적으로 중첩되는 위치에 형성되는, 터치 센서.
3. 위 1에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 상기 센싱 전극들 및 상기 브릿지 전극 중 어느 것과도 중첩되는 않는 위치에 형성되는, 터치 센서.
4. 위 1에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는, 170℃ ~ 190℃에서 경화를 통해 형성되는, 터치 센서.
5. 위 1에 있어서, 상기 센싱 전극들은, 투명 도전성 산화물을 포함하는, 터치 센서.
6. 위 1에 있어서, 상기 센싱 전극들은, 투명 도전성 산화물층 및 금속층의 복층 구조로 형성되는, 터치 센서.
7. 위 1에 있어서, 상기 센싱 전극들은, 센싱 채널 행을 형성하는 제1 센싱 전극들; 및 센싱 채널 열을 형성하는 제2 센싱 전극들; 을 포함하고, 상기 브릿지 전극은, 열 방향으로 이웃하는 제2 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는, 터치 센서.
8. 위 7에 있어서, 상기 절연층은 상기 제2 센싱 전극들의 표면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀들을 포함하고, 상기 브릿지 전극은 상기 콘택 홀들을 채우며 상기 절연층 상에 형성되는, 터치 센서.
9. 위 1에 있어서, 상기 기재층의 상에 형성된 분리 보호층; 을 더 포함하는, 터치 센서.
10. 위 1에 있어서, 상기 블랙 매트릭스를 관통하는 디바이스 홀; 을 더 포함하는, 터치 센서.
11. 위 10에 있어서, 상기 디바이스 홀은 상기 블랙 매트릭스의 중심부는 관통하되, 상기 블랙 매트릭스의 주변부는 남겨두는 형태로 형성되는, 터치 센서.
12. 표시 패널; 및 상기 표시 패널 상에 적층되는 제1항에 따른 터치 센서; 를 포함하는, 화상 표시 장치.
13. 기재층 또는 캐리어 기판 상에 제1 센싱 전극들 및 제2 센싱 전극들을 형성하는 단계; 상기 기재층 또는 상기 캐리어 기판 상에 상기 제1 센싱 전극들 및 상기 제2 센싱 전극들을 덮는 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 이웃하는 제2 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는 브릿지 전극을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 상기 브릿지 전극을 덮는 패시베이션 층을 형성하는 단계; 및 상기 패시베이션 층 상에 블랙 메트릭스를 형성하는 단계; 를 포함하는, 터치 센서 제조 방법.
14. 위 13에 있어서, 상기 블랙 메트릭스를 형성하는 단계는, 상기 제1 센싱 전극들, 상기 제2 센싱 전극들 및 상기 브릿지 전극 중 적어도 하나와 적어도 부분적으로 중첩되는 위치에 상기 블랙 메트릭스를 형성하는, 터치 센서 제조 방법.
15. 위 13에 있어서, 상기 블랙 메트릭스를 형성하는 단계는, 상기 제1 센싱 전극들, 상기 제2 센싱 전극들 및 상기 브릿지 전극 중 어느 것과도 중첩되는 않는 위치에 형성되는, 터치 센서 제조 방법.
16. 위 13에 있어서, 상기 블랙 매트릭스를 형성하는 단계는, 블랙 매트릭스 재료를 170℃ ~190℃에서 경화시켜 상기 블랙 매트릭스를 형성하는, 터치 센서 제조 방법.
17. 위 13에 있어서, 상기 블랙 매트릭스를 관통하는 디바이스 홀을 형성하는 단계; 을 더 포함하는, 터치 센서 제조 방법.
18. 위 17에 있어서, 상기 디바이스 홀을 형성하는 단계는, 상기 블랙 매트릭스의 중심부는 관통하되, 상기 블랙 매트릭스의 주변부는 남겨두는 형태로 상기 디바이스 홀을 형성하는, 터치 센서 제조 방법.
화상 표시 장치의 기능성 소자가 삽입될 수 있는 디바이스 홀이 형성될 위치를 표시하기 위한 블랙 매트릭스를 패시베이션 층 상에 형성함으로써 외부에서 기인한 정전기에 의한 터치 센서의 손상을 줄일 수 있다.
도 1은 터치 센서의 일 실시예를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-B 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 C-D 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 터치 센서의 다른 실시예를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 5는 도 4의 E-F 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 윈도우 적층체 및 화상 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 7은 터치 센서 제조 방법의 일 실시예를 도시한 도면이다.
도 8은 터치 센서 제조 방법의 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 9는 터치 센서 제조 방법의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다.
실시예들을 설명함에 있어서, 관련된 공기 기술에 대한 구체적인 설명이 실시예들의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 그리고, 후술되는 용어들은 실시예들에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함하고, '포함하다' 또는 '가지다' 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, "일측", "타측", "상부", "하부", "행 방향", "열 방향", "X 방향", "Y 방향" 등과 같은 방향성 용어는 절대적인 방향을 지정하는 것이 아니라 개시된 도면들의 배향과 관련하여 서로 다른 방향을 상대적으로 표현하기 위해 사용된다. 본 발명의 실시예의 구성 요소는 다양한 배향으로 위치 설정될 수 있으므로, 방향성 용어는 예시를 목적으로 사용되는 것이지 이를 제한하는 것은 아니다.
또한, 본 명세서에서의 구성부들에 대한 구분은 각 구성부가 담당하는 주 기능별로 구분한 것에 불과하다. 즉, 2개 이상의 구성부가 하나의 구성부로 합쳐지거나 또는 하나의 구성부가 보다 세분화된 기능별로 2개 이상으로 분화되어 구비될 수도 있다. 그리고 구성부 각각은 자신이 담당하는 주기능 이외에도 다른 구성부가 담당하는 기능 중 일부 또는 전부의 기능을 추가적으로 수행할 수도 있으며, 구성부 각각이 담당하는 주기능 중 일부 기능이 다른 구성부에 의해 전담되어 수행될 수도 있다.
도 1은 터치 센서의 일 실시예를 나타내는 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1의 A-B 라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 3은 도 1의 C-D 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 터치 센서(100)는 기재층(110), 복수의 센싱 전극들(120, 130), 절연층(140), 브릿지 전극(150), 패시베이션층(160) 및 블랙 매트릭스(Black Matrix, BM)(170)를 포함할 수 있다.
기재층(110)은 센싱 전극들(120, 130)을 형성하기 위해 지지층으로 사용되는 필름 타입 기재를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 기재층(110)은 센싱 전극들(120, 130)이 직접 형성되는 표시 패널을 지칭할 수도 있다.
일 실시예에 따르면, 기재층(110)은 터치 센서에 통상적으로 사용되는 기판, 또는 필름 소재를 특별한 제한 없이 포함할 수 있다. 예를 들면, 기재층(110)은 유리, 고분자 물질 및/또는 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 이때, 고분자 물질은 환형올레핀중합체(COP), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리아크릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(PI), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(CAP), 폴리에테르술폰(PES), 셀룰로오스 트리아세테이트(TAC), 폴리카보네이트(PC), 환형올레핀공중합체(COC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등을 포함할 수 있으며, 무기 절연 물질은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 기재층(110)은 복층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들면, 기재층(110)은 유기 절연층 및 무기 절연층의 복층 구조로 형성될 수 있다.
터치 센서(100)가 삽입되는 화상 표시 장치의 층 또는 필름 부재가 기재층(110)으로 제공될 수도 있다. 예를 들면, 화상 표시 장치의 디스플레이 패널에 포함되는 인캡슐레이션 층 또는 패시베이션 층, 보호필름, 편광판, 윈도우필름, 위상차필름, 배리어필름 등이 기재층(110)으로 제공될 수도 있다.
센싱 전극들(120, 130)은 기재층(110) 상에 형성되는 제1 센싱 전극들(120) 및 제2 센싱 전극들(130)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 센싱 전극들(120, 130)은 상호 정전 용량(Mutual Capacitance) 방식으로 구동될 수 있도록 배열될 수 있다.
제1 센싱 전극들(120)은 예를 들면, x 방향(또는 행 방향)을 따라 배열될 수 있다. x 방향(또는 행 방향)으로 이웃하는 제1 센싱 전극들(120)은 연결부(125)에 의해 서로 연결될 수 있다. 블랙 매트릭스(170)와 중첩되는 영역(이하, 중첩 영역)에 형성되는 연결부(125a)는, 중첩 영역의 중심부를 가로지르지 않도록 중첩 영역의 외곽을 따라 형성될 수 있으며, 중첩 영역을 사이에 두고 이웃하는 제1 센싱 전극들(120)은 중첩 영역의 외곽을 따라 형성된 연결부(125a)에 의해 서로 연결될 수 있다.
제1 센싱 전극들(120) 및 연결부(125)는 서로 일체로 연결되어 실질적으로 단일 부재로 제공될 수 있다. 이 경우, 제1 센싱 전극들(120) 및 연결부(125)는 동일한 도전막으로부터 함께 패터닝되어 형성되며, 동일 층 혹은 동일 레벨 상에 위치할 수 있다. 이에 따라, x 방향(또는 행 방향)으로 연장하는 제1 센싱 채널 행이 정의되며, 복수의 제1 센싱 채널 행들이 y 방향(또는 열 방향)을 따라 배열될 수 있다.
제2 센싱 전극들(130)은 예를 들면, y 방향(또는 열 방향)을 따라 배열되며 각각 독립된 섬(island) 패턴 형태를 가질 수 있다. y 방향(또는 열 방향)으로 이웃하는 제2 센싱 전극들(130)은 브릿지 전극(150)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 중첩 영역에 형성되는 브릿지 전극(150a)은, 중첩 영역의 중심부를 가로지르지 않도록 중첩 영역의 외곽을 따라 형성될 수 있으며, 중첩 영역을 사이에 두고 이웃하는 제2 센싱 전극들(130)은 중첩 영역의 외곽을 따라 형성된 브릿지 전극(150a)에 의해 서로 연결될 수 있다. 이에 따라, y 방향(또는 열 방향)으로 연장하는 제2 센싱 채널 열이 정의되며, 복수의 제2 센싱 채널 열들이 x 방향(또는 행 방향)을 따라 배열될 수 있다.
일 실시예에 따르면, x 방향 및 y 방향은 기재층(110)의 상면에 평행하며 서로 수직하게 교차할 수 있다.
브릿지 전극(150)은 제1 센싱 전극들(120)을 연결하는 연결부(125)를 사이에 두고 이웃하는 제2 센싱 전극들(130)을 서로 연결할 수 있다. 전술한 바와 같이, 중첩 영역에 형성되는 브릿지 전극(150a)은, 중첩 영역의 중심부를 가로지르지 않도록 중첩 영역의 외곽을 따라 형성되어, 중첩 영역을 사이에 두고 이웃하는 제2 센싱 전극들(130)을 서로 연결할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 센싱 전극들(120, 130)을 덮는 절연층(140)이 기재층(110) 상에 형성될 수 있다. 절연층(140)은 제2 센싱 전극들(130)의 상면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀(145)을 포함할 수 있다. 브릿지 전극(150)은 이웃하는 콘택 홀들(145)을 채우며 절연층(140) 상에 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 센싱 전극들(120, 130) 및/또는 브릿지 전극(150)은 금속, 합금, 금속 와이어 또는 투명 도전성 산화물을 포함하며, 메쉬(mesh) 구조로 형성될 수 있다.
예를 들면, 센싱 전극들(120, 130) 및/또는 브릿지 전극(150)은 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 바나듐(V), 철(Fe), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 주석(Sn), 몰리브덴(Mo), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 예를 들면, 센싱 전극들(120, 130) 및/또는 브릿지 전극(150)은 저저항 구현을 위해 은(Ag) 또는 은 합금(예를 들면, 은-팔라듐-구리(APC) 합금)을 포함할 수 있다. 다른 예를 들면, 센싱 전극들(120, 130) 및/또는 브릿지 전극(150)은 저저항 및 미세 선폭 패터닝을 고려하여 구리(Cu) 또는 구리 합금(예를 들면, 구리-칼슘(CuCa) 합금)을 포함할 수 있다.
센싱 전극들(120, 130) 및/또는 브릿지 전극(150)은 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO) 등과 같은 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
센싱 전극들(120, 130) 및/또는 브릿지 전극(150)을 전술한 투명 도전성 산화물을 포함하도록 형성함으로써, 터치 센서(100)의 전체적인 투과율을 향상시킬 수 있다.
일 실시예에 따르면, 센싱 전극들(120, 130) 및/또는 브릿지 전극(150)은 투명 도전성 산화물 및 금속의 적층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들면, 센싱 전극들(120, 130) 및/또는 브릿지 전극(150)은 투명 도전성 산화물층-금속층의 2층 구조를 가지거나, 투명 도전성 산화물층-금속층-투명 도전성 산화물 층의 3층 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 전술한 금속층에 의해 플렉시블 특성이 향상되면서, 저항을 낮추어 신호 전달 속도가 향상될 수 있으며, 투명 도전성 산화물 층에 의해 내부식성, 투명성이 향상될 수 있다.
이웃하는 제1 센싱 전극(120) 및 제2 센싱 전극(130)의 사이에는 더미 영역(180)이 정의될 수 있다. 더미 영역(180)은 제1 센싱 전극(120) 및 제2 센싱 전극(130)을 서로 물리적, 전기적으로 분리할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 더미 영역(180) 내에는 전술한 금속, 합금, 금속 와이어 또는 투명 도전성 산화물을 포함하는 더미 전극들이 형성될 수 있다. 더미 전극들에 의해 더미 영역(180)에서의 패턴 편차, 광학 특성 차이에 따른 전극 시인을 방지 또는 감소시킬 수 있다.
절연층(140)은 센싱 전극들(120, 130)을 덮으며 기재층(110) 상에 형성될 수 있다. 전술한 바와 같이 절연층(140)은 제2 센싱 전극들(130)의 상면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀(145)을 포함하며, 브릿지 전극(150)은 이웃하는 콘택 홀들(145)을 채우며 절연층(140) 상에 형성되어 인접하는 제2 센싱 전극들(130)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.
일 실시예에 따르면 절연층(140)은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지 또는 실록산계 수지 등과 같은 수지를 포함하는 유기 절연 물질을 사용하여 형성할 수 있다. 이 경우, 수지 조성물을 잉크젯 프릿팅, 노즐 프린팅, 스핀 코팅, 슬릿 코팅 등과 같은 프린팅 공정 또는 코팅 공정들을 통해 기재층(110) 및 센싱 전극들(120, 130)의 상면에 도포하여 코팅막을 형성한 후 경화하고 현상 또는 식각 공정을 통해 절연층(140)을 형성할 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 절연층(140)은 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 질화물 등과 같은 무기 절연 물질을 사용하여 형성될 수도 있다. 이 경우, 무기 절연 물질을 화학 기상 증착(CVD) 공정, 물리 기상 증착(PVD) 공정 등을 통해 기재층(110) 및 센싱 전극들(120, 130)의 상면 상에 증착한 후, 건식 또는 습식 식각 공정을 통해 절연층(140)을 형성할 수 있다.
패시베이션 층(160)은 브릿지 전극(150)을 덮으며 절연층(140) 상에 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 패시베이션 층(160)은 실리콘 산화물과 같은 무기 산화물, 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
블랙 매트릭스(170)는 패시베이션 층(160) 상에 형성될 수 있다. 블랙 매트릭스(170)는 카메라, 스피커, 녹음기, 조명, 광학 센서, 생체 센서 등과 같은 화상 표시 장치의 기능성 소자가 삽입될 수 있는 디바이스 홀(예컨대, 터치 센서를 관통하는 홀)이 형성될 위치를 표시하기 위해 패시베이션 층(160) 상에 형성될 수 있다. 예컨대, 블랙 매트릭스(170)는 카본 블랙 등과 같은 고저항과 높은 광학 밀도(Optical Density, OD)를 가지는 블랙 매트릭스 재료를 170℃~190℃, 보다 바람직하게는 180℃에서 경화시킴으로써 패시베이션 층(160) 상에 형성될 수 있다. 블랙 매트릭스(170)를 패시베이션 층(160) 상에 형성함으로써 외부에서 기인한 정전기에 의한 터치 센서(100)의 손상을 줄일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 블랙 매트릭스(170)는 제1 센싱 전극(120), 연결부(125), 제2 센싱 전극(130) 및 브릿지 전극(150) 중 적어도 하나와 적어도 부분적으로 중첩되는 위치에 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 블랙 매트릭스(170)는 제1 센싱 전극(120), 연결부(125), 제2 센싱 전극(130) 및 브릿지 전극(150) 중 어느 것과도 중첩되지 않는 위치에 형성될 수도 있다.
한편, 일 실시예에 따르면 터치 센서(100)는 기재층(110)의 상면에 형성된 분리 보호층(115)을 더 포함할 수 있다.
분리 보호층(115)은 캐리어 기판으로부터 후속 박리 공정을 용이하게 하고, 터치 센서(100)의 센싱 전극들(120, 130)의 보호 및 센싱 전극들(120, 130)과의 굴절률 정합을 위해 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 분리 보호층(115)은 캐리어 기판으로부터 후속 박리 공정을 용이하게 하기 위해, 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol), 폴리아믹산(polyamic acid), 폴리아미드(polyamide), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리스티렌(polystylene), 폴리노보넨(polynorbornene), 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer), 폴리아조벤젠(polyazobenzene), 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide), 폴리에스테르(polyester), 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 신나메이트(cinnamate), 쿠마린(coumarin), 프탈리미딘(phthalimidine), 칼콘(chalcone), 방향족 아세틸렌계 등의 고분자 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 조합되어 사용될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 분리 보호층(115)은 터치 센서(100)의 센싱 전극들(120, 130)의 보호 및 센싱 전극들(120, 130)과의 굴절률 정합을 위해, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질 또는 고분자 계열의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
또한, 일 실시예에 따르면, 터치 센서(100)는 분리 보호층(115)의 상면에 시인성 개선을 위한 인덱스 매칭 층(Index Matching layer)이 추가될 수 있다. 인덱스 매칭 층은 센싱 전극들(120, 130)과의 굴절률 정합을 통해 시인성 개선을 목적으로 분리 보호층(115)과 센싱 전극들(120, 130) 사이에 형성될 수 있다.
도 4는 터치 센서의 다른 실시예를 나타내는 개략적인 평면도이고, 도 5는 도 4의 E-F 라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 4 및 도 5를 설명함에 있어, 기재층(110), 분리 보호층(115), 센싱 전극들(120, 130), 연결부(125), 절연층(140), 브릿지 전극(150), 패시베이션 층(160), 블랙 매트릭스(170) 및 더미 영역(180)은 도 1 내지 도 3을 참조하여 전술한 바와 같으므로 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 다른 실시예에 따른 터치 센서(400)는 디바이스 홀(175)을 포함할 수 있다.
디바이스 홀(175)은 카메라, 스피커, 녹음기, 조명, 광학 센서, 생체 센서 등과 같은 화상 표시 장치의 기능성 소자가 삽입될 수 있는 홀일 수 있다.
디바이스 홀(175)은 블랙 매트릭스(170)의 상면에 수직하게 블랙 매트릭스(170)를 관통하여 형성될 수 있다. 즉, 디바이스 홀(175)이 형성되는 위치는 블랙 매트릭스(170)의 위치에 의해 결정될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 디바이스 홀(175)은 블랙 매트릭스(170)의 상면에 수직한 방향으로, 블랙 매트릭스(170), 패시베이션 층(160), 절연층(140), 분리 보호층(115) 및 기재층(110)을 관통하여 형성될 수 있다. 이 경우 디바이스 홀(175)은 블랙 매트릭스(170), 패시베이션 층(160), 절연층(140), 분리 보호층(115) 및 기재층(110)을 관통하는 쓰루 홀(through hole) 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 디바이스 홀(175)은 인접한 센싱 전극들(120, 130), 연결부(125) 및 브릿지 전극(150)에 영향을 주지 않는 크기, 즉, 인접한 센싱 전극들(120, 130), 연결부(125) 및 브릿지 전극(150)을 관통하지 않는 크기로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며 디바이스 홀(175)이 인접한 인접한 센싱 전극들(120, 130), 연결부(125) 및 브릿지 전극(150) 중 어느 하나 또는 둘 이상을 적어도 부분적으로 관통하여 형성되는 것도 가능하다.
일 실시예에 따르면, 디바이스 홀(175)은 블랙 매트릭스(170)의 중심부는 관통하되, 블랙 매트릭스(170)의 주변부는 남겨두는 형태로 형성될 수 있다. 이를 통해 터치 센서(400)를 터치 센서(400)의 상면에서 보았을 때, 블랙 매트릭스(170)가 디바이스 홀(175)의 주변을 감싸는 링 형상을 형성할 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 윈도우 적층체 및 화상 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 6을 참조하면, 윈도우 적층체(200)는 윈도우 기판(230), 편광층(220) 및 터치 센서(210)을 포함할 수 있다. 여기서 터치 센서(210)는 도 1 내지 도 5를 참조하여 전술한 터치 센서(100, 400)와 동일하므로 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.
윈도우 기판(230)은 예를 들면 하드 코팅 필름을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 윈도우 기판(230)의 일면의 주변부 상에 차광 패턴(235)이 형성될 수 있다. 차광 패턴(235)은 예를 들면 컬러 인쇄 패턴을 포함할 수 있으며, 단층 또는 복층 구조를 가질 수 있다. 차광 패턴(235)에 의해 화상 표시 장치의 베젤부 혹은 비표시 영역이 정의될 수 있다.
편광층(220)은 코팅형 편광자 또는 편광판을 포함할 수 있다. 코팅형 편광자는 중합성 액정 화합물 및 이색성 염료를 포함하는 액정 코팅층을 포함할 수 있다. 이 경우, 편광층(220)은 액정 코팅층에 배향성을 부여하기 위한 배향막을 더 포함할 수 있다.
예를 들면, 편광판은 폴리비닐알코올계 편광자 및 폴리비닐알코올계 편광자의 적어도 일면에 부착된 보호필름을 포함할 수 있다.
편광층(220)은 윈도우 기판(230)의 일면과 직접 접합되거나, 제1 점접착층(240)을 통해 부착될 수 있다.
터치 센서(210)는 필름 또는 패널 형태로 윈도우 적층체(200)에 포함될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 터치 센서(210)는 제2 점접착층(250)를 통해 편광층(220)과 결합될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 사용자의 시인측으로부터 윈도우 기판(230), 편광층(220) 및 터치 센서(210) 순으로 배치될 수 있다. 이 경우, 터치 센서(210)의 센싱 전극들이 편광층(220) 아래에 배치되므로 전극 시인 현상을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 터치 센서(210)는 윈도우 기판(230) 또는 편광층(220) 상에 직접 전사될 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 사용자의 시인측으로부터 윈도우 기판(230), 터치 센서(210) 및 편광층(220) 순으로 배치될 수도 있다.
화상 표시 장치(600)는 표시 패널(300) 및 표시 패널(300) 상에 결합된 전술한 윈도우 적층체(200)를 포함할 수 있다.
표시 패널(300)은 패널 기판(305) 상에 배치된 화소 전극(310), 화소 정의막(320), 표시층(330), 대향 전극(340) 및 인캡슐레이션 층(350)을 포함할 수 있다.
패널 기판(305) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 화소 회로가 형성되며, 화소 회로를 덮는 절연막이 형성될 수 있다. 화소 전극(310)은 절연막 상에서 예를 들면 TFT의 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
화소 정의막(320)은 절연막 상에 형성되어 화소 전극(310)을 노출시켜 화소 영역을 정의할 수 있다. 화소 전극(310) 상에는 표시층(330)이 형성되며, 표시층(330)은 예를 들면, 액정층 또는 유기 발광층을 포함할 수 있다.
화소 정의막(320) 및 표시층(330) 상에는 대향 전극(340)이 배치될 수 있다. 대향 전극(340)은 예를 들면, 화상 표시 장치(600)의 공통 전극 또는 캐소드로 제공될 수 있다. 대향 전극(340) 상에 표시 패널(300) 보호를 위한 인캡슐레이션 층(350)이 적층될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 표시 패널(300) 및 윈도우 적층체(200)는 점접착층(260)을 통해 결합될 수도 있다. 점접착층(260)은, 표시 패널(300)로부터의 노이즈를 차폐하고, 굴곡 시에 계면 응력을 완화하여 윈도우 적층체(200)의 손상을 억제할 수 있다.
도 7은 터치 센서 제조 방법의 일 실시예를 도시한 도면이다.
도 1 내지 도 3, 및 도 7을 참조하면, 기재층(110) 상에 센싱 전극들(120, 130)을 형성한다(710). 예컨대, 기재층(110) 상에 제1 센싱 전극들(120), 제2 센싱 전극들(130), 및 x 방향(또는 행 방향)으로 이웃하는 제1 센싱 전극들(120)을 연결하는 연결부(125)를 형성할 수 있다.
기재층(110) 상에 센싱 전극들(120, 130)을 덮는 절연층(140)을 형성한다(720). 절연층(140)은 제1 센싱 전극들(120)과 제2 센싱 전극들(130)을 전기적으로 절연시킬 수 있으며, 제2 센싱 전극들(130)의 상면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀(145)을 포함할 수 있다.
절연층(140) 상에 연결부(125)를 사이에 두고 이웃하는 제2 센싱 전극들(130)을 연결하는 브릿지 전극(150)을 형성한다(730). 예컨대, 브릿지 전극(150)은 이웃하는 콘택 홀들(145)을 채우며 절연층(140) 상에 형성될 수 있다.
절연층(140) 상에 브릿지 전극(150)을 덮는 패시베이션 층(160)을 형성한다(740).
패시베이션 층(160) 상에 블랙 매트릭스(170)를 형성한다(850). 예컨대, 카본 블랙 등과 같은 고저항과 높은 광학 밀도를 가지는 블랙 매트릭스 재료를 170℃~190℃, 보다 바람직하게는 180℃에서 경화시켜 패시베이션 층(160) 상에 블랙 매트릭스(170)를 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 블랙 매트릭스(170)는 제1 센싱 전극(120), 연결부(125), 제2 센싱 전극(130) 및 브릿지 전극(150) 중 적어도 하나와 적어도 부분적으로 중첩되는 위치에 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 블랙 매트릭스(170)는 제1 센싱 전극(120), 연결부(125), 제2 센싱 전극(130) 및 브릿지 전극(150) 중 어느 것과도 중첩되지 않는 위치에 형성될 수도 있다.
도 8은 터치 센서 제조 방법의 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 1 내지 도 3, 및 도 8을 참조하면, 캐리어 기판 상에 분리 보호층(115)을 형성한다(810). 분리 보호층(115)은 캐리어 기판으로부터 후속 박리 공정을 용이하게 하고, 터치 센서(100)의 센싱 전극들(120, 130)의 보호 및 센싱 전극들(120, 130)과의 굴절률 정합을 위해 형성될 수 있다.
분리 보호층(115) 상에 센싱 전극들(120, 130)을 형성한다(820). 예컨대, 분리 보호층(115) 상에 제1 센싱 전극들(120), 제2 센싱 전극들(130), 및 x 방향(또는 행 방향)으로 이웃하는 제1 센싱 전극들(120)을 연결하는 연결부(125)를 형성할 수 있다.
분리 보호층(115) 상에 센싱 전극들(120, 130)을 덮는 절연층(140)을 형성한다(830). 절연층(140)은 제1 센싱 전극들(120)과 제2 센싱 전극들(130)을 전기적으로 절연시킬 수 있으며, 제2 센싱 전극들(130)의 상면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀(145)을 포함할 수 있다.
절연층(140) 상에 연결부(125)를 사이에 두고 이웃하는 제2 센싱 전극들(130)을 연결하는 브릿지 전극(150)을 형성한다(840). 예컨대, 브릿지 전극(150)은 이웃하는 콘택 홀들(145)을 채우며 절연층(140) 상에 형성될 수 있다.
절연층(140) 상에 브릿지 전극(150)을 덮는 패시베이션 층(160)을 형성한다(850).
패시베이션 층(160) 상에 블랙 매트릭스(170)를 형성한다(860). 예컨대, 카본 블랙 등과 같은 고저항과 높은 광학 밀도를 가지는 블랙 매트릭스 재료를 170℃~190℃, 보다 바람직하게는 180℃에서 경화시켜 패시베이션 층(160) 상에 블랙 매트릭스(170)를 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 블랙 매트릭스(170)는 제1 센싱 전극(120), 연결부(125), 제2 센싱 전극(130) 및 브릿지 전극(150) 중 적어도 하나와 적어도 부분적으로 중첩되는 위치에 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 블랙 매트릭스(170)는 제1 센싱 전극(120), 연결부(125), 제2 센싱 전극(130) 및 브릿지 전극(150) 중 어느 것과도 중첩되지 않는 위치에 형성될 수도 있다.
캐리어 기판을 제거한다(870). 예컨대, 캐리어 기판으로부터 분리 보호층(115), 센싱 전극들(120, 130), 절연층(140), 브릿지 전극(150), 패시베이션 층(160)및 블랙 매트릭스(170)를 포함하는 적층체를 박리할 수 있다.
분리 보호층(115)의 저면에 기재층(110)을 형성한다(880).
한편, 일 실시예에 따르면, 단계 880에서 기재층(110)은 블랙 매트릭스(170)의 상면 상에 형성될 수도 있다.
또한, 일 실시예에 따르면, 분리 보호층(115)의 상면에 시인성 개선을 위한 인덱스 매칭 층(Index Matching layer)이 추가될 수 있다. 인덱스 매칭 층은 센싱 전극들(120, 130)과의 굴절률 정합을 통해 시인성 개선을 목적으로 분리 보호층(115)과 센싱 전극들(120, 130) 사이에 형성될 수 있다.
도 9는 터치 센서 제조 방법의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 4, 도 5 및 도 9를 참조하면, 기재층(110) 상에 센싱 전극들(120, 130)을 형성한다(910). 예컨대, 기재층(110) 상에 제1 센싱 전극들(120), 제2 센싱 전극들(130), 및 x 방향(또는 행 방향)으로 이웃하는 제1 센싱 전극들(120)을 연결하는 연결부(125)를 형성할 수 있다.
기재층(110) 상에 센싱 전극들(120, 130)을 덮는 절연층(140)을 형성한다(920). 절연층(140)은 제1 센싱 전극들(120)과 제2 센싱 전극들(130)을 전기적으로 절연시킬 수 있으며, 제2 센싱 전극들(130)의 상면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀(145)을 포함할 수 있다.
절연층(140) 상에 연결부(125)를 사이에 두고 이웃하는 제2 센싱 전극들(130)을 연결하는 브릿지 전극(150)을 형성한다(930). 예컨대, 브릿지 전극(150)은 이웃하는 콘택 홀들(145)을 채우며 절연층(140) 상에 형성될 수 있다.
절연층(140) 상에 브릿지 전극(150)을 덮는 패시베이션 층(160)을 형성한다(940).
패시베이션 층(160) 상에 블랙 매트릭스(170)를 형성한다(950). 예컨대, 카본 블랙 등과 같은 고저항과 높은 광학 밀도를 가지는 블랙 매트릭스 재료를 170℃~190℃, 보다 바람직하게는 180℃에서 경화시켜 패시베이션 층(160) 상에 블랙 매트릭스(170)를 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 블랙 매트릭스(170)는 제1 센싱 전극(120), 연결부(125), 제2 센싱 전극(130) 및 브릿지 전극(150) 중 적어도 하나와 적어도 부분적으로 중첩되는 위치에 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 블랙 매트릭스(170)는 제1 센싱 전극(120), 연결부(125), 제2 센싱 전극(130) 및 브릿지 전극(150) 중 어느 것과도 중첩되지 않는 위치에 형성될 수도 있다.
블랙 매트릭스(170)의 중심부를 관통하는 디바이스 홀(175)을 형성한다(960). 일 실시예에 따르면, 블랙 매트릭스(170)의 상면에 수직한 방향으로, 블랙 매트릭스(170), 패시베이션 층(160), 절연층(140) 및 기재층(110)을 관통시켜 디바이스 홀(175)을 형성할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 디바이스 홀(175)은 인접한 센싱 전극들(120, 130), 연결부(125), 및 브릿지 전극(150)에 영향을 주지 않는 크기, 즉, 인접한 센싱 전극들(120, 130), 연결부(125) 및 브릿지 전극(150)을 관통하지 않는 크기로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며 디바이스 홀(175)이 인접한 인접한 센싱 전극들(120, 130), 연결부(125) 및 브릿지 전극(150) 중 어느 하나 또는 둘 이상을 적어도 부분적으로 관통하여 형성되는 것도 가능하다.
일 실시예에 따르면, 디바이스 홀(175)은 블랙 매트릭스(170)의 중심부는 관통하되, 블랙 매트릭스(170)의 주변부는 남겨두는 형태로 형성될 수 있다. 이를 통해 터치 센서(500)를 터치 센서(500)의 상면에서 보았을 때, 블랙 매트릭스(170)가 디바이스 홀(175)의 주변을 감싸는 링 형상을 형성할 수 있다.
이제까지 바람직한 실시 예들을 중심으로 살펴보았다. 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 발명의 범위는 전술한 실시 예에 한정되지 않고 특허 청구범위에 기재된 내용과 동등한 범위 내에 있는 다양한 실시 형태가 포함되도록 해석되어야 할 것이다.
[실험예]
도 1 내지 도 3과 같이, 블랙 매트릭스를 패시베이션 층 상에 형성하여 10개의 터치 센서 샘플을 생성하였다. 10개의 샘플 각각에 대하여, 블랙 매트릭스에서 좌측으로 20mm 이격된 위치에 4kv, 6kv, 8kv, 10kv, 12kv, 15kv의 정전기를 순차적으로 가해주며 불량 발생 여부를 확인한 결과 표 1과 같은 결과를 획득하였다.
[표 1]
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표 1을 참조하면, 블랙 매트릭스를 패시베이션 층 상에 형성한 10개의 샘플 모두에서 불량이 발생하지 않는다는 점을 알 수 있다. 즉, 표 1의 실험예로부터, 블랙 매트릭스를 패시베이션 층 상에 형성한 경우에는 블랙 매트릭스가 외부에서 기인한 정전기를 흡수하므로, 터치 센서의 손상을 줄일 수 있음을 알 수 있다.
100, 400: 터치 센서
110: 기재층
120: 제1 센싱 전극
125: 연결부
130: 제2 센싱 전극
140: 절연층
150: 브릿지 전극
160: 패시베이션 층
170: 블랙 매트릭스
175: 디바이스 홀
180: 더미 영역

Claims (18)

  1. 기재층;
    상기 기재층 상에 형성된 센싱 전극들;
    상기 센싱 전극들을 덮으며 상기 기재층 상에 형성된 절연층;
    상기 절연층 상에 형성되고, 상기 센싱 전극들 중 인접한 일부 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는 브릿지 전극;
    상기 브릿지 전극을 덮으며 상기 절연층 상에 형성된 패시베이션 층; 및
    상기 패시베이션 층 상에 형성된 블랙 매트릭스; 를 포함하는,
    터치 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스는 상기 센싱 전극들 및 상기 브릿지 전극 중 적어도 하나와 적어도 부분적으로 중첩되는 위치에 형성되는,
    터치 센서.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스는 상기 센싱 전극들 및 상기 브릿지 전극 중 어느 것과도 중첩되는 않는 위치에 형성되는,
    터치 센서.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스는,
    170℃ ~ 190℃에서 경화를 통해 형성되는,
    터치 센서.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 센싱 전극들은,
    투명 도전성 산화물을 포함하는,
    터치 센서.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 센싱 전극들은,
    투명 도전성 산화물층 및 금속층의 복층 구조로 형성되는,
    터치 센서.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 센싱 전극들은,
    센싱 채널 행을 형성하는 제1 센싱 전극들; 및
    센싱 채널 열을 형성하는 제2 센싱 전극들; 을 포함하고,
    상기 브릿지 전극은,
    열 방향으로 이웃하는 제2 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는,
    터치 센서.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 제2 센싱 전극들의 표면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀들을 포함하고,
    상기 브릿지 전극은 상기 콘택 홀들을 채우며 상기 절연층 상에 형성되는,
    터치 센서.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 기재층의 상에 형성된 분리 보호층; 을 더 포함하는,
    터치 센서.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스를 관통하는 디바이스 홀; 을 더 포함하는,
    터치 센서.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 디바이스 홀은 상기 블랙 매트릭스의 중심부는 관통하되, 상기 블랙 매트릭스의 주변부는 남겨두는 형태로 형성되는,
    터치 센서.
  12. 표시 패널; 및
    상기 표시 패널 상에 적층되는 제1항에 따른 터치 센서; 를 포함하는,
    화상 표시 장치.
  13. 기재층 또는 분리 보호층 상에 제1 센싱 전극들 및 제2 센싱 전극들을 형성하는 단계;
    상기 기재층 또는 상기 분리 보호층 상에 상기 제1 센싱 전극들 및 상기 제2 센싱 전극들을 덮는 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층 상에 이웃하는 제2 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는 브릿지 전극을 형성하는 단계;
    상기 절연층 상에 상기 브릿지 전극을 덮는 패시베이션 층을 형성하는 단계; 및
    상기 패시베이션 층 상에 블랙 메트릭스를 형성하는 단계; 를 포함하는,
    터치 센서 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 블랙 메트릭스를 형성하는 단계는,
    상기 제1 센싱 전극들, 상기 제2 센싱 전극들 및 상기 브릿지 전극 중 적어도 하나와 적어도 부분적으로 중첩되는 위치에 상기 블랙 메트릭스를 형성하는,
    터치 센서 제조 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 블랙 메트릭스를 형성하는 단계는,
    상기 제1 센싱 전극들, 상기 제2 센싱 전극들 및 상기 브릿지 전극 중 어느 것과도 중첩되는 않는 위치에 형성되는,
    터치 센서 제조 방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스를 형성하는 단계는,
    블랙 매트릭스 재료를 170℃ ~190℃에서 경화시켜 상기 블랙 매트릭스를 형성하는,
    터치 센서 제조 방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스를 관통하는 디바이스 홀을 형성하는 단계; 을 더 포함하는,
    터치 센서 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 디바이스 홀을 형성하는 단계는,
    상기 블랙 매트릭스의 중심부는 관통하되, 상기 블랙 매트릭스의 주변부는 남겨두는 형태로 상기 디바이스 홀을 형성하는,
    터치 센서 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140092366A (ko) 2011-10-25 2014-07-23 유니-픽셀 디스플레이스, 인코포레이티드 편광판 저항막 방식 터치 스크린

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