KR20220006247A - Touch sensor, manufacturing method of touch sensor, image display device including touch sensor - Google Patents

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KR20220006247A
KR20220006247A KR1020200083983A KR20200083983A KR20220006247A KR 20220006247 A KR20220006247 A KR 20220006247A KR 1020200083983 A KR1020200083983 A KR 1020200083983A KR 20200083983 A KR20200083983 A KR 20200083983A KR 20220006247 A KR20220006247 A KR 20220006247A
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윤상원
이택기
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

A touch sensor according to one embodiment may comprise: a base layer; sensing electrodes formed on the base layer; an insulating layer covering the sensing electrodes and formed on the base layer; a bridge electrode formed on the insulating layer, and electrically connecting some adjacent sensing electrodes among the sensing electrodes; a passivation layer covering the bridge electrode and formed on the insulating layer; and a black matrix formed on the passivation layer. Therefore, the present invention is capable of reducing damage to the touch sensor.

Description

터치 센서, 터치 센서 제조방법 및 터치 센서를 포함하는 화상 표시 장치{TOUCH SENSOR, MANUFACTURING METHOD OF TOUCH SENSOR, IMAGE DISPLAY DEVICE INCLUDING TOUCH SENSOR}A touch sensor, a method for manufacturing a touch sensor, and an image display device including the touch sensor

터치 센서, 터치 센서 제조방법 및 터치 센서를 포함하는 화상 표시 장치에 관한 것이다.It relates to a touch sensor, a method for manufacturing the touch sensor, and an image display device including the touch sensor.

최근 정보화 기술이 발전함에 따라 디스플레이 분야에 대한 요구도 다양한 형태로 제시되고 있다. 예를 들면, 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 특징을 지닌 여러 평판 표시 장치(Flat Panel Display device), 예를 들어, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display device), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel device), 전계 발광 표시 장치(Electro Luminescent Display device), 유기발광 다이오드 표시 장치(Organic Light-Emitting Diode Display device) 등이 연구되고 있다.With the recent development of information technology, demands for the display field are also presented in various forms. For example, various flat panel display devices having features such as thinness, light weight, and low power consumption, for example, a liquid crystal display device, a plasma display panel device, An electro-luminescent display device, an organic light-emitting diode display device, and the like are being studied.

한편, 표시 장치 상에 부착되어 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력 장치인 터치 패널 또는 터치 센서가 디스플레이 장치와 결합되어 화상 표시 기능 및 정보 입력 기능이 함께 구현된 전자 기기들이 개발되고 있다.On the other hand, a touch panel or a touch sensor, which is an input device that is attached to the display device and allows the user to input the user's command by selecting the instruction displayed on the screen with a human hand or an object, is combined with the display device to provide image display function and information Electronic devices in which an input function is implemented together are being developed.

터치 센서는 터치 센싱을 위한 복수의 센싱 전극을 포함하며, 터치 센서가 디스플레이 장치의 전면 상에 배치되는 경우, 센싱 전극에 의해 초래되는 이미지 품질 저하를 억제할 필요가 있다. 따라서, 고투과도 또는 고투명도를 갖는 터치 센서가 적용될 필요가 있다.The touch sensor includes a plurality of sensing electrodes for sensing the touch, and when the touch sensor is disposed on the front surface of the display device, it is necessary to suppress image quality degradation caused by the sensing electrodes. Therefore, it is necessary to apply a touch sensor having high transmittance or high transparency.

또한, 다양한 부가적 기능성 디바이스들(예를 들면, 카메라, 스피커, 녹음기기, 광학 센서, 조명 등)이 디스플레이 장치에 결합됨에 따라, 디바이스의 원하는 기능이 터치 센서에 의해 방해되거나 저하될 수도 있다.In addition, as various additional functionality devices (eg, cameras, speakers, recorders, optical sensors, lighting, etc.) are coupled to the display apparatus, a desired function of the device may be interrupted or degraded by the touch sensor.

따라서, 터치 센싱 감도가 향상되면서, 투과율 및 광학적 특성이 향상된 터치 센서가 개발될 필요가 있다. 예를 들면, 한국공개특허 제2014-0092366호에서와 같이 최근 다양한 화상 표시 장치에 터치 센서가 결합된 터치 스크린 패널이 개발되고 있으나, 상술한 바와 같이 광학적 특성이 향상된 고해상도 터치 센서 또는 터치 패널의 요구가 지속되고 있다.Accordingly, there is a need to develop a touch sensor with improved transmittance and optical properties while the touch sensing sensitivity is improved. For example, as in Korean Patent Application Laid-Open No. 2014-0092366, a touch screen panel in which a touch sensor is combined with various image display devices has recently been developed, but as described above, a high-resolution touch sensor or touch panel with improved optical properties is required. is continuing.

한국공개특허 제10-2014-0092366호Korean Patent Publication No. 10-2014-0092366

터치 센서, 터치 센서 제조방법 및 터치 센서를 포함하는 화상 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a touch sensor, a method for manufacturing a touch sensor, and an image display device including the touch sensor.

1. 기재층; 상기 기재층 상에 형성된 센싱 전극들; 상기 센싱 전극들을 덮으며 상기 기재층 상에 형성된 절연층; 상기 절연층 상에 형성되고, 상기 센싱 전극들 중 인접한 일부 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는 브릿지 전극; 상기 브릿지 전극을 덮으며 상기 절연층 상에 형성된 패시베이션 층; 및 상기 패시베이션 층 상에 형성된 블랙 매트릭스; 를 포함하는, 터치 센서.1. base layer; sensing electrodes formed on the base layer; an insulating layer covering the sensing electrodes and formed on the base layer; a bridge electrode formed on the insulating layer and electrically connecting some adjacent sensing electrodes among the sensing electrodes; a passivation layer covering the bridge electrode and formed on the insulating layer; and a black matrix formed on the passivation layer. Including, a touch sensor.

2. 위 1에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 상기 센싱 전극들 및 상기 브릿지 전극 중 적어도 하나와 적어도 부분적으로 중첩되는 위치에 형성되는, 터치 센서.2. The touch sensor according to the above 1, wherein the black matrix is formed at a position that at least partially overlaps with at least one of the sensing electrodes and the bridge electrode.

3. 위 1에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 상기 센싱 전극들 및 상기 브릿지 전극 중 어느 것과도 중첩되는 않는 위치에 형성되는, 터치 센서.3. The touch sensor according to the above 1, wherein the black matrix is formed at a position that does not overlap any of the sensing electrodes and the bridge electrode.

4. 위 1에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는, 170℃ ~ 190℃에서 경화를 통해 형성되는, 터치 센서.4. The touch sensor according to 1 above, wherein the black matrix is formed through curing at 170° C. to 190° C.

5. 위 1에 있어서, 상기 센싱 전극들은, 투명 도전성 산화물을 포함하는, 터치 센서.5. The touch sensor of 1 above, wherein the sensing electrodes include a transparent conductive oxide.

6. 위 1에 있어서, 상기 센싱 전극들은, 투명 도전성 산화물층 및 금속층의 복층 구조로 형성되는, 터치 센서.6. The touch sensor of 1 above, wherein the sensing electrodes are formed in a multilayer structure of a transparent conductive oxide layer and a metal layer.

7. 위 1에 있어서, 상기 센싱 전극들은, 센싱 채널 행을 형성하는 제1 센싱 전극들; 및 센싱 채널 열을 형성하는 제2 센싱 전극들; 을 포함하고, 상기 브릿지 전극은, 열 방향으로 이웃하는 제2 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는, 터치 센서.7. The method of 1 above, wherein the sensing electrodes include: first sensing electrodes forming a sensing channel row; and second sensing electrodes forming a sensing channel column. including, wherein the bridge electrode electrically connects the second sensing electrodes adjacent to each other in a column direction.

8. 위 7에 있어서, 상기 절연층은 상기 제2 센싱 전극들의 표면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀들을 포함하고, 상기 브릿지 전극은 상기 콘택 홀들을 채우며 상기 절연층 상에 형성되는, 터치 센서.8. The touch sensor of 7 above, wherein the insulating layer includes contact holes partially exposing surfaces of the second sensing electrodes, and the bridge electrode fills the contact holes and is formed on the insulating layer.

9. 위 1에 있어서, 상기 기재층의 상에 형성된 분리 보호층; 을 더 포함하는, 터치 센서.9. The above 1, wherein the separation protective layer formed on the base layer; Further comprising, a touch sensor.

10. 위 1에 있어서, 상기 블랙 매트릭스를 관통하는 디바이스 홀; 을 더 포함하는, 터치 센서.10. The method of 1 above, further comprising: a device hole penetrating the black matrix; Further comprising, a touch sensor.

11. 위 10에 있어서, 상기 디바이스 홀은 상기 블랙 매트릭스의 중심부는 관통하되, 상기 블랙 매트릭스의 주변부는 남겨두는 형태로 형성되는, 터치 센서.11. The touch sensor according to the above 10, wherein the device hole penetrates through a central portion of the black matrix while leaving a peripheral portion of the black matrix.

12. 표시 패널; 및 상기 표시 패널 상에 적층되는 제1항에 따른 터치 센서; 를 포함하는, 화상 표시 장치.12. Display panel; and the touch sensor according to claim 1 stacked on the display panel. Including, an image display device.

13. 기재층 또는 캐리어 기판 상에 제1 센싱 전극들 및 제2 센싱 전극들을 형성하는 단계; 상기 기재층 또는 상기 캐리어 기판 상에 상기 제1 센싱 전극들 및 상기 제2 센싱 전극들을 덮는 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 이웃하는 제2 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는 브릿지 전극을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 상기 브릿지 전극을 덮는 패시베이션 층을 형성하는 단계; 및 상기 패시베이션 층 상에 블랙 메트릭스를 형성하는 단계; 를 포함하는, 터치 센서 제조 방법.13. forming first sensing electrodes and second sensing electrodes on a base layer or a carrier substrate; forming an insulating layer covering the first sensing electrodes and the second sensing electrodes on the base layer or the carrier substrate; forming a bridge electrode electrically connecting adjacent second sensing electrodes on the insulating layer; forming a passivation layer covering the bridge electrode on the insulating layer; and forming a black matrix on the passivation layer. Including, a touch sensor manufacturing method.

14. 위 13에 있어서, 상기 블랙 메트릭스를 형성하는 단계는, 상기 제1 센싱 전극들, 상기 제2 센싱 전극들 및 상기 브릿지 전극 중 적어도 하나와 적어도 부분적으로 중첩되는 위치에 상기 블랙 메트릭스를 형성하는, 터치 센서 제조 방법.14. The method of 13 above, wherein the forming of the black matrix comprises forming the black matrix at a position at least partially overlapping with at least one of the first sensing electrodes, the second sensing electrodes, and the bridge electrode. , a method of manufacturing a touch sensor.

15. 위 13에 있어서, 상기 블랙 메트릭스를 형성하는 단계는, 상기 제1 센싱 전극들, 상기 제2 센싱 전극들 및 상기 브릿지 전극 중 어느 것과도 중첩되는 않는 위치에 형성되는, 터치 센서 제조 방법.15. The method of 13 above, wherein the forming of the black matrix is formed at a position that does not overlap any of the first sensing electrodes, the second sensing electrodes, and the bridge electrode.

16. 위 13에 있어서, 상기 블랙 매트릭스를 형성하는 단계는, 블랙 매트릭스 재료를 170℃ ~190℃에서 경화시켜 상기 블랙 매트릭스를 형성하는, 터치 센서 제조 방법.16. The method of 13 above, wherein the forming of the black matrix comprises curing the black matrix material at 170° C. to 190° C. to form the black matrix.

17. 위 13에 있어서, 상기 블랙 매트릭스를 관통하는 디바이스 홀을 형성하는 단계; 을 더 포함하는, 터치 센서 제조 방법.17. The method of 13 above, further comprising: forming a device hole penetrating the black matrix; Further comprising, a touch sensor manufacturing method.

18. 위 17에 있어서, 상기 디바이스 홀을 형성하는 단계는, 상기 블랙 매트릭스의 중심부는 관통하되, 상기 블랙 매트릭스의 주변부는 남겨두는 형태로 상기 디바이스 홀을 형성하는, 터치 센서 제조 방법.18. The method of manufacturing a touch sensor according to the above 17, wherein the forming of the device hole includes passing through the central portion of the black matrix, but leaving the peripheral portion of the black matrix.

화상 표시 장치의 기능성 소자가 삽입될 수 있는 디바이스 홀이 형성될 위치를 표시하기 위한 블랙 매트릭스를 패시베이션 층 상에 형성함으로써 외부에서 기인한 정전기에 의한 터치 센서의 손상을 줄일 수 있다.By forming on the passivation layer a black matrix for indicating a position where a device hole into which a functional element of an image display device can be inserted is to be formed, damage to the touch sensor due to static electricity caused by the outside can be reduced.

도 1은 터치 센서의 일 실시예를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-B 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 C-D 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 터치 센서의 다른 실시예를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 5는 도 4의 E-F 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 윈도우 적층체 및 화상 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 7은 터치 센서 제조 방법의 일 실시예를 도시한 도면이다.
도 8은 터치 센서 제조 방법의 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 9는 터치 센서 제조 방법의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다.1 is a schematic plan view illustrating an embodiment of a touch sensor.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AB of FIG. 1 .
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the CD line of FIG. 1 .
4 is a schematic plan view illustrating another embodiment of a touch sensor.
FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line EF of FIG. 4 .
6 is a schematic cross-sectional view illustrating a window laminate and an image display device according to an exemplary embodiment.
7 is a diagram illustrating an embodiment of a method for manufacturing a touch sensor.
8 is a diagram illustrating another embodiment of a method for manufacturing a touch sensor.
9 is a diagram illustrating another embodiment of a method for manufacturing a touch sensor.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same components are given the same reference numerals as much as possible even though they are indicated on different drawings.

실시예들을 설명함에 있어서, 관련된 공기 기술에 대한 구체적인 설명이 실시예들의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 그리고, 후술되는 용어들은 실시예들에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In describing the embodiments, when it is determined that detailed descriptions of related air technologies may unnecessarily obscure the gist of the embodiments, detailed descriptions thereof will be omitted. And, the terms to be described later are terms defined in consideration of functions in the embodiments, which may vary according to intentions or customs of users and operators. Therefore, the definition should be made based on the content throughout this specification.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함하고, '포함하다' 또는 '가지다' 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various components, but are used only for the purpose of distinguishing one component from other components. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise, and terms such as 'comprise' or 'have' refer to the features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification. It is to be understood that this is not intended to indicate the existence of one or more other features or numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof, or to exclude in advance the possibility of addition or existence of one or more other features.

또한, "일측", "타측", "상부", "하부", "행 방향", "열 방향", "X 방향", "Y 방향" 등과 같은 방향성 용어는 절대적인 방향을 지정하는 것이 아니라 개시된 도면들의 배향과 관련하여 서로 다른 방향을 상대적으로 표현하기 위해 사용된다. 본 발명의 실시예의 구성 요소는 다양한 배향으로 위치 설정될 수 있으므로, 방향성 용어는 예시를 목적으로 사용되는 것이지 이를 제한하는 것은 아니다.Further, directional terms such as "one side", "other side", "top", "bottom", "row direction", "column direction", "X direction", "Y direction", etc. do not designate an absolute direction, but rather are disclosed. It is used to relatively express different directions with respect to the orientation of the drawings. Since components of embodiments of the present invention may be positioned in various orientations, the directional terminology is used for purposes of illustration and not limitation.

또한, 본 명세서에서의 구성부들에 대한 구분은 각 구성부가 담당하는 주 기능별로 구분한 것에 불과하다. 즉, 2개 이상의 구성부가 하나의 구성부로 합쳐지거나 또는 하나의 구성부가 보다 세분화된 기능별로 2개 이상으로 분화되어 구비될 수도 있다. 그리고 구성부 각각은 자신이 담당하는 주기능 이외에도 다른 구성부가 담당하는 기능 중 일부 또는 전부의 기능을 추가적으로 수행할 수도 있으며, 구성부 각각이 담당하는 주기능 중 일부 기능이 다른 구성부에 의해 전담되어 수행될 수도 있다.In addition, in the present specification, the classification of the constituent units is merely classified according to the main functions each constituent unit is responsible for. That is, two or more components may be combined into one component, or one component may be divided into two or more for each more subdivided function. In addition to the main functions that each of the constituent units is responsible for, each of the constituent units may additionally perform some or all of the functions of other constituent units, and some of the main functions of each constituent unit are dedicated to other constituent units. may be performed.

도 1은 터치 센서의 일 실시예를 나타내는 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1의 A-B 라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 3은 도 1의 C-D 라인을 따라 절단한 단면도이다.1 is a schematic plan view showing an embodiment of a touch sensor, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-B of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line C-D of FIG. 1 .

도 1 내지 도 3을 참조하면, 터치 센서(100)는 기재층(110), 복수의 센싱 전극들(120, 130), 절연층(140), 브릿지 전극(150), 패시베이션층(160) 및 블랙 매트릭스(Black Matrix, BM)(170)를 포함할 수 있다.1 to 3 , the touch sensor 100 includes a base layer 110 , a plurality of sensing electrodes 120 and 130 , an insulating layer 140 , a bridge electrode 150 , a passivation layer 160 and A black matrix (BM) 170 may be included.

기재층(110)은 센싱 전극들(120, 130)을 형성하기 위해 지지층으로 사용되는 필름 타입 기재를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 기재층(110)은 센싱 전극들(120, 130)이 직접 형성되는 표시 패널을 지칭할 수도 있다.The substrate layer 110 may include a film-type substrate used as a support layer to form the sensing electrodes 120 and 130 . According to an embodiment, the base layer 110 may refer to a display panel in which the sensing electrodes 120 and 130 are directly formed.

일 실시예에 따르면, 기재층(110)은 터치 센서에 통상적으로 사용되는 기판, 또는 필름 소재를 특별한 제한 없이 포함할 수 있다. 예를 들면, 기재층(110)은 유리, 고분자 물질 및/또는 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 이때, 고분자 물질은 환형올레핀중합체(COP), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리아크릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(PI), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(CAP), 폴리에테르술폰(PES), 셀룰로오스 트리아세테이트(TAC), 폴리카보네이트(PC), 환형올레핀공중합체(COC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등을 포함할 수 있으며, 무기 절연 물질은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the base layer 110 may include a substrate or a film material commonly used for a touch sensor without any particular limitation. For example, the base layer 110 may include glass, a polymer material, and/or an inorganic insulating material. In this case, the polymer material is a cyclic olefin polymer (COP), polyethylene terephthalate (PET), polyacrylate (PAR), polyetherimide (PEI), polyethylene naphthalate (PEN), polyphenylene sulfide (PPS), polyallyl Polyallylate, polyimide (PI), cellulose acetate propionate (CAP), polyethersulfone (PES), cellulose triacetate (TAC), polycarbonate (PC), cyclic olefin copolymer (COC), polymethyl It may include methacrylate (PMMA), and the like, and the inorganic insulating material may include silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, metal oxide, and the like.

일 실시예에 따르면, 기재층(110)은 복층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들면, 기재층(110)은 유기 절연층 및 무기 절연층의 복층 구조로 형성될 수 있다.According to one embodiment, the base layer 110 may be formed in a multi-layer structure. For example, the base layer 110 may be formed in a multilayer structure of an organic insulating layer and an inorganic insulating layer.

터치 센서(100)가 삽입되는 화상 표시 장치의 층 또는 필름 부재가 기재층(110)으로 제공될 수도 있다. 예를 들면, 화상 표시 장치의 디스플레이 패널에 포함되는 인캡슐레이션 층 또는 패시베이션 층, 보호필름, 편광판, 윈도우필름, 위상차필름, 배리어필름 등이 기재층(110)으로 제공될 수도 있다.A layer or a film member of the image display device into which the touch sensor 100 is inserted may be provided as the base layer 110 . For example, an encapsulation layer or passivation layer, a protective film, a polarizing plate, a window film, a retardation film, a barrier film, etc. included in the display panel of the image display device may be provided as the base layer 110 .

센싱 전극들(120, 130)은 기재층(110) 상에 형성되는 제1 센싱 전극들(120) 및 제2 센싱 전극들(130)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 센싱 전극들(120, 130)은 상호 정전 용량(Mutual Capacitance) 방식으로 구동될 수 있도록 배열될 수 있다.The sensing electrodes 120 and 130 may include first sensing electrodes 120 and second sensing electrodes 130 formed on the base layer 110 . For example, the sensing electrodes 120 and 130 may be arranged to be driven in a mutual capacitance method.

제1 센싱 전극들(120)은 예를 들면, x 방향(또는 행 방향)을 따라 배열될 수 있다. x 방향(또는 행 방향)으로 이웃하는 제1 센싱 전극들(120)은 연결부(125)에 의해 서로 연결될 수 있다. 블랙 매트릭스(170)와 중첩되는 영역(이하, 중첩 영역)에 형성되는 연결부(125a)는, 중첩 영역의 중심부를 가로지르지 않도록 중첩 영역의 외곽을 따라 형성될 수 있으며, 중첩 영역을 사이에 두고 이웃하는 제1 센싱 전극들(120)은 중첩 영역의 외곽을 따라 형성된 연결부(125a)에 의해 서로 연결될 수 있다.The first sensing electrodes 120 may be arranged, for example, in an x-direction (or a row direction). The first sensing electrodes 120 adjacent in the x-direction (or row direction) may be connected to each other by the connection unit 125 . The connection part 125a formed in the area overlapping the black matrix 170 (hereinafter referred to as the overlap area) may be formed along the periphery of the overlapping area so as not to cross the center of the overlapping area, and may be formed next to the overlapping area with the overlapping area therebetween. The first sensing electrodes 120 may be connected to each other by a connection portion 125a formed along the outer edge of the overlapping region.

제1 센싱 전극들(120) 및 연결부(125)는 서로 일체로 연결되어 실질적으로 단일 부재로 제공될 수 있다. 이 경우, 제1 센싱 전극들(120) 및 연결부(125)는 동일한 도전막으로부터 함께 패터닝되어 형성되며, 동일 층 혹은 동일 레벨 상에 위치할 수 있다. 이에 따라, x 방향(또는 행 방향)으로 연장하는 제1 센싱 채널 행이 정의되며, 복수의 제1 센싱 채널 행들이 y 방향(또는 열 방향)을 따라 배열될 수 있다.The first sensing electrodes 120 and the connection part 125 may be integrally connected to each other and may be provided as a substantially single member. In this case, the first sensing electrodes 120 and the connection part 125 are formed by patterning together from the same conductive layer, and may be positioned on the same layer or on the same level. Accordingly, a first sensing channel row extending in the x-direction (or row direction) may be defined, and a plurality of first sensing channel rows may be arranged along the y-direction (or column direction).

제2 센싱 전극들(130)은 예를 들면, y 방향(또는 열 방향)을 따라 배열되며 각각 독립된 섬(island) 패턴 형태를 가질 수 있다. y 방향(또는 열 방향)으로 이웃하는 제2 센싱 전극들(130)은 브릿지 전극(150)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 중첩 영역에 형성되는 브릿지 전극(150a)은, 중첩 영역의 중심부를 가로지르지 않도록 중첩 영역의 외곽을 따라 형성될 수 있으며, 중첩 영역을 사이에 두고 이웃하는 제2 센싱 전극들(130)은 중첩 영역의 외곽을 따라 형성된 브릿지 전극(150a)에 의해 서로 연결될 수 있다. 이에 따라, y 방향(또는 열 방향)으로 연장하는 제2 센싱 채널 열이 정의되며, 복수의 제2 센싱 채널 열들이 x 방향(또는 행 방향)을 따라 배열될 수 있다.The second sensing electrodes 130 may be arranged in, for example, a y-direction (or column direction) and may have an independent island pattern shape. The second sensing electrodes 130 adjacent in the y-direction (or column direction) may be electrically connected to each other by the bridge electrode 150 . The bridge electrode 150a formed in the overlapping area may be formed along the periphery of the overlapping area so as not to cross the central portion of the overlapping area, and the second sensing electrodes 130 adjacent to the overlapping area with the overlapping area therebetween are formed in the overlapping area. may be connected to each other by a bridge electrode 150a formed along the periphery of the . Accordingly, a second sensing channel column extending in the y direction (or column direction) may be defined, and a plurality of second sensing channel columns may be arranged along the x direction (or row direction).

일 실시예에 따르면, x 방향 및 y 방향은 기재층(110)의 상면에 평행하며 서로 수직하게 교차할 수 있다.According to one embodiment, the x-direction and the y-direction are parallel to the upper surface of the base layer 110 and may cross each other perpendicularly.

브릿지 전극(150)은 제1 센싱 전극들(120)을 연결하는 연결부(125)를 사이에 두고 이웃하는 제2 센싱 전극들(130)을 서로 연결할 수 있다. 전술한 바와 같이, 중첩 영역에 형성되는 브릿지 전극(150a)은, 중첩 영역의 중심부를 가로지르지 않도록 중첩 영역의 외곽을 따라 형성되어, 중첩 영역을 사이에 두고 이웃하는 제2 센싱 전극들(130)을 서로 연결할 수 있다.The bridge electrode 150 may connect the adjacent second sensing electrodes 130 to each other with a connection part 125 connecting the first sensing electrodes 120 therebetween. As described above, the bridge electrode 150a formed in the overlapping area is formed along the periphery of the overlapping area so as not to cross the central portion of the overlapping area, and the second sensing electrodes 130 adjacent to each other with the overlapping area therebetween. can be connected to each other.

일 실시예에 따르면, 센싱 전극들(120, 130)을 덮는 절연층(140)이 기재층(110) 상에 형성될 수 있다. 절연층(140)은 제2 센싱 전극들(130)의 상면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀(145)을 포함할 수 있다. 브릿지 전극(150)은 이웃하는 콘택 홀들(145)을 채우며 절연층(140) 상에 형성될 수 있다.According to an embodiment, the insulating layer 140 covering the sensing electrodes 120 and 130 may be formed on the base layer 110 . The insulating layer 140 may include a contact hole 145 partially exposing top surfaces of the second sensing electrodes 130 . The bridge electrode 150 may be formed on the insulating layer 140 while filling the adjacent contact holes 145 .

일 실시예에 따르면, 센싱 전극들(120, 130) 및/또는 브릿지 전극(150)은 금속, 합금, 금속 와이어 또는 투명 도전성 산화물을 포함하며, 메쉬(mesh) 구조로 형성될 수 있다.According to an embodiment, the sensing electrodes 120 and 130 and/or the bridge electrode 150 may include a metal, an alloy, a metal wire, or a transparent conductive oxide, and may have a mesh structure.

예를 들면, 센싱 전극들(120, 130) 및/또는 브릿지 전극(150)은 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 바나듐(V), 철(Fe), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 주석(Sn), 몰리브덴(Mo), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 예를 들면, 센싱 전극들(120, 130) 및/또는 브릿지 전극(150)은 저저항 구현을 위해 은(Ag) 또는 은 합금(예를 들면, 은-팔라듐-구리(APC) 합금)을 포함할 수 있다. 다른 예를 들면, 센싱 전극들(120, 130) 및/또는 브릿지 전극(150)은 저저항 및 미세 선폭 패터닝을 고려하여 구리(Cu) 또는 구리 합금(예를 들면, 구리-칼슘(CuCa) 합금)을 포함할 수 있다.For example, the sensing electrodes 120 and 130 and/or the bridge electrode 150 may include silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), or palladium (Pd). , chromium (Cr), titanium (Ti), tungsten (W), niobium (Nb), tantalum (Ta), vanadium (V), iron (Fe), manganese (Mn), cobalt (Co), nickel (Ni) , zinc (Zn), tin (Sn), molybdenum (Mo), calcium (Ca), or an alloy thereof. These may be used alone or in combination of two or more. For example, the sensing electrodes 120 and 130 and/or the bridge electrode 150 may include silver (Ag) or a silver alloy (eg, silver-palladium-copper (APC) alloy) to realize low resistance. can do. For another example, the sensing electrodes 120 and 130 and/or the bridge electrode 150 may be formed of copper (Cu) or a copper alloy (eg, copper-calcium (CuCa) alloy in consideration of low resistance and fine line width patterning). ) may be included.

센싱 전극들(120, 130) 및/또는 브릿지 전극(150)은 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO) 등과 같은 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다.The sensing electrodes 120 and 130 and/or the bridge electrode 150 are indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc tin oxide (IZTO), and cadmium tin oxide (CTO). ) and the like may include a transparent conductive oxide.

센싱 전극들(120, 130) 및/또는 브릿지 전극(150)을 전술한 투명 도전성 산화물을 포함하도록 형성함으로써, 터치 센서(100)의 전체적인 투과율을 향상시킬 수 있다.By forming the sensing electrodes 120 and 130 and/or the bridge electrode 150 to include the above-described transparent conductive oxide, overall transmittance of the touch sensor 100 may be improved.

일 실시예에 따르면, 센싱 전극들(120, 130) 및/또는 브릿지 전극(150)은 투명 도전성 산화물 및 금속의 적층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들면, 센싱 전극들(120, 130) 및/또는 브릿지 전극(150)은 투명 도전성 산화물층-금속층의 2층 구조를 가지거나, 투명 도전성 산화물층-금속층-투명 도전성 산화물 층의 3층 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 전술한 금속층에 의해 플렉시블 특성이 향상되면서, 저항을 낮추어 신호 전달 속도가 향상될 수 있으며, 투명 도전성 산화물 층에 의해 내부식성, 투명성이 향상될 수 있다.According to an embodiment, the sensing electrodes 120 and 130 and/or the bridge electrode 150 may be formed in a stacked structure of a transparent conductive oxide and a metal. For example, the sensing electrodes 120 and 130 and/or the bridge electrode 150 may have a two-layer structure of a transparent conductive oxide layer-metal layer, or a three-layer structure of a transparent conductive oxide layer-metal layer-transparent conductive oxide layer. can have In this case, while the flexible characteristics are improved by the above-described metal layer, the signal transmission speed may be improved by lowering the resistance, and corrosion resistance and transparency may be improved by the transparent conductive oxide layer.

이웃하는 제1 센싱 전극(120) 및 제2 센싱 전극(130)의 사이에는 더미 영역(180)이 정의될 수 있다. 더미 영역(180)은 제1 센싱 전극(120) 및 제2 센싱 전극(130)을 서로 물리적, 전기적으로 분리할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 더미 영역(180) 내에는 전술한 금속, 합금, 금속 와이어 또는 투명 도전성 산화물을 포함하는 더미 전극들이 형성될 수 있다. 더미 전극들에 의해 더미 영역(180)에서의 패턴 편차, 광학 특성 차이에 따른 전극 시인을 방지 또는 감소시킬 수 있다.A dummy region 180 may be defined between the adjacent first sensing electrode 120 and the second sensing electrode 130 . The dummy region 180 may physically and electrically separate the first sensing electrode 120 and the second sensing electrode 130 from each other. According to an embodiment, dummy electrodes including the aforementioned metal, alloy, metal wire, or transparent conductive oxide may be formed in the dummy region 180 . By the dummy electrodes, it is possible to prevent or reduce electrode visibility due to a pattern deviation and a difference in optical characteristics in the dummy region 180 .

절연층(140)은 센싱 전극들(120, 130)을 덮으며 기재층(110) 상에 형성될 수 있다. 전술한 바와 같이 절연층(140)은 제2 센싱 전극들(130)의 상면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀(145)을 포함하며, 브릿지 전극(150)은 이웃하는 콘택 홀들(145)을 채우며 절연층(140) 상에 형성되어 인접하는 제2 센싱 전극들(130)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.The insulating layer 140 may cover the sensing electrodes 120 and 130 and may be formed on the base layer 110 . As described above, the insulating layer 140 includes a contact hole 145 partially exposing top surfaces of the second sensing electrodes 130 , and the bridge electrode 150 fills the adjacent contact holes 145 and is insulated. It may be formed on the layer 140 to electrically connect the adjacent second sensing electrodes 130 .

일 실시예에 따르면 절연층(140)은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지 또는 실록산계 수지 등과 같은 수지를 포함하는 유기 절연 물질을 사용하여 형성할 수 있다. 이 경우, 수지 조성물을 잉크젯 프릿팅, 노즐 프린팅, 스핀 코팅, 슬릿 코팅 등과 같은 프린팅 공정 또는 코팅 공정들을 통해 기재층(110) 및 센싱 전극들(120, 130)의 상면에 도포하여 코팅막을 형성한 후 경화하고 현상 또는 식각 공정을 통해 절연층(140)을 형성할 수 있다.According to an embodiment, the insulating layer 140 may be formed using an organic insulating material including a resin such as an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin, or a siloxane resin. In this case, the resin composition is applied to the upper surfaces of the substrate layer 110 and the sensing electrodes 120 and 130 through a printing process or coating process such as inkjet fritting, nozzle printing, spin coating, slit coating, etc. to form a coating film. After curing, the insulating layer 140 may be formed through a development or etching process.

다른 실시예에 따르면, 절연층(140)은 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 질화물 등과 같은 무기 절연 물질을 사용하여 형성될 수도 있다. 이 경우, 무기 절연 물질을 화학 기상 증착(CVD) 공정, 물리 기상 증착(PVD) 공정 등을 통해 기재층(110) 및 센싱 전극들(120, 130)의 상면 상에 증착한 후, 건식 또는 습식 식각 공정을 통해 절연층(140)을 형성할 수 있다.According to another embodiment, the insulating layer 140 may be formed using an inorganic insulating material such as silicon oxide, silicon oxynitride, or silicon nitride. In this case, an inorganic insulating material is deposited on the upper surfaces of the base layer 110 and the sensing electrodes 120 and 130 through a chemical vapor deposition (CVD) process, a physical vapor deposition (PVD) process, etc., and then dry or wet The insulating layer 140 may be formed through an etching process.

패시베이션 층(160)은 브릿지 전극(150)을 덮으며 절연층(140) 상에 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 패시베이션 층(160)은 실리콘 산화물과 같은 무기 산화물, 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.The passivation layer 160 may cover the bridge electrode 150 and may be formed on the insulating layer 140 . According to an embodiment, the passivation layer 160 may include an inorganic oxide such as silicon oxide, or an organic insulating material.

블랙 매트릭스(170)는 패시베이션 층(160) 상에 형성될 수 있다. 블랙 매트릭스(170)는 카메라, 스피커, 녹음기, 조명, 광학 센서, 생체 센서 등과 같은 화상 표시 장치의 기능성 소자가 삽입될 수 있는 디바이스 홀(예컨대, 터치 센서를 관통하는 홀)이 형성될 위치를 표시하기 위해 패시베이션 층(160) 상에 형성될 수 있다. 예컨대, 블랙 매트릭스(170)는 카본 블랙 등과 같은 고저항과 높은 광학 밀도(Optical Density, OD)를 가지는 블랙 매트릭스 재료를 170℃~190℃, 보다 바람직하게는 180℃에서 경화시킴으로써 패시베이션 층(160) 상에 형성될 수 있다. 블랙 매트릭스(170)를 패시베이션 층(160) 상에 형성함으로써 외부에서 기인한 정전기에 의한 터치 센서(100)의 손상을 줄일 수 있다.The black matrix 170 may be formed on the passivation layer 160 . The black matrix 170 indicates a position where a device hole (eg, a hole passing through a touch sensor) into which a functional element of an image display apparatus such as a camera, speaker, recorder, lighting, optical sensor, biosensor, etc. can be inserted is formed It may be formed on the passivation layer 160 to For example, the black matrix 170 may be formed by curing a black matrix material having high resistance and high optical density (OD), such as carbon black, at 170° C. to 190° C., more preferably at 180° C. to form the passivation layer 160 . may be formed on the By forming the black matrix 170 on the passivation layer 160 , damage to the touch sensor 100 due to static electricity caused by the outside can be reduced.

일 실시예에 따르면, 블랙 매트릭스(170)는 제1 센싱 전극(120), 연결부(125), 제2 센싱 전극(130) 및 브릿지 전극(150) 중 적어도 하나와 적어도 부분적으로 중첩되는 위치에 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 블랙 매트릭스(170)는 제1 센싱 전극(120), 연결부(125), 제2 센싱 전극(130) 및 브릿지 전극(150) 중 어느 것과도 중첩되지 않는 위치에 형성될 수도 있다.According to an embodiment, the black matrix 170 is formed at a position that at least partially overlaps with at least one of the first sensing electrode 120 , the connection part 125 , the second sensing electrode 130 , and the bridge electrode 150 . can be However, the present invention is not limited thereto, and the black matrix 170 may be formed at a position that does not overlap any of the first sensing electrode 120 , the connection part 125 , the second sensing electrode 130 , and the bridge electrode 150 . may be

한편, 일 실시예에 따르면 터치 센서(100)는 기재층(110)의 상면에 형성된 분리 보호층(115)을 더 포함할 수 있다.Meanwhile, according to an embodiment, the touch sensor 100 may further include a separation protective layer 115 formed on the upper surface of the base layer 110 .

분리 보호층(115)은 캐리어 기판으로부터 후속 박리 공정을 용이하게 하고, 터치 센서(100)의 센싱 전극들(120, 130)의 보호 및 센싱 전극들(120, 130)과의 굴절률 정합을 위해 형성될 수 있다.The separation protective layer 115 facilitates a subsequent peeling process from the carrier substrate, and is formed to protect the sensing electrodes 120 and 130 of the touch sensor 100 and to match the refractive index with the sensing electrodes 120 and 130 . can be

일 실시예에 따르면, 분리 보호층(115)은 캐리어 기판으로부터 후속 박리 공정을 용이하게 하기 위해, 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol), 폴리아믹산(polyamic acid), 폴리아미드(polyamide), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리스티렌(polystylene), 폴리노보넨(polynorbornene), 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer), 폴리아조벤젠(polyazobenzene), 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide), 폴리에스테르(polyester), 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 신나메이트(cinnamate), 쿠마린(coumarin), 프탈리미딘(phthalimidine), 칼콘(chalcone), 방향족 아세틸렌계 등의 고분자 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 조합되어 사용될 수 있다.According to one embodiment, the separation protective layer 115 is formed of polyimide, polyvinyl alcohol, polyamic acid, polyamide ( polyamide), polyethylene, polystyrene, polynorbornene, phenylmaleimide copolymer, polyazobenzene, polyphenylenephthalamide, polyester , polymethyl methacrylate, polyarylate, cinnamate, coumarin, phthalimidine, chalcone, including polymeric substances such as aromatic acetylene can do. These may be used alone or in combination of two or more.

일 실시예에 따르면, 분리 보호층(115)은 터치 센서(100)의 센싱 전극들(120, 130)의 보호 및 센싱 전극들(120, 130)과의 굴절률 정합을 위해, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질 또는 고분자 계열의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the separation protective layer 115 is formed of silicon oxide or silicon nitride to protect the sensing electrodes 120 and 130 of the touch sensor 100 and to match the refractive index with the sensing electrodes 120 and 130 . , an inorganic insulating material such as silicon oxynitride, or a polymer-based organic insulating material.

또한, 일 실시예에 따르면, 터치 센서(100)는 분리 보호층(115)의 상면에 시인성 개선을 위한 인덱스 매칭 층(Index Matching layer)이 추가될 수 있다. 인덱스 매칭 층은 센싱 전극들(120, 130)과의 굴절률 정합을 통해 시인성 개선을 목적으로 분리 보호층(115)과 센싱 전극들(120, 130) 사이에 형성될 수 있다.Also, according to an embodiment, in the touch sensor 100 , an index matching layer for improving visibility may be added to the upper surface of the separation protective layer 115 . The index matching layer may be formed between the separation protective layer 115 and the sensing electrodes 120 and 130 for the purpose of improving visibility through refractive index matching with the sensing electrodes 120 and 130 .

도 4는 터치 센서의 다른 실시예를 나타내는 개략적인 평면도이고, 도 5는 도 4의 E-F 라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 4 및 도 5를 설명함에 있어, 기재층(110), 분리 보호층(115), 센싱 전극들(120, 130), 연결부(125), 절연층(140), 브릿지 전극(150), 패시베이션 층(160), 블랙 매트릭스(170) 및 더미 영역(180)은 도 1 내지 도 3을 참조하여 전술한 바와 같으므로 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.4 is a schematic plan view showing another embodiment of the touch sensor, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line E-F of FIG. 4 . 4 and 5, the base layer 110, the separation protective layer 115, the sensing electrodes 120 and 130, the connection part 125, the insulating layer 140, the bridge electrode 150, passivation Since the layer 160 , the black matrix 170 , and the dummy region 180 are the same as those described above with reference to FIGS. 1 to 3 , a detailed description thereof will be omitted.

도 4 및 도 5를 참조하면, 다른 실시예에 따른 터치 센서(400)는 디바이스 홀(175)을 포함할 수 있다.4 and 5 , the touch sensor 400 according to another embodiment may include a device hole 175 .

디바이스 홀(175)은 카메라, 스피커, 녹음기, 조명, 광학 센서, 생체 센서 등과 같은 화상 표시 장치의 기능성 소자가 삽입될 수 있는 홀일 수 있다.The device hole 175 may be a hole into which a functional element of an image display device, such as a camera, a speaker, a recorder, lighting, an optical sensor, a biosensor, etc. can be inserted.

디바이스 홀(175)은 블랙 매트릭스(170)의 상면에 수직하게 블랙 매트릭스(170)를 관통하여 형성될 수 있다. 즉, 디바이스 홀(175)이 형성되는 위치는 블랙 매트릭스(170)의 위치에 의해 결정될 수 있다.The device hole 175 may be formed to penetrate the black matrix 170 perpendicular to the upper surface of the black matrix 170 . That is, the position at which the device hole 175 is formed may be determined by the position of the black matrix 170 .

일 실시예에 따르면, 디바이스 홀(175)은 블랙 매트릭스(170)의 상면에 수직한 방향으로, 블랙 매트릭스(170), 패시베이션 층(160), 절연층(140), 분리 보호층(115) 및 기재층(110)을 관통하여 형성될 수 있다. 이 경우 디바이스 홀(175)은 블랙 매트릭스(170), 패시베이션 층(160), 절연층(140), 분리 보호층(115) 및 기재층(110)을 관통하는 쓰루 홀(through hole) 형상을 가질 수 있다.According to one embodiment, the device hole 175 is in a direction perpendicular to the top surface of the black matrix 170 , the black matrix 170 , the passivation layer 160 , the insulating layer 140 , the isolation protective layer 115 , and It may be formed through the base layer 110 . In this case, the device hole 175 has a through hole shape penetrating the black matrix 170 , the passivation layer 160 , the insulating layer 140 , the isolation protective layer 115 , and the base layer 110 . can

일 실시예에 따르면, 디바이스 홀(175)은 인접한 센싱 전극들(120, 130), 연결부(125) 및 브릿지 전극(150)에 영향을 주지 않는 크기, 즉, 인접한 센싱 전극들(120, 130), 연결부(125) 및 브릿지 전극(150)을 관통하지 않는 크기로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며 디바이스 홀(175)이 인접한 인접한 센싱 전극들(120, 130), 연결부(125) 및 브릿지 전극(150) 중 어느 하나 또는 둘 이상을 적어도 부분적으로 관통하여 형성되는 것도 가능하다.According to an embodiment, the device hole 175 has a size that does not affect the adjacent sensing electrodes 120 and 130 , the connection part 125 , and the bridge electrode 150 , that is, the adjacent sensing electrodes 120 and 130 . , it may be formed in a size that does not penetrate through the connection part 125 and the bridge electrode 150 . However, the present invention is not limited thereto, and the device hole 175 may be formed by at least partially penetrating any one or two or more of the adjacent sensing electrodes 120 and 130 , the connection part 125 , and the bridge electrode 150 . .

일 실시예에 따르면, 디바이스 홀(175)은 블랙 매트릭스(170)의 중심부는 관통하되, 블랙 매트릭스(170)의 주변부는 남겨두는 형태로 형성될 수 있다. 이를 통해 터치 센서(400)를 터치 센서(400)의 상면에서 보았을 때, 블랙 매트릭스(170)가 디바이스 홀(175)의 주변을 감싸는 링 형상을 형성할 수 있다.According to an embodiment, the device hole 175 may be formed in such a way that a central portion of the black matrix 170 is penetrated, but a peripheral portion of the black matrix 170 is left. Through this, when the touch sensor 400 is viewed from the upper surface of the touch sensor 400 , the black matrix 170 may form a ring shape surrounding the periphery of the device hole 175 .

도 6은 일 실시예에 따른 윈도우 적층체 및 화상 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.6 is a schematic cross-sectional view illustrating a window laminate and an image display device according to an exemplary embodiment.

도 6을 참조하면, 윈도우 적층체(200)는 윈도우 기판(230), 편광층(220) 및 터치 센서(210)을 포함할 수 있다. 여기서 터치 센서(210)는 도 1 내지 도 5를 참조하여 전술한 터치 센서(100, 400)와 동일하므로 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.Referring to FIG. 6 , the window stack 200 may include a window substrate 230 , a polarization layer 220 , and a touch sensor 210 . Here, since the touch sensor 210 is the same as the touch sensors 100 and 400 described above with reference to FIGS. 1 to 5 , a detailed description thereof will be omitted.

윈도우 기판(230)은 예를 들면 하드 코팅 필름을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 윈도우 기판(230)의 일면의 주변부 상에 차광 패턴(235)이 형성될 수 있다. 차광 패턴(235)은 예를 들면 컬러 인쇄 패턴을 포함할 수 있으며, 단층 또는 복층 구조를 가질 수 있다. 차광 패턴(235)에 의해 화상 표시 장치의 베젤부 혹은 비표시 영역이 정의될 수 있다.The window substrate 230 may include, for example, a hard coating film. According to an embodiment, a light blocking pattern 235 may be formed on a peripheral portion of one surface of the window substrate 230 . The light blocking pattern 235 may include, for example, a color printing pattern, and may have a single-layer or multi-layer structure. A bezel part or a non-display area of the image display device may be defined by the light blocking pattern 235 .

편광층(220)은 코팅형 편광자 또는 편광판을 포함할 수 있다. 코팅형 편광자는 중합성 액정 화합물 및 이색성 염료를 포함하는 액정 코팅층을 포함할 수 있다. 이 경우, 편광층(220)은 액정 코팅층에 배향성을 부여하기 위한 배향막을 더 포함할 수 있다.The polarizing layer 220 may include a coated polarizer or a polarizing plate. The coating-type polarizer may include a liquid crystal coating layer including a polymerizable liquid crystal compound and a dichroic dye. In this case, the polarization layer 220 may further include an alignment layer for imparting alignment to the liquid crystal coating layer.

예를 들면, 편광판은 폴리비닐알코올계 편광자 및 폴리비닐알코올계 편광자의 적어도 일면에 부착된 보호필름을 포함할 수 있다.For example, the polarizing plate may include a polyvinyl alcohol-based polarizer and a protective film attached to at least one surface of the polyvinyl alcohol-based polarizer.

편광층(220)은 윈도우 기판(230)의 일면과 직접 접합되거나, 제1 점접착층(240)을 통해 부착될 수 있다.The polarization layer 220 may be directly bonded to one surface of the window substrate 230 or may be attached through the first adhesive layer 240 .

터치 센서(210)는 필름 또는 패널 형태로 윈도우 적층체(200)에 포함될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 터치 센서(210)는 제2 점접착층(250)를 통해 편광층(220)과 결합될 수 있다.The touch sensor 210 may be included in the window laminate 200 in the form of a film or a panel. According to an embodiment, the touch sensor 210 may be coupled to the polarization layer 220 through the second adhesive layer 250 .

도 6에 도시된 바와 같이, 사용자의 시인측으로부터 윈도우 기판(230), 편광층(220) 및 터치 센서(210) 순으로 배치될 수 있다. 이 경우, 터치 센서(210)의 센싱 전극들이 편광층(220) 아래에 배치되므로 전극 시인 현상을 보다 효과적으로 방지할 수 있다. As shown in FIG. 6 , the window substrate 230 , the polarization layer 220 , and the touch sensor 210 may be sequentially disposed from the user's viewing side. In this case, since the sensing electrodes of the touch sensor 210 are disposed under the polarization layer 220, it is possible to more effectively prevent the electrode visibility phenomenon.

일 실시예에 있어서, 터치 센서(210)는 윈도우 기판(230) 또는 편광층(220) 상에 직접 전사될 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 사용자의 시인측으로부터 윈도우 기판(230), 터치 센서(210) 및 편광층(220) 순으로 배치될 수도 있다.In an embodiment, the touch sensor 210 may be directly transferred onto the window substrate 230 or the polarization layer 220 . According to an embodiment, the window substrate 230 , the touch sensor 210 , and the polarization layer 220 may be disposed in the order from the user's viewing side.

화상 표시 장치(600)는 표시 패널(300) 및 표시 패널(300) 상에 결합된 전술한 윈도우 적층체(200)를 포함할 수 있다.The image display device 600 may include a display panel 300 and the aforementioned window stack 200 coupled to the display panel 300 .

표시 패널(300)은 패널 기판(305) 상에 배치된 화소 전극(310), 화소 정의막(320), 표시층(330), 대향 전극(340) 및 인캡슐레이션 층(350)을 포함할 수 있다.The display panel 300 may include a pixel electrode 310 , a pixel defining layer 320 , a display layer 330 , a counter electrode 340 , and an encapsulation layer 350 disposed on a panel substrate 305 . can

패널 기판(305) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 화소 회로가 형성되며, 화소 회로를 덮는 절연막이 형성될 수 있다. 화소 전극(310)은 절연막 상에서 예를 들면 TFT의 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.A pixel circuit including a thin film transistor (TFT) may be formed on the panel substrate 305 , and an insulating layer covering the pixel circuit may be formed. The pixel electrode 310 may be electrically connected to, for example, a drain electrode of a TFT on an insulating layer.

화소 정의막(320)은 절연막 상에 형성되어 화소 전극(310)을 노출시켜 화소 영역을 정의할 수 있다. 화소 전극(310) 상에는 표시층(330)이 형성되며, 표시층(330)은 예를 들면, 액정층 또는 유기 발광층을 포함할 수 있다.The pixel defining layer 320 may be formed on the insulating layer to expose the pixel electrode 310 to define a pixel area. A display layer 330 is formed on the pixel electrode 310 , and the display layer 330 may include, for example, a liquid crystal layer or an organic light emitting layer.

화소 정의막(320) 및 표시층(330) 상에는 대향 전극(340)이 배치될 수 있다. 대향 전극(340)은 예를 들면, 화상 표시 장치(600)의 공통 전극 또는 캐소드로 제공될 수 있다. 대향 전극(340) 상에 표시 패널(300) 보호를 위한 인캡슐레이션 층(350)이 적층될 수 있다.A counter electrode 340 may be disposed on the pixel defining layer 320 and the display layer 330 . The opposite electrode 340 may be provided as a common electrode or a cathode of the image display device 600 . An encapsulation layer 350 for protecting the display panel 300 may be stacked on the opposite electrode 340 .

일 실시예에 따르면, 표시 패널(300) 및 윈도우 적층체(200)는 점접착층(260)을 통해 결합될 수도 있다. 점접착층(260)은, 표시 패널(300)로부터의 노이즈를 차폐하고, 굴곡 시에 계면 응력을 완화하여 윈도우 적층체(200)의 손상을 억제할 수 있다.According to an exemplary embodiment, the display panel 300 and the window stack 200 may be coupled through the adhesive layer 260 . The adhesive layer 260 may block noise from the display panel 300 and relieve interfacial stress during bending, thereby suppressing damage to the window laminate 200 .

도 7은 터치 센서 제조 방법의 일 실시예를 도시한 도면이다.7 is a diagram illustrating an embodiment of a method for manufacturing a touch sensor.

도 1 내지 도 3, 및 도 7을 참조하면, 기재층(110) 상에 센싱 전극들(120, 130)을 형성한다(710). 예컨대, 기재층(110) 상에 제1 센싱 전극들(120), 제2 센싱 전극들(130), 및 x 방향(또는 행 방향)으로 이웃하는 제1 센싱 전극들(120)을 연결하는 연결부(125)를 형성할 수 있다.1 to 3 and 7 , the sensing electrodes 120 and 130 are formed on the base layer 110 ( 710 ). For example, a connection unit connecting the first sensing electrodes 120 , the second sensing electrodes 130 , and the first sensing electrodes 120 neighboring in the x-direction (or row direction) on the base layer 110 . (125) can be formed.

기재층(110) 상에 센싱 전극들(120, 130)을 덮는 절연층(140)을 형성한다(720). 절연층(140)은 제1 센싱 전극들(120)과 제2 센싱 전극들(130)을 전기적으로 절연시킬 수 있으며, 제2 센싱 전극들(130)의 상면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀(145)을 포함할 수 있다.An insulating layer 140 covering the sensing electrodes 120 and 130 is formed on the base layer 110 ( 720 ). The insulating layer 140 may electrically insulate the first sensing electrodes 120 and the second sensing electrodes 130 , and a contact hole 145 partially exposing top surfaces of the second sensing electrodes 130 . ) may be included.

절연층(140) 상에 연결부(125)를 사이에 두고 이웃하는 제2 센싱 전극들(130)을 연결하는 브릿지 전극(150)을 형성한다(730). 예컨대, 브릿지 전극(150)은 이웃하는 콘택 홀들(145)을 채우며 절연층(140) 상에 형성될 수 있다.A bridge electrode 150 is formed on the insulating layer 140 to connect the adjacent second sensing electrodes 130 with the connection part 125 interposed therebetween ( 730 ). For example, the bridge electrode 150 may be formed on the insulating layer 140 while filling the adjacent contact holes 145 .

절연층(140) 상에 브릿지 전극(150)을 덮는 패시베이션 층(160)을 형성한다(740).A passivation layer 160 covering the bridge electrode 150 is formed on the insulating layer 140 ( 740 ).

패시베이션 층(160) 상에 블랙 매트릭스(170)를 형성한다(850). 예컨대, 카본 블랙 등과 같은 고저항과 높은 광학 밀도를 가지는 블랙 매트릭스 재료를 170℃~190℃, 보다 바람직하게는 180℃에서 경화시켜 패시베이션 층(160) 상에 블랙 매트릭스(170)를 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 블랙 매트릭스(170)는 제1 센싱 전극(120), 연결부(125), 제2 센싱 전극(130) 및 브릿지 전극(150) 중 적어도 하나와 적어도 부분적으로 중첩되는 위치에 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 블랙 매트릭스(170)는 제1 센싱 전극(120), 연결부(125), 제2 센싱 전극(130) 및 브릿지 전극(150) 중 어느 것과도 중첩되지 않는 위치에 형성될 수도 있다.A black matrix 170 is formed on the passivation layer 160 ( 850 ). For example, the black matrix 170 may be formed on the passivation layer 160 by curing a black matrix material having high resistance and high optical density, such as carbon black, at 170° C. to 190° C., more preferably at 180° C. . According to an embodiment, the black matrix 170 is formed at a position that at least partially overlaps with at least one of the first sensing electrode 120 , the connection part 125 , the second sensing electrode 130 , and the bridge electrode 150 . can be However, the present invention is not limited thereto, and the black matrix 170 may be formed at a position that does not overlap any of the first sensing electrode 120 , the connection part 125 , the second sensing electrode 130 , and the bridge electrode 150 . may be

도 8은 터치 센서 제조 방법의 다른 실시예를 도시한 도면이다. 8 is a diagram illustrating another embodiment of a method for manufacturing a touch sensor.

도 1 내지 도 3, 및 도 8을 참조하면, 캐리어 기판 상에 분리 보호층(115)을 형성한다(810). 분리 보호층(115)은 캐리어 기판으로부터 후속 박리 공정을 용이하게 하고, 터치 센서(100)의 센싱 전극들(120, 130)의 보호 및 센싱 전극들(120, 130)과의 굴절률 정합을 위해 형성될 수 있다.1 to 3 and 8 , a separation protective layer 115 is formed on the carrier substrate ( 810 ). The separation protective layer 115 facilitates a subsequent peeling process from the carrier substrate, and is formed to protect the sensing electrodes 120 and 130 of the touch sensor 100 and to match the refractive index with the sensing electrodes 120 and 130 . can be

분리 보호층(115) 상에 센싱 전극들(120, 130)을 형성한다(820). 예컨대, 분리 보호층(115) 상에 제1 센싱 전극들(120), 제2 센싱 전극들(130), 및 x 방향(또는 행 방향)으로 이웃하는 제1 센싱 전극들(120)을 연결하는 연결부(125)를 형성할 수 있다.Sensing electrodes 120 and 130 are formed on the separation protective layer 115 ( 820 ). For example, the first sensing electrodes 120 , the second sensing electrodes 130 , and the first sensing electrodes 120 adjacent in the x-direction (or row direction) are connected on the separation protective layer 115 . A connection part 125 may be formed.

분리 보호층(115) 상에 센싱 전극들(120, 130)을 덮는 절연층(140)을 형성한다(830). 절연층(140)은 제1 센싱 전극들(120)과 제2 센싱 전극들(130)을 전기적으로 절연시킬 수 있으며, 제2 센싱 전극들(130)의 상면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀(145)을 포함할 수 있다.An insulating layer 140 covering the sensing electrodes 120 and 130 is formed on the separation protective layer 115 ( 830 ). The insulating layer 140 may electrically insulate the first sensing electrodes 120 and the second sensing electrodes 130 , and a contact hole 145 partially exposing top surfaces of the second sensing electrodes 130 . ) may be included.

절연층(140) 상에 연결부(125)를 사이에 두고 이웃하는 제2 센싱 전극들(130)을 연결하는 브릿지 전극(150)을 형성한다(840). 예컨대, 브릿지 전극(150)은 이웃하는 콘택 홀들(145)을 채우며 절연층(140) 상에 형성될 수 있다.A bridge electrode 150 is formed on the insulating layer 140 to connect the adjacent second sensing electrodes 130 with the connection part 125 interposed therebetween ( 840 ). For example, the bridge electrode 150 may be formed on the insulating layer 140 while filling the adjacent contact holes 145 .

절연층(140) 상에 브릿지 전극(150)을 덮는 패시베이션 층(160)을 형성한다(850).A passivation layer 160 covering the bridge electrode 150 is formed on the insulating layer 140 ( 850 ).

패시베이션 층(160) 상에 블랙 매트릭스(170)를 형성한다(860). 예컨대, 카본 블랙 등과 같은 고저항과 높은 광학 밀도를 가지는 블랙 매트릭스 재료를 170℃~190℃, 보다 바람직하게는 180℃에서 경화시켜 패시베이션 층(160) 상에 블랙 매트릭스(170)를 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 블랙 매트릭스(170)는 제1 센싱 전극(120), 연결부(125), 제2 센싱 전극(130) 및 브릿지 전극(150) 중 적어도 하나와 적어도 부분적으로 중첩되는 위치에 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 블랙 매트릭스(170)는 제1 센싱 전극(120), 연결부(125), 제2 센싱 전극(130) 및 브릿지 전극(150) 중 어느 것과도 중첩되지 않는 위치에 형성될 수도 있다.A black matrix 170 is formed on the passivation layer 160 ( 860 ). For example, the black matrix 170 may be formed on the passivation layer 160 by curing a black matrix material having high resistance and high optical density, such as carbon black, at 170° C. to 190° C., more preferably at 180° C. . According to an embodiment, the black matrix 170 is formed at a position that at least partially overlaps with at least one of the first sensing electrode 120 , the connection part 125 , the second sensing electrode 130 , and the bridge electrode 150 . can be However, the present invention is not limited thereto, and the black matrix 170 may be formed at a position that does not overlap any of the first sensing electrode 120 , the connection part 125 , the second sensing electrode 130 , and the bridge electrode 150 . may be

캐리어 기판을 제거한다(870). 예컨대, 캐리어 기판으로부터 분리 보호층(115), 센싱 전극들(120, 130), 절연층(140), 브릿지 전극(150), 패시베이션 층(160)및 블랙 매트릭스(170)를 포함하는 적층체를 박리할 수 있다.The carrier substrate is removed (870). For example, a laminate including a protective layer 115, sensing electrodes 120 and 130, insulating layer 140, bridge electrode 150, passivation layer 160, and black matrix 170 separated from the carrier substrate can be peeled off.

분리 보호층(115)의 저면에 기재층(110)을 형성한다(880).A base layer 110 is formed on the lower surface of the separation protective layer 115 ( 880 ).

한편, 일 실시예에 따르면, 단계 880에서 기재층(110)은 블랙 매트릭스(170)의 상면 상에 형성될 수도 있다.Meanwhile, according to an embodiment, the base layer 110 may be formed on the upper surface of the black matrix 170 in step 880 .

또한, 일 실시예에 따르면, 분리 보호층(115)의 상면에 시인성 개선을 위한 인덱스 매칭 층(Index Matching layer)이 추가될 수 있다. 인덱스 매칭 층은 센싱 전극들(120, 130)과의 굴절률 정합을 통해 시인성 개선을 목적으로 분리 보호층(115)과 센싱 전극들(120, 130) 사이에 형성될 수 있다.Also, according to an embodiment, an index matching layer for improving visibility may be added to the upper surface of the separation protective layer 115 . The index matching layer may be formed between the separation protective layer 115 and the sensing electrodes 120 and 130 for the purpose of improving visibility through refractive index matching with the sensing electrodes 120 and 130 .

도 9는 터치 센서 제조 방법의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다.9 is a diagram illustrating another embodiment of a method for manufacturing a touch sensor.

도 4, 도 5 및 도 9를 참조하면, 기재층(110) 상에 센싱 전극들(120, 130)을 형성한다(910). 예컨대, 기재층(110) 상에 제1 센싱 전극들(120), 제2 센싱 전극들(130), 및 x 방향(또는 행 방향)으로 이웃하는 제1 센싱 전극들(120)을 연결하는 연결부(125)를 형성할 수 있다.Referring to FIGS. 4, 5 and 9 , sensing electrodes 120 and 130 are formed on the base layer 110 ( 910 ). For example, a connection unit connecting the first sensing electrodes 120 , the second sensing electrodes 130 , and the first sensing electrodes 120 neighboring in the x-direction (or row direction) on the base layer 110 . (125) can be formed.

기재층(110) 상에 센싱 전극들(120, 130)을 덮는 절연층(140)을 형성한다(920). 절연층(140)은 제1 센싱 전극들(120)과 제2 센싱 전극들(130)을 전기적으로 절연시킬 수 있으며, 제2 센싱 전극들(130)의 상면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀(145)을 포함할 수 있다.An insulating layer 140 covering the sensing electrodes 120 and 130 is formed on the base layer 110 ( 920 ). The insulating layer 140 may electrically insulate the first sensing electrodes 120 and the second sensing electrodes 130 , and a contact hole 145 partially exposing top surfaces of the second sensing electrodes 130 . ) may be included.

절연층(140) 상에 연결부(125)를 사이에 두고 이웃하는 제2 센싱 전극들(130)을 연결하는 브릿지 전극(150)을 형성한다(930). 예컨대, 브릿지 전극(150)은 이웃하는 콘택 홀들(145)을 채우며 절연층(140) 상에 형성될 수 있다.A bridge electrode 150 is formed on the insulating layer 140 to connect the adjacent second sensing electrodes 130 with the connection part 125 interposed therebetween ( 930 ). For example, the bridge electrode 150 may be formed on the insulating layer 140 while filling the adjacent contact holes 145 .

절연층(140) 상에 브릿지 전극(150)을 덮는 패시베이션 층(160)을 형성한다(940).A passivation layer 160 covering the bridge electrode 150 is formed on the insulating layer 140 ( 940 ).

패시베이션 층(160) 상에 블랙 매트릭스(170)를 형성한다(950). 예컨대, 카본 블랙 등과 같은 고저항과 높은 광학 밀도를 가지는 블랙 매트릭스 재료를 170℃~190℃, 보다 바람직하게는 180℃에서 경화시켜 패시베이션 층(160) 상에 블랙 매트릭스(170)를 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 블랙 매트릭스(170)는 제1 센싱 전극(120), 연결부(125), 제2 센싱 전극(130) 및 브릿지 전극(150) 중 적어도 하나와 적어도 부분적으로 중첩되는 위치에 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 블랙 매트릭스(170)는 제1 센싱 전극(120), 연결부(125), 제2 센싱 전극(130) 및 브릿지 전극(150) 중 어느 것과도 중첩되지 않는 위치에 형성될 수도 있다.A black matrix 170 is formed on the passivation layer 160 ( 950 ). For example, the black matrix 170 may be formed on the passivation layer 160 by curing a black matrix material having high resistance and high optical density, such as carbon black, at 170° C. to 190° C., more preferably at 180° C. . According to an embodiment, the black matrix 170 is formed at a position that at least partially overlaps with at least one of the first sensing electrode 120 , the connection part 125 , the second sensing electrode 130 , and the bridge electrode 150 . can be However, the present invention is not limited thereto, and the black matrix 170 may be formed at a position that does not overlap any of the first sensing electrode 120 , the connection part 125 , the second sensing electrode 130 , and the bridge electrode 150 . may be

블랙 매트릭스(170)의 중심부를 관통하는 디바이스 홀(175)을 형성한다(960). 일 실시예에 따르면, 블랙 매트릭스(170)의 상면에 수직한 방향으로, 블랙 매트릭스(170), 패시베이션 층(160), 절연층(140) 및 기재층(110)을 관통시켜 디바이스 홀(175)을 형성할 수 있다.A device hole 175 passing through the center of the black matrix 170 is formed ( 960 ). According to an embodiment, the black matrix 170, the passivation layer 160, the insulating layer 140, and the base layer 110 are penetrated in the direction perpendicular to the upper surface of the black matrix 170 to penetrate the device hole 175. can form.

일 실시예에 따르면, 디바이스 홀(175)은 인접한 센싱 전극들(120, 130), 연결부(125), 및 브릿지 전극(150)에 영향을 주지 않는 크기, 즉, 인접한 센싱 전극들(120, 130), 연결부(125) 및 브릿지 전극(150)을 관통하지 않는 크기로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며 디바이스 홀(175)이 인접한 인접한 센싱 전극들(120, 130), 연결부(125) 및 브릿지 전극(150) 중 어느 하나 또는 둘 이상을 적어도 부분적으로 관통하여 형성되는 것도 가능하다.According to an embodiment, the device hole 175 has a size that does not affect the adjacent sensing electrodes 120 and 130 , the connection part 125 , and the bridge electrode 150 , that is, the adjacent sensing electrodes 120 and 130 . ), the connection part 125 and the bridge electrode 150 may be formed in a size that does not penetrate. However, the present invention is not limited thereto, and the device hole 175 may be formed by at least partially penetrating any one or two or more of the adjacent sensing electrodes 120 and 130 , the connection part 125 , and the bridge electrode 150 . .

일 실시예에 따르면, 디바이스 홀(175)은 블랙 매트릭스(170)의 중심부는 관통하되, 블랙 매트릭스(170)의 주변부는 남겨두는 형태로 형성될 수 있다. 이를 통해 터치 센서(500)를 터치 센서(500)의 상면에서 보았을 때, 블랙 매트릭스(170)가 디바이스 홀(175)의 주변을 감싸는 링 형상을 형성할 수 있다.According to an embodiment, the device hole 175 may be formed in such a way that a central portion of the black matrix 170 is penetrated, but a peripheral portion of the black matrix 170 is left. Through this, when the touch sensor 500 is viewed from the top surface of the touch sensor 500 , the black matrix 170 may form a ring shape surrounding the periphery of the device hole 175 .

이제까지 바람직한 실시 예들을 중심으로 살펴보았다. 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 발명의 범위는 전술한 실시 예에 한정되지 않고 특허 청구범위에 기재된 내용과 동등한 범위 내에 있는 다양한 실시 형태가 포함되도록 해석되어야 할 것이다.So far, preferred embodiments have been focused on. Those of ordinary skill in the art will understand that it can be implemented in a modified form without departing from the essential characteristics of the invention. Accordingly, the scope of the invention is not limited to the above-described embodiments and should be construed to include various embodiments within the scope equivalent to the content described in the claims.

[실험예][Experimental example]

도 1 내지 도 3과 같이, 블랙 매트릭스를 패시베이션 층 상에 형성하여 10개의 터치 센서 샘플을 생성하였다. 10개의 샘플 각각에 대하여, 블랙 매트릭스에서 좌측으로 20mm 이격된 위치에 4kv, 6kv, 8kv, 10kv, 12kv, 15kv의 정전기를 순차적으로 가해주며 불량 발생 여부를 확인한 결과 표 1과 같은 결과를 획득하였다.1 to 3 , a black matrix was formed on the passivation layer to generate 10 touch sensor samples. For each of the 10 samples, static electricity of 4kv, 6kv, 8kv, 10kv, 12kv, and 15kv was sequentially applied at a position 20 mm apart from the left side of the black matrix, and the results shown in Table 1 were obtained as a result of checking whether defects occurred.

[표 1][Table 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

표 1을 참조하면, 블랙 매트릭스를 패시베이션 층 상에 형성한 10개의 샘플 모두에서 불량이 발생하지 않는다는 점을 알 수 있다. 즉, 표 1의 실험예로부터, 블랙 매트릭스를 패시베이션 층 상에 형성한 경우에는 블랙 매트릭스가 외부에서 기인한 정전기를 흡수하므로, 터치 센서의 손상을 줄일 수 있음을 알 수 있다.Referring to Table 1, it can be seen that no defects occurred in all 10 samples in which the black matrix was formed on the passivation layer. That is, from the experimental example of Table 1, it can be seen that when the black matrix is formed on the passivation layer, since the black matrix absorbs static electricity generated from the outside, damage to the touch sensor can be reduced.

100, 400: 터치 센서
110: 기재층
120: 제1 센싱 전극
125: 연결부
130: 제2 센싱 전극
140: 절연층
150: 브릿지 전극
160: 패시베이션 층
170: 블랙 매트릭스
175: 디바이스 홀
180: 더미 영역100, 400: touch sensor
110: base layer
120: first sensing electrode
125: connection
130: second sensing electrode
140: insulating layer
150: bridge electrode
160: passivation layer
170: black matrix
175: device hall
180: dummy area

Claims (18)

기재층;
상기 기재층 상에 형성된 센싱 전극들;
상기 센싱 전극들을 덮으며 상기 기재층 상에 형성된 절연층;
상기 절연층 상에 형성되고, 상기 센싱 전극들 중 인접한 일부 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는 브릿지 전극;
상기 브릿지 전극을 덮으며 상기 절연층 상에 형성된 패시베이션 층; 및
상기 패시베이션 층 상에 형성된 블랙 매트릭스; 를 포함하는,
터치 센서.base layer;
sensing electrodes formed on the base layer;
an insulating layer covering the sensing electrodes and formed on the base layer;
a bridge electrode formed on the insulating layer and electrically connecting some adjacent sensing electrodes among the sensing electrodes;
a passivation layer covering the bridge electrode and formed on the insulating layer; and
a black matrix formed on the passivation layer; containing,
touch sensor. 제1항에 있어서,
상기 블랙 매트릭스는 상기 센싱 전극들 및 상기 브릿지 전극 중 적어도 하나와 적어도 부분적으로 중첩되는 위치에 형성되는,
터치 센서.According to claim 1,
The black matrix is formed at a position that at least partially overlaps with at least one of the sensing electrodes and the bridge electrode,
touch sensor. 제1항에 있어서,
상기 블랙 매트릭스는 상기 센싱 전극들 및 상기 브릿지 전극 중 어느 것과도 중첩되는 않는 위치에 형성되는,
터치 센서.According to claim 1,
The black matrix is formed at a position that does not overlap any of the sensing electrodes and the bridge electrode,
touch sensor. 제1항에 있어서,
상기 블랙 매트릭스는,
170℃ ~ 190℃에서 경화를 통해 형성되는,
터치 센서.According to claim 1,
The black matrix is
Formed through curing at 170 ° C to 190 ° C,
touch sensor. 제1항에 있어서,
상기 센싱 전극들은,
투명 도전성 산화물을 포함하는,
터치 센서.According to claim 1,
The sensing electrodes are
Containing a transparent conductive oxide,
touch sensor. 제1항에 있어서,
상기 센싱 전극들은,
투명 도전성 산화물층 및 금속층의 복층 구조로 형성되는,
터치 센서.According to claim 1,
The sensing electrodes are
Formed in a multilayer structure of a transparent conductive oxide layer and a metal layer,
touch sensor. 제1항에 있어서,
상기 센싱 전극들은,
센싱 채널 행을 형성하는 제1 센싱 전극들; 및
센싱 채널 열을 형성하는 제2 센싱 전극들; 을 포함하고,
상기 브릿지 전극은,
열 방향으로 이웃하는 제2 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는,
터치 센서.According to claim 1,
The sensing electrodes are
first sensing electrodes forming a sensing channel row; and
second sensing electrodes forming a sensing channel column; including,
The bridge electrode is
Electrically connecting the second sensing electrodes adjacent in the column direction,
touch sensor. 제7항에 있어서,
상기 절연층은 상기 제2 센싱 전극들의 표면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀들을 포함하고,
상기 브릿지 전극은 상기 콘택 홀들을 채우며 상기 절연층 상에 형성되는,
터치 센서.8. The method of claim 7,
the insulating layer includes contact holes partially exposing surfaces of the second sensing electrodes;
The bridge electrode fills the contact holes and is formed on the insulating layer,
touch sensor. 제1항에 있어서,
상기 기재층의 상에 형성된 분리 보호층; 을 더 포함하는,
터치 센서.According to claim 1,
a separation protective layer formed on the base layer; further comprising,
touch sensor. 제1항에 있어서,
상기 블랙 매트릭스를 관통하는 디바이스 홀; 을 더 포함하는,
터치 센서.According to claim 1,
a device hole passing through the black matrix; further comprising,
touch sensor. 제10항에 있어서,
상기 디바이스 홀은 상기 블랙 매트릭스의 중심부는 관통하되, 상기 블랙 매트릭스의 주변부는 남겨두는 형태로 형성되는,
터치 센서.11. The method of claim 10,
The device hole is formed in such a way that a central portion of the black matrix is penetrated, but a peripheral portion of the black matrix is left.
touch sensor. 표시 패널; 및
상기 표시 패널 상에 적층되는 제1항에 따른 터치 센서; 를 포함하는,
화상 표시 장치.display panel; and
The touch sensor according to claim 1 laminated on the display panel; containing,
image display device. 기재층 또는 분리 보호층 상에 제1 센싱 전극들 및 제2 센싱 전극들을 형성하는 단계;
상기 기재층 또는 상기 분리 보호층 상에 상기 제1 센싱 전극들 및 상기 제2 센싱 전극들을 덮는 절연층을 형성하는 단계;
상기 절연층 상에 이웃하는 제2 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는 브릿지 전극을 형성하는 단계;
상기 절연층 상에 상기 브릿지 전극을 덮는 패시베이션 층을 형성하는 단계; 및
상기 패시베이션 층 상에 블랙 메트릭스를 형성하는 단계; 를 포함하는,
터치 센서 제조 방법.forming first sensing electrodes and second sensing electrodes on the base layer or the separation protective layer;
forming an insulating layer covering the first sensing electrodes and the second sensing electrodes on the base layer or the separation protective layer;
forming a bridge electrode electrically connecting the neighboring second sensing electrodes on the insulating layer;
forming a passivation layer covering the bridge electrode on the insulating layer; and
forming a black matrix on the passivation layer; containing,
A method of manufacturing a touch sensor. 제13항에 있어서,
상기 블랙 메트릭스를 형성하는 단계는,
상기 제1 센싱 전극들, 상기 제2 센싱 전극들 및 상기 브릿지 전극 중 적어도 하나와 적어도 부분적으로 중첩되는 위치에 상기 블랙 메트릭스를 형성하는,
터치 센서 제조 방법.14. The method of claim 13,
Forming the black matrix comprises:
forming the black matrix at a position at least partially overlapping with at least one of the first sensing electrodes, the second sensing electrodes, and the bridge electrode;
A method of manufacturing a touch sensor. 제13항에 있어서,
상기 블랙 메트릭스를 형성하는 단계는,
상기 제1 센싱 전극들, 상기 제2 센싱 전극들 및 상기 브릿지 전극 중 어느 것과도 중첩되는 않는 위치에 형성되는,
터치 센서 제조 방법.14. The method of claim 13,
Forming the black matrix comprises:
formed at a position that does not overlap any of the first sensing electrodes, the second sensing electrodes, and the bridge electrode,
A method of manufacturing a touch sensor. 제13항에 있어서,
상기 블랙 매트릭스를 형성하는 단계는,
블랙 매트릭스 재료를 170℃ ~190℃에서 경화시켜 상기 블랙 매트릭스를 형성하는,
터치 센서 제조 방법.14. The method of claim 13,
Forming the black matrix comprises:
curing the black matrix material at 170° C. to 190° C. to form the black matrix,
A method of manufacturing a touch sensor. 제13항에 있어서,
상기 블랙 매트릭스를 관통하는 디바이스 홀을 형성하는 단계; 을 더 포함하는,
터치 센서 제조 방법.14. The method of claim 13,
forming a device hole penetrating the black matrix; further comprising,
A method of manufacturing a touch sensor. 제17항에 있어서,
상기 디바이스 홀을 형성하는 단계는,
상기 블랙 매트릭스의 중심부는 관통하되, 상기 블랙 매트릭스의 주변부는 남겨두는 형태로 상기 디바이스 홀을 형성하는,
터치 센서 제조 방법.18. The method of claim 17,
The step of forming the device hole,
forming the device hole in such a manner that a central portion of the black matrix penetrates, but leaves a peripheral portion of the black matrix;
A method of manufacturing a touch sensor.
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