KR20210149168A - 리소그래피 시스템 및 그 작동 방법 - Google Patents

리소그래피 시스템 및 그 작동 방법 Download PDF

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KR20210149168A
KR20210149168A KR1020217036639A KR20217036639A KR20210149168A KR 20210149168 A KR20210149168 A KR 20210149168A KR 1020217036639 A KR1020217036639 A KR 1020217036639A KR 20217036639 A KR20217036639 A KR 20217036639A KR 20210149168 A KR20210149168 A KR 20210149168A
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보에이즈 제로엔 드
미하일 유리예비치 록테브
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쿠릭케 ＆ 소파 라이테큐 비.브이.
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Abstract

방사선을 사용하여 가공물 상에 이미지를 투영하기 위한 리소그래피 시스템이 제공된다. 리소그래피 시스템은, 가공물을 지지하기 위한 지지 구조체; 가공물 상에 이미지를 투영하기 위해 방사선을 제공하기 위한 방사선 소스; 방사선 소스와 가공물 사이에 위치되는 레티클; 및 레티클에 인접하게 위치되는 마스크로서, 방사선 소스로부터의 방사선을 차단하도록 구성되고, 열 제거 장치를 포함하는 마스크를 포함한다.

Description

리소그래피 시스템 및 그 작동 방법
본 출원은 2019년 4월 9일에 출원된 미국 가출원 제 62/831,381의 이익을 주장하며, 그 내용은 여기에 참조로 포함된다.
본 발명은 리소그래피 시스템에 관한 것으로, 특히, 리소그래피 시스템의 레티클(reticle) 영역에서 열을 다루는 시스템 및 방법에 관한 것이다.
리소그래피 애플리케이션(lithography application)에서, 방사선 소스에 의해 제공되는 방사선은 가공물(예를 들어, 웨이퍼) 상의 필드를 노출시키기 위해 사용된다. 종종, 가공물 상의 전체 필드뿐 아니라 부분 필드(예를 들어, 가공물 상의 정렬 마크를 위해)도 노출하는 것이 요구된다.
종래의 시스템(일부 형상의 레티클 마스킹을 포함하는)은, 예를 들어 미국 특허 제 6,348,303호; 및 미국 특허 제 7,382,439호에서 도시된다. 이러한 시스템은, 시스템의 조명기에 블레이드(blade)를 사용하는 레티클 마스킹을 포함하며, 레티클에 인접하지 않는다.
특정 종래의 리소그래피 시스템은, 광 차단 층(예를 들어, 크롬 층)을 가지는 레티클을 포함하고, 여기서 층은 리소그래피 시스템의 방사선 소스로부터 방사선의 일부를 흡수한다. 이 방사선 흡수는 레티클을 가열하여, 열팽창에 의해 레티클을 변형시키고, 결과적으로 가공물 상에 투영되는 패턴의 변형을 초래한다.
따라서, 종래 시스템의 하나 이상의 결점을 극복하는 개선된 리소그래피 시스템(및 관련 방법)을 제공하는 것이 바람직할 것이다.
본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, 방사선을 사용하여 가공물 상에 이미지를 투영하기 위한 리소그래피 시스템이 제공된다. 리소그래피 시스템은: 가공물을 지지하기 위한 지지 구조체; 상기 가공물 상에 이미지를 투영하기 위해 방사선을 제공하기 위한 방사선 소스; 상기 방사선 소스와 상기 가공물 사이에 위치되는 레티클; 및 상기 레티클에 인접하게 위치되는 마스크로서, 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 차단하도록 구성되고, 열 제거 장치를 포함하는 마스크를 포함한다.
본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따르면, 방사선을 사용하여 가공물 상에 이미지를 투영하기 위한 다른 리소그래피 시스템이 제공된다. 리소그래피 시스템은: 가공물을 지지하기 위한 지지 구조체; 상기 가공물 상에 이미지를 투영하기 위해 방사선을 제공하기 위한 방사선 소스; 상기 방사선 소스와 상기 가공물 사이에 위치되는 레티클; 및 상기 레티클에 인접하게 위치되는 마스크로서, 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 차단하도록 구성되고, 바디 부분 및 상기 바디 부분의 외부 표면의 적어도 일부에 도포되는 방사선 흡수 코팅을 포함하는 마스크를 포함한다.
본 발명의 또 다른 예시적인 실시예에 따르면, 방사선을 사용하여 가공물 상에 이미지를 투영하기 위한 다른 리소그래피 시스템이 제공된다. 리소그래피 시스템은: 가공물을 지지하기 위한 지지 구조체; 상기 가공물 상에 이미지를 투영하기 위해 방사선을 제공하기 위한 방사선 소스; 상기 방사선 소스와 상기 가공물 사이에 위치되는 레티클; 및 상기 레티클에 인접하게 위치되는 마스크를 포함한다. 상기 마스크는, 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 차단하도록 구성된다. 상기 마스크는, 상기 레티클의 패턴 및 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 상기 가공물 상에 투영될 이미지의 조명 영역을 형성한다. 상기 마스크에 의해 형성된 상기 조명 영역은 가변된다.
본 발명의 또 다른 예시적인 실시예에 따르면, 방사선을 사용하여 가공물 상에 이미지를 투영하기 위한 다른 리소그래피 시스템이 제공된다. 리소그래피 시스템은: 가공물을 지지하기 위한 지지 구조체; 상기 가공물 상에 이미지를 투영하기 위해 방사선을 제공하기 위한 방사선 소스; 상기 방사선 소스와 상기 가공물 사이에 위치되는 레티클; 및 상기 레티클에 인접하게 위치되는 마스크를 포함한다. 상기 마스크는, 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 차단하도록 구성된다. 상기 마스크는, 상기 레티클의 패턴 및 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 상기 가공물 상에 투영될 이미지의 조명 영역을 형성한다. 상기 마스크는, 상기 조명 영역을 형성하도록 구성된 복수의 요소를 포함하고, 상기 복수의 요소 중 적어도 하나는, 상기 리소그래피 시스템의 z 축을 따라 상기 레티클 위에 위치되고, 상기 복수의 요소 중 적어도 다른 하나는, 상기 리소그래피 시스템의 z 축을 따라 상기 레티클 아래에 위치된다.
본 발명의 또 다른 예시적인 실시예에 따르면, 리소그래피 시스템을 작동시키는 방법이 제공된다. 상기 방법은: (a) 상기 리소그래피 시스템의 지지 구조체를 사용하여 가공물을 지지하는 단계; (b) 상기 리소그래피 시스템의 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 상기 가공물 상에 이미지를 투영하는 단계; (c) 상기 방사선 소스와 상기 가공물 사이에 레티클을 위치하는 단계; (d) 상기 레티클에 인접하게 마스크를 위치시키는 단계로서, 상기 마스크는 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 차단하도록 구성되는 단계; 및 (e) 상기 마스크의 열 제거 장치로 상기 마스크 및 상기 레티클 중 적어도 하나로부터 열을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 예시적인 실시예에 따르면, 리소그래피 시스템을 작동시키는 방법이 제공된다. 상기 방법은: (a) 상기 리소그래피 시스템의 지지 구조체를 사용하여 가공물을 지지하는 단계; (b) 상기 리소그래피 시스템의 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 상기 가공물 상에 이미지를 투영하는 단계; (c) 상기 방사선 소스와 상기 가공물 사이에 레티클을 위치하는 단계; 및 (d) 상기 레티클에 인접하게 마스크를 위치시키는 단계로서, 상기 마스크는, 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 차단하도록 구성되고, 상기 마스크는, 바디 부분 및 상기 바디 부분의 외부 표면의 적어도 일부에 도포되는 방사선 흡수 코팅을 포함하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 예시적인 실시예에 따르면, 리소그래피 시스템을 작동시키는 방법이 제공된다. 상기 방법은: (a) 상기 리소그래피 시스템의 지지 구조체를 사용하여 가공물을 지지하는 단계; (b) 상기 리소그래피 시스템의 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 상기 가공물 상에 이미지를 투영하는 단계; (c) 상기 방사선 소스와 상기 가공물 사이에 레티클을 위치하는 단계; 및 (d) 상기 레티클에 인접하게 마스크를 위치시키는 단계로서, 상기 마스크는, 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 차단하도록 구성되고, 상기 마스크는, 상기 레티클의 패턴 및 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 투영될 이미지의 조명 영역을 형성하고, 상기 마스크에 의해 형성된 상기 조명 영역은 가변되는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 예시적인 실시예에 따르면, 리소그래피 시스템을 작동시키는 방법이 제공된다. 상기 방법은: (a) 상기 리소그래피 시스템의 지지 구조체를 사용하여 가공물을 지지하는 단계; (b) 상기 리소그래피 시스템의 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 상기 가공물 상에 이미지를 투영하는 단계; (c) 상기 방사선 소스와 상기 가공물 사이에 레티클을 위치하는 단계; 및 (d) 상기 레티클에 인접하게 마스크를 위치시키는 단계로서, 상기 마스크는, 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 차단하도록 구성되고, 상기 마스크는, 상기 레티클의 패턴 및 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 투영될 이미지의 조명 영역을 형성하고, 상기 마스크는, 상기 조명 영역을 형성하도록 구성된 복수의 요소를 포함하고, 상기 복수의 요소 중 적어도 하나는 상기 리소그래피 시스템의 z 축을 따라 상기 레티클 위에 위치되고, 상기 복수의 요소 중 적어도 다른 하나는 상기 리소그래피 시스템의 z 축을 따라 상기 레티클 아래에 위치되는 단계를 포함한다.
본 발명은 첨부된 도면과 연관하여 읽는 경우 다음의 상세한 설명으로부터 가장 잘 이해된다. 일반적인 관행에 따라, 도면의 다양한 특징이 비율에 맞지 않는 것이 강조된다. 대조적으로, 다양한 특징부의 치수는 명료성을 위해 임의로 확대 또는 축소되었다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 시스템의 측면도를 도시하고;
도 2는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 시스템의 일부의 사시도이고;
도 3a는 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 시스템의 일부의 평면도이고;
도 3b는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 시스템의 일부의 평면도이고;
도 3c는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 시스템의 일부의 평면도이고;
도 4는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 시스템의 일부의 평면도이고;
도 5a는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 시스템의 마스크의 일부의 평면도이고;
도 5b는 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 시스템의 마스크의 일부의 평면도이고;
도 5c는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 시스템의 마스크의 일부의 평면도이고;
도 5d는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 시스템의 마스크의 일부의 평면도이고;
도 5e는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 시스템의 마스크의 일부의 평면도이고;
도 6a는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 시스템의 일부의 측면도이고;
도 6b는 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 시스템의 일부의 측면도이고; 및
도 6c는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 시스템의 일부의 측면도이다.
위에 제공된 바와 같이, 많은 리소그래피 애플리케이션에서 전체 필드뿐만 아니라, 부분 필드도 노출(예를 들어, 정렬 마크, 또는 가공물의 엣지 노출 보호 등을 위해)하는 것이 바람직하다. 본 발명의 특정 실시예에 따르면, 이는 레티클 마스킹 모듈(reticle masking module)을 사용하여 달성될 수 있다. 이러한 모듈은 마스크의 조명 영역을 형성하기 위해 사용되는 네 개의 요소/블레이드(또는 다른 수의 요소/블레이드)를 포함할 수 있다. 높은 개구수(NA, numerical aperture) 렌즈를 가지는 고해상도 리소그래피에서, 레티클 마스킹 모듈은 조명기에 위치할 수 있다. 낮은 개구수를 가지는 리소그래피 시스템에서는 레티클 마스킹 블레이드를 레티클에 가깝게(인접하게) 위치할 수 있다. 미광(및 관련 유해한 영향)을 방지하기 위해, 마스크의 요소/블레이드(및/또는 레티클의 차단 부분)는 광 흡수 코팅(예를 들어, 고스트 이미지 등을 초래하는 미광을 피하기 위해, 방사선을 반사하는 대신 흡수하는 무기 흑색 코팅)을 사용하여 이 광 에너지의 일부를 흡수할 수 있어, 레티클 주위의 고온을 유발한다. 이러한 경우에, 마스크의 열 저감 요소를 사용한 냉각을 위한 마스크(앞서 언급한 요소/블레이드를 포함) 및 레티클 중 적어도 하나를 가지는 것이 바람직하다. 이는 예를 들어 마스크의 일부에 내부 강제 대류 냉각 채널을 제공함으로써 달성될 수 있다. 레티클의 노출된 부분을 향하는 블레이드에 추가 홀을 추가하여, 동일한 강제 대류 공기가 레티클을 냉각하기 위해 사용될 수 있다.
도 1은 방사선을 사용하여 가공물(104) 상에 이미지를 투영하기 위한 리소그래피 시스템(100)을 도시한다. 리소그래피 시스템(100)은 가공물(104)(예를 들어, 웨이퍼, 패널, 직사각 패널 또는 다른 가공물 등)을 지지하기 위한 지지 구조체(102)(예를 들어, 웨이퍼 테이블)를 포함한다. 리소그래피 시스템(100)은 또한 가공물(104) 상에 이미지를 투영하기 위해 방사선을 제공하기 위한 방사선 소스(118)(예를 들어, 수은 램프, 레이저, 등)를 포함한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 방사선(아래를 가리키는 화살표 머리를 포함하는 선으로 표현됨)은 리소그래피 시스템(100)의 다른 요소를 통과한다. 보다 상세하게는, 방사선 소스(118)로부터의 방사선은, 리소그래피 시스템(100)에 모두 포함된 빔(beam) 전달 시스템(116) 및 조명기(114)를 통과한다. 빔 전달 시스템(116)은 방사선 소스(118)로부터의 방사선을 조명기(114)의 입구로 조종하고, 일반적으로 적절한 안내 거울을 포함한다. 조명기(114)는, 그 단면에서 원하는 균일성 및 강도 분포를 갖는 레티클(110)에 방사선의 조절된 빔을 제공한다. 조명기(114)의 하류에서, 방사선 시스템(100)은 또한 가공물(104)에 의해 수신되기 전에 방사선을 투영하기 위한 투영 시스템(106)을 포함한다.
레티클(110)은 방사선 소스(118)와 가공물(104) 사이에 위치된다. 레티클(110)은 레티클 테이블(108)에 의해 지지된다. 레티클 패턴(110)은 레티클(110) 상에 제공된다(예를 들어, 도 6a 내지 도 6c의 레티클 패턴(110a) 참조). 리소그래피 시스템(100)은 또한 레티클(110)에 인접하게 위치된 마스크(112)를 포함한다. 마스크(112)는 방사선 소스(118)로부터의 특정 방사선을 차단하도록 구성된다(반면에 방사선의 다른 부분은 마스크(112)를 통과하고 가공물(104)을 향해 하류로 계속됨). 예를 들어, 마스크(112)는 레티클(110)의 패턴 및 방사선 소스(118)로부터의 방사선을 사용하여 가공물(104) 상에 투영될 이미지의 조명 영역을 형성할 수 있다.
본 발명에 따르면, 마스크(112), 및 마스크(112)와 레티클(110)과의 관계(예를 들어, 공간적 관계)의 다양한 상이한 구현이 존재한다. 도 1은 이러한 상이한 구현을 광범위하게 나타내기 위한 것이다. 도 2, 도 3a 내지 도 3c, 도 4, 도 5a 내지 5e, 및 도 6a 내지 6c는, 마스크의 특정 예를 제공하고; 이들 예의 각각은 도 1의 구성에 포함될 수 있다. 따라서, 도 1의 마스크(112)는, 도 1은 레티클(110) 주위에 도시된다(예를 들어, 마스크(112)는 레티클(110) 위에 있을 수 있고, 마스크(112)는 레티클(110) 아래에 있을 수 있고, 마스크(112)는 부분적으로 레티클(110) 위에 있고 부분적으로 아래에 있을 수 있는, 등).
예를 들어, 본 발명의 다양한 예시적인 실시예에 따르면, 마스크(112)는 레티클의 패턴 및 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 가공물 상에 투영될 이미지의 조명 영역을 집합적으로 형성하는 복수의 요소(예를 들어, 블레이드 또는 다른 요소)를 포함할 수 있다. 특정 예에서, 도 2는 복수의 요소(112a1, 112a2, 112a3, 112a4)를 포함하는 마스크(112a)를 도시한다. 각각의 요소(112a1, 112a2, 112a3, 112a4)는 각각의 드라이버(202a1, 202a2, 202a3, 202a4)를 사용하여 조명 시스템(100)의 x 축 및 y 축 중 적어도 하나를 따라 독립적으로 이동 가능하다. 도 2에서, 조명 시스템은 또한 각각의 드라이버(202a1, 202a2, 202a3, 202a4)를 제어하기 위한 컨트롤러(200)를 포함한다. 도 2에서, 조명 시스템은 또한 각각의 드라이버(202a1, 202a2, 202a3, 202a4)를 제어하기 위한 컨트롤러(200)를 포함한다. 요소(112a1, 112a2, 112a3, 112a4)의 이동(컨트롤러(200) 및 드라이버(202a1, 202a2, 202a3, 202a4)를 통한)을 통해 원하는 조명 영역이 요소(112a1, 112a2, 112a3, 112a4))에 의해 형성된다. 따라서, 조명 영역은, 레티클의 패턴 및 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 가공물 상에 이미지를 투영하도록 원하는 대로 조절될 수 있다.
도 3a 내지 3c는 도 2와 관련하여 위에서 기술된 실시예의 변형이다. 도 3a에서, 마스크(112b)는 복수의 요소(112b1, 112b2, 112b3, 112b4)를 포함한다. 각각의 요소(112b1, 112b2, 112b3, 112b4)는 각각의 드라이버(302a1, 302a2, 302a3, 302a4)(및 각각의 드라이버(302a1, 302a2, 302a3, 302a4)를 제어하기 위한 컨트롤러(300a))를 사용하여 조명 시스템(100)의 x 축 및 y 축 중 적어도 하나를 따라 독립적으로 이동 가능하다. 따라서, 마스크(112b)에 의해 형성된 조명 영역(304a)이 조절될 수 있다. 도 3a에서, 요소(112b1, 112b2, 112b3, 112b4) 각각은 리소그래피 시스템의 z 축을 따라 레티클(110) 위에 위치된다.
도 3b에서, 마스크(112c)는 복수의 요소(112c1, 112c2, 112c3, 112c4)를 포함한다. 각각의 요소(112c1, 112c2, 112c3, 112c4)는 각각의 드라이버(302b1, 302b2, 302b3, 302b4)(및 각각의 드라이버(302b1, 302b2, 302b3, 302b4)를 제어하기 위한 컨트롤러(300b))를 사용하여 조명 시스템(100)의 x 축 및 y 축 중 적어도 하나를 따라 독립적으로 이동 가능하다. 따라서, 마스크(112c)에 의해 형성된 조명 영역(304b)이 조절될 수 있다. 도 3b에서, 요소(112c1, 112c2, 112c3, 112c4) 각각은 리소그래피 시스템의 z 축을 따라 레티클(110) 아래에 위치된다.
도 3c에서, 마스크(112d)는 복수의 요소(112d1, 112d2, 112d3, 112d4)를 포함한다. 각각의 요소(112d1, 112d2, 112d3, 112d4)는 각각의 드라이버(302c1, 302c2, 302c3, 302c4)(및 각각의 드라이버(302c1, 302c2, 302c3, 302c4)를 제어하기 위한 컨트롤러(300c))를 사용하여 조명 시스템(100)의 x 축 및 y 축 중 적어도 하나를 따라 독립적으로 이동 가능하다. 따라서, 마스크(112d)에 의해 형성된 조명 영역(304c)이 조절될 수 있다. 도 3c에서, 요소(112d1, 112d3) 각각은 레티클(110) 위에 위치되고, 요소(112d2, 112d4) 각각은 리소그래피 시스템의 z 축을 따라 레티클(110) 아래에 위치된다. 요소(112d1, 112d2, 112d3, 112d4)의 일부는 레티클(110) 위에, 그리고 요소(112d1, 112d2, 112d3, 112d4)의 다른 일부는 레티클(110) 아래에 제공함으로써, 요소(112d1, 112d2, 112d3, 112d4)와 레티클 패턴(예를 들어, 도 6a 내지 도 6c에서 레티클 패턴(110a) 참조) 사이의 거리가 최소화되어 반 음지(half shadow)의 크기가 제한된다는 이점이 있다. 반 음지는 완전히 조명된 방사선에서 완전히 차단된 방사선으로의 전환이다. 반 음지가 작을수록, 레티클의 상이한 조명 패턴 사이의 레티클 상 구분이 더 작아진다.
도 4는 레티클(110)과 관련된 마스크(112e)를 도시한다. 마스크(112e)는 복수의 바디 부분(112e1, 112e2, 112e3)(복수의 바디 부분은, 재료의 단일 조각 또는 다중 구조로 형성될 수 있음)을 포함한다. 각각의 바디 부분에서, 마스크는 조명 영역(404a1, 404a2, 404a3) 중 대응하는 하나를 형성하고, 각각의 조명 영역(404a1, 404a2, 404a3)은 레티클(110)의 패턴 및 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 가공물 상에 투영될 이미지를 형성하도록 구성된다. 마스크(112e)는, 현재 사용을 위해 복수의 조명 영역(404a1, 404a2, 404a3) 중에서 선택하기 위해 컨트롤러(400) 및 드라이버(402)를 사용하여 리소그래피 시스템(110)의 xy 평면 내에서 이동 가능하다.
본 발명의 범위 내에서 요구되는 것은 아니나, 도 3a 내지 도 3c 및 도 4 각각은, 유체 소스(미도시)로부터 냉각 유체(예를 들어, 공기 흐름에 대해 "AF"로 표시된 냉각 공기)를 수용하고, 냉각 유체를 레티클을 향하도록 안내하는 냉각 채널을 형성하는 바디 부분(예를 들어,"열 제거 장치"로 지칭될 수 있는 마스크의 일부)을 포함하는 것으로 도시된다.
따라서, 본 발명의 예시적인 실시예에서, 마스크(112)는 "열 제거 장치(heat removal apparatus)"를 포함한다. 본 발명의 범위 내의 이러한 열 제거 장치는, 마스크 및 레티클 중 적어도 하나로부터 열을 제거하기 위한 임의의 유형의 시스템 또는 요소일 수 있다. 이러한 열 제거 장치의 예는: (a) 유체 소스로부터 냉각 유체를 수용하도록 구성된 적어도 하나의 냉각 채널을 형성하는 마스크의 바디 부분으로서, 여기서 냉각 유체(예를 들어, 공기 등)는 레티클을 향해 안내되는 바디 부분; (b) 유체 소스로부터 냉각 유체를 수용하도록 구성된 적어도 하나의 냉각 채널을 형성하는 마스크의 바디 부분으로서, 여기서 냉각 유체(예를 들어, 공기, 액체 등)가 마스크의 냉각을 제공하는 바디 부분; (c) 마스크의 바디 부분에 결합되는(예를 들어, 전도성 브레이드(braid)를 통해) 히트 싱크; 및 (d) 마스크의 바디 부분에 결합되는 파이프로서, 냉각 유체를 레티클을 향해 안내하도록 구성되는 파이프를 포함한다. 물론, 다른 열 제거 장치도 본 발명의 범위 내에서 고려된다.
도 5a는, 도 2, 도 3a 내지 도 3c 및 도 4에 도시된 마스크(112a, 112b, 112c, 112d, 112e) 중의 임의의 것과 같은 마스크의 요소(112'a)(예를 들어 블레이드)의 평면도이다. 요소(112'a)는 유체 소스(유체가 유체 소스로부터 "입구(inlet)"를 통해 들어가는 곳, 미도시)로부터 냉각 유체를 수용하도록 구성된 복수의 냉각 채널(502a)을 형성하는 바디 부분(500a)을 포함하고, 여기서 냉각 유체(예를 들어, 공기 또는 다른 냉각 가스)는 출구(502a1)를 통해 바디 부분(500a)을 나와 레티클을 향해 안내된다(화살표 "AF"로, 도 2, 도 3a 내지 도 3c 및 도 4에 역시 도시된 바와 같이).
도 5b는, 도 2, 도 3a 내지 도 3c 및 도 4에 도시된 마스크(112a, 112b, 112c, 112d, 112e) 중의 임의의 것과 같은 마스크의 요소(112'b)(예를 들어 블레이드)의 평면도이다. 요소(112'b)는 유체 소스(유체가 유체 소스로부터 "입구(inlet)"를 통해 들어가는 곳, 미도시)로부터 냉각 유체를 수용하도록 구성된 복수의 냉각 채널(502b)을 형성하는 바디 부분(500b)을 포함하고, 여기서 냉각 유체(예를 들어, 공기 또는 다른 냉각 가스)는 출구(502b1)를 통해 바디 부분(500b)을 나와 레티클을 향해 안내된다(화살표 "AF"로, 도 2, 도 3a 내지 도 3c 및 도 4에 역시 도시된 바와 같이). 도 5b는, 냉각 채널(502b)이 출구(502b1)에 도달하기 전 바디 부분(500b)의 더 중요한 부분을 통해 분배된다는 점에서 도 5a와 상이하다. 즉, 도 5b에서, 냉각 유체가 출구(502b1)를 통해 바디 부분(500b)을 나가기 전에 바디 부분(500b)의 이 부분에 의도적인 냉각 기능이 제공된다.
도 5c는, 도 2, 도 3a 내지 도 3c 및 도 4에 도시된 마스크(112a, 112b, 112c, 112d, 112e) 중의 임의의 것과 같은 마스크의 요소(112'c)(예를 들어 블레이드)의 평면도이다. 요소(112'c)는 유체 소스(유체가 유체 소스로부터 "입구(inlet)"를 통해 들어가는 곳, 미도시)로부터 냉각 유체를 수용하도록 구성된 복수의 냉각 채널(502c)을 형성하는 바디 부분(500c)을 포함하고, 여기서 냉각 유체(예를 들어, 공기 또는 다른 냉각 가스)는 출구(502c1)를 통해 바디 부분(500c)을 나와 레티클을 향해 안내된다(화살표 "AF"로, 도 2, 도 3a 내지 도 3c 및 도 4에 역시 도시된 바와 같이). 도 5b와 같이, 도 5c에서, 냉각 채널(502c)은 바디 부분(500c)의 이 부분에 냉각 기능을 제공하기 위해 출구(502c1)에 도달하기 전 바디 부분(500c)의 더 중요한 부분을 통해 분배된다. 나아가, 도 5c에서, 냉각 채널(502c)은 "복귀(return)"를 통해 냉각 유체를 유체 소스로 다시 안내하기 위한 복귀 채널을 포함한다(유체 소스는 간략화를 위해 미도시됨).
도 5d는, 도 2, 도 3a 내지 도 3c 및 도 4에 도시된 마스크(112a, 112b, 112c, 112d, 112e) 중의 임의의 것과 같은 마스크의 요소(112'd)(예를 들어 블레이드)의 평면도이다. 요소(112'd)는 유체 소스(유체가 유체 소스로부터 "입구(inlet)"를 통해 들어가는 곳, 미도시)로부터 냉각 유체를 수용하도록 구성된 복수의 냉각 채널(502d)을 형성하는 바디 부분(500d)을 포함하고, 여기서 냉각 유체(예를 들어, 공기, 액체 또는 다른 냉각 유체)는 "복귀"를 통해 냉각 유체를 유체 소스로 다시 안내하기 위한 하나 이상의 복귀 채널을 통해 유체 소스로 복귀하기 전 바디 부분(500d)의 더 중요한 부분을 통해 분배된다(유체 소스는 간략화를 위해 미도시됨).
도 5e는, 도 2, 도 3a 내지 도 3c 및 도 4에 도시된 마스크(112a, 112b, 112c, 112d, 112e) 중의 임의의 것과 같은 마스크의 요소(112'e)(예를 들어 블레이드)의 평면도이다. 요소(112'e)는 바디 부분(500e), 및 마스크의 바디 부분(500e)에 결합되는 별도의 히트 싱크(504)를 포함한다. 도 5e에 도시된 예에서, 히트 싱크(504)는 전도성 브레이드(506)를 통해 바디 부분(500e)에 결합된다. 히트 싱크는 능동(active) 냉각을 포함 및/또는 냉각 핀 등과 같은 정적(static) 냉각 요소를 포함할 수 있다.
다른 예에서, 열 제거 장치는 마스크의 바디 부분에 결합되는 파이프(또는 다른 냉각 유체 운반 구조)를 포함할 수 있고, 여기서 파이프는 냉각 유체를 레티클을 향해 안내하도록 구성된다.
도 6a 내지 도 6c는 레티클을 향해 안내되는 냉각 유체의 예를 보여주는 측면 블록 선도이고, 여기서 그러한 도시는 이러한 냉각 유체를 레티클로 향하게 하는 본 발명의 임의의 실시예에 적용될 수 있다(예를 들어, 도 2, 도 3a 내지 도 3c, 도 4, 도 5a 내지 도 5c 등). 도 6a에서, 방사선("RADIATION")은 위에서 제공된다(예를 들어, 도 1에 도시된 방사선 소스(118)로부터). 마스크의 요소(112')(예를 들어, 블레이드)는, 냉각 유체 "AF"가 이동하며, 출구(502")를 통해 레티클(110)(레티클 패턴(110a) 포함)을 향해 안내되는 냉각 채널(502')을 포함한다.
도 6b는 방사선 흡수 코팅(600)(예를 들어, 무기 흑색 코팅)이 요소(112'a)의 바디 부분의 외부 표면의 적어도 일부에 도포된 것을 제외하고는 도 6a와 유사하다(유사 참조 번호를 가짐). 이 코팅은 방사선 소스(118)로부터 오는 방사선("RADIATION")의 일부를 흡수하여(예를 들어, 도 1 참조), 바람직하지 않게 레티클(110)(레티클 패턴(110a) 포함) 또는 주변에서 열을 초래한다. 냉각 채널(502')에서 이동하는(그리고 출구(502"a)를 나오는) 냉각 유체 "AF"는 이 열을 적어도 부분적으로 처리하기 위한 냉각 기능을 제공한다.
도 6c는(도 6a에서와 같이) 요소(112'c)를 도시하나, 도 6c에서 파이프(602)(냉각 유체를 위한 경로(602') 형성)는 요소(112'c)에 결합된다(직접적으로 또는 간접적으로). 냉각 유체 "AF"는 경로(602')로 이동하고, 레티클(110)(레티클 패턴(110a)을 포함)로 안내되는 출구(602")에서 요소(112')를 나온다.
본 발명의 다양한 예시적인 실시예에 따르면, 리소그래피 시스템의 마스크는 레티클에 인접하게 위치된다. 리소그래피 시스템의 z 축에 대해, "인접(adjacent)"이라는 용어는: (a) 마스크가 z 축을 따라 레티클의 100mm 내에 있는 것; (b) 마스크가 z 축을 따라 레티클의 50mm 내에 있는 것; (c) 마스크가 z 축을 따라 레티클의 30mm 내에 있는 마스크; 및 (d) 마스크가 z 축을 따라 레티클의 10mm 내에 있는 것 중 적어도 하나를 의미한다.
본 발명이 예시적인 실시예와 관련하여 설명되고 기술되었으나, 통상의 기술자는 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 변경, 생략 및 추가가 그 내부 및 그에 대해 이루어질 수 있음을 이해하여야 한다. 대신, 청구항의 균등물의 범위 및 영역 내에서 본 발명으로부터 벗어남 없이 세부사항에 다양한 수정이 이루어질 수 있다.

Claims (51)

  1. 방사선을 사용하여 가공물 상에 이미지를 투영하기 위한 리소그래피 시스템(lithographic system)으로서,
    가공물을 지지하기 위한 지지 구조체;
    상기 가공물 상에 이미지를 투영하기 위해 방사선을 제공하기 위한 방사선 소스;
    상기 방사선 소스와 상기 가공물 사이에 위치되는 레티클(reticle); 및
    상기 레티클에 인접하게 위치되는 마스크로서, 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 차단하도록 구성되고, 열 제거 장치를 포함하는 마스크를 포함하는 리소그래피 시스템.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 열 제거 장치는, 유체 소스로부터 냉각 유체를 수용하도록 구성된 적어도 하나의 냉각 채널을 형성하는 바디 부분을 포함하는 리소그래피 시스템.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 열 제거 장치는, 상기 냉각 유체를 상기 레티클을 향해 안내하는 리소그래피 시스템.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 냉각 유체는 공기이고, 상기 유체 소스는 공기 공급부인 리소그래피 시스템.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 냉각 유체는 액체이고, 상기 유체 소스는 냉각 액체 공급부인 리소그래피 시스템.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 열 제거 장치는, 유체 소스로부터 냉각 유체를 수용하도록 구성된 복수의 냉각 채널을 형성하는 바디 부분을 포함하는 리소그래피 시스템.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 열 제거 장치는, 상기 냉각 유체를 상기 유체 소스로 다시 안내하는 적어도 하나의 복귀 채널을 포함하는 리소그래피 시스템.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 냉각 유체는, 상기 마스크의 적어도 일부에 냉각을 제공한 후, 상기 열 제거 장치에 의해 상기 레티클을 향해 안내되는 리소그래피 시스템.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 마스크는, 상기 레티클의 패턴 및 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 상기 가공물 상에 투영될 이미지의 조명 영역을 집합적으로 형성하는 복수의 요소를 포함하고,
    상기 복수의 요소 중 적어도 하나는 상기 열 제거 장치의 적어도 일부를 포함하는 리소그래피 시스템.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 복수의 요소 중 적어도 하나는, 상기 리소그래피 시스템의 z 축을 따라 상기 레티클 위에 위치되고, 상기 복수의 요소 중 적어도 다른 하나는, 상기 리소그래피 시스템의 z 축을 따라 상기 레티클 아래에 위치되는 리소그래피 시스템.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 복수의 요소 중 적어도 하나는, 상기 조명 영역의 크기가 조절될 수 있도록 상기 복수의 요소 중 다른 하나에 대해 이동 가능한 리소그래피 시스템.
  12. 청구항 9에 있어서,
    상기 복수의 요소는 복수의 블레이드를 포함하는 리소그래피 시스템.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 마스크는, 상기 레티클의 패턴 및 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 상기 가공물 상에 투영될 이미지의 조명 영역을 형성하도록 구성된 복수의 요소를 포함하는 리소그래피 시스템.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 복수의 요소 중 적어도 일부는 상기 조명 영역이 가변되도록 서로에 대해 이동 가능한 리소그래피 시스템.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 마스크는, 상기 레티클의 패턴 및 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 상기 가공물 상에 투영될 이미지의 조명 영역을 형성하는 리소그래피 시스템.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 마스크는, 상기 조명 영역의 위치가 변경될 수 있도록 상기 리소그래피 시스템의 xy 평면 내에서 이동 가능한 리소그래피 시스템.
  17. 청구항 1에 있어서,
    상기 마스크는 복수의 조명 영역을 형성하고,
    상기 복수의 조명 영역 각각은, 상기 레티클의 패턴 및 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 상기 가공물 상에 투영될 이미지를 형성하도록 구성되는 리소그래피 시스템.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 마스크는, 상기 복수의 조명 영역 중 선택하기 위해 상기 리소그래피 시스템의 xy 평면 내에서 이동 가능한 리소그래피 시스템.
  19. 청구항 1에 있어서,
    상기 마스크는, 바디 부분 및 상기 바디 부분의 외부 표면의 적어도 일부에 도포되는 방사선 흡수 코팅을 포함하는 리소그래피 시스템.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 방사선 흡수 코팅은, 무기물의 흑색 코팅인 리소그래피 시스템.
  21. 청구항 1에 있어서,
    상기 열 제거 장치는, 상기 마스크의 바디 부분에 결합되는 히트 싱크를 포함하는 리소그래피 시스템.
  22. 청구항 21에 있어서,
    상기 히트 싱크는, 전도성 브레이드(conductive braid)를 통해 상기 마스크의 바디 부분에 결합되는 리소그래피 시스템.
  23. 청구항 21에 있어서,
    상기 히트 싱크는, 상기 마스크에 냉각을 제공하기 위한 냉각 유체를 수용하는 리소그래피 시스템.
  24. 청구항 1에 있어서,
    상기 열 제거 장치는, 상기 마스크의 바디 부분에 결합되는 파이프를 포함하고,
    상기 파이프는 냉각 유체를 상기 레티클을 향해 안내하도록 구성되는 리소그래피 시스템.
  25. 청구항 1에 있어서,
    상기 마스크는, 상기 리소그래피 시스템의 z 축을 따라 상기 레티클의 100mm 내에 위치되는 리소그래피 시스템.
  26. 방사선을 사용하여 가공물 상에 이미지를 투영하기 위한 리소그래피 시스템(lithographic system)으로서,
    가공물을 지지하기 위한 지지 구조체;
    상기 가공물 상에 이미지를 투영하기 위해 방사선을 제공하기 위한 방사선 소스;
    상기 방사선 소스와 상기 가공물 사이에 위치되는 레티클; 및
    상기 레티클에 인접하게 위치되는 마스크로서, 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 차단하도록 구성되고, 바디 부분 및 상기 바디 부분의 외부 표면의 적어도 일부에 도포되는 방사선 흡수 코팅을 포함하는 마스크를 포함하는 리소그래피 시스템.
  27. 청구항 26에 있어서,
    상기 마스크는, 상기 리소그래피 시스템의 z 축을 따라 상기 레티클의 100mm 내에 위치되는 리소그래피 시스템.
  28. 청구항 26에 있어서,
    상기 방사선 흡수 코팅은, 무기물의 흑색 코팅인 리소그래피 시스템.
  29. 방사선을 사용하여 가공물 상에 이미지를 투영하기 위한 리소그래피 시스템(lithographic system)으로서,
    가공물을 지지하기 위한 지지 구조체;
    상기 가공물 상에 이미지를 투영하기 위해 방사선을 제공하기 위한 방사선 소스;
    상기 방사선 소스와 상기 가공물 사이에 위치되는 레티클; 및
    상기 레티클에 인접하게 위치되는 마스크로서, 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 차단하도록 구성되고, 상기 레티클의 패턴 및 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 상기 가공물 상에 투영될 이미지의 조명 영역을 형성하고, 상기 마스크에 의해 형성된 상기 조명 영역은 가변되는 마스크를 포함하는 리소그래피 시스템.
  30. 청구항 29에 있어서,
    상기 마스크는, 상기 조명 영역을 형성하도록 구성된 복수의 요소를 포함하고,
    상기 복수의 요소 중 적어도 하나는, 상기 조명 영역이 가변되도록 다른 복수의 요소에 대해 이동 가능한 리소그래피 시스템.
  31. 방사선을 사용하여 가공물 상에 이미지를 투영하기 위한 리소그래피 시스템(lithographic system)으로서,
    가공물을 지지하기 위한 지지 구조체;
    상기 가공물 상에 이미지를 투영하기 위해 방사선을 제공하기 위한 방사선 소스;
    상기 방사선 소스와 상기 가공물 사이에 위치되는 레티클; 및
    상기 레티클에 인접하게 위치되는 마스크로서, 상기 마스크는, 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 차단하도록 구성되고, 상기 레티클의 패턴 및 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 상기 가공물 상에 투영될 이미지의 조명 영역을 형성하고, 상기 조명 영역을 형성하도록 구성된 복수의 요소를 포함하고, 상기 복수의 요소 중 적어도 하나는, 상기 리소그래피 시스템의 z 축을 따라 상기 레티클 위에 위치되고, 상기 복수의 요소 중 적어도 다른 하나는, 상기 리소그래피 시스템의 z 축을 따라 상기 레티클 아래에 위치되는 마스크를 포함하는 리소그래피 시스템.
  32. 청구항 31에 있어서,
    (i) 상기 z 축을 따라 상기 레티클 위에 위치된 복수의 요소는, 상기 리소그래피 시스템의 x 축을 따라 서로에 대해 이동하도록 구성된 한 쌍의 요소를 포함하고, (ii) 상기 z 축을 따라 상기 레티클 아래에 위치된 복수의 요소는, 상기 리소그래피 시스템의 y 축을 따라 서로에 대해 이동하도록 구성된 한 쌍의 요소를 포함하는 리소그래피 시스템.
  33. 리소그래피 시스템을 작동시키는 방법으로서, 상기 방법은:
    (a) 상기 리소그래피 시스템의 지지 구조체를 사용하여 가공물을 지지하는 단계;
    (b) 상기 리소그래피 시스템의 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 상기 가공물 상에 이미지를 투영하는 단계;
    (c) 상기 방사선 소스와 상기 가공물 사이에 레티클을 위치하는 단계;
    (d) 상기 레티클에 인접하게 마스크를 위치시키는 단계로서, 상기 마스크는 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 차단하도록 구성되는 단계; 및
    (e) 상기 마스크의 열 제거 장치로 상기 마스크 및 상기 레티클 중 적어도 하나로부터 열을 제거하는 단계를 포함하는 방법.
  34. 청구항 33에 있어서,
    단계 (e)는, 상기 열 제거 장치로부터 상기 레티클을 향해 냉각 유체를 안내하는 단계를 포함하는 방법.
  35. 청구항 34에 있어서,
    단계 (e)는, 상기 마스크의 열 제거 장치로 상기 마스크 및 상기 레티클 각각으로부터 열을 제거하는 단계를 포함하는 방법.
  36. 청구항 33에 있어서,
    상기 마스크는 복수의 요소를 포함하는 방법.
  37. 청구항 36에 있어서,
    단계 (d)는, 상기 리소그래피 시스템의 z 축을 따라 상기 레티클 위에 상기 복수의 요소 중 적어도 하나를 위치하는 단계 및 상기 리소그래피 시스템의 z 축을 따라 상기 레티클 아래에 상기 복수의 요소 중 적어도 다른 하나를 위치하는 단계를 포함하는 방법.
  38. 청구항 36에 있어서,
    상기 복수의 요소 중 적어도 하나는 상기 복수의 요소 중 다른 하나에 대해 이동 가능하고,
    상기 마스크는, 상기 레티클의 패턴 및 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 상기 가공물 상에 투영될 이미지의 조명 영역을 형성하고,
    상기 방법은,
    (f) 상기 복수의 요소 중 적어도 하나를 이동함으로써 상기 조명 영역의 크기를 조절하는 단계를 더 포함하는 방법.
  39. 청구항 33에 있어서,
    상기 마스크는, 상기 레티클의 패턴 및 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 상기 가공물 상에 투영될 이미지의 조명 영역을 형성하고,
    상기 방법은,
    (f) 상기 조명 영역의 위치가 변경될 수 있도록 상기 리소그래피 시스템의 xy 평면 내에서 상기 마스크를 이동시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  40. 청구항 33에 있어서,
    상기 마스크는 복수의 조명 영역을 형성하고,
    상기 복수의 영역 각각은, 상기 레티클의 패턴 및 상기 방사선 소스의 방사선을 사용하여 상기 가공물 상에 투영될 이미지를 형성하도록 구성되는 방법.
  41. 청구항 40에 있어서,
    (f) 상기 복수의 조명 영역 중에서 선택하기 위해 상기 리소그래피 시스템의 xy 평면 내에서 상기 마스크를 이동시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  42. 청구항 33에 있어서,
    상기 마스크는, 바디 부분 및 상기 바디 부분의 외부 표면의 적어도 일부에 도포되는 방사선 흡수 코팅을 포함하는 방법.
  43. 청구항 33에 있어서,
    상기 열 제거 장치는 히트 싱크를 포함하고,
    단계 (e)는, 상기 마스크의 바디 부분에 상기 히트 싱크를 결합시킴으로써 상기 마스크 및 상기 레티클 중 적어도 하나로부터 열을 제거하는 단계를 포함하는 방법.
  44. 청구항 43에 있어서,
    단계 (e)는, 전도성 브레이드를 통해 상기 마스크의 바디 부분에 상기 히트 싱크를 결합하는 단계를 포함하는 방법.
  45. 청구항 33에 있어서,
    상기 열 제거 장치는 상기 마스크의 바디 부분에 결합되는 파이프를 포함하고,
    단계 (e)는, 상기 파이프로부터 상기 레티클을 향해 냉각 유체를 안내하는 단계를 포함하는 방법.
  46. 리소그래피 시스템을 작동시키는 방법으로서, 상기 방법은:
    (a) 상기 리소그래피 시스템의 지지 구조체를 사용하여 가공물을 지지하는 단계;
    (b) 상기 리소그래피 시스템의 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 상기 가공물 상에 이미지를 투영하는 단계;
    (c) 상기 방사선 소스와 상기 가공물 사이에 레티클을 위치하는 단계; 및
    (d) 상기 레티클에 인접하게 마스크를 위치시키는 단계로서, 상기 마스크는, 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 차단하도록 구성되고, 상기 마스크는, 바디 부분 및 상기 바디 부분의 외부 표면의 적어도 일부에 도포되는 방사선 흡수 코팅을 포함하는 단계를 포함하는 방법.
  47. 청구항 46에 있어서,
    단계 (d)는, 상기 마스크를 상기 리소그래피 시스템의 z 축을 따라 상기 레티클의 100mm 내에 위치하는 단계를 포함하는 방법.
  48. 리소그래피 시스템을 작동시키는 방법으로서, 상기 방법은:
    (a) 상기 리소그래피 시스템의 지지 구조체를 사용하여 가공물을 지지하는 단계;
    (b) 상기 리소그래피 시스템의 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 상기 가공물 상에 이미지를 투영하는 단계;
    (c) 상기 방사선 소스와 상기 가공물 사이에 레티클을 위치하는 단계; 및
    (d) 상기 레티클에 인접하게 마스크를 위치시키는 단계로서, 상기 마스크는, 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 차단하도록 구성되고, 상기 마스크는, 상기 레티클의 패턴 및 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 투영될 이미지의 조명 영역을 형성하고, 상기 마스크에 의해 형성된 상기 조명 영역은 가변되는 단계를 포함하는 방법.
  49. 청구항 48에 있어서,
    상기 마스크는, 상기 조명 영역을 형성하도록 구성된 복수의 요소를 포함하고,
    상기 복수의 요소 중 적어도 하나는, 상기 조명 영역이 가변되도록 다른 복수의 요소에 대해 이동 가능한 방법.
  50. 리소그래피 시스템을 작동시키는 방법으로서, 상기 방법은:
    (a) 상기 리소그래피 시스템의 지지 구조체를 사용하여 가공물을 지지하는 단계;
    (b) 상기 리소그래피 시스템의 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 상기 가공물 상에 이미지를 투영하는 단계;
    (c) 상기 방사선 소스와 상기 가공물 사이에 레티클을 위치하는 단계; 및
    (d) 상기 레티클에 인접하게 마스크를 위치시키는 단계로서, 상기 마스크는, 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 차단하도록 구성되고, 상기 마스크는, 상기 레티클의 패턴 및 상기 방사선 소스로부터의 방사선을 사용하여 투영될 이미지의 조명 영역을 형성하고, 상기 마스크는, 상기 조명 영역을 형성하도록 구성된 복수의 요소를 포함하고, 상기 복수의 요소 중 적어도 하나는 상기 리소그래피 시스템의 z 축을 따라 상기 레티클 위에 위치되고, 상기 복수의 요소 중 적어도 다른 하나는 상기 리소그래피 시스템의 z 축을 따라 상기 레티클 아래에 위치되는 단계를 포함하는 방법.
  51. 청구항 50에 있어서,
    (i) 상기 z 축을 따라 상기 레티클 위에 위치된 복수의 요소는, 상기 리소그래피 시스템의 x 축을 따라 서로에 대해 이동하도록 구성된 한 쌍의 요소를 포함하고, (ii) 상기 z 축을 따라 상기 레티클 아래에 위치된 복수의 요소는, 상기 리소그래피 시스템의 y 축을 따라 서로에 대해 이동하도록 구성된 한 쌍의 요소를 포함하는 방법.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113767335A (zh) * 2019-04-09 2021-12-07 库力&索法利特克有限公司 平版印刷***及操作该***的方法
WO2024091683A1 (en) * 2022-10-28 2024-05-02 Applied Materials, Inc. Optical coating for eliminating ghost images in optical metrology tools

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6020950A (en) * 1992-02-24 2000-02-01 Nikon Corporation Exposure method and projection exposure apparatus
US6078381A (en) * 1993-02-01 2000-06-20 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
DE69933903T2 (de) 1998-04-14 2007-05-24 Asml Netherlands B.V. Lithograpischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
JP2000091220A (ja) * 1998-09-08 2000-03-31 Nikon Corp 投影露光装置及び投影露光方法
EP1127369A1 (en) * 1998-10-15 2001-08-29 Applied Materials, Inc. Detection of wafer fragments in a wafer processing apparatus
JP2000306832A (ja) * 1999-04-19 2000-11-02 Ims Ionen Mikrofab Syst Gmbh 投影リソグラフィシステム用の透過マスク及びマスク露光システム
JP2000349023A (ja) * 1999-05-21 2000-12-15 Ims Ionen Mikrofab Syst Gmbh 投影リソグラフィシステム用の透過マスク及びマスク露光システム
SG115575A1 (en) * 2002-10-18 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus comprising a secondary electron removal unit
JP2004336026A (ja) * 2003-04-15 2004-11-25 Canon Inc 温度調節装置及びそれを有する露光装置、デバイスの製造方法
EP1482363A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
EP1491960B1 (en) * 2003-05-30 2012-04-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP2005033179A (ja) * 2003-06-18 2005-02-03 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US7382439B2 (en) 2005-05-31 2008-06-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7602472B2 (en) * 2007-06-12 2009-10-13 Asml Netherlands B.V. Contamination prevention system, lithographic apparatus, radiation source, and method for manufacturing a device
EP2199858A1 (en) * 2008-12-18 2010-06-23 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and method of irradiating at least two target portions
WO2011128729A1 (en) * 2010-04-12 2011-10-20 Memc Electronic Materials, S.P.A. Bell jar for siemens reactor including thermal radiation shield
CN104777716B (zh) * 2014-01-10 2017-08-29 上海微电子装备有限公司 一种光刻机机械式快门叶片结构
NL2016271B1 (en) * 2016-02-16 2017-08-22 Liteq B V Lithographic apparatus and method for preventing peripheral exposure of a substrate.
CN113767335A (zh) * 2019-04-09 2021-12-07 库力&索法利特克有限公司 平版印刷***及操作该***的方法

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