KR20210145256A - MOCVD Reactor - Google Patents

MOCVD Reactor Download PDF

Info

Publication number
KR20210145256A
KR20210145256A KR1020217035583A KR20217035583A KR20210145256A KR 20210145256 A KR20210145256 A KR 20210145256A KR 1020217035583 A KR1020217035583 A KR 1020217035583A KR 20217035583 A KR20217035583 A KR 20217035583A KR 20210145256 A KR20210145256 A KR 20210145256A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heating wire
external
bearing surface
reaction apparatus
wafer carrier
Prior art date
Application number
KR1020217035583A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102632383B1 (en
Inventor
지안 푸
지웨이 야오
준 첸
Original Assignee
포커스 라이팅스 테크 씨오., 엘티디
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 포커스 라이팅스 테크 씨오., 엘티디 filed Critical 포커스 라이팅스 테크 씨오., 엘티디
Publication of KR20210145256A publication Critical patent/KR20210145256A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102632383B1 publication Critical patent/KR102632383B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명에 의해 제공되는 MOCVD 반응 장치는 웨이퍼 캐리어 및 가열 장치를 포함하며, 외부 브래킷은 두 개의 외부 서포팅 레그 및 외부 지탱부를 포함하고, 외부 지탱부는 지탱면을 포함하며, 지탱면은 제 1지탱면 및 제 2지탱면을 포함하고, 제 1지탱면은 두 개의 외부 서포팅 레그의 중간 영역에 대응하여 제공되고, 제 2지탱면은 외부 가열선에서 멀어지는 중심 방향으로 돌출 확장되고, 외부 가열선은 제 1지탱면 및 제 2지탱면 상에 위치한다. 본 발명은 생산능력을 향상시킬 수 있고, 실용성이 높다.The MOCVD reaction apparatus provided by the present invention comprises a wafer carrier and a heating device, the outer bracket comprising two outer supporting legs and an outer support, the outer support comprising a bearing surface, the bearing surface comprising a first bearing surface and a second bearing surface, wherein the first bearing surface is provided corresponding to the middle region of the two outer supporting legs, the second bearing surface protrudes and extends in a central direction away from the outer heating wire, and the outer heating wire includes the second support surface. It is located on the 1st bearing surface and the 2nd bearing surface. The present invention can improve the production capacity and has high practicality.

Description

MOCVD 반응 장치MOCVD Reactor

본 출원은 출원일 2019년 05월 08일, 출원 번호 201910380483.5, 발명 명칭 “MOCVD 반응 장치”의 중국 특허 출원에 대한 우선권을 주장하며, 그 전체 내용은 인용을 통해 본 출원에 포함된다. This application claims priority to the Chinese patent application filed on May 08, 2019, application number 201910380483.5, entitled "MOCVD reaction apparatus", the entire contents of which are incorporated herein by reference.

본 발명은 기상 증착 영역에 관한 것이며, 특히 MOCVD 반응 장치에 관한 것이다.The present invention relates to the field of vapor deposition, and more particularly to a MOCVD reaction apparatus.

MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, 금속 유기 화학 기상 증착)은 기상 에피택시(Vapour Phase Epitaxy, VPE)를 기반으로 발전된 새로운 기상 에피택셜 성장 기술이다. MOCVD는 화합물 반도체 에피택시 재료를 제조하기 위한 핵심 장비로서, Ⅲ족, Ⅱ족 원소의 유기화합물 및 Ⅴ, Ⅵ족 원소의 수소화물 등을 결정 성장 원재료로 사용하여 열분해 반응 방식을 통해 기판에서 기상 에피택시를 진행하며, 주로 각종 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 및 그 다성분 고용체의 박막 단결정 재료의 성장에 사용되고, 모든 일반적인 반도체를 포괄함에 따라 매우 광범위한 시장 전망을 가지고 있다. Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) is a new vapor phase epitaxial growth technology developed based on vapor phase epitaxy (VPE). MOCVD is a core equipment for manufacturing compound semiconductor epitaxy materials. It uses organic compounds of Group III and II elements and hydrides of Group V and VI elements as crystal growth raw materials, It is mainly used for the growth of various III-V, II-VI compound semiconductors and thin-film single crystal materials of multi-component solid solutions thereof, and has a very broad market prospect as it covers all general semiconductors.

종래의 기술 중에서, 모델 K465i 시스템의 경우, 그 포함된 웨이퍼 캐리어는 크기가 작고, 웨이퍼 캐리어가 운반하는 웨이퍼 수량은 14*4(즉 4인치 웨이퍼 14장)이다. 현재 시장 상황에서, 기술 및 시스템의 안정성 및 일관성은 매우 성숙했지만, 생산능력이 낮기 때문에 시장의 요구사항을 점점 충족할 수 없다.Among the prior art, in the case of the model K465i system, the included wafer carrier is small in size, and the number of wafers carried by the wafer carrier is 14*4 (ie, 14 4-inch wafers). In the current market situation, the stability and consistency of the technology and system are very mature, but due to the low production capacity, it is increasingly unable to meet the market requirements.

본 발명의 목적은 생산능력을 크게 향상시킬 수 있는 MOCVD 반응 장치를 제공하는 데 있다. It is an object of the present invention to provide a MOCVD reaction apparatus capable of greatly improving production capacity.

전술한 발명의 목적 중 하나를 달성하기 위해, 본 발명의 실시방식에 의해 제공되는 MOCVD 반응 장치는 웨이퍼 캐리어 및 상기 웨이퍼 캐리어 하부에 제공되는 가열 장치를 포함하며, 상기 가열 장치는 가열선 조립체 및 상기 가열선 조립체를 지탱하는 브래킷 조립체를 포함하고, 상기 가열선 조립체는 상기 웨이퍼 캐리어의 가장자리 영역에 대응해서 제공되는 외부 가열선을 포함하며, 상기 브래킷 조립체는 상기 외부 가열선을 지탱하는 약간의 외부 브래킷을 포함하고, 상기 외부 브래킷은 평행으로 제공되는 두 개의 외부 서포팅 레그 및 두 개의 외부 서포팅 레그를 연결하는 외부 지탱부를 포함하며, 두 개의 외부 서포팅 레그에서 멀어지는 상기 외부 지탱부의 측면에는 평면의 지탱면이 제공되고, 상기 지탱면은 서로 연결되는 제 1지탱면 및 제 2지탱면을 포함하며, 상기 제 1지탱면은 두 개의 외부 서포팅 레그의 중간 영역에 대응하여 제공되고, 상기 제 2지탱면은 상기 외부 가열선에서 멀어지는 중심 방향으로 상기 제1지탱면이 돌출 확장되며, 상기 외부 가열선은 상기 제 1지탱면 및 상기 제 2지탱면 상에 위치한다. In order to achieve one of the objects of the above-described invention, a MOCVD reaction apparatus provided by an embodiment of the present invention includes a wafer carrier and a heating device provided under the wafer carrier, the heating device including a heating wire assembly and the a bracket assembly carrying a heating wire assembly, the heating wire assembly including an external heating wire provided corresponding to an edge region of the wafer carrier, the bracket assembly including a slight external bracket carrying the external heating wire wherein the outer bracket includes two external supporting legs provided in parallel and an external supporting part connecting the two external supporting legs, and a side surface of the external supporting part away from the two external supporting legs has a flat supporting surface. provided, wherein the bearing surface includes a first bearing surface and a second bearing surface connected to each other, the first bearing surface being provided corresponding to an intermediate region of the two outer supporting legs, the second bearing surface being The first supporting surface protrudes and extends in a central direction away from the external heating wire, and the external heating wire is positioned on the first supporting surface and the second supporting surface.

본 발명의 실시방식에 대한 추가적인 개선으로는, 상기 웨이퍼 캐리어는 원형이며, 상기 웨이퍼 캐리어의 직경 범위는 480~500mm이고, 상기 외부 가열선의 외경 범위는 480~500mm이다. As a further improvement on the embodiment of the present invention, the wafer carrier is circular, the diameter of the wafer carrier is in the range of 480 to 500 mm, and the outer diameter of the external heating wire is in the range of 480 to 500 mm.

본 발명의 실시방식에 대한 추가적인 개선으로는, 상기 외부 브래킷은 일체형이고, 두 개의 외부 서포팅 레그 및 상기 외부 지탱부는 동일한 평면 내에 위치한다. As a further improvement on the embodiment of the present invention, the outer bracket is integral, the two outer supporting legs and the outer support are located in the same plane.

본 발명의 실시방식에 대한 추가적인 개선으로는, 상기 지탱면 상의 임의의 점에서 수평면까지의 거리는 모두 동일하다. As a further refinement of the embodiment of the present invention, the distance from any point on the bearing surface to the horizontal plane is all the same.

본 발명의 실시방식에 대한 추가적인 개선으로는, 상기 가열 장치는 기판, 상기 기판 및 상기 가열선 조립체 사이에 제공되는 단열 조립체 및 세라믹 베이스를 포함하며, 상기 기판은 설치 구멍을 포함하고, 상기 단열 조립체는 관통 구멍을 포함하며, 상기 세라믹 베이스는 상기 관통 구멍 및 상기 설치 구멍 내에 제공되고, 상기 세라믹 베이스는 수용 캐비티를 포함하며, 상기 외부 브래킷의 두 외부 서포팅 레그는 상기 수용 캐비티 내로 위치가 제한된다. In a further refinement of the embodiment of the present invention, the heating device includes a substrate, an insulating assembly provided between the substrate and the heating wire assembly, and a ceramic base, the substrate including a mounting hole, the insulating assembly comprising: includes a through hole, wherein the ceramic base is provided in the through hole and the installation hole, the ceramic base includes a receiving cavity, and the two outer supporting legs of the outer bracket are limited in position into the receiving cavity.

본 발명의 실시방식에 대한 추가적인 개선으로는, 상기 단열 조립체는 약간의 겹쳐지는 단열 시트를 포함하며, 상기 단열 조립체의 외경 범위는 480~500mm이고, 상기 기판의 외경은 상기 단열 조립체의 외경보다 작다. As a further improvement on the embodiment of the present invention, the thermal insulation assembly includes a few overlapping thermal insulation sheets, the outer diameter of the thermal insulation assembly ranges from 480 to 500 mm, and the outer diameter of the substrate is smaller than the outer diameter of the thermal insulation assembly. .

본 발명의 실시방식에 대한 추가적인 개선으로는, 상기 가열 장치는 상기 기판에 연결되는 지탱부를 더 포함하며, 상기 지탱부는 상기 외부 가열선의 외측 가장자리까지 확장된다. As a further refinement of the embodiment of the present invention, the heating device further comprises a support portion connected to the substrate, the support portion extending to the outer edge of the outer heating wire.

본 발명의 실시방식에 대한 추가적인 개선으로는, 상기 MOCVD 반응 장치는 상기 가열 장치를 둘러싸서 제공되는 커버 바디를 더 포함하며, 상기 커버 바디의 내경 범위는 480~500mm이다. As a further improvement on the embodiment of the present invention, the MOCVD reaction apparatus further includes a cover body provided to surround the heating apparatus, and the inner diameter range of the cover body is 480 to 500 mm.

본 발명의 실시방식에 대한 추가적인 개선으로는, 상기 MOCVD 반응 장치는 집진 링을 더 포함하며, 상기 커버 바디는 상기 집진 링에 연결되고, 상기 집진 링 상에는 약간의 배기 구멍이 제공된다. As a further improvement on the embodiment of the present invention, the MOCVD reaction apparatus further includes a dust collecting ring, the cover body is connected to the dust collecting ring, and a small exhaust hole is provided on the dust collecting ring.

본 발명의 실시방식에 대한 추가적인 개선으로는, 상기 MOCVD 반응 장치는 중공 링 모양의 배플을 더 포함하며, 상기 배플의 측벽 상단면은 제 1너비를 갖고, 상기 제 1너비 값의 범위는 16.9~26.9mm이다. As a further improvement on the embodiment of the present invention, the MOCVD reaction apparatus further includes a hollow ring-shaped baffle, wherein the top surface of the side wall of the baffle has a first width, and the first width value ranges from 16.9 to It is 26.9mm.

종래의 기술에 비해, 본 발명의 유익한 효과는 다음과 같다. 본 발명에 의해 제공되는 실시방식은 원래의 시스템이 전반적으로 변경되지 않는 상황에서, 여러 구성요소 설계를 간단하게 변경함으로써 생산능력을 크게 향상시킬 수 있고, 실용성이 높다.Compared with the prior art, the advantageous effects of the present invention are as follows. The implementation method provided by the present invention can greatly improve the production capacity by simply changing the design of several components in a situation where the original system is not generally changed, and the practicality is high.

도 1은 본 발명의 실시방식에 의해 제공되는 MOCVD 반응 장치 결선도,
도 2는 본 발명의 실시방식에 의해 제공되는 배플 결선도,
도 3은 도 2 중 종래 기술에 해당되는 A-A영역의 단면도,
도 4는 도 2 중 본 발명에 의해 제공되는 실시방식에 해당되는 A-A영역의 단면도,
도 5는 본 발명의 실시방식에 의해 제공되는 가열 장치의 입체도,
도 6은 본 발명의 실시방식에 의해 제공되는 가열 장치의 조감도,
도 7은 본 발명의 실시방식에 의해 제공되는 가열 장치의 측면도,
도 8은 본 발명의 실시방식에 의해 제공되는 중간 브래킷의 결선도,
도 9는 본 발명의 실시방식에 의해 제공되는 외부 브래킷의 결선도,
도 10은 본 발명의 실시방식에 의해 제공되는 커버 바디 및 집진 링이 결합된 결선도,
도 11은 본 발명의 실시방식에 의해 제공되는 커버 바디의 결선도이다.1 is a MOCVD reaction apparatus wiring diagram provided by an embodiment of the present invention;
2 is a baffle connection diagram provided by an embodiment of the present invention;
3 is a cross-sectional view of a region AA corresponding to the prior art in FIG. 2;
4 is a cross-sectional view of area AA corresponding to the embodiment provided by the present invention in FIG. 2;
5 is a three-dimensional view of a heating device provided by an embodiment of the present invention;
6 is a bird's eye view of a heating device provided by an embodiment of the present invention;
7 is a side view of a heating device provided by an embodiment of the present invention;
8 is a connection diagram of an intermediate bracket provided by an embodiment of the present invention;
9 is a connection diagram of an external bracket provided by an embodiment of the present invention;
10 is a connection diagram in which the cover body and the dust collecting ring provided by the embodiment of the present invention are combined;
11 is a connection diagram of a cover body provided by an embodiment of the present invention.

하기에서 도면에 도시된 구체 실시방식을 결합시켜 본 발명에 대해 상세하게 설명한다. 단, 그 실시방식은 본 발명을 제한하지 않으며, 당업자가 그 실시방식에 근거해 구현한 구조, 방법, 또는 기능 상의 변경은 모두 본 발명의 보호 범위 내에 포함된다. Hereinafter, the present invention will be described in detail by combining the specific embodiments shown in the drawings. However, the implementation method does not limit the present invention, and changes in structure, method, or function implemented by those skilled in the art based on the implementation method are all included within the protection scope of the present invention.

본 발명의 각 도면 중에서, 용이한 도시를 위해 구조 또는 국부적인 특정 크기를 기타 구조 또는 국부에 비해 상대적으로 과장되게 도시하였으나, 이는 본 발명의 요지인 기본 구조를 도시하는 데만 사용된다. In each drawing of the present invention, a structure or a specific local size is shown relatively exaggerated compared to other structures or parts for ease of illustration, but this is only used to show the basic structure which is the subject of the present invention.

또한, 본 명세서에 사용되는 “상단”, “상부”, “하단”, “하부” 등과 같이 공간의 상대적 위치를 표시하는 용어는 다른 유닛 또는 특징에 비해 도면에 도시된 유닛 또는 특징의 관계를 쉽게 설명하기 위한 목적이다. 공간의 상대적 위치 용어는 사용 중이거나 작동 중인 장치가 도면에 도시된 방향 이외의 다른 방향을 포함하도록 의도된다. 예를 들어, 도면 중의 장치가 회전된 경우, 기타 유닛 또는 특징의 “하부” 또는 “아래”에 위치한 유닛이 기타 유닛 또는 특징의 “상부”에 위치할 수 있는 것으로 설명된다. 따라서, 예시적 용어 “하부”는 상부와 하부 두 가지 방향을 포함할 수 있다. 장치는 다른 방식으로 방향이 지정될 수 있고(90도 회전 또는 기타 방향), 본 명세서에 사용되는 공간 관련 색인어는 그에 따라 설명된다. In addition, as used herein, terms indicating a relative position of space, such as “top”, “top”, “bottom”, “bottom”, etc., are used in the present specification to easily show the relationship of units or features shown in the drawings compared to other units or features. for the purpose of explaining The term relative position in space is intended to include orientations other than those shown in the drawings in which the device is in use or in operation. For example, when the device in the drawings is rotated, it is described that a unit located “below” or “below” other units or features may be located “above” other units or features. Accordingly, the exemplary term “lower” may include two directions: upper and lower. The device may be otherwise oriented (rotated 90 degrees or otherwise), and spatially related index terms used herein are described accordingly.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시방식에 의해 제공되는 MOCVD 반응 장치100의 결선도이다. Referring to FIG. 1, it is a connection diagram of the MOCVD reaction apparatus 100 provided by the embodiment of the present invention.

MOCVD 반응 장치100은 웨이퍼 캐리어10, 배플20, 가열 장치30, 커버 바디40 및 집진 링50 등을 포함한다. The MOCVD reaction apparatus 100 includes a wafer carrier 10, a baffle 20, a heating apparatus 30, a cover body 40, a dust collecting ring 50, and the like.

본 실시방식 중에서, 웨이퍼 캐리어10은 MOCVD 반응 장치100의 반응 챔버 S 내에 위치하며, 웨이퍼 캐리어10은 흑연이 압착되어 형성된 플레이트이고, 웨이퍼 캐리어10 상에는 웨이퍼를 운반하는 약간의 캐리어 캐비티101이 형성된다. In this embodiment, the wafer carrier 10 is located in the reaction chamber S of the MOCVD reaction apparatus 100, the wafer carrier 10 is a plate formed by pressing graphite, and a small carrier cavity 101 carrying the wafer is formed on the wafer carrier 10.

여기서, 웨이퍼 캐리어10은 원형이고, 웨이퍼 캐리어10의 직경 범위는 480~500mm이며, 이때, 웨이퍼 캐리어10은 원래 K465i 시스템의 생산능력을 기준으로 1~5장의 생산량이 증가됨에 따라, 단일 챔버에서 생산되는 생산능력이 증가되며, 본 실시방식 중에서, 그 웨이퍼 캐리어10은 4인치 웨이퍼 16장을 운반할 수 있다. Here, the wafer carrier 10 is circular, and the diameter range of the wafer carrier 10 is 480 to 500 mm. At this time, the wafer carrier 10 is produced in a single chamber as the production of 1 to 5 sheets is increased based on the production capacity of the original K465i system. The production capacity is increased, and in this embodiment, the wafer carrier 10 can carry 16 4-inch wafers.

설명이 필요한 점은, 본 실시방식에 의해 제공되는 MOCVD 반응 장치100은 종래의 K465i시스템(또는 K300, K465 등)일 수 있으며, 원래의 시스템이 전반적으로 변경되지 않는 상황에서, 일부의 구성요소를 변경하여 생산능력의 향상을 구현할 수 있다. 예를 들어, 그 웨이퍼 캐리어10의 직경을 원래의 465mm에서 480~500mm으로 변경하면, 공정 시간이 크게 차이가 나지 않은 상황 하에서, 단일 챔버의 생산능력이 증가된다. 기타 구성요소의 변경은 하기의 설명을 참조한다. What needs to be explained is that the MOCVD reaction apparatus 100 provided by this embodiment may be a conventional K465i system (or K300, K465, etc.), and in a situation where the original system is not generally changed, some components are Changes can be made to improve production capacity. For example, if the diameter of the wafer carrier 10 is changed from 465 mm to 480 to 500 mm, the production capacity of a single chamber is increased under the condition that the process time does not differ significantly. For changes in other components, see the description below.

또한, 웨이퍼 캐리어10의 중심은 구동축60에 고정되어 웨이퍼 캐리어10의 회전이 구현되며, MOCVD 반응 장치100은 소스 공급 시스템70 등의 구조를 더 포함하고, 소스 공급 시스템70은 반응 챔버 S에 반응 가스를 제공하는 데 사용되며, 웨이퍼 캐리어10이 회전하면 반응 가스가 각 웨이퍼 상에 균일하게 증착된다. In addition, the center of the wafer carrier 10 is fixed to the drive shaft 60 to implement the rotation of the wafer carrier 10, the MOCVD reaction apparatus 100 further includes a structure such as a source supply system 70, and the source supply system 70 is a reaction gas in the reaction chamber S As the wafer carrier 10 rotates, a reactive gas is uniformly deposited on each wafer.

본 실시방식 중에서, 배플20은 중공 링 모양이고, 배플20은 웨이퍼 캐리어10을 둘러싸서 제공되며, 배플20은 상하로 이동할 수 있으므로 MOCVD 자동화 생산에 대한 요구사항을 충분히 충족할 수 있다. In this embodiment, the baffle 20 is in the shape of a hollow ring, the baffle 20 is provided to surround the wafer carrier 10, and the baffle 20 can move up and down, which can sufficiently meet the requirements for MOCVD automated production.

MOCVD 설계 중에서, 가장 중요한 부분은 반응 챔버 S 내부 유동장 및 열장의 설계이며, 가장 적합한 유동장 및 열장을 설계해야만 반응 챔버 S 내부의 반응 과정이 원활하게 진행되어 반응물 원재료의 이용율을 높일 수 있고, 박막 증착 품질이 향상될 수 있다. 수직형 MOCVD 중에서, 웨이퍼 캐리어10의 옆에 제공되는 배플20은 특히 더 중요한데, 이는 웨이퍼 캐리어10 상단의 유동장 분포에 직접적인 영향을 미치고, 그 배플20이 웨이퍼 캐리어10과 매우 가깝기 때문에, 웨이퍼 캐리어10 표면의 온도장 분포에도 일정한 영향을 미치며, 배플20이 성장 과정에서 반응 챔버 S에 서클형의 안정적인 공간을 제공하므로 기류가 반응 챔버 S를 지나도 난기류 현상이 발생하지 않는다. Among MOCVD design, the most important part is the design of the flow field and heat field inside the reaction chamber S. Only by designing the most suitable flow field and heat field can the reaction process inside the reaction chamber S proceed smoothly to increase the utilization of the reactant raw materials, and thin film deposition Quality can be improved. Among vertical MOCVD, the baffle 20 provided next to the wafer carrier 10 is particularly important, which directly affects the flow field distribution on the top of the wafer carrier 10, and since the baffle 20 is very close to the wafer carrier 10, the wafer carrier 10 surface It also has a certain effect on the temperature field distribution of

도 2를 참조하면, 배플20의 결선도이다. Referring to FIG. 2 , it is a connection diagram of the baffle 20.

배플20은 배플 본체21 및 이송 채널22를 포함하며, 배플 본체21 내에는 냉각수 챔버가 포함되고, 이송 채널22가 냉각수를 냉각수 챔버 내로 이송함에 따라, 배플20 본체의 온도를 크게 낮출 수 있다. The baffle 20 includes a baffle body 21 and a transfer channel 22, and a coolant chamber is included in the baffle body 21, and as the transfer channel 22 transfers the coolant into the coolant chamber, the temperature of the baffle body 20 can be greatly reduced.

여기서, 실제 반응 과정 중에서, 웨이퍼 캐리어10의 온도가 매우 높기 때문에, 온도가 비교적 낮은 배플20은 보다 우수한 단열 효과를 구현할 수 있고, 반응 챔버 S의 고온이 주변의 기타 구성요소(예를 들어, 씰링 링, 웨이퍼 전송구, 관찰창 등)에 미치는 영향을 방지할 수 있다. 또한, 반응으로 인해 생성되는 불순물은 온도가 비교적 낮은 배플 본체21의 측벽에 침적되므로, 향후 배플 본체21의 청소를 통해 제거될 수 있다. Here, during the actual reaction process, since the temperature of the wafer carrier 10 is very high, the baffle 20, which has a relatively low temperature, can implement a better thermal insulation effect, and the high temperature of the reaction chamber S causes other components (for example, sealing ring, wafer transfer port, observation window, etc.) can be prevented. In addition, impurities generated by the reaction are deposited on the sidewall of the baffle body 21, which has a relatively low temperature, so that it can be removed by cleaning the baffle body 21 in the future.

도 3 및 도 4를 참조하면, 도 3, 도 4는 도 2 중 A-A의 단면도이며, 도 3은 K465i시스템의 원래 배플에 해당되고, 도 4는 본 실시방식에 의해 제공되는 배플20에 해당되며, 설명의 편의를 위해 동일 구성요소는 동일한 명칭을 사용한다. 3 and 4, FIGS. 3 and 4 are cross-sectional views taken along line AA of FIG. 2, FIG. 3 corresponds to the original baffle of the K465i system, and FIG. 4 corresponds to the baffle 20 provided by this embodiment, and , For convenience of description, the same components use the same names.

도 3에서, 원래 배플의 배플 본체21’의 측벽 상단면은 제 1너비 L1’을 갖고, 제 1너비 L1’=34.4mm이며, 하단면은 제 2너비 L2’=24.8mm를 갖는다. 도 4에서, 본 실시방식에 의해 제공되는 배플20의 배플 본체21의 측벽 상단면은 제 1너비 L1을 갖고, 제 1너비 L1의 값 범위는 16.9~26.9mm(34.4-[(500-465)/2]≤L1≤34.4-[(480-465)/2])이며, 같은 이치로 하단면의 제 2너비 L2와 제 1너비 L1은 동일한 비율로 변화한다. In Fig. 3, the top surface of the side wall of the baffle body 21' of the original baffle has a first width L1', the first width L1' = 34.4 mm, and the bottom surface has a second width L2' = 24.8 mm. In Fig. 4, the upper surface of the side wall of the baffle body 21 of the baffle 20 provided by this embodiment has a first width L1, and the value of the first width L1 ranges from 16.9 to 26.9 mm (34.4-[(500-465)) /2] ≤ L1 ≤ 34.4-[(480-465)/2]), and in the same way, the second width L2 and the first width L1 of the lower surface change at the same rate.

즉, 크기가 커진 웨이퍼 캐리어10에 적응하기 위해, 배플 본체21의 외경이 변하지 않는 상황에서, 배플 본체21의 측벽을 박막화 처리하여 배플 본체21과 웨이퍼 캐리어10 사이에 적절한 간격을 확보함에 따라, 배플 본체21의 기타 구성요소 및 배플 본체21과 연결되는 기타 구성요소를 모두 변경할 필요 없이 개선 공정을 크게 단순화할 수 있다. That is, in order to adapt to the increased size of the wafer carrier 10, in a situation in which the outer diameter of the baffle body 21 does not change, the sidewall of the baffle body 21 is thinned to secure an appropriate gap between the baffle body 21 and the wafer carrier 10, The improvement process can be greatly simplified without having to change all of the other components of the body 21 and other components connected with the baffle body 21 .

본 실시방식 중에서, 가열 장치30은 웨이퍼 캐리어10 하부에 제공되며, 가열 장치30은 웨이퍼 캐리어10을 가열하여 웨이퍼 캐리어10을 에피택셜 성장 온도 범위 내로 유지시킴에 따라, 박막 성형을 구현하며, 현재, 일반적으로 사용하는 가열 방식은 복사 가열로서 가열 장치30의 복사열에 의해 웨이퍼 캐리어10의 온도가 상승된다. In this embodiment, the heating device 30 is provided under the wafer carrier 10, and the heating device 30 heats the wafer carrier 10 to keep the wafer carrier 10 within the epitaxial growth temperature range, thereby implementing thin film molding. A commonly used heating method is radiant heating, in which the temperature of the wafer carrier 10 is increased by the radiant heat of the heating device 30 .

도 5에서 도 7을 참조하면, 가열 장치30은 기판31, 기판31 상부에 제공되는 가열선 조립체32, 가열선 조립체32를 지탱하는 브래킷 조립체33, 기판31 및 가열선 조립체32 사이에 제공되는 단열 조립체34 및 세라믹 베이스35를 포함하며, 구동축60은 가열 장치30을 관통하여 웨이퍼 캐리어10에 연결된다. 5 to 7 , the heating device 30 includes a substrate 31, a heating wire assembly 32 provided on the substrate 31, a bracket assembly 33 supporting the heating wire assembly 32, and heat insulation provided between the substrate 31 and the heating wire assembly 32 an assembly 34 and a ceramic base 35, the drive shaft 60 passing through the heating device 30 and connected to the wafer carrier 10.

가열선 조립체32는 대체적으로 원반 모양이며, 가열선 조립체32의 중심에서 외측 가장자리를 향하는 방향으로 가열선 조립체32는 순차적으로 내부 가열선321, 중간 가열선322 및 외부 가열선323을 포함한다. The heating wire assembly 32 is generally disc-shaped, and in a direction from the center to the outer edge of the heating wire assembly 32, the heating wire assembly 32 sequentially includes an inner heating wire 321, an intermediate heating wire 322 and an outer heating wire 323.

여기서, 내부 가열선321은 구동축60에 근접하여 둘레를 돌아 제공되고, 내부 가열선321은 링 모양의 금속 시트이며, 중간 가열선322는 나선형 링 구조이고, 중간 가열선322는 내부 가열선321을 둘러싸서 제공되며, 외부 가열선323은 링 구조이고, 외부 가열선323은 중간 가열선322를 둘러싸서 제공되며, 외부 가열선323은 웨이퍼 캐리어10의 가장자리에 영역에 대응하여 제공되고, 외부 가열선의 외경 범위가 480~500mm이므로, 웨이퍼 캐리어10의 변화에 적응함에 따라, 가열선 조립체32가 웨이퍼 캐리어10을 균일하고 완전하게 가열할 수 있다. Here, the inner heating wire 321 is provided around and close to the drive shaft 60, the inner heating wire 321 is a ring-shaped metal sheet, the intermediate heating wire 322 has a spiral ring structure, and the intermediate heating wire 322 is the inner heating wire 321. The outer heating wire 323 has a ring structure, the outer heating wire 323 is provided to surround the intermediate heating wire 322, and the external heating wire 323 is provided corresponding to a region at the edge of the wafer carrier 10, Since the outer diameter range is 480 to 500 mm, according to the change of the wafer carrier 10, the heating wire assembly 32 can heat the wafer carrier 10 uniformly and completely.

원래의 K465i 시스템에 비해 본 실시방식은 내부 가열선321, 중간 가열선322 위치 및 크기가 변하지 않고 유지되는 상황에서, 외부 가열선323의 크기를 확대할 수 있다 (외부 가열선323 원래의 외경은 대략 465mm임). Compared to the original K465i system, this embodiment can enlarge the size of the external heating wire 323 in the situation where the position and size of the internal heating wire 321 and the intermediate heating wire 322 remain unchanged (the original outer diameter of the external heating wire 323 is approximately 465 mm).

구체적으로는, 본 실시방식에 의해 제공되는 외부 가열선323은 외경 및 내경이 확대되고, 외부 가열선323의 내부 측벽 및 외부 측벽 간의 간격은 그대로 유지된다. 즉, 외부 가열선323만 확대되고, 외부 가열선323의 너비는 변경되지 않으며, 외부 가열선323과 중간 가열선322 간의 간격 역시 그만큼 커지고, 간격의 변화 폭 비율은 외부 가열선323의 변화 폭과 동일하다. 즉, 원래의 K465i시스템과 비교하여 본 실시방식의 외부 가열선323은 외부로 이동하여 크기가 커진 웨이퍼 캐리어10에 적응할 수 있다. Specifically, the outer and inner diameters of the outer heating wire 323 provided by this embodiment are enlarged, and the distance between the inner and outer sidewalls of the outer heating wire 323 is maintained as it is. That is, only the external heating wire 323 is enlarged, the width of the external heating wire 323 is not changed, the gap between the external heating wire 323 and the intermediate heating wire 322 is also increased that much, and the ratio of the change width of the gap is the change width of the external heating wire 323 and same. That is, compared with the original K465i system, the external heating wire 323 of this embodiment can be adapted to the wafer carrier 10, which is moved to the outside and increased in size.

가열선 조립체32는 외부 가열선 전극323a, 중간 가열선 전극322a 등과 같은 가열선 전극을 더 포함하며, 가열선 전극을 통해 해당 가열선에 전력을 공급해 해당 가열선이 열을 생성한다. The heating wire assembly 32 further includes a heating wire electrode such as an external heating wire electrode 323a, an intermediate heating wire electrode 322a, and the like, and supplies electric power to the heating wire through the heating wire electrode so that the heating wire generates heat.

브래킷 조립체33은 중간 가열선322를 지탱하는 약간의 중간 브래킷332 및 외부 가열선323을 지탱하는 약간의 외부 브래킷333을 포함한다. The bracket assembly 33 includes a plurality of intermediate brackets 332 supporting the intermediate heating wires 322 and a plurality of outer brackets 333 supporting the outer heating wires 323 .

여기서, 도 8을 참조하면, 중간 브래킷332는 대체적으로 “

Figure pct00001
” 모양이며, 중간 브래킷332는 평행으로 제공되는 두 개의 중간 서포팅 레그3321 및 두 개의 중간 서포팅 레그3321을 연결하는 중간 지탱부3322를 포함하고, 중간 지탱부3322는 두 개의 중간 서포팅 레그3321에 수직이며, 약간의 중간 브래킷332는 둘레를 돌아 약간의 링을 형성하여 중간 가열선322를 지탱한다. Here, referring to FIG. 8, the intermediate bracket 332 is generally “
Figure pct00001
” shape, the intermediate bracket 332 comprising two intermediate supporting legs 3321 provided in parallel and an intermediate supporting portion 3322 connecting the two intermediate supporting legs 3321, the intermediate supporting portion 3322 being perpendicular to the two intermediate supporting legs 3321 and , a slight intermediate bracket 332 circumferentially forms a slight ring to support the intermediate heating wire 322.

도 9를 참조하면, 외부 브래킷333은 평행으로 제공되는 두 개의 외부 서포팅 레그3331 및 두 개의 외부 서포팅 레그3331을 연결하는 외부 지탱부 3332를 포함하며, 약간의 외부 브래킷333은 둘레를 돌아 링을 형성하여 외부 가열선323을 지탱한다. Referring to FIG. 9 , the outer bracket 333 includes two outer supporting legs 3331 provided in parallel and an outer support portion 3332 connecting the two outer supporting legs 3331 , and some outer brackets 333 turn around to form a ring to support the external heating wire 323.

여기서 기판31은 설치 구멍311을 포함하고, 단열 조립체34는 관통 구멍341을 포함하며, 세라믹 베이스35는 관통 구멍341 및 설치 구멍311 내에 제공되고, 세라믹 베이스35는 수용 캐비티351을 포함하며, 중간 브래킷332의 두 중간 서포팅 레그3321 및 외부 브래킷333의 두 외부 서포팅 레그3331은 수용 캐비티351 내로 위치가 제한됨에 따라, 중간 브래킷332 및 외부 브래킷333의 고정이 구현된다. wherein the substrate 31 includes an installation hole 311, the thermal insulation assembly 34 includes a through hole 341, a ceramic base 35 is provided in the through hole 341 and the installation hole 311, the ceramic base 35 includes a receiving cavity 351, and an intermediate bracket As the two intermediate supporting legs 3321 of 332 and the two outer supporting legs 3331 of the outer bracket 333 are limited in position into the receiving cavity 351, the fixing of the intermediate bracket 332 and the outer bracket 333 is realized.

단열 조립체34는 약간의 겹쳐지는 단열 시트34a를 포함하며, 단열 조립체34의 외경 범위는 480~500mm이고, 기판31의 외경은 단열 조립체34의 외경보다 작다. The thermal insulation assembly 34 includes a slightly overlapping thermal insulation sheet 34a, the outer diameter of the thermal insulation assembly 34 ranges from 480 to 500 mm, and the outer diameter of the substrate 31 is smaller than the outer diameter of the thermal insulation assembly 34.

즉, 원래의 K465i시스템과 비교하여, 본 실시방식은 기판31이 변경되지 않는 상황에서, 단열 조립체34 및 외부 가열선323의 크기가 확대되어 웨이퍼 캐리어 10의 크기 변화에 적응할 수 있다. That is, compared with the original K465i system, in this embodiment, the size of the thermal insulation assembly 34 and the external heating wire 323 is enlarged, so that the size of the wafer carrier 10 can be adapted to the change of the size of the wafer carrier 10 in the situation where the substrate 31 is not changed.

설명이 필요한 점은, 기판31에는 가열선 전극에 연결되는 전원 공급 구성요소, 각종 브래킷 등과 같은 여러 구성요소가 연결되므로, 기판31이 변경되지 않는다면 기판31에 연결되는 여러 구성요소 역시 변경할 필요가 없기 때문에, 개선 공정이 크게 단순화된다. What needs to be explained is that, since various components such as a power supply component connected to the heating wire electrode and various brackets are connected to the substrate 31, if the substrate 31 is not changed, various components connected to the substrate 31 do not need to be changed as well. Therefore, the improvement process is greatly simplified.

도 9를 참조하면, 두 개의 외부 서포팅 레그3331에서 멀어지는 외부 브래킷333의 외부 지탱부3332의 측면은 평면의 지탱면3333을 포함하고, 지탱면3333은 서로 연결되는 제 1지탱면3333a 및 제 2지탱면3333b를 포함하며, 제 1지탱면3333a는 두 개의 서포팅 레그3331의 중간 영역에 대응하여 제공되고, 제 2지탱면3333b는 외부 가열선323에서 멀어지는 중심 방향으로 제 1지탱면3333a가 돌출 확장되며, 외부 가열선323은 제 1지탱면3333a 및 제 2지탱면3333b 상에 위치한다. Referring to FIG. 9 , the side surfaces of the external supporting portion 3332 of the outer bracket 333 moving away from the two external supporting legs 3331 include a planar supporting surface 3333, the supporting surface 3333 being a first supporting surface 3333a and a second supporting surface 3333 a connected to each other. a surface 3333b, wherein the first bearing surface 3333a is provided to correspond to the middle region of the two supporting legs 3331, and the second bearing surface 3333b extends in a central direction away from the external heating wire 323, the first bearing surface 3333a protrudes and extends; , the external heating wire 323 is located on the first support surface 3333a and the second support surface 3333b.

즉, 본 실시방식은 두 개의 외부 서포팅 레그3331의 위치를 변경하지 않는 조건에서, 외부로 확장되는 제 2지탱면3333b의 형성을 통해 외부로 이동하는 외부 가열선323에 적응하며, 이때, 두 개의 외부 서포팅 레그3331의 위치가 변하지 않기 때문에, 세라믹 베이스35의 위치도 변경될 필요가 없고, 설치 구멍311 및 관통 구멍341의 위치 역시 변경될 필요가 없기 때문에, 개선 공정이 크게 단순화된다. That is, the present embodiment is adapted to the external heating wire 323 moving to the outside through the formation of the second supporting surface 3333b that is extended to the outside under the condition that the positions of the two external supporting legs 3331 are not changed, and at this time, the two Since the position of the external supporting leg 3331 does not change, the position of the ceramic base 35 does not need to be changed as well, and the positions of the installation hole 311 and the through hole 341 do not need to be changed either, so the improvement process is greatly simplified.

구체적으로는, 외부 브래킷333이 일체형이고, 두 개의 외부 서포팅 레그3331 및 외부 지탱부3332는 동일한 평면 내에 위치한다. 즉, 하나의 평면 내에서 직선형 재료를 구부려서 그 외부 브래킷333을 형성하므로, 공정이 간단하고 성형 효과가 우수하다. Specifically, the outer bracket 333 is integral, and the two outer supporting legs 3331 and the outer supporting portion 3332 are located in the same plane. That is, since the straight material is bent in one plane to form the outer bracket 333, the process is simple and the molding effect is excellent.

여기서, 제 2지탱면3333b와 인접한 외부 서포팅 레그3331 사이에는 연결부3334가 제공되며, 제 2지탱면3333b와 연결부3334 사이의 끼인각은 예각이나, 이에 국한되지 않는다. Here, a connection portion 3334 is provided between the second bearing surface 3333b and the adjacent external supporting leg 3331, and the included angle between the second bearing surface 3333b and the connection portion 3334 is an acute angle, but is not limited thereto.

본 실시방식에 의해 제공되는 지탱면3333 상의 임의의 점에서 수평면까지의 거리는 모두 동일하다. 즉, 지탱면3333은 평면이다. The distances from any point on the supporting surface 3333 provided by this embodiment to the horizontal plane are all the same. That is, the supporting surface 3333 is flat.

또한, 가열 장치30은 기판31에 연결되는 지탱부를 더 포함하고, 지탱부는 외부 가열선333의 외측 가장자리까지 확장되며, 여기서, 지탱부는 외부 가열선333의 상부 표면까지 확장되어 돌출될 수 있고, 지탱부는 외부 가열선333에 인접하여 제공되므로, 외부 가열선333에 변형이 발생하면, 지탱부가 외부 가열선333에 맞닿아 외부 가열선333의 변형을 방지할 수 있다. In addition, the heating device 30 further includes a supporting portion connected to the substrate 31 , the supporting portion extending to an outer edge of the external heating wire 333, wherein the supporting portion may extend and protrude to an upper surface of the external heating wire 333, and the supporting portion Since the portion is provided adjacent to the external heating wire 333, when deformation occurs in the external heating wire 333, the supporting portion abuts against the external heating wire 333, thereby preventing deformation of the external heating wire 333.

본 실시방식 중에서, 커버 바디40은 가열 장치30을 둘러싸서 제공된다. In this embodiment, the cover body 40 is provided to surround the heating device 30 .

여기서, 커버 바디40은 몰리브덴 커버이며, 커버 바디40은 가열 장치30을 보호하고, 커버 바디40은 반응으로 인해 생성된 불순물이 가열 장치30의 저부로 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 공기가 유입되면, 커버 바디40의 차단 작용으로 인해 기류가 안정될 수 있다. Here, the cover body 40 is a molybdenum cover, the cover body 40 protects the heating device 30, and the cover body 40 can prevent impurities generated due to the reaction from flowing into the bottom of the heating device 30, and when air is introduced , the airflow can be stabilized due to the blocking action of the cover body 40 .

커버 바디40의 내경 범위는 480~500mm으로 가열 장치30의 크기 변화에 적응할 수 있다. The inner diameter range of the cover body 40 is 480 to 500 mm, so it can adapt to the size change of the heating device 30.

도 10을 참조하면, 집진 링50 상에는 약간의 배기 구멍51이 제공되며, 성장한 기류 및 반응 후의 화합물은 집진 링50 속의 배기 구멍51을 통해 반응 챔버 S에서 배출되고, 잔류된 불순물은 집진 링50 내에 남겨진다. Referring to FIG. 10 , some exhaust holes 51 are provided on the dust collecting ring 50, the grown airflow and the compound after reaction are discharged from the reaction chamber S through the exhaust holes 51 in the dust collecting ring 50, and the remaining impurities are inside the dust collecting ring 50 left behind

커버 바디40은 집진 링50에 연결되며, 이때, 설계 요구사항을 충족해야 하는 커버 바디40 및 집진 링50의 총 높이를 고려하여, 원래의 K465i시스템과 비교해 커버 바디40의 높이를 적절하게 줄일 수 있으며, 감소된 폭은 예를 들면 집진 링50의 높이이다. The cover body 40 is connected to the dust collecting ring 50, and considering the total height of the cover body 40 and the dust collecting ring 50 that must meet the design requirements, the height of the cover body 40 can be appropriately reduced compared to the original K465i system. and the reduced width is, for example, the height of the dust collecting ring 50.

여기서, 도 11을 참조하면, 커버 바디40은 커버 바디 본체41 및 외부로 확장되는 커버 바디 본체41의 외부 확장부42를 포함하고, 나사 또는 기타 고정부재를 통해 외부 확장부42를 집진 링50과 서로 고정시킬 수 있으며, 이때, 집진 링50 상의 배기 구멍51은 위치를 양보하여 적절하게 설계될 수 있다. Here, referring to FIG. 11 , the cover body 40 includes the cover body body 41 and the external extension part 42 of the cover body body 41 extended to the outside, and the external extension part 42 is connected to the dust collecting ring 50 through a screw or other fixing member. They can be fixed to each other, and at this time, the exhaust hole 51 on the dust collecting ring 50 can be appropriately designed by yielding a position.

요약하면, 본 발명은 원래의 시스템이 전반적으로 변경되지 않는 상황에서, 여러 구성요소 설계를 간단하게 변경함으로써 생산능력을 크게 향상시킬 수 있고, 실용성이 높다. In summary, the present invention can greatly improve the production capacity by simply changing the design of several components in a situation where the original system is not generally changed, and has high practicality.

본 명세서는 실시방식에 따라 설명되지만, 각 실시방식이 하나의 개별적인 기술방안만 포함하는 것이 아니며, 명세서의 이러한 설명 방식은 명확성을 위한 목적일 뿐이므로, 당업자는 명세서 전체에서 각 실시방식 중의 기술방안을 적절하게 조합할 수 있고, 당업자가 이해할 수 있는 기타 실시방식으로 구현될 수 있음을 이해해야 한다. Although this specification is described according to the embodiments, each embodiment does not include only one individual technical solution, and since this description of the specification is only for the purpose of clarity, those skilled in the art will use the technical solutions in each embodiment throughout the specification. It should be understood that the above may be properly combined, and may be implemented in other embodiments understood by those skilled in the art.

상기에 열거된 일련의 상세한 설명은 본 발명의 실행 가능한 실시방식에 대한 구체적 설명일 뿐으로, 본 발명의 보호 범위를 제한하려는 것이 아니므로, 무릇 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 등가의 실시방식 또는 변경 등은 모두 본 발명의 보호 범위 내에 포함되어야 한다.The series of detailed descriptions listed above are only specific descriptions of possible implementation modes of the present invention, and are not intended to limit the scope of protection of the present invention, so that equivalent implementations or changes without departing from the spirit of the present invention All should be included within the protection scope of the present invention.

Claims (10)

웨이퍼 캐리어 및 상기 웨이퍼 캐리어 하부에 제공되는 가열 장치를 포함하며, 상기 가열 장치는 가열선 조립체 및 상기 가열선 조립체를 지탱하는 브래킷 조립체를 포함하고, 상기 가열선 조립체는 상기 웨이퍼 캐리어의 가장자리 영역에 대응해서 제공되는 외부 가열선을 포함하며, 상기 브래킷 조립체는 상기 외부 가열선을 지탱하는 약간의 외부 브래킷을 포함하고, 상기 외부 브래킷은 평행으로 제공되는 두 개의 외부 서포팅 레그 및 두 개의 외부 서포팅 레그를 연결하는 외부 지탱부를 포함하며, 두 개의 외부 서포팅 레그에서 멀어지는 상기 외부 지탱부의 측면에는 평면의 지탱면이 제공되고, 상기 지탱면은 서로 연결되는 제 1지탱면 및 제 2지탱면을 포함하며, 상기 제 1지탱면은 두 개의 외부 서포팅 레그의 중간 영역에 대응하여 제공되고, 상기 제 2지탱면은 상기 외부 가열선에서 멀어지는 중심 방향으로 상기 제1지탱면이 돌출 확장되고, 상기 외부 가열선은 상기 제 1지탱면 및 상기 제 2지탱면 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 MOCVD 반응 장치.a wafer carrier and a heating device provided under the wafer carrier, the heating device comprising a heating wire assembly and a bracket assembly supporting the heating wire assembly, the heating wire assembly corresponding to an edge region of the wafer carrier an external heating wire provided by an external heating wire, wherein the bracket assembly includes some external bracket supporting the external heating wire, the external bracket connecting two external supporting legs provided in parallel and the two external supporting legs a planar bearing surface is provided on a side surface of the external support part away from the two external supporting legs, the bearing surface including a first bearing surface and a second bearing surface connected to each other, A first bearing surface is provided corresponding to the middle region of the two external supporting legs, and the second bearing surface protrudes and extends the first bearing surface in a central direction away from the external heating wire, and the external heating wire is MOCVD reaction apparatus, characterized in that located on the first support surface and the second support surface. 제 1항에 있어서,
상기 웨이퍼 캐리어는 원형이며, 상기 웨이퍼 캐리어의 직경 범위는 480~500mm이고, 상기 외부 가열선의 외경 범위는 480~500mm인 것을 특징으로 하는 MOCVD 반응 장치.The method of claim 1,
The wafer carrier is circular, the diameter range of the wafer carrier is 480 ~ 500mm, MOCVD reaction apparatus, characterized in that the outer diameter range of the external heating wire is 480 ~ 500mm. 제 1항에 있어서,
상기 외부 브래킷은 일체형이고, 두 개의 외부 서포팅 레그 및 상기 외부 지탱부는 동일한 평면 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 MOCVD 반응 장치.The method of claim 1,
wherein the outer bracket is integral, and the two outer supporting legs and the outer support are located in the same plane. 제 1항에 있어서,
상기 지탱면 상의 임의의 점에서 수평면까지의 거리는 모두 동일한 것을 특징으로 하는 MOCVD 반응 장치.The method of claim 1,
MOCVD reaction apparatus, characterized in that all distances from any point on the support surface to the horizontal plane are the same. 제 1항에 있어서,
상기 가열 장치는 기판, 상기 기판 및 상기 가열선 조립체 사이에 제공되는 단열 조립체 및 세라믹 베이스를 포함하며, 상기 기판은 설치 구멍을 포함하고, 상기 단열 조립체는 관통 구멍을 포함하며, 상기 세라믹 베이스는 상기 관통 구멍 및 상기 설치 구멍 내에 제공되고, 상기 세라믹 베이스는 수용 캐비티를 포함하며, 상기 외부 브래킷의 두 외부 서포팅 레그는 상기 수용 캐비티 내로 위치가 제한되는 것을 특징으로 하는 MOCVD 반응 장치.The method of claim 1,
The heating device includes a substrate, a thermal insulation assembly provided between the substrate and the heating wire assembly, and a ceramic base, wherein the substrate includes an installation hole, the thermal insulation assembly includes a through hole, and the ceramic base includes the A MOCVD reaction apparatus according to claim 1, wherein the ceramic base includes a receiving cavity, and the two outer supporting legs of the outer bracket are limited in position into the receiving cavity. 제 5항에 있어서,
상기 단열 조립체는 약간의 겹쳐지는 단열 시트를 포함하며, 상기 단열 조립체의 외경 범위는 480~500mm이고, 상기 기판의 외경은 상기 단열 조립체의 외경보다 작은 것을 특징으로 하는 MOCVD 반응 장치.6. The method of claim 5,
wherein the thermal insulation assembly includes a slightly overlapping thermal insulation sheet, the outer diameter of the thermal insulation assembly ranges from 480 to 500 mm, and the outer diameter of the substrate is smaller than the outer diameter of the thermal insulation assembly. 제 5항에 있어서,
상기 가열 장치는 상기 기판에 연결되는 지탱부를 더 포함하며, 상기 지탱부는 상기 외부 가열선의 외측 가장자리까지 확장되는 것을 특징으로 하는 MOCVD 반응 장치.6. The method of claim 5,
wherein the heating device further comprises a support portion connected to the substrate, the support portion extending to an outer edge of the outer heating wire. 제 1항에 있어서,
상기 MOCVD 반응 장치는 상기 가열 장치를 둘러싸서 제공되는 커버 바디를 더 포함하며, 상기 커버 바디의 내경 범위는 480~500mm인 것을 특징으로 하는 MOCVD 반응 장치.The method of claim 1,
The MOCVD reaction apparatus further includes a cover body provided to surround the heating apparatus, and the inner diameter range of the cover body is 480 ~ 500mm MOCVD reaction apparatus. 제 8항에 있어서,
상기 MOCVD 반응 장치는 집진 링을 더 포함하며, 상기 커버 바디는 상기 집진 링에 연결되고, 상기 집진 링 상에는 약간의 배기 구멍이 제공되는 것을 특징으로 하는 MOCVD 반응 장치.9. The method of claim 8,
The MOCVD reaction apparatus according to claim 1, wherein the MOCVD reaction apparatus further includes a dust collecting ring, the cover body is connected to the dust collecting ring, and a small exhaust hole is provided on the dust collecting ring. 제 1항에 있어서,
상기 MOCVD 반응 장치는 중공 링 모양의 배플을 더 포함하며, 상기 배플의 측벽 상단면은 제 1너비를 갖고, 상기 제 1너비 값의 범위는 16.9~26.9mm인 것을 특징으로 하는 MOCVD 반응 장치.The method of claim 1,
The MOCVD reaction apparatus further includes a hollow ring-shaped baffle, the upper surface of the side wall of the baffle has a first width, and the range of the first width value is 16.9-26.9mm.
KR1020217035583A 2019-05-08 2019-11-14 MOCVD reaction device KR102632383B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910380483.5A CN111910177B (en) 2019-05-08 2019-05-08 Metal organic compound chemical vapor deposition reaction device
CN201910380483.5 2019-05-08
PCT/CN2019/118490 WO2020224224A1 (en) 2019-05-08 2019-11-14 Mocvd reaction device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210145256A true KR20210145256A (en) 2021-12-01
KR102632383B1 KR102632383B1 (en) 2024-01-31

Family

ID=73051371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217035583A KR102632383B1 (en) 2019-05-08 2019-11-14 MOCVD reaction device

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102632383B1 (en)
CN (1) CN111910177B (en)
WO (1) WO2020224224A1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020130339A1 (en) 2020-11-17 2022-05-19 Aixtron Se Heating device for a CVD reactor
CN112877673B (en) * 2020-12-31 2022-04-15 华灿光电（浙江）有限公司 Metal organic compound chemical vapor deposition equipment cavity cover and isolation baffle thereof
CN114959659B (en) * 2022-03-31 2023-11-28 松山湖材料实验室 Heating device for heating sample

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003142419A (en) * 2001-10-19 2003-05-16 Samsung Electronics Co Ltd Semiconductor element manufacturing heater assembly
KR20090059599A (en) * 2007-12-07 2009-06-11 주식회사 시스넥스 Induction heating module in the chemical vapor deposition equipment for high throughput
CN101857952A (en) * 2009-04-10 2010-10-13 广东昭信半导体装备制造有限公司 Reaction chamber heating system of vapor phase deposition device

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008115440A (en) * 2006-11-06 2008-05-22 Shinko Electric Ind Co Ltd Substrate heating apparatus
JP2014053574A (en) * 2012-09-10 2014-03-20 Furukawa Co Ltd Vapor phase growth apparatus and heating apparatus for vapor phase growth
CN203721688U (en) * 2013-11-04 2014-07-16 维易科仪器有限公司 Heater assembly
DE102013113048A1 (en) * 2013-11-26 2015-05-28 Aixtron Se Heating device for a susceptor of a CVD reactor
DE102013113045A1 (en) * 2013-11-26 2015-05-28 Aixtron Se heater
CN104046965A (en) * 2014-05-27 2014-09-17 中国电子科技集团公司第四十八研究所 Radiant heating element, radiant heater and MOCVD reactor
CN203947158U (en) * 2014-07-03 2014-11-19 中国电子科技集团公司第四十八研究所 A kind of flow field baffle mechanism of MOCVD reaction chamber and MOCVD reaction chamber
DE102014112645A1 (en) * 2014-09-03 2016-03-03 Aixtron Se heater
CN104498906A (en) * 2014-11-27 2015-04-08 中国电子科技集团公司第四十八研究所 MOCVD reactor
CN106510185A (en) * 2016-11-29 2017-03-22 洛阳九鼎电子科技有限公司 Computer table with size-adjustable table surface
CN106690798B (en) * 2016-12-20 2019-03-15 浙江惠美工贸有限公司 A kind of big data extendible capacity desk
CN206706206U (en) * 2017-04-20 2017-12-05 中微半导体设备(上海)有限公司 For heating the heater and CVD equipment of rotatable substrate bearing disk
CN208330935U (en) * 2018-04-15 2019-01-04 江苏实为半导体科技有限公司 The thermal insulation board fastening assembly of MOCVD heater
CN208328103U (en) * 2018-04-15 2019-01-04 江苏实为半导体科技有限公司 Stable MOCVD heater

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003142419A (en) * 2001-10-19 2003-05-16 Samsung Electronics Co Ltd Semiconductor element manufacturing heater assembly
KR20090059599A (en) * 2007-12-07 2009-06-11 주식회사 시스넥스 Induction heating module in the chemical vapor deposition equipment for high throughput
CN101857952A (en) * 2009-04-10 2010-10-13 广东昭信半导体装备制造有限公司 Reaction chamber heating system of vapor phase deposition device

Also Published As

Publication number Publication date
KR102632383B1 (en) 2024-01-31
CN111910177A (en) 2020-11-10
CN111910177B (en) 2021-05-14
WO2020224224A1 (en) 2020-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20210145256A (en) MOCVD Reactor
US9870937B2 (en) High productivity deposition reactor comprising a gas flow chamber having a tapered gas flow space
CN102859679B (en) Wafer carrier with sloped edge
JP5639104B2 (en) Deposition equipment
CN103074606A (en) Graphite plate, reaction chamber with graphite plate, and substrate heating method
JP2016174187A (en) Rotary disk rector having ferromagnetic fluid seal for chemical deposition
JP2009260291A (en) Epitaxial wafer manufacturing apparatus and manufacturing method
TWI590300B (en) Wafer tray for MOCVD reaction system
KR20090101830A (en) Manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device
KR20130111029A (en) Susceptor for chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition apparatus having the same
CN114072900B (en) Wafer carrying disc and wafer epitaxial device
CN103074595A (en) Reaction chamber for vapor deposition process
CN103074607A (en) Graphite plate and reaction chamber with graphite plate
KR102666098B1 (en) Graphite wafer carrier and MOCVD reaction device containing the same
US20150013608A1 (en) Ceramic heater
CN210314561U (en) Graphite carrying disc and MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) reaction device with same
CN218115673U (en) Gas collecting ring for gallium oxide epitaxy and MOCVD equipment for gallium oxide epitaxy
CN220977228U (en) Crucible and crystal growing apparatus
CN203721688U (en) Heater assembly
US20220235486A1 (en) Graphite Plate
KR101971613B1 (en) Deposition apparatus
JP6078428B2 (en) Wafer support and chemical vapor deposition apparatus using the wafer support
KR101943313B1 (en) Substrate processing apparatuses and systems
JP2005093505A (en) Vapor phase epitaxial growth device
JP2010129587A (en) Apparatus for manufacturing compound semiconductor epitaxial wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant