KR20210143648A - 전자 부품의 내부 결함을 검출하기 위한 장치 및 그 방법 - Google Patents

전자 부품의 내부 결함을 검출하기 위한 장치 및 그 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210143648A
KR20210143648A KR1020210028098A KR20210028098A KR20210143648A KR 20210143648 A KR20210143648 A KR 20210143648A KR 1020210028098 A KR1020210028098 A KR 1020210028098A KR 20210028098 A KR20210028098 A KR 20210028098A KR 20210143648 A KR20210143648 A KR 20210143648A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electronic component
light source
imaging unit
internal defect
detecting
Prior art date
Application number
KR1020210028098A
Other languages
English (en)
Inventor
치 쿠앙 텡
Original Assignee
엠아이 이큅먼트 (엠) 에스디엔. 비에이치디.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엠아이 이큅먼트 (엠) 에스디엔. 비에이치디. filed Critical 엠아이 이큅먼트 (엠) 에스디엔. 비에이치디.
Publication of KR20210143648A publication Critical patent/KR20210143648A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G01N21/9505—Wafer internal defects, e.g. microcracks
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G01N2021/8812—Diffuse illumination, e.g. "sky"
    • G01N2021/8816—Diffuse illumination, e.g. "sky" by using multiple sources, e.g. LEDs
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G01N2021/8854—Grading and classifying of flaws
    • G01N2021/8867—Grading and classifying of flaws using sequentially two or more inspection runs, e.g. coarse and fine, or detecting then analysing
    • G01N2021/887—Grading and classifying of flaws using sequentially two or more inspection runs, e.g. coarse and fine, or detecting then analysing the measurements made in two or more directions, angles, positions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06—Illumination; Optics

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)

Abstract

본 발명은 전자 부품의 내부 결함을 검출하기 위한 장치(1) 및 방법(2)에 관한 것으로서, 이는 상기 전자 부품(101)의 제 1 표면(106)을 향하는 이미징 유닛(102)으로서, 상기 제 1 표면(106)은 상기 전자 부품(101)의 범프 측면을 포함하는 이미징 유닛(102); 레이저 그루빙 가공 공정에 의해 야기된 상기 전자 부품(101)의 내부 균열(108), 예를 들어 미세 균열 또는 안족 균열을 조명할 수 있는 적어도 하나의 적외선(IR) 광원(103, 105)를 포함하고, 상기 IR 광원(103, 105) 및 상기 전자 부품(101)은 각각의 수평면(LSHP, ECHP)을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사진다.

Description

전자 부품의 내부 결함을 검출하기 위한 장치 및 그 방법{AN APPARATUS FOR DETECTING INTERNAL DEFECTS IN AN ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD THEREOF}
본 발명은 전자 부품의 내부 결함을 검출하기 위한 장치 및 방법에 관한 것으로서, 이는 상기 전자 부품의 제 1 표면을 향하는 이미징 유닛으로서, 상기 제 1 표면은 상기 전자 부품의 범프 측면을 포함하는 이미징 유닛; 레이저 홈 공정에 의해 야기된 상기 전자 부품의 내부 균열, 예를 들어 미세 균열 또는 안족 결함을 조명할 수 있는 적어도 하나의 적외선(IR) 광원을 포함하고, 상기 IR 광원 및 상기 전자 부품은 각각의 수평면을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사진다.
웨이퍼 다이싱은 반도체 집적 회로(IC) 제조 현장의 핵심 공정이며, 개별 반도체 다이를 웨이퍼로부터 분리하는 소잉 공정으로서, 소잉 공정은 기계식 소잉 공정 또는 레이저 그루빙 가공 공정을 통해 수행될 수 있다. 레이저 그루빙은 블레이드를 사용하는 기존의 기계식 소잉 공정에 비해 가장 최근에 개발된 최첨단 기술이라는 것은 잘 알려져 있다. 그럼에도 불구하고, 레이저 그루빙 공정은 반도체 다이의 미세 균열 또는 내부 균열을 초래하고, 낮은 처리량 공정을 야기한다. 반도체 다이의 측벽 적외선(IR) 검사는 레이저 그루빙 가공으로 인해 야기되는 내부 결함을 검사할 수 없는 한편, IR 표면 검사는 배경과 결함 간의 그레이 값 차이로 인해 어려움에 직면하게 된다.
김경범(KR 101234603 B1)은 라만 산란을 이용한 표면 결함 검사 장치를 개시했다. 피검체 표면 결함 검사 장치는 피검체가 안착되는 안착부; 라만 레이저 광을 피검체에 조사하는 광원부; 피검체에 의해 산란된 산란광을 검출하는 광 검출기; 및 광 검출기에 전기적으로 연결되고 검출된 산란광으로부터 라만 스펙트럼 및 라만 시프트를 측정하고, 측정된 라만 시프트를 각각의 결합 유형에 대해 사전 설정된 복수의 결함 결정 라만 시프트와 비교하는 라만 스펙트럼 및 라만 시프트; 및 결함 유무 및 결함 유형을 결정하는 결함 결정 유닛을 포함한다. 이는 또한 라만 산란을 이용하여 시료 표면 결함을 검사하는 방법을 제공한다. 그럼에도 불구하고, KR 101234603 B1은 표면 결함 검사 전용이며 반도체 장치의 내부 결함 존재 유무를 검출할 수 없기 때문에, 약간의 제한이 있다.
KR 101234603 B1 외에도, Wack et al.에 의한 US 6818459 B2에 개시된 바와 같이, 매크로 결함의 존재를 결정하는 방법 및 시스템이 제공된다.
시스템은 시료를 지지하도록 구성되고 측정 장치에 결합된 스테이지를 포함할 수 있다. 측정 장치는 조명 시스템 및 검출 시스템을 포함할 수 있다. 조명 시스템 및 검출 시스템은 시스템이 시료의 여러 특성을 결정하도록 구성될 수 있도록, 구성될 수 있다. 예를 들어, 시스템은 이에 제한되지 않지만, 매크로 결함의 존재 및 시료의 오버레이를 포함하는 시료의 여러 속성을 결정하도록 구성될 수 있다. 이러한 방식으로, 측정 장치는 다중 광학 및/또는 비-광학 계측 및/또는 검사 기술을 수행할 수 있다. 이 방법은 시스템 및 방법이 미세 균열과 같은 내부 결함을 제외하고 매크로 결함의 존재를 결정하기 위한 것이므로, KR 101234603 B1과 마찬가지로 몇 가지 단점이 있다.
따라서, 적외선(IR) 투사(projection) 시 상이한 각도로 전자 부품을 검사하거나, 또는 상기 전자 부품을 향하는 카메라 위치를 상이한 각도로 함으로써[여기서, 적어도 하나의 적외선(IR) 광원 및 상기 전자 부품이 각각의 수평면을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사짐], 전자 부품의 미세 균열 또는 내부 균열과 같은 내부 결함을 검출하는 장치 및 방법을 구비함으로써, 단점을 완화하는 것이 유리할 것이다.
따라서, 본 발명의 주요 목적은 적외선(IR) 투사 시 상이한 각도, 또는 상기 전자 부품을 향하는 카메라 위치의 상이한 각도가 전자 부품의 미세 균열 또는 내부 균열과 같은 내부 결함을 검출하게 하는 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 전자 부품의 내부 결함을 검출하기 위한 장치 및 방법을 제공하는 것이며, 이에 의해 상기 장치 및 방법은 최소한의 노이즈로 내부 결함의 이미지를 캡처할 수 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 전자 부품의 내부 결함을 검출하기 위한 장치 및 방법을 제공하는 것이며, 상기 장치 및 방법이 생산 처리량을 개선할 수 있도록 하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 전자 부품의 내부 결함을 검출하기 위한 장치 및 방법을 제공하는 것이며, 상기 방법이 미세 균열을 보다 정확하고 정밀하게 검출 및 검사할 수 있도록 하는 것이다.
본 발명의 다른 추가 목적은 본 발명에 대한 다음의 상세한 설명을 이해하거나 본 발명을 실제로 적용함으로써 명백해질 것이다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따르면 다음이 제공된다:
전자 부품의 내부 결함을 검출하기 위한 장치로서,
상기 전자 부품의 제 1 표면을 향하는 이미징 유닛으로서, 상기 제 1 표면은 상기 전자 부품의 범프 측면을 포함하고; 및
적어도 하나의의 적외선(IR) 광원;
를 포함하고,
상기 IR 광원은 상기 IR 광원이 레이저 그루빙 가공 공정에 의해 야기된 상기 전자 부품의 내부 결함을 조명할 수 있는 구성으로 배치되고; 및
상기 IR 광원 및 상기 전자 부품은 각각의 수평면을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사진다.
본 발명의 다른 실시 예에서 제공된다:
전자 부품의 내부 결함을 검출하는 방법으로서,
(i) 상기 전자 부품을 회전 터렛 스테이션으로부터 검사 스테이션으로 이송하는 단계;
(ii) 상기 전자 부품이 X-축 방향을 따라 이동하는 동안, 적어도 하나의 적외선(IR) 광원과 함께 이미징 유닛에 의해 상기 전자 부품의 제 1 측벽을 검사하는 단계;
(iii) 상기 전자 부품의 평면을 따라 상기 전자 부품을 회전시키고, 상기 전자 부품의 회전 후 상기 이미징 유닛에 의해 상기 전자 부품의 제 2 측벽을 검사하는 단계;
(iv) 상기 전자 부품의 평면을 따라 상기 전자 부품을 회전시키고 상기 전자 부품의 회전 후 상기 이미징 유닛에 의해 상기 전자 부품의 제 2 측벽을 검사하는 단계(iii)을 상기 전자 부품의 4 개의 측벽 검사를 위해 반복하는 단계,
(v) 상기 전자 부품이 X-축 방향을 따라 대기 위치로 이송되는 단계; 및
(vi) 상기 전자 부품을 상기 회전 터렛 스테이션으로 다시 이송하는 단계;
를 포함하고,
상기 IR 광원은 상기 IR 광원이 레이저 그루빙 가공 공정에 의해 야기된 상기 전자 부품의 내부 결함을 조명할 수 있는 구성으로 배치되고; 및
상기 IR 광원 및 상기 전자 부품은 각각의 수평면을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사진다.
본 발명의 다른 측면 및 그 이점은 첨부된 도면과 함께 상세한 설명을 검토한 후에 식별될 것이다.
도 1a는 이미징 유닛이 상기 전자 부품의 제 1 표면을 향하고 있고, 적외선(IR) 광원이 상기 전자 부품의 제 2 표면을 향하는 동안의 본 발명의 예시적인 다이어그램을 도시한다.
도 1b는 이미징 유닛이 상기 전자 부품의 제 1 표면을 향하고 있고, 및 IR 광원이 상기 전자 부품의 일 측벽에 위치하는 동안의 본 발명의 다른 예시적인 다이어그램을 도시한다.
도 1c는 본 발명의 또 다른 예시적인 다이어그램을 도시하는 한편,
이미징 유닛이 상기 전자 부품의 제 1 표면을 향하는 있고, IR 광원 중 하나가 상기 전자 부품의 제 2 표면을 향하고 있고, 다른 IR 광원이 상기 전자 부품의 일 측벽에 위치하는 동안의 본 발명의 다른 예시적인 다이어그램을 도시한다.
도 1d는 이미징 유닛이 내장된 IR 광원과 함께 내장되어 있는 동안의 본 발명의 다른 예시적인 다이어그램을 도시한다.
도 2는 전자 부품의 내부 결함을 검출하는 동안의 본 발명의 예시적인 방법 흐름을 도시한다.
도 3은 검사 스테이션에서 전자 부품의 내부 결함을 검출하는 동안의 본 발명의 예시적인 다이어그램을 도시한다.
다음의 상세한 설명에서, 본 발명의 철저한 이해를 제공하기 위해 다수의 특정 세부 사항이 설명된다. 그러나, 본 발명이 이러한 특정 세부 사항없이 실시될 수 있다는 것은 당업자에 의해 이해될 것이다. 다른 예에서, 잘 알려진 방법, 절차 및/또는 구성 요소는 본 발명을 모호하게 하지 않도록 상세하게 설명되지 않았다.
본 발명은 동일한 축척 비율로 그려지지 않은 첨부된 도면을 참조하여 단지 예로서 주어진 실시 예의 다음의 상세한 설명으로부터보다 명확하게 이해될 것이다.
본 개시 내용 및 본 명세서에 첨부된 청구 범위에서 사용된 바와 같이, 단수 형태 "a", "an" 및 "the"는 문맥이 명백하게 달리 지시하거나 나타내지 않는 한 복수의 지시 대상을 포함한다.
본 명세서의 개시 내용 및 청구 범위 전체에서, "포함한다" 및 "포함하는"과 "포함하고 있는"과 같은 단어의 변형은 "포함하지만 이에 제한되지 않음"을 의미하며, 예를 들어 다른 구성 요소, 정수 또는 단계를 배제하려는 의도가 아니다. "예시적인"은 "일부 예"를 의미하고 바람직한 또는 이상적인 실시 예의 표시를 전달하려는 것이 아니며, "예를 들어"는 제한적인 의미로 사용되지 않고 설명 목적으로 사용된다.
일반적으로, 본 발명은 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 검출하기 위한 장치(1)를 권리 청구하고 있는데, 이는 상기 내부 결함(108)의 이미지를 갭처하기 위해 상기 전자 부품(101)의 제 1 표면(106)을 향하는 이미징 유닛(102)으로서, 상기 제 1 표면(106)은 상기 전자 부품(101)의 범프 측면을 포함하는 이미징 유닛(102); 상기 IR 광원(103, 105)이 레이저 그루빙 가공 공정에 의해 야기되는 상기 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 조명할 수 있는 구성으로 위치되는 적어도 하나의 적외선(IR) 광원(103, 105)을 포함하고, 상기 IR 광원(103, 105) 및 상기 전자 부품(101)은 각각의 수평면(LSHP, ECHP)을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사진다. 이미징 유닛(102)과 IR 광원(103, 105)의 상이한 구성 또는 배열은 도 1a 내지 도 1d에서 설명될 것이다.
도 1a를 참조하면, 도 1a에는 전자 부품(101)의 미세 균열 또는 내부 균열과 같은 내부 결함(108)을 검출하기 위한 예시적인 다이어그램이 도시되어 있으며, 여기서 내부 결함(108)은 전자 부품(101) 전체에서 발생할 수 있다.
이미징 유닛(102)는 상기 전자 부품(101)의 제 1 표면(106)을 향하고 있고, 상기 전자 부품(101)은 수평면(ECHP)을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사지고, IR 광원(103)은 상기 전자 부품(101)의 제 2 표면(109)을 향하고 있다. 제 1 표면(106)은 상기 전자 부품(101)의 범프 측면을 포함하고, 제 2 표면(109)은 상기 전자 부품(101)의 후 측면을 지칭한다. 대안적으로, IR 광원(105)은 도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 IR 광원(105)의 수평면(LSHP)을 기준으로 0°내지 90°의 경사각으로 상기 전자 부품(101)의 일 측벽(111)에 위치될 수 있다.
도 1c를 참조하면, 이미징 유닛(102) 및 IR 광원(103, 105)의 다른 배열이 도시된다. 이 배열에서, 이미징 유닛(102)은 상기 전자 부품(101)의 제 1 표면(106)을 향하고 있고, 전자 부품(101)은 수평면(ECHP)을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사진다. IR 광원(103, 105)의 2 개의 유닛이 있을 것이며, 여기서 IR 광원(103) 중 하나는 상기 전자 부품(101)의 제 2 표면(109)을 향하고 있고, 제 2 IR 광원(105)은 상기 IR 광원(105)의 수평면(LSHP)을 기준으로 0°내지 90°의 경사각으로 상기 전자 부품(101)의 일 측벽(111)에 위치된다. 선택적으로, 이미징 유닛(102)은 임베디드 IR 광원(107)을 포함하고, 이에 의해 상기 이미징 유닛(102)은 단일 엔티티로서 상기 임베디드 IR 광원(107)과 함께 작동한다. IR 광원(107)이 내장된 상기 이미징 유닛(102)은 상기 전자 부품(101)의 제 2 표면(109) 위에 배치되고, IR 광원(107)은 레이저 그루빙 가공 공정에 의해 야기된 내부 결함을 조명할 수 있다. 한편, 이미징 유닛(102)은 도 1d를 참조하여 내부 결함의 보다 선명한 이미지를 캡처할 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 도 3에는 검사 스테이션(113)에서 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 검출하기 위한 예시적인 방법 및 장치가 도시되어 있다. 먼저, (i) 전자 부품(101)이 회전식 터렛 스테이션(112)으로부터 검사 스테이션(113)으로 이송될 것이고(201); 이어서 (ii) 상기 전자 부품(101)이 X-축 방향을 따라 직선 운동으로 이동하는 동안, 적어도 하나의 적외선(IR) 광원(103, 105)과 함께, 이미징 유닛(102)에 의해 상기 전자 부품(101)의 제 1 측벽을 검사하고(203); 그 다음 (iii) 상기 전자 부품(101)의 평면을 따라 상기 전자 부품(101)을 회전시키고, 상기 전자 부품(101)의 회전 후 상기 이미징 유닛(102)에 의해 상기 전자 부품(101)의 제 2 측벽을 검사한다(205).
상기 전자 부품(101)의 평면을 따라 상기 전자 부품(101)을 회전시키고 상기 전자 부품(101)의 회전 후 상기 이미징 유닛(102)에 의해 상기 전자 부품(101)의 제 2 측벽을 검사하는 상기 단계(iii)(205)는, 상기 전자 부품(101)의 4 개의 측벽 검사를 위해 반복되고(207); 상기 전자 부품(101)은 X-축 방향을 따라 대기 위치(209)로 이송된다. 마지막으로, 상기 전자 부품(101)은 상기 회전식 터렛 스테이션(112)으로 다시 이송된다(211). 또한, 상기 IR 광원(103, 105)은 레이저 그루빙 가공 공정에 의해 야기된 상기 전자 부품(101)의 내부 균열 및 미세 균열과 같은 내부 결함(108)을 조명할 수 있으며; 상기 IR 광원(103, 105) 및 상기 전자 부품(101)은 각각의 수평면(LSHP, ECHP)을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사진다. 또한, 상기 방법(1)은 스티칭 이미지가 필요한 경우, 상기 전자 부품(101)을 Y-축 방향(선형 이동)으로 이동시키는 단계를 더 포함하고, 단계(v) 후에 상기 전자 부품(101)이 X-축 방향을 따라 대기 위치로 전달된다(209).
IR 광원(103) 중 하나가 전자 부품(101)의 제 2 표면(109) 아래에 배치되고, 및/또는 다른 IR 광원(105)이 상기 IR 광원(105)의 수평면(LSHP)을 기준으로 0°내지 90°의 경사각으로 상기 전자 부품(101)의 일 측벽(111)에 배치되는 것과 같이, 조명 투사에 상이한 각도를 적용함으로써, 기존의 검사 시스템과 비교하여 이미징 유닛(102)에 의해 캡처된 이미지가 보다 선명할 것이기 때문에, 내부 결함 또는 미세 균열은 최소 노이즈 아래에서 검출 및 검사될 수 있다. 본 발명은 반사 및 굴절 이론을 이용하여 이미징 유닛(102)에 의해 캡처된 이미지를 모아서 중요한 결과를 달성하고 있다.

Claims (6)

  1. 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 검출하기 위한 장치(1)로서,
    상기 전자 부품(101)의 제 1 표면(106)을 향하는 이미징 유닛(102), 여기서 상기 제 1 표면(106)은 상기 전자 부품(101)의 범프 측면을 포함하고; 및
    적어도 하나의의 적외선(IR) 광원(103, 105);
    을 포함하고,
    상기 IR 광원(103, 105)은 상기 IR 광원(103, 105)이 레이저 그루빙 가공 공정에 의해 야기된 상기 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 조명할 수 있는 구성으로 배치되고; 및
    상기 IR 광원(103, 105) 및 상기 전자 부품(101)은 각각의 수평면(LSHP, ECHP)을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사진, 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 검출하기 위한 장치(1).
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 IR 광원(103) 중 하나는 상기 전자 부품(101)의 제 2 표면(109)을 향하고, 여기서 상기 제 2 표면(109)은 상기 전자 부품(101)의 후 측면을 포함하는, 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 검출하기 위한 장치(1).
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 IR 광원(105) 중 하나는 상기 IR 광원(105)의 수평면(LSHP)을 기준으로 0°내지 90°의 경사각을 갖는 상기 전자 부품(101)의 일 측벽(111)에 위치하는, 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 검출하기 위한 장치(1).
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 이미징 유닛(102)은 내장된 IR 광원(107)을 포함하고, 이에 의해 상기 이미징 유닛(102)은 상기 내장된 IR 광원(107)과 함께 작동하는, 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 검출하기 위한 장치(1).
  5. 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 검출하는 방법(2)으로서,
    (i) 상기 전자 부품(101)을 회전 터렛 스테이션(112)으로부터 검사 스테이션(113)으로 이송하는 단계(201);
    (ii) 상기 전자 부품(101)이 X-축 방향을 따라 이동하는 동안, 적어도 하나의 적외선(IR) 광원(103, 105)과 함께 이미징 유닛(102)에 의해 상기 전자 부품(101)의 제 1 측벽을 검사하는 단계(203);
    (iii) 상기 전자 부품(101)의 평면을 따라 상기 전자 부품(101)을 회전시키고, 상기 전자 부품(101)의 회전 후 상기 이미징 유닛(102)에 의해 상기 전자 부품(101)의 제 2 측벽을 검사하는 단계(205);
    (iv) 상기 전자 부품(101)의 평면을 따라 상기 전자 부품(101)을 회전시키고 상기 전자 부품(101)의 회전 후 상기 이미징 유닛(102)에 의해 상기 전자 부품(101)의 제 2 측벽을 검사하는 단계(iii)(205)을 상기 전자 부품(101)의 4 개의 측벽 검사를 위해 반복하는 단계(207),
    (v) 상기 전자 부품(101)이 X-축 방향을 따라 대기 위치(209)로 이송되는 단계(209); 및
    (vi) 상기 전자 부품(101)을 상기 회전 터렛 스테이션(112)으로 다시 이송하는 단계(211);
    를 포함하고,
    상기 IR 광원(103, 105)은 상기 IR 광원(103, 105)이 레이저 그루빙 가공 공정에 의해 야기된 상기 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 조명할 수 있는 구성으로 배치되고; 및
    상기 IR 광원(103, 105) 및 상기 전자 부품(101)은 각각의 수평면(LSHP, ECHP)을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사진, 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 검출하는 방법(2).
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 방법(1)은 스티칭 이미지가 필요한 경우 상기 전자 부품(101)을 Y-축 방향으로 이동시키는 단계를 더 포함하고, 단계(v) 후에 상기 전자 부품(101)이 X 축 방향을 따라 대기 위치(209)로 이송되는, 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 검출하는 방법(2).
KR1020210028098A 2020-05-20 2021-03-03 전자 부품의 내부 결함을 검출하기 위한 장치 및 그 방법 KR20210143648A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MYPI2020002450 2020-05-20
MYPI2020002450 2020-05-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210143648A true KR20210143648A (ko) 2021-11-29

Family

ID=78698106

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210028098A KR20210143648A (ko) 2020-05-20 2021-03-03 전자 부품의 내부 결함을 검출하기 위한 장치 및 그 방법

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20210143648A (ko)
PH (1) PH12021050081A1 (ko)
TW (2) TWM629845U (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116539525A (zh) * 2022-11-18 2023-08-04 苏州正齐半导体设备有限公司 检查电子元件内部缺陷的装置及方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200702656A (en) * 2005-05-25 2007-01-16 Olympus Corp Surface defect inspection apparatus
DE102009017786B3 (de) * 2009-04-20 2010-10-14 Intego Gmbh Verfahren zur Detektion von Fehlstellen in einer dünnen Waferscheibe für ein Solarelement sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens

Also Published As

Publication number Publication date
TW202144768A (zh) 2021-12-01
TWM629845U (zh) 2022-07-21
PH12021050081A1 (en) 2022-02-14
TWI771920B (zh) 2022-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10324044B2 (en) Apparatus, method and computer program product for defect detection in work pieces
TWI648534B (zh) 磊晶晶圓之裏面檢查方法、磊晶晶圓裏面檢查裝置、磊晶成長裝置之升降銷管理方法以及磊晶晶圓之製造方法
JP3709426B2 (ja) 表面欠陥検出方法および表面欠陥検出装置
US10509214B2 (en) Method for detecting defects and associated device
US20070237385A1 (en) Defect inspection apparatus
US8416292B2 (en) Defect inspection apparatus and method
US20100014083A1 (en) Method and Apparatus for Inspecting Defects
JP2007147433A (ja) セラミック板の欠陥検出方法と装置
JP2018025439A (ja) 外観検査方法および外観検査装置
JP2005214980A (ja) ウエハのマクロ検査方法および自動ウエハマクロ検査装置
US7283224B1 (en) Face lighting for edge location in catalytic converter inspection
KR20210143648A (ko) 전자 부품의 내부 결함을 검출하기 위한 장치 및 그 방법
US10598607B2 (en) Objective lens
KR20160121716A (ko) 하이브리드 조명 기반 표면 검사 장치
JP7373644B2 (ja) 透過及び反射光を組み合わせた半導体素子の内部クラックの撮像
JP3078784B2 (ja) 欠陥検査装置
TWI715662B (zh) 檢查裝置
JP2005134294A (ja) 円筒状部品の形状検査方法および形状検査装置
JP2000028535A (ja) 欠陥検査装置
KR102592277B1 (ko) 전자 구성요소의 내부 결함 검사를 수행하기 위한 장치 및 방법
TWM585898U (zh) 檢測矽晶圓缺陷的自動光學檢測機構
JPH05142161A (ja) 外観検査方法およびその装置、磁気ヘツド検査方法およびその装置並びに磁気ヘツド製造設備
JPH10242227A (ja) ウエハのマクロ検査方法および自動ウエハマクロ検査装置
JP6906779B1 (ja) 半導体チップの検査方法及び装置
JP2002071576A (ja) 外観検査装置および外観検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application