KR20210124997A

KR20210124997A - 기계적 인터페이스를 위한 중간층

Info

Publication number: KR20210124997A
Application number: KR1020217025431A
Authority: KR
Inventors: 쿠샬 샌딥 도시; 에릭 저스틴 몽크맨; 존 로버트 버로스; 수반슈 나하타; 스테판 루카 콜턴
Original assignee: 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이.
Priority date: 2019-02-13
Filing date: 2020-01-27
Publication date: 2021-10-15
Also published as: US11927889B2; US20220113639A1; WO2020164898A1; NL2024764A; CN113454535A

Abstract

본 발명의 장치는 제1 기판, 제2 기판, 및 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치된 중간층을 포함한다. 중간층은 가해진 힘 하에서 본 장치의 고장 또는 파손의 첫 번째 지점이 되도록 구성된다. 본 장치는 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치된 접합층을 더 포함할 수 있다. 접합층은 중간층을 제1 및 제2 기판에 접합시키도록 구성된다. 본 장치는 제1 및 제2 기판에 연결된 패스너를 더 포함할 수 있다. 패스너는 중간층을 제1 및 제2 기판에 고정시키도록 구성된다. 중간층은 제1 기판 또는 제2 기판에 도포된 코팅부를 포함할 수 있다. 본 장치는 제1 기판과 패스너 또는 제2 기판과 패스너 사이에 배치된 제2 중간층을 더 포함할 수 있다.

Description

기계적 인터페이스를 위한 중간층

관련 출원에 대한 상호 참조

본 출원은 2019년 2월 13일에 출원된 미국 가특허출원 제62/804,915호의 우선권을 주장하며, 이 문헌은 본 명세서에서 전체적으로 인용 참조된다.

본 발명은 장치들, 예를 들어, 리소그래피 장치 및 시스템을 위한 접합 또는 클램핑 장치를 접합 및/또는 클램핑하기 위한 중간층 또는 희생층(들)에 관한 것이다.

리소그래피 장치는 원하는 패턴을 기판 상으로 적용하도록 구성된 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다.

리소그래피 장치는, 예를 들어, 패터닝 디바이스 (예를 들어, 마스크)의 패턴을 기판 상에 제공된 방사선-감응 재료(레지스트)의 층 상으로 투영할 수 있다.

패턴을 기판 상에 투영하기 위해 리소그래피 장치는 전자기 방사선을 이용할 수 있다. 이 방사선의 파장은 기판 상에 형성될 수 있는 피처의 최소 크기를 결정한다. 4 내지 20㎚ 범위 내, 예를 들어 6.7㎚ 또는 13.5㎚의 파장을 갖는 극자외(EUV) 방사선을 이용하는 리소그래피 장치는, 예를 들어 193㎚의 파장을 갖는 방사선을 사용하는 리소그래피 장치보다 작은 피처를 기판 상에 형성하기 위해 사용될 수 있다.

재료의 부분들(pieces)을 함께 연결하는 것은 리소그래피 공정을 포함한 대부분의 제조 공정을 위하여 공통적인 작업이다. 리소그래피 및 반도체 제조 공정에서 구성 요소들을 함께 부착하기 위한 에폭시 또는 접착 재료의 사용은 본 기술 분야에 공지되어 있다. 구성 요소들, 예를 들어 금속층 및 세라믹층 (예를 들어, 글라스) 인터페이스를 접합 또는 접착시키는 현재의 방법은 열팽창 계수(coefficient of thermal expansion)(CTE)의 차이로 인해 층들 사이에 열 응력을 도입한다.

또한, 재료의 부분들을 연결하기 위해 패스너 (예를 들어, 클램프, 볼트 등)를 사용하는 것은 연결된 층들 중 하나 또는 둘 모두에서 파손 또는 균열을 야기할 수 있다. 더욱이, 인접한 표면들 간의 결함으로 인하여 응력 집중이 발생할 수 있다. 에폭시 또는 접착제 접합의 장점과 다양성 때문에 접합된 부분들을 손상시키지 않고 에폭시로 부분들을 접합시키고 편리하고 효율적인 방식으로 열 응력을 줄일 필요가 있다. 부가적으로, 에폭시를 사용하지 않고 부분들을 직접 체결하는 장점 때문에, 체결된 부분들을 손상시키지 않고 부분들을 체결하고 편리하고 효율적인 방식으로 파손 및 응력 집중의 위험을 줄일 필요가 있다.

일부 실시예에서, 리소그래피 시스템은 방사선 에너지를 레티클에 제공하기 위한 방사선 소스, 레티클을 유지시키도록 구성된 레티클 스테이지, 및 레티클 스테이지에 연결된 중간 장치를 포함한다. 일부 실시예에서, 중간 장치는 제1 기판, 제2 기판, 및 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치된 중간층을 포함한다. 일부 실시예에서, 중간층은 가해진 힘 하에서의 중간 장치의 고장 또는 파손의 첫 번째 지점이 되도록 구성되어 있다. 일부 실시예에서, 중간층은 낮은 열팽창 계수 또는 초-저팽창 재료를 포함한다.

일부 실시예에서, 중간 장치는 가해진 힘 하에서 레티클 스테이지에 대한 손상을 감소시키도록 구성된다. 일부 실시예에서, 리소그래피 시스템은 레티클 스테이지에 연결되고 레티클을 고정하도록 구성된 클램프를 더 포함한다. 일부 실시예에서, 방사선 에너지는 극자외(EUV) 방사선이다. 일부 실시예에서, 중간층은 ZERODUR®, 강화 세라믹 또는 플라스틱을 포함한다.

일부 실시예에서, 리소그래피 장치 내에서 레티클 스테이지를 위한 장치는 제1 기판, 제2 기판, 및 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치된 중간층을 포함한다. 일부 실시예에서, 중간층은 가해진 힘 하에서의 본 장치의 고장 또는 파손의 첫 번째 지점이 되도록 구성되어 있다. 일부 실시예에서, 본 장치는 레티클 스테이지에 연결되며, 가해진 힘 하에서 레티클 스테이지에 대한 손상을 감소시키도록 구성되어 있다.

일부 실시예에서, 중간층은 제2 기판의 강성, 압축 강도, 또는 열팽창 계수와 실질적으로 동등한 강성, 압축 강도, 또는 열팽창 계수를 갖고 있다. 일부 실시예에서, 중간층은 제2 기판의 최대 인장 강도에 대해 더 낮은 최대 인장 강도를 갖고 있다. 일부 실시예에서, 중간층은 제2 기판의 횡단면적에 대해 더 낮은 횡단면적을 갖고 있다. 일부 실시예에서, 중간층은 제2 기판의 표면 거칠기에 대해 더 높은 표면 거칠기를 갖고 있다.

일부 실시예에서, 중간층은 낮은 열팽창 계수 재료를 포함한다. 예를 들어, 중간층은 ZERODUR®, 강화 세라믹 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 기판은 낮은 열팽창 계수 재료를 포함한다.

일부 실시예에서, 본 장치는 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치된 접합 층을 더 포함한다. 접합층은 중간층을 제1 및 제2 기판에 접합시키도록 구성되어 있다. 일부 실시예에서, 중간층은 접합층을 통기시키도록 구성된 그루브를 포함한다. 일부 실시예에서, 접합층은 에폭시, 엘라스토머, 또는 열가소성 수지를 포함한다.

일부 실시예에서, 리소그래피 장치의 레티클 스테이지를 위한 장치는 제1 기판, 제2 기판, 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치된 중간층, 및 제1 기판과 제2 기판에 연결된 패스너를 포함한다. 일부 실시예에서, 중간층은 가해진 힘 하에서의 본 장치의 고장 또는 파손의 첫 번째 지점이 되도록 구성되어 있다. 일부 실시예에서, 패스너는 중간층을 제1 및 제2 기판에 고정시키도록 구성되어 있다. 일부 실시예에서, 본 장치는 레티클 스테이지에 연결되며, 가해진 힘 하에서 레티클 스테이지에 대한 손상을 감소시키도록 구성되어 있다.

일부 실시예에서, 중간층은 제1 및 제2 기판의 탄성 계수에 대해 더 낮은 탄성 계수를 갖고 있다. 일부 실시예에서, 중간층은 제1 및 제2 기판의 항복 강도에 대해 더 낮은 항복 강도를 갖고 있다. 일부 실시예에서, 중간층은 제2 기판의 횡단면적에 대해 더 낮은 횡단면적을 갖고 있다. 일부 실시예에서, 중간층은 제2 기판의 표면 거칠기에 대해 더 높은 표면 거칠기를 갖고 있다.

일부 실시예에서, 중간층은 폴리머 또는 금속을 포함한다. 일부 실시예에서, 중간층은 제1 기판 또는 제2 기판에 도포된 코팅부를 포함한다. 일부 실시예에서, 본 장치는 제1 기판과 패스너 또는 제2 기판과 패스너 사이에 배치된 제2 중간층을 더 포함한다. 일부 실시예에서, 패스너는 볼트, 너트, 클램프, 스프링, 굴곡부, 또는 이들의 일부 조합을 포함한다.

본 발명의 다양한 실시예의 구조 및 작동뿐만 아니라 본 발명의 추가적인 특징 및 이점이 첨부 도면을 참조하여 아래에서 상세히 설명된다. 본 발명은 본 명세서에서 설명된 특정 실시예에 제한되지 않는다는 점이 주목된다. 이러한 실시예는 예시적인 목적만을 위하여 본 명세서에 제시된다. 부가적인 실시예가 본 명세서에 포함된 교시에 기초하여 관련 기술(들)의 숙련된 자에게 명백할 것이다.

본 명세서에 포함되고 명세서의 일부를 형성하는 첨부 도면은 본 발명을 예시하며, 또한 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하는 역할 및 관련 기술(들)의 숙련자가 본 발명을 만들고 사용하는 것을 가능하게 하는 역할을 더 한다. 첨부된 개략적인 도면을 참조하여 본 발명의 실시예가 단지 예로서 설명될 것이며, 도면에서:
도 1은 예시적인 실시예에 따른 리소그래피 장치의 개략도이다.
도 2는 예시적인 실시예에 따른, 접합식 구성 상태에 있는 장치의 개략적인 사시도이다.
도 3은 도 2의 장치의 개략적인 횡단면도이다.
도 4는 예시적인 실시예에 따른, 체결식 구성 상태에 있는 장치의 개략적인 사시도이다.
도 5는 도 4의 장치의 개략적인 횡단면도이다.
도 6은 예시적인 실시예에 따른 레티클 스테이지의 개략적인 하부 사시도이다.
도 7은 도 6의 레티클 스테이지의 개략적인 저면도이다.
도 8은 도 6의 레티클 스테이지의 개략적인 상부 사시도이다.
도 9는 도 6의 레티클 스테이지의 개략적인 평면도이다.
도 10은 예시적인 실시예에 따른 예시적인 레티클 스테이지의 개략적인 확대 평면도이다.
도 11은 예시적인 실시예에 따른 예시적인 장치의 개략적인 횡단면도이다.
도 12는 예시적인 실시예에 따른 예시적인 장치의 개략적인 횡단면도이다.
도 13a는 예시적인 실시예에 따른 예시적인 장치의 개략적인 횡단면도이다.
도 13b는 도 13a의 장치의 개략적인 횡단면 저면도이다.
도 14a는 예시적인 실시예에 따른 예시적인 장치의 개략적인 횡단면도이다.
도 14b는 도 14a의 장치의 개략적인 횡단면 저면도이다.
본 발명의 특징 및 이점은 도면과 관련될 때 아래에서 제시되는 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이며, 도면 내의 동일한 도면 부호들은 도면 전반에 걸쳐 대응하는 요소를 식별한다. 도면에서, 유사한 참조 번호는 일반적으로 동일하고, 기능적으로 유사하며, 및/또는 구조적으로 유사한 요소를 나타낸다. 부가적으로, 일반적으로 참조 번호의 가장 좌측의 숫자는 참조 번호가 처음 나타나는 도면을 식별한다. 달리 나타내지 않는 한, 본 발명 전체에 걸쳐 제공된 도면은 축척대로 그려진 도면(to-scale drawings)으로서 해석되어서는 안된다.

본 명세서는 본 발명의 특징을 포함하는 하나 이상의 실시예를 개시한다. 개시된 실시예(들)는 단지 본 발명을 예시한다. 본 발명의 범위는 개시된 실시예(들)에 제한되지 않는다. 본 발명은 본 명세서에 첨부된 청구범위에 의하여 규정된다.

설명된 실시예(들) 그리고 본 명세서에서의 "일 실시예", "실시예", "예시적인 실시예" 등에 대한 언급은 설명된 실시예(들)가 특정 특징, 구조 또는 특성을 포함할 수 있지만, 모든 실시예가 반드시 특정 특징, 구조 또는 특성을 포함하지 않을 수 있다는 것을 나타낸다. 또한, 이러한 어구들이 반드시 동일한 실시예를 언급하는 것은 아니다. 또한, 특정 특징, 구조 또는 특성이 실시예와 관련하여 설명될 때, 명확하게 설명되었는지의 여부에 관계없이 다른 실시예와 관련하여 이러한 특징, 구조 또는 특성을 가져온다는 것이 당업자의 지식 내에 있다는 점이 이해된다.

"최하부(bottom)", "아래에(beneath)", "밑에(below)", "하부(lower)", "최상부(top)", "위에(above)", "상에(on)", "상부(upper)" 등과 같은 공간적으로 상대적인 용어는 설명의 용이함을 위해 본 명세서에서 사용되어 도면에 도시된 바와 같은 또 다른 요소(들) 또는 특징(들)에 대한 하나의 요소 또는 특징의 관계를 설명할 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시된 배향에 더하여 사용 또는 작동 중인 디바이스의 상이한 배향을 포함하도록 의도된다. 본 장치는 그렇지 않으면 배향 (90도 회전되거나 또는 다른 배향으로)될 수 있으며, 그에 따라 본 명세서에서 사용되는 공간적으로 상대적인 설명어(descriptor)는 마찬가지로 해석될 수 있다.

본 명세서에서 사용된 바와 같은 용어 "약"은 특정 기술에 기초하여 달라질 수 있는 주어진 양의 값을 나타낸다. 특정 기술에 기초하여, 용어 "약"은, 예를 들어 값의 10 내지 30% (예를 들어, 값의 ±10%, ±20% 또는 ±30%) 내에서 변하는 주어진 양의 값을 나타낼 수 있다.

본 명세서에서 사용된 바와 같은 용어 "실질적으로"는 특정 기술에 기초하여 달라질 수 있는 주어진 양의 값을 나타낸다. 특정 기술에 기초하여, 용어 "실질적으로"는, 예를 들어 값의 0 내지 10% (예를 들어, 값의 ±1%, ±2% 또는 ±10%) 내에서 변하는 주어진 양의 값을 나타낼 수 있다.

본 발명의 실시예는 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다. 본 발명의 실시예는 또한 기계-판독 가능한 매체에 저장된 명령어로서 구현될 수 있으며, 이는 하나 이상의 프로세서에 의해 판독되고 실행될 수 있다. 기계-판독 가능한 매체는 기계 (예를 들어, 컴퓨팅 디바이스)에 의해 판독 가능한 형태로 정보를 저장 또는 전송하기 위하여 임의의 메커니즘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기계-판독 가능한 매체는 판독 전용 메모리(ROM); 랜덤 액세스 메모리(RAM); 자기 디스크 저장 매체; 광학 저장 매체; 플래시 메모리 디바이스; 전기, 광학, 음향 또는 다른 형태의 전파 신호(propagated signal) (예를 들어, 반송파, 적외선 신호, 디지털 신호 등) 등을 포함할 수 있다. 또한, 펌웨어, 소프트웨어, 루틴(routine), 및 명령어는 본 명세서에서 특정 동작을 수행하는 것으로서 설명될 수 있다. 그러나 이러한 설명은 단지 편의를 위한 것이라는 점 그리고 이러한 작동은 사실은 연산 디바이스, 프로세서, 컨트롤러, 또는 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령어 등을 실행하는 다른 디바이스에 기인하며, 이렇게 하는 것은 액추에이터 또는 다른 디바이스를 물질계(physical world)와 상호 작용할 수 있게 한다는 점이 인식되어야 한다.

그러나 이러한 실시예를 보다 상세히 설명하기 전에 본 발명의 실시예가 구현될 수 있는 예시적인 환경을 제시하는 것이 유익하다.

예시적인 리소그래피 시스템

도 1은 방사선 소스(SO) 및 리소그래피 장치(LA)를 포함하는 리소그래피 시스템을 보여주고 있다. 방사선 소스(SO)는 EUV 방사선 빔(B)을 생성하도록 그리고 EUV 방사선 빔(B)을 리소그래피 장치(LA)에 공급하도록 구성되어 있다. 리소그래피 장치(LA)는 조명 시스템(IL), 패터닝 디바이스(MA) (예를 들어, 마스크)를 지지하도록 구성된 지지 구조체(MT), 투영 시스템(PS), 및 기판(W)을 지지하도록 구성된 기판 테이블(WT)을 포함하고 있다.

조명 시스템(IL)은 EUV 방사선 빔(B)이 패터닝 디바이스(MA)에 입사되기 전에 EUV 방사선 빔(B)을 조정하도록 구성되어 있다. 이에 더하여, 조명 시스템(IL)은 패싯(facetted) 필드 미러 디바이스(10) 및 패싯 퓨필 미러 디바이스(11)를 포함할 수 있다. 패싯 필드 미러 디바이스(10)와 패싯 퓨필 미러 디바이스(11)는 함께 EUV 방사선 빔(B)에 원하는 횡단면 형상 및 원하는 세기 분포를 제공한다. 조명 시스템(IL)은 패싯 필드 미러 디바이스(10)와 패싯 퓨필 미러 디바이스(11)에 더하여 또는 대신에 다른 미러 또는 디바이스를 포함할 수 있다.

따라서 조정된 후, EUV 방사선 빔(B)은 패터닝 디바이스(MA)와 상호 작용한다. 이 상호 작용의 결과로서, 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')이 생성된다. 투영 시스템(PS)은 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')을 기판(W) 상으로 투영하도록 구성되어 있다. 이 목적을 위하여, 투영 시스템(PS)은 기판 테이블(WT)에 의하여 유지되는 기판(W) 상으로 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')을 투영하도록 구성된 복수의 미러(13, 14)를 포함할 수 있다. 투영 시스템(PS)은 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')에 감소 인자를 적용할 수 있으며, 따라서 패터닝 디바이스(MA) 상의 대응하는 피처보다 작은 피처를 갖는 이미지를 형성할 수 있다. 예를 들어, 4 또는 8의 감소 인자가 적용될 수 있다. 투영 시스템(PS)이 도 1에서 2개의 미러(13, 14)만을 갖고 있는 것으로 도시되어 있지만, 투영 시스템(PS)은 상이한 수의 미러 (예를 들어, 6개 또는 8개의 미러)를 포함할 수 있다.

기판(W)은 이전에 형성된 패턴을 포함할 수 있다. 이 경우, 리소그래피 장치(LA)는 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')에 의해 형성된 이미지를 기판(W) 상에 이전에 형성된 패턴과 정렬시킨다.

상대적인 진공, 즉 대기압보다 훨씬 낮은 압력에서의 소량의 가스 (예를 들어, 수소)가 방사선 소스(SO)에, 조명 시스템(IL)에, 및/또는 투영 시스템(PS)에 제공될 수 있다.

방사선 소스(SO)는 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스, 방전 생성 플라즈마(DPP) 소스, 자유 전자 레이저(FEL), 또는 EUV 방사선을 생성할 수 있는 임의의 다른 방사선 소스일 수 있다.

예시적인 장치

에폭시 접착제는 구조용 접착제(structural adhesive)의 유형이며, 금속, 글라스, 세라믹, 자석, 플라스틱 및 기타 재료를 접합하기 위해 사용될 수 있다. 대안적으로, 패스너(fastener) (예를 들어, 클램프, 볼트, 스프링 등)가 사용되어 금속, 글라스, 세라믹, 자기, 플라스틱 및 기타 재료를 체결할 수 있다. 재료의 부분들(pieces)을 함께 연결하는 것은 리소그래피 공정을 포함한 제조 공정에 의하여 사용되는 작업이다. 리소그래피 및 반도체 제조 공정에서 구성 요소들을 함께 부착하기 위한 에폭시 또는 패스너의 사용은 특정 구성 요소를 위하여 사용될 수 있다.

에폭시 또는 기타 접착제로 구성 요소들, 예를 들어 금속층 및 세라믹층 (예를 들어, 글라스)을 접합시키는 현재의 방법은 열팽창 계수(coefficient of thermal expansion)(CTE)의 차이로 인해 층들 사이에 열 응력 및 변형을 도입한다. CTE는 크기(예를 들어, 체적, 면적, 길이)가 온도의 함수로서 어떻게 변하는지를 특징짓는 재료 특성이다. CTE의 선택은 특정 적용에 좌우된다. 일반적으로, 2개의 연결된 부분의 CTE 차이는 부분들 간의 열 응력 또는 변형에 비례한다.

또한, 에폭시 또는 기타 접착제 없이 대신에 패스너 (예를 들어, 클램프, 볼트, 너트, 스프링 등)를 사용하여 구성 요소를 부착하는 현재 방법은 연결된 층들 중 하나 또는 둘 모두에서 파손 또는 균열을 유발할 수 있다. 더욱이, 인접한 표면들 간의 결함으로 인하여 응력 집중이 발생할 수 있다. 뿐만 아니라, CTE의 차이로 인해 층들 간의 열 응력 또는 변형이 여전히 존재할 수 있다.

도 2 및 도 3은 본 발명의 일부 실시예에 따른 예시적인 접합식 장치(200)의 개략도를 보여주고 있다. 접합식 장치(200)는 제1 기판(202), 제2 기판(204), 접합층(206), 및 중간 장치(300)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 접합식 장치(200)는 리소그래피 장치(LA)에서 구현될 수 있다. 예를 들어, 접합식 장치(200)는 리소그래피 장치(LA)에서 지지 구조체(MT)를 위한 모터를 접합하기 위해 사용될 수 있다.

제1 기판(202)은 임의의 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(202)은 리소그래피 장치(LA)의 지지 구조체(MT)를 위한 자석일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 기판(202)은 금속, 절연체, 세라믹, 자성 재료, 글라스, 광학계(optic), 또는 에폭시 또는 접착제에 의해 접합될 수 있는 임의의 다른 적절한 재료일 수 있다. 제2 기판(204)은 임의의 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(204)은 리소그래피 장치(LA)의 조명 시스템(IL)을 위한 글라스 광학계(glass optics)일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 기판(204)은 금속, 절연체, 세라믹, 자성 재료, 글라스, 광학계, 또는 에폭시 또는 접착제에 의해 접합될 수 있는 임의의 다른 적절한 재료일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 기판(202)은 금속일 수 있는 반면, 제2 기판(204)은 세라믹 (예를 들어, 글라스, ZERODUR® 등)일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 기판(204)은 금속일 수 있는 반면, 제1 기판(202)은 세라믹(예를 들어, 글라스, ZERODUR® 등)일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 기판(202, 204)은 동일한 재료, 예를 들어 금속 또는 글라스일 수 있다.

도 2 및 도 3에서 보여지는 바와 같이, 접합층(206)은 제1 기판(202)과 제2 기판(204) 사이에 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 접합층(206)은 제1 및 제2 기판(202, 204)을 함께 접합시키도록 구성될 수 있다. 도 2 및 도 3에서 보여지는 바와 같이, 접합식 장치(200)는 접합식 구성 상태에 있을 수 있으며, 따라서 제1 및 제2 기판(202, 204)은 접합층(206)에 의해 함께 접합된다. 일부 실시예에서, 접합층(206)은 중간 장치(300) 주위에서 제1 및 제2 기판(202, 204) 사이에서 연장될 수 있다. 일부 실시예에서, 접합층(206)은 에폭시, 탄성중합체, 또는 열가소성 수지이다. 예를 들어, 접합층(206)은 열 경화된 에폭시일 수 있다.

중간 장치(300)는 제1 기판(202)과 제2 기판(204) 사이에 배치될 수 있다. 중간 장치(300)는 접합층(206)과 접촉한다. 일부 실시예에서, 중간 장치(300)는 접합층(206)과 일체일 수 있다. 예를 들어, 중간 장치(300)는 접합층(206)에 내장(embedded)될 수 있다. 중간 장치(300)는 가해진 힘 하에서의 접합식 장치(200)의 고장 또는 파손의 첫 번째 지점이 되도록 구성되어 있다. 중간 장치(300)는 제1 및 제2 기판(202, 204)을 보호하고 접합식 장치(200)의 파손 및 열 응력을 감소시키기 위하여 희생 장치 또는 희생층으로서의 역할을 할 수 있다. 힘 또는 응력이 접합식 장치(200)에 가해짐에 따라, 가해진 힘 또는 응력의 에너지를 흡수하기 위하여 중간 장치(300)는 제1 및/또는 제2 기판(202, 204)의 파손 또는 파단 전에 임계력(threshold force)에서 파손, 파단 또는 휘어질 것이다. 예를 들어, 중간 장치(300)는 약 15N의 임계력에서 파손, 파단 또는 휘어질 것인 반면, 제1 및 제2 기판(202, 204)은 약 40N의 임계력까지 안정적이다.

도 2 및 도 3에서 보여지는 바와 같이, 중간 장치(300)는 중간층(306)을 포함할 수 있다. 중간층(306)은 제1 및 제2 기판(202, 204)을 접합 또는 분리시키는 것을 돕기 위한 임의의 적절한 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 일부 실시예에서, 중간층(306)은 얇은 사각형 또는 직육면체일 수 있다. 일부 실시예에서, 중간층(306)은 얇은 디스크 또는 원통일 수 있다. 일부 실시예에서, 중간층(306)은 절연체, 예를 들어 플라스틱일 수 있다. 일부 실시예에서, 중간층(306)은 금속, 예를 들어 알루미늄일 수 있다. 일부 실시예에서, 중간층(306)은 접합층(206)의 예정된 접합선(bond line) 두께를 설정 또는 제어하도록 구성될 수 있다. 실질적으로 균일한 접합층(206) 두께, 예를 들어, 제1 기판(202)과 제2 기판(204) 사이의 약 200㎚ 내지 약 5㎜를 형성하기 위하여 중간층(306)은 실질적으로 균일한 두께(높이)를 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 중간층(306)은 접합층(206)을 통기(ventilate)시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 도 2 및 도 3에서 보여지는 바와 같이, 중간층(306)은 중간층(306)의 하나 이상의 표면을 따라 각각 연장되는 제1 그루브(302) 및 제2 그루브(304)를 포함하여 중간 장치(300)와 제1 및 제2 기판(202, 204) 사이의 접합층(206)을 통기시키고 균일하게 흐르는 것을 도울 수 있다.

일부 실시예에서, 중간층(306)은 세라믹을 포함할 수 있다. 예를 들어, 중간층(306)은 글라스 또는 강화 글라스, 예를 들어 ZERODUR®를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 중간층(306)은 폴리머를 포함할 수 있다. 예를 들어, 중간층(306)은 플라스틱, 플루오로폴리머, 폴리테트라플루오로에틸렌 (예를 들어, TEFLON®), 퍼플루오로엘라스토머 (예를 들어, KALREZ®), 폴리에테르 에테르 케톤, 폴리아릴에테르케톤, 폴리에테르이미드 (예를 들어, DURATON®), 열가소성 수지, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 중간층(306)은 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 중간층(306)은 알루미늄, 구리 (예를 들어, 무산소의 높은 열 전도도), 인듐, 마그네슘, 마그네슘 합금(예를 들어, AZ80A-T5), 몰리브덴, 강(steel), 강 합금(예를 들어, STAVAX®), 금, 은, 니켈 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 중간층(306)은 코팅부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 코팅부는 단일 또는 다층일 수 있으며 세라믹, 폴리머, 금속 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 중간층(306)은 제2 기판(204)의 강성과 실질적으로 동등한 강성(stiffness)을 포함할 수 있다. 강성은 적용된 힘에 응답하여 탄성체에 의하여 제공되는 변형에 대한 저항으로서 규정되는 재료 특성이다. 예를 들어, 중간층(306)과 제2 기판(204) 둘 모두는 고 강성 재료, 예를 들어 1MN/m보다 큰 강성을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 중간층(306)은 제2 기판(204)의 탄성 계수에 대해 더 낮은 탄성 계수(E)를 가질 수 있다. 탄성 계수(elastic modulus) 또는 탄성률(modulus of elasticity)은 적용된 힘에 응답하여 탄성체에 의해 제공되는 탄성 (즉, 비영구적인) 변형에 대한 저항으로서 규정되는 재료 특성이다. 더 단단한 재료는 더 높은 탄성 계수를 가질 것이다. 예를 들어, 제2 기판(204)은 약 65㎬의 탄성 계수를 포함할 수 있는 반면, 중간층(306)은 약 10㎬의 더 낮은 탄성 계수를 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 중간층(306)은 제2 기판(204)의 압축 강도와 실질적으로 동등한 압축 강도를 포함할 수 있다. 압축 강도는, 재료의 횡단면적에 수직으로 생성되며 재료가 파단(즉, 파손) 또는 불가역적 변형 전에 견딜 수 있는, 최대 압축 응력 (즉, 크기 감소)으로 규정되는 재료 특성이다. 예를 들어, 중간층(306)과 제2 기판(204) 모두는 높은 압축 강도 재료, 예를 들어 1㎫보다 큰 압축 강도를 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 중간층(306)은 제2 기판(204)의 최대 인장 강도에 대해 더 낮은 최대 인장 강도(UTS)를 가질 수 있다. UTS는, 재료의 횡단면적에 수직으로 생성되며 재료가 파단(즉, 파손) 또는 불가역적 변형 전에 견딜 수 있는, 최대 신장 응력(extension stress) (즉, 크기 신장)으로 규정되는 재료 특성이다. 예를 들어, 제2 기판(204)은 약 65㎫의 UTS를 포함할 수 있는 반면에, 중간층(306)은 약 10㎫의 더 낮은 UTS를 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 중간층(306)은 제2 기판(204)의 항복 강도에 대해 더 낮은 항복 강도(yield strength)(YS)를 가질 수 있다. 항복 강도는 재료의 횡단면적에 수직으로 생성되고 재료가 소성 변형되기 시작하는 응력 (즉, 크기의 감소 또는 신장)으로 규정되는 재료 특성이다. 예를 들어, 제2 기판(204)은 약 65㎫의 항복 강도를 포함할 수 있는 반면, 중간층(306)은 약 10㎫의 더 낮은 항복 강도를 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 중간층(306)은 제2 기판(204)의 CTE와 실질적으로 동등한 CTE를 포함할 수 있다. 예를 들어, 중간층(306)과 제2 기판(204) 모두는 낮은 CTE 재료 또는 초-저팽창(ultra-low expansion)(ULE) 재료를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 중간층(306)은 낮은 CTE 재료 또는 ULE 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 중간층(306)은 약 200㎚ 내지 약 5㎜의 횡단면 두께를 갖는, ZERODUR®, 강화 세라믹 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 중간층(306)은 0(zero)의 CTE 또는 실질적으로 0의 CTE 세라믹을 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 중간층(306)은 제2 기판(204)의 횡단면적에 대해 더 낮은 횡단면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(204)은 약 100㎟의 횡단면적을 포함할 수 있는 반면, 중간층(306)은 약 1㎟ 내지 약 50㎟의 더 낮은 횡단면적을 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 중간층(306)은 제2 기판(204)의 표면 거칠기에 대해 더 높은 표면 거칠기를 가질 수 있다. 일반적으로, 표면 거칠기가 증가가 균열 전파 부위의 인한 파손 응력을 감소시키도록 세라믹 재료의 표면 거칠기는 파손 응력(breakage stress)(예를 들어, 압축 강도(UTS))에 반비례한다. 예를 들어, 중간층(306)은 약 100㎚의 평균 표면 거칠기를 포함할 수 있는 반면, 제2 기판(204)은 약 10㎚의 평균 표면 거칠기를 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 접합식 장치(200)는 접합식 장치(200)의 수율을 개선하기 위하여 (예를 들어, 열, 압력, 가해진 힘 등으로부터의) 다양한 제조 및/또는 처리 응력 및 변형을 겪을 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(204)은 수율을 개선하기 위해 (예를 들어, 약 50℃에서 약 250℃로) 상승된 온도를 거칠 수 있다 (즉, 제2 기판(204)이 상승된 온도를 거친 후 고장(예를 들어, 파손, 균열 등)난다면, 제2 기판은 폐기, 변경 또는 수리된다). 일부 실시예에서, 중간 장치(300)는 중간 장치(300)의 수율을 개선하기 위하여 (예를 들어, 열, 압력, 가해진 힘 등으로부터의) 다양한 제조 및/또는 처리 응력 및 변형을 겪을 수 있다. 예를 들어, 중간층(306)은 수율을 개선하기 위해 (예를 들어, 약 50℃에서 약 250℃로) 상승된 온도를 거칠 수 있다 (즉, 중간층(306)이 상승된 온도를 거친 후 고장(예를 들어, 파손, 균열 등)난다면, 중간층은 폐기, 변경 또는 수리된다).

도 4 및 도 5는 본 발명의 일부 실시예에 따른 예시적인 체결식 장치(400)의 개략도를 보여주고 있다. 체결식 장치가 임의의 접합층을 포함하지 않고 오히려 제1 및 제2 기판을 함께 접착하기 위해 패스너에 의존한다는 것을 제외하고, 체결식 장치(400)는 도 1 및 도 2에서 보여지는 접합식 장치(200)와 유사하다. 체결식 장치(400)는 제1 기판(402), 제2 기판(404), 체결 장치(410), 및 중간 장치(500)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 체결식 장치(400)는 리소그래피 장치(LA)에서 구현될 수 있다. 예를 들어, 체결식 장치(400)는 리소그래피 장치(LA)에서 지지 구조체(MT)를 위한 모터를 부착하기 위해 사용될 수 있다.

제1 기판(402)은 임의의 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(402)은 리소그래피 장치(LA)의 지지 구조체(MT)를 위한 자석일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 기판(402)은 금속, 절연체, 세라믹, 자성 재료, 글라스, 광학계(optic), 또는 패스너(예를 들어, 볼트, 클램프, 너트, 스프링 등)에 의해 체결될 수 있는 임의의 다른 적절한 재료일 수 있다. 제2 기판(404)은 임의의 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(404)은 리소그래피 장치(LA)의 조명 시스템(IL)을 위한 글라스 광학계일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 기판(404)은 금속, 절연체, 세라믹, 자성 재료, 글라스, 광학계(optic), 또는 패스너에 의해 체결될 수 있는 임의의 다른 적절한 재료일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 기판(402)은 금속일 수 있는 반면, 제2 기판(404)은 세라믹 (예를 들어, 글라스, ZERODUR® 등)일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 기판(404)은 금속일 수 있는 반면, 제1 기판(402)은 세라믹(예를 들어, 글라스, ZERODUR® 등)일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 기판(402, 404)은 동일한 재료, 예를 들어 금속 또는 글라스일 수 있다.

도 4 및 도 5에서 보여지는 바와 같이, 체결 장치(410)는 제1 기판(402)과 제2 기판(404)에 연결될 수 있다. 체결 장치(410)는 중간 장치(500)를 제1 및 제2 기판(402, 404)에 고정시키도록 그리고 제1 및 제2 기판(402, 404)을 서로에 대하여 고정시키도록 구성될 수 있다. 체결 장치(410)는 패스너 (예를 들어, 볼트, 너트, 클램프, 스프링 등)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 5에서 보여지는 바와 같이, 체결 장치(410)는 볼트(412)와 대응 너트(414)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 체결 장치(410)는 제1 및 제2 기판(402, 404)을 함께 부착시키도록 구성될 수 있다. 일부 실시예에서, 체결 장치(410)는 중간 장치(500) 주위에서 또는 이를 통해 제1 기판(402)과 제2 기판(404) 사이로 연장될 수 있다. 일부 실시예에서, 체결 장치(410)는 세라믹, 폴리머, 금속 또는 그들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.

중간 장치(500)는 체결 장치(410)들 사이에 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 중간 장치(500)는 하나 이상의 중간층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 5에서 보여지는 바와 같이, 중간 장치(500)는 제1 중간층(502) 및 제2 중간층(504)을 포함할 수 있다. 제1 중간층(502)은 제1 기판(402)과 제2 기판(404) 사이에 배치될 수 있다. 제2 중간층(504)은 제1 기판(402)과 체결 장치(410) 사이 또는 제2 기판(404)과 체결 장치(410) 사이에 배치될 수 있다. 중간 장치(500)는 체결 장치(410) 그리고 제1 및 제2 기판(402, 404)과 접촉한다. 일부 실시예에서, 중간 장치(500)는 하나 이상의 구멍 또는 비아(via)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 5에서 보여지는 바와 같이, 중간 장치(500)는 제1 구멍(506)을 갖는 제1 중간층(502) 및 제2 구멍(508)을 갖는 제2 중간층(504)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 구멍(506, 508)은 체결 장치(410), 예를 들어 볼트(412)를 중간 장치(500)를 통과시키도록 구성되어 제1 및 제2 중간층(502, 504)을 제1 및 제2 기판(402, 404)에 고정시킬 수 있다.

중간 장치(500)는 가해진 힘 하에서의 체결식 장치(400)의 고장 또는 파손의 첫 번째 지점이 되도록 구성되어 있다. 중간 장치(500)는 제1 및 제2 기판(402, 404)을 보호하고 체결식 장치(400)의 파손 및 열 응력을 감소시키기 위하여 희생 장치 또는 희생층으로서의 역할을 할 수 있다. 힘 또는 응력이 체결식 장치(400)에 가해짐에 따라, 가해진 힘 또는 응력의 에너지를 흡수하기 위하여 중간 장치(500)는 제1 및/또는 제2 기판(402, 404)의 파손 또는 파단 전에 임계력에서 파손, 파단 또는 휘어질 것이다. 예를 들어, 중간 장치(500)는 약 15N의 임계력에서 파손, 파단 또는 휘어질 것인 반면, 제1 및 제2 기판(402, 404)은 약 40N의 임계력까지 안정적이다.

도 4 및 도 5에서 보여지는 바와 같이, 중간 장치(500)는 제1 및 제2 중간층(502, 504)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 제1 및 제2 기판(402, 404)을 함께 부착 또는 고정시키는 것을 돕기 위한 임의의 적절한 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 동일할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 상이할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 얇은 사각형 또는 직육면체일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 얇은 디스크 또는 원통일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 절연체, 예를 들어 플라스틱일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 금속, 예를 들어 알루미늄일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 체결식 장치(400)의 예정된 두께를 설정 또는 제어하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 실질적으로 균일한 체결식 장치(400) 두께, 예를 들어 제1 기판(402)과 제2 기판(404) 사이의 약 200㎚ 내지 약 5㎜를 형성하기 위하여 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 실질적으로 균일한 두께(높이)를 가질 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 세라믹을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 글라스 또는 강화 글라스, 예를 들어 ZERODUR®를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 폴리머를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 플라스틱, 플루오로폴리머, 폴리테트라플루오로에틸렌 (예를 들어, TEFLON®), 퍼플루오로엘라스토머 (예를 들어, KALREZ®), 폴리에테르 에테르 케톤, 폴리아릴에테르케톤, 폴리에테르이미드 (예를 들어, DURATON®), 열가소성 수지, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 알루미늄, 구리 (예를 들어, 무산소의 높은 열 전도도), 인듐, 마그네슘, 마그네슘 합금 (예를 들어, AZ80A-T5), 몰리브덴, 강(steel), 강 합금 (예를 들어, STAVAX®), 금, 은, 니켈 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 코팅부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 코팅부는 단일 또는 다층일 수 있으며 세라믹, 폴리머, 금속 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 중간층(502)은 제1 기판(402) 또는 제2 기판(404) 상의 코팅부일 수 있다. 예를 들어, 도 5에서 보여지는 바와 같이, 제1 중간층(502)은 제1 기판(402) 상의 코팅부일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 중간층(502)은 체결 장치(410) 상의 코팅부일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 중간층(504)은 제1 기판(402) 또는 제2 기판(404) 상의 코팅부일 수 있다. 예를 들어, 도 5에서 보여지는 바와 같이, 제2 중간층(504)은 제2 기판(404) 상의 코팅부일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 중간층(504)은 체결 장치(410) 상의 코팅부일 수 있다. 예를 들어, 도 5에서 보여지는 바와 같이, 제2 중간층(504)은 너트(414) 상의 코팅부일 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 제2 기판(204)의 강성과 실질적으로 동등한 강성을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(502, 504)과 제2 기판(404) 둘 모두는 고 강성 재료, 예를 들어 1MN/m보다 큰 강성을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 제2 기판(404)의 탄성 계수에 대해 더 낮은 탄성 계수(E)를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(404)은 약 65㎬의 탄성 계수를 포함할 수 있는 반면, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 약 10㎬의 더 낮은 탄성 계수를 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 제2 기판(404)의 압축 강도와 실질적으로 동등한 압축 강도를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(502, 504)과 제2 기판(404) 모두는 높은 압축 강도 재료, 예를 들어 1㎫보다 큰 압축 강도를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 제2 기판(404)의 최대 인장 강도에 대해 더 낮은 최대 인장 강도(UTS)를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(404)은 약 65㎫의 UTS를 포함할 수 있는 반면에, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 약 10㎫의 더 낮은 UTS를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 제2 기판(404)의 항복 강도에 대해 더 낮은 항복 강도(YS)를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(404)은 약 65㎫의 항복 강도를 포함할 수 있는 반면, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 약 10㎫의 더 낮은 항복 강도를 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 제2 기판(404)의 CTE와 실질적으로 동등한 CTE를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(502, 504)과 제2 기판(404) 모두는 낮은 CTE 재료 또는 ULE 재료를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 낮은 CTE 재료 또는 ULE 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 약 200㎚ 내지 약 5㎜의 횡단면 두께를 갖는, ZERODUR®, 강화 세라믹 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 0의 CTE 또는 실질적으로 0의 CTE 세라믹을 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 제2 기판(404)의 횡단면적에 대해 더 낮은 횡단면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(404)은 약 100㎟의 횡단면적을 포함할 수 있는 반면, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 약 1㎟ 내지 약 50㎟의 더 낮은 횡단면적을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 제2 기판(404)의 표면 거칠기에 대해 더 높은 표면 거칠기를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 약 100㎚의 평균 표면 거칠기를 포함할 수 있는 반면, 제2 기판(404)은 약 10㎚의 평균 표면 거칠기를 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 체결식 장치(400)는 체결식 장치(400)의 수율을 개선하기 위하여 (예를 들어, 열, 압력, 가해진 힘 등으로부터의) 다양한 제조 및/또는 처리 응력 및 변형을 겪을 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(404)은 수율을 개선하기 위해 (예를 들어, 약 50℃에서 약 250℃로) 상승된 온도를 거칠 수 있다 (즉, 제2 기판(404)이 상승된 온도를 거친 후 고장(예를 들어, 파손, 균열 등)난다면, 제2 기판은 폐기, 변경 또는 수리된다). 일부 실시예에서, 중간 장치(500)는 중간 장치(400)의 수율을 개선하기 위하여 (예를 들어, 열, 압력, 가해진 힘 등으로부터의) 다양한 제조 및/또는 처리 응력 및 변형을 겪을 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(502, 504)은 수율을 개선하기 위해 (예를 들어, 약 50℃에서 약 250℃로) 상승된 온도를 거칠 수 있다 (즉, 제1 중간층(502) 및/또는 제2 중간층(504)이 상승된 온도를 거친 후 고장(예를 들어, 파손, 균열 등)난다면, 제1 중간층 및/또는 제2 중간층은 폐기, 변경 또는 수리된다).

예시적인 레티클 스테이지

도 6 내지 도 9는 본 발명의 일부 실시예에 따른 예시적인 레티클 스테이지(600)의 개략도를 보여주고 있다. 레티클 스테이지(600)는 최하부 스테이지 표면(602), 최상부 스테이지 표면(604), 측면 스테이지 표면(606), 클램프(700), 레티클 케이지(704), 자기 액추에이터((magnetic actuator))(Y-방향)(706), 자기 액추에이터(Z-방향)(708), 및 커넥터(710)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 클램프(700)를 갖는 레티클 스테이지(600)는 리소그래피 장치(LA)에서 구현될 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지(600)는 리소그래피 장치(LA) 내의 지지 구조체(MT)일 수 있다. 일부 실시예에서, 클램프(700)는 최하부 스테이지 표면(602) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 6에서 보여지는 바와 같이, 클램프(700)는 최하부 스테이지 표면(602)의 중심에 배치될 수 있으면서 클램프 전면(702)은 최하부 스테이지 표면(602)으로부터 수직으로 멀어지게 향한다. 일부 실시예에서, 레티클 케이지(704)는 최하부 스테이지 표면(602) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 6에서 보여지는 바와 같이, 클램프(700) (예를 들어, (보이지 않는) 레티클용 정전기 클램프)는 최하부 스테이지 표면(602)의 중심에 배치될 수 있으면서, 레티클 케이지(704)는 클램프(700)의 각 코너에 인접하게 배치되어 있다.

일부 리소그래피 장치, 예를 들어 리소그래피 장치(LA)에서, 클램프(700)를 갖는 레티클 스테이지(600)는 스캐닝 또는 패터닝 작동을 위하여 레티클(보이지 않음)을 유지 및 위치시키기 위하여 사용될 수 있다. 일 예에서, 레티클 스테이지(600)는 그것을 지지하기 위해 강력한 구동부, 큰 균형 질량체 및 무거운 프레임을 필요로 할 수 있다. 일 예에서, 레티클 스테이지(600)는 큰 관성을 가질 수 있으며 약 0.5kg의 중량이 나가는 레티클(보이지 않음)을 나아가게 하고 위치시키기 위해 중량이 500kg을 넘을 수 있다. 리소그래피 스캐닝 또는 패터닝 작동에서 일반적으로 발견되는 레티클(보이지 않음)의 왕복 움직임을 달성하도록 하기 위해, 레티클 스테이지(600)를 구동하는 선형 모터에 의하여 가속력 및 감속력이 제공될 수 있다.

일부 실시예에서, 도 6 및 도 7에서 보여지는 바와 같이, 레티클 스테이지(600)는 위치 설정 작동을 위한 제1 인코더(612) 및 제2 인코더(614)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 인코더(612, 614)는 간섭계일 수 있다. 제1 인코더(612)는 제1 방향, 예를 들어 레티클 스테이지(600)의 횡방향(즉, X-방향)을 따라 부착될 수 있다. 또한, 제2 인코더(614)는 제2 방향, 예를 들어 레티클 스테이지(600)의 길이 방향(즉, Y-방향)을 따라 부착될 수 있다. 일부 실시예에서, 도 6 및 도 7에서 보여지는 바와 같이, 제1 인코더(612)는 제2 인코더(614)에 직교할 수 있다.

도 6 및 도 7에서 보여지는 바와 같이, 레티클 스테이지(600)는 클램프(700)를 포함할 수 있다. 클램프(700)는 레티클 스테이지(600) 상의 고정 평면에서 레티클(보이지 않음)을 유지시키도록 구성되어 있다. 클램프(700)는 클램프 전면(702)을 포함하고 있으며 최하부 스테이지 표면(602) 상에 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 클램프(700)는 대상물을 유지 및 고정하기 위해 기계적, 진공, 정전기 또는 다른 적절한 클램핑 기술을 사용할 수 있다. 일부 실시예에서, 클램프(700)는 정전기 클램프일 수 있으며, 이는 진공 환경에서 대상물, 예를 들어 레티클(보이지 않음)을 정전기적으로 클램핑(즉, 유지)하도록 구성될 수 있다. 진공 환경에서 EUV를 수행하기 위한 요구 조건으로 인하여, 마스크 또는 레티클을 클램핑하기 위하여 진공 클램프가 사용될 수 없으며 대신 정전기 클램프가 사용될 수 있다. 예를 들어, 클램프(700)는 전극, 전극 상의 저항층, 저항층 상의 유전체층, 및 유전체층으로부터 돌출된 버얼(burl)을 포함할 수 있다. 사용시에, 예를 들어 수 ㎸의 전압이 클램프(700)에 인가될 수 있다. 그리고 전류는 저항층을 통해 흐를 수 있으며, 따라서 저항층의 상부 표면에서의 전압은 전극의 전압과 실질적으로 동일하고 전기장을 생성할 것이다. 또한, 전기적으로 반대인 하전 입자들 사이의 인력인 쿨롱 힘(Coulomb force)은 대상물을 클램프(700)로 끌어당겨 대상물을 제자리에 유지시킨다. 일부 실시예에서, 클램프(700)는 강성 재료, 예를 들어 금속, 유전체, 세라믹, 또는 이들의 조합일 수 있다.

도 6 및 도 7에서 보여지는 바와 같이, 레티클 스테이지(600)는 하나 이상의 레티클 케이지(704)를 포함할 수 있다. 레티클 케이지(704)는, 예를 들어 충돌 동안, 클램프(700)에 의해 고정된 레티클(보이지 않음)을 고정시키고 그에 대한 손상을 줄이도록 구성될 수 있다. 레티클 케이지(704)는 충돌 동안 레티클(보이지 않음)의 충격력을 균일하게 분배하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예에서, 복수의 레티클 케이지(704)가 최하부 스테이지 표면(602)에 배치될 수 있으며 레티클(보이지 않음)의 주변부 주위에 배열될 수 있다. 예를 들어, 다수의 레티클 케이지(704)는 클램프(700)의 각 코너에 인접하게 배치되어 복수의 충격 위치에 걸쳐 레티클(보이지 않음)의 충격력을 균일하게 분배할 수 있다.

레티클 케이지(704)는 몸체, 고정 메커니즘, 안전 래치(latch) 및 범퍼 장치를 포함할 수 있다. 레티클 케이지(704)는 강성 재료, 예를 들어 금속 또는 세라믹일 수 있다. 일부 실시예에서, 레티클 케이지(704)는 레티클 스테이지(600)의 일부분을 통해 연장될 수 있다. 예를 들어, 레티클 케이지(704)는 원통형일 수 있으며 클램프(700)의 코너와의 강성 정렬을 위하여 최하부 스테이지 표면(602)을 통해 연장될 수 있다. 일부 실시예에서, 레티클 케이지(704)는 하나 이상의 고정 메커니즘으로 최하부 스테이지 표면(602)에 고정될 수 있다. 예를 들어 고정 메커니즘은 볼트일 수 있다. 일부 실시예에서, 안전 래치는 충돌 동안 레티클(보이지 않음)을 고정시키도록(즉, 잡도록) 그리고 그에 대한 손상을 감소시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 안전 래치는 레티클(보이지 않음)의 상부 표면에 걸쳐 연장될 수 있으며 최하부 스테이지 표면(602)에 수직인 방향(즉, Z-방향)으로의 이동을 방지하도록 구성될 수 있다.

도 8 및 도 9에서 보여지는 바와 같이, 레티클 스테이지(600)는 자기 액추에이터(Y-방향)(706) 및 자기 액추에이터(Z-방향)(708)를 포함할 수 있다. 위에서 논의된 바와 같이, 가속 및 감속력은 레티클 스테이지(600)를 구동하기 위해 선형 모터, 예를 들어 자기 액추에이터(Y-방향)(706) 및 자기 액추에이터(Z-방향)(708)에 의해 제공될 수 있다. 일부 실시예에서, 레티클 스테이지(600)는 하나 이상의 자기 액추에이터(Y-방향)(706)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 8에서 보여지는 바와 같이, 자기 액추에이터(Y-방향)(706)는, 예를 들어 제2 인코더(614)에 평행한 레티클 스테이지(600)의 길이 방향 (즉, Y-방향)을 따라 측면 스테이지 표면(606) 상에 배치될 수 있으며 레티클 스테이지(600)를 길이 방향(즉, Y 방향)을 따라 병진 이동시키도록 구성될 수 있다. 일부 실시예에서, 레티클 스테이지(600)는 하나 이상의 자기 액추에이터(Z 방향)(708)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 8에서 보여지는 바와 같이, 자기 액추에이터(Z-방향)(708)는 최상부 스테이지 표면(604) 상에 배치될 수 있으며 예를 들어 최상부 스테이지 표면(604)에 수직(즉, Z-방향)인 레티클 스테이지(600)의 깊이 방향 (즉, Z-방향)을 따라 병진 이동시키도록 구성될 수 있다.

도 8 및 도 9에서 보여지는 바와 같이, 레티클 스테이지(600)는 커넥터(710)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 레티클 스테이지(600)는 하나 이상의 커넥터(710)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 8에서 보여지는 바와 같이, 커넥터(710)는 최상부 스테이지 표면(604) 상에 배치될 수 있으며 온도 및/또는 압력 제어를 위해 가스 또는 유체(예를 들어, 물) 라인을 레티클 스테이지(600)에 연결하도록 구성될 수 있다.

일부 실시예에서, 레티클 스테이지(600)는 레티클 스테이지(200)의 수율을 개선하기 위하여 (예를 들어, 열, 압력, 가해진 힘 등으로부터의) 다양한 제조 및/또는 처리 응력 및 변형을 겪을 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지(600)는 수율을 개선하기 위해 (예를 들어, 약 50℃에서 약 250℃로) 상승된 온도를 거칠 수 있다 (즉, 레티클 스테이지(600)가 상승된 온도를 거친 후 고장(예를 들어, 파손, 균열 등)난다면, 레티클 스테이지는 폐기, 변경 또는 수리된다).

레티클 스테이지 상의 예시적인 장치

도 10 내지 도 14는 본 발명의 일부 실시예에 따른 예시적인 레티클 스테이지의 예시적인 장치의 개략도를 보여주고 있다. 도 10은 본 발명의 일부 실시예에 따른, 최상부 스테이지 표면(604), 측면 스테이지 표면(606), 제2 인코더(614), 클램프(700), 레티클 케이지 장치(1100) (즉, 도 9에서 보여지는 바와 같은 레티클 케이지(704)), 자기 액추에이터(Y-방향) 장치(1200) (즉, 도 9에서 보여지는 바와 같은 자기 액추에이터(Y-방향)), 자기 액추에이터(Z-방향) 장치(1300) (즉, 도 9에서 보여지는 바와 같은 자기 액추에이터(Z-방향)(708)), 및 커넥터 장치(1400) (즉, 도 9에서 보여지는 바와 같은 커넥터(710))를 포함하는 레티클 스테이지(600)의 도 9에서 보여지는 영역(1000)의 개략적인 확대 저면도를 도시하고 있다.

도 10에서 보여지는 바와 같이, 레티클 스테이지(600)의 영역(1000) (즉, 도 9에서 보여지는 바와 같은 영역(1000))은 최상부 스테이지 표면(604), 측면 스테이지 표면(606), 제2 인코더(614), 클램프(700), 레티클 케이지 장치(1100) (즉, 도 9에서 보여지는 바와 같은 레티클 케이지(704)), 자기 액추에이터(Y-방향) 장치(1200) (즉, 도 9에서 보여지는 바와 같은 자기 액추에이터(Y-방향)), 자기 액추에이터(Z-방향) 장치(1300) (즉, 도 9에서 보여지는 바와 같은 자기 액추에이터(Z-방향)(708)) 및 커넥터 장치(1400) (즉, 도 9에서 보여지는 바와 같은 커넥터(710))를 포함할 수 있다.

도 11은 본 발명의 일부 실시예에 따른, 도 10에 나타나 있는 바와 같이, 예시적인 레티클 케이지 장치(1100)의 개략적인 횡단면도를 보여주고 있다. 레티클 케이지 장치(1100)는 도 2 및 도 3에서 보여지는 접합식 장치(200) 및 도 4 및 도 5에서 보여지는 체결식 장치(400)와 유사하다. 도 11에서 보여지는 바와 같이, 레티클 케이지 장치(1100)는 도 4 및 도 5에서 보여지는 체결식 장치(400)의 체결식 구성과 유사한 체결식 구성 상태에 있을 수 있다. 대안적으로, 일부 실시예에서, 레티클 케이지 장치(1100)는 도 2 및 도 3에서 보여지는 접합식 장치(200)의 접합식 구성과 유사한 접합식 구성 상태에 있을 수 있다. 레티클 케이지 장치(1100)는 레티클 스테이지 부분(1102), 제1 기판(1110), 제2 기판(1112), 제1 패스너(1104), 제2 패스너(1106), 제3 패스너(1108), 및 중간 장치(1120)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 레티클 케이지 장치(1100)는 리소그래피 장치(LA)에서 구현될 수 있다.

레티클 스테이지 부분(1102)은 도 6 내지 도 9에서 보여지는 레티클 스테이지(600)의 일부일 수 있다. 도 11에서 보여지는 바와 같이, 레티클 스테이지 부분(1102)은 최하부 스테이지 표면(602)과 최상부 스테이지 표면(604) 사이에 배치될 수 있다. 레티클 스테이지 부분(1102)은 임의의 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 부분(1102)은 낮은 CTE 재료 또는 ULE 재료, 예를 들어 ZERODUR®을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 레티클 스테이지 부분(1102)은 0의 CTE 또는 실질적으로 0의 CTE 세라믹을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 레티클 스테이지 부분(1102)은 금속, 절연체, 세라믹, 자성 재료, 글라스, 광학계, 또는 임의의 다른 적절한 재료일 수 있다.

제1 기판(1110)은 임의의 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(1110)은 레티클 케이지(704)를 위한 세라믹 최하부 커버일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 기판(1110)은 금속, 절연체, 세라믹, 자성 재료, 글라스, 광학계, 또는 패스너 (예를 들어, 볼트, 클램프, 너트, 스프링 등)에 의하여 체결될 수 있는 임의의 다른 적절한 재료일 수 있다. 제2 기판(1112)은 임의의 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(1112)은 레티클 케이지(704)를 위한 세라믹 몸체일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 기판(1112)은 금속, 절연체, 세라믹, 자성 재료, 글라스, 광학계, 또는 패스너에 의하여 체결될 수 있는 임의의 다른 적절한 재료일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 기판(1110, 1112)은 금속일 수 있는 반면, 레티클 스테이지 부분(1102)은 세라믹(예를 들어, 글라스, ZERODUR® 등)일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 기판(1112)은 금속일 수 있는 반면, 제1 기판(1110)은 세라믹(예를 들어, 글라스, ZERODUR® 등)일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 기판(1110, 1112)은 동일한 재료, 예를 들어 금속 또는 글라스일 수 있다.

도 11에서 보여지는 바와 같이, 제1 패스너(1104), 제2 패스너(1106), 및 제3 패스너(1108)는 제1 기판(1110), 제2 기판(1112), 및 레티클 스테이지 부분(1102)에 연결될 수 있다. 제1 패스너(1104), 제2 패스너(1106), 및 제3 패스너(1108)는 중간 장치(1120)를 제1 기판(1110), 제2 기판(1112), 및 레티클 스테이지 부분(1102)에 고정시키도록 그리고 제1 및 제2 기판(1110, 1112)을 서로에 대하여 고정시키도록 구성될 수 있다. 제1 패스너(1104), 제2 패스너(1106), 및 제3 패스너(1108)는 패스너 (예를 들어, 볼트, 너트, 클램프, 스프링 등)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 11에서 보여지는 바와 같이, 제1 패스너(1104), 제2 패스너(1106), 및 제3 패스너(1108)는 볼트를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 패스너(1104), 제2 패스너(1106), 및/또는 제3 패스너(1108)는 레티클 스테이지 부분(1102)과 제1 및 제2 기판(1110, 1112)을 함께 부착시키도록 구성될 수 있다. 도 11에서 보여지는 바와 같이, 레티클 케이지 장치(1100)는 체결식 구성 상태에 있을 수 있으며, 따라서 제1 및 제2 기판(1110, 1112)은 제1 패스너(1104), 제2 패스너(1106) 및/또는 제3 패스너(1108)에 의해 레티클 스테이지 부분(1102)에 함께 체결된다. 일부 실시예에서, 제1 패스너(1104), 제2 패스너(1106), 및/또는 제3 패스너(1108)는 중간 장치(1120) 주위에서 또는 이를 통해 레티클 스테이지 부분(1102)과 제1 및 제2 기판(1110, 1112) 사이로 연장될 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 패스너(1104), 제2 패스너(1106), 및/또는 제3 패스너(1108)는 세라믹, 폴리머, 금속, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.

중간 장치(1120)는 제1 기판(1110)과 제2 기판(1112) 사이에 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 중간 장치(1120)는 하나 이상의 중간층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 11에서 보여지는 바와 같이, 중간 장치(1120)는 제1 중간층(1122) 및 제2 중간층(1124)을 포함할 수 있다. 제1 중간층(1122)은 제1 기판(1110)과 레티클 스테이지 부분(1102) 사이에 배치될 수 있다. 제2 중간층(1124)은 제2 기판(1112)과 레티클 스테이지 부분(1102) 사이에 배치될 수 있다. 중간 장치(1120)는 레티클 스테이지 부분(1102), 제1 및 제2 기판(1110, 1112), 제1 패스너(1104), 제2 패스너(1106), 및/또는 제3 패스너(1108)와 접촉한다. 일부 실시예에서, 중간 장치(1120)는 하나 이상의 구멍 또는 비아를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 11에서 보여지는 바와 같이, 중간 장치(1120)는 제1 구멍(1126, 1127)을 갖는 제1 중간층(1122) 및 제2 구멍(1128, 1129)을 갖는 제2 중간층(1124)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 구멍(1126, 1127, 1128, 1129)은 제2 패스너(1106)와 제3 패스너(1108)를 각각 중간 장치(1120)를 통과시키도록 구성되어 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)을 레티클 스테이지 부분(1102)과 제1 및 제2 기판(1110, 1112)에 고정시킬 수 있다.

중간 장치(1120)는 가해진 힘 하에서의 레티클 케이지 장치(1100)의 고장 또는 파손의 첫 번째 지점이 되도록 구성되어 있다. 중간 장치(1120)는 레티클 스테이지 부분(1102)과 제1 및 제2 기판(1110, 1112)을 보호하고 레티클 케이지 장치(1100)의 파손 및 열 응력을 감소시키기 위하여 희생 장치 또는 희생층으로서의 역할을 할 수 있다. 힘 또는 응력이 레티클 케이지 장치(1100)에 가해짐에 따라, 가해진 힘 또는 응력의 에너지를 흡수하기 위하여 중간 장치(1120)는 레티클 스테이지 부분(1102)의 파손 또는 파단 전에 임계력에서 파손, 파단 또는 휘어질 것이다. 예를 들어, 중간 장치(1120)는 약 15N의 임계력에서 파손, 파단 또는 휘어질 것인 반면, 레티클 스테이지 부분(1102)은 약 40N의 임계력까지 안정적이다.

도 11에서 보여지는 바와 같이, 중간 장치(1120)는 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 레티클 스테이지 부분(1102)과 제1 및 제2 기판(1110, 1112)을 함께 부착 또는 고정시키는 것을 돕기 위한 임의의 적절한 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 동일할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 상이할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 얇은 사각형 또는 직육면체일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 얇은 디스크 또는 원통일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 절연체, 예를 들어 플라스틱일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 금속, 예를 들어 알루미늄일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 레티클 케이지 장치(1100)의 예정된 두께를 설정 또는 제어하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 실질적으로 균일한 레티클 케이지 장치(1100) 두께, 예를 들어, 제1 기판(1110)과 레티클 스테이지 부분(1102) 사이의 약 200㎚ 내지 약 5㎜ 그리고 제2 기판(1112)과 레티클 스테이지 부분(1102) 사이의 약 200㎚ 내지 약 5㎜를 형성하기 위하여 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 실질적으로 균일한 두께(높이)를 가질 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 세라믹을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 글라스 또는 강화 글라스, 예를 들어 ZERODUR®를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 폴리머를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 플라스틱, 플루오로폴리머, 폴리테트라플루오로에틸렌 (예를 들어, TEFLON®), 퍼플루오로엘라스토머 (예를 들어, KALREZ®), 폴리에테르 에테르 케톤, 폴리아릴에테르케톤, 폴리에테르이미드 (예를 들어, DURATON®), 열가소성 수지, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 알루미늄, 구리 (예를 들어, 무산소의 높은 열 전도도), 인듐, 마그네슘, 마그네슘 합금 (예를 들어, AZ80A-T5), 몰리브덴, 강(steel), 강 합금 (예를 들어, STAVAX®), 금, 은, 니켈 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 코팅부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 코팅부는 단일 또는 다층일 수 있으며 세라믹, 폴리머, 금속 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 중간층(1122)은 제1 기판(1110) 또는 제2 기판(1112) 상의 코팅부일 수 있다. 예를 들어, 도 11에서 보여지는 바와 같이, 제1 중간층(1122)은 제1 기판(1110) 상의 코팅부일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 중간층(1122)은 제1 패스너(1104), 제2 패스너(1106), 및/또는 제3 패스너(1108) 상의 코팅부일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 중간층(1124)은 제1 기판(1110) 또는 제2 기판(1112) 상의 코팅부일 수 있다. 예를 들어, 도 11에서 보여지는 바와 같이, 제2 중간층(1124)은 제2 기판(1112) 상의 코팅부일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 중간층(1124)은 제1 패스너(1104), 제2 패스너(1106), 및/또는 제3 패스너(1108) 상의 코팅부일 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 레티클 스테이지 부분(1102)의 강성과 실질적으로 동등한 강성을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)과 레티클 스테이지 부분(1102) 모두는 고 강성 재료, 예를 들어 1MN/m보다 큰 강성을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 레티클 스테이지 부분(1102)의 탄성 계수에 대해 더 낮은 탄성 계수(E)를 가질 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 부분(1102)은 약 65㎬의 탄성 계수를 포함할 수 있는 반면, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 약 10㎬의 더 낮은 탄성 계수를 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 레티클 스테이지 부분(1102)의 압축 강도와 실질적으로 동등한 압축 강도를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)과 레티클 스테이지 부분(1102) 모두는 높은 압축 강도 재료, 예를 들어 1㎫보다 큰 압축 강도를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 레티클 스테이지 부분(1102)의 최대 인장 강도에 대해 더 낮은 최대 인장 강도(UTS)를 가질 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 부분(1102)은 약 65㎫의 UTS를 포함할 수 있는 반면에, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 약 10㎫의 더 낮은 UTS를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 레티클 스테이지 부분(1102)의 항복 강도에 대해 더 낮은 항복 강도(YS)를 가질 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 부분(1102)은 약 65㎫의 항복 강도를 포함할 수 있는 반면, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 약 10㎫의 더 낮은 항복 강도를 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 레티클 스테이지 부분(1102)의 CTE와 실질적으로 동등한 CTE를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)과 레티클 스테이지 부분(1102) 모두는 낮은 CTE 재료 또는 ULE 재료를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 낮은 CTE 재료 또는 ULE 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 약 200㎚ 내지 약 5㎜의 횡단면 두께를 갖는, ZERODUR®, 강화 세라믹 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 0의 CTE 또는 실질적으로 0의 CTE 세라믹을 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 레티클 스테이지 부분(1102)의 횡단면적에 대해 더 낮은 횡단면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 부분(1102)은 약 100㎟의 횡단면적을 포함할 수 있는 반면, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 약 1㎟ 내지 약 50㎟의 더 낮은 횡단면적을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 레티클 스테이지 부분(1102)의 표면 거칠기에 대해 더 높은 표면 거칠기를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1122, 1124)은 약 100㎚의 평균 표면 거칠기를 포함할 수 있는 반면, 레티클 스테이지 부분(1102)은 약 10㎚의 평균 표면 거칠기를 포함할 수 있다.

도 12는 본 발명의 일부 실시예에 따른, 도 10에서 나타나 있는 바와 같이 예시적인 자기 액추에이터(Y-방향) 장치(1200)의 개략적인 횡단면도를 보여주고 있다. 자기 액추에이터(Y-방향) 장치(1200)는 도 2 및 도 3에서 보여지는 접합식 장치(200) 및 도 4 및 도 5에서 보여지는 체결식 장치(400)와 유사하다. 도 12에서 보여지는 바와 같이, 자기 액추에이터(Y-방향) 장치(1200)는 도 4 및 도 5에서 보여지는 체결식 장치(400)의 체결식 구성과 유사한 체결식 구성 상태에 있을 수 있다. 대안적으로, 일부 실시예에서, 자기 액추에이터(Y-방향) 장치(1200)는 도 2 및 도 3에서 보여지는 접합식 장치(200)의 접합식 구성과 유사한 접합식 구성 상태에 있을 수 있다. 자기 액추에이터(Y-방향) 장치(1200)는 레티클 스테이지 부분(1202), 제1 기판(1212), 제2 기판(1214), 제1 패스너(1206, 1210), 제2 패스너(1204, 1208), 및 중간 장치(1220)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 자기 액추에이터(Y-방향) 장치(1200)는 리소그래피 장치(LA)에서 구현될 수 있다.

레티클 스테이지 부분(1202)은 도 6 내지 도 9에서 보여지는 레티클 스테이지(600)의 일부일 수 있다. 도 12에서 보여지는 바와 같이, 레티클 스테이지 부분(1202)은 제2 인코더(614) 위의 측면 스테이지 표면(606)을 따라 배치될 수 있다. 레티클 스테이지 부분(1202)은 임의의 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 부분(1202)은 낮은 CTE 재료 또는 ULE 재료, 예를 들어 ZERODUR®을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 레티클 스테이지 부분(1202)은 0의 CTE 또는 실질적으로 0의 CTE 세라믹을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 레티클 스테이지 부분(1202)은 금속, 절연체, 세라믹, 자성 재료, 글라스, 광학계, 또는 임의의 다른 적절한 재료일 수 있다.

제1 기판(1212)은 임의의 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(1212)은 자기 액추에이터(Y-방향)(706)를 위한 금속 아암(arm) 또는 연장부의 일부일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 기판(1212)은 금속, 절연체, 세라믹, 자성 재료, 글라스, 광학계, 또는 패스너 (예를 들어, 볼트, 클램프, 너트, 스프링 등)에 의해 체결될 수 있는 임의의 다른 적절한 재료일 수 있다. 제2 기판(1214)은 임의의 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(1214)은 자기 액추에이터(Y-방향)(706)를 레티클 스테이지 부분(1202)에 고정하기 위한 세라믹 링 너트, 예를 들어 제1 링 너트(1208) 및/또는 제2 링 너트(1210)일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 기판(1214)은 금속, 절연체, 세라믹, 자성 재료, 글라스, 광학계, 또는 패스너에 의해 체결될 수 있는 임의의 다른 적절한 재료일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 기판(1212, 1214)은 금속일 수 있는 반면, 레티클 스테이지 부분(1202) 세라믹 (예를 들어, 글라스, ZERODUR® 등)일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 기판(1214)은 금속일 수 있는 반면, 제1 기판(1212)은 세라믹(예를 들어, 글라스, ZERODUR® 등)일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 기판(1212, 1214)은 동일한 재료, 예를 들어 금속 또는 글라스일 수 있다.

도 12에서 보여지는 바와 같이, 제1 패스너(1204, 1208) 및 제2 패스너(1206, 1210)는 제1 기판(1212), 제2 기판(1214), 및 레티클 스테이지 부분(1102)에 연결될 수 있다. 제1 패스너(1204, 1208)와 제2 패스너(1206, 1210)는 중간 장치(1220)를 제1 기판(1212), 제2 기판(1214), 및 레티클 스테이지 부분(1202)에 고정시키도록 그리고 제1 및 제2 기판(1212, 1214)을 서로에 대하여 고정시키도록 구성될 수 있다. 제1 패스너(1204, 1208)와 제2 패스너(1206, 1210)는 패스너 (예를 들어, 볼트, 너트, 클램프, 스프링 등)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 12에서 보여지는 바와 같이, 제1 패스너(1204, 1208)는 제1 볼트(1204) 및 대응하는 제1 링 너트(1208)를 포함하고 있으며, 제2 패스너(1206, 1210)는 제2 볼트(1206) 및 대응하는 제2 링 너트(1210)를 포함하고 있다. 일부 실시예에서, 제1 패스너(1204, 1208) 및/또는 제2 패스너(1206, 1210)는 제1 기판(1212) 또는 제2 기판(1214)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 12에서 보여지는 바와 같이, 제2 기판(1214)은 제1 링 너트(1208)와 제2 링 너트(1210)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 패스너(1204, 1208)와 제2 패스너(1206, 1210)는 레티클 스테이지 부분(1202)과 제1 및 제2 기판(1212, 1214)을 함께 부착시키도록 구성될 수 있다. 도 12에서 보여지는 바와 같이, 자기 액추에이터(Y-방향) 장치(1200)는 체결식 구성 상태에 있을 수 있으며, 따라서 제1 및 제2 기판(1212, 1214)은 제1 패스너(1204, 1208) 및/또는 제2 패스너(1206, 1210)에 의해 레티클 스테이지 부분(1202)에 함께 체결된다. 일부 실시예에서, 제1 패스너(1204, 1208) 및/또는 제2 패스너(1206, 1210)는 중간 장치(1220) 주위에서 또는 이를 통해 레티클 스테이지 부분(1202)과 제1 및 제2 기판(1212, 1214) 사이로 연장될 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 패스너(1204, 1208) 및/또는 제2 패스너(1206, 1210)는 세라믹, 폴리머, 금속, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.

중간 장치(1220)는 제1 기판(1212)과 제2 기판(1214) 사이에 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 중간 장치(1220)는 하나 이상의 중간층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 12에서 보여지는 바와 같이, 중간 장치(1220)는 제1 중간층(1222) 및 제2 중간층(1224)을 포함할 수 있다. 제1 중간층(1222)은 제1 기판(1212)과 레티클 스테이지 부분(1202) 사이에 배치될 수 있다. 제2 중간층(1224)은 제2 기판(1214)(예를 들어, 제1 및 제2 링 너트(1208, 1210))과 레티클 스테이지 부분(1202) 사이에 배치될 수 있다. 중간 장치(1220)는 레티클 스테이지 부분(1202), 제1 및 제2 기판(1212, 1214), 제1 패스너(1204, 1208) 및/또는 제2 패스너(1206, 1210)와 접촉한다. 일부 실시예에서, 중간 장치(1220)는 하나 이상의 구멍 또는 비아를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 12에서 보여지는 바와 같이, 중간 장치(1220)는 제1 구멍(1226, 1227)을 갖는 제1 중간층(1222) 및 제2 구멍(1228, 1229)을 갖는 제2 중간층(1224)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 구멍(1226, 1227, 1228, 1229)은 제1 볼트(1204)와 제2 볼트(1206)를 각각 중간 장치(1220)를 통과시키도록 구성되어 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)을 레티클 스테이지 부분(1102)과 제1 및 제2 기판(1212, 1214)에 고정시킬 수 있다.

중간 장치(1220)는 가해진 힘 하에서의 자기 액추에이터(Y-방향) 장치(1200)의 고장 또는 파손의 첫 번째 지점이 되도록 구성되어 있다. 중간 장치(1220)는 레티클 스테이지 부분(1202)과 제1 및 제2 기판(1212, 1214)을 보호하고 자기 액추에이터(Y-방향) 장치(1200)의 파손 및 열 응력을 감소시키기 위하여 희생 장치 또는 희생층으로서의 역할을 할 수 있다. 힘 또는 응력이 자기 액추에이터(Y-방향) 장치(1200)에 가해짐에 따라, 가해진 힘 또는 응력의 에너지를 흡수하기 위하여 중간 장치(1220)는 레티클 스테이지 부분(1202)의 파손 또는 파단 전에 임계력에서 파손, 파단 또는 휘어질 것이다. 예를 들어, 중간 장치(1220)는 약 15N의 임계력에서 파손, 파단 또는 휘어질 것인 반면, 레티클 스테이지 부분(1202)은 약 40N의 임계력까지 안정적이다.

도 12에서 보여지는 바와 같이, 중간층(1220)은 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 레티클 스테이지 부분(1202)과 제1 및 제2 기판(1212, 1214)을 함께 부착 또는 고정시키는 것을 돕기 위한 임의의 적절한 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 동일할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 상이할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 얇은 사각형 또는 직육면체일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 얇은 디스크 또는 원통일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 절연체, 예를 들어 플라스틱일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 금속, 예를 들어 알루미늄일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 자기 액추에이터(Y-방향) 장치(1200)의 예정된 두께를 설정 또는 제어하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 실질적으로 균일한 자기 액추에이터(Y-방향) 장치(1200) 두께, 예를 들어, 제1 기판(1212)과 레티클 스테이지 부분(1202) 사이의 약 200㎚ 내지 약 5㎜ 및 제2 기판(1214)과 레티클 스테이지 부분(1202) 사이의 약 200㎚ 내지 약 5㎜를 형성하기 위하여 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 실질적으로 균일한 두께(높이)를 가질 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 세라믹을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 글라스 또는 강화 글라스, 예를 들어 ZERODUR®를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 폴리머를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 플라스틱, 플루오로폴리머, 폴리테트라플루오로에틸렌 (예를 들어, TEFLON®), 퍼플루오로엘라스토머 (예를 들어, KALREZ®), 폴리에테르 에테르 케톤, 폴리아릴에테르케톤, 폴리에테르이미드 (예를 들어, DURATON®), 열가소성 수지, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 알루미늄, 구리 (예를 들어, 무산소의 높은 열 전도도), 인듐, 마그네슘, 마그네슘 합금 (예를 들어, AZ80A-T5), 몰리브덴, 강(steel), 강 합금 (예를 들어, STAVAX®), 금, 은, 니켈 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 코팅부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 코팅부는 단일 또는 다층일 수 있으며 세라믹, 폴리머, 금속 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 중간층(1222)은 제1 기판(1212) 또는 제2 기판(1214) 상의 코팅부일 수 있다. 예를 들어, 도 12에서 보여지는 바와 같이, 제1 중간층(1222)은 제1 기판(1121) 상의 코팅부일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 중간층(1222)은 제1 패스너(1204, 1208)와 제2 패스너(1206, 1210) 상의 코팅부일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 중간층(1224)은 제1 기판(1212) 또는 제2 기판(1214) 상의 코팅부일 수 있다. 예를 들어, 도 12에서 보여지는 바와 같이, 제2 중간층(1224)은 제2 기판(1214) (예를 들어, 제1 링 너트(1208) 및 제2 링 너트(1210)) 상의 코팅부일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 중간층(1224)은 제1 패스너(1204, 1208)와 제2 패스너(1206, 1210) 상의 코팅부일 수 있다. 예를 들어, 도 12에서 보여지는 바와 같이, 제2 중간층(1224)은 제1 링 너트(1208)와 제2 링 너트(1210) 상의 코팅부일 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 레티클 스테이지 부분(1202)의 강성과 실질적으로 동등한 강성을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)과 레티클 스테이지 부분(1202) 모두는 고 강성 재료, 예를 들어 1MN/m보다 큰 강성을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 레티클 스테이지 부분(1202)의 탄성 계수에 대해 더 낮은 탄성 계수(E)를 가질 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 부분(1202)은 약 65㎬의 탄성 계수를 포함할 수 있는 반면, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 약 10㎬의 더 낮은 탄성 계수를 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 레티클 스테이지 부분(1202)의 압축 강도와 실질적으로 동등한 압축 강도를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)과 레티클 스테이지 부분(1202) 모두는 높은 압축 강도 재료, 예를 들어 1㎫보다 큰 압축 강도를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 레티클 스테이지 부분(1202)의 최대 인장 강도에 대해 더 낮은 최대 인장 강도(UTS)를 가질 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 부분(1202)은 약 65㎫의 UTS를 포함할 수 있는 반면에, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 약 10㎫의 더 낮은 UTS를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 레티클 스테이지 부분(1202)의 항복 강도에 대해 더 낮은 항복 강도(YS)를 가질 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 부분(1202)은 약 65㎫의 항복 강도를 포함할 수 있는 반면, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 약 10㎫의 더 낮은 항복 강도를 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 레티클 스테이지 부분(1202)의 CTE와 실질적으로 동등한 CTE를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)과 레티클 스테이지 부분(1102) 모두는 낮은 CTE 재료 또는 ULE 재료를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 낮은 CTE 재료 또는 ULE 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 약 200㎚ 내지 약 5㎜의 횡단면 두께를 갖는, ZERODUR®, 강화 세라믹 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 0의 CTE 또는 실질적으로 0의 CTE 세라믹을 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 레티클 스테이지 부분(1202)의 횡단면적에 대해 더 낮은 횡단면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 부분(1202)은 약 100㎟의 횡단면적을 포함할 수 있는 반면, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 약 1㎟ 내지 약 50㎟의 더 낮은 횡단면적을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 레티클 스테이지 부분(1202)의 표면 거칠기에 대해 더 높은 표면 거칠기를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1222, 1224)은 약 100㎚의 평균 표면 거칠기를 포함할 수 있는 반면, 레티클 스테이지 부분(1102)은 약 10㎚의 평균 표면 거칠기를 포함할 수 있다.

도 13a는 본 발명의 일부 실시예에 따른, 도 10에 나타나 있는 바와 같이 예시적인 자기 액추에이터(Z-방향) 장치(1300)의 개략적인 횡단면도를 보여주고 있다. 자기 액추에이터(Z-방향) 장치(1300)는 도 2 및 도 3에서 보여지는 접합식 장치(200) 및 도 4 및 도 5에서 보여지는 체결식 장치(400)와 유사하다. 도 13a에서 보여지는 바와 같이, 자기 액추에이터(Z-방향) 장치(1300)는 도 4 및 도 5에서 보여지는 체결식 장치(400)의 체결식 구성과 유사한 체결식 구성 상태에 있을 수 있다. 대안적으로, 일부 실시예에서, 자기 액추에이터(Z-방향) 장치(1300)는 도 2 및 도 3에서 보여지는 접합식 장치(200)의 접합식 구성과 유사한 접합식 구성 상태에 있을 수 있다. 자기 액추에이터(Z-방향) 장치(1300)는 레티클 스테이지 부분(1302), 제1 기판(1310), 제2 기판(1312), 제1 패스너(1304), 및 중간 장치(1320)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 자기 액추에이터(Z-방향) 장치(1300)는 리소그래피 장치(LA)에서 구현될 수 있다.

레티클 스테이지 부분(1302)은 도 6 내지 도 9에서 보여지는 레티클 스테이지(600)의 일부일 수 있다. 도 13a에서 보여지는 바와 같이, 레티클 스테이지 부분(1302)은 최상부 표면(604) 아래에 또는 근처에 배치될 수 있다. 레티클 스테이지 부분(1302)은 임의의 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 부분(1302)은 낮은 CTE 재료 또는 ULE 재료, 예를 들어 ZERODUR®을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 레티클 스테이지 부분(1302)은 0의 CTE 또는 실질적으로 0의 CTE 세라믹을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 레티클 스테이지 부분(1302)은 금속, 절연체, 세라믹, 자성 재료, 글라스, 광학계, 또는 임의의 다른 적절한 재료일 수 있다.

제1 기판(1310)은 임의의 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(1310)은 자기 액추에이터(Z-방향)(708)를 위한 세라믹 최하부 커버일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 기판(1310)은 금속, 절연체, 세라믹, 자성 재료, 글라스, 광학계, 또는 패스너 (예를 들어, 볼트, 클램프, 너트, 스프링 등)에 의해 체결될 수 있는 임의의 다른 재료일 수 있다. 제2 기판(1312)은 임의의 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(1312)은 레티클 스테이지 부분(1302) 및/또는 레티클 스테이지(600)의 최상부 스테이지 표면(604)일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 기판(1312)은 금속, 절연체, 세라믹, 자성 재료, 글라스, 광학계, 또는 패스너에 의해 체결될 수 있는 임의의 다른 적절한 재료일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 기판(1310)은 금속일 수 있는 반면, 제2 기판(1312) (즉, 레티클 스테이지 부분(1302))은 세라믹 (예를 들어, 글라스, ZERODUR® 등)일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 기판(1312)은 금속일 수 있는 반면, 제1 기판(1310)은 세라믹 (예를 들어, 글라스, ZERODUR® 등)일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 기판(1310, 1312)은 동일한 재료, 예를 들어 금속 또는 글라스일 수 있다.

도 13a에서 보여지는 바와 같이, 제1 패스너(1304)는 제1 기판(1310) 및 제2 기판(1312) (즉, 레티클 스테이지 부분(1302))에 연결될 수 있다. 제1 패스너(1304)는 중간 장치(1320)를 제1 기판(1310) 및 제2 기판(1312)에 고정시키도록 그리고 제1 및 제2 기판(1310, 1312)을 다른 기판에 대해 고정시키도록 구성될 수 있다. 제1 패스너(1304)는 패스너(예를 들어, 볼트, 너트, 클램프, 스프링 등)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 13a에서 보여지는 바와 같이, 제1 패스너(1304)는 볼트를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 패스너(1304)는 레티클 스테이지 부분(1302)과 제1 기판(1310)을 함께 부착시키도록 구성될 수 있다. 도 13a에서 보여지는 바와 같이, 자기 액추에이터(Z-방향) 장치(1300)는 체결식 구성 상태에 있을 수 있으며, 따라서 제1 기판(1310)이 제1 패스너(1304)에 의하여 레티클 스테이지 부분(1302)에 체결되어 있다. 일부 실시예에서, 제1 패스너(1304)는 중간 장치(1320) 주위에서 또는 이를 통해 레티클 스테이지 부분(1302)과 제1 기판(1310) 사이에서 연장될 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 패스너(1304)는 세라믹, 폴리머, 금속, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.

도 13b는 도 13a에 나타나 있는 바와 같은, 자기 액추에이터(Z-방향) 장치(1300)의 개략적인 횡단면 저면도를 보여주고 있다. 중간 장치(1320)는 제1 기판(1310)과 제2 기판(1312.) 사이에 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 중간 장치(1320)는 하나 이상의 중간층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 13a에서 보여지는 바와 같이, 중간 장치(1320)는 제1 중간층(1322) 및 제2 중간층(1324)을 포함할 수 있다. 부가적으로, 예를 들어, 도 13b에서 보여지는 바와 같이, 자기 액추에이터(Z-방향) 장치(1300)는 제3 중간층(1328) 및 제4 중간층(1330)을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1, 제2, 제3 및 제4 중간층(1322, 1324, 1328, 1340)은 제1 패스너(1304)를 중심으로 대칭적으로 배열될 수 있다. 예를 들어, 도 13b에서 보여지는 바와 같이, 제1, 제2, 제3 및 제4 중간층(1322, 1324, 1328, 1330)은 서로에 대해 약 90도 이격될 수 있다. 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 제1 기판(1310)과 레티클 스테이지 부분(1302) 사이에 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 제1, 제2, 제3 및/또는 제4 중간층(1322, 1324, 1328, 1330)이 제1 기판(1310)과 레티클 스테이지 부분(1302) 사이에 배치될 수 있다. 중간 장치(1320)는 레티클 스테이지 부분(1302), 제1 기판(1310), 및 제1 패스너(1304)와 접촉한다. 일부 실시예에서, 중간 장치(1320)는 하나 이상의 구멍 또는 비아를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 13a에서 보여지는 바와 같이, 중간 장치(1320)는 제1 구멍(1326)에 의해 분리된 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)을 포함할 수 있다. 제1 구멍(1326)은 제1 패스너(1304)를 중간 장치(1320)를 통과시키도록 구성되어 제1 및 제2 중간층(1322, 1324) (및 대안적으로, 제3 및/또는 제4 중간층(1328, 1330))을 레티클 스테이지 부분(1302) 및 제1 기판(1310)에 고정시킬 수 있다.

중간 장치(1320)는 가해진 힘 하에서의 자기 액추에이터(Z-방향) 장치(1300)의 고장 또는 파손의 첫 번째 지점이 되도록 구성되어 있다. 중간 장치(1320)는 레티클 스테이지 부분(1302) 및 제1 기판(1310)을 보호하고 자기 액추에이터(Z-방향) 장치(1300)의 파손 및 열 응력을 감소시키기 위하여 희생 장치 또는 희생층으로서의 역할을 수 있다. 힘 또는 응력이 자기 액추에이터(Z-방향) 장치(1300)에 가해짐에 따라, 가해진 힘 또는 응력의 에너지를 흡수하기 위하여 중간 장치(1320)는 레티클 스테이지 부분(1302)의 파손 또는 파단 전에 임계력에서 파손, 파단 또는 휘어질 것이다. 예를 들어, 중간 장치(1320)는 약 15N의 임계력에서 파손, 파단 또는 휘어질 것인 반면, 레티클 스테이지 부분(1302)은 약 40N의 임계력까지 안정적이다.

도 13a에서 보여지는 바와 같이, 중간 장치(1320)는 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)을 포함할 수 있다. 도 13b에서 보여지는 바와 같이, 중간 장치(1320)는 제3 및/또는 제4 중간층(1328, 1330)을 추가로 포함할 수 있으며, 이 층들은 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)과 유사하다. 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 레티클 스테이지 부분(1302)과 제1 기판(1310)을 함께 부착 또는 고정시키는 돕기 위한 임의의 적절한 형상 또는 크기 그리고 임의의 재료일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 동일할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 상이할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 얇은 사각형 또는 직육면체일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 얇은 디스크 또는 원통일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 절연체, 예를 들어 플라스틱일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 금속, 예를 들어 알루미늄일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 자기 액추에이터 (Z-방향) 장치(1300)의 예정된 두께를 설정 또는 제어하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 실질적으로 균일한 자기 액추에이터(Z-방향) 장치(1300) 두께, 예를 들어 제1 기판(1310)과 레티클 스테이지 부분(1302) 사이의 약 200㎚ 내지 약 5㎜를 형성하기 위하여 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 실질적으로 균일한 두께(높이)를 가질 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 세라믹을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 글라스 또는 강화 글라스, 예를 들어 ZERODUR®를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 폴리머를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 플라스틱, 플루오로폴리머, 폴리테트라플루오로에틸렌 (예를 들어, TEFLON®), 퍼플루오로엘라스토머 (예를 들어, KALREZ®), 폴리에테르 에테르 케톤, 폴리아릴에테르케톤, 폴리에테르이미드 (예를 들어, DURATON®), 열가소성 수지, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 알루미늄, 구리 (예를 들어, 무산소의 높은 열 전도도), 인듐, 마그네슘, 마그네슘 합금 (예를 들어, AZ80A-T5), 몰리브덴, 강(steel), 강 합금 (예를 들어, STAVAX®), 금, 은, 니켈 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 코팅부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 코팅부는 단일 또는 다층일 수 있으며 세라믹, 폴리머, 금속 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 제1 기판(1310) 상의 코팅부일 수 있다. 예를 들어, 도 13b에서 보여지는 바와 같이, 제1, 제2, 제3 및 제4 중간층(1322, 1324, 1328, 1330)은 제1 기판(1310) 상의 코팅부일 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 레티클 스테이지 부분(1302)의 강성과 실질적으로 동등한 강성을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)과 레티클 스테이지 부분(1302) 모두는 고 강성 재료, 예를 들어 1MN/m보다 큰 강성을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 레티클 스테이지 부분(1302)의 탄성 계수에 대해 더 낮은 탄성 계수(E)를 가질 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 부분(1302)은 약 65㎬의 탄성 계수를 포함할 수 있는 반면, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 약 10㎬의 더 낮은 탄성 계수를 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 레티클 스테이지 부분(1302)의 압축 강도와 실질적으로 동등한 압축 강도를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)과 레티클 스테이지 부분(1302) 모두는 높은 압축 강도 재료, 예를 들어 1㎫보다 큰 압축 강도를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 레티클 스테이지 부분(1302)의 최대 인장 강도에 대해 더 낮은 최대 인장 강도(UTS)를 가질 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 부분(1302)은 약 65㎫의 UTS를 포함할 수 있는 반면, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 약 10㎫의 더 낮은 UTS를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 레티클 스테이지 부분(1302)의 항복 강도에 대해 더 낮은 항복 강도(YS)를 가질 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 부분(1302)은 약 65㎫의 항복 강도를 포함할 수 있는 반면, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 약 10㎫의 더 낮은 항복 강도를 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 레티클 스테이지 부분(1302)의 CTE와 실질적으로 동등한 CTE를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)과 레티클 스테이지 부분(1302) 모두는 낮은 CTE 재료 또는 ULE 재료를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 낮은 CTE 재료 또는 ULE 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 약 200㎚ 내지 약 5㎜의 횡단면 두께를 갖는, ZERODUR®, 강화 세라믹 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 0의 CTE 또는 실질적으로 0의 CTE 세라믹을 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 레티클 스테이지 부분(1302)의 횡단면적에 대해 더 낮은 횡단면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 부분(1302)은 약 100㎟의 횡단면적을 포함할 수 있는 반면, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 약 1㎟ 내지 약 50㎟의 더 낮은 횡단면적을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 레티클 스테이지 부분(1302)의 표면 거칠기에 대해 더 높은 표면 거칠기를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 중간층(1322, 1324)은 약 100㎚의 평균 표면 거칠기를 포함할 수 있는 반면, 레티클 스테이지 부분(1302)은 약 10㎚의 평균 표면 거칠기를 포함할 수 있다.

도 14a는 본 발명의 일부 실시예에 따른, 도 10에 나타나 있는 바와 같이 예시적인 커넥터 장치(1400)의 개략적인 횡단면도를 보여주고 있다. 커넥터 장치(1400)는 도 2 및 도 3에서 보여지는 접합식 장치(200) 및 도 4 및 도 5에서 보여지는 체결식 장치(400)와 유사하다. 도 14a에서 보여지는 바와 같이, 커넥터 장치(1400)는 도 4 및 도 5에서 보여지는 체결식 장치(400)의 체결식 구성과 유사한 체결식 구성 상태에 있을 수 있다. 대안적으로, 일부 실시예에서, 커넥터 장치(1400)는 도 2 및 도 3에서 보여지는 접합식 장치(200)의 접합식 구성과 유사한 접합식 구성 상태에 있을 수 있다. 커넥터 장치(1400)는 레티클 스테이지 부분(1402), 제1 기판(1410), 제2 기판(1412), 커넥터 포트(1404), 제1 패스너(1406), 제2 패스너(1407), 제3 패스너(1408), 제4 패스너(1409) 및 중간 장치(1420)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 커넥터 장치(1400)는 리소그래피 장치(LA)에서 구현될 수 있다.

레티클 스테이지 부분(1402)은 도 6 내지 도 9에서 보여지는 레티클 스테이지(600)의 일부일 수 있다. 도 14a에서 보여지는 바와 같이, 레티클 스테이지 부분(1402)은 최상부 표면(604) 아래에 또는 근처에 배치될 수 있다. 레티클 스테이지 부분(1402)은 임의의 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 부분(1402)은 낮은 CTE 재료 또는 ULE 재료, 예를 들어 ZERODUR®을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 레티클 스테이지 부분(1402)은 0의 CTE 또는 실질적으로 0의 CTE 세라믹을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 레티클 스테이지 부분(1402)은 금속, 절연체, 세라믹, 자성 재료, 글라스, 광학계, 또는 임의의 다른 적절한 재료일 수 있다.

제1 기판(1410)은 임의의 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(1410)은 커넥터(710)를 위한 세라믹 최하부 커버일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 기판(1410)은 금속, 절연체, 세라믹, 자성 재료, 글라스, 광학계, 또는 패스너 (예를 들어, 볼트, 클램프, 너트, 스프링 등)에 의해 체결될 수 있는 임의의 다른 재료일 수 있다. 제2 기판(1412)은 임의의 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(1412)은 레티클 스테이지 부분(1402) 및/또는 레티클 스테이지(600)의 최상부 스테이지 표면(604)일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 기판(1412)은 금속, 절연체, 세라믹, 자성 재료, 글라스, 광학계, 또는 패스너에 의해 체결될 수 있는 임의의 다른 적절한 재료일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 기판(1410)은 금속일 수 있는 반면, 제2 기판(1412) (즉, 레티클 스테이지 부분(1402))은 세라믹 (예를 들어, 글라스, ZERODUR® 등)일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 기판(1412)은 금속일 수 있는 반면, 제1 기판(1410)은 세라믹 (예를 들어, 글라스, ZERODUR® 등)일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 기판(1410, 1412)은 동일한 재료, 예를 들어 금속 또는 글라스일 수 있다.

도 14a에서 보여지는 바와 같이, 제1, 제2, 제3 및/또는 제4 패스너(1406, 1407, 1408, 1409)는 제1 기판(1410) 및 제2 기판(1412) (즉, 레티클 스테이지 부분(1402))에 연결될 수 있다. 제1, 제2, 제3 및/또는 제4 패스너(1406, 1407, 1408, 1409)는 중간 장치(1420)를 제1 기판(1410) 및 제2 기판(1412)에 고정시키도록 그리고 제1 및 제2 기판(1410, 1412)을 다른 기판에 대해 고정시키도록 구성될 수 있다. 제1, 제2, 제3 및/또는 제4 패스너(1406, 1407, 1408, 1409)는 패스너 (예를 들어, 볼트, 너트, 클램프, 스프링 등)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 13a에서 보여지는 바와 같이, 제1, 제2, 제3 및 제4 패스너(1406, 1407, 1408, 1409)는 볼트를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1, 제2, 제3 및/또는 제4 패스너(1406, 1407, 1408, 1409)는 레티클 스테이지 부분(1402)과 제1 기판(1410)을 함께 부착시키도록 구성될 수 있다. 도 14a에서 보여지는 바와 같이, 커넥터 장치(1400)는 체결식 구성 상태에 있을 수 있으며, 따라서 제1 기판(1410)이 제1, 제2, 제3 및/또는 제4 패스너(1406, 1407, 1408, 1409)에 의하여 레티클 스테이지 부분(1402)에 체결되어 있다. 일부 실시예에서, 제1, 제2, 제3 및/또는 제4 패스너(1406, 1407, 1408, 1409)는 중간 장치(1420) 주위에서 또는 이를 통해 레티클 스테이지 부분(1402)과 제1 기판(1410) 사이에서 연장될 수 있다. 일부 실시예에서, 제1, 제2, 제3 및/또는 제4 패스너(1406, 1407, 1408, 1409)는 세라믹, 폴리머, 금속, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.

도 14b는 도 14a에 나타나 있는 바와 같은, 커넥터 장치(1400)의 개략적인 횡단면 저면도를 보여주고 있다. 중간 장치(1420)는 제1 기판(1410)과 제2 기판(1412) 사이에 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 중간 장치는 개스킷(gasket)일 수 있다. 예를 들어, 도 14b에서 보여지는 바와 같이, 중간 장치(1420)는 커넥터 포트(1404)를 위한 제1 포트(1426) 및 대응하는 제1, 제2, 제3 및/또는 제4 패스너(1406, 1407, 1408, 1409) 각각을 위한 제1, 제2, 제3 및/또는 제4 구멍(1427, 1428, 1429, 1430)을 갖는 평면 개스킷일 수 있다. 일부 실시예에서, 중간 장치(1420)는 하나 이상의 중간층을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 중간 장치(1420)는 단일 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 13a에서 보여지는 바와 같이, 중간 장치(1420)는 제1 중간층(1422)을 포함할 수 있다. 제1 중간층(1422)은 제1 기판(1410)과 레티클 스테이지 부분(1402) 사이에 배치될 수 있다. 중간 장치(1420)는 레티클 스테이지 부분(1402), 제1 기판(1410), 및 제1, 제2, 제3 및/또는 제4 패스너(1406, 1407, 1408, 1409)와 접촉한다. 일부 실시예에서, 중간 장치(1420)는 하나 이상의 구멍 또는 비아를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 14a에서 보여지는 바와 같이, 중간 장치(1420)는 커넥터 포트(1404)를 위한 제1 포트(1426)를 갖는 제1 중간층(1422)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 14b에서 보여지는 바와 같이, 제1 중간층(1422)은, 예를 들어 제1 포트(1426)를 중심으로 대칭적으로 배열되어 있는 제1, 제2, 제3 및/또는 제4 구멍(1427, 1428, 1429, 1430)을 포함할 수 있다. 제1, 제2, 제3 및/또는 제4 구멍(1427, 1428, 1429, 1430)은 제1, 제2, 제3 및/또는 제4 패스너(1406, 1407, 1408, 1409)를 중간 장치(1420)를 각각 통과시키도록 구성되어 제1 중간층(1422)을 레티클 스테이지 부분(1402)과 제1 기판(1410)에 고정시킬 수 있다.

중간 장치(1420)는 가해진 힘 하에서의 커넥터 장치(1400)의 고장 또는 파손의 첫 번째 지점이 되도록 구성되어 있다. 중간 장치(1420)는 레티클 스테이지 부분(1402) 및 제1 기판(1410)을 보호하고 커넥터 장치(1400)의 파손 및 열 응력을 감소시키기 위하여 희생 장치 또는 희생층으로서의 역할을 수 있다. 힘 또는 응력이 커넥터 장치(1400)에 가해짐에 따라, 가해진 힘 또는 응력의 에너지를 흡수하기 위하여 중간 장치(1420)는 레티클 스테이지 부분(1402)의 파손 또는 파단 전에 임계력에서 파손, 파단 또는 휘어질 것이다. 예를 들어, 중간 장치(1420)는 약 15N의 임계력에서 파손, 파단 또는 휘어질 것인 반면, 레티클 스테이지 부분(1402)은 약 40N의 임계력까지 안정적이다.

도 14 a에서 보여지는 바와 같이, 중간 장치(1420)는 제1 중간층(1422)을 포함할 수 있다. 제1 중간층(1422)은 레티클 스테이지 부분(1402)과 제1 기판(1410)을 함께 부착 또는 함께 부착 또는 고정시키는 것을 돕기 위한 임의의 적절한 형상 또는 크기 및 임의의 재료일 수 있다. 제1 중간층(1422)은 얇은 사각형 또는 직육면체일 수 있다. 예를 들어, 도 14b에서 보여지는 바와 같이, 제1 중간층(1422)은 가스 또는 액체 커넥터를 위한 개스킷의 형상일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1중간층(1422)은 얇은 디스크 또는 원통일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1중간층(1422)은 절연체, 예를 들어 플라스틱일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1중간층(1422)은 금속, 예를 들어 알루미늄일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 중간층(1422)은 커넥터 장치(1400)의 예정된 두께를 설정 또는 제어하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 실질적으로 균일한 커넥터 장치(1400) 두께, 예를 들어 제1 기판(1410)과 레티클 스테이지 부분(1402) 사이의 약 200㎚ 내지 약 5㎜를 형성하기 위하여 제1 중간층(1422)은 실질적으로 균일한 두께(높이)를 가질 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 중간층(1422)은 세라믹을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 중간층(1422)은 글라스 또는 강화 글라스, 예를 들어 ZERODUR®를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 중간층(1422)은 폴리머를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 중간층(1422)은 플라스틱, 플루오로폴리머, 폴리테트라플루오로에틸렌 (예를 들어, TEFLON®), 퍼플루오로엘라스토머 (예를 들어, KALREZ®), 폴리에테르 에테르 케톤, 폴리아릴에테르케톤, 폴리에테르이미드 (예를 들어, DURATON®), 열가소성 수지, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 중간층(1422)은 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 중간층(1422)은 알루미늄, 구리 (예를 들어, 무산소의 높은 열 전도도), 인듐, 마그네슘, 마그네슘 합금(예를 들어, AZ80A-T5), 몰리브덴, 강(steel), 강 합금(예를 들어, STAVAX®), 금, 은, 니켈 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 중간층(1422)은 코팅부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 코팅부는 단일 또는 다층일 수 있으며 세라믹, 폴리머, 금속 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 중간층(1422)은 제1 기판(1410) 상의 코팅부일 수 있다. 예를 들어, 도 14b에서 보여지는 바와 같이, 제1 중간층(1422)은 제1 기판(1410) 상의 코팅부일 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 중간층(1422)은 레티클 스테이지 부분(1402)의 강성과 실질적으로 동등한 강성을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 중간층(1422)과 레티클 스테이지 부분(1402) 모두는 고 강성 재료, 예를 들어 1MN/m보다 큰 강성을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 중간층(1422)은 레티클 스테이지 부분(1402)의 탄성 계수에 대해 더 낮은 탄성 계수(E)를 가질 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 부분(1402)은 약 65㎬의 탄성 계수를 포함할 수 있는 반면, 제1 중간층(1422)은 약 10㎬의 더 낮은 탄성 계수를 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 중간층(1422)은 레티클 스테이지 부분(1402)의 압축 강도와 실질적으로 동등한 압축 강도를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 중간층(1422)과 레티클 스테이지 부분(1402) 모두는 높은 압축 강도 재료, 예를 들어 1㎫보다 큰 압축 강도를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 중간층(1422)은 레티클 스테이지 부분(1402)의 최대 인장 강도에 대해 더 낮은 최대 인장 강도(UTS)를 가질 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 부분(1402)은 약 65㎫의 UTS를 포함할 수 있는 반면, 제1 중간층(1422)은 약 10㎫의 더 낮은 UTS를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 중간층(1422)은 레티클 스테이지 부분(1402)의 항복 강도에 대해 더 낮은 항복 강도(YS)를 가질 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 부분(1402)은 약 65㎫의 항복 강도를 포함할 수 있는 반면, 제1 중간층(1422)은 약 10㎫의 더 낮은 항복 강도를 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 중간층(1422)은 레티클 스테이지 부분(1402)의 CTE와 실질적으로 동등한 CTE를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 중간층(1422)과 레티클 스테이지 부분(1402) 모두는 낮은 CTE 재료 또는 ULE 재료를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 중간층(1422)은 낮은 CTE 재료 또는 ULE 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 중간층(1422)은 약 200㎚ 내지 약 5㎜의 횡단면 두께를 갖는, ZERODUR®, 강화 세라믹 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 중간층(1422)은 0의 CTE 또는 실질적으로 0의 CTE 세라믹을 포함할 수 있다.

일부 실시예에서, 제1 중간층(1422)은 레티클 스테이지 부분(1402)의 횡단면적에 대해 더 낮은 횡단면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지 부분(1402)은 약 100㎟의 횡단면적을 포함할 수 있는 반면, 제1 중간층(1422)은 약 1㎟ 내지 약 50㎟의 더 낮은 횡단면적을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 중간층(1422)은 레티클 스테이지 부분(1402)의 표면 거칠기에 대해 더 높은 표면 거칠기를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 중간층(1422)은 약 100㎚의 평균 표면 거칠기를 포함할 수 있는 반면, 레티클 스테이지 부분(1402)은 약 10㎚의 평균 표면 거칠기를 포함할 수 있다.

실시예는 다음의 조항을 이용하여 더 설명될 수 있다:

1. 리소그래피 시스템은:

레티클에 방사선 에너지를 제공하기 위한 방사선 소스

레티클을 유지하도록 구성된 레티클 스테이지; 및

레티클 스테이지에 연결된 중간 장치를 포함하며,

중간 장치는:

제1 기판;

제2 기판; 및

제1 기판과 제2 기판 사이에 배치된 중간층을 포함하며,

중간층은 가해진 힘 하에서의 중간 장치의 고장 또는 파손의 첫 번째 지점이 되도록 구성되고,

중간층은 낮은 열팽창 계수 또는 초-저팽창 재료를 포함한다.

2. 조항 1의 장치에서, 중간 장치는 가해진 힘 하에서 레티클 스테이지에 대한 손상을 감소시키도록 구성된다.

3. 조항 1의 장치는 레티클 스테이지에 연결되며 레티클을 고정시키도록 구성된 클램프를 더 포함한다.

4. 조항 1의 장치에서, 방사선 에너지는 극자외(EUV) 방사선이다.

5. 조항 1의 장치에서, 중간층은 ZERODUR®, 강화 세라믹 또는 플라스틱을 포함한다.

6. 리소그래피 장치의 레티클 스테이지를 위한 장치는:

제1 기판;

제2 기판; 및

제1 기판과 제2 기판 사이에 배치된 중간층을 포함하며,

중간층은 가해진 힘 하에서의 본 장치의 고장 또는 파손의 첫 번째 지점이 되도록 구성되고,

본 장치는 레티클 스테이지에 연결되며, 가해진 힘 하에서 레티클 스테이지에 대한 손상을 감소시키도록 구성된다.

7. 조항 6의 장치에서, 중간층은 제2 기판의 강성, 압축 강도 또는 열팽창 계수와 실질적으로 동등한 강성, 압축 강도 또는 열팽창 계수를 갖고 있다.

8. 조항 6의 장치에서, 중간층은 제2 기판의 최대 인장 강도에 대해 더 낮은 최대 인장 강도를 갖고 있다.

9. 조항 6의 장치에서, 중간층은 제2 기판의 횡단면적에 대해 더 낮은 횡단면적을 갖고 있다.

10. 조항 6의 장치에서, 중간층은 제2 기판의 표면 거칠기에 대해 더 높은 표면 거칠기를 갖고 있다.

11. 조항 6의 장치에서, 중간층은 낮은 열팽창 계수 또는 초-저팽창 재료를 포함한다.

12. 조항 11의 장치에서, 중간층은 ZERODUR®, 강화 세라믹 또는 플라스틱을 포함한다.

13. 조항 6의 장치에서, 제2 기판은 낮은 열팽창 계수 또는 초-저팽창 재료를 포함한다.

14. 조항 6의 장치는 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치된 접합층을 더 포함하며, 접합층은 중간층을 제1 및 제2 기판에 접합시키도록 구성된다.

15. 조항 6의 장치에서, 중간층은 접합층을 통기시키도록 구성된 그루브를 포함한다.

16. 조항 14의 장치에서, 접합층은 에폭시, 탄성중합체 또는 열가소성 수지를 포함한다.

17. 리소그래피 장치의 레티클 스테이지를 위한 장치는:

제1 기판;

제2 기판;

제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되며, 가해진 힘 하에서의 본 장치의 고장 또는 파손의 첫 번째 지점이 되도록 구성된 증간층; 및,

제1 및 제2 기판에 연결되며, 중간층을 제1 및 제2 기판에 고정시키도록 구성된 패스너를 포함하며,

18. 조항 17의 장치에서, 중간층은 제1 및 제2 기판의 탄성 계수에 대해 더 낮은 탄성 계수를 갖고 있다.

19. 조항 17의 장치에서, 중간층은 제1 및 제2 기판의 항복 강도에 대하여 더 낮은 항복 강도를 갖고 있다.

20. 조항 17의 장치에서, 중간층은 제2 기판의 횡단면적에 대하여 더 낮은 횡단면적을 갖고 있다.

21. 조항 17의 장치에서, 중간층은 제2 기판의 표면 거칠기에 대해 더 높은 표면 거칠기를 갖고 있다.

22. 조항 17의 장치에서, 중간층은 폴리머 또는 금속을 포함한다.

23. 조항 17의 장치에서, 중간층은 제1 기판 또는 제2 기판에 도포된 코팅부를 포함한다.

24. 조항 17의 장치는 제1 기판과 패스너 사이 또는 제2 기판과 패스너 사이에 배치된 제2 중간층을 더 포함한다.

25. 조항 17의 장치에서, 패스너는 볼트, 너트, 클램프, 스프링 또는 이들의 일부 조합을 포함한다.

본 명세서에서는 IC의 제조에서의 리소그래피 장치의 사용에 대하여 특정 참조가 이루어질 수 있지만, 본 명세서에서 설명된 리소그래피 장치는 다른 적용을 가질 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 가능한 다른 적용은 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 플랫 패널 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조를 포함한다.

본 명세서에서는 리소그래피 장치와 관련하여 본 발명의 실시예에 대해 특정 참조가 이루어질 수 있지만, 본 발명의 실시예는 다른 장치에서 사용될 수 있다. 본 발명의 실시예는 마스크 검사 장치, 계측 장치, 또는 웨이퍼 (또는 다른 기판) 또는 마스크 (또는 다른 패터닝 디바이스)와 같은 대상물을 측정하거나 처리하는 임의의 장치의 일부를 형성할 수 있다. 이 장치는 일반적으로 리소그래피 툴로서 지칭될 수 있다. 이러한 리소그래피 툴은 진공 조건 또는 대기(비진공) 조건을 이용할 수 있다.

광학 리소그래피의 맥락에서 본 발명의 실시예의 사용에 대해 위에서 특정 참조가 이루어질 수 있지만, 문맥이 허용하는 경우 본 발명은 광학 리소그래피에 제한되지 않으며 다른 적용, 예를 들어 임프린트 리소그래피에서 사용될 수 있다는 것이 인식될 것이다.

본 명세서 내의 어구 또는 전문 용어는 설명의 목적을 위한 것으로서 제한의 목적이 아니며 따라서 본 명세서의 전문 용어 또는 어구는 본 명세서 내의 교시의 관점에서 당업자에 의해 해석되어야 한다는 점이 이해되어야 한다.

위의 예는 본 발명의 실시예의 예시적인 것이지만 제한적이지 않다. 본 분야에서 일반적으로 접하고 관련 기술(들)의 숙련자에게 명백할 다양한 조건 및 매개변수의 다른 적절한 수정 및 적응은 본 발명의 사상 및 범위 내에 있다.

이상, 본 발명의 특정 실시예들이 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 점이 인식될 것이다. 위의 설명은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 아래에 제시되는 청구범위의 범위를 벗어남이 없이 설명된 바와 같은 본 발명에 대한 변형이 이루어질 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다.

요약 및 초록 부분이 아닌, 상세한 설명 부분은 청구범위를 해석하기 위해 사용되도록 의도된 것이라는 점이 인식되어야 한다. 요약 및 초록 부분은 발명자(들)에 의해 고려된 바와 같이 본 발명의 모두가 아닌 하나 이상의 예시적인 실시예를 제시할 수 있으며, 따라서 본 발명 및 첨부된 청구 범위를 어떤 식으로든 제한하는 것으로 의도되지 않는다.

본 발명이 그의 특정 기능 및 관계의 구현을 예시하는 기능적인 구성 요소의 도움으로 위에서 설명되었다. 이 기능적 구성 요소들의 경계는 설명의 편의를 위해 본 명세서에서 임의적으로 규정되었다. 특정 기능들 그리고 그들의 관계가 적절하게 수행되는 한, 대체 경계가 규정될 수 있다.

특정 실시예에 대한 전술한 설명은 다른 사람이 본 분야의 기술 내에서 지식을 적용함으로써 과도한 실험 없이 본 발명의 전반적인 개념을 벗어남이 없이 특정 실시예와 같은 다양한 적용에 대해 쉽게 수정 및/또는 조정할 수 있도록 본 발명의 전반적인 특성을 완전히 드러낼 것이다. 따라서, 이러한 조정 및 수정은 본 명세서에 제시된 교시 및 지침에 기초하여, 개시된 실시예의 균등물의 의미 및 범위 내에 있도록 의도된다.

본 발명의 폭 및 범위는 위에서 설명된 예시적인 실시예 중 임의의 것에 의하여 제한되어서는 안되며, 다음의 청구범위 그리고 그의 균등물에 따라서만 규정되어야 한다.

Claims

리소그래피 시스템에 있어서:
레티클에 방사선 에너지를 제공하기 위한 방사선 소스
상기 레티클을 유지하도록 구성된 레티클 스테이지; 및
상기 레티클 스테이지에 연결된 중간 장치를 포함하며,
상기 중간 장치는:
제1 기판;
제2 기판; 및
상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치된 중간층을 포함하며,
상기 중간층은 가해진 힘 하에서의 상기 중간 장치의 고장 또는 파손의 첫 번째 지점이 되도록 구성되고,
상기 중간층은 낮은 열팽창 계수 또는 초-저팽창 재료를 포함하는, 리소그래피 시스템.
제1항에 있어서, 상기 중간 장치는 가해진 힘 하에서 상기 레티클 스테이지에 대한 손상을 감소시키도록 구성된, 리소그래피 시스템.
제1항에 있어서, 상기 레티클 스테이지에 연결되며 상기 레티클을 고정시키도록 구성된 클램프를 더 포함하는, 리소그래피 시스템.
제1항에 있어서, 상기 방사선 에너지는 극자외(EUV) 방사선인, 리소그래피 시스템.
제1항에 있어서, 상기 중간층은 ZERODUR®, 강화 세라믹 또는 플라스틱을 포함하는, 리소그래피 시스템.
리소그래피 장치 내에서 레티클 스테이지를 위한 장치에 있어서,
제1 기판;
제2 기판; 및
상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치된 중간층을 포함하며,
상기 중간층은 가해진 힘 하에서의 상기 장치의 고장 또는 파손의 첫 번째 지점이 되도록 구성되고,
상기 장치는 상기 레티클 스테이지에 연결되며, 가해진 힘 하에서 상기 레티클 스테이지에 대한 손상을 감소시키도록 구성된, 레티클 스테이지를 위한 장치.
제6항에 있어서, 상기 중간층은 상기 제2 기판의 강성, 압축 강도 또는 열팽창 계수와 실질적으로 동등한 강성, 압축 강도 또는 열팽창 계수를 갖는, 레티클 스테이지를 위한 장치.
제6항에 있어서, 상기 중간층은 상기 제2 기판의 최대 인장 강도(UTS)에 대해 더 낮은 최대 인장 강도를 갖는, 레티클 스테이지를 위한 장치.
제6항에 있어서, 상기 중간층은 상기 제2 기판의 횡단면적에 대해 더 낮은 횡단면적을 갖는, 레티클 스테이지를 위한 장치.
제6항에 있어서, 상기 중간층은 상기 제2 기판의 표면 거칠기에 대해 더 높은 표면 거칠기를 갖는, 레티클 스테이지를 위한 장치.
제6항에 있어서, 상기 중간층은 낮은 열팽창 계수 또는 초-저팽창 재료를 포함하는, 레티클 스테이지를 위한 장치.
제11항에 있어서, 상기 중간층은 ZERODUR®, 강화 세라믹 또는 플라스틱을 포함하는, 레티클 스테이지를 위한 장치.
제6항에 있어서, 상기 제2 기판은 낮은 열팽창 계수 또는 초-저팽창 재료를 포함하는, 레티클 스테이지를 위한 장치.
제6항에 있어서, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치된 접합층을 더 포함하며, 상기 접합층은 상기 중간층을 상기 제1 및 제2 기판에 접합시키도록 구성된, 레티클 스테이지를 위한 장치.
제14항에 있어서, 상기 중간층은 상기 접합층을 통기시키도록 구성된 그루브를 포함하는, 레티클 스테이지를 위한 장치.
제14항에 있어서, 상기 접합층은 에폭시, 탄성중합체 또는 열가소성 수지를 포함하는, 레티클 스테이지를 위한 장치.