KR20210102052A - 피검사 디바이스 검사용 테스트 소켓 - Google Patents

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Abstract

검사 장치와 피검사 디바이스를 전기적으로 접속시키는 테스트 소켓이 제공된다. 테스트 소켓은, 하우징과, 프로브와, 절연 부재를 포함한다. 하우징에는 상하 방향으로 관통공이 형성되어 있다. 프로브는 관통공에 상하 방향으로 배치된다. 프로브는, 상하 방향으로 수축 및 신장되고 상하 방향으로 신호 전달을 실행하도록 구성된다. 절연 부재는 관통공의 내주면과 프로브의 외주면의 사이에 배치되며, 프로브를 관통공에 위치시키도록 구성된다. 절연 부재는 다수의 미세 공극을 함유한다.

Description

피검사 디바이스 검사용 테스트 소켓{TEST SOCKET FOR USE IN TESTING DEVICE UNDER TEST}
본 개시는 검사 장치와 피검사 디바이스를 전기적으로 접속시키며 피검사 디바이스의 전기적 검사에 사용되는 테스트 소켓에 관한 것이다.
피검사 디바이스의 동작 특성을 검사하기 위해, 검사 장치와 피검사 디바이스의 사이에 배치되고 검사 장치와 피검사 디바이스를 전기적으로 접속시키는 테스트 소켓이 당해 분야에서 사용되고 있다. 이러한 테스트 소켓으로써, 피검사 디바이스가 가하는 가압력에 의해 수축 가능한 프로브를 갖는 테스트 소켓이 알려져 있다.
모바일 통신 기기에 사용되는 반도체 디바이스는 고주파수 대역에서의 동작 특성에 대해 검사되어야 한다. 고주파 검사를 위한 테스트 소켓에서는, 신호 손실의 저감을 위해 프로브가 테스트 소켓의 하우징에 형성된 홀에 동축 배치로 위치된다. 일 예로, 대한민국 특허공보 제10-1534778호는, 프로브가 동축으로 배치되는 테스트 소켓을 제안한다.
피검사 디바이스의 단자들의 미세 피치(fine pitch)에 대응하도록, 하우징의 홀들이 미세 피치로 형성되는 것이 중요하다. 미세 피치로 하우징의 홀들을 형성하는 경우, 프로브의 동축 배치를 위한 유전체의 사이즈가 감소되어야만 한다. 그러나, 유전체가 감소된 사이즈를 가질뿐만 아니라 낮은 유전율을 갖도록, 유전체를 개선하는 것은 당해 분야에서 연구되지 못하고 있다.
대한민국 특허공보 제10-1534778호
하우징의 홀에 대한 프로브의 동축 배치를 실현하기 위해, 프로브의 동축 배치를 위한 유전체가 하우징의 홀과 프로브의 사이에 설치된다. 신호 손실을 저감하기 위해, 동축 배치를 유지하는 유전체는 낮은 유전율을 갖는 것이 유리하다. 그러나, 종래의 테스트 소켓은 높은 유전율을 갖는 유전체를 사용하여 동축 배치의 실현에만 초점을 두고 있으므로, 신호 손실율을 최소화시키지 못한다. 또한, 종래의 테스트 소켓에서의 유전체는 미세 피치화의 경향에 대응하는 것에 한계가 있다.
본 개시의 일 실시예는, 고주파 검사에 효과적으로 적용될 수 있고 신호 손실을 최소화시킨 테스트 소켓을 제공한다. 본 개시의 일 실시예는, 프로브의 동축 배치를 유지하기 위한 유전체가 감소된 유전율을 갖는 테스트 소켓을 제공한다.
본 개시의 실시예들은, 검사 장치와 피검사 디바이스의 사이에 배치되어 검사 장치와 피검사 디바이스를 전기적으로 접속시키는 테스트 소켓에 관련된다. 일 실시예에 따른 테스트 소켓은, 하우징과, 프로브와, 절연 부재를 포함한다. 하우징에는 상하 방향으로 관통공이 형성되어 있다. 프로브는 하우징의 관통공에 상하 방향으로 배치된다. 프로브는, 상하 방향으로 수축 및 신장되고 상하 방향으로 신호 전달을 실행하도록 구성된다. 절연 부재는 관통공의 내주면과 프로브의 외주면의 사이에 배치되며, 프로브를 관통공에 위치시키도록 구성된다. 절연 부재는 다수의 미세 공극을 함유한다.
일 실시예에 있어서, 상기 다수의 미세 공극은 기공이다. 절연 부재는 상기 다수의 미세 공극을 함유하는 수지로 이루어질 수 있고, 기공은 액상의 상기 수지와 발포제의 화학 반응에 의해 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 다수의 미세 공극은 중공 입자이다. 중공 입자는, 유리, 실리카, 지르코니아, 세라믹, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리에틸렌 고무, 아크릴 수지 중 어느 하나로 이루어지는 막을 포함할 수 있다. 중공 입자는 막 내에 내포된 공기를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 절연 부재는 1vol% 내지 50vol%의 다수의 미세 공극을 함유할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 절연 부재는, 상기 다수의 미세 공극을 함유하면서, 수지, 유리, 실리카, 지르코니아 및 세라믹 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 수지는, 고무, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리에틸렌, 페놀, 에폭시, 노볼락 중 어느 하나일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 절연 부재는 프로브를 상하 방향에서 관통공과 동축으로 위치시키도록 구성된다.
일 실시예에 있어서, 절연 부재는, 관통공의 중심축과 동축으로 관통된 상측 끼워맞춤구멍을 갖고 관통공에 끼워맞춤되는 상측 절연 부재와, 관통공의 중심축과 동축으로 관통된 하측 끼워맞춤구멍을 갖고 관통공에 끼워맞춤되는 하측 절연 부재를 포함할 수 있다. 프로브는 상측 및 하측 끼워맞춤구멍에 끼워맞춤되어 관통공과 동축으로 위치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 프로브는, 피검사 디바이스와 접촉되고 상측 끼워맞춤구멍을 통해 이동하는 상측 플런저와, 검사 장치와 접촉되고 하측 끼워맞춤구멍을 통해 이동하는 하측 플런저와, 상측 및 하측 플런저를 상하 방향으로 이동 가능하게 지지하고 상측 끼워맞춤구멍과 하측 끼워맞춤구멍에 끼워맞춤되는 배럴과, 배럴 내에서 상측 플런저와 하측 플런저의 사이에 배치되는 탄성 부재를 포함할 수 있다. 탄성 부재는, 상하 방향으로 도전 가능하게 접촉된 다수의 도전성 입자와 상기 다수의 도전성 입자를 상하 방향으로 유지하는 탄성 물질로 이루어질 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 의하면, 절연 부재가 프로브를 하우징의 관통공에 관통공의 중심축과 동축으로 위치시키며, 절연 부재는 다수의 미세 공극을 함유하는 절연성 재료로 이루어진다. 미세 공극을 함유하는 절연 부재는, 이와 동일한 사이즈를 가지면서 절연성의 수지 재료만으로 이루어지는 절연 부재의 유전율보다 낮은 유전율을 갖는다. 그러므로, 일 실시예에 따른 테스트 소켓은, 신호 손실을 감소시킬 수 있고, 임피던스 매칭을 달성할 수 있으며, 피검사 디바이스의 고주파 검사를 위해 효과적으로 사용될 수 있다.
또한, 미세 공극을 함유하고 낮은 유전율을 갖는 절연 부재로 인해, 절연 부재의 재료 또는 치수를 변경함이 없이 절연 부재의 강도와 가공성을 유지하면서 테스트 소켓의 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 미세 공극을 함유하고 낮은 유전율을 갖는 절연 부재는, 절연성의 수지 재료만으로 이루어지는 절연 부재보다 더욱 작은 치수를 갖도록 형성될 수 있다. 그러므로, 일 실시예에 따른 테스트 소켓은, 프로브 간의 미세 피치를 달성할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 테스트 소켓이 적용되는 예를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 테스트 소켓의 일부를 도시하는 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시하는 테스트 소켓의 일부를 도시하는 사시도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 프로브의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이며, 미세 공극의 일 예를 도시한다.
도 5는 일 실시예에 따른 프로브의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이며, 미세 공극의 또 하나의 예를 도시한다.
도 6은 일 실시예에 따른 테스트 소켓의 일부를 도시하는 단면도이며, 프로브의 또 하나의 예를 도시한다.
도 7은 일 실시예에 따른 테스트 소켓의 삽입 손실에 관해 시뮬레이션한 결과를 도시하는 그래프이다.
도 8은 비교예에 따른 테스트 소켓의 삽입 손실에 관해 시뮬레이션한 결과를 도시하는 그래프이다.
도 9는 일 실시예에 따른 테스트 소켓의 반사 손실에 관해 시뮬레이션한 결과를 도시하는 그래프이다.
도 10은 비교예에 따른 테스트 소켓의 반사 손실에 관해 시뮬레이션한 결과를 도시하는 그래프이다.
본 개시의 실시예들은 본 개시의 기술적 사상을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이다. 본 개시에 따른 권리범위가 이하에 제시되는 실시예들이나 이들 실시예들에 대한 구체적 설명으로 한정되는 것은 아니다.
본 개시에 사용되는 모든 기술적 용어들 및 과학적 용어들은, 달리 정의되지 않는 한, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 의미를 갖는다. 본 개시에 사용되는 모든 용어들은 본 개시를 더욱 명확히 설명하기 위한 목적으로 선택된 것이며 본 개시에 따른 권리범위를 제한하기 위해 선택된 것이 아니다.
본 개시에서 사용되는 '포함하는', '구비하는', '갖는' 등과 같은 표현은, 해당 표현이 포함되는 어구 또는 문장에서 달리 언급되지 않는 한, 다른 실시예를 포함할 가능성을 내포하는 개방형 용어(open-ended terms)로 이해되어야 한다.
본 개시에서 기술된 단수형의 표현은 달리 언급하지 않는 한 복수형의 의미를 포함할 수 있으며, 이는 청구범위에 기재된 단수형의 표현에도 마찬가지로 적용된다.
본 개시에서 사용되는 '제1', '제2' 등의 표현들은 복수의 구성요소들을 상호 구분하기 위해 사용되며, 해당 구성요소들의 순서 또는 중요도를 한정하는 것은 아니다.
본 개시에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 '연결되어' 있다거나 '결합되어' 있다고 언급된 경우, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결될 수 있거나 결합될 수 있는 것으로, 또는 새로운 다른 구성요소를 매개로 하여 연결될 수 있거나 결합될 수 있는 것으로 이해되어야 한다.
본 개시에서 사용되는 '상방'의 방향지시어는 테스트 소켓이 검사 장치에 대해 위치하는 방향에 근거하고, '하방'의 방향지시어는 상방의 반대 방향을 의미한다. 본 개시에서 사용되는 '상하 방향'의 방향지시어는 상방 방향과 하방 방향을 포함하지만, 상방 방향과 하방 방향 중 특정한 하나의 방향을 의미하지는 않는 것으로 이해되어야 한다.
첨부한 도면에 도시하는 예들을 참조하여, 실시예들이 설명된다. 첨부된 도면에서, 동일하거나 대응하는 구성요소에는 동일한 참조부호가 부여되어 있다. 또한, 이하의 실시예들의 설명에 있어서, 동일하거나 대응하는 구성요소를 중복하여 기술하는 것이 생략될 수 있다. 그러나, 구성요소에 관한 기술이 생략되어도, 그러한 구성요소가 어떤 실시예에 포함되지 않는 것으로 의도되지는 않는다.
이하에 설명되는 실시예들과 첨부된 도면에 도시하는 예들은, 피검사 디바이스를 검사할 때 사용될 수 있는 테스트 소켓에 관련된다. 실시예들의 테스트 소켓은, 검사 장치와 피검사 디바이스의 사이에 배치되며 검사 장치와 피검사 디바이스의 전기적 접속 및 검사를 위해 사용될 수 있다. 일 예로, 실시예들의 테스트 소켓은, 반도체 디바이스의 제조 공정 중 후공정에서, 반도체 디바이스의 최종적인 전기적 검사를 위해 사용될 수 있지만, 실시예들의 테스트 소켓이 적용되는 예가 이에 한정되지는 않는다.
도 1은 일 실시예에 따른 테스트 소켓이 적용되는 예를 도시한다. 도 1은, 테스트 소켓, 테스트 소켓의 구성요소, 검사 장치 및 피검사 디바이스를 개략적으로 도시하며, 도 1에 도시하는 형상은 실시예의 이해를 위해 선택된 예에 불과하다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 테스트 소켓(10)은 시트(sheet) 형상을 갖는 조립체일 수 있다. 피검사 디바이스(30)의 전기적 검사 시에, 테스트 소켓(10)은 검사 장치(20)와 피검사 디바이스(30)의 사이에 배치된다. 일 예로, 테스트 소켓(10)은 피검사 디바이스(30)의 고주파의 검사를 위해 피검사 디바이스(30)와 검사 장치(20)의 사이에 배치될 수 있다.
피검사 디바이스(30)는, 반도체 IC 칩과 다수의 단자를 수지 재료를 사용하여 육면체 형태로 패키징한 반도체 디바이스일 수 있다. 일 예로, 피검사 디바이스(30)는 모바일 통신 기기에 사용되는 반도체 디바이스일 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 피검사 디바이스(30)는 그 하측에 다수의 단자(31)를 갖는다.
검사 장치(20)는 피검사 디바이스(30)의 각종 동작 특성을 검사할 수 있다. 검사 장치(20)는 검사가 수행되는 보드를 가질 수 있고, 상기 보드에는 피검사 디바이스의 검사를 위한 검사 회로(21)가 구비될 수 있다. 검사 회로(21)는 테스트 소켓(10)을 통해 피검사 디바이스의 단자(31)와 전기적으로 접속되는 다수의 단자(22)를 갖는다. 검사 장치(20)의 단자(22)는, 전기적 테스트 신호를 송신할 수 있고 응답 신호를 수신할 수 있다.
테스트 소켓(10)은 소켓 가이드(40)에 의해 검사 장치(20)의 단자(22)와 접촉되도록 배치될 수 있다. 피검사 디바이스(30)의 검사 시에, 테스트 소켓(10)이 피검사 디바이스의 단자(31)와 이것에 대응하는 검사 장치의 단자(22)를 상하 방향(VD)으로 전기적으로 접속시키며, 테스트 소켓(10)을 통해 검사 장치(20)에 의해 피검사 디바이스(30)의 검사가 수행된다. 소켓 가이드(40)는 검사 장치(20)에 제거 가능하게 장착될 수 있다. 소켓 가이드(40)는, 수작업으로 또는 운반 장치에 의해 검사 장치(20)로 운반된 피검사 디바이스(30)를 그 안에 수용하고, 피검사 디바이스(30)를 테스트 소켓(10)에 대해 정렬시킨다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 테스트 소켓(10)은, 하우징(110)과, 적어도 하나의 프로브(120)와, 적어도 하나의 절연 부재(130)를 포함한다. 하우징(110)은, 프로브(120)가 상하 방향(VD)으로 배치되는, 테스트 소켓의 본체를 구성한다. 하우징(110)은 소켓 가이드(40)에 부착될 수 있다. 프로브(120)는, 상하 방향(VD)으로 신호 전달을 실행하도록 구성된다. 프로브(120)는, 그 상단에서 피검사 디바이스(30)의 단자(31)와 접촉될 수 있고, 그 하단에서 검사 장치(20)의 단자(22)와 접촉될 수 있다. 프로브(120)는 상하 방향(VD)으로 수축 및 신장되도록 구성된다. 절연 부재(130)는 프로브(120)를 하우징(110)에 상하 방향(VD)으로 위치시킨다.
피검사 디바이스(30)의 검사를 위해, 가압력(P)이 기계 장치에 의해 또는 수동으로 피검사 디바이스(30)를 통해 테스트 소켓(10)에 가해질 수 있다. 가압력(P)에 의해 피검사 디바이스의 단자(31)가 프로브(120)의 상단부를 하방으로 누름에 따라, 프로브(120)는 상하 방향에서의 길이가 축소되도록 수축된다. 가압력(P)이 테스트 소켓(10)에 가해짐에 따라, 프로브(120)가 상하 방향으로 눌리고, 프로브(120)는 피검사 디바이스의 단자(31)와 검사 장치의 단자(22)에 접촉된다. 가압력(P)이 테스트 소켓(10)으로부터 제거되면, 프로브(120)는 상하 방향에서 그 원래의 길이로 신장된다.
테스트 소켓(10)은 복수개의 프로브(120)를 구비할 수 있다. 복수개의 프로브(120)들은, 하우징(110)에 행렬의 형태로 배치될 수 있으며, 하우징(110)에 의해 수평 방향(HD)으로 이격된다.
실시예에 따른 테스트 소켓의 설명을 위해 도 2 내지 도 6이 참조된다. 도 2 내지 도 6은 테스트 소켓의 구성 요소의 형상을 개략적으로 도시한다. 도 2 내지 도 6에 도시하는 형상은 실시예의 이해를 위해 선택된 예에 불과하다. 도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 테스트 소켓의 일부를 도시하는 단면도이고, 도 3은 도 2에 도시하는 테스트 소켓의 일부를 도시하는 사시도이다. 도 4와 도 5는 일 실시예에 따른 테스트 소켓에서의 프로브의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 6은, 일 실시예에 따른 테스트 소켓의 프로브의 또 하나의 예를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 테스트 소켓(10)은, 하우징(110)과, 하우징(110)에 배치되고 상하 방향(VD)으로 신호 전달을 실행하도록 구성된 프로브(120)와, 프로브(120)를 하우징(110)에 위치시키는 절연 부재(130)를 포함한다.
하우징(110)은 테스트 소켓의 본체를 구성하며, 육면체의 형상을 가질 수 있다. 하우징(110)은 알루미늄과 같은 금속 재료로 이루어질 수 있지만, 하우징을 구성하는 재료가 이에 한정되지는 않는다. 프로브(120)는 하우징(110)에 배치되며, 하우징(110)에 의해 상하 방향(VD)으로 유지된다. 프로브(120)를 하우징(110)에 배치하기 위해, 관통공(111)이 상하 방향으로 하우징(110)에 형성된다. 관통공(111)은 하우징(110)을 상하 방향(VD)으로 관통한다. 즉, 관통공(111)은 하우징(110)의 하면으로부터 하우징(111)의 상면까지 상하 방향(VD)으로 하우징(110)에 뚫려 있다.
일 실시예에 있어서, 하우징(110)은 상하 방향(VD)으로 결합되는 상측 하우징(112)과 하측 하우징(113)을 포함한다. 상측 하우징(112)에는 상하 방향(VD)으로 상측 관통공(114)이 뚫려 있고, 하측 하우징(113)에는 상하 방향(VD)으로 하측 관통공(115)이 뚫려 있다. 상측 하우징(112)과 하측 하우징(113)이 결합되면, 상측 관통공(114)과 하측 관통공(115)은 하우징(110)을 상하 방향(VD)으로 관통하는 하나의 관통공(111)을 형성한다.
프로브(120)는 하우징의 관통공(111)에 상하 방향(VD)으로 배치된다. 프로브(120)는 상하 방향(VD)으로 수축 및 신장 가능하도록 구성된다. 하우징(110)에 의해 유지되는 프로브(120)가 검사 장치와 피검사 디바이스를 전기적으로 접속시키며, 이들 사이에 신호 전달을 실행한다.
프로브(120)는 상측에 배치되는 상측 플런저(plunger)(121)와, 하측에 배치되는 하측 플런저(122)와, 상측 및 하측 플런저(121, 122)를 상하 방향(VD)으로 이동 가능하게 지지하고 유지하는 배럴(barrel)(123)과, 배럴(123) 내에서 상측 플런저(121)와 하측 플런저(122)의 사이에 배치되는 탄성 부재(124)를 포함한다. 상측 플런저(121)는 피검사 디바이스와 접촉된다. 하측 플런저(122)는 검사 장치와 접촉된다. 배럴(123)은 원통 형상으로 형성될 수 있으며, 상측 플런저(121)와 하측 플런저(122)는 배럴(123)의 원통형 공간 내에 부분적으로 삽입되어 있다. 탄성 부재(124)가 배럴(123)의 내부 공간에 배치된다. 탄성 부재(124)는 상측 및 하측 플런저(121, 122)의 사이에 위치하며, 상측 및 하측 플런저(121, 122)에 상하 방향(VD)으로 탄성력을 인가한다. 일 예로서, 도 2에 도시하는 탄성 부재(124)는 압축 코일 스프링일 수 있다. 상측 및 하측 플런저(121, 122)와 배럴(123)은 도전 가능한 금속 재료로 이루어진다. 프로브(120)는, 상측 및 하측 플런저(121, 122)와 배럴(123)과 탄성 부재(124)가 조립되어 있는 조립체이다. 이러한 프로브(120)는 당해 분야에서 컨택트 프로브 또는 포고 핀(pogo pin)으로 참조될 수 있다.
피검사 디바이스를 통해 하방으로 가해지는 가압력(도 1에 도시하는 가압력(P) 참조)에 의해, 상측 및 하측 플런저(121, 122)는 탄성 부재(124)의 탄성력 하에서 배럴(123)의 내부로 밀려진다. 따라서, 프로브(120)는 상하 방향(VD)으로 수축될 수 있다. 상기 가압력이 제거되면, 상측 및 하측 플런저(121, 122)는 탄성 부재(124)의 탄성력에 의해 원위치로 복귀된다. 따라서, 프로브(120)는 상하 방향(VD)으로 신장될 수 있다. 이와 같이, 피검사 디바이스에 가해지는 상기 가압력에 의해, 프로브(120)는 상하 방향으로 수축 가능하다. 또한, 상기 가압력이 제거되면, 프로브(120)는 원상태로 신장될 수 있다.
상측 플런저(121)는 그 상단에서 피검사 디바이스의 단자(도 1에 도시하는 단자(31) 참조)와 접촉된다. 하측 플런저(122)는 그 하단에서 검사 장치의 단자(도 1에 도시하는 단자(22) 참조)와 접촉된다. 배럴(123)은 상측 플런저(121) 및 하측 플런저(122)와 도전 가능하게 접촉되어 있다. 이에 따라, 하나의 프로브(120)에 대응하는 검사 장치의 단자(22)와 피검사 디바이스의 단자(31)의 사이에서, 프로브(120)를 매개로 하여 상하 방향으로 신호 전달이 행해질 수 있다. 따라서, 검사 장치의 테스트 신호는 검사 장치의 단자(22)로부터 프로브(120)를 통해 피검사 디바이스의 단자(31)에 전달될 수 있고, 피검사 디바이스의 응답 신호는 피검사 디바이스의 단자(31)로부터 프로브(120)를 통해 검사 장치의 단자(22)에 전달될 수 있다.
프로브(120)는 절연 부재(130)에 의해 상하 방향(VD)으로 관통공(111)에 배치된다. 절연 부재(130)는 프로브(120)를 관통공(111)에 위치시키도록 구성된다. 절연 부재(130)는 관통공(111)의 내주면과 프로브(120)의 외주면의 사이에 배치된다. 절연 부재(130)는, 프로브(120)를 하우징(110)에 대하여 절연시키며, 절연성을 갖는 재료로 이루어진다.
프로브(120)는 관통공(111)의 상하 방향(VD)에서의 중심축(CA)과 동축으로 위치되도록 하우징(110)에 배치된다. 절연 부재(130)가 프로브(120)의 동축 배치를 실현한다. 관통공(111)의 중심축(CA)과 프로브(120)의 중심축이 일치되도록, 절연 부재(130)가 프로브(120)를 관통공(111)에 위치시킨다. 절연 부재(130)는 프로브(120)를 상하 방향(VD)에서 관통공(111)과 동축으로 위치시키도록 구성된다. 절연 부재(130)는 링 형상으로 형성된다. 따라서, 절연 부재(130)는, 관통공(111)의 내주면과 프로브(120)의 외주면의 사이에 배치되며, 프로브(120)의 일부가 절연 부재(130)를 상하 방향(VD)으로 관통한다.
일 실시예에 있어서, 절연 부재(130)는, 하우징의 관통공(111)에 끼워맞춤되는 상측 절연 부재(131)와 하측 절연 부재(132)를 포함할 수 있다.
상측 절연 부재(131)는 상측 하우징(112)에 배치되며, 상측 관통공(114)의 상단 부근에서 상측 관통공(114)에 끼워맞춤된다. 상측 절연 부재(131)는, 관통공(111)의 중심축(CA)과 동축으로 상측 절연 부재에 관통되어 있는 상측 끼워맞춤구멍(133)을 갖는다. 배럴(123)의 상단부가 상측 끼워맞춤구멍(133)에 상하 방향(VD)으로 끼워맞춤되고, 상측 플런저(121)가 상측 끼워맞춤구멍(133)을 관통하고 상측 플런저(121)의 상단이 상방으로 돌출한 상태로, 프로브(120)의 상측 부분이 상측 절연 부재(131)에 결합된다. 피검사 디바이스의 단자와 프로브가 접촉될 때, 상측 플런저(121)는 상측 끼워맞춤구멍(133)을 통해 배럴(123)의 내부로 이동될 수 있다. 상측 절연 부재(131)의 상단면은 상측 하우징(111)의 상면과 동일한 높이로 위치될 수도 있고, 상측 절연 부재(131)의 상단면과 상측 하우징(111)의 상면은 상하 방향으로 높이차를 갖도록 위치될 수도 있다.
하측 절연 부재(132)는 하측 하우징(113)에 배치되며, 하측 관통공(115)의 하단 부근에서 하측 관통공(115)에 끼워맞춤된다. 하측 절연 부재(132)는, 관통공(111)의 중심축(CA)과 동축으로 하측 절연 부재에 관통되어 있는 하측 끼워맞춤구멍(134)을 갖는다. 배럴(123)의 하단부가 하측 끼워맞춤구멍(134)에 상하 방향(VD)으로 끼워맞춤되고, 하측 플런저(122)가 하측 끼워맞춤구멍(134)을 관통하고 하측 플런저(122)의 하단이 하방으로 돌출한 상태로, 프로브(120)의 하측 부분이 하측 절연 부재(132)에 결합된다. 검사 장치의 단자와 프로브가 접촉될 때, 하측 플런저(122)는 하측 끼워맞춤구멍(134)을 통해 배럴(123)의 내부로 이동될 수 있다.
상측 끼워맞춤구멍(133)의 중심축과 하측 끼워맞춤구멍(134)의 중심축은 하우징(110)의 관통공(111)의 중심축(CA)과 동축을 이룬다. 프로브(120)는 상측 및 하측 끼워맞춤구멍(133, 134)에 상하 방향(VD)으로 끼워맞춤된다. 프로브(120)는, 상측 절연 부재(131)와 하측 절연 부재(132)에 의해 지지된 상태로 관통공(111)에 배치되며, 관통공(111)의 중심축(CA)과 동축으로 위치된다.
상측 끼워맞춤구멍(133)은, 배럴(123)의 상단부가 상측 끼워맞춤구멍에 끼워맞춤되고 상측 플런저(121)가 상측 끼워맞춤구멍에 간극을 가지고 삽입되도록 형성되어 있다. 하측 끼워맞춤구멍(134)은, 배럴(123)의 하단부가 하측 끼워맞춤구멍에 끼워맞춤되고 하측 플런저(122)가 하측 끼워맞춤구멍에 간극을 가지고 삽입되도록 형성되어 있다. 상측 절연 부재(131)는 상측 관통공(114)에 아래에서 위로 끼워맞춤될 수 있고, 하측 절연 부재(132)는 하측 관통공(115)에 위에서 아래로 끼워맞춤될 수 있다. 상측 절연 부재(131)의 하단부는 플랜지부(135)를 갖고, 하측 절연 부재(132)는 상단부는 플랜지부(135)를 갖는다. 상측 관통공(114)과 하측 관통공(115)은 플랜지부(135)에 대응하는 단차부(116)를 가지며, 플랜지부(135)는 단차부(116)에 끼워맞춤될 수 있다.
일 예로, 테스트 소켓(10)은 상측 하우징(112)과 하측 하우징(113)을 결합하여 조립 및 제조될 수 있다. 상측 하우징(112)의 상측 관통공(114)에 상측 절연 부재(131)가 설치되고, 상측 절연 부재(131)의 상측 끼워맞춤구멍(133)에 프로브(120)의 상단부가 삽입될 수 있다. 이에 따라, 프로브(120)의 상단부가 상측 하우징(112)에 가조립될 수 있다. 다음으로, 하측 하우징(113)의 하측 관통공(115)에 하측 절연 부재(132)가 설치될 수 있다. 그 후, 프로브(120)의 하단부가 하측 절연 부재(132)의 하측 끼워맞춤구멍(134)에 삽입되도록, 상측 하우징(112)과 하측 하우징(113)이 상하 방향(VD)으로 결합될 수 있다. 이에 따라, 프로브(120)가 하우징(110)의 관통공(111)의 중심축(CA)과 동축으로 배치되면서, 테스트 소켓(10)이 조립 및 제조될 수 있다.
절연 부재(130)는, 프로브(120)를 관통공(111)에 관통공의 중심축과 동축으로 위치시키며, 프로브(120)의 신호 전달에 관련하여 유전체로서 기능한다. 실시예에 따른 테스트 소켓에 있어서, 절연 부재(130)는 절연성 재료로 이루어질뿐만 아니라, 낮은 유전율을 갖도록 구성된다. 절연 부재인 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)를 구성하는 절연성 재료는, 수지, 유리, 실리카, 지르코니아 및 세라믹 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 절연 부재를 구성하는 수지는, 고무, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate), 폴리에틸렌, 페놀, 에폭시, 노볼락(novolac) 중 어느 하나일 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.
하우징(110)의 관통공(111)에는, 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)와 프로브(120)가 관통공(111)의 중심축(CA)과 동축으로 배치된다. 이러한 동축 배치로 인해, 피검사 디바이스에 대한 고주파 검사 시에, 프로브(120)를 통과하는 신호에 대한 손실이 저감될 수 있다. 또한, 하우징(110)은 프로브(120)의 신호 전달 시에 발생하는 누설 전류를 소실시킬 수 있다.
프로브(120)의 신호 전달에 관련하여, 상측 및 하측 절연 부재의 유전율이 신호 손실을 저감시키는데에 영향을 줄 수 있다. 상측 및 하측 절연 부재의 유전율이 낮을 수록, 신호 손실이 크게 저감될 수 있다. 또한, 상측 및 하측 절연 부재의 유전율이 낮을 수록, 프로브(120)의 임피던스가 피검사 디바이스의 임피던스와 검사 장치의 검사 회로의 임피던스와 더욱 양호하게 매칭될 수 있다. 상측 및 하측 절연 부재는, 프로브(120)를 동축 배치로 위치시키기 위해 특정한 형상 및 치수를 갖도록 가공된다. 따라서, 상측 및 하측 절연 부재의 가공성이 유지되면서, 상측 및 하측 절연 부재가 더욱 낮은 유전율을 갖는 것이 신호 손실의 저감과 임피던스 매칭에 유리하다.
일 실시예에 의하면, 테스트 소켓(10)의 절연 부재(130)는 전술한 절연성 재료로 이루어질 수 있으며, 낮은 유전율을 갖도록 다공성 구조를 갖는다. 즉, 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)는 다공성 구조로 된 절연성 재료로 이루어진다. 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)는, 프로브의 동축 배치를 위한 형상 및 치수를 갖도록 형성되면서, 유전율을 저감시키기 위한 다수의 미세 공극(micropore)을 함유한다. 이와 같이, 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)는, 다수의 미세 공극을 함유하면서, 전술한 절연성 재료로 이루어진다. 미세 공극을 함유하는 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)는, 미세 공극을 갖지 않는 절연 부재보다 더욱 낮은 유전율을 가지므로, 프로브(120)의 신호 전달에서의 신호 손실을 더욱 감소시킬 수 있다. 이러한 미세 공극은, 상측 및 하측 절연 부재(131, 132) 내에 기공(gas pore) 또는 중공 입자(hollow particle)의 형태로 함유될 수 있지만, 미세 공극의 형태가 기공 또는 중공 입자에 한정되지는 않는다.
도 4 및 도 5는 미세 공극의 예를 각각 도시한다. 도 4 및 도 5에 도시하는 미세 공극의 형상은 실시예의 이해를 위해 선택된 예에 불과하다.
일 실시예의 테스트 소켓에 있어서, 프로브를 관통공에 관통공의 중심축과 동축으로 위치시키는 절연 부재는 다수의 미세 공극을 함유하는 절연성 재료로 이루어질 수 있다. 상기 절연성 재료는, 전술한 수지일 수 있으며, 다수의 미세 공극은 기공일 수 있다. 도 4를 참조하면, 상측 절연 부재(131)와 하측 절연 부재(132)는, 상기한 미세 공극으로써 다수의 기공(136)을 함유한다. 기공(136)은 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)를 구성하는 절연성의 수지의 전체에 걸쳐 불규칙적으로 분포되어 있다.
기공(136)은, 절연 부재를 구성하는 액상의 수지와 발포제의 화학 반응에 의해 형성될 수 있다. 상기 발포제는 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)를 성형할 때에, 상측 및 하측 절연 부재(132)를 성형하기 위한 액상의 수지에 추가될 수 있다. 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)는 전술한 액상의 수지를 성형 금형에 주입하여 성형될 수 있고, 이 액상의 수지에 상기 발포제가 추가될 수 있다. 상기 발포제는, 상측 및 하측 절연 부재의 성형 도중, 액상의 수지와 화학 반응하여 가스를 발생시킨다. 발생된 가스는, 액상의 수지 내에서, 액상의 수지를 밀어낸다. 이에 따라, 발생된 가스가 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)의 성형 도중 액상의 수지를 부분적으로 결핍시킴으로써, 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)의 전체에 걸쳐 다양한 크기를 갖는 다수의 기공(136)이 형성될 수 있다. 다른 예로서, 기공을 함유하는 수지제의 소재(workpiece)가 준비될 수 있고, 이러한 소재가 절연 부재로 가공될 수 있다.
다수의 기공(136)은 가스로 채워 질 수 있다. 일 예로, 다수의 기공(136)은, 기공(136)의 형성 과정에서 발생한 가스로 채워질 수 있다. 또는, 기공(136)은 공기로 채워질 수도 있고, 진공일 수도 있다.
일 실시예의 테스트 소켓에 있어서, 절연 부재는 다수의 미세 공극을 함유하면서 전술한 절연성 재료로 이루어질 수 있으며, 다수의 미세 공극은 중공 입자일 수 있다. 도 5를 참조하면, 상측 절연 부재(131)와 하측 절연 부재(132)는, 상기한 미세 공극으로써, 다수의 중공 입자(137)를 함유한다. 중공 입자(137)는 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)를 구성하는 절연성 재료의 전체의 걸쳐 불규칙적으로 분포되어 있다. 일 예로, 중공 입자(137)의 사이즈는 약 10㎛ 내지 약 30㎛일 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 중공 입자(137)는 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)를 성형할 때에 상측 및 하측 절연 부재(132)를 성형하기 위한 액상의 절연성 재료에 추가될 수 있다. 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)는 전술한 액상 재료를 성형 금형에 주입하여 성형될 수 있고, 이 액상의 재료에 중공 입자(137)가 추가될 수 있다. 다른 예로서, 중공 입자를 함유하는 전술한 절연성 재료의 소재가 준비될 수 있고, 이러한 소재가 절연 부재로 가공될 수도 있다.
중공 입자(137)는, 가스(138)와 가스를 내포하는 막(shell)(139)을 포함할 수 있다. 막(139)은 그 내부에 가스(138)를 내포할 수 있는 임의의 형상을 가질 수 있다. 일 예로, 막(139)은 구(sphere)의 형상을 가질 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 막(139)은, 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)를 구성하는 절연성 재료와 동일한 물질 또는 다른 물질로 이루어질 수 있다. 일 예로, 막(139)은, 유리, 실리카, 지르코니아, 세라믹, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate), 폴리에틸렌 고무, 아크릴 수지 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 막(139) 내에 내포되는 가스(138)는 공기일 수 있다. 일 예로, 상측 및 하측 절연 부재가 에폭시 수지로 이루어지는 경우, 에폭시 수지의 유전율은 약 3.6일 수 있다. 중공 입자에 내포되는 공기의 유전율은 약 1일 수 있다. 따라서, 중공 입자를 함유하는 수지 재료로 이루어지는 상측 및 하측 절연 부재는 낮은 유전율을 나타낼 수 있다. 막(139) 내에 내포되는 가스(138)는 특별히 한정되지 않는다. 다른 예로서, 막(139) 내부는 진공일 수도 있다.
절연 부재는, 절연 부재의 부피를 100%로 하는 경우, 1vol% 내지 50vol%의 다수의 미세 공극(기공(136) 또는 중공 입자(137))을 함유할 수 있다. 즉, 다수의 미세 공극(기공(136) 또는 중공 입자(137))은, 상측 및 하측 절연 부재의 부피를 100%로 할 경우 1vol% 내지 50vol%의 비율로 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)에 함유될 수 있다. 미세 공극(기공 또는 중공 입자)의 함유율을 적절히 선택함으로써, 절연 부재의 유전율이 조정될 수 있다. 기공 또는 중공 입자의 함유율이 너무 작은 경우, 절연 부재의 유전율 저감 효과가 작아질 수 있다. 기공 또는 중공 입자의 함유율이 50vol%를 초과하는 경우, 절연 부재의 성형에 관련되는 가공성이 저하될 수 있고 절연 부재의 내구성이 악화될 수 있다.
도 4는 상측 및 하측 절연 부재가 기공을 함유하는 것을 도시하고, 도 5는 상측 및 하측 절연 부재가 중공 입자를 함유하는 것을 도시한다. 다른 예로서, 상측 및 하측 절연 부재 중 하나가 기공을 함유할 수도 있고, 상측 및 하측 절연 부재 중 나머지 하나가 중공 입자를 함유할 수도 있다.
일 실시예의 테스트 소켓에 의하면, 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)가 다수의 미세 공극(기공(136) 또는 중공 입자(137))을 함유한다. 따라서, 상기 미세 공극을 갖지 않고 절연성의 수지 재료만으로 이루어지며 상측 및 하측 절연 부재의 외경과 동일한 외경을 갖는 절연 부재와 비교하여, 상측 및 하측 절연 부재(131, 132)는 더욱 낮은 유전율을 가질 수 있고 프로브(120)의 신호 전달에 대한 신호 손실을 더욱 감소시킬수 있다. 또한, 프로브(120)의 임피던스가 피검사 디바이스 및 검사 회로의 임피던스와 매칭되어, 임피던스 비매칭으로 인한 신호 손실이 발생하지 않으며, 이에 따라 일 실시예의 테스트 소켓은 피검사 디바이스의 고주파의 검사를 위해 효과적으로 사용될 수 있다.
미세 공극은, 상측 및 하측 절연 부재의 성형을 위한 재료에 상기 발포제 또는 상기 중공 입자를 추가함으로써, 상측 및 하측 절연 부재 내에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상측 및 하측 절연 부재의 가공성을 유지하면서 상측 및 하측 절연 부재를 구성하는 재료나 치수를 변경함이 없이, 상측 및 하측 절연 부재의 유전율을 저감시킬 수 있다. 또한, 상측 및 하측 절연 부재에 포함되는 기공 또는 중공 입자의 부피비율 또는 사이즈를 조정함으로써, 일 실시예의 테스트 소켓의 특성값을 제어할 수 있다. 또한, 미세 공극으로 인해 더욱 낮은 유전율을 가지는 상측 및 하측 절연 부재는, 그 외경 치수가 더욱 작아지도록 형성될 수 있으며, 이는 프로브(120)들 간의 이격거리(즉, 프로브 간의 피치)를 더욱 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 일 실시예의 테스트 소켓은, 프로브(120) 간의 피치가 더욱 작아지도록 구성될 수 있다. 또한, 상기한 미세 공극을 갖지 않는 절연 부재를 대체하여, 일 실시예에 따른 상측 및 하측 절연 부재가 테스트 소켓에 용이하게 적용될 수 있으므로, 절연 부재의 강도와 가공성을 유지하면서 테스트 소켓에 우수한 신호 전달 능력을 용이하게 부여할 수 있다.
상하 방향으로 도전 가능할뿐만 아니라 상하 방향으로 수축 및 팽창 가능한, 기둥 형상의 구조물이 프로브의 탄성 부재로써 채용될 수 있다. 도 6을 참조하면, 프로브(120)는, 배럴(123) 내에 배치되고 상측 및 하측 플런저(121, 122)에 탄성력을 인가하는 탄성 부재(125)를 갖는다. 도 6에 예시하는 탄성 부재(125)는, 기둥 형상을 가지며, 상측 및 하측 플런저(121, 122)의 사이에 배치된다. 탄성 부재(126)는, 그 상단에서 상측 플런저(121)의 하단과 접촉되고, 그 하단에서 하측 플런저(122)의 상단과 접촉된다. 탄성 부재(125)는, 상하 방향(VD)으로 도전 가능하게 접촉된 다수의 도전성 입자(126)와 다수의 도전성 입자(126)를 상하 방향(VD)으로 유지하는 탄성 물질(127)로 이루어진다.
다수의 도전성 입자(126)는 도전 가능한 금속 재료로 이루어진다. 도전성 입자(126)들은, 탄성 부재(125)의 상단으로부터 하단까지 불규칙적으로 분포되어 있다. 도전성 입자(126)들은, 상하 방향(VD)으로 도전 가능하게 접촉되어 있으며, 상하 방향(VD)을 따라, 예컨대 기둥 형상으로 집합되어 있다. 상하 방향(VD)으로 도전 가능하게 접촉된 도전성 입자(126)들이, 상측 플런저(121)와 하측 플런저(122)의 사이에서 신호 전달을 실행하는 도전체로써 기능한다. 탄성 물질(127)은 도전성 입자(111)들이 기둥 형상으로 집합되도록, 도전성 입자(126)들을 상하 방향(VD)으로 유지한다. 도전성 입자(126)들의 사이는 탄성 물질(127)로 채워질 수 있다. 탄성 물질(127)이 도전성 입자(126)들과 일체로 형성되어, 탄성 부재(125)를 구성한다. 탄성 물질(127)은 실리콘 러버를 포함할 수 있다.
탄성 물질(127)의 탄성 복원력에 의해, 탄성 부재(125)는, 상하 방향(VD)으로 수축될 수 있고, 수축 전의 원 상태로 팽창될 수 있다. 예컨대, 피검사 디바이스의 검사 시에, 상측 플런저(121)를 통해 가해지는 가압력에 의해 탄성 부재(125)는 상하 방향(VD)으로 수축될 수 있다. 상기 가압력이 제거되면, 탄성 부재(125)는, 탄성 물질(127)의 탄성 복원력에 의해 원 상태로 팽창될 수 있다.
일 실시예의 테스트 소켓의 향상된 성능은, 고주파의 전자기장을 시뮬레이션하기 위한 소프트웨어를 사용하여 확인될 수 있다. 도 7 내지 도 10은, 고주파의 전자기장을 시뮬레이션하기 위한 소프트웨어를 사용하여 행해진 시뮬레이션의 결과를 나타내는 그래프이다. 상기 시뮬레이션은 일 실시예에 따른 테스트 소켓과 비교예에 따른 테스트 소켓에 대해 행해졌다. 도 7 내지 도 10에 도시하는 그래프에서, 수평 축은 주파수의 수치를 나타내며 주파수의 단위는 GHz이고, 수직 축은 데시벨(dB)의 단위를 갖는다. 상기 시뮬레이션에 관련하여, 일 실시예의 테스트 소켓의 상측 및 하측 절연 부재는, 유전율이 3.6인 에폭시 수지로 구성되며, 전술한 중공 입자를 함유한다. 비교예의 테스트 소켓의 상측 및 하측 절연 부재는 유전율이 3.6인 에폭시 수지로 구성되지만, 전술한 중공 입자 또는 전술한 기공을 전혀 함유하지 않는다.
도 7 및 도 8은, 신호 전달 시에 신호 손실의 정도를 의미하는 삽입 손실(insertion loss)에 관한 시뮬레이션 결과를 도시한다. 도 7은 일 실시예의 테스트 소켓에 대응하는 곡선을 도시하고, 도 8은 비교예의 테스트 소켓에 대응하는 곡선을 도시한다. 도 7과 도 8에 도시하는 그래프에 있어서, 0db에 가까운 곡선은 적은 신호 손실을 의미한다. 도 7과 도 8의 비교로부터, 일 실시예의 테스트 소켓은 비교예의 테스트 소켓에 비해 0GHz 내지 50GHZ의 고주파수 범위에서 더욱 작은 신호 손실을 가짐을 확인할 수 있다.
도 9 및 도 10은, 신호 전달 시에 신호 반사의 정도를 의미하는 반사 손실(return loss)에 관한 시뮬레이션 결과를 도시한다. 도 9는 일 실시예의 테스트 소켓에 대응하는 곡선을 도시하고, 도 10은 비교예의 테스트 소켓에 대응하는 곡선을 도시한다. 도 9 및 도 10에 도시하는 그래프에 있어서, 0dB에 가까운 곡선은 큰 신호 반사를 의미한다. 도 9 및 도 10의 비교로부터, 일 실시예의 테스트 소켓은 비교예의 테스트 소켓에 비해, 20GHz 내지 40GHz의 고주파수 범위에서 적은 신호 반사를 가짐을 확인할 수 있다. 따라서, 상측 및 하측 절연 부재가 다수의 기공 또는 다수의 중공 입자를 함유하는, 일 실시예의 테스트 소켓은, 감소된 반사 손실을 가지며, 특히 고주파수의 검사가 행해지는 20GHz 내지 40GHz의 고주파수 범위에서 적은 신호 손실을 나타낸다.
또한, 도 7 내지 도 10에 도시하는 시뮬레이션 결과의 그래프로부터, 일 실시예의 테스트 소켓에서의 상측 및 하측 절연 부재는, 약 10% 감소된 유전율을 갖는 것이 확인될 수 있다.
이상 일부 실시예들과 첨부된 도면에 도시하는 예에 의해 본 개시의 기술적 사상이 설명되었지만, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 이해할 수 있는 본 개시의 기술적 사상 및 범위를 벗어나지 않는 범위에서 다양한 치환, 변형 및 변경이 이루어질 수 있다는 점을 알아야 할 것이다. 또한, 그러한 치환, 변형 및 변경은 첨부된 청구범위 내에 속하는 것으로 생각되어야 한다.
10: 테스트 소켓, 20: 검사 장치, 30: 피검사 디바이스, 110: 하우징, 111: 관통공, 120: 프로브, 121: 상측 플런저, 122: 하측 플런저, 123: 배럴, 124: 탄성 부재, 125: 탄성 부재, 126: 도전성 입자, 127: 탄성 물질, 130: 절연 부재, 131: 상측 절연 부재, 132: 하측 절연 부재, 133: 상측 끼워맞춤구멍, 134: 하측 끼워맞춤구멍, 136: 기공, 137: 중공 입자, 138: 중공 입자의 공기, 139: 중공 입자의 막, CA: 관통공의 중심축, VD: 상하 방향

Claims (13)

  1. 검사 장치와 피검사 디바이스의 전기접속을 위한 테스트 소켓이며,
    상하 방향으로 관통공이 형성된 하우징과,
    상기 관통공에 상기 상하 방향으로 배치되고, 상기 상하 방향으로 수축 및 신장되고 상기 상하 방향으로 신호 전달을 실행하도록 구성된 프로브와,
    상기 관통공의 내주면과 상기 프로브의 외주면의 사이에 배치되고 상기 프로브를 상기 관통공에 위치시키도록 구성되며 다수의 미세 공극을 함유하는 절연 부재를 포함하는
    테스트 소켓.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 미세 공극은 기공인,
    테스트 소켓.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 절연 부재는 상기 다수의 미세 공극을 함유하는 수지로 이루어지고,
    상기 기공은 액상의 상기 수지와 발포제의 화학 반응에 의해 형성되는,
    테스트 소켓.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 미세 공극은 중공 입자인,
    테스트 소켓.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 중공 입자는, 유리, 실리카, 지르코니아, 세라믹, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리에틸렌 고무, 아크릴 수지 중 어느 하나로 이루어지는 막을 포함하는,
    테스트 소켓.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 중공 입자는 상기 막 내에 내포된 공기를 포함하는,
    테스트 소켓.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 절연 부재는 1vol% 내지 50vol%의 상기 다수의 미세 공극을 함유하는,
    테스트 소켓.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 절연 부재는, 상기 다수의 미세 공극을 함유하면서, 수지, 유리, 실리카, 지르코니아 및 세라믹 중 어느 하나로 이루어지는,
    테스트 소켓.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 수지는, 고무, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리에틸렌, 페놀, 에폭시, 노볼락 중 어느 하나인,
    테스트 소켓.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 절연 부재는 상기 프로브를 상기 상하 방향에서 상기 관통공과 동축으로 위치시키도록 구성되는,
    테스트 소켓.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 절연 부재는, 상기 관통공의 중심축과 동축으로 관통된 상측 끼워맞춤구멍을 갖고 상기 관통공에 끼워맞춤되는 상측 절연 부재와, 상기 관통공의 중심축과 동축으로 관통된 하측 끼워맞춤구멍을 갖고 상기 관통공에 끼워맞춤되는 하측 절연 부재를 포함하고,
    상기 프로브는 상기 상측 및 하측 끼워맞춤구멍에 끼워맞춤되어 상기 관통공과 동축으로 위치되는,
    테스트 소켓.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 프로브는, 상기 피검사 디바이스와 접촉되고 상기 상측 끼워맞춤구멍을 통해 이동하는 상측 플런저와, 상기 검사 장치와 접촉되고 상기 하측 끼워맞춤구멍을 통해 이동하는 하측 플런저와, 상기 상측 및 하측 플런저를 상기 상하 방향으로 이동 가능하게 지지하고 상기 상측 끼워맞춤구멍과 상기 하측 끼워맞춤구멍에 끼워맞춤되는 배럴과, 상기 배럴 내에서 상기 상측 플런저와 상기 하측 플런저의 사이에 배치되는 탄성 부재를 포함하는,
    테스트 소켓.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 탄성 부재는, 상기 상하 방향으로 도전 가능하게 접촉된 다수의 도전성 입자와 상기 다수의 도전성 입자를 상기 상하 방향으로 유지하는 탄성 물질로 이루어지는,
    테스트 소켓.
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