KR20210072200A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20210072200A
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김영구
송창영
양혜인
정우석
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하재흥
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Abstract

표시 장치는 기판, 기판 상에 배치되는 발광 소자, 발광 소자를 덮고 제1 무기 봉지층, 제1 무기 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 봉지층 및 제1 무기 봉지층과 제2 무기 봉지층 사이에 배치되고 약 3.0 이하의 유전율을 가지는 제1 유기물을 포함하는 유기 봉지층을 포함하는 봉지층, 봉지층 상에 배치되고 제2 유기물 및 제2 유기물 내에 분산되는 중공 입자를 포함하는 저유전율층, 그리고 저유전율층 상에 배치되는 입력 감지층을 포함할 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명의 입력 감지층을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치, 전기 영동 표시 장치 등과 같은 표시 장치는 전기장 생성 전극들과 이들 사이에 형성되는 전기 광학 활성층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 유기 발광 표시 장치는 전기 광학 활성층으로 유기 발광층을 구비하는 발광 소자를 포함할 수 있다.
외부로부터 가스, 수분 등의 불순물이 표시 장치 내부로 유입되면 표시 장치에 포함되는 전기 소자의 수명이 감소할 수 있고, 유기 발광 표시 장치의 경우에 유기 발광층의 발광 효율이 저하될 수 있다. 이를 방지하기 위하여, 발광 소자 상에 외부로부터 발광 소자를 격리하는 봉지층이 형성될 수 있다.
표시 장치의 입력 장치로서 사용자가 손가락이나 펜 등으로 화면을 접촉하여 정보를 입력하는 입력 감지 센서가 사용되고 있다. 최근 들어 표시 장치의 두께를 감소시키기 위하여 봉지층 상에 입력 감지층이 형성될 수 있다.
이러한 입력 감지층과 발광 소자의 거리가 감소하는 경우에, 다시 말해, 봉지층의 두께가 감소하는 경우에 발광 소자의 전극과 입력 감지층의 감지 전극 사이에 형성되는 기생 정전 용량이 증가할 수 있다. 발광 소자의 전극과 입력 감지층의 감지 전극 사이에 형성되는 불필요한 기생 정전 용량의 크기가 증가하면 입력 감지층의 감도가 감소할 수 있다.
본 발명의 일 목적은 입력 감지층의 감도가 개선된 표시 장치를 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 발광 소자, 상기 발광 소자를 덮고 제1 무기 봉지층, 상기 제1 무기 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 봉지층 및 상기 제1 무기 봉지층과 상기 제2 무기 봉지층 사이에 배치되고 약 3.0 이하의 유전율을 가지는 제1 유기물을 포함하는 유기 봉지층을 포함하는 봉지층, 상기 봉지층 상에 배치되고, 제2 유기물 및 상기 제2 유기물 내에 분산되는 중공 입자를 포함하는 저유전율층, 그리고 상기 저유전율층 상에 배치되는 입력 감지층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 저유전율층의 유전율은 약 3.0 이하일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 저유전율층의 전체 질량에 대한 상기 중공 입자의 질량비는 약 10 % 내지 약 50 %일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 중공 입자는 실리카(SiO2), 불화마그네슘(MgF2), 및 산화철(Fe3O4) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 중공 입자의 지름은 약 20 nm 내지 약 200 nm일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 유기물은 상기 제1 유기물과 실질적으로 동일할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 유기물은 상기 제1 유기물과 상이할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 유기물은 광경화성 물질일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 저유전율층은 광개시제를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 유기물은 열경화성 물질일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 저유전율층은 열안정제를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 유기물의 유전율은 상기 제2 유기물의 유전율보다 작을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 유기 봉지층은 상기 제1 유기물 내에 분산되는 중공 입자를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 유기 봉지층의 두께와 상기 저유전율층의 두께의 합은 약 4 ㎛ 내지 약 15 ㎛일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 발광 소자는 상기 기판 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층, 그리고 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 입력 감지층은 서로 절연되는 제1 감지 전극 및 제2 감지 전극을 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 발광 소자, 상기 발광 소자를 덮고 제1 무기 봉지층, 상기 제1 무기 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 봉지층 및 상기 제1 무기 봉지층과 상기 제2 무기 봉지층 사이에 배치되고 제1 유기물 및 상기 제1 유기물 내에 분산되는 중공 입자를 포함하는 유기 봉지층을 포함하는 봉지층, 상기 봉지층 상에 배치되고 3.0 이하의 유전율을 가지는 제2 유기물을 포함하는 저유전율층, 그리고 상기 저유전율층 상에 배치되는 입력 감지층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 유기 봉지층의 유전율은 약 3.0 이하일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 유기물의 유전율은 상기 제1 유기물의 유전율보다 작을 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 발광 소자, 상기 발광 소자를 덮고 제1 무기 봉지층, 상기 제1 무기 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 봉지층 및 상기 제1 무기 봉지층과 상기 제2 무기 봉지층 사이에 배치되고 약 3.0 이하의 유전율을 가지는 제1 유기물을 포함하는 유기 봉지층을 포함하는 봉지층, 상기 봉지층 상에 배치되고, 약 3.0 이하의 유전율을 가지는 제2 유기물을 포함하는 저유전율층, 그리고 상기 저유전율층 상에 배치되는 입력 감지층을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 봉지층이 약 3.0 이하의 유전율을 가지는 유기물을 포함하거나 유기물 내에 분산되는 중공 입자를 포함하는 유기 봉지층을 포함하고, 봉지층 상에 유기물 내에 분산되는 중공 입자를 포함하거나 약 3.0 이하의 유전율을 가지는 유기물을 포함하는 저유전율층이 배치됨에 따라, 발광 소자와 입력 감지층 사이의 기생 정전 용량이 감소하고, 입력 감지층의 감도가 개선될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 펼쳐진 상태 및 접힌 상태를 각각 나타내는 사시도들이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3의 표시 패널을 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 3의 입력 감지층을 나타내는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 7은 도 6의 봉지층 및 저유전율층을 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)의 펼쳐진 상태 및 접힌 상태를 각각 나타내는 사시도들이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 가요성(flexible) 표시 장치일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 표시 장치(10)는 접힐 수 있는 폴더블(foldable) 표시 장치일 수 있다. 예를 들면, 표시 장치(10)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 펼쳐지거나, 도 2에 도시된 바와 같이, 접힐 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 다른 실시예들에 있어서, 표시 장치(10)는 구부러질 수 있는 벤더블(bendable) 표시 장치이거나 말릴 수 있는 롤러블(rollable) 표시 장치일 수도 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 장치(10)는 표시 패널(100), 봉지층(200), 저유전율층(300), 입력 감지층(400), 및 윈도우(500)를 포함할 수 있다. 전술한 바와 같이, 표시 장치(10)는 접히거나 펼쳐질 수 있으므로, 표시 패널(100), 봉지층(200), 저유전율층(300), 입력 감지층(400), 및 윈도우(500) 각각은 가요성의 특성을 가질 수 있다.
표시 패널(100)은 사용자에게 시각적인 정보를 제공하기 위한 영상을 생성할 수 있다. 표시 패널(100)은 윈도우(500)가 위치하는 방향으로 상기 영상을 표시할 수 있다.
봉지층(200)은 표시 패널(100) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(200)은 표시 패널(100)의 상부를 덮어서 외부의 가스, 수분 등과 같은 불순물로부터 표시 패널(100)을 보호할 수 있다.
입력 감지층(400)은 봉지층(200) 상에 배치될 수 있다. 입력 감지층(400)은 외부 물체가 표시 장치(10)에 접촉하거나 접근하는 것 등과 같은 외부 입력을 감지할 수 있다. 예를 들면, 입력 감지층(400)은 정전 용량 방식으로 상기 외부 입력을 감지할 수 있다.
저유전율층(300)은 봉지층(200)과 입력 감지층(400) 사이에 배치될 수 있다. 저유전율층(300)은 표시 패널(100)과 입력 감지층(400) 사이의 전자기적인 상호 작용에 의해 입력 감지층(400)에 작용되는 노이즈(noise)를 감소시키고, 이에 따라, 입력 감지층(400)의 감도가 개선될 수 있다.
윈도우(500)는 입력 감지층(400) 상에 배치될 수 있다. 윈도우(500)는 외부의 충격으로부터 표시 패널(100), 봉지층(200), 저유전율층(300), 및 입력 감지층(400)을 보호하고, 표시 장치(10)의 표시면을 제공할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 윈도우(500)는 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리메틸 메타아크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA), 폴리아릴레이트(polyarylate, PAR), 폴리에테르설폰(polyethersulfone, PES), 폴리에틸렌　테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN) 등과 같은 고분자 수지, 유리 등을 포함할 수 있다.
도 4는 도 3의 표시 패널(100)을 나타내는 평면도이다.
도 4를 참조하면, 표시 패널(100)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함하는 기판(110)을 포함할 수 있다. 기판(110) 상의 표시 영역(DA)에는 복수의 화소들(PX)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 화소들(PX)은 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)에 교차하는 제2 방향(DR2)을 따라 실질적인 행렬 형태로 배열될 수 있다. 화소들(PX) 각각은 광을 방출할 수 있고, 표시 영역(DA)에서는 화소들(PX) 각각으로부터 방출되는 광으로 형성되는 영상이 표시될 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 적어도 일 측에 위치할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 기판(110) 상의 비표시 영역(NDA)에는 제1 구동부(DV1) 및 제2 구동부(DV2)가 배치될 수 있다. 제1 구동부(DV1)는 표시 영역(DA)으로부터 제1 방향(DR1)에 위치하고, 제2 구동부(DV2)는 표시 영역(DA)으로부터 제2 방향(DR2)에 위치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 구동부(DV1)는 화소들(PX)에 스캔 신호들을 제공하는 스캔 구동부이고, 제2 구동부(DV2)는 화소들(PX)에 데이터 신호들을 제공하는 데이터 구동부일 수 있다. 이 경우, 제1 구동부(DV1)는 제1 방향(DR1)을 따라 연장되는 스캔선들을 통해 화소들(PX)에 연결되고, 제2 구동부(DV2)는 제2 방향(DR2)을 따라 연장되는 데이터선들을 통해 화소들(PX)에 연결될 수 있다.
도 5는 도 3의 입력 감지층(400)을 나타내는 평면도이다.
도 5를 참조하면, 입력 감지층(400)은 감지 영역(SA) 및 주변 영역(PA)을 포함하는 베이스층(410)을 포함할 수 있다. 감지 영역(SA)은 표시 영역(DA)에 중첩할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 감지 영역(SA)의 면적은 표시 영역(DA)의 면적보다 크거나 실질적으로 동일할 수 있다.
베이스층(410) 상의 감지 영역(SA)에는 복수의 제1 감지 전극들(SE1) 및 복수의 제2 감지 전극들(SE2)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 감지 전극들(SE1) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 연장되고 제1 감지 전극들(SE1)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열되며, 제2 감지 전극들(SE2) 각각은 제2 방향(DR2)을 따라 연장되고 제2 감지 전극들(SE2)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. 제1 감지 전극들(SE1)과 제2 감지 전극들(SE2)은 서로 절연되며 교차할 수 있다.
주변 영역(PA)은 감지 영역(SA)의 적어도 일 측에 위치할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 주변 영역(PA)은 감지 영역(SA)을 둘러쌀 수 있다. 주변 영역(PA)은 비표시 영역(NDA)에 중첩할 수 있다.
베이스층(410) 상의 주변 영역(PA)에는 복수의 제1 감지선들(SL1), 복수의 제2 감지선들(SL2), 제1 패드부(PP1), 및 제2 패드부(PP2)가 배치될 수 있다. 제1 감지선들(SL1)은 제1 감지 전극들(SE1)을 제1 패드부(PP1)에 연결하고, 제2 감지선들(SL2)은 제2 감지 전극들(SE2)을 제2 패드부(PP2)에 연결할 수 있다. 제1 감지선들(SL1)은 제1 패드부(PP1)로부터 제1 감지 전극들(SE1)에 감지 입력 신호를 전송하거나 제1 감지 전극들(SE1)로부터 제1 패드부(PP1)에 감지 출력 신호를 전송할 수 있다. 제2 감지선들(SL2)은 제2 패드부(PP2)로부터 제2 감지 전극들(SE2)에 감지 입력 신호를 전송하거나 제2 감지 전극들(SE2)로부터 제2 패드부(PP2)에 감지 출력 신호를 전송할 수 있다.
제1 감지 전극들(SE1) 및 제2 감지 전극들(SE2)은 사용자의 손이나 별도의 입력 수단을 통해 입력 감지층(400)으로의 입력 이벤트를 감지할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 감지 전극들(SE1) 및 제2 감지 전극들(SE2)은 상호 정전 용량(mutual capacitance) 방식으로 구동될 수 있다. 상기 상호 정전 용량 방식은 두 개의 감지 전극들 사이의 상호 작용에 의한 정전 용량의 변화를 감지하는 방식이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)를 나타내는 단면도이다. 도 7은 도 6의 봉지층 및 저유전율층을 나타내는 단면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 표시 장치(10)는 표시 패널(100), 봉지층(200), 저유전율층(300), 및 입력 감지층(400)을 포함할 수 있다.
표시 패널(100)은 기판(110) 및 기판(110) 상에 배치되는 트랜지스터(TR)와 발광 소자(EL)를 포함할 수 있다. 트랜지스터(TR)는 액티브층(120), 게이트 전극(130), 제1 전극(141), 및 제2 전극(142)을 포함할 수 있다. 트랜지스터(TR)는 발광 소자(EL)에 구동 신호, 예를 들면, 구동 전류를 제공할 수 있다. 발광 소자(EL)는 제1 전극(150), 발광층(160), 및 제2 전극(170)을 포함할 수 있다. 발광 소자(EL)는 트랜지스터(TR)로부터 제공되는 상기 구동 신호에 기초하여 발광할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 기판(110)은 가요성(flexible) 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 가요성 물질은 폴리에테르술폰(polyethersulfone, PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide, PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리아릴레이트(polyarylate, PAR), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 트리아세테이트 셀룰로오스(triacetate cellulose, TAC), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate, CAP) 등을 포함할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 기판(110)은 경성(rigid) 물질로 형성될 수도 있다. 예를 들면, 상기 경성 물질은 유리, 석영 등을 포함할 수 있다.
기판(110) 상에는 버퍼층(111)이 배치될 수 있다. 버퍼층(111)은 기판(110)을 통해 불순물이 유입되는 것을 차단할 수 있다. 또한, 버퍼층(111)은 기판(110) 상부에 평탄면을 제공할 수 있다. 버퍼층(111)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 산질화물(SiOxNy) 등과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
버퍼층(111) 상에는 액티브층(120)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 액티브층(120)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등으로 형성될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 액티브층(120)은 산화물 반도체, 금속 산화물 등으로 형성될 수도 있다. 액티브층(120)은 소스 영역, 드레인 영역, 및 이들 사이에 배치되는 채널 영역을 포함할 수 있다. 소스 영역 및 드레인 영역 각각은 P 타입 불순물 또는 N 타입 불순물로 도핑될 수 있다.
액티브층(120) 상에는 게이트 절연층(112)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(112)은 액티브층(120)을 덮으며 버퍼층(111) 상에 형성될 수 있다. 게이트 절연층(112)은 액티브층(120)으로부터 게이트 전극(130)을 절연시킬 수 있다. 게이트 절연층(112)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 산질화물(SiOxNy) 등과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
게이트 절연층(112) 상에는 게이트 전극(130)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(130)은 게이트 절연층(112)을 사이에 두고 액티브층(120)의 상기 채널 영역 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(130)은 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등과 같은 도전 물질을 포함할 수 있다. 게이트 전극(130)은 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
게이트 전극(130) 상에는 층간 절연층(113)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(113)은 게이트 전극(130)을 덮으며 게이트 절연층(112) 상에 형성될 수 있다. 층간 절연층(113)은 게이트 전극(130)으로부터 제1 전극(141) 및 제2 전극(142)을 절연시킬 수 있다. 층간 절연층(113)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 산질화물(SiOxNy) 등과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
층간 절연층(113) 상에는 트랜지스터(TR)의 제1 전극(141) 및 제2 전극(142)이 배치될 수 있다. 제1 전극(141) 및 제2 전극(142) 중 어느 하나는 트랜지스터(TR)의 소스 전극이고, 제1 전극(141) 및 제2 전극(142) 중 다른 하나는 트랜지스터(TR)의 드레인 전극일 수 있다. 트랜지스터(TR)의 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 각각 액티브층(120)의 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역에 연결될 수 있다. 제1 전극(141) 및 제2 전극(142)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등과 같은 도전 물질을 포함할 수 있다. 제1 전극(141) 및 제2 전극(142) 각각은 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 전극(141) 및 제2 전극(142) 상에는 평탄화층(114)이 배치될 수 있다. 평탄화층(114)은 제1 전극(141) 및 제2 전극(142)을 덮으며 층간 절연층(113) 상에 형성될 수 있다. 평탄화층(114)은 트랜지스터(TR)를 보호하고, 트랜지스터(TR) 상부에 평탄면을 제공할 수 있다. 평탄화층(114)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 산질화물(SiOxNy) 등과 같은 무기 절연 물질 및/또는 폴리이미드(PI) 등과 같은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
평탄화층(114) 상에는 발광 소자(EL)의 제1 전극(150)이 배치될 수 있다. 제1 전극(150)은 트랜지스터(TR)의 제2 전극(142)에 연결될 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(150)은 평탄화층(114)에 형성되는 접촉 구멍을 통해 트랜지스터(TR)의 제2 전극(142)에 접촉할 수 있다. 제1 전극(150)은 금속, 투명 도전성 산화물 등과 같은 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 전극(150)은 은(Ag), 인듐 주석 산화물(ITO) 등을 포함할 수 있다.
제1 전극(150) 상에는 화소 정의막(115)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(115)은 제1 전극(150)을 덮으며 평탄화층(114) 상에 형성될 수 있다. 화소 정의막(115)은 폴리이미드(PI) 등과 같은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
화소 정의막(115)에는 제1 전극(150)의 상면의 적어도 일부를 노출시키는 개구가 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 개구는 제1 전극(150)의 상면의 중심부를 노출시키고, 화소 정의막(115)은 제1 전극(150)의 상면의 측부를 덮을 수 있다.
제1 전극(150) 상의 화소 정의막(115)의 상기 개구 내에는 발광층(160)이 배치될 수 있다. 발광층(160)은 유기 발광 물질 및 양자점 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 유기 발광 물질은 저분자 유기 화합물 또는 고분자 유기 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 저분자 유기 화합물은 구리 프탈로사이아닌(copper phthalocyanine), 다이페닐벤지딘(N,N'-diphenylbenzidine), 트리 하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum) 등을 포함할 수 있고, 고분자 유기 화합물은 폴리에틸렌다이옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxythiophene), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리페닐렌비닐렌(poly-phenylenevinylene), 폴리플루오렌(polyfluorene) 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 양자점은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물, 및 이들의 조합을 포함하는 코어를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 양자점은 코어 및 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 쉘은 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층의 역할 및 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 충전층(charging layer)의 역할을 할 수 있다.
발광층(160) 상에는 발광 소자(EL)의 제2 전극(170)이 배치될 수 있다. 제2 전극(170)은 발광층(160)을 덮으며 화소 정의막(115) 상에 배치될 수 있다. 제2 전극(170)은 금속, 투명 도전성 산화물 등과 같은 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(170)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다.
제1 전극(150) 및 제2 전극(170) 중 어느 하나는 발광 소자(EL)의 양극(anode)이고, 제1 전극(150) 및 제2 전극(170) 중 다른 하나는 발광 소자(EL)의 음극(cathode)일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 전극(150) 및 제2 전극(170)은 각각 발광 소자(EL)의 양극 및 음극일 수 있다.
표시 패널(100) 상에는 봉지층(200)이 배치될 수 있다. 봉지층(200)은 발광 소자(EL)를 덮을 수 있다. 봉지층(200)은 적어도 두 개의 무기 봉지층들 및 상기 무기 봉지층들 사이에 배치되는 유기 봉지층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 봉지층(200)은 제1 무기 봉지층(210), 제2 무기 봉지층(220), 및 유기 봉지층(230)을 포함할 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 다른 실시예들에 있어서, 봉지층(200)은 3 개 이상의 무기 봉지층들 또는 2 개 이상의 유기 봉지층들을 포함할 수도 있다.
제1 무기 봉지층(210)은 발광 소자(EL)의 제2 전극(170) 상에 배치될 수 있다. 제1 무기 봉지층(210)은 제2 전극(170)의 상면의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 무기 봉지층(210)의 상면은 평탄하지 않을 수 있다.
제2 무기 봉지층(220)은 제1 무기 봉지층(210) 상에 배치될 수 있다. 제1 무기 봉지층(210) 및 제2 무기 봉지층(220) 각각은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물, 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 무기 봉지층(210)과 제2 무기 봉지층(220)은 서로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제1 무기 봉지층(210)과 제2 무기 봉지층(220)은 서로 상이한 물질을 포함할 수도 있다.
유기 봉지층(230)은 제1 무기 봉지층(210)과 제2 무기 봉지층(220) 사이에 배치될 수 있다. 유기 봉지층(230)은 평탄한 상면을 가질 수 있다. 제2 무기 봉지층(220)은 유기 봉지층(230)의 상면의 프로파일을 따라 형성될 수 있고, 이에 따라, 제2 무기 봉지층(220)의 상면은 평탄할 수 있다.
유기 봉지층(230)은 제1 유기물(231)을 포함할 수 있다. 제1 유기물(231)은 약 3.0 이하의 유전율을 가질 수 있다. 이에 따라, 유기 봉지층(230)의 유전율은 약 3.0 이하일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 유기물(231)은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 페릴렌계 수지 등을 포함할 수 있다. 제1 유기물(231)은 광경화성 물질 또는 열경화성 물질일 수 있다.
슬릿 코팅(slit coating), 스핀 코팅(spin coating), 스프레이 코팅(spray coating), 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 등과 같은 방법으로 제1 유기물(231)이 제1 무기 봉지층(210) 상에 도포되고, 광 또는 열에 의해 제1 유기물(231)이 경화되어 유기 봉지층(230)이 형성될 수 있다.
봉지층(200) 상에는 저유전율층(300)이 배치될 수 있다. 저유전율층(300)은 제2 유기물(310) 및 중공 입자(320)를 포함할 수 있다. 중공 입자(320)는 제2 유기물(310) 내에 분산될 수 있다.
저유전율층(300)의 유전율은 약 3.0 이하일 수 있다. 내부에 중공 입자가 분산되는 유기층의 유전율은 내부에 중공 입자가 분산되지 않는 유기층의 유전율보다 작을 수 있다. 이에 따라, 제2 유기물(310)의 유전율이 약 3.0 보다 크더라도, 저유전율층(300)이 중공 입자(320)를 포함하기 때문에, 저유전율층(300)의 유전율은 약 3.0 이하일 수 있다.
제2 유기물(310)은 아크릴(acryl), 폴리실록산(polysiloxane), 불화폴리실록산(fluorinated-polysiloxane), 폴리우레탄(polyurethane), 불화폴리우레탄(fluorinated-polyurethane), 폴리우레탄 아크릴레이트(polyurethane-acrylate), 불화폴리우레탄 아크릴레이트(fluorinated-polyurethane-acrylate). 카르도 바인더(cardo binder), 폴리이미드(polyimide), PMSSQ(polymethylsilsesquioxane), PMMA(poly(methyl methacrylate)), 및 PMSSQ-PMMA 혼성체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 유기물(310)은 제1 유기물(231)과 실질적으로 동일할 수 있다. 이 경우, 제2 유기물(310)의 유전율은 약 3.0 이하일 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제2 유기물(310)은 제1 유기물(231)과 상이할 수도 있다. 이 경우, 제2 유기물(310)의 유전율은 약 3.0 보다 크거나 약 3.0 이하일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 유기물(310)은 광경화성 물질일 수 있다. 다시 말해, 제2 유기물(310)은 자외선 등과 같은 광의 조사에 의해 경화될 수 있다. 이 경우, 저유전율층(300)은 광개시제를 더 포함할 수 있다. 상기 광개시제는 광으로부터 에너지를 흡수하여 제2 유기물(310)의 중합 반응을 개시할 수 있다. 예를 들면, 저유전율층(300)은 라디칼 광개시제 및 이온 광개시제 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 제2 유기물(310)은 열경화성 물질일 수 있다. 다시 말해, 제2 유기물(310)은 열의 제공에 의해 경화될 수 있다. 이 경우, 저유전율층(300)은 열안정제를 더 포함할 수 있다. 상기 열안정제는 제2 유기물(310)의 내열성을 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 열안정제는 페놀계(phenolic) 화합물, 인계(phosphor) 화합물, 또는 티오계(thio) 화합물일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 중공 입자(320)는 실리카(SiO2), 불화마그네슘(MgF2), 및 산화철(Fe3O4) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 중공 입자(320)는 실리카(SiO2), 불화마그네슘(MgF2), 및 산화철(Fe3O4) 중 적어도 하나로 형성되는 껍질(shell)(321)과 껍질(321) 내부에 정의되어 껍질(321)로 둘러싸이는 중공(322)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 중공 입자(320)의 지름(DIM)은 약 20 nm 내지 약 200 nm일 수 있다. 또한, 껍질(321)의 두께는 약 5 nm 내지 약 20 nm일 수 있고, 중공 입자(320)의 지름(DIM) 및 껍질(321)의 두께에 따라 중공(322)의 지름이 결정될 수 있다. 중공 입자(320)의 지름(DIM)이 증가할수록 저유전율층(300)의 유전율이 감소할 수 있다.
저유전율층(300) 내의 중공 입자(320)의 함량이 증가할수록 저유전율층(300)의 유전율이 감소할 수 있다. 아래의 표 1에 도시된 바와 같이, 저유전율층(300)의 전체 질량에 대한 중공 입자(320)의 질량비가 증가할수록 저유전율층(300)의 유전율이 감소할 수 있다.
중공 입자의 질량비 0% 15% 30% 45%
저유전율층의 유전율 3.35 2.68 1.83 1.38
일 실시예에 있어서, 저유전율층(300)의 전체 질량에 대한 중공 입자(320)의 질량비는 약 10% 내지 약 50%일 수 있다. 중공 입자(320)의 질량비가 약 10% 보다 작은 경우에는 저유전율층(300)의 유전율이 약 3.0보다 클 수 있다. 이 경우, 저유전율층(300)의 유전율이 유기 봉지층(230)의 유전율보다 클 수 있고, 이에 따라, 저유전율층(300)이 표시 패널(100)과 입력 감지층(400) 사이의 기생 정전 용량을 감소시키는 역할을 수행하지 못할 수 있다. 또한, 중공 입자(320)의 질량비가 약 50% 보다 큰 경우에는 중공 입자(320)의 함량이 과도하게 증가하여 저유전율층(300)의 제조 과정에서 중공 입자들(320)이 서로 뭉칠 수 있다.
일 실시예에 있어서, 슬릿 코팅, 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 잉크젯 프린팅 등과 같은 방법으로 제2 유기물(310) 및 중공 입자(320)가 봉지층(200) 상에 도포되고, 광 또는 열에 의해 제2 유기물(310)이 경화되어 저유전율층(300)이 형성될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제2 유기물(310) 내에 중공 입자(320)가 분산되는 필름 형태의 구조물을 봉지층(200) 상에 부착하여 저유전율층(300)이 형성될 수도 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 유기물(231)의 유전율은 제2 유기물(310)의 유전율보다 작을 수 있다. 이 경우, 제1 유기물(231)과 제2 유기물(310)은 서로 상이할 수 있다. 제2 유기물(310)의 유전율이 제1 유기물(231)의 유전율보다 크더라도 저유전율층(300)이 제2 유기물(310) 내에 분산되는 중공 입자(320)를 포함하기 때문에 저유전율층(300)의 유전율은 유기 봉지층(230)의 유전율보다 작거나 실질적으로 같을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 유기 봉지층(230)의 두께(TH1)와 저유전율층(300)의 두께(TH2)의 합은 약 4 ㎛ 내지 약 15 ㎛일 수 있다. 유기 봉지층(230)의 두께(TH1)와 저유전율층(300)의 두께(TH2)의 합이 약 15 ㎛보다 작게 형성되기 때문에 표시 장치(10)의 두께가 감소할 수 있고, 이에 따라, 표시 장치(10)가 용이하게 접히거나 펼쳐질 수 있다.
다만, 봉지층(200)의 두께와 저유전율층(300)의 두께가 감소하는 경우에 표시 패널(100)과 입력 감지층(400) 사이의 간격이 감소할 수 있고, 이에 따라, 표시 패널(100)과 입력 감지층(400) 사이의 기생 정전 용량이 증가할 수 있다. 구체적으로, 표시 패널(100)의 발광 소자(EL)의 제2 전극(170)과 입력 감지층(400)의 감지 전극들(SE1, SE2) 사이의 기생 정전 용량이 증가할 수 있다. 한편, 표시 패널(100)과 입력 감지층(400) 사이의 기생 정전 용량은 입력 감지층(400)에 작용되는 노이즈의 크기에 비례할 수 있고, 이에 따라, 표시 패널(100)과 입력 감지층(400) 사이의 기생 정전 용량이 증가할수록 입력 감지층(400)의 감도가 저하될 수 있다.
그러나 본 발명의 실시예들에 있어서, 유기 봉지층(230)이 약 3.0 이하의 유전율을 가지는 제1 유기물(231)을 포함하고 저유전율층(300)이 제2 유기물(310) 내에 분산되는 중공 입자(320)를 포함하기 때문에, 표시 패널(100)과 입력 감지층(400) 사이에 위치하는 봉지층(200)의 유전율과 저유전율층(300)의 유전율이 감소하여 표시 패널(100)과 입력 감지층(400) 사이의 기생 정전 용량이 감소할 수 있다. 따라서, 입력 감지층(400)의 감도가 개선될 수 있다.
저유전율층(300) 상에는 입력 감지층(400)이 배치될 수 있다. 입력 감지층(400)은 베이스층(410), 브릿지(420), 절연층(430), 제1 도전선(441), 및 제2 도전선(442)을 포함할 수 있다. 베이스층(410)은 가요성 물질 또는 경성 물질을 포함할 수 있다.
베이스층(410) 상에는 브릿지(420)가 배치될 수 있다. 브릿지(420)는 금속, 이들의 합금, 도전성 고분자, 도전성 금속 산화물, 나노 도전성 물질 등과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있다.
브릿지(420) 상에는 절연층(430)이 배치될 수 있다. 절연층(430)은 브릿지(420)를 덮으며 베이스층(410) 상에 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 절연층(430)은 무기 절연 물질로 형성되는 무기 절연층일 수 있다. 예를 들면, 절연층(430)은 폴리실록산, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물 등으로 형성될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 절연층(430)은 유기 절연 물질로 형성되는 유기 절연층일 수도 있다. 예를 들면, 절연층(430)은 폴리아크릴계 화합물, 폴리이미드계 화합물, 불소계 탄소 화합물, 벤조사이클로부텐 화합물 등으로 형성될 수 있다.
절연층(430) 상에는 제1 도전선(441) 및 제2 도전선(442)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 도전선(441)은 제1 감지 전극(SE1)을 형성하고, 제2 도전선(442)은 제2 감지 전극(SE2)을 형성할 수 있다. 동일한 층에 배치되는 제1 도전선(441)과 제2 도전선(442)이 절연되기 위하여 제1 도전선(441)과 제2 도전선(442)의 교차 부분에서 제1 도전선(441)은 단절될 수 있고, 제1 도전선(441)의 단절된 부분들은 제1 도전선(441) 및 제2 도전선(442)과 상이한 층에 배치되는 브릿지(420)를 통해 연결될 수 있다.
제1 도전선(441) 및 제2 도전선(442)은 금속, 이들의 합금, 도전성 고분자, 도전성 금속 산화물, 나노 도전성 물질 등과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 제1 도전선(441) 및 제2 도전선(442)은 브릿지(420)와 실질적으로 동일한 물질을 포함하거나 상이한 물질을 포함할 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(11)를 나타내는 단면도이다.
도 8을 참조하면, 표시 장치(11)는 표시 패널(100), 봉지층(1200), 저유전율층(300), 및 입력 감지층(400)을 포함할 수 있다. 도 8을 참조하여 설명하는 표시 장치(11)는 봉지층(1200)의 유기 봉지층(1230)을 제외하고는 도 6을 참조하여 설명한 표시 장치(10)와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성들에 대한 설명은 생략한다.
유기 봉지층(1230)은 제1 유기물 및 중공 입자(1232)를 포함할 수 있다. 중공 입자(1232)는 제1 유기물 내에 분산될 수 있다.
유기 봉지층(1230)의 유전율은 약 3.0 이하일 수 있다. 내부에 중공 입자가 분산되는 유기층의 유전율은 내부에 중공 입자가 분산되지 않는 유기층의 유전율보다 작을 수 있다. 이에 따라, 제1 유기물의 유전율이 약 3.0 보다 크더라도, 유기 봉지층(1230)이 중공 입자(1232)를 포함하기 때문에, 유기 봉지층(1230)의 유전율은 약 3.0 이하일 수 있다.
제1 유기물은 아크릴, 폴리실록산, 불화폴리실록산, 폴리우레탄, 불화폴리우레탄, 폴리우레탄 아크릴레이트, 불화폴리우레탄 아크릴레이트. 카르도 바인더, 폴리이미드, PMSSQ, PMMA, 및 PMSSQ-PMMA 혼성체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 유기물은 광경화성 물질일 수 있다. 이 경우, 유기 봉지층(1230)은 광개시제를 더 포함할 수 있다. 상기 광개시제는 광으로부터 에너지를 흡수하여 제1 유기물의 중합 반응을 개시할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제1 유기물은 열경화성 물질일 수 있다. 이 경우, 유기 봉지층(1230)은 열안정제를 더 포함할 수 있다. 상기 열안정제는 제1 유기물의 내열성을 향상시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 중공 입자(1232)는 실리카(SiO2), 불화마그네슘(MgF2), 및 산화철(Fe3O4) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 유기 봉지층(1230) 내의 중공 입자(1232)의 함량이 증가할수록 유기 봉지층(1230)의 유전율이 감소할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 유기 봉지층(1230)의 전체 질량에 대한 중공 입자(1232)의 질량비는 약 10% 내지 약 50%일 수 있다. 중공 입자(1232)의 질량비가 약 10% 보다 작은 경우에는 유기 봉지층(1230)의 유전율이 약 3.0보다 클 수 있다. 또한, 중공 입자(1232)의 질량비가 약 50% 보다 큰 경우에는 중공 입자(1232)의 함량이 과도하게 증가하여 유기 봉지층(1230)의 제조 과정에서 중공 입자들(1232)이 서로 뭉칠 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(12)를 나타내는 단면도이다.
도 9를 참조하면, 표시 장치(12)는 표시 패널(100), 봉지층(2200), 저유전율층(2300), 및 입력 감지층(400)을 포함할 수 있다. 도 9를 참조하여 설명하는 표시 장치(12)는 봉지층(2200)의 유기 봉지층(2230) 및 저유전율층(2300)을 제외하고는 도 6을 참조하여 설명한 표시 장치(10)와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성들에 대한 설명은 생략한다.
유기 봉지층(2230)은 제1 유기물 및 중공 입자(2232)를 포함할 수 있다. 중공 입자(2232)는 제1 유기물 내에 분산될 수 있다. 유기 봉지층(2230)의 유전율은 약 3.0 이하일 수 있다. 도 9를 참조하여 설명하는 유기 봉지층(2230)은 도 8을 참조하여 설명한 유기 봉지층(1230)과 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 이에 따라, 유기 봉지층(2230)에 대한 중복되는 설명은 생략한다.
저유전율층(2300)은 제2 유기물을 포함할 수 있다. 제2 유기물은 약 3.0 이하의 유전율을 가질 수 있다. 이에 따라, 저유전율층(2300)의 유전율은 약 3.0 이하일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 유기물은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 페릴렌계 수지 등을 포함할 수 있다. 제2 유기물은 광경화성 물질 또는 열경화성 물질일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 저유전율층(2300)에 포함되는 제2 유기물의 유전율은 유기 봉지층(2230)에 포함되는 제1 유기물의 유전율보다 작을 수 있다. 이 경우, 제1 유기물과 제2 유기물은 서로 상이할 수 있다. 제1 유기물의 유전율이 제2 유기물의 유전율보다 크더라도 유기 봉지층(2230)이 제1 유기물 내에 분산되는 중공 입자(2232)를 포함하기 때문에 유기 봉지층(2230)의 유전율은 저유전율층(2300)의 유전율보다 작거나 실질적으로 같을 수 있다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(13)를 나타내는 단면도이다.
도 10을 참조하면, 표시 장치(13)는 표시 패널(100), 봉지층(200), 저유전율층(3300), 및 입력 감지층(400)을 포함할 수 있다. 도 10을 참조하여 설명하는 표시 장치(13)는 저유전율층(3300)을 제외하고는 도 6을 참조하여 설명한 표시 장치(10)와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성들에 대한 설명은 생략한다.
저유전율층(3300)은 제2 유기물을 포함할 수 있다. 제2 유기물은 약 3.0 이하의 유전율을 가질 수 있다. 이에 따라, 저유전율층(3300)의 유전율은 약 3.0 이하일 수 있다. 도 10을 참조하여 설명하는 저유전율층(3300)은 도 9를 참조하여 설명한 저유전율층(2300)과 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 이에 따라, 저유전율층(3300)에 대한 중복되는 설명은 생략한다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어 등에 포함되는 표시 장치에 적용될 수 있다.
이상, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 설시한 실시예들은 예시적인 것으로서 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
110: 기판 150: 제1 전극
160: 발광층 170: 제2 전극
200, 1200, 2200: 봉지층 210: 제1 무기 봉지층
220: 제2 무기 봉지층 230, 1230, 2230: 유기 봉지층
231: 제1 유기물 1232, 2232: 중공 입자
300, 2300, 3300: 저유전율층 310: 제2 유기물
320: 중공 입자 400: 입력 감지층
EL: 발광 소자 SE1: 제1 감지 전극
SE2: 제2 감지 전극

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 발광 소자;
    상기 발광 소자를 덮고, 제1 무기 봉지층, 상기 제1 무기 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 봉지층 및 상기 제1 무기 봉지층과 상기 제2 무기 봉지층 사이에 배치되고 3.0 이하의 유전율을 가지는 제1 유기물을 포함하는 유기 봉지층을 포함하는 봉지층;
    상기 봉지층 상에 배치되고, 제2 유기물 및 상기 제2 유기물 내에 분산되는 중공 입자를 포함하는 저유전율층; 및
    상기 저유전율층 상에 배치되는 입력 감지층을 포함하는, 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 저유전율층의 유전율은 3.0 이하인, 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 저유전율층의 전체 질량에 대한 상기 중공 입자의 질량비는 10 % 내지 50 %인, 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 중공 입자는 실리카(SiO2), 불화마그네슘(MgF2), 및 산화철(Fe3O4) 중 적어도 하나를 포함하는, 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 중공 입자의 지름은 20 nm 내지 200 nm인, 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 유기물은 상기 제1 유기물과 동일한, 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 유기물은 상기 제1 유기물과 상이한, 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 유기물은 광경화성 물질인, 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 저유전율층은 광개시제를 더 포함하는, 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 유기물은 열경화성 물질인, 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 저유전율층은 열안정제를 더 포함하는, 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 유기물의 유전율은 상기 제2 유기물의 유전율보다 작은, 표시 장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 유기 봉지층은 상기 제1 유기물 내에 분산되는 중공 입자를 더 포함하는, 표시 장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 유기 봉지층의 두께와 상기 저유전율층의 두께의 합은 4 ㎛ 내지 15 ㎛인, 표시 장치.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 발광 소자는,
    상기 기판 상에 배치되는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하는, 표시 장치.
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 입력 감지층은 서로 절연되는 제1 감지 전극 및 제2 감지 전극을 포함하는, 표시 장치.
  17. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 발광 소자;
    상기 발광 소자를 덮고, 제1 무기 봉지층, 상기 제1 무기 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 봉지층 및 상기 제1 무기 봉지층과 상기 제2 무기 봉지층 사이에 배치되고 제1 유기물 및 상기 제1 유기물 내에 분산되는 중공 입자를 포함하는 유기 봉지층을 포함하는 봉지층;
    상기 봉지층 상에 배치되고, 3.0 이하의 유전율을 가지는 제2 유기물을 포함하는 저유전율층; 및
    상기 저유전율층 상에 배치되는 입력 감지층을 포함하는, 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 유기 봉지층의 유전율은 3.0 이하인, 표시 장치.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 제2 유기물의 유전율은 상기 제1 유기물의 유전율보다 작은, 표시 장치.
  20. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 발광 소자;
    상기 발광 소자를 덮고, 제1 무기 봉지층, 상기 제1 무기 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 봉지층 및 상기 제1 무기 봉지층과 상기 제2 무기 봉지층 사이에 배치되고 3.0 이하의 유전율을 가지는 제1 유기물을 포함하는 유기 봉지층을 포함하는 봉지층;
    상기 봉지층 상에 배치되고, 3.0 이하의 유전율을 가지는 제2 유기물을 포함하는 저유전율층; 및
    상기 저유전율층 상에 배치되는 입력 감지층을 포함하는, 표시 장치.
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