KR20210064658A - 실리콘 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 실리콘 함유 박막 형성 방법 및 상기 실리콘 함유 박막을 포함하는 반도체 소자. - Google Patents

실리콘 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 실리콘 함유 박막 형성 방법 및 상기 실리콘 함유 박막을 포함하는 반도체 소자. Download PDF

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Abstract

본 발명은 실리콘 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 실리콘 함유 박막 형성 방법 및 상기 실리콘 함유 박막을 포함하는 반도체 소자에 관한 것으로서, 상기 실리콘 함유 박막 형성용 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 함유 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 1]
Figure pat00006

상기 화학식 1에서,
R1 내지 R5는 서로 같거나 상이할 수 있으며, 각각 독립적으로 수소원자 또는 C1-C6의 직쇄형, 분지형 또는 고리형 알킬기이다.

Description

실리콘 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 실리콘 함유 박막 형성 방법 및 상기 실리콘 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.{PRECURSOR FOR SILICON-CONTAINING FILM DEPOSITION, DEPOSITION METHOD OF SILICON-CONTAINING FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE OF THE SAME}
본 발명은 실리콘 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 실리콘 함유 박막 형성 방법 및 상기 실리콘 함유 박막을 포함하는 반도체 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 사이클릭 구조의 실리콘 함유 화합물을 이용하여 고품질의 박막을 형성할 수 있는 실리콘 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 실리콘 함유 박막 형성 방법 및 상기 금속 박막을 포함하는 반도체 소자에 관한 것이다.
원자층 증착(ALD) 또는 화학 기상 증착(CVD) 공정을 통해 실리콘 함유 박막을 형성하기 위해서는 전구체가 사용되는데, 이러한 전구체는 실리콘 함유 화합물을 포함하고 있다. 실리콘 함유 화합물을 적용하여 박막을 형성하기 위해서는 화합물의 화학적 안정성, 기화특성, 합성의 용이성, 기판 상에서 증착 효율이 요구된다. 특히, 고품질의 박막을 형성하기 위해서는 증착 초기의 제막 지연 시간(incubation time)이 짧고 핵 형성 밀도(nucleation density)가 높아야 하므로 이를 위하여 다양한 구조의 실리콘 함유 화합물이 개발되어 전구체로 사용되고 있다.
사이클릭 구조의 실리콘 함유 화합물을 이용하면 기판의 표면에 화학 흡착할 때 제막 지연 시간을 짧게 하면서도 핵 형성 밀도를 높일 수 있을 것으로 기대되는데, 이는 기판 표면에 화학 흡착한 실리콘 함유 화합물의 가교 부분에서 표면과의 반응이 빠르게 일어나면서 안정적이면서 균일한 흡착이 일어날 수 있을 것이기 때문이다.
또한, 표면 흡착 이후 안정한 가교형태의 구조를 유지하기 때문에 열안정성이 개선되어서 보다 고온에서도 균일한 박막의 형성이 가능하여 불순물이 적으면서도 막밀도가 높은 박막을 얻을 수 있다.
예를 들어, 대한민국 공개특허공보 10-2018-0034581호에는 사이클로디실라잔 전구체를 이용하여 실리콘 질화막을 형성하는 공정이 개시되어 있는데, 사이클릭 구조의 실리콘 함유 화합물을 이용하여 고품질의 질화막을 형성하고 있다. 또한, 대한민국 공개특허공보 10-2019-0067929호에는 사이클릭 구조의 실리콘 전구체를 이용하여 화학 기상 증착을 수행하는 방법이 개시되어 있다.
따라서 이러한 개념을 활용하면 고품질의 실리콘 함유 박막을 형성하기에 적합한 새로운 형태의 전구체를 얻을 수 있을 것으로 기대된다.
대한민국 공개특허공보 10-2018-0034581호 대한민국 공개특허공보 10-2019-0067929호
본 발명은 상기와 같은 종래기술들을 감안하여 안출된 것으로, 화학적 안정성이 우수하여 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD)이나 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD) 등의 증착 공정에 적합한 실리콘 함유 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막 형성용 전구체를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 증착 초기의 제막 지연 시간(incubation time)이 짧고 핵 형성 밀도(nucleation density)가 높아 고품질의 박막을 형성할 수 있는 실리콘 함유 박막 형성용 전구체를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 흡착 이후 가교 형태의 안정한 구조를 유지하기 때문에, 고온에서도 열분해 없이 균일하면서도 박막 내 불순물이 적고 막밀도가 높은 박막을 형성 할 수 있는 실리콘 함유 박막 형성용 전구체를 제공 하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 상기 전구체를 이용하여 금속 박막을 형성하는 방법 및 상기 금속 박막을 포함하는 반도체 소자를 제조하는 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실리콘 함유 박막 형성용 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 함유 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서,
R1 내지 R5는 서로 같거나 상이할 수 있으며, 각각 독립적으로 수소원자 또는 C1-C6의 직쇄형, 분지형 또는 고리형 알킬기이다.
또한, 상기 전구체는 용매를 추가적으로 포함할 수 있으며, 상기 용매는 C1-C16의 포화 또는 불포화 탄화수소, 케톤, 에테르, 글라임, 에스테르, 테트라하이드로퓨란, 3차 아민 중 어느 하나 또는 그 이상일 수 있다.
또한, 상기 용매는 상기 실리콘 함유 형성용 전구체 총 중량에 대하여 1 내지 99 중량%로 포함될 수 있다.
본 발명에 따른 실리콘 함유 박막 형성 방법은 상기 실리콘 함유 박막 형성용 전구체를 이용하여 기판 상에 실리콘 함유 박막을 증착하는 단계를 포함한다.
이때, 상기 실리콘 함유 박막은 원자층 증착에 의해 증착될 수 있고, 화학 기상 증착에 의해 증착될 수도 있다.
또한, 상기 실리콘 함유 형성용 전구체를 기화시켜 챔버 내부로 이송시키는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 증착하는 단계는 50 내지 700℃의 온도조건에서 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 소자는 상기 실리콘 함유 박막 형성 방법에 의해 제조된 실리콘 함유 박막을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 전구체는 화학적 안정성이 우수하여 화학 기상 증착법이나 원자층 증착법 등의 증착 공정에 적합한 실리콘 함유 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막 형성용 전구체를 제공할 수 있다.
또한, 증착 초기의 제막 지연 시간(incubation time)이 짧고 핵 형성 밀도(nucleation density)가 높아 고품질의 박막을 형성할 수 있는 효과를 나타낸다.
또한, 흡착 이후 가교 형태의 안정한 구조를 유지하기 때문에, 고온에서도 열분해 없이 균일하면서도 박막 내 불순물이 적고 막밀도가 높은 박막을 형성 할 수 있는 실리콘 함유 박막 형성용 전구체를 제공할 수 있다.
또한, 상기 전구체를 이용하여 금속 박막을 형성하는 방법 및 상기 금속 박막을 포함하는 반도체 소자를 제조하는 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 전구체를 이용한 실리콘 함유 박막의 형성 과정을 나타낸 개념도이다.
이하 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명에 따른 실리콘 함유 박막 형성용 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 함유 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 1]
Figure pat00002
상기 화학식 1에서,
R1 내지 R5는 서로 같거나 상이할 수 있으며, 각각 독립적으로 수소원자 또는 C1-C6의 직쇄형, 분지형 또는 고리형 알킬기이다.
이와 같은 화학구조를 가짐으로써 본 발명의 전구체는 증착 단계에서 표면과의 화학흡착에 의해 질소 결합이 끊어질 수 있어 흡착 속도가 빠르고, 화학흡착 이후에서는 표면과 흡착하여 Si-O-Si의 고리형 구조를 형성할 수 있기 때문에 매우 안정적인 형태를 형성할 수 있다. 따라서 고온 조건의 ALD 공정 등에서도 열분해 없이 증착이 가능하며 빠른 흡착 속도로 인하여 증착 초기의 막밀도가 높아질 수 있다.
상기와 같은 실리콘 함유 화합물은 유기 합성법을 통해 제조될 수 있다. 즉, 하기 반응식에서와 같이, 다이실록산 화합물과 나이트릴 화합물을 촉매를 사용하여 중합함으로써 제조할 수 있다. 이때, 상기 촉매로는 Co2(CH3CN)8과 같은 코발트 촉매를 사용할 수 있다. 하기 반응식에서 R'는 수소원자 또는 또는 C1-C5의 직쇄형, 분지형 또는 고리형 알킬기일 수 있다.
[반응식]
Figure pat00003
상기 화학식 1로 표시되는 실리콘 함유 화합물은 구체적으로 화학식 2에서와 같은 1,2,3,4-옥사자디실레티딘(1,2,3,4-oxazadisiletidin)을 기본골격으로 하여 실리콘 원자 및 질소 원자에 C1-C5의 직쇄형, 분지형 또는 고리형 알킬기가 각각 독립적으로 결합된 화학구조를 포괄하는 것이다.
[화학식 2]
Figure pat00004
또한, 본 발명의 전구체는 용매를 추가적으로 포함할 수 있다. 상기 용매로는 C1-C16의 포화 또는 불포화 탄화수소, 케톤, 에테르, 글라임, 에스테르, 테트라하이드로퓨란, 3차 아민 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 상기 C1-C16의 포화 또는 불포화 탄화수소의 예로는 톨루엔, 헵탄 등을 들 수 있으며, 3차 아민으로는 디메틸에틸아민을 들 수 있다.
용매를 포함하는 경우는 전구체를 구성하는 실리콘 함유 화합물이 실온에서 고체 상태인 경우를 들 수 있다. 따라서, 상기 용매를 포함하는 경우, 상기 상기 실리콘 함유 화합물을 용해할 수 있는 용매 및 함량으로 함유되게 되며, 상기 실리콘 함유 박막 형성용 전구체 총 중량에 대하여 1 내지 99 중량%로 포함되는 것이 바람직하다.
용매를 포함하거나 포함하지 않는 전구체는 기화할 수 있는 것으로서, 이를 챔버 내로 공급함으로써 증착 공정을 수행할 수 있으며, 상기 실리콘 함유 화합물의 성질에 따라 용해 가능한 용매를 적절히 선택하여 사용하는 것이 바람직하다. 따라서, 실리콘 함유 화합물의 종류에 따라 실온에서 액상으로 존재하며, 쉽게 기화될 수 있는 경우에는 별도의 용매 없이도 증착 공정을 수행할 수 있다.
본 발명의 실리콘 함유 박막 형성 방법은 상기 실리콘 함유 박막 형성용 전구체를 이용하여 기판 상에 실리콘 함유 박막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 실리콘 함유 박막 형성용 전구체는 전술한 바와 같이 용매를 추가적으로 포함할 수 있고, 상기 용매는 상기 실리콘 함유 박막 형성용 전구체 총 중량에 대하여 1 내지 99 중량%로 포함될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 실리콘 함유 화합물을 포함하는 전구체를 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법은 전구체로서 화학식 1로 표시되는 실리콘 함유 화합물 또는 상기 화합물을 함유하는 조성물을 이용하는 것을 제외하고는 통상의 증착에 의한 실리콘 함유 박막의 제조방법에 따라 실시될 수 있으며, 구체적으로는 화학 기상 증착법 또는 원자층 증착법 등의 방법으로 실시될 수 있다.
즉, 반응기 내에 존재하는 실리콘 함유 박막 형성용 기판 위로 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘 함유 화합물을 공급하는 단계, 및 상기 반응기 내에 반응성 가스를 공급하고, 열처리, 플라즈마 처리 및 광 조사로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 처리 공정을 실시하는 단계를 포함하는 제조 방법에 의해 제조될 수 있다.
도 1을 참조하여, 박막 형성 과정을 설명하면, 먼저, 반응 사이트가 형성된 기판 상에 본 발명의 전구체를 도입한다(도 1(a)). 상기 전구체를 구성하는 화학식 1로 표시되는 실리콘 함유 화합물의 알킬아민기(NR5)는 기판 표면의 반응 사이트에 의해 쉽게 가교구조가 깨지기 때문에 하나의 실리콘 원자가 표면 반응기와 화학 결합을 형성한 후(도 1(b)), 연속적으로 나머지 실리콘 원자도 또 다른 표면 반응기와 화학 결합을 형성함으로써 표면에 실리콘 함유 화합물이 화학 흡착된 중간체를 형성하게 된다(도 1(c)). 형성된 중간체의 경우 가교 형태가 되기 때문에 안정성이 증가되어서 고온에서도 실리콘 함유 박막을 형성하기 위해 반응물과 반응할 때까지 열분해 없이 박막을 형성할 수 있다.
이러한 박막 형성 방법에 따르면 Si-N-Si 결합 사이트가 기판의 표면에 형성된 반응 사이트와 빠르게 반응하여 안정화되기 때문에 증착 초기의 제막 지연 시간(incubation time)이 매우 짧아질 수 있다. 또한, 초기 흡착이 발생하면 안정한 가교 구조가 되기 때문에 과잉 투입된 실리콘 전구체는 초기 흡착 된 부분을 제외한 표면과 반응을 하기 때문에 박막의 균일도가 높으면서, 핵 형성 밀도(nucleation density)가 매우 높은 박막을 형성할 수 있게 된다.
상기 실리콘 함유 박막 형성용 기판으로는 기술적 작용으로 인하여 실리콘 함유 박막에 의해 코팅될 필요가 있는, 반도체 제조에 사용되는 것이라면 특별한 제한 없이 사용 가능하다. 구체적으로는 규소 기판(Si), 실리카 기판(SiO2), 질화 규소 기판(SiN), 규소 옥시 니트라이드 기판 (SiON), 티타늄 니트라이드 기판(TiN), 탄탈륨 니트라이드 기판(TaN), 텅스텐 기판(W) 또는 귀금속 기판, 예를 들어 백금 기판(Pt), 팔라듐 기판(Pd), 로듐 기판(Rh) 또는 금 기판(Au) 등이 사용될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 실리콘 함유 화합물은 휘발된 기체를 통해 이송하거나, 직접 액체 주입 방법 또는 상기 실리콘 함유 화합물을 유기 용매에 용해시켜 이송하는 액체 이송 방법이 이용될 수 있다. 상기 전구체를 휘발된 기체로 이송하는 방법은 상기 전구체가 들어 있는 용기를 항온조에 넣은 후 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤, 제논 또는 질소 등의 비활성 가스로 버블링하여 전구체를 증발시킨 후 금속 박막 형성용 기판 위로 이송시키거나, 또는 액체운반시스템(LDS: Liquid Delivery System)을 사용하여 액상의 전구체를 기화기를 통해 기상으로 변화시킨 후 금속 박막 형성용 기판 위로 이송시킴으로써 실시될 수 있다.
전구체를 유기 용매에 용해시켜 이송하는 액체 이송 방법의 경우, 전술한 바와 같이 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘 함유 화합물 및 용매로 이루어진 조성물 형태로 이용할 수 있는데, 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘 함유 화합물 중 높은 점도로 인하여 액체 이송 방식의 기화기에서 충분히 기화되기 어려울 경우 용매를 포함하는 조성물의 형태로 활용하면 증착 공정을 효과적으로 수행할 수 있다.
이러한 용매는 고체 성상의 물질을 용해할 수 있는 특성을 가지거나 액체 성상의 물질을 용해 및 분산시킬 수 있는 용매이어야 한다. 또한, 용매의 비점, 밀도 및 증기압 조건을 고려하여 박막 형성용 조성물의 점도 감소 효과 및 휘발성 개선 효과를 향상하고, 이를 통해, 증착된 박막의 균일성(uniformity) 및 단차피복(step coverage) 특성이 개선된 박막의 형성을 할 수 있도록 용매를 선별하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘 함유 화합물을 챔버 내에 공급할 때, 최종 형성되는 실리콘 함유 박막에서의 전기적 특성을 더욱 개선시키기 위하여 제2 금속 전구체로서 규소(Si), 티타늄(Ti), 게르마늄(Ge), 스트론튬(Sr), 니오브(Nb), 바륨(Ba), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 란탄족 원자로부터 선택된 1종 이상의 금속(M")을 포함하는 금속 전구체를 선택적으로 더 공급할 수도 있다. 상기 제2 금속 전구체는 상기 금속을 포함하는 알킬아미드계 화합물 또는 알콕시계 화합물 일 수 있다. 일례로 상기 금속이 Si인 경우 제2금속 전구체로 SiH(N(CH3)2)3, Si(N(C2H5)2)4, Si(N(C2H5)(CH3))4, Si(N(CH3)2)4, Si(OC4H9)4, Si(OC2H5)4, Si(OCH3)4, Si(OC(CH3)3)4 등이 사용될 수 있다.
상기 제2 금속 전구체의 공급은 화학식 1로 표시되는 실리콘 함유 화합물을 포함한 전구체의 공급 방법과 동일한 방법으로 실시될 수 있으며, 상기 제2 금속 전구체는 화학식 1로 표시되는 실리콘 함유 화합물을 포함하는 전구체와 함께 박막 형성용 기판 위로 공급될 수도 있고, 또는 금속 전구체의 공급 완료 이후 순차적으로 공급될 수도 있다.
상기와 같은 화학식 1로 표시되는 실리콘 함유 화합물을 포함하는 전구체 및 선택적으로 제2 금속 전구체는 상기 실리콘 함유 박막 형성용 기판과 접촉시키기 위해 반응 챔버 내로 공급되기 전까지 상온 내지 200℃의 온도를 유지하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 상온 내지 150℃의 온도를 유지하는 것이 좋다.
또한, 전구체의 공급 단계 후 반응성 가스의 공급에 앞서, 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘 함유 화합물을 포함하는 전구체 및 선택적으로 제2 금속 전구체의 기판 위로의 이동을 돕거나, 반응기 내가 증착에 적절한 압력을 갖도록 하며, 또한, 챔버 내에 존재하는 불순물 등을 외부로 방출시키기 위하여, 반응기 내에 아르곤(Ar), 질소(N2), 또는 헬륨(He) 등의 불활성 기체를 퍼지하는 공정이 실시될 수 있다. 이때 불활성 기체의 퍼지는 반응기내 압력이 1 내지 5 Torr가 되도록 실시되는 것이 바람직하다.
상기한 전구체들의 공급 완료 후 반응성 가스를 반응기 내로 공급하고, 반응성 가스의 존재하에서 열처리, 플라즈마 처리 및 광 조사로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 처리 공정을 실시한다.
상기 반응성 가스로는 수증기(H2O), 산소(O2), 오존(O3), 과산화수소(H2O2), 수소(H2), 암모니아(NH3), 일산화질소(NO), 아산화질소(N2O), 이산화질소(NO2), 히드라진(N2H4), 및 실란(SiH4) 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 상기 수증기, 산소, 오존 등과 같은 산화성 가스 존재 하에서 실시될 경우 금속 산화물 박막이 형성될 수 있고, 수소, 암모니아, 히드라진, 실란 등의 환원성 가스 존재 하에서 실시되는 경우 금속 단체 또는 금속 질화물의 박막이 형성될 수 있다.
또한, 상기 열처리, 플라즈마 처리 또는 광조사의 처리 공정은 전구체의 증착을 위한 열에너지를 제공하기 위한 것으로, 통상의 방법에 따라 실시될 수 있다. 바람직하게는, 충분한 성장 속도로, 목적하는 물리적 상태와 조성을 갖는 실리콘 함유 금속 박막을 제조하기 위해서는 반응기내 기판의 온도가 50 내지 1,000℃ 바람직하게는 50 내지 700℃가 되도록 상기 처리 공정을 실시하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 처리 공정 시에도 전술한 바와 같이 반응성 가스의 기판 위로의 이동을 돕거나, 반응기 내가 증착에 적절한 압력을 갖도록 하며, 또한 반응기내 존재하는 불순물 또는 부산물 등을 외부로 방출시키기 위하여, 반응기 내에 아르곤(Ar), 질소(N2), 또는 헬륨(He) 등의 불활성 기체를 퍼지하는 공정이 실시될 수 있다.
상기와 같은, 전구체의 투입, 반응성 가스의 투입, 그리고 불활성 기체의 투입 처리 공정을 1 사이클로 하여. 1 사이클 이상 반복 실시함으로써 실리콘 함유 박막이 형성될 수 있다.
구체적으로, 반응성 가스로서 산화성 가스를 사용할 경우 제조되는 상기 실리콘 함유 박막은 하기 화학식 3의 금속 산화물을 포함할 수 있다:
[화학식 3]
(M1-aM"a)Ob
상기 화학식 3에서, a는 0 ≤ a < 1 이고, b는 0 < b ≤ 2 이며, M는 Zr, Hf 및 Ti로 이루어진 군에서 선택되고, M"은 제2 금속 전구체로부터 유도되는 것으로, 규소(Si), 티타늄(Ti), 게르마늄(Ge), 스트론튬(Sr), 니오브(Nb), 바륨(Ba), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 란탄족 원자로부터 선택된 것이다.
이러한 실리콘 함유 박막의 제조방법은, 열 안정성이 우수한 전구체를 이용함으로써 증착 공정시 종래에 비해 높은 온도에서 증착 공정 실시가 가능하고, 전구체의 열분해에 기인한 파티클 오염이나 탄소 등의 불순물 오염없이 고순도의 실리콘 함유 박막, 예를 들어, 실리콘 산화물 박막, 실리콘 질화물 박막, 실리콘 옥시질화물 박막 또는 실리콘을 함유하는 복합 금속 박막을 형성할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 제조방법에 따라 형성된 실리콘 함유 박막은 반도체 소자에서의 절연막으로써, 특히 반도체 메모리 소자에서의 DRAM, NAND, CMOS 등에 유용하다.
또 다른 실시형태로서, 상기 실리콘 함유 박막의 형성 방법에 의해 형성된 실리콘 함유 박막, 및 상기 박막을 포함하는 반도체 소자를 제공한다.
또한, 상기 반도체 소자는 소자내 DRAM, NAND, CMOS 등 절연특성이 요구되는 물질막에 본 발명에 따른 실리콘 함유 박막을 포함하는 것을 제외하고는 통상의 반도체 소자의 구성과 동일하므로, 본 명세서에서는 반도체 소자의 구성에 대한 상세한 설명을 생략한다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시형태를 들어 설명하였으나, 상기 실시형태들에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.

Claims (9)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 함유 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 함유 박막 형성용 전구체.

    [화학식 1]
    Figure pat00005


    상기 화학식 1에서,
    R1 내지 R5는 서로 같거나 상이할 수 있으며, 각각 독립적으로 수소원자 또는 C1-C6의 직쇄형, 분지형 또는 고리형 알킬기이다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    용매를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 함유 박막 형성용 전구체.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 용매는 C1-C16의 포화 또는 불포화 탄화수소, 케톤, 에테르, 글라임, 에스테르, 테트라하이드로퓨란, 3차 아민 중 어느 하나 또는 그 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 함유 박막 형성용 전구체.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 용매는 상기 실리콘 함유 박막 형성용 전구체 총 중량에 대하여 1 내지 99 중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 실리콘 함유 박막 형성용 전구체.
  5. 청구항 1 또는 2에 따른 실리콘 함유 박막 형성용 전구체를 이용하여 기판 상에 박막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 함유 박막 형성 방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 실리콘 함유 박막은 원자층 증착 또는 화학 기상 증착에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 실리콘 함유 박막 형성 방법.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 실리콘 함유 박막 형성용 전구체를 기화시켜 챔버 내부로 이송시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 함유 박막 형성 방법.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 증착하는 단계는 50 내지 700℃의 온도조건에서 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 함유 박막 형성 방법.
  9. 청구항 5의 실리콘 함유 박막 형성 방법에 의해 제조된 실리콘 함유 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20190067929A (ko) 2016-11-02 2019-06-17 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 조밀한 osg 필름용 실릴 가교된 알킬 화합물의 용도

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