KR20210057440A - 터치 디스플레이 장치 - Google Patents

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KR20210057440A
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KR1020190144197A
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이양식
이휘득
박용찬
한성수
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 실시예들은, 터치 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 터치 라우팅 배선과 봉지부 사이에 터치 라우팅 배선과 중첩하지 않으면서 정전압이 인가되는 실딩 패턴을 배치함으로써, 실딩 패턴에 의해 형성되는 전계에 의해 봉지부의 아래에 위치하는 신호 라인에 의한 노이즈를 차단할 수 있다. 또한, 봉지부의 평탄화된 영역에서는 실딩 패턴과 동일한 층에 배치되는 메탈을 터치 라우팅 배선으로 이용하여 터치 라우팅 배선의 저항과 폭을 감소시켜줌으로써, 봉지부의 평탄화된 영역을 감소시켜 논-액티브 영역의 증가를 최소화하며 터치 센싱 시 디스플레이 노이즈를 저감시킨 터치 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.

Description

터치 디스플레이 장치{TOUCH DISPLAY DEVICE}
본 발명의 실시예들은, 터치 디스플레이 장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하는 디스플레이 장치에 대한 요구가 증가하고 있으며, 액정 디스플레이 장치, 유기발광 디스플레이 장치 등과 같은 다양한 유형의 디스플레이 장치가 활용된다.
이러한 디스플레이 장치는 사용자에게 보다 다양한 기능을 제공하기 위하여, 디스플레이 패널에 대한 사용자의 터치를 인식하고 인식된 터치를 기반으로 입력 처리를 수행하는 기능을 제공한다.
일 예로, 터치 인식이 가능한 디스플레이 장치는, 디스플레이 패널에 배치되거나 내장된 다수의 터치 전극을 포함하고, 이러한 터치 전극을 구동하여 디스플레이 패널에 대한 사용자의 터치 유무와 터치 좌표 등을 검출할 수 있다.
여기서, 디스플레이 패널은 영상을 표시하며 터치 센싱 기능을 제공함에 따라 디스플레이 구동을 위한 배선과 터치 센싱을 위한 배선을 포함할 수 있으며, 경우에 따라, 디스플레이 구동을 위한 배선과 터치 센싱을 위한 배선이 중첩되거나 인접하게 배치될 수 있다. 따라서, 양 배선 간의 기생 캐패시턴스로 인해 터치 센싱의 성능이 저하될 수 있는 문제점이 존재한다.
본 발명의 실시예들은, 디스플레이 구동을 위한 배선과 터치 구동을 위한 배선 사이의 기생 캐패시턴스에 의한 터치 센싱 신호의 노이즈를 저감시켜 터치 센싱의 성능을 개선할 수 있는 방안을 제공한다.
본 발명의 실시예들은, 터치 구동을 위한 배선을 배치하기 위해 요구되는 영역을 최소화하면서, 터치 센싱 신호의 노이즈를 저감시킬 수 있는 방안을 제공한다.
일 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 액티브 영역에 배치된 다수의 발광 소자와, 액티브 영역의 외측에 위치하는 논-액티브 영역에 배치된 다수의 신호 라인과, 발광 소자 및 신호 라인 상에 배치된 봉지부와, 봉지부 상에서 액티브 영역에 배치된 다수의 터치 전극과, 봉지부 상에서 논-액티브 영역에 배치되고 터치 전극과 전기적으로 연결된 다수의 터치 라우팅 배선과, 터치 라우팅 배선과 봉지부 사이에 위치하고 터치 라우팅 배선과 중첩하는 영역을 제외한 영역에 배치되며 정전압이 인가되는 적어도 하나의 실딩 패턴을 포함하는 터치 디스플레이 장치를 제공한다.
다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 액티브 영역에 배치된 다수의 발광 소자와, 액티브 영역의 외측에 위치하는 논-액티브 영역에 배치된 다수의 신호 라인과, 발광 소자 및 신호 라인 상에 배치된 봉지부와, 봉지부 상에서 액티브 영역에 배치된 다수의 터치 전극과, 봉지부 상에서 논-액티브 영역에 배치되고 터치 전극과 전기적으로 연결된 다수의 터치 라우팅 배선과, 논-액티브 영역에서 봉지부의 경사면과 터치 라우팅 배선 사이에 배치되고 터치 라우팅 배선과 중첩하는 영역을 포함하는 영역에 배치되며 터치 라우팅 배선에 인가되는 신호와 대응하는 신호가 인가되는 적어도 하나의 실딩 패턴을 포함하는 터치 디스플레이 장치를 제공한다.
다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 액티브 영역에 배치된 다수의 터치 전극과, 액티브 영역의 외측에 위치하는 논-액티브 영역에 배치되고 터치 전극과 전기적으로 연결된 다수의 터치 라우팅 배선과, 논-액티브 영역에 배치되고 터치 라우팅 배선 아래에 위치하는 다수의 신호 라인과, 터치 라우팅 배선과 신호 라인 사이에 위치하고 터치 라우팅 배선과 중첩하는 영역을 제외한 영역에 배치되며 정전압이 인가되는 적어도 하나의 실딩 패턴을 포함하는 터치 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 정전압이 인가되는 실딩 패턴을 터치 라우팅 배선과 봉지부 사이에서 터치 라우팅 배선과 중첩하지 않도록 배치함으로써, 봉지부 아래에 위치하는 신호 라인과 터치 라우팅 배선 사이의 기생 캐패시턴스를 저감시킬 수 있다.
또는, 실딩 패턴을 터치 라우팅 배선과 중첩하도록 배치하고 터치 라우팅 배선에 인가되는 신호와 동일한 신호를 실딩 패턴으로 공급함으로써, 봉지부 아래에 위치하는 신호 라인과 터치 라우팅 배선 사이의 기생 캐패시턴스를 저감시킬 수도 있다.
또한, 봉지부의 평탄화된 영역에서는 실딩 패턴과 동일한 층에 배치되는 메탈을 터치 라우팅 배선으로 이용함으로써, 터치 라우팅 배선의 저항을 감소시켜 봉지부의 평탄화된 영역에 배치된 터치 라우팅 배선의 폭을 감소시킬 수 있다.
따라서, 터치 라우팅 배선과 디스플레이 구동을 위한 신호 라인 사이의 기생 캐패시턴스로 인한 터치 센싱의 성능 저하를 방지하면서, 터치 라우팅 배선의 배치를 위해 요구되는 영역을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 디스플레이 패널을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널에 터치 패널이 내장되는 구조를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 4와 도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널에 배치된 터치 전극의 타입을 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 도 5의 메쉬 타입의 터치 전극을 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널에서의 터치 센서 구조를 간략하게 나타낸 도면이다.
도 8은 도 7의 터치 센서 구조의 구현 예시 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널의 부분적인 단면도로서, 도 8에 도시된 X-X' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 10과 도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널에 컬러필터가 포함된 경우의 단면 구조를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널에서 터치 라우팅 배선이 배치되는 논-액티브 영역의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 13은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널의 논-액티브 영역에 노이즈 저감 구성이 배치된 평면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 14는 도 13에 도시된 I-I' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 15는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널에의 논-액티브 영역에 노이즈 저감 구성이 배치된 평면 구조의 다른 예시를 나타낸 도면이다.
도 16과 도 17은 도 15에 도시된 J-J' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 18은 도 16과 도 17에 도시된 터치 라우팅 배선과 실딩 패턴의 구체적인 평면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 19와 도 20은 도 15에 도시된 J-J' 부분의 단면 구조의 다른 예시를 나타낸 도면이다.
도 21은 도 19와 도 20에 도시된 터치 라우팅 배선과 실딩 패턴의 구체적인 평면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다.
구성 요소들의 위치 관계에 대한 설명에 있어서, 둘 이상의 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속" 등이 된다고 기재된 경우, 둘 이상의 구성 요소가 직접적으로 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수 있지만, 둘 이상의 구성 요소와 다른 구성 요소가 더 "개재"되어 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 여기서, 다른 구성 요소는 서로 "연결", "결합" 또는 "접속" 되는 둘 이상의 구성 요소 중 하나 이상에 포함될 수도 있다.
구성 요소들의 시간 관계 또는 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보(예: 레벨 등)가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 시스템 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치는 영상 디스플레이를 위한 기능과 터치 센싱을 위한 기능을 모두 제공할 수 있다.
영상 디스플레이 기능을 제공하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치는 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인이 배치되고 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인에 의해 정의된 다수의 서브픽셀이 배열된 디스플레이 패널(DISP)과, 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 구동 회로(DDC)와, 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 구동 회로(GDC)와, 데이터 구동 회로(DDC) 및 게이트 구동 회로(GDC)의 동작을 제어하는 디스플레이 컨트롤러(DCTR) 등을 포함할 수 있다.
데이터 구동 회로(DDC), 게이트 구동 회로(GDC) 및 디스플레이 컨트롤러(DCTR) 각각은 하나 이상의 개별 부품으로 구현될 수도 있다. 경우에 따라서, 데이터 구동 회로(DDC), 게이트 구동 회로(GDC) 및 디스플레이 컨트롤러(DCTR) 중 둘 이상은 하나의 부품으로 통합되어 구현될 수도 있다. 예를 들어, 데이터 구동 회로(DDC)와 디스플레이 컨트롤러(DCTR)는 하나의 집적회로 칩(IC Chip)으로 구현될 수 있다.
터치 센싱 기능을 제공하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치는 다수의 터치 전극을 포함하는 터치 패널(TSP)과, 터치 패널(TSP)로 터치 구동 신호를 공급하고 터치 패널(TSP)로부터 터치 센싱 신호를 검출하여, 검출된 터치 센싱 신호를 토대로 터치 패널(TSP)에서의 사용자의 터치 유무 또는 터치 위치(터치 좌표)를 센싱하는 터치 센싱 회로(TSC)를 포함할 수 있다.
터치 센싱 회로(TSC)는, 일 예로, 터치 패널(TSP)로 터치 구동 신호를 공급하고 터치 패널(TSP)로부터 터치 센싱 신호를 검출하는 터치 구동 회로(TDC)와, 터치 구동 회로(TDC)에 의해 검출된 터치 센싱 신호를 토대로 터치 패널(TSP)에서의 사용자의 터치 유무 및/또는 터치 위치를 센싱하는 터치 컨트롤러(TCTR) 등을 포함할 수 있다.
터치 구동 회로(TDC)는 터치 패널(TSP)로 터치 구동 신호를 공급하는 제1 회로 파트와 터치 패널(TSP)로부터 터치 센싱 신호를 검출하는 제2 회로 파트를 포함할 수 있다.
터치 구동 회로(TDC) 및 터치 컨트롤러(TCTR)는 별도의 부품으로 구현되거나, 경우에 따라서, 하나의 부품으로 통합되어 구현될 수도 있다.
한편, 데이터 구동 회로(DDC), 게이트 구동 회로(GDC) 및 터치 구동 회로(TDC) 각각은 하나 이상의 집적회로로 구현될 수 있으며, 디스플레이 패널(DISP)과의 전기적인 연결 관점에서 COG(Chip On Glass) 타입, COF(Chip On Film) 타입, 또는 TCP(Tape Carrier Package) 타입 등으로 구현될 수 있으며, 게이트 구동 회로(GDC)는 GIP(Gate In Panel) 타입으로도 구현될 수 있다.
한편, 디스플레이 구동을 위한 회로 구성들(DDC, GDC, DCTR)과 터치 센싱을 위한 회로 구성들(TDC, TCTR) 각각은 하나 이상의 개별 부품으로 구현될 수 있다. 경우에 따라서 디스플레이 구동을 위한 회로 구성들(DDC, GDC, DCTR) 중 하나 이상과 터치 센싱을 위한 회로 구성들(TDC, TCTR) 중 하나 이상은 기능적으로 통합되어 하나 이상의 부품으로 구현될 수도 있다.
예를 들어, 데이터 구동 회로(DDC)와 터치 구동 회로(TDC)는 하나 또는 둘 이상의 집적회로 칩에 통합 구현될 수 있다. 데이터 구동 회로(DDC)와 터치 구동 회로(TDC)가 둘 이상의 집적회로 칩에 통합 구현되는 경우, 둘 이상의 집적회로 칩 각각은 데이터 구동 기능과 터치 구동 기능을 가질 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치는 유기발광 디스플레이 장치, 액정 디스플레이 장치 등의 다양한 타입일 수 있다. 아래에서는, 설명의 편의를 위해, 터치 디스플레이 장치가 유기발광 디스플레이 장치인 것으로 예를 들어 설명한다. 즉, 디스플레이 패널(DISP)은 유기발광 디스플레이 패널, 액정 디스플레이 패널 등의 다양한 타입일 수 있지만, 이하에서는, 설명의 편의를 위하여 디스플레이 패널(DISP)이 유기발광 디스플레이 패널인 것으로 예를 들어 설명한다.
또 한편, 후술하겠지만, 터치 패널(TSP)은 터치 구동 신호가 인가되거나 터치 센싱 신호가 검출될 수 있는 다수의 터치 전극과, 이러한 다수의 터치 전극을 터치 구동 회로(TDC)와 연결시켜주기 위한 다수의 터치 라우팅 배선 등을 포함할 수 있다.
터치 패널(TSP)은 디스플레이 패널(DISP)의 외부에 존재할 수도 있다. 즉, 터치 패널(TSP)과 디스플레이 패널(DISP)은 별도로 제작되어 결합될 수 있다. 이러한 터치 패널(TSP)을 외장형 타입 또는 애드-온(Add-on) 타입이라고 한다.
이와 다르게, 터치 패널(TSP)은 디스플레이 패널(DISP)의 내부에 내장될 수도 있다. 즉, 디스플레이 패널(DISP)을 제작할 때, 터치 패널(TSP)을 구성하는 다수의 터치 전극과 다수의 터치 라우팅 배선 등의 터치 센서 구조는 디스플레이 구동을 위한 전극들 및 신호 라인들과 함께 형성될 수 있다. 이러한 터치 패널(TSP)을 내장형 타입이라고 한다. 아래에서는, 설명의 편의를 위하여, 터치 패널(TSP)이 내장형 타입인 경우로 예를 들어 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 디스플레이 패널(DISP)을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 디스플레이 패널(DISP)은 영상이 표시되는 액티브 영역(AA)과, 액티브 영역(AA)의 외곽 경계 라인(BL)의 외곽 영역인 논-액티브 영역(NA)을 포함할 수 있다.
디스플레이 패널(DISP)의 액티브 영역(AA)에는, 영상 디스플레이를 위한 다수의 서브픽셀이 배열되고, 디스플레이 구동을 위한 각종 전극들이나 신호 라인들이 배치된다.
또한, 디스플레이 패널(DISP)의 액티브 영역(AA)에는, 터치 센싱을 위한 다수의 터치 전극과 이들과 전기적으로 연결된 다수의 터치 라우팅 배선 등이 배치될 수 있다. 이에 따라, 액티브 영역(AA)은 터치 센싱이 가능한 터치 센싱 영역이라고도 할 수 있다.
디스플레이 패널(DISP)의 논-액티브 영역(NA)에는, 액티브 영역(AA)에 배치된 각종 신호 라인들이 연장된 링크 라인들 또는 액티브 영역(AA)에 배치된 각종 신호 라인들과 전기적으로 연결된 링크 라인들과, 이 링크 라인들에 전기적으로 연결된 패드들이 배치될 수 있다. 논-액티브 영역(NA)에 배치된 패드들은 디스플레이 구동 회로(DDC, GDC 등)가 본딩되거나 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 디스플레이 패널(DISP)의 논-액티브 영역(NA)에는, 액티브 영역(AA)에 배치된 다수의 터치 라우팅 배선이 연장된 링크 라인들 또는 액티브 영역(AA)에 배치된 다수의 터치 라우팅 배선과 전기적으로 연결된 링크 라인들과, 이 링크 라인들에 전기적으로 연결된 패드들이 배치될 수 있다. 논-액티브 영역(NA)에 배치된 패드들은 터치 구동 회로(TDC)가 본딩되거나 전기적으로 연결될 수 있다.
논-액티브 영역(NA)에는, 액티브 영역(AA)에 배치된 다수의 터치 전극 중 최외곽 터치 전극의 일부가 확장된 부분이 존재할 수도 있고, 액티브 영역(AA)에 배치된 다수의 터치 전극과 동일한 물질의 하나 이상의 전극(터치 전극)이 더 배치될 수도 있다.
즉, 디스플레이 패널(DISP)에 배치된 다수의 터치 전극은 액티브 영역(AA) 내에 모두 존재하거나, 디스플레이 패널(DISP)에 배치된 다수의 터치 전극 중 일부(예: 최외곽 터치 전극)는 논-액티브 영역(NA)에 존재하거나, 디스플레이 패널(DISP)에 배치된 다수의 터치 전극 중 일부(예: 최외곽 터치 전극)는 액티브 영역(AA)과 논-액티브 영역(NA)에 걸쳐 있을 수도 있다.
한편, 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 디스플레이 패널(DISP)은 액티브 영역(AA) 내 어떠한 층(Layer, 예: 유기발광 디스플레이 패널에서의 봉지부)이 무너지는 것을 방지하기 위한 댐(DAM)이 배치되는 댐 영역(DA)을 포함할 수 있다.
댐 영역(DA)은, 액티브 영역(AA)과 논-액티브 영역(NA)의 경계 지점이나 액티브 영역(AA)의 외곽 영역인 논-액티브 영역(NA)의 어느 한 지점 등에 위치할 수 있다.
댐 영역(DA)에 배치되는 댐은, 액티브 영역(AA)의 모든 방향을 둘러싸면서 배치되거나, 액티브 영역(AA)의 하나 또는 둘 이상의 일부분(예: 무너지기 쉬운 층이 있는 부분)의 외곽에만 배치될 수도 있다.
댐 영역(DA)에 배치되는 댐은, 모두 연결되는 하나의 패턴일 수도 있고 단절된 둘 이상의 패턴으로 이루어질 수도 있다. 또한, 댐 영역(DA)은 1차 댐만이 배치될 수도 있고, 2개의 댐(1차 댐, 2차 댐)이 배치될 수도 있으며, 3개 이상의 댐이 배치될 수도 있다.
댐 영역(DA)에서, 어느 한 방향에서는 1차 댐만 있고, 어느 다른 한 방향에서는 1차 댐과 2차 댐이 모두 있을 수도 있다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널(DISP)에 터치 패널(TSP)이 내장되는 구조를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 디스플레이 패널(DISP)의 액티브 영역(AA)에는, 기판(SUB) 상에 다수의 서브픽셀(SP)이 배열된다.
각 서브픽셀(SP)은, 발광 소자(ED)와, 발광 소자(ED)를 구동하기 위한 제1 트랜지스터(T1)와, 제1 트랜지스터(T1)의 제1 노드(N1)로 데이터 전압(VDATA)을 전달해주기 위한 제2 트랜지스터(T2)와, 한 프레임 동안 일정 전압을 유지해주기 위한 스토리지 캐패시터(Cst) 등을 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 데이터 전압(VDATA)이 인가될 수 있는 제1 노드(N1), 발광 소자(ED)와 전기적으로 연결되는 제2 노드(N2) 및 구동 전압 라인(DVL)으로부터 구동 전압(VDD)이 인가되는 제3 노드(N3)를 포함할 수 있다. 제1 노드(N1)는 게이트 노드이고, 제2 노드(N2)는 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있고, 제3 노드(N3)는 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다. 이러한 제1 트랜지스터(T1)는 발광 소자(ED)를 구동하는 구동 트랜지스터라고도 한다.
발광 소자(ED)는 제1 전극(예: 애노드 전극), 발광층 및 제2 전극(예: 캐소드 전극)을 포함할 수 있다. 제1 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 제2 노드(N2)와 전기적으로 연결되고, 제2 전극은 기저 전압(VSS)이 인가될 수 있다.
이러한 발광 소자(ED)에서 발광층은 유기물을 포함하는 유기 발광층일 수 있다. 이 경우, 발광 소자(ED)는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)일 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는, 게이트 라인(GL)을 통해 인가되는 스캔 신호(SCAN)에 의해 온-오프가 제어되며, 제1 트랜지스터(T1)의 제1 노드(N1)와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 제2 트랜지스터(T2)는 스위칭 트랜지스터라고도 한다.
제2 트랜지스터(T2)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 턴-온 되면, 데이터 라인(DL)에서 공급된 데이터 전압(VDATA)을 제1 트랜지스터(T1)의 제1 노드(N1)에 전달한다.
스토리지 캐패시터(Cst)는 제1 트랜지스터(T1)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다.
각 서브픽셀(SP)은 도 3에 도시된 바와 같이 2개의 트랜지스터(T1, T2)와 1개의 캐패시터(Cst)를 포함하는 2T1C 구조를 가질 수 있으며, 경우에 따라서, 1개 이상의 트랜지스터를 더 포함하거나, 1개 이상의 캐패시터를 더 포함할 수도 있다.
스토리지 캐패시터(Cst)는, 제1 트랜지스터(T1)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 존재할 수 있는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 제1 트랜지스터(T1)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)일 수 있다.
제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2) 각각은 n 타입 트랜지스터이거나 p 타입 트랜지스터일 수 있다.
한편, 전술한 바와 같이, 디스플레이 패널(DISP)에는 발광 소자(ED), 2개 이상의 트랜지스터(T1, T2) 및 1개 이상의 캐패시터(Cst) 등의 회로 소자가 배치된다. 이러한 회로 소자(특히, 발광 소자(ED))는 외부의 수분이나 산소 등에 취약하기 때문에, 외부의 수분이나 산소가 회로 소자(특히, 발광 소자(ED))로 침투되는 것을 방지하기 위한 봉지부(ENCAP)가 디스플레이 패널(DISP)에 배치될 수 있다.
이러한 봉지부(ENCAP)는 하나의 층으로 되어 있을 수도 있지만, 다수의 층으로 되어 있을 수도 있다.
한편, 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서는, 터치 패널(TSP)이 봉지부(ENCAP) 상에 형성될 수 있다.
즉, 터치 디스플레이 장치에서, 터치 패널(TSP)을 이루는 다수의 터치 전극(TE) 등의 터치 센서 구조는 봉지부(ENCAP) 상에 배치될 수 있다.
터치 센싱 시, 터치 전극(TE)에는 터치 구동 신호 또는 터치 센싱 신호가 인가될 수 있다. 따라서, 터치 센싱 시, 봉지부(ENCAP)를 사이에 두고 배치되는 터치 전극(TE)과 캐소드 전극 사이에는 전위차가 형성되어 불필요한 기생 캐패시턴스가 형성될 수 있다. 이러한 기생 캐패시턴스는 터치 감도를 저하시킬 수 있기 때문에, 기생 캐패시턴스를 저하시키기 위하여, 터치 전극(TE)과 캐소드 전극 간의 거리는, 패널 두께, 패널 제작 공정 및 디스플레이 성능 등을 고려하여 일정 값(예: 1㎛) 이상이 되도록 설계될 수 있다. 이를 위해, 일 예로, 봉지부(ENCAP)의 두께는 최소 1㎛ 이상으로 설계될 수 있다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널(DISP)에 배치된 터치 전극(TE)의 타입들을 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 디스플레이 패널(DISP)에 배치된 각 터치 전극(TE)은 개구부가 없는 판 형상의 전극 메탈일 수 있다. 이 경우, 각 터치 전극(TE)은 투명 전극일 수 있다. 즉, 각 터치 전극(TE)은 아래에 배치된 다수의 서브픽셀(SP)에서 발광된 빛들이 위로 투과될 수 있도록 투명 전극 물질로 되어 있을 수 있다.
이와 다르게, 도 5에 도시된 바와 같이, 디스플레이 패널(DISP)에 배치된 각 터치 전극(TE)은 메쉬(Mesh) 타입으로 패터닝되어 둘 이상의 개구부(OA)를 갖는 전극 메탈(EM)일 수 있다.
전극 메탈(EM)은 실질적인 터치 전극(TE)에 해당하는 부분으로서, 터치 구동 신호가 인가되거나, 터치 센싱 신호가 감지되는 부분이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 각 터치 전극(TE)이 메쉬 타입으로 패터닝 된 전극 메탈(EM)인 경우, 터치 전극(TE)의 영역에는 둘 이상의 개구부(OA)가 존재할 수 있다.
각 터치 전극(TE)에 존재하는 둘 이상의 개구부(OA) 각각은, 하나 이상의 서브픽셀(SP)의 발광 영역과 대응될 수 있다. 즉, 다수의 개구부(OA)는 아래에 배치된 다수의 서브픽셀(SP)에서 발광된 빛들이 위로 지나가는 경로가 된다. 아래에서는, 설명의 편의를 위하여, 각 터치 전극(TE)이 메쉬 타입의 전극 메탈(EM)인 것을 예로 들어 설명한다.
각 터치 전극(TE)에 해당하는 전극 메탈(EM)은 둘 이상의 서브픽셀(SP)의 발광 영역이 아닌 영역에 배치되는 뱅크 상에 위치할 수 있다.
한편, 여러 개의 터치 전극(TE)을 형성하는 방법으로서, 전극 메탈(EM)을 메쉬 타입으로 넓게 형성한 이후, 전극 메탈(EM)을 정해진 패턴으로 커팅하여 전극 메탈(EM)을 전기적으로 분리시켜서, 여러 개의 터치 전극(TE)을 만들어줄 수 있다.
터치 전극(TE)의 외곽선 모양은, 도 4 및 도 5와 같이, 다이아몬드 형상, 마름모 등의 사각형일 수도 있고, 삼각형, 오각형, 또는 육각형 등의 다양한 모양일 수 있다.
도 6은 도 5의 메쉬 타입의 터치 전극(TE)을 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 각 터치 전극(TE)의 영역에는, 메쉬 타입의 전극 메탈(EM)과 끊어져 있는 하나 이상의 더미 메탈(DM)이 존재할 수 있다.
전극 메탈(EM)은 실질적인 터치 전극(TE)에 해당하는 부분으로서 터치 구동 신호가 인가되거나 터치 센싱 신호가 감지되는 부분이지만, 더미 메탈(DM)은 터치 전극(TE)의 영역 내에 존재하기는 하지만 터치 구동 신호가 인가되지 않고 터치 센싱 신호도 감지되지 않는 부분이다. 즉, 더미 메탈(DM)는 전기적으로 플로팅(Floating) 된 메탈일 수 있다.
따라서, 전극 메탈(EM)은 터치 구동 회로(TDC)와 전기적으로 연결될 수 있지만, 더미 메탈(DM)은 터치 구동 회로(TDC)와 전기적으로 연결되지 않는다.
모든 터치 전극(TE) 각각의 영역 안에는, 하나 이상의 더미 메탈(DM)이 전극 메탈(EM)과 끊어진 상태로 존재할 수 있다.
이와 다르게, 모든 터치 전극(TE) 중 일부의 각 터치 전극(TE)의 영역 안에만, 하나 이상의 더미 메탈(DM)이 전극 메탈(EM)과 끊어진 상태로 존재할 수도 있다. 즉, 일부의 터치 전극(TE)의 영역 내에는 더미 메탈(DM)이 존재하지 않을 수도 있다.
한편, 더미 메탈(DM)의 역할과 관련하여, 도 5에 도시된 바와 같이, 터치 전극(TE)의 영역 내에 하나 이상의 더미 메탈(DM)이 존재하지 않고 전극 메탈(EM)만 메쉬 타입으로 존재하는 경우, 화면 상에 전극 메탈(EM)의 윤곽이 보이는 시인성 이슈가 발생할 수 있다.
이에 비해, 도 6에 도시된 바와 같이, 터치 전극(TE)의 영역 내에 하나 이상의 더미 메탈(DM)이 존재하는 경우, 화면 상에 전극 메탈(EM)의 윤곽이 보이는 시인성 이슈가 방지될 수 있다.
또한, 각 터치 전극(TE) 별로, 더미 메탈(DM)의 존재 유무 또는 개수(더미 메탈 비율)을 조절함으로써, 각 터치 전극(TE) 별로 캐패시턴스의 크기를 조절하여 터치 감도를 향상시킬 수도 있다.
한편, 1개의 터치 전극(TE)의 영역 내 형성된 전극 메탈(EM)에서 일부 지점들을 커팅함으로써, 커팅된 전극 메탈(EM)이 더미 메탈(DM)로 형성될 수 있다. 즉, 전극 메탈(EM)과 더미 메탈(DM)은 동일한 층에 형성된 동일한 물질일 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치는 터치 전극(TE)에 형성되는 캐패시턴스(Capacitance)에 기반하여 터치를 센싱할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치는 캐패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로서, 뮤추얼-캐패시턴스(Mutual-capacitance) 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있고, 셀프-캐패시턴스(Self-capacitance) 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있다.
뮤추얼-캐패시턴스 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 다수의 터치 전극들(TE)은 터치 구동 신호가 인가되는 구동 터치 전극(송신 터치 전극)과, 터치 센싱 신호가 검출되고 구동 터치 전극과 캐패시턴스를 형성하는 센싱 터치 전극(수신 터치 전극)으로 분류될 수 있다.
이러한 뮤추얼-캐패시턴스 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 터치 센싱 회로(TSC)는 손가락, 펜 등의 포인터의 유무에 따른 구동 터치 전극과 센싱 터치 전극 간의 캐패시턴스(뮤추얼-캐패시턴스)의 변화를 토대로 터치 유무 및/또는 터치 좌표 등을 센싱한다.
셀프-캐패시턴스 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 각 터치 전극(TE)은 구동 터치 전극과 센싱 터치 전극의 역할을 모두 갖는다. 즉, 터치 센싱 회로(TSC)는 하나 이상의 터치 전극(TE)으로 터치 구동 신호를 인가하고, 터치 구동 신호가 인가된 터치 전극(TE)을 통해 터치 센싱 신호를 검출하여, 검출된 터치 센싱 신호에 근거하여 손가락, 펜 등의 포인터와 터치 전극(TE) 간의 캐패시턴스의 변화를 파악하여 터치 유무 및/또는 터치 좌표 등을 센싱한다. 셀프-캐패시턴스 기반의 터치 센싱 방식에서는, 구동 터치 전극과 센싱 터치 전극의 구분이 없다.
이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치는 뮤추얼-캐패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있고, 셀프-캐패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있다. 다만, 아래에서는, 설명의 편의를 위해, 터치 디스플레이 장치는 뮤추얼-캐패시턴스 기반의 터치 센싱을 수행하고, 이를 위한 터치 센서 구조를 갖는 것을 예로 들어 설명한다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널(DISP)에서의 터치 센서 구조를 간략하게 나타낸 도면이고, 도 8은 도 7의 터치 센서 구조의 구현 예시 도면이다.
도 7을 참조하면, 뮤추얼-캐패시턴스 기반의 터치 센싱을 위한 터치 센서 구조는, 다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)과 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)을 포함할 수 있다. 여기서, 다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)과 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 봉지부(ENCAP) 상에 위치한다.
다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL) 각각은 제1 방향으로 배치되고, 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 각각은 제1 방향과 다른 제2 방향으로 배치될 수 있다.
본 명세서에서, 제1 방향 및 제2 방향은 상대적으로 서로 다른 방향일 수 있으며, 일 예로, 제1 방향은 x축 방향이고 제2 방향은 y축 방향일 수 있다. 이와 반대로, 제1 방향은 y축 방향이고 제2 방향은 x축 방향일 수도 있다. 또한, 제1 방향 및 제2 방향은 서로 직교할 수도 있지만 직교하지 않을 수도 있다. 또한, 본 명세서에서, 행과 열은 상대적인 것으로서, 보는 관점에서 따라서 행과 열은 바뀔 수 있다.
다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL) 각각은 전기적으로 연결된 여러 개의 X-터치 전극(X-TE)으로 구성될 수 있다. 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 각각은 전기적으로 연결된 여러 개의 Y-터치 전극(Y-TE)으로 구성될 수 있다.
여기서, 다수의 X-터치 전극(X-TE)과 다수의 Y-터치 전극(Y-TE)은 다수의 터치 전극(TE)에 포함되며 역할(기능)이 구분되는 전극들이다.
가령, 다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL) 각각을 구성하는 다수의 X-터치 전극(X-TE)은 구동 터치 전극이고, 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 각각을 구성하는 다수의 Y-터치 전극(Y-TE)은 센싱 터치 전극일 수 있다. 이 경우, 다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL) 각각은 구동 터치 전극 라인에 해당하고, 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 각각은 센싱 터치 전극 라인에 해당한다.
이와 반대로, 다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL) 각각을 구성하는 다수의 X-터치 전극(X-TE)은 센싱 터치 전극이고, 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 각각을 구성하는 다수의 Y-터치 전극(Y-TE)은 구동 터치 전극일 수 있다. 이 경우, 다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL) 각각은 센싱 터치 전극 라인에 해당하고, 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 각각은 구동 터치 전극 라인에 해당한다.
터치 센싱을 위한 터치 센서 메탈은, 다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)과 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 이외에도, 다수의 터치 라우팅 배선(TL)을 포함할 수 있다.
다수의 터치 라우팅 배선(TL)은, 다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL) 각각에 연결되는 하나 이상의 X-터치 라우팅 배선(X-TL)과, 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 각각에 연결되는 하나 이상의 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)을 포함할 수 있다.
도 8을 참조하면, 다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL) 각각은, 동일한 행(또는 열)에 배치되는 복수의 X-터치 전극(X-TE)과, 이들을 전기적으로 연결해주는 하나 이상의 X-터치 전극 연결 배선(X-CL)을 포함할 수 있다. 여기서, 인접한 2개의 X-터치 전극(X-TE)을 연결해주는 X-터치 전극 연결 배선(X-CL)은, 인접한 2개의 X-터치 전극(X-TE)와 일체화된 메탈일 수도 있고(도 8의 예시), 컨택홀을 통해 인접한 2개의 X-터치 전극(X-TE)와 연결되는 메탈일 수도 있다.
다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 각각은, 동일한 열(또는 행)에 배치되는 복수의 Y-터치 전극(Y-TE)과, 이들을 전기적으로 연결해주는 하나 이상의 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)을 포함할 수 있다. 여기서, 인접한 2개의 Y-터치 전극(Y-TE)을 연결해주는 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)은, 인접한 2개의 Y-터치 전극(Y-TE)와 일체화된 메탈일 수도 있고, 컨택홀을 통해 인접한 2개의 Y-터치 전극(Y-TE)와 연결되는 메탈일 수도 있다(도 8의 예시).
X-터치 전극 라인(X-TEL)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 교차되는 영역(터치 전극 라인 교차 영역)에서는, X-터치 전극 연결 배선(X-CL)과 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)이 교차될 수 있다.
이 경우, X-터치 전극 라인(X-TEL)과 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 교차되는 영역(터치 전극 라인 교차 영역)에서는, X-터치 전극 연결 배선(X-CL)과 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)이 교차될 수 있다.
이와 같이, 터치 전극 라인 교차 영역에서, X-터치 전극 연결 배선(X-CL)과 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)이 교차된 경우, X-터치 전극 연결 배선(X-CL)과 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)은 서로 다른 층에 위치해야만 한다.
따라서, 다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)과 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 교차되도록 배치되기 위해서, 다수의 X-터치 전극(X-TE), 다수의 X-터치 전극 연결 배선(X-CL), 다수의 Y-터치 전극(Y-TE), 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL), 다수의 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)은 둘 이상의 층에 위치할 수 있다.
도 8을 참조하면, 다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL) 각각은 하나 이상의 X-터치 라우팅 배선(X-TL)을 통해 해당 X-터치 패드(X-TP)와 전기적으로 연결된다. 즉, 하나의 X-터치 전극 라인(X-TEL)에 포함된 복수의 X-터치 전극(X-TE) 중 최외곽에 배치된 X-터치 전극(X-TE)은 X-터치 라우팅 배선(X-TL)을 통해 해당 X-터치 패드(X-TP)와 전기적으로 연결된다.
다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL) 각각은 하나 이상의 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)을 통해 해당 Y-터치 패드(Y-TP)와 전기적으로 연결된다. 즉, 하나의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)에 포함된 복수의 Y-터치 전극(Y-TE) 중 최외곽에 배치된 Y-터치 전극(Y-TE)은 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)을 통해 해당 Y-터치 패드(Y-TP)와 전기적으로 연결된다.
한편, 도 8에 도시된 바와 같이, 다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL) 및 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 봉지부(ENCAP) 상에 배치될 수 있다. 즉, 다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)을 구성하는 다수의 X-터치 전극(X-TE)과 다수의 X-터치 전극 연결 배선(X-CL)은, 봉지부(ENCAP) 상에 배치될 수 있다. 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)을 구성하는 다수의 Y-터치 전극(Y-TE)과 다수의 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)은, 봉지부(ENCAP) 상에 배치될 수 있다.
한편, 도 8에 도시된 바와 같이, 다수의 X-터치 전극 라인(X-TEL)에 전기적으로 연결된 다수의 X-터치 라우팅 배선(X-TL) 각각은 봉지부(ENCAP) 상에 배치되면서 봉지부(ENCAP)가 없는 곳까지 연장되어 다수의 X-터치 패드(X-TP)와 전기적으로 연결될 수 있다. 다수의 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)에 전기적으로 연결된 다수의 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL) 각각은 봉지부(ENCAP) 상에 배치되면서 봉지부(ENCAP)가 없는 곳까지 연장되어 다수의 Y-터치 패드(Y-TP)와 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 봉지부(ENCAP)는 액티브 영역(AA) 내에 위치할 수 있으며, 경우에 따라서, 논-액티브 영역(NA)까지 확장될 수도 있다.
한편, 전술한 바와 같이, 액티브 영역(AA) 내 어떠한 층(Layer, 예: 유기 발광 디스플레이 패널에서의 봉지부)이 무너지는 것을 방지하기 위하여, 액티브 영역(AA)과 논-액티브 영역(NA)의 경계 영역 또는 액티브 영역(AA)의 외곽 영역인 논-액티브 영역(NA)에 댐 영역(DA)이 존재할 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 일 예로, 댐 영역(DA)에는 1차 댐(DAM1)과 2차 댐(DAM2)이 배치될 수 있다. 여기서, 2차 댐(DAM2)은 1차 댐(DAM1)보다 더 외곽에 위치할 수 있다.
도 8의 예시와 다르게, 댐 영역(DA)에 1차 댐(DAM1)만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서, 댐 영역(DA)에 1차 댐(DAM1)과 2차 댐(DAM2)뿐만 아니라 1개 이상의 추가적인 댐이 더 배치될 수도 있다.
한편, 도 8을 참조하면, 봉지부(ENCAP)가 1차 댐(DAM1)의 측면에 위치하거나, 봉지부(ENCAP)가 1차 댐(DAM1)의 측면은 물론 상부에도 위치할 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널(DISP)의 부분적인 단면도로서, 도 8의 X-X' 단면도이다. 단, 도 9에서는, 터치 전극(TE)이 판 형상으로 도시되었으며, 이는 예시일 뿐, 메쉬 타입으로 되어 있을 수도 있다. 그리고, 터치 전극(TE)이 메쉬 타입인 경우 터치 전극(TE)의 개구부(OA)는 서브픽셀(SP)의 발광 영역 상에 위치할 수 있다.
액티브 영역(AA) 내 각 서브픽셀(SP)에서의 구동 트랜지스터인 제1 트랜지스터(T1)는 기판(SUB) 상에 배치된다.
제1 트랜지스터(T1)는, 게이트 전극에 해당하는 제1 노드 전극(NE1), 소스 전극 또는 드레인 전극에 해당하는 제2 노드 전극(NE2), 드레인 전극 또는 소스 전극에 해당하는 제3 노드 전극(NE3) 및 반도체층(SEMI) 등을 포함한다.
제1 노드 전극(NE1)과 반도체층(SEMI)은 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 중첩될 수 있다. 제2 노드 전극(NE2)은 절연층(INS) 상에 형성되어 반도체층(SEMI)의 일 측과 접촉하고, 제3 노드 전극(NE3)은 절연층(INS) 상에 형성되어 반도체층(SEMI)의 타 측과 접촉할 수 있다.
발광 소자(ED)는 애노드 전극(또는 캐소드 전극)에 해당하는 제1 전극(E1)과, 제1 전극(E1) 상에 형성되는 발광층(EL)과, 발광층(EL) 위에 형성된 캐소드 전극(또는 애노드 전극)에 해당하는 제2 전극(E2) 등을 포함할 수 있다.
제1 전극(E1)은 평탄화층(PLN)을 관통하는 화소 컨택홀을 통해 노출된 제1 트랜지스터(T1)의 제2 노드 전극(NE2)과 전기적으로 접속된다.
발광층(EL)은 뱅크(BANK)에 의해 마련된 발광 영역의 제1 전극(E1) 상에 형성된다. 발광층(EL)은 제1 전극(E1) 상에 정공 관련층, 발광층, 전자 관련층 순으로 또는 역순으로 적층되어 형성된다. 제2 전극(E2)은 발광층(EL)을 사이에 두고 제1 전극(E1)과 대향하도록 형성된다.
봉지부(ENCAP)는 외부의 수분이나 산소에 취약한 발광 소자(ED)로 외부의 수분이나 산소가 침투되는 것을 차단한다.
이러한 봉지부(ENCAP)는 하나의 층으로 되어 있을 수도 있지만, 도 9에 도시된 바와 같이 다수의 층(PAS1, PCL, PAS2)으로 되어 있을 수도 있다.
예를 들어, 봉지부(ENCAP)가 다수의 층(PAS1, PCL, PAS2)으로 이루어진 경우, 봉지부(ENCAP)는 하나 이상의 무기 봉지층(PAS1, PAS2)와 하나 이상의 유기 봉지층(PCL)dmf 포함할 수 있다. 구체적인 예로서, 봉지부(ENCAP)는 제1 무기 봉지층(PAS1), 유기 봉지층(PCL) 및 제2 무기 봉지층(PAS2)이 순서대로 적층된 구조로 되어 있을 수 있다.
여기서, 유기 봉지층(PCL)은, 적어도 하나의 유기 봉지층 또는 적어도 하나의 무기 봉지층을 더 포함할 수도 있다.
제1 무기 봉지층(PAS1)은 발광 소자(ED)와 가장 인접하도록 캐소드 전극에 해당하는 제2 전극(E2)이 형성된 기판(SUB) 상에 형성된다. 이러한 제1 무기 봉지층(PAS1)은, 일 예로, 질화실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 저온 증착이 가능한 무기 절연 재질로 형성된다. 제1 무기 봉지층(PAS1)이 저온 분위기에서 증착되므로, 제1 무기 봉지층(PAS1)은 증착 공정 시 고온 분위기에 취약한 유기물을 포함하는 발광층(EL)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
유기 봉지층(PCL)은 제1 무기 봉지층(PAS1)보다 작은 면적으로 형성될 수 있으며, 이 경우, 유기 봉지층(PCL)은 제1 무기 봉지층(PAS1)의 양끝단을 노출시키도록 형성될 수 있다. 유기 봉지층(PCL)은 유기발광 디스플레이 장치인 터치 디스플레이 장치의 휘어짐에 따른 각 층들 간의 응력을 완화시키는 완충 역할을 하며, 평탄화 성능을 강화하는 역할을 할 수 있다. 유기 봉지층(PCL)은, 일 예로, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 또는 실리콘옥시카본(SiOC)과 같은 유기 절연 재질로 형성될 수 있다.
한편, 유기 봉지층(PCL)이 잉크젯 방식을 통해 형성되는 경우, 논-액티브 영역(NA) 및 액티브 영역(AA)의 경계 영역이나 논-액티브 영역(NA) 내 일부 영역에 해당하는 댐 영역(DA)에 하나 또는 둘 이상의 댐(DAM)이 형성될 수 있다.
예를 들어, 도 9에 도시된 같이, 댐 영역(DA)은 논-액티브 영역(NA)에서 다수의 X-터치 패드(X-TP) 및 다수의 Y-터치 패드(Y-TP)가 형성된 패드 영역과 액티브 영역(AA) 사이에 위치하며, 이러한 댐 영역(DA)에는 액티브 영역(AA)과 인접한 1차 댐(DAM1)과 패드 영역에 인접한 2차 댐(DAM2)이 존재할 수 있다.
댐 영역(DA)에 배치되는 하나 이상의 댐(DAM)은 액상 형태의 유기 봉지층(PCL)가 액티브 영역(AA)에 적하될 때, 액상 형태의 유기 봉지층(PCL)가 논-액티브 영역(NA)의 방향으로 무너져 패드 영역을 침범하는 것을 방지할 수 있다.
이러한 효과는, 도 9에 도시된 같이, 1차 댐(DAM1) 및 2차 댐(DAM2)이 구비되는 경우 더욱 커질 수 있다.
1차 댐(DAM1) 및/또는 2차 댐(DAM2)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 1차 댐(DAM1) 및/또는 2차 댐(DAM2)은 뱅크(BANK) 및 스페이서(도시하지 않음) 등 중 적어도 어느 하나와 동일 재질로 동시에 형성될 수 있다. 이 경우, 마스크 추가 공정 및 비용 상승 없이 댐 구조를 형성할 수 있다.
또한, 1차 댐(DAM1) 및/또는 2차 댐(DAM2)은 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 무기 봉지층(PAS1) 및/또는 제2 무기 봉지층(PAS2)이 뱅크(BANK) 상에 적층된 구조로 되어 있을 수 있다.
또한, 유기물을 포함하는 유기 봉지층(PCL)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 1차 댐(DAM1)의 내 측면에만 위치할 수 있다.
이와 다르게, 유기물을 포함하는 유기 봉지층(PCL)은, 1차 댐(DAM1) 및 2차 댐(DAM2) 중 적어도 일부의 상부에도 위치할 수 있다. 일 예로, 유기 봉지층(PCL)이 1차 댐(DAM1)의 상부에 위치할 수도 있다.
제2 무기 봉지층(PAS2)은 유기 봉지층(PCL)이 형성된 기판(SUB) 상에 유기 봉지층(PCL) 및 제1 무기 봉지층(PAS1) 각각의 상부면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 제2 무기 봉지층(PAS2)은 외부의 수분이나 산소가 제1 무기 봉지층(PAS1) 및 유기 봉지층(PCL)으로 침투하는 것을 최소화하거나 차단한다. 이러한 제 2 무기 봉지층(PAS2)은, 일 예로, 질화실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 무기 절연 재질로 형성된다.
이러한 봉지부(ENCAP) 상에는 터치 버퍼막(T-BUF)이 배치될 수 있다. 터치 버퍼막(T-BUF)은 X, Y-터치 전극들(X-TE, Y-TE) 및 X, Y-터치 전극 연결 배선(X-CL, Y-CL)을 포함하는 터치 센서 메탈과, 발광 소자(ED)의 제2 전극(E2) 사이에 위치할 수 있다.
터치 버퍼막(T-BUF)은 터치 센서 메탈과, 발광 소자(ED)의 제2 전극(E2) 사이의 이격 거리가 미리 정해진 최소 이격 거리(예: 1㎛)를 유지하도록 설계될 수 있다. 이에 따라, 터치 센서 메탈과, 발광 소자(ED)의 제2 전극(E2) 사이에 형성되는 기생 캐패시턴스를 줄여주거나 방지해줄 수 있고, 이를 통해, 기생 캐패시턴스에 의한 터치 감도 저하를 방지해줄 수 있다.
이러한 터치 버퍼막(T-BUF) 없이, 봉지부(ENCAP) 상에 X, Y-터치 전극들(X-TE, Y-TE) 및 X, Y-터치 전극 연결 배선(X-CL, Y-CL)을 포함하는 터치 센서 메탈이 배치될 수도 있다.
또한, 터치 버퍼막(T-BUF)은 터치 버퍼막(T-BUF) 상에 배치되는 터치 센서 메탈의 제조 공정 시 이용되는 약액(현상액 또는 식각액 등등) 또는 외부로부터의 수분 등이 유기물을 포함하는 발광층(EL)으로 침투되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라, 터치 버퍼막(T-BUF)은 약액 또는 수분에 취약한 발광층(EL)의 손상을 방지할 수 있다.
터치 버퍼막(T-BUF)은 고온에 취약한 유기물을 포함하는 발광층(EL)의 손상을 방지하기 위해 일정 온도(예: 100도(℃)) 이하의 저온에서 형성 가능하고 1~3의 저유전율을 가지는 유기 절연 재질로 형성된다. 예를 들어, 터치 버퍼막(T-BUF)은 아크릴 계열, 에폭시 계열 또는 실록산(Siloxan) 계열의 재질로 형성될 수 있다. 유기 절연 재질로 평탄화 성능을 가지는 터치 버퍼막(T-BUF)은 유기 발광 디스플레이 장치의 휘어짐에 따른 봉지부(ENCAP)를 구성하는 각각의 봉지층(PAS1, PCL, PAS2)의 손상 및 터치 버퍼막(T-BUF) 상에 형성되는 터치 센서 메탈의 깨짐 현상을 방지할 수 있다.
뮤추얼-캐패시턴스 기반의 터치 센서 구조에 따르면, 터치 버퍼막(T-BUF) 상에 X-터치 전극 라인(X-TEL) 및 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)이 배치되며, X-터치 전극 라인(X-TEL) 및 Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 교차되게 배치될 수 있다.
Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은, 다수의 Y-터치 전극(Y-TE)과, 다수의 Y-터치 전극(Y-TE) 사이를 전기적으로 연결해주는 다수의 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)을 포함할 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 다수의 Y-터치 전극(Y-TE)과 다수의 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)은 터치 절연막(ILD)을 사이에 두고 서로 다른 층에 위치할 수 있다.
다수의 Y-터치 전극(Y-TE)은 y축 방향을 따라 일정한 간격으로 이격될 수 있다. 이러한 다수의 Y-터치 전극(Y-TE) 각각은 Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)을 통해 y축 방향으로 인접한 다른 Y-터치 전극(Y-TE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)은 터치 버퍼막(T-BUF) 상에 형성되며 터치 절연막(ILD)을 관통하는 터치 컨택홀을 통해 노출되어 y축 방향으로 인접한 2개의 Y-터치 전극(Y-TE)과 전기적으로 접속될 수 있다.
Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)은 뱅크(BANK)와 중첩되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, Y-터치 전극 연결 배선(Y-CL)에 의해 개구율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
X-터치 전극 라인(X-TEL)은, 다수의 X-터치 전극(X-TE)과, 다수의 X-터치 전극(X-TE) 사이를 전기적으로 연결해주는 다수의 X-터치 전극 연결 배선(X-CL)을 포함할 수 있다. 다수의 X-터치 전극(X-TE)과 다수의 X-터치 전극 연결 배선(X-CL)은 터치 절연막(ILD)을 사이에 두고 서로 다른 층에 위치할 수 있다.
다수의 X-터치 전극(X-TE)은 터치 절연막(ILD) 상에서 x축 방향을 따라 일정한 간격으로 이격될 수 있다. 이러한 다수의 X-터치 전극(X-TE) 각각은 X-터치 전극 연결 배선(X-CL)을 통해 x축 방향으로 인접한 다른 X-터치 전극(X-TE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
X-터치 전극 연결 배선(X-CL)은 X-터치 전극(X-TE)과 동일 평면 상에 배치되어 별도의 컨택홀 없이 x축 방향으로 인접한 2개의 X-터치 전극(X-TE)과 전기적으로 접속되거나, x축 방향으로 인접한 2개의 X-터치 전극(X-TE)과 일체로 되어 있을 수 있다.
X-터치 전극 연결 배선(X-CL)은 뱅크(BANK)와 중첩되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, X-터치 전극 연결 배선(X-CL)에 의해 개구율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
한편, Y-터치 전극 라인(Y-TEL)은 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL) 및 Y-터치 패드(Y-TP)를 통해 터치 구동 회로(TDC)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 마찬가지로, X-터치 전극 라인(X-TEL)은 X-터치 라우팅 배선(X-TL) 및 X-터치 패드(X-TP)를 통해 터치 구동 회로(TDC)와 전기적으로 연결될 수 있다.
X-터치 패드(X-TP) 및 Y-터치 패드(Y-TP)를 덮는 패드 커버 전극이 더 배치될 수도 있다.
X-터치 패드(X-TP)은 X-터치 라우팅 배선(X-TL)과 별도로 형성될 수도 있고, X-터치 라우팅 배선(X-TL)이 연장되어 형성될 수도 있다. Y-터치 패드(Y-TP)은 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)과 별도로 형성될 수도 있고, Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)이 연장되어 형성될 수도 있다.
X-터치 패드(X-TP)가 X-터치 라우팅 배선(X-TL)이 연장되어 형성되고, Y-터치 패드(Y-TP)가 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)이 연장되어 형성된 경우, X-터치 패드(X-TP), X-터치 라우팅 배선(X-TL), Y-터치 패드(Y-TP) 및 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)은 동일한 제1 도전 물질로 구성될 수 있다. 여기서, 제1 도전 물질은, 일 예로, Al, Ti, Cu, Mo와 같은 내식성 및 내산성이 강하고 전도성이 좋은 금속을 이용하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
예를 들어, 제1 도전 물질로 된 X-터치 패드(X-TP), X-터치 라우팅 배선(X-TL), Y-터치 패드(Y-TP) 및 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)은 Ti/Al/Ti 또는 Mo/Al/Mo와 같이 적층된 3층 구조로 형성될 수 있다.
X-터치 패드(X-TP) 및 Y-터치 패드(Y-TP)를 덮을 수 있는 패드 커버 전극은 제1 및 Y-터치 전극(X-TE, Y-TE)과 동일 재질로 제2 도전 물질로 구성될 수 있다. 여기서, 제2 도전 물질은 내식성 및 내산성이 강한 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전물질로 형성될 수 있다. 이러한 패드 커버 전극은 터치 버퍼막(T-BUF)에 의해 노출되도록 형성됨으로써 터치 구동 회로(TDC)와 본딩되거나 또는 터치 구동 회로(TDC)가 실장된 회로 필름과 본딩될 수 있다.
여기서, 터치 버퍼막(T-BUF)은 터치 센서 메탈을 덮도록 형성되어 터치 센서 메탈이 외부의 수분 등에 의해 부식되는 것을 방지할 수 있다. 일 예로, 터치 버퍼막(T-BUF)은 유기 절연 재질로 형성되거나, 원편광판 또는 에폭시 또는 아크릴 재질의 필름 형태로 형성될 수 있다. 이러한 터치 보호막(T-BUF)이 봉지부(ENCAP) 상에 없을 수도 있다. 즉, 터치 버퍼막(T-BUF)은 필수적인 구성이 아닐 수도 있다.
Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)은, 터치 라우팅 배선 컨택홀을 통해 Y-터치 전극(Y-TE)과 전기적으로 연결되거나, Y-터치 전극(Y-TE)과 일체로 되어 있을 수 있다.
이러한 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)은, 논-액티브 영역(NA)까지 신장되어 봉지부(ENCAP)의 상부 및 측면과 댐(DAM)의 상부 및 측면을 지나서 Y-터치 패드(Y-TP)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)은 Y-터치 패드(Y-TP)를 통해 터치 구동 회로(TDC)와 전기적으로 연결될 수 있다.
Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)은, Y-터치 전극(Y-TE)에서의 터치 센싱 신호를 터치 구동 회로(TDC)로 전달해주거나, 터치 구동 회로(TDC)로부터 터치 구동 신호를 공급받아 Y-터치 전극(Y-TE)에 전달해줄 수 있다.
X-터치 라우팅 배선(X-TL)은, 터치 라우팅 배선 컨택홀을 통해 X-터치 전극(X-TE)과 전기적으로 연결되거나, X-터치 전극(X-TE)과 일체로 되어 있을 수 있다.
이러한 X-터치 라우팅 배선(X-TL)은 논-액티브 영역(NA)까지 신장되어 봉지부(ENCAP)의 상부 및 측면과 댐(DAM)의 상부 및 측면을 지나서 X-터치 패드(Y-TP)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, X-터치 라우팅 배선(X-TL)은 X-터치 패드(X-TP)를 통해 터치 구동 회로(TDC)와 전기적으로 연결될 수 있다.
X-터치 라우팅 배선(X-TL)은, 터치 구동 회로(TDC)로부터 터치 구동 신호를 공급받아 X-터치 전극(X-TE)에 전달할 수 있고, X-터치 전극(X-TE)에서의 터치 센싱 신호를 터치 구동 회로(TDC)로 전달해줄 수도 있다.
X-터치 라우팅 배선(X-TL) 및 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL)의 배치는 패널 설계사항에 따라 다양하게 변경 가능하다.
X-터치 전극(X-TE) 및 Y-터치 전극(Y-TE) 상에 터치 보호막(PAC)이 배치될 수 있다. 이러한 터치 보호막(PAC)은 댐(DAM)의 전 또는 후까지 확장되어 X-터치 라우팅 배선(X-TL) 및 Y-터치 라우팅 배선(Y-TL) 상에도 배치될 수 있다.
한편, 도 9의 단면도는 개념적으로 구조를 도시한 것으로서, 보는 방향이나 위치 등에 따라 각 패턴들(각종 층들이나 각종 전극들)의 위치, 두께, 또는 폭이 달라질 수도 있고, 각종 패턴들의 연결 구조도 변경될 수 있으며, 도시된 여러 층들 이외에도 추가적인 층이 더 존재할 수도 있고, 도시된 여러 층들 중 일부는 생략되거나 통합되어 있을 수도 있다. 예를 들어, 뱅크(BANK)의 폭은 도면에 비해 좁을 수도 있고, 댐(DAM)의 높이도 도면보다 낮거나 높을 수 있다.
또한, 도 9의 단면도는 터치 라우팅 배선(TL)과 봉지부(ENCAP)의 경사면을 따라 터치 패드(TP)에 연결되는 구조의 예시를 나타내기 위해 터치 전극(TE), 터치 라우팅 배선(TL) 등이 서브픽셀(SP) 상에 전체적으로 배치된 구조를 나타내나, 터치 전극(TE) 등이 전술한 메쉬 타입인 경우 서브픽셀(SP)의 발광 영역 상에 터치 전극(TE)의 개구부(OA)가 위치할 수 있다. 그리고, 봉지부(ENCAP) 상에 컬러필터(CF)가 더 배치될 수 있으며, 컬러필터(CF)는 터치 전극(TE) 상에 위치할 수도 있고, 봉지부(ENCAP)와 터치 전극(TE) 사이에 위치할 수도 있다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널(DISP)에 컬러필터(CF)가 포함된 경우의 단면 구조를 예시적으로 나타낸 도면들이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 터치 패널(TSP)이 디스플레이 패널(DISP)에 내장되고, 디스플레이 패널(DISP)이 유기발광 디스플레이 패널로 구현되는 경우, 터치 패널(TSP)은 디스플레이 패널(DISP) 내 봉지부(ENCAP) 상에 위치할 수 있다. 다시 말해, 다수의 터치 전극(TE), 다수의 터치 라우팅 배선(TL) 등의 터치 센서 메탈은, 디스플레이 패널(DISP) 내 봉지부(ENCAP) 상에 위치할 수 있다.
전술한 바와 같이, 봉지부(ENCAP) 상에 터치 전극(TE)을 형성함으로써, 디스플레이 성능 및 디스플레이 관련 층 형성에 큰 영향을 주지 않고, 터치 전극(TE)을 형성할 수 있다.
한편, 도 10 및 도 11을 참조하면, 봉지부(ENCAP) 아래에 유기발광다이오드(OLED)의 캐소드 전극일 수 있는 제2 전극(E2)이 위치할 수 있다.
봉지부(ENCAP)의 두께(T)는, 일 예로, 1㎛ 이상일 수 있다.
전술한 바와 같이, 봉지부(ENCAP)의 두께를 1㎛ 이상으로 설계함으로써, 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극(E2)와 터치 전극들(TE) 사이에 형성되는 기생 캐패시턴스를 줄여줄 수 있다. 이에 따라, 기생 캐패시턴스에 의한 터치 감도 저하를 방지할 수 있다.
전술한 바와 같이, 다수의 터치 전극(TE) 각각은 전극 메탈(EM)이 둘 이상의 개구부(OA)가 있는 메쉬 형태로 패터닝 되어 있고, 둘 이상의 개구부(OA) 각각은, 수직 방향으로 보면, 하나 이상의 서브픽셀 또는 그 발광 영역과 대응될 수 있다.
전술한 바와 같이, 평면에서 볼 때, 터치 전극(TE)의 영역 내에 존재하는 둘 이상의 개구부(OA) 각각의 위치에 하나 이상의 서브픽셀의 발광 영역이 대응되어 존재하도록, 터치 전극(TE)의 전극 메탈(EM)이 패터닝 됨으로써, 디스플레이 패널(DISP)의 발광 효율을 높여줄 수 있다.
도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 디스플레이 패널(DISP)에는 블랙 매트릭스(BM)가 배치될 수 있으며, 컬러필터(CF)가 더 배치될 수도 있다.
블랙 매트릭스(BM)의 위치는 터치 전극(TE)의 전극 메탈(EM)의 위치와 대응될 수 있다.
다수의 컬러필터(CF)의 위치는 다수의 터치 전극(TE) 또는 다수의 터치 전극(TE)을 이루는 전극 메탈(EM)의 위치와 대응된다.
전술한 바와 같이, 다수의 오픈 영역들(OA)의 위치에 대응되는 위치에 다수의 컬러필터(CF)가 위치함으로써, 디스플레이 패널(DISP)의 발광 성능을 높여줄 수 있다.
다수의 컬러필터(CF)과 다수의 터치 전극(TE) 간의 수직 위치 관계를 살펴보면, 다음과 같다.
도 10에 도시된 바와 같이, 다수의 컬러필터(CF)와 블랙매트릭스(BM)는 다수의 터치 전극들(TE) 상에 위치할 수 있다.
이 경우, 다수의 컬러필터(CF)과 블랙 매트릭스(BM)은, 다수의 터치 전극(TE) 상에 배치된 오버코트 층(OC) 상에 위치할 수 있다. 여기서, 오버코트 층(OC)은 도 9의 터치 보호막(PAC)과 동일한 층일 수도 있고 다른 층일 수도 있다.
또는, 도 11에 도시된 바와 같이, 다수의 컬러필터(CF)와 블랙 매트릭스(BM)는 다수의 터치 전극들(TE)의 하부에 위치할 수 있다.
이 경우, 다수의 터치 전극(TE)은 다수의 컬러필터(CF)와 블랙 매트릭스(BM) 상의 오버코트 층(OC) 상에 위치할 수 있다. 여기서, 오버코트 층(OC)은 도 9의 터치 버퍼막(T-BUF) 또는 터치 절연막(ILD)과 동일한 층일 수도 있고 다른 층일 수도 있다. 또는, 오버코트 층(OC)과 별도로 터치 버퍼막(T-BUF)이나 터치 절연막(ILD)이 배치될 수도 있다.
이와 같이, 터치 전극(TE)과 디스플레이 구동을 위한 구성 사이의 수직 위치 관계를 조절함으로써, 디스플레이 성능을 저하시키지 않으면서 터치 센싱을 위한 구성을 배치할 수 있다.
한편, 터치 전극(TE)과 배선 등이 디스플레이 구동을 위한 전극, 배선 상에 배치됨에 따라, 디스플레이 구동을 위한 구성이 터치 센싱 성능에 영향을 줄 수도 있다.
본 발명의 실시예들은, 디스플레이 성능을 저하시키지 않으면서 터치 센싱을 위한 구성을 배치할 수 있는 방안을 제공함과 동시에, 디스플레이 구동을 위한 구성에 의한 터치 센싱 성능이 저하되는 것을 방지할 수 있는 방안을 제공한다.
도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널(DISP)에서 터치 라우팅 배선(TL)이 배치되는 논-액티브 영역(NA)의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 12를 참조하면, (A)는 터치 전극(TE)이 배치되지 않은 경우에 디스플레이 패널(DISP)의 단면 구조의 예시를 나타내고, (B)는 터치 전극(TE)이 배치된 경우에 디스플레이 패널(DISP)의 단면 구조의 예시를 나타낸다.
도 12에 도시된 (A)와 같이, 디스플레이 패널(DISP)의 액티브 영역(AA)에 각종 메탈과 발광 소자(ED) 등이 배치되고, 발광 소자(ED)의 제2 전극(E2) 상에 봉지부(ENCAP)가 배치된다. 여기서, 액티브 영역(AA)에 배치된 봉지부(ENCAP)는 평탄화될 수 있다.
그리고, 논-액티브 영역(NA)에 배치된 봉지부(ENCAP)의 일부는 평탄화되고, 나머지는 비평탄화될 수 있다. 즉, 논-액티브 영역(NA)에 배치된 봉지부(ENCAP)는, 경사면 또는 경사진 영역을 포함할 수 있다.
이러한 경우, 터치 라우팅 배선(TL)이 봉지부(ENCAP)의 비평탄화된 영역에 배치되면, 봉지부(ENCAP)의 아래에 위치하는 신호 라인(SL)과 거리가 가까워져 터치 라우팅 배선(TL)과 신호 라인(SL)과의 기생 캐패시턴스가 증가할 수 있다. 여기서, 신호 라인(SL)은, 디스플레이 구동을 위한 신호가 인가되는 배선으로서, 일 예로, 클럭 신호(CLK)가 인가되는 배선일 수 있으나, 이에 한정되지는 아니한다.
따라서, 터치 라우팅 배선(TL)과 신호 라인(SL) 간의 기생 캐패시턴스를 저감시키기 위하여, 터치 라우팅 배선(TL)이 배치되는 라우팅 영역(RA)은 봉지부(ENCAP)의 평탄화된 영역이어야 하는데, 도 12의 (A)처럼 봉지부(ENCAP)의 평탄화된 영역이 매우 작을 경우 터치 라우팅 배선(TL)을 배치하기 어려울 수 있다.
그러므로, 도 12에 도시된 (B)와 같이, 터치 라우팅 배선(TL)의 배치를 위해 논-액티브 영역(NA)에서 봉지부(ENCAP)의 평탄화된 영역을 증가시켜줄 수 있다.
논-액티브 영역(NA)에서 봉지부(ENCAP)의 평탄화된 영역이 증가되므로, 터치 라우팅 배선(TL)의 배치를 위한 라우팅 영역(RA)이 증가될 수 있다. 따라서, 논-액티브 영역(NA)에 터치 라우팅 배선(TL)을 배치하며, 디스플레이 패널(DISP)에 터치 센싱 기능을 구현할 수 있다.
그러나, 논-액티브 영역(NA)에서 봉지부(ENCAP)의 평탄화된 영역의 증가로 인해, 액티브 영역(AA)에서 댐(DAM)이 배치되는 위치까지의 거리가 증가할 수 있다. 그리고, 댐(DAM)이 배치되는 위치가 액티브 영역(AA)으로부터 멀어지는 만큼 디스플레이 패널(DISP)의 끝단과 액티브 영역(AA) 사이의 거리가 증가하여 디스플레이 패널(DISP)의 논-액티브 영역(NA)의 면적이 증가할 수 있다.
따라서, 터치 라우팅 배선(TL)의 배치로 인한 논-액티브 영역(NA)의 증가를 최소화하기 위하여, 터치 라우팅 배선(TL)의 일부는 논-액티브 영역(NA)에서 봉지부(ENCAP)의 경사면, 즉, 비평탄화된 영역에 배치될 수 있다.
그리고, 본 발명의 실시예들은, 봉지부(ENCAP)의 비평탄화된 영역에 배치된 터치 라우팅 배선(TL)과 신호 라인(SL) 사이의 기생 캐패시턴스를 저감시킬 수 있는 방안을 제공한다.
즉, 봉지부(ENCAP)의 비평탄화된 영역에서 터치 라우팅 배선(TL)의 노이즈를 저감시켜, 터치 라우팅 배선(TL)이 봉지부(ENCAP)의 비평탄화된 영역에 배치될 수 있도록 함으로써, 논-액티브 영역(NA)의 증가를 최소화할 수 있다.
도 13은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널(DISP)의 논-액티브 영역(NA)에 노이즈 저감 구성이 배치된 평면 구조의 예시를 나타낸 도면이다. 그리고, 도 14는 도 13에 도시된 I-I' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 13과 도 14를 참조하면, 터치 센싱 기능을 제공하는 디스플레이 패널(DISP)의 논-액티브 영역(NA)에 디스플레이 구동을 위한 신호가 인가되는 각종 신호 라인(SL)이 배치될 수 있다. 신호 라인(SL)은, 일 예로, 봉지부(ENCAP)의 아래에 배치될 수 있다.
또한, 디스플레이 패널(DISP)의 논-액티브 영역(NA)에 터치 구동을 위한 신호가 인가되거나, 터치 센싱을 위한 신호가 검출되는 다수의 터치 라우팅 배선(TL)이 배치될 수 있다. 터치 라우팅 배선(TL)은, 일 예로, 봉지부(ENCAP) 상에 배치될 수 있다.
디스플레이 패널(DISP)을 얇게 구현하기 위하여, 봉지부(ENCAP)의 두께는 얇아질 수 있다. 따라서, 터치 라우팅 배선(TL)과 신호 라인(SL) 사이의 거리가 가까워져 양 배선 사이의 기생 캐패시턴스 Cp가 증가할 수 있다. 특히, 봉지부(ENCAP)의 비평탄화된 영역의 경우, 봉지부(ENCAP)의 두께가 감소되므로, 터치 라우팅 배선(TL)과 신호 라인(SL) 사이의 거리가 더욱 가까워져 기생 캐패시턴스 Cp로 인한 터치 센싱 신호의 노이즈가 증가할 수 있다.
본 발명의 실시예들은, 터치 라우팅 배선(TL)과 신호 라인(SL) 사이에 실딩 패턴(SPTN)을 배치하고 실딩 패턴(SPTN)에 의한 전계가 형성되도록 함으로써, 터치 라우팅 배선(TL)과 신호 라인(SL) 사이의 기생 캐패시턴스를 저감시킬 수 있다.
도 14를 참조하면, 논-액티브 영역(NA)에서 터치 라우팅 배선(TL)과 봉지부(ENCAP) 사이에 적어도 하나의 실딩 패턴(SPTN)이 배치될 수 있다. 실딩 패턴(SPTN)은, 논-액티브 영역(NA)에서 봉지부(ENCAP)의 평탄화된 영역 및 비평탄화된 영역 중 적어도 일부 영역에 배치될 수 있다.
실딩 패턴(SPTN)은, 터치 라우팅 배선(TL)과 중첩하는 영역을 제외한 영역에 배치될 수 있다. 즉, 실딩 패턴(SPTN)은, 터치 라우팅 배선(TL)과 중첩되지 않게 배치될 수 있다.
그리고, 실딩 패턴(SPTN)은, 신호 라인(SL)과 중첩할 수도 있고, 중첩하지 않을 수도 있다. 또한, 실딩 패턴(SPTN)의 일부분만 신호 라인(SL)과 중첩할 수도 있다.
실딩 패턴(SPTN)은, 정전압을 공급받을 수 있으며, 일 예로, 그라운드 전압이 인가될 수 있다. 또는, 일정한 레벨의 정전압을 공급받을 수도 있다.
실딩 패턴(SPTN)에 정전압이 인가되므로, 인접한 실딩 패턴(SPTN) 사이에 전계가 형성될 수 있다. 그리고, 실딩 패턴(SPTN) 사이에 형성된 전계에 의해 신호 라인(SL)에 의한 노이즈가 터치 라우팅 배선(TL)에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
실딩 패턴(SPTN) 사이의 영역에 위치하는 신호 라인(SL)에 의한 노이즈는 실딩 패턴(SPTN) 사이에 형성된 전계에 의해 차단될 수 있다. 그리고, 실딩 패턴(SPTN)과 중첩하는 영역에 위치하는 신호 라인(SL)에 의한 노이즈는 실딩 패턴(SPTN)에 의해 차단될 수 있다.
여기서, 실딩 패턴(SPTN)은, 터치 라우팅 배선(TL)과 중첩하지 않게 배치되므로, 실딩 패턴(SPTN)과 터치 라우팅 배선(TL) 사이에 기생 캐패시턴스가 형성되지 않거나 매우 작게 형성될 수 있다. 따라서, 신호 라인(SL)에 의한 노이즈가 실딩 패턴(SPTN)에 전달되더라도, 실딩 패턴(SPTN)에 의해 노이즈가 차단되어 터치 라우팅 배선(TL)에 영향을 주지 않을 수 있다.
이와 같이, 논-액티브 영역(NA)에서 터치 라우팅 배선(TL)과 신호 라인(SL) 사이에 터치 라우팅 배선(TL)과 중첩하지 않으면서 전계를 형성하는 실딩 패턴(SPTN)을 배치함으로써, 신호 라인(SL)에 의한 터치 센싱 신호의 노이즈를 저감시킬 수 있다.
따라서, 논-액티브 영역(NA)에서 봉지부(ENCAP)의 비평탄화된 영역에 터치 라우팅 배선(TL)을 배치할 수 있도록 함으로써, 터치 라우팅 배선(TL)의 배치로 인한 논-액티브 영역(NA)의 증가를 최소화할 수 있다.
이러한 실딩 패턴(SPTN)은, 터치 라우팅 배선(TL)과 신호 라인(SL) 사이에 위치하며, 경우에 따라, 봉지부(ENCAP) 상에 배치될 수도 있고, 봉지부(ENCAP)의 아래에 배치될 수도 있다.
그리고, 실딩 패턴(SPTN)이 봉지부(ENCAP) 상에 배치되는 경우, 액티브 영역(AA)에서 터치 전극(TE)의 연결을 위해 터치 전극(TE)과 다른 층에 배치되는 터치 전극 연결 배선(CL)과 동일한 메탈을 이용함으로써, 별도의 공정 증가 없이 실딩 패턴(SPTN)을 용이하게 구현할 수 있다.
또한, 신호 라인(SL)에 의한 노이즈의 영향이 상대적으로 작은 봉지부(ENCAP)의 평탄화된 영역에는 실딩 패턴(SPTN)을 배치하지 않거나, 실딩을 위한 구성을 다른 층에 배치할 수도 있다.
이러한 경우, 봉지부(ENCAP)의 평탄화된 영역에서 실딩 패턴(SPTN)과 동일한 층에 배치된 메탈을 터치 라우팅 배선(TL)으로 이용함으로써, 터치 라우팅 배선(TL)의 저항을 감소시켜줄 수도 있다.
도 15는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널(DISP)에의 논-액티브 영역(NA)에 노이즈 저감 구성이 배치된 평면 구조의 다른 예시를 나타낸 도면이다. 그리고, 도 16과 도 17은 도 15에 도시된 J-J' 부분의 단면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 15와 도 16을 참조하면, 디스플레이 패널(DISP)의 논-액티브 영역(NA)은, 액티브 영역(AA)의 외측에 위치하며 봉지부(ENCAP)가 평탄화된 영역인 제1 논-액티브 영역(NA1)을 포함할 수 있다.
그리고, 논-액티브 영역(NA)은, 제1 논-액티브 영역(NA1)의 외측에 위치하며 봉지부(ENCAP)의 비평탄화된 영역인 제2 논-액티브 영역(NA2)을 포함할 수 있다.
본 명세서에서, 제1 논-액티브 영역(NA1)과 제2 논-액티브 영역(NA2) 각각은, "제1 영역"과 "제2 영역"으로 지칭할 수도 있다. 그리고, 제1 논-액티브 영역(NA1)에 배치된 터치 라우팅 배선(TL)을 제1 터치 라우팅 배선(TL1)이라 하고, 제2 논-액티브 영역(NA2)에 배치된 터치 라우팅 배선(TL)을 제2 터치 라우팅 배선(TL2)이라 할 수도 있다.
봉지부(ENCAP)의 비평화된 영역인 제2 논-액티브 영역(NA2)은, 봉지부(ENCAP)가 경사진 구조를 가질 수 있다. 따라서, 봉지부(ENCAP)의 두께가 점차적으로 감소될 수 있으며, 봉지부(ENCAP)의 아래에 위치하는 신호 라인(SL)에 의한 노이즈의 영향성이 큰 영역일 수 있다.
그러므로, 봉지부(ENCAP)의 비평탄화된 영역에서, 제2 터치 라우팅 배선(TL2)과 신호 라인(SL) 사이에 실딩 패턴(SPTN)이 배치될 수 있으며, 실딩 패턴(SPTN)은, 일 예로, 제2 터치 라우팅 배선(TL2)과 봉지부(ENCAP) 사이에 배치될 수 있다.
그리고, 실딩 패턴(SPTN)은, 제2 터치 라우팅 배선(TL2)과 중첩하지 않도록 배치될 수 있으며, 실딩 패턴(SPTN)으로 정전압이 인가될 수 있다.
따라서, 실딩 패턴(SPTN)에 의해 형성되는 전계에 의해 신호 라인(SL)에 의한 노이즈를 차단할 수 있다. 또한, 실딩 패턴(SPTN)이 제2 터치 라우팅 배선(TL2)과 중첩하지 않으므로, 실딩 패턴(SPTN)과 제2 터치 라우팅 배선(TL2) 사이에 기생 캐패시턴스가 형성됨으로 인한 노이즈를 방지할 수 있다.
봉지부(ENCAP)가 평탄화된 영역인 제1 논-액티브 영역(NA1)은, 봉지부(ENCAP)가 일정한 두께를 가지므로, 봉지부(ENCAP)의 아래에 위치하는 신호 라인(SL)에 의한 노이즈의 영향성이 상대적으로 작을 수 있다. 따라서, 제1 논-액티브 영역(NA1)에는 실딩 패턴(SPTN)이 배치되지 않을 수도 있다.
즉, 실딩 패턴(SPTN)은, 논-액티브 영역(NA)의 적어도 일부 영역에 배치될 수 있으며, 봉지부(ENCAP)의 비평탄화된 영역인 제2 논-액티브 영역(NA2)을 포함하는 영역에 배치될 수 있다. 또한, 실딩 패턴(SPTN)은, 봉지부(ENCAP)가 평탄화된 영역인 제1 논-액티브 영역(NA1)을 제외한 영역에만 배치될 수도 있다.
제1 논-액티브 영역(NA1)에 실딩 패턴(SPTN)이 배치되지 않는 경우, 제1 논-액티브 영역(NA1)에서 실딩 패턴(SPTN)과 동일한 층에 배치된 메탈은 제1 터치 라우팅 배선(TL1)과 연결되어 보조 라우팅 배선(STL)으로 이용될 수 있다.
보조 라우팅 배선(STL)은, 제1 논-액티브 영역(NA1)에서 제1 터치 라우팅 배선(TL1)과 봉지부(ENCAP) 사이에 배치되며, 제1 터치 라우팅 배선(TL1)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 그리고, 보조 라우팅 배선(STL)은, 제1 터치 라우팅 배선(TL1)과 터치 절연막(ILD)에 형성된 컨택홀을 통해 연결되어 제1 터치 라우팅 배선(TL1)의 저항을 감소시켜줄 수 있다.
이와 같이, 제1 논-액티브 영역(NA1)과 제2 논-액티브 영역(NA2)에서 동일한 층에 배치되는 메탈을 서로 다른 용도로 사용함으로써, 봉지부(ENCAP)의 비평탄화된 영역에 배치된 제2 터치 라우팅 배선(TL2)에 대한 신호 라인(SL)의 노이즈를 감소시키며, 봉지부(ENCAP)의 평탄화된 영역에 배치된 제1 터치 라우팅 배선(TL1)의 저항을 감소시켜줄 수 있다.
또한, 경우에 따라, 봉지부(ENCAP)의 비평탄화된 영역에서 신호 라인(SL)에 의한 노이즈를 차단시켜주기 위한 구성을 봉지부(ENCAP)의 아래에 배치함으로써, 전체적인 논-액티브 영역(NA)에서 신호 라인(SL)에 의한 노이즈를 저감시켜줄 수 있다.
일 예로, 도 16을 참조하면, 기판(SUB) 상에 멀티 버퍼층(MB)과 액티브 버퍼층(AB)이 배치될 수 있다. 액티브층(ACT)이 액티브 버퍼층(AB) 상에 배치되고, 게이트 절연층(GI)이 액티브층(ACT) 상에 배치될 수 있다.
디스플레이 패널(DISP)에 배치된 회로 소자의 전극이나 신호 라인(SL)을 구성하는 제1 메탈(M1)이 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있으며, 제1 메탈(M1)은, 일 예로, 서브픽셀(SP)에 배치된 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 구성하는 메탈일 수 있다.
제1 절연층(INS1)이 제1 메탈(M1) 상에 배치되고, 제2 메탈(M2)이 제1 절연층(INS1) 상에 배치될 수 있다. 그리고, 제2 메탈(M2)은, 일 예로, 서브픽셀(SP)에서 스토리지 캐패시터(Cst)를 형성하기 위한 메탈일 수 있다.
제2 절연층(INS2)이 제2 메탈(M2) 상에 배치되고, 제3 메탈(M3)이 제2 절연층(INS2) 상에 배치될 수 있으며, 제3 메탈(M3)은, 일 예로, 박막 트랜지스터의 소스 전극이나 드레인 전극을 구성하는 메탈일 수 있다.
평탄화층(PLN)이 제3 메탈(M3) 상에 배치되고, 발광 소자(ED)를 구성하는 제1 전극(E1)이 평탄화층(PLN) 상에 배치될 수 있다. 그리고, 발광층(EL)과 뱅크(BANK)가 배치되고, 제2 전극(E2)과 봉지부(ENCAP)가 배치될 수 있다.
터치 전극(TE)과 터치 라우팅 배선(TL) 등은 봉지부(ENCAP) 상에 배치될 수 있다.
제1 논-액티브 영역(NA1)에서, 봉지부(ENCAP)와 신호 라인(SL) 사이에 실딩 전극(SE)이 배치될 수 있다.
실딩 전극(SE)은, 액티브 영역(AA)에 배치되는 발광 소자(ED)의 캐소드 전극인 제2 전극(E2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 실딩 전극(SE)은, 일 예로, 발광 소자(ED)의 애노드 전극인 제1 전극(E1)과 동일한 층에 배치되고, 제1 전극(E1)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
실딩 전극(SE)이 제1 논-액티브 영역(NA1)에서 제1 터치 라우팅 배선(TL1)과 신호 라인(SL) 사이에 배치되므로, 신호 라인(SL)에 의한 노이즈가 실딩 전극(SE)에 의해 차단될 수 있다.
또한, 실딩 전극(SE)은, 발광 소자(ED)의 제2 전극(E2)으로 기저 전압(Vss)을 공급하는 공통 전압 공급 배선(CVL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 실딩 전극(SE)과 공통 전압 공급 배선(CVL)의 연결 구조에 의해, 실딩 전극(SE)은 신호 라인(SL)의 상부와 측부에 위치할 수 있다.
따라서, 실딩 전극(SE)은, 신호 라인(SL)에 의한 노이즈가 수직 방향이나 사선 방향으로 터치 라우팅 배선(TL)에 영향을 주는 것을 차단해줄 수 있다.
이와 같이, 봉지부(ENCAP)의 평탄화된 영역에서는 봉지부(ENCAP)의 아래에 실딩 전극(SE)을 배치하여 신호 라인(SL)에 의한 노이즈를 차단하고, 봉지부(ENCAP)의 비평탄화된 영역에서는 봉지부(ENCAP) 상에 실딩 패턴(SPTN)을 배치하여 신호 라인(SL)에 의한 노이즈를 차단할 수 있다.
특히, 봉지부(ENCAP)의 비평탄화된 영역에서는 봉지부(ENCAP)의 경사진 구조로 인해 발광 소자(ED)의 제1 전극(E1)과 동일한 물질로 이루어지는 실딩 전극(SE)의 배치가 용이하지 않을 수 있다. 따라서, 봉지부(ENCAP)의 비평탄화된 영역에서 봉지부(ENCAP) 상에 위치하는 실딩 패턴(SPTN)을 이용하여 노이즈를 차단함으로써, 논-액티브 영역(NA)에서 신호 라인(SL)에 의한 노이즈를 효과적으로 저감시켜줄 수 있다.
또한, 봉지부(ENCAP)의 평탄화된 영역에서 실딩 패턴(SPTN)과 동일한 층에 배치되는 메탈을 제1 터치 라우팅 배선(TL1)과 연결하여 보조 라우팅 배선(STL)으로 이용함으로써, 제1 논-액티브 영역(NA1)에 배치된 제1 터치 라우팅 배선(TL1)의 저항을 감소시켜줄 수 있다.
이때, 제1 논-액티브 영역(NA1)에 배치된 제1 터치 라우팅 배선(TL)의 저항이 감소되므로, 제1 터치 라우팅 배선(TL1)의 폭을 감소시켜 봉지부(ENCAP)의 평탄화된 영역을 감소시킬 수도 있다.
도 17을 참조하면, 봉지부(ENCAP)의 평탄화된 영역인 제1 논-액티브 영역(NA1)에 제1 터치 라우팅 배선(TL1)이 배치되고, 봉지부(ENCAP)의 아래에 실딩 전극(SE)이 배치될 수 있다.
봉지부(ENCAP)의 평탄화된 영역에서 봉지부(ENCAP)는 일정한 두께를 가지며 실딩 전극(SE)도 배치되어 있으므로, 봉지부(ENCAP)의 아래에 위치하는 신호 라인(SL)에 의한 노이즈가 제1 터치 라우팅 배선(TL1)에 미치는 영향이 차단될 수 있다.
따라서, 제1 논-액티브 영역(NA1)에서 제1 터치 라우팅 배선(TL1)의 아래에 배치되는 메탈은 제1 터치 라우팅 배선(TL1)과 전기적으로 연결되어 보조 라우팅 배선(STL)으로 이용될 수 있다.
봉지부(ENCAP)의 비평탄화된 영역인 제2 논-액티브 영역(NA2)에 배치된 제2 터치 라우팅 배선(TL2)과 봉지부(ENCAP) 사이에는 실딩 패턴(SPTN)이 배치될 수 있다.
실딩 패턴(SPTN)은, 터치 라우팅 배선(STL)과 중첩하지 않도록 배치될 수 있다. 그리고, 실딩 패턴(SPTN)은, 정전압을 공급받아 전계를 형성함으로써, 신호 라인(SL)에 의한 노이즈를 차단해줄 수 있다.
여기서, 제1 논-액티브 영역(NA1)에 배치된 제1 터치 라우팅 배선(TL1)은, 터치 구동 회로(TDC)로부터 상대적으로 가까운 영역에 위치하는 터치 전극(TE)과 연결될 수 있다. 그리고, 제2 논-액티브 영역(NA2)에 배치된 제2 터치 라우팅 배선(TL2)은, 터치 구동 회로(TDC)로부터 상대적으로 먼 영역에 위치하는 터치 전극(TE)과 연결될 수 있다.
따라서, 제1 터치 라우팅 배선(TL1)의 길이는 제2 터치 라우팅 배선(TL2)의 길이보다 작을 수 있으며, 제1 터치 라우팅 배선(TL1)의 저항은 제2 터치 라우팅 배선(TL2)의 저항보다 작을 수 있다. 그리고, 제1 터치 라우팅 배선(TL1)은, 보조 라우팅 배선(STL)과 연결된 상태이므로, 제1 터치 라우팅 배선(TL1)의 저항과 제2 터치 라우팅 배선(TL2)의 저항 사이의 차이는 더욱 클 수 있다.
그러므로, 제1 터치 라우팅 배선(TL1)의 폭 W1을 제2 터치 라우팅 배선(TL2)의 폭 W2보다 작게 함으로써, 제1 터치 라우팅 배선(TL1)과 제2 터치 라우팅 배선(TL2) 사이의 저항 편차를 감소시켜줄 수 있다.
또한, 제1 터치 라우팅 배선(TL1)의 폭을 감소시켜줌으로써, 제1 터치 라우팅 배선(TL1)이 배치되는 제1 논-액티브 영역(NA1)의 면적이 감소될 수 있다.
따라서, 실딩 패턴(SPTN)에 의해 봉지부(ENCAP)의 비평탄화된 영역에 터치 라우팅 배선(TL)의 배치가 가능하도록 하면서, 터치 라우팅 배선(TL)의 배치를 위한 봉지부(ENCAP)의 평탄화된 영역을 감소시킬 수 있도록 함으로써, 논-액티브 영역(NA)을 최소화하며 터치 라우팅 배선(TL)을 배치할 수 있다.
그리고, 논-액티브 영역(NA)에서 터치 라우팅 배선(TL) 아래에 배치되는 실딩 패턴(SPTN)은, 터치 라우팅 배선(TL)과 중첩하지 않도록 배치될 수 있으나, 경우에 따라, 실딩 패턴(SPTN)과 연결된 메탈의 일부분이 터치 라우팅 배선(TL)과 중첩할 수도 있다.
도 18은 도 16과 도 17에 도시된 터치 라우팅 배선(TL)과 실딩 패턴(SPTN)의 구체적인 평면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 18을 참조하면, (a)에 도시된 예시와 같이, 실딩 패턴(SPTN)은, 터치 라우팅 배선(TL)과 중첩하지 않도록 배치될 수 있다. 그리고, 서로 분리되어 배치된 다수의 실딩 패턴(SPTN)으로 동일한 정전압이 인가될 수 있다.
따라서, 실딩 패턴(SPTN)에 의해 전계가 형성됨으로써, 봉지부(ENCAP)의 아래에 위치하는 신호 라인(SL)에 의한 노이즈를 차단할 수 있다. 또한, 실딩 패턴(SPTN)이 터치 라우팅 배선(TL)과 중첩되지 않게 배치되므로, 실딩 패턴(SPTN)과 터치 라우팅 배선(TL) 사이의 기생 캐패시턴스로 인한 노이즈도 방지할 수 있다.
또는, 경우에 따라, 도 18의 (b)에 도시된 예시와 같이, 터치 라우팅 배선(TL)의 아래에 배치되는 실딩 패턴(SPTN)은 메쉬 형태를 가질 수 있다.
일 예로, 실딩 패턴(SPTN)은, 터치 라우팅 배선(TL)이 배치된 방향과 동일한 방향을 따라 배치되고, 실딩 연결 패턴(SCPTN)이 터치 라우팅 배선(TL)과 교차하는 방향을 따라 배치될 수 있다. 그리고, 실딩 연결 패턴(SCPTN)에 의해 실딩 패턴(SPTN)이 연결될 수 있다.
실딩 패턴(SPTN)과 실딩 연결 패턴(SCPTN)에 의해 형성되는 메쉬 구조에 의해 실딩 패턴(SPTN) 등에 의해 전계가 강하게 형성될 수 있다. 따라서, 신호 라인(SL)에 의한 노이즈 차폐 성능을 높여줄 수 있다.
또한, 실딩 연결 패턴(SCPTN)에 의해 실딩 패턴(SPTN)이 서로 연결되므로, 실딩 패턴(SPTN)으로 신호를 공급해주기 위한 배선이 간소화될 수 있다.
그리고, 실딩 연결 패턴(SCPTN)의 폭을 실딩 패턴(SPTN)의 폭보다 작게 함으로써, 실딩 연결 패턴(SCPTN)의 일부분이 터치 라우팅 배선(TL)과 중첩하더라도 실딩 연결 패턴(SCPTN)과 터치 라우팅 배선(TL) 간의 기생 캐패시턴스로 인한 노이즈를 최소화할 수 있다.
또는, 논-액티브 영역(NA)에 배치되는 실딩 패턴(SPTN)이 터치 라우팅 배선(TL)과 중첩하는 영역에 배치되며, 신호 라인(SL)에 의한 노이즈를 차단할 수도 있다.
도 19와 도 20은 도 15에 도시된 J-J' 부분의 단면 구조의 다른 예시를 나타낸 도면이다.
도 19과 도 20을 참조하면, 봉지부(ENCAP)의 평탄화된 영역인 제1 논-액티브 영역(NA1)에 배치된 제1 터치 라우팅 배선(TL1)은 봉지부(ENCAP) 상에 배치된 보조 라우팅 배선(STL)과 전기적으로 연결될 수 있다.
그리고, 제1 논-액티브 영역(NA1)에서 봉지부(ENCAP)의 아래에 실딩 전극(SE)이 배치될 수 있다. 또는, 경우에 따라, 봉지부(ENCAP)의 평탄화된 영역에서 신호 라인(SL)에 의한 노이즈가 작을 경우, 실딩 전극(SE)은 배치되지 않을 수도 있다.
봉지부(ENCAP)의 비평탄화된 영역인 제2 논-액티브 영역(NA2)에서 제2 터치 라우팅 배선(TL2)과 봉지부(ENCAP) 사이에 실딩 패턴(SPTN)이 배치될 수 있다.
실딩 패턴(SPTN)은, 제2 터치 라우팅 배선(TL2)과 중첩하는 영역을 포함하는 영역에 배치될 수 있다.
일 예로, 실딩 패턴(SPTN)은, 도 19에 도시된 예시와 같이, 봉지부(ENCAP)의 경사면에 수직인 방향으로 제2 터치 라우팅 배선(TL2)과 중첩하도록 배치될 수 있다.
또는, 실딩 패턴(SPTN)은, 도 20에 도시된 예시와 같이, 신호 라인(SL)에 수직인 방향으로 제2 터치 라우팅 배선(TL2)과 중첩하도록 배치될 수도 있다.
그리고, 실딩 패턴(SPTN)으로 제2 터치 라우팅 배선(TL2)에 인가되는 신호와 대응하는 신호가 인가될 수 있다.
구체적으로, 실딩 패턴(SPTN)은, 실딩 패턴(SPTN)과 중첩하는 제2 터치 라우팅 배선(TL2)으로 인가되는 신호와 대응하는 신호를 공급받을 수 있다. 여기서, 대응하는 신호는 제2 터치 라우팅 배선(TL2)으로 인가되는 신호의 주파수, 진폭 및 위상 중 적어도 하나와 동일한 신호를 의미할 수 있다. 또는, 제2 터치 라우팅 배선(TL2)으로 인가되는 신호와 동일한 신호를 의미할 수도 있다.
따라서, 실딩 패턴(SPTN)과 중첩하는 제2 터치 라우팅 배선(TL2)이 구동 터치 전극과 연결된 배선일 경우, 터치 구동 신호가 실딩 패턴(SPTN)으로 공급될 수 있다. 그리고, 실딩 패턴(SPTN)과 중첩하는 제2 터치 라우팅 배선(TL2)이 센싱 터치 전극과 연결된 배선일 경우, 센싱 터치 전극에 인가되는 정전압과 동일한 전압이 실딩 패턴(SPTN)으로 공급될 수 있다.
실딩 패턴(SPTN)이 제2 터치 라우팅 배선(TL2)과 중첩하도록 배치됨으로써, 제2 터치 라우팅 배선(TL2)과 신호 라인(SL) 사이에 직접적인 기생 캐패시턴스가 형성되는 것을 방지할 수 있다.
그리고, 실딩 패턴(SPTN)은, 제2 터치 라우팅 배선(TL2)과 기생 캐패시턴스를 형성하지 않으므로, 신호 라인(SL)에 의한 노이즈가 실딩 패턴(SPTN)을 통해 제2 터치 라우팅 배선(TL2)에 노이즈로 작용하는 것도 방지할 수 있다.
이와 같이, 실딩 패턴(SPTN)이 제2 터치 라우팅 배선(TL2)과 중첩하는 구조에 의해서도, 신호 라인(SL)에 의한 노이즈를 차단할 수도 있으며, 실딩 패턴(SPTN)은 전술한 예시와 같이 스트라이프 형태나 메쉬 형태 등으로 배치될 수 있다.
도 21은 도 19와 도 20에 도시된 터치 라우팅 배선(TL)과 실딩 패턴(SPTN)의 구체적인 평면 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 21을 참조하면, (a)에 도시된 예시와 같이, 실딩 패턴(SPTN)은, 서로 분리되어 배치되며 터치 라우팅 배선(TL)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 그리고, 실딩 패턴(SPTN)으로 터치 라우팅 배선(TL)에 인가되는 신호와 대응하는 신호가 공급될 수 있다.
또는, (b)에 도시된 예시와 같이, 실딩 패턴(SPTN)은, 터치 라우팅 배선(TL)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 그리고, 실딩 패턴(SPTN)과 교차하는 방향으로 배치되는 실딩 연결 패턴(SCPTN)에 의해 인접한 실딩 패턴(SPTN)이 서로 연결될 수 있다.
실딩 연결 패턴(SCPTN)의 폭은 실딩 패턴(SPTN)의 폭보다 작을 수도 있고, 클 수도 있으며, 경우에 따라, 실딩 연결 패턴(SCPTN)이 실딩 패턴(SPTN) 사이의 영역을 모두 채우는 구조로 배치될 수도 있다. 즉, 실딩 패턴(SPTN)이 터치 라우팅 배선(TL)의 아래에서 전체적으로 배치될 수도 있다.
도 21의 (b)의 예시와 같이, 인접한 실딩 패턴(SPTN)이 서로 연결된 구조에서, 실딩 패턴(SPTN)은 중첩하는 터치 라우팅 배선(TL)에 인가되는 신호와 대응하는 신호를 공급받을 수 있다.
따라서, 동일한 신호가 공급되는 터치 라우팅 배선(TL)과 중첩하는 실딩 패턴(SPTN)끼리 실딩 연결 패턴(SCPTN)에 의해 연결될 수 있으며, 서로 다른 신호가 공급되는 터치 라우팅 배선(TL)과 중첩하는 실딩 패턴(SPTN)은 전기적으로 분리되어 배치될 수 있다.
이와 같이, 실딩 패턴(SPTN)이 터치 라우팅 배선(TL)과 중첩하도록 배치된 경우에도, 실딩 패턴(SPTN)은 다양한 형태로 배치되며, 봉지부(ENCAP)의 아래에 위치하는 신호 라인(SL)에 의한 노이즈를 차단해줄 수 있다.
전술한 본 발명의 실시예들에 의하면, 논-액티브 영역(NA)에서 터치 라우팅 배선(TL)과 봉지부(ENCAP) 사이에 위치하며 터치 라우팅 배선(TL)과 중첩하지 않는 실딩 패턴(SPTN)을 배치함으로써, 디스플레이 구동을 위한 신호 라인(SL)에 의한 노이즈를 저감시켜줄 수 있다.
따라서, 터치 라우팅 배선(TL)과 신호 라인(SL) 사이의 거리가 작은 봉지부(ENCAP)의 비평탄화된 영역에 터치 라우팅 배선(TL)의 배치를 가능하게 할 수 있다.
또한, 봉지부(ENCAP)의 평탄화된 영역에 실딩 패턴(SPTN)을 배치하지 않거나, 봉지부(ENCAP)의 아래에 실딩 전극(SE)을 배치함으로써, 봉지부(ENCAP) 상에서 실딩 패턴(SPTN)과 동일한 층에 배치된 메탈을 터치 라우팅 배선(TL)과 연결시켜 보조 라우팅 배선(STL)으로 이용할 수 있다.
이러한 보조 라우팅 배선(STL)에 의해 봉지부(ENCAP)의 평탄화된 영역에 배치된 터치 라우팅 배선(TL)의 저항을 감소시킴으로써, 터치 라우팅 배선(TL)의 폭을 감소시키고 봉지부(ENCAP)의 평탄화된 영역을 줄일 수 있다.
따라서, 터치 라우팅 배선(TL)의 배치를 위해 요구되는 논-액티브 영역(NA)을 최소화하면서, 디스플레이 구동에 따른 터치 센싱 신호의 노이즈를 저감시킨 터치 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (18)

  1. 액티브 영역에 배치된 다수의 발광 소자;
    상기 액티브 영역의 외측에 위치하는 논-액티브 영역에 배치된 다수의 신호 라인;
    상기 발광 소자 및 상기 신호 라인 상에 배치된 봉지부;
    상기 봉지부 상에서 상기 액티브 영역에 배치된 다수의 터치 전극;
    상기 봉지부 상에서 상기 논-액티브 영역에 배치되고, 상기 터치 전극과 전기적으로 연결된 다수의 터치 라우팅 배선; 및
    상기 터치 라우팅 배선과 상기 봉지부 사이에 위치하고, 상기 터치 라우팅 배선과 중첩하는 영역을 제외한 영역에 배치되며, 정전압이 인가되는 적어도 하나의 실딩 패턴
    을 포함하는 터치 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 논-액티브 영역은 상기 액티브 영역의 외측에 위치하고 상기 봉지부가 평탄화된 제1 영역과, 상기 제1 영역의 외측에 위치하고 상기 봉지부가 경사진 제2 영역을 포함하고,
    상기 실딩 패턴의 적어도 일부는 상기 제2 영역에 배치된 터치 디스플레이 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 영역에서 상기 터치 라우팅 배선과 상기 봉지부 사이에 위치하고, 적어도 일부분이 상기 터치 라우팅 배선과 중첩하며, 상기 터치 라우팅 배선과 전기적으로 연결된 다수의 보조 라우팅 배선을 더 포함하는 터치 디스플레이 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 실딩 패턴은 상기 보조 라우팅 배선과 동일한 층에 배치된 터치 디스플레이 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제1 영역에 배치된 상기 터치 라우팅 배선의 폭은 상기 제2 영역에 배치된 상기 터치 라우팅 배선의 폭보다 작은 터치 디스플레이 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 실딩 패턴은 상기 터치 라우팅 배선과 절연된 터치 디스플레이 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 실딩 패턴은 서로 분리된 다수의 실딩 패턴을 포함하고, 상기 다수의 실딩 패턴으로 동일한 신호가 인가되는 터치 디스플레이 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 봉지부와 상기 신호 라인 사이에 위치하고, 상기 발광 소자의 캐소드 전극과 전기적으로 연결된 적어도 하나의 실딩 전극을 더 포함하는 터치 디스플레이 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 실딩 전극은 상기 실딩 패턴과 상기 액티브 영역 사이의 영역과 중첩하는 영역을 포함하는 영역에 배치된 터치 디스플레이 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 실딩 전극은 상기 실딩 패턴과 중첩하는 영역을 제외한 영역에 배치된 터치 디스플레이 장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 실딩 전극은 상기 발광 소자의 애노드 전극과 동일한 층에 배치된 터치 디스플레이 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 실딩 패턴과 교차하는 방향으로 배치되고, 상기 실딩 패턴과 연결되며, 상기 실딩 패턴의 폭 이하의 폭을 갖는 적어도 하나의 실딩 연결 패턴을 더 포함하는 터치 디스플레이 장치.
  13. 액티브 영역에 배치된 다수의 발광 소자;
    상기 액티브 영역의 외측에 위치하는 논-액티브 영역에 배치된 다수의 신호 라인;
    상기 발광 소자 및 상기 신호 라인 상에 배치된 봉지부;
    상기 봉지부 상에서 상기 액티브 영역에 배치된 다수의 터치 전극;
    상기 봉지부 상에서 상기 논-액티브 영역에 배치되고, 상기 터치 전극과 전기적으로 연결된 다수의 터치 라우팅 배선; 및
    상기 논-액티브 영역에서 상기 봉지부의 경사면과 상기 터치 라우팅 배선 사이에 배치되고, 상기 터치 라우팅 배선과 중첩하는 영역을 포함하는 영역에 배치되며, 상기 터치 라우팅 배선에 인가되는 신호와 대응하는 신호가 인가되는 적어도 하나의 실딩 패턴
    을 포함하는 터치 디스플레이 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 실딩 패턴은 상기 봉지부의 경사면과 수직인 방향으로 상기 터치 라우팅 배선과 중첩하는 영역을 포함하는 영역에 배치된 터치 디스플레이 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 실딩 패턴은 상기 신호 라인과 수직인 방향으로 상기 터치 라우팅 배선과 중첩하는 영역을 포함하는 영역에 배치된 터치 디스플레이 장치.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 실딩 패턴으로 인가되는 신호는 상기 실딩 패턴과 중첩하는 상기 터치 라우팅 배선으로 인가되는 신호와 동일한 신호인 터치 디스플레이 장치.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 액티브 영역과 상기 봉지부의 경사면 사이에 배치되고, 상기 터치 라우팅 배선과 상기 봉지부 사이에 위치하며, 상기 터치 라우팅 배선과 전기적으로 연결된 다수의 보조 라우팅 배선을 더 포함하는 터치 디스플레이 장치.
  18. 액티브 영역에 배치된 다수의 터치 전극;
    상기 액티브 영역의 외측에 위치하는 논-액티브 영역에 배치되고, 상기 터치 전극과 전기적으로 연결된 다수의 터치 라우팅 배선;
    상기 논-액티브 영역에 배치되고, 상기 터치 라우팅 배선 아래에 위치하는 다수의 신호 라인; 및
    상기 터치 라우팅 배선과 상기 신호 라인 사이에 위치하고, 상기 터치 라우팅 배선과 중첩하는 영역을 제외한 영역에 배치되며, 정전압이 인가되는 적어도 하나의 실딩 패턴
    을 포함하는 터치 디스플레이 장치.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102491224B1 (ko) * 2017-06-01 2023-01-20 엘지디스플레이 주식회사 터치표시장치 및 터치패널
KR20210062772A (ko) * 2019-11-21 2021-06-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11886658B2 (en) * 2021-10-18 2024-01-30 Lg Display Co., Ltd. Touch display device
GB2620013A (en) * 2022-05-23 2023-12-27 Lg Display Co Ltd Touch display device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP6879746B2 (ja) 2017-01-13 2021-06-02 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US11023059B2 (en) * 2017-09-08 2021-06-01 Lg Display Co., Ltd. Touch display panel and touch display device
KR102552266B1 (ko) * 2018-01-31 2023-07-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

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