KR20210052707A - 극자외선 노광 시스템 - Google Patents

극자외선 노광 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20210052707A
KR20210052707A KR1020190136669A KR20190136669A KR20210052707A KR 20210052707 A KR20210052707 A KR 20210052707A KR 1020190136669 A KR1020190136669 A KR 1020190136669A KR 20190136669 A KR20190136669 A KR 20190136669A KR 20210052707 A KR20210052707 A KR 20210052707A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrostatic chuck
mask
disposed
extreme ultraviolet
thin film
Prior art date
Application number
KR1020190136669A
Other languages
English (en)
Inventor
장성호
김성열
신혁
배근희
이인재
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020190136669A priority Critical patent/KR20210052707A/ko
Priority to US16/880,090 priority patent/US11016400B1/en
Publication of KR20210052707A publication Critical patent/KR20210052707A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Library & Information Science (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 내부 공간을 갖는 노광 챔버; 상기 내부 공간의 상부에 배치되는 상부 정전척(electrostatic chuck) - 상기 상부 정전척은 수평 방향으로 인접하는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 수평 방향은 상기 상부 정전척의 하부면과 평행한 방향이고, 상기 제1 및 제2 전극은 서로 다른 극성의 전기장을 발생시켜 정전기력을 제공함-; 상기 상부 정전척에 전원을 공급하는 전원 공급부; 상기 내부 공간에 배치되며 상기 상부 정전척 방향으로 극자외선(extreme ultraviolet) 광을 조사하는 광원부; 상기 내부 공간의 하부에 배치되는 하부 정전척; 및 상기 정전기력에 의해 상기 상부 정전척의 상기 하부면에 흡착되며, 상기 전기장을 차폐하는 금속 박막이 배치된 제1 영역과 상기 금속 박막이 제거되어 상기 전기장이 투과되는 제2 영역을 포함하는 금속 박막 패턴을 구비하는 제1 마스크;를 포함하며, 상기 제2 영역을 통해 투과된 상기 전기장이 상기 노광 챔버 내의 하전된 파티클들(charged paticles)에 인력 또는 척력을 인가하는 극자외선 노광 시스템을 제공할 수 있다.

Description

극자외선 노광 시스템{EXTREME ULTRAVIOLET EXPORURE SYSTEM}
본 발명은 극자외선 노광 시스템에 관한 것이다.
기존의 노광 시스템에는 심자외선(deep ultra violet; DUV) 광을 광원으로 하는 투과형 노광계가 널리 사용되었으나, 반도체 소자의 집적도가 향상되고 선폭이 미세해지면서 근래에는 광학적 리소그라피의 분해능을 향상시키기 위하여 차세대 리소그라피 기술들이 연구되고 있다. 그 중에서, 심자외선 광보다 파장이 짧은 극자외선(extreme ultra violet; EUV) 광을 광원으로 하는 극자외선 노광 시스템에 대한 개발이 활발히 진행되고 있다. 이러한 극자외선 노광 시스템을 효과적으로 운용하기 위해서, 기류를 이용하여 자외선 노광 시스템 내부의 파티클들을 제거하는 방법이 사용되었으나, 극자외선 노광 시스템의 내부는 극자외선 광이 기체에 흡수되는 것을 방지하기 위해 저진공 상태로 유지되므로, 기류를 통해 파티클들을 제거하는 데에 한계가 있었다. 특히, 특정 전하로 하전된 파티클들은 극자외선 노광 시스템 내부의 구조물 및 부품의 표면에 정전기력으로 고착되어 기류에 의해 제거하는 것이 어려웠다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제 중 하나는, 극자외선 노광 챔버 내부의 하전된 파티클들을 효과적으로 제거할 수 있는 노광 시스템을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 일 실시예는, 내부 공간을 갖는 노광 챔버; 상기 내부 공간의 상부에 배치되는 상부 정전척(electrostatic chuck) - 상기 상부 정전척은 수평 방향으로 인접하는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 수평 방향은 상기 상부 정전척의 하부면과 평행한 방향이고, 상기 제1 및 제2 전극은 서로 다른 극성의 전기장을 발생시켜 정전기력을 제공함-; 상기 상부 정전척에 전원을 공급하는 전원 공급부; 상기 내부 공간에 배치되며 상기 상부 정전척 방향으로 극자외선(extreme ultraviolet) 광을 조사하는 광원부; 상기 내부 공간의 하부에 배치되는 하부 정전척; 및 상기 정전기력에 의해 상기 상부 정전척의 상기 하부면에 흡착되며, 상기 전기장을 차폐하는 금속 박막이 배치된 제1 영역과 상기 금속 박막이 제거되어 상기 전기장이 투과되는 제2 영역을 포함하는 금속 박막 패턴을 구비하는 제1 마스크;를 포함하며, 상기 제2 영역을 통해 투과된 상기 전기장이 상기 노광 챔버 내의 하전된 파티클들(charged paticles)에 인력 또는 척력을 인가하는 극자외선 노광 시스템을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 노광 챔버; 상기 노광 챔버의 상부에 배치되며 하부면에 서로 다른 극성의 전기장을 발생시켜 정전기력을 제공하는 제1 전극과 제2 전극이 교대로 배치된 정전척(electrostatic chuck); 상기 정전기력에 의해 상기 상부 정전척의 상기 하부면에 흡착되며, 상기 상부 정전척의 상기 하부면을 통해 방사되는 전기장을 선택적으로 차폐하는 금속박막 패턴이 형성된 마스크;를 포함하는 극자외선 노광 시스템을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 내부 공간을 갖는 노광 챔버; 상기 내부 공간의 챔버의 상부에 배치되며 하부면에 서로 다른 극성의 전기장을 발생시켜 정전기력을 제공하는 제1 전극과 제2 전극이 교대로 배치된 상부 정전척(electrostatic chuck); 상기 내부 공간의 하부에 배치된 하부 정전척; 상기 정전기력에 의해 상기 상부 정전척의 상기 하부면에 흡착되며, 상기 상부 정전척의 상기 하부면을 통해 방사되는 전기장을 선택적으로 차폐하는 금속 박막 패턴이 형성된 제1 마스크; 및 상기 정전기력에 의해 상기 상부 정전척의 상기 하부면에 흡착되며, 상기 상부 정전척의 상기 하부면을 통해 방사되는 전기장을 차폐하는 금속 박막이 형성된 제2 마스크;를 포함하며, 상기 제1 마스크는 표면에 상기 노광 챔버 내의 하전된 파티클들(charged paticles)이 부착되며 -상기 하전된 파티클들은 상기 제1 마스크에서 선택적으로 투과된 전기장에 의해 인력이 인가되어 상기 제1 마스크의 상기 표면에 부착됨-, 상기 제2 마스크는 상기 제1 마스크가 상기 상부 정전척에서 언로딩 된 후, 상기 상부 정전척에 로딩되는 노광 시스템을 제공한다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 극자외선 노광 시스템은 노광 챔버 내부의 하전된 파티클들을 효과적으로 제거할 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 극자외선 노광 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 상부 정전척 및 제1 마스크를 도시한 도면이다.
도 3은 도 2의 상부 정전척 및 제1 마스크를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 극자외선 노광 시스템을 이용하여 하전된 파티클들을 제거하는 과정을 도시한 도면이다.
도 6 내지 도 9b는 제1 마스크의 다양한 변형예이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 의한 극자외선 노광 시스템을 이용하여 반도체 소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 다음과 같이 설명한다.
도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 의한 극자외선 노광 시스템에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 극자외선 노광 시스템을 개략적으로 도시한 도면이고, 도 2는 도 1의 상부 정전척 및 제1 마스크를 도시한 도면이다. 도 3은 도 2의 상부 정전척 및 제1 마스크를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 1을 참조하면, 극자외선(Extreme Ultraviolet; EUV) 노광 시스템(10)은 로드 락(load lock) 챔버(100), 웨이퍼 교환 챔버(200), 및 노광 챔버(300)를 포함할 수 있다. 극자외선 노광 시스템(10)은 포토레지스트(Photo-Resist; PR)가 코팅된 웨이퍼(W)에 극자외선 노광을 수행하는 장치일 수 있다.
로드 락 챔버(100)는, 웨이퍼(W)에 대한 포토레지스트(Photo-Resist; PR) 코팅 공정 및 현상(develop) 공정을 수행하는 스피너(spinner)로부터, 웨이퍼(W)를 노광 챔버(300)로 공급 및 배출시키는 통로 기능을 하는 챔버일 수 있다. 로드 락 챔버(100)는 노광 챔버(300)의 입구 및/또는 출구 쪽에 배치되고, 대기압 상태와 진공 상태를 번갈아 유지할 수 있다. 웨이퍼는 패턴 형성을 위해 극자외선 포토리소그라피 공정, 예컨대 극자외선 노광이 수행되는 반도체 기판을 의미할 수 있다. 물론, 웨이퍼는 반도체 기판에 한하지 않고 극자외선 노광이 수행될 수 있는 모든 종류의 기판을 의미할 수 있다.
웨이퍼 교환 챔버(200)는 제1 도어(500)를 통해 로드 락 챔버(100)에 결합될 수 있으며, 제2 도어(600)를 통해 노광 챔버(300)에 결합할 수 있다. 웨이퍼 교환 챔버(200)에는 웨이퍼(W)를 이동시키기 위한 이송 로봇(210)이 배치될 수 있다. 이송 로봇(210)은 다단의 아암(arm)(211)을 가질 수 있으며, 아암(211)의 단부에는 웨이퍼(W)가 안착되는 아암 스푼(arm spoon)(212)이 배치될 수 있다. 이송 로봇(210)은 제1 도어(500)가 개방되면 로드 락 챔버(100)를 통해 공정 처리가 필요한 웨이퍼(W)를 선택하여 아암 스푼(402)상에 적재할 수 있다. 또한, 이송 로봇(210)은 제2 도어(600)가 개방되면 적재된 웨이퍼(W)를 노광 챔버(300)에 로딩(loading)할 수 있다. 또한, 이송 로봇(210)은 노광 챔버(300)에서 웨이퍼(W)의 노광 공정이 완료되면, 노광 챔버(300)에서 웨이퍼(W)를 언로딩(unloading)하여, 다시 로드 락 챔버(100)로 이송할 수 있다. 또한, 이송 로봇(210)은 후술하는 제1 및 제2 마스크(320, 360)를 상부 정전척(310)에 로딩/언로딩하는 데에 사용될 수 있다.
다만, 이송 로봇(210)의 구조는 이에 한정하는 것은 아니며, 웨이퍼 교환 챔버(200)에는 이송 로봇 대신 다른 운반 기구가 사용될 수도 있다.
노광 챔버(300)는 내부 공간(301)을 가지며, 내부 공간(301)에 광원부(330), 상부 정전척(electrostatic chuck; ESC)(310), 투영부(340), 및 하부 정전척(350)을 포함할 수 있다. 상부 정전척(310)에는 제1 및 제2 마스크(320, 360)가 로딩/언로딩될 수 있으며, 하부 정전척(350)에는 웨이퍼(W)가 로딩/언로딩될 수 있다. 제1 마스크(320)는 노광 챔버(300) 내부의 파티클들을 제거하기 위한 마스크로서, 이에 대해서는 후술한다. 제2 마스크(360)는 웨이퍼(W)의 포토레지스트에 패턴을 조사하기 위한 마스크이다. 노광 챔버(300)의 내부 공간(301)은 극자외선 광이 기체에 흡수되는 것을 방지하기 위해, 5Pa 이하의 저압 상태 또는 진공 상태일 수 있다.
광원부(330)는 극자외선 광원(331)을 포함할 수 있으며, 대략 100nm 미만의 파장의 극자외선 광(EUV)을 생성할 수 있다. 극자외선 광원(331)은 예를 들어, 플라즈마 광원(plasma source)이나 싱크로트론(synchrotron) 광원이 이용될 수 있다. 또한, 플라즈마 광원은 CO2 레이저를 여기 광원으로 사용하여 주석(Sn)을 타깃으로 한 LPP(laser-produced plasma) 광원일 수 있다. 광원부(330)는 다수의 미러들을 포함하여, 극자외선 광원(331)에서 방출된 극자외선 광(EUV)을 상부 정전척(310) 방향으로 조사할 수 있다. 이러한 다수의 미러들은 이미 알려진 구조이므로, 도면의 단순화 및 설명의 편의를 위해, 극자외선 광원(331)으로부터의 극자외선 광을 수집하여 다른 조명 미러로 공급하는 제1 미러(332)만을 도시하고, 나머지 미러들은 생략된 사각형 블록으로 도시되고 있다.
도 1을 참조하면, 상부 정전척(310)은 내부 공간(301)의 상부에 배치될 수 있다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 상부 정전척(310)의 하부면(P1)에는 전기장을 발생시키기 위한 제1 전극(A1, A3) 및 제2 전극(A2, A4)이 교대로 배치될 수 있다. 일 실시예의 경우, 제1 전극(A1, A3) 및 제2 전극(A2, A4)은 상부 정전척(310)의 하부면(P1)과 평행한 방향인 수평 방향으로 서로 인접하도록 배치될 수 있다. 제1 전극(A1, A3)과 제2 전극(A2, A4)은 전원 공급부(400)에서 인가된 전원을 이용하여 서로 다른 극성을 갖는 전기장을 형성함으로써, 하부 방향으로 정전기력을 제공할 수 있다.
일 실시예의 경우, 제1 전극(A1, A3)과 제2 전극(A2, A4)은 각각 일 방향으로 긴 직사각형의 형상을 가지며, 각각 2개가 교대로 배치된 것으로 예를 들어 설명한다. 또한, 제1 전극(A1, A3)과 제2 전극(A2, A4)은 동일한 형상을 갖는 것으로 예를 들어 설명한다. 또한, 제1 전극(A1, A3)에는 (+)극성의 전기장이 형성되며, 제2 전극(A2, A4)에는 (-)극성의 전기장이 형성된 것으로 예로 들어 설명한다. 다만, 제1 및 제2 전극(A1~A4)의 형상, 개수, 배치 및 극성은 이에 한정하는 것은 아니며, 다양하게 변형될 수 있다. 이러한 제1 및 제2 전극(A1~A4)은 각각 반대 극성을 갖는 전기장을 형성하므로, 제1 마스크(320)의 제1 면(P2)은 상부 정전척(310)의 하부면(P1)에 정전기력에 의해 흡착될 수 있다.
상부 정전척(310)에 흡착되는 마스크는 노광 챔버(300) 내부의 파티클들을 제거하기 위한 제1 마스크(320)와, 웨이퍼(W)에 패턴을 전사하기 위한 제2 마스크(360)를 포함할 수 있다. 경우에 따라서는, 마스크는 레티클(reticle)로 언급되기도 한다. 일 실시예는 노광 챔버(300) 내의 파티클들을 제거하기 위한 제1 마스크(320)가 채용된 경우를 중심으로 설명한다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 제1 마스크(320)는 투광성 기판(321) 및 금속 박막 패턴(322)을 포함할 수 있다. 투광성 기판(321)은 상부 정전척(310)의 하부면(P1)에 부착되는 면인 제1 면(P2) 및 반대면인 제2 면(P3)을 가질 수 있다. 투광성 기판(321)은 낮은 열팽창 계수를 갖는 물질(low thermal expansion material; LTEM)을 포함할 수 있다. 투광성 기판(321)은 석영 유리, 알루미나 실리케이트 유리, 소다라임 유리, 및/또는 SiO2-TiO2계 유리를 포함할 수 있다.
제1 면(P2)에는 금속 박막 패턴(322)이 배치될 수 있다. 금속 박막 패턴(322)은 제1 마스크(320)가 상부 정전척(310)에 흡착되기 위한 부착력을 제공할 수 있다. 또한, 금속 박막 패턴(322)은 금속 박막이 배치된 제1 영역(B1, B3)과 금속 박막이 제거된 제2 영역(B2, B4)을 포함할 수 있다. 제1 영역(B1, B3)은 금속 박막이 배치되어 상부 정전척(310)에서 방사되는 전기장(E1, E3)을 차폐할 수 있다. 제2 영역(B2, B4)은 금속 박막이 제거되어 상부 정전척(310)에서 방사되는 전기장(E2, E4)이 투과될 수 있다. 따라서, 금속 박막 패턴(322)은 제1 마스크(320)가 상부 정전척(310) 부착되기 위한 부착력을 제공하면서도, 제1 마스크(320)의 하부로 전기장(E2, E4)이 투과되도록 할 수 있다.
실시예에 따라서는, 투광성 기판(321)의 제2 면(P3)에 파티클 포집층(313)이 배치될 수 있다. 파티클 포집층(313)은 제1 마스크(320)의 제2 면(P3)에 파티클들이 부착되는 경우에 이를 견고하게 유지하기 위한 것이다.
파티클 포집층(313)은 망상구조를 이루도록 서로 교차하여 배열된 복수의 나노와이어(nanowire) 또는 복수의 나노튜브(nanotube)를 포함하는 다공성 박막으로 이루어질 수 있다. 또한, 파티클 포집층(313)은 화학적인 부착력을 제공하는 접착물질로 이루어질 수 있다. 따라서, 파티클 포집층(313)에 부착된 파티클들은 파티클 포집층(313)의 표면에 부착된 상태로 유지될 수 있다.
웨이퍼(W)에 패턴을 전사하기 위한 제2 마스크(360)의 경우, 투광성 기판(321)의 일면을 전체적으로 덮도록 금속 박막이 코팅되어, 상부 정전척(310)의 전기장(E1~E4)이 제2 마스크(360)의 하부로 투과될 수 없다. 제2 마스크(360)의 금속 박막은 상부 정전척(310)의 정전기력으로 인한 마스크의 휨을 방지하고, 상부 정전척(310)의 전기장을 차단하여, 상부 정전척(310)의 전기장(E1~E4)에 의해 광원부(330) 및 투영부(340)의 극자외선 광이 영향받는 것을 방지할 수 있다.
반면에, 노광 챔버(300) 내부의 파티클들을 제거하기 위한 제1 마스크(320)의 경우, 금속 박막의 일부분이 제거된 금속 박막 패턴(322)이 배치되어, 상부 정전척(310)의 전기장(E1~E4) 중 일부의 전기장(E2, E4)이 제1 마스크(320)의 하부로 인가될 수 있다. 이러한 금속 박막 패턴(322)은 투광성 기판(321)의 제1 면(P2)에 코팅될 수 있다. 금속 박막 패턴(322)은 도전성 금속층으로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 금속 박막 패턴(322)은 크롬 나이트라이드(CrN), 티타늄 나이트라이드(TiN), 몰리브덴 실리사이드(MoSi2), 실리콘 카바이드(SiC) 및 실리콘 나이트라이드(Si3N4) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 물질을 코팅하여 형성할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 일 실시예의 금속 박막 패턴(322)은 투광성 기판(321)의 제1 면(P2) 상에 배치될 수 있다. 금속 박막 패턴(322)은 금속 박막(322-1, 322-2)이 배치된 제1 영역(B1, B3)과, 금속 박막이 제거된 제2 영역(B2, B4)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 영역(B1, B3)은 상부 정전척(310)의 제1 전극(A1, A3)과 대응되는 영역에 배치될 수 있으며, 제2 영역(B2, B4)은 상부 정전척(310)의 제2 전극(A2, A4)과 대응되는 영역에 배치될 수 있다. 따라서, 상부 정전척(310)의 제1 전극(A1, A3)이 배치된 영역에서 방출되는 전기장(E1, E3)은 차폐되며, 제2 전극(A2, A4)이 배치된 영역에서 방출되는 전기장(E2, E4)는 제1 마스크(320)를 투과하여 방사될 수 있다. 따라서, 제2 전극(A2, A4)이 배치된 영역에서 방출되는 전기장(E2, E4)을 이용하여, 노광 챔버(300) 내부의 하전된 파티클들(charged paticles)에 인력 또는 척력을 인가할 수 있다. 노광 챔버(300)의 내부에는 많은 파티클들이 존재할 수 있으며, 이러한 파티클들 중 일부는 극자외선 광의 광자(photon)에 의한 광전효과, 또는 플라즈마에 의해 특정의 전하로 하전될 수 있다. 이와 같이 하전된 파티클들은 정전기력에 의해 노광 챔버(300) 내부의 구조물 및 부품 표면에 고착되게 된다. 기존에, 노광 챔버(300)의 내부에 기류를 생성하여, 고착된 파티클들을 제거하기 위한 시도가 있었으나, 노광 챔버(300)의 내부는 저압 상태 또는 진공 상태이므로, 기류에 의해 고착된 파티클들을 제거하는 데에는 한계가 있었다. 일 실시예는, 이와 같이 하전된 파티클들에 전자기력을 통해 인력 또는 척력을 인가하여 하전된 파티클들을 제거할 수 있다. 이와 관련하여, 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 극자외선 노광 시스템을 이용하여 하전된 파티클들을 제거하는 과정을 도시한 도면이다.
도 4는 제1 마스크(320)의 제2 영역(B2, B4)을 통해, 제2 전극(A2, A4)이 배치된 영역(A2, A4)에서 방출되는 전기장(E2, E4)이 제1 마스크(320)를 투과하여 방사되는 것을 보여준다. 방출되는 전기장(E2, E4)은 하전된 파티클들의 극성에 따라 파티클들에 인력 또는 척력을 인가할 수 있다. 예를 들어, (-)극성으로 하전된 제1 파티클(PC1)은 (-)극성의 전기장에 의해 척력(F1)을 받게 된다. 또한, (+)극성으로 하전된 제2 파티클(PC2)은 (-)극성의 전기장에 의해 인력(F2)을 받게 된다. 이 결과, 도 5에 된 바와 같이, 제1 파티클(PC1)은 상부 정전척(310)과 이격되는 방향으로 이동하게 되며, 노광 챔버(300)의 바닥면(BF)에 쌓이게 된다. 반면에, 제2 파티클(PC2)은 상부 정전척(310) 방향으로 이동하게 되며, 상부 정전척(310)의 하부에 배치된 제1 마스크(320)에 부착되게 된다. 일 실시예는 제1 마스크(320)의 파티클 포집층(313)에 제2 파티클(PC2)이 부착된 것을 보여준다.
이와 같은 과정을 통해, 노광 챔버(300) 내부에 존재하는 하전된 파티클들은 노광 챔버(300)의 바닥면(BF)에 쌓이게 되거나, 제1 마스크(320)에 부착되게 된다. 따라서, 노광 챔버(300)의 바닥면에 쌓인 파티클들을 제거하거나, 제1 마스크(320)를 상부 정전척(310)에서 언로딩하여 폐기하거나 세척함으로써, 파티클들을 효과적으로 제거할 수 있다. 일 실시예의 경우, 하전된 파티클들의 극성과 동일한 극성의 전기장이 제1 마스크(320)를 투과하게 함으로써 하전된 파티클들을 노광 챔버(300)의 바닥면에 쌓이게 할 수 있다. 또한, 하전된 파티클들의 극성과 다른 극성의 전기장이 제1 마스크(320)를 투과하게 함으로써 제1 마스크(320)에 부착되게 할 수 있다. 따라서, 제1 마스크(320)에 형성된 금속 박막 패턴(322)의 형상에 따라 하전된 파티클들을 선택적으로 처리할 수 있다.
이러한, 제1 마스크(320)의 금속 박막 패턴(322)은 다양하게 변형될 수 있다. 도 6 내지 도 9b는 제1 마스크의 다양한 변형예이다. 제1 마스크 이외의 도면부호는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다.
도 6을 참조하면, 투광성 기판(1321) 상에 배치된 금속 박막 패턴(1322)의 제1 영역(1322-1~1322-4)은 상부 정전척(310)의 제1 및 제2 전극(A1~A4)에 대응되는 영역에 배치될 수 있으며, 제2 영역(C1, C2, C3)은 제1 전극(A1, A3)과 제2 전극(A2, A4)이 접하는 영역에 소정의 폭으로 배치될 수 있다. 이 경우, 앞서 설명한 일 실시예에 비하여, 금속 박막 패턴(1322-1~1322-4)의 면적이 증가하므로, 제1 마스크(1320)가 상부 정전척(310)에 견고하게 부착되는 장점이 있으나, 일 실시예와 같이 하전 파티클들을 극성에 따라 선택적으로 인력 또는 척력을 가하는 것이 어려울 수 있다.
도 7을 참조하면, 투광성 기판(2321) 상의 금속 박막 패턴(2322-1, 2322-2)은 제1 영역(D1, D3) 및 제2 영역(D2, D4)이 상부 정전척(310)의 제1 및 제2 영역(A1~A4)과 직교하도록 배치될 수 있다. 따라서, 금속 박막 패턴(2322-1, 2322-2)이 상부 정전척(310)의 제1 및 제2 영역(A1~A4)과 모두 접할 수 있다. 이 경우, 제1 마스크(2320)가 상부 정전척(310)에 견고하게 부착되는 장점이 있으나, 일 실시예와 같이 하전 파티클들을 극성에 따라 선택적으로 인력 또는 척력을 가하는 것이 어려울 수 있다.
도 8a를 참조하면, 금속 박막 패턴(3322-1~3322-3)은 임의의 패턴을 가지도록 배치될 수 있다. 금속 박막 패턴(3322-1~3322-3)과 대응되는 영역은 전기장이 차단되므로, 금속 박막 패턴(3322-1~3322-3)의 배치에 따라 하부 영역에 인가 되는 전기장의 분포를 바꿀 수 있는 장점이 있다. 또한, 도 8b를 참조하면, 금속 박막 패턴(3322-1~3322-3)은 투광성 기판(3321)의 내부에 배치될 수도 있다.
도 9a 및 도 9b를 참조하면, 금속 박막 패턴(4322)은 금속 박막(4322)가 배치된 제1 영역(G1)과, 금속박막(4322)이 제거된 제2 영역(B2, B4)을 가질 수 있다. 또한, 제1 영역(G1)과 제2 영역(G2)가 접하는 영역에서 투광성 기판(4321)을 관통하는 관통부(4323)를 가질 수 있다. 관통부(4323)는 일종의 전기적 차폐벽을 제공하여, 제2 영역(G2)을 통해 방사된 전기장이 제1 영역(G1)의 하부로 향하는 것을 방지할 수 있다.
도 10을 참조하여, 일 실시예에 의한 극자외선 노광 시스템을 이용하여 반도체 소자를 제조하는 방법을 설명한다. 도 10은 본 발명의 일 실시예에 의한 극자외선 노광 시스템을 이용하여 반도체 소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 도면부호는 도 1을 참조하여 설명한다.
먼저, 상부 정전척(310)에 제1 마스크(320)를 로딩하고(S10), 전원 공급부(400)를 통해 상부 정전척(310)에 전원을 인가하여, 제1 마스크(320)의 표면에, 노광 챔버(300) 내부의 하전된 파티클들을 흡착할 수 있다(S20).
다음으로, 하전된 파티클들이 흡착된 제1 마스크(320)를 상부 정전척(310)에서 언로딩할 수 있다(S30). 언로딩된 제1 마스크(320)는 폐기되거나 세정과정을 거쳐 재사용될 수 있다.
다음으로, 상부 정전척(310)에 제2 마스크(360)를 로딩 할 수 있다(S40). 제2 마스크(360)는 후속 공정에서 웨이퍼(W)에 도포된 포토레지스트에 패턴을 조사하기 위한 마스크로 사용될 수 있다.
다음으로, 하부 정전척(350)에 웨이퍼(W)를 로딩하고(S50), 웨이퍼(W)에 도포된 포토레지스트에 극자외선 패턴을 조사하고 노광 공정을 수행할 수 있다(S60). 노광 챔버(300)에서 수행되는 노광 공정을 간단히 설명하면, 광원부(330)부터 조사된 극자외선 광은 제2 마스크(360)로 입사되어 반사되고, 투영부(340)를 통해 하부 정전척(350)의 웨이퍼(W)에 조사될 수 있다. 이러한 과정을 통해, 제2 마스크(360)의 패턴이 웨이퍼(W)에 도포된 포토레지스트에 전사될 수 있다.
다음으로, 노광이 완료된 웨이퍼(W)를 언로딩 할 수 있다(S70). 이후에는 노광이 완료된 웨이퍼(W)를 이용하여 반도체 소자를 제조하는 공정이 수행될 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
10: 노광 시스템 100: 로드 락 챔버
200: 웨이퍼 교환 챔버 210: 이송 로봇
300: 노광 챔버 301: 내부 공간
310: 상부 정전척 313: 파티클 포집층
320: 마스크 322: 금속 박막 패턴
330: 조명부 331: 극자외선 광원
332: 제1 미러 340: 투명 시스템
350: 하부 정전척 400: 전원 공급부
500: 제1 도어 600: 제2 도어
W: 웨이퍼

Claims (20)

  1. 내부 공간을 갖는 노광 챔버;
    상기 내부 공간의 상부에 배치되는 상부 정전척(electrostatic chuck) - 상기 상부 정전척은 수평 방향으로 인접하는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 상기 수평 방향은 상기 상부 정전척의 하부면과 평행한 방향이고, 상기 제1 및 제2 전극은 서로 다른 극성의 전기장을 발생시켜 정전기력을 제공함-;
    상기 상부 정전척에 전원을 공급하는 전원 공급부;
    상기 내부 공간에 배치되며 상기 상부 정전척 방향으로 극자외선(extreme ultraviolet) 광을 조사하는 광원부;
    상기 내부 공간의 하부에 배치되는 하부 정전척; 및
    상기 정전기력에 의해 상기 상부 정전척의 상기 하부면에 흡착되며, 상기 전기장을 차폐하는 금속 박막이 배치된 제1 영역과 상기 금속 박막이 제거되어 상기 전기장이 투과되는 제2 영역을 포함하는 금속 박막 패턴을 구비하는 제1 마스크;를 포함하며,
    상기 제2 영역을 통해 투과된 상기 전기장이 상기 노광 챔버 내의 하전된 파티클들(charged paticles)에 인력 또는 척력을 인가하는 극자외선 노광 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하전된 파티클들은 상기 제2 영역을 통해 투과된 전기장에 의해 상기 인력이 인가되어 상기 마스크의 표면에 부착되는 극자외선 노광 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 하전된 파티클들은 상기 전기장에 의해 상기 척력이 인가되어 상기 상부 정전척과 이격되는 방향으로 이동하는 극자외선 노광 시스템.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 전극에 인가되는 전압은, 극성은 상이하며 크기는 동일한 극자외선 노광 시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 영역은 상기 제1 전극과 대응되는 영역에 배치되며,
    상기 제2 영역은 상기 제2 전극과 대응되는 영역에 배치되는 극자외선 노광 시스템.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 영역은 각각 상기 제1 및 제2 전극과 중첩되는 영역을 갖도록 배치되는 극자외선 노광 시스템.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 영역은 상기 제1 및 제2 전극과 대응되는 영역에 각각 배치되며,
    상기 제2 영역은 상기 제1 및 제2 전극이 접하는 영역에 소정의 폭으로 배치되는 극자외선 노광 시스템.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 영역은 복수의 분할된 영역을 포함하며,
    상기 복수의 분할된 영역은 서로 동일한 형상을 갖는 극자외선 노광 시스템.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 마스크는,
    상기 상부 정전척에 흡착되는 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 갖는 투광성 기판; 및
    상기 제2 면에 배치되며 상기 하전된 파티클들이 부착되는 파티클 포집층;을 포함하는 극자외선 노광 시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 파티클 포집층은,
    망상구조를 이루도록 서로 교차하여 배열된 복수의 나노와이어(nanowire) 또는 복수의 나노튜브(nanotube)를 포함하는 다공성 박막으로 이루어진 극자외선 노광 시스템.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 파티클 포집층은 접착물질로 이루어진 극자외선 노광 시스템.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 내부 공간은 5Pa 이하의 압력인 극자외선 노광 시스템.
  13. 노광 챔버;
    상기 노광 챔버의 상부에 배치되며 하부면에 서로 다른 극성의 전기장을 발생시켜 정전기력을 제공하는 제1 전극과 제2 전극이 교대로 배치된 상부 정전척(electrostatic chuck);
    상기 정전기력에 의해 상기 상부 정전척의 상기 하부면에 흡착되며, 상기 상부 정전척의 상기 하부면을 통해 방사되는 전기장을 선택적으로 차폐하는 금속 박막 패턴이 형성된 마스크;를 포함하는 극자외선 노광 시스템.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 마스크는 상기 상부 정전척에 흡착되는 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 갖는 투광성 기판을 포함하며,
    상기 금속 박막 패턴은 상기 제2 면에 배치된 극자외선 노광 시스템.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 마스크는 투광성 기판을 포함하며,
    상기 금속 박막 패턴은 상기 투광성 기판의 내부에 배치된 극자외선 노광 시스템.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 금속 박막 패턴은,
    금속 박막이 배치되어 상기 전기장을 차단하는 제1 영역; 및
    상기 금속 박막이 제거되어 상기 전기장이 투과되는 제2 영역을 갖는 극자외선 노광 시스템.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 마스크는 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 갖는 투광성 기판을 포함하며 상기 제1 및 제2 영역은 상기 제1 면에 배치되고,
    상기 금속 박막 패턴은 상기 제2 영역과 접하는 영역에서 상기 투광성 기판을 관통하여 상기 제1 면에서 상기 제2 면으로 연장된 극자외선 노광 시스템.
  18. 내부 공간을 갖는 노광 챔버;
    상기 내부 공간의 챔버의 상부에 배치되며 하부면에 서로 다른 극성의 전기장을 발생시켜 정전기력을 제공하는 제1 전극과 제2 전극이 교대로 배치된 상부 정전척(electrostatic chuck);
    상기 내부 공간의 하부에 배치된 하부 정전척;
    상기 정전기력에 의해 상기 상부 정전척의 상기 하부면에 흡착되며, 상기 상부 정전척의 상기 하부면을 통해 방사되는 전기장을 선택적으로 차폐하는 금속 박막 패턴이 형성된 제1 마스크; 및
    상기 정전기력에 의해 상기 상부 정전척의 상기 하부면에 흡착되며, 상기 상부 정전척의 상기 하부면을 통해 방사되는 전기장을 차폐하는 금속 박막이 형성된 제2 마스크;를 포함하며,
    상기 제1 마스크는 표면에 상기 노광 챔버 내의 하전된 파티클들(charged paticles)이 부착되며 -상기 하전된 파티클들은 상기 제1 마스크에서 선택적으로 투과된 전기장에 의해 인력이 인가되어 상기 제1 마스크의 상기 표면에 부착됨-,
    상기 제2 마스크는 상기 제1 마스크가 상기 상부 정전척에서 언로딩 된 후, 상기 상부 정전척에 로딩되는 노광 시스템.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제2 마스크가 상기 상부 정전척에 로딩된 후,
    상기 하부 정전척에 포토레지스트가 코팅된 반도체 기판을 로딩하는 노광 시스템.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 하부 정전척에 포토레지스트가 코팅된 반도체 기판을 로딩한 후,
    상기 제2 마스크에서 반사된 극자외선 광의 패턴을 상기 포토레지스트에 조사하는 노광 시스템.
KR1020190136669A 2019-10-30 2019-10-30 극자외선 노광 시스템 KR20210052707A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190136669A KR20210052707A (ko) 2019-10-30 2019-10-30 극자외선 노광 시스템
US16/880,090 US11016400B1 (en) 2019-10-30 2020-05-21 Extreme ultraviolet exposure system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190136669A KR20210052707A (ko) 2019-10-30 2019-10-30 극자외선 노광 시스템

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210052707A true KR20210052707A (ko) 2021-05-11

Family

ID=75687504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190136669A KR20210052707A (ko) 2019-10-30 2019-10-30 극자외선 노광 시스템

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11016400B1 (ko)
KR (1) KR20210052707A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11681234B2 (en) * 2021-05-27 2023-06-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mask for attracting charged particles and method for using the same

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5254760A (en) 1975-10-31 1977-05-04 Hitachi Ltd Process for manufacturing heat insulation foam material for refrigerator
US7551265B2 (en) 2004-10-01 2009-06-23 Nikon Corporation Contact material and system for ultra-clean applications
US7367138B2 (en) 2005-10-11 2008-05-06 Nikon Corporation Devices and methods for thermophoretic and electrophoretic reduction of particulate contamination of lithographic reticles
JP2008041993A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック
JP2009070982A (ja) 2007-09-12 2009-04-02 Nikon Corp 飛散粒子除去装置、飛散粒子の低減方法、光源装置、照明光学装置、露光装置及び電子デバイスの製造方法
JP2009129935A (ja) 2007-11-20 2009-06-11 Canon Inc 露光装置
NL1036769A1 (nl) 2008-04-23 2009-10-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, cleaning system and method for cleaning a patterning device.
US8730644B2 (en) * 2008-07-08 2014-05-20 Creative Technology Corporation Bipolar electrostatic chuck
JP5304097B2 (ja) 2008-08-18 2013-10-02 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスク、把持装置及び露光装置
JP2014057013A (ja) * 2012-09-14 2014-03-27 Covalent Materials Corp 静電チャック
US20140253887A1 (en) 2013-03-07 2014-09-11 Applied Materials, Inc. Contamination prevention for photomask in extreme ultraviolet lithography application
US10459353B2 (en) 2013-03-15 2019-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography system with an embedded cleaning module
WO2015013142A1 (en) * 2013-07-22 2015-01-29 Applied Materials, Inc. An electrostatic chuck for high temperature process applications
US10031411B2 (en) 2014-11-26 2018-07-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pellicle for EUV mask and fabrication thereof
KR102612028B1 (ko) 2016-12-12 2023-12-07 삼성전자주식회사 리소그래피 장치
KR20200088543A (ko) * 2019-01-14 2020-07-23 삼성전자주식회사 포토 마스크, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US11016400B1 (en) 2021-05-25
US20210132515A1 (en) 2021-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6642531B1 (en) Contamination control on lithography components
JP3696163B2 (ja) リソグラフィ投影装置、素子製造方法、およびそれによって製造される素子
JP5535194B2 (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法、クリーニングシステム、およびパターニングデバイスをクリーニングする方法
JP4065200B2 (ja) インサイチュリソグラフィマスククリーニング
US11287754B2 (en) Mask blank for lithography and method of manufacturing the same
US20140253887A1 (en) Contamination prevention for photomask in extreme ultraviolet lithography application
US11333984B2 (en) Apparatus for and method of in-situ particle removal in a lithography apparatus
TW200426525A (en) Lithographic apparatus with debris suppression means and device manufacturing method
TW200527156A (en) Lithographic apparatus with contamination suppression, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2006352134A (ja) Ｅｕｖマスクおよびその製造方法
JP2009246046A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
KR20210052707A (ko) 극자외선 노광 시스템
JP4319642B2 (ja) デバイス製造方法
CN104049469A (zh) 具有嵌入式清洗模块的光刻***
KR20090103847A (ko) 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20200013567A (ko) 극자외선(euv) 노광에 사용되는 마스크 및 극자외선 노광방법
US6449332B1 (en) Exposure apparatus, and device manufacturing method
US20220197131A1 (en) Mask and Reticle Protection with Atomic Layer Deposition (ALD)
JP2007329288A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
CN110824853B (zh) 遮罩及其制造方法和使用方法
JP2004172272A (ja) Ｅｕｖ露光装置及びｅｕｖ露光方法
JP2005244016A (ja) 露光装置、露光方法、及び微細パターンを有するデバイスの製造方法
TW202324495A (zh) 微影方法
JP2006210529A (ja) 投影露光装置及び光学装置
JP2004311746A (ja) 露光装置及び露光方法